JP2011127947A - Failure diagnostic device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a failure diagnostic device which reduces a processing load while making the speed of a failure diagnosis high. <P>SOLUTION: The failure diagnostic device includes: a control part having a battery voltage detecting part which detects a voltage of a battery pack and sets a first flag based on the detected voltage; a receiving part which receives the detected voltage and the first flag; a storage part which stores the detected voltage received by the receiving part and the first flag received by the receiving part and a flag setting part which sets a second flag based on the detected voltage stored in the storage part. The control part compares the first flag stored in the storage part with the second flag and diagnoses a failure in the failure diagnostic device from the consistency of the flags. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、故障診断装置に関する。     The present invention relates to a failure diagnosis apparatus.

RAMの診断対象のアドレスに格納されたデータを、当該アドレスと同一ビット線又は同一ワード線上の、複数の異なるアドレスにデータを書き込み、当該3つのアドレスに格納される値を比較することにより、当該ビット線又はワード線の故障を診断するRAM診断装置が知られている(特許文献1)。 By writing data to a plurality of different addresses on the same bit line or the same word line as the address, and comparing the values stored in the three addresses, A RAM diagnostic device for diagnosing a failure of a bit line or a word line is known (Patent Document 1).

特開2000−339991号公報JP 2000-339991 A

しかしながら、従来のRAM診断装置による診断方法を行う場合、CPUにおける処理が複雑化し、CPUへ負荷がかかり、また診断のための処理時間が長くなるという問題があった。   However, when performing a diagnostic method using a conventional RAM diagnostic apparatus, there is a problem in that the processing in the CPU is complicated, a load is applied to the CPU, and the processing time for diagnosis becomes long.

そこで本発明は、故障診断を高速化しつつ、処理負荷の低減を図る故障診断装置を提供する。   Therefore, the present invention provides a failure diagnosis apparatus that reduces the processing load while speeding up failure diagnosis.

本発明は、組電池の電圧を検出し、検出電圧に基づいて第1のフラグを設定する電池電圧検出部と、当該検出電圧及び当該第1のフラグを受信し、第2のフラグを設定する制御部とを備え、当該第1のフラグと当該第2のフラグとの整合性から故障を診断することによって上記課題を解決する。 The present invention detects a voltage of a battery pack, sets a first flag based on the detected voltage, receives the detected voltage and the first flag, and sets a second flag. The above-described problem is solved by diagnosing a failure from the consistency between the first flag and the second flag.

本発明によれば、検出電圧に基づいて第1のフラグを設定する電池電圧検出部と、当該検出電圧と当該第1のフラグを受信し、第2のフラグを設定する制御部とを備え、当該第1のフラグと当該第2のフラグとの整合性から故障を診断するため、記憶部における値化け、通信異常等による検出データの変化を判定することができ、その結果として、処理負荷を軽減しつつ装置内の故障を診断することができる。   According to the present invention, the battery voltage detection unit that sets the first flag based on the detection voltage, and the control unit that receives the detection voltage and the first flag and sets the second flag, In order to diagnose a failure based on the consistency between the first flag and the second flag, it is possible to determine a change in detected data due to a garbled value, a communication abnormality, etc. in the storage unit. A failure in the apparatus can be diagnosed while mitigating.

発明の実施形態に係る故障診断装置を含む組電池監視装置を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the assembled battery monitoring apparatus containing the failure diagnosis apparatus which concerns on embodiment of invention. 図1の組電池監視装置に含まれる電池セルの検出電圧とフラグ信号との特性を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of the detection voltage and flag signal of a battery cell which are contained in the assembled battery monitoring apparatus of FIG. 図1の組電池監視装置に含まれるセルコントローらにより形成される、電池セル及び第1のフラグのデータを説明する図である。It is a figure explaining the data of a battery cell and the 1st flag formed by the cell controller etc. which are contained in the assembled battery monitoring apparatus of FIG. 図1の組電池監視装置に含まれる、RAM、レジスタ及びROMのデータの遷移を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the transition of the data of RAM, a register | resistor, and ROM contained in the assembled battery monitoring apparatus of FIG. 図1の組電池監視装置の制御手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the control procedure of the assembled battery monitoring apparatus of FIG. 図1の組電池監視装置の制御手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the control procedure of the assembled battery monitoring apparatus of FIG. 図1の組電池監視装置の制御手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the control procedure of the assembled battery monitoring apparatus of FIG. 本発明の他の組電池監視装置を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the other assembled battery monitoring apparatus of this invention. 図1の組電池監視装置の他の制御手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the other control procedure of the assembled battery monitoring apparatus of FIG.

以下、発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.

《第1実施形態》
発明の実施形態に係る故障診断装置を含む組電池監視装置の一例として、ハイブリッド車両や電気自動車等の車両用電池として用いられる故障診断装置について説明する。図1は、本実施形態に係る組電池監視装置を示すブロック図である。まず、図1を参照し、本例の容量調整機能に係る構成について説明する。
<< First Embodiment >>
As an example of an assembled battery monitoring device including a failure diagnosis device according to an embodiment of the invention, a failure diagnosis device used as a battery for a vehicle such as a hybrid vehicle or an electric vehicle will be described. FIG. 1 is a block diagram showing an assembled battery monitoring device according to the present embodiment. First, a configuration relating to the capacity adjustment function of this example will be described with reference to FIG.

図1に示すように、本実施形態に係る組電池監視装置は、直列接続されたn個(nは任意の正の整数,図1に示す例ではn=4)の電池セル1を1単位とする電池モジュールM1,M2,M3と、それぞれの電池モジュールM1,M2,M3の電池容量(具体的には各単電池の電圧VC1〜VC4)を監視する3個のセルコントローラCC1,CC2,CC3とを備える。組電池3は、電池モジュールM1,M2,M3を備える。   As shown in FIG. 1, the assembled battery monitoring device according to the present embodiment includes 1 unit of n battery cells 1 (n is an arbitrary positive integer, n = 4 in the example shown in FIG. 1) connected in series. And three cell controllers CC1, CC2, CC3 for monitoring the battery capacities of the battery modules M1, M2, M3 (specifically, the voltages VC1 to VC4 of the individual cells). With. The assembled battery 3 includes battery modules M1, M2, and M3.

3つの電池モジュールM1〜M3は直列に接続され、その両端に電気自動車等のモータである電池負荷2が、図示しないインバータなどの電力変換装置を介して接続されている。リレースイッチ4は、ON、OFF操作により、主電源のON・OFFを行い、組電池3と電池負荷2の間に接続される。   The three battery modules M1 to M3 are connected in series, and a battery load 2 that is a motor such as an electric vehicle is connected to both ends of the battery modules M1 to M3 via a power converter such as an inverter (not shown). The relay switch 4 is turned on and off by an ON / OFF operation, and is connected between the assembled battery 3 and the battery load 2.

3つの電池モジュールM1〜M3から電池負荷2へ電力を供給すると、各電池セル1の製造上の個体差などによって電池容量にバラツキが生じる。このため、各電池セル1の検出電圧に応じて、CPU10からセルコントローラCC1,CC2,CC3に指令を送信し、図示しないスイッチング素子を閉じて、電池容量が高い電池セルの電力を容量調整用抵抗5に供給することで、所定のタイミングで電池容量を調整することが行われる。容量調整抵抗5とトランジスタ等のスイッチング素子(図示しない)との直列回路は、各電池セル1に並列に接続される。セルコントローラCC1〜CC3は、当該スイッチング素子をON状態にすることで、電池セル1から電流を当該容量調整用抵抗に流し、電池セル1の容量を調整する。   When power is supplied from the three battery modules M1 to M3 to the battery load 2, the battery capacity varies due to individual differences in manufacturing of each battery cell 1 and the like. Therefore, according to the detected voltage of each battery cell 1, the CPU 10 sends a command to the cell controllers CC1, CC2, CC3, closes the switching element (not shown), and converts the power of the battery cell having a high battery capacity to the capacity adjustment resistor. By supplying to 5, the battery capacity is adjusted at a predetermined timing. A series circuit of the capacity adjustment resistor 5 and a switching element (not shown) such as a transistor is connected in parallel to each battery cell 1. The cell controllers CC1 to CC3 adjust the capacity of the battery cell 1 by causing the current from the battery cell 1 to flow through the capacity adjustment resistor by turning the switching element ON.

CPU100は、電池負荷2及びバッテリコントローラ101を制御し、またバッテリコントローラ101より、組電池3の容量を検出する。そして、組電池3が消費され組電池3の容量が少なくなると、当該CPU100は、インバータを制御することでモータの出力トルクに制限をかけ、組電池3の過放電を防止する。バッテリコントローラ101には、各セルコントローラCC1〜CC3及びCPU10を有する。   The CPU 100 controls the battery load 2 and the battery controller 101, and detects the capacity of the assembled battery 3 from the battery controller 101. When the assembled battery 3 is consumed and the capacity of the assembled battery 3 decreases, the CPU 100 controls the inverter to limit the output torque of the motor and prevent overdischarge of the assembled battery 3. The battery controller 101 includes cell controllers CC1 to CC3 and a CPU 10.

各セルコントローラCC1〜CC3は、それぞれ、4つの電池セル1からなる電池モジュールM1〜M4の各電池セル1の電圧を入力する入力端子VC1〜VC4およびその接地端子GNDとを有する。各セルコントローラCC1〜CC3は、それぞれの入力端子VC1〜VC4に入力された電圧値を検出電圧として保持し、当該検出電圧に基づく、後述するフラグを生成し、検出電圧を含む信号とフラグとをCPU10へ送信する。   Each of the cell controllers CC1 to CC3 has input terminals VC1 to VC4 for inputting voltages of the battery cells 1 of the battery modules M1 to M4 including the four battery cells 1 and a ground terminal GND thereof. Each cell controller CC1 to CC3 holds the voltage value input to each input terminal VC1 to VC4 as a detection voltage, generates a flag to be described later based on the detection voltage, and outputs a signal including the detection voltage and the flag. It transmits to CPU10.

CPU10は、所定のタイミングで各電池セル1の電圧を検出する指令をセルコントローラCC1〜CC3へ送信し、これを受信したセルコントローラCC1〜CC3は各電池セル1の電圧を検出する。   CPU10 transmits the instruction | command which detects the voltage of each battery cell 1 to cell controller CC1-CC3 at a predetermined | prescribed timing, and cell controller CC1-CC3 which received this detects the voltage of each battery cell 1. FIG.

各セルコントローラCC1〜CC3の各出力端子Out1〜Out3は、通信線を介して、CPU10の入力端子In1〜In3に接続されており、各セルコントローラCC1〜CC3及びCPU10は、当該通信線を介して、通信を行う。なお、図1を参照し、各セルコントローラCC1〜CC3及びCPU10は、有線の通信線で接続されているが、無線でもあってもよく、また例えばフォトカップラー及びフォトダイオードを介して、通信を行ってもよい。また各セルコントローラCC1〜CC3及びCPU10は、別構成の制御処理装置で構成される必要はない。   The output terminals Out1 to Out3 of the cell controllers CC1 to CC3 are connected to the input terminals In1 to In3 of the CPU 10 via communication lines, and the cell controllers CC1 to CC3 and the CPU 10 are connected via the communication lines. Communicate. Referring to FIG. 1, the cell controllers CC1 to CC3 and the CPU 10 are connected by a wired communication line, but may be wireless, and perform communication via, for example, a photocoupler and a photodiode. May be. Moreover, each cell controller CC1-CC3 and CPU10 do not need to be comprised by the control processing apparatus of another structure.

CPU10は、各セルコントローラCC1〜CC3から送信される検出電圧及びフラグ信号に含まれるデータを書き込み、データを読み出しできるRAM11(Random Access Memory)と、読み出し用のデータが記録されているROM13(Read Only Memory)と、データを一時的に記録するレジスタ12とを有する。   The CPU 10 writes the data included in the detection voltage and flag signal transmitted from each cell controller CC1 to CC3, and can read the data. The RAM 11 (Random Access Memory), and the ROM 13 (Read Only) in which the data for reading is recorded. Memory) and a register 12 for temporarily recording data.

次に、本例の故障診断機能にかかる構成について、図1及び図2を参照して説明する。図2は、電池セル1の検出電圧とフラグ信号の特性を示し、(a)は電池セル1の検出電圧、(b)は過充電フラグ、(c)は過放電フラグを示す。   Next, the configuration relating to the failure diagnosis function of this example will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows the characteristics of the detection voltage of the battery cell 1 and the flag signal. (A) shows the detection voltage of the battery cell 1, (b) shows the overcharge flag, and (c) shows the overdischarge flag.

各セルコントローラCC1〜CC3は、入力端子VC1〜VC4から電池セル1の電圧を検出する。検出電圧は、各セルコントローラCC1〜CC3に含まれるA/D変換器(図示しない)により、変換され、16ビット長にデジタル表記される。各セルコントローラCC1〜CC3は、予め設定されている上限電圧値(Vmax)及び下限電圧値(Vmin)を用いて、検出電圧に基づく過放電又は過充電フラグ(以下、第1のフラグと称す。)を設定する。上限電圧値は、電池セル1が過充電になる可能性がある電圧の値を示し、下限電圧値は、電池セル1が過放電になる可能性がある電圧の値を示す。各セルコントローラCC1〜CC3は、検出電圧と上限電圧値(Vmax)又は下限電圧値(Vmin)とを比較して、検出電圧が上限電圧値より高い場合、第1のフラグを1に設定し、検出電圧が下限電圧値より低い場合、第1のフラグを1に設定し、検出電圧が下限電圧値(Vmin)と上限電圧値(Vmax)との間の値である場合、第1のフラグを0に設定する。図2(a)を参照し、例えばある電池セル1において、セルコントローラCC1が、0〜t5の間の時間に対する検出電圧を検出した場合、t1〜t2の間の時間の検出電圧は上限電圧値(Vmax)より高いため、t1〜t2の間の時間の第1のフラグは1に設定される。またt3〜t4の間の時間の検出電圧は下限電圧値(Vmin)より低いため、t1〜t2の間の時間の第1のフラグは0に設定される。そして、各セルコンローラCC1〜CC3に含まれるA/D変換器(図示しない)により、設定されたフラグは、変換され、16ビット長でデジタル表記される。そして、各セルコントローラCC1〜CC3は、検出電圧及び第1のフラグをCPU10へ送信する。   Each cell controller CC1-CC3 detects the voltage of the battery cell 1 from the input terminals VC1-VC4. The detected voltage is converted by an A / D converter (not shown) included in each of the cell controllers CC1 to CC3 and is digitally expressed in 16-bit length. Each cell controller CC1 to CC3 uses an upper limit voltage value (Vmax) and a lower limit voltage value (Vmin) set in advance, and an overdischarge or overcharge flag (hereinafter referred to as a first flag) based on the detected voltage. ) Is set. The upper limit voltage value indicates a voltage value at which the battery cell 1 may be overcharged, and the lower limit voltage value indicates a voltage value at which the battery cell 1 may be overdischarged. Each cell controller CC1 to CC3 compares the detected voltage with the upper limit voltage value (Vmax) or the lower limit voltage value (Vmin), and when the detected voltage is higher than the upper limit voltage value, sets the first flag to 1, When the detected voltage is lower than the lower limit voltage value, the first flag is set to 1. When the detected voltage is between the lower limit voltage value (Vmin) and the upper limit voltage value (Vmax), the first flag is set. Set to 0. Referring to FIG. 2A, for example, in a certain battery cell 1, when the cell controller CC1 detects a detection voltage for a time between 0 and t5, the detection voltage for the time between t1 and t2 is an upper limit voltage value. Since it is higher than (Vmax), the first flag of the time between t1 and t2 is set to 1. In addition, since the detection voltage during the period from t3 to t4 is lower than the lower limit voltage value (Vmin), the first flag during the period from t1 to t2 is set to 0. Then, the set flag is converted by an A / D converter (not shown) included in each of the cell controllers CC1 to CC3 and is digitally expressed with a 16-bit length. And each cell controller CC1-CC3 transmits a detection voltage and a 1st flag to CPU10.

CPU10は、受信した検出電圧及び第1のフラグをRAM11に格納する。RAM11には、各電池セル1に対応させてアドレスが割り当てられており、受信した検出電圧及び第1のフラグは、検出対象となる電池セルと対応するアドレスが付されている記憶領域に格納される。またCPU10は、RAM11に格納された当該検出電圧に基づいて、フラグ(以下、第2のフラグ)を設定する。フラグの設定条件は、図2に示す、セルコントローラCC1〜CC3と同様の条件で設定される。そして、CPU10は、RAM11に格納されている第1のフラグと、第2フラグとを比較することにより、故障部分が有るか否かを判定する。CPU10は、第1のフラグと第2のフラグが一致する場合、故障なしと判断し、第1のフラグと第2のフラグが一致しない場合、故障有りと判断する。故障有りと判断された場合、CPU10は、後述するように、故障箇所を特定する制御を行う。   The CPU 10 stores the received detection voltage and the first flag in the RAM 11. The RAM 11 is assigned an address in association with each battery cell 1, and the received detection voltage and the first flag are stored in a storage area to which an address corresponding to the battery cell to be detected is attached. The Further, the CPU 10 sets a flag (hereinafter referred to as a second flag) based on the detected voltage stored in the RAM 11. The flag setting conditions are set under the same conditions as the cell controllers CC1 to CC3 shown in FIG. Then, the CPU 10 determines whether or not there is a failure portion by comparing the first flag stored in the RAM 11 with the second flag. The CPU 10 determines that there is no failure when the first flag and the second flag match, and determines that there is a failure when the first flag and the second flag do not match. When it is determined that there is a failure, the CPU 10 performs control for specifying the failure location, as will be described later.

次に、図3及び図4を用いて、CPU10による故障箇所を特定するための制御部分を説明する。図3は、セルコントローラCC1により形成される、電池セル1及び第1のフラグのデータを説明する図である。図3において、セル1電圧は、電池モジュールM1の中で最も正極側の電池セル1の検出電圧を示し、セル2電圧以降は、電池モジュールM1の中で最も正極側の電池セル1から順次繰り下がる電池セル1の検出電圧を示す。また、図4は、故障箇所を特定する際の、RAM11、レジスタ12及びROM13に格納されるデータを示す図である。図4(a)〜(e)は、時系列で示す、RAM11、レジスタ12及びROM13のデータの遷移を示し、図4(a)は時刻tのデータを、図4(b)〜(e)は、時刻t+1〜t+4のデータを示す。   Next, the control part for specifying the failure location by CPU10 is demonstrated using FIG.3 and FIG.4. FIG. 3 is a diagram illustrating data of the battery cell 1 and the first flag formed by the cell controller CC1. In FIG. 3, the cell 1 voltage indicates the detected voltage of the battery cell 1 on the most positive side in the battery module M1, and the cell 2 voltage and subsequent voltages are sequentially repeated from the battery cell 1 on the most positive side in the battery module M1. The detection voltage of the battery cell 1 which falls is shown. FIG. 4 is a diagram illustrating data stored in the RAM 11, the register 12, and the ROM 13 when a failure location is specified. 4A to 4E show data transitions of the RAM 11, the register 12 and the ROM 13 shown in time series, FIG. 4A shows the data at time t, and FIGS. 4B to 4E show. Indicates data at times t + 1 to t + 4.

セルコントローラCC1は、図3に示すように、電池モジュールM1に含まれる各電池セル1の検出電圧及び第1のフラグのデータを格納し、CPU10に当該データを送信する。図4を参照し、RAM11には、記憶領域がアドレス毎に分けられ、各アドレスの記憶領域に、各電池セル1の検出電圧及び第1のフラグのデータが格納され、また後述する故障診断のために遷移するデータが格納される。本例では、時刻tにおいて、セル1電圧及び第1のフラグのデータがA0000番地に書き込まれ、「00000000」がC0001番地に書き込まれる。またROM13には、16ビットのデータ長で、「5555」、「AAAA」及び「FFFF」が予め格納されている。そして、CPU10内における故障診断は、以下の要領で実施される。なお、「5555」、「AAAA」及び「FFFF」は、それぞれ16進数表記である。   As shown in FIG. 3, the cell controller CC1 stores the detected voltage and the first flag data of each battery cell 1 included in the battery module M1, and transmits the data to the CPU 10. Referring to FIG. 4, the RAM 11 is divided into storage areas for each address, and the detection voltage of each battery cell 1 and the data of the first flag are stored in the storage area for each address. Therefore, the data to be transitioned is stored. In this example, at time t, the cell 1 voltage and the first flag data are written to the address A0000, and “00000000” is written to the address C0001. The ROM 13 stores “5555”, “AAAAA”, and “FFFF” in advance with a data length of 16 bits. The failure diagnosis in the CPU 10 is performed as follows. “5555”, “AAAA”, and “FFFF” are in hexadecimal notation.

図4(a)及び(b)を参照し、A0000番地の領域に格納されるセル1電圧のデータ及び第1のフラグは、RAM11のC0000番地にコピーされる(ステップS1)。CPU10は、A0000番地の領域に格納されるデータを呼び出す際、フラグ部の下位ビットに、ROM13から呼び出されるデータ「5555」を書き込み、レジスタ12に、セル1電圧及び「5555」のデータを格納する(ステップS2)。次に、CPU10は、レジスタ12に格納されるセル1電圧及び「5555」のデータを、RAM11のA0000番地及びB0000番地に書き込み、RAM11を書き換える(ステップS3)。CPU10は、A0000番地の領域に格納されるデータを呼び出す際、フラグ部の下位ビットに、ROM13から呼び出されるデータ「AAAA」を書き込み、レジスタ12に、セル1電圧及び「5555」のデータを格納する(ステップS4)。次に、図4(c)を参照し、CPU10は、レジスタに格納されるセル1電圧及び「AAAA」のデータを、RAM11のA0001番地及びB0001番地に書き込み、RAM11を書き換える(ステップS5)。次に、図4(d)を参照し、CPU10は、A0000番地に格納されるデータとA0001番地に格納されるデータとの和をとり、レジスタに書き込む(ステップS6)。ここで、正常であれば、A0000番地の下位ビットのデータ「5555」とA0001の下位ビットのデータ「AAAA」の和がとられるため、レジスタの下位ビットのデータは「FFFF」となる。第1のフラグに相当する部分のデータが「FFFF」であるか否かを判定するために、CPU10は、ROM13からデータ「FFFF」を呼び出して、ステップS6にてレジスタ12に格納されたデータと比較する(ステップS7)。CPU10は、下位ビットのデータが同じ場合、C0001番地のデータに対してデータの書き込みを行わず、下位ビットのデータが異なる場合、C0001番地のデータに+1をして、C0001番地のデータは「00000001」と書き込まれる。なお、図4(d)及び(e)のA0000番地、A0001番地、B0000番地及びB0001番地の下位ビットについて、RAM11及びレジスタ12が正常であれば、下位ビットのデータは「5555」となるが、本例では説明のために、「5554」とする。そのため図4(d)において、レジスタ12の下位ビットは、A0000番地の「5554」とA0001番地の「AAAA」との和であるから、「FFFE」となる。   4A and 4B, the cell 1 voltage data and the first flag stored in the area A0000 are copied to the address C0000 in the RAM 11 (step S1). When the CPU 10 calls the data stored in the area of address A0000, the CPU 10 writes the data “5555” called from the ROM 13 to the lower bits of the flag part, and stores the cell 1 voltage and the data “5555” in the register 12. (Step S2). Next, the CPU 10 rewrites the RAM 11 by writing the cell 1 voltage and the data “5555” stored in the register 12 to the addresses A0000 and B0000 of the RAM 11 (step S3). When calling the data stored in the area of address A0000, the CPU 10 writes the data “AAAA” called from the ROM 13 to the lower bits of the flag part, and stores the cell 1 voltage and the data “5555” in the register 12. (Step S4). Next, referring to FIG. 4C, the CPU 10 writes the cell 1 voltage and “AAAA” data stored in the register to the addresses A0001 and B0001 of the RAM 11, and rewrites the RAM 11 (step S5). Next, referring to FIG. 4D, the CPU 10 calculates the sum of the data stored at the address A0000 and the data stored at the address A0001, and writes it in the register (step S6). If normal, the lower bit data “5555” at address A0000 and the lower bit data “AAAA” of A0001 are summed, so the lower bit data of the register is “FFFF”. In order to determine whether or not the data corresponding to the first flag is “FFFF”, the CPU 10 calls the data “FFFF” from the ROM 13, and the data stored in the register 12 in step S 6. Compare (step S7). If the lower bit data is the same, the CPU 10 does not write data to the data at the C0001 address. If the lower bit data is different, the CPU 10 adds +1 to the data at the C0001 address, and the data at the C0001 address is “00000001”. Is written. If the RAM 11 and the register 12 are normal for the lower bits of the addresses A0000, A0001, B0000, and B0001 in FIGS. 4D and 4E, the data of the lower bits is “5555”. In this example, it is set to “5554” for explanation. Therefore, in FIG. 4D, the low-order bit of the register 12 is “FFFE” because it is the sum of “5554” at address A0000 and “AAAA” at address A0001.

そして、図4(e)を参照し、CPU10は、B0000番地に格納されるデータとB0001番地に格納されるデータとの和をとり、レジスタに書き込む(ステップS8)。同様に、正常であれば、B0000番地の下位ビットのデータ「5555」とB0001の下位ビットのデータ「AAAA」の和がとられるため、レジスタの下位ビットのデータは「FFFF」となる。第1のフラグに相当する部分のデータが「FFFF」であるか否かを判定するために、CPU10は、ROM13からデータ「FFFF」を呼び出して、ステップS6にてレジスタ12に格納されたデータと比較する(ステップS9)。CPU10は、下位ビットのデータが同じ場合、C0001番地のデータに対してデータの書き込みを行わず、下位ビットのデータが異なる場合、C0001番地のデータに+1をして、データを書き込む。図4(e)において、B0000番地の下位ビットのデータは「5554」であり、レジスタ12の下位ビットのデータは「FFFE」となるため、C0001番地のデータを+1として、データを書き込み、C0001番地のデータは「00000002」となる。   Then, referring to FIG. 4E, the CPU 10 calculates the sum of the data stored at the address B0000 and the data stored at the address B0001, and writes it in the register (step S8). Similarly, since the sum of the lower-bit data “5555” at address B0000 and the lower-bit data “AAAA” of B0001 is taken if it is normal, the lower-bit data of the register is “FFFF”. In order to determine whether or not the data corresponding to the first flag is “FFFF”, the CPU 10 calls the data “FFFF” from the ROM 13, and the data stored in the register 12 in step S 6. Compare (step S9). When the lower bit data is the same, the CPU 10 does not write data to the data at the address C0001, and when the lower bit data is different, the CPU 10 adds +1 to the data at the address C0001 and writes the data. In FIG. 4E, the lower bit data at address B0000 is “5554” and the lower bit data at register 12 is “FFFE”. Therefore, the data at address C0001 is written as +1, and the data is written at address C0001. Is “00000002”.

次に、C0001番地に格納されたデータ(図4(e)においては、データ「00000002」)を、レジスタ12に読み込み、C0001番地のデータが、0、1又は2のいずれかであるかを判定する。C0001番地のデータが2である場合、A0000番地及びA0001番地の下位ビットのデータとB0000番地及びB0001番地の下位ビットのデータが、両方とも異なる場合に相当する。RAM11内のアドレスの値固着等の故障が同時に起こる可能性は、かなり低いため、レジスタ12内における故障であると推定することができる。C0001番地のデータが1である場合、A0000番地及びA0001番地の下位ビットのデータ又はB0000番地及びB0001番地の下位ビットのデータのいずれか一方が、「FFFF」と等しくなっている場合に相当する。かかる場合、RAM11が、アドレスの値固着等により故障していると推定することができる。C0001番地のデータが0である場合、A0000番地及びA0001番地の下位ビットのデータ、及び、B0000番地及びB0001番地の下位ビットのデータが、「FFFF」と等しくなっている場合に相当する。かかる場合、RAM11及びレジスタ12は故障していない場合に相当する。そのため、第1のフラグと第2のフラグが異なり、CPU10内での故障が生じていないため、セルコントローラCC1〜CC3からCPU10に送信させる信号がノイズ等により変化する等の通信異常であると判断される。これにより、CPU10は、故障箇所を特定することができる。   Next, the data stored at the address C0001 (data “00000002” in FIG. 4E) is read into the register 12 to determine whether the data at the address C0001 is 0, 1, or 2. To do. When the data at address C0001 is 2, this corresponds to the case where the lower-bit data at addresses A0000 and A0001 and the lower-bit data at addresses B0000 and B0001 are different. Since the possibility that a failure such as the value fixing of the address in the RAM 11 will occur at the same time is quite low, it can be estimated that the failure is in the register 12. When the data at the address C0001 is 1, this corresponds to the case where either the data of the lower bits of the addresses A0000 and A0001 or the data of the lower bits of the addresses B0000 and B0001 is equal to “FFFF”. In such a case, it can be estimated that the RAM 11 is malfunctioning due to address value fixation or the like. The case where the data at the address C0001 is 0 corresponds to the case where the data of the lower bits of the addresses A0000 and A0001 and the data of the lower bits of the addresses B0000 and B0001 are equal to “FFFF”. In this case, the RAM 11 and the register 12 correspond to the case where there is no failure. Therefore, since the first flag and the second flag are different and no failure has occurred in the CPU 10, it is determined that there is a communication abnormality such as a signal that is transmitted from the cell controllers CC1 to CC3 to the CPU 10 changes due to noise or the like. Is done. Thereby, CPU10 can pinpoint a failure location.

次に、本例の組電池監視装置の故障診断の制御フローを図5〜図7を用いて説明する。図5は、セル電圧に基づき、セルコントローラCC1〜CC3で設定されるフラグと、CPU10で設定されるフラグとの整合性を確認するための制御手順のフローチャートを示し、図6及び図7は、CPU10内の故障診断の制御手順を示すフローチャートである。   Next, a control flow for failure diagnosis of the assembled battery monitoring device of this example will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows a flowchart of a control procedure for confirming the consistency between the flag set by the cell controllers CC1 to CC3 and the flag set by the CPU 10 based on the cell voltage, and FIGS. It is a flowchart which shows the control procedure of the failure diagnosis in CPU10.

図5を参照し、ステップS51にて、CPU10は、CC1から送信される、電池セル1のセル電圧(検出電圧)、及び、当該セル電圧に基づきセルコントローラCC1にて設定された第1のフラグをRAM11に格納する。ステップS52にて、CPU10は、RAM11に格納されたセル電圧をレジスタ12に呼び出す。ステップS53にて、レジスタ12に書き込まれたセル電圧と上限電圧値を比較する。   With reference to FIG. 5, in step S51, the CPU 10 transmits the cell voltage (detected voltage) of the battery cell 1 transmitted from the CC1, and the first flag set by the cell controller CC1 based on the cell voltage. Is stored in the RAM 11. In step S52, the CPU 10 calls the cell voltage stored in the RAM 11 to the register 12. In step S53, the cell voltage written in the register 12 is compared with the upper limit voltage value.

セル電圧が上限電圧値より高い場合、CPU10は、過充電フラグを第2フラグとして設定し、過充電フラグを示すデータ「0001」をレジスタ12に呼び出す(ステップS531)。CPU10は、第1フラグと第2フラグを比較する(ステップS532)。第1フラグと第2フラグが一致する場合は、CPU10は、電池セル1が過充電であることを、ランプ等で報知し、処理を終了する。第1フラグと第2フラグが一致しない場合、CPU10は、図6に示す、故障箇所を特定するための制御フローを行う。   When the cell voltage is higher than the upper limit voltage value, the CPU 10 sets the overcharge flag as the second flag and calls data “0001” indicating the overcharge flag to the register 12 (step S531). The CPU 10 compares the first flag and the second flag (step S532). When the first flag and the second flag match, the CPU 10 notifies the battery cell 1 that it is overcharged with a lamp or the like, and ends the process. When the first flag and the second flag do not match, the CPU 10 performs a control flow for specifying the failure location shown in FIG.

ステップS53に戻り、セル電圧が上限電圧値より低い場合、ステップS54にて、レジスタに書き込まれたセル電圧と下限電圧値を比較する。   Returning to step S53, if the cell voltage is lower than the upper limit voltage value, the cell voltage written in the register is compared with the lower limit voltage value in step S54.

セル電圧が下限電圧値より低い場合、CPU10は、過放電フラグを第2フラグとして設定し、過放電フラグを示すデータ「0001」をレジスタに呼び出す(ステップS541)。CPU10は、第1フラグと第2フラグを比較する(ステップS542)。第1フラグと第2フラグが一致する場合は、CPU10は、電池セル1が過放電であることを、ランプ等で報知し、処理を終了する。第1フラグと第2フラグが一致しない場合、CPU10は、故障箇所を特定するための制御を行う。 When the cell voltage is lower than the lower limit voltage value, the CPU 10 sets the overdischarge flag as the second flag and calls data “0001” indicating the overdischarge flag to the register (step S541). The CPU 10 compares the first flag and the second flag (step S542). When the first flag and the second flag match, the CPU 10 notifies the battery cell 1 that the battery cell 1 is overdischarged with a lamp or the like, and ends the process. When the first flag and the second flag do not match, the CPU 10 performs control for identifying the failure location.

ステップS54に戻り、セル電圧が下限電圧値より高く、上限電圧値より低い場合、CPU10は、正常フラグを第2フラグとして設定し、正常フラグを示すデータ「0000」をレジスタに呼び出す(ステップS55)。CPU10は、第1フラグと第2フラグを比較する(ステップS56)。第1フラグと第2フラグが一致する場合は、CPU10は、処理を終了する。第1フラグと第2フラグが一致しない場合、CPU10は、図6に示す、故障箇所を特定するための制御フローを行う。   Returning to step S54, when the cell voltage is higher than the lower limit voltage value and lower than the upper limit voltage value, the CPU 10 sets the normal flag as the second flag and calls the data “0000” indicating the normal flag to the register (step S55). . The CPU 10 compares the first flag and the second flag (step S56). If the first flag matches the second flag, the CPU 10 ends the process. When the first flag and the second flag do not match, the CPU 10 performs a control flow for specifying the failure location shown in FIG.

次に、図6及び7を参照し、故障箇所を特定するための制御手順を説明する。図6を参照し、ステップS1〜ステップS7までは、図4のステップS1〜ステップS7までと同様であるため、説明を省略する。ステップS7にて、レジスタのフラグ部が「FFFF」である場合、CPU10は、C0001番地のデータの書き込みを行わず、ステップS8に進む。一方。レジスタのフラグ部が「FFFF」ではない場合、CPU10は、C0001番地のデータを+1にする(ステップS71)。次にステップS8にて、CPU10は、B0000番地のデータをB0001番地のデータの和のデータをレジスタに書き込む。ステップS9にて、レジスタのフラグ部が「FFFF」である場合、CPU10は、C0001番地のデータの書き込みを行わず、図7の異常診断に進む。一方。レジスタのフラグ部が「FFFF」ではない場合、CPU10は、C0001番地のデータを+1にし(ステップS71)、図7の異常診断に進む。   Next, with reference to FIGS. 6 and 7, a control procedure for specifying a failure location will be described. Referring to FIG. 6, steps S1 to S7 are the same as steps S1 to S7 in FIG. If the flag portion of the register is “FFFF” in step S7, the CPU 10 does not write the data at the address C0001 and proceeds to step S8. on the other hand. When the flag portion of the register is not “FFFF”, the CPU 10 increments the data at the address C0001 (step S71). Next, in step S8, the CPU 10 writes the data at the address B0000 and the sum of the data at the address B0001 in the register. If the flag portion of the register is “FFFF” in step S9, the CPU 10 does not write the data at the address C0001 and proceeds to the abnormality diagnosis of FIG. on the other hand. If the flag portion of the register is not “FFFF”, the CPU 10 increments the data at address C0001 (step S71), and proceeds to the abnormality diagnosis of FIG.

図7を参照し、ステップS10にて、CPU10は、C0001番地のデータを読み込み、ステップS11にて、C0001番地のデータが「0000」であるか否かを判定する。C0001番地のデータが「0000」である場合、通信異常が生じていると判断する。C0001番地のデータが「0000」ではない場合、ステップS12にて、C0001番地のデータが「0001」であるか否かを判定する。C0001番地のデータが「0001」である場合、RAMの固着が生じていると判断し、C0001番地のデータが「0001」ではない場合、レジスタの固着が生じていると判断する。そして、電池セル1について、上記の制御するフローが終了したら、次の電池セル1について、上記制御を行い、電池モジュールM3の中で最も負極側の電池セル1まで続ける。   Referring to FIG. 7, in step S10, CPU 10 reads the data at address C0001, and determines in step S11 whether the data at address C0001 is “0000”. If the data at address C0001 is “0000”, it is determined that a communication error has occurred. If the data at the address C0001 is not “0000”, it is determined in step S12 whether the data at the address C0001 is “0001”. If the data at the address C0001 is “0001”, it is determined that the RAM is stuck. If the data at the address C0001 is not “0001”, it is determined that the register is stuck. Then, when the above-described control flow is completed for the battery cell 1, the above-described control is performed for the next battery cell 1, and the process continues to the battery cell 1 on the most negative side in the battery module M3.

上記のように、本発明の故障診断装置は、セルコントローラCC1〜CC3によって、電池セル1の検出電圧に基づき設定される第1のフラグと、当該検出電圧を含む信号を受信するCPU10によって、受信された検出電圧に基づき設定される第2のフラグとの整合性を確認する。そして本例は、フラグの整合性がとれている場合、バッテリコントローラ101は正常に動作していると判断し、フラグの整合性がとれていない場合、バッテリコントローラ101内に異常が生じていると判断し、詳細な異常診断を行う。これにより、本例は、フラグの整合性による簡易的な故障判断を行い、簡易結果に基づいて詳細な故障判断を行うため、複雑な処理をしなくてもよく、CPU10に対する負担を軽減化することができる。また、本例は、故障判断が簡素化されるため、処理時間を短縮することができ、処理能力高いCPU10を用いなくてもよいため、コストを抑えることができる。また本例は、組電池3に含まれる電池セル1の検出電圧をCPU10に送信する度に、故障診断のための複雑な処理をする必要がないため、CPU10の処理時間の短縮化、処理負担の軽減化及びコストダウンを実現できる。   As described above, the failure diagnosis apparatus of the present invention receives the first flag set based on the detection voltage of the battery cell 1 by the cell controllers CC1 to CC3 and the CPU 10 that receives the signal including the detection voltage. The consistency with the second flag set based on the detected voltage is confirmed. In this example, if the flag is consistent, the battery controller 101 determines that it is operating normally. If the flag is not consistent, an abnormality has occurred in the battery controller 101. Judge and make a detailed abnormality diagnosis. Thus, in this example, simple failure determination based on flag consistency is performed, and detailed failure determination is performed based on the simple result. Therefore, complicated processing is not required, and the burden on the CPU 10 is reduced. be able to. Further, in this example, since the failure determination is simplified, the processing time can be shortened, and it is not necessary to use the CPU 10 having a high processing capacity, so that the cost can be suppressed. Further, in this example, since it is not necessary to perform complicated processing for failure diagnosis every time the detection voltage of the battery cell 1 included in the assembled battery 3 is transmitted to the CPU 10, the processing time of the CPU 10 is shortened and the processing load is reduced. Reduction and cost reduction can be realized.

また本例は、過放電又は過充電を示す電圧値を閾値として、第1のフラグ及び第2フラグを設定する。これにより、過放電又は過放電を検知するためのフラグを用いて、簡易的な故障診断を行うことができ、別途、故障診断用に信号を用いなくてもよい。   In this example, the first flag and the second flag are set using a voltage value indicating overdischarge or overcharge as a threshold value. Thereby, simple failure diagnosis can be performed using the flag for detecting overdischarge or overdischarge, and it is not necessary to separately use a signal for failure diagnosis.

また本例は、容量調整用の制御信号を用いて、バッテリコントローラ101の故障診断をすることができる。   In this example, a failure diagnosis of the battery controller 101 can be performed using a capacity adjustment control signal.

なお本例は、図1を参照し、セルコントローラCC1〜CC3とCPU10を、In1〜In3とOut1〜Out3を繋ぐ通信線により接続するが、当該通信線の代わりに、図8に示すように、CPU10と組電池3を電力供給線30により接続してもよい。図8は、他の本例の組電池監視装置を示すブロック図である。   In this example, referring to FIG. 1, the cell controllers CC1 to CC3 and the CPU 10 are connected by a communication line connecting In1 to In3 and Out1 to Out3. Instead of the communication line, as shown in FIG. The CPU 10 and the assembled battery 3 may be connected by the power supply line 30. FIG. 8 is a block diagram showing another assembled battery monitoring apparatus of this example.

電力供給線30の一端は、組電池3の正極端子側に接続され、他端はCPU10に接続される。電力供給線30は、組電池3の電力を、CPU10に供給する。各セルコントローラCC1〜CC3により検出される電池セル1の検出電圧及び第1のフラグは、各セルコントローラCC1〜CC3から組電池3を通り、電力供給線30を介して、電力線通信により、CPU10に送信される。また、CPU10は、電力供給線30を介して、各セルコントローラCC1〜CC3に対して、電池セル1の電圧を検出するための指令信号等を、電力線通信により送信する。そして、CPU10は、図4〜7に示す故障判断を実施するが、通信状態が異常な場合、CPU10は、電力供給線30の通信に異常が発生していると判断する。 One end of the power supply line 30 is connected to the positive terminal side of the assembled battery 3, and the other end is connected to the CPU 10. The power supply line 30 supplies the power of the assembled battery 3 to the CPU 10. The detection voltage and the first flag of the battery cell 1 detected by each cell controller CC1 to CC3 pass through the assembled battery 3 from each cell controller CC1 to CC3, and through the power supply line 30 to the CPU 10 by power line communication. Sent. Moreover, CPU10 transmits the command signal etc. for detecting the voltage of the battery cell 1 with respect to each cell controller CC1-CC3 via the power supply line 30 by power line communication. Then, the CPU 10 performs the failure determination illustrated in FIGS. 4 to 7, but when the communication state is abnormal, the CPU 10 determines that an abnormality has occurred in the communication of the power supply line 30.

本例は、電力供給線30を用いた電力線通信により、電池セル1の検出電圧及び第1のフラグを送受信し、当該第1のフラグと受信した検出電圧に基づいて設定される第2フラグとの整合性を判定し、判定結果に基づいて、電力線通信、RAM11及びレジスタ12の故障を判断することができる。   This example transmits and receives the detection voltage and the first flag of the battery cell 1 by power line communication using the power supply line 30, and the second flag is set based on the first flag and the received detection voltage. And the failure of the power line communication, the RAM 11 and the register 12 can be determined based on the determination result.

また本例は、図5を参照し、セル電圧が正常値である場合も、第1フラグと第2フラグとの整合性を判定し、簡易故障診断を行うが、図9に示すように、セル電圧が正常値である場合は、故障診断を行わないようにしてもよい。図9は、他の本例の制御手順を示すフローチャートである。   Further, in this example, referring to FIG. 5, even when the cell voltage is a normal value, the consistency between the first flag and the second flag is determined and simple failure diagnosis is performed. If the cell voltage is a normal value, failure diagnosis may not be performed. FIG. 9 is a flowchart showing another control procedure of this example.

図9を参照し、ステップS91にて、CPU10は、CC1から送信される、電池セル1のセル電圧(検出電圧)、及び、当該セル電圧に基づきセルコントローラCC1にて設定された第1のフラグをRAM11に格納する。ステップS92にて、RAM11に格納された第1のフラグが「0000」であるか否かを判定し、第1のフラグが「0000」である場合、制御処理を終了する。一方、第1のフラグが「0000」ではない場合、ステップS93にて、CPU10は、RAM11に格納されたセル電圧をレジスタ13に呼び出し、ステップS94にて、CPU10は、レジスタに格納されたセル電圧に基づき、第2のフラグを設定する。次にステップS95にて、第2のフラグが「0000」であるか否かを判定する。第2のフラグが「0000」でない場合は、第1のフラグと整合性がとれているため、本例の制御処理を終了する。一方、第2のフラグが「0000」である場合、第1のフラグと整合性がとれていないため、故障箇所の特性にうつる。   Referring to FIG. 9, in step S <b> 91, CPU 10 transmits the cell voltage (detected voltage) of battery cell 1 transmitted from CC <b> 1 and the first flag set by cell controller CC <b> 1 based on the cell voltage. Is stored in the RAM 11. In step S92, it is determined whether or not the first flag stored in the RAM 11 is “0000”. If the first flag is “0000”, the control process is terminated. On the other hand, if the first flag is not “0000”, the CPU 10 calls the cell voltage stored in the RAM 11 to the register 13 in step S93, and the CPU 10 stores the cell voltage stored in the register in step S94. Based on the above, the second flag is set. Next, in step S95, it is determined whether or not the second flag is “0000”. If the second flag is not “0000”, the control processing of this example is terminated because consistency with the first flag is achieved. On the other hand, when the second flag is “0000”, the consistency with the first flag is not achieved, and the characteristics of the failure location are observed.

なお、本例は、過放電フラグと過充電フラグを共に1としたが、必ずしも同じにする必要はなく、異なるフラグを割当ててもよい。   In this example, both the overdischarge flag and the overcharge flag are set to 1, but it is not always necessary to use the same flag, and different flags may be assigned.

なお、本例のセルコントローラCC1〜CC3が本発明の「検出部」、「第1フラグ設定部」に相当し、CPU10が「受信部」、「第2フラグ設定部」及び「制御部」に相当し、RAM11及び/又はレジスタ12が「記憶部」に相当し、容量調整用抵抗5が「抵抗」に相当する。   The cell controllers CC1 to CC3 in this example correspond to the “detection unit” and “first flag setting unit” of the present invention, and the CPU 10 serves as the “reception unit”, “second flag setting unit”, and “control unit”. The RAM 11 and / or the register 12 correspond to a “storage unit”, and the capacitance adjustment resistor 5 corresponds to a “resistance”.

1…電池セル
2…電池負荷
3…組電池
M1〜M3…電池モジュール
4…リレースイッチ
5…容量調整用抵抗
6…電圧検出回路
10…CPU
11…RAM
12…レジスタ
13…ROM
CC1〜CC3…セルコントローラ
30…電力供給線
100…CPU
101…バッテリコントローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Battery cell 2 ... Battery load 3 ... Battery assembly M1-M3 ... Battery module 4 ... Relay switch 5 ... Resistance for capacity adjustment 6 ... Voltage detection circuit 10 ... CPU
11 ... RAM
12 ... Register 13 ... ROM
CC1 to CC3 ... cell controller 30 ... power supply line 100 ... CPU
101 ... Battery controller

Claims (5)

組電池の電圧を検出し、検出電圧に基づいて第1のフラグを設定する電池電圧検出部と、
前記検出電圧及び前記第1のフラグを受信する受信部と、前記受信部により受信された検出電圧及び前記受信部により受信された第1のフラグを記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された検出電圧に基づいて第2のフラグを設定するフラグ設定部とを有する制御部とを備える故障診断装置において、
前記制御部は、
前記記憶部に記憶された前記第1のフラグと、前記第2のフラグとを比較し、フラグの整合性から前記故障診断装置内の故障を診断することを特徴とする
故障診断装置。
A battery voltage detector that detects the voltage of the assembled battery and sets a first flag based on the detected voltage;
A reception unit that receives the detection voltage and the first flag, a storage unit that stores the detection voltage received by the reception unit and the first flag received by the reception unit, and a storage unit that stores the detection voltage and the first flag. A fault diagnosis apparatus comprising a control unit having a flag setting unit that sets a second flag based on the detected voltage.
The controller is
A failure diagnosis device that compares the first flag stored in the storage unit with the second flag and diagnoses a failure in the failure diagnosis device from the consistency of the flag.
前記第1フラグ設定部は、所定の閾値電圧と前記検出電圧とを比較して、前記第1のフラグを設定し、
前記第2フラグ設定部は、前記所定の閾値電圧と前記記憶部により記憶された検出電圧とを比較して、前記第2のフラグを設定することを特徴とする
請求項1記載の故障診断装置。
The first flag setting unit compares the predetermined threshold voltage with the detection voltage, sets the first flag,
The failure diagnosis apparatus according to claim 1, wherein the second flag setting unit sets the second flag by comparing the predetermined threshold voltage with a detection voltage stored in the storage unit. .
前記組電池と電気的に接続され、電池負荷に電力を供給する電力供給線をさらに備え、
前記受信部は、
前記電力供給線を流れる電力線通信により、前記検出電圧及び前記第1のフラグを受信し、
前記記憶部は
前記受信部により受信された検出電圧及び前記受信部により受信された第1のフラグを記憶するRAMとレジスタとを有し、
前記制御部は、
前記第1のフラグの値と前記第2のフラグの値が異なる場合、前記電力線通信、前記RAM及び前記レジスタの故障を診断することを特徴とする
請求項1又は2記載の故障診断装置。
A power supply line that is electrically connected to the battery pack and supplies power to the battery load;
The receiver is
The power line communication flowing through the power supply line receives the detection voltage and the first flag,
The storage unit includes a RAM and a register that store a detection voltage received by the reception unit and a first flag received by the reception unit,
The controller is
3. The fault diagnosis apparatus according to claim 1, wherein when the value of the first flag is different from the value of the second flag, a fault of the power line communication, the RAM, and the register is diagnosed.
前記組電池は複数の電池を含み、
前記検出電圧及び前記第1フラグは、前記複数の電池毎に付されるアドレスに対応づけられており、
前記記憶部は、前記アドレス毎に対応づけて、前記受信された検出電圧及び前記受信された第1のフラグを記憶することを特徴とする
請求項1〜3のいずれか一項に記載する故障診断装置。
The assembled battery includes a plurality of batteries,
The detection voltage and the first flag are associated with addresses assigned to the plurality of batteries,
The failure according to any one of claims 1 to 3, wherein the storage unit stores the received detection voltage and the received first flag in association with each address. Diagnostic device.
前記組電池は複数の電池を含み、
前記電池の容量をそれぞれ調整する抵抗をさらに備え、
前記制御部は、前記受信された検出電圧に応じて、容量調整の対象となる電池を特定し、特定された電池に接続される前記抵抗を制御して、電池の容量を調整することを特徴とする
請求項1〜3のいずれか一項に記載する故障診断装置。
The assembled battery includes a plurality of batteries,
A resistor for adjusting the capacity of each of the batteries;
The controller specifies a battery whose capacity is to be adjusted according to the received detection voltage, and controls the resistance connected to the specified battery to adjust the capacity of the battery. The failure diagnosis apparatus according to any one of claims 1 to 3.
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