JP2011095635A - Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the composition - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which has improved DOF (Depth Of Focus), storage stability, resolution and pattern features and suitable even for a liquid immersion process for a line width of not more than 45 nm, and to provide a pattern forming method using the composition. <P>SOLUTION: The active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains (A) a compound generating a base by irradiation with active rays or radiation, (B) a resin having a repeating unit having a lactone structure, the solubility of which with an alkali developing solution increases by an action of an acid, and (C) a compound generating an acid by irradiation with active rays or radiation. The pattern forming method is carried out by using the above composition. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。更に詳しくは、本発明は、250nm以下の遠紫外線や電子線などを照射源とする場合に好適な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in semiconductor manufacturing processes such as ICs, circuit boards such as liquid crystals and thermal heads, and other photofabrication processes, and patterns using the same. The present invention relates to a forming method. More specifically, the present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitable for use in the case where far ultraviolet rays of 250 nm or less, an electron beam, or the like is used as an irradiation source, and a pattern forming method using the same.

化学増幅レジストは、遠紫外線光等の放射線の照射により露光部に酸を発生させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成する。
KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分とするため、高感度、高解像度でかつ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。
一方、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため上記化学増幅系でも十分ではなかった。
このため、脂環炭化水素構造を含有する種々のArFエキシマレーザー用レジストが開発されている。しかしながら、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、光酸発生剤、添加剤、溶剤等の適切な組み合わせを見い出すことが極めて困難であるのが実情である。
特許文献1では、パターンの矩形性の確保、定在波によるパターンの側壁の凹凸の縮小をすべく、光塩基発生剤を含有するポジ型レジスト材料が開示されている。
液浸プロセスが適用された最新の線幅45nm以下のパターンを形成する世代においては、これまでの先行技術では充分ではなく、デプスオブフォーカス(Depth of Focus:DOF)、保存安定性の更なる改善が求められている。
The chemically amplified resist generates an acid in the exposed part by irradiation with radiation such as deep ultraviolet light, and the reaction using this acid as a catalyst changes the solubility of the active radiation irradiated part and the non-irradiated part in the developer, A pattern is formed on the substrate.
When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, it is mainly composed of a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption in the 248 nm region, so that a high sensitivity, high resolution and good pattern can be obtained. It is a better system than the conventional naphthoquinone diazide / novolak resin system.
On the other hand, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the above chemical amplification system is not sufficient because an aromatic compound essentially shows a large absorption in the 193 nm region. It was.
For this reason, various ArF excimer laser resists containing an alicyclic hydrocarbon structure have been developed. However, from the viewpoint of overall performance as a resist, it is actually difficult to find an appropriate combination of resins, photoacid generators, additives, solvents and the like to be used.
In Patent Document 1, a positive resist material containing a photobase generator is disclosed in order to ensure the rectangularity of the pattern and reduce the unevenness of the side wall of the pattern due to standing waves.
In the generation that forms the latest pattern with a line width of 45 nm or less to which the immersion process is applied, the prior art is not sufficient, and further improvement in depth of focus (DOF) and storage stability. Is required.

特開平10−83079号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-83079

本発明は、上記背景技術における問題点に鑑み、解像性、パターン形状が良好であるとともに、DOF、保存安定性に優れ、線幅45nm以下のパターン形成を行う液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することを課題とする。   In view of the above problems in the background art, the present invention has good resolution and pattern shape, excellent DOF and storage stability, and a feeling suitable for an immersion process for forming a pattern with a line width of 45 nm or less. It is an object to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a pattern forming method using the same.

本発明は、以下の通りである。   The present invention is as follows.

(1) (A)活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物、
(B)ラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び
(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(1) (A) a compound that generates a base upon irradiation with actinic rays or radiation,
(B) It has a repeating unit having a lactone structure, and contains a resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid, and (C) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.

(2) 前記(A)活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物が、下記一般式(A1)〜(A3)のいずれかで表される部分構造を少なくとも1つ有することを特徴とする上記(1)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (2) The compound (A) that generates a base upon irradiation with actinic rays or radiation has at least one partial structure represented by any one of the following general formulas (A1) to (A3). The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to (1) above.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(A1)〜(A3)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
は、アンモニウムカチオンを表す。
は、対アニオンを表す。
Rは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
In the general formulas (A1) to (A3),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
A + represents an ammonium cation.
X represents a counter anion.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.

(3) 前記(A)活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物が、下記一般式(1)〜(6)のいずれかで表されることを特徴とする上記(1)又は(2)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (3) The above (1) or (2), wherein the compound (A) that generates a base upon irradiation with actinic rays or radiation is represented by any one of the following general formulas (1) to (6): Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition as described in 1).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(1)に於いて、
は、アンモニウムカチオンを表す。
は、対アニオンを表す。
Rは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Arは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
一般式(2)〜(6)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
Arは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
nは、0〜5の整数を表す。
In general formula (1),
A + represents an ammonium cation.
X represents a counter anion.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Ar represents an aryl group or a heteroaryl group.
In the general formulas (2) to (6),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
Ar represents an aryl group or a heteroaryl group.
n represents an integer of 0 to 5.

(4) 前記一般式(6)が、下記一般式(6−1)で表されることを特徴とする上記(3)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (4) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition as described in (3) above, wherein the general formula (6) is represented by the following general formula (6-1).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(6−1)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
Zは、アリール基又はヘテロアリール基を形成する原子団を表す。
は、0〜4の整数を表す。
In general formula (6-1),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
Z represents an atomic group forming an aryl group or a heteroaryl group.
n 1 represents an integer of 0-4.

(5)樹脂(B)が含有するラクトン構造を有する繰り返し単位が、下記一般式(III)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位であることを特徴とする上記(1)〜(4)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2011095635
一般式(III)中、
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基又はそれらを組み合わせた2価の連結基を表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合
Figure 2011095635
又はウレア結合
Figure 2011095635
を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。
は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
(6) 更に、(D)疎水性樹脂を含有することを特徴とする上記(1)〜(5)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 (5) The repeating units having the lactone structure contained in the resin (B) are repeating units having a lactone structure represented by the following general formula (III): The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of the above.
Figure 2011095635
In general formula (III),
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 independently represents an alkylene group, a cycloalkylene group or a divalent linking group obtained by combining them when there are a plurality of R 0 .
When there are a plurality of Zs, each independently represents an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond.
Figure 2011095635
Or urea bond
Figure 2011095635
Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
R 8 represents a monovalent organic group having a lactone structure.
n is the repeating number of the structure represented by —R 0 —Z—, and represents an integer of 1 to 5.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.
(6) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (5) above, further comprising (D) a hydrophobic resin.

(7) 更に、(E)塩基性化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(6)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (7) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (6), further comprising (E) a basic compound.

(8) 上記(1)〜(7)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により、膜を形成し、該膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   (8) A step of forming a film with the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (7) above, and exposing and developing the film. Pattern forming method.

(9) 上記(1)〜(7)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により、膜を形成し、該膜を液浸露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   (9) A step of forming a film with the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of the above (1) to (7), and immersion exposure and development. A pattern forming method.

本発明により、解像性、パターン形状が良好であるとともに、DOF、保存安定性に優れ、線幅45nm以下のパターン形成を行う液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法が提供される。
本発明に於ける、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、好ましくはポジ型化学増幅レジスト組成物である。
According to the present invention, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having excellent resolution and pattern shape, excellent DOF and storage stability, and suitable for an immersion process for forming a pattern with a line width of 45 nm or less. An object and a pattern forming method using the same are provided.
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in the present invention is preferably a positive chemically amplified resist composition.

以下、本発明を詳細に説明する。
なお、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。
また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表され遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of the group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes what has a substituent with what does not have a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
In the present invention, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays, X-rays, electron beams and the like. In the present invention, light means actinic rays or radiation.
In addition, “exposure” in the present specification is represented not only by exposure to deep ultraviolet rays, X-rays, EUV light and the like, but also by particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified, such as mercury lamps and excimer lasers. Drawing is also included in the exposure.

〔1〕(A)活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物(以下、「化合物(PBG)」ともいう)を含有する。
化合物(PBG)は、活性光線又は放射線の照射により分解して塩基を発生する。
ここでいう塩基とは、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する化合物を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一
般式に示す部分構造を有する窒素原子である。
[1] (A) Compound that generates base upon irradiation with actinic ray or radiation The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is a compound that generates a base upon irradiation with actinic ray or radiation (hereinafter, “ Compound (PBG) ”).
Compound (PBG) decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate a base.
The base here means a compound having a nitrogen atom having an unshared electron pair that does not contribute to π conjugation. The nitrogen atom having an unshared electron pair that does not contribute to π conjugation is, for example, a nitrogen atom having a partial structure represented by the following general formula.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

塩基の好ましい例として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、1〜3級アミン、ピロール、ピリジン、イミダゾール、ピラジン、ピペリジン、ピペラジンなどを挙げることが出来る。   Preferred examples of the base include, for example, crown ether, azacrown ether, primary to tertiary amines, pyrrole, pyridine, imidazole, pyrazine, piperidine, piperazine and the like.

化合物(PBG)は、下記一般式(A1)〜(A3)のいずれかで表される部分構造を少なくとも1つ有することが好ましい。   The compound (PBG) preferably has at least one partial structure represented by any of the following general formulas (A1) to (A3).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(A1)〜(A3)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
は、アンモニウムカチオンを表す。
は、対アニオンを表す。
Rは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
なお、一般式(A3)において、Aにおけるアンモニウム原子は、Rが結合している炭素原子に直結するものである。
In the general formulas (A1) to (A3),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
A + represents an ammonium cation.
X represents a counter anion.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
In general formula (A3), the ammonium atom in A + is directly connected to the carbon atom to which R is bonded.

一般式(A1)〜(A3)に於いて、R〜R、Rにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜20の直鎖及び分岐アルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。
なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基(例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基など)を挙げることができる。アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を有する基としては、例えば、メトキシエトキシ基、エトキシエチル基、メチルチオメチル基、メチルチオエチル基、ジメチルアミノメチル基が挙げられる。
また、R〜R、Rにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、より好ましくは炭素数3〜10の直鎖及び分岐アルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。特に好ましくは、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロへプチル基、アダマンチル基、ノルボルナン基であり、シクロヘキシル基、シクロペンチル基がその中でも特に好ましい。シクロアルキル環内に酸素原子を有する基としては、例えば、テトラヒドロフルフリル基、テトラヒドロフルフリルメチル基を挙げることができる。
及びRの好ましい例としては、R及びRが結合して環状アルキル基を形成している場合、R及びRのいずれかが水素原子で、もう一方がアルキル基、シクロアルキル基の場合であり、環状アルキル基を形成している場合には6員環、5員環構造を形成している場合が特に好ましく、R及びRのいずれかが水素原子で、もう一方がアルキル基、シクロアルキル基の場合には、R及びRのいずれかが水素原子で、もう一方がシクロアルキル基の場合が特に好ましい。
及びRの好ましい例としては、水素原子、アルキル基が挙げられるが、特に水素原子が好ましい。
〜R、Rとしての各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基)、アセトキシ基(アセチロキシ基、プロピオニロキシ基等)、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基などが挙げられ、シクロアルキル基などにおける環状構造については、更にアルキル基が挙げられる。置換基の炭素数は15以下が好ましい。
In the general formulas (A1) to (A3), R 1 to R 4 and the alkyl group in R may have a substituent, and preferably a linear and branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. More preferably, they are a linear and branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may have an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain.
Examples of the alkyl group having a substituent include groups in which a linear or branched alkyl group is substituted with a cycloalkyl group (for example, an adamantylmethyl group, an adamantylethyl group, a cyclohexylethyl group, a camphor residue, etc.). . Examples of the group having an oxygen atom, sulfur atom or nitrogen atom in the alkyl chain include a methoxyethoxy group, an ethoxyethyl group, a methylthiomethyl group, a methylthioethyl group, and a dimethylaminomethyl group.
Further, the cycloalkyl group in R 1 to R 4 and R may have a substituent, preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a straight chain having 3 to 10 carbon atoms. A chain and a branched alkyl group, which may have an oxygen atom in the ring. Particularly preferred are a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, a cycloheptyl group, an adamantyl group and a norbornane group, and a cyclohexyl group and a cyclopentyl group are particularly preferred among them. Examples of the group having an oxygen atom in the cycloalkyl ring include a tetrahydrofurfuryl group and a tetrahydrofurfurylmethyl group.
Preferred examples of R 1 and R 2, if R 1 and R 2 are bonded to form a cyclic alkyl group, one of R 1 and R 2 are hydrogen atom and the other is an alkyl group, a cycloalkyl In the case of an alkyl group, when a cyclic alkyl group is formed, a case of forming a 6-membered ring or a 5-membered ring structure is particularly preferable, and any one of R 1 and R 2 is a hydrogen atom, When one is an alkyl group or a cycloalkyl group, it is particularly preferred that either R 1 or R 2 is a hydrogen atom and the other is a cycloalkyl group.
Preferable examples of R 3 and R 4 include a hydrogen atom and an alkyl group, and a hydrogen atom is particularly preferable.
Each group as R 1 to R 4 and R may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), hydroxy group, carboxyl group, Examples include cyano group, alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t-butoxy group), acetoxy group (acetyloxy group, propionyloxy group, etc.), cycloalkyl group, alkoxycarbonyl group, etc., cycloalkyl group As for the cyclic structure in the above, an alkyl group is further exemplified. The number of carbon atoms of the substituent is preferably 15 or less.

は、アンモニウムカチオンを表し、脂環式テトラアルキルアンモニウムカチオン、鎖状テトラアルキルアンモニウムカチオンが好ましく、特に好ましいアンモニウムカチオンとして以下の構造が挙げられる。 A + represents an ammonium cation, preferably an alicyclic tetraalkylammonium cation or a chain-like tetraalkylammonium cation, and particularly preferred ammonium cations include the following structures.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

は、対アニオンを表し、好ましくはボレートアニオン、N,N−ジメチルジチオカルバメートアニオン、N,N−ジメチルカルバメートアニオン、シアネートアニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオンであり、特に好ましくはN,N−ジメチルジチオカルバメートアニオン、N,N−ジメチルカルバメートアニオンである。 X represents a counter anion, preferably a borate anion, N, N-dimethyldithiocarbamate anion, N, N-dimethylcarbamate anion, cyanate anion, trifluoromethanesulfonate anion, nonafluorobutanesulfonate anion, in particular N, N-dimethyldithiocarbamate anion and N, N-dimethylcarbamate anion are preferable.

一般式(A1)〜(A3)のいずれかで表される部分構造から発生する好ましい塩基としては、例えば、以下のものが挙げられる。   Examples of preferable bases generated from the partial structure represented by any one of the general formulas (A1) to (A3) include the following.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

化合物(PBG)の特に好ましい例としては、下記一般式(1)〜(6)のいずれかで表される化合物が挙げられる。   Particularly preferred examples of the compound (PBG) include compounds represented by any one of the following general formulas (1) to (6).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(1)に於いて、
は、アンモニウムカチオンを表す。
は、対アニオンを表す。
Rは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Arは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
一般式(2)〜(6)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
Arは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
nは、0〜5の整数を表し、1又は2が好ましい。
一般式(5)における(NO−及び一般式(6)における(HO)−は、Arで表されるアリール基又はヘテロアリール基へのn個の置換基(NO−又はHO−)を意味する。
In general formula (1),
A + represents an ammonium cation.
X represents a counter anion.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Ar represents an aryl group or a heteroaryl group.
In the general formulas (2) to (6),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
Ar represents an aryl group or a heteroaryl group.
n represents an integer of 0 to 5 and is preferably 1 or 2.
(NO 2 ) n − in the general formula (5) and (HO) n − in the general formula (6) are n substituents (NO 2 — or HO to the aryl group or heteroaryl group represented by Ar. -) Means.

一般式(1)〜(6)に於ける、R〜R及びRの好ましいアルキル基、シクロアルキル基の例は、前述の一般式(A1)〜(A3)、R〜R及びRで説明した基と同様である。また、A及びXの好ましいアンモニウムカチオン、対アニオンの例は、前述の一般式(A1)〜(A3)、A及びXで説明したアンモニウムカチオン、対アニオンと同様である。
Arのアリール基としては、好ましくは炭素数4〜14、より好ましくは炭素数6〜10であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基が挙げられ、Arのヘテロアリール基としては、好ましくは炭素数4〜14、より好ましくは炭素数6〜10であり、例えば、チオフェニル基、フラニル基、ピリジニル基、インドール基、ピロール基、カルバゾール基が挙げられる。
Arとして、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、チオフェニル基、フラニル基、ピリジニル基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
Arとしての基及び一般式(1)〜(6)に於ける環状構造は、置換基を有していてもよく、置換基としては、R〜R、Rとしての各基が有していてもよい置換基を挙げることができる。
Examples of preferable alkyl groups and cycloalkyl groups of R 1 to R 4 and R in the general formulas (1) to (6) are the general formulas (A1) to (A3), R 1 to R 4 and This is the same as the group described for R. Examples of preferable ammonium cations and counter anions of A + and X are the same as the ammonium cations and counter anions described in the general formulas (A1) to (A3), A + and X .
The aryl group for Ar preferably has 4 to 14 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. The heteroaryl group for Ar is preferably It has 4 to 14 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a thiophenyl group, a furanyl group, a pyridinyl group, an indole group, a pyrrole group, and a carbazole group.
Ar is preferably a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a thiophenyl group, a furanyl group, or a pyridinyl group, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group.
The group as Ar and the cyclic structure in the general formulas (1) to (6) may have a substituent, and each of the groups as R 1 to R 4 and R has a substituent. The substituent which may be present can be mentioned.

これらの一般式(1)〜(6)で表される化合物の内、好ましい化合物として一般式(2)〜(6)で表される化合物が挙げられ、更に好ましくは一般式(5)又は(6)で表される化合物が挙げられ、特に好ましくは一般式(6)の化合物の内の下記一般式(6−1)で表される化合物が挙げられる。   Among these compounds represented by the general formulas (1) to (6), preferred compounds include those represented by the general formulas (2) to (6), and more preferably the general formulas (5) or ( The compound represented by 6) is mentioned, Especially preferably, the compound represented by the following general formula (6-1) in the compound of General formula (6) is mentioned.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(6−1)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
Zは、アリール基又はヘテロアリール基を形成する原子団を表す。
は、0〜4の整数を表す。
In general formula (6-1),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
Z represents an atomic group forming an aryl group or a heteroaryl group.
n 1 represents an integer of 0-4.

一般式(6−1)に於ける、R〜Rの好ましいアルキル基、シクロアルキル基の例は、前述の一般式(A1)〜(A3)、R〜Rで説明した基と同様である。
Zとして形成されるアリール基、ヘテロアリール基の好ましい例は、前述の一般式(6)、Arに於けるアリール基、ヘテロアリール基と同様である。
は、0〜2が好ましく、0が特に好ましい。
Zとして形成されるアリール基、ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、R〜R、Rとしての各基が有していてもよい置換基を挙げることができる。
化合物(PBG)は、化合物(PBG)の複数が単結合又は連結基により結合した構造を有する化合物となっていてもよい。
Examples of preferable alkyl groups and cycloalkyl groups represented by R 1 to R 4 in the general formula (6-1) include the groups described in the general formulas (A1) to (A3) and R 1 to R 4 described above. It is the same.
Preferable examples of the aryl group and heteroaryl group formed as Z are the same as the above-mentioned general formula (6), the aryl group and heteroaryl group in Ar.
n 1 is preferably 0 to 2, and 0 is particularly preferable.
The aryl group and heteroaryl group formed as Z may have a substituent, and examples of the substituent include R 1 to R 4 and substituents that each group as R may have. be able to.
The compound (PBG) may be a compound having a structure in which a plurality of the compounds (PBG) are bonded by a single bond or a linking group.

以下、本発明の化合物(PBG)の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。   Hereinafter, although the specific example of the compound (PBG) of this invention is shown, it is not limited to these.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

化合物(PBG)の分子量は、一般的に100〜700であり、好ましくは150〜500であり、より好ましくは200〜400である。
化合物(PBG)は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法により合成したものを用いてもよい。例えば、Journal of Medicinal Chemistry, 42, 4016-4020(1999) 、Journal of American Chemical Society, 113, 4303-4313(1991)、Chem. Pharm. Bull., 45, 715-718(1997)に記載の方法に準じて合成することができる。
化合物(PBG)の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.1〜25質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜20質量%、更に好ましくは1.0〜15質量%である。
The molecular weight of the compound (PBG) is generally 100 to 700, preferably 150 to 500, and more preferably 200 to 400.
As the compound (PBG), a commercially available product may be used, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, the method described in Journal of Medicinal Chemistry, 42, 4016-4020 (1999), Journal of American Chemical Society, 113, 4303-4313 (1991), Chem. Pharm. Bull., 45, 715-718 (1997). It can be synthesized according to
The content of the compound (PBG) in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1 to 25% by mass based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. More preferably, it is 0.5-20 mass%, More preferably, it is 1.0-15 mass%.

〔2〕(B)ラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(以下、「樹脂(B)」ともいう)を含有する。
[2] (B) Resin having a repeating unit having a lactone structure and having increased solubility in an alkaline developer by the action of an acid The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is a repeating having a lactone structure A resin having a unit and increasing the solubility in an alkaline developer by the action of an acid (hereinafter also referred to as “resin (B)”) is contained.

樹脂(B)が含有するラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(III)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位が好ましい。   The repeating unit having a lactone structure contained in the resin (B) is preferably a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (III).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(III)中、
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基又はそれらを組み合わせた2価の連結基を表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合
In general formula (III),
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 independently represents an alkylene group, a cycloalkylene group or a divalent linking group obtained by combining them when there are a plurality of R 0 .
When there are a plurality of Zs, each independently represents an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

又はウレア結合 Or urea bond

Figure 2011095635
を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。
Figure 2011095635
Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.

は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表し、1が好ましい。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
R 8 represents a monovalent organic group having a lactone structure.
n is the repeating number of the structure represented by —R 0 —Z—, represents an integer of 1 to 5, and is preferably 1.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.

Zは、好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。   Z is preferably an ether bond or an ester bond, and particularly preferably an ester bond.

のアルキル基は、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rにおけるアルキル基は、置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチロキシ基、プロピオニロキシ基等のアセトキシ基が挙げられる。Rは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。 The alkyl group for R 7 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. The alkyl group in R 7 may be substituted. Examples of the substituent include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom and bromine atom, mercapto group, hydroxy group, methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, Examples include alkoxy groups such as t-butoxy group and benzyloxy group, and acetoxy groups such as acetyloxy group and propionyloxy group. R 7 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

における好ましいアルキレン基としては炭素数が1〜10のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1〜5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレンとしては、炭素数1〜20のシクロアルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。
のアルキレン基、シクロアルキレン基は、置換基を有してよい。
A preferable alkylene group in R 0 is preferably an alkylene having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group. Preferable cycloalkylene is cycloalkylene having 1 to 20 carbon atoms, and examples thereof include cyclohexylene, cyclopentylene, norbornylene, adamantylene and the like. In order to exhibit the effect of the present invention, a chain alkylene group is more preferable, and a methylene group is particularly preferable.
The alkylene group and cycloalkylene group represented by R 0 may have a substituent.

で表されるラクトン構造を有する1価の有機基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として後述する一般式(LC1−1)〜(LC1−17)で表されるラクトン構造を有する1価の有機基が挙げられ、これらのうち(LC1−4)で表されるラクトン構造を有する1価の有機基が特に好ましい。また、(LC1−1)〜(LC1−17)におけるnは、0〜4の整数を表すが、2以下がより好ましい。
また、Rは無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造(シアノラクトン)を有する1価の有機基がより好ましい。
The monovalent organic group having a lactone structure represented by R 8 is not limited as long as it has a lactone structure. General formulas (LC1-1) to (LC1-17) described later as specific examples And a monovalent organic group having a lactone structure represented by (LC1-4) is particularly preferable. N 2 in (LC1-1) to (LC1-17) represents an integer of 0 to 4, but 2 or less is more preferable.
R 8 is preferably a monovalent organic group having an unsubstituted lactone structure or a monovalent organic group having a lactone structure having a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group as a substituent. A monovalent organic group having a lactone structure (cyanolactone) as is more preferable.

以下に一般式(III)で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。
Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, and preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(III)で表される繰り返し単位の中でも、下記一般式 (III−1)で表される繰り返し単位がより好ましい。   Among the repeating units represented by the general formula (III), a repeating unit represented by the following general formula (III-1) is more preferable.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(III−1)に於いて、
、A、R、Z、及びnは、上記一般式(III)に於ける、R、A、R、Z、及びnと同義である。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表す。Rは、複数個ある場合
に2つのRが結合し、環を形成していてもよい。
Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
mは、置換基数であって、0〜5の整数を表す。mは0又は1であることが好ましい。
In general formula (III-1),
R 7 , A, R 0 , Z, and n have the same meanings as R 7 , A, R 0 , Z, and n in the general formula (III).
R 9 are each independently in the presence of two or more, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group. R 9, the two R 9 are attached when a plurality, may form a ring.
X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 5. m is preferably 0 or 1.

のアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が特に好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。Rは、メチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。 The alkyl group for R 9 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, and cyclohexyl groups. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, and a butoxy group. These groups may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group such as a hydroxy group, a methoxy group, and an ethoxy group, and a halogen atom such as a cyano group and a fluorine atom. R 9 is more preferably a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, and even more preferably a cyano group.

Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは、酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。   Examples of the alkylene group for X include a methylene group and an ethylene group. X is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

mが1以上である場合、少なくとも1つのRは、ラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。 When m is 1 or more, at least one R 9 is preferably substituted at the α-position or β-position of the carbonyl group of the lactone, particularly preferably at the α-position.

一般式(III−1)で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。   Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure represented by formula (III-1) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, and preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(III)で表される繰り返し単位を含むラクトン構造を有する繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜60mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit having a lactone structure including the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 15 to 60 mol% in total with respect to all the repeating units in the resin when more than one type is contained. Preferably it is 20-60 mol%, More preferably, it is 30-50 mol%.

樹脂(B)は、一般式(III)で表される繰り返し単位以外にも、以下に示すような他のラクトン構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。
一般式(III)で表される繰り返し単位とそれ以外のラクトン構造を有する繰り返し単位の割合は、モル比として、80/20〜20/80が好ましく、70/30〜30/70がより好ましい。
The resin (B) may have a repeating unit having another lactone structure as shown below in addition to the repeating unit represented by the general formula (III).
The molar ratio of the repeating unit represented by the general formula (III) and the other repeating unit having a lactone structure is preferably 80/20 to 20/80, and more preferably 70/30 to 30/70.

ラクトン構造を有する繰り返し単位が有するラクトン構造として、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)、(LC1−17)であり、特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。   The lactone structure possessed by the repeating unit having a lactone structure is preferably a 5- to 7-membered ring lactone structure, and other ring structures are condensed to form a bicyclo structure or a spiro structure in the 5- to 7-membered ring lactone structure. Are preferred. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17). The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and (LC1-17). By using this lactone structure, LWR and development defects are improved.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

ラクトン構造部分は、置換基(Rb)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の時、複数存在する置換基(Rb)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb)同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure portion may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .

一般式(III)で表される繰り返し単位以外のラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AII’)で表される繰り返し単位が好ましい。   As the repeating unit having a lactone structure other than the repeating unit represented by the general formula (III), a repeating unit represented by the following general formula (AII ′) is preferable.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(AII’)中、
Rbは、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rbのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rbのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII ′),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferable substituents that the alkyl group of Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Preferred are a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, and a trifluoromethyl group, and a hydrogen atom and a methyl group are particularly preferred.

Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−17)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。   V represents a group having a structure represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-17).

一般式(III)で表される繰り返し単位以外のラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明は、これらに限定されない。   Specific examples of the repeating unit having a lactone structure other than the repeating unit represented by the general formula (III) will be given below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

特に好ましい一般式(III)で表される繰り返し単位以外のラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。   Particularly preferred repeating units having a lactone structure other than the repeating unit represented by the general formula (III) include the following repeating units.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

ラクトン構造を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90%以上のものが好ましく、より好ましくは95%以上である。   The repeating unit having a lactone structure usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90% or more, more preferably 95% or more.

一般式(III)で表される繰り返し単位以外のラクトンを有する繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜50mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit having a lactone other than the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 15 to 60 mol% in total, more preferably 15 to 60 mol% with respect to all the repeating units in the resin when it contains a plurality of types. Is 20 to 50 mol%, more preferably 30 to 50 mol%.

本発明の効果を高めるために、一般式(III)で表される繰り返し単位から選ばれる2種以上のラクトン構造を有する繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式(III)の内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。   In order to enhance the effect of the present invention, it is also possible to use a repeating unit having two or more lactone structures selected from repeating units represented by the general formula (III). When using together, it is preferable to select and use 2 or more types from the lactone repeating unit in which n is 1 in general formula (III).

化学増幅型レジスト組成物においては、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有する樹脂と後述する塩基性化合物を併用して使用する場合がある。その場合、保存条件下において例えば以下に示すラクトン分解反応が起こり、レジスト液中にパーティクルが発生し、保存安定性が劣化することがある。それに対し、本発明の化合物(PBG)は、露光前には塩基性を持たないためラクトンユニットの分解を誘発しないためパーティクルの発生がなく、保存安定性が良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製することが可能である。なお、以下の反応式において、R’は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。   In the chemically amplified resist composition, a resin having a repeating unit having a lactone structure and a basic compound described later may be used in combination. In that case, for example, the following lactone decomposition reaction occurs under storage conditions, particles may be generated in the resist solution, and storage stability may deteriorate. On the other hand, the compound (PBG) of the present invention has no basicity before exposure, and therefore does not induce decomposition of the lactone unit, so that no particles are generated and actinic ray sensitivity or radiation sensitivity with good storage stability. It is possible to prepare a resin composition. In the following reaction formula, R ′ represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

樹脂(B)は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する。
樹脂(B)は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
Resin (B) is a group that decomposes by the action of an acid on the main chain or side chain of the resin, or both of the main chain and side chain to generate an alkali-soluble group (hereinafter also referred to as “acid-decomposable group”). Have
The resin (B) is preferably insoluble or hardly soluble in an alkali developer.

酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
The acid-decomposable group preferably has a structure protected with a group capable of decomposing and leaving an alkali-soluble group by the action of an acid.
Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imides. Group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) methylene group, etc. Is mentioned.

好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホン酸基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), and sulfonic acid groups.

酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
A preferable group as the acid-decomposable group is a group in which the hydrogen atom of these alkali-soluble groups is substituted with a group capable of leaving with an acid.
As the acid eliminable group, there can be, for example, -C (R 36) (R 37) (R 38), - C (R 36) (R 37) (OR 39), - C (R 01) (R 02 ) (OR 39 ) and the like.
In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 R 01 to R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。   The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.

樹脂(B)が含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AI)で表される繰り返し単位が好ましい。   The repeating unit having an acid-decomposable group that can be contained in the resin (B) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (AI).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(AI)に於いて、
Xaは、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基又はアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xaは、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基である。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH−基、−(CH−基がより好ましい。
Rx〜Rxは、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。Rx〜Rxの2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Rx〜Rxのアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Rx〜Rxのシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx〜Rxの2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基
が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rxがメチル基又はエチル基であり、RxとRxとが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。
In general formula (AI),
Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxy group or a monovalent organic group, and examples thereof include an alkyl group or acyl group having 5 or less carbon atoms, preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms, and more preferably a methyl group. . Xa 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.
T represents a single bond or a divalent linking group.
Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like. In the formula, Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group. Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group or a — (CH 2 ) 3 — group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group (straight or branched) or a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic). Two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).
Examples of the alkyl group rx 1 to Rx 3, methyl, ethyl, n- propyl group, an isopropyl group, n- butyl group, an isobutyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as t- butyl group.
Examples of the cycloalkyl group represented by Rx 1 to Rx 3 include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, and adamantyl group. Groups are preferred.
Examples of the cycloalkyl group formed by combining two of Rx 1 to Rx 3 include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, an adamantyl group A polycyclic cycloalkyl group such as a group is preferred. A monocyclic cycloalkyl group having 5 to 6 carbon atoms is particularly preferable.
An embodiment in which Rx 1 is a methyl group or an ethyl group, and Rx 2 and Rx 3 are bonded to form the above-described cycloalkyl group is preferable.
Each of the above groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (1 to 4 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, An alkoxycarbonyl group (C2-C6) etc. are mentioned, C8 or less is preferable.

酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20〜70mol%が好ましく、より好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit having an acid-decomposable group as a total is preferably 20 to 70 mol%, more preferably 30 to 50 mol%, based on all repeating units in the resin.

好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Although the specific example of the repeating unit which has a preferable acid-decomposable group is shown below, this invention is not limited to this.

具体例中、Rx及びXaは、水素原子、CH、CF又はCHOHを表す。Rxa及びRxbは、それぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは、0又は正の整数を表す。Zとしての極性基を含む置換基及びその好適な置換基は、後述の一般式(II−1)におけるR10としての極性基を含む置換基と同様である。 In specific examples, Rx and Xa 1 represent a hydrogen atom, CH 3 , CF 3, or CH 2 OH. Rxa and Rxb each independently represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Z represents a substituent containing a polar group, and when there are a plurality of them, each is independent. p represents 0 or a positive integer. The substituent containing a polar group as Z and the preferred substituent thereof are the same as the substituent containing a polar group as R 10 in formula (II-1) described later.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

樹脂(B)は、前記一般式(AI)で表される繰り返し単位として、下記一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。   The resin (B) has at least one of the repeating unit represented by the following general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). More preferably, it is a resin.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(I)及び(II)中、
及びRは、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは1価の有機基を表す。
、R、R及びRは、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
In general formulas (I) and (II),
R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted methyl group, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a monovalent organic group.
R 2 , R 4 , R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom.

一般式(I)に於ける、Rは、好ましくは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基である。
におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。
におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい

は、好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜5のアルキル基であり、特に好ましくはメチル基、エチル基である。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3〜7、より好ましくは5又は6である。
In the general formula (I), R 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.
The alkyl group in R 2 may be linear or branched, and may have a substituent.
The cycloalkyl group in R 2 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent.
R 2 is preferably an alkyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, still more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom. The alicyclic structure formed by R is preferably a monocyclic alicyclic structure, and the carbon number thereof is preferably 3 to 7, and more preferably 5 or 6.

一般式(II)に於ける、Rは、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。
、R、Rにおけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
、R、Rにおけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
In the general formula (II), R 3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.
The alkyl group in R 4 , R 5 , and R 6 may be linear or branched and may have a substituent. As the alkyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and t-butyl group are preferable.
The cycloalkyl group in R 4 , R 5 and R 6 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent. The cycloalkyl group is preferably a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, or a polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group or an adamantyl group.

また、一般式(I)で表される繰り返し単位が、以下の一般式(1−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the repeating unit represented by general formula (I) is a repeating unit represented by the following general formula (1-1).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

式(1−1)中、
Rv及びRvは、各々独立に、炭素数1〜10のアルキル基を表す。
nは1〜6の整数を表す。
In formula (1-1),
Rv 1 and Rv 2 each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
n represents an integer of 1 to 6.

nは好ましくは1又は2を表し、より好ましくは1を表す。
Rv、Rvにおける炭素数1〜10のアルキル基としては、直鎖でも分岐でもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下のものが好ましい。
n preferably represents 1 or 2, more preferably 1.
The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in Rv 1 and Rv 2 may be linear or branched, and may have a substituent. Examples of the substituent include a cycloalkyl group (preferably 3 to 10 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (preferably 1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 6) and the like, and those having 8 or less carbon atoms are preferable.

一般式(II)で表される繰り返し単位は、下記一般式(II−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。   The repeating unit represented by the general formula (II) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (II-1).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(II−1)中、R〜Rは、一般式(II)における各々と同義である。
10は、極性基を含む置換基を表す。R10が、複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を有する置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基若しくはスルホンアミド基など極性基自体、又は、これらの極性基を有する、直鎖若しくは分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。
pは、0〜15の整数を表す。pは、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In general formula (II-1), R < 3 > -R < 5 > is synonymous with each in general formula (II).
R 10 represents a substituent containing a polar group. When a plurality of R 10 are present, they may be the same as or different from each other. Examples of the substituent having a polar group include a polar group itself such as a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, an alkylamide group, or a sulfonamide group, or a linear or branched alkyl group or cycloalkyl having these polar groups. Group, and an alkyl group having a hydroxyl group is preferable. As the branched alkyl group, an isopropyl group is particularly preferable.
p represents an integer of 0 to 15. p is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

樹脂(B)は、一般式(AI)で表される繰り返し単位として、一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位の少なくとも一方を有する樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式(AI)で表される繰り返し単位として、一般式(I)で表される繰り返し単位の少なくとも2種を有する樹脂であることがより好ましい。
また、樹脂(B)を複数含有し、それぞれが異なる酸分解性基を含有してもよい。
The resin (B) is a resin having at least one of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). It is more preferable. Moreover, in another form, it is more preferable that it is resin which has at least 2 types of repeating units represented by general formula (I) as a repeating unit represented by general formula (AI).
Moreover, multiple resin (B) may be contained and each may contain a different acid-decomposable group.

これらの場合、一般式(I)で表される異なる繰り返し単位を少なくとも2種含む場合、一般式(I)で表される繰り返し単位と一般式(2)で表される繰り返し単位を含む場合、又は、一般式(1−1)で表される繰り返し単位と一般式(II)で表される繰り返し単位を含む場合が好ましい。
一般式(I)で表される繰り返し単位を少なくとも2種含む場合としては、例えば一般式(I)におけるRがエチル基の繰り返し単位と、該Rがメチル基の繰り返し単位との組み合わせ、一般式(I)におけるRがエチル基の繰り返し単位と、該Rがシクロアルキル基である繰り返し単位との組み合わせ、式(I)におけるR2がメチル基又はエチル基でありRが形成する環がアダマンタンである繰り返し単位と式(1−1)においてRv2がメチル基又はエチル基である繰り返し単位との組み合わせが好ましい。
一般式(I)で表される繰り返し単位と一般式(II)で表される繰り返し単位を含む場合としては、例えば一般式(I)におけるRがエチル基の繰り返し単位と、一般式(II)におけるR、Rがメチル基でRがアダマンチル基である繰り返し単位との組み合わせ、一般式(I)におけるRがエチル基の繰り返し単位と、一般式(II)におけるR、Rがメチル基でRがシクロヘキシル基である繰り返し単位との組み合わせ、一般式(1−1)で表される繰り返し単位と一般式(II)で表される繰り返し単位を含む場合としては、例えば一般式(1−1)におけるRvがエチル基である繰り返し単位と、一般式(II)におけるR、Rがメチル基でRがアダマンチル基である繰り返し単位との組み合わせ、一般式(1−1)におけるRvがエチル基でnが2である繰り返し単位と、一般式(2)におけるR、Rがメチル基でRがシクロヘキシル基である繰り返し単位との組み合わせ等を挙げることができる。
In these cases, when including at least two different repeating units represented by general formula (I), when including a repeating unit represented by general formula (I) and a repeating unit represented by general formula (2), Or the case where the repeating unit represented by general formula (1-1) and the repeating unit represented by general formula (II) are included is preferable.
In the case of containing at least two types of repeating units represented by the general formula (I), for example, a combination of a repeating unit in which R 2 is an ethyl group and a repeating unit in which the R 2 is a methyl group in the general formula (I), and repeating units of R 2 is an ethyl group in the general formula (I), wherein R 2 is a combination of a repeating unit is a cycloalkyl group, R 2 in formula (I) is formed is R a methyl or ethyl group A combination of a repeating unit in which the ring is adamantane and a repeating unit in which Rv 2 is a methyl group or an ethyl group in formula (1-1) is preferable.
As a case where the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) are included, for example, R 2 in the general formula (I) is an ethyl group repeating unit, and the general formula (II) ) In which R 4 and R 5 are methyl groups and R 6 is an adamantyl group, R 2 in general formula (I) is an ethyl group, and R 4 and R in general formula (II) As a combination of a repeating unit in which 5 is a methyl group and R 6 is a cyclohexyl group, and a repeating unit represented by the general formula (1-1) and a repeating unit represented by the general formula (II), union of the repeating units Rv 2 is an ethyl group in the general formula (1-1), R 4, R 5 in the general formula (II) is a repeating unit R 6 methyl groups are adamantyl group So, the repeating units of the general formula n Rv 2 is an ethyl group in (1-1) is 2, a repeating unit R 6 R 4, R 5 in the general formula (2) is a methyl group is cyclohexyl group And the like.

樹脂(B)が酸分解性基を有する繰り返し単位を併用する場合の、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。   Preferable combinations when the resin (B) uses a repeating unit having an acid-decomposable group are listed below. In the following formula, each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

樹脂(B)は、式(III)又は(AI)で表される繰り返し単位以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さな
いことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。
The resin (B) preferably has a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group other than the repeating unit represented by the formula (III) or (AI). This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and preferably has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferred hydroxyl group or cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferred.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、
c〜Rcは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Rc〜Rcの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Rc〜Rcの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、Rc〜Rcの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。   Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、Rcは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
c〜Rcは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、Rc〜Rcと同義である。
In the general formulas (AIIa) to (AIId), R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.
R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c.

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単
位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。
The content of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 30 mol%, still more preferably from 10 to 25 mol%, based on all repeating units in the resin (B).

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are given below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

樹脂(B)は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   The resin (B) may have a repeating unit having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bisulsulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group) substituted with an electron withdrawing group at the α-position. It is more preferable to have a repeating unit. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain. Both are preferable, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、0〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。   As for the content rate of the repeating unit which has an alkali-soluble group, 0-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (B), More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、Rxは、H、CH、CHOH又はCFを表す。
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure 2011095635
Figure 2011095635

本発明の樹脂(B)は、更に、極性基をもたない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、下記一般式(IV)で表される繰り返し単位が挙げられる。   The resin (B) of the present invention can further have a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability. Examples of such a repeating unit include a repeating unit represented by the following general formula (IV).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(IV)中、
は、少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。
Raは、水素原子、アルキル基又は−CH−O−Ra基を表す。式中、Raは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基が好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
In general formula (IV),
R 5 represents a hydrocarbon group having at least one cyclic structure and having neither a hydroxyl group nor a cyano group.
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

の炭化水素基には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3〜12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3〜12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3〜7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The hydrocarbon group for R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include cycloalkenyl having 3 to 12 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group and the like, and cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms and cyclohexenyl group. Groups. The preferred monocyclic hydrocarbon group is a monocyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms, more preferably a cyclopentyl group or a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には、環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。
好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。
これらの炭化水素基は、置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。
保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。
The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group, and examples of the ring assembly hydrocarbon group include a bicyclohexyl group and a perhydronaphthalenyl group. As the bridged cyclic hydrocarbon ring, for example, bicyclic such as pinane, bornane, norpinane, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.) Hydrocarbon rings and tricyclic hydrocarbon rings such as homobredan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, and tetracyclic hydrocarbon rings such as perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring includes a condensed cyclic hydrocarbon ring such as perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, perhydroindene. A condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a phenalene ring are condensed is also included.
Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, a tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.
These hydrocarbon groups may have a substituent, and preferred substituents include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino group protected with a protecting group, and the like. Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The above alkyl group may further have a substituent, and the substituent which may further have a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino protected with a protecting group The group can be mentioned.
Examples of the protecting group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

極性基をもたない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、0〜40モル%が好ましく、より好ましくは0〜20モル%である。   The content of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability is preferably 0 to 40 mol%, more preferably, based on all repeating units in the resin (B). Is 0 to 20 mol%.

極性基をもたない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。 Specific examples of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are listed below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure 2011095635
Figure 2011095635

樹脂(B)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、プロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   Resin (B) adjusts dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, profile, and resolution, heat resistance, sensitivity, etc., which are general necessary characteristics of resist, in addition to the above repeating structural units. It can have various repeating structural units for the purpose.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、樹脂(B)に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
Thereby, the performance required for the resin (B), in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステ
ル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。
As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

樹脂(B)において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、プロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (B), the content molar ratio of each repeating structural unit has a dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, profile, and resolution, heat resistance, sensitivity, etc., which are general required performances of a resist. Appropriately set for adjustment.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂(B)は、実質的に芳香族基を有さないこと、例えば、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは5モル%以下、より好ましくは3モル%以下であり、理想的には0モル%、即ち、芳香族基を有さないことが最も好ましく、また、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。
なお、樹脂(B)は、後述する疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。
Resin used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention from the viewpoint of transparency to ArF light when the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is for ArF exposure (B) has substantially no aromatic group, for example, the ratio of the repeating unit having an aromatic group in the resin is preferably 5 mol% or less, more preferably 3 mol% or less. Specifically, it is most preferably 0 mol%, that is, it does not have an aromatic group, and preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure.
In addition, it is preferable that resin (B) does not contain a fluorine atom and a silicon atom from a compatible viewpoint with the hydrophobic resin mentioned later.

本発明の組成物に用いられる樹脂(B)として好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。
また、酸分解性基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位5〜30モル%、更にその他の(メタ)アクリレート系繰り返し単位を0〜20モル%含む共重合ポリマーも好ましい。
The resin (B) used in the composition of the present invention is preferably one in which all of the repeating units are composed of (meth) acrylate-based repeating units. In this case, all of the repeating units are methacrylate repeating units, all of the repeating units are acrylate repeating units, or all of the repeating units are methacrylate repeating units and acrylate repeating units. Although it can be used, the acrylate-based repeating unit is preferably 50 mol% or less of the total repeating units.
Moreover, the alicyclic hydrocarbon substituted by the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has an acid-decomposable group, the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has a lactone structure, a hydroxyl group, or a cyano group A copolymer containing 5 to 30 mol% of a (meth) acrylate-based repeating unit having a structure and further containing 0 to 20 mol% of another (meth) acrylate-based repeating unit is also preferred.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線(EUVなど)を照射する場合には、樹脂(B)は、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。   When the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is irradiated with KrF excimer laser light, electron beam, X-ray, high-energy light beam (EUV, etc.) having a wavelength of 50 nm or less, the resin (B) is: Further, it preferably has a hydroxystyrene repeating unit. More preferably, it has a hydroxystyrene-based repeating unit, a hydroxystyrene-based repeating unit protected with an acid-decomposable group, and an acid-decomposable repeating unit such as a (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester.

ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t−ブトキシカルボニルオキシスチレン、1−アルコキシエトキシスチレン、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート及びジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。   Examples of the repeating unit having a preferred acid-decomposable group based on hydroxystyrene include, for example, t-butoxycarbonyloxystyrene, 1-alkoxyethoxystyrene, a repeating unit of (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester, and the like. More preferred are repeating units of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

本発明の樹脂(B)は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び重合開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と重合開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどの
アミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。
The resin (B) of the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer type and a polymerization initiator are dissolved in a solvent, and a batch polymerization method in which polymerization is performed by heating, a solution of the monomer type and the polymerization initiator is added to the heating solvent over 1 to 10 hours. Examples thereof include a dropping polymerization method which is added dropwise, and a dropping polymerization method is preferred. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of this invention like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention. Thereby, the generation of particles during storage can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 60 ° C to 100 ° C.

本発明の樹脂(B)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは2,000〜20,000、更により好ましくは3,000〜15,000、特に好ましくは3,000〜10,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。   The weight average molecular weight of the resin (B) of the present invention is preferably 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 20,000, still more preferably 3, as a polystyrene conversion value by GPC method. 000 to 15,000, particularly preferably 3,000 to 10,000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, and developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented.

分散度(分子量分布)は、通常1〜3であり、好ましくは1〜2.6、更に好ましくは1〜2、特に好ましくは1.4〜2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、パターン形状が優れ、かつパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The dispersity (molecular weight distribution) is usually 1 to 3, preferably 1 to 2.6, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.4 to 2.0. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and pattern shape, the smoother the side wall of the pattern, and the better the roughness.

本発明において樹脂(B)の組成物全体中の配合率は、全固形分中30〜99質量%が好ましく、より好ましくは60〜90質量%である。また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
なお、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明の樹脂(B)以外の他の樹脂を併用してもよい。本発明の樹脂(B)以外の他の樹脂としては、前述した樹脂(B)が含有しうる繰り返し単位を含有していてもよい酸分解性樹脂、またその他の公知の酸分解性樹脂を挙げることができる。
In the present invention, the blending ratio of the resin (B) in the entire composition is preferably 30 to 99% by mass, more preferably 60 to 90% by mass in the total solid content. In addition, the resins of the present invention may be used alone or in combination.
In addition, you may use together other resin other than the resin (B) of this invention in the range which does not impair the effect of this invention. Examples of the resin other than the resin (B) of the present invention include an acid-decomposable resin that may contain a repeating unit that can be contained in the resin (B), and other known acid-decomposable resins. be able to.

〔3〕(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」ともいう)を含有する。
酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
[3] (C) Compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic ray or radiation (hereinafter, “ Also referred to as “acid generator”.
As an acid generator, photo-initiator of photocation polymerization, photo-initiator of photo-radical polymerization, photo-decoloring agent of dyes, photo-discoloring agent, or irradiation with actinic ray or radiation used for micro-resist etc. Known compounds that generate acids and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples thereof include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポ
リマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63−26653号公報、特開昭55−164824号公報、特開昭62−69263号公報、特開昭63−146038号公報、特開昭63−163452号公報、特開昭62−153853号公報、特開昭63−146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。
Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, such as US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. No. 3914407, JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, The compounds described in JP-A-62-153853 and JP-A-63-146029 can be used.

更に米国特許第3,779,778号明細書、欧州特許第126,712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。   Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712, etc. can also be used.

酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。   Preferred compounds among the acid generators include compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII), and (ZIII).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

上記一般式(ZI)において、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1
〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表す。
In the general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1 to 30, preferably 1
~ 20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Z represents a non-nucleophilic anion.

-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸ア
ニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
Examples of the non-nucleophilic anion as Z include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の経時安定性が向上する。   A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. Thereby, the temporal stability of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is improved.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion include an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.

カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the carboxylate anion include an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等を挙げることができる。
The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms such as methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group , Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group and the like.

芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好まし
くは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。
The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion include, for example, a nitro group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), carboxyl group , Hydroxyl group, amino group, cyano group, alkoxy group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl group ( Preferably 2 to 7 carbon atoms, acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 7 carbon atoms), alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), alkylsulfonyl group (Preferably having 1 to 15 carbon atoms), alkyliminosulfonyl group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), aryl Ruoxysulfonyl group (preferably having 6 to 20 carbon atoms), alkylaryloxysulfonyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms), cycloalkylaryloxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), alkyloxyalkyloxy group (Preferably having 5 to 20 carbon atoms), a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably having 8 to 20 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。   Examples of the aliphatic moiety in the aliphatic carboxylate anion include the same alkyl group and cycloalkyl group as in the aliphatic sulfonate anion.

芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。   Examples of the aromatic group in the aromatic carboxylate anion include the same aryl group as in the aromatic sulfonate anion.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group, naphthylbutyl group, and the like.

脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion include, for example, the same halogen atom and alkyl as in the aromatic sulfonate anion Group, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, and the like can be given. Examples of substituents for these alkyl groups include halogen atoms, alkyl groups substituted with halogen atoms, alkoxy groups, alkylthio groups, alkyloxysulfonyl groups, aryloxysulfonyl groups, cycloalkylaryloxysulfonyl groups, and the like. Alkyl groups substituted with fluorine atoms are preferred.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。   Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族
スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
Examples of the non-nucleophilic anion of Z include an aliphatic sulfonate anion in which the α-position of the sulfonic acid is substituted with a fluorine atom, an aromatic sulfonate anion substituted with a fluorine atom or a group having a fluorine atom, and an alkyl group. A bis (alkylsulfonyl) imide anion substituted with a fluorine atom and a tris (alkylsulfonyl) methide anion wherein an alkyl group is substituted with a fluorine atom are preferred. The non-nucleophilic anion is more preferably a perfluoroaliphatic sulfonic acid anion having 4 to 8 carbon atoms, a benzenesulfonic acid anion having a fluorine atom, still more preferably a nonafluorobutanesulfonic acid anion, a perfluorooctanesulfonic acid anion, It is a pentafluorobenzenesulfonic acid anion and 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid anion.

201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)、(ZI−4)における対応する基を挙げることができる。 Examples of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 include corresponding groups in the compounds (ZI-1), (ZI-2), (ZI-3) and (ZI-4) described later. Can do.

なお、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI), the structures attached to at least one of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)及び(ZI−4)を挙げることができる。   More preferred (ZI) components include compounds (ZI-1), (ZI-2), (ZI-3) and (ZI-4) described below.

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (ZI-1) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (ZI), arylsulfonium compounds, namely, compounds containing an arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。 In the arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group, or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group with the remaining being an alkyl group or a cycloalkyl group.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。   Examples of the arylsulfonium compound include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, diarylcycloalkylsulfonium compounds, and aryldicycloalkylsulfonium compounds.

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。   The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be an aryl group having a heterocyclic structure having an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 Aryl group, alkyl group of R 201 to R 203, cycloalkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms) , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, more preferably carbon. These are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI−2)について説明する。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
Next, the compound (ZI-2) will be described.
Compound (ZI-2) is a compound in which R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。 The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group, alkoxy group. A carbonylmethyl group, particularly preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. More preferred examples of the cycloalkyl group include a 2-oxocycloalkyl group.

2−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
The 2-oxoalkyl group may be either linear or branched, and a group having> C = O at the 2-position of the above alkyl group is preferable.
The 2-oxocycloalkyl group is preferably a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group).

201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。 The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(ZI−3)中、
Mは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はベンジル基を表し、環構造を有するとき、環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい。
式中、R1c及びR2cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。R1cとR2cとが結合して環を形成してもよい。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基、又はビニル基を表す。
及びRが結合して環を形成してもよい。また、M、R1c及びR2cの少なくとも二つが結合して環を形成してもよく、該環構造に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい。
は、非求核性アニオンを表す。
In general formula (ZI-3),
M represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a benzyl group, and when having a ring structure, the ring structure includes an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, and a carbon-carbon double bond. Also good.
In the formula, R 1c and R 2c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an aryl group. R 1c and R 2c may combine to form a ring.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.
R x and R y may combine to form a ring. Further, at least two of M, R 1c and R 2c may be bonded to form a ring, and the ring structure may contain a carbon-carbon double bond.
X represents a non-nucleophilic anion.

Mとしてのアルキル基は、直鎖、分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)を挙げることができる。
M、R1c、R2c、R、Rとしてのシクロアルキル基は、炭素数3〜8個の環状アルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
M、R1c、R2cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5〜15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。
Mとしての各基は、置換基として、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、フェニルチオ基などを有していてもよい。Mとしてのシクロアルキル基及びアリール基は、更に置換基として、アルキル基を有していてもよい。置換基の炭素数は、15以下が好ましい。
1c及びR2cとしてのアルキル基は、例えば、炭素数1〜10のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基を挙げることができる。
Mがフェニル基であるとき、置換基として、少なくともひとつ直鎖、分岐、環状アルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基を有することが好ましく、更に好ましくは、置換基の炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
M、R1c及びR2cの少なくとも二つが結合して形成する環構造としては、好ましくは3〜10員環、より好ましくは3〜6員環を挙げることができる。環骨格は炭素−炭素二重結合を有していてもよい。
The alkyl group as M may be either linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (for example, a methyl group). , Ethyl group, linear or branched propyl group, linear or branched butyl group, linear or branched pentyl group).
Examples of the cycloalkyl group as M, R 1c , R 2c , R x , and R y include cyclic alkyl groups having 3 to 8 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group).
The aryl group as M, R 1c and R 2c preferably has 5 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.
Each group as M may have an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a phenylthio group or the like as a substituent. The cycloalkyl group and aryl group as M may further have an alkyl group as a substituent. The number of carbon atoms of the substituent is preferably 15 or less.
The alkyl group as R 1c and R 2c is, for example, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, a linear or branched group). Mention may be made of the propyl group.
When M is a phenyl group, it preferably has at least one linear, branched, or cyclic alkyl group, or a linear, branched, or cyclic alkoxy group as a substituent, and more preferably, the sum of the carbon number of the substituent is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.
The ring structure formed by combining at least two of M, R 1c and R 2c is preferably a 3- to 10-membered ring, more preferably a 3- to 6-membered ring. The ring skeleton may have a carbon-carbon double bond.

及びRとしてのアルキル基は、R1c及びR2cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。
2−オキソアルキル基又は2−オキソシクロアルキル基は、R1c及びR2cとしてのアルキル基又はシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
アリル基としては、特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。
ビニル基としては特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。
及びRが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。即ち、Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等)が一般式(1−2)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられる。
Examples of the alkyl group as R x and R y include the same alkyl groups as R 1c and R 2c .
Examples of the 2-oxoalkyl group or 2-oxocycloalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group or cycloalkyl group as R 1c and R 2c .
The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms ( For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), cyclic alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) Can be mentioned.
The allyl group is not particularly limited, but is preferably an allyl group which is unsubstituted or substituted with a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.
Although there is no restriction | limiting in particular as a vinyl group, It is preferable that it is a vinyl group substituted by the unsubstituted or monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.
Examples of the group formed by combining R x and R y include a butylene group and a pentylene group. That is, as a ring structure that R x and R y may be bonded to each other, divalent R x and R y (for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, etc.) are represented by the general formula (1-2). 5) or a 6-membered ring formed together with the sulfur atom in the above), particularly preferably a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring).

、Rは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。
Rx又はRyとしての各基、及びRx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、前述のMとしての各基が有していてもよい置換基を挙げることができる。
R x and R y are preferably an alkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more.
Each group as Rx or Ry, and the ring structure that R x and R y may be bonded to each other may have a substituent. Examples of the substituent include The substituent which each group may have can be mentioned.

一般式(ZI−3)で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。   Specific examples of the cation of the compound represented by the general formula (ZI-3) include the following.

Figure 2011095635
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また、下記一般式(ZI−4)で表される化合物(ZI−4)であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that it is a compound (ZI-4) represented by the following general formula (ZI-4).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(ZI−4)中、
13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
14は複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。
lは0〜2の整数を表す。
rは0〜8の整数を表す。
-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。
In general formula (ZI-4),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton. These groups may have a substituent.
When there are a plurality of R 14 s, each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton. Represents a group having These groups may have a substituent.
R 15 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or a naphthyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring. These groups may have a substituent.
l represents an integer of 0-2.
r represents an integer of 0 to 8.
Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as Z − in formula (ZI).

一般式(ZI−4)において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が好ましい。
13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルが好ましい。
13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基等が好ましい。
13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2〜11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、n−ノニルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基等が好ましい。
In the general formula (ZI-4), the alkyl group of R 13 , R 14 and R 15 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a methyl group, an ethyl group, n -Propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n -An octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group etc. can be mentioned. Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, and the like are preferable.
Examples of the cycloalkyl group represented by R 13 , R 14 and R 15 include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, cyclooctadienyl, norbornyl, tricyclo Examples include decanyl, tetracyclodecanyl, adamantyl and the like, and cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and cyclooctyl are particularly preferable.
The alkoxy group of R 13 and R 14 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n -Butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group and the like can be mentioned. Of these alkoxy groups, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an n-butoxy group, and the like are preferable.
The alkoxycarbonyl group for R 13 and R 14 is linear or branched and preferably has 2 to 11 carbon atoms, such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, i- Propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, neopentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group, Examples include n-heptyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, n-nonyloxycarbonyl group, n-decyloxycarbonyl group and the like. Of these alkoxycarbonyl groups, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and the like are preferable.

13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有する基としては、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。
13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアル
キルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2−エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、iso−アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。
また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンタンチルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton of R 13 and R 14 include a monocyclic or polycyclic cycloalkyloxy group and an alkoxy group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group. Can be mentioned. These groups may further have a substituent.
The monocyclic or polycyclic cycloalkyloxy group for R 13 and R 14 preferably has a total carbon number of 7 or more, more preferably a total carbon number of 7 or more and 15 or less, It is preferable to have a cycloalkyl skeleton. The monocyclic cycloalkyloxy group having 7 or more carbon atoms is cyclopropyloxy group, cyclobutyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, cycloptyloxy group, cyclooctyloxy group, cyclododecanyloxy group, etc. Optionally substituted with methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, dodecyl, 2-ethylhexyl, isopropyl, sec-butyl, t -Alkyl group such as butyl group, iso-amyl group, hydroxyl group, halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, amide group, sulfonamido group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, Alkoxy groups such as propoxy group, hydroxypropoxy group, butoxy group, methoxy group Monocyclic cycloalkyloxy groups having substituents such as alkoxycarbonyl groups such as rubonyl groups, ethoxycarbonyl groups, acyl groups such as formyl groups, acetyl groups and benzoyl groups, acyloxy groups such as acetoxy groups and butyryloxy groups, and carboxy groups And the total number of carbon atoms combined with an arbitrary substituent on the cycloalkyl group is 7 or more.
Examples of the polycyclic cycloalkyloxy group having a total carbon number of 7 or more include a norbornyloxy group, a tricyclodecanyloxy group, a tetracyclodecanyloxy group, an adamantantyloxy group, and the like.

13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso−アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。
また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンタンチルメトキシ基、アダマンタンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。
The alkoxy group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton of R 13 and R 14 preferably has a total carbon number of 7 or more, more preferably a total carbon number of 7 or more and 15 or less, An alkoxy group having a monocyclic cycloalkyl skeleton is preferable. The alkoxy group having a total of 7 or more carbon atoms and having a monocyclic cycloalkyl skeleton is methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, heptoxy, octyloxy, dodecyloxy, 2-ethylhexyloxy, isopropoxy, A monocyclic cycloalkyl group that may have the above-mentioned substituents is substituted on an alkoxy group such as sec-butoxy, t-butoxy, iso-amyloxy, etc., and the total carbon number including the substituents is 7 or more Represents things. Examples thereof include a cyclohexylmethoxy group, a cyclopentylethoxy group, a cyclohexylethoxy group, and the like, and a cyclohexylmethoxy group is preferable.
Examples of the alkoxy group having a polycyclic cycloalkyl skeleton having 7 or more carbon atoms include norbornyl methoxy group, norbornyl ethoxy group, tricyclodecanyl methoxy group, tricyclodecanyl ethoxy group, tetracyclo A decanyl methoxy group, a tetracyclodecanyl ethoxy group, an adamantane methoxy group, an adamantane ethoxy group, etc. are mentioned, and a norbornyl methoxy group, a norbornyl ethoxy group, etc. are preferable.

14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13〜R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。
14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、tert−ブタンスルホニル基、n−ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n−ヘキサンスルホニル基、n−ヘプタンスルホニル基、n−オクタンスルホニル基、2−エチルヘキサンスルホニル基n−ノナンスルホニル基、n−デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。
The alkyl group of the alkyl group of R 14, include the same specific examples as the alkyl group as R 13 to R 15 described above.
The alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group of R 14 are linear, branched, or cyclic, and preferably those having 1 to 10 carbon atoms, such as methanesulfonyl group, ethanesulfonyl group, n-propanesulfonyl. Group, n-butanesulfonyl group, tert-butanesulfonyl group, n-pentanesulfonyl group, neopentanesulfonyl group, n-hexanesulfonyl group, n-heptanesulfonyl group, n-octanesulfonyl group, 2-ethylhexanesulfonyl group n -Nonanesulfonyl group, n-decanesulfonyl group, cyclopentanesulfonyl group, cyclohexanesulfonyl group, etc. can be mentioned. Of these alkylsulfonyl groups and cycloalkylsulfonyl groups, a methanesulfonyl group, an ethanesulfonyl group, an n-propanesulfonyl group, an n-butanesulfonyl group, a cyclopentanesulfonyl group, a cyclohexanesulfonyl group, and the like are preferable.

上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i
−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。
前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシエチル基、2−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、2−エトキシエチル基等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。
前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。
前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、i−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
Examples of the substituent that each of the above groups may have include a halogen atom (for example, a fluorine atom), a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, and alkoxycarbonyloxy. Groups and the like.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i
-Linear, branched or cyclic having 1 to 20 carbon atoms such as propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, cyclopentyloxy group and cyclohexyloxy group Can be mentioned.
Examples of the alkoxyalkyl group include straight chain having 2 to 21 carbon atoms such as methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, and 2-ethoxyethyl group. Examples thereof include a chain, branched or cyclic alkoxyalkyl group.
Examples of the alkoxycarbonyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t Examples thereof include linear, branched or cyclic alkoxycarbonyl groups having 2 to 21 carbon atoms such as butoxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl and the like.
Examples of the alkoxycarbonyloxy group include methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, i-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group, t-butoxycarbonyloxy group, and cyclopentyloxy. Examples thereof include linear, branched or cyclic alkoxycarbonyloxy groups having 2 to 21 carbon atoms such as carbonyloxy group and cyclohexyloxycarbonyloxy.

2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式(ZI−4)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式(ZI−4)におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。
13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子(特に、フッ素原子)が好ましい。
lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。
rとしては、0〜2が好ましい。
一般式(ZI−4)で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。
The ring structure which two R 15 may combine with each other is a 5-membered or 6-membered ring formed by two divalent R 15 together with the sulfur atom in the general formula (ZI-4). Particularly preferred is a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring), which may be condensed with an aryl group or a cycloalkyl group. This divalent R 15 may have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxycarbonyloxy group, and the like. Groups and the like. R 15 in the general formula (ZI-4) is preferably a methyl group, an ethyl group, a naphthyl group, a divalent group in which two R 15s are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure together with a sulfur atom.
The substituent that R 13 and R 14 may have is preferably a hydroxyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a halogen atom (particularly a fluorine atom).
l is preferably 0 or 1, and more preferably 1.
As r, 0-2 are preferable.
Specific examples of the cation of the compound represented by the general formula (ZI-4) include the following.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(ZII)及び(ZIII)中、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204〜R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204〜R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。
In the general formulas (ZII) and (ZIII),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Phenyl group and a naphthyl group are preferred as the aryl group of R 204 to R 207, more preferably a phenyl group. Aryl group R 204 to R 207 represents an oxygen atom, a nitrogen atom, may be an aryl group having a heterocyclic structure having a sulfur atom and the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like.

204〜R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
The alkyl group and cycloalkyl group in R 204 to R 207, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).
Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, cycloalkyl groups may have a substituent. Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, the cycloalkyl group substituent which may be possessed by, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms ), An aryl group (eg, having 6 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (eg, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, and a phenylthio group.
Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).

酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。   Examples of the acid generator further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール
基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ar、Ar、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式(ZI−1)におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式(ZI−2)におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Aのアルキレン基としては、炭素数1〜12のアルキレン(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など)を、Aのアルケニレン基としては、炭素数2〜12のアルケニレン基(例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など)を、Aのアリーレン基としては、炭素数6〜10のアリーレン基(例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など)を、それぞれ挙げることができる。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.
Specific examples of the aryl group of Ar 3 , Ar 4 , R 208 , R 209 and R 210 are the same as the specific examples of the aryl group as R 201 , R 202 and R 203 in the general formula (ZI-1). Things can be mentioned.
Specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 208 , R 209, and R 210 include specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 201 , R 202, and R 203 in the general formula (ZI-2), respectively. The same thing as an example can be mentioned.
The alkylene group of A is alkylene having 1 to 12 carbon atoms (for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, etc.), and the alkenylene group of A is 2 to 2 carbon atoms. 12 alkenylene groups (for example, ethynylene group, propenylene group, butenylene group, etc.), and the arylene group of A is an arylene group having 6 to 10 carbon atoms (for example, phenylene group, tolylene group, naphthylene group, etc.) Can be mentioned.

酸発生剤の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。
また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaがpKa=−1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。
Among the acid generators, compounds represented by the general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable.
Further, the acid generator is preferably a compound that generates an acid having one sulfonic acid group or imide group, more preferably a compound that generates monovalent perfluoroalkanesulfonic acid, or a monovalent fluorine atom or fluorine atom. A compound that generates an aromatic sulfonic acid substituted with a group that contains a monovalent fluorine atom or an imido acid that is substituted with a group containing a fluorine atom, and even more preferably, a fluorinated compound It is a sulfonium salt of a substituted alkanesulfonic acid, a fluorine-substituted benzenesulfonic acid, a fluorine-substituted imide acid or a fluorine-substituted methide acid. The acid generator that can be used is particularly preferably a fluorinated substituted alkane sulfonic acid, a fluorinated substituted benzene sulfonic acid or a fluorinated substituted imido acid whose pKa of the generated acid is pKa = -1 or less, and the sensitivity is improved. .

酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。   Among acid generators, particularly preferred examples are given below.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

酸発生剤の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.1〜30質量%が好ましく、より好ましくは5〜30質量%、更に好ましくは10〜25質量%である。
ポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として用いる場合、酸発生剤と化合物(PBG)のモル比(酸発生剤/化合物(PBG))は、10〜1.5、好ましくは7〜2、更に好ましくは5〜4であることが好ましい。モル比がよりも大きい場合に画像形成性の点で好ましく、10/1よりも即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。
The content of the acid generator in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1 to 30% by mass based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, More preferably, it is 5-30 mass%, More preferably, it is 10-25 mass%.
When used as a positive-type actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, the molar ratio of the acid generator to the compound (PBG) (acid generator / compound (PBG)) is 10 to 1.5, preferably 7 to 2, more preferably 5-4. When the molar ratio is larger, it is preferable from the viewpoint of image formability, and more than 10/1, that is, from the viewpoint of sensitivity and resolution, the molar ratio is preferably 2.5 or more. 300 or less is preferable from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to fattening. This molar ratio is more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150.

化合物(PBG)として一般式(5)又は(6)で表される化合物と、酸発生剤として化合物(ZI−3)又は(ZI−4)の組み合わせが好ましく、一般式(6)で表される化合物と化合物(ZI−3)又は(ZI−4)の組み合わせがより好ましく、一般式(6−1)で表される化合物と化合物(ZI−3)又は(ZI−4)の組み合わせが特に好ましい。   A combination of the compound represented by the general formula (5) or (6) as the compound (PBG) and the compound (ZI-3) or (ZI-4) as the acid generator is preferable, and represented by the general formula (6). And a combination of the compound (ZI-3) or (ZI-4) and the compound (ZI-3) or (ZI-4) is particularly preferable. preferable.

〔4〕疎水性樹脂
本発明に係る組成物は、上述したように、疎水性樹脂を更に含んでいてもよい。疎水性樹脂を更に含有させると、この組成物を用いて形成した膜の表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸液として水を使用した液浸露光に於いて液浸液に対する膜の後退接触角を向上させることが可能となる。これにより、膜の液浸液追随性を向上させることができる。
[4] Hydrophobic resin The composition according to the present invention may further contain a hydrophobic resin as described above. When a hydrophobic resin is further contained, the hydrophobic resin is unevenly distributed in the surface layer of the film formed using this composition, and the film recedes against the immersion liquid in immersion exposure using water as the immersion liquid. The corner can be improved. Thereby, the immersion liquid followability of a film | membrane can be improved.

疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又はケイ素原子を含んでいる。これらフッ素原子及び/又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。   The hydrophobic resin typically contains fluorine atoms and / or silicon atoms. These fluorine atoms and / or silicon atoms may be contained in the main chain of the resin or may be contained in the side chain.

疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、フッ素原子を含んだ部分構造として、フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基、又はフッ素原子を含んだアリール基を備えていることが好ましい。   In the case where the hydrophobic resin contains a fluorine atom, the resin has an alkyl group containing a fluorine atom, a cycloalkyl group containing a fluorine atom, or an aryl group containing a fluorine atom as a partial structure containing a fluorine atom. It is preferable to provide.

フッ素原子を含んだアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐鎖アルキル基である。このアルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数が1〜4であることがより好ましい。このフッ素原子を含んだアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。   The alkyl group containing a fluorine atom is a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. The alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group containing a fluorine atom may further have a substituent other than the fluorine atom.

フッ素原子を含んだシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環式又は多環式のシクロアルキル基である。このフッ素原子を含んだシクロアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。   The cycloalkyl group containing a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. The cycloalkyl group containing a fluorine atom may further have a substituent other than the fluorine atom.

フッ素原子を含んだアリール基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアリール基である。このアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。このフッ素原子を含んだアリール基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。   An aryl group containing a fluorine atom is an aryl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. Examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group. The aryl group containing a fluorine atom may further have a substituent other than the fluorine atom.

フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基及びフッ素原子を含んだアリール基の好ましい例として、下記一般式(F2)〜(F4)により表される基が挙げられる。   Preferable examples of the alkyl group containing a fluorine atom, the cycloalkyl group containing a fluorine atom, and the aryl group containing a fluorine atom include groups represented by the following general formulas (F2) to (F4).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(F2)〜(F4)中、R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57〜R61のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R62〜R64のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R65〜R68のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。これらアルキル基は、炭素数が1〜4であることが好ましい。 In the general formulas (F2) to (F4), R 57 to R 68 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. However, at least one of R 57 to R 61 represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. At least one of R 62 to R 64 represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. At least one of R 65 to R 68 represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. These alkyl groups preferably have 1 to 4 carbon atoms.

57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。
62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基であることが好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。なお、R62とR63とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
R 57 to R 61 and R 65 to R 67 are preferably all fluorine atoms.
R 62 , R 63 and R 68 are preferably an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and more preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 62 and R 63 may be bonded to each other to form a ring.

一般式(F2)により表される基としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、及び3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基が挙げられる。   Examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.

一般式(F3)により表される基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル基、及びパーフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。これらのうち、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基又はパーフルオロイソペンチル基がより好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基又はヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。   Examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2- Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2, Examples include 3,3-tetrafluorocyclobutyl group and perfluorocyclohexyl group. Among these, a hexafluoroisopropyl group, a heptafluoroisopropyl group, a hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, an octafluoroisobutyl group, a nonafluoro-t-butyl group or a perfluoroisopentyl group is more preferable, and a hexafluoroisopropyl group or More preferred is a heptafluoroisopropyl group.

一般式(F4)により表される基としては、例えば、−C(CFOH、−C(COH、−C(CF)(CH)OH、及び−CH(CF)OHが挙げられる。これらのうち、−C(CFOHが特に好ましい。 Examples of the group represented by the general formula (F4), for example, -C (CF 3) 2 OH , -C (C 2 F 5) 2 OH, -C (CF 3) (CH 3) OH, and -CH (CF 3 ) OH. Of these, -C (CF 3) 2 OH is particularly preferred.

以下に、フッ素原子を含んだ繰り返し単位の具体例を示す。
具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表す。Xは、−F又は−CFを表す。
Specific examples of the repeating unit containing a fluorine atom are shown below.
In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 . X 2 represents -F or -CF 3.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、ケイ素原子を含んだ部分構造として、アルキルシリル構造又は環状シロキサン構造を備えていることが好ましい。このアリキルシリル構造は、好ましくは、トリアルキルシリル基を含んだ構造である。   When the hydrophobic resin contains a silicon atom, the resin preferably has an alkylsilyl structure or a cyclic siloxane structure as a partial structure containing a silicon atom. This allylsilyl structure is preferably a structure containing a trialkylsilyl group.

アルキルシリル構造及び環状シロキサン構造の好ましい例として、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)により表される基が挙げられる。   Preferable examples of the alkylsilyl structure and the cyclic siloxane structure include groups represented by the following general formulas (CS-1) to (CS-3).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(CS−1)〜(CS−3)中、R12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。このアルキル基は、炭素数が1〜20であることが好ましい。このシクロアルキル基は、炭素数が3〜20であることが好ましい。 In general formulas (CS-1) to (CS-3), R 12 to R 26 each independently represents a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. This alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms. This cycloalkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms.

〜Lは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、フェニレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基、又はこれらの組合せが挙げられる。
nは、1〜5の整数を表す。nは、好ましくは、2〜4の整数である。
L < 3 > -L < 5 > represents a single bond or a bivalent coupling group. Examples of the divalent linking group include an alkylene group, a phenylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a urethane group, a urea group, or a combination thereof.
n represents an integer of 1 to 5. n is preferably an integer of 2 to 4.

以下に、一般式(CS−1)〜(CS−3)により表される基を備えた繰り返し単位の具体例を挙げる。具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表す。 Below, the specific example of the repeating unit provided with group represented by general formula (CS-1)-(CS-3) is given. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .

Figure 2011095635
Figure 2011095635

疎水性樹脂は、下記(x)乃至(z)からなる群より選択される少なくとも1つの基を更に含んでいてもよい。
(x)アルカリ可溶性基
(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基
(z)酸分解性基
The hydrophobic resin may further include at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z).
(X) an alkali-soluble group (y) a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in an alkali developer (z) an acid-decomposable group

(x)アルカリ可溶性基としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、及びトリス(アルキルスルホニル)メチレン基が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基、スルホンイミド基及びビス(カルボニル)メチレン基が挙げられる。好ましいフッ素化アルコール基としては、ヘキサフルオロイソプロパノール基が挙げられる。   (X) Examples of alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxylic acid groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, and (alkylsulfonyl). ) (Alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, and tris (Alkylsulfonyl) methylene group may be mentioned. Preferred alkali-soluble groups include fluorinated alcohol groups, sulfonimide groups, and bis (carbonyl) methylene groups. Preferred fluorinated alcohol groups include hexafluoroisopropanol groups.

アルカリ可溶性基を備えた繰り返し単位は、例えば、アクリル酸及びメタクリル酸による繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、アルカリ可溶性基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、アルカリ可溶性基を備えた重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。   The repeating unit having an alkali-soluble group is a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit by acrylic acid and methacrylic acid. Alternatively, this repeating unit may be a repeating unit in which an alkali-soluble group is bonded to the main chain of the resin via a linking group. Or this repeating unit may be introduce | transduced into the terminal of resin using the polymerization initiator or chain transfer agent provided with the alkali-soluble group at the time of superposition | polymerization.

アルカリ可溶性基を備えた繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位にを基準として、1〜50モル%であることが好ましく、3〜35モル%であることがより好ましく、5〜20モル%であることが更に好ましい。   The content of the repeating unit having an alkali-soluble group is preferably 1 to 50 mol%, more preferably 3 to 35 mol%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. More preferably, it is -20 mol%.

以下に、アルカリ可溶性基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。   Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基
としては、例えば、ラクトン構造を備えた基、酸無水物基、及び酸イミド基が挙げられる。これらのうち、ラクトン構造を備えた基が特に好ましい。
(Y) Examples of the group that is decomposed by the action of the alkali developer and increases the solubility in the alkali developer include a group having a lactone structure, an acid anhydride group, and an acid imide group. Of these, a group having a lactone structure is particularly preferable.

この基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を備えた重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。   The repeating unit containing this group is a repeating unit in which this group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid ester and methacrylic acid ester. Alternatively, this repeating unit may be a repeating unit in which this group is bonded to the main chain of the resin via a linking group. Or this repeating unit may be introduce | transduced into the terminal of resin using the polymerization initiator or chain transfer agent provided with this group at the time of superposition | polymerization.

アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を備えた繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂(B)の項で説明したラクトン構造を備えた繰り返し単位と同様のものが挙げられる。   Examples of the repeating unit having a group that is decomposed by the action of the alkali developer and increases the solubility in the alkali developer are the same as those having the lactone structure described above in the section of the resin (B). Can be mentioned.

アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を備えた繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1〜40モル%であることが好ましく、3〜30モル%であることがより好ましく、5〜15モル%であることが更に好ましい。   The content of the repeating unit having a group that is decomposed by the action of the alkali developer and increases the solubility in the alkali developer is 1 to 40 mol% based on all repeating units in the hydrophobic resin. Is more preferable, it is more preferable that it is 3-30 mol%, and it is still more preferable that it is 5-15 mol%.

(z)酸分解性基としては、例えば、先に樹脂(B)の項で説明したのと同様のものが挙げられる。
酸分解性基を備えた繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1〜80モル%であることが好ましく、10〜80モル%であることがより好ましく、20〜60モル%であることが更に好ましい。
Examples of the (z) acid-decomposable group include the same groups as those described above for the resin (B).
The content of the repeating unit having an acid-decomposable group is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 10 to 80 mol%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. More preferably, it is -60 mol%.

疎水性樹脂は、下記一般式(III)により表される繰り返し単位を更に含んでいてもよい。   The hydrophobic resin may further contain a repeating unit represented by the following general formula (III).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(III)中、Rc31は、水素原子、アルキル基、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基、シアノ基又は−CH−O−Rac基を表す。ここで、Racは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
c31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることが特に好ましい。
In general formula (III), R c31 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, a cyano group, or a —CH 2 —O—Rac 2 group. Here, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group.
R c31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

c32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を含んだ基を表す。これら基は、フッ素原子及び/又はケイ素原子を有する基で置換されていてもよい。 R c32 represents a group containing an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group or an aryl group. These groups may be substituted with a group having a fluorine atom and / or a silicon atom.

c32のアルキル基は、炭素数3〜20の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基であることが好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数が3〜20であることが好ましい。
アルケニル基は、炭素数が3〜20であることが好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数が3〜20であるシクロアルケニル基が好ましい。
アリール基は、炭素数6〜20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。
c32は、無置換のアルキル基又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基であることが好ましい。
The alkyl group for R c32 is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The aryl group is preferably a phenyl group or naphthyl group having 6 to 20 carbon atoms, and these may have a substituent.
R c32 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.

c3は、単結合又は2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、エステル基(−COO−により表される基)、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基及びフェニレン基が挙げられる。 L c3 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include an ester group (a group represented by —COO—), an alkylene group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an oxy group, and a phenylene group.

疎水性樹脂は、下記一般式(CII−AB)により表される繰り返し単位を更に含んでいてもよい。   The hydrophobic resin may further contain a repeating unit represented by the following general formula (CII-AB).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(CII−AB)中、
c11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、Rc11’及びRc12’が結合している2つの炭素原子(C−C)と共に脂環式構造を形成するために必要な原子団を表す。
In general formula (CII-AB),
R c11 ′ and R c12 ′ each independently represent a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group. Zc ′ represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with two carbon atoms (C—C) to which R c11 ′ and R c12 ′ are bonded.

以下に、一般式(III)又は(CII−AB)により表される繰り返し単位の具体例を挙げる。具体例中、Raは、H、CH、CHOH、CF又はCNを表す。 Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (III) or (CII-AB) are given below. In specific examples, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, CF 3 or CN.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

以下に、疎水性樹脂の具体例を挙げる。また、下記表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量、及び分散度を纏める。   Specific examples of the hydrophobic resin are given below. The following table summarizes the molar ratio of repeating units in each resin (corresponding to each repeating unit in order from the left), weight average molecular weight, and dispersity.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
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疎水性樹脂は、少なくとも2つの極性変換基を備えた繰り返し単位を含みかつフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂であることが好ましい。疎水性樹脂としてこのような樹脂を用いると、現像欠陥を更に低減させることが可能となる。なお、上記のフッ素原子は、極性変換基における電子求引性基としてのフッ素原子であってもよく、それ以外のフッ素原子であってもよい。   The hydrophobic resin is preferably a resin containing a repeating unit having at least two polar conversion groups and containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. When such a resin is used as the hydrophobic resin, development defects can be further reduced. The fluorine atom may be a fluorine atom as an electron withdrawing group in the polarity conversion group, or may be another fluorine atom.

なお、ここで「極性変換基」とは、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基であり、例えば、後掲の一般式(KA−1)及び(KB−1)において「−COO−」により表されている部分がこれに該当する。但し、樹脂の主鎖に直接結合しているエステル基(例えば、アクリレートにおけるエステル基)は、アルカリ現像液の作用により溶解度を増大させる能力が低いため、「極性変換基」には含まれないこととする。   Here, the “polarity converting group” is a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer, and includes, for example, the following general formulas (KA-1) and (KB). The portion represented by "-COO-" in -1) corresponds to this. However, ester groups that are directly bonded to the main chain of the resin (for example, ester groups in acrylates) are not included in the “polar conversion group” because they have a low ability to increase solubility by the action of an alkali developer. And

極性変換基は、アルカリ現像液の作用により分解し、その極性が変化する。これにより、アルカリ現像後の膜と液浸液としての水との後退接触角を更に小さくすることが可能となる。   The polarity converting group is decomposed by the action of an alkali developer, and its polarity changes. As a result, the receding contact angle between the film after alkali development and water as the immersion liquid can be further reduced.

アルカリ現像後の膜との水との後退接触角は、温度23±3℃及び湿度45±5%の条件下で50°以下であることが好ましく、40°以下であることがより好ましく、35°以下であることが更に好ましく、30°以下であることが最も好ましい。   The receding contact angle between the film after alkali development and water is preferably 50 ° or less, more preferably 40 ° or less under the conditions of a temperature of 23 ± 3 ° C. and a humidity of 45 ± 5%, 35 More preferably, it is not more than 30 °, and most preferably not more than 30 °.

なお、後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだ際に、液滴の界面が後退するときの接触角として定義できる。この後退接触角は、拡張収縮法と呼ばれる方法を用いて測定することができる。   The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known that In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the tip of the needle is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. This receding contact angle can be measured using a method called expansion contraction method.

疎水性樹脂が少なくとも2つの極性変換基を備えた繰り返し単位を含みかつフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂である場合、この樹脂は、1つの側鎖上に、少なくとも2つの極性変換基とフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方との双方を備えた繰り返し単位を含んでいることが好ましい。即ち、この疎水性樹脂は、複数の極性変換基を備えた側鎖上にフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有した繰り返し単位を含んでいることが好ましい。   When the hydrophobic resin is a resin containing a repeating unit with at least two polarity conversion groups and containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom, the resin has at least two polarity conversions on one side chain. It preferably includes a repeating unit having both a group and at least one of a fluorine atom and a silicon atom. That is, this hydrophobic resin preferably contains a repeating unit containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom on a side chain provided with a plurality of polarity converting groups.

或いは、この場合、疎水性樹脂は、少なくとも2つの極性変換基を備えかつフッ素原子及びケイ素原子を含有していない繰り返し単位と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有している繰り返し単位とを含んでいてもよい。   Alternatively, in this case, the hydrophobic resin comprises at least two polar conversion groups and a repeating unit not containing a fluorine atom and a silicon atom, and a repeating unit containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. May be included.

或いは、この場合、疎水性樹脂は、1つの側鎖上に少なくとも2つの極性変換基を備え、かつ、同一繰り返し単位内の他の側鎖上にフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有した繰り返し単位を含んでいてもよい。この場合、極性変換基を備えた側鎖とフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有した側鎖とは、主鎖の炭素原子を介してα位の位置関係にあることが好ましい。即ち、これら側鎖が、下記式(4)に示す位置関係にあることが好ましい。式中、B1は極性変換基を備えた側鎖を表し、B2はフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有した側鎖を表す。   Alternatively, in this case, the hydrophobic resin has at least two polarity conversion groups on one side chain, and a repeating resin containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom on the other side chain in the same repeating unit. Units may be included. In this case, it is preferable that the side chain provided with the polarity conversion group and the side chain containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom are in an α-position positional relationship through the carbon atom of the main chain. That is, it is preferable that these side chains have a positional relationship represented by the following formula (4). In the formula, B1 represents a side chain provided with a polarity converting group, and B2 represents a side chain containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

上記の極性変換基を含んだ側鎖は、下記一般式(KA−1)又は(KB−1)により表される部分構造を含んでいることが好ましく、下記一般式(KA−1)により表される部分構造を含んでいることがより好ましい。   The side chain containing the polar conversion group preferably contains a partial structure represented by the following general formula (KA-1) or (KB-1), and is represented by the following general formula (KA-1). More preferably, the partial structure is included.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(KA−1)中、
ka1は、nka≧2の場合には各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシ基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。nka≧2の場合、複数のZka1が互いに結合して、環を形成していてもよい。この環としては、例えば、シクロアルキル環、並びに、環状エーテル環及びラクトン環等のヘテロ環が挙げられる。
In general formula (KA-1),
Z ka1 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxy group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron-withdrawing group when nka ≧ 2. In the case of nka ≧ 2, a plurality of Z ka1 may be bonded to each other to form a ring. Examples of this ring include cycloalkyl rings and heterocyclic rings such as cyclic ether rings and lactone rings.

nkaは0〜10の整数を表す。nkaは、好ましくは0〜8であり、より好ましくは0〜5であり、更に好ましくは1〜4であり、特に好ましくは1〜3である。   nka represents an integer of 0 to 10. nka is preferably 0 to 8, more preferably 0 to 5, still more preferably 1 to 4, and particularly preferably 1 to 3.

なお、一般式(KA−1)により表される構造は、この構造中に含まれる少なくとも1つの水素原子を除いてなる1価以上の置換基を表す。   Note that the structure represented by the general formula (KA-1) represents a monovalent or higher-valent substituent formed by removing at least one hydrogen atom contained in the structure.

一般式(KB−1)中、
kb1及びXkb2は、各々独立して、電子求引性基を表す。
nkb及びnkb’は、各々独立して、0又は1を表す。なお、nkb=nkb’=0の場合、Xkb1及びXkb2は、エステル基(−COO−)と直結している。
In general formula (KB-1),
X kb1 and X kb2 each independently represent an electron withdrawing group.
nkb and nkb ′ each independently represents 0 or 1. Note that when nkb = nkb ′ = 0, X kb1 and X kb2 are directly connected to an ester group (—COO—).

kb1〜Rkb4は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表す。Rkb1、Rkb2及びXkb1の少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。また、Rkb3、Rkb4及びXkb2の少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。 R kb1 to R kb4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group. At least two of R kb1 , R kb2 and X kb1 may be bonded to each other to form a ring. Further , at least two of R kb3 , R kb4 and X kb2 may be bonded to each other to form a ring.

kb3、Rkb4及びXkb2の少なくとも2つが互いに結合して形成し得る環としては、好ましくは、シクロアルキル基及びヘテロ環基が挙げられる。このヘテロ環基としては、ラクトン環基が特に好ましい。このラクトン環としては、例えば、樹脂(B)について述べた式(LC1−1)〜(LC1−17)により表されるものが挙げられる。 The ring that can be formed by combining at least two of R kb3 , R kb4 and X kb2 with each other preferably includes a cycloalkyl group and a heterocyclic group. As this heterocyclic group, a lactone ring group is particularly preferable. Examples of the lactone ring include those represented by the formulas (LC1-1) to (LC1-17) described for the resin (B).

なお、Xkb1及びXkb2の双方が1価の置換基である場合、一般式(KB−1)により表される構造は、この構造中に含まれる少なくとも1つの水素原子を除いてなる1価以上の置換基を表す。 In addition, when both X kb1 and X kb2 are monovalent substituents, the structure represented by the general formula (KB-1) is a monovalent formed by removing at least one hydrogen atom contained in the structure. The above substituents are represented.

一般式(KB−1)により表される部分構造では、電子求引性基がエステル基に近接して存在している。それゆえ、この部分構造は、優れた極性変換能を発揮し得る。   In the partial structure represented by the general formula (KB-1), an electron withdrawing group is present close to the ester group. Therefore, this partial structure can exhibit excellent polarity conversion ability.

ka1は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシ基又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキルエーテル基又はシクロアルキルエーテル基が好ましい。 Z ka1 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxy group or an electron withdrawing group, more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group or an electron withdrawing group. The ether group is preferably an alkyl ether group or a cycloalkyl ether group.

ka1のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアル
キル基は、置換基を更に有していてもよい。
直鎖アルキル基は、炭素数が1〜30であることが好ましく、炭素数が1〜20であることがより好ましい。このような直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基及びn−デカニル基が挙げられる。
The alkyl group of Z ka1 may be linear or branched. This alkyl group may further have a substituent.
The linear alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms, and more preferably 1 to 20 carbon atoms. Examples of such linear alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, sec-butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, and n- A heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decanyl group are mentioned.

分岐鎖アルキル基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、炭素数が3〜20であることがより好ましい。このような分岐鎖アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基及びt−デカノイル基が挙げられる。   The branched alkyl group preferably has 3 to 30 carbon atoms, and more preferably 3 to 20 carbon atoms. Examples of such branched alkyl groups include i-propyl, i-butyl, t-butyl, i-pentyl, t-pentyl, i-hexyl, t-hexyl, and i-heptyl. Group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group and t-decanoyl group.

ka1のアルキル基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基及びt−ブチル基等の炭素数が1〜4のものであることが好ましい。 The alkyl group of Z ka1 has 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group and t-butyl group. Is preferred.

ka1のシクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group of Z ka1 may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be bridged. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

単環型のシクロアルキル基としては、炭素数が3〜8のものが好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基が挙げられる。   The monocyclic cycloalkyl group preferably has 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.

多環型のシクロアルキル基としては、例えば、炭素数が5以上のビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を備えた基が挙げられる。この多環型のシクロアルキル基は、炭素数が6〜20であることが好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。   Examples of the polycyclic cycloalkyl group include groups having a bicyclo, tricyclo, or tetracyclo structure having 5 or more carbon atoms. The polycyclic cycloalkyl group preferably has 6 to 20 carbon atoms. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group , Tetocyclododecyl group and androstanyl group.

これらシクロアルキル基としては、例えば、下式により表されるものが挙げられる。   Examples of these cycloalkyl groups include those represented by the following formula.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

上記の脂環構造のうち好ましいものとしては、例えば、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基及びシクロドデカニル基が挙げられる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基及びトリシクロデカニル基が挙げられる。   Preferred examples of the alicyclic structure include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclo An octyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group are mentioned. More preferably, an adamantyl group, a decalin group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, and a tricyclodecanyl group are exemplified.

これら脂環構造は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、及びアルコキシカルボニル基が挙げられる。   These alicyclic structures may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxy group, and an alkoxycarbonyl group.

置換基としてのアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基及びブチル基等の低級アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基であることが更に好ましい。   The alkyl group as a substituent is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. .

置換基としてのアルコキシ基は、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基等の炭素数が1〜4のものが挙げられる。   The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.

これら置換基としてのアルキル基及びアルコキシ基は、更なる置換基を有していてもよい。この更なる置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子及びアルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)が挙げられる。   These alkyl groups and alkoxy groups as substituents may have further substituents. As this further substituent, a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group (preferably C1-C4) are mentioned, for example.

ka1のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。 Examples of the aryl group for Z ka1 include a phenyl group and a naphthyl group.

ka1のアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が更に有し得る置換基としては、例えば、水酸基;ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;上記のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基及びt−ブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ベンジル基、フェネチル基及びクミル基等のアラルキル基;アラルキルオキシ基;ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基及びバレリル基等のアシル基;ブチリルオキシ基等のアシロキシ基;アルケニル基;ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基及びブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;上記のアリール基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;並びに、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。 Examples of the substituent that the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group of Z ka1 may further include, for example, a hydroxyl group; a halogen atom; a nitro group; a cyano group; the alkyl group described above; Alkoxy groups such as propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; benzyl group, phenethyl group and cumyl group Aralkyloxy group; Aralkyloxy group; Acyl group such as formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group and valeryl group; Acyloxy group such as butyryloxy group; Alkenyl group; Vinyloxy group, propenyloxy group, allyloxy group And butenyl An alkenyloxy group such as an oxy group; the above aryl group; an aryloxy group such as a phenoxy group; and an aryloxycarbonyl group such as a benzoyloxy group.

ka1、Xkb1、Xkb2及びRkb1〜Rkb4の電子求引性基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、オキシ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、ニトリル基、ニトロ基、スルホニル基、スルフィニル基、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3により表されるハロ(シクロ)アルキル基、ハロアリール基、及びこれらの組み合わせが挙げられる。なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子で置換された(シクロ)アルキル基を意味している。 Examples of the electron withdrawing group of Z ka1 , X kb1 , X kb2 and R kb1 to R kb4 include a halogen atom, a cyano group, an oxy group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a nitrile group, and a nitro group. , A sulfonyl group, a sulfinyl group, a halo (cyclo) alkyl group represented by -C (Rf1) (Rf2) -Rf3, a haloaryl group, and combinations thereof. The “halo (cyclo) alkyl group” means a (cyclo) alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.

ka1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が特に好ましい。 Examples of the halogen atom for Z ka1 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Of these, a fluorine atom is particularly preferable.

−C(Rf1)(Rf2)−Rf3により表されるハロ(シクロ)アルキル基において、Rf1は、ハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーシクロハロアルキル基、又はパーハロアリール基を表す。このRf1は、フッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基であることがより好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが更に好ましい。   In the halo (cyclo) alkyl group represented by —C (Rf1) (Rf2) —Rf3, Rf1 represents a halogen atom, a perhaloalkyl group, a percyclohaloalkyl group, or a perhaloaryl group. Rf1 is more preferably a fluorine atom, a perfluoroalkyl group or a perfluorocycloalkyl group, and further preferably a fluorine atom or a trifluoromethyl group.

−C(Rf1)(Rf2)−Rf3により表されるハロ(シクロ)アルキル基において、Rf2及びRf3は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表す。この有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基が挙げられる。これら基は、ハロゲン原子等の置換基を更に有していてもよい。   In the halo (cyclo) alkyl group represented by -C (Rf1) (Rf2) -Rf3, Rf2 and Rf3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group. These groups may further have a substituent such as a halogen atom.

Rf1〜Rf3のうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。この環としては、例えば、シクロアルキル環、ハロシクロアルキル環、アリール環、及びハロアリール環が挙げられる。   At least two of Rf1 to Rf3 may be bonded to each other to form a ring. Examples of the ring include a cycloalkyl ring, a halocycloalkyl ring, an aryl ring, and a haloaryl ring.

Rf1〜Rf3のアルキル基及びハロアルキル基としては、例えば、先にZka1について説明したアルキル基、及び、これらアルキル基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子により置換された基が挙げられる。 Examples of the alkyl group and haloalkyl group of Rf1 to Rf3 include the alkyl group described above for Z ka1 and a group in which at least a part of hydrogen atoms of these alkyl groups is substituted with a halogen atom.

上記のハロシクロアルキル基及びハロアリール基としては、例えば、先にZka1について説明したシクロアルキル基及びアリール基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子により置換された基が挙げられる。このハロシクロアルキル基及びハロアリール基としては、より好ましくは、−C(n)F(2n−2)Hにより表されるフルオロアルキル基、及び、−C(n)F(2n−1)により表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで、炭素数nの範囲に特に制限はないが、n=5〜13であることが好ましく、n=6であることが特に好ましい。 Examples of the halocycloalkyl group and haloaryl group include groups in which at least a part of the hydrogen atoms of the cycloalkyl group and aryl group described above for Z ka1 are substituted with a halogen atom. More preferably, the halocycloalkyl group and the haloaryl group are represented by a fluoroalkyl group represented by -C (n) F (2n-2) H and a group represented by -C (n) F (2n-1). Perfluoroaryl group to be used. Here, although there is no restriction | limiting in particular in the range of carbon number n, it is preferable that it is n = 5-13, and it is especially preferable that it is n = 6.

Rf2は、Rf1と同一の基であるか、又は、Rf3と結合して環を形成していることがより好ましい。   More preferably, Rf2 is the same group as Rf1 or is bonded to Rf3 to form a ring.

上記の電子求引性基は、ハロゲン原子、ハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基であることが特に好ましい。上記の電子求引性基は、フッ素原子の一部がフッ素原子以外の電子求引性基で置換されていてもよい。   The electron withdrawing group is particularly preferably a halogen atom, a halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group. In the electron withdrawing group, a part of the fluorine atom may be substituted with an electron withdrawing group other than the fluorine atom.

なお、電子求引性基が2価以上の基である場合、残りの結合手は、任意の原子又は置換基との結合に供される。この場合、上記の部分構造は、更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に結合していてもよい。   When the electron withdrawing group is a divalent or higher valent group, the remaining bond is used for bonding with an arbitrary atom or substituent. In this case, said partial structure may be couple | bonded with the principal chain of hydrophobic resin through the further substituent.

一般式(KA−1)により表される部分構造は、ラクトン構造である。このラクトン構造は、5〜7員環構造であることが好ましく、5〜7員環のラクトン構造にビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが更に好ましい。   The partial structure represented by the general formula (KA-1) is a lactone structure. This lactone structure is preferably a 5- to 7-membered ring structure, and more preferably a 5- to 7-membered lactone structure in which another ring structure is condensed in the form of forming a bicyclo structure or a spiro structure. .

一般式(KA−1)におけるラクトン構造としては、樹脂(B)について述べた(LC1−1)〜(LC1−17)の何れかにより表されるラクトン構造がより好ましい。これらのうち、(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)又は(LC1−17)により表される構造が特に好ましい。   As the lactone structure in the general formula (KA-1), a lactone structure represented by any of (LC1-1) to (LC1-17) described for the resin (B) is more preferable. Among these, the structure represented by (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14) or (LC1-17) Is particularly preferred.

なお、ラクトン構造には、通常は光学異性体が存在するが、何れの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度が90%ee以上のものが好ましく、95%ee以上のものがより好ましく、98%ee以上のものが更に好ましい。   The lactone structure usually has optical isomers, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity thereof is preferably 90% ee or more, more preferably 95% ee or more, further preferably 98% ee or more.

疎水性樹脂は、2つの極性変換基を備えた部分構造として、下記一般式(KY−1)により表される構造を有していることがより好ましい。なお、一般式(KY−1)により表される構造は、この構造に含まれる少なくとも1つの水素原子を除いてなる1価以上の置換基を表す。   It is more preferable that the hydrophobic resin has a structure represented by the following general formula (KY-1) as a partial structure having two polarity conversion groups. Note that the structure represented by the general formula (KY-1) represents a monovalent or higher-valent substituent formed by removing at least one hydrogen atom contained in the structure.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(KY−1)中、Rky1及びRky4は、各々独立して、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1とRky4との双方が同一の原子と結合して、二重結合を形成していてもよい。例えば、Rky1とRky4との双方が同一の酸素原子と結合して、カルボニル基の一部(=O)を形成していてもよい。
In general formula (KY-1), R ky1 and R ky4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, an ether group, or a hydroxy group. Represents a cyano group, an amide group, or an aryl group. Alternatively, both R ky1 and R ky4 may be bonded to the same atom to form a double bond. For example, both R ky1 and R ky4 may be bonded to the same oxygen atom to form a part of the carbonyl group (═O).

ky2及びRky3は、各々独立して、電子求引性基を表す。或いは、Rky1とRky2とが互いに結合してラクトン環を形成しておりかつRky3が電子求引性基であってもよい。
ラクトン環としては、先に挙げた(LC1−1)〜(LC1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、上記一般式(KB−1)におけるXkb1と同様のものが挙げられる。この電子求引性基は、好ましくは、ハロゲン原子、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3により表されるハロ(シクロ)アルキル基、又はハロアリール基である。
R ky2 and R ky3 each independently represent an electron withdrawing group. Alternatively, R ky1 and R ky2 may be bonded to each other to form a lactone ring, and R ky3 may be an electron withdrawing group.
As the lactone ring, the structures (LC1-1) to (LC1-17) mentioned above are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as X kb1 in the general formula (KB-1). This electron withdrawing group is preferably a halogen atom, a halo (cyclo) alkyl group represented by -C (Rf1) (Rf2) -Rf3, or a haloaryl group.

ky1、Rky2及びRky4のうちの少なくとも2つは、互いに結合して、単環又は多環式構造を形成していてもよい。Rkb1〜Rkb4、nkb及びnkb’は、先に式(KB−1)について説明したのと同義である。Rky1及びRky4としては、例えば、上記一般式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 At least two of R ky1 , R ky2 and R ky4 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic structure. R kb1 to R kb4 , nkb and nkb ′ have the same meaning as described above for the formula (KB-1). Examples of R ky1 and R ky4 include the same groups as Z ka1 in the above general formula (KA-1).

一般式(KY−1)により表される部分構造は、下記一般式(KY−2)により表される構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−2)により表される構造は、この構造に含まれる少なくとも1つの水素原子を除いてなる1価以上の置換基を表す。   The partial structure represented by the general formula (KY-1) is more preferably a structure represented by the following general formula (KY-2). Note that the structure represented by the general formula (KY-2) represents a monovalent or higher-valent substituent formed by removing at least one hydrogen atom contained in this structure.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(KY−2)中、Rky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6〜Rky10のうち少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。 In the general formula (KY-2), R ky6 to R ky10 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, an ether group, or a hydroxy group. Represents a cyano group, an amide group, or an aryl group. At least two members out of R ky6 to R ky10 may be bonded to each other to form a ring.

ky5は、電子求引性基を表す。電子求引性基としては、上記一般式(KB−1)におけるXkb1と同様のものが挙げられる。この電子求引性基は、好ましくは、ハロゲン原子、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3により表されるハロ(シクロ)アルキル基、又はハロアリール基である。 R ky5 represents an electron-withdrawing group. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as Xkb1 in the general formula (KB-1). This electron withdrawing group is preferably a halogen atom, a halo (cyclo) alkyl group represented by -C (Rf1) (Rf2) -Rf3, or a haloaryl group.

kb1、Rkb2及びnkbの各々は、上記一般式(KB−1)におけるものと同義である。Rky5〜Rky10としては、例えば、上記一般式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Each of R kb1 , R kb2 and nkb is synonymous with that in the general formula (KB-1). Examples of R ky5 to R ky10 include the same groups as Z ka1 in the general formula (KA-1).

一般式(KY−2)により表される構造は、下記一般式(KY−3)により表される構造であることがより好ましい。   The structure represented by the general formula (KY-2) is more preferably a structure represented by the following general formula (KY-3).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(KY−3)中、Zka1及びnkaの各々は、上記一般式(KA−1)におけるものと同義である。Rky5は、上記一般式(KY−2)におけるものと同義である。Rkb1、Rkb2及びnkbの各々は、上記一般式(KB−1)におけるものと同義である。 In the general formula (KY-3), each of Z ka1 and nka has the same meaning as in the general formula (KA-1). R ky5 has the same meaning as in general formula (KY-2). Each of R kb1 , R kb2 and nkb is synonymous with that in the general formula (KB-1).

kyは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としては、例えば、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。Lkyは、酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。 L ky represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom. Examples of the alkylene group for L ky include a methylene group and an ethylene group. L ky is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

Rsは、ns≧2の場合には各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。ns≧2の場合、複数のRsは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。   Rs each independently represents an alkylene group or a cycloalkylene group when ns ≧ 2. When ns ≧ 2, the plurality of Rs may be the same as or different from each other.

Lsは、ns≧2の場合には各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ns≧2の場合、複数のLsは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。   Ls each independently represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond when ns ≧ 2. When ns ≧ 2, the plurality of Ls may be the same as or different from each other.

nsは、−(Rs−Ls)−により表される連結基の繰り返し数であり、0〜5の整数を表す。   ns is the number of repeating linking groups represented by-(Rs-Ls)-and represents an integer of 0 to 5.

疎水性樹脂は、下記一般式(K0)により表される繰り返し単位を含んでいることが好ましい。   The hydrophobic resin preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (K0).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(K0)中、Rk1は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は極性変換基を有する基を表す。Rk2は、アルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、又は極性変換基を有する基を表す。但し、Rk1及びRk2に含まれる極性変換基の総数は2以上である。
なお、上述したように、一般式(K0)により表される繰り返し単位の主鎖に直接結合しているエステル基は、極性変換基には含まれないこととする。
In General Formula (K0), R k1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group having a polarity converting group. R k2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group having a polarity converting group. However, the total number of polar conversion groups contained in R k1 and R k2 is 2 or more.
Note that, as described above, the ester group directly bonded to the main chain of the repeating unit represented by the general formula (K0) is not included in the polarity conversion group.

疎水性樹脂に含まれる繰り返し単位は、付加重合、縮合重合及び付加縮合等の重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素−炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。
このような繰り返し単位としては、例えば、アクリレート系繰り返し単位(α位及び/又はβ位に置換基を有する系統も含む)、スチレン系繰り返し単位(α位及び/又はβ位に置換基を有する系統も含む)、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、並びにマレイン酸誘導体(マレイン酸無水物、その誘導体及びマレイミド等)の繰り返し単位が挙げられる。これらのうち、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、又はノルボルネン系繰り返し単位がより好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、又はノルボルネン系繰り返し単位が更に好ましく、アクリレート系繰り返し単位が特に好ましい。
The repeating unit contained in the hydrophobic resin is not limited as long as it is a repeating unit obtained by polymerization such as addition polymerization, condensation polymerization, and addition condensation. However, the repeating unit obtained by addition polymerization of a carbon-carbon double bond is not limited. Preferably it is a unit.
Examples of such a repeating unit include an acrylate-based repeating unit (including a system having a substituent at the α-position and / or β-position) and a styrene-based repeating unit (a system having a substituent at the α-position and / or β-position). A vinyl ether-based repeating unit, a norbornene-based repeating unit, and a repeating unit of a maleic acid derivative (maleic anhydride, its derivative, maleimide and the like). Among these, acrylate-based repeating units, styrene-based repeating units, vinyl ether-based repeating units, or norbornene-based repeating units are more preferable, acrylate-based repeating units, vinyl ether-based repeating units, or norbornene-based repeating units are more preferable, and acrylate-based repeating units. Units are particularly preferred.

以下に、少なくとも2つの極性変換基を備えた繰り返し単位の具体例を挙げる。具体例中、Raは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。   Below, the specific example of the repeating unit provided with the at least 2 polarity conversion group is given. In specific examples, Ra represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

少なくとも2つの極性変換基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂は、他の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。この他の繰り返し単位としては、例えば、疎水性樹脂が含み得る繰り返し単位として先に説明したものが挙げられる。
少なくとも2つの極性変換基を備えた繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、好ましくは10〜100モル%であり、より好ましくは20〜100モル%であり、更に好ましくは30〜100モル%であり、特に好ましくは40〜100モル%である。
The resin containing a repeating unit having at least two polar conversion groups may further contain another repeating unit. Examples of the other repeating unit include those described above as the repeating unit that can be contained in the hydrophobic resin.
The content of the repeating unit having at least two polar conversion groups is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 20 to 100 mol%, still more preferably based on the total repeating units of the hydrophobic resin. Is 30 to 100 mol%, particularly preferably 40 to 100 mol%.

疎水性樹脂が、1つの側鎖上に少なくとも2つの極性変換基とフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方との双方を備えた繰り返し単位を含んでいる場合、この繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、好ましくは10〜100モル%であり、より好ましくは20〜100モル%であり、更に好ましくは30〜100モル%であり、特に好ましくは40〜100モル%である。   When the hydrophobic resin includes a repeating unit having at least two polar conversion groups and at least one of a fluorine atom and a silicon atom on one side chain, the content of the repeating unit is hydrophobic. Preferably, it is 10 to 100 mol%, more preferably 20 to 100 mol%, still more preferably 30 to 100 mol%, particularly preferably 40 to 100 mol%, based on the total repeating units of the resin. is there.

疎水性樹脂が、少なくとも2つの極性変換基を備えかつフッ素原子及びケイ素原子を含有していない繰り返し単位と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有している繰り返し単位との双方を含んでいる場合、これらの好ましい含有量は、以下の通りである。即ち、前者の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、好ましくは10〜90モル%であり、より好ましくは15〜85モル%であり、更に好ましくは20〜80モル%であり、特に好ましくは25〜75モル%である。また、後者の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、好ましくは10〜90モル%であり、より好ましくは15〜85モル%であり、更に好ましくは20〜80モル%であり、特に好ましくは25〜75モル%である。   The hydrophobic resin includes both a repeating unit having at least two polar conversion groups and not containing a fluorine atom and a silicon atom and a repeating unit containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. In this case, preferable contents thereof are as follows. That is, the former content is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 15 to 85 mol%, still more preferably 20 to 80 mol%, based on all repeating units of the hydrophobic resin. Especially preferably, it is 25-75 mol%. The latter content is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 15 to 85 mol%, still more preferably 20 to 80 mol%, based on all repeating units of the hydrophobic resin. Especially preferably, it is 25-75 mol%.

疎水性樹脂が、1つの側鎖上に少なくとも2つの極性変換基を備え、かつ、同一繰り返し単位内の他の側鎖上にフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有した繰り返し単位を含んでいる場合、この繰り返し単位の含有量は、好ましくは10〜100モル%であり、より好ましくは20〜100モル%であり、更に好ましくは30〜100モル%であり、特に好ましくは40〜100モル%である。   The hydrophobic resin includes at least two polarity converting groups on one side chain, and includes a repeating unit containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom on the other side chain in the same repeating unit. In this case, the content of the repeating unit is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 20 to 100 mol%, still more preferably 30 to 100 mol%, and particularly preferably 40 to 100 mol%. It is.

以下に、少なくとも2つの極性変換基を備えた繰り返し単位を含みかつフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂の具体例を挙げる。また、下記表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量及び分散度を纏める。   Below, the specific example of resin containing the repeating unit provided with the at least 2 polarity conversion group and containing at least one of the fluorine atom and the silicon atom is given. The following table summarizes the molar ratio of repeating units in each resin (corresponding to each repeating unit in order from the left), weight average molecular weight, and degree of dispersion.

Figure 2011095635
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疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量を基準として、5〜80質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。また、フッ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10〜100質量%であることが好ましく、30〜100質量%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin contains a fluorine atom, the fluorine atom content is preferably 5 to 80% by mass, more preferably 10 to 80% by mass based on the molecular weight of the hydrophobic resin. . In addition, the content of the repeating unit containing a fluorine atom is preferably 10 to 100% by mass, more preferably 30 to 100% by mass, based on all repeating units of the hydrophobic resin.

疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、ケイ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量を基準として、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。また、ケイ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10〜100質量%であることが好ましく、20〜100質量%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin contains silicon atoms, the silicon atom content is preferably 2 to 50% by mass, more preferably 2 to 30% by mass, based on the molecular weight of the hydrophobic resin. . In addition, the content of the repeating unit containing a silicon atom is preferably 10 to 100% by mass, more preferably 20 to 100% by mass, based on all repeating units of the hydrophobic resin.

疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000であり、より好ましくは1,000〜50,000であり、更に好ましくは2,000〜15,000である。
疎水性樹脂の分散度は、1〜5であることが好ましく、1〜3であることがより好ましく、1〜2であることが更に好ましい。こうすると、より優れた解像度、パターン形状及びラフネス特性を達成することが可能となる。
The weight average molecular weight of hydrophobic resin becomes like this. Preferably it is 1,000-100,000, More preferably, it is 1,000-50,000, More preferably, it is 2,000-15,000.
The degree of dispersion of the hydrophobic resin is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and still more preferably 1 to 2. This makes it possible to achieve better resolution, pattern shape, and roughness characteristics.

疎水性樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
疎水性樹脂の含有量は、組成物中の全固形分を基準として、0.01〜10質量%であることが好ましく、0.05〜8質量%であることがより好ましく、0.1〜5質量%であることが更に好ましい。
One type of hydrophobic resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The content of the hydrophobic resin is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.05 to 8% by mass, based on the total solid content in the composition, More preferably, it is 5 mass%.

疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は、0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることが更に好ましく、1nm/秒以上であることが特に好ましい。なお、疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は、23℃の2.38質量%TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)水溶液に対して、疎水性樹脂のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。   The hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer is preferably 0.001 nm / second or more, more preferably 0.01 nm / second or more, and further preferably 0.1 nm / second or more. 1 nm / second or more is particularly preferable. The hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer is a film obtained by forming a resin film with only a hydrophobic resin with respect to a 2.38 mass% TMAH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution at 23 ° C. The rate at which the thickness decreases.

疎水性樹脂としては、市販品を使用してもよく、常法に従って合成したものを使用してもよい。この樹脂の一般的な合成方法としては、例えば、先に樹脂(B)について説明したのと同様の方法が挙げられる。   As the hydrophobic resin, commercially available products may be used, or those synthesized according to a conventional method may be used. As a general synthesis method of this resin, for example, the same method as described above for the resin (B) can be mentioned.

疎水性樹脂は、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、単量体及びオリゴマー成分の残存量が0〜10質量%であることが好ましく、0〜5質量%であることがより好ましく、0〜1質量%であることが更に好ましい。これにより、液中異物の量を減少させ、感度等の経時変化を低減することが可能となる。   It is natural that the hydrophobic resin has few impurities such as metals, and the residual amount of the monomer and oligomer components is preferably 0 to 10% by mass, and more preferably 0 to 5% by mass. More preferably, it is 0 to 1% by mass. As a result, the amount of foreign matter in the liquid can be reduced, and changes over time such as sensitivity can be reduced.

〔5〕塩基性化合物
本発明の感活性光線又は放射線性樹脂組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の(1)〜(4)に分類される化合物が好ましく用いられる。
[5] Basic compound The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention preferably contains a basic compound.
The basic compound is preferably a nitrogen-containing organic basic compound.
Although the compound which can be used is not specifically limited, For example, the compound classified into the following (1)-(4) is used preferably.

(1)下記一般式(BS−1)で表される化合物   (1) Compound represented by the following general formula (BS-1)

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(BS−1)中、
Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基(直鎖又は分岐)、シクロアルキル基(単環又は多環)、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRの全てが水素原子とはならない。
Rとしてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1〜20、好ましくは1〜12である。
Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3〜20、好ましくは5〜15である。
Rとしてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6〜20、好ましくは6〜10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。
Rとしてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7〜20、好ましくは7〜11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。
Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
一般式(BS−1)で表される化合物は、3つのRの1つのみが水素原子、あるいは全てのRが水素原子でないことが好ましい。
In general formula (BS-1),
Each R independently represents a hydrogen atom, an alkyl group (straight or branched), a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic), an aryl group, or an aralkyl group. However, not all three Rs are hydrogen atoms.
Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, 1-20, Preferably it is 1-12.
Although carbon number of the cycloalkyl group as R is not specifically limited, Usually, 3-20, Preferably it is 5-15.
Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, 6-20, Preferably it is 6-10. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, 7-20, Preferably it is 7-11. Specific examples include a benzyl group.
In the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group as R, a hydrogen atom may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, and an alkyloxycarbonyl group.
In the compound represented by the general formula (BS-1), it is preferable that only one of three Rs is a hydrogen atom, or all Rs are not hydrogen atoms.

一般式(BS−1)の化合物の具体例としては、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン、2,6−ジイソプロピルアニリン、2,4,6−トリ(t−ブチル)アニリンなどが挙げられる。
また、一般式(BS−1)において、少なくとも1つのRが、水酸基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N−ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。
Specific examples of the compound of the general formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexylmethylamine, Tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethylundecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N-dibutylaniline, N, N- Examples include dihexylaniline, 2,6-diisopropylaniline, 2,4,6-tri (t-butyl) aniline.
In addition, in the general formula (BS-1), a compound in which at least one R is an alkyl group substituted with a hydroxyl group is mentioned as one of preferable embodiments. Specific examples of the compound include triethanolamine and N, N-dihydroxyethylaniline.

また、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては−CHCHO−が好ましい。具体的例としては、トリス(メトキシエトキシエチル)アミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などが挙げられる。 The alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain, and an oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, —CH 2 CH 2 O— is preferable. Specific examples include tris (methoxyethoxyethyl) amine and compounds exemplified in column 3, line 60 and thereafter of US Pat. No. 6,040,112.

(2)含窒素複素環構造を有する化合物
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物(N−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど)、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、アンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンなどが挙げられる。
(2) Compound having a nitrogen-containing heterocyclic structure The heterocyclic structure may or may not have aromaticity. Moreover, you may have two or more nitrogen atoms, Furthermore, you may contain hetero atoms other than nitrogen. Specifically, compounds having an imidazole structure (2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), compounds having a piperidine structure (N-hydroxyethylpiperidine, bis (1,2,2,6) , 6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate), compounds having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), and compounds having an antipyrine structure (such as antipyrine and hydroxyantipyrine).
A compound having two or more ring structures is also preferably used. Specific examples include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -undec-7-ene.

(3)フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対
側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有する化合物である。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CHCHO−が好ましい。
具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1−1)〜(C3−3)などが挙げられる。
(3) Amine compound having a phenoxy group An amine compound having a phenoxy group has a phenoxy group at the terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound. The phenoxy group is, for example, a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. You may have.
More preferably, it is a compound having at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3-9, more preferably 4-6. Among the oxyalkylene chains, —CH 2 CH 2 O— is preferable.
Specific examples include 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine and US Patent Application Publication No. 2007 / 0224539A1. The compounds (C1-1) to (C3-3) exemplified in paragraph [0066] of the above.

(4)アンモニウム塩
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
(4) Ammonium salt Ammonium salts are also used as appropriate. Preferred is hydroxide or carboxylate. More specifically, tetraalkylammonium hydroxide represented by tetrabutylammonium hydroxide is preferable.

その他、本発明の組成物に使用可能なものとして、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物などが挙げられる。   Other examples that can be used in the composition of the present invention include compounds synthesized in Examples of JP-A No. 2002-363146, compounds described in paragraph 0108 of JP-A No. 2007-298869, and the like.

塩基性化合物は、単独であるいは2種以上併用して用いられる。
塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
化合物(PBG)/塩基性化合物のモル比は、100/1〜5/1が好ましく、80/1〜10/1がより好ましく、特に好ましくは60/1〜20/1である。
酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。
A basic compound is used individually or in combination of 2 or more types.
The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass% normally on the basis of solid content of a composition, Preferably it is 0.01-5 mass%.
The molar ratio of compound (PBG) / basic compound is preferably 100/1 to 5/1, more preferably 80/1 to 10/1, and particularly preferably 60/1 to 20/1.
The molar ratio of acid generator / basic compound is preferably 2.5 to 300. That is, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoints of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to pattern thickening over time until post-exposure heat treatment. This molar ratio is more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150.

〔6〕酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物
本発明の組成物は、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(以下、「化合物(D)」ともいう)を含有することができる。酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。
酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物の分子量範囲は100〜1000が好ましく、100〜700がより好ましく、100〜500が特に好ましい。
[6] Low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid The composition of the present invention contains a low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid (hereinafter also referred to as “compound (D)”). can do. The group capable of leaving by the action of an acid is not particularly limited, but is preferably an acetal group, a carbonate group, a carbamate group, a tertiary ester group, a tertiary hydroxyl group, or a hemiaminal ether group, and a carbamate group or a hemiaminal ether group. It is particularly preferred.
The molecular weight range of the low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, and particularly preferably 100 to 500.

酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物が3級エステル構造を有する場合特に下記一般式(1a)で表されるカルボン酸エステル又は不飽和カルボン酸エステルであることが好ましい。   When the low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid has a tertiary ester structure, it is particularly preferably a carboxylic acid ester or an unsaturated carboxylic acid ester represented by the following general formula (1a).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(1a)において、Rは、独立に、1価の脂環式炭化水素基(好ましくは炭素数4〜20)若しくはその誘導体、又はアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表し、かつRの少なくとも1つが該脂環式炭化水素基若しくはその誘導体であるか、或いは何れか2つのRが相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子とともに2価の脂環式炭化水素基(好ましくは炭素数4〜20)若しくはその誘導体を形成し、残りのRが、アルキル基(好ましくは炭素数1〜4)、又は1価の脂環式炭化水素基(好ましくは炭素数4〜20)若しくはその誘導体を示す。
Xは、独立に、水素原子又はヒドロキシ基を示し、少なくとも一つがヒドロキシ基である。
Aは単結合或いは2価の連結基を示し、好ましくは単結合或いは−D−COO−で表される基を示し、Dはアルキレン基(好ましくは炭素数1〜4)を示す。
In the general formula (1a), R 1 independently represents a monovalent alicyclic hydrocarbon group (preferably having 4 to 20 carbon atoms) or a derivative thereof, or an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms). And at least one of R 1 is the alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof, or any two R 1 are bonded to each other, and each of them is bonded to a carbon atom to which the divalent alicyclic ring is bonded. Form a hydrocarbon group (preferably having 4 to 20 carbon atoms) or a derivative thereof, and the remaining R 1 is an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms) or a monovalent alicyclic hydrocarbon group (preferably Represents a carbon number of 4 to 20) or a derivative thereof.
X independently represents a hydrogen atom or a hydroxy group, and at least one is a hydroxy group.
A represents a single bond or a divalent linking group, preferably a single bond or a group represented by -D-COO-, and D represents an alkylene group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).

一般式(1a)において、Aの2価の連結基としては、例えば、メチレン基、メチレンカルボニル基、メチレンカルボニルオキシ基、エチレン基、エチレンカルボニル基、エチレンカルボニルオキシ基、プロピレン基、プロピレンカルボニル基、プロピレンカルボニルオキシ基等が挙げられる。特に好ましくは、メチレンカルボニルオキシ基が挙げられる。   In the general formula (1a), examples of the divalent linking group of A include a methylene group, a methylenecarbonyl group, a methylenecarbonyloxy group, an ethylene group, an ethylenecarbonyl group, an ethylenecarbonyloxy group, a propylene group, a propylenecarbonyl group, A propylene carbonyloxy group etc. are mentioned. Particularly preferred is a methylenecarbonyloxy group.

一般式(1a)において、Rの1価の脂環式炭化水素基(好ましくは炭素数4〜20)、及び何れか2つのRが相互に結合して形成した2価の脂環式炭化水素基(好ましくは炭素数4〜20)としては、例えば、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタンや、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類等に由来する脂環族環からなる基;これらの脂環族環からなる基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基及びシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基等を挙げることができる。これらの脂環式炭化水素基のうち、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン、シクロペンタン又はシクロヘキサンに由来する脂環族環からなる基や、これらの脂環族環からなる基を前記アルキル基で置換した基等が好ましい。 In the general formula (1a), a monovalent alicyclic hydrocarbon group of R 1 (preferably having 4 to 20 carbon atoms) and a divalent alicyclic group formed by bonding any two R 1 to each other. Examples of the hydrocarbon group (preferably having 4 to 20 carbon atoms) are derived from, for example, norbornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, adamantane, cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane. A group consisting of an alicyclic ring; a group consisting of these alicyclic rings is, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a 2-methylpropyl group, 1 -The group etc. which were substituted by 1 or more types of C1-C4 alkyl groups and cycloalkyl groups, such as a methylpropyl group and t-butyl group, etc. are mentioned. Among these alicyclic hydrocarbon groups, a group consisting of an alicyclic ring derived from norbornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, adamantane, cyclopentane or cyclohexane, or a group consisting of these alicyclic rings is described above. A group substituted with an alkyl group is preferred.

また、前記脂環式炭化水素基の誘導体としては、例えば、水酸基;カルボキシル基;オキソ基(即ち、=O基);ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基等の炭素数1〜4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基等の炭素数2〜5のシアノアルキル基等の置換基を1種以上或いは1個以上有する基を挙げることができる。これらの置換基のうち、水酸基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基等が好ましい。   Examples of the alicyclic hydrocarbon group derivative include hydroxyl group; carboxyl group; oxo group (ie, ═O group); hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxy. A hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as propyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group; C1-C4 alkoxyl groups such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group; cyano group A cyano group having 2 to 5 carbon atoms such as a cyanomethyl group, a 2-cyanoethyl group, a 3-cyanopropyl group, a 4-cyanobutyl group; It can include a group having a substituent such as Kill group one or more, or 1 or more. Of these substituents, a hydroxyl group, a carboxyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group, a cyanomethyl group, and the like are preferable.

また、Rのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基が好ましい。 Examples of the alkyl group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylpropyl group, and a t-butyl group. The C1-C4 alkyl group of these can be mentioned. Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, and an i-propyl group are preferable.

好ましい具体例としては、下記化合物が挙げられる。   Preferable specific examples include the following compounds.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

該低分子化合物が不飽和カルボン酸エステルであるとき特に(メタ)アクリル酸エステルであることが好ましい。以下に、酸の作用により脱離する基として、3級アルキル基を
有する(メタ)アクリル酸3級エステルの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
When the low molecular weight compound is an unsaturated carboxylic acid ester, a (meth) acrylic acid ester is particularly preferable. Specific examples of the (meth) acrylic acid tertiary ester having a tertiary alkyl group as a group capable of leaving by the action of an acid are shown below, but are not limited thereto.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

(D)酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、市販のものを用いても、公知の方法で合成したものを用いてもよい。
また、化合物(D)として、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。
(D) The low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid may be a commercially available compound or a compound synthesized by a known method.
As the compound (D), an amine derivative having a group capable of leaving by the action of an acid on the nitrogen atom is preferable.

化合物(D)は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式(d−1)で表すことができる。   Compound (D) may have a carbamate group having a protecting group on the nitrogen atom. The protecting group constituting the carbamate group can be represented by the following general formula (d-1).

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(d−1)において、
R’は、それぞれ独立に水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリー
ル基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。R’は相互に結合して環を形成していても良い。
R’として好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。
このような基の具体的な構造を以下に示す。
In general formula (d-1),
R ′ each independently represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkoxyalkyl group. R ′ may be bonded to each other to form a ring.
R ′ is preferably a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. More preferably, it is a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group.
The specific structure of such a group is shown below.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

化合物(D)は、前記塩基性化合物と一般式(d−1)で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。
化合物(D)は、下記一般式(A)で表される構造を有するものであることが特に好ましい。
なお、化合物(D)は、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。
The compound (D) can also be constituted by arbitrarily combining the basic compound and the structure represented by the general formula (d-1).
The compound (D) particularly preferably has a structure represented by the following general formula (A).
The compound (D) may correspond to the basic compound as long as it is a low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(A)において、Raは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数20以下)若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Rbは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。少なくとも2つのRbは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素
環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数をそれぞれ表し、n+m=3である。
In the general formula (A), Ra independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, the two Ras may be the same or different, and the two Ras are bonded to each other to form a heterocyclic hydrocarbon group (preferably having a carbon number of 20 or less) or a derivative thereof. It may be.
Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. At least two Rb's may combine to form an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic hydrocarbon group or a derivative thereof.
n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and n + m = 3.

一般式(A)において、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。
前記Ra及びRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基が水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。
In general formula (A), the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group represented by Ra and Rb are functional groups such as a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group, a morpholino group and an oxo group, It may be substituted with an alkoxy group or a halogen atom.
Examples of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group of Ra and Rb include linear chains such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, and dodecane. A group derived from a branched alkane, a group derived from these alkanes, for example, a group substituted with one or more cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group,
Groups derived from cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornane, adamantane, noradamantane, groups derived from these cycloalkanes, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, a group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and the like,
Groups derived from aromatic compounds such as benzene, naphthalene, anthracene, etc., and groups derived from these aromatic compounds are, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2 A group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as -methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, and the like;
Groups derived from heterocyclic compounds such as pyrrolidine, piperidine, morpholine, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, indole, indoline, quinoline, perhydroquinoline, indazole, benzimidazole, and groups derived from these heterocyclic compounds are linear or branched A group substituted with one or more groups derived from an alkyl group or aromatic compound, a group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a phenyl group, a naphthyl group A group substituted with one or more groups derived from an aromatic compound such as an anthracenyl group or the like, or the above substituent is a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group, a morpholino group, an oxo group And a group substituted with a functional group such as.

また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数1〜20)若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、1,2,3,6−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5−アザベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1,4,7−トリアザシクロノナン、テトラゾール、7−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2−a]ピリジン、(1S,4S)−(+)−2,5−ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デック−5−エン、インドール、インドリン、1,2,3,4−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。   Examples of the divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a derivative thereof formed by bonding of Ra to each other include, for example, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 1, 4, 5 , 6-tetrahydropyrimidine, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 1,2,3,6-tetrahydropyridine, homopiperazine, 4-azabenzimidazole, benzotriazole, 5-azabenzotriazole, 1H-1, 2,3-triazole, 1,4,7-triazacyclononane, tetrazole, 7-azaindole, indazole, benzimidazole, imidazo [1,2-a] pyridine, (1S, 4S)-(+)-2 , 5-diazabicyclo [2.2.1] heptane, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene Groups derived from heterocyclic compounds such as indole, indoline, 1,2,3,4-tetrahydroquinoxaline, perhydroquinoline, 1,5,9-triazacyclododecane, groups derived from these heterocyclic compounds A group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a group derived from an aromatic compound, a group derived from a heterocyclic compound, a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group And a group substituted with one or more functional groups such as a morpholino group and an oxo group.

本発明における特に好ましい例を具体的に示すと、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−オクチルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−ノニルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−デシルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−2−アダマンチルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−アダマン
チルアミン、(S)−(−)−1−(t−ブトキシカルボニル)−2−ピロリジンメタノール、(R)−(+)−1−(t−ブトキシカルボニル)−2−ピロリジンメタノール、N−t−ブトキシカルボニル−4−ヒドロキシピペリジン、N−t−ブトキシカルボニルピロリジン、N−t−ブトキシカルボニルモルホリン、N−t−ブトキシカルボニルピペラジン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−アダマンチルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’−テトラ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,7−ジアミノヘプタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,8−ジアミノオクタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,9−ジアミノノナン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,10−ジアミノデカン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,12−ジアミノドデカン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N−t−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−メチルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダゾール等が挙げられる。
Specifically shown in the present invention are particularly preferred examples: Nt-butoxycarbonyldi-n-octylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-nonylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-decylamine, Nt-butoxycarbonyldicyclohexylamine, Nt-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-2-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, ( S)-(−)-1- (t-butoxycarbonyl) -2-pyrrolidinemethanol, (R)-(+)-1- (t-butoxycarbonyl) -2-pyrrolidinemethanol, Nt-butoxycarbonyl- 4-hydroxypiperidine, Nt-butoxycarbonylpyrrolidine, Nt-butoxy Rubonylmorpholine, Nt-butoxycarbonylpiperazine, N, N-di-t-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, N, N-di-t-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, Nt -Butoxycarbonyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, N, N'-di-t-butoxycarbonylhexamethylenediamine, N, N, N'N'-tetra-t-butoxycarbonylhexamethylenediamine, N, N ' -Di-t-butoxycarbonyl-1,7-diaminoheptane, N, N'-di-t-butoxycarbonyl-1,8-diaminooctane, N, N'-di-t-butoxycarbonyl-1,9- Diaminononane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,10-diaminodecane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl 1,12-diaminododecane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, Nt-butoxycarbonylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-methylbenzimidazole, N -T-butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole etc. are mentioned.

本発明における特に好ましい化合物(D)を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   A particularly preferred compound (D) in the present invention is specifically shown, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(A)で表される化合物は、市販のアミンから、Protective Groups in Organic Synthesis 第四版等に記載の方法で簡便に合成できる。もっとも一般的な方法としては市販のアミンに対してニ炭酸エステル又はハロギ酸エステルを作用させることによって得る方法がある。式中Xはハロゲン原子を表す。   The compound represented by the general formula (A) can be easily synthesized from a commercially available amine by a method described in Protective Groups in Organic Synthesis Fourth Edition. As the most general method, there is a method obtained by reacting a dicarbonate or haloformate with a commercially available amine. In the formula, X represents a halogen atom.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

本発明において、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。   In the present invention, the low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid can be used alone or in combination of two or more.

本発明において、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物の使用量は、前記塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001〜20質量%、好ましくは0.001〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%である。   In the present invention, the amount of the low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid is usually 0.001 to 20% by mass, preferably based on the total solid content of the composition combined with the basic compound. Is 0.001 to 10 mass%, more preferably 0.01 to 5 mass%.

酸発生剤と酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/[酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物+前記塩基性化合物+前記化合物(PBG)](モル比)=1.0〜100であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が1.0以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から100以下が好ましい。酸発生剤/[酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物+前記塩基性化合物+前記化合物(PBG)](モル比)は、より好ましくは2.0〜75、更に好ましくは3.0〜50である。   The composition ratio of the low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid generator and an acid is as follows: acid generator / [low molecular weight compound having a group capable of leaving by the action of an acid + the basic compound + The compound (PBG)] (molar ratio) is preferably 1.0 to 100. That is, the molar ratio is preferably 1.0 or more from the viewpoint of sensitivity and resolution, and is preferably 100 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to pattern thickening over time until post-exposure heat treatment. The acid generator / [low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid + the basic compound + the compound (PBG)] (molar ratio) is more preferably 2.0 to 75, still more preferably 3. 0-50.

〔7〕界面活性剤
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。
[7] Surfactant The composition of the present invention may further contain a surfactant. When contained, the surfactant is preferably a fluorine-based and / or silicon-based surfactant.
Surfactants corresponding to these include Megafac F176, Megafac R08 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, PF656, PF6320 manufactured by OMNOVA, Troisol S-366 manufactured by Troy Chemical, Sumitomo 3M Examples include Fluorad FC430 manufactured by Co., Ltd., polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.
Further, other surfactants other than fluorine-based and / or silicon-based surfactants can also be used. More specific examples include polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers.

その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。   In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] et seq. Of US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1.

界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量(溶剤を除く全量)に対して、好ましくは0〜2質量%、更に好ましくは0.0001〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。
一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。
Surfactants may be used alone or in combination of two or more.
The amount of the surfactant used is preferably 0 to 2% by mass, more preferably 0.0001 to 2% by mass, based on the total solid content (total amount excluding the solvent) of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. %, Particularly preferably 0.0005 to 1% by mass.
On the other hand, it is also preferable that the addition amount of the surfactant is 10 ppm or less or not contained. This increases the uneven distribution of the surface of the hydrophobic resin, thereby making the surface of the film formed from the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition more hydrophobic and following water during immersion exposure. Can be improved.

〔8〕溶剤
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテルなど)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
[8] Solvent The solvent that can be used in preparing the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is not particularly limited as long as it dissolves each component. For example, an alkylene glycol monoalkyl ether Carboxylate (such as propylene glycol monomethyl ether acetate), alkylene glycol monoalkyl ether (such as propylene glycol monomethyl ether), lactic acid alkyl ester (such as ethyl lactate and methyl lactate), cyclic lactone (such as γ-butyrolactone), preferably 4 to 4 carbon atoms 10), chain or cyclic ketones (2-heptanone, cyclohexanone, etc., preferably 4 to 10 carbon atoms), alkylene carbonates (ethylene carbonate, propylene carbonate, etc.), alkyl carboxylates (such as butyl acetate). Alkyl acetate is preferred), and the like alkoxy alkyl acetates (ethyl ethoxypropionate). Other usable solvents include, for example, the solvents described in US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1 after [0244].

上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。   Of the above, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate and alkylene glycol monoalkyl ether are preferred.

これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。
These solvents may be used alone or in combination of two or more. When mixing 2 or more types, it is preferable to mix the solvent which has a hydroxyl group, and the solvent which does not have a hydroxyl group. The mass ratio of the solvent having a hydroxyl group and the solvent having no hydroxyl group is from 1/99 to 99/1, preferably from 10/90 to 90/10, and more preferably from 20/80 to 60/40.
The solvent having a hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether, and the solvent having no hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate.

〔9〕酸の作用により分解し、カルボン酸よりも強い酸を生成する物質
本発明の組成物は、酸の作用により分解し、カルボン酸よりも強い酸を生成する物質(以下、「酸増殖剤」ともいう)を含有しても良い。
酸増殖剤から生成する酸は、その酸の強度が大きいものが好ましく、具体的にはその酸の解離定数(pKa)として3以下が好ましく、より好ましくは2以下である。酸増殖剤から発生する酸としてはスルホン酸が好ましい。
酸増殖剤は、国際公開第95/29968号、国際公開第98/24000号、特開平8−305262号、特開平9−34106号、特開平8−248561号、特表平8−503082号、米国特許第5,445,917号、特表平8−503081号、米国特許第5,534,393号、米国特許第5,395,736号、米国特許第5,741,630号、米国特許第5,334,489号、米国特許第5,582,956号、米国特許第5,578,424号、米国特許第5,453,345号、米国特許第5,445,917号、欧州特許第665,960号、欧州特許第757,628号、欧州特許第665,961号、米国特許第5,667,943号、特開平10−1508号、特開平10−282642号、特開平9−512498号、特開2000−62337号、特開2005−17730号等に記載の酸増殖剤を1種、或いは2種以上組み合わせて用いることができる。
[9] Substance that decomposes by the action of an acid to produce an acid stronger than a carboxylic acid The composition of the present invention decomposes by the action of an acid to produce an acid that is stronger than a carboxylic acid (hereinafter referred to as “acid growth”). May also be included).
The acid produced from the acid proliferating agent is preferably one having a high acid strength. Specifically, the acid dissociation constant (pKa) is preferably 3 or less, more preferably 2 or less. The acid generated from the acid proliferating agent is preferably sulfonic acid.
Examples of the acid proliferating agent include International Publication No. 95/29968, International Publication No. 98/24000, JP-A-8-305262, JP-A-9-34106, JP-A-8-248561, JP-A-8-503082, US Pat. No. 5,445,917, JP-T-8-503081, US Pat. No. 5,534,393, US Pat. No. 5,395,736, US Pat. No. 5,741,630, US Pat. No. 5,334,489, US Pat. No. 5,582,956, US Pat. No. 5,578,424, US Pat. No. 5,453,345, US Pat. No. 5,445,917, European patent No. 665,960, European Patent No. 757,628, European Patent No. 665,961, US Pat. No. 5,667,943, Japanese Patent Laid-Open No. 10-1508, Japanese Patent Laid-Open No. 10-282642, Japanese Patent Laid-Open No. 9- No. 12498, JP-2000-62337, may be used in combination of the acid proliferation agent described in JP 2005-17730 like one, or two or more.

具体的には下記一般式(1)〜(6)で表される化合物が好ましい。   Specifically, compounds represented by the following general formulas (1) to (6) are preferable.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

一般式(1)〜(6)に於いて、
Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリーロキシ基を表す。
は、アルキル基又はアラルキル基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
、Rは、各々独立に、アルキル基を表し、RとRが互いに結合して環を形成しても良い。
は、水素原子又はアルキル基を表す。
は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
は、Rと結合して環を形成しても良い。
10は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基又はアルケニルオキシ基を表す。
11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基又はアルケニル基を表す。
10とR11は、互いに結合して環を形成してもよい。
12は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルケニル基又は環状イミド基を表す。
In the general formulas (1) to (6),
R represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group.
R 0 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
R 1 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group, or an aryloxy group.
R 2 represents an alkyl group or an aralkyl group.
R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
R 4 and R 5 each independently represents an alkyl group, and R 4 and R 5 may be bonded to each other to form a ring.
R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
R 8 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
R 9 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
R 9 may combine with R 7 to form a ring.
R 10 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group or an alkenyloxy group.
R 11 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group or an alkenyl group.
R 10 and R 11 may combine with each other to form a ring.
R 12 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkenyl group, or a cyclic imide group.

一般式(1)〜(6)に於いて、アルキル基としては、炭素数1〜8個のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、オクチル基等が挙げられる。
シクロアルキル基としては、炭素数4〜10個のシクロアルキル基が挙げられ、具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、アダマンチル基、ボロニル基、イソボロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル基等基等が挙げられる。
In the general formulas (1) to (6), examples of the alkyl group include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, An octyl group etc. are mentioned.
Examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 4 to 10 carbon atoms, and specifically include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, adamantyl group, boronyl group, isobornyl group, tricyclo group. Examples include decanyl group, dicyclopentenyl group, nobornane epoxy group, menthyl group, isomenthyl group, neomenthyl group, tetracyclododecanyl group and the like.

アリール基としては、炭素数6〜14個のアリール基が挙げられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、トリル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、炭素数7〜20個のアラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基、フェネチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数1〜8個のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
アルケニル基としては、炭素2〜6個のアルケニル基が挙げられ、具体的にはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
Examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms, and specific examples include a phenyl group, a naphthyl group, and a tolyl group.
Examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 7 to 20 carbon atoms, and specific examples include a benzyl group, a phenethyl group, and a naphthylethyl group.
As an alkoxy group, a C1-C8 alkoxy group is mentioned, Specifically, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group etc. are mentioned.
Examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, and specific examples include a vinyl group, a propenyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, and a cyclohexenyl group.

アリーロキシ基としては、炭素数6〜14個のアリーロキシ基が挙げられ、具体的にはフェノキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。
アルケニルオキシ基としては、炭素数2〜8個のアルケニルオキシ基が挙げられ、具体的にはビニルオキシ基、アリルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the aryloxy group include an aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, and specific examples include a phenoxy group and a naphthoxy group.
Examples of the alkenyloxy group include alkenyloxy groups having 2 to 8 carbon atoms, and specific examples include a vinyloxy group and an allyloxy group.

上記各置換基には更に置換基を有してもよく、置換基としてはたとえば次のようなものを例示できる。すなわち、Cl、Br、Fなどのハロゲン原子、−CN基、−OH基、炭素数1〜4個のアルキル基、炭素数3〜8個のシクロアルキル基、炭素数1〜4個のアルコキシ基、アセチルアミノ基などのアシルアミノ基、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基、フェノキシエチル基などのアリロキシアルキル基、炭素数2〜5個のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜5個のアシルオキシ基等を挙げることができる。しかも、置換基の範囲はこれらに限定されるものではない。   Each of the above substituents may further have a substituent, and examples of the substituent include the following. That is, halogen atoms such as Cl, Br, and F, -CN group, -OH group, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms , Acylamino groups such as acetylamino group, aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group, allyloxyalkyl groups such as phenoxyethyl group, alkoxycarbonyl groups having 2 to 5 carbon atoms, acyloxy groups having 2 to 5 carbon atoms, etc. Can be mentioned. And the range of a substituent is not limited to these.

とRが互いに結合して形成する環としては、1,3−ジオキソラン環、1,3−ジオキサン環等が挙げられる。
とRが互いに結合して形成する環としては、シクロペンチル環、シクロヘキシル環等が挙げられる。
10とR11が互いに結合して形成する環としては、環内に酸素原子を含んでいてもよい、3−オキソシクロヘキセニル環、3−オキソインデニル環等が挙げられる。
Roの酸の作用により脱離する基としては、例えば、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリル基、3−オキソシクロヘキシル基等を挙げることができる。
Examples of the ring formed by combining R 4 and R 5 with each other include a 1,3-dioxolane ring and a 1,3-dioxane ring.
Examples of the ring formed by combining R 7 and R 9 with each other include a cyclopentyl ring and a cyclohexyl ring.
Examples of the ring formed by combining R 10 and R 11 with each other include a 3-oxocyclohexenyl ring and a 3-oxoindenyl ring which may contain an oxygen atom in the ring.
Examples of the group capable of leaving by the action of an acid of Ro include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, isobornyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1-isobutoxy group. 1-alkoxyethyl groups such as ethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, alkoxymethyl groups such as 1-methoxymethyl group, 1-ethoxymethyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, trialkylsilyl group, 3- Examples thereof include an oxocyclohexyl group.

上記R、R、R〜R11の各々の好ましいものとして以下のものが挙げられる。
R;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、メトキシフェニル基、トルイル基、メシチル基、フルオロフェニル基、ナフチル基、シクロヘキシル基、樟脳基。
;t−ブチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−エトキシエチル基、テトラヒドロピラニル基。
;メチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基。
;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ベンジル基。
;メチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基。
、R;メチル基、エチル基、プロピル基、互いに結合してエチレン基、プロピレン基を形成したもの。
;水素原子、メチル基、エチル基。
Preferred examples of each of R, R 0 and R 1 to R 11 include the following.
R: methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, octyl group, trifluoromethyl group, nonafluorobutyl group, heptadecafluorooctyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, phenyl group, pentafluorophenyl Group, methoxyphenyl group, toluyl group, mesityl group, fluorophenyl group, naphthyl group, cyclohexyl group, camphor group.
R0 : t-butyl group, methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-ethoxyethyl group, tetrahydropyranyl group.
R 1 ; methyl group, ethyl group, propyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, phenoxy group, naphthoxy group.
R 2 : methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, benzyl group.
R 3 : methyl group, ethyl group, propyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group.
R 4 , R 5 : Methyl group, ethyl group, propyl group, those bonded to each other to form an ethylene group or a propylene group.
R 6 : hydrogen atom, methyl group, ethyl group.

、R;水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、互いに結合してシクロペンチル環、シクロヘキシル環を形成したもの。
;メチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基。
10;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ビニロキシ基、メチルビニロキシ基、互いに結合して酸素原子をふくんでよい、3−オキソシクロヘキセニル環、3−オキソインデニル環を形成したもの。
11;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ビニル基、アリル基、互いに結合して酸素原子をふくんでよい、3−オキソシクロヘキセニル環、3−オキソインデニル環を形成したもの。
R 7 , R 9 ; hydrogen atom, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, bonded to each other Forming a cyclopentyl ring or a cyclohexyl ring.
R 8 ; methyl group, ethyl group, isopropyl group, t-butyl group, neopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, benzyl group.
R 10 : methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methoxy group, ethoxy group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenoxy group, naphthoxy Group formed by forming a 3-oxocyclohexenyl ring or a 3-oxoindenyl ring, which may be bonded to each other to contain an oxygen atom.
R 11 : methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methoxy group, ethoxy group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenoxy group, naphthoxy A group formed by forming a 3-oxocyclohexenyl ring or a 3-oxoindenyl ring, which may be bonded to each other to contain an oxygen atom.

一般式(6)に於いて、R12がアルキル基を表すとき、アルキル基としては、炭素原子数が1〜20の直鎖状、分岐状のアルキル基を挙げることができる。その具体例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基等を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数1〜12の直鎖状、炭素原子数3〜12の分岐状のアルキル基がより好ましい。
12がシクロアルキル基を表すとき、シクロアルキル基としては、炭素原子数が3〜20のシクロアルキル基を挙げることができる。その具体例としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基等を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数5〜10のシクロアルキル基がより好ましい。
In the general formula (6), when R 12 represents an alkyl group, examples of the alkyl group include linear and branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, hexadecyl group, octadecyl group. , Eicosyl group, isopropyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group and the like. . Among these, a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and a branched alkyl group having 3 to 12 carbon atoms are more preferable.
When R 12 represents a cycloalkyl group, examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, and a 2-norbornyl group. In these, a C5-C10 cycloalkyl group is more preferable.

12が置換アルキル基、置換シクロアルキル基を表すとき、その置換基としては、水素を除く一価の非金属原子団が用いられ、好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、水酸基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N′−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアルキルウレイド基、N′−アリールウレイド基、N′,N′−ジアリールウレイド基、N′−アルキル−N′−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N′−アルキル−N−アルキルウレイド基、N′−アルキル−N−アリールウレイド基、N′,N′−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N′−アリール−N−アルキルウレイド基、N′−アリール−N−アリールウレイド基、N′,N′−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアリール−N−アリールウレイド基、N′−アルキル−N′−アリール−N−アルキルウレイド基、N′−アルキル−N′−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SOH)及びその共役塩基基(以下、スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスフォノ基(−PO)及びその共役塩基基(以下、ホスフォナト基と称す)、ジアルキルホスフォノ基(−PO(alkyl))、ジアリールホスフォノ基(−PO(aryl))、アルキルアリールホスフォノ基(−PO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスフォノ基(−POH(alkyl))及びその共役塩基基(以後、アルキルホスフォナト基と称す)、モノアリールホスフォノ基(−POH(aryl))及びその共役塩基基(以後、アリールホスフォナト基と称す)、ホスフォノオキシ基(−OPO)及びその共役塩基基(以後、ホスフォナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスフォノオキシ基(−OPO(alkyl))、ジアリールホスフォノオキシ基(−OPO(aryl))、アルキルアリールホスフォノオキシ基(−OPO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスフォノオキシ基(−OPOH(alkyl))及びその共役塩基基(以後、アルキルホスフォナトオキシ基と称す)、モノアリールホスフォノオキシ基(−OPOH(aryl))及びその共役塩基基(以後、アリールフォスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。 When R 12 represents a substituted alkyl group or a substituted cycloalkyl group, a monovalent nonmetallic atomic group other than hydrogen is used as the substituent. Preferred examples include halogen atoms (—F, —Br, — Cl, -I), hydroxyl group, alkoxy group, aryloxy group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N- Arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy Group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamo Iroxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acylthio group, acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N'-alkylureido group, N ', N'-dialkyl Ureido group, N'-arylureido group, N ', N'-diarylureido group, N'-alkyl-N'-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N'-alkyl-N -Alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N -Alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N ', N'-diaryl-N-alkylureido N ′, N′-diaryl-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino Group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxy Carbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diaryl Carbamoyl group, N-alkyl-N Arylcarbamoyl group, an alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, a sulfo group (-SO 3 H) and its conjugated base group (hereinafter referred to as sulfonato group), alkoxy sulfonyl group, aryloxy sulfonyl group Sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl Group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfa Moyl group, phosphono group (—PO 3 H 2 ) And conjugated base groups thereof (hereinafter referred to as phosphonate groups), dialkyl phosphono groups (—PO 3 (alkyl) 2 ), diaryl phosphono groups (—PO 3 (aryl) 2 ), alkylaryl phosphono groups (— PO 3 (alkyl) (aryl)), monoalkyl phosphono group (-PO 3 H (alkyl)) and its conjugated base group (hereinafter referred to as alkyl phosphonophenyl group), monoaryl phosphono group (-PO 3 H (Aryl)) and its conjugate base group (hereinafter referred to as arylphosphonate group), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (hereinafter referred to as phosphonateoxy group), dialkylphosphono oxy group (-OPO 3 (alkyl) 2) , diaryl phosphonooxy group (-OPO 3 (aryl) 2) Alkylaryl phosphonooxy group (-OPO 3 (alkyl) (aryl)), monoalkyl phosphonooxy group (-OPO 3 H (alkyl)) and its conjugated base group (hereinafter referred to as alkyl phosphonophenyl group), And monoarylphosphonooxy group (—OPO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (hereinafter referred to as arylphosphonateoxy group), cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group and the like. .

これらの置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられ、アリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、フェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスフォノフェニル基、ホスフォナトフェニル基等を挙げることができる。また、アルケニル基の例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基等が挙げられ、アルキニル基の例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。アシル基(R13CO−)におけるR13としては、水素及び上記のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基を挙げることができる。 Specific examples of the alkyl group in these substituents include the aforementioned alkyl groups, and specific examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, a xylyl group, a mesityl group, a cumenyl group, Chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group, methylaminophenyl Group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylphenyl group, phenyl group, Anofeniru group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, phosphonophenyl phenyl group, and a phosphonophenyl phenyl group. Examples of the alkenyl group include vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group and the like. Examples of alkynyl group include ethynyl group, 1- A propynyl group, a 1-butynyl group, a trimethylsilylethynyl group, etc. are mentioned. Examples of R 13 in the acyl group (R 13 CO—) include hydrogen and the above alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group.

これら置換基の内、更により好ましいものとしては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスフォノ基、ホスフォナト基、ジアルキルホスフォノ基、ジアリールホスフォノ基、モノアルキルホスフォノ基、アルキルホスフォナト基、モノアリールホスフォノ基、アリールホスフォナト基、ホスフォノオキシ基、ホスフォナトオキシ基、アリール基、アルケニル基等が挙げられる。   Among these substituents, more preferred are a halogen atom (—F, —Br, —Cl, —I), alkoxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, N-alkylamino group, N, N -Dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group Group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfa group Moyl group, N-aryl sulf Moyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonate group, dialkyl phosphono group, diaryl phosphono group, monoalkyl phosphono group, alkyl phosphonate group, monoaryl phosphono group, aryl phosphine group Examples include an onato group, a phosphonooxy group, a phosphonateoxy group, an aryl group, and an alkenyl group.

一方、置換アルキル基におけるアルキレン基としては、前述の炭素数1〜20のアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除き、2価の有機残基としたものを挙げることができ、好ましくは炭素原子数1〜12までの直鎖状、炭素原子数3〜12までの分岐状、及び炭素原子数5〜10までの環状のアルキレン基を挙げることができる。該置換基とアルキレン基を組み合わせる事により得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスフォノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスフォノブチル基、ホスフォナトヘキシル基、ジエチルホスフォノブチル基、ジフェニルホスフォノプロピル基、メチルホスフォノブチル基、メチルホスフォナトブチル基、トリルホスフォノヘキシル基、トリルホスフォナトヘキシル基、ホスフォノオキシプロピル基、ホスフォナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基等を挙げることができる。   On the other hand, examples of the alkylene group in the substituted alkyl group include a divalent organic residue except for any one of the hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably A linear alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, a branched chain having 3 to 12 carbon atoms, and a cyclic alkylene group having 5 to 10 carbon atoms can be exemplified. Preferable specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining the substituent and the alkylene group include chloromethyl group, bromomethyl group, 2-chloroethyl group, trifluoromethyl group, methoxymethyl group, methoxyethoxyethyl group, allyl group. Oxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl group, N- Phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group, allyloxy Rubonylbutyl group, chlorophenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) ) Carbamoylmethyl group, sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl- N- (phosphonophenyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphono F Sil group, tolylphosphonatohexyl group, phosphonooxypropyl group, phosphonatooxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl Group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenylmethyl group, 2-propynyl group, 2-butynyl group, 3-butynyl group and the like.

12が、アリール基を表すとき、アリール基としては、1個〜3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基等を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。また、アリール基には上記炭素環式アリール基の他、複素環式(ヘテロ)アリール基が含まれる。複素環式アリール基としては、ピリジル基、フリル基、その他ベンゼン環が縮環したキノリル基、ベンゾフリル基、チオキサントン基、カルバゾール基等の炭素数3〜20、ヘテロ原子数1〜5を含むものが用いられる。 When R 12 represents an aryl group, examples of the aryl group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, a fluorenyl group, and the like. Among these, a phenyl group and a naphthyl group are more preferable. The aryl group includes a heterocyclic (hetero) aryl group in addition to the carbocyclic aryl group. Examples of the heterocyclic aryl group include those having 3 to 20 carbon atoms and 1 to 5 hetero atoms such as a pyridyl group, a furyl group, and other quinolyl groups condensed with a benzene ring, a benzofuryl group, a thioxanthone group, and a carbazole group. Used.

12が、置換アリール基を表すとき、置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素を除く一価の非金属原子団を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、シクロアルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。 When R 12 represents a substituted aryl group, as the substituted aryl group, those having a monovalent non-metallic atomic group excluding hydrogen as a substituent on the ring-forming carbon atom of the aforementioned aryl group are used. Examples of preferable substituents include those shown as the substituents in the aforementioned alkyl group and cycloalkyl group.

この様な、置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、N−メチルカルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスフォノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスフォノフェニル基、ホスフォナトフェニル基、ジエチルホスフォノフェニル基、ジフェニルホスフォノフェニル基、メチルホスフォノフェニル基、メチルホスフォナトフェニル基、トリルホスフォノフェニル基、トリルホスフォナトフェニル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基等を挙げることができる。   Preferred examples of such a substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group. Hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, Benzoyloxyphenyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, carbo Cyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, carbamoylphenyl group, N-methylcarbamoylphenyl group, N, N-dipropylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylphenyl group N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphono Enyl group, methylphosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2- Examples thereof include a methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

12が、アルケニル基、置換アルケニル基[−C(R14)=C(R15)(R16)]、アルキニル基、又は置換アルキニル基[−C≡C(R17)]を表すとき、R14〜R17としては、一価の非金属原子団を使用することができる。好ましいR14〜R17の例としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基及び置換アリール基を挙げることができる。これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。R14〜R17のより好ましい置換基としては、水素原子、ハロゲン原子及び炭素原子数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基を挙げることができる。アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基及び置換アルキニル基の具体例としては、ビニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、1−オクテニル基、1−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−ブテニル基、2−フェニル−1−エテニル基、2−クロロ−1−エテニル基、エチニル基、プロピニル基、フェニルエチル基等を挙げることができる。 When R 12 represents an alkenyl group, a substituted alkenyl group [—C (R 14 ) ═C (R 15 ) (R 16 )], an alkynyl group, or a substituted alkynyl group [—C≡C (R 17 )] As R 14 to R 17 , a monovalent nonmetallic atomic group can be used. Preferable examples of R 14 to R 17 include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group. Specific examples thereof include those shown as the above examples. More preferable substituents for R 14 to R 17 include a hydrogen atom, a halogen atom, and a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkenyl group, substituted alkenyl group, alkynyl group and substituted alkynyl group include vinyl group, 1-butenyl group, 1-pentenyl group, 1-hexenyl group, 1-octenyl group, 1-methyl-1-propenyl group. 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 2-phenyl-1-ethenyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, ethynyl group, propynyl group, phenylethyl group, etc. Can do.

12が環状イミド基を表すとき、環状イミドとしては、コハク酸イミド、フタル酸イミド、シクロヘキサンジカルボン酸イミド、ノルボルネンジカルボン酸イミド等の炭素原子4〜20までのものを用いることができる。
一般式(1)〜(6)で表される化合物の具体例としては、例えば、特開2008−209889の[0215]以降に例示された化合物が挙げられる。
When R 12 represents a cyclic imide group, as the cyclic imide, those having 4 to 20 carbon atoms such as succinic acid imide, phthalic acid imide, cyclohexane dicarboxylic acid imide, norbornene dicarboxylic acid imide can be used.
Specific examples of the compounds represented by the general formulas (1) to (6) include, for example, compounds exemplified after [0215] of JP-A-2008-209889.

酸増殖剤の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0〜30質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜30質量%、更に好ましくは0.5〜20質量%である。   The content of the acid proliferating agent in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is preferably 0 to 30% by mass, more preferably based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Is 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.5 to 20% by mass.

〔10〕その他成分
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。
[10] Other components In addition to the components described above, the composition of the present invention includes a carboxylic acid onium salt, a dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, a dye, and the like described in Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996). A plasticizer, a photosensitizer, a light absorber and the like can be appropriately contained.

〔11〕パターン形成方法
本発明の組成物は、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
本発明の組成物中の全固形分の濃度は、一般的に2〜10質量%、好ましくは3〜5質量%である。
[11] Pattern Forming Method The composition of the present invention is used by dissolving the above-described components in a solvent, filtering the solution, and coating the support. The filter is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon having a pore size of 0.1 microns or less, more preferably 0.05 microns or less, and still more preferably 0.03 microns or less.
The concentration of the total solid content in the composition of the present invention is generally 2 to 10% by mass, preferably 3 to 5% by mass.

組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。
当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
The composition is applied by a suitable application method, such as a spinner, onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) as used in the manufacture of integrated circuit devices. Thereafter, it is dried to form a photosensitive film.
The film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated), developed and rinsed. Thereby, a good pattern can be obtained. Note that in electron beam irradiation, drawing (direct drawing) without using a mask is common.

活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線等であり、ArFエキシマレーザー、EUV光
、電子線が好ましい。
Although it does not specifically limit as actinic light or a radiation, For example, they are a KrF excimer laser, ArF excimer laser, EUV light, an electron beam, etc., ArF excimer laser, EUV light, and an electron beam are preferable.

現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1〜3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。
更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
リンス液としては、純水が好ましく、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
As the alkali developer in the development step, a quaternary ammonium salt typified by tetramethylammonium hydroxide is usually used, but other alkalis such as inorganic alkalis, primary to tertiary amines, alcohol amines and cyclic amines are also used. An aqueous solution can also be used.
Furthermore, an appropriate amount of alcohol or surfactant may be added to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.
As the rinsing liquid, pure water is preferable, and an appropriate amount of a surfactant can be added and used.

なお、感光製膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
Before forming the photosensitive film, an antireflection film may be coated on the substrate in advance.
As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley, etc. may be used. it can.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる膜に対しては、活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体(液浸媒体)を満たして露光(液浸露光)を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。   The film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is filled with a liquid (immersion medium) having a higher refractive index than air between the film and the lens when irradiated with actinic rays or radiation. Exposure (immersion exposure) may be performed. Thereby, resolution can be improved. As the immersion medium to be used, any liquid can be used as long as it has a higher refractive index than air, but pure water is preferred.

液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。
液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー(波長;193nm)である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。
また、更に屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。
The immersion liquid used for the immersion exposure will be described below.
The immersion liquid is transparent to the exposure wavelength and has a refractive index so as to minimize distortion of the optical image projected onto the film formed from the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. A liquid having a temperature coefficient as small as possible is preferable. In particular, in the case where the exposure light source is an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), in addition to the above-mentioned viewpoints, water is easy to obtain and easy to handle. Is preferably used.
Further, a medium having a refractive index of 1.5 or more can be used in that the refractive index can be further improved. This medium may be an aqueous solution or an organic solvent.

液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜を溶解させず、かつレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤(液体)を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。   When water is used as the immersion liquid, the film formed from the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition on the wafer is not dissolved in order to reduce the surface tension of the water and increase the surface activity. In addition, an additive (liquid) that can ignore the influence on the optical coating on the lower surface of the lens element may be added in a small proportion. The additive is preferably an aliphatic alcohol having a refractive index substantially equal to that of water, and specifically includes methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol and the like. By adding an alcohol having a refractive index substantially equal to that of water, even if the alcohol component in water evaporates and the content concentration changes, an advantage that the change in the refractive index of the entire liquid can be made extremely small can be obtained. On the other hand, when an opaque substance or impurities whose refractive index is significantly different from that of water are mixed with 193 nm light, the optical image projected on the film is distorted. Therefore, distilled water is preferable as the water to be used. Further, pure water filtered through an ion exchange filter or the like may be used.

水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC(有機物濃度)は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。
また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水(DO)を用いてもよい。
The electrical resistance of water is desirably 18.3 MQcm or more, the TOC (organic substance concentration) is desirably 20 ppb or less, and deaeration treatment is desirably performed.
Moreover, it is possible to improve lithography performance by increasing the refractive index of the immersion liquid. From such a viewpoint, an additive that increases the refractive index may be added to water, or heavy water (D 2 O) may be used instead of water.

本発明の組成物からなる膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じて疎水性樹脂を添加することができる。これにより、膜表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、膜とした際の水に対する膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。疎水性樹脂が添加されることにより、表面の後退接触角が向上する。膜の後退接触角は60°〜90°が好ましく、更に好ましくは70°以上である。疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。
後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。
液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウェハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウェハ上を動く必要があるので、動的な状態に於ける感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能が求められる。
When exposing the film | membrane which consists of a composition of this invention through an immersion medium, hydrophobic resin can be added as needed. Thereby, when the hydrophobic resin is unevenly distributed on the surface layer of the membrane and the immersion medium is water, the receding contact angle of the membrane surface with respect to water when the membrane is formed can be improved, and the immersion water followability can be improved. By adding the hydrophobic resin, the receding contact angle of the surface is improved. The receding contact angle of the film is preferably 60 ° to 90 °, more preferably 70 ° or more. The hydrophobic resin is unevenly distributed at the interface as described above, but unlike the surfactant, it does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule and contributes to uniform mixing of polar / nonpolar substances. It is not necessary.
The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.
In the immersion exposure process, the immersion head needs to move on the wafer following the movement of the exposure head to scan the wafer at high speed to form the exposure pattern. The contact angle of the immersion liquid to the film formed from the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is important, and there is a need for the ability to follow the high-speed scanning of the exposure head without remaining droplets. It is done.

本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜(以下、「トップコート」ともいう)を設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の上層部への塗布適性、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、膜と混合せず、更に膜の上層に均一に塗布できることが好ましい。
トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂(HR)はトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。
An immersion liquid poorly soluble film (hereinafter also referred to as “topcoat”) may be provided between the film of the composition of the present invention and the immersion liquid so that the film does not directly contact the immersion liquid. Good. The functions necessary for the top coat are suitability for application to the upper layer of a film formed from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, transparency to radiation, particularly 193 nm, and poor immersion liquid solubility. It is preferable that the top coat is not mixed with the film and can be uniformly applied to the upper layer of the film.
From the viewpoint of 193 nm transparency, the top coat is preferably a polymer that does not contain abundant aromatics. Specifically, the polymer contains a hydrocarbon polymer, an acrylate polymer, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, polyvinyl ether, and silicon. Examples thereof include a polymer and a fluorine-containing polymer. The aforementioned hydrophobic resin (HR) is also suitable as a top coat. From the viewpoint of contaminating the optical lens when impurities are eluted from the top coat into the immersion liquid, it is preferable that the residual monomer component of the polymer contained in the top coat is small.

トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性が好ましいが、膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。
トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー(波長:193nm)において、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性・屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。
When peeling the top coat, a developer may be used, or a separate release agent may be used. As the release agent, a solvent having low penetration into the film is preferable. In terms of being able to perform the peeling process simultaneously with the film development process, it is preferable that the peeling process can be performed with an alkaline developer. The top coat is preferably acidic from the viewpoint of peeling with an alkali developer, but may be neutral or alkaline from the viewpoint of non-intermixability with the film.
The resolution is improved when there is no difference in refractive index between the top coat and the immersion liquid. In the case of using water as the immersion liquid in an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), the top coat for ArF immersion exposure is preferably close to the refractive index of the immersion liquid. From the viewpoint of making the refractive index close to the immersion liquid, it is preferable to have fluorine atoms in the topcoat. A thin film is more preferable from the viewpoint of transparency and refractive index.

トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。   The topcoat is preferably not mixed with the membrane and further not mixed with the immersion liquid. From this point of view, when the immersion liquid is water, the solvent used for the top coat is preferably a water-insoluble medium that is hardly soluble in the solvent used for the composition of the present invention. Further, when the immersion liquid is an organic solvent, the topcoat may be water-soluble or water-insoluble.

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定さ
れるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, the content of this invention is not limited by this.

〔樹脂(D)の合成例〕
窒素気流下プロピレングリコールメチルエーテルアセテート8g、プロピレングリコールメチルエーテル2gを3つ口フラスコに入れこれを85℃に加熱した。これにモノマーA 5.50g、モノマーB 0.95g、モノマーC 2.19g、モノマーD 1.57g、重合開始剤(ジメチル−2、2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート(V-601):和光純薬製) 0.553gをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート16g、プロピレングリコールメチルエーテル4gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85℃で2時間反応させた。反応液を放冷後ヘプタン/酢酸エチル混合液(240g/160g)に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると目的の樹脂(実施例1に使用)が8.0g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で8500、分散度(Mw/Mn)は1.55であった。
[Synthesis Example of Resin (D)]
Under a nitrogen stream, 8 g of propylene glycol methyl ether acetate and 2 g of propylene glycol methyl ether were placed in a three-necked flask and heated to 85 ° C. To this, 5.50 g of monomer A, 0.95 g of monomer B, 2.19 g of monomer C, 1.57 g of monomer D, polymerization initiator (dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate (V-601): Wako Pure Chemical) (Manufactured) A solution prepared by dissolving 0.553 g in 16 g of propylene glycol methyl ether acetate and 4 g of propylene glycol methyl ether was added dropwise over 6 hours, and further reacted for 2 hours at 85 ° C. After allowing the reaction liquid to cool. The mixture was dropped into a heptane / ethyl acetate mixed solution (240 g / 160 g) over 20 minutes, and the precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 8.0 g of the desired resin (used in Example 1). The weight average molecular weight was 8500 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.55.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

樹脂A〜C、樹脂E〜Iなど他の樹脂についても、同様の手法を用いて合成した。   Other resins such as Resins A to C and Resins E to I were synthesized using the same method.

化合物(PBG)については、Journal of Medicinal Chemistry, 42, 4016-4020(1999)、Journal of American Chemical Society, 113, 4303-4313(1991)、Chem. Pharm. Bull., 45, 715-718(1997)に記載の方法に準じて合成した。   For the compound (PBG), Journal of Medicinal Chemistry, 42, 4016-4020 (1999), Journal of American Chemical Society, 113, 4303-4313 (1991), Chem. Pharm. Bull., 45, 715-718 (1997) ).

<疎水性樹脂K−216の合成>
(原料モノマー(下記モノマー4)の合成)
下記化合物(1)を、国際公開第07/037213号パンフレットに記載の方法で合成した。
化合物(1)35.00 gに水150.00 gを加え、更にNaOH27.30 gを加えた。加熱、還流条
件で、9時間攪拌した。塩酸を加え、酸性とした後、酢酸エチルで抽出した。有機層を合
わせ、濃縮することにより化合物(2)36.90 gを得た(収率93%)。
1H-NMR(400 MHz in (CD3)2CO):σ(ppm)=1.56-1.59(1H), 1.68-1.72(1H), 2.13-2.15(1H), 2.13-2.47(2H), 3.49-3.51(1H), 3.68(1H), 4.45-4.46(1H)
化合物(2)20.00 gにCHCl3200 mlを加え、更に、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアルコール50.90 g、4-ジメチルアミノピリジン30.00 gを加え攪拌した。該溶液中に、1-エチル-3-(3-ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩22.00 gを加え、3時間攪拌した。1N HCl 500 ml中に反応溶液を加え、反応を停止した。有機層を更に1N HCl
で洗浄し、次に水で洗浄し、有機層を濃縮することにより化合物(3)30.00 gを得た(
収率85%)。
1H-NMR(400 MHz in (CD3)2CO):σ(ppm)=1.62(1H), 1.91-1.95(1H), 2.21-2.24(1H),
2.45-2.53(2H), 3.61-3.63(1H), 3.76(1H), 4.32-4.58(1H), 6.46-6.53(1H)
化合物(3)15.00 gにトルエン300.00 gを加え、更にメタクリル酸3.70 g、p-トル
エンスルホン酸・1水和物4.20 gを加え、生成する水を共沸により取り除きながら、15時間還流した。反応液を濃縮し、濃縮物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより化合物(4)11.70 gを得た(収率65%)。
1H-NMR(400 MHz in (CD3)2CO):σ(ppm)=1.76-1.79(1H), 1.93(3H), 2.16-2.22(2H),
2.57-2.61(1H), 2.76-2.81(1H), 3.73-3.74(1H), 4.73(1H), 4.84-4.86(1H), 5.69-5.70(1H), 6.12(1H), 6.50-6.56(1H)
<Synthesis of hydrophobic resin K-216>
(Synthesis of raw material monomer (monomer 4 below))
The following compound (1) was synthesized by the method described in International Publication No. 07/037213 pamphlet.
150.00 g of water was added to 35.00 g of compound (1), and 27.30 g of NaOH was further added. The mixture was stirred for 9 hours under heating and reflux conditions. Hydrochloric acid was added to make it acidic, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layers were combined and concentrated to obtain 36.90 g of compound (2) (yield 93%).
1 H-NMR (400 MHz in (CD 3 ) 2 CO): σ (ppm) = 1.56-1.59 (1H), 1.68-1.72 (1H), 2.13-2.15 (1H), 2.13-2.47 (2H), 3.49 -3.51 (1H), 3.68 (1H), 4.45-4.46 (1H)
200 ml of CHCl 3 was added to 20.00 g of compound (2), 50.90 g of 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl alcohol and 30.00 g of 4-dimethylaminopyridine were further added and stirred. To the solution, 22.00 g of 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride was added and stirred for 3 hours. The reaction solution was added to 500 ml of 1N HCl to stop the reaction. Add 1N HCl to the organic layer
And then with water, and the organic layer was concentrated to obtain 30.00 g of compound (3) (
Yield 85%).
1 H-NMR (400 MHz in (CD 3 ) 2 CO): σ (ppm) = 1.62 (1H), 1.91-1.95 (1H), 2.21-2.24 (1H),
2.45-2.53 (2H), 3.61-3.63 (1H), 3.76 (1H), 4.32-4.58 (1H), 6.46-6.53 (1H)
300.00 g of toluene was added to 15.00 g of compound (3), 3.70 g of methacrylic acid and 4.20 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate were added, and the mixture was refluxed for 15 hours while removing generated water by azeotropic distillation. The reaction solution was concentrated, and the concentrate was purified by column chromatography to obtain 11.70 g of compound (4) (yield 65%).
1 H-NMR (400 MHz in (CD 3 ) 2 CO): σ (ppm) = 1.76-1.79 (1H), 1.93 (3H), 2.16-2.22 (2H),
2.57-2.61 (1H), 2.76-2.81 (1H), 3.73-3.74 (1H), 4.73 (1H), 4.84-4.86 (1H), 5.69-5.70 (1H), 6.12 (1H), 6.50-6.56 (1H )

Figure 2011095635
Figure 2011095635

(疎水性樹脂K−216の合成)
窒素気流下、MEK7.7gを3つ口フラスコに入れ、これを75℃に加熱した。これに上記モノマー4(20.5g)、t−ブチルスチレン(2.5g)、重合開始剤V-601(和光純薬工業(株)製)0.345g、ドデカンチオール0.304gをMEK30.9gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に75℃で2時間反応させた。反応液を放冷後ヘプタン400g/酢酸エチル100gの混合液に滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂(K−216)(19.5g)得られた。
得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で7500、分散度(Mw/Mn)は、1.6であった。
他の疎水性樹脂についても、同様にして合成した。
(Synthesis of hydrophobic resin K-216)
Under a nitrogen stream, 7.7 g of MEK was placed in a three-necked flask and heated to 75 ° C. The monomer 4 (20.5 g), t-butylstyrene (2.5 g), polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.345 g, dodecanethiol 0.304 g were added to MEK 30.9 g. The solution dissolved in was added dropwise over 6 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was further carried out at 75 ° C. for 2 hours. The reaction solution was allowed to cool and then added dropwise to a mixed solution of 400 g of heptane / 100 g of ethyl acetate, and the precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain Resin (K-216) (19.5 g).
The weight average molecular weight of the obtained resin was 7500 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.6.
Other hydrophobic resins were synthesized in the same manner.

<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製>
下記表1に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量%の溶液を調製し、これを0.05μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を調製した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を表1に示した。
表1における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。
なお、表1に於いて、感活性光線性又は感放射性樹脂組成物が疎水性樹脂を含有している場合、その添加形態を「添加」と標記した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物が疎水性樹脂(HR)を含有せず、膜を形成後、その上層に疎水性樹脂を含有するトップコート保護膜を形成させた場合、その使用形態を「トップコート」と標記した。
<Preparation of actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition>
The components shown in Table 1 below are dissolved in a solvent, and a solution having a solid content concentration of 4% by mass is prepared for each of the components. A product was prepared. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition was evaluated by the following method, and the results are shown in Table 1.
About each component in Table 1, the ratio at the time of using multiple is a mass ratio.
In Table 1, when the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains a hydrophobic resin, the addition form is marked as “addition”. When the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition does not contain a hydrophobic resin (HR) and a topcoat protective film containing a hydrophobic resin is formed on the upper layer after forming a film, Labeled “Topcoat”.

<評価>
(露光条件1:ArF液浸露光)
実施例14〜40、比較例1及び参考例1
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成した。トップコートを用いる場合は、更に疎水性樹脂をデカン/オクタノール(質量比9/1)に溶解させた3質量%の溶液を前述で得られた膜上に塗布し、85℃で、60秒間ベークを行い、膜厚50nmのトップコート層を形成した。これにArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を用い、45nm 1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後130℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してパターンを形成した。
<Evaluation>
(Exposure condition 1: ArF immersion exposure)
Examples 14 to 40, Comparative Example 1 and Reference Example 1
An organic antireflection film ARC29SR (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied on a silicon wafer, and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 98 nm. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition prepared thereon was applied and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a film having a thickness of 120 nm. In the case of using a top coat, a 3% by mass solution in which a hydrophobic resin is further dissolved in decane / octanol (mass ratio 9/1) is applied on the film obtained above and baked at 85 ° C. for 60 seconds. A top coat layer having a thickness of 50 nm was formed. An ArF excimer laser immersion scanner (XTML1700i, NA1.20, C-Quad, outer sigma 0.981, inner sigma 0.895, XY deflection manufactured by ASML) was used, and a 6% halftone mask with 45 nm 1: 1 line and space pattern. Exposed through. Ultra pure water was used as the immersion liquid. After heating at 130 ° C. for 60 seconds, the film was developed with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsed with pure water, and then spin-dried to form a pattern.

(露光条件2:ArFドライ露光)
実施例1〜13及び比較例2
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成した。これにArFエキシマレーザースキャナー(ASML社製 PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65)を用い、75nm 1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。その後130℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してパターンを得た。
(Exposure condition 2: ArF dry exposure)
Examples 1 to 13 and Comparative Example 2
An organic antireflection film ARC29A (Nissan Chemical Co., Ltd.) was applied on a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 78 nm. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition prepared thereon was applied and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a film having a thickness of 120 nm. This was exposed using an ArF excimer laser scanner (PAS5500 / 1100, manufactured by ASML, NA0.75, Dipole, σo / σi = 0.89 / 0.65) through a 6% halftone mask with a 75 nm 1: 1 line and space pattern. After heating at 130 ° C. for 60 seconds, the film was developed with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsed with pure water, and then spin-dried to obtain a pattern.

(DOF評価)
露光条件1においては、45nm±10%の線幅を再現する焦点深度幅をDOF(μm)として測定した。また、露光条件2の場合は、75nm±10%の線幅を再現する焦点深度幅をDOF(μm)として測定した。この値が大きい方が、焦点ズレの許容度が大きく望ましい。
(DOF evaluation)
In exposure condition 1, the depth of focus at which the line width of 45 nm ± 10% was reproduced was measured as DOF (μm). In the case of exposure condition 2, the depth of focus at which the line width of 75 nm ± 10% was reproduced was measured as DOF (μm). A larger value is desirable because the tolerance for defocus is large.

(パターン形状評価)
前述評価にて作成したパターン(ドライ:75nm、液浸:45nm)について走査型顕微鏡(日立社製S9380)でパターンの断面形状を観察した。パターン形状が矩形なものほど良好な性能であることを示す。
(Pattern shape evaluation)
About the pattern (dry: 75 nm, immersion: 45 nm) created by the above-mentioned evaluation, the cross-sectional shape of the pattern was observed with the scanning microscope (S9380 by Hitachi, Ltd.). A rectangular pattern shape indicates better performance.

(解像性)
前述評価にて作成したパターン(ドライ:75nm、液浸:45nm)について走査型顕微鏡(日立社製S9380)でパターン解像の有無を観察した。ドライ露光の場合は75nm、液浸露光の場合は45nmのパターン形状が解像している場合が良好な性能であることを示す。
(Resolution)
With respect to the pattern (dry: 75 nm, immersion: 45 nm) created in the above evaluation, the presence or absence of pattern resolution was observed with a scanning microscope (S9380, manufactured by Hitachi, Ltd.). In the case of dry exposure, the case where the pattern shape of 75 nm is resolved, and in the case of immersion exposure, indicates that the performance is good.

(パーティクル評価)
前述で調製した感活性光線性又は感放射性樹脂組成物について、調製直後の溶液中のパーティクル数(パーティクル初期値)と、4℃で1週間放置した後の溶液中のパーティクル数(経時後のパーティクル数)をリオン社製パーティクルカウンターにてカウントした。
(経時後のパーティクル数)−(パーティクル初期値)で計算されるパーティクル増加数を算出した。なお、ここでは溶液1mL中に含まれる粒径0.25μm以上のパーティクルを数えた。パーティクルの増加は保存安定性の悪化を示すため、増加数が少ない方が良好な性能であることを示す。
(Particle evaluation)
For the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition prepared above, the number of particles in the solution immediately after preparation (particle initial value) and the number of particles in the solution after standing at 4 ° C. for 1 week (particles after aging) Number) was counted with a particle counter manufactured by Rion.
The number of particles increased calculated by (number of particles after time) − (initial particle value) was calculated. Here, particles having a particle diameter of 0.25 μm or more contained in 1 mL of the solution were counted. Since an increase in particles indicates a deterioration in storage stability, a smaller number indicates a better performance.

Figure 2011095635
Figure 2011095635

表1中の略号は、上記具体例で示したもの、又は下記を表す。   The abbreviations in Table 1 represent those shown in the above specific examples or the following.

〔化合物(PBG)〕   [Compound (PBG)]

Figure 2011095635
Figure 2011095635

〔酸発生剤〕   [Acid generator]

Figure 2011095635
Figure 2011095635

〔樹脂(B)〕   [Resin (B)]

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

Figure 2011095635
Figure 2011095635

〔塩基性化合物〕
TPSA:トリフェニルスルホニウムアセテート
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
TEA:トリエタノールアミン
DBA:N,N−ジブチルアニリン
PBI:2−フェニルベンズイミダゾール
TMEA:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
[Basic compounds]
TPSA: triphenylsulfonium acetate DIA: 2,6-diisopropylaniline TEA: triethanolamine DBA: N, N-dibutylaniline PBI: 2-phenylbenzimidazole TMEA: tris (methoxyethoxyethyl) amine PEA: N-phenyldiethanolamine

Figure 2011095635
Figure 2011095635

〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W‐4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
[Surfactant]
W-1: MegaFuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (Fluorine)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (fluorine and silicon)
W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicon-based)
W-4: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)

〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)
S2:2−ヘプタノン
S3:シクロヘキサノン
S4:γ−ブチロラクトン
S5:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;1−メトキシ−2−プロ
パノール)
S6:乳酸エチル
S7:プロピレンカーボネート
〔solvent〕
S1: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; 1-methoxy-2-acetoxypropane)
S2: 2-Heptanone S3: Cyclohexanone S4: γ-Butyrolactone S5: Propylene glycol monomethyl ether (PGME; 1-methoxy-2-propanol)
S6: Ethyl lactate S7: Propylene carbonate

表1に示した結果の通り、本発明の組成物は、いずれも比較例に示した組成物に比べて、パターン形状、解像性とともに、DOF性能、保存安定性に優れることが確かめられた。   As shown in Table 1, it was confirmed that the compositions of the present invention were excellent in DOF performance and storage stability as well as the pattern shape and resolution as compared with the compositions shown in the comparative examples. .

Claims (9)

(A)活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物、
(B)ラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び
(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(A) a compound that generates a base upon irradiation with actinic rays or radiation,
(B) It has a repeating unit having a lactone structure, and contains a resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid, and (C) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
前記(A)活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物が、下記一般式(A1)〜(A3)のいずれかで表される部分構造を少なくとも1つ有することを特徴とする請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011095635
一般式(A1)〜(A3)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
は、アンモニウムカチオンを表す。
は、対アニオンを表す。
Rは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
2. The compound (A) that generates a base upon irradiation with actinic rays or radiation has at least one partial structure represented by any one of the following general formulas (A1) to (A3). The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition described in 1.
Figure 2011095635
In the general formulas (A1) to (A3),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
A + represents an ammonium cation.
X represents a counter anion.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
前記(A)活性光線又は放射線の照射により塩基を発生する化合物が、下記一般式(1)〜(6)のいずれかで表されることを特徴とする請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011095635
一般式(1)に於いて、
は、アンモニウムカチオンを表す。
は、対アニオンを表す。
Rは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Arは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
一般式(2)〜(6)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
Arは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
nは、0〜5の整数を表す。
The activity-sensitive compound according to claim 1 or 2, wherein the compound (A) that generates a base upon irradiation with actinic rays or radiation is represented by any one of the following general formulas (1) to (6). A light-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
Figure 2011095635
In general formula (1),
A + represents an ammonium cation.
X represents a counter anion.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Ar represents an aryl group or a heteroaryl group.
In the general formulas (2) to (6),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
Ar represents an aryl group or a heteroaryl group.
n represents an integer of 0 to 5.
前記一般式(6)が、下記一般式(6−1)で表されることを特徴とする請求項3に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011095635
一般式(6−1)に於いて、
〜Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R〜Rは、互いに結合して環を形成してもよい。
Zは、アリール基又はヘテロアリール基を形成する原子団を表す。
は、0〜4の整数を表す。
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 3, wherein the general formula (6) is represented by the following general formula (6-1).
Figure 2011095635
In general formula (6-1),
R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group. R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring.
Z represents an atomic group forming an aryl group or a heteroaryl group.
n 1 represents an integer of 0-4.
樹脂(B)が含有するラクトン構造を有する繰り返し単位が、下記一般式(III)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011095635
一般式(III)中、
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基又はそれらを組み合わせた2価の連結基を表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合
Figure 2011095635
又はウレア結合
Figure 2011095635
を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。
は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
The feeling according to any one of claims 1 to 4, wherein the repeating unit having a lactone structure contained in the resin (B) is a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (III). Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
Figure 2011095635
In general formula (III),
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 independently represents an alkylene group, a cycloalkylene group or a divalent linking group obtained by combining them when there are a plurality of R 0 .
When there are a plurality of Zs, each independently represents an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond.
Figure 2011095635
Or urea bond
Figure 2011095635
Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
R 8 represents a monovalent organic group having a lactone structure.
n is the repeating number of the structure represented by —R 0 —Z—, and represents an integer of 1 to 5.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.
更に、(D)疎水性樹脂を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   Furthermore, (D) hydrophobic resin is contained, The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. 更に、(E)塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, further comprising (E) a basic compound. 請求項1〜7のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により、膜を形成し、該膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   A pattern forming method comprising the steps of: forming a film with the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1; and exposing and developing the film. 請求項1〜7のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により、膜を形成し、該膜を液浸露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   A pattern forming method comprising a step of forming a film with the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, and subjecting the film to immersion exposure and development.
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