JP2011129673A - Charged-particle beam lithographic apparatus and method of regulating temperature in substrate placement chamber - Google Patents

Charged-particle beam lithographic apparatus and method of regulating temperature in substrate placement chamber Download PDF

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光太 藤原
Yoshiro Yamanaka
吉郎 山中
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lithographic apparatus capable of more quickly regulating a temperature in a placement chamber in which a substrate is placed. <P>SOLUTION: The lithographic apparatus 100 includes: a drawing chamber 103 in which a substrate 101 is placed and a pattern is drawn on the substrate by using an electron beam; a transfer system that transfers a temperature-sensor incorporated substrate 10 into the drawing chamber 103 so that the temperature-sensor incorporated substrate 10 is carried into the chamber in a state that the drawing chamber 103 is maintained at an equilibrium temperature by using the temperature-sensor incorporated substrate 10 that measures its own temperature change, and the temperature-sensor incorporated substrate 10 is carried out before the temperature measured by the temperature-sensor incorporated substrate 10 becomes equilibrium in the drawing chamber; a control computer 110 which determines an equilibrium temperature in the drawing chamber by using temperature change data obtained by the temperature-sensor incorporated substrate; and a temperature control circuit 118 which controls a temperature in the drawing chamber 103 on the basis of the determined equilibrium temperature. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び基板配置室の温度調整方法に係り、例えば、電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画室を含む基板配置室の温度調整機構および方法に関する。   The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus and a temperature adjustment method for a substrate arrangement chamber, and more particularly to a temperature adjustment mechanism and method for a substrate arrangement chamber including a drawing chamber for drawing a pattern on a substrate using an electron beam.

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。   Lithography technology, which is responsible for the progress of miniaturization of semiconductor devices, is an extremely important process for generating a pattern among semiconductor manufacturing processes. In recent years, with the high integration of LSI, circuit line widths required for semiconductor devices have been reduced year by year. In order to form a desired circuit pattern on these semiconductor devices, a highly accurate original pattern (also referred to as a reticle or a mask) is required. Here, the electron beam (electron beam) drawing technique has an essentially excellent resolution, and is used for producing a high-precision original pattern.

図7は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。   FIG. 7 is a conceptual diagram for explaining the operation of the variable shaped electron beam drawing apparatus. The variable shaped electron beam (EB) drawing apparatus operates as follows. In the first aperture 410, a rectangular opening for forming the electron beam 330, for example, a rectangular opening 411 is formed. Further, the second aperture 420 is formed with a variable shaping opening 421 for shaping the electron beam 330 having passed through the opening 411 of the first aperture 410 into a desired rectangular shape. The electron beam 330 irradiated from the charged particle source 430 and passed through the opening 411 of the first aperture 410 is deflected by the deflector, passes through a part of the variable shaping opening 421 of the second aperture 420, and passes through a predetermined range. The sample 340 mounted on a stage that continuously moves in one direction (for example, the X direction) is irradiated. That is, the drawing area of the sample 340 mounted on the stage in which the rectangular shape that can pass through both the opening 411 of the first aperture 410 and the variable shaping opening 421 of the second aperture 420 is continuously moved in the X direction. Drawn on. A method of creating an arbitrary shape by passing both the opening 411 of the first aperture 410 and the variable shaping opening 421 of the second aperture 420 is referred to as a variable shaping method.

ここで、電子ビーム描画装置では、チャンバ内の温度を調整するためにチャンバ内で温度を測定する必要がある。例えば、センサが内蔵された温度測定用マスクをチャンバ内に配置して、温度測定用マスクの温度が平衡状態になるまでチャンバ内で待機させる。これにより、平衡状態の温度がチャンバ内の温度であると判断している(例えば、特許文献1参照)。かかる方法でチャンバ温度を測定すると、温度測定用マスクの温度が平衡状態になるまで待たなければならず、装置の立ち上げ時間が長くかかってしまうといった問題があった。また、描画装置内には、通常、描画を行なう描画室の他にも複数のチャンバが配置されるので、それぞれのチャンバ毎に温度測定用マスクの温度が平衡状態になるまで待機すると、全てのチャンバ内の温度を把握するまでに相当に長い時間がかかってしまうといった問題があった。また、昨今では、バッテリ式の温度測定用マスクが用いられることがあるが、バッテリ式であるため測定時間に制約が生じてしまう。複数のチャンバ内を連続して測定していくには、それぞれ平衡状態まで待機するとなると、例えば、15時間程度の測定時間が必要となる。しかし、バッテリの寿命がこれよりも短いため、バッテリ式の温度測定用マスクでは、装置全体を連続して測定することが困難であった。   Here, in the electron beam drawing apparatus, it is necessary to measure the temperature in the chamber in order to adjust the temperature in the chamber. For example, a temperature measurement mask with a built-in sensor is placed in the chamber, and the temperature measurement mask is waited in the chamber until the temperature of the temperature measurement mask reaches an equilibrium state. Thereby, it is determined that the temperature in the equilibrium state is the temperature in the chamber (see, for example, Patent Document 1). When the chamber temperature is measured by such a method, it is necessary to wait until the temperature of the temperature measurement mask reaches an equilibrium state, which causes a problem that it takes a long time to start up the apparatus. In addition, since a plurality of chambers are usually arranged in the drawing apparatus in addition to the drawing room for drawing, when waiting until the temperature of the temperature measurement mask reaches an equilibrium state for each chamber, There is a problem that it takes a considerably long time to grasp the temperature in the chamber. In recent years, a battery-type temperature measurement mask is sometimes used. However, since the battery-type temperature measurement mask is used, the measurement time is limited. In order to continuously measure the inside of a plurality of chambers, for example, a measurement time of about 15 hours is required when waiting for an equilibrium state. However, since the lifetime of the battery is shorter than this, it is difficult to continuously measure the entire apparatus with the battery-type temperature measurement mask.

特許第4150493号公報Japanese Patent No. 4150493

上述したように、描画装置のチャンバ温度を調整するにあたって、温度測定用マスクの温度が平衡状態になるまで待たなければならず、装置の立ち上げ時間が長くかかってしまうといった問題があった。特に、チャンバ数が増えれば、その分だけ装置の立ち上げ時間がさらに長くかかってしまうといった問題があった。   As described above, when adjusting the chamber temperature of the drawing apparatus, it is necessary to wait until the temperature of the temperature measurement mask reaches an equilibrium state, and there is a problem that it takes a long time to start up the apparatus. In particular, if the number of chambers is increased, there is a problem that it takes a longer time for the apparatus to start up.

そこで、本発明は、かかる問題を克服し、より短時間で基板を配置する配置室の温度調整が可能な描画装置および配置室の温度調整方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a drawing apparatus capable of overcoming such problems and adjusting the temperature of the arrangement chamber in which the substrate is arranged in a shorter time and a method for adjusting the temperature of the arrangement chamber.

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
基板を配置して荷電粒子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画室と、
自身の温度変化を測定する温度センサ内蔵基板を用いて、描画室が平衡温度に保持されている状態で温度センサ内蔵基板が搬入され、温度センサ内蔵基板で測定される温度が描画室内で平衡状態になる前に温度センサ内蔵基板が搬出されるように、温度センサ内蔵基板を描画室に搬送する搬送系と、
温度センサ内蔵基板で測定された温度変化のデータを用いて、描画室の平衡温度を演算する演算部と、
演算された平衡温度に基づいて、描画室の温度を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
A charged particle beam drawing apparatus according to one embodiment of the present invention includes:
A drawing chamber for placing a substrate and drawing a pattern on the substrate using a charged particle beam;
Using a temperature sensor built-in board that measures its own temperature change, the temperature sensor built-in board is carried in while the drawing chamber is maintained at an equilibrium temperature, and the temperature measured by the temperature sensor built-in board is in an equilibrium state in the drawing room. A transport system for transporting the temperature sensor built-in substrate to the drawing chamber so that the temperature sensor built-in substrate is unloaded before
A calculation unit that calculates the equilibrium temperature of the drawing room using the data of the temperature change measured by the temperature sensor built-in substrate,
A control unit for controlling the temperature of the drawing chamber based on the calculated equilibrium temperature;
It is provided with.

搬入後、温度センサ内蔵基板で測定される温度が描画室内で平衡状態になる前に温度センサ内蔵基板が搬出されるので、温度センサ内蔵基板が平衡状態になるまで待機しなくてよい。その分だけ測定時間を短縮できる。   After carrying in, the temperature sensor built-in substrate is carried out before the temperature measured by the temperature sensor built-in substrate reaches the equilibrium state in the drawing chamber, so that it is not necessary to wait until the temperature sensor built-in substrate becomes the equilibrium state. The measurement time can be shortened accordingly.

また、描画室を含む、かかる基板を配置する複数の基板配置室をさらに備え、
搬送系は、複数の基板配置室がそれぞれ平衡温度に保持されている状態で温度センサ内蔵基板が搬入され、温度センサ内蔵基板で測定される温度が各基板配置室内で平衡状態になる前に次の基板配置室へと移動するように、温度センサ内蔵基板を複数の基板配置室内に順に搬送し、
演算部は、温度センサ内蔵基板で測定された温度変化のデータを用いて、各基板配置室の平衡温度を演算し、
制御部は、演算された平衡温度に基づいて、各基板配置室の温度を制御すると好適である。
In addition, the apparatus further includes a plurality of substrate placement chambers for placing such substrates, including a drawing chamber.
In the transfer system, the temperature sensor built-in substrate is carried in with each of the plurality of substrate placement chambers held at the equilibrium temperature, and the temperature measured by the temperature sensor built-in substrate is changed to the equilibrium state in each substrate placement chamber. The temperature sensor built-in substrate is sequentially transferred into a plurality of substrate placement chambers so as to move to the substrate placement chamber,
The calculation unit calculates the equilibrium temperature of each substrate placement chamber using the temperature change data measured on the temperature sensor built-in substrate,
It is preferable that the controller controls the temperature of each substrate placement chamber based on the calculated equilibrium temperature.

また、演算部は、各基板配置室用のモデル式を用いて、各基板配置室の平衡温度を演算すると好適である。   In addition, it is preferable that the calculation unit calculates the equilibrium temperature of each substrate placement chamber using a model formula for each substrate placement chamber.

また、温度センサ内蔵基板には、配置位置を異にする複数の温度センサが内蔵され、
演算部は、複数の温度センサで測定された複数の温度の平均値を用いて、平衡温度を演算すると好適である。
In addition, the temperature sensor built-in board has a plurality of temperature sensors with different arrangement positions.
It is preferable that the calculation unit calculates the equilibrium temperature using an average value of a plurality of temperatures measured by a plurality of temperature sensors.

本発明の一態様の基板配置室の温度調整方法は、
自身の温度変化を測定する温度センサ内蔵基板を用いて、基板を配置して荷電粒子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画室が平衡温度に保持されている状態で温度センサ内蔵基板が搬入され、温度センサ内蔵基板で測定される温度が描画室内で平衡状態になる前に温度センサ内蔵基板が搬出されるように、温度センサ内蔵基板を描画室に搬送する工程と、
温度センサ内蔵基板で測定された温度変化のデータを用いて、描画室の平衡温度を演算する工程と、
演算された平衡温度に基づいて、描画室の温度を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする。
The temperature adjustment method for the substrate placement chamber of one embodiment of the present invention is
Using the temperature sensor built-in substrate that measures its own temperature change, the temperature sensor built-in substrate is carried in while the drawing chamber for placing the substrate and drawing the pattern on the substrate using the charged particle beam is maintained at the equilibrium temperature. A step of transporting the temperature sensor built-in substrate to the drawing chamber so that the temperature sensor built-in substrate is unloaded before the temperature measured by the temperature sensor built-in substrate reaches an equilibrium state in the drawing chamber;
Calculating the equilibrium temperature of the drawing room using the temperature change data measured on the temperature sensor built-in substrate;
Controlling the temperature of the drawing chamber based on the calculated equilibrium temperature;
It is provided with.

本発明によれば、温度の測定時間を大幅に短縮できる。そのため、描画装置の立ち上げ時間を大幅に短縮できる。   According to the present invention, the temperature measurement time can be greatly shortened. Therefore, the start-up time of the drawing apparatus can be greatly shortened.

実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における温度センサ内蔵基板の一例を示す上面概念図である。3 is a conceptual top view showing an example of a temperature sensor built-in substrate in Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における基板配置室の温度調整方法の要部工程を示すフローチャート図である。FIG. 3 is a flowchart showing main steps of a substrate arrangement chamber temperature adjustment method according to the first embodiment. 実施の形態1における基板配置室の温度調整方法での温度センサ内蔵基板の搬送経路を示す概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram showing a transport path of a substrate with a built-in temperature sensor in the substrate placement chamber temperature adjustment method according to the first embodiment. 実施の形態1におけるアライメントチャンバでの温度測定データを使ってモデル式から平衡温度を演算した結果の一例を示すグラフである。6 is a graph showing an example of a result of calculating an equilibrium temperature from a model equation using temperature measurement data in the alignment chamber in the first embodiment. 実施の形態1におけるアライメントチャンバでの温度測定データを使ってモデル式から平衡温度を演算した結果の他の一例を示すグラフである。7 is a graph showing another example of the result of calculating the equilibrium temperature from the model equation using the temperature measurement data in the alignment chamber in the first embodiment. 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating operation | movement of a variable shaping type | mold electron beam drawing apparatus.

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。   Hereinafter, in the embodiment, a configuration using an electron beam will be described as an example of a charged particle beam. However, the charged particle beam is not limited to an electron beam, and a beam using charged particles such as an ion beam may be used.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。ここでは、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置の一例を示している。描画装置100は、描画部150、制御部160、搬出入口(I/F)120、ロードロック(L/L)チャンバ130、ロボット(R)チャンバ140、アライメント(ALN)チャンバ146、真空ポンプ170、及び恒温流体供給装置180を備えている。そして、描画装置100は、電子ビーム200を用いて、基板101に所望するパターンを描画する。描画対象となる基板101として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。また、このマスク基板は、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, a drawing apparatus 100 is an example of a charged particle beam drawing apparatus. Here, in particular, an example of a variable shaping type electron beam drawing apparatus is shown. The drawing apparatus 100 includes a drawing unit 150, a control unit 160, a loading / unloading port (I / F) 120, a load lock (L / L) chamber 130, a robot (R) chamber 140, an alignment (ALN) chamber 146, a vacuum pump 170, And a constant temperature fluid supply device 180. The drawing apparatus 100 draws a desired pattern on the substrate 101 using the electron beam 200. Examples of the substrate 101 to be drawn include an exposure mask substrate that transfers a pattern to a wafer. The mask substrate includes, for example, mask blanks on which no pattern is formed yet.

描画部150は、電子鏡筒102、及び描画室103を有している。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。また、描画室103内には、移動可能に配置されたXYステージ105が配置されている。パターンを描画する際には、XYステージ105上に基板101が配置される。また、搬出入口120内には、基板101を搬送する搬送ロボット122が配置されている。ロボットチャンバ140内には、基板101を搬送する搬送ロボット142が配置されている。   The drawing unit 150 includes an electron column 102 and a drawing chamber 103. In the electron column 102, an electron gun 201, an illumination lens 202, a first aperture 203, a projection lens 204, a deflector 205, a second aperture 206, an objective lens 207, and a deflector 208 are arranged. In the drawing chamber 103, an XY stage 105 is arranged so as to be movable. When drawing a pattern, the substrate 101 is placed on the XY stage 105. In addition, a transfer robot 122 that transfers the substrate 101 is disposed in the carry-in / out opening 120. A transfer robot 142 that transfers the substrate 101 is disposed in the robot chamber 140.

真空ポンプ170は、バルブ172を介してロボットチャンバ140、及びアライメントチャンバ146内の気体を排気する。これにより、ロボットチャンバ140、及びアライメントチャンバ146内は真空雰囲気に維持される。また、真空ポンプ170は、バルブ174を介して電子鏡筒102内及び描画室103内の気体を排気する。これにより、電子鏡筒102内及び描画室103内は真空雰囲気に維持される。また、真空ポンプ170は、バルブ176を介してロードロックチャンバ130内の気体を排気する。これにより、ロードロックチャンバ130内は必要に応じて真空雰囲気に制御される。また、搬出入口120とロードロックチャンバ130とロボットチャンバ140と描画室103とのそれぞれの境界には、ゲートバルブ132,134,136が配置される。   The vacuum pump 170 exhausts the gas in the robot chamber 140 and the alignment chamber 146 via the valve 172. Thereby, the robot chamber 140 and the alignment chamber 146 are maintained in a vacuum atmosphere. The vacuum pump 170 exhausts the gas in the electron column 102 and the drawing chamber 103 via the valve 174. As a result, the inside of the electron column 102 and the drawing chamber 103 are maintained in a vacuum atmosphere. Further, the vacuum pump 170 exhausts the gas in the load lock chamber 130 via the valve 176. Thereby, the inside of the load lock chamber 130 is controlled to a vacuum atmosphere as necessary. In addition, gate valves 132, 134, and 136 are disposed at boundaries between the loading / unloading port 120, the load lock chamber 130, the robot chamber 140, and the drawing chamber 103.

また、それぞれ基板101が配置される、搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、アライメントチャンバ146、及び描画室103等の複数の基板配置室では、描画動作を行なうにあたって、温度をそれぞれの設定温度に維持することが求められる。そのために、別途、チラー装置等で温度制御された1次恒温流体181が恒温流体供給装置180に供給され、熱交換を行ない、恒温流体供給装置180から熱交換された2次恒温流体182〜185が、温度管理が重要な各種の被温調物へと供給される。そして、熱交換された恒温流体182〜185は、再度、恒温流体供給装置180に戻される。このように、恒温流体182〜185は循環している。図1では、一例として、4系統の恒温流体182〜185が循環している様子を示している。但し、これに限るものではなく、さらに、他の被温調物へと供給されても構わない。例えば、電子鏡筒102へと供給されると好適である。   Further, in each of the plurality of substrate placement chambers such as the loading / unloading port 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103 where the substrate 101 is placed, the temperature is set for each drawing operation. It is required to be maintained at the set temperature. Therefore, the primary thermostatic fluid 181 whose temperature is controlled separately by a chiller device or the like is supplied to the thermostatic fluid supply device 180 to perform heat exchange, and the secondary thermostatic fluids 182 to 185 exchanged heat from the thermostatic fluid supply device 180. However, it is supplied to various temperature-controlled products in which temperature management is important. Then, the thermostatic fluids 182 to 185 that have undergone heat exchange are returned to the thermostatic fluid supply device 180 again. Thus, the constant temperature fluids 182 to 185 circulate. In FIG. 1, as an example, four systems of constant temperature fluids 182 to 185 are circulated. However, it is not restricted to this, Furthermore, you may supply to another to-be-heated material. For example, it is preferable to be supplied to the electron column 102.

制御部160は、制御計算機110、メモリ111、外部インターフェース(I/F)回路112、描画制御回路114、搬送制御回路116、及び温度制御回路118を有している。制御計算機110、メモリ111、外部インターフェース(I/F)回路112、描画制御回路114、搬送制御回路116、及び温度制御回路118は、図示しないバスを介して互いに接続されている。描画制御回路114、搬送制御回路116、及び温度制御回路118は、制御計算機110によって制御される。制御計算機110の制御内容に従って、描画制御回路114は、描画部150の動作を制御する。また、制御計算機110の制御内容に従って、搬送制御回路116は、搬送系となる、搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、及びアライメントチャンバ146内の各機器を駆動させる。また、制御計算機110の制御内容に従って、温度制御回路118は、恒温流体供給装置180を制御する。恒温流体供給装置180を制御することによって、搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、アライメントチャンバ146、及び描画室103等の複数の基板配置室内の温度が調整、制御される。制御計算機110に入力或いは出力される情報および演算中の情報はその都度メモリ111に記憶される。   The control unit 160 includes a control computer 110, a memory 111, an external interface (I / F) circuit 112, a drawing control circuit 114, a conveyance control circuit 116, and a temperature control circuit 118. The control computer 110, the memory 111, the external interface (I / F) circuit 112, the drawing control circuit 114, the transport control circuit 116, and the temperature control circuit 118 are connected to each other via a bus (not shown). The drawing control circuit 114, the conveyance control circuit 116, and the temperature control circuit 118 are controlled by the control computer 110. The drawing control circuit 114 controls the operation of the drawing unit 150 according to the control contents of the control computer 110. Further, according to the control contents of the control computer 110, the transfer control circuit 116 drives the devices in the transfer port 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, and the alignment chamber 146, which become a transfer system. Further, the temperature control circuit 118 controls the constant temperature fluid supply device 180 according to the control contents of the control computer 110. By controlling the constant temperature fluid supply device 180, the temperatures in a plurality of substrate placement chambers such as the loading / unloading port 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103 are adjusted and controlled. Information input to or output from the control computer 110 and information being calculated are stored in the memory 111 each time.

ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わない。また、搬送ロボット122,142は、エレベータ機構や回転機構など機械的な機構であれば構わない。   Here, FIG. 1 shows components necessary for explaining the first embodiment. The drawing apparatus 100 may normally include other necessary configurations. The transport robots 122 and 142 may be any mechanical mechanism such as an elevator mechanism or a rotation mechanism.

基板101にパターンを描画する際には、以下のような搬送経路を通って、基板101はXYステージ105上に搬送される。まず、基板101を搬出入口120に配置する。搬出入口120に配置された基板101は、搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130内の支持部材上に搬送される。そして、搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介してアライメントチャンバ146内のステージに搬送される。そして、アライメントチャンバ146内で基板101はアライメントされる。アライメントされた基板101は搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介して描画室103のXYステージ105上に搬送される。   When drawing a pattern on the substrate 101, the substrate 101 is transferred onto the XY stage 105 through the following transfer path. First, the substrate 101 is placed at the carry-in / out entrance 120. The substrate 101 disposed at the carry-in / out port 120 is transported onto a support member in the L / L chamber 130 by the transport robot 122. Then, the transfer robot 142 is transferred to the stage in the alignment chamber 146 via the robot chamber 140. Then, the substrate 101 is aligned in the alignment chamber 146. The aligned substrate 101 is transferred onto the XY stage 105 of the drawing chamber 103 by the transfer robot 142 via the robot chamber 140.

そして、基板101をXYステージ105上に配置した上で、以下の動作を行なう。照射部の一例となる電子銃201から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム200は成形される。このように、電子ビーム200は可変成形される。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向される。その結果、例えば連続移動するXYステージ105上の基板101の所望する位置に照射される。以上のようにして、描画室103では、基板101を配置して電子ビーム200を用いて基板101にパターンを描画する。   Then, after the substrate 101 is placed on the XY stage 105, the following operation is performed. An electron beam 200 emitted from an electron gun 201 which is an example of an irradiation unit illuminates the entire first aperture 203 having a rectangular hole, for example, a rectangular hole, by an illumination lens 202. Here, the electron beam 200 is first formed into a rectangle, for example, a rectangle. Then, the electron beam 200 of the first aperture image that has passed through the first aperture 203 is projected onto the second aperture 206 by the projection lens 204. The position of the first aperture image on the second aperture 206 is deflection-controlled by the deflector 205, and the beam shape and size can be changed. As a result, the electron beam 200 is shaped. Thus, the electron beam 200 is variably shaped. Then, the electron beam 200 of the second aperture image that has passed through the second aperture 206 is focused by the objective lens 207 and deflected by the deflector 208. As a result, for example, a desired position of the substrate 101 on the continuously moving XY stage 105 is irradiated. As described above, in the drawing chamber 103, the substrate 101 is arranged and a pattern is drawn on the substrate 101 using the electron beam 200.

ここで、基板101にパターンを描画する前に、装置の立ち上げ作業の1つとして、搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、アライメントチャンバ146、及び描画室103等の複数の基板配置室内の温度をそれぞれの設定温度に制御する。そして、温度は描画対象となる基板101が所望の平衡温度になることが重要であるので、高精度に温度制御するためには、基板上の温度を測定することが必要となる。そこで、実施の形態1では、温度センサが内蔵された温度センサ内蔵基板を用いて、各基板配置室内の温度を測定する。   Here, before drawing a pattern on the substrate 101, as one of the startup operations of the apparatus, a plurality of substrates such as the carry-in / out entrance 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103 are used. The temperature in the placement chamber is controlled to each set temperature. Since it is important that the substrate 101 to be drawn has a desired equilibrium temperature, it is necessary to measure the temperature on the substrate in order to control the temperature with high accuracy. Therefore, in the first embodiment, the temperature in each substrate placement chamber is measured using a temperature sensor built-in substrate with a built-in temperature sensor.

図2は、実施の形態1における温度センサ内蔵基板の一例を示す上面概念図である。図2において、温度センサ内蔵基板10には、複数の温度センサ12が内蔵されている。図2では、基板表面の中心位置、外周部4隅、外周各辺の中央部の計9箇所に温度センサ12が内蔵されている例を示している。これにより、基板表面全体の温度分布を得ることができる。センサの配置位置はこれに限るものではないことは言うまでもない。また、温度センサ内蔵基板10には、回路基板14が内蔵され、回路基板14内には回路基板14や温度センサ12を駆動する電源となるバッテリが交換可能に組み込まれている。そして、回路基板14はメモリ回路を有しており、時間経過に伴う各温度センサ12位置での温度変化が記憶できる。例えば、所定の間隔で各温度センサ12が温度を測定し、温度センサ12毎にメモリに順次測定温度を記憶すればよい。測定された温度データは、読み出し可能になっており、I/F回路112を介して制御計算機110に入力される。通信仕様等は特に制限するものではなく、一般に使用可能なものを用いればよい。以上のように、温度センサ内蔵基板10は自身の温度変化を測定して記憶する。   FIG. 2 is a conceptual top view showing an example of the temperature sensor built-in substrate in the first embodiment. In FIG. 2, a plurality of temperature sensors 12 are built in the temperature sensor built-in substrate 10. FIG. 2 shows an example in which the temperature sensors 12 are built in a total of nine locations including the center position of the substrate surface, the four corners of the outer peripheral portion, and the central portion of each peripheral side. Thereby, the temperature distribution of the whole substrate surface can be obtained. Needless to say, the position of the sensor is not limited to this. A circuit board 14 is built in the temperature sensor built-in substrate 10, and a battery serving as a power source for driving the circuit board 14 and the temperature sensor 12 is incorporated in the circuit board 14 in a replaceable manner. And the circuit board 14 has a memory circuit, and can memorize | store the temperature change in each temperature sensor 12 position with progress of time. For example, each temperature sensor 12 may measure the temperature at a predetermined interval, and the measured temperature may be sequentially stored in the memory for each temperature sensor 12. The measured temperature data can be read and input to the control computer 110 via the I / F circuit 112. Communication specifications are not particularly limited, and generally usable ones may be used. As described above, the temperature sensor built-in substrate 10 measures and stores its own temperature change.

図3は、実施の形態1における基板配置室の温度調整方法の要部工程を示すフローチャート図である。図3において、実施の形態1における基板配置室の温度調整方法は、事前単独測定及びモデル式設定工程(S101)、I/F配置及び温度測定工程(S102)、L/Lでの温度測定工程(S104)、ALN配置での温度測定工程(S106)、描画室配置での温度測定工程(S108)、I/Fへ搬出工程(S110)、平衡温度演算工程(S112)、及び温度調整工程(S114)という一連の工程を実施する。   FIG. 3 is a flowchart showing main steps of the temperature adjustment method for the substrate placement chamber in the first embodiment. In FIG. 3, the temperature adjustment method for the substrate placement chamber in the first embodiment includes prior single measurement and model formula setting step (S101), I / F placement and temperature measurement step (S102), and temperature measurement step at L / L. (S104), temperature measurement step with ALN arrangement (S106), temperature measurement step with drawing room arrangement (S108), unloading process to I / F (S110), equilibrium temperature calculation step (S112), and temperature adjustment step ( A series of steps of S114) is performed.

図4は、実施の形態1における基板配置室の温度調整方法での温度センサ内蔵基板の搬送経路を示す概念図である。図4では、I/F配置及び温度測定工程(S102)からI/Fへ搬出工程(S110)での搬送経路を示している。   FIG. 4 is a conceptual diagram showing a transfer path of the temperature sensor built-in substrate in the temperature adjustment method for the substrate placement chamber in the first embodiment. In FIG. 4, the conveyance path | route in the carrying out process (S110) from I / F arrangement | positioning and temperature measurement process (S102) to I / F is shown.

まず、事前単独測定及びモデル式設定工程(S101)として、描画装置100を設置して立上げ作業を行なう前に、事前に、立上げ作業を行なうその装置或いは同様の別の装置を使って搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、アライメントチャンバ146、及び描画室103等の複数の基板配置室内での温度変化のモデル式を設定する。そのために、温度制御回路118により制御された恒温流体供給装置180によって、搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、アライメントチャンバ146、及び描画室103等の複数の基板配置室内の温度をそれぞれの設定温度で平衡状態にする。かかる平衡温度の状態で、各基板配置室内の温度を個別に単独で測定する。具体的には、以下のように動作する。   First, as a prior single measurement and model formula setting step (S101), before the drawing apparatus 100 is installed and the start-up work is performed, the drawing apparatus 100 is carried out in advance using the apparatus that performs the start-up work or another similar apparatus. Model equations for temperature changes in a plurality of substrate placement chambers such as the inlet 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103 are set. For this purpose, the temperature in a plurality of substrate placement chambers such as the loading / unloading port 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103 is controlled by the constant temperature fluid supply device 180 controlled by the temperature control circuit 118. Equilibrate at each set temperature. In such a state of the equilibrium temperature, the temperature in each substrate placement chamber is individually measured. Specifically, it operates as follows.

温度センサ内蔵基板10を搬出入口120に配置する。その際、既に、温度測定を開始する。そして、搬出入口120内において、温度センサ内蔵基板10の測定温度が平衡するまで待機し、温度変化をメモリ等の記憶装置に記憶する。待機時間は経験値に基づいて十分な時間を設定すればよい。そして、測定された搬出入口120内の平衡温度になるまでの温度変化データをI/F回路112を介して制御計算機110に出力する。   The temperature sensor built-in substrate 10 is disposed at the carry-in / out port 120. At that time, temperature measurement is already started. Then, in the loading / unloading port 120, the apparatus waits until the measured temperature of the temperature sensor built-in substrate 10 is balanced, and stores the temperature change in a storage device such as a memory. A sufficient waiting time may be set based on the experience value. Then, the measured temperature change data up to the equilibrium temperature in the carry-in / out port 120 is output to the control computer 110 via the I / F circuit 112.

次に、バッテリを交換、或いはバッテリに充電した上で、また、温度センサ内蔵基板10を搬出入口120に配置し、今度は、ゲートバルブ132を開けた後、搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130内の支持部材上に搬送される。搬出入口120に配置する際に、既に、温度測定を開始しておけばよい。そして、ゲートバルブ132を閉めた上でL/Lチャンバ130内において、温度センサ内蔵基板10の測定温度が平衡するまで待機し、温度変化をメモリ等の記憶装置に記憶する。待機時間は経験値に基づいて十分な時間を設定すればよい。そして、搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130から搬出し、搬出入口120に戻す。そして、測定されたL/Lチャンバ130内の平衡温度になるまでの温度変化データをI/F回路112を介して制御計算機110に出力する。   Next, after replacing or charging the battery, the temperature sensor built-in substrate 10 is disposed at the carry-in / out port 120, and this time, after opening the gate valve 132, the transfer robot 122 causes the L / L chamber 130 to be opened. It is conveyed on the support member inside. The temperature measurement may already be started when placing at the carry-in / out port 120. After the gate valve 132 is closed, the system waits in the L / L chamber 130 until the measured temperature of the temperature sensor built-in substrate 10 is balanced, and the temperature change is stored in a storage device such as a memory. A sufficient waiting time may be set based on the experience value. Then, it is carried out of the L / L chamber 130 by the transfer robot 122 and returned to the carry-in / out port 120. The measured temperature change data until the equilibrium temperature in the L / L chamber 130 is reached is output to the control computer 110 via the I / F circuit 112.

次に、バッテリを交換、或いはバッテリに充電した上で、また、温度センサ内蔵基板10を搬出入口120に配置し、今度は、ゲートバルブ132を開けた後、搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130内の支持部材上に搬送し、ゲートバルブ134を開けて、搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介してアライメントチャンバ146内のステージに搬送される。搬出入口120に配置する際に、既に、温度測定を開始しておけばよい。そして、ゲートバルブ134を閉めた上でアライメントチャンバ146内において、温度センサ内蔵基板10の測定温度が平衡するまで待機し、温度変化をメモリ等の記憶装置に記憶する。待機時間は経験値に基づいて十分な時間を設定すればよい。そして、搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介してアライメントチャンバ146からL/Lチャンバ130に搬出し、さらに搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130から搬出し、搬出入口120に戻す。そして、測定されたアライメントチャンバ146内の平衡温度になるまでの温度変化データをI/F回路112を介して制御計算機110に出力する。   Next, after replacing or charging the battery, the temperature sensor built-in substrate 10 is disposed at the carry-in / out port 120, and this time, after opening the gate valve 132, the transfer robot 122 causes the L / L chamber 130 to be opened. Then, the gate valve 134 is opened and the transfer robot 142 is transferred to the stage in the alignment chamber 146 via the robot chamber 140. The temperature measurement may already be started when placing at the carry-in / out port 120. Then, after closing the gate valve 134, it waits in the alignment chamber 146 until the measured temperature of the temperature sensor built-in substrate 10 is balanced, and the temperature change is stored in a storage device such as a memory. A sufficient waiting time may be set based on the experience value. Then, the transfer robot 142 carries out from the alignment chamber 146 to the L / L chamber 130 via the robot chamber 140, and further carries out from the L / L chamber 130 by the transfer robot 122 and returns to the carry-in / out port 120. Then, the measured temperature change data until reaching the equilibrium temperature in the alignment chamber 146 is output to the control computer 110 via the I / F circuit 112.

次に、バッテリを交換、或いはバッテリに充電した上で、また、温度センサ内蔵基板10を搬出入口120に配置し、今度は、ゲートバルブ132を開けた後、搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130内の支持部材上に搬送し、ゲートバルブ134,136を開けて、搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介して描画室103のXYステージ105上に搬送される。搬出入口120に配置する際に、既に、温度測定を開始しておけばよい。そして、ゲートバルブ136を閉めた上で描画室103内において、温度センサ内蔵基板10の測定温度が平衡するまで待機し、温度変化をメモリ等の記憶装置に記憶する。待機時間は経験値に基づいて十分な時間を設定すればよい。そして、搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介して描画室103からL/Lチャンバ130に搬出し、さらに搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130から搬出し、搬出入口120に戻す。そして、測定された描画室103内の平衡温度になるまでの温度変化データをI/F回路112を介して制御計算機110に出力する。   Next, after replacing or charging the battery, the temperature sensor built-in substrate 10 is disposed at the carry-in / out port 120, and this time, after opening the gate valve 132, the transfer robot 122 causes the L / L chamber 130 to be opened. Then, the gate valves 134 and 136 are opened, and the transfer robot 142 is transferred onto the XY stage 105 of the drawing chamber 103 via the robot chamber 140. The temperature measurement may already be started when placing at the carry-in / out port 120. After the gate valve 136 is closed, the drawing chamber 103 waits until the measured temperature of the temperature sensor built-in substrate 10 is balanced, and the temperature change is stored in a storage device such as a memory. A sufficient waiting time may be set based on the experience value. Then, the transfer robot 142 carries out from the drawing chamber 103 to the L / L chamber 130 via the robot chamber 140, and further carries out the L / L chamber 130 by the transfer robot 122 and returns to the carry-in / out port 120. Then, the measured temperature change data until reaching the equilibrium temperature in the drawing chamber 103 is output to the control computer 110 via the I / F circuit 112.

以上のように、それぞれの基板配置室について個別に単独で平衡温度になるまでの温度変化データを測定する。単独での測定であれば温度センサ内蔵基板10のバッテリ寿命内で測定できる。例えば、各基板配置室について5〜6時間測定すれば十分である。   As described above, the temperature change data until the equilibrium temperature is reached individually for each substrate placement chamber is measured. If it is a single measurement, it can be measured within the battery life of the temperature sensor built-in substrate 10. For example, it is sufficient to measure 5 to 6 hours for each substrate placement chamber.

そして、制御計算機110は、それぞれの基板配置室について、温度センサ内蔵基板10の温度変化データをフィッティングして近似するモデル式を設定する。モデル式は、すべての基板配置室について、例えば、以下の式(1)を用いることができる。
(1) f(t)=A・et/r+B
Then, the control computer 110 sets a model formula that fits and approximates the temperature change data of the temperature sensor built-in substrate 10 for each substrate placement chamber. As the model formula, for example, the following formula (1) can be used for all substrate placement chambers.
(1) f (t) = A · e t / r + B

ここで、tは時間、A,B,rはパラメータである。特に、Bは収束値(平衡温度)とする。或いは、モデル式は、以下の式(2)を用いても好適である。
(2) f(t)=A・et/r1+B+A・et/r2+B
Here, t is time, and A, B, and r are parameters. In particular, B is a convergence value (equilibrium temperature). Alternatively, the following equation (2) may be used as the model equation.
(2) f (t) = A 1 · et / r1 + B 1 + A 2 · et / r2 + B 2

ここで、tは時間、A,B,rはパラメータである。特に、B+Bは収束値(平衡温度)とする。モデル式を設定するための近似演算は、制御計算機110で行なうのではなく、外部で行っても構わない。また、モデル式は、上述した式(1)(2)に限るものではなく、各基板配置室で好ましい式を設定すればよい。 Here, t is time, and A i , B i and r i are parameters. In particular, B 1 + B 2 is a convergence value (equilibrium temperature). The approximation calculation for setting the model formula is not performed by the control computer 110 but may be performed externally. Further, the model formula is not limited to the above-described formulas (1) and (2), and a preferable formula may be set in each substrate placement chamber.

そして、描画装置100の立上げ作業時に設定されたモデル式を使って、以下のように、各基板配置室の平衡温度を短時間で演算により求める。まず、描画装置100を設置場所に設置した後、温度制御回路118により制御された恒温流体供給装置180によって、搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、アライメントチャンバ146、及び描画室103等の複数の基板配置室内の温度をそれぞれの設定温度で平衡状態にしておく。   Then, using the model formula set at the time of starting up the drawing apparatus 100, the equilibrium temperature of each substrate placement chamber is obtained by calculation in a short time as follows. First, after the drawing apparatus 100 is installed at the installation location, the constant temperature fluid supply apparatus 180 controlled by the temperature control circuit 118 is used to carry out the loading / unloading port 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103. The temperature in the plurality of substrate placement chambers is kept in an equilibrium state at each set temperature.

I/F配置及び温度測定工程(S102)として、バッテリが新しいものに交換されている温度センサ内蔵基板10を平衡温度に保持されている状態の搬出入口120に配置する。その際、既に、温度測定を開始する。そして、搬送制御回路116によって制御された搬出入口120及びL/Lチャンバ130内の各機器によって、温度センサ内蔵基板10で測定される温度が搬出入口120内で平衡状態になる前に温度センサ内蔵基板10が搬出入口120から次のL/Lチャンバ130へと移動するように搬出される。搬出入口120内では、温度センサ内蔵基板10を例えば1時間程度待機して温度変化を測定しメモリ等の記憶装置に記憶する。具体的には、搬出入口120に配置された温度センサ内蔵基板10は、温度が平衡状態になる前に、ゲートバルブ132を開けた後、搬送ロボット122によりL/Lチャンバ130内の支持部材上に搬送される。   As the I / F arrangement and temperature measurement step (S102), the temperature sensor built-in substrate 10 whose battery is replaced with a new one is arranged at the carry-in / out port 120 in a state where the battery is maintained at the equilibrium temperature. At that time, temperature measurement is already started. Then, the temperature measured by the temperature sensor built-in substrate 10 by each device in the carry-in / out port 120 and the L / L chamber 130 controlled by the transfer control circuit 116 is built into the temperature sensor before it reaches the equilibrium state in the carry-in / out port 120. The substrate 10 is carried out so as to move from the carry-in / out port 120 to the next L / L chamber 130. In the carry-in / out port 120, the temperature sensor built-in substrate 10 waits for about one hour, for example, measures a temperature change, and stores it in a storage device such as a memory. Specifically, the temperature sensor built-in substrate 10 arranged at the carry-in / out port 120 is opened on the support member in the L / L chamber 130 by the transfer robot 122 after opening the gate valve 132 before the temperature reaches an equilibrium state. It is conveyed to.

続いて、L/Lでの温度測定工程(S104)として、平衡温度に保持されている状態のL/Lチャンバ130内に搬入された温度センサ内蔵基板10は、ゲートバルブ132を閉めた後、真空ポンプ170で真空雰囲気にされる。そして、搬送制御回路116によって制御された各機器によって、温度センサ内蔵基板10は、L/Lチャンバ130内で測定される温度がL/Lチャンバ130内で平衡状態になる前にL/Lチャンバ130内から次のアライメントチャンバ146へと移動するように搬出される。L/Lチャンバ130内では、温度センサ内蔵基板10を例えば1時間程度待機して温度変化を測定しメモリ等の記憶装置に記憶する。具体的には、L/Lチャンバ130内の支持部材上に配置された温度センサ内蔵基板10は、温度が平衡状態になる前に、ゲートバルブ134を開けた後、搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介してアライメントチャンバ146内のステージに搬送される。   Subsequently, as a temperature measurement step (S104) at L / L, the temperature sensor built-in substrate 10 carried into the L / L chamber 130 maintained at the equilibrium temperature is closed after the gate valve 132 is closed. The vacuum pump 170 creates a vacuum atmosphere. Then, by each device controlled by the transfer control circuit 116, the temperature sensor built-in substrate 10 causes the L / L chamber before the temperature measured in the L / L chamber 130 reaches an equilibrium state in the L / L chamber 130. From inside 130, it is carried out to move to the next alignment chamber 146. In the L / L chamber 130, the temperature sensor built-in substrate 10 waits for about one hour, for example, measures a temperature change, and stores it in a storage device such as a memory. Specifically, the temperature sensor built-in substrate 10 disposed on the support member in the L / L chamber 130 opens the gate valve 134 before the temperature reaches an equilibrium state, and then the robot chamber 140 is moved by the transfer robot 142. To the stage in the alignment chamber 146.

続いて、ALN配置での温度測定工程(S106)として、真空雰囲気にて平衡温度に保持されている状態のアライメントチャンバ146内に搬入された温度センサ内蔵基板10は、ゲートバルブ134を閉めた後、アライメントチャンバ146内で測定される温度がアライメントチャンバ146内で平衡状態になる前にアライメントチャンバ146内から次の描画室103へと移動するように搬出される。アライメントチャンバ146内では、温度センサ内蔵基板10を例えば1時間程度待機して温度変化を測定しメモリ等の記憶装置に記憶する。具体的には、アライメントチャンバ146内のステージ上に配置された温度センサ内蔵基板10は、温度が平衡状態になる前に、ゲートバルブ136を開けた後、搬送ロボット142によりロボットチャンバ140を介して描画室103内のXYステージ105に搬送される。   Subsequently, as a temperature measurement step (S106) in the ALN arrangement, the temperature sensor built-in substrate 10 carried into the alignment chamber 146 in a state of being maintained at the equilibrium temperature in the vacuum atmosphere is after the gate valve 134 is closed. Then, the temperature measured in the alignment chamber 146 is unloaded from the alignment chamber 146 to the next drawing chamber 103 before reaching an equilibrium state in the alignment chamber 146. In the alignment chamber 146, the temperature sensor built-in substrate 10 waits for about 1 hour, for example, measures a temperature change, and stores it in a storage device such as a memory. Specifically, the temperature sensor built-in substrate 10 arranged on the stage in the alignment chamber 146 opens the gate valve 136 before the temperature reaches an equilibrium state, and then the robot 10 is moved by the transfer robot 142 via the robot chamber 140. It is transferred to the XY stage 105 in the drawing chamber 103.

続いて、描画室配置での温度測定工程(S108)として、真空雰囲気にて平衡温度に保持されている状態の描画室103内に搬入された温度センサ内蔵基板10は、ゲートバルブ136を閉めた後、描画室103内で測定される温度が描画室103内で平衡状態になる前に描画室103内から搬出される。描画室103内では、温度センサ内蔵基板10を例えば1時間程度待機して温度変化を測定しメモリ等の記憶装置に記憶する。具体的には、描画室103内のXYステージ105上に配置された温度センサ内蔵基板10は、温度が平衡状態になる前に、ゲートバルブ136を開けた後、搬送ロボット142により描画室103内から搬出される。   Subsequently, as a temperature measurement step (S108) in the drawing chamber arrangement, the temperature sensor built-in substrate 10 carried into the drawing chamber 103 maintained at the equilibrium temperature in the vacuum atmosphere closed the gate valve 136. After that, the temperature measured in the drawing chamber 103 is carried out of the drawing chamber 103 before reaching an equilibrium state in the drawing chamber 103. In the drawing chamber 103, the temperature sensor built-in substrate 10 waits for about one hour, for example, measures a temperature change, and stores it in a storage device such as a memory. Specifically, the temperature sensor built-in substrate 10 disposed on the XY stage 105 in the drawing chamber 103 is opened in the drawing chamber 103 by the transfer robot 142 after the gate valve 136 is opened before the temperature reaches an equilibrium state. It is carried out from.

続いて、I/Fへ搬出工程(S110)として、描画室103内から搬出された温度センサ内蔵基板10は、戻り経路を通って搬出入口120まで搬出される。具体的には、描画室103内のXYステージ105上に配置された基板101は、温度が平衡状態になる前に、ゲートバルブ136を開けた後、搬送ロボット142により搬出され、ゲートバルブ136を閉め、ロボットチャンバ140を介してゲートバルブ134を開けてL/Lチャンバ130内の支持部材上に搬送される。ゲートバルブ134を閉めた後、L/Lチャンバ130内が大気圧雰囲気になった後、ゲートバルブ132を開けて搬送ロボット122により搬出入口120に搬出される。以上のように温度センサ内蔵基板10が複数の基板配置室内に順に搬送されることによって連続して測定され記憶された各基板配置室内の温度変化データは、I/F回路112を介して制御計算機110に入力される。   Subsequently, as a step of carrying out to the I / F (S110), the temperature sensor built-in substrate 10 carried out from the drawing chamber 103 is carried out to the carry-in / out port 120 through the return path. Specifically, the substrate 101 placed on the XY stage 105 in the drawing chamber 103 is unloaded by the transfer robot 142 after the gate valve 136 is opened before the temperature reaches an equilibrium state, and the gate valve 136 is opened. Then, the gate valve 134 is opened via the robot chamber 140 and the material is transferred onto a support member in the L / L chamber 130. After the gate valve 134 is closed, the inside of the L / L chamber 130 becomes an atmospheric pressure atmosphere, and then the gate valve 132 is opened and the L / L chamber 130 is carried out to the loading / unloading port 120 by the transfer robot 122. As described above, the temperature change data in each substrate placement chamber continuously measured and stored by sequentially transporting the temperature sensor built-in substrate 10 into the plurality of substrate placement chambers is transmitted to the control computer via the I / F circuit 112. 110 is input.

平衡温度演算工程(S112)として、演算部となる制御計算機110は、温度センサ内蔵基板10に記憶された温度変化のデータを用いて、各基板配置室の平衡温度を演算する。制御計算機110は、各基板配置室用のモデル式を用いて、各基板配置室の平衡温度を演算する。具体的には、最小2乗法を用いて、各基板配置室用のモデル式のパラメータA,B,r(係数)を演算する。或いは、最小2乗法を用いて、各基板配置室用のモデル式のパラメータA,B,rを演算する。 As the equilibrium temperature calculation step (S112), the control computer 110 serving as a calculation unit calculates the equilibrium temperature of each substrate placement chamber using the temperature change data stored in the temperature sensor built-in substrate 10. The control computer 110 calculates the equilibrium temperature of each substrate placement chamber using the model formula for each substrate placement chamber. Specifically, the parameters A, B, and r (coefficients) of the model formula for each substrate placement chamber are calculated using the least square method. Alternatively, by using the least squares method, calculates the parameters A i, B i, r i of the model formula for each substrate disposed chambers.

図5は、実施の形態1におけるアライメントチャンバでの温度測定データを使ってモデル式から平衡温度を演算した結果の一例を示すグラフである。図5では、アライメントチャンバ146に温度センサ内蔵基板10を搬入してから50分間温度測定したデータを用いてモデル式から平衡温度を演算した。その結果、アライメントチャンバ146の平衡温度は、23.144℃と演算された。   FIG. 5 is a graph showing an example of the result of calculating the equilibrium temperature from the model equation using the temperature measurement data in the alignment chamber in the first embodiment. In FIG. 5, the equilibrium temperature was calculated from the model equation using data obtained by measuring the temperature for 50 minutes after the temperature sensor built-in substrate 10 was carried into the alignment chamber 146. As a result, the equilibrium temperature of the alignment chamber 146 was calculated to be 23.144 ° C.

図6は、実施の形態1におけるアライメントチャンバでの温度測定データを使ってモデル式から平衡温度を演算した結果の他の一例を示すグラフである。図6では、アライメントチャンバ146に温度センサ内蔵基板10を搬入してから30分間温度測定したデータを用いてモデル式から平衡温度を演算した。その結果、アライメントチャンバ146の平衡温度は、23.142℃と演算された。   FIG. 6 is a graph showing another example of the result of calculating the equilibrium temperature from the model equation using the temperature measurement data in the alignment chamber in the first embodiment. In FIG. 6, the equilibrium temperature was calculated from the model equation using data obtained by measuring the temperature for 30 minutes after carrying the temperature sensor built-in substrate 10 into the alignment chamber 146. As a result, the equilibrium temperature of the alignment chamber 146 was calculated to be 23.142 ° C.

また、かかる際の実際のアライメントチャンバ146の平衡温度は、23.146℃であった。以上の結果から平衡温度到達前の30分の測定データでも50分の測定データでも、実際の平衡温度から±0.01℃の精度で演算できた。このように、平衡温度になるまで測定しなくても、高精度に平衡温度を予測できる。上述した例では、アライメントチャンバ146の場合を示したが、その他の搬出入口120、L/Lチャンバ130、及び描画室103等の複数の基板配置室でも同様である。   Further, the actual equilibrium temperature of the alignment chamber 146 at this time was 23.146 ° C. From the above results, it was possible to calculate with an accuracy of ± 0.01 ° C. from the actual equilibrium temperature for both 30-minute measurement data and 50-minute measurement data before reaching the equilibrium temperature. Thus, even if it does not measure until it reaches equilibrium temperature, equilibrium temperature can be predicted with high accuracy. In the above example, the case of the alignment chamber 146 is shown, but the same applies to a plurality of substrate placement chambers such as the other loading / unloading ports 120, the L / L chamber 130, and the drawing chamber 103.

ここで、温度センサ内蔵基板10には、配置位置を異にする複数の温度センサ12が内蔵されており、制御計算機110は、複数の温度センサ12で測定された複数の温度の平均値を用いて、平衡温度を演算すると好適である。これにより、測定誤差を平均化できる。   Here, the temperature sensor built-in substrate 10 includes a plurality of temperature sensors 12 having different arrangement positions, and the control computer 110 uses an average value of a plurality of temperatures measured by the plurality of temperature sensors 12. Thus, it is preferable to calculate the equilibrium temperature. Thereby, measurement errors can be averaged.

そして、温度調整工程(S114)として、制御部の一例となる温度制御回路118は、演算された平衡温度に基づいて、各基板配置室の温度をそれぞれ所望する温度に制御するための各制御信号を恒温流体供給装置180に出力する。そして、恒温流体供給装置180によって、搬出入口120、L/Lチャンバ130、ロボットチャンバ140、アライメントチャンバ146、及び描画室103等の複数の基板配置室内の温度をそれぞれの所望する温度に調整及び制御する。そして、必要があれば、また、S102に戻ってS102からS114までを繰り返せばよい。   Then, as the temperature adjustment step (S114), the temperature control circuit 118, which is an example of a control unit, controls each control signal for controlling the temperature of each substrate placement chamber to a desired temperature based on the calculated equilibrium temperature. Is output to the constant temperature fluid supply device 180. Then, the constant temperature fluid supply device 180 adjusts and controls the temperatures in a plurality of substrate placement chambers such as the loading / unloading port 120, the L / L chamber 130, the robot chamber 140, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103 to respective desired temperatures. To do. If necessary, the process returns to S102 and S102 to S114 may be repeated.

以上のように構成することで、温度センサ内蔵基板10がそれぞれの基板配置室内の温度になじむまでの時間を大幅に短縮できる。そのため、従来、すべての基板配置室内の平衡温度を測定するために14〜15時間かかっていたところ、実施の形態1によれば、4〜6時間で平衡温度を取得できる。よって、基板配置室内の温度調整時間を大幅に短縮できる。また、上述した例では、搬出入口120、L/Lチャンバ130、アライメントチャンバ146、及び描画室103の温度調整を行なっているが、描画装置100を構成する基板配置室数の増減があれば、それに応じて、温度調整時間が増減することは言うまでもない。いずれの場合でも各基板配置室で平衡温度まで温度センサ内蔵基板10を待機させることに比べれば大幅に時間を短縮できる。かかる測定時間の短縮により、バッテリ寿命内で連続してすべての基板配置室の温度測定を行うことができる。そして、かかる温度調整時間の大幅な短縮により、描画装置100の立上げ時間を大幅に短縮できる。   By configuring as described above, it is possible to greatly shorten the time until the temperature sensor built-in substrate 10 becomes familiar with the temperature in each substrate placement chamber. Therefore, conventionally, it took 14 to 15 hours to measure the equilibrium temperature in all the substrate placement chambers, but according to the first embodiment, the equilibrium temperature can be acquired in 4 to 6 hours. Therefore, the temperature adjustment time in the substrate placement chamber can be greatly shortened. In the above-described example, the temperatures of the carry-in / out port 120, the L / L chamber 130, the alignment chamber 146, and the drawing chamber 103 are adjusted. If the number of substrate arrangement chambers constituting the drawing apparatus 100 is increased or decreased, It goes without saying that the temperature adjustment time increases or decreases accordingly. In any case, the time can be greatly shortened as compared with waiting the temperature sensor built-in substrate 10 to the equilibrium temperature in each substrate placement chamber. By shortening the measurement time, it is possible to measure the temperature of all the substrate placement chambers continuously within the battery life. And the start-up time of the drawing apparatus 100 can be greatly shortened by the significant shortening of the temperature adjustment time.

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。上述した例では、バッテリ内蔵型の温度センサ内蔵基板10を用いたがこれに限るものではない。各配置位置で温度センサ内蔵基板に電力を供給してもよい。また、上述した例では、メモリ等の記憶装置に測定結果を記憶する温度センサ内蔵基板10を用いたがこれに限るものではない。各配置位置で温度センサ内蔵基板で測定されたデータを描画装置側に出力するようにしてもよい。   The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. In the above-described example, the battery built-in type temperature sensor built-in substrate 10 is used, but the present invention is not limited to this. Electric power may be supplied to the temperature sensor built-in substrate at each arrangement position. In the above-described example, the temperature sensor built-in substrate 10 that stores the measurement result in a storage device such as a memory is used. However, the present invention is not limited to this. Data measured by the temperature sensor built-in substrate at each arrangement position may be output to the drawing apparatus side.

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。   In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the control unit configuration for controlling the drawing apparatus 100 is omitted, it goes without saying that the required control unit configuration is appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、描画方法及び基板配置室の温度調整方法は、本発明の範囲に包含される。   In addition, all charged particle beam drawing apparatuses, drawing methods, and substrate placement chamber temperature adjustment methods that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

10 温度センサ内蔵基板
12 温度センサ
14 回路基板
100 描画装置
101 基板
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
111 メモリ
112 I/F回路
114 描画制御回路
116 搬送制御回路
118 温度制御回路
120 搬出入口
122,142 搬送ロボット
130 ロードロックチャンバ
132,134,136 ゲートバルブ
140 ロボットチャンバ
146 アライメントチャンバ
150 描画部
160 制御部
170 真空ポンプ
172,174,176 バルブ
180 恒温流体供給装置
181,182,183,184,185 恒温流体
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
330 電子線
340 試料
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Temperature sensor built-in board | substrate 12 Temperature sensor 14 Circuit board 100 Drawing apparatus 101 Board | substrate 102 Electronic lens tube 103 Drawing room 105 XY stage 110 Control computer 111 Memory 112 I / F circuit 114 Drawing control circuit 116 Conveyance control circuit 118 Temperature control circuit 120 Carry out Inlet 122, 142 Transfer robot 130 Load lock chamber 132, 134, 136 Gate valve 140 Robot chamber 146 Alignment chamber 150 Drawing unit 160 Control unit 170 Vacuum pumps 172, 174, 176 Valve 180 Constant temperature fluid supply devices 181, 182, 183, 184 , 185 Constant temperature fluid 200 Electron beam 201 Electron gun 202 Illumination lens 203, 410 First aperture 204 Projection lens 205, 208 Deflector 206, 420 Second aperture 207 Objective lens 330 Electron beam 340 Sample 411 Aperture 421 Variable shaping aperture 430 Charged particle source

Claims (5)

基板を配置して荷電粒子ビームを用いて前記基板にパターンを描画する描画室と、
自身の温度変化を測定する温度センサ内蔵基板を用いて、前記描画室が平衡温度に保持されている状態で前記温度センサ内蔵基板が搬入され、前記温度センサ内蔵基板で測定される温度が前記描画室内で平衡状態になる前に前記温度センサ内蔵基板が搬出されるように、前記温度センサ内蔵基板を前記描画室に搬送する搬送系と、
前記温度センサ内蔵基板で測定された温度変化のデータを用いて、前記描画室の平衡温度を演算する演算部と、
演算された平衡温度に基づいて、前記描画室の温度を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
A drawing chamber for placing a substrate and drawing a pattern on the substrate using a charged particle beam;
Using the temperature sensor built-in substrate that measures its own temperature change, the temperature sensor built-in substrate is carried in while the drawing chamber is maintained at an equilibrium temperature, and the temperature measured by the temperature sensor built-in substrate is the drawing temperature. A transport system for transporting the temperature sensor built-in substrate to the drawing chamber so that the temperature sensor built-in substrate is unloaded before reaching an equilibrium state indoors;
Using the temperature change data measured on the temperature sensor built-in substrate, a calculation unit for calculating the equilibrium temperature of the drawing chamber;
A control unit for controlling the temperature of the drawing chamber based on the calculated equilibrium temperature;
A charged particle beam drawing apparatus comprising:
前記描画室を含む、前記基板を配置する複数の基板配置室をさらに備え、
前記搬送系は、前記複数の基板配置室がそれぞれ平衡温度に保持されている状態で前記温度センサ内蔵基板が搬入され、前記温度センサ内蔵基板で測定される温度が各基板配置室内で平衡状態になる前に次の基板配置室へと移動するように、前記温度センサ内蔵基板を前記複数の基板配置室内に順に搬送し、
前記演算部は、前記温度センサ内蔵基板で測定された温度変化のデータを用いて、各基板配置室の平衡温度を演算し、
前記制御部は、演算された平衡温度に基づいて、各基板配置室の温度を制御することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
A plurality of substrate placement chambers for placing the substrates, including the drawing chamber;
In the transport system, the temperature sensor built-in substrate is carried in with the plurality of substrate placement chambers maintained at an equilibrium temperature, and the temperature measured by the temperature sensor built-in substrate is balanced in each substrate placement chamber. In order to move to the next substrate placement chamber before becoming, the substrate with built-in temperature sensor is sequentially transferred into the plurality of substrate placement chambers,
The calculation unit calculates the equilibrium temperature of each substrate placement chamber using the data of the temperature change measured on the temperature sensor built-in substrate,
The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the controller controls the temperature of each substrate placement chamber based on the calculated equilibrium temperature.
前記演算部は、各基板配置室用のモデル式を用いて、各基板配置室の平衡温度を演算することを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画装置。   The charged particle beam drawing apparatus according to claim 2, wherein the calculation unit calculates an equilibrium temperature of each substrate placement chamber using a model formula for each substrate placement chamber. 前記温度センサ内蔵基板には、配置位置を異にする複数の温度センサが内蔵され、
前記演算部は、前記複数の温度センサで測定された複数の温度の平均値を用いて、平衡温度を演算することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
The temperature sensor built-in substrate includes a plurality of temperature sensors with different arrangement positions,
The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the calculation unit calculates an equilibrium temperature using an average value of a plurality of temperatures measured by the plurality of temperature sensors.
自身の温度変化を測定する温度センサ内蔵基板を用いて、基板を配置して荷電粒子ビームを用いて前記基板にパターンを描画する描画室が平衡温度に保持されている状態で前記温度センサ内蔵基板が搬入され、前記温度センサ内蔵基板で測定される温度が前記描画室内で平衡状態になる前に前記温度センサ内蔵基板が搬出されるように、前記温度センサ内蔵基板を前記描画室に搬送する工程と、
前記温度センサ内蔵基板で測定された温度変化のデータを用いて、前記描画室の平衡温度を演算する工程と、
演算された平衡温度に基づいて、前記描画室の温度を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする基板配置室の温度調整方法。
Using the temperature sensor built-in substrate that measures its own temperature change, placing the substrate and drawing a pattern on the substrate using a charged particle beam, the temperature sensor built-in substrate in a state where the drawing chamber is maintained at an equilibrium temperature Transporting the temperature sensor substrate to the drawing chamber so that the temperature sensor substrate is unloaded before the temperature measured by the temperature sensor substrate reaches an equilibrium state in the drawing chamber. When,
Using the temperature change data measured on the temperature sensor built-in substrate, calculating the equilibrium temperature of the drawing chamber;
Controlling the temperature of the drawing chamber based on the calculated equilibrium temperature;
A method for adjusting the temperature of the substrate placement chamber.
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