JP2011029307A - 熱電素子 - Google Patents
熱電素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011029307A JP2011029307A JP2009171907A JP2009171907A JP2011029307A JP 2011029307 A JP2011029307 A JP 2011029307A JP 2009171907 A JP2009171907 A JP 2009171907A JP 2009171907 A JP2009171907 A JP 2009171907A JP 2011029307 A JP2011029307 A JP 2011029307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- rare earth
- heavy rare
- thermoelectric
- zinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】上記課題を解決するために、熱電素子は、結晶生成時に添加された亜鉛を反応時に加熱除去されてなる重希土類元素多ホウ化結晶からなり、重希土類多ホウ化物にニッケルが固溶されてなることを特徴とする手段を採用した。
【選択図】なし
Description
一方で、多ホウ化物は、特徴として、高融点を有し、高温においても熱的、化学的に極めて安定であるという劣悪環境下での魅力的な特性を有し、低熱伝導率であり、高温でもその熱電性能が鋭く上昇するものが発見された(特許文献1、2)。しかし応用に供するためにより高い性能が必要というのが現状であった。
本発明の特徴を結晶構造的に明確にはできないが、下記実施例にて明らかにしたように、従来の同様な組成のものとは異なった結晶構造を有しているものである。
また、その生成過程、特に、亜鉛が生成過程でどのような経緯で除去されるのかを具体的に明らかにはできない。しかし、従来周知の生成過程を考慮すると、亜鉛は、他の原料とともに一端溶融して混合され、それが、その後の加熱継続により蒸発して除去されたものとするのが、適切と考える。
結晶作製の原料に対して添加された亜鉛が、生成時の加熱により完全に除去されることで、当該結晶がどのように変化したのかを現時点では充分明快に分析することはできていない。
なお、亜鉛が生成時の加熱によりどのような経緯により除去されているかについてを明らかにする事実を明確にはできないが、従来周知の生成過程を考慮すると、亜鉛は、他の原料と中に一端溶融し、それがその後の加熱継続により蒸発して除去されたものとするのが、適切と考える。
この場合の亜鉛の添加量の上限は、7(Atomic%)以下、好ましくは、6(Atomic%)以下、より好ましくは5(Atomic%)以下、またその下限は、1(Atomic%)以上、好ましくは、2(Atomic%)以上、より好ましくは3(Atomic%)以上とするのが望ましい。
前記上限を超えると亜鉛の蒸発量が大きくなりすぎてしまうために試料の合成自体に支障をきたし始める。
また、下限未満であると亜鉛添加による結晶性の変化の効果が大きく認められない。
なお、以下の実施例では、添加された亜鉛が結晶中に存在しないことを確認している。
図2、図3を比較すると以下の理由で、結晶性に以下のような変化が生じているものと思われる。
従来よりこの重希土類多ホウ化物の結晶にはマイクロクラックやケイ素の偏析などが認められ、結晶性があまり高くないという問題があった(非特許文献1)。図2のSEM写真がそれを如実に示している。つまり、結晶の中に不純物あるいは分相に由来すると思われる母体とは異なる領域が見える。それに比べて亜鉛が介在し、それが加熱除去された図3の結晶では、組織面においてより一様であり、尚かつ光沢を呈していることが観測される。Znの介在が母体結晶の形成に際し、化学組成面での純化、結晶配向性の向上、マイクロクラックの存在量の低減に好ましい影響を与えていることが推量される。
図4にZnの介在の有無で比較した電気抵抗の特性を記す。Znを介在させた方の重希土類元素多ホウ化物結晶の抵抗が全温度域で大きく減少していることが観測される。これは化学組成面での純化、結晶配向性の向上、マイクロクラックの存在量の低減が影響したためであると考えられる。すなわち、結晶から不純物元素が除かれ、結晶の原子整列の度合いが向上し、更に電気伝導パスを寸断するマイクロクラックの存在量が低減したため考えられる。一方で図5にゼーベック係数の比較を示す。通常は、抵抗の大きな減少があるとゼーベック効果の大きな減少につながる。しかし、抵抗の方が最高温度では500%以上の変化を示しているのに、ゼーベック係数の方は20%程度の減少に留まっている。その理由として、ゼーベック係数は結晶性にあまり大きく依存しないためで、結果的にZnの介在によって重希土類元素多ホウ化結晶の熱電パワーファクターの大きな上昇を得ることができた。
また、ZT(熱電能指数)は、パワーファクターを熱伝導率で割った量である。熱伝導率が低下することは熱電性能に有利に働く。
重希土類多ホウ化物はそもそも本質的に低熱伝導率を示す系であるのが特徴である。ケイ素などが熱伝導率が比較的高いことを鑑みると、当発明における結晶性の向上による大きな熱伝導率の上昇がないことが予想される。また、抵抗の低下による熱伝導率の上昇はWiedemann−Franz則によりこの大きさの抵抗ではそれほど大きく貢献しないことが予想される。これにより、パワーファクター値(10−5V2/K2Ωm)と同等に、いわゆるZT(熱電能指数)が上昇することが期待される。
まず、表1,2に示す結晶を得るために、YB4とホウ素Bの粉そしてSi粉末を表1の原材料表に示す割合となるように混合して、アーク炉などを用いて加熱して反応させる。(なお、YB4ではなくて、Y金属、または他のYBnから出発してももちろん良い)。次に、この原料結晶に固溶する元素(X)を添加し、良く混合して、アーク炉などを用いて溶融する。
(なお、2段階ではなくて、固溶させようとする元素(X)を最初から添加して一段階の反応で合成を行う方法も同様に可能である)。
なお、上記の反応方法をとおして、アーク炉でなくても、電気炉そのほかの加熱炉で十分加熱できる方法で合成しても良い。
このようにして得られた結晶成分を分析すると、実験番号2ではZnは消滅していた。一方、他の元素の添加の場合には、これらを含有した結晶体を得ることができた。その詳細を表1に示す。
なお実験番号8については、最初から元素を添加せず、結晶組成の面で、実験番号2と同じものを生成させた例である。
本発明の実施例は実験番号2に相当し、その他は参考例である。
Claims (1)
- 重希土類元素多ホウ化物よりなる熱電素子であって、結晶組成を構成する原料に添加された亜鉛が、生成時の加熱により除去されてなる重希土類元素多ホウ化結晶からなることを特徴とする熱電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009171907A JP5429863B2 (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 熱電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009171907A JP5429863B2 (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 熱電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011029307A true JP2011029307A (ja) | 2011-02-10 |
| JP5429863B2 JP5429863B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=43637736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009171907A Expired - Fee Related JP5429863B2 (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 熱電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5429863B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001270712A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | National Institute For Materials Science | ケイ素を含むGd多ホウ化物とその製造方法 |
| JP2005159242A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | National Institute For Materials Science | RE−B−Si希土類多ホウ化物高温耐酸性熱電材料 |
-
2009
- 2009-07-23 JP JP2009171907A patent/JP5429863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001270712A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | National Institute For Materials Science | ケイ素を含むGd多ホウ化物とその製造方法 |
| JP2005159242A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | National Institute For Materials Science | RE−B−Si希土類多ホウ化物高温耐酸性熱電材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5429863B2 (ja) | 2014-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | Eco-friendly high-performance silicide thermoelectric materials | |
| JP5765776B2 (ja) | Mg2Si1−xSnx系多結晶体およびその製造方法 | |
| Chen et al. | Effects of (Al, Ge) double doping on the thermoelectric properties of higher manganese silicides | |
| Gao et al. | Flux synthesis and thermoelectric properties of eco-friendly Sb doped Mg2Si0. 5Sn0. 5 solid solutions for energy harvesting | |
| Zhang et al. | Improvement of thermoelectric properties of Cu3SbSe4 compound by In doping | |
| Luo et al. | Improved thermoelectric properties of Al-doped higher manganese silicide prepared by a rapid solidification method | |
| Duan et al. | Ultra-fast synthesis for Ag2Se and CuAgSe thermoelectric materials | |
| Xing et al. | Self-propagation high-temperature synthesis of half-Heusler thermoelectric materials: reaction mechanism and applicability | |
| Cai et al. | Improved thermoelectric properties of Bi2Te3− x Se x alloys by melt spinning and resistance pressing sintering | |
| Fu et al. | Study on thermoelectric properties of polycrystalline SnSe by Ge doping | |
| Chen et al. | Miscibility gap and thermoelectric properties of ecofriendly Mg2Si1− x Snx (0.1≤ x≤ 0.8) solid solutions by flux method | |
| Nagatomo et al. | Thermoelectric properties of single crystalline Ba8Al x Si46-x clathrate by using flux Czochralski method | |
| Liu et al. | Effect of addition of Ag, In or Pb on the structure and thermoelectric performance of β-Zn4Sb3 | |
| JP5429863B2 (ja) | 熱電素子 | |
| JP2016066795A (ja) | ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子 | |
| Shai et al. | Thermal stability and electrical transport properties of β-Zn4Sb3 single crystal prepared by Sn-flux method | |
| Kim et al. | Improvement in thermoelectric properties of N-type bismuth telluride nanopowders by hydrogen reduction treatment | |
| You et al. | Thermoelectric properties of Bi-doped Mg2Si1− x Sn x prepared by mechanical alloying | |
| Min et al. | Electron transport properties of La-doped AgSbTe2 thermoelectric compounds | |
| JP5382707B2 (ja) | 熱電半導体とそれを用いた熱電発電素子 | |
| Liu et al. | Combustion synthesis: a rapid way for preparing bulk Cu2SnSe3 thermoelectric materials | |
| Takagiwa et al. | Improvement in Thermoelectric Performance of Cu-Doped β-Rhombohedral Boron | |
| JP5448942B2 (ja) | 熱電変換材料 | |
| JP5051412B2 (ja) | 炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物系高温耐酸性n型熱電材料とその製造方法 | |
| Norizan et al. | Fabrication and thermoelectric property of nanostructured Si/Cr0. 8Mn0. 2Si2 eutectic alloy by melt-spinning |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120703 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130912 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131126 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131128 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5429863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |