JP2011166663A - アンテナスイッチおよびそれを内蔵した高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アンテナスイッチのアンテナ端子2にアンテナが接続され、第1信号端子3とアンテナ端子2の間に第1転送スイッチ100が接続され、第2信号端子4とアンテナ端子2の間に第2転送スイッチ101が接続され、第1信号端子3と接地電位の間に第1シャントスイッチ102が接続され、第2信号端子4と接地電位の間に第2シャントスイッチ103が接続される。負電圧生成回路104の入力10は第1信号端子3に供給される送信信号に応答可能とされ、出力端子11に生成される負電圧に応答して第2転送スイッチ101と第1シャントスイッチ102とはオフ状態に制御される。
【選択図】図3
Description
まず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
《送受信用SPDT型アンテナスイッチ》
図3は、本発明の実施の形態1によるアンテナスイッチを含む半導体集積回路の構成を示す図である。
送信用トランスファーゲートスイッチ100は送信端子3とアンテナ端子2との間に接続され、この送信用トランスファーゲートスイッチ100の4個直列接続された電界効果トランジスタ200a〜dのオン・オフ制御は送信制御端子5に供給される送信制御電圧V_Txcのレベルによって制御可能である。
受信用トランスファーゲートスイッチ101は受信端子4とアンテナ端子2との間に接続され、この受信用トランスファーゲートスイッチ101の4個直列接続された電界効果トランジスタ201a〜dのオン・オフ制御は受信制御端子7に供給される受信制御電圧V_Rxcのレベルによって制御可能である。
送信側シャントゲートスイッチ102の一端は容量315を介して送信端子3に接続される一方、他端は容量316を介して接地端子8に接続される。送信側シャントゲートスイッチ102の4個直列接続された電界効果トランジスタ202a〜dのドレインとソースとにシャント制御端子6の制御電圧が抵抗314、309a〜dを介して供給され、そのオン・オフ制御は受信制御端子7に供給される受信制御電圧V_Rxcのレベルによって制御可能である。
受信側シャントゲートスイッチ103の一端は容量317を介して受信端子4に接続される一方、他端は容量318を介して接地端子9に接続される。受信側シャントゲートスイッチ103の2個直列接続された電界効果トランジスタ203a〜bのゲート端子は抵抗310、311a〜bを介して接地端子9に接続され、そのオン・オフ制御は受信制御端子7に供給される受信制御電圧V_Rxcのレベルによって制御可能である。
降圧回路104の入力端子10は送信端子3と接続され、出力端子11に生成される負の直流電圧が受信用トランスファーゲートスイッチ101の電界効果トランジスタ201a〜dと送信側シャントゲートスイッチ102の電界効果トランジスタ202a〜dのゲートに供給可能とされている。
送信時には、例えば、送信制御端子5とシャント制御端子6に3.0Vの電圧が供給され、受信制御端子7には0Vの電圧が供給される。この時には、送信用トランスファーゲートスイッチ100の4個直列接続された電界効果トランジスタ200a〜dの各トランジスタのゲート・ソース間とゲート・ドレイン間とに、それぞれダイオード順方向特性が現れている。このダイオードの順方向電圧降下を0.6Vとすると、アンテナ端子2と送信端子3と受信端子4とのアンテナスイッチの信号経路の直流電圧(=以後、アンテナ電圧と言う)は2.4Vである。従って、送信用トランスファーゲートスイッチ100はオン状態となる一方、受信用トランスファーゲートスイッチ101の電界効果トランジスタ201a〜dのゲート・ソース間電圧とゲート・ドレイン間電圧とは−2.4Vとなり電界効果トランジスタ201a〜dはオフ状態となる。
送信端子3と降圧回路104の入力端子10とに供給される送信信号の電圧レベルが増大してダイオード204、205の入力接続点400に発生する電圧と基準電位点401との間の電位差Vinがダイオード204、205のしきい値電圧Vfよりも大きくなるとダイオード204、205は整流動作を開始するので、降圧回路104の出力端子11には下記(2)式に従った負電圧Voutが生成される。
受信時には、図3に示した本発明の実施の形態1による半導体集積回路1のアンテナスイッチにおいて、送信制御端子5に0Vの電圧が供給され、シャント制御端子6と受信制御端子7とに3.0Vの電圧が供給される。この時には、受信用トランスファーゲートスイッチ101の4個直列接続された電界効果トランジスタは201a〜dの各トランジスタのゲート・ソース間とゲート・ドレイン間とに、それぞれダイオード順方向特性が現れている。
《送信用SPDT型アンテナスイッチ》
図4は、本発明の実施の形態2によるアンテナスイッチを含む半導体集積回路の構成を示す図である。
第1の送信用トランスファーゲートスイッチ100は第1の送信端子31とアンテナ端子2との間に接続され、第1の送信用トランスファーゲートスイッチ100の電界効果トランジスタ200a〜dのオン・オフ制御は第1の送信制御端子5に供給される送信制御電圧V_Tx1cのレベルによって制御可能である。
第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105は第2の送信端子32とアンテナ端子2との間に接続され、第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105の電界効果トランジスタ206a〜dのオン・オフ制御は第2の送信制御端子13に供給される受信制御電圧V_Tx2cのレベルによって制御可能である。
第1の送信側シャントゲートスイッチ102の一端は容量315を介して第1の送信端子31に接続され、他端は容量316を介して接地端子8に接続され、第1の送信側シャントゲートスイッチ102の電界効果トランジスタ202a〜dのドレインとソースとにシャント制御端子6の制御電圧V_shuntが抵抗341、314、309a〜dを介して供給され、第1の送信側シャントゲートスイッチ102のオン・オフ制御は第2の送信制御端子13に供給される第2の送信制御電圧V_Tx2cのレベルによって制御可能である。
第2の送信側シャントゲートスイッチ106の一端は容量330を介して第2の送信端子32に接続され、他端は容量331を介して接地端子14に接続され、第2の送信側シャントゲートスイッチ106の電界効果トランジスタ207a〜dのドレインとソースとにシャント制御端子6の制御電圧V_shuntが抵抗341、340、329a〜dを介して供給され、第2の送信側シャントゲートスイッチ106のオン・オフ制御は第1の送信制御端子5に供給される第1の送信制御電圧V_Tx1cのレベルによって制御可能である。
第1の降圧回路107の入力端子15は第1の送信端子31と接続され、出力端子16に生成される負の直流電圧が第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105の電界効果トランジスタ206a〜dのゲートと第1の送信側シャントゲートスイッチ102の電界効果トランジスタ202a〜dのゲートに供給可能とされている。
第2の降圧回路108の入力端子17は第2の送信端子32と接続され、出力端子18に生成される負の直流電圧が第1のトランスファーゲートスイッチ100の電界効果トランジスタ200a〜dのゲートと第2の送信側シャントゲートスイッチ106の電界効果トランジスタ207a〜dのゲートに供給可能とされている。
低レベルの第1の送信信号の送信時、すなわち低レベルの第1の送信信号を第1の送信端子31から供給して、アンテナ端子2に出力する場合には、例えば第1の送信制御端子5とシャント制御端子6とに3.0Vの電圧を供給して、第2の送信制御端子13に0Vの電圧を供給する。この時には、送信用トランスファーゲートスイッチ100の4個直列接続された電界効果トランジスタ200a〜dの各トランジスタのゲート・ソース間とゲート・ドレイン間とに、それぞれダイオード順方向特性が現れている。このダイオードの順方向電圧降下を0.6Vとすると、アンテナ端子2と第1の送信端子31と第2の送信端子32とのアンテナスイッチの信号経路の直流電圧(=以後、アンテナ電圧と言う)は2.4Vである。従って、第1の送信用トランスファーゲートスイッチ100はオン状態となる一方、第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105の電界効果トランジスタ206a〜dのゲート・ソース間電圧とゲート・ドレイン間電圧とは−2.4Vとなり電界効果トランジスタ206a〜dはオフ状態となる。
第1の送信端子31と第1の降圧回路107の入力端子15とに供給される第1の送信信号の電圧レベルが増大して、ダイオード208、209の入力接続点403に発生する入力電圧と基準電位点402との間の電位差Vinがダイオード208、209のしきい値電圧Vfより大きくなるとダイオード204、205は整流動作を開始するので、上記(2)式に従った負電圧Voutが生成される。また上記(2)式によって与えられる負電圧Voutの電圧値は、負電圧Voutを生成する第1の降圧回路107の回路形式が変更されると異なる値に変化するものである。従って、負電圧Voutを生成する第1の降圧回路107の回路形式は、図4に示した本発明の実施の形態2による半導体集積回路1の第1の降圧回路107以外の回路を採用することが可能である。例えば、Vin=1.6V、Vf=0.6Vとすると、上記(2)式に従って、−2.0Vの負電圧Voutが第1の降圧回路107の出力端子16に生成される。
低レベルの第2の送信信号の送信時、すなわち低レベルの第2の送信信号を第2の送信端子32から供給して、アンテナ端子2に出力する場合には、例えば第1の送信制御端子5に0Vの電圧が供給され、シャント制御端子6と第2の送信制御端子13とに3.0Vの電圧が供給される。第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105の4個直列接続された電界効果トランジスタ206a〜dの各トランジスタのゲート・ソース間とゲート・ドレイン間に、それぞれダイオード順方向特性が現れている。このダイオードの順方向電圧降下を0.6Vとすると、アンテナ電圧は2.4Vである。従って、第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105はオン状態となる一方、第1の送信用トランスファーゲートスイッチ100は電界効果トランジスタ200a〜dのゲート・ソース間電圧とゲート・ドレイン間電圧とは−2.4Vとなり電界効果トランジスタ200a〜dオフ状態となる。
第2の送信端子32と第2の降圧回路108の入力端子17とに供給される第2の送信信号の電圧レベルが増大して、ダイオード210、211の入力接続点405に発生する入力電圧と基準電位点404との間の電位差Vinがダイオード210、211のしきい値電圧Vfよりも大きくなるとダイオード210、211は整流動作を開始するので、上記(2)式に従った負電圧Voutが生成される。また上記(2)式によって与えられる負電圧Voutの電圧値は、負電圧Voutを生成する第2の降圧回路108の回路形式が変更されると異なる値に変化するものである。従って、負電圧Voutを生成する第2の降圧回路108の回路形式は、図4に示した本発明の実施の形態2による半導体集積回路1の第2の降圧回路108以外の回路を採用することが可能である。例えば、Vin=1.6V、Vf=0.6Vとすると、上記(2)式に従って、−2.0Vの負電圧Voutが第2の降圧回路108の出力端子18に生成される。
《送受信用SPDT型アンテナスイッチ》
図5は、本発明の実施の形態3によるアンテナスイッチを含む半導体集積回路の構成を示す図である。
送信用トランスファーゲートスイッチ100は送信端子3とアンテナ端子2との間に接続され、この送信用トランスファーゲートスイッチ100の4個直列接続された電界効果トランジスタ200a〜dのオン・オフ制御は送信制御端子5に供給される送信制御電圧V_Txcのレベルによって制御可能である。
受信用トランスファーゲートスイッチ101は受信端子4とアンテナ端子2との間に接続され、この受信用トランスファーゲートスイッチ101の4個直列接続された電界効果トランジスタ201a〜dのオン・オフ制御は受信制御端子7に供給される受信制御電圧V_Rxcのレベルによって制御可能である。
送信側シャントゲートスイッチ102の一端は容量315を介して送信端子3に接続される一方、他端は容量316を介して接地端子8に接続される。送信側シャントゲートスイッチ102の4個直列接続された電界効果トランジスタ202a〜dのゲートは抵抗335、346を介して接地端子19に接続され、ドレインとソースとは抵抗347、300を介して送信制御端子5に接続され、そのオン・オフ制御は送信制御端子5に供給される送信制御電圧V_Tx1cのレベルによって制御可能である。
受信側シャントゲートスイッチ103の一端は容量317を介して受信端子4に接続される一方、他端は容量318を介して接地端子9に接続される。受信側シャントゲートスイッチ103の2個直列接続された電界効果トランジスタ203a〜bのゲート端子は抵抗310と抵抗311a〜bとを介して接地端子9に接続され、ドレインとソースは抵抗342を介して受信制御端子7に接続され、そのオン・オフ制御は受信制御端子7に供給される受信制御電圧V_Rxcのレベルによって制御可能である。
第1の降圧回路107の入力端子20は送信端子3と接続され、出力端子21に生成される負の直流電圧が送信側シャントゲートスイッチ102の4個直列接続された電界効果トランジスタ202a〜dのゲートに供給可能とされる。
第2の降圧回路109の入力端子22は受信用トランスファーゲートスイッチ101の電界効果トランジスタ201a〜dの段間接続点410と接続され、出力端子23に生成される負の直流電圧が受信用トランスファーゲートスイッチ101の電界効果トランジスタ201a〜dのゲートに供給可能とされている。
送信時には、例えば、送信制御端子5に3.0Vの電圧が供給され、受信制御端子7に0Vの電圧が供給される。この時には、送信用トランスファーゲートスイッチ100の4個直列接続された電界効果トランジスタ200a〜dの各トランジスタのゲート・ソース間とゲート・ドレイン間に、それぞれダイオード順方向特性が現れている。このダイオードの順方向電圧降下を0.6Vとすると、アンテナ端子2と送信端子3と受信端子4とのアンテナスイッチの信号経路のバイアス電圧(=以後、アンテナ電圧)は2.4Vである。従って、送信用トランスファーゲートスイッチ100はオン状態となる一方、受信用トランスファーゲートスイッチ101の電界効果トランジスタ201a〜dのゲート・ソース間電圧とゲート・ドレイン間電圧とは−2.4Vとなり電界効果トランジスタ201a〜dはオフ状態となる。
送信端子3と第1の降圧回路107の入力端子20に供給される送信信号の電圧レベルが増大して、ダイオード208、209の入力接続点407に発生する入力電圧と基準電位点406(Vss)との間の電位差Vinがダイオード208、209のしきい値電圧Vfより大きくなると、整流動作が開始される。従って、(2)式に従った負電圧Voutが第1の降圧回路107の出力端子21から生成され、送信側シャントゲートスイッチ102の電界効果トランジスタ202a〜dのゲートに供給される。例えば、Vin=1.6V、Vf=0.6Vとすると、上記(2)式に従って−2.0Vの負電圧Voutが第1の降圧回路107の出力端子21に生成される。
受信時には、図5に示した本発明の実施の形態3による半導体集積回路1のアンテナスイッチにおいて、送信制御端子5に0Vの電圧が供給され、受信制御端子7には3.0Vの電圧が供給される。従って、受信用トランスファーゲートスイッチ101の4個直列接続の電界効果トランジスタ201a〜dの各トランジスタのゲート・ソース間とゲート・ドレイン間とにそれぞれ0.6Vの順方向電圧が現れて、受信用トランスファーゲートスイッチ101はオン状態となり、アンテナ電圧は2.4Vとなる。その結果、送信用トランスファーゲートスイッチ100の4個直列接続の電界効果トランジスタ200a〜dの各トランジスタのゲート・ソース間電圧とゲート・ドレイン間電圧とは−2.4Vとなるので、送信用トランスファーゲートスイッチ100はオフ状態となる。
《送受信用SP4T型アンテナスイッチ》
図6は、本発明の実施の形態4によるアンテナスイッチを含む半導体集積回路の構成を示す図である。
第1の送信用トランスファーゲートスイッチ100は第1の送信端子31とアンテナ端子2との間に接続され、この第1の送信用トランスファーゲートスイッチ100の4個直列接続された電界効果トランジスタ200a〜dのオン・オフ制御は第1の送信制御端子5に供給される第1の送信制御電圧V_Tx1cのレベルによって制御可能である。
第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105は第2の送信端子32とアンテナ端子2との間に接続され、この第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105の4個直列接続された電界効果トランジスタ206a〜dのオン・オフ制御は第2の送信制御端子13に供給される第2の受信制御電圧V_Tx2cのレベルによって制御可能である。
第1の送信側シャントゲートスイッチ102の一端は容量315を介して第1の送信端子31に接続される一方、他端は容量316を介して接地端子8に接続される。第1の送信側シャントゲートスイッチ102の4個直列接続された電界効果トランジスタ202a〜dのドレインとソースにシャント制御端子6の制御電圧V_shuntが抵抗341、314、309a〜dを介して供給され、そのオン・オフ制御は第2の送信制御端子13に供給される第2の送信制御電圧V_Tx2cのレベルによって制御可能である。
第2の送信側シャントゲートスイッチ106の一端は容量330を介して第2の送信端子32に接続される一方、他端は容量331を介して接地端子14に接続される。第2の送信側シャントゲートスイッチ106の4個直列接続された電界効果トランジスタ207a〜dのドレインとソースとにシャント制御端子6の制御電圧V_shuntが抵抗341、340、329a〜dを介して供給され、そのオン・オフ制御は第1の送信制御端子5に供給される第1の送信制御電圧V_Tx1cのレベルによって制御可能である。
第1の受信用トランスファーゲートスイッチ101は第1の受信端子41とアンテナ端子2との間に接続され、この受信用トランスファーゲートスイッチ101の4個直列接続された電界効果トランジスタ201a〜dのオン・オフ制御は第1の受信制御端子7に供給される第1の受信制御電圧V_Rx1cのレベルによって制御可能である。
第2の受信用トランスファーゲートスイッチ110は第2の受信端子42とアンテナ端子2との間に接続され、この受信用トランスファーゲートスイッチ110の4個直列接続された電界効果トランジスタ214a〜dのオン・オフ制御は第2の受信制御端子25に供給される第2の受信制御電圧V_Rx2cのレベルによって制御可能である。
第1の受信側シャントゲートスイッチ103の一端は容量317を介して第1の受信端子41に接続される一方、他端は容量318を介して接地端子9に接続される。第1の受信側シャントゲートスイッチ103の2個直列接続された電界効果トランジスタ203a〜bのゲートは抵抗310、311a〜bを介して接地端子9に接続され、ドレインとソースとは抵抗342を介して第1の受信制御端子7に接続され、オン・オフ制御は第1の受信制御端子7に供給される第1の受信制御電圧V_Rx1cのレベルによって制御可能である。
第2の受信側シャントゲートスイッチ111の一端は容量355を介して第2の受信端子42に接続される一方、他端は容量356を介して接地端子26に接続される。第2の受信側シャントゲートスイッチ111の2個直列接続された電界効果トランジスタ215a〜bはゲートを抵抗352、353a〜bを介して接地端子26に接続され、ドレインとソースとは抵抗365を介して第2の受信制御端子25に接続され、オン・オフ制御は第2の受信制御端子25に供給される第2の受信制御電圧V_Rxc2のレベルによって制御可能である。
第1の降圧回路107の入力端子15は第1の送信端子31と接続され、出力端子16に生成される負の直流電圧が第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105の電界効果トランジスタ206a〜dのゲートと第1の送信側シャントゲートスイッチ102の電界効果トランジスタ202a〜dのゲートに供給可能とされる。
低レベルの第1の送信信号の送信時、すなわち低レベルの第1の送信信号を第1の送信端子31から供給して、アンテナ端子2に出力する場合には、例えば第1の送信制御端子5とシャント制御端子6とに3.0Vの電圧を供給して、第2の送信制御端子13と第1の受信制御端子7と第2の受信制御端子25とに0Vの電圧を供給する。
第1の送信端子31と第1の降圧回路107の入力端子15とに供給される第1の送信信号のレベルが増大すると、ダイオード208、209の入力接続点403に発生する電圧と基準電位点402との電位差Vinがダイオード208、209のしきい値電圧Vfよりも高くなりダイオード208、209により整流動作が開始され、(2)式に従った負電圧Voutが出力端子16に生成され、第1の送信側シャントゲートスイッチ102の電界効果トランジスタ202a〜dのゲートと第2の送信用トランスファーゲートスイッチ105の電界効果トランジスタ206a〜dのゲートに供給される。
低レベルの第2の送信信号の送信時、すなわち低レベルの第2の送信信号を第2の送信端子32から供給して、アンテナ端子2に出力する場合には、例えば第2の送信制御端子13とシャント制御端子6とに3.0Vの電圧を供給して、第1の送信制御端子5と第1の受信制御端子7と第2の受信制御端子25とに0Vの電圧を供給する。
第2の送信端子32と第2の降圧回路108の入力端子17とに供給される第1の送信信号のレベルが増大すると、ダイオード210、211の入力接続点405に発生する電圧と基準電位点404との電位差Vinがダイオード210、211のしきい値電圧Vfよりも高くなりダイオード210、211により整流動作が開始され、(2)式に従った負電圧Voutが出力端子18に生成され、第2の送信側シャントゲートスイッチ106の電界効果トランジスタ207a〜dのゲートと第1の送信用トランスファーゲートスイッチ100の電界効果トランジスタ200a〜dのゲートに供給される。
第1のアンテナ受信信号の受信時、すなわちアンテナ端子2に供給される第1のアンテナ受信信号を第1の受信端子41に出力する場合には、例えば第1の送信制御端子5と第2送信制御端子13とシャント制御端子6と第2の受信制御端子25に0Vの電圧が供給され、第1の受信制御端子7に3.0Vの電圧が供給される。
第2のアンテナ受信信号の受信時、すなわちアンテナ端子2に供給される第2のアンテナ受信信号を第2の受信端子42に出力する場合には、例えば第1の送信制御端子5と第2送信制御端子13とシャント制御端子6と第1の受信制御端子7に0Vの電圧が供給され、第2の受信制御端子25に3.0Vの電圧が供給される。
《高周波モジュールの構成》
図7は、図6の本発明の実施の形態4によるアンテナスイッチを含む半導体集積回路1を内蔵した本発明の実施の形態5による高周波モジュールの構成を示す図である。
2〜28…回路の端子
100〜112…降圧回路ブロック及びスイッチブロック
200〜219…電界効果トランジスタ及びダイオード
300〜364…抵抗及びコンデンサ
400〜411…ノード端子
Claims (16)
- 第1信号端子と第2信号端子と第1制御端子と第2制御端子とアンテナ端子とを具備するアンテナスイッチであって、
前記アンテナ端子にはアンテナが接続可能とされ、前記第1信号端子と前記第2信号端子には前記アンテナによって受信される受信信号と前記アンテナによって送信される送信信号とのいずれかが供給可能かまたは生成可能とされ、
前記第1信号端子と前記アンテナ端子との間には第1転送スイッチの信号経路が接続され、前記第1転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第1制御端子に供給される第1制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第2信号端子と前記アンテナ端子との間には第2転送スイッチの信号経路が接続され、前記第2転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第2制御端子に供給される第2制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第1信号端子と接地電位との間に第1シャントスイッチの信号経路が接続され、前記第1シャントスイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第1転送スイッチの前記信号経路の前記オン・オフ制御と反対のオン・オフ状態に制御可能とされ、
前記第2信号端子と前記接地電位との間に第2シャントスイッチの信号経路が接続され、前記第2シャントスイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第2転送スイッチの前記信号経路の前記オン・オフ制御と反対のオン・オフ状態に制御可能とされ、
前記アンテナスイッチは、負電圧生成回路を更に具備して、
前記負電圧生成回路の入力端子は前記第1信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第2転送スイッチの前記信号経路と前記第1シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - 請求項1において、
前記第1転送スイッチの前記信号経路がオン状態に制御され前記第2転送スイッチの前記信号経路がオフ状態に制御される際に、前記負電圧生成回路の前記入力端子は前記第1信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記負電圧生成回路の前記出力端子に生成される負電圧に応答して前記第2転送スイッチの前記信号経路と前記第1シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - 請求項2において、
前記第1転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第1の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第1の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第1転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第1の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第1制御端子に供給される前記第1制御電圧が供給可能とされ、
前記第2転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第2の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第2の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第2転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第2の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第2制御端子に供給される前記第2制御電圧が供給可能とされ、
前記第1シャントスイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第1の複数のシャント電界効果トランジスタを含み、前記第1の複数のシャント電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第1シャントスイッチの前記信号経路が形成され、前記第1の複数のシャント電界効果トランジスタの複数のゲートには前記負電圧生成回路の前記出力端子に生成される前記負電圧が供給可能とされ、
前記第2シャントスイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第2の複数のシャント電界効果トランジスタを含み、前記第2の複数のシャント電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第2シャントスイッチの前記信号経路が形成される
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - 請求項3において、
前記第1シャントスイッチの前記信号経路の一端と他端とは、第1容量と第2容量とを介して前記第1信号端子と前記接地電位とにそれぞれ接続されたものであり、
前記第2シャントスイッチの前記信号経路の一端と他端とは、第3容量と第4容量とを介して前記第2信号端子と前記接地電位とにそれぞれ接続されたものである
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - 請求項4において、
前記アンテナスイッチは、他の負電圧生成回路を更に具備して、
前記他の負電圧生成回路の入力端子は前記第2信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記他の負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第1転送スイッチの前記信号経路と前記第2シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - 請求項4において、
前記負電圧生成回路は、第1負電圧生成回路と第2負電圧生成回路とを含み、
前記第1負電圧生成回路の入力端子は前記第1信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記第1負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第1シャントスイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされ、
前記第2負電圧生成回路の入力端子は前記第2転送スイッチの前記信号経路で直列接続された前記第2の複数の転送電界効果トランジスタの段間接続点に生成される段間送信信号に応答可能とされ、前記第2負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第2転送スイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - 請求項4において、
前記アンテナスイッチは、第3信号端子と第4信号端子と第3制御端子と第4制御端子と第3負電圧生成回路と第4負電圧生成回路と第5負電圧生成回路とを更に具備して、
前記第3負電圧生成回路の入力端子は前記第2信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記第3負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第1転送スイッチの前記信号経路と前記第2シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされ、
前記第3信号端子と前記アンテナ端子との間には第3転送スイッチの信号経路が接続され、前記第3転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第3制御端子に供給される第3制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第4信号端子と前記アンテナ端子との間には第4転送スイッチの信号経路が接続され、前記第4転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第4制御端子に供給される第4制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第3転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第3の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第3転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第3制御端子に供給される前記第3制御電圧が供給可能とされ、
前記第4転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第4の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第4転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第4制御端子に供給される第4制御電圧が供給可能とされ、
前記第4負電圧生成回路の入力端子は前記第3転送スイッチの前記信号経路で直列接続された前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの段間接続点に生成される段間送信信号に応答可能とされ、前記第4負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第3転送スイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされ、
前記第5負電圧生成回路の入力端子は前記第4転送スイッチの前記信号経路で直列接続された前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの段間接続点に生成される段間送信信号に応答可能とされ、前記第5負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第4転送スイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - 請求項7において、
前記第4負電圧生成回路の前記入力端子と前記第3転送スイッチの前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの前記段間接続点との間および前記第5負電圧生成回路の前記入力端子と前記第4転送スイッチの前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの前記段間接続点には可変減衰器が接続され、
ローバンドの第1送信信号が第1信号端子に供給される場合には、前記可変減衰器は大きな減衰量に制御され、前記ローバンドの周波数よりも高い周波数のハイバンドの第2送信信号が第2信号端子に供給される場合には、前記可変減衰器は小さな減衰量に制御される
ことを特徴とするアンテナスイッチ。 - RF電力増幅器とアンテナスイッチを具備する高周波モジュールであって、
前記アンテナスイッチは、第1信号端子と第2信号端子と第1制御端子と第2制御端子とアンテナ端子とを具備して、
前記アンテナ端子にはアンテナが接続可能とされ、前記第1信号端子と前記第2信号端子には前記アンテナによって受信される受信信号と前記アンテナによって送信される送信信号とのいずれかが供給可能かまたは生成可能とされ、
前記第1信号端子と前記アンテナ端子との間には第1転送スイッチの信号経路が接続され、前記第1転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第1制御端子に供給される第1制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第2信号端子と前記アンテナ端子との間には第2転送スイッチの信号経路が接続され、前記第2転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第2制御端子に供給される第2制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第1信号端子と接地電位との間に第1シャントスイッチの信号経路が接続され、前記第1シャントスイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第1転送スイッチの前記信号経路の前記オン・オフ制御と反対のオン・オフ状態に制御可能とされ、
前記第2信号端子と前記接地電位との間に第2シャントスイッチの信号経路が接続され、前記第2シャントスイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第2転送スイッチの前記信号経路の前記オン・オフ制御と反対のオン・オフ状態に制御可能とされ、
前記アンテナスイッチは、負電圧生成回路を更に具備して、
前記負電圧生成回路の入力端子は前記第1信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第2転送スイッチの前記信号経路と前記第1シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項9において、
前記第1転送スイッチの前記信号経路がオン状態に制御され前記第2転送スイッチの前記信号経路がオフ状態に制御される際に、前記負電圧生成回路の前記入力端子は前記第1信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記負電圧生成回路の前記出力端子に生成される負電圧に応答して前記第2転送スイッチの前記信号経路と前記第1シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項10において、
前記第1転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第1の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第1の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第1転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第1の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第1制御端子に供給される前記第1制御電圧が供給可能とされ、
前記第2転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第2の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第2の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第2転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第2の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第2制御端子に供給される前記第2制御電圧が供給可能とされ、
前記第1シャントスイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第1の複数のシャント電界効果トランジスタを含み、前記第1の複数のシャント電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第1シャントスイッチの前記信号経路が形成され、前記第1の複数のシャント電界効果トランジスタの複数のゲートには前記負電圧生成回路の前記出力端子に生成される前記負電圧が供給可能とされ、
前記第2シャントスイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第2の複数のシャント電界効果トランジスタを含み、前記第2の複数のシャント電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第2シャントスイッチの前記信号経路が形成される
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項11において、
前記第1シャントスイッチの前記信号経路の一端と他端とは、第1容量と第2容量とを介して前記第1信号端子と前記接地電位とにそれぞれ接続されたものであり、
前記第2シャントスイッチの前記信号経路の一端と他端とは、第3容量と第4容量とを介して前記第2信号端子と前記接地電位とにそれぞれ接続される
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項12において、
前記アンテナスイッチは、他の負電圧生成回路を更に具備して、
前記他の負電圧生成回路の入力端子は前記第2信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記他の負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第1転送スイッチの前記信号経路と前記第2シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項12において、
前記負電圧生成回路は、第1負電圧生成回路と第2負電圧生成回路とを含み、
前記第1負電圧生成回路の入力端子は前記第1信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記第1負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第1シャントスイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされ、
前記第2負電圧生成回路の入力端子は前記第2転送スイッチの前記信号経路で直列接続された前記第2の複数の転送電界効果トランジスタの段間接続点に生成される段間送信信号に応答可能とされ、前記第2負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第2転送スイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項12において、
前記アンテナスイッチは、第3信号端子と第4信号端子と第3制御端子と第4制御端子と第3負電圧生成回路と第4負電圧生成回路と第5負電圧生成回路とを更に具備して、
前記第3負電圧生成回路の入力端子は前記第2信号端子に供給される前記送信信号に応答可能とされ、前記第3負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第1転送スイッチの前記信号経路と前記第2シャントスイッチの前記信号経路とはオフ状態に制御可能とされ、
前記第3信号端子と前記アンテナ端子との間には第3転送スイッチの信号経路が接続され、前記第3転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第3制御端子に供給される第3制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第4信号端子と前記アンテナ端子との間には第4転送スイッチの信号経路が接続され、前記第4転送スイッチの前記信号経路のオン・オフ制御は前記第4制御端子に供給される第4制御電圧のレベルによって制御可能とされ、
前記第3転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第3の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第3転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第3制御端子に供給される前記第3制御電圧が供給可能とされ、
前記第4転送スイッチはソース・ドレイン経路が直列接続された第4の複数の転送電界効果トランジスタを含み、前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの直列接続された前記ソース・ドレイン経路によって前記第4転送スイッチの前記信号経路が形成され、前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの複数のゲートには前記第4制御端子に供給される第4制御電圧が供給可能とされ、
前記第4負電圧生成回路の入力端子は前記第3転送スイッチの前記信号経路で直列接続された前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの段間接続点に生成される段間送信信号に応答可能とされ、前記第4負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第3転送スイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされ、
前記第5負電圧生成回路の入力端子は前記第4転送スイッチの前記信号経路で直列接続された前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの段間接続点に生成される段間送信信号に応答可能とされ、前記第5負電圧生成回路の出力端子に生成される負電圧に応答して前記第4転送スイッチの前記信号経路はオフ状態に制御可能とされる
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項15において、
前記第4負電圧生成回路の前記入力端子と前記第3転送スイッチの前記第3の複数の転送電界効果トランジスタの前記段間接続点との間および前記第5負電圧生成回路の前記入力端子と前記第4転送スイッチの前記第4の複数の転送電界効果トランジスタの前記段間接続点には可変減衰器が接続され、
ローバンドの第1送信信号が第1信号端子に供給される場合には、前記可変減衰器は大きな減衰量に制御され、前記ローバンドの周波数よりも高い周波数のハイバンドの第2送信信号が第2信号端子に供給される場合には、前記可変減衰器は小さな減衰量に制御される
ことを特徴とする高周波モジュール。
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