JP2011060931A - Light reflectivity circuit substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit substrate formed from a thermoplastic liquid crystal polymer film which forms a melt phase of an optical anisotropy, and which has an excellent light reflectivity. <P>SOLUTION: A circuit substrate at least includes a thermoplastic liquid crystal polymer film 11 which forms a melt phase of an optical anisotropy, a circuit layer 12 formed on one side of the thermoplastic liquid crystal polymer film 11, and a light reflective layer 13 thermally compressed and bonded onto the other side of the thermoplastic liquid crystal polymer film 11. The average light reflectance in a wavelength region of 400-500 nm is 50% or more. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、そのフィルムの一方の面に配設された回路層と、前記フィルムの他方の面に熱圧着された光反射層とで構成され、光反射性に優れる回路基板に関し、特に、光反射性と放熱性との双方に優れている回路基板に関する。   The present invention is composed of a thermoplastic liquid crystal polymer film, a circuit layer disposed on one surface of the film, and a light reflection layer thermocompression bonded to the other surface of the film, and is excellent in light reflectivity. More particularly, the present invention relates to a circuit board that is excellent in both light reflectivity and heat dissipation.

LEDなどの発光素子は、低消費電力、長寿命、小型であるため数多くの電子機器に利用されている。しかしながら、近年、輝度向上のニーズや、発光装置の大型化に対応させるために、発光素子を実装する配線基板には、発光素子で発生する熱を効果的に放熱するパスの形成が必要となっている。   Light emitting elements such as LEDs are used in many electronic devices because of their low power consumption, long life, and small size. However, in recent years, in order to meet the needs for improving luminance and the increase in size of light emitting devices, it is necessary to form a path for effectively dissipating heat generated in the light emitting elements in the wiring board on which the light emitting elements are mounted. ing.

このようなパスを形成する観点から、特許文献1(特開2008−169513号公報)には、特定の光反射性熱伝導性フィラーと、バインダ樹脂とを含む光反射性熱伝導性樹脂組成物で形成された光反射性熱伝導樹脂層を、電気絶縁層およびまたは電気絶縁性接着層を介して、電子実装基板の配線パターン上に積層した電子実装基板が開示されている。   From the viewpoint of forming such a path, Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-169513) discloses a light-reflective heat-conductive resin composition containing a specific light-reflective heat-conductive filler and a binder resin. An electronic mounting board is disclosed in which the light-reflective thermally conductive resin layer formed in (1) is laminated on the wiring pattern of the electronic mounting board via an electric insulating layer and / or an electric insulating adhesive layer.

この電子実装基板では、デバイス実装面の金属配線パターン上に電気絶縁層を介して積層する事により、デバイス実装面内にデバイスの発熱を効率的に放熱する放熱パス(熱拡散、熱輸送)を形成し、また同時にヒートシンク(気相への熱放出機構)としても機能させる事ができる。更には、実装基板表面の光反射性を高める事ができるので、発光素子の出射光をより効率的に外部空間に取り出す事も可能になる。   In this electronic mounting board, by stacking on the metal wiring pattern on the device mounting surface via an electrical insulation layer, a heat dissipation path (heat diffusion, heat transport) that efficiently dissipates the heat generated by the device in the device mounting surface is provided. At the same time, it can also function as a heat sink (heat release mechanism to the gas phase). Furthermore, since the light reflectivity of the surface of the mounting substrate can be improved, the light emitted from the light emitting element can be extracted to the external space more efficiently.

特開2008−169513号公報(特許請求の範囲、段落番号[0077])JP 2008-169513 A (claims, paragraph number [0077])

しかしながら、特許文献1の電子実装基板では、光反射性熱伝導性フィラーを用いているため、光反射性が散乱反射となり十分ではない。また、このような散乱反射により、発光素子から発せられた光の一部は基板内部にとどまってしまうため、光エネルギーに由来する電子実装基板を構成するバインダ樹脂の劣化を十分抑制することはできない。   However, since the electronic mounting substrate of Patent Document 1 uses a light-reflective thermally conductive filler, the light reflectivity is not sufficient due to scattering reflection. Moreover, since part of the light emitted from the light emitting element stays inside the substrate due to such scattering reflection, deterioration of the binder resin constituting the electronic mounting substrate derived from light energy cannot be sufficiently suppressed. .

従って本発明の目的は、回路基板に入射した光を主として正反射により反射でき、光反射性に優れる回路基板を提供することにある。
本発明の別の目的は、光反射性および放熱性に優れ、回路基板に入射する光の量を低減して光エネルギーの侵入を抑制するだけでなく、回路基板に入射した光に由来して発生する熱を速やかに外部へと放出することが可能な回路基板を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a circuit board that can reflect light incident on the circuit board mainly by regular reflection and has excellent light reflectivity.
Another object of the present invention is excellent in light reflectivity and heat dissipation, not only reducing the amount of light incident on the circuit board and suppressing the ingress of light energy, but also derived from the light incident on the circuit board. An object of the present invention is to provide a circuit board capable of quickly releasing generated heat to the outside.

本発明のさらに別の目的は、高周波を含む幅広い範囲の周波数における誘電特性に優れ、比誘電率が小さいだけでなく誘電正接も低い回路基板を提供することにある。   Still another object of the present invention is to provide a circuit board that is excellent in dielectric characteristics in a wide range of frequencies including high frequencies and has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent.

本発明の他の目的は、一体性に優れ、反りの発生を抑制することができる回路基板を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a circuit board that has excellent integrity and can suppress the occurrence of warpage.

本発明者等は上記した従来技術の問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、光の波長の中でも、特にHEV(High Energy Visible Light)に注目し、熱可塑性液晶ポリマーシートにおいて、回路層が設けられた面の反対側の面に、光反射層を熱圧着させると、(i)この波長の光に対して反射率が高くなり、回路基板を構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムへの光エネルギーによる劣化を有効に防止できるだけでなく、(ii)回路基板に取り付けられた発光体から発生する光の利用効率を向上できること、そして、(iii)粘着層を介することなく、光反射層が熱可塑性液晶ポリマーシートが融着されるため、熱伝導阻害も生じず、光反射層と熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの一体性にも優れる回路基板を得られることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to solve the above-described problems of the prior art, the present inventors have paid attention to HEV (High Energy Visible Light) among the wavelengths of light, and in the thermoplastic liquid crystal polymer sheet, the circuit layer When the light reflecting layer is thermocompression bonded to the surface opposite to the surface provided with (i), the reflectance to the light of this wavelength increases, and the light to the thermoplastic liquid crystal polymer film constituting the circuit board Not only can the deterioration due to energy be effectively prevented, but also (ii) the efficiency of using light generated from the light emitter attached to the circuit board can be improved, and (iii) the light reflecting layer can be heated without going through the adhesive layer. Since the plastic liquid crystal polymer sheet is fused, it is found that a circuit board excellent in integrity between the light reflection layer and the thermoplastic liquid crystal polymer film can be obtained without inhibiting heat conduction. completed.

すなわち、本発明は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成された回路層と、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの他方の面に熱圧着された光反射層と、
を少なくとも含み、400〜500nmの波長領域において、平均光反射率が50%以上である回路基板である。
That is, the present invention comprises a thermoplastic liquid crystal polymer film that forms an optically anisotropic melt phase;
A circuit layer formed on one side of the thermoplastic liquid crystal polymer film;
A light reflecting layer thermocompression bonded to the other surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film;
And a circuit board having an average light reflectance of 50% or more in a wavelength region of 400 to 500 nm.

本発明の回路基板は、さらに可視光線領域の光反射率に優れていてもよく、例えば、前記回路基板は、380〜770nmの範囲の波長領域において、その平均光反射率が50%以上であってもよい。   The circuit board of the present invention may be further excellent in light reflectance in the visible light region. For example, the circuit board has an average light reflectance of 50% or more in a wavelength range of 380 to 770 nm. May be.

前記回路基板では、放熱性に優れ、たとえば、平面方向の熱伝導率が3.0W/mK以上であってもよい。   The circuit board is excellent in heat dissipation, and for example, the thermal conductivity in the planar direction may be 3.0 W / mK or more.

また、前記回路基板では、高周波領域における誘電特性にも優れ、たとえば、1GHzにおける比誘電率が4.0未満であってもよく、および/または、1GHzにおける誘電正接が0.005未満であってもよい。   The circuit board is also excellent in dielectric characteristics in a high frequency region, for example, the relative permittivity at 1 GHz may be less than 4.0, and / or the dielectric loss tangent at 1 GHz is less than 0.005. Also good.

前記回路基板では、光反射層が、鏡面反射性を有する金属、例えば、銀、アルミニウム、金、ニッケル、およびステンレスから選択された少なくとも一種の金属で構成されていてもよい。   In the circuit board, the light reflecting layer may be made of at least one metal selected from metals having specular reflectivity, for example, silver, aluminum, gold, nickel, and stainless steel.

さらにまた、前記回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数(CTEp)と、光反射層および/または回路層を構成する金属との熱膨張係数(CTEm)との比(CTEp/CTEm)が、0.5〜2の範囲内であってもよい。   Furthermore, in the circuit board, the ratio (CTEp / CTEm) of the thermal expansion coefficient (CTEp) of the thermoplastic liquid crystal polymer film and the thermal expansion coefficient (CTEm) of the light reflection layer and / or the metal constituting the circuit layer. However, it may be within the range of 0.5-2.

前記回路基板は、光反射性に優れるとともに、放熱性にも優れるため、熱による悪影響を受けやすいLEDなどの発光素子に対して有用に用いることができ、例えば、前記回路基板は、発光素子を実装するための基板として、用いてもよい。   Since the circuit board is excellent in light reflectivity and heat dissipation, it can be usefully used for light emitting elements such as LEDs that are easily affected by heat. For example, the circuit board includes a light emitting element. You may use as a board | substrate for mounting.

本発明の回路基板は、特にエネルギーの高い可視光線であるHEVに対する光反射性に優れるため、この光を反射して、光の利用効率を高めるだけでなく、この光に由来して発生する回路基板の光劣化を抑制することができる。   The circuit board of the present invention is particularly excellent in light reflectivity with respect to HEV, which is a high-energy visible ray. Therefore, the circuit board not only reflects this light to enhance the light utilization efficiency but also originates from this light. Photodegradation of the substrate can be suppressed.

また、本発明の回路基板では、接着剤層を介することなく、光反射層が熱可塑性液晶ポリマーフィルムと熱圧着により一体されているため、回路基板としての一体性に優れるとともに、接着剤層に由来する熱伝導阻害も発生しない。   In the circuit board of the present invention, since the light reflecting layer is integrated with the thermoplastic liquid crystal polymer film by thermocompression bonding without using the adhesive layer, the circuit board has excellent integration as a circuit board, and the adhesive layer The resulting heat conduction inhibition does not occur.

さらにまた、本発明の回路基板では、高い光反射率とともに高い熱伝導率を有することにより、光エネルギーに由来する基板への熱の発生を有効に抑制できるだけでなく、発生した熱を放熱することにより、回路基板に実装されている電子部品への熱の影響を低減することができる。   Furthermore, the circuit board of the present invention not only effectively suppresses the generation of heat to the board derived from light energy, but also dissipates the generated heat by having a high thermal conductivity with a high light reflectance. Thus, the influence of heat on the electronic component mounted on the circuit board can be reduced.

特に、本発明の回路基板は、幅広い周波数帯(特に、1GHz以上の高周波帯)における誘電特性にも優れているため、電子機器における信号伝送速度を高めることができるだけでなく、発熱量自体を抑制することができる。   In particular, the circuit board of the present invention is excellent in dielectric characteristics in a wide frequency band (especially, a high frequency band of 1 GHz or more), so that not only the signal transmission speed in an electronic device can be increased, but also the amount of heat generated itself is suppressed. can do.

本発明の一実施形態に係る回路基板を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the manufacturing method of the circuit board which concerns on one Embodiment of this invention.

本発明の回路基板は、図1に示すように、熱可塑性液晶ポリマーフィルム11と、前記フィルム11の一方の面に形成された回路層12と、前記フィルム11の他方の面に形成された光反射層13とを含む回路基板である。   As shown in FIG. 1, the circuit board of the present invention includes a thermoplastic liquid crystal polymer film 11, a circuit layer 12 formed on one surface of the film 11, and light formed on the other surface of the film 11. A circuit board including the reflective layer 13.

なお、図示はしていないが、本発明の回路基板は、所定の光反射性を有する限り、1以上の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、1以上の回路層と、1以上の光反射層とが、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルム11と、前記フィルム11の一方の面に形成された回路層12と、前記フィルム11の他方の面に形成された光反射層13とを含む回路基板を基本構成単位として積層されている多層回路基板であってもよい。   Although not shown, the circuit board of the present invention has one or more thermoplastic liquid crystal polymer films, one or more circuit layers, and one or more light reflecting layers as long as they have predetermined light reflectivity. A circuit board including the thermoplastic liquid crystal polymer film 11, a circuit layer 12 formed on one surface of the film 11, and a light reflecting layer 13 formed on the other surface of the film 11 is a basic structural unit. The multilayer circuit board may be laminated as follows.

(熱可塑性液晶ポリマーフィルム)
熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成され、この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。
(Thermoplastic liquid crystal polymer film)
The thermoplastic liquid crystal polymer film is formed from a liquid crystalline polymer that can be melt-molded. The thermoplastic liquid crystal polymer is not particularly limited as long as it has a chemical structure as long as it is a liquid crystalline polymer that can be melt-molded. , Thermoplastic liquid crystal polyester, or thermoplastic liquid crystal polyester amide having an amide bond introduced therein.

また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。   The thermoplastic liquid crystal polymer may be a polymer in which an isocyanate-derived bond such as an imide bond, a carbonate bond, a carbodiimide bond, or an isocyanurate bond is further introduced into an aromatic polyester or an aromatic polyester amide.

本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する(1)から(4)に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、高分子液晶を形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。   Specific examples of the thermoplastic liquid crystal polymer used in the present invention include known thermoplastic liquid crystal polyesters and thermoplastic liquid crystal polyester amides derived from the compounds (1) to (4) listed below and derivatives thereof. Can be mentioned. However, it goes without saying that there are suitable ranges for combinations of various raw material compounds in order to form a polymer liquid crystal.

(1)芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物(代表例は表1参照)

Figure 2011060931
(1) Aromatic or aliphatic dihydroxy compounds (see Table 1 for typical examples)
Figure 2011060931

(2)芳香族または脂肪族ジカルボン酸(代表例は表2参照)

Figure 2011060931
(2) Aromatic or aliphatic dicarboxylic acids (see Table 2 for typical examples)
Figure 2011060931

(3)芳香族または脂肪族ヒドロキシカルボン酸(代表例は表3参照)

Figure 2011060931
(3) Aromatic or aliphatic hydroxycarboxylic acids (see Table 3 for typical examples)
Figure 2011060931

(4)芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸(代表例は表4参照)

Figure 2011060931
(4) Aromatic diamine, aromatic hydroxyamine or aromatic aminocarboxylic acid (see Table 4 for typical examples)
Figure 2011060931

これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表5および6に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。   Representative examples of the liquid crystal polymer obtained from these raw material compounds include copolymers having the structural units shown in Tables 5 and 6.

Figure 2011060931
Figure 2011060931

Figure 2011060931
Figure 2011060931

これらの共重合体のうち、p―ヒドロキシ安息香酸および/または6−ヒドロシキ−2−ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、(i)p−ヒドロキシ安息香酸と6−ヒドロシキ−2−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、(ii)6−ヒドロシキ−2−ナフトエ酸と、4,4’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および2,6−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体、が最も好ましい実施形態である。   Of these copolymers, a polymer containing at least p-hydroxybenzoic acid and / or 6-hydroxy-2-naphthoic acid as a repeating unit is preferable, and in particular, (i) p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxyoxy- A polymer containing a repeating unit with 2-naphthoic acid, (ii) 6-hydroxy-2-naphthoic acid, at least one aromatic diol selected from the group consisting of 4,4′-dihydroxybiphenyl and hydroquinone, and terephthalate A polymer containing a repeating unit with at least one aromatic dicarboxylic acid selected from the group consisting of acid, isophthalic acid and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid is the most preferred embodiment.

例えば、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともp−ヒドロキシ安息香酸と6−ヒドロシキ−2−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位(A)のp−ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位(B)の6−ヒドロシキ−2−ナフトエ酸とのモル比(A)/(B)は、液晶ポリマー中、(A)/(B)=10/90〜90/10程度であるのが望ましく、より好ましくは、(A)/(B)=50/50〜85/15程度であってもよく、さらに好ましくは、(A)/(B)=60/40〜80/20程度であってもよい。   For example, when the thermoplastic liquid crystal polymer contains at least a repeating unit of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid, the repeating unit (A) of p-hydroxybenzoic acid and the repeating unit (B) of The molar ratio (A) / (B) with 6-hydroxy-2-naphthoic acid is desirably about (A) / (B) = 10/90 to 90/10 in the liquid crystal polymer, more preferably , (A) / (B) = about 50/50 to 85/15, and more preferably (A) / (B) = about 60/40 to 80/20.

また、熱可塑性液晶ポリマーが、6−ヒドロシキ−2−ナフトエ酸と、4,4’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および2,6−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む場合、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、6−ヒドロシキ−2−ナフトエ酸の繰り返し単位(C):前記芳香族ジオール(D):前記芳香族ジカルボン酸(E)=30〜80:35〜10:35〜10程度であってもよく、より好ましくは、(C):(D):(E)=35〜75:32.5〜12.5:32.5〜12.5程度であってもよく、さらに好ましくは、(C):(D):(E)=40〜70:30〜15:30〜15程度であってもよい。   Further, the thermoplastic liquid crystal polymer is at least one aromatic diol selected from the group consisting of 6-hydroxy-2-naphthoic acid, 4,4′-dihydroxybiphenyl and hydroquinone, terephthalic acid, isophthalic acid and 2,6 -When including a repeating unit with at least one aromatic dicarboxylic acid selected from the group consisting of naphthalenedicarboxylic acid, the molar ratio of each repeating unit in the liquid crystal polymer is the repeating unit (C) of 6-hydroxy-2-naphthoic acid. : The aromatic diol (D): The aromatic dicarboxylic acid (E) = 30-80: 35-10: 35-10, more preferably (C) :( D) :( E ) = 35 to 75: 32.5 to 12.5: 32.5 to 12.5, more preferably (C) :( D) (E) = 40~70: 30~15: may be about 30 to 15.

また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、(D)/(E)=95/100〜100/95であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。   Moreover, it is preferable that the molar ratio of the repeating structural unit derived from aromatic dicarboxylic acid and the repeating structural unit derived from aromatic diol is (D) / (E) = 95 / 100-100 / 95. Outside this range, the degree of polymerization does not increase and the mechanical strength tends to decrease.

なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。   The optical anisotropy at the time of melting referred to in the present invention can be recognized by, for example, placing a sample on a hot stage, heating and heating in a nitrogen atmosphere, and observing the transmitted light of the sample.

熱可塑性液晶ポリマーとして好ましいものは、融点(以下、Mpと称す)が260〜360℃の範囲のものであり、さらに好ましくはMpが270〜350℃のものである。なお、Mpは示差走査熱量計((株)島津製作所DSC)により主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。   The thermoplastic liquid crystal polymer preferably has a melting point (hereinafter referred to as Mp) in the range of 260 to 360 ° C, more preferably Mp of 270 to 350 ° C. Mp is determined by measuring the temperature at which the main endothermic peak appears with a differential scanning calorimeter (Shimadzu Corporation DSC).

前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエステルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマーを添加してもよい。   The thermoplastic liquid crystal polymer may contain a thermoplastic polymer such as polyethylene terephthalate, modified polyethylene terephthalate, polyolefin, polycarbonate, polyarylate, polyamide, polyphenylene sulfide, polyester ether ketone, and fluororesin within a range not impairing the effects of the present invention. It may be added.

本発明に使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。任意の押出成形法が適用できるが、周知のTダイ法、ラミネート体延伸法、インフレーション法などが工業的に有利である。特にインフレーション法やラミネート体延伸法では、フィルムの機械軸方向(以下、MD方向と略す)だけでなく、これと直交する方向(以下、TD方向と略す)にも応力が加えられるため、MD方向とTD方向における機械的性質および熱的性質のバランスのとれたフィルムが得られる。   The thermoplastic liquid crystal polymer film used in the present invention is obtained by extrusion molding of a thermoplastic liquid crystal polymer. Any extrusion molding method can be applied, but the known T-die method, laminate stretching method, inflation method and the like are industrially advantageous. In particular, in the inflation method and the laminate stretching method, stress is applied not only in the mechanical axis direction of the film (hereinafter abbreviated as MD direction) but also in the direction orthogonal thereto (hereinafter abbreviated as TD direction). And a film having a balance of mechanical and thermal properties in the TD direction.

押出成形では、延伸処理を伴っていてもよく、例えば、Tダイ法による押出成形では、Tダイから押出した溶融体シートを、フィルムの機械軸方向(以下、MD方向と略す)だけでなく、これと直交する方向(以下、TD方向と略す)の双方に対して同時に延伸してもよいし、またはTダイから押出した溶融体シートを一旦MD方向に延伸し、ついでTD方向に延伸してもよい。   In extrusion molding, it may be accompanied by stretching treatment. For example, in extrusion molding by the T-die method, the melt sheet extruded from the T-die is not only in the mechanical axis direction of the film (hereinafter abbreviated as MD direction), You may extend | stretch simultaneously with respect to both the direction (henceforth TD direction) orthogonal to this, or the melt sheet | seat extruded from T-die is once extended | stretched to MD direction, and then extended to TD direction. Also good.

また、インフレーション法による押出成形では、リングダイから溶融押出された円筒状シートに対して、所定のドロー比(MD方向の延伸倍率に相当する)およびブロー比(TD方向の延伸倍率に相当する)で延伸してもよい。   In addition, in the extrusion molding by the inflation method, a predetermined draw ratio (corresponding to a stretching ratio in the MD direction) and a blow ratio (corresponding to a stretching ratio in the TD direction) with respect to a cylindrical sheet melt-extruded from a ring die. May be stretched.

このような押出成形の延伸倍率は、MD方向の延伸倍率(またはドロー比)として、例えば、1.0〜10程度であってもよく、好ましくは1.2〜7程度、さらに好ましくは1.3〜5程度であってもよい。また、TD方向の延伸倍率(またはブロー比)として、例えば、1.5〜20程度であってもよく、好ましくは2〜15程度、さらに好ましくは2.5〜10程度であってもよい。   The stretch ratio of such extrusion molding may be, for example, about 1.0 to 10, preferably about 1.2 to 7, more preferably about 1. as the stretch ratio (or draw ratio) in the MD direction. About 3-5 may be sufficient. Further, the draw ratio (or blow ratio) in the TD direction may be, for example, about 1.5 to 20, preferably about 2 to 15, and more preferably about 2.5 to 10.

また、必要に応じて、押出成形された原反シートに対して、公知または慣用の熱処理(例えば、液晶ポリマーの融点(Mp)以上(例えば、Mp〜Mp+30℃程度、好ましくはMp+10〜Mp+20℃程度)で熱処理を行い、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点や熱膨張係数を調整してもよい。   Further, if necessary, the extruded raw sheet is subjected to a known or conventional heat treatment (for example, a melting point (Mp) or higher of the liquid crystal polymer (for example, about Mp to Mp + 30 ° C., preferably about Mp + 10 to Mp + 20 ° C.). ) To adjust the melting point and thermal expansion coefficient of the thermoplastic liquid crystal polymer film.

また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、押出成形した後に、必要に応じて延伸を行ってもよい。延伸方法自体は公知であり、二軸延伸、一軸延伸のいずれを採用してもよいが、分子配向度を制御することがより容易であることから、二軸延伸が好ましい。また、延伸は、公知の一軸延伸機、同時二軸延伸機、逐次二軸延伸機などが使用できる。   The thermoplastic liquid crystal polymer film may be stretched as necessary after extrusion. The stretching method itself is known, and either biaxial stretching or uniaxial stretching may be adopted, but biaxial stretching is preferred because it is easier to control the degree of molecular orientation. For stretching, a known uniaxial stretching machine, simultaneous biaxial stretching machine, sequential biaxial stretching machine or the like can be used.

また、放熱性を向上させる観点から、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、平面方向の熱伝導率が1.0W/mK以上(例えば1〜30W/mK程度)、好ましくは1.2W/mK以上であってもよい。   From the viewpoint of improving heat dissipation, the thermoplastic liquid crystal polymer film has a thermal conductivity in the plane direction of 1.0 W / mK or more (for example, about 1 to 30 W / mK), preferably 1.2 W / mK or more. May be.

さらに、誘電特性を高める観点から、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの1GHzにおける比誘電率は、4.0以下(例えば、1.8〜3.6程度)、好ましくは2.5〜3.4程度であってもよい。このような比誘電率を有することにより、電気信号の電送損失を低減することができる。   Furthermore, from the viewpoint of enhancing the dielectric properties, for example, the relative dielectric constant at 1 GHz of the thermoplastic liquid crystal polymer film is 4.0 or less (for example, about 1.8 to 3.6), preferably 2.5 to 3.4. It may be a degree. By having such a relative dielectric constant, it is possible to reduce a transmission loss of an electric signal.

さらにまた、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの1GHzにおける誘電正接は、0.005以下(例えば、0.0001〜0.004程度)、好ましくは0.001〜0.003程度であってもよい。このような誘電正接を有することにより、低電力化や低ノイズ化が可能となり、それに伴って生じる発熱量を低減することができる。   Furthermore, the dielectric loss tangent at 1 GHz of the thermoplastic liquid crystal polymer film may be 0.005 or less (for example, about 0.0001 to 0.004), preferably about 0.001 to 0.003. By having such a dielectric loss tangent, it is possible to reduce power and noise, and to reduce the amount of generated heat.

熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚みは、例えば、10〜200μm程度であってもよく、より好ましくは20〜150μm、特に好ましくは25〜100μmである。   The thickness of the thermoplastic liquid crystal polymer film may be, for example, about 10 to 200 μm, more preferably 20 to 150 μm, and particularly preferably 25 to 100 μm.

熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、回路基板の一体性を高めるとともに、反りなどの変形を抑制する観点から、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数(CTEp)と、回路層を構成する金属との熱膨張係数(CTEm1)との比(CTEp/CTEm1)は、0.5〜2程度であってもよく、より好ましくは0.8〜1.8程度であってもよい。   The thermoplastic liquid crystal polymer film has, for example, a coefficient of thermal expansion (CTEp) of the thermoplastic liquid crystal polymer film and a metal constituting the circuit layer, from the viewpoint of increasing the integrity of the circuit board and suppressing deformation such as warpage. The ratio (CTEp / CTEm1) to the thermal expansion coefficient (CTEm1) may be about 0.5 to 2, more preferably about 0.8 to 1.8.

また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数(CTEp)と、光反射層を構成する金属との熱膨張係数(CTEm2)との比(CTEp/CTEm2)も、0.5〜2程度であってもよく、より好ましくは0.8〜1.8程度であってもよい。   Moreover, the ratio (CTEp / CTEm2) of the thermal expansion coefficient (CTEp) of the thermoplastic liquid crystal polymer film and the thermal expansion coefficient (CTEm2) of the metal constituting the light reflection layer is also about 0.5 to 2. More preferably, it may be about 0.8 to 1.8.

CTEm1とCTEm2のいずれかが、CTEpと上述の関係を満たしているのが好ましく、CTEm1とCTEm2の双方が、CTEpと上述の関係を満たしているのがより好ましい。   Either CTEm1 or CTEm2 preferably satisfies the above relationship with CTEp, and more preferably both CTEm1 and CTEm2 satisfy the above relationship with CTEp.

このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、(株)クラレから、「ベクスタFA」、「ベクスタOC」、「ベクスタCT」、「ベクスタCTV」などとして上市されている。   Such thermoplastic liquid crystal polymer films are marketed by Kuraray Co., Ltd. as “Vexa FA”, “Vexa OC”, “Vexa CT”, “Vexa CTV” and the like.

(回路層)
回路層は、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成され、所定のパターンの配線回路を構成している。回路層の形成は、公知又は慣用の方法により行なわれ、スパッタリング法、メッキ法などを用いてもよい。また、例えば、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、回路用導体シートを熱圧着などの公知又は慣用の方法により貼り付けた後、感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を経て、所定のパターンの配線回路を、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成してもよい。
(Circuit layer)
The circuit layer is formed on one surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film, and constitutes a wiring circuit having a predetermined pattern. The circuit layer is formed by a known or conventional method, and a sputtering method, a plating method, or the like may be used. In addition, for example, a circuit conductor sheet is attached to the thermoplastic liquid crystal polymer film by a known or conventional method such as thermocompression bonding, and then subjected to a photosensitive resist treatment, exposure, and etching process, and then a predetermined pattern. The wiring circuit may be formed on one surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film.

回路層を形成する金属としては、導体回路を形成できる限り特に制限されないが、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウムまたはこれらの合金金属などが挙げられる。これらの金属のうち、銅が好ましく用いられる。   The metal forming the circuit layer is not particularly limited as long as a conductor circuit can be formed, and examples thereof include gold, silver, copper, nickel, aluminum, and alloy metals thereof. Of these metals, copper is preferably used.

回路層の厚さは、例えば、5〜50μm程度であってもよく、好ましくは8〜40μm程度であってもよい。   The thickness of the circuit layer may be, for example, about 5 to 50 μm, and preferably about 8 to 40 μm.

(光反射層)
光反射層は、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいて、回路層が形成された面の他方の面に形成され、回路層側から照射される光を光反射層によって回路層側へと反射させ、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して光エネルギーが吸収されるのを抑制している。
(Light reflecting layer)
The light reflecting layer is formed on the other surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film on which the circuit layer is formed, and reflects light irradiated from the circuit layer side to the circuit layer side by the light reflecting layer. The absorption of light energy to the plastic liquid crystal polymer film is suppressed.

本発明では、このような光反射層を備えた回路基板において、400nm〜500nmの波長領域であるHEVへの平均光反射率が、50%以上であることが必要であり、このような光反射率を達成できる限り、光反射層の材質は特に制限されない。   In the present invention, in a circuit board provided with such a light reflection layer, the average light reflectance to HEV that is a wavelength region of 400 nm to 500 nm needs to be 50% or more. As long as the rate can be achieved, the material of the light reflecting layer is not particularly limited.

例えば、光反射層としては、400nm〜500nmの波長領域における光反射率が70%以上である鏡面反射性を有する金属から形成された鏡面性金属シートが挙げられ、具体的には、例えば、銀、アルミニウム、金、ニッケル、ステンレスなどの金属シートが挙げられる。なお、回路基板において、光反射層の外側には、必要に応じて、保護層などが形成されていてもよい。   For example, as the light reflection layer, a specular metal sheet formed from a metal having a specular reflectivity having a light reflectivity of 70% or more in a wavelength region of 400 nm to 500 nm can be mentioned. , Metal sheets such as aluminum, gold, nickel, and stainless steel. In the circuit board, a protective layer or the like may be formed on the outside of the light reflection layer as necessary.

例えば、回路層を形成する導体シートと、光反射層を形成する鏡面性金属シートとは、同種の金属から形成されていてもよいし、異なる種類の金属から形成されていてもよいが、好ましい組み合わせは、導体シートを構成する金属が銅またはアルミニウムであり、金属シートを構成する金属がアルミニウムまたはステンレスであり、特に好ましくは、導体シートを構成する金属が銅であり、鏡面性金属シートを構成する金属がアルミニウムである。   For example, the conductor sheet that forms the circuit layer and the specular metal sheet that forms the light reflecting layer may be formed of the same type of metal, or may be formed of different types of metals. In the combination, the metal constituting the conductor sheet is copper or aluminum, the metal constituting the metal sheet is aluminum or stainless steel, and particularly preferably, the metal constituting the conductor sheet is copper and constitutes the specular metal sheet. The metal to be used is aluminum.

光反射層(または、鏡面性金属シート)の厚さは、例えば、5〜100μm程度であってもよく、好ましくは8〜80μm程度であってもよい。また、光反射層の厚さは、回路層の厚さの2倍以上(例えば、2〜5倍)、好ましくは3倍以上(例えば、3〜4倍)であってもよい。   The thickness of the light reflecting layer (or specular metal sheet) may be, for example, about 5 to 100 μm, and preferably about 8 to 80 μm. Further, the thickness of the light reflecting layer may be twice or more (for example, 2 to 5 times), preferably 3 or more times (for example, 3 to 4 times) the thickness of the circuit layer.

光反射層は、回路層が形成される前の熱可塑性液晶ポリマーフィルム、または回路層が形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、回路層とは反対側の面に熱圧着により貼り付けられてもよいし、または、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、回路層を形成する導体シートと光反射層を形成する鏡面性金属シートとの双方を同時に熱圧着により貼り付けてもよい。   The light reflecting layer is attached to the surface opposite to the circuit layer by thermocompression bonding to the thermoplastic liquid crystal polymer film before the circuit layer is formed or the thermoplastic liquid crystal polymer film on which the circuit layer is formed. Alternatively, both the conductor sheet for forming the circuit layer and the specular metal sheet for forming the light reflecting layer may be simultaneously bonded to the thermoplastic liquid crystal polymer film by thermocompression bonding.

例えば、図2に示すように、フィルム送り出し用ロール2から送り出された熱可塑性液晶ポリマーフィルム5の上面には、回路用導体シート送り出し用ロール1から送り出された導体シート4が重ねられ、熱可塑性液晶ポリマーフィルム5の下面には、光反射層用金属シート送り出し用ロール3から送り出された鏡面性金属シート6が重ねられる。そして、導体シート4、熱可塑性液晶ポリマーフィルム5、および鏡面性金属シート6が上から順に重ねられた積層体は、一対の加熱ロール7,7間を通過し、圧着される。なお、加熱ロール7,7は誘電加熱方式の金属ロールである。これにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルム5の上面に導体シート4が、下面には鏡面性金属シート6が熱接合され、金属張積層体9が形成されて積層体巻取ロール10に巻き取られる。   For example, as shown in FIG. 2, a conductor sheet 4 fed from the circuit conductor sheet feed roll 1 is superposed on the upper surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film 5 fed from the film feed roll 2, and is thermoplastic. On the lower surface of the liquid crystal polymer film 5, a specular metal sheet 6 fed from the metal sheet feed roll 3 for the light reflecting layer is overlaid. And the laminated body in which the conductor sheet 4, the thermoplastic liquid crystal polymer film 5, and the specular metal sheet 6 were laminated | stacked in order from the top passes between between a pair of heating rolls 7 and 7, and is crimped | bonded. The heating rolls 7 are dielectric heating type metal rolls. As a result, the conductor sheet 4 is thermally bonded to the upper surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film 5 and the specular metal sheet 6 is thermally bonded to the lower surface to form a metal-clad laminate 9 which is wound around the laminate winding roll 10.

その後、金属張積層体9の導体シートに対して、感光性レジスト処理、露光、エッチング加工が行なわれ、所定のパターンの配線回路が施された本発明の回路基板を作製することができる。   Thereafter, the conductive sheet of the metal-clad laminate 9 is subjected to photosensitive resist treatment, exposure, and etching processing, and a circuit board of the present invention in which a wiring circuit having a predetermined pattern is applied can be manufactured.

(回路基板)
このようにして形成された回路基板は、光反射層を形成しているため、400〜500nmの波長領域であるHEV(High Energy Visible Light)への平均光反射率が、50%以上である。また、HEVへの平均光反射率は、好ましくは60%以上、さらに好ましくは70%以上であってもよい。なお、平均光反射率は、後述する実施例に記載された方法により測定された値を示す。
(Circuit board)
Since the circuit board formed in this way forms a light reflection layer, the average light reflectance to HEV (High Energy Visible Light) which is a wavelength region of 400 to 500 nm is 50% or more. Further, the average light reflectance to HEV is preferably 60% or more, more preferably 70% or more. In addition, an average light reflectance shows the value measured by the method described in the Example mentioned later.

さらに好ましくは、本発明の回路基板は、380〜770nmの範囲の波長領域である可視光線への平均光反射率が、50%以上、好ましくは60%以上、さらに好ましくは70%以上であってもよい。   More preferably, the circuit board of the present invention has an average light reflectance to visible light in the wavelength range of 380 to 770 nm of 50% or more, preferably 60% or more, more preferably 70% or more. Also good.

また、放熱性を向上させる観点から、回路基板は、平面方向の熱伝導率が3.0W/mK以上(例えば3.0〜300W/mK程度)、好ましくは10W/mK以上、さらに好ましくは50W/mK以上であってもよい。   From the viewpoint of improving heat dissipation, the circuit board has a thermal conductivity in the plane direction of 3.0 W / mK or more (for example, about 3.0 to 300 W / mK), preferably 10 W / mK or more, and more preferably 50 W. / MK or more.

さらに、誘電特性を高める観点から、例えば、回路基板の1GHzにおける比誘電率は、4.0未満(例えば、1.8〜3.8程度)、好ましくは2.5〜3.6程度であってもよい。このような比誘電率を有することにより、電気信号の電送損失を低減することができる。   Furthermore, from the viewpoint of enhancing the dielectric characteristics, for example, the relative dielectric constant at 1 GHz of the circuit board is less than 4.0 (for example, about 1.8 to 3.8), preferably about 2.5 to 3.6. May be. By having such a relative dielectric constant, it is possible to reduce a transmission loss of an electric signal.

さらにまた、回路基板の1GHzにおける誘電正接は、0.005未満(例えば、0.0001〜0.004程度)、好ましくは0.001〜0.003程度であってもよい。このような誘電正接を有することにより、低電力化や低ノイズ化が可能となり、それに伴って生じる発熱量を低減することができる。   Furthermore, the dielectric loss tangent at 1 GHz of the circuit board may be less than 0.005 (for example, about 0.0001 to 0.004), preferably about 0.001 to 0.003. By having such a dielectric loss tangent, it is possible to reduce power and noise, and to reduce the amount of generated heat.

本発明の回路基板は、このように高い光反射率を有するため、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対する光劣化を抑制することができる。そのため、本発明の回路基板は、各種の電子素子を実装する回路基板として有効に利用することができる。特に、高い光反射性と放熱性の双方を備える場合、本発明の回路基板は、熱に対する影響を受けやすいLEDなどの発光素子を実装するための回路基板として、特に好適に用いることができる。   Since the circuit board of the present invention has such a high light reflectance, it is possible to suppress the light deterioration of the thermoplastic liquid crystal polymer film. Therefore, the circuit board of the present invention can be effectively used as a circuit board on which various electronic elements are mounted. In particular, when both high light reflectivity and heat dissipation are provided, the circuit board of the present invention can be particularly suitably used as a circuit board for mounting a light-emitting element such as an LED that is easily affected by heat.

以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited at all by this Example. In the following examples and comparative examples, various physical properties were measured by the following methods.

[平均光反射率]
分光光度計(日本分光(株)製、「V−570」)を用いて、380nm〜770nmの波長領域における、回路基板の全反射率(鏡面反射率+拡散反射率)を2nm毎に測定し、所定の波長領域における平均全反射率を計算により求めた。
[Average light reflectance]
Using a spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, “V-570”), the total reflectance (specular reflectance + diffuse reflectance) of the circuit board in the wavelength region of 380 nm to 770 nm is measured every 2 nm. The average total reflectance in a predetermined wavelength region was obtained by calculation.

[熱膨張係数 (ppm/℃)]
フィルムの熱膨張係数とは、室温からフィルムの熱変形温度付近まで一定昇温速度で加熱したときの膨張率を温度差で割った係数であり、以下のように算出される。
[Coefficient of thermal expansion (ppm / ° C)]
The thermal expansion coefficient of the film is a coefficient obtained by dividing the expansion coefficient when heated at a constant temperature increase rate from room temperature to near the thermal deformation temperature of the film by the temperature difference, and is calculated as follows.

まず、周知の熱機械分析装置を用い、短冊状に切断したフィルムの一端を固定し、もう一端に引張の荷重を付与し、一定昇温速度で加熱した時の膨張量を計測する。例えば、フィルムの引張荷重方向の長さをL0(mm)、加熱時のフィルムの長さをL1(mm)、加熱温度をT2(℃)とし、室温をT1(℃)とすると、熱膨張係数αLは以下の式で算出できる。
αL=[(L1−L0)/(T2−T1)]/L0 (×10−6cm/cm/℃)
本発明ではL0を20mm、T2を150℃、T1を25℃、引張荷重を1gとして採用している。
First, using a known thermomechanical analyzer, one end of a strip cut film is fixed, a tensile load is applied to the other end, and the amount of expansion when heated at a constant temperature increase rate is measured. For example, assuming that the length in the tensile load direction of the film is L0 (mm), the length of the film during heating is L1 (mm), the heating temperature is T2 (° C.), and the room temperature is T1 (° C.), the thermal expansion coefficient αL can be calculated by the following equation.
αL = [(L1-L0) / (T2-T1)] / L0 (× 10 −6 cm / cm / ° C.)
In the present invention, L0 is 20 mm, T2 is 150 ° C., T1 is 25 ° C., and the tensile load is 1 g.

[熱伝導率 (W/mK)]
レーザーフラッシュ法熱定数測定装置((株)リガク製、「LF/TCM FA8510B」)を用い、測定温度20℃にて測定した。
[Thermal conductivity (W / mK)]
The measurement was performed at a measurement temperature of 20 ° C. using a laser flash method thermal constant measuring apparatus (manufactured by Rigaku Corporation, “LF / TCM FA8510B”).

[シート厚み (μm)]
回路基板の厚みを、(株)ミツトヨ製デジマチックインジケータを用いて測定した。測定は、回路基板から試料断片(縦50cm×横50cm)を採取し、各試料について、ランダムに100点を測定し、その平均値を用いて、シートの厚さとした。
[Sheet thickness (μm)]
The thickness of the circuit board was measured using a Digimatic indicator manufactured by Mitutoyo Corporation. In the measurement, a sample piece (length 50 cm × width 50 cm) was collected from the circuit board, 100 points were randomly measured for each sample, and the average value was used as the sheet thickness.

[誘電特性]
誘電率測定は周波数1GHzで共振摂動法により実施した。ネットワークアナライザ(Agilent Technology社製「E8362B」)に1GHzの空洞共振器((株)関東電子応用開発)を接続し、空洞共振器に微小な材料(幅:2mm×長さ:90mm)を挿入し、温度20℃、湿度65%RH環境下、96時間の挿入前後の共振周波数の変化から材料の誘電率および誘電損失を測定した。
[Dielectric properties]
The dielectric constant was measured by a resonance perturbation method at a frequency of 1 GHz. Connect a 1 GHz cavity resonator (Kanto Electronics Co., Ltd.) to a network analyzer (Agilent Technology "E8362B"), and insert a minute material (width: 2 mm x length: 90 mm) into the cavity resonator. The dielectric constant and dielectric loss of the material were measured from the change in resonance frequency before and after insertion for 96 hours in an environment of temperature 20 ° C. and humidity 65% RH.

(実施例1)
熱可塑性液晶ポリマーフィルム(厚み25μm、融点280℃、(株)クラレ製、「ベクスターFA」)に対して、一方の面に厚さ18μmの電解銅箔(熱膨張係数18×10−6cm/cm/℃)を、他方の面に厚さ50μmのアルミニウム箔(熱膨張係数24×10−6cm/cm/℃)を重ねあわせ、これらを重ね合わせた状態で、連続熱ロールプレス装置に供給し、300℃の加熱状態で圧着して、電解銅箔/熱可塑性液晶ポリマーフィルム/アルミニウム箔の構成の積層体を作製した。
次いで、270℃の窒素雰囲気下のオーブンに導入し30秒間熱処理した。得られた積層体の電解銅箔に対して感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を行って回路配線をプリントし、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に回路層を、他方の面に光反射層を備える回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表7に示す。
Example 1
With respect to a thermoplastic liquid crystal polymer film (thickness 25 μm, melting point 280 ° C., manufactured by Kuraray Co., Ltd., “BEXTER FA”), an electrolytic copper foil (thermal expansion coefficient 18 × 10 −6 cm / cm) having a thickness of 18 μm on one surface. cm / ° C.) is superimposed on a 50 μm thick aluminum foil (coefficient of thermal expansion of 24 × 10 −6 cm / cm / ° C.) on the other surface and supplied to the continuous hot roll press machine in a state where these are superposed. Then, it was pressure-bonded in a heated state at 300 ° C. to prepare a laminate having a structure of electrolytic copper foil / thermoplastic liquid crystal polymer film / aluminum foil.
Subsequently, it was introduced into an oven under a nitrogen atmosphere at 270 ° C. and heat-treated for 30 seconds. The resulting laminated copper foil is subjected to photosensitive resist treatment, exposure, and etching to print circuit wiring, and the circuit layer is reflected on one side of the thermoplastic liquid crystal polymer film and light reflected on the other side. A circuit board with layers was produced. Table 7 shows the physical properties of the obtained circuit board.

(実施例2)
熱可塑性液晶ポリマーフィルム(厚み25μm、融点328℃、(株)クラレ製、「ベクスターCTV」)に対して、一方の面に厚さ18μmの電解銅箔(熱膨張係数18×10−6cm/cm/℃)を、他方の面に厚さ50μmのアルミニウム箔(熱膨張係数23×10−6cm/cm/℃)を重ねあわせ、これらを重ね合わせた状態で、連続熱ロールプレス装置に供給し、300℃の加熱状態で圧着して、電解銅箔/熱可塑性液晶ポリマーフィルム/アルミニウム箔の構成の積層体を作製した。次いで、280℃の窒素雰囲気下のオーブンに導入し30秒間熱処理した。得られた積層体の電解銅箔に対して感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を行って回路配線をプリントし、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に回路層を、他方の面に光反射層を備える回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表7に示す。
(Example 2)
With respect to a thermoplastic liquid crystal polymer film (thickness 25 μm, melting point 328 ° C., manufactured by Kuraray Co., Ltd., “Bexter CTV”), an electrolytic copper foil (thermal expansion coefficient 18 × 10 −6 cm / cm) having a thickness of 18 μm on one surface. cm / ° C.) and 50 μm thick aluminum foil (coefficient of thermal expansion: 23 × 10 −6 cm / cm / ° C.) on the other surface, and these are superposed and supplied to the continuous hot roll press device Then, it was pressure-bonded in a heated state at 300 ° C. to prepare a laminate having a structure of electrolytic copper foil / thermoplastic liquid crystal polymer film / aluminum foil. Subsequently, it was introduced into an oven under a nitrogen atmosphere at 280 ° C. and heat-treated for 30 seconds. The resulting laminated copper foil is subjected to photosensitive resist treatment, exposure, and etching to print circuit wiring, and the circuit layer is reflected on one side of the thermoplastic liquid crystal polymer film and light reflected on the other side. A circuit board with layers was produced. Table 7 shows the physical properties of the obtained circuit board.

(実施例3)
実施例1のフィルムの厚みを50μmにする以外は、実施例1と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表7に示す。
(Example 3)
A circuit board was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the film of Example 1 was changed to 50 μm. Table 7 shows the physical properties of the obtained circuit board.

(実施例4)
実施例2のフィルムの厚みを50μmにする以外は、実施例2と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表7に示す。
Example 4
A circuit board was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the film of Example 2 was changed to 50 μm. Table 7 shows the physical properties of the obtained circuit board.

(比較例1)
ポリイミドフィルム(厚み50μm、融点なし、東レ・デュポン(株)製、「カプトン」)に対して、一方の面に厚さ18μmの電解銅箔(熱膨張係数18×10−6cm/cm/℃)を、他方の面に厚さ50μmのアルミニウム箔(熱膨張係数23×10−6cm/cm/℃)を、これらの間にそれぞれ挿入した12.5μmの接着剤層を介して重ねあわせ、これらを重ね合わせた状態で、真空熱プレス装置に供給し、180℃の加熱状態で圧着して、電解銅箔/ポリイミドフィルム/アルミニウム箔の構成の積層体を作製した。得られた積層体の電解銅箔に対して感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を行って回路配線をプリントし、ポリイミドフィルムの一方の面に回路層を、他方の面に光反射層を備える回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表7に示す。
(Comparative Example 1)
An electrolytic copper foil (thermal expansion coefficient 18 × 10 −6 cm / cm / ° C.) having a thickness of 18 μm on one side against a polyimide film (thickness 50 μm, no melting point, “Kapton” manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) ) Are laminated on the other surface with an aluminum foil having a thickness of 50 μm (coefficient of thermal expansion 23 × 10 −6 cm / cm / ° C.) through an adhesive layer of 12.5 μm inserted between them, In a state where these were superposed, they were supplied to a vacuum hot press apparatus and pressure-bonded in a heated state at 180 ° C. to prepare a laminate having a structure of electrolytic copper foil / polyimide film / aluminum foil. The electrolytic copper foil of the obtained laminate is subjected to photosensitive resist treatment, exposure and etching to print circuit wiring, and a circuit layer is provided on one side of the polyimide film and a light reflection layer is provided on the other side. A circuit board was produced. Table 7 shows the physical properties of the obtained circuit board.

Figure 2011060931
Figure 2011060931

表7に示すように、実施例1〜4の回路基板は、いずれも400〜500nmの波長領域における平均光反射率が50%以上であり、380〜770nmの波長領域における平均光反射率についても50%以上である。また、実施例1〜4の回路基板では、ポリマー基材層の熱膨張係数と、回路層および光反射層の熱膨張係数が、それぞれ特定の範囲にあるため、回路としての一体性に優れると共に、反りなどを生じにくい。さらに、実施例1〜4の回路基板は熱伝導率も高く、放熱性に優れている。さらにまた、実施例1〜4の回路基板は、誘電特性にも優れ、特に1GHzの高周波領域における誘電性能に優れている。   As shown in Table 7, the circuit boards of Examples 1 to 4 all have an average light reflectance of 50% or more in the wavelength region of 400 to 500 nm, and the average light reflectance in the wavelength region of 380 to 770 nm is also shown. 50% or more. Moreover, in the circuit boards of Examples 1 to 4, the thermal expansion coefficient of the polymer base material layer and the thermal expansion coefficients of the circuit layer and the light reflection layer are in specific ranges, respectively. , Less likely to warp. Furthermore, the circuit boards of Examples 1 to 4 have high thermal conductivity and excellent heat dissipation. Furthermore, the circuit boards of Examples 1 to 4 have excellent dielectric characteristics, and in particular, excellent dielectric performance in a high frequency region of 1 GHz.

一方、熱可塑性液晶ポリマーに代えて、ポリイミドを用いた比較例1では、実施例と同じ光反射層を用いても、平均光反射率はきわめて低く、380〜770nmの波長領域における平均光反射率についても30%しか示していない。特に、400〜500nmの波長領域における平均光反射率は極めて低く、10%以下にすぎない。
また、誘電率および誘電正接についても、実施例1〜4と比較すると大きな値である。
On the other hand, in Comparative Example 1 using polyimide instead of the thermoplastic liquid crystal polymer, the average light reflectance is very low even when the same light reflection layer as in the example is used, and the average light reflectance in the wavelength region of 380 to 770 nm. Only 30% is shown. In particular, the average light reflectance in the wavelength region of 400 to 500 nm is extremely low and is only 10% or less.
Also, the dielectric constant and the dielectric loss tangent are large values as compared with Examples 1 to 4.

本発明の回路基板は、上述するような電気・電子製品の回路基板材料として利用することも可能であり、特に薄型化、小型化が進んでいるLED用のプリント配線回路基板材料などとして、有効に利用することができる。   The circuit board of the present invention can also be used as a circuit board material for electric / electronic products as described above, and is particularly effective as a printed wiring circuit board material for LEDs that are becoming thinner and smaller. Can be used.

以上のとおり、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更または削除が可能であり、そのようなものも本発明の範囲内に含まれる。   As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described. However, various additions, modifications, or deletions are possible without departing from the spirit of the present invention, and such modifications are also included in the scope of the present invention. It is.

1…回路用導体シート送り出し用ロール
2…フィルム送り出し用ロール
4…導体シート
5,11…熱可塑性液晶ポリマーフィルム
6…光反射層用金属シート
7…加熱ロール
9…金属張積層体
10…積層体巻取ロール
12…回路層
13…光反射層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Circuit conductor sheet delivery roll 2 ... Film delivery roll 4 ... Conductor sheets 5, 11 ... Thermoplastic liquid crystal polymer film 6 ... Light reflection layer metal sheet 7 ... Heating roll 9 ... Metal-clad laminate 10 ... Laminate Winding roll 12 ... circuit layer 13 ... light reflecting layer

Claims (8)

光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成された回路層と、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの他方の面に熱圧着された光反射層と、
を少なくとも含み、400〜500nmの波長領域において、平均光反射率が50%以上である回路基板。
A thermoplastic liquid crystal polymer film forming an optically anisotropic melt phase;
A circuit layer formed on one side of the thermoplastic liquid crystal polymer film;
A light reflecting layer thermocompression bonded to the other surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film;
And a circuit board having an average light reflectance of 50% or more in a wavelength region of 400 to 500 nm.
請求項1において、380〜770nmの範囲の波長領域において、平均光反射率が50%以上である回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein an average light reflectance is 50% or more in a wavelength range of 380 to 770 nm. 請求項1または2において、平面方向の熱伝導率が3.0W/mK以上である回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the thermal conductivity in the planar direction is 3.0 W / mK or more. 請求項1から3のいずれか一項において、1GHzにおける比誘電率が4.0未満である回路基板。   The circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein a relative dielectric constant at 1 GHz is less than 4.0. 請求項1から4のいずれか一項において、1GHzにおける誘電正接が0.005未満である回路基板。   The circuit board according to any one of claims 1 to 4, wherein a dielectric loss tangent at 1 GHz is less than 0.005. 請求項1から5のいずれか一項において、光反射層が、銀、アルミニウム、ロジウム、およびステンレスから選択された少なくとも一種の金属で構成されている回路基板。   6. The circuit board according to claim 1, wherein the light reflecting layer is made of at least one metal selected from silver, aluminum, rhodium, and stainless steel. 請求項1から6のいずれか一項において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数(CTEp)と、光反射層および/または回路層を構成する金属との熱膨張係数(CTEm)との比(CTEp/CTEm)が、0.5〜2の範囲内である回路基板。   The ratio of the coefficient of thermal expansion (CTEp) of the thermoplastic liquid crystal polymer film to the coefficient of thermal expansion (CTEm) of the metal constituting the light reflecting layer and / or the circuit layer according to any one of claims 1 to 6 ( CTEp / CTEm) is a circuit board in the range of 0.5-2. 請求項1から7のいずれか一項において、発光素子を実装するための回路基板。
The circuit board for mounting a light emitting device according to claim 1.
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