JP2011039415A - Spatial light modulator and pattern drawing apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 130
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 84
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
Description
この発明は、電気光学結晶を用いた空間光変調器および該空間光変調器を装備するパターン描画装置に関するものである。 The present invention relates to a spatial light modulator using an electro-optic crystal and a pattern drawing apparatus equipped with the spatial light modulator.
従来より、リチウムナイオベート(LiNbO3)等の電界により屈折率が変化する電気光学結晶を用いて空間光変調を行う手法が知られている。例えば、特許文献1では、電気光学結晶が薄板形状(スラブ形状)に仕上げられている。この電気光学結晶の一方主面(または両主面)には、複数の電極要素が一定ピッチで配列されて格子電極が形成されている。そして、これらの電極要素間に電位差を付与することで電気光学結晶中で生じる電界により電気光学結晶の内部で周期的な屈折率の変化が生じて回折格子が形成される。この電気光学結晶に対して格子電極の長さ方向とほぼ平行に光を入射させ、主にラマン・ナス回折を生じさせることにより空間光変調が行われている。
Conventionally, a method of performing spatial light modulation using an electro-optic crystal whose refractive index changes with an electric field such as lithium niobate (LiNbO 3 ) is known. For example, in
上記のように従来の空間光変調器では、電気光学結晶が薄板形状を有し、しかも格子電極を構成する電極要素の配列方向に光を伝播させているため、光と電界との相互距離を伸ばすことができ、低電圧で空間光変調器を高速駆動することが可能となる。しかしながら、上記空間光変調器では、ラマン・ナス回折を用いているため、次のような問題があった。すなわち、ラマン・ナス回折では1次回折光より高次の回折光の回折効率が低いため、上記した従来の空間光変調器をパターン描画装置などに適用する場合、0次光を用いてパターン描画を行うのが一般的であった。したがって、被描画面に光を照射しない時、つまり消光時には電極要素間に電位差を生じさせることでラマン・ナス回折を生じさせるのだが、その消光時における0次光の漏れ光が被描画面に到達してしまうことがあり、高い消光比(ON/OFF光量比)を得るのが難しいという問題があった。また、パターン描画に十分な光量を稼ぎながら同時に空間光変調器の解像度を高めるためには、電極要素を狭ピッチで設ける(格子周期の高精細化)とともに電極要素を長くせざるを得ず、その結果、回折効率が低下して消光比(ON/OFF光量比)の低下要因となっている。 As described above, in the conventional spatial light modulator, the electro-optic crystal has a thin plate shape, and light is propagated in the arrangement direction of the electrode elements constituting the lattice electrode. Therefore, the mutual distance between the light and the electric field is reduced. The spatial light modulator can be driven at high speed with a low voltage. However, the spatial light modulator has the following problems because it uses Raman-Nas diffraction. That is, since the diffraction efficiency of higher-order diffracted light is lower than that of first-order diffracted light in Raman / Nas diffraction, when the above-described conventional spatial light modulator is applied to a pattern drawing device or the like, pattern drawing using zero-order light is performed. It was common to do. Therefore, when light is not irradiated on the drawing surface, that is, when extinction occurs, a Raman-Nath diffraction is generated by generating a potential difference between the electrode elements. There is a problem that it is difficult to obtain a high extinction ratio (ON / OFF light quantity ratio). In addition, in order to increase the resolution of the spatial light modulator while simultaneously obtaining a sufficient amount of light for pattern drawing, the electrode elements must be provided with a narrow pitch (higher resolution of the grating period) and the electrode elements must be lengthened. As a result, the diffraction efficiency is lowered, which is a cause of lowering the extinction ratio (ON / OFF light quantity ratio).
この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高い消光比を有する空間光変調器および該空間光変調器を装備して優れた描画品質でパターンを描画することができるパターン描画装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a spatial light modulator having a high extinction ratio and a pattern drawing apparatus equipped with the spatial light modulator and capable of drawing a pattern with excellent drawing quality. The purpose is to do.
この発明にかかる空間光変調器は、上記目的を達成するため、電界を受けて発生する分極の向きが互いに反対である第1分極部および第2分極部を交互に所定周期で第1方向に配列した周期分極反転構造を有し、第1方向に対して傾斜した第2方向に沿って進む光が周期分極反転構造を介して通過する電気光学結晶基板と、電気光学結晶基板の一方主面上に設けられた複数の第1電極と、電気光学結晶基板の他方主面上に設けられた第2電極と、複数の第1電極と第2電極の間での電界発生をそれぞれ制御して周期分極反転構造内での回折効率を変調させる変調部とを備え、複数の第1電極は周期分極反転構造内を進む光の進行方向と略垂直な第3方向に互いに離間して配列され、複数の第1電極の各々は、当該第1電極と第2電極の間で発生する電界を受けて周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、配置されていることを特徴としている。 In order to achieve the above object, the spatial light modulator according to the present invention is configured so that the first polarization unit and the second polarization unit, which are opposite to each other in the direction of polarization generated by receiving an electric field, alternately in the first direction at a predetermined cycle. An electro-optic crystal substrate having arranged periodic domain-inverted structures and traveling along a second direction inclined with respect to the first direction, and one main surface of the electro-optic crystal substrate; A plurality of first electrodes provided above, a second electrode provided on the other main surface of the electro-optic crystal substrate, and control of electric field generation between the plurality of first electrodes and the second electrodes, respectively. A modulation unit that modulates the diffraction efficiency in the periodically poled structure, and the plurality of first electrodes are arranged apart from each other in a third direction that is substantially perpendicular to the traveling direction of the light traveling in the periodically poled structure, Each of the plurality of first electrodes is generated between the first electrode and the second electrode. Diffraction grating generated by receiving an electric field periodically poled structure which is to satisfy the condition of Bragg diffraction, it is characterized in that it is arranged.
また、この発明にかかるパターン描画装置は、記録材料にパターンを描画するパターン描画装置であって、上記目的を達成するため、光源部と、光源部からの光が入射される請求項1ないし9のいずれか一項に記載の空間光変調器と、空間光変調器と記録材の間に配置されて周期分極反転構造を通過してくる0次光およびブラッグ回折光のうちの一方を記録材料に導く光学系とを備えたことを特徴としている。 The pattern drawing apparatus according to the present invention is a pattern drawing apparatus for drawing a pattern on a recording material, and in order to achieve the above object, a light source unit and light from the light source unit are incident thereon. The spatial light modulator according to any one of the above, and one of zero-order light and Bragg diffracted light, which is disposed between the spatial light modulator and the recording material and passes through the periodically poled structure, is a recording material. And an optical system leading to
このように構成された発明(空間光変調器および該空間光変調器を備えたパターン描画装置)では、複数の第1電極が周期分極反転構造内を進む光の進行方向と略垂直な第3方向に互いに離間して電気光学結晶基板の一方主面上に配列されている。また、これらの第1電極の各々と第2電極の間での電界発生が変調部により制御され、第1電極ごとに周期分極反転構造内での回折効率が変調される。こうして、第1電極の個数に対応したチャンネル数で空間光変調が可能となっている。つまり、後述する第1実施形態や第3実施形態等のように、第1電極をそれぞれ独立して制御する場合、第1電極と同数のチャンネル数で光変調を行うことができる。また、後述する第2実施形態等のように隣接する複数の第1電極を一単位として制御する場合、第1電極の個数と単位数で決まるチャンネル数で光変調を行うことができる。 In the invention thus configured (spatial light modulator and pattern drawing apparatus including the spatial light modulator), a plurality of first electrodes are substantially perpendicular to the traveling direction of light traveling through the periodically poled structure. They are arranged on one main surface of the electro-optic crystal substrate so as to be spaced apart from each other in the direction. In addition, the electric field generation between each of the first electrodes and the second electrode is controlled by the modulation unit, and the diffraction efficiency in the periodically poled structure is modulated for each first electrode. Thus, spatial light modulation is possible with the number of channels corresponding to the number of first electrodes. That is, as in the first embodiment and the third embodiment described later, when the first electrodes are controlled independently, light modulation can be performed with the same number of channels as the first electrodes. In addition, when a plurality of adjacent first electrodes are controlled as a unit as in the second embodiment described later, light modulation can be performed with the number of channels determined by the number of first electrodes and the number of units.
また、本発明では、各第1電極は、上記のようにして周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、配置されている。したがって、変調部による電界発生によりブラッグ回折光を生じさせることができる。このようにして得られるブラッグ回折光の回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器を用いて0次光およびブラッグ回折光のうちの一方を記録材料に導いてパターンを描画することで描画品質を高めることができる。 In the present invention, each first electrode is arranged so that the diffraction grating generated in the periodically poled structure satisfies the Bragg diffraction condition as described above. Therefore, Bragg diffracted light can be generated by the generation of an electric field by the modulation unit. The diffraction efficiency of the Bragg diffracted light thus obtained is high, and as a result, a high extinction ratio is obtained. Further, drawing quality can be improved by drawing one of the 0th-order light and the Bragg diffracted light to the recording material using this spatial light modulator to draw a pattern.
ここで、上記第3方向としては、例えば周期分極反転構造に入射された入射光の進む方向に対して略直交する方向とすることができる。この場合、複数の第1電極がそれぞれ入射光の進む方向に延設されると、入射光は長い距離にわたって回折格子によるブラッグ回折を受けるため、第1電極に与える電圧を低く設定することができ、高速変調が可能となる。また、周期分極反転構造内でブラッグ回折されたブラッグ回折光の進む方向に対して略直交する方向を上記第3方向としてもよく、この場合も第1電極の各々をブラッグ回折光の進む方向に延設することで上記と同様に高速変調が可能となる。 Here, the third direction can be a direction substantially orthogonal to the traveling direction of the incident light incident on the periodically poled structure, for example. In this case, when the plurality of first electrodes are each extended in the direction in which the incident light travels, the incident light is subjected to Bragg diffraction by the diffraction grating over a long distance, so that the voltage applied to the first electrode can be set low. High-speed modulation is possible. Further, the third direction may be a direction substantially orthogonal to the traveling direction of the Bragg diffracted light that is Bragg diffracted in the periodically poled structure. In this case as well, each of the first electrodes is set in the traveling direction of the Bragg diffracted light. By extending, high-speed modulation can be performed as described above.
また、第3方向での第1電極の幅については任意であるが、所定周期より広くなるように構成する、つまり互いに隣接配置された第1分極部および第2分極部からなる分極対よりも大きな幅を有するように構成してもよい。この場合、周期分極反転構造の製造に比べて第1電極の製造は容易となり、しかも効果的な回折角が得られて高効率な光変調が可能となる。 Further, the width of the first electrode in the third direction is arbitrary, but it is configured to be wider than a predetermined period, that is, more than a polarization pair composed of a first polarization part and a second polarization part arranged adjacent to each other. You may comprise so that it may have a big width | variety. In this case, the first electrode can be easily manufactured as compared with the manufacture of the periodically poled structure, and an effective diffraction angle can be obtained and highly efficient light modulation can be achieved.
また、分極部を傾斜させると、消光比をさらに高めることができる。すなわち、互いに隣接配列された第1分極部および第2分極部の境界面が電気光学結晶基板の一方主面および他方主面に対して傾斜するように周期分極反転構造を構成してもよい。このように構成した場合、上記境界面が電気光学結晶基板の一方主面および他方主面に対して直交するように配置した場合に比べ、回折領域が制限され、ブラッグ回折における再結合が防止される。これによって、ゴースト光の発生を抑制することができ、消光比をさらに高めて高コントラストな光変調を行うことができる。また、このような空間光変調器を用いることで描画品質をさらに高めることができる。 Further, when the polarization part is inclined, the extinction ratio can be further increased. That is, the periodic polarization inversion structure may be configured such that the boundary surfaces between the first polarization portion and the second polarization portion arranged adjacent to each other are inclined with respect to the one main surface and the other main surface of the electro-optic crystal substrate. When configured in this way, the diffraction region is limited and recombination in Bragg diffraction is prevented compared to the case where the boundary surface is arranged so as to be orthogonal to the one main surface and the other main surface of the electro-optic crystal substrate. The Thus, it is possible to suppress the occurrence of the ghost light, it is possible to perform further enhanced by high contrast optical modulation extinction ratio. Moreover, drawing quality can be further improved by using such a spatial light modulator.
また、電気光学結晶基板に、一方主面から他方主面に向かう厚さ方向の一部でスラブ導波路を設けてもよく、これによってスラブ導波路内で光が封じ込められて伝播するため、電気光学結晶基板内での光の損失を低減することができる。このようなスラブ導波路としては、例えばアニールプロトン交換法により形成することができ、Ti(チタン)拡散法と比べてもより短波長(例えば紫外域)での使用が可能となる。また、そのスラブ導波路を厚さ方向の中央に形成してもよく、この場合、光損失をさらに低減することができる。 In addition, the electro-optic crystal substrate may be provided with a slab waveguide in a part of the thickness direction from the one main surface to the other main surface, whereby light is confined and propagated in the slab waveguide. Light loss in the optical crystal substrate can be reduced. Such a slab waveguide can be formed by, for example, an annealing proton exchange method, and can be used at a shorter wavelength (for example, in the ultraviolet region) than the Ti (titanium) diffusion method. It is also possible to form the slab waveguide in the center of the thickness direction, in this case, it is possible to further reduce light loss.
さらに、電気光学結晶基板の一方主面から他方主面までの厚さを30μm以下にすると、低電圧で空間光変調器を駆動することが可能となり、高速な光変調を行うことができる。 Furthermore, when the thickness from one main surface to the other main surface of the electro-optic crystal substrate is 30 μm or less, the spatial light modulator can be driven at a low voltage, and high-speed light modulation can be performed.
この発明にかかる空間光変調器によれば、複数の第1電極が周期分極反転構造を有する電気光学結晶基板の一方主面に設けられ、他方主面に設けられた第2電極と各第1電極との間での電界発生を制御することで各第1電極ごとにブラッグ回折を生じさせることが可能となっており、高い消光比が得られる。また、このような空間光変調器を用いることで優れた描画品質で記録材料にパターンを描画することができる。 According to the spatial light modulator according to the present invention, the plurality of first electrodes are provided on one main surface of the electro-optic crystal substrate having the periodically poled structure, and the second electrode provided on the other main surface and each first electrode. By controlling the electric field generation between the electrodes, Bragg diffraction can be generated for each first electrode, and a high extinction ratio can be obtained. Further, by using such a spatial light modulator, a pattern can be drawn on a recording material with excellent drawing quality.
<第1実施形態>
図1は本発明にかかる空間光変調器を装備したパターン描画装置の第1実施形態を示す斜視図であり、図2は図1に示すパターン描画装置の側面図であり、図3は図1のパターン描画装置の電気的構成を示すブロック図である。このパターン描画装置1では、基台2の一方端側領域(図1および図2の左手側領域)が基板Wの受け渡しを行う基板受渡領域となっているのに対し、他方端側領域(図1および図2の右手側領域)が基板Wへのパターン描画を行うパターン描画領域となっている。この基台2上では、基板受渡領域とパターン描画領域の境界位置にヘッド支持部21が設けられている。このヘッド支持部21では、基台2から上方に2本の脚部材211、212が立設されるとともに、それらの脚部材211、212の頂部を橋渡しするように梁部材213が横設されている。そして、このように構成されたヘッド支持部21のパターン描画領域側で光学ヘッド3が上下方向Zに移動自在に取り付けられており、露光制御部41からの動作指令に応じてヘッド移動機構30が作動することで後述するステージ5に保持される基板Wと光学ヘッド3との距離を高精度に調整可能となっている。なお、光学ヘッド3は本発明にかかる空間光変調器を装備して基板Wに対して光を照射して露光するものであり、その構成および動作については、後で詳述する。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of a pattern drawing apparatus equipped with a spatial light modulator according to the present invention, FIG. 2 is a side view of the pattern drawing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. It is a block diagram which shows the electrical structure of the pattern drawing apparatus of this. In this
また、基台2の基板受渡領域では、パターン描画領域と反対側の端部に2本の脚部材221、222が立設されている。そして、脚部材221、222の頂部と梁部材213の上面を橋渡しするように光学ヘッド3の照明光学系を収納したボックスが設けられている。また、図2に示すように、梁部材213の基板受渡領域側側面にカメラ(撮像部)6が固定されてステージ5に保持された基板Wの表面(被描画面、被露光面)を撮像可能となっている。
In the substrate delivery area of the
この基板受渡領域の近傍には、基板収納カセットCS、プリアライメント部PAおよび基板搬送ロボット7が配置されている。この基板搬送ロボット7はウエハなどの基板Wをハンドリングするハンド71および当該ハンド71を移動させるハンド移動機構72などを有している。そして、露光制御部41からの指令に応じてハンド移動機構72が作動することで基板Wが基板収納用のカセットCS、プリアライメント部PAおよび基板受渡領域に位置するステージ5の間で搬送される。すなわち、未処理の基板WはカセットCSからプリアライメント部PAに搬送されて、いわゆるプリアライメント処理を受ける。その後、基板搬送ロボット7によりプリアライメント部PAからステージ5に搬送される。また、後述するようにしてパターン描画領域でパターンが描画された基板Wはステージ5とともに基板受渡領域に移動され、基板搬送ロボット7によりカセットCSに搬入される。
This in the vicinity of the substrate transfer area, substrate storage cassette CS, the prealignment unit PA and the
このステージ5は基台2上でステージ移動機構51によりX方向、Y方向ならびにθ方向に移動される。すなわち、ステージ移動機構51は基台2の上面にY軸駆動部(図示省略)、X軸駆動部(図示省略)およびθ軸駆動部(図示省略)をこの順序で積層配置したものであり、ステージ5を水平面内で2次元的に移動させて位置決めする。また、ステージ5をθ軸(鉛直軸)回りの回転させて後述する光学ヘッド3に対する相対角度を調整して位置決めする。なお、このようなステージ移動機構51としては、従来より多用されているX−Y−θ軸移動機構を用いることができる。
The stage 5 is moved in the X direction, the Y direction and the θ direction by the
次に光学ヘッド3の構成および動作について説明する。この実施形態では、光学ヘッド3は上記したようにヘッド支持部21に対して上下方向Zに移動自在に取り付けられており、光学ヘッド3の直下位置で移動している基板Wに対して光を落射することでステージ5に保持された基板Wを露光してパターンを描画する。なお、本実施形態では、光学ヘッド3はX方向に複数チャンネルで光を同時に照射可能となっており、X方向が「副走査方向」に相当している。また、ステージ5をY方向に移動させることで基板Wに対してパターンを2次元的に描画することが可能となっており、Y方向が「主走査方向」に相当している。
Next, the configuration and operation of the
図4は光学ヘッドの内部構成を簡略化して示す図であり、同図(a)は光学ヘッド3の光軸OAおよび副走査方向Xに沿って光学ヘッド3を上方(すなわち、図1中の(+Y)側)から見た場合の光学ヘッド3の内部構成を示し、同図(b)は主走査方向Yに沿って図1のプリアライメントPA側(左下側)から光学ヘッド3側を見た場合(すなわち、光学ヘッド3の(−X)側から(+X)方向を向いて見た場合)の光学ヘッド3の内部構成を示している。
FIG. 4 is a diagram showing the internal configuration of the optical head in a simplified manner. FIG. 4A shows the
図4に示す光学ヘッド3は、所定の波長(例えば、830、635、405、あるいは、355ナノメートル(nm))の光ビームを出射する半導体レーザなどにより構成された光源部31を有している。なお、355nmのレーザ光を用いる場合は、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザの3倍高調波を用いる固体レーザ光源となる。この光源部31はコリメータレンズ(図示省略)を有しており、半導体レーザから出射される光ビームはコリメータレンズを介して平行光とされて図示を省略するミラーを介して照明光学系32に入射する。
The
この照明光学系32は3枚のシリンドリカルレンズ321〜323により構成されており、光源部31から出射してきた光ビームはシリンドリカルレンズ321〜323の順で通過して空間光変調器33に入射する。これらのうちシリンドリカルレンズ321はX方向にのみ負のパワーを有しており、シリンドリカルレンズ321を通過した光は光軸OAに垂直な光束断面が円形から次第にX方向に長い楕円形へと変化する。一方、光軸OAおよびX方向に垂直なY方向に関して、シリンドリカルレンズ321を通過した光の光束断面の幅は(ほぼ)一定とされる。また、シリンドリカルレンズ322はX方向にのみ正のパワーを有しており、シリンドリカルレンズ321を通過した光ビームはシリンドリカルレンズ322によりビーム整形される。つまり、シリンドリカルレンズ322を通過した光は、光束断面がX方向に長い一定の大きさの楕円形とされてシリンドリカルレンズ323へと入射する。このシリンドリカルレンズ323は、Y方向にのみ正のパワーを有し、Y方向のみに着目した場合には、図4(b)に示すように、シリンドリカルレンズ323を通過した光は集光しつつ電気光学結晶基板331の(−Z)側の端面(以下、「入射面」という)331aへと入射する。また、X方向に関しては、図4(a)に示すように、シリンドリカルレンズ323からの光ビームは平行光ビームとして空間光変調器33に入射する。
The illumination
図5は空間光変調器を示す図であり、同図(a)は空間光変調器33の分解組立斜視図であり、同図(b)は空間光変調器33の部分図である。また、図6は図5に示す空間光変調器の動作を模式的に示す図である。この空間光変調器33は、本発明にかかる空間光変調器の第1実施形態に相当し、薄板状またはスラブ状の電気光学結晶基板331と、電気光学結晶基板331の上方主面332上に配置される第1電極333と、電気光学結晶基板331の下方主面334上に配置される第2電極335と、第1電極333の各々に対して独立して所望の電位を印加する電位付与部336とを備えている。
FIG. 5 is a view showing the spatial light modulator, FIG. 5A is an exploded perspective view of the spatial
この実施形態では、電気光学結晶基板331はリチウムナイオベート(LiNbO3)(すなわち、ニオブ酸リチウムであり、LNと略称される。)の単結晶にて形成されており、その厚み(方向Yにおける高さ)は例えば数十ミクロン、好ましくは30ミクロン以下となっている。この電気光学結晶基板331では、電界を受けて発生する分極の向きが互いに反対である第1分極部3311および第2分極部3312が交互に配列されており、電気光学結晶基板331は分極反転構造を有している。この実施形態では、特に、図6に示すように、第1分極部3311および第2分極部3312はいずれも配列方向ADに垂直な方向WDに伸びる帯状形状を有し、配列方向ADにおいて同一幅を有するとともに、互いに隣接配列された第1分極部3311および第2分極部3312からなる分極対3313が所定周期(XY断面において格子周期RC)で配列方向ADに配列されており、電気光学結晶基板331はいわゆる周期分極反転構造を有している。このように配列方向ADは本発明の「第1方向」に相当するものであり、本実施形態では空間光変調器33に入射する光ビームの進む方向Z(本発明の「第2方向」に相当)に対して角度θbだけ傾いた方向となっている。
In this embodiment, the electro-
また、電気光学結晶基板331では、第1分極部3311および第2分極部3312の結晶軸は互いに反対の向きを有しており、次に説明するように第1電極333と第2電極335の間で電位差を発生させて電界を周期分極反転構造内で生じさせると、当該電界を受けて発生する分極の向きが互いに反対となる。なお、ここで用いる電気光学結晶331はLNの他にリチウムタンタレート(LiTaO3:LT)などもあり、結晶軸は共に分極反転方向(電界を加える方位)がポッケルス定数(電気光学定数)の値の大きなr33のZ軸方向となる。
Further, in the electro-
また、第1分極部3311と第2分極部3312は結晶の軸方位(+Z)が逆であるが、元々均一な方位を持った結晶に例えば第2分極部に相当する部分(周期的)に電気光学結晶が固有に持っている分極反転電圧を一時的に印加するなどして部分的(周期的)に結晶の軸方位(+Z)を反転させて作る。この加工を施された結晶を用いる。故に本実施形態の場合、第1分極部3311は元々の結晶の軸方位であり、第2分極部は分極反転加工された軸方位となっている。
In addition, the
この実施形態では、図5および図6に示すように、複数(本実施形態では「5本」)の第1電極333はいずれも入射光LIの進む方向Zと平行な方向に伸びるスラブ形状を有しており、入射光LIの進む方向Zとほぼ直交する方向Xにおける電極幅EW1は格子周期RCの約3倍となっている。また、このような形状を有する第1電極333は電気光学結晶基板331の上方主面332上でX方向に格子周期RCより短い間隔EW2で平行に配列されている。一方、電気光学結晶基板331の下方主面334に対しては、当該下方主面334全体を覆うように第2電極335が配置されており、複数の第1電極333に対する共通電極として機能する。
In this embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the plurality of (“5” in the present embodiment)
このように構成された空間光変調器33では、第2電極335は接地されるのに対し、複数の第1電極333は電位付与部336に接続され、露光制御部41からの動作指令に応じてそれぞれ独立して電位付与部336から電位付与を受ける。このため、電気光学結晶基板331の周期分極反転構造内では、電位付与部336から所定電位V1(0V以外の電位)が付与された第1電極333に対応する領域でのみ第1電極333と第2電極335(共通電極)の間で生じる電界により分極方位に従った屈折率変化が発生して回折格子が形成される。しかも、この実施形態では、角度θbは上記のようにして形成される回折格子によりブラッグ回折が生じる条件を満足するように設定されている。したがって、例えば図6に示すように、5本の第1電極333のうち第2チャンネルに相当する第1電極333(2ch)に対してのみ電位V1を印加すると、当該第1電極333(2ch)に対応する周期分極反転構造の内部領域でのみ屈折率変化による回折格子が形成され、入射光LIのうち第1電極333(2ch)と第2電極335の間を進む光ビームのみがブラッグ回折して水平面(XZ平面)内で方向Zに対して角度(2θb)だけ傾いて空間光変調器33からブラッグ回折光BLとして出射する。一方、第1電極333への電圧印加を行わずに第1電極333と第2電極335の電位差がゼロであり、電界が発生しない場合には、両電極333、335間の屈折率分布は一様となっており、回折格子は形成されない。したがって、この場合の光ビームはそのまま真っ直ぐに電気光学結晶基板331内を直進して電気光学結晶基板331から0次光L0として出射する。このように5本の第1電極333に対する電位付与をそれぞれ制御することで5チャンネル分の光変調を行うことができる。また、回折効率100%回折を起こす電圧よりも低い電圧を加える事で中間的な回折効率の変調(中間調変調・グレースケール変調)がおこなえる事は言うまでもない。
In the spatial
図4に戻って、光学ヘッド3の構成説明を続ける。上記のように構成された空間光変調器33の出射側(図4の右手側)に、Y方向にのみ正のパワーを有するシリンドリカルレンズ34、レンズ351、アパーチャ3521を有するアパーチャ板352、レンズ353がこの順序で配置されている。シリンドリカルレンズ34はY方向にのみ正のパワーを有しており、空間光変調器33からの0次光L0またはブラッグ回折光BLは、図4(b)に示すように、シリンドリカルレンズ34にてY方向に関してほぼ平行な光とされ、正のパワーを有するレンズ351に入射する。
Returning to FIG. 4, the description of the configuration of the
ここで、レンズ351の前側焦点は第1電極333の(+Z)側の端部近傍における電気光学結晶基板331内の位置とされ、レンズ351の後側焦点にアパーチャ3521が位置するようにアパーチャ板352が配置される。したがって、電気光学結晶基板331中で回折を受けず、レンズ34を通過してX方向およびY方向の双方にほぼ平行とされる0次光L0は、図4(b)中に細い実線にて示すように、レンズ351を介してアパーチャ3521に集光し、当該アパーチャ3521を通過してレンズ353に入射する。このレンズ353は、前側焦点がアパーチャ3521の近傍に位置し、後側焦点がステージ5に保持された基板Wの表面上となるように配置されており、0次光L0はレンズ353を介して基板Wの表面上に照射される。例えば図6(a)で示したように第2チャンネルの第1電極333(2ch)のみに電圧V1を付与したときには、他のチャンネル(1、3〜5ch)に対応する0次光L0が上記のようにして基板Wの表面上に照射されて各チャンネル(1、3〜5ch)に対応してスポット状に露光される。一方、ブラッグ回折光BLは、図4(b)中に破線にて示すように、光軸OAに対して角度(2θb)だけ傾いて電気光学結晶基板331から出射されるため、アパーチャ3521から離れた位置、つまりアパーチャ板352の表面で遮蔽される。
Here, the front focal point of the
このように、本実施形態では、レンズ351、アパーチャ板352およびレンズ353により、いわゆるシュリーレン光学系35が構成されている。このシュリーレン光学系35は両側テレセントリック光学系と同等の配置であり、図4に示すように、複数のチャンネルを有する光学ヘッド3で基板Wに露光する場合にも、その露光面(基板Wの表面)に対して各チャンネルの0次光LOの主光線(図4中の2点鎖線)は垂直であり、露光面のピント方向Zの変動に対して倍率の変化を受けない。その結果、高精度な露光が可能となる。このように第1実施形態では0次光を用いて基板Wへのパターン描画を行っている。また、上記のように配置されたレンズ34およびシュリーレン光学系35が本発明の「光学系」として機能しており、空間光変調器33からの光を基板Wの表面(被露光面、被描画面)に案内している。
Thus, in the present embodiment, the so-called Schlieren
なお、上記のように構成されたパターン描画装置1は装置全体を制御するためにコンピュータ8を有している。このコンピュータ8はCPUやメモリ81等を有しており、露光制御部41とともに電装ラック(図示省略)内に配置されている。また、コンピュータ8内のCPUが所定のプログラムに従って演算処理することにより、ラスタライズ部82、伸縮率算出部83、データ修正部84およびデータ生成部85が実現される。例えば1つのLSIに相当するパターンのデータは外部のCAD等により生成されたデータであり、予めLSIデータ811としてメモリ81に準備されており、当該LSIデータ811に基づき次のようにしてLSIのパターンが基板W上に描画される。
The
ラスタライズ部82は、LSIデータ811が示す単位領域を分割してラスタライズし、ラスタデータ812を生成してメモリ81に保存する。こうしてラスタデータ812の準備後、または、ラスタデータ812の準備と並行して、上記のようにしてカセットCSに収納されている未処理の基板Wがロボット7により搬出され、プリアライメント部PAによるプリアライメント処理を受けた後にロボットによってステージ5に載置される。
The rasterizing
その後、ステージ移動機構51によりステージ5がカメラ6の直下位置に移動して基板W上の各アライメントマーク(基準マーク)を順番にカメラ6の撮像可能位置に位置決めし、カメラ6によるマーク撮像が実行される。カメラ6から出力される画像信号は電装ラック内の画像処理回路(図3において図示省略)により処理され、アライメントマークのステージ5上の位置が正確に求められる。そして、これらの位置情報に基づきθ軸駆動部51Tが作動してステージ5を鉛直軸回りに微小回転させて基板Wへのパターン描画に適した向きにアライメント(位置合わせ)される。ここで、ステージ5を光学ヘッド3の直下位置に移動させた後で当該アライメントを行ってもよい。
Thereafter, the stage 5 is moved to a position immediately below the
図3に示す伸縮率算出部83は、画像処理回路にて求められた基板W上のアライメントマークの位置、および基板Wの向きの修正量を取得し、アライメント後のアライメントマークの位置、並びに、主走査方向Yおよび副走査方向Xに対する基板Wの伸縮率(すなわち、主面の伸縮率)を求める。
The stretch
一方、データ修正部84はラスタデータ812を取得し、伸縮の検出結果である伸縮率に基づいてデータの修正を行う。なお、このデータ修正については、例えば特許第4020248号に記載の方法を採用することができ、1つの分割領域のデータ修正が終了すると、修正後のラスタデータ812がデータ生成部85へと送られる。データ生成部85では、変更後の分割領域に対応する描画データ、すなわち、1つのストライプに相当するデータが生成される。
On the other hand, the
こうして生成された描画データは、データ生成部85から露光制御部41へと送られ、露光制御部41が電位付与部336、ヘッド移動機構30およびステージ移動機構51の各部を制御することにより1ストライプ分の描画が行われる。なお、露光動作については上記したとおり電位付与部336による電界発生制御により行われる。1つのストライプに対する露光記録が終了すると、次の分割領域に対して同様の処理が行われ、ストライプごとの描画が繰り返される。こうして、基板W上の全ストライプの描画が終了して基板Wの表面への所望パターンの描画が完了すると、ステージ5は描画済み基板Wを載置したまま基板受渡位置(図1および図2の左側領域)に移動した後、基板搬送ロボット7により基板WがカセットCSへと戻され、次の基板Wが取り出されて上記したと同様の一連の処理が繰り返される。さらに、カセットCSに収納されている全ての基板Wに対するパターン描画が終了すると、カセットCSがパターン描画装置1から搬出される。
The drawing data generated in this way is sent from the
以上のように、上記実施形態によれば、5本の第1電極333が電気光学結晶基板331の周期分極反転構造内を進む入射光LIの進行方向Zと略垂直なX方向に互いに離間して電気光学結晶基板331の一方主面332上に配列されている。各第1電極333は電位付与部336と電気的に接続されており、電位付与部336が第1電極333に印加する電圧を制御して第1電極333の各々と第2電極335の間での電界発生を制御し、第1電極333ごとに周期分極反転構造内での回折効率を変調している。このように本実施形態では、電位付与部336が本発明の「変調部」として機能しており、第1電極333と同数のチャンネル数で光変調を行うことが可能となっている。
As described above, according to the above-described embodiment, the five
しかも、本実施形態では、上記のようにして周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、各第1電極333は配置されている。より詳しくは、本実施形態では、入射光LIに対して第1分極部3311および第2分極部3312の配列方向ADを角度(90゜−θb)だけ傾けている。この角度θbは入射光LIをブラッグ回折させる場合の回折角である。例えば、周期分極反転構造での格子周期RCを10μmとし、入射光LIの波長を635nmとした場合、回折角θbを3.18mrad(約1.8゜)に設定すると、周期分極反転構造内で生じる回折格子によってブラッグ回折光BLが分離角2θb、つまり63.5mrad(約3.6゜)で電気光学結晶基板331から出射する。このように、電位付与部336により電界発生を制御することでブラッグ回折光BLを生じさせることができ、ブラッグ回折光BLの回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器33を用いて0次光L0を基板W(記録材料)に導いてLSIデータに対応するパターンを描画することができ、描画品質を大幅に向上させることができる。
In addition, in the present embodiment, each
また、X方向における第1電極333の電極幅EW1が格子周期RCより広く、例えば格子周期RCの約3倍程度となるように各第1電極333は形成されている。このため、周期分極反転構造の製造に比べて第1電極333の製造は容易となり、しかも効果的な回折角が得られて高効率な光変調が可能となる。ただし、電極幅EW1が広くなるにしたがって露光幅は広がるため、基板Wへのパターン描画を高解像度に行うという観点からすれば、格子周期RCの3〜5倍程度に設定するのが好ましい。
Each
<第2実施形態>
ところで、第1実施形態では、第1電極333の電極幅EW1が格子周期RCより広いが、X方向における第1電極333の電極幅EW1を細くしてもよい。
Second Embodiment
By the way, in 1st Embodiment, although the electrode width EW1 of the
図7は本発明の第2実施形態を示す図である。この第2実施形態では、同図に示すように、格子周期RCと同程度の電極幅EW1を有し、光軸OAと平行に延びる第1電極333を複数本、入射光LIと略垂直となる方向Xに互いに離間しながら配列している。また、第2実施形態においても、各第1電極333ごとに独立して電圧印加するように構成しており、図示省略する電位付与部336からの電圧印加態様を制御することでチャンネル数および露光幅を細かく調整することが可能となっている。この第2実施形態では、15本の第1電極333が設けられているが、同図(a)に示すように隣接する3本ごとに電圧印加を制御すると、5チャンネルで比較的細い露光幅が得られ、同図(b)に示すように回折光BLの位置を電極1本分シフトさせる制御をおこなうと露光位置を細かく設定できる。つまり、同図(c)に示すように、第2チャンネル(2ch)の位置を電極単位で細かく制御することができる。なお、同図に示す実施形態では、1チャンネルを3分割した単位で制御可能となっている。もちろん、第1実施形態と同様に、周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、各第1電極333は一方主面332上で配置されている。そして、電位付与部336から複数本単位(第2実施形態では、「3本」)で第1電極333への電圧印加を調整することで電界発生を制御してブラッグ回折光BLを生じさせている。したがって、第1実施形態と同様に、ブラッグ回折光BLの回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器33を用いて0次光L0を基板W(記録材料)に導いてLSIデータに対応するパターンを描画することができ、描画品質を大幅に向上させることができる。
FIG. 7 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, as shown in the figure, a plurality of
<第3実施形態>
図8は本発明の第3実施形態を示す図である。この第3実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、第1電極333の配置である。すなわち、複数の第1電極333は、第1実施形態では入射光LIの進む方向Zに対して略垂直な方向Xに配置されているのに対し、第3実施形態ではブラッグ回折光BLの進む方向BD(本発明の「第2方向」に相当)に対して略垂直な方向NDに互いに離間して配置されている。このように本発明の「第3方向」に相当する方向NDに複数の第1電極333を離間して配置した場合も、第1実施形態と同様の作用効果が得られる。なお、第2実施形態においては、第1電極333はブラッグ回折光BLの進む方向BDに延設されている。
<Third Embodiment>
FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. The third embodiment is greatly different from the first embodiment in the arrangement of the
また、第3実施形態では、第1実施形態と同様に比較的幅広の第1電極333を用いて第1電極333と同数のチャンネル数で光変調を行うことが可能となっているが、第2実施形態と同様に比較的狭い第1電極333を用いる場合においても、第1電極333をブラッグ回折光BLの進む方向BDに対して略垂直な方向NDに互いに離間して配置することで第2実施形態と同様の作用効果が得られる。
Further, in the third embodiment, it is possible to perform light modulation with the same number of channels as the
<第4実施形態>
図9は本発明の第4実施形態を示す図である。この第4実施形態はブラッグ回折光BLを用いて基板Wの表面へのパターン描画を行う点で、0次光LOを用いて露光記録を行う第1実施形態と大きく相違している。すなわち、第4実施形態の特徴部分は、図9に示すように、空間光変調器33の出射側に設けられる光学系(シリンドリカルレンズ34+シュリーレン光学系35)がXZ平面において入射光LIの進む方向(空間光変調器33の入射側の光軸OA)に対して角度2θbだけ傾斜して配置されている点である。
<Fourth embodiment>
FIG. 9 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention. The fourth embodiment is largely different from the first embodiment in which exposure recording is performed using the 0th-order light LO in that a pattern is drawn on the surface of the substrate W using the Bragg diffracted light BL. That is, as shown in FIG. 9, the characteristic part of the fourth embodiment is that the optical system (
このように構成されたパターン描画装置では、同図(a)の破線にて示すように、空間光変調器33でブラッグ回折されて空間光変調器33の出射面からブラッグ回折光BLはレンズ351を介してアパーチャ3521に集光し、当該アパーチャ3521を通過してレンズ353に入射する。そして、このレンズ353によりブラッグ回折光BLはレンズ353を介して基板Wの表面上に照射される。例えば第1、3〜5チャンネルの第1電極333に電圧V1を付与したときには、これらのチャンネル(1、3〜5ch)に対応するブラッグ回折光BLが上記のようにして基板Wの表面上に照射されて各チャンネル(1、3〜5ch)に対応してスポット状に露光される。一方、2チャンネルの光、つまり0次光LOは、図9(a)中に実線にて示すように、光軸OAと平行に電気光学結晶基板331から出射されるため、アパーチャ3521から離れた位置、つまりアパーチャ板352の表面で遮蔽される。
In the pattern drawing apparatus configured as described above, as indicated by a broken line in FIG. 5A, the Bragg diffracted light BL is diffracted by the spatial
以上のように、第4実施形態においては、電位付与部336により周期分極反転構造内での電界発生を制御することでブラッグ回折光BLを生じさせることができ、ブラッグ回折光BLの回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器33を用いてブラッグ回折光BLを基板W(記録材料)に導いてLSIデータに対応するパターンを描画することができ、描画品質を大幅に向上させることができる。
As described above, in the fourth embodiment, the Bragg diffracted light BL can be generated by controlling the electric field generation in the periodically poled structure by the
なお、上記第4実施形態では、図5および図6に示す空間光変調器33が用いられているが、使用可能な空間光変調器33はこれに限定されるものではなく、例えば図8に示す空間光変調器33を用いてもよい。
In the fourth embodiment, the spatial
<第5実施形態>
図10は本発明の第5実施形態を示す図であり、空間光変調器33の具体的構成を示している。同図に示す空間光変調器33は電気光学結晶基板331内にスラブ導波路3314を設けている点で第1実施形態の空間光変調器33(図5(b)参照)と大きく相違する。すなわち、第5実施形態では、図10(a)に示すように、電気光学結晶基板331の一方主面332全体に対してアニールプロトン交換法による処理が施されている。これにより、光の進行方向であるZ方向に垂直な電気光学結晶基板331の断面において一方主面322の位置(同図の上方位置)から(−Y)方向に離れるに従って屈折率(第1電極333と第2電極335間に電界が生じていない状態における屈折率)が小さくなる屈折率分布が、電気光学結晶基板331の全体において同様に形成される。なお、図10では光が進む方向Zに対して垂直な断面に対してグラデーションを付して一方主面332から(−Y)側に離れるに従って屈折率が漸次小さくなっていることを示している。このように構成することで、入射面331aを介して電気光学結晶基板331の周期分極反転構造に入射した光LIは、一方主面332近傍の屈折率が高い部分(薄い板状の部位)のみを通過してZ方向に導かれる。このように、図10(a)の空間光変調器33では、電気光学結晶基板331の一方主面332近傍の部位がスラブ導波路となっている。したがって、電気光学結晶基板331内を伝播している途中での光損失はごく僅かなものとなり、光を効率よく伝播させることができる。
<Fifth Embodiment>
FIG. 10 is a diagram showing a fifth embodiment of the present invention, and shows a specific configuration of the spatial
また光損失をさらに低減させるためには、例えば同図(b)に示すように第1電極333を電気光学結晶基板331の一方主面322から距離H1(1μm弱程度の僅かな距離)だけ離間させて空気層を形成したり、同図(c)に示すように電気光学結晶基板331の一方主面322と第1電極333の間にSiO2などの薄膜層337を介在させてもよい。このように構成された空間光変調器33では、金属製の第1電極333での光(エバネッセント波)の吸収がなく、その結果、光損失を低減させることができる。
In order to further reduce the optical loss, the
また、同図(d)に示すように、Y方向において電気光学結晶基板331の中央部にスラブ導波路3314を設けることで屈折率分布がスラブ導波路3314を中心に(+Y)方向および(−Y)方向でほぼ対称となり、電気光学結晶基板331内を伝播している途中での光損失をさらに低減させることができる。なお、同図(d)の電気光学結晶基板331については、次のようにして作成することができる。上記したように電気光学結晶基板331の両主面に対してアニールプロトン交換法による処理を施すと、各主面の近傍にスラブ導波路3314が形成される。そして、Y方向における電気光学結晶基板331の中央部に沿って同基板331を2つに分割した後、スラブ導波路3314同士を貼り合わせるることで同図(d)に示すようにY方向の中央部にスラブ導波路3314を有する電気光学結晶基板331が得られる。このようにして形成された電気光学結晶基板331を用いることで空間光変調器33での光損失を大幅に低減させることができる。
Further, as shown in FIG. 4D, by providing a
さらに、図5に示す電気光学結晶基板331をY方向にさらに薄く、例えば5μm以下に薄膜化することで電気光学結晶基板331そのものを全体的にスラブ導波路化してもよい。この場合、光損失は図10に示す電気光学結晶基板331よりも大きくなるが、第1電極333と第2電極335の距離が縮まり、周期分極反転構造内で発生する電界の強度が増大して電気光学効果も高まる。その結果、低電圧で光変調を行うことができる。
Further, the electro-
<第6実施形態>
図11は本発明の第6実施形態を示す図である。また、図12は図11に示すパターン描画装置で用いられた空間光変調器を示す図である。さらに、図13は第1実施形態と第6実施形態の対比図である。この第6実施形態にかかる空間光変調器33が第1実施形態と相違するのは、電気光学結晶基板331に形成される周期分極反転構造と、空間光変調器33とシリンドリカルレンズ34との間にスリット板36が配置されている点であり、その他の構成は基本的に第1実施形態と同一である。以下、その相違点を中心に説明する。
<Sixth Embodiment>
FIG. 11 is a diagram showing a sixth embodiment of the present invention. FIG. 12 is a diagram showing a spatial light modulator used in the pattern drawing apparatus shown in FIG. Further, FIG. 13 is a comparison diagram between the first embodiment and the sixth embodiment. The spatial
第6実施形態で用いられているスリット板36には、X方向に延びるスリット361が形成されており、当該スリット361を介して0次光LOが通過可能となっている。一方、第6実施形態では次に説明するように第1分極部3311および第2分極部3312が傾斜した周期分極反転構造を有しているために電気光学結晶基板331の中央部から一方主面332や他方主面334側に傾いて出射されるブラッグ回折光BLや次に説明する再結合光はスリット板36に遮蔽される。
In the
次に、第1実施形態と第6実施形態での周期分極反転構造の相違点、ならびに第6実施形態における特有の作用効果について図12および図13を参照しつつ説明する。第1実施形態では図5に示すように、互いに隣接配列された第1分極部3311および第2分極部3312の境界面3315が電気光学結晶基板331の一方主面332および他方主面334に対して直交している、つまり入射光LIが第1分極部3311および第2分極部3312に対して垂直入射するように構成されている。このため、図13の「第1実施形態」の欄に示すように、ブラッグ回折の回折面は一方主面332および他方主面334と平行で、かつ両者のほぼ中間に位置している。したがって、電気光学結晶基板331に入射した入射光LIがブラッグ回折されると、そのブラッグ回折光BLは回折面に沿って進み、再結合が生じる。この再結合光は回折面に沿って、しかも入射光LIと平行に進んで電気光学結晶基板331から出射する。このような再結合光は消光比を低減させる要因となるため、これを抑制することが消光比を高めて高コントラストを得る上で重要となる。
Next, the difference between the periodically poled structures in the first embodiment and the sixth embodiment, and the specific operational effects in the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13. In the first embodiment, as shown in FIG. 5, the
これに対し、第6実施形態では図12に示すように、第1分極部3311および第2分極部3312を傾斜させる、より具体的には第1分極部3311および第2分極部3312の境界面3315が電気光学結晶基板331の一方主面332および他方主面334に対して傾斜するように第1分極部3311および第2分極部3312が形成されている。このため、入射光LIは第1分極部3311および第2分極部3312に対して斜入射し、ブラッグ回折の回折面は図13の「第6実施形態」の欄に示すように、境界面3315の傾斜角に対応して傾斜している。したがって、入射光LIがブラッグ回折されると、そのブラッグ回折光BLは回折面に沿って一方主面3311(傾斜態様によっては他方主面3312)側に進む。このため、回折に必要な光の結合が生じにくくなり、再結合光の発生量は第1実施形態に比べて低減される。さらに、第1分極部3311および第2分極部3312の傾斜角(つまり両主面332、334に対する境界面3315の傾斜角)を適切に設定することで再結合を防止して再結合光の発生自体を排除することができる。
On the other hand, in the sixth embodiment, as shown in FIG. 12, the
以上のように、第6実施形態によれば、第1実施形態と同様の作用効果が得られるのみならず、第1分極部3311および第2分極部3312を傾斜させることによって再結合光の発生を抑制、さらには防止することができ、より高い消光比が得られる。
As described above, according to the sixth embodiment, not only the same effects as the first embodiment can be obtained, but also the recombination light is generated by inclining the
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第1、第2、第4〜第6実施形態では第1電極333が入射光LIの進む方向Zに延設されているが、同実施形態において、第1電極333の形状については第1電極333の配列方向Xにおいて隣接するチャンネル同士が重なり合わない限り任意である。また、第3実施形態ではブラッグ回折光BLが進む方向にBDに第1電極333が延設されているが、同実施形態において、第1電極333の形状については第1電極333の配列方向NDにおいて隣接するチャンネル同士が重なり合わない限り任意である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first, second, and fourth to sixth embodiments, the
また、上記実施形態では、本発明にかかる空間光変調器33を装備した光学ヘッド3にヘッド移動機構30を設けて基板Wと光学ヘッド3との距離を調整しているが、ステージ移動機構51に昇降駆動部を設けて上記距離を調整可能としてもよい。また、上記光学ヘッド3に対して基板Wを相対移動させる構成は上記実施形態に限定されるものではない。つまり、空間光変調器33から出射される複数の光をステージ5に保持された基板Wに照射する位置を基板Wに対して相対的に移動しつつ描画(LSI)データに応じて空間光変調器33を制御してパターンを描画するパターン描画装置全般に本発明を適用することができる。
In the above embodiment, the
また、パターンを描画する記録材料は、プリント配線基板や半導体基板等の感光性材料が塗布された、あるいは、感光性を有する他の材料であってもよく、光の照射による熱に反応する材料であってもよい。 The recording material for drawing the pattern may be a photosensitive material such as a printed wiring board or a semiconductor substrate, or may be another photosensitive material, and is a material that reacts to heat due to light irradiation. It may be.
さらに、上記のように構成された空間光変調器33はパターン描画以外の用途に用いられてもよく、この場合、光の照射の対象物も記録材料以外であってもよい。
Furthermore, the spatial
1…パターン描画装置
31…光源部
32…照明光学系
33…空間光変調器
34…シリンドリカルレンズ(光学系)
35…シュリーレン光学系(光学系)
331…電気光学結晶基板
3311…第1分極部
3312…第2分極部
3313…分極対
3314…スラブ導波路
3315…境界面
331a…入射面
332…(電気光学結晶基板の)一方主面
334…(電気光学結晶基板の)他方主面
336…電位付与部(変調部)
337…薄膜層
AD…配列方向(第1方向)
BD…ブラッグ回折光の進む方向(第2方向)
BL…ブラッグ回折光
LI…入射光
ND…配列方向(第3方向)
OA…光軸
RC…格子周期
W…基板
X…配列方向(第3方向)
Z…入射光の進む方向(第2方向)
DESCRIPTION OF
35 ... Schlieren optical system (optical system)
331: Electro-optic crystal substrate 3311:
337 ... thin film layer AD ... arrangement direction (first direction)
BD: Direction of travel of Bragg diffracted light (second direction)
BL: Bragg diffracted light LI: incident light ND: arrangement direction (third direction)
OA ... optical axis RC ... lattice period W ... substrate X ... arrangement direction (third direction)
Z: Direction in which incident light travels (second direction)
Claims (12)
前記電気光学結晶基板の一方主面上に設けられた複数の第1電極と、
前記電気光学結晶基板の他方主面上に設けられた第2電極と、
前記複数の第1電極と前記2電極の間での電界発生をそれぞれ制御して前記周期分極反転構造内での回折効率を変調させる変調部とを備え、
前記複数の第1電極は前記周期分極反転構造内を進む光の進行方向と略垂直な第3方向に互いに離間して配列され、
前記複数の第1電極の各々は、当該第1電極と前記第2電極の間で発生する電界を受けて前記周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、前記電気光学結晶基板に対して配置されていることを特徴とする空間光変調器。 Having a periodic polarization reversal structure in which first and second polarization parts having opposite directions of polarization generated by receiving an electric field are alternately arranged in a first direction at a predetermined period, with respect to the first direction; An electro-optic crystal substrate through which light traveling along the inclined second direction passes through the periodic domain-inverted structure;
A plurality of first electrodes provided on one main surface of the electro-optic crystal substrate;
A second electrode provided on the other main surface of the electro-optic crystal substrate;
A modulation unit that controls electric field generation between the plurality of first electrodes and the two electrodes, respectively, and modulates diffraction efficiency in the periodically poled structure,
The plurality of first electrodes are spaced apart from each other in a third direction substantially perpendicular to a traveling direction of light traveling in the periodically poled structure,
Each of the plurality of first electrodes receives the electric field generated between the first electrode and the second electrode so that a diffraction grating generated in the periodically poled structure satisfies the Bragg diffraction condition. A spatial light modulator characterized by being arranged with respect to an electro-optic crystal substrate.
光源部と、
前記光源部からの光が入射される請求項1ないし11のいずれか一項に記載の空間光変調器と、
前記空間光変調器と前記記録材の間に配置されて前記周期分極反転構造を通過してくる0次光およびブラッグ回折光のうちの一方を前記記録材料に導く光学系と
を備えたことを特徴とするパターン描画装置。 A pattern drawing apparatus for drawing a pattern on a recording material,
A light source unit;
The spatial light modulator according to any one of claims 1 to 11, wherein light from the light source unit is incident;
An optical system arranged between the spatial light modulator and the recording material and guiding one of zero-order light and Bragg diffracted light passing through the periodic polarization reversal structure to the recording material. A characteristic pattern drawing apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009188848A JP5318702B2 (en) | 2009-08-18 | 2009-08-18 | Pattern drawing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009188848A JP5318702B2 (en) | 2009-08-18 | 2009-08-18 | Pattern drawing device |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013087317A Division JP5643373B2 (en) | 2013-04-18 | 2013-04-18 | Spatial light modulator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011039415A true JP2011039415A (en) | 2011-02-24 |
JP5318702B2 JP5318702B2 (en) | 2013-10-16 |
Family
ID=43767229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009188848A Active JP5318702B2 (en) | 2009-08-18 | 2009-08-18 | Pattern drawing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5318702B2 (en) |
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JP5318702B2 (en) | 2013-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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