JP2011039415A - Spatial light modulator and pattern drawing apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spatial light modulator having a high extinction ratio and to provide a pattern drawing apparatus, capable of drawing a pattern with an excellent drawing quality by mounting the spatial light modulator. <P>SOLUTION: Five lines of first electrodes 333 are arrayed on one side principal surface 332 of an electro-optical crystalline substrate 331, while they are separated from one another in the X direction that is substantially vertical to the traveling direction Z of incident light L1 which travels in a periodically polarization-reversed structure of the electro-optical crystalline substrate 331. Respective first electrode 333 is electrically connected to a potential imparting part 336, the voltage applied to the first electrode 333 by the potential imparting part 336 is controlled; thereby the generation of electric field between each of the first electrodes 333 and a second electrode 335 is controlled; and the diffraction efficiency in the periodically polarization-reversed structure is modulated by each first electrode 333. Respective first electrode 333 is arranged obliquely with respect to the electro-optical crystalline substrate 331, and that the diffraction gratings produced inside the periodically polarization-reversed structure satisfy the Bragg conditions of diffraction, and Bragg diffracted beam BL or the 0-th order beam is emitted. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、電気光学結晶を用いた空間光変調器および該空間光変調器を装備するパターン描画装置に関するものである。   The present invention relates to a spatial light modulator using an electro-optic crystal and a pattern drawing apparatus equipped with the spatial light modulator.

従来より、リチウムナイオベート(LiNbO)等の電界により屈折率が変化する電気光学結晶を用いて空間光変調を行う手法が知られている。例えば、特許文献1では、電気光学結晶が薄板形状(スラブ形状)に仕上げられている。この電気光学結晶の一方主面(または両主面)には、複数の電極要素が一定ピッチで配列されて格子電極が形成されている。そして、これらの電極要素間に電位差を付与することで電気光学結晶中で生じる電界により電気光学結晶の内部で周期的な屈折率の変化が生じて回折格子が形成される。この電気光学結晶に対して格子電極の長さ方向とほぼ平行に光を入射させ、主にラマン・ナス回折を生じさせることにより空間光変調が行われている。 Conventionally, a method of performing spatial light modulation using an electro-optic crystal whose refractive index changes with an electric field such as lithium niobate (LiNbO 3 ) is known. For example, in Patent Document 1, the electro-optic crystal is finished in a thin plate shape (slab shape). On one main surface (or both main surfaces) of the electro-optic crystal, a plurality of electrode elements are arranged at a constant pitch to form a lattice electrode. By applying a potential difference between these electrode elements, an electric field generated in the electro-optic crystal causes a periodic refractive index change inside the electro-optic crystal, thereby forming a diffraction grating. Spatial light modulation is performed by causing light to enter the electro-optic crystal almost in parallel with the length direction of the lattice electrode and mainly causing Raman-Nas diffraction.

特開2009−31732号公報(図4、図7)JP 2009-31732 A (FIGS. 4 and 7)

上記のように従来の空間光変調器では、電気光学結晶が薄板形状を有し、しかも格子電極を構成する電極要素の配列方向に光を伝播させているため、光と電界との相互距離を伸ばすことができ、低電圧で空間光変調器を高速駆動することが可能となる。しかしながら、上記空間光変調器では、ラマン・ナス回折を用いているため、次のような問題があった。すなわち、ラマン・ナス回折では1次回折光より高次の回折光の回折効率が低いため、上記した従来の空間光変調器をパターン描画装置などに適用する場合、0次光を用いてパターン描画を行うのが一般的であった。したがって、被描画面に光を照射しない時、つまり消光時には電極要素間に電位差を生じさせることでラマン・ナス回折を生じさせるのだが、その消光時における0次光の漏れ光が被描画面に到達してしまうことがあり、高い消光比(ON/OFF光量比)を得るのが難しいという問題があった。また、パターン描画に十分な光量を稼ぎながら同時に空間光変調器の解像度を高めるためには、電極要素を狭ピッチで設ける(格子周期の高精細化)とともに電極要素を長くせざるを得ず、その結果、回折効率が低下して消光比(ON/OFF光量比)の低下要因となっている。   As described above, in the conventional spatial light modulator, the electro-optic crystal has a thin plate shape, and light is propagated in the arrangement direction of the electrode elements constituting the lattice electrode. Therefore, the mutual distance between the light and the electric field is reduced. The spatial light modulator can be driven at high speed with a low voltage. However, the spatial light modulator has the following problems because it uses Raman-Nas diffraction. That is, since the diffraction efficiency of higher-order diffracted light is lower than that of first-order diffracted light in Raman / Nas diffraction, when the above-described conventional spatial light modulator is applied to a pattern drawing device or the like, pattern drawing using zero-order light is performed. It was common to do. Therefore, when light is not irradiated on the drawing surface, that is, when extinction occurs, a Raman-Nath diffraction is generated by generating a potential difference between the electrode elements. There is a problem that it is difficult to obtain a high extinction ratio (ON / OFF light quantity ratio). In addition, in order to increase the resolution of the spatial light modulator while simultaneously obtaining a sufficient amount of light for pattern drawing, the electrode elements must be provided with a narrow pitch (higher resolution of the grating period) and the electrode elements must be lengthened. As a result, the diffraction efficiency is lowered, which is a cause of lowering the extinction ratio (ON / OFF light quantity ratio).

この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高い消光比を有する空間光変調器および該空間光変調器を装備して優れた描画品質でパターンを描画することができるパターン描画装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a spatial light modulator having a high extinction ratio and a pattern drawing apparatus equipped with the spatial light modulator and capable of drawing a pattern with excellent drawing quality. The purpose is to do.

この発明にかかる空間光変調器は、上記目的を達成するため、電界を受けて発生する分極の向きが互いに反対である第1分極部および第2分極部を交互に所定周期で第1方向に配列した周期分極反転構造を有し、第1方向に対して傾斜した第2方向に沿って進む光が周期分極反転構造を介して通過する電気光学結晶基板と、電気光学結晶基板の一方主面上に設けられた複数の第1電極と、電気光学結晶基板の他方主面上に設けられた第2電極と、複数の第1電極と第2電極の間での電界発生をそれぞれ制御して周期分極反転構造内での回折効率を変調させる変調部とを備え、複数の第1電極は周期分極反転構造内を進む光の進行方向と略垂直な第3方向に互いに離間して配列され、複数の第1電極の各々は、当該第1電極と第2電極の間で発生する電界を受けて周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、配置されていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, the spatial light modulator according to the present invention is configured so that the first polarization unit and the second polarization unit, which are opposite to each other in the direction of polarization generated by receiving an electric field, alternately in the first direction at a predetermined cycle. An electro-optic crystal substrate having arranged periodic domain-inverted structures and traveling along a second direction inclined with respect to the first direction, and one main surface of the electro-optic crystal substrate; A plurality of first electrodes provided above, a second electrode provided on the other main surface of the electro-optic crystal substrate, and control of electric field generation between the plurality of first electrodes and the second electrodes, respectively. A modulation unit that modulates the diffraction efficiency in the periodically poled structure, and the plurality of first electrodes are arranged apart from each other in a third direction that is substantially perpendicular to the traveling direction of the light traveling in the periodically poled structure, Each of the plurality of first electrodes is generated between the first electrode and the second electrode. Diffraction grating generated by receiving an electric field periodically poled structure which is to satisfy the condition of Bragg diffraction, it is characterized in that it is arranged.

また、この発明にかかるパターン描画装置は、記録材料にパターンを描画するパターン描画装置であって、上記目的を達成するため、光源部と、光源部からの光が入射される請求項1ないし9のいずれか一項に記載の空間光変調器と、空間光変調器と記録材の間に配置されて周期分極反転構造を通過してくる0次光およびブラッグ回折光のうちの一方を記録材料に導く光学系とを備えたことを特徴としている。   The pattern drawing apparatus according to the present invention is a pattern drawing apparatus for drawing a pattern on a recording material, and in order to achieve the above object, a light source unit and light from the light source unit are incident thereon. The spatial light modulator according to any one of the above, and one of zero-order light and Bragg diffracted light, which is disposed between the spatial light modulator and the recording material and passes through the periodically poled structure, is a recording material. And an optical system leading to

このように構成された発明(空間光変調器および該空間光変調器を備えたパターン描画装置)では、複数の第1電極が周期分極反転構造内を進む光の進行方向と略垂直な第3方向に互いに離間して電気光学結晶基板の一方主面上に配列されている。また、これらの第1電極の各々と第2電極の間での電界発生が変調部により制御され、第1電極ごとに周期分極反転構造内での回折効率が変調される。こうして、第1電極の個数に対応したチャンネル数で空間光変調が可能となっている。つまり、後述する第1実施形態や第3実施形態等のように、第1電極をそれぞれ独立して制御する場合、第1電極と同数のチャンネル数で光変調を行うことができる。また、後述する第2実施形態等のように隣接する複数の第1電極を一単位として制御する場合、第1電極の個数と単位数で決まるチャンネル数で光変調を行うことができる。   In the invention thus configured (spatial light modulator and pattern drawing apparatus including the spatial light modulator), a plurality of first electrodes are substantially perpendicular to the traveling direction of light traveling through the periodically poled structure. They are arranged on one main surface of the electro-optic crystal substrate so as to be spaced apart from each other in the direction. In addition, the electric field generation between each of the first electrodes and the second electrode is controlled by the modulation unit, and the diffraction efficiency in the periodically poled structure is modulated for each first electrode. Thus, spatial light modulation is possible with the number of channels corresponding to the number of first electrodes. That is, as in the first embodiment and the third embodiment described later, when the first electrodes are controlled independently, light modulation can be performed with the same number of channels as the first electrodes. In addition, when a plurality of adjacent first electrodes are controlled as a unit as in the second embodiment described later, light modulation can be performed with the number of channels determined by the number of first electrodes and the number of units.

また、本発明では、各第1電極は、上記のようにして周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、配置されている。したがって、変調部による電界発生によりブラッグ回折光を生じさせることができる。このようにして得られるブラッグ回折光の回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器を用いて0次光およびブラッグ回折光のうちの一方を記録材料に導いてパターンを描画することで描画品質を高めることができる。   In the present invention, each first electrode is arranged so that the diffraction grating generated in the periodically poled structure satisfies the Bragg diffraction condition as described above. Therefore, Bragg diffracted light can be generated by the generation of an electric field by the modulation unit. The diffraction efficiency of the Bragg diffracted light thus obtained is high, and as a result, a high extinction ratio is obtained. Further, drawing quality can be improved by drawing one of the 0th-order light and the Bragg diffracted light to the recording material using this spatial light modulator to draw a pattern.

ここで、上記第3方向としては、例えば周期分極反転構造に入射された入射光の進む方向に対して略直交する方向とすることができる。この場合、複数の第1電極がそれぞれ入射光の進む方向に延設されると、入射光は長い距離にわたって回折格子によるブラッグ回折を受けるため、第1電極に与える電圧を低く設定することができ、高速変調が可能となる。また、周期分極反転構造内でブラッグ回折されたブラッグ回折光の進む方向に対して略直交する方向を上記第3方向としてもよく、この場合も第1電極の各々をブラッグ回折光の進む方向に延設することで上記と同様に高速変調が可能となる。   Here, the third direction can be a direction substantially orthogonal to the traveling direction of the incident light incident on the periodically poled structure, for example. In this case, when the plurality of first electrodes are each extended in the direction in which the incident light travels, the incident light is subjected to Bragg diffraction by the diffraction grating over a long distance, so that the voltage applied to the first electrode can be set low. High-speed modulation is possible. Further, the third direction may be a direction substantially orthogonal to the traveling direction of the Bragg diffracted light that is Bragg diffracted in the periodically poled structure. In this case as well, each of the first electrodes is set in the traveling direction of the Bragg diffracted light. By extending, high-speed modulation can be performed as described above.

また、第3方向での第1電極の幅については任意であるが、所定周期より広くなるように構成する、つまり互いに隣接配置された第1分極部および第2分極部からなる分極対よりも大きな幅を有するように構成してもよい。この場合、周期分極反転構造の製造に比べて第1電極の製造は容易となり、しかも効果的な回折角が得られて高効率な光変調が可能となる。   Further, the width of the first electrode in the third direction is arbitrary, but it is configured to be wider than a predetermined period, that is, more than a polarization pair composed of a first polarization part and a second polarization part arranged adjacent to each other. You may comprise so that it may have a big width | variety. In this case, the first electrode can be easily manufactured as compared with the manufacture of the periodically poled structure, and an effective diffraction angle can be obtained and highly efficient light modulation can be achieved.

また、分極部を傾斜させると、消光比をさらに高めることができる。すなわち、互いに隣接配列された第1分極部および第2分極部の境界面が電気光学結晶基板の一方主面および他方主面に対して傾斜するように周期分極反転構造を構成してもよい。このように構成した場合、上記境界面が電気光学結晶基板の一方主面および他方主面に対して直交するように配置した場合に比べ、回折領域が制限され、ブラッグ回折における再結合が防止される。これによって、ゴースト光の発生を抑制することができ、消光比をさらに高めて高コントラストな光変調を行うことができる。また、このような空間光変調器を用いることで描画品質をさらに高めることができる。   Further, when the polarization part is inclined, the extinction ratio can be further increased. That is, the periodic polarization inversion structure may be configured such that the boundary surfaces between the first polarization portion and the second polarization portion arranged adjacent to each other are inclined with respect to the one main surface and the other main surface of the electro-optic crystal substrate. When configured in this way, the diffraction region is limited and recombination in Bragg diffraction is prevented compared to the case where the boundary surface is arranged so as to be orthogonal to the one main surface and the other main surface of the electro-optic crystal substrate. The Thus, it is possible to suppress the occurrence of the ghost light, it is possible to perform further enhanced by high contrast optical modulation extinction ratio. Moreover, drawing quality can be further improved by using such a spatial light modulator.

また、電気光学結晶基板に、一方主面から他方主面に向かう厚さ方向の一部でスラブ導波路を設けてもよく、これによってスラブ導波路内で光が封じ込められて伝播するため、電気光学結晶基板内での光の損失を低減することができる。このようなスラブ導波路としては、例えばアニールプロトン交換法により形成することができ、Ti(チタン)拡散法と比べてもより短波長(例えば紫外域)での使用が可能となる。また、そのスラブ導波路を厚さ方向の中央に形成してもよく、この場合、光損失をさらに低減することができる。   In addition, the electro-optic crystal substrate may be provided with a slab waveguide in a part of the thickness direction from the one main surface to the other main surface, whereby light is confined and propagated in the slab waveguide. Light loss in the optical crystal substrate can be reduced. Such a slab waveguide can be formed by, for example, an annealing proton exchange method, and can be used at a shorter wavelength (for example, in the ultraviolet region) than the Ti (titanium) diffusion method. It is also possible to form the slab waveguide in the center of the thickness direction, in this case, it is possible to further reduce light loss.

さらに、電気光学結晶基板の一方主面から他方主面までの厚さを30μm以下にすると、低電圧で空間光変調器を駆動することが可能となり、高速な光変調を行うことができる。   Furthermore, when the thickness from one main surface to the other main surface of the electro-optic crystal substrate is 30 μm or less, the spatial light modulator can be driven at a low voltage, and high-speed light modulation can be performed.

この発明にかかる空間光変調器によれば、複数の第1電極が周期分極反転構造を有する電気光学結晶基板の一方主面に設けられ、他方主面に設けられた第2電極と各第1電極との間での電界発生を制御することで各第1電極ごとにブラッグ回折を生じさせることが可能となっており、高い消光比が得られる。また、このような空間光変調器を用いることで優れた描画品質で記録材料にパターンを描画することができる。   According to the spatial light modulator according to the present invention, the plurality of first electrodes are provided on one main surface of the electro-optic crystal substrate having the periodically poled structure, and the second electrode provided on the other main surface and each first electrode. By controlling the electric field generation between the electrodes, Bragg diffraction can be generated for each first electrode, and a high extinction ratio can be obtained. Further, by using such a spatial light modulator, a pattern can be drawn on a recording material with excellent drawing quality.

本発明にかかる空間光変調器を装備したパターン描画装置の第1実施形態を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a first embodiment of a pattern drawing apparatus equipped with a spatial light modulator according to the present invention. 図1に示すパターン描画装置の側面図である。It is a side view of the pattern drawing apparatus shown in FIG. 図1のパターン描画装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electrical structure of the pattern drawing apparatus of FIG. 光学ヘッドの内部構成を簡略化して示す図である。It is a figure which simplifies and shows the internal structure of an optical head. 本発明にかかる空間光変調器の第1実施形態を示す図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the spatial light modulator concerning this invention. 図5に示す空間光変調器の動作を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically operation | movement of the spatial light modulator shown in FIG. 本発明の第2実施形態を示す図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態を示す図である。It is a figure which shows 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態を示す図である。It is a figure which shows 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態を示す図である。It is a figure which shows 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6実施形態を示す図である。It is a figure which shows 6th Embodiment of this invention. 図11に示すパターン描画装置で用いられた空間光変調器を示す図である。It is a figure which shows the spatial light modulator used with the pattern drawing apparatus shown in FIG. 第1実施形態と第6実施形態の対比図である。It is a contrast diagram of 1st Embodiment and 6th Embodiment.

<第1実施形態>
図1は本発明にかかる空間光変調器を装備したパターン描画装置の第1実施形態を示す斜視図であり、図2は図1に示すパターン描画装置の側面図であり、図3は図1のパターン描画装置の電気的構成を示すブロック図である。このパターン描画装置1では、基台2の一方端側領域(図1および図2の左手側領域)が基板Wの受け渡しを行う基板受渡領域となっているのに対し、他方端側領域(図1および図2の右手側領域)が基板Wへのパターン描画を行うパターン描画領域となっている。この基台2上では、基板受渡領域とパターン描画領域の境界位置にヘッド支持部21が設けられている。このヘッド支持部21では、基台2から上方に2本の脚部材211、212が立設されるとともに、それらの脚部材211、212の頂部を橋渡しするように梁部材213が横設されている。そして、このように構成されたヘッド支持部21のパターン描画領域側で光学ヘッド3が上下方向Zに移動自在に取り付けられており、露光制御部41からの動作指令に応じてヘッド移動機構30が作動することで後述するステージ5に保持される基板Wと光学ヘッド3との距離を高精度に調整可能となっている。なお、光学ヘッド3は本発明にかかる空間光変調器を装備して基板Wに対して光を照射して露光するものであり、その構成および動作については、後で詳述する。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of a pattern drawing apparatus equipped with a spatial light modulator according to the present invention, FIG. 2 is a side view of the pattern drawing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. It is a block diagram which shows the electrical structure of the pattern drawing apparatus of this. In this pattern drawing apparatus 1, one end side region (the left hand side region in FIGS. 1 and 2) of the base 2 is a substrate delivery region for delivering the substrate W, whereas the other end side region (FIG. 1 and the right hand side region in FIG. 2 is a pattern drawing region for pattern drawing on the substrate W. On the base 2, a head support portion 21 is provided at the boundary position between the substrate delivery area and the pattern drawing area. In the head support portion 21, two leg members 211 and 212 are erected upward from the base 2, and a beam member 213 is horizontally provided so as to bridge the top portions of the leg members 211 and 212. Yes. The optical head 3 is mounted on the pattern drawing area side of the head support portion 21 configured in this manner so as to be movable in the vertical direction Z. The head moving mechanism 30 is operated according to an operation command from the exposure control portion 41. By operating, the distance between the substrate W held on the stage 5 described later and the optical head 3 can be adjusted with high accuracy. The optical head 3 is equipped with a spatial light modulator according to the present invention and irradiates the substrate W with light for exposure, and its configuration and operation will be described in detail later.

また、基台2の基板受渡領域では、パターン描画領域と反対側の端部に2本の脚部材221、222が立設されている。そして、脚部材221、222の頂部と梁部材213の上面を橋渡しするように光学ヘッド3の照明光学系を収納したボックスが設けられている。また、図2に示すように、梁部材213の基板受渡領域側側面にカメラ(撮像部)6が固定されてステージ5に保持された基板Wの表面(被描画面、被露光面)を撮像可能となっている。   In the substrate delivery area of the base 2, two leg members 221 and 222 are erected on the end opposite to the pattern drawing area. And the box which accommodated the illumination optical system of the optical head 3 is provided so that the top part of the leg members 221 and 222 and the upper surface of the beam member 213 may be bridged. Further, as shown in FIG. 2, the camera (imaging unit) 6 is fixed to the side surface of the beam delivery member 213 on the side of the substrate delivery region, and the surface of the substrate W (the drawing surface and the exposed surface) held on the stage 5 is imaged. It is possible.

この基板受渡領域の近傍には、基板収納カセットCS、プリアライメント部PAおよび基板搬送ロボット7が配置されている。この基板搬送ロボット7はウエハなどの基板Wをハンドリングするハンド71および当該ハンド71を移動させるハンド移動機構72などを有している。そして、露光制御部41からの指令に応じてハンド移動機構72が作動することで基板Wが基板収納用のカセットCS、プリアライメント部PAおよび基板受渡領域に位置するステージ5の間で搬送される。すなわち、未処理の基板WはカセットCSからプリアライメント部PAに搬送されて、いわゆるプリアライメント処理を受ける。その後、基板搬送ロボット7によりプリアライメント部PAからステージ5に搬送される。また、後述するようにしてパターン描画領域でパターンが描画された基板Wはステージ5とともに基板受渡領域に移動され、基板搬送ロボット7によりカセットCSに搬入される。   This in the vicinity of the substrate transfer area, substrate storage cassette CS, the prealignment unit PA and the substrate carrying robot 7 is arranged. The substrate transfer robot 7 has such a hand moving mechanism 72 for moving the hand 71 and the hand 71 to handle the substrate W such as a wafer. Then, the hand moving mechanism 72 is actuated in response to a command from the exposure control unit 41, whereby the substrate W is transported between the substrate storage cassette CS, the pre-alignment unit PA, and the stage 5 located in the substrate delivery region. . That is, the substrate W unprocessed is conveyed from the cassette CS to prealignment unit PA, subjected to so-called pre-alignment process. Thereafter, the substrate is transferred from the pre-alignment section PA to the stage 5 by the substrate transfer robot 7. Further, the substrate W on which the pattern is drawn in the pattern drawing region as described later is moved to the substrate delivery region together with the stage 5 and is carried into the cassette CS by the substrate transfer robot 7.

このステージ5は基台2上でステージ移動機構51によりX方向、Y方向ならびにθ方向に移動される。すなわち、ステージ移動機構51は基台2の上面にY軸駆動部(図示省略)、X軸駆動部(図示省略)およびθ軸駆動部(図示省略)をこの順序で積層配置したものであり、ステージ5を水平面内で2次元的に移動させて位置決めする。また、ステージ5をθ軸(鉛直軸)回りの回転させて後述する光学ヘッド3に対する相対角度を調整して位置決めする。なお、このようなステージ移動機構51としては、従来より多用されているX−Y−θ軸移動機構を用いることができる。   The stage 5 is moved in the X direction, the Y direction and the θ direction by the stage moving mechanism 51 on the base 2. That is, the stage moving mechanism 51 is formed by stacking a Y-axis drive unit (not shown), an X-axis drive unit (not shown), and a θ-axis drive unit (not shown) on the upper surface of the base 2 in this order. The stage 5 is positioned by moving it two-dimensionally in a horizontal plane. Further, the stage 5 is rotated around the θ axis (vertical axis) to adjust the relative angle with respect to the optical head 3 described later and to be positioned. As such a stage moving mechanism 51, a conventionally used XY-θ axis moving mechanism can be used.

次に光学ヘッド3の構成および動作について説明する。この実施形態では、光学ヘッド3は上記したようにヘッド支持部21に対して上下方向Zに移動自在に取り付けられており、光学ヘッド3の直下位置で移動している基板Wに対して光を落射することでステージ5に保持された基板Wを露光してパターンを描画する。なお、本実施形態では、光学ヘッド3はX方向に複数チャンネルで光を同時に照射可能となっており、X方向が「副走査方向」に相当している。また、ステージ5をY方向に移動させることで基板Wに対してパターンを2次元的に描画することが可能となっており、Y方向が「主走査方向」に相当している。   Next, the configuration and operation of the optical head 3 will be described. In this embodiment, as described above, the optical head 3 is attached to the head support portion 21 so as to be movable in the vertical direction Z, and emits light to the substrate W moving immediately below the optical head 3. The substrate W held on the stage 5 is exposed by being reflected and a pattern is drawn. In the present embodiment, the optical head 3 can simultaneously irradiate light in a plurality of channels in the X direction, and the X direction corresponds to the “sub-scanning direction”. Further, by moving the stage 5 in the Y direction, a pattern can be drawn two-dimensionally on the substrate W, and the Y direction corresponds to the “main scanning direction”.

図4は光学ヘッドの内部構成を簡略化して示す図であり、同図(a)は光学ヘッド3の光軸OAおよび副走査方向Xに沿って光学ヘッド3を上方(すなわち、図1中の(+Y)側)から見た場合の光学ヘッド3の内部構成を示し、同図(b)は主走査方向Yに沿って図1のプリアライメントPA側(左下側)から光学ヘッド3側を見た場合(すなわち、光学ヘッド3の(−X)側から(+X)方向を向いて見た場合)の光学ヘッド3の内部構成を示している。   FIG. 4 is a diagram showing the internal configuration of the optical head in a simplified manner. FIG. 4A shows the optical head 3 along the optical axis OA and the sub-scanning direction X of the optical head 3 (that is, in FIG. 1). The (+ Y) side) shows the internal configuration of the optical head 3, and FIG. 5B shows the optical head 3 side from the pre-alignment PA side (lower left side) in FIG. 2 shows the internal configuration of the optical head 3 when viewed in the (+ X) direction from the (−X) side of the optical head 3.

図4に示す光学ヘッド3は、所定の波長(例えば、830、635、405、あるいは、355ナノメートル(nm))の光ビームを出射する半導体レーザなどにより構成された光源部31を有している。なお、355nmのレーザ光を用いる場合は、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザの3倍高調波を用いる固体レーザ光源となる。この光源部31はコリメータレンズ(図示省略)を有しており、半導体レーザから出射される光ビームはコリメータレンズを介して平行光とされて図示を省略するミラーを介して照明光学系32に入射する。   The optical head 3 shown in FIG. 4 includes a light source unit 31 configured by a semiconductor laser or the like that emits a light beam having a predetermined wavelength (for example, 830, 635, 405, or 355 nanometers (nm)). Yes. When a 355 nm laser beam is used, a solid-state laser light source using a third harmonic of a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser is used. The light source unit 31 has a collimator lens (not shown), and the light beam emitted from the semiconductor laser is converted into parallel light through the collimator lens and enters the illumination optical system 32 through a mirror (not shown). To do.

この照明光学系32は3枚のシリンドリカルレンズ321〜323により構成されており、光源部31から出射してきた光ビームはシリンドリカルレンズ321〜323の順で通過して空間光変調器33に入射する。これらのうちシリンドリカルレンズ321はX方向にのみ負のパワーを有しており、シリンドリカルレンズ321を通過した光は光軸OAに垂直な光束断面が円形から次第にX方向に長い楕円形へと変化する。一方、光軸OAおよびX方向に垂直なY方向に関して、シリンドリカルレンズ321を通過した光の光束断面の幅は(ほぼ)一定とされる。また、シリンドリカルレンズ322はX方向にのみ正のパワーを有しており、シリンドリカルレンズ321を通過した光ビームはシリンドリカルレンズ322によりビーム整形される。つまり、シリンドリカルレンズ322を通過した光は、光束断面がX方向に長い一定の大きさの楕円形とされてシリンドリカルレンズ323へと入射する。このシリンドリカルレンズ323は、Y方向にのみ正のパワーを有し、Y方向のみに着目した場合には、図4(b)に示すように、シリンドリカルレンズ323を通過した光は集光しつつ電気光学結晶基板331の(−Z)側の端面(以下、「入射面」という)331aへと入射する。また、X方向に関しては、図4(a)に示すように、シリンドリカルレンズ323からの光ビームは平行光ビームとして空間光変調器33に入射する。   The illumination optical system 32 includes three cylindrical lenses 321 to 323, and the light beam emitted from the light source unit 31 passes through the cylindrical lenses 321 to 323 in this order and enters the spatial light modulator 33. Of these, the cylindrical lens 321 has a negative power only in the X direction, and the light passing through the cylindrical lens 321 changes from a circular cross section perpendicular to the optical axis OA to an ellipse having a longer length in the X direction. . On the other hand, with respect to the optical axis OA and the Y direction perpendicular to the X direction, the width of the light beam cross section of the light passing through the cylindrical lens 321 is (almost) constant. The cylindrical lens 322 has a positive power only in the X direction, and the light beam that has passed through the cylindrical lens 321 is shaped by the cylindrical lens 322. In other words, the light that has passed through the cylindrical lens 322 is made into an elliptical shape having a constant cross-section with a long cross section in the X direction, and is incident on the cylindrical lens 323. The cylindrical lens 323 has a positive power only in the Y direction. When attention is paid only to the Y direction, as shown in FIG. 4B, the light passing through the cylindrical lens 323 is condensed and electrically The light enters an end surface (hereinafter referred to as “incident surface”) 331 a of the optical crystal substrate 331 on the (−Z) side. Regarding the X direction, as shown in FIG. 4A, the light beam from the cylindrical lens 323 enters the spatial light modulator 33 as a parallel light beam.

図5は空間光変調器を示す図であり、同図(a)は空間光変調器33の分解組立斜視図であり、同図(b)は空間光変調器33の部分図である。また、図6は図5に示す空間光変調器の動作を模式的に示す図である。この空間光変調器33は、本発明にかかる空間光変調器の第1実施形態に相当し、薄板状またはスラブ状の電気光学結晶基板331と、電気光学結晶基板331の上方主面332上に配置される第1電極333と、電気光学結晶基板331の下方主面334上に配置される第2電極335と、第1電極333の各々に対して独立して所望の電位を印加する電位付与部336とを備えている。   FIG. 5 is a view showing the spatial light modulator, FIG. 5A is an exploded perspective view of the spatial light modulator 33, and FIG. 5B is a partial view of the spatial light modulator 33. FIG. 6 is a diagram schematically showing the operation of the spatial light modulator shown in FIG. This spatial light modulator 33 corresponds to the first embodiment of the spatial light modulator according to the present invention, and is formed on a thin plate-like or slab-like electro-optic crystal substrate 331 and an upper main surface 332 of the electro-optic crystal substrate 331. Potential application for applying a desired potential independently to each of the first electrode 333 disposed, the second electrode 335 disposed on the lower main surface 334 of the electro-optic crystal substrate 331, and the first electrode 333 Part 336.

この実施形態では、電気光学結晶基板331はリチウムナイオベート(LiNbO)(すなわち、ニオブ酸リチウムであり、LNと略称される。)の単結晶にて形成されており、その厚み(方向Yにおける高さ)は例えば数十ミクロン、好ましくは30ミクロン以下となっている。この電気光学結晶基板331では、電界を受けて発生する分極の向きが互いに反対である第1分極部3311および第2分極部3312が交互に配列されており、電気光学結晶基板331は分極反転構造を有している。この実施形態では、特に、図6に示すように、第1分極部3311および第2分極部3312はいずれも配列方向ADに垂直な方向WDに伸びる帯状形状を有し、配列方向ADにおいて同一幅を有するとともに、互いに隣接配列された第1分極部3311および第2分極部3312からなる分極対3313が所定周期(XY断面において格子周期RC)で配列方向ADに配列されており、電気光学結晶基板331はいわゆる周期分極反転構造を有している。このように配列方向ADは本発明の「第1方向」に相当するものであり、本実施形態では空間光変調器33に入射する光ビームの進む方向Z(本発明の「第2方向」に相当)に対して角度θbだけ傾いた方向となっている。 In this embodiment, the electro-optic crystal substrate 331 is formed of a single crystal of lithium niobate (LiNbO 3 ) (that is, lithium niobate, abbreviated as LN), and its thickness (in the direction Y) The height is, for example, several tens of microns, preferably 30 microns or less. In the electro-optic crystal substrate 331, first polarization portions 3311 and second polarization portions 3312 whose polarization directions generated by receiving an electric field are opposite to each other are alternately arranged, and the electro-optic crystal substrate 331 has a polarization inversion structure. have. In this embodiment, in particular, as shown in FIG. 6, each of the first polarization portion 3311 and the second polarization portion 3312 has a strip shape extending in the direction WD perpendicular to the arrangement direction AD, and has the same width in the arrangement direction AD. And a polarization pair 3313 composed of a first polarization part 3311 and a second polarization part 3312 arranged adjacent to each other are arranged in the arrangement direction AD at a predetermined period (lattice period RC in the XY section), and the electro-optic crystal substrate 331 has a so-called periodic polarization inversion structure. As described above, the arrangement direction AD corresponds to the “first direction” of the present invention. In this embodiment, the light beam incident on the spatial light modulator 33 travels in the direction Z (the “second direction” of the present invention). Equivalent to the angle θb.

また、電気光学結晶基板331では、第1分極部3311および第2分極部3312の結晶軸は互いに反対の向きを有しており、次に説明するように第1電極333と第2電極335の間で電位差を発生させて電界を周期分極反転構造内で生じさせると、当該電界を受けて発生する分極の向きが互いに反対となる。なお、ここで用いる電気光学結晶331はLNの他にリチウムタンタレート(LiTaO:LT)などもあり、結晶軸は共に分極反転方向(電界を加える方位)がポッケルス定数(電気光学定数)の値の大きなr33のZ軸方向となる。 Further, in the electro-optic crystal substrate 331, the crystal axes of the first polarization portion 3311 and the second polarization portion 3312 have directions opposite to each other, and the first electrode 333 and the second electrode 335 will be described as will be described below. When a potential difference is generated between them to generate an electric field in the periodically poled structure, the directions of polarization generated by receiving the electric field are opposite to each other. The electro-optic crystal 331 used here includes lithium tantalate (LiTaO 3 : LT) in addition to LN, and the crystal inversion direction (direction in which an electric field is applied) is the value of the Pockels constant (electro-optic constant). The large r33 is in the Z-axis direction.

また、第1分極部3311と第2分極部3312は結晶の軸方位(+Z)が逆であるが、元々均一な方位を持った結晶に例えば第2分極部に相当する部分(周期的)に電気光学結晶が固有に持っている分極反転電圧を一時的に印加するなどして部分的(周期的)に結晶の軸方位(+Z)を反転させて作る。この加工を施された結晶を用いる。故に本実施形態の場合、第1分極部3311は元々の結晶の軸方位であり、第2分極部は分極反転加工された軸方位となっている。   In addition, the first polarization unit 3311 and the second polarization unit 3312 have crystal axis orientations (+ Z) opposite to each other. However, the first polarization unit 3311 and the second polarization unit 3312 have, for example, a portion corresponding to the second polarization unit (periodically) in a crystal having a uniform orientation. It is produced by partially (periodically) reversing the crystal axis orientation (+ Z) by temporarily applying a polarization reversal voltage inherent in the electro-optic crystal. A crystal subjected to this processing is used. Therefore, in the case of this embodiment, the 1st polarization part 3311 is an axial direction of the original crystal | crystallization, and the 2nd polarization part has the axial direction by which the polarization inversion process was carried out.

この実施形態では、図5および図6に示すように、複数(本実施形態では「5本」)の第1電極333はいずれも入射光LIの進む方向Zと平行な方向に伸びるスラブ形状を有しており、入射光LIの進む方向Zとほぼ直交する方向Xにおける電極幅EW1は格子周期RCの約3倍となっている。また、このような形状を有する第1電極333は電気光学結晶基板331の上方主面332上でX方向に格子周期RCより短い間隔EW2で平行に配列されている。一方、電気光学結晶基板331の下方主面334に対しては、当該下方主面334全体を覆うように第2電極335が配置されており、複数の第1電極333に対する共通電極として機能する。   In this embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the plurality of (“5” in the present embodiment) first electrodes 333 each have a slab shape extending in a direction parallel to the direction Z in which the incident light LI travels. The electrode width EW1 in the direction X substantially perpendicular to the direction Z in which the incident light LI travels is about three times the grating period RC. The first electrodes 333 having such a shape are arranged in parallel on the upper main surface 332 of the electro-optic crystal substrate 331 in the X direction at intervals EW2 shorter than the lattice period RC. On the other hand, a second electrode 335 is disposed on the lower main surface 334 of the electro-optic crystal substrate 331 so as to cover the entire lower main surface 334, and functions as a common electrode for the plurality of first electrodes 333.

このように構成された空間光変調器33では、第2電極335は接地されるのに対し、複数の第1電極333は電位付与部336に接続され、露光制御部41からの動作指令に応じてそれぞれ独立して電位付与部336から電位付与を受ける。このため、電気光学結晶基板331の周期分極反転構造内では、電位付与部336から所定電位V1(0V以外の電位)が付与された第1電極333に対応する領域でのみ第1電極333と第2電極335(共通電極)の間で生じる電界により分極方位に従った屈折率変化が発生して回折格子が形成される。しかも、この実施形態では、角度θbは上記のようにして形成される回折格子によりブラッグ回折が生じる条件を満足するように設定されている。したがって、例えば図6に示すように、5本の第1電極333のうち第2チャンネルに相当する第1電極333(2ch)に対してのみ電位V1を印加すると、当該第1電極333(2ch)に対応する周期分極反転構造の内部領域でのみ屈折率変化による回折格子が形成され、入射光LIのうち第1電極333(2ch)と第2電極335の間を進む光ビームのみがブラッグ回折して水平面(XZ平面)内で方向Zに対して角度(2θb)だけ傾いて空間光変調器33からブラッグ回折光BLとして出射する。一方、第1電極333への電圧印加を行わずに第1電極333と第2電極335の電位差がゼロであり、電界が発生しない場合には、両電極333、335間の屈折率分布は一様となっており、回折格子は形成されない。したがって、この場合の光ビームはそのまま真っ直ぐに電気光学結晶基板331内を直進して電気光学結晶基板331から0次光L0として出射する。このように5本の第1電極333に対する電位付与をそれぞれ制御することで5チャンネル分の光変調を行うことができる。また、回折効率100%回折を起こす電圧よりも低い電圧を加える事で中間的な回折効率の変調(中間調変調・グレースケール変調)がおこなえる事は言うまでもない。   In the spatial light modulator 33 configured as described above, the second electrode 335 is grounded, while the plurality of first electrodes 333 are connected to the potential applying unit 336 and correspond to an operation command from the exposure control unit 41. Independently, potential is applied from the potential applying unit 336. Therefore, in the periodic polarization reversal structure of the electro-optic crystal substrate 331, the first electrode 333 and the first electrode 333 are only in the region corresponding to the first electrode 333 to which the predetermined potential V1 (potential other than 0V) is applied from the potential applying unit 336. 2 electrode 335 by the electric field diffraction refractive index changes in accordance with the polarization direction is generated lattice generated between the (common electrode) are formed. Moreover, in this embodiment, the angle θb is set so as to satisfy the conditions for causing Bragg diffraction by the diffraction grating formed as described above. Therefore, for example, as shown in FIG. 6, when the potential V1 is applied only to the first electrode 333 (2ch) corresponding to the second channel among the five first electrodes 333, the first electrode 333 (2ch). A diffraction grating due to a change in refractive index is formed only in the internal region of the periodically poled structure corresponding to, and only the light beam traveling between the first electrode 333 (2ch) and the second electrode 335 out of the incident light LI is Bragg diffracted. Then, it is tilted by an angle (2θb) with respect to the direction Z in the horizontal plane (XZ plane) and emitted from the spatial light modulator 33 as Bragg diffracted light BL. On the other hand, when no potential is applied to the first electrode 333 and the potential difference between the first electrode 333 and the second electrode 335 is zero and no electric field is generated, the refractive index distribution between the electrodes 333 and 335 is one. The diffraction grating is not formed. Accordingly, the light beam in this case goes straight through the electro-optic crystal substrate 331 as it is, and is emitted from the electro-optic crystal substrate 331 as the 0th-order light L0. In this manner, by controlling the potential application to the five first electrodes 333, light modulation for five channels can be performed. In addition, it goes without saying that intermediate diffraction efficiency modulation (halftone modulation / grayscale modulation) can be performed by applying a voltage lower than the voltage causing diffraction of 100%.

図4に戻って、光学ヘッド3の構成説明を続ける。上記のように構成された空間光変調器33の出射側(図4の右手側)に、Y方向にのみ正のパワーを有するシリンドリカルレンズ34、レンズ351、アパーチャ3521を有するアパーチャ板352、レンズ353がこの順序で配置されている。シリンドリカルレンズ34はY方向にのみ正のパワーを有しており、空間光変調器33からの0次光L0またはブラッグ回折光BLは、図4(b)に示すように、シリンドリカルレンズ34にてY方向に関してほぼ平行な光とされ、正のパワーを有するレンズ351に入射する。   Returning to FIG. 4, the description of the configuration of the optical head 3 will be continued. A cylindrical lens 34 having a positive power only in the Y direction, a lens 351, an aperture plate 352 having an aperture 3521, and a lens 353 on the emission side (right-hand side in FIG. 4) of the spatial light modulator 33 configured as described above. Are arranged in this order. The cylindrical lens 34 has a positive power only in the Y direction, and the zero-order light L0 or the Bragg diffracted light BL from the spatial light modulator 33 is transmitted by the cylindrical lens 34 as shown in FIG. The light is substantially parallel to the Y direction and is incident on a lens 351 having a positive power.

ここで、レンズ351の前側焦点は第1電極333の(+Z)側の端部近傍における電気光学結晶基板331内の位置とされ、レンズ351の後側焦点にアパーチャ3521が位置するようにアパーチャ板352が配置される。したがって、電気光学結晶基板331中で回折を受けず、レンズ34を通過してX方向およびY方向の双方にほぼ平行とされる0次光L0は、図4(b)中に細い実線にて示すように、レンズ351を介してアパーチャ3521に集光し、当該アパーチャ3521を通過してレンズ353に入射する。このレンズ353は、前側焦点がアパーチャ3521の近傍に位置し、後側焦点がステージ5に保持された基板Wの表面上となるように配置されており、0次光L0はレンズ353を介して基板Wの表面上に照射される。例えば図6(a)で示したように第2チャンネルの第1電極333(2ch)のみに電圧V1を付与したときには、他のチャンネル(1、3〜5ch)に対応する0次光L0が上記のようにして基板Wの表面上に照射されて各チャンネル(1、3〜5ch)に対応してスポット状に露光される。一方、ブラッグ回折光BLは、図4(b)中に破線にて示すように、光軸OAに対して角度(2θb)だけ傾いて電気光学結晶基板331から出射されるため、アパーチャ3521から離れた位置、つまりアパーチャ板352の表面で遮蔽される。   Here, the front focal point of the lens 351 is a position in the electro-optic crystal substrate 331 in the vicinity of the (+ Z) side end of the first electrode 333, and the aperture plate so that the aperture 3521 is positioned at the rear focal point of the lens 351. 352 is arranged. Therefore, the zero-order light L0 that is not diffracted in the electro-optic crystal substrate 331, passes through the lens 34, and is substantially parallel to both the X direction and the Y direction is indicated by a thin solid line in FIG. As shown, the light is condensed on the aperture 3521 through the lens 351, passes through the aperture 3521, and enters the lens 353. The lens 353 is arranged such that the front focal point is located in the vicinity of the aperture 3521 and the rear focal point is on the surface of the substrate W held on the stage 5, and the 0th-order light L 0 passes through the lens 353. Irradiation is performed on the surface of the substrate W. For example, as shown in FIG. 6A, when the voltage V1 is applied only to the first electrode 333 (2ch) of the second channel, the 0th-order light L0 corresponding to the other channels (1, 3 to 5ch) is In this way, the surface of the substrate W is irradiated and exposed in a spot shape corresponding to each channel (1, 3 to 5ch). On the other hand, the Bragg diffracted light BL is emitted from the electro-optic crystal substrate 331 at an angle (2θb) with respect to the optical axis OA as shown by a broken line in FIG. , Ie, the surface of the aperture plate 352.

このように、本実施形態では、レンズ351、アパーチャ板352およびレンズ353により、いわゆるシュリーレン光学系35が構成されている。このシュリーレン光学系35は両側テレセントリック光学系と同等の配置であり、図4に示すように、複数のチャンネルを有する光学ヘッド3で基板Wに露光する場合にも、その露光面(基板Wの表面)に対して各チャンネルの0次光LOの主光線(図4中の2点鎖線)は垂直であり、露光面のピント方向Zの変動に対して倍率の変化を受けない。その結果、高精度な露光が可能となる。このように第1実施形態では0次光を用いて基板Wへのパターン描画を行っている。また、上記のように配置されたレンズ34およびシュリーレン光学系35が本発明の「光学系」として機能しており、空間光変調器33からの光を基板Wの表面(被露光面、被描画面)に案内している。   Thus, in the present embodiment, the so-called Schlieren optical system 35 is configured by the lens 351, the aperture plate 352, and the lens 353. The schlieren optical system 35 has the same arrangement as the double-sided telecentric optical system. As shown in FIG. 4, even when the substrate W is exposed with the optical head 3 having a plurality of channels, the exposure surface (surface of the substrate W). ), The principal ray of the zero-order light LO in each channel (the two-dot chain line in FIG. 4) is vertical, and is not affected by the change in magnification with respect to the change in the focus direction Z of the exposure surface. As a result, highly accurate exposure is possible. As described above, in the first embodiment, pattern drawing on the substrate W is performed using 0th-order light. Further, the lens 34 and the schlieren optical system 35 arranged as described above function as the “optical system” of the present invention, and the light from the spatial light modulator 33 is transmitted to the surface of the substrate W (exposed surface, drawing surface). Screen).

なお、上記のように構成されたパターン描画装置1は装置全体を制御するためにコンピュータ8を有している。このコンピュータ8はCPUやメモリ81等を有しており、露光制御部41とともに電装ラック(図示省略)内に配置されている。また、コンピュータ8内のCPUが所定のプログラムに従って演算処理することにより、ラスタライズ部82、伸縮率算出部83、データ修正部84およびデータ生成部85が実現される。例えば1つのLSIに相当するパターンのデータは外部のCAD等により生成されたデータであり、予めLSIデータ811としてメモリ81に準備されており、当該LSIデータ811に基づき次のようにしてLSIのパターンが基板W上に描画される。   The pattern drawing apparatus 1 configured as described above has a computer 8 for controlling the entire apparatus. The computer 8 has a CPU and a memory 81, etc., are arranged in electric rack (not shown) in conjunction with the exposure control unit 41. Further, the rasterization unit 82, the expansion / contraction rate calculation unit 83, the data correction unit 84, and the data generation unit 85 are realized by the CPU in the computer 8 performing arithmetic processing according to a predetermined program. For example, pattern data corresponding to one LSI is data generated by an external CAD or the like, and is prepared in advance in the memory 81 as LSI data 811. Based on the LSI data 811, the LSI pattern is as follows. Is drawn on the substrate W.

ラスタライズ部82は、LSIデータ811が示す単位領域を分割してラスタライズし、ラスタデータ812を生成してメモリ81に保存する。こうしてラスタデータ812の準備後、または、ラスタデータ812の準備と並行して、上記のようにしてカセットCSに収納されている未処理の基板Wがロボット7により搬出され、プリアライメント部PAによるプリアライメント処理を受けた後にロボットによってステージ5に載置される。   The rasterizing unit 82 divides and rasterizes the unit area indicated by the LSI data 811, generates raster data 812, and stores it in the memory 81. Thus, after preparing the raster data 812 or in parallel with the preparation of the raster data 812, the unprocessed substrate W stored in the cassette CS as described above is carried out by the robot 7 and pre-aligned by the pre-alignment unit PA. After receiving the alignment process, it is placed on the stage 5 by the robot.

その後、ステージ移動機構51によりステージ5がカメラ6の直下位置に移動して基板W上の各アライメントマーク(基準マーク)を順番にカメラ6の撮像可能位置に位置決めし、カメラ6によるマーク撮像が実行される。カメラ6から出力される画像信号は電装ラック内の画像処理回路(図3において図示省略)により処理され、アライメントマークのステージ5上の位置が正確に求められる。そして、これらの位置情報に基づきθ軸駆動部51Tが作動してステージ5を鉛直軸回りに微小回転させて基板Wへのパターン描画に適した向きにアライメント(位置合わせ)される。ここで、ステージ5を光学ヘッド3の直下位置に移動させた後で当該アライメントを行ってもよい。   Thereafter, the stage 5 is moved to a position immediately below the camera 6 by the stage moving mechanism 51, and the alignment marks (reference marks) on the substrate W are sequentially positioned at the imageable positions of the camera 6, and mark imaging by the camera 6 is executed. Is done. The image signal output from the camera 6 is processed by an image processing circuit (not shown in FIG. 3) in the electrical rack, and the position of the alignment mark on the stage 5 is accurately obtained. Based on the positional information, the θ-axis drive unit 51T is operated to slightly rotate the stage 5 about the vertical axis, and alignment (positioning) is performed in a direction suitable for pattern drawing on the substrate W. Here, the alignment may be performed after the stage 5 is moved to a position directly below the optical head 3.

図3に示す伸縮率算出部83は、画像処理回路にて求められた基板W上のアライメントマークの位置、および基板Wの向きの修正量を取得し、アライメント後のアライメントマークの位置、並びに、主走査方向Yおよび副走査方向Xに対する基板Wの伸縮率(すなわち、主面の伸縮率)を求める。   The stretch rate calculation unit 83 shown in FIG. 3 acquires the alignment mark position on the substrate W and the correction amount of the orientation of the substrate W obtained by the image processing circuit, and the alignment mark position after alignment, The expansion / contraction ratio of the substrate W with respect to the main scanning direction Y and the sub-scanning direction X (that is, the expansion ratio of the main surface) is obtained.

一方、データ修正部84はラスタデータ812を取得し、伸縮の検出結果である伸縮率に基づいてデータの修正を行う。なお、このデータ修正については、例えば特許第4020248号に記載の方法を採用することができ、1つの分割領域のデータ修正が終了すると、修正後のラスタデータ812がデータ生成部85へと送られる。データ生成部85では、変更後の分割領域に対応する描画データ、すなわち、1つのストライプに相当するデータが生成される。   On the other hand, the data correcting section 84 acquires the raster data 812, corrects the data based on the scaling factor is the detection result of the stretching. For this data correction, for example, the method described in Japanese Patent No. 40020248 can be adopted. When the data correction of one divided area is completed, the corrected raster data 812 is sent to the data generation unit 85. . The data generating unit 85, the drawing data corresponding to the divided region of the changed, i.e., data corresponding to one stripe is generated.

こうして生成された描画データは、データ生成部85から露光制御部41へと送られ、露光制御部41が電位付与部336、ヘッド移動機構30およびステージ移動機構51の各部を制御することにより1ストライプ分の描画が行われる。なお、露光動作については上記したとおり電位付与部336による電界発生制御により行われる。1つのストライプに対する露光記録が終了すると、次の分割領域に対して同様の処理が行われ、ストライプごとの描画が繰り返される。こうして、基板W上の全ストライプの描画が終了して基板Wの表面への所望パターンの描画が完了すると、ステージ5は描画済み基板Wを載置したまま基板受渡位置(図1および図2の左側領域)に移動した後、基板搬送ロボット7により基板WがカセットCSへと戻され、次の基板Wが取り出されて上記したと同様の一連の処理が繰り返される。さらに、カセットCSに収納されている全ての基板Wに対するパターン描画が終了すると、カセットCSがパターン描画装置1から搬出される。   The drawing data generated in this way is sent from the data generation unit 85 to the exposure control unit 41, and the exposure control unit 41 controls each part of the potential applying unit 336, the head moving mechanism 30, and the stage moving mechanism 51, thereby producing one stripe. Minutes are drawn. The exposure operation is performed by the electric field generation control by the potential applying unit 336 as described above. When the exposure recording for one stripe is completed, the same processing is performed for the next divided region, and drawing for each stripe is repeated. Thus, when drawing of all stripes on the substrate W is completed and drawing of a desired pattern on the surface of the substrate W is completed, the stage 5 is placed on the substrate delivery position (FIGS. 1 and 2 in FIG. 1 and FIG. 2). After the movement to the left region, the substrate W is returned to the cassette CS by the substrate transfer robot 7, the next substrate W is taken out, and the same series of processing as described above is repeated. Further, when the pattern drawing on all the substrates W stored in the cassette CS is completed, the cassette CS is unloaded from the pattern drawing apparatus 1.

以上のように、上記実施形態によれば、5本の第1電極333が電気光学結晶基板331の周期分極反転構造内を進む入射光LIの進行方向Zと略垂直なX方向に互いに離間して電気光学結晶基板331の一方主面332上に配列されている。各第1電極333は電位付与部336と電気的に接続されており、電位付与部336が第1電極333に印加する電圧を制御して第1電極333の各々と第2電極335の間での電界発生を制御し、第1電極333ごとに周期分極反転構造内での回折効率を変調している。このように本実施形態では、電位付与部336が本発明の「変調部」として機能しており、第1電極333と同数のチャンネル数で光変調を行うことが可能となっている。   As described above, according to the above-described embodiment, the five first electrodes 333 are separated from each other in the X direction substantially perpendicular to the traveling direction Z of the incident light LI traveling in the periodic polarization reversal structure of the electro-optic crystal substrate 331. Are arranged on one main surface 332 of the electro-optic crystal substrate 331. Each first electrode 333 is electrically connected to the potential applying unit 336, and the voltage applied by the potential applying unit 336 to the first electrode 333 is controlled between each of the first electrodes 333 and the second electrode 335. The diffraction efficiency in the periodically poled structure is modulated for each first electrode 333. Thus, in the present embodiment, the potential applying unit 336 functions as the “modulation unit” of the present invention, and light modulation can be performed with the same number of channels as the first electrode 333.

しかも、本実施形態では、上記のようにして周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、各第1電極333は配置されている。より詳しくは、本実施形態では、入射光LIに対して第1分極部3311および第2分極部3312の配列方向ADを角度(90゜−θb)だけ傾けている。この角度θbは入射光LIをブラッグ回折させる場合の回折角である。例えば、周期分極反転構造での格子周期RCを10μmとし、入射光LIの波長を635nmとした場合、回折角θbを3.18mrad(約1.8゜)に設定すると、周期分極反転構造内で生じる回折格子によってブラッグ回折光BLが分離角2θb、つまり63.5mrad(約3.6゜)で電気光学結晶基板331から出射する。このように、電位付与部336により電界発生を制御することでブラッグ回折光BLを生じさせることができ、ブラッグ回折光BLの回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器33を用いて0次光L0を基板W(記録材料)に導いてLSIデータに対応するパターンを描画することができ、描画品質を大幅に向上させることができる。   In addition, in the present embodiment, each first electrode 333 is arranged so that the diffraction grating generated in the periodically poled structure as described above satisfies the Bragg diffraction condition. More specifically, in the present embodiment, the arrangement direction AD of the first polarization unit 3311 and the second polarization unit 3312 is inclined by an angle (90 ° −θb) with respect to the incident light LI. This angle θb is the diffraction angle when the incident light LI is Bragg diffracted. For example, when the grating period RC in the periodically poled structure is 10 μm and the wavelength of the incident light LI is 635 nm, the diffraction angle θb is set to 3.18 mrad (about 1.8 °). The Bragg diffracted light BL is emitted from the electro-optic crystal substrate 331 at a separation angle 2θb, that is, 63.5 mrad (about 3.6 °) by the generated diffraction grating. Thus, the Bragg diffracted light BL can be generated by controlling the electric field generation by the potential applying unit 336, and the diffraction efficiency of the Bragg diffracted light BL is high. As a result, a high extinction ratio is obtained. In addition, the spatial light modulator 33 can be used to guide the 0th-order light L0 to the substrate W (recording material) to draw a pattern corresponding to the LSI data, and the drawing quality can be greatly improved.

また、X方向における第1電極333の電極幅EW1が格子周期RCより広く、例えば格子周期RCの約3倍程度となるように各第1電極333は形成されている。このため、周期分極反転構造の製造に比べて第1電極333の製造は容易となり、しかも効果的な回折角が得られて高効率な光変調が可能となる。ただし、電極幅EW1が広くなるにしたがって露光幅は広がるため、基板Wへのパターン描画を高解像度に行うという観点からすれば、格子周期RCの3〜5倍程度に設定するのが好ましい。   Each first electrode 333 is formed such that the electrode width EW1 of the first electrode 333 in the X direction is wider than the lattice period RC, for example, about three times the lattice period RC. For this reason, the first electrode 333 can be easily manufactured as compared with the manufacture of the periodically poled structure, and an effective diffraction angle can be obtained, thereby enabling highly efficient light modulation. However, since the exposure width increases as the electrode width EW1 increases, it is preferable to set it to about 3 to 5 times the grating period RC from the viewpoint of performing pattern drawing on the substrate W with high resolution.

<第2実施形態>
ところで、第1実施形態では、第1電極333の電極幅EW1が格子周期RCより広いが、X方向における第1電極333の電極幅EW1を細くしてもよい。
Second Embodiment
By the way, in 1st Embodiment, although the electrode width EW1 of the 1st electrode 333 is wider than the lattice period RC, you may make the electrode width EW1 of the 1st electrode 333 in a X direction thin.

図7は本発明の第2実施形態を示す図である。この第2実施形態では、同図に示すように、格子周期RCと同程度の電極幅EW1を有し、光軸OAと平行に延びる第1電極333を複数本、入射光LIと略垂直となる方向Xに互いに離間しながら配列している。また、第2実施形態においても、各第1電極333ごとに独立して電圧印加するように構成しており、図示省略する電位付与部336からの電圧印加態様を制御することでチャンネル数および露光幅を細かく調整することが可能となっている。この第2実施形態では、15本の第1電極333が設けられているが、同図(a)に示すように隣接する3本ごとに電圧印加を制御すると、5チャンネルで比較的細い露光幅が得られ、同図(b)に示すように回折光BLの位置を電極1本分シフトさせる制御をおこなうと露光位置を細かく設定できる。つまり、同図(c)に示すように、第2チャンネル(2ch)の位置を電極単位で細かく制御することができる。なお、同図に示す実施形態では、1チャンネルを3分割した単位で制御可能となっている。もちろん、第1実施形態と同様に、周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、各第1電極333は一方主面332上で配置されている。そして、電位付与部336から複数本単位(第2実施形態では、「3本」)で第1電極333への電圧印加を調整することで電界発生を制御してブラッグ回折光BLを生じさせている。したがって、第1実施形態と同様に、ブラッグ回折光BLの回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器33を用いて0次光L0を基板W(記録材料)に導いてLSIデータに対応するパターンを描画することができ、描画品質を大幅に向上させることができる。   FIG. 7 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, as shown in the figure, a plurality of first electrodes 333 having an electrode width EW1 substantially equal to the grating period RC and extending in parallel with the optical axis OA are substantially perpendicular to the incident light LI. They are arrayed in the direction X to be spaced apart from each other. Also in the second embodiment, a voltage is applied independently for each first electrode 333, and the number of channels and exposure are controlled by controlling the voltage application mode from the potential applying unit 336 (not shown). The width can be finely adjusted. In this second embodiment, 15 first electrodes 333 are provided. However, when voltage application is controlled for every three adjacent electrodes as shown in FIG. As shown in FIG. 4B, the exposure position can be set finely by performing control to shift the position of the diffracted light BL by one electrode. That is, as shown in FIG. 3C, the position of the second channel (2ch) can be finely controlled in units of electrodes. In the embodiment shown in the figure, control can be performed in units obtained by dividing one channel into three. Of course, as in the first embodiment, each first electrode 333 is arranged on one main surface 332 so that the diffraction grating generated in the periodically poled structure satisfies the Bragg diffraction condition. Then, by adjusting the voltage application from the potential applying unit 336 to the first electrode 333 in units of a plurality (in the second embodiment, “3”), the electric field generation is controlled to generate the Bragg diffracted light BL. Yes. Therefore, similarly to the first embodiment, the diffraction efficiency of the Bragg diffracted light BL is high, and as a result, a high extinction ratio is obtained. In addition, the spatial light modulator 33 can be used to guide the 0th-order light L0 to the substrate W (recording material) to draw a pattern corresponding to the LSI data, and the drawing quality can be greatly improved.

<第3実施形態>
図8は本発明の第3実施形態を示す図である。この第3実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、第1電極333の配置である。すなわち、複数の第1電極333は、第1実施形態では入射光LIの進む方向Zに対して略垂直な方向Xに配置されているのに対し、第3実施形態ではブラッグ回折光BLの進む方向BD(本発明の「第2方向」に相当)に対して略垂直な方向NDに互いに離間して配置されている。このように本発明の「第3方向」に相当する方向NDに複数の第1電極333を離間して配置した場合も、第1実施形態と同様の作用効果が得られる。なお、第2実施形態においては、第1電極333はブラッグ回折光BLの進む方向BDに延設されている。
<Third Embodiment>
FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. The third embodiment is greatly different from the first embodiment in the arrangement of the first electrode 333. That is, the plurality of first electrodes 333 are arranged in the direction X substantially perpendicular to the direction Z of the incident light LI in the first embodiment, whereas the Bragg diffracted light BL advances in the third embodiment. They are spaced apart from each other in a direction ND substantially perpendicular to the direction BD (corresponding to the “second direction” of the present invention). As described above, even when the plurality of first electrodes 333 are arranged apart from each other in the direction ND corresponding to the “third direction” of the present invention, the same effect as the first embodiment can be obtained. In the second embodiment, the first electrode 333 extends in the traveling direction BD of the Bragg diffracted light BL.

また、第3実施形態では、第1実施形態と同様に比較的幅広の第1電極333を用いて第1電極333と同数のチャンネル数で光変調を行うことが可能となっているが、第2実施形態と同様に比較的狭い第1電極333を用いる場合においても、第1電極333をブラッグ回折光BLの進む方向BDに対して略垂直な方向NDに互いに離間して配置することで第2実施形態と同様の作用効果が得られる。   Further, in the third embodiment, it is possible to perform light modulation with the same number of channels as the first electrode 333 using the relatively wide first electrode 333 as in the first embodiment. Even in the case of using the relatively narrow first electrode 333 as in the second embodiment, the first electrode 333 is arranged by being spaced apart from each other in the direction ND substantially perpendicular to the direction BD in which the Bragg diffracted light BL travels. Effects similar to those of the second embodiment can be obtained.

<第4実施形態>
図9は本発明の第4実施形態を示す図である。この第4実施形態はブラッグ回折光BLを用いて基板Wの表面へのパターン描画を行う点で、0次光LOを用いて露光記録を行う第1実施形態と大きく相違している。すなわち、第4実施形態の特徴部分は、図9に示すように、空間光変調器33の出射側に設けられる光学系(シリンドリカルレンズ34+シュリーレン光学系35)がXZ平面において入射光LIの進む方向(空間光変調器33の入射側の光軸OA)に対して角度2θbだけ傾斜して配置されている点である。
<Fourth embodiment>
FIG. 9 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention. The fourth embodiment is largely different from the first embodiment in which exposure recording is performed using the 0th-order light LO in that a pattern is drawn on the surface of the substrate W using the Bragg diffracted light BL. That is, as shown in FIG. 9, the characteristic part of the fourth embodiment is that the optical system (cylindrical lens 34 + schlieren optical system 35) provided on the emission side of the spatial light modulator 33 travels in the incident light LI on the XZ plane. This is that the optical axis OA on the incident side of the spatial light modulator 33 is inclined at an angle 2θb.

このように構成されたパターン描画装置では、同図(a)の破線にて示すように、空間光変調器33でブラッグ回折されて空間光変調器33の出射面からブラッグ回折光BLはレンズ351を介してアパーチャ3521に集光し、当該アパーチャ3521を通過してレンズ353に入射する。そして、このレンズ353によりブラッグ回折光BLはレンズ353を介して基板Wの表面上に照射される。例えば第1、3〜5チャンネルの第1電極333に電圧V1を付与したときには、これらのチャンネル(1、3〜5ch)に対応するブラッグ回折光BLが上記のようにして基板Wの表面上に照射されて各チャンネル(1、3〜5ch)に対応してスポット状に露光される。一方、2チャンネルの光、つまり0次光LOは、図9(a)中に実線にて示すように、光軸OAと平行に電気光学結晶基板331から出射されるため、アパーチャ3521から離れた位置、つまりアパーチャ板352の表面で遮蔽される。   In the pattern drawing apparatus configured as described above, as indicated by a broken line in FIG. 5A, the Bragg diffracted light BL is diffracted by the spatial light modulator 33 and the Bragg diffracted light BL is emitted from the exit surface of the spatial light modulator 33. Through the aperture 3521, passes through the aperture 3521, and enters the lens 353. Then, the Bragg diffracted light BL is irradiated onto the surface of the substrate W through the lens 353 by the lens 353. For example, when the voltage V1 is applied to the first electrodes 333 of the first and third to fifth channels, the Bragg diffracted light BL corresponding to these channels (1, 3 to 5ch) is formed on the surface of the substrate W as described above. Irradiated and exposed in a spot shape corresponding to each channel (1, 3 to 5 ch). On the other hand, the two-channel light, that is, the 0th-order light LO is emitted from the electro-optic crystal substrate 331 in parallel with the optical axis OA as shown by the solid line in FIG. The position is blocked by the surface of the aperture plate 352.

以上のように、第4実施形態においては、電位付与部336により周期分極反転構造内での電界発生を制御することでブラッグ回折光BLを生じさせることができ、ブラッグ回折光BLの回折効率は高く、その結果、高い消光比が得られる。また、この空間光変調器33を用いてブラッグ回折光BLを基板W(記録材料)に導いてLSIデータに対応するパターンを描画することができ、描画品質を大幅に向上させることができる。   As described above, in the fourth embodiment, the Bragg diffracted light BL can be generated by controlling the electric field generation in the periodically poled structure by the potential applying unit 336, and the diffraction efficiency of the Bragg diffracted light BL is as follows. As a result, a high extinction ratio is obtained. Further, by using the spatial light modulator 33, the Bragg diffracted light BL can be guided to the substrate W (recording material) to draw a pattern corresponding to LSI data, and the drawing quality can be greatly improved.

なお、上記第4実施形態では、図5および図6に示す空間光変調器33が用いられているが、使用可能な空間光変調器33はこれに限定されるものではなく、例えば図8に示す空間光変調器33を用いてもよい。   In the fourth embodiment, the spatial light modulator 33 shown in FIGS. 5 and 6 is used. However, the usable spatial light modulator 33 is not limited to this. For example, FIG. The spatial light modulator 33 shown may be used.

<第5実施形態>
図10は本発明の第5実施形態を示す図であり、空間光変調器33の具体的構成を示している。同図に示す空間光変調器33は電気光学結晶基板331内にスラブ導波路3314を設けている点で第1実施形態の空間光変調器33(図5(b)参照)と大きく相違する。すなわち、第5実施形態では、図10(a)に示すように、電気光学結晶基板331の一方主面332全体に対してアニールプロトン交換法による処理が施されている。これにより、光の進行方向であるZ方向に垂直な電気光学結晶基板331の断面において一方主面322の位置(同図の上方位置)から(−Y)方向に離れるに従って屈折率(第1電極333と第2電極335間に電界が生じていない状態における屈折率)が小さくなる屈折率分布が、電気光学結晶基板331の全体において同様に形成される。なお、図10では光が進む方向Zに対して垂直な断面に対してグラデーションを付して一方主面332から(−Y)側に離れるに従って屈折率が漸次小さくなっていることを示している。このように構成することで、入射面331aを介して電気光学結晶基板331の周期分極反転構造に入射した光LIは、一方主面332近傍の屈折率が高い部分(薄い板状の部位)のみを通過してZ方向に導かれる。このように、図10(a)の空間光変調器33では、電気光学結晶基板331の一方主面332近傍の部位がスラブ導波路となっている。したがって、電気光学結晶基板331内を伝播している途中での光損失はごく僅かなものとなり、光を効率よく伝播させることができる。
<Fifth Embodiment>
FIG. 10 is a diagram showing a fifth embodiment of the present invention, and shows a specific configuration of the spatial light modulator 33. The spatial light modulator 33 shown in the figure is greatly different from the spatial light modulator 33 of the first embodiment (see FIG. 5B) in that a slab waveguide 3314 is provided in the electro-optic crystal substrate 331. That is, in the fifth embodiment, as shown in FIG. 10A, the entire one main surface 332 of the electro-optic crystal substrate 331 is subjected to a treatment by the annealing proton exchange method. Thereby, in the cross section of the electro-optic crystal substrate 331 perpendicular to the Z direction, which is the traveling direction of light, the refractive index (first electrode) increases in the (−Y) direction from the position of the one main surface 322 (the upper position in the figure). A refractive index distribution in which the refractive index in a state where no electric field is generated between 333 and the second electrode 335 is reduced is similarly formed in the entire electro-optic crystal substrate 331. In FIG. 10, gradation is given to the cross section perpendicular to the light traveling direction Z, and the refractive index gradually decreases with increasing distance from the main surface 332 to the (−Y) side. . With this configuration, the light LI incident on the periodically poled structure of the electro-optic crystal substrate 331 via the incident surface 331a is only in a portion (thin plate-shaped portion) having a high refractive index in the vicinity of the one main surface 332. And is guided in the Z direction. As described above, in the spatial light modulator 33 in FIG. 10A, a portion in the vicinity of the one main surface 332 of the electro-optic crystal substrate 331 is a slab waveguide. Therefore, light loss during propagation in the electro-optic crystal substrate 331 is negligible, and light can be efficiently propagated.

また光損失をさらに低減させるためには、例えば同図(b)に示すように第1電極333を電気光学結晶基板331の一方主面322から距離H1(1μm弱程度の僅かな距離)だけ離間させて空気層を形成したり、同図(c)に示すように電気光学結晶基板331の一方主面322と第1電極333の間にSiO2などの薄膜層337を介在させてもよい。このように構成された空間光変調器33では、金属製の第1電極333での光(エバネッセント波)の吸収がなく、その結果、光損失を低減させることができる。   In order to further reduce the optical loss, the first electrode 333 is separated from the one main surface 322 of the electro-optic crystal substrate 331 by a distance H1 (a slight distance of about 1 μm) as shown in FIG. An air layer may be formed, or a thin film layer 337 such as SiO 2 may be interposed between the one main surface 322 of the electro-optic crystal substrate 331 and the first electrode 333 as shown in FIG. In the spatial light modulator 33 configured as described above, light (evanescent wave) is not absorbed by the metal first electrode 333, and as a result, light loss can be reduced.

また、同図(d)に示すように、Y方向において電気光学結晶基板331の中央部にスラブ導波路3314を設けることで屈折率分布がスラブ導波路3314を中心に(+Y)方向および(−Y)方向でほぼ対称となり、電気光学結晶基板331内を伝播している途中での光損失をさらに低減させることができる。なお、同図(d)の電気光学結晶基板331については、次のようにして作成することができる。上記したように電気光学結晶基板331の両主面に対してアニールプロトン交換法による処理を施すと、各主面の近傍にスラブ導波路3314が形成される。そして、Y方向における電気光学結晶基板331の中央部に沿って同基板331を2つに分割した後、スラブ導波路3314同士を貼り合わせるることで同図(d)に示すようにY方向の中央部にスラブ導波路3314を有する電気光学結晶基板331が得られる。このようにして形成された電気光学結晶基板331を用いることで空間光変調器33での光損失を大幅に低減させることができる。   Further, as shown in FIG. 4D, by providing a slab waveguide 3314 at the center of the electro-optic crystal substrate 331 in the Y direction, the refractive index distribution is in the (+ Y) direction and (− The light loss during the propagation in the electro-optic crystal substrate 331 can be further reduced by being substantially symmetrical in the Y) direction. The electro-optic crystal substrate 331 shown in FIG. 4D can be produced as follows. As described above, when both main surfaces of the electro-optic crystal substrate 331 are processed by the annealing proton exchange method, a slab waveguide 3314 is formed in the vicinity of each main surface. Then, after dividing the substrate 331 into two along the central portion of the electro-optic crystal substrate 331 in the Y direction, the slab waveguides 3314 are bonded to each other as shown in FIG. An electro-optic crystal substrate 331 having a slab waveguide 3314 in the center is obtained. By using the electro-optic crystal substrate 331 formed in this way, the light loss in the spatial light modulator 33 can be greatly reduced.

さらに、図5に示す電気光学結晶基板331をY方向にさらに薄く、例えば5μm以下に薄膜化することで電気光学結晶基板331そのものを全体的にスラブ導波路化してもよい。この場合、光損失は図10に示す電気光学結晶基板331よりも大きくなるが、第1電極333と第2電極335の距離が縮まり、周期分極反転構造内で発生する電界の強度が増大して電気光学効果も高まる。その結果、低電圧で光変調を行うことができる。   Further, the electro-optic crystal substrate 331 itself shown in FIG. 5 may be further thinned in the Y direction, for example, thinned to 5 μm or less, so that the electro-optic crystal substrate 331 itself is entirely made into a slab waveguide. In this case, the optical loss is larger than that of the electro-optic crystal substrate 331 shown in FIG. 10, but the distance between the first electrode 333 and the second electrode 335 is shortened, and the strength of the electric field generated in the periodically poled structure is increased. The electro-optic effect is also increased. As a result, light modulation can be performed at a low voltage.

<第6実施形態>
図11は本発明の第6実施形態を示す図である。また、図12は図11に示すパターン描画装置で用いられた空間光変調器を示す図である。さらに、図13は第1実施形態と第6実施形態の対比図である。この第6実施形態にかかる空間光変調器33が第1実施形態と相違するのは、電気光学結晶基板331に形成される周期分極反転構造と、空間光変調器33とシリンドリカルレンズ34との間にスリット板36が配置されている点であり、その他の構成は基本的に第1実施形態と同一である。以下、その相違点を中心に説明する。
<Sixth Embodiment>
FIG. 11 is a diagram showing a sixth embodiment of the present invention. FIG. 12 is a diagram showing a spatial light modulator used in the pattern drawing apparatus shown in FIG. Further, FIG. 13 is a comparison diagram between the first embodiment and the sixth embodiment. The spatial light modulator 33 according to the sixth embodiment is different from the first embodiment in that the periodic polarization inversion structure formed on the electro-optic crystal substrate 331, and between the spatial light modulator 33 and the cylindrical lens 34 are different. The other configuration is basically the same as that of the first embodiment. Hereinafter, the difference will be mainly described.

第6実施形態で用いられているスリット板36には、X方向に延びるスリット361が形成されており、当該スリット361を介して0次光LOが通過可能となっている。一方、第6実施形態では次に説明するように第1分極部3311および第2分極部3312が傾斜した周期分極反転構造を有しているために電気光学結晶基板331の中央部から一方主面332や他方主面334側に傾いて出射されるブラッグ回折光BLや次に説明する再結合光はスリット板36に遮蔽される。   In the slit plate 36 used in the sixth embodiment, a slit 361 extending in the X direction is formed, and the zero-order light LO can pass through the slit 361. On the other hand, in the sixth embodiment, since the first polarization portion 3311 and the second polarization portion 3312 have a tilted periodically poled structure as will be described below, one main surface from the central portion of the electro-optic crystal substrate 331 is obtained. The Bragg diffracted light BL and the recombination light described below that are emitted while being inclined toward the side 332 or the other main surface 334 are shielded by the slit plate 36.

次に、第1実施形態と第6実施形態での周期分極反転構造の相違点、ならびに第6実施形態における特有の作用効果について図12および図13を参照しつつ説明する。第1実施形態では図5に示すように、互いに隣接配列された第1分極部3311および第2分極部3312の境界面3315が電気光学結晶基板331の一方主面332および他方主面334に対して直交している、つまり入射光LIが第1分極部3311および第2分極部3312に対して垂直入射するように構成されている。このため、図13の「第1実施形態」の欄に示すように、ブラッグ回折の回折面は一方主面332および他方主面334と平行で、かつ両者のほぼ中間に位置している。したがって、電気光学結晶基板331に入射した入射光LIがブラッグ回折されると、そのブラッグ回折光BLは回折面に沿って進み、再結合が生じる。この再結合光は回折面に沿って、しかも入射光LIと平行に進んで電気光学結晶基板331から出射する。このような再結合光は消光比を低減させる要因となるため、これを抑制することが消光比を高めて高コントラストを得る上で重要となる。   Next, the difference between the periodically poled structures in the first embodiment and the sixth embodiment, and the specific operational effects in the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13. In the first embodiment, as shown in FIG. 5, the boundary surface 3315 of the first polarization portion 3311 and the second polarization portion 3312 arranged adjacent to each other with respect to the one main surface 332 and the other main surface 334 of the electro-optic crystal substrate 331. The incident light LI is configured to be perpendicularly incident on the first polarization unit 3311 and the second polarization unit 3312. For this reason, as shown in the column “First Embodiment” in FIG. 13, the diffraction surface of the Bragg diffraction is parallel to the one main surface 332 and the other main surface 334, and is located approximately in the middle between them. Therefore, when the incident light LI incident on the electro-optic crystal substrate 331 is Bragg diffracted, the Bragg diffracted light BL travels along the diffracting surface and recombination occurs. The recombined light travels along the diffraction plane and parallel to the incident light LI, and is emitted from the electro-optic crystal substrate 331. Such recombination light is a factor for reducing the extinction ratio, and it is important to suppress this to increase the extinction ratio and obtain high contrast.

これに対し、第6実施形態では図12に示すように、第1分極部3311および第2分極部3312を傾斜させる、より具体的には第1分極部3311および第2分極部3312の境界面3315が電気光学結晶基板331の一方主面332および他方主面334に対して傾斜するように第1分極部3311および第2分極部3312が形成されている。このため、入射光LIは第1分極部3311および第2分極部3312に対して斜入射し、ブラッグ回折の回折面は図13の「第6実施形態」の欄に示すように、境界面3315の傾斜角に対応して傾斜している。したがって、入射光LIがブラッグ回折されると、そのブラッグ回折光BLは回折面に沿って一方主面3311(傾斜態様によっては他方主面3312)側に進む。このため、回折に必要な光の結合が生じにくくなり、再結合光の発生量は第1実施形態に比べて低減される。さらに、第1分極部3311および第2分極部3312の傾斜角(つまり両主面332、334に対する境界面3315の傾斜角)を適切に設定することで再結合を防止して再結合光の発生自体を排除することができる。   On the other hand, in the sixth embodiment, as shown in FIG. 12, the first polarization portion 3311 and the second polarization portion 3312 are inclined, more specifically, the boundary surface between the first polarization portion 3311 and the second polarization portion 3312. First polarization portion 3311 and second polarization portion 3312 are formed such that 3315 is inclined with respect to one main surface 332 and the other main surface 334 of electro-optic crystal substrate 331. Therefore, the incident light LI is obliquely incident on the first polarization unit 3311 and the second polarization unit 3312, and the diffraction surface of the Bragg diffraction is a boundary surface 3315 as shown in the column “Sixth Embodiment” in FIG. It is inclined corresponding to the inclination angle. Therefore, when the incident light LI is Bragg diffracted, the Bragg diffracted light BL travels toward the one main surface 3311 (or the other main surface 3312 depending on the inclination) along the diffraction surface. Therefore, coupling of light is less likely to occur necessary for diffraction, the amount of recombination light is reduced as compared with the first embodiment. Further, by appropriately setting the inclination angles of the first polarization portion 3311 and the second polarization portion 3312 (that is, the inclination angle of the boundary surface 3315 with respect to both main surfaces 332 and 334), recombination is prevented and recombination light is generated. Itself can be eliminated.

以上のように、第6実施形態によれば、第1実施形態と同様の作用効果が得られるのみならず、第1分極部3311および第2分極部3312を傾斜させることによって再結合光の発生を抑制、さらには防止することができ、より高い消光比が得られる。   As described above, according to the sixth embodiment, not only the same effects as the first embodiment can be obtained, but also the recombination light is generated by inclining the first polarization unit 3311 and the second polarization unit 3312. Can be suppressed and further prevented, and a higher extinction ratio can be obtained.

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第1、第2、第4〜第6実施形態では第1電極333が入射光LIの進む方向Zに延設されているが、同実施形態において、第1電極333の形状については第1電極333の配列方向Xにおいて隣接するチャンネル同士が重なり合わない限り任意である。また、第3実施形態ではブラッグ回折光BLが進む方向にBDに第1電極333が延設されているが、同実施形態において、第1電極333の形状については第1電極333の配列方向NDにおいて隣接するチャンネル同士が重なり合わない限り任意である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first, second, and fourth to sixth embodiments, the first electrode 333 is extended in the direction Z in which the incident light LI travels. As long as the adjacent channels in the arrangement direction X of the one electrode 333 do not overlap each other, it is arbitrary. In the third embodiment, the first electrode 333 is extended to the BD in the direction in which the Bragg diffracted light BL travels. However, in the same embodiment, the first electrode 333 is shaped in the arrangement direction ND of the first electrode 333. As long as adjacent channels do not overlap with each other, it is optional.

また、上記実施形態では、本発明にかかる空間光変調器33を装備した光学ヘッド3にヘッド移動機構30を設けて基板Wと光学ヘッド3との距離を調整しているが、ステージ移動機構51に昇降駆動部を設けて上記距離を調整可能としてもよい。また、上記光学ヘッド3に対して基板Wを相対移動させる構成は上記実施形態に限定されるものではない。つまり、空間光変調器33から出射される複数の光をステージ5に保持された基板Wに照射する位置を基板Wに対して相対的に移動しつつ描画(LSI)データに応じて空間光変調器33を制御してパターンを描画するパターン描画装置全般に本発明を適用することができる。   In the above embodiment, the head moving mechanism 30 is provided in the optical head 3 equipped with the spatial light modulator 33 according to the present invention to adjust the distance between the substrate W and the optical head 3. The above-mentioned distance may be adjustable by providing an elevating drive unit. Further, the configuration for moving the substrate W relative to the optical head 3 is not limited to the above embodiment. That is, spatial light modulation is performed in accordance with drawing (LSI) data while moving the position at which the plurality of lights emitted from the spatial light modulator 33 are irradiated on the substrate W held on the stage 5 relative to the substrate W. The present invention can be applied to any pattern drawing apparatus that controls the device 33 to draw a pattern.

また、パターンを描画する記録材料は、プリント配線基板や半導体基板等の感光性材料が塗布された、あるいは、感光性を有する他の材料であってもよく、光の照射による熱に反応する材料であってもよい。   The recording material for drawing the pattern may be a photosensitive material such as a printed wiring board or a semiconductor substrate, or may be another photosensitive material, and is a material that reacts to heat due to light irradiation. It may be.

さらに、上記のように構成された空間光変調器33はパターン描画以外の用途に用いられてもよく、この場合、光の照射の対象物も記録材料以外であってもよい。   Furthermore, the spatial light modulator 33 configured as described above may be used for purposes other than pattern drawing. In this case, the object to be irradiated with light may be other than the recording material.

1…パターン描画装置
31…光源部
32…照明光学系
33…空間光変調器
34…シリンドリカルレンズ(光学系)
35…シュリーレン光学系(光学系)
331…電気光学結晶基板
3311…第1分極部
3312…第2分極部
3313…分極対
3314…スラブ導波路
3315…境界面
331a…入射面
332…(電気光学結晶基板の)一方主面
334…(電気光学結晶基板の)他方主面
336…電位付与部(変調部)
337…薄膜層
AD…配列方向(第1方向)
BD…ブラッグ回折光の進む方向(第2方向)
BL…ブラッグ回折光
LI…入射光
ND…配列方向(第3方向)
OA…光軸
RC…格子周期
W…基板
X…配列方向(第3方向)
Z…入射光の進む方向(第2方向)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pattern drawing apparatus 31 ... Light source part 32 ... Illumination optical system 33 ... Spatial light modulator 34 ... Cylindrical lens (optical system)
35 ... Schlieren optical system (optical system)
331: Electro-optic crystal substrate 3311: First polarization unit 3312 ... Second polarization unit 3313 ... Polarization pair 3314 ... Slab waveguide 3315 ... Interface surface 331a ... Incident surface 332 ... One main surface (of the electro-optic crystal substrate) 334 ( The other main surface (of the electro-optic crystal substrate) 336... Potential application unit (modulation unit)
337 ... thin film layer AD ... arrangement direction (first direction)
BD: Direction of travel of Bragg diffracted light (second direction)
BL: Bragg diffracted light LI: incident light ND: arrangement direction (third direction)
OA ... optical axis RC ... lattice period W ... substrate X ... arrangement direction (third direction)
Z: Direction in which incident light travels (second direction)

Claims (12)

電界を受けて発生する分極の向きが互いに反対である第1分極部および第2分極部を交互に所定周期で第1方向に配列した周期分極反転構造を有し、前記第1方向に対して傾斜した第2方向に沿って進む光が前記周期分極反転構造を介して通過する電気光学結晶基板と、
前記電気光学結晶基板の一方主面上に設けられた複数の第1電極と、
前記電気光学結晶基板の他方主面上に設けられた第2電極と、
前記複数の第1電極と前記2電極の間での電界発生をそれぞれ制御して前記周期分極反転構造内での回折効率を変調させる変調部とを備え、
前記複数の第1電極は前記周期分極反転構造内を進む光の進行方向と略垂直な第3方向に互いに離間して配列され、
前記複数の第1電極の各々は、当該第1電極と前記第2電極の間で発生する電界を受けて前記周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、前記電気光学結晶基板に対して配置されていることを特徴とする空間光変調器。
Having a periodic polarization reversal structure in which first and second polarization parts having opposite directions of polarization generated by receiving an electric field are alternately arranged in a first direction at a predetermined period, with respect to the first direction; An electro-optic crystal substrate through which light traveling along the inclined second direction passes through the periodic domain-inverted structure;
A plurality of first electrodes provided on one main surface of the electro-optic crystal substrate;
A second electrode provided on the other main surface of the electro-optic crystal substrate;
A modulation unit that controls electric field generation between the plurality of first electrodes and the two electrodes, respectively, and modulates diffraction efficiency in the periodically poled structure,
The plurality of first electrodes are spaced apart from each other in a third direction substantially perpendicular to a traveling direction of light traveling in the periodically poled structure,
Each of the plurality of first electrodes receives the electric field generated between the first electrode and the second electrode so that a diffraction grating generated in the periodically poled structure satisfies the Bragg diffraction condition. A spatial light modulator characterized by being arranged with respect to an electro-optic crystal substrate.
前記第3方向は前記周期分極反転構造に入射された入射光の進む方向に対して略直交する方向である請求項1に記載の空間光変調器。   2. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the third direction is a direction substantially orthogonal to a traveling direction of incident light incident on the periodically poled structure. 前記複数の第1電極はそれぞれ前記入射光の進む方向に延設されている請求項2に記載の空間光変調器。   The spatial light modulator according to claim 2, wherein each of the plurality of first electrodes extends in a direction in which the incident light travels. 前記第3方向は前記周期分極反転構造内でブラッグ回折されたブラッグ回折光の進む方向に対して略直交する方向である請求項1に記載の空間光変調器。   2. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the third direction is a direction substantially orthogonal to a traveling direction of Bragg diffracted light that is Bragg diffracted in the periodically poled structure. 前記複数の第1電極はそれぞれ前記ブラッグ回折光の進む方向に延設されている請求項4に記載の空間光変調器。   The spatial light modulator according to claim 4, wherein each of the plurality of first electrodes extends in a direction in which the Bragg diffracted light travels. 前記第3方向での前記第1電極の幅は前記所定周期より広い請求項1ないし5のいずれか一項に記載の空間光変調器。   The spatial light modulator according to claim 1, wherein a width of the first electrode in the third direction is wider than the predetermined period. 互いに隣接配列された前記第1分極部および前記第2分極部の境界面が前記電気光学結晶基板の前記一方主面および前記他方主面に対して傾斜している請求項1ないし6のいずれか一項に記載の空間光変調器。   7. The boundary surface between the first polarization part and the second polarization part arranged adjacent to each other is inclined with respect to the one main surface and the other main surface of the electro-optic crystal substrate. The spatial light modulator according to one item. 前記電気光学結晶基板では、前記一方主面から前記他方主面に向かう厚さ方向の一部でスラブ導波路が設けられている請求項1ないし7のいずれか一項に記載の空間光変調器。   8. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the electro-optic crystal substrate is provided with a slab waveguide in a part in a thickness direction from the one main surface to the other main surface. 9. . 前記スラブ導波路は前記厚さ方向の中央に形成されている請求項1ないし7のいずれか一項に記載の空間光変調器。   The spatial light modulator according to claim 1, wherein the slab waveguide is formed at a center in the thickness direction. 前記スラブ導波路はアニールプロトン交換法により形成されている請求項8または9に記載の空間光変調器。   The spatial light modulator according to claim 8 or 9, wherein the slab waveguide is formed by an annealing proton exchange method. 前記電気光学結晶基板の前記一方主面から前記他方主面までの厚さは30μm以下である請求項1ないし10のいずれか一項に記載の空間光変調器。   The spatial light modulator according to any one of claims 1 to 10, wherein a thickness from the one main surface to the other main surface of the electro-optic crystal substrate is 30 µm or less. 記録材料にパターンを描画するパターン描画装置であって、
光源部と、
前記光源部からの光が入射される請求項1ないし11のいずれか一項に記載の空間光変調器と、
前記空間光変調器と前記記録材の間に配置されて前記周期分極反転構造を通過してくる0次光およびブラッグ回折光のうちの一方を前記記録材料に導く光学系と
を備えたことを特徴とするパターン描画装置。
A pattern drawing apparatus for drawing a pattern on a recording material,
A light source unit;
The spatial light modulator according to any one of claims 1 to 11, wherein light from the light source unit is incident;
An optical system arranged between the spatial light modulator and the recording material and guiding one of zero-order light and Bragg diffracted light passing through the periodic polarization reversal structure to the recording material. A characteristic pattern drawing apparatus.
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