JP2011044569A - Electrode machining apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode machining apparatus capable of machining to uniformize lengths of a plurality of bumps (electrodes) formed on respective devices even if there is variations in top surface elevations among a plurality of semiconductor devices formed on a semiconductor wafer. <P>SOLUTION: The electrode machining apparatus measures the lengths of the respective bumps 4, which are cut totally in a first process, in a second process, and sets a necessary cut amount in an X-coordinate and Y-coordinate respectively so as to uniformize the lengths. Tips of the bumps 4 are cut by a second cutting tool 203 of a second cutting means 200 on the respective X and Y coordinates to uniformize the lengths of all bumps 4. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、半導体ウェーハ等の板状のワークの表面に形成された複数のデバイスの表面から突出する突起状の電極の先端を切削して該電極の高さを揃えるといった加工を施す電極加工装置に関する。   The present invention provides, for example, an electrode for performing processing such as cutting the tips of protruding electrodes protruding from the surfaces of a plurality of devices formed on the surface of a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer to align the height of the electrodes It relates to a processing apparatus.

ICやLSI等の電子回路が表面に形成された半導体デバイス(半導体チップ)は、携帯電話やパソコン等の各種電気・電子機器に広く用いられている。半導体チップは、多数の半導体チップが形成された半導体ウェーハをダイシング装置等によって個々に分割することにより得られている。   A semiconductor device (semiconductor chip) on which an electronic circuit such as an IC or LSI is formed is widely used in various electric and electronic devices such as a mobile phone and a personal computer. The semiconductor chip is obtained by dividing a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor chips are formed by a dicing apparatus or the like.

近年、電子・電気機器の軽量化や小型化を可能にするために、半導体デバイスの電極に50〜100μmの突起状のバンプを電極として形成し、このバンプを実装基板に形成された電極に直接接合するようにしたフリップチップと呼ばれる半導体デバイス技術が開発され、実用に供されている。また、インターポーザーと呼ばれる基板に、複数の半導体デバイスを併設したり積層したりして小型化を図る技術も開発され、実用化されている。このような各技術は、半導体デバイスの表面に形成した複数の上記バンプを介して基板どうしを接合するため、各バンプの高さを揃える必要がある。   In recent years, in order to reduce the weight and size of electronic and electrical equipment, bumps with a protrusion of 50 to 100 μm are formed as electrodes on the electrodes of semiconductor devices, and the bumps are directly applied to the electrodes formed on the mounting substrate. A semiconductor device technology called flip chip that has been joined has been developed and put into practical use. In addition, a technology for reducing the size by arranging or stacking a plurality of semiconductor devices on a substrate called an interposer has been developed and put into practical use. Since each of such techniques joins substrates through the plurality of bumps formed on the surface of the semiconductor device, it is necessary to make the heights of the bumps uniform.

一方、半導体デバイスの表面に複数のバンプを形成する技術としては、金等のワイヤーの先端を加熱溶融して形成したボールを、半導体デバイスに予め形成されている電極に超音波併用熱圧着してそのボールの頭を破断する方法が知られている(特許文献1:図2)。また、この他には、メッキによってバンプを成長させる方法や、金属からなる小球を超音波で接合する方法等が実用化されている。しかるに、これらのバンプ形成方法においては、複数のバンプの高さを揃えて形成することは困難である。そこで、回転する切削工具(バイト)によりバンプの先端を切削、除去して高さを揃える加工装置が提案されている(特許文献1,2)。   On the other hand, as a technique for forming a plurality of bumps on the surface of a semiconductor device, a ball formed by heating and melting the tip of a wire such as gold is thermocompression bonded with an ultrasonic wave to an electrode formed in advance on the semiconductor device. A method of breaking the head of the ball is known (Patent Document 1: FIG. 2). In addition, a method of growing bumps by plating, a method of joining small spheres made of metal with ultrasonic waves, and the like have been put into practical use. However, in these bump forming methods, it is difficult to form a plurality of bumps with the same height. In view of this, there has been proposed a processing device that cuts and removes the tip of the bump with a rotating cutting tool (bite) so as to align the height (Patent Documents 1 and 2).

特開2005−347464号公報JP 2005-347464 A 特開2004−319697号公報JP 2004-319697 A

ところが、複数のバンプの先端を均一に揃えても、ウェーハに形成された各デバイスの表面高さにバラツキがあると、バンプ個々の長さにバラツキが生じることになる。バンプの長さが異なっていると、メモリーやLED等のデバイスにおいては電気抵抗や電気容量、あるいは導通速度等の電気的性能に関する品質が安定しないという問題が起こる。   However, even if the tips of the plurality of bumps are evenly arranged, if the surface height of each device formed on the wafer varies, the length of each bump varies. If the lengths of the bumps are different, there is a problem that the quality related to the electrical performance such as the electrical resistance, the capacitance, or the conduction speed is not stable in a device such as a memory or LED.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウェーハに形成された複数のデバイスの表面高さにバラツキがあっても、各デバイスに形成された複数のバンプ(電極)の長さを均一に加工することができるような電極加工装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the main technical problem thereof is that even if the surface height of a plurality of devices formed on a wafer varies, a plurality of bumps ( It is an object of the present invention to provide an electrode processing apparatus capable of processing the length of the electrode) uniformly.

本発明は、X軸方向および該X軸方向と直交するY軸方向に対して平行な保持面を有するチャックテーブルと、前記保持面に対して直交するZ軸方向と平行に回転軸が延びる第1のスピンドルと、該第1のスピンドルの下端に装着された切削バイト装着基板と、該切削バイト装着基板の回転軸心から偏心位置に配設された第1の切削バイトとを有し、前記チャックテーブルの前記保持面に保持されたワークの表面に形成された複数のデバイスにそれぞれ設けられた複数の突起状の電極の先端を回転する該第1の切削バイトで切削する第1の切削手段と、該第1の切削手段をZ軸方向に送る第1の切削手段Z軸方向送り手段と、前記第1の切削手段のZ軸方向における移動位置を検出する第1の切削手段Z軸方向位置検出手段と、前記チャックテーブルをX軸方向に送るチャックテーブルX軸方向送り手段とを具備する電極加工装置において、前記チャックテーブルの前記保持面に対して直交するZ軸方向と平行に回転軸が延びる第2のスピンドルと、該第2のスピンドルの回転軸心の延長線上に設けられた第2の切削バイトとを有し、前記第1の切削手段で切削された前記電極の先端を選択的に切削する第2の切削手段と、該第2の切削手段をY軸方向に送る第2の切削手段Y軸方向送り手段と、前記第2の切削手段をZ軸方向に送る第2の切削手段Z軸方向送り手段と、前記チャックテーブルのX軸方向における移動位置を検出するチャックテーブルX軸方向位置検出手段と、前記第2の切削手段のY軸方向における移動位置を検出する第2の切削手段Y軸方向位置検出手段と、前記第2の切削手段のZ軸方向における移動位置を検出する第2の切削手段Z軸方向位置検出手段と、前記ワークの表面の各X・Y座標における前記デバイスの表面高さ位置および前記電極の先端高さ位置を検出する高さ検出手段と、前記チャックテーブルX軸方向位置検出手段、前記第2の切削手段Y軸方向位置検出手段および前記第2の切削手段Z軸方向位置検出手段で検出された各位置情報と、前記高さ検出手段で検出された各X・Y座標における前記デバイスの表面高さ位置情報および前記電極の先端高さ位置情報とに基づいて、前記チャックテーブルX軸方向送り手段、前記第2の切削手段Y軸方向送り手段および前記第2の切削手段Z軸方向送り手段を制御する制御手段とを具備することを特徴としている。   The present invention provides a chuck table having a holding surface parallel to the X-axis direction and a Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction, and a rotation shaft extending in parallel to the Z-axis direction orthogonal to the holding surface. 1 spindle, a cutting bit mounting substrate mounted on the lower end of the first spindle, and a first cutting bit disposed at an eccentric position from the rotational axis of the cutting bit mounting substrate, First cutting means for cutting with the first cutting tool rotating the tips of a plurality of protruding electrodes provided in a plurality of devices formed on the surface of the work held on the holding surface of the chuck table. A first cutting means for feeding the first cutting means in the Z-axis direction; a first cutting means for detecting the moving position of the first cutting means in the Z-axis direction; Position detecting means and the chuck A second spindle having a rotation axis extending in parallel with a Z-axis direction orthogonal to the holding surface of the chuck table; And a second cutting tool provided on an extension line of the rotational axis of the second spindle, and a second cutting tool that selectively cuts the tip of the electrode cut by the first cutting means. Cutting means, second cutting means for sending the second cutting means in the Y-axis direction, Y-axis direction feeding means, and second cutting means for sending the second cutting means in the Z-axis direction Z-axis direction feeding means A chuck table X-axis direction position detecting means for detecting the movement position of the chuck table in the X-axis direction, and a second cutting means Y-axis direction position for detecting the movement position of the second cutting means in the Y-axis direction. Detection means; The second cutting means for detecting the movement position in the Z-axis direction of the second cutting means, the position detection means for the Z-axis direction, the surface height position of the device and the electrodes at the X and Y coordinates of the surface of the workpiece A height detecting means for detecting the tip height position of the head, a chuck table X-axis direction position detecting means, the second cutting means Y-axis direction position detecting means, and the second cutting means Z-axis direction position detecting means. The chuck table X-axis based on each detected position information and the surface height position information of the device and the tip height position information of the electrode at each X · Y coordinate detected by the height detection means It comprises a direction feeding means, a second cutting means, a Y-axis direction feeding means, and a control means for controlling the second cutting means Z-axis direction feeding means.

本発明によれば、第1の切削手段で電極の先端を切削した後、制御手段は、各X・Y座標におけるデバイスの表面高さ位置情報および切削後の各電極の先端高さ位置情報を比較することにより、切削後の電極の長さを認識し、かつ、電極の長さにバラツキがあるか否かを把握することができる。そして電極の長さにバラツキがあった場合、全ての電極の長さを均一にすべく、第2の切削手段で切削が必要な電極の先端を必要量切削するといった制御が制御手段によってなされる。その結果、デバイスの表面高さにバラツキがあっても全ての電極の長さが均一になる。   According to the present invention, after the tip of the electrode is cut by the first cutting means, the control means obtains the surface height position information of the device and the tip height position information of each electrode after the cutting in each XY coordinate. By comparing, it is possible to recognize the length of the electrode after cutting and to determine whether or not there is variation in the length of the electrode. When there is variation in the length of the electrodes, the control means performs control such as cutting the necessary amount of the tip of the electrode that needs to be cut by the second cutting means in order to make the lengths of all the electrodes uniform. . As a result, even if the surface height of the device varies, the lengths of all the electrodes are uniform.

本発明によれば、半導体ウェーハ等のワークに形成された複数のデバイスの表面高さにバラツキがあっても、各デバイスに形成された複数のバンプ(電極)の長さを均一に加工することができるといった効果を奏する。   According to the present invention, even if the surface height of a plurality of devices formed on a workpiece such as a semiconductor wafer varies, the length of a plurality of bumps (electrodes) formed on each device can be processed uniformly. There is an effect that can be.

(a)は本発明の一実施形態でバンプが加工される半導体ウェーハの斜視図、(b)は該半導体ウェーハの表面に形成された半導体デバイスの平面図、(c)は該半導体ウェーハの側面を模式的に示す図である。(A) is a perspective view of a semiconductor wafer on which bumps are processed in one embodiment of the present invention, (b) is a plan view of a semiconductor device formed on the surface of the semiconductor wafer, and (c) is a side view of the semiconductor wafer. FIG. 一実施形態に係る電極加工装置の全体斜視図である。1 is an overall perspective view of an electrode processing apparatus according to an embodiment. 同装置の全体斜視図であって第1の切削手段の構成を明らかにする図である。It is a whole perspective view of the same apparatus, and is a figure which clarifies the composition of the 1st cutting means. 第1の切削手段の下端部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the lower end part of a 1st cutting means. 一次工程で第1の切削手段によりバンプが切削される様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that a bump is cut by the 1st cutting means at a primary process. 一実施形態の電極加工装置が具備する高さ検出手段を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the height detection means which the electrode processing apparatus of one Embodiment comprises. 二次工程でバンプの長さを高さ検出手段で検出する様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the length of a bump is detected with a height detection means at a secondary process. 一実施形態の電極加工装置が具備する第2の切削手段を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 2nd cutting means with which the electrode processing apparatus of one Embodiment comprises. 二次工程で第2の切削手段によりバンプが切削される様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that a bump is cut by the 2nd cutting means at a secondary process. 一実施形態の電極加工装置が具備する制御系のブロック図である。It is a block diagram of the control system which the electrode processing apparatus of one Embodiment comprises. 二次工程の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of a secondary process.

(1)半導体ウェーハ
図1(a)は、一実施形態に係るワークである円板状の半導体ウェーハ(以下、ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、表面に多数の半導体デバイス2が形成されている。これら半導体デバイス2は、分割予定ライン3によって格子状に区画された矩形領域の表面にICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されることにより構成されている。
(1) Semiconductor Wafer FIG. 1A shows a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) which is a workpiece according to an embodiment. The wafer 1 is a silicon wafer or the like, and a large number of semiconductor devices 2 are formed on the surface. These semiconductor devices 2 are configured by forming an electronic circuit (not shown) such as an IC or LSI on the surface of a rectangular area partitioned in a grid by the division lines 3.

各半導体デバイス2には、図1(b),(c)に示すように、表面から突出する複数の突起状電極(以下、バンプと称する)4が、メッキ等の形成手段によって設けられている。これらバンプ4は、半導体デバイス2の表面からの高さ(長さ)が例えば150μm程度とされるが、形成したままの状態であることから、図1(c)に示すように高さが不均一で先端(頂部)が揃っていない。ウェーハ1は、最終的には分割予定ライン3に沿って切断、分割され、多数の半導体デバイス(半導体チップ)2に個片化される。   As shown in FIGS. 1B and 1C, each semiconductor device 2 is provided with a plurality of protruding electrodes (hereinafter referred to as bumps) 4 protruding from the surface by means of forming means such as plating. . These bumps 4 have a height (length) from the surface of the semiconductor device 2 of, for example, about 150 μm, but are not formed as shown in FIG. Uniform and the tip (top) is not aligned. The wafer 1 is finally cut and divided along the division line 3 and is divided into a large number of semiconductor devices (semiconductor chips) 2.

個片化された後の半導体デバイス2は、フリップチップ等の実装技術によって各バンプ4が実装基板等の電極に直接接合されて実装されるが、そのためには、各バンプ4の高さが均一で頂部が揃っていなければならない。以下、バンプ4の高さを均一に加工する電極加工装置の一実施形態を説明する。   The separated semiconductor device 2 is mounted by mounting each bump 4 directly on an electrode such as a mounting substrate by a mounting technique such as flip chip. For this purpose, the height of each bump 4 is uniform. The top must be aligned. Hereinafter, an embodiment of an electrode processing apparatus that processes the height of the bump 4 uniformly will be described.

(2)電極加工装置
図2および図3は、一実施形態に係る電極加工装置10を示している。この装置10では、バンプ4の高さを全体的に揃える一次工程と、一次工程の後にバンプ4の長さを均一にする二次工程とが行われる。図2の符号200,300は、それぞれ二次工程で作動する第2の切削手段および高さ検出手段であり、図3は、一次工程で作動する第1の切削手段100を図示するために、第2の切削手段200および高さ検出手段300を上方に退避させた図としている。以下、一次工程と二次工程、および二次工程の後の後処理工程に関する構成ならびに動作を順に説明していく。なお、この装置10では、制御手段50によって各動作が自動制御されるようになっている。
(2) Electrode processing apparatus FIG.2 and FIG.3 has shown the electrode processing apparatus 10 which concerns on one Embodiment. In this apparatus 10, a primary process for aligning the heights of the bumps 4 as a whole and a secondary process for making the lengths of the bumps 4 uniform after the primary process are performed. Reference numerals 200 and 300 in FIG. 2 denote a second cutting means and a height detecting means that operate in a secondary process, respectively, and FIG. 3 illustrates the first cutting means 100 that operates in a primary process. The second cutting means 200 and the height detection means 300 are retracted upward. Hereinafter, the configuration and operation related to the primary process, the secondary process, and the post-processing process after the secondary process will be described in order. In the device 10, each operation is automatically controlled by the control means 50.

(2−1)一次工程
図2で符号11は直方体状の基台11であり、ウェーハ1は、この基台11上の所定箇所に着脱自在にセットされる供給側のカセット12A内に複数が積層して収納される。供給側のカセット12A内に収納されているウェーハ1は、上下動が可能な旋回式アームを有する搬送ロボット13によって引き出され、半導体デバイス2が形成されている表面側を上に向けて位置決めテーブル14上に載置され、ここで所定の搬送開始位置に位置決めされる。
(2-1) Primary Step In FIG. 2, reference numeral 11 denotes a rectangular parallelepiped base 11, and a plurality of wafers 1 are provided in a supply-side cassette 12 </ b> A that is detachably set at a predetermined location on the base 11. Stacked and stored. The wafer 1 stored in the cassette 12A on the supply side is pulled out by a transfer robot 13 having a revolving arm that can move up and down, and a positioning table 14 with the surface side on which the semiconductor device 2 is formed facing upward. It is placed on and positioned here at a predetermined transfer start position.

次にウェーハ1は、供給アーム15によって位置決めテーブル14から取り上げられ、真空運転されている円板状のチャックテーブル16上に、表面側を上に向けて同心状に載置される。チャックテーブル16は、上面にウェーハ1に対応した寸法の多孔質材からなる円形状の保持面16aを有しており、ウェーハ1はその保持面16aに裏面が吸着されて保持される。チャックテーブル16は、保持面16aがZ軸方向(鉛直方向)に直交する状態に配設されている。   Next, the wafer 1 is picked up from the positioning table 14 by the supply arm 15 and placed concentrically on the disk-like chuck table 16 which is operated in vacuum with the front side facing up. The chuck table 16 has a circular holding surface 16a made of a porous material having a size corresponding to the wafer 1 on the upper surface, and the wafer 1 is held by adsorbing the back surface to the holding surface 16a. The chuck table 16 is disposed such that the holding surface 16a is orthogonal to the Z-axis direction (vertical direction).

図4に示すように、チャックテーブル16は、基台11上においてX軸方向に移動可能に設けられたテーブルベース(チャックテーブルX軸方向送り手段)17に支持されており、ウェーハ1はテーブルベース17およびチャックテーブル16を介してX軸方向奥側(図2、図3でX1方向側)の加工位置に送り込まれる。加工位置の上方には、図3に示す第1の切削手段100が配設されている。基台11上には、テーブルベース17の移動路を塞いで切削屑等が基台11内に落下することを防ぐ蛇腹状のカバー18が伸縮自在に設けられている。   As shown in FIG. 4, the chuck table 16 is supported by a table base (chuck table X-axis direction feeding means) 17 provided on the base 11 so as to be movable in the X-axis direction. 17 and the chuck table 16 are sent to the machining position on the inner side in the X-axis direction (X1 direction side in FIGS. 2 and 3). A first cutting means 100 shown in FIG. 3 is disposed above the processing position. On the base 11, a bellows-like cover 18 is provided so as to be stretchable so as to block the moving path of the table base 17 and prevent the cutting waste and the like from falling into the base 11.

X軸方向に移動する上記テーブルベース17のX軸方向における移動位置は、チャックテーブルX軸方向位置検出手段175(図10参照)によって検出されるようになっている。該検出手段175で検出されるチャックテーブル16のX軸方向における位置情報は、制御手段50に供給される。そして、制御手段50により、該制御手段50に供給されたX軸方向における位置情報に基づき、テーブルベース17に支持されているチャックテーブル16のX軸方向における移動量および位置が制御される。   The movement position in the X-axis direction of the table base 17 moving in the X-axis direction is detected by the chuck table X-axis direction position detecting means 175 (see FIG. 10). Position information in the X-axis direction of the chuck table 16 detected by the detection means 175 is supplied to the control means 50. Then, based on the position information in the X-axis direction supplied to the control means 50, the control means 50 controls the movement amount and position in the X-axis direction of the chuck table 16 supported by the table base 17.

図3に示すように、第1の切削手段100は、基台11の奥側の端部に立設されたコラム131に、Z軸方向に沿って昇降可能に設けられている。すなわちコラム131にはZ軸方向に延びるガイド132が設けられており、第1の切削手段100は、スライダ133を介してガイド132に摺動自在に装着されている。そして第1の切削手段100は、サーボモータ111によって駆動されるボールねじ式のZ軸方向送り手段(第1の切削手段Z軸方向送り手段)110が作動することにより、スライダ133を介してZ軸方向に昇降する。   As shown in FIG. 3, the first cutting means 100 is provided on a column 131 erected at the end on the back side of the base 11 so as to be movable up and down along the Z-axis direction. That is, the column 131 is provided with a guide 132 extending in the Z-axis direction, and the first cutting means 100 is slidably mounted on the guide 132 via the slider 133. The first cutting means 100 is operated by the ball screw type Z-axis direction feeding means 110 (first cutting means Z-axis direction feeding means) 110 driven by the servo motor 111 to operate the Z through the slider 133. Move up and down in the axial direction.

第1の切削手段100は、図3および図4に示すように、Z軸方向と平行な方向に回転軸が延びる第1のスピンドル101と、第1のスピンドル101の下端に装着された切削バイト装着基板102と、切削バイト装着基板102に配設された第1の切削バイト103とを有している。図3に示すように、第1のスピンドル101はスライダ133に固定されたハウジング104内に支持されており、上端部に固定されたスピンドルモータ105によって回転駆動させられる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the first cutting means 100 includes a first spindle 101 whose rotation axis extends in a direction parallel to the Z-axis direction, and a cutting tool attached to the lower end of the first spindle 101. A mounting substrate 102 and a first cutting tool 103 disposed on the cutting tool mounting substrate 102 are provided. As shown in FIG. 3, the first spindle 101 is supported in a housing 104 fixed to a slider 133, and is driven to rotate by a spindle motor 105 fixed to the upper end portion.

図4に示すように、切削バイト装着基板102は円板状で、第1のスピンドル101の下端に同心状に固定されている。そしてこの切削バイト装着基板102の下面の外周部に、マウント106を介して第1の切削バイト103が設けられている。すなわち第1の切削バイト103は、第1のスピンドル101の回転軸から偏心位置に配設されている。   As shown in FIG. 4, the cutting tool mounting substrate 102 has a disc shape and is concentrically fixed to the lower end of the first spindle 101. A first cutting tool 103 is provided on the outer periphery of the lower surface of the cutting tool mounting substrate 102 via a mount 106. That is, the first cutting tool 103 is disposed at an eccentric position from the rotation axis of the first spindle 101.

第1の切削バイト103の刃はダイヤモンド等によって形成されており、第1の切削バイト103はその刃を下に向けてマウント106に着脱可能に装着されている。第1の切削手段100においては、第1のスピンドル101の回転軸のY軸方向位置がチャックテーブル16の中心のY軸方向位置と一致している。第1の切削バイト103は第1のスピンドル101と一体回転し(第1のスピンドル101は、例えば図4に示すB方向に回転する)、その切削外径すなわち刃先の回転軌跡外径は、ウェーハ1の直径よりも大きく設定されている。   The blade of the first cutting tool 103 is formed of diamond or the like, and the first cutting tool 103 is detachably attached to the mount 106 with the blade facing down. In the first cutting means 100, the Y-axis direction position of the rotation axis of the first spindle 101 coincides with the Y-axis direction position of the center of the chuck table 16. The first cutting tool 103 rotates integrally with the first spindle 101 (the first spindle 101 rotates, for example, in the direction B shown in FIG. 4). It is set larger than the diameter of 1.

一次工程では、上記第1の切削手段100によりバンプ4の先端が次のようにして切削される。まず、第1の切削バイト103の刃先がバンプ4の先端を切削する所定の加工高さになる位置に、第1の切削手段100がZ軸方向送り手段110によって下方へ送られるとともに、第1のスピンドル101がスピンドルモータ105により回転駆動される。   In the primary process, the tip of the bump 4 is cut by the first cutting means 100 as follows. First, the first cutting means 100 is sent downward by the Z-axis direction feeding means 110 to a position where the cutting edge of the first cutting bit 103 reaches a predetermined processing height at which the tip of the bump 4 is cut. The spindle 101 is driven to rotate by a spindle motor 105.

第1の切削手段100のZ軸方向送り手段110には、第1の切削手段100のZ軸方向における移動位置すなわち高さ位置を検出する第1の切削手段Z軸方向位置検出手段150が付随して設けられている(図10参照)。該検出手段150で検出される第1の切削手段100の高さ位置情報は制御手段50に供給され、バンプ切削時には、制御手段50により、該制御手段50に供給された高さ位置情報に基づき上記Z軸方向送り手段110による第1の切削手段100の送り量が制御される。   The Z-axis direction feeding means 110 of the first cutting means 100 is accompanied by a first cutting means Z-axis direction position detecting means 150 for detecting the movement position, that is, the height position of the first cutting means 100 in the Z-axis direction. (See FIG. 10). The height position information of the first cutting means 100 detected by the detection means 150 is supplied to the control means 50. Based on the height position information supplied to the control means 50 by the control means 50 at the time of bump cutting. The feed amount of the first cutting means 100 by the Z-axis direction feed means 110 is controlled.

第1の切削手段100の第1の切削バイト103が所定の加工高さ位置にセットされ、第1のスピンドル101が運転されたら、テーブルベース17がX軸方向奥側に移動し、ウェーハ1が第1の切削手段100の下方に当たる加工位置に向けて送られていく。このウェーハ1の加工送りに伴い、バンプ4の先端がX軸方向奥側から手前側(図2、図3でX2方向側)に向かって第1の切削バイト103により切削されていく。そしてウェーハ1が切削バイト装着基板102に覆われるまで移動した時点で、全てのバンプ4の先端が切削される。   When the first cutting tool 103 of the first cutting means 100 is set at a predetermined processing height position and the first spindle 101 is operated, the table base 17 is moved to the inner side in the X-axis direction, and the wafer 1 is moved. It is sent toward the machining position that is below the first cutting means 100. As the wafer 1 is processed and fed, the tips of the bumps 4 are cut by the first cutting tool 103 from the back side in the X-axis direction toward the front side (X2 direction side in FIGS. 2 and 3). When the wafer 1 moves until it is covered with the cutting tool mounting substrate 102, the tips of all the bumps 4 are cut.

ウェーハ1の表面の全てのバンプ4が切削されたら、第1の切削手段100が上昇してウェーハ1から退避し、一方、テーブルベース17がX軸方向手前側に移動し、ウェーハ1が供給アーム15からチャックテーブル16上に載置された着脱位置に一旦戻される。   When all the bumps 4 on the surface of the wafer 1 are cut, the first cutting means 100 is lifted and retracted from the wafer 1, while the table base 17 is moved to the front side in the X-axis direction, and the wafer 1 is fed to the supply arm. 15 is temporarily returned to the attaching / detaching position placed on the chuck table 16.

さて、第1の切削手段100で全てのバンプ4が切削されると、図5に示すように、各バンプ4の先端の高さはチャックテーブル16の保持面16aと平行に揃った状態となる。なお、図5は第1の切削バイト103によってバンプ4を切削した状態を装置手前側(図2でX1側)から見た図であり、同図で矢印は図4のB方向に対応する第1の切削バイト103の回転方向を示している。しかしながら同図に示すようにウェーハ1の厚さが均一ではない場合(図示のウェーハ1は左側から右側に向かって厚さが漸次薄くなっている)には、各バンプ4の、半導体デバイス2の表面から先端までの高さ、すなわち長さは異なっており、バラツキが生じている。このようにバンプ4の長さが不均一であると、電気抵抗や電気容量、あるいは導通速度等の電気的性能に関する品質が安定しないという問題が起こることは、前述の通りである。そこで本実施形態の電極加工装置10では、バンプ4の長さを均一にする二次工程が、次の要領で行われる。   Now, when all the bumps 4 are cut by the first cutting means 100, the heights of the tips of the respective bumps 4 are aligned in parallel with the holding surface 16a of the chuck table 16, as shown in FIG. . FIG. 5 is a view of the state in which the bumps 4 are cut by the first cutting tool 103 as viewed from the front side of the apparatus (X1 side in FIG. 2), in which the arrow corresponds to the B direction in FIG. The rotation direction of one cutting tool 103 is shown. However, as shown in the figure, when the thickness of the wafer 1 is not uniform (the thickness of the wafer 1 is gradually reduced from the left side to the right side), the bumps 4 of the semiconductor device 2 The height from the surface to the tip, that is, the length is different, and variation occurs. As described above, when the lengths of the bumps 4 are not uniform as described above, there is a problem that the quality relating to the electrical performance such as the electrical resistance, the electrical capacity, or the conduction speed is not stable. Therefore, in the electrode processing apparatus 10 of the present embodiment, a secondary process for making the lengths of the bumps 4 uniform is performed as follows.

(2−2)二次工程
上記の着脱位置から加工位置までの間のテーブルベース17の移動路上には、高さ検出手段300と、第2の切削手段200とが、X軸方向手前側から奥側に向かってこの順に配設されている。高さ検出手段300は非接触式の距離測定手段であり、例えば、測定対象物に光を照射した際の反射に基づいて距離を算出する光学式のものなどが好適に用いられる。この高さ検出手段300は、図6に示すように、テーブルベース17の移動路をまたぐ門型フレーム331の梁部332に設けられたガイドレール333に沿ってY軸方向に移動可能に設けられている。
(2-2) Secondary Step On the movement path of the table base 17 between the above attachment / detachment position and the machining position, the height detection means 300 and the second cutting means 200 are from the near side in the X-axis direction. It arrange | positions in this order toward the back side. The height detecting means 300 is a non-contact distance measuring means, and for example, an optical one that calculates a distance based on reflection when a measurement object is irradiated with light is preferably used. As shown in FIG. 6, the height detection means 300 is provided so as to be movable in the Y-axis direction along a guide rail 333 provided on a beam portion 332 of the gate-type frame 331 that straddles the movement path of the table base 17. ing.

高さ検出手段300では、図7に示すように、チャックテーブル16に保持されたウェーハ1の半導体デバイス2の表面に出射される光等の測定波300aと、バンプ4の先端に出射される測定波300bとにより、各半導体デバイス2の高さ位置と各バンプ4の先端高さ位置とが検出される。各半導体デバイス2の表面高さおよび各バンプ4の先端高さの検出は、上記一次工程が終了した後、チャックテーブル16をX軸方向に移動させながら、かつ、高さ検出手段300をY軸方向に移動させながら行われる。これによってウェーハ1の表面の各X・Y座標における各半導体デバイス2の表面高さ位置および各バンプ4の先端高さ位置が検出される。そして検出された各X・Y座標における半導体デバイス2の表面高さ位置情報およびバンプ4の先端高さ位置情報は制御手段50に供給される。   In the height detection means 300, as shown in FIG. 7, a measurement wave 300 a such as light emitted to the surface of the semiconductor device 2 of the wafer 1 held on the chuck table 16 and measurement emitted to the tip of the bump 4. The height position of each semiconductor device 2 and the tip height position of each bump 4 are detected by the wave 300b. The surface height of each semiconductor device 2 and the tip height of each bump 4 are detected by moving the chuck table 16 in the X-axis direction and moving the height detection means 300 to the Y-axis after the primary process is completed. It is done while moving in the direction. Thus, the surface height position of each semiconductor device 2 and the tip height position of each bump 4 at each X / Y coordinate on the surface of the wafer 1 are detected. Then, the surface height position information of the semiconductor device 2 and the tip height position information of the bump 4 at each detected X / Y coordinate are supplied to the control means 50.

制御手段50では、各X・Y座標における半導体デバイス2の表面高さ位置情報および各バンプ4の先端高さ位置情報が記憶される。さらに制御手段50では、半導体デバイス2の表面高さ位置情報とバンプ4の先端高さ位置情報をそれぞれ比較することによって各バンプ4の長さが認識されるとともに、各X・Y座標におけるバンプ4の長さのバラツキ程度が把握される。そしてこの後、第2の切削手段200によってバンプ4の先端が選択的に切削され、全てのバンプ4の長さが均一に加工される。   The control means 50 stores the surface height position information of the semiconductor device 2 and the tip height position information of each bump 4 at each X / Y coordinate. Further, the control means 50 recognizes the length of each bump 4 by comparing the surface height position information of the semiconductor device 2 and the tip height position information of the bump 4, and the bump 4 in each X · Y coordinate. The degree of length variation is grasped. Thereafter, the tip of the bump 4 is selectively cut by the second cutting means 200, and the lengths of all the bumps 4 are processed uniformly.

第2の切削手段200は、図8に示すように、Z軸方向と平行に回転軸が延びる第2のスピンドル201と、第2のスピンドル201の下端に設けられた第2の切削バイト203とを有している。第2のスピンドル201は直方体状のハウジング204内に支持されており、図示せぬスピンドルモータによって回転駆動させられる。第2の切削バイト203は第2のスピンドル201の下端に同心状に固定された丸棒状のもので、円形状の下端面が刃面に形成されている。この第2の切削バイト203の刃面の面積は、複数の隣接し合う複数のバンプ4の先端が一括して切削され得る程度の大きさ(例えばφ数mm程度)とされる。   As shown in FIG. 8, the second cutting means 200 includes a second spindle 201 having a rotation axis extending in parallel with the Z-axis direction, and a second cutting bit 203 provided at the lower end of the second spindle 201. have. The second spindle 201 is supported in a rectangular parallelepiped housing 204 and is rotated by a spindle motor (not shown). The second cutting bit 203 has a round bar shape concentrically fixed to the lower end of the second spindle 201, and a circular lower end surface is formed on the blade surface. The area of the blade surface of the second cutting bit 203 is set to a size (for example, about φ several mm) such that the tips of a plurality of adjacent bumps 4 can be cut together.

第2の切削手段200は、図2および図3に示すように、テーブルベース17の移動路をまたぐ門型フレーム231に、Z軸方向に沿って昇降可能に、かつ、Y軸方向に沿って移動可能に設けられている。すなわち門型フレーム231にはガイド232を介してスライダ233がZ軸方向に昇降可能に装着されており、このスライダ233に、ガイド234を介して第2のスピンドル201のハウジング204がY軸方向に移動可能に装着されている。   2 and 3, the second cutting means 200 can move up and down along the Z-axis direction and along the Y-axis direction on the portal frame 231 that straddles the moving path of the table base 17. It is provided to be movable. That is, a slider 233 is mounted on the portal frame 231 via a guide 232 so as to be movable up and down in the Z-axis direction. The housing 204 of the second spindle 201 is attached to the slider 233 via the guide 234 in the Y-axis direction. It is mounted so that it can move.

スライダ233は、サーボモータ211によって駆動されるボールねじ式のZ軸方向送り手段(第2の切削手段Z軸方向送り手段)210が作動することにより、Z軸方向に昇降するようになっている。また、ハウジング204は、サーボモータ221によって駆動されるボールねじ式のY軸方向送り手段(第2の切削手段Y軸方向送り手段)220が作動することにより、Y軸方向に移動するようになっている。したがって第2の切削手段200はスライダ233ごとZ軸方向に昇降可能であり、かつ、第2の切削手段200自体がY軸方向に移動可能となっている。   The slider 233 moves up and down in the Z-axis direction when a ball screw type Z-axis direction feeding means (second cutting means Z-axis direction feeding means) 210 driven by the servomotor 211 is operated. . Further, the housing 204 is moved in the Y-axis direction by the operation of a ball screw type Y-axis direction feeding means (second cutting means Y-axis direction feeding means) 220 driven by the servo motor 221. ing. Therefore, the second cutting means 200 can be moved up and down in the Z-axis direction together with the slider 233, and the second cutting means 200 itself can move in the Y-axis direction.

第2の切削手段200によると、第2のスピンドル201を運転して第2の切削バイト203を回転させながらZ軸方向送り手段210によって下方に切削送りすることにより、バンプ4の先端が第2の切削バイト203によって潰されるようにして切削される。   According to the second cutting means 200, the second spindle 201 is operated to rotate the second cutting tool 203 while cutting downward by the Z-axis direction feeding means 210, so that the tip of the bump 4 is moved to the second position. The cutting tool 203 is crushed so as to be crushed.

第2の切削手段200のZ軸方向送り手段210には、第2の切削手段200のZ軸方向における移動位置すなわち高さ位置を検出する第2の切削手段Z軸方向位置検出手段250が付随して設けられている(図10参照)。また、第2の切削手段200のY軸方向送り手段220には、第2の切削手段200のY軸方向における移動位置を検出する第2の切削手段Y軸方向位置検出手段260が付随して設けられている。   The Z-axis direction feeding means 210 of the second cutting means 200 is accompanied by a second cutting means Z-axis direction position detecting means 250 for detecting the movement position, that is, the height position of the second cutting means 200 in the Z-axis direction. (See FIG. 10). Further, the Y-axis direction feeding means 220 of the second cutting means 200 is accompanied by a second cutting means Y-axis direction position detecting means 260 for detecting the movement position of the second cutting means 200 in the Y-axis direction. Is provided.

第2の切削手段Z軸方向位置検出手段250で検出される第2の切削手段200の高さ位置情報は制御手段50に供給され、バンプ切削時には、制御手段50により、該制御手段50に供給された高さ位置情報に基づき上記Z軸方向送り手段210による第2の切削手段200の送り量が制御される。   The height position information of the second cutting means 200 detected by the second cutting means Z-axis direction position detecting means 250 is supplied to the control means 50, and is supplied to the control means 50 by the control means 50 at the time of bump cutting. The feed amount of the second cutting means 200 by the Z-axis direction feed means 210 is controlled based on the height position information.

また、第2の切削手段Y軸方向位置検出手段260で検出される第2の切削手段200のY軸方向における位置情報も制御手段50に供給され、制御手段50により、該制御手段50に供給されたY軸方向における位置情報に基づき、上記Y軸方向送り手段220による第2の切削手段200のY軸方向における移動量および位置が制御される。   The position information in the Y-axis direction of the second cutting means 200 detected by the second cutting means Y-axis direction position detecting means 260 is also supplied to the control means 50 and supplied to the control means 50 by the control means 50. Based on the position information in the Y-axis direction, the movement amount and position of the second cutting means 200 in the Y-axis direction by the Y-axis direction feeding means 220 are controlled.

二次工程は、制御手段50によって図11に示すようにして進行する。まず、高さ検出手段300で全てのバンプ4の長さが検出され、バンプ4の長さのバラツキ程度が把握される(ステップS1)。次いで、目標とするバンプ4の長さに対して現状のバンプ4がどの程度長いかが認識されるとともに、目標長さにするために必要な切削量が、各X・Y座標に設定される(ステップS2)。   The secondary process proceeds as shown in FIG. First, the height detection means 300 detects the lengths of all the bumps 4 and grasps the variation in the lengths of the bumps 4 (step S1). Next, how long the current bump 4 is with respect to the target length of the bump 4 is recognized, and the cutting amount necessary to achieve the target length is set in each X / Y coordinate ( Step S2).

次いで、設定された切削量にしたがって各バンプ4の先端を第2の切削手段200の第2の切削バイト203で切削する(ステップS3)。それには、チャックテーブル16のX軸方向への移動と、第2の切削手段200のY軸方向への移動によって第2の切削バイト203を切削対象のバンプ4が存在するX・Y座標に移動させ、続いて、回転させた第2の切削バイト203を下方に送り、該切削バイト203の刃面をバンプ4の先端に押し付けて切削する。第2の切削バイト203の送り量は、バンプ4の長さが目的長さになる量に制御される。そして、このような第2の切削バイト203によるバンプ長さの調整が全てのバンプ4に行き渡るまで各X・Y座標ごとに繰り返し行われる。   Next, the tip of each bump 4 is cut with the second cutting tool 203 of the second cutting means 200 according to the set cutting amount (step S3). For this purpose, the second cutting tool 203 is moved to the X and Y coordinates where the bump 4 to be cut exists by moving the chuck table 16 in the X-axis direction and moving the second cutting means 200 in the Y-axis direction. Subsequently, the rotated second cutting bit 203 is sent downward, and the blade surface of the cutting bit 203 is pressed against the tip of the bump 4 for cutting. The feed amount of the second cutting tool 203 is controlled so that the length of the bump 4 becomes the target length. Then, the adjustment of the bump length by the second cutting tool 203 is repeatedly performed for each of the X and Y coordinates until all the bumps 4 are adjusted.

図9は、矢印方向に第2の切削バイト203を移動させることにより該第2の切削バイト203でバンプ4を選択的に切削している様子を示しており、バンプ4は、X・Y座標に対応する複数個が同時に切削される。バンプ4の切削量は目標長さに応じたものになるが、例えば、一次工程を含めて合計で数μm〜数十μm程度である。   FIG. 9 shows a state in which the bump 4 is selectively cut by the second cutting bit 203 by moving the second cutting bit 203 in the direction of the arrow. Plural pieces corresponding to are simultaneously cut. The amount of cutting of the bumps 4 depends on the target length, and is, for example, about several μm to several tens of μm in total including the primary process.

(2−3)後処理工程
以上の二次工程が終了したら、ウェーハ1は上記着脱位置に戻され、チャックテーブル16の真空運転が停止される。次いでウェーハ1は、回収アーム21によってスピンナ式洗浄装置22に搬送されて洗浄、乾燥処理され、この後、搬送ロボット13によって回収側のカセット12B内に収容される。
(2-3) Post-processing step When the above secondary step is completed, the wafer 1 is returned to the above-mentioned attachment / detachment position, and the vacuum operation of the chuck table 16 is stopped. Next, the wafer 1 is transferred to the spinner type cleaning device 22 by the recovery arm 21, cleaned and dried, and then accommodated in the recovery-side cassette 12 </ b> B by the transfer robot 13.

(3)一実施形態の作用効果
上記一実施形態の電極加工装置10によれば、二次工程で各X・Y座標ごとに第2の切削手段200でバンプ4を切削してバンプ4の長さを調整することにより、ウェーハ1の厚さが不均一で半導体デバイス2の表面高さにバラツキがあっても、全てのバンプ4の長さを均一にすることができる。したがって、得られる個々の半導体デバイス2においては、電気抵抗や電気容量、あるいは導通速度等の電気的性能に関する品質が安定したものとなる。
(3) Effect of Embodiment According to the electrode processing apparatus 10 of the above embodiment, the length of the bump 4 is obtained by cutting the bump 4 by the second cutting means 200 for each X / Y coordinate in the secondary process. By adjusting the thickness, even if the thickness of the wafer 1 is non-uniform and the surface height of the semiconductor device 2 varies, the lengths of all the bumps 4 can be made uniform. Therefore, in the obtained individual semiconductor device 2, the quality relating to the electrical performance such as the electric resistance, the electric capacity, or the conduction speed becomes stable.

1…ウェーハ
2…半導体デバイス
4…バンプ(電極)
16…チャックテーブル
16a…保持面
17…テーブルベース(チャックテーブルX軸方向送り手段)
50…制御手段
100…第1の切削手段
101…第1のスピンドル
102…切削バイト装着基板
103…第1の切削バイト
110…Z軸方向送り手段(第1の切削手段Z軸方向送り手段)
150…第1の切削手段Z軸方向位置検出手段
175…チャックテーブルX軸方向位置検出手段
200…第2の切削手段
201…第2のスピンドル
203…第2の切削バイト
210…Z軸方向送り手段(第2の切削手段Z軸方向送り手段)
220…Y軸方向送り手段(第2の切削手段Y軸方向送り手段)
250…第2の切削手段Z軸方向位置検出手段
260…第2の切削手段Y軸方向位置検出手段
300…高さ検出手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer 2 ... Semiconductor device 4 ... Bump (electrode)
16 ... Chuck table 16a ... Holding surface 17 ... Table base (Chuck table X-axis direction feed means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 ... Control means 100 ... 1st cutting means 101 ... 1st spindle 102 ... Cutting tool mounting board 103 ... 1st cutting tool 110 ... Z-axis direction feed means (1st cutting means Z-axis direction feed means)
150 ... first cutting means Z-axis direction position detecting means 175 ... chuck table X-axis direction position detecting means 200 ... second cutting means 201 ... second spindle 203 ... second cutting tool 210 ... Z-axis direction feeding means (Second cutting means Z-axis direction feeding means)
220... Y-axis direction feeding means (second cutting means Y-axis direction feeding means)
250 ... second cutting means Z-axis direction position detection means 260 ... second cutting means Y-axis direction position detection means 300 ... height detection means

Claims (1)

X軸方向および該X軸方向と直交するY軸方向に対して平行な保持面を有するチャックテーブルと、
前記保持面に対して直交するZ軸方向と平行に回転軸が延びる第1のスピンドルと、該第1のスピンドルの下端に装着された切削バイト装着基板と、該切削バイト装着基板の回転軸心から偏心位置に配設された第1の切削バイトと、を有し、前記チャックテーブルの前記保持面に保持されたワークの表面に形成された複数のデバイスにそれぞれ設けられた複数の突起状の電極の先端を回転する該第1の切削バイトで切削する第1の切削手段と、
該第1の切削手段をZ軸方向に送る第1の切削手段Z軸方向送り手段と、
前記第1の切削手段のZ軸方向における移動位置を検出する第1の切削手段Z軸方向位置検出手段と、
前記チャックテーブルをX軸方向に送るチャックテーブルX軸方向送り手段と、
を具備する電極加工装置において、
前記チャックテーブルの前記保持面に対して直交するZ軸方向と平行に回転軸が延びる第2のスピンドルと、該第2のスピンドルの回転軸心の延長線上に設けられた第2の切削バイトと、を有し、前記第1の切削手段で切削された前記電極の先端を選択的に切削する第2の切削手段と、
該第2の切削手段をY軸方向に送る第2の切削手段Y軸方向送り手段と、
前記第2の切削手段をZ軸方向に送る第2の切削手段Z軸方向送り手段と、
前記チャックテーブルのX軸方向における移動位置を検出するチャックテーブルX軸方向位置検出手段と、
前記第2の切削手段のY軸方向における移動位置を検出する第2の切削手段Y軸方向位置検出手段と、
前記第2の切削手段のZ軸方向における移動位置を検出する第2の切削手段Z軸方向位置検出手段と、
前記ワークの表面の各X・Y座標における前記デバイスの表面高さ位置および前記電極の先端高さ位置を検出する高さ検出手段と、
前記チャックテーブルX軸方向位置検出手段、前記第2の切削手段Y軸方向位置検出手段および前記第2の切削手段Z軸方向位置検出手段で検出された各位置情報と、前記高さ検出手段で検出された各X・Y座標における前記デバイスの表面高さ位置情報および前記電極の先端高さ位置情報とに基づいて、前記チャックテーブルX軸方向送り手段、前記第2の切削手段Y軸方向送り手段および前記第2の切削手段Z軸方向送り手段を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする電極加工装置。
A chuck table having a holding surface parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction;
A first spindle having a rotation axis extending in parallel with a Z-axis direction orthogonal to the holding surface; a cutting bit mounting substrate mounted on a lower end of the first spindle; and a rotation axis of the cutting bit mounting substrate A first cutting tool disposed at an eccentric position from a plurality of protrusion-shaped projections respectively provided on a plurality of devices formed on a surface of a work held on the holding surface of the chuck table. First cutting means for cutting with the first cutting tool rotating the tip of the electrode;
First cutting means for feeding the first cutting means in the Z-axis direction; Z-axis direction feeding means;
First cutting means Z-axis direction position detecting means for detecting a movement position of the first cutting means in the Z-axis direction;
A chuck table X-axis direction feeding means for feeding the chuck table in the X-axis direction;
In an electrode processing apparatus comprising:
A second spindle having a rotation axis extending in parallel with a Z-axis direction orthogonal to the holding surface of the chuck table, and a second cutting bit provided on an extension line of the rotation axis of the second spindle; And a second cutting means for selectively cutting the tip of the electrode cut by the first cutting means,
Second cutting means for feeding the second cutting means in the Y-axis direction; Y-axis direction feeding means;
Second cutting means for feeding the second cutting means in the Z-axis direction; Z-axis direction feeding means;
Chuck table X-axis direction position detecting means for detecting the movement position of the chuck table in the X-axis direction;
Second cutting means Y-axis direction position detecting means for detecting a movement position of the second cutting means in the Y-axis direction;
Second cutting means Z-axis direction position detecting means for detecting a movement position of the second cutting means in the Z-axis direction;
A height detection means for detecting the surface height position of the device and the tip height position of the electrode at each of the X and Y coordinates of the surface of the workpiece;
Each position information detected by the chuck table X-axis direction position detection means, the second cutting means Y-axis direction position detection means, and the second cutting means Z-axis direction position detection means, and the height detection means The chuck table X-axis direction feeding means, the second cutting means Y-axis direction feeding, based on the detected surface height position information of the device and tip end height position information of the electrode at each detected X / Y coordinate Control means for controlling the means and the second cutting means Z-axis direction feed means;
An electrode processing apparatus comprising:
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