JP2011114693A - Method for manufacturing package, method for manufacturing piezoelectric vibrator, oscillator, electronic equipment, and radio clock - Google Patents

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Yoichi Funabiki
陽一 船曳
Satoshi Numata
理志 沼田
Mitsuo Akiba
光夫 秋葉
Akira Kume
章 久米
Katsumi Watanabe
勝美 渡辺
Yoshihiro Kusanagi
芳浩 草▲剪▼
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a package which simply removes glass frit residues, and improves yield, to provide a method for manufacturing a piezoelectric vibrator, and to provide an oscillator, electronic equipment and a radio clock. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the package includes: a residue removal process S32G of scraping away the dry glass frit residues 6b remaining on the top surface U of a wafer 40 for base substrates; and a burning process S32H of burning and hardening glass frit 6a filled in a through hole after removing the glass frit residues 6a. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計に関するものである。   The present invention relates to a package manufacturing method, a piezoelectric vibrator manufacturing method, an oscillator, an electronic device, and a radio timepiece.

近年、携帯電話や携帯情報端末には、時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その一つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、一般的に圧電振動片が形成された圧電基板をベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した３層構造タイプのパッケージを備えたものが知られている。この場合、圧電振動子はベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ（密閉室）内に収納されている。また、近年では、上述した３層構造タイプのパッケージを備えたものではなく、２層構造タイプのパッケージを備えたものも開発されている。   2. Description of the Related Art In recent years, cellular phones and personal digital assistants use piezoelectric vibrators that use quartz as a time source, a timing source such as a control signal, and a reference signal source. Various piezoelectric vibrators of this type are known, and one of them is a surface-mount type piezoelectric vibrator. As this type of piezoelectric vibrator, one having a three-layer structure type package in which a piezoelectric substrate on which a piezoelectric vibrating piece is formed is joined so as to be sandwiched from above and below by a base substrate and a lid substrate is known. Yes. In this case, the piezoelectric vibrator is housed in a cavity (sealed chamber) formed between the base substrate and the lid substrate. In recent years, a package having a two-layer structure type package has been developed instead of the above-described three-layer structure type package.

このパッケージの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることで２層構造タイプとなっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収納されている。
この２層構造タイプの圧電振動子は、３層構造タイプのものに比べて薄型化を図ることができるなどの点において優れており、好適に使用されている。このような２層構造タイプの圧電振動子の一つとして、ベース基板を貫通するように形成された導電部材を利用して、圧電振動片とベース基板に形成された外部電極とを導通させた圧電振動子が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。 The piezoelectric vibrator of this package is a two-layer structure type in which a base substrate and a lid substrate are directly joined, and a piezoelectric vibrating piece is housed in a cavity formed between the two substrates.
This two-layer structure type piezoelectric vibrator is excellent in that it can be made thinner than the three-layer structure type, and is preferably used. As one of the two-layer structure type piezoelectric vibrators, a piezoelectric vibrating piece and an external electrode formed on the base substrate are made conductive by using a conductive member formed so as to penetrate the base substrate. Piezoelectric vibrators are known (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

この圧電振動子２００は、図１７、図１８に示すように、接合膜２０７を介して互いに陽極接合されたベース基板２０１およびリッド基板２０２と、両基板２０１、２０２の間に形成されたキャビティＣ内に封止された圧電振動片２０３と、を備えている。圧電振動片２０３は、例えば音叉型の振動片であって、キャビティＣ内においてベース基板２０１の上面に導電性接着剤Ｅを介してマウントされている。   17 and 18, the piezoelectric vibrator 200 includes a base substrate 201 and a lid substrate 202 that are anodically bonded to each other via a bonding film 207, and a cavity C formed between the substrates 201 and 202. And a piezoelectric vibrating piece 203 sealed inside. The piezoelectric vibrating piece 203 is, for example, a tuning fork type vibrating piece, and is mounted on the upper surface of the base substrate 201 in the cavity C via the conductive adhesive E.

ベース基板２０１およびリッド基板２０２は、例えばセラミックやガラスなどからなる絶縁基板である。両基板２０１、２０２のうちベース基板２０１には、該基板２０１を貫通する貫通孔２０４が形成されている。そして、この貫通孔２０４内には、該貫通孔２０４を塞ぐように導電部材２０５が埋め込まれている。この導電部材２０５は、ベース基板２０１の下面に形成された外部電極２０６に電気的に接続されているとともに、キャビティＣ内にマウントされている圧電振動片２０３に電気的に接続されている。   The base substrate 201 and the lid substrate 202 are insulating substrates made of, for example, ceramic or glass. A through-hole 204 that penetrates the substrate 201 is formed in the base substrate 201 of the two substrates 201 and 202. A conductive member 205 is embedded in the through hole 204 so as to close the through hole 204. The conductive member 205 is electrically connected to the external electrode 206 formed on the lower surface of the base substrate 201 and is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 203 mounted in the cavity C.

特開２００１−２６７１９０号公報JP 2001-267190 A 特開２００７−３２８９４１号公報JP 2007-328941 A

ところで、上述した２層構造タイプの圧電振動子において、導電部材２０５は、貫通孔２０４を塞いでキャビティＣ内の気密を維持するとともに、圧電振動片２０３と外部電極２０６とを導通させるという２つの大きな役割を担っている。特に、貫通孔２０４との密着が不十分であると、キャビティＣ内の気密が損なわれてしまう虞があり、また、導電性接着剤Ｅあるいは外部電極２０６との接触が不十分であると、圧電振動片２０３の作動不良を招いてしまう。したがって、このような不具合を無くすためにも、貫通孔２０４の内面に強固に密着した状態で該貫通孔２０４を完全に塞ぎ、しかも、表面に凹みなどがない状態で導電部材２０５を形成する必要がある。   By the way, in the above-described two-layer structure type piezoelectric vibrator, the conductive member 205 closes the through hole 204 to maintain airtightness in the cavity C, and electrically connects the piezoelectric vibrating piece 203 and the external electrode 206. It plays a big role. In particular, if the close contact with the through hole 204 is insufficient, the airtightness in the cavity C may be impaired, and if the contact with the conductive adhesive E or the external electrode 206 is insufficient, This causes a malfunction of the piezoelectric vibrating piece 203. Therefore, in order to eliminate such a problem, it is necessary to form the conductive member 205 in a state where the through hole 204 is completely closed in a state where the through hole 204 is firmly adhered to the inner surface, and there is no dent on the surface. There is.

しかしながら、特許文献１および特許文献２には、導電部材２０５を導電ペースト（ＡｇペーストやＡｕ−Ｓｎペーストなど）にて形成する点は記載されているものの、実際にどのように形成するかなどの具体的な製造方法については何ら記載されていない。
一般的に導電ペーストを使用する場合には、焼成して硬化させる必要がある。つまり、貫通孔２０４内に導電ペーストを埋め込んだ後、焼成を行って硬化させる必要がある。ところが、焼成を行うと、導電ペーストに含まれる有機物が蒸発により消失してしまうため、通常、焼成後の体積が焼成前に比べて減少してしまう（例えば、導電ペーストとしてＡｇペーストを用いた場合には、体積が略２０％程度減少してしまう）。そのため、導電ペーストを利用して導電部材２０５を形成したとしても、表面に凹みが発生してしまったり、ひどい場合には貫通孔が中心に開いてしまったりする虞がある。
その結果、キャビティＣ内の気密が損なわれたり、圧電振動片２０３と外部電極２０６との導通性が損なわれたりする可能性があった。 However, although Patent Document 1 and Patent Document 2 describe that the conductive member 205 is formed with a conductive paste (Ag paste, Au-Sn paste, etc.), how to actually form the conductive member 205, etc. No specific manufacturing method is described.
In general, when a conductive paste is used, it needs to be baked and cured. That is, after the conductive paste is embedded in the through hole 204, it is necessary to perform baking and cure. However, when firing, organic matter contained in the conductive paste disappears due to evaporation, and thus the volume after firing usually decreases compared to before firing (for example, when an Ag paste is used as the conductive paste) The volume is reduced by about 20%). For this reason, even if the conductive member 205 is formed using the conductive paste, there is a possibility that a dent will be generated on the surface or, if it is severe, the through hole may open at the center.
As a result, there is a possibility that the airtightness in the cavity C is impaired or the electrical conductivity between the piezoelectric vibrating piece 203 and the external electrode 206 is impaired.

上述の不具合を解消するために、以下のような貫通電極の形成方法が提案されている。即ち、図１９（ａ）に示すように、まずベース基板２０１に形成された貫通孔２１１に金属製のピン２１２を配置する。次に、図１９（ｂ）に示すように、ベース基板２０１表面に対して所定のアタック角度で傾斜するフィルスキージ２１４を該ベース基板２０１表面に当接させて、その後一方向に移動させることでベース基板２０１上のペースト状のガラスフリット２１５を貫通孔２１１内に充填する。次に、ベース基板２０１表面に対して上記アタック角度よりも大きいアタック角度で傾斜するスクライブスキージ２１６を、上記フィルスキージ２１４の移動方向の逆方向に移動させて、ベース基板２０１上の余分なガラスフリット２１５を除去する。このように、貫通孔２１１とピン２１２との隙間にガラスフリット２１５を充填した後、焼成する。そして、ベース基板２０１の表面を研磨して、スクライブスキージ２１６で除去しきれなかったガラスフリット残渣を除去することにより、貫通電極を形成する。   In order to eliminate the above-described problems, the following through electrode forming methods have been proposed. That is, as shown in FIG. 19A, first, metal pins 212 are arranged in the through holes 211 formed in the base substrate 201. Next, as shown in FIG. 19B, a fill squeegee 214 inclined at a predetermined attack angle with respect to the surface of the base substrate 201 is brought into contact with the surface of the base substrate 201 and then moved in one direction. The paste-like glass frit 215 on the base substrate 201 is filled into the through hole 211. Next, an excessive glass frit on the base substrate 201 is moved by moving the scribe squeegee 216 inclined at an attack angle larger than the attack angle with respect to the surface of the base substrate 201 in the direction opposite to the moving direction of the fill squeegee 214. 215 is removed. In this manner, the gap between the through hole 211 and the pin 212 is filled with the glass frit 215 and then fired. Then, the surface of the base substrate 201 is polished to remove the glass frit residue that could not be removed by the scribe squeegee 216, thereby forming a through electrode.

しかしながら、上述のように、ガラスフリット２１５を焼成した後にベース基板２０１の表面を研磨する場合、焼成後のガラスフリット２１５は非常に硬いため、ガラスフリット残渣を研磨して除去するのに多大な工数がかかる。また、焼成後のベース基板２０１の表面にはガラスフリット残渣による凹凸が形成されるため、ガラスフリット残渣を除去する際にベース基板２０１に過度の応力が集中すると、ベース基板２０１が割れてしまい、ベース基板の歩留まりが悪化する。   However, as described above, when the surface of the base substrate 201 is polished after the glass frit 215 is baked, the glass frit 215 after baking is very hard, and therefore a great amount of man-hour is required to polish and remove the glass frit residue. It takes. In addition, since irregularities due to glass frit residue are formed on the surface of the base substrate 201 after firing, if excessive stress is concentrated on the base substrate 201 when removing the glass frit residue, the base substrate 201 is cracked, The yield of the base substrate is deteriorated.

そこで本発明は、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができ、かつ歩留まりを向上することができるパッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器、電波時計を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a package manufacturing method, a piezoelectric vibrator manufacturing method, an oscillator, an electronic device, and a radio timepiece capable of easily removing glass frit residues and improving yield. And

上記の課題を解決するため、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記第１基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、前記第１基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、前記第１基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前記貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、前記ガラスフリットのうち、前記一方の面上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程と、前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、ことを特徴とする。
本発明によれば、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程を有しているので、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができる。また、焼成工程前にガラスフリット残渣をあらかじめ除去しているので、研磨工程の時間を短縮できる。さらに、焼成工程後はガラスフリット残渣の凹凸がないので、研磨工程で第１基板に過度の応力が集中するのを回避し、第１基板の割れを防止することができる。したがって、第１基板の歩留まりを向上することができる。 In order to solve the above problems, a method for manufacturing a package of the present invention is a method for manufacturing a package in which an electronic component can be enclosed in a cavity formed between a plurality of substrates bonded to each other. Among the plurality of substrates, there is a through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the first substrate in the thickness direction and conducts between the inside of the cavity and the outside of the package, and the through electrode forming step includes: A through hole forming step of forming a through hole for arranging a conductive member constituting the through electrode on the first substrate; a conductive member arranging step of arranging the conductive member in the through hole; and the first substrate. A metal mask in which an opening for applying a paste-like glass frit is formed on one side of the metal mask is disposed on the one surface, and the one surface of the first substrate is formed on the one surface. A glass frit filling step of applying a lath frit and filling the glass frit into the through hole using a squeegee; a metal mask removing step of removing the metal mask; a glass frit drying step of drying the glass frit; Of the glass frit, a residue removing step of scraping off the glass frit residue which is dried and remaining on the one surface, and after removing the glass frit residue, firing the glass frit filled in the through hole And a baking step for curing.
According to the present invention, since the glass frit residue is scraped off before the glass frit is fired and cured, the glass frit residue can be easily removed. Further, since the glass frit residue is removed in advance before the firing step, the time for the polishing step can be shortened. Furthermore, since there is no unevenness of the glass frit residue after the firing step, it is possible to avoid excessive stress concentration on the first substrate in the polishing step and to prevent the first substrate from cracking. Therefore, the yield of the first substrate can be improved.

また、前記パッケージの製造方法であって、前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記第１基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、刃を第１基板の一方の面に当接させて固定しつつ、第１基板を回転させるだけでガラスフリット残渣を除去することができるので、ガラスフリット残渣を簡単かつ効率よく除去することができる。 Further, in the manufacturing method of the package, the residue removing step includes rotating the first substrate after bringing a blade capable of scraping off the glass frit residue into contact with the one surface. The glass frit residue is configured to be removed.
According to the present invention, the glass frit residue can be removed simply by rotating the first substrate while the blade is brought into contact with and fixed to one surface of the first substrate. Can be removed well.

また、本発明の圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に、圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法であって、前記リッド基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記圧電振動子の外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、前記ベース基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、前記ベース基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前記貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、前記ガラスフリットのうち、前記ベース基板の前記一方の面上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程と、前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、ことを特徴とする。
本発明によれば、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程を有しているので、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができる。また、焼成工程前にガラスフリット残渣をあらかじめ除去しているので、研磨工程の時間を短縮できる。さらに、焼成工程後はガラスフリット残渣の凹凸がないので、研磨工程でベース基板に過度の応力が集中するのを回避し、ベース基板の割れを防止することができる。したがって、ベース基板の歩留まりを向上することができる。 The method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention is a method for manufacturing a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate bonded to each other. A through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the lid substrate in a thickness direction and conducts between the inside of the cavity and the outside of the piezoelectric vibrator, and the through electrode forming step includes the base substrate A through-hole forming step for forming a through-hole for arranging a conductive member constituting the through-electrode, a conductive member arranging step for arranging the conductive member in the through-hole, and one surface of the base substrate A metal mask placement step of placing a metal mask having an opening for applying a paste-like glass frit on the one surface; and the glass frit on the one surface of the base substrate. A glass frit filling step of filling and filling the through hole with the glass frit using a squeegee, a metal mask removing step of removing the metal mask, a glass frit drying step of drying the glass frit, and the glass frit A residue removing step of scraping off the glass frit residue that remains after drying on the one surface of the base substrate, and the glass frit filled in the through hole after removing the glass frit residue. And a baking step of baking and curing.
According to the present invention, since the glass frit residue is scraped off before the glass frit is fired and cured, the glass frit residue can be easily removed. Further, since the glass frit residue is removed in advance before the firing step, the time for the polishing step can be shortened. Furthermore, since there is no unevenness of the glass frit residue after the firing process, it is possible to avoid excessive stress concentration on the base substrate in the polishing process and to prevent the base substrate from cracking. Therefore, the yield of the base substrate can be improved.

また、前記圧電振動子の製造方法であって、前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記ベース基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、刃をベース基板の一方の面に当接させて固定しつつ、ベース基板を回転させるだけでガラスフリット残渣を除去することができるので、ガラスフリット残渣を簡単かつ効率よく除去することができる。 Further, in the method for manufacturing the piezoelectric vibrator, in the residue removing step, after the blade capable of scraping the glass frit residue is brought into contact with the one surface, the base substrate is rotated. The glass frit residue is configured to be removed.
According to the present invention, glass frit residue can be removed simply and efficiently by rotating the base substrate while fixing the blade in contact with one surface of the base substrate. can do.

本発明の発振器は、上述の方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上述の方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電波時計は、上述の方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。 The oscillator according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator manufactured by the above-described method is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.
The electronic apparatus according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator manufactured by the above-described method is electrically connected to the time measuring unit.
The radio timepiece of the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator manufactured by the above-described method is electrically connected to the filter unit.

本発明にかかる発振器、電子機器および電波時計によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな発振器、電子機器および電波時計を製造することができる。   According to the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece according to the present invention, since the piezoelectric vibrator capable of reducing the number of steps of the polishing process and improving the yield of the base substrate is provided, the low-cost oscillator and electronic device are provided. And radio timepieces can be manufactured.

本発明によれば、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程を有しているので、ガラスフリット残渣を簡単に除去することができる。また、焼成工程前にガラスフリット残渣をあらかじめ除去しているので、研磨工程の時間を短縮できる。さらに、焼成工程後はガラスフリット残渣の凹凸がないので、研磨工程で第１基板に過度の応力が集中するのを回避し、第１基板の割れを防止することができる。したがって、第１基板の歩留まりを向上することができる。   According to the present invention, since the glass frit residue is scraped off before the glass frit is fired and cured, the glass frit residue can be easily removed. Further, since the glass frit residue is removed in advance before the firing step, the time for the polishing step can be shortened. Furthermore, since there is no unevenness of the glass frit residue after the firing step, it is possible to avoid excessive stress concentration on the first substrate in the polishing step and to prevent the first substrate from cracking. Therefore, the yield of the first substrate can be improved.

本実施形態における圧電振動子を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the piezoelectric vibrator in this embodiment. 図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1, and is a plan view with a lid substrate removed. 図２のＡ−Ａ線における断面図である。It is sectional drawing in the AA of FIG. 図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1. 圧電振動片の平面図である。It is a top view of a piezoelectric vibrating piece. 圧電振動片の底面図である。It is a bottom view of a piezoelectric vibrating piece. 図５のＢ−Ｂ線における断面図である。It is sectional drawing in the BB line of FIG. 本実施形態の圧電振動子の製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing method of the piezoelectric vibrator of this embodiment. ウエハ体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a wafer body. メタルマスク配置工程を表す説明図である。It is explanatory drawing showing a metal mask arrangement | positioning process. ガラスフリット充填工程を表す説明図である。It is explanatory drawing showing a glass frit filling process. ガラスフリット残渣の説明図であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。It is explanatory drawing of a glass frit residue, Fig.12 (a) is a top view, FIG.12 (b) is sectional drawing in CC line of Fig.12 (a). 図１３は残渣除去工程の説明図であり、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図である。FIG. 13 is an explanatory view of the residue removing step, FIG. 13 (a) is a plan view, and FIG. 13 (b) is a sectional view taken along the line DD of FIG. 13 (a). 発振器の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of an oscillator. 電子機器の一実施形態を示す構成図である。It is a lineblock diagram showing one embodiment of electronic equipment. 電波時計の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of a radio timepiece. 図１７は従来の圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。FIG. 17 is an internal configuration diagram of a conventional piezoelectric vibrator, and is a plan view of a state where a lid substrate is removed. 図１７に示す圧電振動子の側面断面図である。It is side surface sectional drawing of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 従来の圧電振動子を製造する際の一工程を示す図である。It is a figure which shows one process at the time of manufacturing the conventional piezoelectric vibrator.

以下、本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。
（圧電振動子）
図１は本実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。
図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態における圧電振動片の平面図である。
図３は図２のＡ−Ａ線における断面図である。
図４は図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
図１から図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に圧電振動片４が収納された表面実装型の圧電振動子である。なお、図４においては、図面を見易くするために後述する励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７及び重り金属膜２１の図示を省略している。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Piezoelectric vibrator)
FIG. 1 is an external perspective view of a piezoelectric vibrator according to this embodiment.
FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator, and is a plan view of the piezoelectric vibrating piece with the lid substrate removed.
3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 4 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG.
As shown in FIGS. 1 to 4, the piezoelectric vibrator 1 according to the present embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are laminated in two layers, and piezoelectrics are formed in an internal cavity C. This is a surface-mount type piezoelectric vibrator in which the resonator element 4 is housed. In FIG. 4, the excitation electrode 15, the extraction electrodes 19 and 20, the mount electrodes 16 and 17, and the weight metal film 21, which will be described later, are omitted for easy understanding of the drawing.

図５は圧電振動片の平面図である。
図６は圧電振動片の底面図である。
図７は図５のＢ−Ｂ線における断面図である。
図５から図７に示すように、圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。 FIG. 5 is a plan view of the piezoelectric vibrating piece.
FIG. 6 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece.
7 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
As shown in FIGS. 5 to 7, the piezoelectric vibrating piece 4 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It vibrates.

この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。
また、本実施形態の圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に、振動腕部１０，１１の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。この溝部１８は、振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。 The piezoelectric vibrating reed 4 includes a pair of vibrating arm portions 10 and 11 arranged in parallel, a base portion 12 that integrally fixes the base end sides of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and a pair of vibrating arm portions 10. 11, an excitation electrode 15 comprising a first excitation electrode 13 and a second excitation electrode 14 that vibrate the pair of vibrating arm portions 10, 11, and the first excitation electrode 13 and the first excitation electrode 13. And two mounting electrodes 16 and 17 electrically connected to the two excitation electrodes 14.
Further, the piezoelectric vibrating reed 4 of the present embodiment includes groove portions 18 formed along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 10 and 11 on both main surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The groove portion 18 is formed from the proximal end side of the vibrating arm portions 10 and 11 to the vicinity of the middle.

励振電極１３，１４は、図５および図６に示すように、一対の振動腕部１０，１１の主面上に形成される。励振電極１３，１４は、例えば、クロム（Ｃｒ）等の単層の導電性膜により形成される。第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近または離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。   As shown in FIGS. 5 and 6, the excitation electrodes 13 and 14 are formed on the main surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The excitation electrodes 13 and 14 are formed of a single-layer conductive film such as chromium (Cr), for example. The excitation electrode 15 composed of the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other. It is formed by patterning on the outer surface of the vibrating arms 10 and 11 while being electrically separated from each other. Specifically, the first excitation electrode 13 is mainly formed on the groove portion 18 of one vibration arm portion 10 and on both side surfaces of the other vibration arm portion 11, and the second excitation electrode 14 is formed on one side. Are formed mainly on both side surfaces of the vibrating arm portion 10 and on the groove portion 18 of the other vibrating arm portion 11.

また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。そして圧電振動片４は、このマウント電極１６，１７を介して電圧が印加されるようになっている。
なお、マウント電極１６，１７及び引き出し電極１９，２０は、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施したものである。 In addition, the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are electrically connected to the mount electrodes 16 and 17 via the extraction electrodes 19 and 20, respectively, on both main surfaces of the base portion 12. A voltage is applied to the piezoelectric vibrating reed 4 via the mount electrodes 16 and 17.
The mount electrodes 16 and 17 and the lead electrodes 19 and 20 are laminated films of chromium (Cr) and gold (Au). After a chromium film having good adhesion to crystal is formed as a base, gold is formed on the surface. The thin film was given.

また、一対の振動腕部１０，１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。なお、この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０，１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。   Further, a weight metal film 21 for adjusting (frequency adjustment) to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The weight metal film 21 is divided into a coarse adjustment film 21a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 21b used when the frequency is finely adjusted. By adjusting the frequency using the coarse adjustment film 21a and the fine adjustment film 21b, the frequency of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be kept within the range of the nominal frequency of the device.

このように構成された圧電振動片４は、図３および図４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板２の上面にパターニングされた後述する引き回し電極３６，３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１６，１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the piezoelectric vibrating reed 4 configured as described above is bump-bonded to the upper surface of the base substrate 2 using bumps B such as gold. More specifically, bump bonding is performed with a pair of mount electrodes 16 and 17 in contact with two bumps B formed on lead electrodes 36 and 37 (described later) patterned on the upper surface of the base substrate 2. ing.

リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図１，図３および図４に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片４が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、両基板２，３が重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板３は、この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して陽極接合されている。   The lid substrate 3 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, and is formed in a plate shape as shown in FIGS. A rectangular recess 3 a in which the piezoelectric vibrating reed 4 is accommodated is formed on the bonding surface side to which the base substrate 2 is bonded. The recess 3 a is a cavity recess that becomes a cavity C that accommodates the piezoelectric vibrating reed 4 when the substrates 2 and 3 are overlapped. The lid substrate 3 is anodically bonded to the base substrate 2 with the recess 3a facing the base substrate 2 side.

また、図３に示すように、リッド基板３のベース基板２との接合面には、陽極接合用の接合膜３５が形成されている。接合膜３５は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなり、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法により形成される。なお、凹部３ａの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
そして、リッド基板３は、この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態で、接合膜を介してベース基板２に陽極接合されている。 As shown in FIG. 3, a bonding film 35 for anodic bonding is formed on the bonding surface of the lid substrate 3 with the base substrate 2. The bonding film 35 is made of a conductive material such as aluminum, and is formed by a film forming method such as sputtering or CVD. In addition, you may form in the whole inner surface of the recessed part 3a. Thereby, the patterning of the bonding film 35 becomes unnecessary, and the manufacturing cost can be reduced.
The lid substrate 3 is anodically bonded to the base substrate 2 via a bonding film with the concave portion 3a facing the base substrate 2 side.

ベース基板２は、リッド基板３と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図１から図４に示すように、板状に形成されている。
このベース基板２には、ベース基板２を貫通する一対の貫通孔３０，３１が形成されている。この際、一対の貫通孔３０，３１は、キャビティＣ内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態の貫通孔３０，３１は、マウントされた圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方の貫通孔３０が形成され、振動腕部１０，１１の先端側に対応した位置に他方の貫通孔３１が形成されている。 Similarly to the lid substrate 3, the base substrate 2 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda lime glass, and is formed in a plate shape as shown in FIGS.
The base substrate 2 is formed with a pair of through holes 30 and 31 that penetrate the base substrate 2. At this time, the pair of through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, the through holes 30 and 31 according to the present embodiment have one through hole 30 formed at a position corresponding to the base 12 side of the mounted piezoelectric vibrating reed 4, and the distal ends of the vibrating arm portions 10 and 11. The other through hole 31 is formed at a position corresponding to.

そして、これら一対の貫通孔３０，３１には、これら貫通孔３０，３１を埋めるように形成された一対の貫通電極３２，３３が形成されている。これら貫通電極３２，３３は、図３に示すように、焼成によって貫通孔３０，３１に対して一体的に固定された筒体６及び導電部材７によって形成されたものであり、貫通孔３０，３１を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極３８，３９と引き回し電極３６，３７とを導通させる役割を担っている。   A pair of through electrodes 32 and 33 are formed in the pair of through holes 30 and 31 so as to fill the through holes 30 and 31. As shown in FIG. 3, the through electrodes 32 and 33 are formed by the cylindrical body 6 and the conductive member 7 that are integrally fixed to the through holes 30 and 31 by firing. 31 is completely closed to maintain the airtightness in the cavity C, and also plays a role of making the external electrodes 38 and 39 described later and the lead-out electrodes 36 and 37 conductive.

筒体６は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体６は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体６の中心には、導電部材７が筒体６を貫通するように配されている。筒体６および導電部材７は、貫通孔３０，３１内に埋め込まれた状態で焼成されており、貫通孔３０，３１に対して強固に固着されている。   The cylinder 6 is obtained by baking paste-like glass frit. The cylindrical body 6 is formed in a cylindrical shape having both ends flat and substantially the same thickness as the base substrate 2. A conductive member 7 is arranged at the center of the cylinder 6 so as to penetrate the cylinder 6. The cylinder 6 and the conductive member 7 are fired in a state of being embedded in the through holes 30 and 31, and are firmly fixed to the through holes 30 and 31.

上述した導電部材７は、ステンレスや銀、アルミ等の金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体６と同様に両端が平坦で、且つベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。なお、図３に示すように、貫通電極３２，３３が完成品として形成された場合には、上述したように導電部材７は、ベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。そして、この導電部材７は、筒体６の略中心６ｃに位置しており、筒体６の焼成によって筒体６に対して強固に固着されている。なお、貫通電極３２，３３は、導電性の導電部材７を通して電気導通性が確保されている。   The conductive member 7 described above is a conductive core member formed in a cylindrical shape from a metal material such as stainless steel, silver, or aluminum. Both ends are flat like the cylindrical body 6, and the thickness of the base substrate 2 is substantially the same. They are formed to have the same thickness. As shown in FIG. 3, when the through electrodes 32 and 33 are formed as finished products, the conductive member 7 is formed to have substantially the same thickness as the base substrate 2 as described above. Yes. The conductive member 7 is positioned substantially at the center 6 c of the cylindrical body 6, and is firmly fixed to the cylindrical body 6 by firing the cylindrical body 6. The through electrodes 32 and 33 are ensured to have electrical conductivity through the conductive member 7.

また、一対の引き回し電極３６，３７は、一対の貫通電極３２，３３のうち、一方の貫通電極３２と圧電振動片４の一方のマウント電極１６とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極３３と圧電振動片４の他方のマウント電極１７とを電気的に接続するようにパターニングされている。   The pair of lead-out electrodes 36 and 37 electrically connect one of the through electrodes 32 and 33 to the one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 and the other through electrode. 33 and the other mount electrode 17 of the piezoelectric vibrating reed 4 are patterned so as to be electrically connected.

より詳しく説明すると、一方の引き回し電極３６は、圧電振動片４の基部１２の真下に位置するように一方の貫通電極３２の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０，１１に沿って前記振動腕部１０，１１の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極３３の真上に位置するように形成されている。   More specifically, the one lead-out electrode 36 is formed directly above the one through electrode 32 so as to be positioned directly below the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4. The other routing electrode 37 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 36 along the vibrating arm portions 10 and 11 to the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11, and then the other through electrode 33. It is formed so that it may be located just above.

そして、これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれバンプＢが形成されており、前記バンプＢを利用して圧電振動片４がマウントされている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。   Bumps B are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, and the piezoelectric vibrating reed 4 is mounted using the bumps B. Thereby, one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 32 through one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 is passed through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode. The electrode 33 is electrically connected.

また、ベース基板２の下面には、図１、図３および図４に示すように、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８，３９が形成されている。つまり、一方の外部電極３８は、一方の貫通電極３２及び一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極３３及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。   Further, as shown in FIGS. 1, 3, and 4, external electrodes 38 and 39 that are electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33 are formed on the lower surface of the base substrate 2. . That is, one external electrode 38 is electrically connected to the first excitation electrode 13 of the piezoelectric vibrating reed 4 via one through electrode 32 and one routing electrode 36. The other external electrode 39 is electrically connected to the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4 via the other through electrode 33 and the other routing electrode 37.

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電圧を印加することで、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用することができる。   When the piezoelectric vibrator 1 configured in this way is operated, a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 formed on the base substrate 2. As a result, a voltage is applied to the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4, thereby causing the pair of vibrating arm portions 10 and 11 to move toward and away from each other. Can be vibrated at a frequency of The vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be used as a time source, a timing source for control signals, a reference signal source, and the like.

（圧電振動子の製造方法）
次に、本実施形態における圧電振動子１の製造方法について図を用いて説明する。なお、以下の説明では、リッド基板側を上方とし、ベース基板側を下方とする。また、ベース基板の上面を上面Ｕ（一方の面）とする。
図８は、本実施形態の圧電振動子の製造方法のフローチャートである。
図９は、ウエハ体の分解斜視図である。 (Piezoelectric vibrator manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the piezoelectric vibrator 1 in the present embodiment will be described with reference to the drawings. In the following description, the lid substrate side is the upper side, and the base substrate side is the lower side. The upper surface of the base substrate is defined as an upper surface U (one surface).
FIG. 8 is a flowchart of the method for manufacturing the piezoelectric vibrator of the present embodiment.
FIG. 9 is an exploded perspective view of the wafer body.

本実施形態の圧電振動子の製造方法は、ベース基板を厚さ方向に貫通し、キャビティの内側と圧電振動子の外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程Ｓ３２を有している。そして、貫通電極形成工程Ｓ３２は、ベース基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫通孔形成工程Ｓ３２Ａと、貫通孔内に導電部材を配置する導電部材配置工程Ｓ３２Ｂと、ベース基板の上面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、ベース基板の上面上に配置するメタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃと、ベース基板の上面にガラスフリットを塗布し、スキージを用いて貫通孔内にガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄと、メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程Ｓ３２Ｅと、ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程Ｓ３２Ｆと、ガラスフリットのうち、ベース基板の上面上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程Ｓ３２Ｇと、ガラスフリット残渣を除去した後、貫通孔内に充填されたガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程Ｓ３２Ｈと、ベース基板を研磨する研磨工程Ｓ３２Ｉと、を有している。   The method for manufacturing a piezoelectric vibrator of the present embodiment includes a through electrode forming step S32 that forms a through electrode that penetrates the base substrate in the thickness direction and conducts between the inside of the cavity and the outside of the piezoelectric vibrator. . The through electrode forming step S32 includes a through hole forming step S32A for forming a through hole for arranging the conductive member constituting the through electrode on the base substrate, and a conductive member arranging step for arranging the conductive member in the through hole. S32B, a metal mask placement step S32C in which an opening for applying paste-like glass frit is formed on the upper surface of the base substrate, and a glass frit on the upper surface of the base substrate. A glass frit filling step S32D for filling the glass frit into the through hole using a squeegee, a metal mask removing step S32E for removing the metal mask, a glass frit drying step S32F for drying the glass frit, and a glass frit Of these, the glass frit residue that remains after drying on the upper surface of the base substrate is removed. A removal step S32G to be taken, a firing step S32H in which the glass frit filled in the through hole is fired and cured after removing the glass frit residue, and a polishing step S32I for polishing the base substrate. .

初めに、圧電振動片作製工程Ｓ１０を行って図５から図７に示す圧電振動片４を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状でパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。   First, the piezoelectric vibrating reed manufacturing step S10 is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 4 shown in FIGS. Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness. Subsequently, after appropriate processing such as cleaning is performed on the wafer, the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by a photolithography technique, and a metal film is formed and patterned, and the excitation electrode 15 and the extraction electrode 15 are extracted. Electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible.

また、圧電振動片４を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。   Further, after the piezoelectric vibrating reed 4 is manufactured, the resonance frequency is coarsely adjusted. This is done by irradiating the coarse adjustment film 21a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting.

次に、図９に示すように、後にリッド基板３（図３参照）となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程Ｓ２０を行う。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程Ｓ２２を行う。次に、ベース基板用ウエハ４０との接合面を研磨する接合面研磨工程Ｓ２３を行う。   Next, as shown in FIG. 9, a first wafer manufacturing step S <b> 20 is performed in which a lid substrate wafer 50 to be the lid substrate 3 (see FIG. 3) is manufactured up to the state immediately before anodic bonding. Specifically, after polishing and cleaning soda-lime glass to a predetermined thickness, a disk-shaped lid substrate wafer 50 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like (S21). Next, a recess forming step S22 is performed in which a plurality of cavity recesses 3a are formed in the matrix direction on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 by etching or the like. Next, a bonding surface polishing step S23 for polishing the bonding surface with the base substrate wafer 40 is performed.

次に、ベース基板用ウエハ４０との接合面に接合膜３５を形成する接合膜形成工程Ｓ２４を行う。接合膜３５は、ベース基板用ウエハ４０との接合面に加えて、凹部３ａの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。接合膜３５の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。なお、接合膜形成工程Ｓ２４の前に接合面研磨工程Ｓ２３を行っているので、接合膜３５の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。   Next, a bonding film forming step S24 for forming the bonding film 35 on the bonding surface with the base substrate wafer 40 is performed. The bonding film 35 may be formed on the entire inner surface of the recess 3 a in addition to the bonding surface with the base substrate wafer 40. Thereby, the patterning of the bonding film 35 becomes unnecessary, and the manufacturing cost can be reduced. The bonding film 35 can be formed by a film forming method such as sputtering or CVD. In addition, since the bonding surface polishing step S23 is performed before the bonding film forming step S24, the flatness of the surface of the bonding film 35 is ensured, and stable bonding with the base substrate wafer 40 can be realized.

次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２（図３参照）となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程Ｓ３０を行う。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。   Next, a second wafer manufacturing step S30 is performed in which a base substrate wafer 40, which will later become the base substrate 2 (see FIG. 3), is manufactured up to the state immediately before anodic bonding at the same time as or before or after the above process. . First, after polishing and washing soda-lime glass to a predetermined thickness, a disk-shaped base substrate wafer 40 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like (S31).

次に、図３に示すように、ベース基板２を厚さ方向に貫通し、キャビティＣの内側と圧電振動子１の外側とを導通する貫通電極３２，３３を形成する貫通電極形成工程Ｓ３２を行う。以下に、貫通電極形成工程Ｓ３２について詳細を説明する。   Next, as shown in FIG. 3, a through electrode forming step S <b> 32 for forming through electrodes 32 and 33 that penetrate the base substrate 2 in the thickness direction and conduct the inside of the cavity C and the outside of the piezoelectric vibrator 1 is performed. Do. Details of the through electrode forming step S32 will be described below.

貫通電極形成工程Ｓ３２では、まず、ベース基板２に貫通電極３２，３３を構成する導電部材を配するための貫通孔３０，３１を形成する貫通孔形成工程Ｓ３２Ａと、貫通孔３０，３１内に導電部材７を配置する導電部材配置工程Ｓ３２Ｂと、を行う。
具体的には、まず、サンドブラスト法等によりベース基板用ウエハを貫通する一対の貫通孔３０，３１を複数形成する。続いて、これら複数の貫通孔３０，３１内に、導電部材７を配置する。本実施形態では、ベース基板２の上面から下面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状となっているが、この場合に限られず、ベース基板２を真っ直ぐに貫通するでも構わない。いずれにしても、ベース基板２を貫通していれば良い。 In the through electrode forming step S32, first, the through hole forming step S32A for forming the through holes 30, 31 for arranging the conductive members constituting the through electrodes 32, 33 on the base substrate 2, and the through holes 30, 31 are provided. Conductive member placement step S32B for placing the conductive member 7 is performed.
Specifically, first, a plurality of pairs of through holes 30 and 31 that penetrate the base substrate wafer are formed by a sandblast method or the like. Subsequently, the conductive member 7 is disposed in the plurality of through holes 30 and 31. In the present embodiment, the base substrate 2 has a cross-sectional tapered shape in which the diameter gradually decreases from the upper surface toward the lower surface. However, the present invention is not limited to this, and the base substrate 2 may be straightly penetrated. In any case, it only has to penetrate the base substrate 2.

続いて、ベース基板の上面にメタルマスクを配置するメタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃを行う。
図１０はメタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃを表す説明図である。
図１０に示すように、メタルマスク８０は、例えばステンレスからなる、厚さが５０μｍ程度の平板部材である。ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕ全体を覆うように形成されており、ベース基板用ウエハ４０のガラスフリット塗布領域に合わせて開口部８０ａが形成されている。メタルマスク配置工程Ｓ３２Ｃでは、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに上記のメタルマスク８０を配置する。 Subsequently, a metal mask placement step S32C for placing a metal mask on the upper surface of the base substrate is performed.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing the metal mask placement step S32C.
As shown in FIG. 10, the metal mask 80 is a flat plate member made of, for example, stainless steel and having a thickness of about 50 μm. It is formed so as to cover the entire upper surface U of the base substrate wafer 40, and an opening 80 a is formed in accordance with the glass frit application region of the base substrate wafer 40. In the metal mask arranging step S32C, the metal mask 80 is arranged on the upper surface U of the base substrate wafer 40.

続いて、ベース基板の上面Ｕにガラスフリットを塗布し、スキージを用いて貫通孔内にガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄを行う。
図１１はガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄを表す説明図である。なお、図１１において、本来貫通孔３０，３１は複数個存在するが、図面を見易くするために貫通孔３０を１つのみ図示している。また、同様の理由から、メタルマスク８０の厚さを誇張して図示している。 Subsequently, a glass frit filling step S32D is performed in which a glass frit is applied to the upper surface U of the base substrate, and the glass frit is filled into the through holes using a squeegee.
FIG. 11 is an explanatory view showing the glass frit filling step S32D. In FIG. 11, there are originally a plurality of through-holes 30 and 31, but only one through-hole 30 is shown for easy understanding of the drawing. For the same reason, the thickness of the metal mask 80 is exaggerated.

ガラスフリット充填工程Ｓ３２Ｄでは、ガラス材料からなるペースト状のガラスフリット６ａを貫通孔３０に充填する。
具体的には、図１１（ａ）に示すように、まず、フィルスキージ８１を用い、フィルスキージ８１の先端をメタルマスク８０ならびにベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接させて、上面Ｕに沿って移動させる。これにより、図１１（ｂ）に示すように、メタルマスク８０の開口部８０ａを介してベース基板用ウエハ４０の上面Ｕにガラスフリット６ａを塗布することができる。なお、フィルスキージ８１を用いずにガラスフリット６ａを厚めに塗布してもよい。
次に、図１１（ｃ）に示すように、スクライブスキージ８２をベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接させた状態でフィルスキージ８１の移動方向の逆方向に移動させる。これにより、図１１（ｄ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕにおけるガラスフリット６ａを除去するとともに、貫通孔３０，３１内にガラスフリット６ａを充填することができる。 In the glass frit filling step S <b> 32 </ b> D, the through hole 30 is filled with a paste-like glass frit 6 a made of a glass material.
Specifically, as shown in FIG. 11A, first, a fill squeegee 81 is used, and the tip of the fill squeegee 81 is brought into contact with the upper surface U of the metal mask 80 and the base substrate wafer 40 so that the upper surface U Move along. Thereby, as shown in FIG. 11B, the glass frit 6 a can be applied to the upper surface U of the base substrate wafer 40 through the opening 80 a of the metal mask 80. The glass frit 6a may be applied thickly without using the fill squeegee 81.
Next, as shown in FIG. 11 (c), the scribe squeegee 82 is moved in the direction opposite to the moving direction of the fill squeegee 81 with the scribe squeegee 82 being in contact with the upper surface U of the base substrate wafer 40. Thus, as shown in FIG. 11D, the glass frit 6a on the upper surface U of the base substrate wafer 40 can be removed and the through holes 30 and 31 can be filled with the glass frit 6a.

ここで、スクライブスキージ８２はウレタンゴム等の軟質部材から成る。そして、メタルマスク８０の開口部８０ａを介して、スクライブスキージ８２が撓んでベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接することにより、ガラスフリット６ａを除去する。しかし、開口部８０ａの側面とベース基板用ウエハ４０の上面Ｕとで形成される隅部においては、スクライブスキージ８２が撓んでもベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに当接することができない。したがって、図１１（ｄ）に示すように、スクライブスキージ８２で除去できなかったガラスフリット６ａが、ガラスフリット残渣６ｂとして残存している。   Here, the scribe squeegee 82 is made of a soft member such as urethane rubber. Then, the scribe squeegee 82 is bent through the opening 80a of the metal mask 80 and comes into contact with the upper surface U of the base substrate wafer 40, whereby the glass frit 6a is removed. However, at the corner formed by the side surface of the opening 80 a and the upper surface U of the base substrate wafer 40, even if the scribe squeegee 82 is bent, it cannot contact the upper surface U of the base substrate wafer 40. Therefore, as shown in FIG. 11D, the glass frit 6a that could not be removed by the scribe squeegee 82 remains as a glass frit residue 6b.

続いて、メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程Ｓ３２Ｅを行う。
図１２はガラスフリット残渣の説明図であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。なお、図１２において図面を見易くするために、貫通孔の図示を省略し、ガラスフリット残渣を誇張して図示している。
メタルマスク除去工程Ｓ３２Ｅでメタルマスクを取り除くと、図１２に示すように、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕには、メタルマスクの開口部の側面に沿ってガラスフリット残渣６ｂが平面視略円状、断面視略直角三角形状に残存している。 Subsequently, a metal mask removing step S32E for removing the metal mask is performed.
FIG. 12 is an explanatory diagram of glass frit residue, FIG. 12 (a) is a plan view, and FIG. 12 (b) is a sectional view taken along the line CC of FIG. 12 (a). In order to make the drawing easier to see in FIG. 12, the illustration of the through hole is omitted and the glass frit residue is exaggerated.
When the metal mask is removed in the metal mask removing step S32E, as shown in FIG. 12, the glass frit residue 6b is substantially circular in plan view along the side surface of the opening of the metal mask on the upper surface U of the base substrate wafer 40. The cross-sectional view remains in a substantially right triangle shape.

続いて、ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程Ｓ３２Ｆを行う。例えば、所定の条件でベース基板用ウエハ４０ごと乾燥炉の中に入れることにより、貫通孔に充填されたガラスフリットおよびベース基板用ウエハ４０上面Ｕのガラスフリット残渣６ｂは乾燥した状態となる。   Subsequently, a glass frit drying step S32F for drying the glass frit is performed. For example, when the base substrate wafer 40 is placed in a drying furnace under predetermined conditions, the glass frit filled in the through holes and the glass frit residue 6b on the upper surface U of the base substrate wafer 40 are dried.

図１３は残渣除去工程の説明図であり、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図である。
続いて、ガラスフリットのうち、ベース基板の上面Ｕ上に乾燥して残渣しているガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程Ｓ３２Ｇを行う。 FIG. 13 is an explanatory view of the residue removing step, FIG. 13 (a) is a plan view, and FIG. 13 (b) is a sectional view taken along the line DD of FIG. 13 (a).
Subsequently, a residue removing step S32G is performed in which the glass frit residue that is dried and remains on the upper surface U of the base substrate is scraped out of the glass frit.

図１３に示すように、残渣除去工程Ｓ３２Ｇに用いられる切削装置７０は、切削刃７４と、切削刃７４を支持する支持プレート７２と、ベース基板用ウエハ４０を固定する定盤７６と、定盤７６を中心軸Ｏ周りに駆動させる駆動手段（不図示）とを主に備えている。   As shown in FIG. 13, the cutting device 70 used in the residue removing step S32G includes a cutting blade 74, a support plate 72 that supports the cutting blade 74, a surface plate 76 that fixes the base substrate wafer 40, and a surface plate. Drive means (not shown) for driving 76 around the central axis O is mainly provided.

切削刃７４は、ステンレス等からなる部材であり、市販の刃物を用いることができる。切削刃７４は、支持プレート７２の下面に固定されており、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに対し所定の角度で傾斜するように配置されている。   The cutting blade 74 is a member made of stainless steel or the like, and a commercially available blade can be used. The cutting blade 74 is fixed to the lower surface of the support plate 72 and is disposed so as to be inclined at a predetermined angle with respect to the upper surface U of the base substrate wafer 40.

支持プレート７２は、定盤７６および定盤７６にセットされたベース基板用ウエハ４０の上方に配置され、切削刃７４とベース基板用ウエハ４０とが所定の間隔を空けるように配置される。   The support plate 72 is disposed above the base plate 76 and the base substrate wafer 40 set on the base plate 76, and the cutting blade 74 and the base substrate wafer 40 are disposed at a predetermined interval.

定盤７６は、ベース基板用ウエハ４０を定盤７６の上面Ｕに固定する不図示の固定手段を有している。また、定盤７６は、不図示の駆動手段により、中心軸Ｏ周りに回転し得るように支持されている。   The surface plate 76 has fixing means (not shown) for fixing the base substrate wafer 40 to the upper surface U of the surface plate 76. Further, the surface plate 76 is supported by a driving unit (not shown) so as to be able to rotate around the central axis O.

残渣除去工程Ｓ３２Ｇが開始すると、定盤７６および定盤７６にセットされたベース基板用ウエハ４０の上方に配置されていた支持プレート７２が下降し、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕに切削刃７４が当接する。その後、定盤７６は、不図示の駆動手段により中心軸Ｏ周りに回転し、切削刃７４がベース基板用ウエハ４０上面Ｕのガラスフリット残渣６ｂを削り取る。そして、ガラスフリット残渣６ｂをすべて削り取った後、支持プレート７２が上昇して残渣除去工程Ｓ３２Ｇ開始前の位置に戻り、ベース基板用ウエハ４０の上面Ｕと切削刃７４とが離隔して残渣除去工程Ｓ３２Ｇが終了する。   When the residue removing step S32G is started, the surface plate 76 and the support plate 72 disposed above the base substrate wafer 40 set on the surface plate 76 are lowered, and the cutting blade 74 is placed on the upper surface U of the base substrate wafer 40. Abut. Thereafter, the surface plate 76 is rotated around the central axis O by a driving means (not shown), and the cutting blade 74 scrapes off the glass frit residue 6b on the upper surface U of the base substrate wafer 40. Then, after all of the glass frit residue 6b has been scraped off, the support plate 72 rises and returns to the position before the start of the residue removal step S32G, and the upper surface U of the base substrate wafer 40 and the cutting blade 74 are separated to leave the residue removal step. S32G ends.

そして、ガラスフリット残渣を除去した後、貫通孔内に充填されたガラスフリットを焼成して硬化させる焼成工程Ｓ３２Ｈを行う。
焼成工程Ｓ３２Ｈでは、図１１（ｄ）に示すように、貫通孔３０に充填したガラスフリット６ａを所定の温度で焼成して硬化させる。この焼成工程Ｓ３２Ｈを行うことで、貫通孔３０の内周面にガラスフリット６ａが強固に固着するので、貫通電極３２，３３を形成することができる。 And after removing a glass frit residue, baking process S32H which bakes and hardens the glass frit with which it filled in the through-hole is performed.
In the firing step S32H, as shown in FIG. 11D, the glass frit 6a filled in the through hole 30 is fired and cured at a predetermined temperature. By performing this firing step S32H, the glass frit 6a is firmly fixed to the inner peripheral surface of the through hole 30, so that the through electrodes 32 and 33 can be formed.

最後に、ベース基板用ウエハ４０を研磨する研磨工程Ｓ３２Ｉを行う。具体的には、図１１に示す導電部材７の先端がベース基板用ウエハ４０の上面Ｕから露出するまで研磨する。その結果、図３に示すように、筒体６と導電部材７とが一体的に固定された貫通電極３２，３３を複数得ることができる。   Finally, a polishing step S32I for polishing the base substrate wafer 40 is performed. Specifically, polishing is performed until the tip of the conductive member 7 shown in FIG. 11 is exposed from the upper surface U of the base substrate wafer 40. As a result, as shown in FIG. 3, it is possible to obtain a plurality of through electrodes 32 and 33 in which the cylindrical body 6 and the conductive member 7 are integrally fixed.

ここで、図１１に示すように、従来はガラスフリット残渣６ｂを除去する残渣除去工程Ｓ３２Ｇを備えていなかった。そのため、研磨工程Ｓ３２Ｉで硬化したガラスフリット残渣６ｂを除去する必要があり、研磨工程Ｓ３２Ｉに多大な工数を要していた。しかし、本実施形態では、ガラスフリット残渣６ｂを除去した後に、ガラスフリット６ａを焼成して硬化させるので、焼成工程Ｓ３２Ｈ後にガラスフリット残渣６ｂを研磨して除去する必要がない。したがって、研磨工程Ｓ３２Ｉの時間を削減することができ、効率的に貫通電極を形成することができる。なお、研磨工程Ｓ３２Ｉを行った時点で、貫通電極形成工程Ｓ３２が終了する。   Here, as shown in FIG. 11, the conventional method does not include the residue removal step S32G for removing the glass frit residue 6b. Therefore, it is necessary to remove the glass frit residue 6b cured in the polishing step S32I, and the polishing step S32I requires a great number of steps. However, in this embodiment, after removing the glass frit residue 6b, the glass frit 6a is baked and cured, so that it is not necessary to polish and remove the glass frit residue 6b after the baking step S32H. Therefore, the time for the polishing step S32I can be reduced, and the through electrode can be formed efficiently. Note that when the polishing step S32I is performed, the through electrode forming step S32 is completed.

次に、引き回し電極形成工程Ｓ３３として、貫通電極にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６，３７を複数形成する。そして、引き回し電極３６，３７上に、それぞれ金等からなる尖塔形状のバンプを形成する。なお、図９では、図面の見易さのためバンプの図示を省略している。この時点で第２のウエハ作製工程が終了する。   Next, as lead-out electrode forming step S33, a plurality of lead-out electrodes 36 and 37 that are electrically connected to the through electrodes are formed. Then, spire-shaped bumps made of gold or the like are formed on the routing electrodes 36 and 37, respectively. In FIG. 9, the illustration of the bumps is omitted for easy viewing of the drawing. At this point, the second wafer manufacturing process is completed.

次に、図９に示すように、ベース基板用ウエハ４０の引き回し電極３６，３７上に、バンプＢを介して圧電振動片４を接合する実装工程Ｓ４０を行い、その後、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程Ｓ５０を行う。   Next, as shown in FIG. 9, a mounting step S <b> 40 is performed in which the piezoelectric vibrating reed 4 is joined via the bumps B on the routing electrodes 36 and 37 of the base substrate wafer 40. On the other hand, an overlaying step S50 for overlaying the lid substrate wafer 50 is performed.

そして、重ね合わせ工程Ｓ５０の後、重ね合わせた２枚のウエハを図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合し、ウエハ接合体を形成する接合工程Ｓ６０を行う。ところで、陽極接合を行う際、図３に示すように、ベース基板用ウエハ４０に形成された貫通孔３０，３１は、貫通電極３２，３３によって完全に塞がれているため、キャビティＣ内の真空状態が貫通孔３０，３１を通じて損なわれることがない。しかも、焼成によって筒体６と導電部材７とが一定的に固定されているとともに、これらが貫通孔３０，３１に対して強固に固着されているため、キャビティＣ内の真空状態を確実に維持することができる。   Then, after the superposition step S50, the two superposed wafers are put in an anodic bonding apparatus (not shown), and a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding to form a wafer bonded body S60. I do. By the way, when performing anodic bonding, as shown in FIG. 3, since the through holes 30 and 31 formed in the base substrate wafer 40 are completely blocked by the through electrodes 32 and 33, The vacuum state is not impaired through the through holes 30 and 31. Moreover, since the cylindrical body 6 and the conductive member 7 are fixedly fixed by firing and are firmly fixed to the through holes 30 and 31, the vacuum state in the cavity C is reliably maintained. can do.

そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ４０の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９（図３参照）を複数形成する外部電極形成工程Ｓ７０を行う。
特に、この工程を行う場合も引き回し電極３６，３７の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ４０の下面に対して貫通電極３２，３３が略面一な状態となっているため、パターニングされた外部電極３８，３９は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極３２，３３に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極３８，３９と貫通電極３２，３３との導通性を確実なものにすることができる。 After the anodic bonding described above is completed, a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer 40, and a pair of external electrodes 38 and 39 (which are electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively) An external electrode forming step S70 for forming a plurality of (see FIG. 3) is performed.
In particular, when this step is performed, the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer 40 as in the formation of the lead-out electrodes 36 and 37. The external electrodes 38 and 39 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the continuity between the external electrodes 38 and 39 and the through electrodes 32 and 33 can be ensured.

次に、ウエハ接合体の状態で、キャビティＣ内に封止された個々の圧電振動子１の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う（Ｓ８０）。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体を切断線Ｍに沿って切断して小片化する切断工程を行う（Ｓ９０）。
その後、内部の電気特性検査（Ｓ１００）を行うことで、圧電振動子の製造が終了する。 Next, in the wafer bonded state, a fine adjustment step is performed in which the frequency of each piezoelectric vibrator 1 sealed in the cavity C is finely adjusted to fall within a predetermined range (S80).
After the fine adjustment of the frequency is completed, a cutting process is performed in which the bonded wafer body is cut along the cutting line M to make pieces (S90).
Thereafter, the internal electrical characteristic inspection (S100) is performed, and thus the manufacture of the piezoelectric vibrator is completed.

従来は、ガラスフリット充填工程の後に、ガラスフリット残渣を除去せずに焼成工程を行っていた。そして、焼成工程の後に、焼成工程により硬化したガラスフリット残渣とベース基板用ウエハの下面とを研磨してガラスフリット残渣を取り除く研磨工程を設けていた。
しかし、本実施形態の圧電振動子の製造方法においては、図１３に示すように、ガラスフリットを焼成して硬化させる前にガラスフリット残渣６ｂを削り取る残渣除去工程Ｓ３２Ｇを有しているので、ガラスフリット残渣６ｂを簡単に除去することができる。また、焼成工程Ｓ３２Ｈ前にガラスフリット残渣６ｂをあらかじめ除去しているので、研磨工程Ｓ３２Ｉの時間を短縮できる。さらに、焼成工程Ｓ３２Ｈ後はガラスフリット残渣６ｂの凹凸がないので、研磨工程Ｓ３２Ｉでベース基板用ウエハ４０に過度の応力が集中するのを回避し、ベース基板用ウエハ４０の割れを防止することができる。したがって、ベース基板用ウエハ４０の歩留まりを向上することができる。 Conventionally, after the glass frit filling step, the firing step is performed without removing the glass frit residue. Then, after the baking process, a polishing process is provided to remove the glass frit residue by polishing the glass frit residue hardened by the baking process and the lower surface of the base substrate wafer.
However, in the method of manufacturing the piezoelectric vibrator of the present embodiment, as shown in FIG. 13, since the glass frit residue 6b is scraped off before the glass frit is baked and cured, there is a residue removal step S32G. The frit residue 6b can be easily removed. Further, since the glass frit residue 6b is removed in advance before the firing step S32H, the time of the polishing step S32I can be shortened. Furthermore, since there is no unevenness of the glass frit residue 6b after the baking step S32H, it is possible to avoid excessive stress concentration on the base substrate wafer 40 in the polishing step S32I and to prevent the base substrate wafer 40 from cracking. it can. Therefore, the yield of the base substrate wafer 40 can be improved.

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１４を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１１０は、図１４に示すように、圧電振動子１を、集積回路１１１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１１０は、コンデンサ等の電子素子部品１１２が実装された基板１１３を備えている。基板１１３には、発振器用の前記集積回路１１１が実装されており、この集積回路１１１の近傍に、圧電振動子１の圧電振動片４が実装されている。これら電子素子部品１１２、集積回路１１１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。 (Oscillator)
Next, an embodiment of an oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 14, the oscillator 110 according to this embodiment is configured by configuring the piezoelectric vibrator 1 as an oscillator electrically connected to an integrated circuit 111. The oscillator 110 includes a substrate 113 on which an electronic element component 112 such as a capacitor is mounted. An integrated circuit 111 for an oscillator is mounted on the substrate 113, and the piezoelectric vibrating piece 4 of the piezoelectric vibrator 1 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 111. The electronic element component 112, the integrated circuit 111, and the piezoelectric vibrator 1 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).

このように構成された発振器１１０において、圧電振動子１に電圧を印加すると、圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１１１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１１１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１１１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。 In the oscillator 110 configured as described above, when a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating reed 4 in the piezoelectric vibrator 1 vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece 4 and input to the integrated circuit 111 as an electric signal. The input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 111 and output as a frequency signal. Thereby, the piezoelectric vibrator 1 functions as an oscillator.
In addition, by selectively setting the configuration of the integrated circuit 111, for example, an RTC (real-time clock) module or the like as required, the operation date and time of the device or external device in addition to a single-function oscillator for a clock, etc. A function for controlling the time, providing a time, a calendar, and the like can be added.

このような本実施形態の発振器１１０によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな発振器を提供することができる。   According to the oscillator 110 of this embodiment, since the piezoelectric vibrator that can reduce the number of steps of the polishing process and can improve the yield of the base substrate is provided, it is possible to provide a low-cost oscillator. it can.

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１５を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１２０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１２０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。 (Electronics)
Next, an embodiment of an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. Note that a portable information device 120 having the above-described piezoelectric vibrator 1 will be described as an example of the electronic device.
First, the portable information device 120 of this embodiment is represented by, for example, a mobile phone, and is a development and improvement of a wrist watch in the prior art. The appearance is similar to that of a wristwatch, and a liquid crystal display is arranged in a portion corresponding to a dial so that the current time and the like can be displayed on this screen. Further, when used as a communication device, it is possible to perform communication similar to that of a conventional mobile phone by using a speaker and a microphone that are removed from the wrist and incorporated in the inner portion of the band. However, it is much smaller and lighter than conventional mobile phones.

次に、本実施形態の携帯情報機器１２０の構成について説明する。この携帯情報機器１２０は、図１５に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１２１とを備えている。電源部１２１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１２１には、各種制御を行う制御部１２２と、時刻等のカウントを行う計時部１２３と、外部との通信を行う通信部１２４と、各種情報を表示する表示部１２５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１２６とが並列に接続されている。そして、電源部１２１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。   Next, the configuration of the portable information device 120 of this embodiment will be described. As shown in FIG. 15, the portable information device 120 includes the piezoelectric vibrator 1 and a power supply unit 121 for supplying power. The power supply unit 121 is made of, for example, a lithium secondary battery. The power supply unit 121 includes a control unit 122 that performs various controls, a clock unit 123 that counts time, a communication unit 124 that communicates with the outside, a display unit 125 that displays various information, and the like. A voltage detection unit 126 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel. Power is supplied to each functional unit by the power supply unit 121.

制御部１２２は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１２２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。   The control unit 122 controls each function unit to control operation of the entire system such as transmission and reception of audio data, measurement and display of the current time, and the like. The control unit 122 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area for the CPU.

計時部１２３は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１２２と信号の送受信が行われ、表示部１２５に、現在時刻や現在日付、カレンダー情報等が表示される。   The timer unit 123 includes an integrated circuit including an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 1. When a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating reed 4 vibrates, and the vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal and is input to the oscillation circuit as an electric signal. The output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 122 via the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, and the like are displayed on the display unit 125.

通信部１２４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９、増幅部１３０、音声入出力部１３１、電話番号入力部１３２、着信音発生部１３３及び呼制御メモリ部１３４を備えている。
無線部１２７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１３５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１２８は、無線部１２７又は増幅部１３０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１３０は、音声処理部１２８又は音声入出力部１３１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１３１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。 The communication unit 124 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a radio unit 127, a voice processing unit 128, a switching unit 129, an amplification unit 130, a voice input / output unit 131, a telephone number input unit 132, a ring tone generation unit. 133 and a call control memory unit 134.
The radio unit 127 exchanges various data such as audio data with the base station via the antenna 135. The audio processing unit 128 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 127 or the amplification unit 130. The amplifying unit 130 amplifies the signal input from the audio processing unit 128 or the audio input / output unit 131 to a predetermined level. The voice input / output unit 131 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone and a received voice or collects a voice.

また、着信音発生部１３３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１２９は、着信時に限って、音声処理部１２８に接続されている増幅部１３０を着信音発生部１３３に切り替えることによって、着信音発生部１３３において生成された着信音が増幅部１３０を介して音声入出力部１３１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１３４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１３２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。 In addition, the ring tone generator 133 generates a ring tone in response to a call from the base station. The switching unit 129 switches the amplifying unit 130 connected to the voice processing unit 128 to the ringing tone generating unit 133 only when an incoming call is received, so that the ringing tone generated by the ringing tone generating unit 133 passes through the amplifying unit 130. To the audio input / output unit 131.
Note that the call control memory unit 134 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication. The telephone number input unit 132 includes, for example, number keys from 0 to 9 and other keys. By pressing these number keys and the like, a telephone number of a call destination is input.

電圧検出部１２６は、電源部１２１によって制御部１２２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１２２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１２４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１２６から電圧降下の通知を受けた制御部１２２は、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９及び着信音発生部１３３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１２７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１２５に、通信部１２４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。   The voltage detection unit 126 detects the voltage drop and notifies the control unit 122 when the voltage applied to each functional unit such as the control unit 122 by the power supply unit 121 falls below a predetermined value. . The predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary to stably operate the communication unit 124, and is, for example, about 3V. Upon receiving the voltage drop notification from the voltage detection unit 126, the control unit 122 prohibits the operations of the radio unit 127, the voice processing unit 128, the switching unit 129, and the ring tone generation unit 133. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 127 with high power consumption. Further, the display unit 125 displays that the communication unit 124 has become unusable due to insufficient battery power.

すなわち、電圧検出部１２６と制御部１２２とによって、通信部１２４の動作を禁止し、その旨を表示部１２５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１２５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１２４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１３６を備えることで、通信部１２４の機能をより確実に停止することができる。 That is, the operation of the communication unit 124 can be prohibited by the voltage detection unit 126 and the control unit 122, and that effect can be displayed on the display unit 125. This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 125.
In addition, the function of the communication part 124 can be stopped more reliably by providing the power supply cutoff part 136 that can selectively cut off the power of the part related to the function of the communication part 124.

本実施形態の携帯情報機器１２０によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな携帯情報機器を提供することができる。   According to the portable information device 120 of the present embodiment, since the piezoelectric vibrator that can reduce the number of steps in the polishing process and improve the yield of the base substrate is provided, a low-cost portable information device is provided. Can do.

（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１６を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１４０は、図１６に示すように、フィルタ部１４１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。 (Radio watch)
Next, an embodiment of a radio timepiece according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 16, the radio-controlled timepiece 140 according to the present embodiment includes the piezoelectric vibrator 1 electrically connected to the filter unit 141, and receives a standard radio wave including timepiece information to accurately It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time.
In Japan, there are transmitting stations (transmitting stations) that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves. Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have both the property of propagating the ground surface and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the ground surface, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. is doing.

以下、電波時計１４０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１４２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１４３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１４１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、前記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１４８、１４９をそれぞれ備えている。 Hereinafter, the functional configuration of the radio timepiece 140 will be described in detail.
The antenna 142 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz. The long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave. The received long standard wave is amplified by the amplifier 143 and filtered and tuned by the filter unit 141 having the plurality of piezoelectric vibrators 1.
The piezoelectric vibrator 1 according to this embodiment includes crystal vibrator portions 148 and 149 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz that are the same as the carrier frequency.

更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１４４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１４５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１４６でカウントされる。ＣＰＵ１４６では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１４８に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１４８、１４９は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。 Further, the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by the detection and rectification circuit 144.
Subsequently, the time code is taken out via the waveform shaping circuit 145 and counted by the CPU 146. The CPU 146 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 148, and accurate time information is displayed.
Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the crystal vibrator portions 148 and 149 are preferably vibrators having the tuning fork type structure described above.

なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１４０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。   In addition, although the above-mentioned description was shown in the example in Japan, the frequency of the long standard wave is different overseas. For example, in Germany, a standard radio wave of 77.5 KHz is used. Therefore, when the radio timepiece 140 that can be used overseas is incorporated in a portable device, the piezoelectric vibrator 1 having a frequency different from that in Japan is required.

本実施形態の電波時計１４０によれば、研磨工程の工数を削減でき、かつベース基板の歩留まりを向上させることができる圧電振動子を備えているので、低コストな電波時計を提供することができる。   According to the radio-controlled timepiece 140 of this embodiment, since the piezoelectric vibrator that can reduce the number of steps of the polishing process and improve the yield of the base substrate is provided, a low-cost radio-controlled timepiece can be provided. .

なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。
本実施形態では、音叉型の圧電振動片および音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて説明した。しかし、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）の圧電振動片およびＡＴカット型の圧電振動片を用いた圧電振動子に採用しても構わない。
また、本実施形態の残渣除去工程において、切削装置は切削刃が１枚で構成されている。しかし、切削刃７４を複数枚用いて切削装置７０を構成してもよい。これにより、残渣除去工程の作業時間を短縮することができる。ただし、切削刃の数が少ない分、切削装置を安価に構成できる点で本実施形態に優位性がある。 The present invention is not limited to the embodiment described above.
In this embodiment, the tuning fork type piezoelectric vibrating piece and the piezoelectric vibrator using the tuning fork type piezoelectric vibrating piece have been described as examples. However, for example, the piezoelectric vibrator using an AT-cut type piezoelectric vibrating piece (thickness-slip vibrating piece) and an AT-cut type piezoelectric vibrating piece may be used.
Moreover, in the residue removal process of this embodiment, the cutting device is comprised with one cutting blade. However, the cutting device 70 may be configured using a plurality of cutting blades 74. Thereby, the work time of a residue removal process can be shortened. However, the present embodiment is advantageous in that the cutting device can be configured at a low cost because the number of cutting blades is small.

１・・・圧電振動子 ２・・・ベース基板 ３・・・リッド基板 ４・・・圧電振動片 ６ａ・・・ガラスフリット ７・・・導電部材 ３０，３１・・・貫通孔 ３２，３３・・・貫通電極 ４０・・・ベース基板用ウエハ ７０・・・切削装置 ７２・・・支持プレート ７４・・・切削刃 ７６・・・定盤 ８０・・・メタルマスク ８０ａ・・・メタルマスクの開口部 ８１・・・フィルスキージ ８２・・・スクライブスキージ １１０・・・発振器 １２０・・・携帯情報機器（電子機器） １４０・・・電波時計 Ｃ・・・キャビティ Ｓ３２・・・貫通電極形成工程Ｓ３２Ａ・・・貫通孔形成工程 Ｓ３２Ｂ・・・導通部材配置工程 Ｓ３２Ｃ・・・メタルマスク配置工程 Ｓ３２Ｄ・・・ガラスフリット充填工程 Ｓ３２Ｅ・・・メタルマスク除去工程 Ｓ３２Ｆ・・・ガラスフリット乾燥工程 Ｓ３２Ｇ・・・残渣除去工程 Ｓ３２Ｈ・・・焼成工程 Ｕ・・・上面（一方の面） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric vibrator 2 ... Base board 3 ... Lid board 4 ... Piezoelectric vibrating piece 6a ... Glass frit 7 ... Conductive member 30, 31 ... Through-hole 32, 33- ..Penetration electrode 40 ... Base substrate wafer 70 ... Cutting device 72 ... Support plate 74 ... Cutting blade 76 ... Surface plate 80 ... Metal mask 80a ... Metal mask opening Part 81: Phil squeegee 82 ... Scribe squeegee 110 ... Oscillator 120 ... Portable information device (electronic device) 140 ... Radio clock C ... Cavity S32 ... Through electrode forming step S32A .. Through-hole forming step S32B ... Conducting member arranging step S32C ... Metal mask arranging step S32D ... Glass frit filling step S32E ... Metal mask Click removal step S32F · · · Glass frit drying step S32G · · · residue removal step S32H · · · firing step U · · · top (one surface)

Claims (7)

互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
前記貫通電極形成工程は、
前記第１基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する貫 通孔形成工程と、
前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、
前記第１基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形 成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、
前記第１基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前記 貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、
前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、
前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、
前記ガラスフリットのうち、前記一方の面上に乾燥して残渣しているガラスフリット 残渣を削り取る残渣除去工程と、
前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリッ トを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、
ことを特徴とするパッケージの製造方法。 A method of manufacturing a package in which an electronic component can be enclosed in a cavity formed between a plurality of substrates bonded to each other,
A through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the first substrate in the thickness direction among the plurality of substrates and electrically connects the inside of the cavity and the outside of the package;
The through electrode forming step includes:
A through hole forming step for forming a through hole for arranging a conductive member constituting the through electrode on the first substrate;
A conductive member disposing step of disposing the conductive member in the through hole;
A metal mask placement step of placing a metal mask having an opening for applying paste-like glass frit on one surface of the first substrate on the one surface;
A glass frit filling step of applying the glass frit to the one surface of the first substrate, and filling the glass frit into the through hole using a squeegee;
A metal mask removing step of removing the metal mask;
A glass frit drying step of drying the glass frit;
Of the glass frit, a residue removing step of scraping off the glass frit residue that remains after drying on the one surface;
A baking step of baking and curing the glass frit filled in the through-hole after removing the glass frit residue.
A manufacturing method of a package characterized by the above. 請求項１に記載のパッケージの製造方法であって、
前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記第１基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とするパッケージの製造方法。 A method of manufacturing a package according to claim 1,
The residue removing step is configured to remove the glass frit residue by rotating the first substrate after bringing a blade capable of scraping the glass frit residue into contact with the one surface. A method for manufacturing a package, comprising: 互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に、圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法であって、
前記ベース基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記圧電振動子の外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
前記貫通電極形成工程は、
前記ベース基板に前記貫通電極を構成する導電部材を配するための貫通孔を形成する 貫通孔形成工程と、
前記貫通孔内に前記導電部材を配置する導電部材配置工程と、
前記ベース基板の一方の面にペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が 形成されたメタルマスクを、前記一方の面上に配置するメタルマスク配置工程と、
前記ベース基板の前記一方の面に前記ガラスフリットを塗布し、スキージを用いて前 記貫通孔内に前記ガラスフリットを充填するガラスフリット充填工程と、
前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、
前記ガラスフリットを乾燥させるガラスフリット乾燥工程と、
前記ガラスフリットのうち、前記ベース基板の前記一方の面上に乾燥して残渣してい るガラスフリット残渣を削り取る残渣除去工程と、
前記ガラスフリット残渣を除去した後、前記貫通孔内に充填された前記ガラスフリッ トを焼成して硬化させる焼成工程と、を有する、
ことを特徴とする圧電振動子の製造方法。 A method of manufacturing a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate bonded to each other,
A through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the base substrate in the thickness direction and conducts between the inside of the cavity and the outside of the piezoelectric vibrator;
The through electrode forming step includes:
A through hole forming step of forming a through hole for arranging a conductive member constituting the through electrode on the base substrate;
A conductive member disposing step of disposing the conductive member in the through hole;
A metal mask placement step of placing on the one surface a metal mask in which an opening for applying paste-like glass frit is formed on one surface of the base substrate;
A glass frit filling step of applying the glass frit to the one surface of the base substrate, and filling the glass frit into the through hole using a squeegee;
A metal mask removing step of removing the metal mask;
A glass frit drying step of drying the glass frit;
Of the glass frit, a residue removing step of scraping off the glass frit residue that remains after drying on the one surface of the base substrate;
A baking step of baking and curing the glass frit filled in the through-hole after removing the glass frit residue.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrator. 請求項３に記載の圧電振動子の製造方法であって、
前記残渣除去工程は、前記ガラスフリット残渣を削り取ることが可能な刃を前記一方の面に当接させた後、前記ベース基板を回転させることにより前記ガラスフリット残渣を除去するように構成されていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。 It is a manufacturing method of the piezoelectric vibrator according to claim 3,
The residue removing step is configured to remove the glass frit residue by rotating the base substrate after a blade capable of scraping the glass frit residue is brought into contact with the one surface. A method of manufacturing a piezoelectric vibrator. 請求項３または４に記載の方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。   An oscillator, wherein the piezoelectric vibrator manufactured by the method according to claim 3 or 4 is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator. 請求項３または４に記載の方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   5. An electronic apparatus, wherein the piezoelectric vibrator manufactured by the method according to claim 3 or 4 is electrically connected to a timer unit. 請求項３または４に記載の方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。   A radio-controlled timepiece, wherein the piezoelectric vibrator manufactured by the method according to claim 3 or 4 is electrically connected to a filter portion.
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