JP2011182179A - High-frequency module housing structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高周波モジュール筐体構造に関するものである。 The present invention relates to a high-frequency module housing structure.
マイクロ波増幅器では、基本波以外の高調波を発生するため、マイクロ波増幅器の出力側に高調波抑圧回路を配置し、基本波での高出力増幅等の特性に影響を与えることなく、高調波を抑制できるようにしている。 Since microwave amplifiers generate harmonics other than the fundamental wave, a harmonic suppression circuit is placed on the output side of the microwave amplifier, and harmonics are not affected without affecting the characteristics such as high-power amplification at the fundamental wave. Can be suppressed.
高調波抑圧回路としては、マイクロ波増幅器の出力側に、高調波信号に対して短絡状態を実現するショートスタブや開放状態を実現するオープンスタブを設けて高調波信号を反射させる構成(例えば、特許文献1)や、高調波信号に共振する結合線路を設けて高調波信号を反射させる構成(例えば、特許文献2)が知られている。 As a harmonic suppression circuit, a short stub that realizes a short circuit state or an open stub that realizes an open state is provided on the output side of the microwave amplifier to reflect the harmonic signal (for example, a patent) Document 1) and a configuration for reflecting a harmonic signal by providing a coupling line that resonates with the harmonic signal (for example, Patent Document 2) are known.
ところが、高調波抑制回路を付加したマイクロ波増幅器においても、モジュール筐体に収納した場合には、マイクロ波増幅器の出力端からモジュール筐体のカットオフ周波数を超える高調波信号が筐体内空間に放射された場合、その高調波信号が導波管モードで伝播し、モジュールの出力コネクタとの接続部に結合してしまい、高調波信号がモジュールの出力コネクタを介して外部へ漏洩する問題が生じていた。 However, even in a microwave amplifier to which a harmonic suppression circuit is added, when it is housed in a module housing, a harmonic signal exceeding the cutoff frequency of the module housing is radiated from the output end of the microwave amplifier to the space inside the housing. In this case, the harmonic signal propagates in the waveguide mode and is coupled to the connection portion with the module output connector, and there is a problem that the harmonic signal leaks to the outside through the module output connector. It was.
このような問題を解決するため、特許文献3では、板状の電波吸収体を筐体内の空間を囲む内面に固定する高周波回路パッケージが提案されている。
In order to solve such a problem,
しかし、電波吸収体では、十分な減衰特性が得られない。また、電波吸収体内の磁性体の歳差運動の周波数限界値以上では使用できないという問題がある。 However, sufficient attenuation characteristics cannot be obtained with the radio wave absorber. In addition, there is a problem that it cannot be used above the frequency limit value of the precession of the magnetic substance in the radio wave absorber.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、筐体内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号と結合して吸収できる終端器装荷アンテナを備えた高周波モジュール筐体構造を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and obtains a high-frequency module housing structure including a terminator-loaded antenna that can be coupled and absorbed by a harmonic signal propagating in a space in the housing in a waveguide mode. With the goal.
上述した目的を達成するために、本発明にかかる高周波モジュール筐体構造は、出力段にマイクロ波増幅器が配置される高周波モジュール筐体において、前記高周波モジュール筐体内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号の筐体共振による複数の電界集中箇所の少なくとも1つの電界集中箇所の付近に対応する該高周波モジュール筐体の天井面上の所定位置に配置され、前記高調波信号と結合するアンテナと、前記アンテナに装荷され、該アンテナに誘起された高調波信号のエネルギーを熱ネルギーに変換して吸収する終端器とを備えたことを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, a high-frequency module housing structure according to the present invention is a high-frequency module housing in which a microwave amplifier is disposed at an output stage, and propagates in a space in the high-frequency module housing in a waveguide mode. An antenna that is arranged at a predetermined position on the ceiling surface of the high-frequency module housing corresponding to the vicinity of at least one electric field concentration location of a plurality of electric field concentration locations due to casing resonance of the harmonic signal to be coupled, and is coupled to the harmonic signal And a terminator loaded on the antenna and converting the energy of the harmonic signal induced in the antenna into thermal energy and absorbing it.
本発明によれば、高周波モジュール筐体の天井面に設けたアンテナがモジュール筐体1内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号と結合して高調波信号のエネルギーを誘起し、装荷された終端器がアンテナに誘起された高調波信号のエネルギーを熱エネルギーに変換して吸収するので、外部への高調波漏洩を抑圧できるという効果を奏する。 According to the present invention, the antenna provided on the ceiling surface of the high-frequency module housing couples with the harmonic signal propagating in the space in the module housing 1 in the waveguide mode to induce the energy of the harmonic signal, Since the terminated terminator converts the energy of the harmonic signal induced in the antenna into thermal energy and absorbs it, there is an effect that harmonic leakage to the outside can be suppressed.
以下に、本発明にかかる高周波モジュール筐体構造の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of a high-frequency module housing structure according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
実施の形態.
図1は、本発明の一実施の形態による高周波モジュール筐体構造の要部構成を示す一部側面断面図である。図1において、モジュール筐体1は、金属製の有底箱体からなる筐体本体1aと、筐体本体1aの開口を蓋する金属板材からなるカバー1bとを備えている。筐体本体1aの床面には金属キャリア2が配置されている。
Embodiment.
FIG. 1 is a partial side cross-sectional view showing a main configuration of a high-frequency module housing structure according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a module housing 1 includes a
図中、筐体本体1aの左方が出力であり、右方が入力側である。筐体本体1aの出力側端には、同軸コネクタ3が取り付けられている。同軸コネクタ3は、外導体3aと内導体3cとそれらの間に介在する誘電体3bとを備えている。この筐体本体1aの出力側端から図示しない入力側端に向かって、金属キャリア2上に、高調波抑圧回路4とマイクロ波増幅器5とが、この順に載置されている。
In the figure, the left side of the
そして、マイクロ波増幅器5の出力側と高調波抑圧回路4とが金リボン6を介して接続され、高調波抑圧回路4と同軸コネクタ3の内導体3cとが金リボン7を介して接続されている。つまり、マイクロ波増幅器5の出力は、金リボン6、高調波抑圧回路4、金リボン7を通って同軸コネクタ3に伝達される構成である。
The output side of the
以上の構成において、マイクロ波増幅器5の出力側に接続される金リボン6からモジュール筐体1内の空間に、モジュール筐体1のカットオフ周波数を超える高調波信号が放射された場合、導波管モードで伝播した高調波信号は、高調波抑圧回路4にて抑圧されることなく金リボン7と結合し、同軸コネクタ3を介して外部へ漏洩する。
In the above configuration, when a harmonic signal exceeding the cut-off frequency of the module housing 1 is radiated from the
そこで、本実施の形態では、モジュール筐体1内には、導波管モードで伝播する高調波信号の筐体共振による複数の電界集中箇所が形成される点に着目し、その複数の電界集中箇所のうちの少なくとも1つの電界集中箇所付近に対応するモジュール筐体1の天井面(つまりカバー1aの裏面)上の位置に、終端器装荷アンテナ8を設けるようにした。
Therefore, in the present embodiment, paying attention to the fact that a plurality of electric field concentration portions are formed in the module casing 1 due to the casing resonance of the harmonic signal propagating in the waveguide mode. The terminator loaded
終端器装荷アンテナ8は、アンテナがモジュール筐体1内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号と結合して高調波信号のエネルギーを誘起し、装荷された終端器がアンテナに誘起された高調波信号のエネルギーを熱エネルギーに変換して吸収する。これによって、モジュール筐体1内の空間を伝播する高調波信号の勢力を弱めることができるので、外部への高調波漏洩を抑圧できる筐体構造が得られる。
The terminator loaded
以下、実施例として、終端器装荷アンテナ8の各種の態様を示す。これによって、アンテナ設計における周波数やQ値の選択において、結合周波数や結合量を自由に選択できる利点が生ずることがわかる。
Hereinafter, various embodiments of the terminator loaded
なお、各実施例(図2〜図11)では、理解を容易にするため、モジュール筐体1を天地を逆にして示してあり、下側が裏面を上向きしたカバー1bであり、上側が床面を省略した筐体本体1aである。同軸コネクタ3は示してないが、筐体本体1aの左端側が同軸コネクタ3が取り付けられている出力側端であるとしている。
In each of the embodiments (FIGS. 2 to 11), for ease of understanding, the module housing 1 is shown upside down, the lower side is the
そして、図2、図3、図6、図8、図11では、モジュール筐体1内の空間を高調波信号が導波管モードで伝播するときに形成される電界集中箇所として、導波管モードで伝播する高調波信号のいわゆる管内波長をλとしたとき、筐体本体1aの出力側端面からλ/4離れた位置に形成される電界集中箇所(電界方向が上向きである位置:定在波の最大振幅位置)と、そこからλ/2(つまり筐体本体1aの出力側端面から3λ/4)離れた位置に形成される逆位相の電界集中箇所(電界方向が下向きである位置:定在波の最小振幅位置)とが示されている。
2, 3, 6, 8, and 11, a waveguide is used as an electric field concentration portion formed when a harmonic signal propagates in a space in the module housing 1 in a waveguide mode. When the so-called in-tube wavelength of the harmonic signal propagating in the mode is λ, an electric field concentration point formed at a position λ / 4 away from the output side end face of the
<実施例1>
図2は、実施例1を説明する概念図である。図2では、終端器装荷アンテナ8に、基端に終端器9−1を装荷した先端開放型アンテナ8−1を用いる例が示されている。図2において、カバー1bの裏面(天井面)に円筒状の金属リング10が固定され、この金属リング10のリング内に充填された誘電体11表面における金属リング10の軸線位置に、先端開放型アンテナ8−1は立設されている。終端器9−1は、先端開放型アンテナ8−1の基端周辺における誘電体11の表面に配置されている。
<Example 1>
FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the first embodiment. FIG. 2 shows an example in which the open end type antenna 8-1 loaded with the terminator 9-1 at the base end is used as the terminator loaded
図2に示すように、先端開放型アンテナ8−1は、金属リング10をその軸線位置が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に位置するようにカバー1bの裏面に固定すると、筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置される構成になっている。なお、先端開放型アンテナ8−1の長さは、モジュール筐体1内の空間サイズに応じて定められる。
As shown in FIG. 2, the open-ended antenna 8-1 has a
この構成によれば、筐体本体1aの出力側端面からλ/4離れた位置は、電界集中箇所であるので、モジュール筐体1内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号を効果的に終端器装荷の先端開放型アンテナに結合させ、吸収させることができ、外部へ漏洩する高調波の抑圧が行える。
According to this configuration, since the position away from the output side end face of the
<実施例2>
図3は、実施例2を説明する概念図である。図3では、図2に示した、終端器9−1を装荷した先端開放型アンテナ8−1を予め基板12内に埋め込んでおき、その基板12をカバー1bの裏面の所定位置に固定すると、先端開放型アンテナ8−1が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置されるようにした例が示されている。
<Example 2>
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating the second embodiment. In FIG. 3, when the open-ended antenna 8-1 loaded with the terminator 9-1 shown in FIG. 2 is embedded in the
この実施例2によれば、終端器9−1を装荷した先端開放型アンテナ8−1を予め基板12内に収納するので、筐体本体1aの出力端側から外部へ漏洩する高調波信号を抑圧できる効果に加えて、生産性が向上するという効果も得られる。
According to the second embodiment, since the open-ended antenna 8-1 loaded with the terminator 9-1 is stored in the
<実施例3>
図4は、実施例3を説明する概念図である。図4では、筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に、図2に示した、終端器9−1を装荷した先端開放型アンテナ8−1の複数個(図示例では2個)を、短手方向(Y方向)に並べた例が示されている。これによって、マイクロ波増幅器5の出力周波数の高調波信号による電界集中箇所付近において、より多くの電界に先端開放型アンテナ8−1を触れさせることができるので、マイクロ波増幅器5の出力に起因する高調波信号のより多くの高調波エネルギーを先端開放型アンテナ8−1に結合させ、終端器9−1に吸収させることができる。
<Example 3>
FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining the third embodiment. In FIG. 4, a plurality of open-ended antennas 8-1 loaded with the terminator 9-1 shown in FIG. 2 (in the example shown in the figure) are separated from the output side end face of the
加えて、モジュール筐体1内を伝播する高調波信号は、マイクロ波増幅器5の様々な出力周波数に起因する。そのような他の周波数の高調波信号でもその波長をλ’とすれば、筐体本体1aの出力側端面からλ’/4離れた位置に電界集中箇所が形成される。この筐体本体1aの出力側端面からλ’/4離れた位置と、筐体本体1aの出力側端面からλ/4離れた位置とは、長手方向(X方向)にずれた位置関係にある。
In addition, the harmonic signal propagating in the module housing 1 is caused by various output frequencies of the
そこで、そのような他の周波数の高調波信号に対しても対応できるようにするため、図4に示すように、筐体本体1aの出力側端面からλ’/4程度離れた位置に、図2に示した、終端器9−1を装荷した先端開放型アンテナ8−1の複数個(図示例では2個)を、短手方向(Y方向)に並べるようにする。これによって、他の周波数の高調波信号による電界集中箇所付近において、より多くの電界に先端開放型アンテナ8−1を触れさせることができるので、他の周波数の高調波信号のより多くの高調波エネルギーを先端開放型アンテナ8−1に結合させ、終端器9−1に吸収させることができる。
Therefore, in order to be able to cope with harmonic signals of such other frequencies as well, as shown in FIG. 4, at a position separated by about λ ′ / 4 from the output side end face of the
このように、実施例3では、マイクロ波増幅器5の出力に起因する高調波信号(波長λ)に対する終端器装荷先端開放型アンテナのアンテナ列13と、他の周波数の高調波信号(波長λ’)に対する終端器装荷先端開放型アンテナのアンテナ列14とを並置したので、実施例1よりも抑圧できる高調波信号の帯域を広くすることができ、同時にアンテナとの結合性を高めることができる。
Thus, in the third embodiment, the
<実施例4>
図5は、実施例4を説明する概念図である。図5では、図4に示したアンテナ列13,14を予め基板12内に作り込んでおき、その基板12をカバー1bの裏面に所定位置に固定すると、アンテナ列13が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置され、アンテナ列14が筐体本体1aの出力側端面からλ’/4程度離れた位置に配置されるようにした例が示されている。
<Example 4>
FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining the fourth embodiment. In FIG. 5, when the
この実施例4によれば、実施例2よりも抑圧できる高調波信号の帯域を広くすることができ、同時にアンテナとの結合性を高めることができる。また、生産性も向上させることができる。 According to the fourth embodiment, it is possible to widen the band of the harmonic signal that can be suppressed as compared with the second embodiment, and at the same time, it is possible to improve the connectivity with the antenna. In addition, productivity can be improved.
<実施例5>
図6は、実施例5を説明する概念図である。図5では、終端器装荷アンテナ8に、先端側に終端器9−2を装荷した先端短絡型アンテナ8−2を用いる例が示されている。図5において、先端短絡型アンテナ8−2は、カバー1bの裏面所定位置に固定される基板12の表面に配置される。先端短絡型アンテナ8−2の基端は、基板12に設けた上下面を貫通するスルーホール15を通してグランドであるカバー1bの裏面に接続される。そして、基板12の表面上における先端短絡型アンテナ8−2の先端にオープンスタブ16を取り付けた構成である。終端器9−2は、オープンスタブ15の取り付け位置に装着されている。
<Example 5>
FIG. 6 is a conceptual diagram for explaining the fifth embodiment. FIG. 5 shows an example in which a short-circuited tip antenna 8-2 loaded with a terminator 9-2 on the front end side is used for the terminator loaded
図6に示すように、先端短絡型アンテナ8−2は、基板12をカバー1bの裏面所定位置に固定すると、筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置される構成になっている。
As shown in FIG. 6, the tip short-circuited antenna 8-2 is arranged at a position about λ / 4 away from the output side end surface of the
実施例5の構成によっても実施例2と同様に、外部へ漏洩する高調波の抑圧効果と、生産性向上の効果とが得られる。 Also with the configuration of the fifth embodiment, similarly to the second embodiment, the effect of suppressing harmonics leaking to the outside and the effect of improving productivity can be obtained.
<実施例6>
図7は、実施例6を説明する概念図である。図7では、実施例4と同様の考えで、基板12に、図6に示した、終端器9−2を装荷した先端短絡型アンテナ8−2の複数個による、マイクロ波増幅器5の出力に起因する高調波信号(波長λ)に対する終端器装荷先端短絡型アンテナのアンテナ列16と、他の周波数の高調波信号(波長λ’)に対する終端器装荷先端短絡型アンテナのアンテナ列17とを並置して形成した例が示されている。
<Example 6>
FIG. 7 is a conceptual diagram for explaining the sixth embodiment. In FIG. 7, based on the same idea as in the fourth embodiment, the output of the
図7において、基板12をカバー1bの裏面に所定位置に固定すると、アンテナ列16が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置され、アンテナ列17が筐体本体1aの出力側端面からλ’/4程度離れた位置に配置される構成になっている。
In FIG. 7, when the
この実施例6によれば、実施例5よりも抑圧できる高調波信号の帯域を広くすることができ、同時にアンテナとの結合性を高めることができる。また、生産性も向上させることができる。 According to the sixth embodiment, the band of the harmonic signal that can be suppressed as compared with the fifth embodiment can be widened, and at the same time, the connectivity with the antenna can be enhanced. In addition, productivity can be improved.
<実施例7>
図8は、実施例7を説明する概念図である。図8では、終端器装荷アンテナ8に、2つの終端器9−3a,9−3bを装荷した両端開放型方形マイクロストリップアンテナ8−3を用いる例が示されている。図8において、両端開放型方形マイクロストリップアンテナ8−3は、カバー1bの裏面所定位置に固定される基板12の表面上に所定幅の1/2波長導体線路18の両端位置が基板12の上下面を貫通するスルーホール18を介して裏面のグランド導体(カバー1bの裏面)に接続される構成である。終端器9−3a,9−3bは、それぞれ1/2波長導体線路18の両端位置に装着されている。
<Example 7>
FIG. 8 is a conceptual diagram for explaining the seventh embodiment. In FIG. 8, an example is shown in which a terminator loaded
基板12をカバー1bの裏面所定位置に固定すると、両端開放型方形マイクロストリップアンテナ8−3は、1/2波長導体線路18の長手方向の一端が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置され、その1/2波長導体線路18の長手方向の他端が筐体本体1aの出力側端面から3λ/4程度離れた位置に配置される構成になっている。
When the
筐体本体1aの出力側端面からλ/4離れた位置は、マイクロ波増幅器5の出力に起因する高調波信号の筐体共振における電界集中箇所であり、そこからλ/2離れた位置は、逆相の関係で電界が集中している箇所である。この電界関係は、両端開放型方形マイクロストリップアンテナ8−3のTM100モードに等しいので、効果的に高周波信号を両端開放型方形マイクロストリップアンテナ8−3に結合させることができる。
The position away from the output side end face of the
また、両端開放型方形マイクロストリップアンテナ8−3のTM100モードにおける電界集中箇所は電流集中箇所でもあるので、その電界集中箇所付近に装着された終端器9−3a,9−3bは、効果的に高調波信号のエネルギーを熱エネルギーに変換して吸収することができる。 In addition, since the electric field concentration location in the TM100 mode of the open-ended square microstrip antenna 8-3 is also a current concentration location, the terminators 9-3a and 9-3b mounted in the vicinity of the electric field concentration location are effective. The energy of the harmonic signal can be converted into heat energy and absorbed.
したがって、実施の形態7によれば、2つの終端器を装荷した両端開放型方形マイクロストリップアンテナを用いるので、外部へ漏洩する高調波の抑圧効果を実施例1,2,5よりも向上させることができる。 Therefore, according to the seventh embodiment, since the open-ended square microstrip antenna loaded with two terminators is used, the effect of suppressing harmonics leaking to the outside can be improved more than in the first, second, and fifth embodiments. Can do.
<実施例8>
図9は、実施例8を説明する概念図である。図9では、実施例4と同様の考えで、基板12に、図8に示した、終端器9−3a,9−3bを装荷した両端開放型方形マイクロストリップアンテナ8−3の複数個による、マイクロ波増幅器5の出力に起因する高調波信号(波長λ)に対する終端器装荷両端開放型方形マイクロストリップアンテナのアンテナ列20と、他の周波数の高調波信号(波長λ’)に対する終端器装荷両端開放型方形マイクロストリップアンテナのアンテナ列21とを並置して形成した例が示されている。
<Example 8>
FIG. 9 is a conceptual diagram for explaining the eighth embodiment. In FIG. 9, based on the same idea as in Example 4, a plurality of open-ended square microstrip antennas 8-3 loaded with terminators 9-3a and 9-3b shown in FIG. Terminator-loaded open-ended square
図9において、基板12をカバー1bの裏面に所定位置に固定すると、アンテナ列19が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置され、アンテナ列20が筐体本体1aの出力側端面からλ’/4程度離れた位置に配置される構成になっている。
In FIG. 9, when the
この実施例8によれば、実施例7よりも抑圧できる高調波信号の帯域を広くすることができ、同時にアンテナとの結合性を高めることができる。また、生産性も向上させることができる。 According to the eighth embodiment, it is possible to widen the band of the harmonic signal that can be suppressed as compared with the seventh embodiment, and at the same time, it is possible to improve the connectivity with the antenna. In addition, productivity can be improved.
<実施例9>
図10は、実施例9を説明する概念図である。図10では、終端器装荷アンテナ8に、終端器9−4を装荷した片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ8−4を用いる例が示されている。図10において、片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ8−4は、カバー1bの裏面所定位置に固定される基板12の表面上に所定幅の1/4波長導体線路22が形成され、その1/4波長導体線路22の両端位置が基板12の上下面を貫通するスルーホール23を介して裏面のグランド導体(カバー1bの裏面)に接続される構成である。終端器9−4は、1/4波長導体線路22の片端位置に装着されている。
<Example 9>
FIG. 10 is a conceptual diagram for explaining the ninth embodiment. FIG. 10 shows an example in which the terminator loaded
基板12をカバー1bの裏面所定位置に固定すると、片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ8−4は、1/4波長導体線路22の長手方向の一端が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置され、そこからλ/4程度離れた位置に1/4波長導体線路22の長手方向の他端が配置される構成である。終端器9−4は、筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置される1/4波長導体線路22の長手方向の一端に装着されている。
When the
筐体本体1aの出力側端面からλ/4離れた位置は、マイクロ波増幅器5の出力に起因する高調波信号の筐体共振における電界集中箇所であり、そこからλ/4離れた位置は、電界がゼロとなる短絡箇所である。この電界関係は、片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ8−4のTM100モードに等しいので、効果的に高周波信号を片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ8−4に結合させることができる。
The position away from the output side end face of the
また、片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ8−4のTM100モードにおける電界集中箇所は電流集中箇所でもあるので、その電界集中箇所付近に装着された終端器9−4は、効果的に高調波信号のエネルギーを熱エネルギーに変換して吸収することができる。 In addition, since the electric field concentration portion in the TM100 mode of the one-side short-circuited rectangular microstrip antenna 8-4 is also a current concentration portion, the terminator 9-4 mounted in the vicinity of the electric field concentration portion effectively converts the harmonic signal. Energy can be converted into thermal energy and absorbed.
このように、実施の形態9では、終端器装荷の片側短絡型方形マイクロストリップアンテナを用いて、外部へ漏洩する高調波信号の抑圧が行える。 As described above, in the ninth embodiment, the harmonic signal leaking to the outside can be suppressed using the one-side short-circuited rectangular microstrip antenna loaded with the terminator.
<実施例10>
図11は、実施例10を説明する概念図である。図11では、実施例8と同様の考えで、基板12に、図10に示した、終端器9−4を装荷した片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ8−4の複数個による、マイクロ波増幅器5の出力に起因する高調波信号(波長λ)に対する終端器装荷両端開放型方形マイクロストリップアンテナのアンテナ列24と、他の周波数の高調波信号(波長λ’)に対する終端器装荷両端開放型方形マイクロストリップアンテナのアンテナ列24とを並置して形成した例が示されている。
<Example 10>
FIG. 11 is a conceptual diagram for explaining the tenth embodiment. In FIG. 11, based on the same idea as in the eighth embodiment, the
図11において、基板12をカバー1bの裏面に所定位置に固定すると、アンテナ列24が筐体本体1aの出力側端面からλ/4程度離れた位置に配置され、アンテナ列22が筐体本体1aの出力側端面からλ’/4程度離れた位置に配置される構成になっている。
In FIG. 11, when the
この実施例10によれば、実施例9よりも抑圧できる高調波信号の帯域を広くすることができ、同時にアンテナとの結合性を高めることができる。また、生産性も向上させることができる。 According to the tenth embodiment, it is possible to widen the band of the harmonic signal that can be suppressed compared to the ninth embodiment, and at the same time, it is possible to improve the connectivity with the antenna. In addition, productivity can be improved.
以上のように、本発明にかかる高周波モジュール筐体構造は、外部へ漏洩する高調波信号を抑圧できる高周波モジュール筐体構造として有用である。 As described above, the high-frequency module housing structure according to the present invention is useful as a high-frequency module housing structure that can suppress harmonic signals leaking to the outside.
1 モジュール筐体
1a 筐体本体
1b カバー
2 金属キャリア
3 同軸コネクタ
4 高調波抑圧回路
5 マイクロ波増幅器
6,7 金リボン
8 終端器装荷アンテナ
8−1 先端開放型アンテナ
8−2 先端短絡型アンテナ
8−3 両端開放型方形マイクロストリップアンテナ
8−4 片側短絡型方形マイクロストリップアンテナ
9−1,9−2,9−3a,9−3b,9−4 終端器
12 終端器装荷アンテナを形成させる基板
13,14 終端器装荷先端開放型アンテナのアンテナ列
16,17 終端器装荷先端短絡型アンテナのアンテナ列
20,21 終端器装荷両端開放型方形マイクロストリップアンテナのアンテナ列
24,25 終端器装荷片側短絡型方形マイクロストリップアンテナのアンテナ列
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Module housing |
Claims (16)
前記高周波モジュール筐体内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号の筐体共振による複数の電界集中箇所の少なくとも1つの電界集中箇所の付近に対応する該高周波モジュール筐体の天井面上の所定位置に配置され、前記高調波信号と結合するアンテナと、
前記アンテナに装荷され、該アンテナに誘起された高調波信号のエネルギーを熱ネルギーに変換して吸収する終端器と
を備えたことを特徴とする高周波モジュール筐体構造。 In a high-frequency module housing in which a microwave amplifier is arranged at the output stage,
On the ceiling surface of the high-frequency module housing corresponding to the vicinity of at least one electric field concentration location among a plurality of electric field concentration locations due to the housing resonance of harmonic signals propagating in the waveguide mode in the space in the high-frequency module housing An antenna disposed in place and coupled to the harmonic signal;
A high-frequency module housing structure comprising: a terminator loaded on the antenna and converting the energy of a harmonic signal induced in the antenna into thermal energy and absorbing it.
前記終端器装荷の先端短絡型アンテナは、基板に、該基板を前記天井面に固定したとき前記少なくとも1つの電界集中箇所の付近に配置されるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール筐体構造。 The antenna loaded with the terminator is a tip short-circuited antenna loaded with a terminator on the tip side,
The short-circuited tip antenna loaded with the terminator is formed on a substrate so as to be disposed in the vicinity of the at least one electric field concentration portion when the substrate is fixed to the ceiling surface. 2. The high-frequency module housing structure according to 1.
前記終端器装荷の両端開放型方形マイクロストリップアンテナは、基板に、該基板を前記天井面に固定したとき、前記1/2波長導体線路の一端が前記少なくとも1つの電界集中箇所の付近に配置され、他端が前記少なくとも1つの電界集中箇所から1/2波長離隔した他の電界集中箇所の付近に配置されるように形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール筐体構造。 The antenna loaded with the terminator is a both-end open rectangular microstrip antenna loaded with terminators at both ends of a half-wave conductor line,
The open-ended rectangular microstrip antenna loaded with the terminator is arranged such that one end of the half-wave conductor line is arranged in the vicinity of the at least one electric field concentration portion when the substrate is fixed to the ceiling surface. The high-frequency module housing according to claim 1, wherein the other end is disposed in the vicinity of another electric field concentration portion that is separated from the at least one electric field concentration portion by a half wavelength. Construction.
前記終端器装荷の片側短絡型方形マイクロストリップアンテナは、基板に、該基板を前記天井面に固定したとき、前記1/4波長導体線路の前記一端が前記少なくとも1つの電界集中箇所の付近に配置され、他端が他の電界集中箇所に向いて配置されるように形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール筐体構造。 The antenna loaded with the terminator is a one-sided short-circuited rectangular microstrip antenna in which a terminator is loaded at one end of a quarter wavelength conductor line,
The one-sided short-circuited rectangular microstrip antenna loaded with the terminator is disposed on a substrate, and when the substrate is fixed to the ceiling surface, the one end of the ¼ wavelength conductor line is disposed in the vicinity of the at least one electric field concentration portion. The high-frequency module housing structure according to claim 1, wherein the other end is arranged to face another electric field concentration portion.
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JP2010044238A JP2011182179A (en) | 2010-03-01 | 2010-03-01 | High-frequency module housing structure |
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-
2010
- 2010-03-01 JP JP2010044238A patent/JP2011182179A/en active Pending
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