JP2011114307A - Power semiconductor unit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor unit capable of suppressing a rise in temperature of the whole unit by efficiently absorbing heat of a bus bar. <P>SOLUTION: The power semiconductor unit includes a power semiconductor element 2, an insulating substrate 3 on which the power semiconductor element 2 is mounted, the bus bar 4 for supplying electric power to the power semiconductor element 2 and a cooler 8. The bus bar 4 has a conductive portion 10 and a resin-made base 11 for supporting the conductive portion 10. A cooling top plate 9 of the bus bar 4 is provided with projection portions 12 which are stood on a top surface 9a and extend to a position right below the conductive portion 10. Those projection portions 12 are processed to be hollowed to circulate a refrigerant inside. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、パワー半導体ユニットに関し、特に電気自動車やハイブリッド車等の車両に用いられるパワー半導体ユニットに関するものである。   The present invention relates to a power semiconductor unit, and more particularly to a power semiconductor unit used in a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle.

従来、車両に用いられるパワー半導体ユニットとして、特開２００９−１３５２７８号公報に記載されるように、パワー半導体素子が実装された絶縁基板と、パワー半導体素子にボンディングワイヤによって電気的に接続されるバスバーと、絶縁基板を搭載する冷却器とを有するものが知られている。そして、パワー半導体素子と冷却器とを一体に構成することにより、パワー半導体素子からの熱を効率良く冷却器に伝達し、ユニット全体を冷却することが図られている。   Conventionally, as described in JP 2009-135278 A, as a power semiconductor unit used in a vehicle, an insulating substrate on which a power semiconductor element is mounted, and a bus bar electrically connected to the power semiconductor element by a bonding wire And a cooler on which an insulating substrate is mounted is known. Then, by integrally configuring the power semiconductor element and the cooler, heat from the power semiconductor element is efficiently transmitted to the cooler to cool the entire unit.

特開２００９−１３５２７８号公報JP 2009-135278 A

しかしながら、高直流電圧を車両のモータに印加して出力効率を高める場合、パワー半導体素子の発熱量が大きくなり、ボンディングワイヤからバスバーに伝達する熱量が増加してバスバーの温度が上昇するので、上述のパワー半導体ユニットの冷却構造では対応し難く、ユニットの冷却性能を高める必要がある。   However, when increasing the output efficiency by applying a high DC voltage to the motor of the vehicle, the amount of heat generated by the power semiconductor element increases, the amount of heat transmitted from the bonding wire to the bus bar increases, and the temperature of the bus bar rises. The cooling structure of the power semiconductor unit is difficult to cope with, and it is necessary to improve the cooling performance of the unit.

本発明は、このような技術課題を解決するためになされたものであって、バスバーの熱を効率良く吸収して、ユニット全体の温度上昇を抑制することができるパワー半導体ユニットを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve such a technical problem, and provides a power semiconductor unit that can efficiently absorb the heat of the bus bar and suppress the temperature rise of the entire unit. Objective.

本発明に係るパワー半導体ユニットは、パワー半導体素子と、パワー半導体素子に給電するバスバーとを備えたパワー半導体ユニットにおいて、バスバーは、パワー半導体素子への給電のための導電部と導電部を支持する基台とを有し、基台には、冷媒を流通させる冷媒流路が設けられていることを特徴とする。   The power semiconductor unit according to the present invention is a power semiconductor unit including a power semiconductor element and a bus bar for supplying power to the power semiconductor element. The bus bar supports a conductive part and a conductive part for supplying power to the power semiconductor element. It has a base, and the base is provided with a refrigerant channel which distributes a refrigerant.

本発明に係るパワー半導体ユニットでは、バスバーの導電部を支持する基台に冷媒を流通させる冷媒流路が設けられているので、冷媒を利用しバスバーの熱を吸収してバスバーを直接冷却することができる。従って、パワー半導体ユニット全体の温度上昇を抑制することができる。   In the power semiconductor unit according to the present invention, the refrigerant flow path for circulating the refrigerant is provided in the base supporting the conductive portion of the bus bar, so that the bus bar is directly cooled by absorbing the heat of the bus bar using the refrigerant. Can do. Therefore, the temperature rise of the entire power semiconductor unit can be suppressed.

本発明に係るパワー半導体ユニットにおいて、冷媒は、ジェット噴流を形成することが好適である。この場合にあっては、ジェット噴流冷媒を用いることによりバスバーの熱を効率良く吸収することができ、バスバーの温度上昇を抑えることができる。   In the power semiconductor unit according to the present invention, it is preferable that the refrigerant forms a jet jet. In this case, the heat of the bus bar can be efficiently absorbed by using the jet jet refrigerant, and the temperature rise of the bus bar can be suppressed.

本発明によれば、バスバーの熱を効率良く吸収して、ユニット全体の温度上昇を抑制することができるパワー半導体ユニットを提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the power semiconductor unit which can absorb the heat | fever of a bus bar efficiently and can suppress the temperature rise of the whole unit can be provided.

実施形態に係るパワー半導体ユニットの断面図である。It is sectional drawing of the power semiconductor unit which concerns on embodiment. ３相インバータを示す電気回路図である。It is an electric circuit diagram showing a three-phase inverter. バスバーの変形例を示す部分破断斜視図である。It is a partially broken perspective view which shows the modification of a bus bar. バスバーの変形例を示す部分破断斜視図である。It is a partially broken perspective view which shows the modification of a bus bar.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図１は実施形態に係るパワー半導体ユニットの断面図である。図１に示すように、パワー半導体ユニット１は、パワー半導体素子２と、パワー半導体素子２が実装される絶縁基板３と、パワー半導体素子２に給電するバスバー４と、パワー半導体素子２、絶縁基板３及びバスバー４を冷却する冷却器８とを備えている。パワー半導体素子２は、例えばインバータ回路を構成するＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）素子やダイオード等である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a power semiconductor unit according to an embodiment. As shown in FIG. 1, a power semiconductor unit 1 includes a power semiconductor element 2, an insulating substrate 3 on which the power semiconductor element 2 is mounted, a bus bar 4 that supplies power to the power semiconductor element 2, a power semiconductor element 2, and an insulating substrate. 3 and a cooler 8 for cooling the bus bar 4. The power semiconductor element 2 is, for example, an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) element or a diode that constitutes an inverter circuit.

図２は、３相インバータを示す電気回路図である。図２に示すように、インバータの回路は、三相インバータブリッジによって構成されている。すなわち、このインバータの回路は、直列に接続された２つのＩＧＢＴ素子Ｑ１１，Ｑ１２からなる組（ブリッジ）が３組並列に接続されて成り、ＩＧＢＴ素子Ｑ１１のコレクタが正電圧側の直流電源ラインＰと接続され、ＩＧＢＴ素子Ｑ１２のエミッタが負電圧側の直流電源ラインＮと接続されている。ＩＧＢＴ素子Ｑ１１のエミッタとＩＧＢＴ素子Ｑ１２のコレクタとの接続点は、モータ（図示せず）の電源入力端子と接続されている。また、各ＩＧＢＴ素子Ｑ１１，Ｑ１２と並列に、ダイオードＤ１１，Ｄ１２が逆方向接続されている。   FIG. 2 is an electric circuit diagram showing a three-phase inverter. As shown in FIG. 2, the inverter circuit is configured by a three-phase inverter bridge. That is, this inverter circuit is formed by connecting three sets of two IGBT elements Q11 and Q12 connected in series (bridge) in parallel, and the collector of the IGBT element Q11 is a DC power supply line P on the positive voltage side. And the emitter of IGBT element Q12 is connected to DC power supply line N on the negative voltage side. A connection point between the emitter of IGBT element Q11 and the collector of IGBT element Q12 is connected to a power input terminal of a motor (not shown). In addition, diodes D11 and D12 are connected in reverse direction in parallel with the IGBT elements Q11 and Q12.

図１に示すように、パワー半導体素子２の表面側に位置するエミッタ２ａはボンディングワイヤ６によってバスバー４に電気的に接続されており、その裏面側に位置するコレクタ２ｂが半田層５によって絶縁基板３に固定されている。絶縁基板３は、ＤＢＡ（Direct Brazed Aluminum）基板であり、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる上部金属層３ａと、絶縁体である窒化アルミニウム層３ｂと、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる下部金属層３ｃとを積層した構造を有している。上部金属層３ａは、半田層５を介してパワー半導体素子２のコレクタ２ｂに電気的に接続されている。下部金属層３ｃは、ロウ付けで冷却器８と接合されている。   As shown in FIG. 1, the emitter 2 a located on the front surface side of the power semiconductor element 2 is electrically connected to the bus bar 4 by bonding wires 6, and the collector 2 b located on the back surface side thereof is insulated by the solder layer 5. 3 is fixed. The insulating substrate 3 is a DBA (Direct Brazed Aluminum) substrate, in which an upper metal layer 3a made of aluminum or an aluminum alloy, an aluminum nitride layer 3b that is an insulator, and a lower metal layer 3c made of aluminum or an aluminum alloy are laminated. It has the structure. The upper metal layer 3 a is electrically connected to the collector 2 b of the power semiconductor element 2 through the solder layer 5. The lower metal layer 3c is joined to the cooler 8 by brazing.

冷却器８は、略平板状に形成された冷却天板９を有している。冷却天板９の上面９ａには、絶縁基板３とバスバー４とがそれぞれ搭載されている。冷却器８は、熱伝導性の高いアルミニウムや銅などの材料により構成されている。冷却器８の内部には、冷媒が充填されており、その冷媒は矢印方向に沿って流れている。   The cooler 8 has a cooling top plate 9 formed in a substantially flat plate shape. An insulating substrate 3 and a bus bar 4 are mounted on the upper surface 9a of the cooling top plate 9, respectively. The cooler 8 is made of a material having high thermal conductivity such as aluminum or copper. The inside of the cooler 8 is filled with a refrigerant, and the refrigerant flows along the arrow direction.

バスバー４は、パワー半導体素子２への給電のための導電部１０と、導電部１０を支持する基台１１とを備えている。基台１１は、バスバー４のハウジングを構成しており、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）やポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等の樹脂材料から形成されている。導電部１０は、電気伝導性の高いアルミニウムや銅等の材料により形成され、基台１１と共にインサート成型されている。なお、導電部１０は、ボンディングワイヤ６，７を介してパワー半導体素子２のエミッタ２ａとコレクタ２ｂとそれぞれ電気的に接続されている。   The bus bar 4 includes a conductive portion 10 for supplying power to the power semiconductor element 2 and a base 11 that supports the conductive portion 10. The base 11 constitutes the housing of the bus bar 4 and is made of a resin material such as polyphenylene sulfide (PPS) or polybutylene terephthalate (PBT). The conductive portion 10 is formed of a material such as aluminum or copper having high electrical conductivity, and is insert-molded together with the base 11. The conductive portion 10 is electrically connected to the emitter 2a and the collector 2b of the power semiconductor element 2 via bonding wires 6 and 7, respectively.

基台１１の内部には、冷媒を流通させる冷媒流路１３が設けられている。具体的には、バスバー４の冷却天板９には、その上面９ａから立設した複数の突起部１２が設けられている。突起部１２は、冷却天板９と一体的に形成され、内部に冷媒を流通させるために中空状に加工されている。これらの突起部１２は、基台１１の内部に入り込み、導電部１０の直下位置まで延在している。なお、突起部１２は、導電部１０におけるボンディングワイヤ６，７との接合箇所の直下位置まで延びるのが好適である。このようにすれば、接合箇所を直接冷却することができる。   Inside the base 11, a coolant channel 13 for circulating the coolant is provided. Specifically, the cooling top plate 9 of the bus bar 4 is provided with a plurality of protrusions 12 erected from the upper surface 9a. The projecting portion 12 is formed integrally with the cooling top plate 9 and is processed into a hollow shape so that the coolant flows inside. These protrusions 12 enter the inside of the base 11 and extend to a position directly below the conductive portion 10. In addition, it is preferable that the protruding portion 12 extends to a position directly below the bonding portion with the bonding wires 6 and 7 in the conductive portion 10. If it does in this way, a joint location can be cooled directly.

突起部１２の上端は、導電部１０と接触せず、導電部１０から所定の絶縁距離をもって離れている。突起部１２の内部が中空状であるため、冷媒が流れる冷媒流路１３が形成される。各冷媒流路１３には、冷媒が流入し、導電部１０の熱を吸収する。なお、冷媒はジェット噴流を形成することが好ましい。   The upper end of the protrusion 12 is not in contact with the conductive portion 10 and is separated from the conductive portion 10 with a predetermined insulation distance. Since the inside of the protrusion 12 is hollow, a coolant channel 13 through which the coolant flows is formed. The refrigerant flows into each refrigerant flow path 13 and absorbs the heat of the conductive portion 10. The refrigerant preferably forms a jet jet.

このように構成されたパワー半導体ユニット１では、パワー半導体素子２が発生する熱量が、半田層５と絶縁基板３とを経由して冷却器８に伝わる。冷却器８は、その伝熱を吸収してパワー半導体素子２及び絶縁基板３を冷却する。また、パワー半導体素子２が発生する熱量の一部が、ボンディングワイヤ６，７を経由してバスバー４に伝わり、バスバー４が発生する熱量と共に、冷媒流路１３を流れる冷媒によって効率良く吸収される。これによって、パワー半導体素子２及びバスバー４は効率良く冷却される。なお、バスバー４の断面積は、溶断電流によって決まるため発熱温度が上昇するほど大きくなる。   In the power semiconductor unit 1 configured as described above, the amount of heat generated by the power semiconductor element 2 is transmitted to the cooler 8 via the solder layer 5 and the insulating substrate 3. The cooler 8 absorbs the heat transfer and cools the power semiconductor element 2 and the insulating substrate 3. A part of the heat generated by the power semiconductor element 2 is transmitted to the bus bar 4 via the bonding wires 6 and 7, and is efficiently absorbed by the refrigerant flowing through the refrigerant flow path 13 together with the heat generated by the bus bar 4. . Thereby, the power semiconductor element 2 and the bus bar 4 are efficiently cooled. In addition, since the cross-sectional area of the bus bar 4 is determined by the fusing current, it increases as the heat generation temperature increases.

本実施形態に係るパワー半導体ユニット１では、基台１１の内部に冷媒を流通させる冷媒流路１３が設けられているので、冷媒を利用しバスバー４の熱を吸収してバスバー４を直接冷却することができる。従って、パワー半導体ユニット１全体の温度上昇を抑制することができる。このため、バスバー４の薄型化が可能となり、パワー半導体ユニット１の小型化を図ることができる。また、冷媒がジェット噴流を形成するので、バスバー４の熱を効率良く吸収することができる。   In the power semiconductor unit 1 according to the present embodiment, since the refrigerant flow path 13 for circulating the refrigerant is provided inside the base 11, the heat of the bus bar 4 is absorbed using the refrigerant to directly cool the bus bar 4. be able to. Therefore, the temperature rise of the entire power semiconductor unit 1 can be suppressed. For this reason, the bus bar 4 can be thinned, and the power semiconductor unit 1 can be miniaturized. Moreover, since a refrigerant | coolant forms a jet jet, the heat | fever of the bus bar 4 can be absorbed efficiently.

また、このように冷媒を利用してバスバー４を直接冷却しユニット全体の温度上昇を抑制することで、素子高温化に対応することが可能となる。すなわち、例えばパワー半導体素子２をＳｉ素子（ジャンクション温度１５０℃）からＳｉＣ素子（ジャンクション温度２５０℃）に切り替えた場合、ボンディングワイヤ６，７を経由してバスバー４に伝熱される熱量によってバスバー４の温度上昇が高くなるが、冷媒を利用してその伝熱を効率良く吸収してバスバー４を冷却することができるため、パワー半導体ユニット１全体の温度上昇を防止することが可能となる。   Moreover, it becomes possible to cope with the high temperature of the element by directly cooling the bus bar 4 using the refrigerant and suppressing the temperature rise of the entire unit. That is, for example, when the power semiconductor element 2 is switched from the Si element (junction temperature 150 ° C.) to the SiC element (junction temperature 250 ° C.), the amount of heat transferred to the bus bar 4 via the bonding wires 6 and 7 depends on the amount of heat transferred to the bus bar 4. Although the temperature rise increases, the heat transfer can be efficiently absorbed using the refrigerant to cool the bus bar 4, so that the temperature rise of the entire power semiconductor unit 1 can be prevented.

また、従来ではハウジング樹脂（例えばＰＰＳの場合）の耐熱温度が２００℃を超えた場合、その下に配置された冷却器を利用して冷却が必要であるが、本実施形態に係るパワー半導体ユニット１では、ハウジングを構成した基台１１の下に配置されている冷却器８のみならず、バスバー４の内部を流れる冷媒を利用してバスバー４の内部から熱を吸収することができるので、基台１１を効率良く冷却し、ハウジング樹脂の信頼性の低下を防止することが可能となる。   Further, conventionally, when the heat-resistant temperature of the housing resin (for example, PPS) exceeds 200 ° C., cooling is required using a cooler disposed thereunder, but the power semiconductor unit according to the present embodiment 1, heat can be absorbed not only from the cooler 8 disposed under the base 11 constituting the housing but also from the inside of the bus bar 4 using the refrigerant flowing inside the bus bar 4. It is possible to cool the table 11 efficiently and prevent a decrease in the reliability of the housing resin.

更に、ボンディングワイヤ６及び７を含む配線の接合寿命は、パワー半導体素子２のパワーサイクルに起因している。本実施形態に係るパワー半導体ユニット１では、冷媒を利用しバスバー４の熱を吸収してバスバー４を直接冷却するので、配線とバスバー４の温度上昇を抑制することができ、接合寿命を延ばすことが可能となる。また、バスバー４の温度上昇を抑制することで、基台１１の樹脂界面の剥離の発生を防止することができる。その結果、パワー半導体ユニット１の信頼性を高めることができる。   Further, the bonding life of the wiring including the bonding wires 6 and 7 is caused by the power cycle of the power semiconductor element 2. In the power semiconductor unit 1 according to the present embodiment, the bus bar 4 is directly cooled by absorbing the heat of the bus bar 4 using the refrigerant, so that the temperature rise of the wiring and the bus bar 4 can be suppressed, and the bonding life is extended. Is possible. Moreover, generation | occurrence | production of peeling of the resin interface of the base 11 can be prevented by suppressing the temperature rise of the bus-bar 4. As a result, the reliability of the power semiconductor unit 1 can be improved.

以下、図３及び図４を参照してバスバーの変形例を説明する。   Hereinafter, modified examples of the bus bar will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

図３に示す変形例では、冷媒を流通させるための冷媒流路１５が、突起部１２によって形成されておらず、基台１１の内部に直接形成されている。具体的には、バスバー１４がそれぞれ平板状に形成された導電部１０と基台１１とを有する。導電部１０及び基台１１は、冷却天板９の上面９ａに搭載されている。そして、冷却天板９と基台１１には、複数の溝（冷媒流路）１５が所定の間隔をもって配置されている。   In the modification shown in FIG. 3, the coolant channel 15 for circulating the coolant is not formed by the protrusion 12 but is formed directly inside the base 11. Specifically, the bus bar 14 includes a conductive portion 10 and a base 11 each formed in a flat plate shape. The conductive portion 10 and the base 11 are mounted on the upper surface 9 a of the cooling top plate 9. A plurality of grooves (refrigerant channels) 15 are arranged in the cooling top plate 9 and the base 11 with a predetermined interval.

これらの溝１５は、断面円形状に形成され、冷却天板９及び基台１１の厚さ方向に沿って延在している。これらの溝１５は、冷却天板９を貫通し、更に基台１１の内部に入り込み、基台１１を貫通せずに基台１１の上面１１ａよりも下方の位置まで延びている。そして、これらの溝１５には、冷媒が流入し、バスバー４の熱を吸収してバスバー４を冷却する。なお、冷媒はジェット噴流を形成することが好ましい。   These grooves 15 are formed in a circular cross section and extend along the thickness direction of the cooling top plate 9 and the base 11. These grooves 15 penetrate the cooling top plate 9, further enter the inside of the base 11, and extend to a position below the upper surface 11 a of the base 11 without penetrating the base 11. Then, the refrigerant flows into these grooves 15 to absorb the heat of the bus bar 4 and cool the bus bar 4. The refrigerant preferably forms a jet jet.

図４に示す変形例では、冷媒を流通させるための冷媒流路１７が、突起部１２によって形成されておらず、基台１１の内部に直接形成されている。具体的には、バスバー１６がそれぞれ平板状に形成された導電部１０と基台１１とを有する。導電部１０及び基台１１は、冷却天板９の上面９ａに搭載されている。そして、冷却天板９、基台１１及び導電部１０には、複数の溝（冷媒流路）１７が所定の間隔をもって配置されている。   In the modification shown in FIG. 4, the coolant channel 17 for circulating the coolant is not formed by the protrusion 12 but is formed directly inside the base 11. Specifically, the bus bar 16 includes a conductive portion 10 and a base 11 each formed in a flat plate shape. The conductive portion 10 and the base 11 are mounted on the upper surface 9 a of the cooling top plate 9. A plurality of grooves (refrigerant channels) 17 are arranged in the cooling top plate 9, the base 11, and the conductive portion 10 with a predetermined interval.

これらの溝１７は、断面円形状に形成され、冷却天板９及び基台１１の厚さ方向に沿って延在している。これらの溝１７は、冷却天板９及び基台１１を貫通し、更に導電部１０の内部に入り込み、導電部１０を貫通せずに導電部１０の上面１０ａよりも下方の位置まで延びている。そして、これらの溝１７には、冷媒が流入し、バスバー４の熱を吸収してバスバー４を冷却する。なお、冷媒はジェット噴流を形成することが好ましい。   These grooves 17 are formed in a circular cross section and extend along the thickness direction of the cooling top plate 9 and the base 11. These grooves 17 penetrate the cooling top plate 9 and the base 11, further enter the inside of the conductive portion 10, and extend to a position below the upper surface 10 a of the conductive portion 10 without penetrating the conductive portion 10. . Then, the refrigerant flows into these grooves 17 to absorb the heat of the bus bar 4 and cool the bus bar 4. The refrigerant preferably forms a jet jet.

本発明に係るパワー半導体ユニットは、上記の実施形態に記載したものに限定されるものではない。本発明にパワー半導体ユニットは、各請求項に記載した要旨を変更しないように実施形態に係るパワー半導体ユニットを変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。例えば、上記の実施形態において、配線の接合方法として、ワイヤーボンドを用いたが、テープボンドやダイレクトリードボンドを用いてもよい。また、冷媒を流通させる冷媒流路として、溝のほか、穴などの流路を設けてもよい。   The power semiconductor unit according to the present invention is not limited to the one described in the above embodiment. The power semiconductor unit according to the present invention may be obtained by modifying the power semiconductor unit according to the embodiment so as not to change the gist described in each claim or applying the power semiconductor unit to another. For example, in the above embodiment, wire bonding is used as a wiring bonding method, but tape bonding or direct lead bonding may be used. In addition to the groove, a channel such as a hole may be provided as the coolant channel for circulating the coolant.

１…パワー半導体ユニット、２…パワー半導体素子、４，１４，１６…バスバー、１０…導電部、１１…基台、１３…冷媒流路、１５，１７…溝。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Power semiconductor unit, 2 ... Power semiconductor element, 4, 14, 16 ... Bus bar, 10 ... Conductive part, 11 ... Base, 13 ... Refrigerant flow path, 15, 17 ... Groove.

Claims (2)

パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子に給電するバスバーとを備えたパワー半導体ユニットにおいて、
前記バスバーは、前記パワー半導体素子への給電のための導電部と前記導電部を支持する基台とを有し、
前記基台には、冷媒を流通させる冷媒流路が設けられていることを特徴とするパワー半導体ユニット。 In a power semiconductor unit comprising a power semiconductor element and a bus bar for supplying power to the power semiconductor element,
The bus bar has a conductive part for supplying power to the power semiconductor element and a base supporting the conductive part,
The power semiconductor unit, wherein the base is provided with a refrigerant flow path for circulating the refrigerant. 前記冷媒は、ジェット噴流を形成することを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体ユニット。   The power semiconductor unit according to claim 1, wherein the refrigerant forms a jet jet.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014011086A (en) * 2012-06-29 2014-01-20 Mitsubishi Motors Corp Bus bar and electric circuit
WO2014131829A1 (en) * 2013-03-01 2014-09-04 Magna Powertrain Ag & Co Kg Component cooling system
JP7341212B2 (en) 2021-12-09 2023-09-08 三菱電機株式会社 semiconductor equipment

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