JP2011176291A - Dry etching agent - Google Patents
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 34
- PRDFNJUWGIQQBW-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoroprop-1-yne Chemical compound FC(F)(F)C#C PRDFNJUWGIQQBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- -1 oxyfluoride Chemical compound 0.000 abstract description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 abstract description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 2
- 229920006926 PFC Polymers 0.000 abstract 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical class FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- IYRWEQXVUNLMAY-UHFFFAOYSA-N carbonyl fluoride Chemical compound FC(F)=O IYRWEQXVUNLMAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4,4-hexafluorobuta-1,3-diene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)=C(F)F LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMAHQANPHFVLPT-UHFFFAOYSA-N 1,3,3-trifluoroprop-1-yne Chemical compound FC#CC(F)F HMAHQANPHFVLPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- NDMMKOCNFSTXRU-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,3-pentafluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)C(F)=C(F)F NDMMKOCNFSTXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100285389 Arabidopsis thaliana HLS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150030345 COP3 gene Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N fluoro hypofluorite;silicon Chemical compound [Si].FOF OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Zr+4].[Hf+4] KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- WBCLXFIDEDJGCC-UHFFFAOYSA-N hexafluoro-2-butyne Chemical compound FC(F)(F)C#CC(F)(F)F WBCLXFIDEDJGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、フッ素化プロピン類の用途に関し、より詳しくはドライエッチング剤およびそれを用いた半導体のドライエッチング方法に関する。 The present invention relates to the use of fluorinated propines, and more particularly to a dry etching agent and a semiconductor dry etching method using the same.
今日、半導体製造においては、極めて微細な処理技術が求められており、湿式法に代わりドライエッチング法が主流になっている。ドライエッチング法は、真空空間において、プラズマを発生させて、物質表面上に微細なパターンを分子単位で形成させる方法である。 Today, in semiconductor manufacturing, extremely fine processing techniques are required, and a dry etching method has become the mainstream instead of a wet method. The dry etching method is a method in which a plasma is generated in a vacuum space to form a fine pattern on a material surface in units of molecules.
二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の半導体材料のエッチングにおいては、下地材として用いられるシリコン、ポリシリコン、チッ化ケイ素等に対するＳｉＯ２のエッチング速度を大きくするため、エッチング剤として、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８等のパーフルオロカーボン（ＰＦＣ）類やハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）類が用いられてきた。しかしながら、これらのＰＦＣ類やＨＦＣ類は、いずれも 大気寿命の長い物質であり、高い地球温暖化係数（ＧＷＰ）を有していることから京都議定書（ＣＯＰ３）において排出規制物質となっている。半導体産業においては、経済性が高い為、微細化が可能な低ＧＷＰの代替物質が求められてきた。 In etching of semiconductor materials such as silicon dioxide (SiO 2 ), in order to increase the etching rate of SiO 2 with respect to silicon, polysilicon, silicon nitride, etc. used as a base material, CF 4 , CHF 3 , Perfluorocarbons (PFCs) and hydrofluorocarbons (HFCs) such as C 2 F 6 , C 3 F 8 , and C 4 F 8 have been used. However, all of these PFCs and HFCs It is a substance with a long atmospheric life and has a high global warming potential (GWP), so it is an emission-regulated substance in the Kyoto Protocol (COP3). In the semiconductor industry, because of high economic efficiency, a low GWP alternative material that can be miniaturized has been demanded.
特許文献１には４〜７個の炭素原子を有するパーフルオロケトンを含有する反応性ガスをクリーニングガスやエッチングガスとして用いる方法が開示されている。しかしながら、これらのパーフルオロケトンの分解物質には少なからず高ＧＷＰのＰＦＣが含まれることや、沸点が比較的高い物質が含まれることから、必ずしもエッチングガスとして好ましくなかった。 Patent Document 1 discloses a method in which a reactive gas containing a perfluoroketone having 4 to 7 carbon atoms is used as a cleaning gas or an etching gas. However, these decomposition products of perfluoroketone are not necessarily preferable as an etching gas because they contain not only a small amount of PFC having a high GWP but also a substance having a relatively high boiling point.
特許文献２には２〜６個の炭素原子を有するハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）をドライエッチングガスとして用いる方法が開示されている。 Patent Document 2 discloses a method using hydrofluoroether (HFE) having 2 to 6 carbon atoms as a dry etching gas.
このような背景の下、更なる低ＧＷＰを有し、かつ工業的にも製造が容易な化合物の開発が求められてきており、分子内に二重結合、三重結合を有する不飽和フルオロカーボンを用いた、エッチング用途としての適用が検討されてきた。これに関連する従来技術として、特許文献３にはＣａＦ２ａ＋１ＯＣＦ＝ＣＦ２を含むエーテル類の他、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＨ、ＣＦ３ＣＨ＝ＣＦ２等のフッ素化オレフィン類をＳｉ膜、ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、又は高融点金属シリサイト膜をエッチングする方法が開示されている。 Under such circumstances, there has been a demand for the development of a compound that has a further low GWP and that can be easily produced industrially, and uses an unsaturated fluorocarbon having a double bond or triple bond in the molecule. The application as an etching application has been studied. As a conventional technology related thereto, other ethers containing C a F 2a + 1 OCF = CF 2 in Patent Document 3, CF 3 CF = CFH, CF 3 CH = CF 2 , etc. fluorinated olefins the Si film, A method of etching a SiO 2 film, a Si 3 N 4 film, or a refractory metal silicite film is disclosed.
また、特許文献４に、ヘキサフルオロ−２−ブチン、ヘキサフルオロ−１，３−ブタジエンおよびヘキサフルオロプロペン等をエッチングガスとして用いることを特徴とするプラズマエッチング方法が開示されている。 Patent Document 4 discloses a plasma etching method characterized by using hexafluoro-2-butyne, hexafluoro-1,3-butadiene, hexafluoropropene, or the like as an etching gas.
特許文献５には、ａ．ヘキサフルオロブタジエン、オクタフルオロペンタジエン、ペンタフルオロプロペン又はトリフルオロプロピンからなる群から選ばれる不飽和フルオロカーボン ｂ.モノフルオロメタン又はジフルオロメタンからなる群から選ばれるヒドロフルオロメタン及びｃ.不活性なキャリアーガスを含む混合ガスを用いて、窒化物層からなる非酸化物層上の酸化物層をエッチングする方法が開示されている。 In Patent Document 5, a. An unsaturated fluorocarbon selected from the group consisting of hexafluorobutadiene, octafluoropentadiene, pentafluoropropene or trifluoropropyne b. Hydrofluoromethane selected from the group consisting of monofluoromethane or difluoromethane and c. An inert carrier gas A method of etching an oxide layer on a non-oxide layer made of a nitride layer using a mixed gas containing the same is disclosed.
特許文献６には、炭素数５又は６の鎖状パーフルオロアルキンをプラズマ反応ガスとして用いることが開示されている。 Patent Document 6 discloses that a chain perfluoroalkyne having 5 or 6 carbon atoms is used as a plasma reaction gas.
ＰＦＣ類やＨＦＣ類はＧＷＰが高いため規制対象物質であり、それらの代替物質であるパーフルオロケトン類、ハイドロフルオロエーテル類やハイドロフルオロビニルエーテル類は、分解物質に少なからず高ＧＷＰのＰＦＣが含まれることや製造が難しく経済的でないことから、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤の開発が求められている。 PFCs and HFCs are regulated substances because of their high GWP, and perfluoroketones, hydrofluoroethers, and hydrofluorovinyl ethers, which are substitutes for them, contain not only a high GWP PFC but also decomposed substances. Therefore, the development of a dry etching agent that has a small influence on the global environment and has the required performance has been demanded.
エッチング性能については、プラズマエッチングの場合、例えばＣＦ４のガスからＦラジカルを作り、ＳｉＯ２をエッチングすると等方性にエッチングされる。微細加工が要求されるドライエッチングにおいては、等方性よりも異方性エッチングに指向性をもつエッチング剤が好ましく、さらに地球環境負荷が小さく、かつ経済性の高いエッチング剤が望まれている。 As for the etching performance, in the case of plasma etching, for example, F radicals are produced from CF 4 gas and SiO 2 is etched, so that etching is isotropic. In dry etching that requires microfabrication, an etchant having directivity in anisotropic etching rather than isotropic is preferable, and an etchant that has a low environmental impact and is highly economical is desired.
また、これまでのエッチングガスを用いる技術では特許文献５に記載のような複雑な工程や装置、限られた温度条件や基板、ガスへの振動付加等の操作が必要であり、プロセスウインドウが狭いという問題があった。 In addition, the conventional technique using etching gas requires complicated processes and apparatuses as described in Patent Document 5, limited temperature conditions, operations such as vibration addition to the substrate and gas, and the process window is narrow. There was a problem.
本発明は、ガスの分子構造及びガス組成を最適化することにより、プロセスウインドウが広く、特殊な装置を使用することなく良好な加工形状が得られるドライエッチング剤、及びそれを用いたドライエッチング剤を用いたドライエッチング方法を提供することを目的とする。 The present invention relates to a dry etching agent that has a wide process window by optimizing the molecular structure and gas composition of the gas, and can obtain a good processing shape without using a special apparatus, and a dry etching agent using the dry etching agent. An object of the present invention is to provide a dry etching method using this.
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、ドライエッチングにおいて異方性エッチングに好適で、かつ地球環境への影響がより小さい代替物質を見出した。 As a result of intensive studies, the present inventors have found an alternative material that is suitable for anisotropic etching in dry etching and has a smaller influence on the global environment.
具体的には、３，３，３−トリフルオロプロピンであるＣＦ３Ｃ≡ＣＨを用い、さらに、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＯＣｌ２、ＣＯＦ２、Ｈ２等のガス、もしくはハロゲンガスもしくはハロゲン化合物ガスを添加することを特徴とした混合ガス、もしくは、これらのガスとＮ２、Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスを添加した混合ガスを用いることで良好な加工形状が得られることを特徴とするドライエッチング剤を提供するものである。 Specifically, CF 3 C≡CH that is 3,3,3-trifluoropropyne is used, and gas such as O 2 , O 3 , CO, CO 2 , COCl 2 , COF 2 , H 2 , or By using a mixed gas characterized by adding a halogen gas or a halogen compound gas, or a mixed gas to which these gases and an inert gas such as N 2 , He, or Ar are added, a good processing shape can be obtained. A dry etching agent characterized by the above is provided.
すなわち、本発明は、以下の［発明１］〜［発明８］に記載の発明を提供する。 That is, the present invention provides the inventions described in [Invention 1] to [Invention 8] below.
［発明１］
（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＯＣｌ２、及びＣＯＦ２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガス、とを含むドライエッチング剤。
[Invention 1]
(A) Dry etching comprising 3,3,3-trifluoropropyne and (B) at least one gas selected from the group consisting of O 2 , O 3 , CO, CO 2 , COCl 2 , and COF 2 Agent.
［発明２］
（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｃ）Ｆ２、ＮＦ３、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは整数を表し、１≦ｎ≦５である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガス、とを含むドライエッチング剤。
[Invention 2]
(A) 3,3,3-trifluoropropyne and (C) F 2 , NF 3 , Cl 2 , Br 2 , I 2 , and YF n (wherein Y represents Cl, Br or I. n represents A dry etching agent comprising at least one gas selected from the group consisting of: an integer representing 1 ≦ n ≦ 5.
［発明３］
（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｄ）ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ５Ｈ、Ｃ２Ｆ４Ｈ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ３Ｆ４Ｈ２、Ｃ３ＣｌＦ３Ｈ、及びＣ４Ｆ８からなる群より選ばれる少なくとも１種のガス、とを含むドライエッチング剤。
[Invention 3]
(A) 3,3,3-trifluoropropyne and (D) CF 4 , CHF 3 , C 2 F 6 , C 2 F 5 H, C 2 F 4 H 2 , C 3 F 8 , C 3 F 4 H 2 , a dry etching agent comprising at least one gas selected from the group consisting of C 3 ClF 3 H and C 4 F 8 .
［発明４］
さらに、不活性ガスキャリアーであるＮ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、及びＫｒからなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含む、発明１乃至発明３の何れかに記載のドライエッチング剤。
[Invention 4]
Further, N 2, He, Ar, Ne, and at least one gas selected from the group consisting of Kr, dry etching agent according to any one of Inventions 1 to Invention 3 is an inert gas carrier.
［発明５］
３，３，３−トリフルオロプロピンの含有率が、５〜９５体積％である発明１乃至発明４に記載のドライエッチング剤。
[Invention 5]
The dry etching agent according to invention 1 to invention 4, wherein the content of 3,3,3-trifluoropropyne is 5 to 95% by volume.
［発明６］
発明１乃至発明５の何れかに記載のドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化珪素、窒化珪素、及び炭化珪素からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。
[Invention 6]
Using at least one silicon-based material selected from the group consisting of silicon dioxide, silicon nitride, and silicon carbide, using the plasma gas obtained by converting the dry etching agent according to any one of inventions 1 to 5 into plasma Dry etching method for etching selectively.
［発明７］
（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｅ）Ｏ２、ＣＯ、及びＣＯＦ２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、Ａｒを用い、（Ａ）、（Ｅ）、及びＡｒの体積流量比をそれぞれ５〜９５％：１〜５０％：４〜９４％（但し、各々のガスの体積流量比の合計は１００である。）とし、二酸化珪素、窒化珪素、及び炭化珪素からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。
[Invention 7]
(A) 3,3,3-trifluoropropyne, (E) at least one gas selected from the group consisting of O 2 , CO, and COF 2 , Ar, and (A), (E), and The volume flow ratio of Ar is 5 to 95%: 1 to 50%: 4 to 94% (however, the total volume flow ratio of each gas is 100), and silicon dioxide, silicon nitride, and silicon carbide. A dry etching method for selectively etching at least one silicon-based material selected from the group consisting of:
［発明８］
（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｅ）Ｏ２、ＣＯ、及びＣＯＦ２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、Ｈ２と、Ａｒを用い、（Ａ）、（Ｅ）、Ｈ２、及びＡｒの体積流量比をそれぞれ５〜９５％：１〜５０％：１〜５０％：３〜９３％（但し、各々のガスの体積流量比の合計は１００である。）とし、二酸化珪素、窒化珪素、及び炭化珪素からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。
[Invention 8]
(A) 3,3,3-trifluoropropyne, (E) at least one gas selected from the group consisting of O 2 , CO, and COF 2 , H 2 , and Ar are used, and (A), ( E) The volume flow ratio of H 2 , and Ar is 5 to 95%: 1 to 50%: 1 to 50%: 3 to 93% (however, the sum of the volume flow ratios of the respective gases is 100). ), And at least one silicon-based material selected from the group consisting of silicon dioxide, silicon nitride, and silicon carbide is selectively etched.
本発明におけるドライエッチング剤は、分子内に１個の不飽和の三重結合を有するため、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ４やＣＦ３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低いことから、ドライエッチング剤とした場合、環境への負荷が軽いという効果を奏す。 Since the dry etching agent in the present invention has one unsaturated triple bond in the molecule, it has decomposability in the atmosphere and contributes to global warming such as PFCs such as CF 4 and CF 3 H, Since it is much lower than HFCs, when it is used as a dry etching agent, it has an effect that the load on the environment is light.
さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 In addition, the process window can be dramatically expanded by mixing it with an oxygen-containing gas, a halogen-containing gas, or an inert gas as the third gas as the second gas, without the need for special substrate excitation operations, etc. It can also handle processing that requires a high aspect ratio.
以下、本発明におけるドライエッチング剤について詳細に説明する。 Hereinafter, the dry etching agent in the present invention will be described in detail.
本発明において使用するドライエッチング剤は、化学式ＣＦ３Ｃ≡ＣＨで表される３，３，３−トリフルオロプロピンを含む。具体的には、本発明に使用するＣＦ３Ｃ≡ＣＨは、他の１種又は２種以上の有機化合物又は無機化合物と混合して用いることを特徴とする。 The dry etching agent used in the present invention includes 3,3,3-trifluoropropyne represented by the chemical formula CF 3 C≡CH. Specifically, CF 3 C≡CH used in the present invention is characterized by being used by mixing with one or more other organic compounds or inorganic compounds.
本発明においてドライエッチング剤として使用するＣＦ３Ｃ≡ＣＨは、分子内に不飽和の三重結合を有するため、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与も現在ドライエッチング剤として使用されているＣＦ４やＣＦ３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低い。 CF 3 C≡CH used as a dry etching agent in the present invention has an unsaturated triple bond in the molecule and is therefore decomposable in the atmosphere, and is currently used as a dry etching agent for contributing to global warming. It is much lower than PFCs and HFCs such as CF 4 and CF 3 H.
なお、本発明において用いる３，３，３−トリフルオロプロピンは、例えば、特開２００８−２８５４７１等の従来公知の方法で製造入手することができる。 本発明に使用するＣＦ３Ｃ≡ＣＨは、三重結合を分子中に有し、この三重結合が単結合によりトリフルオロメチル基（ＣＦ３基）とつながっておりエッチング効率の高いＣＦ３ ＋イオンが高頻度で発生し、一方、三重結合部分はポリマー化して堆積するという特徴をもつ。 The 3,3,3-trifluoropropyne used in the present invention can be produced and obtained by a conventionally known method such as JP-A-2008-285471. CF 3 C≡CH used in the present invention has a triple bond in the molecule, and this triple bond is connected to a trifluoromethyl group (CF 3 group) by a single bond, so that CF 3 + ions having high etching efficiency are formed. It occurs frequently, while triple bond moieties are characterized by polymerizing and depositing.
本発明に使用するＣＦ３Ｃ≡ＣＨは、分子中のＦ／Ｃ比が１と小さく、被エッチング材の側壁がポリマーの堆積により保護されるため、Ｆラジカルによる等方的エッチングを防止し、異方性エッチングを可能にする。 CF 3 C≡CH used in the present invention has an F / C ratio as small as 1 in the molecule, and the side wall of the material to be etched is protected by polymer deposition, so isotropic etching by F radicals is prevented, Enable anisotropic etching.
本発明のエッチング方法は、各種ドライエッチング条件下で実施可能であり、対象膜の物性、生産性、微細精度等によって、種々の添加剤を加えることが好ましい。 The etching method of the present invention can be carried out under various dry etching conditions, and it is preferable to add various additives depending on the physical properties, productivity, fine accuracy, etc. of the target film.
本発明において使用する３，３，３−トリフルオロプロピンは、５〜９５体積％含むことが好ましい。また、３，３，３−トリフルオロプロピンと添加ガス（なお、ここで言う「添加ガス」とは、Ｏ２、Ｆ２等の酸化性ガス、又はＨ２、ＣＯ等の還元性ガスを示す。なお、本明細書で当該ガスを「酸化性ガス」、「含酸素ガス」、「含ハロゲンガス」、「還元性ガス」と言うことがある。）との混合物を使用する場合、３，３，３−トリフルオロプロピンを２０〜９０体積％程度、添加ガスの少なくとも１種を１０〜８０体積％程度にすることが特に好ましい。 生産性を上げるために、エッチング速度を上げたい時は、酸化性のガスの添加が好ましい。具体的には、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ２、ＣＯ、ＣＯＣｌ２、ＣＯＦ２、等の含酸素ガス、Ｆ２、ＮＦ３、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２、ＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦５である。）等のハロゲンガスが例示される。さらに、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯＦ２、Ｆ２、ＮＦ３、Ｃｌ２が特に好ましい。なお、当該ガスについては、１種類、もしくは２種類以上を混合して添加することもできる。 The 3,3,3-trifluoropropyne used in the present invention preferably contains 5 to 95% by volume. Further, 3,3,3-trifluoropropyne and an additive gas (here, “additive gas” refers to an oxidizing gas such as O 2 and F 2 or a reducing gas such as H 2 and CO). In this specification, the gas is sometimes referred to as “oxidizing gas”, “oxygen-containing gas”, “halogen-containing gas”, or “reducing gas”. , 3-trifluoropropyne is particularly preferably about 20 to 90% by volume, and at least one of the additive gases is preferably about 10 to 80% by volume. In order to increase productivity, it is preferable to add an oxidizing gas when it is desired to increase the etching rate. Specifically, oxygen-containing gas such as O 2 , O 3 , CO 2 , CO, COCl 2 , COF 2 , F 2 , NF 3 , Cl 2 , Br 2 , I 2 , YFn (where Y is Cl, Br or I is represented, n represents an integer, and 1 ≦ n ≦ 5.) Furthermore, O 2 , CO, COF 2 , F 2 , NF 3 , and Cl 2 are particularly preferable. In addition, about the said gas, 1 type or 2 or more types can also be mixed and added.
酸化性ガスの添加量は出力等の装置の形状、性能や対象膜特性に依存するが、通常、流量の１／２０から３０倍である。好ましくは、３，３，３−トリフルオロプロピンの流量の1／１０から１０倍である。 The addition amount of the oxidizing gas depends on the shape of the apparatus such as output, performance, and target film characteristics, but is usually 1/20 to 30 times the flow rate. Preferably, it is 1/10 to 10 times the flow rate of 3,3,3-trifluoropropyne.
もし、これ以上添加した場合は、３，３，３−トリフルオロプロピンの優れた異方性エッチング性能が損なわれることがある。特に、酸素を添加すると選択的に金属のエッチングレートを加速することが可能となる。すなわち、酸化物に対する金属のエッチング速度の選択比を著しく向上でき、金属の選択エッチングが可能となる。 If more than this is added, the excellent anisotropic etching performance of 3,3,3-trifluoropropyne may be impaired. In particular, when oxygen is added, the etching rate of the metal can be selectively accelerated. That is, the selectivity of the etching rate of the metal with respect to the oxide can be significantly improved, and the metal can be selectively etched.
なお、本願発明のエッチング剤は、所望により、酸化性ガスと同時に、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等の不活性ガスの添加も可能である。 The etching agent of the present invention optionally, simultaneously with the oxidizing gas, the addition of N 2, He, Ar, Ne , inert gas Kr, etc. are also possible.
これら不活性ガスは希釈剤としても使用可能であるが、特にＡｒは３，３，３−トリフルオロプロピンとの相乗効果によって、より高いエッチングレートが得られる。 These inert gases can be used as a diluent, but especially Ar can obtain a higher etching rate due to a synergistic effect with 3,3,3-trifluoropropyne.
不活性ガスの添加量は出力、排気量等の装置の形状、性能や対象膜特性に依存するが、３，３，３−トリフルオロプロピンの流量の１／１０から３０倍が好ましい。 The addition amount of the inert gas depends on the shape, performance, and target membrane characteristics of the device such as output and displacement, but is preferably 1/10 to 30 times the flow rate of 3,3,3-trifluoropropyne.
等方的なエッチングを促進するＦラジカル量の低減を所望するときは、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ４、Ｃ３Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ３、Ｈ２に例示される還元性ガスの添加が有効である。 When it is desired to reduce the amount of F radicals that promote isotropic etching, CH 4 , C 2 H 2 , C 2 H 4 , C 2 H 6 , C 3 H 4 , C 3 H 6 , C 3 H 8. Addition of reducing gas exemplified by HI, HBr, HCl, CO, NO, NH 3 , H 2 is effective.
還元性ガスの添加量は、３，３，３−トリフルオロプロピン：還元性ガス（モル比）＝１０：１〜１：５、好ましくは５：１〜１：１である。添加量が多すぎる場合には、エッチングに働くＦラジカルが著しく減量し、生産性が低下することがある。前述の還元性ガスのうち、特に、Ｈ２、Ｃ２Ｈ２を添加するとＳｉＯ２のエッチング速度は変化しないのに対してＳｉのエッチング速度は低下し、選択性が高くなることから、その結果、下地のシリコンに対してＳｉＯ２を選択的エッチングすることが可能となる。 The amount of reducing gas added is 3,3,3-trifluoropropyne: reducing gas (molar ratio) = 10: 1 to 1: 5, preferably 5: 1 to 1: 1. If the amount added is too large, the amount of F radicals acting on the etching may be significantly reduced, and productivity may be reduced. Among the reducing gases described above, in particular, when H 2 or C 2 H 2 is added, the etching rate of Si 2 is not changed while the etching rate of Si 2 is decreased, and the selectivity is increased. Thus, it becomes possible to selectively etch SiO 2 with respect to the underlying silicon.
なお、トリフルオロプロピン等のフッ素化プロピンだけでも十分な効果はあるが、異方性エッチングを更に高めることができるよう、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４Ｈ２、Ｃ２Ｆ５Ｈ、Ｃ３Ｆ４Ｈ２、Ｃ３Ｆ５Ｈ、Ｃ３ＣｌＦ３Ｈ等のガスを加えることができる。 Note that fluorinated propynes such as trifluoropropyne are sufficient, but CF 4 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CH 3 F, and C 2 F 6 can further enhance the anisotropic etching. A gas such as C 2 F 4 H 2 , C 2 F 5 H, C 3 F 4 H 2 , C 3 F 5 H, C 3 ClF 3 H, or the like can be added.
これらのガスの添加量は３，３，３−トリフルオロプロピンに対し１０倍以下が好ましい。１０倍以上では３，３，３−トリフルオロプロピンの優れたエッチング性能が損なわれることがある。 The amount of these gases added is preferably 10 times or less that of 3,3,3-trifluoropropyne. If it is 10 times or more, the excellent etching performance of 3,3,3-trifluoropropyne may be impaired.
本発明において使用する３，３，３−トリフルオロプロピンＣＦ３Ｃ≡ＣＨと添加ガスとを混合する場合の好ましいエッチングガス及びその体積％を以下に示す。なお、各ガスの体積％の合計は１００％である。 A preferable etching gas and its volume% when mixing 3,3,3-trifluoropropyne CF 3 C≡CH used in the present invention and an additive gas are shown below. In addition, the sum total of the volume% of each gas is 100%.
例えば、ＣＦ３Ｃ≡ＣＨ：含酸素ガスもしくは含ハロゲンガス（Ｏ２、ＣＯ、ＣＯＦ２、Ｆ２、Ｃｌ２等）の場合には、体積％は５〜９５％：５〜９５％とすることが好ましく、さらに、２０〜８０％：２０〜８０％とすることが特に好ましい。 For example, in the case of CF 3 C≡CH: oxygen-containing gas or halogen-containing gas (O 2 , CO, COF 2 , F 2 , Cl 2, etc.), the volume percentage is 5 to 95%: 5 to 95%. More preferably, it is particularly preferably 20 to 80%: 20 to 80%.
また、ＣＦ３Ｃ≡ＣＨ：含酸素ガス又は含ハロゲンガス（Ｏ２、ＣＯ、ＣＯＦ２、Ｆ２、Ｃｌ２等）：不活性ガス（Ａｒ等）の場合には、体積％は５〜９５％：１〜５０％：４〜９４％とすることが好ましく、さらに、５〜８０％：１０〜４０％：１０〜８５％とすることが特に好ましい。 In the case of CF 3 C≡CH: oxygen-containing gas or halogen-containing gas (O 2 , CO, COF 2 , F 2 , Cl 2 etc.): inert gas (Ar etc.), the volume% is 5 to 95 %: 1-50%: 4-94% is preferable, and 5-80%: 10-40%: 10-85% is particularly preferable.
ＣＦ３Ｃ≡ＣＨ：含酸素ガスもしくは含ハロゲンガス（Ｏ２、ＣＯ、ＣＯＦ２、Ｆ２、Ｃｌ２等）：還元性ガス（Ｈ２等）の場合には、体積％は５〜９５％：１〜５０％：４〜９４％とすることが好ましく、さらに、１０〜８０％：１０〜４０％：１０〜８０％とすることが特に好ましい。 CF 3 C≡CH: Oxygen-containing gas or halogen-containing gas (O 2 , CO, COF 2 , F 2 , Cl 2, etc.): In the case of a reducing gas (H 2 etc.), the volume percentage is 5 to 95%. : 1 to 50%: 4 to 94% is preferable, and 10 to 80%: 10 to 40%: 10 to 80% is particularly preferable.
またＣＦ３Ｃ≡ＣＨ：含酸素ガスもしくは含ハロゲンガス（Ｏ２、ＣＯ、ＣＯＦ２、Ｆ２、Ｃｌ２等）：還元性ガス（Ｈ２等）：不活性ガス（Ａｒ等）の場合には、体積％は５〜９５％：１〜５０％：１〜５０％：３〜９３％とすることが好ましく、さらに、５〜８０％：５〜４０％：５〜４０％：１０〜８５％とすることが特に好ましい。 Also, CF 3 C≡CH: oxygen-containing gas or halogen-containing gas (O 2 , CO, COF 2 , F 2 , Cl 2 etc.): reducing gas (H 2 etc.): inert gas (Ar etc.) Is preferably 5 to 95%: 1 to 50%: 1 to 50%: 3 to 93%, and more preferably 5 to 80%: 5 to 40%: 5 to 40%: 10 to 85 % Is particularly preferable.
次に、本願発明におけるドライエッチング剤を用いたエッチング方法について説明する。 Next, an etching method using a dry etching agent in the present invention will be described.
本発明のドライエッチング剤は、各種の被加工物に適用可能であり、シリコンウエハ、金属板、硝子、単結晶、多結晶等の基板上に重層した、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物、具体的には、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金のエッチング等各種の被加工物に適用可能である。 The dry etching agent of the present invention can be applied to various types of workpieces, and B, P, W, Si, Ti, layered on a substrate such as a silicon wafer, a metal plate, a glass, a single crystal, and a polycrystal, V, Nb, Ta, Se, Te, Mo, Re, Os, Ru, Ir, Sb, Ge, Au, Ag, As, Cr and their compounds, specifically oxides, nitrides, carbides, fluorides It can be applied to various workpieces such as etching of oxyfluoride, silicide, and alloys thereof.
特に、半導体材料に対して有効に適用でき、半導体材料として、特にシリコン、二酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化フッ化シリコン又は炭化酸化珪素のシリコン系材料、タングステン、レニウム、それらのシリサイド、チタンあるいは窒化チタン、ルテニウムあるいはルテニウムシリサイド、ルテニウムナイトライド、タンタル、タンタルオキサイド、オキシタンタルフルオリド、ハフニウム、ハフニウムオキサイド、オキシハフニウムシリサイド、ハフニウムジルコニムオキサイドを挙げることができる。 In particular, it can be effectively applied to semiconductor materials. As semiconductor materials, silicon-based materials such as silicon, silicon dioxide, silicon nitride, silicon carbide, silicon oxyfluoride or silicon carbide oxide, tungsten, rhenium, their silicides, titanium Alternatively, titanium nitride, ruthenium or ruthenium silicide, ruthenium nitride, tantalum, tantalum oxide, oxytantalum fluoride, hafnium, hafnium oxide, oxyhafnium silicide, and hafnium zirconium oxide can be given.
また、本発明のドライエッチング剤を用いたエッチング方法は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマエッチング、マイクロ波エッチング等のエッチング手法や反応条件は特に限定せず用いることができる。 In addition, the etching method using the dry etching agent of the present invention is not particularly limited to the etching method and reaction conditions such as reactive ion etching (RIE), electron cyclotron resonance (ECR) plasma etching, and microwave etching. it can.
本発明で用いるエッチング方法は、エッチング処理装置内で対象とするプロペン類のプラズマを発生させ、装置内にある対象の被加工物の所定部位に対してエッチングすることにより行う。例えば半導体の製造において、シリコンウェハ上にシリコン系酸化物膜又は窒化珪素膜等を成膜し、特定の開口部を設けたレジストを上部に塗布し、シリコン系酸化物又は窒化珪素膜を除去するようにレジスト開口部をエッチングする。 The etching method used in the present invention is performed by generating a plasma of a target propene in an etching processing apparatus and etching a predetermined portion of a target workpiece in the apparatus. For example, in semiconductor manufacturing, a silicon-based oxide film or silicon nitride film is formed on a silicon wafer, a resist having a specific opening is applied on top, and the silicon-based oxide or silicon nitride film is removed. In this way, the resist opening is etched.
エッチングを行う際、圧力は異方性エッチングを行うために、ガス圧力は０．１３３〜１３３Ｐａの圧力で行うことが好ましい。０．１３３Ｐａより低い圧力ではエッチング速度が遅くなり、一方、１３３Ｐａを超える圧力ではレジスト選択比が損なわれることがある。 When performing etching, in order to perform anisotropic etching, the gas pressure is preferably 0.133 to 133 Pa. When the pressure is lower than 0.133 Pa, the etching rate is slow. On the other hand, when the pressure exceeds 133 Pa, the resist selectivity may be impaired.
エッチングを行う際のＣＦ３Ｃ≡ＣＨ、及び、含酸素ガス、還元性ガス又は含ハロゲンガス（Ｏ２、ＣＯ、Ｈ２、ＣＯＦ２、Ｆ２、Ｃｌ２等）、不活性ガス（Ａｒ等）、それぞれの体積流量比率は、前述した体積％と同じ比率でもってエッチングを行うことができる。 CF 3 C≡CH during etching, oxygen-containing gas, reducing gas or halogen-containing gas (O 2 , CO, H 2 , COF 2 , F 2 , Cl 2, etc.), inert gas (Ar, etc.) ), Each volume flow rate ratio can be etched with the same ratio as the above-mentioned volume%.
使用するガス流量は、エッチング装置の反応器容量、ウエハサイズにもよるが、１０ＳＣＣＭ〜１００００ＳＣＣＭの間の流量が好ましい。 The gas flow rate used depends on the reactor capacity of the etching apparatus and the wafer size, but a flow rate between 10 SCCM and 10000 SCCM is preferable.
また、エッチングする温度は３００℃以下が好ましく、特に異方性エッチングを行うためには２４０℃以下とすることが望ましい。３００℃を超える高温では等方的にエッチングが進行する傾向が強まり、必要とする加工精度が得られないこと、また、レジストが著しくエッチングされるために好ましくない。 The etching temperature is preferably 300 ° C. or lower, and is preferably 240 ° C. or lower for performing anisotropic etching. If the temperature exceeds 300 ° C., the tendency of the etching to proceed isotropic is increased, and the required processing accuracy cannot be obtained, and the resist is remarkably etched, which is not preferable.
エッチング処理を行う反応時間は、特に限定はされないが、概ね５分〜３０分程度である。しかしながらエッチング処理後の経過に依存する為、当業者がエッチングの状況を観察しながら適宜調整するのが良い。 The reaction time for performing the etching treatment is not particularly limited, but is generally about 5 to 30 minutes. However, since it depends on the progress after the etching treatment, it is preferable for those skilled in the art to adjust appropriately while observing the state of etching.
水素又は水素含有化合物ガスと混合して使用することや圧力、流量、温度等を適性化することにより、例えばコンタクトホールの加工時のシリコンとシリコン酸化膜とのエッチング速度の選択性を向上させたりすることができる。 By mixing with hydrogen or a hydrogen-containing compound gas and optimizing pressure, flow rate, temperature, etc., for example, the selectivity of the etching rate between silicon and silicon oxide film during contact hole processing can be improved. can do.
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to this Example.
本発明のドライエッチング剤をコンタクトホール加工に適用し、層間絶縁膜（ＳｉＯ２）又は層間絶縁膜（窒化珪素）をエッチングした例を［実施例１］〜［実施例１５］に示す。また、比較例としてＣＦ4、Ｃ４Ｆ６（ＣＦ２＝ＣＦ−ＣＦ＝ＣＦ２），３，３，３−トリフルオロプロピンＣＦ３Ｃ≡ＣＨそれぞれ単独で使用した場合を［比較例１］、［比較例２］、［比較例３］とし、３，３，３−トリフルオロプロピンＣＦ３Ｃ≡ＣＨとＡｒを混合して使用した場合を［比較例４］として示す。 Examples of applying the dry etching agent of the present invention to contact hole processing and etching the interlayer insulating film (SiO 2 ) or the interlayer insulating film (silicon nitride) are shown in [Example 1] to [Example 15]. Further, as a comparative example, a case where each of CF 4 , C 4 F 6 (CF 2 ═CF—CF═CF 2 ), 3,3,3-trifluoropropyne CF 3 C≡CH is used alone [Comparative Example 1] [Comparative Example 2] and [Comparative Example 3] are shown as [Comparative Example 4] when 3,3,3-trifluoropropyne CF 3 C≡CH and Ar are mixed and used.
本実施例に用いる実験装置の概略図を図１に示す。 A schematic diagram of the experimental apparatus used in this example is shown in FIG.
チャンバー１上部に取り付けたサファイア管７内で、高周波電源３（１３．５６ＭＨｚ、２．２Ｗ／ｃｍ２）を用いて第１ガス導入口４、第２ガス導入口５、又は第３ガス導入口６より導入されたガスを励起させ生成した活性種を、試料ホルダ１０に設置した試料１１に供給し、チャンバーのガス圧を１．３３Ｐａに設定し、エッチングを行った。基板温度を２００℃としエッチングを行った。 In the sapphire tube 7 attached to the upper part of the chamber 1, the first gas inlet 4, the second gas inlet 5, or the third gas inlet using the high frequency power source 3 (13.56 MHz, 2.2 W / cm 2 ). The active species generated by exciting the gas introduced from No. 6 were supplied to the sample 11 placed in the sample holder 10, the gas pressure in the chamber was set to 1.33 Pa, and etching was performed. Etching was performed at a substrate temperature of 200 ° C.
試料１１としては、単結晶シリコンウエハ上にＳｉＯ２又は窒化珪素層間絶縁膜が形成し、さらに該ＳｉＯ２又は窒化珪素のエッチングマスクとして開口部を設けたレジスト・マスクを形成したものを用いた。 As the sample 11, an SiO 2 or silicon nitride interlayer insulating film formed on a single crystal silicon wafer and a resist mask provided with an opening as an etching mask for the SiO 2 or silicon nitride were used.
エッチングを行い、レジスト開口部周辺の加工形状、ＳｉＯ２又は窒化珪素エッチング速度の対レジスト比の測定を実施した。その結果を表１に示す。
［実施例１］〜［実施例４］、［実施例６］、[実施例１１]〜[実施例１５]より、本発明におけるドライエッチング剤は、酸化性のガスを加えることによって、［比較例１］や［比較例４］の酸化性のガスを使用しない場合に比べて、エッチング速度、対レジスト選択比又はアスペクト比が大きく、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。 From [Example 1] to [Example 4], [Example 6], and [Example 11] to [Example 15], the dry etching agent of the present invention can be compared by adding an oxidizing gas. Compared to the case where the oxidizing gas of Example 1] or [Comparative Example 4] is not used, the etching rate, the resist selectivity to the aspect ratio, or the aspect ratio is large, and a good contact hole processed shape is obtained.
［実施例７］、［実施例９］、［実施例１０］より、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８の添加ガスを加えることによっても実用上十分に使用可能なエッチング速度、対レジスト選択比、アスペクト比であり、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。 From [Example 7], [Example 9], and [Example 10], an etching rate that can be sufficiently used practically by adding an additive gas of CF 4 , C 2 F 6 , and C 4 F 8 , Resist selectivity and aspect ratio, and good contact hole processing shape is obtained.
[実施例５]、［実施例８］より、第２ガスとしてＣＯを、第３ガスとしてＡｒを添加することにより、エッチング速度、対レジスト選択比、アスペクト比がともに大きく、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。また、[実施例２]、［実施例３］、［実施例１５］より、Ｈ2を加えることによって良好な対レジスト選択比が得られている。 From [Example 5] and [Example 8], by adding CO as the second gas and Ar as the third gas, the etching rate, the resist selection ratio, and the aspect ratio are both large, and good contact hole processing is achieved. The shape is obtained. Further, from [Example 2], [Example 3], and [Example 15], a good selectivity to resist was obtained by adding H 2 .
さらに、[実施例１４]、［実施例１５］より層間絶縁膜として窒化珪素を用いた場合にも、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。 Further, from [Example 14] and [Example 15], a good contact hole processed shape is also obtained when silicon nitride is used as an interlayer insulating film.
１．チャンバー
２．アース
３．高周波電源装置
４．第一ガス導入口（表１のガス１、ＣＦ３Ｃ≡ＣＨをマスフローコントローラーで制御して導入）
５. 第二ガス導入口（表１のガス２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯＦ２、Ｆ２、Ｃｌ２、 ＮＦ３をマスフローコントローラーで制御して導入）
６. 第三ガス導入口（表１のガス２又は３、Ａｒ、ＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｈ２をマスフローコントローラーで制御して導入）
７. サファイア管
８. 電子式圧力計
９. 排ガスライン
１０. 試料ホルダ
１１. 試料
1. Chamber 2. Earth 3. High frequency power supply 4. 1st gas inlet (Gas 1, Table 3 CF 3 C≡CH is introduced by controlling with mass flow controller)
5. Second gas inlet (gas 2, O 2 , CO, COF 2 , F 2 , Cl 2 , and NF 3 in Table 1 are introduced by being controlled by a mass flow controller)
6. Third gas introduction port (gas 2 or 3 in Table 1, Ar, CHF 3 , CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , H 2 are controlled and introduced by a mass flow controller)
7. Sapphire tube 8. Electronic pressure gauge 9. Exhaust gas line 10. Sample holder 11. Sample
Claims (8)
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011011049A JP5862012B2 (en) | 2010-02-01 | 2011-01-21 | Dry etching agent and dry etching method |
| KR1020127022186A KR101422155B1 (en) | 2010-02-01 | 2011-01-25 | Dry etching agent and dry etching method using the same |
| EP11736976.9A EP2511948A4 (en) | 2010-02-01 | 2011-01-25 | Dry etching agent and dry etching method using the same |
| PCT/JP2011/051304 WO2011093263A1 (en) | 2010-02-01 | 2011-01-25 | Dry etching agent and dry etching method using the same |
| CN201180008023.1A CN102741987B (en) | 2010-02-01 | 2011-01-25 | Dry ecthing agent and use its dry-etching method |
| US13/576,093 US9093388B2 (en) | 2010-02-01 | 2011-01-25 | Dry etching agent and dry etching method using the same |
| TW100104013A TWI491710B (en) | 2010-02-01 | 2011-02-01 | Dry etchants and dry etching methods using them |
| US14/271,647 US9230821B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-05-07 | Dry etching agent and dry etching method using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010020295 | 2010-02-01 | ||
| JP2010020295 | 2010-02-01 | ||
| JP2011011049A JP5862012B2 (en) | 2010-02-01 | 2011-01-21 | Dry etching agent and dry etching method |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015096141A Division JP5958600B2 (en) | 2010-02-01 | 2015-05-11 | Dry etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011176291A true JP2011176291A (en) | 2011-09-08 |
| JP5862012B2 JP5862012B2 (en) | 2016-02-16 |
Family
ID=44688834
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011011049A Active JP5862012B2 (en) | 2010-02-01 | 2011-01-21 | Dry etching agent and dry etching method |
| JP2015096141A Active JP5958600B2 (en) | 2010-02-01 | 2015-05-11 | Dry etching method |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015096141A Active JP5958600B2 (en) | 2010-02-01 | 2015-05-11 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP5862012B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20160091285A (en) | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Dry etching method |
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Family Cites Families (2)
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-
2011
- 2011-01-21 JP JP2011011049A patent/JP5862012B2/en active Active
-
2015
- 2015-05-11 JP JP2015096141A patent/JP5958600B2/en active Active
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| KR20160091285A (en) | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Dry etching method |
| US9728422B2 (en) | 2015-01-23 | 2017-08-08 | Central Glass Company, Limited | Dry etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5862012B2 (en) | 2016-02-16 |
| JP2015195381A (en) | 2015-11-05 |
| JP5958600B2 (en) | 2016-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
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| R250 | Receipt of annual fees |
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