JP2011081681A - Access device and access method for flash memory - Google Patents

Access device and access method for flash memory Download PDF

Info

Publication number
JP2011081681A
JP2011081681A JP2009234635A JP2009234635A JP2011081681A JP 2011081681 A JP2011081681 A JP 2011081681A JP 2009234635 A JP2009234635 A JP 2009234635A JP 2009234635 A JP2009234635 A JP 2009234635A JP 2011081681 A JP2011081681 A JP 2011081681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flash memory
memory
channel
controller
flash
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009234635A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Huoyuan Lin
火元 林
Chen-Shun Chen
振順 陳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Giga Byte Technology Co Ltd
Original Assignee
Giga Byte Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Giga Byte Technology Co Ltd filed Critical Giga Byte Technology Co Ltd
Priority to JP2009234635A priority Critical patent/JP2011081681A/en
Publication of JP2011081681A publication Critical patent/JP2011081681A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for accessing a flash memory to obtain a dual-channel flash memory set that increases a transmission band width and obtains data backup capability. <P>SOLUTION: The device for accessing a flash memory is provided with: a controller; a memory set of a first channel; and a memory set of a second channel. The memory set of the first channel is provided with a first flash memory and at least one first socket for memory extension. The memory set of the second channel is provided with a second flash memory and at least one second socket for memory extension. The controller determines an access method for the first flash memory and the second flash memory according to whether the flash memory is inserted into the first socket for memory extension and the second socket for memory extension. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、フラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法に関するものであり、特にデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法に関するものである。   The present invention relates to an access device and an access method for a flash memory, and more particularly to an access device and an access method for a dual channel flash memory.

フラッシュメモリは電気的にプログラミングしうる読み取り専用メモリであり、これは動作中に複数回消去又はプログラミングしうるものである。フラッシュメモリは、通常、NORフラッシュメモリ又はNANDフラッシュメモリを有する。フラッシュメモリがNORフラッシュメモリであるか、又はNANDフラッシュメモリであるかにかかわらず、フラッシュメモリを消去又はプログラミングする回数は制限されている。一例としてNANDフラッシュメモリを考慮すると、マルチレベルセルのNANDフラッシュメモリを消去又はプログラミングしうる回数は、通常、約一万回である。又、シングルレベルセルのNANDフラッシュメモリを消去又はプログラミングしうる回数は、通常、約十万回である。   Flash memory is an electrically programmable read-only memory that can be erased or programmed multiple times during operation. The flash memory usually includes a NOR flash memory or a NAND flash memory. Regardless of whether the flash memory is a NOR flash memory or a NAND flash memory, the number of times to erase or program the flash memory is limited. Considering NAND flash memory as an example, the number of times a multi-level cell NAND flash memory can be erased or programmed is typically about 10,000. Further, the number of times that the NAND flash memory of the single level cell can be erased or programmed is usually about 100,000 times.

現在の技術では、デュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置が存在する。この従来のデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置によりデータを記憶する場合、データは2つのデータ区分に分割される。これらの2つのデータ区分は、互いに異なるチャネルを介して異なるフラッシュメモリ内に同時に記憶される。従って、フラッシュメモリ内にデータを記憶する速度は有効に2倍となる。すなわち、フラッシュメモリのアクセス装置によりデータをアクセスする帯域幅は2倍となる。   With current technology, there are dual channel flash memory access devices. When data is stored by the conventional dual channel flash memory access device, the data is divided into two data sections. These two data partitions are stored simultaneously in different flash memories via different channels. Therefore, the speed at which data is stored in the flash memory is effectively doubled. That is, the bandwidth for accessing data by the access device of the flash memory is doubled.

しかし、フラッシュメモリは、あまりにも多数回消去又はプログラミングされることにより損傷されるおそれがある。上述したデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置では、1つのチャネルのフラッシュメモリが損傷されると、この損傷されたフラッシュメモリ内に記憶されたデータが永久に失われる。すなわち、従来のデュアルチャネルフラッシュメモリのアクセス装置内のフラッシュメモリが一旦損傷されると、このフラッシュメモリ内のデータを回復しえない可能性が高くなる。   However, flash memory can be damaged by being erased or programmed too many times. In the dual channel flash memory access device described above, when one channel of flash memory is damaged, data stored in the damaged flash memory is permanently lost. That is, once the flash memory in the conventional dual channel flash memory access device is damaged, there is a high possibility that the data in the flash memory cannot be recovered.

本発明の目的は、伝送帯域幅を増大させうるとともに、データのバックアップ能力を得ることができるデュアルチャネルフラッシュメモリセットを得るためのフラッシュメモリのアクセス装置及びアクセス方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a flash memory access device and an access method for obtaining a dual channel flash memory set capable of increasing a transmission bandwidth and obtaining a data backup capability.

本発明によれば、コントローラと、第1のチャネルのメモリセットと、第2のチャネルのメモリセットとを具えるフラッシュメモリのアクセス装置を提供する。第1のチャネルのメモリセットは第1のチャネルを経てコントローラに結合されており、且つ第1のフラッシュメモリと少なくとも第1のメモリ拡張用ソケットとを具えている。第1のフラッシュメモリはコントローラに結合されており、第1のメモリ拡張用ソケットは第1のフラッシュメモリとコントローラとに結合されている。第2のチャネルのメモリセットは第2のチャネルを経てコントローラに結合されている。第2のチャネルのメモリセットはコントローラに結合された第2のフラッシュメモリと、この第2のフラッシュメモリ及びコントローラに結合された第2のメモリ拡張用ソケットとを具えている。コントローラは、第1のメモリ拡張用ソケット及び第2のメモリ拡張用ソケットの各々のフラッシュメモリ挿入状態の検出に応じて第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリで実行すべき読み取り動作又はプログラミング動作を決定する。   According to the present invention, there is provided a flash memory access device comprising a controller, a first channel memory set, and a second channel memory set. The first channel memory set is coupled to the controller via the first channel and includes a first flash memory and at least a first memory expansion socket. The first flash memory is coupled to the controller, and the first memory expansion socket is coupled to the first flash memory and the controller. The second channel memory set is coupled to the controller via the second channel. The second channel memory set includes a second flash memory coupled to the controller, and a second memory expansion socket coupled to the second flash memory and the controller. The controller performs a read operation or a programming operation to be executed in the first flash memory and the second flash memory in response to detection of a flash memory insertion state of each of the first memory expansion socket and the second memory expansion socket. To decide.

本発明の一例によれば、第1のメモリ拡張用ソケットが第3のフラッシュメモリに接続され、第2のメモリ拡張用ソケットが第4のフラッシュメモリに接続された場合に、コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリで正常に実施されているかどうかに応じて、第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリをメインメモリ又はバックアップメモリとして決定するようにする。   According to an example of the present invention, when the first memory expansion socket is connected to the third flash memory and the second memory expansion socket is connected to the fourth flash memory, the controller performs a read operation. Or the first flash memory, the second flash memory, depending on whether the programming operation is normally performed in the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory. The third flash memory and the fourth flash memory are determined as the main memory or the backup memory.

本発明の一例によれば、コントローラにより、読み取り動作又はプログラミング動作が第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々で正常に実施されていることを検出した場合、このコントローラは第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようにする。或いはまた、コントローラは、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定しうる。同じチャネルのメモリセット内に構成されたフラッシュメモリは互いのバックアップメモリとしうることを銘記すべきである。   According to an example of the present invention, a read operation or a programming operation is normally performed in each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory by the controller. When this is detected, the controller determines the first flash memory and the second flash memory as main memories, and determines the third flash memory and the fourth flash memory as backup memories. Alternatively, the controller can determine the third flash memory and the fourth flash memory as the main memory, and can determine the first flash memory and the second flash memory as the backup memory. It should be noted that flash memories configured in the same channel memory set can be backup memories of each other.

本発明の一例によれば、第3のフラッシュメモリを用いて、第1のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶し、第4のフラッシュメモリを用いて、第2のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶するようにする。   According to an example of the present invention, a third flash memory is used to store a copy of the data stored in the first flash memory, and a fourth flash memory is used to store the second flash memory. Store a copy of the stored data.

本発明の一例によれば、第1のフラッシュメモリを用いて、第3のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶し、第2のフラッシュメモリを用いて、第4のフラッシュメモリ内に記憶されたデータのコピーを記憶するようにする。   According to an example of the present invention, a copy of data stored in a third flash memory is stored using a first flash memory, and a fourth flash memory is stored using a second flash memory. Store a copy of the stored data.

本発明の一例によれば、コントローラにより、読み取り動作又はプログラミング動作が第1のチャネルのメモリセットにおける第1のフラッシュメモリ及び第3のフラッシュメモリの各々で異常に実施されていることを検出した場合、このコントローラは第2のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第4のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようにする。或いはまた、コントローラは、第4のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第2のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定することができる。   According to an example of the present invention, when the controller detects that a read operation or a programming operation is abnormally performed in each of the first flash memory and the third flash memory in the memory set of the first channel The controller determines the second flash memory as the main memory and the fourth flash memory as the backup memory. Alternatively, the controller can determine the fourth flash memory as the main memory and the second flash memory as the backup memory.

本発明の一例によれば、コントローラにより、読み取り動作又はプログラミング動作が第2のチャネルのメモリセットにおける第2のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々で異常に実施されていることを検出した場合、このコントローラは第1のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第3のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようにする。或いはまた、コントローラは、第3のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第1のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定することができる。   According to an example of the present invention, when the controller detects that a read operation or a programming operation is abnormally performed in each of the second flash memory and the fourth flash memory in the memory set of the second channel The controller determines the first flash memory as the main memory and the third flash memory as the backup memory. Alternatively, the controller can determine the third flash memory as the main memory and the first flash memory as the backup memory.

本発明の一例によれば、第1のチャネルのメモリセットと、第2のチャネルのメモリセットと、コントローラとを回路板上に構成する。   According to an example of the present invention, a first channel memory set, a second channel memory set, and a controller are configured on a circuit board.

本発明の一例によれば、第1のチャネルのメモリセットと、コントローラとを回路板上に構成し、第2のチャネルのメモリセットをオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットとする。   According to an example of the present invention, the memory set of the first channel and the controller are configured on a circuit board, and the memory set of the second channel is an open NAND flash memory interface set.

本発明の一例によれば、コントローラを回路板上に構成し、第1のチャネルのメモリセット及び第2のチャネルのメモリセットの各々をオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットとする。   According to an example of the present invention, the controller is configured on a circuit board, and each of the memory set of the first channel and the memory set of the second channel is an open NAND flash memory interface set.

本発明の一例によれば、コントローラを回路板上に構成し、第1のチャネルのメモリセット及び第2のチャネルのメモリセットの各々をオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットにするとともに前記回路板上に直接構成する。   According to an example of the present invention, the controller is configured on a circuit board, and each of the first channel memory set and the second channel memory set is an open-type NAND flash memory interface set, and on the circuit board. Configure directly to.

本発明は更に、第1のチャネルのメモリセットにおける第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリに且つ第2のチャネルのメモリセットにおける第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリに読み取り動作又はプログラミング動作を実行するためのコントローラを設けるステップを有するフラッシュメモリのアクセス方法をも提供するものである。この場合、コントローラは、第1のチャネルのメモリセットにおける第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリ且つ第2のチャネルのメモリセットにおける第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々が、読み取り動作又はプログラミング動作で正常であるかどうかを決定する。コントローラは、第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリをメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する。   The invention further provides a read operation or programming to the first flash memory and the second flash memory in the first channel memory set and to the third flash memory and the fourth flash memory in the second channel memory set. There is also provided a flash memory access method comprising a step of providing a controller for performing an operation. In this case, the controller reads each of the first flash memory and the second flash memory in the first channel memory set and the third flash memory and the fourth flash memory in the second channel memory set. Determine if the operation or programming operation is normal. The controller determines whether the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory are operating normally, depending on whether each of the first flash memory, the second flash memory, and the fourth flash memory is operating normally. The memory, the third flash memory, and the fourth flash memory are determined as the main memory or the backup memory.

上述したところによれば、本発明のフラッシュメモリセットの各々にフラッシュメモリをバックアップメモリとして設けた。従って、メインフラッシュメモリに記憶されたデータをバックアップメモリ内にコピーすることができる。更に、フラッシュメモリがあまりにも多数回の消去動作及びプログラミング動作が原因で損傷された際に、このフラッシュメモリ内のデータを有効に復元しうる。更に、本発明では、読み取り動作又はプログラミング動作が正常に実施されているかどうかを決定することにより、デュアルチャネルメモリセットにおけるフラッシュメモリを、データを記憶するメインメモリ及びこれらのメインメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するバックアップメモリとなるように決定しうる。従って、損傷されないメモリを有効に用いてその効率を最大にしうる。   As described above, a flash memory is provided as a backup memory in each of the flash memory sets of the present invention. Therefore, the data stored in the main flash memory can be copied into the backup memory. Further, when the flash memory is damaged due to too many erase and programming operations, the data in the flash memory can be effectively restored. Furthermore, in the present invention, by determining whether a read operation or a programming operation is normally performed, the flash memory in the dual channel memory set is stored in the main memory for storing data and in these main memories. It can be determined to be a backup memory that stores a copy of the data. Thus, an undamaged memory can be used effectively to maximize its efficiency.

本発明の上述した及びその他の特徴や利点をより一層理解しうるようにするために、添付図面を用いた実施例を以下に詳細に説明する。   In order to make the aforementioned and other features and advantages of the present invention more comprehensible, embodiments accompanied with figures are described in detail below.

添付図面は、本発明を更に理解させるためのものであり、この明細書の一部を成すものである。本発明の実施例を示す図面は、明細書の説明と相俟って本発明の原理を説明する役割を成すものである。   The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the invention, and are a part of this specification. The drawings showing the embodiments of the present invention, together with the description of the specification, serve to explain the principle of the present invention.

図1は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置100を示すブロック線図である。FIG. 1 is a block diagram showing a flash memory access device 100 according to an embodiment of the present invention. 図2は、フラッシュメモリのアクセス装置100のフラッシュメモリ設計方法を示す線図である。FIG. 2 is a diagram showing a flash memory design method of the flash memory access device 100. 図3は、本発明の他の実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置300を示すブロック線図である。FIG. 3 is a block diagram showing a flash memory access device 300 according to another embodiment of the present invention. 図4は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス方法を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a flash memory access method according to an embodiment of the present invention.

図1は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置100を示すブロック線図である。この図1に示すように、フラッシュメモリのアクセス装置100は、コントローラ110と、第1のチャネルのメモリセット120と、第2のチャネルのメモリセット130とを有する。更に、コントローラ110は、第1のチャネル150を経て第1のチャネルのメモリセット120に結合されているとともに、第2のチャネル160を経て第2のチャネルのメモリセット130に結合されている。第1のチャネルのメモリセット120はフラッシュメモリ121と、メモリ拡張用ソケット122とを有し、第2のチャネルのメモリセット130はフラッシュメモリ131と、メモリ拡張用ソケット132とを有している。フラッシュメモリ121と、メモリ拡張用ソケット122とは互いに結合されているとともに、コントローラ110に結合されており、フラッシュメモリ131と、メモリ拡張用ソケット132とは互いに結合されているとともに、コントローラ110に結合されている。   FIG. 1 is a block diagram showing a flash memory access device 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the flash memory access device 100 includes a controller 110, a first channel memory set 120, and a second channel memory set 130. In addition, the controller 110 is coupled to the first channel memory set 120 via the first channel 150 and is coupled to the second channel memory set 130 via the second channel 160. The first channel memory set 120 includes a flash memory 121 and a memory expansion socket 122, and the second channel memory set 130 includes a flash memory 131 and a memory expansion socket 132. The flash memory 121 and the memory expansion socket 122 are coupled to each other and coupled to the controller 110. The flash memory 131 and the memory expansion socket 132 are coupled to each other and coupled to the controller 110. Has been.

メモリ拡張用ソケット122及び132内にメモリが挿入されていない場合には、コントローラ110がメモリ拡張用ソケット122及び132のフラッシュメモリ非挿入状態を検出することによるデュアルチャネル方法で、このコントローラが第1のチャネル150及び第2のチャネル160をそれぞれ経てフラッシュメモリ121及び131をアクセスする。   When no memory is inserted into the memory expansion sockets 122 and 132, the controller 110 detects the flash memory non-insertion state of the memory expansion sockets 122 and 132 by a dual channel method. The flash memories 121 and 131 are accessed through the second channel 150 and the second channel 160, respectively.

或いはまた、図1に示すように、メモリ拡張用ソケット122及び132がそれぞれフラッシュメモリ123及び133に接続されている場合には、フラッシュメモリのアクセス装置100の実際の動作中にコントローラ110により検出されるメモリ拡張用ソケット122及び132のフラッシュメモリの挿入状態に応じて、このコントローラ110が第1のチャネルのメモリセット120及び第2のチャネルのメモリセット130のそれぞれにおけるフラッシュメモリ121、123及び131、133に関する検査を実行する。この検査の主な目的は、フラッシュメモリ121、123、131及び133が損傷されているかどうかを決定することにある。換言すれば、コントローラ110はフラッシュメモリ121、123、131及び133に関する読み取り動作及びプログラミング動作を実行するものであり、このコントローラが例えば、フラッシュメモリ121に関して読み取り動作又はプログラミング動作を正常に実行しうる場合には、このフラッシュメモリ121は損傷されていないということが決定されている。コントローラが、フラッシュメモリ121に関して読み取り動作又はプログラミング動作を正常に実行しえない場合には、このフラッシュメモリ121は損傷されているということが決定される。   Alternatively, as shown in FIG. 1, when the memory expansion sockets 122 and 132 are connected to the flash memories 123 and 133, respectively, they are detected by the controller 110 during the actual operation of the flash memory access device 100. The flash memory 121, 123, and 131 in the first channel memory set 120 and the second channel memory set 130, respectively, according to the inserted state of the flash memory in the memory expansion sockets 122 and 132. A test for 133 is performed. The main purpose of this inspection is to determine whether the flash memories 121, 123, 131 and 133 are damaged. In other words, the controller 110 performs a reading operation and a programming operation regarding the flash memories 121, 123, 131 and 133, and the controller 110 can normally execute the reading operation or the programming operation regarding the flash memory 121, for example. In this case, it is determined that the flash memory 121 is not damaged. If the controller cannot successfully perform a read or programming operation on the flash memory 121, it is determined that the flash memory 121 is damaged.

その後、コントローラ110は、読み取り動作又はプログラミング動作をフラッシュメモリ121、123、131及び133に関して正常に実行しうるかどうかに応じてフラッシュメモリの各々をメインメモリか又はバックアップメモリとして決定する。メインメモリはデータを記憶するのに用いられ、バックアップメモリは、メインメモリに記憶されたデータのコピーを記憶するのに用いられる。   Thereafter, the controller 110 determines each of the flash memories as a main memory or a backup memory depending on whether a read operation or a programming operation can be normally executed with respect to the flash memories 121, 123, 131, and 133. The main memory is used to store data, and the backup memory is used to store a copy of the data stored in the main memory.

コントローラ110は、フラッシュメモリ121、123、131及び133の読み取り動作又はプログラミング動作が正常であるかどうかを決定するための決定処理を周期的に実行することを銘記すべきである。フラッシュメモリはあまりにも多数回の消去動作及びプログラミング動作が原因で損傷されるおそれがある為、コントローラ110は、フラッシュメモリのアクセス装置100におけるフラッシュメモリ121、123、131及び133が損傷されているかどうかを知るとともに、どのフラッシュメモリをメインメモリとし、どのフラッシュメモリをバックアップメモリとするかを動的に調整する必要がある。   It should be noted that the controller 110 periodically executes a determination process for determining whether the reading operation or the programming operation of the flash memories 121, 123, 131, and 133 is normal. Since the flash memory may be damaged due to too many erase and programming operations, the controller 110 determines whether the flash memories 121, 123, 131, and 133 in the flash memory access device 100 are damaged. It is necessary to dynamically adjust which flash memory is the main memory and which flash memory is the backup memory.

以下の説明では、読み取り動作又はプログラミング動作がフラッシュメモリ121、123、131及び133に関し正常に実行しうるかどうかをコントローラ110により決定することに応じた、これらフラッシュメモリ121、123、131及び133の設計方法を実行する本発明の実施例のコントローラ110を詳述し、当業者が本発明の実施例の詳細を更に理解しうるようにするものである。   In the following description, the design of these flash memories 121, 123, 131, and 133 in response to determining by the controller 110 whether a read or programming operation can be successfully performed on the flash memories 121, 123, 131, and 133. The controller 110 of an embodiment of the present invention that implements the method is described in detail to enable those skilled in the art to further understand the details of the embodiment of the present invention.

図1及び図2に示すように、図2は、読み取り動作又はプログラミング動作をフラッシュメモリ121、123、131及び133に関し正常に実施しうることをコントローラが検出した場合の4つの可能な割り当て方法を示す。コントローラ110は、フラッシュメモリ121とフラッシュメモリ131とを、メインメモリとして決定しうる。更に、フラッシュメモリ123とフラッシュメモリ133とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ123は、フラッシュメモリ121内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ133は、フラッシュメモリ131内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。コントローラ110は、(破線220で示すように)フラッシュメモリ123とフラッシュメモリ133とを、メインメモリとして決定することもできる。更に、フラッシュメモリ121とフラッシュメモリ131とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ121は、フラッシュメモリ123内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ131は、フラッシュメモリ133内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。   As shown in FIGS. 1 and 2, FIG. 2 illustrates four possible allocation methods when the controller detects that a read or programming operation can be successfully performed on the flash memories 121, 123, 131, and 133. Show. The controller 110 can determine the flash memory 121 and the flash memory 131 as main memories. Further, the flash memory 123 and the flash memory 133 are determined as backup memories. The flash memory 123 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 121. Similarly, the flash memory 133 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 131. The controller 110 can also determine the flash memory 123 and the flash memory 133 as main memory (as indicated by the dashed line 220). Further, the flash memory 121 and the flash memory 131 are determined as backup memories. The flash memory 121 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 123. Similarly, the flash memory 131 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 133.

更に、コントローラ110は、(破線230で示すように)フラッシュメモリ121とフラッシュメモリ133とを、メインメモリとして決定することもできる。更に、フラッシュメモリ123とフラッシュメモリ131とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ123は、フラッシュメモリ121内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ131は、フラッシュメモリ133内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。或いはまた、コントローラ110は、(破線240で示すように)フラッシュメモリ123とフラッシュメモリ131とを、メインメモリとして決定することもできる。更に、フラッシュメモリ121とフラッシュメモリ133とは、バックアップメモリとして決定される。フラッシュメモリ121は、フラッシュメモリ123内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。同様に、フラッシュメモリ133は、フラッシュメモリ131内に記憶されたデータのコピーを記憶するために用いうる。   Furthermore, the controller 110 can determine the flash memory 121 and the flash memory 133 as main memories (as indicated by the broken line 230). Further, the flash memory 123 and the flash memory 131 are determined as backup memories. The flash memory 123 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 121. Similarly, the flash memory 131 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 133. Alternatively, the controller 110 can determine the flash memory 123 and the flash memory 131 as the main memory (as indicated by the dashed line 240). Further, the flash memory 121 and the flash memory 133 are determined as backup memories. The flash memory 121 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 123. Similarly, the flash memory 133 can be used to store a copy of the data stored in the flash memory 131.

容易に理解しうるように、フラッシュメモリ121、123、131及び133が損傷されていない場合には、コントローラ110は第1のチャネルのメモリセット120における何れかのフラッシュメモリをメインメモリとなるように決定するとともに、第1のチャネルのメモリセット120における他のフラッシュメモリをバックアップメモリとなるように決定することができる。一方、コントローラは、第2のチャネルのメモリセット130における何れかのフラッシュメモリをメインメモリとなるように決定するとともに、第2のチャネルのメモリセット130における他のフラッシュメモリをバックアップメモリとなるように決定することができる。従って、フラッシュメモリのアクセス装置100は、記憶すべきデータを分割し、次にこの分割されたデータを第1のチャネルのメモリセット120及び第2のチャネルのメモリセット130におけるメインメモリ内にそれぞれ同時に記憶しうるように、デュアルチャネルアクセス方法を保つことができる。   As can be easily understood, if the flash memories 121, 123, 131, and 133 are not damaged, the controller 110 causes any flash memory in the memory set 120 of the first channel to become the main memory. In addition to the determination, another flash memory in the memory set 120 of the first channel can be determined to be a backup memory. On the other hand, the controller determines any flash memory in the memory set 130 of the second channel to be the main memory, and makes another flash memory in the memory set 130 of the second channel be the backup memory. Can be determined. Accordingly, the flash memory access device 100 divides the data to be stored, and then simultaneously divides the divided data into the main memory in the memory set 120 of the first channel and the memory set 130 of the second channel, respectively. The dual channel access method can be kept so that it can be stored.

メインメモリ中のデータをバックアップメモリ中にバックアップする方法では、コントローラ110がメインメモリ内のデータをバックアップメモリ内に周期的に複写しうることを銘記すべきである。すなわち、カウンタ(図示せず)により時間を計算し、計算時間が予め決定したサイクル時間に等しくなると、コントローラ110はメインメモリ内のデータをバックアップメモリに複写するバックアップ処理を実行するようにする。従って、メインメモリ内のデータが周期的にバックアップされて、データの安全性を維持しうるようになる。   It should be noted that in the method of backing up the data in the main memory into the backup memory, the controller 110 can periodically copy the data in the main memory into the backup memory. That is, the time is calculated by a counter (not shown), and when the calculation time becomes equal to a predetermined cycle time, the controller 110 executes a backup process for copying the data in the main memory to the backup memory. Therefore, the data in the main memory is periodically backed up, and the data safety can be maintained.

上述したデータのバックアップ方法は、一例にすぎず、データをバックアップするために上述したデータのバックアップ方法のみを用いるものとして本発明を制限するのに用いるものではない。当業者にとって周知のデータバックアップ方法をも本発明の実施例に適用することができる。   The data backup method described above is merely an example, and is not used to limit the present invention as using only the data backup method described above to back up data. Data backup methods well known to those skilled in the art can also be applied to the embodiments of the present invention.

或いはまた、コントローラ110は、読み取り動作又はプログラミング動作がフラッシュメモリ121、123、131及び133に関し正常に実行されているかどうかを実時間で検出し、フラッシュメモリ121、123、131及び133の状態を実時間で制御しうる為、コントローラ110は例えば、メインメモリとしてのフラッシュメモリ121が損傷された場合に、フラッシュメモリ121のバックアップメモリとして用いているフラッシュメモリ123をメインメモリとなるように再決定することができ、従って、フラッシュメモリのアクセス装置100は依然として正常に動作しうるようになる。   Alternatively, the controller 110 detects in real time whether a read operation or a programming operation is normally executed with respect to the flash memories 121, 123, 131, and 133, and executes the status of the flash memories 121, 123, 131, and 133. Since the time can be controlled, for example, when the flash memory 121 as the main memory is damaged, the controller 110 re-determines the flash memory 123 used as the backup memory of the flash memory 121 to become the main memory. Therefore, the flash memory access device 100 can still operate normally.

図1に示すように、読み取り動作又はプログラミング動作が第1のチャネルのメモリセット120におけるフラッシュメモリ121及び123で異常に実施されていることをコントローラ110が検出すると、このコントローラ110は、第2のチャネルのメモリセット130におけるフラッシュメモリ131及び133のうちの一方のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第2のチャネルのメモリセット130におけるフラッシュメモリ131及び133のうちの他方のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定する。同様に、読み取り動作又はプログラミング動作が第2のチャネルのメモリセット130におけるフラッシュメモリ131及び133で異常に実施されていることをコントローラ110が検出すると、このコントローラ110は、第1のチャネルのメモリセット120におけるフラッシュメモリ121及び123のうちの一方のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、第1のチャネルのメモリセット120におけるフラッシュメモリ121及び123のうちの他方のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定する。   As shown in FIG. 1, when the controller 110 detects that a read or programming operation is being performed abnormally in the flash memories 121 and 123 in the memory set 120 of the first channel, the controller 110 One of the flash memories 131 and 133 in the channel memory set 130 is determined as the main memory, and the other flash memory of the flash memories 131 and 133 in the second channel memory set 130 is the backup memory. Determine as. Similarly, if the controller 110 detects that a read or programming operation is being performed abnormally in the flash memories 131 and 133 in the second channel memory set 130, the controller 110 may detect the first channel memory set. One of the flash memories 121 and 123 in 120 is determined as the main memory, and the other flash memory in the flash memory 121 and 123 in the first channel memory set 120 is determined as the backup memory.

図3は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス装置300を示すブロック線図である。この図3に示すように、フラッシュメモリのアクセス装置300は、コントローラ310と、第1のチャネルのメモリセット320と、第2のチャネルのメモリセット330とを有する。第1のチャネルのメモリセット320はフラッシュメモリ321と、メモリ拡張用ソケット322とを有し、第2のチャネルのメモリセット330はフラッシュメモリ331を有している。前述したフラッシュメモリのアクセス装置100と本例のフラッシュメモリのアクセス装置300との相違は、フラッシュメモリのアクセス装置300の第2のチャネルのメモリセット330が更に、数個のメモリ拡張用ソケット3322及び333を有していることである。メモリ拡張用ソケット333に接続されているフラッシュメモリはバックアップメモリとして用いることができる。更に、第1のチャネルのメモリセット320にも数個のメモリ拡張用ソケットを設けることができる。   FIG. 3 is a block diagram showing a flash memory access device 300 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the flash memory access device 300 includes a controller 310, a first channel memory set 320, and a second channel memory set 330. The first channel memory set 320 has a flash memory 321 and a memory expansion socket 322, and the second channel memory set 330 has a flash memory 331. The difference between the flash memory access device 100 and the flash memory access device 300 of the present example is that the memory set 330 of the second channel of the flash memory access device 300 further includes several memory expansion sockets 3322 and 333. The flash memory connected to the memory expansion socket 333 can be used as a backup memory. Furthermore, several memory expansion sockets can be provided in the memory set 320 of the first channel.

本例におけるコントローラ310、第1のチャネルのメモリセット320及び第2のチャネルのメモリセット330は、マザーボードのような回路板上に構成しうる。或いはまた、コントローラ310を回路板上に構成し、第1のチャネルのメモリセット320をこのコントローラ310と同じ回路板上に構成し、第2のチャネルのメモリセット330をオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットとする。更に、コントローラ310を回路板上に構成し、第1のチャネルのメモリセット320及び第2のチャネルのメモリセット330の各々をオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットとし、これらの第1のチャネルのメモリセット320及び第2のチャネルのメモリセット330はコントローラを構成したのと同じ回路板上に構成しうるも、必ずしもこのようにする必要はない。   The controller 310, the first channel memory set 320, and the second channel memory set 330 in this example may be configured on a circuit board such as a motherboard. Alternatively, the controller 310 is configured on a circuit board, the first channel memory set 320 is configured on the same circuit board as the controller 310, and the second channel memory set 330 is configured as an open NAND flash memory interface. Set. Further, the controller 310 is configured on a circuit board, and each of the first channel memory set 320 and the second channel memory set 330 is an open-type NAND flash memory interface set, and these first channel memories are configured. The set 320 and the second channel memory set 330 may be configured on the same circuit board from which the controller is configured, but this is not necessarily so.

図4は、本発明の一実施例によるフラッシュメモリのアクセス方法を示す線図である。この図4に示すように、第1のチャネルのメモリセットの第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリと、第2のチャネルのメモリセットの第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリとに関する読み取り動作又はプログラミング動作を実施するために、コントローラを設ける(ステップS410)。次に、第1のチャネルのメモリセット及び第2のチャネルのメモリセットのそれぞれにおける第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ及び第3のフラッシュメモリ、第4のフラッシュメモリの各々が読み取り動作又はプログラミング動作で正常であるかどうかを、コントローラが決定する(ステップS420)。又、第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、コントローラがこれら第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する(ステップS430)。   FIG. 4 is a diagram showing a flash memory access method according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the first flash memory and the second flash memory of the memory set of the first channel, and the third flash memory and the fourth flash memory of the memory set of the second channel. In order to perform the reading operation or the programming operation, a controller is provided (step S410). Next, each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory in each of the first channel memory set and the second channel memory set performs a read operation or The controller determines whether or not the programming operation is normal (step S420). Further, depending on whether or not each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory is operating normally, the controller controls the first flash memory, the second flash memory, and the second flash memory. Each of the flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory is determined as a main memory or a backup memory (step S430).

更に、フラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、コントローラがこれらフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する方法は、フラッシュメモリのアクセス装置100及び300に関し前述した2つの実施例で詳細に説明しており、ここではこの方法を更に説明しない。   Further, depending on whether or not each of the flash memories is operating normally, the method by which the controller determines each of these flash memories as a main memory or a backup memory is the same as that described above with respect to the flash memory access devices 100 and 300. Examples are described in detail, and this method is not further described here.

上述したように、本発明は、デュアルチャネルメモリセットのフラッシュメモリアクセス装置及びアクセス方法を提供する。第1のチャネルのメモリセット及び第2のチャネルのメモリセットにおけるフラッシュメモリの各々が損傷されているかどうかに応じて、フラッシュメモリのアクセス装置のコントローラがこれらフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する。従って、メインメモリ内に記憶されたデータを失うことなしにバックアップメモリ内にバックアップしうる。更に、メインメモリが損傷されると、コントローラは、バックアップメモリをメインメモリとなるように動的に切り換えて、フラッシュメモリのアクセス装置の正常な動作を維持するようにしうる。   As described above, the present invention provides a flash memory access apparatus and access method for a dual channel memory set. Depending on whether each of the flash memory in the first channel memory set and the second channel memory set is damaged, the controller of the flash memory access device may designate each of these flash memories as main memory or backup memory. decide. Therefore, backup can be performed in the backup memory without losing data stored in the main memory. In addition, if the main memory is damaged, the controller may dynamically switch the backup memory to become the main memory to maintain normal operation of the flash memory access device.

本発明を上述した実施例につき説明したが、当業者にとって明らかなように、本発明の精神を逸脱することなく、これらの実施例に対し変更を施すことができる。従って、本発明の範囲は上述した実施例に限定されず、特許請求の範囲により規定されるものである。   While the invention has been described with reference to the embodiments described above, it will be apparent to those skilled in the art that changes may be made to these embodiments without departing from the spirit of the invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but is defined by the claims.

100、300 フラッシュメモリのアクセス装置
110、310 コントローラ
120、320、330 メモリセット
121、123、131、133、321、331 フラッシュメモリ
122、132、322、332、333 メモリ拡張用ソケット
150 第1のチャネル
160 第2のチャネル
100, 300 Flash memory access device 110, 310 Controller 120, 320, 330 Memory set 121, 123, 131, 133, 321, 331 Flash memory 122, 132, 322, 332, 333 Memory expansion socket 150 First channel 160 Second channel

Claims (19)

コントローラと、
第1のチャネルを経てこのコントローラに結合された第1のチャネルのメモリセットであって、この第1のチャネルのメモリセットが、前記コントローラに結合された第1のフラッシュメモリと、この第1のフラッシュメモリ及び前記コントローラに結合された少なくとも第1のフラッシュメモリ拡張用ソケットとを有する当該第1のチャネルのメモリセットと、
第2のチャネルを経て前記コントローラに結合された第2のチャネルのメモリセットであって、この第2のチャネルのメモリセットが、前記コントローラに結合された第2のフラッシュメモリと、この第2のフラッシュメモリ及び前記コントローラに結合された少なくとも第2のフラッシュメモリ拡張用ソケットとを有する当該第2のチャネルのメモリセットと
を具えるフラッシュメモリのアクセス装置において、
前記コントローラが、前記第1のフラッシュメモリ拡張用ソケット及び前記第2のフラッシュメモリ拡張用ソケットの各々のフラッシュメモリ挿入状態の検出に応じて、前記第1のフラッシュメモリ及び前記第2のフラッシュメモリで実行すべき読み取り動作又はプログラミング動作を決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。
A controller,
A first channel memory set coupled to the controller via a first channel, the first channel memory set coupled to the first flash memory coupled to the controller; A memory set of the first channel having a flash memory and at least a first flash memory expansion socket coupled to the controller;
A second channel memory set coupled to the controller via a second channel, the second channel memory set comprising: a second flash memory coupled to the controller; A flash memory access device comprising: a flash memory and a memory set of the second channel having at least a second flash memory expansion socket coupled to the controller;
In response to detection of the flash memory insertion state of each of the first flash memory expansion socket and the second flash memory expansion socket, the controller causes the first flash memory and the second flash memory to A flash memory access device adapted to determine a read or programming operation to be performed.
請求項1に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第1のフラッシュメモリ拡張用ソケットが第3のフラッシュメモリに接続され、前記第2のフラッシュメモリ拡張用ソケットが第4のフラッシュメモリに接続されている場合に、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリで正常に実施されているかどうかに応じて、第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリをメインメモリ又はバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。   2. The flash memory access device according to claim 1, wherein the first flash memory expansion socket is connected to a third flash memory, and the second flash memory expansion socket is connected to a fourth flash memory. The controller determines whether the read operation or the programming operation is normally performed in the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory, A flash memory access device configured to determine a first flash memory, a second flash memory, a third flash memory, and a fourth flash memory as a main memory or a backup memory. 請求項2に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは更に、読み取り動作又はプログラミング動作がメインメモリに関して異常に実施されているということが検出された場合に、バックアップメモリをメインメモリとなるように切り換えるようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。   3. The flash memory access device according to claim 2, wherein the controller further sets the backup memory as the main memory when it is detected that the reading operation or the programming operation is abnormally performed with respect to the main memory. Flash memory access device that is designed to switch to 請求項2に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々に関して正常に実施されている場合に、第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリをメインメモリとして決定し、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。   3. The flash memory access device according to claim 2, wherein the controller has a normal read operation or programming operation for each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory. The first flash memory and the second flash memory are determined as the main memory, and the third flash memory and the fourth flash memory are determined as the backup memory. Access device. 請求項4に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第3のフラッシュメモリは、前記第1のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用いられ、前記第2のフラッシュメモリは、前記第4のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用いられるようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。   5. The flash memory access device according to claim 4, wherein the third flash memory is used to store a copy of data stored in the first flash memory, and the second flash memory is A flash memory access device adapted to be used for storing a copy of data stored in the fourth flash memory. 請求項2に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が前記第1のチャネルのメモリセットにおける前記第1のフラッシュメモリ及び前記第3のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていると決定された場合に、前記第2のフラッシュメモリをメインメモリとして決定し、前記第4のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。   3. The flash memory access device according to claim 2, wherein the controller causes a read operation or a programming operation to be abnormal for each of the first flash memory and the third flash memory in the memory set of the first channel. An access device for a flash memory configured to determine the second flash memory as a main memory and the fourth flash memory as a backup memory when it is determined that the second flash memory is being implemented. 請求項2に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラは、読み取り動作又はプログラミング動作が前記第2のチャネルのメモリセットにおける前記第2のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていると決定された場合に、前記第1のフラッシュメモリをメインメモリとして決定し、前記第3のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するようになっているフラッシュメモリのアクセス装置。   3. The flash memory access device according to claim 2, wherein the controller causes a read operation or a programming operation to be abnormal for each of the second flash memory and the fourth flash memory in the memory set of the second channel. An access device for a flash memory configured to determine the first flash memory as a main memory and the third flash memory as a backup memory when it is determined to be implemented. 請求項1に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第1のチャネルのメモリセットと、前記第2のチャネルのメモリセットと、前記コントローラとが回路板上に構成されているフラッシュメモリのアクセス装置。   2. The flash memory access device according to claim 1, wherein the first channel memory set, the second channel memory set, and the controller are configured on a circuit board. . 請求項1に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記第1のチャネルのメモリセットと、前記コントローラとが回路板上に構成されており、前記第2のチャネルのメモリセットがオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットであるフラッシュメモリのアクセス装置。   2. The flash memory access device according to claim 1, wherein the memory set of the first channel and the controller are configured on a circuit board, and the memory set of the second channel is an open type NAND flash. A flash memory access device which is a memory interface set. 請求項1に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラが回路板上に構成されており、前記第1のチャネルのメモリセットと、前記第2のチャネルのメモリセットとの各々がオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットであるフラッシュメモリのアクセス装置。   The flash memory access device according to claim 1, wherein the controller is configured on a circuit board, and each of the memory set of the first channel and the memory set of the second channel is an open type. A flash memory access device which is a NAND flash memory interface set. 請求項1に記載のフラッシュメモリのアクセス装置において、前記コントローラが回路板上に構成されており、前記第1のチャネルのメモリセットと、前記第2のチャネルのメモリセットとの各々がオープン式のNANDフラッシュメモリインターフェースセットであるとともに前記回路板上に直接構成されているフラッシュメモリのアクセス装置。   The flash memory access device according to claim 1, wherein the controller is configured on a circuit board, and each of the memory set of the first channel and the memory set of the second channel is an open type. A flash memory access device which is a NAND flash memory interface set and is configured directly on the circuit board. 第1のチャネルのメモリセットの第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリと、第2のチャネルのメモリセットの第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリとに関する読み取り動作又はプログラミング動作を実施するために、コントローラを設けるステップと、
前記第1のチャネルのメモリセット及び前記第2のチャネルのメモリセットのそれぞれにおける前記第1のフラッシュメモリ、前記第2のフラッシュメモリ及び前記第3のフラッシュメモリ、前記第4のフラッシュメモリの各々が読み取り動作又はプログラミング動作で正常であるかどうかを、前記コントローラが決定するステップと、
前記第1のフラッシュメモリ、前記第2のフラッシュメモリ、前記第3のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定するステップと
を具えるフラッシュメモリのアクセス方法。
A read operation or a programming operation is performed on the first flash memory and the second flash memory of the first channel memory set and the third flash memory and the fourth flash memory of the second channel memory set. For providing a controller,
Each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory in each of the first channel memory set and the second channel memory set includes: The controller determining whether it is normal in a read or programming operation;
Depending on whether or not each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory is operating normally, the controller controls the first flash memory. And determining each of the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory as a main memory or a backup memory.
請求項12に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、この方法は更に、
前記コントローラが、読み取り動作又はプログラミング動作がメインメモリに関して異常に実施されているということを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラがバックアップメモリをメインメモリとなるように切り換えるステップ
を具えているフラッシュメモリのアクセス方法。
The method of accessing a flash memory of claim 12, further comprising:
A flash memory comprising a step of switching the backup memory to become the main memory when the controller detects that the controller is abnormally performing a read operation or a programming operation on the main memory; Access method.
請求項12に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第1のフラッシュメモリ、前記第2のフラッシュメモリ、前記第3のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する前記ステップが、
読み取り動作又はプログラミング動作が前記第1のフラッシュメモリ、前記第2のフラッシュメモリ、前記第3のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリの各々に関して正常に実施されていることを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラは、前記第1のフラッシュメモリ及び前記第3のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、前記第2のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するステップ
を有しているフラッシュメモリのアクセス方法。
13. The flash memory access method according to claim 12, wherein each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory is operating normally. And the controller determines each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory as a main memory or a backup memory,
When the controller detects that a read operation or a programming operation is normally performed for each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory. In addition, the controller includes determining the first flash memory and the third flash memory as main memories, and determining the second flash memory and the fourth flash memory as backup memories. Flash memory access method.
請求項12に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第2のフラッシュメモリは、前記第1のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用い、前記第4のフラッシュメモリは、前記第3のフラッシュメモリ内に記憶されるデータのコピーを記憶するのに用いるフラッシュメモリのアクセス方法。   13. The flash memory access method according to claim 12, wherein the second flash memory is used to store a copy of data stored in the first flash memory, and the fourth flash memory includes: A flash memory access method used for storing a copy of data stored in the third flash memory. 請求項12に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第1のフラッシュメモリ、前記第2のフラッシュメモリ、前記第3のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する前記ステップが、
読み取り動作又はプログラミング動作が前記第1のチャネルのメモリセットにおける前記第1のフラッシュメモリ及び前記第2のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていることを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラは、前記第3のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、前記第4のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するステップ
を有しているフラッシュメモリのアクセス方法。
13. The flash memory access method according to claim 12, wherein each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory is operating normally. And the controller determines each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory as a main memory or a backup memory,
When the controller detects that a read or programming operation is abnormally performed for each of the first flash memory and the second flash memory in the first channel memory set, the controller A method for accessing a flash memory, comprising: determining the third flash memory as a main memory and determining the fourth flash memory as a backup memory.
請求項12に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、前記第1のフラッシュメモリ、前記第2のフラッシュメモリ、前記第3のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリの各々が正常に動作しているかどうかに応じて、前記コントローラがこれら第1のフラッシュメモリ、第2のフラッシュメモリ、第3のフラッシュメモリ及び第4のフラッシュメモリの各々をメインメモリ又はバックアップメモリとして決定する前記ステップが、
読み取り動作又はプログラミング動作が前記第2のチャネルのメモリセットにおける前記第3のフラッシュメモリ及び前記第4のフラッシュメモリの各々に関して異常に実施されていることを前記コントローラが検出した場合に、このコントローラは、前記第1のフラッシュメモリをメインメモリとして決定するとともに、前記第2のフラッシュメモリをバックアップメモリとして決定するステップ
を有しているフラッシュメモリのアクセス方法。
13. The flash memory access method according to claim 12, wherein each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory is operating normally. And the controller determines each of the first flash memory, the second flash memory, the third flash memory, and the fourth flash memory as a main memory or a backup memory,
When the controller detects that a read or programming operation is being performed abnormally for each of the third flash memory and the fourth flash memory in the second channel memory set, the controller A method for accessing a flash memory, comprising: determining the first flash memory as a main memory and determining the second flash memory as a backup memory.
請求項12に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、この方法が更に、
少なくとも1つの拡張用メモリを前記第1のチャネルのメモリセットにおけるバックアップメモリとなるように設けるステップ
を具えているフラッシュメモリのアクセス方法。
The method of accessing a flash memory of claim 12, further comprising:
A method of accessing a flash memory comprising the step of providing at least one expansion memory to be a backup memory in the memory set of the first channel.
請求項12に記載のフラッシュメモリのアクセス方法において、この方法が更に、
少なくとも1つの拡張用メモリを前記第2のチャネルのメモリセットにおけるバックアップメモリとなるように設けるステップ
を具えているフラッシュメモリのアクセス方法。
The method of accessing a flash memory of claim 12, further comprising:
A flash memory access method comprising: providing at least one expansion memory to be a backup memory in the memory set of the second channel.
JP2009234635A 2009-10-08 2009-10-08 Access device and access method for flash memory Pending JP2011081681A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009234635A JP2011081681A (en) 2009-10-08 2009-10-08 Access device and access method for flash memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009234635A JP2011081681A (en) 2009-10-08 2009-10-08 Access device and access method for flash memory

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011081681A true JP2011081681A (en) 2011-04-21

Family

ID=44075656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009234635A Pending JP2011081681A (en) 2009-10-08 2009-10-08 Access device and access method for flash memory

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011081681A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070443B2 (en) 2012-02-10 2015-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Embedded solid state disk as a controller of a solid state disk

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58221460A (en) * 1982-06-17 1983-12-23 Mitsubishi Electric Corp Device for controlling magnetic disc
JPH05341918A (en) * 1992-05-12 1993-12-24 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Connector for constituting duplex disk storage device system
JP2001134487A (en) * 1999-11-09 2001-05-18 Nec Corp Disk array device
JP2008123481A (en) * 2006-11-14 2008-05-29 Innodisk Corp Mini flash disk which ensures data security

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58221460A (en) * 1982-06-17 1983-12-23 Mitsubishi Electric Corp Device for controlling magnetic disc
JPH05341918A (en) * 1992-05-12 1993-12-24 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Connector for constituting duplex disk storage device system
JP2001134487A (en) * 1999-11-09 2001-05-18 Nec Corp Disk array device
JP2008123481A (en) * 2006-11-14 2008-05-29 Innodisk Corp Mini flash disk which ensures data security

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070443B2 (en) 2012-02-10 2015-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Embedded solid state disk as a controller of a solid state disk

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110087824A1 (en) Flash memory accessing apparatus and method thereof
JP6071930B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US20120246384A1 (en) Flash memory and flash memory accessing method
WO2016180093A1 (en) Read/write control circuit and method for flash chip, and amoled application circuit
TW201626398A (en) System and method for testing and identifying memory devices
US20120221903A1 (en) Testing method, non-transitory, computer readable storage medium and testing apparatus
US9659661B2 (en) EEPROM backup method and device
US20150355854A1 (en) Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof
US10008288B2 (en) Power loss test device and method for nonvolatile memory device
JP2019160270A (en) Method, device, server, and program for checking defective function
JP2011081681A (en) Access device and access method for flash memory
JP2022549334A (en) Selecting the error correction code type for memory devices
CN111367710B (en) eMMC problem reduction method and device
TWI502350B (en) Flash memory accessing apparatus and method thereof
JP2007293802A (en) Disk array apparatus, and control method and control program for disk array apparatus
CN106021089B (en) A kind of test method and device of patch interface
TWI417888B (en) An embedded chip system, a method for burning a wafer, and a computer program product
EP2317518B1 (en) Flash memory accessing apparatus and method thereof
JPWO2016136014A1 (en) Surveillance recorder
JP2007148536A (en) Ram-diagnosing device and method
KR100311757B1 (en) Memory block replacement system and replacement method for a semiconductor memory
JP2006285913A (en) Memory check device and image forming device
KR101566487B1 (en) Apparatus for performing a power loss test for a non-volatile memory device and method of performing a power loss test for a non-volatile memory device
CN103455454A (en) Method and device for controlling startup of memory
CN109002328B (en) Starting method and device of storage equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120501

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120710