JP2011192501A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】低電圧駆動が可能で、輝度均一性の高いＰＤＰを実現することを目的とする。
【解決手段】プラズマディスプレイパネルは、第１基板と、第１基板に対向配置された第２基板と、を備え、第１基板と第２基板との間に放電ガスが充填された放電空間が形成されたプラズマディスプレイパネルであって、第１基板は、基板と、基板上に形成した表示電極と、前記表示電極を覆うように形成された誘電体層と、誘電体層上に形成され、放電空間に露出する保護膜と、を有し、保護膜は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウムを含み、保護膜のＣＯ２ガスの脱離ピーク温度が４８０度未満であることを特徴とする
【選択図】図２

Description

本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルに関する。

プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、１００インチクラスのテレビなどが製品化されている。
近年、ＰＤＰにおいては、従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上の高精細テレビへの適用が進められている。そのため、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みなどへの要求なども高まっている。
ＰＤＰは、基本的に、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）とを含む保護膜とで構成されている。
このようなＰＤＰにおいて、前面板の誘電体層上に形成される保護膜は、次に示す役割を有する。
それは、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出すること、放電中に二次電子を放出し放電を促進すること等である。
特許文献１または特許文献２は、保護膜の材料を変更し、二次電子放出特性を向上させることで放電電圧を抑制する技術が開示されている。

特開２００３−１７３７３８号公報 特開２００７−３２３９２２号公報

しかし、特許文献１または特許文献２に記載の保護膜は、ガス吸着性が高いため、プロセス中にＣＯ２の不純ガスが面内不均一に吸着しやすくなる。
その結果、保護膜の二次電子放出能力が低下しやすいだけでなく、二次電子放出能力が面内不均一になる。
その結果、放電電圧が高く、画面の輝度均一性が低い。
本発明は上記課題を解決し、放電電圧が低く、輝度均一性の高いＰＤＰを実現することを目的としている。

前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
本発明のＰＤＰは、第１基板と、第１基板に対向配置された第２基板と、を備え、第１基板と第２基板との間に放電ガスが充填された放電空間が形成されたプラズマディスプレイパネルであって、第１基板は、基板と、基板上に形成した表示電極と、前記表示電極を覆うように形成された誘電体層と、誘電体層上に形成され、放電空間に露出する保護膜と、を有する。
このＰＤＰにおいて、保護膜は、特定方位面におけるＸ線回折分析において、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の回折ピークが発生する回折角と前記酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の回折ピークが発生する回折角との間の回折角に、回折ピークが存在すると好ましい。
そして、保護膜は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）を含み、保護膜のＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が４８０度未満である。

本発明によれば、放電電圧が低く、画面輝度均一性の高いＰＤＰを実現することができる。

本発明の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す斜視図 本発明の実施の形態におけるＰＤＰの前面板の構成を示す断面図 本発明の実施の形態におけるＰＤＰ前面板からのＣＯ_２ガスの脱離プロファイルを表すグラフ 本発明の実施の形態におけるＰＤＰの保護膜におけるＸ線回折結果を示す図 本発明の実施の形態におけるＰＤＰの保護膜における放電電圧と画面輝度均一性の結果を示す図

［実施の形態］
１、ＰＤＰの構成
本発明の実施の形態におけるＰＤＰについて図１および図２を用いて説明する。
図１は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す斜視図である。
ＰＤＰの基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰと同様である。
図１に示すように、ＰＤＰ１は、前面ガラス基板３等を備える前面板２と、背面ガラス基板１１等を備える背面板１０とが対向して配置されている。
そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって気密封着されている。
封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、キセノン（Ｘｅ）やネオン（Ｎｅ）などの放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。
前面板２の前面ガラス基板３上には、走査電極４及び維持電極５から構成される一対の帯状の表示電極６と、ブラックストライプ（遮光層）７とが交互に平行配置されている。
前面ガラス基板３上には表示電極６と遮光層７とを覆うように電荷を保持してコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成され、さらにその上に保護膜９が形成されている。
また、背面板１０の背面ガラス基板１１上には、前面板２の表示電極６及びブラックストライプ（遮光層）７に対して直交する方向に、アドレス電極１２が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層１３が被覆している。
さらに、アドレス電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。
隔壁１４間の溝に、紫外線によって赤色、緑色及び青色にそれぞれ発光する蛍光体層１５が形成されている。
表示電極６とアドレス電極１２とが交差する位置に放電空間が形成され、表示電極６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電空間がカラー表示のための画素になる。
次に、図２を用いて説明する。
図２は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰ１の前面板２の構成を示す断面図である。
なお、説明の便宜上、図２は図１の前面板２に相当する箇所を上下反転して示している。
図２に示すように、前面ガラス基板３に、走査電極４と維持電極５から構成される表示電極６と遮光層７がパターン形成されている。
走査電極４と維持電極５はそれぞれインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ_２）などからなる透明電極４ａ、５ａと、透明電極４ａ、５ａ上に形成された金属バス電極４ｂ、５ｂとにより構成されている。
金属バス電極４ｂ、５ｂは透明電極４ａ、５ａの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀（Ａｇ）等の材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。
誘電体層８は、第１誘電体層８１と、第２誘電体層８２との少なくとも２層を有する。
第１誘電体層８１は、前面ガラス基板３上に形成されたこれらの透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂと遮光層７を覆っている。
そして、第２誘電体層８２は、第１誘電体層８１上に形成される。
さらに、第２誘電体層８２上に保護膜９が形成されている。
本実施の形態の保護膜９は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）とを原材料として、電子ビーム蒸着法で形成した金属酸化物で構成している。
より具体的に説明すると、この金属酸化物が各々単体で集合したのが混合粉末である。
この混合粉末を電子ビーム蒸着法等で形成してできたのが酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）から成る混晶である。
この混晶は、マグネシウム（Ｍｇ）とストロンチウム（Ｓｒ）と酸素（Ｏ）が配列してできた結晶体の一種である。
この混晶が、薄膜として保護膜９を形成する。
さらに、保護膜９上に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａが複数個凝集した凝集粒子９２が付着している。

２、ＰＤＰの製造方法
次に、本発明の実施の形態におけるＰＤＰ１の製造方法について説明する。

２−１、前面板の製造方法
前面板２は次のようにして形成される。
まず、前面基板３上に、走査電極４及び維持電極５から構成される表示電極６と、遮光層７とを形成する。
走査電極４と維持電極５とを構成する透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。
透明電極４ａ、５ａは薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極４ｂ、５ｂは銀（Ａｇ）材料を含むペーストを所定の温度で焼成して固化している。
また、遮光層７も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。
次に、表示電極６及び遮光層７を覆うように前面ガラス基板３上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト（誘電体材料）層を形成する。
誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。
その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極４、維持電極５及び遮光層７を覆う誘電体層８が形成される。
なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダ及び溶剤を含む塗料である。
次に、誘電体層８上に保護膜９を形成する。
本発明における実施の形態においては、保護膜９は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）とを含む金属酸化物を原材料としている。
そして、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）や酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の材料を混合した蒸着源を用いて薄膜成膜方法によって保護膜９が形成される。
薄膜成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法が適用できる。
本発明における実施形態の場合、電子ビーム蒸着法が最も安価に製造できる。
また、電子ビーム蒸着法における蒸着源は、平均粒径２ｍｍ以下の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と平均粒径２ｍｍ以下の酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）を混合させた粒子混合物、もしくは混合後に焼結させた焼結体を用いることが好ましい。
平均粒径が２ｍｍ以上の粒子混合物では、蒸着源へ電子ビームが当たる位置により保護膜９内での酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）含有量が変化しやすくなってしまう。その結果、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の偏析を生じて、保護膜９のＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が上昇してしまう。
また、保護膜９を成膜する時の雰囲気は、水分付着や不純物の吸着を防止するために外部と遮断された密閉状態で成膜時の雰囲気を調整する。
その結果、所定の電子放出能力を有する金属酸化物から形成される保護膜９ができる。
次に、保護膜９上に付着形成する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａの凝集粒子９２について述べる。
これらの結晶粒子９２ａは、気相合成法または前駆体焼成法のいずれかで製造することができる。
より具体的に説明すると、気相合成法では、不活性ガスが満たされた雰囲気下で純度が９９．９％以上のマグネシウム（Ｍｇ）を加熱する。そして、さらに、雰囲気に酸素を少量導入することによって、マグネシウム（Ｍｇ）を直接酸化させ、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを作製することができる。
また、前駆体焼成法では、以下の方法によって結晶粒子９２ａを作製することができる。
前駆体焼成法では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の前駆体を７００℃以上の高温で均一に焼成し、これを徐冷して酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを得ることができる。
前駆体としては、例えば、マグネシウムアルコキシド（Ｍｇ（ＯＲ）２）、マグネシウムアセチルアセトン（Ｍｇ（ａｃａｃ）２）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）、硝酸マグネシウム（Ｍｇ（ＮＯ３）２）、シュウ酸マグネシウム（ＭｇＣ２Ｏ４）の内のいずれか１種以上の化合物を選択することができる。
なお選択した化合物によっては、通常、水和物の形態をとることもあるが、このような水和物を用いてもよい。
これらの化合物は、焼成後に得られる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の純度が前駆体を構成する化合物の９９．９５％以上、望ましくは９９．９８％以上になるように調整する。
なぜなら、これらの化合物中に、各種アルカリ金属、Ｂ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｌなどの不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結を生じ、高結晶性の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子を得にくいためである。
このため、不純物元素を除去して予め前駆体を調整することが必要となる。
気相合成法又は前駆体焼成法のいずれかで得られた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを、溶媒に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法などによって保護膜９の表面に分散散布させる。
その後、乾燥・焼成工程を経て溶媒を除去し、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを保護膜９の表面に定着させることができる。
以上の工程により前面ガラス基板３上に所定の構成物（走査電極４、維持電極５、遮光層７、誘電体層８、保護膜９が形成されて前面板２が完成する。

２−２、背面板の製造方法
一方、背面板１０は次のようにして形成される。
まず、背面ガラス基板１１上に、銀（Ａｇ）材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極１２用の構成物となる材料層を形成する。
その後、所定の温度で焼成することによりアドレス電極１２を形成する。
次に、アドレス電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にダイコート法などにより、アドレス電極１２を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。
その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層１３を形成する。
なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料とバインダ及び溶剤を含んだ塗料である。
次に、下地誘電体層１３上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所定の形状にパターニングすることにより隔壁材料層を形成する。
その後、所定の温度で焼成することにより隔壁１４を形成する。
ここで、下地誘電体層１３上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。
そして、隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上及び隔壁１４の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層１５が形成される。
以上の工程により、背面ガラス基板１１上に所定の構成部材を有する背面板１０が完成する。

２−３、ＰＤＰの完成
所定の構成部材を備えた前面板２と背面板１０とを走査電極４とアドレス電極１２とが直交するように対向配置し、その周囲をガラスフリットで封着して放電空間１６にキセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）などを含む放電ガスを封入してＰＤＰ１が完成する。

３、誘電体層の詳細
ここで、前面板２の誘電体層８を構成する第１誘電体層８１と第２誘電体層８２について詳細に説明する。

３−１、第１誘電体層
第１誘電体層８１の誘電体材料は、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）と、酸化カルシウム（ＣａＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化バリウム（ＢａＯ）とから選ばれる少なくとも１種類の化合物と、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）と酸化タングステン（ＷＯ_３）と酸化セリウム（ＣｅＯ_２）と二酸化マンガン（ＭｎＯ_２）とから選ばれる少なくとも１種の化合物と、を含有する。
より具体的には、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の重量含有率は２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下、酸化カルシウム（ＣａＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化バリウム（ＢａＯ）とから選ばれる少なくとも１種類の化合物の重量含有率は０．５ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）と酸化タングステン（ＷＯ_３）と酸化セリウム（ＣｅＯ_２）と二酸化マンガン（ＭｎＯ_２）とから選ばれる少なくとも１種の重量含有率は０．１ｗｔ％以上７ｗｔ％以下であることが好ましい。
なお、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ_２）に代えて、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）、酸化コバルト（Ｃｏ_２Ｏ_３）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_７）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）から選ばれる少なくとも１種類の化合物の重量含有率は０．１ｗｔ％以上７ｗｔ％以下であってもよい。

また、上記以外の成分として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の重量含有率を０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下、酸化硼素（Ｂ_２Ｏ_３）の重量含有率を０ｗｔ％以上３５ｗｔ％以下、酸化硅素（ＳｉＯ_２）の重量含有率を０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の重量含有率を０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下など、鉛（Ｐｂ）を含まない材料組成であってもよい。
これらの化合物からなる誘電体材料を、湿式ジェットミルやボールミルで粒径が０．５μｍ以上２．５μｍ以下となるように粉砕して、誘電体材料粉末を作製する。
次に、この誘電体材料粉末の重量含有率５５ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下と、バインダ成分の重量含有率３０ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下とを三本ロールでよく混練して、ダイコート用または印刷用の第１誘電体層８１用ペーストを作製する。
バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂を重量含有率１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。
また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加してペーストとして印刷特性を向上させてもよい。
次に、この第１誘電体層用ペーストを用い、表示電極６を覆うように前面ガラス基板３にダイコート法あるいはスクリーン印刷法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の５７５℃〜５９０℃で焼成して第１誘電体層８１を形成する。

３−２、第２誘電体層
次に、第２誘電体層８２について説明する。
第２誘電体層８２の誘電体材料は、次の化合物より構成されている。すなわち、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の重量含有率を１１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下と、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも１種類の化合物の重量含有率を１．６ｗｔ％以上２１ｗｔ％以下と、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）から選ばれる少なくとも１種類の化合物の重量含有率を０．１ｗｔ％以上７ｗｔ％以下と、を含んでいる。
なお、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）の代わりに、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）、酸化コバルト（Ｃｏ_２Ｏ_３）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_７）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）から選ばれる少なくとも１種類の化合物の重量含有率を０．１ｗｔ％以上７ｗｔ％以下含んでいてもよい。

さらに、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の重量含有率を０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下と、酸化硼素（Ｂ_２Ｏ_３）の重量含有率を０ｗｔ％以上３５ｗｔ％以下と、酸化硅素（ＳｉＯ_２）の重量含有率を０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下と、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の重量含有率を０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下などと、鉛（Ｐｂ）を含まない化合物が含まれていてもよい。
これらの化合物からなる誘電体材料を、湿式ジェットミルやボールミルで粒径が０．５μｍ以上２．５μｍ以下となるように粉砕して誘電体材料粉末を作製する。
次にこの誘電体材料粉末の重量含有率５５ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下と、バインダ成分の重量含有率３０ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下とを三本ロールでよく混練してダイコート用、または印刷用の第２誘電体層用ペーストを作製する。
バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂の重量含有率１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートなどである。
また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加して印刷性を向上させてもよい。
次にこの第２誘電体層用ペーストを用いて第１誘電体層８１上にスクリーン印刷法あるいはダイコート法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の５５０℃以上５９０℃以下で焼成する。
なお、誘電体層８の膜厚としては、可視光透過率を確保するために第１誘電体層８１と第２誘電体層８２とを合わせ４１μｍ以下とすることが好ましい。
また、第１誘電体層８１は、金属バス電極４ｂ、５ｂの銀（Ａｇ）との反応を抑制するために酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の重量含有率を第２誘電体層８２の酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の重量含有率よりも多く、２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下としている。
そのため、第１誘電体層８１の可視光透過率が第２誘電体層８２の可視光透過率よりも低くなるので、第１誘電体層８１の膜厚を第２誘電体層８２の膜厚よりも薄くしている。
なお、第２誘電体層８２においては、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の重量含有率が１１ｗｔ％以下であると着色は生じにくくなるが、第２誘電体層８２中に気泡が発生しやすくなるため好ましくない。
一方、重量含有率が４０ｗｔ％を超えると着色が生じやすくなるために透過率が低下する。
また、誘電体層８の膜厚が小さいほど輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著になるので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定するのが望ましい。
このような観点から、本発明における実施の形態では、誘電体層８の膜厚を４１μｍ以下に設定し、第１誘電体層８１を５μｍ以上１５μｍ以下、第２誘電体層８２を２０μｍ以上３６μｍ以下としている。
このようにして製造されたＰＤＰは、表示電極６にＡｇ材料を用いても、前面ガラス基板３の着色現象（黄変）が少なくて、なおかつ、誘電体層８中に気泡の発生などがなく、絶縁耐圧性能に優れた誘電体層８を実現することを確認している。

３−３、誘電体層
次に、本発明における実施の形態におけるＰＤＰにおいて、これらの誘電体材料によって第１誘電体層８１において黄変や気泡の発生が抑制される理由について考察する。
すなわち、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）を含む誘電体ガラスに酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、または酸化タングステン（ＷＯ_３）を添加することによって、Ａｇ_２ＭｏＯ_４、Ａｇ_２Ｍｏ_２Ｏ_７、Ａｇ_２Ｍｏ_４Ｏ_１３、Ａｇ_２ＷＯ_４、Ａｇ_２Ｗ_２Ｏ_７、Ａｇ_２Ｗ_４Ｏ_１３といった化合物が５８０℃以下の低温で生成しやすいことが知られている。
本発明における実施の形態では、誘電体層８の焼成温度が５５０℃以上５９０℃以下であることから、焼成中に誘電体層８中に拡散した銀イオン（Ａｇ＋）は、誘電体層８中の酸化モリブデン（ＭｏＯ）、酸化タングステン（ＷＯ）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）、酸化マンガン（ＭｎＯ２）と反応し、安定な化合物を生成して安定化する。
すなわち、銀イオン（Ａｇ^＋）が還元されることなく安定化されるために、凝集してコロイドを生成することがない。
したがって、銀イオン（Ａｇ^＋）が安定化することによって、銀（Ａｇ）のコロイド化に伴う酸素の発生も少なくなるため、誘電体層８中への気泡の発生も少なくなる。
一方、これらの効果を有効にするためには、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）を含む誘電体ガラス中に酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）の重量含有率を０．１ｗｔ％以上にすることが好ましく、０．１ｗｔ％以上７ｗｔ％以下がさらに好ましい。
特に、０．１ｗｔ％未満では黄変を抑制する効果が少なく、７ｗｔ％を超えるとガラスに着色が起こり好ましくない。
すなわち、本発明における実施の形態におけるＰＤＰの誘電体層８は、Ａｇ材料よりなる金属バス電極４ｂ、５ｂと接する第１誘電体層８１では黄変現象と気泡発生を抑制し、第１誘電体層８１上に設けた第２誘電体層８２によって高い光透過率を実現している。
その結果、誘電体層８全体として、気泡や黄変の発生が極めて少なく透過率の高いＰＤＰを実現することが可能となる。

４、保護膜の詳細
次に、本発明における実施の形態における保護膜９の詳細について図３および図４を用いて説明する。

４−１、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度
図３に示すグラフは、保護膜９におけるＣＯ_２ガスの脱離の様子を示している。
図３に示すグラフの横軸は基板の温度を、縦軸は保護膜９におけるＣＯ_２ガスの脱離量を示している。
本発明における実施の形態では、保護膜９におけるＣＯ_２ガスの脱離の様子を測定するために、次の測定方法で行う。
まず、保護膜９が蒸着された前面板２を大気に暴露させる。
その後、前面板２を昇温脱離ガス分析装置（（電子科学株式会社製 ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗ）に入れ、１×１０^−４Ｐａ以下の真空中で昇温させる。
昇温脱離ガス分析装置の温度を上昇させると、保護膜９からＣＯ_２ガスの脱離が進行する。
本発明における実施の形態では、ＣＯ_２ガスの脱離を基板が５０度に到達した時点から測定している。
ここで、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度を昇温脱離ガス分析装置の基板温度を２００℃以上にしたときにおいて、最もＣＯ_２ガスが保護膜９から脱離した時の温度とする。
なお、図３示すグラフは、後述で説明する実施例２に相当するＰＤＰを用いて測定を行った結果である。
図３に示すように、本発明における実施の形態における保護膜９は、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が約４００度だということがわかる。
一般的に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）や酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の各々の金属酸化物単体は、大気中に暴露すると、大気中に存在する二酸化炭素（ＣＯ_２）等と反応する。
すると、単体の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からは、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）が生成する。また、単体の酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）からは、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）が生成する。
ＣＯ_２ガスが金属酸化物に付着すると、保護膜９へのガスの吸着は画面内で均一ではないため、保護膜９の二次電子放出能力が画面内で不均一となる。
その結果、二次電子放出が画面内で不均一となり、画面の輝度も不均一の原因となる。
そこで保護膜９に熱を与えて余分なＣＯ_２ガスを排気する。
その結果、保護膜の二次電子放出能力が高くなり、輝度が面内均一になる。
そこで、ＣＯ_２ガスを排気するにはＣＯ_２ガスが脱離する脱離温度以上の熱を与えなければならない。
しかし、４８０度以上の熱を与えるとＰＤＰ１を構成する前面ガラス基板３、背面ガラス基板１１、誘電体層８等が損傷を受けやすい。
ＣＯ_２ガスをＰＤＰ１から排気するためのＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度は、保護膜の材料である金属酸化物によって異なる。
特に、本発明における実施形態における酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などを保護膜９の材料とするときよりもさらに高い温度で排気しなければＣＯ_２ガスを十分に除去することができない。
そこで、本発明における実施形態のＰＤＰ１は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）からなる２種類の金属酸化物により形成されていた保護膜９を備えている。
そのため、図４に示すように、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）からなる２種類の金属酸化物により形成されていた保護膜９を備えた前面板２から、ＣＯ_２ガスの脱離するピーク温度が４８０度未満である。
この結果、ガスの脱離ピーク温度の高い酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）を保護膜に含有しても、４８０度未満の焼成プロセスでＣＯ_２ガスの吸着を除去できる。
なお、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の重量含有率は、５％以上２５％未満が望ましい。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に対する酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の重量含有率が５％未満の場合、ＰＤＰの放電電圧の低減効果が低い。
一方、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の重量含有率が２５％以上の場合、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）のマグネシウム原子（Ｍｇ）とストロンチウム原子（Ｓｒ）と酸素原子（Ｏ）とが規則正しく配列した混晶を形成しにくく、パネルからＣＯ_２ガスが脱離されにくくなる。その結果、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が４８０度を超えてしまう。

４−２、Ｘ線回折ピーク分析
さらに、図４を用いて、本発明における実施の形態における保護膜９について説明する。

図４は、本発明における実施の形態において、保護膜９のＸ線回折分析の結果と、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単体と酸化カルシウム（ＳｒＯ）の単体におけるＸ線回折分析の結果を示す図である。
図４において、横軸はブラッグの回折角（２θ）であり、縦軸はＸ線回折波の強度である。
回折角の単位は１周を３６０度とする度で示し、強度は任意単位（ａｒｂｉｔｒａｒｙ ｕｎｉｔ）で示している。
また、図４には、それぞれの結晶方位面を括弧付けで示している。
図４に示すように、例えば、結晶方位面が（１１１）面の場合、酸化カルシウム（ＳｒＯ）単体は、回折角が３０．０度の位置に回折ピークを有し、また、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体は、回折角が３６．９度の位置に回折ピークを有していることがわかる。
同様に、例えば結晶方位面が（２００）面の場合、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体は、回折角が３４．７度度の位置に回折ピークを有し、また、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体は、回折角が４２．８度の位置に回折ピークを有していることがわかる。
一方、本発明における実施の形態における保護膜９のＸ線回折結果は、Ａ点とＢ点に示す位置にピークが表れた。
より具体的に説明すると、保護膜９のＸ線回折結果は、結晶方位面が（１１１）面の場合、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単体と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の単体との回折角の間に位置するＡ点にピークが表れた。
つまり、回折角３６．１度にピークが存在することがわかった。
さらに、結晶方位面が（２００）面の場合、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単体と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の単体との回折角の間に位置するＢ点にピークが表れた。
つまり、回折角４１．１度にピークが存在することがわかった。
なお、保護膜９の結晶方位面は、成膜条件や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の割合、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の結晶配列等によって決定されるが、いずれにしても本発明における実施の形態の保護膜９において、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単体と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の単体との間に１本のピークが存在する。
この１本のピークは、保護膜９の材料である酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のマグネシウム原子（Ｍｇ）とストロンチウム原子（Ｓｒ）と酸素原子（Ｏ）の結晶が規則正しく配列した混晶を形成している時に現れる。また、この混晶は、１つのピークだけが存在するため、不純物の混入や酸素欠損の少ない混晶である。すなわち、保護膜９の材料である酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体にＣＯ_２ガスが吸着しにくい。その結果ＣＯ２も低温で脱離しやすくなる。

４−３、エネルギーと準位
このような回折ピークの特性を有する金属酸化物のエネルギー準位も酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体との間に存在する。
その結果、保護膜９は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮する。
その結果、放電維持電圧が低くなる。
さらに、輝度を高めるために放電ガスのキセノン（Ｘｅ）分圧が大きい場合、放電電圧を低減し、低電圧で高輝度のＰＤＰを実現することが可能となる。
例えば、放電ガスとしてキセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）の混合ガスを用いた場合、キセノン（Ｘｅ）の分圧を１０％から１５％とした場合には、輝度が約３０％上昇する。
しかし、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体の保護膜９を用いた場合には、同時に放電維持電圧が約１０％上昇する。
一方、本発明における実施の形態では、上述した回折ピークの特性を有する保護膜９を有することにより、放電維持電圧を約１０％減少させることが可能となる。
さらに、放電ガスとして全てキセノン（Ｘｅ）とした場合、すなわちキセノン（Ｘｅ）分圧を１００％とした場合、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体の保護膜９を用いると、輝度が１８０％程度上昇するが、同時に放電維持電圧は３５％程度上昇して、通常の動作電圧範囲を超える。
しかし、本発明における実施の形態における保護膜９を用いると、放電維持電圧を約２０％減少させることができる。
そのため、通常動作範囲内の放電維持電圧を維持することができる。
その結果、高輝度で低電圧駆動のＰＤＰを実現することができる。

４−４、バンド構造
また、本発明における実施形態における保護膜９が放電維持電圧を低減できる理由は、それぞれの金属酸化物のバンド構造によると考えられる。
すなわち、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の価電子帯の真空準位からの深さは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と比較して浅い領域に存在する。
そのため、ＰＤＰを駆動する場合において、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）のエネルギー準位に存在する電子がキセノン（Ｘｅ）イオンの基底状態に遷移する際に、オージェ効果により放出される電子数が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の場合と比較して多くなると考えられる。
また、本発明における実施の形態における保護膜９は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）とを主成分とし、かつ、Ｘ線回折分析において、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体の回折角の間にピークが存在するものである。

上記金属酸化物のエネルギー準位に関しては酸化マグネシウムと（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）との合成された性質を有することとなる。
したがって、保護膜９のエネルギー準位も酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体との間に存在し、オージェ効果により他の電子が獲得するエネルギー量が真空準位を超えて放出されるに十分な量とすることができる。
その結果、保護膜９では、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体と比較して、良好な二次電子放出特性が発揮することができ、結果として、放電維持電圧を低減することができる。

なお、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）単体を保護膜とした場合、反応が高いために酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）が不純物と反応しやすく、そのために電子放出性能が低下してしまう。
しかし、本発明における実施の形態のように、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）との金属酸化物の構成とすることにより、反応性を低減することができる。

５、実験
次に、本発明における実施の形態における保護膜９の実験結果について説明する。
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
実施例１では、図１に示したＰＤＰと同様の構成を有するＰＤＰを作製した。ＰＤＰの製造方法は、上述したＰＤＰの製造方法と同様である。
実施例１では、保護膜９を構成する材料として、平均粒径２ｍｍのＭｇＯ粉末に対して平均粒径２ｍｍのＳｒＯ粉末の重量含有率を５ｗｔ％にて混合した混合粉末を蒸発源とした。
混合粉末を、電子ビームで蒸発させて保護膜９を形成した。保護膜９の厚さは８００ｎｍであった。保護膜を成膜する時、蒸着室に酸素を１００ｓｃｃｍ導入し、蒸着室の圧力は０．０４Ｐａであった。保護膜を成膜する時の基板温度は、３００℃であった。この前面板と背面板をフリットガラスで封着し、封着した放電空間にＮｅ９０％，Ｘｅ１０％の混合ガスを５０ｋＰａの圧力で封入してＰＤＰを作成した。
＜実施例２＞
保護膜９形成のための蒸発源として、平均粒径２ｍｍのＭｇＯ粉末に対して平均粒径２ｍｍのＳｒＯ粉末の重量含有率を１５ｗｔ％にて混合した混合粉末を用いた。
そして、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
＜実施例３＞
保護膜９形成のための蒸発源として、平均粒径２ｍｍのＭｇＯ粉末に対して平均粒径２ｍｍのＳｒＯ粉末の重量含有率を２５ｗｔ％にて混合した混合粉末を用いた。
そして、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
＜比較例１＞
保護膜９形成のための蒸発源として、平均粒径２ｍｍのＭｇＯ粉末に対して平均粒径２ｍｍのＳｒＯ粉末の重量含有率を３５ｗｔ％にて混合した混合粉末を用いた。
そして、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
＜比較例２＞
保護膜９形成のための蒸発源として、平均粒径５ｍｍのＭｇＯ粉末に対して平均粒径５ｍｍのＳｒＯ粉末の重量含有率を５ｗｔ％にて混合した混合粉末を用いた。
そして、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
＜比較例３＞
保護膜９形成のための蒸発源として、平均粒径２ｍｍのＭｇＯ粉末に対して平均粒径２ｍｍのＳｒＯ粉末の重量含有率を２ｗｔ％にて混合した混合粉末を用いた。そして、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
＜比較例４＞
保護膜９形成のための蒸発源として、平均粒径２ｍｍのＭｇＯ粉末を用いた。そして、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。

６、評価
これらの実施例１〜３および比較例１〜４で製造したＰＤＰを、１００ｋＨｚ矩形波にて電圧をかけて、放電維持電圧を測定した。
また、放電維持電圧でＰＤＰを点灯させて、肉眼で輝度ムラが確認できるかを評価した。
輝度ムラが確認されなかった場合は輝度均一性の評価を○とし、輝度ムラが確認された場合は×とした。
ＰＤＰの評価後、ＰＤＰを割断し、前面板の中央部を１０ｍｍのサイズで２枚切り出した。
切り出した１枚は大気中に１時間放置の後、昇温脱離ガス分析装置（電子科学株式会社製 ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗ）の中に入れ、ＣＯ_２ガスの脱離温度を測定した。
脱離温度の測定時の昇温スピードは１０℃／分であった。
また、他方の一枚は、Ｘ線回折装置（パナリティカル株式会社製）にてＸ線回折強度を測定した。ＣＯ_２ガスの脱離温度の測定結果とＸ線回折強度の測定結果を表１に示した。

７、結果
表１に示すように、実施例１、２、３のようにＳｒＯを含んでいても、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が低いものは、放電維持電圧低減と輝度均一性の両立が図られている。
一方、比較例１のように、ＭｇＯに対するＳｒＯの重量比が１／４を超える場合、ＭｇＯとＳｒＯから成る混晶が形成されず、ＰＤＰ１の輝度均一性が良くない。
また、比較例２のように、ＭｇＯとＳｒＯとの平均粒径が２ｍｍを超える場合も同様に、ＭｇＯとＳｒＯから成る混晶が形成されず、輝度均一性が良くない。
ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が低くても、比較例３が示すようにＭｇＯに対するＳｒＯの重量比が１／２０より小さい保護膜は、放電維持電圧低減効果が小さい。

８、実施の形態の特徴
上記本発明における実施の形態において特徴的な部分を以下に列記する。なお、上記実施の形態に含まれる発明は、以下に限定されるものではない。
なお、各構成の後ろに括弧で記載したものは、各構成の具体例である。
各構成はこれらの具体例に限定されるものではない。

（１）
実施例１、２、３の結果より、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度は４８０度未満であった。一方比較例１、２は、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が４８０度を超えた。
すなわち、前面板（２）と、前面板（２）に対向配置された背面板（１０）と、前面板（２）と背面板（１０）との間に放電ガスが充填された放電空間とを有するプラズマディスプレイパネル（１）であって、前面板（２）は、前面ガラス基板（３）と、前面ガラス基板上の放電空間側に形成した表示電極（６）と、表示電極（６）を覆う誘電体層（８）と、誘電体層（８）を覆う保護膜（９）と、を有し、背面板（２）は、背面ガラス基板（１１）と、背面ガラス基板上の放電空間側に表示電極（６）の方向と交差する方向に形成されたアドレス電極（１２）と、アドレス電極（１２）を覆い、放電空間（１６）を区画する隔壁（１４）と、を有し、保護膜（９）は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウムを含み、保護膜（９）のＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が４８０度未満であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ１）は、画面均一性を実現することがわかった。

（２）
実施例１、２、３及び比較例３、４が示すように、Ｘ線回折ピークが１つであった場合、ＰＤＰの輝度ムラは発生せず、輝度均一性は良好であった。
一方、比較例１及び比較例２が示すように、Ｘ線回折ピークがない場合、ＰＤＰにおいて輝度ムラが発生した。
すなわち、（１）のプラズマディスプレイパネルにおいて、保護膜（９）は、特定方位面におけるＸ線回折分析において、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の回折ピークが発生する回折角と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の回折ピークが発生する回折角との間の回折角に、回折ピークが存在するとき、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ１）は、画面均一性を実現することがわかった。

（３）
実施例１、２、３及び比較例１、２より酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に対する酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の重量含有率が５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下であるとき、ＰＤＰの放電維持電圧が約２００度未満であった。

一方、比較例３及び比較例４の場合、放電維持電圧が２００Ｖを超えた。

すなわち、（１）のプラズマディスプレイパネルにおいて、保護膜（９）は、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の保護膜（９）に対する重量含有率が５ｗｔ％以上２５ｗｔ％未満であるとき、プラズマディスプレイパネルは（ＰＤＰ１）は、画面均一性を実現するだけでなく、低電圧駆動が可能になることがわかった。

（４）
実施例１，２，３のように平均粒径２ｍｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と平均粒径２ｍｍの酸化ストロンチウムを（ＳｒＯ）保護膜（９）の材料とする場合、輝度ムラがなく、放電維持電圧がより低い。

一方、比較例２のように平均粒径５ｍｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）を保護膜（９）の材料とする場合、放電維持電圧はより低いが、ＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が高く、輝度ムラが発生する。

すなわち、平均粒系２ｍｍ以下の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、平均粒径２ｍｍ以下の酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と、が混合された粉体、または、混合された後焼結された焼結体を電子ビーム蒸着法で蒸着されるとき、プラズマディスプレイパネルは（ＰＤＰ１）は、画面均一性を実現するだけでなく、低電圧駆動が可能になることがわかった。

以上のように本発明は、低電圧駆動であり、輝度均一性の高いＰＤＰを実現する上で有用な発明である。

１ ＰＤＰ
２ 前面板
３ 前面ガラス基板
４ 走査電極
４ａ，５ａ 透明電極
４ｂ，５ｂ 金属バス電極
５ 維持電極
６ 表示電極
７ ブラックストライプ（遮光層）
８ 誘電体層
９ 保護膜
１０ 背面板
１１ 背面ガラス基板
１２ アドレス電極
１３ 下地誘電体層
１４ 隔壁
１５ 蛍光体層
１６ 放電空間
８１ 第１誘電体層
８２ 第２誘電体層

Claims (5)

1. 前面板と、前記前面板に対向配置された背面板と、前記前面板と前記背面板との間に放電ガスが充填された放電空間とを有するプラズマディスプレイパネルであって、
   前記前面板は、前面ガラス基板と、前記前面ガラス基板上に取り付けられた表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜と、を有し、
   前記背面板は、背面ガラス基板と、前記表示電極の方向と交差する方向に取り付けられたれたアドレス電極と、前記放電空間を区画する隔壁と、を有し、
   前記保護膜は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）とを含み、前記保護膜のＣＯ_２ガスの脱離ピーク温度が４８０度未満である
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
2. 前記保護膜は、
   特定方位面におけるＸ線回折分析において、
   前記酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の回折ピークが発生する回折角と前記酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の回折ピークが発生する回折角との間の回折角に、回折ピークが存在する
   ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル
3. 前記特定方位面は（２００）又は（１１１）のいずれかである
   ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル
4. 前記保護膜は、
   酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の前記保護膜に対する重量含有率が５ｗｔ％以上２５ｗｔ％未満であることを特徴とする請求項１または２のプラズマディスプレイパネル
5. 前記保護膜は、
   平均粒径２ｍｍ以下の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、平均粒径２ｍｍ以下の酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と、が混合された粉体、または、混合された後焼結された焼結体を電子ビーム蒸着法で蒸着されることを特徴とする請求項１〜３に記載のプラズマディスプレイパネル
   

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