JP2011049396A - Wiring substrate - Google Patents

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    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means to reduce the physical size of a mounting structure while favorably grasping the temperature state of an electronic component at a better level. <P>SOLUTION: A wiring substrate 3 comprises: a laminated body 7 including a plurality of insulating layers 13 and wiring L2; a mounting region disposed on the upper surface of the laminated body 7 to which an electronic component 2 is mounted; first to fourth connection pads 9 disposed outside the mounting region. The wiring has a measuring area, a first connection region that electrically connects one edge of the measuring area to the first connection pad, a second connection region that electrically connects one edge of the measuring area to the second connection pad, a third connection region that electrically connects the other edge of the measuring area to the third connection pad, and a fourth connection region that electrically connects the other edge of the measuring area to the fourth connection pad. Furthermore, at least part of the measuring area is disposed immediately under the mounting region. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子機器(たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器)等に使用される配線基板に関するものである。   The present invention relates to a wiring board used for electronic equipment (for example, various audiovisual equipment, home appliances, communication equipment, computer equipment and peripheral equipment).

従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a mounting structure in an electronic device, an electronic component mounted on a wiring board is used.

特許文献1には、配線基板と、配線基板に実装された電子部品と、電子部品表面に配置された、ダイオード、サーミスタ又は熱電対のいずれかの温度測定手段と、を備えた実装構造体が記載されている。   Patent Document 1 discloses a mounting structure including a wiring board, an electronic component mounted on the wiring board, and a temperature measuring means of any one of a diode, a thermistor, and a thermocouple disposed on the surface of the electronic component. Are listed.

このように、電子部品の温度測定が可能な実装構造体を得るため、実装構造体に温度測定手段を設けた場合、実装構造体の構成要素が増加し、実装構造体が大型化しやすくなる。   As described above, in order to obtain a mounting structure capable of measuring the temperature of the electronic component, when the mounting structure is provided with temperature measuring means, the components of the mounting structure increase, and the mounting structure is likely to be enlarged.

特開2006−114575号公報JP 2006-114575 A

本発明は、電子部品の温度状態をより良好に把握しつつ、実装構造体を小型化させる要求に応える配線基板を提供するものである。   The present invention provides a wiring board that meets the demand for downsizing a mounting structure while better grasping the temperature state of an electronic component.

本発明の一形態にかかる配線基板は、複数の絶縁層及び配線部を含む積層体と、該積層体の上面に設けられ、電子部品が搭載される搭載領域と、該搭載領域外に設けられた第1乃至第4外部接続パッドを備え、前記配線部は、測定領域と、前記測定領域の一方端及び前記第1外部接続パッドを電気的に接続した第1接続領域と、前記測定領域の前記一方端及び前記第2外部接続パッドを電気的に接続した第2接続領域と、前記測定領域の他方端及び前記第3外部接続パッドを電気的に接続した第3接続領域と、前記測定領域の前記他方端及び前記第4外部接続パッドを電気的に接続した第4接続領域と、を有し、前記測定領域は、少なくとも一部が前記搭載領域の直下に配置されている。   A wiring board according to an embodiment of the present invention includes a stacked body including a plurality of insulating layers and wiring portions, a mounting area provided on an upper surface of the stacked body, on which an electronic component is mounted, and provided outside the mounting area. First to fourth external connection pads, and the wiring section includes a measurement region, a first connection region electrically connected to one end of the measurement region and the first external connection pad, and the measurement region. A second connection region in which the one end and the second external connection pad are electrically connected; a third connection region in which the other end of the measurement region and the third external connection pad are electrically connected; and the measurement region And the fourth connection region electrically connecting the other end and the fourth external connection pad, and at least a part of the measurement region is disposed immediately below the mounting region.

本発明の一形態にかかる配線基板によれば、電子部品の搭載領域直下に設けた測定領域の電位差を測定することにより、電子部品の温度状態を良好に把握できる。その結果、電子部品の温度状態を良好に把握でき、且つ、小型の実装構造体を構成する配線基板を得ることができる。   According to the wiring board according to one embodiment of the present invention, the temperature state of the electronic component can be satisfactorily grasped by measuring the potential difference in the measurement region provided immediately below the mounting region of the electronic component. As a result, the temperature state of the electronic component can be satisfactorily grasped, and a wiring board constituting a small mounting structure can be obtained.

図1aは本発明の第1実施形態に係る実装構造体の電極パッドを透視した上面図であり、図1bは図1aのI−I線に沿う断面図である。FIG. 1A is a top view of the mounting structure according to the first embodiment of the present invention seen through the electrode pad, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line I-I in FIG. 1A. 図2aは図1aのII−II線に沿う断面図であり、図2bは図2aに示した実装構造体の要部(実線で囲んだ領域)を拡大して示した断面図である。2a is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1a, and FIG. 2b is a cross-sectional view showing an enlarged main part (region surrounded by a solid line) of the mounting structure shown in FIG. 2a. 図1aに示した実装構造体に含まれる配線基板の測定領域を含む導電層を透視した上面図である。It is the top view which saw through the conductive layer containing the measurement area | region of the wiring board contained in the mounting structure shown to FIG. 1a. 図4aは本発明の第2実施形態に係る実装構造体の断面図であり、図4bは図4aに示した実装構造体の要部(実線で囲んだ領域)を拡大して示した断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view of the mounting structure according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is an enlarged cross-sectional view of the main part (region surrounded by a solid line) of the mounting structure shown in FIG. 4A. It is. 本発明の第3実施形態に係る実装構造体に含まれる配線基板の測定領域を含む導電層を透視した上面図である。It is the top view which saw through the conductive layer containing the measurement area | region of the wiring board contained in the mounting structure which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 図6aは図5のIII−III線に沿う実装構造体の断面図であり、図6bは図6aに示した実装構造体の要部(実線で囲んだ領域)を拡大して示した断面図である。6a is a cross-sectional view of the mounting structure taken along line III-III in FIG. 5, and FIG. 6b is an enlarged cross-sectional view showing the main part (region surrounded by a solid line) of the mounting structure shown in FIG. 6a. It is. 本発明の第4実施形態に係る実装構造体に含まれる配線基板の測定領域を含む導電層を透視した上面図である。It is the top view which saw through the conductive layer containing the measurement area | region of the wiring board contained in the mounting structure which concerns on 4th Embodiment of this invention.

(第1実施形態)
以下に、本発明の第1実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a mounting structure including a wiring board according to a first embodiment of the present invention will be described in detail based on the drawings.

図1乃至図3に示した実装構造体1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体1は、電子部品2及び配線基板3を含んでいる。   The mounting structure 1 shown in FIGS. 1 to 3 is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof. The mounting structure 1 includes an electronic component 2 and a wiring board 3.

電子部品2は、例えばIC又はLSI等の半導体素子であり、配線基板3にバンプ4を介してフリップチップ実装されている。この電子部品2は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品2としては、例えば、平均厚み、すなわち厚みの平均値が0.1mm以上1mm以下のものを使用することができる。   The electronic component 2 is a semiconductor element such as an IC or LSI, and is flip-chip mounted on the wiring board 3 via bumps 4. The base material of the electronic component 2 is formed of a semiconductor material such as silicon, germanium, gallium arsenide, gallium arsenide phosphorus, gallium nitride, or silicon carbide. As the electronic component 2, for example, an average thickness, that is, an average thickness value of 0.1 mm or more and 1 mm or less can be used.

バンプ4は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されており、熱伝導率が例えば10W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。かかる熱伝導率は、JISR1611‐1997に準ずる。   The bump 4 is made of a conductive material such as solder including lead, tin, silver, gold, copper, zinc, bismuth, indium, or aluminum, and has a thermal conductivity of, for example, 10 W / (m · K) or more and 450 W. / (M · K) or less. Such thermal conductivity conforms to JIS R1611-11997.

配線基板3は、コア基板5とコア基板5の両側に形成された一対のビルドアップ部6とを含む積層体7と、積層体7の上面に形成された複数の電極パッド8と、積層体7の下面に形成された複数の外部接続パッド9と、積層体7の上面に形成された搭載領域Mと、を含んでいる。   The wiring substrate 3 includes a laminated body 7 including a core substrate 5 and a pair of build-up portions 6 formed on both sides of the core substrate 5, a plurality of electrode pads 8 formed on the upper surface of the laminated body 7, and a laminated body 7 includes a plurality of external connection pads 9 formed on the lower surface of 7, and a mounting region M formed on the upper surface of the stacked body 7.

コア基板5は、配線基板3の強度を高めつつ一対のビルドアップ部6間の導通を図るものであり、平均厚みが例えば0.3mm以上1.5mm以下に形成されている。このコア基板5は、基体10、スルーホール導体11、及び絶縁体12を含んでいる。   The core substrate 5 is intended to increase the strength of the wiring substrate 3 while achieving conduction between the pair of build-up portions 6 and has an average thickness of, for example, 0.3 mm to 1.5 mm. The core substrate 5 includes a base body 10, a through-hole conductor 11, and an insulator 12.

基体10は、例えば樹脂により形成され、樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等を使用することができる。また、基体10は、樹脂に被覆された基材を含んでも構わない。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。   The substrate 10 is formed of, for example, resin. Examples of the resin include epoxy resin, bismaleimide triazine resin, cyanate resin, polyparaphenylene benzbisoxazole resin, wholly aromatic polyamide resin, polyimide resin, aromatic liquid crystal polyester resin, poly Ether ether ketone resin or polyether ketone resin can be used. Further, the base 10 may include a base material coated with a resin. As the base material, a woven fabric or a non-woven fabric composed of fibers or a fiber in which fibers are arranged in one direction can be used. As the fiber, for example, glass fiber, resin fiber, carbon fiber or metal fiber can be used.

また、基体10の熱膨張率は、例えば1ppm/℃以上16ppm/℃以下に設定されている。かかる熱膨張率は、ISO11359‐2:1999に準ずる。また、基体10の熱伝導率は、例えば1W/(m・K)以下に設定されている。   Further, the coefficient of thermal expansion of the substrate 10 is set to, for example, 1 ppm / ° C. or more and 16 ppm / ° C. or less. Such a coefficient of thermal expansion conforms to ISO11359-2: 1999. Further, the thermal conductivity of the base 10 is set to 1 W / (m · K) or less, for example.

基体10には、該基体10を厚み方向(Z方向)に貫通する複数のスルーホール導体11が円筒状に形成されている。スルーホール導体11は、コア基板5の上下のビルドアップ部6を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができ、熱伝導率が例えば10W/(m・K)以上450W/(m・K)以下設定されている。   A plurality of through-hole conductors 11 penetrating the base body 10 in the thickness direction (Z direction) are formed in the base body 10 in a cylindrical shape. The through-hole conductor 11 is for electrically connecting the upper and lower buildup portions 6 of the core substrate 5 and uses, for example, one formed of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium. The thermal conductivity is set to, for example, 10 W / (m · K) or more and 450 W / (m · K) or less.

円筒状のスルーホール導体11の内部には、絶縁体12が柱状に形成されている。絶縁体12は、後述するビア導体15の支持面を形成するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。   An insulator 12 is formed in a columnar shape inside the cylindrical through-hole conductor 11. The insulator 12 forms a support surface of a via conductor 15 to be described later. For example, a resin such as a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a cyanate resin, a fluorine resin, a silicon resin, a polyphenylene ether resin, or a bismaleimide triazine resin. What was formed with the material can be used.

一方、コア基板5の両側には、上述した如く、一対のビルドアップ部6が形成されている。ビルドアップ部6は、複数の絶縁層13と、基体10上又は絶縁層13間又は絶縁層13上に形成された複数の導電層14と、絶縁層13を貫通する複数のビア導体15と、を含んでいる。   On the other hand, as described above, a pair of build-up portions 6 are formed on both sides of the core substrate 5. The build-up unit 6 includes a plurality of insulating layers 13, a plurality of conductive layers 14 formed on the base 10 or between the insulating layers 13 or on the insulating layer 13, a plurality of via conductors 15 penetrating the insulating layer 13, Is included.

複数の絶縁層13は、導電層14を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層14同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、平均厚みが例えば10μm以上30μm以下となるように形成されている。絶縁層13としては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば0ppm/℃以上40ppm/℃以下に設定され、熱伝導率が例えば1W/(m・K)以下に設定されている。   The plurality of insulating layers 13 not only function as a support member that supports the conductive layer 14, but also function as an insulating member that prevents a short circuit between the conductive layers 14, and have an average thickness of, for example, 10 μm or more and 30 μm or less. Is formed. Examples of the insulating layer 13 include epoxy resin, bismaleimide triazine resin, cyanate resin, polyparaphenylene benzbisoxazole resin, wholly aromatic polyamide resin, polyimide resin, aromatic liquid crystal polyester resin, polyether ether ketone resin, or polyether ketone. A resin formed from a resin material such as a resin can be used. The thermal expansion coefficient is set to, for example, 0 ppm / ° C. or more and 40 ppm / ° C. or less, and the thermal conductivity is, for example, 1 W / (m · K) or less. Is set.

複数の導電層14は、厚み方向に互いに離間するとともに基体10上及び絶縁層13上に間隙を空けて配置されており、平均厚みが例えば3μm以上20μm以下に設定されている。導電層14としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば14ppm/℃以上18ppm/℃以下に設定され、熱伝導率が例えば10W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。   The plurality of conductive layers 14 are spaced apart from each other in the thickness direction and are disposed on the base 10 and the insulating layer 13 with a gap therebetween, and the average thickness is set to, for example, 3 μm or more and 20 μm or less. As the conductive layer 14, for example, a layer formed of a metal material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium can be used, and the coefficient of thermal expansion is set to, for example, 14 ppm / ° C. or more and 18 ppm / ° C. or less. The thermal conductivity is set to, for example, 10 W / (m · K) or more and 450 W / (m · K) or less.

導電層14に電気的に接続されるビア導体15は、厚み方向に互いに離間した導電層14同士を相互に接続するものであり、コア基板5に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体15としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば14ppm/℃以上18ppm/℃以下に設定され、熱伝導率が例えば10W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。   The via conductor 15 that is electrically connected to the conductive layer 14 connects the conductive layers 14 that are spaced apart from each other in the thickness direction, and is formed in a column shape that becomes narrower toward the core substrate 5. . As the via conductor 15, for example, one formed of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium can be used, and the thermal expansion coefficient is set to, for example, 14 ppm / ° C. or more and 18 ppm / ° C. or less, The thermal conductivity is set to, for example, 10 W / (m · K) or more and 450 W / (m · K) or less.

上述したコア基板5及び一対のビルドアップ部6は積層体7を構成しており、該積層体7の上面には、すなわち、コア基板5上方に位置するビルドアップ部6の上面には、複数の電極パッド8が形成されている。複数の電極パッド7は、電子部品2の支持部及び電子部品2との電気的接続部として機能するものであり、平面視にて例えば円状に形成されている。電極パッド8としては、構成材料、厚み又は熱膨張率等が上述した導電層14と同様のものを用いることができる。また、複数の電極パッド8は、例えば正方形状となるように配列されている。   The core substrate 5 and the pair of buildup portions 6 described above constitute a laminate 7, and a plurality of layers are formed on the upper surface of the laminate 7, that is, on the upper surface of the buildup portion 6 located above the core substrate 5. The electrode pad 8 is formed. The plurality of electrode pads 7 function as a support portion of the electronic component 2 and an electrical connection portion with the electronic component 2, and are formed in a circular shape, for example, in plan view. As the electrode pad 8, the same material as that of the conductive layer 14 described above in terms of the constituent material, thickness, thermal expansion coefficient, or the like can be used. The plurality of electrode pads 8 are arranged so as to be square, for example.

かかる複数の電極パッド7上にバンプ4を介して電子部品2は搭載され、複数の電極パッド7は積層体7の上面にて電子部品2の搭載領域Mを構成する。すなわち、搭載領域Mは、図4に示したように、配列した複数の電極パッド8の内、最外周に位置する電極パッド8の外側を結んだ仮想線Iにより取り囲まれた領域である。   The electronic component 2 is mounted on the plurality of electrode pads 7 via the bumps 4, and the plurality of electrode pads 7 constitute a mounting region M of the electronic component 2 on the upper surface of the multilayer body 7. That is, as shown in FIG. 4, the mounting region M is a region surrounded by an imaginary line I connecting the outside of the electrode pads 8 located on the outermost periphery among the plurality of electrode pads 8 arranged.

また、積層体7の下面、すなわち、コア基板5下方に位置するビルドアップ部6の下面には、複数の外部接続パッド9が形成されている。複数の外部接続パッド9は、外部回路との電気的接続部として機能するものであり、平面視にて例えば円状に形成されている。外部接続パッド9としては、構成材料、厚み又は熱膨張率等が上述した導電層14と同様のものを用いることができる。なお、外部接続パッド9は、第1外部接続パッド9a、第2外部接続パッド9b、第3外部接続パッド9c、第4外部接続パッド9dを有する。   A plurality of external connection pads 9 are formed on the lower surface of the laminate 7, that is, on the lower surface of the buildup portion 6 located below the core substrate 5. The plurality of external connection pads 9 function as electrical connection portions with an external circuit, and are formed, for example, in a circular shape in plan view. As the external connection pad 9, the same material as that of the conductive layer 14 described above in terms of the constituent material, thickness, thermal expansion coefficient, or the like can be used. The external connection pad 9 includes a first external connection pad 9a, a second external connection pad 9b, a third external connection pad 9c, and a fourth external connection pad 9d.

ところで、スルーホール導体11、導電層14及びビア導体15は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成しており、積層体7は配線部を含む。配線部は、第1配線部L1と第2配線部L2とを有する。   By the way, the through-hole conductor 11, the conductive layer 14, and the via conductor 15 are electrically connected to each other to form a wiring portion, and the multilayer body 7 includes the wiring portion. The wiring part has a first wiring part L1 and a second wiring part L2.

図2に示すように、第1配線部L1は、電極パッド8と外部接続パッド9とを電気的に接続するものであり、接地用配線、電力供給用配線及び/又は信号用配線として機能するものである。   As shown in FIG. 2, the first wiring portion L1 electrically connects the electrode pad 8 and the external connection pad 9, and functions as a ground wiring, a power supply wiring, and / or a signal wiring. Is.

一方、本実施形態の配線基板3においては、図3及び図4に示すように、第2配線部L2は、第1外部接続パッド9a、第2外部接続パッド9b、第3外部接続パッド9c及び第4外部接続パッド9dの四端子を電気的に接続するものである。   On the other hand, in the wiring board 3 of the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, the second wiring portion L2 includes the first external connection pad 9a, the second external connection pad 9b, the third external connection pad 9c, and The four terminals of the fourth external connection pad 9d are electrically connected.

第2配線部Lを構成する導電層14は、測定領域11a、第1接続領域11b1、第2接続領域11b2、第3接続領域11b3及び第4接続領域11b4を有する。   The conductive layer 14 constituting the second wiring portion L includes a measurement region 11a, a first connection region 11b1, a second connection region 11b2, a third connection region 11b3, and a fourth connection region 11b4.

測定領域11aは、一方端11a1及び他方端11a2を有する細長形状の領域であり、直線状である。測定領域11aの一方端11a1には、第1接続領域11b1及び第2接続領域11b2が接続されており、測定領域11aの他方端11a2には、第3接続領域11b3及び第3接続領域11b2が接続されている。   The measurement region 11a is an elongated region having one end 11a1 and the other end 11a2, and is linear. A first connection region 11b1 and a second connection region 11b2 are connected to one end 11a1 of the measurement region 11a, and a third connection region 11b3 and a third connection region 11b2 are connected to the other end 11a2 of the measurement region 11a. Has been.

第1接続領域11b1は、測定領域11aの一方端11a1及び第1外部接続パッド9aを電気的に接続するものである。また、第2接続領域11b2は、測定領域11の一方端11a1及び第2外部接続パッド9bを電気的に接続するものである。また、第3接続領域11b3は、測定領域11aの他方端11a2及び第3外部接続パッド9cを電気的に接続するものである。また、第4接続領域11b4は、測定領域11aの他方端11a2及び第4外部接続パッド9dを電気的に接続するものである。   The first connection region 11b1 is for electrically connecting one end 11a1 of the measurement region 11a and the first external connection pad 9a. The second connection region 11b2 is for electrically connecting one end 11a1 of the measurement region 11 and the second external connection pad 9b. The third connection area 11b3 is for electrically connecting the other end 11a2 of the measurement area 11a and the third external connection pad 9c. The fourth connection area 11b4 is for electrically connecting the other end 11a2 of the measurement area 11a and the fourth external connection pad 9d.

第2配線部Lは、上述した構成を用いた四端子法により、測定領域11aの一方端11a1及び他方端11b2の間の電位差を測定することができる。さらに、かかる測定領域11aの電位差の測定値から、測定領域11aの温度を算出することができる。   The second wiring portion L can measure the potential difference between the one end 11a1 and the other end 11b2 of the measurement region 11a by the four-terminal method using the above-described configuration. Furthermore, the temperature of the measurement region 11a can be calculated from the measured value of the potential difference in the measurement region 11a.

四端子法を用いた、測定領域11aにおける電位差及び温度の測定方法は、具体的には以下のように行うことができる。   The method for measuring the potential difference and temperature in the measurement region 11a using the four-terminal method can be specifically performed as follows.

まず、電源及び電位差計を準備し、第1外部接続パッド9a及び第3外部接続パッド9cを電源に電気的に接続するとともに、第2外部接続パッド9b及び第4外部接続パッド9dを電位差計に電気的に接続する。   First, a power source and a potentiometer are prepared, the first external connection pad 9a and the third external connection pad 9c are electrically connected to the power source, and the second external connection pad 9b and the fourth external connection pad 9d are used as a potentiometer. Connect electrically.

次に、電源を用いて、第1外部接続パッド9a、第1接続領域11b1、測定領域11a、第3測定領域11b3及び第3外部接続パッド9cに直流の定常電流を流しつつ、電位差計を用いて、第2外部接続パッド9b及び第4外部接続パッドの間の電位差を測定する。かかる定常電流は、電流が例えば1mA以上100mA以下に設定され、電圧が例えば1V以上5V以下に設定されている。   Next, a potentiometer is used while supplying a steady DC current to the first external connection pad 9a, the first connection region 11b1, the measurement region 11a, the third measurement region 11b3, and the third external connection pad 9c using a power source. Then, the potential difference between the second external connection pad 9b and the fourth external connection pad is measured. The steady current is set such that the current is, for example, 1 mA to 100 mA and the voltage is, for example, 1 V to 5 V.

ここで、第2接続領域11b2には電流が流れないため、第2外部接続パッド9b及び第1測定領域11aの一方端11a1の間は等電位となる。同様に、第4接続領域11b4には電流が流れないため、第4外部接続パッド9d及び第1測定領域11aの他方端11a2の間は等電位となる。したがって、第2外部接続パッド9b及び第4外部接続パッドの間の電位差を、測定領域11aにおける一方端11a1及び他方端11a2の間の電位差とみなすことができるため、測定領域11aにおける電位差を精度良く測定することができる。   Here, since no current flows through the second connection region 11b2, the potential between the second external connection pad 9b and one end 11a1 of the first measurement region 11a is equipotential. Similarly, since no current flows through the fourth connection region 11b4, the fourth external connection pad 9d and the other end 11a2 of the first measurement region 11a are equipotential. Therefore, since the potential difference between the second external connection pad 9b and the fourth external connection pad can be regarded as the potential difference between the one end 11a1 and the other end 11a2 in the measurement region 11a, the potential difference in the measurement region 11a can be accurately determined. Can be measured.

次に、かかる電位差の測定値を用いて、以下の数式1より測定領域11aの体積抵抗率を算出する。なお、数式1は、測定領域11aにおいて、体積抵抗率をρとし、電位差をVとし、電流をIとし、長手方向(X方向)の長さをLとし、幅(Y方向)をWとし、上下方向(Z方向)への厚みをTとする。   Next, the volume resistivity of the measurement region 11a is calculated from Equation 1 below using the measured value of the potential difference. In the measurement region 11a, Equation 1 represents the volume resistivity as ρ, the potential difference as V, the current as I, the length in the longitudinal direction (X direction) as L, and the width (Y direction) as W, The thickness in the vertical direction (Z direction) is T.

Figure 2011049396
Figure 2011049396

ここで、体積抵抗率は、物質に固有の値であり、温度に比例する。したがって、測定領域に含まれる材料を特定することにより、体積抵抗率から温度を算出することができる。なお、測定領域に含まれる材料は、例えば従来周知のX線光電子分析法により特定することができる。   Here, the volume resistivity is a value inherent to the substance and is proportional to the temperature. Therefore, the temperature can be calculated from the volume resistivity by specifying the material included in the measurement region. The material included in the measurement region can be specified by, for example, a conventionally known X-ray photoelectron analysis method.

以上のようにして、本実施形態の配線基板3は、測定領域11aにおける電位差を測定することができ、ひいては測定領域11aの温度を把握することができる。   As described above, the wiring board 3 of the present embodiment can measure the potential difference in the measurement region 11a, and thus can grasp the temperature of the measurement region 11a.

ところで、バンプ4及び電極パッド8を構成する導電材料は、熱伝導率が樹脂材料及び大気と比較して高い。それ故、実装構造体1を使用する際、作動した電子部品2内部の回路で生じた熱が、バンプ4及び電極パッド8を介して配線基板3に効率良く伝導する。   Incidentally, the conductive material constituting the bump 4 and the electrode pad 8 has a higher thermal conductivity than the resin material and the atmosphere. Therefore, when the mounting structure 1 is used, heat generated in the circuit inside the activated electronic component 2 is efficiently conducted to the wiring board 3 through the bumps 4 and the electrode pads 8.

一方、本実施形態の配線基板3においては、測定領域11aの少なくとも一部が搭載領域Mの直下に配置されている。それ故、電子部品2内部の回路で生じた熱が熱伝導率の高いバンプ4及び電極パッド8を介して搭載領域M直下の測定領域11aに効率良く伝導するため、上述した方法を用いて測定領域11aの温度を把握することにより、電子部品2の温度を良好に把握することができる。また、配線基板3により電子部品2の温度を把握できるため、実装構造体1に温度測定用の構成要素を付加することなく電子部品2の温度を把握することができる。したがって、電子部品2内の温度を良好に把握でき、且つ、小型の実装構造体1を提供することができる。   On the other hand, in the wiring board 3 of the present embodiment, at least a part of the measurement region 11a is disposed immediately below the mounting region M. Therefore, the heat generated in the circuit inside the electronic component 2 is efficiently conducted to the measurement region 11a immediately below the mounting region M through the bump 4 and the electrode pad 8 having high thermal conductivity. By grasping the temperature of the region 11a, the temperature of the electronic component 2 can be grasped satisfactorily. Moreover, since the temperature of the electronic component 2 can be grasped by the wiring board 3, the temperature of the electronic component 2 can be grasped without adding a temperature measurement component to the mounting structure 1. Therefore, the temperature in the electronic component 2 can be well grasped, and the small mounting structure 1 can be provided.

また、実装構造体1に温度測定用の構成要素を付加する必要がないため、例えば温度測定用手段を電子部品2の表面に配置することにより生じる電子部品2のクラックを低減し、信頼性に優れた実装構造体1を提供することができる。   Further, since there is no need to add a temperature measurement component to the mounting structure 1, for example, cracks in the electronic component 2 caused by arranging the temperature measurement means on the surface of the electronic component 2 can be reduced and reliability can be improved. An excellent mounting structure 1 can be provided.

測定領域11aは、図に示すように、少なくとも一部が電極パッド8の直下に位置することが望ましい。その結果、測定領域11aを電極パッド8に近接させることができ、ひいては電子部品2内部の回路で生じた熱が電極パッド8を介して測定領域11aに効率良く伝導するため、電子部品2の温度をより良好に把握することができる。   As shown in the drawing, at least a part of the measurement region 11a is preferably located immediately below the electrode pad 8. As a result, the measurement region 11a can be brought close to the electrode pad 8, and the heat generated in the circuit inside the electronic component 2 is efficiently conducted to the measurement region 11a via the electrode pad 8, so that the temperature of the electronic component 2 is increased. Can be better grasped.

測定領域11aが直下に位置する電極パッド8は、複数の電極パッド8の内、平面視における搭載領域Mの図心に最も近接したものであることが望ましい。その結果、熱が発散しにくい搭載領域Mの平面視における図心に測定領域11aを近接させることができ、ひいては電子部品2の温度をより良好に把握することができる。   The electrode pad 8 in which the measurement region 11a is located immediately below is preferably the one closest to the centroid of the mounting region M in plan view among the plurality of electrode pads 8. As a result, the measurement region 11a can be brought close to the centroid in plan view of the mounting region M where heat is not easily dissipated, and thus the temperature of the electronic component 2 can be better understood.

測定領域11aが直下に位置する電極パッド8は、複数の電極パッド8の内、高周波数、高速伝送又は大電流の電流が流れる電極パッド8であることが望ましい。その結果、高周波数、高速伝送又は大電流に起因して電子部品2内の発熱量が大きい回路にバンプ4を介して接続された電極パッド8に測定領域11aを近接させることができ、ひいては電子部品2内の高温となる箇所の温度を良好に把握することができる。   The electrode pad 8 in which the measurement region 11a is located immediately below is preferably the electrode pad 8 through which a high-frequency, high-speed transmission or large current flows among the plurality of electrode pads 8. As a result, the measurement region 11a can be brought close to the electrode pad 8 connected via the bump 4 to a circuit that generates a large amount of heat in the electronic component 2 due to high frequency, high-speed transmission, or a large current. It is possible to satisfactorily grasp the temperature of the part in the component 2 that becomes a high temperature.

ここで、測定領域11aが直下に位置する電極パッド8が信号用電極パッド8である場合、該信号用電極パッド8はクロック信号が伝達されるものであることが望ましい。その結果、高周波数に起因して発熱量の大きいクロック回路にバンプ4を介して接続された電極パッド8に測定領域11aを近接させることができる。   Here, when the electrode pad 8 in which the measurement region 11a is located immediately below is the signal electrode pad 8, it is desirable that the signal electrode pad 8 can transmit a clock signal. As a result, the measurement region 11a can be brought close to the electrode pad 8 connected via the bump 4 to the clock circuit that generates a large amount of heat due to the high frequency.

また、より望ましくは、信号用電極パッド8は入出力データが伝達されることが望ましい。その結果、高速伝送及び大電流に起因してより発熱量の大きいデータ入出力回路にバンプ4を介して接続された電極パッド8に測定領域11aを近接させることができる。   More preferably, input / output data is transmitted to the signal electrode pad 8. As a result, the measurement region 11a can be brought close to the electrode pad 8 connected via the bump 4 to the data input / output circuit having a larger calorific value due to high-speed transmission and a large current.

さらに望ましくは、測定領域11aが直下に位置する電極パッド8が電源電力を伝達する電力供給用電極パッド8であることが望ましい。その結果、電子部品2内にて信号用回路よりも大電流が流れて最も発熱量が大きい電力供給用回路にバンプ4を介して接続された電力供給用電極パッド8に測定領域11aを近接させることができ、ひいては電子部品2内の最も高温となる箇所の温度を感度良く検出することができる。   More preferably, the electrode pad 8 in which the measurement region 11a is located immediately below is the power supply electrode pad 8 for transmitting the power. As a result, the measurement region 11a is brought close to the power supply electrode pad 8 connected via the bump 4 to the power supply circuit in which a larger current flows in the electronic component 2 than the signal circuit and generates the largest amount of heat. As a result, the temperature at the highest temperature in the electronic component 2 can be detected with high sensitivity.

測定領域11aは、コア基板5上面に形成されたビルドアップ部6に形成されていることが望ましい。その結果、測定領域11aを電子部品2により近接させることができる。   The measurement region 11a is preferably formed in the build-up portion 6 formed on the upper surface of the core substrate 5. As a result, the measurement region 11a can be brought closer to the electronic component 2.

また、測定領域11aは、最上層の絶縁層13の下面に形成されていることが望ましい。その結果、測定領域11aを電子部品2により近接させることができる。   The measurement region 11a is preferably formed on the lower surface of the uppermost insulating layer 13. As a result, the measurement region 11a can be brought closer to the electronic component 2.

測定領域11aは、第1乃至第4接続領域11b1乃至4と同一材料からなることが望ましい。その結果、配線基板3に熱が印加された際、測定領域11aと第1乃至第4接続領域11b1乃至4とが接続する一方端11a1及び他方端11a2に印加される熱応力を低減し、第2配線部L2における電気的信頼性を向上させることができる。   The measurement region 11a is preferably made of the same material as the first to fourth connection regions 11b1 to 11b4. As a result, when heat is applied to the wiring board 3, the thermal stress applied to the one end 11a1 and the other end 11a2 where the measurement region 11a and the first to fourth connection regions 11b1 to 4 are connected is reduced. The electrical reliability in the two wiring portions L2 can be improved.

また、第2配線部L2を構成するスルーホール導体11、導電層14及びビア導体15は、第1配線部L1と同一材料からなることが望ましい。その結果、配線基板3内における熱膨張率又は剛性等の特性をより均一にし、配線基板3の歪みや反りを低減することができる。   Further, it is desirable that the through-hole conductor 11, the conductive layer 14, and the via conductor 15 constituting the second wiring portion L2 are made of the same material as that of the first wiring portion L1. As a result, characteristics such as a coefficient of thermal expansion or rigidity in the wiring board 3 can be made more uniform, and distortion and warpage of the wiring board 3 can be reduced.

測定領域11aは一方端11a1及び他方端11a2を有する細長形状であるため、抵抗値をより大きくすることができる。それ故、抵抗値と電位差は比例することから、電位差を大きくすることにより、測定領域11aにおける温度変化に伴う電位差の変化を感度良く検出することができ、ひいては電子部品2の温度をより良好に把握することができる。   Since the measurement region 11a has an elongated shape having one end 11a1 and the other end 11a2, the resistance value can be further increased. Therefore, since the resistance value and the potential difference are proportional to each other, by increasing the potential difference, it is possible to detect a change in the potential difference accompanying a temperature change in the measurement region 11a with high sensitivity, and thus improve the temperature of the electronic component 2 better. I can grasp it.

測定領域11aは、幅又は厚みが第1乃至第4測定領域11b1乃至4よりも小さいことが望ましい。その結果、測定領域11aの抵抗値をより大きくすることができる。   The measurement region 11a is preferably smaller in width or thickness than the first to fourth measurement regions 11b1 to 11b. As a result, the resistance value of the measurement region 11a can be further increased.

測定領域11aは、長さが100μm以上1000μm以下、幅が10μm以上100μm以下、厚みが5μm以上20μm以下に設定された細長形状であることが望ましい。その結果、電子部品2の温度を良好に把握することができる。   The measurement region 11a is desirably an elongated shape having a length set to 100 μm or more and 1000 μm or less, a width of 10 μm or more and 100 μm or less, and a thickness of 5 μm or more and 20 μm or less. As a result, the temperature of the electronic component 2 can be grasped satisfactorily.

かくして、上述した実装構造体1は、配線基板3を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品2を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。さらに、作動時における電子部品2の温度を良好に把握することができるため、作動中の温度に応じて電子部品2を制御することにより、熱による電子部品2の故障を低減し、実装構造体1の信頼性を高めることができる。   Thus, the mounting structure 1 described above exhibits a desired function by driving or controlling the electronic component 2 based on the power and signals supplied via the wiring board 3. Furthermore, since the temperature of the electronic component 2 at the time of operation can be grasped well, by controlling the electronic component 2 according to the temperature during the operation, failure of the electronic component 2 due to heat is reduced, and the mounting structure 1 reliability can be improved.

また、上述した実装構造体1と、上述した電源と同様の機能を有する電流供給部と、上述した電位差計と同様の機能を有する電位差検出部と、上述した温度測定方法と同様に電位差から温度を算出する温度算出部と、を備えた電子装置は、作動中の温度に応じて電子部品2を制御することができる。   Further, the mounting structure 1 described above, a current supply unit having the same function as the power source described above, a potential difference detecting unit having the same function as the above potentiometer, and the potential difference from the potential difference in the same manner as the temperature measuring method described above. The electronic device including the temperature calculation unit that calculates the electronic component 2 can control the electronic component 2 according to the operating temperature.

また、上述した、実装構造体1、電流供給部及び電位差検出部と、電位差検出部により測定した電位差を用いて電子部品2の動作を制御する電子部品制御部と、を備えた電子装置は、熱による電子部品2の故障を低減する機能を設けることができる。   In addition, an electronic device including the mounting structure 1, the current supply unit, the potential difference detection unit, and the electronic component control unit that controls the operation of the electronic component 2 using the potential difference measured by the potential difference detection unit, A function of reducing failure of the electronic component 2 due to heat can be provided.

次に、上述した実装構造体1の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the mounting structure 1 described above will be described.

(1)コア基板5を準備する。具体的には、以下のように行う。   (1) The core substrate 5 is prepared. Specifically, this is performed as follows.

まず、例えば未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層し、加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させることにより、基体10を作製する。なお、未硬化は、ISO472:1999に準ずるA‐ステージ又はB‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体10を厚み方向に貫通したスルーホールを複数形成する。次に、例えば無電解めっき法、蒸着法、CVD法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体11を形成する。また、基体10の上面及び下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体11の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体12を形成する。次に、導電材料を絶縁体12の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、導電層材料層をパターニングして導電層14を形成する。   First, for example, a plurality of resin sheets including an uncured resin and a base material are laminated, and the substrate 10 is produced by curing the uncured resin by heating and pressing. The uncured state is an A-stage or B-stage according to ISO 472: 1999. Next, a plurality of through holes penetrating the base body 10 in the thickness direction are formed by, for example, drilling or laser processing. Next, a cylindrical through-hole conductor 11 is formed by depositing a conductive material on the inner wall of the through-hole, for example, by electroless plating, vapor deposition, CVD, sputtering, or the like. Further, a conductive material layer is formed by depositing a conductive material on the upper surface and the lower surface of the substrate 10. Next, the inside of the cylindrical through-hole conductor 11 is filled with a resin material or the like to form the insulator 12. Next, after a conductive material is deposited on the exposed portion of the insulator 12, the conductive layer material layer is patterned by a conventionally known photolithography technique, etching, or the like to form the conductive layer.

以上のようにして、コア基板5を作製することができる。   The core substrate 5 can be manufactured as described above.

(2)コア基板5の両側に一対のビルドアップ部6を形成し、電極パッド8及び外部接続パッド9を形成することにより、配線基板3を作製する。具体的には、以下のように行う。   (2) A pair of build-up portions 6 are formed on both sides of the core substrate 5 and the electrode pads 8 and the external connection pads 9 are formed, whereby the wiring substrate 3 is manufactured. Specifically, this is performed as follows.

まず、未硬化の樹脂を導電層14上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、導電層14上に絶縁層13を形成する。次に、例えばYAGレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層13にビア孔Vを形成し、ビア孔V内に導電層14の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、ビア孔Vにビア導体13を形成するとともに絶縁層13の上面に導電層14を形成する。   First, an uncured resin is disposed on the conductive layer 14, and the insulating layer 13 is formed on the conductive layer 14 by further heating and curing the resin while heating and fluidly adhering the resin. Next, a via hole V is formed in the insulating layer 13 by, for example, a YAG laser device or a carbon dioxide gas laser device, and at least a part of the conductive layer 14 is exposed in the via hole V. Next, the via conductor 13 is formed in the via hole V and the conductive layer 14 is formed on the upper surface of the insulating layer 13 by, for example, a semi-additive method, a subtractive method, or a full additive method.

かかる工程を繰り返すことにより、ビルドアップ部6を形成することができる。なお、最上層及び最下層の絶縁層13に導電層14を形成する際、導電層14と同様に電極パッド8及び外部接続パッド9を形成することができる。   By repeating this process, the build-up part 6 can be formed. When the conductive layer 14 is formed on the uppermost layer and the lowermost insulating layer 13, the electrode pad 8 and the external connection pad 9 can be formed in the same manner as the conductive layer 14.

以上のようにして、配線基板3を作製することができる。   The wiring board 3 can be produced as described above.

(3)電極パッド8上にバンプ4を形成し、バンプ4を介して、配線基板3に電子部品2をフリップチップ実装することにより、図1乃至4に示す実装構造体1を作製できる。   (3) By forming the bump 4 on the electrode pad 8 and flip-chip mounting the electronic component 2 on the wiring substrate 3 via the bump 4, the mounting structure 1 shown in FIGS.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
(Second Embodiment)
Next, the mounting structure provided with the wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.

第2実施形態は第1実施形態と異なり、測定領域11aAが直下に配置した電極パッド8Aの下面に、最上層の絶縁層13Aを上下方向に貫通したビア導体15Aが電気的に接続しており、測定領域11aAの少なくとも一部が該ビア導体15Aの直下に配置されている。その結果、電子部品2Aの熱がビア導体15Aを介して測定領域11aAに効率良く伝導されるため、電子部品2Aの温度を感度良く測定することができる。   The second embodiment is different from the first embodiment in that a via conductor 15A penetrating the uppermost insulating layer 13A in the vertical direction is electrically connected to the lower surface of the electrode pad 8A in which the measurement region 11aA is arranged immediately below. At least a part of the measurement region 11aA is disposed immediately below the via conductor 15A. As a result, since the heat of the electronic component 2A is efficiently conducted to the measurement region 11aA via the via conductor 15A, the temperature of the electronic component 2A can be measured with high sensitivity.

測定領域11aAとビア導体15Aとの間には、1層の絶縁層13Aが介されていることが望ましい。その結果、電子部品2Aの熱がビア導体15aAを介して測定領域11aAに効率良く伝導されるため、電子部品2Aの温度を感度良く測定することができる。   It is desirable that a single insulating layer 13A is interposed between the measurement region 11aA and the via conductor 15A. As a result, the heat of the electronic component 2A is efficiently conducted to the measurement region 11aA via the via conductor 15aA, so that the temperature of the electronic component 2A can be measured with high sensitivity.

(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
(Third embodiment)
Next, a mounting structure provided with a wiring board according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.

第3実施形態は第1実施形態と異なり、測定領域11aBの少なくとも一部が、隣接する電極パッド8B同士の間に位置する領域の直下に配置されている。その結果、隣接する2つの電極パッド8Bを介して電子部品2Bの熱が測定領域11aBに効率良く伝導されるため、電子部品2Bの温度を感度良く測定することができる。   Unlike the first embodiment, the third embodiment is configured such that at least a part of the measurement region 11aB is disposed immediately below a region located between the adjacent electrode pads 8B. As a result, the heat of the electronic component 2B is efficiently conducted to the measurement region 11aB via the two adjacent electrode pads 8B, so that the temperature of the electronic component 2B can be measured with high sensitivity.

隣接する2つの電極パッド8Bの一方は、複数の電極パッド8Bの内、搭載領域MBの平面視における図心に最も近接したものであることが望ましい。その結果、熱が発散しにくい搭載領域MBの平面視における図心に測定領域11aBを近接させることにより、電子部品2Bの温度を感度良く測定することができる。また、熱が発散しにくい搭載領域MBの平面視における図心に最も近接した電極パッド8Bを介して、電子部品2Bの熱を測定領域11aBに効率良く伝導させることができる。   It is desirable that one of the two adjacent electrode pads 8B is closest to the centroid in plan view of the mounting region MB among the plurality of electrode pads 8B. As a result, the temperature of the electronic component 2B can be measured with high sensitivity by bringing the measurement region 11aB close to the centroid in plan view of the mounting region MB where heat is not easily dissipated. In addition, the heat of the electronic component 2B can be efficiently conducted to the measurement region 11aB through the electrode pad 8B that is closest to the centroid in plan view of the mounting region MB where heat is not easily dissipated.

また、隣接する2つの電極パッド8Bの下面それぞれに、最上層の絶縁層13Bを上下方向に貫通したビア導体15Bが電気的に接続している場合、かかるビア導体15Bそれぞれの下端に接続した導電層14Bの間に、測定領域11aBが配置されていることが望ましい。その結果、隣接した2つの電極パッド8B、ビア導体15B及び導電層14Bを介して電子部品2Bの熱が測定領域11aBに効率良く伝導されるため、電子部品2Bの温度を感度良く測定することができる。   In addition, when via conductors 15B passing through the uppermost insulating layer 13B in the vertical direction are electrically connected to the lower surfaces of two adjacent electrode pads 8B, the conductivity connected to the lower ends of the via conductors 15B. It is desirable that the measurement region 11aB is disposed between the layers 14B. As a result, the heat of the electronic component 2B is efficiently conducted to the measurement region 11aB through the two adjacent electrode pads 8B, the via conductor 15B, and the conductive layer 14B, and thus the temperature of the electronic component 2B can be measured with high sensitivity. it can.

(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, a mounting structure including a wiring board according to a fourth embodiment of the present invention will be described in detail based on the drawings. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.

第4実施形態は第1実施形態と異なり、測定領域11aCが直下に位置する電極パッド8Cは、複数の電極パッド8Cの内、搭載領域MCの平面視における角部に最も近接したものである。   Unlike the first embodiment, the fourth embodiment differs from the first embodiment in that the electrode pad 8C where the measurement region 11aC is located immediately below is closest to the corner of the plurality of electrode pads 8C in the plan view of the mounting region MC.

ところで、搭載領域MCの平面視における角部に最も近接した電極パッド8Cは、配線基板3の反りによる応力が集中しやすいため、該電極パッド8C上にて、電極パッド8Cとバンプ4との接続部又はバンプ4と電子部品2の電極との接続部にクラックが生じやすい。かかるクラックの発生箇所は、クラックの進展に伴い抵抗値が大きくなるため、発熱量が増加しやすい。   By the way, since the stress due to the warp of the wiring substrate 3 tends to concentrate on the electrode pad 8C closest to the corner in the plan view of the mounting region MC, the connection between the electrode pad 8C and the bump 4 is performed on the electrode pad 8C. Cracks are likely to occur in the connection portion between the portion or bump 4 and the electrode of the electronic component 2. Since the resistance value increases at the occurrence of such a crack as the crack progresses, the amount of generated heat tends to increase.

一方、本実施形態の配線基板3Cにおいては、搭載領域MCの平面視における角部に最も近接した電極パッド8Cの直下に測定領域11aCを配置しているため、測定領域11aCによりかかるクラックの発生に起因した発熱を感知することができる。その結果、かかる接続部にて断線が生じる前にクラックの発生を感知することができるため、断線に至る前にクラックに対する処置を行うことや、実装構造体1Cを含む電子装置の故障箇所を容易に特定することができる。   On the other hand, in the wiring board 3C of the present embodiment, since the measurement region 11aC is disposed immediately below the electrode pad 8C closest to the corner in the plan view of the mounting region MC, the measurement region 11aC causes the occurrence of cracks. The generated heat can be detected. As a result, it is possible to detect the occurrence of a crack before disconnection occurs at such a connection portion, so that it is possible to easily deal with a crack before the disconnection occurs or to find a failure point in an electronic device including the mounting structure 1C. Can be specified.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上述した実施形態において、電子部品に半導体素子を用いた構成を例に説明したが、電子部品としてはコンデンサ等を用いても構わない。   For example, in the above-described embodiment, the configuration using a semiconductor element as an electronic component has been described as an example, but a capacitor or the like may be used as the electronic component.

また、上述した実施形態において、3層の絶縁層により配線層を形成した構成を例に説明したが、絶縁層は何層でも構わない。   In the above-described embodiment, the configuration in which the wiring layer is formed of the three insulating layers has been described as an example. However, the insulating layer may have any number of layers.

また、上述した実施形態において、基体及び絶縁層の材料として樹脂を用いた構成を例に説明したが、基体及び絶縁層として、金属材料を樹脂材料で被覆してなるものやセラミックスから形成されたものを使用しても構わない。   Further, in the above-described embodiment, the configuration using the resin as the material for the base and the insulating layer has been described as an example. However, the base and the insulating layer are formed by coating a metal material with a resin material or ceramics. You may use things.

また、上述した実施形態において、外部接続パッドが積層体の下面に形成された構成を例に説明したが、外部接続パッドは積層体7上面の搭載領域外にあってもよい。   In the above-described embodiment, the configuration in which the external connection pads are formed on the lower surface of the multilayer body has been described as an example. However, the external connection pads may be outside the mounting region on the upper surface of the multilayer body 7.

また、上述した実施形態において、測定領域及び第1乃至第4接続領域が同一層の導電層に形成された構成を例に説明したが、同一の第2配線部内に形成されていればよい。   In the above-described embodiment, the configuration in which the measurement region and the first to fourth connection regions are formed in the same conductive layer has been described as an example. However, the measurement region and the first to fourth connection regions may be formed in the same second wiring portion.

また、上述した実施形態において、測定領域が直線状である構成を例に説明したが、測定領域は細長形状であればよく、例えば蛇行した形状であることが望ましい。この場合、電極パッドの近傍に測定領域を効率良く配置することができ、電極パッドから測定領域への熱の伝導効率を高め、電子部品の温度測定における感度を高めることができる。   In the above-described embodiment, the configuration in which the measurement region is linear is described as an example. However, the measurement region may be an elongated shape, and for example, a serpentine shape is desirable. In this case, the measurement region can be efficiently arranged in the vicinity of the electrode pad, the heat conduction efficiency from the electrode pad to the measurement region can be increased, and the sensitivity in temperature measurement of the electronic component can be increased.

1 実装構造体
2 電子部品
3 配線基板
4 バンプ
5 コア基板
6 ビルドアップ部
7 積層体
8 電極パッド
9 外部接続パッド
10 基体
11 スルーホール導体
12 絶縁体
13 絶縁層
14 導電層
15 ビア導体
M 搭載領域
L1 第1配線部
L2 第2配線部
I 仮想線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting structure 2 Electronic component 3 Wiring board 4 Bump 5 Core board 6 Build-up part 7 Laminated body 8 Electrode pad 9 External connection pad 10 Base | substrate 11 Through-hole conductor
12 Insulator 13 Insulating Layer 14 Conductive Layer 15 Via Conductor M Mounting Area L1 First Wiring Portion L2 Second Wiring Portion I Virtual Line

Claims (13)

複数の絶縁層及び配線部を含む積層体と、該積層体の上面に設けられ、電子部品が搭載される搭載領域と、該搭載領域外に設けられた第1乃至第4外部接続パッドを備え、
前記配線部は、測定領域と、前記測定領域の一方端及び前記第1外部接続パッドを電気的に接続した第1接続領域と、前記測定領域の前記一方端及び前記第2外部接続パッドを電気的に接続した第2接続領域と、前記測定領域の他方端及び前記第3外部接続パッドを電気的に接続した第3接続領域と、前記測定領域の前記他方端及び前記第4外部接続パッドを電気的に接続した第4接続領域と、を有し、
前記測定領域は、少なくとも一部が前記搭載領域の直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
A laminated body including a plurality of insulating layers and wiring portions, a mounting area provided on an upper surface of the laminated body, on which electronic components are mounted, and first to fourth external connection pads provided outside the mounting area. ,
The wiring portion electrically connects the measurement region, a first connection region electrically connecting one end of the measurement region and the first external connection pad, and the one end of the measurement region and the second external connection pad. A second connection region connected electrically, a third connection region electrically connecting the other end of the measurement region and the third external connection pad, and the other end of the measurement region and the fourth external connection pad. A fourth connection region electrically connected,
The wiring board according to claim 1, wherein at least a part of the measurement area is arranged immediately below the mounting area.
請求項1に記載の配線基板において、
前記搭載領域内に位置するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の電極パッドを更に備え、
前記測定領域は、少なくとも一部が前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
A plurality of electrode pads located in the mounting region and electrically connected to the electronic component;
The wiring board according to claim 1, wherein at least a part of the measurement region is disposed immediately below the electrode pad.
請求項2に記載の配線基板において、
前記測定領域は、平面視における前記搭載領域の図心に最も近接した前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 2,
The wiring board according to claim 1, wherein the measurement region is arranged immediately below the electrode pad closest to the centroid of the mounting region in plan view.
請求項2に記載の配線基板において、
前記搭載領域は、平面視にて外周に角部を有し、
前記測定領域は、前記搭載領域の角部に最も近接した前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 2,
The mounting area has a corner on the outer periphery in plan view,
The wiring board according to claim 1, wherein the measurement region is arranged immediately below the electrode pad closest to the corner of the mounting region.
請求項2に記載の配線基板において、
前記測定領域は、電源電力を伝達する前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 2,
The wiring board according to claim 1, wherein the measurement region is disposed immediately below the electrode pad that transmits power.
請求項1に記載の配線基板において、
前記搭載領域内に位置するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の電極パッドを更に備え、
前記測定領域は、少なくとも一部が隣接する前記電極パッド同士の間に位置する領域の直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
A plurality of electrode pads located in the mounting region and electrically connected to the electronic component;
The wiring board according to claim 1, wherein the measurement region is disposed immediately below a region located at least partially between the adjacent electrode pads.
請求項1に記載の配線基板において、
前記搭載領域内に位置するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の電極パッドと、最上層の絶縁層を上下方向に貫通して前記電極パッドの下面に電気的に接続したビア導体と、を更に備え、
前記測定領域は、少なくとも一部が前記ビア導体の直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
A plurality of electrode pads located in the mounting region and electrically connected to the electronic component; and via conductors passing through the uppermost insulating layer in the vertical direction and electrically connected to the lower surface of the electrode pads; Further comprising
The wiring board according to claim 1, wherein at least a part of the measurement region is arranged immediately below the via conductor.
請求項1に記載の配線基板において、
前記測定領域は、最上層の絶縁層の下面に形成されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring board according to claim 1, wherein the measurement region is formed on a lower surface of the uppermost insulating layer.
請求項1に記載の配線基板において、
前記測定領域は、前記第1乃至第4接続領域と同一材料からなることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring board according to claim 1, wherein the measurement region is made of the same material as the first to fourth connection regions.
請求項1に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
The wiring board according to claim 1;
Electronic components mounted on the wiring board;
A mounting structure characterized by comprising:
請求項10に記載の実装構造体の前記第1及び第3外部接続パッドを介して前記測定領域に電流を流す工程と、
前記電流が流れている前記測定領域の前記一方端及び前記他方端の間における電位差を、前記第2及び第4外部接続パッドを介して測定する工程と、
を備えたことを特徴とする電位差測定方法。
Passing a current through the measurement region via the first and third external connection pads of the mounting structure according to claim 10;
Measuring a potential difference between the one end and the other end of the measurement region through which the current flows through the second and fourth external connection pads;
A potential difference measuring method comprising:
請求項11に記載の電位差測定方法により測定された電位差の測定値を用いて、前記測定領域の温度を算出する工程を備えたことを特徴とする温度測定方法。   A temperature measurement method comprising a step of calculating a temperature of the measurement region using a measured value of the potential difference measured by the potential difference measurement method according to claim 11. 請求項10に記載の実装構造体と、
前記実装構造体の前記第1及び第3外部接続パッドに電気的に接続された電流供給部と、
前記実装構造体の前記第2及び第4外部接続パッドに電気的に接続された電位差検出部と、
を備えたことを特徴とする電子装置。
The mounting structure according to claim 10,
A current supply unit electrically connected to the first and third external connection pads of the mounting structure;
A potential difference detection unit electrically connected to the second and fourth external connection pads of the mounting structure;
An electronic device comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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