JP2010285638A - Vapor deposition material for forming thin film, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet - Google Patents
Vapor deposition material for forming thin film, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010285638A JP2010285638A JP2009139172A JP2009139172A JP2010285638A JP 2010285638 A JP2010285638 A JP 2010285638A JP 2009139172 A JP2009139172 A JP 2009139172A JP 2009139172 A JP2009139172 A JP 2009139172A JP 2010285638 A JP2010285638 A JP 2010285638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- vapor deposition
- deposition material
- ceo
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 44
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000009820 dry lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Description
本発明は、透明性、ガスバリア性等の諸特性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートに関する。更に詳しくは、これらの諸特性に優れ、特に液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ又は太陽電池モジュール等のガスバリア材として好適な薄膜の形成に用いる蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートに関するものである。 The present invention relates to a vapor deposition material suitable for forming a thin film excellent in various properties such as transparency and gas barrier properties, a thin film sheet including the thin film, and a laminated sheet. More particularly, the present invention relates to a vapor deposition material used for forming a thin film suitable as a gas barrier material for a liquid crystal display, an organic EL display or a solar cell module, a thin film sheet including the thin film, and a laminated sheet. .
液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ或いは太陽電池等の機器は、一般に湿気に弱く、吸湿によって急速にその特性を劣化させるため、高防湿性、即ち酸素や水蒸気等の透過又は侵入を防止するガスバリア性を有する部品を装備することが不可欠である。 Devices such as liquid crystal displays, organic EL displays, or solar cells are generally sensitive to moisture and rapidly deteriorate their characteristics due to moisture absorption, so they have high moisture resistance, that is, gas barrier properties that prevent permeation or penetration of oxygen, water vapor, and the like. It is essential to equip the parts.
例えば、太陽電池の例では、太陽電池モジュールの受光面とは反対側の裏面にバックシートが設けられている。このバックシートは、基材に、高防湿性を有するガスバリア材と、それらを保護する部材等から構成されたものが代表的である。 For example, in the example of a solar cell, the back sheet is provided on the back surface opposite to the light receiving surface of the solar cell module. This back sheet is typically composed of a gas barrier material having high moisture resistance and a member for protecting them as a base material.
このような太陽電池モジュールを構成するバックシートとしては、例えば、高強度の耐熱性耐候性樹脂により防湿性金属箔をサンドイッチし、更にその一方にガラス質の蒸着皮膜を設けてなる太陽電池モジュールの裏面保護用シート材料が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。このシート材料では、ガスバリア材として、アルミニウム箔、亜鉛メッキ鉄箔、錫メッキ鉄箔等の金属箔が用いられている。また、高防湿フィルムと高耐候フィルムとを積層して一体化してなる太陽電池カバー材を、裏面側保護部材に用いた太陽電池が開示されている(例えば、特許文献2参照。)。この太陽電池カバー材における高防湿フィルムには、PETフィルム等の基材フィルムに、ガスバリア材として、CVD(化学蒸着)、PVD(反応蒸着)法等によってシリカ、アルミナ等の無機酸化物のコーティング膜よりなる防湿膜を形成したものが用いられている。また、無機酸化物層を呈するプラスチックフィルム又はプラスチック複合材からなるバリア層を備えた光起電モジュールが開示されている(例えば、特許文献3参照。)。この無機酸化物層には、酸化アルミニウム又は酸化珪素がそのコーティング材料として使用されている。 As a back sheet constituting such a solar cell module, for example, a solar cell module in which a moisture-proof metal foil is sandwiched by a high-strength heat-resistant weather-resistant resin and a glassy vapor-deposited film is provided on one of the moisture-proof metal foils. A sheet material for protecting the back surface is disclosed (for example, see Patent Document 1). In this sheet material, a metal foil such as an aluminum foil, a galvanized iron foil, or a tin-plated iron foil is used as a gas barrier material. Moreover, the solar cell which used the solar cell cover material formed by laminating | stacking and integrating a high moisture-proof film and a high weather resistance film for the back surface side protection member is disclosed (for example, refer patent document 2). The high moisture-proof film in this solar cell cover material is a coating film of inorganic oxides such as silica and alumina by a base film such as a PET film, a gas barrier material by CVD (chemical vapor deposition), PVD (reactive vapor deposition), etc. What formed the moisture-proof film | membrane which consists of is used. Moreover, the photovoltaic module provided with the barrier layer which consists of a plastic film or a plastic composite material which exhibits an inorganic oxide layer is disclosed (for example, refer patent document 3). In this inorganic oxide layer, aluminum oxide or silicon oxide is used as a coating material.
しかしながら、上記特許文献1に示された裏面保護用シート材料は、ガスバリア材として、アルミニウム箔等の金属箔が使用されているため、このシート材料を太陽電池モジュールのバックシートに適用すると、耐電圧性が低下し、電流がリークするおそれがある。また、金属箔を使用したシート材料は、金属箔の厚さが20μm以下になると、耐熱性耐候性樹脂と金属箔との間に発生するピンホールが増加し、ガスバリア性が著しく低下する。一方、金属箔の厚さを厚くすれば、製造コストが上がってしまうという問題が生じる。また、上記特許文献2及び3において使用されているシリカ、アルミナ等の無機酸化物の場合、高いガスバリア性を得るには膜の厚さを100nm以上確保しなければならず、それでもガスバリア性が十分であるとは言えない。 However, since the sheet material for back surface protection shown in Patent Document 1 uses a metal foil such as an aluminum foil as a gas barrier material, when this sheet material is applied to a back sheet of a solar cell module, a withstand voltage is obtained. May decrease and current may leak. Further, in the sheet material using the metal foil, when the thickness of the metal foil is 20 μm or less, pinholes generated between the heat resistant weather resistant resin and the metal foil are increased, and the gas barrier property is remarkably lowered. On the other hand, if the thickness of the metal foil is increased, there arises a problem that the manufacturing cost increases. In addition, in the case of inorganic oxides such as silica and alumina used in Patent Documents 2 and 3, the film thickness must be 100 nm or more in order to obtain high gas barrier properties, and the gas barrier properties are still sufficient. I can't say that.
本発明の目的は、透明性及びガスバリア性に優れた薄膜を形成するのに好適な蒸着材を提供することにある。 The objective of this invention is providing the vapor deposition material suitable for forming the thin film excellent in transparency and gas barrier property.
本発明の別の目的は、透明性及びガスバリア性に優れた薄膜を備える薄膜シート及び積層シートを提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a thin film sheet and a laminated sheet provided with a thin film excellent in transparency and gas barrier properties.
本発明の第1の観点は、ZnO粉末とCeO2粉末とを混合して作られた蒸着材において、ZnO粉末のZnO純度が98%以上であり、CeO2粉末のCeO2純度が98%以上であり、蒸着材がZnO粒子とCeO2粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中のCe元素の含有量が20質量%を超え80質量%以下であることを特徴とする。 According to a first aspect of the present invention, in a vapor deposition material made by mixing a ZnO powder and a CeO 2 powder, the ZnO powder has a ZnO purity of 98% or more, and the CeO 2 powder has a CeO 2 purity of 98% or more. The vapor deposition material is composed of pellets containing ZnO particles and CeO 2 particles, and the content of Ce element in the vapor deposition material is more than 20% by mass and 80% by mass or less.
本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更にZnO粒子の平均粒径が0.1〜10μmであることを特徴とする。 A second aspect of the present invention is an invention based on the first aspect, and is characterized in that the average particle diameter of ZnO particles is 0.1 to 10 μm.
本発明の第3の観点は、第1基材フィルム上にZn元素とCe元素を含む薄膜を形成してなり、薄膜中のCe元素の含有量が20質量%を超え80質量%以下である薄膜シートである。 The 3rd viewpoint of this invention forms the thin film containing Zn element and Ce element on the 1st base film, and the content of Ce element in a thin film exceeds 20 mass% and is 80 mass% or less. It is a thin film sheet.
本発明の第4の観点は、第3の観点に基づく発明であって、更に水蒸気透過度が0.2g/m2・day以下であることを特徴とする。 A fourth aspect of the present invention is an invention based on the third aspect, and further has a water vapor permeability of 0.2 g / m 2 · day or less.
本発明の第5の観点は、第3又は第4の観点の薄膜シートの薄膜形成側に接着層を介して第2基材フィルムを積層してなる積層シートである。 The 5th viewpoint of this invention is a lamination sheet formed by laminating | stacking a 2nd base film through the contact bonding layer on the thin film formation side of the thin film sheet of the 3rd or 4th viewpoint.
本発明の第1の観点の蒸着材では、ZnO粉末のZnO純度が98%以上であり、CeO2粉末のCeO2純度が98%以上であり、蒸着材がZnO粒子とCeO2粒子を含有するペレットからなり、蒸着材に含まれるCeO2粒子の平均粒径が0.05〜5μmであり、蒸着材中のCe元素の含有量が20質量%を超え80質量%以下であることにより、従来のガスバリア材よりも、ガスバリア性が大幅に向上する薄膜を形成することができる。 In the vapor deposition material according to the first aspect of the present invention, the ZnO powder has a ZnO purity of 98% or more, the CeO 2 powder has a CeO 2 purity of 98% or more, and the vapor deposition material contains ZnO particles and CeO 2 particles. The average particle diameter of CeO 2 particles contained in the vapor deposition material is 0.05 to 5 μm, and the content of Ce element in the vapor deposition material is more than 20% by mass and 80% by mass or less. It is possible to form a thin film whose gas barrier properties are significantly improved as compared with the gas barrier material.
本発明の第2の観点の蒸着材では、ZnO粒子の平均粒径が0.1〜10μmであることにより、蒸着効率の良い、稠密な蒸着膜に形成できるので、高いガスバリア性を維持し安定化させることができる。 In the vapor deposition material according to the second aspect of the present invention, since the ZnO particles have an average particle diameter of 0.1 to 10 μm, it can be formed into a dense vapor deposition film with good vapor deposition efficiency, and thus a high gas barrier property is maintained and stable. It can be made.
本発明の第3の観点の薄膜シートでは、薄膜中のCe元素の含有量が20質量%を超え80質量%以下である薄膜を備えることにより、優れた透明性及びガスバリア性を有する。 The thin film sheet according to the third aspect of the present invention has excellent transparency and gas barrier properties by including a thin film in which the content of Ce element in the thin film is more than 20% by mass and 80% by mass or less.
本発明の第4の観点の薄膜シートでは、水蒸気透過度が0.2g/m2・day以下という非常に高く、かつ時間経過による劣化が少ないガスバリア性を有する。 The thin film sheet according to the fourth aspect of the present invention has a gas barrier property that has a very high water vapor permeability of 0.2 g / m 2 · day or less and little deterioration over time.
本発明の第5の観点の積層シートでは、第3又は4の観点の薄膜シートの薄膜形成側に、更に接着層を介して第2基材フィルムが積層する構造をとる。これにより、第2基材フィルムが薄膜を保護できるため、高いガスバリア性を維持し安定化させることができる。 The laminated sheet according to the fifth aspect of the present invention has a structure in which a second base film is further laminated on the thin film forming side of the thin film sheet according to the third or fourth aspect via an adhesive layer. Thereby, since a 2nd base film can protect a thin film, high gas barrier property can be maintained and stabilized.
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。本発明の蒸着材は、薄膜の形成に好適に用いることができる。この蒸着材を用いて形成される薄膜は、酸素や水蒸気等の透過又は侵入を防止するガスバリア材として機能するものである。 Next, an embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. The vapor deposition material of this invention can be used suitably for formation of a thin film. The thin film formed using this vapor deposition material functions as a gas barrier material that prevents permeation or penetration of oxygen, water vapor, or the like.
この蒸着材は、ZnO粉末とCeO2粉末とを混合して作られる。蒸着材の作製に用いるZnO粉末のZnO純度は98%以上、好ましくは98.4%以上であり、CeO2粉末のCeO2純度は98%以上、好ましくは99.5%以上である。ここで、ZnO粉末におけるZnO純度を98%以上に限定したのは、98%未満では不純物の影響でZnO膜の導電性の低下をもたらすからである。また、CeO2粉末のCeO2純度を98%以上に限定したのは、不純物により結晶性が悪化し、結果的にバリア特性が低下する理由からである。なお、本明細書における粉末の純度とは、分光分析法(誘導結合プラズマ発光分析装置:日本ジャーレルアッシュ製 ICAP−88)によって測定したものである。また、この蒸着材は、ZnO粒子とCeO2粒子を含有する多結晶ペレットからなり、その相対密度は90%以上、好ましくは95%以上であることが好ましい。相対密度を90%以上とするのは、90%未満では成膜時のスプラッシュが増大するからである。なお、この実施の形態では、ペレットの組織を多結晶としたが、単結晶であってもよい。 This vapor deposition material is made by mixing ZnO powder and CeO 2 powder. The ZnO purity of the ZnO powder used for producing the vapor deposition material is 98% or more, preferably 98.4% or more, and the CeO 2 purity of the CeO 2 powder is 98% or more, preferably 99.5% or more. Here, the reason why the ZnO purity in the ZnO powder is limited to 98% or more is that if it is less than 98%, the conductivity of the ZnO film is lowered due to the influence of impurities. The reason why the CeO 2 purity of the CeO 2 powder is limited to 98% or more is that the crystallinity is deteriorated by the impurities, and as a result, the barrier characteristics are lowered. In addition, the purity of the powder in this specification is measured by a spectroscopic analysis method (inductively coupled plasma emission analyzer: ICAP-88 manufactured by Nippon Jarrell Ash). Further, the deposition material is made of polycrystalline pellets containing ZnO particles and CeO 2 particles, the relative density of 90% or more, and a preferably 95% or more. The reason why the relative density is 90% or more is that if it is less than 90%, the splash during film formation increases. In this embodiment, the pellet structure is polycrystalline, but it may be a single crystal.
また、この蒸着材に含まれるCeO2粒子の平均粒径は0.05〜5μmであり、蒸着材中のCe元素の含有量が20質量%を超え80質量%以下である。このように微細化したCeO2粒子を所定の割合で含有させることにより、この蒸着材を用いて形成される膜に、高いガスバリア性を発現させることができる。 The average particle size of CeO 2 particles contained in this vapor deposition material is 0.05 to 5 [mu] m, the content of Ce element in the deposition material is not more than 80 wt% exceeded 20 mass%. By containing such refined CeO 2 particles in a predetermined ratio, a high gas barrier property can be expressed in a film formed using this vapor deposition material.
その技術的な理由は、通常、CeO2粒子等を含まない又はその含有量が少ない蒸着材を用いて形成されるZnOの膜は、図2に示すように柱状晶の結晶がガスの浸透方向に対して平行に集合した構造になる。一方、微細化したCeO2粒子を所定量含有させた蒸着材を用いて形成された膜は、図3に示すように、柱状晶の一部が崩れ、緻密な微細構造になる。このように、結晶構造が柱状晶ではなく、水分等の透過又は侵入を防ぐのに好適な構造に成膜されることによって、ガスバリア性が向上するものと推定される。また、含有するCeO2粒子が微細化されていれば、蒸着法により膜を成長させる際に、僅かな電子ビーム又はプラズマの量で成膜できるため、緻密な膜が形成でき、これによりガスバリア性が向上するとも考えられる。ここで、蒸着材、即ちペレットに含まれるCeO2粒子の平均粒径を上記範囲に限定したのは、CeO2粒子の平均粒径が下限値未満では、蒸着材の製造工程において、粉末の凝集が著しくなり、均一な混合が妨げられるからであり、上限値を超えると、ガスバリア性向上に寄与する擬似固容体を形成する効果が十分に得られないからである。このうち、CeO2粒子の平均粒径は0.1〜0.5μmの範囲内であることが好ましい。一方、蒸着材に含まれるZnO粒子の平均粒径は、0.05〜5μmであることが好ましい。なお、本明細書中、平均粒径とは、レーザー回折・散乱法(マイクロトラック法)に従い、日機装社製(FRA型)を用い、分散媒としてヘキサメタりん酸Naを使用し、1回の測定時間を30秒として3回測定した値を平均化したものである。 The technical reason is that the ZnO film, which is usually formed using a vapor deposition material that does not contain CeO 2 particles or the like or has a low content, has a columnar crystal as shown in FIG. It becomes a structure gathered in parallel to. On the other hand, as shown in FIG. 3, a film formed using a vapor deposition material containing a predetermined amount of refined CeO 2 particles collapses a part of columnar crystals and has a fine microstructure. As described above, it is presumed that the gas barrier property is improved by forming the film in a structure suitable for preventing permeation or intrusion of moisture or the like instead of the columnar crystal. Further, if the contained CeO 2 particles are miniaturized, a dense film can be formed because the film can be formed with a slight amount of electron beam or plasma when the film is grown by vapor deposition. Is also considered to improve. Here, the deposition material, i.e. the average particle size of CeO 2 particles contained in the pellets is limited within the above range, the average particle size is less than the lower limit of CeO 2 particles in the manufacturing process of the deposition material, agglomeration of the powder If the upper limit is exceeded, the effect of forming a pseudo solid solution that contributes to improving the gas barrier properties cannot be obtained sufficiently. Among these, it is preferable that the average particle size of CeO 2 particles is in the range of 0.1 to 0.5 [mu] m. On the other hand, the average particle diameter of ZnO particles contained in the vapor deposition material is preferably 0.05 to 5 μm. In the present specification, the average particle size is measured once by using Nikkiso Co., Ltd. (FRA type) according to the laser diffraction / scattering method (microtrack method) and using sodium hexametaphosphate as a dispersion medium. Values obtained by averaging three times with a time of 30 seconds are averaged.
また、蒸着材に含まれるCe元素の含有量を上記範囲に限定したのは、Ce元素の含有量が20質量%以下ではCeO2粒子の含有量が少なくなりすぎるため、緻密な微細構造を有する薄膜が形成できず、一方、80質量%を超えるとCeO2粒子の含有量が多くなりすぎて、導電性が得られなくなるからである。 In addition, the content of Ce element contained in the vapor deposition material is limited to the above range because the content of CeO 2 particles is too small when the content of Ce element is 20% by mass or less, and thus has a dense microstructure. This is because a thin film cannot be formed. On the other hand, when the content exceeds 80% by mass, the content of CeO 2 particles becomes too large to obtain conductivity.
本発明の蒸着材を用いて形成される薄膜は、高いガスバリア性を有することから、太陽電池のバックシートを構成する防湿膜等のガスバリア材の用途の他に、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ又は照明用有機ELディスプレイ等のガスバリア材としても好適に利用できる。また、この薄膜は、透過率が85〜97%程度の透明性を有するため、高いガスバリア性が要求され、なおかつ光の透過が要求されるような部材、例えば、太陽電池の受光面側や、ディスプレイの画像視覚側等に用いられるガスバリア材等としても好適である。また、比抵抗1〜1×106Ωcmの適度な導電性を有するため、巻かれた状態にあるシートを解いて使用する際、静電気等の発生を防止する効果を付与することができるので、この薄膜を備えるシート等はホコリ等を寄せ付けず、取扱い作業性にも優れる。 Since the thin film formed using the vapor deposition material of the present invention has a high gas barrier property, in addition to the use of a gas barrier material such as a moisture-proof film constituting a back sheet of a solar cell, a liquid crystal display, an organic EL display, or an illumination It can also be suitably used as a gas barrier material for organic EL displays. Moreover, since this thin film has a transparency of about 85 to 97%, a member that requires a high gas barrier property and requires light transmission, for example, a light receiving surface side of a solar cell, It is also suitable as a gas barrier material used on the image viewing side of the display. In addition, since it has an appropriate conductivity of 1 to 1 × 10 6 Ωcm, it can give an effect of preventing the occurrence of static electricity when unwinding and using a sheet in a wound state. A sheet or the like provided with this thin film does not attract dust or the like and is excellent in handling workability.
次に、本発明の蒸着材の製造方法を焼結法により作製する場合を代表して説明する。先ず純度が98%以上の高純度ZnO粉末と、純度が98%以上の高純度CeO2粉末と、バインダと、有機溶媒とを混合して、濃度が30〜75質量%のスラリーを調製する。好ましくは40〜65質量%のスラリーを調製する。なお、ZnO粉末とCeO2粉末は、製造後の蒸着材に含まれるCe元素の含有量が上記範囲を満たすように調整し混合する。スラリーの濃度を30〜75質量%に限定したのは、75質量%を越えると上記スラリーが非水系であるため、安定した混合造粒が難しい問題点があり、30質量%未満では均一な組織を有する緻密な焼結体が得られないからである。使用するZnO粉末の平均粒径は0.1〜10μmの範囲内にあることが好ましい。ZnO粉末の平均粒径を上記範囲内に規定したのは、下限値未満では、粉末の凝集が著しくなり、上限値を超えると製造される蒸着材において、CeO2との擬似固容体を形成する効果が十分に得られないからである。また、使用するCeO2粉末の平均粒径は、製造後の蒸着材に含まれるCeO2粒子の平均粒径を上述した範囲に調整する理由から、0.05〜5μmの範囲内とするのが好ましい。 Next, the manufacturing method of the vapor deposition material of the present invention will be described as a representative case where it is produced by a sintering method. First, a high-purity ZnO powder having a purity of 98% or more, a high-purity CeO 2 powder having a purity of 98% or more, a binder, and an organic solvent are mixed to prepare a slurry having a concentration of 30 to 75% by mass. Preferably, a slurry of 40 to 65% by mass is prepared. The ZnO powder and the CeO 2 powder are adjusted and mixed so that the content of Ce element contained in the vapor deposition material after manufacture satisfies the above range. The reason why the concentration of the slurry is limited to 30 to 75% by mass is that when the content exceeds 75% by mass, the slurry is non-aqueous, so there is a problem that stable mixed granulation is difficult. This is because a dense sintered body having the above cannot be obtained. The average particle size of the ZnO powder used is preferably in the range of 0.1 to 10 μm. The reason why the average particle diameter of the ZnO powder is defined within the above range is that the powder is agglomerated significantly below the lower limit, and forms a pseudo-solid body with CeO 2 in the deposited material when the upper limit is exceeded. This is because a sufficient effect cannot be obtained. The average particle size of CeO 2 powder used is, for reasons of adjusting the average particle diameter of the CeO 2 particles contained in the deposition material after fabrication to the above-mentioned range, that in the range of 0.05~5μm preferable.
バインダとしてはポリエチレングリコールやポリビニールブチラール等を、有機溶媒としてはエタノールやプロパノール等を用いることが好ましい。バインダは0.2〜5.0質量%添加することが好ましい。 It is preferable to use polyethylene glycol or polyvinyl butyral as the binder, and ethanol or propanol as the organic solvent. The binder is preferably added in an amount of 0.2 to 5.0% by mass.
また高純度粉末とバインダと有機溶媒との湿式混合、特に高純度粉末と分散媒である有機溶媒との湿式混合は、湿式ボールミル又は撹拌ミルにより行われる。湿式ボールミルでは、ZrO2製ボールを用いる場合には、直径5〜10mmの多数のZrO2製ボールを用いて8〜24時間、好ましくは20〜24時間湿式混合される。ZrO2製ボールの直径を5〜10mmと限定したのは、5mm未満では混合が不十分となることからであり、10mmを越えると不純物が増える不具合があるからである。また混合時間が最長24時間と長いのは、長時間連続混合しても不純物の発生が少ないからである。 The wet mixing of the high purity powder, the binder, and the organic solvent, particularly the wet mixing of the high purity powder and the organic solvent that is the dispersion medium is performed by a wet ball mill or a stirring mill. In the wet ball mill, when ZrO 2 balls are used, wet mixing is performed for 8 to 24 hours, preferably 20 to 24 hours, using a large number of ZrO 2 balls having a diameter of 5 to 10 mm. The reason why the diameter of the ZrO 2 balls is limited to 5 to 10 mm is that mixing is insufficient when the diameter is less than 5 mm, and there is a problem that impurities increase when the diameter exceeds 10 mm. The reason why the mixing time is as long as 24 hours is that the generation of impurities is small even if the mixing is continued for a long time.
撹拌ミルでは、直径1〜3mmのZrO2製ボールを用いて0.5〜1時間湿式混合される。ZrO2製ボールの直径を1〜3mmと限定したのは、1mm未満では混合が不十分となることからであり、3mmを越えると不純物が増える不具合があるからである。また混合時間が最長1時間と短いのは、1時間を越えると原料の混合のみならずボール自体が摩損するため、不純物の発生の原因となり、また1時間もあれば十分に混合できるからである。 In the stirring mill, wet mixing is performed for 0.5 to 1 hour using a ZrO 2 ball having a diameter of 1 to 3 mm. The reason why the diameter of the ZrO 2 balls is limited to 1 to 3 mm is that mixing is insufficient when the diameter is less than 1 mm, and there is a problem that impurities increase when the diameter exceeds 3 mm. Also, the mixing time is as short as 1 hour at maximum, because if the time exceeds 1 hour, not only the mixing of the raw materials but also the balls themselves are worn out, which causes the generation of impurities and can be sufficiently mixed in 1 hour. .
次に上記スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が50〜250μm、好ましくは50〜200μmの混合造粒粉末を得る。この造粒粉末を所定の型に入れて所定の圧力で成形する。上記噴霧乾燥はスプレードライヤを用いて行われることが好ましく、所定の型は一軸プレス装置又は冷間静水圧(CIP;Cold Isostatic Press)成形装置が用いられる。一軸プレス装置では、造粒粉末を750〜2000kg/cm2(73.55〜196.1MPa)、好ましくは1000〜1500kg/cm2(98.1〜147.1MPa)の圧力で一軸加圧成形し、CIP成形装置では、造粒粉末を1000〜3000kg/cm2(98.1〜294.2MPa)、好ましくは1500〜2000kg/cm2(147.1〜196.1MPa)の圧力でCIP成形する。圧力を上記範囲に限定したのは、成形体の密度を高めるとともに焼結後の変形を防止し、後加工を不要にするためである。 Next, the slurry is spray-dried to obtain a mixed granulated powder having an average particle size of 50 to 250 μm, preferably 50 to 200 μm. This granulated powder is put into a predetermined mold and molded at a predetermined pressure. The spray drying is preferably performed using a spray dryer, and the predetermined mold is a uniaxial press apparatus or a cold isostatic press (CIP) molding apparatus. In uniaxial pressing apparatus, granulated powder 750~2000kg / cm 2 (73.55~196.1MPa), preferably uniaxial pressing at a pressure of 1000~1500kg / cm 2 (98.1~147.1MPa) In the CIP molding apparatus, the granulated powder is CIP molded at a pressure of 1000 to 3000 kg / cm 2 (98.1 to 294.2 MPa), preferably 1500 to 2000 kg / cm 2 (147.1 to 196.1 MPa). The reason why the pressure is limited to the above range is to increase the density of the molded body, prevent deformation after sintering, and eliminate the need for post-processing.
更に成形体を所定の温度で焼結する。焼結は大気、不活性ガス、真空又は還元ガス雰囲気中で1000℃以上、好ましくは1200〜1400℃の温度で1〜10時間、好ましくは2〜5時間行う。これにより相対密度が90%以上のペレットが得られる。上記焼結は大気圧下で行うが、ホットプレス(HP)焼結や熱間静水圧プレス(HIP;Hot Isostatic Press)焼結のように加圧焼結を行う場合には、不活性ガス、真空又は還元ガス雰囲気中で1000℃以上の温度で1〜5時間行うことが好ましい。 Further, the compact is sintered at a predetermined temperature. Sintering is carried out at a temperature of 1000 ° C. or higher, preferably 1200 to 1400 ° C. for 1 to 10 hours, preferably 2 to 5 hours in the atmosphere, inert gas, vacuum or reducing gas atmosphere. Thereby, a pellet having a relative density of 90% or more is obtained. The above sintering is performed at atmospheric pressure, but when performing pressure sintering such as hot press (HP) sintering or hot isostatic press (HIP) sintering, an inert gas, It is preferable to carry out at a temperature of 1000 ° C. or higher for 1 to 5 hours in a vacuum or a reducing gas atmosphere.
続いて、本発明の薄膜シート及び積層シートについて、その製造方法とともに説明する。図1に示すように、本発明の薄膜シート10は、第1基材フィルム11と、好ましくは上記蒸着材を用いて形成された本発明の薄膜12を有する。そして、本発明の積層シート20は、上記本発明の薄膜シート10と、この薄膜シート10の薄膜形成側に接着層13を介して接着された第2基材フィルム14とを有する。
Subsequently, the thin film sheet and the laminated sheet of the present invention will be described together with the manufacturing method thereof. As shown in FIG. 1, a
第1基材フィルム11及び第2基材フィルム14は、長時間の高温高湿度環境試験に耐え得る機械的強度や耐候性等を有するものが好ましい。例えば、ポリエチレンテレフテレート(PET)、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、トリアセチルセルロース(TAC)、環状オレフィン(コ)ポリマー等の樹脂フィルムが挙げられる。これらの樹脂フィルムは、必要に応じて難燃剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤等が配合されていても構わない。第1基材フィルム11及び第2基材フィルム14の厚さは、好ましくは5〜300μm、更に好ましくは10〜150μmである。
It is preferable that the first base film 11 and the
この第1基材フィルム11上に、好ましくは上述した本発明の蒸着材を用いて、ガスバリア材としての薄膜12が形成される。薄膜12中のCe元素の含有量は、20質量%を超え80質量%以下である。薄膜12中のCe元素の含有量が20質量%以下ではCe元素の含有量が少なくなりすぎるために、ガスバリア性を向上させるための緻密な微細構造には成り得ず、一方、80質量%を超えるとCe元素の含有量が多くなりすぎて、導電性が得られなくなるからである。膜厚は10〜200nmの範囲内が好ましい。下限値未満では、ガスバリア材としての十分なガスバリア性が得られ難く、また、膜の耐久性が低下しやすい。一方、上限値を超えると材料が無駄になり、また、厚み効果により、折り曲げ等の外力によるクラックが生じやすくなる。このうち、薄膜12の厚さは、20〜100nmの範囲内が特に好ましい。蒸着材を用いた薄膜12の形成方法としては、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法又は反応性プラズマ蒸着法等が挙げられる。このうち、密着性が良好で、高密度、低欠陥な薄膜の成膜が可能であること、また、基体温度を上げなくても結晶性の良い膜が得られること、更に、蒸着材と膜の組成ずれが生じにくいこと等の理由から、反応性プラズマ蒸着法が好ましい。
A
なお、図1には図示しないが、第1基材フィルム11上には薄膜12との密着強度を向上させるため、必要に応じて、アクリルポリオール、イソシアネート、シランカップリング剤からなるプライマーコーティング層を設けるか、或いは蒸着工程前にプラズマ等を用いた表面処理を施しても構わない。
In addition, although not shown in FIG. 1, in order to improve the adhesive strength with the
一方、形成した薄膜12表面が剥き出しの状態では、シートを取扱う際に、膜の表面にキズがついたり、こすれたりすると、ガスバリア性に大きな影響を与える。そのため、薄膜12上には、図示しない薄膜12表面を保護するガスバリア性被膜等を設けるのが好ましい。このガスバリア性被膜は、例えばアルコキシル基を有するケイ素化合物、チタン化合物、ジルコニア化合物、錫化合物又はその加水分解物と水酸基を有する水溶性高分子とを混合した溶液を、薄膜12表面に塗布した後、加熱乾燥して形成することができる。このガスバリア性被膜は、薄膜12の保護層として機能するだけではなく、ガスバリア性を向上させる効果も有する。
On the other hand, when the surface of the formed
このように形成された本発明の薄膜シート10は、水蒸気透過度が0.2g/m2・day以下を示す。即ちこの薄膜シート10は、非常に高く、かつ時間経過による劣化が少ないガスバリア性を有する。
The
更に、本発明の積層シート20では、上記本発明の薄膜シート10の薄膜形成側、即ち薄膜12上又は上記ガスバリア性被膜上に、接着層13が形成され、この接着層13は、薄膜12が形成された第1基材フィルム11と第2基材フィルム14とを貼り合わせるための接着剤として機能するものである。そのため、接着強度が長期間にわたって劣化せず、デラミネーション等を生じないこと、また、黄変しないこと等の条件が必要であり、例えばポリウレタン系、ポリエステル系、ポリエステル−ポリウレタン系、ポリカーボネート系、ポリエポキシ−アミン系、ホットメルト系接着剤等が挙げられる。接着層13の積層方法は、ドライラミネート法等の公知の方法で積層することができる。
Furthermore, in the
この接着層13上に第2基材フィルム14を接着して貼り合わせることにより、積層シート20が完成する。なお、薄膜12と接着層13は、図1に示すように、それぞれが1層ずつ積層したものに限定する必要はなく、薄膜12と接着層13を交互に、或いは薄膜12、上記ガスバリア性被膜等の他の部材及び接着層13を交互又はランダムに積層した2〜10層の複層としても良い。これにより、更にガスバリア性や耐候性も向上させることができる。
The
この積層シート20は、太陽電池モジュールのバックシート、液晶ディスプレイ又は有機ELディスプレイ又は照明用有機ELディスプレイ等の用途として好適に利用できる。
This
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。 Next, examples of the present invention will be described in detail together with comparative examples.
<実施例1>
先ず、純度が99.7%の高純度ZnO粉末と、純度が99.5%の高純度CeO2粉末と、バインダと、有機溶媒を用意し、これらをボールミルによる湿式混合により混合して、濃度が40質量%のスラリーを調製した。このとき、ZnO粉末は平均粒径が1.2μm、CeO2粉末は平均粒径が0.5μmのものを使用した。また、CeO2粉末の混合量は、形成後の蒸着材に含まれるCe元素が、25質量%となるように調整した。
<Example 1>
First, a high-purity ZnO powder having a purity of 99.7%, a high-purity CeO 2 powder having a purity of 99.5%, a binder, and an organic solvent are prepared, and these are mixed by wet mixing using a ball mill. A slurry of 40% by mass was prepared. At this time, ZnO powder having an average particle diameter of 1.2 μm and CeO 2 powder having an average particle diameter of 0.5 μm were used. Moreover, the mixing amount of the CeO 2 powder was adjusted so that the Ce element contained in the vapor deposition material after formation was 25% by mass.
次に、調製したスラリーをスプレードライヤを用いて噴霧乾燥し、平均粒径が200μmの混合造粒粉末を得た後、この造粒粉末を所定の型に入れて一軸プレス装置によりプレス成形した。得られた成形体を、大気雰囲気中1300℃の温度で5時間焼結させて、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるZnO粒子及びCeO2粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるCe元素の含有量を以下の表1に示す。 Next, the prepared slurry was spray-dried using a spray dryer to obtain a mixed granulated powder having an average particle size of 200 μm, and the granulated powder was put into a predetermined mold and press-molded by a uniaxial press machine. The obtained molded body was sintered in an air atmosphere at a temperature of 1300 ° C. for 5 hours to obtain a vapor deposition material. Table 1 below shows the average particle diameters of ZnO particles and CeO 2 particles contained in the obtained vapor deposition material, and the content of Ce element contained in the vapor deposition material.
<実施例2>
CeO2粉末の混合量を、形成後の蒸着材に含まれるCe元素が、40質量%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるZnO粒子及びCeO2粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるCe元素の含有量を以下の表1に示す。
<Example 2>
A vapor deposition material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the mixing amount of the CeO 2 powder was adjusted so that the Ce element contained in the vapor deposition material after formation was 40% by mass. Table 1 below shows the average particle diameters of ZnO particles and CeO 2 particles contained in the obtained vapor deposition material, and the content of Ce element contained in the vapor deposition material.
<実施例3>
CeO2粉末の混合量を、形成後の蒸着材に含まれるCe元素が、60質量%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるZnO粒子及びCeO2粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるCe元素の含有量を以下の表1に示す。
<Example 3>
A vapor deposition material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the mixing amount of the CeO 2 powder was adjusted so that the Ce element contained in the vapor deposition material after formation was 60% by mass. Table 1 below shows the average particle diameters of ZnO particles and CeO 2 particles contained in the obtained vapor deposition material, and the content of Ce element contained in the vapor deposition material.
<実施例4>
CeO2粉末の混合量を、形成後の蒸着材に含まれるCe元素が、80質量%となるように調整したこと以外は、実施例1と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるZnO粒子及びCeO2粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるCe元素の含有量を以下の表1に示す。
<Example 4>
A vapor deposition material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the mixing amount of the CeO 2 powder was adjusted so that the Ce element contained in the vapor deposition material after formation was 80% by mass. Table 1 below shows the average particle diameters of ZnO particles and CeO 2 particles contained in the obtained vapor deposition material, and the content of Ce element contained in the vapor deposition material.
<比較例1>
CeO2粉末を混合せずに調整したこと以外は、実施例1と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるZnO粒子の平均粒径を以下の表1に示す。
<Comparative Example 1>
Except that adjusted without mixing the CeO 2 powder, as in Example 1 to obtain a vapor deposition material. The average particle diameter of ZnO particles contained in the obtained vapor deposition material is shown in Table 1 below.
<比較例2>
CeO2粉末の混合量を、形成後の蒸着材に含まれるCe元素が、100質量%(ただし、不可避不純物を除く。)となるように調整したこと以外は、実施例1と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるZnO粒子及びCeO2粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるCe元素の含有量を以下の表1に示す。
<Comparative example 2>
Vapor deposition was performed in the same manner as in Example 1, except that the amount of CeO 2 powder was adjusted so that the Ce element contained in the vapor deposition material after formation was 100% by mass (excluding inevitable impurities). The material was obtained. Table 1 below shows the average particle diameters of ZnO particles and CeO 2 particles contained in the obtained vapor deposition material, and the content of Ce element contained in the vapor deposition material.
<比較例3>
ZnO粉末及びCeO2粉末の代わりに平均粒径が0.8μmのSiO2粉末を使用し、SiO2粉末の混合量を、形成後の蒸着材に含まれるSi元素が、100質量%(ただし、不可避不純物を除く。)となるように調整したこと以外は、実施例1と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるSiO2粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるSi元素の含有量を以下の表1に示す。
<Comparative Example 3>
Instead of ZnO powder and CeO 2 powder, SiO 2 powder having an average particle diameter of 0.8 μm is used, and the mixing amount of SiO 2 powder is changed to 100% by mass of Si element contained in the deposited material after formation (however, A vapor deposition material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the inevitable impurities were excluded. The average particle diameter of SiO 2 particles contained in the obtained vapor deposition material and the content of Si element contained in the vapor deposition material are shown in Table 1 below.
実施例1〜4及び比較例1〜3で得られた蒸着材を用いて、厚さ75μmのPETフィルム上に蒸着を行い、薄膜シートを形成した。これらの薄膜シートについて、水蒸気透過度を測定し、ガスバリア性を評価した。これらの結果を以下の表2に示す。
Using the vapor deposition materials obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, vapor deposition was performed on a PET film having a thickness of 75 μm to form a thin film sheet. About these thin film sheets, water vapor permeability was measured and gas barrier property was evaluated. These results are shown in Table 2 below.
具体的には、薄膜シートを室温で1時間放置した場合と、温度85℃、相対湿度85%RHの条件で1000時間放置した場合について、その後の水蒸気透過度を、MOCON社製の水蒸気透過率測定装置(型名:PERMATRAN−Wタイプ3/33)を用いて、温度40℃、相対湿度90%RHにおける水蒸気透過度を測定した。 Specifically, when the thin film sheet is allowed to stand for 1 hour at room temperature and when it is left for 1000 hours under the conditions of a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% RH, the water vapor transmission rate after that is determined as the water vapor transmission rate manufactured by MOCON. Using a measuring device (model name: PERMATRAN-W type 3/33), water vapor permeability at a temperature of 40 ° C. and a relative humidity of 90% RH was measured.
10 薄膜シート
11 第1基材フィルム
12 薄膜
13 接着層
14 第2基材フィルム
20 積層シート
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記ZnO粉末のZnO純度が98%以上であり、
前記CeO2粉末のCeO2純度が98%以上であり、
前記蒸着材がZnO粒子とCeO2粒子を含有するペレットからなり、
前記蒸着材に含まれるCeO2粒子の平均粒径が0.05〜5μmであり、
前記蒸着材中のCe元素の含有量が20質量%を超え80質量%以下であることを特徴とする蒸着材。 In a vapor deposition material made by mixing ZnO powder and CeO 2 powder,
ZnO purity of the ZnO powder is 98% or more,
CeO 2 purity of the CeO 2 powder is 98% or more,
The vapor deposition material consists of pellets containing ZnO particles and CeO 2 particles,
The average particle diameter of CeO 2 particles contained in the vapor deposition material is 0.05 to 5 μm,
The vapor deposition material, wherein the content of Ce element in the vapor deposition material is more than 20% by mass and 80% by mass or less.
前記薄膜中のCe元素の含有量が20質量%を超え80質量%以下である薄膜シート。 Forming a thin film containing Zn and Ce elements on the first substrate film;
A thin film sheet in which the content of Ce element in the thin film is more than 20% by mass and 80% by mass or less.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009139172A JP5519959B2 (en) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | Laminated sheet |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009139172A JP5519959B2 (en) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | Laminated sheet |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010285638A true JP2010285638A (en) | 2010-12-24 |
JP5519959B2 JP5519959B2 (en) | 2014-06-11 |
Family
ID=43541561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009139172A Expired - Fee Related JP5519959B2 (en) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | Laminated sheet |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5519959B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102621048A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 三菱综合材料株式会社 | Method for evaluating vapor blocking performance |
CN102628155A (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-08 | 三菱综合材料株式会社 | Method of manufacturing films, evaporation materials for co-evaporation, film, film sheet and laminate |
CN102628158A (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-08 | 三菱综合材料株式会社 | Preparing method of film and evaporation material, film, film sheet and lamination sheet used for evaporation |
JP2015113512A (en) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 三菱マテリアル株式会社 | Oxide sputtering target |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09176841A (en) * | 1995-12-21 | 1997-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | Sputtering target |
JP2003166052A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Tdk Corp | Sputtering target |
JP2004001442A (en) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Gas / water vapor barrier film |
JP2008088544A (en) * | 2006-04-26 | 2008-04-17 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO DEPOSITION MATERIAL AND ZnO FILM FORMED OF SAME |
JP2009097086A (en) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO VAPOR DEPOSITION MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND ZnO FILM OR THE LIKE |
-
2009
- 2009-06-10 JP JP2009139172A patent/JP5519959B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09176841A (en) * | 1995-12-21 | 1997-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | Sputtering target |
JP2003166052A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Tdk Corp | Sputtering target |
JP2004001442A (en) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Gas / water vapor barrier film |
JP2008088544A (en) * | 2006-04-26 | 2008-04-17 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO DEPOSITION MATERIAL AND ZnO FILM FORMED OF SAME |
JP2009097086A (en) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO VAPOR DEPOSITION MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND ZnO FILM OR THE LIKE |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102621048A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 三菱综合材料株式会社 | Method for evaluating vapor blocking performance |
JP2012154865A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Mitsubishi Materials Corp | Evaluation method of steam barrier property |
CN102628155A (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-08 | 三菱综合材料株式会社 | Method of manufacturing films, evaporation materials for co-evaporation, film, film sheet and laminate |
CN102628158A (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-08 | 三菱综合材料株式会社 | Preparing method of film and evaporation material, film, film sheet and lamination sheet used for evaporation |
JP2012158820A (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | Method for producing thin film and vapor deposition material for co-vapor deposition for forming thin film, thin film obtained by the method, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet |
JP2012158821A (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | Method for producing thin film and vapor deposition material for co-vapor deposition for forming thin film, thin film obtained by the method, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet |
JP2015113512A (en) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 三菱マテリアル株式会社 | Oxide sputtering target |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5519959B2 (en) | 2014-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5760857B2 (en) | Sputtering target, manufacturing method thereof, thin film using the target, thin film sheet including the thin film, and laminated sheet | |
JP5884549B2 (en) | Transparent oxide film and method for producing the same | |
JP2013047361A (en) | Sputtering target, method for production thereof, thin film using the target, and thin film sheet and laminated sheet provided with the thin film | |
JP5519959B2 (en) | Laminated sheet | |
US20150020879A1 (en) | Laminate and organic el element, window, and solar battery module using same | |
CN102312193B (en) | Thin film formation is deposited with material and possesses diaphragm and the lamination sheets of this thin film | |
JP2012158820A (en) | Method for producing thin film and vapor deposition material for co-vapor deposition for forming thin film, thin film obtained by the method, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet | |
JP2011202268A (en) | Vapor deposition material for forming thin film, thin film sheet having the thin film and laminated sheet | |
JP5664162B2 (en) | Vapor deposition material for forming a thin film, and a thin film sheet and a laminated sheet provided with the thin film | |
JP5741325B2 (en) | Sputtering target, manufacturing method thereof, thin film using the target, thin film sheet including the thin film, and laminated sheet | |
JP5673158B2 (en) | Thin film production method and vapor deposition material for co-evaporation for thin film formation | |
JP5747738B2 (en) | Sputtering target, manufacturing method thereof, thin film using the target, thin film sheet including the thin film, and laminated sheet | |
JP2011214136A (en) | Vapor deposition material for forming thin film, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet | |
WO2018181181A1 (en) | Transparent conductive gas barrier laminate and device provided with same | |
JP5720446B2 (en) | Vapor deposition material for thin film formation, thin film sheet comprising the thin film, and method for producing laminated sheet | |
JP5720495B2 (en) | Vapor deposition material for thin film formation, thin film sheet comprising the thin film, and method for producing laminated sheet | |
JP5545104B2 (en) | Vapor deposition material for forming a thin film, and a thin film sheet and a laminated sheet provided with the thin film | |
JP5573554B2 (en) | Vapor deposition material for forming a thin film, and a thin film sheet and a laminated sheet provided with the thin film | |
JP2011214133A (en) | Vapor deposition material for forming thin film, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet | |
JP2012132086A (en) | Deposition material for forming thin film, thin-film sheet having the thin film, and laminated sheet | |
JP2012132085A (en) | Deposition material for forming thin film, thin-film sheet having the thin film, and laminated sheet | |
CN102191463B (en) | Film formation vapour deposition material, the thin-film sheet possessing this film and laminate | |
JP2012122128A (en) | Vapor deposition material for forming thin film, and thin film sheet and laminated sheet provided with the thin film | |
JP2011214135A (en) | Vapor deposition material for forming thin film, thin film sheet having the thin film, and laminated sheet | |
JP2012132087A (en) | Deposition material for forming thin film, thin-film sheet having the thin film, and laminated sheet |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140404 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5519959 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |