JP2011095621A - 光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびmems素子の製造方法 - Google Patents
光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびmems素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、表面導電層と絶縁層と裏面層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る光スイッチ素子の模式的な斜視図である。また、図2は、図1に示す光スイッチ素子の模式的な平面図である。この光スイッチ素子100は、SOI(Silicon On Insulator)基板を材料にして形成された3層からなる基板を利用する。その3層基板は、Siからなる裏面導電層としての支持層L1、SiO2からなる絶縁層としてのBox(Buried oxide)層L2、Siからなる表面導電層としての活性層L3で構成される。図1に示すように、この光スイッチ素子100は、第一固定基部10と、第二固定基部20と、可動部30と、第三固定基部40とを備えている。第一固定基部10、第二固定基部20、および第三固定基部40とは、支持層L1、Box層L2、および活性層L3の積層構造からなる。一方、可動部30は活性層L3のみからなる。
つぎに、本発明の実施の形態2に係る製造方法として、図1に示す光スイッチ素子100の製造方法の一例について説明する。以下では、図2に示す光スイッチ素子100のC−C線断面に則して説明を行なうものとする。図5は、図1に示す光スイッチ素子100のC−C線断面図である。図5に示すように、このC−C断面には、支持部11、櫛歯部12a、32a、支持部33、バネ部34、ミラー部35、および第三固定基部40を含んでいる。なお、櫛歯部12a、32aは両端部のもののみ示しており、他のものは省略している。
つぎに、本発明の実施の形態3に係る光スイッチ装置について説明する。本実施の形態3に係る光スイッチ装置は、入力した波長多重信号から所定の波長の光信号を選択し、その光信号の波長ごとに経路を切り換えて出力する波長選択光スイッチ装置である。
11 支持部
12 固定櫛歯電極
12a 櫛歯部
20 第二固定基部
21 支持部
22 アーム
30 可動部
31 バネ部
32 可動櫛歯電極
32a 櫛歯部
33 支持部
34 バネ部
35 ミラー部
35a 上面(ミラー面)
35b 下面
40 第三固定基部
40a 側面
51〜54 入出力光ファイバ
55 アナモルフィックプリズムペア
56 回折格子
57 集光レンズ
58 λ/4波長板
59 モニタ素子
60 制御回路
100、102〜104 光スイッチ素子
1000 光スイッチ装置
Ar1、Ar2 矢印
E1〜E4 領域
G 間隙
H 貫通パターン孔
L1 支持層
L2 BOX層
L3 活性層
M アラインメントマーク
O1、O2 熱酸化膜
OS1 波長多重信号光信号
OS1a〜OS1c 光信号
OS2〜OS4 反射光信号
R1〜R7 レジスト
S SOI基板
Claims (8)
- 固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、
表面導電層と絶縁層と裏面導電層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成することを特徴とする光スイッチ素子の製造方法。 - 前記間隙の形状を含むように前記貫通パターン孔を形成することを特徴とする請求項1に記載の光スイッチ素子の製造方法。
- 前記導電性基板として、絶前記2つの電極のうち一方の電極を前記表面導電層および裏面導電層のうちの一方の導電層に形成し、他方の電極を他方の導電層に形成することを特徴とする請求項1または2に記載の光スイッチ素子の製造方法。
- 前記多層基板として、SOI基板を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の光スイッチ素子の製造方法。
- 可動電極と固定電極とを有する静電アクチュエータを備え、前記可動電極と固定電極との静電力を働かせるべき面同士が傾斜対向配置していることを特徴とする光スイッチ素子。
- 前記面同士の傾斜角は略90度であることを特徴とする請求項5に記載の光スイッチ素子。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の製造方法により製造した光スイッチ素子、または請求項5もしくは6に記載の光スイッチ素子を備えることを特徴とする光スイッチ装置。
- 固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極とを備えたMEMS素子の製造方法であって、
表面導電層と絶縁層と裏面導電層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成することを特徴とするMEMS素子の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009251154A JP2011095621A (ja) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | 光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびmems素子の製造方法 |
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JP2015141144A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | 国立大学法人 東京大学 | 光学素子 |
US9104257B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-08-11 | Japan Display Inc. | Display apparatus and method of driving the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006247793A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 櫛歯電極対形成方法 |
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2009
- 2009-10-30 JP JP2009251154A patent/JP2011095621A/ja active Pending
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