JP2011096931A - Optical system, exposure apparatus and method of manufacturing device - Google Patents

Optical system, exposure apparatus and method of manufacturing device Download PDF

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仁 西川
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical system capable of suitably maintaining a wavefront aberration of an optical element arranged in a lens barrel, an exposure apparatus and a method of manufacturing a device. <P>SOLUTION: A projection optical system 16 includes a lens barrel 40 made of a low-thermal-expansion material, mirrors 28, 33 disposed in the lens barrel 40, a mirror holding apparatus which holds the mirrors 28, 33 and includes an actuator for driving the mirrors 28, 33 to move to the lens barrel 40, a measuring apparatus 60 which measures positions of the mirrors 28, 33 relatively to the lens barrel 40, and a controller which controls the mirror holding apparatus on the basis of measurement results of the measuring apparatus 60. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、内部に光学素子が収容される鏡筒を備える光学系、該光学系を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。   The present invention relates to an optical system including a lens barrel in which an optical element is accommodated, an exposure apparatus including the optical system, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.

一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、パターンを感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に形成する露光装置が用いられる。こうした露光装置に搭載される投影光学系は、鏡筒と、該鏡筒内に収容される複数の光学素子(例えば、反射ミラー)とを備え、該各光学素子は、鏡筒に対して光学素子の位置を調整可能な光学素子保持装置を介して鏡筒にそれぞれ支持されている(特許文献1参照)。   In general, in a lithography process for manufacturing a microdevice such as a semiconductor integrated circuit, an exposure apparatus that forms a pattern on a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photosensitive material is used. A projection optical system mounted on such an exposure apparatus includes a lens barrel and a plurality of optical elements (for example, reflection mirrors) accommodated in the lens barrel, and each optical element is optical with respect to the lens barrel. Each element is supported by a lens barrel via an optical element holding device capable of adjusting the position of the element (see Patent Document 1).

そして、上記露光装置では、各光学素子保持装置を駆動させて各光学素子の位置をそれぞれ調整することにより、投影光学系の波面収差が調整される。こうして投影光学系の波面収差が適切に調整された状態で露光処理を実行することにより、投影光学系の像面側に配置される基板には、適切な大きさ及び形状のパターンが形成されていた。   In the exposure apparatus, the wavefront aberration of the projection optical system is adjusted by driving the optical element holding devices to adjust the positions of the optical elements. By executing the exposure process in a state where the wavefront aberration of the projection optical system is appropriately adjusted in this way, a pattern having an appropriate size and shape is formed on the substrate disposed on the image plane side of the projection optical system. It was.

特開2007−201342号公報JP 2007-201342 A

ところで、投影光学系を構成する各光学素子は、それぞれに入射する露光光の一部を吸収し、各光学素子自身の温度を上昇させてしまう。特にEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光として用いる露光装置では、光学素子が吸収する熱量が他の波長の光を露光光として用いる露光装置に比べて多い。そして、各光学素子が吸収した熱は、光学素子を保持する光学素子保持装置を介して鏡筒に伝わったり、光学素子からの輻射熱によって鏡筒に伝わったりする。すると、こうした熱が鏡筒全体に伝わることにより、鏡筒が熱膨張、即ち相似的に拡大してしまう。そのため、投影光学系を構成する各光学素子同士の位置関係が変化したり、鏡筒の中心軸からずれた位置に配置される光学素子が偏心したりし、投影光学系の波面収差が露光処理中に変化するおそれがあった。   By the way, each optical element constituting the projection optical system absorbs a part of the exposure light incident thereon, and raises the temperature of each optical element itself. In particular, in an exposure apparatus that uses EUV (Extreme Ultraviolet) light as exposure light, the amount of heat absorbed by the optical element is greater than in an exposure apparatus that uses light of other wavelengths as exposure light. The heat absorbed by each optical element is transmitted to the lens barrel via the optical element holding device that holds the optical element, or is transmitted to the lens barrel by radiant heat from the optical element. Then, since such heat is transmitted to the entire lens barrel, the lens barrel is thermally expanded, that is, similarly expanded. For this reason, the positional relationship between the optical elements constituting the projection optical system changes, or the optical element arranged at a position shifted from the central axis of the lens barrel is decentered, and the wavefront aberration of the projection optical system is subject to exposure processing. There was a risk of change.

また、露光処理中に発生した投影光学系の波面収差の変化を調整するために、波面収差を定期的に計測し、該計測結果に基づき各光学素子の位置や形状を調整する方法が考えられる。しかしながら、投影光学系の波面収差を計測するためには、露光処理を一時中断させる必要があり、リソグラフィ工程の効率が低下する問題があった。   Further, in order to adjust the change of the wavefront aberration of the projection optical system generated during the exposure process, a method of periodically measuring the wavefront aberration and adjusting the position and shape of each optical element based on the measurement result can be considered. . However, in order to measure the wavefront aberration of the projection optical system, it is necessary to temporarily stop the exposure process, which causes a problem that the efficiency of the lithography process is lowered.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、鏡筒内に配置される光学素子の波面収差を好適に維持できる光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an optical system, an exposure apparatus, and a device manufacturing method that can favorably maintain the wavefront aberration of an optical element disposed in a lens barrel. There is to do.

上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図12に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の光学系は、低熱膨張材料で構成される鏡筒(40)と、前記鏡筒(40)内に配置される光学素子(28,29,30,31,32,33)と、前記光学素子(28,29,30,31,32,33)を保持し、且つ前記鏡筒(40)に対して前記光学素子(28,29,30,31,32,33)を移動させるべく駆動する駆動部(55)を有する光学素子保持装置(43A,43B,43C,43D,43E,43F)と、前記鏡筒(40)に対する前記光学素子(28,29,30,31,32,33)の位置を計測する計測装置(60)と、前記計測装置(60)による計測結果に基づき前記光学素子保持装置(43A,43B,43C,43D,43E,43F)を制御する制御部(131)と、を備えることを要旨とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 12 shown in the embodiment.
The optical system of the present invention includes a lens barrel (40) made of a low thermal expansion material, optical elements (28, 29, 30, 31, 32, 33) disposed in the lens barrel (40), Drives to hold the optical element (28, 29, 30, 31, 32, 33) and move the optical element (28, 29, 30, 31, 32, 33) relative to the lens barrel (40). Optical element holding device (43A, 43B, 43C, 43D, 43E, 43F) having a drive unit (55) for the above, and the optical elements (28, 29, 30, 31, 32, 33) for the lens barrel (40) And a control unit (131) for controlling the optical element holding device (43A, 43B, 43C, 43D, 43E, 43F) based on a measurement result by the measurement device (60). The gist is to provide .

上記構成によれば、鏡筒(40)は、低熱膨張材料で構成されるため、熱膨張しにくい。そのため、光学素子保持装置(43A,43B,43C,43D,43E,43F)を介して鏡筒(40)に支持される光学素子(28,29,30,31,32,33)の変位が抑制される。また、本発明の光学系には、鏡筒(40)に対する光学素子(28,29,30,31,32,33)の位置を計測する計測装置(60)が設けられている。そのため、露光処理中であっても、鏡筒(40)に対する光学素子(28,29,30,31,32,33)の位置を計測可能である。   According to the said structure, since a lens-barrel (40) is comprised with a low thermal expansion material, it is hard to thermally expand. Therefore, the displacement of the optical elements (28, 29, 30, 31, 32, 33) supported by the lens barrel (40) via the optical element holding devices (43A, 43B, 43C, 43D, 43E, 43F) is suppressed. Is done. The optical system of the present invention is provided with a measuring device (60) for measuring the position of the optical element (28, 29, 30, 31, 32, 33) with respect to the lens barrel (40). Therefore, the position of the optical element (28, 29, 30, 31, 32, 33) with respect to the lens barrel (40) can be measured even during the exposure process.

なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。   In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, it has been described in association with the reference numerals of the drawings showing the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments.

本発明によれば、鏡筒内に配置される光学素子の波面収差を好適に維持できる。   According to the present invention, it is possible to favorably maintain the wavefront aberration of the optical element disposed in the lens barrel.

本実施形態における露光装置を示す概略構成図。1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus in the present embodiment. 投影光学系の鏡筒内を示す概略側面図。FIG. 3 is a schematic side view showing the inside of a lens barrel of the projection optical system. ミラー保持装置を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows a mirror holding device typically. 軸方向干渉計を模式的に示す側断面図。FIG. 3 is a side sectional view schematically showing an axial interferometer. 径方向干渉計を模式的に示す側断面図。FIG. 3 is a side sectional view schematically showing a radial interferometer. 第4ミラー用の径方向干渉計を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the radial direction interferometer for 4th mirrors. 第4ミラー用の径方向干渉計を模式的に示す側断面図。The sectional side view which shows typically the radial direction interferometer for 4th mirrors. 直径計測用干渉計を模式的に示す平断面図。The cross-sectional view which shows typically the diameter measuring interferometer. 電気的構成を説明するブロック図。FIG. 3 is a block diagram illustrating an electrical configuration. (a)は別の実施形態における軸方向干渉計を模式的に示す側断面図、(b)は軸方向干渉計の要部を模式的に示す平断面図。(A) is a sectional side view schematically showing an axial interferometer in another embodiment, and (b) is a plan sectional view schematically showing a main part of the axial interferometer. デバイスの製造例のフローチャート。The flowchart of the manufacture example of a device. 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。The detailed flowchart regarding the board | substrate process in the case of a semiconductor device.

以下に、本発明を具体化した一実施形態について図1〜図9に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向をY軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をX軸方向として説明する。また、X軸、Y軸、Z軸の周りの回転方向をθx方向、θy方向、θz方向ともいう。   Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the direction parallel to the optical axis of the projection optical system is the Z-axis direction, and the scanning direction of the reticle R and wafer W during scanning exposure in a plane perpendicular to the Z-axis direction is the Y-axis direction. The non-scanning direction orthogonal to the scanning direction will be described as the X-axis direction. The rotation directions around the X, Y, and Z axes are also referred to as the θx direction, the θy direction, and the θz direction.

図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、光源装置12から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置である。こうした露光装置11は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ13(図1では二点鎖線で囲まれた部分)を備えている。このチャンバ13内には、光源装置12からチャンバ13内に供給された露光光ELで所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを照明する照明光学系14と、パターンの形成されたパターン形成面Raが−Z方向側(図1では下側)に位置するようにレチクルRを保持するレチクルステージ15とが設けられている。また、チャンバ13内には、レチクルRを介した露光光ELでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを照射する投影光学系16と、露光面(感光性材料が塗布されたウエハ表面)Waが+Z方向側(図1では上側)に位置するようにウエハWを保持するウエハステージ17とが設けられている。   As shown in FIG. 1, an exposure apparatus 11 according to this embodiment uses extreme ultraviolet light, ie, EUV (Extreme Ultraviolet) light, which is a soft X-ray region having a wavelength of about 100 nm or less, emitted from a light source device 12 as exposure light. It is an EUV exposure apparatus used as an EL. Such an exposure apparatus 11 includes a chamber 13 (a portion surrounded by a two-dot chain line in FIG. 1) whose inside is set to a vacuum atmosphere lower in pressure than the atmosphere. In this chamber 13, an illumination optical system 14 that illuminates a reflective reticle R on which a predetermined pattern is formed with exposure light EL supplied from the light source device 12 into the chamber 13, and pattern formation in which a pattern is formed A reticle stage 15 that holds the reticle R is provided so that the surface Ra is positioned on the −Z direction side (lower side in FIG. 1). Further, in the chamber 13, a projection optical system 16 that irradiates a wafer W coated with a photosensitive material such as a resist by exposure light EL through the reticle R, and an exposure surface (a wafer surface coated with the photosensitive material). ) A wafer stage 17 for holding the wafer W is provided so that Wa is positioned on the + Z direction side (upper side in FIG. 1).

光源装置12は、波長が5〜20nmのEUV光を露光光ELとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したYAGレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のEUV光発生物質(ターゲット)を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからEUV光が露光光ELとして放射される。こうした露光光ELは、図示しない集光光学系によって集光されてチャンバ13内に出力される。   The light source device 12 is a device that outputs EUV light having a wavelength of 5 to 20 nm as exposure light EL, and includes a laser excitation plasma light source (not shown). In this laser-excited plasma light source, plasma is generated by irradiating a high-density EUV light generating substance (target) with a high-power laser such as a YAG laser or excimer laser using semiconductor laser excitation, and EUV light is emitted from the plasma. Is emitted as exposure light EL. Such exposure light EL is condensed by a condensing optical system (not shown) and output into the chamber 13.

照明光学系14は、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18(図1では一点鎖線で囲まれた部分)を備えている。この筐体18内には、光源装置12から出力された露光光ELを集光するコリメート用ミラー19が設けられており、該コリメート用ミラー19は、入射した露光光ELを略平行に変換してオプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系20(図1では破線で囲まれた部分)に向けて射出する。このフライアイ光学系20は、一対のフライアイミラー21,22を備えており、該各フライアイミラー21,22のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー21は、レチクルRのパターン形成面Raと光学的に共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー21で反射された露光光ELは、射出側に配置される射出側フライアイミラー22に入射する。   The illumination optical system 14 includes a housing 18 (a portion surrounded by a one-dot chain line in FIG. 1) in which the inside is set to a vacuum atmosphere, similarly to the inside of the chamber 13. A collimating mirror 19 for condensing the exposure light EL output from the light source device 12 is provided in the housing 18, and the collimating mirror 19 converts the incident exposure light EL into a substantially parallel shape. Then, the light is emitted toward a fly-eye optical system 20 (a part surrounded by a broken line in FIG. 1) which is a kind of optical integrator. The fly-eye optical system 20 includes a pair of fly-eye mirrors 21 and 22, and an incident-side fly-eye mirror 21 arranged on the incident side of the fly-eye mirrors 21 and 22 forms a pattern of the reticle R. It is disposed at a position optically conjugate with the surface Ra. The exposure light EL reflected by the incident-side fly-eye mirror 21 is incident on the exit-side fly-eye mirror 22 arranged on the exit side.

また、照明光学系14には、射出側フライアイミラー22から射出された露光光ELを筐体18外に射出するコンデンサミラー23が設けられている。そして、コンデンサミラー23から射出された露光光ELは、後述する鏡筒40内に設置された折り返し用の反射ミラー24により、レチクルステージ15に保持されるレチクルRに導かれる。   Further, the illumination optical system 14 is provided with a condenser mirror 23 that emits the exposure light EL emitted from the exit-side fly-eye mirror 22 to the outside of the housing 18. Then, the exposure light EL emitted from the condenser mirror 23 is guided to the reticle R held on the reticle stage 15 by a reflection mirror 24 for folding, which is installed in a lens barrel 40 described later.

レチクルステージ15は、投影光学系16の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着するための第1静電吸着保持装置25を備えている。この第1静電吸着保持装置25は、誘電性材料で形成され且つ吸着面26aを有する基体26と、該基体26内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体26から発生されるクーロン力により、吸着面26aにレチクルRが静電吸着される。   The reticle stage 15 is disposed on the object plane side of the projection optical system 16 and includes a first electrostatic chuck holding device 25 for electrostatic chucking of the reticle R. The first electrostatic attraction / holding device 25 includes a base body 26 made of a dielectric material and having an attracting surface 26a, and a plurality of electrode portions (not shown) disposed in the base body 26. When a voltage is applied to each electrode unit from a voltage application unit (not shown), the reticle R is electrostatically adsorbed on the adsorption surface 26 a by the Coulomb force generated from the base body 26.

また、レチクルステージ15は、図示しないレチクルステージ駆動部の駆動によって、Y軸方向(図1における左右方向)に移動可能である。すなわち、レチクルステージ駆動部は、第1静電吸着保持装置25に保持されるレチクルRをY軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクルステージ駆動部は、レチクルRをX軸方向(図1において紙面と直交する方向)、Z軸方向及びθz方向にも移動させることが可能である。なお、レチクルRのパターン形成面Raが露光光ELで照明される場合、該パターン形成面Raの一部には、X軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。   The reticle stage 15 is movable in the Y-axis direction (left and right direction in FIG. 1) by driving a reticle stage drive unit (not shown). In other words, the reticle stage drive unit moves the reticle R held by the first electrostatic attraction holding device 25 with a predetermined stroke in the Y-axis direction. The reticle stage drive unit can also move the reticle R in the X-axis direction (the direction orthogonal to the paper surface in FIG. 1), the Z-axis direction, and the θz direction. When the pattern formation surface Ra of the reticle R is illuminated with the exposure light EL, a substantially arcuate illumination region extending in the X-axis direction is formed on a part of the pattern formation surface Ra.

投影光学系16は、その開口数が例えば0.1であって、且つ光学素子の一種である反射型のミラー28,29,30,31,32,33を有する反射光学系である。本実施形態では、投影倍率が1/4倍の投影光学系が使用されている。そして、レチクルRによって反射された露光光ELは、投影光学系16を介してウエハWに導かれる。なお、投影光学系16の具体的構成などについては、後に詳述する。   The projection optical system 16 is a reflection optical system having a numerical aperture of 0.1, for example, and having reflection type mirrors 28, 29, 30, 31, 32, and 33 which are a kind of optical elements. In the present embodiment, a projection optical system having a projection magnification of ¼ is used. Then, the exposure light EL reflected by the reticle R is guided to the wafer W via the projection optical system 16. The specific configuration of the projection optical system 16 will be described in detail later.

照明光学系14及び投影光学系16が備える各ミラー19,21〜24,28〜33の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。これら各反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜をそれぞれ有している。   Reflective layers that reflect the exposure light EL are formed on the reflective surfaces of the mirrors 19, 21 to 24, and 28 to 33 included in the illumination optical system 14 and the projection optical system 16. Each of these reflective layers has a multilayer film in which molybdenum (Mo) and silicon (Si) are alternately stacked.

ウエハステージ17は、ウエハWを静電吸着するための第2静電吸着保持装置34を備え、該第2静電吸着保持装置34は、誘電性材料で形成され且つ吸着面35aを有する基体35と、該基体35内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体35から発生されるクーロン力により、吸着面35aにウエハWが静電吸着される。また、ウエハステージ17には、第2静電吸着保持装置34を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのZ軸方向(図1では上下方向)における位置及びX軸周り、Y軸周りの傾斜角を調整する図示しないZレベリング機構とが組み込まれている。   The wafer stage 17 includes a second electrostatic chuck holding device 34 for electrostatic chucking of the wafer W, and the second electrostatic chuck holding device 34 is made of a dielectric material and has a chucking surface 35a. And a plurality of electrode portions (not shown) disposed in the base body 35. When a voltage is applied to each electrode unit from a voltage application unit (not shown), the wafer W is electrostatically adsorbed on the adsorption surface 35 a by the Coulomb force generated from the base body 35. Further, the wafer stage 17 includes a wafer holder (not shown) that holds the second electrostatic chuck holding device 34, a position of the wafer holder in the Z-axis direction (vertical direction in FIG. 1), and inclination angles around the X axis and the Y axis. A Z leveling mechanism (not shown) for adjusting the angle is incorporated.

こうしたウエハステージ17は、図示しないウエハステージ駆動部によって、Y軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハステージ駆動部は、第2静電吸着保持装置34に保持されるウエハWをY軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハステージ駆動部は、第2静電吸着保持装置34に保持されるウエハWをX軸方向に所定ストロークで移動させることが可能であるとともに、Z軸方向にも移動させることが可能となるように構成されている。   The wafer stage 17 can be moved in the Y-axis direction by a wafer stage driving unit (not shown). That is, the wafer stage drive unit moves the wafer W held by the second electrostatic chuck holding device 34 in the Y-axis direction with a predetermined stroke. In addition, the wafer stage drive unit can move the wafer W held by the second electrostatic chuck holding device 34 in the X-axis direction with a predetermined stroke, and can also move the wafer W in the Z-axis direction. It is comprised so that it may become.

そして、ウエハWの一つのショット領域にレチクルRのパターンを形成する場合、照明光学系14によって照明領域をレチクルRに形成した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルRをY軸方向(例えば、+Y方向側から−Y方向側)に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハWをレチクルRのY軸方向に沿った移動に対して投影光学系16の縮小倍率に応じた速度比でY軸方向(例えば、−Y方向側から+Y方向側)に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハWの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。   When a pattern of the reticle R is formed on one shot area of the wafer W, the reticle R is driven in the Y-axis direction (by the reticle stage driving unit in a state where the illumination area is formed on the reticle R by the illumination optical system 14 ( For example, the projection optical system 16 is reduced with respect to the movement of the reticle R along the Y-axis direction by driving the wafer stage driving unit while moving the wafer W from the + Y direction side to the −Y direction side). It is moved in synchronization with the Y-axis direction (for example, from the −Y direction side to the + Y direction side) at a speed ratio according to the magnification. When the pattern formation on one shot area is completed, the pattern formation on the other shot areas of the wafer W is continuously performed.

次に、本実施形態の投影光学系16について図1又は図2に基づき詳述する。
図1及び図2に示すように、投影光学系16は、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒40(図1では一点鎖線で示す。)と、複数枚(本実施形態では6枚)の反射型のミラー28〜33とを備えている。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、第1ミラー28、第2ミラー29、第3ミラー30、第4ミラー31、第5ミラー32、第6ミラー33の順に反射され、ウエハステージ17に保持されるウエハWに導かれる。
Next, the projection optical system 16 of the present embodiment will be described in detail based on FIG. 1 or FIG.
As shown in FIGS. 1 and 2, the projection optical system 16 includes a lens barrel 40 (indicated by a one-dot chain line in FIG. 1) and a plurality of sheets (indicated by a one-dot chain line in FIG. In this embodiment, six reflection mirrors 28 to 33 are provided. The exposure light EL guided from the reticle R side, which is the object plane side, is in the order of the first mirror 28, the second mirror 29, the third mirror 30, the fourth mirror 31, the fifth mirror 32, and the sixth mirror 33. The light is reflected and guided to the wafer W held on the wafer stage 17.

各ミラー28〜33は、それぞれの反射面が鏡筒40の中心軸AX(即ち、投影光学系16の光軸)に対して所定の位置関係になるようにそれぞれ位置調整されている。また、各ミラー28〜33は、露光光ELを遮光しないようにそれぞれ加工されている。なお、第4ミラー31は、その中心軸31aが中心軸AXに対して所定間隔離れた位置に配置されると共に、他のミラー28〜30,32,33は、鏡筒40の円筒部分内に収容されている。   The positions of the mirrors 28 to 33 are adjusted so that their reflecting surfaces have a predetermined positional relationship with respect to the central axis AX of the lens barrel 40 (that is, the optical axis of the projection optical system 16). Further, each of the mirrors 28 to 33 is processed so as not to block the exposure light EL. The fourth mirror 31 is disposed at a position where the central axis 31a is separated from the central axis AX by a predetermined distance, and the other mirrors 28 to 30, 32, and 33 are disposed in the cylindrical portion of the lens barrel 40. Contained.

鏡筒40は、略円筒状の分割鏡筒40A,40B,40C,40D,40E,40Fと、図示しない支持装置を介してチャンバ13に支持されるリング状のフランジ41とを備えている。これら各分割鏡筒40A〜40F及びフランジ41は、線熱膨張係数が1.0×10―6/℃以下の低熱膨張材料でそれぞれ構成されている。こうした低熱膨張材料の一例として、熱膨張係数が0.02×10−6/℃となる低熱膨張ガラス(具体的には、ショット社のZerodure(商品名)など)が挙げられる。 The lens barrel 40 includes substantially cylindrical divided lens barrels 40A, 40B, 40C, 40D, 40E, and 40F, and a ring-shaped flange 41 supported by the chamber 13 via a support device (not shown). Each of the divided lens barrels 40A to 40F and the flange 41 are respectively made of a low thermal expansion material having a linear thermal expansion coefficient of 1.0 × 10 −6 / ° C. or less. As an example of such a low thermal expansion material, low thermal expansion glass (specifically, Shotod's Zerodure (trade name), etc.) having a thermal expansion coefficient of 0.02 × 10 −6 / ° C. can be mentioned.

また、各分割鏡筒40A〜40Fは、各ミラー28〜33に個別対応しており、各分割鏡筒40A〜40F及びフランジ41は、Z軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、分割鏡筒40Aは、フランジ41の−Z方向側(図2では下側であって、ウエハW側)に配置されると共に、その+Z方向側(図2では上側であって、レチクルR側)がフランジ41に固定されている。また、分割鏡筒40Aは、第1ミラー保持装置43Aを介して第1ミラー28を支持している。   Moreover, each division | segmentation lens barrel 40A-40F respond | corresponds to each mirror 28-33 separately, and each division | segmentation lens barrel 40A-40F and the flange 41 are each arrange | positioned along the Z-axis direction. That is, the split lens barrel 40A is arranged on the −Z direction side (lower side in FIG. 2 and on the wafer W side) of the flange 41, and on the + Z direction side (upper side in FIG. 2 and the reticle R). Side) is fixed to the flange 41. Further, the divided lens barrel 40A supports the first mirror 28 via the first mirror holding device 43A.

分割鏡筒40Bは、各分割鏡筒40A〜40Fのうち最も+Z方向側に配置されると共に、第2ミラー保持装置43Bを介して第2ミラー29を支持している。また、分割鏡筒40Bの+Z方向側の開口は、有底筒状の分割鏡筒40Gによって閉塞されており、該分割鏡筒40Gには、露光光ELの通過を許容する図示しない開口が形成されている。   The divided lens barrel 40B is disposed on the most in the + Z direction side among the divided lens barrels 40A to 40F, and supports the second mirror 29 via the second mirror holding device 43B. Further, the opening on the + Z direction side of the dividing lens barrel 40B is closed by a bottomed cylindrical dividing lens barrel 40G, and an opening (not shown) that allows passage of the exposure light EL is formed in the dividing lens barrel 40G. Has been.

分割鏡筒40Cは、フランジ41の+Z方向側に配置されると共に、その−Z方向側の部位がフランジ41に固定されている。また、分割鏡筒40Cは、第3ミラー保持装置43Cを介して第3ミラー30を支持している。   The split lens barrel 40 </ b> C is disposed on the + Z direction side of the flange 41, and the −Z direction side portion is fixed to the flange 41. The split lens barrel 40C supports the third mirror 30 via the third mirror holding device 43C.

分割鏡筒40Dは、Z軸方向において分割鏡筒40Bと分割鏡筒40Cとの間に配置され、その−Z方向側の部位が分割鏡筒40Cに固定されると共に、その+Z方向側の部位が分割鏡筒40Bに固定されている。また、分割鏡筒40Dは、その+Y方向の側面(図2では左側面)が切り欠かれている。そして、分割鏡筒40Dは、第4ミラー31の少なくとも一部が分割鏡筒40D外に位置するように、第4ミラー保持装置43Dを介して第4ミラー31を支持している。また、分割鏡筒40Dは、照明光学系14の一部を構成する反射ミラー24を図示しない保持装置を介して支持している。   The divided lens barrel 40D is disposed between the divided lens barrel 40B and the divided lens barrel 40C in the Z-axis direction, and a portion on the −Z direction side is fixed to the divided lens barrel 40C and a portion on the + Z direction side Is fixed to the split barrel 40B. Further, the split lens barrel 40D has a cut-out side surface in the + Y direction (left side surface in FIG. 2). The split lens barrel 40D supports the fourth mirror 31 via the fourth mirror holding device 43D so that at least a part of the fourth mirror 31 is located outside the split lens barrel 40D. The split lens barrel 40D supports the reflecting mirror 24 that constitutes a part of the illumination optical system 14 via a holding device (not shown).

分割鏡筒40Eは、各分割鏡筒40A〜40Fのうち最も−Z方向側に配置されると共に、第5ミラー保持装置43Eを介して第5ミラー32を支持している。また、分割鏡筒40Eの−Z方向側の開口は、有底筒状の分割鏡筒40Hによって閉塞されており、該分割鏡筒40Hには、ウエハW側に射出される露光光ELの通過を許容する図示しない開口が形成されている。   The divided lens barrel 40E is disposed on the most −Z direction side among the divided lens barrels 40A to 40F, and supports the fifth mirror 32 via the fifth mirror holding device 43E. Further, the opening on the −Z direction side of the split lens barrel 40E is closed by a bottomed cylindrical split lens barrel 40H, through which the exposure light EL emitted to the wafer W side passes. An opening (not shown) that permits the above is formed.

分割鏡筒40Fは、Z軸方向において分割鏡筒40Aと分割鏡筒40Eとの間に配置され、その−Z方向側の部位が分割鏡筒40Eに固定されると共に、その+Z方向側の部位が分割鏡筒40Aに固定されている。また、分割鏡筒40Fは、第6ミラー保持装置43Fを介して第6ミラー33を支持している。   The divided lens barrel 40F is disposed between the divided lens barrel 40A and the divided lens barrel 40E in the Z-axis direction, and a portion on the −Z direction side is fixed to the divided lens barrel 40E and a portion on the + Z direction side Is fixed to the split barrel 40A. Further, the divided lens barrel 40F supports the sixth mirror 33 via the sixth mirror holding device 43F.

また、本実施形態の投影光学系16には、鏡筒40に対する各ミラー28〜33の位置を計測するための計測装置60(図4〜図8参照)が設けられている。この計測装置60の構成については後述する。   Further, the projection optical system 16 of the present embodiment is provided with a measuring device 60 (see FIGS. 4 to 8) for measuring the positions of the mirrors 28 to 33 with respect to the lens barrel 40. The configuration of the measuring device 60 will be described later.

次に、各ミラー28〜33を保持するミラー保持装置43A〜43Fのうち、第1ミラー28用の第1ミラー保持装置43Aについて図2及び図3に基づき説明する。なお、他のミラー保持装置43B〜43Fは、第1ミラー保持装置43Aと略同等の構成を有しているため、それらの詳細な説明を省略する。また、図2及び図3では、明細書の説明理解の便宜上、計測装置60を構成する各部材の図示を省略する。   Next, of the mirror holding devices 43A to 43F that hold the mirrors 28 to 33, the first mirror holding device 43A for the first mirror 28 will be described with reference to FIGS. Since the other mirror holding devices 43B to 43F have substantially the same configuration as the first mirror holding device 43A, their detailed description is omitted. In FIGS. 2 and 3, illustration of each member constituting the measuring device 60 is omitted for the sake of easy understanding of the description.

図2及び図3に示すように、分割鏡筒40Aの−Z方向側には、分割鏡筒40Aの内側に突出した支持部(フランジ部)44が形成されており、該支持部44は、鏡筒40の中心軸AXを中心とした周方向に沿って等間隔に配置される複数(本実施形態では3つ)の位置粗調整機構45を介して第1ミラー保持装置43Aを支持している。この第1ミラー保持装置43Aは、各位置粗調整機構45を介して分割鏡筒40Aの支持部44に支持される円環状のアウタリング46を備え、該アウタリング46は、XY平面と略平行な状態で配置されている。また、第1ミラー保持装置43Aには、アウタリング46上に配置されるパラレルリンク機構47と、該パラレルリンク機構47に支持される円環状のインナリング48とが設けられており、該インナリング48は、複数(本実施形態では3つ)の保持機構49を介して第1ミラー28を支持している。そして、パラレルリンク機構47の駆動に伴ってインナリング48の位置が変位することにより、第1ミラー28のアウタリング46に対する位置及び姿勢のうち少なくとも一方が調整される。   As shown in FIGS. 2 and 3, on the −Z direction side of the divided lens barrel 40 </ b> A, a support portion (flange portion) 44 protruding inside the divided lens barrel 40 </ b> A is formed. The first mirror holding device 43A is supported via a plurality of (three in this embodiment) position coarse adjustment mechanisms 45 arranged at equal intervals along the circumferential direction around the central axis AX of the lens barrel 40. Yes. The first mirror holding device 43A includes an annular outer ring 46 supported by the support portion 44 of the split lens barrel 40A via each position coarse adjustment mechanism 45, and the outer ring 46 is substantially parallel to the XY plane. It is arranged in the state. Further, the first mirror holding device 43A is provided with a parallel link mechanism 47 disposed on the outer ring 46 and an annular inner ring 48 supported by the parallel link mechanism 47. 48 supports the first mirror 28 via a plurality of (three in this embodiment) holding mechanisms 49. As the parallel link mechanism 47 is driven, the position of the inner ring 48 is displaced, so that at least one of the position and posture of the first mirror 28 relative to the outer ring 46 is adjusted.

パラレルリンク機構47は、インナリング48をアウタリング46に対して、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θx方向、θy方向及びθz方向の6自由度方向に移動させるべく駆動する。すなわち、パラレルリンク機構47は、2本のリンク50を有するリンク機構51を複数(本実施形態では3つ)備え、該各リンク機構51は、周方向において等間隔にそれぞれ配置されている。   The parallel link mechanism 47 is driven to move the inner ring 48 with respect to the outer ring 46 in directions of six degrees of freedom of the X axis direction, the Y axis direction, the Z axis direction, the θx direction, the θy direction, and the θz direction. That is, the parallel link mechanism 47 includes a plurality (three in this embodiment) of link mechanisms 51 having two links 50, and the link mechanisms 51 are arranged at equal intervals in the circumferential direction.

各リンク50は、それぞれの長手方向における両端がアウタリング46及びインナリング48に球面対偶をなすようにそれぞれ形成されている。具体的には、各リンク50は、第1軸部材52と、該第1軸部材52に接続又は連結される第2軸部材53とをそれぞれ有している。各第1軸部材52の一端(下端)は、アウタリング46にボールジョイント54を介してそれぞれ取り付けられ、各第2軸部材53の他端(上端)は、インナリング48に図示しないボールジョイントを介してそれぞれ取り付けられている。そして、第1軸部材52及び第2軸部材53の少なくとも一方の各々には、リンク50の長さ、即ち第1軸部材52の一端と第2軸部材53の他端との距離を変更させるべく駆動するアクチュエータ55(図9参照)がそれぞれ設けられている。アクチュエータ55の一例として、リンク50の長手方向に伸縮駆動する圧電素子が挙げられる。そして、各リンク50は、後述する制御装置130に基づきアクチュエータ55が駆動する場合にそれぞれ伸縮動作する。   Each link 50 is formed so that both ends in the longitudinal direction form a spherical pair on the outer ring 46 and the inner ring 48. Specifically, each link 50 has a first shaft member 52 and a second shaft member 53 connected to or coupled to the first shaft member 52. One end (lower end) of each first shaft member 52 is attached to the outer ring 46 via a ball joint 54, and the other end (upper end) of each second shaft member 53 is a ball joint (not shown) on the inner ring 48. Are attached through each. Then, at least one of the first shaft member 52 and the second shaft member 53 is changed in the length of the link 50, that is, the distance between one end of the first shaft member 52 and the other end of the second shaft member 53. Actuators 55 (see FIG. 9) that are driven accordingly are provided. An example of the actuator 55 is a piezoelectric element that is driven to extend and contract in the longitudinal direction of the link 50. Each link 50 expands and contracts when the actuator 55 is driven based on the control device 130 described later.

各保持機構49は、各リンク機構51と同一周方向位置であって、且つインナリング48の+Z方向側の面(図3では上面)にそれぞれ配置されている。こうした各保持機構49は、+Z方向側が閉塞すると共に−Z方向側が開口する略逆U字状にそれぞれ形成されている。すなわち、各保持機構49は、Z軸方向に延びる一対の延設部49aと、該両延設部49aの+Z方向側の端部を連結する連結部49bとをそれぞれ有している。   Each holding mechanism 49 is disposed at the same circumferential position as each link mechanism 51 and on the surface (the upper surface in FIG. 3) of the inner ring 48 on the + Z direction side. Each of these holding mechanisms 49 is formed in a substantially inverted U shape that closes on the + Z direction side and opens on the −Z direction side. That is, each holding mechanism 49 has a pair of extending portions 49a extending in the Z-axis direction, and a connecting portion 49b that connects the ends of the extending portions 49a on the + Z direction side.

次に、本実施形態の計測装置60について図4〜図8に基づき説明する。なお、図4〜図8では、明細書の説明理解の便宜上、ミラーを保持するミラー保持装置の図示がそれぞれ省略されている。   Next, the measuring device 60 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 8, illustration of a mirror holding device that holds the mirror is omitted for the sake of convenience in understanding the description.

図4には、計測装置60において第6ミラー33のZ軸方向における位置を計測する部分が図示されている。すなわち、フランジ41において径方向における内側には、−Z方向側が開口すると共に+Z方向側が閉塞する干渉計用収容空間61Aが形成されている。また、鏡筒40の側壁には、鏡筒40の中心軸AXと略平行な第1方向(本実施形態ではZ軸方向)に沿って延びる貫通孔61Bと、Z軸方向において第6ミラー33と同一位置に位置する凹部61Cとが形成されている。貫通孔61Bの+Z方向側(図4では上側)の開口端は干渉計用収容空間61Aに連通していると共に、貫通孔61Bの−Z方向側(図4では下側)の開口端は凹部61Cに連通している。こうした干渉計用収容空間61A及び凹部61C内には、計測装置60においてフランジ41を基準とした第6ミラー33のZ軸方向における位置を計測する軸方向干渉計61が設けられている。   FIG. 4 shows a portion for measuring the position of the sixth mirror 33 in the Z-axis direction in the measuring device 60. That is, an interferometer housing space 61A that opens on the −Z direction side and closes on the + Z direction side is formed inside the flange 41 in the radial direction. Further, the side wall of the lens barrel 40 has a through-hole 61B extending along a first direction (in this embodiment, the Z-axis direction) substantially parallel to the central axis AX of the lens barrel 40, and a sixth mirror 33 in the Z-axis direction. And a recess 61C located at the same position. The opening end on the + Z direction side (upper side in FIG. 4) of the through hole 61B communicates with the interferometer housing space 61A, and the opening end on the −Z direction side (lower side in FIG. 4) of the through hole 61B is a recess. It communicates with 61C. An axial interferometer 61 that measures the position of the sixth mirror 33 in the Z-axis direction with respect to the flange 41 in the measuring device 60 is provided in the interferometer housing space 61A and the recess 61C.

軸方向干渉計61は、干渉計用収容空間61A内においてフランジ41の+Z方向側部位41bに固定され、Z軸方向に沿って計測光SL1を出力する軸方向発光部62を備えており、該軸方向発光部62は、径方向及び周方向において貫通孔61Bと略同一位置に配置されている。また、干渉計用収容空間61A内において軸方向干渉計61の−Z方向側には、フランジ41に図示しない支持部を介して支持され、軸方向発光部62から出力された計測光SL1が入射する光学面63を有する第1ビームスプリッタ64が設けられている。この第1ビームスプリッタ64は、その光学面63に軸方向発光部62から出力された計測光SL1が入射する際の入射角が45°となるように配置されている。そして、第1ビームスプリッタ64に入射した計測光SL1の大部分は、鏡筒40の側壁に形成された貫通孔61B内に入射し、該貫通孔61B内を−Z方向側に向けて進行する。   The axial interferometer 61 includes an axial light emitting section 62 that is fixed to the + Z direction side portion 41b of the flange 41 in the interferometer housing space 61A and outputs the measurement light SL1 along the Z-axis direction. The axial light emitting section 62 is disposed at substantially the same position as the through hole 61B in the radial direction and the circumferential direction. Further, in the interferometer housing space 61A, the measurement light SL1 that is supported by the flange 41 via a support unit (not shown) and output from the axial light emitting unit 62 is incident on the −Z direction side of the axial interferometer 61. A first beam splitter 64 having an optical surface 63 is provided. The first beam splitter 64 is arranged such that the incident angle when the measurement light SL1 output from the axial light emitting unit 62 is incident on the optical surface 63 is 45 °. Then, most of the measurement light SL1 incident on the first beam splitter 64 enters the through hole 61B formed in the side wall of the lens barrel 40, and proceeds in the through hole 61B toward the −Z direction side. .

また、干渉計用収容空間61A内において第1ビームスプリッタ64の径方向外側(図4では右側)には、フランジ41に支持され、且つCCDなどの撮像素子を有する軸方向観察部66が設けられている。そして、この軸方向観察部66による観察結果は、後述する制御装置130に出力される。   In addition, an axial observation unit 66 supported by the flange 41 and having an image sensor such as a CCD is provided on the radially outer side (right side in FIG. 4) of the first beam splitter 64 in the interferometer housing space 61A. ing. And the observation result by this axial direction observation part 66 is output to the control apparatus 130 mentioned later.

凹部61C内には、貫通孔61Bを閉塞するように配置される第2ビームスプリッタ67が設けられており、該第2ビームスプリッタ67は、貫通孔61Bから凹部61C内に射出される計測光SL1の一部を第1ビームスプリッタ64側に反射する基準面68を有している。この基準面68は、Z軸方向に延びる計測光SL1の光路と略直交する平面であって、その凹部分と凸部分との高低差が計測光SL1の波長の1/20以下となるように加工(例えば研磨)されている。そして、基準面68で反射された計測光SL1の大部分は、鏡筒40の側壁の貫通孔61B内を+Z方向側に進行した後、第1ビームスプリッタ64の光学面63によって軸方向観察部66側に反射される。   A second beam splitter 67 is provided in the recess 61C so as to close the through hole 61B. The second beam splitter 67 is provided with the measurement light SL1 emitted from the through hole 61B into the recess 61C. Is provided with a reference surface 68 that reflects a part of the reference beam to the first beam splitter 64 side. The reference surface 68 is a plane substantially orthogonal to the optical path of the measurement light SL1 extending in the Z-axis direction, and the height difference between the concave portion and the convex portion is 1/20 or less of the wavelength of the measurement light SL1. It is processed (for example, polished). Then, most of the measurement light SL1 reflected by the reference surface 68 travels in the + Z direction side through the through hole 61B on the side wall of the lens barrel 40, and then is axially viewed by the optical surface 63 of the first beam splitter 64. Reflected on the 66 side.

また、凹部61C内には、基端が第6ミラー33に固定される略直方体状の計測用部材69の先端が収容されている。この計測用部材69の先端において基準面68と対向する被検面70は、基準面68と略平行な平面である。この被検面70には、基準面68を透過した計測光SL1を基準面68側に戻すように全反射するための反射コートが製膜されている。こうした被検面70によって反射された計測光SL1の大部分は、基準面68を介して鏡筒40の側壁の貫通孔61B内を+Z方向側に進行した後、第1ビームスプリッタ64の光学面63によって軸方向観察部66側に反射される。このとき、被検面70で反射された計測光SL1と基準面68で反射された計測光SL1とは、互いに干渉し合う。すなわち、軸方向観察部66は、Z軸方向における基準面68と被検面70との差(即ち、間隔H1)に応じた干渉縞を計測可能である。   The recess 61 </ b> C accommodates the distal end of a substantially rectangular parallelepiped measuring member 69 whose base end is fixed to the sixth mirror 33. A test surface 70 facing the reference surface 68 at the tip of the measurement member 69 is a plane substantially parallel to the reference surface 68. A reflection coat for total reflection is formed on the test surface 70 so that the measurement light SL1 transmitted through the reference surface 68 is returned to the reference surface 68 side. Most of the measurement light SL1 reflected by the test surface 70 travels in the through hole 61B on the side wall of the lens barrel 40 via the reference surface 68 in the + Z direction side, and then the optical surface of the first beam splitter 64. 63 is reflected to the axial direction observation unit 66 side. At this time, the measurement light SL1 reflected by the test surface 70 and the measurement light SL1 reflected by the reference surface 68 interfere with each other. That is, the axial direction observation unit 66 can measure the interference fringes according to the difference (that is, the interval H1) between the reference surface 68 and the test surface 70 in the Z-axis direction.

なお、本実施形態の計測装置60には、第6ミラー33以外の他のミラー28〜32の基準部位を基準としたZ軸方向における位置を計測するための軸方向干渉計が設けられている。これら各軸方向干渉計は、第6ミラー33用の軸方向干渉計61と略同等の構成であるため、それらの構成の記載を省略する。   Note that the measuring apparatus 60 of the present embodiment is provided with an axial interferometer for measuring the position in the Z-axis direction with reference to the reference portion of the mirrors 28 to 32 other than the sixth mirror 33. . Since these axial interferometers have substantially the same configuration as the axial interferometer 61 for the sixth mirror 33, the description of these configurations is omitted.

図5には、計測装置60において第6ミラー33の中心軸AXを中心とする径方向における位置を計測する部分が図示されている。すなわち、フランジ41において径方向における内側には、−Z方向側が開口すると共に+Z方向側が閉塞する干渉計用収容空間75Aが形成されており、該干渉計用収容空間75Aは、軸方向干渉計61と周方向において異なる位置に配置されている。また、鏡筒40の側壁には、鏡筒40の中心軸AXと略平行な第1方向(本実施形態ではZ軸方向)に沿って延びる貫通孔75Bと、Z軸方向において第6ミラー33と同一位置に位置する凹部75Cとが形成されている。貫通孔75Bの+Z方向側(図5では上側)の開口端は干渉計用収容空間75Aに連通していると共に、貫通孔75Bの−Z方向側(図5では下側)の開口端は凹部75Cに連通している。こうした干渉計用収容空間75A及び凹部75C内には、計測装置60において鏡筒40の内側面40aに対する第6ミラー33の中心軸AXを中心とする径方向における位置を計測するための径方向干渉計75が設けられている。   FIG. 5 shows a portion for measuring the position in the radial direction around the central axis AX of the sixth mirror 33 in the measuring device 60. That is, on the inner side in the radial direction of the flange 41, an interferometer housing space 75A that is open on the −Z direction side and closed on the + Z direction side is formed, and the interferometer housing space 75A is an axial interferometer 61. And are arranged at different positions in the circumferential direction. The side wall of the lens barrel 40 has a through hole 75B extending along a first direction (in the present embodiment, the Z-axis direction) substantially parallel to the central axis AX of the lens barrel 40, and a sixth mirror 33 in the Z-axis direction. And a recess 75C located at the same position. The opening end on the + Z direction side (upper side in FIG. 5) of the through hole 75B communicates with the interferometer housing space 75A, and the opening end on the −Z direction side (lower side in FIG. 5) of the through hole 75B is a recess. It communicates with 75C. In the interferometer housing space 75A and the concave portion 75C, radial interference for measuring the position in the radial direction around the central axis AX of the sixth mirror 33 with respect to the inner surface 40a of the barrel 40 in the measuring device 60. A total of 75 is provided.

径方向干渉計75には、干渉計用収容空間75A内においてフランジ41の+Z方向側部位41bに固定され、Z軸方向に沿って計測光SL2を出力する径方向発光部76が設けられており、該径方向発光部76は、径方向及び周方向において貫通孔75Bと略同一位置に配置されている。また、干渉計用収容空間75A内には、フランジ41に図示しない支持部を介して支持され、径方向発光部76から出力された計測光SL2が入射する光学面77を有する第1ビームスプリッタ78が設けられている。この第1ビームスプリッタ78は、その光学面77に径方向発光部76から出力された計測光SL2が入射する際の入射角が45°となるように配置されている。そして、第1ビームスプリッタ78に入射した計測光SL2の大部分は、鏡筒40の側壁に形成された貫通孔75B内に入射し、該貫通孔75B内を−Z方向側に向けて進行する。   The radial interferometer 75 is provided with a radial light emitting portion 76 that is fixed to the + Z direction side portion 41b of the flange 41 in the interferometer housing space 75A and outputs the measurement light SL2 along the Z-axis direction. The radial light emitting portion 76 is disposed at substantially the same position as the through hole 75B in the radial direction and the circumferential direction. Further, in the interferometer housing space 75A, a first beam splitter 78 having an optical surface 77 that is supported by the flange 41 via a support portion (not shown) and on which the measurement light SL2 output from the radial light emitting portion 76 is incident. Is provided. The first beam splitter 78 is arranged so that the incident angle when the measurement light SL2 output from the radial light emitting unit 76 enters the optical surface 77 is 45 °. Then, most of the measurement light SL2 incident on the first beam splitter 78 enters the through hole 75B formed in the side wall of the lens barrel 40, and proceeds in the through hole 75B toward the −Z direction side. .

また、干渉計用収容空間61A内において第1ビームスプリッタ64の径方向外側(図4では右側)には、フランジ41に支持され、且つCCDなどの撮像素子を有する径方向観察部80が設けられている。そして、この径方向観察部80による観察結果は、後述する制御装置130に出力される。   Further, in the interferometer accommodating space 61A, a radial direction observation unit 80 supported by the flange 41 and having an image pickup device such as a CCD is provided on the radial direction outer side (right side in FIG. 4) of the first beam splitter 64. ing. And the observation result by this radial direction observation part 80 is output to the control apparatus 130 mentioned later.

凹部75Cの底面は、鏡筒40の側壁の貫通孔75B内を−Z方向側に進行してきた計測光SL2を径方向内側(即ち、第6ミラー33)に向けて反射する反射面82として機能する。すなわち、反射面82は、鏡筒40の側壁内を−Z方向側に進行してきた計測光SL2の入射角が略45°となるように形成されている。こうした反射面82には、入射する光を全反射するための反射コートを製膜してもよい。   The bottom surface of the recess 75C functions as a reflecting surface 82 that reflects the measurement light SL2 traveling in the −Z direction side through the through hole 75B on the side wall of the lens barrel 40 toward the radially inner side (that is, the sixth mirror 33). To do. That is, the reflection surface 82 is formed so that the incident angle of the measurement light SL2 that has traveled in the −Z direction side through the side wall of the lens barrel 40 is approximately 45 °. A reflective coat for totally reflecting incident light may be formed on the reflective surface 82.

また、鏡筒40の内側面には、凹部75Cの開口を閉塞するように配置され、且つ透光性材料で構成される板状の閉塞部材84が設けられている。この閉塞部材84には、反射面82から第6ミラー33側に射出された計測光SL2の一部を反射面82側に戻すように反射させると共に、残りの計測光SL2を透過させる基準面85が形成されている。この基準面85は、該基準面85に入射する計測光SL2の光路に略直交する平面であって、その凹部分と凸部分との高低差が計測光SL2の波長の1/20以下となるように加工(例えば研磨)されている。こうした基準面85で反射された計測光SL2の大部分は、反射面82を介して鏡筒40の側壁の貫通孔75B内に入射し、該貫通孔75Bの+Z方向側の開口端から射出された後、干渉計用収容空間75A内の第1ビームスプリッタ78の光学面77によって径方向観察部80側に反射される。なお、閉塞部材84において基準面85の反対側の面には、非反射コートを製膜してもよい。   Further, on the inner side surface of the barrel 40, there is provided a plate-like closing member 84 that is arranged so as to close the opening of the recess 75C and is made of a light-transmitting material. The blocking member 84 reflects a part of the measurement light SL2 emitted from the reflection surface 82 toward the sixth mirror 33 so as to return to the reflection surface 82 side, and transmits the remaining measurement light SL2. Is formed. The reference surface 85 is a plane that is substantially orthogonal to the optical path of the measurement light SL2 incident on the reference surface 85, and the height difference between the concave portion and the convex portion is 1/20 or less of the wavelength of the measurement light SL2. Is processed (for example, polished). Most of the measurement light SL2 reflected by the reference surface 85 enters the through hole 75B on the side wall of the lens barrel 40 via the reflection surface 82, and is emitted from the opening end on the + Z direction side of the through hole 75B. After that, the light is reflected toward the radial observation unit 80 by the optical surface 77 of the first beam splitter 78 in the interferometer housing space 75A. Note that a non-reflective coating may be formed on the surface of the closing member 84 opposite to the reference surface 85.

また、第6ミラー33において、露光光ELの入射しない被入射領域であって、且つ閉塞部材84と対向する部位には、基準面85に略平行な被検面86が加工(研磨など)形成されている。そして、被検面86によって反射された計測光SL2の大部分は、反射面82を介して鏡筒40の側壁の貫通孔75B内に入射し、該貫通孔75Bの+Z方向側の開口端から射出された後、干渉計用収容空間75A内の第1ビームスプリッタ78の光学面77によって径方向観察部80側に反射される。このとき、被検面86で反射された計測光SL2と基準面85で反射された計測光SL2とは、互いに干渉し合う。すなわち、径方向観察部80は、基準面85と被検面86との差(即ち、間隔H2)に応じた干渉縞を計測可能である。   In addition, in the sixth mirror 33, a test surface 86 that is substantially parallel to the reference surface 85 is formed (polished or the like) in a region that is not incident on the exposure light EL and that faces the blocking member 84. Has been. Then, most of the measurement light SL2 reflected by the test surface 86 enters the through hole 75B on the side wall of the lens barrel 40 via the reflective surface 82, and from the opening end of the through hole 75B on the + Z direction side. After being emitted, the light is reflected toward the radial observation unit 80 by the optical surface 77 of the first beam splitter 78 in the interferometer housing space 75A. At this time, the measurement light SL2 reflected by the test surface 86 and the measurement light SL2 reflected by the reference surface 85 interfere with each other. That is, the radial direction observation unit 80 can measure the interference fringes according to the difference (that is, the distance H2) between the reference surface 85 and the test surface 86.

なお、本実施形態の計測装置60には、鏡筒40の円筒部分に配置される第6ミラー33以外の他のミラー28〜30,32の径方向における位置を計測するための径方向干渉計が設けられている。これら各軸方向干渉計は、第6ミラー33用の軸方向干渉計61と略同等の構成であるため、それらの構成の記載を省略する。   Note that the measuring device 60 of the present embodiment includes a radial interferometer for measuring the positions in the radial direction of the mirrors 28 to 30 and 32 other than the sixth mirror 33 arranged in the cylindrical portion of the lens barrel 40. Is provided. Since these axial interferometers have substantially the same configuration as the axial interferometer 61 for the sixth mirror 33, the description of these configurations is omitted.

図6及び図7には、計測装置60において第4ミラー31の径方向における位置を計測する部分が図示されている。すなわち、フランジ41には、−Z方向側が開口すると共に+Z方向側が閉塞する干渉計用収容空間90Aが形成されており、該干渉計用収容空間90Aは、周方向において軸方向干渉計61及び径方向干渉計75と異なる位置に配置されている。こうした干渉計用収容空間90Aと径方向における同一位置には、鏡筒40の側壁に対する第4ミラー31の径方向における位置を計測するための径方向干渉計90が設けられている。この径方向干渉計90には、干渉計用収容空間90A内における径方向外側に配置され、径方向における内側に向けて計測光SL3を出力する径方向発光部91が設けられている。この径方向発光部91は、干渉計用収容空間90A内における−Z方向側に配置されている。   6 and 7 show a portion for measuring the position of the fourth mirror 31 in the radial direction in the measuring device 60. That is, the flange 41 is formed with an interferometer housing space 90A that is open on the −Z direction side and closed on the + Z direction side. The interferometer housing space 90A has an axial interferometer 61 and a diameter in the circumferential direction. It is arranged at a position different from the direction interferometer 75. A radial interferometer 90 for measuring the radial position of the fourth mirror 31 with respect to the side wall of the lens barrel 40 is provided at the same position in the radial direction as the interferometer housing space 90A. The radial interferometer 90 is provided with a radial light emitting portion 91 that is arranged radially outside the interferometer accommodating space 90A and outputs the measurement light SL3 toward the inside in the radial direction. The radial light emitting portion 91 is disposed on the −Z direction side in the interferometer housing space 90A.

また、干渉計用収容空間90A内において径方向発光部91の径方向内側には、径方向発光部91から出力された計測光SL3の入射角が45°となるように配置された第1光学面92を有する第1ビームスプリッタ93が設けられている。この第1ビームスプリッタ93は、図示しない支持部を介してフランジ41に支持されている。そして、第1光学面92に対して径方向発光部91側から入射した計測光SL3の大部分は、第1光学面92を透過した後、径方向内側に射出される。また、干渉計用収容空間90A内において第1ビームスプリッタ93の+Z方向側には、フランジ41の+Z方向側部位41bに支持され、且つCCDなどの撮像素子を有する径方向観察部95が設けられており、該径方向観察部95による観察結果は、後述する制御装置130に出力される。   Further, in the interferometer housing space 90A, on the radially inner side of the radial light emitting portion 91, the first optical element is arranged so that the incident angle of the measurement light SL3 output from the radial light emitting portion 91 is 45 °. A first beam splitter 93 having a surface 92 is provided. The first beam splitter 93 is supported by the flange 41 via a support portion (not shown). Then, most of the measurement light SL3 incident on the first optical surface 92 from the radial light emitting portion 91 side passes through the first optical surface 92 and is then emitted radially inward. Further, in the interferometer housing space 90A, on the + Z direction side of the first beam splitter 93, a radial direction observation unit 95 that is supported by the + Z direction side portion 41b of the flange 41 and has an imaging element such as a CCD is provided. The observation result by the radial direction observation unit 95 is output to the control device 130 described later.

また、干渉計用収容空間90Aにおいて第1ビームスプリッタ93の径方向内側には、径方向発光部91から出力された計測光SL3の一部を−Z方向側に反射する第2光学面96を有する第2ビームスプリッタ97が設けられている。この第2ビームスプリッタ97は、図示しない支持部を介してフランジ41に支持されている。また、フランジ41の+Z方向側部位41bにおいて第2ビームスプリッタ97と同一径方向位置には、干渉計用収容空間90A内外を連通させる連通孔90Bが貫通形成されている。   Further, in the interferometer housing space 90A, a second optical surface 96 that reflects a part of the measurement light SL3 output from the radial light emitting unit 91 to the −Z direction side is provided on the radially inner side of the first beam splitter 93. A second beam splitter 97 is provided. The second beam splitter 97 is supported by the flange 41 via a support portion (not shown). Further, in the + Z direction side portion 41 b of the flange 41, a communication hole 90 </ b> B that allows the inside and outside of the interferometer housing space 90 </ b> A to communicate is formed at the same radial position as the second beam splitter 97.

フランジ41の−Z方向側であって且つ第2ビームスプリッタ97の−Z方向側には、−Z方向側に延びる延設部材103が設けられており、該延設部材103内には、Z軸方向に沿って延びる貫通孔103aが貫通形成されている。また、延設部材103は、後述するロッド部材99を構成する材料の線熱膨張係数のN倍(Nは1よりも大きな値であって、例えば10倍)の線熱膨張係数を有する材料で構成されている。こうした延設部材103のZ軸方向における長さL2は、ロッド部材99のZ軸方向における長さL1の1/N倍(例えば0.1倍)である。また、延設部材103の先端(即ち、−Z方向側の端部)には、貫通孔103a内を光路とする計測光SL3を戻すように全反射する基準面104を有する第2反射部材104Aが設けられている。第2反射部材104Aの基準面104は、該基準面104に入射する計測光SL3の光路に略直交する平面であって、その凹部分と凸部分との高低差が計測光SL3の波長の1/20以下となるように加工(例えば研磨)されている。   An extending member 103 extending in the −Z direction side is provided on the −Z direction side of the flange 41 and on the −Z direction side of the second beam splitter 97, and in the extending member 103, the Z A through hole 103a extending along the axial direction is formed through. The extending member 103 is made of a material having a linear thermal expansion coefficient that is N times (N is a value larger than 1, for example, 10 times) a linear thermal expansion coefficient of a material constituting the rod member 99 described later. It is configured. The length L2 of the extending member 103 in the Z-axis direction is 1 / N times (for example, 0.1 times) the length L1 of the rod member 99 in the Z-axis direction. In addition, the second reflecting member 104A having a reference surface 104 that totally reflects the measurement light SL3 having the inside of the through hole 103a as an optical path at the tip (that is, the end on the −Z direction side) of the extending member 103. Is provided. The reference surface 104 of the second reflecting member 104A is a plane substantially orthogonal to the optical path of the measurement light SL3 incident on the reference surface 104, and the difference in height between the concave portion and the convex portion is 1 of the wavelength of the measurement light SL3. / 20 or less (eg, polished).

こうした延設部材103の貫通孔103a内には、第2ビームスプリッタ97の第2光学面96から−Z方向側に射出された計測光SL3が入射する。すると、計測光SL3は、延設部材103の貫通孔103a内をその長手方向(即ち、Z軸方向)に進行し、基準面104で反射される。そして、基準面104で反射された計測光SL3は、延設部材103の貫通孔103a内を−Z方向側に進行し、該貫通孔103aの+Z方向側の開口端から射出される。その後、計測光SL3の一部は、第2ビームスプリッタ97を透過した後、連通孔90Bからフランジ41外に射出される。また、残りの計測光SL3は、第2ビームスプリッタ97の第2光学面96及び第1ビームスプリッタ93の第1光学面92を介して径方向観察部95に導かれる。   The measurement light SL3 emitted from the second optical surface 96 of the second beam splitter 97 to the −Z direction side enters the through hole 103a of the extending member 103. Then, the measurement light SL3 travels in the longitudinal direction (that is, the Z-axis direction) in the through hole 103a of the extending member 103 and is reflected by the reference surface 104. Then, the measurement light SL3 reflected by the reference surface 104 travels in the through hole 103a of the extending member 103 toward the −Z direction side and is emitted from the opening end of the through hole 103a on the + Z direction side. After that, a part of the measurement light SL3 passes through the second beam splitter 97 and is then emitted out of the flange 41 from the communication hole 90B. The remaining measurement light SL3 is guided to the radial observation unit 95 via the second optical surface 96 of the second beam splitter 97 and the first optical surface 92 of the first beam splitter 93.

また、フランジ41の+Z方向側であって且つ連通孔90Bと対向する位置には、+Z方向側に延び、且つ鏡筒40と同一材料(即ち、低熱膨張材料)で構成されたロッド部材99が設けられている。このロッド部材99の先端(即ち、+Z方向側の端部)は、第4ミラー31とZ軸方向において略同一位置に位置している。また、ロッド部材99内には、Z軸方向に沿って延びる貫通孔99aが貫通形成されており、該貫通孔99aは、連通孔90Bと連通している。そして、第2ビームスプリッタ97を透過して連通孔90Bから射出された計測光SL3は、ロッド部材99の貫通孔99a内に入射し、該貫通孔99a内をその長手方向(即ち、Z軸方向)に沿って進行する。また、ロッド部材99の先端には、貫通孔99aの+Z方向側の開口端から射出された計測光SL3を径方向外側に向けて射出させるための第1反射面100を有する第1反射部材100Aが設けられている。この第1反射部材100Aの第1反射面100は、ロッド部材99の貫通孔99aから射出された計測光SL3の入射角が略45°となるように位置している。   Further, a rod member 99 that extends to the + Z direction side and is made of the same material as the lens barrel 40 (that is, a low thermal expansion material) is located on the + Z direction side of the flange 41 and opposed to the communication hole 90B. Is provided. The tip of the rod member 99 (that is, the end on the + Z direction side) is located at substantially the same position as the fourth mirror 31 in the Z-axis direction. Further, a through hole 99a extending along the Z-axis direction is formed through the rod member 99, and the through hole 99a communicates with the communication hole 90B. Then, the measurement light SL3 transmitted through the second beam splitter 97 and emitted from the communication hole 90B enters the through hole 99a of the rod member 99, and the inside of the through hole 99a is in its longitudinal direction (that is, the Z-axis direction). ) Follow along. Further, the rod member 99 has a first reflecting member 100A having a first reflecting surface 100 for emitting measurement light SL3 emitted from the opening end of the through hole 99a on the + Z direction side toward the radially outer side. Is provided. The first reflecting surface 100 of the first reflecting member 100A is positioned such that the incident angle of the measurement light SL3 emitted from the through hole 99a of the rod member 99 is approximately 45 °.

第4ミラー31の+Z方向側(即ち、露光光ELが入射しない側)には、第1反射部材100Aの第1反射面100から径方向外側に向けて射出された計測光SL3を戻すように全反射する被検面101を有する反射ミラー102が設けられている。この反射ミラー102の被検面101は、該被検面101に入射する計測光SL3の光路と略直交する平面であって、第4ミラー31の中心軸31aを通るX軸方向に平行な仮想線31b上に位置している。こうした被検面101で反射された計測光SL3は、第1反射部材100Aの第1反射面100によって−Z方向側に反射され、第1反射面100を介してロッド部材99の貫通孔99a内に入射し、該貫通孔99a内を−Z方向側に向けて進行する。そして、貫通孔99aの−Z方向側の開口端から射出された計測光SL3の大部分は、連通孔90Bを介して干渉計用収容空間90A内に入射した後、第2ビームスプリッタ97の第2光学面96及び第1ビームスプリッタ93の第1光学面92を介して径方向観察部95側に導かれる。このとき、被検面101で反射された計測光SL3と基準面104で反射された計測光SL3とは、互いに干渉し合う。すなわち、径方向観察部95は、ロッド部材99と被検面101との差(即ち、間隔H3)に応じた干渉縞を計測可能である。   The measurement light SL3 emitted from the first reflecting surface 100 of the first reflecting member 100A toward the radially outer side is returned to the + Z direction side of the fourth mirror 31 (that is, the side where the exposure light EL is not incident). A reflection mirror 102 having a test surface 101 that totally reflects is provided. The test surface 101 of the reflection mirror 102 is a plane that is substantially orthogonal to the optical path of the measurement light SL3 incident on the test surface 101 and is parallel to the X-axis direction passing through the central axis 31a of the fourth mirror 31. It is located on the line 31b. The measurement light SL3 reflected by the test surface 101 is reflected to the −Z direction side by the first reflecting surface 100 of the first reflecting member 100A, and passes through the first reflecting surface 100 and enters the through hole 99a of the rod member 99. And travels in the through hole 99a toward the −Z direction side. Then, most of the measurement light SL3 emitted from the opening end on the −Z direction side of the through hole 99a enters the interferometer housing space 90A through the communication hole 90B, and then the second beam splitter 97 The second optical surface 96 and the first optical surface 92 of the first beam splitter 93 are guided to the radial direction observation unit 95 side. At this time, the measurement light SL3 reflected by the test surface 101 and the measurement light SL3 reflected by the reference surface 104 interfere with each other. That is, the radial direction observation unit 95 can measure the interference fringes according to the difference between the rod member 99 and the test surface 101 (that is, the distance H3).

ここで、ロッド部材99及び延設部材103は、フランジ41にそれぞれ固定されているため、鏡筒40の温度と略同等の温度をそれぞれ有しているということができる。ロッド部材99は、鏡筒40と同じ材料で構成されている。そのため、もし仮に鏡筒40が熱膨張した場合、ロッド部材99のZ軸方向への熱膨張量(延び量)は、鏡筒40のZ軸方向への熱膨張量と略同等となる。一方、延設部材103は、線熱膨張係数が鏡筒40やロッド部材99を構成する材料のN倍となる材料で構成されると共に、そのZ軸方向における長さがロッド部材99のZ軸方向における長さの1/N倍である。そのため、もし仮にロッド部材99がZ軸方向に熱膨張した場合、延設部材103のZ軸方向への熱膨張量は、ロッド部材99のZ軸方向への熱膨張量と略同等となる。したがって、ロッド部材99のZ軸方向への熱膨張をキャンセルすることが可能である。   Here, since the rod member 99 and the extending member 103 are respectively fixed to the flange 41, it can be said that each has a temperature substantially equal to the temperature of the lens barrel 40. The rod member 99 is made of the same material as the lens barrel 40. Therefore, if the lens barrel 40 is thermally expanded, the thermal expansion amount (extension amount) of the rod member 99 in the Z-axis direction is substantially equal to the thermal expansion amount of the lens barrel 40 in the Z-axis direction. On the other hand, the extending member 103 is made of a material whose linear thermal expansion coefficient is N times that of the material constituting the lens barrel 40 and the rod member 99, and its length in the Z-axis direction is the Z-axis of the rod member 99. 1 / N times the length in the direction. Therefore, if the rod member 99 is thermally expanded in the Z-axis direction, the thermal expansion amount of the extending member 103 in the Z-axis direction is substantially equal to the thermal expansion amount of the rod member 99 in the Z-axis direction. Therefore, it is possible to cancel the thermal expansion of the rod member 99 in the Z-axis direction.

図8には、計測装置60において鏡筒40の内周面の直径を計測する直径計測用干渉計110が図示されている。この直径計測用干渉計110は、周方向において軸方向干渉計61、径方向干渉計75及び径方向干渉計90と異なる位置に配置されている。すなわち、フランジ41内において周方向において軸方向干渉計61、径方向干渉計75及び径方向干渉計90と異なる位置には、直径計測用収容空間110Aが形成されている。この直径計測用収容空間110A内には、Z軸方向と直交する方向であって且つ鏡筒40の中心軸AXに向かう径方向である第2方向に計測光SL4を出力する直径計測用発光部112が設けられている。   FIG. 8 shows a diameter measuring interferometer 110 that measures the diameter of the inner peripheral surface of the lens barrel 40 in the measuring device 60. The diameter measuring interferometer 110 is arranged at a position different from the axial interferometer 61, the radial interferometer 75, and the radial interferometer 90 in the circumferential direction. That is, a diameter measuring accommodation space 110 </ b> A is formed at a position different from the axial interferometer 61, the radial interferometer 75, and the radial interferometer 90 in the circumferential direction in the flange 41. In the diameter measurement storage space 110A, a diameter measurement light emitting unit that outputs the measurement light SL4 in a second direction that is a direction perpendicular to the Z-axis direction and toward the central axis AX of the lens barrel 40. 112 is provided.

また、直径計測用収容空間110A内の径方向内側において、直径計測用発光部112から出力される計測光SL4の光路には、該計測光SL4が入射する光学面114を有する第1ビームスプリッタ115が設けられている。第1ビームスプリッタ115の光学面114は、直径計測用発光部112から出力された計測光SL4の入射角が45°となるように配置されている。そして、光学面114に対して直径計測用発光部112側から入射した計測光SL4の大部分は、光学面114を透過した後、鏡筒40内を第2方向(図8では上方)に沿って進行する。   The first beam splitter 115 has an optical surface 114 on which the measurement light SL4 is incident on the optical path of the measurement light SL4 output from the diameter measurement light emitting unit 112 inside the diameter measurement storage space 110A in the radial direction. Is provided. The optical surface 114 of the first beam splitter 115 is arranged so that the incident angle of the measurement light SL4 output from the diameter measurement light emitting unit 112 is 45 °. Then, most of the measurement light SL4 incident on the optical surface 114 from the diameter measurement light emitting unit 112 side passes through the optical surface 114 and then passes through the lens barrel 40 in the second direction (upward in FIG. 8). And proceed.

また、直径計測用収容空間110Aにおいて第1ビームスプリッタ115の側方には、CCDなどの撮像素子を有する直径計測用観察部117が設けられている。この直径計測用観察部117は、第1ビームスプリッタ115の光学面114側から入射する光を観察可能に配置されている。そして、直径計測用観察部117による観察結果は、後述する制御装置130に出力される。   In addition, a diameter measurement observation unit 117 having an imaging element such as a CCD is provided on the side of the first beam splitter 115 in the diameter measurement storage space 110A. The diameter measurement observation unit 117 is arranged so that light incident from the optical surface 114 side of the first beam splitter 115 can be observed. Then, the observation result by the diameter measuring observation unit 117 is output to the control device 130 described later.

フランジ41の内側面側であって周方向において第1ビームスプリッタ115と同一集方向位置には、透光性材料で構成される板状の基準部材118が設けられている。この基準部材118には、直径計測用発光部112から出力された計測光SL4の一部を第1ビームスプリッタ115側に戻すように反射させると共に、残りの計測光SL4を透過させる基準面119が形成されている。この基準面119は、該基準面119に入射する計測光SL4の光路に略直交する平面であって、その凹部分と凸部分との高低差が計測光SL4の波長の1/20以下となるように加工(例えば研磨)されている。また、基準部材118において基準面119の反対側の面には、非反射コートを製膜してもよい。   A plate-like reference member 118 made of a translucent material is provided on the inner surface side of the flange 41 and at the same collection direction position as the first beam splitter 115 in the circumferential direction. The reference member 118 includes a reference surface 119 that reflects part of the measurement light SL4 output from the diameter measurement light emitting unit 112 so as to return to the first beam splitter 115 side and transmits the remaining measurement light SL4. Is formed. The reference surface 119 is a plane substantially orthogonal to the optical path of the measurement light SL4 incident on the reference surface 119, and the height difference between the concave portion and the convex portion is 1/20 or less of the wavelength of the measurement light SL4. Is processed (for example, polished). Further, a non-reflective coating may be formed on the surface of the reference member 118 opposite to the reference surface 119.

フランジ41の内側面において、中心軸AXを挟んで直径計測用発光部112の反対側には、被検面120が加工形成されている。この被検面120には、入射する計測光SL4を全反射するための反射コートが製膜されている。こうした被検面120によって反射された計測光SL4の大部分は、第2方向に沿って第1ビームスプリッタ115側に進行した後、その光学面114によって直径計測用観察部117側に反射される。このとき、被検面120で反射された計測光SL4と基準面119で反射された計測光SL4とは、互いに干渉し合う。すなわち、直径計測用観察部117は、基準面119と被検面120との差に応じた干渉縞を計測可能である。   On the inner side surface of the flange 41, a test surface 120 is processed and formed on the opposite side of the diameter measuring light emitting portion 112 with the central axis AX interposed therebetween. On the test surface 120, a reflection coat for totally reflecting the incident measurement light SL4 is formed. Most of the measurement light SL4 reflected by the test surface 120 travels to the first beam splitter 115 side along the second direction, and is then reflected by the optical surface 114 to the diameter measurement observation unit 117 side. . At this time, the measurement light SL4 reflected by the test surface 120 and the measurement light SL4 reflected by the reference surface 119 interfere with each other. That is, the diameter measuring observation unit 117 can measure the interference fringes according to the difference between the reference surface 119 and the test surface 120.

次に、本実施形態の露光装置11を制御する制御装置について図9に基づき説明する。
図9に示すように、制御装置130の図示しない入力側インタフェースには、計測装置60が電気的に接続されている。また、制御装置130の図示しない出力側インタフェースには、各ミラー保持装置43A〜43F(より詳しくは、リンク50内のアクチュエータ55)が電気的に接続されている。また、制御装置130は、CPU、ROM及びRAMなどから構築されるコンピュータ131と、各ミラー28〜33のZ軸方向における位置を算出するための軸方向算出部132と、各ミラー28〜33の径方向における位置を算出するための径方向算出部133とを備えている。
Next, a control apparatus that controls the exposure apparatus 11 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 9, a measuring device 60 is electrically connected to an input side interface (not shown) of the control device 130. Further, the mirror holding devices 43A to 43F (more specifically, the actuator 55 in the link 50) are electrically connected to an output side interface (not shown) of the control device 130. The control device 130 includes a computer 131 constructed from a CPU, a ROM, a RAM, and the like, an axial direction calculation unit 132 for calculating the positions of the mirrors 28 to 33 in the Z axis direction, and the mirrors 28 to 33. And a radial direction calculation unit 133 for calculating a position in the radial direction.

コンピュータ131は、各算出部132,133での算出結果に基づき、各ミラー保持装置43A〜43Fの駆動を個別に制御する。すなわち、コンピュータ131からの制御指令に基づき、各ミラー28〜33の位置及び姿勢がそれぞれ調整される。   The computer 131 individually controls the driving of the mirror holding devices 43A to 43F based on the calculation results of the calculation units 132 and 133. That is, based on a control command from the computer 131, the positions and orientations of the mirrors 28 to 33 are adjusted.

軸方向算出部132には、ミラー28〜33毎に設けられた各軸方向干渉計61の軸方向観察部66から観察結果が電気信号として入力される。すなわち、軸方向算出部132は、各軸方向観察部66で観察された干渉縞に基づき、各ミラー28〜33のZ軸方向における位置を算出する。ここで、本実施形態の鏡筒40は、線熱膨張係数が非常に低い材料で構成されているため、鏡筒40は、ほとんど熱膨張しない。したがって、本実施形態の軸方向算出部132は、フランジ41の−Z方向側の面41aを基準とした各ミラー28〜33のZ軸方向における位置を個別に算出することが可能である。   An observation result is input to the axial direction calculation unit 132 as an electrical signal from the axial direction observation unit 66 of each axial interferometer 61 provided for each of the mirrors 28 to 33. That is, the axial direction calculation unit 132 calculates the position of each mirror 28 to 33 in the Z-axis direction based on the interference fringes observed by each axial direction observation unit 66. Here, since the lens barrel 40 of the present embodiment is made of a material having a very low linear thermal expansion coefficient, the lens barrel 40 hardly thermally expands. Therefore, the axial direction calculation unit 132 of the present embodiment can individually calculate the positions in the Z-axis direction of the mirrors 28 to 33 with respect to the surface 41a on the −Z direction side of the flange 41.

径方向算出部133には、ミラー28〜30,32,33毎に設けられた径方向干渉計75の径方向観察部80、第4ミラー31用の径方向干渉計90の径方向観察部95、及び直径計測用干渉計110の直径計測用観察部117から観察結果が電気信号として入力される。すなわち、径方向算出部133は、各径方向干渉計75の径方向観察部80で観察された干渉縞に基づき、鏡筒40内でのXY平面での各ミラー28〜30,32,33の位置を個別に算出する。上述したように、本実施形態の鏡筒40はほとんど熱膨張しない。そのため、本実施形態の径方向算出部133は、鏡筒40の中心軸AXを基準としたXY平面での各ミラー28〜30,32,33の位置を個別に算出することが可能である。   The radial direction calculation unit 133 includes a radial direction observation unit 80 of the radial direction interferometer 75 provided for each of the mirrors 28 to 30, 32, and 33, and a radial direction observation unit 95 of the radial direction interferometer 90 for the fourth mirror 31. The observation result is input as an electric signal from the diameter measurement observation unit 117 of the diameter measurement interferometer 110. That is, the radial direction calculation unit 133 is configured so that each of the mirrors 28 to 30, 32, 33 on the XY plane in the barrel 40 is based on the interference fringes observed by the radial direction observation unit 80 of each radial interferometer 75. Calculate the position individually. As described above, the lens barrel 40 of the present embodiment hardly thermally expands. Therefore, the radial direction calculation unit 133 according to the present embodiment can individually calculate the positions of the mirrors 28 to 30, 32, and 33 on the XY plane with the central axis AX of the lens barrel 40 as a reference.

また、径方向算出部133は、直径計測用干渉計110の直径計測用観察部117で観察された干渉縞に基づき、鏡筒40の直径を算出すると共に、鏡筒40の中心軸AXから鏡筒40の内側面40aまでの距離(即ち、半径であって、以下、第1距離という。)を算出する。また、径方向算出部133は、径方向干渉計90の径方向観察部95で観察された干渉縞に基づき、鏡筒の側壁から第4ミラー31の中心軸31aまでの距離(以下、第2距離という。)を算出する。そして、径方向算出部133は、第1距離、第2距離及び鏡筒40の厚みを加算することにより、鏡筒40の中心軸AXを基準とした第4ミラー31のXY平面での位置を算出する。   Further, the radial direction calculation unit 133 calculates the diameter of the lens barrel 40 based on the interference fringes observed by the diameter measurement observation unit 117 of the diameter measurement interferometer 110, and determines the mirror from the central axis AX of the lens barrel 40. A distance to the inner surface 40a of the cylinder 40 (that is, a radius, hereinafter referred to as a first distance) is calculated. Further, the radial direction calculation unit 133 is based on the interference fringes observed by the radial direction observation unit 95 of the radial interferometer 90, and the distance from the side wall of the lens barrel to the central axis 31a of the fourth mirror 31 (hereinafter, second Called distance). Then, the radial direction calculation unit 133 adds the first distance, the second distance, and the thickness of the lens barrel 40, thereby determining the position of the fourth mirror 31 on the XY plane with respect to the central axis AX of the lens barrel 40. calculate.

したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)鏡筒40は、低熱膨張材料で構成されるため、熱膨張しにくい。そのため、ミラー保持装置40A〜40Fを介して鏡筒40に支持されるミラー28〜33の鏡筒40の熱膨張に起因した変位が抑制される。また、本実施形態の投影光学系16には、鏡筒40に対するミラー28〜33の位置を計測する計測装置60が設けられている。そのため、露光処理中であっても、鏡筒40に対するミラー28〜33の位置を計測できる。したがって、リソグラフィ工程の効率を維持しつつ、投影光学系16の波面収差を好適に維持できる。
Therefore, in this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) Since the lens barrel 40 is made of a low thermal expansion material, it is difficult to thermally expand. Therefore, the displacement due to the thermal expansion of the lens barrel 40 of the mirrors 28 to 33 supported by the lens barrel 40 via the mirror holding devices 40A to 40F is suppressed. The projection optical system 16 of the present embodiment is provided with a measuring device 60 that measures the positions of the mirrors 28 to 33 with respect to the lens barrel 40. Therefore, even during the exposure process, the positions of the mirrors 28 to 33 with respect to the lens barrel 40 can be measured. Therefore, the wavefront aberration of the projection optical system 16 can be suitably maintained while maintaining the efficiency of the lithography process.

(2)ミラー保持装置40A〜40Fを介して鏡筒40に支持されるミラー28〜33は、ミラー保持装置40A〜40Fを構成するアウタリング46、インナリング48、各保持機構49及び各リンク50の熱変形によって変位することがある。また、従来では、鏡筒(以下、従来鏡筒ともいう。)は、本実施形態の鏡筒40に比して、構成する材料の線熱膨張係数が高いため、熱膨張しやすい。そのため、従来鏡筒の熱膨張によってミラー28〜33が変位することがある。この点、本実施形態では、鏡筒40はほとんど熱膨張しない。そのため、本実施形態の投影光学系16は、ミラー28〜33が不必要に変位しにくい構成であるということができる。   (2) The mirrors 28 to 33 supported by the lens barrel 40 via the mirror holding devices 40A to 40F are the outer ring 46, the inner ring 48, the holding mechanisms 49, and the links 50 that constitute the mirror holding devices 40A to 40F. May be displaced by thermal deformation. Conventionally, the lens barrel (hereinafter, also referred to as a conventional lens barrel) is likely to thermally expand because the constituent material has a higher linear thermal expansion coefficient than the lens barrel 40 of the present embodiment. For this reason, the mirrors 28 to 33 may be displaced by the thermal expansion of the conventional lens barrel. In this regard, in this embodiment, the lens barrel 40 hardly thermally expands. Therefore, it can be said that the projection optical system 16 of the present embodiment has a configuration in which the mirrors 28 to 33 are not easily displaced unnecessarily.

(3)しかも、本実施形態の投影光学系16には、ミラー28〜33の鏡筒40に対する位置を計測するための計測装置60が設けられている。そのため、アウタリング46、インナリング48、各保持機構49及び各リンク50の熱変形に起因したミラー28〜33の変位を、速やかに計測できる。そして、この計測結果に基づきミラー保持装置40A〜40Fの駆動を制御することにより、ミラー28〜33の変位を速やかに解消できる。   (3) Moreover, the projection optical system 16 of the present embodiment is provided with a measuring device 60 for measuring the positions of the mirrors 28 to 33 with respect to the lens barrel 40. Therefore, the displacement of the mirrors 28 to 33 due to the thermal deformation of the outer ring 46, the inner ring 48, each holding mechanism 49, and each link 50 can be measured quickly. And by controlling the drive of the mirror holding devices 40A to 40F based on this measurement result, the displacement of the mirrors 28 to 33 can be quickly eliminated.

(4)鏡筒40のフランジ41は、ウエハステージ17に保持されるウエハWに対して移動不能な状態とされている。そして、本実施形態では、各軸方向干渉計61を用いてフランジ41に対する各ミラー28〜33のZ軸方向における位置が計測される。そのため、各ミラー28〜33のZ軸方向における位置調整を行うことにより、投影光学系16の光学特性を良好に維持できる。   (4) The flange 41 of the lens barrel 40 is not movable with respect to the wafer W held on the wafer stage 17. In the present embodiment, the positions of the mirrors 28 to 33 in the Z-axis direction with respect to the flange 41 are measured using the axial interferometers 61. Therefore, the optical characteristics of the projection optical system 16 can be favorably maintained by adjusting the positions of the mirrors 28 to 33 in the Z-axis direction.

(5)各計測光SL1〜SL3の光路においてZ軸方向に延びる光路(以下、Z軸光路ともいう。)は、鏡筒40の側壁に形成された貫通孔内に設けられている。そのため、各計測光SL1〜SL3のZ軸光路を鏡筒40の側壁外に設ける場合に比して、各計測光SL1〜SL3の光路と露光光ELの光路が交差することを回避しやすい。したがって、露光処理中であっても、ミラー28〜33の位置を計測できる。   (5) An optical path (hereinafter also referred to as a Z-axis optical path) extending in the Z-axis direction in the optical paths of the measurement light beams SL <b> 1 to SL <b> 3 is provided in a through hole formed in the side wall of the lens barrel 40. Therefore, as compared with the case where the Z-axis optical path of each measurement light SL1 to SL3 is provided outside the side wall of the lens barrel 40, it is easier to avoid the intersection of the optical path of each measurement light SL1 to SL3 and the optical path of the exposure light EL. Accordingly, the positions of the mirrors 28 to 33 can be measured even during the exposure process.

(6)径方向干渉計90は、ロッド部材99と、該ロッド部材99の熱膨張量と略同等の熱膨張量を有する延設部材103とを備え、該延設部材103の先端に基準面104が設けられている。そのため、もし仮に鏡筒40がZ軸方向に熱膨張したとしても、その熱膨張をキャンセルして第4ミラー31のXY平面での位置を計測することができる。   (6) The radial interferometer 90 includes a rod member 99 and an extending member 103 having a thermal expansion amount substantially equal to the thermal expansion amount of the rod member 99, and a reference surface at the tip of the extending member 103 104 is provided. Therefore, even if the lens barrel 40 is thermally expanded in the Z-axis direction, the thermal expansion can be canceled and the position of the fourth mirror 31 on the XY plane can be measured.

(7)各干渉計61,75は、発光部62,76よりも被検面70,86に近い側に基準面68,85を配置した構成である。そのため、鏡筒40の僅かな熱膨張に起因した検出誤差の発生を抑制できる。   (7) The interferometers 61 and 75 have a configuration in which the reference surfaces 68 and 85 are arranged closer to the test surfaces 70 and 86 than the light emitting units 62 and 76. Therefore, it is possible to suppress the generation of detection errors due to slight thermal expansion of the lens barrel 40.

なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、ミラー28〜33のZ軸方向における位置を計測するための計測部は、リニアエンコーダを備える構成であってもよい。すなわち、図10(a)(b)に示すように、計測部は、Z軸方向に沿って延びる短冊状のフィルム部材140を備え、該フィルム部材140は、鏡筒40の内側面40a側に設けられている。このフィルム部材140には、その長手方向に沿って等間隔に配置される複数のスリット141が形成されている。また、計測部は、ミラー(例えば第6ミラー33)の側壁に設けられる保持部材142を備え、該保持部材142の基端は、第6ミラー33に固定されている。また、保持部材142の先端は、二股状に分岐された一対の保持部142a,142bであり、両保持部142a,142bは、フィルム部材140を図10(b)における左右両側から挟むようにそれぞれ配置されている。また、第1保持部142aには、計測光を発光する発光部143が設けられ、第2保持部142bには、フィルム部材140のスリット141を介した計測光を受光する受光部144が設けられている。この受光部144は、制御装置130に電気的に接続されており、制御装置130の軸方向算出部132は、受光部144からの電気信号に基づき第6ミラー33のZ軸方向における位置を算出する。
The above embodiment may be changed to another embodiment as described below.
-In embodiment, the structure provided with a linear encoder may be sufficient as the measurement part for measuring the position in the Z-axis direction of the mirrors 28-33. That is, as shown in FIGS. 10A and 10B, the measurement unit includes a strip-shaped film member 140 extending along the Z-axis direction, and the film member 140 is disposed on the inner surface 40 a side of the lens barrel 40. Is provided. The film member 140 is formed with a plurality of slits 141 arranged at equal intervals along the longitudinal direction. In addition, the measurement unit includes a holding member 142 provided on the side wall of a mirror (for example, the sixth mirror 33), and a proximal end of the holding member 142 is fixed to the sixth mirror 33. Further, the front end of the holding member 142 is a pair of holding portions 142a and 142b branched in a bifurcated shape, and the both holding portions 142a and 142b respectively sandwich the film member 140 from the left and right sides in FIG. Has been placed. The first holding unit 142 a is provided with a light emitting unit 143 that emits measurement light, and the second holding unit 142 b is provided with a light receiving unit 144 that receives measurement light through the slit 141 of the film member 140. ing. The light receiving unit 144 is electrically connected to the control device 130, and the axial direction calculation unit 132 of the control device 130 calculates the position of the sixth mirror 33 in the Z-axis direction based on the electrical signal from the light receiving unit 144. To do.

このように構成しても、フィルム部材140を保持する鏡筒40は、ほとんど熱膨張しない。そのため、Z軸方向において互いに隣り合うスリット141同士の間の間隔はほとんど変化しない。したがって、第6ミラー33のZ軸方向における位置を正確に検出できる。   Even if comprised in this way, the lens-barrel 40 holding the film member 140 hardly thermally expands. Therefore, the interval between the slits 141 adjacent to each other in the Z-axis direction hardly changes. Therefore, the position of the sixth mirror 33 in the Z-axis direction can be accurately detected.

なお、複数のスリット141が形成される部材は、フィルム部材の代りに、例えば鏡筒40と同じ材料で構成される棒状部材であってもよい。
・実施形態において、ミラー28〜31,33と鏡筒40の内側面40aとの間隔を計測するための計測部は、静電容量センサを設けた構成であってもよい。
The member in which the plurality of slits 141 are formed may be a rod-shaped member made of the same material as that of the lens barrel 40, for example, instead of the film member.
-In embodiment, the structure provided with the electrostatic capacitance sensor may be sufficient as the measurement part for measuring the space | interval of the mirrors 28-31 and 33 and the inner surface 40a of the lens-barrel 40. FIG.

・実施形態では、鏡筒40の側壁に貫通孔を形成し、該貫通孔内を計測光の光路としているが、鏡筒40の側壁にZ軸方向に延びる凹溝を形成し、該凹溝内を計測光の光路としてもよい。   In the embodiment, a through hole is formed in the side wall of the lens barrel 40, and the inside of the through hole is used as an optical path of measurement light. However, a concave groove extending in the Z-axis direction is formed in the side wall of the lens barrel 40, and the concave groove The inside may be used as an optical path of measurement light.

・実施形態において、各干渉計61,75,90は、発光部62,76,91よりも被検面70,86,101に近い側に基準面68,85,104を配置した構成であるが、基準面68,85,104を被検面70,86,101よりも発光部62,76,91に近い側に配置した構成であってもよい。例えば、各干渉計61,75,90は、発光部62,76,91、基準面68,85,104、第1ビームスプリッタ64,78.93及び観察部66,80,95をユニット化した構成であってもよい。   In the embodiment, each interferometer 61, 75, 90 has a configuration in which the reference surfaces 68, 85, 104 are arranged closer to the test surfaces 70, 86, 101 than the light emitting units 62, 76, 91. The reference surfaces 68, 85, 104 may be arranged closer to the light emitting units 62, 76, 91 than the test surfaces 70, 86, 101. For example, each interferometer 61, 75, 90 has a configuration in which the light emitting units 62, 76, 91, the reference surfaces 68, 85, 104, the first beam splitters 64, 78.93, and the observation units 66, 80, 95 are unitized. It may be.

・実施形態において、計測装置60は、直径計測用干渉計110を省略してもよい。このように構成しても、鏡筒40はほとんど熱膨張しないため、その直径はほとんど変化しない。そのため、鏡筒40の直径を図示しない記憶装置に予め記憶させておくことにより、鏡筒40に対する第4ミラー31のXY平面での位置を計測できる。   In the embodiment, the measurement device 60 may omit the diameter measurement interferometer 110. Even if it comprises in this way, since the lens-barrel 40 hardly thermally expands, the diameter hardly changes. Therefore, by previously storing the diameter of the lens barrel 40 in a storage device (not shown), the position of the fourth mirror 31 relative to the lens barrel 40 on the XY plane can be measured.

・実施形態において、計測装置60は、ミラー28〜33のZ軸方向における位置を計測可能であれば、ミラー28〜33のXY平面での位置を計測できない構成であってもよい。この場合、計測装置60は、径方向干渉計75,90及び直径計測用干渉計110を省略してもよい。   In the embodiment, the measurement device 60 may be configured such that the position of the mirrors 28 to 33 on the XY plane cannot be measured as long as the position of the mirrors 28 to 33 in the Z-axis direction can be measured. In this case, the measuring device 60 may omit the radial interferometers 75 and 90 and the diameter measuring interferometer 110.

・実施形態において、鏡筒40を構成する材料は、線熱膨張係数が1.0×10―6/℃以下であれば任意の低熱膨張材料であってもよい。例えば、ULE(登録商標)やクリアセラム(登録商標)でもよい。 -In embodiment, the material which comprises the lens-barrel 40 may be arbitrary low thermal expansion materials, if a linear thermal expansion coefficient is 1.0x10 < -6 > / degrees C or less. For example, ULE (registered trademark) or clear serum (registered trademark) may be used.

・実施形態において、鏡筒40を構成する材料は、非透光性のセラミックスであってもよい。
・実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
-In embodiment, the material which comprises the lens-barrel 40 may be non-light-transmitting ceramics.
In the embodiment, the exposure apparatus 11 is for manufacturing a reticle or mask used not only in a micro device such as a semiconductor element but also in an optical exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, an X-ray exposure apparatus, and an electron beam exposure apparatus. In addition, an exposure apparatus that transfers a circuit pattern from a mother reticle to a glass substrate, a silicon wafer, or the like may be used. The exposure apparatus 11 is used for manufacturing a display including a liquid crystal display element (LCD) and the like, and is used for manufacturing an exposure apparatus that transfers a device pattern onto a glass plate, a thin film magnetic head, and the like. It may be an exposure apparatus that transfers to a wafer or the like, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD.

・実施形態において、光源装置12は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、Fレーザ(157nm)、Krレーザ(146nm)、Arレーザ(126nm)等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。 In the embodiment, the light source device 12 includes, for example, g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), F 2 laser (157 nm), Kr 2 laser (146 nm), Ar 2 laser (126 nm) The light source which can supply etc. may be sufficient. The light source device 12 amplifies the infrared or visible single wavelength laser light oscillated from the DFB semiconductor laser or fiber laser, for example, with a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and ytterbium). Alternatively, a light source capable of supplying harmonics converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used.

こうした光を露光光ELとして用いる場合、チャンバ13内を真空雰囲気にしなくてもよい。この場合、もし仮に各計測光SL1〜SL3のZ軸光路を鏡筒40の側壁外に設けた場合、計測光SL1〜SL3によって鏡筒40内の気体が揺らぐことがある。この点、各計測光SL1〜SL3のZ軸光路を鏡筒40の側壁内に設けることにより、鏡筒40内の気体の揺らぎの発生を抑制でき、該揺らぎに起因した光学素子の振動発生を抑制できる。   When such light is used as the exposure light EL, the inside of the chamber 13 need not be in a vacuum atmosphere. In this case, if the Z-axis optical path of each measurement light SL1 to SL3 is provided outside the side wall of the lens barrel 40, the gas in the lens barrel 40 may fluctuate due to the measurement light SL1 to SL3. In this respect, by providing the Z-axis optical path of each of the measurement lights SL1 to SL3 in the side wall of the lens barrel 40, the occurrence of gas fluctuation in the lens barrel 40 can be suppressed, and the occurrence of vibration of the optical element due to the fluctuation can be suppressed. Can be suppressed.

・実施形態において、光源装置12は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・実施形態において、露光装置11を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
In the embodiment, the light source device 12 may be a device having a discharge plasma light source.
In the embodiment, the exposure apparatus 11 may be embodied as a step-and-repeat apparatus.

次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図11は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。   Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the device manufacturing method by the exposure apparatus 11 of the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 11 is a flowchart illustrating a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micro machine, or the like).

まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。   First, in step S101 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S102 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S103 (substrate manufacturing step), a substrate (a wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon, glass, or ceramics.

次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。   Next, in step S104 (substrate processing step), using the mask and substrate prepared in steps S101 to S104, an actual circuit or the like is formed on the substrate by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S105 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S104. Step S105 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S106 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S105 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図12は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)においては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S104 in the case of a semiconductor device.
In step S111 (oxidation step), the surface of the substrate is oxidized. In step S112 (CVD step), an insulating film is formed on the substrate surface. In step S113 (electrode formation step), an electrode is formed on the substrate by vapor deposition. In step S114 (ion implantation step), ions are implanted into the substrate. Each of the above steps S111 to S114 constitutes a pretreatment process at each stage of the substrate processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.

基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。   When the above-mentioned pretreatment process is completed in each stage of the substrate process, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S115 (resist formation step), a photosensitive material is applied to the substrate. Subsequently, in step S116 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the substrate by the lithography system (exposure apparatus 11) described above. Next, in step S117 (development step), the substrate exposed in step S116 is developed to form a mask layer made of a circuit pattern on the surface of the substrate. Subsequently, in step S118 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step S119 (resist removal step), the photosensitive material that has become unnecessary after the etching is removed. That is, in step S118 and step S119, the surface of the substrate is processed through the mask layer. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the substrate.

11…露光装置、14…照明光学系、16…投影光学系、28〜33…光学素子としてのミラー、31a…光軸としての中心軸、40…鏡筒、41…フランジ、43A〜43F…光学素子保持装置としてのミラー保持装置、55…アクチュエータ、60…計測装置、61…第1計測部を構成する軸方向干渉計(第1干渉計)、62…第1発光部としての軸方向発光部、66…第1観察部としての軸方向観察部、68…第1基準面としての基準面、70…第1ミラー部としての被検面、75…第2計測部、間隔検出部を構成する径方向干渉計(第2干渉計)、76,91…第2発光部としての径方向発光部、80,95…第2観察部としての径方向観察部、85,104…第2基準面としての基準面、86,101…第2ミラー部としての被検面、90…第2計測部、間隔検出部を構成する径方向干渉計(第2干渉計)、96…分岐部としての第2光学面、103…延設部材、110…第2計測部、径検出部を構成する直径計測用干渉計、130…制御装置、131…制御部としてのコンピュータ、132…第1計測部を構成する軸方向算出部(第1算出部)、133…第2計測部を構成する径方向算出部(第2算出部、間隔算出部)、AX…鏡筒の中心軸、EL…放射ビームとしての露光光、R…マスクとしてのレチクル、SL1〜SL4…計測光、W…基板としてのウエハ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Exposure apparatus, 14 ... Illumination optical system, 16 ... Projection optical system, 28-33 ... Mirror as an optical element, 31a ... Center axis as an optical axis, 40 ... Lens barrel, 41 ... Flange, 43A-43F ... Optical Mirror holding device as element holding device, 55 ... Actuator, 60 ... Measuring device, 61 ... Axial interferometer (first interferometer) constituting first measuring unit, 62 ... Axial light emitting unit as first light emitting unit , 66... An axial observation unit as a first observation unit, 68... A reference surface as a first reference surface, 70... A test surface as a first mirror unit, 75. Radial direction interferometer (second interferometer), 76, 91... Radial direction light emitting portion as second light emitting portion, 80, 95... Radial direction observation portion as second observation portion, 85, 104. Reference plane, 86, 101 ... test as second mirror part , 90... Second measuring unit, radial interferometer (second interferometer) constituting the interval detecting unit, 96... Second optical surface as a branching unit, 103... Extension member, 110. Diameter measuring interferometer constituting detection unit, 130 ... control device, 131 ... computer as control unit, 132 ... axial direction calculation unit (first calculation unit) constituting first measurement unit, 133 ... second measurement unit AX ... the central axis of the lens barrel, EL ... exposure light as a radiation beam, R ... reticle as a mask, SL1 to SL4 ... measurement light, W ... wafer as a substrate.

Claims (19)

低熱膨張材料で構成される鏡筒と、
前記鏡筒内に配置される光学素子と、
前記光学素子を保持し、且つ前記鏡筒に対して前記光学素子を移動させるべく駆動する駆動部を有する光学素子保持装置と、
前記鏡筒に対する前記光学素子の位置を計測する計測装置と、
前記計測装置による計測結果に基づき前記光学素子保持装置を制御する制御部と、を備えることを特徴とする光学系。
A lens barrel made of a low thermal expansion material;
An optical element disposed in the lens barrel;
An optical element holding device having a drive unit that holds the optical element and drives the optical element to move with respect to the lens barrel;
A measuring device for measuring the position of the optical element with respect to the lens barrel;
An optical system comprising: a control unit that controls the optical element holding device based on a measurement result of the measurement device.
前記鏡筒は、線熱膨張係数が1.0×10―6/℃以下の低熱膨張材料で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学系。 2. The optical system according to claim 1, wherein the lens barrel is made of a low thermal expansion material having a linear thermal expansion coefficient of 1.0 × 10 −6 / ° C. or less. 前記鏡筒は、低熱膨張材料で構成されていることを特徴とする請求項2に記載の光学系。 The optical system according to claim 2, wherein the lens barrel is made of a low thermal expansion material. 前記鏡筒は、基準部位を有すると共に、
前記計測装置は、前記基準部位を基準とした前記鏡筒の中心軸に沿う第1方向における前記光学素子の位置を計測する第1計測部を有することを特徴とする請求項1〜請求項3のうち何れか一項に記載の光学系。
The lens barrel has a reference portion,
The said measuring apparatus has a 1st measurement part which measures the position of the said optical element in the 1st direction along the center axis | shaft of the said lens-barrel on the basis of the said reference | standard site | part. The optical system according to any one of the above.
前記第1計測部は、第1干渉計と、該第1干渉計によって観察される干渉縞に基づき前記第1方向における前記光学素子の前記基準部位に対する位置を算出する第1算出部と、を有することを特徴とする請求項4に記載の光学系。 The first measurement unit includes: a first interferometer; and a first calculation unit that calculates a position of the optical element with respect to the reference portion in the first direction based on an interference fringe observed by the first interferometer. The optical system according to claim 4, wherein the optical system is provided. 前記第1干渉計は、計測光を発光する第1発光部と、第1観察部と、入射する計測光の少なくとも一部を前記第1観察部側に反射する第1基準面と、入射する計測光の少なくとも一部を前記第1観察部側に反射する第1ミラー部と、を有し、
前記第1観察部は、前記第1基準面及び前記第1ミラー部からの各反射光によって形成される干渉縞を観察可能であると共に、前記基準部位側及び前記光学素子側の何れか一方に配置され、
前記第1ミラー部は、前記基準部位側及び前記光学素子側の何れか他方に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の光学系。
The first interferometer is incident with a first light emitting unit that emits measurement light, a first observation unit, and a first reference surface that reflects at least part of the incident measurement light toward the first observation unit. A first mirror part that reflects at least a part of the measurement light to the first observation part side,
The first observation unit is capable of observing interference fringes formed by reflected light from the first reference surface and the first mirror unit, and on either the reference region side or the optical element side. Arranged,
The optical system according to claim 5, wherein the first mirror unit is disposed on the other side of the reference portion side and the optical element side.
前記第1観察部は、前記基準部位側に配置されると共に、前記第1ミラー部は、前記光学素子の一部を加工して形成されていることを特徴とする請求項6に記載の光学系。 The optical system according to claim 6, wherein the first observation unit is disposed on the reference site side, and the first mirror unit is formed by processing a part of the optical element. system. 前記第1基準面は、前記第1方向において前記第1観察部よりも前記第1ミラー部側に配置されていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の光学系。 8. The optical system according to claim 6, wherein the first reference surface is arranged closer to the first mirror part than the first observation part in the first direction. 9. 前記鏡筒は、低熱膨張材料で構成されており、
前記第1基準面は、前記鏡筒の側壁の一部を加工して形成されていることを特徴とする請求項6〜請求項8のうち何れか一項に記載の光学系。
The lens barrel is made of a low thermal expansion material,
The optical system according to any one of claims 6 to 8, wherein the first reference surface is formed by processing a part of a side wall of the lens barrel.
前記鏡筒は、円筒部分を有すると共に、前記光学素子は、その光軸が前記鏡筒の中心軸に対して所定間隔離間するように配置されており、
前記計測装置は、前記第1方向と交差する第2方向における前記鏡筒の中心軸に対する前記光学素子の光軸の位置を計測する第2計測部をさらに有し、
該第2計測部は、前記円筒部分の径を検出する径検出部と、前記円筒部分の側壁と前記光学素子の検出位置との間隔を検出する間隔検出部と、前記各検出部による検出結果に基づき前記第2方向における前記鏡筒の中心軸に対する前記光学素子の光軸の位置を算出する第2算出部と、を有することを特徴とする請求項4に記載の光学系。
The lens barrel has a cylindrical portion, and the optical element is disposed such that an optical axis thereof is spaced apart from a central axis of the lens barrel by a predetermined distance.
The measurement apparatus further includes a second measurement unit that measures a position of the optical axis of the optical element with respect to a central axis of the barrel in a second direction intersecting the first direction,
The second measurement unit includes a diameter detection unit that detects a diameter of the cylindrical portion, an interval detection unit that detects an interval between a side wall of the cylindrical portion and a detection position of the optical element, and detection results obtained by the detection units. 5. The optical system according to claim 4, further comprising: a second calculation unit that calculates a position of an optical axis of the optical element with respect to a central axis of the barrel in the second direction based on the optical system.
前記間隔検出部は、第2干渉計と、該第2干渉計によって観察される干渉縞に基づき前記円筒部分の側壁と前記光学素子の検出位置との間隔を算出する間隔算出部と、を有することを特徴とする請求項10に記載の光学系。 The interval detection unit includes a second interferometer, and an interval calculation unit that calculates an interval between the side wall of the cylindrical portion and the detection position of the optical element based on an interference fringe observed by the second interferometer. The optical system according to claim 10. 前記第2干渉計は、計測光の光路が前記第1方向に沿って延びるように配置される第2発光部と、前記基準部位に配置される第2観察部と、入射する計測光の少なくとも一部を前記第2観察部側に反射する第2基準面と、前記光学素子の検出位置に配置され、且つ入射する計測光の少なくとも一部を前記第2観察部側に反射する第2ミラー部と、を有し、
前記第2観察部は、前記第2基準面及び前記第2ミラー部からの各反射光によって形成される干渉縞を観察可能であることを特徴とする請求項11に記載の光学系。
The second interferometer includes a second light-emitting unit arranged so that an optical path of measurement light extends along the first direction, a second observation unit arranged at the reference part, and at least incident measurement light A second reference surface that partially reflects to the second observation unit side, and a second mirror that is disposed at the detection position of the optical element and reflects at least a part of incident measurement light to the second observation unit side And
The optical system according to claim 11, wherein the second observation unit is capable of observing interference fringes formed by each reflected light from the second reference surface and the second mirror unit.
前記鏡筒は、低熱膨張材料で構成され、
前記第2発光部は、射出する計測光の光路が前記鏡筒の側壁内に形成されるように配置されていることを特徴とする請求項12に記載の光学系。
The lens barrel is made of a low thermal expansion material,
The optical system according to claim 12, wherein the second light emitting unit is arranged such that an optical path of measurement light to be emitted is formed in a side wall of the lens barrel.
前記第2基準面は、前記第1方向において前記観察部よりも前記第2ミラー部に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項13に記載の光学系。 The optical system according to claim 13, wherein the second reference surface is disposed at a position closer to the second mirror unit than the observation unit in the first direction. 前記基準部位から前記第1方向に沿って延びる延設部材をさらに備え、
前記間隔検出部は、計測光を射出する第2発光部と、前記基準部位に配置される第2観察部と、前記延設部材において前記基端とは前記第1方向で異なる位置に配置され、且つ入射する計測光の少なくとも一部を前記第2観察部側に反射する第2基準面と、前記光学素子に設けられ、且つ入射する計測光の少なくとも一部を前記第2観察部側に反射する第2ミラー部と、前記第2発光部からの計測光を前記第2基準面及び前記第2ミラー部に分岐する分岐部と、を有し、
前記第2観察部は、前記第2基準面及び前記第2ミラー部からの各反射光によって形成される干渉縞を観察可能であることを特徴とする請求項10に記載の光学系。
An extension member extending along the first direction from the reference portion;
The interval detection unit is arranged at a position different from the base end in the first direction in the second light emitting unit for emitting measurement light, the second observation unit arranged in the reference region, and the extending member. And a second reference surface that reflects at least a part of the incident measurement light to the second observation part side, and at least a part of the measurement light that is provided on the optical element and is incident on the second observation part side A second mirror part that reflects, and a branch part that branches measurement light from the second light emitting part to the second reference plane and the second mirror part,
The optical system according to claim 10, wherein the second observation unit is capable of observing interference fringes formed by reflected light from the second reference surface and the second mirror unit.
前記延設部材を構成する材料の線熱膨張係数は、前記鏡筒を構成する前記低熱膨張材料の線熱膨張係数のN(Nは、1よりも大きな値)倍であり、
前記延設部材の前記第1方向における長さは、前記第1方向における前記基準部位と前記第2ミラー部との間隔に対応する長さの1/N倍であることを特徴とする請求項15に記載の光学系。
The linear thermal expansion coefficient of the material constituting the extending member is N (N is a value greater than 1) times the linear thermal expansion coefficient of the low thermal expansion material constituting the barrel,
The length of the extending member in the first direction is 1 / N times the length corresponding to the distance between the reference portion and the second mirror portion in the first direction. 15. The optical system according to 15.
前記延設部材は、前記第1方向において前記基準部位から前記光学素子の配置位置とは反対側に延びるように配置されていることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の光学系。 17. The optical system according to claim 15, wherein the extending member is disposed so as to extend from the reference portion to a side opposite to a position where the optical element is disposed in the first direction. . 所定のパターンが形成されたマスクに放射ビームを導く照明光学系と、
前記マスクを介した放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射する投影光学系と、を備え、
前記各光学系の少なくとも一方は、請求項1〜請求項17のうち何れか一項に記載の光学系で構成されることを特徴とする露光装置。
An illumination optical system for directing a radiation beam to a mask on which a predetermined pattern is formed;
A projection optical system that irradiates a substrate coated with a photosensitive material with a radiation beam through the mask, and
An exposure apparatus, wherein at least one of the optical systems includes the optical system according to any one of claims 1 to 17.
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項18に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
In a device manufacturing method including a lithography process,
A device manufacturing method using the exposure apparatus according to claim 18 in the lithography process.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014022739A (en) * 2012-07-17 2014-02-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography apparatus and method

Cited By (1)

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JP2014022739A (en) * 2012-07-17 2014-02-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography apparatus and method

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