JP2011177735A - レーザー穴開け加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
レーザービームを集光させ、被加工物に対し穴を開けるレーザー穴開け加工方法において、適切な条件を設定することで高アスペクト比の深い穴を開けることを可能とする。
【解決手段】
本発明に係るレーザー光穴開け方法は、波長300[nm]以下のレーザー光を光学系にて集光し、被加工物に所定の繰り返し周波数で照射することで穴開けを行うレーザー穴開け加工方法において、光学系の開口数NAを、
0.004<NA<0.03
としたことを特徴とするものである。
【選択図】図3
レーザービームを集光させ、被加工物に対し穴を開けるレーザー穴開け加工方法において、適切な条件を設定することで高アスペクト比の深い穴を開けることを可能とする。
【解決手段】
本発明に係るレーザー光穴開け方法は、波長300[nm]以下のレーザー光を光学系にて集光し、被加工物に所定の繰り返し周波数で照射することで穴開けを行うレーザー穴開け加工方法において、光学系の開口数NAを、
0.004<NA<0.03
としたことを特徴とするものである。
【選択図】図3
Description
本発明は、レーザー穴開け加工方法に関し、特に、シリコンウエハー、ガラス基板等に対してレーザービームを照射し、高アスペクト比の深い穴を空ける技術に関するものである。
従来、小径、かつ、高アスペクト比(縦横比)の穴加工は各種技術分野において多くのニーズがある。例えば、半導体材料を対象としたものでは、シリコン基板の貫通配線が、誘電体を対象としたものでは、ガラス内部での流路形成が、また、金属を対象としたものでは、エンジンの燃料噴射ノズルなどが挙げられる。
このような極細穴あけには、レーザー、ドリル、放電加工、反応性イオンエッチングといった加工法が利用されている。しかし、小径かつ高アスペクト比の両立は困難である。
この中でレーザーを用いたものでは、波長、パルス幅の異なる様々な光源を用いた例がある。特に微細穴あけには、小さなビームスポットを得られる、多くの材料に対して吸収係数が大きい、といった特徴から、UVレーザーが広く利用されている。具体的には、銅蒸気レーザー、エキシマレーザー、Nd:YAGレーザー、第4高調波を用いることなどが知られている。
特許文献1には、レーザーを利用した穴開け加工方法として、被加工物の集光レーザービーム入射側をカバー部材で覆ってから、集光レーザービームを照射することでカバー部材とともに被加工物に穴開けを行い、穴開け後にカバー部材を被加工物から分離することで、穴開け時における被加工面へのデブリの付着を防止し、均一径で高アスペクト比の貫通穴を開けることが開示されている。
特許文献1に開示するレーザー穴開け加工方法では、波長266nmのレーザー光を集光することで測定が行われているが、ここでは、各種測定条件を限定した状態で行われたものとなっている。特に、光学系の各種条件が穴の深さに及ぼす影響については言及されていない。そして、レーザー光の繰り返し周波数と、穴の深さの関係を突き止めることはできなかった。本発明においては、レーザー穴開け加工方法において、実用上十分に深い穴を開けるための各種条件を決定することを目的としている。
上記課題を解決するため、本発明に係るレーザー穴開け加工方法は、波長300[nm]以下のレーザー光を光学系にて集光し、被加工物に所定の繰り返し周波数で照射することで穴開けを行うレーザー穴開け加工方法において、光学系の開口数NAを、
0.004<NA<0.03
としたことを特徴としている。
0.004<NA<0.03
としたことを特徴としている。
さらに、本発明に係るレーザー穴開け加工方法は、被加工物に照射するレーザー光の繰
り返し周波数Fを、
5[kHz]≦F≦25[kHz]
としたことを特徴としている。
り返し周波数Fを、
5[kHz]≦F≦25[kHz]
としたことを特徴としている。
本発明によれば、波長300[nm]以下のレーザー光を光学系にて集光し、被加工物(試料)に所定の繰り返し周波数で照射することで穴開けを行うレーザー穴開け加工方法において、光学系の開口数NAに適切な範囲を設定することで、実用上、十分な深さの穴を得ることが可能となる。さらに、繰り返し周波数についても適切な範囲設定を行うことで、穴の深さを実用上、十分な深さとすることが可能となる。
図1は、本発明の実施形態に係るレーザー穴開け加工の測定装置を示した図である。発振部11から出力されるトリガー信号(Laser_TRIG)、同期信号(Laser_SYNC)にて、レーザー出力部12が制御される。レーザー光の繰り返し周波数、パルス幅は、この発振部11からの信号にて制御される。本実施形態では、レーザー出力部12には、第四高調波を発生するNd:YAGレーザー(Photonics Industries, DS20-266)を用いている。
レーザー出力部12から放射されたレーザー光は、1/4波長板13を経て円偏光された状態で、反射鏡14にて反射された後、光学系15にて集光され、X−Yステージ18上に配設された試料に照射される。本実施形態では、光学系15として正パワーを有する単一の光学素子(凸レンズ)を用いて集光している。試料17はX−Yステージ18により、光学系15はZステージ16により移動させることができる。
レーザー光にて試料17に開けられる穴は、対物レンズ19を装着したハイスピードカメラ20にて撮影される。ハイスピードカメラ20は、発振部11から出力されるトリガー信号(Camera_TRIG)、同期信号(Camera_SYNC)にてフレーム毎の撮影タイミングが制御可能となっている。発振部11からのトリガー信号(Laser_TRIG)、同期信号(Laser_SYNC)と同期させることで、試料17に穴が形成される様子を正確に撮影することができる。また、試料17を挟んで反対側から照射されるハロゲンランプ21の照射光を利用することで鮮明な映像を得ることが可能となっている。
レーザー出力部12から放射されるレーザー光には、波長266nm、ビーム径0.7mm、繰り返し周波数10kHz、パルス幅8nsの特性のものを使用した。レーザー光の波長355nmを用いて測定を試みたが、試料に対して十分な深さの穴開けを行うことができなかった。そのため、本実施形態では、それより波長の短い266nmのものを採用している。したがって、波長300nm以下のレーザー光であれば、本実施形態と同様の効果が期待できる。さらに、今回の計測による結果に基づけば、波長266±10nmであれば確実にその効果が期待できる。なお、パルス幅には、1ns〜100nsの各種
ナノ秒レーザーを用いてもよい。穴開けの対象となる試料17には、穴の観察を容易にするため可視光の領域で透明であるホウ珪酸ガラス、サファイア基板を使用している。表1にこれらの物性値を示しておく。
ナノ秒レーザーを用いてもよい。穴開けの対象となる試料17には、穴の観察を容易にするため可視光の領域で透明であるホウ珪酸ガラス、サファイア基板を使用している。表1にこれらの物性値を示しておく。
本測定に用いたレーザー光はガウス分布に近い横モードを有するため、ここでは、ガウス分布のビームの伝搬に基づいて解析を行った。ガウス分布を有する直径D、波長λのレーザー光を焦点距離fの光学系15で集光した場合、焦点におけるスポット直径d0、す
なわち、最小に絞られたレーザー光の直径は(1)式にて表される。
d0=4fλ/(πD) ・・・(1)
なお、試料表面と焦点との距離をz0としているが、本実施形態では、試料表面を焦点に
して測定を行っているため、焦点位置、すなわち、試料表面から距離z離れた点におけるスポット径dは(2)式にて表される。
d=d0√(1+(z/zR)2) ・・・(2)
ここでzRはレイリー長とよばれ、その値は、
zR=πd0 2/(4λ)
で表される。
なわち、最小に絞られたレーザー光の直径は(1)式にて表される。
d0=4fλ/(πD) ・・・(1)
なお、試料表面と焦点との距離をz0としているが、本実施形態では、試料表面を焦点に
して測定を行っているため、焦点位置、すなわち、試料表面から距離z離れた点におけるスポット径dは(2)式にて表される。
d=d0√(1+(z/zR)2) ・・・(2)
ここでzRはレイリー長とよばれ、その値は、
zR=πd0 2/(4λ)
で表される。
レーザー光には、Nd:YAGレーザーの第4高調波を用い、試料17の表面に焦点を合わせて穴開け加工の測定を行った。光学系15の焦点距離は、100mm、50mm、30mm、20mm、10mmの5つの場合について測定を行った。なお、本測定は、試料17にホウ珪酸ガラスを使用している。
図3(a)〜図3(e)には、測定した穴の形状をプロットしたもの(実線)と、計算により求められたビームプロファイル(□印を接続した線)とが併せて示されている。
図3(a)、(e)の焦点距離10mm、100mmの光学系を用いた場合、それぞれ400μm以下、700μm以下の深さまでしか到達することができなかった。一方、図3(b)、(c)、(d)にて示される焦点距離50mm、30mm、20mmの場合には、穴の深さは2200μm以上となり、実用上、十分な深さを得ることができた。
焦点距離10mmで深い穴が開かなかった原因を考察する。焦点距離10mmの光学系を用いた場合では、他のレンズを用いた場合と比べ、ビームの拡がり角が大きい。そのため、穴の側面により小さな入射角(穴の側面の法線方向と入射光とのなす角)でレーザー光が入射する。このため、入射角が小さな場合では反射率が低下し、レーザー光が内面に吸収されやすく、穴内部での反射が少なくなることで深い穴開けが実現できなかったと想定される。
一方、焦点距離100mmの場合で深い穴が開かなかった原因については、ビームプロファイルをみて分かるように、スポット径が大きくなっているため、照射部でのフルエン
ス(単位面積あたりのエネルギー量)が低下することなどを原因とするものと推定される。
ス(単位面積あたりのエネルギー量)が低下することなどを原因とするものと推定される。
以上、焦点距離を変更して行った測定では、穴の側面のビームの反射と、ビームのスポット径などレーザー光のビームプロファイルが穴の深さに影響を及ぼすことを確認することができた。焦点距離を適切に選定することで深い穴を開けることが可能となるが、レーザー穴開け加工では、発振器の仕様などで光学系15に入射させるビームの直径が変わってしまい、ビームプロファイルも変わってしまう。そのため、本実施形態では光学系15の開口数(NA)にて範囲を規定し、汎用性を持たせることとする。
図4は、開口数(NA)を説明するための模式図である。光学系は入射するレーザー光を焦点Pに集光する。レーザー光の直径をD、焦点距離をf、入射角をθとした場合、光学系の開口数(NA)は、(3)式にて表すことができる。
NA=n×sinθ ・・・(3)ここで、θ≒0であるため、(3)式は(4)式のように近似できる。
NA≒n×tanθ=n(D/2)/f ・・・(4)
本実施形態では、空気中でのn=1、D=0.7mmとしているため、各焦点距離fにおける開口数(NA)は、表2のように計算される。
NA=n×sinθ ・・・(3)ここで、θ≒0であるため、(3)式は(4)式のように近似できる。
NA≒n×tanθ=n(D/2)/f ・・・(4)
本実施形態では、空気中でのn=1、D=0.7mmとしているため、各焦点距離fにおける開口数(NA)は、表2のように計算される。
0.004 < NA < 0.03
このように、開口数(NA)の範囲を設定することで、波長300nm以下のレーザー光を用いた穴開け加工において、十分な深さの穴を開けることが可能となる。
次に、穴の深さの周波数依存性についての検討結果について説明する。本実施形態では、レーザー光の繰り返し周波数を変化させ、所定パルス数毎の穴の深さについて、2つの試料を用いて測定を行った。図5は、ホウ珪酸ガラスにおける繰り返し周波数と穴の深さの測定結果を示した図であり、図6は、サファイアにおける繰り返し周波数と穴の深さの測定結果を示した図である。なお、この測定では、光学系15の焦点距離を、前述の測定において良好な結果が得られた50mmとして測定を行っている。
図5に、一定照射回数におけるパルス周波数と穴深さの関係を示す。同図(a)〜(c)は、試料にホウ珪酸ガラスを使用し、1パルスあたりのエネルギーをそれぞれ、100μJ/pulse、20μJ/pulse、5μJ/pulseとして測定したものである。なお、高周波数領
域においてデータがない部分があるが、これはレーザー出力部12の仕様による出力限界を理由としている。
域においてデータがない部分があるが、これはレーザー出力部12の仕様による出力限界を理由としている。
図5(a)〜(c)に示すように、繰り返し周波数の増大に伴い、穴の深さは順次深く形成され、最大値をとった後、浅くなる山形形状の特性を有している。この特性は、パル
ス照射回数が増えるに従い顕著となっている。
ス照射回数が増えるに従い顕著となっている。
図5(c)に示す5μJ/pulseの場合、1kHz、5kHzでは全く加工することがで
きなかったが、10kHz以上で穴あけが可能となった。一方、深さの最大値は、100μJ/pulseでは10kHz、20μJ/pulseでは15kHz、5μJ/pulseでは25kHz
で最大値を有している。
きなかったが、10kHz以上で穴あけが可能となった。一方、深さの最大値は、100μJ/pulseでは10kHz、20μJ/pulseでは15kHz、5μJ/pulseでは25kHz
で最大値を有している。
図6はサファイアを使用し、1パルスあたりのエネルギーを20μJ/pulseとしたもの
である。図に示すようにホウ珪酸ガラスの場合と同様、加工深さの最大値に山形形状の周波数依存性がみられ、15kHzで最大となっている。
である。図に示すようにホウ珪酸ガラスの場合と同様、加工深さの最大値に山形形状の周波数依存性がみられ、15kHzで最大となっている。
以上の結果から、繰り返し周波数を5kHz以上、25kHz以下の範囲に設定することが、波長300nm以下のレーザー光を用いた穴開け加工において十分に穴を開けるのに好ましいといえる。なお、5μJ/pulseの場合、下限周波数である5kHzにて穴開け
加工を行うことができなかったが、1パルスあたりのエネルギーを所定値以上とする条件を設定することで、上記繰り返し周波数の設定範囲はさらに有効な範囲となる。
加工を行うことができなかったが、1パルスあたりのエネルギーを所定値以上とする条件を設定することで、上記繰り返し周波数の設定範囲はさらに有効な範囲となる。
では、穴の深さの周波数依存性について、解析モデルを用いて検証を行う。上記測定結果から、レーザーを用いた穴開けにおいては、パルスの熱が蓄積し、穴があきやすくなることが予想される。そこで熱の蓄積の影響を調べるため解析により試料の温度上昇を見積もった。実際には材料の相転移、プラズマ発生による入射光の遮蔽、形状変化、それに伴うフルエンス変化、熱をもった物質が除去されるなど多くのプロセスがおこる。また、レーザー光の波長が266nmであるため、光化学的な除去もおこっていると予想され、深穴における熱解析は非常に困難である。本解析では、試料表面にレーザー光が照射され、熱のみによる加工と考えた場合のモデルにより熱の蓄積を見積もることとした。
図7、図8に解析モデルを示す。図7は、解析モデルにおける座標系の取り方を示した図であり、図8は、レーザーパルス形成の様子を示した図である。ビーム中心(r=0、z=0)における温度変化は、以下の式(5)、式(6)で表される。
ム半径、I0は最大ビーム強度を表す。解析対象は、ホウ珪酸ガラスとし、表1で示した
物性値を用いている。パルスエネルギーは20μJ、パルス幅は8ns、ビームのスポット径は(2)式から算出し11.85μmとした。1秒間に照射されるエネルギーをPとすると、最大ビーム強度はI0=2P/πw0 2より、1.13×109W/cm2となる。なお、ホウ珪酸ガラスはUV光をよく吸収するため、試料表面でビームを全て吸収すると仮定するとともに、物性値の温度依存性は極めて小さいものと仮定している。
図9は、ホウ珪酸ガラスに対し、5μJ/pulseで照射した場合の計算結果を示したもの
である。図中、実線部が10kHz、破線部が1kHzで照射した場合の材料表面のビーム中心における温度の時間変化となっている。
である。図中、実線部が10kHz、破線部が1kHzで照射した場合の材料表面のビーム中心における温度の時間変化となっている。
ここで、1回目のパルス照射後の冷却下降に注目してみると、10kHzの場合は照射開始後100μsにて次のパルスが照射され、次のパルスが照射される直前における温度上昇分は726Kと非常に高い。これに対し、1kHzの場合は照射開始後1msにて次のパルスが照射されることとなり、温度上昇分は34Kまで下がっている。このように10kHzで照射した方が1kHzで照射した場合よりも約21倍の温度上昇分が残ることとなる。
表3にパルスエネルギーと周波数を変えた場合の、2発目のパルスが試料に到達する時点での温度上昇を示す。この結果から、エネルギーが大きいほど低い周波数で熱の蓄積効果が大きいと予想できる。実際、図5(a)、(b)を見ると100μJ/pulse、20μJ/pulseでは1kHzから加工が始まっているのに対し、5μJ/pulseでは10kHzから
穴が開き始めることが確認できる。
穴が開き始めることが確認できる。
以上、本発明においては、波長300nm以下のレーザー光を光学系にて集光し、被加工物(試料)に所定の繰り返し周波数で照射することで穴開けを行うレーザー穴開け加工方法において、光学系の開口数NAに適切な範囲を設定することで、実用上、十分な深さの穴を得ることが可能となった。さらに、繰り返し周波数についても適切な範囲設定を行うことで、穴の深さを十分な深さとすることが可能となる。
以上、本発明の種々の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態のみに限られるものではなく、それぞれの実施形態の構成を適宜組み合わせて構成した実施形態も本発明の範疇となるものである。
11…発振部、12…レーザー出力部、13…1/4波長板、14…反射鏡、15…レンズ(光学系)、16…Zステージ、17…試料、18…X−Yステージ、19…対物レンズ、20…ハイスピードカメラ、21…ハロゲンランプ
Claims (2)
- 波長300[nm]以下のレーザー光を光学系にて集光し、被加工物に所定の繰り返し周波数で照射することで穴開けを行うレーザー穴開け加工方法において、
光学系の開口数NAを、
0.004<NA<0.03
としたことを特徴とするレーザー穴開け加工方法。 - 被加工物に照射するレーザー光の繰り返し周波数Fを、
5[kHz]≦F≦25[kHz]
としたことを特徴とする請求項1に記載のレーザー穴開け加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010042678A JP2011177735A (ja) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | レーザー穴開け加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010042678A JP2011177735A (ja) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | レーザー穴開け加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011177735A true JP2011177735A (ja) | 2011-09-15 |
Family
ID=44689858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010042678A Pending JP2011177735A (ja) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | レーザー穴開け加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011177735A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10201867B2 (en) | 2014-12-16 | 2019-02-12 | AGC Inc. | Through-hole forming method, through-hole forming apparatus, and method of manufacturing glass substrate provided with through-hole |
-
2010
- 2010-02-26 JP JP2010042678A patent/JP2011177735A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10201867B2 (en) | 2014-12-16 | 2019-02-12 | AGC Inc. | Through-hole forming method, through-hole forming apparatus, and method of manufacturing glass substrate provided with through-hole |
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