JP2010232269A - Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic device - Google Patents

Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic device Download PDF

Info

Publication number
JP2010232269A
JP2010232269A JP2009075912A JP2009075912A JP2010232269A JP 2010232269 A JP2010232269 A JP 2010232269A JP 2009075912 A JP2009075912 A JP 2009075912A JP 2009075912 A JP2009075912 A JP 2009075912A JP 2010232269 A JP2010232269 A JP 2010232269A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
organic
point
forming step
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2009075912A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Mitsuya
将之 三矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009075912A priority Critical patent/JP2010232269A/en
Publication of JP2010232269A publication Critical patent/JP2010232269A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve light emitting quality of an organic EL device. <P>SOLUTION: The organic EL device includes: a pixel electrode 29 having an electrode surface 125; a second electrode facing the electrode surface 125; a partition wall 71, and a hole injection layer 105, the hole injection layer 105 including, on a surface, a bottom surface 121 and a curved surface 123. If a plane 131 parallel to the electrode surface 125 is moved to the bottom surface 121 in parallel along the normal line 135 in a cross section cut along the direction of a normal line 135 to take the intersection of the plane 131 to the curved surface 123 as a first point 137, the intersection of the plane 131 to the wall surface 127 as a second point 139, the middle point between the first point 137 and the second point 139 as a third point 141, and the intersection of the normal line 135 passing the third point 141 to the curved surface 123 as a fourth point 143, the angle formed by the line connecting the first point 137 to the fourth point 143 and the plane 131 is 50° or less. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL装置、有機EL装置の製造方法及び電子機器等に関する。   The present invention relates to an organic EL device, a method for manufacturing the organic EL device, an electronic device, and the like.

従来から、電気光学装置の1つとして、一対の電極と、一対の電極間に介在する発光層とを有する有機EL(Electro Luminescence)装置がある。有機EL装置では、一対の電極間に、発光層を含む有機層が介在している。
このような有機EL装置では、従来、画素を区画する隔壁と、隔壁で囲まれた発光領域内に蒸着された有機層と、有機層上に蒸着された電極と、を有するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
Conventionally, as one of electro-optical devices, there is an organic EL (Electro Luminescence) device having a pair of electrodes and a light emitting layer interposed between the pair of electrodes. In an organic EL device, an organic layer including a light emitting layer is interposed between a pair of electrodes.
Conventionally, such an organic EL device has a partition including pixels, an organic layer deposited in a light emitting region surrounded by the partition, and an electrode deposited on the organic layer. (For example, refer to Patent Document 1).

特開2008−192477号公報JP 2008-192477 A

隔壁と、蒸着された有機層と、蒸着された電極とを有する有機EL装置としては、例えば、図16に示す有機EL装置800の構成が考えられる。有機EL装置800では、画素電極801と、共通電極803との間に、図示しない発光層を含む有機層805が介在している。有機EL装置800においては、画素電極801と共通電極803とが一対の電極に相当している。
有機EL装置800において、画素の領域807は、隔壁809によって画素ごとに区画されている。1つの画素の領域807は、隔壁809によって囲まれている。共通電極803は、複数の画素間にわたって設けられており、複数の画素間にわたって共通して機能する。
As an organic EL device having a partition, a deposited organic layer, and a deposited electrode, for example, a configuration of an organic EL device 800 shown in FIG. 16 can be considered. In the organic EL device 800, an organic layer 805 including a light emitting layer (not shown) is interposed between the pixel electrode 801 and the common electrode 803. In the organic EL device 800, the pixel electrode 801 and the common electrode 803 correspond to a pair of electrodes.
In the organic EL device 800, the pixel region 807 is partitioned for each pixel by a partition wall 809. One pixel region 807 is surrounded by a partition 809. The common electrode 803 is provided across a plurality of pixels and functions in common across the plurality of pixels.

ところで、隔壁809上に蒸着で形成する共通電極803では、図16中のQ部の拡大図である図17に示すように、角部811で共通電極803が途切れやすい。これは、蒸着した有機層805に、隔壁809の壁面と画素電極801との間の角部813の形状が反映されやすいためである。
共通電極803が途切れた状態では、発光層の発光状態が画素間でばらつきやすくなる。
つまり、従来の有機EL装置では、発光品位を向上させることが困難であるという課題がある。
By the way, in the common electrode 803 formed by vapor deposition on the partition 809, the common electrode 803 is easily interrupted at the corner portion 811 as shown in FIG. 17 which is an enlarged view of a Q portion in FIG. This is because the shape of the corner portion 813 between the wall surface of the partition wall 809 and the pixel electrode 801 is easily reflected in the deposited organic layer 805.
When the common electrode 803 is interrupted, the light emitting state of the light emitting layer is likely to vary between pixels.
That is, the conventional organic EL device has a problem that it is difficult to improve the light emission quality.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]平面を有する第1電極と、前記第1電極の前記平面側において、前記第1電極の前記平面に対向する第2電極と、前記第1電極の前記平面よりも前記第2電極側に突出し、且つ、前記平面の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する有機層と、を有し、前記有機層は、発光層を含む複数の層を含んでおり、前記第2電極は、前記壁面によって囲まれた前記領域内から、少なくとも前記壁面にかけて設けられており、前記複数の層のうちの少なくとも1つの層は、前記第2電極側の表面において、平面視で前記平面に重なる底面と、前記壁面と前記第1電極との交線に対面し、前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲した湾曲面と、を含んでおり、前記第1電極、前記第2電極、前記隔壁及び前記有機層を、前記平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、前記平面に平行な面を前記法線方向に前記底面まで平行移動させ、前記面と前記湾曲面との交点を第1点とし、前記面と前記壁面との交点を第2点とし、前記第1点と前記第2点との間の中点を第3点とし、前記第3点を通る前記法線と前記湾曲面との交点を第4点としたときに、前記第1点と前記第4点とを結んだ線と前記面とがなす角度が、50度以下である、ことを特徴とする有機EL装置。   Application Example 1 A first electrode having a plane, a second electrode facing the plane of the first electrode on the plane side of the first electrode, and the second electrode than the plane of the first electrode. A partition wall having a wall surface projecting toward the electrode and surrounding at least a part of the plane, and an organic layer interposed between the first electrode and the second electrode in the region surrounded by the wall surface And the organic layer includes a plurality of layers including a light emitting layer, and the second electrode is provided from the region surrounded by the wall surface to at least the wall surface, At least one of the plurality of layers faces the intersection line between the bottom surface that overlaps the plane in a plan view, the wall surface, and the first electrode on the surface on the second electrode side, and the intersection line side. Curved surface curved in a direction that becomes concave toward In a cross section when the first electrode, the second electrode, the partition wall, and the organic layer are cut along the normal direction of the plane, a plane parallel to the plane is defined as the normal line. In the direction to the bottom surface, the intersection point of the surface and the curved surface as a first point, the intersection point of the surface and the wall surface as a second point, between the first point and the second point The third point is the third point, and the intersection point of the curved line and the normal passing through the third point is the fourth point, and the line connecting the first point and the fourth point An organic EL device characterized in that an angle formed by a surface is 50 degrees or less.

この適用例の有機EL装置は、第1電極と、第2電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第1電極は、平面を有している。第2電極は、第1電極の平面側において、第1電極の平面に対向している。隔壁は、第1電極の平面よりも第2電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第1電極の平面の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第1電極と第2電極との間に介在している。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。第2電極は、壁面によって囲まれた領域内から、少なくとも壁面にかけて設けられている。
有機層に含まれる複数の層のうちの少なくとも1つの層は、第2電極側の表面において、底面と、湾曲面と、を含んでいる。底面は、平面視で第1電極の平面に重なっている。湾曲面は、壁面と第1電極との交線に対面している。湾曲面は、交線側に向かって凹となる方向に湾曲している。
上記の構成により、湾曲面を有する層の第1電極側とは反対側に位置する第2電極に、湾曲面が反映しやすい。つまり、第2電極には、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、湾曲した面が形成され得る。これにより、例えば、角部をまたいで第2電極を設ける場合に比較して、第2電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。
この有機EL装置では、第1電極、第2電極、隔壁及び有機層を、平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、平面に平行な面を法線方向に底面まで平行移動させ、面と湾曲面との交点を第1点とし、面と壁面との交点を第2点とし、第1点と第2点との間の中点を第3点とし、第3点を通る法線と湾曲面との交点を第4点としたときに、第1点と第4点とを結んだ線と面とがなす角度が、50度以下である。
これにより、第2電極が途切れてしまうことを低く抑えることができ、発光品位を向上させやすくすることができる。
The organic EL device of this application example includes a first electrode, a second electrode, a partition, and an organic layer. The first electrode has a flat surface. The second electrode faces the plane of the first electrode on the plane side of the first electrode. The partition wall protrudes to the second electrode side from the plane of the first electrode. The partition has a wall surface. The wall surface surrounds at least a part of the plane of the first electrode. The organic layer is interposed between the first electrode and the second electrode in a region surrounded by the wall surface. The organic layer includes a plurality of layers including a light emitting layer. The second electrode is provided from the region surrounded by the wall surface to at least the wall surface.
At least one of the plurality of layers included in the organic layer includes a bottom surface and a curved surface on the surface on the second electrode side. The bottom surface overlaps the plane of the first electrode in plan view. The curved surface faces the line of intersection between the wall surface and the first electrode. The curved surface is curved in a direction that becomes concave toward the intersecting line side.
With the above configuration, the curved surface is easily reflected in the second electrode located on the opposite side of the layer having the curved surface from the first electrode side. That is, a curved surface can be formed on the second electrode in a region from the region surrounded by the wall surface to the wall surface. Thereby, compared with the case where a 2nd electrode is provided across a corner | angular part, for example, it can make it easy to suppress that the 2nd electrode interrupts low.
In this organic EL device, the first electrode, the second electrode, the partition walls, and the organic layer are moved in parallel to a plane parallel to the plane to the bottom in a cross section when the plane is cut along the plane normal direction. The intersection between the surface and the curved surface is the first point, the intersection between the surface and the wall is the second point, the midpoint between the first point and the second point is the third point, and passes through the third point When the intersection point between the normal line and the curved surface is the fourth point, the angle formed by the line connecting the first point and the fourth point and the surface is 50 degrees or less.
Thereby, it can suppress that the 2nd electrode interrupts low, and can make it easy to improve the light emission quality.

[適用例2]第1電極と、前記第1電極に対向する第2電極と、前記第1電極よりも前記第2電極側に突出し、且つ、前記第1電極の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、発光層を含む複数の層を含み、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する有機層と、を有する有機EL装置の製造方法であって、前記壁面によって囲まれた前記領域内に、前記有機層を、前記複数の層の前記層ごとに形成する有機層形成工程と、前記有機層形成工程の後に、前記第2電極を形成する工程と、を含み、前記有機層形成工程は、前記複数の層のうちの一部の前記層を、蒸着法で形成する蒸着層形成工程と、前記複数の層のうちの他の前記層を、塗布法で形成する塗布層形成工程と、を含み、前記塗布層形成工程は、前記壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する配置工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、前記有機材料で前記層を形成する層形成工程と、を含み、前記層形成工程では、前記層形成工程で形成する前記層の前記第1電極側とは反対側の表面において、前記壁面と前記第1電極との交線に対面し、且つ前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲する湾曲面を形成する、ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 2 The first electrode, the second electrode facing the first electrode, the second electrode projecting from the first electrode, and surrounding at least a part of the first electrode. An organic EL device including a partition having a wall surface and a plurality of layers including a light emitting layer, and an organic layer interposed between the first electrode and the second electrode in a region surrounded by the wall surface The organic layer forming step of forming the organic layer for each of the plurality of layers in the region surrounded by the wall surface, and after the organic layer forming step, A step of forming two electrodes, wherein the organic layer forming step includes forming a part of the plurality of layers by a vapor deposition method, and forming a layer of the plurality of layers. A coating layer forming step of forming the other layer by a coating method, and In the cloth layer forming step, the organic material is disposed by disposing at least a part of the liquid contained in the liquid material, the disposing step of arranging the liquid material containing the organic material in the region surrounded by the wall surface A layer forming step of forming the layer at a step, wherein, in the layer forming step, the wall surface and the first electrode on a surface opposite to the first electrode side of the layer formed in the layer forming step. A method of manufacturing an organic EL device, comprising: forming a curved surface that faces a line of intersection and curves in a direction that becomes concave toward the line of intersection.

この適用例の製造方法が適用され得る有機EL装置は、第1電極と、第2電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第2電極は、第1電極に対向している。隔壁は、第1電極よりも第2電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第1電極の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第1電極と第2電極との間に介在している。
そして、この適用例の製造方法は、有機層形成工程と、第2電極を形成する工程と、を含む。有機層形成工程では、壁面によって囲まれた領域内に有機層を形成する。このとき、有機層を、複数の層の層ごとに形成する。有機層形成工程の後に、第2電極を形成する。
有機層形成工程は、蒸着層形成工程と、塗布層形成工程と、を含む。蒸着層形成工程では、有機層における複数の層のうちの一部の層を、蒸着法で形成する。塗布層形成工程では、有機層における複数の層のうちの他の層を、塗布法で形成する。
塗布層形成工程は、配置工程と、層形成工程と、を含む。配置工程では、壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する。層形成工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、有機材料で層を形成する。
また、層形成工程では、この層形成工程で形成する層の第1電極側とは反対側の表面に、湾曲面を形成する。湾曲面は、壁面と第1電極との交線に対面し、且つこの交線側に向かって凹となる方向に湾曲する。
この製造方法によれば、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、第2電極に湾曲した面を形成することができる。これにより、例えば、角部をまたいで第2電極を設ける場合に比較して、第2電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。この結果、有機EL装置における発光品位を向上させやすくすることができる。
An organic EL device to which the manufacturing method of this application example can be applied includes a first electrode, a second electrode, a partition, and an organic layer. The second electrode is opposed to the first electrode. The partition wall protrudes closer to the second electrode than the first electrode. The partition has a wall surface. The wall surface surrounds at least a part of the first electrode. The organic layer includes a plurality of layers including a light emitting layer. The organic layer is interposed between the first electrode and the second electrode in a region surrounded by the wall surface.
And the manufacturing method of this application example includes an organic layer forming step and a step of forming the second electrode. In the organic layer forming step, an organic layer is formed in a region surrounded by the wall surface. At this time, the organic layer is formed for each of the plurality of layers. The second electrode is formed after the organic layer forming step.
The organic layer forming step includes a vapor deposition layer forming step and a coating layer forming step. In the vapor deposition layer forming step, a part of the plurality of layers in the organic layer is formed by a vapor deposition method. In the coating layer forming step, another layer of the plurality of layers in the organic layer is formed by a coating method.
The coating layer forming step includes an arrangement step and a layer forming step. In the arranging step, a liquid material containing an organic material is arranged in a region surrounded by the wall surface. In the layer forming step, a layer is formed from an organic material by removing at least a part of the liquid contained in the liquid.
In the layer forming step, a curved surface is formed on the surface opposite to the first electrode side of the layer formed in the layer forming step. The curved surface faces an intersection line between the wall surface and the first electrode, and is curved in a direction that becomes concave toward the intersection line side.
According to this manufacturing method, it is possible to form a curved surface on the second electrode in the region from the region surrounded by the wall surface to the wall surface. Thereby, compared with the case where a 2nd electrode is provided across a corner | angular part, for example, it can make it easy to suppress that the 2nd electrode interrupts low. As a result, the light emission quality in the organic EL device can be easily improved.

[適用例3]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記層形成工程は、前記液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、前記液体の少なくとも一部を除去する乾燥工程を含んでいる、ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 3 In the above-described organic EL device manufacturing method, the layer forming step includes a drying step of removing at least a part of the liquid by drying at least a part of the liquid. A method of manufacturing an organic EL device characterized by the above.

この適用例では、層形成工程は、乾燥工程を含んでいる。乾燥工程では、液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、液体の少なくとも一部を除去する。これにより、層を形成することができる。   In this application example, the layer forming step includes a drying step. In the drying step, at least a part of the liquid is removed by drying at least a part of the liquid. Thereby, a layer can be formed.

[適用例4]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記乾燥工程は、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、前記液体の少なくとも一部を乾燥させる減圧乾燥工程を含んでいる、ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 4 In the above-described method for manufacturing an organic EL device, the drying step includes a reduced-pressure drying step of drying at least a part of the liquid in a reduced pressure environment reduced to a pressure lower than atmospheric pressure. A method of manufacturing an organic EL device, comprising:

この適用例では、乾燥工程は、減圧乾燥工程を含んでいる。減圧乾燥工程では、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、液体の少なくとも一部を乾燥させる。これにより、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることができる。   In this application example, the drying process includes a vacuum drying process. In the reduced pressure drying step, at least a part of the liquid is dried under a reduced pressure environment reduced to a pressure lower than the atmospheric pressure. Thereby, at least a part of the liquid contained in the liquid can be dried.

[適用例5]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記層形成工程では、前記減圧乾燥工程において前記湾曲面を形成する、ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 5 A method for manufacturing an organic EL device according to the above-described method, wherein in the layer forming step, the curved surface is formed in the reduced-pressure drying step.

[適用例6]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記減圧乾燥工程は、第1のポンプを用いて、前記圧力を大気圧よりも低い第1の圧力に減圧する第1減圧工程と、前記第1減圧工程に続いて、前記第1のポンプと第2のポンプとを併用して、前記第1の圧力を、前記第1の圧力よりも低い第2の圧力に減圧する第2減圧工程と、を含んでいる、ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 6 In the above-described method for manufacturing an organic EL device, the reduced-pressure drying step uses a first pump to reduce the pressure to a first pressure lower than atmospheric pressure. Then, following the first depressurization step, the first pump and the second pump are used together to depressurize the first pressure to a second pressure lower than the first pressure. An organic EL device manufacturing method, comprising: 2 decompression steps.

この適用例では、減圧乾燥工程は、第1減圧工程と、第2減圧工程と、を含んでいる。第1減圧工程では、第1のポンプを用いて、圧力を大気圧よりも低い第1の圧力に減圧する。第1減圧工程に続いて、第2減圧工程では、第1のポンプと第2のポンプとを併用して、第1の圧力を、第1の圧力よりも低い第2の圧力に減圧する。これにより、層に湾曲面を形成することができる。   In this application example, the reduced pressure drying step includes a first reduced pressure step and a second reduced pressure step. In the first pressure reducing step, the pressure is reduced to a first pressure lower than the atmospheric pressure using the first pump. Subsequent to the first pressure reduction step, in the second pressure reduction step, the first pump and the second pump are used together to reduce the first pressure to a second pressure lower than the first pressure. Thereby, a curved surface can be formed in the layer.

[適用例7]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記有機層形成工程では、前記塗布層形成工程の後に前記蒸着層形成工程を実施する、ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 7 In the above-described organic EL device manufacturing method, in the organic layer forming step, the vapor deposition layer forming step is performed after the coating layer forming step. Method.

この適用例では、有機層形成工程において、塗布層形成工程の後に蒸着層形成工程を実施する。
例えば、蒸着層形成工程の後に塗布層形成工程を実施すると、蒸着法で形成した層に液状体を配置することになる。このとき、蒸着法で形成した層が液状体に溶けることがある。つまり、蒸着層形成工程の後に塗布層形成工程を実施すると、各層を安定して形成することが困難になることがある。
これに対し、この適用例では、塗布層形成工程の後に蒸着層形成工程を実施するので、複数の層のそれぞれを安定して形成しやすくすることができる。この結果、有機EL装置における発光品位を一層向上させやすくすることができる。
In this application example, the vapor deposition layer forming step is performed after the coating layer forming step in the organic layer forming step.
For example, when the coating layer forming step is performed after the vapor deposition layer forming step, the liquid material is disposed on the layer formed by the vapor deposition method. At this time, the layer formed by the vapor deposition method may be dissolved in the liquid. That is, when the coating layer forming step is performed after the vapor deposition layer forming step, it may be difficult to stably form each layer.
On the other hand, in this application example, since the vapor deposition layer forming step is performed after the coating layer forming step, each of the plurality of layers can be easily formed stably. As a result, it is possible to further improve the light emission quality in the organic EL device.

[適用例8]上記の有機EL装置を有する、ことを特徴とする電子機器。   Application Example 8 An electronic apparatus having the organic EL device described above.

この適用例の電子機器は、有機EL装置を有している。この有機EL装置は、第1電極と、第2電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第1電極は、平面を有している。第2電極は、第1電極の平面側において、第1電極の平面に対向している。隔壁は、第1電極の平面よりも第2電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第1電極の平面の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第1電極と第2電極との間に介在している。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。第2電極は、壁面によって囲まれた領域内から、少なくとも壁面にかけて設けられている。
有機層に含まれる複数の層のうちの少なくとも1つの層は、第2電極側の表面において、底面と、湾曲面と、を含んでいる。底面は、平面視で第1電極の平面に重なっている。湾曲面は、壁面と第1電極との交線に対面している。湾曲面は、交線側に向かって凹となる方向に湾曲している。
上記の構成により、湾曲面を有する層の第1電極側とは反対側に位置する第2電極に、湾曲面が反映しやすい。つまり、第2電極には、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、湾曲した面が形成され得る。これにより、例えば、角部をまたいで第2電極を設ける場合に比較して、第2電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。
この有機EL装置では、第1電極、第2電極、隔壁及び有機層を、平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、平面に平行な面を法線方向に底面まで平行移動させ、面と湾曲面との交点を第1点とし、面と壁面との交点を第2点とし、第1点と第2点との間の中点を第3点とし、第3点を通る法線と湾曲面との交点を第4点としたときに、第1点と第4点とを結んだ線と面とがなす角度が、50度以下である。
これにより、第2電極が途切れてしまうことを低く抑えることができ、発光品位を向上させやすくすることができる。
そして、適用例の電子機器は、この有機EL装置を有しているので、この有機EL装置における発光品位を向上させやすくすることができる。
The electronic apparatus of this application example has an organic EL device. This organic EL device has a first electrode, a second electrode, a partition, and an organic layer. The first electrode has a flat surface. The second electrode faces the plane of the first electrode on the plane side of the first electrode. The partition wall protrudes to the second electrode side from the plane of the first electrode. The partition has a wall surface. The wall surface surrounds at least a part of the plane of the first electrode. The organic layer is interposed between the first electrode and the second electrode in a region surrounded by the wall surface. The organic layer includes a plurality of layers including a light emitting layer. The second electrode is provided from the region surrounded by the wall surface to at least the wall surface.
At least one of the plurality of layers included in the organic layer includes a bottom surface and a curved surface on the surface on the second electrode side. The bottom surface overlaps the plane of the first electrode in plan view. The curved surface faces the line of intersection between the wall surface and the first electrode. The curved surface is curved in a direction that becomes concave toward the intersecting line side.
With the above configuration, the curved surface is easily reflected in the second electrode located on the opposite side of the layer having the curved surface from the first electrode side. That is, a curved surface can be formed on the second electrode in a region from the region surrounded by the wall surface to the wall surface. Thereby, compared with the case where a 2nd electrode is provided across a corner | angular part, for example, it can make it easy to suppress that the 2nd electrode interrupts low.
In this organic EL device, the first electrode, the second electrode, the partition walls, and the organic layer are moved in parallel in a plane parallel to the plane to the bottom surface in a cross section when cut along the plane normal direction. The intersection between the surface and the curved surface is the first point, the intersection between the surface and the wall is the second point, the midpoint between the first point and the second point is the third point, and passes through the third point When the intersection point between the normal line and the curved surface is the fourth point, the angle formed by the line connecting the first point and the fourth point and the surface is 50 degrees or less.
Thereby, it can suppress that the 2nd electrode interrupts low, and can make it easy to improve the light emission quality.
And since the electronic device of an application example has this organic EL device, it can make it easy to improve the light emission quality in this organic EL device.

本実施形態における表示装置を示す平面図。The top view which shows the display apparatus in this embodiment. 図1中のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA in FIG. 本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a part of a plurality of pixels in the embodiment. 本実施形態における表示装置の回路構成を示す図。1 is a diagram showing a circuit configuration of a display device in an embodiment. 図3中のC−C線における断面図。Sectional drawing in the CC line | wire in FIG. 図5中の有機EL素子の拡大図。The enlarged view of the organic EL element in FIG. 本実施形態における正孔注入層を示す断面図。Sectional drawing which shows the hole injection layer in this embodiment. 図7中のF部の拡大図。The enlarged view of the F section in FIG. 本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in this embodiment. 本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in this embodiment. 本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in this embodiment. 実施例における基板の種類を説明する断面図。Sectional drawing explaining the kind of board | substrate in an Example. 本実施形態での減圧乾燥に適用される乾燥装置の主要構成を説明する図。The figure explaining the main structure of the drying apparatus applied to the reduced pressure drying in this embodiment. 比較例における正孔注入層を示す断面図。Sectional drawing which shows the positive hole injection layer in a comparative example. 本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。The perspective view of the electronic device to which the display apparatus in this embodiment is applied. 従来技術における課題を説明する図。The figure explaining the subject in a prior art. 図16中のQ部の拡大図。The enlarged view of the Q section in FIG.

実施形態について、有機EL装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置1は、図1に示すように、表示面3を有している。
Embodiments will be described with reference to the drawings, taking a display device using an organic EL device as an example.
The display device 1 according to the embodiment has a display surface 3 as shown in FIG.

ここで、表示装置1には、複数の画素5が設定されている。複数の画素5は、表示領域7内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。
本実施形態では、X方向は、図4に示すように、後述する走査線GTが延在する方向である。Y方向は、X方向とは直交(交差)する方向である。なお、本実施形態では、後述するデータ線SIがY方向に沿って延在している。このため、Y方向は、データ線SIが延在する方向でもある。
Here, a plurality of pixels 5 are set in the display device 1. The plurality of pixels 5 are arranged in the X direction and the Y direction in the drawing within the display area 7, and constitute a matrix M in which the X direction is the row direction and the Y direction is the column direction.
In the present embodiment, the X direction is a direction in which a scanning line GT described later extends as shown in FIG. The Y direction is a direction orthogonal to (crossing) the X direction. In the present embodiment, a data line SI to be described later extends along the Y direction. For this reason, the Y direction is also a direction in which the data line SI extends.

表示装置1は、図1に示す複数の画素5から選択的に表示面3を介して表示装置1の外に光を射出することで、表示面3に画像を表示することができる。なお、表示領域7とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すため、画素5が誇張され、且つ画素5の個数が減じられている。   The display device 1 can display an image on the display surface 3 by selectively emitting light from the plurality of pixels 5 illustrated in FIG. 1 to the outside of the display device 1 via the display surface 3. The display area 7 is an area where an image can be displayed. In FIG. 1, the pixels 5 are exaggerated and the number of the pixels 5 is reduced for easy understanding of the configuration.

表示装置1は、図1中のA−A線における断面図である図2に示すように、素子基板11と、封止基板13とを有している。
素子基板11には、表示面3側すなわち封止基板13側に、複数の画素5のそれぞれに対応して、後述する有機EL素子などが設けられている。なお、素子基板11の表示面3側とは反対側の面15は、表示装置1の底面として設定されている。以下において、面15は、底面15と表記される。
The display device 1 includes an element substrate 11 and a sealing substrate 13 as shown in FIG. 2 which is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
The element substrate 11 is provided with an organic EL element, which will be described later, corresponding to each of the plurality of pixels 5 on the display surface 3 side, that is, the sealing substrate 13 side. The surface 15 of the element substrate 11 opposite to the display surface 3 side is set as the bottom surface of the display device 1. Hereinafter, the surface 15 is referred to as a bottom surface 15.

封止基板13は、素子基板11よりも表示面3側で素子基板11に対向した状態で設けられている。素子基板11と封止基板13とは、接着剤16を介して接合されている。表示装置1では、有機EL素子は、接着剤16によって表示面3側から覆われている。
また、素子基板11と封止基板13との間は、表示装置1の周縁よりも内側で表示領域7を囲むシール材17によって封止されている。つまり、表示装置1では、有機EL素子と接着剤16とが、素子基板11及び封止基板13並びにシール材17によって封止されている。
The sealing substrate 13 is provided in a state facing the element substrate 11 on the display surface 3 side with respect to the element substrate 11. The element substrate 11 and the sealing substrate 13 are bonded via an adhesive 16. In the display device 1, the organic EL element is covered with the adhesive 16 from the display surface 3 side.
Further, the element substrate 11 and the sealing substrate 13 are sealed with a sealing material 17 that surrounds the display region 7 inside the periphery of the display device 1. That is, in the display device 1, the organic EL element and the adhesive 16 are sealed with the element substrate 11, the sealing substrate 13, and the sealing material 17.

ここで、表示装置1における複数の画素5は、それぞれ、表示面3から射出する光の色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)及び青系(B)のうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素5は、Rの光を射出する画素5Rと、Gの光を射出する画素5Gと、Bの光を射出する画素5Bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素5という表記と、画素5R、5G及び5Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
Here, each of the plurality of pixels 5 in the display device 1 has a red color (R), a green color (G), and a blue color (B) as shown in FIG. Is set to one of these. That is, the plurality of pixels 5 constituting the matrix M include a pixel 5R that emits R light, a pixel 5G that emits G light, and a pixel 5B that emits B light.
In the following description, the term “pixel 5” and the term “pixels 5R, 5G, and 5B” are appropriately used.

ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光は、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。   Here, the color of R is not limited to a pure red hue, and includes orange and the like. The color of G is not limited to a pure green hue, and includes bluish green and yellowish green. The color of B is not limited to a pure blue hue, and includes bluish purple and blue-green. From another viewpoint, light exhibiting the color of R can be defined as light having a light wavelength peak in a range of 570 nm or more in the visible light region. The light exhibiting the color G can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 500 nm to 565 nm. Light exhibiting the color B can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 415 nm to 495 nm.

マトリクスMでは、Y方向に沿って一列に並ぶ複数の画素5が、1つの画素列18を構成している。また、X方向に沿って一列に並ぶ複数の画素5が、1つの画素行19を構成している。
1つの画素列18内の各画素5は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMは、複数の画素5RがY方向に配列した画素列18Rと、複数の画素5GがY方向に配列した画素列18Gと、複数の画素5BがY方向に配列した画素列18Bとを有している。そして、表示装置1では、画素列18R、画素列18G及び画素列18Bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列18という表記と、画素列18R、画素列18G及び画素列18Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
In the matrix M, a plurality of pixels 5 arranged in a line along the Y direction form one pixel column 18. A plurality of pixels 5 arranged in a line along the X direction form one pixel row 19.
Each pixel 5 in one pixel column 18 has a light color set to one of R, G, and B. That is, the matrix M includes a pixel column 18R in which a plurality of pixels 5R are arranged in the Y direction, a pixel column 18G in which a plurality of pixels 5G are arranged in the Y direction, and a pixel column 18B in which a plurality of pixels 5B are arranged in the Y direction. have. In the display device 1, the pixel column 18R, the pixel column 18G, and the pixel column 18B are repeatedly arranged in this order along the X direction.
In the following, the notation of the pixel column 18 and the notation of the pixel column 18R, the pixel column 18G, and the pixel column 18B are appropriately used.

表示装置1は、回路構成を示す図である図4に示すように、画素5ごとに、選択トランジスター21と、駆動トランジスター23と、容量素子25と、有機EL素子27とを有している。有機EL素子27は、画素電極29と、機能層31と、共通電極33とを有している。選択トランジスター21及び駆動トランジスター23は、それぞれ、TFT(Thin Film Transistor)素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置1は、走査線駆動回路37と、データ線駆動回路38と、複数の走査線GTと、複数のデータ線SIと、複数の電源線PWとを有している。
The display device 1 includes a selection transistor 21, a drive transistor 23, a capacitor element 25, and an organic EL element 27 for each pixel 5, as shown in FIG. The organic EL element 27 includes a pixel electrode 29, a functional layer 31, and a common electrode 33. Each of the selection transistor 21 and the driving transistor 23 is configured by a TFT (Thin Film Transistor) element and has a function as a switching element.
In addition, the display device 1 includes a scanning line driving circuit 37, a data line driving circuit 38, a plurality of scanning lines GT, a plurality of data lines SI, and a plurality of power supply lines PW.

複数の走査線GTは、それぞれ走査線駆動回路37につながっており、Y方向に互いに間隔をあけた状態でX方向に延びている。
複数のデータ線SIは、それぞれデータ線駆動回路38につながっており、X方向に互いに間隔をあけた状態でY方向に延びている。
複数の電源線PWは、Y方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線PWと各走査線GTとがY方向に間隔をあけた状態でX方向に延びている。
The plurality of scanning lines GT are respectively connected to the scanning line driving circuit 37, and extend in the X direction with a space therebetween in the Y direction.
The plurality of data lines SI are respectively connected to the data line driving circuit 38 and extend in the Y direction with a space therebetween in the X direction.
The plurality of power supply lines PW extend in the X direction in a state in which the power supply lines PW are spaced from each other in the Y direction, and the power supply lines PW and the scanning lines GT are spaced in the Y direction.

各画素5は、各走査線GTと各データ線SIとの交差に対応して設定されている。各走査線GT及び各電源線PWは、それぞれ、図3に示す各画素行19に対応している。各データ線SIは、図3に示す各画素列18に対応している。
図4に示す各選択トランジスター21のゲート電極は、対応する各走査線GTに電気的につながっている。各選択トランジスター21のソース電極は、対応する各データ線SIに電気的につながっている。各選択トランジスター21のドレイン電極は、各駆動トランジスター23のゲート電極及び各容量素子25の一方の電極に電気的につながっている。
Each pixel 5 is set corresponding to the intersection of each scanning line GT and each data line SI. Each scanning line GT and each power supply line PW correspond to each pixel row 19 shown in FIG. Each data line SI corresponds to each pixel column 18 shown in FIG.
The gate electrode of each selection transistor 21 shown in FIG. 4 is electrically connected to each corresponding scanning line GT. The source electrode of each select transistor 21 is electrically connected to each corresponding data line SI. The drain electrode of each select transistor 21 is electrically connected to the gate electrode of each drive transistor 23 and one electrode of each capacitive element 25.

容量素子25の他方の電極と、駆動トランジスター23のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線PWに電気的につながっている。
各駆動トランジスター23のドレイン電極は、各画素電極29に電気的につながっている。各画素電極29と共通電極33とは、画素電極29を陽極とし、共通電極33を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極33は、マトリクスMを構成する複数の画素5間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素5間にわたって共通して機能する。
各画素電極29と共通電極33との間に介在する機能層31は、後述する発光層を含んでいる。機能層31では、画素電極29と共通電極33との間に発生する電流によって、発光層が発光する。
The other electrode of the capacitive element 25 and the source electrode of the drive transistor 23 are electrically connected to the corresponding power supply line PW.
The drain electrode of each driving transistor 23 is electrically connected to each pixel electrode 29. Each pixel electrode 29 and the common electrode 33 constitute a pair of electrodes having the pixel electrode 29 as an anode and the common electrode 33 as a cathode.
Here, the common electrode 33 is provided in a series of states between the plurality of pixels 5 constituting the matrix M, and functions in common between the plurality of pixels 5.
The functional layer 31 interposed between each pixel electrode 29 and the common electrode 33 includes a light emitting layer to be described later. In the functional layer 31, the light emitting layer emits light due to the current generated between the pixel electrode 29 and the common electrode 33.

選択トランジスター21は、この選択トランジスター21につながる走査線GTに選択信号が供給されるとON状態となる。このとき、この選択トランジスター21につながるデータ線SIからデータ信号が供給され、駆動トランジスター23がON状態になる。駆動トランジスター23のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子25に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスター23のON状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。   The selection transistor 21 is turned on when a selection signal is supplied to the scanning line GT connected to the selection transistor 21. At this time, a data signal is supplied from the data line SI connected to the selection transistor 21, and the driving transistor 23 is turned on. The gate potential of the driving transistor 23 is held for a certain period by holding the potential of the data signal in the capacitor 25 for a certain period. As a result, the ON state of the drive transistor 23 is held for a certain period. Each data signal is generated at a potential corresponding to the gradation display.

駆動トランジスター23のON状態が保持されているときに、駆動トランジスター23のゲート電位に応じた電流が、電源線PWから画素電極29と機能層31を経て共通電極33に流れる。そして、機能層31に含まれる発光層が、機能層31を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置1では、階調表示が行われ得る。
表示装置1は、機能層31に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板13を介して表示面3から射出されるトップエミッション型の有機EL装置の1つである。なお、表示装置1では、表示面3側という表現が上側とも表現され、底面15側という表現が下側とも表現される。
When the ON state of the drive transistor 23 is maintained, a current corresponding to the gate potential of the drive transistor 23 flows from the power supply line PW to the common electrode 33 through the pixel electrode 29 and the functional layer 31. Then, the light emitting layer included in the functional layer 31 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing through the functional layer 31. Thereby, the display device 1 can perform gradation display.
The display device 1 is one of top emission type organic EL devices in which a light emitting layer included in the functional layer 31 emits light, and light from the light emitting layer is emitted from the display surface 3 through the sealing substrate 13. In the display device 1, the expression “display surface 3 side” is also expressed as the upper side, and the expression “bottom surface 15 side” is also expressed as the lower side.

ここで、素子基板11及び封止基板13のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板11は、図3中のC−C線における断面図である図5に示すように、第1基板41と、素子層42と、を有している。なお、図5では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスター21、容量素子25、データ線SI及び電源線PWが省略されている。
第1基板41は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面3側に向けられた第1面43aと、底面15側に向けられた第2面43bとを有している。
Here, the details of the configurations of the element substrate 11 and the sealing substrate 13 will be described.
The element substrate 11 includes a first substrate 41 and an element layer 42 as shown in FIG. 5 which is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. In FIG. 5, the selection transistor 21, the capacitor 25, the data line SI, and the power supply line PW are omitted for easy understanding of the configuration.
The first substrate 41 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and includes a first surface 43a directed to the display surface 3 side, and a second surface 43b directed to the bottom surface 15 side. have.

素子層42は、第1基板41の第1面43aに設けられている。素子層42には、ゲート絶縁膜44と、絶縁膜45と、絶縁膜47と、隔壁71と、機能層31と、補助電極75と、共通電極33と、が含まれている。また、素子層42には、画素5ごとに設けられた駆動トランジスター23と、画素電極29と、ソース電極55と、反射膜61と、が含まれている。
なお、図示しない選択トランジスター21、容量素子25、データ線SI及び電源線PWも素子層42に含まれる。
The element layer 42 is provided on the first surface 43 a of the first substrate 41. The element layer 42 includes a gate insulating film 44, an insulating film 45, an insulating film 47, a partition wall 71, a functional layer 31, an auxiliary electrode 75, and a common electrode 33. The element layer 42 includes a drive transistor 23, a pixel electrode 29, a source electrode 55, and a reflective film 61 provided for each pixel 5.
Note that the selection transistor 21, the capacitive element 25, the data line SI, and the power supply line PW (not shown) are also included in the element layer 42.

ゲート絶縁膜44は、第1基板41の第1面43aに設けられている。絶縁膜45は、ゲート絶縁膜44の表示面3側に設けられている。絶縁膜47は、絶縁膜45の表示面3側に設けられている。
また、第1基板41の第1面43aには、各画素5の駆動トランジスター23に対応して、半導体層51が設けられている。半導体層51は、ゲート絶縁膜44によって表示面3側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜44の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
The gate insulating film 44 is provided on the first surface 43 a of the first substrate 41. The insulating film 45 is provided on the display surface 3 side of the gate insulating film 44. The insulating film 47 is provided on the display surface 3 side of the insulating film 45.
A semiconductor layer 51 is provided on the first surface 43 a of the first substrate 41 so as to correspond to the drive transistor 23 of each pixel 5. The semiconductor layer 51 is covered with the gate insulating film 44 from the display surface 3 side. As a material of the gate insulating film 44, for example, a material such as silicon oxide can be adopted.

ゲート絶縁膜44の表示面3側には、平面視で半導体層51に重なる領域にゲート電極53が設けられている。ゲート電極53の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極53は、絶縁膜45によって表示面3側から覆われている。   On the display surface 3 side of the gate insulating film 44, a gate electrode 53 is provided in a region overlapping the semiconductor layer 51 in plan view. As a material of the gate electrode 53, for example, a metal such as aluminum, copper, molybdenum, tungsten, or chromium, or an alloy containing these metals can be used. The gate electrode 53 is covered with the insulating film 45 from the display surface 3 side.

絶縁膜45の表示面3側には、平面視で半導体層51のソース領域(図示せず)に重なる領域にソース電極55が設けられている。ソース電極55は、絶縁膜45及びゲート絶縁膜44に設けられたコンタクトホール57を介して半導体層51のソース領域(図示せず)につながっている。ソース電極55の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極55は、絶縁膜47によって表示面3側から覆われている。   On the display surface 3 side of the insulating film 45, a source electrode 55 is provided in a region overlapping a source region (not shown) of the semiconductor layer 51 in plan view. The source electrode 55 is connected to a source region (not shown) of the semiconductor layer 51 through a contact hole 57 provided in the insulating film 45 and the gate insulating film 44. As a material of the source electrode 55, for example, a metal such as aluminum, copper, molybdenum, tungsten, or chromium, or an alloy containing these metals can be employed. The source electrode 55 is covered with the insulating film 47 from the display surface 3 side.

反射膜61は、画素5ごとに、絶縁膜47の表示面3側に設けられている。反射膜61の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性が高い金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
反射膜61の表示面3側には、画素電極29が設けられている。画素電極29は、絶縁膜47、絶縁膜45及びゲート絶縁膜44に設けられたコンタクトホール63を介して半導体層51のドレイン領域(図示せず)につながっている。
The reflective film 61 is provided on the display surface 3 side of the insulating film 47 for each pixel 5. As a material of the reflective film 61, for example, a metal having high light reflectivity such as silver, platinum, aluminum, or copper, or an alloy containing these can be employed.
A pixel electrode 29 is provided on the display surface 3 side of the reflective film 61. The pixel electrode 29 is connected to a drain region (not shown) of the semiconductor layer 51 through a contact hole 63 provided in the insulating film 47, the insulating film 45, and the gate insulating film 44.

画素電極29の材料としては、ITO(Indium Tin Oxide)やインジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などが採用され得る。本実施形態では、画素電極29の材料としてITOが採用されている。
また、絶縁膜45及び47の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
As a material of the pixel electrode 29, ITO (Indium Tin Oxide), indium zinc oxide (Indium Zinc Oxide), or the like can be adopted. In this embodiment, ITO is used as the material of the pixel electrode 29.
Further, as the material of the insulating films 45 and 47, for example, materials such as silicon oxide, silicon nitride, and acrylic resin can be adopted.

隣り合う画素電極29同士の間には、隔壁71が領域72にわたって設けられている。隔壁71は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されている。本実施形態では、隔壁71の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
隔壁71は、平面視で、表示領域7(図1)にわたって格子状に設けられている。隔壁71は、画素5ごとに、発光領域73を囲んでいる。このため、発光領域73は、図5に示すように、隔壁71によって区画されている。
表示領域7は、隔壁71によって画素5ごとに発光領域73が区画されている。1つの画素5に着目すると、隔壁71は、平面視で環状に設けられている。なお、画素電極29は、隔壁71によって囲まれた発光領域73に平面視で重なっている。
A partition wall 71 is provided across the region 72 between the adjacent pixel electrodes 29. The partition wall 71 is made of, for example, an organic material such as an acrylic resin or a polyimide resin containing a material having a high light absorption property such as carbon black or chromium. In the present embodiment, an acrylic resin is employed as the material of the partition wall 71.
The partition walls 71 are provided in a lattice shape over the display region 7 (FIG. 1) in plan view. The partition wall 71 surrounds the light emitting region 73 for each pixel 5. For this reason, the light emitting region 73 is partitioned by the partition 71 as shown in FIG.
In the display area 7, a light emitting area 73 is partitioned for each pixel 5 by a partition wall 71. Focusing on one pixel 5, the partition wall 71 is provided in an annular shape in plan view. The pixel electrode 29 overlaps the light emitting region 73 surrounded by the partition wall 71 in plan view.

画素電極29の表示面3側には、機能層31が設けられている。機能層31は、複数の層を有している。機能層31において、複数の層のうちの一部の層は、領域72をまたいで、複数の発光領域73にわたっている。
発光領域73において、機能層31の表示面3側には、共通電極33が設けられている。共通電極33は、複数の発光領域73にわたって一連した状態で設けられている。共通電極33の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、共通電極33の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金(以下、MgAgと呼ぶ)が採用されている。
A functional layer 31 is provided on the display surface 3 side of the pixel electrode 29. The functional layer 31 has a plurality of layers. In the functional layer 31, a part of the plurality of layers extends over the plurality of light emitting regions 73 across the region 72.
In the light emitting region 73, the common electrode 33 is provided on the display surface 3 side of the functional layer 31. The common electrode 33 is provided in a series over a plurality of light emitting regions 73. As a material of the common electrode 33, for example, an alloy containing magnesium and silver, calcium, or the like can be adopted. In the present embodiment, an alloy containing magnesium and silver (hereinafter referred to as MgAg) is employed as the material for the common electrode 33.

ここで、領域72において、機能層31と共通電極33との間には、補助電極75が介在している。補助電極75は、共通電極33の電気伝導を補助する機能を有している。補助電極75の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどの電気伝導性が高い金属や、これらのうちの1つ又は2つ以上を含有する合金などが採用され得る。本実施形態では、補助電極75の材料として、アルミニウムを含有する合金が採用されている。   Here, in the region 72, the auxiliary electrode 75 is interposed between the functional layer 31 and the common electrode 33. The auxiliary electrode 75 has a function of assisting the electric conduction of the common electrode 33. As the material of the auxiliary electrode 75, for example, a metal having high electrical conductivity such as gold, silver, copper, or aluminum, or an alloy containing one or more of them can be employed. In this embodiment, an alloy containing aluminum is employed as the material of the auxiliary electrode 75.

なお、表示装置1では、各画素5において発光に有効な領域は、平面視で画素電極29と機能層31と共通電極33とが重なる領域であると定義され得る。また、各画素5において、発光機能を発揮させる要素の一群が1つの有機EL素子27であると定義され得る。表示装置1では、1つの有機EL素子27は、1つの画素電極29と、この1つの画素電極29に対応する機能層31と、この1つの画素電極29に対応する共通電極33と、を含んでいる。   In the display device 1, the region effective for light emission in each pixel 5 can be defined as a region where the pixel electrode 29, the functional layer 31, and the common electrode 33 overlap in a plan view. In each pixel 5, a group of elements that exhibit a light emitting function can be defined as one organic EL element 27. In the display device 1, one organic EL element 27 includes one pixel electrode 29, a functional layer 31 corresponding to the one pixel electrode 29, and a common electrode 33 corresponding to the one pixel electrode 29. It is out.

封止基板13は、第2基板81と、対向層82と、を有している。第2基板81は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面3側に向けられた外向面83aと、底面15側に向けられた対向面83bとを有している。
対向層82は、第2基板81の対向面83bに設けられている。対向層82は、遮光層85と、カラーフィルター87と、オーバーコート層89と、を含んでいる。
The sealing substrate 13 includes a second substrate 81 and a counter layer 82. The second substrate 81 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and has an outward surface 83a directed to the display surface 3 side and an opposing surface 83b directed to the bottom surface 15 side. is doing.
The facing layer 82 is provided on the facing surface 83 b of the second substrate 81. The facing layer 82 includes a light shielding layer 85, a color filter 87, and an overcoat layer 89.

遮光層85は、対向面83bにおいて、領域91にわたって設けられている。領域91は、平面視で、領域72に重なる領域である。つまり、遮光層85は、隔壁71と同様に、平面視で、表示領域7(図1)にわたって格子状に設けられている。遮光層85は、画素5ごとに、フィルター領域93を囲んでいる。このため、フィルター領域93は、図5に示すように、遮光層85によって区画されている。フィルター領域93は、平面視で、発光領域73に重なっている。
遮光層85としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料などが採用され得る。
The light shielding layer 85 is provided over the region 91 on the facing surface 83b. The region 91 is a region that overlaps the region 72 in plan view. That is, similarly to the partition wall 71, the light shielding layer 85 is provided in a lattice shape over the display region 7 (FIG. 1) in plan view. The light shielding layer 85 surrounds the filter region 93 for each pixel 5. For this reason, the filter region 93 is partitioned by the light shielding layer 85 as shown in FIG. The filter region 93 overlaps the light emitting region 73 in plan view.
As the light shielding layer 85, for example, an organic material such as an acrylic resin or a polyimide resin containing a material having a high light absorption property such as carbon black or chromium may be employed.

第2基板81の対向面83bには、フィルター領域93ごとに、フィルター領域93を底面15側から覆うカラーフィルター87が設けられている。
ここで、カラーフィルター87は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルター87は、画素5R、画素5G及び画素5Bごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素5Rに対応するカラーフィルター87は、Rの光を透過させることができる。画素5Gに対応するカラーフィルター87はGの光を透過させ、画素5Bに対応するカラーフィルター87はBの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルター87に対してR、G及びBが識別される場合に、カラーフィルター87R,87G及び87Bという表記が用いられる。
A color filter 87 that covers the filter region 93 from the bottom surface 15 side is provided on the facing surface 83 b of the second substrate 81 for each filter region 93.
Here, the color filter 87 can transmit light in a predetermined wavelength region of incident light. The color filter 87 is made of a resin colored in a different color for each of the pixels 5R, 5G, and 5B. The color filter 87 corresponding to the pixel 5R can transmit R light. The color filter 87 corresponding to the pixel 5G can transmit G light, and the color filter 87 corresponding to the pixel 5B can transmit B light. Hereinafter, when R, G, and B are identified for each color filter 87, the notation of color filters 87R, 87G, and 87B is used.

遮光層85及びカラーフィルター87の底面15側には、オーバーコート層89が設けられている。オーバーコート層89は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、遮光層85及びカラーフィルター87を底面15側から覆っている。
上記の構成を有する素子基板11及び封止基板13は、素子基板11の共通電極33と封止基板13のオーバーコート層89との間が、接着剤16を介して接合されている。
表示装置1では、図2に示すシール材17は、図5に示す第1基板41の第1面43aと、第2基板81の対向面83bとによって挟持されている。つまり、表示装置1では、有機EL素子27及び接着剤16が、第1基板41及び第2基板81並びにシール材17によって封止されている。なお、シール材17は、対向面83b及び共通電極33の間に設けられていてもよい。この場合、有機EL素子27及び接着剤16は、素子基板11及び封止基板13並びにシール材17によって封止されているとみなされ得る。
An overcoat layer 89 is provided on the bottom surface 15 side of the light shielding layer 85 and the color filter 87. The overcoat layer 89 is made of a light-transmitting resin or the like, and covers the light shielding layer 85 and the color filter 87 from the bottom surface 15 side.
In the element substrate 11 and the sealing substrate 13 having the above-described configuration, the common electrode 33 of the element substrate 11 and the overcoat layer 89 of the sealing substrate 13 are bonded via an adhesive 16.
In the display device 1, the sealing material 17 illustrated in FIG. 2 is sandwiched between the first surface 43 a of the first substrate 41 and the facing surface 83 b of the second substrate 81 illustrated in FIG. 5. That is, in the display device 1, the organic EL element 27 and the adhesive 16 are sealed with the first substrate 41, the second substrate 81, and the sealing material 17. The sealing material 17 may be provided between the facing surface 83 b and the common electrode 33. In this case, the organic EL element 27 and the adhesive 16 can be regarded as being sealed by the element substrate 11, the sealing substrate 13, and the sealing material 17.

ところで、本実施形態では、機能層31は、図5中の有機EL素子27の拡大図である図6に示すように、有機層101と、電子注入層103と、を含んでいる。
有機層101は、画素電極29の表示面3側に設けられている。電子注入層103は、有機層101の表示面3側に設けられている。
有機層101は、正孔注入層105と、正孔輸送層107と、発光層109と、中間層111と、発光層113と、発光層117と、を含んでいる。
By the way, in this embodiment, the functional layer 31 includes the organic layer 101 and the electron injection layer 103 as shown in FIG. 6 which is an enlarged view of the organic EL element 27 in FIG.
The organic layer 101 is provided on the display surface 3 side of the pixel electrode 29. The electron injection layer 103 is provided on the display surface 3 side of the organic layer 101.
The organic layer 101 includes a hole injection layer 105, a hole transport layer 107, a light emitting layer 109, an intermediate layer 111, a light emitting layer 113, and a light emitting layer 117.

正孔注入層105は、有機材料を含む材料で構成されており、平面視で隔壁71によって囲まれた領域内で、画素電極29の表示面3側に設けられている。
正孔注入層105の有機材料としては、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸(PSS)等との混合物が採用され得る。正孔注入層105の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
The hole injection layer 105 is made of a material containing an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the pixel electrode 29 in a region surrounded by the partition walls 71 in a plan view.
As an organic material of the hole injection layer 105, a mixture of a polythiophene derivative such as 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) can be employed. As the organic material for the hole injection layer 105, polystyrene, polypyrrole, polyaniline, polyacetylene, derivatives thereof, and the like can be employed.

正孔輸送層107は、有機材料を含む材料で構成されており、正孔注入層105の表示面3側に設けられている。正孔輸送層107の材料としては、例えば、HT320(出光興産株式会社製)が採用され得る。そして、正孔輸送層107は、蒸着技術を活用して、HT320を配置することによって設けられ得る。なお、蒸着技術を活用した材料の配置は、蒸着法と呼ばれる。本実施形態では、蒸着法で正孔輸送層107を、表示領域7(図1)にわたって形成する方法が採用されている。これにより、正孔輸送層107は、複数の画素5間にまたがって形成される。このため、隔壁71の表示面3側にも、正孔輸送層107が形成されている。   The hole transport layer 107 is made of a material containing an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the hole injection layer 105. As a material of the hole transport layer 107, for example, HT320 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) can be adopted. Then, the hole transport layer 107 can be provided by disposing the HT 320 using a vapor deposition technique. In addition, the arrangement | positioning of the material using a vapor deposition technique is called a vapor deposition method. In the present embodiment, a method of forming the hole transport layer 107 over the display region 7 (FIG. 1) by vapor deposition is employed. Thereby, the hole transport layer 107 is formed across the plurality of pixels 5. For this reason, the hole transport layer 107 is also formed on the display surface 3 side of the partition wall 71.

発光層109は、有機材料を含む材料で構成されており、正孔輸送層107の表示面3側に設けられている。
発光層109の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層109は、蒸着法によって形成されている。
発光層109は、Rの光を発する層である。Rの光を発する発光層109の材料としては、例えば、ホスト材料としてのNPBに、ドーパントとしてのRD001(出光興産株式会社製)を混入した構成が採用され得る。
The light emitting layer 109 is made of a material containing an organic material and is provided on the display surface 3 side of the hole transport layer 107.
As a material of the light emitting layer 109, a material obtained by mixing a host material that ensures conductivity with a dopant having a function of emitting light by the combination of electrons and holes can be used. In this embodiment, the light emitting layer 109 is formed by a vapor deposition method.
The light emitting layer 109 is a layer that emits R light. As a material of the light emitting layer 109 that emits R light, for example, a configuration in which RD001 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) as a dopant is mixed into NPB as a host material can be employed.

中間層111は、有機材料を含む材料で構成されており、発光層109の表示面3側に設けられている。中間層111を構成する材料としては、例えば、NPBなどが採用され得る。
発光層113は、有機材料を含む材料で構成されており、中間層111の表示面3側に設けられている。
発光層113の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層113は、蒸着法によって形成されている。
発光層113は、Bの光を発する層である。Bの光を発する発光層113の材料としては、例えば、ホスト材料としてのBH215(出光興産株式会社製)に、ドーパントとしてのBD052(出光興産株式会社製)を混入した構成が採用され得る。
The intermediate layer 111 is made of a material containing an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the light emitting layer 109. As a material constituting the intermediate layer 111, for example, NPB may be employed.
The light emitting layer 113 is made of a material containing an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the intermediate layer 111.
As the material of the light emitting layer 113, a material obtained by mixing a host material ensuring conductivity with a dopant having a function of emitting light by the combination of electrons and holes can be used. In the present embodiment, the light emitting layer 113 is formed by a vapor deposition method.
The light emitting layer 113 is a layer that emits B light. As a material of the light emitting layer 113 that emits B light, for example, a configuration in which BD052 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) as a dopant is mixed into BH215 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) as a host material can be adopted.

発光層117は、有機材料を含む材料で構成されており、発光層113の表示面3側に設けられている。
発光層117の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層117は、蒸着法によって形成されている。
発光層117は、Gの光を発する層である。Gの光を発する発光層117の材料としては、例えば、Alq3に、ドーパントとしてのキナクリドンを混入した構成が採用され得る。
The light emitting layer 117 is made of a material containing an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the light emitting layer 113.
As a material for the light emitting layer 117, a material obtained by mixing a host material that ensures conductivity with a dopant having a function of emitting light by the combination of electrons and holes can be used. In the present embodiment, the light emitting layer 117 is formed by a vapor deposition method.
The light emitting layer 117 is a layer that emits G light. As a material of the light emitting layer 117 that emits G light, for example, a configuration in which quinacridone as a dopant is mixed in Alq3 can be adopted.

なお、中間層111は、電子及び正孔の移動度を調整する機能を有している。中間層111によって、発光層109、発光層113及び発光層117のそれぞれにおける発光機能が保たれる。
電子注入層103は、発光層117の表示面3側に設けられている。電子注入層103の材料としては、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、酸化マグネシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層103の材料として、フッ化リチウムが採用されている。
Note that the intermediate layer 111 has a function of adjusting the mobility of electrons and holes. The light emitting function of each of the light emitting layer 109, the light emitting layer 113, and the light emitting layer 117 is maintained by the intermediate layer 111.
The electron injection layer 103 is provided on the display surface 3 side of the light emitting layer 117. As a material for the electron injection layer 103, lithium fluoride, calcium fluoride, magnesium oxide, or the like may be employed. In the present embodiment, lithium fluoride is adopted as the material of the electron injection layer 103.

ところで、本実施形態では、画素5ごとに、有機EL素子27は、図5に示すように、カラーフィルター87R,87G及び87Bのそれぞれに対応している。カラーフィルター87Rに対応する有機EL素子27は、有機EL素子27Rと呼ばれる。同様に、カラーフィルター87Gに対応する有機EL素子27が有機EL素子27Gと呼ばれ、カラーフィルター87Bに対応する有機EL素子27が有機EL素子27Bと呼ばれる。   By the way, in this embodiment, for each pixel 5, the organic EL element 27 corresponds to each of the color filters 87R, 87G, and 87B as shown in FIG. The organic EL element 27 corresponding to the color filter 87R is referred to as an organic EL element 27R. Similarly, the organic EL element 27 corresponding to the color filter 87G is called an organic EL element 27G, and the organic EL element 27 corresponding to the color filter 87B is called an organic EL element 27B.

有機EL素子27Rは、平面視でカラーフィルター87Rに重なっている。有機EL素子27Gは、平面視でカラーフィルター87Gに重なっている。有機EL素子27Bは、平面視でカラーフィルター87Bに重なっている。このため、有機EL素子27Rとカラーフィルター87Rとは、互いに対応する関係にある。同様に、有機EL素子27Gとカラーフィルター87Gとが対応関係にあり、有機EL素子27Bとカラーフィルター87Bとが対応関係にある。   The organic EL element 27R overlaps the color filter 87R in plan view. The organic EL element 27G overlaps the color filter 87G in plan view. The organic EL element 27B overlaps the color filter 87B in plan view. For this reason, the organic EL element 27R and the color filter 87R have a mutually corresponding relationship. Similarly, the organic EL element 27G and the color filter 87G have a correspondence relationship, and the organic EL element 27B and the color filter 87B have a correspondence relationship.

そして、本実施形態では、反射膜61と共通電極33との間の距離が、有機EL素子27R,27G及び27Bの間で相互に異なる距離に設定されている。
有機EL素子27Rでは、反射膜61と共通電極33との間の距離が、D1の距離に設定されている。有機EL素子27Gでは、反射膜61と共通電極33との間の距離が、D2の距離に設定されている。有機EL素子27Bでは、反射膜61と共通電極33との間の距離が、D3の距離に設定されている。
本実施形態では、D1と、D2と、D3とは、D1>D2>D3の関係を満たしている。
そして、本実施形態では、D1>D2>D3の関係は、画素電極29の厚みを有機EL素子27R,27G及び27Bの間で相互に異なる厚みに設定することによって実現されている。
In the present embodiment, the distance between the reflective film 61 and the common electrode 33 is set to a different distance between the organic EL elements 27R, 27G, and 27B.
In the organic EL element 27R, the distance between the reflective film 61 and the common electrode 33 is set to the distance D1. In the organic EL element 27G, the distance between the reflective film 61 and the common electrode 33 is set to the distance D2. In the organic EL element 27B, the distance between the reflective film 61 and the common electrode 33 is set to the distance D3.
In the present embodiment, D1, D2, and D3 satisfy the relationship D1>D2> D3.
In the present embodiment, the relationship of D1>D2> D3 is realized by setting the thickness of the pixel electrode 29 to a different thickness between the organic EL elements 27R, 27G, and 27B.

表示装置1では、画素電極29を陽極とし、共通電極33を陰極として、画素電極29と共通電極33との間に電圧を印加すると、有機層101(図6)を電流が流れる。このとき、発光層109、発光層113及び発光層117のそれぞれにおいて発光現象が発現する。このとき、有機層101からの光には、発光層109からのRの光と、発光層113からのBの光と、発光層117からのGの光と、が含まれている。   In the display device 1, when a voltage is applied between the pixel electrode 29 and the common electrode 33 using the pixel electrode 29 as an anode, the common electrode 33 as a cathode, and a current flows through the organic layer 101 (FIG. 6). At this time, a light emission phenomenon appears in each of the light emitting layer 109, the light emitting layer 113, and the light emitting layer 117. At this time, the light from the organic layer 101 includes R light from the light emitting layer 109, B light from the light emitting layer 113, and G light from the light emitting layer 117.

有機層101から共通電極33側に向かう光の一部は、共通電極33を透過してカラーフィルター87(図5)に入射する。
また、有機層101から画素電極29側に向かう光の一部は、画素電極29を透過してから、反射膜61で共通電極33側に反射する。反射膜61で反射して共通電極33側に向かう光の一部は、共通電極33を透過してカラーフィルター87に入射する。
有機層101からカラーフィルター87に入射する光は、カラーフィルター87R,87G及び87Bのそれぞれに対応した色の光として、第2基板81から表示面3側に射出される。
Part of the light traveling from the organic layer 101 toward the common electrode 33 is transmitted through the common electrode 33 and enters the color filter 87 (FIG. 5).
A part of the light traveling from the organic layer 101 toward the pixel electrode 29 is transmitted through the pixel electrode 29 and then reflected by the reflective film 61 toward the common electrode 33. A part of the light reflected by the reflective film 61 and traveling toward the common electrode 33 side passes through the common electrode 33 and enters the color filter 87.
Light incident on the color filter 87 from the organic layer 101 is emitted from the second substrate 81 toward the display surface 3 as light of a color corresponding to each of the color filters 87R, 87G, and 87B.

有機層101から共通電極33側に向かう光の残りの一部は、共通電極33で反射して、画素電極29側に向かう。共通電極33で反射して画素電極29側に向かう光の一部は、画素電極29を透過してから、反射膜61で共通電極33側に反射する。
このとき、有機EL素子27Rでは、反射膜61で共通電極33側に反射する光のうちでRの光が共振現象によって強められる。有機EL素子27Gでは、反射膜61で共通電極33側に反射する光のうちでGの光が共振現象によって強められる。また、有機EL素子27Bでは、反射膜61で共通電極33側に反射する光のうちでBの光が共振現象によって強められる。
The remaining part of the light traveling from the organic layer 101 toward the common electrode 33 is reflected by the common electrode 33 and travels toward the pixel electrode 29. A part of the light reflected by the common electrode 33 and traveling toward the pixel electrode 29 is transmitted through the pixel electrode 29 and then reflected by the reflective film 61 toward the common electrode 33.
At this time, in the organic EL element 27 </ b> R, among the light reflected by the reflective film 61 to the common electrode 33 side, the R light is strengthened by the resonance phenomenon. In the organic EL element 27G, among the light reflected by the reflective film 61 toward the common electrode 33, the G light is strengthened by the resonance phenomenon. In the organic EL element 27B, among the light reflected by the reflective film 61 toward the common electrode 33, the B light is strengthened by the resonance phenomenon.

本実施形態では、有機EL素子27R(図5)において、共通電極33と反射膜61との間の距離が、Rの光を強めるD1の距離に設定されている。また、有機EL素子27Gでは、共通電極33と反射膜61との間の距離が、Gの光を強めるD2の距離に設定されている。有機EL素子27Bでは、共通電極33と反射膜61との間の距離が、Bの光を強めるD3の距離に設定されている。
これらのD1、D2及びD3の距離の設定により、画素5R,5G及び5Bのそれぞれにおいて、光の色純度が高められる。これにより、表示装置1の表示における表示品位の向上が図られる。
In the present embodiment, in the organic EL element 27R (FIG. 5), the distance between the common electrode 33 and the reflective film 61 is set to the distance D1 that enhances the R light. In the organic EL element 27G, the distance between the common electrode 33 and the reflective film 61 is set to a distance D2 that enhances the G light. In the organic EL element 27B, the distance between the common electrode 33 and the reflective film 61 is set to a distance D3 that enhances the B light.
By setting the distances D1, D2 and D3, the color purity of light is increased in each of the pixels 5R, 5G and 5B. Thereby, the display quality in the display of the display device 1 is improved.

ところで、本実施形態では、正孔注入層105は、図7に示すように、共通電極33側の表面に、底面121と、湾曲面123と、を有している。
底面121は、平面視で、画素電極29の電極面125に重なっている。電極面125は、平面に形成されている。
湾曲面123は、底面121につながっている。湾曲面123は、底面121から、隔壁71の壁面127にかかっている。湾曲面123は、電極面125と壁面127との交線128に対面している。本実施形態では、湾曲面123は、平面視で交線128に重なっている。湾曲面123は、交線128に向かって凹となる方向に湾曲している。
By the way, in this embodiment, the hole injection layer 105 has the bottom surface 121 and the curved surface 123 on the surface at the side of the common electrode 33 as shown in FIG.
The bottom surface 121 overlaps the electrode surface 125 of the pixel electrode 29 in plan view. The electrode surface 125 is formed in a plane.
The curved surface 123 is connected to the bottom surface 121. The curved surface 123 extends from the bottom surface 121 to the wall surface 127 of the partition wall 71. The curved surface 123 faces an intersection line 128 between the electrode surface 125 and the wall surface 127. In the present embodiment, the curved surface 123 overlaps the intersection line 128 in plan view. The curved surface 123 is curved in a concave direction toward the intersection line 128.

本実施形態では、正孔注入層105は、図6に示すように、有機層101に含まれる複数の層において、画素電極29側から共通電極33側に向かって順に数えていったときの第1層目に相当する。第2層目の正孔輸送層107を含め、正孔輸送層107から表示面3側の各層には、正孔注入層105の湾曲面123(図7)の形状が反映されている。
この結果、共通電極33は、図6に示すように、湾曲部129を有している。
本実施形態では、正孔注入層105において、湾曲面123の湾曲の程度が規定されている。湾曲面123の湾曲の程度は、図7中のF部の拡大図である図8に示すように、角度θによって規定されている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, the hole injection layer 105 includes a plurality of layers included in the organic layer 101, when counted sequentially from the pixel electrode 29 side toward the common electrode 33 side. It corresponds to the first layer. The shape of the curved surface 123 (FIG. 7) of the hole injection layer 105 is reflected in each layer on the display surface 3 side from the hole transport layer 107, including the second hole transport layer 107.
As a result, the common electrode 33 has a curved portion 129 as shown in FIG.
In the present embodiment, the degree of curvature of the curved surface 123 is defined in the hole injection layer 105. The degree of bending of the curved surface 123 is defined by the angle θ as shown in FIG. 8 which is an enlarged view of the F portion in FIG.

角度θは、面131と線133との間の角度である。
面131は、電極面125に平行な面である。面131は、電極面125に平行な面を、電極面125の法線135に沿って正孔注入層105の底面121まで移動させたときの仮想的な面である。
ここで、面131と湾曲面123との交点を第1点137とし、面131と壁面127との交点を第2点139とし、第1点137と第2点139との中点を第3点141とする。また、第3点141を通る法線135と湾曲面123との交点を第4点143とする。
そして、第1点137と第4点143とを結ぶ線が線133である。
The angle θ is an angle between the surface 131 and the line 133.
The surface 131 is a surface parallel to the electrode surface 125. The surface 131 is a virtual surface when a surface parallel to the electrode surface 125 is moved to the bottom surface 121 of the hole injection layer 105 along the normal line 135 of the electrode surface 125.
Here, the intersection of the surface 131 and the curved surface 123 is a first point 137, the intersection of the surface 131 and the wall surface 127 is a second point 139, and the midpoint between the first point 137 and the second point 139 is a third point. Let it be a point 141. Further, the intersection point between the normal line 135 passing through the third point 141 and the curved surface 123 is defined as a fourth point 143.
A line connecting the first point 137 and the fourth point 143 is a line 133.

本実施形態では、角度θは、50度以下に設定されている。これにより、共通電極33が、湾曲部129(図6)で途切れてしまうことを低く抑えることができる。
ここで、表示装置1の製造方法について説明する。
表示装置1の製造方法は、素子基板11を製造する工程と、封止基板13を製造する工程と、表示装置1を組み立てる工程と、に大別される。
In the present embodiment, the angle θ is set to 50 degrees or less. Thereby, it is possible to suppress the common electrode 33 from being interrupted at the curved portion 129 (FIG. 6).
Here, a method for manufacturing the display device 1 will be described.
The manufacturing method of the display device 1 is roughly divided into a step of manufacturing the element substrate 11, a step of manufacturing the sealing substrate 13, and a step of assembling the display device 1.

素子基板11を製造する工程では、図9(a)に示すように、まず、第1基板41の第1面43aに駆動素子層151を形成する。この駆動素子層151には、前述した選択トランジスター21(図4)、駆動トランジスター23、容量素子25(図4)、電源線PW(図4)、反射膜61、画素電極29、ゲート絶縁膜44、絶縁膜45、絶縁膜47などが含まれている。   In the process of manufacturing the element substrate 11, first, the drive element layer 151 is formed on the first surface 43 a of the first substrate 41 as shown in FIG. The drive element layer 151 includes the selection transistor 21 (FIG. 4), the drive transistor 23, the capacitor element 25 (FIG. 4), the power supply line PW (FIG. 4), the reflective film 61, the pixel electrode 29, and the gate insulating film 44. Insulating film 45, insulating film 47, and the like are included.

次いで、図9(b)に示すように、平面視で画素電極29の周縁及び絶縁膜47に重なる領域(図5に示す領域72)に隔壁71を形成する。
隔壁71の形成では、まず、感光性を有するアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極29及び絶縁膜47を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。
次いで、この樹脂膜にプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を70℃〜90℃とし、処理時間を1分〜3分とする条件が採用され得る。
次いで、例えばフォトリソグラフィー技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。
次いで、パターニングした樹脂にポストベーク処理を施す。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を110℃〜170℃とし、処理時間を1分〜3分とする条件が採用され得る。
次いで、ポストベーク処理を施した樹脂にベーク処理を施す。ベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を210℃〜250℃とし、処理時間を20分〜40分とする条件が採用され得る。これにより、隔壁71が形成され得る。
なお、駆動素子層151から隔壁71までの構成が形成された第1基板41は、以下において基板153と呼ばれる。
Next, as illustrated in FIG. 9B, the partition wall 71 is formed in a region overlapping the periphery of the pixel electrode 29 and the insulating film 47 (region 72 illustrated in FIG. 5) in plan view.
In the formation of the partition 71, first, a resin film that covers the pixel electrode 29 and the insulating film 47 in a plan view is formed with a photosensitive acrylic resin. In the formation of the resin film, spin coating technology, printing technology, or the like can be used.
Next, the resin film is pre-baked. As prebaking conditions, for example, a temperature range of 70 ° C. to 90 ° C. and a processing time of 1 minute to 3 minutes may be employed.
Next, the resin film is patterned by utilizing, for example, a photolithography technique.
Next, post-baking treatment is performed on the patterned resin. As conditions for the post-bake treatment, for example, a temperature range of 110 ° C. to 170 ° C. and a treatment time of 1 minute to 3 minutes may be employed.
Next, the post-baking resin is baked. As conditions for the bake treatment, for example, a temperature range of 210 ° C. to 250 ° C. and a treatment time of 20 minutes to 40 minutes may be employed. Thereby, the partition wall 71 can be formed.
The first substrate 41 on which the structure from the drive element layer 151 to the partition 71 is formed is referred to as a substrate 153 below.

隔壁71の形成に次いで、図10(a)に示すように、基板153に酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極29に、後述する液状体105aに対する親液性が付与される。
次いで、図10(b)に示すように、基板153にCF4プラズマ処理を施す。これにより、隔壁71に、後述する液状体105aに対する撥液性が付与される。
Subsequent to the formation of the partition 71, the substrate 153 is subjected to oxygen plasma treatment as shown in FIG. Thereby, the lyophilicity with respect to the liquid material 105a mentioned later is provided to the pixel electrode 29.
Next, as shown in FIG. 10B, the substrate 153 is subjected to CF 4 plasma treatment. Thereby, the partition 71 is provided with liquid repellency with respect to the liquid 105a described later.

次いで、図11(a)に示すように、隔壁71によって囲まれた各領域(図5に示す発光領域73)内に液状体105aを配置する。液状体105aには、正孔注入層105を構成する有機材料が含まれている。
液状体105aの配置には、液滴吐出ヘッド155を利用したインクジェット法が活用され得る。インクジェット法では、液状体105aが液滴105bとして吐出される。
液滴吐出ヘッド155から液状体105aなどを液滴105bとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体105aなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の1つである。
Next, as illustrated in FIG. 11A, the liquid material 105 a is disposed in each region (the light emitting region 73 illustrated in FIG. 5) surrounded by the partition walls 71. The liquid material 105 a contains an organic material that forms the hole injection layer 105.
An ink jet method using a droplet discharge head 155 can be used for the arrangement of the liquid material 105a. In the ink jet method, the liquid material 105a is ejected as droplets 105b.
A technique for ejecting the liquid material 105a and the like as the droplet 105b from the droplet ejection head 155 is called an inkjet technique. A method of arranging the liquid material 105a and the like at a predetermined position using the ink jet technique is called an ink jet method. This ink jet method is one of coating methods.

隔壁71によって囲まれた領域内に配置された液状体105aを減圧乾燥法で乾燥させることによって、図11(b)に示す正孔注入層105が形成され得る。このとき、正孔注入層105には、図7に示すように、底面121と、湾曲面123とが形成され得る。
なお、正孔注入層105を構成する有機材料が含まれた液状体105aは、PEDOTとPSSとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。
なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。本実施形態では、減圧乾燥法による乾燥(以下、減圧乾燥と呼ぶ)において、ドライポンプとターボ分子ポンプとが減圧に併用される。
The hole injection layer 105 shown in FIG. 11B can be formed by drying the liquid 105a disposed in the region surrounded by the partition walls 71 by a reduced pressure drying method. At this time, a bottom surface 121 and a curved surface 123 may be formed in the hole injection layer 105 as shown in FIG.
Note that the liquid 105a containing the organic material constituting the hole injection layer 105 may employ a configuration in which a mixture of PEDOT and PSS is dissolved in a solvent. As the solvent, for example, diethylene glycol, isopropyl alcohol, normal butanol and the like can be employed.
The reduced pressure drying method is a drying method performed under a reduced pressure environment, and is also called a vacuum drying method. In this embodiment, in the drying by the reduced pressure drying method (hereinafter referred to as reduced pressure drying), a dry pump and a turbo molecular pump are used for reducing the pressure.

正孔注入層105の形成に次いで、図6に示すように、正孔注入層105の表示面3側に正孔輸送層107を形成する。正孔輸送層107は、正孔輸送層107の材料を蒸着法で配置することによって形成される。
次いで、正孔輸送層107の表示面3側に発光層109を蒸着法で形成する。
同様に、中間層111、発光層113、発光層117、及び電子注入層103のそれぞれを、蒸着法で形成することによって、機能層31が形成される。
Following the formation of the hole injection layer 105, a hole transport layer 107 is formed on the display surface 3 side of the hole injection layer 105 as shown in FIG. The hole transport layer 107 is formed by disposing the material of the hole transport layer 107 by a vapor deposition method.
Next, a light emitting layer 109 is formed on the display surface 3 side of the hole transport layer 107 by an evaporation method.
Similarly, the functional layer 31 is formed by forming each of the intermediate layer 111, the light emitting layer 113, the light emitting layer 117, and the electron injection layer 103 by an evaporation method.

次いで、図6に示すように、電子注入層103の表示面3側において、電子注入層103と隔壁71とが重なる領域に補助電極75を形成する。補助電極75の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。
次いで、電子注入層103及び補助電極75の表示面3側に、共通電極33を形成する。共通電極33の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術が活用され得る。本実施形態では、真空蒸着技術を活用することにより、電子注入層103及び補助電極75の表示面3側にMgAgの膜を形成する。これにより、共通電極33が形成され得る。
上記の方法により、素子基板11が製造され得る。
Next, as shown in FIG. 6, on the display surface 3 side of the electron injection layer 103, an auxiliary electrode 75 is formed in a region where the electron injection layer 103 and the partition wall 71 overlap. In forming the auxiliary electrode 75, for example, a film forming technique such as a sputtering technique or a vacuum deposition technique, or a patterning technique such as a photolithography technique or an etching technique can be used.
Next, the common electrode 33 is formed on the display surface 3 side of the electron injection layer 103 and the auxiliary electrode 75. In forming the common electrode 33, for example, a film forming technique such as a sputtering technique or a vacuum evaporation technique can be used. In this embodiment, an MgAg film is formed on the display surface 3 side of the electron injection layer 103 and the auxiliary electrode 75 by utilizing a vacuum deposition technique. Thereby, the common electrode 33 can be formed.
The element substrate 11 can be manufactured by the above method.

封止基板13を製造する工程では、図5に示すように、まず、第2基板81の対向面83bに、遮光層85を、平面視で格子状に形成する。遮光層85は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィー技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。   In the process of manufacturing the sealing substrate 13, first, as illustrated in FIG. 5, the light shielding layer 85 is first formed in a lattice shape on the facing surface 83 b of the second substrate 81 in a plan view. The light shielding layer 85 can be formed by forming a resin film containing carbon black, chromium, or the like and then patterning the resin film using, for example, a photolithography technique.

次いで、遮光層85によって囲まれる各フィルター領域93内に、カラーフィルター87を形成する。カラーフィルター87は、R、G及びBの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各フィルター領域93内に配置することによって形成され得る。なお、各フィルター領域93内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、遮光層85及びカラーフィルター87上にオーバーコート層89を形成する。オーバーコート層89は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
上記の方法により、封止基板13が製造され得る。
Next, a color filter 87 is formed in each filter region 93 surrounded by the light shielding layer 85. The color filter 87 can be formed by disposing a resin containing a colorant corresponding to each of R, G, and B light in each filter region 93. In addition, arrangement | positioning of resin in each filter area | region 93 can be performed by utilizing an inkjet technique or a vapor deposition technique, for example.
Next, an overcoat layer 89 is formed on the light shielding layer 85 and the color filter 87. The overcoat layer 89 can be formed of a light transmissive resin by using, for example, a spin coat technique.
The sealing substrate 13 can be manufactured by the above method.

表示装置1を組み立てる工程では、図2に示すように、素子基板11及び封止基板13を、接着剤16及びシール材17を介して接合する。
このとき、素子基板11及び封止基板13は、図5に示すように、第1基板41の第1面43aと、封止基板13の対向面83bとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置1が製造され得る。
In the process of assembling the display device 1, as shown in FIG. 2, the element substrate 11 and the sealing substrate 13 are joined via an adhesive 16 and a sealing material 17.
At this time, the element substrate 11 and the sealing substrate 13 are bonded in a state where the first surface 43a of the first substrate 41 and the facing surface 83b of the sealing substrate 13 face each other, as shown in FIG. Thereby, the display apparatus 1 can be manufactured.

本実施形態において、画素電極29が第1電極に対応し、共通電極33が第2電極に対応し、ドライポンプが第1のポンプに対応し、ターボ分子ポンプが第2のポンプに対応している。また、正孔注入層105の形成が塗布層形成工程に対応し、減圧乾燥による液状体105aの乾燥が層形成工程における乾燥工程に対応している。また、正孔輸送層107、発光層109、中間層111、発光層113及び発光層117の形成が蒸着層形成工程に対応している。
本実施形態では、図8に示す角度θが50度以下に設定されている。これにより、共通電極33が、湾曲部129(図6)で途切れてしまうことを低く抑えることができる。この結果、表示装置1の表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
In the present embodiment, the pixel electrode 29 corresponds to the first electrode, the common electrode 33 corresponds to the second electrode, the dry pump corresponds to the first pump, and the turbo molecular pump corresponds to the second pump. Yes. In addition, the formation of the hole injection layer 105 corresponds to the coating layer forming process, and the drying of the liquid 105a by drying under reduced pressure corresponds to the drying process in the layer forming process. The formation of the hole transport layer 107, the light emitting layer 109, the intermediate layer 111, the light emitting layer 113, and the light emitting layer 117 corresponds to the vapor deposition layer forming step.
In the present embodiment, the angle θ shown in FIG. 8 is set to 50 degrees or less. Thereby, it is possible to suppress the common electrode 33 from being interrupted at the curved portion 129 (FIG. 6). As a result, the display quality in the display of the display device 1 can be easily improved.

また、本実施形態では、有機層101を構成する各層のうち、底面15側から数えて1層目である正孔注入層105が、塗布法で形成されている。
例えば、1層目を蒸着法で形成し、2層目を塗布法で形成しても共通電極33に湾曲部129を形成することができる。しかしながら、1層目を蒸着法で形成し、2層目を塗布法で形成する場合、2層目の有機材料を含む液状体における溶媒が、1層目を溶解してしまうことがある。この結果、表示品位が損なわれることがある。
これに対し、1層目を塗布法で形成する本実施形態では、1層目及び2層目が互いに損傷しあうことを低く抑えることができる。この点で、1層目を塗布法で形成することは好ましい。
In the present embodiment, the hole injection layer 105 which is the first layer counted from the bottom surface 15 side among the layers constituting the organic layer 101 is formed by a coating method.
For example, the curved portion 129 can be formed on the common electrode 33 even if the first layer is formed by a vapor deposition method and the second layer is formed by a coating method. However, when the first layer is formed by the vapor deposition method and the second layer is formed by the coating method, the solvent in the liquid containing the second layer organic material may dissolve the first layer. As a result, display quality may be impaired.
On the other hand, in this embodiment in which the first layer is formed by the coating method, it is possible to suppress the first layer and the second layer from being damaged each other. In this respect, it is preferable to form the first layer by a coating method.

ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、図9(b)に示す基板153として、2種類の試料が用いられている。2種類の試料は、図12に示すように、隔壁71と画素電極29との間の角度θ2の値が互いに異なっている。角度θ2として、50度と、60度との2種類が採用されている。
以下において、角度θ2が50度である基板153は、基板153aと呼ばれる。また、角度θ2が60度である基板153は、基板153bと呼ばれる。
なお、基板153aと基板153bとは、前述した隔壁71の形成において、ポストベーク処理の条件が異なっている。
基板153aでは、ポストベーク処理の条件として、処理温度を160℃とし、処理時間を約2分間とした。
基板153bでは、ポストベーク処理の条件として、処理温度を120℃とし、処理時間を約2分間とした。
ポストベーク処理の条件を異ならせることにより、基板153aと基板153bとで、角度θ2の値を異ならせることができる。
Here, examples and comparative examples will be described.
In the examples and comparative examples described below, two types of samples are used as the substrate 153 shown in FIG. As shown in FIG. 12, the two types of samples have different values of the angle θ2 between the partition wall 71 and the pixel electrode 29. Two types of angles θ2 of 50 degrees and 60 degrees are employed.
Hereinafter, the substrate 153 whose angle θ2 is 50 degrees is referred to as a substrate 153a. The substrate 153 having an angle θ2 of 60 degrees is called a substrate 153b.
Note that the substrate 153a and the substrate 153b have different post-bake processing conditions in the formation of the partition walls 71 described above.
For the substrate 153a, the post-baking process was performed at a processing temperature of 160 ° C. and a processing time of about 2 minutes.
For the substrate 153b, the post-baking process was performed at a processing temperature of 120 ° C. and a processing time of about 2 minutes.
By varying the post-bake processing conditions, the value of the angle θ2 can be varied between the substrate 153a and the substrate 153b.

(実施例1)
角度θ2が50度である基板153aに、酸素プラズマ処理、CF4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板153aに、正孔注入層105を形成した。この実施例では、正孔注入層105の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層105の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層107、発光層109、中間層111、発光層113、発光層117、及び電子注入層103のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
Example 1
Oxygen plasma treatment and CF 4 plasma treatment were performed on the substrate 153a having an angle θ2 of 50 degrees. The order and conditions of these processes were made the same as the order and conditions described above.
Next, the hole injection layer 105 was formed on the substrate 153a. In this example, an ink jet method and a reduced pressure drying method were used for forming the hole injection layer 105. The hole injection layer 105 is formed by the method described above.
Next, each of the hole transport layer 107, the light-emitting layer 109, the intermediate layer 111, the light-emitting layer 113, the light-emitting layer 117, and the electron injection layer 103 was sequentially formed on this substrate by a vapor deposition method.

次に、この基板に補助電極75及び共通電極33を順次に形成することによって、素子基板11を形成した。
次に、この素子基板11と封止基板13とを、接着剤16及びシール材17を介して接合することによって、表示装置1を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置1は、試料1と呼ばれる。
Next, the element substrate 11 was formed by sequentially forming the auxiliary electrode 75 and the common electrode 33 on the substrate.
Next, the display device 1 was assembled by bonding the element substrate 11 and the sealing substrate 13 via the adhesive 16 and the sealing material 17. Hereinafter, the display device 1 in this embodiment is referred to as a sample 1.

ここで、正孔注入層105の形成における減圧乾燥では、図13に示す乾燥装置161を使用した。乾燥装置161は、処理室163と、ターボ分子ポンプ165と、ドライポンプ167と、バルブ169と、バルブ171と、バルブ173と、排気系統175と、排気系統177と、を有している。
排気系統175は、処理室163からバルブ169を経てドライポンプ167に至っている。バルブ169は、排気系統175において、処理室163とドライポンプ167との間に設けられている。
排気系統177は、処理室163からバルブ171、ターボ分子ポンプ165及びバルブ173をこの順に経てドライポンプ167に至っている。バルブ171は、排気系統177において、処理室163とターボ分子ポンプ165との間に設けられている。バルブ173は、排気系統177において、ターボ分子ポンプ165とドライポンプ167との間に設けられている。
Here, in the vacuum drying for forming the hole injection layer 105, a drying device 161 shown in FIG. 13 was used. The drying device 161 includes a processing chamber 163, a turbo molecular pump 165, a dry pump 167, a valve 169, a valve 171, a valve 173, an exhaust system 175, and an exhaust system 177.
The exhaust system 175 reaches the dry pump 167 via the valve 169 from the processing chamber 163. The valve 169 is provided between the processing chamber 163 and the dry pump 167 in the exhaust system 175.
The exhaust system 177 reaches the dry pump 167 from the processing chamber 163 through the valve 171, the turbo molecular pump 165, and the valve 173 in this order. The valve 171 is provided between the processing chamber 163 and the turbo molecular pump 165 in the exhaust system 177. The valve 173 is provided between the turbo molecular pump 165 and the dry pump 167 in the exhaust system 177.

試料1では、正孔注入層105の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ167とターボ分子ポンプ165とを併用した。
試料1では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料1では、バルブ169を開状態とし、バルブ171及びバルブ173を閉状態として、105Paから約50Paまでの減圧を、ドライポンプ167を用いて約0.8分間で行った。そして、約50Paまで減圧したときに、バルブ169を閉状態とし、バルブ171及びバルブ173を開状態として、ドライポンプ167での排気とターボ分子ポンプ165での排気とを併用して、約0.1Paまでの減圧を約1.5分間で行った。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件1と呼ばれる。この実施例では、この乾燥条件1を採用することによって正孔注入層105の形成を行った。
In Sample 1, the dry pump 167 and the turbo molecular pump 165 were used in combination for the reduced pressure of the reduced pressure drying in the formation of the hole injection layer 105.
In Sample 1, the following reduced pressure conditions are employed as the reduced pressure drying conditions.
In Sample 1, the valve 169 was opened, the valves 171 and 173 were closed, and the pressure was reduced from 10 5 Pa to about 50 Pa using the dry pump 167 for about 0.8 minutes. When the pressure is reduced to about 50 Pa, the valve 169 is closed, the valves 171 and 173 are opened, and the exhaust from the dry pump 167 and the exhaust from the turbo molecular pump 165 are used in combination. Depressurization up to 1 Pa was performed in about 1.5 minutes.
Hereinafter, this vacuum drying condition is referred to as drying condition 1. In this example, the hole injection layer 105 was formed by adopting the drying condition 1.

(実施例2)
角度θ2が50度である基板153aに、酸素プラズマ処理、CF4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板153aに、正孔注入層105を形成した。この実施例では、正孔注入層105の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層105の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層107、発光層109、中間層111、発光層113、発光層117、及び電子注入層103のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
(Example 2)
Oxygen plasma treatment and CF 4 plasma treatment were performed on the substrate 153a having an angle θ2 of 50 degrees. The order and conditions of these processes were made the same as the order and conditions described above.
Next, the hole injection layer 105 was formed on the substrate 153a. In this example, an ink jet method and a reduced pressure drying method were used for forming the hole injection layer 105. The hole injection layer 105 is formed by the method described above.
Next, each of the hole transport layer 107, the light-emitting layer 109, the intermediate layer 111, the light-emitting layer 113, the light-emitting layer 117, and the electron injection layer 103 was sequentially formed on this substrate by a vapor deposition method.

次に、この基板に補助電極75及び共通電極33を順次に形成することによって、素子基板11を形成した。
次に、この素子基板11と封止基板13とを、接着剤16及びシール材17を介して接合することによって、表示装置1を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置1は、試料2と呼ばれる。
Next, the element substrate 11 was formed by sequentially forming the auxiliary electrode 75 and the common electrode 33 on the substrate.
Next, the display device 1 was assembled by bonding the element substrate 11 and the sealing substrate 13 via the adhesive 16 and the sealing material 17. Hereinafter, the display device 1 in this embodiment is referred to as a sample 2.

試料2では、正孔注入層105の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ167とターボ分子ポンプ165とを併用した。
試料2では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料2では、バルブ169を開状態とし、バルブ171及びバルブ173を閉状態として、105Paから約103Paまでの減圧を、ドライポンプ167を用いて約1分間で行った。そして、約103Paまで減圧したときに、バルブ169を閉状態とし、バルブ171及びバルブ173を開状態として、ドライポンプ167での排気とターボ分子ポンプ165での排気とを併用して、約0.1Paまでの減圧を約0.3分間で行った。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件2と呼ばれる。この実施例では、この乾燥条件2を採用することによって正孔注入層105の形成を行った。
In sample 2, the dry pump 167 and the turbo molecular pump 165 were used in combination for the reduced pressure of the reduced pressure drying in the formation of the hole injection layer 105.
In sample 2, the following reduced pressure conditions are adopted as reduced pressure drying conditions.
In Sample 2, the valve 169 was opened, the valves 171 and 173 were closed, and the pressure was reduced from 10 5 Pa to about 10 3 Pa using the dry pump 167 for about 1 minute. When the pressure is reduced to about 10 3 Pa, the valve 169 is closed, the valves 171 and 173 are opened, and the exhaust from the dry pump 167 and the exhaust from the turbo molecular pump 165 are used together. The pressure was reduced to 0.1 Pa for about 0.3 minutes.
Hereinafter, this vacuum drying condition is referred to as drying condition 2. In this example, the hole injection layer 105 was formed by adopting the drying condition 2.

(実施例3)
角度θ2が60度である基板153bに、酸素プラズマ処理、CF4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板153bに、正孔注入層105を形成した。この実施例では、正孔注入層105の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層105の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層107、発光層109、中間層111、発光層113、発光層117、及び電子注入層103のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
Example 3
The substrate 153b having an angle θ2 of 60 degrees was subjected to oxygen plasma treatment and CF 4 plasma treatment. The order and conditions of these processes were made the same as the order and conditions described above.
Next, the hole injection layer 105 was formed on the substrate 153b. In this example, an ink jet method and a reduced pressure drying method were used for forming the hole injection layer 105. The hole injection layer 105 is formed by the method described above.
Next, the hole transport layer 107, the light-emitting layer 109, the intermediate layer 111, the light-emitting layer 113, the light-emitting layer 117, and the electron injection layer 103 were sequentially formed on this substrate by a vapor deposition method.

次に、この基板に補助電極75及び共通電極33を順次に形成することによって、素子基板11を形成した。
次に、この素子基板11と封止基板13とを、接着剤16及びシール材17を介して接合することによって、表示装置1を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置1は、試料3と呼ばれる。
Next, the element substrate 11 was formed by sequentially forming the auxiliary electrode 75 and the common electrode 33 on the substrate.
Next, the display device 1 was assembled by bonding the element substrate 11 and the sealing substrate 13 via the adhesive 16 and the sealing material 17. Hereinafter, the display device 1 in this embodiment is referred to as a sample 3.

試料3では、正孔注入層105の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ167とターボ分子ポンプ165とを併用した。
また、減圧乾燥の条件として、上述した乾燥条件2を採用した。この実施例では、この乾燥条件2を採用することによって正孔注入層105の形成を行った。
In Sample 3, a dry pump 167 and a turbo molecular pump 165 were used in combination for the reduced pressure of the reduced pressure drying in the formation of the hole injection layer 105.
Moreover, the drying condition 2 mentioned above was employ | adopted as conditions under reduced pressure drying. In this example, the hole injection layer 105 was formed by adopting the drying condition 2.

(比較例1)
角度θ2が50度である基板153aに、酸素プラズマ処理、CF4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板153aに、正孔注入層105を形成した。この比較例では、正孔注入層105の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層105の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層107、発光層109、中間層111、発光層113、発光層117、及び電子注入層103のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
(Comparative Example 1)
Oxygen plasma treatment and CF 4 plasma treatment were performed on the substrate 153a having an angle θ2 of 50 degrees. The order and conditions of these processes were made the same as the order and conditions described above.
Next, the hole injection layer 105 was formed on the substrate 153a. In this comparative example, the ink jet method and the reduced pressure drying method were utilized for forming the hole injection layer 105. The hole injection layer 105 is formed by the method described above.
Next, each of the hole transport layer 107, the light-emitting layer 109, the intermediate layer 111, the light-emitting layer 113, the light-emitting layer 117, and the electron injection layer 103 was sequentially formed on this substrate by a vapor deposition method.

次に、この基板に補助電極75及び共通電極33を順次に形成することによって、素子基板11を形成した。
次に、この素子基板11と封止基板13とを、接着剤16及びシール材17を介して接合することによって、表示装置1を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置1は、試料4と呼ばれる。
Next, the element substrate 11 was formed by sequentially forming the auxiliary electrode 75 and the common electrode 33 on the substrate.
Next, the display device 1 was assembled by bonding the element substrate 11 and the sealing substrate 13 via the adhesive 16 and the sealing material 17. Hereinafter, the display device 1 in this comparative example is referred to as a sample 4.

試料4では、正孔注入層105の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ167だけを使用した。
試料4では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料4では、バルブ169を開状態とし、バルブ171及びバルブ173を閉状態として、105Paから約2Paまでの減圧を、ドライポンプ167を用いて約10分間で達成した。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件3と呼ばれる。この比較例では、この乾燥条件3を採用することによって正孔注入層105の形成を行った。
In the sample 4, only the dry pump 167 was used for the decompression of the decompression drying in the formation of the hole injection layer 105.
In Sample 4, the following reduced pressure conditions are employed as reduced pressure drying conditions.
In the sample 4, the valve 169 was opened, the valves 171 and 173 were closed, and a reduced pressure from 10 5 Pa to about 2 Pa was achieved using the dry pump 167 in about 10 minutes.
Hereinafter, this vacuum drying condition is referred to as drying condition 3. In this comparative example, the hole injection layer 105 was formed by adopting the drying condition 3.

(比較例2)
角度θ2が50度である基板153aに、正孔注入層105を形成した。この比較例では、正孔注入層105の形成に、蒸着法を活用した。なお、正孔注入層105の材料として、HI406(出光興産株式会社製)を採用した。
次に、この基板に、正孔輸送層107、発光層109、中間層111、発光層113、発光層117、及び電子注入層103のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
(Comparative Example 2)
The hole injection layer 105 was formed on the substrate 153a having an angle θ2 of 50 degrees. In this comparative example, a vapor deposition method was used to form the hole injection layer 105. Note that HI406 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as the material of the hole injection layer 105.
Next, each of the hole transport layer 107, the light-emitting layer 109, the intermediate layer 111, the light-emitting layer 113, the light-emitting layer 117, and the electron injection layer 103 was sequentially formed on this substrate by a vapor deposition method.

次に、この基板に補助電極75及び共通電極33を順次に形成することによって、素子基板11を形成した。
次に、この素子基板11と封止基板13とを、接着剤16及びシール材17を介して接合することによって、表示装置1を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置1は、試料5と呼ばれる。
Next, the element substrate 11 was formed by sequentially forming the auxiliary electrode 75 and the common electrode 33 on the substrate.
Next, the display device 1 was assembled by bonding the element substrate 11 and the sealing substrate 13 via the adhesive 16 and the sealing material 17. Hereinafter, the display device 1 in this comparative example is referred to as a sample 5.

(比較例3)
角度θ2が60度である基板153bに、正孔注入層105を形成した。この比較例では、正孔注入層105の形成に、蒸着法を活用した。なお、正孔注入層105の材料として、HI406(出光興産株式会社製)を採用した。
次に、この基板に、正孔輸送層107、発光層109、中間層111、発光層113、発光層117、及び電子注入層103のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
(Comparative Example 3)
The hole injection layer 105 was formed on the substrate 153b having an angle θ2 of 60 degrees. In this comparative example, a vapor deposition method was used to form the hole injection layer 105. Note that HI406 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as the material of the hole injection layer 105.
Next, each of the hole transport layer 107, the light-emitting layer 109, the intermediate layer 111, the light-emitting layer 113, the light-emitting layer 117, and the electron injection layer 103 was sequentially formed on this substrate by a vapor deposition method.

次に、この基板に補助電極75及び共通電極33を順次に形成することによって、素子基板11を形成した。
次に、この素子基板11と封止基板13とを、接着剤16及びシール材17を介して接合することによって、表示装置1を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置1は、試料6と呼ばれる。
Next, the element substrate 11 was formed by sequentially forming the auxiliary electrode 75 and the common electrode 33 on the substrate.
Next, the display device 1 was assembled by bonding the element substrate 11 and the sealing substrate 13 via the adhesive 16 and the sealing material 17. Hereinafter, the display device 1 in this comparative example is referred to as a sample 6.

実施例1〜実施例3及び比較例1〜比較例3のそれぞれにおいて、角度θの測定結果と不良の発生結果とを下記表1に示す。
なお、所定の発光輝度が得られなかった画素5を暗点としたときの暗点の発生個数を、不良の発生結果として採用した。この結果は、暗点の発生個数が多いほど、不良の発生が多いことを示している。
In each of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the measurement results of the angle θ and the occurrence results of defects are shown in Table 1 below.
Note that the number of occurrences of dark spots when the pixels 5 for which a predetermined light emission luminance was not obtained was taken as a dark spot was adopted as a result of occurrence of defects. This result indicates that the more dark spots are generated, the more defects are generated.

Figure 2010232269
実施例1〜実施例3及び比較例1〜比較例3の結果から、角度θの値が50度以下であると、不良の発生を低く抑えやすくすることができることがわかる。
なお、比較例1の試料4においては、角度θを特定することができなかった。これは、試料4において、正孔注入層105が、図14に示すように、交線128に平面的に重なる領域に、表示面3側に向かって凸となる凸部181を有しているためである。試料4では、正孔注入層105において、図7に示す湾曲面123が形成されなかったため、角度θを特定することができなかった。
これに対し、試料1〜試料3では、正孔注入層105に湾曲面123が形成された。
Figure 2010232269
From the results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, it can be seen that when the value of the angle θ is 50 degrees or less, the occurrence of defects can be easily suppressed.
In the sample 4 of Comparative Example 1, the angle θ could not be specified. In the sample 4, the hole injection layer 105 has a convex portion 181 that is convex toward the display surface 3 side in a region that overlaps the intersection line 128 in a plane as shown in FIG. Because. In Sample 4, since the curved surface 123 shown in FIG. 7 was not formed in the hole injection layer 105, the angle θ could not be specified.
On the other hand, in Sample 1 to Sample 3, the curved surface 123 was formed in the hole injection layer 105.

上記の表1に示される結果から、角度θの値が30度以下であると、不良の発生を一層低く抑えやすくすることができることがわかる。
さらに、角度θの値が20度以下であると、不良の発生を極めて低く抑えやすくすることができることがわかる。
上記の結果から、有機層101を構成する各層のうちの少なくとも1つを塗布法で形成することは好ましい。
また、有機層101を構成する各層のうちの少なくとも1つを塗布法で形成する場合に、塗布法で形成する層の減圧乾燥では、互いに異なる2種類のポンプを減圧に併用することが好ましい。特に、この場合、減圧乾燥における減圧では、2種類のポンプのうちの1つだけを用いる第1減圧工程と、第1減圧工程の後に2種類のポンプの双方を併用する第2減圧工程とによって減圧することが好ましい。
From the results shown in Table 1 above, it can be seen that the occurrence of defects can be more easily suppressed when the value of the angle θ is 30 degrees or less.
Further, it can be seen that when the value of the angle θ is 20 degrees or less, the occurrence of defects can be easily suppressed to a very low level.
From the above results, it is preferable to form at least one of the layers constituting the organic layer 101 by a coating method.
In addition, when forming at least one of the layers constituting the organic layer 101 by a coating method, it is preferable to use two different types of pumps together for reducing the pressure when drying the layer formed by the coating method. In particular, in this case, in the reduced pressure in the reduced pressure drying, the first reduced pressure step using only one of the two types of pumps and the second reduced pressure step using both of the two types of pumps after the first reduced pressure step. It is preferable to reduce the pressure.

上述した乾燥条件1では、ドライポンプを用いて、105Paから約50Paまでの減圧を約0.8分間で行うことが第1減圧工程に相当する。また、乾燥条件1において、約50Paまで減圧したときにドライポンプでの排気とターボ分子ポンプでの排気とを併用して、約0.1Paまでの減圧を約1.5分間で行うことが第2減圧工程に相当する。
乾燥条件2において、ドライポンプを用いて、105Paから約103Paまでの減圧を約1分間で行うことが第1減圧工程に相当する。また、乾燥条件2において、約103Paまで減圧したときにドライポンプでの排気とターボ分子ポンプでの排気とを併用して、約0.1Paまでの減圧を約0.3分間で行うことが第2減圧工程に相当する。
In the drying condition 1 described above, performing the pressure reduction from 10 5 Pa to about 50 Pa in about 0.8 minutes using a dry pump corresponds to the first pressure reduction step. In addition, in the drying condition 1, when the pressure is reduced to about 50 Pa, the exhaust by the dry pump and the exhaust by the turbo molecular pump are used in combination, and the pressure is reduced to about 0.1 Pa in about 1.5 minutes. This corresponds to 2 decompression steps.
In the drying condition 2, using a dry pump to reduce the pressure from 10 5 Pa to about 10 3 Pa in about 1 minute corresponds to the first pressure reduction step. In addition, when the pressure is reduced to about 10 3 Pa in the drying condition 2, the pressure reduction to about 0.1 Pa is performed in about 0.3 minutes by using both the exhaust by the dry pump and the exhaust by the turbo molecular pump. Corresponds to the second decompression step.

なお、本実施形態では、複数の画素5が設定され、画素5ごとに有機EL素子27を有する表示装置1を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機EL素子27を表示領域7にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置では、機能層31からの光は、表示領域7にわたって面状に射出され得る。このため、このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。   In the present embodiment, the display device 1 in which a plurality of pixels 5 are set and the organic EL element 27 is provided for each pixel 5 has been described as an example, but the embodiment is not limited thereto. As an embodiment, there is also a form such as a lighting device in which the organic EL elements 27 are arranged in a series over the display region 7. In such a lighting device, the light from the functional layer 31 can be emitted in a planar shape over the display region 7. For this reason, such an illuminating device is suitable for light sources, such as a liquid crystal display device.

また、本実施形態では、機能層31からの光を封止基板13を介して表示面3から射出するトップエミッション型の有機EL装置を例に説明したが、有機EL装置はこれに限定されない。有機EL装置は、機能層31からの光を素子基板11を介して底面15から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、機能層31からの光が底面15から射出されるので、底面15側に表示面3が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置1の底面15と表示面3とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面15側が上側に対応し、表示面3側が下側に対応する。
In the present embodiment, the top emission type organic EL device that emits light from the functional layer 31 from the display surface 3 through the sealing substrate 13 is described as an example. However, the organic EL device is not limited to this. As the organic EL device, a bottom emission type in which light from the functional layer 31 is emitted from the bottom surface 15 through the element substrate 11 may be employed.
In the case of the bottom emission type, since the light from the functional layer 31 is emitted from the bottom surface 15, the display surface 3 is set on the bottom surface 15 side. That is, in the bottom emission type, the bottom surface 15 of the display device 1 and the display surface 3 are interchanged. In the bottom emission type, the bottom surface 15 side corresponds to the upper side, and the display surface 3 side corresponds to the lower side.

また、ボトムエミッション型の場合には、画素電極29の材料として、ITOやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層103の材料として、カルシウムなどが採用され得る。共通電極33の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。   In the case of the bottom emission type, ITO, indium zinc oxide, or the like can be adopted as the material of the pixel electrode 29. Further, calcium or the like can be adopted as a material for the electron injection layer 103. Aluminum or the like can be used as the material of the common electrode 33.

上述した表示装置1は、例えば、図15に示す電子機器500の表示部510に適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部510に表示装置1が適用されている。表示装置1では、共通電極33が、湾曲部129(図6)で途切れてしまうことを低く抑えることができる。このため、電子機器500では、表示部510において、共通電極33が途切れてしまうことを低く抑えることができるので、表示部510における表示品位を向上させやすくすることができる。   The display device 1 described above can be applied to, for example, the display unit 510 of the electronic device 500 shown in FIG. The electronic device 500 is a mobile phone. This electronic device 500 has an operation button 511. The display unit 510 can display various information including information input by the operation buttons 511 and incoming call information. In the electronic apparatus 500, the display device 1 is applied to the display unit 510. In the display device 1, it is possible to suppress the common electrode 33 from being interrupted at the bending portion 129 (FIG. 6). For this reason, in the electronic device 500, it is possible to keep the common electrode 33 from being interrupted in the display unit 510, so that the display quality in the display unit 510 can be easily improved.

なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。   The electronic device 500 is not limited to a mobile phone, and includes various electronic devices such as mobile computers, digital still cameras, digital video cameras, in-vehicle devices such as display devices for car navigation systems, and audio devices.

1…表示装置、3…表示面、5…画素、7…表示領域、11…素子基板、13…封止基板、15…底面、27…有機EL素子、29…画素電極、31…機能層、33…共通電極、41…第1基板、71…隔壁、73…発光領域、81…第2基板、87…カラーフィルター、101…有機層、103…電子注入層、105…正孔注入層、105a…液状体、105b…液滴、107…正孔輸送層、109…発光層、111…中間層、113…発光層、117…発光層、121…底面、123…湾曲面、125…電極面、127…壁面、128…交線、129…湾曲部、131…面、133…線、135…法線、137…第1点、139…第2点、141…第3点、143…第4点、153…基板、500…電子機器、510…表示部、511…操作ボタン、θ…角度。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display apparatus, 3 ... Display surface, 5 ... Pixel, 7 ... Display area, 11 ... Element substrate, 13 ... Sealing substrate, 15 ... Bottom surface, 27 ... Organic EL element, 29 ... Pixel electrode, 31 ... Functional layer, 33 ... Common electrode, 41 ... First substrate, 71 ... Partition, 73 ... Light emitting region, 81 ... Second substrate, 87 ... Color filter, 101 ... Organic layer, 103 ... Electron injection layer, 105 ... Hole injection layer, 105a Liquid body 105b Droplet 107 Hole transport layer 109 Light emitting layer 111 Intermediate layer 113 Light emitting layer 117 Light emitting layer 121 Bottom surface 123 Curved surface 125 Electrode surface 127 ... Wall surface, 128 ... Intersection line, 129 ... Curve, 131 ... Surface, 133 ... Line, 135 ... Normal, 137 ... First point, 139 ... Second point, 141 ... Third point, 143 ... Fourth point 153, substrate, 500, electronic device, 510, display unit, 511,. Create button, θ ... angle.

Claims (8)

平面を有する第1電極と、
前記第1電極の前記平面側において、前記第1電極の前記平面に対向する第2電極と、
前記第1電極の前記平面よりも前記第2電極側に突出し、且つ、前記平面の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、
前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する有機層と、
を有し、
前記有機層は、発光層を含む複数の層を含んでおり、
前記第2電極は、前記壁面によって囲まれた前記領域内から、少なくとも前記壁面にかけて設けられており、
前記複数の層のうちの少なくとも1つの層は、前記第2電極側の表面において、
平面視で前記平面に重なる底面と、
前記壁面と前記第1電極との交線に対面し、前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲した湾曲面と、
を含んでおり、
前記第1電極、前記第2電極、前記隔壁及び前記有機層を、前記平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、
前記平面に平行な面を前記法線方向に前記底面まで平行移動させ、
前記面と前記湾曲面との交点を第1点とし、
前記面と前記壁面との交点を第2点とし、
前記第1点と前記第2点との間の中点を第3点とし、
前記第3点を通る前記法線と前記湾曲面との交点を第4点としたときに、
前記第1点と前記第4点とを結んだ線と前記面とがなす角度が、50度以下である、ことを特徴とする有機EL装置。
A first electrode having a plane;
A second electrode facing the plane of the first electrode on the plane side of the first electrode;
A partition wall having a wall surface protruding from the plane of the first electrode to the second electrode side and surrounding at least a part of the plane;
An organic layer interposed between the first electrode and the second electrode in a region surrounded by the wall surface;
Have
The organic layer includes a plurality of layers including a light emitting layer,
The second electrode is provided from the region surrounded by the wall surface to at least the wall surface,
At least one of the plurality of layers is on the surface on the second electrode side,
A bottom surface overlapping the plane in plan view;
A curved surface that faces an intersection line between the wall surface and the first electrode and is curved in a direction that becomes concave toward the intersection line side;
Contains
In the cross section when cutting the first electrode, the second electrode, the partition and the organic layer along the normal direction of the plane,
A plane parallel to the plane is translated to the bottom surface in the normal direction;
The first point is the intersection of the surface and the curved surface,
The intersection of the surface and the wall surface is the second point,
The midpoint between the first point and the second point is the third point,
When the intersection of the normal line passing through the third point and the curved surface is the fourth point,
An angle formed by a line connecting the first point and the fourth point and the surface is 50 degrees or less.
第1電極と、
前記第1電極に対向する第2電極と、
前記第1電極よりも前記第2電極側に突出し、且つ、前記第1電極の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、
発光層を含む複数の層を含み、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する有機層と、
を有する有機EL装置の製造方法であって、
前記壁面によって囲まれた前記領域内に、前記有機層を、前記複数の層の前記層ごとに形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程の後に、前記第2電極を形成する工程と、を含み、
前記有機層形成工程は、
前記複数の層のうちの一部の前記層を、蒸着法で形成する蒸着層形成工程と、
前記複数の層のうちの他の前記層を、塗布法で形成する塗布層形成工程と、を含み、
前記塗布層形成工程は、
前記壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する配置工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、前記有機材料で前記層を形成する層形成工程と、
を含み、
前記層形成工程では、前記層形成工程で形成する前記層の前記第1電極側とは反対側の表面において、前記壁面と前記第1電極との交線に対面し、且つ前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲する湾曲面を形成する、
ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
A first electrode;
A second electrode facing the first electrode;
A partition wall having a wall surface protruding from the first electrode to the second electrode side and surrounding at least a partial region of the first electrode;
An organic layer that includes a plurality of layers including a light emitting layer and is interposed between the first electrode and the second electrode in a region surrounded by the wall surface;
A method of manufacturing an organic EL device having
An organic layer forming step of forming the organic layer for each of the plurality of layers in the region surrounded by the wall surface;
Forming the second electrode after the organic layer forming step,
The organic layer forming step includes
A vapor deposition layer forming step of forming a part of the plurality of layers by a vapor deposition method;
A coating layer forming step of forming the other layer of the plurality of layers by a coating method,
The coating layer forming step includes
An arrangement step of arranging a liquid material containing an organic material in a region surrounded by the wall surface;
A layer forming step of forming the layer with the organic material by removing at least a part of the liquid contained in the liquid;
Including
In the layer forming step, on the surface opposite to the first electrode side of the layer formed in the layer forming step, the line faces the intersection line of the wall surface and the first electrode, and on the intersection line side. Forming a curved surface that curves in a concave direction
A method for manufacturing an organic EL device.
前記層形成工程は、前記液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、前記液体の少なくとも一部を除去する乾燥工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置の製造方法。
The layer forming step includes a drying step of removing at least a part of the liquid by drying at least a part of the liquid.
The method of manufacturing an organic EL device according to claim 2.
前記乾燥工程は、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、前記液体の少なくとも一部を乾燥させる減圧乾燥工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置の製造方法。
The drying step includes a reduced pressure drying step of drying at least a part of the liquid in a reduced pressure environment reduced to a pressure lower than atmospheric pressure.
The method of manufacturing an organic EL device according to claim 3.
前記層形成工程では、前記減圧乾燥工程において前記湾曲面を形成する、ことを特徴とする請求項4に記載の有機EL装置の製造方法。   5. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 4, wherein in the layer forming step, the curved surface is formed in the reduced-pressure drying step. 前記減圧乾燥工程は、
第1のポンプを用いて、前記圧力を大気圧よりも低い第1の圧力に減圧する第1減圧工程と、
前記第1減圧工程に続いて、前記第1のポンプと第2のポンプとを併用して、前記第1の圧力を、前記第1の圧力よりも低い第2の圧力に減圧する第2減圧工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする請求項5に記載の有機EL装置の製造方法。
The vacuum drying step includes
A first pressure reduction step of reducing the pressure to a first pressure lower than the atmospheric pressure using a first pump;
Subsequent to the first pressure reducing step, the first pressure and the second pump are used in combination to reduce the first pressure to a second pressure lower than the first pressure. Including a process,
The method of manufacturing an organic EL device according to claim 5.
前記有機層形成工程では、前記塗布層形成工程の後に前記蒸着層形成工程を実施する、ことを特徴とする請求項2乃至6のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。   The method for manufacturing an organic EL device according to claim 2, wherein in the organic layer forming step, the vapor deposition layer forming step is performed after the coating layer forming step. 請求項1に記載の有機EL装置を有する、ことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic EL device according to claim 1.
JP2009075912A 2009-03-26 2009-03-26 Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic device Withdrawn JP2010232269A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009075912A JP2010232269A (en) 2009-03-26 2009-03-26 Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009075912A JP2010232269A (en) 2009-03-26 2009-03-26 Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010232269A true JP2010232269A (en) 2010-10-14

Family

ID=43047859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009075912A Withdrawn JP2010232269A (en) 2009-03-26 2009-03-26 Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010232269A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012091005A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 株式会社日立製作所 Organic light-emitting element and light source device using same, organic light-emitting layer material and coating liquid for forming organic light-emitting layer, and method for manufacturing organic light-emitting element
US8581273B2 (en) 2011-05-31 2013-11-12 Seiko Epson Corporation Organic EL device
JP2020155786A (en) * 2011-06-24 2020-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012091005A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 株式会社日立製作所 Organic light-emitting element and light source device using same, organic light-emitting layer material and coating liquid for forming organic light-emitting layer, and method for manufacturing organic light-emitting element
US9935291B2 (en) 2010-12-28 2018-04-03 Hitachi, Ltd. Organic light-emitting device, light source device using same, organic light-emitting layer material, coating liquid for forming organic light-emitting layer, and method for producing organic light-emitting device
US8581273B2 (en) 2011-05-31 2013-11-12 Seiko Epson Corporation Organic EL device
JP2020155786A (en) * 2011-06-24 2020-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device
JP2020194791A (en) * 2011-06-24 2020-12-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP6991278B2 (en) 2011-06-24 2022-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
JP7320588B2 (en) 2011-06-24 2023-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 luminous panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11374077B2 (en) Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes
JP6074597B2 (en) Organic EL display device and electronic device
CN109817694B (en) Organic light-emitting display panel, manufacturing method and display device
US8421097B2 (en) Organic light emitting diode display device
US8604463B2 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US8648361B2 (en) Organic light emitting diode display
US9356080B2 (en) Organic EL display device and electronic apparatus
JP5733502B2 (en) Organic EL display device and electronic device
KR20180071538A (en) Substrate for display and display including the same
US20120097952A1 (en) Organic Light-Emitting Display Apparatus
JP2009259416A (en) Display element, manufacturing method of the same and display device
JP6175644B2 (en) Display device and electronic device
JP2015125862A (en) Light source and display device using the light source
JP4651922B2 (en) EL display device
KR102177587B1 (en) Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
CN110582850B (en) Organic light emitting diode display panel, method of manufacturing the same, and organic light emitting diode counter substrate
JP2013089444A (en) Organic light-emitting device, manufacturing method therefor and electronic apparatus
KR102152846B1 (en) Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
JP2011009093A (en) Organic el device and electronic equipment
JP2010232269A (en) Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic device
JP4609044B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
KR102047746B1 (en) Organic electro-luminescent device and methode of fabricating the same
JP2011017889A (en) Method of manufacturing electronic equipment
CN219421504U (en) Light-emitting element
JP2011154798A (en) Organic el device and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20120605