JP2011082237A - セラミックス回路基板座標変換方法及びセラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コストダウンが図れるセラミックス回路基板座標変換方法及びセラミックス回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板座標変換方法は、セラミックス回路基板パターンの座標値を求める工程（ステップＳ１０）と、基板パターンの座標値と座標値の設計値をベースとする基板上のパターンの座標値とから、基板パターンの座標値を、設計値をベースとする基板上の座標系による座標値で表現するときの座標変換パラメーターを算出する工程（ステップＳ２０）と、座標変換パラメーターを用いて、基板パターンの座標値を、設計値をベースとする基板上の座標系による座標値に座標変換する工程（ステップＳ３０）と、設計値をベースとする基板上のパターンの座標値と基板パターンの変換した座標値との偏差を算出する工程（ステップＳ４０）と、を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、セラミックス回路基板座標変換方法及びセラミックス回路基板の製造方法に関するものである。

近年、電子機器に対する小型化、多機能化の要求が益々大きくなっており、これを構成する各種電子部品の小型化、複合化も進められている。これに伴い、電子部品が実装される回路基板も配線等の微細化が進められている。また、製品の多様化に伴い、配線等からなる回路を形成した基板についても、多品種少量生産への対応が求められている。

ところで、前記した小型化要求に応えるための微細配線形成用の基板としては、基板自体が機能性材料であるセラミックス基板が、多層化による内層部品の形成、寸法の安定性などの点で有利であることから、好適とされている。特に、セラミックスの焼結温度が９００℃以下であり、抵抗率が小さい銀を回路形成材料として用いることが可能な低温同時焼成セラミックス基板、すなわちＬＴＣＣ（低温焼成セラミックス）基板が、高周波回路を中心にして広範囲に用いられている。

ＬＴＣＣ基板における配線形成方法としては、抵抗率が低いＡｇ、Ｐｄ等の貴金属粒子と樹脂や溶剤とを含むペーストを、未焼成セラミックスシート、すなわちグリーンシートにスクリーン印刷し、これを必要枚数を積層した後、焼成して前記貴金属粒子を焼結し、導通を確保する方法が知られている。

しかしながら、グリーンシートを焼成して焼結基板を作成すると収縮率のばらつきが生じる。この収縮率のばらつきは、パターンの位置精度に影響を与える。これは、例えば電気特性を測定する際にプローブがパッドに正確に当たれないなどの問題を引き起こす。これを解決する方法として、例えばＬＴＣＣ基板に対してフォトマスクをいくつか用意し、収縮率の近いマスクを選択する。そして基板のアライメントパターンの位置を読み、露光時にオフセットをかける方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平９−７４３００号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示された製造方法では、フォトマスクを複数用意する必要があり、製造コストが高くなるといった問題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］セラミックス回路基板パターンの座標値を求める工程と、前記基板パターンの座標値と該座標値の設計値をベースとする基板上のパターンの座標値とから、前記基板パターンの座標値を、前記設計値をベースとする基板上の座標系による座標値で表現するときの座標変換パラメーターを算出する工程と、前記座標変換パラメーターを用いて、前記基板パターンの座標値を、前記設計値をベースとする基板上の座標系による座標値に座標変換する工程と、前記設計値をベースとする基板上のパターンの座標値と前記基板パターンの変換した座標値との偏差を算出する工程と、を有することを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。

これによれば、セラミックグリーンシートを焼成してセラミックス回路基板を作成する際の収縮率のばらつきを補正することができるので、コストダウンが図れる。

［適用例２］上記セラミックス回路基板座標変換方法であって、前記セラミックス回路基板パターンは、上下導通ＶＩＡであることを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。

これによれば、上下導通ＶＩＡを用いることによりセラミックス回路基板パターンを容易に作成することができる。

［適用例３］上記セラミックス回路基板座標変換方法であって、前記セラミックス回路基板上の複数のパターン座標を測定して基板収縮率を算出し、該基板収縮率に応じて前記セラミックス回路基板パターンの座標値を求めることを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。

これによれば、容易にセラミックス回路基板パターンの座標値を求めることができる。

［適用例４］上記セラミックス回路基板座標変換方法であって、前記設計値に対応するすべての前記セラミックス回路基板上の座標を測定して座標値を求めることを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。

これによれば、確実にセラミックス回路基板パターンの座標値を求めることができる。

［適用例５］上記のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板座標変換方法を用いて、前記セラミックス回路基板上に、導電性微粒子を含んだ液状体を液滴吐出法で、前記基板パターンの座標値と前記設計値をベースとする基板上のパターンの座標値とを接続することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。

これによれば、液滴吐出法で機能パターンの座標値と本来あるべき位置の座標値とを接続する前駆体を描画することで、セラミックグリーンシートを焼成してセラミックス回路基板を作成する際の収縮率のばらつきを補正することができる。また、液滴吐出法を用いて基板パターンの座標値と設計値をベースとする基板上のパターンの座標値とを接続して補正するので、マスクを用意する必要がなくコストダウンが図れる。

本実施形態に係るセラミックス回路基板の概略構成を示す側断面図。 本実施形態に係るセラミックス回路基板の概略構成を示す平面図。 本実施形態に係るセラミックス回路基板座標変換方法で設計値基板とセラミックス回路基板との座標値の偏差を算出し、機能パターンを作成する処理の手順を示すフローチャート。 本実施形態に係るセラミックス回路基板の外観を示す図。 本実施形態に係るセラミックス回路基板上に設定したＸＹ座標系の例を示す図。 本実施形態に係る設計値基板の外観を示す図。 本実施形態に係る設計値基板上に設定したｘｙ座標系の例を示す図。 本実施形態に係る座標系Ｘ−Ｙと座標系ｘ−ｙとの関係を説明する図。 本実施形態に係るセラミックス回路基板を示す平面図。 本実施形態に係るシステム構成例を示す図。 本実施形態に係るセラミックス回路基板の製造方法の、概略の工程を示す説明図。 （Ａ）、（Ｂ）は図２のセラミックス回路基板の、製造工程説明図。 インクジェット装置の概略構成を示す斜視図。 インクジェットヘッドの概略構成を説明するための模式図。

以下、セラミックス回路基板座標変換方法及びセラミックス回路基板の製造方法の実施形態を、図を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

図１は、本実施形態に係るセラミックス回路基板の概略構成を示す側断面図である。図２は、本実施形態に係るセラミックス回路基板の概略構成を示す平面図である。

本実施形態に係るセラミックス回路基板２は、図１に示すように、セラミックス基板１０が多数（例えば１０枚から２０枚程度）積層されてなる積層基板１２と、この積層基板１２の最外層、すなわち一方の側の表面に形成された、微細配線等からなる回路１４とを有して形成されたものである。積層基板１２は、積層されたセラミックス基板１０，１０間に、本実施形態の導電性インク（以下、単にインクと記す）からなる回路１６を形成したもので、これら回路１６には、これに接続するコンタクト（上下導通ＶＩＡ）１８が形成されている。このような構成によって回路１６は、上下に配置された回路１６，１６間が、コンタクト１８によって導通したものとなっている。積層基板１２の最外層に形成されたコンタクト１８は、端子部２１と接続している。なお、回路１４も、回路１６と同様に、本実施形態の導電性インクから形成されたものとなっている。

セラミックス回路基板２は、図２に示すように、一方の側の表面に形成された、微細配線等からなる回路１４を有して形成されたものである。回路１４は、端子部２１と端子部２０とを接続している。端子部２０は、例えばプローブカード等への外部出力端子である。この端子部２０の座標値は、本実施形態に係るセラミックス回路基板２上の基板パターンの座標値の設計値をベースにする基板上のパターンの座標値である。コンタクト１８は、本実施形態に係るセラミックス回路基板２上の基板パターンの座標値の測定箇所である。パターン２６は、後述する設計値基板のパターンである。そのパターンは、基板に配線、素子を形成するために用いられる。

次に、設計値基板とセラミックス回路基板との座標値の偏差を算出する処理の手順について、図３〜図７を参照して説明する。
図３は、本実施形態に係るセラミックス回路基板座標変換方法で設計値基板とセラミックス回路基板との座標値の偏差を算出し、機能パターンを作成する処理の手順を示すフローチャートである。図４は、本実施形態に係るセラミックス回路基板２の外観を示す図である。
セラミックス回路基板２には薄膜配線の基板パターン２２が形成されるとともに、位置合わせ用のマーク２４_A〜２４_Dが作り込まれている。

図５は、本実施形態に係るセラミックス回路基板２上に設定したＸＹ座標系の例を示す図である。
各基板パターン２２の座標位置は（Ｘ_I，Ｙ_I）、Ｉ＝１〜Ｎで表現される。ここでＮは基板パターン２２の座標位置の総数である。またマーク２４_A〜２４_Dの座標位置は（Ｘ_S，Ｙ_S）、Ｓ＝Ａ〜Ｄで表現される。

図６は、本実施形態に係る設計値基板の外観を示す図であり、焼成後の座標値の設計値をベースとする基板（以降、設計値基板と記述する）を示した図である。
設計値基板４は、所望のパターンが形成される。そのパターンは、基板に配線、素子を形成するために用いられるパターン２６とパターン転写を高精度に行うための位置決め用マークとがあり、後者にはプローブカードと基板を位置合わせするためのマーク２８_A〜２８_Dが作り込まれている。

図７は、本実施形態に係る設計値基板上に設定したｘｙ座標系の例を示す図である。
各パターン２６の座標位置は、（ｘ_I，ｙ_I）、Ｉ＝１〜Ｎで表現される。ここでＮは、パターン２６の座標位置の総数である。またマーク２８_A〜２８_Dの座標位置は、（ｘ_S，ｙ_S）、Ｓ＝Ａ〜Ｄで表現される。

まず、図３に示すステップＳ１０の基板座標測定工程では、焼結後のセラミックス回路基板２の各基板パターン２２の座標位置（Ｘ_I，Ｙ_I）、Ｉ＝１〜Ｎを測定し、位置合わせ用のマーク２４の座標位置（Ｘ_S，Ｙ_S）、Ｓ＝Ａ〜Ｄを測定する。なお、焼結後のセラミックス回路基板２の各基板パターン２２の座標位置は、セラミックス回路基板２上の複数の基板パターン２２の座標位置を測定して基板収縮率を算出し、基板収縮率に応じてセラミックス回路基板パターンの座標値を求めてもよいし、設計値に対応するすべてのセラミックス回路基板２上の座標位置を測定して座標値を求めてもよい。

次に、図３に示すステップＳ２０の座標変換パラメーター算出工程では、設計値基板４のパターン２６の座標（ｘ_I，ｙ_I）、Ｉ＝１〜Ｎと設計値基板４上の座標系による座標位置に座標変換した後の基板パターン２２の座標（ｘ_I'，ｙ_I'）との偏差を最小にするような座標変換パラメーターｘ₀、ｙ₀、及びθを算出する。

次に、図３に示すステップＳ３０の基板パターン座標読み直し工程では、これらのパラメーターを用いて基板パターン２２の座標（Ｘ_I，Ｙ_I）を設計値基板４上の座標で読み直す。得られた基板パターン２２の座標を（ｘ_I'，ｙ_I'）、Ｉ＝１〜Ｎとする。

次に、図３に示すステップＳ４０の基板・設計データの各点位置の偏差の算出工程では、設計値基板４上のパターン２６の座標（ｘ_I，ｙ_I）と位置合わせ後の基板パターン２２の座標（ｘ_I'，ｙ_I'）との偏差ｒ_I及び方向偏差ψ_Iを算出する。

次に、図３に示すステップＳ５０の機能パターンの作成工程では、偏差ｒ_I及び方向偏差ψ_Iを用いて、セラミックス回路基板２上に、導電性微粒子を含んだ液状体を液滴吐出法で、基板パターン２２の座標値と設計値基板４上のパターン２６の座標値とを接続する前駆体を描画する。その後、加熱処理することで前駆体を機能パターンとしての回路１４及び端子部２０として形成する。
以下上記手順についてより具体的に説明する。

（基板パターンの座標測定）
３次元測定器などの座標測定手段にセラミックス回路基板２を位置決め固定した後、プローブカード等と位置合わせする上で必要となる基板パターン２２及びマーク２４の座標位置を測定する。基板パターン２２の座標位置を（Ｘ₁，Ｙ₁），…（Ｘ_N，Ｙ_N）、マーク２４の座標位置を（Ｘ_A，Ｙ_A），…（Ｘ_D，Ｙ_D）とする。なお位置合わせ用のマーク２４は４箇所に限定されるものではないが、最少２箇所は必要である。また基板の座標測定手段としてはセットの簡便さの点から３次元測定器が適当である。

（座標変換パラメーターの算出）
既に述べたように基板パターン２２と比べ設計値基板４のパターン２６は高精度で作製されているので、設計値基板４の座標点を基準に考える。設計値基板４上のパターン２６の座標（ｘ₁，ｙ₁），…（ｘ_N，ｙ_N）は設計情報データとして保存されている。

図８は、本実施形態に係る座標系Ｘ−Ｙと座標系ｘ−ｙとの関係を説明する図である。
Ｐは基板上の点であり、基板座標系Ｘ−Ｙによれば座標位置（Ｘ_I，Ｙ_I）で表現され、設計値基板４の座標系ｘ−ｙによれば座標位置（ｘ_I'，ｙ_I'）で表現されることを示している。ｘ₀，ｙ₀は座標変換における平行移動成分、θは回転成分である。

一般に平面上の点Ｐの座標位置（Ｘ，Ｙ）が座標変換されたとき変換後の座標位置（ｘ'，ｙ'）は、ｘ'＝Ｘｃｏｓθ−Ｙｓｉｎθ＋ｘ₀、ｙ'＝Ｙｃｏｓθ＋Ｘｓｉｎθ＋ｙ₀で与えられる。一方設計値基板４上のパターン２６の座標位置（ｘ_I，ｙ_I）と座標変換後の基板パターン２２の座標位置（ｘ_I'，ｙ_I'）とから得られるＮ組の点の偏差の２乗和を最少にする条件によって、θ、ｘ₀、及びｙ₀は次式から求めることができる。

ここでΣはＩ＝１からＮまで累計することを示す。この結果は設計値基板４の点に基板上の点を適正に位置合わせするための座標変換パラメーターとなる。このパラメーターを用いて基板上の点を設計値基板４上の点として読み直せば、設計値基板４上の基準位置（ｘ_I，ｙ_I）との偏差を算出することが可能となる。

（基板上の点の偏差）
基板上の点（Ｘ_I，Ｙ_I）は設計値基板４上の座標では（ｘ_I'，ｙ_I'）となり、次式で算出される。ｘ_I'＝Ｘ_Iｃｏｓθ−Ｙ_Iｓｉｎθ＋ｘ₀、ｙ_I'＝Ｙ_Iｃｏｓθ＋Ｘ_Iｓｉｎθ＋ｙ₀、Ｉ＝１〜Ｎで表現される。ここでθ、ｘ₀、及びｙ₀は、（数１）によって求められた座標変換パラメーターである。

設計値基板４上の点（ｘ_I，ｙ_I）と位置合わせ後の基板上の点（ｘ_I'，ｙ_I'）との距離偏差ｒ_Iと方向偏差ψ_Iは、Δｘ_I＝ｘ_I'−ｘ_I、Δｙ_I＝ｙ_I'−ｙ_Iとして

で求めることができる。

（機能パターンの描画）
距離偏差ｒ_Iと方向偏差ψ_Iを用いて、セラミックス回路基板２上に、導電性微粒子を含んだ液状体を液滴吐出法で、基板パターン２２の座標値と設計値基板４上のパターン２６の座標値とを接続する前駆体を描画する。その後、加熱処理することで前駆体を回路１４及び端子部２０として形成する。

図９は、本実施形態に係るセラミックス回路基板を示す平面図である。
セラミックス回路基板２の端子部２１の座標値と、設計値基板４の本来あるべき位置の座標値（端子部２０）との位置関係を示している。セラミックグリーンシートを焼成してセラミックス回路基板を作成する際の収縮率のばらつきにより、例えばセラミックス回路基板２と設計値基板４との基板の中心を合わせた場合、端子部２１と端子部２０とは、基板の中心付近では殆どずれはないが、基板の周辺では大きなずれとなっている。

本実施形態によれば、液滴吐出法で端子部２１と本来あるべき位置の端子部２０とを接続することで、セラミックグリーンシートを焼成してセラミックス回路基板を作成する際の収縮率のばらつきを補正することができる。また、液滴吐出法を用いて端子部２１と設端支部２０とを接続して補正するので、マスクを用意する必要がなくコストダウンが図れる。

（システム構成例）
図１０は、本実施形態に係るシステム構成例を示す図であり、偏差の算出と描画作業を行うシステムの構成例を示す図である。
基板座標測定器４０は、セラミックス回路基板２の各基板パターン２２の座標位置を測定する装置である。基板番号入力部４２は、セラミックス回路基板２に記載されている基板番号を基板座標測定器４０に入力するバーコードリーダー等を含む装置である。データファイル４６は、各セラミックス回路基板２の座標情報、設計値基板４のパターン２６とマーク２８の座標値など基板実測値及び設計データを格納するファイルである。データサーバー４８は、データファイル４６を読み書きするパソコン、ワークステーションを含む情報処理装置である。プロセッサー５０は、座標変換パラメーターの算出（ステップＳ２０）から基板及び設計値基板４の座標値の偏差の算出（ステップＳ４０）及び機能パターンの作成（ステップＳ５０）までの処理を行うパソコン、ワークステーションを含む情報処理装置である。基板番号入力部５２は、基板番号をプロセッサー５０に入力する装置である。表示部５４は、描画状態を示すモニター画像を表示する装置、モニター制御部５６は、表示部５４を制御する装置である。端末装置５８は、液滴吐出装置を動作させるために基板番号の入力、設計値基板管理番号の表示等を行う装置である。基板座標測定器４０、データサーバー４８、プロセッサー５０、モニター制御部５６、及び端末装置５８は、図示するようにＬＡＮ等のネットワーク６０に接続される。

セラミックス回路基板２が基板座標測定器４０に位置決め固定されると、基板番号入力部４２は、基板上の基板番号を読み取って基板座標測定器４０へ送る。基板座標測定器４０は、基板パターン２２及びマーク２４の各座標値を測定する。基板座標測定器４０は、入力された基板番号と測定結果をネットワーク６０を介してデータサーバー４８へ送る。データサーバー４８は、これらの情報をデータファイル４６に格納する。

次にプロセッサー５０に接続されている基板番号入力部５２から基板番号を入力すると、プロセッサー５０は、この基板番号をネットワーク６０を介してデータサーバー４８へ送る。データサーバー４８は、受け取った基板番号に対応する基板の測定結果、基板の出来上がり寸法をプロセッサー５０へ送る。データサーバー４８は、基板番号に対応してこの設計値基板管理番号をデータファイル４６に登録するとともに設計値基板４のパターン２６とマーク２８の座標値（ｘ_I，ｙ_I）及び（ｘ_S，ｙ_S）をプロセッサー５０へ送る。プロセッサー５０は、基板の測定結果と設計値基板の各点座標値とから上記の方式に従って座標変換パラメーター、θ、ｘ₀、及びｙ₀を計算する。

次にプロセッサー５０は、これらの座標変換パラメーターを用いて基板パターンの座標値（Ｘ_I，Ｙ_I）を設計値基板４上の座標値（ｘ_I'，ｙ_I'）で表現し、距離偏差ｒ_I及び方向偏差ψ_Iを各Ｉについて算出する。

次にプロセッサー５０はマーク２８の設計値基板４上の座標値（ｘ_S'，ｙ_S'）と仮想位置合わせ情報（△ｘ_S，△ｙ_S）を計算する。

最後にプロセッサー５０は、当該基板の基板番号、仮想位置合わせ情報をデータサーバー４８へ送る。データサーバー４８はこれらの情報をデータファイル４６に格納する。

距離偏差ｒ_I及び方向偏差ψ_Iを用いて、セラミックス回路基板２上に、導電性微粒子を含んだ液状体を液滴吐出法で、基板パターン２２の座標値と設計値基板４上のパターン２６の座標値とを接続する前駆体を描画する。その後、加熱処理することで前駆体を回路１４及び端子部２０として形成する。

次に、セラミックス回路基板２の製造方法を、図１１の概略工程図を参照して説明する。
図１１は、本実施形態に係るセラミックス回路基板の製造方法の、概略の工程を示す説明図である。
まず、原料粉体として、平均粒径が１μｍ〜２μｍ程度のアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）や酸化チタン（ＴｉＯ₂）等からなるセラミックス粉末と、平均粒径が１μｍ〜２μｍ程度のホウ珪酸ガラス等からなるガラス粉末とを用意し、これらを適宜な混合比、例えば１：１の重量比で混合する。

次に、得られた混合粉末に適宜なバインダー（結合剤）や可塑剤、有機溶剤（分散剤）等を加え、混合・撹拌することにより、スラリーを得る。ここで、バインダーとしてはポリビニルブチラールが好適に用いられるが、これは水に不溶であり、かつ、いわゆる油系の有機溶媒に溶解しあるいは膨潤し易いものである。したがって、インクについては、その分散媒として油系でなく水系のものを用いる必要がある。

次いで、得られたスラリーを、ドクターブレード、リバースコーター等を用いてＰＥＴフィルム上にシート状に形成し、製品の製造条件に応じて数μｍ〜数百μｍ厚のシートに成形し、その後、ロールに巻き取る。

続いて、製品の用途に合わせて切断し、さらに所定寸法のシートに裁断する。本実施形態では、例えば１辺の長さを２００ｍｍとする正方形状に裁断する。

次いで、必要に応じて所定の位置に、ＣＯ₂レーザー、ＹＡＧレーザー、機械式パンチ等によって孔開けを行うことでスルーホールを形成する。そして、スルーホールを形成したセラミックグリーンシートについては、厚膜導電ペーストのスクリーン印刷によって所定の位置に導電パターンを形成し、コンタクト（図示せず）とする。このようにしてコンタクトまでを形成することにより、本実施形態におけるセラミックグリーンシート７０を得る。

このようにしてセラミックグリーンシート７０を形成したら、これの一方の側の表面に、本実施形態における機能パターンとなる前記回路１６の前駆体を、前記コンタクト１８に連続した状態に形成する。すなわち、図１２（Ａ）に示すようにセラミックグリーンシート７０上に、インク７２を配し、前記回路１６となる前駆体７４を形成する。なお、ここでは、機能パターンとして回路１６を形成するため、インク７２としては、前記した導電粒子（銀粒子）を機能性粒子として含有し、水系の分散媒に分散させたものを用いている。

セラミックグリーンシート７０上へのインク７２の配置（塗布）については、液滴吐出法であるインクジェット法が採用される。このインクジェット法は、例えば図１３に示すインクジェット装置（液滴吐出装置）７６を用い、図１４に示すインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）７８からインクを吐出する方法である。
以下に、インクジェット装置７６及びインクジェットヘッド７８について説明する。

図１３は、インクジェット装置７６の概略構成を示す斜視図である。図１４は、インクジェットヘッド７８の概略構成を説明するための模式図である。
図１３において、Ｘ方向はベース８０の左右方向であり、Ｙ方向は前後方向であり、Ｚ方向は上下方向である。インクジェット装置７６は、インクジェットヘッド（以下、単にヘッドと呼ぶ）７８と、基板Ｓ（本実施形態ではセラミックグリーンシート７０）を載置するテーブル８２とを主として構成されている。なお、インクジェット装置７６の動作は、制御装置８４により制御されるようになっている。

基板Ｓを載置するテーブル８２は、第１移動手段８６によりＹ方向に移動及び位置決め可能とされ、モーター８８によりθ_z方向に揺動及び位置決め可能とされている。一方、ヘッド７８は、第２移動手段（図示せず）によりＸ方向に移動及び位置決め可能とされ、リニアモーター９０によりＺ方向に移動及び位置決め可能とされている。また、ヘッド７８は、モーター９２，９４，９６により、それぞれα、β、及びγ方向に揺動及び位置決め可能とされている。このような構成のもとにインクジェット装置７６は、ヘッド７８のインク吐出面７８Ｐと、テーブル８２上の基板Ｓとの相対的な位置及び姿勢を、正確にコントロールできるようになっている。

ヘッド７８は、図１４の側断面図に示すように、インクジェット方式（液滴吐出方式）によってインク７２をノズル９８から吐出するものである。液滴吐出方式として、圧電体素子としてのピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式や、インクを加熱して発生した泡（バブル）によりインクを吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。このうちピエゾ方式は、インクに熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。そこで、図１４に示すヘッド７８には、前述したピエゾ方式が採用されている。

ヘッド７８のヘッド本体１００には、リザーバー１０２及びリザーバー１０２から分岐された複数のインク室１０４が形成されている。リザーバー１０２は、各インク室１０４にインクを供給するための流路になっている。また、ヘッド本体１００の下端面には、インク吐出面を構成するノズルプレート（図示せず）が装着されている。このノズルプレートには、インク７２を吐出する複数のノズル９８が、各インク室１０４に対応して開口されている。そして、各インク室１０４から対応するノズル９８に向かって、インク流路が形成されている。一方、ヘッド本体１００の上端面には、振動板１０６が装着されている。この振動板１０６は、各インク室１０４の壁面を構成している。その振動板１０６の外側には、各インク室１０４に対応してピエゾ素子１０８が設けられている。ピエゾ素子１０８は、水晶等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路１１０に接続されている。

そして、駆動回路１１０からピエゾ素子１０８に電気信号を入力すると、ピエゾ素子１０８が膨張変形又は収縮変形する。ピエゾ素子１０８が収縮変形すると、インク室１０４の圧力が低下して、リザーバー１０２からインク室１０４にインク７２が流入する。また、ピエゾ素子１０８が膨張変形すると、インク室１０４の圧力が増加して、ノズル９８からインク７２が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子１０８の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子１０８の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子１０８への印加電圧を制御することにより、インク７２の吐出条件を制御し得るようになっているのである。

したがって、このようなヘッド７８を備えたインクジェット装置７６を用いることにより、インク７２を、前記セラミックグリーンシート７０上の所望する場所に所望の量、精度良く吐出し、配することができる。よって、図１２（Ａ）に示したように前駆体７４を、精度良くしかも容易に形成することができる。

このようにして前駆体７４を形成したら、同様の工程により、前駆体７４を形成したセラミックグリーンシート７０を必要枚数、例えば１０枚から２０枚程度容易する。

次いで、これらセラミックグリーンシート７０からＰＥＴフィルム１１１を剥がし、図１１に示すようにこれらを積層することにより、積層体１１２を得る。このとき、積層するセラミックグリーンシート７０については、上下に重ねられるセラミックグリーンシート７０間で、それぞれの前駆体７４が必要に応じてコンタクト１８を介して接続するように配置する。

このようにして積層体１１２を形成したら、例えばベルト炉などによって加熱処理する。これにより、各セラミックグリーンシート７０は焼成されることで、図１２（Ｂ）に示すように本実施形態のセラミックス基板１０となり、また前駆体７４はこれを形成する導電粒子が焼結して配線パターンや電極パターンからなる回路１６となる。そして、このように前記積層体１１２が加熱処理されることで、この積層体１１２は図１に示した積層基板１２となる。
以降、上記機能パターンの作成手順を実行し、機能パターンとしての回路１４及び端子部２０を形成する。

ここで、前記積層体１１２の加熱温度としては、セラミックグリーンシート７０中に含まれるガラスの軟化点以上とするのが好ましく、具体的には、６００℃以上９００℃以下とするのが好ましい。また、加熱条件としては、適宜な速度で温度を上昇させ、かつ下降させるようにし、さらに、最大加熱温度、すなわち前記の６００℃以上９００℃以下の温度では、その温度に応じて適宜な時間保持するようにする。

このように前記ガラスの軟化点以上の温度、すなわち前記温度範囲にまで加熱温度を上げることにより、得られるセラミックス基板１０のガラス成分を軟化させることができる。したがって、その後常温にまで冷却し、ガラス成分を硬化させることにより、積層基板１２を構成する各セラミックス基板１０と回路１６との間がより強固に固着するようになる。

また、このような温度範囲で加熱することにより、得られるセラミックス基板１０は、９００℃以下の温度で焼成されて形成された、低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）となる。したがって、これらセラミックス基板１０間に形成された回路１６の形成材料としては、比較的低融点である銀などの貴金属が使用可能となっており、これによって回路１６の焼成による形成と同時に、セラミックス基板１０の焼成が可能となる。また、銀などの貴金属は抵抗率が小さいことから、回路１６を低抵抗にすることができる。

ここで、セラミックグリーンシート７０上に配されたインク７２中の導電粒子は、加熱処理によって互いに融着し、連続することによって導電性を示すようになる。インクジェット法用のインクにおいて主に用いられる平均粒子径１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の導電粒子は、例えば銀粒子の場合、２００℃程度の温度で導電性を示すようになる。したがって、前記した６００℃以上、９００℃以下の範囲での加熱処理により、インク７２中の導電粒子は容易に融着し連続化することにより、回路１６となるのである。

このような加熱処理によって回路１６は、セラミックス基板１０中のコンタクト１８に直接接続させられ、導通させられて形成されたものとなる。

なお、このような加熱処理により、回路１４についても形成することができ、これによってセラミックス回路基板２を得ることができる。

２…セラミックス回路基板 ４…設計値基板 １０…セラミックス基板 １２…積層基板 １４…回路 １６…回路 １８…コンタクト（上下導通ＶＩＡ） ２０…端子部 ２１…端子部 ２２…基板パターン ２４…マーク ２６…パターン ２８…マーク ４０…基板座標測定器 ４２…基板番号入力部 ４６…データファイル ４８…データサーバー ５０…プロセッサー ５２…基板番号入力部 ５４…表示部 ５６…モニター制御部 ５８…端末装置 ６０…ネットワーク ７０…セラミックグリーンシート ７２…インク ７４…前駆体 ７６…インクジェット装置（液滴吐出装置） ７８…インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド） ７８Ｐ…インク吐出面 ８０…ベース ８２…テーブル ８４…制御装置 ８６…第１移動手段 ８８…モーター ９０…リニアモーター ９２，９４，９６…モーター ９８…ノズル １００…ヘッド本体 １０２…リザーバー １０４…インク室 １０６…振動板 １０８…ピエゾ素子 １１０…駆動回路 １１１…ＰＥＴフィルム １１２…積層体。

Claims (5)

1. セラミックス回路基板パターンの座標値を求める工程と、
   前記基板パターンの座標値と該座標値の設計値をベースとする基板上のパターンの座標値とから、前記基板パターンの座標値を、前記設計値をベースとする基板上の座標系による座標値で表現するときの座標変換パラメーターを算出する工程と、
   前記座標変換パラメーターを用いて、前記基板パターンの座標値を、前記設計値をベースとする基板上の座標系による座標値に座標変換する工程と、
   前記設計値をベースとする基板上のパターンの座標値と前記基板パターンの変換した座標値との偏差を算出する工程と、
   を有することを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。
2. 請求項１に記載のセラミックス回路基板座標変換方法において、
   前記セラミックス回路基板パターンは、上下導通ＶＩＡであることを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。
3. 請求項１又は２に記載のセラミックス回路基板座標変換方法において、
   前記セラミックス回路基板上の複数のパターン座標を測定して基板収縮率を算出し、該基板収縮率に応じて前記セラミックス回路基板パターンの座標値を求めることを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。
4. 請求項１又は２に記載のセラミックス回路基板座標変換方法において、
   前記設計値に対応するすべての前記セラミックス回路基板上の座標を測定して座標値を求めることを特徴とするセラミックス回路基板座標変換方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板座標変換方法を用いて、前記セラミックス回路基板上に、導電性微粒子を含んだ液状体を液滴吐出法で、前記基板パターンの座標値と前記設計値をベースとする基板上のパターンの座標値とを接続することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。

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