JP2011086109A - Mobile device using phase change memory and power saving control system for volatile memory - Google Patents

Mobile device using phase change memory and power saving control system for volatile memory Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mobile device with little power consumption, capable of setting a power saving mode and recovering from the power saving mode in a short time. <P>SOLUTION: The mobile device includes a volatile memory and a non-volatile random access memory as the memory of a control unit, and the volatile memory and the non-volatile random access memory are connected to a common bus. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、携帯機器とその省電力制御方式に関し、特に相変化メモリを使った携帯機器と揮発性メモリの省電力制御方式に関する。   The present invention relates to a portable device and its power saving control method, and more particularly to a power saving control method of a portable device and a volatile memory using a phase change memory.

携帯電話などの携帯機器は、電池駆動であることから省電力動作が重要であり、いろんな省電力モードを備えている。例えば携帯電話の動作では、使用者が操作を止めた場合や基地局との通信が終了した場合、電池の消耗を防ぐため省電力モードにする。この省電力モードとしては中央処理装置(central processing unit、以下CPUと略記する)をDeepSleepモードにして消費電力を減らし、各部をスタンバイモードに設定して極力電力が少なくなるようにする。   A portable device such as a cellular phone is battery-driven, so power saving operation is important, and various power saving modes are provided. For example, in the operation of a mobile phone, when the user stops the operation or the communication with the base station is terminated, the power saving mode is set to prevent the battery from being consumed. In this power saving mode, a central processing unit (hereinafter abbreviated as CPU) is set to a Deep Sleep mode to reduce power consumption, and each unit is set to a standby mode so that power is reduced as much as possible.

このとき、携帯電話で広く採用されている同期型DRAM(以下、RAMと略記する)では、データを保持したまま消費電力を減らすSelf−Refreshモードに設定する方法が一般的である。しかし、RAMは揮発性メモリであり、データを保持するためにはリフレッシュ動作が必要である。従ってRAMは、省電力状態においてもデータ保持を行うためリフレッシュ動作の電力を消費する。そのため、さらに電力を節減するには、RAMのリフレッシュ動作を止めるDeep−Powerdownモードに設定する必要がある。   At this time, in a synchronous DRAM (hereinafter abbreviated as “RAM”) widely used in mobile phones, a method of setting a self-refresh mode that reduces power consumption while retaining data is generally used. However, the RAM is a volatile memory, and a refresh operation is necessary to hold data. Accordingly, the RAM consumes the power of the refresh operation to hold data even in the power saving state. Therefore, in order to further save power, it is necessary to set the Deep-Powerdown mode in which the RAM refresh operation is stopped.

このDeep−Powerdownモードでは、消費電力は微小となるが、リフレッシュ動作が行われないためRAMのデータが保持できない問題がある。そのために省電力モードを開始するときは、RAMのデータを不揮発メモリに退避させる必要がある。また省電力モードを終了し、次の動作モードとするためには、不揮発メモリに退避させたデータをRAMに書き戻しする必要がある。このように揮発性であるRAMのデータを不揮発メモリに退避させ、さらに書き戻す必要がある。   In the deep-power down mode, power consumption is very small, but there is a problem that RAM data cannot be held because the refresh operation is not performed. Therefore, when starting the power saving mode, it is necessary to save the RAM data to the nonvolatile memory. Further, in order to end the power saving mode and enter the next operation mode, it is necessary to write back the data saved in the nonvolatile memory to the RAM. Thus, it is necessary to save the volatile RAM data in the nonvolatile memory and to write it back.

この従来の省電力モードにおけるデータの退避、及び書き戻し動作について、図1、2、3を参照して説明する。図1、2にはRAMのデータの退避、及び書き戻し動作の説明図を示す。図3には省電力モードのフローチャートを示す。従来の携帯機器の制御部103は、CPU201、RAM203、フラッシュメモリ(不揮発メモリ)204で構成されているものが主流となっている。省電力モードを開始し、Deep−Powerdown設定前に、図1のバス301で、RAM203のデータをフラッシュメモリ(不揮発メモリ)204に退避させる。また、省電力モードを終了するときは、図2のバス401で、フラッシュメモリ(不揮発メモリ)204のデータを、RAM203に省電力モード終了前に書き戻しする。   Data saving and writing back operations in this conventional power saving mode will be described with reference to FIGS. FIG. 1 and FIG. 2 are explanatory diagrams of RAM data saving and writing back operations. FIG. 3 shows a flowchart of the power saving mode. A control unit 103 of a conventional portable device is mainly composed of a CPU 201, a RAM 203, and a flash memory (nonvolatile memory) 204. The power saving mode is started, and before setting Deep-Powerdown, the data in the RAM 203 is saved to the flash memory (nonvolatile memory) 204 via the bus 301 in FIG. When the power saving mode ends, the data in the flash memory (nonvolatile memory) 204 is written back to the RAM 203 via the bus 401 in FIG. 2 before the power saving mode ends.

従来のRAMの省電力モードにおける動作を図3に示すフローチャートを参照して説明する。最初のステップS101として、CPU201は省電力動作をスタートする。CPU201から省電力処理が開始され(ステップS102)、続いてRAMデータをフラッシュメモリに退避する(ステップS103)。ステップS104として、データ退避の終了を監視し、データ退避の終了を待つ。データ退避が終了すると、RAMを省電力モードに設定する(ステップS105)。ここでの省電力モードはDeep−Powerdownであり、揮発性メモリであるRAMに対するリフレッシュ動作は行われない。ステップS106として、省電力モードの終了を監視し、省電力モードの終了を待つ。省電力モードが終了すると、RAMの省電力モードを終了し(ステップS107)、CPU201はフラッシュメモリのデータをRAMに戻す(ステップS108)。ステップS109として、データ書き戻しを監視し、データ書き戻しの終了を待つ。データ書き戻しが終了すると、省電力処理を終了し(ステップS110)、全ての省電力動作を終了する(ステップS111)。   The operation of the conventional RAM in the power saving mode will be described with reference to the flowchart shown in FIG. As the first step S101, the CPU 201 starts a power saving operation. Power saving processing is started from the CPU 201 (step S102), and then the RAM data is saved in the flash memory (step S103). In step S104, the end of data saving is monitored and the end of data saving is awaited. When the data saving is completed, the RAM is set to the power saving mode (step S105). The power saving mode here is Deep-Powerdown, and no refresh operation is performed on the RAM, which is a volatile memory. In step S106, the end of the power saving mode is monitored, and the end of the power saving mode is awaited. When the power saving mode ends, the RAM power saving mode ends (step S107), and the CPU 201 returns the data in the flash memory to the RAM (step S108). In step S109, data write-back is monitored and the end of data write-back is awaited. When the data write-back is finished, the power saving process is finished (step S110), and all the power saving operations are finished (step S111).

RAMのDeep−Powerdownモードでは、リフレッシュ動作が行われないため、RAMのデータの退避動作、およびデータの書き戻し動作が必要となる。このようにデータを移し終えるまでの時間は、携帯機器が動作できないため、起動が遅くなる等の操作性が低下してしまう問題が発生する。   In the Deep-Powerdown mode of the RAM, since the refresh operation is not performed, the RAM data saving operation and the data writing back operation are required. As described above, since the portable device cannot operate during the time until the data transfer is completed, there arises a problem that the operability such as a slow start-up is deteriorated.

携帯機器における省電力方法として、下記特許文献がある。特許文献1には、携帯電話機において、RAMをSelf−Refreshモードに設定し、CPUをDeepsleepモードに設定することが開示されている。また特許文献2には、携帯型地上デジタル放送受信機において、前回の電源オフ前のパラメータを使って、次回起動時の時間を短縮する方法が開示されている。   As a power saving method in a portable device, there is the following patent document. Patent Document 1 discloses that, in a mobile phone, the RAM is set to a Self-Refresh mode and the CPU is set to a deep sleep mode. Further, Patent Document 2 discloses a method of shortening the time at the next start-up using the parameters before the last power-off in the portable terrestrial digital broadcast receiver.

さらに最近は新しいメモリとして、不揮発性のメモリで、ランダムアクセス可能な、相変化メモリが製品化され、携帯機器に搭載されている。相変化メモリは特許文献3や特許文献4にあるように、ある材料が温度変化による相変化で異なる抵抗値を示すことを原理としている。フラッシュメモリのように不揮発性であるが、書き込み前の消去動作が不要で、RAMのようにCPUから見て上書き制御やランダムアクセスで使用できる。また、大容量化に向いており、データやプログラムの格納用途にも使用できる。   Recently, a phase change memory, which is a non-volatile memory and can be randomly accessed, has been commercialized and installed in portable devices as a new memory. As described in Patent Document 3 and Patent Document 4, the phase change memory is based on the principle that a certain material exhibits different resistance values due to a phase change caused by a temperature change. Although it is non-volatile like a flash memory, it does not require an erasing operation before writing, and can be used for overwriting control or random access as seen from a CPU like a RAM. Moreover, it is suitable for large capacity and can be used for storing data and programs.

この相変化メモリを搭載した携帯機器として、特許文献5には、バスに接続されたメモリとして、RAM、フラッシュメモリ及び相変化メモリから構成できることが開示されている。特許文献6には、フラッシュメモリと相変化メモリを並列接続した構成が開示されている。しかしながら、図1、2に示す従来の構成で、単純にフラッシュメモリを相変化メモリに交換し、Deep−Powerdownモード設定した場合には、RAMと相変化メモリ間でのデータ退避、書き戻し動作により操作性が低下するという同様な問題が残ってしまう。   As a portable device equipped with this phase change memory, Patent Document 5 discloses that a memory connected to a bus can be constituted by a RAM, a flash memory, and a phase change memory. Patent Document 6 discloses a configuration in which a flash memory and a phase change memory are connected in parallel. However, in the conventional configuration shown in FIGS. 1 and 2, when the flash memory is simply replaced with the phase change memory and the deep-power down mode is set, the data is saved and written back between the RAM and the phase change memory. The same problem that the operability is lowered remains.

上記したように、携帯電話などの携帯機器の記憶装置をRAMと不揮発メモリとで構成させた場合には、省電力動作が重要となり、RAMをSelf−Refresh動作させる等の省電力モードが設定可能となっている。しかし、これらの省電力モードでは、不十分な場合、RAMをDeep−Powerdownモードに設定して、さらなる省電力を行う必要がある。しかしながらRAMをDeep−Powerdownモードに設定する場合には、RAMデータを不揮発メモリに退避させる必要がある。またDeep−Powerdownモードを終了する場合には、退避させたデータを不揮発メモリからRAMへ書き戻す必要がある。このようにDeep−Powerdownモードに設定する場合には、データ退避時間や書き戻しに時間がかかることから操作の使い勝手が悪くなるなどの問題が発生することになる。   As described above, when a storage device of a portable device such as a mobile phone is configured with a RAM and a nonvolatile memory, a power saving operation becomes important, and a power saving mode such as a self-refresh operation of the RAM can be set. It has become. However, if these power saving modes are not sufficient, it is necessary to set the RAM to the deep-power down mode to further save power. However, when the RAM is set to the Deep-Powerdown mode, it is necessary to save the RAM data to the nonvolatile memory. Further, when the Deep-Powerdown mode is terminated, it is necessary to write back the saved data from the nonvolatile memory to the RAM. In this way, when the Deep-Powerdown mode is set, a problem arises in that the usability of the operation is deteriorated because it takes time to save data and write back.

特開2009−159628号公報JP 2009-159628 A 特開2006−157595号公報JP 2006-157595 A 特開2003−100084号公報JP 2003-100084 A 特開2003−100085号公報JP 2003-100085 A 特開2006−79609号公報JP 2006-79609 A 特開2009−170056号公報JP 2009-170056 A

上記したように、携帯機器は省電力化が望まれている。しかしながら、省電力モードに設定した場合には、揮発性メモリであるRAMのデータを保持できないために、RAMと不揮発メモリ間でのデータ退避、書き戻し動作が必要になり、操作性が低下するという問題がある。   As described above, power saving is desired for portable devices. However, when the power saving mode is set, the data in the RAM, which is a volatile memory, cannot be held, so that data saving and writing back operations between the RAM and the nonvolatile memory are necessary, and the operability is reduced. There's a problem.

本発明は、上記課題に鑑み、短時間で動作し、消費電力が少ない省電力の携帯機器を提供するものである。   In view of the above problems, the present invention provides a power-saving portable device that operates in a short time and consumes less power.

本発明の1つの観点によれば、制御部のメモリとして、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとは共通バスに接続されたことを特徴とする携帯機器が得られる。   According to one aspect of the present invention, the memory of the control unit includes a volatile memory and a nonvolatile random access memory, and the volatile memory and the nonvolatile random access memory are connected to a common bus. Portable device is obtained.

本発明の他の観点によれば、共通バスに接続された揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、揮発性メモリが省電力モードに設定される前に、揮発性メモリのデータを、共通バスを用いて不揮発性ランダムアクセスメモリに退避することを特徴とする揮発性メモリの省電力制御方式が得られる。   According to another aspect of the present invention, a volatile memory connected to a common bus and a nonvolatile random access memory are provided, and before the volatile memory is set to the power saving mode, the data of the volatile memory is A power saving control method for a volatile memory can be obtained, which saves data in a nonvolatile random access memory using a common bus.

本発明では、相変化メモリとRAMが共通のバスで接続され、省電力モードにおけるRAMのデータの退避先を相変化メモリとする。このように相変化メモリとRAMが共通のバスで接続することで、相変化メモリとRAMとの間のデータ移動を高速に行うことができる。また退避先のメモリがデータ消去不要(上書き可能な)相変化メモリであることから退避のための処理時間を短縮できる。さらに省電力モードから動作モードへの移行時には、RAMにデータ書き戻しする前に省電力モードを終了して、相変化メモリのデータを用いて、CPUが動作モードへ短い時間で移行することができる。相変化メモリへ退避させたRAMデータの書き戻しは、動作モード中の任意の時間に行う。このように短時間で省電力モードから動作モードに復帰できる効果が得られる。   In the present invention, the phase change memory and the RAM are connected by a common bus, and the RAM data save destination in the power saving mode is the phase change memory. By connecting the phase change memory and the RAM through a common bus in this way, data movement between the phase change memory and the RAM can be performed at high speed. Further, since the save destination memory is a phase change memory that does not require data erasure (overwriteable), the processing time for saving can be shortened. Further, when shifting from the power saving mode to the operation mode, the power saving mode is ended before data is written back to the RAM, and the CPU can shift to the operation mode in a short time using the data of the phase change memory. . The RAM data saved in the phase change memory is written back at an arbitrary time during the operation mode. As described above, an effect of returning from the power saving mode to the operation mode in a short time can be obtained.

本発明によれば、RAMの電流が最小になるDeep−Powerdownモードを使用することで省電力の効果が大きく、かつ短時間で動作モードに復帰できる省電力の携帯機器が得られる。   According to the present invention, it is possible to obtain a power-saving portable device that has a large power-saving effect by using the Deep-Power-down mode in which the RAM current is minimized, and can return to the operation mode in a short time.

従来の携帯電話機の制御部におけるデータの退避を説明する図である。It is a figure explaining the evacuation of the data in the control part of the conventional mobile phone. 従来の携帯電話機の制御部におけるデータの書き戻しを説明する図である。It is a figure explaining the write-back of the data in the control part of the conventional mobile telephone. 従来のメモリ省電力モード時のフローチャート図である。It is a flowchart figure at the time of the conventional memory power saving mode. 本発明が適用される携帯電話機の主要ブロック図である。It is a main block diagram of a mobile phone to which the present invention is applied. 図4における携帯電話機の制御部のブロック図である。It is a block diagram of the control part of the mobile telephone in FIG. 図5の携帯電話機の制御部におけるデータの退避、書き戻しを説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining saving and writing back of data in the control unit of the mobile phone of FIG. 5. 本発明のメモリ省電力モード時のフローチャート図である。It is a flowchart figure at the time of the memory power saving mode of this invention. 省電力モード時の動作手順で、従来例と本発明との比較図である。It is a comparison figure with a prior art example and this invention in the operation | movement procedure at the time of a power saving mode.

本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図4は、本発明が適用される携帯電話機の主要ブロック図である。図5は、図4における携帯電話機の制御部のブロック図、図6はデータの退避、書き戻しを説明する図である。図7は、本発明のメモリの省電力モード時のフローチャート図である。図8は、省電力モード時の動作手順で、従来例と本発明との比較図である。   Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 4 is a main block diagram of a mobile phone to which the present invention is applied. FIG. 5 is a block diagram of the control unit of the mobile phone in FIG. 4, and FIG. 6 is a diagram for explaining data saving and writing back. FIG. 7 is a flowchart in the power saving mode of the memory of the present invention. FIG. 8 is an operation procedure in the power saving mode, and is a comparison diagram between the conventional example and the present invention.

図4を参照すると、一実施例として、本発明が適用される携帯電話が示されている。図4において、携帯電話の着信動作を説明する。アンテナ101によって受信された電波は送受信部102に送られ、復調されて制御部103で解析される。制御部103では、それが着信であると認識すると、送受信部102に送信データを送るとともに表示部106に着信表示を出す。またスピーカ104から着信音を発生させ、ユーザーに着信を知らせる。ユーザーが着信に気がつき、操作部107を操作すると制御部103でそれを検出してマイクロフォン105で音声を有効にする。送受信の音声信号は送受信部102に送られ、アンテナ101を通じて図示していない基地局と通信する。電源部108は各部に電源を供給する。   Referring to FIG. 4, a mobile phone to which the present invention is applied is shown as an example. In FIG. 4, the incoming call operation of the mobile phone will be described. The radio wave received by the antenna 101 is sent to the transmission / reception unit 102, demodulated, and analyzed by the control unit 103. When the control unit 103 recognizes that it is an incoming call, the control unit 103 sends the transmission data to the transmission / reception unit 102 and displays the incoming call on the display unit 106. Also, a ring tone is generated from the speaker 104 to notify the user of the incoming call. When the user notices an incoming call and operates the operation unit 107, the control unit 103 detects it and activates the voice using the microphone 105. The transmitted / received audio signal is transmitted to the transmitting / receiving unit 102 and communicates with a base station (not shown) through the antenna 101. The power supply unit 108 supplies power to each unit.

図5に示す制御部103は、図4の制御部103であり、CPU(中央処理装置)201、共通バスで接続された相変化メモリ202とRAM203、および、フラッシュメモリ(不揮発メモリ)204で構成されている。制御部103の相変化メモリ202は、ランダムアクセス可能な不揮発メモリであり、RAM203と共通バスで接続され、さらにCPU201に接続されている。RAM203は、ランダムアクセス可能な揮発性メモリであり、相変化メモリ202と共通バスで接続され、さらにCPU201に接続されている。本発明においてRAM203を、揮発性メモリと記載することがある。フラッシュメモリ204は、不揮発メモリであり、CPU201に接続されている。フラッシュメモリ204は、一般的にはランダムアクセスができないメモリである。   The control unit 103 illustrated in FIG. 5 is the control unit 103 illustrated in FIG. 4, and includes a CPU (central processing unit) 201, a phase change memory 202 and a RAM 203 connected via a common bus, and a flash memory (nonvolatile memory) 204. Has been. The phase change memory 202 of the control unit 103 is a randomly accessible non-volatile memory, and is connected to the RAM 203 via a common bus and further connected to the CPU 201. The RAM 203 is a volatile memory that can be accessed at random, and is connected to the phase change memory 202 via a common bus, and is further connected to the CPU 201. In the present invention, the RAM 203 may be described as a volatile memory. The flash memory 204 is a nonvolatile memory and is connected to the CPU 201. The flash memory 204 is generally a memory that cannot be randomly accessed.

CPU201は、メモリの書込み/読出しを行い、これらのメモリに格納されたプログラムに従って、携帯電話の動作を制御する。CPU201は相変化メモリ202、または、フラッシュメモリ204に格納されたプログラムを実行、あるいは、フラッシュメモリ204、または、相変化メモリ202からRAM203にコピーされたプログラムを実行することにより図4の携帯電話を動作させる。相変化メモリ202、または、フラッシュメモリ204がランダムアクセスできる場合、格納されたプログラムをCPU201は直接アクセスし、実行することができる。   The CPU 201 performs writing / reading of the memory and controls the operation of the mobile phone according to the program stored in the memory. The CPU 201 executes the program stored in the phase change memory 202 or the flash memory 204, or executes the program copied from the flash memory 204 or the phase change memory 202 to the RAM 203 to thereby change the mobile phone of FIG. Make it work. When the phase change memory 202 or the flash memory 204 can be randomly accessed, the CPU 201 can directly access and execute the stored program.

図6に示すように携帯機器のRAMを省電力モードにする際、データを保持するため、RAM203のデータをバス501で、相変化メモリ202へ退避する。相変化メモリ202はRAM203と同じバスに接続されているため、別々のバスに接続されている場合に比べ、退避の場合もデータ転送を高速に行うことができる。RAMの省電力モードが終了したとき、CPU201は動作するのに必要データを、相変化メモリ202から直接バス502を使って読み出し、動作開始する。RAM203にデータ書き戻しを行う前に動作を開始することができるので、省電力前の状態に復帰するまでの時間を短縮することができる。RAMに書き戻すべきデータは、CPU201が動作してからRAM203へ書き込む。   As shown in FIG. 6, when the RAM of the mobile device is set to the power saving mode, the data in the RAM 203 is saved to the phase change memory 202 via the bus 501 in order to retain the data. Since the phase change memory 202 is connected to the same bus as that of the RAM 203, data transfer can be performed at a higher speed in the case of saving as compared to the case where it is connected to a different bus. When the RAM power saving mode ends, the CPU 201 reads data necessary for operation from the phase change memory 202 directly using the bus 502 and starts operation. Since the operation can be started before data is written back to the RAM 203, the time required to return to the state before power saving can be shortened. Data to be written back to the RAM is written to the RAM 203 after the CPU 201 operates.

次に図5のCPU201の動作を図7に示すフローチャートを使用して説明する。以下の動作は全てCPU201の制御に基づいて行われるものである。本発明のRAMの省電力動作として、CPU201が省電力動作を開始する(ステップS201)。CPU201から省電力処理が開始され(ステップS202)、続いてRAMデータを相変化メモリに退避させる(ステップS203)。CPU201はデータ退避の終了を監視し(ステップS204)、データ退避の終了を待つ。ここで従来の方式に比べ、本発明では相変化メモリ202とRAM203を共通バスで接続している。そのため例えば、バス501のようにDMA(Direct Memory Access)でデータ転送を行うと、CPUを経由しないのでデータ転送時間を短縮できる。   Next, the operation of the CPU 201 in FIG. 5 will be described using the flowchart shown in FIG. The following operations are all performed based on the control of the CPU 201. As the power saving operation of the RAM of the present invention, the CPU 201 starts the power saving operation (step S201). Power saving processing is started from the CPU 201 (step S202), and then RAM data is saved in the phase change memory (step S203). The CPU 201 monitors the end of data saving (step S204) and waits for the end of data saving. Here, compared with the conventional system, in the present invention, the phase change memory 202 and the RAM 203 are connected by a common bus. Therefore, for example, if data transfer is performed by DMA (Direct Memory Access) like the bus 501, the data transfer time can be shortened because it does not go through the CPU.

データ退避が終了すると、CPU201はRAMを省電力モードに設定する(ステップS205)。省電力モードはDeep−Powerdownであり、RAMに対するリフレッシュ動作は行われない。CPU201は省電力動作の終了を監視し(ステップS206)、省電力動作の終了を待つ。省電力動作が終了すると、CPU201はRAMの省電力モードを終了する(ステップS207)。ここから、従来技術ではデータをRAMに書き戻しを行うのに対し、本発明のCPU201は相変化メモリに退避したデータで動作を開始する(ステップS208)。CPU201は省電力処理を終了する(ステップS209)。本発明における相変化メモリはランダムアクセス可能で、さらにRAMと共通バスで接続されており、CPUから直接アクセスすることで相変化メモリに退避したデータで動作を開始することができる。従ってCPU201の通常動作が開始された後の任意のタイミングで、相変化メモリのデータをRAMに書き戻しする(ステップS210)。CPU201はデータ書き戻しを監視し(ステップS211)、データ書き戻しの終了を待つ。データ書き戻しが終了すると、全ての省電力動作を終了する(ステップS212)。   When the data saving is completed, the CPU 201 sets the RAM to the power saving mode (step S205). The power saving mode is Deep-Powerdown, and no refresh operation is performed on the RAM. The CPU 201 monitors the end of the power saving operation (step S206) and waits for the end of the power saving operation. When the power saving operation ends, the CPU 201 ends the RAM power saving mode (step S207). From here, the data is written back to the RAM in the prior art, whereas the CPU 201 of the present invention starts the operation with the data saved in the phase change memory (step S208). The CPU 201 ends the power saving process (step S209). The phase change memory according to the present invention can be randomly accessed, and is connected to the RAM via a common bus, and can start operation with data saved in the phase change memory by direct access from the CPU. Accordingly, the data in the phase change memory is written back to the RAM at an arbitrary timing after the normal operation of the CPU 201 is started (step S210). The CPU 201 monitors data write-back (step S211) and waits for the end of data write-back. When the data writing back is finished, all the power saving operations are finished (step S212).

上記した本発明と従来例とを比較した省電力モード時の動作時間のイメージを、図8に示す。図8では時間軸に対し、省電力モード時のフローチャート図のそれぞれのステップを示している。RAMの省電力処理開始(ステップS102、S202)から省電力モードを終了(ステップS107、S207)するまでの動作時間は、共通バスを使う分、相変化メモリを使う本発明のほうが、若干処理時間が早くなる。RAMの省電力モードを終了(S107、S207)後は、本発明はただちに相変化メモリのデータで動作を開始(ステップS208)する。一方従来技術では、ステップS108でデータデータを書き戻し、さらに省電力処理が終了(ステップS110)した後、動作モードが開始される。従って動作モードが開始される時間は、従来技術では全ての省電力処理が終了したステップS111の後であり(図示していない)、本発明ではステップS208となる。このように、携帯機器の動作モードとなる起動開始までの時間を大幅に短縮することができる。   FIG. 8 shows an image of the operation time in the power saving mode in which the present invention is compared with the conventional example. FIG. 8 shows each step of the flowchart in the power saving mode with respect to the time axis. The operation time from the start of the power saving process of the RAM (steps S102 and S202) to the end of the power saving mode (steps S107 and S207) is slightly longer in the present invention using the phase change memory because the common bus is used. Becomes faster. After finishing the RAM power saving mode (S107, S207), the present invention immediately starts operation with the data of the phase change memory (step S208). On the other hand, in the prior art, after the data data is written back in step S108 and the power saving process is completed (step S110), the operation mode is started. Therefore, the time for starting the operation mode is after step S111 in which all the power saving processes are completed in the conventional technique (not shown), and is step S208 in the present invention. In this way, the time until the start of activation, which becomes the operation mode of the mobile device, can be greatly shortened.

また図6では、フラッシュメモリ(不揮発メモリ)204が記載されているが、フラッシュメモリ(不揮発メモリ)に格納されているプログラムやデータが、容量的に相変化メモリ202に入るようであれば、相変化メモリ202とRAM203だけで構成しても、本発明と同様の効果を得ることができる。   In FIG. 6, the flash memory (nonvolatile memory) 204 is described. However, if the program or data stored in the flash memory (nonvolatile memory) is likely to enter the phase change memory 202 in capacity, Even if only the change memory 202 and the RAM 203 are configured, the same effect as the present invention can be obtained.

本発明の携帯機器は、相変化メモリとRAMを搭載したメモリ部を備えている。搭載された相変化メモリとRAMが共通のバスで接続され、RAMの消費電力を節減する省電力モードにおけるRAMのデータの退避先を相変化メモリとする。このように相変化メモリとRAMとを共通のバスで接続することで、データの移動を高速に行うことができる。また退避先のメモリがデータ消去不要で、上書き可能な相変化メモリであることから退避のための処理時間を短縮できる。   The portable device of the present invention includes a memory unit that includes a phase change memory and a RAM. The phase change memory and RAM mounted are connected by a common bus, and the RAM data save destination in the power saving mode that saves RAM power consumption is the phase change memory. By connecting the phase change memory and the RAM with a common bus in this way, data can be moved at high speed. Further, since the save destination memory is a phase change memory that can be overwritten without erasing data, the processing time for saving can be shortened.

さらに省電力モードから動作モードへの移行時には、RAMにデータ書き戻しする前に省電力モードを終了して、相変化メモリに退避したデータを用いて、CPUが動作モードを開始する。このように相変化メモリがランダムアクセスでき、RAMと同じ共通バスへ接続されていることから、CPUから直接アクセスでき、相変化メモリのデータを用いて、動作モードへ移行することができる。このように相変化メモリに退避したデータで動作開始することにより、すぐにはRAMへデータ書き戻しを行わないため、RAM省電力後の動作開始時間を短縮することが可能である。動作を再開した後の任意のタイミングで、相変化メモリのデータをRAMへ書き戻す。   Further, when shifting from the power saving mode to the operation mode, the CPU starts the operation mode by using the data saved in the phase change memory after ending the power saving mode before data is written back to the RAM. Since the phase change memory can be randomly accessed and connected to the same common bus as the RAM in this way, it can be directly accessed from the CPU, and the operation mode can be shifted to using the data of the phase change memory. By starting the operation with the data saved in the phase change memory in this manner, the data start is not immediately written back to the RAM, so that the operation start time after the RAM power saving can be shortened. The data of the phase change memory is written back to the RAM at an arbitrary timing after the operation is resumed.

このように短時間で省電力モードから動作モードに復帰できる効果が得られる。本発明によれば、RAMの電流が最小になるDeep−Powerdownモードを使用することで省電力の効果が大きく、かつ短時間で動作モードに復帰できる省電力の携帯機器が得られる。   As described above, an effect of returning from the power saving mode to the operation mode in a short time can be obtained. According to the present invention, it is possible to obtain a power-saving portable device that has a large power-saving effect by using the Deep-Power-down mode in which the RAM current is minimized, and can return to the operation mode in a short time.

以上、実施の形態例として本願発明を説明したが、本願発明は上記の実施形態例に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で様々な変更をすることができる。   Although the present invention has been described above as an embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment. Various changes can be made to the configuration and details of the present invention within the scope of the present invention.

101 アンテナ
102 送受信部
103 制御部
104 スピーカ
105 マイクロフォン
106 表示部
107 操作部
108 電源部
201 CPU
202 相変化メモリ
203 RAM
204 フラッシュメモリ(不揮発メモリ)
301、401、501、502 バス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Antenna 102 Transmission / reception part 103 Control part 104 Speaker 105 Microphone 106 Display part 107 Operation part 108 Power supply part 201 CPU
202 Phase change memory 203 RAM
204 Flash memory (nonvolatile memory)
301, 401, 501, 502 Bus

Claims (7)

制御部のメモリとして、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、前記揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとは共通バスに接続されたことを特徴とする携帯機器。   A portable device comprising a volatile memory and a nonvolatile random access memory as a memory of the control unit, wherein the volatile memory and the nonvolatile random access memory are connected to a common bus. 揮発性メモリの省電力モードにおいては、前記揮発性メモリのデータは前記共通バスを用いて前記不揮発性ランダムアクセスメモリに退避され、前記不揮発性ランダムアクセスメモリで保持されることを特徴とする請求項1に記載の携帯機器。   The data in the volatile memory is saved in the nonvolatile random access memory using the common bus and is held in the nonvolatile random access memory in the power saving mode of the volatile memory. 1. A portable device according to 1. 揮発性メモリの省電力モードを終了する場合には、中央処理装置は前記不揮発性ランダムアクセスメモリを直接アクセスし、前記不揮発性ランダムアクセスメモリに退避されたデータを用いて動作モードに復帰することを特徴とする請求項2に記載の携帯機器。   When the power saving mode of the volatile memory is terminated, the central processing unit directly accesses the nonvolatile random access memory and returns to the operation mode using the data saved in the nonvolatile random access memory. The portable device according to claim 2. 前記不揮発性ランダムアクセスメモリに退避されたデータを用いて動作モードに復帰した後で、前記不揮発性ランダムアクセスメモリのデータを前記揮発性メモリへ書き戻し処理することを特徴とする請求項3に記載の携帯機器。   The data in the nonvolatile random access memory is written back to the volatile memory after returning to the operation mode using the data saved in the nonvolatile random access memory. Mobile devices. 共通バスに接続された揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、前記揮発性メモリが省電力モードに設定される前に、前記揮発性メモリのデータを、前記共通バスを用いて前記不揮発性ランダムアクセスメモリに退避することを特徴とする揮発性メモリの省電力制御方式。   A volatile memory connected to a common bus and a non-volatile random access memory, and before the volatile memory is set to a power saving mode, the data of the volatile memory is transferred to the non-volatile memory using the common bus. Power-saving control method for volatile memory, characterized by saving to a random access memory. 揮発性メモリの省電力モードを終了する場合には、中央処理装置は前記不揮発性ランダムアクセスメモリを直接アクセスし、前記不揮発性ランダムアクセスメモリに退避されたデータを用いて動作モードに復帰することを特徴とする請求項5に記載の揮発性メモリの省電力制御方式。   When the power saving mode of the volatile memory is terminated, the central processing unit directly accesses the nonvolatile random access memory and returns to the operation mode using the data saved in the nonvolatile random access memory. The volatile memory power saving control method according to claim 5. 前記不揮発性ランダムアクセスメモリに退避されたデータを用いて動作モードに復帰した後で、前記不揮発性ランダムアクセスメモリのデータを前記揮発性メモリへの書き戻し処理することを特徴とする請求項6に記載の揮発性メモリの省電力制御方式。   The data of the non-volatile random access memory is written back to the volatile memory after returning to the operation mode using the data saved in the non-volatile random access memory. The volatile memory power saving control method described.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016032123A (en) * 2014-07-25 2016-03-07 株式会社東芝 Video recording and playback apparatus, content control method and computer program
US9547360B2 (en) 2012-11-30 2017-01-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems having a maximum sleep mode and method of operating the same

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