JP2004062091A - Holding apparatus, aligner, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、光学部材を搭載する精密機器、特に、露光装置等の投影光学系に関し、更に詳細には、半導体素子、撮像素子(CCD等)又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィー工程に使用される露光装置において、原版(例えば、マスク又はレチクル(なお、本出願では、これらの用語を交換可能に使用する。))の像を被処理体に投影露光する際、より正確な結像関係を得るための光学部材の保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトリソグラフィー(焼き付け)技術を用いてデバイスを製造する際に、マスクに描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。投影光学系は、回路パターンからの回折光をウェハの上に干渉させて結像させる。
【0003】
近年の電子機器の小型化及び薄型化への要請を実現するためには、電子機器に搭載されるデバイスを高集積化する必要があり、転写される回路パターンの微細化、即ち、高解像度化がますます要求されている。高解像力を得るためには、露光光の波長を短くすること、及び、投影光学系の開口数(NA)を上げることが有効であり、同時に投影光学系の収差を極めて小さく抑えなければならない。
【0004】
投影光学系を構成するレンズ、ミラーなどの光学素子に変形が生じると、変形前後で光路が屈折し、一点に結像するべき光線が一点に収束せずに収差を生じる。収差は位置ずれを招いてウェハ上の回路パターンの短絡を招く。一方、短絡を防止するためにパターン寸法を広くすれば微細化の要求に反する。
【0005】
従って、収差が小さい投影光学系を実現するためには、投影光学系を構成する光学素子の形状及び光軸に対する位置を変化させることなく投影光学系内に保持して、光学素子が有する本来の光学性能を最大限に引き出す必要がある。特に、近年の投影光学系の高NA化により、投影レンズは大口径化しているのでレンズ容積も大きくなり、自重による変形が発生しやすくなっている。また、最近盛んに研究が進められている極端紫外線(EUV:extreme ultraviolet)光を用いた露光装置(以下、EUV露光装置と称する。)は、その特徴の一つである短波長のEUV光(波長約10nm乃至15nm程度)のために少数の反射素子(即ち、ミラー)で投影光学系を構成しなければならず、ミラーの形状及び光軸に対する位置精度は極めて厳しい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
EUV露光装置は、0.1μm以下の回路パターンの露光に使用されるため、線幅精度が非常に厳しく、ミラーの形状においては、1nm程度以下の変形しか許されない。従って、ミラーの加工時の形状をEUV露光装置に組み込む際に、正確に再現する必要がある。
【0007】
しかし、ミラーを構成する母材料は非常に柔らかく、ミラーを保持する保持部材が加える力(保持力)だけでもミラーは数nm程度の変形を生じてしまう。また、保持部材の熱膨張や振動、変形によってミラーの位置ずれが発生してしまう。更には、ミラーは、全ての露光光を反射するわけではなく、30%以上の露光光を吸収してしまうため、吸収した露光光が分熱となりミラーを熱膨張させ、ミラーの形状及び光軸に対する位置を変化させてしまう。従って、ミラーの形状及び光軸に対する位置を変化させることなく投影光学系内に保持し、所望の光学性能を発揮させることができなかった。
【0008】
そこで、本発明は、結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによる収差を低減することで所望の光学性能をもたらす保持装置、露光装置及びデバイス製造方法を提供することを例示的目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての保持装置は、ミラーを3つの球面を介して6点支持する支持部材と、前記支持部材の周囲の3箇所に配置され、各々が光軸方向及び光軸周りの円周方向の2軸に移動可能な位置決め手段と、前記支持部材と前記位置決め手段とを連結し、前記位置決め手段の移動方向以外の4軸に移動可能(弾性変形可能)な連結手段とを有することを特徴とする。かかる保持装置によれば、ミラーをキネマティックに支持し、ミラーを支持する支持部材を6軸に関して移動可能とすることで結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれを低減することができる。前記3つの球面は、ピッチ120°で同一円周上に配置されることを特徴とする。前記ミラーは、前記3つの球面の円周と接触する円錐形状の凹部を有することを特徴とする。前記支持部材は、前記球面の2点と接触する断面V字形状の溝を有することを特徴とする。前記位置決め手段は、ピッチ120°で同一円周上に配置されていることを特徴とする。前記位置決め手段を前記光軸方向及び前記光軸周りの円周方向の2軸に移動するアクチュエータ(駆動機構)を更に有することを特徴とする。前記支持部材の位置を検出する検出部を更に有することを特徴とする。前記ミラーの位置を計測する計測部を更に有することを特徴とする。前記ミラーの相対位置を規定する位置基準部を更に有することを特徴とする。前記位置決め手段は、平行板バネのガイドを有することを特徴とする。
【0010】
本発明の別の側面としてのミラー組み込み方法は、光学系の所望の位置にミラーを組み込む方法であって、前記ミラーを取り付ける保持装置に、前記ミラーの相対位置を測定するための位置基準部を形成するステップと、前記保持部材に前記ミラーを取り付けるステップと、前記取り付けステップ後に前記位置基準部の位置を測定する第1測定ステップと、前記第1測定ステップ後に、前記ミラーが取り付けられた前記保持部を、前記光学系に組み込むステップと、前記組み込みステップ後に、前記位置基準部の位置を測定する第2測定ステップとを有することを特徴とする。前記ミラーが前記光学系に組み込まれた後に、前記光学系の波面収差を測定するステップと、前記測定ステップで測定した前記波面収差が低減される(好ましくは、最小となる)ように、前記ミラー及び前記保持装置を調整するステップとを有することを特徴とする。かかる方法によれば、ミラーを所望の姿勢で保持することが可能であり、優れた光学性能を達成することができる。
【0011】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、上述の保持装置を備え、当該保持装置に保持されたミラーを介してマスク又はレチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する光学系を有することを特徴とする。かかる露光装置によれば、上述した保持装置を構成要素の一部に有し、結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによる収差の発生を防止することができる。
【0012】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を投影露光するステップと、投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。上述の露光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、LSIやVLSIなどの半導体チップ、CCD、LCD、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【0013】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の例示的一態様である保持装置及び露光装置について説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。例えば、本実施形態では、保持装置100を例示的に露光装置500の投影光学系530に適用しているが、露光装置500の照明光学系514、その他周知のいかなる光学系に適用してもよい。なお、各図において同一の参照番号は同一部材を示し、重複説明は省略する。ここで、図1は、本発明の一側面としての保持装置100を示す概略構成斜視図である。なお、光軸方向は、Z軸方向と一致し、図面矢印で示す。
【0015】
保持装置100は、図1によく示されるように、支持部材120と、連結手段130と、位置決め手段140と、ベース150とを有し、ミラー110を保持する。
【0016】
ミラー110は、後述する支持部材120に載置され、反射を利用して光を結像させる。ミラー110の反射面には光を反射させる多層膜が施されており、かかる多層膜により光を強めあう作用を奏する。ミラー110に適用可能な多層膜は、例えば、モリブデン(Mo)層とシリコン(Si)層を交互に積層したMo/Si多層膜、又は、Mo層とベリリウム(Be)層を交互に積層したMo/Be多層膜などが考えられる。但し、本発明の多層膜は、上記した材料に限定されず、これと同様の作用及び効果を有する多層膜の使用を妨げるものではない。
【0017】
ミラー110は、図2に示すように、外周に3つの突起部112を有する。突起部112は、ミラー110と一体で構成され、120°ピッチで配置されている。但し、突起部112をミラー110に接合する際に加えられる力により、ミラー110の形状が変化することがなければ、又は、ミラー110の形状の変化が許容範囲内であるならば、突起部112をミラー110と別体として構成してもよい。ここで、図2は、図1に示す保持装置100の概略構成上視図である。
【0018】
突起部112は、図3に示すように、下面に凹部114を有する。凹部114は、円錐形状に形成され、後述する球面部材122の円周と接触する。ミラー110は、突起部112に形成された凹部114に接触する球面部材122を介して支持部材120に支持される。ここで、図3は、図1に示す保持装置100の部分拡大断面図であり、ミラー110の突起部112及び支持部材120の溝122を示している。
【0019】
支持部材120は、ミラー110と接触する球面部材122と、球面部材122を載置する溝124とを有し、ミラー110を支持する。支持部材120は、光軸を中心とする円環状板部材であり、例えば、ミラー110の線膨張率とほぼ同等の線膨張率を有する材料から構成されるのが望ましい。
【0020】
球面部材122は、ミラー110の突起部112に形成された凹部114にあわせて120°ピッチで配置される。このように、球面部材122は、ミラー110の円周方向に沿ってほぼ等間隔で分布しているためにミラー110は支持部材120上で安定する。球面部材122は、真球体形状を有する部材であり、ミラー110の突起部112に形成された凹部114と外周において接触する。球面部材122は、支持部材120の半径方向に移動可能に(即ち、半径方向に自由度をもって)溝124に載置される。従って、温度環境変動時にミラー110に熱膨張が生じても半径方向に膨張を許容することが可能となり、ミラーの中心が光軸に対して位置ずれを起こすことを防止することができる。
【0021】
溝124は、120°ピッチで支持部材120の半径方向に沿って形成され、球面部材122を載置する。換言すれば、溝124は、ミラー110の突起部112に形成された凹部114と対向する位置に形成される。溝124は、球面部材122の半径方向の動きを許容すると共に円周方向の動きを規定する。溝124は、図4に示すように、断面V字形状を有し、球面部材122と2点(A1及びA2)で接触する。即ち、3つの溝124によって、支持部材120は、ミラー110を球面部材122を介して6点で支持する(キネマティック支持)こととなり、ミラー110を過剰拘束せずに姿勢を維持させることができる。ここで、図4は、図1に示す支持部材120の球面部材122及び溝124を示す概略断面図である。
【0022】
球面部材122と溝124は、接触点A1及びA2での変形に伴うミラー110の姿勢の変化を防止し、理想的に6点で接触するために、高強度、且つ、摩擦力を極力小さくする(低摩擦係数)ことが必要である。高硬度、且つ、低摩擦係数を満足する球面部材122及び溝124の材料としては、セラミックス、表面を硬化熱処理された金属、DLC等のイオンプレーティングによる成膜コートなどが使用できる。
【0023】
ミラー110は、自重のみで、球面部材122及び溝124を介した支持部材120上で安定するが、例えば、保持装置100を搭載した光学系を輸送する際に振動が加わることを考えると、ミラー110を押さえこむ押さえ機構170を備えることが好ましい。押さえ機構170は、ミラー110の突起部112に関して支持部材120と対向する側からミラー110を押さえこみ、ミラー110の形状を極力維持したまま固定する。詳細には、押さえ機構170は、例えば、図5に示すように、ピンPによって支持部材120に接合され、弾性部材172を介してミラー110の突起部112に弾性力が印加し、支持部材120によってミラー110を挟み込んで固定する。この際、ミラー110に損傷を与えないように、ミラー110の突起部112の上面に円錐形状の凹部114を形成し、凹部114に載置した球面形状を有する球面部材122を介して弾性力を印加する。押さえ機構170は、常時ミラー110をクランプしていてもよく、要求されるミラー面精度や耐振特性などから常時使用するか、輸送時のみに使用するか適宜決定することが好ましい。ここで、図5は、押さえ機構170を有する保持装置100の部分拡大断面図である。
【0024】
一方、球面部材122と溝124との固定を強化するためには、球面部材122を磁性を有する材料で構成し、図6に示すように、溝124を構成する領域Rに永久磁石を埋め込む。また、溝124を構成する領域Rに電磁石を埋め込めば、球面部材122と溝124との固定の強化/非強化を切り替えることができる。ここで、図6は、支持部材120の球面部材122及び溝124を示す概略断面図である。
【0025】
連結手段130は、支持部材120の外周と接合し、支持部材120と後述する位置決め手段140とを連結する。連結手段130は、例えば、板バネを用いて、図7に示すように、X軸方向(ΔX)、X軸周りの円周方向(θx)、Y軸周りの円周方向(θy)及びZ軸周りの円周方向(θz)の4軸に関して剛性が他の2軸(Y軸方向及びZ軸方向)より小さくなるように構成される。換言すれば、連結手段130は、X軸方向(ΔX)、X軸周りの円周方向(θx)、Y軸周りの円周方向(θy)及びZ軸周りの円周方向(θz)の4軸に移動可能な構成となっている。ここで、図7は、図1に示す連結手段130及び位置決め手段140の概略斜視図である。
【0026】
連結手段130が、図8(a)に示すように、X軸方向(ΔX)に移動すると、支持部材120はXY平面に関して水平に移動する。連結手段130が、図8(b)に示すように、X軸周りの円周方向(θx)に移動すると、支持部材120はX軸周りに傾く。連結手段130が、図8(c)に示すように、Z軸周りの円周方向(θz)に移動すると、支持部材120はZ軸周りに傾く。連結手段130が、図8(d)に示すように、Y軸周りの円周方向(θy)に移動すると、支持部材120はY軸周りに傾く。従って、連結手段130は、4軸に関して支持部材130の移動を可能にする。ここで、図8は、4軸に関して移動した場合の連結手段130を示す概略模式図である。
【0027】
位置決め手段140は、支持部材120の周囲に120°ピッチで配置されると共に、連結手段130と連結する。位置決め手段140は、図9に示すように、平行板バネ142aに案内されてY軸方向(Δy)、平行板バネ142bに案内されてZ軸方向(Δz)に移動可能な弾性ヒンジ機構で構成される。位置決め手段140は、平行板バネ142a及び142bを押圧して変形させる押しネジ144a及び144bに挟まれたスペーサー146a及び146bの厚さを変えることでY軸方向(Δy)及びZ軸方向(Δz)の移動量を調節する。更に、押しネジ144a及び144bに図示しない縮小弾性ヒンジ機構を設けて、押しネジ144a及び144bの移動量を所定の比率で縮小して平行板バネ142a及び142bに伝えて、位置決め手段140のY軸方向(Δy)及びZ軸方向(Δz)の移動量の分解能を向上させることができる。なお、位置決め手段140は、平行板バネ142a及び142bが自然状態から一方向(押圧方向)のみに変形するように構成することが好ましい。かかる構成によれば、位置決め機構は移動方向以外の他成分が少なく、かつ摩擦が介在しない送り機構であるため高精度な位置決めが可能になる。さらに、4軸方向に弾性変形可能な連結手段をもちいることで、位置決め機構が移動した際に支持部材120の姿勢や位置は移動させるが、支持部材の変形を最小限におさえることが可能となる。さらにこの支持部材にミラーをキネマチック支持することで、ミラーの姿勢コントロールの際にミラーの面変形が起こりにくい保持機構を達成している。平行板バネ142a及び142bの移動方向の剛性を上げたい場合や、平行板バネ142a及び142bを押圧方向及び引圧方向に変形させたい場合は、図10に示すように、例えば、コイルバネ148a及び148bを用いて、平行板バネ142a及び142bを一方向に引っ張ることも可能である。ここで、図9は、図8に示す位置決め手段140の概略断面図、図10は、図1に示す連結手段130及び位置決め手段140を概略斜視図である。
【0028】
即ち、位置決め手段140は、Y軸方向(Δy)及びZ軸方向(Δz)の2軸に関して連結手段130の移動を可能にする。従って、連結手段130は、位置決め手段140と共同して、支持部材120を6軸に関して移動可能とすると共に、支持部材120の変形を最小限にすることができる。これにより、支持部材120に支持されたミラー110は、結像性能の劣化となる変形及び位置ずれによる収差を低減することができ、所望の光学性能を達成することができる。
【0029】
また、位置決め手段140は、押しネジ144a及び144bの代わりに、図11及び図12に示すように、アクチュエータ180を用いてY軸方向(Δy)及びZ軸方向(Δz)に移動させてもよい。アクチュエータ180は、例えば、ピエゾ素子又はピエゾ素子を応用したピコモーターなどであり、平行板バネ142a及び142bを一方向に押圧する。なお、平行板バネ142a及び142bの変位量を計測するために変位計185を設置することもできる。変位計185には、静電容量センサーや差動トランスなどの高精度変位計を用いる。ここで、図11は、図1に示す連結手段130及び位置決め手段140を概略斜視図、図12は、図11に示す位置決め手段140の概略断面図である。
【0030】
再び、図1に戻って、ベース150は、位置決め手段140と接合し、固定孔152を介して投影光学系530の鏡筒に固定される。ベース150は、光軸を中心とする円環状板部材であり、例えば、真鍮などの銅合金、ステンレス鋼、鉄、低熱膨張金属であるインバ、炭素鋼などの金属、セラミック等を材料とする。
【0031】
以上の構成により、保持装置100は、支持部材120を6軸(X軸方向、X軸周りの円周方向、Y軸方向、Y軸周りの円周方向、Z軸方向、Z軸周りの円周方向)に移動させて、ミラー110の形状を変化させることなく、位置決めを行うことができる。
【0032】
また、保持装置100は、図13に示すように、ベース150に支持部材120の位置を検出する検出部190を設けることで、更に高精度に支持部材120の駆動を制御することができる。本実施形態では、検出部190は、Z軸方向の支持部材120の位置を検出する変位センサー192及びZ軸周りの円周方向の支持部材120の位置を検出する変位センサー194を各々3箇所に配置している。ここで、図13は、保持装置100の一例を示す概略斜視図である。
【0033】
保持装置100は、図14に示すように、ベース150にミラー110の位置を計測する計測部200を設けることで、更に高精度にミラー110の位置を制御することができる。本実施形態では、計測部200を、X軸周りの円周方向及びY軸周りの円周方向のチルト計測用に3箇所(内2箇所は不図示)、ミラー110のX軸方向及びY軸方向の位置計測用に2箇所配置している。計測部200としては、レーザー測長器を用いるか、制御システムを簡略化するために静電容量センサーを用いてもよい。但し、静電容量センサーを用いる場合には、少なくともミラー110の測定面にターゲット電極を成膜する必要がある。ここで、図14は、保持装置100の一例を示す概略斜視図である。
【0034】
以下、図16を参照して、光学系の所望の位置に保持装置100に保持されたミラー110を組み込む方法について説明する。図16は、光学系の所望の位置に保持装置100に保持されたミラー110を組み込む方法を説明するためのフローチャートである。まず、ミラー110を取り付ける保持装置100にミラー110の相対位置を規定する位置基準部210を形成する(ステップ1002)。
具体的にはミラーを加工する際に、ミラー面と三次元的に位置が保証された基準部を形成するものである。この位置基準部を設ける目的は、後述の光学系組込み工程においてミラー面位置を所望の精度で検出する必要が出てくるが、その際にミラー面測定の代わりに、この位置基準部を測定できるようにしたものである。ミラー面を測定したのでは反射面への形状ダメージや汚染の問題が起こってしまうし、ミラー面が非球面など複雑な形状をなしている場合は測定点を多数必要とし、組込み工数の増大につながってしまう。
位置基準部はミラー面との位置が3次元的に保証されていればどんな形状でもかまわないが、測定時の精度をより高精度にするには、例えば図15に示すようにミラーの周辺3箇所に球状の部材を備えても良い。
次にミラー110を保持装置100に取り付ける。この際に、保持装置100の所定の位置に対してミラー110の位置基準部210が所定の許容範囲内であることを確認する。もし許容範囲外であったなら再度組み込み調整作業を行い、最終的には既定値内になるようにする
(ステップ1004)。更に、ミラー110が取り付けられた保持装置100を光学系に組み込む。この際に、ミラー110の位置が所定の位置になるように位置基準部210を測定して保持装置100の取付け位置を調整する
(ステップ1006)。ミラー保持装置100へのミラー110の取り付け、及び、ミラー110が取り付けられた保持装置100の光学系への組み込みを、常に、位置基準部210と照らし合わせながら行うことで、工程が簡略化され、且つ、所望の位置にミラー110を配置することが可能となり、高精度な光学系とすることができる。次に、ミラー110が取り付けられた保持装置100が組み込まれた光学系の波面収差を測定し(ステップ1008)、測定した波面収差が最小となるように、ミラー110を保持した保持装置100を調整する(ステップ1010)。この調整においては、前述の位置決め手段140を移動させることで高精度な調整を行うことができる。これにより、保持装置100を組み込んだ光学系は、所望の光学性能を達成することが可能となる。
【0035】
以下、図17を参照して、本発明の例示的な露光装置500について説明する。ここで、図17は、本発明の例示的な露光装置500の概略構成図である。本発明の露光装置500は、露光用の照明光としてEUV光(例えば、波長13.4nm)を用いてステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でマスク520に形成された回路パターンを被処理体540に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(「スキャナー」とも呼ばれる。)を例に説明する。ここで、ステップ・アンド・スキャン方式は、マスクに対してウェハを連続的にスキャン(走査)してマスクパターンをウェハに露光すると共に、1ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。ステップ・アンド・リピート方式は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【0036】
図17を参照するに、露光装置500は、照明装置510と、マスク520と、マスク520を載置するマスクステージ525と、投影光学系530と、被処理体540と、被処理体540を載置するウェハステージ545と、アライメント検出機構550と、フォーカス位置検出機構560とを有する。
【0037】
また、図17に示すように、EUV光は、大気に対する透過率が低いため、少なくともEUV光が通る光路は真空雰囲気VCであることが好ましい。
【0038】
照明装置510は、投影光学系530の円弧状の視野に対する円弧状のEUV光(例えば、波長13.4nm)によりマスク520を照明する照明装置であって、EUV光源512と、照明光学系514より構成される。
【0039】
EUV光源512は、例えば、レーザープラズマ光源が用いられる。これは真空容器中のターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される、例えば、波長13nm程度のEUV光を利用するものである。ターゲット材としては、金属膜、ガスジェット、液滴などが用いられる。放射されるEUV光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数kHzの繰り返し周波数で運転される。
【0040】
照明光学系514は、集光ミラー514a、オプティカルインテグレーター514bから構成される。集光ミラー514aは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるEUV光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター514bは、マスク520を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。また、照明光学系514は、マスク520と共役な位置に、マスク520の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャ514cが設けられている。かかる照明光学系514の集光ミラー514a及びオプティカルインテグレーター514bなどの光学部材の保持に本発明の保持装置100を使用することができる。
【0041】
マスク520は、反射型マスクで、その上には転写されるべき回路パターン(又は像)が形成され、マスクステージ525に支持及び駆動されている。マスク520から発せられた回折光は、投影光学系530で反射されて被処理体540上に投影される。マスク520と被処理体540とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置500は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、マスク520と被処理体540を走査することによりマスク520のパターンを被処理体540上に縮小投影する。
【0042】
マスクステージ525は、マスク520を支持して図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ525は、当業界周知のいかなる構成をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともX方向にマスクステージ525を駆動することでマスク520を移動することができる。露光装置500は、マスク520と被処理体540を同期した状態で走査する。ここで、マスク520又は被処理体540面内で走査方向をX、それに垂直な方向をY、マスク520又は被処理体540面内に垂直な方向をZとする。
【0043】
投影光学系530は、複数の反射ミラー(即ち、多層膜ミラー)530aを用いて、マスク520面上のパターンを像面である被処理体540上に縮小投影する。複数のミラー530aの枚数は、4枚乃至6枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するためには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域(リングフィールド)だけを用いて、マスク520と被処理体540を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系530の開口数(NA)は、0.1乃至0.3程度である。
【0044】
かかる投影光学系530を構成するミラー530aなどの光学部材の保持に本発明の保持装置100を使用することができる。保持装置100は、図示しない部材によって投影光学系530の鏡筒に連結されている。従って、投影光学系530は、結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによる収差を低減することができ、所望の光学性能を達成することができる。
【0045】
被処理体540は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体540には、フォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質(即ち、界面活性剤塗布による疎水性化)処理であり、HMDS(Hexamethyl−disilazane)などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング(焼成)工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【0046】
ウェハステージ545は、ウェハチャック545aによって被処理体540を支持する。ウェハステージ545は、例えば、リニアモーターを利用してXYZ方向に被処理体540を移動する。マスク520と被処理体540は、同期して走査される。また、マスクステージ525の位置とウェハステージ545の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【0047】
アライメント検出機構550は、マスク520の位置と投影光学系530の光軸との位置関係、及び、被処理体540の位置と投影光学系530の光軸との位置関係を計測し、マスク520の投影像が被処理体540の所定の位置に一致するようにマスクステージ525及びウェハステージ545の位置と角度を設定する。
【0048】
フォーカス位置検出機構560は、被処理体540面でZ方向のフォーカス位置を計測し、ウェハステージ545の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体545面を投影光学系530による結像位置に保つ。
【0049】
露光において、照明装置510から射出されたEUV光はマスク520を照明し、マスク520面上のパターンを被処理体540面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状(リング状)の像面となり、マスク520と被処理体540を縮小倍率比の速度比で走査することにより、マスク520の全面を露光する。
【0050】
次に、図18及び図19を参照して、上述の露光装置500を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図18は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ3(ウェハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。っステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
【0051】
図19は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13ではウェハに電極を形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置500によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置500を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【0052】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。例えば、本発明の保持装置をマスクやウェハを支持するために用いてもよい。
【0053】
【発明の効果】
本発明の保持装置によれば、結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによる収差を低減することで所望の光学性能を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一側面としての保持装置を示す概略構成斜視図である。
【図2】図1に示す保持装置の概略構成上視図である。
【図3】図1に示す保持装置の部分拡大断面図である。
【図4】図1に示す支持部材の球面部材及び溝を示す概略断面図である。
【図5】押さえ機構を有する保持装置100の部分拡大断面図である。
【図6】図1に示す支持部材の球面部材及び溝を示す概略断面図である。
【図7】図1に示す連結手段及び位置決め手段の概略斜視図である。
【図8】4軸に関して移動した場合の連結手段を示す概略模式図である。
【図9】図8に示す位置決め手段の概略断面図である。
【図10】図1に示す連結手段及び位置決め手段を概略斜視図である。
【図11】図1に示す連結手段及び位置決め手段を概略斜視図である。
【図12】図11に示す位置決め手段の概略断面図である。
【図13】保持装置の一例を示す概略斜視図である。
【図14】保持装置の一例を示す概略斜視図である。
【図15】保持装置の一例を示す概略斜視図である。
【図16】光学系の所望の位置に保持装置に保持されたミラーを組み込む方法を説明するためのフローチャートである。
【図17】本発明の例示的な露光装置の概略構成図である。
【図18】デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。
【図19】図18に示すステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
100 保持装置
110 ミラー
112 突起部
114 凹部
120 支持部材
122 球面部材
124 溝
130 連結手段
140 位置決め手段
142a及びb 平行板バネ
144a及びb 押しネジ
146a及びb スペーサー
148a及びb コイルバネ
150 ベース
170 押さえ機構
172 弾性部材
180 アクチュエータ
185 変位計
190 検出部
200 測定部
210 位置基準部
500 露光装置
510 照明装置
514 照明光学系
520 マスク
530 投影光学系
540 被処理体
550 アライメント検出機構
560 フォーカス位置検出機構[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention generally relates to a precision instrument on which an optical member is mounted, in particular, to a projection optical system such as an exposure apparatus, and more particularly, to a semiconductor device, an imaging device (such as a CCD) or a thin film magnetic head. In an exposure apparatus used in a lithography process, when an image of an original (for example, a mask or a reticle (the terms are used interchangeably in the present application)) is projected and exposed on an object to be processed, it is more accurate. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a holding device for an optical member for obtaining a proper imaging relationship.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art When manufacturing a device using a photolithography (printing) technique, a reduction projection exposure apparatus that transfers a circuit pattern by projecting a circuit pattern drawn on a mask onto a wafer or the like by a projection optical system has been conventionally used. . The projection optical system forms an image by causing the diffracted light from the circuit pattern to interfere with the wafer.
[0003]
In order to meet the recent demand for smaller and thinner electronic devices, it is necessary to highly integrate devices mounted on the electronic devices, and finer circuit patterns to be transferred, that is, higher resolution Are increasingly required. In order to obtain a high resolution, it is effective to shorten the wavelength of the exposure light and increase the numerical aperture (NA) of the projection optical system. At the same time, the aberration of the projection optical system must be extremely small.
[0004]
When an optical element such as a lens or a mirror that constitutes a projection optical system is deformed, an optical path is refracted before and after the deformation, and a ray to be imaged at one point does not converge at one point, causing an aberration. The aberration causes a displacement and a short circuit of the circuit pattern on the wafer. On the other hand, if the pattern size is increased in order to prevent a short circuit, it is against the demand for miniaturization.
[0005]
Therefore, in order to realize a projection optical system with small aberration, the shape and the position of the optical element constituting the projection optical system with respect to the optical axis are held in the projection optical system without changing, and the original It is necessary to maximize optical performance. In particular, with the recent increase in the NA of the projection optical system, the diameter of the projection lens has been increased, so that the volume of the lens has also been increased, and deformation due to its own weight has been likely to occur. An exposure apparatus using extreme ultraviolet (EUV) light (hereinafter, referred to as an EUV exposure apparatus), which has been actively researched recently, is one of the features of the exposure apparatus. For a wavelength of about 10 nm to 15 nm), the projection optical system must be composed of a small number of reflecting elements (that is, mirrors), and the shape of the mirror and the positional accuracy with respect to the optical axis are extremely severe.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Since the EUV exposure apparatus is used for exposing a circuit pattern of 0.1 μm or less, the line width accuracy is very strict, and the mirror shape is allowed to deform only about 1 nm or less. Therefore, it is necessary to accurately reproduce the mirror processing shape when incorporating the mirror into an EUV exposure apparatus.
[0007]
However, the base material that constitutes the mirror is very soft, and the mirror is deformed by several nanometers only by the force (holding force) applied by the holding member that holds the mirror. In addition, the displacement of the mirror is caused by thermal expansion, vibration, and deformation of the holding member. Furthermore, the mirror does not reflect all of the exposure light, but absorbs more than 30% of the exposure light, so that the absorbed exposure light is split into heat and thermally expands the mirror. Changes the position with respect to. Therefore, the mirror cannot be held in the projection optical system without changing its shape and position with respect to the optical axis, and the desired optical performance cannot be exhibited.
[0008]
Accordingly, it is an exemplary object of the present invention to provide a holding apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method that provide desired optical performance by reducing aberration due to deformation and displacement of an optical member that deteriorates imaging performance. And
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a holding device according to one aspect of the present invention is provided with a support member that supports a mirror at six points via three spherical surfaces, and at three locations around the support member. Positioning means movable in two axes in the axial direction and in the circumferential direction around the optical axis, and the supporting member and the positioning means are connected to each other and movable in four axes other than the moving direction of the positioning means (elastically deformable) ) Connecting means. According to such a holding device, the mirror is kinematically supported, and the supporting member supporting the mirror can be moved about six axes, thereby reducing the deformation and displacement of the optical member which deteriorates the imaging performance. it can. The three spherical surfaces are arranged on the same circumference at a pitch of 120 °. The mirror has a conical concave portion in contact with the circumference of the three spherical surfaces. The support member has a groove having a V-shaped cross section that contacts two points of the spherical surface. The positioning means are arranged on the same circumference at a pitch of 120 °. An actuator (driving mechanism) for moving the positioning means in two axes in the optical axis direction and a circumferential direction around the optical axis is further provided. The image forming apparatus further includes a detection unit that detects a position of the support member. The apparatus further includes a measuring unit that measures the position of the mirror. It is characterized by further comprising a position reference portion for defining a relative position of the mirror. The positioning means has a guide of a parallel leaf spring.
[0010]
A mirror incorporating method according to another aspect of the present invention is a method of incorporating a mirror at a desired position of an optical system, wherein a holding device for attaching the mirror has a position reference unit for measuring a relative position of the mirror. Forming, attaching the mirror to the holding member, measuring the position of the position reference unit after the attaching step, and, after the first measuring step, holding the mirror attached to the holding member. A step of incorporating the unit into the optical system; and, after the incorporating step, a second measuring step of measuring a position of the position reference unit. Measuring the wavefront aberration of the optical system after the mirror has been incorporated into the optical system; and the mirror such that the wavefront aberration measured in the measuring step is reduced (preferably minimized). And adjusting the holding device. According to this method, the mirror can be held in a desired posture, and excellent optical performance can be achieved.
[0011]
An exposure apparatus as still another aspect of the present invention includes the holding device described above, and includes an optical system that exposes a pattern formed on a mask or a reticle to a target object via a mirror held by the holding device. It is characterized by the following. According to such an exposure apparatus, it is possible to prevent the occurrence of aberration due to the deformation and displacement of the optical member, which deteriorates the imaging performance, by including the holding device described above as a part of the constituent elements.
[0012]
A device manufacturing method as still another aspect of the present invention includes a step of projecting and exposing an object to be processed by using the above-described exposure apparatus, and a step of performing a predetermined process on the object to be subjected to projection exposure. It is characterized by. The claims of the device manufacturing method having the same operation as that of the above-described exposure apparatus extend to the device itself as an intermediate and final product. Such devices include semiconductor chips such as LSI and VLSI, CCDs, LCDs, magnetic sensors, thin-film magnetic heads, and the like.
[0013]
Further objects and other features of the present invention will become apparent from preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a holding device and an exposure device that are exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments, and each component may be replaced as long as the object of the present invention is achieved. For example, in the present embodiment, the holding
[0015]
As shown in FIG. 1, the holding
[0016]
The
[0017]
The
[0018]
As shown in FIG. 3, the
[0019]
The
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
The
[0023]
Although the
[0024]
On the other hand, in order to strengthen the fixation between the
[0025]
The connecting means 130 is joined to the outer periphery of the
[0026]
When the connecting means 130 moves in the X-axis direction (ΔX) as shown in FIG. 8A, the
[0027]
The positioning means 140 is arranged around the
[0028]
That is, the positioning means 140 enables the movement of the connecting means 130 with respect to two axes in the Y-axis direction (Δy) and the Z-axis direction (Δz). Accordingly, the connecting means 130 can cooperate with the positioning means 140 to make the
[0029]
Further, the positioning means 140 may be moved in the Y-axis direction (Δy) and the Z-axis direction (Δz) by using an
[0030]
Returning to FIG. 1 again, the
[0031]
With the above-described configuration, the holding
[0032]
In addition, as shown in FIG. 13, the holding
[0033]
As shown in FIG. 14, the holding
[0034]
Hereinafter, a method of incorporating the
Specifically, when processing a mirror, a reference portion whose position is three-dimensionally guaranteed with respect to the mirror surface is formed. The purpose of providing this position reference unit is to detect the mirror surface position with desired accuracy in an optical system assembling step described later. In this case, instead of the mirror surface measurement, this position reference unit can be measured. It is like that. Measuring the mirror surface may cause shape damage and contamination on the reflecting surface, and if the mirror surface has a complex shape such as an aspheric surface, many measurement points are required, which increases the number of assembly steps. It will be connected.
The position reference portion may have any shape as long as the position with respect to the mirror surface is three-dimensionally guaranteed. However, in order to increase the accuracy at the time of measurement, for example, as shown in FIG. A spherical member may be provided at the location.
Next, the
(Step 1004). Further, the holding
(Step 1006). Attachment of the
[0035]
Hereinafter, an
[0036]
Referring to FIG. 17, an
[0037]
Further, as shown in FIG. 17, since the transmittance of EUV light to the atmosphere is low, it is preferable that at least the optical path through which the EUV light passes is a vacuum atmosphere VC.
[0038]
The
[0039]
As the EUV light source 512, for example, a laser plasma light source is used. In this method, a high-intensity pulsed laser beam is irradiated to a target material in a vacuum vessel to generate high-temperature plasma, and EUV light having a wavelength of, for example, about 13 nm is emitted from the plasma. As the target material, a metal film, a gas jet, a droplet, or the like is used. In order to increase the average intensity of the emitted EUV light, the repetition frequency of the pulse laser is preferably high, and the operation is usually performed at a repetition frequency of several kHz.
[0040]
The illumination
[0041]
The mask 520 is a reflective mask on which a circuit pattern (or image) to be transferred is formed, and is supported and driven by a
[0042]
The
[0043]
The projection optical system 530 uses a plurality of reflection mirrors (that is, multilayer mirrors) 530a to reduce and project the pattern on the mask 520 onto the
[0044]
The holding
[0045]
The
[0046]
The
[0047]
The alignment detection mechanism 550 measures the positional relationship between the position of the mask 520 and the optical axis of the projection optical system 530, and the positional relationship between the position of the
[0048]
The focus
[0049]
In the exposure, the EUV light emitted from the
[0050]
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described
[0051]
FIG. 19 is a detailed flowchart of the wafer process in
[0052]
Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist. For example, the holding device of the present invention may be used to support a mask or a wafer.
[0053]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the holding apparatus of this invention, desired optical performance can be achieved by reducing the aberration by the deformation | transformation and displacement of the optical member which deteriorates imaging performance.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration perspective view showing a holding device as one aspect of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view of the holding device shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of the holding device shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a spherical member and a groove of the support member shown in FIG. 1;
FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of a
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a spherical member and a groove of the support member shown in FIG. 1;
FIG. 7 is a schematic perspective view of the connecting means and the positioning means shown in FIG.
FIG. 8 is a schematic diagram showing the connecting means when moving about four axes.
9 is a schematic sectional view of the positioning means shown in FIG.
FIG. 10 is a schematic perspective view of the connecting means and the positioning means shown in FIG. 1;
FIG. 11 is a schematic perspective view of the connecting means and the positioning means shown in FIG.
FIG. 12 is a schematic sectional view of the positioning means shown in FIG.
FIG. 13 is a schematic perspective view showing an example of a holding device.
FIG. 14 is a schematic perspective view showing an example of a holding device.
FIG. 15 is a schematic perspective view showing an example of a holding device.
FIG. 16 is a flowchart for explaining a method of incorporating a mirror held by a holding device at a desired position in an optical system.
FIG. 17 is a schematic configuration diagram of an exemplary exposure apparatus of the present invention.
FIG. 18 is a flowchart for explaining the manufacture of devices (semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like).
19 is a detailed flowchart of the wafer process in
[Explanation of symbols]
100 holding device
110 mirror
112 Projection
114 recess
120 support member
122 spherical member
124 grooves
130 connecting means
140 positioning means
142a and b parallel leaf springs
144a and b set screw
146a and b spacer
148a and b Coil spring
150 base
170 Holding mechanism
172 elastic member
180 Actuator
185 displacement meter
190 detector
200 Measuring unit
210 Position Reference Unit
500 exposure equipment
510 Lighting device
514 Illumination optical system
520 mask
530 Projection optical system
540 object
550 Alignment detection mechanism
560 Focus position detection mechanism
Claims (14)
前記支持部材の周囲の3箇所に配置され、各々が光軸方向及び光軸周りの円周方向の2軸に移動可能な位置決め手段と、
前記支持部材と前記位置決め手段とを連結し、前記位置決め手段の移動方向以外の4軸に移動可能な連結手段とを有することを特徴とする保持装置。A support member for supporting the mirror at six points via three spherical surfaces,
Positioning means disposed at three places around the support member, each of which is movable in two axes in an optical axis direction and a circumferential direction around the optical axis;
A holding device, comprising: a connecting unit that connects the support member and the positioning unit and is movable in four axes other than the moving direction of the positioning unit.
前記ミラーを取り付ける保持装置に、前記ミラーの相対位置を測定するための位置基準部を形成するステップと、
前記保持部材に前記ミラーを取り付けるステップと、
前記取り付けステップ後に前記位置基準部の位置を測定する第1測定ステップと、
前記第1測定ステップ後に、前記ミラーが取り付けられた前記保持部を、前記光学系に組み込むステップと、
前記組み込みステップ後に、前記位置基準部の位置を測定する第2測定ステップとを有することを特徴とする方法。A method of incorporating a mirror at a desired position in an optical system,
Forming a position reference unit for measuring a relative position of the mirror on a holding device to which the mirror is attached;
Attaching the mirror to the holding member;
A first measuring step of measuring the position of the position reference unit after the attaching step;
After the first measurement step, incorporating the holding unit to which the mirror is attached into the optical system;
A second measuring step of measuring a position of the position reference unit after the assembling step.
前記測定ステップで測定した前記波面収差が低減されるように、前記ミラー及び前記保持装置を調整するステップとを有することを特徴とする請求項11記載の方法。Measuring the wavefront aberration of the optical system after the mirror has been incorporated into the optical system;
Adjusting the mirror and the holding device such that the wavefront aberration measured in the measuring step is reduced.
投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。Projecting and exposing an object to be processed using the exposure apparatus according to claim 13;
Performing a predetermined process on the object subjected to the projection exposure.
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