JP2011127911A - X-ray capacitor lens - Google Patents

X-ray capacitor lens Download PDF

Info

Publication number
JP2011127911A
JP2011127911A JP2009284047A JP2009284047A JP2011127911A JP 2011127911 A JP2011127911 A JP 2011127911A JP 2009284047 A JP2009284047 A JP 2009284047A JP 2009284047 A JP2009284047 A JP 2009284047A JP 2011127911 A JP2011127911 A JP 2011127911A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
layer
phase shifter
zone plate
rays
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009284047A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5431900B2 (en
Inventor
Hiroo Onomi
博雄 尾身
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2009284047A priority Critical patent/JP5431900B2/en
Publication of JP2011127911A publication Critical patent/JP2011127911A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5431900B2 publication Critical patent/JP5431900B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To attain a nanometer-level X-ray microbeam having both a high intensity and a high resolution. <P>SOLUTION: An X-ray capacitor lens has a carbon layer 3 as a core layer, ruthenium layers 2 and 4 as clad layers, an X-ray phase shifter layer 5 and an X-ray shielding layer 6. If the wavelength of X rays, the focal length, the traveling direction of an X-ray beam and the laminating direction of the core layer and the clad layer are defined as &lambda;, f, AX and AZ, respectively, and a direction orthogonal to AX and AZ is represented by AY, the distance Y<SB>n</SB>(DX) from the center of an X-ray beam along the AY direction is set as Y<SB>n</SB>(DX)=a<SB>n</SB>(DX)än&lambda;f+n<SP>2</SP>&lambda;<SP>2</SP>/4}<SP>1/2</SP>(n is a zone index and a<SB>n</SB>(DX)=1-DX/ä2f(1+n&lambda;/4f)}), the width &Delta;Y<SB>n</SB>(DX) of each zone is expressed as &Delta;Y<SB>n</SB>(DX)=a<SB>n</SB>(DX)(&lambda;f/2Y)ä1+(Y/f)<SP>2</SP>}<SP>1/2</SP>and the length of the phase shifter layer 5 is denoted by t, the shifter layer 5 is located in the region between the position of Y<SB>n</SB>(0) and that of Y<SB>n</SB>(t); DX is the distance along the direction of beam travel, from the end face on the entrance side of the X-ray phase shifter layer 5. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、X線集光装置に関し、より詳細には導波路と位相シフトゾーンとX線遮蔽構造を併用して集光するX線集光レンズに関するものである。   The present invention relates to an X-ray condensing device, and more particularly to an X-ray condensing lens that condenses light using a waveguide, a phase shift zone, and an X-ray shielding structure in combination.

近年、ナノテクノロジー開発の進展に伴い、ナノメートルレベルでの材料の構造評価が求められている。ナノメートルレベルの評価手法としては走査型顕微鏡や電子顕微鏡等があるが、いずれも高真空条件や試料の薄片化などが必要であり、観察したい試料をそのまま測定することは困難であった。これに対し、近年X線の集光化技術の進展に伴い、マイクロメーターレベルのX線ビームが得られるようになってきており、このようなX線ビームを利用したX線回折や蛍光X線分析などの材料評価がようやく可能となってきた。   In recent years, with the progress of nanotechnology development, structural evaluation of materials at the nanometer level is required. There are scanning microscopes, electron microscopes and the like as nanometer level evaluation methods, but all of them require high vacuum conditions and thinning of the sample, and it is difficult to measure the sample to be observed as it is. On the other hand, with the progress of X-ray focusing technology in recent years, micrometer level X-ray beams have been obtained, and X-ray diffraction and fluorescent X-rays using such X-ray beams have been obtained. Material evaluation such as analysis has finally become possible.

X線ビームの集光には大きく分けて、(A)X線ミラー等のX線用光学素子を用いる手法(非特許文献1参照)、(B)結晶の非対称ブラッグ(Bragg )反射を利用する手法(非特許文献2参照)、(C)X線フレネルゾーンプレートを利用する手法(非特許文献3と非特許文献4参照)、(D)透過積層型ゾーンプレートを利用する方法(非特許文献5参照)、(E)X線導波路を利用した手法(非特許文献6参照)がある。   X-ray beam condensing can be broadly divided into (A) a technique using an X-ray optical element such as an X-ray mirror (see Non-Patent Document 1), and (B) asymmetric Bragg reflection of a crystal. Method (see Non-Patent Document 2), (C) Method using an X-ray Fresnel zone plate (see Non-Patent Document 3 and Non-Patent Document 4), (D) Method using a transmissive laminated zone plate (Non-Patent Document) 5), (E) There is a method using an X-ray waveguide (see Non-Patent Document 6).

このうち(A)のX線ミラー等のX線用光学素子を利用する手法および(B)の結晶の非対称ブラッグ反射を利用する手法については現状でほぼ技術的限界に来ており、これ以上の集光化は困難である。   Of these, the method of using the optical element for X-rays such as the X-ray mirror of (A) and the method of using the asymmetric Bragg reflection of the crystal of (B) are almost at the technical limit at present. Condensation is difficult.

これに対しX線のエネルギーが5keV以上である硬X線領域では、(C)のX線フレネルゾーンプレートを用いる手法でビームサイズが100ナノメートル以下の集光ビームが得られている。フレネルゾーンプレートにX線ビームを照射すると、X線ビームの一部はゾーンプレートにより吸収されるため透過しないが、他のX線ビームはそのまま透過する。このとき、X線ビームの波長をλ、X線フレネルゾーンプレートの焦点距離をfとして、X線ビームの中心からビームの進行方向に対して直交する方向に対して(2nλf)1/2(nは0,1,2,・・・)の位置と{(2n+1)λf}1/2の位置との間、または{(2n+1)λf)1/2の位置と{(2n+2)λf}1/2の位置との間にX線が透過しない材料からなる遮蔽ゾーンを設けると、透過したX線が相互に干渉することにより、X線ビームを集光することができる。 On the other hand, in the hard X-ray region where the X-ray energy is 5 keV or more, a focused beam having a beam size of 100 nanometers or less is obtained by the method (C) using the X-ray Fresnel zone plate. When the Fresnel zone plate is irradiated with an X-ray beam, a part of the X-ray beam is absorbed by the zone plate and is not transmitted, but other X-ray beams are transmitted as they are. At this time, assuming that the wavelength of the X-ray beam is λ and the focal length of the X-ray Fresnel zone plate is f, (2nλf) 1/2 (n Is between 0, 1, 2,...) And {(2n + 1) λf} 1/2 , or {(2n + 1) λf) 1/2 and {(2n + 2) λf} 1 / If a shielding zone made of a material that does not transmit X-rays is provided between the position 2 and the transmitted X-rays interfere with each other, the X-ray beam can be condensed.

この集光原理は可視光と同様であり、その詳細については例えば非特許文献7に述べられており、ゾーンプレート集光系の空間分解能はほぼ最外殻ゾーン幅と等しいことが知られている。したがって、X線フレネルゾーンプレートの場合、最大空間分解能はゾーンプレートを構成する遮蔽ゾーンのうち最も細いものの幅で規定される。このようなゾーンプレートを作製するためには、電子ビーム描画を初めとする半導体作製用のリソグラフィ技術が用いられる。半導体リソグラフィ技術自体は10ナノメートルの直線状パターンの描画が可能であるが、X線フレネルゾーンプレートとして必要なリング状のパターンを作製する場合、40ナノメートル程度の幅の描画が現状では限界であり、X線フレネルゾーンプレート自体の分解能も50ナノメーター程度である。さらに、X線フレネルゾーンプレートを作製する際、リング状の非常に多くのパターンを精密に作製する必要があるため、X線フレネルゾーンプレート自体も非常に高価なものとなる。   This condensing principle is the same as that of visible light, and details thereof are described in Non-Patent Document 7, for example, and it is known that the spatial resolution of the zone plate condensing system is substantially equal to the outermost zone width. . Therefore, in the case of an X-ray Fresnel zone plate, the maximum spatial resolution is defined by the width of the narrowest shielded zone constituting the zone plate. In order to manufacture such a zone plate, lithography technology for semiconductor manufacturing including electron beam drawing is used. Although the semiconductor lithography technology itself can draw a linear pattern of 10 nanometers, when producing a ring-shaped pattern necessary as an X-ray Fresnel zone plate, drawing of a width of about 40 nanometers is currently limited. Yes, the resolution of the X-ray Fresnel zone plate itself is about 50 nanometers. Furthermore, when producing an X-ray Fresnel zone plate, since it is necessary to precisely produce a large number of ring-shaped patterns, the X-ray Fresnel zone plate itself is very expensive.

X線フレネルゾーンプレートではX線が透過できない遮蔽ゾーンを設けることによりX線を集光した。また、集光効率を上げるために、遮蔽ゾーンに代えて、X線を透過するがX線の位相をシフトさせるX線位相シフター層を設けることにより、あるいはこの位相シフター層を多段構造にすることにより、さらに集光効率を向上させる方法が提案されている。これに対し、(D)の透過積層型ゾーンプレートを利用する手法の場合、X線が透過する重元素層とX線が透過する軽元素層とを積層した構造を用いる。非特許文献5には、X線ビームの中心からZ方向に沿った距離が(2nλf11/2(nは0,1,2,・・・)の位置と{(2n+1)λf11/2の位置との間の第1の領域、この第1の領域を除く第2の領域のうちいずれかに配置された積層型フレネルゾーンプレート構造により、X線を線状に集光する可能性が近年提案されている。また、2つの積層型フレネルゾーンプレート構造を組み合わせることにより、点状に集光する方法が最近提案されている。 In the X-ray Fresnel zone plate, X-rays were collected by providing a shielding zone through which X-rays cannot be transmitted. Further, in order to increase the light collection efficiency, an X-ray phase shifter layer that transmits X-rays but shifts the phase of X-rays is provided instead of the shielding zone, or this phase shifter layer is formed in a multistage structure. Thus, a method for further improving the light collection efficiency has been proposed. On the other hand, in the case of the method using the transmissive laminated zone plate (D), a structure in which a heavy element layer that transmits X-rays and a light element layer that transmits X-rays is used. In Non-Patent Document 5, the distance along the Z direction from the center of the X-ray beam is (2nλf 1 ) 1/2 (where n is 0, 1, 2,...) And {(2n + 1) λf 1 ). X-rays are linearly collected by the laminated Fresnel zone plate structure disposed in either the first region between the half positions or the second region excluding the first region. Possibilities have been proposed in recent years. In addition, a method of condensing dots in a spot shape by combining two stacked Fresnel zone plate structures has been recently proposed.

一方、(E)のX線導波路を利用する手法の場合、導波路を構成するコアのサイズでX線ビームの大きさが決まる。ここで、コア層のX線領域での屈折率をN1、コア層を覆うクラッド層のX線領域での屈折率をN2とすると、(N1の実数部分)<(N2の実数部分)の関係がある。X線導波路のコア層にX線ビームを入射させると、X線ビームはコア層の中を進行する。このとき、コア層の厚さDが充分小さいとき、ある特定の状態のX線しか伝達されず、このときにコア層の厚さDとX線ビームの波長λとX線ビームのクラッド層への入射角φとの間に以下の関係があることが知られている(非特許文献8参照)。
2Dsin(φ)=mλ(m=0,1,2,・・・) ・・・(1)
On the other hand, in the case of the method using the X-ray waveguide of (E), the size of the X-ray beam is determined by the size of the core constituting the waveguide. Here, when the refractive index in the X-ray region of the core layer is N 1 and the refractive index in the X-ray region of the cladding layer covering the core layer is N 2 , (the real part of N 1 ) <(the real number of N 2 ) Part). When an X-ray beam is incident on the core layer of the X-ray waveguide, the X-ray beam travels through the core layer. At this time, when the thickness D of the core layer is sufficiently small, only X-rays in a specific state are transmitted. At this time, the thickness D of the core layer, the wavelength λ of the X-ray beam, and the cladding layer of the X-ray beam Is known to have the following relationship with the incident angle φ (see Non-Patent Document 8).
2Dsin (φ) = mλ (m = 0, 1, 2,...) (1)

式(1)の条件は、X線導波路に入射するX線の入射角φに制限があることを示しており、それ以外の入射角を持つX線はコア層を透過することができないことを示している。コア層からクラッド層へのX線ビームの入射角φとして全反射を起こす角度程度を選択し、クラッド層を通過するX線ビームがすべて吸収されてしまって導波路出口に透過しないような長さのX線導波路を用いると、導波路出口ではX線ビームをコア層のサイズとほぼ同程度のサイズまで集光することができる。このようなX線導波路は蒸着によって作製することができるため、コア層の厚さを10ナノメートル以下にすることは容易であり、数ナノメートルのサイズを持つX線ビームを作製することが原理的に可能となる。   The condition of formula (1) indicates that there is a limit to the incident angle φ of the X-ray incident on the X-ray waveguide, and X-rays having other incident angles cannot pass through the core layer. Is shown. The angle at which total reflection occurs is selected as the incident angle φ of the X-ray beam from the core layer to the cladding layer, and the length is such that all the X-ray beam passing through the cladding layer is absorbed and does not pass through the waveguide exit. When the X-ray waveguide is used, the X-ray beam can be condensed to a size substantially the same as the size of the core layer at the waveguide exit. Since such an X-ray waveguide can be manufactured by vapor deposition, it is easy to reduce the thickness of the core layer to 10 nanometers or less, and an X-ray beam having a size of several nanometers can be manufactured. It is possible in principle.

しかし、X線導波路を利用する手法の場合、コアの厚み方向にX線ビームを集光することはできるが、厚み方向及びビームの進行方向に対して垂直なコアの面内方向に対してX線を集光することはできない。すなわち、X線導波路の出口で取り出すことのできるX線は水平方向については入射X線と同じサイズとなるので、このX線導波路で得られるのは一次元方向のみに集光された線状のX線マイクロビームであり、二次元方向に集光された点状のX線マイクロビームを得ることは困難である。   However, in the case of a method using an X-ray waveguide, an X-ray beam can be condensed in the thickness direction of the core, but the in-plane direction of the core perpendicular to the thickness direction and the traveling direction of the beam. X-rays cannot be collected. That is, the X-rays that can be extracted at the exit of the X-ray waveguide have the same size as the incident X-rays in the horizontal direction. It is difficult to obtain a point-shaped X-ray microbeam that is focused in a two-dimensional direction.

以上のように、X線フレネルゾーンプレートを利用する手法では、10ナノメートルサイズのX線ビームを得ることは困難であり、またX線導波路を利用する方法では、数ナノメートルのサイズのX線ビームを得ることが可能であるが、X線ビームの集光方向が一次元方向のみで、二次元方向に集光されたX線ビームを得ることができず、X線強度が弱いという問題点があった(非特許文献9参照)。前述のとおり、ナノ構造材料研究の進展に伴って、10ナノメートルレベルの空間分解能でナノ構造材料を評価する技術が要求されているが、従来のX線ビームの集光方法では10ナノメートルレベルの空間分解能を実現することは困難である。   As described above, it is difficult to obtain an X-ray beam having a size of 10 nanometers by a method using an X-ray Fresnel zone plate, and an X-ray having a size of several nanometers is obtained by a method using an X-ray waveguide. Although it is possible to obtain a ray beam, there is a problem that the X-ray beam is condensed in only a one-dimensional direction, an X-ray beam condensed in a two-dimensional direction cannot be obtained, and the X-ray intensity is weak. There was a point (refer nonpatent literature 9). As described above, with the progress of research on nanostructured materials, a technique for evaluating nanostructured materials with a spatial resolution of 10 nanometer level is required. However, the conventional X-ray beam focusing method has a level of 10 nanometer level. It is difficult to achieve a spatial resolution of

このような技術的困難を克服するために、発明者は、X線領域における屈折率がN1であるコア薄膜層の上下を、屈折率N2であるクラッド薄膜層で挟み、屈折率N1とN2の間に(N1の実数部分)<(N2の実数部分)の関係があるX線導波路を用いて、導波路の一部にX線を透過しない遮蔽層により構成されたフレネルゾーンプレートを組み込むことにより垂直方向および水平方向に対するナノメーターレベルで集光されたX線マイクロビームの形成を可能とするX線集光レンズを提案した(特許文献1参照)。以下、この特許文献1で提案したX線集光レンズを従来技術1のX線集光レンズと呼ぶ。 In order to overcome such technical difficulties, the inventor sandwiched the upper and lower sides of the core thin film layer having a refractive index of N 1 in the X-ray region with the clad thin film layer having a refractive index of N 2 , and the refractive index N 1. And an X-ray waveguide having a relationship of (N 1 real part) <(N 2 real part) between N 2 and N 2 , a part of the waveguide is configured by a shielding layer that does not transmit X-rays An X-ray condensing lens that can form an X-ray microbeam condensed at a nanometer level in the vertical and horizontal directions by incorporating a Fresnel zone plate has been proposed (see Patent Document 1). Hereinafter, the X-ray condenser lens proposed in Patent Document 1 is referred to as the X-ray condenser lens of Conventional Technique 1.

図5(A)は従来技術1のX線集光レンズの構成を示す平面図、図5(B)は図5(A)のX線集光レンズのI−I線断面図である。なお、図5(A)では、後述する上部ルテニウム層の下にあるX線遮蔽層およびX線ビームを透視しているものとする。このX線集光レンズは、X線ビームを垂直方向に集光するためのX線導波路部114と、X線ビームを水平方向に集光するためのX線ゾーンプレート部115およびX線集光部116とから構成される。   FIG. 5A is a plan view showing the configuration of the X-ray condenser lens of Prior Art 1, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line I-I of the X-ray condenser lens of FIG. In FIG. 5A, it is assumed that an X-ray shielding layer and an X-ray beam under the upper ruthenium layer described later are seen through. The X-ray condenser lens includes an X-ray waveguide portion 114 for condensing the X-ray beam in the vertical direction, an X-ray zone plate portion 115 for condensing the X-ray beam in the horizontal direction, and an X-ray collector. And an optical part 116.

図5(A)、図5(B)において、108はシリコン基板、109はシリコン基板108の上に形成されたクラッド層である下部ルテニウム層、110は下部ルテニウム層109の上に形成されたコア層であるカーボン層、111はカーボン層110の上に形成されたクラッド層である上部ルテニウム層、112は下部ルテニウム層109とカーボン層110と上部ルテニウム層111とからなるX線導波路の一部に形成された、X線ゾーンプレートとして機能するタンタル材料からなるX線遮蔽層である。   5A and 5B, reference numeral 108 denotes a silicon substrate, 109 denotes a lower ruthenium layer which is a cladding layer formed on the silicon substrate 108, and 110 denotes a core formed on the lower ruthenium layer 109. A carbon layer 111, an upper ruthenium layer 111 being a cladding layer formed on the carbon layer 110, and a part 112 of an X-ray waveguide composed of the lower ruthenium layer 109, the carbon layer 110, and the upper ruthenium layer 111. 2 is an X-ray shielding layer made of a tantalum material that functions as an X-ray zone plate.

X線遮蔽層112は、X線の波長をλ、集光レンズとしての焦点距離をf1としたとき、X線ビーム113の中心からX線ビーム113の進行方向と直交する方向に沿った距離がZ2n(nは0,1,2・・・)の位置とZ2n+1の位置との間の第1の領域、この第1の領域を除く第2の領域のうちのいずれかに配置され、かつX線導波路出口17からX線ビーム113の進行方向と逆方向に沿って焦点距離f1だけ上流に配置される。図5(A)、図5(B)の例では、X線ビーム113の進行方向が図5(A)、図5(B)の右方向、X線ビーム113の進行方向と直交する方向が図5(A)の上下方向である。 The X-ray shielding layer 112 has a distance along the direction orthogonal to the traveling direction of the X-ray beam 113 from the center of the X-ray beam 113 when the wavelength of the X-ray is λ and the focal length as the condenser lens is f 1. Is any one of the first region between the position of Z 2n (n is 0, 1, 2,...) And the position of Z 2n + 1 , or the second region excluding the first region. And arranged upstream from the X-ray waveguide exit 17 by a focal length f 1 along the direction opposite to the traveling direction of the X-ray beam 113. 5A and 5B, the traveling direction of the X-ray beam 113 is the right direction in FIGS. 5A and 5B and the direction orthogonal to the traveling direction of the X-ray beam 113. It is the up-down direction of FIG.

X線遮蔽層112のX線ビームの中心からの距離(座標)Z2n,Z2n+1は以下の式で求められる。
2n=(2nλf11/2 ・・・(2)
2n+1={(2n+1)λf1}}1/2 ・・・(3)
The distances (coordinates) Z 2n and Z 2n + 1 from the center of the X-ray beam of the X-ray shielding layer 112 are obtained by the following equations.
Z 2n = (2nλf 1 ) 1/2 (2)
Z 2n + 1 = {(2n + 1) λf 1 }} 1/2 (3)

また、発明者は、従来技術1のX線集光レンズにおけるX線遮蔽層112を、X線を透過するがX線の位相をシフトさせるX線位相シフター層に置き換えることにより、X線の透過率を4倍にすることができるX線集光レンズを提案した(特許文献2参照)。以下、この特許文献2で提案したX線集光レンズを従来技術2のX線集光レンズと呼ぶ。   Further, the inventor replaces the X-ray shielding layer 112 in the X-ray condenser lens of the prior art 1 with an X-ray phase shifter layer that transmits X-rays but shifts the phase of X-rays, thereby transmitting X-rays. The X-ray condensing lens which can make a rate 4 times was proposed (refer patent document 2). Hereinafter, the X-ray condenser lens proposed in Patent Document 2 is referred to as the X-ray condenser lens of Conventional Technique 2.

さらに、発明者は、従来技術2のX線集光レンズにおけるX線位相シフター層を多段構造の位相シフター層に置き換えることにより、X線の透過率をさらに向上させることができるX線集光レンズを提案した(特許文献3参照)。以下、この特許文献3で提案したX線集光レンズを従来技術3のX線集光レンズと呼ぶ。   Furthermore, the inventor can further improve the X-ray transmittance by replacing the X-ray phase shifter layer in the X-ray condenser lens of the prior art 2 with a phase shifter layer having a multi-stage structure. (See Patent Document 3). Hereinafter, the X-ray condenser lens proposed in Patent Document 3 is referred to as the X-ray condenser lens of Conventional Technique 3.

また、発明者は、入射X線を効果的にX線集光レンズ内に導入するために、上記X線集光レンズのX線集光部の上部クラッド層の上に遮蔽層を設けたX線集光レンズを提案した(特願2008−185718)。以下、この特願2008−185718で提案したX線集光レンズを従来技術4のX線集光レンズと呼ぶ。   The inventor has also provided an X-ray condensing lens on the upper clad layer of the X-ray condensing part of the X-ray condensing lens in order to effectively introduce the incident X-rays into the X-ray condensing lens. A line condensing lens was proposed (Japanese Patent Application No. 2008-185718). Hereinafter, the X-ray condensing lens proposed in Japanese Patent Application No. 2008-185718 will be referred to as the X-ray condensing lens of Prior Art 4.

特開2008−002939号公報JP 2008-002939 A 特開2009−047430号公報JP 2009-047430 A 特開2009−121904号公報JP 2009-121904 A

山内他,“Two-dimensional Submicron Focusing of Hard X-rays by Two Elliptical Mirrors Fabricated by Plasma Chemical Vaporization Machining and Elastic Emission Machining”,Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.42,2003,p.7129-7134Yamauchi et al., “Two-dimensional Submicron Focusing of Hard X-rays by Two Elliptical Mirrors Fabricated by Plasma Chemical Vaporization Machining and Elastic Emission Machining”, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.42, 2003, p.7129-7134 津坂他,“Formation of Parallel X-Ray Microbeam and Its Application”,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.39,2000,L635-L637Tsusaka et al., “Formation of Parallel X-Ray Microbeam and Its Application”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.39, 2000, L635-L637 E.Spiller,“Soft X-ray Optics”,The international Society for Optical Engineering,p.81-97E. Spiller, “Soft X-ray Optics”, The international Society for Optical Engineering, p. 81-97 E.Di Fabrizio,et al.,“High-efficiency multilevel zone plates for keV X-rays”,Nature,Vol.401,1999,p.895-898E.Di Fabrizio, et al., “High-efficiency multilevel zone plates for keV X-rays”, Nature, Vol. 401, 1999, p.895-898 H.C.Kang,J.Maser,G.B.Stephenson,C.Liu,R.Conley,A.T.Macrander,and S.Vogt,「Nanometer Linear Focusing of Hard X Rays by a Multilayer Laue Lens」,Phys.Rev.Lett.,96,127401,2006HCKang, J.Maser, GBStephenson, C.Liu, R.Conley, ATMacrander, and S.Vogt, “Nanometer Linear Focusing of Hard X Rays by a Multilayer Laue Lens”, Phys. Rev. Lett., 96, 127401, 2006 河合潤,“X線進行波”,表面科学,Vol.22,NO.6,p.397-403,2001年Jun Kawai, “X-ray traveling wave”, Surface Science, Vol.22, NO.6, p.397-403, 2001 久保田広,“波動光学”,岩波書店,p.305,1971年Hiroshi Kubota, “Wave Optics”, Iwanami Shoten, p.305, 1971 W.Jark他,“High gain beam compression in new-generation thin-film X-ray waveguide”,Applied Physics Letters,vol.78,No.9,2001,p.1192-1194W. Jark et al., “High gain beam compression in new-generation thin-film X-ray waveguide”, Applied Physics Letters, vol. 78, No. 9, 2001, p.1192-1194 青木貞雄他,“放射光実験の基礎 III.X線マイクロビームとその応用”,p.68-86,PF懇談会 1997年Sadao Aoki et al., “Basics of Synchrotron Radiation Experiment III. X-ray Microbeam and its Applications”, p.68-86, PF Roundtable 1997

従来技術1のX線集光レンズでは、X線導波路構造内のX線集光部をX線透過層とX線遮蔽層とにより構成している。従来技術2のX線集光レンズでは、従来技術1のX線集光レンズの集光効率を改善するために、X線遮蔽層の代わりにX線位相シフター層を設け、X線遮蔽層でのX線の吸収が起こらないようにした。従来技術3のX線集光レンズでは、さらに集光効率を上げるため、位相シフター層を多段構造にすることでさらなる効率の改善を図った。しかしながら、従来技術1,2,3のフレネルゾーンプレートの構造はいずれも理想的なフレネルゾーンプレートを粗く近似した構造であり、この近似のためにX線集光部でX線の位相がずれ、集光X線がぼけてしまうため、コヒーレントな集光X線の分解能を数ナノメートル以下にすることが難しいという問題点があった。   In the X-ray condensing lens of Prior Art 1, the X-ray condensing part in the X-ray waveguide structure is composed of an X-ray transmitting layer and an X-ray shielding layer. In the X-ray condenser lens of the prior art 2, in order to improve the condensing efficiency of the X-ray condenser lens of the prior art 1, an X-ray phase shifter layer is provided instead of the X-ray shielding layer. X-ray absorption was prevented from occurring. In the X-ray condensing lens of the prior art 3, in order to further increase the condensing efficiency, the efficiency is further improved by forming the phase shifter layer in a multistage structure. However, the structures of the Fresnel zone plates of the prior art 1, 2, and 3 are all structures that roughly approximate the ideal Fresnel zone plate, and for this approximation, the X-ray phase is shifted in the X-ray condensing unit, Since the condensed X-rays are blurred, there is a problem that it is difficult to reduce the resolution of the coherent condensed X-rays to several nanometers or less.

本発明は、この課題を解決するためのものであり、従来のX線ビームの集光技術では困難であったナノメートルレベルの高強度かつ高分解能なX線マイクロビームを高効率で実現することができるX線集光レンズを提供することを目的とする。   The present invention is intended to solve this problem, and realizes a high-efficiency, high-efficiency, high-resolution X-ray microbeam at the nanometer level, which was difficult with conventional X-ray beam focusing technology. An object of the present invention is to provide an X-ray condensing lens capable of achieving the above.

本発明は、X線の屈折率がN1のコア層の上下をX線の屈折率がN2のクラッド層で挟んだX線導波路を用いてX線を集光するX線集光レンズであって、X線が入射する前記コア層の一部または前記コア層の前に形成された、X線が透過する材料からなる屈折率がN3(N1の実数部分<N3の実数部分<N2の実数部分)の位相シフター層と、前記コア層の上部のクラッド層の上部の一部に形成された、屈折率がN2以上のX線遮蔽層とを有し、前記位相シフター層は、X線の波長をλ、X線ビームの前記クラッド層への入射角をφ、X線ビームの幅をW、焦点距離をfとし、コア層内におけるX線ビームの進行方向をAX、この進行方向AXと直交する方向のうち前記コア層と前記クラッド層の積層方向をAZ、前記AX及びAZと直交する方向をAY、前記X線ビームの中心から前記AY方向に沿った距離をYn(DX)=an(DX){nλf+n2λ2/4}1/2(nはゾーン指数、an(DX)=1−DX/{2f(1+nλ/4f)}、DXは前記X線位相シフター層の入口側の端面からAX方向に沿った距離)、各ゾーンの幅をΔYn(DX)=an(DX)(λf/2Y){1+(Y/f)21/2、前記位相シフター層のAX方向の長さをtとしたとき、Yn(0)の位置とYn(t)の位置との間の第1の領域に配置され、前記X線遮蔽層は、前記コア層の上部のクラッド層の膜厚をK1、前記コア層の膜厚をD、前記コア層の下部のクラッド層の厚さをK2、前記X線遮蔽層の膜厚をK3としたとき、入口側の端面の位置が前記コア層の出口側の端面の位置から前記AX方向と逆方向に沿って(f+W/sinφ)以上の上流の位置になるように配置され、K3>W/cosφであり、前記コア層の入口側の端面の位置から前記X線遮蔽層の入口側の端面の位置までの距離がゼロ以上であることを特徴とするものである。 The present invention provides an X-ray condenser lens that collects X-rays using an X-ray waveguide in which an X-ray refractive index of N 1 is sandwiched between upper and lower core layers by an X-ray refractive index of N 2. And the refractive index made of a material through which X-rays pass through a part of the core layer to which X-rays enter or before the core layer is N 3 (the real part of N 1 <the real number of N 3 A phase shifter layer of a portion <real part of N 2 ), and an X-ray shielding layer having a refractive index of N 2 or more formed on a part of the upper part of the cladding layer above the core layer, The shifter layer has an X-ray wavelength of λ, an X-ray beam incident angle to the clad layer of φ, an X-ray beam width of W, a focal length of f, and the traveling direction of the X-ray beam in the core layer. AX, among the directions orthogonal to the traveling direction AX, the stacking direction of the core layer and the cladding layer is orthogonal to AZ, AX and AZ Countercurrent AY, the X-ray beam center distance Y n (DX) along the AY direction from = a n (DX) {nλf + n 2 λ 2/4} 1/2 (n zone index, a n ( DX) = 1−DX / {2f (1 + nλ / 4f)}, where DX is the distance along the AX direction from the end face on the entrance side of the X-ray phase shifter layer), and the width of each zone is ΔY n (DX) = a n (DX) (λf / 2Y) {1+ (Y / f) 2 } 1/2 , where t is the length in the AX direction of the phase shifter layer, and the position of Y n (0) and Y n (t ), The X-ray shielding layer has a thickness K 1 of the cladding layer above the core layer, a thickness D of the core layer, and a thickness of the core layer. When the thickness of the lower clad layer is K 2 and the film thickness of the X-ray shielding layer is K 3 , the position of the end face on the inlet side is determined from the position of the end face on the outlet side of the core layer. The X-ray shielding layer is disposed so as to be upstream of (f + W / sinφ) or more along the direction opposite to the X direction, K 3 > W / cosφ, and from the position of the end face on the inlet side of the core layer The distance to the position of the end face on the inlet side of is no less than zero.

また、本発明のX線集光レンズの1構成例において、前記位相シフター層は、入口側の端面の位置がX線集光レンズの焦点から前記AX方向と逆方向に沿ってfだけ上流の位置になるように配置されるものである。
また、本発明のX線集光レンズの1構成例において、前記クラッド層およびX線遮蔽層は、W、Ru、Ta、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Ba、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Tl、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znのうち少なくとも一つを含む材料からなり、前記コア層は、C、O、Si、Be、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Te、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料からなり、前記位相シフター層は、W、Ru、Ta、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Ba、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Tl、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znのうち少なくとも一つを含む材料、あるいはC、Si、Be、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Te、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料からなるものである。
Further, in one configuration example of the X-ray condenser lens of the present invention, the phase shifter layer has an entrance-side end face located upstream from the focal point of the X-ray condenser lens by f along the direction opposite to the AX direction. It is arranged so that it becomes a position.
Further, in one configuration example of the X-ray condenser lens of the present invention, the cladding layer and the X-ray shielding layer are formed of W, Ru, Ta, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Pb, Tl, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn, and the core layer is made of C. , O, Si, Be, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Te, and a material including at least one of polymer materials, and the phase shifter layer includes W, Ru, Ta, Rb, Sr. Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Pb, Tl, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn Material containing at least one, or C, Si, Be, Ca, Sc Ti,, V, Cr, Mn, Te is made of a material containing at least one of the polymeric materials.

また、本発明のX線集光レンズの1構成例は、さらに、前記位相シフター層を含むX線導波路の後方に配置された積層型フレネルゾーンプレート構造を備え、前記積層型フレネルゾーンプレート構造は、X線が透過しない材料からなる重元素層とX線が透過する材料からなる軽元素層とを交互に積層した構造であり、前記重元素層は、前記積層型フレネルゾーンプレート構造の焦点距離をf1としたとき、前記X線ビームの中心から前記AZ方向に沿った距離が(2mλf11/2(mは0,1,2,・・・)の位置と{(2m+1)λf11/2の位置との間の第2の領域、この第2の領域を除く第3の領域のうちのいずれかに配置されることを特徴とするものである。 Moreover, one structural example of the X-ray condensing lens of this invention is further equipped with the laminated type Fresnel zone plate structure arrange | positioned behind the X-ray waveguide containing the said phase shifter layer, The said laminated type Fresnel zone plate structure Is a structure in which a heavy element layer made of a material that does not transmit X-rays and a light element layer made of a material that transmits X-rays are alternately stacked, and the heavy element layer is a focal point of the stacked Fresnel zone plate structure. When the distance is f 1 , the distance along the AZ direction from the center of the X-ray beam is a position of (2mλf 1 ) 1/2 (m is 0, 1, 2,...) And {(2m + 1) It is characterized by being arranged in any one of the second region between the position of λf 1 } 1/2 and the third region excluding the second region.

また、本発明のX線集光レンズの1構成例において、前記積層型フレネルゾーンプレート構造の出口側の端面は、前記位相シフター層の入口側の端面から前記X線ビームの進行方向AXに沿って下流側に距離Lの位置にあり、前記X線導波路の焦点距離fと前記積層型フレネルゾーンプレート構造の焦点距離f1との間にf=f1+Lの関係が成り立つことを特徴とするものである。
また、本発明のX線集光レンズの1構成例において、前記積層型フレネルゾーンプレート構造の重元素層は、W、Ru、Ta、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Ba、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Tl、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znのうち少なくとも一つを含む材料からなり、前記軽元素層は、C、O、Si、Be、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Te、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料からなるものである。
Moreover, in one structural example of the X-ray condenser lens of the present invention, an end face on the exit side of the laminated Fresnel zone plate structure is along the traveling direction AX of the X-ray beam from the end face on the entrance side of the phase shifter layer. The distance L is at the downstream side, and the relationship of f = f 1 + L is established between the focal length f of the X-ray waveguide and the focal length f 1 of the laminated Fresnel zone plate structure. To do.
In one configuration example of the X-ray condenser lens of the present invention, the heavy element layer of the laminated Fresnel zone plate structure includes W, Ru, Ta, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag. , Cd, In, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Pb, Tl, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn. The layer is made of a material containing at least one of C, O, Si, Be, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Te, and a polymer material.

本発明によれば、X線導波路に位相シフター層を設けることにより、コア層の厚み方向についてX線導波路構造を用いてX線ビームを集光することができ、コア層の厚み方向およびX線ビームの進行方向と直交する方向についてはX線フレネルゾーンプレートと同様の集光作用を利用してX線ビームを集光することができる。その結果、本発明では、ナノメートルオーダーまで集光した高強度のX線マイクロビームを簡便に得ることができ、量子ドット、ナノドット、ナノワイヤー、ナノ粒子や高集積化した半導体材料の微細ゲートなど種々のナノ材料の構造評価が可能となり、半導体材料や半導体デバイスの開発に貢献することができる。また、本発明では、X線導波路構造にX線ビームの進行方向AX方向に対して一定の厚みをもつ遮蔽層あるいは多段の位相シフター層を用いる従来のX線集光レンズに比べ、AX方向に依存して厚さが変化する位相シフター層を用いるため、AY方向に対する分解能を数十ナノメートルから数ナノメートルへと上げることができる。これにより、個々のナノ構造の分析などにも利用しやすいX線ビームを得ることができる。また、本発明では、X線遮蔽層を設けて、コア層の上部のクラッド層を凸構造にすることにより、クラッド層の表面で全反射するX線を遮蔽することができる。これにより、強度むらと焦点ぼけの少ないコヒーレントなナノスケールのX線集光ビームを得ることができる。   According to the present invention, by providing the phase shifter layer in the X-ray waveguide, the X-ray beam can be condensed using the X-ray waveguide structure in the thickness direction of the core layer. In the direction orthogonal to the traveling direction of the X-ray beam, the X-ray beam can be condensed using the same condensing action as the X-ray Fresnel zone plate. As a result, in the present invention, it is possible to easily obtain a high-intensity X-ray microbeam condensed to the nanometer order, such as quantum dots, nanodots, nanowires, nanoparticles, and fine gates of highly integrated semiconductor materials. It is possible to evaluate the structure of various nanomaterials and contribute to the development of semiconductor materials and semiconductor devices. Further, in the present invention, the X-ray waveguide structure has an AX direction as compared with a conventional X-ray condensing lens using a shielding layer or a multistage phase shifter layer having a constant thickness with respect to the traveling direction AX direction of the X-ray beam. Therefore, the resolution in the AY direction can be increased from several tens of nanometers to several nanometers. This makes it possible to obtain an X-ray beam that can be easily used for analysis of individual nanostructures. In the present invention, by providing an X-ray shielding layer and making the cladding layer above the core layer have a convex structure, X-rays totally reflected on the surface of the cladding layer can be shielded. As a result, a coherent nanoscale X-ray focused beam with less intensity unevenness and defocus can be obtained.

また、本発明では、入口側の端面の位置がX線集光レンズの焦点からAX方向と逆方向に沿って焦点距離fだけ上流の位置になるように位相シフター層を配置することにより、通常のX線ミラーなどで更に集光することが容易で、分析等にも利用しやすいX線ビームを得ることができる。   Further, in the present invention, the phase shifter layer is usually arranged so that the position of the end surface on the entrance side is located upstream of the focal point of the X-ray condenser lens by the focal length f along the direction opposite to the AX direction. Further, it is easy to collect light with an X-ray mirror, and an X-ray beam that can be easily used for analysis can be obtained.

また、本発明では、X線導波路構造の後方に積層型フレネルゾーンプレート構造を配置することにより、X線集光レンズと試料との間のワーキングディスタンスを十分に確保しながら、ナノメートルレベルの径のビーム集光を実現することが可能となる。   Further, in the present invention, by arranging the laminated Fresnel zone plate structure behind the X-ray waveguide structure, a sufficient working distance between the X-ray condensing lens and the sample can be ensured, while at the nanometer level. It becomes possible to realize beam condensing with a diameter.

また、本発明では、積層型フレネルゾーンプレート構造の出口側の端面が、位相シフター層の入口側の端面からX線ビームの進行方向AXに沿って下流側に距離Lの位置になるようにし、X線導波路の焦点距離fと積層型フレネルゾーンプレート構造の焦点距離f1との間にf=f1+Lの関係が成り立つようにすることにより、X線集光レンズから離れた位置にX線を集光することが容易になり、分析などにも利用しやすいX線ビームを得ることができる。 In the present invention, the end surface on the exit side of the laminated Fresnel zone plate structure is positioned at a distance L downstream from the end surface on the entrance side of the phase shifter layer along the traveling direction AX of the X-ray beam, by such relation f = f 1 + L is established between the focal length f 1 of the focal length f and the laminated type Fresnel zone plate structure of X-ray waveguide, X at a position away from the X-ray focusing lens It becomes easy to collect the rays, and an X-ray beam that can be easily used for analysis can be obtained.

本発明の第1の実施の形態に係るX線集光レンズの構成を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the structure of the X-ray condensing lens which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態におけるX線位相シフター層の位置を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the position of the X-ray phase shifter layer in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係るX線集光レンズの構成を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the structure of the X-ray condensing lens which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態における積層型フレネルゾーンプレート構造の重元素層の位置を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the position of the heavy element layer of the laminated | stacked Fresnel zone plate structure in the 2nd Embodiment of this invention. 従来のX線集光レンズの構成を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the structure of the conventional X-ray condensing lens.

[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1(A)は本発明の第1の実施の形態に係るX線集光レンズの構成を示す平面図、図1(B)は図1(A)のX線集光レンズのI−I断面図である。なお、図1(A)では、後述する上部ルテニウム層の下にあるX線位相シフター層を透視しているものとする。また、図1(A)のI−I線の位置には実際にはX線シフター層は存在しないが、図1(B)ではX線シフター層の位置を明らかにするためにX線位相シフター層を便宜的に記載するものとする。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view showing the configuration of the X-ray condenser lens according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is II of the X-ray condenser lens of FIG. It is sectional drawing. In FIG. 1A, it is assumed that an X-ray phase shifter layer under the upper ruthenium layer described later is seen through. 1A actually does not have an X-ray shifter layer, but FIG. 1B shows an X-ray phase shifter to clarify the position of the X-ray shifter layer. Layers shall be listed for convenience.

本実施の形態のX線集光レンズは、X線導波路の一部にフレネルゾーンプレートを組み込んだものであり、X線ビーム7を垂直方向に集光するため、またX線ビームをX線導波路内に効果的に導入するためのX線導波路部8と、X線を効果的に進行させるためのX線導波路部9と、X線ビームを水平方向に集光するためのX線ゾーンプレート部10と、X線導波路を進行するX線の損失を少なくし、全反射X線を遮蔽することができるX線集光部11とから構成される。   The X-ray condensing lens of the present embodiment incorporates a Fresnel zone plate in a part of the X-ray waveguide, and condenses the X-ray beam 7 in the vertical direction. An X-ray waveguide portion 8 for effectively introducing the X-ray into the waveguide, an X-ray waveguide portion 9 for effectively propagating X-rays, and an X-ray for condensing the X-ray beam in the horizontal direction The line zone plate unit 10 and an X-ray condensing unit 11 that can reduce the loss of X-rays traveling through the X-ray waveguide and shield the total reflection X-rays.

図1において、1はシリコン基板、2はシリコン基板1の上に形成されたクラッド層である下部ルテニウム層、3は下部ルテニウム層2の上に形成されたコア層であるカーボン層、4はカーボン層3の上に形成されたクラッド層である上部ルテニウム層、5は下部ルテニウム層2とカーボン層3と上部ルテニウム層4とからなるX線導波路の一部に形成された、X線ゾーンプレートとして機能する銀材料からなるX線位相シフター層、6はルテニウムからなるX線遮蔽層である。   In FIG. 1, 1 is a silicon substrate, 2 is a lower ruthenium layer which is a cladding layer formed on the silicon substrate 1, 3 is a carbon layer which is a core layer formed on the lower ruthenium layer 2, and 4 is carbon. An upper ruthenium layer 5, which is a cladding layer formed on the layer 3, is an X-ray zone plate formed in a part of an X-ray waveguide composed of the lower ruthenium layer 2, the carbon layer 3 and the upper ruthenium layer 4. An X-ray phase shifter layer made of a silver material functioning as 6 and an X-ray shielding layer 6 made of ruthenium.

図1(A)、図1(B)の例では、X線ビームの中心が図1(A)のI−I線、X線ビームの進行方向をAX、この進行方向AXと直交する方向のうちX線導波路レンズ構造のコア層とクラッド層の積層方向をAZ、AXおよびAZと直交する方向をAYとしている。
ここで、X線導波路構造のコア層のX線領域での屈折率をN1、クラッド層のX線領域での屈折率をN2、X線位相シフター層の屈折率をN3とすると、屈折率N1とN2とN3の間には、(N1の実数部分)<(N3の実数部分)<(N2の実数部分)の関係がある。
In the example of FIGS. 1A and 1B, the center of the X-ray beam is the II line in FIG. 1A, the traveling direction of the X-ray beam is AX, and the direction orthogonal to the traveling direction AX is the same. Among these, the stacking direction of the core layer and the cladding layer of the X-ray waveguide lens structure is AZ, and the direction orthogonal to AZ and AZ is AY.
Here, when the refractive index in the X-ray region of the core layer of the X-ray waveguide structure is N 1 , the refractive index in the X-ray region of the cladding layer is N 2 , and the refractive index of the X-ray phase shifter layer is N 3. The refractive indexes N 1 , N 2, and N 3 have a relationship of (the real part of N 1 ) <(the real part of N 3 ) <(the real part of N 2 ).

また、入射X線の幅をW、上部ルテニウム層4の膜厚をK1、カーボン層3の膜厚をD、下部ルテニウム層2の膜厚をK2、クラッド層を兼ねるX線遮蔽層6の膜厚をK3とし、X線ビーム7のクラッド層への入射角をφ、X線集光レンズの焦点距離をf、X線位相シフター層5のビーム進行方向の長さをtとすると、X線遮蔽層6は、入口側の端面の位置がカーボン層3の出口側の端面の位置からX線ビーム7の進行方向AXと逆方向に沿って(f+W/sinφ)以上の上流の位置になるように配置される。また、K3>W/cosφ、K1<K2、K1<K3の関係があり、さらにカーボン層3の入口側の端面の位置からX線遮蔽層6の入口側の端面の位置までの距離がゼロ以上という関係がある。 Further, the width of incident X-rays is W, the film thickness of the upper ruthenium layer 4 is K 1 , the film thickness of the carbon layer 3 is D, the film thickness of the lower ruthenium layer 2 is K 2 , and the X-ray shielding layer 6 also serves as the cladding layer. the film thickness and K 3, the angle of incidence on the cladding layer of the X-ray beam 7 phi, the focal length of the X-ray focusing lens f, and the length of the beam traveling direction of the X-ray phase shifter layer 5 and t The X-ray shielding layer 6 is positioned upstream of the position of the end face on the entrance side from the position of the end face on the exit side of the carbon layer 3 in the direction opposite to the traveling direction AX of the X-ray beam 7 (f + W / sinφ) or more. It is arranged to become. Further, there is a relationship of K 3 > W / cos φ, K 1 <K 2 , K 1 <K 3 , and from the position of the end face on the inlet side of the carbon layer 3 to the position of the end face on the inlet side of the X-ray shielding layer 6 There is a relationship that the distance is zero or more.

X線集光レンズのX線位相シフター層5は、X線の波長をλ、ゾーン指数をnとしたとき、X線ビームの中心からX線ビームの進行方向AXと直交する方向AYに沿った距離がYn(0)の位置とYn(t)の位置との間の領域に配置され、かつX線入口側の端面がX線導波路出口12からX線ビームの進行方向AXと逆方向に沿ってfだけ上流の位置に配置される。 The X-ray phase shifter layer 5 of the X-ray condenser lens extends along the direction AY perpendicular to the traveling direction AX of the X-ray beam from the center of the X-ray beam when the wavelength of the X-ray is λ and the zone index is n. The distance is arranged in a region between the position of Y n (0) and the position of Y n (t), and the end face on the X-ray entrance side is opposite to the X-ray beam traveling direction AX from the X-ray waveguide exit 12. It is arranged at a position upstream by f along the direction.

X線位相シフター層5のX線ビームの中心からの距離(座標)Yn(DX)は、以下の式で求められる。DXはX線位相シフター層5の入口側の端面からビーム進行方向に沿った距離である。
n(DX)=an(DX){nλf+n2λ2/4}1/2 ・・・(4)
また、式(4)のan(DX)は下記の式で求められる。
n(DX)=1−DX/{2f(1+nλ/4f)} ・・・(5)
The distance (coordinates) Y n (DX) from the center of the X-ray beam of the X-ray phase shifter layer 5 is obtained by the following equation. DX is a distance along the beam traveling direction from the end face on the entrance side of the X-ray phase shifter layer 5.
Y n (DX) = a n (DX) {nλf + n 2 λ 2/4} 1/2 ··· (4)
Further, a n (DX) of the formula (4) is obtained by the following formula.
a n (DX) = 1−DX / {2f (1 + nλ / 4f)} (5)

図1(A)、図1(B)はn=4の場合を示している。n=4の場合、X線ビームの中心からの距離(座標)はYn(DX)(n=0,1,・・・4、DXは0またはt)となり、X線位相シフター層5は、各ゾーンの幅がΔYn(DX)=an(DX)(λf/2Y){1+(Y/f)21/2となるように、図2の黒地の領域に配置すればよい。なお、ゾーン指数nの最大数は400程度以上とすることができる。 1A and 1B show the case where n = 4. When n = 4, the distance (coordinates) from the center of the X-ray beam is Y n (DX) (n = 0, 1,..., 4 is 0 or t), and the X-ray phase shifter layer 5 is , so that the width of each zone is ΔY n (DX) = a n (DX) (λf / 2Y) {1+ (Y / f) 2} 1/2, may be arranged in the region of the black in FIG. 2 . The maximum number of zone indices n can be about 400 or more.

本実施の形態では、クラッド層から漏洩するX線を防止するため、下部ルテニウム層2およびX線遮蔽層6の厚さを100ナノメートルとし、上部ルテニウム層4の厚さを10ナノメートル、X線が透過するカーボン層3の厚さを10ナノメートルとしている。   In the present embodiment, in order to prevent X-rays leaking from the cladding layer, the thickness of the lower ruthenium layer 2 and the X-ray shielding layer 6 is 100 nanometers, the thickness of the upper ruthenium layer 4 is 10 nanometers, X The thickness of the carbon layer 3 through which the line passes is 10 nanometers.

また、X線ゾーンプレート部10でX線を効率良く集光するためには、X線位相シフター層5を透過するX線が存在しなくなるまでX線位相シフター層5を長くするか、あるいは透過したX線を焦点(X線導波路出口12)で位相を揃えて干渉させる必要がある。本実施の形態では、X線を焦点で位相を揃えて干渉させる手法を採用する。このため、本実施の形態では、n=400、最外ゾーンの幅ΔYを1nmとしたとき、X線ゾーンプレート部10(X線位相シフター層5)の長さtは26ナノメートル以下と見積もられ、焦点距離を4.7ミリメートルとしたとき、最外のゾーンプレートの幅Yn=400(0)は54マイクロメートルとなる。ここでは、入射X線の波長λを0.154ナノメートルとしている。 Further, in order to efficiently collect the X-rays by the X-ray zone plate portion 10, the X-ray phase shifter layer 5 is lengthened or transmitted until there is no X-ray transmitting through the X-ray phase shifter layer 5. It is necessary to cause the X-rays to interfere with each other by aligning the phase at the focal point (X-ray waveguide exit 12). In the present embodiment, a technique is adopted in which X-rays interfere with each other at the same phase at the focal point. For this reason, in this embodiment, when n = 400 and the outermost zone width ΔY is 1 nm, the length t of the X-ray zone plate portion 10 (X-ray phase shifter layer 5) is estimated to be 26 nanometers or less. When the focal length is 4.7 millimeters, the outermost zone plate width Y n = 400 (0) is 54 micrometers. Here, the wavelength λ of the incident X-ray is 0.154 nanometers.

なお、最外のゾーンの幅でビームの分解能が決まるので、X線ビームは1ナノメートル程度まで集光することができ、この場合の集光効率は約67%である。また、この場合、式(5)のnλ/4fは1.38×10-5となり、この値は1より極めて小さいため、式(5)はan(DX)=1−DX/2fと近似することができる。このとき、図1に示すように、DX=2fでan(2f)=0となる。 Since the beam resolution is determined by the width of the outermost zone, the X-ray beam can be condensed to about 1 nanometer, and the condensing efficiency in this case is about 67%. Further, the approximation in this case, n [lambda / 4f is 1.38 × 10 -5 next equation (5), since this value is extremely smaller than 1, the formula (5) and a n (DX) = 1- DX / 2f can do. At this time, as shown in FIG. 1, the a n (2f) = 0 in DX = 2f.

次に、本実施の形態のX線集光レンズの作製方法を説明する。まず、シリコン基板1の上に下部ルテニウム層2を例えば蒸着によって形成する。この下部ルテニウム層2の上に銀を蒸着後、電子ビームリソグラフィ等の方法により加工して、X線位相シフター層5を形成する。続いて、下部ルテニウム層2の上にカーボン層を例えばスパッタによって形成する。このとき、カーボン層3の厚さは、X線位相シフター層5の厚さ以下となるようにする。続いて、カーボン層3とX線位相シフター層5の上に上部ルテニウム層4を例えば蒸着によって形成する。最後に、上部ルテニウム層4の上部の一部にX線遮蔽層6を例えば蒸着により形成することにより、X線集光レンズの作製が完了する。   Next, a method for manufacturing the X-ray condenser lens of the present embodiment will be described. First, the lower ruthenium layer 2 is formed on the silicon substrate 1 by vapor deposition, for example. Silver is deposited on the lower ruthenium layer 2 and then processed by a method such as electron beam lithography to form the X-ray phase shifter layer 5. Subsequently, a carbon layer is formed on the lower ruthenium layer 2 by, for example, sputtering. At this time, the thickness of the carbon layer 3 is set to be equal to or less than the thickness of the X-ray phase shifter layer 5. Subsequently, the upper ruthenium layer 4 is formed on the carbon layer 3 and the X-ray phase shifter layer 5 by, for example, vapor deposition. Finally, the X-ray condensing lens 6 is completed by forming the X-ray shielding layer 6 on a part of the upper portion of the upper ruthenium layer 4 by, for example, vapor deposition.

こうして作製したX線集光レンズにX線ビーム7を図1(A)、図1(B)の左側からX線導波路部8に対して入射角φで入射させた場合、X線導波路部8を透過したX線は、X線の損失が小さいX線導波路部9を透過し、次にX線ゾーンプレート部10に入射する。このとき、X線の一部は各ゾーンに配置されたX線位相シフター層5によって位相変調され、X線集光部11に到達する。   When the X-ray beam 7 is made incident on the X-ray waveguide section 8 from the left side of FIGS. 1A and 1B with the incident angle φ to the X-ray condenser lens thus manufactured, the X-ray waveguide The X-rays that have passed through the part 8 pass through the X-ray waveguide part 9 with a small loss of X-rays, and then enter the X-ray zone plate part 10. At this time, part of the X-rays is phase-modulated by the X-ray phase shifter layer 5 disposed in each zone and reaches the X-ray condensing unit 11.

シリコン基板1と垂直な方向についてはX線ビームは広がることができないため、X線ビームの垂直方向(図1(B)の上下方向)のX線ビームのサイズはX線導波路部8,9の場合と同様に約10ナノメートル程度となる。   Since the X-ray beam cannot spread in the direction perpendicular to the silicon substrate 1, the size of the X-ray beam in the vertical direction of the X-ray beam (the vertical direction in FIG. 1B) is the X-ray waveguide portions 8 and 9. As in the case of, it is about 10 nanometers.

一方、導波路の水平面内についてはX線ビームのモードを束縛するものはないため、X線ゾーンプレート部10の開口部から出たX線は、X線集光部11の中と1次元フレネルゾーンプレート構造部を進行し、X線導波路出口12の位置に集光される。このときのX線ビームの水平方向のサイズは、X線位相シフター層5の最小幅(図1(A)の上下方向の寸法)によって決まる。X線導波路出口12において、X線ビームの垂直方向のサイズは約10ナノメートルとなる。また、X線位相シフター層5の幅の最小値は約1ナノメートルであるから、X線ビームの水平方向のサイズは約1ナノメートルとなる。   On the other hand, since there is nothing that restricts the mode of the X-ray beam in the horizontal plane of the waveguide, the X-rays emitted from the opening of the X-ray zone plate unit 10 are generated in the X-ray condensing unit 11 and in the one-dimensional Fresnel. The light travels through the zone plate structure and is condensed at the position of the X-ray waveguide outlet 12. The horizontal size of the X-ray beam at this time is determined by the minimum width of the X-ray phase shifter layer 5 (vertical dimension in FIG. 1A). At the X-ray waveguide exit 12, the vertical size of the X-ray beam is about 10 nanometers. In addition, since the minimum value of the width of the X-ray phase shifter layer 5 is about 1 nanometer, the horizontal size of the X-ray beam is about 1 nanometer.

以上例示したように、本実施の形態のX線集光レンズでは、入射するX線ビームのエネルギーを有効に活用しながらX線ビームの点状集光を行うことができ、ナノメートルレベルの高強度なX線マイクロビームを実現することができるので、ナノメートルレベルの材料の高度な構造評価が可能になる。   As exemplified above, in the X-ray condenser lens of the present embodiment, the X-ray beam can be focused in a point-like manner while effectively using the energy of the incident X-ray beam. Since an intense X-ray microbeam can be realized, advanced structural evaluation of nanometer level materials becomes possible.

本実施の形態のX線集光レンズを材料評価に用いる場合には、X線集光レンズを出射した光をそのまま評価対象の材料に照射したり、X線集光レンズを出射した光をさらにミラーで集光して評価対象の材料に照射したりして、材料によって回折したX線または材料から発生した蛍光X線を検出して材料を評価すればよい。   When the X-ray condenser lens of this embodiment is used for material evaluation, the light emitted from the X-ray condenser lens is directly irradiated to the material to be evaluated, or the light emitted from the X-ray condenser lens is further emitted. The material may be evaluated by collecting the light with a mirror and irradiating the material to be evaluated, or detecting X-rays diffracted by the material or fluorescent X-rays generated from the material.

なお、本発明は、以上の実施の形態に限定されるものではない。例えば本実施の形態では、X線位相シフター層5をX線導波路のコア層中に設けているが、コア層の外に設けてもよい。この場合には、X線入口側の端面の位置がX線導波路出口12から焦点距離fだけ上流の位置になるように、X線位相シフター層5を設けるようにすればよい。   In addition, this invention is not limited to the above embodiment. For example, in the present embodiment, the X-ray phase shifter layer 5 is provided in the core layer of the X-ray waveguide, but may be provided outside the core layer. In this case, the X-ray phase shifter layer 5 may be provided so that the position of the end face on the X-ray entrance side is a position upstream from the X-ray waveguide outlet 12 by the focal length f.

また、本実施の形態では、コア層の材料として、カーボンを用いているが、コア層の材料はカーボン、酸素、シリコン、ベリリウム、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料であればよい。また、コア層の材料として、ホウ素、酸素、アルミニウム、フッ素、カルシウム、マグネシウム、チタンのうち少なくとも一つを含む材料を用いてもよく、ポリイミド、ポリメタクリル酸メチル、フッ素樹脂あるいは塩素樹脂をもちいてもよい。   In this embodiment, carbon is used as the material for the core layer. However, the material for the core layer may be a material containing at least one of carbon, oxygen, silicon, beryllium, and a polymer material. Further, as the material of the core layer, a material containing at least one of boron, oxygen, aluminum, fluorine, calcium, magnesium, and titanium may be used, and polyimide, polymethyl methacrylate, fluorine resin, or chlorine resin is used. Also good.

また、本実施の形態では、クラッド層およびX線遮蔽層の材料としてルテニウムを用いているが、タングステン、ルテニウム、タンタルのうち少なくとも一つを含む材料であればよい。また、クラッド層の材料として、ニッケル、コバルト、クロム、バナジウム、チタン、ゲルマニウム、モリブデン、ジルコニウム、インジウム、レニウム、銀、金、白金、タンタルのうち少なくとも一つを含む材料を用いても良い。X線位相シフター層5の材料はクラッド層と同一でもよいし、クラッド層の材料としてあげたものの中からクラッド層とは別の材料を用いてもよい。   In this embodiment, ruthenium is used as the material of the cladding layer and the X-ray shielding layer, but any material containing at least one of tungsten, ruthenium, and tantalum may be used. Further, as a material for the cladding layer, a material containing at least one of nickel, cobalt, chromium, vanadium, titanium, germanium, molybdenum, zirconium, indium, rhenium, silver, gold, platinum, and tantalum may be used. The material of the X-ray phase shifter layer 5 may be the same as that of the clad layer, or a material different from the clad layer may be used among the materials mentioned as the clad layer material.

また、本実施の形態では、X線位相シフター層5の材料に銀を用いているが、タングステン、ルテニム、タンタル、ルビジウム、ストロンチウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、パラジウム、銀、カドミウム、インジウム、バリウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、鉛、タリウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛のうち少なくとも一つを含む材料、あるいはカーボン、酸素、シリコン、ベリリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジム、クロム、マンガン、テルル、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料を用いてもよい。   In the present embodiment, silver is used for the material of the X-ray phase shifter layer 5, but tungsten, ruthenium, tantalum, rubidium, strontium, yttrium, zirconium, niobium, molybdenum, palladium, silver, cadmium, indium, Materials containing at least one of barium, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold, lead, thallium, vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, or carbon, oxygen, silicon, beryllium, calcium Alternatively, a material containing at least one of scandium, titanium, vanadium, chromium, manganese, tellurium, and a polymer material may be used.

[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図3(A)は本発明の第2の実施の形態に係るX線集光レンズの構成を示す平面図、図3(B)は図3(A)のX線集光レンズのI−I断面図であり、図1(A)と図1(B)と同一の構成には同一の符号を付してある。なお、図3(A)では、X線位相シフター層5と、X線導波路レンズ構造及び積層型フレネルゾーンプレート構造を透過するX線ビームを透視しているものとする。また、図3(A)のI−I線の位置には実際にはX線シフター層5は存在しないが、図3(B)ではX線シフター層5の位置を明らかにするためにX線位相シフター層5を便宜的に記載するものとする。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3A is a plan view showing the configuration of the X-ray condenser lens according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 3B is II of the X-ray condenser lens of FIG. It is sectional drawing, and the same code | symbol is attached | subjected to the structure same as FIG. 1 (A) and FIG. 1 (B). In FIG. 3A, it is assumed that the X-ray beam passing through the X-ray phase shifter layer 5, the X-ray waveguide lens structure, and the laminated Fresnel zone plate structure is seen through. In addition, the X-ray shifter layer 5 does not actually exist at the position of the II line in FIG. 3A, but in FIG. 3B, X-rays are used to clarify the position of the X-ray shifter layer 5. The phase shifter layer 5 is described for convenience.

本実施の形態のX線集光レンズは、X線導波路部8とX線導波路部9とX線ゾーンプレート部10とX線集後部11とからなるX線導波路レンズ構造と、1次元型のフレネルゾーンプレートとよばれる積層型フレネルゾーンプレート構造15とを同一基板上に形成したものである。
図3(A)、図3(B)の例では、X線ビームの進行方向をAX、この進行方向AXと直交する方向のうちX線導波路レンズ構造のコア層とクラッド層の積層方向をAZ、AXおよびAZと直交する方向をAYとしている。
The X-ray condensing lens of the present embodiment includes an X-ray waveguide lens structure including an X-ray waveguide portion 8, an X-ray waveguide portion 9, an X-ray zone plate portion 10, and an X-ray collection rear portion 11, and 1 A laminated Fresnel zone plate structure 15 called a three-dimensional type Fresnel zone plate is formed on the same substrate.
In the example of FIGS. 3A and 3B, the traveling direction of the X-ray beam is AX, and the stacking direction of the core layer and the cladding layer of the X-ray waveguide lens structure is the direction orthogonal to the traveling direction AX. The direction orthogonal to AZ, AX and AZ is AY.

X線導波路レンズ構造は第1の実施の形態と同様の構成なので、説明は省略する。ただし、第1の実施の形態では、X線位相シフター層5のX線入口側の端面の位置がX線導波路出口12からX線ビームの進行方向AXと逆方向に沿って焦点距離fだけ上流の位置になるようにX線位相シフター層5を配置したのに対し、本実施の形態では、X線入口側の端面の位置がX線集光レンズの焦点16から焦点距離fだけ上流の位置になるようにX線位相シフター層5を配置する。   Since the X-ray waveguide lens structure is the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted. However, in the first embodiment, the position of the end face on the X-ray entrance side of the X-ray phase shifter layer 5 is the focal length f along the direction opposite to the traveling direction AX of the X-ray beam from the X-ray waveguide exit 12. Whereas the X-ray phase shifter layer 5 is arranged to be upstream, in the present embodiment, the position of the end face on the X-ray entrance side is upstream from the focal point 16 of the X-ray condenser lens by the focal length f. The X-ray phase shifter layer 5 is disposed so as to be positioned.

積層型フレネルゾーンプレート構造15は、X線がほとんど透過しない重元素層13とX線が透過する軽元素層14とを交互に積層した構造である。重元素層13は、集光レンズとしての焦点距離をf1としたとき、X線ビームの中心(図3(B)のII−II線)からX線ビームの進行方向AXと直交する方向AZに沿った距離がZ2m(mは0,1,2,・・・)の位置とZ2m+1の位置との間の第2の領域、この第2の領域を除く第3の領域のうちのいずれかに配置され、かつX線集光レンズの焦点16からX線ビームの進行方向AXと逆方向に沿って焦点距離f1だけ上流に配置される。重元素層13のX線ビームの中心からの距離(座標)Z2m,Z2m+1は以下の式で求められる。
2m=(2mλf11/2 ・・・(6)
2m+1={(2m+1)λf1}}1/2 ・・・(7)
The stacked Fresnel zone plate structure 15 is a structure in which heavy element layers 13 that hardly transmit X-rays and light element layers 14 that transmit X-rays are alternately stacked. The heavy element layer 13 has a direction AZ perpendicular to the traveling direction AX of the X-ray beam from the center of the X-ray beam (II-II line in FIG. 3B) when the focal length as the condenser lens is f 1 . Of the second region between the position of Z 2m (where m is 0, 1, 2,...) And the position of Z 2m + 1 , the third region excluding this second region. It is arranged at any one of them, and is arranged upstream from the focal point 16 of the X-ray condenser lens by a focal length f 1 along the direction opposite to the traveling direction AX of the X-ray beam. The distances (coordinates) Z 2m and Z 2m + 1 from the center of the X-ray beam of the heavy element layer 13 are obtained by the following equations.
Z 2m = (2mλf 1 ) 1/2 (6)
Z 2m + 1 = {(2m + 1) λf 1 }} 1/2 (7)

重元素層13をZ2m(mは0,1,2,・・・)とZ2m+1との間の第2の領域に設ける場合を図4に示す。重元素層13をZ2mとZ2m+1との間を除く第3の領域に設ける場合は、図4の黒地の領域の間に重元素層13を配置し、図4の黒地の領域に軽元素層14を配置すればよい。 FIG. 4 shows a case where the heavy element layer 13 is provided in the second region between Z 2m (m is 0, 1, 2,...) And Z 2m + 1 . When the heavy element layer 13 is provided in the third region except between Z 2m and Z 2m + 1 , the heavy element layer 13 is disposed between the black background regions of FIG. The light element layer 14 may be disposed.

X線導波路部8,9とX線ゾーンプレート部10とX線集光部11とからなるX線導波路レンズ構造の作製方法は、第1の実施の形態とほぼ同じであるが、本実施の形態では、シリコン基板1にエッチングによりメサ構造を形成し、マスクを用いてメサ構造の上にのみ下部ルテニウム層2を形成する。以後の行程は第1の実施の形態で説明したとおりである。   The manufacturing method of the X-ray waveguide lens structure including the X-ray waveguide portions 8 and 9, the X-ray zone plate portion 10 and the X-ray condensing portion 11 is substantially the same as that of the first embodiment. In the embodiment, the mesa structure is formed on the silicon substrate 1 by etching, and the lower ruthenium layer 2 is formed only on the mesa structure using a mask. The subsequent steps are as described in the first embodiment.

次に、本実施の形態の積層型フレネルゾーンプレート構造15の作製方法を説明する。X線位相シフター層5の入口側の端面からX線ビームの進行方向AXに沿って下流側に距離Lの位置が積層型フレネルゾーンプレート構造15の出口側の端面となるように、タングステンからなる重元素層13とタングステンシリサイドからなる軽元素層14とを交互に例えばスパッタによって形成する。本実施の形態では、重元素層13を式(6)に示したZ2mと式(7)に示したZ2m+1との間の第2の領域に設けている。このとき、X線導波路レンズ構造から入射するX線ビームのAZ方向の中心(図3(B)のII−II線)の位置が中央の重元素層13の中心と一致するように配置する。これで、X線集光レンズの作製が完了する。 Next, a manufacturing method of the laminated Fresnel zone plate structure 15 of the present embodiment will be described. It is made of tungsten so that the position at a distance L downstream from the end surface on the entrance side of the X-ray phase shifter layer 5 along the traveling direction AX of the X-ray beam becomes the end surface on the exit side of the laminated Fresnel zone plate structure 15. The heavy element layer 13 and the light element layer 14 made of tungsten silicide are alternately formed by, for example, sputtering. In the present embodiment, the heavy element layer 13 is provided in the second region between Z 2m shown in Formula (6) and Z 2m + 1 shown in Formula (7). At this time, the X-ray beam incident from the X-ray waveguide lens structure is arranged so that the position of the center in the AZ direction (II-II line in FIG. 3B) coincides with the center of the central heavy element layer 13. . This completes the production of the X-ray condenser lens.

こうして作製したX線集光レンズにX線ビーム7を図3(A)、図3(B)の左側から入射させた場合、X線導波路レンズ構造の長さによっては導波路モードで進行するX線以外のX線の存在が無視できない可能性もあるが、本実施の形態ではX線導波路レンズ構造の長さと積層型フレネルゾーンプレート構造15の長さをそれぞれ10ミリメートルとしている。この値は、X線の波長に比べると十分に大きいことから、X線導波路レンズ構造を透過するX線ビームは式(1)を満足するビームのみしか存在せず、シリコン基板1に垂直な方向(図3(B)の上下方向)のX線ビームのサイズは約10ナノメール程度となる。   When the X-ray beam 7 is incident on the X-ray condenser lens thus manufactured from the left side of FIGS. 3A and 3B, it proceeds in a waveguide mode depending on the length of the X-ray waveguide lens structure. Although the presence of X-rays other than X-rays may not be ignored, in this embodiment, the length of the X-ray waveguide lens structure and the length of the laminated Fresnel zone plate structure 15 are each 10 millimeters. Since this value is sufficiently larger than the wavelength of the X-ray, only the X-ray beam that passes through the X-ray waveguide lens structure satisfies the formula (1) and is perpendicular to the silicon substrate 1. The size of the X-ray beam in the direction (vertical direction in FIG. 3B) is about 10 nanomail.

X線導波路部8,9とX線ゾーンプレート部10とX線集光部11とからなるX線導波路レンズ構造によるX線の集光原理は第1の実施の形態で説明したとおりである。第1の実施の形態と異なる点は、水平方向の集光位置が図1(A)、図1(B)に示したX線導波路出口12から焦点16に変わったことである。X線導波路レンズ構造の出口12におけるX線ビームの垂直方向のサイズは約10ナノメートル程度となる。出口12から出射するX線ビームは、垂直方向に入射角の2倍の発散角をもって出射する。このX線ビームは、X線導波路レンズ構造の後方に配置された積層型フレネルゾーンプレート構造15により再び集光する。   The principle of X-ray focusing by the X-ray waveguide lens structure including the X-ray waveguide sections 8 and 9, the X-ray zone plate section 10 and the X-ray focusing section 11 is as described in the first embodiment. is there. The difference from the first embodiment is that the horizontal condensing position is changed from the X-ray waveguide exit 12 shown in FIGS. 1A and 1B to the focal point 16. The vertical size of the X-ray beam at the exit 12 of the X-ray waveguide lens structure is about 10 nanometers. The X-ray beam emitted from the exit 12 is emitted with a divergence angle twice as large as the incident angle in the vertical direction. This X-ray beam is condensed again by the laminated Fresnel zone plate structure 15 disposed behind the X-ray waveguide lens structure.

一方、X線導波路レンズ構造のX線ゾーンプレート部10から出たX線は一次元の球面波としてX線集光部11と積層型フレネルゾーンプレート構造15の中を進行する。この結果、X線集光部11と積層型フレネルゾーンプレート構造15の中を進行するX線は、干渉効果によって水平方向(図3(A)の上下方向)に集光される。   On the other hand, the X-rays emitted from the X-ray zone plate portion 10 of the X-ray waveguide lens structure travel through the X-ray condensing portion 11 and the laminated Fresnel zone plate structure 15 as a one-dimensional spherical wave. As a result, the X-rays traveling through the X-ray condensing unit 11 and the laminated Fresnel zone plate structure 15 are condensed in the horizontal direction (up and down direction in FIG. 3A) by the interference effect.

したがって、X線導波路レンズ構造のX線ゾーンプレート部10及びX線集光部11による焦点16の位置と積層型フレネルゾーンプレート構造15による集光位置とを一致させるようにすれば、X線集光レンズと焦点16との間に距離をとることができる。
第1の実施の形態のX線集光レンズでは、X線がX線導波路の端面で集光されるため、立体構造を持つ試料の測定では、試料の形状によっては微小部分の調整が困難である。すなわち、第1の実施の形態のX線集光レンズでは、仮に試料をX線導波路の端面から離れた場所に置いた場合、導波路から出射したX線はその進行方向に対して垂直な方向について再び発散光となり試料に照射されるため、X線集光レンズで集光したナノビームの特性を有効に利用することができない。
Therefore, if the position of the focal point 16 by the X-ray zone plate part 10 and the X-ray condensing part 11 of the X-ray waveguide lens structure and the condensing position by the laminated Fresnel zone plate structure 15 are made to coincide, A distance can be taken between the condenser lens and the focal point 16.
In the X-ray condensing lens of the first embodiment, since X-rays are condensed on the end face of the X-ray waveguide, it is difficult to adjust a minute part depending on the shape of the sample when measuring a sample having a three-dimensional structure. It is. That is, in the X-ray condenser lens of the first embodiment, if the sample is placed at a location away from the end face of the X-ray waveguide, the X-ray emitted from the waveguide is perpendicular to the traveling direction. Since the direction again becomes divergent light and irradiates the sample, the characteristics of the nanobeam condensed by the X-ray condenser lens cannot be used effectively.

これに対して、本実施の形態では、X線導波路レンズ構造の後方に積層型フレネルゾーンプレート構造を配置することにより、X線集光レンズと試料との間のワーキングディスタンスを十分に確保しながら、ナノメートルレベルの径のビーム集光を実現することが可能となる。これにより、本実施の形態では、試料測定時における位置合わせの自由度を高めることができる。   On the other hand, in the present embodiment, the working distance between the X-ray condenser lens and the sample is sufficiently ensured by arranging the laminated Fresnel zone plate structure behind the X-ray waveguide lens structure. However, it is possible to realize beam condensing with a diameter of nanometer level. Thereby, in this Embodiment, the freedom degree of the alignment at the time of sample measurement can be raised.

なお、本実施の形態では、重元素層13の材料としてタングステンを用いているが、重元素層13の材料は、Ru、Ta、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Ba、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Tl、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znのうち少なくとも一つを含む材料であればよい。また、軽元素層14の材料としてタングステンシリサイドを用いているが、軽元素層14の材料は、C、O、Si、Be、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Te、高分子材料のうちすくなくとも一つを含む材料を用いてもよく、ポリイミド、ポリメタクリル酸メチル、フッ素樹脂あるいは塩素樹脂を用いてもよい。   In this embodiment, tungsten is used as the material of the heavy element layer 13, but the material of the heavy element layer 13 is Ru, Ta, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Any material containing at least one of Cd, In, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Pb, Tl, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn may be used. Further, tungsten silicide is used as the material of the light element layer 14, but the material of the light element layer 14 is C, O, Si, Be, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Te, a polymer material. A material including at least one of them may be used, and polyimide, polymethyl methacrylate, a fluorine resin, or a chlorine resin may be used.

本発明は、X線集光装置に適用することができる。   The present invention can be applied to an X-ray condensing device.

1…シリコン基板、2…下部ルテニウム層、3…カーボン層、4…上部ルテニウム層、5…X線位相シフター層、6…X線遮蔽層、7…X線ビーム、8,9…X線導波路部、10…X線ゾーンプレート部、11…X線集光部、12…X線導波路出口、13…重元素層、14…軽元素層、15…積層型フレネルゾーンプレート構造、16…X線集光レンズの焦点。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon substrate, 2 ... Lower ruthenium layer, 3 ... Carbon layer, 4 ... Upper ruthenium layer, 5 ... X-ray phase shifter layer, 6 ... X-ray shielding layer, 7 ... X-ray beam, 8, 9 ... X-ray conduction Waveguide part, 10 ... X-ray zone plate part, 11 ... X-ray condensing part, 12 ... X-ray waveguide exit, 13 ... Heavy element layer, 14 ... Light element layer, 15 ... Laminated Fresnel zone plate structure, 16 ... The focal point of the X-ray condenser lens.

Claims (6)

X線の屈折率がN1のコア層の上下をX線の屈折率がN2のクラッド層で挟んだX線導波路を用いてX線を集光するX線集光レンズであって、
X線が入射する前記コア層の一部または前記コア層の前に形成された、X線が透過する材料からなる屈折率がN3(N1の実数部分<N3の実数部分<N2の実数部分)の位相シフター層と、
前記コア層の上部のクラッド層の上部の一部に形成された、屈折率がN2以上のX線遮蔽層とを有し、
前記位相シフター層は、X線の波長をλ、X線ビームの前記クラッド層への入射角をφ、X線ビームの幅をW、焦点距離をfとし、コア層内におけるX線ビームの進行方向をAX、この進行方向AXと直交する方向のうち前記コア層と前記クラッド層の積層方向をAZ、前記AX及びAZと直交する方向をAY、前記X線ビームの中心から前記AY方向に沿った距離をYn(DX)=an(DX){nλf+n2λ2/4}1/2(nはゾーン指数、an(DX)=1−DX/{2f(1+nλ/4f)}、DXは前記X線位相シフター層の入口側の端面からAX方向に沿った距離)、各ゾーンの幅をΔYn(DX)=an(DX)(λf/2Y){1+(Y/f)21/2、前記位相シフター層のAX方向の長さをtとしたとき、Yn(0)の位置とYn(t)の位置との間の第1の領域に配置され、
前記X線遮蔽層は、前記コア層の上部のクラッド層の膜厚をK1、前記コア層の膜厚をD、前記コア層の下部のクラッド層の厚さをK2、前記X線遮蔽層の膜厚をK3としたとき、入口側の端面の位置が前記コア層の出口側の端面の位置から前記AX方向と逆方向に沿って(f+W/sinφ)以上の上流の位置になるように配置され、K3>W/cosφであり、前記コア層の入口側の端面の位置から前記X線遮蔽層の入口側の端面の位置までの距離がゼロ以上であることを特徴とするX線集光レンズ。
An X-ray condensing lens that collects X-rays using an X-ray waveguide in which an X-ray refractive index is N 1 and a core layer is sandwiched between clad layers having an X-ray refractive index of N 2 .
The refractive index made of a material that transmits a part of the core layer to which X-rays enter or the X-ray is transmitted is N 3 (the real part of N 1 <the real part of N 3 <N 2 The real number part) phase shifter layer,
An X-ray shielding layer having a refractive index of N 2 or more formed on a part of the upper part of the cladding layer above the core layer;
The phase shifter layer has an X-ray wavelength λ, an X-ray beam incident angle φ, an X-ray beam width W, a focal length f, and the X-ray beam traveling in the core layer. The direction perpendicular to the traveling direction AX, the stacking direction of the core layer and the cladding layer is AZ, the direction perpendicular to the AX and AZ is AY, and the center of the X-ray beam is along the AY direction. distance to Y n (DX) = a n (DX) {nλf + n 2 λ 2/4} 1/2 (n zone index, a n (DX) = 1 -DX / {2f (1 + nλ / 4f)}, DX distance along the AX direction from the end face on the inlet side of the X-ray phase shifter layer), the width of each zone ΔY n (DX) = a n (DX) (λf / 2Y) {1+ (Y / f) 2} 1/2, when the length of the AX direction of the phase shifter layer was t, the position of Y n (0) Disposed in the first region between the position of Y n (t),
In the X-ray shielding layer, the thickness of the cladding layer above the core layer is K 1 , the thickness of the core layer is D, the thickness of the cladding layer below the core layer is K 2 , and the X-ray shielding layer is When the film thickness of the layer is K 3 , the position of the end face on the inlet side is an upstream position of (f + W / sinφ) or more along the direction opposite to the AX direction from the position of the end face on the outlet side of the core layer. K 3 > W / cos φ, and the distance from the position of the end face on the entrance side of the core layer to the position of the end face on the entrance side of the X-ray shielding layer is zero or more X-ray condenser lens.
請求項1記載のX線集光レンズにおいて、
前記位相シフター層は、入口側の端面の位置がX線集光レンズの焦点から前記AX方向と逆方向に沿ってfだけ上流の位置になるように配置されることを特徴とするX線集光レンズ。
The X-ray condenser lens according to claim 1,
The phase shifter layer is disposed such that the position of the end face on the entrance side is located upstream from the focal point of the X-ray condenser lens by f along the direction opposite to the AX direction. Optical lens.
請求項1又は2記載のX線集光レンズにおいて、
前記クラッド層およびX線遮蔽層は、W、Ru、Ta、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Ba、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Tl、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znのうち少なくとも一つを含む材料からなり、
前記コア層は、C、O、Si、Be、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Te、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料からなり、
前記位相シフター層は、W、Ru、Ta、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Ba、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Tl、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znのうち少なくとも一つを含む材料、あるいはC、Si、Be、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Te、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とするX線集光レンズ。
In the X-ray condensing lens according to claim 1 or 2,
The cladding layer and the X-ray shielding layer are W, Ru, Ta, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Pb, It consists of a material containing at least one of Tl, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn,
The core layer is made of a material including at least one of C, O, Si, Be, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Te, and a polymer material,
The phase shifter layer includes W, Ru, Ta, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Pb, Tl, V, A material containing at least one of Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, or at least one of C, Si, Be, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Te, and a polymer material An X-ray condensing lens comprising a material containing two.
請求項1記載のX線集光レンズにおいて、
さらに、前記位相シフター層を含むX線導波路の後方に配置された積層型フレネルゾーンプレート構造を備え、
前記積層型フレネルゾーンプレート構造は、X線が透過しない材料からなる重元素層とX線が透過する材料からなる軽元素層とを交互に積層した構造であり、前記重元素層は、前記積層型フレネルゾーンプレート構造の焦点距離をf1としたとき、前記X線ビームの中心から前記AZ方向に沿った距離が(2mλf11/2(mは0,1,2,・・・)の位置と{(2m+1)λf11/2の位置との間の第2の領域、この第2の領域を除く第3の領域のうちのいずれかに配置されることを特徴とするX線集光レンズ。
The X-ray condenser lens according to claim 1,
Furthermore, a laminated Fresnel zone plate structure disposed behind the X-ray waveguide including the phase shifter layer,
The laminated Fresnel zone plate structure is a structure in which a heavy element layer made of a material that does not transmit X-rays and a light element layer made of a material that transmits X-rays are alternately stacked. When the focal length of the type Fresnel zone plate structure is f 1 , the distance along the AZ direction from the center of the X-ray beam is (2mλf 1 ) 1/2 (m is 0, 1, 2,...) And the second region between the position of {(2m + 1) λf 1 } 1/2 and the third region excluding the second region, X Line condensing lens.
請求項4記載のX線集光レンズにおいて、
前記積層型フレネルゾーンプレート構造の出口側の端面は、前記位相シフター層の入口側の端面から前記X線ビームの進行方向AXに沿って下流側に距離Lの位置にあり、前記X線導波路の焦点距離fと前記積層型フレネルゾーンプレート構造の焦点距離f1との間にf=f1+Lの関係が成り立つことを特徴とするX線集光レンズ。
The X-ray condenser lens according to claim 4,
An end face on the exit side of the laminated Fresnel zone plate structure is located at a distance L downstream from the end face on the entrance side of the phase shifter layer along the traveling direction AX of the X-ray beam, and the X-ray waveguide An X-ray condensing lens characterized in that a relationship of f = f 1 + L is established between the focal length f of the laminated Fresnel zone plate structure and the focal length f 1 of the laminated Fresnel zone plate structure.
請求項4又は5記載のX線集光レンズにおいて、
前記積層型フレネルゾーンプレート構造の重元素層は、W、Ru、Ta、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Ba、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Tl、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znのうち少なくとも一つを含む材料からなり、
前記軽元素層は、C、O、Si、Be、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Te、高分子材料のうち少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とするX線集光レンズ。
The X-ray condenser lens according to claim 4 or 5,
The layered Fresnel zone plate structure heavy element layers are W, Ru, Ta, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au. , Pb, Tl, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and a material containing at least one of Zn,
The light element layer is made of a material including at least one of C, O, Si, Be, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Te, and a polymer material. lens.
JP2009284047A 2009-12-15 2009-12-15 X-ray condenser lens Expired - Fee Related JP5431900B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009284047A JP5431900B2 (en) 2009-12-15 2009-12-15 X-ray condenser lens

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009284047A JP5431900B2 (en) 2009-12-15 2009-12-15 X-ray condenser lens

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011127911A true JP2011127911A (en) 2011-06-30
JP5431900B2 JP5431900B2 (en) 2014-03-05

Family

ID=44290671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009284047A Expired - Fee Related JP5431900B2 (en) 2009-12-15 2009-12-15 X-ray condenser lens

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5431900B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109887636A (en) * 2019-04-22 2019-06-14 苏州宏策光电科技有限公司 A kind of Nb/Al multilayer film Laue lens applied to the micro- focusing of hard X ray
CN113470847A (en) * 2021-07-19 2021-10-01 河南仕佳光子科技股份有限公司 Waveguide type optical tweezers chip and preparation method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010025662A (en) * 2008-07-17 2010-02-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X-ray condensing lens

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010025662A (en) * 2008-07-17 2010-02-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X-ray condensing lens

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109887636A (en) * 2019-04-22 2019-06-14 苏州宏策光电科技有限公司 A kind of Nb/Al multilayer film Laue lens applied to the micro- focusing of hard X ray
CN113470847A (en) * 2021-07-19 2021-10-01 河南仕佳光子科技股份有限公司 Waveguide type optical tweezers chip and preparation method thereof
CN113470847B (en) * 2021-07-19 2024-01-05 河南仕佳光子科技股份有限公司 Waveguide type optical tweezers chip and preparation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP5431900B2 (en) 2014-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3008931B2 (en) High light transmission aperture array
JP5451150B2 (en) X-ray source grating and X-ray phase contrast image imaging apparatus
US8737561B2 (en) X-ray phase grating and method for producing the same
US20170146806A1 (en) Light-field Imaging Using a Gradient Metasurface Optical Element
JP2010249533A (en) Source grating for talbot-lau-type interferometer
US9228961B2 (en) Method for producing structure
US8908274B2 (en) Microstructure manufacturing method and microstructure
JP2008197593A (en) Transmission type diffraction grating for x-ray, x-ray talbot interferometer and x-ray imaging apparatus
US9640291B2 (en) Stacked zone plates for pitch frequency multiplication
JP5341416B2 (en) X-ray condenser lens
JP4659015B2 (en) X-ray condenser lens
JP5431900B2 (en) X-ray condenser lens
Lider Zone plates for X-ray focusing
JP4700034B2 (en) X-ray condenser lens
JP4705606B2 (en) X-ray condenser lens
JP4602944B2 (en) X-ray condenser lens
JP2013124959A (en) Method for manufacturing diffraction grating for x-ray, diffraction grating for x-ray manufactured by the method, and x-ray imaging device using the diffraction grating for x-ray
US20140376699A1 (en) X ray waveguide system
US20120288055A1 (en) X-ray holography light source element and x-ray holography system
JP2012093117A (en) Grid for photographing radiation image, manufacturing method thereof, and radiation image photographing system
US20220283343A1 (en) Optical device and method of forming the same
JP2013057520A (en) Phase type diffraction grating, manufacturing method of phase type diffraction grating, and x-ray imaging device
JP3643865B2 (en) X-ray focusing method and X-ray focusing apparatus
Snigireva et al. Hard X-ray focusing by stacked Fresnel zone plates
Erko High resolution Bragg-Fresnel optics for nanometer scale methods with soft X-rays

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20111104

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111104

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130716

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5431900

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees