JP2011103497A - Operating method of solar cell power generation system - Google Patents
Operating method of solar cell power generation system Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011103497A JP2011103497A JP2011029232A JP2011029232A JP2011103497A JP 2011103497 A JP2011103497 A JP 2011103497A JP 2011029232 A JP2011029232 A JP 2011029232A JP 2011029232 A JP2011029232 A JP 2011029232A JP 2011103497 A JP2011103497 A JP 2011103497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- voltage
- power generation
- power
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000011017 operating method Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 10
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 16
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 9
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- -1 silicon (Si) Chemical compound 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
本発明は、太陽電池に関し、特に太陽電池パネルを用いた太陽電池発電システムの動作方法に関する。 The present invention relates to a solar cell, and more particularly to a method for operating a solar cell power generation system using a solar cell panel.
ガラス基板上にシリコン系薄膜を積層して形成された薄膜シリコン系太陽電池が知られている。ここで、シリコン系とはシリコン(Si)やシリコンカーバイト(SiC)やシリコンゲルマニウム(SiGe)のようなシリコンを含む材料の総称である。また、薄膜シリコン系とは、非晶質なシリコン系を意味するアモルファスシリコン系、アモルファスシリコン系以外のシリコン系を意味する微結晶シリコン系、アモルファスシリコン系と微結晶シリコン系とを積層させたタンデム型を含む。ただし、微結晶シリコン系は、多結晶シリコン系や非晶質を含んだ結晶質シリコン系も含まれる。 A thin film silicon solar cell formed by laminating a silicon thin film on a glass substrate is known. Here, silicon-based is a general term for materials containing silicon such as silicon (Si), silicon carbide (SiC), and silicon germanium (SiGe). The thin film silicon system is an amorphous silicon system that means an amorphous silicon system, a microcrystalline silicon system that means a silicon system other than an amorphous silicon system, and a tandem that is a stack of amorphous silicon and microcrystalline silicon systems. Includes type. However, the microcrystalline silicon system includes a polycrystalline silicon system and a crystalline silicon system including an amorphous material.
更に、薄膜シリコン系太陽電池をパネル化した太陽電池パネルを用いた太陽電池発電システムが知られている。図1は、従来の太陽電池発電システムの構成を示す概略図である。太陽電池発電システムは、太陽電池パネルアレイ110と電力制御装置120とを具備する。
Furthermore, a solar cell power generation system using a solar cell panel obtained by forming a thin film silicon solar cell into a panel is known. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional solar cell power generation system. The solar cell power generation system includes a solar
太陽電池パネルアレイ110は、互いに直接又は並列あるいは直並列で接続された複数の太陽電池パネル110aを備える。太陽電池パネル110aは、上記薄膜シリコン系太陽電池をパネル化したものである。太陽電池パネルアレイ110は、プラス端子としての端子N+とマイナス端子としての端子N−とから、複数の太陽電池パネル110aが発電した電力を出力する。端子N+は電力制御装置120の一方の入力端子に、端子N−は電力制御装置120の他方の入力端子にそれぞれ接続されている。
The solar
電力制御装置120は、太陽電池パネルアレイ110が発電した電力を所望の電力に変換し、外部へ供給する。すなわち、複数の太陽電池パネル110aの発電した直流電力を所望の周波数及び電圧を有する交流電力に変換し、例えば商用電力系統130へ出力する。電力制御装置120は、インバータに例示される。
The
また、電力制御装置120は、太陽電池パネルアレイ110から出力された直流電力の対地電圧について、端子N−及び端子N+における絶対値が等しくなるように制御する。本図では、動作電圧700Vの太陽電池パネルアレイ110について、端子N−側の電圧をV01=−350Vに、端子N+側の電圧をV02=+350Vにする。対地電圧の絶対値はいずれも350Vである。この場合、動作電圧700V=ΔV=V02−V01である。
In addition, the
一般に、太陽電池パネルアレイ110における太陽電池パネル110aの太陽電池モジュールの対地電圧は、電力制御装置120により少なくとも一部はマイナスに制御される。これは、太陽電池パネルアレイ110の動作電圧が大きい場合(例示:ΔV=700V)、太陽電池モジュールの対地電圧の絶対値が大きくなると電気絶縁上の問題が発生するリスクが高くなると一般的に考えられているためである。そのため、電力制御装置120は、対地電圧の絶対値を出来るだけ低くするように、プラス側の対地電圧を+V0(例示:V01=+350V)、マイナス側を−V0(例示:V02=−350V)とするように(均等になるように)回路設計されている。
In general, the ground voltage of the solar cell module of the
このような電力制御装置120は、太陽電池パネルアレイ110の動作電圧が低い場合でも(例示:ΔV=300V)、プラス側を+V0(例示:V02=+150V)、マイナス側の対地電圧を−V0(例示:V01=−150V)に制御する。すなわち、太陽電池パネルアレイ110の動作電圧が低く対地電圧の絶対値が低くなるので問題が発生するおそれがないと考えられる場合でも、太陽電池パネルアレイ110の少なくとも一部をマイナスに制御する。
In such a
あるいは、電力制御装置120は、対地電圧の絶対値を出来るだけ低くするように、マイナス側の−V0(例示:V02=−350V)が固定されるような回路設計になっている場合もある。その場合、太陽電池パネルアレイ110の動作電圧が低いと(例示:ΔV=300V)、マイナス側の対地電圧が−V0(例示:V01=−350V)で、プラス側が−V0’(例示:V02=−50V)<0になる。すなわち、太陽電池パネルアレイ110の全体が、対地電圧マイナスとなることが考えられる。
Alternatively, the
図2は、従来の太陽電池発電システムにおける太陽電池パネルの構成の一部を示す概略図である。太陽電池パネル110aは、基板101、太陽電池モジュール106、保護膜102、防水シート103、金属枠104及び接合層105を具備する。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a part of the configuration of a solar cell panel in a conventional solar cell power generation system. The
基板101は、ソーダフロートガラス基板に例示される透光性の基板である。太陽電池モジュール106は、基板101表面における周囲領域114に囲まれた領域に設けられ、互いに直列に接続された複数の薄膜シリコン系太陽電池を有する。各太陽電池は、基板側から順に透明導電層107、光電変換層108及び裏面電極層109を有している。保護膜102は、太陽電池モジュール106の表面及び基板101表面の周囲領域114を覆うように設けられ、EVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)に例示される。防水シート103は、保護膜102を覆うように設けられている。基板101、太陽電池モジュール106、保護膜102及び防水シート103が一体となった構造体110bは、接合層105を介してアルミニウムのような金属枠104に収められ、太陽電池パネル110aとして主に屋外で使用される。
The
屋外で使用されるとき、構造体110bと金属枠104との隙間には、雨や雪、温度変化に伴う結露等により水が浸入することがある。その水に接している保護膜102としてEVAを用いている場合、EVAは透湿性があるので、長期間経過すると保護膜102に水分が浸透し、基板101と保護膜102との界面114aや基板101と太陽電池モジュール106との界面106aに水が浸入するおそれが出てくる。
When used outdoors, water may enter the gap between the
このような場合、発明者の研究により、今回、特に以下の事実が明らかとなった。
すなわち、前述のように対地電圧がマイナスとなる太陽電池パネル110aでは、太陽電池モジュール106のプラス側の電圧v2、及びマイナス側の電圧v1のいずれも対地電圧としてはマイナスとなる。一方、接地された金属枠104は、対地電圧は概ね0Vになるので、金属枠104に近い基板101の対地電圧VGも概ね0Vとなる。したがって、基板101の電位は、相対的に太陽電池モジュール106の電位よりも高くなる。その結果、基板101裏面から表面(太陽電池モジュール106と接する側)の太陽電池モジュール106へ向かう電界Eが発生することになる。
In such a case, the following facts were clarified this time by the inventors' research.
That is, as described above, in the
この結果、その電界Eにより、基板101中の物質の一部(例示:NaイオンやFeイオンのようなプラスイオン)が界面106aに拡散し、その物質単独又は界面106aの水との反応により、太陽電池モジュール106の発電セルの一部を劣化させるおそれがある。例えば、基板101としてソーダフロートガラス基板を用い、太陽電池モジュール106の基板101側に透明導電層107としてSnO2膜が形成されている場合を考える。このとき、電界Eによりソーダフロートガラス基板中のNaイオンが界面106aに拡散し、Naイオン単独又は界面106aの水との反応により、SnO2膜の剥離が発生し、太陽電池モジュール106の劣化原因となる。
As a result, due to the electric field E, a part of the substance in the substrate 101 (eg, positive ions such as Na ions and Fe ions) diffuses to the
更に、基板101中の物質の一部が発電セルの透明導電層107を拡散して光電変換層108に達すると、発電効率の劣化に直接悪影響を及ぼすおそれがある。例えば、基板101としてソーダフロートガラス基板を用いた上記の例では、光電変換層108としてシリコン系の薄膜を用いている場合、Naイオンが拡散によりSi膜に到達し、その特性を劣化させる可能性が有る。こうなると、発電セルの変換効率が低下することになる。
Furthermore, if a part of the substance in the
更に、その電界Eにより基板101中の物質の一部が界面114aに拡散し、界面114aの水と反応して、基板101と保護膜102との接着に悪影響を及ぼすおそれがある。例えば、保護膜2としてEVAを用い、基板101としてソーダフロートガラス基板を用いた場合、電界Eにより界面114aに拡散したソーダフロートガラス基板中のNaイオンと、界面114aの水とが関与して、EVAとソーダフロートガラス基板との接着力が大幅に低下する可能性が有る。そうなると、外部からの水の浸入が容易となってしまう。
Further, a part of the substance in the
薄膜太陽電池内部に水分の浸入が多くなると、発電に伴なう対地電圧の発生により、太陽電池素子と外部の間に地絡電流が流れる。この地絡電流は、電荷移動を伴なう太陽電池素子の化学反応によるものである。即ち、地絡電流が流れることにより、太陽電池素子は腐食する。太陽電池素子の腐食は、変色や発電能力の低下、漏電電流の増大、短絡による発電システム停止などの問題に繋がることがある。 When moisture permeates inside the thin film solar cell, a ground fault current flows between the solar cell element and the outside due to the generation of ground voltage accompanying power generation. This ground fault current is due to a chemical reaction of the solar cell element accompanied by charge transfer. That is, the solar cell element is corroded by the ground fault current flowing. The corrosion of the solar cell element may lead to problems such as discoloration, a decrease in power generation capacity, an increase in leakage current, and a power generation system stop due to a short circuit.
また、前述のように対地電圧がマイナスとなる太陽電池パネル110aだけでなく、対地電圧が0Vの場合でも、基板101中の物質の一部(例示:NaイオンやFeイオンのようなプラスイオン)が界面106a、114aに自然に拡散し、界面106a、114aの水と反応して、上述の劣化現象が起きるおそれがあることが明らかとなった。例えば、基板101としてソーダフロートガラス基板を用いた上記の例では、対地電圧が0Vの場合でも、界面106a、114aにソーダフロートガラス基板中のNaイオンが拡散しており、上述の劣化現象が起こり得ると推測される。
基板101中の物質の影響を受けない太陽電池発電システムが望まれる。
Further, not only the
A solar cell power generation system that is not affected by the substance in the
特開2001−161032号公報に系統連系パワーコンディショナ及びそれを用いた発電システムが開示されている。この系統連系パワーコンディショナは、対地静電容量を有する直流電源の出力が入力され、1線が接地された低圧配電系統に受電用漏電遮断器を介して連系する非絶縁型である。系統連系パワーコンディショナは、コンバータ部と、インバータ部と、開閉手段と、交流地絡検出手段を具備する。コンバータ部は、直流電源の出力が入力されそれを電圧変換して出力する。インバータ部は、コンバータ部の出力が入力されそれを交流電力に変換して出力する。開閉手段は、インバータ部の出力側に接続され低圧配電系統との接続を開閉する機械式接点を有する。交流地絡検出手段は、前記受電用漏電遮断器より短い検出時間で交流地絡を検出する。前記インバータ部は自己消弧形半導体素子とフリーホイーリングダイオードが逆並列接続されたスイッチング手段を複数有する。前記インバータ部の入力と出力の各線の間には少なくとも1つのスイッチング手段が配置される。前記交流地絡検出手段により地絡が検出されたら、即時に前記インバータ部をゲートブロックし、前記開閉手段を解列するとともに、少なくとも前記開閉手段の解列が完了するまでの間は前記インバータ部の入力電圧を前記低圧配電系統の電圧のピーク値より高い所定電圧に保持する停止動作を行う。 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-161032 discloses a grid-connected power conditioner and a power generation system using the same. This grid-connected power conditioner is a non-insulated type that is connected to a low-voltage distribution system in which an output of a DC power supply having a ground capacitance is input and one line is grounded via a power leakage breaker. The grid interconnection power conditioner includes a converter unit, an inverter unit, an opening / closing unit, and an AC ground fault detection unit. The converter unit receives the output of the DC power supply, converts it into a voltage, and outputs it. The inverter unit receives the output of the converter unit, converts it into AC power, and outputs it. The switching means has a mechanical contact that is connected to the output side of the inverter unit and opens and closes the connection with the low voltage distribution system. The AC ground fault detection means detects the AC ground fault in a detection time shorter than that of the power receiving leakage breaker. The inverter unit includes a plurality of switching means in which a self-extinguishing semiconductor element and a freewheeling diode are connected in reverse parallel. At least one switching means is disposed between the input and output lines of the inverter unit. When a ground fault is detected by the AC ground fault detection means, the inverter section is immediately gate-blocked, the open / close means is disconnected, and at least until the disconnection of the open / close means is completed, the inverter section Is stopped at a predetermined voltage higher than the peak value of the voltage of the low-voltage distribution system.
本発明の目的は、太陽電池モジュールの設けられた基板中の物質の拡散による悪影響を受けない太陽電池発電システムの動作方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for operating a solar cell power generation system that is not adversely affected by the diffusion of a substance in a substrate provided with a solar cell module.
本発明の他の目的は、太陽電池モジュールの発電セルを構成する物質の劣化を抑えることが可能な太陽電池発電システムの動作方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a method for operating a solar cell power generation system capable of suppressing deterioration of a material constituting a power generation cell of a solar cell module.
本発明の他の目的は、長期信頼性をより向上することが出来る太陽電池発電システムの動作方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a method of operating a solar cell power generation system that can further improve long-term reliability.
上記課題を解決するために、本発明の太陽電池発電システムの動作方法は以下の手段を採用する。 In order to solve the above problems, the operation method of the solar cell power generation system of the present invention employs the following means.
すなわち、本発明に係る太陽電池発電システムの動作方法は、基板上に設けられた太陽電池モジュールを含む太陽電池パネルと、前記太陽電池パネルを含む複数の太陽電池パネルを有する太陽電池パネルアレイと、前記太陽電池パネルの発電した第1電力を所望の第2電力に変換する絶縁トランス方式である電力制御装置と、を具備した太陽電池システムの動作方法であって、前記太陽電池パネルアレイのマイナス側端子の対地電圧を正の値に保ちながら動作させる。 That is, the operation method of the solar cell power generation system according to the present invention includes a solar cell panel including a solar cell module provided on a substrate, a solar cell panel array having a plurality of solar cell panels including the solar cell panel, And a power control device that is an insulating transformer system that converts the first power generated by the solar cell panel into a desired second power, and the operation method of the solar cell system, the negative side of the solar cell array Operate while keeping the terminal's ground voltage positive.
本発明では、電力制御装置により、太陽電池パネルアレイのマイナス側端子の対地電圧を正(プラス)にする。それにより、太陽電池モジュールの電位が基板の電位に対して相対的に高くなるので、太陽電池モジュールから基板へ向う電界が生じる。この電界により、基板内部のプラスイオンが太陽電池モジュールの側へ拡散することを抑制することが出来る。その結果、基板内部からのプラスイオン拡散による太陽電池モジュールの劣化を抑制することが出来、太陽電池発電システムの長期信頼性を向上させることが可能となる。 In the present invention, the ground voltage of the minus side terminal of the solar cell panel array is made positive (plus) by the power control device. Thereby, since the electric potential of a solar cell module becomes relatively high with respect to the electric potential of a board | substrate, the electric field which goes to a board | substrate from a solar cell module arises. This electric field can suppress diffusion of positive ions inside the substrate toward the solar cell module. As a result, deterioration of the solar cell module due to diffusion of positive ions from the inside of the substrate can be suppressed, and the long-term reliability of the solar cell power generation system can be improved.
また、太陽電池パネルを含む複数の太陽電池パネルを有する太陽電池パネルアレイを具備している。これによって、太陽電池パネルが複数ある場合でも、全ての太陽電池パネルにおける太陽電池モジュールの対地電圧を正の値に保つことで、基板内部からのプラスイオン拡散による太陽電池モジュールの劣化を抑制することが出来、太陽電池パネルアレイとしての長期信頼性を向上させることが出来る。 Moreover, the solar cell panel array which has several solar cell panels containing a solar cell panel is comprised. Thereby, even when there are a plurality of solar cell panels, the deterioration of the solar cell module due to the diffusion of positive ions from the inside of the substrate is suppressed by keeping the ground voltage of the solar cell modules in all the solar cell panels at a positive value. And long-term reliability as a solar panel array can be improved.
また、本発明の太陽電池発電システムの動作方法は、対地電圧を+5V以上500V以下としてもよい。
本発明によれば、対地電圧を+5V以上500V以下の正の値に保ち太陽電池システムを動作させる。対地電圧の下限は、接地(アース)から基板までの異種金属間接合による電圧発生があっても、対地電圧を正に保つことができるよう、+5V以上とする。一方、上限は、安全性の面や絶縁上問題の発生等の可能性を考慮して、500V以下とする。より好ましくは、400V以下である。
In the operation method of the solar cell power generation system of the present invention, the ground voltage may be + 5V or more and 500V or less.
According to the present invention, the solar cell system is operated while maintaining the ground voltage at a positive value between + 5V and 500V. The lower limit of the ground voltage is set to +5 V or more so that the ground voltage can be kept positive even if a voltage is generated due to the junction between different metals from the ground (earth) to the substrate. On the other hand, the upper limit is set to 500 V or less in consideration of safety and the possibility of occurrence of insulation problems. More preferably, it is 400 V or less.
また、本発明の太陽電池発電システムの動作方法は、前記電力制御装置が電力制御部、及び太陽電池パネルアレイと該電力制御部との間に設けられた電圧変換部を備え、前記電圧変換部によって前記対地電圧を正の値にすると共に、前記電力制御部によって前記第1電力を前記第2電力に変換してもよい。 Further, in the operation method of the solar cell power generation system of the present invention, the power control device includes a power control unit, and a voltage conversion unit provided between the solar cell panel array and the power control unit, and the voltage conversion unit The ground voltage may be set to a positive value, and the first power may be converted to the second power by the power control unit.
本発明では、既存の電力制御装置に電圧変換部を追加することで、太陽電池モジュールの対地電圧を正にすることが出来る。それにより、基板内部のプラスイオンが太陽電池モジュールの側へ拡散することを抑制することが出来、太陽電池発電システムの長期信頼性を向上させることが可能となる。なお、電圧変換部は、太陽電池パネルアレイと電力制御部との間に設けられる。 In this invention, the ground voltage of a solar cell module can be made positive by adding a voltage conversion part to the existing power control apparatus. Thereby, it can suppress that the positive ion inside a board | substrate diffuses to the solar cell module side, and it becomes possible to improve the long-term reliability of a solar cell power generation system. The voltage conversion unit is provided between the solar cell panel array and the power control unit.
また、本発明の太陽電池発電システムの動作方法は、電圧変換部が電圧源及び電圧分配部を備え、前記電圧源によって直流電圧を発生させ、前記電圧分配部によって該直流電圧を用いて前記対地電圧を正の値に保ってもよい。 In the operation method of the solar cell power generation system according to the present invention, the voltage conversion unit includes a voltage source and a voltage distribution unit, generates a DC voltage by the voltage source, and uses the DC voltage by the voltage distribution unit. The voltage may be kept positive.
本発明では、電圧源を内部に追加して設け、その直流電圧で対地電圧をシフトすることで、容易に太陽電池モジュールの対地電圧を正(プラス)にすることが出来る。 In the present invention, the ground voltage of the solar cell module can be easily made positive (plus) by additionally providing a voltage source inside and shifting the ground voltage with the DC voltage.
また、本発明の太陽電池発電システムの動作方法は、前記太陽電池システムが直流電圧を発生する電圧源を更に具備し、前記電圧変換部は、電圧分配部を備え、前記電圧分配部によって前記電圧源から発生した前記直流電圧を用いて前記対地電圧を正の値に保ってもよい。 The operation method of the solar cell power generation system according to the present invention further includes a voltage source for generating a DC voltage by the solar cell system, and the voltage conversion unit includes a voltage distribution unit. The ground voltage may be kept positive using the DC voltage generated from the source.
また、本発明の太陽電池発電システムの動作方法は、前記電圧分配部が、前記電力制御装置の入力端子としての正極側端子と負極側端子との間に直列接続された複数の抵抗を含み、前記直流電圧を前記複数の抵抗におけるいずれかの接続点に供給してもよい。 Further, in the operation method of the solar cell power generation system of the present invention, the voltage distribution unit includes a plurality of resistors connected in series between a positive electrode side terminal and a negative electrode side terminal as an input terminal of the power control device, The DC voltage may be supplied to any connection point of the plurality of resistors.
本発明により、基板中の物質の拡散による悪影響を受けず、発電セルを構成する物質の劣化を抑えて、長期信頼性をより向上させることが可能となる。 According to the present invention, it is possible to improve the long-term reliability without being adversely affected by the diffusion of the substance in the substrate and suppressing the deterioration of the substance constituting the power generation cell.
以下、本発明の太陽電池発電システムの実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。本発明は、発明者の研究により今回明らかにされた「太陽電池発電システムにおける太陽電池パネルの対地電圧がプラスの場合、背景技術に記載したような太陽電池素子の腐食が起きない」という事実に基づいてなされたものである。図3は、本発明の太陽電池発電システムの実施の形態の構成を示す概略図である。太陽電池発電システムは、太陽電池パネルアレイ10と電力制御装置20を具備する。
Hereinafter, embodiments of the solar cell power generation system of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention is based on the fact that “the corrosion of the solar cell element as described in the background art does not occur when the ground voltage of the solar cell panel in the solar cell power generation system is positive”, which has been clarified this time by the inventor's research. It was made based on. FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the embodiment of the solar cell power generation system of the present invention. The solar cell power generation system includes a solar
太陽電池パネルアレイ10は、互いに直接又は並列あるいは直並列で接続された複数の太陽電池パネル10aを備える。太陽電池パネル10aは、前述の薄膜シリコン系太陽電池をパネル化したものである。太陽電池パネルアレイ10は、プラス端子としての端子N+とマイナス端子としての端子N−とから、複数の太陽電池パネル10aが発電した電力を出力する。端子N+は電力制御装置20の一方の入力端子に、端子N−は電力制御装置20の他方の入力端子にそれぞれ接続されている。
The solar
電力制御装置20は、太陽電池パネルアレイ10が発電した電力を所望の電力に変換し、外部へ供給する。すなわち、複数の太陽電池パネル10aの発電した直流電力を所望の周波数及び電圧を有する交流電力に変換し、例えば商用電力系統30へ出力する。電力制御装置20は、インバータに例示される。電力制御装置20は、電圧変換部22と電力制御部21とを備える。
The
電力制御部21は、太陽電池パネルアレイ10から出力された直流電力を所望の周波数及び電圧を有する交流電力に変換し、例えば商用電力系統30へ出力する。電力制御部21は、絶縁トランス方式のインバータ回路及びコンバータ(チョッパ)回路を含む回路に例示される。
The
図4は、電力制御部21の構成の一例を示す回路図である。電力制御部21は、チョッパ回路42、チョッパ制御回路46、インバータ回路43、インバータ制御回路47、出力フィルタ44、絶縁トランス45を含む。チョッパ制御回路46は、チョッパ回路42内で計測された電流Ii、Is及び電圧Esに基づいて、チョッパ回路42内のトランジスタTを制御する。チョッパ回路42は、太陽電池パネルアレイ10から出力された直流電力について、チョッパ制御回路46の制御により、直流−直流変換を行う。インバータ制御回路47は、インバータ回路43の入力電圧Ed、出力電流I0及び出力電圧V0に基づいて、インバータ回路43内のトランジスタT1〜T4を制御する。インバータ回路43は、チョッパ回路42から出力された直流電力について、インバータ制御回路47の制御により、直流−交流変換を行う。出力フィルタ44は、インバータ回路43から出力された交流電力について、ノイズを低減する。絶縁トランス45は、電力制御装置20側の影響を商用電力系統30側に伝えないために設けられている。なお、電力制御部21は、この回路構成に限定されるものではなく、直流−交流変換が可能な公知の回路を用いることが出来る。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of the configuration of the
図3を参照して、電圧変換部22は、太陽電池パネルアレイ10と電力制御部21との間に設けられている。電圧変換部22は、太陽電池パネルアレイ10から出力された直流電力の対地電圧を、端子N−及び端子N+のいずれについても0Vより大きくなる(プラスになる)ようにシフトする。電圧変換部22は、電力制御部21に含まれていても良い。電圧変換部22は、分配部24と直流電源40とを含む。
Referring to FIG. 3,
分配部24は、端子N−と電圧制御部21とを接続する配線25と、端子N+と電圧制御部21とを接続する配線26との間に直列接続された抵抗R2と抵抗R1とを有し、抵抗R2と抵抗R1との接続点N1に直流電源40を接続している。これにより、その接続点N1の対地電圧を、直流電源40の供給する直流電圧分だけシフトさせることが出来る。このとき、太陽電池パネルアレイ10の動作電圧(ΔV)は抵抗R2の抵抗値と抵抗R1の抵抗値との比で分配され、端子N−の対地電圧及び端子N+の対地電圧は接続点N1に供給された直流電圧を基準とした値にシフトする。すなわち、端子N−の対地電圧及び端子N+の対地電圧を直流電源40の直流電圧分だけプラス側にシフトさせることが出来る。
The
直流電源40は、接地(アース)に対して所定の電圧値を有する直流電圧を分配部24へ供給する。この場合、その直流電圧の大きさを[太陽電池パネルアレイ10の動作電圧]/((R1+R2)/R1)より大きくすることで、端子N−及び端子N+のいずれについても、その対地電圧を0Vより大きくすることができる。本図では、R1=R2とし、[太陽電池パネルアレイ10の動作電圧=300V]/2=150Vより大きい直流電圧170Vを印加することで、端子N−側の電圧をV01=+20V(=−150V+170V)に、端子N+側の電圧をV02=+320V(=+150V+170V)にする。
The
後述されるように、電池のマイナス側としての端子N−の対地電圧は、5V以上が好ましい。一方、電池のプラス側としての端子N+の対地電圧は、500V以下が好ましく、より好ましくは400V以下である。本図では、動作電圧300Vの太陽電池パネルアレイ10について、端子N−側の電圧をV01=+20Vに、端子N+側の電圧をV02=+320Vにする。この場合、動作電圧300V=ΔV=V02−V01である。
As will be described later, the ground voltage of the terminal N− as the negative side of the battery is preferably 5 V or more. On the other hand, the ground voltage of the terminal N + as the positive side of the battery is preferably 500 V or less, more preferably 400 V or less. In this figure, for the solar
なお、電圧変換部22は、上記分配部24と直流電源40に限定されるものではなく、端子N−と、端子N+との対地電圧をプラス側にシフトできる構成であれば、他の構成であっても良い。
The
図5は、本発明の太陽電池発電システムにおける太陽電池パネルの構成の一部を示す概略図である。太陽電池パネル10aは、基板1、太陽電池モジュール6、保護膜2、防水シート3、金属枠4及び接合層5を具備する。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a part of the configuration of the solar cell panel in the solar cell power generation system of the present invention. The
基板1は、ソーダフロートガラス基板に例示される透光性の基板である。太陽電池モジュール6は、基板1表面における周囲領域14に囲まれた領域に設けられ、互いに直列に接続された複数の薄膜シリコン系太陽電池を有する。各太陽電池は、基板側から順に透明導電層7(例示:SnO2膜)、光電変換層8(例示:シリコン系p層膜、i層膜、n層膜)及び裏面電極層9(例示:Al膜)を有している。各太陽電池は、例えば、単層アモルファスシリコン太陽電池、微結晶シリコン太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池と微結晶シリコン太陽電池とを各1層から複数層積層させた多接合型太陽電池である。
The substrate 1 is a translucent substrate exemplified by a soda float glass substrate. The
保護膜2は、太陽電池モジュール6の表面及び基板1表面の周囲領域14を覆うように設けられ、EVAに例示される。防水シート3は、保護膜2を覆うように設けられている。基板1、太陽電池モジュール6、保護膜2及び防水シート3が一体となった構造体10bは、接合層5を介してアルミニウムのような金属枠4に収められ、太陽電池パネル10aとして主に屋外で使用される。
The
本発明では、太陽電池モジュール6の対地電圧がプラスとなるように制御している。すなわち、太陽電池パネル10aでは、太陽電池モジュール6のプラス側の電圧v2、及びマイナス側の電圧v1のいずれも対地電圧としてはプラスとしている。一方、接地された金属枠4は、対地電圧は概ね0Vになるので、金属枠4に近い基板1の対地電圧VGも概ね0Vとなる。したがって、基板1の電位は、相対的に太陽電池モジュール6の電位よりも低くなる。その結果、基板1の表面(太陽電池モジュール6と接する側)の太陽電池モジュール6から基板1の裏面へ向かう電界Eが発生することになる。
In the present invention, the ground voltage of the
この結果、その電界Eにより、基板1中の物質の一部(例示:NaイオンやFeイオンのようなプラスイオン)が界面6aに拡散し難くなる。したがって、その物質単独又はその物質と界面6aの水との反応により太陽電池モジュール6の発電セルの一部を劣化させるおそれを排除することが出来る。例えば、基板1としてソーダフロートガラス基板を用い、太陽電池モジュール6の基板1側に透明導電層としてSnO2膜が形成されている場合でも、電界Eにより、ソーダフロートガラス基板中のNaイオンが界面6aに拡散し難くなる。それにより、そのNaイオン単独又はNaイオンと水との反応により、SnO2膜の粒界に結晶析出などが発生するおそれを排除することが出来る。これにより、SnO2膜の破壊や剥離の発生を大幅に抑制することが可能となる。
As a result, the electric field E makes it difficult for some of the substances in the substrate 1 (for example, positive ions such as Na ions and Fe ions) to diffuse to the
更に、基板1中の物質の一部が発電セルの透明導電層を拡散して光電変換層に達することが困難になる。例えば、基板1としてソーダフロートガラス基板を用いた上記の例では、光電変換層としてシリコン系の薄膜を用いている場合でも、Naイオンが拡散によりSi膜に到達することが困難になる。従って、Si膜のNaイオンによる劣化の可能性を回避できる。 Furthermore, it becomes difficult for some of the substances in the substrate 1 to diffuse into the transparent conductive layer of the power generation cell and reach the photoelectric conversion layer. For example, in the above example using a soda float glass substrate as the substrate 1, it is difficult for Na ions to reach the Si film by diffusion even when a silicon-based thin film is used as the photoelectric conversion layer. Therefore, the possibility of deterioration of the Si film due to Na ions can be avoided.
更に、その電界Eにより、基板1中の物質の一部が界面14aに拡散し難くなる。例えば、保護膜2としてEVAを用い、基板1としてソーダフロートガラス基板を用いた場合でも、電界Eにより、ソーダフロートガラス基板中のNaイオン及び界面14aの水が関与するEVAとソーダフロートガラス基板との接着力の低下を大幅に抑制することができる。それにより、外部の水が浸入しやすくなることを防止することが出来る。
Furthermore, the electric field E makes it difficult for some of the substances in the substrate 1 to diffuse into the
また、前述のように、対地電圧が0Vの場合でも基板1中の物質の一部(例示:NaイオンやFeイオンのようなプラスイオン)が界面6a、14aに自然に拡散することがあるが、そのような場合に対しても上記の電界Eは非常に有効である。
In addition, as described above, even when the ground voltage is 0 V, a part of the substance in the substrate 1 (eg, positive ions such as Na ions and Fe ions) may naturally diffuse to the
電界Eを発生させるためには、太陽電池モジュール6の対地電圧は、上記の理由から0Vよりも大きくする必要がある。好ましくは5V以上であり、より好ましくは10V以上である。それは以下の理由による。接地(アース)と太陽電池モジュール6との間には、基板1だけでなく、接合層5、金属枠4、架台(図示されず)、及びアースケーブル(図示されず)が存在し、これらの中間物質の接続点で異種金属間に生じる電圧により逆電圧が発生する可能性が考えられる。その場合、基板1の裏面の電圧が高くなり、対地電圧としてのプラスの電圧が小さければ、基板1の表面と裏面との間の電圧降下がマイナスになる可能性が有る。ただし、一般に異種金属間に生じる電圧は1V以下である。
したがって、以上のことを考慮すると、対地電圧は0Vより大きいことが必要であるが、異種金属間に生じる電圧を考慮すると好ましくは5V以上の大きさが必要となる。このような対地電圧を印加すれば、基板1の表面と裏面との電位差(電圧)を確実にプラスにすることが出来る。
In order to generate the electric field E, the ground voltage of the
Therefore, in consideration of the above, the ground voltage needs to be larger than 0 V. However, in consideration of the voltage generated between different metals, a magnitude of 5 V or more is necessary. If such a ground voltage is applied, the potential difference (voltage) between the front surface and the back surface of the substrate 1 can be positively ensured.
一方、電池のプラス側としての端子N+の対地電圧は、上限は特には無いが、安全性の面や絶縁破壊の問題の発生等の可能性を考慮して、500V以下とすることが好ましい。より好ましくは400V以下である。 On the other hand, although the upper limit of the ground voltage of the terminal N + as the positive side of the battery is not particularly limited, it is preferably set to 500 V or less in consideration of safety and the possibility of occurrence of a dielectric breakdown problem. More preferably, it is 400 V or less.
本発明により、太陽電池モジュール6の対地電圧を正(プラス)にすることで、基板中の物質の拡散による太陽電池への悪影響を抑制することが出来る。それにより、発電セルを構成する物質の劣化を抑えて、太陽電池発電システムの長期信頼性をより向上させることが可能となる。このように本発明では、太陽電池発電システムにおける太陽電池パネルの対地電圧がプラスの場合、背景技術に記載したような太陽電池素子の腐食が起きないようにすることが出来る。
By making the ground voltage of the
上記説明では、基板、特に太陽電池の動作中に内部の物質が拡散しやすいガラス基板の上に形成された薄膜太陽電池において顕著な効果を有する。ここで薄膜太陽電池は、薄膜シリコン系太陽電池に限らず、化合物半導体太陽電池のような他の物質を有する太陽電池を含む。 The above description has a remarkable effect in a thin film solar cell formed on a substrate, in particular, a glass substrate on which an internal substance easily diffuses during operation of the solar cell. Here, the thin film solar cell includes not only a thin film silicon solar cell but also a solar cell having another substance such as a compound semiconductor solar cell.
図6は、本発明の太陽電池発電システムの実施の形態の他の構成を示す概略図である。太陽電池発電システムは、太陽電池パネルアレイ10、電力制御装置20及び直流電源40aを具備する。
FIG. 6 is a schematic diagram showing another configuration of the embodiment of the solar cell power generation system of the present invention. The solar cell power generation system includes a solar
電力制御装置20の電圧変換部22aは、図3における分配部24を含んでいるが、直流電源40を含んでいない点で電圧変換部22と異なる。直流電圧の大きさは、[太陽電池パネルアレイ10の動作電圧]/((R1+R2)/R1)において、R2=R1とし、[太陽電池パネルアレイ10の動作電圧=300V]/2=150Vより大きい直流電圧170Vを印加することで、端子N−側の電圧をV01=+20V(=−150V+170V)に、端子N+側の電圧をV02=+320V(=+150V+170V)にしている。
The
電力制御装置20内部に電圧変換部22a(分配部24)を設ける一方、外部に直流電源40aを設けることで、既存の電力制御装置20を利用することが出来る。すなわち、対地電圧をプラスに制御可能なインバータを改めて準備しなくても、普通のインバータに、電圧変換部22a及び直流電圧のバイアス機器としての直流電源40aを付け加えることで、太陽電池モジュール6のマイナス側の対地電圧をプラスにすることが出来る。それにより、この場合にも、界面6aや14aにおける基板1の物質の拡散を抑えるという本発明の効果を得ることが出来る。
By providing the
図7は、本発明の太陽電池発電システムの実施の形態の更に他の構成を示す概略図である。太陽電池発電システムは、太陽電池パネルアレイ10、電力制御装置20及び直流電源40bを具備する。
FIG. 7 is a schematic view showing still another configuration of the embodiment of the solar cell power generation system of the present invention. The solar cell power generation system includes a solar
電力制御装置20の電圧変換部22bは、図3における分配部24を含んでいるが、直流電源40を含んでいない点で電圧変換部22と異なる。直流電圧の大きさは、[太陽電池パネルアレイ10の動作電圧]/((R1+R2)/R1)において、R2=9R1とし、[太陽電池パネルアレイ10の動作電圧=300V]/10=30Vより大きい直流電圧50Vを印加することで、端子N−側の電圧をV01=+20V(=−30V+50V)に、端子N+側の電圧をV02=+320V(=+270V+50V)にしている。
The
電力制御装置20内部に電圧変換部22b(分配部24)を設ける一方、外部に直流電源40bを設けることで、既存の電力制御装置20を利用することが出来る。すなわち、対地電圧をプラスに制御可能なインバータを改めて準備しなくても、普通のインバータに、電圧変換部22b及び直流電圧のバイアス機器としての直流電源40bを付け加えることで、太陽電池モジュール6のマイナス側の対地電圧をプラスにすることが出来る。それにより、この場合にも、界面6aや14aにおける基板1の物質の拡散を抑えるという本発明の効果を得ることが出来る。
By providing the
なお、図7の分配部24及び直流電源40bは、図3の分配部24及び直流電源40としても用いることが出来る。その場合でも、同様の効果を得ることができる。
7 can also be used as the
本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変形又は変更され得ることは明らかである。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is apparent that each embodiment can be appropriately modified or changed within the scope of the technical idea of the present invention.
1、101 基板
2、102 保護膜
3、103 防水シート
4、104 金属枠
5、105 接合層
6、106 太陽電池モジュール
6a、106a 界面
7、107 透明導電層
8、108 光電変換層
9、109 裏面電極層
10、110 太陽電池パネルアレイ
10a、110a 太陽電池パネル
10b、110b 構造体
14、114 周囲領域
14a、114a 界面
20、120 電力制御装置
21 電力制御部
22、22a、22b 電圧変換部(電圧分配部)
24 分配部
25、26 配線
30、130 商用電力系統
40、40a 直流電源(電圧源)
42 チョッパ回路
43 インバータ回路
44 出力フィルタ
45 絶縁トランス
46 チョッパ制御回路
47 インバータ制御回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 Substrate 2,102 Protective film 3,103 Waterproof sheet 4,104 Metal frame 5,105 Bonding layer 6,106
24
42 Chopper circuit 43 Inverter circuit 44
Claims (6)
前記太陽電池パネルを含む複数の太陽電池パネルを有する太陽電池パネルアレイと、
前記太陽電池パネルの発電した第1電力を所望の第2電力に変換する絶縁トランス方式である電力制御装置と、
を具備した太陽電池システムの動作方法であって、
前記太陽電池パネルアレイのマイナス側端子の対地電圧を正の値に保つ太陽電池発電システムの動作方法。 A solar cell panel including a solar cell module provided on a substrate;
A solar cell array having a plurality of solar cell panels including the solar cell panel;
A power control device that is an insulating transformer system that converts the first power generated by the solar cell panel into desired second power;
A method for operating a solar cell system comprising:
A method of operating a solar cell power generation system that maintains a ground voltage at a negative terminal of the solar cell panel array at a positive value.
前記電圧変換部によって前記対地電圧を正の値にすると共に、前記電力制御部によって前記第1電力を前記第2電力に変換する請求項1又は2記載の太陽電池発電システムの動作方法。 The power control device includes a power control unit, and a voltage conversion unit provided between the solar cell panel array and the power control unit,
The operation method of the solar cell power generation system according to claim 1 or 2, wherein the ground voltage is set to a positive value by the voltage conversion unit, and the first power is converted to the second power by the power control unit.
前記電圧源によって直流電圧を発生させ、前記電圧分配部によって該直流電圧を用いて前記対地電圧を正の値に保つ請求項3記載の太陽電池発電システムの動作方法。 The voltage conversion unit includes a voltage source and a voltage distribution unit,
The operation method of the solar cell power generation system according to claim 3, wherein a DC voltage is generated by the voltage source, and the ground voltage is maintained at a positive value using the DC voltage by the voltage distribution unit.
前記電圧変換部は、電圧分配部を備え、
前記電圧分配部によって前記電圧源から発生した前記直流電圧を用いて前記対地電圧を正の値に保つ請求項3記載の太陽電池発電システムの動作方法。 The solar cell system further includes a voltage source that generates a DC voltage,
The voltage conversion unit includes a voltage distribution unit,
The operation method of the solar cell power generation system according to claim 3, wherein the ground voltage is maintained at a positive value by using the DC voltage generated from the voltage source by the voltage distribution unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029232A JP5260690B2 (en) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Operation method of solar cell power generation system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029232A JP5260690B2 (en) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Operation method of solar cell power generation system |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006224295A Division JP4875435B2 (en) | 2006-08-21 | 2006-08-21 | Solar cell power generation system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011103497A true JP2011103497A (en) | 2011-05-26 |
JP5260690B2 JP5260690B2 (en) | 2013-08-14 |
Family
ID=44193671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029232A Active JP5260690B2 (en) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Operation method of solar cell power generation system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5260690B2 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11252803A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Canon Inc | Photovoltaic power generator |
JP2003158282A (en) * | 2001-08-30 | 2003-05-30 | Canon Inc | Solar photovoltaic power-generation system |
JP2004006702A (en) * | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Canon Inc | Solar cell module placement structure, solar cell module array, and solar energy power generation system |
JP4875435B2 (en) * | 2006-08-21 | 2012-02-15 | 三菱重工業株式会社 | Solar cell power generation system |
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011029232A patent/JP5260690B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11252803A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Canon Inc | Photovoltaic power generator |
JP2003158282A (en) * | 2001-08-30 | 2003-05-30 | Canon Inc | Solar photovoltaic power-generation system |
JP2004006702A (en) * | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Canon Inc | Solar cell module placement structure, solar cell module array, and solar energy power generation system |
JP4875435B2 (en) * | 2006-08-21 | 2012-02-15 | 三菱重工業株式会社 | Solar cell power generation system |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6010070983; D. E. Carlson et al.: 'Corrosion Effects in Thin-Film Photovoltaic Modules' Prog. Photovolt.: Res. Appl. vol.11, 2003, pp.377-386 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5260690B2 (en) | 2013-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4875435B2 (en) | Solar cell power generation system | |
US20210249867A1 (en) | Photovoltaic Module | |
US6703555B2 (en) | Solar cell string, solar cell array and solar photovoltaic power system | |
CN110729366B (en) | High-voltage solar module | |
US9397610B2 (en) | Photovoltaic module and control method thereof | |
US20140060610A1 (en) | Smart photovoltaic cells and modules | |
JP2013004566A (en) | Solar cell generator | |
US20110308563A1 (en) | Flexible photovoltaic modules in a continuous roll | |
EP3297117B1 (en) | Distributed power system including a solar array, a dc-dc converter, and an inverter | |
WO2009107584A1 (en) | Photovoltaic power system | |
US20190312437A1 (en) | Photovoltaic module | |
JP2015119634A (en) | Photovoltaic device and method for manufacturing the same | |
WO2012075482A2 (en) | Method and apparatus for applying an electric field to a photovoltaic element | |
US20140182651A1 (en) | Integrated junction insulation for photovoltaic module | |
JP5260690B2 (en) | Operation method of solar cell power generation system | |
US10965211B2 (en) | Conversion device and hybrid power supply system | |
US20140246074A1 (en) | Solar module with ribbon cable, and a method for the manufacture of same | |
TWI664803B (en) | Solar power generation system and converter | |
KR101959302B1 (en) | Photovoltaic module, and photovoltaic system | |
KR20130137926A (en) | Photovoltaic module | |
JP7281384B2 (en) | junction box | |
Zhang et al. | A potential induced degradation suppression method for photovoltaic systems | |
CN102956650A (en) | Novel laminated thin-film solar battery | |
KR101066850B1 (en) | Photovoltaic module and method for manufacturing thereof | |
JP2005197424A (en) | Solar cell module installation structure and method for mounting the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130425 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5260690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |