JP2011081641A - Memory controller - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory controller capable of resolving shortening of a memory life and a delay of a storing operation. <P>SOLUTION: The memory controller includes a nonvolatile memory wherein a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided for every predetermined capacity belong are formed respectively, a control unit for recording and reproducing data in units of logical pages for each of the logical pages in the nonvolatile memory, and a volatile memory for temporarily storing the data in the nonvolatile memory. The control unit includes a deferred update unit for reading the data stored in the logical page onto the volatile memory to update data in the table belonging to the logical page on the volatile memory at the time of updating data stored in the logical page, and writing the logical page on the volatile memory to which the updated table belongs onto the nonvolatile memory with an elapse of a predetermined time after one of the tables belonging to the logical page is initially updated. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、メモリ制御装置にかかり、特に、所定の記憶容量単位でメモリに対するデータの書き込みを実行するメモリ制御装置に関する。   The present invention relates to a memory control device, and more particularly to a memory control device that executes data writing to a memory in a predetermined storage capacity unit.

情報処理装置に用いる記憶装置として、ランダムアクセスが必要なプログラムやシステムの設定データの格納にNOR型フラッシュメモリが採用されることがあるが、近年では、プログラム容量の肥大化に伴い、大容量でビット単価が安いNAND型フラッシュメモリが使用されるケースが増えてきている。ところが、NAND型フラッシュメモリは、ページと呼ばれる複数ビット単位(ページ単位)での書込みしかできないことや、書換え(消去)回数に制限がある。このため、書き換え制限に達したブロックはバッドブロックとなって使えなくなり、使用可能なブロックが減ってしまう、という問題が生じる。   As a storage device used for information processing devices, NOR-type flash memory is sometimes used for storing programs that require random access and system setting data. Increasingly, NAND flash memory with a low bit unit price is used. However, the NAND flash memory can only be written in units of a plurality of bits (page units) called a page, and has a limited number of rewrites (erase). For this reason, a block that has reached the rewrite limit becomes a bad block and cannot be used, resulting in a problem that usable blocks are reduced.

ここで、図1に示す例では、システム設定等の不揮発データを扱う際に、RAM105上で、T , T+t0 , T+T1と時間が経過する毎に、論理ページ(Page A)内に属する各データテーブル内のデータが更新される場合を示している。かかる場合には、Page A内の各テーブルが更新される毎に(符号151,152,153参照)、矢印に示すように、NAND型フラッシュメモリ104への書き換えが実行される(符号141,142,143参照)。すると、NAND型フラッシュメモリ104に対して書き換え回数が増加し、チップ寿命が短くなる、という問題が生じる。   Here, in the example shown in FIG. 1, when handling nonvolatile data such as system settings, every time T 1, T + t 0, T + T 1 elapses on the RAM 105, a logical page (Page A) is included. The case where the data in each data table to which it belongs is updated is shown. In such a case, as each table in Page A is updated (see reference numerals 151, 152, and 153), rewriting to the NAND flash memory 104 is executed as indicated by the arrows (reference numerals 141 and 142). , 143). Then, the number of times of rewriting increases with respect to the NAND flash memory 104, resulting in a problem that the chip life is shortened.

一方で、メモリへの書き込み回数を削減する技術が、特許文献1に開示されている。この特許文献1に開示の技術では、まず、不揮発メモリの所定のブロックに書き込むべきデータを、当該ブロックを示す識別情報と共に揮発性メモリに書き込む。そして、揮発性メモリに書き込まれた上記識別情報を用いて、当該揮発性メモリに書き込まれたデータの中から同一ブロックに書き込まれたデータを特定し、当該特定されたデータを書き込むべきブロックに一括して書き込む、という処理を行っている。   On the other hand, Patent Document 1 discloses a technique for reducing the number of times of writing to a memory. In the technique disclosed in Patent Document 1, first, data to be written in a predetermined block of the nonvolatile memory is written in the volatile memory together with identification information indicating the block. Then, using the identification information written in the volatile memory, the data written in the same block is identified from the data written in the volatile memory, and the identified data is collectively stored in the block to be written. And writing the data.

特開2007−34431号公報JP 2007-34431 A

しかしながら、上述した特許文献1に開示の技術では、特定のブロックに書き込まれたデータを特定し、特定されたデータを一括して書き込んでいるため、データを特定する処理に時間がかかり、記憶動作が遅延する、という問題が生じる。また、不揮発メモリへの書き込みタイミングとして、書込指示イベントが発生した場合、例えば、節電モードを開始する指示や上位装置の電源を遮断するときを挙げているが、書込指示イベンの発生間隔が開いてしまうと揮発性メモリの容量が一杯となり、記憶動作に遅延が発生する、という問題が生じる。   However, in the technique disclosed in Patent Document 1 described above, data written in a specific block is specified, and the specified data is written in a lump. Therefore, it takes time to specify the data, and the storage operation is performed. The problem arises that is delayed. In addition, when a write instruction event occurs as a write timing to the nonvolatile memory, for example, an instruction to start a power saving mode or a power-off of a host device is given. If it is opened, the capacity of the volatile memory becomes full, causing a problem that a delay occurs in the storage operation.

このため、本発明の目的は、上述した課題である「メモリ寿命の短縮」と「記憶動作の遅延」を解決することにある。   Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems “shortening of memory life” and “delay of storage operation”.

かかる目的を達成するため本発明の一形態であるメモリ制御装置は、
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の上記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、上記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備える。
そして、上記制御部は、上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを上記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で上記論理ページに属する上記テーブル内のデータを更新すると共に、上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込む遅延更新部を備えた、
という構成をとる。
In order to achieve this object, a memory control device according to one aspect of the present invention is provided.
A nonvolatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction for each logical page in the logical page in the nonvolatile memory. And a volatile memory that temporarily stores data in the nonvolatile memory.
Then, when the data stored in the logical page is updated, the control unit reads the data stored in the logical page onto the volatile memory and belongs to the logical page on the volatile memory. The data in the table is updated and the volatile memory on the volatile memory to which the updated table belongs after a predetermined time elapses after any of the tables belonging to the logical page is updated for the first time. A delay update unit for writing a logical page to the nonvolatile memory;
The configuration is as follows.

また、本発明の他の形態であるプログラムは、
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の上記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、上記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備えた情報処理装置の上記制御部に、
上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを上記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で上記論理ページに属する上記テーブル内のデータを更新すると共に、上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込む遅延更新部、
を実現させるためのプログラムである。
Moreover, the program which is the other form of this invention is:
A nonvolatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction for each logical page in the logical page in the nonvolatile memory. In the control unit of the information processing apparatus including the control unit to perform and the volatile memory that temporarily stores the data in the nonvolatile memory,
When updating the data stored in the logical page, the data stored in the logical page is read onto the volatile memory, and the data in the table belonging to the logical page is updated on the volatile memory. In addition, the logical page on the volatile memory to which the updated table belongs after the preset time has elapsed since any one of the tables belonging to the logical page is first updated is the nonvolatile memory. A delayed updater that writes to
It is a program for realizing.

また、本発明の他の形態であるメモリ制御方法は、
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の上記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、上記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備えた情報処理装置にて、
上記制御部が、上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを上記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で上記論理ページに属する上記テーブル内のデータを更新すると共に、上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込む、
という構成をとる。
In addition, a memory control method according to another aspect of the present invention includes:
A nonvolatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction for each logical page in the logical page in the nonvolatile memory. In an information processing apparatus comprising a control unit that performs and a volatile memory that temporarily stores data in the nonvolatile memory,
When the data stored in the logical page is updated, the control unit reads the data stored in the logical page onto the volatile memory, and the table belonging to the logical page on the volatile memory. The logical page on the volatile memory to which the updated table belongs after a preset time has elapsed since any of the tables belonging to the logical page is updated for the first time. To the non-volatile memory,
The configuration is as follows.

本発明は、以上のように構成されることにより、記憶動作の遅延を抑制しつつ、メモリ寿命の長期化を図ることができる。   With the configuration as described above, the present invention can extend the memory life while suppressing the delay of the storage operation.

本発明に関連するデータ更新動作を示す図である。It is a figure which shows the data update operation | movement relevant to this invention. 本発明におけるデータ更新動作を示す図である。It is a figure which shows the data update operation | movement in this invention. 実施形態1におけるメモリ制御装置の構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration of a memory control device in Embodiment 1. FIG. 図3に開示したメモリ制御装置の動作を示すフローチャートである。4 is a flowchart illustrating an operation of the memory control device disclosed in FIG. 3. 実施形態2におけるメモリ制御装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the memory control apparatus in Embodiment 2. 図5に開示したメモリ制御装置の動作を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating an operation of the memory control device disclosed in FIG. 5. 図5に開示したメモリ制御装置の動作を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating an operation of the memory control device disclosed in FIG. 5. 実施形態2におけるメモリ制御装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the memory control apparatus in Embodiment 2.

<実施形態1>
本発明の第1の実施形態を、図2乃至図4を参照して説明する。図2は、本発明におけるデータ更新動作を示す図である。図3は、本実施形態におけるメモリ制御装置の構成を示す図である。図4は、図3に開示したメモリ制御装置の動作を示すフローチャートである。
<Embodiment 1>
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram showing a data update operation in the present invention. FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the memory control device according to the present embodiment. FIG. 4 is a flowchart showing the operation of the memory control device disclosed in FIG.

[構成]
図3は、本実施形態における情報処理装置の一部を構成するメモリ制御装置の構成を示すブロック図である。この図に示すように、メモリ制御装置は、装置全体を制御する演算装置であるCPU(Central Processing Unit)1と、記憶装置であるNANDフラッシュメモリ4及びRAM(Random Access Memory)5と、上記NANDフラッシュメモリ4に対して上記CPU1からの指令に応じてデータの書き込み、読み出し、消去を行うメモリ制御部3と、を備えている。
[Constitution]
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a memory control device that constitutes a part of the information processing apparatus according to the present embodiment. As shown in this figure, the memory control device includes a CPU (Central Processing Unit) 1 that is an arithmetic device that controls the entire device, a NAND flash memory 4 and a RAM (Random Access Memory) 5 that are storage devices, and the NAND. And a memory control unit 3 for writing, reading, and erasing data in response to a command from the CPU 1 with respect to the flash memory 4.

具体的に、上記NANDフラッシュメモリ4は、プログラムデータやユーザデータ、プログラムコード以外の設定値などの不揮発データが格納される不揮発性メモリである。そして、NANDフラッシュメモリ4は、所定容量毎(任意の数byte毎)の記憶領域であるデータテーブルに区切られて管理されており、当該データテーブルが複数属する各論理ページが複数形成されている。例えば、図2に示すように、NANDフラッシュメモリ4内には、複数の記憶領域であるテーブル「Table 0」〜「Table Y」が属する論理ページ「Page A」が形成されており、図示しないが、このような論理ページが複数形成されている。そして、NANDフラッシュメモリ4へのデータの書込みは、論理ページ単位で行われる。   Specifically, the NAND flash memory 4 is a nonvolatile memory in which nonvolatile data such as program data, user data, and setting values other than the program code are stored. The NAND flash memory 4 is managed by being divided into data tables that are storage areas for each predetermined capacity (every arbitrary number of bytes), and a plurality of logical pages to which a plurality of the data tables belong are formed. For example, as shown in FIG. 2, in the NAND flash memory 4, a logical page “Page A” to which tables “Table 0” to “Table Y” as a plurality of storage areas belong is formed, although not shown. A plurality of such logical pages are formed. Data is written to the NAND flash memory 4 in units of logical pages.

また、RAM5は、所定のデータ処理つまり作業を行うための一時メモリであり、揮発性メモリである。本実施形態では、後述するように、上記NANDフラッシュメモリ4に記録される不揮発データがRAM5上に展開され、かかるRAM5上にて一時的にデータ更新などが実行される。そして、RAM5上で不揮発データが更新された後に、当該更新された不揮発データがNANDフラッシュメモリ4に反映される。   The RAM 5 is a temporary memory for performing predetermined data processing, that is, work, and is a volatile memory. In this embodiment, as will be described later, the nonvolatile data recorded in the NAND flash memory 4 is expanded on the RAM 5, and data update or the like is temporarily executed on the RAM 5. Then, after the nonvolatile data is updated on the RAM 5, the updated nonvolatile data is reflected in the NAND flash memory 4.

また、RAM5は、NANDフラッシュメモリ4の状態管理を行うためのページ更新管理テーブル、データ格納エリアテーブルを持つ。上記ページ更新管理テーブル(図示せず)は、RAM5上で管理している論理ページ内のいずれかのデータテーブルが更新された場合に設定(セット)されるフラグを有する。また、データ格納エリアテーブル(図示せず)は、最新の各論理ページが、どのブロックのどの物理ページに保存されているかを示す情報を格納する。   The RAM 5 has a page update management table and a data storage area table for managing the state of the NAND flash memory 4. The page update management table (not shown) has a flag that is set (set) when any data table in the logical page managed on the RAM 5 is updated. In addition, a data storage area table (not shown) stores information indicating which physical page in which block each latest logical page is stored.

なお、上記ページ更新管理テーブルと上記データ格納エリアテーブルは、通常はNANDフラッシュメモリ4に記録されているが、メモリ制御装置が起動するなどNANDフラッシュメモリ4に格納されたデータに対する書き込みなどの処理が実行されるときに、自動的にRAM5に読み込まれる。そして、RAM5上に展開されたページ更新管理テーブルやデータ格納エリアテーブルは、NANDフラッシュメモリ4への書き込みが行われる度に更新される。   The page update management table and the data storage area table are normally recorded in the NAND flash memory 4. However, processing such as writing to the data stored in the NAND flash memory 4 such as activation of the memory control device is performed. When it is executed, it is automatically read into the RAM 5. Then, the page update management table and the data storage area table developed on the RAM 5 are updated each time writing to the NAND flash memory 4 is performed.

また、上記CPU1は、予めNANDフラッシュメモリ4などに記憶されたプログラムが組み込まれることで構築された遅延更新部2を備えている。遅延更新部2は、まず、NANDフラッシュメモリ4内の論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータをRAM5上に読み出す。そして、RAM5上で論理ページに属するデータテーブル内のデータを更新する。このとき、特に、論理ページ内のいずれかのデータテーブルが最初に更新されてから予め設定された時間(例えば、Z秒)が経過した後に、更新されたデータテーブルが属するRAM5の論理ページを、一括してNANDフラッシュメモリ4に書き込む。上記遅延更新部2の具体的な機能については、以下の動作説明にて詳述する。   The CPU 1 includes a delay update unit 2 constructed by incorporating a program stored in advance in the NAND flash memory 4 or the like. First, the delay update unit 2 reads the data stored in the logical page onto the RAM 5 when updating the data stored in the logical page in the NAND flash memory 4. Then, the data in the data table belonging to the logical page is updated on the RAM 5. At this time, in particular, the logical page of the RAM 5 to which the updated data table belongs after the elapse of a preset time (for example, Z seconds) after any data table in the logical page is updated for the first time, Write to the NAND flash memory 4 at once. The specific function of the delay update unit 2 will be described in detail in the following operation description.

なお、上述したように、RAM5上から論理ページをNANDフラッシュメモリ4に書き込みタイミングを決定する「予め設定された時間(Z秒)」は、あらかじめ所定の値に設定されていてもよく、後にメモリ制御装置が組み込まれた情報処理装置を操作する操作者によって変更されて任意の値に設定することも可能である。   As described above, the “preset time (Z seconds)” for determining the write timing of the logical page from the RAM 5 to the NAND flash memory 4 may be set to a predetermined value in advance. It can be changed to an arbitrary value by being changed by an operator who operates the information processing apparatus in which the control device is incorporated.

[動作]
次に、上記メモリ制御装置の動作を、図4のフローチャート及び図2を参照して説明する。なお、ここでは、NANDフラッシュメモリ4内に格納される不揮発データは、各論理ページにおいてX byte毎のテーブルに区切られて管理される。そして、本実施形態では、書き込みタイマの設定値がZ秒(任意)と設定されており、カウンタ動作中のZ秒間に、作業メモリであるRAM5上の論理Page Aに属する各テーブルTable0、TableY 、Table1の順に、データが更新されることとする。
[Operation]
Next, the operation of the memory control device will be described with reference to the flowchart of FIG. 4 and FIG. Here, the non-volatile data stored in the NAND flash memory 4 is managed by being divided into X byte tables in each logical page. In this embodiment, the setting value of the write timer is set to Z seconds (arbitrary), and each table Table0, TableY, Data is updated in the order of Table1.

まず、CPU1は、NANDフラッシュメモリ4から論理ページ「Page A」をRAM5上に読み出す(ステップS1)。このとき、NANDフラッシュメモリ4から、論理ページ「Page A」に関するページ更新管理テーブルとデータ格納エリアテーブルを、RAM5上に読み出す。   First, the CPU 1 reads the logical page “Page A” from the NAND flash memory 4 onto the RAM 5 (step S1). At this time, the page update management table and the data storage area table relating to the logical page “Page A” are read from the NAND flash memory 4 onto the RAM 5.

そして、CPU1は、論理ページ「Page A」のデータが更新されると、まず、RAM5上で当該「Page A」を更新する。つまり、RAM5上に展開された論理ページ「Page A」に属するデータテーブル「Table 0」を、当該RAM5上で更新する(ステップS2、図2の符号51参照)。このとき、RAM5上で更新されたデータテーブル「Table 0」が属する「Page A」のページ更新管理データテーブルの更新フラグを「ON」にセットし(ステップS3)、「Page A」が更新されている旨を記憶する。   Then, when the data of the logical page “Page A” is updated, the CPU 1 first updates the “Page A” on the RAM 5. That is, the data table “Table 0” belonging to the logical page “Page A” expanded on the RAM 5 is updated on the RAM 5 (see step S2, reference numeral 51 in FIG. 2). At this time, the update flag of the page update management data table of “Page A” to which the data table “Table 0” updated on the RAM 5 belongs is set to “ON” (step S3), and “Page A” is updated. Remember that there is.

また、同時に、論理ページ「Page A」に対応して設定されたタイマが動作していない場合、つまり、論理ページ「Page A」に属するデータテーブルが初めて更新された場合には、当該論理ページ「Page A」に対応して設定されたタイマによるカウントつまり時間計測を開始する(ステップS4)。なお、タイマは、論理ページ毎に設定され、各論理ページに属するデータテーブルがRAM5上で初めて更新された場合に、カウント(時間計測)を開始する。   At the same time, when the timer set for the logical page “Page A” is not operating, that is, when the data table belonging to the logical page “Page A” is updated for the first time, the logical page “ Counting by the timer set corresponding to “Page A”, that is, time measurement is started (step S4). The timer is set for each logical page, and starts counting (time measurement) when a data table belonging to each logical page is updated on the RAM 5 for the first time.

続いて、上述したように論理ページ「Page A」に対応するタイマが動作中に、当該論理ページ「Page A」に属するデータテーブル「Table Y」、「Table 1」が更新されたとする(ステップS5でYes)。そして、論理ページ「Page A」に対応して設定されたタイマが作動中である場合には、RAM5上で各データテーブル「Table Y」、「Table 1」を更新する(ステップS6)。つまり、RAM5上で論理ページ「Page A」内で最初にデータテーブル「Table 0」が更新されてから(図2の符号51参照)、予め設定された時間であるZ秒が経過するまでに他のデータテーブルが更新されると、引き続きRAM5上でデータテーブル「Table Y」、「Table 1」の更新が行われる(図2の符号52,53参照)。このとき、データテーブルの更新があった論理ページにおいて、すでにタイマによるカウントが開始されているか否かを判断は、当該論理ページに対応するタイマの動作を調べて判断しても良く、あるいは、当該論理ページに対応する更新フラグが設定されていることを確認して判断してもよい。   Subsequently, as described above, it is assumed that the data tables “Table Y” and “Table 1” belonging to the logical page “Page A” are updated while the timer corresponding to the logical page “Page A” is operating (step S5). Yes). If the timer set corresponding to the logical page “Page A” is operating, the data tables “Table Y” and “Table 1” are updated on the RAM 5 (step S6). In other words, after the data table “Table 0” is first updated in the logical page “Page A” on the RAM 5 (see reference numeral 51 in FIG. 2), there is another time until Z seconds, which is a preset time, elapses. When the data table is updated, the data tables “Table Y” and “Table 1” are continuously updated on the RAM 5 (see reference numerals 52 and 53 in FIG. 2). At this time, in the logical page where the data table has been updated, whether or not counting by the timer has already been started may be determined by examining the operation of the timer corresponding to the logical page. The determination may be made by confirming that the update flag corresponding to the logical page is set.

その後、タイマにてZ秒経過すると(ステップS7でYes)、RAM5上の更新データをNANDフラッシュメモリ4へ反映させるページデータ書込み処理を行う(ステップS8)。このとき、ページデータ書込み処理は、タイマがZ秒経過した論理ページの更新フラグを確認し、更新ありの場合に、RAM5上の論理ページ「Page A」を、当該論理ページ「Page A」に属しているすべてのデータテーブルを一括して、NANDフラッシュメモリ4内の新しい物理ページに書込む。そして、古いデータの書かれた物理ページを無効とすると共に、新しい物理ページを有効となるように、データ格納エリアテーブルを更新する。   Thereafter, when Z seconds elapse in the timer (Yes in step S7), page data write processing for reflecting the update data on the RAM 5 to the NAND flash memory 4 is performed (step S8). At this time, the page data writing process confirms the update flag of the logical page whose timer has passed Z seconds, and if there is an update, the logical page “Page A” on the RAM 5 belongs to the logical page “Page A”. All the data tables that are currently stored are written in a new physical page in the NAND flash memory 4. Then, the physical page in which the old data is written is invalidated, and the data storage area table is updated so that the new physical page is valid.

今回の実施例では論理Page Aに更新があるので、NANDフラッシュメモリ4の未使用の物理ページに新しいPage Aを書込み、古いPage Aが書かれた物理ページを無効、新しく書込まれた物理ページを有効となるようにデータ格納エリアテーブルを更新する。そして、NANDフラッシュメモリ4への書き込みが完了したらページ更新管理データテーブルの更新フラグをOFFにセット(解除)する(ステップS9)。   In this embodiment, since logical page A is updated, a new page A is written to an unused physical page in the NAND flash memory 4, a physical page with an old page A is invalidated, and a newly written physical page is written. Update the data storage area table so that is valid. When the writing to the NAND flash memory 4 is completed, the update flag of the page update management data table is set to OFF (released) (step S9).

以上のように、本発明におけるメモリ制御装置によると、短時間で連続して更新されるような関連性のある複数のデータテーブルの場合には同一論理ページ内に配置される可能性が高く、一度のNANDフラッシュメモリへの書込みで複数テーブルを更新できる。従って、図1に開示したテーブル更新ごとに論理ページを書き込む方法と比較して、NANDフラッシュメモリへの書込み回数を削減でき、メモリ寿命の短縮を抑制して寿命の長期化を図ることができる。また、遅延更新の遅延時間を任意に設定する構成とすることで、システム状態や扱うデータに応じて遅延時間を使い分けることができ、書込み回数の削減を最適化することが可能である。   As described above, according to the memory control device of the present invention, in the case of a plurality of related data tables that are continuously updated in a short time, there is a high possibility that they are arranged in the same logical page. Multiple tables can be updated with a single write to the NAND flash memory. Therefore, as compared with the method of writing a logical page for each table update disclosed in FIG. 1, the number of times of writing to the NAND flash memory can be reduced, and shortening of the memory life can be suppressed and the life can be extended. Further, by adopting a configuration in which the delay time of the delayed update is arbitrarily set, the delay time can be properly used according to the system state and the data to be handled, and the reduction in the number of writing can be optimized.

<実施形態2>
本発明の第2の実施形態を、図5乃至図7を参照して説明する。図5は、本実施形態におけるメモリ制御装置の構成を示す図である。図6乃至図7は、メモリ制御装置の動作を示すフローチャートである。
<Embodiment 2>
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of the memory control device according to the present embodiment. 6 to 7 are flowcharts showing the operation of the memory control device.

[構成]
本実施形態におけるメモリ制御装置は、上述した実施形態1のものとほぼ同様の構成をとっている。これに加え、本実施形態では、CPU1にプログラムが組み込まれることにより構築された、即時更新部6を備えている。この即時更新部6は、RAM5上に展開されたNANDフラッシュメモリ4の論理データが、当該RAM5上で更新されると、即時にNANDフラッシュメモリ4に反映するよう作動する。
[Constitution]
The memory control device according to the present embodiment has substantially the same configuration as that of the first embodiment described above. In addition to this, the present embodiment includes an immediate update unit 6 constructed by incorporating a program into the CPU 1. The immediate update unit 6 operates to immediately reflect the logical data of the NAND flash memory 4 developed on the RAM 5 in the NAND flash memory 4 when the logical data is updated on the RAM 5.

そして、上記即時更新部6は、あらかじめメモリ制御装置に対して設定されたデータの更新タイミングを指定する更新モードデータの内容が、「即時更新モード」である場合に作動する。また、更新モードデータの内容が「遅延更新モード」である場合には、上述した遅延更新部2が作動する。ここで、データの更新タイミングを指定する更新モードデータは、更新モード記憶手段として機能するNANDフラッシュメモリ4に記憶されており、論理ページと共にRAM5に読み出される。すると、CPU1は、読み出した更新モードデータに応じて、RAM5に読み出した論理ページに対するNANDフラッシュメモリ4への書き込みタイミングを指定する更新モードを決定する。つまり、更新モードデータが「遅延更新モード」である場合には、遅延更新部2が作動して、RAM5上で一定時間経過してから論理ページをNANDフラッシュメモリ4に記憶し、あるいは、更新モードデータが「即時更新モード」である場合には、即時更新部6が作動してRAM5上で更新されると即時にNANDフラッシュメモリ4に反映する。   The immediate update unit 6 operates when the content of the update mode data that designates the update timing of data set in advance for the memory control device is “immediate update mode”. Further, when the content of the update mode data is “delay update mode”, the delay update unit 2 described above operates. Here, the update mode data for designating the data update timing is stored in the NAND flash memory 4 functioning as the update mode storage means, and is read out together with the logical page to the RAM 5. Then, the CPU 1 determines an update mode for designating the write timing to the NAND flash memory 4 for the logical page read to the RAM 5 according to the read update mode data. That is, when the update mode data is “delayed update mode”, the delay update unit 2 is activated and the logical page is stored in the NAND flash memory 4 after a predetermined time has elapsed on the RAM 5, or the update mode When the data is in the “immediate update mode”, when the immediate update unit 6 operates and is updated on the RAM 5, it is immediately reflected in the NAND flash memory 4.

なお、更新モードデータによる更新モードの設定(遅延更新部2が作動するか、即時更新部6が作動するか)は、NANDフラッシュメモリ4に記憶されているすべてのデータに対して有効であってもよく、あるいは、各論理ページ毎に設定されていて当該各論理ページ毎に有効であってもよい。例えば、論理ページ「Page A」に対しては遅延更新部2が作動し、その他の論理ページに対しては、即時更新部6が作動する、といった設定も可能である。また、上記更新モードデータは、操作者により変更設定することが可能である。   The setting of the update mode based on the update mode data (whether the delayed update unit 2 operates or the immediate update unit 6 operates) is valid for all data stored in the NAND flash memory 4. Alternatively, it may be set for each logical page and valid for each logical page. For example, the delay update unit 2 operates for the logical page “Page A” and the immediate update unit 6 operates for the other logical pages. The update mode data can be changed and set by the operator.

[動作]
次に、上述したメモリ制御装置の動作を、図6乃至図7を参照して説明する。まず、上述同様に、NANDフラッシュメモリ4から論理ページ「Page A」をRAM5上に読み出す(ステップS11)。このとき、NANDフラッシュメモリ4から、論理ページ「Page A」に関するページ更新管理テーブルとデータ格納エリアテーブルや、更新モードデータがRAM5上に読み出される。
[Operation]
Next, the operation of the above-described memory control device will be described with reference to FIGS. First, as described above, the logical page “Page A” is read from the NAND flash memory 4 onto the RAM 5 (step S11). At this time, the page update management table and data storage area table regarding the logical page “Page A” and the update mode data are read from the NAND flash memory 4 onto the RAM 5.

そして、論理ページ「Page A」のデータが更新されると、RAM5上で当該「Page A」を更新する。例えば、図2の符号51に示すように、RAM5上に展開された論理ページ「Page A」に属するデータテーブル「Table 0」を、当該RAM5上で更新する(ステップS12)。   When the data of the logical page “Page A” is updated, the “Page A” is updated on the RAM 5. For example, as indicated by reference numeral 51 in FIG. 2, the data table “Table 0” belonging to the logical page “Page A” expanded on the RAM 5 is updated on the RAM 5 (step S12).

このとき、更新モードデータの設定を調べて、更新されたデータテーブルが属する論理ページが即時更新を行うよう設定されている場合、あるいは、システム全体において更新設定自体が即時更新を行うよう設定されている場合には(ステップS13でYes)、ページ更新管理データテーブルの更新フラグが「ON」にセットされていれば(ステップS14でYes)、「OFF」にセットする(ステップS15)。なお、既に遅延更新中であれば、遅延更新が終了するまで待つ(ステップS16でYes)。   At this time, the setting of the update mode data is checked, and if the logical page to which the updated data table belongs is set to perform immediate update, or the update setting itself is set to perform immediate update in the entire system. If it is (Yes in Step S13), if the update flag of the page update management data table is set to “ON” (Yes in Step S14), it is set to “OFF” (Step S15). If the delay update is already in progress, the process waits until the delay update is completed (Yes in step S16).

そして、遅延更新中でなければ、あるいは、遅延更新が終了したら(ステップS16でNo)、即時更新中フラグを「ON」にセットする(ステップS17)。その後、RAM5上で更新したデータテーブルが属する論理ページ「Page A」を、当該RAM5上からNANDフラッシュメモリ5へ書込む処理を行い(ステップS18)、即時更新中フラグを「OFF」にする(ステップS19)。このように、即時更新の場合には、RAM5上で論理データが更新されると、当該論理データをすぐにNANDフラッシュメモリ5に反映するよう作動する。   If the delayed update is not being performed or if the delayed update is completed (No in step S16), the immediate updating flag is set to “ON” (step S17). Thereafter, the logical page “Page A” to which the data table updated on the RAM 5 belongs is written into the NAND flash memory 5 from the RAM 5 (step S18), and the immediate updating flag is set to “OFF” (step S18). S19). As described above, in the case of immediate update, when logical data is updated on the RAM 5, the logical data is immediately reflected on the NAND flash memory 5.

一方、更新モードデータが、更新されたデータテーブルが属する論理ページが遅延更新を行うよう設定されている場合、あるいは、システムの更新設定自体が遅延更新を行うよう設定されている場合には(ステップS13でYes)、まず、ページ更新管理データテーブルの更新フラグを「ON」にセットする(ステップS20)。そして、その後は、上述した実施形態1の場合の動作とほぼ同一である。   On the other hand, if the update mode data is set so that the logical page to which the updated data table belongs is set to perform delayed update, or the system update setting itself is set to perform delayed update (step First, the update flag of the page update management data table is set to “ON” (step S20). After that, the operation is almost the same as that in the first embodiment described above.

具体的には、RAM5上で更新されたデータテーブル「Table 0」が属する「Page A」のページ更新管理データテーブルの更新フラグを「ON」にセットし(ステップS20)、「Page A」が更新された旨を記憶する。同時に、論理ページ「Page A」に対応して設定されたタイマが動作していない場合、つまり、論理ページ「Page A」に属するデータテーブルのいずれかが初めて更新された場合には、当該論理ページ「Page A」に対応して設定されたタイマによるカウントつまり時間計測を開始する(ステップS21)。   Specifically, the update flag of the page update management data table of “Page A” to which the data table “Table 0” updated on the RAM 5 belongs is set to “ON” (step S20), and “Page A” is updated. Remember that it was done. At the same time, if the timer set for the logical page “Page A” is not running, that is, if any of the data tables belonging to the logical page “Page A” is updated for the first time, the logical page Counting by the timer set corresponding to “Page A”, that is, time measurement is started (step S21).

このとき、即時更新中であれば即時更新が終了するまで待ち(ステップS22でYes)、即時更新中でなく、あるいは、即時更新が終了したら(ステップS22でNo)、遅延更新中フラグを「ON」にセットする(ステップS23)。   At this time, if immediate update is in progress, the process waits until the immediate update ends (Yes in step S22). If immediate update is not in progress or if immediate update ends (No in step S22), the delayed update flag is set to “ON”. "(Step S23).

そして、上述したように論理ページ「Page A」に対応するタイマが動作中であり、遅延更新中フラグが「ON」である場合に、当該論理ページ「Page A」に属するデータテーブル「Table Y」、「Table 1」が更新されたとする(ステップS24でYes)。すると、論理ページ「Page A」に対応して設定されたタイマが作動中である場合には、RAM5上で各データテーブル「Table Y」、「Table 1」を更新する(ステップS25)。つまり、RAM5上で論理ページ「Page A」内で最初にデータテーブル「Table 0」が更新されてから(図2の符号51参照)、予め設定された時間であるZ秒が経過するまでに他のデータテーブルが更新されると、引き続きRAM5上でデータテーブル「Table Y」、「Table 1」の更新が行われる(図2の符号52,53参照)。   As described above, when the timer corresponding to the logical page “Page A” is operating and the delayed update flag is “ON”, the data table “Table Y” belonging to the logical page “Page A” , "Table 1" is updated (Yes in step S24). Then, when the timer set corresponding to the logical page “Page A” is operating, the data tables “Table Y” and “Table 1” are updated on the RAM 5 (step S25). In other words, after the data table “Table 0” is first updated in the logical page “Page A” on the RAM 5 (see reference numeral 51 in FIG. 2), there is another time until Z seconds, which is a preset time, elapses. When the data table is updated, the data tables “Table Y” and “Table 1” are continuously updated on the RAM 5 (see reference numerals 52 and 53 in FIG. 2).

その後、タイマにてZ秒経過すると(ステップS26でYes)、RAM5上の更新データをNANDフラッシュメモリ4へ反映させるページデータ書込み処理を行う(ステップS27)。このとき、ページデータ書込み処理は、タイマがZ秒経過した論理ページの更新フラグを確認し、更新ありの場合に、RAM5上の論理ページ「Page A」を、NANDフラッシュメモリ4内の新しい物理ページに書込む。そして、古いデータの書かれた物理ページを無効とすると共に、新しい物理ページを有効となるように、データ格納エリアテーブルを更新する。そして、NANDフラッシュメモリ4への書き込みが完了したらページ更新管理データテーブルの更新フラグを「OFF」にセットし(ステップS28)、遅延更新中フラグも「OFF」にセットする(ステップS29)。   Thereafter, when Z seconds elapse in the timer (Yes in step S26), page data write processing for reflecting the update data on the RAM 5 to the NAND flash memory 4 is performed (step S27). At this time, the page data writing process confirms the update flag of the logical page whose timer has passed Z seconds, and if there is an update, the logical page “Page A” on the RAM 5 is replaced with a new physical page in the NAND flash memory 4. Write to. Then, the data storage area table is updated so that the physical page in which the old data is written is invalidated and the new physical page is validated. When the writing to the NAND flash memory 4 is completed, the update flag of the page update management data table is set to “OFF” (step S28), and the delayed update flag is also set to “OFF” (step S29).

以上のように、本実施形態におけるメモリ制御装置によると、即時更新モードと遅延更新モードとを使い分けることができ、システム状態や扱うデータに応じてメモリに対する書込み回数の削減を最適化することができる。その結果、メモリ寿命の長期化を図ることができる。また、上述したように、即時更新中フラグ、遅延更新中フラグを設けることで、即時更新と遅延更新の処理の競合を避けることができる。   As described above, according to the memory control device of this embodiment, the immediate update mode and the delayed update mode can be used properly, and the reduction in the number of times of writing to the memory can be optimized according to the system state and the data handled. . As a result, the memory life can be extended. Further, as described above, by providing the immediate update in-progress flag and the delayed update in-progress flag, it is possible to avoid contention between immediate update and delayed update processing.

<実施形態3>
次に、本発明の第3の実施形態を、図8を参照して説明する。図8は、本実施形態におけるメモリ制御装置の構成を示す機能ブロック図である。なお、本実施形態では、メモリ制御装置の構成の概略を説明する。
<Embodiment 3>
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a functional block diagram showing the configuration of the memory control device according to this embodiment. In the present embodiment, an outline of the configuration of the memory control device will be described.

図8に示すように、本実施形態におけるメモリ制御装置は、
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリ13と、当該不揮発性メモリ内の上記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部11と、上記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリ14と、を備えている。
そして、上記制御部11は、上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを上記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で上記論理ページに属する上記テーブル内のデータを更新すると共に、上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込む遅延更新部12を備えた、
という構成をとっている。
As shown in FIG. 8, the memory control device in this embodiment is
A nonvolatile memory 13 in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction in units of the logical pages with respect to the logical pages in the nonvolatile memory And a volatile memory 14 that temporarily stores data in the nonvolatile memory.
Then, when updating the data stored in the logical page, the control unit 11 reads the data stored in the logical page onto the volatile memory, and stores the data on the logical page on the volatile memory. Update the data in the table to which the table belongs, and after the preset time has elapsed since any of the tables belonging to the logical page is updated for the first time on the volatile memory to which the updated table belongs A delay update unit 12 for writing the logical page to the nonvolatile memory;
The structure is taken.

また、上記メモリ制御装置では、
上記遅延更新部は、上記揮発性メモリ上で上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間内は、当該論理ページに属する上記テーブル内のデータの更新を上記揮発性メモリ上で行う、
という構成をとる。
In the memory control device,
The delayed update unit updates data in the table belonging to the logical page for a preset time after any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. On the volatile memory,
The configuration is as follows.

また、上記メモリ制御装置では、
上記遅延更新部は、上記揮発性メモリ上で上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されたときに当該更新されたテーブルが属する上記論理ページに対応して設定されたタイマのカウントを開始し、当該タイマのカウントが予め設定された値となったときに上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込む、
という構成をとる。
In the memory control device,
The delayed update unit counts a timer set corresponding to the logical page to which the updated table belongs when any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. And when the timer count reaches a preset value, the logical page on the volatile memory is written to the nonvolatile memory.
The configuration is as follows.

また、上記メモリ制御装置では、
上記遅延更新部は、上記揮発性メモリ上で上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されたときに当該更新されたテーブルが属する上記論理ページに対応して設けられたフラグを設定すると共に当該上記論理ページに対応して設定されたタイマのカウントを開始し、上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込んだ後に上記フラグの設定を解除する、
という構成をとる。
In the memory control device,
The delayed update unit sets a flag provided corresponding to the logical page to which the updated table belongs when any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. And start counting the timer set corresponding to the logical page, and after the logical page on the volatile memory is written to the non-volatile memory, cancel the setting of the flag.
The configuration is as follows.

また、上記メモリ制御装置では、
上記制御部は、上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを上記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で上記論理ページに属する上記テーブル内のデータを更新したときに、当該更新されたテーブルが属する上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発メモリに書き込む即時更新部を備えると共に、
上記不揮発性メモリに対するデータの更新タイミングを指定する更新モードを記憶する更新モード記憶手段を備え、
上記遅延更新部と上記即時更新部とは、上記更新モード記憶手段に記憶され指定された更新モードに応じていずれか一方が作動する、
という構成をとる。
In the memory control device,
The control unit reads the data stored in the logical page onto the volatile memory and updates the table belonging to the logical page on the volatile memory when updating the data stored in the logical page. An immediate update unit that writes the logical page on the volatile memory to which the updated table belongs to the nonvolatile memory when the data in the table is updated;
Update mode storage means for storing an update mode for designating update timing of data for the nonvolatile memory;
One of the delayed update unit and the immediate update unit operates according to the designated update mode stored in the update mode storage unit.
The configuration is as follows.

また、上記メモリ制御装置では、
上記更新モード記憶手段は、上記論理ページ毎にデータの更新タイミングを指定する上記更新モードを記憶し、
上記遅延更新部と上記即時更新部とは、上記更新モード記憶手段に記憶され上記論理ページ毎に指定された更新モードに応じて、当該論理ページ毎に対するデータの記憶時にいずれか一方が作動する、
という構成をとる。
In the memory control device,
The update mode storage means stores the update mode for designating data update timing for each logical page,
The delayed update unit and the immediate update unit operate either when storing data for each logical page according to the update mode stored for each logical page stored in the update mode storage unit.
The configuration is as follows.

また、上述したメモリ制御装置は、情報処理装置の制御部に、プログラムが組み込まれることで実現できる。
具体的に、本発明の他の形態であるプログラムは、
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の上記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、上記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備えた情報処理装置の上記制御部に、
上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを上記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で上記論理ページに属する上記テーブル内のデータを更新すると共に、上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込む遅延更新部、
を実現させるためのプログラムである。
Further, the above-described memory control device can be realized by incorporating a program in the control unit of the information processing device.
Specifically, the program which is another embodiment of the present invention is:
A nonvolatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction for each logical page in the logical page in the nonvolatile memory. In the control unit of the information processing apparatus including the control unit to perform and the volatile memory that temporarily stores the data in the nonvolatile memory,
When updating the data stored in the logical page, the data stored in the logical page is read onto the volatile memory, and the data in the table belonging to the logical page is updated on the volatile memory. In addition, the logical page on the volatile memory to which the updated table belongs after the preset time has elapsed since any one of the tables belonging to the logical page is first updated is the nonvolatile memory. A delayed updater that writes to
It is a program for realizing.

そして、上記プログラムでは、
上記遅延更新部は、上記揮発性メモリ上で上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間内は、当該論理ページに属する上記テーブル内のデータの更新を上記揮発性メモリ上で行う、
という構成をとる。
And in the above program,
The delayed update unit updates data in the table belonging to the logical page for a preset time after any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. On the volatile memory,
The configuration is as follows.

また、上述したメモリ制御装置が作動することにより実行される、本発明の他の形態であるメモリ制御方法は、
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の上記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、上記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備えた情報処理装置にて、
上記制御部が、上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを上記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で上記論理ページに属する上記テーブル内のデータを更新すると共に、上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する上記揮発性メモリ上の上記論理ページを上記不揮発性メモリに書き込む、
という構成をとる。
In addition, a memory control method according to another embodiment of the present invention, which is executed when the memory control device described above operates,
A nonvolatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction for each logical page in the logical page in the nonvolatile memory. In an information processing apparatus comprising a control unit that performs and a volatile memory that temporarily stores data in the nonvolatile memory,
When the data stored in the logical page is updated, the control unit reads the data stored in the logical page onto the volatile memory, and the table belonging to the logical page on the volatile memory. The logical page on the volatile memory to which the updated table belongs after a preset time has elapsed since any of the tables belonging to the logical page is updated for the first time. To the non-volatile memory,
The configuration is as follows.

また、上記メモリ制御方法では、
上記論理ページに記憶されているデータの更新時に、上記揮発性メモリ上で上記論理ページに属するいずれかの上記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間内は、当該論理ページに属する上記テーブル内のデータの更新を上記揮発性メモリ上で行う、
という構成をとる。
In the memory control method,
At the time of updating the data stored in the logical page, the table belonging to the logical page is set within a preset time after any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. Update the data in the table on the volatile memory,
The configuration is as follows.

上述した構成を有する、プログラム、又は、メモリ制御方法、の発明であっても、上記メモリ制御装置と同様の作用を有するために、上述した本発明の目的を達成することができる。   Even the invention of the program or the memory control method having the above-described configuration can achieve the above-described object of the present invention because it has the same operation as the above-described memory control device.

本発明は、情報処理装置に装備されるNANDフラッシュメモリに対する書き込み制御を行うメモリ制御装置として利用することができ、産業上の利用可能性を有する。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used as a memory control device that performs write control on a NAND flash memory equipped in an information processing device, and has industrial applicability.

1 CPU
2 遅延更新部
3 メモリ制御部
4 NANDフラッシュメモリ
5 RAM
6 即時更新部
11 制御部
12 遅延更新部
13 不揮発性メモリ
14 揮発性メモリ
1 CPU
2 Delay update unit 3 Memory control unit 4 NAND flash memory 5 RAM
6 Instant Update Unit 11 Control Unit 12 Delay Update Unit 13 Nonvolatile Memory 14 Volatile Memory

Claims (10)

所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の前記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、前記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備え、
前記制御部は、前記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを前記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で前記論理ページに属する前記テーブル内のデータを更新すると共に、前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する前記揮発性メモリ上の前記論理ページを前記不揮発性メモリに書き込む遅延更新部を備えた、
メモリ制御装置。
A non-volatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction for each logical page in the non-volatile memory in the logical page unit. A control unit for performing, and a volatile memory for temporarily storing data in the nonvolatile memory,
When the data stored in the logical page is updated, the control unit reads the data stored in the logical page onto the volatile memory, and the table belonging to the logical page on the volatile memory. The logical page on the volatile memory to which the updated table belongs after a preset time has elapsed since any of the tables belonging to the logical page is updated for the first time. Including a delay update unit for writing to the nonvolatile memory,
Memory controller.
請求項1に記載のメモリ制御装置であって、
前記遅延更新部は、前記揮発性メモリ上で前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間内は、当該論理ページに属する前記テーブル内のデータの更新を前記揮発性メモリ上で行う、
メモリ制御装置。
The memory control device according to claim 1,
The delayed update unit updates data in the table belonging to the logical page for a preset time after any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. On the volatile memory,
Memory controller.
請求項1又は2に記載のメモリ制御装置であって、
前記遅延更新部は、前記揮発性メモリ上で前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されたときに当該更新されたテーブルが属する前記論理ページに対応して設定されたタイマのカウントを開始し、当該タイマのカウントが予め設定された値となったときに前記揮発性メモリ上の前記論理ページを前記不揮発性メモリに書き込む、
メモリ制御装置。
The memory control device according to claim 1 or 2,
The delay update unit counts a timer set corresponding to the logical page to which the updated table belongs when any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. And when the timer count reaches a preset value, write the logical page on the volatile memory to the nonvolatile memory.
Memory controller.
請求項3に記載のメモリ制御装置であって、
前記遅延更新部は、前記揮発性メモリ上で前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されたときに当該更新されたテーブルが属する前記論理ページに対応して設けられたフラグを設定すると共に当該前記論理ページに対応して設定されたタイマのカウントを開始し、前記揮発性メモリ上の前記論理ページを前記不揮発性メモリに書き込んだ後に前記フラグの設定を解除する、
メモリ制御装置。
The memory control device according to claim 3,
The delayed update unit sets a flag provided corresponding to the logical page to which the updated table belongs when any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. And start counting the timer set corresponding to the logical page, and cancel the setting of the flag after writing the logical page on the volatile memory to the nonvolatile memory.
Memory controller.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のメモリ制御装置であって、
前記制御部は、前記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを前記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で前記論理ページに属する前記テーブル内のデータを更新したときに、当該更新されたテーブルが属する前記揮発性メモリ上の前記論理ページを前記不揮発メモリに書き込む即時更新部を備えると共に、
前記不揮発性メモリに対するデータの更新タイミングを指定する更新モードを記憶する更新モード記憶手段を備え、
前記遅延更新部と前記即時更新部とは、前記更新モード記憶手段に記憶され指定された更新モードに応じていずれか一方が作動する、
メモリ制御装置。
The memory control device according to any one of claims 1 to 4,
When the data stored in the logical page is updated, the control unit reads the data stored in the logical page onto the volatile memory, and the table belonging to the logical page on the volatile memory. An update unit that writes the logical page in the volatile memory to which the updated table belongs to the nonvolatile memory when the data in the table is updated;
Update mode storage means for storing an update mode for designating update timing of data in the nonvolatile memory;
One of the delayed update unit and the immediate update unit operates according to the designated update mode stored in the update mode storage unit,
Memory controller.
請求項5に記載のメモリ制御装置であって、
前記更新モード記憶手段は、前記論理ページ毎にデータの更新タイミングを指定する前記更新モードを記憶し、
前記遅延更新部と前記即時更新部とは、前記更新モード記憶手段に記憶され前記論理ページ毎に指定された更新モードに応じて、当該論理ページ毎に対するデータの記憶時にいずれか一方が作動する、
メモリ制御装置。
The memory control device according to claim 5,
The update mode storage means stores the update mode for designating data update timing for each logical page,
The delayed update unit and the immediate update unit operate either when storing data for each logical page, according to the update mode stored for each logical page stored in the update mode storage unit.
Memory controller.
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の前記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、前記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備えた情報処理装置の前記制御部に、
前記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを前記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で前記論理ページに属する前記テーブル内のデータを更新すると共に、前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する前記揮発性メモリ上の前記論理ページを前記不揮発性メモリに書き込む遅延更新部、
を実現させるためのプログラム。
A non-volatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction for each logical page in the non-volatile memory in the logical page unit. In the control unit of the information processing apparatus comprising: a control unit that performs; and a volatile memory that temporarily stores data in the nonvolatile memory;
When updating the data stored in the logical page, the data stored in the logical page is read onto the volatile memory, and the data in the table belonging to the logical page is updated on the volatile memory. And the non-volatile memory stores the logical page on the volatile memory to which the updated table belongs after a preset time has elapsed since any one of the tables belonging to the logical page is first updated. A delayed updater that writes to
A program to realize
請求項7に記載のプログラムであって、
前記遅延更新部は、前記揮発性メモリ上で前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間内は、当該論理ページに属する前記テーブル内のデータの更新を前記揮発性メモリ上で行う、
プログラム。
The program according to claim 7,
The delayed update unit updates data in the table belonging to the logical page for a preset time after any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. On the volatile memory,
program.
所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の前記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、前記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備えた情報処理装置にて、
前記制御部が、前記論理ページに記憶されているデータの更新時に、当該論理ページに記憶されているデータを前記揮発性メモリ上に読み出して、当該揮発性メモリ上で前記論理ページに属する前記テーブル内のデータを更新すると共に、前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間が経過した後に当該更新されたテーブルが属する前記揮発性メモリ上の前記論理ページを前記不揮発性メモリに書き込む、
メモリ制御方法。
A non-volatile memory in which a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided by a predetermined capacity belong is formed, and data recording / reproduction is performed in units of the logical pages with respect to the logical pages in the non-volatile memory. In an information processing apparatus comprising a control unit that performs, and a volatile memory that temporarily stores data in the nonvolatile memory,
When the data stored in the logical page is updated, the control unit reads the data stored in the logical page onto the volatile memory, and the table belonging to the logical page on the volatile memory. The logical page on the volatile memory to which the updated table belongs after a preset time has elapsed since any of the tables belonging to the logical page is updated for the first time. To the non-volatile memory,
Memory control method.
請求項1に記載のメモリ制御方法であって、
前記論理ページに記憶されているデータの更新時に、前記揮発性メモリ上で前記論理ページに属するいずれかの前記テーブルが最初に更新されてから予め設定された時間内は、当該論理ページに属する前記テーブル内のデータの更新を前記揮発性メモリ上で行う、
メモリ制御方法。
The memory control method according to claim 1, comprising:
When updating the data stored in the logical page, the table belonging to the logical page is set within a preset time after any of the tables belonging to the logical page is first updated on the volatile memory. Updating the data in the table on the volatile memory;
Memory control method.
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