JP2011099847A - Pressure sensor element and sheet-like pressure sensor - Google Patents

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Masahiro Shimizu
正裕 清水
Shigekazu Komatsu
茂和 小松
Muneo Harada
宗生 原田
Shusuke Okuzaki
秀典 奥崎
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Tokyo Electron Ltd
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/14Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
    • G01L1/142Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cheap and compact pressure sensor element which can be densely-arranged and also arranged even on a curved surface. <P>SOLUTION: A pressure sensor element 10, comprising a mixture of silicone-containing elastomer and ionic liquid, includes its element body 11 the electric property of which varies by impressed pressure, and electrodes 12, 13 prepared on the element body 11 to retrieve variation in its electric property. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、圧力センサ素子およびシート状圧力センサに関する。   The present invention relates to a pressure sensor element and a sheet-like pressure sensor.

半導体素子の製造においては、半導体ウエハに素子を形成し、ダイシングにより個々の素子に分離する前にプローブ装置により素子の電気的特性の検査を行っている。   In the manufacture of semiconductor elements, elements are formed on a semiconductor wafer, and electrical characteristics of the elements are inspected by a probe device before being separated into individual elements by dicing.

従来のプローブ装置においては、プローブ装置におけるプローブまたは接触子の圧力を部分的に測定し、その情報を用いて半導体ウエハの全面に亘って比較的均一な圧力分布を実現している(例えば特許文献1)。   In the conventional probe device, the pressure of the probe or the contact in the probe device is partially measured, and the information is used to realize a relatively uniform pressure distribution over the entire surface of the semiconductor wafer (for example, patent document). 1).

また、シリコンチップの積層やシリコンチップとインターポーザー等の接合を行う貼り合わせ装置においては、種々の材料を所定の圧力をかけた状態で加熱してウエハに貼り付ける(例えば特許文献2)。   Further, in a bonding apparatus that performs stacking of silicon chips and bonding between silicon chips and an interposer, various materials are heated and applied to a wafer under a predetermined pressure (for example, Patent Document 2).

さらに、半導体製造装置においては、プロセス条件の把握等に、ガス配管やチャンバ内曲面等における圧力測定が求められている。   Furthermore, in semiconductor manufacturing apparatuses, pressure measurement on gas piping, curved surfaces in a chamber, and the like is required for grasping process conditions.

特開2000−155128号公報JP 2000-155128 A 特開2005−051055号公報JP 2005-010555 A

ところで、半導体ウエハは、生産性向上の観点から大口径化が進み、直径450mmのものが検討されているが、このような大口径の半導体ウエハでは、プローブ装置において従来のような部分的な圧力測定を行っても、プローブや接触子の必要な圧力またはその均一性を実現することが困難である。   By the way, semiconductor wafers have been increased in diameter from the viewpoint of improving productivity, and those having a diameter of 450 mm have been studied. In such a large-diameter semiconductor wafer, a partial pressure as in the conventional case is used in the probe apparatus. Even if measurement is performed, it is difficult to achieve the required pressure of the probe or contactor or the uniformity thereof.

また、貼り合わせ装置においては、異種材料を加熱して貼り付ける際に生じる熱膨張率差による応力を考慮した圧力制御を行う必要があり、従来の圧力センサでは十分な圧力制御を行えないとう問題がある。   Also, in the laminating apparatus, it is necessary to perform pressure control in consideration of stress due to the difference in thermal expansion coefficient that occurs when different types of materials are heated and pasted, and there is a problem that conventional pressure sensors cannot perform sufficient pressure control. is there.

これらの問題を解決するためには、ウエハ全面に亘って高密度に配置することができ、全面の圧力または圧力分布を高精度で測定できる圧力センサが必要であるが、従来の圧力センサは大きく、ウエハの全面に亘って高密度に配置することができず、ウエハ全面の圧力分布を高精度で測定することができないという問題がある。また、従来の圧力センサは高価である。   In order to solve these problems, a pressure sensor that can be arranged at high density over the entire surface of the wafer and can measure the pressure or pressure distribution on the entire surface with high accuracy is required. There is a problem that the wafer cannot be arranged with high density over the entire surface of the wafer, and the pressure distribution over the entire surface of the wafer cannot be measured with high accuracy. Moreover, the conventional pressure sensor is expensive.

また、従来の圧力センサは大型なものであるのみならず、剛体基板上に搭載されているため、チャンバの曲面や配管に設置することはできない。   Moreover, since the conventional pressure sensor is not only large, but is mounted on a rigid substrate, it cannot be installed on the curved surface of a chamber or piping.

本発明は、小型で高密度配置が可能であり曲面にも配置することができ、かつ安価な圧力センサ素子を提供しようとするものである。
また、本発明は、大面積の圧力または圧力分布を高精度で測定することができる圧力センサシートを提供しようとするものである。
The present invention is intended to provide a pressure sensor element that is small, can be arranged at high density, can be arranged on a curved surface, and is inexpensive.
Another object of the present invention is to provide a pressure sensor sheet capable of measuring a large area pressure or pressure distribution with high accuracy.

本発明の第1の観点は、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなり、圧力を印加することにより電気特性が変化する素子本体と、前記素子本体に設けられ、前記素子本体の電気特性の変化を取り出す電極とを有することを特徴とする圧力センサ素子を提供する。   According to a first aspect of the present invention, there is provided an element body made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, the electric characteristics of which are changed by applying pressure, and the electric characteristics of the element body. There is provided a pressure sensor element comprising an electrode for taking out the change in the pressure sensor element.

本発明の第2の観点は、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなり、圧力を印加することにより電気特性が変化する素子本体と、前記素子本体に設けられ、前記素子本体の電気特性の変化を取り出す電極とを有する圧力センサ素子を、扁平状の容器内に平面状に複数配置してなることを特徴とするシート状圧力センサを提供する。   A second aspect of the present invention is an element body made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, the electric characteristics of which changes by applying pressure, and the electric characteristics of the element body. There is provided a sheet-like pressure sensor comprising a plurality of pressure sensor elements each having an electrode for taking out the change in a flat shape in a flat container.

本発明の圧力センサ素子によれば、素子本体がシリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなる有機材料であるため、圧力印加による変形が大きく、広い圧力範囲でリニアに電気特性が変化するから、広い圧力範囲で高精度に圧力を検出することができる。また、本発明の圧力センサ素子は原理的に素子本体が小さくても圧力検出を行うことができ、素子本体に電極を形成した簡単な構成であるから小型化することができる。このため、高密度配置することができ、これにより大面積の圧力または圧力分布を高精度で測定することができる。また、素子本体がシリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなるので、安価である。さらに、小型であり、素子本体および電極を有する圧力センサ素子が可撓性を有するため、チャンバの曲面や配管等に設置することができる。   According to the pressure sensor element of the present invention, since the element body is an organic material made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, deformation due to pressure application is large, and the electrical characteristics change linearly over a wide pressure range. The pressure can be detected with high accuracy in a wide pressure range. Further, the pressure sensor element of the present invention can detect pressure even in principle even if the element body is small, and can be downsized because it has a simple configuration in which electrodes are formed on the element body. For this reason, it can arrange | position with high density and can measure the pressure or pressure distribution of a large area with high precision by this. Moreover, since the element body is made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, it is inexpensive. Furthermore, since the pressure sensor element which is small and has an element main body and an electrode has flexibility, it can be installed on a curved surface of a chamber, piping, or the like.

本発明のシート状圧力センサによれば、圧力センサ素子は小型で簡易な構造を有しているため、高密度配置可能であり、したがって、これを複数配置してなる本発明のシート状圧力センサは、ウエハのような大面積の測定対象に対する圧力または圧力分布の検出に極めて適したものとなる。   According to the sheet-like pressure sensor of the present invention, since the pressure sensor element has a small and simple structure, it can be arranged at a high density. Therefore, the sheet-like pressure sensor according to the present invention is formed by arranging a plurality of pressure sensor elements. Is extremely suitable for detecting pressure or pressure distribution on a large-area measuring object such as a wafer.

本発明の第1の実施形態に係る圧力センサ素子を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the pressure sensor element which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る圧力センサ素子に対し、圧力印加しない状態から圧力を印加した際の変化の様子を説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the mode of a change when a pressure is applied with respect to the pressure sensor element which concerns on the 1st Embodiment of this invention from the state which does not apply a pressure. 本発明の第2の実施形態に係るシート状圧力センサを示す平面図である。It is a top view which shows the sheet-like pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るシート状圧力センサの一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of sheet-like pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 上記第2の実施形態のシート状圧力センサを搭載したプローブ装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the probe apparatus carrying the sheet-like pressure sensor of the said 2nd Embodiment. 上記第2の実施形態のシート状圧力センサを搭載した貼り合わせ装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the bonding apparatus carrying the sheet-like pressure sensor of the said 2nd Embodiment. 上記第1の実施形態の圧力センサ素子を上に凸面に設けた状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state which provided the pressure sensor element of the said 1st Embodiment in the convex surface upward. 上記第1の実施形態の圧力センサ素子を凹面に設けた例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example which provided the pressure sensor element of the said 1st Embodiment in the concave surface.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

<第1の実施形態>
図1は本発明の第1の実施形態に係る圧力センサ素子を示す概略断面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a pressure sensor element according to the first embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施形態に係る圧力センサ素子10は、電気駆動型ポリマーである、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなる素子本体11と、その両側に設けられた電極12および13とを有している。この圧力センサ素子10は弾性を有する材料、例えばポリイミド等の樹脂からなる容器14に収容されており、圧力センサ素子10の下面は容器14に接着されている。容器14は、例えば、Al、Cu等の金属または可撓性を有する材料からなる固定板15に固定されている。電極12および13からは計測配線16が延びており、計測配線16はセンサアンプ17に接続されている。そして、素子本体11に一方向、例えば上方から圧力が加えられると、素子本体11が変形し、その変形により電気特性が変化するが、この電気特性の信号が電極12および13から計測配線16に取り出され、センサアンプ17により増幅されて出力される。また、素子本体11は圧力が解除されると元の形状に戻る。   As shown in FIG. 1, a pressure sensor element 10 according to the present embodiment includes an element body 11 made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, which is an electrically driven polymer, and electrodes 12 provided on both sides thereof. And 13. The pressure sensor element 10 is accommodated in a container 14 made of an elastic material, for example, a resin such as polyimide, and the lower surface of the pressure sensor element 10 is bonded to the container 14. The container 14 is fixed to a fixing plate 15 made of a metal such as Al or Cu or a flexible material, for example. A measurement wiring 16 extends from the electrodes 12 and 13, and the measurement wiring 16 is connected to a sensor amplifier 17. When pressure is applied to the element body 11 from one direction, for example, from above, the element body 11 is deformed, and the electrical characteristics change due to the deformation. A signal of the electrical characteristics is transmitted from the electrodes 12 and 13 to the measurement wiring 16. It is taken out, amplified by the sensor amplifier 17 and output. The element body 11 returns to its original shape when the pressure is released.

素子本体11を構成するシリコーンを含むエラストマーとしては、DVPDMS(α,ω-divinyl-polydimethylsiloxane)とPMHS(poly methyl hydrogen siloxane)とを架橋反応させることにより生成されるポリジメチルシロキサン(polydimethylsiloxane)を用いることができる。   As the elastomer containing silicone constituting the element body 11, polydimethylsiloxane produced by cross-linking reaction of DVPDMS (α, ω-divinyl-polydimethylsiloxane) and PMHS (polymethyl hydrogen siloxane) is used. Can do.

また、イオン液体としては、イミダゾリウム塩、ピペリジニウム塩、ピリジニウム化合物、ピロリジニウム塩等を用いることができる。好ましくは、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラート([EMI][BF4]:1-Ethyl-3-methylimidazolium Tetrafluoroborate)、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラート([BMI][BF4]:1-Butyl-3-methylimidazolium Tetrafluoroborate)、1−へキシル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラート([HMI][BF4]:1-Hexyl-3-methylimidazolium Tetrafluoroborate)、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム2−(2−メトキシエトキシ)−エチルスルファート([EMI][MEES]:1-Ethyl-3-methylimidazolium 2-(2-methoxyethoxy)ethyl sulfate)、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスフォニル)イミド([EMI][TFSI]:1-Ethyl-3-methylimidazolium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、1−ブチル−1−メチルピロリジニウムビス(トリフルオロメタンスフォニル)イミド([BMP][TFSI]:1-Butyl-1-methylpyrrolidinium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)が挙げられる。   As the ionic liquid, an imidazolium salt, a piperidinium salt, a pyridinium compound, a pyrrolidinium salt, or the like can be used. Preferably, 1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ([EMI] [BF4]: 1-Ethyl-3-methylimidazolium Tetrafluoroborate), 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ([BMI ] [BF4]: 1-Butyl-3-methylimidazolium Tetrafluoroborate), 1-Hexyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ([HMI] [BF4]: 1-Hexyl-3-methylimidazolium Tetrafluoroborate), 1-ethyl -3-methylimidazolium 2- (2-methoxyethoxy) -ethyl sulfate ([EMI] [MEES]: 1-ethyl-3-methylimidazolium 2- (2-methoxyethoxy) ethyl sulfate), 1-ethyl-3- Methylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide ([EMI] [TFSI]: 1-Ethyl-3-methylimidazolium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide 1-butyl-1-methyl-pyrrolidinium bis (trifluoromethane) imide ([BMP] [TFSI]: 1-Butyl-1-methylpyrrolidinium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide) and the like.

また、上記以外に用いることが可能なイオン液体としては、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Cyclohexyltrimethylammonium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、メチルトリ-n-オクチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Methyltri-n-octylammonium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、テトラブチルアンモニウムブロミド(Tetrabutylammonium Bromide)、テトラブチルアンモニウムクロリド(Tetrabutylammonium Chloride)、テトラブチルホスホニウムブロミド(Tetrabutylphosphonium Bromide)、トリブチル(2-メトキシエチル)ホスホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Tributyl(2-methoxyethyl)phosphonium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、トリエチルスルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Triethylsulfonium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、1,3-ジメチルイミダゾリウムクロリド(1,3-Dimethylimidazolium Chloride)、1,3-ジメチルイミダゾリウムジメチルホスファート(1,3-DimethylimidazoliumDimethyl Phosphate)、1-ブチル-2,3-ジメチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、1-ブチル-2,3-ジメチルイミダゾリウムクロリド(1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Chloride)、1-ブチル-2,3-ジメチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスファート(1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Hexafluorophosphate)、1-ブチル-2,3-ジメチルイミダゾリウムポリエチレングリコールヘキサデシルエーテルスルファート被覆リパーゼ(1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Polyethylene Glycol Hexadecyl Ether Sulfate coated Lipase)、1-ブチル-2,3-ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボラート(1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Tetrafluoroborate)、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(1-Butyl-3-methylimidazolium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムブロミド(1-Butyl-3-methylimidazolium Bromide)、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムクロリド(1-Butyl-3-methylimidazolium Chloride)、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスファート(1-Butyl-3-methylimidazolium Hexafluorophosphate)、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムヨージド(1-Butyl-3-methylimidazolium Iodide)、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムテトラクロロフェラート(1-Butyl-3-methylimidazolium Tetrachloroferrate)、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホナート(1-Butyl-3-methylimidazolium Trifluoromethanesulfonate)、1-エチル-2,3-ジメチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(1-Ethyl-2,3-dimethylimidazolium Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムブロミド(1-Ethyl-3-methylimidazolium Bromide)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムクロリド(1-Ethyl-3-methylimidazolium Chloride)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムジシアナミド(1-Ethyl-3-methylimidazolium Dicyanamide)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムエチルスルファート(1-Ethyl-3-methylimidazolium Ethyl Sulfate)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスファート(1-Ethyl-3-methylimidazolium Hexafluorophosphate)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウム硫酸水素塩(1-Ethyl-3-methylimidazolium Hydrogen Sulfate)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムヨージド(1-Ethyl-3-methylimidazolium Iodide)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムメタンスルホン酸塩(1-Ethyl-3-methylimidazolium Methanesulfonate)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムテトラクロロフェラート(1-Ethyl-3-methylimidazolium Tetrachloroferrate)、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホナート(1-Ethyl-3-methylimidazolium Trifluoromethanesulfonate)、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムブロミド(1-Hexyl-3-methylimidazolium Bromide)、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムクロリド(1-Hexyl-3-methylimidazolium Chloride)、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスファート(1-Hexyl-3-methylimidazolium Hexafluorophosphate)、1-メチル-3-n-オクチルイミダゾリウムブロミド(1-Methyl-3-n-octylimidazolium Bromide)、1-メチル-3-n-オクチルイミダゾリウムクロリド(1-Methyl-3-n-octylimidazolium Chloride)、1-メチル-3-n-オクチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスファート(1-Methyl-3-n-octylimidazolium Hexafluorophosphate)、1-メチル-3-プロピルイミダゾリウムヨージド(1-Methyl-3-propylimidazolium Iodide)、1-ブチル-1-メチルピペリジニウムブロミド(1-Butyl-1-methylpiperidinium Bromide)、1-ブチル-3-メチルピリジニウムブロミド(1-Butyl-3-methylpyridinium Bromide)、1-ブチル-4-メチルピリジニウムブロミド(1-Butyl-4-methylpyridinium Bromide)、1-ブチル-4-メチルピリジニウムクロリド(1-Butyl-4-methylpyridinium Chloride)、1-ブチル-4-メチルピリジニウムヘキサフルオロホスファート(1-Butyl-4-methylpyridinium Hexafluorophosphate)、1-ブチルピリジニウムブロミド(1-Butylpyridinium Bromide)、1-ブチルピリジニウムクロリド(1-Butylpyridinium Chloride)、1-ブチルピリジニウムヘキサフルオロホスファート(1-Butylpyridinium Hexafluorophosphate)、1-エチル-3-(ヒドロキシメチル)ピリジニウムエチルスルファート(1-Ethyl-3-(hydroxymethyl)pyridinium Ethyl Sulfate)、1-エチル-3-メチルピリジニウムエチルスルファート(1-Ethyl-3-methylpyridinium Ethyl Sulfate)、1-エチルピリジニウムブロミド(1-Ethylpyridinium Bromide)、1-エチルピリジニウムクロリド(1-Ethylpyridinium Chloride)、1-ブチル-1-メチルピロリジニウムブロミド(1-Butyl-1-methylpyrrolidinium Bromide)、1-ブチル-1-メチルピロリジニウムクロリド(1-Butyl-1-methylpyrrolidinium Chloride)等が挙げられる。   Other ionic liquids that can be used include cyclohexyltrimethylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, methyltri-n-octylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide (Methyltri-sulfonyl) imide. n-octylammonium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide), Tetrabutylammonium Bromide, Tetrabutylammonium Chloride, Tetrabutylphosphonium Bromide, Tributyl (2-methoxyethyl) phosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) ) Imide (Tributyl (2-methoxyethyl) phosphonium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide), triethylsulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide (Triethyls) ulfonium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide), 1,3-dimethylimidazolium chloride (1,3-Dimethylimidazolium Chloride), 1,3-dimethylimidazolium dimethyl phosphate (1,3-Dimethylimidazolium Dimethyl Phosphate), 1-butyl-2, 3-dimethylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide (1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium bisimide), 1-butyl-2,3-dimethylimidazolium chloride (1-Butyl-2,3- Dimethylimidazolium Chloride), 1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium hexafluorophosphate, 1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium polyethylene glycol hexadecyl ether sulfate Coated lipase (1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Polyethylene Glycol Hexadecyl Ether Sulfate coated Lipase), 1-Butyl-2,3-dimethylimidazole 1-Butyl-2,3-dimethylimidazolium Tetrafluoroborate, 1-Butyl-3-methylimidazolium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 1 1-Butyl-3-methylimidazolium Bromide, 1-Butyl-3-methylimidazolium Chloride, 1-Butyl-3-methylimidazolium Chloride Hexafluorophosphate (1-Butyl-3-methylimidazolium Hexafluorophosphate), 1-butyl-3-methylimidazolium iodide (1-Butyl-3-methylimidazolium Iodide), 1-butyl-3-methylimidazolium tetrachloroferrate (1-Butyl-3-methylimidazolium Tetrachloroferrate), 1-Butyl-3-methylimidazolium Trifluoromethanesulfonate, 1-Ethyl-2,3-dimethylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide (1-Ethyl-2,3-dimethylimidazolium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide), 1-ethyl-3-methylimidazolium bromide (1-Ethyl- 3-methylimidazolium Bromide), 1-Ethyl-3-methylimidazolium Chloride, 1-Ethyl-3-methylimidazolium Dicyanamide, 1 1-Ethyl-3-methylimidazolium Ethyl Sulfate, 1-Ethyl-3-methylimidazolium Hexafluorophosphate, 1-Ethyl-3-methylimidazolium Hexafluorophosphate 3-Ethyl-3-methylimidazolium Hydrogen Sulfate, 1-Ethyl-3-methylimidazolium Iodide, 1-Ethyl-3-methyl 1-Ethyl-3-methylimidazolium Methanesulfonate, 1-Ethyl-3-methylimidazolium Tetrachloroferrate, 1-ethyl-3-methylimidazo 1-Ethyl-3-methylimidazolium Trifluoromethanesulfonate, 1-hexyl-3-methylimidazolium bromide, 1-hexyl-3-methylimidazolium chloride (1- Hexyl-3-methylimidazolium Chloride), 1-Hexyl-3-methylimidazolium Hexafluorophosphate, 1-Methyl-3-n-octylimidazolium bromide (1-Methyl-3 -n-octylimidazolium bromide), 1-methyl-3-n-octylimidazolium chloride, 1-methyl-3-n-octylimidazolium chloride 1-Methyl-3-n-octylimidazolium Hexafluorophosphate, 1-Methyl-3-propylimidazolium Iodide, 1-butyl-1-methylpiperidinium Bromide (1-Butyl-1-methylpiperidinium Bromide), 1-Butyl-3-methylpyridinium Bromide, 1-Butyl-4-methylpyridinium Bromide ), 1-Butyl-4-methylpyridinium Chloride, 1-Butyl-4-methylpyridinium Hexafluorophosphate, 1-Butylpyridinium bromide (1-Butylpyridinium Bromide), 1-Butylpyridinium Chloride, 1-Butylpyridinium Hexafluorophosphate 1-ethyl-3- (hydroxymethyl) pyridinium ethyl sulfate (1-Ethyl-3- (hydroxymethyl) pyridinium Ethyl Sulfate), 1-ethyl-3-methylpyridinium ethyl sulfate (1-Ethyl-3-methylpyridinium Ethyl Sulfate) Sulfate), 1-Ethylpyridinium Bromide, 1-Ethylpyridinium Chloride, 1-Butyl-1-methylpyrrolidinium Bromide, 1 -Butyl-1-methylpyrrolidinium chloride and the like.

この素子本体11の製造方法としては、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体とを例えばイオン液体が40重量%になるように混合し混合液を生成し、この混合液を、所望の形状の型に流し込み、真空脱気を行い、例えば150℃で30分の加熱処理を行った後、型を取り除く方法が例示される。   As a method of manufacturing the element body 11, an elastomer containing silicone and an ionic liquid are mixed so that the ionic liquid is 40% by weight, for example, to generate a mixed liquid, and the mixed liquid is poured into a mold having a desired shape. An example is a method of removing the mold after vacuum degassing, for example, heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes.

電極12および13は、素子本体11の変形に追従可能な柔軟な材料であることが好ましく、例えば金のスパッタリングにより形成することができる。また、金以外の材料としては、Al、Cu、Pt、カーボンナノチューブ、PEDOT/PSS等の導電性高分子、銀グリース等を好適に用いることができる。   The electrodes 12 and 13 are preferably made of a flexible material capable of following the deformation of the element body 11, and can be formed by, for example, gold sputtering. As materials other than gold, Al, Cu, Pt, carbon nanotubes, conductive polymers such as PEDOT / PSS, silver grease, and the like can be suitably used.

次に、このように構成される圧力センサ素子10の動作について説明する。
まず、図2(a)に示すように、何も圧力を印加しない状態でセンサアンプ17からの出力をとる。このとき、素子本体11においては、シリコーンを含むエラストマーにイオン液体が均一に分散している。
Next, the operation of the pressure sensor element 10 configured as described above will be described.
First, as shown in FIG. 2A, the output from the sensor amplifier 17 is taken with no pressure applied. At this time, in the element body 11, the ionic liquid is uniformly dispersed in the elastomer containing silicone.

次に、図2(b)に示すように、素子本体11の上方から、圧力子18により絶縁膜14および電極12を介して圧力を印加する。このとき、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなる素子本体11は印加された圧力により変形し、イオン液体に分極等が生じてその構造が変化する。そして、このような構造の変化にともなって素子本体11の誘電率が変化し、これにより素子本体11全体の容量等の電気特性が変化し、その容量等の電気特性の変化を検出することにより、印加した圧力を検出することができる。   Next, as shown in FIG. 2B, pressure is applied from above the element body 11 by the pressure element 18 through the insulating film 14 and the electrode 12. At this time, the element main body 11 made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid is deformed by the applied pressure, and the structure of the ionic liquid changes due to polarization or the like. The dielectric constant of the element body 11 changes with such a change in structure, thereby changing the electrical characteristics such as the capacitance of the entire element body 11 and detecting the change in the electrical characteristics such as the capacitance. The applied pressure can be detected.

本実施形態の圧力センサ素子10は、素子本体11が有機材料であるため、圧力印加による変形が大きく、広い圧力範囲でリニアに電気特性が変化するから、広い圧力範囲で高精度に圧力を検出することができる。また、圧力センサ素子10は原理的に素子本体11が小さくても圧力検出を行うことができ、素子本体11に電極12および13を形成した簡単な構成であるから小型化することができる。このため、高密度配置することができ、これにより大面積の圧力または圧力分布を高精度で測定することができる。また、素子本体11がシリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなるので、安価である。さらに、小型であり、素子本体11および電極12、13を有する圧力センサ素子10が可撓性を有するため、固定板15を曲面に対応可能な可撓性を有するものとすれば、チャンバの曲面や配管等に設置することができる。   In the pressure sensor element 10 of the present embodiment, since the element body 11 is made of an organic material, deformation due to pressure application is large, and the electrical characteristics change linearly over a wide pressure range, so pressure is detected with high accuracy over a wide pressure range. can do. In addition, the pressure sensor element 10 can detect pressure even if the element body 11 is small in principle, and can be downsized because of the simple configuration in which the electrodes 12 and 13 are formed on the element body 11. For this reason, it can arrange | position with high density and can measure the pressure or pressure distribution of a large area with high precision by this. Further, since the element body 11 is made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, it is inexpensive. Furthermore, since the pressure sensor element 10 which is small in size and has the element body 11 and the electrodes 12 and 13 has flexibility, the curved surface of the chamber can be obtained if the fixing plate 15 has flexibility to be able to cope with a curved surface. It can be installed in pipes.

<第2の実施形態>
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
本実施形態は、上記圧力センサ素子10を複数備えたシート状圧力センサについて示す。図3は本発明の第2の実施形態に係るシート状圧力センサを示す平面図、図4はその一部を示す断面図である。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
The present embodiment shows a sheet-like pressure sensor provided with a plurality of the pressure sensor elements 10. FIG. 3 is a plan view showing a sheet-like pressure sensor according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view showing a part thereof.

このシート状圧力センサ20は、弾性を有する材料、例えばポリイミド等の樹脂からなる扁平形状の容器21の中に、上記素子本体11の両面に電極12および13を形成した圧力センサ素子10を平面状に高密度に複数配し、これら圧力センサ素子10の下面を容器21の内面に貼り付け、この容器21を例えば、Al、Cu等の金属または可撓性材料からなる固定板23に固定して構成される。   The sheet-like pressure sensor 20 is formed by flattening a pressure sensor element 10 in which electrodes 12 and 13 are formed on both surfaces of the element body 11 in a flat container 21 made of an elastic material, for example, a resin such as polyimide. A plurality of these are arranged at a high density, and the lower surface of the pressure sensor element 10 is attached to the inner surface of the container 21. The container 21 is fixed to a fixing plate 23 made of a metal such as Al or Cu or a flexible material. Composed.

各圧力センサ素子10の電極12および13からは計測配線16が延びており、全ての圧力センサ素子10からの計測配線16がセンサアンプ31へと延び、センサアンプ31は演算回路32に接続されている。演算回路32には電源33から給電され、複数の圧力センサ素子10からの信号に基づいて、各圧力センサ素子10が受けた圧力を演算し、その演算結果を表示器34に表示する。また、演算結果は、表示器34に表示すると同時に、または表示器34に表示することなく、制御対象に制御出力として出力する。   The measurement wiring 16 extends from the electrodes 12 and 13 of each pressure sensor element 10, the measurement wirings 16 from all the pressure sensor elements 10 extend to the sensor amplifier 31, and the sensor amplifier 31 is connected to the arithmetic circuit 32. Yes. The arithmetic circuit 32 is supplied with power from a power source 33, calculates the pressure received by each pressure sensor element 10 based on signals from the plurality of pressure sensor elements 10, and displays the calculation result on the display 34. The calculation result is output as a control output to the controlled object at the same time as it is displayed on the display 34 or without being displayed on the display 34.

上述したように圧力センサ素子10は小型で簡易な構造を有しているため、高密度配置可能であり、したがって、これを複数配置してなる本実施形態のシート状圧力センサ20は、ウエハのような大面積の測定対象に対する圧力または圧力分布の検出に極めて適したものとなる。   As described above, since the pressure sensor element 10 has a small and simple structure, the pressure sensor element 10 can be arranged at high density. This is extremely suitable for detecting the pressure or pressure distribution for such a large area measurement object.

<応用例>
以下、上記実施形態の圧力センサ素子、シート状圧力センサの応用例について説明する。
<Application example>
Hereinafter, application examples of the pressure sensor element and the sheet-like pressure sensor of the above embodiment will be described.

(プローブ装置への応用)
図5は、上記第2の実施形態のシート状圧力センサを搭載したプローブ装置の一例を示す断面図である。
プローブ装置40は、プローブカード41と、被検査体としてのウエハWを載置する載置台42とを有している。載置台42にはウエハWとほぼ同じ面積の上述した構造のシート状圧力センサ20が固定され、その上にウエハWが載置される。
(Application to probe equipment)
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a probe device equipped with the sheet-like pressure sensor of the second embodiment.
The probe device 40 has a probe card 41 and a mounting table 42 on which a wafer W as an object to be inspected is mounted. On the mounting table 42, the sheet-like pressure sensor 20 having the above-described structure having almost the same area as the wafer W is fixed, and the wafer W is mounted thereon.

プローブカード41は、全体が略円盤状に形成されている。プローブカード41は、検査時にウエハWの電極パッドUに接触する接触子(プローブ)90を下面で支持する支持基板51の上面側に設けられ、接触子90に検査用の電気信号を送る回路基板52とを有している。   The probe card 41 is formed in a substantially disk shape as a whole. The probe card 41 is provided on the upper surface side of the support substrate 51 that supports the contact (probe) 90 that contacts the electrode pad U of the wafer W at the time of inspection, and sends a test electrical signal to the contact 90. 52.

回路基板52は、略円盤状に形成され、図示しないテスタに電気的に接続されている。回路基板52の内部には、接触子90との間で検査用の電気信号を伝送するための電子回路が実装されている。テスタからの検査用の電気信号は、回路基板52の電子回路を介して接触子90に送受信される。回路基板52の下面には、接続端子52aが配置されている。   The circuit board 52 is formed in a substantially disk shape and is electrically connected to a tester (not shown). An electronic circuit for transmitting an electrical signal for inspection with the contact 90 is mounted inside the circuit board 52. An electrical signal for inspection from the tester is transmitted to and received from the contact 90 via the electronic circuit of the circuit board 52. A connection terminal 52 a is disposed on the lower surface of the circuit board 52.

回路基板52の上面側には、回路基板52を補強する補強部材53が設けられている。補強部材53は、回路基板52の上側に平行に配置された本体部53aと、本体部53aの外周部から下方に延び、回路基板52の外周部を固定する固定部53bを有し、固定部53bは、回路基板52の内側に突出するとともに、外側に延びており、固定部53bの外周部は、図示しないホルダに保持されている。   A reinforcing member 53 that reinforces the circuit board 52 is provided on the upper surface side of the circuit board 52. The reinforcing member 53 includes a main body portion 53a arranged in parallel to the upper side of the circuit board 52, and a fixing portion 53b that extends downward from the outer peripheral portion of the main body portion 53a and fixes the outer peripheral portion of the circuit board 52. 53b protrudes to the inside of the circuit board 52 and extends to the outside, and the outer peripheral portion of the fixed portion 53b is held by a holder (not shown).

回路基板52の上面には、連結部材54が回路基板52と平行に設けられている。連結部材54は、回路基板52よりも小径の略円盤状をなし、補強部材53の固定部53bの内側に設けられている。   A connecting member 54 is provided on the upper surface of the circuit board 52 in parallel with the circuit board 52. The connecting member 54 has a substantially disk shape smaller in diameter than the circuit board 52 and is provided inside the fixing portion 53 b of the reinforcing member 53.

連結部材54の外周部の下面には、支持板51と連結部材54とを連結し一体化するための連結体55が固定されている。連結体55は、鉛直方向に延び、支持板51の外周部の複数箇所、例えば4箇所に設けられている。   A connecting body 55 for connecting and integrating the support plate 51 and the connecting member 54 is fixed to the lower surface of the outer peripheral portion of the connecting member 54. The connecting body 55 extends in the vertical direction, and is provided at a plurality of locations, for example, 4 locations on the outer periphery of the support plate 51.

連結体55は、回路基板52を厚さ方向に貫通し、下端部が支持板51の外周部の外方位置まで到達しており、連結体55の下部に形成された2箇所設けられた突出部55aにより支持板51が保持されている。支持板51と連結部材54とは、これらの中央で回路基板52を貫通して延びるボルト56により固定されている。   The connecting body 55 penetrates the circuit board 52 in the thickness direction, the lower end reaches the outer position of the outer peripheral portion of the support plate 51, and two protrusions formed at the lower part of the connecting body 55. The support plate 51 is held by the portion 55a. The support plate 51 and the connecting member 54 are fixed by bolts 56 extending through the circuit board 52 at their centers.

連結部材54の上面には、接触子90と電極パッドUとの接触荷重を一定に維持する荷重調整部材としてのバネ部材60が設けられている。バネ部材60は例えば3つ、同一円周上に等間隔で配置されている。バネ部材60は、鉛直方向に伸縮するように配置されたバネ61と、バネ61を支持し、かつ鉛直方向に伸縮自在の支持部62とを有している。バネ部材60の上面は補強部材53の本体部53aに当接しており、接触子90と電極パッドUとの接触荷重を一定に維持することができるようになっている。   On the upper surface of the connecting member 54, a spring member 60 is provided as a load adjusting member that maintains a constant contact load between the contact 90 and the electrode pad U. For example, three spring members 60 are arranged at equal intervals on the same circumference. The spring member 60 includes a spring 61 disposed so as to expand and contract in the vertical direction, and a support portion 62 that supports the spring 61 and can expand and contract in the vertical direction. The upper surface of the spring member 60 is in contact with the main body 53a of the reinforcing member 53 so that the contact load between the contact 90 and the electrode pad U can be kept constant.

連結部材54の外周部には弾性部材としての板バネ64が設けられている。板バネ64の一端は連結部材54の外周部に固定され、他端は補強部材53の固定部53bに固定されており、円周方向に複数、例えば3個、好ましくは等間隔に配置されている。これら板バネ64により支持板51の水平方向の位置が固定される。   A plate spring 64 as an elastic member is provided on the outer peripheral portion of the connecting member 54. One end of the leaf spring 64 is fixed to the outer peripheral portion of the connecting member 54, and the other end is fixed to the fixing portion 53b of the reinforcing member 53, and a plurality of, for example, three, preferably equidistantly arranged in the circumferential direction. Yes. These plate springs 64 fix the horizontal position of the support plate 51.

支持板51は、載置台42と対向し、かつ回路基板52と平行になるように配置されている。支持板51は、略方盤状に形成されており、その上面には、複数の接続端子51aが設けられている。接続端子51aは、回路基板52の接続端子52aに対応するように配置されている。   The support plate 51 is disposed so as to face the mounting table 42 and be parallel to the circuit board 52. The support plate 51 is formed in a substantially disc shape, and a plurality of connection terminals 51a are provided on the upper surface thereof. The connection terminal 51 a is disposed so as to correspond to the connection terminal 52 a of the circuit board 52.

支持板51の接続端子51aと、接続端子51aに対応する回路基板52の接続端子52aとの間には、これらの間の電気的導通をとるための中間部材70が複数設けられている。複数の中間部材70は、支持板51の上面内において均一に配置されている。また、各中間部材70は、それぞれが独立して鉛直方向に伸縮するように形成されており、したがって、例えば接触子90と電極パッドUが異なる高さで接触した場合でも、これら中間部材70が接触子90と電極パッドとの接触荷重の面内分布を均一にするように作用する。   Between the connection terminal 51a of the support plate 51 and the connection terminal 52a of the circuit board 52 corresponding to the connection terminal 51a, a plurality of intermediate members 70 are provided for electrical connection therebetween. The plurality of intermediate members 70 are uniformly arranged in the upper surface of the support plate 51. Further, each intermediate member 70 is formed so as to expand and contract independently in the vertical direction. Therefore, even when, for example, the contact 90 and the electrode pad U contact at different heights, the intermediate member 70 It acts to make the in-plane distribution of the contact load between the contact 90 and the electrode pad uniform.

支持板51の下面には、上面の接続端子51aより狭いピッチで接触子90が設けられている。下面の接触子90は接続端子51aに対応して同数設けられ、対応する接続端子51aと接触子90とは支持板51の内部の配線により接続されている。すなわち、支持板51は、回路基板52の接続端子52aのピッチを変換するピッチ変換基板として機能する。   Contacts 90 are provided on the lower surface of the support plate 51 at a narrower pitch than the connection terminals 51a on the upper surface. The same number of contacts 90 on the lower surface are provided corresponding to the connection terminals 51 a, and the corresponding connection terminals 51 a and the contacts 90 are connected by wiring inside the support plate 51. That is, the support plate 51 functions as a pitch conversion board that converts the pitch of the connection terminals 52 a of the circuit board 52.

載置台42は、XYZ移動機構43により水平方向および鉛直方向に移動自在に構成されており、駆動機構44によりXYZ移動機構43を駆動させることにより、シート状圧力センサ20を介して載置台42に載置されたウエハWを三次元移動して精密なアライメントを行えるようになっている。   The mounting table 42 is configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction by the XYZ moving mechanism 43. By driving the XYZ moving mechanism 43 by the driving mechanism 44, the mounting table 42 is moved to the mounting table 42 via the sheet-like pressure sensor 20. The mounted wafer W can be moved three-dimensionally to perform precise alignment.

シート状圧力センサ20は、図3に示すように、圧力センサ素子10が複数配列されているが、本例のようにプローブ装置40の接触子の圧力測定に適用する場合には、圧力センサ素子10を接触子90に対応するように設ける必要があり、2〜5mm角毎という極めて高密度に圧力センサ素子10を配置する必要がある。目標スペックは、測定圧力:20kgf/cm前後、動作温度:−40〜150℃、繰り返し再現性:±1%FSであり、圧力センサ素子10を用いたシート状圧力センサ20によって十分に達成できるものである。 As shown in FIG. 3, the sheet-like pressure sensor 20 has a plurality of pressure sensor elements 10 arranged. However, when applied to the pressure measurement of the contact of the probe device 40 as in this example, the pressure sensor element 10 10 need to be provided so as to correspond to the contact 90, and the pressure sensor elements 10 need to be arranged at a very high density of every 2 to 5 mm square. The target specifications are measurement pressure: around 20 kgf / cm 2 , operating temperature: −40 to 150 ° C., repeatability: ± 1% FS, which can be sufficiently achieved by the sheet-like pressure sensor 20 using the pressure sensor element 10. Is.

シート状圧力センサ20の複数の圧力センサ素子10から取り出された信号は計測配線140を経てセンサアンプ141で増幅され、増幅された信号が演算部142に送られ、そこで圧力値が計算され、ウエハW全面に印加された圧力および圧力分布が高精度で求められる。この圧力測定信号は装置全体を制御する制御部150に送られる。   Signals taken out from the plurality of pressure sensor elements 10 of the sheet-like pressure sensor 20 are amplified by the sensor amplifier 141 via the measurement wiring 140, and the amplified signal is sent to the calculation unit 142, where the pressure value is calculated and the wafer is calculated. The pressure applied to the entire surface of W and the pressure distribution are obtained with high accuracy. This pressure measurement signal is sent to the control unit 150 that controls the entire apparatus.

シート状圧力センサ20からの信号を受けた制御部150は、接触子90をウエハW上の電極パッドUに接触させた際におけるシート状圧力センサ20により検出した圧力値または圧力分布が所望の値から外れている場合に、圧力または圧力分布が所望の範囲になるように、例えば載置台42の高さを変更したり、異常な圧力が検出された場合には、その原因を取り除く、例えば支持板51が傾斜していたような場合には、その傾斜をなくすように制御する。   Upon receiving the signal from the sheet-like pressure sensor 20, the control unit 150 has a desired pressure value or pressure distribution detected by the sheet-like pressure sensor 20 when the contact 90 is brought into contact with the electrode pad U on the wafer W. For example, if the height of the mounting table 42 is changed or abnormal pressure is detected so that the pressure or the pressure distribution falls within a desired range, the cause is removed. When the plate 51 is inclined, the control is performed so as to eliminate the inclination.

このような構成のプローブ装置40によって実際にウエハWの電気特性を検査する際には、予めバネ部材60に初期荷重がかけられた状態で、まず、ウエハWが載置台42上に保持され、その後、載置台42が上昇し、ウエハWの各電極パッドUが接触子90に接触する。さらに電極パッドUが上昇すると、接触子90は、下から上方向に作用する力により鉛直方向に圧縮される。このとき発生荷重は接触子90によって吸収される。さらに電極パッドUを上昇させると、発生荷重は支持板51を介して中間部材70に伝達されるとともに、支持板51、連結体55および連結部材54を介してバネ部材60に伝達される。このときバネ部材60の付勢力によって、支持板51が接触子90側に押される。そして、ウエハが所定の接触荷重で接触子90に押しつけられた状態で、回路基板52から検査用の電気信号が中間部材70、支持体51の接続端子51a、および接触子90を順に通ってウエハW上の各電極パッドUに送られて、ウエハW上の回路の電気的特性が検査される。   When the electrical characteristics of the wafer W are actually inspected by the probe device 40 having such a configuration, the wafer W is first held on the mounting table 42 with an initial load applied to the spring member 60 in advance. Thereafter, the mounting table 42 is raised, and each electrode pad U of the wafer W comes into contact with the contact 90. When the electrode pad U is further raised, the contact 90 is compressed in the vertical direction by a force acting from below to above. At this time, the generated load is absorbed by the contact 90. When the electrode pad U is further raised, the generated load is transmitted to the intermediate member 70 via the support plate 51 and also transmitted to the spring member 60 via the support plate 51, the connecting body 55 and the connecting member 54. At this time, the support plate 51 is pushed toward the contact 90 by the biasing force of the spring member 60. Then, in a state where the wafer is pressed against the contact 90 with a predetermined contact load, an electrical signal for inspection passes from the circuit board 52 through the intermediate member 70, the connection terminal 51a of the support 51, and the contact 90 in order. It is sent to each electrode pad U on W, and the electrical characteristics of the circuit on wafer W are inspected.

このとき、支持板51に連結される連結部材54の上面にバネ部材60を設けたので、検査時に接触子90と電極パッドUが接触する際、原理的には、その接触荷重を所定荷重に維持することができる。   At this time, since the spring member 60 is provided on the upper surface of the connecting member 54 connected to the support plate 51, in principle, when the contact 90 and the electrode pad U contact at the time of inspection, the contact load is set to a predetermined load. Can be maintained.

(貼り合わせ装置への応用)
図6は、上記第2の実施形態のシート状圧力センサを搭載した貼り合わせ装置の一例を示す断面図である。
この貼合せ装置170は、中央部に配置された装置本体部161と、その側方に配置された、搬送途中のキャリア体202の上に液晶ワックスを供給する液晶ワックス供給機構162とを有している。
(Application to bonding equipment)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a laminating apparatus equipped with the sheet-like pressure sensor of the second embodiment.
The laminating apparatus 170 has an apparatus main body 161 arranged at the center, and a liquid crystal wax supply mechanism 162 that supplies liquid crystal wax onto the carrier body 202 that is in the middle of transportation. ing.

装置本体161は、ヘッドプレート171と図示しないベースプレートとを有しており、これらが互いに平行にかつ所定の位置関係を保つように図示しない筐体の上下に固定されるようになっている。ヘッドプレート171は矢印方向に開動して開閉可能となっている。   The apparatus main body 161 has a head plate 171 and a base plate (not shown), and these are fixed to the top and bottom of a casing (not shown) so as to be parallel to each other and maintain a predetermined positional relationship. The head plate 171 can be opened and closed by opening in the direction of the arrow.

ヘッドプレート171の下面には、フローティング機構173を介して貼合せ対象である薄板体201をその下面に保持するプレート状をなす第1の保持部材174がヘッドプレート171から浮いた状態で移動可能に設けられている。   On the lower surface of the head plate 171, a first holding member 174 having a plate shape for holding the thin plate body 201 to be bonded to the lower surface via the floating mechanism 173 is movable in a state of floating from the head plate 171. Is provided.

一方、ベースプレートの上にはXYZθ移動機構175を介して貼合せ対象であるキャリア体202をその上面に保持するプレート状をなす第2の保持部材176がXYZθ方向に移動可能に第1の保持部材174に対向するように設けられている。第2の保持部材176には、キャリア体202とほぼ同じ面積の上述した構造のシート状圧力センサ20が固定され、その上にキャリア体202が載置される。第2の保持部材176は、駆動機構172によりXYZθ移動機構175を駆動させることにより、シート状圧力センサ20を介して第2の保持部材176に保持されたキャリア体202を三次元移動して精密なアライメントを行えるようになっている。   On the other hand, on the base plate, a second holding member 176 having a plate shape for holding the carrier body 202 to be bonded to the upper surface via the XYZθ moving mechanism 175 is movable in the XYZθ direction. 174 is provided so as to face 174. On the second holding member 176, the sheet-like pressure sensor 20 having the above-described structure having substantially the same area as the carrier body 202 is fixed, and the carrier body 202 is placed thereon. The second holding member 176 drives the XYZθ moving mechanism 175 by the driving mechanism 172, thereby moving the carrier body 202 held by the second holding member 176 via the sheet-like pressure sensor 20 three-dimensionally and precisely. Can be aligned properly.

これにより第1の保持部材174に保持された薄板体201と第2の保持部材176に保持されたキャリア体202とはそれらの貼合せ面が対向するように配置されることとなる。   As a result, the thin plate body 201 held by the first holding member 174 and the carrier body 202 held by the second holding member 176 are arranged so that their bonding surfaces face each other.

第1の保持部材174には、薄板体201を保持する保持機構としての真空吸着機構177が設けられている。この真空吸着機構177は、第1の保持部材174の下面に複数形成された真空吸着溝177aと、これら真空吸着溝177aが接続され第1の保持部材174内に水平に延びる排気路177bと、排気路174bに接続された排気ライン177cとを有しており、図示しない真空ポンプを作動させて排気ライン177cを介して真空引きすることにより薄板体201が第1の保持部材174の下面に真空吸着される。薄板体201が100μm以下の極めて薄いものの場合、反り等が発生しやすいが、真空吸着溝177aを適切に設計することにより、このように薄いものでも高平面度で吸着することができる。   The first holding member 174 is provided with a vacuum suction mechanism 177 as a holding mechanism for holding the thin plate body 201. The vacuum suction mechanism 177 includes a plurality of vacuum suction grooves 177a formed on the lower surface of the first holding member 174, an exhaust passage 177b that is connected to the vacuum suction grooves 177a and extends horizontally into the first holding member 174, And an exhaust line 177c connected to the exhaust path 174b. By operating a vacuum pump (not shown) and evacuating through the exhaust line 177c, the thin plate member 201 is vacuumed on the lower surface of the first holding member 174. Adsorbed. When the thin plate member 201 is extremely thin with a thickness of 100 μm or less, warpage or the like is likely to occur. However, by designing the vacuum suction groove 177a appropriately, even such a thin plate can be sucked with high flatness.

第2の保持部材176にも、キャリア体202を保持する保持機構としての真空吸着機構178が設けられている。この真空吸着機構178は、第2の保持部材176の上面に複数形成された真空吸着溝178aと、これら真空吸着溝178aが接続され第2の保持部材176内に水平に延びる排気路178bと、排気路178bに接続された排気ライン178cとを有している。また、図示はしていないが、シート状圧力センサ20には、真空吸着溝178aに対応する位置に複数の真空吸着孔が形成されている。これにより、図示しない真空ポンプを作動させて排気ライン178cを介して真空引きすることによりキャリア体202が第2の保持部材176の上面にシート状圧力センサ20を介して真空吸着される。   The second holding member 176 is also provided with a vacuum suction mechanism 178 as a holding mechanism for holding the carrier body 202. The vacuum suction mechanism 178 includes a plurality of vacuum suction grooves 178a formed on the upper surface of the second holding member 176, an exhaust path 178b that is connected to the vacuum suction grooves 178a and extends horizontally into the second holding member 176, And an exhaust line 178c connected to the exhaust path 178b. Although not shown, the sheet-like pressure sensor 20 has a plurality of vacuum suction holes at positions corresponding to the vacuum suction grooves 178a. As a result, a vacuum pump (not shown) is operated to evacuate via the exhaust line 178 c, whereby the carrier body 202 is vacuum-adsorbed to the upper surface of the second holding member 176 via the sheet-like pressure sensor 20.

第2の保持部材176の中には、加熱手段としてのヒーター179が埋設されている。このヒーター179はヒーター電源180から給電されて発熱するようになっている。また、第2の保持部材176の中には、冷却手段として、冷却水のような冷却媒体を通流する冷媒流路181が設けられている。ヒーター179に給電することにより、その上面に保持されたキャリア体202が加熱され、キャリア体202の上に供給された接着剤としての液晶ワックス204が液状に維持される。また、冷媒流路281に冷却水等の冷却媒体が通流されることにより、キャリア体202の上に供給された液晶ワックスが固化される。   A heater 179 as a heating unit is embedded in the second holding member 176. The heater 179 is supplied with power from the heater power supply 180 and generates heat. In addition, in the second holding member 176, a refrigerant flow path 181 through which a cooling medium such as cooling water flows is provided as a cooling means. By supplying power to the heater 179, the carrier body 202 held on the upper surface is heated, and the liquid crystal wax 204 as an adhesive supplied on the carrier body 202 is maintained in a liquid state. In addition, when a cooling medium such as cooling water flows through the refrigerant flow path 281, the liquid crystal wax supplied onto the carrier body 202 is solidified.

ヘッドプレート171には、薄板体201の貼合せ面とキャリア体202の貼合せ面との平行度を調節する平行度調節機構としてのピエゾ機構182が設けられている。このピエゾ機構182は、ヘッドプレート171の中央に設けられた空間171aの中に設けられ、固定板171bによりヘッドプレート171に固定されている。ピエゾ機構182は、固定板171bに固定された支持体182aと、支持体182aの下面に支持された複数のピエゾ素子182bとを有しており、これらピエゾ素子182bの下端は第1の保持部材174の上面に固定されている。そしてピエゾ素子182bに所定の電圧を与えることによりこれらピエゾ素子182bに所望の変位を生じさせ、第1の保持部材174の傾きを調整して薄板体201の貼合せ面とキャリア体202の貼合せ面との平行度を調節する。   The head plate 171 is provided with a piezo mechanism 182 as a parallelism adjusting mechanism that adjusts the parallelism between the bonding surface of the thin plate body 201 and the bonding surface of the carrier body 202. The piezo mechanism 182 is provided in a space 171a provided in the center of the head plate 171, and is fixed to the head plate 171 by a fixing plate 171b. The piezo mechanism 182 includes a support body 182a fixed to the fixed plate 171b and a plurality of piezo elements 182b supported on the lower surface of the support body 182a. The lower end of the piezo elements 182b is a first holding member. It is fixed to the upper surface of 174. Then, by applying a predetermined voltage to the piezo elements 182b, a desired displacement is generated in the piezo elements 182b, and the inclination of the first holding member 174 is adjusted to bond the laminating surface of the thin plate body 201 and the carrier body 202. Adjust the parallelism with the surface.

なお、第1の保持部材174の側方および第2の保持部材176の側方には、それぞれキャリア体202の位置および薄板体201の位置を検出して位置合わせを行うための上部位置合わせ機構および下部位置合わせ機構(いずれも図示せず)が設けられている。   Note that, on the side of the first holding member 174 and the side of the second holding member 176, an upper alignment mechanism for detecting the position of the carrier body 202 and the position of the thin plate body 201, respectively, and performing alignment. And a lower alignment mechanism (both not shown) are provided.

液晶ワックス供給機構162は、液晶ワックスを搬送中のキャリア体202の上に供給するディスペンサー189と、ディスペンサー189に液晶ワックスを供給する液晶ワックス供給源190と、ディスペンサー189を水平方向に移動させる駆動機構191とを有している。そして、図示しない加熱手段により液晶ワックス供給源190からディスペンサー189に至るまでの間、液晶ワックスが液状になるようにされ、液状の液晶ワックスがディスペンサー189からキャリア体202の上に供給される。接着に用いる液晶ワックスは、溶融時にも結晶性を示すものであり、液相と固相との間での相変化がある温度で急激に生じる性質を有する。   The liquid crystal wax supply mechanism 162 includes a dispenser 189 that supplies the liquid crystal wax onto the carrier body 202 being conveyed, a liquid crystal wax supply source 190 that supplies the liquid crystal wax to the dispenser 189, and a drive mechanism that moves the dispenser 189 in the horizontal direction. 191. Then, the liquid crystal wax is changed to a liquid state from the liquid crystal wax supply source 190 to the dispenser 189 by a heating means (not shown), and the liquid liquid crystal wax is supplied onto the carrier body 202 from the dispenser 189. The liquid crystal wax used for bonding exhibits crystallinity even when melted, and has a property that abruptly occurs at a temperature at which there is a phase change between the liquid phase and the solid phase.

シート状圧力センサ20は、図3に示すように、圧力センサ素子10が複数配列されているが、本例のように貼り合わせ装置170の貼り合わせ圧力測定に適用する場合には、1cm角毎という高密度に圧力センサ素子10を配置する必要がある。目標スペックは、測定圧力:数百kgf/cm、動作温度:150〜260℃、繰り返し再現性:±1%FSであり、圧力センサ素子10を用いたシート状圧力センサ20によって十分に達成できるものである。 As shown in FIG. 3, the sheet-like pressure sensor 20 has a plurality of pressure sensor elements 10 arranged. However, when applied to the bonding pressure measurement of the bonding apparatus 170 as in this example, the sheet-shaped pressure sensor 20 has a 1 cm square. It is necessary to arrange the pressure sensor elements 10 at such a high density. The target specifications are measurement pressure: several hundred kgf / cm 2 , operating temperature: 150 to 260 ° C., repeatability: ± 1% FS, which can be sufficiently achieved by the sheet-like pressure sensor 20 using the pressure sensor element 10. Is.

シート状圧力センサ20の複数の圧力センサ素子10から取り出された信号は計測配線210を経てセンサアンプ211で増幅され、増幅された信号が演算部212に送られ、そこで圧力値が計算され、貼り合わせ時に印加された圧力および圧力分布が高精度で求められる。この圧力測定信号は装置全体を制御する制御部220に送られる。   Signals taken out from the plurality of pressure sensor elements 10 of the sheet-like pressure sensor 20 are amplified by the sensor amplifier 211 via the measurement wiring 210, and the amplified signals are sent to the calculation unit 212, where the pressure value is calculated and pasted. The pressure and pressure distribution applied at the time of alignment are obtained with high accuracy. This pressure measurement signal is sent to the controller 220 that controls the entire apparatus.

シート状圧力センサ20からの信号を受けた制御部220は、薄板体201とキャリア体202を貼り合わせる際においてシート状圧力センサ20により検出された貼り合わせ圧力または圧力分布が外れている場合に、圧力または圧力分布が所望の範囲になるように、駆動機構172により第2の保持部材176の高さを制御する。   The control unit 220 that has received a signal from the sheet-like pressure sensor 20 has a bonding pressure or pressure distribution detected by the sheet-like pressure sensor 20 when the thin plate body 201 and the carrier body 202 are stuck together. The height of the second holding member 176 is controlled by the drive mechanism 172 so that the pressure or the pressure distribution falls within a desired range.

次に、以上のような装置を用いた、薄板体201とキャリア体202との貼合せ動作について説明する。
図示しない搬送装置によりキャリア体202を貼り合わせ装置170に搬送し、まず、液晶ワックス供給機構162からキャリア体202上へ液晶ワックスを供給し、次いで液晶ワックス204が供給されたキャリア体を、第2の保持部材176の上に搬送し、真空吸着によりシート状圧力センサ20を介して第2の保持部材176の上面に保持させる。
Next, the laminating operation of the thin plate body 201 and the carrier body 202 using the above apparatus will be described.
The carrier body 202 is transported to the laminating apparatus 170 by a transport device (not shown). First, the liquid crystal wax is supplied onto the carrier body 202 from the liquid crystal wax supply mechanism 162, and then the carrier body to which the liquid crystal wax 204 is supplied And is held on the upper surface of the second holding member 176 via the sheet-like pressure sensor 20 by vacuum suction.

次に、図示しない搬送装置により薄板体201を、ヘッドプレート171を開いた状態の貼合せ装置170の第1の保持部材174に対応する位置に搬送し、その後ヘッドプレート171を閉じて第1の保持部材174の下面に薄板体201を吸着させる。   Next, the thin plate body 201 is transported to a position corresponding to the first holding member 174 of the laminating apparatus 170 with the head plate 171 opened by a transport device (not shown), and then the head plate 171 is closed to close the first plate 171. The thin plate body 201 is adsorbed on the lower surface of the holding member 174.

次に、上部位置合わせ機構および下部位置合わせ機構により、キャリア体202の貼合せ面および薄板体201の貼合せ面の位置情報を認識し、これに基づいて薄板体201とキャリア体202との間の位置合せ(アライメント)、具体的には、XYZθ移動機構175による薄板体201とキャリア体202の平面的なアライメントと、ピエゾ機構182による薄板体201とキャリア体202の平行度の調整を行う。   Next, positional information on the bonding surface of the carrier body 202 and the bonding surface of the thin plate body 201 is recognized by the upper alignment mechanism and the lower alignment mechanism, and based on this, the position between the thin plate body 201 and the carrier body 202 is recognized. Specifically, the planar alignment of the thin plate body 201 and the carrier body 202 by the XYZθ moving mechanism 175 and the parallelism of the thin plate body 201 and the carrier body 202 by the piezo mechanism 182 are adjusted.

その後、駆動機構172によりXYZθ移動機構175を駆動して第2の保持部材176を上昇させ、薄板体201とキャリア体202とを所定の位置まで近づけ、ヒーター179により第2の保持部材176を加熱し、キャリア体202上の液晶ワックス204を溶融させる。そして、溶融した液晶ワックス204を薄板体201とキャリア体202との間に挟んだ状態で、XYZθ移動機構175のX方向の移動およびY方向の移動を組み合わせてキャリア体202を回転動作させることにより、液晶ワックス204を全面に広げる。   Thereafter, the driving mechanism 172 drives the XYZθ moving mechanism 175 to raise the second holding member 176, bring the thin plate body 201 and the carrier body 202 close to a predetermined position, and the heater 179 heats the second holding member 176. Then, the liquid crystal wax 204 on the carrier body 202 is melted. Then, with the melted liquid crystal wax 204 sandwiched between the thin plate body 201 and the carrier body 202, the carrier body 202 is rotated by combining the movement in the X direction and the movement in the Y direction of the XYZθ moving mechanism 175. The liquid crystal wax 204 is spread over the entire surface.

次に、前記平面的な位置合わせを行った際の情報に基づいて、XYZθ移動機構175によりキャリア体202の位置をその際の位置に合わせ、液状の液晶ワックス204を所定の厚さに制御する。   Next, based on the information when the planar alignment is performed, the position of the carrier body 202 is adjusted to the position at that time by the XYZθ moving mechanism 175, and the liquid crystal wax 204 is controlled to a predetermined thickness. .

このようにして液晶ワックス204の厚さを制御し、一定時間、加熱状態を保持した後、第2の保持部材176内の冷媒流路181に冷却媒体、例えば冷却水を通流させて第2の保持部材176を冷却し、駆動機構172により薄板体201およびキャリア体202を加圧しつつ液晶ワックス204を冷却・固化させる。   In this way, after controlling the thickness of the liquid crystal wax 204 and maintaining the heating state for a certain period of time, the cooling medium, for example, cooling water is passed through the refrigerant flow path 181 in the second holding member 176 to make the second. The holding member 176 is cooled, and the liquid crystal wax 204 is cooled and solidified while the thin plate body 201 and the carrier body 202 are pressurized by the driving mechanism 172.

以上のような貼合せ作業は熱をともなうものであるから、薄板体201とキャリア体202との間で熱膨張係数の差が大きい場合には、冷却過程において、圧力が十分でない場合、これらの熱膨張差により、一旦貼り合わされた薄板体201とキャリア体202が剥がれるおそれがある。このため、この例では、シート状圧力センサ20により、これらの貼り合わせ体にかかる圧力を測定し、全体の圧力値および圧力分布が熱膨張によって剥がれが生じないものになるように制御する。このように制御することにより、剥がれのない貼り合わせを実現することができる。   Since the above laminating operation involves heat, when the difference in thermal expansion coefficient between the thin plate body 201 and the carrier body 202 is large, when the pressure is not sufficient in the cooling process, these Due to the difference in thermal expansion, the thin plate body 201 and the carrier body 202 once bonded may be peeled off. For this reason, in this example, the pressure applied to these bonded bodies is measured by the sheet-like pressure sensor 20, and the entire pressure value and pressure distribution are controlled so as not to be peeled off due to thermal expansion. By controlling in this way, bonding without peeling can be realized.

(曲面における圧力測定)
図7は上記第1の実施形態の圧力センサ素子を凸面230に設けた状態を示す模式図であり、図8は上記第1の実施形態の圧力センサ素子を凹面240に設けた例を示す模式図である。いずれの例においても圧力センサ素子10は、図1に示すように素子本体11の両側に電極12および13が形成されてなり、ポリイミド等の弾性を有する樹脂からなるカバー251で覆われており、樹脂等の可撓性材料からなる固定板252に固定されている。電極12および13からは計測配線253が延びており、計測配線253はセンサアンプ254に接続され増幅された信号が演算部255に送られ、そこで圧力値が計算され、その信号が制御部等に送られる。
(Pressure measurement on curved surface)
7 is a schematic diagram showing a state in which the pressure sensor element of the first embodiment is provided on the convex surface 230. FIG. 8 is a schematic diagram showing an example in which the pressure sensor element of the first embodiment is provided on the concave surface 240. FIG. In any example, the pressure sensor element 10 has electrodes 12 and 13 formed on both sides of the element body 11 as shown in FIG. 1 and is covered with a cover 251 made of an elastic resin such as polyimide, It is fixed to a fixed plate 252 made of a flexible material such as resin. A measurement wiring 253 extends from the electrodes 12 and 13. The measurement wiring 253 is connected to a sensor amplifier 254, and an amplified signal is sent to the calculation unit 255, where a pressure value is calculated, and the signal is sent to the control unit and the like. Sent.

圧力センサ素子10は、素子本体11が樹脂であるから可撓性を有し、しかも小型であるから、図7、8のような曲面でも問題なく設置することができ、圧力測定することができる。このため、チャンバ内の曲面や配管の内外にも設置することができる。チャンバ内や配管内は圧力範囲が広範であり、1×10−7〜10kgf/cmの圧力測定範囲が必要であるが、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物を素子本体として用いることにより十分測定が可能である。また、動作温度:−40〜150、繰り返し再現性:±1%FSのスペックも十分満たすことができる。 The pressure sensor element 10 is flexible because the element body 11 is made of resin and is small in size, so it can be installed without problems even on curved surfaces as shown in FIGS. 7 and 8 and can measure pressure. . For this reason, it can also be installed on the inside and outside of the curved surface in the chamber and piping. The chamber and piping have a wide pressure range, and a pressure measurement range of 1 × 10 −7 to 10 kgf / cm 2 is required. By using a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid as the element body Sufficient measurement is possible. Moreover, the specifications of operating temperature: -40 to 150 and repeatability: ± 1% FS can be sufficiently satisfied.

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、圧力センサ素子をポリイミド等の絶縁膜で覆った例を示したが、適用によっては、このような絶縁膜は必ずしも必要ではない。また、上記応用例はあくまでも例示であり、本発明はこのような例に限定されるものではないことはいうまでもない。   The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, an example is shown in which the pressure sensor element is covered with an insulating film such as polyimide. However, depending on the application, such an insulating film is not necessarily required. In addition, the application examples described above are merely examples, and it goes without saying that the present invention is not limited to such examples.

10…圧力センサ素子
11…素子本体
12、13…電極
14…カバー
15…固定板
16…計測配線
17,31…センサアンプ
20…シート状圧力センサ
21…容器
23…固定板
32…演算回路
33…電源
34…表示器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Pressure sensor element 11 ... Element main body 12, 13 ... Electrode 14 ... Cover 15 ... Fixed plate 16 ... Measurement wiring 17, 31 ... Sensor amplifier 20 ... Sheet-like pressure sensor 21 ... Container 23 ... Fixed plate 32 ... Arithmetic circuit 33 ... Power supply 34 ... Display

Claims (7)

シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなり、圧力を印加することにより電気特性が変化する素子本体と、
前記素子本体に設けられ、前記素子本体の電気特性の変化を取り出す電極と
を有することを特徴とする圧力センサ素子。
An element body that is composed of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, and whose electrical characteristics change by applying pressure,
A pressure sensor element comprising: an electrode provided on the element body, and an electrode for extracting a change in electrical characteristics of the element body.
前記電気特性は、素子本体の容量であることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ素子。   The pressure sensor element according to claim 1, wherein the electrical characteristic is a capacitance of the element body. 前記電極は前記素子本体の対向する一対の面にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧力センサ素子。   The pressure sensor element according to claim 1, wherein the electrodes are respectively provided on a pair of opposed surfaces of the element body. 可撓性を有する固定板に固定され、曲面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の圧力センサ素子。   The pressure sensor element according to any one of claims 1 to 3, wherein the pressure sensor element is fixed to a fixed plate having flexibility and disposed on a curved surface. シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなり、圧力を印加することにより電気特性が変化する素子本体と、前記素子本体に設けられ、前記素子本体の電気特性の変化を取り出す電極とを有する圧力センサ素子を、扁平状の容器内に平面状に複数配置してなることを特徴とするシート状圧力センサ。   A pressure comprising an element body made of a mixture of an elastomer containing silicone and an ionic liquid, the electric characteristics of which changes when a pressure is applied, and an electrode that is provided in the element main body and extracts changes in the electric characteristics of the element main body. A sheet-like pressure sensor comprising a plurality of sensor elements arranged in a flat shape in a flat container. 基板上に形成された多数の電極パッドに接触子を接触させて電気特性を測定するプローブ装置において、基板を載置する載置台に基板に対応するように設けられることを特徴とする請求項5に記載のシート状圧力センサ。   6. A probe apparatus for measuring electrical characteristics by bringing a contactor into contact with a large number of electrode pads formed on a substrate, wherein the probe device is provided on a mounting table on which the substrate is mounted so as to correspond to the substrate. 2. A sheet-like pressure sensor according to 1. 第1の保持部材に保持された第1の部材と、第2の保持部材に保持された第2の部材とを接着剤で貼り合わせる貼り合わせ装置において、一方の部材に対応するように設けられることを特徴とする請求項5に記載のシート状圧力センサ。
In the bonding apparatus that bonds the first member held by the first holding member and the second member held by the second holding member with an adhesive, the bonding device is provided so as to correspond to one member. The sheet-like pressure sensor according to claim 5.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120133243A1 (en) * 2009-07-28 2012-05-31 University Of Yamanashi Actuator and actuator manufacturing method
US9766762B2 (en) 2013-11-14 2017-09-19 Nokia Technologies Oy Flexible device deformation measurement
JP2018031680A (en) * 2016-08-25 2018-03-01 国立大学法人山梨大学 Flexible acceleration sensor and motion sensor using the flexible acceleration sensor
JP2023511020A (en) * 2020-05-07 2023-03-16 テンセント・テクノロジー・(シェンジェン)・カンパニー・リミテッド FLEXIBLE CAPACITOR ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, CAPACITOR ARRAY DETECTION SYSTEM AND ROBOT

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113566684B (en) * 2020-04-29 2023-08-29 深圳富联富桂精密工业有限公司 Pin offset detection system and detection method
CN111751038B (en) * 2020-07-06 2021-12-28 安徽大学 High-sensitivity capacitive flexible three-dimensional force touch sensor based on bionic mushroom structure

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01214727A (en) * 1988-02-24 1989-08-29 Anima Kk Measuring apparatus of pressure distribution
JPH0283425A (en) * 1988-09-20 1990-03-23 Murata Mfg Co Ltd Piezoelectric type pressure distribution sensor
JP3557472B2 (en) * 2001-04-17 2004-08-25 株式会社 日立インダストリイズ Liquid crystal substrate assembling method, assembling apparatus and liquid crystal supply apparatus
JP2004309438A (en) * 2003-04-10 2004-11-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Apparatus for measuring wheel load
JP2004317403A (en) * 2003-04-18 2004-11-11 Alps Electric Co Ltd Surface pressure distribution sensor
JP2007093530A (en) * 2005-09-30 2007-04-12 Shinshu Univ Pressure sensitive sensor element and pressure sensitive sensor
JP5103011B2 (en) * 2006-12-28 2012-12-19 東京応化工業株式会社 Bonding apparatus and bonding method
JP2009130114A (en) * 2007-11-22 2009-06-11 Tokyo Electron Ltd Inspecting apparatus
WO2009096419A1 (en) * 2008-01-28 2009-08-06 Kuraray Co., Ltd. Flexible deformation sensor
JPWO2009104589A1 (en) * 2008-02-21 2011-06-23 東京エレクトロン株式会社 Probe support plate manufacturing method, computer storage medium, and probe support plate
JP5278038B2 (en) * 2008-02-26 2013-09-04 日本精工株式会社 Elastomer transducer
JP2009226873A (en) * 2008-03-25 2009-10-08 Nippon Steel Chem Co Ltd Polymer film-metal laminate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120133243A1 (en) * 2009-07-28 2012-05-31 University Of Yamanashi Actuator and actuator manufacturing method
US9766762B2 (en) 2013-11-14 2017-09-19 Nokia Technologies Oy Flexible device deformation measurement
JP2018031680A (en) * 2016-08-25 2018-03-01 国立大学法人山梨大学 Flexible acceleration sensor and motion sensor using the flexible acceleration sensor
JP2023511020A (en) * 2020-05-07 2023-03-16 テンセント・テクノロジー・(シェンジェン)・カンパニー・リミテッド FLEXIBLE CAPACITOR ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, CAPACITOR ARRAY DETECTION SYSTEM AND ROBOT

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WO2011043224A1 (en) 2011-04-14

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