JP2011023564A - Charged particle beam drawing apparatus, and charged particle beam drawing data generation device - Google Patents
Charged particle beam drawing apparatus, and charged particle beam drawing data generation device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011023564A JP2011023564A JP2009167525A JP2009167525A JP2011023564A JP 2011023564 A JP2011023564 A JP 2011023564A JP 2009167525 A JP2009167525 A JP 2009167525A JP 2009167525 A JP2009167525 A JP 2009167525A JP 2011023564 A JP2011023564 A JP 2011023564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cells
- cell
- threshold
- data
- see
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、描画データに含まれている図形に対応するパターンが荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画装置に関する。 The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus in which a pattern corresponding to a figure included in drawing data is drawn on a drawing region on a sample by a charged particle beam.
更に、本発明は、レイアウトデータをデータ変換処理することによって荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを作成する荷電粒子ビーム描画データ作成装置に関する。 Furthermore, the present invention relates to a charged particle beam drawing data creation apparatus that creates drawing data for a charged particle beam drawing apparatus by performing data conversion processing on layout data.
従来から、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データに複数のセルが含まれており、各セルに1個以上含まれている図形に対応するパターンが、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献1(特開2008−218857号公報)の図1、図2等に記載されたものがある。 Conventionally, a plurality of cells are included in drawing data that is hierarchized into at least a figure hierarchy and a cell hierarchy, and a pattern corresponding to one or more figures included in each cell is sampled by a charged particle beam. A charged particle beam drawing apparatus for drawing in the upper drawing area is known. Examples of this type of charged particle beam drawing apparatus include those described in FIGS. 1 and 2 of Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2008-218857).
特許文献1の図1に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム描画装置に入力された階層化された描画データが、複数のデータ処理部(演算ユニット)に振り分けられ、複数のデータ処理部(演算ユニット)によって並列してデータ処理される。
In the charged particle beam drawing apparatus described in FIG. 1 of
詳細には、特許文献1の図1に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、試料上の描画領域が複数のブロック群に仮想分割されている。更に、描画データのうち、一のブロック群に含まれているセルが、一のデータ処理部(演算ユニット)に振り分けられ、データ処理される。また、描画データのうち、他のブロック群に含まれているセルが、他のデータ処理部(演算ユニット)に振り分けられ、一のデータ処理部(演算ユニット)によるデータ処理に並列してデータ処理される。
Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus described in FIG. 1 of
また、従来から、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに1個以上の図形が含まれているレイアウトデータをデータ変換処理することにより、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを作成する荷電粒子ビーム描画データ作成装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画データ作成装置の例としては、例えば特許文献2(特開2009−10077号公報)の図3、特許文献3(特開2008−47722号公報)の図2等に記載されたものがある。 In addition, conventionally, at least a figure hierarchy and a cell hierarchy are hierarchized, a plurality of cells are included, and layout data including one or more figures in each cell is subjected to data conversion processing. A charged particle beam drawing data creation device for creating drawing data for a charged particle beam drawing device is known. Examples of this type of charged particle beam drawing data creation apparatus are described in FIG. 3 of Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-10077), FIG. 2 of Patent Document 3 (Japanese Patent Laid-Open No. 2008-47722), and the like. There is something that was done.
特許文献2の図3に記載された荷電粒子ビーム描画データ作成装置では、荷電粒子ビーム描画データ作成装置に入力された階層化されたレイアウトデータが、複数のデータ変換処理部(データ処理ユニット)に振り分けられ、複数のデータ変換処理部(データ処理ユニット)によって並列してデータ変換処理される。
In the charged particle beam drawing data creation device described in FIG. 3 of
ところで、特許文献1の図1に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、上述したように、描画データのうち、一のブロック群に含まれているセルが、一のデータ処理部(演算ユニット)に振り分けられてデータ処理され、描画データのうち、他のブロック群に含まれているセルが、他のデータ処理部(演算ユニット)に振り分けられ、一のデータ処理部(演算ユニット)によるデータ処理に並列してデータ処理されるものの、描画データに含まれている複数のセルが複数のデータ処理部(演算ユニット)に振り分けられる前の段階では、描画データに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を変更する処理が実行されない。
By the way, in the charged particle beam drawing apparatus described in FIG. 1 of
また、特許文献2の図3に記載された荷電粒子ビーム描画データ作成装置では、上述したように、荷電粒子ビーム描画データ作成装置に入力された階層化されたレイアウトデータが、複数のデータ変換処理部(データ処理ユニット)に振り分けられ、複数のデータ変換処理部(データ処理ユニット)によって並列してデータ変換処理されるものの、レイアウトデータに含まれている複数のセルが複数のデータ変換処理部(データ処理ユニット)に振り分けられる前の段階では、レイアウトデータに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を変更する処理が実行されない。
Moreover, in the charged particle beam drawing data creation apparatus described in FIG. 3 of
本発明は、描画データに含まれている複数のセルが複数のデータ処理部に振り分けられる前の段階で描画データに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を適切に変更する処理を実行することにより、複数のデータ処理部におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間(アイドルタイム)および総処理時間を低減することができる荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。 The present invention performs a process of appropriately changing the size or data amount of cells included in drawing data before the plurality of cells included in the drawing data are distributed to a plurality of data processing units. The charged particle beam that can reduce the wasteful waiting time (idle time) and the total processing time in the plurality of data processing units while reducing the increase in the total memory capacity required for the data processing in the plurality of data processing units An object is to provide a drawing apparatus.
更に、本発明は、レイアウトデータに含まれている複数のセルが複数のデータ変換処理部に振り分けられる前の段階でレイアウトデータに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を適切に変更する処理を実行することにより、複数のデータ変換処理部におけるデータ変換処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ変換処理部における無駄な待ち時間(アイドルタイム)および総処理時間を低減することができる荷電粒子ビーム描画データ作成装置を提供することを目的とする。 Furthermore, the present invention provides a process for appropriately changing the size or data amount of cells included in the layout data before the plurality of cells included in the layout data are distributed to the plurality of data conversion processing units. By executing this, the wasteful waiting time (idle time) and the total processing time in the plurality of data conversion processing units are reduced while reducing the increase in the total memory capacity required for the data conversion processing in the plurality of data conversion processing units. An object of the present invention is to provide a charged particle beam drawing data creation apparatus capable of performing the above.
本発明の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに1個以上の図形が含まれている描画データが入力される入力部と、
入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第1セル再定義部と、
第1セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含む複数のセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
第1分割処理部、第1セル再定義部および第2分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
According to one embodiment of the present invention, at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy are hierarchized, a plurality of cells are included, and drawing data including one or more graphics is input to each cell. An input unit,
A first division processing unit that divides a cell having a size larger than the first threshold value into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold value among the plurality of cells included in the drawing data input to the input unit. When,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold are classified into cells including a plurality of array-type figures and non-array-type figures. A first cell redefinition unit that redefines as a plurality of different cells by dividing into cells including
Dividing a cell having a size larger than the third threshold among a plurality of cells including a plurality of non-arrayed figures redefined by the first cell redefinition unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold. A second division processing unit for processing;
A distribution unit that distributes a plurality of cells after processing by the first division processing unit, the first cell redefinition unit, and the second division processing unit to a plurality of data processing units;
A data processing module having a plurality of data processing units for processing data in parallel for a plurality of cells distributed by the distribution unit;
There is provided a charged particle beam drawing apparatus comprising: a drawing unit that draws a pattern corresponding to a figure included in drawing data in a drawing region on a sample by a charged particle beam.
好ましくは、第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍より大きくなる場合に、
第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍以下になる場合に、
第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第3分割処理部が設けられる。
Preferably, among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than the third threshold is divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold. When processing, when the total data amount of the plurality of cells after the division processing is larger than the fourth threshold times the data amount of the cells before the division processing,
Of cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than the third threshold is not divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold. ,
Among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, when dividing a cell having a size larger than the third threshold into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold, When the total data amount of the plurality of cells after the division processing is equal to or less than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing,
A cell having a size larger than the third threshold value among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit is divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold value. A three-division processing unit is provided.
あるいは、好ましくは、第3分割処理部が設けられる代わりに、第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第5閾値以上のデータ量を有するセルを、少なくとも、第5閾値未満のデータ量を有する第1の種類の図形を含むセルと、第5閾値未満のデータ量を有する第2の種類の図形を含むセルとに分けることによって、1セル当たり第5閾値未満のデータ量を有する異なる複数のセルとして再定義する第2セル再定義部が設けられる。 Alternatively, preferably, instead of providing the third division processing unit, a cell having a data amount equal to or greater than the fifth threshold among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit. Per cell by dividing into at least a cell containing a first type graphic having a data amount less than the fifth threshold and a cell containing a second type graphic having a data amount less than the fifth threshold. A second cell redefinition unit is provided for redefining as a plurality of different cells having a data amount less than the fifth threshold.
本発明の別の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに1個以上の図形が含まれている描画データが入力される入力部と、
入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍より大きくなる場合に、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍以下になる場合に、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
第1分割処理部およ第2分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
According to another aspect of the present invention, drawing data is hierarchized into at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy, includes a plurality of cells, and each cell includes one or more graphics. An input part to be input;
A first division processing unit that divides a cell having a size larger than the first threshold value into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold value among the plurality of cells included in the drawing data input to the input unit. When,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. When the division processing into a plurality of cells having the size of, the total data amount of the plurality of cells after the division processing is larger than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. Is not divided into a plurality of cells having the size of
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. When the division processing into a plurality of cells having the size of, the total data amount of the plurality of cells after the division processing is equal to or less than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing.
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. A second division processing unit that performs division processing into a plurality of cells having a size of
A distribution unit that distributes a plurality of cells after the division processing by the first division processing unit and the second division processing unit to a plurality of data processing units;
A data processing module having a plurality of data processing units for processing data in parallel for a plurality of cells distributed by the distribution unit;
There is provided a charged particle beam drawing apparatus comprising: a drawing unit that draws a pattern corresponding to a figure included in drawing data in a drawing region on a sample by a charged particle beam.
本発明の更に別の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに1個以上の図形が含まれているレイアウトデータが入力される入力部と、
入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の複数の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第1セル再定義部と、
第1セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
第1分割処理部、第1セル再定義部および第2分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置が提供される。
According to still another aspect of the present invention, layout data is hierarchized into at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy, includes a plurality of cells, and each cell includes one or more graphics. An input section where
A first division processing unit that divides a cell having a size larger than the first threshold among a plurality of cells included in the layout data input to the input unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold. When,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold are divided into cells including a plurality of array-type figures, and a plurality of non-array-type A first cell redefinition unit for redefining as a plurality of different cells by dividing into a cell including the figure of
Of cells including a plurality of non-arrayed figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than the third threshold is divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold. A second division processing unit;
A distribution unit that distributes a plurality of cells after processing by the first division processing unit, the first cell redefinition unit, and the second division processing unit to a plurality of data conversion processing units;
A data conversion processing module having a plurality of data conversion processing units for performing data conversion processing in parallel on a plurality of cells distributed by the distribution unit;
A charged particle beam drawing data creation device comprising: an output unit that outputs drawing data for a charged particle beam drawing device created by data conversion processing by a plurality of data conversion processing units of a data conversion processing module Is provided.
好ましくは、第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍より大きくなる場合に、
第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍以下になる場合に、
第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第3分割処理部が設けられる。
Preferably, among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than the third threshold is divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold. When processing, when the total data amount of the plurality of cells after the division processing is larger than the fourth threshold times the data amount of the cells before the division processing,
Of cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than the third threshold is not divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold. ,
Among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, when dividing a cell having a size larger than the third threshold into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold, When the total data amount of the plurality of cells after the division processing is equal to or less than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing,
A cell having a size larger than the third threshold value among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit is divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold value. A three-division processing unit is provided.
あるいは、好ましくは、第3分割処理部が設けられる代わりに、第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第5閾値以上のデータ量を有するセルを、少なくとも、第5閾値未満のデータ量を有する第1の種類の図形を含むセルと、第5閾値未満のデータ量を有する第2の種類の図形を含むセルとに分けることによって、1セル当たり第5閾値未満のデータ量を有する異なる複数のセルとして再定義する第2セル再定義部が設けられる。 Alternatively, preferably, instead of providing the third division processing unit, a cell having a data amount equal to or greater than the fifth threshold among cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit. Per cell by dividing into at least a cell containing a first type graphic having a data amount less than the fifth threshold and a cell containing a second type graphic having a data amount less than the fifth threshold. A second cell redefinition unit is provided for redefining as a plurality of different cells having a data amount less than the fifth threshold.
本発明の更に別の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに1個以上の図形が含まれているレイアウトデータが入力される入力部と、
入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍より大きくなる場合に、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍以下になる場合に、
第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
第1分割処理部および第2分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置が提供される。
According to still another aspect of the present invention, layout data is hierarchized into at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy, includes a plurality of cells, and each cell includes one or more graphics. An input section where
A first division processing unit that divides a cell having a size larger than the first threshold among a plurality of cells included in the layout data input to the input unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold. When,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. When the division processing into a plurality of cells having the size of, the total data amount of the plurality of cells after the division processing is larger than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. Is not divided into a plurality of cells having the size of
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. When the division processing into a plurality of cells having the size of, the total data amount of the plurality of cells after the division processing is equal to or less than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing.
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold are equal to or smaller than the third threshold. A second division processing unit that performs division processing into a plurality of cells having a size of
A distribution unit that distributes a plurality of cells after the division processing by the first division processing unit and the second division processing unit to a plurality of data conversion processing units;
A data conversion processing module having a plurality of data conversion processing units for performing data conversion processing in parallel on a plurality of cells distributed by the distribution unit;
A charged particle beam drawing data creation device comprising: an output unit that outputs drawing data for a charged particle beam drawing device created by data conversion processing by a plurality of data conversion processing units of a data conversion processing module Is provided.
本発明によれば、複数のデータ処理部におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間(アイドルタイム)および総処理時間を低減することができる。 According to the present invention, it is possible to reduce wasteful waiting time (idle time) and total processing time in a plurality of data processing units while reducing an increase in total memory capacity required for data processing in the plurality of data processing units. it can.
更に、本発明によれば、複数のデータ変換処理部におけるデータ変換処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ変換処理部における無駄な待ち時間(アイドルタイム)および総処理時間を低減することができる。 Furthermore, according to the present invention, the useless waiting time (idle time) and the total processing time in the plurality of data conversion processing units are reduced while the increase in the total memory capacity required for the data conversion processing in the plurality of data conversion processing units is alleviated. Can be reduced.
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第1の実施形態について説明する。図1は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の概略的な構成図である。図2は図1に示す制御計算機10b1の詳細図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、マスク(ブランク)、ウエハなどのような試料M上に荷電粒子ビーム10a1bを照射することによって、試料M上に目的のパターンを描画するための描画部10aが設けられている。
A charged particle beam drawing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム10a1bとして例えば電子ビームが用いられるが、第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、荷電粒子ビーム10a1bとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
In the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、荷電粒子銃10a1aと、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bを偏向する偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bによる描画が行われる試料Mを載置する可動ステージ10a2aとが、描画部10aに設けられている。
In the charged particle
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、描画部10aの一部を構成する描画室10a2に、試料Mが載置された可動ステージ10a2aが配置されている。この可動ステージ10a2aは、例えば、X方向(図1の左右方向)およびY方向(図1の手前側−奥側方向)に移動可能に構成されている。
Specifically, in the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、描画部10aの一部を構成する光学鏡筒10a1に、荷電粒子銃10a1aと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、レンズ10a1g,10a1h,10a1i,10a1j,10a1kと、第1成形アパーチャ10a1lと、第2成形アパーチャ10a1mとが配置されている。
Furthermore, in the charged particle
具体的には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、試料M上の描画領域DA(図5参照)全体に対応する描画データD1が、制御計算機10b1に入力されると、読み込みモジュール10b1aによって読み込まれ、入力バッファ10b1bに格納される。次いで、例えば、入力バッファ10b1bに格納された描画データD1が、ローカライザー(入力データ分割モジュール、ディストリビュータ)10b1dによって入力バッファ10b1bから読み出される。
Specifically, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ローカライザー10b1dの分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4およびセル再定義部10b1d2において、描画データD1に含まれている複数のセルCL1,CL2,CL3,CL4,CL5,CL6,・・(図8参照)に対し、後で詳細に説明する処理が実行される。次いで、その処理が実行された後の複数のセルCL1,CL2,CL3,CL4,CL5,CL6,・・が、ローカライザー10b1dの振り分け部10b1d5によって、小領域DPB1,DPB2,・・(図8参照)単位にまとめられ、データ処理モジュール10b1eの複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6に振り分けられて転送される。
Next, in the charged particle
詳細には、図2に示す例では、例えば、小領域DPB1(図8参照)に含まれているセルCL1,CL2,CL3(図8参照)に関するデータが、振り分け部10b1d5によってデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3に振り分けられて転送される。また、小領域DPB2(図8参照)に含まれているセルCL4,CL5,CL6(図8参照)に関するデータが、振り分け部10b1d5によってデータ処理部10b1e4,10b1e5,10b1e6に振り分けられて転送される。 Specifically, in the example shown in FIG. 2, for example, data relating to the cells CL1, CL2, CL3 (see FIG. 8) included in the small area DPB1 (see FIG. 8) is transferred to the data processing unit 10b1e1, by the distribution unit 10b1d5. 10b1e2 and 10b1e3 are sorted and transferred. In addition, data related to the cells CL4, CL5, and CL6 (see FIG. 8) included in the small area DPB2 (see FIG. 8) is sorted and transferred to the data processing units 10b1e4, 10b1e5, and 10b1e6 by the sorting unit 10b1d5.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、データ処理部10b1e1に転送されたセルCL1,CL2,CL3(図8参照)に関するデータが、データ処理部10b1e1によって描画装置内部フォーマットデータD2に変換処理される。また、データ処理部10b1e2に転送されたセルCL1,CL2,CL3に関するデータが、データ処理部10b1e1によるデータ処理に並列して、データ処理部10b1e2によって描画装置内部フォーマットデータD2に変換処理される。更に、データ処理部10b1e3に転送されたセルCL1,CL2,CL3に関するデータが、データ処理部10b1e1,10b1e2によるデータ処理に並列して、データ処理部10b1e3によって描画装置内部フォーマットデータD2に変換処理される。
Next, in the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、データ処理部10b1e4に転送されたセルCL4,CL5,CL6(図8参照)に関するデータが、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によるデータ処理に並列して、データ処理部10b1e4によって描画装置内部フォーマットデータD2に変換処理される。また、データ処理部10b1e5に転送されたセルCL4,CL5,CL6に関するデータが、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4によるデータ処理に並列して、データ処理部10b1e5によって描画装置内部フォーマットデータD2に変換処理される。更に、データ処理部10b1e6に転送されたセルCL4,CL5,CL6に関するデータが、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5によるデータ処理に並列して、データ処理部10b1e6によって描画装置内部フォーマットデータD2に変換処理される。
Furthermore, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6による並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータD2が、出力バッファ10b1fに格納される。次いで、例えば、出力バッファ10b1fに格納された描画装置内部フォーマットデータD2が、ショットデータ生成部10b1gに転送される。
Next, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gに転送された描画装置内部フォーマットデータD2が、ショットデータ生成部10b1gによって変換処理され、試料M上にパターンを描画する荷電粒子ビーム10a1bを照射するためのショットデータが生成される。
Next, in the charged particle
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、例えば、分散処理管理モジュール10b1cによって、ローカライザー10b1d、データ処理モジュール(コンバータモジュール)10b1e、ショットデータ生成部10b1g等が管理されている。
Specifically, in the charged particle
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gによって生成されたショットデータが、偏向制御部10b1hに送られる。次いで、例えば、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによって偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fが制御され、その結果、荷電粒子銃10a1aからの荷電粒子ビーム10a1bが試料M上の所望の位置に照射される。
Next, in the charged particle
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b2を介してブランキング偏向器10a1cを制御することにより、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bが、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられて試料Mに照射されるか、あるいは、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’以外の部分によって遮られて試料Mに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ブランキング偏向器10a1cを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム10a1bの照射時間を制御することができる。
Specifically, in the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b3を介してビーム寸法可変偏向器10a1dを制御することにより、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bの一部が、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mに照射される荷電粒子ビーム10a1bの大きさ、形状などを調整することができる。
Further, in the charged particle
図3は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10において荷電粒子ビーム10a1bの1回のショットで試料M上に描画することができるパターンPの一例を説明するための図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上にパターンP(図3(A)参照)が描画される時に、荷電粒子銃10a1a(図1参照)から照射された荷電粒子ビーム10a1bの一部が、第1成形アパーチャ10a1lの例えば正方形の開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられる。その結果、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bの一部が、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられる。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a pattern P that can be drawn on the sample M by one shot of the charged particle beam 10a1b in the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、例えば、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bを偏向器10a1d(図1参照)によって偏向することにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられる荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状を、例えば矩形(正方形または長方形)にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。
In the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、例えば、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bを、試料M上の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状と概略同一形状のパターンP(図3(A)参照)を試料M上に描画することができる。
Furthermore, in the charged particle
つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが偏向器10a1d(図1参照)によって偏向される量および向きを偏向制御部10b1h(図2参照)によって制御することにより、例えば、図3(B)、図3(C)、図3(D)および図3(E)に示すような概略矩形(正方形または長方形)のパターンP、図3(F)、図3(G)、図3(H)および図3(I)に示すような概略三角形のパターンPなどを、荷電粒子ビーム10a1bの1回のショットで試料M上に描画することができる。
That is, in the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b4を介して主偏向器10a1eを制御することにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、主偏向器10a1eによって偏向される。
Furthermore, in the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b5を介して副偏向器10a1fを制御することにより、主偏向器10a1eによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bが、副偏向器10a1fによって更に偏向される。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、主偏向器10a1eおよび副偏向器10a1fによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mに照射される荷電粒子ビーム10a1bの照射位置を調整することができる。
Further, in the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、ショットデータ生成部10b1gにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部10b1iによってステージ制御回路10b6を介して可動ステージ10a2aの移動が制御される。
Furthermore, in the charged particle
図1および図2に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたレイアウトデータ(CADデータ、設計データ)を荷電粒子ビーム描画装置10用のフォーマットに変換することにより得られた描画データD1が、荷電粒子ビーム描画装置10の制御計算機10b1に入力される。一般的に、レイアウトデータ(CADデータ、設計データ)には、多数の微小なパターンが含まれており、レイアウトデータ(CADデータ、設計データ)のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、レイアウトデータ(CADデータ、設計データ)等を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、レイアウトデータ(CADデータ、設計データ)および描画データD1では、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
In the example shown in FIGS. 1 and 2, for example, the layout data (CAD data, design data) created by a semiconductor integrated circuit designer or the like is converted into a format for the charged particle
図4は図1および図2に示す描画データD1の一例を概略的に示した図である。図4に示す例では、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10に適用される描画データD1(図1および図2参照)が、例えば、チップ階層CP、チップ階層CPよりも下位のフレーム階層FR、フレーム階層FRよりも下位のブロック階層BL、ブロック階層BLよりも下位のセル階層CL、および、セル階層CLよりも下位の図形階層FGに階層化されている。
FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of the drawing data D1 shown in FIGS. In the example shown in FIG. 4, the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2) applied to the charged particle
詳細には、図4に示す例では、例えば、チップ階層CPの要素の一部であるチップCP1が、フレーム階層FRの要素の一部である3個のフレームFR1,FR2,FR3に対応している。また、例えば、フレーム階層FRの要素の一部であるフレームFR2が、ブロック階層BLの要素の一部である18個のブロックBL00,・・,BL52に対応している。更に、例えば、ブロック階層BLの要素の一部であるブロックBL21が、セル階層CLの要素の一部である複数のセルCLA,CLB,CLC,CLD,・・に対応している。また、例えば、セル階層CLの要素の一部であるセルCLAが、図形階層FGの要素の一部である多数の図形FG1,FG2,・・に対応している。 Specifically, in the example illustrated in FIG. 4, for example, a chip CP1 that is a part of the elements of the chip hierarchy CP corresponds to three frames FR1, FR2, and FR3 that are part of the elements of the frame hierarchy FR. Yes. Further, for example, a frame FR2 which is a part of the elements of the frame hierarchy FR corresponds to 18 blocks BL00,..., BL52 which are parts of the elements of the block hierarchy BL. Further, for example, the block BL21 which is a part of the elements of the block hierarchy BL corresponds to a plurality of cells CLA, CLB, CLC, CLD,. Further, for example, a cell CLA which is a part of the elements of the cell hierarchy CL corresponds to a large number of figures FG1, FG2,.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1、図2および図4に示すように、描画データD1(図1および図2参照)に含まれる多数の図形FG1,FG2,・・(図4参照)に対応するパターンが、荷電粒子ビーム10a1b(図1参照)によって試料M(図1参照)上の描画領域DA(図5参照)に描画される。
In the charged particle
図5は描画データD1に含まれる図形FG1,FG2,・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序を説明するための図である。図5に示す例では、試料M上の描画領域DAが例えば6個の短冊状のストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6に仮想分割されている。 FIG. 5 is a diagram for explaining a drawing order in which patterns corresponding to the figures FG1, FG2,... Included in the drawing data D1 are drawn by the charged particle beam 10a1b. In the example shown in FIG. 5, the drawing area DA on the sample M is virtually divided into, for example, six strip-shaped stripe frames STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, STR6.
図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bが、ストライプ枠STR1内を図5の右側から図5の左側に向かって走査され、描画データD1(図1および図2参照)に含まれる多数の図形(図示せず)に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR1内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bが、ストライプ枠STR2内を図5の左側から図5の右側に向かって走査され、描画データD1(図1および図2参照)に含まれる多数の図形(図示せず)に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR2内に描画される。次いで、同様に、描画データD1(図1および図2参照)に含まれる多数の図形FG1,FG2,・・(図4参照)に対応するパターンP1,P2,・・(図6参照)が荷電粒子ビーム10a1bによってストライプ枠STR3,STR4,STR5,STR6内に描画される。 In the example shown in FIG. 5, for example, the charged particle beam 10a1b is scanned in the stripe frame STR1 from the right side of FIG. 5 to the left side of FIG. 5, and is included in the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2). A pattern corresponding to the figure (not shown) is drawn in the stripe frame STR1 by the charged particle beam 10a1b. Next, for example, the charged particle beam 10a1b is scanned from the left side of FIG. 5 toward the right side of FIG. 5 in the stripe frame STR2, and a large number of figures (not shown) included in the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2). A pattern corresponding to (1) is drawn in the stripe frame STR2 by the charged particle beam 10a1b. Similarly, the patterns P1, P2,... (See FIG. 6) corresponding to the large number of figures FG1, FG2,... (See FIG. 4) included in the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2) are charged. Drawing is performed in the stripe frames STR3, STR4, STR5 and STR6 by the particle beam 10a1b.
詳細には、図5に示す例では、例えば、ストライプ枠STR1内にパターンが描画される時、可動ステージ10a2a(図1参照)が図5の左側から図5の右側)に移動するように、テージ制御部10b1i(図2参照)によってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。次いで、例えば、ストライプ枠STR2内にパターンが描画される前に、可動ステージ10a2aが図5の上側から図5の下側に移動するように、ステージ制御部10b1iによってステージ制御回路10b6を介して可動ステージ10a2aが制御される。次いで、例えば、ストライプ枠STR2内にパターンが描画される時、可動ステージ10a2aが図5の右側から図5の左側)にに移動するように、ステージ制御部10b1iによってステージ制御回路10b6を介して可動ステージ10a2aが制御される。 Specifically, in the example shown in FIG. 5, for example, when a pattern is drawn in the stripe frame STR1, the movable stage 10a2a (see FIG. 1) moves from the left side of FIG. 5 to the right side of FIG. The movable stage 10a2a is controlled by the stage control unit 10b1i (see FIG. 2) via the stage control circuit 10b6 (see FIG. 1). Next, for example, before the pattern is drawn in the stripe frame STR2, the stage controller 10b1i is movable via the stage control circuit 10b6 so that the movable stage 10a2a moves from the upper side of FIG. 5 to the lower side of FIG. The stage 10a2a is controlled. Next, for example, when a pattern is drawn in the stripe frame STR2, the stage controller 10b1i is movable via the stage control circuit 10b6 so that the movable stage 10a2a moves from the right side of FIG. 5 to the left side of FIG. The stage 10a2a is controlled.
図6は描画データD1に含まれる図形FG1,FG2,・・に対応するパターンP1,P2,・・が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。 FIG. 6 is a diagram for explaining in detail an example of the drawing order in which the patterns P1, P2,... Corresponding to the figures FG1, FG2,... Included in the drawing data D1 are drawn by the charged particle beam 10a1b.
図6に示す例では、例えば、ストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6(図5参照)内の領域が、サブフィールドSFn,SFn+1,・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図6に示す例では、例えば、描画データD1(図1参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム10a1bがサブフィールドSFn内に照射されるように、偏向制御部10b1h(図2参照)によって偏向制御回路10b4(図1参照)を介して主偏向器10a1e(図1参照)が制御される。次いで、主偏向器10a1eの制御が完了すると、荷電粒子ビーム10a1bによってパターンP1が描画されるように、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b5(図1参照)を介して副偏向器10a1f(図1参照)が制御される。次いで、副偏向器10a1fの制御が完了した時にパターンP1を描画するための荷電粒子ビーム10a1bの照射が開始されるように、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b2(図1参照)を介してブランキング偏向器10a1c(図1参照)が制御される。次いで、荷電粒子ビーム10a1bによるパターンP1の描画が終了すると、荷電粒子ビーム10a1bの照射が停止されるように、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b2を介してブランキング偏向器10a1cが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってパターンP2が描画されるように、偏向制御部10b1hによって偏向制御回路10b5を介して副偏向器10a1fが制御され、パターンP1の描画と同様にパターンP2の描画が実行される。 In the example shown in FIG. 6, for example, the areas in the stripe frames STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, STR6 (see FIG. 5) are further subdivided by a plurality of rectangular virtual areas called subfields SFn, SFn + 1,. It is divided. Specifically, in the example shown in FIG. 6, for example, when the pattern P1 corresponding to the figure FG1 (see FIG. 4) included in the drawing data D1 (see FIG. 1) is drawn by the charged particle beam 10a1b, first, For example, the main deflector 10a1e (see FIG. 1) via the deflection control circuit 10b4 (see FIG. 1) by the deflection control unit 10b1h (see FIG. 1) so that the charged particle beam 10a1b is irradiated into the subfield SFn. Is controlled. Next, when the control of the main deflector 10a1e is completed, the sub-deflector 10a1f (FIG. 1) is transmitted by the deflection control unit 10b1h via the deflection control circuit 10b5 (see FIG. 1) so that the pattern P1 is drawn by the charged particle beam 10a1b. Control). Next, when the control of the sub deflector 10a1f is completed, irradiation by the deflection control unit 10b1h via the deflection control circuit 10b2 (see FIG. 1) is started so that irradiation of the charged particle beam 10a1b for drawing the pattern P1 is started. The ranking deflector 10a1c (see FIG. 1) is controlled. Next, when drawing of the pattern P1 by the charged particle beam 10a1b is completed, the blanking deflector 10a1c is controlled by the deflection control unit 10b1h via the deflection control circuit 10b2 so that the irradiation of the charged particle beam 10a1b is stopped. Next, for example, the sub-deflector 10a1f is controlled by the deflection control unit 10b1h via the deflection control circuit 10b5 so that the pattern P2 is drawn by the charged particle beam 10a1b, and the pattern P2 is drawn similarly to the pattern P1. Executed.
次いで、図6に示す例では、例えば、サブフィールドSFn内のすべてのパターンP1,P2,・・の描画が終了すると、荷電粒子ビーム10a1bがサブフィールドSFn+1内に照射されるように、偏向制御部10b1h(図2参照)によって偏向制御回路10b4(図1参照)を介して主偏向器10a1e(図1参照)が制御され、パターンP1,P2の描画と同様にパターンP11,P12の描画が実行される。
Next, in the example shown in FIG. 6, for example, when drawing of all the patterns P1, P2,... In the subfield SFn is completed, the deflection control unit is configured so that the charged particle beam 10a1b is irradiated into the
図7は描画データD1に含まれる図形FG1に対応するパターンP1が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図7は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10において描画データD1に含まれる図形FG1に対応するパターンP1を荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上に描画するために必要な荷電粒子ビーム10a1bのショット数の一例を説明するための図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a drawing order in which the pattern P1 corresponding to the figure FG1 included in the drawing data D1 is drawn by the charged particle beam 10a1b. Specifically, FIG. 7 shows the charge necessary for drawing the pattern P1 corresponding to the figure FG1 included in the drawing data D1 on the sample M by the charged particle beam 10a1b in the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば描画データD1(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1(図6参照)が、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)よりも大きい場合などに、図7に示すように、複数回の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットが行われる。換言すれば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば描画データD1に含まれる図形FG1に対応するパターンP1が、最大サイズのパターンPよりも大きい場合などに、ショットデータ生成部10b1g(図2参照)によって、描画データD1に含まれる図形FG1が、パターンP1a,P1b,P1c,P1d,P1e,P1f,P1g,P1h,P1iに対応する複数の小さい図形(図示せず)にデータ上で分割処理(ショット分割処理)され、ショットデータが生成される。
In the charged particle
詳細には、図7に示す例では、例えば、まず最初に、図7(A)に示すように、1回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1aが試料M上に描画される。 Specifically, in the example shown in FIG. 7, for example, first, as shown in FIG. 7A, the pattern of the maximum size is obtained by the first shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). A pattern P1a having the same shape as P (see FIG. 3B) is drawn on the sample M.
更に詳細には、図7に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)をサブフィールドSFn(図6参照)に位置決めするための偏向制御部10b1h(図2参照)による主偏向器10a1e(図1参照)の制御が完了すると、1回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットによってパターンP1a(図7(A)参照)が描画されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによって副偏向器10a1f(図1参照)が制御される。次いで、偏向制御部10b1hによる副偏向器10a1fの制御が完了した時にパターンP1aを描画するための荷電粒子ビーム10a1bのショットが開始されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによってブランキング偏向器10a1c(図1参照)が制御される。また、偏向制御部10b1hによる副偏向器10a1fの制御が完了した時にパターンP1aを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム10a1bが照射されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによってビーム寸法可変偏向器10a1d(図1参照)が制御される。次いで、パターンP1aを描画するための荷電粒子ビーム10a1bの照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム10a1bの照射が停止されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1hによってブランキング偏向器10a1cが制御される。 More specifically, in the example shown in FIG. 7, for example, by the deflection control unit 10b1h (see FIG. 2) for positioning the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) in the subfield SFn (see FIG. 6). When the control of the main deflector 10a1e (see FIG. 1) is completed, the deflection control unit based on the shot data so that the pattern P1a (see FIG. 7A) is drawn by the first shot of the charged particle beam 10a1b. The sub deflector 10a1f (see FIG. 1) is controlled by 10b1h. Next, blanking deflection is performed by the deflection control unit 10b1h based on the shot data so that a shot of the charged particle beam 10a1b for drawing the pattern P1a is started when the control of the sub deflector 10a1f by the deflection control unit 10b1h is completed. The device 10a1c (see FIG. 1) is controlled. Further, the deflection controller 10b1h based on the shot data causes the charged particle beam 10a1b having a horizontal sectional shape for drawing the pattern P1a to be emitted when the control of the sub deflector 10a1f by the deflection controller 10b1h is completed. The beam size variable deflector 10a1d (see FIG. 1) is controlled. Next, when the irradiation time of the charged particle beam 10a1b for drawing the pattern P1a is completed, the blanking deflector 10a1c is controlled by the deflection control unit 10b1h based on the shot data so that the irradiation of the charged particle beam 10a1b is stopped. Is done.
次いで、図7に示す例では、例えば、2回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、パターンP1b(図7(B)参照)が描画される。次いで、例えば、3回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットにより、パターンP1c(図7(C)参照)が描画される。次いで、例えば、4回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットにより、パターンP1d(図7(D)参照)が描画される。次いで、例えば、5回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットにより、パターンP1e(図7(E)参照)が描画される。次いで、例えば、6回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットにより、パターンP1f(図7(F)参照)が描画される。次いで、例えば、7回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットにより、パターンP1g(図7(G)参照)が描画される。次いで、例えば、8回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットにより、パターンP1h(図7(H)参照)が描画される。次いで、例えば、9回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットにより、パターンP1i(図7(I)参照)が描画される。その結果、図7に示す例では、描画データD1(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1が試料M上に描画される。 Next, in the example shown in FIG. 7, for example, the pattern P1b (see FIG. 7B) is drawn by the second shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). Next, for example, the pattern P1c (see FIG. 7C) is drawn by the third shot of the charged particle beam 10a1b. Next, for example, a pattern P1d (see FIG. 7D) is drawn by a fourth shot of the charged particle beam 10a1b. Next, for example, the pattern P1e (see FIG. 7E) is drawn by the fifth shot of the charged particle beam 10a1b. Next, for example, the pattern P1f (see FIG. 7F) is drawn by the sixth shot of the charged particle beam 10a1b. Next, for example, the pattern P1g (see FIG. 7G) is drawn by the seventh shot of the charged particle beam 10a1b. Next, for example, the pattern P1h (see FIG. 7H) is drawn by the eighth shot of the charged particle beam 10a1b. Next, for example, the pattern P1i (see FIG. 7I) is drawn by the ninth shot of the charged particle beam 10a1b. As a result, in the example shown in FIG. 7, the pattern P1 corresponding to the figure FG1 (see FIG. 4) included in the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2) is drawn on the sample M.
図7に示す例では、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1a,P1b,P1d,P1eを描画する荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットを4回行っても試料M上にパターンP1を描画することができず、試料M上にパターンP1を描画するためには9回の荷電粒子ビーム10a1bのショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1a,P1b,P1d,P1eを描画する荷電粒子ビーム10a1bの4回のショットと、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)より小さいパターンP1c,P1f,P1g,P1h,P1iを描画する荷電粒子ビーム10a1bの5回のショットとにショット分割処理されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えばパターンP1i(図7(I)参照)のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割処理が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム10a1bの9回のショットによってパターンP1(図7(I)参照)を描画する場合には、パターンP1を図7の左右方向3列×図7の上下方向3列に9等分したパターンが、荷電粒子ビーム10a1bの1回のショットによって描画される。
In the example shown in FIG. 7, a shot of a charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) for drawing patterns P1a, P1b, P1d, and P1e having the same shape as the maximum size pattern P (see FIG. 3B). It will be explained in an easy-to-understand manner that the pattern P1 cannot be drawn on the sample M even after four times, and nine shots of the charged particle beam 10a1b are necessary to draw the pattern P1 on the sample M. Therefore, four shots of the charged particle beam 10a1b for drawing the patterns P1a, P1b, P1d, and P1e having the same shape as the maximum size pattern P (see FIG. 3B) and the maximum size pattern P (FIG. 3). (See (B)) Shot division processing into five shots of the charged particle beam 10a1b for drawing smaller patterns P1c, P1f, P1g, P1h, P1i It has been. In the actual charged particle
詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図7(A)〜図7(I)に示すように、描画データD1(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1が、荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)によって試料M上のストライプ枠STR3(図5および図6参照)内に描画されている期間中、例えば、可動ステージ10a2a(図1参照)が図5の左側から図5の右側に移動するように、ステージ制御部10b1i(図2参照)によって可動ステージ10a2aが制御される。
Specifically, in the charged particle
図8〜図21は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の特徴的な部分である図2に示す分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4およびセル再定義部10b1d2における処理などを詳細に説明するための図である。詳細には、図8は試料M上のストライプ枠STR1,STR2,・・と、小領域DPB1,DPB2,・・と、セルCL1,CL2,CL3,CL4,CL5,CL6,・・との関係の一例を示した図である。図8に示す例では、例えば、試料M上の描画領域DA(図5参照)のストライプ枠STR1が、複数の小領域DPB1,DPB2,・・に仮想分割されている。更に、例えば3個のセルCL1,CL2,CL3が小領域DPB1内に含まれており、例えば3個のセルCL4,CL5,CL6が小領域DPB2内に含まれている。
8 to 21 describe in detail the processing in the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 and the cell redefinition unit 10b1d2 shown in FIG. 2, which are characteristic parts of the charged particle
具体的に、図8に示す例では、例えば、まず最初に、入力バッファ10b1b(図2参照)に格納されている描画データD1(図2参照)のうち、小領域DPB1に含まれている3個のセルCL1,CL2,CL3のデータが、ローカライザー10b1d(図2参照)によって読み出される。 Specifically, in the example shown in FIG. 8, for example, first, among the drawing data D1 (see FIG. 2) stored in the input buffer 10b1b (see FIG. 2), 3 included in the small region DPB1 3 The data of the cells CL1, CL2, CL3 are read by the localizer 10b1d (see FIG. 2).
図9は図8に示すセルCL1が図2に示す分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4およびセル再定義部10b1d2によって処理される一例を示した図である。図8および図9(A)に示す例では、次いで、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d1(図2参照)において、セルCL1のサイズ(詳細には、幅寸法(図9(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図9(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(例えばAμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9(A)および図9(B)に示す例では、セルCL1のサイズ(詳細には、幅寸法(図9(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(Aμm)より大きいため、1個のセルCL1(図9(A)参照)が、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図9(B)参照)に分割処理される。 FIG. 9 is a diagram showing an example in which the cell CL1 shown in FIG. 8 is processed by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 and the cell redefinition unit 10b1d2 shown in FIG. In the example shown in FIGS. 8 and 9A, next, for example, in the division processing unit 10b1d1 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2), the size (specifically, the width dimension (see FIG. 9) of the cell CL1. It is determined whether or not (A) horizontal dimension) or height dimension (vertical dimension of FIG. 9A)) is greater than a first threshold (for example, A μm). In the example shown in FIGS. 8, 9A, and 9B, the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9A)) and the height dimension (FIG. 9A) of the cell CL1. )) Is larger than the first threshold value (A μm), so that one cell CL1 (see FIG. 9A) has four cells CL1a having a size equal to or smaller than the first threshold value (A μm). , CL1b, CL1c, CL1d (see FIG. 9B).
次いで、図8、図9(A)、図9(B)および図9(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)のセル再定義部10b1d2(図2参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図9(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図8、図9(A)、図9(B)および図9(C)に示す例では、例えば、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有するセルCL1a(図9(B)参照)が、アレイ型の複数の図形FGA,FGB(図10(A)参照)を含むセルCL1a2(図9(C)参照)と、非アレイ型の複数の図形FGC,FGD,FGE,FGF,FGG,FGH,FGI,FGJ(図11(A)参照)を含むセルCL1a1(図9(C)参照)とに分けられ、異なるセルCL1a1,CL1a2として再定義される。 Next, in the example shown in FIGS. 8, 9A, 9B, and 9C, for example, in the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2), Is there a cell having a data amount larger than the second threshold (for example, B megabytes) in four cells CL1a, CL1b, CL1c, and CL1d (see FIG. 9B) having a size of one threshold (Aμm) or less? It is determined whether or not. In the examples shown in FIGS. 8, 9A, 9B, and 9C, for example, the cell CL1a having a data amount larger than the second threshold (B megabytes) (see FIG. 9B) Includes a cell CL1a2 (see FIG. 9C) including a plurality of array-type figures FGA and FGB (see FIG. 10A), and a plurality of non-array-type figures FGC, FGD, FGE, FGF, FGG, The cells are divided into cells CL1a1 (see FIG. 9C) including FGH, FGI, and FGJ (see FIG. 11A) and redefined as different cells CL1a1 and CL1a2.
図10はアレイ型の複数の図形FGA,FGBを含むセルCL1a2の一例を示した図である。詳細には、図10(A)はセルCL1a2とセルCL1a2に含まれる図形FGA,FGBとの関係の一例を示した図、図10(B)は図10(A)に示すセルCL1a2のパタンデータを示した図である。図10(B)において括弧内の数字はバイト数を表している。図10に示す例では、例えば、幅寸法(図10(A)の左右方向寸法)wAおよび高さ寸法(図10(A)の上下方向寸法)hAを有し、座標(xA,yA)に配置された図形FGAが、x方向(図10(A)の左右方向)にピッチpxで4回繰り返され(繰り返し回数nx=4)、y方向(図10(A)の上下方向)にピッチpyで4回繰り返され(繰り返し回数ny=4)、セルCL1a2内に配列されている。つまり、16個の図形FGAがセルCL1a2内に配列されている。16個の図形FGAデータのデータ量は、合計で16バイトになる(図10(B)参照)。 FIG. 10 is a diagram showing an example of a cell CL1a2 including a plurality of array type figures FGA and FGB. Specifically, FIG. 10A shows an example of the relationship between the cell CL1a2 and the figures FGA and FGB included in the cell CL1a2, and FIG. 10B shows the pattern data of the cell CL1a2 shown in FIG. FIG. In FIG. 10B, the number in parentheses represents the number of bytes. In the example shown in FIG. 10, for example, it has a width dimension (horizontal dimension in FIG. 10A) wA and a height dimension (vertical dimension in FIG. 10A) hA, and is at coordinates (xA, yA). The arranged figure FGA is repeated four times in the x direction (left and right direction in FIG. 10A) at a pitch px (the number of repetitions nx = 4), and the pitch py in the y direction (up and down direction in FIG. 10A). Are repeated four times (repetition count ny = 4), and are arranged in the cell CL1a2. That is, 16 figure FGAs are arranged in the cell CL1a2. The total amount of the 16 graphic FGA data is 16 bytes (see FIG. 10B).
また、図10に示す例では、例えば、幅寸法(図10(A)の左右方向寸法)wBおよび高さ寸法(図10(A)の上下方向寸法)hBを有し、座標(xB,yB)に配置された図形FGBが、x方向(図10(A)の左右方向)にピッチpxで4回繰り返され(繰り返し回数nx=4)、y方向(図10(A)の上下方向)にピッチpyで4回繰り返され(繰り返し回数ny=4)、セルCL1a2内に配列されている。つまり、16個の図形FGBがセルCL1a2内に配列されている。16個の図形FGBデータのデータ量は、合計で16バイトになる(図10(B)参照)。すなわち、図10に示す例では、セルCL1a2パタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で36バイトになる。 Further, in the example shown in FIG. 10, for example, it has a width dimension (horizontal dimension in FIG. 10A) wB and a height dimension (vertical dimension in FIG. 10A) hB, and coordinates (xB, yB ) Arranged in the x direction (left and right direction in FIG. 10A) at a pitch px (repetition number nx = 4) and in the y direction (up and down direction in FIG. 10A). It is repeated four times at the pitch py (repetition number ny = 4) and is arranged in the cell CL1a2. That is, 16 figures FGB are arranged in the cell CL1a2. The data amount of the 16 figure FGB data is 16 bytes in total (see FIG. 10B). That is, in the example shown in FIG. 10, the data amount of the cell CL1a2 pattern data is 36 bytes in total including the header.
図11は非アレイ型の複数の図形FGC,FGD,FGE,FGF,FGG,FGH,FGI,FGJを含むセルCL1a1の一例を示した図である。詳細には、図11(A)はセルCL1a1とセルCL1a1に含まれる図形FGC,・・,FGJとの関係の一例を示した図、図11(B)は図11(A)に示すセルCL1a1のパタンデータを示した図である。図11(B)において括弧内の数字はバイト数を表している。 FIG. 11 is a diagram showing an example of a cell CL1a1 including a plurality of non-array type graphics FGC, FGD, FGE, FGF, FGG, FGH, FGI, and FGJ. Specifically, FIG. 11A shows an example of the relationship between the cell CL1a1 and the figures FGC,..., FGJ included in the cell CL1a1, and FIG. 11B shows the cell CL1a1 shown in FIG. It is the figure which showed pattern data. In FIG. 11B, the number in parentheses represents the number of bytes.
図11に示す例では、例えば、幅寸法(図11(A)の左右方向寸法)wCおよび高さ寸法(図11(A)の上下方向寸法)hCを有する図形FGCがセルCL1a1内の座標(xC,yC)に配置されている。更に、幅寸法wDおよび高さ寸法hDを有する図形FGDがセルCL1a1内の座標(xD,yD)に配置されている。また、幅寸法wEおよび高さ寸法hEを有する図形FGEがセルCL1a1内の座標(xE,yE)に配置されている。更に、幅寸法wFおよび高さ寸法hFを有する図形FGFがセルCL1a1内の座標(xF,yF)に配置されている。また、幅寸法wGおよび高さ寸法hGを有する図形FGGがセルCL1a1内の座標(xG,yG)に配置されている。更に、幅寸法wHおよび高さ寸法hHを有する図形FGHがセルCL1a1内の座標(xH,yH)に配置されている。また、幅寸法wIおよび高さ寸法hIを有する図形FGIがセルCL1a1内の座標(xI,yI)に配置されている。更に、幅寸法wJおよび高さ寸法hJを有する図形FGJがセルCL1a1内の座標(xJ,yJ)に配置されている。つまり、8個の図形FGC,FGD,FGE,FGF,FGG,FGH,FGI,FGJがセルCL1a1内に配列されている。図形FGCデータのデータ量は、合計で8バイトになる(図11(B)参照)。同様に、図形FGD,FGE,FGF,FGG,FGH,FGI,FGJのそれぞれのデータのデータ量は、合計で8バイトになる(図11(B)参照)。すなわち、図11に示す例では、セルCL1a1パタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で68バイトになる。 In the example shown in FIG. 11, for example, a figure FGC having a width dimension (horizontal direction dimension in FIG. 11A) wC and a height dimension (vertical direction dimension in FIG. 11A) hC is the coordinates in the cell CL1a1 ( xC, yC). Furthermore, a figure FGD having a width dimension wD and a height dimension hD is arranged at coordinates (xD, yD) in the cell CL1a1. Further, a figure FGE having a width dimension wE and a height dimension hE is arranged at coordinates (xE, yE) in the cell CL1a1. Furthermore, a graphic FGF having a width dimension wF and a height dimension hF is arranged at coordinates (xF, yF) in the cell CL1a1. Further, a figure FGG having a width dimension wG and a height dimension hG is arranged at the coordinates (xG, yG) in the cell CL1a1. Furthermore, a figure FGH having a width dimension wH and a height dimension hH is arranged at coordinates (xH, yH) in the cell CL1a1. A figure FGI having a width dimension wI and a height dimension hI is arranged at coordinates (xI, yI) in the cell CL1a1. Furthermore, a figure FGJ having a width dimension wJ and a height dimension hJ is arranged at coordinates (xJ, yJ) in the cell CL1a1. That is, eight figures FGC, FGD, FGE, FGF, FGG, FGH, FGI, and FGJ are arranged in the cell CL1a1. The total amount of graphic FGC data is 8 bytes (see FIG. 11B). Similarly, the data amount of each of the figures FGD, FGE, FGF, FGG, FGH, FGI, and FGJ is 8 bytes in total (see FIG. 11B). That is, in the example shown in FIG. 11, the data amount of the cell CL1a1 pattern data is 68 bytes in total including the header.
次いで、図8、図9(A)、図9(B)、図9(C)および図9(D)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d3(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義された非アレイ型のセルCL1a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図9(D)の左右方向寸法)または高さ寸法(図9(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9(A)、図9(B)、図9(C)、図9(D)および図9(E)に示す例では、非アレイ型のセルCL1a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図9(D)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個の非アレイ型のセルCL1a1(図9(D)参照)が、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個の非アレイ型のセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d(図9(E)参照)に分割処理される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 8, 9A, 9B, 9C, and 9D, for example, the division processing unit 10b1d3 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2). 2), the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9D)) or the height dimension of the non-array type cell CL1a1 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2). It is determined whether or not the vertical dimension in FIG. 9D is larger than a third threshold value (for example, C μm). In the example shown in FIGS. 8, 9A, 9B, 9C, 9D, and 9E, the size of the non-array cell CL1a1 (in detail, Since the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9D) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 9D) are larger than the third threshold value (C μm), one non-array cell CL1a1 (See FIG. 9D) is divided into four non-arrayed cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, and CL1a1d (see FIG. 9E) having a size equal to or smaller than the third threshold (C μm).
図12は非アレイ型のセルCL1a1を分割処理することにより生成された4個の非アレイ型のセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1dの一例を示した図である。詳細には、図12(A)はセルCL1a1aとセルCL1a1aに含まれる図形FGC,FGDとの関係を示した図、図12(B)は図12(A)に示すセルCL1a1aのパタンデータを示した図である。図12(C)はセルCL1a1bとセルCL1a1bに含まれる図形FGE,FGFとの関係を示した図、図12(D)は図12(C)に示すセルCL1a1bのパタンデータを示した図である。図12(E)はセルCL1a1cとセルCL1a1cに含まれる図形FGG,FGHとの関係を示した図、図12(F)は図12(E)に示すセルCL1a1cのパタンデータを示した図である。図12(G)はセルCL1a1dとセルCL1a1dに含まれる図形FGI,FGJとの関係を示した図、図12(H)は図12(G)に示すセルCL1a1dのパタンデータを示した図である。図12(B)、図12(D)、図12(F)および図12(H)において括弧内の数字はバイト数を表している。 FIG. 12 is a diagram illustrating an example of four non-array cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, and CL1a1d generated by dividing the non-array cell CL1a1. Specifically, FIG. 12A shows the relationship between the cell CL1a1a and the figures FGC and FGD included in the cell CL1a1a, and FIG. 12B shows the pattern data of the cell CL1a1a shown in FIG. It is a figure. FIG. 12C shows the relationship between the cell CL1a1b and the graphics FGE and FGF included in the cell CL1a1b, and FIG. 12D shows the pattern data of the cell CL1a1b shown in FIG. . FIG. 12E shows the relationship between the cell CL1a1c and the graphics FGG and FGH included in the cell CL1a1c, and FIG. 12F shows the pattern data of the cell CL1a1c shown in FIG. . FIG. 12G shows a relationship between the cell CL1a1d and the figures FGI and FGJ included in the cell CL1a1d, and FIG. 12H shows a pattern data of the cell CL1a1d shown in FIG. . In FIGS. 12B, 12D, 12F, and 12H, the numbers in parentheses represent the number of bytes.
図12(B)に示す例では、分割処理部10b1d3(図2参照)による分割処理後のセルCL1a1aパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で20バイトになる。また、図12(D)に示す例では、分割処理部10b1d3による分割処理後のセルCL1a1bパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で20バイトになる。更に、図12(F)に示す例では、分割処理部10b1d3による分割処理後のセルCL1a1cパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で20バイトになる。また、図12(G)に示す例では、分割処理部10b1d3による分割処理後のセルCL1a1dパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で20バイトになる。つまり、図11および図12に示す例では、分割処理部10b1d3による分割処理後のセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1dのパタンデータの合計のデータ量が、80バイトになり、分割処理部10b1d3による分割処理前のセルCL1a1パタンデータのデータ量(68バイト)に比べて僅かに(パタンデータのヘッダ数の増加分だけ)増加する。 In the example shown in FIG. 12B, the data amount of the cell CL1a1a pattern data after the division processing by the division processing unit 10b1d3 (see FIG. 2) is 20 bytes in total including the header. In the example shown in FIG. 12D, the data amount of the cell CL1a1b pattern data after the division processing by the division processing unit 10b1d3 is 20 bytes in total including the header. Further, in the example shown in FIG. 12F, the data amount of the cell CL1a1c pattern data after the division processing by the division processing unit 10b1d3 is 20 bytes in total including the header. In the example shown in FIG. 12G, the data amount of the cell CL1a1d pattern data after the division processing by the division processing unit 10b1d3 is 20 bytes in total including the header. That is, in the example shown in FIGS. 11 and 12, the total data amount of the pattern data of the cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, and CL1a1d after the division processing by the division processing unit 10b1d3 is 80 bytes, and the division by the division processing unit 10b1d3 It slightly increases (by an increase in the number of pattern data headers) compared to the data amount (68 bytes) of the cell CL1a1 pattern data before processing.
次いで、図8、図9(A)、図9(B)、図9(C)、図9(D)および図9(E)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d4(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルCL1a2のサイズ(詳細には、幅寸法(図9(E)の左右方向寸法)または高さ寸法(図9(E)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9(A)、図9(B)、図9(C)、図9(D)、図9(E)および図9(F)に示す例では、アレイ型のセルCL1a2のサイズ(詳細には、幅寸法(図9(E)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(E)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個のアレイ型のセルCL1a2(図9(E)参照)を、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)参照)に分割処理するか否かが検討される。 Next, in the examples shown in FIGS. 8, 9A, 9B, 9C, 9D, and 9E, for example, division of the localizer 10b1d (see FIG. 2) The size of the array type cell CL1a2 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) in the processing unit 10b1d4 (see FIG. 2) (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9E)) Alternatively, it is determined whether or not the height dimension (the vertical dimension in FIG. 9E) is greater than a third threshold value (for example, C μm). In the examples shown in FIGS. 8, 9A, 9B, 9C, 9D, 9E, and 9F, the size of the array type cell CL1a2 (Specifically, since the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9E) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 9E)) are larger than the third threshold value (C μm), one array Type cell CL1a2 (see FIG. 9E) is divided into four array type cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, CL1a2d (see FIG. 9F) having a size equal to or smaller than the third threshold (C μm). Whether or not to do so is considered.
図13および図14は仮にアレイ型のセルCL1a2を分割処理した場合に生成される4個のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2dの一例を示した図である。詳細には、図13(A)はセルCL1a2aとセルCL1a2aに含まれる図形FGA,FGBとの関係を示した図、図13(B)は図13(A)に示すセルCL1a2aのパタンデータを示した図である。図13(C)はセルCL1a2bとセルCL1a2bに含まれる図形FGA,FGBとの関係を示した図、図13(D)は図13(C)に示すセルCL1a2bのパタンデータを示した図である。図14(A)はセルCL1a2cとセルCL1a2cに含まれる図形FGA,FGBとの関係を示した図、図14(B)は図14(A)に示すセルCL1a2cのパタンデータを示した図である。図14(C)はセルCL1a2dとセルCL1a2dに含まれる図形FGA,FGBとの関係を示した図、図14(D)は図14(C)に示すセルCL1a2dのパタンデータを示した図である。図13(B)、図13(D)、図14(B)および図14(D)において括弧内の数字はバイト数を表している。 FIG. 13 and FIG. 14 are diagrams showing an example of four array-type cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, and CL1a2d that are generated when the array-type cell CL1a2 is divided. Specifically, FIG. 13A shows the relationship between the cell CL1a2a and the figures FGA and FGB included in the cell CL1a2a, and FIG. 13B shows the pattern data of the cell CL1a2a shown in FIG. It is a figure. FIG. 13C shows the relationship between the cells CL1a2b and the graphics FGA and FGB included in the cell CL1a2b, and FIG. 13D shows the pattern data of the cell CL1a2b shown in FIG. . FIG. 14A is a diagram showing the relationship between the cell CL1a2c and the figures FGA and FGB included in the cell CL1a2c, and FIG. 14B is a diagram showing the pattern data of the cell CL1a2c shown in FIG. 14A. . FIG. 14C is a diagram showing the relationship between the cell CL1a2d and the figures FGA and FGB included in the cell CL1a2d, and FIG. 14D is a diagram showing the pattern data of the cell CL1a2d shown in FIG. . In FIG. 13B, FIG. 13D, FIG. 14B, and FIG. 14D, the numbers in parentheses represent the number of bytes.
図13(B)に示す例では、分割処理部10b1d4(図2参照)によって仮にアレイ型のセルCL1a2の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルCL1a2aパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で36バイトになる。また、図13(D)に示す例では、分割処理部10b1d4によって仮にアレイ型のセルCL1a2の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルCL1a2bパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で36バイトになる。更に、図14(B)に示す例では、分割処理部10b1d4によって仮にアレイ型のセルCL1a2の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルCL1a2cパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で36バイトになる。また、図14(D)に示す例では、分割処理部10b1d4によって仮にアレイ型のセルCL1a2の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルCL1a2dパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で36バイトになる。つまり、図10、図13および図14に示す例では、分割処理部10b1d4によって仮にアレイ型のセルCL1a2の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2dのパタンデータの合計のデータ量が、144バイトになり、分割処理部10b1d4による分割処理前のアレイ型のセルCL1a2パタンデータのデータ量(36バイト)の4倍に増加する。 In the example shown in FIG. 13B, if the division processing of the array-type cell CL1a2 is executed by the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2), the data amount of the array-type cell CL1a2a pattern data after the division processing is The total is 36 bytes including the header. In the example shown in FIG. 13D, if the division processing unit 10b1d4 executes the division processing of the array type cell CL1a2, the data amount of the array type cell CL1a2b pattern data after the division processing includes the header. The total is 36 bytes. Further, in the example shown in FIG. 14B, if the division processing unit 10b1d4 executes the division processing of the array type cell CL1a2, the data amount of the array type cell CL1a2c pattern data after the division processing includes the header. The total is 36 bytes. In the example shown in FIG. 14D, if the division processing unit 10b1d4 executes the division processing of the array type cell CL1a2, the data amount of the array type cell CL1a2d pattern data after the division processing includes the header. The total is 36 bytes. That is, in the example shown in FIGS. 10, 13, and 14, if the division processing of the array type cell CL1a2 is executed by the division processing unit 10b1d4, the array type cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, CL1a2d after the division processing are executed. The total data amount of the pattern data is 144 bytes, which is four times the data amount (36 bytes) of the array type cell CL1a2 pattern data before the division processing by the division processing unit 10b1d4.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルであって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズを有するセルを、分割処理部10b1d4(図2参照)によって、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、分割処理部10b1d4による分割処理が実行されない。
In the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルであって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズを有するセルを、分割処理部10b1d4(図2参照)によって、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になる場合に、分割処理部10b1d4による分割処理が実行される。
In the charged particle
上述したように、図10、図13および図14に示す例では、分割処理部10b1d4(図2参照)によって仮にアレイ型のセルCL1a2の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2dのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部10b1d4による分割処理前のアレイ型のセルCL1a2パタンデータのデータ量(36バイト)の4倍に増加するため、図9(E)および図9(F)に示すように、分割処理部10b1d4によるアレイ型のセルCL1a2の分割処理が実行されない。 As described above, in the example shown in FIGS. 10, 13, and 14, if the division processing of the array type cell CL1a2 is executed by the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2), the array type after the division processing is performed. The total data amount of the pattern data of the cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, and CL1a2d increases to four times the data amount (36 bytes) of the array type cell CL1a2 pattern data before the division processing by the division processing unit 10b1d4. As shown in FIG. 9E and FIG. 9F, the division processing of the array type cell CL1a2 by the division processing unit 10b1d4 is not executed.
つまり、図9に示す例では、セルCL1(図9(A)参照)が分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルCL1a1a(図9(E)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL1a1b(図9(E)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL1a1c(図9(E)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL1a1d(図9(E)参照)と、アレイ型の図形を含むセルCL1a2(図9(E)参照)と、セルCL1b(図9(E)参照)と、セルCL1c(図9(E)参照)と、セルCL1d(図9(E)参照)とが振り分け部10b1d5(図2参照)に送られる。 That is, in the example shown in FIG. 9, the cell CL1 (see FIG. 9A) is processed by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2). A cell CL1a1a (see FIG. 9E) including a non-array graphic generated by the above, a cell CL1a1b including a non-array graphic (see FIG. 9E), and a cell including a non-array graphic CL1a1c (see FIG. 9E), a cell CL1a1d (see FIG. 9E) containing a non-array graphic, a cell CL1a2 (see FIG. 9E) containing an array graphic, and a cell CL1b (See FIG. 9E), the cell CL1c (see FIG. 9E), and the cell CL1d (see FIG. 9E) are sent to the sorting unit 10b1d5 (see FIG. 2).
図15は図9(A)に示すセルCL1のデータ量と、図9(E)に示すセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d,CL1a2,CL1b,CL1c,CL1dの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図15(A)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理が実行される前におけるセルCL1のデータ量を示しており、図15(B)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理が実行された後におけるセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d,CL1a2,CL1b,CL1c,CL1dの合計のデータ量を示している。図16は図8に示すセルCL2が図2に示す分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4およびセル再定義部10b1d2によって処理される一例を示した図である。 FIG. 15 shows an example of the relationship between the data amount of the cell CL1 shown in FIG. 9A and the total data amount of the cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, CL1a1d, CL1a2, CL1b, CL1c, and CL1d shown in FIG. FIG. Specifically, FIG. 15A shows the data amount of the cell CL1 before the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) is executed. 15B shows the cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, CL1a1d, and CL1a2 after the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, and 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) are executed. , CL1b, CL1c, and CL1d. FIG. 16 is a diagram showing an example in which the cell CL2 shown in FIG. 8 is processed by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 and the cell redefinition unit 10b1d2 shown in FIG.
図8、図9および図16(A)に示す例では、上述したセルCL1(図9参照)の処理に次いで、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d1(図2参照)において、セルCL2のサイズ(詳細には、幅寸法(図16(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図16(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(例えばAμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16(A)および図16(B)に示す例では、セルCL2のサイズ(詳細には、幅寸法(図16(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図16(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(Aμm)より大きいため、1個のセルCL2(図16(A)参照)が、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL2a,CL2b,CL2c,CL2d(図16(B)参照)に分割処理される。 In the example shown in FIG. 8, FIG. 9 and FIG. 16A, after the processing of the cell CL1 (see FIG. 9) described above, for example, in the division processing unit 10b1d1 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2). The size of the cell CL2 (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 16A) or the height dimension (the vertical dimension in FIG. 16A)) is larger than the first threshold (for example, A μm). It is determined whether or not. In the example shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 16A and FIG. 16B, the size (specifically, width dimension (horizontal dimension in FIG. 16A)) and height dimension (FIG. 16) of the cell CL2. 16 (A) vertical dimension)) is larger than the first threshold value (A μm), so one cell CL2 (see FIG. 16A) has four cells having a size equal to or smaller than the first threshold value (A μm). Cell CL2a, CL2b, CL2c, CL2d (see FIG. 16B).
次いで、図8、図9、図16(A)、図16(B)および図16(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)のセル再定義部10b1d2(図2参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL2a,CL2b,CL2c,CL2d(図16(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図8、図9、図16(A)、図16(B)および図16(C)に示す例では、例えば、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有するセルCL2a(図16(B)参照)が、アレイ型の複数の図形を含むセルCL2a2(図16(C)参照)と、非アレイ型の複数の図形を含むセルCL2a1(図16(C)参照)とに分けられ、異なるセルCL2a1,CL2a2として再定義される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 8, 9, 16A, 16B, and 16C, for example, the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2). , Four cells CL2a, CL2b, CL2c, and CL2d (see FIG. 16B) having a size equal to or smaller than the first threshold (A μm) have cells having a data amount larger than the second threshold (for example, B megabytes). It is determined whether or not it exists. In the example shown in FIGS. 8, 9, 16A, 16B, and 16C, for example, the cell CL2a (FIG. 16B having a data amount larger than the second threshold (B megabytes)). )) Is divided into a cell CL2a2 (see FIG. 16C) including a plurality of array-type figures and a cell CL2a1 (see FIG. 16C) including a plurality of non-array-type figures. Redefined as cells CL2a1 and CL2a2.
次いで、図8、図9、図16(A)、図16(B)、図16(C)および図16(D)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d3(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義された非アレイ型のセルCL2a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図16(D)の左右方向寸法)または高さ寸法(図16(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16(A)、図16(B)、図16(C)、図16(D)および図16(E)に示す例では、非アレイ型のセルCL2a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図16(D)の左右方向寸法)および高さ寸法(図16(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個の非アレイ型のセルCL2a1(図16(D)参照)が、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個の非アレイ型のセルCL2a1a,CL2a1b,CL2a1c,CL2a1d(図16(E)参照)に分割処理される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 8, 9, 16A, 16B, 16C, and 16D, for example, the division processing unit 10b1d3 of the localizer 10b1d (see FIG. 2). In FIG. 2 (see FIG. 2), the size (specifically, the width dimension (the lateral dimension in FIG. 16D)) or the height of the non-array type cell CL2a1 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) It is determined whether or not the height dimension (the vertical dimension in FIG. 16D) is greater than a third threshold value (for example, C μm). In the example shown in FIGS. 8, 9, 16A, 16B, 16C, 16D, and 16E, the size (details) of the non-array type cell CL2a1 is shown. Since the width dimension (dimension in the horizontal direction in FIG. 16D) and the height dimension (dimension in the vertical direction in FIG. 16D)) are larger than the third threshold value (C μm), one non-array type Cell CL2a1 (see FIG. 16D) is divided into four non-array cells CL2a1a, CL2a1b, CL2a1c, and CL2a1d (see FIG. 16E) having a size equal to or smaller than the third threshold (C μm). Is done.
次いで、図8、図9、図16(A)、図16(B)、図16(C)、図16(D)および図16(E)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d4(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルCL2a2のサイズ(詳細には、幅寸法(図16(E)の左右方向寸法)または高さ寸法(図16(E)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16(A)、図16(B)、図16(C)、図16(D)、図16(E)および図16(F)に示す例では、アレイ型のセルCL2a2のサイズ(詳細には、幅寸法(図16(E)の左右方向寸法)および高さ寸法(図16(E)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個のアレイ型のセルCL2a2(図16(E)参照)を、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個のアレイ型のセルCL2a2a,CL2a2b,CL2a2c,CL2a2d(図16(F)参照)に分割処理するか否かが検討される。 Next, in the examples shown in FIGS. 8, 9, 16A, 16B, 16C, 16D, and 16E, for example, the localizer 10b1d (see FIG. 2) ) Division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2), the size (specifically, the left and right sides of the width dimension (FIG. 16E) of the array type cell CL2a2 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2)). It is determined whether or not the direction dimension) or the height dimension (the vertical dimension in FIG. 16E) is greater than a third threshold value (for example, C μm). In the example shown in FIGS. 8, 9, 16A, 16B, 16C, 16D, 16E, and 16F, an array type cell is used. Since the size of CL2a2 (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 16E) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 16E)) are larger than the third threshold value (C μm), 1 The array type cells CL2a2 (see FIG. 16E) are replaced with four array type cells CL2a2a, CL2a2b, CL2a2c, and CL2a2d (see FIG. 16F) having a size equal to or smaller than the third threshold (C μm). Whether or not to divide into two is considered.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、上述したように、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルであって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズを有するセルを、分割処理部10b1d4(図2参照)によって、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、分割処理部10b1d4による分割処理が実行されない。
As described above, the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、上述したように、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルであって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズを有するセルを、分割処理部10b1d4(図2参照)によって、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になる場合に、分割処理部10b1d4による分割処理が実行される。
Further, as described above, the charged particle
図8、図9、図16(A)、図16(B)、図16(C)、図16(D)、図16(E)および図16(F)に示す例では、分割処理部10b1d4(図2参照)によって仮にアレイ型のセルCL2a2(図16(E)参照)の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルCL2a2a,CL2a2b,CL2a2c,CL2a2d(図16(F)参照)のパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部10b1d4による分割処理前のアレイ型のセルCL2a2パタンデータのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなるため、分割処理部10b1d4によるアレイ型のセルCL2a2の分割処理が実行されない。 In the example shown in FIGS. 8, 9, 16A, 16B, 16C, 16D, 16E, and 16F, the division processing unit 10b1d4 is used. If the division processing of the array type cell CL2a2 (see FIG. 16E) is executed by (see FIG. 2), the array type cells CL2a2a, CL2a2b, CL2a2c, and CL2a2d after the division processing (FIG. 16F). The total data amount of the reference pattern data is larger than the fourth threshold D times (for example, twice) the data amount of the array type cell CL2a2 pattern data before the division processing by the division processing unit 10b1d4. The dividing process of the array type cell CL2a2 by 10b1d4 is not executed.
つまり、図16に示す例では、セルCL2(図16(A)参照)が分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルCL2a1a(図16(E)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL2a1b(図16(E)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL2a1c(図16(E)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL2a1d(図16(E)参照)と、アレイ型の図形を含むセルCL2a2(図16(E)参照)と、セルCL2b(図16(E)参照)と、セルCL2c(図16(E)参照)と、セルCL2d(図16(E)参照)とが振り分け部10b1d5(図2参照)に送られる。 That is, in the example shown in FIG. 16, the cell CL2 (see FIG. 16A) is processed by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2). A cell CL2a1a (see FIG. 16E) containing a non-array graphic generated by the above, a cell CL2a1b (see FIG. 16E) containing a non-array graphic, and a cell containing a non-array graphic CL2a1c (see FIG. 16E), a cell CL2a1d (see FIG. 16E) containing a non-array graphic, a cell CL2a2 (see FIG. 16E) containing an array graphic, and a cell CL2b (See FIG. 16E), the cell CL2c (see FIG. 16E), and the cell CL2d (see FIG. 16E) are sent to the sorting unit 10b1d5 (see FIG. 2).
図17は図16(A)に示すセルCL2のデータ量と、図16(E)に示すセルCL2a1a,CL2a1b,CL2a1c,CL2a1d,CL2a2,CL2b,CL2c,CL2dの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図17(A)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理が実行される前におけるセルCL2のデータ量を示しており、図17(B)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理が実行された後におけるセルCL2a1a,CL2a1b,CL2a1c,CL2a1d,CL2a2,CL2b,CL2c,CL2dの合計のデータ量を示している。図18および図19は図8に示すセルCL3が図2に示す分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4およびセル再定義部10b1d2によって処理される一例を示した図である。 FIG. 17 shows an example of the relationship between the data amount of the cell CL2 shown in FIG. 16A and the total data amount of the cells CL2a1a, CL2a1b, CL2a1c, CL2a1d, CL2a2, CL2b, CL2c, and CL2d shown in FIG. FIG. Specifically, FIG. 17A shows the data amount of the cell CL2 before the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) is executed. FIG. 17B shows the cells CL2a1a, CL2a1b, CL2a1c, CL2a1d, and CL2a2 after the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) is executed. , CL2b, CL2c, and CL2d. 18 and 19 show an example in which the cell CL3 shown in FIG. 8 is processed by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 and the cell redefinition unit 10b1d2 shown in FIG.
図8、図9、図16および図18(A)に示す例では、上述したセルCL1,CL2(図9および図16参照)の処理に次いで、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d1(図2参照)において、セルCL3のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図18(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(例えばAμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16、図18(A)および図18(B)に示す例では、セルCL3のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図18(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(Aμm)より大きいため、1個のセルCL3(図18(A)参照)が、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する8個のセルCL3a,CL3b,CL3c,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3h(図18(B)参照)に分割処理される。 In the example shown in FIGS. 8, 9, 16 and 18A, for example, after the processing of the cells CL1 and CL2 (see FIGS. 9 and 16) described above, for example, the dividing process of the localizer 10b1d (see FIG. 2) In the portion 10b1d1 (see FIG. 2), the size of the cell CL3 (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 18A) or the height dimension (the vertical dimension in FIG. 18A)) is It is determined whether or not it is larger than one threshold (for example, A μm). In the example shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 16, FIG. 18 (A) and FIG. 18 (B), the size (specifically, the width dimension (the lateral dimension in FIG. 18 (A)) and the height of the cell CL3. Since the dimension (the vertical dimension in FIG. 18A) is larger than the first threshold (A μm), one cell CL3 (see FIG. 18A) has a size equal to or smaller than the first threshold (A μm). The divided cells are divided into eight cells CL3a, CL3b, CL3c, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, and CL3h (see FIG. 18B).
次いで、図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)および図18(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)のセル再定義部10b1d2(図2参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する8個のセルCL3a,CL3b,CL3c,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3h(図18(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)および図18(C)に示す例では、例えば、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有するセルCL3a(図18(B)参照)が、アレイ型の複数の図形を含むセルCL3a2(図18(C)参照)と、非アレイ型の複数の図形を含むセルCL3a1(図18(C)参照)とに分けられ、異なるセルCL3a1,CL3a2として再定義される。また、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有するセルCL3b(図18(B)参照)が、アレイ型の複数の図形を含むセルCL3b2(図18(C)参照)と、非アレイ型の複数の図形を含むセルCL3b1(図18(C)参照)とに分けられ、異なるセルCL3b1,CL3b2として再定義される。更に、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有するセルCL3c(図18(B)参照)が、アレイ型の複数の図形を含むセルCL3c2(図18(C)参照)と、非アレイ型の複数の図形を含むセルCL3c1(図18(C)参照)とに分けられ、異なるセルCL3c1,CL3c2として再定義される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 8, 9, 16, 18A, 18B, and 18C, for example, the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2). 2), eight cells CL3a, CL3b, CL3c, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, CL3h (see FIG. 18B) having a size equal to or smaller than the first threshold (A μm) It is determined whether there is a cell with a data amount greater than (B megabytes). In the examples shown in FIGS. 8, 9, 16, 18A, 18B, and 18C, for example, the cell CL3a (FIG. 18) having a data amount larger than the second threshold (B megabyte). 18 (B)) is divided into a cell CL3a2 (see FIG. 18C) containing a plurality of array-type figures and a cell CL3a1 (see FIG. 18C) containing a plurality of non-array-type figures. And redefined as different cells CL3a1 and CL3a2. Further, the cell CL3b (see FIG. 18B) having a data amount larger than the second threshold (B megabytes) is different from the cell CL3b2 (see FIG. 18C) including a plurality of array type figures, and the non-array type. The cell CL3b1 (see FIG. 18C) including a plurality of figures is redefined as different cells CL3b1 and CL3b2. Further, the cell CL3c (see FIG. 18B) having a data amount larger than the second threshold (B megabyte) is different from the cell CL3c2 (see FIG. 18C) including a plurality of array type figures, and the non-array type. And is redefined as different cells CL3c1 and CL3c2.
次いで、図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)、図18(C)および図18(D)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d3(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義された非アレイ型のセルCL3a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(D)の左右方向寸法)または高さ寸法(図18(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)、図18(C)、図18(D)および図18(E)に示す例では、非アレイ型のセルCL3a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(D)の左右方向寸法)および高さ寸法(図18(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個の非アレイ型のセルCL3a1(図18(D)参照)が、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個の非アレイ型のセルCL3a1a,CL3a1b,CL3a1c,CL3a1d(図18(E)参照)に分割処理される。 Next, in the example shown in FIGS. 8, 9, 16, 18A, 18B, 18C, and 18D, for example, division of the localizer 10b1d (see FIG. 2) In the processing unit 10b1d3 (see FIG. 2), the size (specifically, the horizontal dimension of the width dimension (FIG. 18D) of the non-array type cell CL3a1 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2). ) Or height dimension (vertical direction dimension in FIG. 18D)) is determined whether it is larger than a third threshold (for example, C μm). In the example shown in FIGS. 8, 9, 16, 18A, 18B, 18C, 18D, and 18E, the non-array type cell CL3a1 is used. Since the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 18D) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 18D)) are larger than the third threshold (C μm), one size The four non-array cells CL3a1a, CL3a1b, CL3a1c, and CL3a1d (see FIG. 18E) have non-array-type cells CL3a1 (see FIG. 18D) having a size equal to or smaller than the third threshold value (C μm). It is divided into
また、図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)、図18(C)および図18(D)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d3(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義された非アレイ型のセルCL3b1のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(D)の左右方向寸法)または高さ寸法(図18(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)、図18(C)、図18(D)および図18(E)に示す例では、非アレイ型のセルCL3b1のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(D)の左右方向寸法)および高さ寸法(図18(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個の非アレイ型のセルCL3b1(図18(D)参照)が、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個の非アレイ型のセルCL3b1a,CL3b1b,CL3b1c,CL3b1d(図18(E)参照)に分割処理される。 Further, in the examples shown in FIGS. 8, 9, 16, 18A, 18B, 18C, and 18D, for example, division of the localizer 10b1d (see FIG. 2) In the processing unit 10b1d3 (see FIG. 2), the size (specifically, the lateral dimension of the width dimension (FIG. 18D) of the non-array type cell CL3b1 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2). ) Or height dimension (vertical dimension in FIG. 18D)) is determined whether it is larger than a third threshold value (for example, C μm). In the example shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 16, FIG. 18 (A), FIG. 18 (B), FIG. 18 (C), FIG. 18 (D), and FIG. Since the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 18D) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 18D)) are larger than the third threshold (C μm), one size The four non-array cells CL3b1a, CL3b1b, CL3b1c, and CL3b1d (see FIG. 18E) have non-array-type cells CL3b1 (see FIG. 18D) having a size equal to or smaller than the third threshold value (C μm). It is divided into
更に、図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)、図18(C)および図18(D)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d3(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義された非アレイ型のセルCL3c1のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(D)の左右方向寸法)または高さ寸法(図18(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16、図18(A)、図18(B)、図18(C)、図18(D)および図18(E)に示す例では、非アレイ型のセルCL3c1のサイズ(詳細には、幅寸法(図18(D)の左右方向寸法)および高さ寸法(図18(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個の非アレイ型のセルCL3c1(図18(D)参照)が、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個の非アレイ型のセルCL3c1a,CL3c1b,CL3c1c,CL3c1d(図18(E)参照)に分割処理される。 Further, in the examples shown in FIGS. 8, 9, 16, 18A, 18B, 18C, and 18D, for example, division of the localizer 10b1d (see FIG. 2). In the processing unit 10b1d3 (see FIG. 2), the size (specifically, the horizontal dimension of the width dimension (FIG. 18D) of the non-array type cell CL3c1 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2). ) Or height dimension (vertical dimension in FIG. 18D)) is determined whether it is larger than a third threshold value (for example, C μm). In the example shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 16, FIG. 18 (A), FIG. 18 (B), FIG. 18 (C), FIG. 18 (D) and FIG. Since the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 18D) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 18D)) are larger than the third threshold (C μm), one The four non-array cells CL3c1a, CL3c1b, CL3c1c, and CL3c1d (see FIG. 18E) have non-array-type cells CL3c1 (see FIG. 18D) having a size equal to or smaller than the third threshold (C μm). It is divided into
次いで、図8、図9、図16、図18および図19(A)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d4(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルCL3a2のサイズ(詳細には、幅寸法(図19(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図19(A)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16、図18、図19(A)および図19(B)に示す例では、アレイ型のセルCL3a2のサイズ(詳細には、幅寸法(図19(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図19(A)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個のアレイ型のセルCL3a2(図19(A)参照)を、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個のアレイ型のセルCL3a2a,CL3a2b,CL3a2c,CL3a2d(図19(B)参照)に分割処理するか否かが検討される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 8, 9, 16, 18, and 19A, for example, in the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2), the cell redefinition unit 10b1d2 The size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 19A)) or the height dimension (the vertical dimension in FIG. 19A) of the array type cell CL3a2 redefined by (see FIG. 2) ) Is larger than a third threshold value (for example, C μm). In the example shown in FIGS. 8, 9, 16, 18, 19A, and 19B, the size of the array-type cell CL3a2 (specifically, the width dimension (left and right of FIG. 19A) (Direction dimension) and height dimension (vertical direction dimension in FIG. 19A)) are larger than the third threshold (C μm), so that one array type cell CL3a2 (see FIG. 19A) It is examined whether or not to divide into four array-type cells CL3a2a, CL3a2b, CL3a2c, and CL3a2d (see FIG. 19B) having a size of 3 threshold values (C μm) or less.
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、上述したように、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルであって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズを有するセルを、分割処理部10b1d4(図2参照)によって、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、分割処理部10b1d4による分割処理が実行されない。
As described above, the charged particle
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、上述したように、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルであって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズを有するセルを、分割処理部10b1d4(図2参照)によって、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になる場合に、分割処理部10b1d4による分割処理が実行される。
Further, as described above, the charged particle
図8、図9、図16、図18、図19(A)および図19(B)に示す例では、分割処理部10b1d4(図2参照)によって仮にアレイ型のセルCL3a2の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルCL3a2a,CL3a2b,CL3a2c,CL3a2dのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部10b1d4による分割処理前のアレイ型のセルCL3a2パタンデータのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなるため、分割処理部10b1d4によるアレイ型のセルCL3a2の分割処理が実行されない。 In the example shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 16, FIG. 18, FIG. 19 (A), and FIG. Then, the total data amount of the pattern data of the array type cells CL3a2a, CL3a2b, CL3a2c, and CL3a2d after the division processing is the fourth data amount of the array type cell CL3a2 pattern data before the division processing by the division processing unit 10b1d4. Since it is larger than the threshold value D times (for example, 2 times), the division processing of the array type cell CL3a2 by the division processing unit 10b1d4 is not executed.
また、図8、図9、図16、図18および図19(A)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d4(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルCL3b2のサイズ(詳細には、幅寸法(図19(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図19(A)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16、図18、図19(A)および図19(B)に示す例では、アレイ型のセルCL3b2のサイズ(詳細には、幅寸法(図19(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図19(A)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個のアレイ型のセルCL3b2(図19(A)参照)を、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個のアレイ型のセルCL3b2a,CL3b2b,CL3b2c,CL3b2d(図19(B)参照)に分割処理するか否かが検討される。 Further, in the examples shown in FIGS. 8, 9, 16, 18, and 19A, for example, in the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2), the cell redefinition unit 10b1d2 The size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 19A)) or the height dimension (the vertical dimension in FIG. 19A) of the array type cell CL3b2 redefined by (see FIG. 2) ) Is larger than a third threshold value (for example, C μm). In the examples shown in FIGS. 8, 9, 16, 18, 19A, and 19B, the size of the array type cell CL3b2 (specifically, the width dimension (the left and right sides of FIG. 19A) Direction dimension) and height dimension (vertical direction dimension in FIG. 19A)) are larger than the third threshold value (C μm), so that one array type cell CL3b2 (see FIG. 19A) It is examined whether or not to divide into four array type cells CL3b2a, CL3b2b, CL3b2c, and CL3b2d (see FIG. 19B) having a size of three threshold values (C μm) or less.
図8、図9、図16、図18、図19(A)および図19(B)に示す例では、分割処理部10b1d4(図2参照)によって仮にアレイ型のセルCL3b2の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルCL3b2a,CL3b2b,CL3b2c,CL3b2dのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部10b1d4による分割処理前のアレイ型のセルCL3b2パタンデータのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなるため、分割処理部10b1d4によるアレイ型のセルCL3b2の分割処理が実行されない。 In the example shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 16, FIG. 18, FIG. 19A, and FIG. 19B, the division processing of the array type cell CL3b2 is temporarily executed by the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2). Then, the total data amount of the pattern data of the array type cells CL3b2a, CL3b2b, CL3b2c, and CL3b2d after the division processing is the fourth data amount of the array type cell CL3b2 pattern data before the division processing by the division processing unit 10b1d4. Since the threshold value is larger than D times (for example, twice), the division processing of the array type cell CL3b2 by the division processing unit 10b1d4 is not executed.
更に、図8、図9、図16、図18および図19(A)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図2参照)の分割処理部10b1d4(図2参照)において、セル再定義部10b1d2(図2参照)によって再定義されたアレイ型のセルCL3c2のサイズ(詳細には、幅寸法(図19(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図19(A)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図9、図16、図18、図19(A)および図19(B)に示す例では、アレイ型のセルCL3c2のサイズ(詳細には、幅寸法(図19(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図19(A)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個のアレイ型のセルCL3c2(図19(A)参照)を、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個のアレイ型のセルCL3c2a,CL3c2b,CL3c2c,CL3c2d(図19(B)参照)に分割処理するか否かが検討される。 Further, in the examples shown in FIGS. 8, 9, 16, 18, and 19A, for example, in the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2) of the localizer 10b1d (see FIG. 2), the cell redefinition unit 10b1d2 The size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 19A)) or the height dimension (the vertical dimension in FIG. 19A) of the array-type cell CL3c2 redefined by (see FIG. 2) ) Is larger than a third threshold value (for example, C μm). In the example shown in FIGS. 8, 9, 16, 18, 19A, and 19B, the size of the cell CL3c2 of the array type (specifically, the width dimension (left and right of FIG. 19A) Direction dimension) and height dimension (vertical direction dimension in FIG. 19A)) are larger than the third threshold value (C μm), so that one array type cell CL3c2 (see FIG. 19A) It is examined whether or not to divide into four array type cells CL3c2a, CL3c2b, CL3c2c, and CL3c2d (see FIG. 19B) having a size of 3 threshold values (Cμm) or less.
図8、図9、図16、図18、図19(A)および図19(B)に示す例では、分割処理部10b1d4(図2参照)によって仮にアレイ型のセルCL3c2の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルCL3c2a,CL3c2b,CL3c2c,CL3c2dのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部10b1d4による分割処理前のアレイ型のセルCL3c2パタンデータのデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなるため、分割処理部10b1d4によるアレイ型のセルCL3c2の分割処理が実行されない。 In the example shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 16, FIG. 18, FIG. 19A and FIG. 19B, the division processing of the array type cell CL3c2 is temporarily executed by the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2). Then, the total data amount of the pattern data of the array-type cells CL3c2a, CL3c2b, CL3c2c, and CL3c2d after the division processing is the fourth data amount of the array-type cell CL3c2 pattern data before the division processing by the division processing unit 10b1d4. Since it is larger than the threshold value D times (for example, 2 times), the division processing of the array type cell CL3c2 by the division processing unit 10b1d4 is not executed.
つまり、図18および図19に示す例では、セルCL3(図18(A)参照)が分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルCL3a1a(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3a1b(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3a1c(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3a1d(図19(A)参照)と、アレイ型の図形を含むセルCL3a2(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3b1a(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3b1b(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3b1c(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3b1d(図19(A)参照)と、アレイ型の図形を含むセルCL3b2(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3c1a(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3c1b(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3c1c(図19(A)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL3c1d(図19(A)参照)と、アレイ型の図形を含むセルCL3c2(図19(A)参照)と、セルCL3d(図19(A)参照)と、セルCL3e(図19(A)参照)と、セルCL3f(図19(A)参照)と、セルCL3g(図19(A)参照)と、セルCL3h(図19(A)参照)とが振り分け部10b1d5(図2参照)に送られる。
That is, in the example shown in FIGS. 18 and 19, the cell CL3 (see FIG. 18A) is processed by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2). The cell CL3a1a (see FIG. 19A) including the non-array graphic generated by the processing, the cell CL3a1b (see FIG. 19A) including the non-array graphic, and the non-array graphic A cell CL3a1c (see FIG. 19A) including a cell, a cell CL3a1d (see FIG. 19A) including a non-array graphic, and a cell CL3a2 (see FIG. 19A) including an array graphic. A cell CL3b1a (see FIG. 19A) including a non-array graphic, a cell CL3b1b (see FIG. 19A) including a non-array graphic, and a non-array graphic Including a cell CL3b1c (see FIG. 19A), a cell CL3b1d including a non-array graphic (see FIG. 19A), a cell CL3b2 including an array graphic (see FIG. 19A), A cell CL3c1a (see FIG. 19A) including a non-array graphic, a cell CL3c1b (refer to FIG. 19A) including a non-array graphic, and a cell CL3c1c (FIG. 19) including a non-array graphic. (See (A)), a cell CL3c1d (see FIG. 19A) containing a non-array graphic, a cell CL3c2 (see FIG. 19A) containing an array graphic, and a cell CL3d (see FIG. 19 A)), cell CL3e (see FIG. 19A), cell CL3f (see FIG. 19A), cell CL3g (see FIG. 19A), and cell CL3h (FIG. 19A). Refer to) and the sorting
図20は図18(A)に示すセルCL3のデータ量と、図19(A)に示すセルCL3a1a,CL3a1b,CL3a1c,CL3a1d,CL3a2,CL3b1a,CL3b1b,CL3b1c,CL3b1d,CL3b2,CL3c1a,CL3c1b,CL3c1c,CL3c1d,CL3c2,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3hの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図20(A)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理が実行される前におけるセルCL3のデータ量を示しており、図20(B)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理が実行された後におけるセルCL3a1a,CL3a1b,CL3a1c,CL3a1d,CL3a2,CL3b1a,CL3b1b,CL3b1c,CL3b1d,CL3b2,CL3c1a,CL3c1b,CL3c1c,CL3c1d,CL3c2,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3hの合計のデータ量を示している。 FIG. 20 shows the data amount of the cell CL3 shown in FIG. 18A and the cells CL3a1a, CL3a1b, CL3a1c, CL3a1d, CL3a2, CL3b1a, CL3b1b, CL3b1c, CL3b1d, CL3b2, CL3c1b, CL3c1c1c1c, CL3c1c1c1 , CL3c1d, CL3c2, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, and CL3h. Specifically, FIG. 20A shows the data amount of the cell CL3 before the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) is executed. 20B shows cells CL3a1a, CL3a1b, CL3a1d, CL3a1d, and CL3a2 after the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3, 10b1d4 (see FIG. 2) and the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) is executed. , CL3b1a, CL3b1b, CL3b1c, CL3b1d, CL3b2, CL3c1a, CL3c1b, CL3c1c, CL3c1d, CL3c2, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, and CL3h.
図21は図15(B)に示すセルCL1a1a,・・,CL1dのデータ、図17(B)に示すセルCL2a1a,・・,CL2dのデータ、および、図20(B)に示すセルCL3a1a,・・,CL3hのデータが、図2に示す振り分け部10b1d5によって振り分けられ、図2に示すデータ処理モジュール10b1eのデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。詳細には、図21(A)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4およびセル再定義部10b1d2における処理が実行される第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の振り分け部10b1d5によって振り分けられたセルCL1a1a,・・,CL1dのデータ、セルCL2a1a,・・,CL2dのデータおよびセルCL3a1a,・・,CL3hのデータがデータ処理モジュール10b1eのデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される一例を示した図である。図21(B)は分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4およびセル再定義部10b1d2が設けられていない従来の荷電粒子ビーム描画装置の振り分け部10b1d5によって振り分けられたセルCL1のデータ、セルCL2のデータおよびセルCL3のデータがデータ処理モジュール10b1eのデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される一例を示した図である。
21 shows data of the cells CL1a1a,..., CL1d shown in FIG. 15B, data of the cells CL2a1a,..., CL2d shown in FIG. 17B, and cells CL3a1a,. The CL3h data is distributed by the distribution unit 10b1d5 shown in FIG. 2, and the data processing units 10b1e1, 10b1e2, and 10b1e3 of the data processing module 10b1e shown in FIG. is there. Specifically, FIG. 21A is distributed by the distribution unit 10b1d5 of the charged particle
図21において、時間t0〜時間tAは、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示しており、時間t0〜時間tBは、従来の荷電粒子ビーム描画装置においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示している。また、時間ΔtAは、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部10b1e2,10b1e3の無駄な待ち時間(アイドルタイム)を示しており、時間ΔtBは、従来の荷電粒子ビーム描画装置においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部10b1e1の無駄な待ち時間(アイドルタイム)を示している。
In FIG. 21, during time t0 to time tA, data of cells CL1, CL2, and CL3 is processed in parallel by the data processing units 10b1e1, 10b1e2, and 10b1e3 in the charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、各セルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図21(A)参照)が有するデータ量が小さくなるように、かつ、好ましくは、概略均一になるように、分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図2参照)およびセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理が実行された後の複数のセルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3hが、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図2参照)に振り分けられ、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される。
In the charged particle
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、大きいデータ量を有する複数のセルCL1,CL2,CL3(図21(B)参照)が複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図2参照)に振り分けられ複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図2参照)における無駄な待ち時間(時間ΔtA←時間ΔtB)(図21参照)および総処理時間(時間t0〜時間tA←時間t0〜時間tB)(図21参照)を低減することができる。
Therefore, according to the charged particle
更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、アレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図9(E)および図10(A)参照)を複数のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)、図13(A)、図13(C)、図14(A)および図14(C)参照)に分割処理すると分割処理後の複数のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2dの合計のデータ量が大きく増加する場合に、分割処理部10b1d4(図2参照)によってアレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2の分割処理が実行されない。
Furthermore, in the charged particle
そのため、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、アレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図9(E)および図10(A)参照)が複数のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)、図13(A)、図13(C)、図14(A)および図14(C)参照)に分割処理されるのに伴って、分割処理後の複数のセルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL1c,CL1d(図15(B)参照)の合計のデータ量が分割処理前のセルCL1(図15(A)参照)のデータ量に比べて大きく増加してしまうのを回避することができる。
Therefore, according to the charged particle
つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6(図2参照)におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる。
That is, according to the charged particle
特に、近年においては、例えば後述する理由などから、荷電粒子ビーム描画装置10(図1参照)に入力される描画データD1(図1および図2参照)のデータ量が増加する傾向がある。従って、データ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10は、将来的に非常に有効であると考えられる。
In particular, in recent years, there is a tendency that the data amount of the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2) input to the charged particle beam drawing apparatus 10 (see FIG. 1) increases due to reasons described later, for example. Therefore, the charged particle
荷電粒子ビーム描画装置10(図1参照)に入力される描画データD1(図1および図2参照)のデータ量が増加する理由としては、例えば、試料M(図1参照)がマスクとして用いられる場合における光近接効果補正(Optical Proximity Correction)などがある。マスクパターンの転写像はコーナー丸みなど、マスクパターンに対して変形する性質があり、この性質が光近接効果と呼ばれている。光近接効果補正では、マスクパターンに対する転写像の変形分を予測し、マスクパターンが予め変形せしめられる。詳細には、例えば、図5に示す試料Mがマスクとして用いられ、試料M上の描画領域DA(図5参照)内に描画された多数のパターンがマスクパターン(透光領域)として用いられる場合に、描画領域DAの周縁部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いと、描画領域DAの中心部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いとは異なってくる。 The reason why the data amount of the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2) input to the charged particle beam drawing apparatus 10 (see FIG. 1) increases is, for example, that the sample M (see FIG. 1) is used as a mask. In some cases, there is an optical proximity correction (Optical Proximity Correction). The transferred image of the mask pattern has a property of deforming with respect to the mask pattern, such as corner roundness, and this property is called an optical proximity effect. In the optical proximity effect correction, the deformation of the transfer image with respect to the mask pattern is predicted, and the mask pattern is deformed in advance. Specifically, for example, when the sample M shown in FIG. 5 is used as a mask, and many patterns drawn in the drawing area DA (see FIG. 5) on the sample M are used as mask patterns (translucent areas). In addition, the degree of the optical proximity effect related to the mask pattern located near the periphery of the drawing area DA is different from the degree of the optical proximity effect related to the mask pattern located near the center of the drawing area DA.
仮に、同一形状の図形(パターン)が描画領域DA全体にアレイ状に配列されている場合であって、光近接効果を補正しない場合には、その図形データのデータ量は、例えば図10(B)に示す図形FGAデータのデータ量(16バイト)のように、比較的小さいデータ量になる。ところが、光近接効果を補正する場合には、上述したように、描画領域DAの周縁部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いと、描画領域DAの中心部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いとは異なってくるため、すべての図形を、図10(B)に示すようなアレイ型のパタンデータで表現することができなくなり、図11(B)に示すような非アレイ型(フラット型)のパタンデータで表現する必要がある。その結果、光近接効果を補正する場合には、光近接効果を補正しない場合に比べ、描画データD1(図1および図2参照)全体のデータ量が増加してしまう。このような理由などから、上述したように、データ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10は、非常に有効であると考えられる。
If figures (patterns) having the same shape are arrayed in the entire drawing area DA and the optical proximity effect is not corrected, the data amount of the figure data is, for example, FIG. The data amount is relatively small like the data amount (16 bytes) of the graphic FGA data shown in FIG. However, when the optical proximity effect is corrected, as described above, the degree of the optical proximity effect related to the mask pattern located near the periphery of the drawing area DA and the mask pattern located near the center of the drawing area DA. Since it differs from the degree of the optical proximity effect, all figures cannot be represented by array pattern data as shown in FIG. 10B, and non-array as shown in FIG. 11B. It is necessary to express it with pattern data of type (flat type). As a result, when the optical proximity effect is corrected, the entire data amount of the drawing data D1 (see FIGS. 1 and 2) is increased as compared with the case where the optical proximity effect is not corrected. For this reason, as described above, it is possible to reduce the wasteful waiting time and the total processing time in the plurality of data processing units while reducing the increase in the total memory capacity necessary for the data processing. The charged particle
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6(図2参照)によって描画データD1(図2参照)を描画装置内部フォーマットデータD2(図2参照)に変換する処理が実行されるが、第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6によって、クラスタ分割処理を実行すると共に、描画データD1を描画装置内部フォーマットデータD2に変換する処理を実行することも可能である(クラスタ分割処理については、例えば特開2008−85248号公報の段落〔0053〕参照)。
In the charged particle
図22は第4の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のデータ処理モジュール10b1jなどを説明するための図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6(図2参照)によって描画データD1(図2参照)を描画装置内部フォーマットデータD2(図2参照)に変換する処理が実行されるが、第4の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6によって描画データD1を描画装置内部フォーマットデータD2に変換する処理が実行されると共に、データ処理部10b1j1,10b1j2,10b1j3,10b1j4,10b1j5,10b1j6(図22参照)によって、図7に示すようなショット分割処理が実行され、各ストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6(図5参照)内のショット数が算出され、そのショット数などに基づいて、荷電粒子ビーム10a1b(図5参照)によって各ストライプ枠STR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6内にパターンを描画する時の可動ステージ10a2a(図1参照)の移動速度が算出される(詳細については、例えば特開2000−21747号公報の段落〔0009〕など参照)。
FIG. 22 is a diagram for explaining the data processing module 10b1j of the charged particle
第4の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図22参照)およびセル再定義部10b1d2(図22参照)による処理によって生成されたセルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図21(A)参照)がデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図2および図21(A)参照)に振り分けられる手法と同様の手法によって、セルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図21(A)参照)がデータ処理部10b1j1,10b1j2,10b1j3(図22参照)に振り分けられる。
In the charged particle
図23は第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のデータ処理モジュール10b1kなどを説明するための図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6(図2参照)によって描画データD1(図2参照)を描画装置内部フォーマットデータD2(図2参照)に変換する処理が実行されるが、第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6によって描画データD1を描画装置内部フォーマットデータD2に変換する処理が実行されると共に、データ処理部10b1k1,10b1k2,10b1k3,10b1k4,10b1k5,10b1k6(図23参照)により、試料M(図1参照)がマスクとして用いられる場合に生じる近接効果を補正するための近接効果補正処理が実行される(近接効果については、例えば特開2007−220728号公報の段落〔0004〕参照。近接効果補正処理については、例えば特開2007−220728号公報の式3および式4参照)。
FIG. 23 is a diagram for explaining the data processing module 10b1k and the like of the charged particle
第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、セルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d,CL1a2,・・(図10(A)、図12(A)、図12(C)、図12(E)、図12(G)および図21(A)参照)に含まれている図形FGA,FGB,FGC,FGD,FGE,FGF,FGG,FGH,FGI,FGJ,・・(図10(A)、図12(A)、図12(C)、図12(E)および図12(G)参照)についての近接効果補正処理が、データ処理部10b1k1,10b1k2,10b1k3,10b1k4,10b1k5,10b1k6(図23参照)によって行われ、補正されたデータが、例えばショットデータ生成部10b1g(図2参照)などにおいて用いられる。
In the charged particle
第5の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図23参照)およびセル再定義部10b1d2(図23参照)による処理によって生成されたセルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図21(A)参照)がデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図2および図21(A)参照)に振り分けられる手法と同様の手法によって、セルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図21(A)参照)がデータ処理部10b1k1,10b1k2,10b1k3(図23参照)に振り分けられる。
In the charged particle
図24は第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10のデータ処理モジュール10b1lなどを説明するための図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6(図2参照)によって描画データD1(図2参照)を描画装置内部フォーマットデータD2(図2参照)に変換する処理が実行されるが、第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、データ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6によって描画データD1を描画装置内部フォーマットデータD2に変換する処理が実行されると共に、データ処理部10b1l1,10b1l2,10b1l3,10b1l4,10b1l5,10b1l6(図24参照)により、試料M(図1参照)がマスクとして用いられる場合に生じるかぶり(フォギング効果)を補正するためのかぶり補正処理が実行される(かぶり(フォギング効果)については、例えば特開2007−220728号公報の段落〔0004〕参照。かぶり補正処理については、例えば特開2007−220728号公報の式13および式14参照)。
FIG. 24 is a diagram for explaining the data processing module 10b1l and the like of the charged particle
第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、実際に描画されるパターンP1(図6参照)の形状がかぶり(フォギング効果)によって図形FG1(図4参照)の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうのを回避するために、データ処理部10b1l1,10b1l2,10b1l3,10b1l4,10b1l5,10b1l6(図24参照)においてかぶり補正処理が行われる。
In the charged particle
詳細には、第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、セルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d,CL1a2,・・(図10(A)、図12(A)、図12(C)、図12(E)、図12(G)および図21(A)参照)に含まれている図形FGA,FGB,FGC,FGD,FGE,FGF,FGG,FGH,FGI,FGJ,・・(図10(A)、図12(A)、図12(C)、図12(E)および図12(G)参照)についてのかぶり補正処理が、データ処理部10b1l1,10b1l2,10b1l3,10b1l4,10b1l5,10b1l6(図24参照)によって行われ、補正されたデータが、例えばショットデータ生成部10b1g(図2参照)などにおいて用いられる。
Specifically, in the charged particle
第6の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、分割処理部10b1d1,10b1d3,10b1d4(図23参照)およびセル再定義部10b1d2(図23参照)による処理によって生成されたセルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図21(A)参照)がデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図2および図21(A)参照)に振り分けられる手法と同様の手法によって、セルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図21(A)参照)がデータ処理部10b1l1,10b1l2,10b1l3(図24参照)に振り分けられる。
In the charged particle
図25は第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の制御計算機10b1の詳細図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ローカライザー10b1bに分割処理部10b1d4が設けられているが、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、図25に示すように、セル再定義部10b1d6が設けられている。図26は図8に示すセルCL1が図25に示す第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d3およびセル再定義部10b1d2,10b1d6によって処理される一例を示した図である。
FIG. 25 is a detailed view of the control computer 10b1 of the charged particle
図8および図26(A)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図25参照)の分割処理部10b1d1(図25参照)において、セルCL1のサイズ(詳細には、幅寸法(図26(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図26(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(例えばAμm)より大きいか否かが判定される。図8、図26(A)および図26(B)に示す例では、セルCL1のサイズ(詳細には、幅寸法(図26(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図26(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(Aμm)より大きいため、1個のセルCL1(図26(A)参照)が、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図26(B)参照)に分割処理される。 In the example shown in FIGS. 8 and 26A, for example, in the division processing unit 10b1d1 (see FIG. 25) of the localizer 10b1d (see FIG. 25), the size (specifically, the width dimension (see FIG. 26A) of the cell CL1. ) Horizontal dimension) or height dimension (vertical dimension in FIG. 26A)) is determined whether it is larger than a first threshold (for example, A μm). In the example shown in FIGS. 8, 26A, and 26B, the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 26A)) and the height dimension (FIG. 26A) of the cell CL1. )) Is larger than the first threshold value (A μm), so that one cell CL1 (see FIG. 26A) has four cells CL1a having a size equal to or smaller than the first threshold value (A μm). , CL1b, CL1c, and CL1d (see FIG. 26B).
次いで、図8、図26(A)、図26(B)および図26(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図25参照)のセル再定義部10b1d2(図25参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図26(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図8、図26(A)、図26(B)および図26(C)に示す例では、例えば、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有するセルCL1a(図26(B)参照)が、アレイ型の複数の図形FGA,FGB(図10(A)参照)を含むセルCL1a2(図26(C)参照)と、非アレイ型の複数の図形FGC,FGD,FGE,FGF,FGG,FGH,FGI,FGJ(図11(A)参照)を含むセルCL1a1(図26(C)参照)とに分けられ、異なるセルCL1a1,CL1a2として再定義される。 Next, in the examples shown in FIGS. 8, 26A, 26B, and 26C, for example, in the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 25) of the localizer 10b1d (see FIG. 25), Is there a cell having a data amount larger than the second threshold (for example, B megabytes) in the four cells CL1a, CL1b, CL1c, and CL1d (see FIG. 26B) having a size of one threshold (Aμm) or less? It is determined whether or not. In the examples shown in FIGS. 8, 26A, 26B, and 26C, for example, the cell CL1a having a data amount larger than the second threshold (B megabytes) (see FIG. 26B) Includes a cell CL1a2 (see FIG. 26C) including a plurality of array-type figures FGA and FGB (see FIG. 10A) and a plurality of non-array-type figures FGC, FGD, FGE, FGF, FGG, The cells are divided into cells CL1a1 (see FIG. 26C) including FGH, FGI, and FGJ (see FIG. 11A) and redefined as different cells CL1a1 and CL1a2.
次いで、図8、図26(A)、図26(B)、図26(C)および図26(D)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図25参照)の分割処理部10b1d3(図25参照)において、セル再定義部10b1d2(図25参照)によって再定義された非アレイ型のセルCL1a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図26(D)の左右方向寸法)または高さ寸法(図26(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(例えばCμm)より大きいか否かが判定される。図8、図26(A)、図26(B)、図26(C)、図26(D)および図26(E)に示す例では、非アレイ型のセルCL1a1のサイズ(詳細には、幅寸法(図26(D)の左右方向寸法)および高さ寸法(図26(D)の上下方向寸法))が、第3閾値(Cμm)より大きいため、1個の非アレイ型のセルCL1a1(図26(D)参照)が、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する4個の非アレイ型のセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d(図26(E)参照)に分割処理される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 8, 26A, 26B, 26C, and 26D, for example, the division processing unit 10b1d3 (see FIG. 25) of the localizer 10b1d (see FIG. 25). (See FIG. 25), the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 26D)) or the height dimension of the non-array type cell CL1a1 redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 25). It is determined whether the vertical dimension in FIG. 26D is larger than a third threshold (for example, C μm). In the examples shown in FIGS. 8, 26A, 26B, 26C, 26D, and 26E, the size of the non-array type cell CL1a1 (in detail, Since the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 26D) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 26D) are larger than the third threshold value (C μm), one non-array cell CL1a1 (See FIG. 26D) is divided into four non-array cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, and CL1a1d (see FIG. 26E) having a size equal to or smaller than the third threshold value (C μm).
次いで、図8、図26(A)、図26(B)、図26(C)、図26(D)および図26(E)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図25参照)のセル再定義部10b1d6(図25参照)において、セル再定義部10b1d2(図25参照)によって再定義されたアレイ型のセルCL1a2(図10(A)および図26(E)参照)が、第5閾値(例えばEメガバイト)以上のデータ量を有するか否かが判定される。図8、図26(A)、図26(B)、図26(C)、図26(D)、図26(E)および図26(F)に示す例では、例えば、アレイ型のセルCL1a2が第5閾値(Eメガバイト)以上のデータ量を有すると判定される。その結果、第5閾値(Eメガバイト)以上のデータ量を有するアレイ型のセルCL1a2(図10(A)および図26(E)参照)を、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する第1の種類の図形FGA(図10(A)および図27(A)参照)を含むセルCL1a2a(図26(F)および図27(A)参照)と、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する第2の種類の図形FGB(図10(A)および図28(A)参照)を含むセルCL1a2b(図26(F)および図28(A)参照)とに分けることによって、1セル当たり第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する異なる複数のセルCL1a2a,CL1a2b(図26(F)、図27(A)および図28(A)参照)として再定義される。 Next, in the example shown in FIGS. 8, 26A, 26B, 26C, 26D, and 26E, for example, the cell of the localizer 10b1d (see FIG. 25) In the redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25), the array type cell CL1a2 (see FIG. 10A and FIG. 26E) redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 25) has the fifth threshold value. It is determined whether or not the data amount is greater than (for example, E megabytes). In the example shown in FIGS. 8, 26A, 26B, 26C, 26D, 26E, and 26F, for example, an array type cell CL1a2 Is determined to have a data amount equal to or greater than the fifth threshold (E megabyte). As a result, the array type cell CL1a2 (see FIGS. 10A and 26E) having a data amount equal to or greater than the fifth threshold (E megabyte) has a data amount less than the fifth threshold (E megabyte). A cell CL1a2a (see FIG. 26 (F) and FIG. 27 (A)) including the first type of graphic FGA (see FIG. 10 (A) and FIG. 27 (A)) and less than the fifth threshold (E megabyte) By dividing into cells CL1a2b (see FIG. 26 (F) and FIG. 28 (A)) including the second type graphic FGB having a data amount (see FIG. 10 (A) and FIG. 28 (A)), 1 Redefined as a plurality of different cells CL1a2a, CL1a2b (see FIGS. 26 (F), 27 (A) and 28 (A)) having a data amount less than a fifth threshold (E megabyte) per cell.
図27はセル再定義部10b1d6においてアレイ型のセルCL1a2を再定義することによって生成されるアレイ型のセルCL1a2aの一例を示した図である。詳細には、図27(A)はセルCL1a2aとセルCL1a2aに含まれる図形FGAとの関係を示した図、図27(B)は図27(A)に示すセルCL1a2aのパタンデータを示した図である。図27(B)において括弧内の数字はバイト数を表している。図28はセル再定義部10b1d6においてアレイ型のセルCL1a2を再定義することによって生成されるアレイ型のセルCL1a2bの一例を示した図である。詳細には、図28(A)はセルCL1a2bとセルCL1a2bに含まれる図形FGBとの関係を示した図、図28(B)は図28(A)に示すセルCL1a2bのパタンデータを示した図である。図28(B)において括弧内の数字はバイト数を表している。 FIG. 27 is a diagram illustrating an example of an array type cell CL1a2a generated by redefining the array type cell CL1a2 in the cell redefinition unit 10b1d6. Specifically, FIG. 27A shows the relationship between the cell CL1a2a and the graphic FGA included in the cell CL1a2a, and FIG. 27B shows the pattern data of the cell CL1a2a shown in FIG. It is. In FIG. 27B, the numbers in parentheses represent the number of bytes. FIG. 28 is a diagram illustrating an example of an array type cell CL1a2b generated by redefining the array type cell CL1a2 in the cell redefinition unit 10b1d6. Specifically, FIG. 28A shows the relationship between the cell CL1a2b and the figure FGB included in the cell CL1a2b, and FIG. 28B shows the pattern data of the cell CL1a2b shown in FIG. It is. In FIG. 28B, the numbers in parentheses indicate the number of bytes.
図27(B)に示す例では、セル再定義部10b1d6(図25参照)によってアレイ型のセルCL1a2の再定義処理が実行されると処理後のアレイ型のセルCL1a2aパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で20バイトになる。また、図28(B)に示す例では、セル再定義部10b1d6(図25参照)によってアレイ型のセルCL1a2の再定義処理が実行されると処理後のアレイ型のセルCL1a2bパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で20バイトになる。つまり、図10、図27および図28に示す例では、セル再定義部10b1d6によってアレイ型のセルCL1a2の再定義処理が実行されると、処理後のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2bのパタンデータの合計のデータ量が、40バイトになり、セル再定義部10b1d6による処理前のアレイ型のセルCL1a2パタンデータのデータ量(36バイト)とほぼ等しくなる。 In the example shown in FIG. 27B, when the redefinition processing of the array type cell CL1a2 is executed by the cell redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25), the data amount of the array type cell CL1a2a pattern data after processing is The total is 20 bytes including the header. In the example shown in FIG. 28B, when the cell redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25) performs the redefinition processing of the array type cell CL1a2, the data amount of the processed array type cell CL1a2b pattern data However, the total is 20 bytes including the header. That is, in the example shown in FIGS. 10, 27, and 28, when the cell redefinition unit 10b1d6 performs the redefinition processing of the array type cell CL1a2, the pattern data of the array type cells CL1a2a and CL1a2b after the processing is executed. The total data amount is 40 bytes, which is substantially equal to the data amount (36 bytes) of the array-type cell CL1a2 pattern data before processing by the cell redefinition unit 10b1d6.
つまり、図26に示す例では、セルCL1(図26(A)参照)が分割処理部10b1d1,10b1d3(図25参照)およびセル再定義部10b1d2,10b1d6(図25参照)によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルCL1a1a(図26(F)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL1a1b(図26(F)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL1a1c(図26(F)参照)と、非アレイ型の図形を含むセルCL1a1d(図26(F)参照)と、アレイ型の図形を含むセルCL1a2a(図26(F)参照)と、アレイ型の図形を含むセルCL1a2b(図26(F)参照)と、セルCL1b(図26(F)参照)と、セルCL1c(図26(F)参照)と、セルCL1d(図26(F)参照)とが振り分け部10b1d5(図25参照)に送られる。 That is, in the example shown in FIG. 26, the cell CL1 (see FIG. 26A) is processed by the division processing units 10b1d1, 10b1d3 (see FIG. 25) and the cell redefinition units 10b1d2, 10b1d6 (see FIG. 25). A cell CL1a1a (see FIG. 26F) including a non-array graphic generated by the above, a cell CL1a1b including a non-array graphic (see FIG. 26F), and a cell including a non-array graphic CL1a1c (see FIG. 26F), a cell CL1a1d (see FIG. 26F) containing a non-array graphic, a cell CL1a2a (see FIG. 26F) containing an array graphic, and an array type Cell CL1a2b (see FIG. 26F), cell CL1b (see FIG. 26F), cell CL1c (see FIG. 26F), and cell CL1d (see FIG. 26F). 26 (F) refer) and is sent to the sorting unit 10B1d5 (see FIG. 25).
図29は図26(A)に示すセルCL1のデータ量と、図26(F)に示すセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d,CL1a2a,CL1a2b,CL1b,CL1c,CL1dの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図29(A)は分割処理部10b1d1,10b1d3(図25参照)およびセル再定義部10b1d2,10b1d6(図25参照)による処理が実行される前におけるセルCL1のデータ量を示しており、図29(B)は分割処理部10b1d1,10b1d3(図25参照)およびセル再定義部10b1d2,10b1d6(図25参照)による処理が実行された後におけるセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d,CL1a2a,CL1a2b,CL1b,CL1c,CL1dの合計のデータ量を示している。 FIG. 29 shows the relationship between the data amount of the cell CL1 shown in FIG. 26A and the total data amount of the cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, CL1a1d, CL1a2a, CL1a2b, CL1b, CL1c and CL1d shown in FIG. It is the figure which showed an example. Specifically, FIG. 29A shows the data amount of the cell CL1 before the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3 (see FIG. 25) and the cell redefinition units 10b1d2, 10b1d6 (see FIG. 25) is executed. FIG. 29B shows the cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, CL1a1d, and CL1a2a after the processing by the division processing units 10b1d1, 10b1d3 (see FIG. 25) and the cell redefinition units 10b1d2, 10b1d6 (see FIG. 25). , CL1a2b, CL1b, CL1c, and CL1d.
図30は図8に示すセルCL1,CL2,CL3のデータが第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d3およびセル再定義部10b1d2,10b1d6によって処理され、振り分け部10b1d5によって振り分けられ、データ処理モジュール10b1eのデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。詳細には、図30(A)は図8に示すセルCL1,CL2,CL3のデータが第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d3(図25参照)およびセル再定義部10b1d2,10b1d6(図25参照)によって処理され、振り分け部10b1d5(図25参照)によって振り分けられ、データ処理モジュール10b1e(図25参照)のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図25参照)によって並列してデータ処理される一例を示した図である。図30(B)は分割処理部10b1d1,10b1d3(図25参照)およびセル再定義部10b1d2,10b1d6(図25参照)が設けられていない従来の荷電粒子ビーム描画装置の振り分け部10b1d5(図25参照)によって振り分けられたセルCL1,CL2,CL3(図8参照)のデータがデータ処理モジュール10b1e(図25参照)のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図25参照)によって並列してデータ処理される一例を示した図である。
30, the data of the cells CL1, CL2, and CL3 shown in FIG. 8 are processed by the division processing units 10b1d1 and 10b1d3 and the cell redefinition units 10b1d2 and 10b1d6 of the charged particle
図30(A)に示す例では、セル再定義部10b1d2(図25参照)によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルCL2a2(図16参照)であって、第5閾値(例えばEメガバイト)以上のデータ量を有するセルCL2a2が、セル再定義部10b1d6(図25参照)により、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルCL2a2a(図30(A)参照)と、セルCL2a2aに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有するセルCL2a2b(図30(A)参照)とに分けて再定義されている。 In the example shown in FIG. 30A, the cell CL2a2 (see FIG. 16) including a plurality of types of array-type figures redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 25), and the fifth threshold ( For example, a cell CL2a2 having a data amount equal to or larger than E megabyte) includes a cell CL2a2a (see FIG. 25) including a predetermined type of graphic having a data amount less than the fifth threshold (E megabyte) by the cell redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25). 30 (A)) and a cell CL2a2b having a data amount less than the fifth threshold value (E megabyte) (see FIG. 30A), which includes a graphic of a type different from the type of graphic included in the cell CL2a2a. (Ref.) And redefined.
また、図30(A)に示す例では、セル再定義部10b1d2(図25参照)によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルCL3a2(図18参照)であって、第5閾値(例えばEメガバイト)以上のデータ量を有するセルCL3a2が、セル再定義部10b1d6(図25参照)により、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルCL3a2a(図30(A)参照)と、セルCL3a2aに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有するセルCL3a2b(図30(A)参照)とに分けて再定義されている。 In the example shown in FIG. 30A, a cell CL3a2 (see FIG. 18) including a plurality of types of array-type figures redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 25), A cell CL3a2 having a data amount equal to or greater than a threshold (for example, E megabytes) includes a cell CL3a2a including a predetermined type of graphic having a data amount less than a fifth threshold (E megabyte) by the cell redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25). (Refer to FIG. 30A) and a cell CL3a2b (FIG. 30 (FIG. 30) that includes a graphic of a type different from the type of graphic included in the cell CL3a2a and has a data amount less than the fifth threshold (E megabyte). A) see) and redefined.
更に、図30(A)に示す例では、セル再定義部10b1d2(図25参照)によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルCL3b2(図18参照)であって、第5閾値(例えばEメガバイト)以上のデータ量を有するセルCL3b2が、セル再定義部10b1d6(図25参照)により、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルCL3b2a(図30(A)参照)と、セルCL3b2aに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有するセルCL3b2b(図30(A)参照)とに分けて再定義されている。 Furthermore, in the example shown in FIG. 30A, a cell CL3b2 (see FIG. 18) including a plurality of types of array-type figures redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 25), A cell CL3b2 having a data amount equal to or greater than a threshold (for example, E megabytes) includes a cell CL3b2a including a predetermined type of graphic having a data amount less than a fifth threshold (E megabyte) by the cell redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25). (Refer to FIG. 30A) and a cell CL3b2b (FIG. 30 (FIG. 30) that includes a graphic type different from the graphic type included in the cell CL3b2a and has a data amount less than the fifth threshold (E megabytes). A) see)) and redefined.
また、図30(A)に示す例では、セル再定義部10b1d2(図25参照)によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルCL3c2(図18参照)であって、第5閾値(例えばEメガバイト)以上のデータ量を有するセルCL3c2が、セル再定義部10b1d6(図25参照)により、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルCL3c2a(図30(A)参照)と、セルCL3c2aに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有するセルCL3c2b(図30(A)参照)とに分けて再定義されている。 In the example shown in FIG. 30A, a cell CL3c2 (see FIG. 18) including a plurality of types of array-type figures redefined by the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 25), A cell CL3c2 having a data amount equal to or greater than a threshold (for example, E megabytes) is included in the cell CL3c2a including a predetermined type of graphic having a data amount less than the fifth threshold (E megabyte) by the cell redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25). (Refer to FIG. 30A) and a cell CL3c2b (FIG. 30 (FIG. 30) that includes a graphic type different from the graphic type included in the cell CL3c2a and has a data amount less than the fifth threshold value (E megabyte). A) see)) and redefined.
図30(A)において、時間t0〜時間tAは、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示している。図30(A)に示す例では、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間時間t0〜時間tAが、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間時間t0〜時間tA(図21(A)参照)とほぼ等しくなる。
In FIG. 30A, at time t0 to time tA, the data processing units 10b1e1, 10b1e2, and 10b1e3 process the data in the cells CL1, CL2, and CL3 in parallel in the charged particle
また、図30(A)において、時間ΔtAは、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部10b1e2,10b1e3の無駄な待ち時間(アイドルタイム)を示している。図30(A)に示す例では、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部10b1e2,10b1e3の無駄な待ち時間時間ΔtAが、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部10b1e2,10b1e3の無駄な待ち時間時間ΔtA(図21(A)参照)とほぼ等しくなる。
In FIG. 30A, at time ΔtA, the data of the cells CL1, CL2, CL3 is processed in parallel by the data processing units 10b1e1, 10b1e2, 10b1e3 in the charged particle
第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、各セルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3h(図30(A)参照)が有するデータ量が小さくなるように、かつ、好ましくは、概略均一になるように、分割処理部10b1d1,10b1d3(図25参照)およびセル再定義部10b1d2,10b1d6(図25参照)による処理が実行された後の複数のセルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL3g,CL3hが、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図25参照)に振り分けられ、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される。
In the charged particle
そのため、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、大きいデータ量を有する複数のセルCL1,CL2,CL3(図30(B)参照)が複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図25参照)に振り分けられ複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図25参照)における無駄な待ち時間(時間ΔtA←時間ΔtB)(図30参照)および総処理時間(時間t0〜時間tA←時間t0〜時間tB)(図30参照)を低減することができる。
Therefore, according to the charged particle
更に、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、アレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図9(E)および図10(A)参照)を複数のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)、図13(A)、図13(C)、図14(A)および図14(C)参照)に分割処理すると分割処理後の複数のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2dの合計のデータ量が大きく増加する可能性がある点に鑑み、第5閾値(例えばEメガバイト)以上のデータ量を有し、アレイ型の複数の種類の図形を含むセルCL1a2(図10(A)および図26(E)参照)が、セル再定義部10b1d6(図25参照)によって、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有し、異なる種類の図形を含む異なるセルCL1a2a,CL1a2b(図26(F)、図27(A)および図28(A)参照)として再定義される。
Furthermore, in the charged particle
そのため、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、図9(E)および図9(F)に示すようにアレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図9(E)参照)が複数のアレイ型のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)参照)に分割処理されるのに伴って、分割処理後の複数のセルCL1a1a,CL1a1b,・・,CL1c,CL1d(図29(B)参照)の合計のデータ量が分割処理前のセルCL1(図29(A)参照)のデータ量に比べて大きく増加してしまうのを回避することができる。
Therefore, according to the charged particle
つまり、第7の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6(図25参照)におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる。
That is, according to the charged particle
図31は第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の制御計算機10b1の詳細図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図2に示すように、ローカライザー10b1bにセル再定義部10b1d2および分割処理部10b1d3,10b1d4が設けられているが、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、図31に示すように、分割処理部10b1d7が設けられている。図32は図8に示すセルCL1が図31に示す第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d7によって処理される一例を示した図である。
FIG. 31 is a detailed view of the control computer 10b1 of the charged particle
図8および図32(A)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d1(図31参照)において、セルCL1のサイズ(詳細には、幅寸法(図32(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図32(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(例えばAμm)より大きいか否かが判定される。図8、図32(A)および図32(B)に示す例では、セルCL1のサイズ(詳細には、幅寸法(図32(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図32(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(Aμm)より大きいため、1個のセルCL1(図32(A)参照)が、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図32(B)参照)に分割処理される。 In the example shown in FIGS. 8 and 32A, for example, in the division processing unit 10b1d1 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the size (specifically, the width dimension (see FIG. 32A) of the cell CL1. ) Horizontal dimension) or height dimension (vertical dimension in FIG. 32A)) is determined whether it is larger than a first threshold (for example, A μm). In the example shown in FIGS. 8, 32A, and 32B, the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 32A)) and the height dimension (FIG. 32A) of the cell CL1. )) Is larger than the first threshold value (Aμm), so that one cell CL1 (see FIG. 32A) has four cells CL1a having a size equal to or smaller than the first threshold value (Aμm). , CL1b, CL1c, and CL1d (see FIG. 32B).
次いで、図8、図32(A)および図32(B)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図32(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図8、図32(A)および図32(B)に示す例では、例えば、セルCL1a(図32(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、セルCL1b,CL1c,CL1d(図32(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有さないと判定される。 Next, in the example illustrated in FIGS. 8, 32A, and 32B, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the first threshold (Aμm) or less. It is determined whether or not there are cells having a data amount larger than the second threshold (for example, B megabytes) in the four cells CL1a, CL1b, CL1c, and CL1d having the size (see FIG. 32B). In the example shown in FIGS. 8, 32A, and 32B, for example, the cell CL1a (see FIG. 32B) has a data amount larger than the second threshold (B megabyte), and the cell CL1b, It is determined that CL1c and CL1d (see FIG. 32B) do not have a data amount larger than the second threshold value (B megabyte).
次いで、図8、図32(A)、図32(B)および図32(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、かつ、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有するセルCL1a(図32(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。 Next, in the examples shown in FIGS. 8, 32A, 32B, and 32C, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the second It has a data amount larger than a threshold value (B megabytes), and has a size larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 32B)) or a height dimension (FIG. 32). (B) vertical dimension)) cell CL1a (see FIG. 32B) is larger than the third threshold (for example, C μm) (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 32B)). ) And a height dimension (vertical direction dimension in FIG. 32B)).
第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有するセルCL1a(図32(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a(図32(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a(図32(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になる場合に、その分割処理が実行される。
In the charged particle
図8、図32(A)、図32(B)および図32(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有するセルCL1a(図32(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a(図32(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。 In the example shown in FIGS. 8, 32A, 32B, and 32C, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the second threshold ( B has a data amount larger than B megabytes and has a size larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 32B)) or a height dimension (FIG. 32B). Cell CL1a (see FIG. 32 (B)) having a size larger than a third threshold (for example, C μm) (specifically, width dimension (horizontal dimension in FIG. 32B)) and height. When division processing is performed on a plurality of cells having no dimension (dimension in the vertical direction in FIG. 32B), the total data amount of the plurality of cells after the division processing is the cell CL1a before the division processing (FIG. 32B). 4th threshold value D times (see) For example, the division processing is not executed.
図33は図32(A)に示すセルCL1のデータ量と、図32(C)に示すセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1dの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図33(A)は分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)による処理が実行される前におけるセルCL1のデータ量を示しており、図33(B)は分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)による処理が実行された後におけるセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1dの合計のデータ量を示している。図34は図8に示すセルCL2が図31に示す第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d7によって処理される一例を示した図である。
FIG. 33 is a diagram showing an example of the relationship between the data amount of the cell CL1 shown in FIG. 32A and the total data amount of the cells CL1a, CL1b, CL1c, and CL1d shown in FIG. Specifically, FIG. 33A shows the data amount of the cell CL1 before the processing by the division processing units 10b1d1 and 10b1d7 (see FIG. 31) is executed, and FIG. 33B shows the division processing unit 10b1d1, The total data amount of the cells CL1a, CL1b, CL1c, and CL1d after the processing by 10b1d7 (see FIG. 31) is executed is shown. FIG. 34 is a diagram showing an example in which the cell CL2 shown in FIG. 8 is processed by the division processing units 10b1d1 and 10b1d7 of the charged particle
図8および図34(A)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d1(図31参照)において、セルCL2のサイズ(詳細には、幅寸法(図34(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図34(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(例えばAμm)より大きいか否かが判定される。図8、図34(A)および図34(B)に示す例では、セルCL2のサイズ(詳細には、幅寸法(図34(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図34(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(Aμm)より大きいため、1個のセルCL2(図34(A)参照)が、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL2a,CL2b,CL2c,CL2d(図34(B)参照)に分割処理される。 In the example shown in FIGS. 8 and 34A, for example, in the division processing unit 10b1d1 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the size of the cell CL2 (specifically, the width dimension (see FIG. 34A) ) Horizontal dimension) or height dimension (vertical dimension in FIG. 34A)) is determined whether it is larger than a first threshold (for example, A μm). In the example shown in FIGS. 8, 34A, and 34B, the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 34A)) and the height dimension (FIG. 34A) of the cell CL2. )) Is larger than the first threshold value (A μm), so that one cell CL2 (see FIG. 34A) has four cells CL2a having a size equal to or smaller than the first threshold value (A μm). , CL2b, CL2c, and CL2d (see FIG. 34B).
次いで、図8、図34(A)および図34(B)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL2a,CL2b,CL2c,CL2d(図34(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図8、図34(A)および図34(B)に示す例では、例えば、セルCL2a(図34(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、セルCL2b,CL2c,CL2d(図34(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有さないと判定される。 Next, in the example illustrated in FIGS. 8, 34A, and 34B, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the first threshold (Aμm) or less. It is determined whether or not there are cells having a data amount larger than the second threshold value (for example, B megabytes) in the four cells CL2a, CL2b, CL2c, and CL2d having the size (see FIG. 34B). In the example shown in FIGS. 8, 34A, and 34B, for example, the cell CL2a (see FIG. 34B) has a data amount larger than the second threshold (B megabytes), and the cell CL2b, It is determined that CL2c and CL2d (see FIG. 34B) do not have a data amount larger than the second threshold value (B megabyte).
次いで、図8、図34(A)、図34(B)および図34(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、かつ、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図34(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図34(B)の上下方向寸法))を有するセルCL2a(図34(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図34(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図34(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。 Next, in the examples shown in FIGS. 8, 34A, 34B, and 34C, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the second It has a data amount larger than a threshold value (B megabytes) and is larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 34B)) or a height dimension (FIG. 34). (B) vertical dimension)) cell CL2a (see FIG. 34B) is larger than the third threshold (eg, C μm) (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 34B)). ) And a height dimension (vertical dimension in FIG. 34B)) are examined.
第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図34(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図34(B)の上下方向寸法))を有するセルCL2a(図34(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図34(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図34(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL2a1,CL2a2,CL2a3,CL2a4(図34(C)参照)に分割処理すると、分割処理後の複数のセルCL2a1,CL2a2,CL2a3,CL2a4の合計のデータ量が分割処理前のセルCL2a(図34(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルCL2a1,CL2a2,CL2a3,CL2a4の合計のデータ量が分割処理前のセルCL2a(図34(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になる場合に、その分割処理が実行される。
In the charged particle
図8、図34(A)、図34(B)および図34(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図34(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図34(B)の上下方向寸法))を有するセルCL2a(図34(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図34(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図34(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL2a1,CL2a2,CL2a3,CL2a4(図34(C)参照)に分割処理すると、分割処理後の複数のセルCL2a1,CL2a2,CL2a3,CL2a4(図34(C)参照)の合計のデータ量が分割処理前のセルCL2a(図34(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になると判定され、その分割処理が実行される。 In the example shown in FIG. 8, FIG. 34 (A), FIG. 34 (B) and FIG. 34 (C), for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), B having a data amount larger than B megabytes and having a size larger than a third threshold (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 34B) or a height dimension (FIG. 34B)). Cell CL2a (see FIG. 34 (B)) having a size (specifically, width dimension (horizontal dimension in FIG. 34 (B)) and height larger than a third threshold (for example, C μm). When division processing is performed into a plurality of cells CL2a1, CL2a2, CL2a3, CL2a4 (see FIG. 34C) that do not have dimensions (the vertical dimension in FIG. 34B), the plurality of cells CL2a1, CL2a2 after the division processing , CL2a3, CL2a4 (see FIG. 34C) is determined to be less than or equal to a fourth threshold value D (for example, twice) the data amount of the cell CL2a (see FIG. 34B) before the division processing. Then, the dividing process is executed.
図35は図34(A)に示すセルCL2のデータ量と、図34(C)に示すセルCL2a1,CL2a2,CL2a3,CL2a4,CL2b,CL2c,CL2dの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図35(A)は分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)による処理が実行される前におけるセルCL2のデータ量を示しており、図35(B)は分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)による処理が実行された後におけるセルCL2a1,CL2a2,CL2a3,CL2a4,CL2b,CL2c,CL2dの合計のデータ量を示している。図36は図8に示すセルCL3が図31に示す第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d7によって処理される一例を示した図である。
FIG. 35 shows an example of the relationship between the data amount of the cell CL2 shown in FIG. 34A and the total data amount of the cells CL2a1, CL2a2, CL2a3, CL2a4, CL2b, CL2c, and CL2d shown in FIG. It is a figure. Specifically, FIG. 35A shows the data amount of the cell CL2 before the processing by the division processing units 10b1d1 and 10b1d7 (see FIG. 31) is executed, and FIG. 35B shows the division processing unit 10b1d1, FIG. The total data amount of the cells CL2a1, CL2a2, CL2a3, CL2a4, CL2b, CL2c, and CL2d after the process by 10b1d7 (see FIG. 31) is executed is shown. FIG. 36 is a diagram showing an example in which the cell CL3 shown in FIG. 8 is processed by the division processing units 10b1d1 and 10b1d7 of the charged particle
図8および図36(A)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d1(図31参照)において、セルCL3のサイズ(詳細には、幅寸法(図36(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図36(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(例えばAμm)より大きいか否かが判定される。図8、図36(A)および図36(B)に示す例では、セルCL3のサイズ(詳細には、幅寸法(図36(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図36(A)の上下方向寸法))が、第1閾値(Aμm)より大きいため、1個のセルCL3(図36(A)参照)が、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する8個のセルCL3a,CL3b,CL3c,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3h(図36(B)参照)に分割処理される。 In the example shown in FIGS. 8 and 36A, for example, in the division processing unit 10b1d1 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the size of the cell CL3 (specifically, the width dimension (see FIG. 36A) ) Horizontal dimension) or height dimension (vertical dimension in FIG. 36A)) is determined whether it is larger than a first threshold (for example, A μm). In the example shown in FIGS. 8, 36A, and 36B, the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 36A)) and the height dimension (FIG. 36A) of the cell CL3. )) Is larger than the first threshold value (Aμm), so that one cell CL3 (see FIG. 36A) has eight cells CL3a having a size equal to or smaller than the first threshold value (Aμm). , CL3b, CL3c, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, and CL3h (see FIG. 36B).
次いで、図8、図36(A)および図36(B)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する8個のセルCL3a,CL3b,CL3c,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3h(図36(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図8、図36(A)および図36(B)に示す例では、例えば、セルCL3a,CL3b,CL3c(図36(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、セルCL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3h(図36(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有さないと判定される。 Next, in the example illustrated in FIGS. 8, 36A, and 36B, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the first threshold value (Aμm) or less. Eight cells having sizes CL3a, CL3b, CL3c, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, and CL3h (see FIG. 36B) have cells having a data amount larger than the second threshold (for example, B megabytes). It is determined whether or not. In the example shown in FIGS. 8, 36A, and 36B, for example, the cells CL3a, CL3b, and CL3c (see FIG. 36B) have a data amount larger than the second threshold (B megabytes). Then, it is determined that the cells CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, and CL3h (see FIG. 36B) do not have a data amount larger than the second threshold (B megabytes).
次いで、図8、図36(A)、図36(B)および図36(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、かつ、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有するセルCL3a,CL3b,CL3c(図36(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 8, 36A, 36B, and 36C, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the second It has a data amount larger than a threshold value (B megabytes), and has a size larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, width dimension (horizontal dimension in FIG. 36B)) or height dimension (FIG. 36). The cell CL3a, CL3b, CL3c (see FIG. 36B) having a size (refer to FIG. 36B) is larger than the third threshold (for example, C μm) (specifically, the width dimension (FIG. 36B)). Whether or not to divide into a plurality of cells having no vertical dimension) and a height dimension (vertical dimension in FIG. 36B).
第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有するセルCL3a,CL3b,CL3c(図36(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL3a,CL3b,CL3c(図36(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL3a,CL3b,CL3c(図36(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になる場合に、その分割処理が実行される。
In the charged particle
詳細には、図8、図36(A)、図36(B)および図36(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有するセルCL3a(図36(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL3a(図36(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。 Specifically, in the examples shown in FIGS. 8, 36A, 36B, and 36C, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), It has a data amount larger than the second threshold value (B megabyte) and is larger than the third threshold value (for example, C μm) (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 36B)) or the height dimension (FIG. 36). (B) vertical dimension)) cell CL3a (see FIG. 36B) is larger than the third threshold (for example, C μm) (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 36B)). ) And the height dimension (vertical direction dimension in FIG. 36B)), the total data amount of the plurality of cells after the division process is the cell CL3a (FIG. No. 36 (B)) It is determined that the threshold value is larger than D times (for example, twice), and the dividing process is not executed.
また、図8、図36(A)、図36(B)および図36(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有するセルCL3b(図36(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL3b(図36(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。 Also, in the examples shown in FIGS. 8, 36A, 36B, and 36C, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the second It has a data amount larger than a threshold value (B megabytes), and has a size larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 36B)) or a height dimension (FIG. 36B )) Cell CL3b (see FIG. 36B) having a size larger than a third threshold (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 36B)) and When division processing is performed on a plurality of cells having no height dimension (the vertical dimension in FIG. 36B), the total data amount of the plurality of cells after the division processing is the cell CL3b before the division processing (FIG. 36 ( The fourth threshold value of the data amount in (B) It is determined that the value is larger than D times (for example, twice), and the dividing process is not executed.
更に、図8、図36(A)、図36(B)および図36(C)に示す例では、例えば、ローカライザー10b1d(図31参照)の分割処理部10b1d7(図31参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有するセルCL3c(図36(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図36(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図36(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL3c1,CL3c2,CL3c3,CL3c4(図36(C)参照)に分割処理すると、分割処理後の複数のセルCL3c1,CL3c2,CL3c3,CL3c4(図36(C)参照)の合計のデータ量が分割処理前のセルCL3c(図36(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になると判定され、その分割処理が実行される。 Furthermore, in the examples shown in FIGS. 8, 36A, 36B, and 36C, for example, in the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) of the localizer 10b1d (see FIG. 31), the second It has a data amount larger than a threshold value (B megabytes), and has a size larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 36B)) or a height dimension (FIG. 36B )) Cell CL3c (see FIG. 36B) having a size larger than a third threshold (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 36B)) and When division processing is performed into a plurality of cells CL3c1, CL3c2, CL3c3, and CL3c4 (see FIG. 36C) having no height dimension (the vertical dimension in FIG. 36B), a plurality of cells CL3c1 after the division processing are performed. , CL When the total data amount of 3c2, CL3c3, CL3c4 (see FIG. 36C) is equal to or less than a fourth threshold value D times (for example, twice) the data amount of the cell CL3c (see FIG. 36B) before the division processing. It is determined and the dividing process is executed.
図37は図36(A)に示すセルCL3のデータ量と、図36(C)に示すセルCL3a,CL3b,CL3c1,CL3c2,CL3c3,CL3c4,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3hの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図36(A)は分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)による処理が実行される前におけるセルCL3のデータ量を示しており、図36(B)は分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)による処理が実行された後におけるセルCL3a,CL3b,CL3c1,CL3c2,CL3c3,CL3c4,CL3d,CL3e,CL3f,CL3g,CL3hの合計のデータ量を示している。 FIG. 37 shows the total amount of data in the cell CL3 shown in FIG. 36A and the cells CL3a, CL3b, CL3c1, CL3c2, CL3c3, CL3c4, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g and CL3h shown in FIG. It is the figure which showed an example of the relationship with quantity. Specifically, FIG. 36A shows the data amount of the cell CL3 before the processing by the division processing units 10b1d1 and 10b1d7 (see FIG. 31) is executed, and FIG. 36B shows the division processing unit 10b1d1, FIG. The total data amount of the cells CL3a, CL3b, CL3c1, CL3c2, CL3c3, CL3c4, CL3d, CL3e, CL3f, CL3g, and CL3h after the processing by 10b1d7 (see FIG. 31) is executed is shown.
図38は図8に示すセルCL1,CL2,CL3のデータが第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d7によって処理され、振り分け部10b1d5によって振り分けられ、データ処理モジュール10b1eのデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。詳細には、図38(A)は図8に示すセルCL1,CL2,CL3のデータが第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)によって処理され、振り分け部10b1d5(図31参照)によって振り分けられ、データ処理モジュール10b1e(図31参照)のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図31参照)によって並列してデータ処理される一例を示した図である。図38(B)は分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)が設けられていない従来の荷電粒子ビーム描画装置の振り分け部10b1d5(図31参照)によって振り分けられたセルCL1,CL2,CL3(図8参照)のデータがデータ処理モジュール10b1e(図31参照)のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図31参照)によって並列してデータ処理される一例を示した図である。
In FIG. 38, the data of the cells CL1, CL2, and CL3 shown in FIG. 8 are processed by the division processing units 10b1d1 and 10b1d7 of the charged particle
図38(A)において、時間t0〜時間tAは、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示している。図38(A)に示す例では、例えば、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10においてセルCL1,CL2,CL3のデータがデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部10b1e2,10b1e3の無駄な待ち時間ΔtAがゼロになる。
In FIG. 38A, at time t0 to time tA, data of cells CL1, CL2, CL3 is processed in parallel by the data processing units 10b1e1, 10b1e2, 10b1e3 in the charged particle
第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、各セルCL1a,CL1b,・・,CL3g,CL3h(図38(A)参照)が有するデータ量が小さくなるように、分割処理部10b1d1,10b1d7(図31参照)による処理が実行された後の複数のセルCL1a,CL1b,・・,CL3g,CL3hが、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図31参照)に振り分けられ、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される。
In the charged particle
そのため、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、大きいデータ量を有する複数のセルCL1,CL2,CL3(図38(B)参照)が複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図38参照)に振り分けられ複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3によって並列してデータ処理される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3(図38参照)における無駄な待ち時間(時間ΔtA←時間ΔtB)(図38参照)および総処理時間(時間t0〜時間tA←時間t0〜時間tB)(図38参照)を低減することができる。
Therefore, according to the charged particle
更に、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、分割処理部10b1d1(図31参照)によって分割処理された第1閾値(例えばAμm)より大きいサイズを有さず、かつ、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有し、かつ、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズを有するセルCL1a,CL2a,CL3a,CL3b(図32(B)、図34(B)および図36(B)参照)を、第3閾値(Cμm)以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a,CL2a,CL3a,CL3b(図32(B)、図34(B)および図36(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、その分割処理が実行されない。
Furthermore, in the charged particle
そのため、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量に比べて大きく増加してしまうのを回避することができる。
Therefore, according to the charged particle
つまり、第8の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10によれば、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6(図31参照)におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部10b1e1,10b1e2,10b1e3,10b1e4,10b1e5,10b1e6における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる。
That is, according to the charged particle
第9の実施形態では、上述した第1から第8の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。 In the ninth embodiment, the first to eighth embodiments described above can be appropriately combined.
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画データ作成装置の第1の実施形態について説明する。図39は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20の概略的な構成図である。 Hereinafter, a first embodiment of a charged particle beam drawing data creation apparatus of the present invention will be described. FIG. 39 is a schematic configuration diagram of the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment.
具体的には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたレイアウトデータ(CADデータ、設計データ)D0(図39参照)であって、図4に示す描画データと同様に少なくとも図形階層FG(図4参照)とセル階層CL(図4参照)とに階層化されており、複数のセルCLA,CLB,CLC,CLD,・・(図4参照)が含まれており、各セルCLA,CLB,CLC,CLD,・・(図4参照)に1個以上の図形(パターン)FG1,FG2,・・(図4参照)が含まれているレイアウトデータD0(図39参照)が、入力部20a(図39参照)に入力される。 Specifically, in the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, layout data (CAD data, design data) D0 (see FIG. 39) created by a semiconductor integrated circuit designer or the like. 4 and at least a graphic hierarchy FG (see FIG. 4) and a cell hierarchy CL (see FIG. 4), and a plurality of cells CLA, CLB, CLC, CLD,. (See FIG. 4), and each cell CLA, CLB, CLC, CLD,... (See FIG. 4) has one or more figures (patterns) FG1, FG2,. The included layout data D0 (see FIG. 39) is input to the input unit 20a (see FIG. 39).
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、分割処理部20b1d1(図39参照)において、描画データD1(図2参照)に対する分割処理部10b1d1(図2参照)による処理と同様の処理が、レイアウトデータD0(図39参照)に対して実行される。具体的には、入力部20a(図39参照)に入力されたレイアウトデータD0(図39参照)に含まれている複数のセルのうち、第1閾値(例えばAμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(A)の左右方向寸法)または高さ寸法(図9(A)の上下方向寸法))を有するセルCL1(図9(A)参照)が、分割処理部20b1d1(図39参照)によって、第1閾値(Aμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(A)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図9(B)参照)に分割処理される。 Next, in the charged particle beam drawing data creation device 20 according to the first embodiment, for example, in the division processing unit 20b1d1 (see FIG. 39), the division processing unit 10b1d1 (see FIG. 2) for the drawing data D1 (see FIG. 2). A process similar to the process is performed on the layout data D0 (see FIG. 39). Specifically, among a plurality of cells included in the layout data D0 (see FIG. 39) input to the input unit 20a (see FIG. 39), a size larger than a first threshold (for example, A μm) (specifically, , A cell CL1 (see FIG. 9A) having a width dimension (a horizontal dimension in FIG. 9A) or a height dimension (a vertical dimension in FIG. 9A)) is divided into processing units 20b1d1 (FIG. 9). 39 (see Fig. 39) has a size larger than the first threshold value (Aµm) (specifically, a width dimension (a horizontal dimension in Fig. 9A) and a height dimension (a vertical dimension in Fig. 9A)). The cells are divided into a plurality of cells CL1a, CL1b, CL1c, and CL1d (see FIG. 9B).
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、セル再定義部20b1d2(図39参照)において、描画データD1(図2参照)に対するセル再定義部10b1d2(図2参照)による処理と同様の処理が、レイアウトデータD0(図39参照)に対して実行される。具体的には、分割処理部20b1d1(図39参照)によって分割処理された第1閾値(例えばAμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(A)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(A)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図9(B)参照)のうち、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルCL1a(図9(B)参照)が、セル再定義部20b1d2(図39参照)によって、アレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図9(C)参照)と、非アレイ型の複数の図形を含むセルCL1a1(図9(C)参照)とに分けることにより、異なる複数のセルCL1a1,CL1a2(図9(C)参照)として再定義される。 Next, in the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, in the cell redefinition unit 20b1d2 (see FIG. 39), the cell redefinition unit 10b1d2 (see FIG. 2) for the drawing data D1 (see FIG. 2). A process similar to the process according to) is executed on the layout data D0 (see FIG. 39). Specifically, the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9A)) and height larger than the first threshold (for example, A μm) divided by the division processing unit 20b1d1 (see FIG. 39). Among a plurality of cells CL1a, CL1b, CL1c, and CL1d (see FIG. 9B) that do not have dimensions (vertical dimension in FIG. 9A), the data amount is larger than the second threshold (for example, B megabytes). A cell CL1a (see FIG. 9B) having a cell CL1a2 (see FIG. 9C) including a plurality of array-type figures by a cell redefinition unit 20b1d2 (see FIG. 39) and a non-array type By dividing into cells CL1a1 (see FIG. 9C) including a plurality of figures, they are redefined as different cells CL1a1 and CL1a2 (see FIG. 9C).
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、分割処理部20b1d3(図39参照)において、描画データD1(図2参照)に対する分割処理部10b1d3(図2参照)による処理と同様の処理が、レイアウトデータD0(図39参照)に対して実行される。具体的には、セル再定義部20b1d2(図39参照)によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含むセルCL1a1(図9(D)参照)であって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(D)の左右方向寸法)または高さ寸法(図9(D)の上下方向寸法))を有するセルCL1a1(図9(D)参照)が、分割処理部20b1d3(図39参照)によって、第3閾値(Cμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(D)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(D)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL1a1a,CL1a1b,CL1a1c,CL1a1d(図9(E)参照)に分割処理される。 Next, in the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, in the division processing unit 20b1d3 (see FIG. 39), the division processing unit 10b1d3 (see FIG. 2) for the drawing data D1 (see FIG. 2). A process similar to the process is performed on the layout data D0 (see FIG. 39). Specifically, the cell CL1a1 (see FIG. 9D) including a plurality of non-array-type figures redefined by the cell redefinition unit 20b1d2 (see FIG. 39), and has a third threshold (for example, C μm). A cell CL1a1 (see FIG. 9D) having a larger size (specifically, a width dimension (a horizontal dimension in FIG. 9D) or a height dimension (a vertical dimension in FIG. 9D)). The division processing unit 20b1d3 (see FIG. 39) has a size larger than the third threshold value (C μm) (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9D)) and the height dimension (in FIG. 9D). Divided into a plurality of cells CL1a1a, CL1a1b, CL1a1c, and CL1a1d (see FIG. 9E) having no vertical dimension)).
また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、分割処理部20b1d4(図39参照)において、描画データD1(図2参照)に対する分割処理部10b1d4(図2参照)による処理と同様の処理が、レイアウトデータD0(図39参照)に対して実行される。具体的には、セル再定義部20b1d2(図39参照)によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図9(E)参照)であって、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(E)の左右方向寸法)または高さ寸法(図9(E)の上下方向寸法))を有するセルCL1a2(図9(E)参照)を、第3閾値(Cμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(E)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(E)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)参照)に分割処理すると、分割処理後の複数のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)参照)の合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a2(図9(E)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなるか否かが、分割処理部20b1d4(図39参照)によって判定される。 In the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, in the division processing unit 20b1d4 (see FIG. 39), the division processing unit 10b1d4 (see FIG. 2) for the drawing data D1 (see FIG. 2). A process similar to the process is performed on the layout data D0 (see FIG. 39). Specifically, the cell CL1a2 (see FIG. 9E) including a plurality of array-type figures redefined by the cell redefinition unit 20b1d2 (see FIG. 39), and from a third threshold (for example, C μm) A cell CL1a2 (see FIG. 9E) having a large size (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 9E) or a height dimension (vertical dimension in FIG. 9E)), A plurality of cells not having a size larger than the third threshold (C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 9E) and a height dimension (vertical dimension in FIG. 9E)) When divided into CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, and CL1a2d (see FIG. 9F), the total data amount of the plurality of cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, and CL1a2d (see FIG. 9F) after the divided processing is divided. in front The division processing unit 20b1d4 (see FIG. 39) determines whether or not the data amount of the cell CL1a2 (see FIG. 9E) exceeds the fourth threshold value D times (for example, twice).
第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、分割処理後の複数のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)参照)の合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a2(図9(E)参照)のデータ量の第4閾値D倍(2倍)より大きくなる場合には、その分割処理が分割処理部20b1d4(図39参照)によって実行されない。一方、分割処理後の複数のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)参照)の合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a2(図9(E)参照)のデータ量の第4閾値D倍(2倍)以下になる場合には、その分割処理が分割処理部20b1d4(図39参照)によって実行される。 In the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, the total data amount of the plurality of cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, and CL1a2d (see FIG. 9F) after the division processing is the same as that before the division processing. When the data amount of the cell CL1a2 (see FIG. 9E) is larger than the fourth threshold value D times (2 times), the division processing is not executed by the division processing unit 20b1d4 (see FIG. 39). On the other hand, the total data amount of the plurality of cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, CL1a2d (see FIG. 9F) after the division processing is the fourth data amount of the cell CL1a2 (see FIG. 9E) before the division processing. When the threshold value is D times (2 times) or less, the division processing is executed by the division processing unit 20b1d4 (see FIG. 39).
図9に示す例では、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(E)の左右方向寸法)または高さ寸法(図9(E)の上下方向寸法))を有するアレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図9(E)参照)が、分割処理部20b1d4(図39参照)によって、第3閾値(Cμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図9(E)の左右方向寸法)および高さ寸法(図9(E)の上下方向寸法))を有さない複数のセルCL1a2a,CL1a2b,CL1a2c,CL1a2d(図9(F)参照)に分割処理されない。 In the example shown in FIG. 9, the size (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 9E) or the height dimension (the vertical dimension in FIG. 9E) larger than the third threshold (for example, C μm). ) Having a cell CL1a2 (see FIG. 9E) including a plurality of array-type figures having a size larger than the third threshold (C μm) by the division processing unit 20b1d4 (see FIG. 39). A plurality of cells CL1a2a, CL1a2b, CL1a2c, CL1a2d (see FIG. 9F) that do not have (the horizontal dimension in FIG. 9E) and the height dimension (the vertical dimension in FIG. 9E). Not divided.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、分割処理部20b1d1,20b1d3,20b1d4(図39参照)およびセル再定義部20b1d2(図39参照)による処理が実行された後の複数のセルが、振り分け部20b1d5(図39参照)によってデータ変換処理モジュール20b1e(図39参照)の複数のデータ変換処理部20b1e1,20b1e2,20b1e3,20b1e4,20b1e5,20b1e6(図39参照)に振り分けられる。 Next, in the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, the processing by the division processing units 20b1d1, 20b1d3, 20b1d4 (see FIG. 39) and the cell redefinition unit 20b1d2 (see FIG. 39) is executed. The plurality of subsequent cells are transferred to the plurality of data conversion processing units 20b1e1, 20b1e2, 20b1e3, 20b1e4, 20b1e5, and 20b1e6 (see FIG. 39) of the data conversion processing module 20b1e (see FIG. 39) by the distribution unit 20b1d5 (see FIG. 39). Sorted.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、データ変換処理モジュール20b1e(図39参照)の複数のデータ変換処理部20b1e1,20b1e2,20b1e3,20b1e4,20b1e5,20b1e6(図39参照)において、レイアウトデータD0(図39参照)のフォーマットを描画データD1(図39参照)のフォーマットに変換する処理が並列して実行される。 Next, in the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, a plurality of data conversion processing units 20b1e1, 20b1e2, 20b1e3, 20b1e4, 20b1e5, 20b1e6 (see FIG. 39) of the data conversion processing module 20b1e (see FIG. 39). 39), the process of converting the format of the layout data D0 (see FIG. 39) into the format of the drawing data D1 (see FIG. 39) is executed in parallel.
次いで、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、データ変換処理モジュール20b1e(図39参照)の複数のデータ変換処理部20b1e1,20b1e2,20b1e3,20b1e4,20b1e5,20b1e6(図39参照)によってデータ変換処理して作成された荷電粒子ビーム描画装置10(図1参照)用の描画データD1(図39参照)が出力部20c(図39参照)を介して出力される。 Next, in the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, for example, a plurality of data conversion processing units 20b1e1, 20b1e2, 20b1e3, 20b1e4, 20b1e5, 20b1e6 (see FIG. 39) of the data conversion processing module 20b1e (see FIG. 39). 39), the drawing data D1 (see FIG. 39) for the charged particle beam drawing apparatus 10 (see FIG. 1) created by the data conversion process is output via the output unit 20c (see FIG. 39).
図40は第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20の概略的な構成図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、図39に示すように、分割処理部20b1d4が設けられているが、第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、代わりに、図40に示すように、セル再定義部20b1d6が設けられている。 FIG. 40 is a schematic configuration diagram of the charged particle beam drawing data creation device 20 of the second embodiment. In the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, as shown in FIG. 39, a division processing unit 20b1d4 is provided. However, in the charged particle beam drawing data creation device 20 of the second embodiment, Instead, as shown in FIG. 40, a cell redefinition unit 20b1d6 is provided.
第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、セル再定義部20b1d6(図40参照)において、描画データD1(図25参照)に対するセル再定義部10b1d6(図25参照)による処理と同様の処理が、レイアウトデータD0(図40参照)に対して実行される。具体的には、セル再定義部20b1d2(図40参照)によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルCL1a2(図26(E)参照)であって、第5閾値(例えばEメガバイト)以上のデータ量を有するセルCL1a2(図26(E)参照)が、セル再定義部20b1d6(図40参照)によって、少なくとも、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する第1の種類の図形FGA(図27(A)参照)を含むセルCL1a2a(図26(F)および図27(A)参照)と、第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する第2の種類の図形FGB(図28(A)参照)を含むセルCL1a2b(図26(F)および図28(A)参照)とに分けられ、1セル当たり第5閾値(Eメガバイト)未満のデータ量を有する異なる複数のセルCL1a2a,CL1a2b(図26(F)参照)として再定義される。 In the charged particle beam drawing data creation device 20 of the second embodiment, for example, in the cell redefinition unit 20b1d6 (see FIG. 40), the cell redefinition unit 10b1d6 (see FIG. 25) for the drawing data D1 (see FIG. 25). A process similar to the process is performed on the layout data D0 (see FIG. 40). Specifically, the cell CL1a2 (see FIG. 26E) including a plurality of array-type figures redefined by the cell redefinition unit 20b1d2 (see FIG. 40), and having a fifth threshold (for example, E megabyte) The cell CL1a2 (see FIG. 26E) having the above data amount has at least the first type of data having a data amount less than the fifth threshold (E megabyte) by the cell redefinition unit 20b1d6 (see FIG. 40). A cell CL1a2a (see FIGS. 26 (F) and 27 (A)) including a graphic FGA (see FIG. 27 (A)) and a second type of graphic FGB having a data amount less than a fifth threshold (E megabyte) (See FIG. 28 (A)), which is divided into cells CL1a2b (see FIG. 26 (F) and FIG. 28 (A)) and having different amounts of data less than the fifth threshold (E megabyte) per cell. A plurality of cells CL1a2a, are redefined as CL1a2b (see FIG. 26 (F)).
図41は第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20の概略的な構成図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、図39に示すように、分割処理部20b1d3,20b1d4およびセル再定義部20b1d2が設けられているが、第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、代わりに、図41に示すように、分割処理部20b1d7が設けられている。 FIG. 41 is a schematic configuration diagram of the charged particle beam drawing data creation apparatus 20 of the third embodiment. In the charged particle beam drawing data creation device 20 of the first embodiment, as shown in FIG. 39, the division processing units 20b1d3 and 20b1d4 and the cell redefinition unit 20b1d2 are provided. However, the charged particles of the third embodiment are provided. Instead, in the beam drawing data creation device 20, as shown in FIG. 41, a division processing unit 20b1d7 is provided.
第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、例えば、分割処理部20b1d7(図41参照)において、描画データD1(図31参照)に対する分割処理部10b1d7(図31参照)による処理と同様の処理が、レイアウトデータD0(図41参照)に対して実行される。具体的には、分割処理部20b1d7(図41参照)において、第1閾値(Aμm)以下のサイズを有する4個のセルCL1a,CL1b,CL1c,CL1d(図32(B)参照)に、第2閾値(例えばBメガバイト)より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図32(A)、図32(B)および図41に示す例では、例えば、セルCL1a(図32(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、セルCL1b,CL1c,CL1d(図32(B)参照)が第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有さないと判定される。 In the charged particle beam drawing data creation device 20 of the third embodiment, for example, in the division processing unit 20b1d7 (see FIG. 41), the processing by the division processing unit 10b1d7 (see FIG. 31) for the drawing data D1 (see FIG. 31) is performed. Similar processing is performed on the layout data D0 (see FIG. 41). Specifically, in the division processing unit 20b1d7 (see FIG. 41), the four cells CL1a, CL1b, CL1c, CL1d (see FIG. 32B) having a size equal to or smaller than the first threshold (A μm) are transferred to the second cell. It is determined whether there is a cell having a data amount greater than a threshold (eg, B megabytes). In the example shown in FIGS. 32A, 32B, and 41, for example, the cell CL1a (see FIG. 32B) has a data amount larger than the second threshold (B megabyte), and the cell CL1b, It is determined that CL1c and CL1d (see FIG. 32B) do not have a data amount larger than the second threshold value (B megabyte).
次いで、図32(A)、図32(B)、図32(C)および図41に示す例では、例えば、分割処理部20b1d7(図41参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、かつ、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有するセルCL1a(図32(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。 Next, in the examples illustrated in FIGS. 32A, 32B, 32C, and 41, for example, in the division processing unit 20b1d7 (see FIG. 41), data that is larger than the second threshold (B megabytes). And a size larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 32B) or a height dimension (vertical dimension in FIG. 32B)). ) Cell CL1a (see FIG. 32B) has a size (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 32B)) and a height dimension (FIG. 32) larger than a third threshold (for example, C μm). It is examined whether or not to divide into a plurality of cells that do not have (B) vertical dimension)).
第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置20では、分割処理部20b1d7(図41参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有するセルCL1a(図32(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a(図32(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a(図32(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)以下になる場合に、その分割処理が実行される。 In the charged particle beam drawing data creation device 20 of the third embodiment, the division processing unit 20b1d7 (see FIG. 41) has a data amount larger than the second threshold value (B megabytes), and from the third threshold value (for example, C μm). A cell CL1a (see FIG. 32B) having a large size (specifically, a width dimension (a horizontal dimension in FIG. 32B) or a height dimension (a vertical dimension in FIG. 32B)), A plurality of sizes that do not have a size larger than the third threshold (for example, C μm) (specifically, width dimension (horizontal dimension in FIG. 32B) and height dimension (vertical dimension in FIG. 32B)). When division processing is performed on cells, the total data amount of the plurality of cells after the division processing becomes larger than a fourth threshold value D (for example, twice) the data amount of the cell CL1a before division processing (see FIG. 32B). If the split process is executed If the total data amount of the plurality of cells after the division processing is equal to or less than the fourth threshold value D times (for example, twice) the data amount of the cell CL1a (see FIG. 32B) before the division processing, Split processing is executed.
図32(A)、図32(B)、図32(C)および図41に示す例では、例えば、分割処理部20b1d7(図41参照)において、第2閾値(Bメガバイト)より大きいデータ量を有し、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)または高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有するセルCL1a(図32(B)参照)を、第3閾値(例えばCμm)より大きいサイズ(詳細には、幅寸法(図32(B)の左右方向寸法)および高さ寸法(図32(B)の上下方向寸法))を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルCL1a(図32(B)参照)のデータ量の第4閾値D倍(例えば2倍)より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。 In the example shown in FIGS. 32A, 32B, 32C, and 41, for example, in the division processing unit 20b1d7 (see FIG. 41), a data amount larger than the second threshold (B megabytes) is obtained. Cell having a size larger than a third threshold value (for example, C μm) (specifically, a width dimension (horizontal dimension in FIG. 32B) or a height dimension (vertical dimension in FIG. 32B)) CL1a (see FIG. 32B) is larger than the third threshold value (for example, C μm) (specifically, the width dimension (the horizontal dimension in FIG. 32B)) and the height dimension (in FIG. 32B). When division processing is performed on a plurality of cells having no vertical dimension)), the total data amount of the plurality of cells after the division processing is the fourth data amount of the cell CL1a (see FIG. 32B) before the division processing. It is determined that the threshold value is greater than D times (for example, twice), The division process is not executed.
10 荷電粒子ビーム描画装置
10a 描画部
10a1a 荷電粒子銃
10a1b 荷電粒子ビーム
10a1c,10a1d 偏向器
10a1e,10a1f 偏向器
10a2a 可動ステージ
10b 制御部
10b1 制御計算機
10b1a 読み込みモジュール
10b1b 入力バッファ
10b1c 分散処理管理モジュール
10b1d ローカライザー
10b1d1,10b1d3 分割処理部
10b1d4,10b1d7 分割処理部
10b1d2,10b1d6 セル再定義部
10b1d5 振り分け部
10b1e データ処理モジュール
10b1e1,10b1e2 データ処理部
10b1e3,10b1e4 データ処理部
10b1e5,10b1e6 データ処理部
10b1f 出力バッファ
10b1g ショットデータ生成部
10b1h 偏向制御部
10b1i ステージ制御部
10b2,10b3 偏向制御回路
10b4,10b5 偏向制御回路
10b6 ステージ制御回路
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第1セル再定義部と、
前記第1セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含む複数のセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
前記第1分割処理部、第1セル再定義部および前記第2分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 An input unit that is hierarchized into at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy, includes a plurality of cells, and is input with drawing data including one or more graphics in each cell;
A first division process of dividing a cell having a size larger than a first threshold among a plurality of cells included in the drawing data input to the input unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold. And
Among the cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold are classified into cells including a plurality of array-type figures, and non-array-type A first cell redefinition unit for redefining as a plurality of different cells by dividing into a cell containing a graphic;
Among a plurality of cells including a plurality of non-arrayed figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than a third threshold is changed to a plurality of cells having a size equal to or smaller than a third threshold. A second split processing unit for split processing;
A distribution unit that distributes a plurality of cells after processing by the first division processing unit, the first cell redefinition unit, and the second division processing unit to a plurality of data processing units;
A data processing module having a plurality of data processing units for processing data in parallel on the plurality of cells distributed by the distribution unit;
A charged particle beam drawing apparatus comprising: a drawing unit that draws a pattern corresponding to a figure included in drawing data in a drawing region on a sample by a charged particle beam.
前記第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
前記第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍以下になる場合に、
前記第1セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第3分割処理部を具備することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 Dividing a cell having a size larger than a third threshold out of cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than a third threshold When the total data amount of the plurality of cells after the division processing is larger than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing,
Of cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than a third threshold is divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than a third threshold. Without
Dividing a cell having a size larger than a third threshold out of cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than a third threshold When the total data amount of the plurality of cells after the division processing is equal to or less than the fourth threshold value times the data amount of the cells before the division processing,
Of cells including a plurality of array-type figures redefined by the first cell redefinition unit, a cell having a size larger than the third threshold is divided into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the third threshold. The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, further comprising a third division processing unit.
前記入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍より大きくなる場合に、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍以下になる場合に、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
前記第1分割処理部および前記第2分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 An input unit that is hierarchized into at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy, includes a plurality of cells, and is input with drawing data including one or more graphics in each cell;
A first division process of dividing a cell having a size larger than a first threshold among a plurality of cells included in the drawing data input to the input unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold. And
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. When division processing into a plurality of cells having the following sizes, when the total data amount of the plurality of cells after the division processing is larger than the fourth threshold times the data amount of the cells before the division processing,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. Do not split into multiple cells with the following sizes,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. When division processing into a plurality of cells having the following sizes, when the total data amount of the plurality of cells after the division processing is less than or equal to the fourth threshold times the data amount of the cells before the division processing,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. A second division processing unit for performing division processing into a plurality of cells having the following sizes;
A distribution unit that distributes a plurality of cells after the division processing by the first division processing unit and the second division processing unit to a plurality of data processing units;
A data processing module having a plurality of data processing units for processing data in parallel on the plurality of cells distributed by the distribution unit;
A charged particle beam drawing apparatus comprising: a drawing unit that draws a pattern corresponding to a figure included in drawing data in a drawing region on a sample by a charged particle beam.
前記入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の複数の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第1セル再定義部と、
前記第1セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
前記第1分割処理部、前記第1セル再定義部および前記第2分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
前記データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置。 An input unit that is hierarchized into at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy, includes a plurality of cells, and each cell includes layout data including one or more graphics,
A first division process of dividing a cell having a size larger than the first threshold among a plurality of cells included in the layout data input to the input unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold. And
Among the cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, cells having a data amount larger than the second threshold are classified into cells including a plurality of array-type figures, and non-array-type A first cell redefinition unit for redefining as a plurality of different cells by dividing into cells including a plurality of figures;
Dividing a cell having a size larger than a third threshold among a plurality of non-array-type figures redefined by the first cell redefinition unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than a third threshold A second division processing unit,
A distribution unit that distributes a plurality of cells after processing by the first division processing unit, the first cell redefinition unit, and the second division processing unit to a plurality of data conversion processing units;
A data conversion processing module having a plurality of data conversion processing units for performing data conversion processing in parallel on a plurality of cells distributed by the distribution unit;
Charged particle beam drawing data creation comprising: an output unit for outputting drawing data for a charged particle beam drawing apparatus created by data conversion processing by a plurality of data conversion processing units of the data conversion processing module apparatus.
前記入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第1閾値より大きいサイズを有するセルを、第1閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第1分割処理部と、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍より大きくなる場合に、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第4閾値倍以下になる場合に、
前記第1分割処理部によって分割処理された第1閾値以下のサイズを有するセルのうち、第2閾値より大きいデータ量を有するセルであって第3閾値より大きいサイズを有するセルを、第3閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第2分割処理部と、
前記第1分割処理部および前記第2分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
前記データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置。 An input unit that is hierarchized into at least a graphic hierarchy and a cell hierarchy, includes a plurality of cells, and each cell includes layout data including one or more graphics,
A first division process of dividing a cell having a size larger than the first threshold among a plurality of cells included in the layout data input to the input unit into a plurality of cells having a size equal to or smaller than the first threshold. And
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. When division processing into a plurality of cells having the following sizes, when the total data amount of the plurality of cells after the division processing is larger than the fourth threshold times the data amount of the cells before the division processing,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. Do not split into multiple cells with the following sizes,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. When division processing into a plurality of cells having the following sizes, when the total data amount of the plurality of cells after the division processing is less than or equal to the fourth threshold times the data amount of the cells before the division processing,
Among cells having a size equal to or smaller than the first threshold divided by the first division processing unit, a cell having a data amount larger than the second threshold and having a size larger than the third threshold is determined as a third threshold. A second division processing unit for performing division processing into a plurality of cells having the following sizes;
A distribution unit that distributes a plurality of cells after the division processing by the first division processing unit and the second division processing unit to a plurality of data conversion processing units;
A data conversion processing module having a plurality of data conversion processing units for performing data conversion processing in parallel on a plurality of cells distributed by the distribution unit;
Charged particle beam drawing data creation comprising: an output unit for outputting drawing data for a charged particle beam drawing apparatus created by data conversion processing by a plurality of data conversion processing units of the data conversion processing module apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009167525A JP5414043B2 (en) | 2009-07-16 | 2009-07-16 | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing data creation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009167525A JP5414043B2 (en) | 2009-07-16 | 2009-07-16 | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing data creation apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023564A true JP2011023564A (en) | 2011-02-03 |
JP5414043B2 JP5414043B2 (en) | 2014-02-12 |
Family
ID=43633368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009167525A Expired - Fee Related JP5414043B2 (en) | 2009-07-16 | 2009-07-16 | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing data creation apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5414043B2 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162611A (en) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation method of electron beam lithography data |
JPH04242916A (en) * | 1991-01-08 | 1992-08-31 | Fujitsu Ltd | Method for generating exposure data |
JPH0529187A (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | Apparatus and method for forming exposure data |
JPH06112110A (en) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Hitachi Ltd | Electron-beam lithograph data preparation system and electron-beam lithography system using the system |
JPH10261568A (en) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Toshiba Corp | Method for preparing charged beam lithography data |
JP2009010077A (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nuflare Technology Inc | Device and method for creating drawing data |
-
2009
- 2009-07-16 JP JP2009167525A patent/JP5414043B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162611A (en) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation method of electron beam lithography data |
JPH04242916A (en) * | 1991-01-08 | 1992-08-31 | Fujitsu Ltd | Method for generating exposure data |
JPH0529187A (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | Apparatus and method for forming exposure data |
JPH06112110A (en) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Hitachi Ltd | Electron-beam lithograph data preparation system and electron-beam lithography system using the system |
JPH10261568A (en) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Toshiba Corp | Method for preparing charged beam lithography data |
JP2009010077A (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nuflare Technology Inc | Device and method for creating drawing data |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5414043B2 (en) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5530688B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and proximity effect correction method thereof | |
KR101252354B1 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charging effect correcting method thereof | |
JP5809419B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
US8466440B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and control method thereof | |
JP5243898B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
JP5586183B2 (en) | Charged particle beam writing method and apparatus | |
JP6934742B2 (en) | Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method | |
US8471225B2 (en) | Charged particle beam writing method and apparatus therefor | |
US9558315B2 (en) | Method of generating write data, multi charged particle beam writing apparatus, and pattern inspection apparatus | |
US7375356B2 (en) | Electron-beam exposure system | |
US9006691B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block | |
US9984853B2 (en) | Method for generating writing data | |
JP5408652B2 (en) | Charged particle beam writing method and apparatus | |
JP5414043B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing data creation apparatus | |
KR102071926B1 (en) | Writing-data generating method | |
JP6548982B2 (en) | How to create drawing data | |
JP5767033B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
JP2012243939A (en) | Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method | |
JP2010267908A (en) | Charged particle beam drawing device and method of processing drawing data thereof | |
JP2012004413A (en) | Charged particle beam drawing device and drawing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120509 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5414043 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |