JP2011173777A - 半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、LiおよびMgを含み、脱水処理され、表面15に酸素が吸着したヘクトライト12を有する半導体材料である。また、LiおよびMgを含むヘクトライト12を脱水処理する工程と、前記ヘクトライト12の表面15に酸素を吸着させる工程と、を含む半導体材料の製造方法である。さらに、上記半導体材料を含む半導体装置である。
【選択図】図2
Description
−Li−O−Mg− +O2 → −Li−O(+)−Mg− + O2 (−)
これにより、ホールが生成される。
例えば、Phys. Rev. B (1997) Vol. 55, p2413には、Li(I)をドープしたMgOが酸素処理によりP型半導体となることが記載されており、ヘクトライトの表面でも同様の現象が生じていると考えられる。
12、22 ヘクトライト層
14 電極
15 表面
20 ニオブ酸層
24 アノード電極
25 カソード電極
28 保護膜
Claims (10)
- LiおよびMgを含み、脱水処理され、表面に酸素が吸着したヘクトライトを有することを特徴とする半導体材料。
- 前記ヘクトライトはP型半導体であることを特徴とする請求項1記載の半導体材料。
- 前記ヘクトライトの前記表面は、水分子層から剥離された表面であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体材料。
- 前記表面には、Li−O−Mg結合に酸素が吸着することによりホールが生成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体材料。
- 前記表面上に水が付着することを抑制する保護膜を具備することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体材料。
- LiおよびMgを含むヘクトライトを脱水処理する工程と、
前記ヘクトライトの表面に酸素を吸着させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体材料の製造方法。 - 前記ヘクトライトを水分子層から剥離し、前記ヘクトライトの前記表面を露出させる工程を具備することを特徴とする請求項6記載の半導体材料の製造方法。
- 前記酸素を吸着させる工程は、前記表面に酸化剤を供給する工程であることを特徴とする請求項6または7記載の半導体材料の製造方法。
- 前記表面上に、前記表面に水が付着することを抑制する保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6から8のいずれか一項記載の半導体材料。
- 請求項1から5のいずれか一項記載の半導体材料を含むことを特徴とする半導体装置。
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Title |
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JPN6013056987; P. KOMADEL et al.: 'Dissolution of hectorite in inorganic acids' Clays and Clay Minerals 1996, Vol.44, No.2, pp.228-236 * |
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