JP5408652B2 - Charged particle beam writing method and apparatus - Google Patents

Charged particle beam writing method and apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP5408652B2
JP5408652B2 JP2009118506A JP2009118506A JP5408652B2 JP 5408652 B2 JP5408652 B2 JP 5408652B2 JP 2009118506 A JP2009118506 A JP 2009118506A JP 2009118506 A JP2009118506 A JP 2009118506A JP 5408652 B2 JP5408652 B2 JP 5408652B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stripe
see
movable stage
charged particle
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009118506A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010267844A (en
Inventor
秀幸 鶴巻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2009118506A priority Critical patent/JP5408652B2/en
Publication of JP2010267844A publication Critical patent/JP2010267844A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5408652B2 publication Critical patent/JP5408652B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法および装置に関する。   The present invention relates to a charged particle beam drawing method and apparatus for drawing a pattern with a charged particle beam on a sample placed on a movable stage.

従来から、可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上のストライプ内にパターンが描画される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献1(特開2009−38055号公報の図1および図2)などに記載されたものがある。   Conventionally, a drawing area on a sample placed on a movable stage is virtually divided into a plurality of strip-shaped stripes, and the movable stage is moved in the longitudinal direction of the stripes. There is known a charged particle beam drawing apparatus in which a pattern is drawn in a stripe on a sample by a charged particle beam irradiated and deflected by a deflector. An example of this type of charged particle beam drawing apparatus is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-38055 (FIGS. 1 and 2).

特許文献1に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、可動ステージが第1ストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上の第1ストライプ内にパターンが描画される。次いで、第1ストライプ内のパターンの描画が終了すると、可動ステージがストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動が実行される。次いで、可動ステージが第2ストライプの長手方向に移動せしめられる第2ストライプに関する可動ステージの描画移動が開始され、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上の第2ストライプ内にパターンが描画される。   In the charged particle beam drawing apparatus described in Patent Document 1, a charged particle beam irradiated from a charged particle gun and deflected by a deflector during drawing movement of the movable stage in which the movable stage is moved in the longitudinal direction of the first stripe. Thus, a pattern is drawn in the first stripe on the sample. Next, when the drawing of the pattern in the first stripe is finished, the movable stage is moved back so that the movable stage is moved in the short direction of the stripe. Next, drawing movement of the movable stage with respect to the second stripe in which the movable stage is moved in the longitudinal direction of the second stripe is started, and the second stripe on the sample is irradiated by the charged particle beam irradiated from the charged particle gun and deflected by the deflector. A pattern is drawn inside.

特開2009−38055号公報の図1および図21 and 2 of JP 2009-38055 A

ところで、特許文献1に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、第1ストライプ内に荷電粒子ビームが最後に照射された後も、可動ステージが第1ストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動が無駄に継続される場合がある。   By the way, in the conventional charged particle beam drawing apparatus as described in Patent Document 1, the movable stage moves in the longitudinal direction of the first stripe even after the charged particle beam is finally irradiated into the first stripe. There are cases where the drawing movement of the movable stage is continued unnecessarily.

つまり、特許文献1に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第1ストライプ内に最後に照射された荷電粒子ビームの照射位置と第1ストライプの枠の下流端との間に荷電粒子ビームによるパターンの描画が行われないNULL領域が存在する場合に、第1ストライプ内に荷電粒子ビームが最後に照射された後に、可動ステージが第1ストライプの長手方向に移動せしめられる無駄な可動ステージの描画移動が継続されてしまう。   That is, in the conventional charged particle beam drawing apparatus as described in Patent Document 1, for example, the position of irradiation of the charged particle beam last irradiated in the first stripe and the downstream end of the frame of the first stripe When there is a NULL region in which no pattern is drawn by the charged particle beam, the movable stage is moved in the longitudinal direction of the first stripe after the charged particle beam is finally irradiated in the first stripe. The drawing movement of the useless movable stage is continued.

その結果、特許文献1に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第1ストライプ内に最後に照射された荷電粒子ビームの照射位置と第1ストライプの枠の下流端との間に荷電粒子ビームによるパターンの描画が行われないNULL領域が存在する場合に、第1ストライプに関する可動ステージの描画移動後の可動ステージの折り返し移動を早期に開始することができず、スループットを向上させることができない。   As a result, in the conventional charged particle beam drawing apparatus as described in Patent Document 1, for example, the irradiation position of the charged particle beam last irradiated in the first stripe and the downstream end of the frame of the first stripe If there is a NULL region in which a pattern is not drawn by a charged particle beam during this period, it is not possible to start the movable stage folding back early after the movable stage drawing movement related to the first stripe, and throughput is reduced. It cannot be improved.

上述した問題点に鑑み、本発明は、可動ステージの描画移動後の可動ステージの折り返し移動を早期に開始することによってスループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画方法および装置を提供することを目的とする。   In view of the above-described problems, an object of the present invention is to provide a charged particle beam drawing method and apparatus capable of improving throughput by starting the return movement of the movable stage after drawing movement of the movable stage at an early stage. And

本発明の一態様によれば、可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上のストライプ内にパターンを描画する描画部と、
荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御するJOB制御部と、
荷電粒子ビームのショットデータを生成するショットデータ生成部と、
ショットデータ生成部によって生成されたショットデータを一時的に格納するショットバッファと、
ショットデータ生成部によって生成されたショットデータに基づくストライプ情報をショットデータ生成部から受け取り、動作要求を繰り返して発行することによって描画を制御する描画制御部と、
描画制御部からの動作要求を受けて、ショットバッファに一時的に格納されていたショットデータに基づいて偏向器を制御する偏向制御部と、
描画制御部からの動作要求を受けて、可動ステージの移動を制御するステージ制御部と、
描画制御部から発行された可動ステージの折り返し移動要求を格納する折り返し移動要求格納部と、
第n(nは自然数)ストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが偏向制御部によって検出された時に、偏向制御部からステージ制御部に第nストライプのストライプエンド信号を通知するストライプエンド信号通知手段と、
偏向制御部からステージ制御部に通知された第nストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止する描画移動停止手段と、
可動ステージの描画移動の停止後に折り返し移動要求格納部を参照する折り返し移動要求格納部参照手段と、
折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行する折り返し移動実行手段と、
可動ステージの折り返し移動の終了後に第n+1ストライプ内にパターンを描画するために可動ステージの描画移動を開始する描画移動開始手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, the drawing area on the sample placed on the movable stage is virtually divided into a plurality of strip-like stripes, and the movable stage is moved in the longitudinal direction of the stripes while the movable stage is being drawn. A drawing unit for drawing a pattern in a stripe on the sample by a charged particle beam irradiated from a charged particle gun and deflected by a deflector;
A JOB control unit that controls the entire drawing operation by the charged particle beam drawing apparatus;
A shot data generation unit for generating shot data of a charged particle beam;
A shot buffer for temporarily storing shot data generated by the shot data generation unit;
A drawing control unit that controls drawing by receiving stripe information based on shot data generated by the shot data generation unit from the shot data generation unit and issuing operation requests repeatedly;
In response to an operation request from the drawing control unit, a deflection control unit that controls the deflector based on the shot data temporarily stored in the shot buffer;
In response to an operation request from the drawing controller, a stage controller that controls the movement of the movable stage;
A return movement request storage unit for storing a return movement request of the movable stage issued from the drawing control unit;
When stripe end data attached to shot data of the charged particle beam that is last irradiated in the nth (n is a natural number) stripe is detected by the deflection control unit, the deflection control unit sends the stripe of the nth stripe to the stage control unit. Stripe end signal notifying means for notifying an end signal;
A drawing movement stop means for stopping the drawing movement of the movable stage in which the movable stage is moved in the longitudinal direction of the stripe based on the stripe end signal of the nth stripe notified from the deflection control unit to the stage control unit;
A return movement request storage section reference means for referring to the return movement request storage section after stopping the drawing movement of the movable stage;
A folding back movement executing means for performing a folding back movement of the movable stage, wherein the movable stage is moved at least in the short direction of the stripe based on the folding back movement request when the folding back movement request storage unit stores the folding back movement request; ,
There is provided a charged particle beam drawing apparatus comprising drawing movement start means for starting drawing movement of the movable stage in order to draw a pattern in the (n + 1) th stripe after completion of the return movement of the movable stage.

本発明の別の一態様によれば、可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上のストライプ内にパターンが描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第nストライプ内にパターンを描画し、
第nストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが偏向制御部によって検出された時に、偏向制御部からステージ制御部に第nストライプのストライプエンド信号を通知し、
偏向制御部からステージ制御部に通知された第nストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向の移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止し、
可動ステージの描画移動の停止後に折り返し移動要求格納部を参照し、
折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行し、
可動ステージの折り返し移動の終了後、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を開始し、
可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第n+1ストライプ内にパターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。
According to another aspect of the present invention, the drawing stage on the sample placed on the movable stage is virtually divided into a plurality of strip-like stripes, and the movable stage is drawn in the longitudinal direction of the stripes. In a charged particle beam writing method in which a pattern is drawn in a stripe on a sample by a charged particle beam irradiated from a charged particle gun and deflected by a deflector during movement,
During the drawing movement of the movable stage in which the movable stage is moved in the longitudinal direction of the stripe, a pattern is drawn in the nth stripe on the sample by the charged particle beam irradiated from the charged particle gun and deflected by the deflector,
When the deflection control unit detects the stripe end data attached to the shot data of the charged particle beam that is finally irradiated in the nth stripe, the deflection control unit notifies the stage control unit of the stripe end signal of the nth stripe. ,
Based on the stripe end signal of the nth stripe notified from the deflection control unit to the stage control unit, the movable stage stops drawing movement of the movable stage that is moved in the longitudinal direction of the stripe,
Refer to the return movement request storage after the drawing movement of the movable stage stops,
When the return movement request is stored in the return movement request storage unit, based on the return movement request, the movable stage performs a return movement of the movable stage at least in the short direction of the stripe,
After the movable stage is turned back, the movable stage starts moving to draw the movable stage, which is moved in the longitudinal direction of the stripe.
Provided is a charged particle beam writing method characterized in that a pattern is drawn in the (n + 1) th stripe on a sample by a charged particle beam irradiated from a charged particle gun and deflected by a deflector during drawing movement of a movable stage. The

本発明によれば、可動ステージの描画移動後の可動ステージの折り返し移動を早期に開始することによってスループットを向上させることができる。   According to the present invention, the throughput can be improved by starting the folding movement of the movable stage after the drawing movement of the movable stage at an early stage.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の概略的な構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a charged particle beam drawing apparatus 10 according to a first embodiment. 図1に示す制御計算機10b1の詳細図である。It is a detailed view of the control computer 10b1 shown in FIG. 第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10において荷電粒子ビーム10a1bの1回のショットで試料M上に描画することができるパターンPの一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the pattern P which can be drawn on the sample M by one shot of the charged particle beam 10a1b in the charged particle beam drawing apparatus 10 of 1st Embodiment. 図1および図2に示す描画データDの一例を概略的に示した図である。It is the figure which showed roughly an example of the drawing data D shown in FIG. 1 and FIG. 描画データDに含まれる図形FG1,FG2,・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序を説明するための図である。6 is a diagram for explaining a drawing order in which patterns corresponding to figures FG1, FG2,... Included in drawing data D are drawn by the charged particle beam 10a1b. 描画データDに含まれる図形FG1,FG2,・・に対応するパターンP1,P2,・・が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining in detail an example of a drawing order in which patterns P1, P2,... Corresponding to figures FG1, FG2,... Included in drawing data D are drawn by the charged particle beam 10a1b. 描画データDに含まれる図形FG1に対応するパターンP1が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序の一例を示した図である。It is a figure showing an example of the drawing order by which pattern P1 corresponding to figure FG1 contained in drawing data D is drawn by charged particle beam 10a1b. 図1に示す可動ステージ10a2aの動きを詳細に説明するための図である。It is a figure for demonstrating in detail the movement of movable stage 10a2a shown in FIG. 図1に示す可動ステージ10a2aの動きを詳細に説明するための図である。It is a figure for demonstrating in detail the movement of movable stage 10a2a shown in FIG. 図1に示す可動ステージ10a2aの動きを詳細に説明するための図である。It is a figure for demonstrating in detail the movement of movable stage 10a2a shown in FIG. 図1に示す可動ステージ10a2aの動きを詳細に説明するための図である。It is a figure for demonstrating in detail the movement of movable stage 10a2a shown in FIG. 試料M上のストライプSTR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6に対して相対移動する図8〜図11に示す領域Aの軌跡を概略的に示した図である。FIG. 12 is a diagram schematically showing a trajectory of a region A shown in FIGS. 8 to 11 that moves relative to a stripe STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, and STR6 on a sample M; 第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の可動ステージ10a2aに載置された試料M上のストライプSTR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6に対して相対移動する領域Aの軌跡を概略的に示した図である。The locus of the region A that moves relative to the stripes STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, STR6 on the sample M placed on the movable stage 10a2a of the charged particle beam drawing apparatus 10 of the third embodiment is schematically shown. It is the figure shown in.

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第1の実施形態について説明する。図1は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の概略的な構成図である。図2は図1に示す制御計算機10b1の詳細図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、マスク(ブランク)、ウエハなどのような試料M上に荷電粒子ビーム10a1bを照射することによって、試料M上に目的のパターンを描画するための描画部10aが設けられている。   A charged particle beam drawing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a charged particle beam drawing apparatus 10 according to the first embodiment. FIG. 2 is a detailed view of the control computer 10b1 shown in FIG. In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIG. 1, for example, a charged particle beam 10a1b is irradiated on a sample M such as a mask (blank), a wafer, etc. A drawing unit 10a for drawing a target pattern is provided.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、荷電粒子ビーム10a1bとして例えば電子ビームが用いられるが、第2の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、荷電粒子ビーム10a1bとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, an electron beam is used as the charged particle beam 10a1b. However, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the second embodiment, instead of the charged particle beam 10a1b, for example, It is also possible to use a charged particle beam other than an electron beam such as an ion beam.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、荷電粒子銃10a1aと、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bを偏向する偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bによる描画が行われる試料Mを載置する可動ステージ10a2aとが、描画部10aに設けられている。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIG. 1, for example, a charged particle gun 10a1a and deflectors 10a1c, 10a1d, which deflect the charged particle beam 10a1b irradiated from the charged particle gun 10a1a, 10a1e and 10a1f and a movable stage 10a2a on which a sample M to be drawn by the charged particle beam 10a1b deflected by the deflectors 10a1c, 10a1d, 10a1e, and 10a1f is placed are provided in the drawing unit 10a.

詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、描画部10aの一部を構成する描画室10a2に、試料Mが載置された可動ステージ10a2aが配置されている。この可動ステージ10a2aは、例えば、X方向(図1の左右方向)およびY方向(図1の手前側−奥側方向)に移動可能に構成されている。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 according to the first embodiment, as shown in FIG. 1, for example, a movable stage in which a sample M is placed in a drawing chamber 10a2 constituting a part of the drawing unit 10a. 10a2a is arranged. For example, the movable stage 10a2a is configured to be movable in the X direction (left-right direction in FIG. 1) and the Y direction (front side-back side direction in FIG. 1).

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1に示すように、例えば、描画部10aの一部を構成する光学鏡筒10a1に、荷電粒子銃10a1aと、偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fと、レンズ10a1g,10a1h,10a1i,10a1j,10a1kと、第1成形アパーチャ10a1lと、第2成形アパーチャ10a1mとが配置されている。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIG. 1, for example, an optical barrel 10a1 constituting a part of the drawing unit 10a is provided with a charged particle gun 10a1a, a deflector 10a1c, 10a1d, 10a1e, 10a1f, lenses 10a1g, 10a1h, 10a1i, 10a1j, 10a1k, a first shaping aperture 10a1l, and a second shaping aperture 10a1m are arranged.

具体的には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、試料M上にパターンを描画するためのJOB登録が例えばオペレータによって行われると、制御部10bの制御計算機10b1のJOB制御部10b1bによって、荷電粒子ビーム描画装置10による描画動作全体の制御が行われる。詳細には、例えば、描画データDが準備され、ショットデータ生成開始指示がJOB制御部10b1bからショットデータ生成部10b1cに送られ、ショットデータ生成部10b1cによって描画データDに基づいてショットデータが生成される。また、例えば、JOB制御部10b1bからの指示に基づき、試料Mが描画室10a2外から描画室10a2内の可動ステージ10a2a上に搬送される。次いで、描画の準備が整うと、例えば、JOB制御部10b1bから描画制御部10b1aに描画開始指示が送られる。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 according to the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, when a JOB registration for drawing a pattern on the sample M is performed by an operator, for example. The entire drawing operation by the charged particle beam drawing apparatus 10 is controlled by the JOB control unit 10b1b of the control computer 10b1 of the control unit 10b. Specifically, for example, drawing data D is prepared, a shot data generation start instruction is sent from the JOB control unit 10b1b to the shot data generation unit 10b1c, and shot data is generated based on the drawing data D by the shot data generation unit 10b1c. The Further, for example, based on an instruction from the JOB control unit 10b1b, the sample M is transferred from the outside of the drawing chamber 10a2 onto the movable stage 10a2a in the drawing chamber 10a2. Next, when preparation for drawing is completed, for example, a drawing start instruction is sent from the JOB control unit 10b1b to the drawing control unit 10b1a.

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cによって生成されたショットデータが、偏向制御部10b1eに送られる前に、ショットバッファ10b1dに一時的に格納される。詳細には、例えば、ショットデータ生成部10b1cにより生成されたショットデータによってショットバッファ10b1dが満杯になるように、ショットデータがショットデータ生成部10b1cによって先行して生成される。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, shot data generated by the shot data generation unit 10b1c of the control computer 10b1 of the control unit 10b is deflected. Before being sent to the control unit 10b1e, it is temporarily stored in the shot buffer 10b1d. Specifically, for example, shot data is generated in advance by the shot data generation unit 10b1c so that the shot buffer 10b1d is filled with the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1によって、後述するストライプSTR1,STR2,STR3,・・(図5参照)に関するストライプ情報が生成される。ストライプ情報には、例えば、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・の枠のサイズ、試料M上のストライプSTR1,STR2,STR3,・・の配置座標、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・内に最初に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図5参照)のX方向(図5の左右方向)座標、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・内に照射される荷電粒子ビーム10a1bの照射時間分布データなどが含まれている。詳細には、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・の枠のサイズおよび試料M上のストライプSTR1,STR2,STR3,・・の配置座標は、描画領域のサイズと描画領域をストライプサイズに分割するための描画条件によって決定される。ストライプSTR1,STR2,STR3,・・の枠のサイズおよび試料M上のストライプSTR1,STR2,STR3,・・の配置座標が決定された後、制御部10bの制御計算機10b1によってストライプSTR1,STR2,STR3,・・毎にショットデータが生成される過程で、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・内に描画パターンが存在するか否かが判定される。更に、描画パターンが存在するストライプSTR1,STR2,STR3,・・については、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・の枠情報、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・内に最初に照射される荷電粒子ビーム10a1bのX方向座標、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・内に照射される荷電粒子ビーム10a1bの照射時間分布データなどが描画制御部10b1aに送られる。ストライプ情報は、例えば、ストライプ情報要求が描画制御部10b1aからショットデータ生成部10b1cに送られてくるまで、ショットデータ生成部10b1cに蓄えられている。   Further, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, stripes STR1, STR2, STR3, which will be described later, are executed by a control computer 10b1 of the control unit 10b. 5) is generated. The stripe information includes, for example, the frame size of the stripes STR1, STR2, STR3,..., The arrangement coordinates of the stripes STR1, STR2, STR3,. The X-direction (left-right direction in FIG. 5) coordinates of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 5) irradiated to the beam, irradiation time distribution data of the charged particle beam 10a1b irradiated in the stripes STR1, STR2, STR3,. include. Specifically, the frame size of the stripes STR1, STR2, STR3,... And the arrangement coordinates of the stripes STR1, STR2, STR3,... On the sample M are for dividing the drawing area size and the drawing area into stripe sizes. Determined by the drawing conditions. After the frame size of the stripes STR1, STR2, STR3,... And the arrangement coordinates of the stripes STR1, STR2, STR3,... On the sample M are determined, the control computer 10b1 of the control unit 10b uses the stripes STR1, STR2, STR3. In the process of generating shot data for each, it is determined whether or not a drawing pattern exists in the stripes STR1, STR2, STR3,. Further, for the stripes STR1, STR2, STR3,... Where the drawing pattern exists, the frame information of the stripes STR1, STR2, STR3,..., The charged particles that are first irradiated into the stripes STR1, STR2, STR3,. The X direction coordinates of the beam 10a1b, irradiation time distribution data of the charged particle beam 10a1b irradiated in the stripes STR1, STR2, STR3,... Are sent to the drawing control unit 10b1a. The stripe information is stored in the shot data generation unit 10b1c until, for example, a stripe information request is sent from the drawing control unit 10b1a to the shot data generation unit 10b1c.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1のJOB制御部10b1bから描画制御部10b1aに描画開始指示が送られると、描画制御部10b1aによって描画処理が開始される。詳細には、例えば、描画制御部10b1aからショットデータ生成部10b1cにストライプ情報要求が送られ、ショットデータ生成部10b1cから描画制御部10b1aにストライプ情報が送られる。例えば、描画制御部10b1aでは、ストライプ情報に基づき、描画中の可動ステージ10a2aの移動速度、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ10a2aの助走距離、各ストライプSTR1,STR2,STR3,・・(図5参照)内に荷電粒子ビーム10a1b(図5参照)が最初に照射される位置などが算出される。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, a drawing start instruction is given from the JOB control unit 10b1b of the control computer 10b1 of the control unit 10b to the drawing control unit 10b1a. When sent, the drawing control unit 10b1a starts the drawing process. Specifically, for example, a stripe information request is sent from the drawing control unit 10b1a to the shot data generation unit 10b1c, and the stripe information is sent from the shot data generation unit 10b1c to the drawing control unit 10b1a. For example, in the drawing control unit 10b1a, based on the stripe information, the moving speed of the movable stage 10a2a being drawn, the run-up distance of the movable stage 10a2a necessary for accelerating to the moving speed, each stripe STR1, STR2, STR3,. The position where the charged particle beam 10a1b (see FIG. 5) is first irradiated in (see FIG. 5) is calculated.

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、動作要求のうちのショット開始要求(図2参照)が、描画制御部10b1aから偏向制御部10b1eに送られる。また、例えば、動作要求のうちの描画移動要求(図2参照)と折り返し移動要求(図2参照)とが、それぞれ単独で描画制御部10b1aからステージ制御部10b1fに送られる。つまり、図1および図2に示す例では、描画制御部10b1aからステージ制御部10b1fに送られる描画移動要求と折り返し移動要求とが分離されている。詳細には、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M全体にパターンを描画するために、ストライプSTR1,STR2,STR3,・・(図5参照)毎に繰り返して、描画制御部10b1aから偏向制御部10b1eにショット開始要求が送られ、描画制御部10b1aからステージ制御部10b1fに描画移動要求と折り返し移動要求とが送られる。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, a shot start request (see FIG. 2) among the operation requests is deflected from the drawing control unit 10b1a. Part 10b1e. Further, for example, a drawing movement request (see FIG. 2) and a return movement request (see FIG. 2) of the operation requests are independently sent from the drawing control unit 10b1a to the stage control unit 10b1f. That is, in the example shown in FIGS. 1 and 2, the drawing movement request and the folding movement request sent from the drawing control unit 10b1a to the stage control unit 10b1f are separated. Specifically, for example, in order to draw a pattern on the entire sample M with the charged particle beam 10a1b, the drawing control unit 10b1a to the deflection control unit 10b1e are repeated for each stripe STR1, STR2, STR3,. A shot start request is sent to the stage control unit 10b1a, and a drawing movement request and a folding movement request are sent from the drawing control unit 10b1a to the stage control unit 10b1f.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1の描画制御部10b1aから偏向制御部10b1eにショット開始要求が送られると、ショットバッファ10b1dに一時的に格納されていたショットデータが偏向制御部10b1eに送られる。次いで、例えば、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1eによって偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1fが制御され、その結果、荷電粒子銃10a1aからの荷電粒子ビーム10a1bが試料M上の所望の位置に照射される。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, a shot start request is sent from the drawing control unit 10b1a of the control computer 10b1 of the control unit 10b to the deflection control unit 10b1e. When sent, the shot data temporarily stored in the shot buffer 10b1d is sent to the deflection control unit 10b1e. Next, for example, the deflectors 10a1c, 10a1d, 10a1e, and 10a1f are controlled by the deflection controller 10b1e based on the shot data. As a result, the charged particle beam 10a1b from the charged particle gun 10a1a is irradiated to a desired position on the sample M. Is done.

詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b2を介してブランキング偏向器10a1cを制御することにより、荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bが、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられて試料Mに照射されるか、あるいは、例えば第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’以外の部分によって遮られて試料Mに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ブランキング偏向器10a1cを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム10a1bの照射時間を制御することができる。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c of the control computer 10b1 of the control unit 10b is used. Based on the control of the blanking deflector 10a1c via the deflection control circuit 10b2 by the deflection control unit 10b1e, the charged particle beam 10a1b irradiated from the charged particle gun 10a1a is, for example, the opening 10a1l ′ ( The sample M is allowed to pass through (see FIG. 3A) and is switched between being irradiated with the sample M or blocked by the part other than the opening 10a1l ′ of the first shaping aperture 10a1l, for example. That is, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, the irradiation time of the charged particle beam 10a1b can be controlled by controlling the blanking deflector 10a1c.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b3を介してビーム寸法可変偏向器10a1dを制御することにより、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bの全部または一部が、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられる。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ビーム寸法可変偏向器10a1dによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mに照射される荷電粒子ビーム10a1bの大きさ、形状などを調整することができる。   Moreover, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of 1st Embodiment, as shown in FIG.1 and FIG.2, based on the shot data produced | generated by the shot data production | generation part 10b1c of the control computer 10b1 of the control part 10b, for example, By controlling the beam size variable deflector 10a1d through the deflection control circuit 10b3 by the deflection control unit 10b1e, the charged particle beam 10a1b transmitted through the opening 10a1l ′ (see FIG. 3A) of the first shaping aperture 10a1l. Is deflected by the beam size variable deflector 10a1d. Next, all or part of the charged particle beam 10a1b deflected by the beam size variable deflector 10a1d is transmitted through the opening 10a1m ′ (see FIG. 3A) of the second shaping aperture 10a1m. That is, in the charged particle beam drawing apparatus 10 according to the first embodiment, for example, the charge applied to the sample M is adjusted by adjusting the amount and direction of deflection of the charged particle beam 10a1b by the beam size variable deflector 10a1d. The size and shape of the particle beam 10a1b can be adjusted.

図3は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10において荷電粒子ビーム10a1bの1回のショットで試料M上に描画することができるパターンPの一例を説明するための図である。第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上にパターンP(図3(A)参照)が描画される時に、荷電粒子銃10a1a(図1参照)から照射された荷電粒子ビーム10a1bの一部が、第1成形アパーチャ10a1lの例えば正方形の開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられる。その結果、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bの全部または一部が、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられる。   FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a pattern P that can be drawn on the sample M by one shot of the charged particle beam 10a1b in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment. In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3A, for example, a pattern P (see FIG. 3A) is drawn on the sample M by the charged particle beam 10a1b. At this time, a part of the charged particle beam 10a1b irradiated from the charged particle gun 10a1a (see FIG. 1) is transmitted through, for example, a square opening 10a1l ′ (see FIG. 3A) of the first shaping aperture 10a1l. . As a result, the horizontal sectional shape of the charged particle beam 10a1b transmitted through the opening 10a1l 'of the first shaping aperture 10a1l becomes, for example, a substantially square shape. Next, all or part of the charged particle beam 10a1b transmitted through the opening 10a1l 'of the first shaping aperture 10a1l is transmitted through the opening 10a1m' (see FIG. 3A) of the second shaping aperture 10a1m.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、例えば、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bを偏向器10a1d(図1参照)によって偏向することにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられる荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状を、例えば矩形(正方形または長方形)にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3A, for example, the light passes through the opening 10a1l ′ (see FIG. 3A) of the first shaping aperture 10a1l. A horizontal cross section of the charged particle beam 10a1b transmitted through the opening 10a1m ′ (see FIG. 3A) of the second shaping aperture 10a1m by deflecting the charged particle beam 10a1b that has been squeezed by the deflector 10a1d (see FIG. 1). The shape can be, for example, a rectangle (square or rectangle) or, for example, a triangle.

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、例えば、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bを、試料M上の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状と概略同一形状のパターンP(図3(A)参照)を試料M上に描画することができる。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3A, for example, the light passes through the opening 10a1m ′ (see FIG. 3A) of the second shaping aperture 10a1m. By continuing to irradiate the squeezed charged particle beam 10a1b to a predetermined position on the sample M for a predetermined irradiation time, the aperture 10a1m ′ (see FIG. 3A) of the second shaping aperture 10a1m was transmitted. A pattern P (see FIG. 3A) having substantially the same shape as the horizontal sectional shape of the charged particle beam 10a1b can be drawn on the sample M.

つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図3(A)に示すように、第1成形アパーチャ10a1lの開口10a1l’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが偏向器10a1d(図1参照)によって偏向される量および向きを偏向制御部10b1e(図2参照)によって制御することにより、例えば、図3(B)に示すような最大サイズの概略正方形のパターンP、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)よりも小さい図3(C)、図3(D)および図3(E)に示すような概略矩形(正方形または長方形)のパターンP、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)よりも小さい図3(F)、図3(G)、図3(H)および図3(I)に示すような概略三角形のパターンPなどを、荷電粒子ビーム10a1bの1回のショットで試料M上に描画することができる。   That is, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3A, the aperture 10a1l ′ (see FIG. 3A) of the first shaping aperture 10a1l is transmitted. By controlling the amount and direction of the charged particle beam 10a1b deflected by the deflector 10a1d (see FIG. 1) by the deflection controller 10b1e (see FIG. 2), for example, the maximum size as shown in FIG. 3A and 3B, which are smaller than the maximum square pattern P, and the maximum size pattern P (see FIG. 3B) (see FIG. 3C, FIG. 3D, and FIG. 3E). ) Pattern P, which is smaller than the maximum size pattern P (see FIG. 3B), as shown in FIG. 3 (F), FIG. 3 (G), FIG. 3 (H) and FIG. Pattern P Etc., and it can be drawn onto the sample M with a single shot of the charged particle beam 10A1b.

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b4を介して主偏向器10a1eを制御することにより、第2成形アパーチャ10a1mの開口10a1m’(図3(A)参照)を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが、主偏向器10a1eによって偏向される。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c of the control computer 10b1 of the control unit 10b, By controlling the main deflector 10a1e through the deflection control circuit 10b4 by the deflection controller 10b1e, the charged particle beam 10a1b transmitted through the opening 10a1m ′ (see FIG. 3A) of the second shaping aperture 10a1m is obtained. It is deflected by the main deflector 10a1e.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b5を介して副偏向器10a1fを制御することにより、主偏向器10a1eによって偏向された荷電粒子ビーム10a1bが、副偏向器10a1fによって更に偏向される。つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、主偏向器10a1eおよび副偏向器10a1fによって荷電粒子ビーム10a1bが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Mに照射される荷電粒子ビーム10a1bの照射位置を調整することができる。   Moreover, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of 1st Embodiment, as shown in FIG.1 and FIG.2, based on the shot data produced | generated by the shot data production | generation part 10b1c of the control computer 10b1 of the control part 10b, for example, By controlling the sub deflector 10a1f via the deflection control circuit 10b5 by the deflection control unit 10b1e, the charged particle beam 10a1b deflected by the main deflector 10a1e is further deflected by the sub deflector 10a1f. That is, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, the sample M is irradiated by adjusting the amount and direction of deflection of the charged particle beam 10a1b by the main deflector 10a1e and the sub deflector 10a1f. The irradiation position of the charged particle beam 10a1b to be performed can be adjusted.

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1および図2に示すように、例えば、制御部10bの制御計算機10b1の描画制御部10b1aからステージ制御部10b1fにステージ移動要求(詳細には、後述する描画移動要求または折り返し移動要求)が送られると、ステージ制御部10b1fによって可動ステージ10a2aの移動が制御される。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, a stage movement request (from the drawing control unit 10b1a of the control computer 10b1 of the control unit 10b to the stage control unit 10b1f) ( Specifically, when a drawing movement request or a folding movement request (to be described later) is sent, the movement of the movable stage 10a2a is controlled by the stage control unit 10b1f.

図1および図2に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたCADデータ(レイアウトデータ、設計データ)を荷電粒子ビーム描画装置10用のフォーマットに変換することにより得られた描画データDが、荷電粒子ビーム描画装置10の制御部10bの制御計算機10b1の(詳細には、ディストリビュータ、コンバータなどを介して)ショットデータ生成部10b1cに入力される。一般的に、CADデータ(レイアウトデータ、設計データ)には、多数の微小なパターンが含まれており、CADデータ(レイアウトデータ、設計データ)のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、CADデータ(レイアウトデータ、設計データ)を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、荷電粒子ビーム描画装置10の制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cに入力される描画データDでは、データの階層化が採用され、描画データDのデータ量の圧縮化が図られている。   In the example shown in FIGS. 1 and 2, for example, obtained by converting CAD data (layout data, design data) created by a semiconductor integrated circuit designer into a format for the charged particle beam drawing apparatus 10. The drawing data D is input to the shot data generation unit 10b1c (in detail, via a distributor, a converter, etc.) of the control computer 10b1 of the control unit 10b of the charged particle beam drawing apparatus 10. In general, CAD data (layout data, design data) includes a large number of minute patterns, and the amount of CAD data (layout data, design data) is considerably large. Furthermore, generally, when CAD data (layout data, design data) is converted to another format, the amount of data after conversion further increases. In view of this point, the drawing data D input to the shot data generation unit 10b1c of the control computer 10b1 of the control unit 10b of the charged particle beam drawing apparatus 10 employs data hierarchization and compresses the data amount of the drawing data D. It is planned.

図4は図1および図2に示す描画データDの一例を概略的に示した図である。図4に示す例では、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10に適用される描画データD(図1および図2参照)が、例えば、チップ階層CP、チップ階層CPよりも下位のフレーム階層FR、フレーム階層FRよりも下位のブロック階層BL、ブロック階層BLよりも下位のセル階層CL、および、セル階層CLよりも下位の図形階層FGに階層化されている。   FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of the drawing data D shown in FIGS. In the example shown in FIG. 4, the drawing data D (see FIGS. 1 and 2) applied to the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment includes, for example, a chip hierarchy CP and a frame lower than the chip hierarchy CP. It is hierarchized into a hierarchy FR, a block hierarchy BL lower than the frame hierarchy FR, a cell hierarchy CL lower than the block hierarchy BL, and a graphic hierarchy FG lower than the cell hierarchy CL.

詳細には、図4に示す例では、例えば、チップ階層CPの要素の一部であるチップCP1が、フレーム階層FRの要素の一部である3個のフレームFR1,FR2,FR3に対応している。また、例えば、フレーム階層FRの要素の一部であるフレームFR2が、ブロック階層BLの要素の一部である18個のブロックBL00,・・,BL52に対応している。更に、例えば、ブロック階層BLの要素の一部であるブロックBL21が、セル階層CLの要素の一部である複数のセルCLA,CLB,CLC,CLD,・・に対応している。また、例えば、セル階層CLの要素の一部であるセルCLAが、図形階層FGの要素の一部である多数の図形FG1,FG2,・・に対応している。   Specifically, in the example illustrated in FIG. 4, for example, a chip CP1 that is a part of the elements of the chip hierarchy CP corresponds to three frames FR1, FR2, and FR3 that are part of the elements of the frame hierarchy FR. Yes. Further, for example, a frame FR2 which is a part of the elements of the frame hierarchy FR corresponds to 18 blocks BL00,..., BL52 which are parts of the elements of the block hierarchy BL. Further, for example, the block BL21 which is a part of the elements of the block hierarchy BL corresponds to a plurality of cells CLA, CLB, CLC, CLD,. Further, for example, a cell CLA which is a part of the elements of the cell hierarchy CL corresponds to a large number of figures FG1, FG2,.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図1、図2および図4に示すように、描画データD(図1および図2参照)に含まれる図形階層FG(図4参照)の多数の図形FG1,FG2,・・(図4参照)に対応するパターンが、荷電粒子ビーム10a1b(図1参照)によって試料M(図1参照)上に描画される。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 2, and 4, the graphic hierarchy FG (see FIG. 4) included in the drawing data D (see FIGS. 1 and 2). Patterns corresponding to a large number of figures FG1, FG2,... (See FIG. 4) are drawn on the sample M (see FIG. 1) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 1).

図5は描画データDに含まれる図形FG1,FG2,・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序を説明するための図である。図5に示す例では、試料M上の描画領域が例えば6個の短冊状のストライプSTR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6に仮想分割されている。   FIG. 5 is a diagram for explaining a drawing order in which patterns corresponding to the figures FG1, FG2,... Included in the drawing data D are drawn by the charged particle beam 10a1b. In the example shown in FIG. 5, the drawing region on the sample M is virtually divided into, for example, six strip-like stripes STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, and STR6.

図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bが、ストライプSTR1内をX軸のプラス側(図5の右側)からマイナス側(図5の左側)に向かって走査され、描画データD(図1および図2参照)に含まれる多数の図形(図示せず)に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR1内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bが、ストライプSTR2内をX軸のマイナス側(図5の左側)からプラス側(図5の右側)に向かって走査され、描画データD(図1参照)に含まれる多数の図形(図示せず)に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR2内に描画される。次いで、同様に、描画データD(図1参照)に含まれる多数の図形(図示せず)に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR3,STR4,STR5,STR6内に描画される。   In the example shown in FIG. 5, for example, the charged particle beam 10a1b is scanned in the stripe STR1 from the plus side (right side in FIG. 5) to the minus side (left side in FIG. 5), and drawing data D (FIG. 5). 1 and FIG. 2), patterns corresponding to a large number of figures (not shown) included in the stripe STR1 on the sample M are drawn by the charged particle beam 10a1b. Next, for example, the charged particle beam 10a1b is scanned in the stripe STR2 from the negative side (left side in FIG. 5) to the positive side (right side in FIG. 5) and is included in the drawing data D (see FIG. 1). A pattern corresponding to a large number of figures (not shown) is drawn in the stripe STR2 on the sample M by the charged particle beam 10a1b. Next, similarly, patterns corresponding to a large number of figures (not shown) included in the drawing data D (see FIG. 1) are drawn in the stripes STR3, STR4, STR5, STR6 on the sample M by the charged particle beam 10a1b. The

詳細には、図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR1内にパターンが描画される時、可動ステージ10a2a(図1参照)がX軸のマイナス側(図5の左側)からプラス側(図5の右側)に向かってストライプSTR1の長手方向(図5の左右方向)に移動するように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)の描画制御部10b1a(図2参照)からの描画移動要求(図2参照)に基づき、ステージ制御部10b1f(図2参照)によってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR2(図5参照)内にパターンが描画される前に、可動ステージ10a2aがY軸のプラス側(図5の上側)からマイナス側(図5の下側)に向かって少なくともストライプSTR1の短手方向(図5の上下方向)に移動するように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)の描画制御部10b1a(図2参照)からの折り返し移動要求(図2参照)に基づき、ステージ制御部10b1f(図2参照)によってステージ制御回路10b6を介して可動ステージ10a2aが制御される。   Specifically, in the example shown in FIG. 5, for example, when a pattern is drawn in the stripe STR1 on the sample M by the charged particle beam 10a1b, the movable stage 10a2a (see FIG. 1) is on the negative side of the X axis (FIG. 5). Control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1) so as to move in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 5) of the stripe STR1 from the left side to the plus side (right side in FIG. 5). The movable stage 10a2a is controlled by the stage control unit 10b1f (see FIG. 2) via the stage control circuit 10b6 (see FIG. 1) based on a drawing movement request (see FIG. 2) from the drawing control unit 10b1a (see FIG. 2). Is done. Next, for example, before the pattern is drawn in the stripe STR2 (see FIG. 5) on the sample M by the charged particle beam 10a1b, the movable stage 10a2a moves from the positive side (upper side in FIG. 5) to the negative side (see FIG. 5). The drawing control unit 10b1a of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1) so as to move toward the lower side of 5) at least in the short direction of the stripe STR1 (up and down direction in FIG. 5). Based on the return movement request (see FIG. 2) from (see FIG. 2), the movable stage 10a2a is controlled by the stage control unit 10b1f (see FIG. 2) via the stage control circuit 10b6.

次いで、図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR2内にパターンが描画される時、可動ステージ10a2a(図1参照)がX軸のプラス側(図5の右側)からマイナス側(図5の左側)に向かってストライプSTR2の長手方向(図5の左右方向)に移動するように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)の描画制御部10b1a(図2参照)からの描画移動要求(図2参照)に基づき、ステージ制御部10b1f(図2参照)によってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。   Next, in the example shown in FIG. 5, for example, when a pattern is drawn in the stripe STR2 on the sample M by the charged particle beam 10a1b, the movable stage 10a2a (see FIG. 1) is on the plus side of the X axis (right side in FIG. 5). ) Is drawn by the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1) so as to move in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 5) of the stripe STR2 from the minus side (left side in FIG. 5). Based on a drawing movement request (see FIG. 2) from the control unit 10b1a (see FIG. 2), the movable stage 10a2a is controlled by the stage control unit 10b1f (see FIG. 2) via the stage control circuit 10b6 (see FIG. 1). .

図6は描画データDに含まれる図形FG1,FG2,・・に対応するパターンP1,P2,・・が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。   6 is a diagram for explaining in detail an example of a drawing order in which patterns P1, P2,... Corresponding to the figures FG1, FG2,... Included in the drawing data D are drawn by the charged particle beam 10a1b.

図6に示す例では、例えば、試料M(図5参照)のストライプSTR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6(図5参照)内の領域が、サブフィールドSFn,SFn+1,・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図6に示す例では、例えば、描画データD(図1参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム10a1bがサブフィールドSFn内に照射されるように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)のショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b4(図1参照)を介して主偏向器10a1e(図1参照)が制御される。   In the example shown in FIG. 6, for example, a plurality of regions in the stripes STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, STR6 (see FIG. 5) of the sample M (see FIG. 5) are called subfields SFn, SFn + 1,. It is further divided by a rectangular virtual area. Specifically, in the example shown in FIG. 6, for example, when the pattern P1 corresponding to the figure FG1 (see FIG. 4) included in the drawing data D (see FIG. 1) is drawn by the charged particle beam 10a1b, first, For example, the shot particle generator 10b1c (see FIG. 2) of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1) generates the charged particle beam 10a1b in the subfield SFn. Based on the shot data, the main deflector 10a1e (see FIG. 1) is controlled by the deflection controller 10b1e (see FIG. 2) via the deflection control circuit 10b4 (see FIG. 1).

次いで、図6に示す例では、例えば、主偏向器10a1e(図1参照)の制御が完了すると(主偏向器10a1eのセトリング時間が経過すると)、荷電粒子ビーム10a1bによってパターンP1が描画されるように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)のショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b5(図1参照)を介して副偏向器10a1f(図1参照)が制御される。次いで、例えば、副偏向器10a1fの制御が完了した時(副偏向器10a1fのセトリング時間が経過した時)にパターンP1を描画するための荷電粒子ビーム10a1bの照射が開始されるように、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cによって生成されたショットデータに基づき、制御部10bの制御計算機10b1の偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b2(図1参照)を介してブランキング偏向器10a1c(図1参照)が制御される。   Next, in the example shown in FIG. 6, for example, when the control of the main deflector 10a1e (see FIG. 1) is completed (when the settling time of the main deflector 10a1e has elapsed), the pattern P1 is drawn by the charged particle beam 10a1b. Further, deflection is performed by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1). The sub deflector 10a1f (see FIG. 1) is controlled via the control circuit 10b5 (see FIG. 1). Next, for example, when the control of the sub deflector 10a1f is completed (when the settling time of the sub deflector 10a1f has elapsed), the control unit starts irradiation of the charged particle beam 10a1b for drawing the pattern P1. Based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c of the control computer 10b1 of 10b, the blanking deflector 10a1c via the deflection control circuit 10b2 (see FIG. 1) by the deflection control unit 10b1e of the control computer 10b1 of the control unit 10b. (See FIG. 1) is controlled.

次いで、図6に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによるパターンP1の描画が終了すると、荷電粒子ビーム10a1bの照射が停止されるように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)のショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b2(図1参照)を介してブランキング偏向器10a1c(図1参照)が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってパターンP2が描画されるように、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cによって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b5(図1参照)を介して副偏向器10a1f(図1参照)が制御され、パターンP1の描画と同様にパターンP2の描画が実行される。   Next, in the example shown in FIG. 6, for example, when drawing of the pattern P1 by the charged particle beam 10a1b is completed, the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1) is stopped so that the irradiation of the charged particle beam 10a1b is stopped. The blanking deflector via the deflection control circuit 10b2 (see FIG. 1) by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) of FIG. 10a1c (see FIG. 1) is controlled. Next, for example, based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c of the control computer 10b1 of the control unit 10b so that the pattern P2 is drawn by the charged particle beam 10a1b, the deflection control circuit 10b5 ( The sub-deflector 10a1f (see FIG. 1) is controlled via (see FIG. 1), and the pattern P2 is drawn in the same manner as the pattern P1.

次いで、図6に示す例では、例えば、サブフィールドSFn内のすべてのパターンP1,P2,・・の描画が終了すると、荷電粒子ビーム10a1bがサブフィールドSFn+1内に照射されるように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)のショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b4(図1参照)を介して主偏向器10a1e(図1参照)が制御される。   Next, in the example illustrated in FIG. 6, for example, when drawing of all the patterns P1, P2,... In the subfield SFn is completed, the control unit 10b is configured so that the charged particle beam 10a1b is irradiated into the subfield SFn + 1. Based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control computer 10b1 (see FIG. 1), the deflection control circuit 10b4 (see FIG. 2) 1), the main deflector 10a1e (see FIG. 1) is controlled.

次いで、図6に示す例では、例えば、主偏向器10a1e(図1参照)の制御が完了すると(主偏向器10a1eのセトリング時間が経過すると)、荷電粒子ビーム10a1bによってパターンP11が描画されるように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)のショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b5(図1参照)を介して副偏向器10a1f(図1参照)が制御され、パターンP1,P2の描画と同様にパターンP11の描画が実行される。   Next, in the example illustrated in FIG. 6, for example, when the control of the main deflector 10a1e (see FIG. 1) is completed (when the settling time of the main deflector 10a1e has elapsed), the pattern P11 is drawn by the charged particle beam 10a1b. Further, deflection is performed by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1). The sub deflector 10a1f (see FIG. 1) is controlled via the control circuit 10b5 (see FIG. 1), and the pattern P11 is drawn in the same manner as the patterns P1 and P2.

次いで、図6に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによるパターンP11の描画が終了すると、荷電粒子ビーム10a1bの照射が停止されるように、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)のショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b2(図1参照)を介してブランキング偏向器10a1c(図1参照)が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによってパターンP12が描画されるように、制御部10bの制御計算機10b1のショットデータ生成部10b1cによって生成されたショットデータに基づき、偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b5(図1参照)を介して副偏向器10a1f(図1参照)が制御され、パターンP1,P2,P11の描画と同様にパターンP12の描画が実行される。   Next, in the example shown in FIG. 6, for example, when drawing of the pattern P11 by the charged particle beam 10a1b is completed, the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1) is stopped so that the irradiation of the charged particle beam 10a1b is stopped. The blanking deflector via the deflection control circuit 10b2 (see FIG. 1) by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) of FIG. 10a1c (see FIG. 1) is controlled. Next, for example, based on the shot data generated by the shot data generation unit 10b1c of the control computer 10b1 of the control unit 10b so that the pattern P12 is drawn by the charged particle beam 10a1b, the deflection control circuit 10b5 ( The sub deflector 10a1f (refer to FIG. 1) is controlled via FIG. 1), and the pattern P12 is drawn in the same manner as the patterns P1, P2, and P11.

図7は描画データDに含まれる図形FG1に対応するパターンP1が荷電粒子ビーム10a1bによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図7は第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10において描画データDに含まれる図形FG1に対応するパターンP1を荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上に描画するために必要な荷電粒子ビーム10a1bのショット数の一例を説明するための図である。   FIG. 7 is a diagram showing an example of a drawing order in which the pattern P1 corresponding to the figure FG1 included in the drawing data D is drawn by the charged particle beam 10a1b. Specifically, FIG. 7 shows the charge necessary for drawing the pattern P1 corresponding to the figure FG1 included in the drawing data D on the sample M by the charged particle beam 10a1b in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment. It is a figure for demonstrating an example of the number of shots of particle beam 10a1b.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば描画データD(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1(図6参照)が、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)よりも大きい場合などに、図7に示すように、複数回の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットが行われる。換言すれば、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば描画データD(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1(図6参照)が、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)よりも大きい場合などに、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)のショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって、描画データD(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)が、パターンP1a,P1b,P1c,P1d,P1e,P1f,P1g,P1h,P1iに対応する複数の小さい図形(図示せず)に描画データ上で分割され、ショットデータが生成される。この分割処理が、一般に、「ショット分割」、「図形分割」などと呼ばれている。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, the pattern P1 (see FIG. 6) corresponding to the graphic FG1 (see FIG. 4) included in the drawing data D (see FIGS. 1 and 2) has a maximum size. When the pattern P is larger than the pattern P (see FIG. 3B), a plurality of shots of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) are performed as shown in FIG. In other words, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, the pattern P1 (see FIG. 6) corresponding to the figure FG1 (see FIG. 4) included in the drawing data D (see FIGS. 1 and 2). Is larger than the maximum size pattern P (see FIG. 3B), etc., the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1). Thus, the figure FG1 (see FIG. 4) included in the drawing data D (see FIG. 1 and FIG. 2) is a plurality of small figures corresponding to the patterns P1a, P1b, P1c, P1d, P1e, P1f, P1g, P1h, P1i. (Not shown) is divided on the drawing data to generate shot data. This division processing is generally called “shot division”, “graphic division”, or the like.

詳細には、図7に示す例では、例えば、まず最初に、図7(A)に示すように、1回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1aが試料M上に描画される。   Specifically, in the example shown in FIG. 7, for example, first, as shown in FIG. 7A, the pattern of the maximum size is obtained by the first shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). A pattern P1a having the same shape as P (see FIG. 3B) is drawn on the sample M.

更に詳細には、図7に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)をサブフィールドSFn(図6参照)に位置決めするための制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)の偏向制御部10b1e(図2参照)による主偏向器10a1e(図1参照)の制御が完了すると(主偏向器10a1eのセトリング時間が経過すると)、1回目の荷電粒子ビーム10a1bのショットによってパターンP1a(図7(A)参照)が描画されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b5(図1参照)を介して副偏向器10a1f(図1参照)が制御される。   More specifically, in the example shown in FIG. 7, for example, the control of the control unit 10b (see FIG. 1) for positioning the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) in the subfield SFn (see FIG. 6). When the control of the main deflector 10a1e (see FIG. 1) by the deflection controller 10b1e (see FIG. 2) of the computer 10b1 (see FIG. 1) is completed (when the settling time of the main deflector 10a1e has elapsed), the first charged particle As the pattern P1a (see FIG. 7A) is drawn by the shot of the beam 10a1b, the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) uses the deflection control circuit 10b5 (see FIG. 1) based on the shot data. The deflector 10a1f (see FIG. 1) is controlled.

次いで、例えば、制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)の偏向制御部10b1e(図2参照)による副偏向器10a1f(図1参照)の制御が完了した時(副偏向器10a1fのセトリング時間が経過した時)にパターンP1a(図7(A)参照)を描画するための荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットが開始されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b2(図1参照)を介してブランキング偏向器10a1c(図1参照)が制御される。また、例えば、偏向制御部10b1eによる副偏向器10a1fの制御が完了した時(副偏向器10a1fのセトリング時間が経過した時)にパターンP1aを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム10a1bが照射されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部10b1eによって偏向制御回路10b3(図1参照)を介してビーム寸法可変偏向器10a1d(図1参照)が制御される。   Next, for example, when the control of the sub deflector 10a1f (see FIG. 1) by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1) is completed (sub deflection). In the shot data, the shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) for drawing the pattern P1a (see FIG. 7A) is started when the settling time of the container 10a1f has elapsed. Based on this, the blanking deflector 10a1c (see FIG. 1) is controlled by the deflection controller 10b1e (see FIG. 2) via the deflection control circuit 10b2 (see FIG. 1). Further, for example, when the control of the sub deflector 10a1f by the deflection control unit 10b1e is completed (when the settling time of the sub deflector 10a1f has elapsed), the charged particle beam 10a1b having a horizontal cross-sectional shape for drawing the pattern P1a Based on the shot data, the beam size variable deflector 10a1d (see FIG. 1) is controlled by the deflection controller 10b1e via the deflection control circuit 10b3 (see FIG. 1) based on the shot data.

次いで、例えば、パターンP1a(図7(A)参照)を描画するための荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)の照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム10a1bの照射が停止されるように、ショットデータに基づいて制御部10b(図1参照)の制御計算機10b1(図1参照)の偏向制御部10b1e(図2参照)によって偏向制御回路10b2(図1参照)を介してブランキング偏向器10a1c(図1参照)が制御される。   Next, for example, when the irradiation time of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) for drawing the pattern P1a (see FIG. 7A) ends, the irradiation of the charged particle beam 10a1b is stopped. Based on the shot data, the blanking deflector via the deflection control circuit 10b2 (see FIG. 1) by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) of the control computer 10b1 (see FIG. 1) of the control unit 10b (see FIG. 1). 10a1c (see FIG. 1) is controlled.

次いで、図7に示す例では、例えば、図7(B)に示すように、2回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1bが試料M上に描画される。次いで、図7に示す例では、例えば、図7(C)に示すように、3回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)より小さいパターンP1cが試料M上に描画される。   Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7B, the pattern P of the maximum size (FIG. 3B) is obtained by the second shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). The pattern P1b having the same shape as that in () is drawn on the sample M. Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7C, the pattern P of the maximum size (FIG. 3B) is obtained by the third shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). ) Reference) A smaller pattern P1c is drawn on the sample M.

次いで、図7に示す例では、例えば、図7(D)に示すように、4回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1dが試料M上に描画される。次いで、図7に示す例では、例えば、図7(E)に示すように、5回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1eが試料M上に描画される。次いで、図7に示す例では、例えば、図7(F)に示すように、6回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)より小さいパターンP1fが試料M上に描画される。   Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7D, the pattern P of the maximum size (FIG. 3B) is obtained by the fourth shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). The pattern P1d having the same shape as that in () is drawn on the sample M. Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7E, the pattern P of the maximum size (FIG. 3B) is obtained by the fifth shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). The pattern P1e having the same shape as that in () is drawn on the sample M. Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7 (F), the maximum size pattern P (FIG. 3 (B) is obtained by the sixth shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3 (A)). ) Reference) A smaller pattern P1f is drawn on the sample M.

次いで、図7に示す例では、例えば、図7(G)に示すように、7回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)より小さいパターンP1gが試料M上に描画される。次いで、図7に示す例では、例えば、図7(H)に示すように、8回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)より小さいパターンP1hが試料M上に描画される。次いで、図7に示す例では、例えば、図7(I)に示すように、9回目の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットにより、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)より小さいパターンP1iが試料M上に描画される。   Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7G, the maximum size pattern P (FIG. 3B) is obtained by the seventh shot of the charged particle beam 10 a 1 b (see FIG. 3A). ) Reference) A smaller pattern P1g is drawn on the sample M. Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7 (H), the maximum size pattern P (FIG. 3 (B) is obtained by the eighth shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3 (A)). ) Reference) A smaller pattern P1h is drawn on the sample M. Next, in the example shown in FIG. 7, for example, as shown in FIG. 7 (I), the maximum size pattern P (FIG. 3 (B) is obtained by the ninth shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3 (A)). ) Reference) A smaller pattern P1i is drawn on the sample M.

その結果、図7に示す例では、描画データD(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1が、荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)によって試料M上に描画される。   As a result, in the example shown in FIG. 7, the pattern P1 corresponding to the figure FG1 (see FIG. 4) included in the drawing data D (see FIGS. 1 and 2) is a charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A). Is drawn on the sample M.

図7に示す例では、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1a,P1b,P1d,P1eを描画する荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットを4回行っても試料M上にパターンP1を描画することができず、試料M上にパターンP1を描画するためには9回の荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)のショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)と同一形状のパターンP1a,P1b,P1d,P1eを描画する荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)の4回のショットと、最大サイズのパターンP(図3(B)参照)より小さいパターンP1c,P1f,P1g,P1h,P1iを描画する荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)の5回のショットとにショット分割されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えばパターンP1i(図7(I)参照)のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)の9回のショットによってパターンP1(図7(I)参照)を描画する場合には、パターンP1をX方向(図7の左右方向)3列×Y方向(図7の上下方向)3列に9等分したパターンが、荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)の1回のショットによって描画される。   In the example shown in FIG. 7, a shot of a charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) for drawing patterns P1a, P1b, P1d, and P1e having the same shape as the maximum size pattern P (see FIG. 3B). Even if it is performed four times, the pattern P1 cannot be drawn on the sample M, and nine shots of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) are required to draw the pattern P1 on the sample M. In order to easily explain this, the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A) for drawing the patterns P1a, P1b, P1d, and P1e having the same shape as the maximum size pattern P (see FIG. 3B). ) Four shots and a charged particle beam 10a1b for drawing patterns P1c, P1f, P1g, P1h, P1i smaller than the maximum size pattern P (see FIG. 3B). Are shot divided into five shots see FIG. 3 (A)). In the actual charged particle beam drawing apparatus 10, shot division is performed so as to avoid drawing a minute pattern such as the pattern P1i (see FIG. 7I). That is, for example, when the pattern P1 (see FIG. 7I) is drawn by nine shots of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A), the pattern P1 is drawn in the X direction (left-right direction in FIG. 7). 3) A pattern that is divided into 9 equal rows in 3 rows × Y direction (vertical direction in FIG. 7) is drawn by one shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A).

詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図7(A)〜図7(I)に示すように、描画データD(図1および図2参照)に含まれる図形FG1(図4参照)に対応するパターンP1が、荷電粒子ビーム10a1b(図3(A)参照)によって試料M上のストライプSTR2(図5および図6参照)内に描画されている期間中、例えば、可動ステージ10a2a(図1参照)がX軸のプラス側(図5の右側)からマイナス側(図5の左側)に向かってストライプSTR2の長手方向(図5の左右方向)に移動するように、描画制御部10b1a(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に送られた描画移動要求(図2参照)に基づいて、ステージ制御部10b1fによってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIGS. 7A to 7I, a graphic FG1 included in the drawing data D (see FIGS. 1 and 2). During the period in which the pattern P1 corresponding to (see FIG. 4) is drawn in the stripe STR2 (see FIGS. 5 and 6) on the sample M by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 3A), for example, The movable stage 10a2a (see FIG. 1) moves in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 5) of the stripe STR2 from the X axis positive side (right side in FIG. 5) toward the negative side (left side in FIG. 5). Based on the drawing movement request (see FIG. 2) sent from the drawing controller 10b1a (see FIG. 2) to the stage controller 10b1f (see FIG. 2), the stage controller 10b1f performs the stage control circuit 10b6 (see FIG. 1). Movable stage 10a2a is controlled via the irradiation).

また、図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR1内に多数のパターン(図示せず)が描画されている期間中、例えば、可動ステージ10a2a(図1参照)がX軸のマイナス側(図5の左側)からプラス側(図5の右側)に向かってストライプSTR1の長手方向(図5の左右方向)に移動するように、描画制御部10b1a(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に送られた描画移動要求(図2参照)に基づいて、ステージ制御部10b1fによってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。   In the example shown in FIG. 5, for example, during a period in which a large number of patterns (not shown) are drawn in the stripe STR1 on the sample M by the charged particle beam 10a1b, for example, the movable stage 10a2a (see FIG. 1). The drawing controller 10b1a (see FIG. 2) moves in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 5) of the stripe STR1 from the negative side (left side in FIG. 5) to the positive side (right side in FIG. 5) of the X axis. ) To the stage control unit 10b1f (see FIG. 2), the movable stage 10a2a is controlled by the stage control unit 10b1f via the stage control circuit 10b6 (see FIG. 1). The

同様に、図5に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上のストライプSTR3内に多数のパターン(図示せず)が描画されている期間中、例えば、可動ステージ10a2a(図1参照)がX軸のマイナス側(図5の左側)からプラス側(図5の右側)に向かってストライプSTR3の長手方向(図5の左右方向)に移動するように、描画制御部10b1a(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に送られた描画移動要求(図2参照)に基づいて、ステージ制御部10b1fによってステージ制御回路10b6(図1参照)を介して可動ステージ10a2aが制御される。   Similarly, in the example shown in FIG. 5, for example, during a period in which a large number of patterns (not shown) are drawn in the stripe STR3 on the sample M by the charged particle beam 10a1b, for example, the movable stage 10a2a (see FIG. 1). ) Moves in the longitudinal direction of the stripe STR3 (left and right in FIG. 5) from the negative side (left side in FIG. 5) to the positive side (right side in FIG. 5) of the X axis (FIG. 2). The movable stage 10a2a is controlled by the stage control unit 10b1f via the stage control circuit 10b6 (see FIG. 1) based on the drawing movement request (see FIG. 2) sent from the reference control unit 10b1f to the stage control unit 10b1f (see FIG. 2). Is done.

図8〜図11は図1に示す可動ステージ10a2aの動きを詳細に説明するための図である。図8〜図11において、Aは主偏向器10a1eおよび副偏向器10a1fによって荷電粒子ビーム10a1bを偏向することにより、可動ステージ10a2aに載置された試料M上に荷電粒子ビーム10a1bを照射することができる領域を示している。また、STR1RはストライプSTR1(図5参照)の枠の右端を示しており、STR1LはストライプSTR1の枠の左端を示している。更に、STR2RはストライプSTR2(図5参照)の枠の右端を示しており、STR2LはストライプSTR2の枠の左端を示している。また、STR3RはストライプSTR3(図5参照)の枠の右端を示しており、STR3LはストライプSTR3の枠の左端を示している。更に、STR4RはストライプSTR4(図5参照)の枠の右端を示している。   8-11 is a figure for demonstrating in detail the movement of movable stage 10a2a shown in FIG. 8 to 11, A irradiates the charged particle beam 10a1b onto the sample M placed on the movable stage 10a2a by deflecting the charged particle beam 10a1b by the main deflector 10a1e and the sub deflector 10a1f. It shows the possible areas. STR1R indicates the right end of the frame of the stripe STR1 (see FIG. 5), and STR1L indicates the left end of the frame of the stripe STR1. Furthermore, STR2R indicates the right end of the frame of the stripe STR2 (see FIG. 5), and STR2L indicates the left end of the frame of the stripe STR2. STR3R indicates the right end of the frame of the stripe STR3 (see FIG. 5), and STR3L indicates the left end of the frame of the stripe STR3. Furthermore, STR4R indicates the right end of the frame of the stripe STR4 (see FIG. 5).

図5および図8〜図11に示す例では、まず最初に、ストライプSTR1(図5、図8および図9参照)に関する描画移動要求(図2参照)が、描画制御部10b1a(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に発行される。詳細には、荷電粒子ビーム10a1b(図5、図8(B)および図9(A)参照)によるストライプSTR1(図5、図8および図9参照)に対するパターンの描画の開始時までに、ショットデータ生成部10b1c(図2参照)から描画制御部10a1a(図2参照)に送られたストライプSTR1に関するストライプ情報に基づいて、ストライプSTR1内に荷電粒子ビーム10a1b(図8(B)参照)が最初に照射される位置PF1’(図8(A)参照)が算出される。また、荷電粒子ビーム10a1b(図5、図8(B)および図9(A)参照)によるストライプSTR1に対するパターンの描画中の可動ステージ10a2a(図8および図9参照)の移動速度が算出される。更に、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ10a2aの助走距離ΔX1a(図8(A)参照)が算出される。   In the example shown in FIGS. 5 and 8 to 11, first, a drawing movement request (see FIG. 2) relating to the stripe STR1 (see FIGS. 5, 8, and 9) is sent to the drawing control unit 10b1a (see FIG. 2). To the stage controller 10b1f (see FIG. 2). Specifically, the shot is performed by the start of pattern drawing on the stripe STR1 (see FIGS. 5, 8, and 9) by the charged particle beam 10a1b (see FIGS. 5, 8B, and 9A). Based on the stripe information regarding the stripe STR1 sent from the data generation unit 10b1c (see FIG. 2) to the drawing control unit 10a1a (see FIG. 2), the charged particle beam 10a1b (see FIG. 8B) is first in the stripe STR1. A position PF1 ′ (see FIG. 8A) to be irradiated is calculated. Further, the moving speed of the movable stage 10a2a (see FIGS. 8 and 9) during the drawing of the pattern on the stripe STR1 by the charged particle beam 10a1b (see FIGS. 5, 8B, and 9A) is calculated. . Furthermore, the approach distance ΔX1a (see FIG. 8A) of the movable stage 10a2a necessary for accelerating to the moving speed is calculated.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、荷電粒子ビーム10a1b(図8(B)参照)によるストライプSTR1(図5、図8および図9参照)に対するパターンの描画の開始時に、可動ステージ10a2a(図8(A)参照)が、図8(A)に示すストライプSTR1に関する描画移動開始位置に配置される。つまり、可動ステージ10a2aがストライプSTR1に関する描画移動開始位置に配置されている状態では、領域Aが図8(A)に示す位置に位置する。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, when the pattern drawing is started on the stripe STR <b> 1 (see FIGS. 5, 8 and 9) by the charged particle beam 10 a 1 b (see FIG. 8B), it is movable. The stage 10a2a (see FIG. 8A) is arranged at the drawing movement start position for the stripe STR1 shown in FIG. That is, in a state where the movable stage 10a2a is arranged at the drawing movement start position with respect to the stripe STR1, the region A is located at the position shown in FIG.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、可動ステージ10a2a(図8および図9参照)がX軸のマイナス側(図8の左側)からプラス側(図8の右側)に向かってストライプSTR1(図5、図8および図9参照)の長手方向(図8の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動が開始される。更に、描画制御部10b1a(図2参照)から偏向制御部10b1e(図2参照)に送られたショット開始要求(図2参照)に基づいて、荷電粒子ビーム10a1b(図8(B)および図9(A)参照)をストライプSTR1内に照射するために偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1f(図1参照)が制御される。詳細には、ストライプSTR1内に最初に照射された荷電粒子ビーム10a1b(図8(B)参照)によって、パターンPF1(図8(B)参照)が試料M(図8(B)参照)上のストライプSTR1内に描画される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the movable stage 10a2a (see FIGS. 8 and 9) moves from the minus side (left side in FIG. 8) to the plus side (right side in FIG. 8) of the X axis. The drawing movement of the movable stage 10a2a that is moved in the longitudinal direction (left-right direction in FIG. 8) of the stripe STR1 (see FIGS. 5, 8, and 9) is started. Furthermore, based on the shot start request (see FIG. 2) sent from the drawing control unit 10b1a (see FIG. 2) to the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2), the charged particle beam 10a1b (FIG. 8B and FIG. 9). The deflectors 10a1c, 10a1d, 10a1e, and 10a1f (see FIG. 1) are controlled in order to irradiate the stripe STR1 (see (A)). Specifically, the pattern PF1 (see FIG. 8B) is placed on the sample M (see FIG. 8B) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 8B) first irradiated in the stripe STR1. Drawing is performed in the stripe STR1.

つまり、図5および図8〜図11に示す例では、ストライプSTR1(図5、図8および図9参照)の右端の領域のうち、パターンPF1(図8(C)参照)よりも右側の部分が、NULL領域(パターンが描画されない領域)N1R(図8(C)参照)になる。   That is, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the portion on the right side of the pattern PF <b> 1 (see FIG. 8C) in the rightmost region of the stripe STR <b> 1 (see FIGS. 5, 8, and 9). Becomes a NULL area (area where a pattern is not drawn) N1R (see FIG. 8C).

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、可動ステージ10a2a(図8および図9参照)がX軸のマイナス側(図8の左側)からプラス側(図8の右側)に向かってストライプSTR1(図5、図8および図9参照)の長手方向(図8の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動中に、荷電粒子銃10a1a(図1参照)から照射され偏向器10a1d,10a1e,10a1f(図1参照)により偏向された荷電粒子ビーム10a1b(図1および図5参照)によって、試料M(図5参照)上のストライプSTR1(図5参照)内にパターンが描画される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the movable stage 10a2a (see FIGS. 8 and 9) moves from the minus side (left side in FIG. 8) to the plus side (right side in FIG. 8) of the X axis. The deflector is irradiated from the charged particle gun 10a1a (see FIG. 1) during the drawing movement of the movable stage 10a2a moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 8) of the stripe STR1 (see FIGS. 5, 8, and 9). A pattern is drawn in the stripe STR1 (see FIG. 5) on the sample M (see FIG. 5) by the charged particle beam 10a1b (see FIGS. 1 and 5) deflected by 10a1d, 10a1e, and 10a1f (see FIG. 1). The

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、可動ステージ10a2a(図8および図9参照)がX軸のマイナス側(図9の左側)からプラス側(図9の右側)に向かってストライプSTR1(図5、図8および図9参照)の長手方向(図9の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動中に、ストライプSTR1内に最後に照射された荷電粒子ビーム10a1b(図9(A)参照)によって、パターンPL1(図9(A)参照)が試料M(図9(A)参照)上のストライプSTR1内に描画される。   Next, in the example shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the movable stage 10a2a (see FIGS. 8 and 9) moves from the minus side (left side in FIG. 9) to the plus side (right side in FIG. 9) of the X axis. During the drawing movement of the movable stage 10a2a moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 9) of the stripe STR1 (see FIGS. 5, 8 and 9), the charged particle beam 10a1b (lastly irradiated into the stripe STR1) 9A), the pattern PL1 (see FIG. 9A) is drawn in the stripe STR1 on the sample M (see FIG. 9A).

つまり、図5および図8〜図11に示す例では、ストライプSTR1(図5、図8および図9参照)の左端の領域のうち、パターンPL1(図9(B)参照)よりも左側の部分が、NULL領域(パターンが描画されない領域)N1L(図9(B)参照)になる。   That is, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the left portion of the stripe STR <b> 1 (see FIGS. 5, 8, and 9) is the left portion of the pattern PL <b> 1 (see FIG. 9B). Becomes a NULL area (area where a pattern is not drawn) N1L (see FIG. 9B).

詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ショットデータ生成部10b1c(図2参照)からショットバッファ10b1d(図2参照)を介して偏向制御部10b1e(図2参照)に送られたストライプSTR1(図5、図8および図9参照)内に最後に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図9(A)参照)のショットデータにストライプエンドデータ(図示せず)が付属されている。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) passes through the shot buffer 10b1d (see FIG. 2) to the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2). Stripe end data (not shown) is attached to the shot data of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9A) that is finally irradiated into the sent stripe STR1 (see FIGS. 5, 8, and 9). ing.

そのため、図5および図8〜図11に示す例では、このストライプエンドデータが偏向制御部10b1e(図2参照)によって検出された時に、偏向制御部10b1eからステージ制御部10b1f(図2参照)にストライプSTR1のストライプエンド信号(図2参照)が通知される。   Therefore, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, when this stripe end data is detected by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2), the deflection control unit 10b1e changes to the stage control unit 10b1f (see FIG. 2). A stripe end signal (see FIG. 2) of the stripe STR1 is notified.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、偏向制御部10b1e(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に通知されたストライプSTR1(図5、図8および図9参照)のストライプエンド信号(図2参照)に基づき、ストライプSTR1(図9(A)参照)内に最後に照射された荷電粒子ビーム10a1b(図9(A)参照)によってパターンPL1(図9(A)参照)が試料M(図9(A)参照)上のストライプSTR1内に描画された後に、可動ステージ10a2a(図8および図9参照)がX軸のマイナス側(図9の左側)からプラス側(図9の右側)に向かってストライプSTR1の長手方向(図9の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動が、概略図9(A)に示す状態で停止される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the stripe STR1 (see FIGS. 5, 8, and 9) notified from the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) to the stage control unit 10b1f (see FIG. 2). ) By the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9A) last irradiated in the stripe STR1 (see FIG. 9A) based on the stripe end signal (see FIG. 2). )) Is drawn in the stripe STR1 on the sample M (see FIG. 9A), and then the movable stage 10a2a (see FIGS. 8 and 9) is added from the negative side (left side of FIG. 9) of the X axis. The drawing movement of the movable stage 10a2a that is moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 9) of the stripe STR1 toward the side (right side in FIG. 9) is stopped in the state shown in FIG. 9 (A). It is.

つまり、図5および図8〜図11に示す例では、ストライプSTR1(図9(A)参照)の枠の左端STR1L(図9(A)参照)が領域A(図9(A)参照)内に入るまでX軸のマイナス側(図9の左側)からプラス側(図9の右側)に向かう可動ステージ10a2a(図9(A)参照)の描画移動が継続されるのではなく、ストライプSTR1の枠の左端STR1Lが領域A内に入っていない図9(A)に示す状態で、X軸のマイナス側からプラス側に向かう可動ステージ10a2aの描画移動が停止される。   That is, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the left end STR1L (see FIG. 9A) of the frame of the stripe STR1 (see FIG. 9A) is in the region A (see FIG. 9A). The drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 9A) from the negative side of the X axis (left side of FIG. 9) to the positive side (right side of FIG. 9) is not continued until entering the stripe STR1. In the state shown in FIG. 9A where the left end STR1L of the frame is not within the area A, the drawing movement of the movable stage 10a2a from the minus side of the X axis toward the plus side is stopped.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、X軸のマイナス側(図9の左側)からプラス側(図9の右側)に向かう可動ステージ10a2a(図9(A)参照)の描画移動の停止後に、ステージ制御部10b1f(図2参照)の折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)が参照される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the drawing of the movable stage 10a2a (see FIG. 9A) from the minus side (left side in FIG. 9) to the plus side (right side in FIG. 9) of the X axis. After the movement is stopped, the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) of the stage control unit 10b1f (see FIG. 2) is referred to.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ストライプSTR1(図8(B)参照)内に最初に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図8(B)参照)のショットデータがショットデータ生成部10b1c(図2参照)からショットバッファ10b1d(図2参照)を介して偏向制御部10b1e(図2参照)に送られる段階で、ストライプSTR2(図5および図9(C)参照)に関する可動ステージ10a2a(図9(C)参照)の仮の描画移動開始位置が設定され、その仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aを折り返し移動させるための折り返し移動要求が、描画制御部10b1a(図2参照)によって発行され、ステージ制御部10b1f(図2参照)の折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納される。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, shot data of a charged particle beam 10a1b (see FIG. 8B) first irradiated in the stripe STR1 (see FIG. 8B) is shot. The data generation unit 10b1c (see FIG. 2) relates to the stripe STR2 (see FIGS. 5 and 9C) when it is sent to the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) via the shot buffer 10b1d (see FIG. 2). A temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a (see FIG. 9C) is set, and a return movement request for moving the movable stage 10a2a back to the temporary drawing movement start position is a drawing control unit 10b1a (FIG. 9). 2) and the return movement request storage unit 10b1f1 (FIG. 2) of the stage control unit 10b1f (see FIG. 2). Is stored in the irradiation).

詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ストライプSTR2(図9(C)参照)の枠の左端STR2L(図9(C)参照)が領域A(図9(C)参照)よりも右側に位置するように、ストライプSTR2(図5および図9(C)参照)に関する可動ステージ10a2a(図9(C)参照)の仮の描画移動開始位置が設定される。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, the left end STR2L (see FIG. 9C) of the frame of the stripe STR2 (see FIG. 9C) is the region A (see FIG. The temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a (see FIG. 9C) related to the stripe STR2 (see FIGS. 5 and 9C) is set so as to be located on the right side of (see C).

つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図9(A)に示す状態で可動ステージ10a2a(図9(A)参照)の描画移動が停止され、ステージ制御部10b1f(図2参照)の折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)が参照された段階で、未だ図9(C)に示すストライプSTR2(図5および図9(C)参照)に関する可動ステージ10a2a(図9(C)参照)の描画移動開始位置が確定していない場合には、図9(A)に示すストライプSTR1に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置から上述したストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が開始される。   That is, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 9A) is stopped in the state shown in FIG. 9A, and the stage control unit 10b1f (FIG. 2) is stopped. At the stage of referring to the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) of FIG. 9 (C), the movable stage 10a2a (see FIG. 9 (C)) still related to the stripe STR2 (see FIGS. 5 and 9C) shown in FIG. When the drawing movement start position of (see C)) is not fixed, the temporary drawing movement of the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 described above from the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR1 shown in FIG. 9A. The return movement of the movable stage 10a2a, where the movable stage 10a2a is moved to the start position, is started.

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、図9(A)に示すストライプSTR1(図9(A)参照)に関する可動ステージ10a2a(図9(A)参照)の描画移動停止位置からストライプSTR2(図9(C)参照)に関する可動ステージ10a2aの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動の実行中に、図9(C)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納されている折り返し移動要求が変更(上書き)された場合に、ストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図9(C)に示す描画移動開始位置に変更される。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 9A) related to the stripe STR1 (see FIG. 9A) shown in FIG. 9A. FIG. 9C shows a state in which the movable stage 10a2a is moved back from the stop position to the temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR2 (see FIG. 9C). When the drawing movement start position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 is confirmed, and accordingly, the return movement request stored in the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) is changed (overwritten), the stripe STR2 The drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the temporary drawing movement start position It is changed to the drawing movement start position shown in FIG. 9 (C) from.

詳細には、この場合には、例えば、変更前の折り返し移動要求に基づいて、仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が開始され、その折り返し移動の実行中に折り返し移動要求が変更されると、可動ステージ10a2aの折り返し移動が停止され、次いで、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図9(C)に示す描画移動開始位置に向かって可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が開始される。   Specifically, in this case, for example, based on the return movement request before the change, the return movement of the movable stage 10a2a to which the movable stage 10a2a is moved to the temporary drawing movement start position is started, and the return movement is executed. When the return movement request is changed, the return movement of the movable stage 10a2a is stopped, and then the movable stage 10a2a toward the drawing movement start position shown in FIG. 9C based on the changed return movement request. The folding movement of the movable stage 10a2a to which is moved is started.

更に詳細には、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、図9(C)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が確定する段階で、ショットデータ生成部10b1c(図2参照)から描画制御部10a1a(図2参照)に送られたストライプSTR2に関するストライプ情報に基づいて、ストライプSTR2内に荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)が最初に照射される位置PF2’(図9(C)参照)が算出される。また、荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)および図10(B)参照)によるストライプSTR2に対するパターンの描画中の可動ステージ10a2a(図9および図10参照)の移動速度が算出される。更に、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ10a2aの助走距離ΔX2a(図9(C)参照)が算出される。   More specifically, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, at the stage where the drawing movement start position of the movable stage 10 a 2 a related to the stripe STR 2 shown in FIG. 9C is determined, the shot data generation unit 10 b 1 c ( Based on the stripe information related to the stripe STR2 sent from the drawing controller 10a1a (see FIG. 2) to the drawing controller 10a1a (see FIG. 2), the position where the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D) is first irradiated in the stripe STR2. PF2 ′ (see FIG. 9C) is calculated. Further, the moving speed of the movable stage 10a2a (see FIGS. 9 and 10) during the drawing of the pattern on the stripe STR2 by the charged particle beam 10a1b (see FIGS. 9D and 10B) is calculated. Furthermore, the approach distance ΔX2a (see FIG. 9C) of the movable stage 10a2a necessary for accelerating to the moving speed is calculated.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、可動ステージ10a2a(図8および図9参照)がX軸のマイナス側(図8および図9の左側)からプラス側(図8および図9の右側)に向かってストライプSTR1(図5、図8および図9参照)の長手方向(図8および図9の左右方向)に移動せしめられるストライプSTR1に関する可動ステージ10a2aの描画移動の実行中に、図9(C)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納されている折り返し移動要求が変更(上書き)された場合にも、ストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図9(C)に示す描画移動開始位置に変更される。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, the movable stage 10a2a (see FIGS. 8 and 9) is moved from the minus side (left side in FIGS. 8 and 9) to the plus side (FIG. 8). And the drawing movement of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR1 that is moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIGS. 8 and 9) of the stripe STR1 (see FIGS. 5, 8, and 9) toward the right side of FIG. In the middle, the drawing movement start position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 shown in FIG. 9C is confirmed, and the return movement request stored in the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) is changed accordingly. Even when (overwritten), the drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR2 is the temporary drawing movement start. It is changed to the drawing movement start position shown in FIG. 9 (C) from the position.

詳細には、この場合には、例えば、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図9(A)に示すストライプSTR1に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置から図9(C)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が実行される。更に詳細には、図9に示す例では、例えば、可動ステージ10a2aの折り返し移動の実行中に、可動ステージ10a2aが、ストライプSTR2の幅寸法分ΔY12(図9(C)参照)だけY軸のプラス側(図9の上側)からマイナス側(図9の下側)に向かってストライプSTR2の短手方向(図9の上下方向)に移動せしめられると同時に、ΔX12(図9(C)参照)だけX軸のマイナス側(図9の左側)からプラス側(図9の右側)に向かってストライプSTR2の長手方向(図9の左右方向)に移動せしめられる。   Specifically, in this case, for example, based on the return movement request after the change, the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR1 shown in FIG. 9A is related to the stripe STR2 shown in FIG. 9C. The return movement of the movable stage 10a2a is performed so that the movable stage 10a2a is moved to the drawing movement start position of the movable stage 10a2a. More specifically, in the example shown in FIG. 9, for example, during the execution of the folding movement of the movable stage 10 a 2 a, the movable stage 10 a 2 a is positive on the Y axis by the width dimension ΔY 12 (see FIG. 9C) of the stripe STR 2. At the same time it is moved in the short direction (up and down direction in FIG. 9) of the stripe STR2 from the side (upper side in FIG. 9) to the minus side (lower side in FIG. 9), only ΔX12 (see FIG. 9 (C)) The stripe STR2 is moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 9) from the negative side (left side in FIG. 9) to the positive side (right side in FIG. 9) of the X axis.

このようにして、図5および図8〜図11に示す例では、荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)によるストライプSTR2(図9および図10参照)に対するパターンの描画の開始時に、可動ステージ10a2a(図9(C)参照)が、図9(C)に示すストライプSTR2に関する描画移動開始位置に配置される。つまり、可動ステージ10a2aがストライプSTR2に関する描画移動開始位置に配置されている状態では、領域Aが図9(C)に示す位置に位置する。例えば、可動ステージ10a2aが図9(C)に示すストライプSTR2に関する描画移動開始位置に配置された時に、折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納されていた折り返し移動要求が削除される。   In this way, in the example shown in FIGS. 5 and 8 to 11, it is movable at the start of pattern drawing on the stripe STR2 (see FIGS. 9 and 10) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D). The stage 10a2a (see FIG. 9C) is arranged at the drawing movement start position for the stripe STR2 shown in FIG. 9C. That is, in a state where the movable stage 10a2a is arranged at the drawing movement start position with respect to the stripe STR2, the region A is located at the position shown in FIG. 9C. For example, when the movable stage 10a2a is arranged at the drawing movement start position related to the stripe STR2 shown in FIG. 9C, the return movement request stored in the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) is deleted.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、描画制御部10b1a(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に発行されたストライプSTR2(図5、図8および図9参照)に関する描画移動要求(図2参照)に基づいて、可動ステージ10a2a(図9および図10参照)がX軸のプラス側(図9の右側)からマイナス側(図9の左側)に向かってストライプSTR2(図5、図9および図10参照)の長手方向(図9の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動が開始される。更に、描画制御部10b1a(図2参照)から偏向制御部10b1e(図2参照)に送られたショット開始要求(図2参照)に基づいて、荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)および図10(B)参照)をストライプSTR2内に照射するために偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1f(図1参照)が制御される。詳細には、ストライプSTR2内に最初に照射された荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)によって、パターンPF2(図9(D)参照)が試料M(図9(D)参照)上のストライプSTR2内に描画される。   Next, in the examples illustrated in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, the stripe STR <b> 2 (FIGS. 5, 8, and 8) issued from the drawing control unit 10 b 1 a (see FIG. 2) to the stage control unit 10 b 1 f (see FIG. 2). 9) (see FIG. 2), the movable stage 10a2a (see FIG. 9 and FIG. 10) moves from the plus side (right side in FIG. 9) to the minus side (left side in FIG. 9) of the X axis. Then, the drawing movement of the movable stage 10a2a that is moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 9) of the stripe STR2 (see FIGS. 5, 9, and 10) is started. Further, based on the shot start request (see FIG. 2) sent from the drawing control unit 10b1a (see FIG. 2) to the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2), the charged particle beam 10a1b (FIG. 9D) and FIG. The deflectors 10a1c, 10a1d, 10a1e, and 10a1f (see FIG. 1) are controlled in order to irradiate the stripe STR2 (see (B)). Specifically, the pattern PF2 (see FIG. 9D) is placed on the sample M (see FIG. 9D) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D) first irradiated in the stripe STR2. Drawing is performed in the stripe STR2.

つまり、図5および図8〜図11に示す例では、ストライプSTR2(図5、図9および図10参照)の左端の領域のうち、パターンPF2(図10(A)参照)よりも左側の部分が、NULL領域(パターンが描画されない領域)N2L(図10(A)参照)になる。   That is, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the left portion of the stripe STR <b> 2 (see FIGS. 5, 9, and 10) is located on the left side of the pattern PF <b> 2 (see FIG. 10A). Becomes a NULL area (area where a pattern is not drawn) N2L (see FIG. 10A).

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、可動ステージ10a2a(図9および図10参照)がX軸のプラス側(図10の右側)からマイナス側(図10の左側)に向かってストライプSTR2(図5、図9および図10参照)の長手方向(図10の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動中に、荷電粒子銃10a1a(図1参照)から照射され偏向器10a1d,10a1e,10a1f(図1参照)により偏向された荷電粒子ビーム10a1b(図1および図5参照)によって、試料M(図5参照)上のストライプSTR2(図5参照)内にパターンが描画される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the movable stage 10a2a (see FIGS. 9 and 10) moves from the plus side (right side in FIG. 10) to the minus side (left side in FIG. 10) of the X axis. The deflector is irradiated from the charged particle gun 10a1a (see FIG. 1) during the drawing movement of the movable stage 10a2a moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 10) of the stripe STR2 (see FIGS. 5, 9, and 10). A pattern is drawn in the stripe STR2 (see FIG. 5) on the sample M (see FIG. 5) by the charged particle beam 10a1b (see FIGS. 1 and 5) deflected by 10a1d, 10a1e, and 10a1f (see FIG. 1). The

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、可動ステージ10a2a(図9および図10参照)がX軸のプラス側(図10の右側)からマイナス側(図10の左側)に向かってストライプSTR2(図5、図9および図10参照)の長手方向(図10の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動中に、ストライプSTR2内に最後に照射された荷電粒子ビーム10a1b(図10(B)参照)によって、パターンPL2(図10(B)参照)が試料M(図10(B)参照)上のストライプSTR2内に描画される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the movable stage 10a2a (see FIGS. 9 and 10) moves from the plus side (right side in FIG. 10) to the minus side (left side in FIG. 10) of the X axis. During the drawing movement of the movable stage 10a2a moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 10) of the stripe STR2 (see FIGS. 5, 9, and 10), the charged particle beam 10a1b (lastly irradiated into the stripe STR2) 10B), the pattern PL2 (see FIG. 10B) is drawn in the stripe STR2 on the sample M (see FIG. 10B).

つまり、図5および図8〜図11に示す例では、ストライプSTR2(図5、図9および図10参照)の右端の領域のうち、パターンPL2(図10(C)参照)よりも右側の部分が、NULL領域(パターンが描画されない領域)N2R(図10(C)参照)になる。   That is, in the example shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the portion on the right side of the pattern PL <b> 2 (see FIG. 10C) in the rightmost region of the stripe STR <b> 2 (see FIGS. 5, 9, and 10). Becomes a NULL area (area where a pattern is not drawn) N2R (see FIG. 10C).

詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、ショットデータ生成部10b1c(図2参照)からショットバッファ10b1d(図2参照)を介して偏向制御部10b1e(図2参照)に送られたストライプSTR2(図5、図9および図10参照)内に最後に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図10(B)参照)のショットデータにストライプエンドデータ(図示せず)が付属されている。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2) passes through the shot buffer 10b1d (see FIG. 2) to the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2). Stripe end data (not shown) is attached to the shot data of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 10B) that is finally irradiated into the sent stripe STR2 (see FIGS. 5, 9, and 10). ing.

そのため、図5および図8〜図11に示す例では、このストライプエンドデータが偏向制御部10b1e(図2参照)によって検出された時に、偏向制御部10b1eからステージ制御部10b1f(図2参照)にストライプSTR2のストライプエンド信号(図2参照)が通知される。   Therefore, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, when this stripe end data is detected by the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2), the deflection control unit 10b1e changes to the stage control unit 10b1f (see FIG. 2). A stripe end signal (see FIG. 2) of the stripe STR2 is notified.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、偏向制御部10b1e(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に通知されたストライプSTR2(図5、図9および図10参照)のストライプエンド信号(図2参照)に基づき、ストライプSTR2(図10(B)参照)内に最後に照射された荷電粒子ビーム10a1b(図10(B)参照)によってパターンPL2(図10(B)参照)が試料M(図10(B)参照)上のストライプSTR2内に描画された後に、可動ステージ10a2a(図9および図10参照)がX軸のプラス側(図10の右側)からマイナス側(図10の左側)に向かってストライプSTR2の長手方向(図10の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動が、概略図10(B)に示す状態で停止される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the stripe STR2 (see FIGS. 5, 9, and 10) notified from the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) to the stage control unit 10b1f (see FIG. 2). ) By the charged particle beam 10a1b (see FIG. 10B) last irradiated in the stripe STR2 (see FIG. 10B) based on the stripe end signal (see FIG. 2). )) Is drawn in the stripe STR2 on the sample M (see FIG. 10B), the movable stage 10a2a (see FIGS. 9 and 10) is minus from the plus side (right side in FIG. 10) of the X axis. The drawing movement of the movable stage 10a2a that is moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 10) of the stripe STR2 toward the side (left side in FIG. 10) is schematically illustrated in FIG. It is stopped in the state shown in).

つまり、図5および図8〜図11に示す例では、ストライプSTR2(図10(B)参照)の枠の右端STR2R(図10(B)参照)が領域A(図10(B)参照)内に入るまでX軸のプラス側(図10の右側)からマイナス側(図10の左側)に向かう可動ステージ10a2a(図10(B)参照)の描画移動が継続されるのではなく、ストライプSTR2の枠の右端STR2Rが領域A内に入っていない図10(B)に示す状態で、X軸のプラス側からマイナス側に向かう可動ステージ10a2aの描画移動が停止される。   That is, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the right end STR2R (see FIG. 10B) of the frame of the stripe STR2 (see FIG. 10B) is in the region A (see FIG. 10B). The drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 10B) from the positive side of the X axis (right side of FIG. 10) to the negative side (left side of FIG. 10) is not continued until it enters, but instead of the stripe STR2. In the state shown in FIG. 10B in which the right end STR2R of the frame is not within the area A, the drawing movement of the movable stage 10a2a from the plus side to the minus side of the X axis is stopped.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、X軸のプラス側(図10の右側)からマイナス側(図10の左側)に向かう可動ステージ10a2a(図10(B)参照)の描画移動の停止後に、ステージ制御部10b1f(図2参照)の折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)が参照される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the drawing of the movable stage 10a2a (see FIG. 10B) from the plus side (right side of FIG. 10) to the minus side (left side of FIG. 10) of the X axis. After the movement is stopped, the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) of the stage control unit 10b1f (see FIG. 2) is referred to.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ストライプSTR2(図9(D)参照)内に最初に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)のショットデータがショットデータ生成部10b1c(図2参照)からショットバッファ10b1d(図2参照)を介して偏向制御部10b1e(図2参照)に送られる段階で、ストライプSTR3(図5および図10(D)参照)に関する可動ステージ10a2a(図10(D)参照)の仮の描画移動開始位置が設定され、その仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aを折り返し移動させるための折り返し移動要求が、描画制御部10b1a(図2参照)によって発行され、ステージ制御部10b1f(図2参照)の折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納される。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, shot data of a charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D) first irradiated in the stripe STR2 (see FIG. 9D) is shot. The stripe STR3 (see FIG. 5 and FIG. 10D) is sent from the data generation unit 10b1c (see FIG. 2) to the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2) via the shot buffer 10b1d (see FIG. 2). A temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a (see FIG. 10D) is set, and a return movement request for returning the movable stage 10a2a to the temporary drawing movement start position is a drawing control unit 10b1a (FIG. 10). 2) and the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) of the stage control unit 10b1f (see FIG. 2). Is stored in the second reference).

詳細には、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、ストライプSTR3(図10(D)参照)の枠の右端STR3R(図10(D)参照)が領域A(図10(D)参照)よりも左側に位置するように、ストライプSTR3(図5および図10(D)参照)に関する可動ステージ10a2a(図10(D)参照)の仮の描画移動開始位置が設定される。   Specifically, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, the right end STR3R (see FIG. 10D) of the frame of the stripe STR3 (see FIG. 10D) is the region A (see FIG. The temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a (see FIG. 10 (D)) related to the stripe STR3 (see FIG. 5 and FIG. 10 (D)) is set so as to be located on the left side with respect to D).

つまり、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図10(B)に示す状態で可動ステージ10a2a(図10(B)参照)の描画移動が停止され、ステージ制御部10b1f(図2参照)の折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)が参照された段階で、未だ図10(D)に示すストライプSTR3(図5および図10(D)参照)に関する可動ステージ10a2a(図10(D)参照)の描画移動開始位置が確定していない場合には、図10(B)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置から上述したストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が開始される。   That is, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 10B) is stopped in the state shown in FIG. 10B, and the stage control unit 10b1f (FIG. 2) is stopped. At the stage when the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) of FIG. 10 is referred to, the movable stage 10a2a (see FIG. 10 (D)) of the stripe STR3 (see FIGS. 5 and 10D) shown in FIG. If the drawing movement start position of (see D)) is not fixed, the temporary drawing movement of the movable stage 10a2a related to the stripe STR3 described above from the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 shown in FIG. The movable stage 10a2a is moved back to the start position. That.

更に、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、図10(B)に示すストライプSTR2(図10(B)参照)に関する可動ステージ10a2a(図10(B)参照)の描画移動停止位置からストライプSTR3(図10(D)参照)に関する可動ステージ10a2aの仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動の実行中に、図10(D)に示すストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納されている折り返し移動要求が変更(上書き)された場合に、ストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図10(D)に示す描画移動開始位置に変更される。   Furthermore, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the first embodiment, for example, drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 10B) related to the stripe STR2 (see FIG. 10B) shown in FIG. 10B. FIG. 10D shows the movable stage 10a2a that is moved from the stop position to the temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR3 (see FIG. 10D). When the drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR3 is confirmed, and accordingly, the folding movement request stored in the folding movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) is changed (overwritten), the stripe STR3. The drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the temporary drawing is From moving start position is changed to the drawing movement start position shown in FIG. 10 (D).

詳細には、この場合には、例えば、変更前の折り返し移動要求に基づいて、仮の描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が開始され、その折り返し移動の実行中に折り返し移動要求が変更されると、可動ステージ10a2aの折り返し移動が停止され、次いで、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図10(D)に示す描画移動開始位置に向かって可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が開始される。   Specifically, in this case, for example, based on the return movement request before the change, the return movement of the movable stage 10a2a to which the movable stage 10a2a is moved to the temporary drawing movement start position is started, and the return movement is executed. When the return movement request is changed, the return movement of the movable stage 10a2a is stopped, and then the movable stage 10a2a is moved toward the drawing movement start position shown in FIG. 10D based on the changed return movement request. The folding movement of the movable stage 10a2a to which is moved is started.

更に詳細には、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、図10(D)に示すストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が確定する段階で、ショットデータ生成部10b1c(図2参照)から描画制御部10a1a(図2参照)に送られたストライプSTR3に関するストライプ情報に基づいて、ストライプSTR3内に荷電粒子ビーム10a1b(図11(A)参照)が最初に照射される位置PF3’(図10(D)参照)が算出される。また、荷電粒子ビーム10a1b(図11(A)参照)によるストライプSTR3に対するパターンの描画中の可動ステージ10a2a(図10および図11参照)の移動速度が算出される。更に、その移動速度まで加速するために必要な可動ステージ10a2aの助走距離ΔX3a(図10(D)参照)が算出される。   More specifically, in the example shown in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, when the drawing movement start position of the movable stage 10 a 2 a with respect to the stripe STR 3 shown in FIG. 10D is determined, the shot data generation unit 10 b 1 c ( Based on the stripe information regarding the stripe STR3 sent from the drawing controller 10a1a (see FIG. 2) to the drawing controller 10a1a (see FIG. 2), the position where the charged particle beam 10a1b (see FIG. 11A) is first irradiated in the stripe STR3. PF3 ′ (see FIG. 10D) is calculated. Further, the moving speed of the movable stage 10a2a (see FIGS. 10 and 11) while the pattern is being drawn on the stripe STR3 by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 11A) is calculated. Furthermore, the approach distance ΔX3a (see FIG. 10D) of the movable stage 10a2a necessary for accelerating to the moving speed is calculated.

また、第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、例えば、可動ステージ10a2a(図9および図10参照)がX軸のプラス側(図9および図10の左側)からマイナス側(図9および図10の右側)に向かってストライプSTR2(図5、図9および図10参照)の長手方向(図9および図10の左右方向)に移動せしめられるストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動の実行中に、図10(D)に示すストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が確定し、それに伴って、折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納されている折り返し移動要求が変更(上書き)された場合にも、ストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置が、仮の描画移動開始位置から図10(D)に示す描画移動開始位置に変更される。   In the charged particle beam drawing apparatus 10 according to the first embodiment, for example, the movable stage 10a2a (see FIGS. 9 and 10) is moved from the plus side (left side in FIGS. 9 and 10) to the minus side (FIG. 9). And the drawing movement of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR2 moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIGS. 9 and 10) of the stripe STR2 (see FIGS. 5, 9, and 10) toward the right side of FIG. During this, the drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR3 shown in FIG. 10D is confirmed, and accordingly, the folding movement request stored in the folding movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) is changed. Even when (overwritten), the drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR3 is temporary. It is changed from the drawing movement start position to the drawing movement start position shown in FIG. 10 (D).

詳細には、この場合には、例えば、変更後の折り返し移動要求に基づいて、図10(B)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置から図10(D)に示すストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動が実行される。更に詳細には、図10に示す例では、例えば、可動ステージ10a2aの折り返し移動の実行中に、可動ステージ10a2aが、ストライプSTR3の幅寸法分ΔY23(図10(D)参照)だけY軸のプラス側(図10の上側)からマイナス側(図10の下側)に向かってストライプSTR3の短手方向(図10の上下方向)に移動せしめられると同時に、ΔX23(図10(D)参照)だけX軸のプラス側(図10の右側)からマイナス側(図10の左側)に向かってストライプSTR3の長手方向(図10の左右方向)に移動せしめられる。   Specifically, in this case, for example, based on the return movement request after the change, the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 shown in FIG. 10B is related to the stripe STR3 shown in FIG. The return movement of the movable stage 10a2a is performed so that the movable stage 10a2a is moved to the drawing movement start position of the movable stage 10a2a. More specifically, in the example shown in FIG. 10, for example, during the execution of the folding movement of the movable stage 10 a 2 a, the movable stage 10 a 2 a is positive on the Y axis by the width dimension ΔY 23 (see FIG. 10D) of the stripe STR 3. At the same time it is moved in the short direction (up and down direction in FIG. 10) of the stripe STR3 from the side (upper side in FIG. 10) to the minus side (lower side in FIG. 10), only ΔX23 (see FIG. 10 (D)) The stripe STR3 is moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 10) from the positive side (right side in FIG. 10) to the negative side (left side in FIG. 10) of the X axis.

このようにして、図5および図8〜図11に示す例では、荷電粒子ビーム10a1b(図11(A)参照)によるストライプSTR3(図10および図11参照)に対するパターンの描画の開始時に、可動ステージ10a2a(図10(D)参照)が、図10(D)に示すストライプSTR3に関する描画移動開始位置に配置される。つまり、可動ステージ10a2aがストライプSTR3に関する描画移動開始位置に配置されている状態では、領域Aが図10(D)に示す位置に位置する。例えば、可動ステージ10a2aが図10(D)に示すストライプSTR3に関する描画移動開始位置に配置された時に、折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に格納されていた折り返し移動要求が削除される。   In this way, in the example shown in FIGS. 5 and 8 to 11, it is movable at the start of pattern drawing on the stripe STR3 (see FIGS. 10 and 11) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 11A). The stage 10a2a (see FIG. 10D) is arranged at the drawing movement start position for the stripe STR3 shown in FIG. That is, in a state where the movable stage 10a2a is arranged at the drawing movement start position with respect to the stripe STR3, the region A is located at the position shown in FIG. For example, when the movable stage 10a2a is arranged at the drawing movement start position related to the stripe STR3 shown in FIG. 10D, the return movement request stored in the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2) is deleted.

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、描画制御部10b1a(図2参照)からステージ制御部10b1f(図2参照)に発行されたストライプSTR3(図5、図8および図9参照)に関する描画移動要求(図2参照)に基づいて、可動ステージ10a2a(図10および図11参照)がX軸のマイナス側(図10の左側)からプラス側(図10の右側)に向かってストライプSTR3(図5、図10および図11参照)の長手方向(図10の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動が開始される。更に、描画制御部10b1a(図2参照)から偏向制御部10b1e(図2参照)に送られたショット開始要求(図2参照)に基づいて、荷電粒子ビーム10a1b(図11(A)参照)をストライプSTR3内に照射するために偏向器10a1c,10a1d,10a1e,10a1f(図1参照)が制御される。詳細には、ストライプSTR3内に最初に照射された荷電粒子ビーム10a1b(図11(A)参照)によって、パターンPF3(図11(A)参照)が試料M(図11(A)参照)上のストライプSTR3内に描画される。   Next, in the examples illustrated in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, the stripe STR <b> 3 (FIG. 5, FIG. 8 and FIG. 8) issued from the drawing control unit 10 b 1 a (see FIG. 2) to the stage control unit 10 b 1 f (see FIG. 2). 9) (see FIG. 2), the movable stage 10a2a (see FIGS. 10 and 11) moves from the minus side (left side in FIG. 10) to the plus side (right side in FIG. 10) of the X axis. Then, the drawing movement of the movable stage 10a2a that is moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 10) of the stripe STR3 (see FIGS. 5, 10, and 11) is started. Further, based on the shot start request (see FIG. 2) sent from the drawing control unit 10b1a (see FIG. 2) to the deflection control unit 10b1e (see FIG. 2), the charged particle beam 10a1b (see FIG. 11A) is sent. The deflectors 10a1c, 10a1d, 10a1e, and 10a1f (see FIG. 1) are controlled to irradiate the stripe STR3. Specifically, the pattern PF3 (see FIG. 11A) is placed on the sample M (see FIG. 11A) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 11A) first irradiated in the stripe STR3. It is drawn in the stripe STR3.

つまり、図5および図8〜図11に示す例では、ストライプSTR3(図5、図10および図11参照)の右端の領域のうち、パターンPF3(図11(B)参照)よりも右側の部分が、NULL領域(パターンが描画されない領域)N3R(図11(B)参照)になる。   That is, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the portion on the right side of the pattern PF3 (see FIG. 11B) in the rightmost region of the stripe STR3 (see FIGS. 5, 10, and 11). Becomes a NULL area (area where a pattern is not drawn) N3R (see FIG. 11B).

次いで、図5および図8〜図11に示す例では、可動ステージ10a2a(図10および図11参照)がX軸のマイナス側(図11の左側)からプラス側(図11の右側)に向かってストライプSTR3(図5、図10および図11参照)の長手方向(図11の左右方向)に移動せしめられる可動ステージ10a2aの描画移動中に、荷電粒子銃10a1a(図1参照)から照射され偏向器10a1d,10a1e,10a1f(図1参照)により偏向された荷電粒子ビーム10a1b(図1および図5参照)によって、試料M(図5参照)上のストライプSTR3(図5参照)内にパターンが描画される。   Next, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, the movable stage 10a2a (see FIGS. 10 and 11) moves from the minus side (left side in FIG. 11) to the plus side (right side in FIG. 11) of the X axis. The deflector is irradiated from the charged particle gun 10a1a (see FIG. 1) during the drawing movement of the movable stage 10a2a moved in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 11) of the stripe STR3 (see FIGS. 5, 10, and 11). A pattern is drawn in the stripe STR3 (see FIG. 5) on the sample M (see FIG. 5) by the charged particle beam 10a1b (see FIGS. 1 and 5) deflected by 10a1d, 10a1e, and 10a1f (see FIG. 1). The

すなわち、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、ストライプSTR1(図9(A)参照)内に最後に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図9(A)参照)のショットデータがショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成される前に、つまり、図9(A)に示すストライプSTR1に関する可動ステージ10a2a(図9(A)参照)の描画移動停止位置が確定する前に、荷電粒子ビーム10a1b(図8(B)参照)による試料M(図8(B)参照)上のストライプSTR1内のパターンPF1,・・(図8(B)参照)の描画を開始することができる。   That is, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, shot data of the charged particle beam 10 a 1 b (see FIG. 9A) that is finally irradiated into the stripe STR 1 (see FIG. 9A) is included. Before being generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2), that is, before the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a (see FIG. 9A) related to the stripe STR1 shown in FIG. Then, drawing of the pattern PF1,... (See FIG. 8B) in the stripe STR1 on the sample M (see FIG. 8B) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 8B) is started. it can.

換言すれば、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、ストライプSTR2(図9(D)参照)内に最初に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)のショットデータがショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成される前に、つまり、図9(C)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2a(図9(C)参照)の描画移動開始位置が確定する前に、ストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの仮の描画移動開始位置を設定し、荷電粒子ビーム10a1b(図8(B)参照)による試料M(図8(B)参照)上のストライプSTR1内のパターンPF1,・・(図8(B)参照)の描画を開始することができる。   In other words, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, a shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D) that is first irradiated into the stripe STR2 (see FIG. 9D). Before the data is generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2), that is, the drawing movement start position of the movable stage 10a2a (see FIG. 9C) related to the stripe STR2 shown in FIG. 9C is determined. Before, a temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR2 is set, and a pattern in the stripe STR1 on the sample M (see FIG. 8B) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 8B) is set. Drawing of PF1,... (See FIG. 8B) can be started.

同様に、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、ストライプSTR2(図10(B)参照)内に最後に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図10(B)参照)のショットデータがショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成される前に、つまり、図10(B)に示すストライプSTR2に関する可動ステージ10a2a(図10(B)参照)の描画移動停止位置が確定する前に、荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)による試料M(図9(D)参照)上のストライプSTR2内のパターンPF2,・・(図9(D)参照)の描画を開始することができる。   Similarly, in the examples shown in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, shot data of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 10B) that is finally irradiated into the stripe STR2 (see FIG. 10B). Is generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2), that is, before the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a (see FIG. 10B) related to the stripe STR2 shown in FIG. Then, drawing of the pattern PF2,... (See FIG. 9D) in the stripe STR2 on the sample M (see FIG. 9D) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D) is started. Can do.

換言すれば、図5および図8〜図11に示す例では、例えば、ストライプSTR3(図11(A)参照)内に最初に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図11(A)参照)のショットデータがショットデータ生成部10b1c(図2参照)によって生成される前に、つまり、図10(D)に示すストライプSTR3に関する可動ステージ10a2a(図10(D)参照)の描画移動開始位置が確定する前に、ストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの仮の描画移動開始位置を設定し、荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)による試料M(図9(D)参照)上のストライプSTR2内のパターンPF2,・・(図9(D)参照)の描画を開始することができる。   In other words, in the example shown in FIGS. 5 and 8 to 11, for example, a shot of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 11A) that is first irradiated into the stripe STR3 (see FIG. 11A). Before the data is generated by the shot data generation unit 10b1c (see FIG. 2), that is, the drawing movement start position of the movable stage 10a2a (see FIG. 10D) related to the stripe STR3 shown in FIG. Before, the temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR3 is set, and the pattern in the stripe STR2 on the sample M (see FIG. 9D) by the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D) is set. Drawing of PF2,... (See FIG. 9D) can be started.

図12は試料M上のストライプSTR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6に対して相対移動する図8〜図11に示す領域Aの軌跡を概略的に示した図である。図12において、矢印A1はストライプSTR1に関する可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動中における領域A(図8(A)〜図9(A)参照)の軌跡を示している。矢印A12はストライプSTR1に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置からストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動中における領域A(図9(A)〜図9(C)参照)の軌跡を示している。矢印A1’はストライプエンド信号(図2参照)が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置10のストライプSTR1内に荷電粒子ビーム10a1b(図9(A)参照)が最後に照射された後の無駄な可動ステージ10a2aの描画移動中における領域Aの軌跡を示している。   FIG. 12 is a diagram schematically showing the trajectory of the region A shown in FIGS. 8 to 11 that moves relative to the stripes STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, and STR6 on the sample M. FIG. In FIG. 12, an arrow A1 indicates the locus of the region A (see FIGS. 8A to 9A) during the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) regarding the stripe STR1. An arrow A12 indicates a region A during the return movement of the movable stage 10a2a to which the movable stage 10a2a is moved from the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR1 to the drawing movement start position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 (FIG. 9A). (See FIG. 9C). An arrow A1 ′ is useless after the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9A) is finally irradiated into the stripe STR1 of the conventional charged particle beam drawing apparatus 10 in which the stripe end signal (see FIG. 2) is not notified. The locus of the area A during the drawing movement of the movable stage 10a2a is shown.

また、図12において、矢印A2はストライプSTR2に関する可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動中における領域A(図9(C)〜図10(B)参照)の軌跡を示している。矢印A23はストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置からストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動中における領域A(図10(B)〜図10(D)参照)の軌跡を示している。矢印A2’はストライプエンド信号(図2参照)が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置10のストライプSTR2内に荷電粒子ビーム10a1b(図10(B)参照)が最後に照射された後の無駄な可動ステージ10a2aの描画移動中における領域Aの軌跡を示している。   In FIG. 12, an arrow A2 indicates the locus of the region A (see FIGS. 9C to 10B) during the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) regarding the stripe STR2. An arrow A23 indicates a region A during the return movement of the movable stage 10a2a to which the movable stage 10a2a is moved from the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 to the drawing movement start position of the movable stage 10a2a related to the stripe STR3 (FIG. 10B). (See FIG. 10D). An arrow A2 ′ is useless after the charged particle beam 10a1b (see FIG. 10B) is finally irradiated into the stripe STR2 of the conventional charged particle beam drawing apparatus 10 in which the stripe end signal (see FIG. 2) is not notified. The locus of the area A during the drawing movement of the movable stage 10a2a is shown.

更に、図12において、矢印A3はストライプSTR3に関する可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動中における領域A(図10(D)参照)の軌跡を示している。矢印A34はストライプSTR3に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置からストライプSTR4に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動中における領域Aの軌跡を示している。矢印A3’はストライプエンド信号(図2参照)が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置10のストライプSTR3内に荷電粒子ビーム10a1bが最後に照射された後の無駄な可動ステージ10a2aの描画移動中における領域Aの軌跡を示している。   Further, in FIG. 12, an arrow A3 indicates the locus of the region A (see FIG. 10D) during the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) regarding the stripe STR3. An arrow A34 indicates the locus of the area A during the return movement of the movable stage 10a2a to which the movable stage 10a2a is moved from the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR3 to the drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR4. . An arrow A3 ′ indicates that the useless movable stage 10a2a is being drawn and moved after the charged particle beam 10a1b is finally irradiated into the stripe STR3 of the conventional charged particle beam drawing apparatus 10 in which the stripe end signal (see FIG. 2) is not notified. The locus of region A is shown.

また、図12において、矢印A4はストライプSTR4に関する可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動中における領域Aの軌跡を示している。矢印A45はストライプSTR4に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置からストライプSTR5に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動中における領域Aの軌跡を示している。矢印A4’はストライプエンド信号(図2参照)が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置10のストライプSTR4内に荷電粒子ビーム10a1bが最後に照射された後の無駄な可動ステージ10a2aの描画移動中における領域Aの軌跡を示している。   In FIG. 12, an arrow A4 indicates the locus of the region A during the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) regarding the stripe STR4. An arrow A45 indicates the locus of the area A during the return movement of the movable stage 10a2a to which the movable stage 10a2a is moved from the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR4 to the drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR5. . An arrow A4 ′ indicates that the useless movable stage 10a2a is being drawn and moved after the charged particle beam 10a1b is finally irradiated into the stripe STR4 of the conventional charged particle beam drawing apparatus 10 in which the stripe end signal (see FIG. 2) is not notified. The locus of region A is shown.

更に、図12において、矢印A5はストライプSTR5に関する可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動中における領域Aの軌跡を示している。矢印A56はストライプSTR5に関する可動ステージ10a2aの描画移動停止位置からストライプSTR6に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置まで可動ステージ10a2aが移動せしめられる可動ステージ10a2aの折り返し移動中における領域Aの軌跡を示している。矢印A5’はストライプエンド信号(図2参照)が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置10のストライプSTR5内に荷電粒子ビーム10a1bが最後に照射された後の無駄な可動ステージ10a2aの描画移動中における領域Aの軌跡を示している。   Further, in FIG. 12, an arrow A5 indicates the locus of the area A during the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) regarding the stripe STR5. An arrow A56 indicates the locus of the area A during the return movement of the movable stage 10a2a to which the movable stage 10a2a is moved from the drawing movement stop position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR5 to the drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR6. . An arrow A5 ′ indicates that the useless movable stage 10a2a is being drawn and moved after the charged particle beam 10a1b is finally irradiated into the stripe STR5 of the conventional charged particle beam drawing apparatus 10 to which the stripe end signal (see FIG. 2) is not notified. The locus of region A is shown.

また、図12において、矢印A6はストライプSTR6に関する可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動中における領域Aの軌跡を示している。矢印A6’はストライプエンド信号(図2参照)が通知されない従来の荷電粒子ビーム描画装置10のストライプSTR6内に荷電粒子ビーム10a1bが最後に照射された後の無駄な可動ステージ10a2aの描画移動中における領域Aの軌跡を示している。   In FIG. 12, an arrow A6 indicates the locus of the area A during the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) regarding the stripe STR6. An arrow A6 ′ indicates that the useless movable stage 10a2a is being drawn and moved after the charged particle beam 10a1b is finally irradiated into the stripe STR6 of the conventional charged particle beam drawing apparatus 10 in which the stripe end signal (see FIG. 2) is not notified. The locus of region A is shown.

図8〜図12に示す例では、可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動要求(図2参照)と可動ステージ10a2aの折り返し移動要求(図2参照)とが分離されている。更に、ストライプSTR1に関する可動ステージ10a2a(図1参照)の描画移動開始時に、ストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの仮の描画移動開始位置を設定することができる。そのため、図8〜図12に示す例では、ストライプSTR2内に最初に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図9(D)参照)のショットデータが生成されておらず、ストライプSTR2に関する可動ステージ10a2aの描画移動開始位置(図9(C)参照)が決定していない状態で、ストライプSTR1に関する可動ステージ10a2aの描画移動を開始することができる。   In the example shown in FIGS. 8 to 12, the drawing movement request (see FIG. 2) of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) and the folding movement request (see FIG. 2) of the movable stage 10a2a are separated. Furthermore, the temporary drawing movement start position of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR2 can be set when the drawing movement of the movable stage 10a2a (see FIG. 1) with respect to the stripe STR1 is started. Therefore, in the examples shown in FIGS. 8 to 12, shot data of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9D) that is first irradiated into the stripe STR2 is not generated, and the movable stage 10a2a related to the stripe STR2 With the drawing movement start position (see FIG. 9C) not determined, the drawing movement of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR1 can be started.

また、図8〜図12に示す例では、ストライプSTR1内に最後に照射される荷電粒子ビーム10a1b(図9(A)参照)のショットデータにストライプエンドデータが付属されている。更に、そのストライプエンドデータが偏向制御部10b1e(図2参照)によって検出された時にステージ制御部10b1f(図2参照)に通知されるストライプエンド信号(図2参照)に基づき、図12中に矢印A1で示すようにストライプSTR1に関する可動ステージ10a2aの描画移動が停止され、図12中に矢印A12で示すように可動ステージ10a2aの折り返し移動が開始される。そのため、図8〜図12に示す例では、図12中に矢印A1’で示すように無駄なストライプSTR1に関する可動ステージ10a2aの描画移動が継続される場合よりも、可動ステージ10a2aの折り返し移動を早期に開始することができ、その結果、スループットを向上させることができる。   In the example shown in FIGS. 8 to 12, stripe end data is attached to shot data of the charged particle beam 10a1b (see FIG. 9A) that is finally irradiated into the stripe STR1. Further, based on the stripe end signal (see FIG. 2) notified to the stage controller 10b1f (see FIG. 2) when the stripe end data is detected by the deflection controller 10b1e (see FIG. 2), an arrow in FIG. The drawing movement of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR1 is stopped as indicated by A1, and the folding movement of the movable stage 10a2a is started as indicated by an arrow A12 in FIG. Therefore, in the example shown in FIGS. 8 to 12, the folding movement of the movable stage 10a2a is earlier than the case where the drawing movement of the movable stage 10a2a regarding the useless stripe STR1 is continued as shown by the arrow A1 ′ in FIG. As a result, throughput can be improved.

更に、図12に示す例では、図12中に矢印A6で示すストライプSTR6に関する可動ステージ10a2aの描画移動が停止された時に、折り返し移動要求格納部10b1f1(図2参照)に折り返し移動要求が格納されていない。そのため、ストライプSTR6に関する可動ステージ10a2aの描画移動が停止された後に可動ステージ10a2aの折り返し移動は実行されない。   Further, in the example shown in FIG. 12, when the drawing movement of the movable stage 10a2a related to the stripe STR6 indicated by the arrow A6 in FIG. 12 is stopped, the return movement request is stored in the return movement request storage unit 10b1f1 (see FIG. 2). Not. Therefore, the folding movement of the movable stage 10a2a is not executed after the drawing movement of the movable stage 10a2a with respect to the stripe STR6 is stopped.

図13は第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10の可動ステージ10a2aに載置された試料M上のストライプSTR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6に対して相対移動する領域Aの軌跡を概略的に示した図である。   FIG. 13 shows the locus of the region A that moves relative to the stripes STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, and STR6 on the sample M placed on the movable stage 10a2a of the charged particle beam drawing apparatus 10 of the third embodiment. FIG.

第1の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、図12に示すように、領域AがX軸のプラス側(図12の右側)からX軸のマイナス側(図12の左側)に向かってストライプSTR1,STR3,STR5に対して相対移動せしめられ、領域AがX軸のマイナス側(図12の左側)からX軸のプラス側(図12の右側)に向かってストライプSTR2,STR4,STR6に対して相対移動せしめられるが、第3の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置10では、代わりに、図13に示すように、領域AをX軸のマイナス側(図13の左側)からX軸のプラス側(図13の右側)に向かってストライプSTR1,STR2,STR3,STR4,STR5,STR6に対して相対移動させることも可能である。   In the charged particle beam lithography apparatus 10 of the first embodiment, as shown in FIG. 12, the region A is directed from the X axis plus side (right side in FIG. 12) toward the X axis minus side (left side in FIG. 12). The region A is moved relative to the stripes STR1, STR3, and STR5, and the region A moves from the negative side of the X axis (left side in FIG. 12) to the stripes STR2, STR4, and STR6 from the positive side of the X axis (right side in FIG. 12). However, in the charged particle beam drawing apparatus 10 of the third embodiment, instead, as shown in FIG. 13, the region A is moved from the negative side of the X axis (left side of FIG. 13) to the X axis. It is also possible to move relative to the stripes STR1, STR2, STR3, STR4, STR5, STR6 toward the plus side (right side in FIG. 13).

第4の実施形態では、上述した第1から第3の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。     In the fourth embodiment, the first to third embodiments described above can be appropriately combined.

10 荷電粒子ビーム描画装置
10a 描画部
10a1a 荷電粒子銃
10a1b 荷電粒子ビーム
10a1c,10a1d 偏向器
10a1e,10a1f 偏向器
10a2a 可動ステージ
10b 制御部
10b1 制御計算機
10b1a 描画制御部
10b1b JOB制御部
10b1c ショットデータ生成部
10b1d ショットバッファ
10b1e 偏向制御部
10b1f ステージ制御部
10b1f1 折り返し移動要求格納部
M 試料
STR1,STR2,STR3 ストライプ
STR4,STR5,STR6 ストライプ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Charged particle beam drawing apparatus 10a Drawing part 10a1a Charged particle gun 10a1b Charged particle beam 10a1c, 10a1d Deflector 10a1e Deflector 10a2a Movable stage 10b Control part 10b1 Control computer 10b1a Drawing control part 10b1b JOB control part 10b10b Shot data Shot buffer 10b1e Deflection control unit 10b1f Stage control unit 10b1f1 Folding movement request storage unit M Sample STR1, STR2, STR3 Stripe STR4, STR5, STR6 Stripe

Claims (5)

可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって試料上のストライプ内にパターンを描画する描画部と、
荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御するJOB制御部と、
荷電粒子ビームのショットデータを生成するショットデータ生成部と、
前記ショットデータ生成部によって生成されたショットデータを一時的に格納するショットバッファと、
前記ショットデータ生成部によって生成されたショットデータに基づくストライプ情報を前記ショットデータ生成部から受け取り、動作要求を繰り返して発行することによって描画を制御する描画制御部と、
前記描画制御部からの動作要求を受けて、前記ショットバッファに一時的に格納されていたショットデータに基づいて偏向器を制御する偏向制御部と、
前記描画制御部からの動作要求を受けて、可動ステージの移動を制御するステージ制御部と、
前記描画制御部から発行された可動ステージの折り返し移動要求を格納する折り返し移動要求格納部と、
第nストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが前記偏向制御部によって検出された時に、前記偏向制御部から前記ステージ制御部に第nストライプのストライプエンド信号を通知するストライプエンド信号通知手段と、
前記偏向制御部から前記ステージ制御部に通知された第nストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止する描画移動停止手段と、
可動ステージの描画移動の停止後に前記折り返し移動要求格納部を参照する折り返し移動要求格納部参照手段と、
前記折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行する折り返し移動実行手段と、
可動ステージの折り返し移動の終了後に第n+1ストライプ内にパターンを描画するために可動ステージの描画移動を開始する描画移動開始手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
The drawing area on the sample placed on the movable stage is virtually divided into a plurality of strip-shaped stripes, and the movable stage is moved in the longitudinal direction of the stripe. A drawing unit that draws a pattern in a stripe on a sample by a charged particle beam deflected by a vessel;
A JOB control unit that controls the entire drawing operation by the charged particle beam drawing apparatus;
A shot data generation unit for generating shot data of a charged particle beam;
A shot buffer for temporarily storing shot data generated by the shot data generation unit;
A drawing control unit that controls drawing by receiving stripe information based on shot data generated by the shot data generation unit from the shot data generation unit and repeatedly issuing operation requests;
In response to an operation request from the drawing controller, a deflection controller that controls the deflector based on shot data temporarily stored in the shot buffer;
In response to an operation request from the drawing controller, a stage controller that controls the movement of the movable stage;
A return movement request storage unit for storing a return movement request of the movable stage issued from the drawing control unit;
A stripe end signal of the nth stripe is sent from the deflection control unit to the stage control unit when stripe end data attached to shot data of the charged particle beam finally irradiated in the nth stripe is detected by the deflection control unit. Stripe end signal notifying means for notifying
A drawing movement stop means for stopping the drawing movement of the movable stage that is moved in the longitudinal direction of the stripe based on the stripe end signal of the nth stripe notified from the deflection control unit to the stage control unit;
A return movement request storage section reference means for referring to the return movement request storage section after stopping the drawing movement of the movable stage;
When the return movement request is stored in the return movement request storage unit, the return movement executing means for executing the return movement of the movable stage based on the return movement request so that the movable stage is moved at least in the short direction of the stripe. When,
A charged particle beam drawing apparatus comprising drawing movement start means for starting drawing movement of the movable stage in order to draw a pattern in the (n + 1) th stripe after completion of the return movement of the movable stage.
可動ステージに載置された試料上の描画領域が複数の短冊状のストライプに仮想分割され、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上のストライプ内にパターンが描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第nストライプ内にパターンを描画し、
第nストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータに付属するストライプエンドデータが偏向制御部によって検出された時に、偏向制御部からステージ制御部に第nストライプのストライプエンド信号を通知し、
偏向制御部からステージ制御部に通知された第nストライプのストライプエンド信号に基づいて、可動ステージがストライプの長手方向の移動せしめられる可動ステージの描画移動を停止し、
可動ステージの描画移動の停止後に折り返し移動要求格納部を参照し、
折り返し移動要求格納部に折り返し移動要求が格納されている場合に、折り返し移動要求に基づいて、可動ステージが少なくともストライプの短手方向に移動せしめられる可動ステージの折り返し移動を実行し、
可動ステージの折り返し移動の終了後、可動ステージがストライプの長手方向に移動せしめられる可動ステージの描画移動を開始し、
可動ステージの描画移動中に、荷電粒子銃から照射され偏向器により偏向された荷電粒子ビームによって、試料上の第n+1ストライプ内にパターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
The drawing area on the sample placed on the movable stage is virtually divided into a plurality of strip-shaped stripes, and the movable stage is moved in the longitudinal direction of the stripe. In a charged particle beam writing method in which a pattern is drawn in a stripe on a sample by a charged particle beam deflected by a vessel,
During the drawing movement of the movable stage in which the movable stage is moved in the longitudinal direction of the stripe, a pattern is drawn in the nth stripe on the sample by the charged particle beam irradiated from the charged particle gun and deflected by the deflector,
When the deflection control unit detects the stripe end data attached to the shot data of the charged particle beam that is finally irradiated in the nth stripe, the deflection control unit notifies the stage control unit of the stripe end signal of the nth stripe. ,
Based on the stripe end signal of the nth stripe notified from the deflection control unit to the stage control unit, the movable stage stops drawing movement of the movable stage that is moved in the longitudinal direction of the stripe,
Refer to the return movement request storage after the drawing movement of the movable stage stops,
When the return movement request is stored in the return movement request storage unit, based on the return movement request, the movable stage performs a return movement of the movable stage at least in the short direction of the stripe,
After the movable stage is turned back, the movable stage starts moving to draw the movable stage, which is moved in the longitudinal direction of the stripe.
A charged particle beam drawing method, wherein a pattern is drawn in an (n + 1) th stripe on a sample by a charged particle beam irradiated from a charged particle gun and deflected by a deflector during drawing movement of a movable stage.
第nストライプ内に最後に照射される荷電粒子ビームのショットデータの生成が終了する前に、試料上の第nストライプ内のパターンの描画を開始することを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。   3. The charging according to claim 2, wherein the drawing of the pattern in the n-th stripe on the sample is started before the generation of shot data of the charged particle beam finally irradiated in the n-th stripe is completed. Particle beam drawing method. 第nストライプに関する可動ステージの描画移動の実行中に、折り返し移動要求格納部に格納されている折り返し移動要求が変更された場合に、第n+1ストライプに関する可動ステージの描画移動開始位置を変更することを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。   When the folding movement request stored in the folding movement request storage unit is changed during the drawing movement of the movable stage relating to the nth stripe, the drawing movement start position of the movable stage relating to the (n + 1) th stripe is changed. The charged particle beam drawing method according to claim 3, wherein: 第nストライプに関する可動ステージの描画移動停止位置から第n+1ストライプに関する可動ステージの仮の描画移動開始位置まで可動ステージが移動せしめられる可動ステージの折り返し移動の実行中に、折り返し移動要求格納部に格納されている折り返し移動要求が変更された場合に、第n+1ストライプに関する可動ステージの描画移動開始位置を変更することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。   Stored in the return movement request storage unit during execution of the return movement of the movable stage in which the movable stage is moved from the drawing movement stop position of the movable stage related to the nth stripe to the temporary drawing start position of the movable stage related to the (n + 1) th stripe. 5. The charged particle beam drawing method according to claim 4, wherein the drawing movement start position of the movable stage with respect to the (n + 1) th stripe is changed when the return movement request is changed.
JP2009118506A 2009-05-15 2009-05-15 Charged particle beam writing method and apparatus Expired - Fee Related JP5408652B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009118506A JP5408652B2 (en) 2009-05-15 2009-05-15 Charged particle beam writing method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009118506A JP5408652B2 (en) 2009-05-15 2009-05-15 Charged particle beam writing method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010267844A JP2010267844A (en) 2010-11-25
JP5408652B2 true JP5408652B2 (en) 2014-02-05

Family

ID=43364560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009118506A Expired - Fee Related JP5408652B2 (en) 2009-05-15 2009-05-15 Charged particle beam writing method and apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5408652B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5586183B2 (en) * 2009-07-15 2014-09-10 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam writing method and apparatus
JP5797454B2 (en) 2011-05-20 2015-10-21 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method
JP5792513B2 (en) 2011-05-20 2015-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method
JP6350023B2 (en) * 2014-06-26 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam drawing apparatus and method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822937A (en) * 1994-07-06 1996-01-23 Fujitsu Ltd Electron beam exposure
JPH11329958A (en) * 1998-03-18 1999-11-30 Nikon Corp Charged particle beam aligner
JPH11274058A (en) * 1998-03-18 1999-10-08 Nikon Corp Charged particle beam aligner
JP2005072047A (en) * 2003-08-27 2005-03-17 Nikon Corp Exposure method
JP2006318977A (en) * 2005-05-10 2006-11-24 Toshiba Corp Electron beam drawing device, drawing method, drawing program
JP4174528B2 (en) * 2006-06-16 2008-11-05 株式会社東芝 Electron beam drawing apparatus and electron beam drawing method
JP4814805B2 (en) * 2007-01-25 2011-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam lithography system
JP2010118583A (en) * 2008-11-14 2010-05-27 Nuflare Technology Inc Charged particle beam lithography device and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010267844A (en) 2010-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5547567B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and control method thereof
US8563953B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JP5525798B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and method for correcting charging effect thereof
US8502175B2 (en) Charged particle beam pattern forming apparatus and charged particle beam pattern forming method
US7652271B2 (en) Charged-particle beam lithography with grid matching for correction of beam shot position deviation
US9268234B2 (en) Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam pattern writing method
JP5586183B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus
JP5408652B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus
JP5576332B2 (en) Electron beam exposure apparatus and electron beam exposure method
US9006691B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block
JP2013206996A (en) Charged particle beam lithography system and charged particle beam lithography method
JP5466416B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus
JP2010267907A (en) Charged particle beam drawing device and method of processing drawing data thereof
JP5475635B2 (en) Electron beam drawing apparatus and electron beam drawing method
JP2011077313A (en) Charged particle beam lithography apparatus and drawing data creating method of the same
US9117632B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JP2013004568A (en) Charged particle beam drawing apparatus, and charged particle beam drawing method
JP6781615B2 (en) Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method
JP2005302868A (en) Electronic beam plotting method and device
JP5403744B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus, charged particle beam drawing method, and charged particle beam drawing data processing apparatus
JP2011066216A (en) Charged particle beam drawing device and method
JP5530724B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and proximity effect correction method thereof
JP2012043972A (en) Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method
JP2012004413A (en) Charged particle beam drawing device and drawing method
JP5414043B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing data creation apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131007

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131015

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131030

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5408652

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees