JP2011198998A - Cooling device for heating element - Google Patents

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Kazuhiro Hayakawa
和宏 早川
Takashi Hirota
崇 広田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cooling device for a heating element preventing deterioration of a sealing member and effectively preventing leakage of refrigerant.SOLUTION: The cooling device includes: a first radiator 4 having a principal plane on which the heating element 2 is arranged and another principal plane formed with a heat radiation part 41 and a first engagement part 43 surrounding a periphery of the heat radiation part 41; a second radiator 5 having a second engagement part 53 engaged with the first engagement part 43 and a receiving part 51 receiving the heat radiation part 41 by engaging the first engagement part 43 with the second engagement part 53 to be combined with the first radiator 4 thereby forming a refrigerant flow path; and an annular elastic body 7 made of metal interposed between the first engagement part 43 and the second engagement part 53, wherein the annular elastic body 7 is arranged on the opposite side from the receiving part 51 and arranged in a region outside a forming region of the heating element 2 so as to contact the second engagement part 53.

Description

本発明は、発熱素子の冷却装置に関するものである。   The present invention relates to a cooling device for a heating element.

従来より、発熱素子を冷却する冷却装置として、一対の放熱体を各放熱体に備えられた嵌合部で組み合わせてなるものが知られている。このような発熱素子の冷却装置として、発熱素子と冷却装置との間の熱抵抗を低減するために、冷却装置を構成する一対の放熱体のうち一方の放熱体を摺動可能に形成するとともに、該放熱体を発熱素子側に押圧するためのコイル状のばねを設けた発熱素子の冷却装置が開示されている(特許文献1)。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a cooling device for cooling a heat generating element, a device in which a pair of radiators is combined with a fitting portion provided in each radiator is known. As a cooling device for such a heating element, in order to reduce the thermal resistance between the heating element and the cooling device, one of the pair of radiators constituting the cooling device is slidably formed. In addition, a cooling device for a heating element provided with a coil-shaped spring for pressing the heat radiating body toward the heating element is disclosed (Patent Document 1).

特開2006−19477号公報JP 2006-19477 A

しかしながら、従来技術では、コイル状のばねを用いているため、コイル状のばねが押圧する放熱体の一部のみに応力が集中してしまい、このような応力集中の影響により、一対の放熱体の嵌合部分をシールするシール部材が劣化してしまい、これにより、冷媒流路から冷媒が漏出してしまう場合があった。   However, in the prior art, since the coiled spring is used, the stress is concentrated only on a part of the heat radiating body pressed by the coiled spring. As a result, the sealing member that seals the fitting portion deteriorates, and the refrigerant sometimes leaks from the refrigerant flow path.

本発明が解決しようとする課題は、シール部材の劣化を抑制し、冷媒の漏出を有効に防止できる発熱素子の冷却装置を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a cooling device for a heat generating element capable of suppressing deterioration of a seal member and effectively preventing leakage of a refrigerant.

本発明は、放熱部および該放熱部の周囲を囲む第1嵌合部を有する第1放熱体と、第1嵌合部に嵌合される第2嵌合部、および放熱部を受容して冷媒流路を形成する受容部を有する第2放熱体と、を備える発熱素子の冷却装置において、環状弾性体を、受容部側と逆側の位置であって、発熱素子の形成領域よりも外側の領域において第2嵌合部と接触するような位置に配置することにより、上記課題を解決する。   The present invention receives a first heat dissipating member having a heat dissipating part and a first fitting part surrounding the heat dissipating part, a second fitting part fitted to the first fitting part, and a heat dissipating part. And a second heat dissipating device having a receiving portion that forms a refrigerant flow path, wherein the annular elastic body is positioned opposite to the receiving portion side and outside the heat generating element forming region. The above-described problem is solved by disposing at a position in contact with the second fitting portion in the region.

本発明によれば、環状弾性体を、受容部側と逆側の位置であって、発熱素子の形成領域よりも外側の領域において第2嵌合部と接触するような位置に配置することで、第1嵌合部および第2嵌合部に加えられる応力を分散させることができ、これにより、シール部材の劣化を抑制することができ、その結果、冷媒の漏出を有効に防止することができる。   According to the present invention, the annular elastic body is disposed at a position on the opposite side to the receiving portion side and in contact with the second fitting portion in a region outside the heat generating element forming region. The stress applied to the first fitting portion and the second fitting portion can be dispersed, whereby the deterioration of the seal member can be suppressed, and as a result, leakage of the refrigerant can be effectively prevented. it can.

本実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る第1放熱体を示す底面図である。It is a bottom view which shows the 1st heat radiator which concerns on this embodiment. 図2に示す第1放熱体の正面図である。It is a front view of the 1st heat radiator shown in FIG. 図2に示す第1放熱体の側面図である。It is a side view of the 1st heat radiator shown in FIG. 図1のV部分における要部拡大図である。It is a principal part enlarged view in the V section of FIG. 本実施形態に係る皿ばねの斜視図である。It is a perspective view of the disc spring concerning this embodiment. 第1嵌合部および第2嵌合部に加わる力を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the force added to a 1st fitting part and a 2nd fitting part. 第2実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

≪第1実施形態≫
本実施形態に係る半導体装置は、スイッチング素子やダイオードなどの半導体素子と、半導体素子を冷却するための冷却器とからなるものである。このような半導体装置は、スイッチング素子の導通/非導通を制御することにより、直流電源からの直流電流を三相交流電流に変換することが可能となっており、例えば、ハイブリッド車や燃料電池車等の電動車両用駆動モーターへ電力を供給するインバータ装置に用いることができる。
<< First Embodiment >>
The semiconductor device according to this embodiment includes a semiconductor element such as a switching element or a diode and a cooler for cooling the semiconductor element. Such a semiconductor device can convert a direct current from a direct current power source into a three-phase alternating current by controlling conduction / non-conduction of a switching element. For example, a hybrid vehicle or a fuel cell vehicle It can use for the inverter apparatus which supplies electric power to the drive motor for electric vehicles, such as.

図1は第1実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、半導体素子2と、冷却器3,8(第1冷却器3および第2冷却器8)とから構成されており、半導体素子2を2つの冷却器3,8で挟み込むことにより、半導体素子2を両面から冷却する両面冷却構造が採られている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, a semiconductor device 1 according to the present embodiment includes a semiconductor element 2 and coolers 3 and 8 (first cooler 3 and second cooler 8). Is sandwiched between two coolers 3 and 8 to adopt a double-sided cooling structure for cooling the semiconductor element 2 from both sides.

冷却器3,8による冷却対象物である半導体素子2は、三相インバータブリッジ回路を個別に構成するIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのトランジスタやダイオードからなり、半導体素子2の両主面には、はんだ付けにより形成されたはんだ層を介して、一対の電極が接続されている。また、半導体装置1を構成する半導体素子2は、端子電極に電気的に接続されており、端子電極を介して、電力の入力/出力が可能となっている。なお、半導体素子2は、通電により発熱することから、以下に説明する冷却器3,8により、除熱が行われることとなる。また、半導体素子2は、IGBTなどのトランジスタやダイオードに限定されるものではなく、他の発熱素子であってもよい。   The semiconductor element 2 which is an object to be cooled by the coolers 3 and 8 includes transistors and diodes such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) that individually constitute a three-phase inverter bridge circuit. A pair of electrodes are connected via a solder layer formed by soldering. Further, the semiconductor element 2 constituting the semiconductor device 1 is electrically connected to the terminal electrode, and electric power can be input / output through the terminal electrode. Since the semiconductor element 2 generates heat when energized, heat removal is performed by the coolers 3 and 8 described below. Further, the semiconductor element 2 is not limited to a transistor such as an IGBT or a diode, and may be another heating element.

第1冷却器3および第2冷却器8は、半導体素子2を冷却するための冷却器であり、図1に示すように、第1冷却器3は、半導体素子2の下側に配置されており、第2冷却器8は、半導体素子2の上側に配置されている。   The first cooler 3 and the second cooler 8 are coolers for cooling the semiconductor element 2. As shown in FIG. 1, the first cooler 3 is disposed below the semiconductor element 2. The second cooler 8 is arranged on the upper side of the semiconductor element 2.

第1冷却器3は、図1に示すように、第1放熱体4と第2放熱体5とを、シール部材6および皿ばね7を介して、組み合わせることにより構成されており、第1放熱体4と第2放熱体5とが組み合わさることにより、内部に冷媒が流れるための流路(以下、冷媒流路。)が形成されている。そして、導入パイプ(不図示)から、第1冷却器3内に形成された冷媒流路内に冷媒が連続的に導入され、導入された冷媒が、X方向に沿って、この冷媒流路を流れることにより、半導体素子2により発生した熱を放熱できるようになっている。なお、第1冷却器3内に導入された冷媒は、排出パイプ(不図示)から連続的に排出されることとなる。また、第1冷却器3を構成する第1放熱体4および第2放熱体5は、例えば、熱伝導性の優れたアルミニウムやアルミニウム合金などを原材料として、ダイカストや押出し成型などにより、それぞれ個別に成型されてなるものである。   As shown in FIG. 1, the first cooler 3 is configured by combining the first radiator 4 and the second radiator 5 via a seal member 6 and a disc spring 7. By combining the body 4 and the second heat radiating body 5, a flow path (hereinafter referred to as a refrigerant flow path) through which the refrigerant flows is formed. Then, the refrigerant is continuously introduced from the introduction pipe (not shown) into the refrigerant flow path formed in the first cooler 3, and the introduced refrigerant passes through the refrigerant flow path along the X direction. By flowing, the heat generated by the semiconductor element 2 can be dissipated. The refrigerant introduced into the first cooler 3 is continuously discharged from a discharge pipe (not shown). The first radiator 4 and the second radiator 5 constituting the first cooler 3 are individually made by, for example, die casting or extrusion molding using aluminum or aluminum alloy having excellent thermal conductivity as a raw material. It is a molded product.

第1放熱体4は、図1に示すように、一方の主面に、半導体素子2が配置され、半導体素子2から伝達された熱を受熱するような構成となっている。また、第1放熱体4は、他方の主面に、受熱した熱を放熱するための放熱部41と、放熱部41を周囲する第1嵌合部43とを有している。なお、第1嵌合部43は、後述する第2放熱体5の第2嵌合部53に嵌合するための部分である。   As shown in FIG. 1, the first heat radiating body 4 has a configuration in which the semiconductor element 2 is disposed on one main surface and receives heat transferred from the semiconductor element 2. Moreover, the 1st heat radiator 4 has the thermal radiation part 41 for radiating the received heat and the 1st fitting part 43 surrounding the thermal radiation part 41 in the other main surface. In addition, the 1st fitting part 43 is a part for fitting in the 2nd fitting part 53 of the 2nd thermal radiation body 5 mentioned later.

図2は第1放熱体4の底面図であり、第1放熱体4を第2放熱体5側(冷媒流路側)からZ方向に沿って見た図である。また、図3は図2に示す第1放熱体4の正面図であり、第1放熱体4をX方向に沿って見た図である。さらに、図4は図2に示す第1放熱体4の側面図であり、第1放熱体4をY方向に沿って見た図である。図2に示すように、放熱部41は、円形状に形成されており、この円形状に形成された放熱部41上には、第2放熱体5側に向かって突出する複数の放熱フィン42a〜42gが形成されている。これら複数の放熱フィン42a〜42gは、図1〜図3に示すように、Y方向に所定の間隔で配列されている。また、複数の放熱フィン42a〜42gは、図2に示すように、X方向(すなわち、冷媒の流れ方向)に沿って連続的に延伸して形成されている。なお、各放熱フィン42a〜42gのX方向の長さは、図2に示すように、放熱部41の円形状の形状に応じて決定されている。すなわち、Y方向に配列する放熱フィン42a〜42gのうち、配列方向の中央に位置する放熱フィンほど長さが長く形成されており、配列方向の両端に位置する放熱フィンほど、長さが短く形成されている。   FIG. 2 is a bottom view of the first radiator 4 and is a view of the first radiator 4 as viewed from the second radiator 5 side (the refrigerant flow path side) along the Z direction. 3 is a front view of the first heat radiating body 4 shown in FIG. 2, and is a view of the first heat radiating body 4 viewed along the X direction. Further, FIG. 4 is a side view of the first heat radiating body 4 shown in FIG. 2, and is a view of the first heat radiating body 4 seen along the Y direction. As shown in FIG. 2, the heat radiating portion 41 is formed in a circular shape, and a plurality of heat radiating fins 42a projecting toward the second heat radiating body 5 are formed on the circular heat radiating portion 41. ~ 42g is formed. The plurality of heat radiation fins 42a to 42g are arranged at predetermined intervals in the Y direction, as shown in FIGS. Further, as shown in FIG. 2, the plurality of heat radiation fins 42 a to 42 g are formed by continuously extending along the X direction (that is, the refrigerant flow direction). In addition, the length of the X direction of each radiation fin 42a-42g is determined according to the circular shape of the thermal radiation part 41, as shown in FIG. That is, among the heat radiation fins 42a to 42g arranged in the Y direction, the heat radiation fin located at the center in the arrangement direction is formed longer, and the heat radiation fins located at both ends in the arrangement direction are formed shorter. Has been.

さらに、第1放熱体4には、図2に示すように、放熱部41を周囲する第1嵌合部43が形成されている。この第1嵌合部43は、図1に示すように、シール部材6および皿ばね7を介して、第2放熱体5の第2嵌合部53と嵌合している。そして、第1嵌合部43および第2嵌合部53が互いに嵌合されることにより、第1放熱体4と第2放熱体5とが組み合わされている。   Furthermore, as shown in FIG. 2, the first heat radiating body 4 is formed with a first fitting portion 43 surrounding the heat radiating portion 41. As shown in FIG. 1, the first fitting portion 43 is fitted with the second fitting portion 53 of the second radiator 5 via the seal member 6 and the disc spring 7. And the 1st heat sink 4 and the 2nd heat sink 5 are combined by the 1st fitting part 43 and the 2nd fitting part 53 being mutually fitted.

一方、第2放熱体5は、図1に示すように、第1放熱体4の放熱部41を受容する受容部51と、第2嵌合部53とを有している。第2嵌合部53は、図1に示すように、第1放熱体4の第1嵌合部43と、シール部材6および皿ばね7を介して嵌合しており、これにより、受容部51は、第1放熱体4の放熱部41(放熱フィン42a〜42gを含む)を受容しつつ、第1放熱体4の放熱部41とともに、冷媒流路を形成している。   On the other hand, as shown in FIG. 1, the second radiator 5 includes a receiving portion 51 that receives the heat radiating portion 41 of the first radiator 4 and a second fitting portion 53. As shown in FIG. 1, the second fitting portion 53 is fitted via the first fitting portion 43 of the first heat radiating body 4 via the seal member 6 and the disc spring 7. 51 receives the heat radiating part 41 (including the heat radiating fins 42 a to 42 g) of the first heat radiating body 4 and forms a refrigerant flow path together with the heat radiating part 41 of the first heat radiating body 4.

さらに、本実施形態では、第1嵌合部43と第2嵌合部53との間に、冷媒流路をシールするためのシール部材6が介装されている。ここで、図5は、図1のV部分における要部拡大図である。シール部材6は、図5に示すように、その内周側において、放熱部41の外周側面に形成された周溝44に保持されているとともに、その外周側において、第2放熱体5と摺接するようになっている。その結果、シール部材6は、第1嵌合部43と第2嵌合部53とにより両側から押圧されることとなり、これにより、第1嵌合部43および第2嵌合部53と密着し、冷媒流路をシールすることができるようになっている。なお、このようなシール部材6としては、O−リングなどのゴム材料からなるシールリングを用いることができる。   Further, in the present embodiment, a seal member 6 for sealing the refrigerant flow path is interposed between the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53. Here, FIG. 5 is an enlarged view of a main part in a V portion of FIG. As shown in FIG. 5, the seal member 6 is held by a circumferential groove 44 formed on the outer peripheral side surface of the heat radiating portion 41 on the inner peripheral side thereof, and is slid with the second radiator 5 on the outer peripheral side. It comes to touch. As a result, the seal member 6 is pressed from both sides by the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53, and thereby the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53 are in close contact with each other. The refrigerant flow path can be sealed. As such a seal member 6, a seal ring made of a rubber material such as an O-ring can be used.

また、図1に示すように、第1嵌合部43と第2嵌合部53との間には、さらに、第1放熱体4を半導体素子2側に付勢するための皿ばね7が介装されている。本実施形態においては、皿ばね7は、第1嵌合部43と第2嵌合部53とで形成される嵌合部のうち、第2放熱体5の受容部51(冷媒流路)側と逆側に配置されている。すなわち、皿ばね7は、第1嵌合部43と第2嵌合部53とで形成される嵌合部のうち、シール部材6の内側の部分ではなく、シール部材6よりも外側の部分に配置されている。ここで、図6は、本実施形態に係る皿ばね7の斜視図であり、第1冷却器3から皿ばね7のみを抜き出して示した図である。   Further, as shown in FIG. 1, a disc spring 7 for biasing the first radiator 4 toward the semiconductor element 2 is further provided between the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53. It is intervened. In the present embodiment, the disc spring 7 is the receiving portion 51 (refrigerant flow path) side of the second radiator 5 among the fitting portions formed by the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53. And placed on the opposite side. That is, the disc spring 7 is not a portion inside the seal member 6 but a portion outside the seal member 6 in the fitting portion formed by the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53. Has been placed. Here, FIG. 6 is a perspective view of the disc spring 7 according to the present embodiment, in which only the disc spring 7 is extracted from the first cooler 3.

皿ばね7は、金属製の弾性体であり、図6に示すように、環状に形成されている。また、皿ばね7は、図6に示すように、内周端71から外周端72に向かって、勾配した構成となっており、これにより、厚み方向において、変形可能となっている。   The disc spring 7 is a metal elastic body, and is formed in an annular shape as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 6, the disc spring 7 is configured to be inclined from the inner peripheral end 71 toward the outer peripheral end 72, thereby being deformable in the thickness direction.

そして、本実施形態では、このような構成を有する皿ばね7は、図5に示すように、その内周端71が、第1放熱体4の第1嵌合部43と接触し、外周端72が、第2放熱体5の第2嵌合部53と接触した状態で、第1嵌合部43と第2嵌合部53との間に介装されている。   And in this embodiment, as shown in FIG. 5, the disc spring 7 which has such a structure has its inner peripheral end 71 in contact with the first fitting portion 43 of the first radiator 4, and the outer peripheral end. 72 is interposed between the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53 in a state where the second fitting portion 53 is in contact with the second fitting portion 53 of the second radiator 5.

具体的には、皿ばね7の内周端71は、図5に示すように、Z方向から見た場合に、半導体素子2の形成領域の内側に位置する接触点45において、第1嵌合部43と接触している。すなわち、皿ばね7は、半導体素子2の直下に位置する点において、第1嵌合部43と接触している。また、皿ばね7の外周端72は、図5に示すように、Z方向から見た場合に、半導体素子2の形成領域の外側に位置する接触点55において、第2嵌合部53と接触している。   Specifically, as shown in FIG. 5, the inner peripheral end 71 of the disc spring 7 is first fitted at a contact point 45 located inside the formation region of the semiconductor element 2 when viewed from the Z direction. It is in contact with the portion 43. That is, the disc spring 7 is in contact with the first fitting portion 43 at a point located directly below the semiconductor element 2. Further, as shown in FIG. 5, the outer peripheral end 72 of the disc spring 7 is in contact with the second fitting portion 53 at a contact point 55 located outside the formation region of the semiconductor element 2 when viewed from the Z direction. is doing.

また、本実施形態においては、この皿ばね7は、Z方向(厚み方向)に変形可能であるため、これにより、皿ばね7上に位置する第1放熱体4は、シール部材6に摺接した状態を保ちながら、Z方向に移動可能となっている。そのため、第1放熱体4は、皿ばね7により、半導体素子2側に押圧された状態で、半導体素子2と密着している。また、第1放熱体4は、皿ばね7により押圧される他、放熱部41において、冷媒流路を流れる冷媒からも、半導体モジュール2側へ押圧する圧力を受けており、これにより、第1放熱体4と半導体素子2との間の密着性が、より強固なものとなっている。   In the present embodiment, the disc spring 7 can be deformed in the Z direction (thickness direction), so that the first radiator 4 positioned on the disc spring 7 is in sliding contact with the seal member 6. It is possible to move in the Z direction while maintaining the state. Therefore, the first heat radiator 4 is in close contact with the semiconductor element 2 while being pressed toward the semiconductor element 2 by the disc spring 7. In addition to being pressed by the disc spring 7, the first heat radiating body 4 receives pressure from the refrigerant flowing through the refrigerant flow path toward the semiconductor module 2 in the heat radiating portion 41. Adhesion between the radiator 4 and the semiconductor element 2 is stronger.

なお、皿ばね7の荷重特性は、第1放熱体4を半導体素子2側に付勢することで、半導体素子2の厚さばらつきを吸収することができる荷重であり、かつ、半導体素子2の耐荷重を超えないものとなるように、設定されることが好適である。なお、本実施形態では、図5、図6に示すように、単一の皿ばね7を用いた構成としているが、例えば、皿ばね7の荷重特性を適切なものとするために、複数の皿ばね7を重ねて用いる構成としてもよい。   The load characteristic of the disc spring 7 is a load that can absorb the thickness variation of the semiconductor element 2 by urging the first radiator 4 toward the semiconductor element 2, and It is preferable to set it so as not to exceed the load capacity. In this embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, a single disc spring 7 is used. For example, in order to make the load characteristics of the disc spring 7 appropriate, a plurality of disc springs 7 are used. It is good also as a structure which uses the disk spring 7 in piles.

以上のように、第1冷却器3は構成される。   As described above, the first cooler 3 is configured.

また、半導体装置1は、図1に示すように、上述した第1冷却器3以外に、第2冷却器8を備えており、この第2冷却器8は、複数の放熱フィン81a〜81eを有している。第2冷却器8においても、第1冷却器3と同様に、冷媒が、連続的に、導入パイプ(不図示)から第2冷却器8の冷媒流路内へと導入され、これにより、半導体素子2を冷却するようになっている。   Further, as shown in FIG. 1, the semiconductor device 1 includes a second cooler 8 in addition to the first cooler 3 described above, and the second cooler 8 includes a plurality of radiating fins 81 a to 81 e. Have. In the second cooler 8, as in the first cooler 3, the refrigerant is continuously introduced from the introduction pipe (not shown) into the refrigerant flow path of the second cooler 8, and thereby the semiconductor. The element 2 is cooled.

以上のように、本実施形態の半導体装置1においては、図1、図5に示すように、第1嵌合部43と第2嵌合部53との間に、皿ばね7が介装されており、この皿ばね7が、第1放熱体4を、半導体素子2側に付勢することにより、第1放熱体4と半導体素子2との密着性を高め、第1冷却器3と半導体素子2との間の熱抵抗を低減することができる。さらに、本実施形態の半導体装置1においては、環状に形成された皿ばね7を用い、皿ばね7が放熱部41を周囲するように配置することにより、第1嵌合部43および第2嵌合部53に加わる応力を分散させることができる。このように、第1放熱体4および第2放熱体5に加わる応力を分散させることにより、シール部材6の一部に応力が集中することを有効に防止することができ、これにより、シール部材6の劣化を有効に抑制することができる。そして、その結果、本実施形態では、冷媒流路からの冷媒の漏出を有効に防止することができる。   As described above, in the semiconductor device 1 of the present embodiment, the disc spring 7 is interposed between the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53 as shown in FIGS. The disc spring 7 urges the first heat radiating body 4 toward the semiconductor element 2 to improve the adhesion between the first heat radiating body 4 and the semiconductor element 2, and the first cooler 3 and the semiconductor. The thermal resistance between the element 2 can be reduced. Furthermore, in the semiconductor device 1 of this embodiment, the first fitting portion 43 and the second fitting are provided by using the disc spring 7 formed in an annular shape and arranging the disc spring 7 so as to surround the heat radiating portion 41. The stress applied to the joint portion 53 can be dispersed. Thus, by dispersing the stress applied to the first heat radiating body 4 and the second heat radiating body 5, it is possible to effectively prevent stress from being concentrated on a part of the seal member 6. 6 can be effectively suppressed. As a result, in the present embodiment, it is possible to effectively prevent leakage of the refrigerant from the refrigerant flow path.

また、本実施形態では、図5に示すように、皿ばね7が、半導体素子2の形成領域よりも内側に位置する接触点45において、第1嵌合部43と接触するように配置されている。そのため、図7に示すように、皿ばね7は、半導体素子2の直下から、第1放熱体4を押圧力Fで押圧することができ、これにより、皿ばね7の押圧力Fにより、第1放熱体4がたわむことを有効に防止することができる。そして、その結果として、半導体素子2と第1冷却器3との間の熱抵抗が増大することを有効に抑制することができる。ここで、図7は、第1嵌合部43および第2嵌合部53に加わる力を説明するための図である。なお、図7においては、図1と同様に、半導体装置1の断面図を表しているが、説明を容易にするため、ハッチング処理および図面中の符号を一部省略している。 Moreover, in this embodiment, as shown in FIG. 5, the disc spring 7 is arrange | positioned so that it may contact with the 1st fitting part 43 in the contact point 45 located inside the formation area of the semiconductor element 2. As shown in FIG. Yes. Therefore, as shown in FIG. 7, the disc spring 7 from directly below the semiconductor element 2, a first heat radiating member 4 can be pressed by the pressing force F 1, thereby, the pressing force F 1 of the disc spring 7 The first heat radiator 4 can be effectively prevented from being bent. And as a result, it can suppress effectively that the thermal resistance between the semiconductor element 2 and the 1st cooler 3 increases. Here, FIG. 7 is a diagram for explaining the force applied to the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53. 7 shows a cross-sectional view of the semiconductor device 1 as in FIG. 1, but hatching processing and some reference numerals in the drawing are omitted for ease of explanation.

一方で、皿ばね7を、半導体素子2の形成領域よりも外側に位置する点において、第1嵌合部43と接触させた場合には、皿ばね7の押圧力Fにより、皿ばね7と接触する第1嵌合部43が、半導体素子2側(上方向)に反り曲がり、これにより、第1放熱体4がたわんでしまう場合がある。これに対して、本実施形態では、皿ばね7を、半導体素子2の形成領域よりも内側に位置する接触点45において、第1嵌合部43と接触するように配置することにより、このような問題を有効に解決するものである。 On the other hand, when the disc spring 7 is brought into contact with the first fitting portion 43 at a point located outside the region where the semiconductor element 2 is formed, the disc spring 7 is pressed by the pressing force F 1 of the disc spring 7. The first fitting portion 43 that contacts with the semiconductor element 2 warps toward the semiconductor element 2 side (upward), which may cause the first heat radiator 4 to bend. On the other hand, in the present embodiment, the disc spring 7 is arranged so as to be in contact with the first fitting portion 43 at the contact point 45 located inside the region where the semiconductor element 2 is formed. It effectively solves the problem.

さらに、本実施形態では、図5に示すように、皿ばね7が、半導体素子2の形成領域よりも外側に位置する接触点55において、第2嵌合部53と接触するように配置されている。そのため、図7に示すように、皿ばね7は、第2嵌合部53のうちY方向に突出した部分の根元側において、第2嵌合部53を押圧力Fで押圧することができ、これにより、皿ばね7の押圧力Fにより、第2嵌合部53が冷媒流路側(下方向)に折れ曲がることを有効に抑制することができる。そして、その結果として、冷媒流路から冷媒が漏出することをより有効に防止することができる。 Furthermore, in the present embodiment, as shown in FIG. 5, the disc spring 7 is disposed so as to contact the second fitting portion 53 at a contact point 55 located outside the formation region of the semiconductor element 2. Yes. Therefore, as shown in FIG. 7, the disc spring 7 can press the second fitting portion 53 with the pressing force F 2 on the base side of the portion of the second fitting portion 53 protruding in the Y direction. , thereby, the pressing force F 2 of the disc springs 7, may be a second fitting portion 53 is effectively prevented from bending to the refrigerant flow path (downward). And as a result, it can prevent more effectively that a refrigerant leaks from a refrigerant channel.

一方で、皿ばね7を、半導体素子2の形成領域よりも内側に位置する点において、第2嵌合部53と接触させた場合には、皿ばね7は、第2嵌合部53のうちY方向に突出した部分の先端側において、第2嵌合部53を押圧力Fで押圧してしまい、これにより、皿ばね7と接触する第2嵌合部53が、冷媒流路側(下方向)に折れ曲がり、冷媒流路から冷媒が漏出してしまう場合がある。これに対して、本実施形態では、皿ばね7を、半導体素子2の形成領域よりも外側に位置する接触点55において、第2嵌合部53と接触するように配置することにより、このような問題を有効に解決するものである。 On the other hand, when the disc spring 7 is brought into contact with the second fitting portion 53 at a point located inside the region where the semiconductor element 2 is formed, the disc spring 7 is included in the second fitting portion 53. in the distal end side of the portion projecting in the Y direction, will then push the second fitting portion 53 by the pressing force F 2, thereby, the second fitting portion 53 in contact with the disc spring 7, the refrigerant flow path (the lower Direction) and the refrigerant may leak from the refrigerant flow path. On the other hand, in the present embodiment, the disc spring 7 is arranged so as to come into contact with the second fitting portion 53 at the contact point 55 located outside the region where the semiconductor element 2 is formed. It effectively solves the problem.

さらに、本実施形態では、図2に示すように、放熱部41が円形状に形成されており、この円形状に形成された放熱部41の外周側面を周囲するように、シール部材6が配置されている。すなわち、本実施形態では、シール部材6が円形状に配置されているため、シール部材6に加わる応力が不均一なものとなることを有効に防止することができ、その結果として、シール部材6の信頼性を高めることができる。   Furthermore, in this embodiment, as shown in FIG. 2, the heat radiating part 41 is formed in a circular shape, and the sealing member 6 is arranged so as to surround the outer peripheral side surface of the heat radiating part 41 formed in this circular shape. Has been. That is, in this embodiment, since the seal member 6 is arranged in a circular shape, it is possible to effectively prevent the stress applied to the seal member 6 from becoming uneven. As a result, as a result, the seal member 6 Can improve the reliability.

≪第2実施形態≫
続いて、本発明の第2実施形態について説明する。図8は、第2実施形態に係る半導体装置1aの断面図である。第2実施形態に係る半導体装置1aは、以下に説明する点において、第1実施形態の半導体装置1と異なる以外は、上述の第1実施形態と同様の構成と作用を有し、その重複する説明は省略する。
<< Second Embodiment >>
Subsequently, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a cross-sectional view of the semiconductor device 1a according to the second embodiment. The semiconductor device 1a according to the second embodiment has the same configuration and operation as those of the first embodiment described above, except that the semiconductor device 1a is different from the semiconductor device 1 of the first embodiment in the points described below. Description is omitted.

第2実施形態に係る半導体装置1aは、図8に示すように、単一の半導体素子2と、2つの第1冷却器3とを有しており、この半導体素子2を、2つの第1冷却器3で挟み込むことにより、半導体素子2を両面から冷却する両面冷却構造が採られている。すなわち、第2実施形態に係る半導体装置1aでは、第1冷却器3が、半導体素子2の上下両面に配置されており、この点において、第1実施形態に係る半導体装置1と異なる。   As shown in FIG. 8, the semiconductor device 1 a according to the second embodiment includes a single semiconductor element 2 and two first coolers 3, and the semiconductor element 2 is divided into two first elements. A double-sided cooling structure is employed in which the semiconductor element 2 is cooled from both sides by being sandwiched by the cooler 3. That is, in the semiconductor device 1a according to the second embodiment, the first coolers 3 are arranged on both the upper and lower surfaces of the semiconductor element 2, and this is different from the semiconductor device 1 according to the first embodiment.

以上のように、本実施形態に係る半導体装置1aにおいては、第1放熱体4と第2放熱体5とを、シール部材6および皿ばね7を介して、組み合わせてなる第1冷却器3を、半導体素子2の上下両面に配置した構成となっている。ここで、上述したように、第1冷却器3は、第1嵌合部43と第2嵌合部53との間に、皿ばね7を介装しており、この皿ばね7は、図5に示すように、半導体素子2の形成領域の内側に位置する接触点45において、第1嵌合部43と接触し、かつ、半導体素子2の形成領域の外側に位置する接触点55において、第2嵌合部53と接触するように、配置されている。本実施形態では、このように構成された第1冷却器3により、半導体素子2を上下両面から冷却することにより、上述した第1実施形態の効果に加えて、半導体素子2の上面においても、半導体素子2と第1冷却器3との密着性を高めることができ、これにより、半導体装置1a全体としての冷却性能をより高めることができるという効果を奏することができる。   As described above, in the semiconductor device 1a according to the present embodiment, the first cooler 3 formed by combining the first radiator 4 and the second radiator 5 via the seal member 6 and the disc spring 7 is provided. The semiconductor element 2 is arranged on both upper and lower surfaces. Here, as described above, the first cooler 3 has the disc spring 7 interposed between the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53. 5, at the contact point 45 located inside the formation region of the semiconductor element 2, the contact point 55 is in contact with the first fitting portion 43 and located outside the formation region of the semiconductor element 2. It arrange | positions so that the 2nd fitting part 53 may be contacted. In the present embodiment, by cooling the semiconductor element 2 from the upper and lower surfaces by the first cooler 3 configured as described above, in addition to the effects of the first embodiment described above, also on the upper surface of the semiconductor element 2, Adhesiveness between the semiconductor element 2 and the first cooler 3 can be improved, and thereby the cooling performance of the semiconductor device 1a as a whole can be further improved.

≪第3実施形態≫
続いて、本発明の第3実施形態について説明する。図9は、第3実施形態に係る半導体装置1bの断面図である。第3実施形態に係る半導体装置1bは、以下に説明する点において、第1実施形態の半導体装置1と異なる以外は、上述の第1実施形態と同様の構成と作用を有し、その重複する説明は省略する。
«Third embodiment»
Subsequently, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view of a semiconductor device 1b according to the third embodiment. The semiconductor device 1b according to the third embodiment has the same configuration and operation as those of the above-described first embodiment except that the semiconductor device 1b is different from the semiconductor device 1 of the first embodiment in the points described below, and overlaps. Description is omitted.

第3実施形態に係る半導体装置1bは、図9に示すように、半導体素子を搭載する半導体モジュール20と、この半導体モジュール20を冷却するための第1冷却器3とを有しており、半導体モジュール20を、ボルトやねじなどの締結部材9により、第1冷却器3に固定することにより、半導体モジュール20を、片面から、第1冷却器3で冷却する構成となっている。すなわち、第3実施形態に係る半導体装置1bにおいては、半導体素子2の代わりに半導体素子を搭載する半導体モジュール20を備えるとともに、この半導体モジュール20を冷却するための冷却器として、第2冷却器8が配置されておらず、この点において、第1実施形態に係る半導体装置1と異なる。   As shown in FIG. 9, the semiconductor device 1 b according to the third embodiment includes a semiconductor module 20 on which a semiconductor element is mounted and a first cooler 3 for cooling the semiconductor module 20. By fixing the module 20 to the first cooler 3 with a fastening member 9 such as a bolt or a screw, the semiconductor module 20 is cooled by the first cooler 3 from one side. That is, the semiconductor device 1b according to the third embodiment includes the semiconductor module 20 on which the semiconductor element is mounted instead of the semiconductor element 2, and the second cooler 8 serves as a cooler for cooling the semiconductor module 20. Is different from the semiconductor device 1 according to the first embodiment in this respect.

本実施形態において、半導体装置1bを構成する第1冷却器3には、図9に示すように、第1嵌合部43と第2嵌合部53との間に、皿ばね7が介装されている。そして、この皿ばね7は、半導体モジュール20に搭載された半導体素子(不図示)の形成領域の内側に位置する接触点において、第1嵌合部43と接触し、かつ、半導体モジュール20に搭載された半導体素子(不図示)の形成領域の外側に位置する接触点おいて、第2嵌合部53と接触するように配置されている。   In the present embodiment, the disc cooler 7 is interposed between the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53 in the first cooler 3 constituting the semiconductor device 1b as shown in FIG. Has been. The disc spring 7 is in contact with the first fitting portion 43 at a contact point located inside a formation region of a semiconductor element (not shown) mounted on the semiconductor module 20 and mounted on the semiconductor module 20. The contact point located outside the region where the semiconductor element (not shown) is formed is arranged so as to contact the second fitting portion 53.

以上のように、本実施形態に係る半導体装置1bは、半導体モジュール20が、締結部材9により、第1冷却器3に固定されており、半導体モジュール20を、片面から、第1冷却器3で冷却する構成となっている。この第1冷却器3は、第1嵌合部43と第2嵌合部53との間に、皿ばね7を介装しており、この皿ばね7は、図9に示すように、半導体モジュール20に搭載された半導体素子(不図示)の形成領域の内側に位置する接触点において、第1嵌合部43と接触し、かつ、半導体モジュール20に搭載された半導体素子(不図示)の形成領域の外側に位置する接触点おいて、第2嵌合部53と接触するように配置されている。本実施形態では、このように構成された第1冷却器3により、半導体素子2を片面から冷却することにより、上述した第1実施形態の効果に加えて、半導体装置1bの小型化、および製造コストの低減化などの効果を奏することができる。   As described above, in the semiconductor device 1b according to the present embodiment, the semiconductor module 20 is fixed to the first cooler 3 by the fastening member 9, and the semiconductor module 20 is moved from one side by the first cooler 3. It is configured to cool. The first cooler 3 has a disc spring 7 interposed between the first fitting portion 43 and the second fitting portion 53. As shown in FIG. At a contact point located inside a formation region of a semiconductor element (not shown) mounted on the module 20, the semiconductor element (not shown) is in contact with the first fitting portion 43 and mounted on the semiconductor module 20. It arrange | positions so that the 2nd fitting part 53 may be contacted in the contact point located in the outer side of a formation area. In the present embodiment, by cooling the semiconductor element 2 from one side by the first cooler 3 configured in this way, in addition to the effects of the first embodiment described above, the semiconductor device 1b can be reduced in size and manufactured. Effects such as cost reduction can be achieved.

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

例えば、本実施形態においては、第1放熱体4を半導体素子2側に付勢するための部材として、皿ばね7を例示して説明しているが、このような部材としては、皿ばね7に限定されるものではなく、金属製の環状弾性体であれば、特に限定されるものではない。   For example, in the present embodiment, the disc spring 7 is illustrated and described as a member for biasing the first heat radiating body 4 toward the semiconductor element 2, but as such a member, the disc spring 7 is used. It will not be limited in particular, if it is a metal cyclic | annular elastic body.

また、上述した実施形態においては、単一の半導体素子2を、2つの冷却器3,8で冷却する半導体装置1を例示したが、半導体装置1が備える半導体素子の数は特に限定されず、複数の半導体素子を備える構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the semiconductor device 1 that cools the single semiconductor element 2 with the two coolers 3 and 8 is exemplified, but the number of semiconductor elements included in the semiconductor device 1 is not particularly limited. It is good also as a structure provided with a some semiconductor element.

なお、上述した実施形態の半導体素子2は本発明の発熱素子に、第1放熱体4は本発明の第1放熱体に、第1嵌合部43は本発明の第1嵌合部に、第2放熱体5は本発明の第2放熱体に、第2嵌合部53は本発明の第2嵌合部に、皿ばね7は本発明の環状弾性体および皿ばねに、それぞれ相当する。   The semiconductor element 2 of the above-described embodiment is a heating element of the present invention, the first radiator 4 is a first radiator of the present invention, and the first fitting portion 43 is a first fitting portion of the present invention. The second radiator 5 corresponds to the second radiator of the present invention, the second fitting portion 53 corresponds to the second fitting portion of the present invention, and the disc spring 7 corresponds to the annular elastic body and disc spring of the present invention. .

1,1a,1b…半導体装置
2…半導体素子
20…半導体モジュール
3…第1冷却器
4…第1放熱体
41…放熱部
42a〜42g…放熱フィン
43…第1嵌合部
44…周溝
45…接触点
5…第2放熱体
51…受容部
53…第2嵌合部
55…接触点
6…シール部材
7…皿ばね
8…第2冷却器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a, 1b ... Semiconductor device 2 ... Semiconductor element 20 ... Semiconductor module 3 ... 1st cooler 4 ... 1st heat radiator 41 ... Radiation part
42a-42g ... Radiation fin 43 ... 1st fitting part 44 ... Circumferential groove 45 ... Contact point 5 ... 2nd thermal radiation body 51 ... Receiving part 53 ... 2nd fitting part
55 ... Contact point 6 ... Sealing member 7 ... Belleville spring 8 ... Second cooler

Claims (5)

発熱素子が配置される主面と、放熱部および該放熱部の周囲を囲む第1嵌合部が形成された他の主面と、を有する第1放熱体と、
前記第1嵌合部に嵌合される第2嵌合部を有し、前記第1嵌合部に前記第2嵌合部を嵌合して前記第1放熱体と組み合わせることで、前記放熱部を受容して冷媒流路を形成する受容部を有する第2放熱体と、
前記第1嵌合部と前記第2嵌合部との間に介装される金属製の環状弾性体と、を備える発熱素子の冷却装置であって、
前記環状弾性体は、前記受容部側と逆側に配置され、かつ、前記発熱素子の形成領域よりも外側の領域において、前記第2嵌合部と接触するように配置されることを特徴とする発熱素子の冷却装置。
A first heat radiating body having a main surface on which the heat generating element is disposed, and another main surface on which a first fitting portion surrounding the heat radiating portion and the heat radiating portion is formed;
It has the 2nd fitting part fitted by the 1st fitting part, and fitting the 2nd fitting part to the 1st fitting part, and combining the 1st radiator with the heat dissipation A second heat radiating body having a receiving portion that receives the portion and forms a refrigerant flow path;
A heating element cooling device comprising: a metal annular elastic body interposed between the first fitting portion and the second fitting portion,
The annular elastic body is disposed on the side opposite to the receiving portion side, and is disposed so as to contact the second fitting portion in a region outside a region where the heat generating element is formed. Heating element cooling device.
請求項1に記載の発熱素子の冷却装置であって、
前記環状弾性体は、内周側から外周側に向かって、勾配して形成されており、
前記環状弾性体は、内周側の一端において、前記第1嵌合部と接触しており、外周側の他端において、前記第2嵌合部と接触していることを特徴とする発熱素子の冷却装置。
It is the cooling device of the heat generating element of Claim 1, Comprising:
The annular elastic body is formed in a gradient from the inner peripheral side toward the outer peripheral side,
The annular elastic body is in contact with the first fitting portion at one end on the inner peripheral side, and is in contact with the second fitting portion at the other end on the outer peripheral side. Cooling system.
請求項1または2に記載の発熱素子の冷却装置であって、
前記環状弾性体は、前記発熱素子の形成領域よりも内側の領域において、前記第1嵌合部と接触するように配置されることを特徴とする発熱素子の冷却装置。
A heating device cooling device according to claim 1 or 2,
The cooling device for a heating element, wherein the annular elastic body is disposed so as to be in contact with the first fitting portion in a region inside a region where the heating element is formed.
請求項1〜3のいずれかに記載の発熱素子の冷却装置であって、
前記第1放熱体は、前記放熱部には、複数の放熱フィンが形成されており、
前記複数の放熱フィンは、前記環状弾性体よりも内側の、円形状の領域に形成されていることを特徴とする発熱素子の冷却装置。
A cooling device for a heating element according to any one of claims 1 to 3,
The first heat radiator has a plurality of heat radiating fins formed in the heat radiating portion,
The cooling device for a heating element, wherein the plurality of heat dissipating fins are formed in a circular region inside the annular elastic body.
請求項1〜4のいずれかに記載の発熱素子の冷却装置であって、
前記環状弾性体は、皿ばねであることを特徴とする発熱素子の冷却装置。
The heating device cooling device according to any one of claims 1 to 4,
The cooling device for a heating element, wherein the annular elastic body is a disc spring.
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