JP2010245297A - 撮像素子画素構造体の構造決定方法、撮像素子画素構造体の構造決定プログラム、および撮像素子画素構造体の構造決定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも受光素子と配線回路と光学系とを要素として有する撮像素子画素構造体に配置される前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第一情報群を光学的解析によって決定する第一決定工程S1と、第一決定工程S1に続いて、前記要素のそれぞれの物性情報と前記第一情報群とを初期条件として前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第二情報群を電磁場解析によって決定する第二決定工程S2と、を備える。
【選択図】図3
Description
画素構造体の構造を最適化するとは、光学像が結像されるフォトダイオードの受光量等、撮像結果に影響を及ぼす構造体の形状・寸法、特性値の値を求めることである。
本発明の撮像素子画素構造体の構造決定方法は、少なくとも受光素子と配線回路と光学系とを要素として有する撮像素子画素構造体に配置される前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第一情報群を光学的解析によって決定する第一決定工程と、前記第一決定工程に続いて、前記要素のそれぞれの物性情報と前記第一情報群とを初期条件として前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第二情報群を電磁場解析によって決定する第二決定工程と、を備えることを特徴としている。
また、本発明の撮像素子画素構造体の構造決定方法は、前記光学的解析が幾何光学に基づく光学的解析であってもよい。
また、本発明の撮像素子画素構造体の構造決定方法は、前記光学的解析が波動光学に基づく光学的解析であってもよい。
以下、本発明の第1実施形態の撮像素子画素構造体の構造決定方法について図1から図11を参照して説明する。
(画素構造体の構成)
まず、本実施形態の画素構造体を備える撮像装置を例に画素構造体の構成を説明する。
図1は、本実施形態における撮像素子画素構造体の構造決定方法によって構造が決定される対象となる撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
画素31は、半導体基板10に構成された撮像素子形成領域11内および撮像素子形成領域11に重畳するように厚さ方向に配置された要素12〜21を備える。具体的には、撮像素子形成領域11内には、受光素子であるフォトダイオード(要素12)と、フォトダイオードに蓄積された電荷を検出するFD (Floating Diffusion)(要素13)と、が設けられている。
なお、図2では画素31に入射される光の例として入射光束22を示したが、入射光束は入射光束22だけではない。すなわちマイクロレンズの他の位置から入射される入射光束も存在する。
以下では、上述の撮像素子画素構造体(画素31、32、33、・・・)の構造決定方法について図3から図11を参照して説明する。
画素構造体の構造決定とは、上記画素における要素12〜21の構造(寸法、配置、物性)の最適条件を決定することである。ここで、最適条件とは、フォトダイオード(要素12)における光の感度が最も高くなる条件である。
第一決定工程S1は、要素12〜21の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第一情報群を光学的解析によって決定する工程である。
図5(A)ないし(C)には、第一決定工程S1では、画素31のマイクロレンズ(要素21)の最周辺に入射する入射光束22と、入射光束22とは光軸を挟んで反対側のマイクロレンズ(要素21)の最周辺に入射する入射光束23と、マイクロレンズ(要素21)の光軸付近に入射する入射光束24と、をそれぞれ示している。
まずマイクロレンズのパワー配置を決める工程S11が行われる。図7に工程S11の詳細なフローを示す。
a)f1≒>D
b)α1f1<≒W/2
なお、製造プロセスの制約の範囲内で適切な配線層間隔を見出せない場合は、マイクロレンズのパワー配置の工程S11へ戻って、厚さDを短くした上で再度工程S12を実施する。
光学的解析によってなされる上記第一決定工程S1では、要素12〜21に対する第一情報群I1は確定された値として決定される。しかしながら、例えば光の波長と同等かそれ以下の長さの構造を持つ微細な画素の構造を決定する場合には、光学的解析によって得られたパラメータと実際に最適な構造との間に顕著な乖離が生じる場合がある。
この問題を解決するため、本実施形態では、第一決定工程S1に引き続いて、第二決定工程S2が実行される。
第二決定工程S2は、要素12〜21の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第二情報群を電磁場解析によって決定する工程である。
続いて、第一決定工程S1で使用された要素12〜21寸法や配置の初期値よりも詳細な物性値が第二決定工程S2における画素構造初期値として入力される(工程S22)。
電磁場シミュレーションの周知の方法には、FEM(Finite Element Method、有限要素法)、FDFD法(Finite-Difference Frequency-Domain Method、有限差分周波数領域法)、及びFDTD法(Finite-Difference Time-Domain Method、有限差分時間領域法)を含むいくつかのものが存在している。
光学効率は、画素表面に入射する分光放射照度に対する、画素のフォトダイオード(要素12)で入射する光の分光放射照度の比率である。これら放射照度は、電磁場データからポインティングベクトルを求めることで算出できる。
また、画素の性能評価指標は、撮像素子中心付近の画素の受光量に対する周辺部の画素の受光量の比(シェーディング)であっても良い。
工程S25では、工程S24で算出された性能評価指標が、撮像装置1の目標値に到達したかどうかを判定する。工程S24で算出された性能評価指標が目標値以上である場合は、画素の構成要素の寸法、配置、材質は、十分最適化されたと判断され、第二決定工程S2が完了する。
一方、工程S24で算出された性能評価指標が目標値に達していない場合は、工程S26に進む。
工程S26では、工程S22で設定した構成要素の寸法、配置、材質を変更する。さらに、新たな構成要素、例えばフォトダイオード(要素12)以外の領域を遮光する部材などを追加しても良い。
以下では、第1実施形態の撮像素子画素構造体の構造決定方法の変形例について図11を参照して説明する。図11は本変形例の撮像素子画素構造体の構造決定方法における第二決定工程を示すフローチャートである。
このように工程S27を有することで、画素性能指標が目標に達しなかった場合に画素構造を再構成するための新たな設定が容易になる。
以下では、本発明の第2実施形の撮像素子画素構造体の構造決定プログラムおよび態撮像素子画素構造体の構造決定装置について図12を参照して説明する。なお、本実施形態において、上述した第1実施形態と共通の箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
図12は、本実施形態の撮像素子画素構造体の構造決定装置50(以下「構造決定装置50」と称する。)の概略構成を示すブロック図である。
例えば、上記第1実施形態では、第一決定工程S1において受光領域3aの面に沿う2次元の略寸法及び略配置を決定したが、これに限らず、第一決定工程において画素の3次元構造を光学的解析によって決定することもできる。
31、32、33 画素(撮像素子画素構造体)
I1 第一情報群
I2 第二情報群
S1 第一決定工程
S2 第二決定工程
101 第一決定部
102 第二決定部
Claims (6)
- 少なくとも受光素子と配線回路と光学系とを要素として有する撮像素子画素構造体に配置される前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第一情報群を光学的解析によって決定する第一決定工程と、
前記第一決定工程に続いて、前記要素のそれぞれの物性情報と前記第一情報群とを初期条件として前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第二情報群を電磁場解析によって決定する第二決定工程と、
を備える撮像素子画素構造体の構造決定方法。 - 前記光学的解析が近軸理論に基づく光学的解析である請求項1に記載の撮像素子画素構造体の構造決定方法。
- 前記光学的解析が幾何光学に基づく光学的解析である請求項1に記載の撮像素子画素構造体の構造決定方法。
- 前記光学的解析が波動光学に基づく光学的解析である請求項1に記載の撮像素子画素構造体の構造決定方法。
- 少なくとも受光素子と配線回路と光学系とを要素として有する撮像素子画素構造体に配置される前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第一情報群を光学的解析によって決定する第一決定工程と、
前記第一決定工程に続いて、前記要素のそれぞれの物性情報と前記第一情報群とを初期条件として前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第二情報群を電磁場解析によって決定する第二決定工程と、
を電子計算機に処理させる撮像素子画素構造体の構造決定プログラム。 - 少なくとも受光素子と配線回路と光学系とを要素として有する撮像素子画素構造体に配置される前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第一情報群を光学的解析によって決定する第一決定部と、
前記第一決定工程に続いて、前記要素のそれぞれの物性情報と前記第一情報群とを初期条件として前記要素の寸法、相対位置関係あるいは物性情報を示す第二情報群を電磁場解析によって決定する第二決定部と、
を備える撮像素子画素構造体の構造決定装置。
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JP2006019627A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
WO2007103213A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Micron Technology Inc. | Image sensor light shield |
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