JP2010230513A - Acceleration sensor and method of manufacturing the same - Google Patents

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宏 勝田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an acceleration sensor and a method of manufacturing the same coping with reduction in size while suppressing the effect of undulation by a wiring conductor. <P>SOLUTION: The acceleration sensor includes: a sensor element 20 including a fixing part 3, a weight part 1 displaced relative to the fixing part 3 when acceleration is applied thereto, and a beam part 2 having one end connected to the fixing part 3 and the other end connected to the weight part 1, and bent with the displacement of the weight part 1; a first substrate 30 having a flat plate shape on which the sensor element 20 is mounted; a base body 40 on which the first substrate 30 is mounted and in which wiring conductor 41 is arranged therein or on a surface 40S on which the first substrate 30 is mounted; and a first adhesive 10 intervening between the first substrate 30 and the base body 40, for fixing the first substrate 30 to the base body 40. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、加速度を検出する加速度センサ及び加速度センサの製造方法に関するものである。   The present invention relates to an acceleration sensor for detecting acceleration and a method for manufacturing the acceleration sensor.

図9に従来の加速度センサの断面図を示す。同図に示す加速度センサは、センサ素子100と、センサ素子100を実装する基体200とを備えた構成を有している。   FIG. 9 is a sectional view of a conventional acceleration sensor. The acceleration sensor shown in the figure has a configuration including a sensor element 100 and a base body 200 on which the sensor element 100 is mounted.

センサ素子100は、重り部101と、重り部101を囲繞する枠状の固定部102と、重り部101と固定部102とに連結される梁部103と、梁部103に形成されるピエゾ抵抗素子(図示せず)とを有している(例えば、特許文献1参照)。   The sensor element 100 includes a weight part 101, a frame-shaped fixing part 102 surrounding the weight part 101, a beam part 103 connected to the weight part 101 and the fixing part 102, and a piezoresistor formed on the beam part 103. Element (not shown) (see, for example, Patent Document 1).

このようなセンサ素子100を有する加速度センサに加速度に応じた外力が加わると重り部101が動き、それに伴って梁部103が変形し、ピエゾ抵抗素子も変形する。このピエゾ抵抗素子の変形による抵抗値の変化に基づいて加速度が検出されることとなる。   When an external force corresponding to the acceleration is applied to the acceleration sensor having such a sensor element 100, the weight part 101 moves, and accordingly, the beam part 103 is deformed, and the piezoresistive element is also deformed. The acceleration is detected based on the change in resistance value due to the deformation of the piezoresistive element.

このようなセンサ素子100は、固定部102の下面と基体200の主面との間に介在された接着材104によって基体200に固定されている。   Such a sensor element 100 is fixed to the base body 200 by an adhesive 104 interposed between the lower surface of the fixing portion 102 and the main surface of the base body 200.

重り部101の下面と基体200の主面との間にはギャップgが形成されている。この部分にギャップgを形成することで、重り部101が遊動可能となっている。このギャップgの寸法は、加速度の測定範囲に合わせて所定の範囲に設定される。ギャップgの大きさを制御する方法として、接着材104に球状のスペーサ部材105を混ぜる方法が知られている。所定の径を有するスペーサ部材105を用いることでギャップgの大きさを調整することができる(例えば、特許文献2参照)。   A gap g is formed between the lower surface of the weight part 101 and the main surface of the base body 200. By forming the gap g in this portion, the weight portion 101 can be moved freely. The dimension of the gap g is set to a predetermined range in accordance with the acceleration measurement range. As a method of controlling the size of the gap g, a method of mixing a spherical spacer member 105 with the adhesive 104 is known. The size of the gap g can be adjusted by using the spacer member 105 having a predetermined diameter (see, for example, Patent Document 2).

特開2004−184081号公報JP 2004-184081 A 特開平4−274005号公報JP-A-4-274005

ところで図9に示すような従来の加速度センサでは、通常、基体200の内部、あるいは主面に配線導体が設けられている。この配線導体を介してセンサ素子100と外部との信号の入出力を行っている。   By the way, in the conventional acceleration sensor as shown in FIG. 9, the wiring conductor is normally provided in the inside of the base body 200 or on the main surface. Signals are input / output between the sensor element 100 and the outside via the wiring conductor.

配線導体が基体200の内部に設けられている場合、配線導体の厚み分の影響を受けて基体200の表面に起伏が生じる。この場合、基体200の主面において、配線導体の直上領域は他の部分より盛り上がった部分(以下、隆起部ともいう)となる。また基体200の主面に配線導体が設けられている場合は、配線導体それ自身がそのまま隆起部となる。   When the wiring conductor is provided inside the base body 200, the surface of the base body 200 is undulated under the influence of the thickness of the wiring conductor. In this case, in the main surface of the base body 200, the region immediately above the wiring conductor is a portion that is raised from the other portion (hereinafter also referred to as a raised portion). When a wiring conductor is provided on the main surface of the base body 200, the wiring conductor itself becomes a raised portion as it is.

このような隆起部がセンサ素子100の実装面に存在すると種々の問題が生じる。   When such a raised portion exists on the mounting surface of the sensor element 100, various problems occur.

例えば、隆起部が重り部101の直下領域に存在すると、重り部101の下面と基体200の底部との間のギャップgの寸法が所望の値より小さくなってしまう。このようにギャップgの寸法が所望の値より小さくなると、測定できる加速度の範囲が変わってしまい本来検出できるはずの加速度が検出できないといった不具合を招くこととなる。   For example, if the raised portion exists in the region immediately below the weight portion 101, the dimension of the gap g between the lower surface of the weight portion 101 and the bottom portion of the base body 200 becomes smaller than a desired value. Thus, when the dimension of the gap g becomes smaller than a desired value, the range of acceleration that can be measured is changed, leading to a problem that acceleration that should originally be detectable cannot be detected.

また、隆起部が固定部102の下にある場合は、センサ素子100が傾いた状態で実装されてしまい、加速度の検出精度の低下を招くこととなる。   In addition, when the raised portion is below the fixed portion 102, the sensor element 100 is mounted in an inclined state, resulting in a decrease in acceleration detection accuracy.

配線導体をセンサ素子100の直下領域を避けて配置すれば、かかる問題は解消できるものの、その場合、センサ素子100の直下領域を配線導体の引き回し領域として使用することができないため、その分の引き回し領域を確保ためには基体200を大きくせざるを得ず、加速度センサの大型化を招くこととなる。   Such a problem can be solved by arranging the wiring conductor so as to avoid the area immediately below the sensor element 100, but in that case, the area immediately below the sensor element 100 cannot be used as the wiring area of the wiring conductor. In order to secure the area, the base body 200 must be enlarged, which leads to an increase in the size of the acceleration sensor.

すなわち、従来の加速度センサでは隆起部による問題を解消しつつ加速度センサの小型化を図ることが困難であった。   That is, in the conventional acceleration sensor, it has been difficult to reduce the size of the acceleration sensor while solving the problem caused by the raised portion.

本発明は、以上のような問題を解決すべく発明されたものであり、その目的は、配線導体による起伏の影響を抑えつつ、小型化に対応した加速度センサおよび加速度センサの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been invented to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an acceleration sensor and a method for manufacturing the acceleration sensor that can be reduced in size while suppressing the influence of undulation caused by the wiring conductor. For the purpose.

本発明の加速度センサは、固定部と、加速度が加わったときに前記固定部に対し変位する重り部と、一端が前記固定部に、他端が前記重り部にそれぞれ連結され、前記重り部の変位に伴って撓む梁部と、を有するセンサ素子と、前記センサ素子が実装される平板状の第1の基板と、前記第1の基板が実装される基体であって、内部または前記第1の基板が実装される面に配線導体が配置されている基体と、前記第1の基板と前記基体との間に介在され、前記第1の基板を前記基体に固定するための第1の接着材と、を備えたものである。   The acceleration sensor of the present invention includes a fixed portion, a weight portion that is displaced with respect to the fixed portion when acceleration is applied, one end connected to the fixed portion, and the other end connected to the weight portion. A sensor element having a beam portion that bends in accordance with a displacement; a flat plate-like first substrate on which the sensor element is mounted; and a base on which the first substrate is mounted. A base on which a wiring conductor is disposed on a surface on which the first substrate is mounted, and a first base for interposing the first substrate and the base, and fixing the first substrate to the base And an adhesive.

また本発明の加速度センサの製造方法は、固定部と、加速度が加わったときに前記固定部に対し変位する重り部と、一端が前記固定部に、他端が前記重り部にそれぞれ連結され、前記重り部の変位に伴って撓む梁部と、を有するセンサ素子を用意する工程と、前記センサ素子が実装される平板状の第1の基板と、前記第1の基板が実装される基体であって、内部または前記第1の基板が実装される面に配線導体が配置されている基体と、を用意する工程と、前記基体の主面に第1の接着材となる粘性部材を塗布した後、前記第1の基板と前記基体との間に前記粘性部材が介在されるようにして、前記第1の基板を前記基体に実装する工程と、前記センサ素子を前記第1の基板に実装する工程と、を含むものである。   The acceleration sensor manufacturing method of the present invention includes a fixed portion, a weight portion that is displaced with respect to the fixed portion when acceleration is applied, one end connected to the fixed portion, and the other end connected to the weight portion. A step of preparing a sensor element having a beam part that bends in accordance with the displacement of the weight part, a flat first board on which the sensor element is mounted, and a base body on which the first board is mounted And a step of preparing a base on which a wiring conductor is disposed on the inside or a surface on which the first substrate is mounted, and applying a viscous member serving as a first adhesive to the main surface of the base Then, the step of mounting the first substrate on the base so that the viscous member is interposed between the first substrate and the base, and the sensor element on the first substrate And a process of mounting.

本発明によれば、センサ素子は平板状の第1の基板に実装され、第1の基板が、配線導体が設けられている基体に実装されている。すなわち、センサ素子は、配線導体が設けられている基体に直接には実装されず、平板状の第1の基板を介して基体に実装されている。したがってセンサ素子が実装される面において、センサ素子の直下領域は平坦性が保たれ、第2の実装基板に存在する隆起部の影響を受けることが殆どない。また、基体におけるセンサ素子の直下領域に配線導体の引き回しを行うことができるため、別途、配線導体の引き回し領域を確保する必要がなく、小型化に対応した加速度センサを提供することができる。   According to the present invention, the sensor element is mounted on the flat plate-like first substrate, and the first substrate is mounted on the base body on which the wiring conductor is provided. That is, the sensor element is not directly mounted on the base body on which the wiring conductor is provided, but is mounted on the base body via the flat first substrate. Therefore, on the surface on which the sensor element is mounted, the region immediately below the sensor element is kept flat, and is hardly affected by the raised portions present on the second mounting substrate. In addition, since the wiring conductor can be routed in the region directly below the sensor element on the base body, it is not necessary to separately secure the wiring conductor routing region, and an acceleration sensor corresponding to downsizing can be provided.

本発明の実施の形態に係る加速度センサの斜視図である。1 is a perspective view of an acceleration sensor according to an embodiment of the present invention. 図1に示す加速度センサの断面図であり、図1のA−A’線で切断したときの断面に相当する。FIG. 2 is a cross-sectional view of the acceleration sensor shown in FIG. 1 and corresponds to a cross section taken along line A-A ′ of FIG. 1. 図1に示す加速度センサに搭載されているセンサ素子の斜視図である。It is a perspective view of the sensor element mounted in the acceleration sensor shown in FIG. 図1に示す加速度センサに搭載されているセンサ素子の断面図であり、図3のB−B’線で切断したときの断面に相当する。It is sectional drawing of the sensor element mounted in the acceleration sensor shown in FIG. 1, and is equivalent to the cross section when it cut | disconnects by the B-B 'line | wire of FIG. 図3に示すセンサ素子に第2の基板を取りつけた状態の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a state where a second substrate is attached to the sensor element shown in FIG. 3. 本発明の実施の形態に係る加速度センサの変形例1を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification 1 of the acceleration sensor which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る加速度センサの変形例2を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification 2 of the acceleration sensor which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the acceleration sensor which concerns on embodiment of this invention. 従来の加速度センサを概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional acceleration sensor schematically.

以下に図面を参照して、本発明にかかる加速度センサ及び加速度センサの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率は現実のものとは必ずしも一致していない。   Exemplary embodiments of an acceleration sensor and an acceleration sensor manufacturing method according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following embodiments are schematic, and the dimensional ratios in the drawings do not necessarily match the actual ones.

<加速度センサ>
図1は本発明の実施形態に係る加速度センサの斜視図であり、図2は図1のA−A’線における断面図である。
<Acceleration sensor>
FIG. 1 is a perspective view of an acceleration sensor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.

本実施形態に係る加速度センサは、図1、図2に示すように、センサ素子20、センサ素子20が実装される第1の基板30、及び第1の基板が実装される基体40とで主に構成されている。
まず本実施形態にかかるセンサ素子20について説明する。図3はセンサ素子20の斜視図である。
As shown in FIGS. 1 and 2, the acceleration sensor according to the present embodiment is mainly composed of a sensor element 20, a first substrate 30 on which the sensor element 20 is mounted, and a base body 40 on which the first substrate is mounted. It is configured.
First, the sensor element 20 according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a perspective view of the sensor element 20.

センサ素子20は、例えば、ピエゾ抵抗効果を利用した3次元加速度センサとして構成されており、3次元直交座標系におけるX軸、Y軸、Z軸の各軸方向の加速度を検出することができる。   The sensor element 20 is configured as, for example, a three-dimensional acceleration sensor using a piezoresistive effect, and can detect acceleration in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions in the three-dimensional orthogonal coordinate system.

図3に示すようにセンサ素子20は、重り部1と、重り部1を囲繞する枠状の固定部3と、重り部1と固定部3とに連結される梁部2と、梁部2に形成される抵抗素子5と、を有している。重り部1、固定部3、及び梁部2は、例えば、SOI(Silicon on Insulator)基板を加工することにより一体的に形成されている。   As shown in FIG. 3, the sensor element 20 includes a weight part 1, a frame-shaped fixing part 3 surrounding the weight part 1, a beam part 2 connected to the weight part 1 and the fixing part 3, and a beam part 2. The resistance element 5 is formed. The weight part 1, the fixing part 3, and the beam part 2 are integrally formed, for example, by processing an SOI (Silicon on Insulator) substrate.

本実施形態における重り部1は、固定部3の開口部の中央に配される主部1aと、主部1aの四隅に配された4個の付属部1bとから構成されている。主部1aは、平面形状が略正方形をなし、その一辺の長さは例えば0.2mm〜0.5mmに設定される。また主部1aの厚みは例えば0.2mm〜0.625mmに設定される。付属部1bは、主部1aと同様に平面形状が、略正方形をなし、その一辺の長さは例えば0.1mm〜0.4mmに設定される。また付属部1bの厚みは、主部1aと同じ厚みを有するように例えば0.2mm〜0.625mmに設定される。なお、主部1aおよび付属部1bの平面形状は正方形に限られず、円や長方形など任意の形状が可能である。   The weight part 1 in this embodiment is comprised from the main part 1a distribute | arranged to the center of the opening part of the fixing | fixed part 3, and the four attachment parts 1b distribute | arranged to the four corners of the main part 1a. The main portion 1a has a substantially square planar shape, and the length of one side is set to, for example, 0.2 mm to 0.5 mm. Moreover, the thickness of the main part 1a is set to 0.2 mm-0.625 mm, for example. The attachment portion 1b has a substantially square shape in the same manner as the main portion 1a, and the length of one side thereof is set to 0.1 mm to 0.4 mm, for example. Moreover, the thickness of the attachment part 1b is set to 0.2 mm-0.625 mm so that it may have the same thickness as the main part 1a. In addition, the planar shape of the main part 1a and the attachment part 1b is not restricted to a square, Arbitrary shapes, such as a circle and a rectangle, are possible.

センサ素子20に加速度が加わると、加速度に応じた力がこの重り部1に作用し、重り部1が動くことで梁部2が撓むようになっている。重り部1は、主部1aのみで構成することも可能であるが、付属部1bを設けることによってより大きな力が重り部1に作用するため、加速度に対する梁部2の撓みが大きくなり、加速度の検出感度を向上させることができる。   When acceleration is applied to the sensor element 20, a force corresponding to the acceleration acts on the weight part 1, and the beam part 2 is bent as the weight part 1 moves. Although the weight part 1 can be constituted only by the main part 1a, since a larger force acts on the weight part 1 by providing the attachment part 1b, the bending of the beam part 2 with respect to the acceleration increases, Detection sensitivity can be improved.

このような重り部1を囲繞するようにして固定部3が形成されている。固定部3は、平面形状が略正方形をなし、中央部に重り部1より若干大きい略正方形の開口部を有している。固定部3の平面視における一辺の長さは、例えば0.8mm〜3.0mmに設定される。固定部の平面視における各辺の幅は、例えば0.1mm〜1.8mmに設定される。また固定部3の厚みは、例えば0.2mm〜0.625mmに設定される。   A fixing portion 3 is formed so as to surround the weight portion 1. The fixed portion 3 has a substantially square opening in the center, and has a substantially square opening slightly larger than the weight portion 1 at the center. The length of one side of the fixed part 3 in plan view is set to, for example, 0.8 mm to 3.0 mm. The width of each side in the plan view of the fixed part is set to 0.1 mm to 1.8 mm, for example. Moreover, the thickness of the fixing | fixed part 3 is set to 0.2 mm-0.625 mm, for example.

梁部2は、主部1aの各辺の上面側中央部と、固定部3の内周における各辺の上面側中央部とを連結するようにして形成されている。本実施形態におけるセンサ素子20では、X軸方向において重り部1の主部1aを挟んで2本、Y軸方向において重り部1の主部1aを挟んで2本、合計4本の梁部2が設けられている。梁部2は、可撓性を有するように形成されており、センサ素子20に加速度が加わると重り部1が動き、重り部1の動きに伴って梁部2が撓むようになっている。梁部2は、例えば長手方向の長さが0.1mm〜0.8mmに設定され、幅が0.01mm〜0.2mmに設定され、厚みが5μm〜20μmに設定されている。このように梁部2を細長く且つ薄く形成することによって可撓性が発現される。   The beam portion 2 is formed so as to connect the central portion on the upper surface side of each side of the main portion 1 a and the central portion on the upper surface side of each side in the inner periphery of the fixed portion 3. In the sensor element 20 in the present embodiment, two beam portions 2 in total, two in the X-axis direction with the main portion 1a of the weight portion 1 sandwiched therebetween and two in the Y-axis direction with the main portion 1a of the weight portion 1 sandwiched therebetween. Is provided. The beam portion 2 is formed so as to have flexibility. When acceleration is applied to the sensor element 20, the weight portion 1 moves, and the beam portion 2 bends as the weight portion 1 moves. For example, the length of the beam portion 2 is set to 0.1 mm to 0.8 mm, the width is set to 0.01 mm to 0.2 mm, and the thickness is set to 5 μm to 20 μm. Thus, flexibility is expressed by forming the beam portion 2 to be elongated and thin.

このような梁部2の上面には複数の抵抗素子5が形成されている。抵抗素子5は、梁部2の撓み量を検出するための検出素子である。抵抗素子5は、より具体的には、SOI基板にボロンを打ち込むことにより形成されたピエゾ抵抗素子である。本実施形態では、3軸方向(図3に示した3次元直交座標系におけるX軸方向、Y軸方向、Z軸方向)の加速度を検出できるように梁部2の所定の位置にこれらの抵抗素子5が形成されている。例えば、X軸方向に伸びる2つの梁部2には、X軸方向の加速度を検出するための4個の抵抗素子5が設けられており、それぞれの梁部2に2個ずつ配置されている。これら4個の抵抗素子5のうち、固定部3側に配された抵抗素子同士を直列に接続し、主部1a側に配された抵抗素子同士を直列に接続し、これら直列接続されたもの同士を並列に接続することでブリッジ回路を構成している。   A plurality of resistance elements 5 are formed on the upper surface of the beam portion 2. The resistance element 5 is a detection element for detecting the bending amount of the beam portion 2. More specifically, the resistive element 5 is a piezoresistive element formed by implanting boron into an SOI substrate. In the present embodiment, these resistances are placed at predetermined positions on the beam portion 2 so that the acceleration in the three-axis directions (X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction in the three-dimensional orthogonal coordinate system shown in FIG. 3) can be detected. Element 5 is formed. For example, two resistance elements 5 for detecting acceleration in the X-axis direction are provided on the two beam parts 2 extending in the X-axis direction, and two resistance elements 5 are arranged on each beam part 2. . Among these four resistance elements 5, the resistance elements arranged on the fixed part 3 side are connected in series, the resistance elements arranged on the main part 1a side are connected in series, and these are connected in series A bridge circuit is configured by connecting them in parallel.

またY軸方向に伸びる2つの梁部2には、Y軸方向の加速度を検出するための4個の抵抗素子5が設けられており、これらの抵抗素子5を、X軸方向の加速度検出用の抵抗素子5と同様に配置し、抵抗素子同士の接続を行うことによってブリッジ回路を構成している。   The two beam portions 2 extending in the Y-axis direction are provided with four resistance elements 5 for detecting the acceleration in the Y-axis direction. These resistance elements 5 are used for detecting the acceleration in the X-axis direction. The bridge circuit is configured by arranging the resistor elements 5 in the same manner and connecting the resistor elements to each other.

また、図3には図示していないがZ軸方向の加速度を検出するための4個の抵抗素子5が、X軸方向に伸びる2つの梁部2に、X軸方向の加速度を検出するための4個の抵抗素子5のそれぞれと並ぶようにして形成されている。このZ軸方向の加速度検出用の抵抗素子5は、X軸方向の加速度検出用の抵抗素子5とは、抵抗素子同士の接続の仕方が異なっており、本実施形態では、X軸方向に伸びる2本の梁部のうち一方の梁部2に設けられた固定部3側の抵抗素子5と、他方の梁部2に設けられた主部1a側の抵抗素子5とを直列接続してブリッジ回路を構成している。   Further, although not shown in FIG. 3, four resistance elements 5 for detecting acceleration in the Z-axis direction detect acceleration in the X-axis direction on two beam portions 2 extending in the X-axis direction. These four resistance elements 5 are formed to be aligned with each other. The resistance element 5 for acceleration detection in the Z-axis direction differs from the resistance element 5 for acceleration detection in the X-axis direction in the way of connecting the resistance elements, and in this embodiment, extends in the X-axis direction. A bridge is formed by connecting in series the resistance element 5 on the fixed part 3 side provided in one of the two beam parts and the resistance element 5 on the main part 1a side provided in the other beam part 2. The circuit is configured.

このようなブリッジ回路が組まれたセンサ素子20に加速度が加わると、上述したように梁部2が撓み、この撓みに伴って抵抗素子5が変形するため、ブリッジ回路で検出する出力電圧が変化する。この抵抗値の変化に基づく出力電圧の変化を電気信号として取り出し、これを外部のICで演算処理することによって印加された加速度の方向並びに大きさを検知することができる。なおZ軸方向の加速度検出用の抵抗素子5は、X軸方向に伸びる梁部2に設けたのと同様にして、Y軸方向に伸びる2つの梁部2に設けるようにしてもよい。   When acceleration is applied to the sensor element 20 in which such a bridge circuit is assembled, the beam portion 2 bends as described above, and the resistance element 5 is deformed along with this bending, so that the output voltage detected by the bridge circuit changes. To do. The direction and magnitude of the applied acceleration can be detected by taking out the change in the output voltage based on the change in the resistance value as an electrical signal and processing it with an external IC. Note that the resistance element 5 for acceleration detection in the Z-axis direction may be provided in the two beam portions 2 extending in the Y-axis direction in the same manner as that provided in the beam portion 2 extending in the X-axis direction.

固定部3の上面には、抵抗素子5と電気的に接続される素子側電極パッド4が設けられており、この素子側電極パッド4を介して抵抗素子同士の接続や抵抗素子5からの電気信号の外部への取り出しなどを行っている。   An element-side electrode pad 4 that is electrically connected to the resistance element 5 is provided on the upper surface of the fixed portion 3, and the connection between the resistance elements and the electric power from the resistance element 5 are provided via the element-side electrode pad 4. The signal is taken out.

図4は、図3(a)のB−B’線におけるセンサ素子20の断面図である。図4に示すようにセンサ素子20は、半導体基板29に加工を施すことにより形成されたものである。半導体基板29は、例えば、SOI基板である。半導体基板29は上面側から順に、半導体層21、絶縁層23、支持層25が積層された構造を有している。   FIG. 4 is a cross-sectional view of the sensor element 20 taken along line B-B ′ of FIG. As shown in FIG. 4, the sensor element 20 is formed by processing a semiconductor substrate 29. The semiconductor substrate 29 is, for example, an SOI substrate. The semiconductor substrate 29 has a structure in which a semiconductor layer 21, an insulating layer 23, and a support layer 25 are stacked in this order from the upper surface side.

半導体層21及び支持層25は、例えばシリコンから成る。絶縁層23は、例えばSiOから成る。半導体層21の厚さは、例えば、5μm〜20μmである。絶縁層23の厚さは、例えば、0.1μm〜5μmである。支持層25の厚さは、例えば、200μm〜650μmである。 The semiconductor layer 21 and the support layer 25 are made of silicon, for example. The insulating layer 23 is made of, for example, SiO 2 . The thickness of the semiconductor layer 21 is, for example, 5 μm to 20 μm. The thickness of the insulating layer 23 is, for example, 0.1 μm to 5 μm. The thickness of the support layer 25 is, for example, 200 μm to 650 μm.

固定部3、重り部1は、半導体層21、絶縁層23、及び支持層25から成り、梁部2は半導体層21から成る。   The fixed portion 3 and the weight portion 1 are composed of a semiconductor layer 21, an insulating layer 23, and a support layer 25, and the beam portion 2 is composed of a semiconductor layer 21.

センサ素子20の上面側には、第2の基板50が取り付けられている。図5にセンサ素子20に第2の基板50を取りつけた状態の斜視図を示す。第2の基板50は、過大な加速度が加えられたときに、梁部2に破損が生じるのを抑制するためのものである。重り部1と第2の基板50との間には、重り部1が上方向に変位可能となるように、比較的微小な隙間が確保されている(図2参照)。そして、加速度センサに過大な加速度が加えられ、重り部1が上方向に変位したときに重り部1は第2の基板50に当接し、変位が規制される。これにより梁部2が破損するのを抑制することができる。   A second substrate 50 is attached to the upper surface side of the sensor element 20. FIG. 5 shows a perspective view of the sensor element 20 with the second substrate 50 attached thereto. The second substrate 50 is for suppressing breakage of the beam portion 2 when excessive acceleration is applied. A relatively small gap is secured between the weight portion 1 and the second substrate 50 so that the weight portion 1 can be displaced upward (see FIG. 2). Then, when excessive acceleration is applied to the acceleration sensor and the weight portion 1 is displaced upward, the weight portion 1 comes into contact with the second substrate 50 and the displacement is restricted. Thereby, it can suppress that the beam part 2 is damaged.

第2の基板50は、センサ素子20に対向して配置されている。第2の基板50は、重り部1全体を覆う大きさで形成されている。第2の基板50は、センサ素子3の平面形状と概ね同様の形状となっており、第2の基板50の側面には素子側電極パッド4を露出させるための切り欠き部50aが設けられている。第2の基板50は、ガラス基板、シリコン基板などを用いることができるが、金属細線61とのショートを防止する観点から絶縁性の基板を用いることが好ましい。   The second substrate 50 is disposed to face the sensor element 20. The second substrate 50 is formed in a size that covers the entire weight portion 1. The second substrate 50 has substantially the same shape as the planar shape of the sensor element 3, and a cutout portion 50 a for exposing the element-side electrode pad 4 is provided on the side surface of the second substrate 50. Yes. As the second substrate 50, a glass substrate, a silicon substrate, or the like can be used, but an insulating substrate is preferably used from the viewpoint of preventing a short circuit with the metal thin wire 61.

第2の基板50は、固定部3の上面4隅において接着材を介してセンサ素子20に固定されている。接着材の中には、球状のスペーサ部材が複数個含まれている。第2の基板50と重り部1とのギャップの大きさはこのスペーサ部材によって調整することができる。スペーサ部材の径の寸法がギャップの寸法とほぼ同じになるため、スペーサ部材の径を調整することでギャップの大きさを制御することができる。スペーサ部材の直径は、例えば、4μm〜30μmである。   The second substrate 50 is fixed to the sensor element 20 via an adhesive at the four corners of the upper surface of the fixing portion 3. The adhesive material includes a plurality of spherical spacer members. The size of the gap between the second substrate 50 and the weight portion 1 can be adjusted by this spacer member. Since the dimension of the spacer member diameter is substantially the same as the gap dimension, the gap size can be controlled by adjusting the spacer member diameter. The diameter of the spacer member is, for example, 4 μm to 30 μm.

センサ素子20は、図2(a)に示すように平板状の第1の基板30に実装され、第1の基板30は、基体40に実装されている。換言すれば、センサ素子20は、第1の基板30を介して基体40に実装されている。   As shown in FIG. 2A, the sensor element 20 is mounted on a flat first substrate 30, and the first substrate 30 is mounted on the base body 40. In other words, the sensor element 20 is mounted on the base body 40 via the first substrate 30.

基体40の内部、及び主面40Sには、センサ素子20と電気的に接続される配線導体41やめっきを行う際に使用しためっき用導体などが設けられている。この配線導体41を介してセンサ素子20と外部の所定回路との間で信号の入出力が行われる。配線導体41が基体40の内部にある場合、配線導体41の厚みによって基体40の主面40Sに他の部分より盛り上がった隆起部42が形成される。一方、主面40Sに形成された配線導体41も、他の部分より盛り上がった部分であり隆起部42となっている。隆起部42の厚みは、例えば、3μm〜20μmである。   A wiring conductor 41 electrically connected to the sensor element 20 and a plating conductor used for plating are provided in the base body 40 and the main surface 40S. Signals are input and output between the sensor element 20 and an external predetermined circuit via the wiring conductor 41. When the wiring conductor 41 is inside the base body 40, a raised portion 42 that rises from the other portion is formed on the main surface 40 </ b> S of the base body 40 depending on the thickness of the wiring conductor 41. On the other hand, the wiring conductor 41 formed on the main surface 40S is also a raised portion 42, which is a raised portion from the other portions. The thickness of the raised portion 42 is, for example, 3 μm to 20 μm.

このような隆起部42が存在している主面40Sにセンサ素子20を実装した場合、本来検出できるはずの加速度が検出できなくなるといった不具合や加速度の検出精度の低下を招く要因となることは上述した通りである。   When the sensor element 20 is mounted on the main surface 40S on which such a raised portion 42 exists, it is a factor that causes a problem that acceleration that should be originally detected cannot be detected and a decrease in acceleration detection accuracy. That's right.

これに対し本実施の形態にかかる加速度センサによれば、センサ素子20が、配線導体41が設けられている基体40に直接には実装されず、平板状の第1の基板30を介して基体40に実装されていることから、センサ素子20が実装される面において、センサ素子20の直下領域の平坦性が保持され、基体40に存在する隆起部42の影響を受けることが殆どない。また、基体40におけるセンサ素子20の直下領域に配線導体41の引き回しを行うことができるため、別途、配線導体41の引き回し領域を確保する必要がなく、小型化に対応した加速度センサを提供することができる。   On the other hand, according to the acceleration sensor according to the present embodiment, the sensor element 20 is not directly mounted on the base body 40 on which the wiring conductor 41 is provided, and the base body is interposed via the flat first substrate 30. 40, the flatness of the region immediately below the sensor element 20 is maintained on the surface on which the sensor element 20 is mounted, and is hardly affected by the raised portion 42 present in the base body 40. In addition, since the wiring conductor 41 can be routed in a region immediately below the sensor element 20 in the base body 40, there is no need to separately provide a wiring region of the wiring conductor 41, and an acceleration sensor corresponding to downsizing can be provided. Can do.

第1の基板30は平板状の板部材であり、平面視したときにその外周が固定部3の外周とほぼ一致する。換言すれば、第1の基板30の側面とセンサ素子20の側面(固定部3の外周面)とは面一となっている。第1の基板30としては、絶縁性の基板を用いることが好ましく、ガラス基板、セラミック基板、あるいは表面が絶縁膜で覆われたシリコン基板などが例示できる。本実施形態ではガラス基板を用いている。第1の基板30の厚みは、例えば、第1の基板30の平面形状の大きさが1mm×1mmのものである場合には50μm程度とされる。   The first substrate 30 is a flat plate member, and its outer periphery substantially coincides with the outer periphery of the fixed portion 3 when viewed in plan. In other words, the side surface of the first substrate 30 and the side surface of the sensor element 20 (the outer peripheral surface of the fixed portion 3) are flush with each other. As the first substrate 30, an insulating substrate is preferably used, and a glass substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate whose surface is covered with an insulating film, and the like can be exemplified. In this embodiment, a glass substrate is used. The thickness of the first substrate 30 is, for example, about 50 μm when the planar shape of the first substrate 30 is 1 mm × 1 mm.

センサ素子20と第1の基板30とは、第2の接着材9を介して接合されている。第2の接着材9として、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などを使用することができる。なかでも接着時の残留応力を緩和する観点からヤング率が比較的低い樹脂であるシリコーン樹脂を用いることが好ましい。第2の接着材9は、固定部3の下面四隅に対応する位置に設けられている。本実施形態のように梁部2が重り部1aの上面四辺の中央部に連結されている場合、センサ素子20と第1の基板30との接合を、固定部3の四隅部において行うことによって、センサ素子20の第1の基板30への接合箇所と梁部2との間の距離が離れるため、第2の接着材9による接合に起因して発生し得る残留応力が梁部2に与える影響を小さくすることができ、加速度センサ装置の電気的な特性が劣化するのを抑えることができる。   The sensor element 20 and the first substrate 30 are bonded via a second adhesive material 9. As the second adhesive 9, a silicone resin, an epoxy resin, or the like can be used. Among these, it is preferable to use a silicone resin which is a resin having a relatively low Young's modulus from the viewpoint of relaxing the residual stress during bonding. The second adhesive material 9 is provided at positions corresponding to the four corners of the lower surface of the fixing portion 3. When the beam part 2 is connected to the center part of the upper surface four sides of the weight part 1a as in the present embodiment, the sensor element 20 and the first substrate 30 are joined at the four corners of the fixed part 3. Since the distance between the joint portion of the sensor element 20 to the first substrate 30 and the beam portion 2 is increased, the residual stress that can be generated due to the joining by the second adhesive material 9 is given to the beam portion 2. The influence can be reduced, and deterioration of the electrical characteristics of the acceleration sensor device can be suppressed.

第1の基板30は、センサ素子20を実装するためのものであると同時に、過大な加速度が加えられたときに、梁部2に破損が生じるのを抑制するためのものである。重り部1と第1の基板30との間には、重り部1が下方向に変位可能となるように、比較的微小な隙間が確保されている。そして、加速度センサに過大な加速度が加えられ、重り部1が下方向に変位したときに重り部1は第1の基板30に当接し、変位が規制される。これにより梁部2が破損するのを抑制することができる。第2の接着材9には、所定の径を有する球状のスペーサ部材11が混練されている。すなわち、重り部1の下面と第1の基板30の主面30Sとの間のギャップの大きさをスペーサ部材11によって調整している。スペーサ部材11は、例えばシリカ、シリコン、ジビニルベンゼンなど所定の硬さを有する球状の部材であり、その直径は、例えば4〜30μmである。   The first substrate 30 is for mounting the sensor element 20 and at the same time, for suppressing the beam portion 2 from being damaged when excessive acceleration is applied. A relatively small gap is secured between the weight part 1 and the first substrate 30 so that the weight part 1 can be displaced downward. Then, when excessive acceleration is applied to the acceleration sensor and the weight portion 1 is displaced downward, the weight portion 1 contacts the first substrate 30 and the displacement is restricted. Thereby, it can suppress that the beam part 2 is damaged. A spherical spacer member 11 having a predetermined diameter is kneaded in the second adhesive material 9. That is, the size of the gap between the lower surface of the weight portion 1 and the main surface 30 </ b> S of the first substrate 30 is adjusted by the spacer member 11. The spacer member 11 is a spherical member having a predetermined hardness such as silica, silicon, divinylbenzene, and the diameter thereof is, for example, 4 to 30 μm.

第1の基板30は、第1の接着材10を介して基体40に実装されている。   The first substrate 30 is mounted on the base body 40 via the first adhesive material 10.

第1の接着材10は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などから成る。第1の接着材10の高さ寸法(主面40Sから第1の接着材10の頂点までの寸法)は、隆起部42の高さ寸法(主面40Sから隆起部42の頂点までの寸法)よりも大きくなるようにして形成されている。これにより第1の基板30が隆起部42に接しない状態となり、隆起部42の影響が第1の基板30の主面30Sに現れることが殆どなく、センサ素子20の実装面である主面30Sの平坦性が保持される。第1の接着材10と第2の接着材9とは同じ材料を用いることが好ましい。同じ材料を用いることで、第1の接着材10と第2の接着材9との硬化を同時に行うことができ、別個に硬化する場合に比し加速度センサの生産性を高めることができる。   The first adhesive 10 is made of silicone resin, epoxy resin, or the like. The height dimension of the first adhesive material 10 (the dimension from the main surface 40S to the apex of the first adhesive material 10) is the height dimension of the protuberance 42 (the dimension from the main surface 40S to the apex of the protuberance 42). It is formed so as to be larger. As a result, the first substrate 30 is not in contact with the raised portion 42, and the influence of the raised portion 42 hardly appears on the main surface 30 </ b> S of the first substrate 30, and the main surface 30 </ b> S that is the mounting surface of the sensor element 20. The flatness is maintained. It is preferable to use the same material for the first adhesive material 10 and the second adhesive material 9. By using the same material, the first adhesive 10 and the second adhesive 9 can be cured at the same time, and the acceleration sensor productivity can be increased as compared with the case where the first adhesive 10 and the second adhesive 9 are separately cured.

第1の接着材10は、平面視したときに第1の基板30の中央部のみと接着している。第1の基板30と基体40との線膨張係数の差が大きい場合、このように第1の接着材10を第1の基板30の中央部のみ1箇所と接着させることによって、線膨張係数の差に起因する第1の基板30の変形を抑制することできる。   The first adhesive 10 is bonded only to the central portion of the first substrate 30 when viewed in plan. When the difference between the linear expansion coefficients of the first substrate 30 and the base 40 is large, the first adhesive material 10 is bonded to only one central portion of the first substrate 30 in this manner, thereby increasing the linear expansion coefficient. The deformation of the first substrate 30 due to the difference can be suppressed.

基体40は外形が略直方体をなし、内部にはセンサ素子20を収容するためのキャビティが形成されている。基体40は、セラミック材料などからなる5枚の絶縁層40a〜40eを積層することにより形成されている。   The base body 40 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and a cavity for accommodating the sensor element 20 is formed inside. The base 40 is formed by laminating five insulating layers 40a to 40e made of a ceramic material or the like.

絶縁層40a、40bは平板状の部材からなる。絶縁層40c、40d、40eは、中央に孔部を有する枠状の部材である。絶縁層40c、40dの孔部の大きさはセンサ素子20より若干大きくなるように設けられ、絶縁層40eの孔部は、絶縁層40c、40dに設けられた孔部よりも大きくなるように形成されている。   The insulating layers 40a and 40b are made of a flat member. The insulating layers 40c, 40d, and 40e are frame-shaped members having a hole at the center. The sizes of the holes in the insulating layers 40c and 40d are provided to be slightly larger than the sensor element 20, and the holes in the insulating layer 40e are formed to be larger than the holes provided in the insulating layers 40c and 40d. Has been.

基体40には複数の基板側電極パッド44が形成されている。これらの基板側電極パッド44は、絶縁層40eの孔部から露出する絶縁層40dの上面に設けられている。基板側電極パッド4は金属細線61によってセンサ素子20の固定部上面に設けた素子側電極パッド4と電気的に接続されている。また基体40の下面には、外部端子43が設けられており、外部端子43は基板内部に設けたビアホール導体45や配線導体41などを介して基板側電極パッド4と接続されている。すなわち、センサ素子20の電気信号は、素子側電極パッド4、金属細線6、基板側電極パッド44、外部端子2などを介して外部へ取り出されることとなる。   A plurality of substrate-side electrode pads 44 are formed on the base body 40. These substrate-side electrode pads 44 are provided on the upper surface of the insulating layer 40d exposed from the hole of the insulating layer 40e. The substrate-side electrode pad 4 is electrically connected to the element-side electrode pad 4 provided on the upper surface of the fixed portion of the sensor element 20 by a thin metal wire 61. An external terminal 43 is provided on the lower surface of the base body 40, and the external terminal 43 is connected to the substrate-side electrode pad 4 via a via-hole conductor 45 and a wiring conductor 41 provided inside the substrate. That is, the electrical signal of the sensor element 20 is extracted to the outside through the element side electrode pad 4, the metal thin wire 6, the substrate side electrode pad 44, the external terminal 2, and the like.

基体40のキャビティの開口部を塞ぐようにしてリッド60が基体40の上面に固着されており、これによりセンサ素子20がキャビティ内に気密封止されている。リッド60は、例えば42アロイ、ステンレス、コバールなどの金属板からなり、銀ろう、Au−Sn、エポキシ樹脂などの接合材62により基体40に接合されている。   The lid 60 is fixed to the upper surface of the base body 40 so as to close the opening of the cavity of the base body 40, whereby the sensor element 20 is hermetically sealed in the cavity. The lid 60 is made of, for example, a metal plate such as 42 alloy, stainless steel, or kovar, and is bonded to the base 40 by a bonding material 62 such as silver solder, Au—Sn, or epoxy resin.

リッド60が金属からなる場合、第2の基板50の上面が金属細線61の頂点よりも高い位置にあることが好ましい。第1の接着材10及び第2の接着材9は、ある程度伸び縮みすることから大きな加速度が印加された際などにセンサ素子20全体が上方に変位することがあるが、第2の基板50の上面を金属細線61の頂点よりも高い位置しておくことによって第2の基板50がリッド60にまず当接するため、金属細線61が金属製のリッド60に接触するのを抑制することができる。すなわち、電気信号の入出力の経路となっている金属細線61が金属製のリッドに接触するのを抑制できるため、信号の入出力を正常に行うことができる。   When the lid 60 is made of metal, it is preferable that the upper surface of the second substrate 50 is located at a position higher than the apex of the thin metal wire 61. Since the first adhesive material 10 and the second adhesive material 9 expand and contract to some extent, the entire sensor element 20 may be displaced upward when a large acceleration is applied. Since the second substrate 50 is first brought into contact with the lid 60 by placing the upper surface higher than the apex of the fine metal wire 61, the fine metal wire 61 can be prevented from coming into contact with the metal lid 60. That is, since it is possible to suppress the metal thin wire 61 serving as the input / output path for the electric signal from coming into contact with the metal lid, the signal can be input / output normally.

(変形例1)
図6は上述した実施形態にかかる加速度センサの変形例1を示す断面図である。なお、図6の断面図は図1のA−A’線における断面に相当するものである。変形例1にかかる加速度センサは、抵抗素子5で検出した電気信号を演算処理するICチップ70をさらに含むものである。この変形例1にかかる加速度センサでは、基体40の下面側に設けたキャビティにICチップ70が収容されている。ICチップ70は、基体40に設けたビアホール導体45、配線導体41を介してセンサ素子20及び外部端子2と電気的に接続されている。ICチップ70は、例えば、センサ素子20の出力信号を増幅する増幅回路、センサ素子20の温度特性を補正する温度補償回路、ノイズを除去するノイズ除去回路などが集積化されたものである。このようなICチップ70を備えることによって加速度を高精度に検知することができる。
(Modification 1)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing Modification 1 of the acceleration sensor according to the above-described embodiment. The cross-sectional view of FIG. 6 corresponds to the cross section taken along the line AA ′ of FIG. The acceleration sensor according to the modification 1 further includes an IC chip 70 that performs arithmetic processing on the electrical signal detected by the resistance element 5. In the acceleration sensor according to the first modification, the IC chip 70 is accommodated in a cavity provided on the lower surface side of the base body 40. The IC chip 70 is electrically connected to the sensor element 20 and the external terminal 2 through a via-hole conductor 45 and a wiring conductor 41 provided on the base body 40. The IC chip 70 includes, for example, an amplifier circuit that amplifies the output signal of the sensor element 20, a temperature compensation circuit that corrects the temperature characteristics of the sensor element 20, and a noise removal circuit that removes noise. By providing such an IC chip 70, acceleration can be detected with high accuracy.

図6に示すように裏面側にキャビティを設け、そこにICチップ70を配置した場合、ICチップ70と接続される配線導体41が増えることから隆起部42の数も増えることとなる。したがって隆起部42に起因する問題が発生する可能性が高くなるが、かかる場合でも平板状の第1の基板30を介してセンサ素子20の実装を行うことにより、加速度の検出範囲が変化するのを抑えつつ、加速度センサの小型化に対応することができる。   As shown in FIG. 6, when a cavity is provided on the back side and the IC chip 70 is arranged there, the number of the wiring conductors 41 connected to the IC chip 70 increases, and the number of the raised portions 42 also increases. Therefore, although the possibility that a problem due to the raised portion 42 occurs is increased, the detection range of acceleration is changed by mounting the sensor element 20 via the flat first substrate 30 even in such a case. It is possible to cope with downsizing of the acceleration sensor while suppressing the acceleration.

(変形例2)
図7は上述した実施形態にかかる加速度センサの変形例2を示す断面図である。なお、図7の断面図は図1のA−A’線における断面に相当するものである。変形例2にかかる加速度センサは、第1の接着材10に混練された球状のスペーサ部材11をさらに含むものである。スペーサ部材11として、その直径寸法が配線導体41の厚み寸法以上であるものを用いている。このようなスペーサ部材11を第1の接着材10に混練することによって、第1の基板30の主面40Sからの高さ寸法(主面40Sと第1の基板30の下面との間の寸法)が隆起部42の厚み寸法以上となり、隆起部42にセンサ素子20や第1の基板30による大きな荷重がかかることがない。したがって第1の基板30は隆起部42の影響を殆ど受けることなくその主面の平坦性が保持され、重り部1の下面と第1の基板30の主面30Sとの間のギャップを所望の大きさに保持することができる。これにより加速度の検出範囲が所望の範囲から変化するのを抑制できる。なお、スペーサ部材11の直径寸法とは、第1の接着材30に含まれているスペーサ部材11の平均値をとった値である。
(Modification 2)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing Modification Example 2 of the acceleration sensor according to the above-described embodiment. 7 corresponds to a cross section taken along line AA ′ of FIG. The acceleration sensor according to the modified example 2 further includes a spherical spacer member 11 kneaded in the first adhesive material 10. As the spacer member 11, one having a diameter dimension equal to or larger than the thickness dimension of the wiring conductor 41 is used. By kneading such a spacer member 11 in the first adhesive 10, the height dimension from the main surface 40S of the first substrate 30 (the dimension between the main surface 40S and the lower surface of the first substrate 30). ) Is equal to or greater than the thickness of the raised portion 42, and the raised portion 42 is not subjected to a large load from the sensor element 20 or the first substrate 30. Therefore, the flatness of the main surface of the first substrate 30 is hardly affected by the raised portion 42, and a gap between the lower surface of the weight portion 1 and the main surface 30S of the first substrate 30 is set as desired. Can be kept in size. Thereby, it can suppress that the detection range of acceleration changes from the desired range. The diameter dimension of the spacer member 11 is a value obtained by taking an average value of the spacer member 11 included in the first adhesive 30.

<加速度センサの製造方法>
次に本実施の形態に係る加速度センサの製造工程を図8を用いて説明する。なお、図8は図1のA−A’線における断面に相当する部分である。
<Method for manufacturing acceleration sensor>
Next, the manufacturing process of the acceleration sensor according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 8 is a portion corresponding to a cross section taken along line AA ′ of FIG.

(センサ素子を用意する工程)
まず、固定部3、重り部1、固定部3及び重り部1に連結される梁部2を有するセンサ素子20を用意する。
(Process for preparing sensor elements)
First, a sensor element 20 having a fixed portion 3, a weight portion 1, a fixed portion 3 and a beam portion 2 connected to the weight portion 1 is prepared.

センサ素子20は、例えば、図4に示したようにSOI基板を用いて作製されるものであり、まずSOI基板表面のシリコン層にイオン注入法によりボロンを注入することでピエゾ抵抗からなる抵抗素子5を形成する。次に、スパッタリングやエッチングなど従来周知の半導体微細加工技術を施すことによって重り部1、固定部3、梁部2を形成することによりセンサ素子20を作製する。   The sensor element 20 is manufactured using, for example, an SOI substrate as shown in FIG. 4. First, a resistive element made of piezoresistor is formed by implanting boron into the silicon layer on the surface of the SOI substrate by an ion implantation method. 5 is formed. Next, the sensor element 20 is manufactured by forming the weight portion 1, the fixing portion 3, and the beam portion 2 by applying a conventionally known semiconductor microfabrication technique such as sputtering or etching.

(第1の基板及び基体を用意する工程)
一方でセンサ素子20が実装される平板状の第1の基板30と、第1の基板30が実装される基体40であって、内部または第1の基板30が実装される面に配線導体41が配置されている基体40と、を用意する。
(Step of preparing first substrate and base)
On the other hand, a flat plate-like first substrate 30 on which the sensor element 20 is mounted and a base body 40 on which the first substrate 30 is mounted, the wiring conductor 41 on the inside or on the surface on which the first substrate 30 is mounted. Is prepared.

第1の基板30は、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板などからなる平板状の板部材であり、本実施形態では、ガラス基板を用いている。第1の基板30は、平面視したときの形状が矩形であり、センサ素子20の固定部3の外周とほぼ一致する大きさとされている。   The first substrate 30 is a flat plate member made of a glass substrate, a silicon substrate, a ceramic substrate, or the like. In this embodiment, a glass substrate is used. The first substrate 30 has a rectangular shape when seen in a plan view, and has a size that substantially matches the outer periphery of the fixed portion 3 of the sensor element 20.

基体1は、複数の絶縁層40a乃至40eを積層することにより形成されている。具体的には、まず、ガラス−セラミック、アルミナなどのセラミック粉末に適当な有機バインダー、有機溶剤等を添加・混練して得たスラリーを従来周知のドクターブレード法等によって、所定厚みにテープ成型して半硬化状態のセラミックグリーンシートとなし、これらを所定の大きさに切出すことにより各絶縁層となるシートを作製する。次に作製したシートを所定の順に積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって基体1が製作される(図8(a))。   The base 1 is formed by laminating a plurality of insulating layers 40a to 40e. Specifically, first, a slurry obtained by adding and kneading a suitable organic binder, organic solvent, etc. to ceramic powder such as glass-ceramic and alumina is tape-molded to a predetermined thickness by a conventionally known doctor blade method or the like. Thus, a semi-cured ceramic green sheet is formed, and these are cut into a predetermined size to produce a sheet serving as each insulating layer. Next, the produced sheets are laminated in a predetermined order, press-molded, and then fired at a high temperature to produce the substrate 1 (FIG. 8A).

基体1の内部および主面40Sには配線導体41やめっきを行う際に使用するめっき用導体が形成されている。配線導体41は、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt、Cu等の金属粉末、有機バインダー、有機溶剤などを混練して得られる導体ペーストを焼成前の各絶縁層の主面に所定のパターンに印刷し、焼成することにより形成される。焼成後の配線導体41の厚みは、10μm〜20μm程度であり、基体40の内部に配線導体41が設けられている場合、配線導体41の厚みの影響を受けて基体40の主面40Sに隆起部42が形成される。主面40Sに配線導体41が設けられている場合はそれ自身が隆起部42となる。   A wiring conductor 41 and a plating conductor used for plating are formed on the inside of the substrate 1 and the main surface 40S. The wiring conductor 41 is formed in a predetermined pattern on the main surface of each insulating layer before firing a conductive paste obtained by kneading a metal powder such as Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, or Cu, an organic binder, or an organic solvent. It is formed by printing and baking. The thickness of the wiring conductor 41 after firing is about 10 μm to 20 μm. When the wiring conductor 41 is provided inside the base body 40, the wiring conductor 41 is affected by the thickness of the wiring conductor 41 and is raised on the main surface 40 </ b> S of the base body 40. Part 42 is formed. When the wiring conductor 41 is provided on the main surface 40S, it becomes the raised portion 42 itself.

基体40には、配線導体41の他、外部端子43、基板側電極パッド44、ビアホール導体45などが形成されている。これらは配線導体41と同じ材料を用いて配線導体41と同様にして形成することができる。   In addition to the wiring conductor 41, the substrate 40 is formed with external terminals 43, substrate-side electrode pads 44, via-hole conductors 45, and the like. These can be formed in the same manner as the wiring conductor 41 using the same material as the wiring conductor 41.

(第1の基板の実装工程)
次に第1の基板30を基体40に実装する工程を行う。この工程では、図8(b)に示すように、まず基体40の主面40Sに第1の接着材10となる粘性部材10’を塗布する。本実施形態では、粘性部材10’は基体40の主面40Sの中央部に塗布される。粘性部材10’は、所定の粘度を有するように調整されている。具体的には、粘性部材10’を塗布したときに、広がりすぎず所定の高さを保持できるような粘度に調整されおり、その粘度は、例えば、7Pa・s程度に調整される。このように所定の粘度に調整された粘性部材10’は、その頂点が隆起部42の頂点よりも数μm程度高くなるようにして塗布されている。基体1を作製した段階で配線導体41の厚みが概ね把握できているため、粘性部材10’の粘度及び塗布量を調整することにより粘性部材10’の高さが隆起部42の頂点よりも高くなるように塗布することができる。粘性部材10’は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなり、ディスペンサーなどを用いて塗布される。
(First board mounting process)
Next, a step of mounting the first substrate 30 on the base body 40 is performed. In this step, as shown in FIG. 8B, first, a viscous member 10 ′ that becomes the first adhesive 10 is applied to the main surface 40 </ b> S of the base body 40. In the present embodiment, the viscous member 10 ′ is applied to the central portion of the main surface 40 </ b> S of the base body 40. The viscous member 10 ′ is adjusted to have a predetermined viscosity. Specifically, when the viscous member 10 ′ is applied, the viscosity is adjusted so as to maintain a predetermined height without being excessively spread, and the viscosity is adjusted to about 7 Pa · s, for example. The viscous member 10 ′ adjusted to have a predetermined viscosity in this way is applied such that its apex is higher by about several μm than the apex of the raised portion 42. Since the thickness of the wiring conductor 41 is generally grasped at the stage where the base body 1 is manufactured, the height of the viscous member 10 ′ is higher than the apex of the raised portion 42 by adjusting the viscosity and the coating amount of the viscous member 10 ′. It can apply | coat so that it may become. The viscous member 10 ′ is made of, for example, a resin material such as an epoxy resin or a silicone resin, and is applied using a dispenser or the like.

次に図8(c)に示すように、第1の基板30と基体40との間に粘性部材10’が介在されるようにして、第1の基板30を載置する(図中矢印M1で示す載置工程)。第1の基板30はコレットなどの吸着装置を用いて粘性部材10’に載置される。この段階では粘性部材10’が硬化していないため、基体40を動かしたりすると、粘性部材10’の上に載置された第1の基板30は位置ずれする可能性がある。そこで第1の基板30が大きく位置ずれしないように第1の基板30の側面とキャビティの内壁面(絶縁層40c、40dの孔部の内周面)との間の隙間を所定の範囲にしておくことが好ましい。具体的に第1の基板30の側面とキャビティの内壁面との間の隙間は、10μm〜25μmの範囲にしておくとよい。これにより基体40を動かした場合などでも第1の基板30が大きく位置ずれすることがない。   Next, as shown in FIG. 8C, the first substrate 30 is placed such that the viscous member 10 ′ is interposed between the first substrate 30 and the base body 40 (arrow M1 in the figure). Mounting step). The first substrate 30 is placed on the viscous member 10 'using a suction device such as a collet. At this stage, since the viscous member 10 ′ is not cured, if the base 40 is moved, the first substrate 30 placed on the viscous member 10 ′ may be displaced. Therefore, the gap between the side surface of the first substrate 30 and the inner wall surface of the cavity (inner peripheral surfaces of the holes of the insulating layers 40c and 40d) is set to a predetermined range so that the first substrate 30 is not greatly displaced. It is preferable to keep it. Specifically, the gap between the side surface of the first substrate 30 and the inner wall surface of the cavity is preferably in the range of 10 μm to 25 μm. Thereby, even when the base 40 is moved, the first substrate 30 is not greatly displaced.

(センサ素子の実装工程)
センサ素子20の実装工程では、図8(c)に示すように、まず第1の基板30の主面30Sに第2の接着材9となる粘性部材9’を塗布する。粘性部材9’として、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹などを用いることができるが、粘性部材10’と同じ材料を用いることが好ましい。第1の接着材10となる粘性部材10’と第2の接着材9となる粘性部材9’とを同じ材料とすることにより、粘性部材10’と粘性部材9’の硬化を同時に行うことができ、加速度センサの生産性を高くすることができる。
(Sensor element mounting process)
In the mounting process of the sensor element 20, as shown in FIG. 8C, first, a viscous member 9 ′ that becomes the second adhesive 9 is applied to the main surface 30 </ b> S of the first substrate 30. For example, silicone resin or epoxy resin can be used as the viscous member 9 ′, but it is preferable to use the same material as the viscous member 10 ′. By making the viscous member 10 'serving as the first adhesive 10 and the viscous member 9' serving as the second adhesive 9 the same material, the viscous member 10 'and the viscous member 9' can be cured simultaneously. It is possible to increase the productivity of the acceleration sensor.

粘性部材9’は、ディスペンサーなどを用いて固定部3の下面四隅と対応する位置に塗布される。また、粘性部材9’には、重り部1の下面と主面30Sとの間に所定の大きさのギャップを設けるために球状のスペーサ部材11が含まれている。スペーサ部材11は、例えばシリカ、シリコン、ジビニルベンゼンなど所定の硬さを有する球状の部材であり、その直径は、例えば4μm〜30μmである。   The viscous member 9 ′ is applied to positions corresponding to the four corners of the lower surface of the fixing unit 3 using a dispenser or the like. Further, the viscous member 9 ′ includes a spherical spacer member 11 for providing a gap having a predetermined size between the lower surface of the weight portion 1 and the main surface 30 </ b> S. The spacer member 11 is a spherical member having a predetermined hardness, such as silica, silicon, divinylbenzene, and the diameter thereof is, for example, 4 μm to 30 μm.

第1の基板30の主面30Sに粘性部材9’を塗布した後、センサ素子20を第1の基板30の主面30Sに載置する(図中矢印M2で示す載置工程)。第1の基板30を粘性部材10’に載置し、その上にセンサ素子20を載置すると、粘性部材10’はこれらの重みによって周囲に広がっていき、その高さが低くなっていくが、粘性部材10’は所定の粘度に調整されているため、この段階においても粘性部材10’の頂点は隆起部42の頂点よりも高い位置にある。この状態で粘性部材9’、10’を加熱し、両粘性部材を硬化することによって、第1の基板30が基体40に、センサ素子20が第1の実装基板30にそれぞれ固定される。   After applying the viscous member 9 ′ to the main surface 30 </ b> S of the first substrate 30, the sensor element 20 is mounted on the main surface 30 </ b> S of the first substrate 30 (a mounting process indicated by an arrow M <b> 2 in the drawing). When the first substrate 30 is placed on the viscous member 10 ′ and the sensor element 20 is placed thereon, the viscous member 10 ′ spreads around by these weights, and its height decreases. Since the viscous member 10 ′ is adjusted to a predetermined viscosity, the apex of the viscous member 10 ′ is higher than the apex of the raised portion 42 even at this stage. In this state, the viscous members 9 ′ and 10 ′ are heated to cure both viscous members, thereby fixing the first substrate 30 to the base body 40 and the sensor element 20 to the first mounting substrate 30.

なお、載置工程M2を行った直後の段階では粘性部材9’、10’が硬化していないため、基体40を動かしたりすると、第1の基板30、センサ素子20はともに位置ずれする可能性があるが、上述したように第1の基板30の側面とキャビティの内壁面との間の隙間およびセンサ素子20の側面とキャビティの内壁面との間の隙間を10μm〜25μmの範囲にしておくことで第1の基板30及びセンサ素子20が大きく位置ずれすることがない。   Since the viscous members 9 ′ and 10 ′ are not cured immediately after the placement process M2, the first substrate 30 and the sensor element 20 may be misaligned when the base body 40 is moved. As described above, the gap between the side surface of the first substrate 30 and the inner wall surface of the cavity and the gap between the side surface of the sensor element 20 and the inner wall surface of the cavity are set in the range of 10 μm to 25 μm. Thus, the first substrate 30 and the sensor element 20 are not greatly displaced.

(封止工程)
次に第2の基板50をセンサ素子20の上面に取り付ける。なお第2の基板50の取り付けは、センサ素子20を基体40に実装する前に行ってもよい。その後、金、銅、アルミニウムなどからなる金属細線61によりセンサ素子20に設けた素子側電極パッド4と基体40に設けた基板側電極パッド44とを接続する。最後に42アロイなどからなる金属製のリッド60を接合材62により基体40の上面に接合することよりセンサ素子20が基体40のキャビティ内に封止される。これにより製品としての加速度センサが完成する。
(Sealing process)
Next, the second substrate 50 is attached to the upper surface of the sensor element 20. The second substrate 50 may be attached before the sensor element 20 is mounted on the base body 40. Thereafter, the element-side electrode pad 4 provided on the sensor element 20 and the substrate-side electrode pad 44 provided on the base body 40 are connected by a thin metal wire 61 made of gold, copper, aluminum or the like. Finally, the sensor lid 20 is sealed in the cavity of the base body 40 by bonding a metal lid 60 made of 42 alloy or the like to the upper surface of the base body 40 with a bonding material 62. Thereby, the acceleration sensor as a product is completed.

本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、上述した実施の形態では、検出素子としてピエゾ抵抗素子を用いたピエゾ抵抗型の加速度センサについて説明したが、本発明は検出素子として静電容量素子を用いた静電容量型の加速度センサにも適用可能である。   For example, in the above-described embodiment, a piezoresistive acceleration sensor using a piezoresistive element as a detection element has been described. However, the present invention can be applied to a capacitive acceleration sensor using a capacitive element as a detection element. Is also applicable.

また上述した実施の形態では、第1の接着材10が第1の基板30の中央部のみ1箇所と接着するようにしたが第1の接着材10の接着箇所はこれに限らず、複数個所で接着するようにしてもよいし、第1の基板30の下面全体と接着するようにしてもよい。   Further, in the above-described embodiment, the first adhesive material 10 is bonded to only one central portion of the first substrate 30. However, the bonding location of the first adhesive material 10 is not limited to this, and there are a plurality of locations. May be adhered to each other, or may be adhered to the entire lower surface of the first substrate 30.

また上述した実施形態では、第1の基板30を基体40に実装した後、第1の基板30にセンサ素子20を実装する製造方法について説明したが、第1の基板30、センサ素子20の実装順はこれに限らず、センサ素子20を第1の基板30に実装した後、第1の基板30を基体40に実装するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the manufacturing method of mounting the sensor element 20 on the first substrate 30 after mounting the first substrate 30 on the base body 40 has been described. However, the mounting of the first substrate 30 and the sensor element 20 is described. The order is not limited to this, and the first substrate 30 may be mounted on the base 40 after the sensor element 20 is mounted on the first substrate 30.

1・・・重り部
2・・・梁部
3・・・固定部
4・・・基板側電極パッド
5・・・抵抗素子
10・・・第1の接着材
20・・・センサ素子
30・・・第1の基板
40・・・基体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Weight part 2 ... Beam part 3 ... Fixed part 4 ... Board | substrate side electrode pad 5 ... Resistance element 10 ... 1st adhesive material 20 ... Sensor element 30 ...・ First substrate 40 ... Base

Claims (6)

固定部と、加速度が加わったときに前記固定部に対し変位する重り部と、一端が前記固定部に、他端が前記重り部にそれぞれ連結され、前記重り部の変位に伴って撓む梁部と、を有するセンサ素子と、
前記センサ素子が実装される平板状の第1の基板と、
前記第1の基板が実装される基体であって、内部または前記第1の基板が実装される面に配線導体が配置されている基体と、
前記第1の基板と前記基体との間に介在され、前記第1の基板を前記基体に固定するための第1の接着材と、を備えた加速度センサ。
A fixed portion, a weight portion that is displaced with respect to the fixed portion when acceleration is applied, a beam that has one end connected to the fixed portion and the other end connected to the weight portion, and bends as the weight portion is displaced. A sensor element having a portion;
A flat first substrate on which the sensor element is mounted;
A base on which the first substrate is mounted, and a base on which a wiring conductor is disposed inside or on a surface on which the first substrate is mounted;
An acceleration sensor, comprising: a first adhesive that is interposed between the first substrate and the base body and fixes the first substrate to the base body.
前記センサ素子は、前記固定部の下面と前記第1の基板の実装面との間に介在された第2の接着材により前記第1の基板に固定され、前記第1の接着材と前記第2の接着材とが同じ材料からなる請求項1に記載の加速度センサ。   The sensor element is fixed to the first substrate by a second adhesive interposed between a lower surface of the fixing portion and a mounting surface of the first substrate, and the first adhesive and the first The acceleration sensor according to claim 1, wherein the two adhesives are made of the same material. 前記第1の接着材は、球状のスペーサ部材を含んでおり、前記スペーサ部材の直径寸法が、前記配線導体の厚み寸法以上である請求項1に記載の加速度センサ。   The acceleration sensor according to claim 1, wherein the first adhesive material includes a spherical spacer member, and a diameter dimension of the spacer member is equal to or greater than a thickness dimension of the wiring conductor. 前記基体に設けられたキャビティと、前記固定部の上面に設けられた電極パッドと、前記電極パッドと接続された金属細線と、前記重り部の上面との間に所定の間隔を設けた状態で前記センサ素子上に配置される第2の基板と、前記キャビティの開口部を塞ぐ金属製のリッドと、をさらに備え、
前記基体、前記センサ素子、及び前記第2の基板が前記キャビティに収容されているとともに、前記第2の基板の上面は、前記金属細線の頂点よりも高い位置にある請求項1に記載の加速度センサ。
In a state where a predetermined interval is provided between the cavity provided in the base, the electrode pad provided on the upper surface of the fixed portion, the metal thin wire connected to the electrode pad, and the upper surface of the weight portion. A second substrate disposed on the sensor element; and a metal lid for closing the opening of the cavity;
2. The acceleration according to claim 1, wherein the base body, the sensor element, and the second substrate are accommodated in the cavity, and an upper surface of the second substrate is at a position higher than an apex of the thin metal wire. Sensor.
前記センサ素子は、前記梁部の撓み量を検出する検出素子を有しており、
前記検出素子からの検出信号を処理するICチップをさらに備える請求項1に記載の加速度センサ。
The sensor element has a detection element for detecting the amount of bending of the beam portion,
The acceleration sensor according to claim 1, further comprising an IC chip that processes a detection signal from the detection element.
固定部と、加速度が加わったときに前記固定部に対し変位する重り部と、一端が前記固定部に、他端が前記重り部にそれぞれ連結され、前記重り部の変位に伴って撓む梁部と、を有するセンサ素子を用意する工程と、
前記センサ素子が実装される平板状の第1の基板と、前記第1の基板が実装される基体であって、内部または前記第1の基板が実装される面に配線導体が配置されている基体と、を用意する工程と、
前記基体の主面に第1の接着材となる粘性部材を塗布した後、前記第1の基板と前記基体との間に前記粘性部材が介在されるようにして、前記第1の基板を前記基体に実装する工程と、
前記センサ素子を前記第1の基板に実装する工程と、を含む加速度センサの製造方法。
A fixed portion, a weight portion that is displaced with respect to the fixed portion when acceleration is applied, a beam that has one end connected to the fixed portion and the other end connected to the weight portion, and bends as the weight portion is displaced. A step of preparing a sensor element having a portion;
A flat first substrate on which the sensor element is mounted and a base on which the first substrate is mounted, and a wiring conductor is disposed inside or on the surface on which the first substrate is mounted. A step of preparing a substrate;
After applying a viscous member serving as a first adhesive to the main surface of the base, the first substrate is moved to the first substrate in such a manner that the viscous member is interposed between the first substrate and the base. Mounting on a substrate;
Mounting the sensor element on the first substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013027740A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 日本電気株式会社 Piezoelectric vibration sensor

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