JP2011171187A - Organic el display device and method for manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 188
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 112
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 54
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 claims description 5
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 128
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- TUKWPCXMNZAXLO-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-nonylsulfanyl-4-oxo-1h-pyrimidine-6-carboxylate Chemical compound CCCCCCCCCSC1=NC(=O)C=C(C(=O)OCC)N1 TUKWPCXMNZAXLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical compound C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 150000003873 salicylate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、封止基板と有機EL素子基板とを貼り合わせて形成される有機EL表示装置および有機EL表示装置の製造方法に関する。
に関する。
The present invention relates to an organic EL display device formed by bonding a sealing substrate and an organic EL element substrate, and a method for manufacturing the organic EL display device.
About.
有機EL(Electro Luminescence)表示装置は、薄型であることによる省スペース性、軽量性、および、10V程度の印加電圧であっても高輝度な発光が得られるなどの特徴から、近年ディスプレイへの応用が期待されている。
有機EL表示装置に用いられる有機EL素子は、発光可能な有機層を電極で挟んだ構成を有する。有機層は基本的に、正孔輸送層、発光層、および、電子輸送層を積層したものである。電極は、光を取り出す側に陰極としての透明電極を用い、対向する側に陽極としての反射金属電極を用いる。このような構成において、両電極より電流を流すことにより、電子を電子輸送層から、正孔を正孔輸送層から発光層に注入し、発光層において電子と正孔を再結合させて発光させる。
An organic EL (Electro Luminescence) display device has recently been applied to displays due to its thinness, space saving, light weight, and high luminance emission even at an applied voltage of about 10V. Is expected.
An organic EL element used in an organic EL display device has a configuration in which an organic layer capable of emitting light is sandwiched between electrodes. The organic layer is basically a laminate of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. The electrode uses a transparent electrode as a cathode on the side from which light is extracted, and a reflective metal electrode as an anode on the opposite side. In such a configuration, by flowing current from both electrodes, electrons are injected from the electron transport layer, holes are injected from the hole transport layer to the light emitting layer, and the electrons and holes are recombined in the light emitting layer to emit light. .
アクティブマトリクス方式では、薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と称する。)を設けた基板(以下、「TFT基板」と称する。)上に有機層を形成するが、発光層からの発光を、TFTを挟んで対向する側の基板、つまり、封止基板側から取り出す構造(以下、「トップエミッション構造」と称する。)とすることで、TFT基板上の配線に関係なく光を取り出せるので、開口率を上げることが可能となる。 In the active matrix method, an organic layer is formed on a substrate (hereinafter referred to as “TFT substrate”) provided with a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”), and light emitted from the light emitting layer is sandwiched between the TFTs. With this structure, the light can be extracted regardless of the wiring on the TFT substrate, thereby increasing the aperture ratio. It becomes possible.
なお、カラー映像を表示させる有機EL表示装置は三原色(RGB)の有機EL素子を順序良く基板上に並べた構造となっており、それぞれの有機EL素子がサブピクセルとなる。また、アクティブマトリクス方式のトップエミッション構造においてRGBの有機EL素子を基板上に形成する方法としては、例えば三原色の発光材料をそれぞれ独立に塗り分ける方式、白色発光をカラーフィルタにて三原色に分ける方式、および、三原色の発光材料の上にカラーフィルタを設ける方式があげられる。 Note that an organic EL display device that displays a color image has a structure in which organic EL elements of three primary colors (RGB) are arranged in order on a substrate, and each organic EL element is a sub-pixel. In addition, as a method of forming an RGB organic EL element on a substrate in an active matrix top emission structure, for example, a method in which light emitting materials of three primary colors are separately applied, a method in which white light emission is divided into three primary colors by a color filter, In addition, there is a method of providing a color filter on a light emitting material of three primary colors.
また、有機EL素子を表示方向(視認側)から見た場合、反射金属電極で外光が反射してコントラストが低下する恐れがある。そのため、円偏光板またはカラーフィルタをパネル前面に配すること、および、有機EL素子の構造を最適化することによって層内で外光を干渉させることにより外光の反射を抑制する必要がある。
しかし、カラーフィルタを用いると製造工程の複雑さからコストが高くなるため、使用しないような構造が望まれる。
Further, when the organic EL element is viewed from the display direction (viewing side), external light may be reflected by the reflective metal electrode and the contrast may be lowered. For this reason, it is necessary to suppress reflection of external light by arranging a circularly polarizing plate or a color filter on the front surface of the panel and by optimizing the structure of the organic EL element to cause interference of external light within the layer.
However, when a color filter is used, the cost increases due to the complexity of the manufacturing process, and thus a structure that does not use the color filter is desired.
ところで、有機EL素子における有機層は、空気中の酸素や水分等により劣化することが知られている。そのため、酸素や水分の浸入を防ぐために、例えばガラス等の透明な封止基板を、接着層を介して有機EL素子が形成された基板と接着して封止し、気密構造とするのが一般的である。接着層としては、例えば、熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂等があげられるが、熱硬化性樹脂を用いた場合、熱硬化時にアウトガスが発生し、その影響で有機EL素子の発光面積が縮む現象(シュリンク)が発生するおそれがある。 By the way, it is known that the organic layer in the organic EL element is deteriorated by oxygen or moisture in the air. Therefore, in order to prevent the intrusion of oxygen and moisture, for example, a transparent sealing substrate such as glass is generally bonded and sealed with a substrate on which an organic EL element is formed via an adhesive layer to form an airtight structure. Is. Examples of the adhesive layer include a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin. When a thermosetting resin is used, outgas is generated during thermosetting, and the light emitting area of the organic EL element is reduced due to the influence. Phenomenon (shrink) may occur.
また、紫外線硬化性樹脂を用いた場合は、封止基板側から紫外線を照射して硬化させることにより、熱硬化性樹脂よりも短時間で硬化することによってアウトガスの発生は少なくなる。しかし、紫外線が有機EL素子に到達することにより、有機層の劣化、および、光取り出し電極部の化学的変質や発熱により、有機EL素子特性の劣化を引き起こすおそれがある。 Further, when an ultraviolet curable resin is used, outgassing is reduced by curing in a shorter time than a thermosetting resin by irradiating and curing ultraviolet rays from the sealing substrate side. However, when the ultraviolet rays reach the organic EL element, the organic layer may be deteriorated, and the organic EL element characteristics may be deteriorated due to chemical deterioration or heat generation of the light extraction electrode portion.
そこで、上記のような、封止時の紫外線による有機EL素子の劣化を防ぐために、特許文献1では、封止基板上に金属膜である紫外線遮断膜を形成し、紫外線遮断膜の形成面を有機EL素子と対向させたときに、紫外線遮断膜が有機層に対応するような位置に配することによって有機EL素子の劣化を防ぎ、紫外線遮断膜の形成された領域以外の領域に配された紫外線硬化性シール剤を硬化させる手法が提案されている。
Therefore, in order to prevent the deterioration of the organic EL element due to ultraviolet rays at the time of sealing as described above, in
しかしながら、封止基板上に金属膜である紫外線遮断膜を形成する手法は、発光層からの発光をTFT基板側から取り出す構造(ボトムエミッション構造)において適用することは可能であるが、トップエミッション構造においては、封止基板上の紫外線遮断膜が発光層からの発光を遮るため、発光を取り出すことができない。また、照射した紫外線が直接有機層に照射されなくても、有機EL素子内で反射、散乱を繰り返し、有機層に到達することで、有機EL素子特性が劣化するおそれがある。 However, the method of forming an ultraviolet blocking film, which is a metal film, on the sealing substrate can be applied to a structure (bottom emission structure) in which light emitted from the light emitting layer is extracted from the TFT substrate side, but a top emission structure. In this case, since the ultraviolet blocking film on the sealing substrate blocks light emission from the light emitting layer, light cannot be extracted. Moreover, even if the irradiated ultraviolet rays are not directly irradiated on the organic layer, the organic EL element characteristics may be deteriorated by repeatedly reflecting and scattering within the organic EL element and reaching the organic layer.
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、封止基板と有機EL素子の間に形成された光硬化性樹脂を、有機EL素子にダメージを与えることなく紫外線によって硬化させることができる有機EL表示装置および有機EL表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problem, and a photocurable resin formed between a sealing substrate and an organic EL element can be cured by ultraviolet rays without damaging the organic EL element. An object of the present invention is to provide an organic EL display device and a method for manufacturing the organic EL display device.
以上の課題を解決するため、本発明の一態様に係る有機EL表示装置は、
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に画素と対応して形成された複数の第1電極と、前記第1電極を画素ごとに区画する複数の隔壁と、前記第1電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第2電極とを積層した積層面を有する第1基板と、前記第1基板の前記積層面と対向する対向面に前記有機発光層による発光を透過し、紫外線を吸収する紫外線吸収膜を形成した透明の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを接着する光硬化性の封止材と、を有し、前記第2基板の前記対向面に形成された前記紫外線吸収膜が、前記第1基板の前記隔壁により区画された各画素に対応した位置に設けられたことを特徴とする。
In order to solve the above problems, an organic EL display device according to one embodiment of the present invention includes:
A thin film transistor, a plurality of first electrodes formed on the thin film transistor corresponding to a pixel, a plurality of partitions partitioning the first electrode for each pixel, and an organic light emitting layer formed on the first electrode A first substrate having a laminated surface on which the second electrode formed on the organic light emitting layer is laminated, and transmitting light emitted from the organic light emitting layer to a facing surface facing the laminated surface of the first substrate, A transparent second substrate on which an ultraviolet absorbing film that absorbs ultraviolet rays is formed, and a photocurable sealing material that bonds the first substrate and the second substrate, and facing the second substrate The ultraviolet absorbing film formed on the surface is provided at a position corresponding to each pixel defined by the partition of the first substrate.
また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置は、
前記紫外線吸収膜は、380nm以上780nm以下の波長領域において、光透過率が80%以上となる領域を有し、200nm以上380nm未満の波長領域において、光透過率が10%以下となる領域を有する可視光透過性を持った紫外線吸収膜であることを特徴とする。
In addition, an organic EL display device according to one embodiment of the present invention includes:
The ultraviolet absorbing film has a region where the light transmittance is 80% or more in a wavelength region of 380 nm or more and 780 nm or less, and has a region where the light transmittance is 10% or less in a wavelength region of 200 nm or more and less than 380 nm. It is an ultraviolet absorbing film having visible light permeability.
また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置は、
前記封止基板の前記第1基板側の面と前記第1基板上の第1電極までの距離が100μm以下であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置は、
前記隔壁は、紫外線吸収性の材料によって構成されていることを特徴とする。
In addition, an organic EL display device according to one embodiment of the present invention includes:
The distance from the surface of the sealing substrate on the first substrate side to the first electrode on the first substrate is 100 μm or less.
In addition, an organic EL display device according to one embodiment of the present invention includes:
The partition is made of an ultraviolet absorbing material.
また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置は、
前記隔壁は、光硬化性樹脂に紫外線吸収剤を分散することで形成され、200nm以上380nm未満の波長領域において、光透過率が10%以下となる領域を有することを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の製造方法は、
第1基板上に薄膜トランジスタを形成する第1工程と、前記薄膜トランジスタ上に画素に対応する複数の第1電極を形成する第2工程と、前記第1電極を画素ごとに区画する複数の隔壁を形成する第3工程と、前記第1電極上に有機発光層を形成する第4工程と、前記有機発光層上に第2電極を形成する第5工程と、前記第1基板の前記第2電極が形成された面と対向する面に紫外線吸収膜を有する第2基板を、前記紫外線吸収膜が、前記第1基板の前記隔壁により区画された各画素ごとに対応した位置となるように、前記第1基板と前記第2基板とを光硬化性の封止材により固定する第6工程とを含むことを特徴とする。
In addition, an organic EL display device according to one embodiment of the present invention includes:
The partition wall is formed by dispersing an ultraviolet absorber in a photocurable resin, and has a region where the light transmittance is 10% or less in a wavelength region of 200 nm or more and less than 380 nm.
In addition, a method for manufacturing an organic EL display device according to one embodiment of the present invention includes:
Forming a first step of forming a thin film transistor on the first substrate; a second step of forming a plurality of first electrodes corresponding to the pixels on the thin film transistor; and forming a plurality of partitions partitioning the first electrode for each pixel. A third step, a fourth step of forming an organic light emitting layer on the first electrode, a fifth step of forming a second electrode on the organic light emitting layer, and the second electrode of the first substrate. A second substrate having an ultraviolet absorbing film on a surface facing the formed surface, wherein the ultraviolet absorbing film is positioned corresponding to each pixel defined by the partition of the first substrate; And a sixth step of fixing the first substrate and the second substrate with a photocurable sealing material.
請求項1に記載の発明によれば、第2基板の有機EL素子と対向する面に、有機EL素子の表示画素に対向した領域に紫外線吸収膜を設けることで、第2基板を通して紫外線を照射して光硬化性樹脂を硬化させる場合、紫外線吸収膜直下にある表示画素には紫外線を照射することなく、それ以外の領域下にある光硬化性樹脂を硬化させることが可能となる。なお、熱併用型の光硬化性樹脂の場合は、その後の加熱工程を経ることで表示画素領域にも重合反応が広がり、パネル全面に硬化を進めることが可能となる。 According to the first aspect of the present invention, ultraviolet rays are irradiated through the second substrate by providing the ultraviolet absorbing film in the region facing the display pixel of the organic EL element on the surface of the second substrate facing the organic EL element. When the photocurable resin is cured, it is possible to cure the photocurable resin under the other regions without irradiating the display pixels directly under the ultraviolet absorbing film with ultraviolet rays. Note that in the case of a photo-setting resin combined with heat, a polymerization reaction spreads in the display pixel region through a subsequent heating step, and the entire panel can be cured.
請求項2に記載の発明によれば、紫外線吸収膜を380nm以上780nm以下の可視光領域において光透過率が80%以上、望ましくは90%以上とすることで、発光層からの発光を第2基板側から取り出すことが可能となり、200nm以上380nm未満の波長領域において光透過率が10%以下、望ましくは5%以下とすることで、有機EL層への紫外線によるダメージを抑制することが可能となる。 According to the second aspect of the present invention, the ultraviolet ray absorbing film has a light transmittance of 80% or more, preferably 90% or more in the visible light region of 380 nm or more and 780 nm or less. It becomes possible to take out from the substrate side, and in the wavelength region of 200 nm or more and less than 380 nm, the light transmittance can be suppressed to 10% or less, preferably 5% or less, so that damage to the organic EL layer due to ultraviolet rays can be suppressed. Become.
請求項3に記載の発明によれば、第1基板と第2基板の距離を100μm以下、望ましくは10μm以下とすることで、紫外線吸収膜以外の領域から光硬化性樹脂部に進入してきた紫外線が、第1基板に到達するまでに表示画素領域まで広がることを抑制でき、有機EL層への紫外線によるダメージを抑制することが可能となる。
請求項4に記載の発明によれば、第1基板の隣接する表示画素間に、紫外線吸収性を有する隔壁を設けることで、紫外線が第1基板に到達した際に隔壁部で吸収され、反射、散乱を抑制することが可能となる。
According to the third aspect of the present invention, the distance between the first substrate and the second substrate is set to 100 μm or less, preferably 10 μm or less, so that the ultraviolet light that has entered the photocurable resin portion from a region other than the ultraviolet absorbing film. However, it is possible to suppress the spread to the display pixel region before reaching the first substrate, and it is possible to suppress damage to the organic EL layer due to ultraviolet rays.
According to the invention described in claim 4, by providing the partition wall having ultraviolet absorptivity between the display pixels adjacent to each other on the first substrate, when the ultraviolet rays reach the first substrate, they are absorbed by the partition wall and reflected. It becomes possible to suppress scattering.
請求項5に記載の発明によれば、隔壁を光硬化性樹脂に紫外線吸収剤を分散した材料を用いて形成することで、精細なパターニングと紫外線の吸収が可能となる。また、200nm以上380nm未満の波長領域において光透過率が10%以下、望ましくは5%以下とすることで、隔壁部に照射された紫外線の反射、散乱を抑制することが可能となる。
請求項6に記載の製造方法によれば、第1基板の表示画素の位置に第2基板の紫外線吸収膜が対するように光硬化性樹脂を介して貼り合わせ、紫外線を照射、光硬化性樹脂を硬化させることで、表示画素の有機EL特性が劣化することなく、光硬化性樹脂を硬化させることが可能となる。
According to the invention described in claim 5, fine patterning and absorption of ultraviolet rays are possible by forming the partition walls using a material in which an ultraviolet absorbent is dispersed in a photocurable resin. In addition, when the light transmittance is 10% or less, preferably 5% or less in a wavelength region of 200 nm or more and less than 380 nm, it is possible to suppress reflection and scattering of ultraviolet rays irradiated to the partition wall.
According to the manufacturing method of claim 6, the light-curing resin is bonded to the position of the display pixel of the first substrate through the photo-curing resin so that the UV-absorbing film of the second substrate is opposed to the photo-curing resin. By curing the photocurable resin, the photocurable resin can be cured without deteriorating the organic EL characteristics of the display pixels.
以下、図を参照して本発明に係る有機EL表示装置および有機EL表示装置の製造方法の実施の形態を説明する。
(第1実施形態)
(構成)
図1は、第1実施形態に係る有機EL表示装置1の断面構造を示す概略図である。
図1において、有機EL表示装置1は、有機EL素子基板40と、光硬化性樹脂13と、封止基板12とを備えている。
Embodiments of an organic EL display device and a method for manufacturing the organic EL display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
(First embodiment)
(Constitution)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of an organic
In FIG. 1, the organic
(有機EL素子基板40の構成)
有機EL素子基板40は、ガラス基板25と、TFT30と、表示画素部18と、隔壁17とを備える。
ガラス基板25の材料としては、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート等を用いることができるが、これらに限定されない。
(Configuration of organic EL element substrate 40)
The organic
As a material of the
TFT30は、ガラス基板25上に表示画素部18毎に複数設けられている。TFT30は、層間絶縁膜19と、ドレイン電極20と、ソース電極21と、半導体膜22と、ゲート絶縁膜23と、ゲート電極24とを備える。なお、TFT30の構造としては、表示画素部18の駆動を制御できるものであれば、これらに限定されない。
表示画素部18は、反射電極16と、有機層15と、透明電極14とを備える。表示画素部18は、有機EL素子であり、TFT30が形成される層より上層(視認側)に形成されている。
A plurality of
The
反射電極16は、TFT30上に形成され、表示画素部18の陽極として機能する。反射電極16としては、アルミニウムや銀等、反射率の優れた金属を用いることが好ましい。反射電極16の上に例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜を形成することで、反射電極16と有機層15との間のエネルギー障壁を低減しキャリアの注入性を向上させることが可能となる。
The
有機層15は、反射電極16上に形成され、正孔輸送層、発光層、および、電子輸送層を積層して構成される。発光層は、反射電極16から供給される正孔と、透明電極14から供給される電子との再結合によって発光する。有機層15の有機発光材料としては、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されない。
なお、有機層15は、多層構造とすることも可能である。また、有機層15は、材料が高分子材料である場合、インクジェット法や印刷法等の溶液塗布法によって形成することができる。
The
The
透明電極14は、有機層15上に形成されており、表示画素部18の陰極として機能する。透明電極14の材料としては、有機層15への電子注入効率が高くなるように、仕事関数の低い物質を用いることが望ましい。透明電極14は、異なる材料を用いて多層構造とすることも可能であり、好ましくは電子の注入性を向上することができる材料からなる層(電子注入層)と、面内の導電性を向上させる材料からなる層(面内導電層)の積層構造があげられる。
The
電子注入層に用いる材料としては、電子が効率的に注入できるように、仕事関数の低い金属薄膜が好ましい。例えば、仕事関数の低いアルミニウムとリチウムの合金、あるいはマグネシウムと銀の合金を10nm程度に薄く形成して電子注入層とすることができる。
面内導電層に用いる材料としては、酸化物透明導電膜、または、可視光が透過する程度に薄く形成された金属薄膜等があげられる。
The material used for the electron injection layer is preferably a metal thin film having a low work function so that electrons can be efficiently injected. For example, an electron injection layer can be formed by forming an alloy of aluminum and lithium having a low work function or an alloy of magnesium and silver as thin as about 10 nm.
Examples of the material used for the in-plane conductive layer include an oxide transparent conductive film, or a metal thin film formed thin enough to transmit visible light.
透明導電膜の材料としては、酸化インジウム、酸化スズ、および酸化亜鉛を1種類または2種類以上含有する酸化物透明導電膜であることが好ましく、膜厚としては、十分な面内導電性となるように、例えば100nm程度であることが好ましい。
金属薄膜としては、アルミニウム、銀等の導電性が高い金属を用いることができ、膜厚としては、面内導電性と可視光透過性を満たすように、例えば10nm程度であることが好ましい。
The material of the transparent conductive film is preferably an oxide transparent conductive film containing one kind or two or more kinds of indium oxide, tin oxide, and zinc oxide, and the film thickness is sufficient in-plane conductivity. Thus, it is preferable that it is about 100 nm, for example.
As the metal thin film, a metal having high conductivity such as aluminum or silver can be used. The film thickness is preferably about 10 nm so as to satisfy the in-plane conductivity and the visible light transmittance.
また、透明電極14上にはSiNX、SiOX等からなる膜を形成することもでき、酸素、水分等から有機EL素子基板40を保護するようなパッシベーション膜を形成することもできる。
隔壁17は、隣接する表示画素部18との間に形成されている。隔壁17の材料としては、紫外線吸収性を有するものが好ましい。例えば、光硬化性樹脂13に紫外線吸収剤を分散させたものが用いられる。紫外線吸収剤としては、例えばベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、サリシレート系の化合物等があげられる。
また、隔壁17は、有機層15の材料が高分子材料で、インクジェット法や印刷法等の溶液塗布法によって形成される場合、塗布時に溶液が隣接する表示画素部18に流れ出ないようにするための土手の役割を果たすことができる。
A film made of SiNX, SiOX, or the like can be formed on the
The
Further, when the material of the
(光硬化性樹脂13の構成)
光硬化性樹脂13は、封止基板12と有機EL素子基板40との内部空間に充填されており、封止基板12と有機EL素子基板40とを接着して固定するとともに、2つの基板の内部空間を封止し、酸素、水分等から保護する。
光硬化性樹脂13は、紫外線照射により液体から固体に変化して硬化する紫外線硬化性樹脂である。光硬化性樹脂13の材料としては、可視光領域の380〜780nmの全波長領域において、透過率が好ましくは80%以上、より好ましくは95%以上の透明樹脂に、紫外線等の照射によって硬化させるために光重合開始剤を添加したものを用いることもできる。透明樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂等があげられる。また、光重合開始剤としては、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤等があげられる。光重合開始剤は紫外線吸収剤としても機能するので、光硬化性樹脂13は単体でもある程度の紫外線吸収性を有する。
(Configuration of the photocurable resin 13)
The
The
(封止基板12の構成)
封止基板12は、透明基板10と、紫外線吸収膜11とを備える。封止基板12は、有機EL素子基板40と貼り合わされることにより有機EL表示装置1を封止し、有機EL基板40を空気中の酸素、水分等から保護する。
透明基板10は、ソーダ石灰ガラス、低アルカリ硼珪酸ガラス、無アルカリアルミノ硼珪酸ガラス等のガラス基板を用いることができる。また、透明酸化物半導体は一般的にスパッタ法やイオンプレーティング法等の形成方法にて形成される。ここで、形成プロセスにて膜の吸収スペクトルを制御することも可能である。
(Configuration of the sealing substrate 12)
The sealing
As the
紫外線吸収膜11は、透明基板10の有機EL素子基板40と対向する側の面に形成されている。また、紫外線吸収膜11は、有機EL素子基板40の隔壁17のパターンと同一のパターンで形成されている。なお、透明基板10に形成される各紫外線吸収膜11の面積は、表示画素部18の面積よりも大きいことが好ましい。
図2は、紫外線吸収膜11のパターン例を、有機EL素子基板40上に形成された隔壁17のパターンと比較して示した図であり、図2(a)は、第1のパターン例、図2(b)は第2のパターン例を示している。
The
FIG. 2 is a view showing a pattern example of the
図2(a),(b)において、左側の図は隔壁17のパターンを、右側の図は紫外線吸収膜11のパターンを示している。図2(a),(b)において、隔壁17のパターンに対応して、紫外線吸収膜11のパターンが形成されていることがわかる。また、各紫外線吸収膜11の面積が表示画素部18の面積より大きいことがわかる。
なお、紫外線吸収膜11のパターンは有機EL素子基板40の隔壁17の形成パターンによって変わるものであり、これらに限定されない。
2A and 2B, the left diagram shows the pattern of the
The pattern of the
紫外線吸収膜11の材料としては、透明酸化物半導体や、光硬化性樹脂13に紫外線吸収剤を分散させたものなど、紫外領域に吸収性を有し、かつ可視光領域に透過性を有するものを用いることができる。具体的には、酸化インジウム系や酸化スズ系、酸化亜鉛系等の透明酸化物半導体があげられるが、これらに限定されない。
透明酸化物半導体を紫外線吸収膜11の材料として用いた場合、透明酸化物半導体はエネルギーギャップがあるため、電子バンド間遷移により、そのギャップより大きいエネルギーの光を吸収し、そのギャップより小さいエネルギーの光は吸収しない。ここで、無色透明になる(可視光を透過する)ために、エネルギーギャップが約3.3eV以上であることを要する。よって、エネルギーギャップが3.3eV付近になるような透明酸化物半導体を紫外線吸収膜11として用いることで、そのギャップより大きいエネルギーの紫外光は吸収される。
Examples of the material of the
When a transparent oxide semiconductor is used as the material of the
紫外線吸収膜11は、380nm以上780nm以下の可視光領域において、光透過率が80%以上、望ましくは90%以上とすることが好ましい。これにより、発光層からの発光を封止基板12側から高効率に取り出すことが可能となる。また、200nm以上380nm未満の波長領域において、光透過率が10%以下、望ましくは5%以下とすることが好ましい。これにより、紫外線による有機層15へのダメージを抑制することが可能となる。
なお、紫外線吸収膜11は、上記の特性を有する1層または複数層の材料によって構成することができる。
The
The
(封止基板12の作成方法)
次に、紫外線吸収膜11の材料として透明酸化物半導体を例にとり、透明基板10上に紫外線吸収膜11をパターニングする手法の一例として、フォトリソグラフィー法について述べる。
フォトリソグラフィー法は、薄膜状に塗布した光感光性材料に所望の幾何学的パターン形状を転写し、薄膜の不要部分を選択的に除去する方法である。ここで用いる光感光性材料はフォトレジスト(以下、「レジスト」と称する。)と呼ばれる。
(Method for producing sealing substrate 12)
Next, taking a transparent oxide semiconductor as an example of the material of the
The photolithographic method is a method of transferring a desired geometric pattern shape to a photosensitive material applied in a thin film shape and selectively removing unnecessary portions of the thin film. The photosensitive material used here is called a photoresist (hereinafter referred to as “resist”).
一般的なレジスト工程は、前処理、レジスト塗布、プレベーク、露光、現像、ポストベーク、エッチング、剥離の順で進められる。以下に各工程の詳細を述べる。
はじめに、透明基板10上に、真空蒸着法等により透明酸化物半導体を形成する。
次に、前処理として、透明酸化物半導体膜表面の油分やその他の汚れを除去後、水洗、乾燥させる。これらの処理は、透明酸化物半導体膜表面へのレジストの密着性、ひいては加工形状を決定する重要な工程である。
A general resist process proceeds in the order of pretreatment, resist coating, pre-baking, exposure, development, post-baking, etching, and peeling. Details of each step will be described below.
First, a transparent oxide semiconductor is formed on the
Next, as a pretreatment, after removing oil and other dirt on the surface of the transparent oxide semiconductor film, it is washed with water and dried. These treatments are important steps for determining the adhesion of the resist to the surface of the transparent oxide semiconductor film, and thus the processing shape.
レジストは、例えばスピンコート法を用いて塗布され、レジストの粘度とスピンコーターの回転数によってレジスト膜厚を決める。レジスト膜厚はレジスト材料の種類にも依存するので、予備検討が必要である。一般的には、1.5〜2μmの膜厚で使用される。
レジストの塗布後、レジスト膜中から溶剤を除去するためにプレベークをする。ただし、処理温度が高すぎると感光基や増感剤が分解して現像不良を起こすので、適切な温度および時間を選択して工程を管理する必要がある。
The resist is applied using, for example, a spin coating method, and the resist film thickness is determined by the resist viscosity and the spin coater rotation speed. Since the resist film thickness depends on the type of resist material, preliminary examination is necessary. Generally, it is used with a film thickness of 1.5-2 μm.
After the resist is applied, pre-baking is performed to remove the solvent from the resist film. However, if the processing temperature is too high, the photosensitive group and the sensitizer are decomposed to cause development failure. Therefore, it is necessary to select an appropriate temperature and time to manage the process.
次いで、所望のパターンで開口部を設けたフォトマスクを通してレジストに露光を行う。レジストの露光においては、用いるレジスト材料の感度にあった照度と露光時間の管理が必要である。露光には、水銀ランプやメタルハライドランプ等の一般的な露光光原を用いることができる。
露光後、レジストは専用の現像液で現像した後、現像の停止および洗浄のためリンスを行う。次に、以下に述べるエッチングの工程において、レジストと薄膜との密着性を向上させるため、ポストベークを加える。
Next, the resist is exposed through a photomask having openings in a desired pattern. In the exposure of the resist, it is necessary to manage the illuminance and the exposure time suitable for the sensitivity of the resist material to be used. For exposure, a general exposure light source such as a mercury lamp or a metal halide lamp can be used.
After exposure, the resist is developed with a dedicated developer, and then rinsed for stopping development and washing. Next, in the etching process described below, post-baking is added in order to improve the adhesion between the resist and the thin film.
上述した工程で形成されたレジストパターンを用いて透明酸化物半導体を所定形状にエッチングする。エッチング終了後、よく水洗してレジストを剥離することで、透明酸化物半導体を紫外線吸収膜11として透明基板10上にパターニングすることができる。
上記の工程により、紫外線吸収膜11が表示画素部18に対応するパターンで形成された封止基板12を形成することができる。
The transparent oxide semiconductor is etched into a predetermined shape using the resist pattern formed in the above-described process. After the etching, the transparent oxide semiconductor can be patterned on the
Through the above process, the sealing
(封止基板12と有機EL素子基板40との貼り合わせ方法)
次に、上記のようにして得られた封止基板12を、光硬化性の充填剤を介して有機EL素子基板40と貼り合わせる方法の一例を説明する。
有機EL表示装置1を製造する場合、例えば、封止層(図示せず)を封止基板12の有機EL素子基板40と対向する面の外周部に設け、封止基板12と有機EL素子基板40とを対向させて組み合わせた時にできる内部空間に、光硬化性の充填剤を充填して、両基板を貼り合わせる。
(Method for
Next, an example of a method for bonding the sealing
When manufacturing the organic
光硬化性の充填剤としては、紫外線照射により硬化する紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。第1実施形態では、光硬化性の充填剤として、紫外線照射により硬化する光硬化性樹脂13を使用している。これにより、封止基板12と有機EL素子基板40を接着して固定するとともに各構成要素を空気中の酸素や水分等から保護することができる。
封止基板12と有機EL素子基板40とを貼り合わせる場合、まず、封止基板12の紫外線吸収膜11が形成された面の外周上に、封止層をディスペンサー装置によって塗布し、封止基板12の紫外線吸収膜11が形成された面と、有機EL素子基板40のTFT30等が形成された面とを対向させて、真空チャンバー内の対向したホルダーにセットする。
Examples of the photocurable filler include an ultraviolet curable resin that is cured by ultraviolet irradiation. In 1st Embodiment, the
When the sealing
次に、真空チャンバー内を密閉し、排気バルブを開いてチャンバー内を1〜10Pa程度に減圧する。
封止基板12と有機EL素子基板40とを対向させたときに、各紫外線吸収膜11が各表示画素部18に対向するようにホルダーの位置を決定した後、一方のホルダーを下降させ、ホルダー同士を重ね合わせ、再度上記と同様の位置合わせをした後、両基板を貼り合わせる。貼り合わせ終了後、チャンバー内を大気圧に戻して取り出し、これに所定の条件で封止基板12側から紫外線を照射して光硬化性樹脂13を硬化させ、封止基板12と有機EL素子基板40とを接着して固定する。また、熱併用型の光硬化性充填剤を使用した場合は、加熱処理を行うことで重合が広がり、未硬化部を硬化することが可能となる。
Next, the inside of the vacuum chamber is sealed, the exhaust valve is opened, and the inside of the chamber is decompressed to about 1 to 10 Pa.
After the sealing
なお、紫外線吸収膜11が形成されていない領域から入射した紫外線26が、表示画素部18に到達することを防ぐ観点から、固定した後の封止基板12における有機EL素子基板40側の面と、有機EL素子基板40上の透明電極14の表面までの距離は、100μm以下、好ましくは10μm以下とすることが好ましい(図4参照)。
上記封止層は、熱硬化型、紫外線硬化型等の接着剤から形成され、ガラスビーズ、シリカビーズ等を含む。これらのビーズ類は、円偏光板と有機EL表示基板との貼り合わせにおいて、基板間距離を規定するスペーサとして機能する。
In addition, from the viewpoint of preventing the ultraviolet rays 26 incident from the region where the
The sealing layer is formed from an adhesive such as a thermosetting type or an ultraviolet curable type, and includes glass beads, silica beads, and the like. These beads function as a spacer that defines the distance between the substrates when the circularly polarizing plate and the organic EL display substrate are bonded together.
具体的には、両基板間にガラスビーズ、シリカビーズ等の球状スペーサを分散させることができる。また、封止基板12上にフォトリソグラフィー法等によって設けたアクリル樹脂等の柱状スペーサを用いることも可能である。
また、封止基板12と有機EL素子基板40を対向して固定する別の方法としては、シート状に加工された光硬化性の接着剤を一方の基板上に設け、封止基板12と有機EL素子基板40とを接着することがあげられる。
Specifically, spherical spacers such as glass beads and silica beads can be dispersed between both substrates. In addition, a columnar spacer such as an acrylic resin provided on the sealing
Further, as another method for fixing the sealing
上記のように形成された有機EL表示装置1を、封止基板12側から見た場合、表示画素部18は紫外線吸収膜11が形成された領域に対応して位置し、表示画素部18は紫外線吸収膜11に覆われた状態となっている。具体的には、表示画素部18は、視認側から紫外線を照射したときに、紫外線吸収膜11に隠された状態になっている。また、隔壁17は各紫外線吸収膜11が形成されていない領域に対応して位置している。
When the organic
(第1実施形態の作用)
次に、第1実施形態に係る有機EL表示装置1の作用を、図3を用いて説明する。
本実施形態に係る有機EL表示装置1は、表示画素部18間を仕切る隔壁17が、紫外線吸収性を有している。
そのため、隔壁17に到達した紫外線は吸収され、隔壁17に反射した紫外線が表示画素部18に進入することを防止できるものである。
(Operation of the first embodiment)
Next, the operation of the organic
In the organic
Therefore, the ultraviolet rays that reach the
図3(a)は、紫外線吸収性を有さない隔壁27を用いた場合の作用を模式的に示した図である。
図3(a)において、封止基板12側から照射された紫外線26は、紫外線吸収膜11が紫外線26を遮断するため、紫外線吸収膜11の陰に位置する表示画素部18に紫外線26が照射されることはない。そのため、表示画素部18の劣化を防ぐことができるとともに、表示画素部18からの発光は紫外線吸収膜11を透過して視認される。一方、紫外線26は、封止基板12の紫外線吸収膜11の形成されていない領域から有機EL表示装置1の内部に入射し、光硬化性樹脂13および透明電極14を通過し、隔壁27の表面や隔壁27の底部等の界面で反射して有機EL素子基板40内に入射する。紫外線26は、有機EL素子基板40内を反射しながら伝播して、表示画素部18に到達することで有機層15を劣化させ、有機EL素子特性を劣化させるおそれがある。
FIG. 3A is a diagram schematically showing the operation when the
In FIG. 3A, the
図3(b)は、第1実施形態に係る有機EL装置1を用いた場合の作用を模式的に示した図である。
図3(b)において、紫外線吸収膜11が紫外線26を遮断するため、図3(a)における場合と同様に、紫外線吸収膜11の陰に位置する表示画素部18に紫外線26が照射されることはない。一方、紫外線26は、封止基板12側から照射された紫外線26は、封止基板12の紫外線吸収膜11の形成されていない領域から有機EL表示装置1の内部に入射し、光硬化性樹脂13および透明電極14を通過する。しかし、紫外線26は隔壁17に吸収されるため、有機EL素子基板40内の反射を防ぐことが可能となる。したがって、有機層15および有機EL素子特性の劣化を防ぐことが可能となる。
FIG. 3B is a diagram schematically showing an operation when the
In FIG. 3B, since the
また、封止基板12と有機EL素子基板40との間の内部空間に、光硬化性樹脂13が充填していることで、内部空間界面における反射を抑制し、発光層の発光を効率よく透過させることが可能となり、有機EL表示装置1の強度も向上する。
また、本実施形態に係る有機EL表示装置1は、封止基板12と透明電極14との距離を所定の距離(100μm)以下としている。
In addition, since the internal space between the sealing
Further, in the organic
これにより、紫外線吸収膜11が形成されていない領域から入射した紫外線26が表示画素部18に到達することを防止している。
図4(a)は、第1実施形態に係る有機EL表示装置1における、固定した後の封止基板12の有機EL素子基板40側の面と、有機EL素子基板40上の透明電極14の表面までの距離を100μmより大きくした場合の作用を模式的に示した図である。
Thereby, the ultraviolet rays 26 incident from the region where the
FIG. 4A shows the surface of the sealing
図4(a)において、有機EL表示装置1の内部に入射した紫外線26は、有機EL素子基板40に到達するまでに隔壁17の幅よりも広くなり、表示画素部18を照射する。
図4(b)は、固定した後の封止基板12の有機EL素子基板40側の面と、有機EL素子基板40上の透明電極14の表面までの距離を100μm以下とした場合の作用を模式的に示した図である。
図4(b)において、有機EL表示装置1の内部に入射した紫外線26は、隔壁17の幅より広くなる前に、隔壁17に到達するため、隔壁17に吸収される。
In FIG. 4A, the
FIG. 4B shows the operation when the distance between the surface of the sealing
In FIG. 4B, the ultraviolet rays 26 that have entered the inside of the organic
(第1実施形態の効果)
第1実施形態に係る有機EL表示装置1は、封止基板12側から見た場合、表示画素部18は紫外線吸収膜11が形成された領域の陰に位置し、表示画素部18は紫外線吸収膜11に覆われた状態となっている。また、隔壁17は各紫外線吸収膜11が形成されていない領域の陰に位置している。
(Effect of 1st Embodiment)
In the organic
このような構成により、紫外線吸収膜11が紫外線26を遮断するため、紫外線吸収膜11の陰に位置する表示画素部18に紫外線26が照射されることはない。また、隔壁17が、各紫外線吸収膜11が形成されていない領域から入射した紫外線26を吸収するため、有機EL素子基板40内への紫外線26の入射を防ぐことができる。
したがって、第1実施形態に係る有機EL表示装置1は、封止基板12側から紫外線26を照射しても表示画素部18内の有機層15および有機EL素子特性を劣化させることなく、光硬化性樹脂13を硬化させることが可能となる。
With such a configuration, since the
Therefore, the organic
さらに、第1実施形態に係る有機EL表示装置1は、固定した後の封止基板12の有機EL素子基板40側の面と、有機EL素子基板40上の透明電極14の表面までの距離が100μm以下となるように形成されている。
このような構成により、各紫外線吸収膜11が形成されていない領域から入射した紫外線26は、隔壁17の幅より広くなる前に、隔壁17に到達するため、隔壁17に吸収され、有機EL素子基板40内への入射を防ぐことができる。
したがって、第1実施形態に係る有機EL表示装置1は、封止基板12側から紫外線26を照射しても表示画素部18内の有機層15および有機EL素子特性を劣化させることなく、光硬化性樹脂13を硬化させることが可能となる。
Furthermore, in the organic
With such a configuration, the ultraviolet rays 26 incident from the regions where the respective
Therefore, the organic
なお、有機層15上に形成された透明電極14が、電子注入層と面内導電層の積層構造であった場合、面内導電層が例えば酸化物透明導電膜、または、金属薄膜ならば紫外線吸収性を有するため、多少の紫外線26を吸収する。しかしながら、酸化物透明導電膜、または、金属薄膜の直下に存在するのが、仕事関数が低く反応性が高い電子注入層であるため、紫外線26による化学的変質および発熱により、有機EL素子特性が劣化することとなってしまい、本願発明の効果を得ることはできない。
When the
以下、本発明の実施例を説明する。
本実施例に係る有機EL素子基板40では、ガラス基板25上の各画素にTFT30を形成する。
ここで、陽極として、銀からなる反射電極16、および、その上にITO膜を形成する。
Examples of the present invention will be described below.
In the organic
Here, a
次に、この表示画素部18の端部をカバーするように、表示画素部18間にマトリクス状に隔壁17を形成した。隔壁17の材料としては、紫外線硬化型のポリイミド樹脂に紫外線吸収剤である2−(2’−ヒドロキシ−5’−t−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾールを3wt%添加したものを用いた。
その上に、正孔輸送層としてPEDOT:PSS1.5wt水溶液を、スピンコート法により膜厚が40nmとなるように形成した。
Next,
A PEDOT: PSS 1.5 wt aqueous solution was formed thereon as a hole transport layer so as to have a film thickness of 40 nm by a spin coating method.
次いで、ガラス基板16を枚葉式の凸版印刷装置に固定し、各色の有機発光インキを印刷した。有機発光インキは赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色を以下のように調製した。
赤色発光インキ(R):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液
緑色発光インキ(G):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液
青色発光インキ(B):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液
Next, the
Red luminescent ink (R): 1% by weight toluene solution of polyfluorene derivative Green luminescent ink (G): 1% by weight toluene solution of polyfluorene derivative Blue luminescent ink (B): 1% toluene by weight of polyfluorene derivative solution
有機層15としての有機発光層は、赤色有機発光層、緑色有機発光層、青色有機発光層がストライプ状に並ぶように印刷した。
各色について印刷をおこなった後、オーブン内で、130℃で1時間乾燥した。
乾燥の後、印刷により形成した有機発光層上に、電子が効率的に注入できるような仕事関数の低い透明電極14としての第一の陰極として、カルシウムを蒸着法により4nmの厚さで形成した。
その上に面内導電性を向上させる透明電極14としての第二の陰極として、アルミニウムを10nmの厚さで形成した。さらに、ITO膜上にCVD法によって窒化珪素を200nm形成することで、パッシベーション膜とした。
The organic light emitting layer as the
After printing for each color, it was dried in an oven at 130 ° C. for 1 hour.
After drying, on the organic light emitting layer formed by printing, calcium was formed to a thickness of 4 nm by vapor deposition as a first cathode as the
On top of that, aluminum was formed to a thickness of 10 nm as a second cathode as the
本実施例に係る封止基板12は、透明基板10としてのガラス基板上に、DCマグネトロンスパッタ法を用いて、紫外線吸収膜11としてのITO膜を150nm形成する。なお、透過率は可視光領域の550nmで85%、紫外領域の365nmで7%である。
ここで、ITO膜上にフォトリソグラフィー法を用いてレジストパターンを形成し、ウェットエッチング法によりITOのエッチングを行う。ウェットエッチングの溶液として、王水系(HCl:HNO3:H2O=1:0.08:1、体積比)を用いた。
In the sealing
Here, a resist pattern is formed on the ITO film using a photolithography method, and the ITO is etched by a wet etching method. An aqua regia system (HCl: HNO3: H2O = 1: 0.08: 1, volume ratio) was used as a wet etching solution.
次いで、エッチング終了後、よく水洗してレジストを剥離することで、ITO膜を紫外線吸収膜11として透明基板10上にパターニングした。ここで、ITO膜パターンは有機EL素子基板40の各表示画素部18のパターンサイズ75μm×25μmに対して縦横とも3μmほど広くなるように形成した。
上記のように作成した封止基板12と有機EL素子基板40とを対向して固定するために、封止基板12の外周上に、封止層をディスペンサー装置によって塗布し、その内部に光硬化性樹脂13としての充填剤を滴下し、真空チャンバー内で貼り合わせ作業を行った。このときのチャンバー内の到達圧力は1Paである。
Next, after completion of the etching, the resist film was thoroughly washed and the resist was peeled off, whereby the ITO film was patterned on the
In order to fix the sealing
次いで、貼り合わせた両基板をチャンバーから取り出し、紫外線露光機により紫外線26を照射した。紫外線露光機の光源としてはメタルハライドランプを用い、波長365nmにおける照度は100mW/cm2、露光量は6000mJ/cm2とした。
さらに、クリーンオーブン中で、80℃で60分間焼成を行ない、基板同士を固定した。このとき、封止基板12と有機EL素子基板40上の透明電極14の表面までの距離は6.0μmとした。
上記のように作製した有機EL表示装置1において特性を評価したところ、電流効率は7.2cd/Aとなった。
Next, the bonded substrates were taken out of the chamber and irradiated with
Furthermore, baking was performed at 80 ° C. for 60 minutes in a clean oven to fix the substrates together. At this time, the distance from the sealing
When the characteristics of the organic
(比較例1)
上記構造の有機EL表示装置1において、封止基板12に紫外線吸収膜11を設けずに紫外線照射を行い、貼り合わせを行ったところ、電流効率は4.4cd/Aとなり、紫外線吸収膜11を設けた封止基板12を使用した場合に対して有機EL素子特性が61%程度となった。
(比較例2)
上記構造の有機EL表示装置1において、隔壁17に紫外線吸収性をもたせずに紫外線照射を行い、貼り合わせを行ったところ、電流効率は5.8cd/Aとなり、隔壁17に紫外線吸収性を持たせた場合に対して特性が81%程度となった。
(Comparative Example 1)
In the organic
(Comparative Example 2)
In the organic
(実施例の効果)
実施例に係る有機EL表示装置1は、封止基板12側から見た場合、表示画素部18は紫外線吸収膜11が形成された領域の陰に位置し、表示画素部18は紫外線吸収膜11に覆われた状態となっている。また、隔壁17は各紫外線吸収膜11が形成されていない領域の陰に位置している。
このような構成により、紫外線吸収膜11が紫外線26を遮断するため、紫外線吸収膜11の陰に位置する表示画素部18に紫外線26が照射されることはない。また、隔壁17が、各紫外線吸収膜11が形成されていない領域から入射した紫外線26を吸収するため、有機EL素子基板40内への紫外線26の反射を防ぐことができる。
したがって、実施例に係る有機EL表示装置1は、封止基板12側から紫外線26を照射しても表示画素部18内の有機層15および有機EL素子特性を劣化させることなく、光硬化性樹脂13を硬化させることが可能となる。
(Effect of Example)
In the organic
With such a configuration, since the
Therefore, the organic
1 有機EL表示装置、10 透明基板、11 紫外線吸収膜、12 封止基板、13 光硬化性樹脂、14 透明電極、15 有機層、16 反射電極、17 隔壁、18 表示画素部、19 層間絶縁膜、20 ドレイン電極、21 ソース電極、22 半導体膜、23 ゲート絶縁膜、24 ゲート電極、25 ガラス基板、26 紫外線、27 隔壁、30 TFT、40 有機EL素子基板
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記薄膜トランジスタ上に画素と対応して形成された複数の第1電極と、
前記第1電極を画素ごとに区画する複数の隔壁と、
前記第1電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された第2電極とを積層した積層面を有する第1基板と、
前記第1基板の前記積層面と対向する対向面に前記有機発光層による発光を透過し、紫外線を吸収する紫外線吸収膜を形成した透明の第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを接着する光硬化性の封止材と、を有し、
前記第2基板の前記対向面に形成された前記紫外線吸収膜が、前記第1基板の前記隔壁により区画された各画素に対応した位置に設けられたことを特徴とする有機EL表示装置。 A thin film transistor;
A plurality of first electrodes formed on the thin film transistor corresponding to the pixels;
A plurality of partition walls partitioning the first electrode for each pixel;
An organic light emitting layer formed on the first electrode;
A first substrate having a laminated surface on which a second electrode formed on the organic light emitting layer is laminated;
A transparent second substrate on which an ultraviolet absorbing film that transmits light emitted from the organic light emitting layer and absorbs ultraviolet rays is formed on an opposing surface of the first substrate facing the laminated surface;
A photocurable sealing material that bonds the first substrate and the second substrate;
The organic EL display device, wherein the ultraviolet absorbing film formed on the facing surface of the second substrate is provided at a position corresponding to each pixel defined by the partition of the first substrate.
前記薄膜トランジスタ上に画素に対応する複数の第1電極を形成する第2工程と、
前記第1電極を画素ごとに区画する複数の隔壁を形成する第3工程と、
前記第1電極上に有機発光層を形成する第4工程と、
前記有機発光層上に第2電極を形成する第5工程と、
前記第1基板の前記第2電極が形成された面と対向する面に紫外線吸収膜を有する第2基板を、前記紫外線吸収膜が、前記第1基板の前記隔壁により区画された各画素ごとに対応した位置となるように、前記第1基板と前記第2基板とを光硬化性の封止材により固定する第6工程とを含むことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 A first step of forming a thin film transistor on a first substrate;
A second step of forming a plurality of first electrodes corresponding to pixels on the thin film transistor;
A third step of forming a plurality of partitions partitioning the first electrode for each pixel;
A fourth step of forming an organic light emitting layer on the first electrode;
A fifth step of forming a second electrode on the organic light emitting layer;
A second substrate having an ultraviolet absorbing film on a surface of the first substrate facing the surface on which the second electrode is formed, and the ultraviolet absorbing film is provided for each pixel partitioned by the partition wall of the first substrate. A method of manufacturing an organic EL display device, comprising: a sixth step of fixing the first substrate and the second substrate with a photocurable sealing material so as to be in a corresponding position.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130723 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |