JP2011129726A - Base of package for electronic component, and package for electronic component - Google Patents

Base of package for electronic component, and package for electronic component Download PDF

Info

Publication number
JP2011129726A
JP2011129726A JP2009287116A JP2009287116A JP2011129726A JP 2011129726 A JP2011129726 A JP 2011129726A JP 2009287116 A JP2009287116 A JP 2009287116A JP 2009287116 A JP2009287116 A JP 2009287116A JP 2011129726 A JP2011129726 A JP 2011129726A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
electronic component
terminal electrode
terminal
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009287116A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kentaro Nakanishi
健太郎 中西
Hiroyuki Arimura
有村  博之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daishinku Corp
Original Assignee
Daishinku Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daishinku Corp filed Critical Daishinku Corp
Priority to JP2009287116A priority Critical patent/JP2011129726A/en
Publication of JP2011129726A publication Critical patent/JP2011129726A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base of a package for an electronic component that improves reliability of mounting bonding between the package for the electronic component and a circuit board by preventing solder cracking, and the package for the electronic component. <P>SOLUTION: The base 1 of the package for the electronic component holds an electronic component element 3. The base has its undersurface formed rectangularly in plane view, a plurality of terminal electrodes which are bonded to an external circuit board 4 using a conductive bonding material D, and are rectangular in plane view are formed, and a bump made of a metal film of the same material with a terminal electrode is laminated and integrally formed on an upper surface of the terminal electrode, the bump being smaller than the terminal electrode, having its outline formed concentrically or concentrically and elliptically with respect to a base center point of the package for the electronic component or having a point-symmetrical inclined portion formed, and being isolated from an outline end of the terminal electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は電子機器等に用いられる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージに関する。   The present invention relates to a base for an electronic component package used in an electronic device or the like, and an electronic component package.

気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスが挙げられる。これら各製品では、いずれも水晶振動板の表面に金属薄膜電極が形成され、この金属薄膜電極を外気から保護するために水晶振動板(具体的には金属薄膜電極が気密封止されている。   Examples of electronic components that require hermetic sealing include piezoelectric vibration devices such as crystal resonators, crystal filters, and crystal oscillators. In each of these products, a metal thin film electrode is formed on the surface of the crystal diaphragm, and the crystal diaphragm (specifically, the metal thin film electrode is hermetically sealed to protect the metal thin film electrode from the outside air.

これら圧電振動デバイスは部品の表面実装化の要求から、セラミック等の絶縁材料からなるパッケージ内に気密的に収納する構成が増加している。例えば、特許文献1には、水晶振動板の搭載部を有するベース(実装基板)と断面が逆凹形の蓋(カバー)とからなり、これらを気密的に封止したセラミック材料からなるパッケージを回路基板に搭載し、はんだなどの導電性接合材を介して接合する構成が開示されている。   Due to the demand for surface mounting of components, these piezoelectric vibration devices are increasingly being stored in a package made of an insulating material such as ceramic. For example, Patent Document 1 discloses a package made of a ceramic material, which includes a base (mounting substrate) having a quartz vibration plate mounting portion and a lid (cover) having an inverted concave cross section, and these are hermetically sealed. A configuration that is mounted on a circuit board and bonded via a conductive bonding material such as solder is disclosed.

この従来の圧電振動デバイスでは、ベースの底面に端子電極が形成され、はんだ(導電性接合材)の這い上がりによる接続状態を確認するために、当該端子電極がベースの側面に形成されたキャスタレーションによりベースの底面から側面に延出している。   In this conventional piezoelectric vibration device, a terminal electrode is formed on the bottom surface of the base, and a castellation in which the terminal electrode is formed on the side surface of the base in order to confirm the connection state due to the rising of the solder (conductive bonding material) Extends from the bottom of the base to the side.

ところで、この従来の圧電振動デバイスを搭載する回路基板には、加工の容易性とコスト的なメリットから、網目状のガラス繊維にエポキシ樹脂材を含浸させたいわゆるガラスエポキシ基板が広く使用されている。また、この回路基板の電極パターン上部には、スクリーン印刷などの手法により、はんだペーストが塗布されている。そして、この回路基板の電極パターンに、上記圧電振動デバイスのパッケージの端子電極を重ね合わせた状態で搭載して、溶融炉(加熱炉など)にてはんだペーストを溶融させて回路基板上に圧電振動デバイスをはんだ接合する。   By the way, a so-called glass epoxy substrate in which a mesh-like glass fiber is impregnated with an epoxy resin material is widely used for a circuit board on which the conventional piezoelectric vibration device is mounted because of ease of processing and cost advantages. . In addition, a solder paste is applied to the upper part of the electrode pattern of the circuit board by a method such as screen printing. Then, the terminal electrode of the package of the piezoelectric vibration device is mounted on the electrode pattern of the circuit board, and the solder paste is melted in a melting furnace (such as a heating furnace) to cause piezoelectric vibration on the circuit board. Solder the device.

特開2002−76813号JP 2002-76813 A 特開2009−100353号JP 2009-1003333 A

しかしながら、パッケージと回路基板との間で熱膨張差により、これらパッケージと回路基板とを接合するはんだに応力が生じ、クラックが発生することがある。特に、パッケージとしてアルミナ等のセラミック材料を用い、回路基板としてガラスエポキシ基板を用いた組み合わせ構成であって、さらに車載用などの耐熱用途向けに使用した場合、高温環境下で当該パッケージと回路基板とを使用するので、パッケージの熱膨張係数に対して回路基板の熱膨張係数が大きくなり、はんだから疲労破壊が生じやすくなる。このように、通常の温度環境ではそれほど問題にならなかったはんだクラックの問題点が高温環境では顕著にあらわれ、さらに当該パッケージと回路基板とに衝撃が加わると、はんだクラック部分から剥離が生じるといった問題点があった。   However, due to a difference in thermal expansion between the package and the circuit board, stress may be generated in the solder that joins the package and the circuit board, and cracks may occur. In particular, when a ceramic material such as alumina is used as a package and a glass epoxy substrate is used as a circuit board, and the heat resistance application such as a vehicle is used, the package and the circuit board Therefore, the thermal expansion coefficient of the circuit board is larger than the thermal expansion coefficient of the package, and fatigue breakdown is likely to occur from the solder. As described above, the problem of solder cracks, which did not become a serious problem in normal temperature environments, appears prominently in high temperature environments, and further, when an impact is applied to the package and circuit board, peeling from the solder cracks occurs. There was a point.

これに対して上記特許文献2では、ベースの底面の端子電極について一対の二層構造の端子電極とし、これらの一層目の端子電極より上部にある二層目の端子電極を小さく形成することで、接合はんだ内の気泡などを放出することではんだクラックの発生を抑制するものである。しかしながら、上記特許文献2の端子構成のみでは、上述のようなパッケージと回路基板との間で熱膨張差によるパッケージと回路基板とを接合するはんだに対して生じる応力を十分に逃がすことができない。すなわち周囲温度環境が比較的低いとき、あるいは高温環境から常温以下に下がったときには端子電極の外郭付近のはんだ部分に対して応力が集中する。反対に周囲温度環境が比較的高いとき、あるいは常温以下の環境から高温に上がったときには端子電極の内郭付近のはんだ部分に対して応力が集中する。このような温度環境の変化に対してはんだ部分に生じる応力の影響を軽減することができず、結果としてはんだクラックの問題を解決できないものであった。   On the other hand, in Patent Document 2, the terminal electrode on the bottom surface of the base is made into a pair of two-layer terminal electrodes, and the second-layer terminal electrode above the first-layer terminal electrodes is formed smaller. The generation of solder cracks is suppressed by releasing bubbles in the solder joint. However, only the terminal configuration of Patent Document 2 cannot sufficiently release the stress generated on the solder that joins the package and the circuit board due to a difference in thermal expansion between the package and the circuit board as described above. That is, when the ambient temperature environment is relatively low, or when the temperature is lowered from the high temperature environment to a room temperature or lower, stress concentrates on the solder portion near the outer periphery of the terminal electrode. On the other hand, when the ambient temperature environment is relatively high, or when the ambient temperature rises from a room temperature or lower to a high temperature, stress concentrates on the solder portion near the inner periphery of the terminal electrode. The influence of the stress generated in the solder portion with respect to such a change in temperature environment cannot be reduced, and as a result, the problem of solder cracks cannot be solved.

本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、はんだクラックを防止して電子部品用パッケージと回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージを提供することを目的とするものである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides an electronic component package base and an electronic component package that prevent solder cracks and improve the reliability of mounting and bonding between the electronic component package and the circuit board. It is intended to provide.

本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されている。   In the present invention, in the base of the electronic component package that holds the electronic component element, the bottom surface of the base is rectangular in plan view, and a plurality of terminals in rectangular shape in plan view that are joined to an external circuit board using a conductive bonding material. An electrode is formed, and a bump made of a metal film is integrally formed on the upper surface of the terminal electrode, the bump is smaller than the terminal electrode, and the outer periphery of the bump is at the base center point of the electronic component package On the other hand, it is formed concentrically or concentrically with an ellipse, or is formed in a state in which a point-symmetric inclined portion is formed and is isolated from the outer edge of the terminal electrode.

上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。   With the above-described configuration, the formation area can be formed to the maximum necessary by forming the terminal electrode having a rectangular shape in plan view with respect to the base having a rectangular shape in plan view. Correspondingly, the bonding area is not reduced.

前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの外郭より外側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材(はんだ)がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。   The bump is smaller than the terminal electrode, and the outer periphery of the bump is formed concentrically or concentrically with respect to the base center point of the electronic component package, or a point-symmetric inclined portion is formed, and the terminal electrode The conductive bonding material (solder) accumulates in the gap portion between the terminal electrode and the electrode pattern of the circuit board that floats outside the outer portion of the bump, and this gap portion. Therefore, the bonding strength between the terminal electrode and the electrode pattern of the circuit board can be increased.

特に、前記バンプの外郭よりベース外側と前記平面視矩形の端子電極の外郭よりベース内側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点から遠い領域ほど導電性接合材(はんだ)が次第に沢山たまるように構成されるので、電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材による接合強度を徐々に高めることができる。結果として、不要に導電接合材の塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差によって生じるベースの外側付近の導電性接合材の内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。   In particular, a gap portion between the outer side of the bump and the electrode pattern of the circuit board that is formed between the outer side of the rectangular terminal electrode and the inner side of the base electrode in the plan view is more conductive in a region farther from the base center point of the electronic component package. Since the conductive bonding material (solder) is configured to gradually accumulate, the bonding strength of the conductive bonding material can be gradually increased toward the maximum portion of the difference in thermal expansion between the electronic component package and the circuit board. As a result, it is possible to further improve the bonding strength in the region where the stress is applied to the maximum without unnecessarily increasing the application amount of the conductive bonding material. Also, the stress generated on the inside of the conductive bonding material near the outside of the base caused by the difference in thermal expansion between the electronic component package and the circuit board can be gradually relaxed. When the conductive bonding material is a metal brazing material such as solder, metal slip in the solder can be absorbed.

また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。   The boundary region between the thick conductive bonding material formed in the gap region raised by the bump and the thin conductive bonding material formed in the gap region where the bump exists is the center of the base of the electronic component package. Concentric circles or concentric ellipses with respect to the point, or a point-symmetric inclined part is formed, so that the stress at the time of contraction or expansion of the circuit board applied to the conductive bonding material at these boundaries is also It is alleviated and is less likely to be affected by cracks with the boundary as a base point.

また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。   In addition, since the bump is formed by integrating the terminal electrode and the metal film, the bump can be formed very easily and inexpensively.

また本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されている。   In the present invention, in the base of the electronic component package that holds the electronic component element, the bottom surface of the base is rectangular in plan view, and a plurality of rectangular in plan view that are joined to an external circuit board using a conductive bonding material. A terminal electrode is formed, and a bump made of a metal film is integrally formed on the upper surface of the terminal electrode, the bump is smaller than the terminal electrode, and the inner surface of the bump is the center of the base of the electronic component package It is formed concentrically or concentrically with respect to the point, or is formed in a state in which a point-symmetric inclined portion is formed and is isolated from the inner end portion of the terminal electrode.

上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。   With the above-described configuration, the formation area can be formed to the maximum necessary by forming the terminal electrode having a rectangular shape in plan view with respect to the base having a rectangular shape in plan view. Correspondingly, the bonding area is not reduced.

前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの内郭より内側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材(はんだ)がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。   The bump is smaller than the terminal electrode, and the inside of the bump is formed concentrically or concentrically with respect to the center center point of the electronic component package, or a point-symmetric inclined portion is formed, and the terminal Since it is formed in a state of being isolated from the inner edge of the electrode, a conductive bonding material (solder) accumulates in the gap portion between the terminal electrode and the electrode pattern of the circuit board that floats inside the inner edge of the bump, Since the thickness of the conductive bonding material in the gap portion can be increased, the bonding strength between the terminal electrode and the electrode pattern of the circuit board can be increased.

特に、前記バンプの内郭よりベース内側と前記平面視矩形の端子電極の内郭よりベース外側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材(はんだ)も同様に電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるので、回路基板の収縮時あるいは膨張時に生じるベースの中心付近の導電性接合材の内部に対して生じる応力が徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、導電性接合材による電子部品用パッケージと回路基板との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材による不要な応力の発生をもなくすこともできる。   In particular, a gap portion between the inner side of the bump and the inner side of the base from the inner side of the terminal electrode and the outer side of the base electrode of the rectangular terminal electrode in plan view is a gap between the base point of the electronic component package. Concentric circles or concentric ellipses are formed, or point-symmetrical slopes are formed, and a thick conductive bonding material (solder) that accumulates in this gap region is also at the base center point of the electronic component package. On the other hand, it is formed concentrically or concentrically with an ellipse, or is formed with a point-symmetric slope, so that it occurs with respect to the inside of the conductive bonding material near the center of the base that occurs when the circuit board contracts or expands. The stress can be gradually relaxed. When the conductive bonding material is a metal brazing material such as solder, metal slip in the solder can be absorbed. Further, the bonding strength between the electronic component package and the circuit board due to the conductive bonding material is less likely to vary, and generation of unnecessary stress due to the conductive bonding material can be eliminated.

また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域も、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。   The boundary region between the thick conductive bonding material formed in the gap region raised by the bump and the thin conductive bonding material formed in the gap region where the bump exists is also the center of the base of the electronic component package. Concentric circles or concentric ellipses with respect to the point, or a point-symmetric inclined part is formed, so that the stress at the time of contraction or expansion of the circuit board applied to the conductive bonding material at these boundaries is also It is alleviated and is less likely to be affected by cracks with the boundary as a base point.

また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。   In addition, since the bump is formed by integrating the terminal electrode and the metal film, the bump can be formed very easily and inexpensively.

また本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭と内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して前記バンプの同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部および内郭端部からも隔離した状態で形成されている。   In the present invention, in the base of the electronic component package that holds the electronic component element, the bottom surface of the base is rectangular in plan view, and a plurality of rectangular in plan view that are joined to an external circuit board using a conductive bonding material. A terminal electrode is formed, and a bump made of a metal film is integrally formed on the upper surface of the terminal electrode, the bump is smaller than the terminal electrode, and the outer and inner surfaces of the bump are the electronic component package. The bump is formed concentrically or concentrically with respect to the base center point, or is formed in a state where a point-symmetrical inclined portion is formed and is isolated from the outer edge and inner edge of the terminal electrode. Has been.

上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。   With the above-described configuration, the formation area can be formed to the maximum necessary by forming the terminal electrode having a rectangular shape in plan view with respect to the base having a rectangular shape in plan view. Correspondingly, the bonding area is not reduced.

前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭と内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部および内郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの外郭より外側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分、および前記バンプの内郭より内側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材(はんだ)がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。   The bump is smaller than the terminal electrode, and the outline and the outline of the bump are formed concentrically or concentrically with respect to the base center point of the electronic component package, or a point-symmetric inclined portion is formed, In addition, since it is formed in a state of being isolated from the outer edge and inner edge of the terminal electrode, the gap between the terminal electrode and the electrode pattern of the circuit board that floats outside the outer edge of the bump, and the inner area of the bump Conductive bonding material (solder) accumulates in the gap between the terminal electrode floating on the inner side of the outline and the electrode pattern of the circuit board, and the thickness of the conductive bonding material in this gap can be increased, so the terminal electrode and the circuit board The bonding strength with the electrode pattern can be increased.

特に、前記バンプの外郭よりベース外側と前記平面視矩形の端子電極の外郭よりベース内側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点から遠い領域ほど導電性接合材(はんだ)が次第に沢山たまるように構成されるので、電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材による接合強度を徐々に高めることができる。また、前記バンプの内郭よりベース内側と前記平面視矩形の端子電極の内郭よりベース外側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材(はんだ)も同様に電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成することができる。結果として、不要に導電接合材の塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差によって生じる導電性接合材の内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、ベースの中心付近の導電性接合材による電子部品用パッケージと回路基板との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材による不要な応力の発生をもなくすこともできる。   In particular, a gap portion between the outer side of the bump and the electrode pattern of the circuit board that is formed between the outer side of the rectangular terminal electrode and the inner side of the base electrode in the plan view is more conductive in a region farther from the base center point of the electronic component package. Since the conductive bonding material (solder) is configured to gradually accumulate, the bonding strength of the conductive bonding material can be gradually increased toward the maximum portion of the difference in thermal expansion between the electronic component package and the circuit board. Further, a gap portion between the inner side of the bump and the inner side of the base from the inner side of the bump and the outer side of the base electrode from the inner side of the terminal electrode having a rectangular shape in plan view is a base point of the base of the electronic component package. Concentric circles or concentric ellipses are formed, or point-symmetrical slopes are formed, and a thick conductive bonding material (solder) that accumulates in this gap region is also at the base center point of the electronic component package. On the other hand, it can be formed concentrically or concentrically oval, or a point-symmetric slope can be formed. As a result, it is possible to further improve the bonding strength in the region where the stress is applied to the maximum without unnecessarily increasing the application amount of the conductive bonding material. Further, the stress generated on the inside of the conductive bonding material caused by the difference in thermal expansion between the electronic component package and the circuit board can be gradually relaxed. When the conductive bonding material is a metal brazing material such as solder, metal slip in the solder can be absorbed. In addition, the bonding strength between the electronic component package and the circuit board due to the conductive bonding material near the center of the base is less likely to vary, and generation of unnecessary stress due to the conductive bonding material can be eliminated.

また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。   The boundary region between the thick conductive bonding material formed in the gap region raised by the bump and the thin conductive bonding material formed in the gap region where the bump exists is the center of the base of the electronic component package. Concentric circles or concentric ellipses with respect to the point, or a point-symmetric inclined part is formed, so that the stress at the time of contraction or expansion of the circuit board applied to the conductive bonding material at these boundaries is also It is alleviated and is less likely to be affected by cracks with the boundary as a base point.

また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。   In addition, since the bump is formed by integrating the terminal electrode and the metal film, the bump can be formed very easily and inexpensively.

また上述の構成において、前記底面に対してその一角位置に偏位して、1つの端子電極からなる第1端子電極、あるいは2つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第1端子電極群が形成され、前記底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第1の対角位置に偏位して、1つの端子電極からなる第2端子電極、あるいは2つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第2端子電極群が形成され、前記一角位置に対して前記底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第2の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域としたことを特徴とする。   Further, in the above-described configuration, the first terminal configured to be deviated to one corner position with respect to the bottom surface and to be formed of a first terminal electrode made up of one terminal electrode or two or more terminal electrodes formed in parallel. An electrode group is formed, and a second terminal electrode consisting of one terminal electrode, or two or more terminal electrodes are displaced to a first diagonal position corresponding to the diagonal position of the one corner position with respect to the bottom surface. A second terminal electrode group formed in parallel is formed, an opposite corner position facing the short edge direction of the bottom surface with respect to the one corner position, and a diagonal position of the other angle position with respect to the bottom surface The second diagonal position corresponding to this is defined as an electrodeless region in which the terminal electrode is not formed.

上記構成により、上述の作用効果に加え前記導電性接合材によって回路基板と電気的機械的に接合する際に当該電子部品用パッケージ(具体的に前記ベース)と回路基板との間で熱膨張差が生じても、前記一角位置に対して前記ベースの底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記ベースの底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第2の対角位置(第2の対角対向位置)とは、無電極領域として電極が形成されていないので、電子部品用パッケージ(ベース)の接合時に発生する応力を、端子電極の形成領域から無電極領域に向かって電子部品用パッケージ(ベース)が平面的に回転するように逃がすことができる。結果として、当該電子部品用パッケージと回路基板との間に介在する前記導電性接合材に応力が集中しないので、前記導電性接合材から疲労破壊が生じにくくすることができ、導電性接合材のクラック(例えば、はんだクラック)の悪影響をより一層軽減し防止する事ができる。   With the above configuration, in addition to the above-described effects, the thermal expansion difference between the electronic component package (specifically, the base) and the circuit board when electrically and mechanically bonded to the circuit board by the conductive bonding material. Even when the other corner position is opposite to the one corner position in the short-side direction of the bottom surface of the base, and the second diagonal position is a diagonal position of the other corner position with respect to the bottom surface of the base ( In the second diagonally opposed position, since no electrode is formed as an electrodeless region, the stress generated when the electronic component package (base) is joined is directed from the terminal electrode formation region toward the electrodeless region. The electronic component package (base) can be escaped so as to rotate in a plane. As a result, since stress does not concentrate on the conductive bonding material interposed between the electronic component package and the circuit board, it is possible to reduce fatigue damage from the conductive bonding material. The adverse effects of cracks (for example, solder cracks) can be further reduced and prevented.

また、上述の電子部品用パッケージのベースに対して、当該電子部品素子を気密封止する蓋を有することを特徴とする電子部品用パッケージであってもよい。この構成により上述の作用効果が得られるベースを用いて気密封止された電子部品パッケージが得られるので、安価で回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージを提供することができる。   Further, the electronic component package may include a lid that hermetically seals the electronic component element with respect to the base of the electronic component package described above. With this configuration, an electronic component package hermetically sealed using a base that can obtain the above-described effects can be obtained. Therefore, an electronic component package that improves the reliability of circuit board mounting and bonding can be provided at low cost. .

本発明によれば、導電性接合材のクラック(例えば、はんだクラック)の悪影響をより一層軽減し防止する事ができ、安価で回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベースと電子部品用パッケージとを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to further reduce and prevent the adverse effects of cracks (for example, solder cracks) in a conductive bonding material, and to reduce the cost and improve the reliability of circuit board mounting bonding. And an electronic component package can be provided.

第1の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 3 is a bottom view of the surface-mount type crystal resonator showing the first embodiment. 図1の表面実装型水晶振動子を回路基板に搭載した状態のA−A線に沿った断面図。Sectional drawing along the AA line of the state which mounted the surface mount-type crystal oscillator of FIG. 1 in the circuit board. 第1の実施例の変形例1を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 6 is a bottom view of a surface-mount type crystal resonator showing a first modification of the first embodiment. 第1の実施例の変形例2を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 6 is a bottom view of a surface-mounted crystal resonator showing a second modification of the first embodiment. 第1の実施例の変形例3を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 6 is a bottom view of a surface-mounted crystal resonator showing a third modification of the first embodiment. 第1の実施例の変形例4を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 6 is a bottom view of a surface-mount type crystal resonator showing a fourth modification of the first embodiment. 第1の実施例の変形例5を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 10 is a bottom view of a surface-mount type crystal resonator showing Modification Example 5 of the first embodiment. 第1の実施例の変形例6を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 10 is a bottom view of a surface-mount type crystal resonator showing Modification Example 6 of the first embodiment. 図8の表面実装型水晶振動子を回路基板に搭載した状態のB−B線に沿った断面図。Sectional drawing along the BB line of the state which mounted the surface mount-type crystal oscillator of FIG. 8 on the circuit board. 第2の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。The bottom view of the surface mount-type crystal resonator which shows a 2nd Example. 第3の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。The bottom view of the surface mount-type crystal resonator which shows a 3rd Example. 第3の実施例の変形例1を示す表面実装型水晶振動子の底面図。FIG. 10 is a bottom view of a surface-mounted crystal resonator showing a first modification of the third embodiment.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施例では、電子部品として表面実装型の水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the following embodiments, the case where the present invention is applied to a surface-mount type crystal resonator as an electronic component is shown.

実施例1にかかる表面実装型の水晶振動子は、図1、図2に示すように、電子部品素子である水晶振動板3と、上部が開口した凹部を有し水晶振動板3を保持する(収納する)ベース1と、ベース1の開口部に接合してベース1に保持した水晶振動板3を気密封止する蓋2とからなる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the surface-mount type crystal resonator according to Example 1 has a crystal diaphragm 3 that is an electronic component element, and a quartz diaphragm 3 that has a concave portion that is open at the top. It consists of a base 1 (to be housed) and a lid 2 that hermetically seals the crystal diaphragm 3 that is joined to the opening of the base 1 and held on the base 1.

ベース1は、全体として直方体で、アルミナ等のセラミックとタングステンやモリブデン等の導電材料を適宜積層した構成からなる。このベース1は、図2に示すように、断面視凹形の収納部10と、収納部10を囲むようにその周囲に設けられた堤部11を有する。具体的に、ベース1は、矩形(平面視矩形)の平板形状のセラミックのベース基体1aと、中央部分が大きく穿設されるとともに外形サイズ(平面視外形サイズ)がベース基体1aとほぼ等しいセラミックの枠体1bからなり、ベース基体1aと枠体1bと封止部材11aとが一体的に焼成されている。なお、堤部11(枠体1b)の上面は平坦であり、堤部11上に封止部材11a(封止材料や金属層等)が形成されている。本実施例1では、例えば封止部材11aとしてガラスが形成された構成を示しているが、後述する蓋2が金属蓋である場合、封止部材11aとしてタングステンやモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成としたり、さらにこれら各層の上部に金属リングが形成された構成としてもよい。   The base 1 is a rectangular parallelepiped as a whole, and has a configuration in which a ceramic such as alumina and a conductive material such as tungsten or molybdenum are appropriately laminated. As shown in FIG. 2, the base 1 includes a storage section 10 that is concave in a sectional view, and a bank portion 11 that is provided around the storage section 10 so as to surround the storage section 10. Specifically, the base 1 is a rectangular (planar view rectangular) flat plate-shaped ceramic base base 1a, and a ceramic having a large central portion and an outer size (planar view outer size) substantially equal to the base base 1a. The base body 1a, the frame body 1b, and the sealing member 11a are integrally fired. The top surface of the bank portion 11 (frame body 1b) is flat, and a sealing member 11a (a sealing material, a metal layer, or the like) is formed on the bank portion 11. In the first embodiment, for example, glass is formed as the sealing member 11a. However, when the lid 2 described later is a metal lid, the sealing member 11a is formed on the upper surface of a metallized layer made of tungsten, molybdenum, or the like. It is good also as a structure by which each layer of the nickel plating layer and the gold plating layer was formed, and also the structure by which the metal ring was formed in the upper part of these each layer.

また、ベース1の外周(平面視外周縁)の4つの角K1,K2,K3,K4あってベース1の側面には、ベース1の底面から天面(上面)にかけて上下にキャスタレーションC1,C2,C3,C4が形成され、ベース1の短辺の中央付近の側面には、ベース1の底面から天面(上面)にかけて上下にキャスタレーションC5,C6が形成されている。また、キャスタレーションC5,C6の下方に(ベース1の底面から側面の下方一部にかけて)連結電極である側面端子電極121,131が形成され、側面端子電極121,131は後述の端子電極12,13と電気的につながっている(接続されている)。   Further, there are four corners K1, K2, K3, and K4 on the outer periphery (outer peripheral edge in plan view) of the base 1, and the castellations C1 and C2 are vertically moved from the bottom surface of the base 1 to the top surface (upper surface) on the side surface of the base 1. C3 and C4 are formed, and castellations C5 and C6 are formed vertically on the side surface near the center of the short side of the base 1 from the bottom surface of the base 1 to the top surface (upper surface). Further, side terminal electrodes 121 and 131 which are connection electrodes are formed below the castellations C5 and C6 (from the bottom surface of the base 1 to a part below the side surface). 13 is electrically connected (connected).

ベース1の底面は平面視矩形とされ、このベース1の底面の両端部近傍には、外部の回路基板4(図2参照)に導電性接合材Dを用いて接合する平面視矩形の2つの端子電極12,13が形成されている。端子電極12,13は、後述する水晶振動板3の入出力外部接続端子として機能する機能端子電極であり、キャスタレーションC5,C6を介して側面端子電極121,131(側面端子電極131は図示省略)によりベース1の内部の底面に形成された電極パッド122,132(電極パッド132は図示省略)へと延出して電気的に接続されている。なお、これらの端子電極12,13、側面端子電極121,131、電極パッド122,132は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース1と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。
The bottom surface of the base 1 has a rectangular shape in plan view. In the vicinity of both end portions of the bottom surface of the base 1, two rectangular shapes in plan view that are bonded to the external circuit board 4 (see FIG. 2) using the conductive bonding material D are used. Terminal electrodes 12 and 13 are formed. The terminal electrodes 12 and 13 are functional terminal electrodes that function as input / output external connection terminals of the crystal diaphragm 3 described later, and the side terminal electrodes 121 and 131 (the side terminal electrodes 131 are not shown) via castellations C5 and C6. ) Are extended to and electrically connected to electrode pads 122 and 132 (the electrode pad 132 is not shown) formed on the bottom surface inside the base 1. The terminal electrodes 12 and 13, the side terminal electrodes 121 and 131, and the electrode pads 122 and 132 are formed by metallizing a metallized material such as tungsten or molybdenum integrally with the base 1 to form metallized thereon. Plating is formed, and gold plating is formed on the top thereof.

また、各端子電極12,13の上部には、各端子電極12,13より若干小さいバンプ12B,13Bがそれぞれ形成されている。これらバンプ12B,13Bは、端子電極12,13のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ(タングステン、モリブデン等)を積層して一体形成されている。これら端子電極12,13とバンプ12B,13Bは、これらのメタライズ材料がベース1と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。   Bumps 12B and 13B that are slightly smaller than the terminal electrodes 12 and 13 are formed on the terminal electrodes 12 and 13, respectively. These bumps 12B, 13B are integrally formed by laminating metallized (tungsten, molybdenum, etc.) as a metal film of the same material on the metallized upper portions of the terminal electrodes 12,13. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are configured by firing these metallized materials integrally with the base 1, forming nickel plating on the metallized upper part, and forming gold plating on the upper part.

電極パッド122,132間には、水晶振動板3(本発明でいう電子部品素子)が搭載されている。水晶振動板3の表裏面には図示しない一対の励振電極と引出電極が形成されている。一対の励振電極と引出電極は、例えば水晶振動板3に接して(水晶振動板3上から)クロム,金の順に、クロム,金,クロムの順に、クロム,銀,クロムの順に、あるいはクロム,銀の順に積層して形成されている。これら各電極(一対の励振電極と引出電極)は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。そして、電極パッド122,132に対して水晶振動板3の引出電極が導電性接合材(図示せず)により導電接合され、ベース1に水晶振動板3が保持されている。例えば、水晶振動板3の励振電極と、ベース1の電極パッド122,123との導電接合には、導電性樹脂接着剤や金属バンプ・金属めっきバンプ・ろう材などの導電性接合材を用いることができる。   Between the electrode pads 122 and 132, a crystal diaphragm 3 (an electronic component element in the present invention) is mounted. A pair of excitation electrodes and extraction electrodes (not shown) are formed on the front and back surfaces of the crystal diaphragm 3. The pair of excitation electrodes and extraction electrodes are in contact with, for example, the quartz diaphragm 3 (from the top of the quartz diaphragm 3) in the order of chromium, gold, chromium, gold, chromium, chromium, silver, chromium, or chromium, It is formed by laminating in the order of silver. Each of these electrodes (a pair of excitation electrode and extraction electrode) can be formed by a thin film forming means such as a vacuum evaporation method or a sputtering method. The extraction electrode of the crystal diaphragm 3 is conductively bonded to the electrode pads 122 and 132 by a conductive bonding material (not shown), and the crystal diaphragm 3 is held on the base 1. For example, a conductive bonding material such as a conductive resin adhesive, a metal bump, a metal plating bump, or a brazing material is used for conductive bonding between the excitation electrode of the crystal diaphragm 3 and the electrode pads 122 and 123 of the base 1. Can do.

ベース1を気密封止する蓋2には、板状のアルミナ等のセラミック材料にガラス封止材等の封止部材11aが形成されたものが用いられている。蓋2の平面視外形はベース1の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。   As the lid 2 that hermetically seals the base 1, a ceramic material such as plate-like alumina formed with a sealing member 11 a such as a glass sealing material is used. The plan view outline of the lid 2 is substantially the same as or slightly smaller than the outline of the base 1.

このようなベース1の収納部10に水晶振動板3を格納し、蓋2にて被覆して加熱炉による溶融接合などの手法により気密封止を行うことで表面実装型の水晶振動子(電子部品用パッケージ)の完成となる。また、水晶振動子の完成品は、図1に示すように、ガラスエポキシ材からなる回路基板4の電極パターン41,42の上部に、例えばはんだ等の導電性接合材Dを介して接合される。   The crystal vibrating plate 3 is housed in the storage portion 10 of the base 1 and covered with the lid 2 and hermetically sealed by a technique such as fusion bonding using a heating furnace, whereby a surface-mounted crystal resonator (electronic The component package is completed. Further, as shown in FIG. 1, the finished product of the crystal resonator is bonded to the upper part of the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board 4 made of a glass epoxy material via a conductive bonding material D such as solder. .

本発明ではこのバンプ形状に特徴があるので以下詳細について説明する。図1に示す実施例1では、前記バンプ12B,13Bの外郭121B,131Bはベース1の中心点Oに対して同心円R1に沿って形成されており、かつ端子電極12,13の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13、バンプ12B,13Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。また、図2に示すように、端子電極12,13の厚みT1に対してバンプ12B,13Bの厚みT2を3倍以上でより厚く形成している。例えば実施例1ではT1の厚み8μmの端子電極の基礎となるメタライズ層に対して、厚さ15μmのバンプの基礎となるメタライズ層を2層分(バンプ全体の厚みT2として30μm)積層して一体形成している。なお、このように端子電極よりバンプが厚いことで、端子電極のみの領域ではんだたまりが形成され、はんだメニスカス部を厚くすることができ、ベース端部の最大応力発生箇所を回路基板から遠ざけ、はんだ接合部にかかる応力(歪み)を吸収させることが可能となる。   Since the present invention is characterized by this bump shape, the details will be described below. In the first embodiment shown in FIG. 1, the outer shells 121 </ b> B and 131 </ b> B of the bumps 12 </ b> B and 13 </ b> B are formed along the concentric circle R <b> 1 with respect to the center point O of the base 1 and from the outer peripheral ends of the terminal electrodes 12 and 13. It is formed in an isolated state. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 with the center point O on the bottom surface of the base 1 as the center. Further, as shown in FIG. 2, the thickness T2 of the bumps 12B and 13B is more than three times thicker than the thickness T1 of the terminal electrodes 12 and 13. For example, in Example 1, two metallization layers (30 μm as the total thickness T2) of the bumps having a thickness of 15 μm are laminated on the metallization layer that is the basis of the terminal electrode having a thickness of T1 of 8 μm. Forming. Since the bump is thicker than the terminal electrode in this way, a solder pool is formed only in the region of the terminal electrode, the solder meniscus portion can be thickened, and the maximum stress occurrence point at the base end is kept away from the circuit board, It is possible to absorb the stress (strain) applied to the solder joint.

また図3に示す実施例1の変形例1では、前記バンプ12B,13Bの外郭121B,131Bはベース1の中心点Oに対して同心円R1に沿って形成されており、かつ端子電極12,13の外郭端部122,132のみから隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13、バンプ12B,13Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。   In the first modification of the first embodiment shown in FIG. 3, the outlines 121 </ b> B and 131 </ b> B of the bumps 12 </ b> B and 13 </ b> B are formed along the concentric circle R <b> 1 with respect to the center point O of the base 1. It is formed in a state of being isolated from only the outer edges 122 and 132 of the outer wall. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 with the center point O on the bottom surface of the base 1 as the center.

また図4に示す実施例1の変形例2では、前記バンプ12B,13Bの内郭122B,132Bはベース1の中心点Oに対して同心円R2に沿って形成されており、かつ端子電極12,13の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13、バンプ12B,13Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。   4, the inner surfaces 122B and 132B of the bumps 12B and 13B are formed along the concentric circle R2 with respect to the center point O of the base 1, and the terminal electrodes 12, 13 is formed in a state of being isolated from the outer peripheral end portion. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 with the center point O on the bottom surface of the base 1 as the center.

また図5に示す実施例1の変形例3では、前記バンプ12B,13Bの外郭121B,131Bはベース1の中心点Oに対して同心円R1に沿って形成され、バンプ12B,13Bの内郭122B,132Bはベース1の中心点Oに対して同心円R2に沿って形成されており、かつ端子電極12,13の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13、バンプ12B,13Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。   Further, in the third modification of the first embodiment shown in FIG. 5, the outlines 121B and 131B of the bumps 12B and 13B are formed along the concentric circle R1 with respect to the center point O of the base 1, and the outline 122B of the bumps 12B and 13B. , 132B are formed along a concentric circle R2 with respect to the center point O of the base 1, and are formed in a state of being isolated from the outer peripheral ends of the terminal electrodes 12, 13. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 with the center point O on the bottom surface of the base 1 as the center.

また図6に示す実施例1の変形例4では、前記バンプ12B,13Bの外郭121B,131Bはベース1の中心点Oに対して同心楕円R3に沿って形成され、バンプ12B,13Bの内郭122B,132Bはベース1の中心点Oに対して同心楕円R4に沿って形成されており、かつ端子電極12,13の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13、バンプ12B,13Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。なお、ベースの端子電極の形状や回路基板の電極パターンの形状によって応力が最大限に加わる領域が異なることになるが、このように同心楕円状に形成することで、応力が緩和され接合強度の向上される領域の強弱領域を設定することができ、ベースサイズ・ベースの端子の形状・回路基板の電極パターンの形状に合わせて、応力が最大限に加わる領域での更なる接合強度の向上が可能となる。   Further, in the fourth modification of the first embodiment shown in FIG. 6, the outlines 121B and 131B of the bumps 12B and 13B are formed along the concentric ellipse R3 with respect to the center point O of the base 1, and the outlines of the bumps 12B and 13B are formed. 122B and 132B are formed along a concentric ellipse R4 with respect to the center point O of the base 1, and are formed in a state of being isolated from the outer peripheral ends of the terminal electrodes 12 and 13. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 with the center point O on the bottom surface of the base 1 as the center. Note that the area where stress is applied to the maximum differs depending on the shape of the terminal electrode of the base and the shape of the electrode pattern of the circuit board. The strength of the area to be improved can be set, and the joint strength can be further improved in areas where stress is applied to the maximum according to the base size, base terminal shape, and circuit board electrode pattern shape. It becomes possible.

また図7に示す実施例1の変形例5では、前記バンプ12B,13Bの外郭121B,131Bはベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の傾斜部1211Bと1212B、および点対称の傾斜部1311Bと1312Bが形成され、バンプ12B,13Bの内郭122B,132Bはベース1の中心点Oに対して点対称の2段の傾斜部1221Bと1222B、および点対称の2段の傾斜部1321Bと1322Bが形成されており、かつ端子電極12,13の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13、バンプ12B,13Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。なお、ベースの端子電極の形状や回路基板の電極パターンの形状によって応力が最大限に加わる領域が異なることになるが、このように点対称の傾斜部を形成することで、応力が緩和され接合強度の向上される領域の強弱領域を設定することができ、ベースサイズ・ベースの端子の形状・回路基板の電極パターンの形状に合わせて、応力が最大限に加わる領域での更なる接合強度の向上が可能となる。   Further, in the fifth modification of the first embodiment shown in FIG. 7, the outlines 121B and 131B of the bumps 12B and 13B are point-symmetric inclined portions 1211B and 1212B, and point-symmetric inclined portions with respect to the center point O of the base 1, respectively. 1311B and 1312B are formed, and the inner surfaces 122B and 132B of the bumps 12B and 13B are point-symmetric two-stage inclined parts 1221B and 1222B with respect to the center point O of the base 1, and point-symmetric two-stage inclined parts 1321B 1322B is formed, and is formed in a state of being isolated from the outer peripheral ends of the terminal electrodes 12 and 13. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 with the center point O on the bottom surface of the base 1 as the center. Note that the area where stress is applied to the maximum differs depending on the shape of the terminal electrode on the base and the shape of the electrode pattern on the circuit board. By forming a point-symmetric inclined portion in this way, the stress is relieved and bonded. It is possible to set the strength area of the area where the strength is improved, and further increase the bonding strength in the area where the stress is applied to the maximum according to the base size, base terminal shape, and circuit board electrode pattern shape. Improvement is possible.

これらの構成により、平面視矩形のベース1に対して平面視矩形の2つの端子電極12,13を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベース1が小型化されても回路基板4の電極パターン41,42に対応して接合面積を低下させることがない。   With these configurations, since the two terminal electrodes 12 and 13 having a rectangular shape in plan view are formed on the base 1 having a rectangular shape in plan view, the formation area can be formed to the maximum necessary, so that the base 1 can be downsized. However, the bonding area does not decrease corresponding to the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board 4.

またバンプ12B,13Bは端子電極12,13と同材質の金属膜としてのメタライズを積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。   Further, since the bumps 12B and 13B are formed by integrally stacking metalized metal films made of the same material as the terminal electrodes 12 and 13, the bumps can be formed very easily and inexpensively.

また端子電極12,13は、ベース1の底面の中心点Oに対して点対称に配置しているので、各端子電極の方向性がなくなり、ベース1の底面の中心点(平面視中心点)Oから偏りのないより効率的な応力緩和が行え、導電性接合材Dのクラック(例えば、はんだクラック)等の発生を飛躍的に抑制することができる。   Further, since the terminal electrodes 12 and 13 are arranged point-symmetrically with respect to the center point O of the bottom surface of the base 1, the directionality of each terminal electrode is lost, and the center point of the bottom surface of the base 1 (center point in plan view) The stress can be relaxed more efficiently without deviation from O, and the occurrence of cracks (for example, solder cracks) in the conductive bonding material D can be remarkably suppressed.

実施例1(図1)、変形例1(図3)、変形例3(図5)、変形例4(図6)に開示しているバンプ12B,13Bは、前記端子電極12,13より小さく、バンプの外郭121B,131Bがベース1の中心点Oに対して同心円R1あるいは同心楕円R3に沿って形成され、かつ端子電極12,13の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。また変形例5(図7)に開示しているバンプ12B,13Bは、前記端子電極12,13より小さく、バンプの外郭121B,131Bがベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の傾斜部1211Bと1212B、および点対称の傾斜部1311Bと1312Bが形成され、かつ端子電極12,13の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。このため、前記バンプの外郭121B,131Bより外側で浮き上がった端子電極12,13と回路基板4の電極パターン41,42の隙間部分に導電性接合材(はんだ)Dがたまり、この隙間部分での導電性接合材Dの厚さを厚くできるので、端子電極12,13と回路基板の電極パターン41,42との接合強度を高めることができる。   The bumps 12B and 13B disclosed in Example 1 (FIG. 1), Modification 1 (FIG. 3), Modification 3 (FIG. 5), and Modification 4 (FIG. 6) are smaller than the terminal electrodes 12 and 13. The outer shells 121B and 131B of the bumps are formed along the concentric circle R1 or the concentric ellipse R3 with respect to the center point O of the base 1, and are also formed in a state of being isolated from the outer or outer peripheral ends of the terminal electrodes 12 and 13. Has been. Further, the bumps 12B and 13B disclosed in the modified example 5 (FIG. 7) are smaller than the terminal electrodes 12 and 13, and the outer surfaces 121B and 131B of the bumps are point-symmetric inclined portions with respect to the center point O of the base 1, respectively. 1211B and 1212B, and point-symmetrical inclined portions 1311B and 1312B are formed, and are also formed in a state of being isolated from the outer edges or outer peripheral edges of the terminal electrodes 12 and 13. For this reason, the conductive bonding material (solder) D accumulates in the gaps between the terminal electrodes 12 and 13 and the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board 4 that float on the outer sides of the outer shells 121B and 131B of the bumps. Since the thickness of the conductive bonding material D can be increased, the bonding strength between the terminal electrodes 12 and 13 and the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board can be increased.

特に、バンプの外郭121B,131Bよりベース1の外側と端子電極12,13の外郭122,132よりベース1の内側の間に生じる回路基板4の電極パターン41,42との隙間部分は、ベース1の中心点Oから遠い領域ほど導電性接合材(はんだ)Dが次第に沢山たまるように構成されるので、水晶振動子(電子部品用パッケージ)と回路基板4との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材Dによる接合強度を徐々に高めることができる。結果として、不要に導電接合材Dの塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また水晶振動子(電子部品用パッケージ)と回路基板4との熱膨張差によって生じるベース1の外側付近の導電性接合材Dの内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材Dがはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。   In particular, the gaps between the bumps 121B and 131B and the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board 4 between the outer sides 122 and 132 of the terminal electrodes 12 and 13 and the inner side of the base 1 Since the conductive bonding material (solder) D is configured to gradually accumulate in the region farther from the center point O, the maximum portion of the thermal expansion difference between the crystal resonator (electronic component package) and the circuit board 4 is approached. The bonding strength by the conductive bonding material D can be gradually increased. As a result, it is possible to further improve the bonding strength in the region where the stress is applied to the maximum without unnecessarily increasing the application amount of the conductive bonding material D. Further, the stress generated on the inside of the conductive bonding material D near the outside of the base 1 caused by the difference in thermal expansion between the crystal resonator (electronic component package) and the circuit board 4 can be gradually relaxed. When the conductive bonding material D is a metal brazing material such as solder, metal slip in the solder can be absorbed.

またバンプ12B,13Bによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材Dとバンプ12B,13Bの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材Dとの境界領域は、ベース1の中心点Oに対して同心円R1あるいは同心楕円R3に沿って形成されるか、ベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の傾斜部1211Bと1212B、および点対称の傾斜部1311Bと1312Bに沿って形成されるため、これらの境界部の導電性接合材Dに加わる回路基板4の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。   Further, the boundary region between the thick conductive bonding material D formed in the gap region lifted by the bumps 12B and 13B and the thin conductive bonding material D formed in the gap region where the bumps 12B and 13B exist is, It is formed along the concentric circle R1 or the concentric ellipse R3 with respect to the center point O of the base 1, or the point-symmetric inclined portions 1211B and 1212B and the point-symmetric inclined portion 1311B with respect to the center point O of the base 1, respectively. Since it is formed along 1312B, the stress at the time of contraction or expansion of the circuit board 4 applied to the conductive bonding material D at these boundary portions is also relieved, and the influence of cracks based on the boundary portions hardly occurs.

変形例2(図4)、変形例3(図5)、変形例4(図6)に開示しているバンプ12B,13Bは、バンプ12B,13Bは、前記端子電極12,13より小さく、バンプの内郭122B,132Bがベース1の中心点Oに対して同心円R2あるいは同心楕円R4に沿って形成され、かつ端子電極12,13の内郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。また変形例5(図7)に開示しているバンプ12B,13Bは、前記端子電極12,13より小さく、バンプの内郭122B,132Bがベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の2段の傾斜部1221Bと1222B、および点対称の2段の傾斜部1321Bと1322Bが形成され、かつ端子電極12,13の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。このため、バンプの内郭122B、132Bより内側で浮き上がった端子電極12,13と回路基板4の電極パターン41,42の隙間部分に導電性接合材(はんだ)Dがたまり、この隙間部分での導電性接合材Dの厚さを厚くできるので、端子電極12,13と回路基板4の電極パターン41,42との接合強度を高めることができる。   The bumps 12B and 13B disclosed in the modification 2 (FIG. 4), the modification 3 (FIG. 5), and the modification 4 (FIG. 6) are smaller than the terminal electrodes 12 and 13 in the bumps 12B and 13B. Are formed along a concentric circle R2 or a concentric ellipse R4 with respect to the center point O of the base 1 and are also isolated from the inner or outer peripheral ends of the terminal electrodes 12 and 13. Has been. Further, the bumps 12B and 13B disclosed in the modified example 5 (FIG. 7) are smaller than the terminal electrodes 12 and 13, and the inner surfaces 122B and 132B of the bumps are 2 symmetrical with respect to the center point O of the base 1, respectively. Stepped inclined portions 1221B and 1222B and point-symmetric two-step inclined portions 1321B and 1322B are formed, and are also formed in a state of being isolated from the outer end or outer peripheral end of the terminal electrodes 12 and 13. For this reason, the conductive bonding material (solder) D accumulates in the gaps between the terminal electrodes 12 and 13 and the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board 4 floating inside the bumps 122B and 132B. Since the thickness of the conductive bonding material D can be increased, the bonding strength between the terminal electrodes 12 and 13 and the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board 4 can be increased.

特に、バンプの内郭122B、132Bよりベース1の内側と端子電極12,13の内郭123,133よりベース1の外側の間に生じる回路基板4の電極パターン41,42との隙間部分は、ベース1の中心点Oに対して同心円R2あるいは同心楕円R4に沿って形成されるか、ベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の2段の傾斜部1221Bと1222B、および点対称の傾斜部1321Bと1322Bに沿って形成されるため、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材(はんだ)Dも同様にベース1の中心点Oに対して同心円R2あるいは同心楕円R4に沿って形成されるか、ベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の2段の傾斜部1221Bと1222B、および点対称の傾斜部1321Bと1322Bに沿って形成されるので、回路基板4の収縮時あるいは膨張時に生じるベース1の中心点O付近の導電性接合材Dの内部に対して生じる応力が徐々に緩和することができる。導電性接合材Dがはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、導電性接合材Dによる水晶振動子(電子部品用パッケージ)と回路基板4との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材Dによる不要な応力の発生をもなくすこともできる。   In particular, the gaps between the bumps 122B and 132B inside the base 1 and the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board 4 between the insides 123 and 133 of the terminal electrodes 12 and 13 and the base 1 are as follows. Two stages of inclined portions 1221B and 1222B that are formed along a concentric circle R2 or a concentric ellipse R4 with respect to the center point O of the base 1 or are point-symmetric with respect to the center point O of the base 1, and a point-symmetric inclination Since the conductive bonding material (solder) D having a large thickness accumulated in the gap region is formed along the concentric circle R2 or the concentric ellipse R4 with respect to the center point O of the base 1 in the same manner because it is formed along the portions 1321B and 1322B. Formed or formed along two stages of inclined portions 1221B and 1222B and point-symmetric inclined portions 1321B and 1322B that are point-symmetric with respect to the center point O of the base 1, respectively. Since the can stress generated against the interior of the conductive bonding material D around the center point O of the base 1 that occurs during the systolic or expansion of the circuit board 4 is relaxed gradually. When the conductive bonding material D is a metal brazing material such as solder, metal slip in the solder can be absorbed. Further, the bonding strength between the crystal resonator (electronic component package) and the circuit board 4 due to the conductive bonding material D is less likely to vary, and generation of unnecessary stress due to the conductive bonding material D can be eliminated. .

またバンプ12B、13Bによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材Dとバンプ12B、13Bの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材Dとの境界領域も、ベース中心点Oに対して同心円R2あるいは同心楕円R4に沿って形成されるか、ベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の2段の傾斜部1221Bと1222B、および点対称の傾斜部1321Bと1322Bに沿って形成されるため、これらの境界部の導電性接合材Dに加わる回路基板4の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。   In addition, the boundary region between the thick conductive bonding material D formed in the gap region lifted by the bumps 12B and 13B and the thin conductive bonding material D formed in the gap region where the bumps 12B and 13B are present, It is formed along a concentric circle R2 or a concentric ellipse R4 with respect to the base center point O, or two stages of inclined portions 1221B and 1222B that are point-symmetric with respect to the center point O of the base 1, and a point-symmetric inclined portion 1321B. And 1322B, the stress at the time of contraction or expansion of the circuit board 4 applied to the conductive bonding material D at these boundary portions is relieved, and the influence of cracks based on the boundary portions is less likely to occur. .

変形例3(図5)、変形例4(図6)に開示しているバンプ12B,13Bは、バンプの外郭121B、131Bと内郭122B、132Bがベース1の中心点Oに対して同心円R1とR2あるいは同心楕円R3とR4に沿って形成されている。また変形例5(図7)に開示しているバンプ12B,13Bは、バンプの外郭121B,131Bと内郭122B、132Bがベース1の中心点Oに対してそれぞれ点対称の傾斜部1211Bと1212B、および点対称の傾斜部1311Bと1312Bが形成され、かつ点対称の2段の傾斜部1221Bと1222B、および点対称の2段の傾斜部1321Bと1322Bが形成されているので、上述の2つの作用効果を相乗的に兼ね備えることができるより好ましいものである。   The bumps 12B and 13B disclosed in the modification 3 (FIG. 5) and the modification 4 (FIG. 6) are such that the outer shells 121B and 131B and the inner shells 122B and 132B are concentric circles R1 with respect to the center point O of the base 1. And R2 or concentric ellipses R3 and R4. Further, the bumps 12B and 13B disclosed in the modified example 5 (FIG. 7) are inclined portions 1211B and 1212B in which the outer shells 121B and 131B and the inner shells 122B and 132B are point-symmetric with respect to the center point O of the base 1, respectively. , And point-symmetric inclined portions 1311B and 1312B are formed, and point-symmetric two-step inclined portions 1221B and 1222B and point-symmetric two-step inclined portions 1321B and 1322B are formed. It is more preferable that the effects can be synergistically combined.

また図8,9に示す実施例1の変形例6では、前記バンプ12B,13Bについて例えばメタライズ層を2層積層して一体形成しており、前記バンプ12B,13Bの下層側のもの12B−1,13B−1の外郭121B−1,131B−1はベース1の中心点Oに対して同心円R1に沿って形成され、バンプ12B,13Bの上層側のもの12B−2,13B−2の外郭121B−2,131B−2はベース1の中心点Oに対して同心円R2に沿って形成されており、かつ端子電極12,13の外郭端部122,132から隔離する(ベース1の中心点Oに近づく)にしたがってバンプの厚みが増大するように階段状に形成されている。   8 and 9, the bumps 12B and 13B are integrally formed, for example, by laminating two metallized layers, and the bumps 12B and 13B are formed on the lower layer side 12B-1. , 13B-1 are formed along the concentric circle R1 with respect to the center point O of the base 1, and the outer layers 121B-2 and 13B-2 of the upper layers 12B-2 and 13B-2 of the bumps 12B and 13B are formed. −2 and 131B-2 are formed along a concentric circle R2 with respect to the center point O of the base 1, and are isolated from the outer edges 122 and 132 of the terminal electrodes 12 and 13 (at the center point O of the base 1). It is formed in a step shape so that the thickness of the bump increases as it approaches.

変形例6(図8,9)に開示しているバンプ12B,13Bでは、上述の作用効果に加えて、ベース1の中心点Oから遠いベースの端部領域ほど導電性接合材(はんだ)Dが次第にたまるように構成され、この隙間部分での導電性接合材Dの厚さを次第に厚くできるので、電子部品パッケージと回路基板4との熱膨張差の最大部分であるベースの端部に近づくほど、端子電極12,13と回路基板の電極パターン41,42との接合強度を徐々に高めることができる。結果として不要に導電性接合材Dの塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度向上が可能となる。電子部品パッケージと回路基板4との熱膨張差の最大部分であるベースの端部に存在する導電性接合材Dの内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。   In the bumps 12B and 13B disclosed in the modified example 6 (FIGS. 8 and 9), in addition to the above-described effects, the conductive bonding material (solder) D is closer to the end region of the base farther from the center point O of the base 1. Since the thickness of the conductive bonding material D in the gap portion can be gradually increased, it approaches the end portion of the base, which is the largest portion of the difference in thermal expansion between the electronic component package and the circuit board 4. Accordingly, the bonding strength between the terminal electrodes 12 and 13 and the electrode patterns 41 and 42 of the circuit board can be gradually increased. As a result, it is possible to further improve the bonding strength in a region where stress is applied to the maximum without unnecessarily increasing the coating amount of the conductive bonding material D. The stress generated on the inside of the conductive bonding material D existing at the end of the base, which is the maximum portion of the difference in thermal expansion between the electronic component package and the circuit board 4, can be gradually reduced.

次に、本発明による実施例2にかかる表面実装型の水晶振動子を、図10を用いて説明する。なお、実施例1と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。   Next, a surface-mount type crystal resonator according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, while attaching the same number to the part similar to Example 1, a part of description is omitted.

実施例2にかかる水晶振動子では、図10に示すように、平面視矩形のベース1の底面に対してその4角近傍には、外部の回路基板4(図2参照)に導電性接合材Dを用いて接合する平面視矩形の4つの端子電極12,13,14,15が形成されている。より詳しくはベース1の底面に対してその一角位置である角K1の位置に、水晶振動板3の入出力外部接続端子として機能する端子電極12が形成され、ベース1の底面に対してその角K1の対角位置にあたる第1の対角位置である角K3の位置に、水晶振動板3の入出力外部接続端子として機能する端子電極13が形成されている。本形態の端子電極12,13は、図10に示すように、平面視矩形状に形成され、側面端子電極121,131を介して角K1および角K3から少し離間した状態で形成されている。また、角K1に対してベース1の底面の短辺方向に対向する他角である角K2の位置に、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能する端子電極14が形成され、ベース1の底面に対して他角K2の対角位置にあたる第2の対角位置である角K4の位置に、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能する端子電極15が形成されている。本形態の端子電極14,15とは、図10に示すように、平面視矩形状に形成され、側面端子電極141,151を介して角K2および角K4から少し離間した状態で形成されている。端子電極12,13,14,15は同一形状からなる。なお、これらの端子電極12,13,14,15、側面端子電極121,131,141,151は、上記実施例1と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース1と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。なお実施例2について、端子電極14,15のうちいずれか一方のみをグランド外部接続端子として機能させてもよいし、グランド外部接続端子として接続させる必要がない場合、端子電極14,15の両方を無機能端子としてもよい。   In the crystal resonator according to the second embodiment, as shown in FIG. 10, the conductive bonding material is connected to the external circuit board 4 (see FIG. 2) in the vicinity of the four corners with respect to the bottom surface of the base 1 having a rectangular shape in plan view. Four terminal electrodes 12, 13, 14, 15 having a rectangular shape in plan view that are joined using D are formed. More specifically, a terminal electrode 12 that functions as an input / output external connection terminal of the crystal diaphragm 3 is formed at a position of the corner K1, which is one corner position with respect to the bottom surface of the base 1, and the angle with respect to the bottom surface of the base 1 A terminal electrode 13 that functions as an input / output external connection terminal of the crystal diaphragm 3 is formed at the position of the corner K3 that is the first diagonal position corresponding to the diagonal position of K1. As shown in FIG. 10, the terminal electrodes 12 and 13 of this embodiment are formed in a rectangular shape in plan view, and are formed in a state of being slightly separated from the corners K1 and K3 via the side surface terminal electrodes 121 and 131. Further, a terminal electrode that functions as a ground external connection terminal electrically connected to a metal lid (not shown) at the position of the corner K2, which is the other corner facing the corner K1 in the short side direction of the bottom surface of the base 1. 14 is formed, and a ground external connection electrically connected to a metal lid (not shown) at a position of a corner K4 which is a second diagonal position corresponding to a diagonal position of the other angle K2 with respect to the bottom surface of the base 1 A terminal electrode 15 that functions as a terminal is formed. As shown in FIG. 10, the terminal electrodes 14 and 15 of this embodiment are formed in a rectangular shape in plan view, and are formed in a state of being slightly separated from the corners K2 and K4 via the side terminal electrodes 141 and 151. . The terminal electrodes 12, 13, 14, and 15 have the same shape. These terminal electrodes 12, 13, 14, 15 and side terminal electrodes 121, 131, 141, 151 are integrally fired with a base 1 from a metallized material such as tungsten or molybdenum, as in the first embodiment. The metallization is formed, the nickel plating is formed on the upper part, and the gold plating is formed on the upper part. In the second embodiment, only one of the terminal electrodes 14 and 15 may function as a ground external connection terminal. When it is not necessary to connect as a ground external connection terminal, both the terminal electrodes 14 and 15 are connected. It may be a non-functional terminal.

また、各端子電極12,13,14,15の上部には、各端子電極12,13,14,15より若干小さいバンプ12B,13B,14B,15Bがそれぞれ形成されている。これらバンプ12B,13B,14B、15Bは、端子電極12,13,14,15のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ(タングステン、モリブデン等)を積層して一体形成されている。これら端子電極12,13,14,15とバンプ12B,13B,14B,15Bは、これらのメタライズ材料がベース1と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。   Bumps 12B, 13B, 14B, and 15B that are slightly smaller than the terminal electrodes 12, 13, 14, and 15 are formed on the terminal electrodes 12, 13, 14, and 15, respectively. These bumps 12B, 13B, 14B, and 15B are integrally formed by laminating metallization (tungsten, molybdenum, etc.) as a metal film of the same material on the metallization upper part of the terminal electrodes 12, 13, 14, and 15. These terminal electrodes 12, 13, 14, and 15 and bumps 12B, 13B, 14B, and 15B are formed by firing these metallized materials integrally with the base 1, nickel plating is formed on the metallized upper part, and gold plating is formed on the upper part. Formed and configured.

図10に示す実施例2では、前記バンプ12B,13B,14B,15Bの外郭121B,131B,141B,151Bはベース1の中心点Oに対して同心円R5に沿って形成されており、かつ端子電極12,13,14,15の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13,14,15、バンプ12B,13B,14B,15Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。   In the second embodiment shown in FIG. 10, the outlines 121B, 131B, 141B, 151B of the bumps 12B, 13B, 14B, 15B are formed along the concentric circle R5 with respect to the center point O of the base 1, and the terminal electrodes It is formed in a state of being isolated from the outer peripheral ends of 12, 13, 14, and 15. The terminal electrodes 12, 13, 14, 15 and the bumps 12 </ b> B, 13 </ b> B, 14 </ b> B, 15 </ b> B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 around the center point O on the bottom surface of the base 1.

ベース1を気密封止する図示しない金属製の蓋は、金属母材に金属ろう材等の封止材が形成された金属部材が用いられる。この金属製の蓋は、例えば、上面からニッケルメッキ層、コバール母材、銅中間層、銀ろう層の順に積層された多層構成であり、銀ろう層がベース1の金属層と接合される。金属製の蓋の平面視外形はベース1の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。なお、封止部材として銀ろうを用いることに限らず他の封止用ろう材を用いてもよく、また金や金錫などのメッキ層で封止部材を構成してもよい。   A metal lid (not shown) that hermetically seals the base 1 is a metal member in which a sealing material such as a metal brazing material is formed on a metal base material. The metal lid has a multilayer structure in which, for example, a nickel plating layer, a Kovar base material, a copper intermediate layer, and a silver brazing layer are laminated in this order from the upper surface, and the silver brazing layer is joined to the metal layer of the base 1. The external shape of the metal lid in plan view is substantially the same as or slightly smaller than the external shape of the base 1. The sealing member is not limited to silver brazing, and other sealing brazing materials may be used, and the sealing member may be composed of a plating layer such as gold or gold tin.

このようなベース1の収納部10に水晶振動板3を格納し、図示しない金属製の蓋にて被覆してシーム溶接やビーム照射による溶接、あるいは加熱炉によるろう接などの手法により気密封止を行うことで実施例2の表面実装型の水晶振動子の完成となる。   The crystal diaphragm 3 is stored in the storage portion 10 of the base 1, covered with a metal lid (not shown), and hermetically sealed by a technique such as seam welding, welding by beam irradiation, or brazing with a heating furnace. As a result, the surface-mounted crystal resonator of Example 2 is completed.

本発明では、実施例1に示した端子電極が2端子のものに限らず、実施例2に示した端子電極が4端子のものにも適用できるものである。加えて、実施例2では上述の実施例1の同様の作用効果が得られるだけでなく、一部の端子にグランド外部接続端子として機能させることができるので、外部の回路基板の回路で発生した電磁ノイズを金属蓋でとらえ、電磁ノイズを端子電極14,15により取り除くことができる。結果として、水晶振動子(電子部品パッケージ)内部の水晶振動板(電子部品素子)に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができ、EMS対策が可能な構成とできる。また実施例2のバンプに対して実施例1で開示した同心楕円状の構成や点対称の傾斜部の構成を実施することもできる。バンプの外郭だけでなくバンプの内郭のみあるいはバンプの外郭と内郭に形成する構成を実施してもよい。   In the present invention, the terminal electrode shown in the first embodiment is not limited to the one having two terminals, and the terminal electrode shown in the second embodiment can be applied to one having four terminals. In addition, in the second embodiment, not only the same effect as in the first embodiment described above can be obtained, but also some terminals can function as a ground external connection terminal. The electromagnetic noise can be detected by the metal lid, and the electromagnetic noise can be removed by the terminal electrodes 14 and 15. As a result, it is possible to eliminate the adverse effect of electromagnetic noise on the crystal diaphragm (electronic component element) inside the crystal resonator (electronic component package), and to have a configuration capable of taking EMS countermeasures. In addition, the concentric elliptical configuration disclosed in the first embodiment and the configuration of the point-symmetric inclined portion can be implemented on the bumps of the second embodiment. You may implement the structure formed not only in the outline of a bump but in the outline of a bump, or the outline and the outline of a bump.

次に、本発明による実施例3にかかる表面実装型の水晶振動子を、図11、図12を用いて説明する。なお、実施例1や実施例2と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。   Next, a surface-mount type crystal resonator according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, while attaching the same number to the part similar to Example 1 or Example 2, a part of description is omitted.

実施例3にかかる水晶振動子では、図11に示すように、平面視矩形のベース1の底面に対してその一角位置である角K1に偏位して、平面視矩形の端子電極12が形成され、ベース1の底面に対して角K1の対角位置にあたる第1の対角位置である角K3に偏位して、平面視矩形の端子電極13が形成されるとともに、角K1の位置に対してベース1の底面の短辺方向に対向する他角位置である角K2と、ベース1の底面に対して角K2の対角位置にあたる第2の対角位置である角K4とは、前記端子電極が形成されない無電極領域16,17として構成されている。またベース1の短辺の中央付近の側面には、ベース1の底面から天面(上面)にかけて上下にキャスタレーションC5,C6が形成され、このキャスタレーションC5,C6の下方に(ベース1の底面から側面の下方一部にかけて)連結電極である側面端子電極121,131が形成され、側面端子電極121,131は端子電極12,13と電気的につながっている(接続されている)。なお、これらの端子電極12,13、側面端子電極121,131は、上記実施例1,2と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース1と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。   In the crystal resonator according to the third embodiment, as shown in FIG. 11, the terminal electrode 12 having a rectangular shape in plan view is formed by deviating from the bottom surface of the base 1 having a rectangular shape in plan view at an angle K1 that is a corner position thereof. The terminal electrode 13 having a rectangular shape in a plan view is formed by deviating to a corner K3 which is a first diagonal position corresponding to the diagonal position of the corner K1 with respect to the bottom surface of the base 1, and at the position of the corner K1. On the other hand, the angle K2 which is the other angle position facing the short side direction of the bottom surface of the base 1 and the angle K4 which is the second diagonal position corresponding to the diagonal position of the angle K2 with respect to the bottom surface of the base 1 are as described above. The electrodeless regions 16 and 17 are not formed with terminal electrodes. On the side surface near the center of the short side of the base 1, castellations C5 and C6 are formed vertically from the bottom surface of the base 1 to the top surface (upper surface), and below the castellations C5 and C6 (the bottom surface of the base 1). Side terminal electrodes 121 and 131 that are connecting electrodes are formed (from the first part to the lower part of the side surface), and the side terminal electrodes 121 and 131 are electrically connected to (connected to) the terminal electrodes 12 and 13. The terminal electrodes 12 and 13 and the side terminal electrodes 121 and 131 are formed by metallizing a metallized material such as tungsten or molybdenum integrally with the base 1 in the same manner as in the first and second embodiments. A nickel plating is formed on the upper part, and a gold plating is formed on the upper part.

また、各端子電極12,13の上部には、各端子電極12,13より若干小さいバンプ12B,13Bがそれぞれ形成されている。これらバンプ12B,13Bは、端子電極12,13のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ(タングステン、モリブデン等)を積層して一体形成されている。これら端子電極12,13とバンプ12B,13Bは、これらのメタライズ材料がベース1と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。   Bumps 12B and 13B that are slightly smaller than the terminal electrodes 12 and 13 are formed on the terminal electrodes 12 and 13, respectively. These bumps 12B, 13B are integrally formed by laminating metallized (tungsten, molybdenum, etc.) as a metal film of the same material on the metallized upper portions of the terminal electrodes 12,13. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are configured by firing these metallized materials integrally with the base 1, forming nickel plating on the metallized upper part, and forming gold plating on the upper part.

図11に示す実施例3では、前記バンプ12B,13Bの外郭121B,131Bはベース1の中心点Oに対して同心円R6に沿って形成され、バンプ12B,13Bの内郭122B,132Bはベース1の中心点Oに対して同心円R7に沿って形成されており、かつ端子電極12,13の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13、バンプ12B,13Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。   In the third embodiment shown in FIG. 11, the outlines 121B and 131B of the bumps 12B and 13B are formed along a concentric circle R6 with respect to the center point O of the base 1, and the outlines 122B and 132B of the bumps 12B and 13B are the base 1 Is formed along a concentric circle R7 with respect to the center point O of the terminal electrode 12, and is formed in a state of being isolated from the outer peripheral ends of the terminal electrodes 12 and 13. The terminal electrodes 12 and 13 and the bumps 12B and 13B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 with the center point O on the bottom surface of the base 1 as the center.

また実施例3の変形例1にかかる水晶振動子では、図12に示すように、平面視矩形のベース1の底面に対してその一角位置である角K1に偏位して、2つの平面視矩形の端子電極12,14が並列に形成されて構成される第1端子電極群が形成され、ベース1の底面に対して角K1の対角位置にあたる第1の対角位置である角K3に偏位して、2つの平面視矩形の端子電極13,15が並列に形成されて構成される第2端子電極群が形成されるとともに、角K1の位置に対してベース1の底面の短辺方向に対向する他角位置である角K2と、ベース1の底面に対して角K2の対角位置にあたる第2の対角位置である角K4とは、前記端子電極が形成されない無電極領域16,17として構成されている。このうち端子電極12,13は、水晶振動板3の入出力外部接続端子として機能するもので、側面端子電極121,131を介して角K1および角K3から少し離間した状態で形成されている。端子電極14,15は、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能するもので、側面端子電極141,151を介してキャスタレーションC5およびキャスタレーションC6から少し離間した状態で形成されている。なお、これらの端子電極12,13,14,15、側面端子電極121,131,141,151は、上記実施例1,2と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース1と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。   Further, in the crystal resonator according to the first modification of the third embodiment, as shown in FIG. 12, the crystal resonator is deviated from the bottom surface of the base 1 having a rectangular shape in plan view to an angle K1 that is one of the two positions in plan view. A first terminal electrode group configured by forming rectangular terminal electrodes 12 and 14 in parallel is formed, and a first diagonal position corresponding to a diagonal position of the angle K1 with respect to the bottom surface of the base 1 is set at a corner K3. The second terminal electrode group is formed by deviating to form two terminal electrodes 13 and 15 having a rectangular shape in plan view, and the short side of the bottom surface of the base 1 with respect to the position of the corner K1. The corner K2 which is the other corner position facing the direction and the corner K4 which is the second diagonal position corresponding to the diagonal position of the corner K2 with respect to the bottom surface of the base 1 are an electrodeless region 16 in which the terminal electrode is not formed. , 17. Among these, the terminal electrodes 12 and 13 function as input / output external connection terminals of the crystal diaphragm 3, and are formed in a state of being slightly separated from the corners K1 and K3 via the side surface terminal electrodes 121 and 131. The terminal electrodes 14 and 15 function as ground external connection terminals electrically connected to a metal lid (not shown), and are slightly separated from the castellations C5 and C6 via the side terminal electrodes 141 and 151. It is formed in a state. These terminal electrodes 12, 13, 14, 15 and side terminal electrodes 121, 131, 141, 151 are integrally formed with the base 1 using a metallized material such as tungsten or molybdenum, as in the first and second embodiments. The metallization is formed by firing, nickel plating is formed on the top, and gold plating is formed on the top.

また、各端子電極12,13,14,15の上部には、各端子電極12,13,14,15より若干小さいバンプ12B,13B,14B,15Bがそれぞれ形成されている。これらバンプ12B,13B,14B,15Bは、端子電極12,13,14,15のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ(タングステン、モリブデン等)を積層して一体形成されている。これら端子電極12,13,14,15とバンプ12B,13B,14B,15Bは、これらのメタライズ材料がベース1と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。   Bumps 12B, 13B, 14B, and 15B that are slightly smaller than the terminal electrodes 12, 13, 14, and 15 are formed on the terminal electrodes 12, 13, 14, and 15, respectively. These bumps 12B, 13B, 14B, and 15B are integrally formed by laminating metallization (tungsten, molybdenum, etc.) as a metal film of the same material on the metallization upper part of the terminal electrodes 12, 13, 14, and 15. These terminal electrodes 12, 13, 14, and 15 and bumps 12B, 13B, 14B, and 15B are formed by firing these metallized materials integrally with the base 1, nickel plating is formed on the metallized upper part, and gold plating is formed on the upper part. Formed and configured.

図12に示す実施例3の変形例では、前記バンプ12B,13B,14B,15Bの外郭121B,131B,141B,151Bはベース1の中心点Oに対して同心円R8に沿って形成され、バンプ12B,13B,14B,15Bの中央付近にはベース1の中心点Oに対して外郭が同心円R9に沿い、内郭が同心円R10に沿って形成された無バンプ領域123B,133B,143B,153Bが形成されており、かつ端子電極12,13,14,15の外郭端部122,132,142,152のみから隔離した状態で形成されている。各端子電極12,13,14,15、バンプ12B,13B,14B,15Bは、ベース1の底面の中心点Oを中心にしてベース1の底面において点対称に配されている。   In the modification of the third embodiment shown in FIG. 12, the outlines 121B, 131B, 141B, 151B of the bumps 12B, 13B, 14B, 15B are formed along the concentric circle R8 with respect to the center point O of the base 1, and the bumps 12B , 13B, 14B, and 15B are formed near the center point O of the base 1 with no-bump regions 123B, 133B, 143B, and 153B having an outer contour along the concentric circle R9 and an inner contour along the concentric circle R10. In addition, the terminal electrodes 12, 13, 14 and 15 are formed so as to be isolated from only the outer end portions 122, 132, 142 and 152. The terminal electrodes 12, 13, 14, 15 and the bumps 12 </ b> B, 13 </ b> B, 14 </ b> B, 15 </ b> B are arranged point-symmetrically on the bottom surface of the base 1 around the center point O on the bottom surface of the base 1.

以上のように構成されたベース1の収納部10に水晶振動板3を格納し、図示しない蓋にて被覆して気密封止を行うことで実施例3の表面実装型の水晶振動子(電子部品用パッケージ)の完成となる。   The crystal vibration plate 3 is stored in the storage portion 10 of the base 1 configured as described above, and is covered with a lid (not shown) and hermetically sealed, so that the surface-mounted crystal resonator (electronic The component package is completed.

本発明では、実施例1,実施例2に限らず実施例3に示した端子電極の構造にも適用できるものである。加えて、実施例3では上述の実施例1,2の同様の作用効果が得られるだけでなく、導電性接合材Dによって回路基板4と電気的機械的に接合する際に表面実装型の水晶振動子(具体的にベース1)と回路基板4との間で熱膨張差が生じても、他角位置K2と、他角位置K2の対角位置にあたる第2の対角位置K4とは、無電極領域16,17として電極が形成されていないので、表面実装型の水晶振動子(具体的にベース1)の接合時に発生する応力を、端子電極の形成領域から無電極領域に向かって表面実装型の水晶振動子(具体的にベース1)が平面的に回転するように逃がすことができる。結果として、表面実装型の水晶振動子(具体的にベース1)と回路基板4との間に介在する導電性接合材Dに応力が集中しないので、導電性接合材Dから疲労破壊が生じにくくすることができ、導電性接合材Dのクラック(例えば、はんだクラック)の悪影響をより一層軽減し防止することができる。また実施例3のバンプに対して実施例1で開示した同心楕円状の構成や点対称の傾斜部の構成を実施することもできる。バンプの外郭のみやバンプの内郭のみに形成する構成を実施してもよい。   The present invention can be applied not only to the first and second embodiments but also to the terminal electrode structure shown in the third embodiment. In addition, the third embodiment not only provides the same operational effects as those of the first and second embodiments, but also a surface-mount type crystal when electrically and mechanically bonded to the circuit board 4 by the conductive bonding material D. Even if a thermal expansion difference occurs between the vibrator (specifically, the base 1) and the circuit board 4, the other-angle position K2 and the second diagonal position K4 corresponding to the diagonal position of the other-angle position K2 are: Since no electrodes are formed as the non-electrode regions 16 and 17, the stress generated when the surface-mounted crystal resonator (specifically, the base 1) is joined is transferred from the terminal electrode formation region to the non-electrode region. The mounting-type crystal resonator (specifically, the base 1) can be released so as to rotate in a plane. As a result, since stress does not concentrate on the conductive bonding material D interposed between the surface-mount type crystal resonator (specifically, the base 1) and the circuit board 4, fatigue damage is less likely to occur from the conductive bonding material D. The adverse effects of cracks (for example, solder cracks) in the conductive bonding material D can be further reduced and prevented. Moreover, the concentric elliptical configuration disclosed in the first embodiment and the configuration of the point-symmetric inclined portion can be implemented on the bumps of the third embodiment. You may implement the structure formed only in the outline of a bump, or only in the outline of a bump.

上記実施形態では、表面実装型水晶振動子を例にしているが、水晶フィルタ、水晶発振器など電子機器等に用いられる他の表面実装型の電子部品用パッケージにも適用できる。また絶縁性のパッケージ(ベース)として、セラミック材料を開示しているがガラス材料であってもよい。端子電極の金属膜としてメタライズを開示しているが、めっき材料であってもよい。   In the above-described embodiment, a surface-mount type crystal resonator is taken as an example, but the present invention can also be applied to other surface-mount type electronic component packages used in electronic devices such as crystal filters and crystal oscillators. Further, although a ceramic material is disclosed as an insulating package (base), a glass material may be used. Although metallization is disclosed as the metal film of the terminal electrode, a plating material may be used.

本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施できるので、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求範囲によって示すものであって、明細書本文に拘束されるものではない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。   The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof, and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not limited by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.

本発明は、水晶振動子等の電子部品用パッケージ、電子部品用パッケージのベースに適用できる。   The present invention can be applied to an electronic component package such as a crystal resonator and a base of an electronic component package.

1 ベース
2 蓋
3 水晶振動板(電子部品素子)
4 回路基板
1 Base 2 Lid 3 Crystal Diaphragm (Electronic Component Element)
4 Circuit board

Claims (4)

電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、
前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されてなることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
In the base of the electronic component package that holds the electronic component element,
The bottom surface of the base is rectangular in plan view, and a plurality of terminal electrodes in rectangular shape in plan view that are bonded to an external circuit board using a conductive bonding material are formed,
A bump made of a metal film is integrally formed on the upper surface of the terminal electrode, the bump is smaller than the terminal electrode, and the outer periphery of the bump is concentric or concentric with respect to the base center point of the electronic component package. A base for an electronic component package, characterized in that it is formed in a shape, or is formed in a state in which a point-symmetric inclined portion is formed and is also isolated from the outer edge of the terminal electrode.
電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、
前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されてなることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
In the base of the electronic component package that holds the electronic component element,
The bottom surface of the base is rectangular in plan view, and a plurality of terminal electrodes in rectangular shape in plan view that are bonded to an external circuit board using a conductive bonding material are formed,
A bump made of a metal film is integrally formed on the upper surface of the terminal electrode. The bump is smaller than the terminal electrode, and the inner surface of the bump is concentric or concentric with the base center point of the electronic component package. A base for an electronic component package, characterized in that it is formed in an elliptical shape or has a point-symmetric inclined portion and is formed in a state of being isolated from the inner edge of the terminal electrode.
請求項1、または請求項2に記載の電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記底面に対してその一角位置に偏位して、1つの端子電極からなる第1端子電極、あるいは2つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第1端子電極群が形成され、
前記底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第1の対角位置に偏位して、1つの端子電極からなる第2端子電極、あるいは2つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第2端子電極群が形成され、
前記一角位置に対して前記底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第2の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域としたことを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
In the base of the electronic component package according to claim 1 or 2,
A first terminal electrode group consisting of a first terminal electrode consisting of one terminal electrode or two or more terminal electrodes formed in parallel with a deviation from the bottom surface to the corner position,
A configuration in which a second terminal electrode consisting of one terminal electrode or two or more terminal electrodes are formed in parallel by shifting to a first diagonal position corresponding to the diagonal position of the one corner position with respect to the bottom surface. A second terminal electrode group is formed,
The terminal electrode is not formed between the other corner position facing the short side direction of the bottom surface with respect to the one corner position and the second diagonal position corresponding to the diagonal position of the other corner position with respect to the bottom surface. A base of an electronic component package characterized by being an electrode region.
請求項1乃至3のうちいずれか1つに記載の電子部品用パッケージのベースと、当該電子部品素子を気密封止する蓋とを有することを特徴とする電子部品用パッケージ。 An electronic component package comprising: a base of the electronic component package according to claim 1; and a lid for hermetically sealing the electronic component element.
JP2009287116A 2009-12-18 2009-12-18 Base of package for electronic component, and package for electronic component Pending JP2011129726A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009287116A JP2011129726A (en) 2009-12-18 2009-12-18 Base of package for electronic component, and package for electronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009287116A JP2011129726A (en) 2009-12-18 2009-12-18 Base of package for electronic component, and package for electronic component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011129726A true JP2011129726A (en) 2011-06-30

Family

ID=44292000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009287116A Pending JP2011129726A (en) 2009-12-18 2009-12-18 Base of package for electronic component, and package for electronic component

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011129726A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015122457A (en) * 2013-12-25 2015-07-02 日本電気株式会社 Junction structure and mounting structure using the same
WO2016174892A1 (en) * 2015-04-27 2016-11-03 シチズン電子株式会社 Led package, light emitting device and method for manufacturing led package

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015122457A (en) * 2013-12-25 2015-07-02 日本電気株式会社 Junction structure and mounting structure using the same
WO2016174892A1 (en) * 2015-04-27 2016-11-03 シチズン電子株式会社 Led package, light emitting device and method for manufacturing led package
CN107534076A (en) * 2015-04-27 2018-01-02 西铁城电子株式会社 The manufacture method of LED package, light-emitting device and LED package
JPWO2016174892A1 (en) * 2015-04-27 2018-02-22 シチズン電子株式会社 LED package, light emitting device, and manufacturing method of LED package
US10158056B2 (en) 2015-04-27 2018-12-18 Citizen Electronics Co., Ltd. LED package, light emitting device and method for manufacturing LED package
CN107534076B (en) * 2015-04-27 2019-07-05 西铁城电子株式会社 The manufacturing method of LED package, light emitting device and LED package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5729457B2 (en) Bonding structure between electronic component package and circuit board
JP4636018B2 (en) Package for piezoelectric vibration element and piezoelectric vibrator
JP5853429B2 (en) Electronic component package and piezoelectric vibration device
JP6020663B2 (en) Oscillator
JP5396795B2 (en) Piezoelectric vibration device
JP5741578B2 (en) Piezoelectric vibration device sealing member and piezoelectric vibration device
JP6252209B2 (en) Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device using the piezoelectric vibrating piece
JP5853702B2 (en) Piezoelectric vibration device
JP2010073907A (en) Package for electronic component and base of same
JP2022125097A (en) piezoelectric vibration device
JP5757287B2 (en) Electronic component package base, electronic component package
CN113196650A (en) Piezoelectric vibration device
JP2011199228A (en) Base of package for electronic component, and package for electronic component
JP2011129726A (en) Base of package for electronic component, and package for electronic component
JP6176057B2 (en) Electronic component package base, electronic component package
TWI822418B (en) Piezoelectric vibration device equipped with thermistor
JP2009055480A (en) Package for piezoelectric vibration device, and piezoelectric vibration device
JP2023032382A (en) Basis for electronic component
JP2011176388A (en) Base of package for electronic component, and package for electronic component
JP6248539B2 (en) Electronic component package base, electronic component package
CN118140416A (en) Piezoelectric vibration device with thermistor
JP2019121854A (en) Piezoelectric vibration device
JP2005116622A (en) Electronic component
JP2011175991A (en) Base of package for electronic component, and package for electronic component