JP2011204007A - Apparatus, method and program for designing semiconductor integrated circuit - Google Patents

Apparatus, method and program for designing semiconductor integrated circuit Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To design a semiconductor integrated circuit that meets standards, while reducing the burden on a designer.SOLUTION: A method for designing a semiconductor integrated circuit includes a generation process for generating a bias check definition matching a circuit simulator used, by referring to a format file storing the format of the bias check definition of each circuit simulator, a device rated value information file storing the rated value information of each device, and a model file storing the terminal information of each device model; a verification process for verifying whether or not there is any device violating standards, by inputting the net list including the bias check definition to the circuit simulator; and an extraction process for, when a device violating the standards exists, extracting alternative candidates for the device from among devices included in the device rated value information file.

Description

本発明は、半導体集積回路設計装置、半導体集積回路設計方法及びプログラムに関し、特に、回路シミュレータを用いて定格を満たす半導体集積回路を設計するための半導体集積回路設計方法及びプログラムに関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit design apparatus, a semiconductor integrated circuit design method, and a program, and more particularly to a semiconductor integrated circuit design method and program for designing a semiconductor integrated circuit that satisfies a rating using a circuit simulator.

回路設計においては、多様なテクノロジノードが用いられ、単一のテクノロジノードにも多数のデバイスが含まれる。したがって、各デバイスの定格値(例えば定格電圧、定格電流等)を把握することが困難となってきている。   In circuit design, various technology nodes are used, and a single technology node includes many devices. Therefore, it has become difficult to grasp the rated value (for example, rated voltage, rated current, etc.) of each device.

例えば、回路図を作成する際に、高圧の回路ブロックの回路図中において、定格外の低圧デバイスを使用してしまうおそれがある。このような誤りは、回路設計の段階で防ぐ必要がある。   For example, when creating a circuit diagram, a low-voltage device that is not rated may be used in the circuit diagram of a high-voltage circuit block. Such an error needs to be prevented at the circuit design stage.

上記のような誤りを防ぐ方法として、市販の回路シミュレータの回路チェック機能(以下「BiasCheck」という)を使用する方法がある。BiasCheckを使用するためには、使用デバイスの定格電圧・電流を調べて、適用する回路シミュレータの仕様に合わせた所定の定義(以下「BiasCheck定義」という)をネットリストに記述する必要がある。   As a method of preventing such an error, there is a method of using a circuit check function (hereinafter referred to as “BiasCheck”) of a commercially available circuit simulator. In order to use BiasCheck, it is necessary to check the rated voltage and current of the device used and to describe a predetermined definition (hereinafter referred to as “BiasCheck definition”) in accordance with the specifications of the circuit simulator to be applied in the netlist.

市販の回路シミュレータは、ネットリスト中にBiasCheck定義を付加することで、各モデルの定格電圧・電流を超えた場合にレポートを出力する機能を有する。設計者は、回路中で使用しているデバイスを検出し、使用する回路シミュレータの書式に従って、BiasCheck定義を記述することにより、BiashCheckを利用している。   A commercially available circuit simulator has a function of outputting a report when the rated voltage / current of each model is exceeded by adding a BiasCheck definition to the netlist. The designer detects the device used in the circuit and uses the BiasCheck by describing the BiasCheck definition according to the format of the circuit simulator to be used.

図16は、従来の半導体集積回路設計方法を示すフローチャートである。図16を参照すると、まず、回路図を生成し(ステップS101)、SPICEネットリストF101として保存する。   FIG. 16 is a flowchart showing a conventional semiconductor integrated circuit design method. Referring to FIG. 16, first, a circuit diagram is generated (step S101) and stored as a SPICE netlist F101.

次に、設計者は、SPICEネットリストF101、デバイス定格値情報ファイルF102、各シミュレータのマニュアルF103、及び、各SUBCKTモデルの端子情報ファイルF104を参照しつつ、手作業でSPICEネットリストF101を編集し(ステップS102)、BiasCheck定義込みSPICEネットリストF105を作成する。   Next, the designer manually edits the SPICE netlist F101 while referring to the SPICE netlist F101, the device rated value information file F102, the manual F103 of each simulator, and the terminal information file F104 of each SUBCKT model. (Step S102), a SPICE netlist F105 including a BiasCheck definition is created.

作成したBiasCheck定義込みSPICEネットリストF105を、回路シミュレータの入力として、回路シミュレーションを行い(ステップS103)、BiasCheck結果F106が得られる。   A circuit simulation is performed using the created BiasCheck-defined SPICE netlist F105 as an input to the circuit simulator (step S103), and a BiasCheck result F106 is obtained.

従来の半導体集積回路設計方法によると、BiasCheck結果を得るためには、個々の設計者は、SPICEネットリストF101を参照して、回路で使用しているデバイスを回路図又はネットリストから検出し、デバイス定格値情報ファイルF102を参照して、各デバイスの定格電圧・電流の値を調査し、各シミュレータのマニュアルF103を参照して、回路シミュレータ毎のBiasCheck定義の文法を把握して記述する必要がある。さらに、近年では、寄生を考慮したSUBCKT(サブサーキット)形式のモデルが一般に使用されていることから、設計者は、各SUBCKTモデルの端子情報ファイルF104を参照して、通常デバイスと書式が異なるSUBCKT文の端子名を調べて指定する作業も行なう必要がある。   According to the conventional semiconductor integrated circuit design method, in order to obtain a BiasCheck result, each designer refers to the SPICE netlist F101, detects a device used in the circuit from the circuit diagram or the netlist, It is necessary to check the rated voltage / current value of each device by referring to the device rated value information file F102, and to understand and describe the syntax of the BiasCheck definition for each circuit simulator by referring to the manual F103 of each simulator. is there. Further, in recent years, a SUBCKT (subcircuit) type model that takes parasitics into account is generally used, and therefore the designer refers to the terminal information file F104 of each SUBCKT model, and SUBCKT has a format different from that of a normal device. It is also necessary to check and specify the terminal name of the sentence.

図17は、従来の回路シミュレータのBiasCheck定義を例示する図である。図17には、回路シミュレータA及び回路シミュレータBに対するBiasCheck定義が示されている。   FIG. 17 is a diagram illustrating a BiasCheck definition of a conventional circuit simulator. FIG. 17 shows the BiasCheck definition for the circuit simulator A and the circuit simulator B.

図17に示した回路シミュレータAに対するBiasCheck定義を参照すると、BiasCheck定義には、SUBCKT形式のデバイスを識別するための識別子「subckt=“device name”」と、端子情報を表す「diff=“V(pin1)−V(pin2)”」と、これらの端子間における定格値を表す「max=“xx” min=“xx”」とが含まれる。同様に、図17に示した回路シミュレータBに対するBiasCheck定義を参照すると、BiasCheck定義には、デバイスを識別するための識別子「model=“device name”」と、端子情報を表す「term1=“pin1” term2=“pin2”」と、これらの端子間における定格値を表す「max=“xx” min=“xx”」とが含まれる。図17に示すように、BiasCheck定義の書式は、一般に、ベンダーごとに、また、シミュレータごとに異なっている。   Referring to the BiasCheck definition for the circuit simulator A shown in FIG. 17, the BiasCheck definition includes an identifier “subckt =“ device name ”” for identifying a device in the SUBCKT format, and “diff =“ V ( pin1) −V (pin2) ″ ”and“ max = “xx” min = “xx” ”” representing the rated value between these terminals. Similarly, referring to the BiasCheck definition for the circuit simulator B shown in FIG. 17, the BiasCheck definition includes an identifier “model =“ device name ”” for identifying a device and “term1 =“ pin1 ”representing terminal information. “term2 =“ pin2 ”” and “max =“ xx ”min =“ xx ”” representing the rated value between these terminals are included. As shown in FIG. 17, the format of the BiasCheck definition is generally different for each vendor and for each simulator.

なお、特許文献1において、素子の定格情報を含む定格値情報ファイルと、シミュレーション結果を格納するシミュレーション結果ファイルとを参照して、定格違反の有無を判定する装置が記載されている。   Patent Document 1 describes an apparatus for determining the presence or absence of a rating violation with reference to a rating value information file including rating information of elements and a simulation result file storing simulation results.

特開平09−091320号公報JP 09-093120 A

以下の分析は、本発明者によってなされたものである。   The following analysis was made by the present inventors.

市販の回路シミュレータのBiasCheck機能は、定格外で使用しているデバイスを検出するのみであることから、設計者は、定格値違反の解決策について、自ら検討する必要がある。   Since the BiasCheck function of a commercially available circuit simulator only detects a device that is used outside the rating, the designer needs to examine a solution for violation of the rated value by himself / herself.

特許文献1に記載された装置も、定格違反のデバイスの有無を判定するのみであり、定格違反を解消するための対策が設計者に示されない。したがって、設計者は、BiasCheck結果と共に回路図を見直して、使用デバイスの選択に間違いがあったか否かを確認する必要があり、多くの手間と時間を要する。   The apparatus described in Patent Document 1 also only determines the presence / absence of a device that violates the rating, and does not show the designer how to resolve the rating violation. Therefore, it is necessary for the designer to review the circuit diagram together with the BiasCheck result to check whether there is an error in the selection of the device to be used, which requires a lot of labor and time.

また、従来の半導体集積回路設計方法によると、BiasCheck定義(図17参照)を記述するために、多くの時間と労力が費やされ、設定漏れや設定ミスが生じるおそれもある。   In addition, according to the conventional semiconductor integrated circuit design method, much time and labor are consumed to describe the BiasCheck definition (see FIG. 17), and there is a risk of setting omission or setting error.

そこで、設計者の負担を軽減しつつ、定格を満たす半導体集積回路を設計できるようにすることが課題となる。本発明の目的は、かかる課題を解決する半導体集積回路設計装置、半導体集積回路設計方法及びプログラムを提供することにある。   Therefore, it becomes an issue to be able to design a semiconductor integrated circuit that satisfies the rating while reducing the burden on the designer. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit design apparatus, a semiconductor integrated circuit design method, and a program for solving such a problem.

本発明の第1の視点に係る半導体集積回路設計装置は、
各回路シミュレータのバイアスチェック定義の書式を格納したフォーマットファイルと、各デバイスの定格値情報を格納したデバイス定格値情報ファイルと、各デバイスのモデルの端子情報を格納したモデルファイルを参照し、使用する回路シミュレータに応じたバイアスチェック定義を生成するバイアスチェック定義生成部と、
前記バイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証するバイアスチェック部と、
定格違反となるデバイスが存在する場合には、該デバイスに対する代替候補を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれるデバイスの中から抽出する代替デバイス抽出部と、を備えている。
A semiconductor integrated circuit design apparatus according to a first aspect of the present invention includes:
Refer to and use the format file that stores the bias check definition format for each circuit simulator, the device rating information file that stores the rating information for each device, and the model file that stores the pin information for each device model. A bias check definition generation unit that generates a bias check definition according to the circuit simulator;
A bias check unit that inputs a netlist including the bias check definition into a circuit simulator and verifies the presence or absence of a device that violates the rating;
An alternative device extraction unit that extracts an alternative candidate for the device from the devices included in the device rating value information file when a device that violates the rating exists;

本発明の第2の視点に係る半導体集積回路設計方法は、
コンピュータが、各回路シミュレータのバイアスチェック定義の書式を格納したフォーマットファイルと、各デバイスの定格値情報を格納したデバイス定格値情報ファイルと、各デバイスのモデルの端子情報を格納したモデルファイルを参照し、使用する回路シミュレータに応じたバイアスチェック定義を生成する生成工程と、
前記バイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証する検証工程と、
定格違反となるデバイスが存在する場合には、該デバイスに対する代替候補を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれるデバイスの中から抽出する抽出工程と、を含む。
A semiconductor integrated circuit design method according to a second aspect of the present invention includes:
The computer references the format file that stores the bias check definition format for each circuit simulator, the device rating information file that stores the rating information for each device, and the model file that stores the pin information for each device model. A generation process for generating a bias check definition according to the circuit simulator to be used;
A netlist including the bias check definition is input to a circuit simulator, and a verification process for verifying the presence or absence of a device that violates the rating;
An extraction step of extracting an alternative candidate for the device from the devices included in the device rating value information file when there is a device that violates the rating.

本発明の第3の視点に係るプログラムは、
各回路シミュレータのバイアスチェック定義の書式を格納したフォーマットファイルと、各デバイスの定格値情報を格納したデバイス定格値情報ファイルと、各デバイスのモデルの端子情報を格納したモデルファイルを参照し、使用する回路シミュレータに応じたバイアスチェック定義を生成する生成処理と、
前記バイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証する検証処理と、
定格違反となるデバイスが存在する場合には、該デバイスに対する代替候補を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれるデバイスの中から抽出する抽出処理と、をコンピュータに実行させる。
The program according to the third aspect of the present invention is:
Refer to and use the format file that stores the bias check definition format for each circuit simulator, the device rating information file that stores the rating information for each device, and the model file that stores the pin information for each device model. Generation processing to generate bias check definition according to the circuit simulator,
A verification process for inputting a netlist including the bias check definition into a circuit simulator and verifying the presence or absence of a device that violates the rating;
When there is a device that violates the rating, the computer is caused to execute an extraction process for extracting an alternative candidate for the device from the devices included in the device rating value information file.

本発明に係る半導体集積回路設計装置、半導体集積回路設計方法及びプログラムによると、設計者の負担を軽減しつつ、定格を満たす半導体集積回路を設計することができる。   According to the semiconductor integrated circuit design apparatus, semiconductor integrated circuit design method, and program according to the present invention, it is possible to design a semiconductor integrated circuit that satisfies the rating while reducing the burden on the designer.

本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路設計方法を実現する装置の構成を概略的に示すブロック図である。1 is a block diagram schematically showing a configuration of an apparatus for realizing a semiconductor integrated circuit design method according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路設計方法を示すフローチャートである。2 is a flowchart showing a semiconductor integrated circuit design method according to the first embodiment of the present invention. BiasCheck定義ファイル作成用のGUI(Graphic User Interface)を一例として示す図である。It is a figure which shows GUI (Graphic User Interface) for BiasCheck definition file creation as an example. フォーマットファイルを一例として示す図である。It is a figure which shows a format file as an example. フォーマットファイル内で使用するキーワードを一例として示す図である。It is a figure which shows the keyword used in a format file as an example. SPICEモデルファイルを一例として示す図である。It is a figure which shows a SPICE model file as an example. SPICEモデルファイルの端子情報を読み取った後のBiasCheck定義ファイルを一例として示す図である。It is a figure which shows the BiasCheck definition file after reading the terminal information of a SPICE model file as an example. デバイス定格値情報ファイルを一例として示す図である。It is a figure which shows a device rating value information file as an example. デバイス定格値情報ファイルの定格情報を読み取った後のBiasCheck定義ファイルを一例として示す図である。It is a figure which shows the BiasCheck definition file after reading the rating information of a device rating value information file as an example. BiasCheck定義を一例として示す図である。It is a figure which shows a BiasCheck definition as an example. BiasCheck結果を一例として示す図である。It is a figure which shows a BiasCheck result as an example. デバイス定格値情報ファイルを一例として示す図である。It is a figure which shows a device rating value information file as an example. 変更前後のBiasCheck定義を一例として示す図である。It is a figure which shows the BiasCheck definition before and behind as an example. 定格違反ありの場合における表示を一例として示す図である。It is a figure which shows the display in the case of rating violation as an example. 本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路設計装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit design apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 従来の半導体集積回路設計方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the conventional semiconductor integrated circuit design method. 従来の回路シミュレータのBiasCheck定義を例示する図である。It is a figure which illustrates the BiasCheck definition of the conventional circuit simulator.

本発明の第1の展開形態によると、上記第1の視点に係る半導体集積回路設計装置が提供される。   According to a first development form of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit design apparatus according to the first aspect.

本発明の第2の展開形態によると、前記バイアスチェック定義は、デバイスの識別子と、該デバイスの端子情報と、該デバイスの定格値情報とを含む、半導体集積回路設計装置が提供される。   According to a second development of the present invention, there is provided the semiconductor integrated circuit design apparatus, wherein the bias check definition includes a device identifier, terminal information of the device, and rated value information of the device.

本発明の第3の展開形態によると、前記バイアスチェック定義生成部は、前記フォーマットファイルに含まれる使用する回路シミュレータに対するバイアスチェック定義の書式における端子情報を、前記モデルファイルに含まれる各デバイスに対する端子情報によって置き換えるとともに、該書式に含まれる定格値情報を、前記定格値情報ファイルに含まれる各デバイスに対する定格値情報によって置き換える、半導体集積回路設計装置が提供される。   According to the third development form of the present invention, the bias check definition generation unit outputs the terminal information in the format of the bias check definition for the circuit simulator to be used included in the format file to the terminal for each device included in the model file. Provided is a semiconductor integrated circuit design apparatus that replaces the rated value information included in the format with the rated value information for each device included in the rated value information file, while replacing the rated value information included in the format.

本発明の第4の展開形態によると、前記代替デバイス抽出部は、前記バイアスチェック定義における第1のデバイスに対する定格値情報を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれる第2のデバイスに対する定格値情報によって置き換え、置き換え後のバイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証し、定格違反が解消された場合には、該第2のデバイスを該第1のデバイスに対する代替候補として抽出する、半導体集積回路設計装置が提供される。   According to the fourth development mode of the present invention, the alternative device extraction unit converts the rating value information for the first device in the bias check definition into the rating value information for the second device included in the device rating value information file. The netlist including the bias check definition after replacement is input to the circuit simulator, the presence or absence of a device that violates the rating is verified, and if the rating violation is resolved, the second device is There is provided a semiconductor integrated circuit design apparatus that extracts an alternative candidate for one device.

本発明の第5の展開形態によると、前記モデルはSPICEモデルであり、前記モデルファイルはSPICEモデルファイルである、半導体集積回路設計装置が提供される。   According to a fifth development of the present invention, there is provided the semiconductor integrated circuit design apparatus, wherein the model is a SPICE model and the model file is a SPICE model file.

本発明の第6の展開形態によると、前記モデルは、SUBCKT形式のSPICEモデルであり、前記モデルファイルはSUBCKT形式のSPICEモデルファイルである、半導体集積回路設計装置が提供される。   According to a sixth development of the present invention, there is provided the semiconductor integrated circuit design apparatus, wherein the model is a SPICE model in a SUBCKT format, and the model file is a SPICE model file in a SUBCKT format.

本発明の第7の展開形態によると、前記デバイスは、MOSデバイス又はCAPデバイスであり、前記定格情報は、該MOSデバイス又は該CAPデバイスの2端子間に印加される電圧の定格値を含む、半導体集積回路設計装置が提供される。   According to a seventh development of the present invention, the device is a MOS device or a CAP device, and the rating information includes a rated value of a voltage applied between two terminals of the MOS device or the CAP device. A semiconductor integrated circuit design apparatus is provided.

本発明の第8の展開形態によると、上記第2の視点に係る半導体集積回路設計方法が提供される。   According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit design method according to the second aspect.

本発明の第9の展開形態によると、前記バイアスチェック定義は、デバイスの識別子と、該デバイスの端子情報と、該デバイスの定格値情報とを含む、半導体集積回路設計方法が提供される。   According to a ninth development of the present invention, there is provided the semiconductor integrated circuit design method, wherein the bias check definition includes a device identifier, terminal information of the device, and rated value information of the device.

本発明の第10の展開形態によると、前記生成工程において、前記フォーマットファイルに含まれる使用する回路シミュレータに対するバイアスチェック定義の書式における端子情報を、前記モデルファイルに含まれる各デバイスに対する端子情報によって置き換えるとともに、該書式に含まれる定格値情報を、前記定格値情報ファイルに含まれる各デバイスに対する定格値情報によって置き換える、半導体集積回路設計方法が提供される。   According to the tenth development form of the present invention, in the generation step, the terminal information in the format of the bias check definition for the circuit simulator to be used included in the format file is replaced with the terminal information for each device included in the model file. In addition, a semiconductor integrated circuit design method is provided in which the rating value information included in the format is replaced with the rating value information for each device included in the rating value information file.

本発明の第11の展開形態によると、前記抽出工程において、前記バイアスチェック定義における第1のデバイスに対する定格値情報を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれる第2のデバイスに対する定格値情報によって置き換え、置き換え後のバイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証し、定格違反が解消された場合には、該第2のデバイスを該第1のデバイスに対する代替候補として抽出する、半導体集積回路設計方法が提供される。   According to the eleventh development mode of the present invention, in the extraction step, the rating value information for the first device in the bias check definition is replaced with rating value information for the second device included in the device rating value information file. Then, a net list including the bias check definition after replacement is input to the circuit simulator to verify whether there is a device that violates the rating, and when the rating violation is resolved, the second device is set to the first device. A method for designing a semiconductor integrated circuit, which is extracted as an alternative candidate for a device, is provided.

本発明の第12の展開形態によると、上記第3の視点に係るプログラムが提供される。   According to a twelfth development form of the present invention, a program according to the third aspect is provided.

本発明の第13の展開形態によると、前記バイアスチェック定義は、デバイスの識別子と、該デバイスの端子情報と、該デバイスの定格値情報とを含む、プログラムが提供される。   According to a thirteenth development of the present invention, there is provided a program in which the bias check definition includes a device identifier, terminal information of the device, and rated value information of the device.

本発明の第14の展開形態によると、前記生成処理において、前記フォーマットファイルに含まれる使用する回路シミュレータに対するバイアスチェック定義の書式における端子情報を、前記モデルファイルに含まれる各デバイスに対する端子情報によって置き換えるとともに、該書式に含まれる定格値情報を、前記定格値情報ファイルに含まれる各デバイスに対する定格値情報によって置き換える、プログラムが提供される。   According to the fourteenth development form of the present invention, in the generation process, the terminal information in the format of the bias check definition for the circuit simulator to be used included in the format file is replaced with the terminal information for each device included in the model file. In addition, a program is provided that replaces the rating value information included in the format with rating value information for each device included in the rating value information file.

本発明の第15の展開形態によると、前記抽出処理において、前記バイアスチェック定義における第1のデバイスに対する定格値情報を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれる第2のデバイスに対する定格値情報によって置き換え、置き換え後のバイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証し、定格違反が解消された場合には、該第2のデバイスを該第1のデバイスに対する代替候補として抽出する、プログラムが提供される。   According to the fifteenth development mode of the present invention, in the extraction process, the rating value information for the first device in the bias check definition is replaced with the rating value information for the second device included in the device rating value information file. Then, a net list including the bias check definition after replacement is input to the circuit simulator to verify whether there is a device that violates the rating, and when the rating violation is resolved, the second device is set to the first device. A program is provided that is extracted as an alternative candidate for a device.

本発明の半導体集積回路設計装置、半導体集積回路設計方法及びプログラムによると、BiasCheck定義が自動生成され、設計者が手作業でBiasCheck定義を作成する手間を省くことができる。また、本発明の半導体集積回路設計方法及びプログラムによると、回路シミュレータのBiasChechにより、定格違反が検出された場合には、設計者にその解決策が提示される。したがって、本発明の半導体集積回路設計装置、半導体集積回路設計方法及びプログラムによると、設計者の負担を軽減しつつ、定格を満たす半導体集積回路を設計することができる。   According to the semiconductor integrated circuit design apparatus, the semiconductor integrated circuit design method, and the program of the present invention, the BiasCheck definition is automatically generated, and it is possible to save the designer from manually creating the BiasCheck definition. Further, according to the semiconductor integrated circuit design method and program of the present invention, when a rating violation is detected by the circuit simulator BiasCheck, a solution is presented to the designer. Therefore, according to the semiconductor integrated circuit design apparatus, semiconductor integrated circuit design method, and program of the present invention, it is possible to design a semiconductor integrated circuit that satisfies the rating while reducing the burden on the designer.

(実施形態1)
本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路設計方法について、図面を参照して説明する。
(Embodiment 1)
A semiconductor integrated circuit design method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本実施形態に係る半導体集積回路設計方法を実現する装置の構成を概略的に示すブロック図である。   FIG. 1 is a block diagram schematically showing the configuration of an apparatus for realizing the semiconductor integrated circuit design method according to the present embodiment.

図1を参照すると、この装置は、演算処理部1、表示部2、9、10、操作部3、及び、記録媒体4〜8を有する。   Referring to FIG. 1, the apparatus includes an arithmetic processing unit 1, display units 2, 9, 10, an operation unit 3, and recording media 4 to 8.

表示部2は、BiasCheck定義ファイルを作成するためのGUI(Graphic User Interface)を提供する。操作部3は、使用する回路シミュレータの指定と、入出力する記録媒体の指定を行なう。   The display unit 2 provides a GUI (Graphical User Interface) for creating a BiasCheck definition file. The operation unit 3 specifies a circuit simulator to be used and a recording medium to be input / output.

記録媒体4は、市販の回路シミュレータの書式情報を格納する。記録媒体5は、各デバイスの電圧・電流値定格情報を格納する。記録媒体6は、SPICEモデルのSUBCKT名とその端子情報を格納する。記録媒体7は、回路で使用しているデバイス情報を含む。   The recording medium 4 stores format information of a commercially available circuit simulator. The recording medium 5 stores voltage / current value rating information of each device. The recording medium 6 stores the SUBCKT name of the SPICE model and its terminal information. The recording medium 7 includes device information used in the circuit.

表示部2と操作部3により、記録媒体4〜7を演算処理部1に入力し、操作部3で指定した回路シミュレータに応じたBiasCheck定義ファイル8を生成するとともに、記録媒体5と記録媒体7を比較して、回路で使用しているデバイスの定義もれがないかを確認した結果を表示部9に表示する。また、市販回路シミュレータによるデバイス定格チェック結果に違反が検出された場合には、デバイスの置き換え候補を表示部10に表示する。   The display unit 2 and the operation unit 3 input the recording media 4 to 7 to the arithmetic processing unit 1 to generate the BiasCheck definition file 8 corresponding to the circuit simulator designated by the operation unit 3, and the recording medium 5 and the recording medium 7. Are displayed on the display unit 9 to confirm that there is no definition of the device used in the circuit. Further, when a violation is detected in the device rating check result by the commercially available circuit simulator, a device replacement candidate is displayed on the display unit 10.

図2は、本実施形態に係る半導体集積回路設計方法のフローチャートである。   FIG. 2 is a flowchart of the semiconductor integrated circuit design method according to the present embodiment.

図2を参照すると、まず、回路図を作成する(ステップS1)。次に、BiasCheck定義ファイル作成用のGUIを介して設計者が行なった入力に基づいて、BiasCheck定義を含むSPICEネットリストF5を自動生成する(ステップS2)。設計者は、GUIを介して、使用する回路シミュレータ、フォーマットファイルF1、SPICEモデルファイルF2、デバイス定格値情報ファイルF3を指定する。   Referring to FIG. 2, first, a circuit diagram is created (step S1). Next, the SPICE netlist F5 including the BiasCheck definition is automatically generated based on the input made by the designer via the GUI for creating the BiasCheck definition file (step S2). The designer designates a circuit simulator to be used, a format file F1, a SPICE model file F2, and a device rating value information file F3 via the GUI.

図3は、BiasCheck定義ファイル作成用のGUIを一例として示す図である。   FIG. 3 is a diagram illustrating a GUI for creating a BiasCheck definition file as an example.

図3において、「Simulator Name」欄には、使用する回路シミュレータ名(例えば、Simulator−A、Simulator−B、Simulator−C)を指定する。「Format File」欄には、後述のフォーマットファイルF1を指定する。「Device Check File」欄には、後述のデバイス定格値情報ファイルF3を指定する。「SPICE Model File」欄には、後述のSPICEモデルファイルF2を指定する。   In FIG. 3, a circuit simulator name to be used (for example, Simulator-A, Simulator-B, Simulator-C) is designated in the “Simulator Name” column. In the “Format File” column, a format file F1 described later is designated. In the “Device Check File” column, a device rating value information file F3 described later is designated. In the “SPICE Model File” column, a SPICE model file F2 to be described later is designated.

図4は、フォーマットファイルF1を一例として示す図である。   FIG. 4 is a diagram illustrating the format file F1 as an example.

図4を参照すると、一例として、フォーマットファイルF1は、回路シミュレータSimulator−A、Simulator−B及びSimulator−CにおけるBiasCheck定義の書式を含む。図4に示したフォーマットファイルF1では、予め決められたキーワードを使用することで、各回路シミュレータの定義書式に対応可能とすることが好ましい。   Referring to FIG. 4, as an example, the format file F1 includes a format of a BiasCheck definition in the circuit simulators Simulator-A, Simulator-B, and Simulator-C. In the format file F1 shown in FIG. 4, it is preferable to be able to support the definition format of each circuit simulator by using a predetermined keyword.

図5は、図4に示したフォーマットファイルF1において使用するキーワードを、一例として示す図である。図5においては、回路シミュレーションに用いられる素子の例として、MOSデバイス及びCAPデバイスに対するキーワードが例示されている。   FIG. 5 shows an example of keywords used in the format file F1 shown in FIG. In FIG. 5, keywords for MOS devices and CAP devices are illustrated as examples of elements used for circuit simulation.

図5におけるVDSMAX及びVDSMINは、それぞれ、MOSデバイスのドレイン・ソース端子間における最大定格電圧(VdsMax)及び最小定格電圧(VdsMin)を表し、VGDMAX及びGDSMINは、それぞれ、MOSデバイスのゲート・ドレイン端子間における最大定格電圧(VgdMax)及び最小定格電圧(VgdMin)を表す。また、VMAX及びVMINは、それぞれ、CAPデバイスの両端における最大定格電圧(VMax)及び最小定格電圧(VMin)を表す。さらに、TERMD及びTERMSは、それぞれ、MOSデバイスのドレイン(Drain)端子名及びソース(Source)端子名を表す。   VDSMAX and VDSMIN in FIG. 5 represent the maximum rated voltage (VdsMax) and the minimum rated voltage (VdsMin), respectively, between the drain and source terminals of the MOS device, and VGDMAX and GDMIN are between the gate and drain terminals of the MOS device, respectively. Represents the maximum rated voltage (VgdMax) and the minimum rated voltage (VgdMin). VMAX and VMIN represent the maximum rated voltage (VMax) and the minimum rated voltage (VMin) at both ends of the CAP device, respectively. Further, TERMD and TERMS represent a drain terminal name and a source terminal name of the MOS device, respectively.

なお、回路シミュレーションにおいて定格値が設定されるデバイスはこれらのデバイスに限られるわけではない。すなわち、フォーマットファイルF1は、MOSデバイス及びCAPデバイス(Capacitor、容量素子)に対するキーワードMOS、CAP以外に、抵抗素子(Resistor)、ダイオード(Diode)、バイポーラトランジスタ(Bipolar Transistor)、インダクタ(Inductor)に対するキーワードとして、RESISTOR、DIODE、BIPOLAR、INDUCTORを含むようにしてもよい。   Note that devices for which rated values are set in circuit simulation are not limited to these devices. That is, the format file F1 is a keyword for a resistance element (Resistor), a diode (Diode), a bipolar transistor (Bipolar Transistor), and an inductor (Inductor) in addition to keywords MOS and CAP for MOS devices and CAP devices (Capacitors). As described above, a RESISTOR, DIODE, BIPOLAR, and INDUCTOR may be included.

図6は、SPICEモデルファイルF2を一例として示す図である。   FIG. 6 is a diagram illustrating the SPICE model file F2 as an example.

図6は、SUBCKT形式のSPICEモデルファイルF2を一例として示す。図6を参照すると、MOSデバイスNMOS1ドレイン端子、ゲート端子、ソース端子、バックゲート端子に対する端子情報が、「DD GG SS BB」のように表されている。SPICEモデルファイルF2の「.SUBCKT」文から端子情報を読み取り、BiasCheck定義の端子名指定箇所(例えば、図4の「TERMD」、「TERMS」)に指定する。   FIG. 6 shows a SPICE model file F2 in the SUBCKT format as an example. Referring to FIG. 6, terminal information for the MOS device NMOS1 drain terminal, gate terminal, source terminal, and back gate terminal is represented as “DD GG SS BB”. The terminal information is read from the “.SUBCKT” statement in the SPICE model file F2 and specified in the terminal name designation location (for example, “TERMD”, “TERMS” in FIG. 4) of the BiasCheck definition.

下記のBiasCheck定義例では、図6に示したSPICEモデルファイルF2のSUBCKT名「NMOS1」に対応する端子名「DD」と端子名「SS」を自動的に読み取って定義する。   In the following BiasCheck definition example, the terminal name “DD” and the terminal name “SS” corresponding to the SUBCKT name “NMOS1” in the SPICE model file F2 shown in FIG. 6 are automatically read and defined.

図7は、SPICEモデルファイルF2の端子情報を読み取った後のBiasCheck定義ファイルを一例として示す図である。   FIG. 7 is a diagram illustrating, as an example, a BiasCheck definition file after the terminal information of the SPICE model file F2 is read.

図8は、デバイス定格値情報F3を一例として示す図である。図8を参照すると、デバイス定格値情報は、デバイスの種類に応じて記載する。例えば、MOSデバイスに対しては、VdsMax,VdsMin,VgdMax,VgdMin,VgsMax,VgsMin,VgbMax,VgbMin,VbdMax,VbdMin,VbsMax,VbsMinの順に記載するようにしてもよい。また、CAPデバイスに対しては、VMax,VMinの順に記載するようにしてもよい。図8を参照すると、MOSデバイスNMOS1の任意の2端子間の最大定格電圧は1.0、最小定格電圧は−1.0であり、MOSデバイスNMOS2の任意の2端子間の最大定格電圧は3.0、最小定格電圧は−3.0であり、CAPデバイスCAP1の2端子間の最大定格電圧は1.0、最小定格電圧は−1.0であり、CAPデバイスCAP2の2端子間の最大定格電圧は3.0、最小定格電圧は−3.0である。ここで、電圧の単位は、例えばボルト(Volt)である。   FIG. 8 is a diagram illustrating device rating value information F3 as an example. Referring to FIG. 8, device rating information is described according to the type of device. For example, for MOS devices, VdsMax, VdsMin, VgdMax, VgdMin, VgsMax, VgsMin, VgbMax, VgbMin, VbdMax, VbdMin, VbsMax, and VbsMin may be described in this order. Further, for CAP devices, they may be described in the order of VMax and VMin. Referring to FIG. 8, the maximum rated voltage between any two terminals of the MOS device NMOS1 is 1.0, the minimum rated voltage is −1.0, and the maximum rated voltage between any two terminals of the MOS device NMOS2 is 3. 0.0, the minimum rated voltage is -3.0, the maximum rated voltage between the two terminals of the CAP device CAP1 is 1.0, the minimum rated voltage is -1.0, and the maximum between the two terminals of the CAP device CAP2 The rated voltage is 3.0 and the minimum rated voltage is -3.0. Here, the unit of voltage is, for example, volt.

以下のBiasCheck定義例では、図8に示したデバイス定格値情報ファイルF3のデバイス名に対応するVdsMax,VdsMinを参照して、max値、min値を定義する。   In the following BiasCheck definition example, the max value and the min value are defined with reference to VdsMax and VdsMin corresponding to the device name in the device rating information file F3 shown in FIG.

図9は、デバイス定格値情報ファイルF3の定格値情報を読み取った後のBiasCheck定義ファイルを一例として示す図である。   FIG. 9 is a diagram illustrating, as an example, a BiasCheck definition file after reading the rating value information of the device rating value information file F3.

図10は、Simulator−A及びSimulator−Bに対するBiasCheck定義を一例として示す図である。   FIG. 10 is a diagram illustrating a BiasCheck definition for Simulator-A and Simulator-B as an example.

図4に示したフォーマットファイルF1の書式に従って、各回路シミュレータに応じたBiasCheck定義文を自動的に生成することができる。   According to the format of the format file F1 shown in FIG. 4, a BiasCheck definition statement corresponding to each circuit simulator can be automatically generated.

以上のようにして、BiasCheck定義が生成されると(ステップS2)、図2に示すように、BiasCheck定義込みSPICEネットリストF5が生成される。   When the BiasCheck definition is generated as described above (step S2), a SPICE netlist F5 including BiasCheck definition is generated as shown in FIG.

本実施形態の半導体集積回路設計方法によると、BiasCheck定義が自動生成されることから、設計者が手作業でBiasCheck定義を作成する手間を省くことができる。   According to the semiconductor integrated circuit design method of the present embodiment, since the BiasCheck definition is automatically generated, it is possible to save the designer from manually creating the BiasCheck definition.

図2を参照すると、BiasCheck定義込みSPICEネットリストF5を入力として、回路シミュレータで回路シミュレーションを行い(ステップS3)、BiasCheck結果F6が得られる。   Referring to FIG. 2, a circuit simulation is performed with a circuit simulator using the BiasCheck definition-containing SPICE netlist F5 as an input (step S3), and a BiasCheck result F6 is obtained.

以下では、デバイス置換候補検出(ステップS6)、BiasCheck定義更新(ステップS8)、結果の表示(ステップS9)の各工程について詳細に説明する。   Below, each process of a device replacement candidate detection (step S6), BiasCheck definition update (step S8), and a result display (step S9) is demonstrated in detail.

まず、BiasCheck結果F6から定格違反デバイスの有無を判定する(ステップS5)。定格違反デバイスが存在する場合には(ステップS5のYes)、定格違反デバイスの情報を取得する。   First, the presence or absence of a rating violation device is determined from the BiasCheck result F6 (step S5). If there is a rating violation device (Yes in step S5), information on the rating violation device is acquired.

図11は、BiasCheck結果F6を一例として示す図である。図11を参照すると、BiasCheck結果F6には、定格違反デバイスとして、NMOS1と、CAP1が存在している(図2のステップS5のYes)。図11によると、MOSデバイスNMOS1のドレイン−ソース間の電圧が、最大定格電圧1.0を超えている。また、CAPデバイスCAP1の両端間の電圧が、最大定格電圧1.0を超えている。   FIG. 11 is a diagram illustrating the BiasCheck result F6 as an example. Referring to FIG. 11, in the BiasCheck result F6, NMOS1 and CAP1 exist as rating violation devices (Yes in step S5 in FIG. 2). According to FIG. 11, the voltage between the drain and source of the MOS device NMOS1 exceeds the maximum rated voltage 1.0. Further, the voltage across the CAP device CAP1 exceeds the maximum rated voltage 1.0.

図12は、デバイス定格値情報ファイルF3を一例として示す図である。図12を参照すると、MOSデバイスNMOS1の任意の2端子間の最大定格電圧は1.0、最小定格電圧は−1.0であり、MOSデバイスNMOS2の任意の2端子間の最大定格電圧は3.0、最小定格電圧は−3.0であり、MOSデバイスNMOS3の任意の2端子間の最大定格電圧は5.0、最小定格電圧は−5.0であり、CAPデバイスCAP1の2端子間の最大定格電圧は1.0、最小定格電圧は−1.0であり、CAPデバイスCAP2の2端子間の最大定格電圧は3.0、最小定格電圧は−3.0である。   FIG. 12 is a diagram illustrating a device rating value information file F3 as an example. Referring to FIG. 12, the maximum rated voltage between any two terminals of the MOS device NMOS1 is 1.0, the minimum rated voltage is −1.0, and the maximum rated voltage between any two terminals of the MOS device NMOS2 is 3. 0.0, the minimum rated voltage is -3.0, the maximum rated voltage between any two terminals of the MOS device NMOS3 is 5.0, the minimum rated voltage is -5.0, and between the two terminals of the CAP device CAP1 The maximum rated voltage is 1.0, the minimum rated voltage is -1.0, the maximum rated voltage between the two terminals of the CAP device CAP2 is 3.0, and the minimum rated voltage is -3.0.

次に、デバイス定格値情報ファイルF3からデバイス置換の暫定候補を抽出する(図2のステップS6)。具体的には、定格違反値より大きい定格値のデバイスを、デバイス定格値情報ファイルF3から検出する。   Next, a provisional candidate for device replacement is extracted from the device rated value information file F3 (step S6 in FIG. 2). Specifically, a device having a rating value larger than the rating violation value is detected from the device rating value information file F3.

図11のBiasCheck結果F6では、デバイス名「NMOS1」のドレイン−ソース間の電圧Vdsが、最大定格電圧VdsMaxの値1.0を超えていることから、ドレイン−ソース間の電圧の最大定格値VdsMaxが3.0及び5.0のデバイス「NMOS2」と「NMOS3」がデバイス置換の暫定候補となる(図2のステップS7のYes)。同様に、デバイス名「CAP1」のデバイス置換の暫定候補は、「CAP2」となる(図2のステップS7のYes)。   In the BiasCheck result F6 of FIG. 11, since the drain-source voltage Vds of the device name “NMOS1” exceeds the maximum rated voltage VdsMax value 1.0, the drain-source voltage maximum rated value VdsMax. The devices “NMOS2” and “NMOS3” having 3.0 and 5.0 are provisional candidates for device replacement (Yes in step S7 in FIG. 2). Similarly, the provisional candidate for device replacement of the device name “CAP1” is “CAP2” (Yes in step S7 in FIG. 2).

次に、デバイス置換の暫定候補によると、定格違反が解消されるか否かを確認する。上記のデバイス置換の暫定候補の定格値情報に基づいて、SPICEネットリストのBiasCheck定義箇所を更新する(ステップS8)。   Next, according to the provisional candidate for device replacement, it is confirmed whether or not the rating violation is resolved. Based on the rated value information of the provisional candidate for device replacement, the BiasCheck definition part of the SPICE netlist is updated (step S8).

図13は、更新前後のBiasCheck定義を一例として示す図である。「NMOS1」及び「CAP1」を、デバイス置換の暫定候補「NMOS2」及び「CAP2」に置き換える場合には、BiasCheck定義を図13のように置き換える(ステップS8)。   FIG. 13 is a diagram illustrating an example of the BiasCheck definition before and after the update. When replacing “NMOS1” and “CAP1” with provisional candidates for device replacement “NMOS2” and “CAP2”, the BiasCheck definition is replaced as shown in FIG. 13 (step S8).

更新後のBiasCheck定義ファイルを用いて、再度、回路シミュレータのBiasCheckを実行する(ステップS3)。   Using the updated BiasCheck definition file, the BiasCheck of the circuit simulator is executed again (step S3).

BiasCheck結果において定格違反が存在し(ステップS5のYes)、かつ、デバイス置換の暫定候補が存在する場合には(ステップS7のYes)、ステップS3及びステップS5〜S8の処理を繰り返す。   If there is a rating violation in the BiasCheck result (Yes in step S5) and there is a provisional candidate for device replacement (Yes in step S7), the processes in steps S3 and S5 to S8 are repeated.

BiasCheck結果において定格違反が無くなるか(ステップS5のNo)、又は、デバイス置換の暫定候補が存在しない場合には(ステップS7のNo)、定格違反結果・デバイス置換候補を表示する(ステップS9)。   If there is no rating violation in the BiasCheck result (No in step S5), or if there is no device replacement provisional candidate (No in step S7), the rating violation result / device replacement candidate is displayed (step S9).

ステップS3で得られたBiasCheck結果F6から、定格違反の有無とデバイス置換の候補を、次のように表示する(ステップS9)。   From the BiasCheck result F6 obtained in step S3, the presence / absence of a rating violation and device replacement candidates are displayed as follows (step S9).

すなわち、定格違反が最初から存在しない場合には、違反箇所がない旨を表示する。一方、定格違反が存在するものの、デバイス置換候補により定格違反が解消しうる場合には、デバイス置換候補を表示する。さらに、定格違反が存在し、デバイス置換の暫定候補が存在しない場合には、デバイス置換候補がない旨を表示する。   That is, if there is no rating violation from the beginning, it is displayed that there is no violation. On the other hand, if there is a rating violation but the rating violation can be resolved by the device replacement candidate, the device replacement candidate is displayed. Further, when there is a rating violation and there is no provisional device replacement candidate, it is displayed that there is no device replacement candidate.

図14は、定格違反が存在する場合における表示を一例として示す図である。図14を参照すると、各違反箇所Inst1〜Inst4に対する置換候補のデバイスが表示されている。また、違反箇所Inst5に対する置換候補は存在しない旨が表示されている。   FIG. 14 is a diagram illustrating an example of display in the case where a rating violation exists. Referring to FIG. 14, replacement candidate devices for each violation location Inst1 to Inst4 are displayed. Further, it is displayed that there is no replacement candidate for the violation location Inst5.

本実施形態の半導体集積回路設計方法によると、回路シミュレータのBiasChechにより、定格値違反が検出された場合には、設計者にその解決策が提示される。すなわち、デバイス定格値情報ファイルに含まれるデバイスの中から、定格値違反となったデバイスに対する代替のデバイスが自動的に抽出される。   According to the semiconductor integrated circuit design method of the present embodiment, if a violation of the rated value is detected by the bias simulator of the circuit simulator, a solution is presented to the designer. That is, a substitute device for a device that has violated the rating value is automatically extracted from the devices included in the device rating value information file.

以上より、本実施形態の半導体集積回路設計方法によると、BiasCheck定義が自動生成され、設計者が手作業でBiasCheck定義を作成する手間を省くことができ、回路シミュレータのBiasChechによって定格違反が検出された場合には、設計者にその解決策が提示される。したがって、本実施形態の半導体集積回路設計方法によると、設計者の負担を軽減しつつ、定格を満たす半導体集積回路を設計することができる。   As described above, according to the semiconductor integrated circuit design method of the present embodiment, the BiasCheck definition is automatically generated, and it is possible to save the designer from manually creating the BiasCheck definition, and the rating violation is detected by the BiasCheck of the circuit simulator. If so, the solution is presented to the designer. Therefore, according to the semiconductor integrated circuit design method of the present embodiment, a semiconductor integrated circuit that satisfies the rating can be designed while reducing the burden on the designer.

(実施形態2)
本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路設計装置について、図面を参照して説明する。図15は、本実施形態の半導体集積回路設計装置20の構成を示すブロック図である。
(Embodiment 2)
A semiconductor integrated circuit design apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of the semiconductor integrated circuit design apparatus 20 of the present embodiment.

図15を参照すると、半導体集積回路設計装置20は、バイアスチェック定義生成部21と、バイアスチェック部22と、代替デバイス抽出部23と、記憶部25とを有する。   Referring to FIG. 15, the semiconductor integrated circuit design device 20 includes a bias check definition generation unit 21, a bias check unit 22, an alternative device extraction unit 23, and a storage unit 25.

記憶部25は、各回路シミュレータのバイアスチェック定義の書式を格納したフォーマットファイルF1(図4)と、各デバイスの定格値情報を格納したデバイス定格値情報ファイルF3(図8)と、各デバイスのモデルの端子情報を格納したSPICEモデルファイルF2(図2)とを格納している。バイアスチェック定義は、例えば、デバイスの識別子と、デバイスの端子情報と、デバイスの定格値情報とを含む(図10参照)。   The storage unit 25 includes a format file F1 (FIG. 4) storing a bias check definition format of each circuit simulator, a device rating value information file F3 (FIG. 8) storing rating value information of each device, A SPICE model file F2 (FIG. 2) storing model terminal information is stored. The bias check definition includes, for example, a device identifier, device terminal information, and device rating information (see FIG. 10).

バイアスチェック定義生成部21は、フォーマットファイルF1と、デバイス定格値情報ファイルF3と、SPICEモデルファイルF2を参照し、使用する回路シミュレータに応じたバイアスチェック定義を生成する。バイアスチェック定義生成部21は、フォーマットファイルF1に含まれる使用する回路シミュレータに対するバイアスチェック定義の書式における端子情報を、SPICEモデルファイルF2に含まれる各デバイスに対する端子情報によって置き換えるとともに、当該書式に含まれる定格値情報を、定格値情報ファイルF3に含まれる各デバイスに対する定格値情報によって置き換えるようにしてもよい。   The bias check definition generation unit 21 refers to the format file F1, the device rating value information file F3, and the SPICE model file F2, and generates a bias check definition corresponding to the circuit simulator to be used. The bias check definition generation unit 21 replaces the terminal information in the format of the bias check definition for the circuit simulator to be used included in the format file F1 with the terminal information for each device included in the SPICE model file F2, and is included in the format. The rating value information may be replaced with rating value information for each device included in the rating value information file F3.

バイアスチェック部22は、バイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証する。   The bias check unit 22 inputs a net list including a bias check definition to the circuit simulator, and verifies the presence / absence of a device that violates the rating.

代替デバイス抽出部23は、定格違反となるデバイスが存在する場合には、当該デバイスに対する代替候補を、デバイス定格値情報ファイルF3(図8)に含まれるデバイスの中から抽出する。代替デバイス抽出部23は、バイアスチェック定義における第1のデバイスに対する定格値情報を、デバイス定格値情報ファイルに含まれる第2のデバイスに対する定格値情報によって置き換え、置き換え後のバイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証する。定格違反が解消された場合には、代替デバイス抽出部23は、第2のデバイスを第1のデバイスに対する代替候補として抽出するようにしてもよい。   When there is a device that violates the rating, the replacement device extraction unit 23 extracts a replacement candidate for the device from the devices included in the device rating value information file F3 (FIG. 8). The alternative device extraction unit 23 replaces the rated value information for the first device in the bias check definition with the rated value information for the second device included in the device rated value information file, and includes a net list including the bias check definition after the replacement. Is input to the circuit simulator to verify the existence of a device that violates the rating. When the rating violation is resolved, the alternative device extraction unit 23 may extract the second device as an alternative candidate for the first device.

本実施形態の半導体集積回路設計装置20によると、BiasCheck定義が自動生成され、設計者が手作業でBiasCheck定義を作成する手間を省くことができ、回路シミュレータのBiasChechによって定格違反が検出された場合には、設計者にその解決策が提示される。したがって、本実施形態の半導体集積回路設計装置20によると、設計者の負担を軽減しつつ、定格を満たす半導体集積回路を設計することができる。   According to the semiconductor integrated circuit design device 20 of the present embodiment, the BiasCheck definition is automatically generated, and it is possible to save the designer from manually creating the BiasCheck definition, and when the rating violation is detected by the BiasCheck of the circuit simulator The solution is presented to the designer. Therefore, according to the semiconductor integrated circuit design device 20 of the present embodiment, it is possible to design a semiconductor integrated circuit that satisfies the rating while reducing the burden on the designer.

なお、上記の特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。   It should be noted that the disclosures of the above patent documents are incorporated herein by reference. Within the scope of the entire disclosure (including claims) of the present invention, the embodiment can be changed and adjusted based on the basic technical concept. Various combinations and selections of various disclosed elements are possible within the scope of the claims of the present invention. That is, the present invention of course includes various variations and modifications that could be made by those skilled in the art according to the entire disclosure including the claims and the technical idea.

1 演算処理部
2 表示部
3 操作部
4〜8 記録媒体
9、10 表示部
20 半導体集積回路設計装置
21 バイアスチェック定義生成部
22 バイアスチェック部
23 代替デバイス抽出部
25 記憶部
F1 フォーマットファイル
F2 SPICEモデルファイル
F3、F102 デバイス定格値情報ファイル
F5、F105 BiasCheck定義込みSPICEネットリスト
F6、F106 BiasCheck結果
F101 SPICEネットリスト
F103 シミュレータのマニュアル
F104 SUBCKTモデルの端子情報ファイル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Arithmetic processing part 2 Display part 3 Operation part 4-8 Recording medium 9, 10 Display part 20 Semiconductor integrated circuit design apparatus 21 Bias check definition production | generation part 22 Bias check part 23 Alternative device extraction part 25 Storage part F1 Format file F2 SPICE model Files F3, F102 Device rating information file F5, F105 BiasCheck definition SPICE netlist F6, F106 BiasCheck result F101 SPICE netlist F103 Simulator manual F104 SUBCKT model terminal information file

Claims (15)

各回路シミュレータのバイアスチェック定義の書式を格納したフォーマットファイルと、各デバイスの定格値情報を格納したデバイス定格値情報ファイルと、各デバイスのモデルの端子情報を格納したモデルファイルを参照し、使用する回路シミュレータに応じたバイアスチェック定義を生成するバイアスチェック定義生成部と、
前記バイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証するバイアスチェック部と、
定格違反となるデバイスが存在する場合には、該デバイスに対する代替候補を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれるデバイスの中から抽出する代替デバイス抽出部と、を備えていることを特徴とする半導体集積回路設計装置。
Refer to and use the format file that stores the bias check definition format for each circuit simulator, the device rating information file that stores the rating information for each device, and the model file that stores the pin information for each device model. A bias check definition generation unit that generates a bias check definition according to the circuit simulator;
A bias check unit that inputs a netlist including the bias check definition into a circuit simulator and verifies the presence or absence of a device that violates the rating;
A semiconductor device, comprising: a replacement device extracting unit that extracts a replacement candidate for the device from devices included in the device rating value information file when a device that violates the rating exists; Integrated circuit design equipment.
前記バイアスチェック定義は、デバイスの識別子と、該デバイスの端子情報と、該デバイスの定格値情報とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体集積回路設計装置。   2. The semiconductor integrated circuit design apparatus according to claim 1, wherein the bias check definition includes a device identifier, terminal information of the device, and rated value information of the device. 前記バイアスチェック定義生成部は、前記フォーマットファイルに含まれる使用する回路シミュレータに対するバイアスチェック定義の書式における端子情報を、前記モデルファイルに含まれる各デバイスに対する端子情報によって置き換えるとともに、該書式に含まれる定格値情報を、前記定格値情報ファイルに含まれる各デバイスに対する定格値情報によって置き換えることを特徴とする、請求項2に記載の半導体集積回路設計装置。   The bias check definition generation unit replaces the terminal information in the format of the bias check definition for the circuit simulator to be used included in the format file with the terminal information for each device included in the model file, and the rating included in the format 3. The semiconductor integrated circuit design apparatus according to claim 2, wherein the value information is replaced with rating value information for each device included in the rating value information file. 前記代替デバイス抽出部は、前記バイアスチェック定義における第1のデバイスに対する定格値情報を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれる第2のデバイスに対する定格値情報によって置き換え、置き換え後のバイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証し、定格違反が解消された場合には、該第2のデバイスを該第1のデバイスに対する代替候補として抽出することを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体集積回路設計装置。   The alternative device extraction unit replaces the rated value information for the first device in the bias check definition with the rated value information for the second device included in the device rated value information file, and includes the bias check definition after replacement. The netlist is input to the circuit simulator, the presence / absence of a device that violates the rating is verified, and when the rating violation is resolved, the second device is extracted as an alternative candidate for the first device. The semiconductor integrated circuit design apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is a semiconductor integrated circuit design apparatus. 前記モデルはSPICEモデルであり、前記モデルファイルはSPICEモデルファイルであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体集積回路設計装置。   5. The semiconductor integrated circuit design device according to claim 1, wherein the model is a SPICE model, and the model file is a SPICE model file. 6. 前記モデルは、SUBCKT形式のSPICEモデルであり、前記モデルファイルはSUBCKT形式のSPICEモデルファイルであることを特徴とする、請求項5に記載の半導体集積回路設計装置。   6. The semiconductor integrated circuit design apparatus according to claim 5, wherein the model is a SPICE model in a SUBCKT format, and the model file is a SPICE model file in a SUBCKT format. 前記デバイスは、MOSデバイス又はCAPデバイスであり、前記定格情報は、該MOSデバイス又は該CAPデバイスの2端子間に印加される電圧の定格値を含むことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体集積回路設計装置。   7. The device according to claim 1, wherein the device is a MOS device or a CAP device, and the rating information includes a rated value of a voltage applied between two terminals of the MOS device or the CAP device. The semiconductor integrated circuit design apparatus according to any one of the above. コンピュータが、各回路シミュレータのバイアスチェック定義の書式を格納したフォーマットファイルと、各デバイスの定格値情報を格納したデバイス定格値情報ファイルと、各デバイスのモデルの端子情報を格納したモデルファイルを参照し、使用する回路シミュレータに応じたバイアスチェック定義を生成する生成工程と、
前記バイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証する検証工程と、
定格違反となるデバイスが存在する場合には、該デバイスに対する代替候補を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれるデバイスの中から抽出する抽出工程と、を含むことを特徴とする半導体集積回路設計方法。
The computer references the format file that stores the bias check definition format for each circuit simulator, the device rating information file that stores the rating information for each device, and the model file that stores the pin information for each device model. A generation process for generating a bias check definition according to the circuit simulator to be used;
A netlist including the bias check definition is input to a circuit simulator, and a verification process for verifying the presence or absence of a device that violates the rating;
A method of designing a semiconductor integrated circuit, comprising: extracting an alternative candidate for the device from the devices included in the device rating value information file when there is a device that violates the rating .
前記バイアスチェック定義は、デバイスの識別子と、該デバイスの端子情報と、該デバイスの定格値情報とを含むことを特徴とする、請求項8に記載の半導体集積回路設計方法。   9. The semiconductor integrated circuit design method according to claim 8, wherein the bias check definition includes a device identifier, terminal information of the device, and rating value information of the device. 前記生成工程において、前記フォーマットファイルに含まれる使用する回路シミュレータに対するバイアスチェック定義の書式における端子情報を、前記モデルファイルに含まれる各デバイスに対する端子情報によって置き換えるとともに、該書式に含まれる定格値情報を、前記定格値情報ファイルに含まれる各デバイスに対する定格値情報によって置き換えることを特徴とする、請求項9に記載の半導体集積回路設計方法。   In the generation step, the terminal information in the format of the bias check definition for the circuit simulator to be used included in the format file is replaced with the terminal information for each device included in the model file, and the rating value information included in the format is replaced. 10. The method of designing a semiconductor integrated circuit according to claim 9, wherein replacement is performed by rating value information for each device included in the rating value information file. 前記抽出工程において、前記バイアスチェック定義における第1のデバイスに対する定格値情報を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれる第2のデバイスに対する定格値情報によって置き換え、置き換え後のバイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証し、定格違反が解消された場合には、該第2のデバイスを該第1のデバイスに対する代替候補として抽出することを特徴とする、請求項8乃至10のいずれか1項に記載の半導体集積回路設計方法。   In the extraction step, the rated value information for the first device in the bias check definition is replaced with the rated value information for the second device included in the device rated value information file, and a netlist including the replaced bias check definition Is input to a circuit simulator, the presence or absence of a device that violates the rating is verified, and when the rating violation is resolved, the second device is extracted as an alternative candidate for the first device. The method of designing a semiconductor integrated circuit according to claim 8. 各回路シミュレータのバイアスチェック定義の書式を格納したフォーマットファイルと、各デバイスの定格値情報を格納したデバイス定格値情報ファイルと、各デバイスのモデルの端子情報を格納したモデルファイルを参照し、使用する回路シミュレータに応じたバイアスチェック定義を生成する生成処理と、
前記バイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証する検証処理と、
定格違反となるデバイスが存在する場合には、該デバイスに対する代替候補を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれるデバイスの中から抽出する抽出処理と、をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
Refer to and use the format file that stores the bias check definition format for each circuit simulator, the device rating information file that stores the rating information for each device, and the model file that stores the pin information for each device model. Generation processing to generate bias check definition according to the circuit simulator,
A verification process for inputting a netlist including the bias check definition into a circuit simulator and verifying the presence or absence of a device that violates the rating;
A program that causes a computer to execute an extraction process for extracting alternative candidates for a device from the devices included in the device rating value information file when a device that violates the rating exists.
前記バイアスチェック定義は、デバイスの識別子と、該デバイスの端子情報と、該デバイスの定格値情報とを含むことを特徴とする、請求項12に記載のプログラム。   The program according to claim 12, wherein the bias check definition includes a device identifier, terminal information of the device, and rated value information of the device. 前記生成処理において、前記フォーマットファイルに含まれる使用する回路シミュレータに対するバイアスチェック定義の書式における端子情報を、前記モデルファイルに含まれる各デバイスに対する端子情報によって置き換えるとともに、該書式に含まれる定格値情報を、前記定格値情報ファイルに含まれる各デバイスに対する定格値情報によって置き換えることを特徴とする、請求項13に記載のプログラム。   In the generation process, the terminal information in the format of the bias check definition for the circuit simulator to be used included in the format file is replaced with the terminal information for each device included in the model file, and the rating value information included in the format is replaced. The program according to claim 13, wherein the program is replaced with rating value information for each device included in the rating value information file. 前記抽出処理において、前記バイアスチェック定義における第1のデバイスに対する定格値情報を、前記デバイス定格値情報ファイルに含まれる第2のデバイスに対する定格値情報によって置き換え、置き換え後のバイアスチェック定義を含むネットリストを回路シミュレータに入力して、定格違反となるデバイスの有無を検証し、定格違反が解消された場合には、該第2のデバイスを該第1のデバイスに対する代替候補として抽出することを特徴とする、請求項12乃至14のいずれか1項に記載のプログラム。   In the extraction process, the rated value information for the first device in the bias check definition is replaced with the rated value information for the second device included in the device rated value information file, and a netlist including the bias check definition after replacement Is input to a circuit simulator, the presence or absence of a device that violates the rating is verified, and when the rating violation is resolved, the second device is extracted as an alternative candidate for the first device. The program according to any one of claims 12 to 14.
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