JP2011176059A - Package, method of manufacturing the same, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic equipment, and radio-controlled clock - Google Patents

Package, method of manufacturing the same, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic equipment, and radio-controlled clock Download PDF

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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a package which can manufacture a penetrating electrode with efficiency, and to provide a package, a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic equipment, and a radio-controlled clock. <P>SOLUTION: A penetrating electrode forming step S30A includes: a recessed part forming step S32 of forming a recessed part on a first surface L of a wafer 40 for a base substrate; a metal pin arrangement step S33 of inserting a metal pin 7 into the recessed part 30a; a glass frit filling step S35 of filling a glass frit into a gap between an inner periphery surface of the recessed part 30a and an outer periphery surface of the metal pin 7 from the first surface L side; a baking step S37 of baking and hardening the glass frit filled in the recessed part 30a; and a polishing step S39 of exposing the metal pin 7 to the second surface U. At the metal pin arrangement step S33, an attitude holding member 7a is arranged between the inserted metal pin 7 and the recessed part 30a. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計に関するものである。   The present invention relates to a package manufacturing method, a package, a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic device, and a radio timepiece.

近年、携帯電話や携帯情報端末には、時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その一つとして、2層構造タイプの表面実装型の圧電振動子が知られている。   2. Description of the Related Art In recent years, cellular phones and personal digital assistants use piezoelectric vibrators that use quartz as a time source, a timing source such as a control signal, and a reference signal source. Various types of piezoelectric vibrators of this type are known. As one of them, a two-layer structure type surface mount type piezoelectric vibrator is known.

このタイプの圧電振動子は、第1基板と第2基板とが直接接合されることでパッケージ化された2層構造になっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収納されている。このような2層構造タイプの圧電振動子の1つとして、ベース基板に形成された貫通電極により、キャビティの内側に封入された圧電振動片とベース基板の外側に形成された外部電極とを導通させた圧電振動子が知られている(特許文献1参照)。   This type of piezoelectric vibrator has a two-layer structure packaged by directly bonding a first substrate and a second substrate, and a piezoelectric vibrating piece is placed in a cavity formed between the two substrates. It is stored. As one of such two-layer structure type piezoelectric vibrators, the through electrode formed on the base substrate connects the piezoelectric vibrating piece enclosed inside the cavity and the external electrode formed outside the base substrate. A piezoelectric vibrator is known (see Patent Document 1).

上述した2層構造タイプの圧電振動子において、貫通電極は、圧電振動片と外部電極とを導通させるとともに、貫通孔を塞いでキャビティ内の気密を維持するという2つの大きな役割を担っている。特に、貫通電極と貫通孔との密着が不十分であると、キャビティ内の気密が損なわれてしまう虞がある。このような不具合をなくすためにも、貫通孔の内周面に強固に密着し貫通孔を完全に塞いだ状態で貫通電極を形成する必要がある。   In the above-described two-layer structure type piezoelectric vibrator, the through electrode plays two major roles of electrically connecting the piezoelectric vibrating piece and the external electrode and closing the through hole to maintain airtightness in the cavity. In particular, if the close contact between the through electrode and the through hole is insufficient, the airtightness in the cavity may be impaired. In order to eliminate such a problem, it is necessary to form the through electrode in a state in which the through hole is tightly adhered to the through hole and completely closed.

ところで、特許文献1には、金属からなるピン部材を導電材料として用いることにより、貫通電極を形成することが記載されている。貫通電極を形成する具体的な方法としては、後にベース基板となるベース基板用ウエハを加熱した後、熱軟化状態にあるうちに、貫通孔に前記ピン部材を打ち込むことが記載されている。   By the way, Patent Document 1 describes that a through electrode is formed by using a pin member made of metal as a conductive material. As a specific method for forming the through electrode, it is described that after the base substrate wafer to be the base substrate is heated later, the pin member is driven into the through hole while it is in the heat softened state.

特開2002−124845号公報JP 2002-124845 A

しかし、貫通孔に前記ピン部材を打ち込むことにより貫通電極を形成する方法では、ピン部材と貫通孔との間隙を完全に塞ぐのが困難であり、キャビティ内の気密性を確保できない虞がある。また、ベース基板用ウエハは多数の貫通孔を有しており、全ての貫通孔にピン部材を打ち込むのは煩雑で多大な工数を要する。   However, in the method of forming the through electrode by driving the pin member into the through hole, it is difficult to completely close the gap between the pin member and the through hole, and the airtightness in the cavity may not be ensured. Further, the base substrate wafer has a large number of through holes, and it is complicated and requires a lot of man-hours to drive the pin members into all the through holes.

上記の問題を解決するために、導電性の鋲体77とガラスフリット61とを用いて貫通電極32を形成する方法が提案されている。
図19は貫通電極形成工程の説明図であり、図19(a)は貫通孔形成工程の説明図であり、図19(b)は鋲体配置工程およびラミネート貼付工程の説明図であり、図19(c)はフリットガラス充填工程の説明図であり、図19(d)は貫通電極の説明図である。
具体的な貫通電極32の形成工程としては、まず、図19(a)に示すように、プレス型でベース基板用ウエハ40の第1面Lに凹部30aを形成し、第2面U側を研磨して凹部30aの底面を除去することにより貫通孔30を形成する(貫通孔形成工程)。次に、図19(b)に示すように、鋲体77の芯材部77bを第2面U側から貫通孔30内に挿入し、第2面Uに土台部77aを当接させて鋲体77を配置する(鋲体配置工程)。そして、搬送時の鋲体77の脱落防止および貫通孔30内へのガラスフリット61充填時のガラスフリット61漏洩防止のために、第2面Uにラミネート材700を貼付して鋲体77を固定する(ラミネート材貼付工程)。次に、図19(c)に示すように、フィルスキージ650を第1面Lに沿って走査して、貫通孔30と芯材部77bとの間隙にガラスフリット61を充填する(ガラスフリット充填工程)。次に、図19(d)に示すように、充填したガラスフリット61を焼成して貫通孔30、芯材部77bおよびガラスフリット61を一体化させる(焼成工程)。最後に、図19(d)に示すように、第2面Uに当接して配置された鋲体77の土台部77aを研磨して除去することにより、第2面に芯材部を露出させる。(研磨工程)、貫通電極32が形成される。
In order to solve the above problem, a method of forming the through electrode 32 using the conductive casing 77 and the glass frit 61 has been proposed.
FIG. 19 is an explanatory view of the through electrode forming process, FIG. 19 (a) is an explanatory view of the through hole forming process, and FIG. 19 (b) is an explanatory view of the housing arrangement process and the laminating step. 19 (c) is an explanatory view of the frit glass filling step, and FIG. 19 (d) is an explanatory view of the through electrode.
As a specific formation process of the through electrode 32, first, as shown in FIG. 19A, a recess 30a is formed on the first surface L of the base substrate wafer 40 with a press die, and the second surface U side is formed. The through hole 30 is formed by polishing and removing the bottom surface of the recess 30a (through hole forming step). Next, as shown in FIG. 19B, the core 77b of the casing 77 is inserted into the through hole 30 from the second surface U side, and the base portion 77a is brought into contact with the second surface U to The body 77 is placed (a housing placement step). Then, in order to prevent the casing 77 from falling off during transportation and to prevent the glass frit 61 from leaking when the glass frit 61 is filled into the through-hole 30, a laminate material 700 is affixed to the second surface U to fix the casing 77. (Laminate sticking process). Next, as shown in FIG. 19C, the fill squeegee 650 is scanned along the first surface L to fill the gap between the through hole 30 and the core member 77b with the glass frit 61 (filling the glass frit). Process). Next, as shown in FIG. 19D, the filled glass frit 61 is fired to integrate the through holes 30, the core material part 77b, and the glass frit 61 (firing step). Finally, as shown in FIG. 19D, the core portion 77a is exposed on the second surface by polishing and removing the base portion 77a of the casing 77 disposed in contact with the second surface U. . (Polishing step) The through electrode 32 is formed.

上述の通り、鋲体77とガラスフリット61とを用いて貫通電極32を形成する方法によれば、貫通孔30と鋲体77との間隙をガラスフリット61で完全に塞ぐことができる。したがって、特許文献1の貫通電極形成方法と比較して、キャビティ内の気密を良好に維持することができる。また、上述の方法では、第2面Uに鋲体の土台部を当接させた状態でラミネート材700を貼り付けて固定しているので、芯材部が貫通孔内で倒れることがない。さらに、ベース基板用ウエハ40の搬送時に、芯材部が貫通孔の第1面L側から飛び出すこともない。   As described above, according to the method of forming the through electrode 32 using the casing 77 and the glass frit 61, the gap between the through hole 30 and the casing 77 can be completely closed with the glass frit 61. Therefore, compared with the through electrode forming method disclosed in Patent Document 1, the airtightness in the cavity can be maintained well. Further, in the above-described method, since the laminate material 700 is stuck and fixed in a state where the base portion of the casing is in contact with the second surface U, the core material portion does not fall within the through hole. Further, when the base substrate wafer 40 is transferred, the core material portion does not jump out from the first surface L side of the through hole.

しかし、上述した方法は、ラミネート材700を貼付するラミネート材貼付工程が必要となる。また、貫通孔形成工程で第2面Uを研磨し、さらに研磨工程で土台部77aを研磨して除去するため、第2面U側を研磨する工程が少なくとも2回必要となる。このため、上述した方法は、加工工数が増大してしまい、製造コストが上昇する虞がある。   However, the above-described method requires a laminating material pasting step for pasting the laminating material 700. Further, in order to polish the second surface U in the through hole forming step and further polish and remove the base portion 77a in the polishing step, the step of polishing the second surface U side is required at least twice. For this reason, the above-described method may increase the number of processing steps and increase the manufacturing cost.

そこで本発明は、貫通電極を効率よく製造することができるパッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計の提供を課題とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a package manufacturing method, a package, a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic device, and a radio timepiece that can efficiently manufacture a through electrode.

上記の課題を解決するため、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第1基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を備え、前記貫通電極形成工程は、前記第1基板の第1面に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に金属ピンを挿入する金属ピン配置工程と、前記金属ピンを前記凹部内に保持するために、前記第1基板の第2面側に磁石を配置する磁石配置工程と、前記凹部の内周面と前記金属ピンの外周面との間隙に、前記第1面側からガラスフリットを充填して、前記間隙を封止するガラスフリット充填工程と、前記凹部内に充填された前記ガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程と、少なくとも前記第2面を研磨して前記金属ピンを前記第2面に露出させる研磨工程と、を有し、前記金属ピン配置工程において挿入された前記金属ピンと前記凹部との間には、姿勢保持部材が配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、貫通孔ではなく凹部に金属ピンを挿入してガラスフリットを充填するので、第2面側から金属ピンが脱落したり、ガラスフリットが漏洩したりすることはない。これにより、第2面側にラミネート材を貼り付けるラミネート材貼付工程が不要となる。また、貫通孔ではなく凹部を形成するので、貫通孔形成工程での研磨が不要になる。さらに、鋲体の土台部を除去する必要がないので、研磨工程での研磨が軽減される。以上のように、ラミネート材貼付工程を削減することができ、さらに研磨工程を軽減することができるので、貫通電極を効率よく製造することができる。また、本発明によれば、金属ピンと凹部との間には姿勢保持部材が配置されているので、金属ピンが凹部内で傾倒することなく、金属ピンを凹部内で保持することができる。さらに、本発明によれば、第2面側に磁石を配置することにより、金属ピンは凹部の底面に吸着されるので、第1基板の搬送中に金属ピンが飛び出して脱落するのを抑制することができる。
In order to solve the above problems, a method for manufacturing a package of the present invention is a method for manufacturing a package in which an electronic component can be enclosed in a cavity formed between a plurality of substrates bonded to each other. A through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the first substrate in the thickness direction and connects the inside of the cavity and the outside of the package, wherein the through electrode forming step includes: A recess forming step of forming a recess in a first surface of one substrate; a metal pin arranging step of inserting a metal pin into the recess; and a second of the first substrate to hold the metal pin in the recess. A glass for sealing the gap by filling a gap between the inner circumferential surface of the recess and the outer circumferential surface of the metal pin with a glass frit from the first surface side, and a magnet placement step of placing a magnet on the surface side Frit filling process and A firing step of firing and curing the glass frit filled in the recess, and a polishing step of polishing at least the second surface to expose the metal pin on the second surface, A posture holding member is arranged between the metal pin inserted in the pin arranging step and the recess.
According to the present invention, the metal pin is inserted into the recess instead of the through hole and filled with the glass frit, so that the metal pin does not drop from the second surface side or the glass frit does not leak. Thereby, the lamination material sticking process which sticks a laminate material on the 2nd surface side becomes unnecessary. Moreover, since the recess is formed instead of the through hole, polishing in the through hole forming step is not necessary. Further, since it is not necessary to remove the base portion of the housing, polishing in the polishing process is reduced. As described above, the laminating material attaching step can be reduced and the polishing step can be further reduced, so that the through electrode can be efficiently manufactured. Further, according to the present invention, since the posture holding member is disposed between the metal pin and the recess, the metal pin can be held in the recess without tilting the metal pin in the recess. Furthermore, according to the present invention, by arranging the magnet on the second surface side, the metal pin is attracted to the bottom surface of the recess, so that the metal pin is prevented from jumping out and falling off during the transportation of the first substrate. be able to.

また、前記ガラスフリット充填工程では、減圧下において前記第1面側に前記凹部の開口を閉塞するように前記ガラスフリットを塗布した後に、雰囲気圧力を昇圧させることで前記凹部内と前記凹部外との間に生じた圧力差により、前記凹部内に前記ガラスフリットを充填することが望ましい。
スキージを走査して凹部にガラスフリットを充填する場合には、スキージと金属ピンとが接触して、金属ピンが凹部から飛び出す虞がある。しかし、本発明によれば、凹部内と凹部外との間に生じた圧力差を利用してガラスフリットを充填しているので、スキージを用いることなく凹部にガラスフリットを充填することができる。したがって、ガラスフリット充填工程で、スキージと金属ピンとが接触して、凹部から金属ピンが飛び出すのを抑制することができる。加えて、本発明によれば、凹部の内周面と金属ピンの外周面との間隙の隅々まで確実にガラスフリットを充填することができる。これにより、貫通電極に空隙が発生するのを抑制することができ、キャビティ内の気密を良好な状態に維持することができる。
In the glass frit filling step, after applying the glass frit so as to close the opening of the concave portion on the first surface under reduced pressure, the atmospheric pressure is increased to increase the pressure inside the concave portion and outside the concave portion. It is desirable that the glass frit is filled in the recess due to a pressure difference generated during
When the squeegee is scanned to fill the recess with the glass frit, the squeegee and the metal pin may come into contact with each other and the metal pin may jump out of the recess. However, according to the present invention, since the glass frit is filled using the pressure difference generated between the inside of the recess and the outside of the recess, the recess can be filled with the glass frit without using a squeegee. Therefore, it is possible to suppress the squeegee and the metal pin from coming into contact with each other in the glass frit filling step and the metal pin from jumping out of the recess. In addition, according to the present invention, it is possible to reliably fill the glass frit to every corner of the gap between the inner peripheral surface of the recess and the outer peripheral surface of the metal pin. Thereby, it can suppress that a space | gap generate | occur | produces in a penetration electrode, and can maintain the airtightness in a cavity in a favorable state.

また、前記凹部は、前記第2面側から前記第1面側にかけて、内形が次第に大きくなるように形成されていることが望ましい。
本発明によれば、第1面側から容易に金属ピンを配置することができる。また、内形の大きい第1面側からガラスフリットを充填することにより、凹部と金属ピンとの間隙に、容易にガラスフリットを充填することができる。
Further, it is desirable that the concave portion is formed so that the inner shape gradually increases from the second surface side to the first surface side.
According to the present invention, the metal pin can be easily arranged from the first surface side. Further, by filling the glass frit from the first surface side having a large inner shape, the glass frit can be easily filled in the gap between the recess and the metal pin.

また、本発明のパッケージは、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージであって、前記複数の基板のうち、第1基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を備えており、前記貫通電極は、前記第1基板を貫通する貫通孔内に配置された金属ピンと、前記貫通孔と前記金属ピンとの間に充填されるガラスフリットと、を有し、前記貫通孔と前記金属ピンとの間には、前記ガラスフリットを充填する前に、前記貫通孔の径方向における前記貫通孔と前記金属ピンとの相対移動を規制する姿勢保持部材が形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、貫通孔と金属ピンとの間に、貫通孔に対する金属ピンの径方向への相対移動を規制する姿勢保持部材が形成されている。したがって、金属ピンが貫通孔内で傾倒することなく、金属ピンを貫通孔内で保持することができる。
The package of the present invention is a package in which an electronic component can be enclosed in a cavity formed between a plurality of substrates bonded to each other, and the first substrate of the plurality of substrates is arranged in the thickness direction. A through electrode penetrating through the inside of the cavity and the outside of the package, the through electrode comprising a metal pin disposed in a through hole penetrating the first substrate; the through hole; A glass frit filled between the metal pins, and between the through hole and the metal pin, before filling the glass frit, the through hole and the metal in the radial direction of the through hole A posture holding member that restricts relative movement with the pin is formed.
According to the present invention, between the through hole and the metal pin, the posture holding member that restricts the relative movement of the metal pin in the radial direction with respect to the through hole is formed. Therefore, the metal pin can be held in the through hole without the metal pin tilting in the through hole.

また、前記姿勢保持部材は、前記金属ピンの外周面から径方向外側に立設された少なくとも3個の凸部を備え、前記金属ピンの中心軸は、複数の前記凸部の先端を前記金属ピンの周方向に沿って順に直線で結んだ多角形の内側に配置されていることが望ましい。
本発明によれば、金属ピンが倒れる前に必ず凸部と貫通孔の内周面とが当接するので、貫通孔に対する金属ピンの径方向への相対移動を規制することができる。したがって、金属ピンが貫通孔内で傾倒することなく、金属ピンを貫通孔内で保持することができる。
In addition, the posture holding member includes at least three convex portions erected radially outward from the outer peripheral surface of the metal pin, and the central axis of the metal pin has a plurality of convex portions at the tips of the metal pin. It is desirable that they are arranged inside a polygon connected in a straight line in order along the circumferential direction of the pin.
According to the present invention, since the convex portion and the inner peripheral surface of the through hole always come into contact with each other before the metal pin falls, the relative movement of the metal pin in the radial direction with respect to the through hole can be restricted. Therefore, the metal pin can be held in the through hole without the metal pin tilting in the through hole.

また、本発明の圧電振動子は、上述したパッケージの内部に、前記電子部品として圧電振動片が封入されていることを特徴とする。
本発明によれば、貫通電極を効率よく製造したパッケージの内部に圧電振動子を封入しているので、低コストな圧電振動子を提供することができる。
In addition, the piezoelectric vibrator of the present invention is characterized in that a piezoelectric vibrating piece is enclosed as the electronic component in the package described above.
According to the present invention, since the piezoelectric vibrator is sealed inside the package in which the through electrode is efficiently manufactured, a low-cost piezoelectric vibrator can be provided.

本発明の発振器は、上述した圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上述した圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電波時計は、上述した圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
The oscillator according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.
The electronic apparatus according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a time measuring unit.
The radio-controlled timepiece of the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a filter unit.

本発明にかかる発振器、電子機器および電波時計によれば、貫通電極を効率よく製造した圧電振動子を備えているので、低コストな発振器、電子機器および電波時計を提供することができる。   According to the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece according to the present invention, since the piezoelectric vibrator in which the through electrode is efficiently manufactured is provided, a low-cost oscillator, electronic device, and radio timepiece can be provided.

本発明によれば、貫通孔ではなく凹部に金属ピンを挿入してガラスフリットを充填するので、第2面側から金属ピンが脱落したり、ガラスフリットが漏洩したりすることはない。これにより、第2面側にラミネート材を貼り付けるラミネート材貼付工程が不要となる。また、貫通孔ではなく凹部を形成するので、貫通孔形成工程での研磨が不要になる。さらに、鋲体の土台部を除去する必要がないので、研磨工程での研磨が軽減される。以上のように、ラミネート材貼付工程を削減することができ、さらに研磨工程を軽減することができるので、貫通電極を効率よく製造することができる。また、本発明によれば、金属ピンと凹部との間には姿勢保持部材が配置されているので、金属ピンが凹部内で傾倒することなく、金属ピンを凹部内で保持することができる。さらに、本発明によれば、第2面側に磁石を配置することにより、金属ピンは凹部の底面に吸着されるので、第1基板の搬送中に金属ピンが飛び出して脱落するのを抑制することができる。   According to the present invention, the metal pin is inserted into the recess instead of the through hole and filled with the glass frit, so that the metal pin does not drop from the second surface side or the glass frit does not leak. Thereby, the lamination material sticking process which sticks a laminate material on the 2nd surface side becomes unnecessary. Moreover, since the recess is formed instead of the through hole, polishing in the through hole forming step is not necessary. Further, since it is not necessary to remove the base portion of the housing, polishing in the polishing process is reduced. As described above, the laminating material attaching step can be reduced and the polishing step can be further reduced, so that the through electrode can be efficiently manufactured. Further, according to the present invention, since the posture holding member is disposed between the metal pin and the recess, the metal pin can be held in the recess without tilting the metal pin in the recess. Furthermore, according to the present invention, by arranging the magnet on the second surface side, the metal pin is attracted to the bottom surface of the recess, so that the metal pin is prevented from jumping out and falling off during the transportation of the first substrate. be able to.

圧電振動子の外観斜視図である。It is an external perspective view of a piezoelectric vibrator. 図1に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1, and is a plan view with a lid substrate removed. 図2のA−A線における断面図である。It is sectional drawing in the AA of FIG. 図1に示す圧電振動子の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1. 圧電振動片の平面図である。It is a top view of a piezoelectric vibrating piece. 圧電振動片の底面図である。It is a bottom view of a piezoelectric vibrating piece. 図5のB−B線における断面図である。It is sectional drawing in the BB line of FIG. 第1実施形態の金属ピンおよび姿勢保持部材の説明図であり、図8(a)は平面図であり、図8(b)は正面図であり、図8(c)は凸部の説明図である。It is explanatory drawing of the metal pin and attitude | position holding member of 1st Embodiment, Fig.8 (a) is a top view, FIG.8 (b) is a front view, FIG.8 (c) is explanatory drawing of a convex part. It is. 圧電振動子の製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing method of a piezoelectric vibrator. ウエハ体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a wafer body. 凹部の説明図である。It is explanatory drawing of a recessed part. 金属ピン配置工程および磁石配置工程の説明図である。It is explanatory drawing of a metal pin arrangement | positioning process and a magnet arrangement | positioning process. ガラスフリット充填工程の説明図であり、図13(a)はガラスフリット塗布時の説明図であり、図13(b)は充填後の説明図である。It is explanatory drawing of a glass frit filling process, Fig.13 (a) is explanatory drawing at the time of glass frit application | coating, FIG.13 (b) is explanatory drawing after filling. 焼成工程および研磨工程の説明図である。It is explanatory drawing of a baking process and a grinding | polishing process. 第2実施形態の姿勢保持部材の説明図であり、図15(a)は平面図であり、図15(b)は図15(a)のC−C線における断面図である。It is explanatory drawing of the attitude | position holding member of 2nd Embodiment, Fig.15 (a) is a top view, FIG.15 (b) is sectional drawing in CC line of Fig.15 (a). 発振器の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of an oscillator. 電子機器の一実施形態を示す構成図である。It is a lineblock diagram showing one embodiment of electronic equipment. 電波時計の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of a radio timepiece. 従来の貫通電極形成工程の説明図であり、図19(a)は貫通孔形成工程の説明図であり、図19(b)は鋲体配置工程およびラミネート貼付工程の説明図であり、図19(c)はフリットガラス充填工程の説明図であり、図19(d)は貫通電極の説明図である。It is explanatory drawing of the conventional penetration electrode formation process, Fig.19 (a) is explanatory drawing of a through-hole formation process, FIG.19 (b) is explanatory drawing of a housing arrangement | positioning process and a lamination sticking process, FIG. (C) is explanatory drawing of a frit glass filling process, FIG.19 (d) is explanatory drawing of a penetration electrode.

(第1実施形態、圧電振動子)
以下、本発明の実施形態に係る圧電振動子を、図面を参照して説明する。
なお、以下において、第1基板をベース基板とし、ベース基板に接合される基板をリッド基板として説明する。さらに、パッケージ(圧電振動子)におけるベース基板のリッド基板との接合面を第2面Uとし、ベース基板の外側の面を第1面Lとして説明する。
図1は圧電振動子の外観斜視図である。
図2は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。
図3は図2のA−A線における断面図である。
図4は図1に示す圧電振動子の分解斜視図である。
なお、図4においては、図面を見易くするために後述する励振電極15、引き出し電極19,20、マウント電極16,17および重り金属膜21の図示を省略している。
図1から図4に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、ベース基板2およびリッド基板3が接合膜35を介して陽極接合されたパッケージ9と、パッケージ9のキャビティCに収納された圧電振動片4と、を備えた表面実装型の圧電振動子1である。
(First embodiment, piezoelectric vibrator)
Hereinafter, a piezoelectric vibrator according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In the following description, the first substrate is a base substrate, and the substrate bonded to the base substrate is a lid substrate. Further, the bonding surface of the base substrate of the package (piezoelectric vibrator) with the lid substrate will be described as a second surface U, and the outer surface of the base substrate will be described as a first surface L.
FIG. 1 is an external perspective view of a piezoelectric vibrator.
FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator, and is a plan view with the lid substrate removed.
3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 4 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG.
In FIG. 4, the excitation electrode 15, the extraction electrodes 19 and 20, the mount electrodes 16 and 17, and the weight metal film 21, which will be described later, are omitted for easy understanding of the drawing.
As shown in FIGS. 1 to 4, the piezoelectric vibrator 1 of this embodiment is housed in a package 9 in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are anodically bonded via a bonding film 35, and a cavity C of the package 9. The surface mount type piezoelectric vibrator 1 including the piezoelectric vibrating piece 4.

(圧電振動片)
図5は圧電振動片の平面図である。
図6は圧電振動片の底面図である。
図7は図5のB−B線における断面図である。
図5から図7に示すように、圧電振動片4は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片4は、平行に配置された一対の振動腕部10,11と、前記一対の振動腕部10,11の基端側を一体的に固定する基部12と、一対の振動腕部10,11の両主面上に形成された溝部18とを備えている。この溝部18は、該振動腕部10,11の長手方向に沿って振動腕部10,11の基端側から略中間付近まで形成されている。
(Piezoelectric vibrating piece)
FIG. 5 is a plan view of the piezoelectric vibrating piece.
FIG. 6 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece.
7 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
As shown in FIGS. 5 to 7, the piezoelectric vibrating piece 4 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It vibrates. The piezoelectric vibrating reed 4 includes a pair of vibrating arm portions 10 and 11 arranged in parallel, a base portion 12 that integrally fixes the base end sides of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and a pair of vibrating arm portions. And a groove portion 18 formed on both main surfaces 10 and 11. The groove portion 18 is formed from the proximal end side of the vibrating arm portions 10 and 11 to the vicinity of the middle along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 10 and 11.

この圧電振動片4は、一対の振動腕部10,11の外表面上に形成されて一対の振動腕部10,11を振動させる第1の励振電極13および第2の励振電極14からなる励振電極15と、第1の励振電極13および第2の励振電極14に電気的に接続されたマウント電極16,17とを有している。励振電極15、マウント電極16,17および引き出し電極19,20は、例えば、クロム(Cr)やニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)などの導電性材料の被膜により形成されている。   The piezoelectric vibrating reed 4 is formed on the outer surface of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 and is composed of a first excitation electrode 13 and a second excitation electrode 14 that vibrate the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The electrode 15 includes mount electrodes 16 and 17 electrically connected to the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14. The excitation electrode 15, the mount electrodes 16 and 17, and the extraction electrodes 19 and 20 are formed by a film of a conductive material such as chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), titanium (Ti), or the like. .

励振電極15は、一対の振動腕部10,11を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極15を構成する第1の励振電極13および第2の励振電極14は、一対の振動腕部10,11の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第1の励振電極13が、一方の振動腕部10の溝部18上と他方の振動腕部11の両側面上とに主に形成され、第2の励振電極14が、一方の振動腕部10の両側面上と他方の振動腕部11の溝部18上とに主に形成されている。また、第1の励振電極13および第2の励振電極14は、基部12の両主面上において、それぞれ引き出し電極19,20を介してマウント電極16,17に電気的に接続されている。   The excitation electrode 15 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction toward or away from each other. The first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 constituting the excitation electrode 15 are formed by being patterned on the outer surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 while being electrically separated from each other. . Specifically, the first excitation electrode 13 is mainly formed on the groove portion 18 of one vibration arm portion 10 and on both side surfaces of the other vibration arm portion 11, and the second excitation electrode 14 is formed on one side. Are formed mainly on both side surfaces of the vibrating arm portion 10 and on the groove portion 18 of the other vibrating arm portion 11. In addition, the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are electrically connected to the mount electrodes 16 and 17 via the extraction electrodes 19 and 20 on both main surfaces of the base portion 12, respectively.

また、一対の振動腕部10,11の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための重り金属膜21が被膜されている。この重り金属膜21は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜21aと、微小に調整する際に使用される微調膜21bとに分かれている。これら粗調膜21aおよび微調膜21bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部10,11の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。   Further, a weight metal film 21 for adjusting (frequency adjustment) to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The weight metal film 21 is divided into a coarse adjustment film 21a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 21b used when the frequency is finely adjusted. By adjusting the frequency using the coarse adjustment film 21a and the fine adjustment film 21b, the frequency of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be kept within the range of the nominal frequency of the device.

(パッケージ)
図1、図3および図4に示すように、リッド基板3は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板3におけるベース基板2との接合面側には、圧電振動片4を収容するキャビティ用凹部3aが形成されている。
(package)
As shown in FIGS. 1, 3, and 4, the lid substrate 3 is an anodic bondable substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, and is formed in a substantially plate shape. A cavity recess 3 a for accommodating the piezoelectric vibrating reed 4 is formed on the side of the lid substrate 3 that is bonded to the base substrate 2.

リッド基板3におけるベース基板2との接合面側の全体に、陽極接合用の接合膜35が形成されている。すなわち接合膜35は、キャビティ用凹部3aの内面全体に加えて、キャビティ用凹部3aの周囲の額縁領域に形成されている。本実施形態の接合膜35はSi膜で形成されているが、接合膜35をAlで形成することも可能である。そして後述するように、この接合膜35とベース基板2とが陽極接合され、キャビティCが真空封止されている。   A bonding film 35 for anodic bonding is formed on the entire bonding surface side of the lid substrate 3 with the base substrate 2. That is, the bonding film 35 is formed in the frame area around the cavity recess 3a in addition to the entire inner surface of the cavity recess 3a. Although the bonding film 35 of the present embodiment is formed of a Si film, the bonding film 35 can also be formed of Al. As will be described later, the bonding film 35 and the base substrate 2 are anodically bonded, and the cavity C is vacuum-sealed.

図3に示すように、圧電振動子1は、ベース基板2を厚さ方向に貫通し、キャビティCの内側と圧電振動子1の外側とを導通する貫通電極32,33を備えている。そして、貫通電極32,33は、ベース基板2を貫通する貫通孔30,31内に配置され、圧電振動片4と外部とを電気的に接続する金属ピン7と、貫通孔30,31と金属ピン7との間に充填されるガラスフリット61と、を有し、貫通孔30,31と金属ピン7との間には、貫通孔30,31に対する金属ピン7の径方向への相対移動を規制する姿勢保持部材7aが形成されている。さらに、本実施形態の姿勢保持部材7aは、金属ピン7の外周面7bから径方向外側に立設された凸部7cを備えている。   As shown in FIG. 3, the piezoelectric vibrator 1 includes through electrodes 32 and 33 that penetrate the base substrate 2 in the thickness direction and conduct the inside of the cavity C and the outside of the piezoelectric vibrator 1. The through electrodes 32 and 33 are disposed in the through holes 30 and 31 that penetrate the base substrate 2, and the metal pins 7 that electrically connect the piezoelectric vibrating reed 4 and the outside, the through holes 30 and 31, and the metal A glass frit 61 filled between the pin 7 and the through hole 30, 31 and the metal pin 7 between the through hole 30, 31 in the radial direction of the metal pin 7. A posture holding member 7a to be regulated is formed. Further, the posture holding member 7 a of the present embodiment includes a convex portion 7 c erected on the radially outer side from the outer peripheral surface 7 b of the metal pin 7.

ベース基板2は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる基板であり、図1から図4に示すように、リッド基板3と同等の外形で略板状に形成されている。また、このベース基板2には、ベース基板2を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔30,31と、一対の貫通電極32,33とが形成されている。   The base substrate 2 is a substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, and is formed in a substantially plate shape with the same outer shape as the lid substrate 3 as shown in FIGS. Further, the base substrate 2 is formed with a pair of through holes 30 and 31 penetrating the base substrate 2 in the thickness direction, and a pair of through electrodes 32 and 33.

図2および図3に示すように、貫通孔30,31は、圧電振動子1を形成したときにキャビティC内に収まるように形成される。より詳しく説明すると、本実施形態の貫通孔30,31は、後述するマウント工程で実装される圧電振動片4の基部12側に対応した位置に一方の貫通孔30が形成され、振動腕部10,11の先端側に対応した位置に他方の貫通孔31が形成される。図3に示すように、本実施形態の貫通孔30,31は、第2面U側から第1面L側にかけて、内形が次第に大きくなるように形成されており、貫通孔30,31の中心軸Oを含む断面形状がテーパ状となるように形成されている。なお、貫通孔30,31の内周面のテーパ角度は、貫通孔30,31の中心軸Oに対して10度から20度程度となるように形成される。また、本実施形態では、貫通孔30,31の中心軸Oに垂直な方向の断面形状は、円形状となるように形成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the cavity C when the piezoelectric vibrator 1 is formed. More specifically, in the through holes 30 and 31 of the present embodiment, one through hole 30 is formed at a position corresponding to the base 12 side of the piezoelectric vibrating reed 4 mounted in the mounting process described later. , 11 is formed in the other through hole 31 at a position corresponding to the tip side. As shown in FIG. 3, the through holes 30 and 31 of the present embodiment are formed so that the inner shape gradually increases from the second surface U side to the first surface L side. The cross-sectional shape including the central axis O is formed in a tapered shape. In addition, the taper angle of the inner peripheral surfaces of the through holes 30 and 31 is formed to be about 10 degrees to 20 degrees with respect to the central axis O of the through holes 30 and 31. In the present embodiment, the cross-sectional shape in the direction perpendicular to the central axis O of the through holes 30 and 31 is formed to be a circular shape.

以下に貫通電極の説明をする。なお、以下には貫通電極32を例にして説明するが、貫通電極33についても同様である。
貫通電極32は、図3に示すように、ベース基板2を貫通する貫通孔30内に配置され、圧電振動片4と外部とを電気的に接続する金属ピン7と、貫通孔30と金属ピン7との間に充填されるガラス体6(ガラスフリット)と、を有している。そして、貫通孔30と金属ピン7との間には、貫通孔30に対する金属ピン7の径方向への相対移動を規制する姿勢保持部材7aが形成されている。
The through electrode will be described below. In the following description, the through electrode 32 is described as an example, but the same applies to the through electrode 33.
As shown in FIG. 3, the through electrode 32 is disposed in the through hole 30 that penetrates the base substrate 2, and the metal pin 7 that electrically connects the piezoelectric vibrating piece 4 and the outside, and the through hole 30 and the metal pin. 7 and a glass body 6 (glass frit) filled in between. And between the through-hole 30 and the metal pin 7, the attitude | position holding member 7a which controls the relative displacement | movement to the radial direction of the metal pin 7 with respect to the through-hole 30 is formed.

図8は本実施形態の金属ピン7および姿勢保持部材7aの説明図であり、図8(a)は平面図であり、図8(b)は正面図である。なお、以下の説明では、金属ピン7の中心軸をPとし、金属ピン7のベース基板用ウエハへの挿入方向を−Z方向とし、その反対側を+Z方向とする。   FIG. 8 is an explanatory view of the metal pin 7 and the posture holding member 7a of this embodiment, FIG. 8 (a) is a plan view, and FIG. 8 (b) is a front view. In the following description, the central axis of the metal pins 7 is P, the insertion direction of the metal pins 7 into the base substrate wafer is the −Z direction, and the opposite side is the + Z direction.

金属ピン7および姿勢保持部材7aは、ステンレスや銀(Ag)、Ni合金、Al等の金属材料により形成された導電性の部材であり、特に、鉄(Fe)を58重量パーセント、Niを42重量パーセント含有する合金(42アロイ)で形成することが望ましい。なお、金属ピン7および姿勢保持部材7aは、鍛造やプレス加工により一体的に成型される。   The metal pin 7 and the posture holding member 7a are conductive members formed of a metal material such as stainless steel, silver (Ag), Ni alloy, Al, and in particular, iron (Fe) is 58 weight percent and Ni is 42. It is desirable to form with the alloy (42 alloy) containing a weight percent. The metal pin 7 and the posture holding member 7a are integrally formed by forging or pressing.

図3および図8に示すように、金属ピン7は、ベース基板2に形成された貫通孔30の第2面U側における直径より少し小さい直径を有し、貫通孔30の深さと略同一の長さを有する円柱状の部材である。また、本実施形態の姿勢保持部材7aは、金属ピン7の外周面7bから径方向外側に立設された凸部7cにより構成されている。本実施形態の凸部7cは、4個立設されている。また、各凸部7cは、金属ピン7の周方向において略等間隔に配置されており、図8(a)に示すように、凸部7cは平面視で略+字状に形成されている。金属ピン7の中心軸P方向における凸部7cの長さは、金属ピン7の長さと略同一である。金属ピン7の径方向における凸部7cの突出高さは、+Z方向から−Z方向にかけて漸次低くなっており、側面視で略直角三角形状となっている。凸部7cの斜辺の傾斜角度は、貫通孔30の内周面と略同一の角度であって、金属ピン7の中心軸Pに対して10度から20度程度に形成されている。また、凸部7cの幅寸法は、金属ピン7の直径よりも若干狭く形成されている。そして、図3に示すように、金属ピン7を貫通電極32内に配置したときに、凸部7cの先端面7dは、先端面7dと貫通孔30の内周面との間に若干の隙間を空けつつ、貫通孔30の内周面に沿うように形成される。このように凸部7cを形成することにより、金属ピン7が貫通孔30内で倒れそうになっても、金属ピン7が倒れる前に、凸部7cの先端面7dと貫通孔30の内周面とが当接する。これにより、金属ピン7を凸部7cで保持して貫通孔30に対する金属ピン7の径方向への相対移動を規制することができる。したがって、金属ピン7が貫通孔30内で傾倒することなく、金属ピン7を貫通孔30内に配置することができる。   As shown in FIGS. 3 and 8, the metal pin 7 has a diameter slightly smaller than the diameter on the second surface U side of the through hole 30 formed in the base substrate 2, and is substantially the same as the depth of the through hole 30. It is a cylindrical member having a length. Further, the posture holding member 7 a of the present embodiment is configured by a convex portion 7 c erected on the radially outer side from the outer peripheral surface 7 b of the metal pin 7. Four convex portions 7c of this embodiment are provided upright. The convex portions 7c are arranged at substantially equal intervals in the circumferential direction of the metal pin 7, and as shown in FIG. 8A, the convex portions 7c are formed in a substantially + shape in plan view. . The length of the convex portion 7 c in the central axis P direction of the metal pin 7 is substantially the same as the length of the metal pin 7. The protruding height of the convex portion 7c in the radial direction of the metal pin 7 is gradually lowered from the + Z direction to the -Z direction, and has a substantially right triangle shape in a side view. The inclination angle of the oblique side of the convex portion 7 c is substantially the same angle as the inner peripheral surface of the through hole 30, and is formed to be about 10 degrees to 20 degrees with respect to the central axis P of the metal pin 7. Further, the width of the convex portion 7 c is slightly narrower than the diameter of the metal pin 7. As shown in FIG. 3, when the metal pin 7 is disposed in the through electrode 32, the tip surface 7 d of the convex portion 7 c has a slight gap between the tip surface 7 d and the inner peripheral surface of the through hole 30. It is formed along the inner peripheral surface of the through-hole 30 while leaving a gap. By forming the convex portion 7 c in this way, even if the metal pin 7 is likely to fall within the through hole 30, the tip surface 7 d of the convex portion 7 c and the inner periphery of the through hole 30 before the metal pin 7 falls. The surface comes into contact. Thereby, the metal pin 7 can be held by the convex portion 7 c and the relative movement in the radial direction of the metal pin 7 with respect to the through hole 30 can be restricted. Therefore, the metal pin 7 can be disposed in the through hole 30 without the metal pin 7 tilting in the through hole 30.

なお、本実施形態では、4個の凸部7cを金属ピン7の周方向に略等間隔に配置しているが、必ずしも4個の凸部7cを等間隔に配置する必要はない。図8(c)に示すように、金属ピン7の中心軸Pは、複数(図8(c)では3個)の凸部7cの先端を金属ピン7の周方向に沿って順に直線で結んだ多角形Tの内側に配置されていればよい。これにより、上述したように、金属ピン7が倒れる前に必ず凸部7cと貫通孔の内周面とが当接するので、金属ピン7が貫通孔内で傾倒することがない。   In the present embodiment, the four convex portions 7c are arranged at substantially equal intervals in the circumferential direction of the metal pin 7. However, the four convex portions 7c are not necessarily arranged at equal intervals. As shown in FIG. 8 (c), the central axis P of the metal pin 7 is connected by straight lines in order along the circumferential direction of the metal pin 7 at the tips of a plurality of (three in FIG. 8 (c)) convex portions 7 c. What is necessary is just to be arrange | positioned inside the polygon T. Thus, as described above, the convex portion 7c and the inner peripheral surface of the through hole always come into contact with each other before the metal pin 7 falls down, so that the metal pin 7 does not tilt within the through hole.

図3に戻り、ガラス体6は、ガラスフリットが焼成されたものである。ガラス体6は、両端が平坦で且つベース基板2と略同じ厚みに形成されている。ガラス体6の中心には、上述した金属ピン7がガラス体6を貫通するように配されている。また、前述のとおり、金属ピン7の外周面7bから径方向に複数の凸部7cが立設されている。さらに、ガラス体6は、金属ピン7、姿勢保持部材7aおよび貫通孔30に対して強固に固着することにより一体化している。そして、ガラス体6、金属ピン7および姿勢保持部材7aは、貫通孔30を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持している。   Returning to FIG. 3, the glass body 6 is obtained by firing a glass frit. The glass body 6 is flat at both ends and is formed to have substantially the same thickness as the base substrate 2. In the center of the glass body 6, the above-described metal pin 7 is disposed so as to penetrate the glass body 6. In addition, as described above, a plurality of convex portions 7 c are erected from the outer peripheral surface 7 b of the metal pin 7 in the radial direction. Further, the glass body 6 is integrated by being firmly fixed to the metal pin 7, the posture holding member 7 a and the through hole 30. And the glass body 6, the metal pin 7, and the attitude | position holding member 7a have block | closed the through-hole 30 completely, and maintain the airtightness in the cavity C. FIG.

図2から図4に示すように、ベース基板2の第2面U側には、一対の引き回し電極36,37がパターニングされている。一対の引き回し電極36,37のうち、一方の引き回し電極36は、一方の貫通電極32の真上に位置するように形成されている。また、他方の引き回し電極37は、一方の引き回し電極36に隣接した位置から、振動腕部10,11に沿って前記振動腕部10,11の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極33の真上に位置するように形成されている。   As shown in FIGS. 2 to 4, a pair of lead electrodes 36 and 37 are patterned on the second surface U side of the base substrate 2. Of the pair of lead-out electrodes 36 and 37, one lead-out electrode 36 is formed so as to be positioned immediately above one through-electrode 32. The other routing electrode 37 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 36 along the vibrating arm portions 10 and 11 to the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11, and then the other through electrode 33. It is formed so that it may be located just above.

そして、これら一対の引き回し電極36,37上にそれぞれバンプBが形成されており、前記バンプBを利用して圧電振動片4の一対のマウント電極が実装されている。これにより、圧電振動片4の一方のマウント電極16が、一方の引き回し電極36を介して一方の貫通電極32に導通し、他方のマウント電極17が、他方の引き回し電極37を介して他方の貫通電極33に導通するようになっている。   A bump B is formed on each of the pair of lead-out electrodes 36 and 37, and the pair of mount electrodes of the piezoelectric vibrating piece 4 is mounted using the bump B. Thereby, one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 32 through one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 is passed through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode. The electrode 33 is electrically connected.

またベース基板2の第1面Lには、図1、図3および図4に示すように、一対の外部電極38,39が形成されている。一対の外部電極38,39は、ベース基板2の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極32,33に対してそれぞれ電気的に接続されている。   A pair of external electrodes 38 and 39 are formed on the first surface L of the base substrate 2 as shown in FIGS. 1, 3 and 4. The pair of external electrodes 38 and 39 are formed at both ends in the longitudinal direction of the base substrate 2, and are electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively.

このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極38,39に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片4の第1の励振電極13および第2の励振電極14からなる励振電極15に電圧を印加することができるので、一対の振動腕部10,11を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部10,11の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用することができる。   When the piezoelectric vibrator 1 configured in this way is operated, a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 formed on the base substrate 2. As a result, a voltage can be applied to the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4, so that the pair of vibrating arm portions 10 and 11 are moved closer to and away from each other. Can be vibrated at a predetermined frequency. The vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be used as a time source, a timing source for control signals, a reference signal source, and the like.

(圧電振動子の製造方法)
次に、上述した圧電振動子の製造方法を、フローチャートを参照しながら説明する。
図9は本実施形態の圧電振動子の製造方法のフローチャートである。
図10は、ウエハ体の分解斜視図である。なお、図10に示す点線は、後に行う切断工程で切断する切断線Mを図示している。
本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程S10と、リッド基板用ウエハ作製工程S20と、ベース基板用ウエハ作製工程S30と、組立工程(S50以降)を有している。そのうち、圧電振動片作製工程S10、リッド基板用ウエハ作製工程S20およびベース基板用ウエハ作製工程S30は、並行して実施することが可能である。
(Piezoelectric vibrator manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the above-described piezoelectric vibrator will be described with reference to a flowchart.
FIG. 9 is a flowchart of the manufacturing method of the piezoelectric vibrator of this embodiment.
FIG. 10 is an exploded perspective view of the wafer body. In addition, the dotted line shown in FIG. 10 has shown the cutting line M cut | disconnected by the cutting process performed later.
The piezoelectric vibrator manufacturing method according to the present embodiment mainly includes a piezoelectric vibrating piece manufacturing step S10, a lid substrate wafer manufacturing step S20, a base substrate wafer manufacturing step S30, and an assembly step (S50 and subsequent steps). is doing. Among them, the piezoelectric vibrating piece producing step S10, the lid substrate wafer producing step S20, and the base substrate wafer producing step S30 can be performed in parallel.

(圧電振動片作製工程)
圧電振動片作製工程S10では、図5から図7に示す圧電振動片4を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄などの適切な処理を施した後、該ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片4の外形形状にパターニングするとともに、金属膜の成膜およびパターニングを行って、励振電極15、引き出し電極19,20、マウント電極16,17および重り金属膜21を形成する。これにより、複数の圧電振動片4を作製することができる。次に、圧電振動片4の共振周波数の粗調を行う。これは、重り金属膜21の粗調膜21aにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部10,11の重量を変化させることで行う。
(Piezoelectric vibrating piece manufacturing process)
In the piezoelectric vibrating piece producing step S10, the piezoelectric vibrating piece 4 shown in FIGS. 5 to 7 is produced. Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness. Subsequently, after performing appropriate processing such as cleaning on the wafer, the wafer is patterned into an outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by photolithography technique, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 15, Lead electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible. Next, the resonance frequency of the piezoelectric vibrating reed 4 is roughly adjusted. This is performed by irradiating the coarse adjustment film 21 a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight of the vibrating arm portions 10 and 11.

(リッド基板用ウエハ作製工程)
リッド基板用ウエハ作製工程S20では、図10に示すように、後にリッド基板となるリッド基板用ウエハ50を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のリッド基板用ウエハ50を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去する(S21)。次いで、キャビティ形成工程S22では、リッド基板用ウエハ50におけるベース基板用ウエハ40との接合面に、キャビティ用凹部3aを複数形成する。キャビティ用凹部3aの形成は、加熱プレス成型やエッチング加工などによって行う。次に、接合面研磨工程S23では、ベース基板用ウエハ40との接合面を研磨する。
(Wad manufacturing process for lid substrate)
In the lid substrate wafer manufacturing step S20, as shown in FIG. 10, a lid substrate wafer 50 to be a lid substrate later is manufactured. First, the disc-shaped lid substrate wafer 50 made of soda-lime glass is polished and washed to a predetermined thickness, and then the outermost work-affected layer is removed by etching or the like (S21). Next, in the cavity forming step S <b> 22, a plurality of cavity recesses 3 a are formed on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 to the base substrate wafer 40. The cavity recess 3a is formed by hot press molding or etching. Next, in the bonding surface polishing step S23, the bonding surface with the base substrate wafer 40 is polished.

次に、接合膜形成工程S24では、ベース基板用ウエハ40との接合面に、図1、図2および図4に示す接合膜35を形成する。接合膜35は、ベース基板用ウエハ40との接合面に加えて、キャビティCの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜35のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。接合膜35の形成は、スパッタやCVD等の成膜方法によって行うことができる。なお、接合膜形成工程S24の前に接合面研磨工程S23を行っているので、接合膜35の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ40との安定した接合を実現することができる。   Next, in the bonding film forming step S <b> 24, the bonding film 35 shown in FIGS. 1, 2, and 4 is formed on the bonding surface with the base substrate wafer 40. The bonding film 35 may be formed on the entire inner surface of the cavity C in addition to the bonding surface with the base substrate wafer 40. Thereby, the patterning of the bonding film 35 becomes unnecessary, and the manufacturing cost can be reduced. The bonding film 35 can be formed by a film forming method such as sputtering or CVD. In addition, since the bonding surface polishing step S23 is performed before the bonding film forming step S24, the flatness of the surface of the bonding film 35 is ensured, and stable bonding with the base substrate wafer 40 can be realized.

(ベース基板用ウエハ作製工程)
ベース基板用ウエハ作製工程S30では、図10に示すように、後にベース基板となるベース基板用ウエハ40を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のベース基板用ウエハ40を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去する(S31)。
(Base substrate wafer manufacturing process)
In the base substrate wafer manufacturing step S30, as shown in FIG. 10, a base substrate wafer 40 to be a base substrate later is manufactured. First, the disc-shaped base substrate wafer 40 made of soda-lime glass is polished and washed to a predetermined thickness, and then the work-affected layer on the outermost surface is removed by etching or the like (S31).

(貫通電極形成工程)
次に、ベース基板用ウエハ40に、一対の貫通電極32,33を形成する貫通電極形成工程S30Aを行う。以下に、この貫通電極形成工程S30Aについて説明する。なお、以下には貫通電極32の形成工程を例にして説明するが、貫通電極33の形成工程についても同様である。
(Penetration electrode formation process)
Next, a through electrode forming step S30A for forming a pair of through electrodes 32 and 33 on the base substrate wafer 40 is performed. Below, this penetration electrode formation process S30A is demonstrated. In addition, although the formation process of the penetration electrode 32 is demonstrated below as an example, the formation process of the penetration electrode 33 is also the same.

図11は凹部の説明図である。
図12は金属ピン配置工程および磁石配置工程の説明図である。
図13はガラスフリット充填工程の説明図であり、図13(a)はガラスフリット塗布時の説明図であり、図13(b)は充填時の説明図である。
図14は焼成工程および研磨工程の説明図である。
図11から図14に示すように、本実施形態の貫通電極形成工程S30Aは、ベース基板用ウエハ40の第1面Lに凹部30aを形成する凹部形成工程S32と、金属ピン7を凹部30aに挿入する金属ピン配置工程S33と、金属ピン7を凹部30a内に保持するために、第2面U側に磁石70を配置する磁石配置工程S34と、凹部30aの内周面と金属ピン7の外周面7bとの間隙に、第1面L側からガラスフリット61を充填して間隙を封止するガラスフリット充填工程S35と、凹部30a内に充填されたガラスフリット61を焼成して硬化させる焼成工程S37と、少なくとも第2面Uを研磨して金属ピン7を第2面Uに露出させる研磨工程S39と、を有している。
FIG. 11 is an explanatory diagram of a recess.
FIG. 12 is an explanatory diagram of a metal pin arranging step and a magnet arranging step.
FIG. 13 is an explanatory view of the glass frit filling step, FIG. 13 (a) is an explanatory view at the time of glass frit application, and FIG. 13 (b) is an explanatory view at the time of filling.
FIG. 14 is an explanatory diagram of a firing process and a polishing process.
As shown in FIGS. 11 to 14, the through electrode forming step S30A of this embodiment includes a recess forming step S32 for forming the recess 30a in the first surface L of the base substrate wafer 40, and the metal pins 7 in the recess 30a. The metal pin placement step S33 to be inserted, the magnet placement step S34 for placing the magnet 70 on the second surface U side in order to hold the metal pin 7 in the recess 30a, the inner peripheral surface of the recess 30a and the metal pin 7 A glass frit filling step S35 for filling the gap between the outer peripheral surface 7b and the glass frit 61 from the first surface L side to seal the gap, and firing for curing the glass frit 61 filled in the recess 30a. Step S37 and polishing step S39 in which at least the second surface U is polished to expose the metal pin 7 on the second surface U are included.

(凹部形成工程)
貫通電極形成工程S30Aにおいて、まず、ベース基板用ウエハ40に、貫通電極を配するための凹部30aを形成する凹部形成工程S32を行う。凹部30aは、プレス加工やサンドブラスト法等により形成される。本実施形態では、図11に示すように、ベース基板用ウエハ40の第2面U側から第1面L側にかけて内形が次第に大きくなるように、凹部30aをプレス加工により成型している。
(Recess formation process)
In the through electrode forming step S30A, first, a concave portion forming step S32 for forming a concave portion 30a for arranging the through electrodes on the base substrate wafer 40 is performed. The recess 30a is formed by pressing, sandblasting, or the like. In the present embodiment, as shown in FIG. 11, the concave portion 30a is formed by pressing so that the inner shape gradually increases from the second surface U side to the first surface L side of the base substrate wafer 40.

具体的な凹部形成工程S32としては、まず、プレス型を加熱しながらベース基板用ウエハ40の第1面Lに押圧する。ここで、プレス型に形成された円錐台状の凸部により、ベース基板用ウエハ40にすり鉢状の凹部が形成される。以上で、凹部形成工程S32が終了する。なお、本実施形態では、凹部30aの中心軸Oに垂直な方向の断面において、凹部30aの形状が円形状となるように形成しているが、プレス型の凸部の形状を変更することにより、例えば断面形状が矩形状となるように形成することもできる。   As a specific recess forming step S32, first, the press die is pressed against the first surface L of the base substrate wafer 40 while being heated. Here, a mortar-shaped concave portion is formed in the base substrate wafer 40 by the truncated cone-shaped convex portion formed in the press die. Thus, the recess forming step S32 is completed. In the present embodiment, the concave portion 30a is formed in a circular shape in the cross section perpendicular to the central axis O of the concave portion 30a. However, by changing the shape of the convex portion of the press die. For example, the cross-sectional shape may be a rectangular shape.

(金属ピン配置工程)
次に、図12に示すように、凹部30a内に金属ピン7を挿入する金属ピン配置工程S33を行う。
金属ピン7は、金属の棒状部材を切断することにより形成される。そして、棒状部材を切断した後に、棒状部材の外周面を鍛造やプレス加工により成型することで、金属ピン7の外周面に凸部7cが一体的に形成される。
(Metal pin placement process)
Next, as shown in FIG. 12, a metal pin arranging step S33 for inserting the metal pin 7 into the recess 30a is performed.
The metal pin 7 is formed by cutting a metal rod-shaped member. And after cut | disconnecting a rod-shaped member, the convex part 7c is integrally formed in the outer peripheral surface of the metal pin 7 by shape | molding the outer peripheral surface of a rod-shaped member by forging or press work.

金属ピン配置工程S33では、図12に示すように、金属ピン7をベース基板用ウエハ40の開口から挿入して、凹部30aの内部に金属ピン7を配置する。具体的な金属ピンの配置方法としては、例えば、ベース基板用ウエハ40の第1面Lに金属ピン群を載置する。そして、ベース基板用ウエハ40を揺動させつつ、ベース基板用ウエハ40に振動を加えて金属ピン群を拡散させて、凹部30a内に金属ピン7を振り込む。本実施形態の凹部30aは、第2面U側から第1面L側にかけて内形が次第に大きくなるように、中心軸Oを含む断面形状がテーパ状に形成されているので、第1面L側から凹部30a内に金属ピン7を容易に振り込むことができる。なお、治具を用いて複数の金属ピン7を凹部30aに対応した位置に配置し、第1面L側から複数の金属ピン7を挿入することにより、凹部30a内に金属ピン7を配置してもよい。凹部30aと金属ピン7との間には姿勢保持部材7aが形成されているので、金属ピン7が凹部30a内で傾倒することなく、金属ピン7を凹部30a内で保持することができる。以上で、金属ピン配置工程S33が終了する。   In the metal pin arrangement step S33, as shown in FIG. 12, the metal pins 7 are inserted from the openings of the base substrate wafer 40, and the metal pins 7 are arranged inside the recesses 30a. As a specific metal pin arrangement method, for example, a metal pin group is placed on the first surface L of the base substrate wafer 40. Then, while swinging the base substrate wafer 40, the base substrate wafer 40 is vibrated to diffuse the metal pin group, and the metal pins 7 are swung into the recess 30a. Since the recess 30a of the present embodiment has a tapered cross-sectional shape including the central axis O so that the inner shape gradually increases from the second surface U side to the first surface L side, the first surface L The metal pin 7 can be easily transferred from the side into the recess 30a. In addition, the metal pin 7 is arrange | positioned in the recessed part 30a by arrange | positioning the several metal pin 7 in the position corresponding to the recessed part 30a using a jig | tool, and inserting the several metal pin 7 from the 1st surface L side. May be. Since the posture holding member 7a is formed between the recess 30a and the metal pin 7, the metal pin 7 can be held in the recess 30a without the metal pin 7 tilting in the recess 30a. Thus, the metal pin placement step S33 is completed.

(磁石配置工程)
次に、図12に示すように、ベース基板用ウエハ40の第2面U側に磁石70を配置する磁石配置工程S34を行う。磁石70は、フェライト等の永久磁石を用いてシート状に形成されており、ベース基板用ウエハ40の第2面U側の全面を覆っている。磁石70により、金属ピン7は凹部30aの底面に吸着されるので、各工程間でベース基板用ウエハ40を搬送する際に、金属ピン7が飛び出して脱落するのを抑制することができる。以上で、磁石配置工程S34が終了する。
(Magnet placement process)
Next, as shown in FIG. 12, a magnet placement step S34 for placing the magnet 70 on the second surface U side of the base substrate wafer 40 is performed. The magnet 70 is formed in a sheet shape using a permanent magnet such as ferrite and covers the entire surface on the second surface U side of the base substrate wafer 40. Since the metal pin 7 is attracted to the bottom surface of the concave portion 30a by the magnet 70, it is possible to suppress the metal pin 7 from popping out and falling off when the base substrate wafer 40 is transferred between the steps. Above, magnet arrangement process S34 is completed.

(ガラスフリット充填工程)
次に、図13に示すように、凹部30aの内周面と金属ピン7の外周面7bとの間隙に、第1面L側からガラスフリット61を充填して、前記間隙を封止するガラスフリット充填工程S35を行う。
本実施形態のガラスフリット充填工程S35は、第1面L側にガラスフリット61を塗布した後に雰囲気圧力を昇圧させ、凹部30a内と凹部30a外との間に生じた圧力差により、凹部30aの内周面と金属ピン7の外周面7bとの間隙にガラスフリット61を充填する。
(Glass frit filling process)
Next, as shown in FIG. 13, a glass frit 61 is filled from the first surface L side into the gap between the inner circumferential surface of the recess 30a and the outer circumferential surface 7b of the metal pin 7 to seal the gap. A frit filling step S35 is performed.
In the glass frit filling step S35 of the present embodiment, the atmospheric pressure is increased after the glass frit 61 is applied on the first surface L side, and the pressure difference generated between the inside of the recessed portion 30a and the outside of the recessed portion 30a causes the A glass frit 61 is filled in a gap between the inner peripheral surface and the outer peripheral surface 7 b of the metal pin 7.

具体的なガラスフリット充填工程S35としては、まず、メタルマスク(不図示)をベース基板用ウエハ40の第1面Lに配置する。メタルマスクは、第2面Uにガラスフリットが回り込んで付着するのを防止するため、第1面Lの周辺部を覆っている。また、中央部にはガラスフリットを凹部に塗布するための開口部が形成されている。なお、後述するとおり、ガラスフリットを塗布することにより、第1面Lから0.1mm〜0.2mm程度の厚みを有したガラスフリット61の層を形成するので、メタルマスクの厚さも0.1mm〜0.2mm程度に形成されている。
次に、スクリーン印刷機のチャンバー(不図示)内に、ベース基板用ウエハ40を搬送してセットし、チャンバー内の真空引きを行って減圧雰囲気とする。
In a specific glass frit filling step S35, first, a metal mask (not shown) is disposed on the first surface L of the base substrate wafer 40. The metal mask covers the periphery of the first surface L in order to prevent the glass frit from flowing around and adhering to the second surface U. Further, an opening for applying the glass frit to the recess is formed at the center. As will be described later, by applying the glass frit, a layer of the glass frit 61 having a thickness of about 0.1 mm to 0.2 mm from the first surface L is formed, so the thickness of the metal mask is also 0.1 mm. It is formed to be about 0.2 mm.
Next, the base substrate wafer 40 is transported and set in a chamber (not shown) of the screen printer, and the inside of the chamber is evacuated to form a reduced pressure atmosphere.

続いて、図13(a)に示すように、メタルマスク上でスキージ65を第1面Lに沿って走査して、ガラスフリット61をベース基板用ウエハ40の第1面L側から塗布する。スキージ65は、ウレタンゴム等の軟質のゴム材料からなる板状の部材である。スキージ65はいわゆるスクライブスキージである。スキージ65の進行方向側の面はガラスフリット61とのアタック面となっている。アタック面は単一平面に形成されており、スキージ65を走査するときのベース基板用ウエハ40とスキージ65との角度(アタック角度)は、60度から70度程度に設定する。進行方向と反対側の面は、スキージ65が先細り形状となるように傾斜しているテーパ面となっている。図13(a)に示すように、第1面L上および凹部30a上に、凹部30aの開口を閉塞するようにガラスフリット61を塗布する。メタルマスク上でスキージ65を走査してガラスフリット61を塗布するので、第1面L上にはメタルマスクと同じ厚みを有した0.1mm〜0.2mm程度のガラスフリット61の層が形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 13A, the squeegee 65 is scanned along the first surface L on the metal mask, and the glass frit 61 is applied from the first surface L side of the base substrate wafer 40. The squeegee 65 is a plate-like member made of a soft rubber material such as urethane rubber. The squeegee 65 is a so-called scribe squeegee. The surface on the traveling direction side of the squeegee 65 is an attack surface with the glass frit 61. The attack surface is formed as a single plane, and the angle (attack angle) between the base substrate wafer 40 and the squeegee 65 when scanning the squeegee 65 is set to about 60 to 70 degrees. The surface opposite to the traveling direction is a tapered surface that is inclined so that the squeegee 65 has a tapered shape. As shown in FIG. 13A, a glass frit 61 is applied on the first surface L and the recess 30a so as to close the opening of the recess 30a. Since the glass frit 61 is applied by scanning the squeegee 65 on the metal mask, a layer of the glass frit 61 of about 0.1 mm to 0.2 mm having the same thickness as the metal mask is formed on the first surface L. The

なお、凹部30a内にガラスフリット61を充填する場合には、アタック角度を15度程度に小さくする必要がある。そのため、進行方向側の面および進行方向と反対側の面が共にテーパ面となっている、いわゆるフィルスキージ650(図19(c)参照)が必要となる。しかし、本実施形態では、凹部30a内にガラスフリット61を充填する必要はなく、上述のように、第1面L上および凹部30a上に凹部30aの開口を閉塞するようにガラスフリット61を塗布するだけでよい。したがって、フィルスキージのような特殊な形状のスキージを必要としない。   In addition, when filling the glass frit 61 in the recessed part 30a, it is necessary to make an attack angle small to about 15 degree | times. For this reason, a so-called fill squeegee 650 (see FIG. 19C) is required in which the surface on the traveling direction side and the surface opposite to the traveling direction are both tapered surfaces. However, in this embodiment, it is not necessary to fill the recess 30a with the glass frit 61. As described above, the glass frit 61 is applied on the first surface L and the recess 30a so as to close the opening of the recess 30a. Just do it. Therefore, a specially shaped squeegee such as a fill squeegee is not required.

次に、チャンバー内を大気開放して、チャンバー内の圧力を昇圧する。これにより、凹部30a内と凹部30a外との間に圧力差が生じる。そして、図13(b)に示すように、凹部30a上で層を形成していたガラスフリット61は凹部30a内に押し込まれる。このように、凹部30aにガラスフリット61を充填する際にスキージを用いる必要がないので、スキージと金属ピン7とが接触して金属ピン7が飛び出すのを抑制することができる。また、凹部30aの内周面と金属ピン7の外周面との間隙の隅々まで確実にガラスフリット61を充填することができる。   Next, the inside of the chamber is opened to the atmosphere, and the pressure in the chamber is increased. As a result, a pressure difference is generated between the inside of the recess 30a and the outside of the recess 30a. And as shown in FIG.13 (b), the glass frit 61 which formed the layer on the recessed part 30a is pushed in in the recessed part 30a. Thus, since it is not necessary to use a squeegee when filling the concave portion 30a with the glass frit 61, it is possible to prevent the metal pin 7 from jumping out due to contact between the squeegee and the metal pin 7. Further, the glass frit 61 can be reliably filled to every corner of the gap between the inner peripheral surface of the recess 30a and the outer peripheral surface of the metal pin 7.

その後、図13(b)に示すように、再度スキージ65を走査することにより、余分なガラスフリット61を除去する。なお、本実施形態では、図13(b)に示すように、スキージ65のアタック面に対して面対称の形状を有する別のスキージ66を用いて、ガラスフリット61塗布時と逆方向に走査している。しかし、同じスキージ65を用いて、ガラスフリット61塗布時と同方向に走査して、余分なガラスフリット61を除去してもよい。後者の場合は、スキージの種類を削減することができる。さらに、スキージの進行方向が一方向でよいので、スクリーン印刷機の構成を簡略化することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 13B, the excess glass frit 61 is removed by scanning the squeegee 65 again. In this embodiment, as shown in FIG. 13B, another squeegee 66 having a symmetrical shape with respect to the attack surface of the squeegee 65 is used to scan in the direction opposite to that when the glass frit 61 is applied. ing. However, using the same squeegee 65, the excess glass frit 61 may be removed by scanning in the same direction as when the glass frit 61 is applied. In the latter case, the type of squeegee can be reduced. Furthermore, since the squeegee can travel in one direction, the configuration of the screen printing machine can be simplified.

続いて、ガラスフリット61を仮乾燥して固化する。例えば、ベース基板用ウエハ40を恒温槽内に搬送した後、85℃程度の雰囲気下に30分程度保持することでガラスフリット61を仮乾燥する。ガラスフリット61を仮乾燥することによりガラスフリット61が固化し、金属ピン7および凹部30aとガラスフリット61とが固着するので、磁石70を第2面Uから除去しても金属ピン7は搬送中に凹部30aから飛び出さない。
最後に、ベース基板用ウエハ40の第1面Lに付着している、余分なガラスフリット61の残渣を除去する。以上で、ガラスフリット充填工程S35が終了する。
Subsequently, the glass frit 61 is temporarily dried and solidified. For example, after the base substrate wafer 40 is transferred into a constant temperature bath, the glass frit 61 is temporarily dried by holding it in an atmosphere of about 85 ° C. for about 30 minutes. By temporarily drying the glass frit 61, the glass frit 61 is solidified, and the metal pin 7 and the recess 30a and the glass frit 61 are fixed, so that the metal pin 7 is still being conveyed even if the magnet 70 is removed from the second surface U. Does not jump out of the recess 30a.
Finally, the excess residue of the glass frit 61 adhering to the first surface L of the base substrate wafer 40 is removed. Above, glass frit filling process S35 is complete | finished.

なお、ガラスフリットを仮乾燥した際に、ガラスフリットに含まれる有機溶剤が蒸発すると、ガラスフリットの体積が減少して貫通電極表面に凹みが発生する。この場合は、仮乾燥の後にガラスフリットを凹みに重ねて充填するのが望ましい。これにより、貫通電極表面に凹みが発生するのを抑制することができる。   When the glass frit is temporarily dried, if the organic solvent contained in the glass frit evaporates, the volume of the glass frit is reduced and a dent is generated on the surface of the through electrode. In this case, it is desirable to fill the glass frit in the dent after temporary drying. Thereby, it can suppress that a dent generate | occur | produces on the through-electrode surface.

(焼成工程)
次に、凹部30aに充填したガラスフリット61を焼成して硬化させる焼成工程S37を行う。例えば、ベース基板用ウエハ40を焼成炉に搬送した後、610℃程度の雰囲気下に30分程度保持する。その後、ベース基板用ウエハ40を常温雰囲気下で放置して冷却する。これにより、図14に示すように、ガラスフリットが硬化してガラス体6となり、凹部30a、ガラス体6および金属ピン7が互いに固着して貫通電極32を形成することができる。以上で、焼成工程S37が終了する。
(Baking process)
Next, a firing step S37 is performed in which the glass frit 61 filled in the recess 30a is fired and cured. For example, after the base substrate wafer 40 is transferred to the baking furnace, it is held in an atmosphere at about 610 ° C. for about 30 minutes. Thereafter, the base substrate wafer 40 is left to cool in a normal temperature atmosphere. Thereby, as shown in FIG. 14, the glass frit is hardened to become the glass body 6, and the recess 30 a, the glass body 6 and the metal pin 7 are fixed to each other to form the through electrode 32. Above, baking process S37 is complete | finished.

(研磨工程)
続いて、図14に示すように、ベース基板用ウエハ40の少なくとも第2面Uを研磨して金属ピン7を第2面Uに露出させる研磨工程S39を行う。本実施形態では、金属ピン7を凸部7cで保持して、凹部30aに対する金属ピン7の径方向への相対移動を規制し、金属ピン7が傾倒するのを抑制している。また、第2面に加えて第1面Lを研磨するのが望ましい。これにより、第1面Lを平坦面にすることができ、金属ピン7の先端を確実に露出させることができる。その結果、ベース基板用ウエハ40の表面と金属ピン7の両端とを略面一な状態とすることができ、貫通電極32を複数得ることができる。なお、研磨工程S39を行った時点で、貫通電極形成工程S30Aが終了する。
(Polishing process)
Subsequently, as shown in FIG. 14, a polishing step S39 for polishing at least the second surface U of the base substrate wafer 40 and exposing the metal pins 7 to the second surface U is performed. In this embodiment, the metal pin 7 is hold | maintained by the convex part 7c, the relative movement to the radial direction of the metal pin 7 with respect to the recessed part 30a is controlled, and it suppresses that the metal pin 7 inclines. Further, it is desirable to polish the first surface L in addition to the second surface. Thereby, the 1st surface L can be made into a flat surface and the front-end | tip of the metal pin 7 can be exposed reliably. As a result, the surface of the base substrate wafer 40 and both ends of the metal pins 7 can be substantially flush with each other, and a plurality of through electrodes 32 can be obtained. Note that when the polishing step S39 is performed, the through electrode forming step S30A is completed.

次に、図10に戻り、貫通電極にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極36,37を第2面U上に複数形成する引き回し電極形成工程S40を行う。そして、引き回し電極36,37上に、それぞれ金等からなる先細り形状のバンプを形成する。なお、図10では、図面の見易さのためバンプの図示を省略している。この時点でベース基板用ウエハ作製工程S30が終了する。   Next, returning to FIG. 10, a routing electrode forming step S <b> 40 for forming a plurality of routing electrodes 36 and 37 electrically connected to the through electrodes on the second surface U is performed. Then, tapered bumps made of gold or the like are formed on the routing electrodes 36 and 37, respectively. In FIG. 10, the illustration of the bumps is omitted for easy viewing of the drawing. At this point, the base substrate wafer manufacturing step S30 ends.

(マウント工程S50以降の圧電振動子組立工程)
次に、ベース基板用ウエハ40の引き回し電極36,37上に、バンプBを介して圧電振動片4を接合するマウント工程S50を行う。具体的には、圧電振動片4の基部12をバンプB上に載置し、バンプBを所定温度に加熱しながら圧電振動片4をバンプBに押し付ける。これにより、図3に示すように、圧電振動片4の振動腕部10,11がベース基板用ウエハ40の第2面Uから浮いた状態で、基部12がバンプBに機械的に固着される。また、マウント電極16,17と引き回し電極36,37とが電気的に接続された状態となる。
(Piezoelectric vibrator assembly process after mounting process S50)
Next, a mounting step S50 is performed in which the piezoelectric vibrating reed 4 is bonded onto the routing electrodes 36 and 37 of the base substrate wafer 40 via the bumps B. Specifically, the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4 is placed on the bump B, and the piezoelectric vibrating piece 4 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature. As a result, as shown in FIG. 3, the base portion 12 is mechanically fixed to the bump B in a state where the vibrating arm portions 10 and 11 of the piezoelectric vibrating piece 4 are lifted from the second surface U of the base substrate wafer 40. . Further, the mount electrodes 16 and 17 and the lead-out electrodes 36 and 37 are electrically connected.

圧電振動片4の実装が終了した後、図10に示すように、ベース基板用ウエハ40に対してリッド基板用ウエハ50を重ね合わせる重ね合わせ工程S60を行う。具体的には、図示しない基準マークなどを指標としながら、両ウエハ40、50を正しい位置にアライメントする。これにより、ベース基板用ウエハ40に実装された圧電振動片4が、リッド基板用ウエハ50のキャビティ用凹部3aとベース基板用ウエハ40とで囲まれるキャビティC内に収容された状態となる。   After the mounting of the piezoelectric vibrating reed 4 is completed, as shown in FIG. 10, an overlapping step S <b> 60 is performed in which the lid substrate wafer 50 is overlapped with the base substrate wafer 40. Specifically, both wafers 40 and 50 are aligned at the correct position while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 mounted on the base substrate wafer 40 is accommodated in the cavity C surrounded by the cavity recess 3 a of the lid substrate wafer 50 and the base substrate wafer 40.

重ね合わせ工程S60の後、重ね合わせた両ウエハ40,50を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程S70を行う。具体的には、接合膜35とベース基板用ウエハ40との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜35とベース基板用ウエハ40との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片4をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とが接合した、図10に示すウエハ体60を得ることができる。なお、図10においては、図面を見易くするために、ウエハ体60を分解した状態を図示しており、リッド基板用ウエハ50から接合膜35の図示を省略している。   After the superposition step S60, the superposed wafers 40 and 50 are put into an anodic bonding apparatus (not shown), and a bonding step S70 is performed in which a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding. Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 35 and the base substrate wafer 40. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 35 and the base substrate wafer 40, and the two are firmly adhered to each other and anodic bonded. Thereby, the piezoelectric vibrating reed 4 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 60 shown in FIG. 10 in which the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 are bonded can be obtained. In FIG. 10, in order to make the drawing easy to see, a state in which the wafer body 60 is disassembled is illustrated, and the bonding film 35 is not illustrated from the lid substrate wafer 50.

次に、ベース基板用ウエハ40の第1面Lに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極32,33にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極38,39(図3参照)を複数形成する外部電極形成工程S80を行う。この工程により、圧電振動片4は、貫通電極32,33を介して外部電極38,39と導通する。   Next, a conductive material is patterned on the first surface L of the base substrate wafer 40, and a pair of external electrodes 38 and 39 (see FIG. 3) electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively. A plurality of external electrode forming steps S80 are formed. Through this process, the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to the external electrodes 38 and 39 via the through electrodes 32 and 33.

次に、ウエハ体60の状態で、キャビティC内に封止された個々の圧電振動子の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程S90を行う。具体的には、図4に示す外部電極38,39から所定電圧を継続的に印加して、圧電振動片4を振動させつつ周波数を計測する。この状態で、ベース基板用ウエハ40の外部からレーザ光を照射し、図5および図6に示す重り金属膜21の微調膜21bを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部10,11の先端側の重量が低下するため、圧電振動片4の周波数が上昇する。これにより、圧電振動子の周波数を微調整して、公称周波数の範囲内に収めることができる。   Next, a fine adjustment step S90 in which the frequency of each piezoelectric vibrator sealed in the cavity C is finely adjusted to fall within a predetermined range in the state of the wafer body 60 is performed. Specifically, a predetermined voltage is continuously applied from the external electrodes 38 and 39 shown in FIG. 4 to measure the frequency while vibrating the piezoelectric vibrating reed 4. In this state, laser light is irradiated from the outside of the base substrate wafer 40 to evaporate the fine adjustment film 21b of the weight metal film 21 shown in FIGS. Thereby, since the weight of the tip side of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 is reduced, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 4 is increased. As a result, the frequency of the piezoelectric vibrator can be finely adjusted to fall within the range of the nominal frequency.

周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体60を図10に示す切断線Mに沿って切断する切断工程S100を行う。具体的には、まずウエハ体60のベース基板用ウエハ40の表面にUVテープを貼り付ける。次に、リッド基板用ウエハ50側から切断線Mに沿ってレーザを照射する(スクライブ)。次に、UVテープの表面から切断線Mに沿って切断刃を押し当て、ウエハ体60を割断する(ブレーキング)。その後、UVを照射してUVテープを剥離する。これにより、ウエハ体60を複数の圧電振動子に分離することができる。なお、これ以外のダイシング等の方法によりウエハ体60を切断してもよい。   After the fine adjustment of the frequency, a cutting step S100 is performed for cutting the bonded wafer body 60 along the cutting line M shown in FIG. Specifically, a UV tape is first attached to the surface of the base substrate wafer 40 of the wafer body 60. Next, laser irradiation is performed along the cutting line M from the lid substrate wafer 50 side (scribing). Next, the cutting blade is pressed along the cutting line M from the surface of the UV tape to cleave the wafer body 60 (braking). Thereafter, the UV tape is peeled off by UV irradiation. Thereby, the wafer body 60 can be separated into a plurality of piezoelectric vibrators. The wafer body 60 may be cut by other methods such as dicing.

なお、切断工程S100を行って個々の圧電振動子にした後に、微調工程S90を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程S90を先に行うことで、ウエハ体60の状態で微調を行うことができるため、複数の圧電振動子をより効率良く微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるため好ましい。   In addition, after performing cutting process S100 and making it to each piezoelectric vibrator, the process order which performs fine adjustment process S90 may be sufficient. However, as described above, by performing the fine adjustment step S90 first, fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 60, and therefore, a plurality of piezoelectric vibrators can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.

その後、内部の電気特性検査S110を行う。即ち、圧電振動片4の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性(共振周波数および共振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子の製造が終了する。   Thereafter, an internal electrical characteristic inspection S110 is performed. That is, the resonance frequency, resonance resistance value, drive level characteristic (excitation power dependency of resonance frequency and resonance resistance value), etc. of the piezoelectric vibrating piece 4 are measured and checked. In addition, the insulation resistance characteristics and the like are also checked. Finally, an external appearance inspection of the piezoelectric vibrator is performed to finally check dimensions and quality. This completes the manufacture of the piezoelectric vibrator.

本実施形態によれば、図13および図14に示すように、金属ピン7を凹部30aに挿入して配置するので、第2面U側から金属ピン7が脱落したり、ガラスフリット61が漏洩したりすることはない。これにより、第2面U側にラミネート材を貼り付けるラミネート材貼付工程が不要となる。また、金属ピン7を凹部30aに配置してガラスフリット61を焼成した後、研磨工程により第2面Uを研磨して金属ピン7を第2面Uに露出させるので、鋲体の土台部を除去する研磨工程が不要となる。以上のように、ラミネート材貼付工程および研磨工程を削減することができるので、貫通電極32を効率よく製造することができる。また、本発明によれば、金属ピン7と凹部30aとの間には姿勢保持部材7aが配置されているので、金属ピン7が凹部30a内で傾倒することなく、金属ピン7を凹部30a内で保持することができる。さらに、本発明によれば、第2面U側に磁石70を配置することにより、金属ピン7は凹部30aの底面に吸着されるので、ベース基板用ウエハ40の搬送中に金属ピン7が飛び出して脱落するのを抑制することができる。   According to this embodiment, as shown in FIGS. 13 and 14, the metal pin 7 is inserted into the recess 30a and disposed, so that the metal pin 7 falls off from the second surface U side or the glass frit 61 leaks. There is nothing to do. Thereby, the laminating material sticking process which sticks a laminating material on the 2nd surface U side becomes unnecessary. Further, after the metal pin 7 is disposed in the recess 30a and the glass frit 61 is fired, the second surface U is polished by the polishing process so that the metal pin 7 is exposed to the second surface U. A polishing step to be removed becomes unnecessary. As described above, since the laminating material attaching step and the polishing step can be reduced, the through electrode 32 can be efficiently manufactured. Further, according to the present invention, since the posture holding member 7a is disposed between the metal pin 7 and the recess 30a, the metal pin 7 is not tilted in the recess 30a, and the metal pin 7 is placed in the recess 30a. Can be held in. Furthermore, according to the present invention, the metal pin 7 is attracted to the bottom surface of the recess 30a by disposing the magnet 70 on the second surface U side, so that the metal pin 7 pops out during the transfer of the base substrate wafer 40. Can be prevented from falling off.

(第2実施形態、ベース基板用ウエハに姿勢保持部材を設けた例)
図15は、第2実施形態の姿勢保持部材の説明図であり、図15(a)は平面図であり、図15(b)は図15(a)のC−C線における断面図である。
第1実施形態の姿勢保持部材は、図8に示すように金属ピン7に設けられているが、本実施形態の姿勢保持部材は、図15に示すようにベース基板用ウエハ40の凹部30aに設けられている点で第1実施形態と異なっている。なお、第1実施形態と同様の構成の部分については、詳細な説明を省略する。
(Second embodiment, an example in which a posture holding member is provided on a base substrate wafer)
FIGS. 15A and 15B are explanatory views of the posture holding member of the second embodiment, FIG. 15A is a plan view, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. .
The posture holding member of the first embodiment is provided on the metal pin 7 as shown in FIG. 8, but the posture holding member of this embodiment is provided in the recess 30a of the base substrate wafer 40 as shown in FIG. It differs from the first embodiment in that it is provided. Detailed description of the same configuration as in the first embodiment will be omitted.

本実施形態の姿勢保持部材7aは、図15に示すように、ベース基板用ウエハ40の凹部30aの内周面から径方向外側に立設された複数(本実施形態では4個)の凸部40aを備えている。本実施形態では、凸部40aは凹部30aの深さと略同一の長さを有する。凸部40aの幅寸法は、金属ピン7の直径よりも若干狭く形成されている。また、凸部40aは凹部30aの周方向において略等間隔に配置されている。対向配置している凸部40aの端面40dの間隔は、金属ピン7の直径と略同一か、金属ピン7の直径よりも若干広くなるように形成されている。そして、凸部40aの端面40dで囲まれた領域に金属ピン7を配置する。これにより、金属ピン7が倒れそうになっても、金属ピン7が倒れる前に金属ピンの外周面7bと凸部40aの端面40dとが当接するので、金属ピン7を凸部40aで保持して、凹部30aに対する金属ピン7の径方向への相対移動を規制することができる。なお、対向配置している凸部40aの端面40dの距離は、第1面Lから凹部30aの底面にかけて略一定になるように形成されている。これにより、第1実施形態と同様に、プレス型を加熱しながらベース基板用ウエハ40の第1面Lに押圧することにより、凹部30aおよび凸部40aを容易に形成することができる。   As shown in FIG. 15, the posture holding member 7 a of the present embodiment has a plurality (four in this embodiment) of convex portions erected radially outward from the inner peripheral surface of the concave portion 30 a of the base substrate wafer 40. 40a. In the present embodiment, the convex portion 40a has a length substantially the same as the depth of the concave portion 30a. The width dimension of the convex portion 40 a is formed slightly narrower than the diameter of the metal pin 7. Further, the convex portions 40a are arranged at substantially equal intervals in the circumferential direction of the concave portion 30a. The interval between the end faces 40d of the convex portions 40a arranged to face each other is formed to be substantially the same as the diameter of the metal pin 7 or slightly wider than the diameter of the metal pin 7. And the metal pin 7 is arrange | positioned in the area | region enclosed by the end surface 40d of the convex part 40a. Thereby, even if the metal pin 7 is about to fall, the outer peripheral surface 7b of the metal pin and the end surface 40d of the convex portion 40a abut before the metal pin 7 falls, so that the metal pin 7 is held by the convex portion 40a. Thus, the relative movement of the metal pin 7 in the radial direction with respect to the recess 30a can be restricted. In addition, the distance of the end surface 40d of the convex part 40a which opposes is formed so that it may become substantially constant from the 1st surface L to the bottom face of the recessed part 30a. Thus, as in the first embodiment, the concave portion 30a and the convex portion 40a can be easily formed by pressing the press die against the first surface L of the base substrate wafer 40 while heating.

本実施形態の金属ピン7は、略円柱状をした部材である。第1実施形態では、鍛造やプレス加工により金属ピン7の外周面7bに凸部を成型した。しかし、本実施形態の金属ピン7は凸部を備えていないので、棒状部材を切断するだけで形成できる点で、第1実施形態と比較して第2実施形態に優位性がある。   The metal pin 7 of this embodiment is a substantially cylindrical member. In 1st Embodiment, the convex part was shape | molded on the outer peripheral surface 7b of the metal pin 7 by forge or press work. However, since the metal pin 7 of this embodiment is not provided with a convex portion, the second embodiment is superior to the first embodiment in that it can be formed simply by cutting the rod-shaped member.

本実施形態の金属ピン配置工程S33は、第1実施形態と同様の方法で金属ピン7を凹部30aに振り込んで配置する。本実施形態では、対向配置している凸部40aの端面40dの距離は金属ピン7の直径と略同一か、若干広くなるように形成されている。これに対して第1実施形態では、図12に示すように、凹部30aが断面テーパ状に形成されており、金属ピン7の外形より広い内形を有する凹部30aの第1面L側から金属ピン7を振り込む。したがって、凹部30a内に容易に金属ピン7を配置することができるので、金属ピン7の配置のし易さという点で、第2実施形態と比較して第1実施形態に優位性がある。   In the metal pin arrangement step S33 of the present embodiment, the metal pin 7 is transferred and arranged in the recess 30a by the same method as in the first embodiment. In the present embodiment, the distance between the end surfaces 40d of the convex portions 40a arranged to face each other is substantially the same as or slightly wider than the diameter of the metal pin 7. On the other hand, in the first embodiment, as shown in FIG. 12, the recess 30 a is formed in a tapered shape in cross section, and the metal from the first surface L side of the recess 30 a having an inner shape wider than the outer shape of the metal pin 7. Transfer pin 7. Therefore, since the metal pin 7 can be easily arranged in the recess 30a, the first embodiment is superior to the second embodiment in terms of ease of arrangement of the metal pin 7.

(発振器)
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図16を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器110は、図16に示すように、圧電振動子1を、集積回路111に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器110は、コンデンサ等の電子素子部品112が実装された基板113を備えている。基板113には、発振器用の前記集積回路111が実装されており、この集積回路111の近傍に、圧電振動子1の圧電振動片が実装されている。これら電子素子部品112、集積回路111および圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
(Oscillator)
Next, an embodiment of an oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 16, the oscillator 110 according to the present embodiment is configured by configuring the piezoelectric vibrator 1 as an oscillator electrically connected to the integrated circuit 111. The oscillator 110 includes a substrate 113 on which an electronic element component 112 such as a capacitor is mounted. An integrated circuit 111 for an oscillator is mounted on the substrate 113, and a piezoelectric vibrating piece of the piezoelectric vibrator 1 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 111. The electronic element component 112, the integrated circuit 111, and the piezoelectric vibrator 1 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).

このように構成された発振器110において、圧電振動子1に電圧を印加すると、圧電振動子1内の圧電振動片が振動する。この振動は、圧電振動片が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路111に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路111によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子1が発振子として機能する。
また、集積回路111の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
In the oscillator 110 configured as described above, when a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating piece in the piezoelectric vibrator 1 vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece and input to the integrated circuit 111 as an electric signal. The input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 111 and output as a frequency signal. Thereby, the piezoelectric vibrator 1 functions as an oscillator.
In addition, by selectively setting the configuration of the integrated circuit 111, for example, an RTC (real-time clock) module or the like as required, the operation date and time of the device or external device in addition to a single-function oscillator for a clock, etc. A function for controlling the time, providing a time, a calendar, and the like can be added.

本実施形態の発振器110によれば、貫通電極を効率よく製造した圧電振動子1を備えているので、低コストな発振器110を提供することができる。   According to the oscillator 110 of this embodiment, since the piezoelectric vibrator 1 in which the through electrode is efficiently manufactured is provided, the low-cost oscillator 110 can be provided.

(電子機器)
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図17を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子1を有する携帯情報機器120を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器120は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカおよびマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化および軽量化されている。
(Electronics)
Next, an embodiment of an electronic apparatus according to the invention will be described with reference to FIG. Note that a portable information device 120 having the above-described piezoelectric vibrator 1 will be described as an example of the electronic device.
First, the portable information device 120 of this embodiment is represented by, for example, a mobile phone, and is a development and improvement of a wrist watch in the prior art. The appearance is similar to that of a wristwatch, and a liquid crystal display is arranged in a portion corresponding to a dial so that the current time and the like can be displayed on this screen. Further, when used as a communication device, it is possible to perform communication similar to that of a conventional mobile phone by using a speaker and a microphone that are removed from the wrist and incorporated in the inner portion of the band. However, it is much smaller and lighter than conventional mobile phones.

次に、本実施形態の携帯情報機器120の構成について説明する。この携帯情報機器120は、図17に示すように、圧電振動子1と、電力を供給するための電源部121とを備えている。電源部121は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部121には、各種制御を行う制御部122と、時刻等のカウントを行う計時部123と、外部との通信を行う通信部124と、各種情報を表示する表示部125と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部126とが並列に接続されている。そして、電源部121によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。   Next, the configuration of the portable information device 120 of this embodiment will be described. As illustrated in FIG. 17, the portable information device 120 includes the piezoelectric vibrator 1 and a power supply unit 121 for supplying power. The power supply unit 121 is made of, for example, a lithium secondary battery. The power supply unit 121 includes a control unit 122 that performs various controls, a clock unit 123 that counts time, a communication unit 124 that communicates with the outside, a display unit 125 that displays various information, and the like. A voltage detection unit 126 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel. Power is supplied to each functional unit by the power supply unit 121.

制御部122は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部122は、予めプログラムが書き込まれたROMと、該ROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、該CPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。   The control unit 122 controls each function unit to control operation of the entire system such as transmission and reception of audio data, measurement and display of the current time, and the like. The control unit 122 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area for the CPU.

計時部123は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えている。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電振動片が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部122と信号の送受信が行われ、表示部125に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。   The timer unit 123 includes an integrated circuit including an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 1. When a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating piece vibrates, and the vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal, and is input to the oscillation circuit as an electric signal. The output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 122 through the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, and the like are displayed on the display unit 125.

通信部124は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部127、音声処理部128、切替部129、増幅部130、音声入出力部131、電話番号入力部132、着信音発生部133および呼制御メモリ部134を備えている。
無線部127は、音声データ等の各種データを、アンテナ135を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部128は、無線部127又は増幅部130から入力された音声信号を符号化および複号化する。増幅部130は、音声処理部128又は音声入出力部131から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部131は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
The communication unit 124 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a radio unit 127, a voice processing unit 128, a switching unit 129, an amplification unit 130, a voice input / output unit 131, a telephone number input unit 132, a ring tone generation unit. 133 and a call control memory unit 134.
The radio unit 127 exchanges various data such as audio data with the base station via the antenna 135. The audio processing unit 128 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 127 or the amplification unit 130. The amplifying unit 130 amplifies the signal input from the audio processing unit 128 or the audio input / output unit 131 to a predetermined level. The voice input / output unit 131 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone and a received voice or collects a voice.

また、着信音発生部133は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部129は、着信時に限って、音声処理部128に接続されている増幅部130を着信音発生部133に切り替えることによって、着信音発生部133において生成された着信音が増幅部130を介して音声入出力部131に出力される。
なお、呼制御メモリ部134は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部132は、例えば、0から9の番号キーおよびその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
In addition, the ring tone generator 133 generates a ring tone in response to a call from the base station. The switching unit 129 switches the amplifying unit 130 connected to the voice processing unit 128 to the ringing tone generating unit 133 only when an incoming call is received, so that the ringing tone generated by the ringing tone generating unit 133 passes through the amplifying unit 130. To the audio input / output unit 131.
Note that the call control memory unit 134 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication. The telephone number input unit 132 includes, for example, number keys from 0 to 9 and other keys. By pressing these number keys and the like, a telephone number of a call destination is input.

電圧検出部126は、電源部121によって制御部122等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部122に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部124を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部126から電圧降下の通知を受けた制御部122は、無線部127、音声処理部128、切替部129および着信音発生部133の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部127の動作停止は、必須となる。更に、表示部125に、通信部124が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。   The voltage detection unit 126 detects the voltage drop and notifies the control unit 122 when the voltage applied to each functional unit such as the control unit 122 by the power supply unit 121 falls below a predetermined value. . The predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary to stably operate the communication unit 124, and is, for example, about 3V. Upon receiving the voltage drop notification from the voltage detection unit 126, the control unit 122 prohibits the operations of the radio unit 127, the voice processing unit 128, the switching unit 129, and the ring tone generation unit 133. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 127 with high power consumption. Further, the display unit 125 displays that the communication unit 124 has become unusable due to insufficient battery power.

すなわち、電圧検出部126と制御部122とによって、通信部124の動作を禁止し、その旨を表示部125に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部125の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×(バツ)印を付けるようにしても良い。
なお、通信部124の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部136を備えることで、通信部124の機能をより確実に停止することができる。
That is, the operation of the communication unit 124 can be prohibited by the voltage detection unit 126 and the control unit 122, and that effect can be displayed on the display unit 125. This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 125.
In addition, the function of the communication part 124 can be stopped more reliably by providing the power supply cutoff part 136 that can selectively cut off the power of the part related to the function of the communication part 124.

本実施形態の携帯情報機器120によれば、貫通電極を効率よく製造した圧電振動子1を備えているので、低コストな携帯情報機器120を提供することができる。   According to the portable information device 120 of the present embodiment, since the piezoelectric vibrator 1 in which the through electrode is efficiently manufactured is provided, the low-cost portable information device 120 can be provided.

(電波時計)
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図18を参照して説明する。
本実施形態の電波時計140は、図18に示すように、フィルタ部141に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
(Radio watch)
Next, an embodiment of a radio timepiece according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 18, the radio-controlled timepiece 140 according to the present embodiment includes the piezoelectric vibrator 1 electrically connected to the filter unit 141, and receives a standard radio wave including timepiece information to accurately It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time.
In Japan, there are transmitting stations (transmitting stations) that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves. Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have both the property of propagating the ground surface and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the ground surface, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. is doing.

以下、電波時計140の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ142は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ143によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部141によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子1は、前記搬送周波数と同一の40kHzおよび60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部148、149をそれぞれ備えている。
Hereinafter, the functional configuration of the radio timepiece 140 will be described in detail.
The antenna 142 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz. The long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave. The received long standard wave is amplified by the amplifier 143 and filtered and tuned by the filter unit 141 having the plurality of piezoelectric vibrators 1.
The piezoelectric vibrator 1 according to this embodiment includes crystal vibrator portions 148 and 149 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz that are the same as the carrier frequency.

更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路144により検波復調される。
続いて、波形整形回路145を介してタイムコードが取り出され、CPU146でカウントされる。CPU146では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC148に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部148、149は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
Further, the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by the detection and rectification circuit 144.
Subsequently, the time code is taken out via the waveform shaping circuit 145 and counted by the CPU 146. The CPU 146 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 148, and accurate time information is displayed.
Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the crystal vibrator portions 148 and 149 are preferably vibrators having the tuning fork type structure described above.

なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計140を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子1を必要とする。   In addition, although the above-mentioned description was shown in the example in Japan, the frequency of the long standard wave is different overseas. For example, in Germany, a standard radio wave of 77.5 KHz is used. Therefore, when the radio timepiece 140 that can be used overseas is incorporated in a portable device, the piezoelectric vibrator 1 having a frequency different from that in Japan is required.

本実施形態の電波時計140によれば、貫通電極を効率よく製造した圧電振動子1を備えているので、低コストな電波時計140を提供することができる。   According to the radio timepiece 140 of this embodiment, since the piezoelectric vibrator 1 in which the through electrodes are efficiently manufactured is provided, the low-cost radio timepiece 140 can be provided.

なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。
第1実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて、本発明のパッケージの製造方法を説明した。しかし、例えばATカット型の圧電振動片(厚み滑り振動片)を用いた圧電振動子に、上述した本発明のパッケージの製造方法を採用しても構わない。
The present invention is not limited to the embodiment described above.
In the first embodiment, the package manufacturing method of the present invention has been described by taking a piezoelectric vibrator using a tuning fork type piezoelectric vibrating piece as an example. However, the above-described package manufacturing method of the present invention may be adopted for a piezoelectric vibrator using, for example, an AT-cut type piezoelectric vibrating piece (thickness sliding vibrating piece).

第1実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造した。しかし、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することもできる。   In the first embodiment, a piezoelectric vibrator is manufactured by enclosing a piezoelectric vibrating piece inside a package while using the package manufacturing method according to the present invention. However, a device other than the piezoelectric vibrator can be manufactured by enclosing an electronic component other than the piezoelectric vibrating piece inside the package.

第1実施形態では、凸部の長さを金属ピンの長さと略同一に形成した。しかし、凸部の長さを金属ピンの長さよりも短くし、金属ピンの軸方向の一部分のみに凸部を設けることも可能である。ただし、金属ピンを凹部に配置して第1面側からガラスフリットを充填する際に、凸部の第2面側にガラスフリットが充填しにくくなる。したがって、ガラスフリットを隅々まで充填できるという点で、第1実施形態に優位性がある。   In 1st Embodiment, the length of the convex part was formed substantially the same as the length of a metal pin. However, the length of the convex portion can be made shorter than the length of the metal pin, and the convex portion can be provided only in a part of the metal pin in the axial direction. However, when the metal pin is disposed in the concave portion and the glass frit is filled from the first surface side, it is difficult to fill the glass frit on the second surface side of the convex portion. Therefore, the first embodiment is superior in that glass frit can be filled to every corner.

1・・・圧電振動子(パッケージ) 2・・・ベース基板(第1基板) 4・・・圧電振動片(電子部品) 6・・・ガラス体 7・・・金属ピン 7a・・・姿勢保持部材 7b・・・金属ピンの外周面 7c・・・凸部 9・・・パッケージ 30,31・・・貫通孔 30a・・・凹部 32,33・・・貫通電極 61・・・ガラスフリット 70・・・磁石 110・・・発振器 120・・・携帯情報機器(電子機器) 123・・・計時部 140・・・電波時計 141・・・フィルタ部 C・・・キャビティ L・・・第1面 S30A・・・貫通電極形成工程 S32・・・凹部形成工程 S33・・・金属ピン配置工程 S34・・・磁石配置工程 S35・・・ガラスフリット充填工程 S37・・・焼成工程 T・・・多角形 U・・・第2面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric vibrator (package) 2 ... Base board | substrate (1st board | substrate) 4 ... Piezoelectric vibration piece (electronic component) 6 ... Glass body 7 ... Metal pin 7a ... Attitude maintenance Member 7b ... Outer peripheral surface of metal pin 7c ... Projection 9 ... Package 30, 31 ... Through hole 30a ... Recess 32, 33 ... Through electrode 61 ... Glass frit 70 -Magnet 110 ... Oscillator 120 ... Portable information device (electronic device) 123 ... Timekeeping unit 140 ... Radio clock 141 ... Filter unit C ... Cavity L ... First surface S30A ... Penetration electrode formation step S32 ... Recess formation step S33 ... Metal pin placement step S34 ... Magnet placement step S35 ... Glass frit filling step S37 ... Baking step T ... Polygon U・· The second surface

Claims (9)

互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
前記複数の基板のうち、第1基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を備え、
前記貫通電極形成工程は、
前記第1基板の第1面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部に金属ピンを挿入する金属ピン配置工程と、
前記金属ピンを前記凹部内に保持するために、前記第1基板の第2面側に磁石を配置 する磁石配置工程と、
前記凹部の内周面と前記金属ピンの外周面との間隙に、前記第1面側からガラスフリ ットを充填して、前記間隙を封止するガラスフリット充填工程と、
前記凹部内に充填された前記ガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程と、
少なくとも前記第2面を研磨して前記金属ピンを前記第2面に露出させる研磨工程と 、
を有し、
前記金属ピン配置工程において挿入された前記金属ピンと前記凹部との間には、姿勢保持部材が配置されていることを特徴とするパッケージの製造方法。
A method of manufacturing a package in which an electronic component can be enclosed in a cavity formed between a plurality of substrates bonded together,
Of the plurality of substrates, comprising a through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the first substrate in the thickness direction and conducts between the inside of the cavity and the outside of the package,
The through electrode forming step includes:
Forming a recess in the first surface of the first substrate;
A metal pin placement step of inserting a metal pin into the recess,
A magnet placement step of placing a magnet on the second surface side of the first substrate to hold the metal pin in the recess;
A glass frit filling step of filling the gap between the inner peripheral surface of the recess and the outer peripheral surface of the metal pin with the glass frit from the first surface side and sealing the gap;
A baking step of baking and curing the glass frit filled in the recess;
A polishing step of polishing at least the second surface to expose the metal pin on the second surface;
Have
A package manufacturing method, wherein a posture holding member is arranged between the metal pin inserted in the metal pin arrangement step and the recess.
請求項1に記載のパッケージの製造方法において、
前記ガラスフリット充填工程では、減圧下において前記第1面側に前記凹部の開口を閉塞するように前記ガラスフリットを塗布した後に、雰囲気圧力を昇圧させることで前記凹部内と前記凹部外との間に生じた圧力差により、前記凹部内に前記ガラスフリットを充填することを特徴とするパッケージの製造方法。
In the manufacturing method of the package of Claim 1,
In the glass frit filling step, after applying the glass frit so as to close the opening of the recess on the first surface side under reduced pressure, the atmospheric pressure is increased to increase the gap between the inside of the recess and the outside of the recess. A method of manufacturing a package, wherein the glass frit is filled in the concave portion due to a pressure difference generated in the step.
請求項1または2に記載のパッケージの製造方法において、
前記凹部は、前記第2面側から前記第1面側にかけて、内形が次第に大きくなるように形成されていることを特徴とするパッケージの製造方法。
In the manufacturing method of the package of Claim 1 or 2,
The method of manufacturing a package, wherein the recess is formed such that an inner shape gradually increases from the second surface side to the first surface side.
互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージであって、
前記複数の基板のうち、第1基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を備えており、
前記貫通電極は、
前記第1基板を貫通する貫通孔内に配置された金属ピンと、
前記貫通孔と前記金属ピンとの間に充填されるガラスフリットと、
を有し、
前記貫通孔と前記金属ピンとの間には、前記ガラスフリットを充填する前に、前記貫通孔の径方向における前記貫通孔と前記金属ピンとの相対移動を規制する姿勢保持部材が形成されていることを特徴とするパッケージ。
A package capable of enclosing electronic components in a cavity formed between a plurality of substrates bonded together,
Among the plurality of substrates, the first substrate is penetrated in the thickness direction, and includes a through electrode that conducts the inside of the cavity and the outside of the package,
The through electrode is
A metal pin disposed in a through-hole penetrating the first substrate;
A glass frit filled between the through hole and the metal pin;
Have
Between the through hole and the metal pin, there is formed a posture holding member that regulates relative movement between the through hole and the metal pin in the radial direction of the through hole before filling the glass frit. Features a package.
請求項4に記載のパッケージであって、
前記姿勢保持部材は、前記金属ピンの外周面から径方向外側に立設された少なくとも3個の凸部を備え、
前記金属ピンの中心軸は、複数の前記凸部の先端を前記金属ピンの周方向に沿って順に直線で結んだ多角形の内側に配置されていることを特徴とするパッケージ。
The package according to claim 4,
The posture holding member includes at least three convex portions erected radially outward from the outer peripheral surface of the metal pin,
The package characterized by the center axis | shaft of the said metal pin being arrange | positioned inside the polygon which connected the front-end | tip of several said convex part with the straight line in order along the circumferential direction of the said metal pin.
請求項4または5に記載のパッケージの内部に、前記電子部品として圧電振動片が封入されていることを特徴とする圧電振動子。   6. A piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is enclosed as the electronic component inside the package according to claim 4. 請求項6に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。   An oscillator, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 6 is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator. 請求項6に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 6 is electrically connected to a timer unit. 請求項6に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。   A radio-controlled timepiece, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 6 is electrically connected to a filter portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017192149A (en) * 2017-06-26 2017-10-19 エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 Piezoelectric vibration piece, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus, and radio clock

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