JP2011073405A - Method of manufacturing laminated structure - Google Patents

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光 大久保
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a laminated structure having preferable work efficiency, the obtained laminated structure having excellent high temperature process reliability. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the laminated structure includes a process of adhering a second structure onto a first structure through an adhesive composition. The adhesive composition contains thermosetting resin (A), and a compound (B) expressed by following chemical formula (1), and the content of a component expressed by following chemical formula (2) in the compound (B) is 0.6 mass% or less. (1) R1R2R3Si-(CH2)m-(S)n-(CH2)m-SiR1R2R3, (2) X-(CH2)m-SiR1R2R3. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、積層構造体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a laminated structure.

例えば、半導体素子などの電子部品をリードフレーム、アルミナ基板、有機基板などの回路基板上の所定の箇所に搭載し積層構造体を得るために様々な樹脂系の絶縁性ペーストや導電性ペーストが提案されている。このような電子部品搭載用の接着剤には、低応力性、耐熱性などの優れた特性が求められている。   For example, various resin-based insulating pastes and conductive pastes have been proposed to obtain a laminated structure by mounting electronic components such as semiconductor elements at predetermined locations on circuit boards such as lead frames, alumina substrates, and organic substrates. Has been. Such adhesives for mounting electronic parts are required to have excellent characteristics such as low stress and heat resistance.

しかしながら、銅フレームなど熱により酸化しやすいリードフレームにおいては、半導体素子等の電子部品を搭載した後の加熱硬化により酸化被膜が形成されやすく、これにより半田リフロー時などの高温プロセスにおいて封止樹脂との密着性が低下しやすい傾向にある。このため、例えば特許文献１には、低温での硬化が可能な半導体用接着剤が提案されている。   However, in lead frames that easily oxidize due to heat, such as copper frames, an oxide film tends to be formed by heat curing after mounting electronic components such as semiconductor elements. There is a tendency for the adhesiveness of this to fall easily. For this reason, for example, Patent Document 1 proposes an adhesive for semiconductor that can be cured at a low temperature.

一般に、熱硬化性樹脂組成物の低温での硬化性を向上させると室温での反応性も良好になり、樹脂組成物の粘度が上昇する。このような樹脂組成物を用いて、たとえばリードフレームと半導体素子とを接着し半導体装置を製造する場合などは、粘度上昇により作業性が悪化するものとなり、また得られた半導体装置においてもワイヤボンディング時や半田リフロー時などの高温プロセスにおいて信頼性が低下するという点について改良が求められていた。   In general, when the curability at low temperature of the thermosetting resin composition is improved, the reactivity at room temperature is improved and the viscosity of the resin composition is increased. For example, when a semiconductor device is manufactured by bonding a lead frame and a semiconductor element using such a resin composition, workability deteriorates due to an increase in viscosity, and even in the obtained semiconductor device, wire bonding is performed. There has been a need for improvement in that reliability is reduced in high-temperature processes such as time and solder reflow.

そこで、本発明者らは、接着特性および室温での保存性に優れた半導体用接着剤組成物として、例えば特許文献２において、ラジカル重合可能な官能基を有する化合物、重合開始剤、銀粉およびスルフィド結合を有する化合物（好ましくは、スルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物）を含有する樹脂組成物を提案している。   Therefore, the present inventors have disclosed a compound having a radically polymerizable functional group, a polymerization initiator, a silver powder and a sulfide as an adhesive composition for a semiconductor having excellent adhesive properties and storage stability at room temperature. A resin composition containing a compound having a bond (preferably a compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group) is proposed.

文献２に記載の樹脂組成物を用いることにより、半導体装置等の積層構造体の製造における作業性は従来のものに比べて向上するものとなった。しかしながら市場からは更に好適な作業性を得ることができる製造方法が求められている。また、得られた半導体装置等の積層構造体に対して高温プロセスにおける高い信頼性を付与することができる積層構造体の製造方法が求められている。   By using the resin composition described in Document 2, workability in the production of a laminated structure such as a semiconductor device is improved as compared with the conventional one. However, there is a demand from the market for a production method that can obtain more suitable workability. There is also a need for a method for manufacturing a laminated structure that can impart high reliability in a high-temperature process to the obtained laminated structure such as a semiconductor device.

特開２００２−３０５２１２号公報JP 2002-305212 A

特開２００７−２６２２４３号公報JP 2007-262243 A

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、好適な作業性を有し、かつ得られる積層構造体が高温プロセス信頼性に優れたものとなる積層構造体の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, has a suitable workability, and a method for producing a laminated structure in which the obtained laminated structure is excellent in high-temperature process reliability. The purpose is to provide.

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、前記文献２に記載された樹脂組成物を室温で長く保存した場合に粘度が上昇したり、室温で長く保存した後の樹脂組成物の接着特性が調製直後のものに比べて低下する原因が、スルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物に含まれる下記式（２）：
Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （２）
（式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１〜１０の整数である。）
で表される成分にあることを見出し、本発明の製造方法を完成するに至った。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have increased viscosity when stored for a long time at room temperature, or after long storage at room temperature. The reason why the adhesive properties of the resin composition are lower than those immediately after preparation is the following formula (2) contained in the compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group:
X- (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (2)
(In the formula (2), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, X represents a halogen atom, and m is an integer of 1 to 10.)
It came to complete the manufacturing method of this invention.

すなわち、本発明の積層構造物の製造方法は、第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有するものであって、前記接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および下記式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、前記化合物（Ｂ）中の下記式（２）で表される成分の含有率が０．６質量％以下であることを特徴とする。
〔化１〕
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（Ｓ）ｎ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、ｍは１〜１０の数であり、ｎは１以上の数である。）
〔化２〕
Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （２）
（式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１〜１０の数である。） That is, the method for producing a laminated structure of the present invention includes a step of adhering to the second structure via the adhesive composition on the first structure, and the adhesive composition is heated. It contains the curable resin (A) and the compound (B) represented by the following formula (1), and the content of the component represented by the following formula (2) in the compound (B) is 0.6 mass. % Or less.
[Chemical 1]
R 1 R 2 R 3 Si- ( CH 2) m - (S) n - (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (1)
(In the formula (1), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, m is a number of 1 to 10, and n is a number of 1 or more.)
[Chemical 2]
X- (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (2)
(In the formula (2), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, X represents a halogen atom, and m is a number of 1 to 10.)

なお、本発明の製造方法に使用される接着剤組成物によって室温で長く保存した後においても優れた接着特性が維持される理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、スルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物は接着特性を向上させるために添加されるが、この化合物に含まれる前記式（２）で表される成分は、前記化合物中のアルコキシシリル基の加水分解を促進し、アルコキシシリル基同士の結合が生じる。このアルコキシシリル基同士が結合した化合物は接着剤組成物の接着特性を向上させる効果が低減される。前記文献２に記載された樹脂組成物（接着剤組成物）においては、前記式（２）で表される成分が多く存在するため、室温においてもアルコキシシリル基同士の結合が生じやすく、前記スルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物は前記アルコキシシリル基同士が結合した化合物に変化しやすい。このため、前記文献２に記載された接着剤組成物においては、時間の経過とともに前記スルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物の含有量が減少し、室温で長く保存した後の残存量はその添加量に比べて著しく少なくなり、室温で長く保存した後の接着剤組成物の接着特性が、調製直後のものに比べて著しく低下するものと推察される。このため、前記文献２に記載された接着剤組成物において、室温で長く保存した後の接着剤組成物の安定した接着特性を確保するためには、前記スルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物の含有量を多くする必要がある。   The reason why excellent adhesive properties are maintained even after long storage at room temperature by the adhesive composition used in the production method of the present invention is not necessarily clear, but the present inventors speculate as follows: To do. That is, a compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group is added in order to improve adhesive properties, but the component represented by the formula (2) contained in this compound is a hydrolyzate of the alkoxysilyl group in the compound. Decomposition is promoted, and bonds between alkoxysilyl groups occur. The compound in which the alkoxysilyl groups are bonded to each other reduces the effect of improving the adhesive properties of the adhesive composition. In the resin composition (adhesive composition) described in Document 2, since many components represented by the formula (2) exist, bonds between alkoxysilyl groups are likely to occur even at room temperature. A compound having a bond and an alkoxysilyl group easily changes to a compound in which the alkoxysilyl groups are bonded to each other. For this reason, in the adhesive composition described in Reference 2, the content of the compound having the sulfide bond and the alkoxysilyl group decreases with the passage of time, and the residual amount after long storage at room temperature is added. It is presumed that the adhesive properties of the adhesive composition after being stored for a long time at room temperature are remarkably reduced as compared with those immediately after preparation. For this reason, in the adhesive composition described in the literature 2, in order to ensure the stable adhesive properties of the adhesive composition after long storage at room temperature, the compound having the sulfide bond and the alkoxysilyl group is used. It is necessary to increase the content.

また、前記式（２）で表される成分中のハロゲン化アルキル基は反応性が高く、熱硬化性樹脂中のシアネートエステル基やエポキシ基、（メタ）アクリル基、マレイミド基などの官能基と室温で反応する。このため、室温で長く保存することによって接着剤組成物の粘度が上昇したり、調製直後のものに比べて接着特性が著しく低下するものと推察される。また、上述のように、前記スルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物を多く添加すると熱硬化性樹脂中の官能基と反応しやすく、室温で長く保存することによって接着剤組成物の粘度が上昇しやすくなる。   In addition, the halogenated alkyl group in the component represented by the formula (2) is highly reactive and has functional groups such as a cyanate ester group, an epoxy group, a (meth) acryl group, and a maleimide group in the thermosetting resin. React at room temperature. For this reason, it is presumed that the viscosity of the adhesive composition is increased by storing at room temperature for a long time, and the adhesive properties are remarkably lowered as compared with those immediately after preparation. In addition, as described above, when a large amount of the compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group is added, it easily reacts with the functional group in the thermosetting resin, and the viscosity of the adhesive composition increases by storing at room temperature for a long time. It becomes easy.

一方、本発明の製造方法に用いられる接着剤組成物においては、前記式（２）で表される成分の含有量が少なく、室温において、前記スルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物は前記アルコキシシリル基同士が結合した化合物に変化しにくい。このため、室温で長く保存しても前記スルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物の量はほとんど減少せず、室温で長く保存した後においても接着剤組成物の接着特性が十分に維持されるものと推察される。   On the other hand, in the adhesive composition used in the production method of the present invention, the content of the component represented by the formula (2) is small, and at room temperature, the compound having the sulfide bond and the alkoxysilyl group is the alkoxysilyl group. It is difficult to change to a compound in which groups are bonded. For this reason, the amount of the compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group hardly decreases even when stored for a long time at room temperature, and the adhesive properties of the adhesive composition are sufficiently maintained even after long storage at room temperature. Inferred.

また、前記式（２）で表される成分の含有量が少ないため、室温で長く保存した後においても熱硬化性樹脂中の官能基は未反応の状態で存在し、接着剤組成物の粘度は上昇せず、接着特性も十分に維持されるものと推察される。   In addition, since the content of the component represented by the formula (2) is small, the functional group in the thermosetting resin exists in an unreacted state even after long storage at room temperature, and the viscosity of the adhesive composition It is presumed that the adhesive properties are sufficiently maintained.

本発明の積層構造体製造方法は、前記第１の構造体を、半導体用リードフレーム、半導体用有機基板、半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップであるとすることができる。   In the laminated structure manufacturing method of the present invention, the first structure may be a semiconductor lead frame, a semiconductor organic substrate, a semiconductor element, a heat dissipation member, or a spacer chip.

本発明の積層構造体の製造方法は、前記第２の構造体を、半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップであるとすることができる。 In the laminated structure manufacturing method of the present invention, the second structure can be a semiconductor element, a heat dissipation member, or a spacer chip.

本発明の積層構造体の製造方法は、前記方法により得られた積層構造体をさらに樹脂材料により封止する工程を有するものとすることができる。   The manufacturing method of the laminated structure of the present invention may further include a step of sealing the laminated structure obtained by the above method with a resin material.

本発明の製造方法を用いることにより高温プロセスにおける高い信頼性を有する積層構造体を提供することが可能となる。例えば、本発明の製造方法により得られる積層構造体の一例である半導体装置は、耐リフロー性に優れ、信頼性の高い半導体装置となる。   By using the manufacturing method of the present invention, it is possible to provide a laminated structure having high reliability in a high temperature process. For example, a semiconductor device which is an example of a stacked structure obtained by the manufacturing method of the present invention is a highly reliable semiconductor device with excellent reflow resistance.

本発明の製造方法により得られる積層構造体である一例である半導体装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the semiconductor device which is an example which is a laminated structure obtained by the manufacturing method of this invention.

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments thereof.

先ず、本発明の積層構造体の製造方法について説明する。本発明の積層構造体の製造方法（以下、単に「製造方法」という。）は、第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有する積層構造体の製造方法であって、前記接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および下記式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、前記化合物（Ｂ）中の下記式（２）で表される成分の含有率が０．６質量％以下であることを特徴とする積層構造体の製造方法。
〔化１〕
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（Ｓ）ｎ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、ｍは１〜１０の数であり、ｎは１以上の数である。）
〔化２〕
Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （２）
（式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１〜１０の数である。） First, the manufacturing method of the laminated structure of this invention is demonstrated. The method for producing a laminated structure of the present invention (hereinafter simply referred to as “manufacturing method”) includes a step of adhering to a second structure via an adhesive composition on the first structure. The adhesive composition contains a thermosetting resin (A) and a compound (B) represented by the following formula (1), and the following formula (2) in the compound (B): The content rate of the component represented by this is 0.6 mass% or less, The manufacturing method of the laminated structure characterized by the above-mentioned.
[Chemical 1]
R 1 R 2 R 3 Si- ( CH 2) m - (S) n - (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (1)
(In the formula (1), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, m is a number of 1 to 10, and n is a number of 1 or more.)
[Chemical 2]
X- (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (2)
(In the formula (2), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, X represents a halogen atom, and m is a number of 1 to 10.)

本発明の製造方法に用いられる上記のような接着剤組成物は、接着特性および室温での保存性により優れたものであり、特に、室温で長く保存した場合でも粘度上昇が小さく且つ優れた接着特性が維持されるものである。   The adhesive composition as described above used in the production method of the present invention is superior in adhesive properties and storage stability at room temperature, and has particularly small adhesion and excellent adhesion even when stored at room temperature for a long time. The characteristics are maintained.

（第1の構造体）
本発明に用いられる第1の構造体とは、該構造体上に更に他の構造体を積層するため支持体としての役割を果たすものであることが好ましく、例えば半導体装置に代表される電子装置では、半導体用リードフレーム、半導体用有機基板、半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップ等が挙げられる。 (First structure)
The first structure used in the present invention preferably plays a role as a support for stacking another structure on the structure. For example, an electronic device typified by a semiconductor device Then, a semiconductor lead frame, a semiconductor organic substrate, a semiconductor element, a heat dissipation member, a spacer chip, or the like can be given.

（第２の構造体）
本発明に用いられる第２の構造体とは、第1の構造体上に積層されるものであることが好ましく、例えば半導体装置に代表される電子装置では、半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップ等が挙げられる。 (Second structure)
The second structure used in the present invention is preferably stacked on the first structure. For example, in an electronic device typified by a semiconductor device, a semiconductor element, a heat dissipation member, a spacer chip, or the like Is mentioned.

（（Ａ）熱硬化性樹脂）
本発明に用いられる熱硬化性樹脂（Ａ）は、加熱により３次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。このような熱硬化性樹脂（Ａ）は、特に限定されるものではないが、ペースト状の接着剤樹脂組成物を得るためには室温で液状であることが好ましい。 ((A) thermosetting resin)
The thermosetting resin (A) used in the present invention is a resin that forms a three-dimensional network structure by heating and is cured. Such a thermosetting resin (A) is not particularly limited, but is preferably liquid at room temperature in order to obtain a paste-like adhesive resin composition.

このような熱硬化性樹脂（Ａ）としては、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、マレイミド樹脂などが硬化性、接着性、信頼性の観点から好ましい。また、これらの熱硬化性樹脂は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。本発明の接着剤組成物においては、前記熱硬化性樹脂（Ａ）の硬化剤、硬化促進剤、重合開始剤、触媒などが含まれていてもよい。   As such a thermosetting resin (A), for example, cyanate resin, epoxy resin, acrylic resin, maleimide resin and the like are preferable from the viewpoint of curability, adhesiveness, and reliability. Moreover, these thermosetting resins may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. In the adhesive composition of the present invention, a curing agent, a curing accelerator, a polymerization initiator, a catalyst, and the like of the thermosetting resin (A) may be included.

本発明に用いられるシアネート樹脂は、分子内に−ＮＣＯ基を有する化合物であり、加熱により−ＮＣＯ基が反応することにより３次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。このようなシアネート樹脂としては、例えば、１，３−ジシアナトベンゼン、１，４−ジシアナトベンゼン、１，３，５−トリシアナトベンゼン、１，３−ジシアナトナフタレン、１，４−ジシアナトナフタレン、１，６−ジシアナトナフタレン、１，８−ジシアナトナフタレン、２，６−ジシアナトナフタレン、２，７−ジシアナトナフタレン、１，３，６−トリシアナトナフタレン、４，４’−ジシアナトビフェニル、ビス（４−シアナトフェニル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−シアナトフェニル）メタン、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−シアナトフェニル）プロパン、ビス（４−シアナトフェニル）エーテル、ビス（４−シアナトフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアナトフェニル）スルホン、トリス（４−シアナトフェニル）ホスファイト、トリス（４−シアナトフェニル）ホスフェート、およびノボラック樹脂とハロゲン化シアンとの反応により得られるシアネート類などが挙げられ、これらのシアネート類のシアネート基を三量化することによって形成されるトリアジン環を有するプレポリマーも使用できる。このプレポリマーは、前記シアネート類を、例えば、鉱酸、ルイス酸などの酸、ナトリウムアルコラート、第三級アミン類などの塩基、炭酸ナトリウムなどの塩類を触媒として重合させることにより得ることができる。また、前記シアネート類は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。   The cyanate resin used in the present invention is a compound having an —NCO group in the molecule, and is a resin that forms and cures when a —NCO group reacts by heating. Examples of such cyanate resins include 1,3-dicyanatobenzene, 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-dicyanatonaphthalene, 1,4-dicyanato. Naphthalene, 1,6-dicyanatonaphthalene, 1,8-dicyanatonaphthalene, 2,6-dicyanatonaphthalene, 2,7-dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4′-disi Anatobiphenyl, bis (4-cyanatophenyl) methane, bis (3,5-dimethyl-4-cyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 2,2-bis (3 , 5-Dibromo-4-cyanatophenyl) propane, bis (4-cyanatophenyl) ether, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis ( -Cyanatophenyl) sulfone, tris (4-cyanatophenyl) phosphite, tris (4-cyanatophenyl) phosphate, and cyanates obtained by reaction of novolac resin with cyanogen halide, etc. A prepolymer having a triazine ring formed by trimerization of cyanate groups of cyanates can also be used. This prepolymer can be obtained by polymerizing the cyanates using, for example, acids such as mineral acids and Lewis acids, bases such as sodium alcoholates and tertiary amines, and salts such as sodium carbonate as catalysts. Moreover, the said cyanates may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

このようなシアネート樹脂の硬化促進剤としては、一般に公知のものが使用できる。例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸亜鉛、アセチルアセトン鉄などの有機金属錯体、塩化アルミニウム、塩化錫、塩化亜鉛などの金属塩、トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミンなどのアミン類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの硬化促進剤は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。   As such a cyanate resin curing accelerator, generally known ones can be used. Examples include organometallic complexes such as zinc octylate, tin octylate, cobalt naphthenate, zinc naphthenate and acetylacetone iron, metal salts such as aluminum chloride, tin chloride and zinc chloride, and amines such as triethylamine and dimethylbenzylamine. However, it is not limited to these. Moreover, these hardening accelerators may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

本発明において、前記シアネート樹脂はそれを単独で用いてもよいが、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂およびマレイミド樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂と併用することも可能である。   In the present invention, the cyanate resin may be used alone, but it can also be used in combination with at least one of an epoxy resin, an oxetane resin, an acrylic resin, and a maleimide resin.

本発明に用いられるエポキシ樹脂は、グリシジル基を１分子中に１つ以上有する化合物であり、加熱によりグリシジル基が反応することにより３次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。グリシジル基が１分子に１つの化合物のみでは反応させても十分な硬化物特性を示すことができない傾向にあるため、グリシジル基は１分子に２つ以上含まれていることが好ましい。   The epoxy resin used in the present invention is a compound having one or more glycidyl groups in one molecule, and is a resin that forms a three-dimensional network structure and cures when the glycidyl group reacts by heating. Even if the glycidyl group is reacted with only one compound per molecule, sufficient cured product characteristics tend not to be exhibited. Therefore, it is preferable that two or more glycidyl groups are contained in one molecule.

グリシジル基を１分子に２つ以上含む化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビフェノールなどのビスフェノール化合物またはこれらの誘導体、水素添加ビスフェノールＡ、水素添加ビスフェノールＦ、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シジロヘキサンジエタノールなどの脂環構造を有するジオールまたはこれらの誘導体、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオールなどの脂肪族ジオールまたはこれらの誘導体などをエポキシ化した２官能のもの、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する３官能のもの、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられるが、これらに限定されない。また、前記グリシジル基を有する化合物は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。   Compounds containing two or more glycidyl groups per molecule include bisphenol compounds such as bisphenol A, bisphenol F, and biphenol, or derivatives thereof, hydrogenated bisphenol A, hydrogenated bisphenol F, hydrogenated biphenol, cyclohexanediol, and cyclohexanedimethanol. Diols having a cycloaliphatic structure such as silohexanediethanol or derivatives thereof, and bifunctional epoxidized aliphatic diols such as butanediol, hexanediol, octanediol, nonanediol, decanediol, or derivatives thereof , Trihydroxyphenylmethane skeleton, trifunctional one having aminophenol skeleton, phenol novolak resin, cresol novolak resin, phenol aralkyl resin, bif Ruararukiru resins and a naphthol aralkyl resin as polyfunctional epoxidized include, but are not limited to. Moreover, the compound which has the said glycidyl group may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

前述したように、本発明に用いられる接着剤組成物は室温で液状であることが好ましいことから、エポキシ樹脂としても室温で液状のものを使用することが好ましい。また、本発明においては、通常、行われるように反応性の希釈剤を使用することも可能である。反応性希釈剤としては、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなどの１官能の芳香族グリシジルエーテル類、脂肪族グリシジルエーテル類などが挙げられる。   As described above, since the adhesive composition used in the present invention is preferably liquid at room temperature, it is preferable to use an epoxy resin that is liquid at room temperature. In the present invention, it is also possible to use a reactive diluent as is usually done. Examples of the reactive diluent include monofunctional aromatic glycidyl ethers such as phenyl glycidyl ether and cresyl glycidyl ether, and aliphatic glycidyl ethers.

このようなエポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂などが挙げられる。これらの硬化剤は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。   Examples of the epoxy resin curing agent include aliphatic amines, aromatic amines, dicyandiamide, dihydrazide compounds, acid anhydrides, and phenol resins. These curing agents may be used alone or in combination of two or more.

ジヒドラジド化合物としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、ｐ−オキシ安息香酸ジヒドラジドなどのカルボン酸ジヒドラジドなどが挙げられ、酸無水物としてはフタル酸無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、無水マレイン酸とポリブタジエンの反応物、無水マレイン酸とスチレンの共重合体などが挙げられる。   Examples of the dihydrazide compound include carboxylic acid dihydrazides such as adipic acid dihydrazide, dodecanoic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide, p-oxybenzoic acid dihydrazide, and the acid anhydrides include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydroanhydride. Examples thereof include phthalic acid, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, a reaction product of maleic anhydride and polybutadiene, and a copolymer of maleic anhydride and styrene.

また、エポキシ樹脂の硬化剤として使用するフェノール樹脂は、１分子中にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物であり、１分子中にフェノール性水酸基を２〜５個有するものが好ましく、２〜３個有するものがより好ましい。フェノール性水酸基数が前記下限未満になると架橋構造を形成することができず、硬化物特性が悪化し、フェノール樹脂をエポキシ樹脂の硬化剤として使用することができない。他方、前記上限を超えると分子量が大きくなりすぎ、接着剤組成物の粘度が高くなりすぎる傾向にある。   The phenol resin used as a curing agent for the epoxy resin is a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and preferably has 2 to 5 phenolic hydroxyl groups in one molecule. Those having the number are more preferable. When the number of phenolic hydroxyl groups is less than the lower limit, a crosslinked structure cannot be formed, the cured product characteristics deteriorate, and the phenol resin cannot be used as a curing agent for the epoxy resin. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the molecular weight becomes too large and the viscosity of the adhesive composition tends to be too high.

このようなフェノール樹脂としては、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビス（メチルフェノール）、シクロへキシリデンビスフェノール、ビフェノールなどのビスフェノール類およびその誘導体、トリ（ヒドロキシフェニル）メタン、トリ（ヒドロキシフェニル）エタンなどの３官能のフェノール類およびその誘導体、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのフェノール類とホルムアルデヒドとを反応させることにより得られる化合物であり、２核体または３核体が主成分のものおよびその誘導体などが挙げられる。   Such phenol resins include bisphenol F, bisphenol A, bisphenol S, tetramethyl bisphenol A, tetramethyl bisphenol F, tetramethyl bisphenol S, dihydroxy diphenyl ether, dihydroxy benzophenone, tetramethyl biphenol, ethylidene bisphenol, methyl ethylidene bis (methyl Phenol), bisphenols such as cyclohexylidene bisphenol and biphenol and their derivatives, trifunctional phenols such as tri (hydroxyphenyl) methane and tri (hydroxyphenyl) ethane and their derivatives, phenols such as phenol novolac and cresol novolac A compound obtained by reacting aldehyde with formaldehyde, which is a binuclear or 3 Body like those and their derivatives of the main component.

前記エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、イミダゾール類、トリフェニルホスフィンまたはテトラフェニルホスフィンの塩類、ジアザビシクロウンデセンなどのアミン系化合物およびその塩類などが挙げられるが、中でも、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール、２−メチルイミダゾールと２，４−ジアミノ−６−ビニルトリアジンとの付加物といったイミダゾール化合物が、硬化性の観点から好ましく、さらに室温での保存性の観点から融点が１８０℃以上のイミダゾール化合物が特に好ましい。また、これらの硬化促進剤は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。 Examples of the curing accelerator for the epoxy resin include imidazoles, triphenylphosphine or tetraphenylphosphine salts, amine compounds such as diazabicycloundecene, and salts thereof, among others, 2-methylimidazole, 2 - ethylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxy methyl imidazole, 2-C 11 H 23 An imidazole compound such as imidazole, an adduct of 2-methylimidazole and 2,4-diamino-6-vinyltriazine is preferable from the viewpoint of curability, and imidazole having a melting point of 180 ° C. or higher from the viewpoint of storage stability at room temperature. Especially preferred for compounds That's right. Moreover, these hardening accelerators may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

本発明において、前記エポキシ樹脂はそれを単独で用いてもよいが、例えば、シアネート樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂およびマレイミド樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂と併用することも可能である。   In the present invention, the epoxy resin may be used alone. For example, it can be used in combination with at least one of a cyanate resin, an oxetane resin, an acrylic resin, and a maleimide resin.

本発明に用いられるアクリル樹脂は、分子内に（メタ）アクリロイル基を有する化合物であり、（メタ）アクリロイル基が反応することにより３次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。（メタ）アクリロイル基は１分子中に１つ以上含まれていればよいが、十分な硬化物特性を得るためには、（メタ）アクリロイル基は２つ以上含まれていることが好ましい。   The acrylic resin used in the present invention is a compound having a (meth) acryloyl group in the molecule, and is a resin that forms a three-dimensional network structure by the reaction of the (meth) acryloyl group and cures. One or more (meth) acryloyl groups may be contained in one molecule, but in order to obtain sufficient cured product properties, it is preferable that two or more (meth) acryloyl groups are contained.

このようなアクリル樹脂のうち、分子量が５００〜１００００のポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレート、ポリブタジエン、ブタジエンアクリロニトリル共重合体であって（メタ）アクリル基を有する化合物が作業性、硬化性、接着性の観点から特に好ましい。また、このようなアクリル樹脂は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。   Among such acrylic resins, a polyether, polyester, polycarbonate, poly (meth) acrylate, polybutadiene, butadiene acrylonitrile copolymer having a molecular weight of 500 to 10000, and a compound having a (meth) acryl group is workability and curing. Is particularly preferred from the viewpoints of adhesiveness and adhesiveness. Moreover, such an acrylic resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

前記ポリエーテルとしては、炭素数が３〜６の２価の有機基がエーテル結合を介して繰り返したものがより好ましく、硬化物の低弾性率化の観点から芳香族環を含まないものがさらに好ましい。（メタ）アクリル基を有するポリエーテルは、ポリエーテルポリオールと（メタ）アクリル酸またはその誘導体との反応により得ることができる。   As the polyether, those in which a divalent organic group having 3 to 6 carbon atoms is repeated via an ether bond are more preferable, and those that do not contain an aromatic ring from the viewpoint of lowering the elastic modulus of the cured product. preferable. The polyether having a (meth) acryl group can be obtained by a reaction between a polyether polyol and (meth) acrylic acid or a derivative thereof.

前記ポリエステルとしては、炭素数が３〜６の２価の有機基がエステル結合を介して繰り返したものがより好ましく、硬化物の低弾性率化の観点から芳香族環を含まないものがさらに好ましい。（メタ）アクリル基を有するポリエステルは、ポリエステルポリオールと（メタ）アクリル酸またはその誘導体との反応により得ることができる。   As the polyester, those in which a divalent organic group having 3 to 6 carbon atoms is repeated via an ester bond are more preferable, and those having no aromatic ring are more preferable from the viewpoint of lowering the elastic modulus of the cured product. . The polyester having a (meth) acryl group can be obtained by a reaction between a polyester polyol and (meth) acrylic acid or a derivative thereof.

前記ポリカーボネートとしては、炭素数が３〜８の２価の有機基がカーボネート結合を介して繰り返したものがより好ましく、硬化物の低弾性率化の観点から芳香族環を含まないものがさらに好ましい。（メタ）アクリル基を有するポリカーボネートは、ポリカーボネートポリオールと（メタ）アクリル酸またはその誘導体との反応により得ることができる。   As the polycarbonate, those in which a divalent organic group having 3 to 8 carbon atoms is repeated via a carbonate bond are more preferable, and those having no aromatic ring are more preferable from the viewpoint of lowering the elastic modulus of the cured product. . A polycarbonate having a (meth) acryl group can be obtained by a reaction between a polycarbonate polyol and (meth) acrylic acid or a derivative thereof.

前記ポリ（メタ）アクリレートとしては、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリレートとの共重合体、または水酸基を有する（メタ）アクリレートと極性基を有さない（メタ）アクリレートとの共重合体などが好ましい。これらの共重合体がカルボキシ基を有する場合には水酸基を有するアクリレートと、水酸基を有する場合には（メタ）アクリル酸またはその誘導体と前記共重合体とを反応させることにより（メタ）アクリル基を有するポリ（メタ）アクリレートを得ることができる。   Examples of the poly (meth) acrylate include a copolymer of (meth) acrylic acid and (meth) acrylate, or a copolymer of (meth) acrylate having a hydroxyl group and (meth) acrylate having no polar group. Is preferred. When these copolymers have a carboxy group, an acrylate having a hydroxyl group, and when having a hydroxyl group, (meth) acrylic acid or a derivative thereof is reacted with the copolymer to form a (meth) acrylic group. The poly (meth) acrylate possessed can be obtained.

（メタ）アクリル基を有するポリブタジエンとしては、カルボキシ基を有するポリブタジエンと水酸基を有する（メタ）アクリレートとの反応、水酸基を有するポリブタジエンと（メタ）アクリル酸またはその誘導体との反応により得ることができ、また、無水マレイン酸を付加したポリブタジエンと水酸基を有する（メタ）アクリレートとの反応により得ることも可能である。   The polybutadiene having a (meth) acryl group can be obtained by a reaction between a polybutadiene having a carboxy group and a (meth) acrylate having a hydroxyl group, a reaction between a polybutadiene having a hydroxyl group and (meth) acrylic acid or a derivative thereof, It can also be obtained by reaction of polybutadiene added with maleic anhydride and (meth) acrylate having a hydroxyl group.

（メタ）アクリル基を有するブタジエンアクリロニトリル共重合体としては、カルボキシ基を有するブタジエンアクリロニトリル共重合体と水酸基を有する（メタ）アクリレートとの反応により得ることができる。   The butadiene acrylonitrile copolymer having a (meth) acryl group can be obtained by a reaction between a butadiene acrylonitrile copolymer having a carboxy group and a (meth) acrylate having a hydroxyl group.

前記アクリル樹脂を調製する際、必要に応じて上述した化合物以外に他の化合物を併用することも可能である。併用可能な化合物としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１，２−シクロヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、１，３−シクロヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、１，２−シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、１，３−シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、１，２−シクロヘキサンジエタノールモノ（メタ）アクリレート、１，３−シクロヘキサンジエタノールモノ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジエタノールモノ（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールモノ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールモノ（メタ）アクリレートなどの水酸基を有する（メタ）アクリレートや、このような水酸基を有する（メタ）アクリレートとジカルボン酸またはその誘導体を反応して得られるカルボキシ基を有する（メタ）アクリレートなどが挙げられる。ここで使用可能なジカルボン酸としては、例えば、しゅう酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸およびこれらの誘導体が挙げられる。これらの化合物は１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。   When preparing the acrylic resin, other compounds can be used in combination with the above-described compounds as necessary. Examples of compounds that can be used in combination include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl ( (Meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 1,2-cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 1 , 2-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,2-cyclohexanedieta Mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanediethanol mono (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediethanol mono (meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, trimethylolpropane mono (meta) ) Having hydroxyl groups such as acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol mono (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, neopentyl glycol mono (meth) acrylate ( (Meth) acrylate or (meth) acrylate having a carboxy group obtained by reacting such a hydroxyl group-containing (meth) acrylate with a dicarboxylic acid or a derivative thereof. Rate and the like. Examples of the dicarboxylic acid that can be used here include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, maleic acid, fumaric acid, phthalic acid, and tetrahydrophthalic acid. Acid, hexahydrophthalic acid and derivatives thereof. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

また、前記他の化合物以外にも、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ターシャルブチル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、その他のアルキル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ターシャルブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジンクモノ（メタ）アクリレート、ジンクジ（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフロロプロピル（メタ）アクリレート、２，２，３，３，４，４−ヘキサフロロブチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オクトキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ラウロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ステアロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アリロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビス（メタ）アクリルアミド、１，２−ジ（メタ）アクリルアミドエチレングリコール、ジ（メタ）アクリロイロキシメチルトリシクロデカン、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルマレイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルフタルイミド、ｎ−ビニル−２−ピロリドン、スチレン誘導体、α−メチルスチレン誘導体などを使用することも可能である。これらの化合物は１種で単独で用いても２種以上を併用してもよい。   In addition to the other compounds, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tertiary butyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, Lauryl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, behenyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate , Other alkyl (meth) acrylates, cyclohexyl (meth) acrylate, tertiary butyl cyclohexyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, benzyl (meth) Acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, zinc mono (meth) acrylate, zinc di (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, Diethylaminoethyl (meth) acrylate, neopentyl glycol (meth) acrylate, trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, 2,2,3,3,4,4 -Hexafluorobutyl (meth) acrylate, perfluorooctyl (meth) acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (Meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) Acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, tetramethylene glycol di (meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyalkylene glycol mono ( (Meth) acrylate, octoxypolyalkylene glycol mono (meth) acrylate, lauroxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate, stearoxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate, Riloxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate, nonylphenoxy polyalkylene glycol mono (meth) acrylate, N, N′-methylenebis (meth) acrylamide, N, N′-ethylenebis (meth) acrylamide, 1,2-di (Meth) acrylamide ethylene glycol, di (meth) acryloyloxymethyltricyclodecane, N- (meth) acryloyloxyethylmaleimide, N- (meth) acryloyloxyethyl hexahydrophthalimide, N- (meth) acryloyl Roxyethylphthalimide, n-vinyl-2-pyrrolidone, styrene derivatives, α-methylstyrene derivatives, and the like can also be used. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

さらに、前記アクリル樹脂を調製する際、重合開始剤として熱ラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。熱ラジカル重合開始剤としては、通常、熱ラジカル重合開始剤として用いられる化合物であれば特に限定されないが、急速加熱試験における分解温度（試料１ｇを電熱板の上にのせ、４℃／分で昇温した時の分解開始温度）が４０〜１４０℃となるものが好ましい。分解温度が４０℃未満になると接着剤組成物の常温における保存性が低下する傾向にあり、他方、１４０℃を超えると硬化時間が極端に長くなる傾向にある。   Furthermore, when preparing the said acrylic resin, it is preferable to use a thermal radical polymerization initiator as a polymerization initiator. The thermal radical polymerization initiator is not particularly limited as long as it is a compound that is usually used as a thermal radical polymerization initiator. Those having a decomposition start temperature (when heated) of 40 to 140 ° C. are preferred. When the decomposition temperature is less than 40 ° C., the preservability at normal temperature of the adhesive composition tends to be lowered, and when it exceeds 140 ° C., the curing time tends to be extremely long.

このような熱ラジカル重合開始剤としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ｎ−ブチル４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、α、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、イソブチリルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、ｍ−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、α、α’−ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルへキサノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシマレイックアシッド、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−トルオイルベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）イソフタレート、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノンなどが挙げられる。これらの熱ラジカル重合開始剤は１種を単独で用いてもよいし、硬化性を制御するために２種以上を併用してもよい。   Examples of such thermal radical polymerization initiators include methyl ethyl ketone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, methyl acetoacetate peroxide, acetylacetone peroxide, 1,1-bis (t-butylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane. 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 2,2-bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, n-butyl 4,4-bis (t-butylperoxy) ) Valerate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, 1 1-bis (t-butylperoxy) -2-methylcyclohexane, t-butyl hydroperoxide, p-menthane hydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, t-hexyl hydroper Oxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexane, α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, t-butylcumyl peroxide, Di-t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexyne-3, isobutyryl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide Oxide, lauroyl peroxide, cinnamic acid peroxide, m-tolu Ile peroxide, benzoyl peroxide, diisopropyl peroxydicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-3-methoxybutyl peroxydicarbonate, di-2-ethylhexyl peroxydicarbonate, di -Sec-butyl peroxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutyl) peroxydicarbonate, di (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, α, α'-bis (neodecanoylper) Oxy) diisopropylbenzene, cumylperoxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate, t-hexyl Peroxyneode Noate, t-butylperoxyneodecanoate, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate , T-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, t-butylperoxymaleic acid, t-butylperoxylaurate, t-butylperoxy-3,5, 5-trimethylhexanoate, t-butyl peroxyisopropyl monocarbonate, t-butyl para Oxy-2-ethylhexyl monocarbonate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, t-hexylperoxybenzoate, t-butylperoxy-m-toluoyl Benzoate, t-butylperoxybenzoate, bis (t-butylperoxy) isophthalate, t-butylperoxyallyl monocarbonate, 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, etc. Is mentioned. These thermal radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more in order to control curability.

本発明において、前記アクリル樹脂はそれを単独で用いてもよいが、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂およびマレイミド樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂と併用することも可能である。   In the present invention, the acrylic resin may be used alone. For example, it can be used in combination with at least one of a cyanate resin, an epoxy resin, an oxetane resin and a maleimide resin.

本発明に用いられるマレイミド樹脂は、１分子中にマレイミド基を１つ以上含む化合物であり、加熱によりマレイミド基が反応することにより３次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。このようなマレイミド樹脂としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミド、ビス（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパンなどが挙げられる。中でも、作業性、硬化性、接着性の観点からダイマー酸ジアミンと無水マレイン酸の反応により得られる化合物、マレイミド酢酸、マレイミドカプロン酸といったマレイミド化アミノ酸とポリオールの反応により得られる化合物がより好ましい。マレイミド化アミノ酸は、無水マレイン酸とアミノ酢酸またはアミノカプロン酸とを反応することにより得られる。また、ポリオールとしては、作業性の観点からポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリ（メタ）アクリレートポリオールが好ましく、芳香族環を含まないものが特に好ましい。   The maleimide resin used in the present invention is a compound that contains one or more maleimide groups in one molecule, and forms a three-dimensional network structure when the maleimide group reacts by heating, and is cured. Examples of such maleimide resins include N, N ′-(4,4′-diphenylmethane) bismaleimide, bis (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, and 2,2-bis [4. -(4-maleimidophenoxy) phenyl] propane and the like. Among these, from the viewpoint of workability, curability and adhesiveness, compounds obtained by reaction of dimer acid diamine and maleic anhydride, and compounds obtained by reaction of maleimidated amino acids such as maleimidoacetic acid and maleimidocaproic acid and polyols are more preferred. Maleimidated amino acids are obtained by reacting maleic anhydride with aminoacetic acid or aminocaproic acid. Moreover, as a polyol, polyether polyol, polyester polyol, polycarbonate polyol, and poly (meth) acrylate polyol are preferable from the viewpoint of workability, and those not containing an aromatic ring are particularly preferable.

このようなマレイミド樹脂はそれを単独で用いてもよいが、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂およびアクリル樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂と併用することも可能である。また、マレイミド基はアリル基と反応可能であるため、マレイミド樹脂とアリルエステル樹脂とを併用することも可能である。アリルエステル樹脂としては、硬化物の低弾性率化の観点から脂肪族のものが好ましく、中でも、シクロヘキサンジアリルエステルと脂肪族ポリオールのエステル交換により得られる化合物が特に好ましい。   Such maleimide resin may be used alone, but it can also be used in combination with at least one of a cyanate resin, an epoxy resin, an oxetane resin and an acrylic resin. Moreover, since the maleimide group can react with an allyl group, it is also possible to use a maleimide resin and an allyl ester resin in combination. As the allyl ester resin, an aliphatic resin is preferable from the viewpoint of lowering the elastic modulus of the cured product, and among them, a compound obtained by transesterification of cyclohexane diallyl ester and an aliphatic polyol is particularly preferable.

本発明に用いられる化合物（Ｂ）は、下記式（１）で表されるスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有するものである。
〔化１〕
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（Ｓ）ｎ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、ｍは１〜１０の数であり、ｎは１以上の数である。） The compound (B) used in the present invention has a sulfide bond represented by the following formula (1) and an alkoxysilyl group.
[Chemical 1]
R 1 R 2 R 3 Si- ( CH 2) m - (S) n - (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (1)
(In the formula (1), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, m is a number of 1 to 10, and n is a number of 1 or more.)

このようなスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物を用いることによって、本発明の接着剤組成物は優れた接着特性を示し、耐リフロー性に優れた信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。   By using such a compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group, the adhesive composition of the present invention exhibits excellent adhesive properties and can produce a highly reliable semiconductor device with excellent reflow resistance. It becomes possible.

前記アルコキシシリル基は１個のＳｉ原子に１〜３個のアルコキシ基が結合したものであり、反応性の観点から１個のＳｉ原子に２〜３個のアルコキシ基が結合したものが好ましく、３個のアルコキシ基が結合したものがより好ましい。また、前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基などが挙げられ、中でも、反応性の観点からメトキシ基およびエトキシ基が好ましい。１個のＳｉ原子に結合しているアルコキシ基は同じものでも異なったものでもよい。   The alkoxysilyl group is a group in which 1 to 3 alkoxy groups are bonded to one Si atom, and from the viewpoint of reactivity, a group in which 2 to 3 alkoxy groups are bonded to one Si atom is preferable. More preferred are those in which three alkoxy groups are bonded. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, a butoxy group, and a pentyloxy group. Among these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable from the viewpoint of reactivity. The alkoxy groups bonded to one Si atom may be the same or different.

このような化合物（Ｂ）としては、ビス（トリメトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Examples of such a compound (B) include bis (trimethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monomethoxydimethylsilylmethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) disulfide, Bis (dimethoxymonomethylsilylmethyl) disulfide, bis (monomethoxydimethylsilylmethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monomethoxydimethylsilylmethyl) trisulfide, Bis (trimethoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydimethylsilylmethyl) tetrasulfide , Bis (trimethoxysilyl methyl) polysulfide, bis (dimethoxy monomethyl silyl methyl) polysulfide, bis (monomethoxy dimethylsilylmethyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monomethoxydiethylsilylmethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) disulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylmethyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydiethylsilylmethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monomethoxydiethylsilylmethyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Methyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydiethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Rirumechiru) polysulfide, bis (dimethoxy monoethyl silyl methyl) polysulfide, bis (monomethoxy diethyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylmethyl) monosulfide, bis (monomethoxydipropylsilylmethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) disulfide, bis (dimethoxymonopropylsilyl) Methyl) disulfide, bis (monomethoxydipropylsilylmethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylmethyl) trisulfide, bis (monomethoxydipropylsilylmethyl) trisulfide, bis ( Trimethoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipropylsilylmethyl) tetrasulfide, bisulfide (Trimethoxysilylmethyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopropyl silyl methyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipropyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylmethyl) monosulfide, bis (monomethoxydibutylsilylmethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) disulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylmethyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydibutylsilylmethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylmethyl) trisulfide, bis (monomethoxydibutylsilylmethyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Methyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydibutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Rirumechiru) polysulfide, bis (dimethoxy monobutyl silyl methyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dibutyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylmethyl) monosulfide, bis (monomethoxydipentylsilylmethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) disulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylmethyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydipentylsilylmethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylmethyl) trisulfide, bis (monomethoxydipentylsilylmethyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Methyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipentylsilylmethyl) tetrasulfide, bisulfide (Trimethoxysilylmethyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopentyl silyl methyl) polysulfide, bis (monomethoxy dipentyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (diethoxymonomethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monoethoxydimethylsilylmethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylmethyl) disulfide, bis (diethoxymonomethylsilylmethyl) ) Disulfide, bis (monoethoxydimethylsilylmethyl) disulfide, bis (triethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (diethoxymonomethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monoethoxydimethylsilylmethyl) trisulfide, bis (triethoxysilyl) Methyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonomethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydimethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Rirumechiru) polysulfide, bis (diethoxy monomethyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-ethoxydimethylsilyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (diethoxymonoethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monoethoxydiethylsilylmethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylmethyl) disulfide, bis (diethoxymonoethyl) Silylmethyl) disulfide, bis (monoethoxydiethylsilylmethyl) disulfide, bis (triethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (diethoxymonoethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monoethoxydiethylsilylmethyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonoethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydiethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Rirumechiru) polysulfide, bis (diethoxy monoethyl silyl methyl) polysulfide, bis (monoethoxy diethyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (diethoxymonopropylsilylmethyl) monosulfide, bis (monoethoxydipropylsilylmethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylmethyl) disulfide, bis (diethoxymono) Propylsilylmethyl) disulfide, bis (monoethoxydipropylsilylmethyl) disulfide, bis (triethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (diethoxymonopropylsilylmethyl) trisulfide, bis (monoethoxydipropylsilylmethyl) trisulfide Bis (triethoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopropylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipropylsilylmethyl) tetrasulfide, bisulfide (Triethoxysilylmethyl) polysulfide, bis (diethoxy monopropyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-propyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (diethoxymonobutylsilylmethyl) monosulfide, bis (monoethoxydibutylsilylmethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylmethyl) disulfide, bis (diethoxymonobutyl) Silylmethyl) disulfide, bis (monoethoxydibutylsilylmethyl) disulfide, bis (triethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (diethoxymonobutylsilylmethyl) trisulfide, bis (monoethoxydibutylsilylmethyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonobutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydibutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Rirumechiru) polysulfide, bis (diethoxy monobutyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-butylsilyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylmethyl) monosulfide, bis (diethoxymonopentylsilylmethyl) monosulfide, bis (monoethoxydipentylsilylmethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylmethyl) disulfide, bis (diethoxymonopentyl) Silylmethyl) disulfide, bis (monoethoxydipentylsilylmethyl) disulfide, bis (triethoxysilylmethyl) trisulfide, bis (diethoxymonopentylsilylmethyl) trisulfide, bis (monoethoxydipentylsilylmethyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopentylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipentylsilylmethyl) tetrasulfide, bisulfide (Triethoxysilylmethyl) polysulfide, bis (diethoxy monopentyl silyl methyl) polysulfide, bis (monoethoxy dipentyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) disulfide, bis (di Propyloxymonomethylsilylmethyl) disulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylmethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylmethyl) ) Trisulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy dimethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (dipropyl oxy monomethyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dimethylsilylmethyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonoethylsilylmethyl) disulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylmethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Diethylsilylmethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy-diethyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monoethyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy diethyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) disulfide, bis (Dipropyloxymonopropylsilylmethyl) disulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylmethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylmethyl) trisulfide, bis (mono Propyloxydipropylsilylmethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylmethyl) tetrasulfide , Bis (mono-propyloxy dipropyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopropyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipropyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonobutylsilylmethyl) disulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylmethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dibutylsilylmethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy dibutyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monobutyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dibutyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonopentylsilylmethyl) disulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylmethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dipentylsilylmethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylmethyl) tetrasulfide , Bis (mono-propyloxy dipentyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopentyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipentyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monobutoxydimethylsilylmethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylmethyl) disulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylmethyl) ) Disulfide, bis (monobutoxydimethylsilylmethyl) disulfide, bis (tributoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monobutoxydimethylsilylmethyl) trisulfide, bis (tributoxysilyl) Methyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydimethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Rirumechiru) polysulfide, bis (dibutoxy monomethyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dimethylsilylmethyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monobutoxydiethylsilylmethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylmethyl) disulfide, bis (dibutoxymonoethyl) Silylmethyl) disulfide, bis (monobutoxydiethylsilylmethyl) disulfide, bis (tributoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monobutoxydiethylsilylmethyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydiethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Rirumechiru) polysulfide, bis (dibutoxy monoethyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-butoxydiethyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylmethyl) monosulfide, bis (monobutoxydipropylsilylmethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylmethyl) disulfide, bis (dibutoxymono) Propylsilylmethyl) disulfide, bis (monobutoxydipropylsilylmethyl) disulfide, bis (tributoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylmethyl) trisulfide, bis (monobutoxydipropylsilylmethyl) trisulfide Bis (tributoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipropylsilylmethyl) tetrasulfide, bisulfide (Tributoxysilyl methyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopropyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dipropyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルメチル）ポリスルフィド、   Or bis (tributoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylmethyl) monosulfide, bis (monobutoxydibutylsilylmethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylmethyl) disulfide, bis (dibutoxymonobutyl) Silylmethyl) disulfide, bis (monobutoxydibutylsilylmethyl) disulfide, bis (tributoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylmethyl) trisulfide, bis (monobutoxydibutylsilylmethyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydibutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Rirumechiru) polysulfide, bis (dibutoxy monobutyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dibutyl silyl methyl) polysulfide,

または、ビス（トリブトキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylmethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylmethyl) monosulfide, bis (monobutoxydipentylsilylmethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylmethyl) disulfide, bis (dibutoxymonopentyl) Silylmethyl) disulfide, bis (monobutoxydipentylsilylmethyl) disulfide, bis (tributoxysilylmethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylmethyl) trisulfide, bis (monobutoxydipentylsilylmethyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipentylsilylmethyl) tetrasulfide, bisulfide (Tributoxysilyl methyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopentyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dipentyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or, bis (tripentyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) disulfide, bis (dipentyloxy) Monomethylsilylmethyl) disulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylmethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylmethyl) trisulfide , Bis (tripentyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy dimethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monomethyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dimethylsilylmethyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonoethylsilylmethyl) disulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylmethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylmethyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy diethyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monoethyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy diethyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルメチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) disulfide, bis ( Dipentyloxymonopropylsilylmethyl) disulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylmethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydi) Propylsilylmethyl) trisulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylmethyl) tetrasulfide , Bis (mono-pentyloxy dipropyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monopropyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dipropyl silyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルメチル）ポリスルフィド。 Or bis (tripentyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonobutylsilylmethyl) disulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylmethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylmethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylmethyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylmethyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy dibutyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monobutyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy-di-butylsilyl methyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルメチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルメチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス８３（モノペンチルオキシジペンチルシリルメチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルメチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルメチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルメチル）ポリスルフィド、   Or bis (tripentyloxysilylmethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylmethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylmethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonopentylsilylmethyl) disulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylmethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylmethyl) trisulfide, bis83 (monopentyloxydipentylsilyl) Methyl) trisulfide, bis (tripentyloxysilylmethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylmethyl) tetrasulfide I, bis (mono-pentyloxy dipentyl silyl methyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl methyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monopentyl silyl methyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dipentyl silyl methyl) polysulfide,

または、ビス（トリメトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylethyl) monosulfide, bis (monomethoxydimethylsilylethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylethyl) disulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylethyl) disulfide Bis (monomethoxydimethylsilylethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylethyl) trisulfide, bis (monomethoxydimethylsilylethyl) trisulfide, bis (trimethoxysilylethyl) tetra Sulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydimethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Riruechiru) polysulfide, bis (dimethoxy monomethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-methoxy dimethyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylethyl) monosulfide, bis (monomethoxydiethylsilylethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylethyl) disulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylethyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydiethylsilylethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylethyl) trisulfide, bis (monomethoxydiethylsilylethyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Ethyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydiethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Riruechiru) polysulfide, bis (dimethoxy monoethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-methoxy diethyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylethyl) monosulfide, bis (monomethoxydipropylsilylethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylethyl) disulfide, bis (dimethoxymonopropylsilyl) Ethyl) disulfide, bis (monomethoxydipropylsilylethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylethyl) trisulfide, bis (monomethoxydipropylsilylethyl) trisulfide, bis ( Trimethoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipropylsilylethyl) tetrasulfide, bisulfide (Trimethoxysilylethyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopropyl silyl ethyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipropyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylethyl) monosulfide, bis (monomethoxydibutylsilylethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylethyl) disulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylethyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydibutylsilylethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylethyl) trisulfide, bis (monomethoxydibutylsilylethyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Ethyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydibutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Riruechiru) polysulfide, bis (dimethoxy monobutyl silyl ethyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dibutyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルエチル）ポリスルフィド、   Or bis (trimethoxysilylethyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylethyl) monosulfide, bis (monomethoxydipentylsilylethyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylethyl) disulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylethyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydipentylsilylethyl) disulfide, bis (trimethoxysilylethyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylethyl) trisulfide, bis (monomethoxydipentylsilylethyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Ethyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipentylsilylethyl) tetrasulfide, (Trimethoxysilylethyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopentyl silyl ethyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipentyl silyl ethyl) polysulfide,

または、ビス（トリエトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylethyl) monosulfide, bis (diethoxymonomethylsilylethyl) monosulfide, bis (monoethoxydimethylsilylethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylethyl) disulfide, bis (diethoxymonomethylsilylethyl) ) Disulfide, bis (monoethoxydimethylsilylethyl) disulfide, bis (triethoxysilylethyl) trisulfide, bis (diethoxymonomethylsilylethyl) trisulfide, bis (monoethoxydimethylsilylethyl) trisulfide, bis (triethoxysilyl) Ethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonomethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydimethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Riruechiru) polysulfide, bis (diethoxy monomethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-ethoxydimethylsilyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylethyl) monosulfide, bis (diethoxymonoethylsilylethyl) monosulfide, bis (monoethoxydiethylsilylethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylethyl) disulfide, bis (diethoxymonoethyl) Silylethyl) disulfide, bis (monoethoxydiethylsilylethyl) disulfide, bis (triethoxysilylethyl) trisulfide, bis (diethoxymonoethylsilylethyl) trisulfide, bis (monoethoxydiethylsilylethyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonoethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydiethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Riruechiru) polysulfide, bis (diethoxy monoethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-ethoxyethyl diethyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylethyl) monosulfide, bis (diethoxymonopropylsilylethyl) monosulfide, bis (monoethoxydipropylsilylethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylethyl) disulfide, bis (diethoxymono) Propylsilylethyl) disulfide, bis (monoethoxydipropylsilylethyl) disulfide, bis (triethoxysilylethyl) trisulfide, bis (diethoxymonopropylsilylethyl) trisulfide, bis (monoethoxydipropylsilylethyl) trisulfide Bis (triethoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopropylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipropylsilylethyl) tetrasulfide, bisulfide (Triethoxysilylethyl) polysulfide, bis (diethoxy monopropyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-propyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylethyl) monosulfide, bis (diethoxymonobutylsilylethyl) monosulfide, bis (monoethoxydibutylsilylethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylethyl) disulfide, bis (diethoxymonobutyl) Silylethyl) disulfide, bis (monoethoxydibutylsilylethyl) disulfide, bis (triethoxysilylethyl) trisulfide, bis (diethoxymonobutylsilylethyl) trisulfide, bis (monoethoxydibutylsilylethyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonobutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydibutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Riruechiru) polysulfide, bis (diethoxy monobutyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-butyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylethyl) monosulfide, bis (diethoxymonopentylsilylethyl) monosulfide, bis (monoethoxydipentylsilylethyl) monosulfide, bis (triethoxysilylethyl) disulfide, bis (diethoxymonopentyl) Silylethyl) disulfide, bis (monoethoxydipentylsilylethyl) disulfide, bis (triethoxysilylethyl) trisulfide, bis (diethoxymonopentylsilylethyl) trisulfide, bis (monoethoxydipentylsilylethyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopentylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipentylsilylethyl) tetrasulfide, bisulfide (Triethoxysilylethyl) polysulfide, bis (diethoxy monopentyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-ethoxyethyl dipentyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) disulfide, bis (di Propyloxymonomethylsilylethyl) disulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylsilylethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylethyl) trisulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylethyl) ) Trisulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy dimethylsilyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (dipropyl oxy monomethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dimethylsilyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonoethylsilylethyl) disulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylethyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Diethylsilylethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy diethyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monoethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy diethyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) disulfide, bis (Dipropyloxymonopropylsilylethyl) disulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylethyl) trisulfide, bis (mono Propyloxydipropylsilylethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylethyl) tetrasulfide , Bis (mono-propyloxy dipropyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopropyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipropyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonobutylsilylethyl) disulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylethyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dibutylsilylethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy dibutyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monobutyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dibutyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylethyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylethyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonopentylsilylethyl) disulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylethyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylethyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dipentylsilylethyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylethyl) tetrasulfide , Bis (mono-propyloxy dipentyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopentyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipentyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylethyl) monosulfide, bis (monobutoxydimethylsilylethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylethyl) disulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylethyl) ) Disulfide, bis (monobutoxydimethylsilylethyl) disulfide, bis (tributoxysilylethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylethyl) trisulfide, bis (monobutoxydimethylsilylethyl) trisulfide, bis (tributoxysilyl) Ethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydimethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Riruechiru) polysulfide, bis (dibutoxy monomethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (monobutoxy butyldimethylsilyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylethyl) monosulfide, bis (monobutoxydiethylsilylethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylethyl) disulfide, bis (dibutoxymonoethyl) Silylethyl) disulfide, bis (monobutoxydiethylsilylethyl) disulfide, bis (tributoxysilylethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylethyl) trisulfide, bis (monobutoxydiethylsilylethyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydiethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Riruechiru) polysulfide, bis (dibutoxy monoethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-butoxydiethyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylethyl) monosulfide, bis (monobutoxydipropylsilylethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylethyl) disulfide, bis (dibutoxymono) Propylsilylethyl) disulfide, bis (monobutoxydipropylsilylethyl) disulfide, bis (tributoxysilylpropylethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylethyl) trisulfide, bis (monobutoxydipropylsilylethyl) trisulfide Bis (tributoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipropylsilylethyl) tetrasulfide, bisulfide (Tributoxysilyl ethyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopropyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dipropyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylethyl) monosulfide, bis (monobutoxydibutylsilylethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylethyl) disulfide, bis (dibutoxymonobutyl) Silylethyl) disulfide, bis (monobutoxydibutylsilylethyl) disulfide, bis (tributoxysilylbutylethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylethyl) trisulfide, bis (monobutoxydibutylsilylethyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydibutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Riruechiru) polysulfide, bis (dibutoxy monobutyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dibutyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylethyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylethyl) monosulfide, bis (monobutoxydipentylsilylethyl) monosulfide, bis (tributoxysilylethyl) disulfide, bis (dibutoxymonopentyl) Silylethyl) disulfide, bis (monobutoxydipentylsilylethyl) disulfide, bis (tributoxysilylethyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylethyl) trisulfide, bis (monobutoxydipentylsilylethyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipentylsilylethyl) tetrasulfide, bisulfide (Tributoxysilyl ethyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopentyl silyl ethyl) polysulfide, bis (monobutoxy dipentyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or, bis (tripentyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) disulfide, bis (dipentyloxy) Monomethylsilylethyl) disulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylethyl) trisulfide , Bis (tripentyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy dimethylsilyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monomethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dimethylsilyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonoethylsilylethyl) disulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylethyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylethyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy diethyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monoethyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy diethyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) disulfide, bis ( Dipentyloxymonopropylsilylethyl) disulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydi) Propylsilylethyl) trisulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylethyl) tetrasulfide , Bis (mono-pentyloxy dipropyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monopropyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dipropyl silyl ethyl) polysulfide.

ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Bis (tripentyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) disulfide, bis (dipentyloxymono) Butylsilylethyl) disulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylethyl) trisulfide Sulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylethyl) tetrasulfide, bis (monopentyl) Carboxymethyl dibutyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monobutyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dibutyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルエチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルエチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルエチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルエチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルエチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルエチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylethyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylethyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylethyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonopentylsilylethyl) disulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylethyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylethyl) trisulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylethyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylethyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylethyl) tetrasulfide , Bis (mono-pentyloxy dipentyl silyl ethyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl ethyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monopentyl silyl ethyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dipentyl silyl ethyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monomethoxydimethylsilylpropyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) disulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpropyl) disulfide Bis (monomethoxydimethylsilylpropyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monomethoxydimethylsilylpropyl) trisulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) tetra Sulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydimethylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (trimethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (dimethoxy monomethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-methoxy dimethyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpropyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) disulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpropyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpropyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpropyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Propyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (trimethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (dimethoxy monoethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-methoxy diethyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、   Or bis (trimethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylpropyl) monosulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpropyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) disulfide, bis (dimethoxymonopropylsilyl) Propyl) disulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpropyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylpropyl) trisulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpropyl) trisulfide, bis ( Trimethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpropylene) ) Tetrasulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopropyl silyl propyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipropyl silyl propyl) polysulfide,

または、ビス（トリメトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpropyl) monosulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpropyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) disulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpropyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpropyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpropyl) trisulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpropyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Propyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (trimethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (dimethoxy monobutyl silyl propyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dibutyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpropyl) monosulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpropyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) disulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpropyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpropyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpropyl) trisulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpropyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Propyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpropyl) ) Tetrasulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopentyl silyl propyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipentyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpropyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpropyl) ) Disulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpropyl) trisulfide, bis (triethoxysilyl) Propyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (triethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (diethoxy monomethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-ethoxydimethylsilyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (diethoxymonoethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpropyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (diethoxymonoethyl) Silylpropyl) disulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (diethoxymonoethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpropyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonoethylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (triethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (diethoxy monoethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy diethyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、   Or bis (triethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (diethoxymonopropylsilylpropyl) monosulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpropyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (diethoxymono) Propylsilylpropyl) disulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (diethoxymonopropylsilylpropyl) trisulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpropyl) trisulfide Bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopropylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpropylene) ) Tetrasulfide, bis (triethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (diethoxy monopropyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-propyl silyl propyl) polysulfide,

または、ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (diethoxymonobutylsilylpropyl) monosulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpropyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (diethoxymonobutyl) Silylpropyl) disulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (diethoxymonobutylsilylpropyl) trisulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpropyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonobutylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (triethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (diethoxy monobutyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-butyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylpropyl) monosulfide, bis (diethoxymonopentylsilylpropyl) monosulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpropyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (diethoxymonopentyl) Silylpropyl) disulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) trisulfide, bis (diethoxymonopentylsilylpropyl) trisulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpropyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopentylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpropyl) ) Tetrasulfide, bis (triethoxysilylpropyl) polysulfide, bis (diethoxy monopentyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy dipentyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) disulfide, bis (di Propyloxymonomethylsilylpropyl) disulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylpropyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylpropyl) ) Trisulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylpropyl) tetra Rufido, bis (mono-propyloxy dimethyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (dipropyl oxy monomethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dimethylsilyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonoethylsilylpropyl) disulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylpropyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Diethylsilylpropyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylpropyl) tetra Rufido, bis (mono-propyloxy diethyl silyl propyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monoethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy diethyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) disulfide, bis (Dipropyloxymonopropylsilylpropyl) disulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpropyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpropyl) trisulfide, bis (mono Propyloxydipropylsilylpropyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpropyl) Pill) tetrasulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) polysulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpropyl) polysulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpropyl) Polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonobutylsilylpropyl) disulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylpropyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dibutylsilylpropyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylpropyl) tetra Rufido, bis (mono-propyloxy dibutyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monobutyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dibutyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド、   Or bis (tripropyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) disulfide, bis ( Dipropyloxy monopentylsilylpropyl) disulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylpropyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dipentylsilylpropyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylop) Pills) tetrasulfide, bis (mono-propyloxy dipentyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopentyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipentyl silyl propyl) polysulfide,

または、ビス（トリブトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpropyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpropyl) disulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpropyl) ) Disulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpropyl) disulfide, bis (tributoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpropyl) trisulfide, bis (tributoxysilyl) Propyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (tributoxysilyl-propyl) polysulfide, bis (dibutoxy monomethyl silyl propyl) polysulfide, bis (monobutoxy dimethylsilyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpropyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpropyl) disulfide, bis (dibutoxymonoethyl) Silylpropyl) disulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpropyl) disulfide, bis (tributoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpropyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (tributoxysilyl-propyl) polysulfide, bis (dibutoxy monoethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-butoxydiethyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylpropyl) monosulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpropyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpropyl) disulfide, bis (dibutoxymono) Propylsilylpropyl) disulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpropyl) disulfide, bis (tributoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylpropyl) trisulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpropyl) trisulfide Bis (tributoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpropyl) ) Tetrasulfide, bis (tributoxysilyl-propyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopropyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dipropyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylpropyl) monosulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpropyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpropyl) disulfide, bis (dibutoxymonobutyl) Silylpropyl) disulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpropyl) disulfide, bis (tributoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylpropyl) trisulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpropyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpropyl) tetrasulfide , Bis (tributoxysilyl-propyl) polysulfide, bis (dibutoxy monobutyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dibutyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド、   Or bis (tributoxysilylpropyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylpropyl) monosulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpropyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpropyl) disulfide, bis (dibutoxymonopentyl) Silylpropyl) disulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpropyl) disulfide, bis (tributoxysilylpropyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylpropyl) trisulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpropyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpropyl) ) Tetrasulfide, bis (tributoxysilyl-propyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopentyl silyl propyl) polysulfide, bis (monobutoxy dipentyl silyl propyl) polysulfide,

または、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) disulfide, bis (dipentyloxy) Monomethylsilylpropyl) disulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylpropyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylpropyl) trisulfide , Bis (tripentyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylpropyl) tetrasulfide Rufido, bis (mono-pentyloxy dimethyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monomethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dimethylsilyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonoethylsilylpropyl) disulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylpropyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylpropyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylpropyl) tetra Rufido, bis (mono-pentyloxy diethyl silyl propyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monoethyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy diethyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルプロピル）ポリスルフィド、   Or bis (tripentyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) disulfide, bis ( Dipentyloxymonopropylsilylpropyl) disulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpropyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopentyloxydi) Propylsilylpropyl) trisulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylop) Pyr) tetrasulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpropyl) tetrasulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) polysulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylpropyl) polysulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpropyl) polysulfide ,

または、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonobutylsilylpropyl) disulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylpropyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylpropyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylpropyl) tetra Rufido, bis (mono-pentyloxy dibutyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monobutyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dibutyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルプロピル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルプロピル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpropyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylpropyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpropyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonopentylsilylpropyl) disulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpropyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylpropyl) trisulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpropyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylop) Pills) tetrasulfide, bis (mono-pentyloxy dipentyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl propyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monopentyl silyl propyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dipentyl silyl propyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monomethoxydimethylsilylbutyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) disulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylbutyl) disulfide Bis (monomethoxydimethylsilylbutyl) disulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monomethoxydimethylsilylbutyl) trisulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) tetra Sulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydimethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Rirubuchiru) polysulfide, bis (dimethoxy monomethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-methoxy-butyldimethylsilyl-butyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monomethoxydiethylsilylbutyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) disulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylbutyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydiethylsilylbutyl) disulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monomethoxydiethylsilylbutyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Butyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydiethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Rirubuchiru) polysulfide, bis (dimethoxy monoethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-methoxy diethyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylbutyl) monosulfide, bis (monomethoxydipropylsilylbutyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) disulfide, bis (dimethoxymonopropylsilyl) Butyl) disulfide, bis (monomethoxydipropylsilylbutyl) disulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylbutyl) trisulfide, bis (monomethoxydipropylsilylbutyl) trisulfide, bis ( Trimethoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipropylsilylbutyl) tetrasulfide, bisulfide (Trimethoxysilylbutyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopropyl silyl butyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipropyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylbutyl) monosulfide, bis (monomethoxydibutylsilylbutyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) disulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylbutyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydibutylsilylbutyl) disulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylbutyl) trisulfide, bis (monomethoxydibutylsilylbutyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Butyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydibutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (trimethoxy Rirubuchiru) polysulfide, bis (dimethoxy monobutyl silyl butyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dibutyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylbutyl) monosulfide, bis (monomethoxydipentylsilylbutyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) disulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylbutyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydipentylsilylbutyl) disulfide, bis (trimethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylbutyl) trisulfide, bis (monomethoxydipentylsilylbutyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Butyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipentylsilylbutyl) tetrasulfide, bisulfide (Trimethoxysilylbutyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopentyl silyl butyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipentyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (diethoxymonomethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monoethoxydimethylsilylbutyl) monosulfide, bis (triethoxysilylbutyl) disulfide, bis (diethoxymonomethylsilylbutyl) ) Disulfide, bis (monoethoxydimethylsilylbutyl) disulfide, bis (triethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (diethoxymonomethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monoethoxydimethylsilylbutyl) trisulfide, bis (triethoxysilyl) Butyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonomethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydimethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Rirubuchiru) polysulfide, bis (diethoxy monomethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-ethoxydimethylsilyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (diethoxymonoethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monoethoxydiethylsilylbutyl) monosulfide, bis (triethoxysilylbutyl) disulfide, bis (diethoxymonoethyl) Silylbutyl) disulfide, bis (monoethoxydiethylsilylbutyl) disulfide, bis (triethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (diethoxymonoethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monoethoxydiethylsilylbutyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonoethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydiethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Rirubuchiru) polysulfide, bis (diethoxy monoethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy diethyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (diethoxymonopropylsilylbutyl) monosulfide, bis (monoethoxydipropylsilylbutyl) monosulfide, bis (triethoxysilylbutyl) disulfide, bis (diethoxymono) Propylsilylbutyl) disulfide, bis (monoethoxydipropylsilylbutyl) disulfide, bis (triethoxysilylbutyl) trisulfide, bis (diethoxymonopropylsilylbutyl) trisulfide, bis (monoethoxydipropylsilylbutyl) trisulfide Bis (triethoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopropylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipropylsilylbutyl) tetrasulfide, bisulfide (Triethoxysilylbutyl) polysulfide, bis (diethoxy monopropyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-propyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (diethoxymonobutylsilylbutyl) monosulfide, bis (monoethoxydibutylsilylbutyl) monosulfide, bis (triethoxysilylbutyl) disulfide, bis (diethoxymonobutyl) Silylbutyl) disulfide, bis (monoethoxydibutylsilylbutyl) disulfide, bis (triethoxysilylbutylbutyl) trisulfide, bis (diethoxymonobutylsilylbutyl) trisulfide, bis (monoethoxydibutylsilylbutyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonobutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydibutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (triethoxy Rirubuchiru) polysulfide, bis (diethoxy monobutyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-butylsilyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylbutyl) monosulfide, bis (diethoxymonopentylsilylbutyl) monosulfide, bis (monoethoxydipentylsilylbutyl) monosulfide, bis (triethoxysilylbutyl) disulfide, bis (diethoxymonopentyl) Silylbutyl) disulfide, bis (monoethoxydipentylsilylbutyl) disulfide, bis (triethoxysilylbutylbutyl) trisulfide, bis (diethoxymonopentylsilylbutyl) trisulfide, bis (monoethoxydipentylsilylbutyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopentylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipentylsilylbutyl) tetrasulfide, bisulfide (Triethoxysilylbutyl) polysulfide, bis (diethoxy monopentyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy dipentyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) disulfide, bis (di Propyloxymonomethylsilylbutyl) disulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylbutyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylbutyl) ) Trisulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy dimethylsilyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (dipropyl oxy monomethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dimethylsilyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonoethylsilylbutyl) disulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylbutyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylbutylbutyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Diethylsilylbutyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy diethylsilyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monoethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy diethylsilyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) disulfide, bis (Dipropyloxymonopropylsilylbutyl) disulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylbutyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylbutyl) trisulfide, bis (mono Propyloxydipropylsilylbutyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylbutyl) tetrasulfide , Bis (mono-propyloxy dipropyl silyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopropyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipropyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonobutylsilylbutyl) disulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylbutyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylbutylbutyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dibutylsilylbutyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (mono B pills oxy dibutyl silyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monobutyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dibutyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルブチル）ポリスルフィド、   Or bis (tripropyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonopentylsilylbutyl) disulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylbutyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dipentylsilylbutyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylbutyl) tetrasulfide , Bis (mono-propyloxy dipentyl silyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopentyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipentyl silyl butyl) polysulfide,

または、ビス（トリブトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monobutoxydimethylsilylbutyl) monosulfide, bis (tributoxysilylbutyl) disulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylbutyl) ) Disulfide, bis (monobutoxydimethylsilylbutyl) disulfide, bis (tributoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monobutoxydimethylsilylbutyl) trisulfide, bis (tributoxysilyl) Butyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydimethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Rirubuchiru) polysulfide, bis (dibutoxy monomethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-butoxy-butyldimethylsilyl-butyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monobutoxydiethylsilylbutyl) monosulfide, bis (tributoxysilylbutyl) disulfide, bis (dibutoxymonoethyl) Silylbutyl) disulfide, bis (monobutoxydiethylsilylbutyl) disulfide, bis (tributoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monobutoxydiethylsilylbutyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydiethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Rirubuchiru) polysulfide, bis (dibutoxy monoethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-butoxydiethyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylbutyl) monosulfide, bis (monobutoxydipropylsilylbutyl) monosulfide, bis (tributoxysilylbutyl) disulfide, bis (dibutoxymono) Propylsilylbutyl) disulfide, bis (monobutoxydipropylsilylbutyl) disulfide, bis (tributoxysilylbutyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylbutyl) trisulfide, bis (monobutoxydipropylsilylbutyl) trisulfide Bis (tributoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipropylsilylbutyl) tetrasulfide, bisulfide (Tributoxysilyl butyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopropyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dipropyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylbutyl) monosulfide, bis (monobutoxydibutylsilylbutyl) monosulfide, bis (tributoxysilylbutyl) disulfide, bis (dibutoxymonobutyl) Silylbutyl) disulfide, bis (monobutoxydibutylsilylbutyl) disulfide, bis (tributoxysilylbutylbutyl) trisulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylbutyl) trisulfide, bis (monobutoxydibutylsilylbutyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydibutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (tributoxy) Rirubuchiru) polysulfide, bis (dibutoxy monobutyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dibutyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylbutyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylbutyl) monosulfide, bis (monobutoxydipentylsilylbutyl) monosulfide, bis (tributoxysilylbutyl) disulfide, bis (dibutoxymonopentyl) Silylbutyl) disulfide, bis (monobutoxydipentylsilylbutyl) disulfide, bis (tributoxysilylpentylsilyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylbutyl) trisulfide, bis (monobutoxydipentylsilylbutyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipentylsilylbutyl) tetrasulfide, bisulfide (Tributoxysilyl butyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopentyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dipentyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or, bis (tripentyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) disulfide, bis (dipentyloxy) Monomethylsilylbutyl) disulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylbutyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylbutyl) trisulfide , Bis (tripentyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy dimethylsilyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monomethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy-butyldimethylsilyl-butyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonoethylsilylbutyl) disulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylbutyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylbutyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy diethylsilyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monoethyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy diethylsilyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) disulfide, bis ( Dipentyloxymonopropylsilylbutyl) disulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylbutyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopentyloxydi) Propylsilylbutyl) trisulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylbutyl) tetrasulfide , Bis (mono-pentyloxy dipropyl silyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monopropyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dipropyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonobutylsilylbutyl) disulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylbutyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylbutyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylbutyl) tetrasulfide, bis (mono Emissions chill oxy dibutyl silyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monobutyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy-di-butylsilyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルブチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルブチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルブチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルブチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルブチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルブチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylbutyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylbutyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylbutyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonopentylsilylbutyl) disulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylbutyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylbutyl) trisulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylbutyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylbutyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylbutyl) tetrasulfide , Bis (mono-pentyloxy dipentyl silyl butyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl butyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monopentyl silyl butyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dipentyl silyl butyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノメチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジメチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monomethoxydimethylsilylpentyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) disulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpentyl) disulfide Bis (monomethoxydimethylsilylpentyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monomethoxydimethylsilylpentyl) trisulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) tetra Sulfide, bis (dimethoxymonomethylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydimethylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (trimethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dimethoxy monomethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-methoxy dimethyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノエチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジエチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpentyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) disulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpentyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpentyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpentyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Pentyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonoethylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydiethylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (trimethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dimethoxy monoethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-methoxy diethyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylpentyl) monosulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpentyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) disulfide, bis (dimethoxymonopropylsilyl) Pentyl) disulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpentyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylpentyl) trisulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpentyl) trisulfide, bis ( Trimethoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopropylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipropylsilylpentyl) ) Tetrasulfide, bis (trimethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopropyl silyl pentyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipropyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノブチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジブチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpentyl) monosulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpentyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) disulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpentyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpentyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpentyl) trisulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpentyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Pentyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonobutylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydibutylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (trimethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dimethoxy monobutyl silyl pentyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dibutyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリメトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジメトキシモノペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノメトキシジペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (trimethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpentyl) monosulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpentyl) monosulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) disulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpentyl) ) Disulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpentyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpentyl) trisulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpentyl) trisulfide, bis (trimethoxysilyl) Pentyl) tetrasulfide, bis (dimethoxymonopentylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monomethoxydipentylsilylpentyl) ) Tetrasulfide, bis (trimethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dimethoxy monopentyl silyl pentyl) polysulfide, bis (monomethoxytrityl dipentyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノメチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジメチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpentyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpentyl) disulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpentyl) ) Disulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpentyl) disulfide, bis (triethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpentyl) trisulfide, bis (triethoxysilyl) Pentyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonomethylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydimethylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (triethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (diethoxy monomethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-ethoxydimethylsilyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノエチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジエチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (diethoxymonoethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpentyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpentyl) disulfide, bis (diethoxymonoethyl) Silylpentyl) disulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpentyl) disulfide, bis (triethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (diethoxymonoethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpentyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonoethylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydiethylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (triethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (diethoxy monoethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy diethyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド、   Or bis (triethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (diethoxymonopropylsilylpentyl) monosulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpentyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpentyl) disulfide, bis (diethoxymono Propylsilylpentyl) disulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpentyl) disulfide, bis (triethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (diethoxymonopropylsilylpentyl) trisulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpentyl) trisulfide Bis (triethoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopropylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipropylsilylpentyl) ) Tetrasulfide, bis (triethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (diethoxy monopropyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-propyl silyl pentyl) polysulfide,

または、ビス（トリエトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノブチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジブチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (triethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (diethoxymonobutylsilylpentyl) monosulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpentyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpentyl) disulfide, bis (diethoxymonobutyl) Silylpentyl) disulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpentyl) disulfide, bis (triethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (diethoxymonobutylsilylpentyl) trisulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpentyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonobutylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydibutylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (triethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (diethoxy monobutyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy di-butyl-silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリエトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジエトキシモノペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノエトキシジペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド、   Or bis (triethoxysilylpentyl) monosulfide, bis (diethoxymonopentylsilylpentyl) monosulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpentyl) monosulfide, bis (triethoxysilylpentyl) disulfide, bis (diethoxymonopentyl) Silylpentyl) disulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpentyl) disulfide, bis (triethoxysilylpentyl) trisulfide, bis (diethoxymonopentylsilylpentyl) trisulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpentyl) trisulfide, bis ( Triethoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (diethoxymonopentylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monoethoxydipentylsilylpentyl) ) Tetrasulfide, bis (triethoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (diethoxy monopentyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-ethoxy dipentyl silyl pentyl) polysulfide,

または、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノメチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジメチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) disulfide, bis (di Propyloxymonomethylsilylpentyl) disulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylpentyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopropyloxydimethylsilylpentyl) ) Trisulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonomethylsilylpentyl) tetra Rufido, bis (mono-propyloxy dimethylsilyl pentyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl pentyl) polysulfide, bis (dipropyl oxy monomethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dimethylsilyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノエチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジエチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonoethylsilylpentyl) disulfide, bis (monopropyloxydiethylsilylpentyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Diethylsilylpentyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonoethylsilylpentyl) tetra Rufido, bis (mono-propyloxy diethyl silyl pentyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl pentyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monoethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy diethyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) disulfide, bis (Dipropyloxymonopropylsilylpentyl) disulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpentyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpentyl) trisulfide, bis (mono Propyloxydipropylsilylpentyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpe) Til) tetrasulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) polysulfide, bis (dipropyloxymonopropylsilylpentyl) polysulfide, bis (monopropyloxydipropylsilylpentyl) Polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノブチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジブチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonobutylsilylpentyl) disulfide, bis (monopropyloxydibutylsilylpentyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dibutylsilylpentyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonobutylsilylpentyl) tetra Rufido, bis (mono-propyloxy dibutyl silyl pentyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl pentyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monobutyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dibutyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリプロピルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジプロピルオキシモノペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノプロピルオキシジペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripropyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) disulfide, bis ( Dipropyloxymonopentylsilylpentyl) disulfide, bis (monopropyloxydipentylsilylpentyl) disulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopropyloxy) Dipentylsilylpentyl) trisulfide, bis (tripropyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipropyloxymonopentylsilylpe) Chill) tetrasulfide, bis (mono-propyloxy dipentyl silyl pentyl) tetrasulfide, bis (tri-propyloxy silyl pentyl) polysulfide, bis (di-propyloxy monopentyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-propyloxy dipentyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノメチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジメチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpentyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpentyl) disulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpentyl) ) Disulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpentyl) disulfide, bis (tributoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpentyl) trisulfide, bis (tributoxysilyl) Pentyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonomethylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydimethylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (tributoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dibutoxy monomethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (monobutoxy butyldimethylsilyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノエチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジエチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpentyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpentyl) disulfide, bis (dibutoxymonoethyl) Silylpentyl) disulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpentyl) disulfide, bis (tributoxysilylsilylpentyl) trisulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpentyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonoethylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydiethylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (tributoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dibutoxy monoethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-butoxydiethyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（
ジブトキシモノプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド。 Or bis (tributoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylpentyl) monosulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpentyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpentyl) disulfide, bis (dibutoxymono) Propylsilylpentyl) disulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpentyl) disulfide, bis (tributoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylpentyl) trisulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpentyl) trisulfide , Bis (tributoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (
Dibutoxymonopropylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (tributoxysilylpentyl) polysulfide, bis (dibutoxymonopropylsilylpentyl) polysulfide, bis (monobutoxydipropylsilylpentyl) ) Polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノブチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジブチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylpentyl) monosulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpentyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpentyl) disulfide, bis (dibutoxymonobutyl) Silylpentyl) disulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpentyl) disulfide, bis (tributoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylpentyl) trisulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpentyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonobutylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydibutylsilylpentyl) tetrasulfide , Bis (tributoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dibutoxy monobutyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-butoxy dibutyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリブトキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジブトキシモノペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノブトキシジペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tributoxysilylpentyl) monosulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylpentyl) monosulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpentyl) monosulfide, bis (tributoxysilylpentyl) disulfide, bis (dibutoxymonopentyl) Silylpentyl) disulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpentyl) disulfide, bis (tributoxysilylpentyl) trisulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylpentyl) trisulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpentyl) trisulfide, bis ( Tributoxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dibutoxymonopentylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (monobutoxydipentylsilylpentyl) ) Tetrasulfide, bis (tributoxysilyl pentyl) polysulfide, bis (dibutoxy monopentyl silyl pentyl) polysulfide, bis (monobutoxy-dipentyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノメチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジメチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) disulfide, bis (dipentyloxy) Monomethylsilylpentyl) disulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylpentyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopentyloxydimethylsilylpentyl) trisulfide , Bis (tripentyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonomethylsilylpentyl) tetra Rufido, bis (mono-pentyloxy dimethylsilyl pentyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl pentyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monomethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy dimethylsilyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノエチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジエチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonoethylsilylpentyl) disulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylpentyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopentyloxydiethylsilylpentyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonoethylsilylpentyl) tetra Rufido, bis (mono-pentyloxy diethyl silyl pentyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl pentyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monoethyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy diethyl silyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジプロピルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) disulfide, bis ( Dipentyloxymonopropylsilylpentyl) disulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpentyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopentyloxydi) Propylsilylpentyl) trisulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylpe) Til) tetrasulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) polysulfide, bis (dipentyloxymonopropylsilylpentyl) polysulfide, bis (monopentyloxydipropylsilylpentyl) polysulfide .

または、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノブチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジブチルシリルペンチル）ポリスルフィド。   Or bis (tripentyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonobutylsilylpentyl) disulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylpentyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopentyloxydibutylsilylpentyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonobutylsilylpentyl) tetra Rufido, bis (mono-pentyloxy-di-butylsilyl pentyl) tetrasulfide, bis (tri-pentyloxy silyl pentyl) polysulfide, bis (dipentyl oxy monobutyl silyl pentyl) polysulfide, bis (mono-pentyloxy-di-butylsilyl pentyl) polysulfide.

または、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルペンチル）モノスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルペンチル）ジスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルペンチル）トリスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルペンチル）テトラスルフィド、ビス（トリペンチルオキシシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（ジペンチルオキシモノペンチルシリルペンチル）ポリスルフィド、ビス（モノペンチルオキシジペンチルシリルペンチル）ポリスルフィドなどが挙げられる。これらの化合物は１種を単独で用いて２種以上を併用してもよい。   Or bis (tripentyloxysilylpentyl) monosulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylpentyl) monosulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpentyl) monosulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) disulfide, bis (dipentyl) Oxymonopentylsilylpentyl) disulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpentyl) disulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) trisulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylpentyl) trisulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpentyl) ) Trisulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) tetrasulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylpe) Til) tetrasulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpentyl) tetrasulfide, bis (tripentyloxysilylpentyl) polysulfide, bis (dipentyloxymonopentylsilylpentyl) polysulfide, bis (monopentyloxydipentylsilylpentyl) polysulfide, etc. Can be mentioned. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

これらの化合物のうち、特に優れた接着特性が得られるという観点から、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドが好ましい。また、高い接着強度を確保できるという観点から、前記化合物（Ｂ）としては前記式（１）中のｎの平均値が２．０〜４．５となるものが好ましく、ｎの平均値が３．５〜４．５となるものが特に好ましい。前記式（１）中のｎの平均値が前記下限未満になると接着特性が十分に向上しない傾向にあり、他方、前記上限を超えると、後述する充填材粒子（Ｃ）として銀粉を使用する場合に室温でも銀粉と反応が起こりやすく、保存性が低下する傾向にある。   Of these compounds, bis (trimethoxysilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) trisulfide, and bis (triethoxy) are particularly preferred because of their excellent adhesive properties. Silylpropyl) trisulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) tetrasulfide, and bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide are preferred. Further, from the viewpoint of ensuring high adhesive strength, the compound (B) is preferably such that the average value of n in the formula (1) is 2.0 to 4.5, and the average value of n is 3 A value of .5 to 4.5 is particularly preferable. When the average value of n in the formula (1) is less than the lower limit, the adhesive properties tend not to be sufficiently improved. On the other hand, when the upper limit is exceeded, silver powder is used as filler particles (C) described later. In addition, the reaction with silver powder is likely to occur even at room temperature, and the storage stability tends to decrease.

一般に、スルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物には、下記式（２）：
Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （２）
（式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１〜１０の整数である。）
で表される成分が含まれていることがある。 In general, a compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group includes the following formula (2):
X- (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (2)
(In the formula (2), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, X represents a halogen atom, and m is an integer of 1 to 10.)
The component represented by may be contained.

上述したように、前記式（２）で表される成分は、接着剤組成物を室温で長く保存した場合における粘度上昇の原因の１つであり、また、長く室温で保存することによる接着特性低下の顕在化の原因でもある。従って、本発明の接着剤組成物においては、前記式（２）で表される成分の含有率が０．６質量％以下（好ましくは０．３質量％以下）である化合物（Ｂ）が用いられる。   As described above, the component represented by the formula (2) is one of the causes of an increase in viscosity when the adhesive composition is stored for a long time at room temperature, and the adhesion characteristics due to long storage at room temperature. It is also the cause of the manifestation of the decline. Therefore, in the adhesive composition of the present invention, the compound (B) having a content of the component represented by the formula (2) of 0.6% by mass or less (preferably 0.3% by mass or less) is used. It is done.

このような化合物（Ｂ）を用いることによって、本発明の接着剤組成物は、室温で長く保存した後においても、良好な粘度を有し、接着特性が高く維持され、耐リフロー性に優れた信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。前記式（２）で表される成分の含有率が前記上限を超えると室温で長く保存することにより粘度が上昇し、接着剤組成物の接着特性が著しく低下する。   By using such a compound (B), the adhesive composition of the present invention has a good viscosity, high adhesive properties, and excellent reflow resistance even after long storage at room temperature. A highly reliable semiconductor device can be manufactured. When the content rate of the component represented by the formula (2) exceeds the above upper limit, the viscosity increases due to long storage at room temperature, and the adhesive properties of the adhesive composition are remarkably deteriorated.

また、前記式（２）で表される成分中のハロゲン化アルキル基はそのままの状態でも、熱硬化性樹脂（Ａ）中の官能基と反応した後でも、高温多湿雰囲気下においてハロゲンイオンを発生させる。このハロゲンイオンは、半導体素子の配線や金属ワイヤボンド用のボンディングパッドを腐食させるため、半導体製品の信頼性の低下の原因となる。このような観点からも、前記式（２）で表される成分の含有率は前記範囲内にある必要があり、できる限り小さいことが好ましい。このような含有率を有する化合物（Ｂ）を用いることによって、熱水抽出ハロゲンイオン濃度が好ましくは３０ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐｐｍ以下である接着剤層（硬化物）を形成することができ、信頼性の高い半導体装置等構造積層体を製造することが可能となる。   In addition, the halogenated alkyl group in the component represented by the above formula (2) generates halogen ions in a high-temperature and high-humidity atmosphere as it is or after reacting with the functional group in the thermosetting resin (A). Let This halogen ion corrodes the wiring of the semiconductor element and the bonding pad for metal wire bonding, which causes a decrease in the reliability of the semiconductor product. Also from such a viewpoint, the content of the component represented by the formula (2) needs to be within the above range, and is preferably as small as possible. By using the compound (B) having such a content, an adhesive layer (cured product) having a hot water extraction halogen ion concentration of preferably 30 ppm or less, more preferably 20 ppm or less can be formed. It becomes possible to manufacture a highly functional laminated structure such as a semiconductor device.

なお、前記式（２）で表される成分の含有率は、ガスクロマトグラフ法（例えば、装置：（株）島津製作所製「ＧＣ−１４Ｂ」、カラム：ＴＣ−５（直径０．２５ｍｍ×３０ｍ）、検出器：ＦＩＤ、キャリアーガス：Ｈｅ、温度プログラム：５０℃×２分→６．５℃／分→２６０℃×１５分、内部標準物質：ウンデカンを２０質量％添加、測定試料：０．５μｌ）により測定することができる。また、前記熱水抽出ハロゲンイオン濃度は、硬化物２ｇと蒸留水４０ｇとを抽出釜に入れ、１２５℃で２０時間抽出処理を施し、冷却後の上澄み液中のハロゲンイオン濃度（単位：ｐｐｍ）をイオンクロマトグラフ法により測定した値である。   In addition, the content rate of the component represented by said Formula (2) is a gas chromatograph method (For example, apparatus: "GC-14B" by Shimadzu Corporation, column: TC-5 (diameter 0.25mmx30m) , Detector: FID, carrier gas: He, temperature program: 50 ° C. × 2 minutes → 6.5 ° C./minute→260° C. × 15 minutes, internal standard substance: 20% by mass of undecane, measurement sample: 0.5 μl ). The hot water extraction halogen ion concentration is 2 g of cured product and 40 g of distilled water in an extraction kettle, subjected to extraction treatment at 125 ° C. for 20 hours, and the halogen ion concentration in the supernatant after cooling (unit: ppm) Is a value measured by ion chromatography.

本発明においては、前記式（２）で表される成分の含有率が前記範囲内にあるものであれば、市販の一般式（１）で示されるスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物（Ｂ）を用いることができる。また、前記式（２）で表される成分の含有率が前記上限を超えるものは、精製処理を施して前記式（２）で表される成分の含有率を前記範囲内に低減すれば、本発明にかかる化合物（Ｂ）として使用することが可能となる。   In this invention, if the content rate of the component represented by said Formula (2) exists in the said range, the compound which has the sulfide bond and alkoxysilyl group which are shown by the commercially available general formula (1) ( B) can be used. Moreover, if the content rate of the component represented by the formula (2) exceeds the upper limit, if the content rate of the component represented by the formula (2) is reduced within the range by performing a purification treatment, It can be used as the compound (B) according to the present invention.

（Ｃ）充填材粒子
本発明の接着剤組成物においては、必要に応じて充填材粒子（Ｃ）が含まれていてもよい。このような充填材粒子（Ｃ）としては、特に限定されず、種々の目的に応じて種々の粒子を使用することができ、例えば、銀粉、金粉、銅粉、アルミニウム粉、ニッケル粉、パラジウム粉などの金属粉、シリカ粉末、アルミナ粉末、チタニア粉末、アルミニウムナイトライド粉末、ボロンナイトライド粉末などのセラミック粉末、ポリエチレン粉末、ポリアクリル酸エステル粉末、ポリテトラフルオロエチレン粉末、ポリアミド粉末、ポリウレタン粉末、ポリシロキサン粉末などの高分子粉末が挙げられる。 (C) Filler particle In the adhesive composition of this invention, the filler particle (C) may be contained as needed. Such filler particles (C) are not particularly limited, and various particles can be used according to various purposes, for example, silver powder, gold powder, copper powder, aluminum powder, nickel powder, palladium powder. Such as metal powder, silica powder, alumina powder, titania powder, aluminum nitride powder, boron nitride powder, etc., polyethylene powder, polyacrylate powder, polytetrafluoroethylene powder, polyamide powder, polyurethane powder, poly Examples thereof include polymer powders such as siloxane powders.

このような充填材粒子（Ｃ）は、用途に応じて１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。また、このような充填材粒子（Ｃ）の形状はフレーク状、球状、樹脂状、針状、繊維状などが挙げられ、特に限定されない。本発明の接着剤組成物はノズルを使用して吐出される場合があるのでノズル詰まりを防ぐために、充填材粒子（Ｃ）の平均粒径は３０μｍ以下が好ましい。また、半導体装置の信頼性を維持するため、充填材粒子（Ｃ）は、ナトリウム、塩素などのイオン性の不純物が少ないものであることが好ましい。   Such filler particles (C) may be used alone or in combination of two or more depending on the application. Further, examples of the shape of the filler particles (C) include flakes, spheres, resins, needles, fibers, and the like, and are not particularly limited. Since the adhesive composition of the present invention may be discharged using a nozzle, the average particle diameter of the filler particles (C) is preferably 30 μm or less in order to prevent nozzle clogging. In order to maintain the reliability of the semiconductor device, it is preferable that the filler particles (C) have few ionic impurities such as sodium and chlorine.

本発明の接着剤組成物における充填材粒子（Ｃ）の含有量は、使用形態、用途、充填材粒子の種類などに応じて適宜設定することができるが、通常、接着剤組成物全体に対して１０質量％以上９５質量％以下である。   The content of the filler particles (C) in the adhesive composition of the present invention can be appropriately set according to the use form, application, type of filler particles, etc. 10 mass% or more and 95 mass% or less.

本発明においては、このような充填材粒子うち、酸化されにくく加工性にも優れる観点から銀粉が特に好ましい。また、充填材粒子（Ｃ）として銀粉を用いることによって熱伝導性および導電性に優れた硬化物を得ることが可能となる。さらに、前述するように、銀粉は、スルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物と反応可能であり、接着剤組成物を硬化させた場合に良好な機械的特性を示す点でも好ましい。ここで銀粉とは、純銀または銀合金の粉末であり、銀合金としては、銀を５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上含有する銀−銅合金、銀−パラジウム合金、銀−錫合金、銀−亜鉛合金、銀−マグネシウム合金、銀−ニッケル合金などが挙げられる。   In the present invention, among these filler particles, silver powder is particularly preferable from the viewpoint of being hardly oxidized and excellent in workability. Moreover, it becomes possible by using silver powder as filler particle | grains (C) to obtain the hardened | cured material excellent in heat conductivity and electroconductivity. Furthermore, as described above, silver powder is preferable in that it can react with a compound having a sulfide bond and an alkoxysilyl group and exhibits good mechanical properties when the adhesive composition is cured. Here, the silver powder is a powder of pure silver or a silver alloy, and as the silver alloy, a silver-copper alloy, a silver-palladium alloy, a silver-tin alloy containing 50 mass% or more, preferably 70 mass% or more of silver, A silver-zinc alloy, a silver-magnesium alloy, a silver-nickel alloy, etc. are mentioned.

本発明に用いられる銀粉としては、通常、電子材料用として市販されている銀粉であれば、還元粉、アトマイズ粉などが使用可能である。なお、電子材料用以外の銀粉にはイオン性不純物の量が多いものがあるので注意が必要である。特に、半導体装置の信頼性を維持するため、充填材粒子（Ｃ）は、ナトリウム、塩素などのイオン性の不純物が少ないものであることが好ましい。   As the silver powder used in the present invention, a reduced powder, an atomized powder, or the like can be used as long as it is a commercially available silver powder for electronic materials. It should be noted that some silver powders other than those for electronic materials have a large amount of ionic impurities. In particular, in order to maintain the reliability of the semiconductor device, it is preferable that the filler particles (C) have few ionic impurities such as sodium and chlorine.

銀粉の平均粒径としては０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。銀粉の平均粒径が前記下限未満になると接着剤組成物の粘度が高くなりすぎる傾向にあり、他方、前記上限を超えると上述のようにディスペンス時にノズル詰まりの原因となる場合がある。銀粉の形状はフレーク状、球状など特に限定されないが、フレーク状のものが好ましい。   The average particle size of the silver powder is preferably 0.5 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 1 μm or more and 10 μm or less. If the average particle size of the silver powder is less than the lower limit, the viscosity of the adhesive composition tends to be too high. On the other hand, exceeding the upper limit may cause nozzle clogging during dispensing as described above. The shape of the silver powder is not particularly limited, such as a flake shape or a spherical shape, but a flake shape is preferable.

本発明に用いられる接着剤組成物において充填材粒子（Ｃ）として銀粉を用いる場合、銀粉の含有率としては、接着剤組成物全体に対して７０質量％以上９５質量％以下が好ましい。銀粉の含有率が前記下限未満になると硬化物の熱伝導性や導電性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると接着剤組成物の粘度が高くなりすぎ、塗布作業性が低下する傾向にある。   When using silver powder as filler particle | grains (C) in the adhesive composition used for this invention, as a content rate of silver powder, 70 mass% or more and 95 mass% or less are preferable with respect to the whole adhesive composition. When the silver powder content is less than the lower limit, the thermal conductivity and conductivity of the cured product tend to decrease. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the viscosity of the adhesive composition becomes too high and the coating workability decreases. There is a tendency.

また、本発明に用いられる接着剤組成物においては、必要に応じて粒径が１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の金属粉を銀粉と併用することも可能であり、熱伝導性が向上するという観点から、インジウム、錫などを成分に含む低融点金属を併用することが好ましい。   Further, in the adhesive composition used in the present invention, a metal powder having a particle size of 1 μm or less, preferably 10 nm or more and 100 nm or less can be used in combination with silver powder as necessary, and the thermal conductivity is improved. From this point of view, it is preferable to use a low melting point metal containing indium, tin or the like as a component.

本発明に用いられる接着剤組成物には、さらに必要に応じて、消泡剤、界面活性剤、重合禁止剤、酸化防止剤などの各種添加剤が含まれていてもよい。また、これらの添加剤を適宜組み合わせて配合してもよい。   The adhesive composition used in the present invention may further contain various additives such as an antifoaming agent, a surfactant, a polymerization inhibitor, and an antioxidant as necessary. Moreover, you may mix | blend combining these additives suitably.

（半導体用接着剤組成物の製造方法）
本発明に用いられる接着剤組成物は、例えば、前記各成分を予備混合した後、３本ロールを用いて混練し、その後、真空下で脱泡処理を施すことにより製造することができる。製造条件は、使用する成分の種類や配合量などに応じて適宜設定することができる。 (Method for producing semiconductor adhesive composition)
The adhesive composition used in the present invention can be produced, for example, by premixing the above-described components, kneading using a three roll, and then performing a defoaming treatment under vacuum. Manufacturing conditions can be set as appropriate according to the type and amount of components used.

＜積層構造体の製造方法具体例＞
本発明の製造法により得られる積層構造体の一例である半導体装置等は、以下の方法により製造することができるが、本発明ではこれに限定されるものではない。例えば、市販のダイボンダー等を用いて、第1の構造体である支持体の所定の部位に上記接着剤組成物をディスペンス塗布した後、第２の構造体であるチップなどの半導体素子をマウントし、接着剤組成物を加熱硬化させる等によって接着剤層を形成させる。その後、ワイヤーボンディングを施し、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形することによって本発明の半導体装置を製造することができる。また、フリップチップ接合した後、アンダーフィル材で封止したフリップチップＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などのチップ裏面に本発明の接着剤組成物をディスペンス塗布し、ヒートスプレッダーやリッドといった放熱部品を搭載して加熱硬化することによっても製造することができる。 <Specific example of manufacturing method of laminated structure>
A semiconductor device or the like which is an example of a laminated structure obtained by the manufacturing method of the present invention can be manufactured by the following method, but the present invention is not limited to this. For example, using a commercially available die bonder or the like, the adhesive composition is dispensed on a predetermined portion of the support that is the first structure, and then a semiconductor element such as a chip that is the second structure is mounted. The adhesive layer is formed by, for example, heat-curing the adhesive composition. Then, the semiconductor device of this invention can be manufactured by performing wire bonding and transfer molding using an epoxy resin. After flip chip bonding, the adhesive composition of the present invention is dispensed on the back surface of a chip such as flip chip BGA (Ball Grid Array) sealed with an underfill material, and heat dissipating parts such as heat spreaders and lids are mounted. It can also be produced by heat curing.

前記第1の構造体としては、半導体用リードフレーム、半導体用有機基板、半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップ等が挙げられ、また前記第２の構造体としては半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップ等が挙げられるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。   Examples of the first structure include a semiconductor lead frame, a semiconductor organic substrate, a semiconductor element, a heat dissipation member, or a spacer chip. Examples of the second structure include a semiconductor element, a heat dissipation member, a spacer chip, and the like. However, the present invention is not limited to these.

接着剤組成物により形成される接着剤層の厚みについては特に制限はないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下が特に好ましい。接着剤層の厚みが前記下限未満になると接着特性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると接着剤層の厚みを制御しにくくなる傾向にある。   Although there is no restriction | limiting in particular about the thickness of the adhesive bond layer formed with an adhesive composition, 5 micrometers or more and 100 micrometers or less are preferable, 10 micrometers or more and 50 micrometers or less are more preferable, and 10 micrometers or more and 30 micrometers or less are especially preferable. If the thickness of the adhesive layer is less than the lower limit, the adhesive properties tend to be lowered. On the other hand, if the thickness exceeds the upper limit, the thickness of the adhesive layer tends to be difficult to control.

以下、実施例および比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、化合物（Ｂ）中の前記式（２）で表される成分の含有率の測定方法、ならびに実施例および比較例において用いた原料を以下に示す。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example. In addition, the measuring method of the content rate of the component represented by the said Formula (2) in a compound (B), and the raw material used in the Example and the comparative example are shown below.

＜前記式（２）で表される成分の含有率＞
ガスクロマトグラフ法（装置：（株）島津製作所製「ＧＣ−１４Ｂ」、カラム：ＴＣ−５（直径０．２５ｍｍ×３０ｍ）、検出器：ＦＩＤ、キャリアーガス：Ｈｅ、温度プログラム：５０℃×２分→６．５℃／分→２６０℃×１５分、内部標準物質：ウンデカンを２０質量％添加、測定試料：０．５μｌ）により測定した。
＜原料＞
熱硬化性樹脂（Ａ）：
（化合物Ａ１）オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点７０℃、エポキシ当量２１０）。
（化合物Ａ２）フェノールアラルキル樹脂（分子量６１２、軟化点７５℃、水酸基当量１７５）。
（化合物Ａ３）ポリヒドロキシスチレン（分子量２０８０、分散度１．２６）。
（化合物Ａ４）ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールＡ（エポキシ当量１８０、常温で液体）。
（化合物Ａ５）ビスフェノールＦ（大日本インキ工業（株）製「ＤＩＣ−ＢＰＦ」、水酸基当量１００）。
（化合物Ａ６）ジシアンジアミド。
（化合物Ａ７）２−メチルイミダゾールと２，４−ジアミノ−６−ビニルトリアジンとの付加物（四国化成工業（株）製「キュアゾール２ＭＺ−Ａ」）。
（化合物Ａ８）ポリテトラメチレングリコールとイソホロンジイソシアネートと２−ヒドロキシメチルメタクリレートとの反応により得られたウレタンジメタクリレート化合物（分子量約１６００）。
（化合物Ａ９）ポリテトラメチレングリコールとマレイミド化酢酸の反応により得られたビスマレイミド化合物（分子量５８０）。
（化合物Ａ１０）シクロヘキサンジカルボン酸のジアリルエステルとポリプロピレングリコールとの反応により得られたジアリルエステル化合物（分子量１０００、ただし原料として用いたシクロヘキサンジカルボン酸のジアリルエステルを約１５％含む）。
（化合物Ａ１１）１，４−シクロヘキサンジメタノール／１，６−ヘキサンジオール（＝３／１（質量比））と炭酸ジメチルの反応により得られたポリカーボネートジオールとメチルメタクリレートの反応により得られたポリカーボネートジメタクリレート化合物（分子量１０００）。
（化合物Ａ１２）酸価１０８ｍｇＫＯＨ／ｇで分子量４６００のアクリルオリゴマーと２−ヒドロキシメタクリレート／ブチルアルコール（＝１／２（モル比））との反応により得られたメタクリル化アクリルオリゴマー（分子量５０００）。
（化合物Ａ１３）１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート（日本化成（株）製「ＣＨＤＭＭＡ」）。
（化合物Ａ１４）２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸（共栄社化学（株）製「ライトエステルＨＯ−ＭＳ」）。
（化合物Ａ１５）１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（共栄社化学（株）製「ライトエステル１，６ＨＸ」）。
（重合開始剤）ジクミルパーオキサイド（日本油脂（株）製「パークミルＤ」、急速加熱試験における分解温度：１２６℃）。
（リン系触媒）攪拌装置付きのセパラプルフラスコに４，４’−ビスフェノールＳ（日華化学工業（株）製「ＢＰＳ−Ｎ」）３７．５ｇ（０．１５モル）、テトラフェニルホスホニウムプロマイド４１．９ｇ（０．１モル）およびイオン交換水１００ｍｌを仕込み、１００℃で攪拌した。次いで、固形分が不溶な状態のこの溶液に、５０ｍｌのイオン交換水に水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を予め溶解した溶液を、攪拌しながら添加した。その後、しばらく攪拌を継続して白色沈殿を得た。この沈殿をろ過により回収し、乾燥した。得られた白色結晶（収量：６８．５ｇ）をリン系触媒として使用した。 <Content of component represented by formula (2)>
Gas chromatographic method (apparatus: “GC-14B” manufactured by Shimadzu Corporation), column: TC-5 (diameter 0.25 mm × 30 m), detector: FID, carrier gas: He, temperature program: 50 ° C. × 2 minutes → 6.5 ° C./min→260° C. × 15 min, internal standard substance: 20% by mass of undecane, measurement sample: 0.5 μl)
<Raw material>
Thermosetting resin (A):
(Compound A1) Orthocresol novolac type epoxy resin (softening point 70 ° C., epoxy equivalent 210).
(Compound A2) Phenol aralkyl resin (molecular weight 612, softening point 75 ° C., hydroxyl group equivalent 175).
(Compound A3) Polyhydroxystyrene (molecular weight 2080, dispersity 1.26).
(Compound A4) Diglycidyl bisphenol A (epoxy equivalent 180, liquid at room temperature) obtained by reaction of bisphenol A and epichlorohydrin.
(Compound A5) Bisphenol F ("DIC-BPF" manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., hydroxyl equivalent 100).
(Compound A6) Dicyandiamide.
(Compound A7) Adduct of 2-methylimidazole and 2,4-diamino-6-vinyltriazine (“Curazole 2MZ-A” manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.).
(Compound A8) Urethane dimethacrylate compound (molecular weight about 1600) obtained by reaction of polytetramethylene glycol, isophorone diisocyanate and 2-hydroxymethyl methacrylate.
(Compound A9) A bismaleimide compound (molecular weight 580) obtained by reacting polytetramethylene glycol with maleimidated acetic acid.
(Compound A10) A diallyl ester compound obtained by reacting a diallyl ester of cyclohexanedicarboxylic acid with polypropylene glycol (molecular weight 1000, but containing about 15% of the diallyl ester of cyclohexanedicarboxylic acid used as a raw material).
(Compound A11) 1,4-cyclohexanedimethanol / 1,6-hexanediol (= 3/1 (mass ratio)) and polycarbonate diol obtained by reaction of polycarbonate diol and methyl methacrylate obtained by reaction of dimethyl carbonate Methacrylate compound (molecular weight 1000).
(Compound A12) A methacrylated acrylic oligomer (molecular weight 5000) obtained by reacting an acrylic oligomer having an acid value of 108 mgKOH / g and a molecular weight of 4600 with 2-hydroxymethacrylate / butyl alcohol (= 1/2 (molar ratio)).
(Compound A13) 1,4-cyclohexanedimethanol monoacrylate (“CHDMMA” manufactured by Nippon Kasei Co., Ltd.).
(Compound A14) 2-Methacryloyloxyethyl succinic acid (“Light Ester HO-MS” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.).
(Compound A15) 1,6-hexanediol dimethacrylate (“Eye ester 1,6HX” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.).
(Polymerization initiator) Dicumyl peroxide (Nippon Yushi Co., Ltd. “Park Mill D”, decomposition temperature in rapid heating test: 126 ° C.).
(Phosphorus catalyst) In a separate flask with a stirrer, 37.5 g (0.15 mol) of 4,4′-bisphenol S (“BPS-N” manufactured by Nikka Chemical Co., Ltd.), tetraphenylphosphonium promide 41 .9 g (0.1 mol) and 100 ml of ion-exchanged water were charged and stirred at 100 ° C. Next, a solution prepared by previously dissolving 4.0 g (0.1 mol) of sodium hydroxide in 50 ml of ion-exchanged water was added to this solution in a state where the solid content was insoluble with stirring. Thereafter, stirring was continued for a while to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration and dried. The obtained white crystals (yield: 68.5 g) were used as a phosphorus catalyst.

一般式（１）で示されるスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物（Ｂ）：
（化合物Ｂ１）カブラス４（商品名、ダイソー（株）製、前記式（１）中のｎの平均値：約３．８、３−クロロプロピルトリエトキシシラン（前記式（２）中のＲ１〜Ｒ３がすべてエトキシ基であり、Ｘが塩素であり、ｍが３であるもの）の含有率：０．１１質量％）
（化合物Ｂ２）前記カブラス４を５０℃で１６８時間処理したもの。
（化合物Ｂ３）Ｓｉ−６９（商品名、デグサ社製、前記式（１）中のｎの平均値：約３．７、３−クロロプロピルトリエトキシシラン（前記式（２）中のＲ１〜Ｒ３がすべてエトキシ基であり、Ｘが塩素であり、ｍが３であるもの）の含有率：０．５９質量％）。
（化合物Ｂ４）Ｓｉ−７５（商品名、デグサ社製、前記式（１）中のｎの平均値：約２．４、３−クロロプロピルトリエトキシシラン（前記式（２）中のＲ１〜Ｒ３がすべてエトキシ基であり、Ｘが塩素であり、ｍが３であるもの）の含有率：０．３３質量％）。 Compound (B) having a sulfide bond and an alkoxysilyl group represented by the general formula (1):
(Compound B1) Cabras 4 (trade name, manufactured by Daiso Corporation, average value of n in the formula (1): about 3.8, 3-chloropropyltriethoxysilane (R1 in the formula (2) R3 is all ethoxy group, X is chlorine, m is 3)) content: 0.11% by mass)
(Compound B2) The above-mentioned Cabras 4 was treated at 50 ° C. for 168 hours.
(Compound B3) Si-69 (trade name, manufactured by Degussa, average value of n in formula (1): about 3.7, 3-chloropropyltriethoxysilane (R1 to R3 in formula (2) Are all ethoxy groups, X is chlorine and m is 3)): 0.59% by mass).
(Compound B4) Si-75 (trade name, manufactured by Degussa, average value of n in formula (1): about 2.4, 3-chloropropyltriethoxysilane (R1 to R3 in formula (2) Are all ethoxy groups, X is chlorine, and m is 3)): 0.33 mass%).

充填材粒子（Ｃ）：
（粒子Ｃ１）平均粒径１．５μｍ、比表面積約５ｍ２／ｇの球状シリカ粉末。
（粒子Ｃ２）平均粒径８μｍ、最大粒径３０μｍのフレーク状銀粉。 Filler particles (C):
(Particle C1) A spherical silica powder having an average particle diameter of 1.5 μm and a specific surface area of about 5 m 2 / g.
(Particle C2) Flaky silver powder having an average particle size of 8 μm and a maximum particle size of 30 μm.

その他の化合物（Ｚ）：
（化合物Ｚ１）Ａ−１２８９（商品名、日本ユニカー（株）製、前記式（１）中のｎの平均値：約３．８、３−クロロプロピルトリエトキシシラン（前記式（２）中のＲ１〜Ｒ３がすべてエトキシ基であり、Ｘが塩素であり、ｍが３であるもの）の含有率：０．７０質量％）。
（化合物Ｚ２）前記Ａ−１２８９を５０℃で１６８時間処理したもの。
（化合物Ｚ３）３−グリシジルプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ−４０３Ｅ」）。
（化合物Ｚ４）３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ−８０３Ｐ」）。 Other compounds (Z):
(Compound Z1) A-1289 (trade name, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., average value of n in the formula (1): about 3.8, 3-chloropropyltriethoxysilane (in the formula (2) R1 to R3 are all ethoxy groups, X is chlorine, and m is 3. Content: 0.70% by mass).
(Compound Z2) The above A-1289 treated at 50 ° C. for 168 hours.
(Compound Z3) 3-Glycidylpropyltrimethoxysilane (“KBM-403E” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
(Compound Z4) 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (“KBM-803P” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

溶媒：γ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）。   Solvent: γ-butyrolactone (boiling point 204 ° C.).

［接着剤組成物１］
化合物Ａ１〜化合物Ａ３および溶媒を表１に示す割合（単位：質量部）でセパラブルフラスコに仕込み、１５０℃で１時間攪拌して淡黄色透明の液体を得た。これを室温まで冷却した後、化合物Ｂ１、化合物Ｚ３およびリン系触媒を表１に示す割合（単位：質量部）で添加し、室温で３０分間攪拌した。この液体を１μｍのメッシュでろ過して液状の接着剤組成物を得た。 [Adhesive composition 1]
Compound A1 to Compound A3 and the solvent were charged into a separable flask at the ratio (unit: part by mass) shown in Table 1, and stirred at 150 ° C. for 1 hour to obtain a pale yellow transparent liquid. After cooling this to room temperature, Compound B1, Compound Z3 and phosphorus catalyst were added in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 1 and stirred at room temperature for 30 minutes. This liquid was filtered through a 1 μm mesh to obtain a liquid adhesive composition.

得られた接着剤組成物１の粘度を、Ｅ型粘度計（東機産業（株）製、３°コーン）を用いて２５℃、２．５ｒｐｍの条件で測定したところ、５Ｐａ・ｓであった。また、耐半田リフロー性および耐高温高湿性について以下の試験を実施して評価した。   The viscosity of the obtained adhesive composition 1 was measured at 25 ° C. and 2.5 rpm using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd., 3 ° cone) and found to be 5 Pa · s. It was. Moreover, the following tests were implemented and evaluated about solder reflow resistance and high temperature high humidity resistance.

＜実施例１：積層構造体の作製＞
調製直後（４時間以内）の接着剤組成物１を第２の構造体となる８インチウエハ（銅０．５％のアルミパッドを有し、パッシベーションがＳｉＮであり、厚みが３５０μｍのもの。）裏面（アルミパッドを有する面と逆の面）に、塗布後の膜厚が５０±５μｍになるようにスピンコート条件を適宜設定し、スピンコーター（ミカサ（株）製「１Ｈ−ＤＸ」）を用いてスピンコートし、１２０℃に調整した乾燥機中で１０分間加熱処理して接着剤層付きウエハを得た。なお、スピンコート後の膜厚は非接触の厚み計で測定した。 <Example 1: Production of laminated structure>
Immediately after preparation (within 4 hours), the adhesive composition 1 is an 8-inch wafer that has a second structure (having an aluminum pad of 0.5% copper, a passivation of SiN, and a thickness of 350 μm). On the back surface (the surface opposite to the surface having the aluminum pad), spin coating conditions are appropriately set so that the film thickness after coating is 50 ± 5 μm, and the spin coater (“1H-DX” manufactured by Mikasa Co., Ltd.) The resulting wafer was spin-coated and heat-treated in a drier adjusted to 120 ° C. for 10 minutes to obtain a wafer with an adhesive layer. The film thickness after spin coating was measured with a non-contact thickness meter.

得られた接着剤層付きウエハの接着剤層表面にダイシングシート（住友ベークライト（株）製「ＦＳＬ−Ｎ４００３」）を貼り付けた後、ダイシングソーを用いて６ｍｍ×６ｍｍに個片化した。個片化したウエハをダイボンダーに取り付け、イジェクターピン高さ３５０μｍ（ダイシングフィルム下面を０とする）およびピックアップタイム５００ｍｓの条件でピックアップし、ボンド加重１．０Ｎ、加熱温度１３０℃および加熱時間６秒間（表面の温度が１３０℃まで昇温する時間（５秒間）を含む）の条件で第1の構造体となる銅フレーム（ＱＦＰ用、１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ、ダイパッド＝７．５ｍｍ×７．５ｍｍ（ベア銅））に搭載し、１７５℃で３０分間加熱して接着剤層を硬化させることで積層構造体を得た。   A dicing sheet (“FSL-N4003” manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was attached to the surface of the adhesive layer of the obtained wafer with the adhesive layer, and then separated into 6 mm × 6 mm pieces using a dicing saw. The separated wafer is attached to a die bonder and picked up under the conditions that the ejector pin height is 350 μm (the bottom surface of the dicing film is 0) and the pickup time is 500 ms, the bond weight is 1.0 N, the heating temperature is 130 ° C., and the heating time is 6 seconds ( A copper frame (for QFP, 14 mm × 20 mm × 2 mm, die pad = 7.5 mm × 7.5 mm) for the first structure under the condition that the surface temperature is raised to 130 ° C. (including the time for 5 seconds) It was mounted on bare copper)) and heated at 175 ° C. for 30 minutes to cure the adhesive layer to obtain a laminated structure.

＜実施例１：試験用半導体装置の作製＞
硬化後の前記リードフレーム（積層構造体）を、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を使用したエポキシ系封止樹脂（住友ベークライト（株）製「ＥＭＥ−Ｇ７００」）により封止し、封止樹脂を１７５℃で４時間ポストモールド硬化させて半田リフロー試験用半導体装置（積層構造体）を得た。得られた試験用半導体装置を透過型超音波探傷装置により観察し、接着剤層にボイドおよび剥離が発生していないことを確認した。 <Example 1: Production of test semiconductor device>
The lead frame (laminated structure) after curing is sealed with an epoxy-based sealing resin (“EME-G700” manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) using a biphenyl aralkyl epoxy resin, and the sealing resin is sealed at 175 ° C. Post mold curing was performed for 4 hours to obtain a semiconductor device for solder reflow test (laminated structure). The obtained test semiconductor device was observed with a transmission ultrasonic flaw detector, and it was confirmed that no voids and peeling occurred in the adhesive layer.

＜半田リフロー試験（１）＞
上記により得られた試験用半導体装置を１２５℃で２０時間乾燥処理した後、６０℃、６０％ＲＨで１２０時間吸湿処理した。その後、これらの試験用半導体装置を２６０℃以上の時間が１０秒以上になるように設定したＩＲリフロー装置に３回通した。この吸湿・リフロー処理後の試験用半導体装置を透過型超音波探傷装置により観察したところ、接着剤層のクラックおよび剥離の発生は見られなかった。 <Solder reflow test (1)>
The test semiconductor device obtained above was dried at 125 ° C. for 20 hours, and then moisture-absorbed at 60 ° C. and 60% RH for 120 hours. Thereafter, these test semiconductor devices were passed three times through an IR reflow apparatus set so that the time of 260 ° C. or higher was 10 seconds or longer. When the semiconductor device for test after the moisture absorption / reflow treatment was observed with a transmission ultrasonic flaw detector, no cracks or peeling of the adhesive layer was observed.

＜半田リフロー試験（２）＞
調製直後の接着剤組成物の代わりに２５℃で７２時間静置したものを用いた以外は前記半田リフロー試験（１）と同様にして半田リフロー試験用半導体装置を作製し、透過型超音波探傷装置により観察し、接着剤層にボイドおよび剥離が発生していないことを確認した。その後、これらの試験用半導体装置に前記半田リフロー試験（１）と同様にして吸湿・リフロー処理を施し、透過型超音波探傷装置により観察したところ、接着剤層のクラックおよび剥離の発生は見られなかった。 <Solder reflow test (2)>
A semiconductor device for solder reflow test was produced in the same manner as the solder reflow test (1) except that the adhesive composition immediately after preparation was used for 72 hours at 25 ° C. Observation with an apparatus confirmed that no voids or peeling occurred in the adhesive layer. Thereafter, these test semiconductor devices were subjected to moisture absorption / reflow treatment in the same manner as in the solder reflow test (1) and observed with a transmission ultrasonic flaw detector, and as a result, cracking and peeling of the adhesive layer were observed. There wasn't.

＜実施例１：高温高湿特性評価＞
調製直後（４時間以内）の接着剤組成物１を第２の構造体となる６インチウエハ（回路が形成されていないベアシリコンからなり、厚みが６２５μｍのもの。）に、塗布後の膜厚が１２０±１０μｍになるようにスピンコート条件を適宜設定し、スピンコーター（ミカサ（株）製「１Ｈ−ＤＸ」）を用いてスピンコートし、１２０℃に調整した乾燥機中で３０分間加熱処理して接着剤層付きウエハを得た。なお、スピンコート後の膜厚は非接触の厚み計で測定した。 <Example 1: Evaluation of high temperature and high humidity characteristics>
Film thickness after application of adhesive composition 1 immediately after preparation (within 4 hours) to a 6-inch wafer (made of bare silicon with no circuit formed and having a thickness of 625 μm) as the second structure. The spin coating conditions are set appropriately so that the thickness becomes 120 ± 10 μm, spin coating is performed using a spin coater (“1H-DX” manufactured by Mikasa Co., Ltd.), and heat treatment is performed for 30 minutes in a dryer adjusted to 120 ° C. Thus, a wafer with an adhesive layer was obtained. The film thickness after spin coating was measured with a non-contact thickness meter.

得られた接着剤層付きウエハの接着剤層表面にダイシングシート（住友ベークライト（株）製「ＦＳＬ−Ｎ４００３」）を貼り付けた後、ダイシングソーを用いて３ｍｍ×３．５ｍｍに個片化した。個片化したウエハをダイボンダーに取り付け、イジェクターピン高さ３５０μｍ（ダイシングフィルム下面を０とする）およびピックアップタイム５００ｍｓの条件でピックアップし、ボンド加重１．０Ｎ、加熱温度１３０℃および加熱時間８秒間（表面の温度が１３０℃まで昇温する時間（７秒間）を含む）の条件で、予め金線によりワイヤボンディングしたチップ（第１の構造体、３ｍｍ×３．５ｍｍ、ワイヤボンドはリバースボンディングされたもの）上に重なるように搭載し、１７５℃３０分間加熱して接着剤層を硬化させることで積層構造体を得た。   A dicing sheet (“FSL-N4003” manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was attached to the surface of the adhesive layer of the obtained wafer with the adhesive layer, and then separated into 3 mm × 3.5 mm pieces using a dicing saw. . The separated wafer is attached to a die bonder, picked up under the conditions that the ejector pin height is 350 μm (the bottom surface of the dicing film is 0) and the pickup time is 500 ms, the bond weight is 1.0 N, the heating temperature is 130 ° C., and the heating time is 8 seconds ( A chip (first structure, 3 mm × 3.5 mm, wire bond was reverse-bonded in advance by wire bonding with a gold wire under the condition of the temperature of the surface to 130 ° C. (including time for 7 seconds) The laminated structure was obtained by mounting so as to overlap with each other and heating the adhesive layer by heating at 175 ° C. for 30 minutes.

硬化後の前記リードフレーム（積層構造体）を、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を使用したエポキシ系封止樹脂（住友ベークライト（株）製「ＥＭＥ−Ｇ７００」）により封止し、封止樹脂を１７５℃で４時間ポストモールド硬化させ、打ち抜き後にアウターリードを半田メッキして高温高湿試験用半導体装置を得た。得られた試験用半導体装置の抵抗を測定し、断線等の電気的な接続不良がないことを確認した。
＜高温高湿試験（１）＞ The lead frame (laminated structure) after curing is sealed with an epoxy-based sealing resin (“EME-G700” manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) using a biphenyl aralkyl epoxy resin, and the sealing resin is sealed at 175 ° C. Post mold curing was performed for 4 hours, and after punching, the outer leads were solder plated to obtain a semiconductor device for a high temperature and high humidity test. The resistance of the obtained test semiconductor device was measured, and it was confirmed that there was no electrical connection failure such as disconnection.
<High temperature and high humidity test (1)>

これらの試験用半導体装置を印加電圧１０Ｖ、温度８５℃および湿度８５％ＲＨの条件で１６８時間処理した後、再度、試験用半導体装置の抵抗を測定したところ、高温高湿処理前の抵抗値に対する処理後の抵抗値の上昇率が０〜２０％の範囲内にあり、電気的に良好に接続されていることが確認された。   After these semiconductor devices for testing were processed for 168 hours under conditions of applied voltage of 10 V, temperature of 85 ° C. and humidity of 85% RH, the resistance of the semiconductor devices for testing was measured again. It was confirmed that the increase rate of the resistance value after the treatment was in the range of 0 to 20%, and that the electrical connection was good.

＜高温高湿試験（２）＞
調製直後の接着剤組成物の代わりに２５℃で７２時間静置したものを用いた以外は前記高温高湿試験（１）と同様にして高温高湿試験用半導体装置を作製し、抵抗を測定して、断線等の電気的な接続不良がないことを確認した。その後、これらの試験用半導体装置に前記高温高湿試験（１）と同様にして高温高湿処理を施し、再度、試験用半導体装置の抵抗を測定したところ、高温高湿処理前の抵抗値に対する処理後の抵抗値の上昇率が０〜２０％の範囲内にあり、電気的に良好に接続されていることが確認された。 <High temperature and high humidity test (2)>
A semiconductor device for high-temperature and high-humidity test was produced in the same manner as in the high-temperature and high-humidity test (1) except that an adhesive composition which had been allowed to stand at 25 ° C. for 72 hours was used instead of the adhesive composition immediately after preparation, and the resistance was measured. It was confirmed that there was no electrical connection failure such as disconnection. Thereafter, these test semiconductor devices were subjected to a high temperature and high humidity treatment in the same manner as in the high temperature and high humidity test (1), and the resistance of the test semiconductor device was measured again. It was confirmed that the increase rate of the resistance value after the treatment was in the range of 0 to 20%, and that the electrical connection was good.

［比較例１−１］
化合物Ａ１〜化合物Ａ３、溶媒、化合物Ｚ３およびリン系触媒を表１に示す割合（単位：質量部）で配合した以外は実施例１と同様にして液状の接着剤組成物を得た。得られた接着剤組成物の粘度を実施例１と同様にして測定したところ、５Ｐａ・ｓであった。 [Comparative Example 1-1]
A liquid adhesive composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the compounds A1 to A3, the solvent, the compound Z3, and the phosphorus catalyst were blended in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 1. When the viscosity of the obtained adhesive composition was measured in the same manner as in Example 1, it was 5 Pa · s.

調製直後（４時間以内）および２５℃で７２時間静置した後の前記接着剤組成物について、実施例１と同様にして半田リフロー試験用半導体装置を作製し、透過型超音波探傷装置により観察したところ、接着剤層にボイドおよび剥離が発生していないことが確認された。その後、これらの試験用半導体装置に実施例１と同様にして吸湿・リフロー処理を施し、透過型超音波探傷装置により観察したところ、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物についても、接着剤層の剥離が観察された。   For the adhesive composition immediately after preparation (within 4 hours) and after standing at 25 ° C. for 72 hours, a semiconductor device for solder reflow test was produced in the same manner as in Example 1, and observed with a transmission ultrasonic flaw detector. As a result, it was confirmed that no voids or peeling occurred in the adhesive layer. After that, these test semiconductor devices were subjected to moisture absorption and reflow treatment in the same manner as in Example 1, and observed with a transmission ultrasonic flaw detector, both for the adhesive composition immediately after preparation and after standing, Delamination of the adhesive layer was observed.

また、調製直後（４時間以内）および２５℃で７２時間静置した後の前記接着剤組成物について、実施例１と同様にして高温高湿試験用半導体装置を作製し、抵抗を測定したところ、断線等の電気的な接続不良がないことが確認された。その後、これらの試験用半導体装置に実施例１と同様にして高温高湿処理を施し、再度、試験用半導体装置の抵抗を測定したところ、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物についても、高温高湿処理前の抵抗値に対する処理後の抵抗値の上昇率が０〜２０％の範囲内にあり、電気的に良好に接続されていることが確認された。   Further, for the adhesive composition immediately after preparation (within 4 hours) and after standing at 25 ° C. for 72 hours, a semiconductor device for a high temperature and high humidity test was produced in the same manner as in Example 1, and the resistance was measured. It was confirmed that there was no electrical connection failure such as disconnection. Thereafter, these test semiconductor devices were subjected to a high-temperature and high-humidity treatment in the same manner as in Example 1, and the resistance of the test semiconductor device was measured again. As to any of the adhesive compositions immediately after preparation and after standing. In addition, the increase rate of the resistance value after the treatment with respect to the resistance value before the high-temperature and high-humidity treatment is in the range of 0 to 20%, and it was confirmed that the electrical connection was good.

［比較例１−２］
化合物Ａ１〜化合物Ａ３、溶媒、化合物Ｚ１、化合物Ｚ３およびリン系触媒を表１に示す割合（単位：質量部）で配合した以外は実施例１と同様にして液状の接着剤組成物を得た。得られた接着剤組成物の粘度を実施例１と同様にして測定したところ、５Ｐａ・ｓであった。 [Comparative Example 1-2]
A liquid adhesive composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the compounds A1 to A3, the solvent, the compound Z1, the compound Z3, and the phosphorus catalyst were blended in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 1. . When the viscosity of the obtained adhesive composition was measured in the same manner as in Example 1, it was 5 Pa · s.

調製直後（４時間以内）および２５℃で７２時間静置した後の前記接着剤組成物について、実施例１と同様にして半田リフロー試験用半導体装置を作製し、透過型超音波探傷装置により観察したところ、接着剤層にボイドおよび剥離が発生していないことが確認された。その後、これらの試験用半導体装置に実施例１と同様にして吸湿・リフロー処理を施し、透過型超音波探傷装置により観察したところ、調製直後の接着剤組成物については、接着剤層のクラックおよび剥離の発生は見られなかったが、静置後の接着剤組成物については、半導体素子の周辺部で接着剤層の剥離が観察された。   For the adhesive composition immediately after preparation (within 4 hours) and after standing at 25 ° C. for 72 hours, a semiconductor device for solder reflow test was produced in the same manner as in Example 1, and observed with a transmission ultrasonic flaw detector. As a result, it was confirmed that no voids or peeling occurred in the adhesive layer. Thereafter, these test semiconductor devices were subjected to moisture absorption and reflow treatment in the same manner as in Example 1, and observed with a transmission ultrasonic flaw detector. Although no peeling was observed, peeling of the adhesive layer was observed in the periphery of the semiconductor element for the adhesive composition after standing.

また、調製直後（４時間以内）および２５℃で７２時間静置した後の前記接着剤組成物について、実施例１と同様にして高温高湿試験用半導体装置を作製し、抵抗を測定したところ、断線等の電気的な接続不良がないことが確認された。その後、これらの試験用半導体装置に実施例１と同様にして高温高湿処理を施し、再度、試験用半導体装置の抵抗を測定したところ、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物についても、高温高湿処理前の抵抗値に対して処理後の抵抗値が５０〜１００％上昇し、電気的な接続不良（抵抗値上昇）が見られた。   Further, for the adhesive composition immediately after preparation (within 4 hours) and after standing at 25 ° C. for 72 hours, a semiconductor device for a high temperature and high humidity test was produced in the same manner as in Example 1, and the resistance was measured. It was confirmed that there was no electrical connection failure such as disconnection. Thereafter, these test semiconductor devices were subjected to a high-temperature and high-humidity treatment in the same manner as in Example 1, and the resistance of the test semiconductor device was measured again. As to any of the adhesive compositions immediately after preparation and after standing. However, the resistance value after the treatment increased by 50 to 100% with respect to the resistance value before the high temperature and high humidity treatment, and an electrical connection failure (resistance value increase) was observed.

［比較例１−３］
化合物Ａ１〜化合物Ａ３、溶媒、化合物Ｚ１、化合物Ｚ３およびリン系触媒を表１に示す割合（単位：質量部）で配合した以外は実施例１と同様にして液状の接着剤組成物を得た。得られた接着剤組成物の粘度を実施例１と同様にして測定したところ、５Ｐａ・ｓであった。 [Comparative Example 1-3]
A liquid adhesive composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the compounds A1 to A3, the solvent, the compound Z1, the compound Z3, and the phosphorus catalyst were blended in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 1. . When the viscosity of the obtained adhesive composition was measured in the same manner as in Example 1, it was 5 Pa · s.

調製直後（４時間以内）および２５℃で７２時間静置した後の前記接着剤組成物を用いて、実施例１と同様にして半田リフロー試験用半導体装置を作製し、透過型超音波探傷装置により観察したところ、接着剤層にボイドおよび剥離が発生していないことが確認された。その後、これらの試験用半導体装置に実施例１と同様にして吸湿・リフロー処理を施し、透過型超音波探傷装置により観察したところ、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物についても、接着剤層のクラックおよび剥離の発生は見られなかった。   Using the adhesive composition immediately after preparation (within 4 hours) and after standing at 25 ° C. for 72 hours, a semiconductor device for solder reflow test was produced in the same manner as in Example 1, and a transmission ultrasonic flaw detector As a result, it was confirmed that no voids and peeling occurred in the adhesive layer. After that, these test semiconductor devices were subjected to moisture absorption and reflow treatment in the same manner as in Example 1, and observed with a transmission ultrasonic flaw detector, both for the adhesive composition immediately after preparation and after standing, The occurrence of cracking and peeling of the adhesive layer was not observed.

また、調製直後（４時間以内）および２５℃で７２時間静置した後の前記接着剤組成物を用いて、実施例１と同様にして高温高湿試験用半導体装置を作製し、抵抗を測定したところ、断線等の電気的な接続不良がないことが確認された。その後、これらの試験用半導体装置に実施例１と同様にして高温高湿処理を施し、再度、試験用半導体装置の抵抗を測定したところ、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物についても、高温高湿処理前の抵抗値に対して処理後の抵抗値が５０〜１００％上昇し、電気的な接続不良（抵抗値上昇）が見られた。   Further, using the adhesive composition immediately after preparation (within 4 hours) and after standing at 25 ° C. for 72 hours, a semiconductor device for a high temperature and high humidity test was produced in the same manner as in Example 1, and resistance was measured. As a result, it was confirmed that there was no electrical connection failure such as disconnection. Thereafter, these test semiconductor devices were subjected to a high-temperature and high-humidity treatment in the same manner as in Example 1, and the resistance of the test semiconductor device was measured again. As to any of the adhesive compositions immediately after preparation and after standing. However, the resistance value after the treatment increased by 50 to 100% with respect to the resistance value before the high temperature and high humidity treatment, and an electrical connection failure (resistance value increase) was observed.

表１に示した結果から明らかなように、本発明にかかる前記式（２）で表される成分の含有率が０．１１質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｂ１を含む接着剤組成物を用いた製造方法により得られた積層構造体を封止することにより得られた半導体装置は、耐半田リフロー性および耐高温高湿性ともに優れたものとなる結果であった。   As is clear from the results shown in Table 1, the adhesion containing the compound B1 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group in which the content of the component represented by the formula (2) according to the present invention is 0.11% by mass The semiconductor device obtained by sealing the laminated structure obtained by the production method using the agent composition was excellent in both solder reflow resistance and high temperature and high humidity resistance.

一方、より多い一般式（１）で示されるスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物（Ｂ）を含まない接着剤組成物を用いた製造方法により得られた積層構造体を封止することにより得られた半導体装置は耐半田リフロー性に劣るという結果であった。   On the other hand, by sealing the laminated structure obtained by the production method using the adhesive composition not containing the compound (B) having more sulfide bonds and alkoxysilyl groups represented by the general formula (1) The obtained semiconductor device was inferior in solder reflow resistance.

また、化合物Ｂの代わりに前記式（２）で表される成分の含有率が０．７０質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｚ１を実施例１の化合物Ｂ１と同量用いた場合（比較例１−２）には、該接着剤組成物を静置した後に用い得られる半導体装置は耐半田リフロー性に劣ったものであった。また、耐高温高湿性につても劣る結果となった。   Moreover, the compound Z1 which has a sulfide bond and an alkoxy silyl group whose content rate of the component represented by said Formula (2) is 0.70 mass% instead of the compound B was used in the same amount as the compound B1 of Example 1. In the case (Comparative Example 1-2), the semiconductor device obtained after standing the adhesive composition was inferior in solder reflow resistance. Moreover, it became a result inferior also in high-temperature, high-humidity resistance.

また、前記式（２）で表される成分の含有率が０．７０質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｚ１を実施例１の化合物Ｂ１の２倍量用いた場合（比較例１−３）には、得られた半導体装置は耐半田リフロー性に優れたものであったが、耐高温高湿性に劣ったものであった。   Further, when the compound Z1 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of the component represented by the formula (2) of 0.70% by mass is used twice as much as the compound B1 of Example 1 (Comparative Example) In 1-3), although the obtained semiconductor device was excellent in solder reflow resistance, it was inferior in high temperature and high humidity resistance.

［接着剤組成物２−１乃至２−３］
化合物Ａ４および化合物Ａ５を表２に示す割合（単位：質量部）でセパラブルフラスコに仕込み、１５０℃で３０分間攪拌した。固形分の残存がなく淡褐色透明になったことを確認した後、室温まで冷却し、化合物Ａ６、化合物Ａ７、化合物Ａ１５、重合開始剤および化合物Ｚ４を表２に示す割合（単位：質量部）で添加し、室温で３０分間攪拌した。その後、この混合物をセラミック製の３本ロールに通して均質に白濁した液状の樹脂組成物を得た。 [Adhesive composition 2-1 to 2-3]
Compound A4 and Compound A5 were charged into a separable flask at the ratio (unit: part by mass) shown in Table 2, and stirred at 150 ° C. for 30 minutes. After confirming that there was no remaining solid matter and became light brown and transparent, the mixture was cooled to room temperature, and the ratios (unit: parts by mass) of Compound A6, Compound A7, Compound A15, polymerization initiator and Compound Z4 are shown in Table 2. And stirred at room temperature for 30 minutes. Thereafter, this mixture was passed through a ceramic three roll to obtain a liquid resin composition which was uniformly clouded.

この樹脂組成物に化合物Ｂ１および粒子Ｃ１を表２に示す割合（単位：質量部）で添加した後、セラミック製の３本ロールを用いて混練し、脱泡して接着剤組成物２−１を得た。得られた接着剤組成物の接着強度および熱水抽出塩素イオン濃度を以下の方法により測定した。その結果を表２に示す。   Compound B1 and particles C1 were added to this resin composition in the proportions shown in Table 2 (unit: parts by mass), then kneaded using a ceramic three roll, defoamed, and adhesive composition 2-1 Got. The adhesive strength and hot water extraction chlorine ion concentration of the obtained adhesive composition were measured by the following methods. The results are shown in Table 2.

＜実施例２−１：接着強度（１）＞
調製直後（４時間以内）の上記接着剤組成物２−１を用いて、銀めっきした銅フレーム（第１の構造体）に６ｍｍ×６ｍｍのシリコンチップ（第２の構造体）をマウントし、１７５℃のオーブン中で３０分間加熱して接着剤組成物を硬化させ積層構造体を得た。得られた積層構造体を８５℃、８５％で７２時間吸湿処理を施し、自動接着力測定装置（ｄａｇｅ社製「ＰＣ−４０００」）を用いて２６０℃での熱時ダイシェア強度（単位：Ｎ／チップ）を測定した。 <Example 2-1: Adhesive strength (1)>
Using the adhesive composition 2-1 immediately after preparation (within 4 hours), a 6 mm × 6 mm silicon chip (second structure) was mounted on a silver-plated copper frame (first structure), The adhesive composition was cured by heating in an oven at 175 ° C. for 30 minutes to obtain a laminated structure. The obtained laminated structure was subjected to moisture absorption treatment at 85 ° C. and 85% for 72 hours, and the die shear strength during heating at 260 ° C. (unit: N) using an automatic adhesive force measuring device (“PC-4000” manufactured by dage). / Chip) was measured.

＜実施例２−１：接着強度（２）＞
調製直後の接着剤組成物の代わりに２５℃で７２時間静置した後の接着剤組成物を用いた以外は前記接着強度（１）と同様にして２６０℃での熱時ダイシェア強度（単位：Ｎ／チップ）を測定した。 <Example 2-1: Adhesive strength (2)>
Die shear strength during heating at 260 ° C. in the same manner as the adhesive strength (1) except that the adhesive composition after standing for 72 hours at 25 ° C. was used instead of the adhesive composition immediately after preparation (unit: N / chip).

また、接着強度（１）に対する接着強度（２）の変化率（単位：％）を次式：
変化率（％）＝｛接着強度（１）−接着強度（２）｝／接着強度（１）×１００
により算出した。 Further, the change rate (unit:%) of the adhesive strength (2) with respect to the adhesive strength (1) is expressed by the following formula:
Rate of change (%) = {Adhesive strength (1) −Adhesive strength (2)} / Adhesive strength (1) × 100
Calculated by

＜接着剤組成物２−１：熱水抽出塩素イオン濃度＞
テフロン（登録商標）製のシート上で接着剤組成物を１７５℃で３０分間硬化させた後、粉砕した。この粉砕した硬化物２ｇと蒸留水４０ｇとを抽出釜に入れ、１２５℃で２０時間抽出処理を施した。冷却後の上澄み液中の塩素イオン濃度（単位：ｐｐｍ）をイオンクロマトグラフ法により測定した。 <Adhesive composition 2-1: hot water extraction chlorine ion concentration>
The adhesive composition was cured at 175 ° C. for 30 minutes on a Teflon (registered trademark) sheet, and then pulverized. 2 g of this pulverized cured product and 40 g of distilled water were placed in an extraction kettle and subjected to extraction treatment at 125 ° C. for 20 hours. The chlorine ion concentration (unit: ppm) in the supernatant after cooling was measured by ion chromatography.

［実施例２−２〜２−４］
化合物Ｂ１の代わりにそれぞれ化合物Ｂ２〜化合物Ｂ４を表２に示す割合（単位：質量部）で添加した以外は実施例２−１と同様にして接着剤組成物を調製した。得られた各接着剤組成物を用いた半導体装置の接着強度および各接着剤組成物の熱水抽出塩素イオン濃度を実施例２−１と同様にして測定した。その結果を表２に示す。 [Examples 2-2 to 2-4]
An adhesive composition was prepared in the same manner as in Example 2-1, except that Compound B2 to Compound B4 were added in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 2 instead of Compound B1, respectively. The adhesive strength of the semiconductor device using each obtained adhesive composition and the hot water extraction chlorine ion concentration of each adhesive composition were measured in the same manner as in Example 2-1. The results are shown in Table 2.

［比較例２−１〜２−３］
化合物Ｂ１の代わりにそれぞれ化合物Ｚ１または化合物Ｚ２を表２に示す割合（単位：質量部）で添加した以外は実施例２−１と同様にして接着剤組成物を調製した。得られた接着剤組成物の接着強度および熱水抽出塩素イオン濃度を実施例２−１と同様にして測定した。その結果を表２に示す。 [Comparative Examples 2-1 to 2-3]
An adhesive composition was prepared in the same manner as in Example 2-1, except that Compound Z1 or Compound Z2 was added in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 2 instead of Compound B1, respectively. The adhesive strength and hot water extraction chlorine ion concentration of the obtained adhesive composition were measured in the same manner as in Example 2-1. The results are shown in Table 2.

表２に示した結果から明らかなように、本発明にかかる前記式（２）で表される成分の含有率が０．１１質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｂ１を用いた場合（実施例２−１）には、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物を用いて積層構造体を作製した場合であっても得られた積層構造体内の接着剤組成物は各構造体と良好な接着性を示し、接着強度の維持率も優れたものであることが確認された。また、前記化合物Ｂ１を５０℃で１６８時間処理した化合物Ｂ２を用いた場合（実施例２−２）にも、化合物Ｂ１を用いた場合（実施例２−１）に比べて、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物を用いて作製した積層構造体内の接着剤組成物の各構造体に対する接着性に大幅な低下は見られず、優れた接着性を示し、接着強度の変化率も大幅な増大はなく、接着強度の維持率も優れたものであることが確認された。なお、実施例２−１〜２−２に用いた接着剤組成物は熱水抽出塩素イオン濃度が低く、高純度のものであることが確認された。   As is clear from the results shown in Table 2, the compound B1 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of the component represented by the formula (2) according to the present invention of 0.11% by mass was used. In the case (Example 2-1), the adhesive composition in the laminated structure obtained even when the laminated structure was produced using any of the adhesive compositions immediately after preparation and after standing, It was confirmed that each structure exhibited good adhesiveness, and the adhesive strength maintenance rate was also excellent. In addition, in the case of using Compound B2 obtained by treating Compound B1 at 50 ° C. for 168 hours (Example 2-2), compared with the case of using Compound B1 (Example 2-1), it was immediately after preparation and static. The adhesive composition in the laminated structure produced using any adhesive composition after placement did not show a significant decrease in the adhesion to each structure, showed excellent adhesiveness, and the rate of change in adhesive strength No significant increase was observed, and it was confirmed that the adhesion strength maintenance rate was also excellent. In addition, it was confirmed that the adhesive composition used in Examples 2-1 to 2-2 has a low hot water extraction chlorine ion concentration and a high purity.

前記式（２）で表される成分の含有率が０．５９質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｂ３を用いた場合（実施例２−３）には、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物を用いて作製した場合であっても、積層構造体内の接着剤組成物は各構造体に対し比較的良好な接着性を示し、接着強度の維持率は若干大きかったが許容範囲ではあることが確認された。なお本実施例に用いた接着剤組成物は熱水抽出塩素イオン濃度も少し高かったが許容範囲であることが確認された。   When the compound B3 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of 0.59% by mass of the component represented by the formula (2) was used (Example 2-3), immediately after preparation and standing The adhesive composition in the laminated structure shows a relatively good adhesiveness to each structure, and the maintenance rate of the adhesive strength is slightly large, even when it is prepared using any of the adhesive compositions later. However, it was confirmed that it was within the allowable range. The adhesive composition used in this example was confirmed to be in an acceptable range although the hot water extraction chlorine ion concentration was slightly higher.

前記式（２）で表される成分の含有率が０．３３質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｂ４を用いた場合（実施例２−４）には、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物を用いた場合であっても、積層構造体内の接着剤組成物は各構造体に対し比較的良好な接着性を示し、接着強度の維持率も優れたものであることが確認された。熱水抽出塩素イオン濃度は少し高かったが許容範囲であることが確認された。   When the compound B4 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of 0.33% by mass of the component represented by the formula (2) was used (Example 2-4), immediately after preparation and standing Even when any of the later adhesive compositions is used, the adhesive composition in the laminated structure exhibits relatively good adhesion to each structure, and has an excellent adhesion strength maintenance rate. It was confirmed that there was. Although the hot water extraction chlorine ion concentration was a little high, it was confirmed that it was within an acceptable range.

前記式（２）で表される成分の含有率が０．７０質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｚ１を用いた場合（比較例２−１）には、得られた積層構造体内の接着剤組成物と各構造体との接着強度の変化率が著しく増大した。また、前記化合物Ｚ１を５０℃で１６８時間処理した化合物Ｚ２を用いた場合（比較例２−２）には、化合物Ｚ１を用いた場合（比較例２−１）に比べて、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物接着性を用いた場合であっても積層構造物内の接着剤組成物と各構造体との接着強度が大幅に低下し、接着強度の変化率も大幅に増大した。そこで、比較例２−３に示すように前記化合物Ｚ２の添加量を増加したところ、比較例２−２のような接着性の大幅な低下は抑制されたが、接着強度の変化率の増大は改善されなかった。なお、比較例２−１〜２−３の接着剤組成物は熱水抽出塩素イオン濃度も比較的高いものであり、特に比較例２−３の接着剤組成物は非常に純度の低いものであった。   When the compound Z1 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of 0.70% by mass of the component represented by the formula (2) is used (Comparative Example 2-1), the obtained laminated structure The rate of change in the adhesive strength between the adhesive composition in the body and each structure significantly increased. Further, when using Compound Z2 obtained by treating Compound Z1 at 50 ° C. for 168 hours (Comparative Example 2-2), compared to the case using Compound Z1 (Comparative Example 2-1), and immediately after preparation, The adhesive strength between the adhesive composition and each structure in the laminated structure is greatly reduced and the rate of change in the adhesive strength is greatly increased even when any adhesive composition is used after placement. Increased. Therefore, as shown in Comparative Example 2-3, when the amount of the compound Z2 was increased, a significant decrease in adhesion as in Comparative Example 2-2 was suppressed, but an increase in the rate of change in adhesive strength was It was not improved. The adhesive compositions of Comparative Examples 2-1 to 2-3 have a relatively high hot water extraction chlorine ion concentration. In particular, the adhesive composition of Comparative Example 2-3 has a very low purity. there were.

［接着剤組成物３−１］
化合物Ａ８、化合物１３〜化合物Ａ１５、重合開始剤、化合物Ｂ１、化合物Ｚ４および粒子Ｃ２を表３に示す割合（単位：質量部）で配合し、３本ロールを用いて混練し、脱泡して接着剤組成物を得た。得られた接着剤組成物を用いて作製した積層構造体内の各構造体の接着強度、および該積層構造体の耐リフロー性を以下の方法により評価しその結果を表３に示す。また、接着工程の作業性を示す指針としての接着剤組成物の保存性および貯蔵性率を測定した。 [Adhesive composition 3-1]
Compound A8, Compound 13 to Compound A15, polymerization initiator, Compound B1, Compound Z4 and particles C2 were blended in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 3, kneaded using three rolls, and defoamed. An adhesive composition was obtained. The adhesion strength of each structure in the laminated structure produced using the obtained adhesive composition and the reflow resistance of the laminated structure were evaluated by the following methods, and the results are shown in Table 3. Moreover, the preservability and storage rate of the adhesive composition as a guide indicating the workability of the bonding process were measured.

＜接着剤組成物の保存性＞
調製直後（初期）および２５℃で７２時間静置後の接着剤組成物の粘度（単位：Ｐａ・ｓ）を、Ｅ型粘度計（３°コーン）を用いて２５℃、２．５ｒｐｍで測定した。また、初期粘度に対する７２時間静置後の粘度の変化率（単位：％）を算出した。粘度が１５〜２５Ｐａ・ｓ、粘度の変化率が２０％以下の場合を合格とした。 <Preservability of adhesive composition>
Immediately after preparation (initial) and after standing at 25 ° C. for 72 hours, the viscosity (unit: Pa · s) of the adhesive composition was measured at 25 ° C. and 2.5 rpm using an E-type viscometer (3 ° cone). did. Moreover, the change rate (unit:%) of the viscosity after standing for 72 hours with respect to the initial viscosity was calculated. The case where the viscosity was 15 to 25 Pa · s and the change rate of the viscosity was 20% or less was regarded as acceptable.

＜実施例３：接着強度（３）＞
調製直後（３時間以内）の接着剤組成物３−１を用いて、銀めっきした銅フレーム（第１の構造体）に６ｍｍ×６ｍｍのシリコンチップ（第２の構造体）をマウントし、１７５℃のオーブン中で３０分間加熱して接着剤組成物を硬化させ積層構造体を得た。得られた積層構造体を８５℃、８５％で７２時間吸湿処理を施し、自動接着力測定装置（ｄａｇｅ社製「ＰＣ−４０００」）を用いて２６０℃での熱時ダイシェア強度（単位：Ｎ／チップ）を測定した。２６０℃での熱時ダイシェア強度が３０Ｎ／チップ以上の場合を合格とした。 <Example 3: Adhesive strength (3)>
A 6 mm × 6 mm silicon chip (second structure) is mounted on a silver-plated copper frame (first structure) using the adhesive composition 3-1 immediately after preparation (within 3 hours). The adhesive composition was cured by heating in an oven at 30 ° C. for 30 minutes to obtain a laminated structure. The obtained laminated structure was subjected to moisture absorption treatment at 85 ° C. and 85% for 72 hours, and the die shear strength during heating at 260 ° C. (unit: N) using an automatic adhesive force measuring device (“PC-4000” manufactured by dage). / Chip) was measured. A case where the die shear strength during heating at 260 ° C. was 30 N / chip or more was regarded as acceptable.

＜実施例３：接着強度（４）＞
２５℃で７２時間静置した後の接着剤組成物を用いた以外は前記接着強度（３）と同様にして２６０℃での熱時ダイシェア強度（単位：Ｎ／チップ）を測定した。２６０℃での熱時ダイシェア強度が３０Ｎ／チップ以上の場合を合格とした。 <Example 3: Adhesive strength (4)>
Except for using the adhesive composition after standing at 25 ° C. for 72 hours, the die shear strength during heating at 260 ° C. (unit: N / chip) was measured in the same manner as the adhesive strength (3). A case where the die shear strength during heating at 260 ° C. was 30 N / chip or more was regarded as acceptable.

また、接着強度（１）に対する接着強度（２）の変化率（単位：％）を次式：
変化率（％）＝｛接着強度（１）−接着強度（２）｝／接着強度（１）×１００
により算出した。 Further, the change rate (unit:%) of the adhesive strength (2) with respect to the adhesive strength (1) is expressed by the following formula:
Rate of change (%) = {Adhesive strength (1) −Adhesive strength (2)} / Adhesive strength (1) × 100
Calculated by

＜接着剤組成物の貯蔵弾性率＞
調製した接着剤組成物を用いて４ｍｍ×２０ｍｍ×０．１ｍｍのフィルム状の試験片を作製し（硬化条件：１７５℃、３０分）、動的粘弾性測定機（ＤＭＡ）を用いて以下の条件で貯蔵弾性率（単位：ＭＰａ）を測定した。
測定温度：−１００〜３００℃
昇温速度：５℃／分
周波数：１０Ｈｚ
荷重：１００ｍＮ
測定モード：引っ張りモード
２５℃における貯蔵弾性率が５０００ＭＰａ以下の場合を合格とした。 <Storage elastic modulus of adhesive composition>
Using the prepared adhesive composition, a film-like test piece of 4 mm × 20 mm × 0.1 mm was prepared (curing conditions: 175 ° C., 30 minutes), and the following using a dynamic viscoelasticity measuring machine (DMA) The storage elastic modulus (unit: MPa) was measured under the conditions.
Measurement temperature: -100 to 300 ° C
Temperature increase rate: 5 ° C / min Frequency: 10Hz
Load: 100mN
Measurement mode: Tensile mode The case where the storage elastic modulus in 25 degreeC was 5000 Mpa or less was set as the pass.

＜実施例３：耐半田リフロー性の評価（１）＞
接着剤組成物の調製直後（３時間以内）に、この接着剤組成物を用いて、下記のリードフレーム（第１の構造体）にシリコンチップ（第２の構造体）をマウントし、１７５℃のオーブン中で３０分間加熱して接着剤組成物を硬化させて接着し積層構造体を得た。硬化後のリードフレーム（積層構造体）を封止材料（住友ベークライト（株）製「スミコンＥＭＥ−Ｇ７００」）を用いて封止し、半導体装置を作製した。この半導体装置を８５℃、相対湿度６０％で１６０時間吸湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒、３回リフロー）を施した。処理後の半導体装置のダイアタッチ部の剥離面積（単位：％）を、透過型超音波探傷装置を用いて測定した。
半導体装置：ＱＦＰ（１４ｍｍ×２０ｍｍ×２．０ｍｍ）
リードフレーム：銀メッキした銅フレーム（被着部分が銀メッキ表面）
チップサイズ：６ｍｍ×６ｍｍ
ダイアタッチ部の剥離面積が１０％未満の場合を合格とした。 <Example 3: Evaluation of solder reflow resistance (1)>
Immediately after the preparation of the adhesive composition (within 3 hours), using this adhesive composition, a silicon chip (second structure) was mounted on the following lead frame (first structure), and 175 ° C. Was heated in an oven for 30 minutes to cure and bond the adhesive composition to obtain a laminated structure. The lead frame (laminated structure) after curing was sealed using a sealing material (“Sumicon EME-G700” manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) to produce a semiconductor device. The semiconductor device was subjected to a moisture absorption treatment at 85 ° C. and a relative humidity of 60% for 160 hours, and then subjected to IR reflow treatment (260 ° C., 10 seconds, 3 times reflow). The peeled area (unit:%) of the die attach part of the semiconductor device after the treatment was measured using a transmission ultrasonic flaw detector.
Semiconductor device: QFP (14 mm x 20 mm x 2.0 mm)
Lead frame: Silver-plated copper frame (silver-plated surface)
Chip size: 6mm x 6mm
The case where the peeling area of the die attach part was less than 10% was regarded as acceptable.

＜実施例３：耐リフロー性の評価２（２）＞
２５℃で７２時間静置した後の接着剤組成物を用いた以外は前記耐リフロー性（１）と同様にして半導体装置を作製し、ダイアタッチ部の剥離面積（単位：％）を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が１０％未満の場合を合格とした。 <Example 3: Reflow resistance evaluation 2 (2)>
A semiconductor device was prepared in the same manner as in the reflow resistance (1) except that the adhesive composition after standing at 25 ° C. for 72 hours was used, and the peeled area (unit:%) of the die attach part was measured. . The case where the peeling area of the die attach part was less than 10% was regarded as acceptable.

［実施例３−２〜３−５］
化合物Ａ８および化合物１３〜化合物Ａ１５の代わりに化合物Ａ９〜化合物Ａ１５を表３に示す割合（単位：質量部）で配合した以外は実施例３−１と同様にして接着剤組成物を調製し、該接着剤組成物を用いて積層構造体を作製し、積層構造体の接着強度および耐リフロー性を評価した。なお、その結果を表３に示す。 [Examples 3-2 to 3-5]
An adhesive composition was prepared in the same manner as in Example 3-1, except that compound A9 to compound A15 were blended in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 3 instead of compound A8 and compound 13 to compound A15. A laminated structure was produced using the adhesive composition, and the adhesive strength and reflow resistance of the laminated structure were evaluated. The results are shown in Table 3.

［比較例３−１〜３−５］
化合物Ａ９、化合物Ａ１０、化合物Ａ１３〜化合物Ａ１５、重合開始剤、化合物Ｚ１、化合物Ｚ４、化合物Ｚ５および粒子Ｃ２を表３に示す割合（単位：質量部）で配合した以外は実施例３−１と同様にして接着剤組成物を調製し、該接着剤組成物を用いて積層構造体を作製し、積層構造体内の構造体の接着強度および該積層体の耐リフロー性を評価した。また、各接着剤組成物の保存性および貯蔵弾性率その結果を表３に示す。 [Comparative Examples 3-1 to 3-5]
Example 3-1 except that compound A9, compound A10, compound A13 to compound A15, polymerization initiator, compound Z1, compound Z4, compound Z5 and particle C2 were blended in the proportions (unit: parts by mass) shown in Table 3 Similarly, an adhesive composition was prepared, a laminated structure was produced using the adhesive composition, and the adhesive strength of the structure in the laminated structure and the reflow resistance of the laminated body were evaluated. Table 3 shows the storage stability and storage modulus of each adhesive composition.

表３に示した結果から明らかなように、前記式（２）で表される成分の含有率が０．１１質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｂ１を用いた積層構造体を作製した場合（実施例３−１〜３−５）には、積層構造体内の接着剤組成物の各構造体に対する接着強度は良好なものであり、また、静置後の接着剤を用いた場合であってもほとんど変化は見られなかった。さらに、調製直後および静置後のいずれの接着剤組成物を用いて作製された積層構造体を封止することで得られた半導体装置においても耐リフロー性に優れたものであることが確認された。なお本実施例に用いた接着剤組成物はその保存性および貯蔵弾性率がともに良好なものであった。   As is clear from the results shown in Table 3, a laminated structure using the compound B1 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of the component represented by the formula (2) of 0.11% by mass is obtained. When produced (Examples 3-1 to 3-5), the adhesive strength of the adhesive composition in the laminated structure to each structure is good, and the adhesive after standing was used. Even in cases, little change was seen. Furthermore, it was confirmed that the semiconductor device obtained by sealing the laminated structure produced using any of the adhesive compositions immediately after preparation and after standing was also excellent in reflow resistance. It was. The adhesive composition used in this example had good storage stability and storage modulus.

一方、前記式（２）で表される成分の含有率が０．６質量％以下のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物（Ｂ）を用いなかった場合（比較例３−１）には、得られた積層構造体は耐リフロー性に劣ったものであった。   On the other hand, when the compound (B) having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of the component represented by the formula (2) of 0.6% by mass or less was not used (Comparative Example 3-1) The obtained laminated structure was inferior in reflow resistance.

化合物（Ｂ）に替えて３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いた場合（比較例３−２）には、接着剤組成物の粘度が高く、さらに静置後には固化し、室温での保存性に劣ったものであり作業性が低下するものとなり、更に耐半田リフロー性も劣るものとなった。   When 3-mercaptopropyltriethoxysilane is used instead of compound (B) (Comparative Example 3-2), the viscosity of the adhesive composition is high, and further solidifies after standing and is stored at room temperature. Therefore, workability was lowered, and solder reflow resistance was also inferior.

本発明にかかる化合物（Ｂ）の代わりに前記式（２）で表される成分の含有率が０．７０質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｚ１を少量用いた場合（比較例３−３）には、得られた積層構造体は耐リフロー性に劣ったものであった。   When a small amount of the compound Z1 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of the component represented by the formula (2) of 0.70% by mass is used instead of the compound (B) according to the present invention (Comparative Example) In 3-3), the obtained laminated structure was inferior in reflow resistance.

また、前記式（２）で表される成分の含有率が０．７０質量％のスルフィド結合とアルコキシシリル基とを有する化合物Ｚ１を実施例３−２の化合物Ｂ１と同量用いた場合（比較例３−４）には、調製直後の接着剤組成物においては得られた清掃構造体の接着強度は良好であり、耐リフロー性に優れたものであったが、静置後の接着剤組成物においては粘度が上昇し、得られた積層構造体内の構造体の接着強度および該積層構造体の耐リフロー性が低下し、更に室温での保存性に劣ったものであることから作業性が低下するものとなった。   Further, when the compound Z1 having a sulfide bond and an alkoxysilyl group having a content of the component represented by the formula (2) of 0.70% by mass is used in the same amount as the compound B1 of Example 3-2 (comparison) In Example 3-4), in the adhesive composition immediately after preparation, the obtained cleaning structure had good adhesive strength and excellent reflow resistance, but the adhesive composition after standing still In the product, the viscosity is increased, the adhesive strength of the structure in the obtained laminated structure and the reflow resistance of the laminated structure are lowered, and the workability is further reduced due to poor storage at room temperature. It became a thing to decline.

以上説明したように、本発明の製造方法により得られる積層構造体は、良好な作業性および高温プロセスにおける高い信頼性を有するものとなるため、本発明は半導体装置等に電子装置の製造方法として利用できる。   As described above, since the laminated structure obtained by the manufacturing method of the present invention has good workability and high reliability in a high-temperature process, the present invention is used as a method for manufacturing an electronic device in a semiconductor device or the like. Available.

１・・・接着剤組成物の硬化物層
２・・・ダイパッド
３・・・半導体素子
４・・・リード
５・・・封止材
１０・・・半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Hardened | cured material layer of adhesive composition 2 ... Die pad 3 ... Semiconductor element 4 ... Lead 5 ... Sealing material 10 ... Semiconductor device

Claims (4)

第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有する積層構造体の製造方法であって、
前記接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および下記式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、
前記化合物（Ｂ）中の下記式（２）で表される成分の含有率が０．６質量％以下であることを特徴とする積層構造体の製造方法。
〔化１〕
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（Ｓ）ｎ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、ｍは１〜１０の数であり、ｎは１以上の数である。）
〔化２〕
Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （２）
（式（２）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうちの少なくとも１つは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１〜１０の数である。） A method for producing a laminated structure including a step of adhering to a second structure via an adhesive composition on the first structure,
The adhesive composition contains a thermosetting resin (A) and a compound (B) represented by the following formula (1),
The content rate of the component represented by following formula (2) in the said compound (B) is 0.6 mass% or less, The manufacturing method of the laminated structure characterized by the above-mentioned.
[Chemical 1]
R 1 R 2 R 3 Si- ( CH 2) m - (S) n - (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (1)
(In the formula (1), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, m is a number of 1 to 10, and n is a number of 1 or more.)
[Chemical 2]
X- (CH 2) m -SiR 1 R 2 R 3 (2)
(In the formula (2), R 1 to R 3 represents an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms each independently, at least one number of carbon atoms of R 1 to R 3 1 to 10 alkoxy groups, X represents a halogen atom, and m is a number of 1 to 10.) 前記第１の構造体が、半導体用リードフレーム、半導体用有機基板、半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップである請求項１に記載の積層構造体の製造方法。 The method for manufacturing a laminated structure according to claim 1, wherein the first structure is a semiconductor lead frame, a semiconductor organic substrate, a semiconductor element, a heat dissipation member, or a spacer chip. 前記第２の構造体が、半導体素子、放熱部材またはスペーサーチップである請求項１または２記載の積層構造体の製造方法。 The method for manufacturing a laminated structure according to claim 1, wherein the second structure is a semiconductor element, a heat dissipation member, or a spacer chip. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載方法により得られた積層構造体をさらに樹脂材料により封止する工程を有する積層構造体の製造方法。 Method for producing a laminated structure having a step of sealing the further resin material laminated structure obtained by the described method in any one of claims 1 to 3.
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Citations (3)

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