JP2011123977A - Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device - Google Patents

Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device Download PDF

Info

Publication number
JP2011123977A
JP2011123977A JP2009283112A JP2009283112A JP2011123977A JP 2011123977 A JP2011123977 A JP 2011123977A JP 2009283112 A JP2009283112 A JP 2009283112A JP 2009283112 A JP2009283112 A JP 2009283112A JP 2011123977 A JP2011123977 A JP 2011123977A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
layer
orientation control
control layer
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009283112A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Tanaka
貴士 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP2009283112A priority Critical patent/JP2011123977A/en
Publication of JP2011123977A publication Critical patent/JP2011123977A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic recording medium which has an orientation control layer having a dome-shaped convex part formed on the tops of columnar crystals, and which provides sufficiently high recording properties (OW) suitable for high-density recording. <P>SOLUTION: The magnetic recording medium is obtained by laminating on a nonmagnetic substrate at least: a soft magnetic underlayer; an orientation control layer 3 which controls the orientation of the layer right above the same; a vertical magnetic layer 4 including an axis of easy magnetization vertically oriented mainly to the nonmagnetic substrate. The orientation control layer 3 contains an Ru alloy layer containing magnetic material and having 50 emu/cc or more saturated magnetization. The vertical magnetic layer 4 contains the columnar crystals S3 consecutive in the thickness direction as well as the crystal grains constituting the orientation control layer 3. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関するものである。   The present invention relates to a magnetic recording medium and a magnetic recording / reproducing apparatus.

磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置(HDD)は、現在その記録密度が年率50%以上増えており、今後も増加傾向が続くと言われている。それに伴って高記録密度化に適した磁気ヘッド及び磁気記録媒体の開発が進められている。   A hard disk drive (HDD), which is a kind of magnetic recording / reproducing apparatus, has an increasing recording density of 50% or more per year and is said to continue to increase in the future. Accordingly, development of a magnetic head and a magnetic recording medium suitable for increasing the recording density has been advanced.

現在市販されている磁気記録再生装置には、磁気記録媒体として、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体が搭載されている。垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際にも記録ビット間の境界領域における反磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるため、ノイズの増加が抑えられる。しかも、垂直磁気記録媒体は、高記録密度化に伴う記録ビット体積の減少が少なくて済むため、熱揺らぎ特性優れている。   A magnetic recording / reproducing apparatus currently on the market is equipped with a so-called perpendicular magnetic recording medium in which an easy axis of magnetization in a magnetic film is oriented vertically. Even when the recording density of the perpendicular magnetic recording medium is increased, the influence of the demagnetizing field in the boundary region between the recording bits is small and a clear bit boundary is formed, so that an increase in noise can be suppressed. In addition, the perpendicular magnetic recording medium has excellent thermal fluctuation characteristics because it requires only a small reduction in the recording bit volume accompanying an increase in recording density.

また、磁気記録媒体の更なる高記録密度化という要望に応えるべく、垂直磁性層に対する書き込み能力に優れた単磁極ヘッドを用いることが検討されている。具体的には、記録層である垂直磁性層と非磁性基板との間に、裏打ち層と称される軟磁性材料からなる層を設けることにより、単磁極ヘッドと磁気記録媒体との間の磁束の出入りの効率を向上させた磁気記録媒体が提案されている。   In order to meet the demand for higher recording density of magnetic recording media, it has been studied to use a single-pole head having excellent writing ability for the perpendicular magnetic layer. Specifically, by providing a layer made of a soft magnetic material called a backing layer between a perpendicular magnetic layer that is a recording layer and a nonmagnetic substrate, a magnetic flux between a single-pole head and a magnetic recording medium is provided. There has been proposed a magnetic recording medium with improved efficiency of entering and exiting.

また、垂直磁気記録媒体の記録再生特性、熱揺らぎ特性を向上させるために、配向制御層を用い、多層の磁性層を形成して、それぞれの磁性層の結晶粒子を連続した柱状晶とし、これにより磁性層の垂直配向性を高めることが提案されている(特許文献1参照)。   In addition, in order to improve the recording / reproducing characteristics and thermal fluctuation characteristics of the perpendicular magnetic recording medium, an orientation control layer is used to form a multi-layered magnetic layer, and the crystal grains of each magnetic layer are formed into continuous columnar crystals. It has been proposed to improve the vertical alignment of the magnetic layer (see Patent Document 1).

配向制御層としてはRuを用いることが提案されている(特許文献2参照)。また、Ruは、柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成されるものであるため、この凸部上に磁性層等の結晶粒子を成長させ、成長した結晶粒子の分離構造を促進し、結晶粒子を孤立化させて、磁性粒子を柱状に成長させる効果を有することが知られている(特許文献3参照)。   It has been proposed to use Ru as the orientation control layer (see Patent Document 2). In addition, since Ru has a dome-shaped convex portion formed at the top of the columnar crystal, crystal grains such as a magnetic layer are grown on the convex portion, and the separation structure of the grown crystal particles is promoted. It is known to have an effect of isolating crystal grains and growing magnetic grains in a columnar shape (see Patent Document 3).

また、特許文献4には、基板上に、軟磁性下地層、非磁性中間層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、非磁性中間層がRuあるいはRuにCo,Fe,Cr,B,Moの中から選択される1種以上の元素を含む層であり、軟磁性下地層は、FeCo合金にTaを含有し、さらにBを5at%以上含有するものであり、垂直記録層はCoCrPtを主成分とする合金である垂直磁気記録媒体が記載されている。   Patent Document 4 discloses that in a perpendicular magnetic recording medium in which a perpendicular recording layer is formed on a substrate via a soft magnetic underlayer and a nonmagnetic intermediate layer, the nonmagnetic intermediate layer has Ru, Ru, Co, Fe, A layer containing one or more elements selected from Cr, B, and Mo, and the soft magnetic underlayer contains Ta in the FeCo alloy and further contains 5 at% or more of B, and is used for perpendicular recording. A perpendicular magnetic recording medium whose layer is an alloy mainly composed of CoCrPt is described.

特開2004−310910号公報JP 2004-310910 A 特開平7−244831号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-244831 特開2007−272990号公報JP 2007-272990 A 特開2009−70444号公報JP 2009-70444 A

しかしながら、配向制御層としてRuを用いて、柱状晶の頂部にドーム状の凸部を形成させる場合、配向制御層の厚みを10〜20nm程度に厚くする必要があり、配向制御層よりも基板側に配置される軟磁性下地層と磁気ヘッドとの記録時における距離が大きくなり、軟磁性下地層と磁気ヘッドとの磁気結合が弱くなるため、高密度記録に適した十分に高い記録特性(OW)が得られない場合があった。このため、柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成された配向制御層を有し、なおかつ、高密度記録に適した十分に高い記録特性(OW)が得られる磁気記録媒体を提供することが要求されている。   However, when Ru is used as the orientation control layer to form a dome-shaped convex portion at the top of the columnar crystal, the orientation control layer needs to be thickened to about 10 to 20 nm, and is closer to the substrate than the orientation control layer. The recording distance between the soft magnetic underlayer and the magnetic head placed on the magnetic head increases, and the magnetic coupling between the soft magnetic underlayer and the magnetic head becomes weak. Therefore, sufficiently high recording characteristics suitable for high-density recording (OW ) May not be obtained. Therefore, it is possible to provide a magnetic recording medium having an orientation control layer having a dome-shaped convex portion formed on the top of a columnar crystal and having sufficiently high recording characteristics (OW) suitable for high-density recording. Is required.

本発明は、上記事情に鑑みて提案されたものであり、柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成された配向制御層を有し、垂直磁性層を構成する結晶粒子が配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものとすることができ、なおかつ、高密度記録に適した十分に高い記録特性(OW)が得られる磁気記録媒体を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の磁気記録媒体を備える信頼性の高い磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
The present invention has been proposed in view of the above circumstances, and has an orientation control layer in which a dome-shaped projection is formed on the top of a columnar crystal, and crystal grains constituting the perpendicular magnetic layer have an orientation control layer. It is an object of the present invention to provide a magnetic recording medium that can include columnar crystals that are continuous in the thickness direction together with the constituting crystal grains, and that has sufficiently high recording characteristics (OW) suitable for high-density recording.
Another object of the present invention is to provide a magnetic recording / reproducing apparatus including a highly reliable magnetic recording medium including the magnetic recording medium of the present invention.

本発明者は、上記課題を解決するために、配向制御層の材料について鋭意検討を行った。その結果、配向制御層を、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層を含むものとし、垂直磁性層を構成する結晶粒子が配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものとすることで、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)、記録特性(OW)、及び熱揺らぎ特性が得られる磁気記録媒体を実現できることを見出した。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has intensively studied materials for the orientation control layer. As a result, the orientation control layer includes a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more, and crystal grains constituting the perpendicular magnetic layer continue in the thickness direction together with crystal grains constituting the orientation control layer. It has been found that by including columnar crystals, a magnetic recording medium capable of obtaining a signal / noise ratio (S / N ratio), recording characteristics (OW), and thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording can be realized.

本発明は、以下の手段を提供する。
(1)非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを、少なくとも積層してなる磁気記録媒体であって、前記配向制御層が、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層を含むものであり、前記垂直磁性層が、前記配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものであることを特徴とする磁気記録媒体。
(2)前記配向制御層が、前記軟磁性下地層側に配置された第1配向制御層と、前記第1配向制御層の前記垂直磁性層側に配置された第2配向制御層とからなり、前記第1配向制御層が、柱状晶の核となる結晶を含むものであり、前記第2配向制御層が、前記核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状晶を含むものであり、前記第1配向制御層と前記第2配向制御層のいずれか一方または両方が、前記Ru合金層を含むものであることを特徴とする(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)前記磁性材料が、CoまたはFeであることを特徴とする(1)または(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)前記Ru合金層が、Coを66at%〜80at%の範囲内で含有量し、50emu/cc〜700emu/ccの範囲内の飽和磁化であるCoRu合金層および/または、Feを73at%〜80at%の範囲内で含有量し、50emu/cc〜500emu/ccの範囲内の飽和磁化であるFeRu合金層を含むものであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(5)(1)〜(4)のいずれかに記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
The present invention provides the following means.
(1) On a nonmagnetic substrate, a soft magnetic underlayer, an orientation control layer for controlling the orientation of the layer immediately above, and a perpendicular magnetic layer having an easy axis of magnetization oriented perpendicularly to the nonmagnetic substrate And the orientation control layer includes a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more, and the perpendicular magnetic layer is the orientation recording layer. A magnetic recording medium comprising columnar crystals continuous in the thickness direction together with crystal grains constituting a control layer.
(2) The orientation control layer includes a first orientation control layer disposed on the soft magnetic underlayer side and a second orientation control layer disposed on the perpendicular magnetic layer side of the first orientation control layer. The first orientation control layer includes a crystal serving as a nucleus of a columnar crystal, the second orientation control layer is continuous with the crystal serving as a nucleus in the thickness direction, and a dome-shaped convex portion is formed at the top. (1) The columnar crystal is formed, and one or both of the first orientation control layer and the second orientation control layer includes the Ru alloy layer. Magnetic recording medium.
(3) The magnetic recording medium according to (1) or (2), wherein the magnetic material is Co or Fe.
(4) The Ru alloy layer contains Co in a range of 66 at% to 80 at% and has a saturation magnetization in a range of 50 emu / cc to 700 emu / cc and / or Fe of 73 at%. The FeRu alloy layer, which is contained in a range of ˜80 at% and has a saturation magnetization in a range of 50 emu / cc to 500 emu / cc, is characterized in that it is any one of (1) to (3) Magnetic recording medium.
(5) A magnetic recording / reproducing apparatus comprising: the magnetic recording medium according to any one of (1) to (4); and a magnetic head for recording / reproducing information with respect to the magnetic recording medium.

本発明の磁気記録媒体は、垂直磁性層が、配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものであるので、垂直磁性層の垂直配向性が優れたものとなる。また、本発明の磁気記録媒体は、配向制御層が、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層を含むものであるので、配向制御層が磁性を発現するものとなる。したがって、本発明の磁気記録媒体では、配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含む垂直磁性層を得るために、配向制御層の厚みを厚くし、軟磁性下地層と磁気ヘッドとの記録時における距離が大きくなったとしても、高密度記録に適した十分に高い記録特性(OW)が得られる。
すなわち、本発明の磁気記録媒体によれば、記録特性(OW)に悪影響を来たすことなく、配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含む垂直磁性層を有し、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)、記録特性(OW)、及び熱揺らぎ特性を有する磁気記録媒体を実現できる。
In the magnetic recording medium of the present invention, since the perpendicular magnetic layer contains columnar crystals that are continuous in the thickness direction together with the crystal grains constituting the orientation control layer, the perpendicular magnetic layer has excellent perpendicular orientation. In the magnetic recording medium of the present invention, since the orientation control layer includes a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more, the orientation control layer exhibits magnetism. Therefore, in the magnetic recording medium of the present invention, in order to obtain a perpendicular magnetic layer containing columnar crystals continuous in the thickness direction together with crystal grains constituting the orientation control layer, the thickness of the orientation control layer is increased, and the soft magnetic underlayer and Even when the distance to the magnetic head is increased, sufficiently high recording characteristics (OW) suitable for high-density recording can be obtained.
That is, the magnetic recording medium of the present invention has a perpendicular magnetic layer containing columnar crystals continuous in the thickness direction together with crystal grains constituting the orientation control layer without adversely affecting recording characteristics (OW), A magnetic recording medium having a signal / noise ratio (S / N ratio), recording characteristics (OW), and thermal fluctuation characteristics suitable for density recording can be realized.

また、本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを備えるものであるので、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)、記録特性(OW)、及び熱揺らぎ特性が得られる磁気記録媒体を備えた優れたものとなる。   The magnetic recording / reproducing apparatus of the present invention comprises the magnetic recording medium of the present invention and a magnetic head for recording / reproducing information with respect to the magnetic recording medium. Therefore, the signal / noise ratio suitable for high-density recording is provided. (S / N ratio), recording characteristics (OW), and excellent magnetic recording medium provided with thermal fluctuation characteristics.

図1は、本発明の磁気記録媒体の一例を示したものである。FIG. 1 shows an example of the magnetic recording medium of the present invention. 図2は、配向制御層と垂直磁性層との積層構造を説明するための拡大模式図であり、各層の柱状晶が基板面に対して垂直に成長した状態を示す断面図である。FIG. 2 is an enlarged schematic view for explaining the laminated structure of the orientation control layer and the perpendicular magnetic layer, and is a cross-sectional view showing a state in which the columnar crystals of each layer grow perpendicular to the substrate surface. 図3は、垂直磁性層を構成する磁性層と非磁性層との積層構造を拡大して示した断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a laminated structure of a magnetic layer and a nonmagnetic layer constituting the perpendicular magnetic layer. 図4は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示すものである。FIG. 4 shows an example of the magnetic recording / reproducing apparatus of the present invention.

以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。   Hereinafter, a method for manufacturing a magnetic recording medium and a magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features easy to understand, there are cases where the portions that become the features are enlarged for the sake of convenience, and the dimensional ratios of the respective components are not always the same as the actual ones. Absent.

(磁気記録媒体)
本発明は、非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを、少なくとも積層してなる磁気記録媒体である。
図1は、本発明の磁気記録媒体の一例を示したものである。以下、本発明の磁気記録媒体の一例として、図1に示す磁気記録媒体を例に挙げて説明する。図1に示す磁気記録媒体は、非磁性基板1の上に、軟磁性下地層2と、配向制御層3と、非磁性下地層8と、垂直磁性層4と、保護層5と、潤滑層6とが順次積層された構造を有している。このうち、軟磁性下地層2と配向制御層3とが下地層を構成している。
(Magnetic recording medium)
In the present invention, a soft magnetic underlayer, an orientation control layer for controlling the orientation of a layer immediately above the nonmagnetic substrate, and a perpendicular magnetic material whose easy axis of magnetization is oriented perpendicularly to the nonmagnetic substrate. The magnetic recording medium is formed by laminating at least layers.
FIG. 1 shows an example of the magnetic recording medium of the present invention. Hereinafter, the magnetic recording medium shown in FIG. 1 will be described as an example of the magnetic recording medium of the present invention. The magnetic recording medium shown in FIG. 1 includes a soft magnetic underlayer 2, an orientation control layer 3, a nonmagnetic underlayer 8, a perpendicular magnetic layer 4, a protective layer 5, and a lubricating layer on a nonmagnetic substrate 1. 6 are sequentially stacked. Among these, the soft magnetic underlayer 2 and the orientation control layer 3 constitute an underlayer.

「非磁性基板」
非磁性基板1としては、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラスや、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。また、非磁性基板1としては、これら金属基板や非金属基板の表面に、例えばメッキ法やスパッタ法などを用いて、NiP層又はNiP合金層が形成されたものを用いてもよい。
"Non-magnetic substrate"
As the nonmagnetic substrate 1, a metal substrate made of a metal material such as aluminum or an aluminum alloy may be used, or a nonmetal substrate made of a nonmetal material such as glass, ceramic, silicon, silicon carbide, or carbon is used. Also good. Further, as the nonmagnetic substrate 1, a substrate in which a NiP layer or a NiP alloy layer is formed on the surface of the metal substrate or the nonmetal substrate by using, for example, a plating method or a sputtering method may be used.

ガラス基板としては、例えば、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどを用いることができ、アモルファスガラスとしては、例えば、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。また、結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。セラミック基板としては、例えば、汎用の酸化アルミニウムや、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体、又はこれらの繊維強化物などを用いることができる。   As the glass substrate, for example, amorphous glass or crystallized glass can be used, and as the amorphous glass, for example, general-purpose soda lime glass or aluminosilicate glass can be used. In addition, as the crystallized glass, for example, lithium-based crystallized glass can be used. As the ceramic substrate, for example, general-purpose aluminum oxide, a sintered body mainly composed of aluminum nitride, silicon nitride, or the like, or a fiber reinforced material thereof can be used.

非磁性基板1は、その平均表面粗さ(Ra)が2nm(20Å)以下、好ましくは1nm以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、表面の微小うねり(Wa)が0.3nm以下(より好ましくは0.25nm以下)であることが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、端面のチャンファー部の面取り部と側面部との少なくとも一方の表面平均粗さ(Ra)が10nm以下(より好ましくは9.5nm以下)のものを用いることが、磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。なお、微少うねり(Wa)は、例えば、表面荒粗さ測定装置P−12(KLM−Tencor社製)を用い、測定範囲80μmでの表面平均粗さとして測定することができる。   The nonmagnetic substrate 1 preferably has an average surface roughness (Ra) of 2 nm (20 mm) or less, preferably 1 nm or less from the viewpoint of being suitable for high recording density recording with a magnetic head flying low. Further, the surface waviness (Wa) of the surface is preferably 0.3 nm or less (more preferably 0.25 nm or less) from the viewpoint of being suitable for high recording density recording with the magnetic head flying low. Further, it is possible to use a magnetic head having a surface average roughness (Ra) of 10 nm or less (more preferably 9.5 nm or less) of at least one of the chamfered portion and the side surface portion of the end chamfer portion. Preferred for. In addition, microwaviness (Wa) can be measured as surface average roughness in a measuring range of 80 μm, for example, using a surface roughness measuring device P-12 (manufactured by KLM-Tencor).

また、非磁性基板1は、Co又はFeが主成分となる軟磁性下地層2と接することで、表面の吸着ガスや、水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。この場合、非磁性基板1と軟磁性下地層2の間に密着層を設けることが好ましく、これにより、これらを抑制することが可能となる。なお、密着層の材料としては、例えば、Cr、Cr合金、Ti、Ti合金など適宜選択することが可能である。また、密着層の厚みは2nm(30Å)以上であることが好ましい。また、密着層は、スパッタリング法などを用いて形成できる。   Further, when the nonmagnetic substrate 1 is in contact with the soft magnetic underlayer 2 mainly composed of Co or Fe, there is a possibility that the corrosion progresses due to the adsorption gas on the surface, the influence of moisture, the diffusion of the substrate components, and the like. is there. In this case, it is preferable to provide an adhesion layer between the nonmagnetic substrate 1 and the soft magnetic underlayer 2, thereby suppressing these. In addition, as a material of the adhesion layer, for example, Cr, Cr alloy, Ti, Ti alloy, or the like can be selected as appropriate. The thickness of the adhesion layer is preferably 2 nm (30 mm) or more. The adhesion layer can be formed using a sputtering method or the like.

「軟磁性下地層」
非磁性基板の上には、軟磁性下地層2が形成される。軟磁性下地層2の形成方法は特に限られるものではなく、例えば、スパッタリング法などを用いることができる。
軟磁性下地層2は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするために、また情報が記録される垂直磁性層4の磁化の方向をより強固に非磁性基板1と垂直な方向に固定するために設けられている。この作用は、特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなる。
"Soft magnetic underlayer"
A soft magnetic underlayer 2 is formed on the nonmagnetic substrate. The method for forming the soft magnetic underlayer 2 is not particularly limited, and for example, a sputtering method can be used.
The soft magnetic underlayer 2 increases the component of the magnetic flux generated from the magnetic head in the direction perpendicular to the substrate surface, and further strengthens the direction of magnetization of the perpendicular magnetic layer 4 on which information is recorded to be perpendicular to the nonmagnetic substrate 1. It is provided to fix in any direction. This effect becomes more conspicuous particularly when a single pole head for perpendicular recording is used as a magnetic head for recording and reproduction.

軟磁性下地層2としては、例えば、Feや、Ni、Coなどを含む軟磁性材料を用いることができる。具体的な軟磁性材料としては、例えば、CoFe系合金(CoFeTaZr、CoFeZrNbなど)、FeCo系合金(FeCo、FeCoVなど)、FeNi系合金(FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSiなど)、FeAl系合金(FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlOなど)、FeCr系合金(FeCr、FeCrTi、FeCrCuなど)、FeTa系合金(FeTa、FeTaC、FeTaNなど)、FeMg系合金(FeMgOなど)、FeZr系合金(FeZrNなど)、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金などを挙げることができる。   As the soft magnetic underlayer 2, for example, a soft magnetic material containing Fe, Ni, Co, or the like can be used. Specific examples of soft magnetic materials include CoFe alloys (CoFeTaZr, CoFeZrNb, etc.), FeCo alloys (FeCo, FeCoV, etc.), FeNi alloys (FeNi, FeNiMo, FeNiCr, FeNiSi, etc.), FeAl alloys (FeAl, etc.). FeAlSi, FeAlSiCr, FeAlSiTiRu, FeAlO, etc.), FeCr alloys (FeCr, FeCrTi, FeCrCu, etc.), FeTa alloys (FeTa, FeTaC, FeTaN, etc.), FeMg alloys (FeMgO, etc.), FeZr alloys (FeZrN, etc.) , FeC alloys, FeN alloys, FeSi alloys, FeP alloys, FeNb alloys, FeHf alloys, FeB alloys and the like.

また、軟磁性下地層2としては、Feを60at%(原子%)以上含有するFeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrN等の微結晶構造、又は微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。   Further, the soft magnetic underlayer 2 has a microcrystalline structure such as FeAlO, FeMgO, FeTaN, FeZrN, etc. containing Fe of 60 at% (atomic%) or more, or a granular structure in which fine crystal particles are dispersed in a matrix. Materials can be used.

その他にも、軟磁性下地層2としては、Coを80at%以上含有し、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo等のうち少なくとも1種を含有し、アモルファス構造を有するCo合金を用いることができる。この具体的な材料としては、例えば、CoZr、CoZrNb、CoZrTa、CoZrCr、CoZrMo系合金などを好適なものとして挙げることができる。   In addition, as the soft magnetic underlayer 2, a Co alloy containing 80 at% or more of Co, containing at least one of Zr, Nb, Ta, Cr, Mo and the like and having an amorphous structure can be used. . Specific examples of the specific material include CoZr, CoZrNb, CoZrTa, CoZrCr, and CoZrMo-based alloys.

軟磁性下地層2の保磁力Hcは、100(Oe)以下(好ましくは20(Oe)以下)とすることが好ましい。なお、1Oeは79A/mである。軟磁性下地層2の保磁力Hcが上記範囲を超えると、軟磁気特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波から歪みをもった波形になるため好ましくない。
軟磁性下地層2の飽和磁束密度Bsは、0.6T以上(好ましくは1T以上)とすることが好ましい。軟磁性下地層2のBsが上記範囲未満であると、再生波形がいわゆる矩形波から歪みをもった波形になるため好ましくない。
また、軟磁性下地層2の飽和磁束密度Bs(T)と軟磁性下地層2の層厚t(nm)との積Bs・t(T・nm)は、15(T・nm)以上(好ましくは25(T・nm)以上)であることが好ましい。軟磁性下地層2のBs・tが上記範囲未満であると、再生波形が歪みを持つようになり、OW(OverWrite)特性(記録特性)が悪化するため好ましくない。
The coercive force Hc of the soft magnetic underlayer 2 is preferably 100 (Oe) or less (preferably 20 (Oe) or less). 1 Oe is 79 A / m. If the coercive force Hc of the soft magnetic underlayer 2 exceeds the above range, the soft magnetic characteristics are insufficient, and the reproduced waveform becomes a waveform having distortion from a so-called rectangular wave, which is not preferable.
The saturation magnetic flux density Bs of the soft magnetic underlayer 2 is preferably 0.6 T or more (preferably 1 T or more). If the Bs of the soft magnetic underlayer 2 is less than the above range, it is not preferable because the reproduced waveform changes from a so-called rectangular wave to a distorted waveform.
The product Bs · t (T · nm) of the saturation magnetic flux density Bs (T) of the soft magnetic underlayer 2 and the layer thickness t (nm) of the soft magnetic underlayer 2 is 15 (T · nm) or more (preferably Is preferably 25 (T · nm) or more. If the Bs · t of the soft magnetic underlayer 2 is less than the above range, the reproduced waveform will be distorted and the OW (OverWrite) characteristic (recording characteristic) will be deteriorated.

軟磁性下地層2は、2層の軟磁性膜から構成されていることが好ましく、2層の軟磁性膜の間にはRu膜が設けられていることが好ましい。Ru膜の膜厚を0.4〜1.0nm、又は1.6〜2.6nmの範囲で調整することで、2層の軟磁性膜をAFC構造とすることができる。軟磁性下地層2が、このようなAFC構造を採用したものである場合、いわゆるスパイクノイズを抑制できる。   The soft magnetic underlayer 2 is preferably composed of two soft magnetic films, and a Ru film is preferably provided between the two soft magnetic films. By adjusting the film thickness of the Ru film in the range of 0.4 to 1.0 nm or 1.6 to 2.6 nm, the two-layer soft magnetic film can have an AFC structure. When the soft magnetic underlayer 2 adopts such an AFC structure, so-called spike noise can be suppressed.

軟磁性下地層2の最表面(配向制御層3側の面)は、磁性下地層2を構成する材料が、部分的又は完全に酸化されていることが好ましい。例えば、軟磁性下地層2の表面(配向制御層3側の面)及びその近傍に、軟磁性下地層2を構成する材料が部分的に酸化されるか、若しくは上記材料の酸化物を形成して配されていることが好ましい。これにより、軟磁性下地層2の表面の磁気的な揺らぎを抑えることができ、磁気的な揺らぎに起因するノイズを低減して、磁気記録媒体の記録再生特性を改善することができる。   The material constituting the magnetic underlayer 2 is preferably partially or completely oxidized on the outermost surface (surface on the orientation control layer 3 side) of the soft magnetic underlayer 2. For example, the material constituting the soft magnetic underlayer 2 is partially oxidized on the surface of the soft magnetic underlayer 2 (surface on the orientation control layer 3 side) and its vicinity, or an oxide of the above material is formed. Are preferably arranged. As a result, the magnetic fluctuation of the surface of the soft magnetic underlayer 2 can be suppressed, the noise caused by the magnetic fluctuation can be reduced, and the recording / reproducing characteristics of the magnetic recording medium can be improved.

「配向制御層」
軟磁性下地層2の上には、配向制御層3が形成されている。配向制御層3は、垂直磁性層4の結晶粒を微細化し、記録再生特性を改善するものである。図1に示すように、本実施形態の配向制御層3は、軟磁性下地層2側に配置された第1配向制御層3aと、第1配向制御層3aの垂直磁性層4側に配置された第2配向制御層3bとからなる。
`` Orientation control layer ''
An orientation control layer 3 is formed on the soft magnetic underlayer 2. The orientation control layer 3 is to refine the crystal grains of the perpendicular magnetic layer 4 and improve the recording / reproducing characteristics. As shown in FIG. 1, the orientation control layer 3 of the present embodiment is arranged on the first orientation control layer 3a arranged on the soft magnetic underlayer 2 side and on the perpendicular magnetic layer 4 side of the first orientation control layer 3a. And a second orientation control layer 3b.

第1配向制御層3aは、配向制御層3の核発生密度を高めるためのものであり、配向制御層3を構成する柱状晶の核となる結晶を含むものである。本実施形態の第1配向制御層3aでは、図2に示すように、核となる結晶が成長してなる柱状晶S1の頂部に、ドーム状の凸部が形成されている。
第1配向制御層3aの層厚は、3nm以上であることが好ましい。第1配向制御層3aの層厚が上記範囲未満であると、垂直磁性層4の配向性を高め、垂直磁性層4を構成する磁性粒子42を微細化する効果が不十分となり、良好なS/N比が得られない場合がある。
The first orientation control layer 3 a is for increasing the nucleation density of the orientation control layer 3, and includes a crystal serving as a columnar crystal nucleus constituting the orientation control layer 3. In the first orientation control layer 3a of the present embodiment, as shown in FIG. 2, a dome-shaped convex portion is formed on the top of the columnar crystal S1 formed by growing a crystal serving as a nucleus.
The layer thickness of the first orientation control layer 3a is preferably 3 nm or more. If the layer thickness of the first orientation control layer 3a is less than the above range, the orientation of the perpendicular magnetic layer 4 is enhanced, and the effect of miniaturizing the magnetic particles 42 constituting the perpendicular magnetic layer 4 becomes insufficient, and a good S / N ratio may not be obtained.

第1配向制御層3aは、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層からなるものである。第1配向制御層3aを構成するRu合金層の飽和磁化が上記範囲未満であって、第2配向制御層3bが磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層からなるものでない場合には、配向制御層が磁性を発現するものとならないため、配向制御層3の層厚を十分に薄くしないと、高密度記録に適した十分に高い記録特性(OW)が得られない。   The first orientation control layer 3a is made of a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more. When the saturation magnetization of the Ru alloy layer constituting the first orientation control layer 3a is less than the above range, and the second orientation control layer 3b is not composed of a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more. Since the orientation control layer does not exhibit magnetism, sufficiently high recording characteristics (OW) suitable for high-density recording cannot be obtained unless the orientation control layer 3 is sufficiently thin.

第1配向制御層3aに含まれるRu合金層には、磁性材料としてCoまたはFeが含まれていることが好ましく、Ru合金層は、CoRu合金層またはFeRu合金層であることが好ましい。Ru合金層に含まれる磁性材料がCoである場合、Ru合金層に含まれるCoの含有量は、66at%以上であることが好ましい。また、Ru合金層に含まれる磁性材料がFeである場合、Ru合金層に含まれるFeの含有量は、73at%以上であることが好ましい。Ru合金層に含まれるCoまたはFeの含有量を上記の値以上とすることで、十分な磁性を発現するRu合金層とすることができ、飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層とすることができる。   The Ru alloy layer included in the first orientation control layer 3a preferably contains Co or Fe as a magnetic material, and the Ru alloy layer is preferably a CoRu alloy layer or a FeRu alloy layer. When the magnetic material contained in the Ru alloy layer is Co, the content of Co contained in the Ru alloy layer is preferably 66 at% or more. When the magnetic material contained in the Ru alloy layer is Fe, the content of Fe contained in the Ru alloy layer is preferably 73 at% or more. By setting the content of Co or Fe contained in the Ru alloy layer to the above value or more, a Ru alloy layer exhibiting sufficient magnetism can be obtained, and a Ru alloy layer having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more. Can do.

表1は、Co、CoRu合金、FeRu合金、Feの飽和磁化(Ms)の理論値を示したものである。表1に示すように、Ru合金に含まれるCoの含有量が66at%以上、Feの含有量が73at%以上であるものでは、飽和磁化(Ms)が50emu/cc以上となっている。
また、表1に示すように、Ru合金に含まれるCoの含有量が80at%以下であるものでは、飽和磁化(Ms)が700emu/cc以下となっている。また、表1に示すように、Ru合金に含まれるFeの含有量が80at%以下であるものでは、飽和磁化(Ms)が500emu/cc以下となっている。
Table 1 shows theoretical values of saturation magnetization (Ms) of Co, CoRu alloy, FeRu alloy, and Fe. As shown in Table 1, when the content of Co contained in the Ru alloy is 66 at% or more and the content of Fe is 73 at% or more, the saturation magnetization (Ms) is 50 emu / cc or more.
Further, as shown in Table 1, when the Co content in the Ru alloy is 80 at% or less, the saturation magnetization (Ms) is 700 emu / cc or less. As shown in Table 1, when the content of Fe contained in the Ru alloy is 80 at% or less, the saturation magnetization (Ms) is 500 emu / cc or less.

Figure 2011123977
Figure 2011123977

Ru合金層がCoRu合金層である場合、Coを66at%〜80at%の範囲内で含有量し、50emu/cc〜700emu/ccの範囲内の飽和磁化であることが好ましい。また、Ru合金層がFeRu合金層である場合、Feを73at%〜80at%の範囲内で含有量し、50emu/cc〜500emu/ccの範囲内の飽和磁化であることが好ましい。   When the Ru alloy layer is a CoRu alloy layer, it is preferable that Co is contained in the range of 66 at% to 80 at% and the saturation magnetization is in the range of 50 emu / cc to 700 emu / cc. Further, when the Ru alloy layer is an FeRu alloy layer, it is preferable that Fe is contained in the range of 73 at% to 80 at% and the saturation magnetization is in the range of 50 emu / cc to 500 emu / cc.

CoRu合金層に含まれるCoの含有量や、FeRu合金層に含まれるFeの含有量が80at%を超えると、配向制御層3が柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成されたものとなりにくくなり、垂直磁性層4を構成する磁性粒子42を微細化する効果が不十分となり、垂直磁性層の結晶配向が悪化して良好なS/N比が得られない場合がある。
また、CoRu合金層および/またはFeRu合金層の飽和磁化が、上記範囲を超えた場合、CoRu合金層に含まれるCoの含有量および/またはFeRu合金層に含まれるFeの含有量が上記範囲を超えてしまうため、好ましくない。
When the content of Co contained in the CoRu alloy layer or the content of Fe contained in the FeRu alloy layer exceeds 80 at%, the orientation control layer 3 has a dome-shaped projection formed on the top of the columnar crystal. The effect of miniaturizing the magnetic particles 42 constituting the perpendicular magnetic layer 4 becomes insufficient, the crystal orientation of the perpendicular magnetic layer is deteriorated, and a good S / N ratio may not be obtained.
Further, when the saturation magnetization of the CoRu alloy layer and / or the FeRu alloy layer exceeds the above range, the Co content contained in the CoRu alloy layer and / or the Fe content contained in the FeRu alloy layer is within the above range. Since it will exceed, it is not preferable.

第1配向制御層3aは、スパッタリング法により、スパッタリングガス圧0.5Pa〜5Paの範囲内で形成することが好ましい。第1配向制御層3aのスパッタリングガス圧を上記範囲とすることで、容易に配向制御層3を構成する柱状晶の核となる結晶を含む第1配向制御層3aが得られる。
第1配向制御層3aのスパッタリングガス圧が上記範囲未満であると、形成する膜の配向性が低下し、垂直磁性層4を構成する磁性粒子42を微細化する効果が不十分となる。また、第1配向制御層3aのスパッタリングガス圧が上記範囲を超えると、形成する膜の結晶性が低下し、膜の硬度が低くなり、磁気記録媒体の信頼性が低下する。
The first orientation control layer 3a is preferably formed by a sputtering method within a sputtering gas pressure range of 0.5 Pa to 5 Pa. By setting the sputtering gas pressure of the first orientation control layer 3a within the above range, the first orientation control layer 3a including a crystal serving as a nucleus of a columnar crystal constituting the orientation control layer 3 can be easily obtained.
When the sputtering gas pressure of the first orientation control layer 3a is less than the above range, the orientation of the film to be formed is lowered, and the effect of miniaturizing the magnetic particles 42 constituting the perpendicular magnetic layer 4 becomes insufficient. When the sputtering gas pressure of the first orientation control layer 3a exceeds the above range, the crystallinity of the film to be formed is lowered, the film hardness is lowered, and the reliability of the magnetic recording medium is lowered.

第2配向制御層3bは、図2に示すように、第1配向制御層3aに含まれる柱状晶S1の核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状晶S2を含むものである。本実施形態においては、第2配向制御層3bは、第1配向制御層3aに含まれる核となる結晶が成長されてなる柱状晶S1の凸部上に成長され、第1配向制御層3aを構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶S2からなる。   As shown in FIG. 2, the second orientation control layer 3b is continuous in the thickness direction with a crystal serving as a nucleus of the columnar crystal S1 included in the first orientation control layer 3a, and a dome-like convex portion is formed at the top. Columnar crystals S2 are included. In the present embodiment, the second orientation control layer 3b is grown on the projections of the columnar crystals S1 formed by growing crystals serving as nuclei contained in the first orientation control layer 3a. It consists of columnar crystals S2 continuous in the thickness direction together with the constituting crystal grains.

第2配向制御層3bの層厚は、6nm以上であることが好ましい。第2配向制御層3bの層厚が上記範囲未満であると、垂直磁性層4の配向性を高め、垂直磁性層4を構成する磁性粒子42を微細化する効果が不十分となり、良好なS/N比が得られない場合がある。   The layer thickness of the second orientation control layer 3b is preferably 6 nm or more. When the layer thickness of the second orientation control layer 3b is less than the above range, the orientation of the perpendicular magnetic layer 4 is improved, and the effect of miniaturizing the magnetic particles 42 constituting the perpendicular magnetic layer 4 becomes insufficient, and a good S / N ratio may not be obtained.

第2配向制御層3bは、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層からなるものである。第2配向制御層3bを構成するRu合金層の飽和磁化が上記範囲未満であって、第1配向制御層3aが磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層からなるものでない場合には、配向制御層が磁性を発現するものとならないため、配向制御層3の層厚を十分に薄くしないと、高密度記録に適した十分に高い記録特性(OW)が得られない。   The second orientation control layer 3b is made of a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more. When the saturation magnetization of the Ru alloy layer constituting the second orientation control layer 3b is less than the above range, and the first orientation control layer 3a is not composed of a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more. Since the orientation control layer does not exhibit magnetism, sufficiently high recording characteristics (OW) suitable for high-density recording cannot be obtained unless the orientation control layer 3 is sufficiently thin.

第2配向制御層3bに含まれるRu合金層は、第1配向制御層3aに含まれるRu合金層と同様のものを用いることができる。
なお、第2配向制御層3bに含まれるRu合金層は、第1配向制御層3aに含まれるRu合金層と同じ材料からなるものであってもよいし、異なる材料からなるものであってもよい。具体的には例えば、第1配向制御層3aおよび第2配向制御層3bのいずれか一方がCoRu合金層からなり、他方がFeRu合金層からなるものであってもよい。
As the Ru alloy layer included in the second orientation control layer 3b, the same Ru alloy layer as included in the first orientation control layer 3a can be used.
Note that the Ru alloy layer included in the second orientation control layer 3b may be made of the same material as the Ru alloy layer included in the first orientation control layer 3a, or may be made of a different material. Good. Specifically, for example, one of the first orientation control layer 3a and the second orientation control layer 3b may be a CoRu alloy layer and the other may be a FeRu alloy layer.

第2配向制御層3aは、スパッタリング法により、第1配向制御層3aよりも高い圧力であって、スパッタリングガス圧5Pa〜18Paの範囲内で形成することが好ましい。第2配向制御層3bのスパッタリングガス圧を上記範囲とすることで、容易に第1配向制御層3aに含まれる柱状晶S1の核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状晶S2を含む第2配向制御層3bが得られる。
第2配向制御層3bのスパッタリングガス圧が上記範囲未満であると、配向制御層3の上に成長される垂直磁性層4の結晶粒子を分離して、垂直磁性層の磁性粒子を微細化する効果が十分に得られなくなり、良好なS/N比および熱揺らぎ特性が得られない。また、第2配向制御層3bのスパッタリングガス圧が上記範囲を超えると、第2配向制御層3bの硬度が不十分となる。
The second alignment control layer 3a is preferably formed by a sputtering method at a pressure higher than that of the first alignment control layer 3a and within a range of sputtering gas pressure of 5 Pa to 18 Pa. By setting the sputtering gas pressure of the second orientation control layer 3b within the above range, the crystal which is the nucleus of the columnar crystal S1 contained in the first orientation control layer 3a can be easily continuous in the thickness direction, and the dome-like protrusion can be formed on the top. Thus, the second orientation control layer 3b including the columnar crystal S2 in which the portion is formed is obtained.
When the sputtering gas pressure of the second orientation control layer 3b is less than the above range, the crystal grains of the perpendicular magnetic layer 4 grown on the orientation control layer 3 are separated, and the magnetic particles of the perpendicular magnetic layer are refined. A sufficient effect cannot be obtained, and a good S / N ratio and thermal fluctuation characteristics cannot be obtained. If the sputtering gas pressure of the second orientation control layer 3b exceeds the above range, the hardness of the second orientation control layer 3b becomes insufficient.

また、本実施形態においては、第1配向制御層3aおよび第2配向制御層3bの両方を、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層からなるものとしたが、第1配向制御層3aおよび第2配向制御層3bのいずれか一方が、上記Ru合金層であるものとしてもよい。また、本実施形態においては、配向制御層3が第1配向制御層3aおよび第2配向制御層3bの2層からなるものである場合を例に挙げたが、配向制御層3は1層からなるものであってもよいし、第1配向制御層3aおよび第2配向制御層3bのいずれか一方がまたは両方が複数層からなる3層以上のものであってもよい。
配向制御層3が1層からなるものである場合、配向制御層3は磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層からなるものとされる。また、配向制御層3が複数層からなるものである場合、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層は少なくとも1層含まれていればよく、例えば、Ru層など、Ru合金層以外の層を含んでいてもよい。
In the present embodiment, both the first orientation control layer 3a and the second orientation control layer 3b are made of a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more. One of the control layer 3a and the second orientation control layer 3b may be the Ru alloy layer. Moreover, in this embodiment, although the case where the orientation control layer 3 consists of two layers of the 1st orientation control layer 3a and the 2nd orientation control layer 3b was mentioned as an example, the orientation control layer 3 is from 1 layer. Or one of the first orientation control layer 3a and the second orientation control layer 3b or three or more layers in which both are composed of a plurality of layers.
When the orientation control layer 3 is composed of one layer, the orientation control layer 3 is composed of a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more. Further, when the orientation control layer 3 is composed of a plurality of layers, it is sufficient that at least one Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more is included. For example, a Ru alloy such as a Ru layer may be included. A layer other than the layer may be included.

ここで、本実施形態の磁気記録媒体において、配向制御層を構成する結晶粒子と垂直磁性層を構成する磁性粒子との関係について図面を用いて説明する。
図2は、配向制御層と垂直磁性層との積層構造を説明するための拡大模式図であり、各層の柱状晶が基板面に対して垂直に成長した状態を示す断面図である。なお、図2においては、配向制御層を構成する第1配向制御層および第2配向制御層と垂直磁性層以外の部材の記載を省略して示している。
Here, in the magnetic recording medium of this embodiment, the relationship between the crystal grains constituting the orientation control layer and the magnetic grains constituting the perpendicular magnetic layer will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 is an enlarged schematic view for explaining the laminated structure of the orientation control layer and the perpendicular magnetic layer, and is a cross-sectional view showing a state in which the columnar crystals of each layer grow perpendicular to the substrate surface. In FIG. 2, the description of members other than the first orientation control layer, the second orientation control layer, and the perpendicular magnetic layer constituting the orientation control layer is omitted.

図2に示すように、第1配向制御層3a上には、第1配向制御層3aを構成する柱状晶S1の頂部をドーム状の凸とする凹凸面S1aが形成されている。第1配向制御層3aの凹凸面S1a上には、凹凸面S1aから厚み方向に第2配向制御層3bを構成する結晶粒子が柱状晶S2となって成長している。また、第2配向制御層3b上には、第2配向制御層3bを構成する柱状晶S2の頂部をドーム状の凸とする凹凸面S2aが形成されている。そして、第2配向制御層3bを構成する柱状晶S2の上には、垂直磁性層4の結晶粒子が柱状晶S3となって厚み方向に成長している。本実施形態においては、第2配向制御層3bのドーム状の凸部上に垂直磁性層4の結晶粒子が成長されることにより、成長した垂直磁性層4の結晶粒子の分離が促進され、垂直磁性層4の結晶粒子が孤立化されて柱状に成長されている。   As shown in FIG. 2, an uneven surface S1a is formed on the first orientation control layer 3a, with the top of the columnar crystals S1 constituting the first orientation control layer 3a having a dome-like convexity. On the uneven surface S1a of the first orientation control layer 3a, crystal grains constituting the second orientation control layer 3b grow in the thickness direction from the uneven surface S1a as columnar crystals S2. On the second orientation control layer 3b, an uneven surface S2a is formed with the top of the columnar crystal S2 constituting the second orientation control layer 3b having a dome-like projection. Then, on the columnar crystals S2 constituting the second orientation control layer 3b, the crystal grains of the perpendicular magnetic layer 4 become columnar crystals S3 and grow in the thickness direction. In the present embodiment, the crystal grains of the perpendicular magnetic layer 4 are grown on the dome-shaped protrusions of the second orientation control layer 3b, whereby the separation of the grown crystal grains of the perpendicular magnetic layer 4 is promoted. Crystal grains of the magnetic layer 4 are isolated and grown in a columnar shape.

このように、本実施形態の磁気記録媒体においては、第1配向制御層3aの柱状晶S1上に第2配向制御層3bの柱状晶S2と垂直磁性層4の柱状晶S3とが連続した柱状晶となってエピタキシャル成長されている。なお、本実施形態においては、図1に示すように、垂直磁性層4が多層化されている。多層化された垂直磁性層4の各層を構成する結晶粒子は、配向制御層3から最上層の垂直磁性層に至るまで連続した柱状晶となってエピタキシャル成長を繰り返している。したがって、本実施形態においては、第1配向制御層3aを構成する結晶粒子を微細化し、柱状晶S1を高密度化することで、柱状晶S1の頂部から厚み方向に柱状に成長する第2配向制御層3bの柱状晶S2および多層化された垂直磁性層4の柱状晶S3も高密度化されている。   Thus, in the magnetic recording medium of the present embodiment, the columnar crystal S2 of the second orientation control layer 3b and the columnar crystal S3 of the perpendicular magnetic layer 4 are continuously formed on the columnar crystal S1 of the first orientation control layer 3a. Epitaxially grown as crystals. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the perpendicular magnetic layer 4 is multilayered. Crystal grains constituting each layer of the multilayered perpendicular magnetic layer 4 form a continuous columnar crystal from the orientation control layer 3 to the uppermost perpendicular magnetic layer, and repeat epitaxial growth. Therefore, in this embodiment, the crystal grains constituting the first orientation control layer 3a are refined, and the columnar crystals S1 are densified, so that the second orientation grows in a columnar shape in the thickness direction from the top of the columnar crystals S1. The columnar crystals S2 of the control layer 3b and the columnar crystals S3 of the multilayered perpendicular magnetic layer 4 are also densified.

「非磁性下地層」
本実施形態の磁気記録媒体においては、配向制御層3と垂直磁性層4の間に、非磁性下地層8が設けられている。なお、配向制御層3と垂直磁性層4の間には、非磁性下地層8が設けられていることが好ましいが、非磁性下地層8が設けられていなくてもよい。配向制御層3直上の垂直磁性層4の初期部には、結晶成長の乱れが生じやすく、これがノイズの原因となる。非磁性下地層8を設けることで、ノイズの発生を抑制できる。
また、非磁性下地層8は、配向制御層3の第1配向制御層3aおよび第2配向制御層3bの柱状晶S1,S2と連続した柱状晶として、配向制御層3の第2配向制御層3b上にエピタキシャル成長されている。
"Nonmagnetic underlayer"
In the magnetic recording medium of this embodiment, a nonmagnetic underlayer 8 is provided between the orientation control layer 3 and the perpendicular magnetic layer 4. A nonmagnetic underlayer 8 is preferably provided between the orientation control layer 3 and the perpendicular magnetic layer 4, but the nonmagnetic underlayer 8 may not be provided. In the initial part of the perpendicular magnetic layer 4 immediately above the orientation control layer 3, disorder of crystal growth is likely to occur, which causes noise. By providing the nonmagnetic underlayer 8, noise can be suppressed.
The nonmagnetic underlayer 8 is a columnar crystal that is continuous with the columnar crystals S1 and S2 of the first alignment control layer 3a and the second alignment control layer 3b of the alignment control layer 3, and is a second alignment control layer of the alignment control layer 3. Epitaxially grown on 3b.

非磁性下地層8は、Crと酸化物とを含んだ材料からなるものであることが好ましい。Crの含有量は、25at%(原子%)以上50at%以下とすることが好ましい。酸化物としては、例えばCr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Coなどの酸化物を用いることが好ましく、その中でも特に、TiO、Cr、SiOなどを好適に用いることができる。酸化物の含有量としては、磁性粒子を構成する、例えばCo、Cr、Pt等の合金を1つの化合物として算出したmol総量に対して、3mol%以上18mol%以下であることが好ましい。 The nonmagnetic underlayer 8 is preferably made of a material containing Cr and an oxide. The Cr content is preferably 25 at% (atomic%) or more and 50 at% or less. As the oxide, for example, oxides such as Cr, Si, Ta, Al, Ti, Mg, and Co are preferably used, and among them, TiO 2 , Cr 2 O 3 , SiO 2, and the like are preferably used. it can. The content of the oxide is preferably 3 mol% or more and 18 mol% or less with respect to the total amount of mol calculated as one compound, for example, an alloy such as Co, Cr, and Pt constituting the magnetic particles.

また、非磁性下地層8は、酸化物を2種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Cr−SiO、Cr−TiO、Cr−SiO−TiOなどを好適に用いることができる。さらに、CoCr−SiO、CoCr−TiO、CoCr−Cr−SiO、CoCr−TiO−Cr、CoCr−Cr−TiO−SiOなどを好適に用いることができる。また、結晶成長の観点からPtを添加してもよい。 The nonmagnetic underlayer 8 is preferably made of a complex oxide to which two or more kinds of oxides are added. Among these, Cr 2 O 3 —SiO 2 , Cr 2 O 3 —TiO 2 , Cr 2 O 3 —SiO 2 —TiO 2 and the like can be preferably used. Furthermore, CoCr—SiO 2 , CoCr—TiO 2 , CoCr—Cr 2 O 3 —SiO 2 , CoCr—TiO 2 —Cr 2 O 3 , CoCr—Cr 2 O 3 —TiO 2 —SiO 2 or the like is preferably used. Can do. Further, Pt may be added from the viewpoint of crystal growth.

非磁性下地層8の厚みは、0.2nm以上3nm以下であることが好ましい。非磁性下地層8の厚さが3nmを超えると、Hc及びHnの低下が生じるために好ましくない。   The thickness of the nonmagnetic underlayer 8 is preferably 0.2 nm or more and 3 nm or less. If the thickness of the nonmagnetic underlayer 8 exceeds 3 nm, Hc and Hn decrease, which is not preferable.

「垂直磁性層」
非磁性下地層8の上には、垂直磁性層4が形成されている。図1に示すように、垂直磁性層4は、非磁性基板1側から、下層の磁性層4aと、中層の磁性層4bと、上層の磁性層4cとの3層を含むものである。本実施形態の磁気記録媒体では、磁性層4aと磁性層4bとの間に下層の非磁性層7aを含み、磁性層4bと磁性層4cとの間に上層の非磁性層7bを含むことで、これら磁性層4a〜4cと非磁性層7a,7bとが交互に積層された構造を有している。
"Perpendicular magnetic layer"
A perpendicular magnetic layer 4 is formed on the nonmagnetic underlayer 8. As shown in FIG. 1, the perpendicular magnetic layer 4 includes three layers from the nonmagnetic substrate 1 side: a lower magnetic layer 4a, an intermediate magnetic layer 4b, and an upper magnetic layer 4c. In the magnetic recording medium of the present embodiment, the lower nonmagnetic layer 7a is included between the magnetic layer 4a and the magnetic layer 4b, and the upper nonmagnetic layer 7b is included between the magnetic layer 4b and the magnetic layer 4c. The magnetic layers 4a to 4c and the nonmagnetic layers 7a and 7b are alternately stacked.

各磁性層4a〜4c及び非磁性層7a,7bを構成する結晶粒子は、配向制御層3の第1配向制御層3aおよび第2配向制御層3bの柱状晶と連続した柱状晶として、非磁性下地層8上にエピタキシャル成長されている。   The crystal grains constituting each of the magnetic layers 4a to 4c and the nonmagnetic layers 7a and 7b are nonmagnetic as columnar crystals that are continuous with the columnar crystals of the first orientation control layer 3a and the second orientation control layer 3b of the orientation control layer 3. Epitaxially grown on the underlayer 8.

図3は、垂直磁性層を構成する磁性層と非磁性層との積層構造を拡大して示した断面図である。図3に示すように、垂直磁性層4を構成する磁性層4aは、グラニュラー構造の磁性層であり、Co、Cr、Ptを含む磁性粒子(磁性を有した結晶粒子)42と、酸化物41とを含むものであることが好ましい。
酸化物41としては、例えばCr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Coなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、TiO、Cr、SiOなどを好適に用いることができる。また、磁性層4aは、酸化物を2種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Cr−SiO、Cr−TiO、Cr−SiO−TiOなどを好適に用いることができる。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a laminated structure of a magnetic layer and a nonmagnetic layer constituting the perpendicular magnetic layer. As shown in FIG. 3, the magnetic layer 4 a constituting the perpendicular magnetic layer 4 is a magnetic layer having a granular structure, and includes magnetic particles (crystal particles having magnetism) 42 containing Co, Cr, and Pt, and an oxide 41. It is preferable that it contains.
As the oxide 41, for example, an oxide such as Cr, Si, Ta, Al, Ti, Mg, and Co is preferably used. Among them, TiO 2, Cr 2 O 3 , SiO 2 or the like can be suitably used. The magnetic layer 4a is preferably made of a complex oxide to which two or more kinds of oxides are added. Among these, Cr 2 O 3 —SiO 2 , Cr 2 O 3 —TiO 2 , Cr 2 O 3 —SiO 2 —TiO 2 and the like can be preferably used.

磁性粒子42は、磁性層4a中に分散していることが好ましい。また、磁性粒子42は、磁性層4a,4b、更には磁性層4cを上下に貫いた柱状構造を形成していることが好ましい。このような構造を有することにより、磁性層4aの配向及び結晶性が良好なものとなり、結果として高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)が得られる。   The magnetic particles 42 are preferably dispersed in the magnetic layer 4a. The magnetic particles 42 preferably have a columnar structure that vertically penetrates the magnetic layers 4a and 4b and further the magnetic layer 4c. By having such a structure, the orientation and crystallinity of the magnetic layer 4a are improved, and as a result, a signal / noise ratio (S / N ratio) suitable for high-density recording can be obtained.

柱状構造の磁性粒子42を有する垂直磁性層4を得るためには、磁性層4aに含まれる酸化物41の含有量及び磁性層4aの成膜条件が重要となる。磁性層4aに含まれる酸化物41の含有量は、磁性粒子42を構成する、例えばCo、Cr、Pt等の合金を1つの化合物として算出したmol総量に対して、3mol%以上18mol%以下であることが好ましく、6mol%以上13mol%以下であることがより好ましい。   In order to obtain the perpendicular magnetic layer 4 having the magnetic particles 42 having the columnar structure, the content of the oxide 41 contained in the magnetic layer 4a and the film formation conditions of the magnetic layer 4a are important. The content of the oxide 41 contained in the magnetic layer 4a is 3 mol% or more and 18 mol% or less with respect to the total mol amount calculated by using, for example, an alloy such as Co, Cr, and Pt constituting the magnetic particle 42 as one compound. It is preferable that it is 6 mol% or more and 13 mol% or less.

磁性層4a中の酸化物41の含有量として上記範囲が好ましいのは、磁性層4aを形成した際に磁性粒子42の周りに酸化物41が析出し、磁性粒子42の孤立化及び微細化が可能となるためである。一方、酸化物41の含有量が上記範囲を超えた場合には、酸化物41が磁性粒子42中に残留し、磁性粒子42の配向性及び結晶性を損ねたり、磁性粒子42の上下に酸化物41が析出して、磁性粒子42が磁性層4a〜4cを上下に貫いてなる柱状構造が形成されなくなったりするため好ましくない。また、酸化物41の含有量が上記範囲未満である場合には、磁性粒子42の分離及び微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)が得られなくなるため好ましくない。   The above range is preferable as the content of the oxide 41 in the magnetic layer 4a. When the magnetic layer 4a is formed, the oxide 41 is precipitated around the magnetic particles 42, and the magnetic particles 42 are isolated and refined. This is because it becomes possible. On the other hand, when the content of the oxide 41 exceeds the above range, the oxide 41 remains in the magnetic particles 42, and the orientation and crystallinity of the magnetic particles 42 are impaired. This is not preferable because the product 41 is deposited and the columnar structure in which the magnetic particles 42 penetrate the magnetic layers 4a to 4c vertically is not formed. In addition, when the content of the oxide 41 is less than the above range, separation and refinement of the magnetic particles 42 are insufficient, resulting in an increase in noise during recording and reproduction, and a signal / This is not preferable because the noise ratio (S / N ratio) cannot be obtained.

磁性層4a中のCrの含有量は、4at%以上19at%以下(さらに好ましくは6at%以上17at%以下)であることが好ましい。磁性層4a中のCrの含有量を上記範囲とした場合、磁性粒子42の磁気異方性定数Kuを下げ過ぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られる。   The content of Cr in the magnetic layer 4a is preferably 4 at% or more and 19 at% or less (more preferably 6 at% or more and 17 at% or less). When the content of Cr in the magnetic layer 4a is in the above range, the magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles 42 is not lowered too much, and high magnetization is maintained, resulting in recording / reproduction characteristics suitable for high-density recording. Sufficient thermal fluctuation characteristics can be obtained.

一方、磁性層4a中のCrの含有量が上記範囲を超えた場合には、磁性粒子42の磁気異方性定数Kuが小さくなるため、熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子42の結晶性及び配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。また、Crの含有量が上記範囲未満である場合には、磁性粒子42の磁気異方性定数Kuが高くなるため、垂直保磁力が高くなり過ぎてデータを記録する際に、磁気ヘッドで十分に書き込むことができず、結果として高密度記録に適さない記録特性(OW)となるため好ましくない。   On the other hand, when the content of Cr in the magnetic layer 4a exceeds the above range, the magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles 42 decreases, so that the thermal fluctuation characteristics deteriorate, and the crystal of the magnetic particles 42 Deterioration in orientation and orientation is undesirable because recording / reproduction characteristics deteriorate as a result. In addition, when the Cr content is less than the above range, the magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles 42 is high, so that the magnetic head is sufficient for recording data because the perpendicular coercive force is too high. The recording characteristics (OW) are unsuitable for high-density recording as a result.

磁性層4a中のPtの含有量は、8at%以上20at%以下であることが好ましい。Ptの含有量が8at%未満であると、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るために垂直磁性層4に必要な磁気異方性定数Kuが得られないため好ましくない。Ptの含有量が20at%を超えると、磁性粒子42の内部に積層欠陥が生じ、その結果、磁気異方性定数Kuが低くなる。また、Ptの含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子42中にfcc構造の層が形成され、結晶性及び配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。したがって、高密度記録に適した熱揺らぎ特性及び記録再生特性を得るためには、磁性層4a中Ptの含有量を上記範囲とすることが好ましい。   The content of Pt in the magnetic layer 4a is preferably 8 at% or more and 20 at% or less. If the Pt content is less than 8 at%, the magnetic anisotropy constant Ku necessary for the perpendicular magnetic layer 4 to obtain thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording cannot be obtained, which is not preferable. When the content of Pt exceeds 20 at%, stacking faults are generated inside the magnetic particles 42, and as a result, the magnetic anisotropy constant Ku is lowered. In addition, when the Pt content exceeds the above range, an fcc structure layer is formed in the magnetic particles 42, and the crystallinity and orientation may be impaired. Therefore, in order to obtain thermal fluctuation characteristics and recording / reproduction characteristics suitable for high-density recording, it is preferable to set the Pt content in the magnetic layer 4a within the above range.

磁性層4aの磁性粒子42には、Co、Cr、Ptの他に、B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Reの中から選ばれる1種類以上の元素が含まれていてもよい。上記元素を含むことにより、磁性粒子42の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。   In addition to Co, Cr, and Pt, the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4a include one or more elements selected from B, Ta, Mo, Cu, Nd, W, Nb, Sm, Tb, Ru, and Re. May be included. By including the above elements, the miniaturization of the magnetic particles 42 can be promoted or the crystallinity and orientation can be improved, and recording / reproduction characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for higher density recording can be obtained.

また、磁性粒子42中に含まれるCo、Cr、Ptの他の上記元素の合計の含有量は、8at%以下であることが好ましい。上記元素の合計の含有量が8at%を超えると、磁性粒子42中にhcp相以外の相が形成されるため、磁性粒子42の結晶性及び配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。   The total content of Co, Cr, and Pt contained in the magnetic particles 42 is preferably 8 at% or less. If the total content of the above elements exceeds 8 at%, a phase other than the hcp phase is formed in the magnetic particles 42, so that the crystallinity and orientation of the magnetic particles 42 are disturbed, and as a result suitable for high-density recording. Recording / reproducing characteristics and thermal fluctuation characteristics cannot be obtained, which is not preferable.

磁性層4aに適した材料としては、例えば、90(Co14Cr18Pt)−10(SiO){Cr含有量14at%、Pt含有量18at%、残部Coからなる磁性粒子を1つの化合物として算出したモル濃度が90mol%、SiOからなる酸化物組成が10mol%}、92(Co10Cr16Pt)−8(SiO)、94(Co8Cr14Pt4Nb)−6(Cr)の他、(CoCrPt)−(Ta)、(CoCrPt)−(Cr)−(TiO)、(CoCrPt)−(Cr)−(SiO)、(CoCrPt)−(Cr)−(SiO)−(TiO)、(CoCrPtMo)−(TiO)、(CoCrPtW)−(TiO)、(CoCrPtB)−(Al)、(CoCrPtTaNd)−(MgO)、(CoCrPtBCu)−(Y)、(CoCrPtRu)−(SiO)などを挙げることができる。 As a material suitable for the magnetic layer 4a, for example, 90 (Co14Cr18Pt) -10 (SiO 2 ) {Cr content 14at%, Pt content 18at%, molar concentration calculated as one compound with magnetic particles composed of the remaining Co. Is 90 mol%, the oxide composition of SiO 2 is 10 mol%}, 92 (Co10Cr16Pt) -8 (SiO 2 ), 94 (Co8Cr14Pt4Nb) -6 (Cr 2 O 3 ), and (CoCrPt)-(Ta 2 O 5), (CoCrPt) - ( Cr 2 O 3) - (TiO 2), (CoCrPt) - (Cr 2 O 3) - (SiO 2), (CoCrPt) - (Cr 2 O 3) - (SiO 2) - (TiO 2), (CoCrPtMo ) - (TiO), (CoCrPtW) - (TiO 2), (CoCrPtB) - (Al 2 O 3 ), (CoCrPtTaNd) — (MgO), (CoCrPtBCu) — (Y 2 O 3 ), (CoCrPtRu) — (SiO 2 ), and the like.

図3に示すように、垂直磁性層4を構成する磁性層4bも磁性層4aと同様に、グラニュラー構造の磁性層であり、Co、Cr、Ptを含む磁性粒子(磁性を有した結晶粒子)42と、酸化物41とを含むものであることが好ましい。
酸化物41は、Cr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Coの酸化物であることが好ましい。中でも特に、TiO、Cr、SiOを酸化物41として好適に用いることができる。また、磁性層4bを構成する酸化物41は、2種類以上の酸化物からなる複合酸化物であることが好ましい。中でも特に、Cr−SiO、Cr−TiO、Cr−SiO−TiOなどからなる複合酸化物を酸化物41として好適に用いることができる。
As shown in FIG. 3, similarly to the magnetic layer 4a, the magnetic layer 4b constituting the perpendicular magnetic layer 4 is a magnetic layer having a granular structure, and magnetic particles containing Co, Cr, and Pt (crystal grains having magnetism). 42 and the oxide 41 are preferably included.
The oxide 41 is preferably an oxide of Cr, Si, Ta, Al, Ti, Mg, and Co. Among these, TiO 2 , Cr 2 O 3 , and SiO 2 can be preferably used as the oxide 41. The oxide 41 constituting the magnetic layer 4b is preferably a composite oxide composed of two or more kinds of oxides. Among these, a composite oxide composed of Cr 2 O 3 —SiO 2 , Cr 2 O 3 —TiO 2 , Cr 2 O 3 —SiO 2 —TiO 2, or the like can be preferably used as the oxide 41.

磁性層4bを構成する磁性粒子42は、磁性層4b中に分散していることが好ましい。磁性粒子42は、磁性層4a,4b、更には磁性層4cを上下に貫いた柱状構造を形成していることが好ましい。このような構造を形成することにより、磁性層4bの磁性粒子42の配向及び結晶性が良好なものとなり、結果として高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)が得られる。   The magnetic particles 42 constituting the magnetic layer 4b are preferably dispersed in the magnetic layer 4b. The magnetic particles 42 preferably form a columnar structure that vertically penetrates the magnetic layers 4a and 4b and further the magnetic layer 4c. By forming such a structure, the orientation and crystallinity of the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4b are improved, and as a result, a signal / noise ratio (S / N ratio) suitable for high-density recording can be obtained.

磁性層4b中の酸化物41の含有量は、磁性粒子42を構成する、例えばCo、Cr、Pt等の化合物の総量に対して、3mol%以上18mol%以下であることが好ましく、さらに好ましくは6mol%以上13mol%以下である。磁性層4b中の酸化物41の含有量として上記範囲が好ましい理由は、垂直磁性層4を構成する磁性層4a中の酸化物41の含有量と同じである。   The content of the oxide 41 in the magnetic layer 4b is preferably 3 mol% or more and 18 mol% or less, more preferably, with respect to the total amount of compounds such as Co, Cr, Pt, etc. constituting the magnetic particles 42. It is 6 mol% or more and 13 mol% or less. The reason why the above range is preferable as the content of the oxide 41 in the magnetic layer 4 b is the same as the content of the oxide 41 in the magnetic layer 4 a constituting the perpendicular magnetic layer 4.

磁性層4b中のCrの含有量は、4at%以上18at%以下(さらに好ましくは8at%以上15at%以下)であることが好ましい。Crの含有量を上記範囲としたのは、磁性粒子42の磁気異方性定数Kuを下げ過ぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるためである。   The content of Cr in the magnetic layer 4b is preferably 4 at% or more and 18 at% or less (more preferably 8 at% or more and 15 at% or less). The reason why the Cr content is in the above range is that the magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles 42 is not lowered too much, and high magnetization is maintained. As a result, recording / reproduction characteristics suitable for high-density recording and sufficient heat This is because fluctuation characteristics can be obtained.

一方、磁性層4b中のCrの含有量が上記範囲を超えた場合には、磁性粒子42の磁気異方性定数Kuが小さくなるため、熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子42の結晶性及び配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。また、Crの含有量が上記範囲未満である場合には、磁性粒子42の磁気異方性定数Kuが高くなるため、垂直保磁力が高くなり過ぎてデータを記録する際に、磁気ヘッドで十分に書き込むことができず、結果として高密度記録に適さない記録特性(OW)となるため好ましくない。   On the other hand, when the content of Cr in the magnetic layer 4b exceeds the above range, the magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles 42 decreases, so that the thermal fluctuation characteristics deteriorate, and the crystal of the magnetic particles 42 Deterioration in orientation and orientation is undesirable because recording / reproduction characteristics deteriorate as a result. In addition, when the Cr content is less than the above range, the magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles 42 is high, so that the magnetic head is sufficient for recording data because the perpendicular coercive force is too high. The recording characteristics (OW) are unsuitable for high-density recording as a result.

磁性層4b中のPtの含有量は、10at%以上22at%以下であることが好ましい。Ptの含有量が10at%未満であると、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るために垂直磁性層4に必要な磁気異方性定数Kuが得られないため好ましくない。Ptの含有量が22at%を超えると、磁性粒子42の内部に積層欠陥が生じ、その結果、磁気異方性定数Kuが低くなる。また、Ptの含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子42中にfcc構造の層が形成され、結晶性及び配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。したがって、高密度記録に適した熱揺らぎ特性及び記録再生特性を得るためには、磁性層4b中Ptの含有量を上記範囲とすることが好ましい。   The Pt content in the magnetic layer 4b is preferably 10 at% or more and 22 at% or less. If the Pt content is less than 10 at%, the magnetic anisotropy constant Ku necessary for the perpendicular magnetic layer 4 to obtain thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording cannot be obtained. When the content of Pt exceeds 22 at%, stacking faults are generated inside the magnetic particles 42, and as a result, the magnetic anisotropy constant Ku is lowered. In addition, when the Pt content exceeds the above range, an fcc structure layer is formed in the magnetic particles 42, and the crystallinity and orientation may be impaired. Therefore, in order to obtain thermal fluctuation characteristics and recording / reproduction characteristics suitable for high-density recording, the Pt content in the magnetic layer 4b is preferably set in the above range.

磁性層4bの磁性粒子42には、磁性層4aの磁性粒子42と同様に、Co、Cr、Ptの他に、B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Reの中から選ばれる1種類以上の元素が含まれていてもよい。上記元素を含むことにより、磁性粒子42の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
また、磁性層4bの磁性粒子42中に含まれるCo、Cr、Ptの他の上記元素の合計の含有量は、磁性層4aの磁性粒子42と同様の理由により、8at%以下であることが好ましい。
In addition to Co, Cr and Pt, the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4b include B, Ta, Mo, Cu, Nd, W, Nb, Sm, Tb, Ru, One or more elements selected from Re may be contained. By including the above elements, the miniaturization of the magnetic particles 42 can be promoted or the crystallinity and orientation can be improved, and recording / reproduction characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for higher density recording can be obtained.
Further, the total content of Co, Cr, Pt and other elements described above contained in the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4b may be 8 at% or less for the same reason as the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4a. preferable.

垂直磁性層4を構成する磁性層4cは、図3に示すように、Co、Crを含む磁性粒子(磁性を有した結晶粒子)42を含み、酸化物41を含まないものであることが好ましい。磁性層4c中の磁性粒子42は、磁性層4a中の磁性粒子42から柱状にエピタキシャル成長しているものであることが好ましい。この場合、磁性層4a〜4cの磁性粒子42が、各層において1対1に対応して、柱状にエピタキシャル成長することが好ましい。また、磁性層4bの磁性粒子42が磁性層4a中の磁性粒子42からエピタキシャル成長していることで、磁性層4bの磁性粒子42が微細化され、さらに結晶性及び配向性が向上したものとなる。   As shown in FIG. 3, the magnetic layer 4 c constituting the perpendicular magnetic layer 4 preferably includes magnetic particles (magnetic crystal particles) 42 containing Co and Cr, and does not include the oxide 41. . The magnetic particles 42 in the magnetic layer 4c are preferably grown epitaxially in a columnar shape from the magnetic particles 42 in the magnetic layer 4a. In this case, the magnetic particles 42 of the magnetic layers 4a to 4c are preferably epitaxially grown in a columnar shape in a one-to-one correspondence in each layer. Further, since the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4b are epitaxially grown from the magnetic particles 42 in the magnetic layer 4a, the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4b are miniaturized and the crystallinity and orientation are further improved. .

磁性層4c中のCrの含有量は、10at%以上24at%以下であることが好ましい。Crの含有量を上記範囲とすることで、データの再生時における出力を十分確保でき、更に良好な熱揺らぎ特性を得ることができる。一方、Crの含有量が上記範囲を超える場合、磁性層4cの磁化が小さくなり過ぎるため好ましくない。また、Cr含有量が上記範囲未満である場合には、磁性粒子42の分離及び微細化が十分に生じず、記録再生時のノイズが増大し、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)が得られなくなるため好ましくない。   The content of Cr in the magnetic layer 4c is preferably 10 at% or more and 24 at% or less. By setting the Cr content in the above range, it is possible to sufficiently ensure output during data reproduction and to obtain better thermal fluctuation characteristics. On the other hand, when the content of Cr exceeds the above range, the magnetization of the magnetic layer 4c becomes too small, which is not preferable. When the Cr content is less than the above range, the magnetic particles 42 are not sufficiently separated and refined, noise during recording / reproduction increases, and a signal / noise ratio (S) suitable for high-density recording (S / N ratio) is not obtained.

また、磁性層4cを構成する磁性粒子42が、Co、Crの他にPtを含んだ材料である場合、磁性層4c中のPtの含有量は、8at%以上20at%以下であることが好ましい。Ptの含有量が上記範囲である場合、高記録密度に適した十分な保磁力を得ることができ、更に記録再生時における高い再生出力を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性および熱揺らぎ特性が得られる。一方、磁性層4c中のPtの含有量が上記範囲を超えると、磁性層4c中にfcc構造の相が形成され、結晶性及び配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。また、Ptの含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るための磁気異方性定数Kuが得られないため好ましくない。   Further, when the magnetic particles 42 constituting the magnetic layer 4c are a material containing Pt in addition to Co and Cr, the content of Pt in the magnetic layer 4c is preferably 8 at% or more and 20 at% or less. . When the Pt content is in the above range, a sufficient coercive force suitable for high recording density can be obtained, and a high reproduction output during recording / reproduction can be maintained, resulting in recording / reproduction characteristics suitable for high-density recording. And thermal fluctuation characteristics are obtained. On the other hand, if the content of Pt in the magnetic layer 4c exceeds the above range, an fcc-structured phase is formed in the magnetic layer 4c, and crystallinity and orientation may be impaired. Further, when the Pt content is less than the above range, it is not preferable because the magnetic anisotropy constant Ku for obtaining thermal fluctuation characteristics suitable for high density recording cannot be obtained.

磁性層4cを構成する磁性粒子42は、非グラニュラー構造の磁性層であり、Co、Cr、Ptの他に、B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re、Mnの中から選ばれる1種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、磁性粒子42の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。   The magnetic particles 42 constituting the magnetic layer 4c are non-granular magnetic layers, and besides Co, Cr, Pt, B, Ta, Mo, Cu, Nd, W, Nb, Sm, Tb, Ru, Re , One or more elements selected from Mn can be included. By including the above elements, it is possible to promote miniaturization of the magnetic particles 42 or improve crystallinity and orientation, and to obtain recording / reproducing characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for higher density recording.

また、磁性層4cの磁性粒子42中に含まれるCo、Cr、Ptの他の上記元素の合計の含有量は、16at%以下であることが好ましい。上記元素の合計の含有量が16at%を超えると、磁性粒子42中にhcp相以外の相が形成されるため、磁性粒子42の結晶性及び配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。   Further, the total content of Co, Cr, Pt and other elements described above contained in the magnetic particles 42 of the magnetic layer 4c is preferably 16 at% or less. When the total content of the above elements exceeds 16 at%, a phase other than the hcp phase is formed in the magnetic particles 42, so that the crystallinity and orientation of the magnetic particles 42 are disturbed, and as a result suitable for high-density recording. Recording / reproduction characteristics and thermal fluctuation characteristics cannot be obtained, which is not preferable.

磁性層4cに適した材料としては、特に、CoCrPt系、CoCrPtB系を挙げることできる。CoCrPtB系としては、CrとBとの合計の含有量が18at%以上28at%以下であるものが好ましい。   Examples of suitable materials for the magnetic layer 4c include CoCrPt and CoCrPtB. As the CoCrPtB system, the total content of Cr and B is preferably 18 at% or more and 28 at% or less.

磁性層4cに適した材料としては、例えば、CoCrPt系では、Co14〜24Cr8〜22Pt{Cr含有量14〜24at%、Pt含有量8〜22at%、残部Co}、CoCrPtB系では、Co10〜24Cr8〜22Pt0〜16B{Cr含有量10〜24at%、Pt含有量8〜22at%、B含有量0〜16at%、残部Co}が好ましい。その他の系としては、CoCrPtTa系では、Co10〜24Cr8〜22Pt1〜5Ta{Cr含有量10〜24at%、Pt含有量8〜22at%、Ta含有量1〜5at%、残部Co}、CoCrPtTaB系では、Co10〜24Cr8〜22Pt1〜5Ta1〜10B{Cr含有量10〜24at%、Pt含有量8〜22at%、Ta含有量1〜5at%、B含有量1〜10at%、残部Co}の他にも、CoCrPtBNd系、CoCrPtTaNd系、CoCrPtNb系、CoCrPtBW系、CoCrPtMo系、CoCrPtCuRu系、CoCrPtRe系などの材料を挙げることができる。   Suitable materials for the magnetic layer 4c include, for example, Co14-24Cr8-22Pt {Cr content 14-24at%, Pt content 8-22at%, balance Co} in CoCrPt series, Co10-24Cr8 ~ in CoCrPtB series. 22Pt0-16B {Cr content: 10-24at%, Pt content: 8-22at%, B content: 0-16at%, balance Co} is preferable. As other systems, in CoCrPtTa system, Co10-24Cr8-22Pt1-5Ta {Cr content 10-24at%, Pt content 8-22at%, Ta content 1-5at%, balance Co}, CoCrPtTaB system, In addition to Co10-24Cr8-22Pt1-5Ta1-10B {Cr content 10-24 at%, Pt content 8-22 at%, Ta content 1-5 at%, B content 1-10 at%, balance Co}, Examples of the material include CoCrPtBNd, CoCrPtTaNd, CoCrPtNb, CoCrPtBW, CoCrPtMo, CoCrPtCuRu, and CoCrPtRe.

垂直磁性層4の垂直保磁力(Hc)は、3000[Oe]以上とすることが好ましい。保磁力が3000[Oe]未満である場合には、記録再生特性、特に周波数特性が不良となり、また、熱揺らぎ特性も悪くなるため、高密度記録媒体として好ましくない。
垂直磁性層4の逆磁区核形成磁界(−Hn)は、1500[Oe]以上であることが好ましい。逆磁区核形成磁界(−Hn)が1500[Oe]未満である場合には、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。
The perpendicular coercive force (Hc) of the perpendicular magnetic layer 4 is preferably 3000 [Oe] or more. When the coercive force is less than 3000 [Oe], the recording / reproducing characteristics, particularly the frequency characteristics, are deteriorated, and the thermal fluctuation characteristics are also deteriorated, which is not preferable as a high-density recording medium.
The reverse magnetic domain nucleation magnetic field (-Hn) of the perpendicular magnetic layer 4 is preferably 1500 [Oe] or more. When the reverse domain nucleation magnetic field (-Hn) is less than 1500 [Oe], the thermal fluctuation resistance is poor, which is not preferable.

垂直磁性層4を構成する磁性粒子42の平均粒径は3〜12nmであることが好ましい。磁性粒子42の平均粒径は、例えば垂直磁性層4をTEM(透過型電子顕微鏡)で観察し、観察像を画像処理することにより求めることができる。
垂直磁性層4の厚みは、5〜20nmとすることが好ましい。垂直磁性層4の厚みが上記未満であると、十分な再生出力が得られず、熱揺らぎ特性も低下する。また、垂直磁性層4の厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性層4中の磁性粒子42の肥大化が生じ、記録再生時におけるノイズが増大し、信号/ノイズ比(S/N比)や記録特性(OW)に代表される記録再生特性が悪化するため好ましくない。
The average particle size of the magnetic particles 42 constituting the perpendicular magnetic layer 4 is preferably 3 to 12 nm. The average particle diameter of the magnetic particles 42 can be obtained, for example, by observing the perpendicular magnetic layer 4 with a TEM (transmission electron microscope) and image-processing the observed image.
The thickness of the perpendicular magnetic layer 4 is preferably 5 to 20 nm. If the thickness of the perpendicular magnetic layer 4 is less than the above, sufficient reproduction output cannot be obtained, and the thermal fluctuation characteristics also deteriorate. On the other hand, if the thickness of the perpendicular magnetic layer 4 exceeds the above range, the magnetic particles 42 in the perpendicular magnetic layer 4 are enlarged, increasing noise during recording and reproduction, and a signal / noise ratio (S / N ratio). And recording / reproducing characteristics represented by recording characteristics (OW) are not preferable.

本発明では、垂直磁性層4を構成する複数の磁性層4a,4b、4cのうち、非磁性基板1側の磁性層4aをグラニュラー構造の磁性層とし、保護層5側の磁性層4cを、酸化物を含まない非グラニュラー構造の磁性層とすることが好ましい。このような構成とすることにより、磁気記録媒体の熱揺らぎ特性、記録特性(OW)、S/N比等の各特性の制御・調整をより容易に行うことが可能となる。   In the present invention, among the plurality of magnetic layers 4a, 4b, 4c constituting the perpendicular magnetic layer 4, the magnetic layer 4a on the nonmagnetic substrate 1 side is a magnetic layer having a granular structure, and the magnetic layer 4c on the protective layer 5 side is A magnetic layer having a non-granular structure containing no oxide is preferable. With this configuration, it is possible to more easily control and adjust each characteristic such as the thermal fluctuation characteristic, recording characteristic (OW), and S / N ratio of the magnetic recording medium.

また、本発明では、上記垂直磁性層4を4層以上の磁性層で構成することも可能である。例えば、上記磁性層4a,4bに加えて、さらにグラニュラー構造の磁性層を形成し、これら3層のグラニュラー構造の磁性層の上に、酸化物を含まない磁性層4cを設けた構成としてもよいし、酸化物を含まない磁性層4cを2層構造として、磁性層4a,4bの上に設けた構成としてもよい。   In the present invention, the perpendicular magnetic layer 4 can be composed of four or more magnetic layers. For example, in addition to the magnetic layers 4a and 4b, a magnetic layer having a granular structure may be formed, and a magnetic layer 4c containing no oxide may be provided on the three magnetic layers having the granular structure. However, the magnetic layer 4c not containing an oxide may have a two-layer structure provided on the magnetic layers 4a and 4b.

また、本発明では、垂直磁性層4を構成する複数の磁性層間に非磁性層7(図1および図3では符号7a,7bで示す)を設けることが好ましい。非磁性層7を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができる。その結果S/N比をより向上させることが可能である。
非磁性層7の厚みは、垂直磁性層4を構成する各層の静磁結合を完全に切断しない範囲、具体的には0.1nm以上2nm以下(より好ましくは0.1以上0.8nm以下)とすることが好ましい。
In the present invention, it is preferable to provide a nonmagnetic layer 7 (indicated by reference numerals 7a and 7b in FIGS. 1 and 3) between a plurality of magnetic layers constituting the perpendicular magnetic layer 4. By providing the nonmagnetic layer 7 with an appropriate thickness, magnetization reversal of individual films can be facilitated, and dispersion of magnetization reversal of the entire magnetic particles can be reduced. As a result, the S / N ratio can be further improved.
The thickness of the nonmagnetic layer 7 is a range in which the magnetostatic coupling of each layer constituting the perpendicular magnetic layer 4 is not completely cut, specifically 0.1 nm or more and 2 nm or less (more preferably 0.1 or more and 0.8 nm or less). It is preferable that

本発明の3層以上の磁性層4a,4b,4cが強磁性結合(フェロ・カップリング、以下、FCと呼ぶ。)し、また、静磁結合が完全に切れた際には、M−Hループが2段階に反転するループになるために、容易に判別可能である。この2段ループが生じた場合は、磁気ヘッドからの磁界に対して磁気グレインが一斉に反転しないことを意味しており、その結果再生時のS/N比の著しい悪化や分解能の低下が生じるため好ましくない。   When the three or more magnetic layers 4a, 4b, and 4c of the present invention are ferromagnetically coupled (ferro coupling, hereinafter referred to as FC) and magnetostatic coupling is completely broken, MH Since the loop becomes a loop that inverts in two stages, it can be easily discriminated. When this two-stage loop occurs, it means that the magnetic grains do not reverse all at once with respect to the magnetic field from the magnetic head, and as a result, the S / N ratio at the time of reproduction is significantly deteriorated and the resolution is lowered. Therefore, it is not preferable.

非磁性層7としてRu又はRu合金を用いた場合には、0.6nm以上1.2nm以下の範囲でAFCが生じる。本発明においては、AFCではなく各磁性層4a,4b,4cがFCで静磁結合していることが必須である。   When Ru or a Ru alloy is used as the nonmagnetic layer 7, AFC occurs in the range of 0.6 nm to 1.2 nm. In the present invention, it is essential that the magnetic layers 4a, 4b, 4c, not AFC, are magnetostatically coupled by FC.

垂直磁性層4を構成する磁性層4a,4b,4c間に設ける非磁性層7としては、hcp構造を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、Ru、Ru合金、CoCr合金、CoCrX合金(Xは、Pt、Ta、Zr、Re,Ru、Cu、Nb、Ni、Mn、Ge、Si、O、N、W、Mo、Ti、V、Zr、Bの中から選ばれる少なくとも1種又は2種以上の元素を表す)などを好適に用いることができる。 As the nonmagnetic layer 7 provided between the magnetic layers 4a, 4b and 4c constituting the perpendicular magnetic layer 4, it is preferable to use a material having an hcp structure. Specifically, for example, Ru, Ru alloy, CoCr alloy, CoCrX 1 alloy (X 1 is, Pt, Ta, Zr, Re , Ru, Cu, Nb, Ni, Mn, Ge, Si, O, N, W , Mo, Ti, V, Zr and B represent at least one element or two or more elements).

垂直磁性層4を構成する磁性層4a,4b,4c間に設ける非磁性層7として、CoCr系合金を用いる場合には、Coの含有量は、30〜80at%の範囲であることが好ましい。この範囲であれば、磁性層間のカップリングを小さく調整することが可能であるからである。
また、磁性層4a,4b,4c間に設ける非磁性層7として、hcp構造を有する合金を用いる場合、例えばRu、Re、Ti、Y、Hf、Znなどの合金も用いることができる。
When a CoCr-based alloy is used as the nonmagnetic layer 7 provided between the magnetic layers 4a, 4b, and 4c constituting the perpendicular magnetic layer 4, the Co content is preferably in the range of 30 to 80 at%. This is because within this range, the coupling between the magnetic layers can be adjusted to be small.
Further, when an alloy having an hcp structure is used as the nonmagnetic layer 7 provided between the magnetic layers 4a, 4b, and 4c, for example, an alloy such as Ru, Re, Ti, Y, Hf, and Zn can also be used.

また、垂直磁性層4を構成する磁性層4a,4b,4c間に設ける非磁性層7として、その上下の磁性層の結晶性や配向性を損ねない範囲で、他の構造をとる金属や合金などを使用することもできる。具体的には、例えば、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Ir、Mo、W、Ta、Nb、V、Bi、Sn、Si、Al、C、B、Cr又はそれらの合金を用いることができる。特に、Cr合金としては、CrX(Xは、Ti、W、Mo、Nb、Ta、Si、Al、B、C、Zrの中から選ばれる少なくとも1種又は2種以上の元素を表す。)などを好適に用いることが可能である。Cr合金中のCrの含有量は60at%以上とすることが好ましい。 Further, as the nonmagnetic layer 7 provided between the magnetic layers 4a, 4b, and 4c constituting the perpendicular magnetic layer 4, a metal or alloy having another structure within a range that does not impair the crystallinity and orientation of the upper and lower magnetic layers. Etc. can also be used. Specifically, for example, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Ir, Mo, W, Ta, Nb, V, Bi, Sn, Si, Al, C, B, Cr, or an alloy thereof is used. it can. In particular, as a Cr alloy, CrX 2 (X 2 represents at least one element selected from Ti, W, Mo, Nb, Ta, Si, Al, B, C, and Zr. ) And the like can be preferably used. The Cr content in the Cr alloy is preferably 60 at% or more.

また、垂直磁性層4を構成する磁性層4a,4b,4c間に設ける非磁性層7としては、上記合金の金属粒子が酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物中に分散した構造のものを用いることが好ましい。さらに、この金属粒子が非磁性層7を上下に貫いた柱状構造を有することがより好ましい。このような構造とするためには、酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、SiO、Al、Ta、Cr、MgO、Y、TiOなど、金属窒化物として、例えば、AlN、Si、TaN、CrNなど、金属炭化物として、例えば、TaC、BC、SiCなどをそれぞれ用いることができる。さらに、例えば、CoCr−SiO、CoCr−TiO、CoCr−Cr、CoCrPt−Ta、Ru−SiO、Ru−Si、Pd−TaCなどを用いることができる。 The nonmagnetic layer 7 provided between the magnetic layers 4a, 4b and 4c constituting the perpendicular magnetic layer 4 has a structure in which metal particles of the above alloy are dispersed in an oxide, metal nitride, or metal carbide. It is preferable to use it. Further, it is more preferable that the metal particles have a columnar structure penetrating the nonmagnetic layer 7 vertically. In order to obtain such a structure, it is preferable to use an alloy material containing an oxide, a metal nitride, or a metal carbide. Specifically, as the oxide, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Cr 2 O 3 , MgO, Y 2 O 3 , TiO 2, etc. As the metal nitride, for example, AlN, Si For example, TaC, BC, SiC, or the like can be used as the metal carbide such as 3 N 4 , TaN, or CrN. Furthermore, for example, CoCr—SiO 2 , CoCr—TiO 2 , CoCr—Cr 2 O 3 , CoCrPt—Ta 2 O 5 , Ru—SiO 2 , Ru—Si 3 N 4 , Pd—TaC, and the like can be used.

垂直磁性層4を構成する磁性層4a,4b,4c間に設ける非磁性層7中の酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物の含有量としては、垂直磁性膜4の結晶成長や結晶配向を損なわない含有量であることが好ましく、非磁性層7を構成する合金に対して、4mol%以上30mol%以下であることが好ましい。   The content of oxide, metal nitride, or metal carbide in the nonmagnetic layer 7 provided between the magnetic layers 4a, 4b, and 4c constituting the perpendicular magnetic layer 4 is determined by the crystal growth and crystal orientation of the perpendicular magnetic film 4. It is preferable that the content is not impaired, and it is preferably 4 mol% or more and 30 mol% or less with respect to the alloy constituting the nonmagnetic layer 7.

この非磁性層7中の酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物の含有量が上記範囲を超える場合、合金の金属粒子中に酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物が残留し、金属粒子の結晶性や配向性を損ねるほか、金属粒子の上下にも酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物が析出してしまい、金属粒子が非磁性層7を上下に貫く柱状構造となりにくくなり、この非磁性層7の上に形成された磁性層の結晶性や配向性を損ねるおそれがあるため好ましくない。一方、この非磁性層7中の酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物の含有量が上記範囲未満である場合には、酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物の添加による効果が得られないため好ましくない。   When the content of oxide, metal nitride, or metal carbide in the nonmagnetic layer 7 exceeds the above range, oxide, metal nitride, or metal carbide remains in the metal particles of the alloy, and the metal particles In addition to impairing crystallinity and orientation, oxides, metal nitrides, or metal carbides are also deposited on the top and bottom of the metal particles, making it difficult for the metal particles to have a columnar structure that vertically penetrates the nonmagnetic layer 7. This is not preferable because the crystallinity and orientation of the magnetic layer formed on the magnetic layer 7 may be impaired. On the other hand, when the content of the oxide, metal nitride, or metal carbide in the nonmagnetic layer 7 is less than the above range, the effect of adding the oxide, metal nitride, or metal carbide cannot be obtained. Therefore, it is not preferable.

「保護層」
垂直磁性層4上には保護層5が形成される。保護層5は、垂直磁性層4の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが磁気記録媒体に接触したときの媒体表面の損傷を防ぐためのものである。保護層5としては、従来公知の材料を使用することができ、例えばC、SiO、ZrOを含むものを使用することが可能である。保護層5の厚みは、1〜10nmとすることが、磁気ヘッドと磁気記録媒体との距離を小さくできるので高記録密度の点から好ましい。保護層5は、例えば、CVD(化学気相成長)法などを用いて形成される。
"Protective layer"
A protective layer 5 is formed on the perpendicular magnetic layer 4. The protective layer 5 prevents corrosion of the perpendicular magnetic layer 4 and prevents damage to the medium surface when the magnetic head comes into contact with the magnetic recording medium. As the protective layer 5, a conventionally known material can be used. For example, a material containing C, SiO 2 , or ZrO 2 can be used. The thickness of the protective layer 5 is preferably 1 to 10 nm from the viewpoint of high recording density because the distance between the magnetic head and the magnetic recording medium can be reduced. The protective layer 5 is formed using, for example, a CVD (chemical vapor deposition) method.

「潤滑層」
保護層5上には潤滑層6が形成される。潤滑層6には、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を用いることが好ましい。潤滑層6は、例えば、ディッピング法などを用いて形成される。
"Lubrication layer"
A lubricating layer 6 is formed on the protective layer 5. For the lubricating layer 6, it is preferable to use a lubricant such as perfluoropolyether, fluorinated alcohol, fluorinated carboxylic acid, or the like. The lubricating layer 6 is formed using, for example, a dipping method.

本実施形態の磁気記録媒体は、垂直磁性層4が、配向制御層3を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものであるので、垂直磁性層4の垂直配向性が優れたものとなる。また、本実施形態の磁気記録媒体は、配向制御層3が、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層を含むものであるので、配向制御層3が磁性を発現するものとなる。したがって、本実施形態の磁気記録媒体は、配向制御層3を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含む垂直磁性層3を得るために、配向制御層3の厚みを厚くし、軟磁性下地層2と磁気ヘッドとの記録時における距離が大きくなったとしても、高密度記録に適した十分に高い記録特性(OW)を有する磁気記録媒体となる。その結果、本実施形態の磁気記録媒体によれば、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)、記録特性(OW)、及び熱揺らぎ特性を有する磁気記録媒体を実現できる。   In the magnetic recording medium of the present embodiment, the perpendicular magnetic layer 4 includes columnar crystals that are continuous in the thickness direction together with the crystal grains constituting the orientation control layer 3, so that the perpendicular magnetic layer 4 has excellent perpendicular orientation. Become. In the magnetic recording medium of this embodiment, since the orientation control layer 3 includes a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more, the orientation control layer 3 exhibits magnetism. Therefore, the magnetic recording medium of the present embodiment increases the thickness of the orientation control layer 3 in order to obtain the perpendicular magnetic layer 3 including columnar crystals continuous in the thickness direction together with the crystal grains constituting the orientation control layer 3. Even when the recording distance between the magnetic underlayer 2 and the magnetic head is increased, the magnetic recording medium has sufficiently high recording characteristics (OW) suitable for high-density recording. As a result, according to the magnetic recording medium of this embodiment, a magnetic recording medium having a signal / noise ratio (S / N ratio), recording characteristics (OW), and thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording can be realized.

また、本実施形態の磁気記録媒体は、配向制御層3が、軟磁性下地層2側に配置された第1配向制御層3aと、第1配向制御層3aの垂直磁性層4側に配置された第2配向制御層3bとからなり、第1配向制御層3aが、柱状晶の核となる結晶を含むものであり、
第2配向制御層3bが、核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状晶を含むものであり、第1配向制御層3aと第2配向制御層3bの両方が、Ru合金層を含むものであるので、配向制御層3および垂直磁性層4を微細化することができ、より高密度記録に適した高い記録特性(OW)を有するのものとなる。
In the magnetic recording medium of this embodiment, the orientation control layer 3 is disposed on the first orientation control layer 3a disposed on the soft magnetic underlayer 2 side, and on the perpendicular magnetic layer 4 side of the first orientation control layer 3a. The second orientation control layer 3b, and the first orientation control layer 3a includes a crystal serving as a nucleus of a columnar crystal,
The second orientation control layer 3b includes a columnar crystal that is continuous in the thickness direction with a crystal serving as a nucleus and has a dome-like convex portion formed at the top, and includes a first orientation control layer 3a and a second orientation control layer. Since both 3b include a Ru alloy layer, the orientation control layer 3 and the perpendicular magnetic layer 4 can be miniaturized and have high recording characteristics (OW) suitable for higher density recording.

(磁気記録再生装置)
図4は、本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示すものである。
この磁気記録再生装置は、図1に示す構成を有する磁気記録媒体50と、磁気記録媒体50を回転駆動させる媒体駆動部51と、磁気記録媒体50に情報を記録再生する磁気ヘッド52と、この磁気ヘッド52を磁気記録媒体50に対して相対運動させるヘッド駆動部53と、記録再生信号処理系54とを備えている。
(Magnetic recording / reproducing device)
FIG. 4 shows an example of a magnetic recording / reproducing apparatus to which the present invention is applied.
This magnetic recording / reproducing apparatus includes a magnetic recording medium 50 having the configuration shown in FIG. 1, a medium driving unit 51 that rotationally drives the magnetic recording medium 50, a magnetic head 52 that records and reproduces information on the magnetic recording medium 50, and A head driving unit 53 that moves the magnetic head 52 relative to the magnetic recording medium 50 and a recording / reproducing signal processing system 54 are provided.

記録再生信号処理系54は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド52に送り、磁気ヘッド52からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能となっている。本発明を適用した磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッド52には、再生素子として巨大磁気抵抗効果(GMR)を利用したGMR素子などを有した、より高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることができる。   The recording / reproduction signal processing system 54 can process data input from the outside and send a recording signal to the magnetic head 52, process a reproduction signal from the magnetic head 52, and send the data to the outside. . As the magnetic head 52 used in the magnetic recording / reproducing apparatus to which the present invention is applied, a magnetic head having a GMR element utilizing a giant magnetoresistive effect (GMR) as a reproducing element and suitable for higher recording density is used. it can.

図4に示す磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体の一例である図1に示す磁気記録媒体50と、磁気記録媒体50に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッド52とを備えるものであるので、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)、記録特性(OW)、及び熱揺らぎ特性が得られる磁気記録媒体を備えた優れたものとなる。   The magnetic recording / reproducing apparatus shown in FIG. 4 includes the magnetic recording medium 50 shown in FIG. 1 as an example of the magnetic recording medium of the present invention, and a magnetic head 52 that records and reproduces information on the magnetic recording medium 50. Therefore, the magnetic recording medium is provided with a magnetic recording medium capable of obtaining a signal / noise ratio (S / N ratio), recording characteristics (OW), and thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording.

以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
(実験例1〜30)
以下に示す製造方法により、実験例1〜30の磁気記録媒体を作製し、評価した。
Hereinafter, the effects of the present invention will be made clearer by examples. In addition, this invention is not limited to a following example, In the range which does not change the summary, it can change suitably and can implement.
(Experimental Examples 1-30)
Magnetic recording media of Experimental Examples 1 to 30 were manufactured and evaluated by the manufacturing method described below.

まず、洗浄済みのガラス基板(コニカミノルタ社製、外形2.5インチ)を、DCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3040)の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×10−5Paとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、このガラス基板の上に、Crターゲットを用いて層厚10nmの密着層を成膜した。
このようにして得られた密着層の上に、70Co−20Fe−5Zr−5Ta{Fe含有量20at%、Zr含有量5at%、Ta含有量5at%、残部Co}のターゲットを用いて100℃以下の基板温度で、層厚25nmの軟磁性層を成膜し、この上にRu層を層厚0.7nmで成膜し、さらに70Co−20Fe−5Zr−5Taの軟磁性層を層厚25nmで成膜し、これを軟磁性下地層とした。
First, a cleaned glass substrate (manufactured by Konica Minolta, 2.5 inch outer diameter) is housed in a film forming chamber of a DC magnetron sputtering apparatus (C-3040, manufactured by Anelva), and the ultimate vacuum is 1 × 10 −3. After evacuating the film formation chamber to 5 Pa, an adhesion layer having a thickness of 10 nm was formed on the glass substrate using a Cr target.
On the adhesion layer thus obtained, a target of 70Co-20Fe-5Zr-5Ta {Fe content 20at%, Zr content 5at%, Ta content 5at%, balance Co} is used at 100 ° C or lower. A soft magnetic layer with a layer thickness of 25 nm is formed at a substrate temperature of, and a Ru layer is formed thereon with a layer thickness of 0.7 nm, and a soft magnetic layer of 70Co-20Fe-5Zr-5Ta is formed with a layer thickness of 25 nm. This was formed into a soft magnetic underlayer.

次に、軟磁性下地層の上に配向制御層を形成した。
まず、軟磁性下地層の上に、表2および表3に示すスパッタリングガス圧(ガス圧)で、表2および表3に示す組成、層厚の配向制御層を形成した。
Next, an orientation control layer was formed on the soft magnetic underlayer.
First, an orientation control layer having the composition and layer thickness shown in Tables 2 and 3 was formed on the soft magnetic underlayer at the sputtering gas pressure (gas pressure) shown in Tables 2 and 3.

Figure 2011123977
Figure 2011123977

Figure 2011123977
Figure 2011123977

その後、配向制御層上に、垂直磁性層を形成した。
まず、配向制御層上に、91(Co15Cr16Pt)−6(SiO)−3(TiO){Cr含有量15at%、Pt含有量18at%、残部Coの合金を91mol%、SiOからなる酸化物を6mol%、Crからなる酸化物を3mol%、TiOからなる酸化物を3mol%}の組成の磁性層を、スパッタリングガス圧を2Paとして層厚9nmで成膜した。
Thereafter, a perpendicular magnetic layer was formed on the orientation control layer.
First, 91 (Co15Cr16Pt) -6 (SiO 2 ) -3 (TiO 2 ) {Cr content of 15 at%, Pt content of 18 at%, the remaining Co is 91 mol%, and the oxidation is made of SiO 2 on the orientation control layer. A magnetic layer having a composition of 6 mol% of an oxide, 3 mol% of an oxide composed of Cr 2 O 3 and 3 mol% of an oxide composed of TiO 2 is formed with a sputtering gas pressure of 2 Pa and a layer thickness of 9 nm.

次に、磁性層の上に、88(Co30Cr)−12(TiO)からなる非磁性層を層厚0.3nmで成膜した。
次に、非磁性層の上に、92(Co11Cr18Pt)−5(SiO)−3(TiO)からなる磁性層を、スパッタリングガス圧を2Paとして層厚6nmで成膜した。
Next, a nonmagnetic layer made of 88 (Co30Cr) -12 (TiO 2 ) was formed on the magnetic layer with a layer thickness of 0.3 nm.
Next, a magnetic layer made of 92 (Co11Cr18Pt) -5 (SiO 2 ) -3 (TiO 2 ) was formed on the nonmagnetic layer with a sputtering gas pressure of 2 Pa and a layer thickness of 6 nm.

次に、磁性層の上に、Ruからなる非磁性層を層厚0.3nmで成膜した。
次に、非磁性層の上に、63Co20Cr14Pt3B{Cr含有量20at%、Pt含有量14at%、B含有量3at%、残部Co}からなるターゲットを用いて、スパッタリングガス圧を0.6Paとして磁性層を層厚7nmで成膜した。
Next, a nonmagnetic layer made of Ru was formed with a layer thickness of 0.3 nm on the magnetic layer.
Next, on the nonmagnetic layer, a magnetic layer having a sputtering gas pressure of 0.6 Pa using a target composed of 63Co20Cr14Pt3B {Cr content 20at%, Pt content 14at%, B content 3at%, balance Co}. Was deposited with a layer thickness of 7 nm.

次に、CVD法により層厚3.0nmの保護層を成膜し、次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を成膜し、実験例1〜30の磁気記録媒体を作製した。   Next, a protective layer having a thickness of 3.0 nm was formed by a CVD method, and then a lubricating layer made of perfluoropolyether was formed by a dipping method to produce magnetic recording media of Experimental Examples 1 to 30.

このようにして得られた実験例1〜17の磁気記録媒体について、配向制御層を構成するCoRu合金層、FeRu合金層、Ru層の配向性(△θ50)を調べるために、X線分光分析(XRD)を行い、Ru(0002),Co(0002)のロッキングカーブの半価幅(FWHM)をそれぞれ測定した。その結果を表2に示す。
表2に示すように、CoRu合金層、FeRu合金層の配向性(△θ50)は、FeまたはCoを含まないRu層と比較して大きいが、FeまたはCoを80at%含むものであっても配向性の低下は、0.38〜0.63°の範囲であり、0.5°程度とわずかであることが確認できた。
In order to investigate the orientation (Δθ50) of the CoRu alloy layer, FeRu alloy layer, and Ru layer constituting the orientation control layer of the magnetic recording media of Experimental Examples 1 to 17 obtained in this way, X-ray spectroscopic analysis was performed. (XRD) was performed, and the half width (FWHM) of the rocking curves of Ru (0002) and Co (0002) were measured. The results are shown in Table 2.
As shown in Table 2, the orientation (Δθ50) of the CoRu alloy layer and the FeRu alloy layer is larger than that of the Ru layer not containing Fe or Co, but even if it contains 80 at% of Fe or Co. It was confirmed that the decrease in orientation was in the range of 0.38 to 0.63 ° and was as small as about 0.5 °.

また、このようにして得られた実験例18〜30の磁気記録媒体について、米国GUZIK社製のリードライトアナライザRWA1632及びスピンスタンドS1701MPを用いて、記録再生特性として信号/ノイズ比(S/N比)、記録特性(OW)、及び熱揺らぎ特性の各評価を行った。その結果を表4に示す。   In addition, with respect to the magnetic recording media of Experimental Examples 18 to 30 obtained in this way, a signal / noise ratio (S / N ratio) as a recording / reproducing characteristic using a read / write analyzer RWA1632 and a spin stand S1701MP manufactured by GUZIK. ), Recording characteristics (OW), and thermal fluctuation characteristics. The results are shown in Table 4.

Figure 2011123977
Figure 2011123977

なお、磁気ヘッドには、書き込み側にシングルポール磁極を用い、読み出し側にTMR素子を用いたヘッドを使用した。
信号/ノイズ比(S/N比)については、記録密度750kFCIとして測定した。
記録特性(OW)については、先ず、750kFCIの信号を書き込み、次いで100kFCIの信号を上書し、周波数フィルターにより高周波成分を取り出し、その残留割合によりデータの書き込み能力を評価した。
As the magnetic head, a head using a single pole magnetic pole on the writing side and a TMR element on the reading side was used.
The signal / noise ratio (S / N ratio) was measured at a recording density of 750 kFCI.
Regarding the recording characteristics (OW), first, a 750 kFCI signal was written, then a 100 kFCI signal was overwritten, a high frequency component was taken out by a frequency filter, and the data writing ability was evaluated by the residual ratio.

熱揺らぎ特性については、70℃の条件下で記録密度50kFCIにて書き込みを行った後、書き込み後1秒後の再生出力に対する出力の減衰率(%)を、下記(式1)を用いて算出した。
(So−S)×100/(So)…(式1)
なお、(式1)中において、Soは書き込み後、1秒経過時の再生出力、Sは10000秒後の再生出力を表す。
Regarding thermal fluctuation characteristics, after writing at a recording density of 50 kFCI under the condition of 70 ° C., the output attenuation rate (%) with respect to the playback output 1 second after writing is calculated using the following (Formula 1). did.
(So-S) × 100 / (So) (Formula 1)
In (Equation 1), So represents a reproduction output when one second has elapsed after writing, and S represents a reproduction output after 10,000 seconds.

また、実験例18〜30の磁気記録媒体について、保磁力(Hc)の測定を行った。その結果を表4に示す。   Further, the coercive force (Hc) of the magnetic recording media of Experimental Examples 18 to 30 was measured. The results are shown in Table 4.

表3および表4に示すように、配向制御層が、Coの含有量が66at%以上またはFeの含有量が73at%である飽和磁化(Ms)が50emu/cc以上のRu合金からなる本発明の実施例である実験例19〜30の磁気記録媒体では、いずれも記録特性(OW)の結果が、比較例である配向制御層が層厚の等しいRu層のみからなる実験例18よりも高いことが確認できた。
また、表3および表4に示すように、実験例19〜30の磁気記録媒体は、いずれもS/N比、熱揺らぎ、Hcの結果が、実験例18と遜色ないことが確認できた。
As shown in Table 3 and Table 4, the orientation control layer is made of a Ru alloy having a Co magnetization of 66 at% or more or a Fe content of 73 at% and a saturation magnetization (Ms) of 50 emu / cc or more. In the magnetic recording media of Experimental Examples 19 to 30, which are examples of the above, the results of the recording characteristics (OW) are higher than those of Experimental Example 18 in which the alignment control layer as a comparative example is composed only of Ru layers having the same layer thickness. I was able to confirm.
Further, as shown in Tables 3 and 4, it was confirmed that all of the magnetic recording media of Experimental Examples 19 to 30 were comparable to Experimental Example 18 in the S / N ratio, thermal fluctuation, and Hc results.

1…非磁性基板、2…軟磁性下地層、3…配向制御層、3a…第1配向制御層、3b…第2配向制御層、4…垂直磁性層、4a…下層の磁性層、4b…中層の磁性層、4c…上層の磁性層、5…保護層、6…潤滑層、7…非磁性層、7a…下層の非磁性層、7b…上層の非磁性層、8…非磁性下地層、15…酸化物、S1、S2、S3…柱状晶、S1a…凹凸面、41…酸化物、42…磁性粒子、50…磁気記録媒体、51…媒体駆動部、52…磁気ヘッド、53…ヘッド駆動部、54…記録再生信号処理系。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Nonmagnetic board | substrate, 2 ... Soft magnetic underlayer, 3 ... Orientation control layer, 3a ... 1st orientation control layer, 3b ... 2nd orientation control layer, 4 ... Perpendicular magnetic layer, 4a ... Lower magnetic layer, 4b ... Middle magnetic layer, 4c ... upper magnetic layer, 5 ... protective layer, 6 ... lubricating layer, 7 ... nonmagnetic layer, 7a ... lower nonmagnetic layer, 7b ... upper nonmagnetic layer, 8 ... nonmagnetic underlayer 15 ... oxide, S1, S2, S3 ... columnar crystal, S1a ... uneven surface, 41 ... oxide, 42 ... magnetic particle, 50 ... magnetic recording medium, 51 ... medium drive unit, 52 ... magnetic head, 53 ... head Drive unit 54... Recording / reproduction signal processing system.

Claims (5)

非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを、少なくとも積層してなる磁気記録媒体であって、
前記配向制御層が、磁性材料を含有する飽和磁化50emu/cc以上のRu合金層を含むものであり、
前記垂直磁性層が、前記配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものであることを特徴とする磁気記録媒体。
On the nonmagnetic substrate, a soft magnetic underlayer, an orientation control layer for controlling the orientation of the layer immediately above, and a perpendicular magnetic layer having an easy axis of magnetization oriented perpendicularly to the nonmagnetic substrate, A magnetic recording medium comprising at least laminated layers,
The orientation control layer includes a Ru alloy layer containing a magnetic material and having a saturation magnetization of 50 emu / cc or more,
The magnetic recording medium, wherein the perpendicular magnetic layer includes columnar crystals continuous in a thickness direction together with crystal grains constituting the orientation control layer.
前記配向制御層が、前記軟磁性下地層側に配置された第1配向制御層と、前記第1配向制御層の前記垂直磁性層側に配置された第2配向制御層とからなり、
前記第1配向制御層が、柱状晶の核となる結晶を含むものであり、前記第2配向制御層が、前記核となる結晶に厚み方向に連続し、頂部にドーム状の凸部が形成された柱状晶を含むものであり、
前記第1配向制御層と前記第2配向制御層のいずれか一方または両方が、前記Ru合金層を含むものであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
The orientation control layer comprises a first orientation control layer disposed on the soft magnetic underlayer side and a second orientation control layer disposed on the perpendicular magnetic layer side of the first orientation control layer;
The first orientation control layer includes a crystal serving as a nucleus of a columnar crystal, the second orientation control layer is continuous with the crystal serving as a nucleus in the thickness direction, and a dome-shaped convex portion is formed at the top. Containing the columnar crystals formed,
2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein one or both of the first orientation control layer and the second orientation control layer includes the Ru alloy layer.
前記磁性材料が、CoまたはFeであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic material is Co or Fe. 前記Ru合金層が、Coを66at%〜80at%の範囲内で含有量し、50emu/cc〜700emu/ccの範囲内の飽和磁化であるCoRu合金層および/または、Feを73at%〜80at%の範囲内で含有量し、50emu/cc〜500emu/ccの範囲内の飽和磁化であるFeRu合金層を含むものであることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の磁気記録媒体。   The Ru alloy layer contains Co in a range of 66 at% to 80 at% and has a saturation magnetization in a range of 50 emu / cc to 700 emu / cc and / or Fe of 73 at% to 80 at% 4. The magnetic recording medium according to claim 1, comprising a FeRu alloy layer having a saturation magnetization in the range of 50 emu / cc to 500 emu / cc. . 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
The magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 4,
A magnetic recording / reproducing apparatus comprising: a magnetic head for recording / reproducing information with respect to the magnetic recording medium.
JP2009283112A 2009-12-14 2009-12-14 Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device Pending JP2011123977A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009283112A JP2011123977A (en) 2009-12-14 2009-12-14 Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009283112A JP2011123977A (en) 2009-12-14 2009-12-14 Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011123977A true JP2011123977A (en) 2011-06-23

Family

ID=44287700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009283112A Pending JP2011123977A (en) 2009-12-14 2009-12-14 Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011123977A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130314814A1 (en) * 2012-05-28 2013-11-28 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US20140002917A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US20140002919A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130314814A1 (en) * 2012-05-28 2013-11-28 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
JP2013246856A (en) * 2012-05-28 2013-12-09 Showa Denko Kk Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
CN103456320A (en) * 2012-05-28 2013-12-18 昭和电工株式会社 Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US8804285B2 (en) * 2012-05-28 2014-08-12 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US20140002917A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US20140002919A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
CN103514899A (en) * 2012-06-28 2014-01-15 昭和电工株式会社 Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
CN103514896A (en) * 2012-06-28 2014-01-15 昭和电工株式会社 Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US8830630B2 (en) * 2012-06-28 2014-09-09 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US8902545B2 (en) * 2012-06-28 2014-12-02 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
CN103514896B (en) * 2012-06-28 2016-06-08 昭和电工株式会社 Magnetic recording medium and magnetic recording

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012157600A1 (en) Magnetic recording medium, manufacturing method thereof, and magnetic record/play device
JP4219941B2 (en) Magnetic recording medium, manufacturing method thereof, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP5250838B2 (en) Magnetic recording medium manufacturing method, magnetic recording medium, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP5274998B2 (en) Magnetic recording medium, method for manufacturing the same, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP5894780B2 (en) Method for manufacturing magnetic recording medium
JP5775720B2 (en) Magnetic recording medium manufacturing method and magnetic recording / reproducing apparatus
JP2010049749A (en) Magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing device
JP5536540B2 (en) Magnetic recording medium and magnetic recording / reproducing apparatus
JP6265529B2 (en) Magnetic recording medium manufacturing method, magnetic recording medium, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP6144570B2 (en) Magnetic recording medium manufacturing method, magnetic recording medium, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP2017134877A (en) Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus
JP2010176782A (en) Method for manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording and playback device
JP2011123976A (en) Method for manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device
JP5244679B2 (en) Method for manufacturing magnetic recording medium
JP2011123977A (en) Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device
JP5890756B2 (en) Magnetic recording medium and magnetic storage device
JP2011192326A (en) Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device
JP5232730B2 (en) Magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP5677789B2 (en) Magnetic recording medium and magnetic recording / reproducing apparatus
JP2013246856A (en) Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
JP5312296B2 (en) Magnetic recording medium manufacturing method and magnetic recording / reproducing apparatus
JP2011138563A (en) Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device
JP2011003260A (en) Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device
JP5244678B2 (en) Method for manufacturing magnetic recording medium
JP2010262719A (en) Magnetic recording medium and magnetic recording and playback device