JP2010224533A - Radiation-sensitive resin composition, resin film, and electronic component - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition, resin film, and electronic component Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition allowing simple formation of a film, in a short time, to obtain a resin film maintaining high flatness and causing no film defect such as wrinkles, even if the film is subjected to other processings, such as, forming a conductive thin film on the resin film. <P>SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition contains: a resin (A); a crosslinking agent (B) having an epoxy group; a crosslinking agent (C) having a triazine cyclic structure or a glycoluril structure and having at least one kind of functional group selected from among a group consisting of imino group, methylol group and alkoxybutyl group; and a radiation-sensitive compound (D). <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、感放射線性樹脂組成物及びこの感放射線性樹脂組成物から得られる樹脂膜に関し、更に詳しくは、表示素子、集積回路素子及び固体撮像素子等の電子部品の製造に好適な感放射線性樹脂組成物、この感放射線性樹脂組成物から得られる樹脂膜及びこの樹脂膜を有する電子部品に関する。   The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition and a resin film obtained from the radiation-sensitive resin composition. More specifically, the present invention relates to a radiation-sensitive material suitable for manufacturing electronic components such as display elements, integrated circuit elements, and solid-state imaging elements. The present invention relates to a resin composition, a resin film obtained from the radiation-sensitive resin composition, and an electronic component having the resin film.

表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、カラーフィルタ、薄膜トランジスタ及びブラックマトリックス等の電子部品には、その劣化や損傷を防止するための保護膜、素子や配線を有する基板の、素子や配線に由来する凹凸を平坦化するための平坦化膜、及び電気絶縁性を保つための電気絶縁膜等として種々の樹脂膜が設けられている。薄膜トランジスタ型液晶表示素子や集積回路素子等の素子には、層状に配置される複数の配線の間を絶縁するために層間絶縁膜としての樹脂膜が設けられている。また、有機EL素子は、発光体部の構成として、陽極/正孔注入輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極を含む構成が一般的であり、この発光体部の周囲には、他の素子や配線と電気的に絶縁するため、隔壁(画素分離膜、画素定義膜、素子分離膜ともいう)が設けられており、トランジスタ等のアクティブ素子と陽極との間には、平坦化膜が設けられている。従来、これらの樹脂膜を形成するための材料としては、種々の感放射線性樹脂組成物が使用されていた。   Electronic components such as display elements, integrated circuit elements, solid-state imaging elements, color filters, thin film transistors, and black matrices are derived from the elements and wirings of the protective film, the substrate having the elements and wirings to prevent their deterioration and damage Various resin films are provided as a flattening film for flattening unevenness and an electric insulating film for maintaining electric insulation. An element such as a thin film transistor type liquid crystal display element or an integrated circuit element is provided with a resin film as an interlayer insulating film in order to insulate a plurality of wirings arranged in layers. In addition, the organic EL element generally has a configuration including an anode / hole injection transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode as a configuration of the light emitting portion. A partition wall (also referred to as a pixel isolation film, a pixel definition film, or an element isolation film) is provided in order to electrically insulate from the elements and wirings, and a planarization film is provided between an active element such as a transistor and an anode. Is provided. Conventionally, various radiation-sensitive resin compositions have been used as materials for forming these resin films.

例えば、特許文献1には、アルカリ可溶性樹脂と、トリアジン環構造を有し、かつメチロール基又はアルコキシアルキル基を有する架橋剤と、感放射線性酸発生剤と、を含有する感放射線性樹脂組成物が開示されている。特許文献1によれば、この感放射線性樹脂組成物は、絶縁性、平坦性、耐熱性、透明性および耐薬品性などの諸性能に優れていることが開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a radiation-sensitive resin composition containing an alkali-soluble resin, a crosslinking agent having a triazine ring structure and having a methylol group or an alkoxyalkyl group, and a radiation-sensitive acid generator. Is disclosed. According to Patent Document 1, it is disclosed that this radiation-sensitive resin composition is excellent in various performances such as insulation, flatness, heat resistance, transparency, and chemical resistance.

特許文献2には、脂環式オレフィン樹脂と、酸発生剤と、架橋剤を架橋剤の反応性基としてエポキシ基と、トリアジン環構造を有する架橋剤、を含有する感放射線性樹脂組成物が開示されており、架橋剤の反応性基の例としてエポキシ基が、また架橋剤の具体例としてトリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有する架橋剤が開示されている。特許文献2によれば、この感放射線性樹脂組成物は、塗布均一性、保存安定性、平坦性、透明性および耐熱変色性に優れていることが開示されている。   Patent Document 2 discloses a radiation-sensitive resin composition containing an alicyclic olefin resin, an acid generator, an epoxy group having a crosslinking agent as a reactive group of the crosslinking agent, and a crosslinking agent having a triazine ring structure. An epoxy group is disclosed as an example of the reactive group of the crosslinking agent, and a crosslinking agent having a triazine ring structure or a glycoluril structure is disclosed as a specific example of the crosslinking agent. According to Patent Document 2, it is disclosed that this radiation-sensitive resin composition is excellent in coating uniformity, storage stability, flatness, transparency and heat discoloration.

また、特許文献3には、アルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基を有する化合物と、エポキシ樹脂と、トリアジン環構造を有し、かつメチロール基の一部又は全部をアルキルエーテル化した化合物を含有する感放射線性樹脂組成物が開示されている。特許文献3によれば、この感放射線性樹脂組成物は、解像性、絶縁性、熱衝撃性、密着性に優れ、ポストベーク前後でのパターン形状の変化が小さい硬化物を形成できることが開示されている。   Patent Document 3 discloses a radiation-sensitive material containing an alkali-soluble resin, a compound having a quinonediazide group, an epoxy resin, and a compound having a triazine ring structure and alkyl etherification of a part or all of a methylol group. A functional resin composition is disclosed. According to Patent Document 3, it is disclosed that this radiation-sensitive resin composition is excellent in resolution, insulation, thermal shock and adhesion, and can form a cured product with little change in pattern shape before and after post-baking. Has been.

しかしながら、これらに開示されている感放射線性樹脂組成物は、前記感放射線性樹脂膜を用いて形成した樹脂膜が、形成後は平坦であるにも関わらず、他の工程を経ることで平坦性が著しく悪化し、膜にしわのような模様を生じてしまう問題があった。例えば、使用される部材の構成上、しばしば前記感放射線性樹脂組成物を用いて形成した樹脂膜の上に金属やITO、IZOなどの導電性薄膜が形成されることがある。このように、樹脂膜上に導電性薄膜を形成する際に平坦性が悪化してしまうという問題があった。とりわけ、樹脂膜を成膜する際のプロセスにかかる時間を短縮しようとする際に、前記問題は顕著に表れた。   However, the radiation-sensitive resin compositions disclosed in these publications are flattened through other processes even though the resin film formed using the radiation-sensitive resin film is flat after formation. There was a problem that the property was remarkably deteriorated and a wrinkled pattern was formed on the film. For example, a conductive thin film such as a metal, ITO, or IZO is often formed on a resin film formed using the radiation-sensitive resin composition because of the structure of the member used. As described above, there is a problem that the flatness deteriorates when the conductive thin film is formed on the resin film. In particular, when trying to shorten the time required for the process for forming a resin film, the above problem appears remarkably.

特開2002−249646号公報JP 2002-249646 A 特開2003−195488号公報JP 2003-195488 A 特開2007−079553号公報JP 2007-079553 A

従って、本発明の目的は、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの、他工程を経ても、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥を生じない樹脂膜を短時間で簡便に成膜することを可能とする感放射線性樹脂組成物、この感放射線性樹脂組成物から得られる樹脂膜及びこの樹脂膜を有する電子部品を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to easily and quickly form a resin film that maintains high flatness and does not cause film defects such as wrinkles even after other processes such as forming a conductive thin film on the resin film. It aims at providing the radiation sensitive resin composition which can be formed into a film, the resin film obtained from this radiation sensitive resin composition, and the electronic component which has this resin film.

本発明者らは、上記の目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、樹脂と、エポキシ基を有する架橋剤と、特定の構造及び特定の官能基を有する架橋剤と、感放射線化合物と、を組み合わせてなる感放射線性樹脂組成物が非常に有効であることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have obtained a resin, a crosslinking agent having an epoxy group, a crosslinking agent having a specific structure and a specific functional group, a radiation-sensitive compound, The present inventors have found that a radiation-sensitive resin composition comprising a combination of is very effective, and have completed the present invention based on this finding.

かくして、本発明によれば、樹脂(A)、エポキシ基を有する架橋剤(B)、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を有する架橋剤(C)、並びに感放射線化合物(D)を有する感放射線性樹脂組成物が提供される。   Thus, according to the present invention, the resin (A), the crosslinking agent (B) having an epoxy group, a triazine ring structure or a glycoluril structure, and an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group are selected. There is provided a radiation-sensitive resin composition having a crosslinking agent (C) having one or more functional groups and a radiation-sensitive compound (D).

エポキシ基を有する架橋剤(B)の分子量が、200以上であることが好ましい。   It is preferable that the molecular weight of the crosslinking agent (B) having an epoxy group is 200 or more.

エポキシ基を有する架橋剤(B)が、分子内に少なくとも2つ以上のエポキシ基を有するものであることが好ましい。   It is preferable that the crosslinking agent (B) having an epoxy group has at least two epoxy groups in the molecule.

感放射線化合物(D)が光酸発生剤であることが好ましい。   The radiation sensitive compound (D) is preferably a photoacid generator.

光酸発生剤が、キノンジアジド化合物であることが好ましい。   The photoacid generator is preferably a quinonediazide compound.

また、本発明によれば、感放射線性樹脂組成物を用いて形成された樹脂膜が提供される。   Moreover, according to this invention, the resin film formed using the radiation sensitive resin composition is provided.

また、本発明によれば、前記樹脂膜を用いた電子部品が提供される。   Moreover, according to this invention, the electronic component using the said resin film is provided.

本発明によれば、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの、他工程を経ても高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥を生じない樹脂膜を短時間で簡便に成膜することを可能とする感放射線性樹脂組成物を提供することができる。これにより、欠陥や表示不良などが生じない高精彩な表示装置などの電子部品を得ることが出来る。   According to the present invention, a resin film that maintains high flatness even after other processes such as forming a conductive thin film on the resin film and does not cause film defects such as wrinkles can be easily formed in a short time. It is possible to provide a radiation sensitive resin composition that makes it possible. Thereby, it is possible to obtain an electronic component such as a high-definition display device in which no defect or display defect occurs.

本発明の感放射線性樹脂組成物は、樹脂(A)、エポキシ基を有する架橋剤(B)、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を有する架橋剤(C)、並びに感放射線化合物(D)を含有してなる。   The radiation-sensitive resin composition of the present invention has a resin (A), a cross-linking agent (B) having an epoxy group, a triazine ring structure or a glycoluril structure, and an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group. It contains a crosslinking agent (C) having one or more functional groups selected from the above, and a radiation-sensitive compound (D).

本発明において、樹脂(A)としては、特に限定されず、例えば環状オレフィン樹脂、アクリル樹脂、アクリルアミド樹脂、ポリシロキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、カルド樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。なかでも、環状オレフィン樹脂、アクリル樹脂、カルド樹脂、ポリシロキサン及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種を含むものであることが好ましく、これらの中でも、他工程を経た後にも高い平坦性や高い透明性を維持できること、幅広い成膜条件においても他工程による平坦性の悪化が生じないため、歩留まりが向上できたり生産リードタイムの低減できたりすることにより低コストに製造できること、大面積においても前記平坦性を保つことができることなどの観点から、環状オレフィン樹脂がより好ましく、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂が特に好ましい。これらの樹脂は、それぞれ単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。   In the present invention, the resin (A) is not particularly limited, and examples thereof include cyclic olefin resins, acrylic resins, acrylamide resins, polysiloxanes, epoxy resins, phenol resins, cardo resins, polyimides, polyamideimides, polycarbonates, and polyethylene terephthalates. Can be mentioned. Among these, it is preferable to include at least one selected from the group consisting of a cyclic olefin resin, an acrylic resin, a cardo resin, a polysiloxane and a polyimide resin, and among these, high flatness and high transparency even after passing through other steps. In addition, the flatness due to other processes does not deteriorate even under a wide range of film formation conditions, so the yield can be improved and the production lead time can be reduced, and the flatness can be achieved even in a large area. The cyclic olefin resin is more preferable from the viewpoint of maintaining the properties, and the cyclic olefin resin having a protic polar group is particularly preferable. These resins may be used alone or in combination of two or more.

本発明において環状オレフィン樹脂とは、環状構造(脂環又は芳香環)と炭素−炭素二重結合とを有する環状オレフィン単量体の、単独重合体又は共重合体である。環状オレフィン樹脂は、環状オレフィン単量体以外の単量体から導かれる単位を有していてもよい。環状オレフィン樹脂の全構造単位中、環状オレフィン単量体単位の割合は、通常、30〜100重量%、好ましくは50〜100重量%、より好ましくは70〜100重量%である。   In the present invention, the cyclic olefin resin is a homopolymer or copolymer of a cyclic olefin monomer having a cyclic structure (alicyclic ring or aromatic ring) and a carbon-carbon double bond. The cyclic olefin resin may have a unit derived from a monomer other than the cyclic olefin monomer. The ratio of the cyclic olefin monomer unit in the total structural units of the cyclic olefin resin is usually 30 to 100% by weight, preferably 50 to 100% by weight, and more preferably 70 to 100% by weight.

プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂において、プロトン性極性基は、環状オレフィン単量体単位に結合していても、環状オレフィン単量体以外の単量体単位に結合していてもよいが、環状オレフィン単量体単位に結合しているのが望ましい。   In the cyclic olefin resin having a protic polar group, the protic polar group may be bonded to the cyclic olefin monomer unit or may be bonded to a monomer unit other than the cyclic olefin monomer, It is desirable that it is bonded to a cyclic olefin monomer unit.

プロトン性極性基とは、周期律表第15族又は第16族に属する原子に水素原子が直接結合している原子を含む基をいう。周期律表第15族又は第16族に属する原子は、好ましくは周期律表第15族又は第16族の第1又は第2周期に属する原子であり、より好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子であり、特に好ましくは酸素原子である。   A protic polar group refers to a group containing an atom in which a hydrogen atom is directly bonded to an atom belonging to Group 15 or Group 16 of the Periodic Table. The atom belonging to group 15 or 16 of the periodic table is preferably an atom belonging to the first or second period of group 15 or 16 of the periodic table, more preferably an oxygen atom, nitrogen atom or sulfur An atom, particularly preferably an oxygen atom.

プロトン性極性基の具体例としては、水酸基、カルボキシ基(ヒドロキシカルボニル基)、スルホン酸基、リン酸基等の酸素原子を有する極性基;第一級アミノ基、第二級アミノ基、第一級アミド基、第二級アミド基(イミド基)等の窒素原子を有する極性基;チオール基等の硫黄原子を有する極性基;等が挙げられる。これらの中でも、酸素原子を有するものが好ましく、より好ましくはカルボキシ基である。本発明において、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に結合しているプロトン性極性基の数に特に限定はなく、また、相異なる種類のプロトン性極性基が含まれていてもよい。   Specific examples of the protic polar group include polar groups having an oxygen atom such as a hydroxyl group, a carboxy group (hydroxycarbonyl group), a sulfonic acid group, and a phosphoric acid group; a primary amino group, a secondary amino group, and a primary group. A polar group having a nitrogen atom such as a secondary amide group or a secondary amide group (imide group); a polar group having a sulfur atom such as a thiol group; Among these, those having an oxygen atom are preferable, and a carboxy group is more preferable. In the present invention, the number of protic polar groups bonded to the cyclic olefin resin having a protic polar group is not particularly limited, and different types of protic polar groups may be included.

プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂を構成するための単量体としては、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b)、極性基を持たない環状オレフィン単量体(c)、及び環状オレフィン以外の単量体(d)(これらの単量体を以下、単に単量体(a)〜(d)という。)が挙げられる。ここで、単量体(d)は、プロトン性極性基又はこれ以外の極性基を有していてもよく、極性基を全く有していなくてもよい。本発明において、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂は、単量体(a)と、単量体(b)及び/又は単量体(c)とから構成されることが好ましく、単量体(a)と単量体(b)とから構成されることが更に好ましい。   As a monomer for constituting a cyclic olefin resin having a protic polar group, a cyclic olefin monomer having a protic polar group (a), a cyclic olefin monomer having a polar group other than a protic polar group (B), a cyclic olefin monomer having no polar group (c), and a monomer other than the cyclic olefin (d) (these monomers are hereinafter simply referred to as monomers (a) to (d)). .). Here, the monomer (d) may have a protic polar group or other polar group, or may not have a polar group at all. In the present invention, the cyclic olefin resin having a protic polar group is preferably composed of the monomer (a), the monomer (b) and / or the monomer (c). More preferably, it is composed of (a) and the monomer (b).

単量体(a)の具体例としては、5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシメチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、9−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9,10−ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等のカルボキシ基含有環状オレフィン;5−(4−ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−(4−ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、9−(4−ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−(4−ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等の水酸基含有環状オレフィン等が挙げられ、中でもカルボキシ基含有環状オレフィンが好ましい。これらのプロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the monomer (a) include 5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene and 5-methyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene. Ene, 5-carboxymethyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dihydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 9-hydroxycarbonyltetra Cyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9,10-dihydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . Carboxy group-containing cyclic olefin such as 0 2,7 ] dodec-4-ene; 5- (4-hydroxyphenyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl-5- (4-hydroxy Phenyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 9- (4-hydroxyphenyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9- (4-hydroxyphenyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . Hydroxyl group-containing cyclic olefins such as 0 2,7 ] dodec-4-ene and the like are mentioned, among which carboxy group-containing cyclic olefins are preferable. These cyclic olefin monomers (a) having a protic polar group may be used alone or in combination of two or more.

プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b)が有する、プロトン性極性基以外の極性基の具体例としては、エステル基(アルコキシカルボニル基及びアリーロキシカルボニル基を総称していう。)、N−置換イミド基、エポキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボニルオキシカルボニル基(ジカルボン酸の酸無水物残基)、アルコキシ基、カルボニル基、第三級アミノ基、スルホン基、アクリロイル基等が挙げられる。中でも、エステル基、N−置換イミド基及びシアノ基が好ましく、エステル基及びN−置換イミド基がより好ましく、N−置換イミド基が特に好ましい。   Specific examples of polar groups other than protic polar groups possessed by the cyclic olefin monomer (b) having polar groups other than protic polar groups are generically referred to as ester groups (alkoxycarbonyl groups and aryloxycarbonyl groups). .), N-substituted imide group, epoxy group, halogen atom, cyano group, carbonyloxycarbonyl group (acid anhydride residue of dicarboxylic acid), alkoxy group, carbonyl group, tertiary amino group, sulfone group, acryloyl group Etc. Among these, an ester group, an N-substituted imide group, and a cyano group are preferable, an ester group and an N-substituted imide group are more preferable, and an N-substituted imide group is particularly preferable.

単量体(b)の具体例としては、以下のような環状オレフィンが挙げられる。エステル基を有する環状オレフィンとしては、例えば、5−アセトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、9−アセトキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等が挙げられる。 Specific examples of the monomer (b) include the following cyclic olefins. Examples of the cyclic olefin having an ester group include 5-acetoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl- 5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 9-acetoxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-n-propoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-isopropoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-n-butoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-methoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-ethoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-n-propoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-isopropoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-n-butoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9- (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9- (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene and the like.

N−置換イミド基を有する環状オレフィンとしては、例えば、N−フェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルヘキシル)−1−イソプロピル−4−メチルビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−[(2−エチルブトキシ)エトキシプロピル]−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、Nー(エンドービシクロ[2.2.1]ヘプトー5−エンー2,3−ジイルジカルボニル)アスパラギン酸ジメチル等が挙げられる。シアノ基を有する環状オレフィンとしては、例えば、9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン等が挙げられる。ハロゲン原子を有する環状オレフィンとしては、例えば、9−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等が挙げられる。これらのプロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the cyclic olefin having an N-substituted imide group include N-phenylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-ethylhexyl) -1-isopropyl. -4-methylbicyclo [2.2.2] oct-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2, 3-dicarboximide, N-[(2-ethylbutoxy) ethoxypropyl] -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (endobicyclo [2.2 .1] hept-5-ene-2,3-diyldicarbonyl) dimethyl aspartate and the like. Examples of the cyclic olefin having a cyano group include 9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 5-cyanobicyclo [2.2.1] hept-2-ene and the like. Examples of the cyclic olefin having a halogen atom include 9-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene and the like. These cyclic olefin monomers (b) having a polar group other than the protic polar group may be used alone or in combination of two or more.

極性基を一切持たない環状オレフィン単量体(c)の具体例としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン(「ノルボルネン」ともいう。)、5−エチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ブチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ビニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−3,8−ジエン(慣用名:ジシクロペンタジエン)、テトラシクロ[10.2.1.02,11.04,9]ペンタデカ−4,6,8,13−テトラエン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン(「テトラシクロドデセン」ともいう。)、9−メチル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エチル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチリデン−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エチリデン−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−ビニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−プロペニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10]ペンタデカ−5,12−ジエン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、9−フェニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、テトラシクロ[9.2.1.02,10.03,8]テトラデカ−3,5,7,12−テトラエン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10]ペンタデカ−12−エン等が挙げられる。これらの極性基を一切持たない環状オレフィン単量体(c)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the cyclic olefin monomer (c) having no polar group include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (also referred to as “norbornene”), 5-ethyl-bicyclo [2. 2.1] Hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylidene-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylidene- Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-vinyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] deca-3,8 - diene (common name: dicyclopentadiene), tetracyclo [10.2.1.0 2,11. 0 4,9 ] pentadeca-4,6,8,13-tetraene, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene (also referred to as “tetracyclododecene”), 9-methyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methylidene-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethylidene-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-vinyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-propenyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, pentacyclo [9.2.1.1 3,9 . 0 2,10] pentadeca-5,12-diene, cyclopentene, cyclopentadiene, 9-phenyl - tetracyclo [6.2.1.1 3, 6. 0 2,7] dodeca-4-ene, tetracyclo [9.2.1.0 2,10. 0 3,8 ] tetradeca-3,5,7,12-tetraene, pentacyclo [9.2.1.1 3,9 . 0 2,10] pentadeca-12-ene, and the like. These cyclic olefin monomers (c) having no polar group may be used alone or in combination of two or more.

環状オレフィン以外の単量体(d)の具体例としては、鎖状オレフィンが挙げられる。鎖状オレフィンとしては、例えば、エチレン;プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、3−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン、3−エチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ヘキセン、4,4−ジメチル−1−ヘキセン、4,4−ジメチル−1−ペンテン、4−エチル−1−ヘキセン、3−エチル−1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、1−エイコセン等の炭素数2〜20のα−オレフィン;1,4−ヘキサジエン、4−メチル−1,4−ヘキサジエン、5−メチル−1,4−ヘキサジエン、1,7−オクタジエン等の非共役ジエン等が挙げられる。これらの環状オレフィン以外の単量体(d)は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   A specific example of the monomer (d) other than the cyclic olefin includes a chain olefin. Examples of the chain olefin include ethylene; propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3-methyl-1-pentene, 3-ethyl-1-pentene, 4- Methyl-1-pentene, 4-methyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-pentene, 4-ethyl-1-hexene, 3-ethyl-1-hexene, C2-C20 α-olefins such as 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicocene; 1,4-hexadiene, 4-methyl-1 , 4-hexadiene, 5-methyl-1,4-hexadiene, non-conjugated dienes such as 1,7-octadiene, and the like. Monomers (d) other than these cyclic olefins can be used alone or in combination of two or more.

本発明に使用するプロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂は、単量体(a)を、所望により単量体(b)〜(d)から選ばれる単量体と共に、重合することにより得られる。重合により得られた重合体を更に水素化してもよい。水素添加された重合体も、本発明に使用する、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に包含される。   The cyclic olefin resin having a protic polar group used in the present invention is obtained by polymerizing the monomer (a) together with a monomer selected from the monomers (b) to (d) as desired. . The polymer obtained by polymerization may be further hydrogenated. A hydrogenated polymer is also included in the cyclic olefin resin having a protic polar group used in the present invention.

また、本発明で使用するプロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂は、プロトン性極性基を有しない環状オレフィン樹脂に、公知の変性剤を利用してプロトン性極性基を導入し、所望により水素添加を行なう方法によっても得ることができる。水素添加は、プロトン性極性基導入前の重合体について行なってもよい。また、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に、更に変性してプロトン性極性基を導入してもよい。   In addition, the cyclic olefin resin having a protic polar group used in the present invention introduces a protic polar group into a cyclic olefin resin having no protic polar group using a known modifier, and optionally hydrogenated. It can be obtained also by the method of performing. Hydrogenation may be performed on the polymer before introduction of the protic polar group. Further, the cyclic olefin resin having a protic polar group may be further modified to introduce a protic polar group.

プロトン性極性基を有しない重合体は、前記単量体(b)〜(d)を任意に組み合わせて重合することによって得ることができる。   A polymer having no protic polar group can be obtained by polymerizing the monomers (b) to (d) in any combination.

プロトン性極性基を導入するための変性剤としては、通常、一分子内にプロトン性極性基と反応性の炭素−炭素不飽和結合とを有する化合物が用いられる。このような化合物の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、アンゲリカ酸、チグリン酸、オレイン酸、エライジン酸、エルカ酸、ブラシジン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、アトロパ酸、ケイ皮酸等の不飽和カルボン酸;アリルアルコール、メチルビニルメタノール、クロチルアルコール、メタリルアルコール、1−フェニルエテン−1−オール、2−プロペン−1−オール、3−ブテン−1−オール、3−ブテン−2−オール、3−メチル−3−ブテン−1−オール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、2−メチル−3−ブテン−1−オール、4−ペンテン−1−オール、4−メチル−4−ぺンテン−1−オール、2−ヘキセン−1−オール等の不飽和アルコール;等が挙げられる。この変性剤を用いる環状オレフィン樹脂の変性反応は、常法に従えばよく、通常、ラジカル発生剤の存在下で行われる。   As the modifier for introducing a protic polar group, a compound having a protic polar group and a reactive carbon-carbon unsaturated bond in one molecule is usually used. Specific examples of such compounds include acrylic acid, methacrylic acid, angelic acid, tiglic acid, oleic acid, elaidic acid, erucic acid, brassic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, atropaic acid. Unsaturated carboxylic acids such as acids and cinnamic acids; allyl alcohol, methyl vinyl methanol, crotyl alcohol, methallyl alcohol, 1-phenylethen-1-ol, 2-propen-1-ol, 3-butene-1- All, 3-buten-2-ol, 3-methyl-3-buten-1-ol, 3-methyl-2-buten-1-ol, 2-methyl-3-buten-2-ol, 2-methyl- Saturation of 3-buten-1-ol, 4-penten-1-ol, 4-methyl-4-penten-1-ol, 2-hexen-1-ol, etc. Alcohol; and the like. The modification reaction of the cyclic olefin resin using this modifier may be performed in accordance with a conventional method, and is usually performed in the presence of a radical generator.

単量体(a)を、所望により単量体(b)〜(d)から選ばれる単量体と共に、重合するための重合方法は、常法に従えばよく、例えば、開環重合法や付加重合法が採用される。重合触媒としては、例えば、モリブデン、ルテニウム、オスミウム等の金属錯体が好適に用いられる。これらの重合触媒は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。重合触媒の量は、重合触媒中の金属化合物:環状オレフィンのモル比で、通常、1:100〜1:2,000,000、好ましくは1:500〜1:1,000,000、より好ましくは1:1,000〜1:500,000の範囲である。各単量体を重合して得られた重合体の水素添加は、通常、水素添加触媒を用いて行われる。水素添加触媒としては、例えば、オレフィン化合物の水素添加に際して一般的に使用されているものを用いることができる。具体的には、チーグラータイプの均一系触媒、貴金属錯体触媒及び担持型貴金属系触媒等が利用できる。これらの水素添加触媒のうち、官能基が変性する等の副反応が起きず、重合体中の主鎖の炭素−炭素不飽和結合を選択的に水素添加できる点から、ロジウム、ルテニウム等の貴金属錯体触媒が好ましく、電子供与性の高い含窒素複素環式カルベン化合物又はホスフィン類が配位したルテニウム触媒が特に好ましい。   The polymerization method for polymerizing the monomer (a) together with a monomer selected from the monomers (b) to (d) as desired may be in accordance with a conventional method, for example, ring-opening polymerization method or An addition polymerization method is employed. As the polymerization catalyst, for example, metal complexes such as molybdenum, ruthenium and osmium are preferably used. These polymerization catalysts can be used alone or in combination of two or more. The amount of the polymerization catalyst is usually from 1: 100 to 1: 2,000,000, preferably from 1: 500 to 1: 1,000,000, more preferably in the molar ratio of metal compound to cyclic olefin in the polymerization catalyst. Is in the range of 1: 1,000 to 1: 500,000. Hydrogenation of the polymer obtained by polymerizing each monomer is usually performed using a hydrogenation catalyst. As the hydrogenation catalyst, for example, those generally used for hydrogenation of olefin compounds can be used. Specifically, a Ziegler type homogeneous catalyst, a noble metal complex catalyst, a supported noble metal catalyst, and the like can be used. Among these hydrogenation catalysts, no side reactions such as functional group modification occur, and noble metals such as rhodium and ruthenium can be selectively hydrogenated from the main chain carbon-carbon unsaturated bonds in the polymer. A complex catalyst is preferable, and a nitrogen-containing heterocyclic carbene compound having a high electron donating property or a ruthenium catalyst coordinated with a phosphine is particularly preferable.

水素添加された重合体の主鎖の水素化率は、通常、90%以上、好ましくは95%以上、より好ましくは98%以上である。水素化率がこの範囲にある時に、樹脂(A)は、特に耐熱性に優れ好適である。樹脂(A)の水素化率は、H−NMRスペクトルにより、測定することができる。例えば、水素化された炭素−炭素二重結合モル数の、水素添加前の炭素−炭素二重結合モル数に対する割合として求めることができる。 The hydrogenation rate of the main chain of the hydrogenated polymer is usually 90% or more, preferably 95% or more, more preferably 98% or more. When the hydrogenation rate is within this range, the resin (A) is particularly excellent in heat resistance and suitable. The hydrogenation rate of the resin (A) can be measured by 1 H-NMR spectrum. For example, it can obtain | require as a ratio with respect to the carbon-carbon double bond mole number before hydrogenation of hydrogenated carbon-carbon double bond mole number.

本発明においてプロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂としては、特に、以下に示すような、式(I)で表される構造単位を有するものが好適であり、式(I)で表される構造単位及び式(II)で表される構造単位を有するものがより好適である。

Figure 2010224533
In the present invention, as the cyclic olefin resin having a protic polar group, those having a structural unit represented by the formula (I) as shown below are particularly suitable, and a structure represented by the formula (I) What has a unit and the structural unit represented by Formula (II) is more suitable.
Figure 2010224533

〔式(I)中、R〜Rは、それぞれ独立して、水素原子又は−X−R’基(Xは二価の有機基であり;nは0又は1であり;R’は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族基、又はプロトン性極性基である。)である。R〜Rのうち少なくとも1つは、R’がプロトン性極性基である−X−R’基である。mは0〜2の整数である。〕

Figure 2010224533
Wherein (I), R 1 ~R 4 are each independently a hydrogen atom or -X n -R 'group (X is a divalent organic group; n is 0 or 1; R' Is an alkyl group which may have a substituent, an aromatic group which may have a substituent, or a protic polar group. At least one of R 1 to R 4 is a —X n —R ′ group in which R ′ is a protic polar group. m is an integer of 0-2. ]
Figure 2010224533

〔式(II)中、R〜Rは、任意の組み合わせで、それらが結合している2つの炭素原子と共に、環構成原子として酸素原子又は窒素原子を含む、3〜5員の複素環構造を形成し、この複素環は、当該複素環に置換基を有していてもよい。kは0〜2の整数である。〕
一般式(I)において、Xで示される二価の有機基の例としては、メチレン基、エチレン基及びカルボニル基等が挙げられる。
[In formula (II), R < 5 > -R < 8 > is 3-5 membered heterocyclic ring which contains an oxygen atom or a nitrogen atom as a ring-constituting atom with two carbon atoms to which they are couple | bonded. A structure is formed, and this heterocyclic ring may have a substituent on the heterocyclic ring. k is an integer of 0-2. ]
In the general formula (I), examples of the divalent organic group represented by X include a methylene group, an ethylene group, and a carbonyl group.

R’で示される、置換基を有していてもよいアルキル基は、通常、直鎖又は分岐鎖の炭素数1〜7のアルキル基であり、その例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。置換基を有していてもよい芳香族基は、通常、炭素数6〜10の芳香族基であり、その例としては、フェニル基、ベンジル基等が挙げられる。これらのアルキル基や芳香族基の置換基の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基;フェニル基、キシリル基、トリル基、ナフチル基等の炭素数6〜12のアリール基;等が挙げられる。R’で示されるプロトン性極性基としては、上述したような基が挙げられる。   The alkyl group which may have a substituent represented by R ′ is usually a linear or branched alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, n -A propyl group, an isopropyl group, etc. are mentioned. The aromatic group which may have a substituent is usually an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a benzyl group. Examples of substituents for these alkyl groups and aromatic groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, and isobutyl groups; phenyl groups And aryl groups having 6 to 12 carbon atoms such as xylyl group, tolyl group and naphthyl group. Examples of the protic polar group represented by R ′ include the groups described above.

一般式(II)において、R〜Rが、任意の組み合わせで、それらが結合している2つの炭素原子と共に形成する3員複素環構造としては、エポキシ構造等が挙げられる。また、同じく5員複素環構造の例としては、ジカルボン酸無水物構造〔−C(=O)−O−C(=O)−〕、ジカルボキシイミド構造〔−C(=O)−N−C(=O)−〕等が挙げられる。当該複素環に結合した置換基の例としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、1−メチルペンチル基、1−エチルブチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基およびヘキサデシル基などの直鎖状アルキル基や分岐状アルキル基、アスパラギン酸ジメチル基などのエステル含有基等が挙げられる。 In the general formula (II), examples of the 3-membered heterocyclic structure formed by R 5 to R 8 together with two carbon atoms to which R 5 to R 8 are bonded include an epoxy structure. Similarly, examples of the 5-membered heterocyclic structure include dicarboxylic anhydride structure [—C (═O) —O—C (═O) —], dicarboximide structure [—C (═O) —N— C (= O)-] and the like. Examples of the substituent bonded to the heterocyclic ring include phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, 1-methylpentyl group, 1-ethylbutyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, Examples thereof include linear alkyl groups such as nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group and hexadecyl group, branched alkyl groups, and ester-containing groups such as dimethyl aspartate.

本発明で使用するアクリル樹脂は、特に限定されないが、アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物、又はエポキシ基含有アクリレート化合物から選ばれる少なくとも1つを必須成分とする単独重合体又は共重合体が好ましい。   The acrylic resin used in the present invention is not particularly limited, but a homopolymer having at least one selected from a carboxylic acid having an acrylic group, a carboxylic acid anhydride having an acrylic group, or an epoxy group-containing acrylate compound as an essential component. Or a copolymer is preferable.

アクリル基を有するカルボン酸の具体例としては、(メタ)アクリル酸、マイレン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、グルタコン酸等;アクリル基を有するカルボン酸無水物の具体例としては、無水マレイン酸、シトラコン酸無水物等;エポキシ基含有アクリレート化合物の具体例としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−n−プロピルアクリル酸グリシジル、α−n−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル;等が挙げられる。これらのうち、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル等が好ましい。本発明で「(メタ)」とは、メタクリルとアクリルのいずれかを意味する。   Specific examples of the carboxylic acid having an acrylic group include (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, glutaconic acid, etc .; specific examples of the carboxylic acid anhydride having an acrylic group include maleic anhydride Acid, citraconic anhydride, etc .; specific examples of epoxy group-containing acrylate compounds include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, α-n-butyl acrylic acid Glycidyl, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6 7-epoxyheptyl; and the like. Of these, (meth) acrylic acid, maleic anhydride, glycidyl methacrylate, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl and the like are preferable. In the present invention, “(meth)” means either methacryl or acryl.

アクリル樹脂は、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物及びエポキシ基含有不飽和化合物から選ばれる少なくとも一つと、その他のアクリレート系単量体又はアクリレート以外の共重合可能な単量体との共重合体であってもよい。その他のアクリレート系単量体としては、メチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、等のアルキル(メタ)アクリレート;ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;フェノキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート等のフェノキシアルキル(メタ)アクリレート;2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、等のアルコキシアルキル(メタ)アクリレート;ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、等のポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート;シクロヘキシル(メタ)アクリレート、4−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエニル(メタ)アクリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート等のシクロアルキル(メタ)アクリレート;ベンジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート等を挙げることができる。これらのうち、ブチル(メタ)アクリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート及び2−エトキシエチル(メタ)アクリレート等が好ましい。   The acrylic resin is a copolymer of at least one selected from an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride and an epoxy group-containing unsaturated compound and another acrylate monomer or a copolymerizable monomer other than an acrylate. It may be a polymer. Other acrylate monomers include methyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl ( Alkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate; hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, etc. Hydroxyalkyl (meth) acrylates; phenoxyalkyl (meth) acrylates such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate; Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as xylethyl (meth) acrylate and 2-ethoxyethyl (meth) acrylate; polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol Polyalkylene glycol (meth) acrylates such as (meth) acrylate; cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopenta Dienyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meta Cycloalkyl (meth) acrylates such as acrylate; benzyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate. Of these, butyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, and the like are preferable.

アクリレート以外の共重合可能な単量体としては、上記アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物又はエポキシ基含有アクリレート化合物と共重合可能な化合物ならば特に制限はないが、例えば、ビニルベンジルメチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、スチレン、α−メチルスチレン、ブタジエン、イソプレン等のビニル基含有ラジカル重合性化合物が挙げられる。これらの化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、懸濁重合法,乳化重合法,溶液重合法等が採用される。   The copolymerizable monomer other than the acrylate is not particularly limited as long as it is a compound copolymerizable with the carboxylic acid having an acrylic group, a carboxylic acid anhydride having an acrylic group, or an epoxy group-containing acrylate compound. And vinyl group-containing radical polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, butadiene, and isoprene. These compounds may be used alone or in combination of two or more. The monomer polymerization method may be in accordance with a conventional method, for example, a suspension polymerization method, an emulsion polymerization method, a solution polymerization method or the like is employed.

カルド樹脂とは、カルド構造、即ち、環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造、を有する樹脂である。カルド構造の一般的なものはフルオレン環にベンゼン環が結合したものである。環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造の具体例としては、フルオレン骨格、ビスフェノールフルオレン骨格、ビスアミノフェニルフルオレン骨格、エポキシ基を有するフルオレン骨格、アクリル基を有するフルオレン骨格等が挙げられる。本発明で使用するカルド樹脂は、このカルド構造を有する骨格がそれに結合している官能基間の反応等により重合して形成される。カルド樹脂は、主鎖と嵩高い側鎖が一つの元素で繋がれた構造(カルド構造)をもち、主鎖に対してほぼ垂直方向に環状構造を有している。エポキシグリシジルエーテル構造を有するカルド構造の例を式(III)に示す。

Figure 2010224533
A cardo resin is a resin having a cardo structure, that is, a skeletal structure in which two cyclic structures are bonded to a quaternary carbon atom constituting the cyclic structure. A common cardo structure is a fluorene ring bonded to a benzene ring. Specific examples of the skeleton structure in which two cyclic structures are bonded to a quaternary carbon atom constituting the cyclic structure include a fluorene skeleton, a bisphenol fluorene skeleton, a bisaminophenyl fluorene skeleton, a fluorene skeleton having an epoxy group, and an acrylic group. And a fluorene skeleton having the same. The cardo resin used in the present invention is formed by polymerizing the skeleton having the cardo structure by a reaction between functional groups bonded thereto. The cardo resin has a structure in which a main chain and bulky side chains are connected by one element (cardo structure), and has a ring structure in a direction substantially perpendicular to the main chain. An example of a cardo structure having an epoxy glycidyl ether structure is shown in Formula (III).
Figure 2010224533

(式(III)中、nは0〜10の整数を表す。)
カルド構造を有する単量体は、例えば、ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂;ビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂とアクリル酸との縮合物;9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン等のカルド構造含有ビスフェノ−ル類;9,9−ビス(シアノメチル)フルオレン等の9,9−ビス(シアノアルキル)フルオレン類;9,9−ビス(3−アミノプロピル)フルオレン等の9,9−ビス(アミノアルキル)フルオレン類;等が挙げられる。カルド樹脂は、カルド構造を有する単量体を重合して得られる重合体であるが、その他の共重合可能な単量体との共重合体であってもよい。上記単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、開環重合法や付加重合法等が採用される。
(In formula (III), n represents an integer of 0 to 10)
Monomers having a cardo structure include, for example, bis (glycidyloxyphenyl) fluorene type epoxy resin; condensate of bisphenol fluorene type epoxy resin and acrylic acid; 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, Cardio structure-containing bisphenols such as 9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene; 9,9-bis (cyanoalkyl) fluorenes such as 9,9-bis (cyanomethyl) fluorene; -9,9-bis (aminoalkyl) fluorenes such as bis (3-aminopropyl) fluorene; The cardo resin is a polymer obtained by polymerizing a monomer having a cardo structure, but may be a copolymer with other copolymerizable monomers. The polymerization method of the monomer may be according to a conventional method, and for example, a ring-opening polymerization method or an addition polymerization method is employed.

本発明で使用するポリシロキサンの構造は特に限定されないが、好ましくは式(IV)で表されるオルガノシランの1種以上を混合、反応させることによって得られるポリシロキサンが挙げられる。

Figure 2010224533
The structure of the polysiloxane used in the present invention is not particularly limited, but preferably includes a polysiloxane obtained by mixing and reacting at least one organosilane represented by the formula (IV).
Figure 2010224533

式(IV)のRは水素、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数6〜15のアリール基のいずれかを表し、複数のRはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。また、これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、n−ヘキシル基、n−デシル基、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、3−グリシドキシプロピル基、2−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−アミノプロピル基、3−メルカプトプロピル基、3−イソシアネートプロピル基が挙げられる。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、3−アクリロキシプロピル基、3−メタクリロキシプロピル基が挙げられる。アリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、p−ヒドロキシフェニル基、1−(p−ヒドロキシフェニル)エチル基、2−(p−ヒドロキシフェニル)エチル基、4−ヒドロキシ−5−(p−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ)ペンチル基、ナフチル基が挙げられる。 R 9 in formula (IV) represents any one of hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and the plurality of R 9 are the same. It can be different. In addition, these alkyl groups, alkenyl groups, and aryl groups may all have a substituent, or may be unsubstituted without a substituent, and are selected according to the characteristics of the composition. it can. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, n-hexyl group, n-decyl group, trifluoromethyl group, 2,2 , 2-trifluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 3-glycidoxypropyl group, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group, 3-aminopropyl group, 3-mercaptopropyl Group, 3-isocyanatopropyl group. Specific examples of the alkenyl group include a vinyl group, a 3-acryloxypropyl group, and a 3-methacryloxypropyl group. Specific examples of the aryl group include phenyl group, tolyl group, p-hydroxyphenyl group, 1- (p-hydroxyphenyl) ethyl group, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl group, 4-hydroxy-5- (p -Hydroxyphenylcarbonyloxy) pentyl group, naphthyl group.

式(IV)のR10は水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアシル基、炭素数6〜15のアリール基のいずれかを表し、複数のR10はそれぞれ同じでも異なっていても良い。また、これらのアルキル基、アシル基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基が挙げられる。アシル基の具体例としては、アセチル基が挙げられる。アリール基の具体例としてはフェニル基が挙げら得る。式(IV)のnは0から3の整数を表す。n=0の場合は4官能性シラン、n=1の場合は3官能性シラン、n=2の場合は2官能性シラン、n=3の場合は1官能性シランである。 R 10 in formula (IV) represents any one of hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and a plurality of R 10 may be the same. It may be different. In addition, these alkyl groups and acyl groups may have a substituent or may be an unsubstituted form having no substituent, and can be selected according to the characteristics of the composition. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, and an n-butyl group. Specific examples of the acyl group include an acetyl group. Specific examples of the aryl group may include a phenyl group. N in the formula (IV) represents an integer of 0 to 3. A tetrafunctional silane when n = 0, a trifunctional silane when n = 1, a bifunctional silane when n = 2, and a monofunctional silane when n = 3.

式(IV)で表されるオルガノシランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、などの4官能性シラン;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリn−ブトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−へキシルトリメトキシシラン、n−へキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、p−ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、2−(p−ヒドロキシフェニル)エチルトリメトキシシラン、4−ヒドロキシ−5−(p−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ)ペンチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどの3官能性シラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジn−ブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシランなどの2官能性シラン;トリメチルメトキシシラン、トリn−ブチルエトキシシランなどの1官能性シラン;が挙げられる。   Specific examples of the organosilane represented by the formula (IV) include tetrafunctional silanes such as tetramethoxysilane and tetraethoxysilane; methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane Ethyltriisopropoxysilane, ethyltri-n-butoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, vinyltri Methoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, p-hydroxyphenyltrimethoxysilane, 2- (p-hydroxy) Phenyl) ethyltrimethoxysilane, 4-hydroxy-5- (p-hydroxyphenylcarbonyloxy) pentyltrimethoxysilane, trifluoromethyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3 -Trifunctional silanes such as glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldiacetoxy And bifunctional silanes such as silane, di-n-butyldimethoxysilane and diphenyldimethoxysilane; monofunctional silanes such as trimethylmethoxysilane and tri-n-butylethoxysilane.

これらのオルガノシランのうち、本発明の樹脂組成物から得られる樹脂膜の耐クラック性や硬度の点から3官能性シランが好ましく用いられる。また、これらのオルガノシランは単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用しても良い。   Of these organosilanes, trifunctional silanes are preferably used from the viewpoint of crack resistance and hardness of the resin film obtained from the resin composition of the present invention. These organosilanes may be used alone or in combination of two or more.

本発明におけるポリシロキサンは、上述のオルガノシランを加水分解および部分縮合させることにより得られる。加水分解および部分縮合には一般的な方法を用いることができる。例えば、混合物に溶媒、水、必要に応じて触媒を添加し、加熱攪拌する。攪拌中、必要に応じて蒸留によって加水分解副生物(メタノールなどのアルコール)や縮合副生物(水)を留去してもよい。   The polysiloxane in the present invention can be obtained by hydrolysis and partial condensation of the above organosilane. A general method can be used for hydrolysis and partial condensation. For example, a solvent, water and, if necessary, a catalyst are added to the mixture, and the mixture is heated and stirred. During stirring, if necessary, hydrolysis by-products (alcohols such as methanol) and condensation by-products (water) may be distilled off by distillation.

本発明で使用するポリイミドは、テトラカルボン酸無水物とジアミンを反応させて得たポリイミド前駆体を熱処理することで得ることができる。ポリイミド樹脂を得るための前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイソイミド、ポリアミド酸スルホンアミド等がある。ポリイミドの原料として使用できる酸二無水物としては、具体的には、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物や、ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族のテトラカルボン酸二無水物等を挙げることができる。これらの酸二無水物は、単独又は2種以上を組み合わせて使用できる。   The polyimide used by this invention can be obtained by heat-processing the polyimide precursor obtained by making tetracarboxylic anhydride and diamine react. Examples of the precursor for obtaining the polyimide resin include polyamic acid, polyamic acid ester, polyisoimide, and polyamic acid sulfonamide. Specific examples of the acid dianhydride that can be used as a raw material for polyimide include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane Anhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ) No methane Bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 1,2 , 5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9 , 10-perylenetetracarboxylic dianhydride, aromatic tetracarboxylic dianhydride such as 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, butanetetracarboxylic dianhydride And aliphatic tetracarboxylic dianhydrides such as 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride. These acid dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.

ポリイミドの原料として使用できるジアミンの具体的な例としては、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物や、脂肪族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミン等が挙げられる。これらのジアミンは、単独又は2種以上を組み合わせて使用できる。   Specific examples of diamines that can be used as raw materials for polyimide include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4 '-Diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, benzine, m- Phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl , Screw {4 (4-Aminophenoxy) phenyl} ether, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-diethyl-4,4′- Diaminobiphenyl, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2 ′, 3,3′-tetramethyl-4,4 ′ -Diaminobiphenyl, 3,3 ', 4,4'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-di (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, or aromatics thereof Examples include compounds substituted on the ring with an alkyl group or a halogen atom, aliphatic cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, and the like. These diamines can be used alone or in combination of two or more.

本発明で使用するポリイミドは公知の方法によって合成される。すなわち、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを選択的に組み合わせ、これらをN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン等の極性溶媒中で反応させる等、公知の方法によって合成される。   The polyimide used in the present invention is synthesized by a known method. That is, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine are selectively combined, and these are combined with N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, It is synthesized by a known method such as reacting in a polar solvent such as γ-butyrolactone or cyclopentanone.

本発明で使用される樹脂(A)の重量平均分子量(Mw)は、通常、1,000〜1,000,000、好ましくは1,500〜100,000、より好ましくは2,000〜10,000の範囲である。樹脂(A)の分子量分布は、重量平均分子量/数平均分子量(Mw/Mn)比で、通常、4以下、好ましくは3以下、より好ましくは2.5以下である。樹脂(A)の重量平均分子量(Mw)や分子量分布は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いて、測定することができる。例えば、テトラヒドロフラン等の溶媒を溶離液とし、ポリスチレン換算分子量として求めることができる。   The weight average molecular weight (Mw) of the resin (A) used in the present invention is usually 1,000 to 1,000,000, preferably 1,500 to 100,000, more preferably 2,000 to 10,000. 000 range. The molecular weight distribution of the resin (A) is a weight average molecular weight / number average molecular weight (Mw / Mn) ratio, and is usually 4 or less, preferably 3 or less, more preferably 2.5 or less. The weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution of the resin (A) can be measured using gel permeation chromatography. For example, it can be determined as a molecular weight in terms of polystyrene using a solvent such as tetrahydrofuran as an eluent.

本発明の感放射線性樹脂組成物は、必須成分として、エポキシ基を有する架橋剤(B)を有する。   The radiation sensitive resin composition of this invention has the crosslinking agent (B) which has an epoxy group as an essential component.

エポキシ基を有する架橋剤(B)とは、エポキシ基を有し、架橋剤(B)自身と、または架橋剤(B)とは別の他の成分と、架橋反応するものであれば特に制限されないが、重量平均分子量が200以上5000以下が好ましく、500以上4000以下がより好ましく、700以上3000以下が更に好ましく、1000以上2800以下が最も好ましい。エポキシ基を有する架橋剤(B)の重量平均分子量が前記の範囲内にあると、架橋剤(B)と樹脂(A)との相溶性が良く、得られる樹脂膜が均一な膜になり、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの他工程を経た際においても、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥の発生を抑制する効果に優れる。なお、架橋剤(B)の重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いてポリスチレン換算で測定を行うなどの常法に従い分析することができる。   The crosslinking agent (B) having an epoxy group is not particularly limited as long as it has an epoxy group and undergoes a crosslinking reaction with the crosslinking agent (B) itself or with another component different from the crosslinking agent (B). However, the weight average molecular weight is preferably 200 or more and 5000 or less, more preferably 500 or more and 4000 or less, still more preferably 700 or more and 3000 or less, and most preferably 1000 or more and 2800 or less. When the weight average molecular weight of the crosslinking agent (B) having an epoxy group is within the above range, the compatibility between the crosslinking agent (B) and the resin (A) is good, and the resulting resin film becomes a uniform film, Even when other processes such as forming a conductive thin film on the resin film are performed, it is excellent in the effect of maintaining high flatness and suppressing the occurrence of film defects such as wrinkles. In addition, the weight average molecular weight of a crosslinking agent (B) can be analyzed in accordance with conventional methods, such as measuring by polystyrene conversion using a gel permeation chromatography.

架橋剤(B)は、エポキシ基の数が2以上30以下が好ましく、3以上25以下がより好ましく、4以上20以下が最も好ましい。エポキシ基の数が過度に高いと、架橋反応工程の後においても未架橋のエポキシ基が残り、得られる樹脂膜の吸水率が悪化してしまい、また過度に低いと十分な架橋が得られず、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの他工程を経た際に、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥の発生を抑制する効果に劣る。   In the crosslinking agent (B), the number of epoxy groups is preferably 2 or more, 30 or less, more preferably 3 or more and 25 or less, and most preferably 4 or more and 20 or less. If the number of epoxy groups is excessively high, uncrosslinked epoxy groups remain even after the cross-linking reaction step, and the water absorption rate of the resulting resin film deteriorates. If the number is too low, sufficient cross-linking cannot be obtained. In other processes such as forming a conductive thin film on the resin film, the effect of maintaining high flatness and suppressing the occurrence of film defects such as wrinkles is inferior.

架橋剤(B)は、エポキシ当量が50以上2000以下であることが好ましく、80以上250以下がより好ましく、100以上180以下が最も好ましい。なお、架橋剤(B)のエポキシ当量は、JIS K 7236「エポキシ樹脂のエポキシ当量の求め方」に従って測定を行うことができる。エポキシ基を有する架橋剤(B)のエポキシ当量が前記の範囲内にあると、樹脂膜形成時の焼成時間が短時間であり簡便に得られた樹脂膜においても高い架橋効果が現れるため、導電性薄膜を形成するなどの他工程を経た際に、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥の発生を抑制する効果に優れる。   The crosslinking agent (B) preferably has an epoxy equivalent of 50 or more and 2000 or less, more preferably 80 or more and 250 or less, and most preferably 100 or more and 180 or less. In addition, the epoxy equivalent of a crosslinking agent (B) can be measured according to JISK7236 "how to obtain the epoxy equivalent of an epoxy resin". When the epoxy equivalent of the crosslinking agent (B) having an epoxy group is within the above range, the firing time at the time of forming the resin film is short and a high crosslinking effect appears even in a resin film obtained easily. In other processes such as forming a conductive thin film, it is excellent in the effect of maintaining high flatness and suppressing the occurrence of film defects such as wrinkles.

架橋剤(B)は、脂環構造を有するものであることが好ましく、より好ましくは、脂環構造部分に直接又は2価の連結基を介して結合しているエポキシ基を有する化合物である。脂環構造は、芳香環を水素添加して得られるものであっても良い。   The crosslinking agent (B) preferably has an alicyclic structure, more preferably a compound having an epoxy group bonded to the alicyclic structure portion directly or through a divalent linking group. The alicyclic structure may be obtained by hydrogenating an aromatic ring.

このようなエポキシ基を有する架橋剤(B)の例としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、水添フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、フルオレン環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、などを挙げることができる。   Examples of such an epoxy group-containing crosslinking agent (B) include bisphenol type epoxy resins, hydrogenated bisphenol type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, hydrogenated phenol novolak type epoxy resins, naphthalene ring-containing epoxy resins, and fluorenes. Examples thereof include a ring-containing epoxy resin and an alicyclic epoxy resin.

エポキシ基を有する架橋剤(B)の具体例としては以下のようなものが挙げられる。3,4−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート(商品名「サイクロマーA400」、ダイセル化学工業社製、エポキシ数1個、分子量282、エポキシ当量282g/eq。)、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物(シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する脂環式エポキシ樹脂。商品名「EHPE3150」。ダイセル化学工業社製。エポキシ数15個、分子量2550、エポキシ当量170g/eq。)、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス−(3−シクロへキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(商品名「エポリードGT401」。ダイセル化学工業社製。エポキシ数4個、分子量880、エポキシ当量220。)、エポキシ化3−シクロへキセン−1,2−ジカルボン酸ビス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(商品名「エポリードGT301」。ダイセル化学工業社製。エポキシ数3個、分子量600、エポキシ当量200g/eq。)、1,2,8,9−ジエポキシリモネン(商品名「セロキサイド3000」。ダイセル化学工業社製。エポキシ数2個、分子量168、エポキシ当量84g/eq。)、(3’,4’−エポキシシクロヘキサン)メチル3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(商品名「セロキサイド2021」。ダイセル化学工業社製。エポキシ数2個、分子量280、エポキシ当量140g/eq。)、4−ビニルシクロへキセンオキサイド(商品名「セロキサイド2000」。ダイセル化学工業社製。エポキシ数1個、分子量124、エポキシ当量124g/eq。)、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル(商品名「SR−TMP」。阪本薬品工業社製。エポキシ数3個、分子量411、エポキシ当量137g/eq。)その他、市販品として入手可能な架橋剤(B)としては、荒川化学工業株式会社製コンポセランEシリーズ等が挙げられる。
なお、ここで言う分子量とは全て重量平均分子量である。
Specific examples of the crosslinking agent (B) having an epoxy group include the following. 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate (trade name “Cyclomer A400”, manufactured by Daicel Chemical Industries, 1 epoxy, molecular weight 282, epoxy equivalent 282 g / eq.), 2,2-bis (hydroxymethyl) -1 -1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct of butanol (an alicyclic epoxy resin having a cyclohexane skeleton and a terminal epoxy group. Trade name “EHPE3150”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., having 15 epoxies , Molecular weight 2550, epoxy equivalent 170 g / eq.), Epoxidized butanetetracarboxylic acid tetrakis- (3-cyclohexenylmethyl) modified ε-caprolactone (trade name “Epolide GT401”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. Molecular weight 880, epoxy equivalent 220). Poxylated 3-cyclohexene-1,2-dicarboxylate bis (3-cyclohexenylmethyl) -modified ε-caprolactone (trade name “Epolide GT301”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. 3 epoxy, molecular weight 600, epoxy equivalent 200 g / eq.), 1,2,8,9-diepoxy limonene (trade name “Celoxide 3000”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. 2, epoxy number 2, molecular weight 168, epoxy equivalent 84 g / eq.), (3 ′ , 4′-epoxycyclohexane) methyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate (trade name “Celoxide 2021”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., 2 epoxy, molecular weight 280, epoxy equivalent 140 g / eq.), 4-vinylcyclohexene Xene oxide (trade name "Celoxide 2000", manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. 1 epoxy, molecular weight 124, epoxy equivalent 124 g / eq), trimethylolpropane polyglycidyl ether (trade name “SR-TMP”, manufactured by Sakamoto Pharmaceutical Co., Ltd. 3 epoxy, molecular weight 411, epoxy equivalent 137 g / eq .) In addition, as a cross-linking agent (B) available as a commercial product, Aposkawa Chemical Co., Ltd. Composeran E series and the like can be mentioned.
In addition, all the molecular weights mentioned here are weight average molecular weights.

本発明の感放射線性樹脂組成物における、架橋剤(B)の含有量は、樹脂(A)100重量部に対して、通常10〜100重量部、好ましくは20〜80重量部、更に好ましくは20〜50重量部の範囲である。架橋剤(B)の使用量がこの範囲にあると、架橋剤(B)と樹脂(A)との相溶性が良く、得られる樹脂膜が均一な膜になり、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの他工程を経た際に、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥の発生を抑制する効果に優れる。   In the radiation sensitive resin composition of the present invention, the content of the crosslinking agent (B) is usually 10 to 100 parts by weight, preferably 20 to 80 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the resin (A). It is the range of 20-50 weight part. When the amount of the crosslinking agent (B) used is within this range, the compatibility between the crosslinking agent (B) and the resin (A) is good, and the resulting resin film becomes a uniform film, and a conductive thin film is formed on the resin film. The film is excellent in the effect of maintaining high flatness and suppressing the occurrence of film defects such as wrinkles when other processes such as forming are performed.

本発明の感放射線性樹脂組成物は、必須成分として、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を有する架橋剤(C)を有する。架橋剤(C)は、下記式(V)に示されるようなトリアジン環構造、または、下記式(VI)に示されるようなグリコールウリル構造、を有するが、中でも、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの他工程を経た際に、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥の発生を抑制する効果に優れるという観点からトリアジン構造を有するのが好ましく、メラミン構造(式(VII))またはグアナミン構造(式(VIII))を有するものがより好ましく、メラミン構造を有するものが最も好ましい。

Figure 2010224533
Figure 2010224533
The radiation-sensitive resin composition of the present invention has, as an essential component, one or more functional groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group, and an alkoxybutyl group, having a triazine ring structure or a glycoluril structure. It has a crosslinking agent (C). The cross-linking agent (C) has a triazine ring structure as shown in the following formula (V) or a glycoluril structure as shown in the following formula (VI). Among them, a conductive thin film is formed on the resin film. From the viewpoint of maintaining high flatness and excellent in suppressing the occurrence of film defects such as wrinkles when other processes such as forming a melamine structure, the melamine structure (formula (VII)) is preferable. ) Or a guanamine structure (formula (VIII)) is more preferred, and a melamine structure is most preferred.
Figure 2010224533
Figure 2010224533

〔式(VI)中、Y〜Yはそれぞれ独立して、水素、官能基を有しても良いアルキル基、または官能基を有しても良いアリール基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基からなる群より選ばれる。〕

Figure 2010224533
[In Formula (VI), Y 1 to Y 4 are each independently hydrogen, an alkyl group that may have a functional group, or an aryl group, alkoxy group, or alkoxyalkyl group that may have a functional group. Selected from the group of ]
Figure 2010224533

〔式(VII)中、R17〜R22はそれぞれ独立して、水素、官能基を有しても良いアルキル基、官能基を有しても良いアリール基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基からなる群より選ばれる。〕

Figure 2010224533
[In Formula (VII), R17 to R22 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group that may have a functional group, an aryl group that may have a functional group, an alkoxy group, and an alkoxyalkyl group. To be elected. ]
Figure 2010224533

〔式(VIII)中、R13〜R16はそれぞれ独立して水素、官能基を有しても良いアルキル基、官能基を有しても良いアリール基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基からなる群より選ばれる。Xは、水素、官能基を有しても良いアルキル基、または官能基を有しても良いアリール基からなる群より選ばれる。〕
メラミン構造を有する架橋剤(C)の工業的製造方法の例としては、例えば次のような方法が挙げられる。
[In Formula (VIII), R13 to R16 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group that may have a functional group, an aryl group that may have a functional group, an alkoxy group, and an alkoxyalkyl group. It is. X is selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group that may have a functional group, or an aryl group that may have a functional group. ]
As an example of the industrial manufacturing method of the crosslinking agent (C) which has a melamine structure, the following methods are mentioned, for example.

(1)一段法

Figure 2010224533
(1) One-step method
Figure 2010224533

〔式(IX)中、R1〜6は、それぞれ独立して水素、アルコキシメチル基、メチロール基からなる群より選ばれる。Rはアルキル基またはアリール基である。〕
一段法は、メラミン、ホルムアルデヒド、アルコールを酸性条件下でメチロール化反応を行い、同条件下で、過剰のアルコール、ホルムアルデヒドと原料ホルムアルデヒドに含まれる水および生成する水を留去しながらアルコキシ化反応を行う方法である。酸性条件下、アルコールや水を留去するような高い温度条件下では、多核化が同時進行することになる。また、原料ホルムアルデヒド中の水と反応によって生成する水は、アルコキシ化反応を不完全にする。このようにメチロール化とアルコキシ化の二つの反応を一工程で行う一段法では、メチロール基残余の多核化された樹脂構造をもち、遊離ホルムアルデヒド含量の多いメラミン骨格を有する架橋剤(C)となる。
[In Formula (IX), R1 to 6 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkoxymethyl group, and a methylol group. R is an alkyl group or an aryl group. ]
In the one-stage method, melamine, formaldehyde and alcohol are methylolated under acidic conditions, and under the same conditions, the alkoxylation reaction is carried out while distilling off excess alcohol, formaldehyde and water contained in formaldehyde, and the water produced. How to do it. Under acidic conditions, polynuclearization proceeds simultaneously under high temperature conditions where alcohol and water are distilled off. Moreover, the water produced | generated by reaction with the water in raw material formaldehyde makes the alkoxylation reaction incomplete. Thus, in the one-step method in which the two reactions of methylolation and alkoxylation are performed in one step, a cross-linking agent (C) having a melamine skeleton having a polynuclear resin structure with a residual methylol group and a high free formaldehyde content is obtained. .

(2)多段法

Figure 2010224533
(2) Multistage method
Figure 2010224533

〔式(X)中、R1〜6は、それぞれ独立して水素、アルコキシメチル基、メチロール基からなる群より選ばれる。R7〜R12はそれぞれ独立に水素またはメチロール基である。Rはアルキル基またはアリール基である。〕
多段法は、アルカリ条件下でメチロール化反応を行った後、酸性条件下、比較的低い温度で、不完全にアルコキシ化反応を行い、再びアルカリ条件にして多核化を防ぎながら、反応溶液中のアルコール、水、過剰のホルムアルデヒドを留去し、再びアルコールを加えて、酸性条件下、比較的低い温度でアルコキシ化反応を行った後、再び反応溶液中の揮発成分を留去し、必要に応じて所定の濃度になるように希釈溶剤を加えて製造される。このようにメチロール化反応とアルコキシ化反応を別の条件化で、しかも反応と蒸留を繰り返して行う多段法による製造法は、多核体の少ないメチロール基当量がコントロールされた、しかも、遊離ホルムアルデヒド含量の少ないメラミン骨格を有する架橋剤(C)が得られる。
[In formula (X), R1-6 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkoxymethyl group, and a methylol group. R7 to R12 are each independently hydrogen or a methylol group. R is an alkyl group or an aryl group. ]
In the multi-stage method, after carrying out a methylolation reaction under alkaline conditions, an alkoxylation reaction is incompletely carried out at a relatively low temperature under acidic conditions, and again under alkaline conditions to prevent multinucleation, After distilling off alcohol, water and excess formaldehyde, adding alcohol again and conducting the alkoxylation reaction at a relatively low temperature under acidic conditions, the volatile components in the reaction solution are again distilled off, if necessary. Thus, a diluting solvent is added so as to obtain a predetermined concentration. As described above, the production method by the multistage method in which the methylolation reaction and the alkoxylation reaction are performed under different conditions and the reaction and distillation are repeated, the methylol group equivalent with less polynuclear body is controlled, and the free formaldehyde content is low. A crosslinking agent (C) having a small melamine skeleton is obtained.

上記製造方法によれば、架橋剤(C)は完全に単一化合物ではなく混合物となり得る場合がある。例えば多核体が異なるものの混合物や、官能基数が異なるものの混合物になり得る。ここで、多核体が異なるものの混合物は、平均重合度により混合物の多核体平均を知ることが出来る。   According to the said manufacturing method, a crosslinking agent (C) may become a mixture instead of a single compound completely. For example, it can be a mixture of different polynuclear bodies or a mixture of different functional groups. Here, the mixture of different polynuclear bodies can know the average of the polynuclear bodies of the mixture from the average degree of polymerization.

架橋剤(C)はイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の官能基を有するものである。主成分が前記官能基を含まない架橋剤においても、時に製造上で意図されずに生じた前記官能基を含んだ混合物が含まれる場合があるが、そのようなものは本発明の架橋剤(C)には該当しない。従って、本発明における、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基、及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の官能基を有する架橋剤(C)は、官能基としてイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基を、トリアジン環1個あたり、またはグリコールウリル構造1個あたり、に平均1個以上含むものとし、好ましくはトリアジン環1個あたり、またはグリコールウリル構造1個あたり、に平均2個から6個である。なお、官能基の数は、例えば、新版高分子分析ハンドブック(発行:紀伊国屋書店、1995年1月12日 初版第1刷発行)に記載されているように、架橋剤(C)をジメチルスルホキシド−d(DMSO−d)に溶かし、プロトン核磁気共鳴スペクトル(H NMR)またはカーボン核磁気共鳴スペクトル(13C NMR)により所望の官能基のプロトンピークまたはカーボンピークから定量することができる。 The crosslinking agent (C) has at least one functional group selected from the group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group. Even in a crosslinking agent in which the main component does not contain the functional group, a mixture containing the functional group that is unintentionally produced in production may sometimes be included. Not applicable to C). Accordingly, in the present invention, the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure or a glycoluril structure and having one or more functional groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group, and an alkoxybutyl group, It shall contain at least one imino group, methylol group and alkoxybutyl group as a functional group per triazine ring or glycoluril structure, preferably per triazine ring or one glycoluril structure. The average number is 2 to 6. The number of functional groups is determined by, for example, cross-linking agent (C) with dimethyl sulfoxide as described in the new edition of Polymer Analysis Handbook (published by Kinokuniya Shoten, the first edition issued on January 12, 1995). It can be dissolved in -d 6 (DMSO-d 6 ) and quantified from the proton peak or carbon peak of the desired functional group by proton nuclear magnetic resonance spectrum ( 1 H NMR) or carbon nuclear magnetic resonance spectrum ( 13 C NMR). .

架橋剤(C)はイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の官能基を有するものであれば特に限定されないが、他工程を経た後にも高い平坦性に寄与すること、幅広い成膜条件においても他工程による平坦性の悪化が生じないことから、歩留まりが向上したり生産リードタイムの低減から低コストに製造できること、大面積においても前記平坦性を保つことができること、などに優れるため、とくにイミノ基、メチロール基が好ましく、メチロール基がより好ましい。   The crosslinking agent (C) is not particularly limited as long as it has one or more functional groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group, but contributes to high flatness even after passing through other steps. In addition, since flatness does not deteriorate due to other processes even under a wide range of film forming conditions, the yield can be improved and production lead time can be reduced, and the flatness can be maintained even in a large area. In particular, an imino group and a methylol group are preferable, and a methylol group is more preferable.

架橋剤(C)は、さらにイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基以外の官能基を有してもよい。そのような官能基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基などが挙げられる。なお、架橋剤(C)はエポキシ基は含まない。   The crosslinking agent (C) may further have a functional group other than an imino group, a methylol group, and an alkoxybutyl group. Examples of such a functional group include a methoxymethyl group and an ethoxymethyl group. In addition, a crosslinking agent (C) does not contain an epoxy group.

また、架橋剤(C)の平均重合度は、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの他工程を経た際に、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥の発生を抑制する効果に優れるという観点から1.3以上4.0以下が好ましく、1.8以上3.5以下がより好ましく、2.0以上3.0以下がさらに好ましく、2.4以上2.8以下が最も好ましい。この範囲にすると、他工程を経た後にも膜が高い平坦性を保持し、また幅広い成膜条件においても高い平坦性を保持する効果に優れるため、歩留まりが向上したり生産リードタイムの低減できたりすることにより、樹脂膜をより低コストに製造できる。   In addition, the average degree of polymerization of the crosslinking agent (C) has an effect of maintaining high flatness and suppressing the occurrence of film defects such as wrinkles when other processes such as forming a conductive thin film on the resin film are performed. Is preferably 1.3 or more, 4.0 or less, more preferably 1.8 or more and 3.5 or less, still more preferably 2.0 or more and 3.0 or less, and most preferably 2.4 or more and 2.8 or less. preferable. Within this range, the film retains high flatness even after passing through other processes, and is excellent in the effect of maintaining high flatness even under a wide range of film formation conditions, so that the yield can be improved and the production lead time can be reduced. By doing so, the resin film can be manufactured at a lower cost.

本発明に用いられるトリアジン環構造を有する架橋剤(C)は、各社より市販されている材料を用いることができる。   As the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure used in the present invention, a material commercially available from each company can be used.

トリアジン環構造を有するが、イミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の官能基を有さない架橋剤としては、「サイメル300」(1.35)、「サイメル301」(1.50)、「サイメル303」(1.70)、「サイメル350」(1.60)、「サイメル1123」(1.50){以上、サイテックインダストリーズ社製}、「ニカラックMW−30HM」(1.30)、「ニカラックMW390」(1.25){以上、三和ケミカル(株)社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   Examples of the crosslinking agent having a triazine ring structure but not having one or more functional groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group include “Cymel 300” (1.35), “Cymel”. 301 ”(1.50),“ Cymel 303 ”(1.70),“ Cymel 350 ”(1.60),“ Cymel 1123 ”(1.50) {from Cytec Industries, Inc.},“ Nikarak MW- ” 30 HM ”(1.30),“ Nicarak MW 390 ”(1.25) {manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.}, and the like. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

トリアジン環構造を有し、かつメチロール基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル370」(2.60)、「サイメル771」(2.20)、「サイメル272」(2.50)、「マイコート102」(1.32){以上、サイテックインダストリーズ社製}、「ニカラックMX−750」(2.20)、「ニカラックMX−706」(2.60){以上、三和ケミカル(株)社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   As the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having a methylol group, “Cymel 370” (2.60), “Cymel 771” (2.20), “Cymel 272” (2.50), “My Coat 102” (1.32) {above, manufactured by Cytec Industries, Inc.}, “Nikarac MX-750” (2.20), “Nikalac MX-706” (2.60) {above, Sanwa Chemical Co., Ltd. ) Made by company}. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

トリアジン環構造を有し、かつイミノ基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル325」(2.30)、「サイメル327」(1.80)、「サイメル703」(1.90)、「サイメル712」(1.40)、「マイコート105」(1.32)、「マイコート106」(1.5){以上、サイテックインダストリーズ社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   As a crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having an imino group, “Cymel 325” (2.30), “Cymel 327” (1.80), “Cymel 703” (1.90), Examples include “Cymel 712” (1.40), “My Coat 105” (1.32), “My Coat 106” (1.5) {manufactured by Cytec Industries, Inc.}. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

トリアジン環構造を有し、かつアルコキシブチル基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル266」(1.40)、「サイメル267」(1.50)、「サイメル285」(1.50)、「サイメル232」(1.50)、「サイメル235」(1.40)、「サイメル236」(1.40)、「サイメル238」(1.60)、「マイコート506」(2.20){以上、サイテックインダストリーズ社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   As the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having an alkoxybutyl group, “Cymel 266” (1.40), “Cymel 267” (1.50), “Cymel 285” (1.50) "Cymel 232" (1.50), "Cymel 235" (1.40), "Cymel 236" (1.40), "Cymel 238" (1.60), "My Coat 506" (2.20 ) {The above, made by Cytec Industries, Inc.} and the like. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

トリアジン環構造を有し、かつメチロール基及びイミノ基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル701」(1.80){以上、サイテックインダストリーズ社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   Examples of the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having a methylol group and an imino group include “Cymel 701” (1.80) {above, manufactured by Cytec Industries, Inc.}. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

トリアジン環構造を有し、かつメチロール基およびアルコキシブチル基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル272」(2.50){以上、サイテックインダストリーズ社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   Examples of the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having a methylol group and an alkoxybutyl group include “Cymel 272” (2.50) {above, manufactured by Cytec Industries, Ltd.}. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

トリアジン環構造を有し、かつイミノ基およびアルコキシブチル基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル212」(1.60)、「サイメル253」(1.90)、「サイメル254」(2.30)、「マイコート508」(2.60)、「サイメル1128」(3.00)、「マイコート130」(1.77){以上、サイテックインダストリーズ社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   As the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having an imino group and an alkoxybutyl group, “Cymel 212” (1.60), “Cymel 253” (1.90), “Cymel 254” (2 .30), “My Coat 508” (2.60), “Cymel 1128” (3.00), “My Coat 130” (1.77) {manufactured by Cytec Industries, Inc.}, and the like. . The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

トリアジン環構造を有し、かつメチロール基およびイミノ基およびアルコキシブチル基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル202」(2.10)、「サイメル207」(2.10){以上、サイテックインダストリーズ社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   As the crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having a methylol group, an imino group, and an alkoxybutyl group, “Cymel 202” (2.10), “Cymel 207” (2.10) {above, Cytec Industries, Inc.} can be exemplified. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

グリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を有さない架橋剤(C)としては、「ニカラックMX−270」(1.25){以上、三和ケミカル社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   As the crosslinking agent (C) having a glycoluril structure and not having one or more functional groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group, “Nicarac MX-270” (1. 25) {Made by Sanwa Chemical Co., Ltd.} and the like. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

グリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基、及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の官能基を有する架橋剤(C)としては、「サイメル1170」(1.50)、「サイメル1172」(2.00){以上、サイテックインダストリーズ社製}などを例示することができる。なお、括弧内の数字は平均重合度を示す。   As the crosslinking agent (C) having a glycoluril structure and having one or more functional groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group, and an alkoxybutyl group, “Cymel 1170” (1.50) , “Cymel 1172” (2.00) {manufactured by Cytec Industries, Inc.} and the like. The numbers in parentheses indicate the average degree of polymerization.

本発明において用いる架橋剤(C)は、金属量の少ないものが好ましい。架橋材(C)の金属量を低減させる方法としては、例えば、金属を低減させる処理(以降、「低金属化処理」と略記する場合がある)による方法等が挙げられる。低金属化処理の方法としては、ゼータフィルタ等のフィルタを用いたろ過による方法、低金属化処理剤を用いた方法等を挙げることができる。   The crosslinking agent (C) used in the present invention is preferably one having a small amount of metal. Examples of a method for reducing the amount of metal in the cross-linking material (C) include a method by a metal reduction treatment (hereinafter, sometimes abbreviated as “low metalization treatment”). Examples of the method for the metallization treatment include a method using filtration using a filter such as a zeta filter, a method using a metallization treatment agent, and the like.

ろ過に用いるフィルタとしてはゼータフィルタを挙げることができる。ゼータフィルタは、ゼータ電位を有する多孔性フィルタであって、通常、セルロース、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレンからなる多孔質マトリクスに、中性液体中でのゼータ電位がプラスの改質剤が付着したものである。多孔質マトリクスを構成する物質はこれらのうち単独で又は2種以上を用いて組み合わせて用いることができる。また、改質剤としては中性液体中でのゼータ電位がプラスであるカチオン性コロイド状シリカやポリマー等を挙げることができる。ゼータフィルタを用いて架橋剤を含む溶液をろ過することにより架橋剤(C)の低金属化処理を行うことができる。   An example of the filter used for filtration is a zeta filter. A zeta filter is a porous filter having a zeta potential, and is usually a porous matrix made of cellulose, polyester, polyethylene, polypropylene, and a modifier having a positive zeta potential in a neutral liquid. is there. The substance which comprises a porous matrix can be used individually or in combination of 2 or more types among these. Examples of the modifier include cationic colloidal silica and polymer having a positive zeta potential in a neutral liquid. The metallization process of a crosslinking agent (C) can be performed by filtering the solution containing a crosslinking agent using a zeta filter.

ゼータフィルタを用いた低金属化処理の具体的方法としては、例えば、トリアジン環構造を有し、かつメチロール基を有する架橋剤(C)の一種である前記「サイメル370」(サイテックインダストリーズ社製)に、有機溶剤として、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルを、固形部濃度が30%となるように量を調節して添加して混合攪拌し、ゼータフィルタ(商品名「B90−40QSH」。住友3M社製)でろ過することで、架橋剤中のNa濃度を100ppb未満に低減することができる。   As a specific method of metallization treatment using a zeta filter, for example, the above-mentioned “Cymel 370” (manufactured by Cytec Industries), which is a kind of a crosslinking agent (C) having a triazine ring structure and having a methylol group As an organic solvent, diethylene glycol ethyl methyl ether was added in an amount adjusted to a solid part concentration of 30%, mixed and stirred, and a zeta filter (trade name “B90-40QSH”, manufactured by Sumitomo 3M). The Na concentration in the crosslinking agent can be reduced to less than 100 ppb.

低金属化処理剤としては、イオン交換樹脂または吸着力の大きい吸着剤を用いることができ、ケイ酸マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、活性炭等を挙げることができる。これらの低金属化処理剤に架橋剤を含む溶液を添加し、攪拌等した後に低金属化処理剤をろ過により除去したり、低金属化処理剤を充填したカラム等に架橋剤を含む溶液を通過させることなどの方法により、架橋剤の低金属化処理を行うことができる。   As the metallizing agent, an ion exchange resin or an adsorbent having a large adsorbing power can be used, and examples thereof include magnesium silicate, aluminum oxide, magnesium oxide, activated carbon and the like. Add a solution containing a crosslinking agent to these metallization treatment agents, and after stirring, remove the metallization treatment agent by filtration, or add a solution containing the crosslinking agent to a column filled with the metallization treatment agent. The metallization treatment of the crosslinking agent can be performed by a method such as passing through.

イオン交換樹脂による架橋剤の低金属化処理の具体的方法としては、例えば、イオン交換樹脂(商品名「200CT/MSPS2−1」。住友3M社製)をジエチレングリコールエチルメチルエーテル中で攪拌し洗浄した後上澄み液を取り除き、前記「サイメル370」(サイテックインダストリーズ社製)のジエチレングリコールエチルメチルエーテル30%溶液を添加し、更に50分間攪拌した後、イオン交換樹脂をろ過により除去することで、架橋剤中のNa濃度を50ppb未満、Mg濃度を50ppb未満、Al濃度を50ppb未満、K濃度を50ppb未満、Ca濃度を300ppb未満、Cr濃度を50ppb未満、Mn濃度を50ppb未満、Fe濃度を50ppb未満、Ni濃度を50ppb未満にすることができる。   As a specific method of the metallization treatment of the cross-linking agent with an ion exchange resin, for example, an ion exchange resin (trade name “200CT / MSPS2-1” manufactured by Sumitomo 3M) was stirred and washed in diethylene glycol ethyl methyl ether. After removing the supernatant liquid, a 30% solution of “Cymel 370” (manufactured by Cytec Industries) in diethylene glycol ethyl methyl ether was added, and the mixture was further stirred for 50 minutes. Na concentration less than 50 ppb, Mg concentration less than 50 ppb, Al concentration less than 50 ppb, K concentration less than 50 ppb, Ca concentration less than 300 ppb, Cr concentration less than 50 ppb, Mn concentration less than 50 ppb, Fe concentration less than 50 ppb, Ni The concentration can be less than 50 ppb.

ケイ酸マグネシウムによる低金属化処理としては、例えば、前記イオン交換樹脂(商品名「200CT/MSPS2−1」。住友3M社製)の代わりにケイ酸マグネシウム(商品名「ミズカライフP−1」。水澤化学社製)を用いる事以外は上述のイオン交換樹脂による架橋剤の低金属化処理と同等の方法により、架橋剤中のNa濃度を5000ppb未満にすることができる。   As the metallization treatment with magnesium silicate, for example, magnesium silicate (trade name “Mizuka Life P-1”) is used instead of the ion exchange resin (trade name “200CT / MSPS2-1” manufactured by Sumitomo 3M). Except for using Mizusawa Chemical Co., Ltd.), the Na concentration in the cross-linking agent can be reduced to less than 5000 ppb by the same method as the metallization treatment of the cross-linking agent by the ion exchange resin described above.

酸化アルミニウムによる架橋剤の低金属化処理としては、例えば、前記イオン交換樹脂(商品名「200CT/MSPS2−1」。住友3M社製)の代わりに酸化アルミニウム(商品名「活性アルミナCPN」。水澤化学社製)を用いる事以外は上述のイオン交換樹脂による架橋剤の低金属化処理と同等の方法により低金属化処理を行い、架橋剤中のNa濃度を20000ppb未満にすることができる。   As the metallization treatment of the crosslinking agent with aluminum oxide, for example, instead of the ion exchange resin (trade name “200CT / MSPS2-1” manufactured by Sumitomo 3M), aluminum oxide (trade name “activated alumina CPN”. Mizusawa) Except for using Chemical Co., Ltd., the metal concentration can be reduced by a method equivalent to the above-described metallization treatment of the crosslinking agent by the ion exchange resin, and the Na concentration in the crosslinking agent can be reduced to less than 20000 ppb.

本発明の感放射線性樹脂組成物における、架橋剤(C)の含有量は、樹脂(A)100重量部に対して、通常10〜100重量部、好ましくは20〜80重量部、更に好ましくは30〜50重量部の範囲である。架橋剤(C)の使用量がこの範囲にあると、架橋剤(C)と樹脂(A)との相溶性が良く、得られる樹脂膜は均一な膜になり、樹脂膜上に導電性薄膜を形成するなどの他工程を経た際に、高い平坦性を保ち、しわのような膜欠陥の発生を抑制する効果に優れる。   In the radiation sensitive resin composition of the present invention, the content of the crosslinking agent (C) is usually 10 to 100 parts by weight, preferably 20 to 80 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the resin (A). It is the range of 30-50 weight part. When the amount of the crosslinking agent (C) is within this range, the compatibility between the crosslinking agent (C) and the resin (A) is good, and the resulting resin film becomes a uniform film, and a conductive thin film is formed on the resin film. The film is excellent in the effect of maintaining high flatness and suppressing the occurrence of film defects such as wrinkles when other processes such as forming are performed.

本発明において、感放射線性樹脂組成物の必須成分として、感放射線化合物(D)を含有する。本発明で使用する感放射線化合物(D)は、紫外線や電子線等の放射線の照射により、化学反応を引き起こすことのできる化合物である。本発明において感放射線化合物(D)は、樹脂組成物から形成される樹脂膜のアルカリ溶解性を制御できるものが好ましい。本発明においては感放射線化合物(D)として光酸発生剤を使用することが好ましい。   In this invention, a radiation sensitive compound (D) is contained as an essential component of a radiation sensitive resin composition. The radiation-sensitive compound (D) used in the present invention is a compound that can cause a chemical reaction by irradiation with radiation such as ultraviolet rays or electron beams. In the present invention, the radiation sensitive compound (D) is preferably one capable of controlling the alkali solubility of the resin film formed from the resin composition. In the present invention, it is preferable to use a photoacid generator as the radiation-sensitive compound (D).

感放射線化合物(D)としては、例えば、アセトフェノン化合物、トリアリールスルホニウム塩、キノンジアジド化合物等のアジド化合物等が挙げられるが、好ましくはアジド化合物、特に好ましくはキノンジアジド化合物である。   Examples of the radiation-sensitive compound (D) include azide compounds such as acetophenone compounds, triarylsulfonium salts, and quinonediazide compounds, with azide compounds being preferred, and quinonediazide compounds being particularly preferred.

キノンジアジド化合物としては、例えば、キノンジアジドスルホン酸ハライドとフェノール性水酸基を有する化合物とのエステル化合物を用いることができる。キノンジアジドスルホン酸ハライドの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド等が挙げられる。フェノール性水酸基を有する化合物の代表例としては、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール等が挙げられる。これら以外のフェノール性水酸基を有する化合物としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、ノボラック樹脂のオリゴマー、フェノール性水酸基を1つ以上有する化合物とジシクロペンタジエンとを共重合して得られるオリゴマー等が挙げられる。これらの中でも、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライドとフェノール性水酸基を有する化合物との縮合物が好ましく、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(2.5モル)との縮合物がより好ましい。   As the quinonediazide compound, for example, an ester compound of a quinonediazidesulfonic acid halide and a compound having a phenolic hydroxyl group can be used. Specific examples of the quinone diazide sulfonic acid halide include 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-benzoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, and the like. Can be mentioned. Typical examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1. -[4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and the like. Other compounds having a phenolic hydroxyl group include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, tris (4- Hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (4-hydroxy-3-methylphenyl) ethane, 1,1,2,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, novolac resin oligomer, phenolic hydroxyl group Examples thereof include oligomers obtained by copolymerizing one or more compounds and dicyclopentadiene. Among these, a condensate of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and a compound having a phenolic hydroxyl group is preferable, and 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)- A condensate of 3-phenylpropane (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.5 mol) is more preferred.

光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物の他、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、α,α’−ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α’−スルホニルジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等、公知のものを用いることができる。   Photoacid generators include quinonediazide compounds, onium salts, halogenated organic compounds, α, α′-bis (sulfonyl) diazomethane compounds, α-carbonyl-α′-sulfonyldiazomethane compounds, sulfone compounds, organic acids Known compounds such as ester compounds, organic acid amide compounds, and organic acid imide compounds can be used.

これらの感放射線化合物は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でもポジ型の感放射製組成物を調製できることからキノンジアジド化合物が好ましい。本発明の樹脂組成物における感放射線化合物(D)の含有量は、樹脂(A)100重量部に対して、1〜100重量部、好ましくは5〜50重量部、より好ましくは10〜40重量部の範囲である。感放射線化合物(D)の使用量がこの範囲にあれば、任意の基板上に形成した本発明の樹脂組成物からなる樹脂膜をパターン化する際に、放射線照射部と放射線未照射部との現像液への溶解度差が大きくなり、現像によるパターン化が容易で、かつ、放射線感度も高くなるので好適である。   These radiation-sensitive compounds can be used alone or in combination of two or more. Among these, a quinonediazide compound is preferable because a positive radiation-sensitive composition can be prepared. Content of the radiation sensitive compound (D) in the resin composition of this invention is 1-100 weight part with respect to 100 weight part of resin (A), Preferably it is 5-50 weight part, More preferably, it is 10-40 weight. Part range. When the amount of the radiation sensitive compound (D) used is within this range, when the resin film made of the resin composition of the present invention formed on an arbitrary substrate is patterned, the radiation irradiated part and the radiation non-irradiated part This is preferable because the difference in solubility in a developer is increased, patterning by development is easy, and radiation sensitivity is increased.

本発明に用いる樹脂組成物には、本発明の効果が阻害されない範囲であれば、所望により、増感剤、界面活性剤、潜在的酸発生剤、酸化防止剤、光安定剤、消泡剤、顔料、染料等のその他の配合剤;等を含有していてもよい。   If desired, the resin composition used in the present invention is a sensitizer, a surfactant, a latent acid generator, an antioxidant, a light stabilizer, and an antifoaming agent as long as the effects of the present invention are not inhibited. , Other compounding agents such as pigments and dyes;

増感剤の具体例としては、2H−ピリド−(3,2−b)−1,4−オキサジン−3(4H)−オン類、10H−ピリド−(3,2−b)−1,4−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。   Specific examples of the sensitizer include 2H-pyrido- (3,2-b) -1,4-oxazin-3 (4H) -ones, 10H-pyrido- (3,2-b) -1,4. -Benzothiazines, urazoles, hydantoins, barbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxans, maleimides and the like.

本発明において、樹脂組成物の成分として、界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤は、ストリエーション(塗布筋あと)の防止、現像性の向上等の目的で使用される。その具体例としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤;フッ素系界面活性剤;シリコーン系界面活性剤;メタクリル酸共重合体系界面活性剤;アクリル酸共重合体系界面活性剤;等が挙げられる。   In this invention, it is preferable to contain surfactant as a component of a resin composition. The surfactant is used for the purpose of preventing striation (after application stripes) and improving developability. Specific examples thereof include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene such as polyoxyethylene octyl phenyl ether and polyoxyethylene nonyl phenyl ether. Aryl ethers; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; Fluorine surfactants; Silicone surfactants; Methacrylic acid copolymer surfactants Agents; acrylic acid copolymer surfactants; and the like.

潜在的酸発生剤は、本発明の樹脂組成物の耐熱性及び耐薬品性を向上する目的で使用される。その具体例としては、加熱により酸を発生するカチオン重合触媒である、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウム塩及びベンゾチアゾリウム塩が好ましい。   The latent acid generator is used for the purpose of improving the heat resistance and chemical resistance of the resin composition of the present invention. Specific examples thereof include sulfonium salts, benzothiazolium salts, ammonium salts, and phosphonium salts, which are cationic polymerization catalysts that generate an acid upon heating. Of these, sulfonium salts and benzothiazolium salts are preferred.

酸化防止剤としては、通常の重合体に使用されている、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤等が使用できる。例えば、フェノール類として、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、p−メトキシフェノール、スチレン化フェノール、n−オクタデシル−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3’−t−ブチル−5’−メチル−2’−ヒドロキシベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ−ビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、アルキル化ビスフェノール等を挙げることができる。リン系酸化防止剤としては、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸トリス(ノニルフェニル)、イオウ系としては、チオジプロピオン酸ジラウリル等が挙げられる。   As the antioxidant, there can be used phenolic antioxidants, phosphorus antioxidants, sulfur antioxidants, lactone antioxidants and the like used in ordinary polymers. For example, as phenols, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, p-methoxyphenol, styrenated phenol, n-octadecyl-3- (3 ′, 5′-di-t-butyl-4 '-Hydroxyphenyl) propionate, 2,2'-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2-t-butyl-6- (3'-t-butyl-5'-methyl-2' -Hydroxybenzyl) -4-methylphenyl acrylate, 4,4'-butylidene-bis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-thio-bis (3-methyl-6-tert-butylphenol) ), Pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], alkylated bisphenols, etc. Can. Examples of the phosphorus-based antioxidant include triphenyl phosphite and tris (nonylphenyl) phosphite. Examples of the sulfur-based antioxidant include dilauryl thiodipropionate.

本発明において、感放射線性樹脂組成物の成分として、光安定剤を含有することが好ましい。光安定剤は、ベンゾフェノン系、サリチル酸エステル系、ベンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、金属錯塩系等の紫外線吸収剤、ヒンダ−ドアミン系(HALS)等、光により発生するラジカルを捕捉するもの等のいずれでもよい。これらのなかでも、HALSはピペリジン構造を有する化合物で、本発明の組成物に対し着色が少なく、安定性がよいため好ましい。具体的な化合物としては、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル/トリデシル1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート、ビス(1−オクチロキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート等が挙げられる。   In this invention, it is preferable to contain a light stabilizer as a component of a radiation sensitive resin composition. Light stabilizers include benzophenone-based, salicylic acid ester-based, benzotriazole-based, cyanoacrylate-based, metal complex salt-based ultraviolet absorbers, hindered amine-based (HALS), etc. that capture radicals generated by light, etc. But you can. Among these, HALS is a compound having a piperidine structure and is preferable because it is less colored and has good stability with respect to the composition of the present invention. Specific compounds include bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl / tridecyl 1,2,3,4 -Butanetetracarboxylate, bis (1-octyloxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate and the like.

本発明において、感放射線性樹脂組成物は、樹脂(A)、エポキシ基を有する架橋剤(B)、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の基を有する架橋剤(C)、並びに感放射線化合物(D)を必須成分として、必要に応じてその他の成分を加え、これを通常は溶媒に溶解又は分散させて得ることができる。   In the present invention, the radiation-sensitive resin composition has a resin (A), a crosslinking agent (B) having an epoxy group, a triazine ring structure or a glycoluril structure, and an imino group, a methylol group, and an alkoxybutyl group. A cross-linking agent (C) having at least one group selected from the group, and a radiation-sensitive compound (D) as essential components, other components are added as necessary, and this is usually dissolved or dispersed in a solvent. Can be obtained.

本発明で使用できる溶媒には、格別な制限はなく、例えば、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、3−メトキシ−3−メチルブタノールなどのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類;エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノ−t−ブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)などのグリコールエーテル類;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ペプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなどのケトン類;2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチルなどのエステル類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチルラクトンなどの非プロトン性極性溶剤;等が挙げられる。   The solvent that can be used in the present invention is not particularly limited. For example, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol and 3-methoxy-3-methylbutanol; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; methyl Cellosolve esters such as cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate; ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol mono-t-butyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA ) Glycol ethers; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene; methyl ethyl ketone, Ketones such as clopentanone, cyclohexanone, 2-peptanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-2-methylpropion Esters such as ethyl acetate, ethyl ethoxyacetate, methyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate; N- And aprotic polar solvents such as methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, and γ-butyllactone.

この中でも、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、シクロペンタノン、N−メチル−2−ピロリドンが好ましく、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルが特に好ましい。   Among these, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), cyclopentanone, and N-methyl-2-pyrrolidone are preferable, and diethylene glycol ethyl methyl ether is particularly preferable.

これらの溶媒は、それぞれ単独で用いてもよく又は2種以上を併用してもよい。溶媒の使用量は、樹脂(A)100重量部に対して、通常、20〜10,000重量部、好ましくは50〜5,000重量部、より好ましくは100〜1,000重量部の範囲である。   These solvents may be used alone or in combination of two or more. The amount of the solvent used is usually 20 to 10,000 parts by weight, preferably 50 to 5,000 parts by weight, and more preferably 100 to 1,000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (A). is there.

本発明の感放射線性樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、本発明の感放射線性樹脂組成物の各構成成分、即ち、樹脂(A)、エポキシ基を有する架橋剤(B)、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の基を有する架橋剤(C)、並びに感放射線化合物(D)並びに所望により使用するその他の成分を公知の方法により混合すればよい。   The preparation method of the radiation sensitive resin composition of this invention is not specifically limited, Each component of the radiation sensitive resin composition of this invention, ie, resin (A), the crosslinking agent (B) which has an epoxy group, A crosslinking agent (C) having a triazine ring structure or a glycoluril structure and having one or more groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group, and a radiation sensitive compound (D) and a desired one Other components to be used may be mixed by a known method.

混合の方法は特に限定されないが、感放射線性樹脂組成物の各構成成分を溶媒に溶解又は分散して得られる溶液又は分散液を混合するのが好ましい。これにより、本発明の感放射線性樹脂組成物は、溶液又は分散液の形態で得られる。   The mixing method is not particularly limited, but it is preferable to mix a solution or dispersion obtained by dissolving or dispersing each component of the radiation-sensitive resin composition in a solvent. Thereby, the radiation sensitive resin composition of this invention is obtained with the form of a solution or a dispersion liquid.

本発明の感放射線性樹脂組成物の各構成成分を溶媒に溶解又は分散する方法は、常法に従えばよい。具体的には、攪拌子とマグネティックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等を使用して行なうことができる。また、各成分を溶媒に溶解又は分散した後に、例えば、孔径が0.5μm程度のフィルター等を用いて濾過してもよい。   A method for dissolving or dispersing each component of the radiation-sensitive resin composition of the present invention in a solvent may follow a conventional method. Specifically, stirring using a stirrer and a magnetic stirrer, a high-speed homogenizer, a disper, a planetary stirrer, a twin-screw stirrer, a ball mill, a three-roll, etc. can be used. Further, after each component is dissolved or dispersed in a solvent, it may be filtered using, for example, a filter having a pore size of about 0.5 μm.

本発明の感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常、1〜70重量%、好ましくは5〜60重量%、より好ましくは10〜50重量%である。固形分濃度がこの範囲にあれば、溶解安定性、基板上への塗布性や形成される樹脂膜の膜厚均一性、平坦性等が高度にバランスされ得る。   The solid content concentration of the radiation-sensitive resin composition of the present invention is usually 1 to 70% by weight, preferably 5 to 60% by weight, and more preferably 10 to 50% by weight. If the solid content concentration is in this range, the dissolution stability, the coating property on the substrate, the film thickness uniformity of the formed resin film, the flatness, etc. can be highly balanced.

本発明の感放射線性樹脂組成物に含まれる金属量は感放射線性樹脂組成物に対して、Na、Mg、Al、K、Ca、Cr、Mn、Fe及びNiの各濃度が500ppb未満であることが好ましく、200ppb未満であることがより好ましく、100ppb未満であることが最も好ましい。   The amount of metal contained in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is such that each concentration of Na, Mg, Al, K, Ca, Cr, Mn, Fe, and Ni is less than 500 ppb with respect to the radiation-sensitive resin composition. Preferably less than 200 ppb, most preferably less than 100 ppb.

本発明の樹脂膜は、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に形成させることによって得ることができる。   The resin film of the present invention can be obtained by forming it on a substrate using the radiation sensitive resin composition of the present invention.

本発明において、基板は、例えば、プリント配線基板、シリコンウエハー基板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。また、ディスプレイ分野において使用される、ガラス基板やプラスチック基板等に薄型トランジスタ型液晶表示素子、カラーフィルター、ブラックマトリックス等が形成されたものも好適に用いられる。   In the present invention, for example, a printed wiring board, a silicon wafer substrate, a glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used as the substrate. In addition, a glass substrate, a plastic substrate or the like used in the display field in which a thin transistor type liquid crystal display element, a color filter, a black matrix, or the like is formed is also preferably used.

樹脂膜を基板上に形成する方法は、特に限定されず、例えば、塗布法やフィルム積層法等の方法を用いることができる。   The method for forming the resin film on the substrate is not particularly limited, and for example, a method such as a coating method or a film lamination method can be used.

塗布法は、例えば、感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布した後、加熱乾燥して溶媒を除去する方法である。樹脂組成物を基板上に塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法等の各種の方法を採用することができる。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて異なるが、通常、30〜150℃、好ましくは60〜120℃で、通常、0.5〜90分間、好ましくは1〜60分間、より好ましくは1〜30分間で行なえばよい。   The application method is, for example, a method in which the radiation-sensitive resin composition is applied on a substrate and then dried by heating to remove the solvent. Examples of the method for applying the resin composition on the substrate include various methods such as a spray method, a spin coating method, a roll coating method, a die coating method, a doctor blade method, a spin coating method, a bar coating method, and a screen printing method. Can be adopted. The heating and drying conditions vary depending on the type and blending ratio of each component, but are usually 30 to 150 ° C., preferably 60 to 120 ° C., usually 0.5 to 90 minutes, preferably 1 to 60 minutes, and more. Preferably it may be performed in 1 to 30 minutes.

前記フィルム積層法は、感放射線性樹脂組成物を、樹脂フィルムや金属フィルム等のBステージフィルム形成用基材上に塗布した後に加熱乾燥により溶媒を除去してBステージフィルムを得、次いで、このBステージフィルムを前記基材上に積層する方法である。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、加熱温度は、通常、30〜150℃であり、加熱時間は、通常、0.5〜90分間である。フィルム積層は、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータ等の圧着機を用いて行なうことができる。   In the film lamination method, the radiation-sensitive resin composition is applied onto a B-stage film-forming substrate such as a resin film or a metal film, and then the solvent is removed by heat drying to obtain a B-stage film. In this method, a B-stage film is laminated on the substrate. The heating and drying conditions can be appropriately selected according to the type and mixing ratio of each component, but the heating temperature is usually 30 to 150 ° C., and the heating time is usually 0.5 to 90 minutes. . Film lamination can be performed using a pressure laminator, a press, a vacuum laminator, a vacuum press, a roll laminator or the like.

基板上に形成された樹脂膜の厚さは、通常、0.1〜100μm、好ましくは0.5〜50μm、より好ましくは0.5〜30μmである。   The thickness of the resin film formed on the substrate is usually 0.1 to 100 μm, preferably 0.5 to 50 μm, more preferably 0.5 to 30 μm.

本発明において、基板上に樹脂膜を形成した後に、樹脂の架橋反応を行なうことができる。   In the present invention, after the resin film is formed on the substrate, a resin crosslinking reaction can be performed.

基板上に形成された樹脂膜の架橋は、架橋剤の種類に応じて適宜方法を選択すればよいが、通常、加熱により行なう。加熱方法は、例えば、ホットプレート、オーブン等を用いて行なうことができる。加熱温度は、通常、180〜250℃であり、加熱時間は、樹脂膜の大きさや厚さ及び使用機器等により適宜選択され、例えばホットプレートを用いる場合は、通常、5〜60分間、オーブンを用いる場合は、通常、30〜90分間の範囲である。加熱は、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活性ガスとしては、酸素を含まず且つ樹脂膜を酸化させないものであればよく、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン等が挙げられる。これらの中でも窒素とアルゴンが好ましく、特に窒素が好ましい。特に、酸素含有量が0.1体積%以下、好ましくは0.01体積%以下の不活性ガス、特に窒素が好適である。これらの不活性ガスは、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Crosslinking of the resin film formed on the substrate may be appropriately selected according to the type of the crosslinking agent, but is usually performed by heating. The heating method can be performed using, for example, a hot plate or an oven. The heating temperature is usually 180 to 250 ° C., and the heating time is appropriately selected depending on the size and thickness of the resin film and the equipment used. For example, when a hot plate is used, the oven is usually used for 5 to 60 minutes. When used, it is usually in the range of 30 to 90 minutes. Heating may be performed in an inert gas atmosphere as necessary. The inert gas is not particularly limited as long as it does not contain oxygen and does not oxidize the resin film. Examples thereof include nitrogen, argon, helium, neon, xenon, and krypton. Among these, nitrogen and argon are preferable, and nitrogen is particularly preferable. In particular, an inert gas having an oxygen content of 0.1% by volume or less, preferably 0.01% by volume or less, particularly nitrogen is suitable. These inert gases can be used alone or in combination of two or more.

基板と基板上に本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて形成した樹脂膜とからなる積層体において、樹脂膜はパターン化されていてもよい。   In the laminated body which consists of a board | substrate and the resin film formed on the board | substrate using the radiation sensitive resin composition of this invention, the resin film may be patterned.

基板上に形成されたパターン化樹脂膜は、例えば、樹脂膜に活性放射線を照射して潜像パターンを形成し、次いで潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させることによりパターンを顕在化させて得ることができる。   The patterned resin film formed on the substrate, for example, exposes the resin film to actinic radiation to form a latent image pattern, and then exposes the developer film to the resin film having the latent image pattern to reveal the pattern. Can be obtained.

活性放射線としては、光酸発生剤を活性化させ、光酸発生剤を含む架橋性組成物のアルカリ可溶性を変化させることができるものであれば特に限定されない。具体的には、紫外線、g線やi線等の単一波長の紫外線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線;電子線のような粒子線;等を用いることができる。これらの活性放射線を選択的にパターン状に照射して潜像パターンを形成する方法としては、常法に従えばよく、例えば、縮小投影露光装置等により、紫外線、g線、i線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線を所望のマスクパターンを介して照射する方法、又は電子線等の粒子線により描画する方法等を用いることができる。活性放射線として光線を用いる場合は、単一波長光であっても、混合波長光であってもよい。照射条件は、使用する活性放射線に応じて適宜選択されるが、例えば、波長200〜450nmの光線を使用する場合、照射量は、通常10〜1,000mJ/cm、好ましくは50〜500mJ/cmの範囲であり、照射時間と照度に応じて決まる。このようにして活性放射線を照射した後、必要に応じ、樹脂膜を60〜130℃程度の温度で1〜2分間程度加熱処理する。 The actinic radiation is not particularly limited as long as it can activate the photoacid generator and change the alkali solubility of the crosslinkable composition containing the photoacid generator. Specifically, ultraviolet rays, ultraviolet rays having a single wavelength such as g-line or i-line, light rays such as KrF excimer laser light and ArF excimer laser light; particle beams such as electron beams; As a method of forming a latent image pattern by selectively irradiating these actinic radiations in a pattern, for example, an ultraviolet ray, g-line, i-line, KrF excimer may be used by a reduction projection exposure apparatus or the like. A method of irradiating a light beam such as a laser beam or an ArF excimer laser beam through a desired mask pattern, a method of drawing with a particle beam such as an electron beam, or the like can be used. When light is used as the active radiation, it may be single wavelength light or mixed wavelength light. Irradiation conditions may be appropriately selected depending on the active radiation to be used, for example, when using a light beam of wavelength 200 to 450 nm, the amount of irradiation is usually 10~1,000mJ / cm 2, preferably 50 to 500 mJ / It is a range of cm 2 and is determined according to irradiation time and illuminance. After irradiation with actinic radiation in this manner, the resin film is heat-treated at a temperature of about 60 to 130 ° C. for about 1 to 2 minutes as necessary.

次に、樹脂膜に形成された潜像パターンを現像して顕在化させる。本発明では、このような工程を「パターン化」といい、パターン化された樹脂膜を「パターン化樹脂膜」という。現像液としては、通常、アルカリ性化合物の水性溶液が用いられる。アルカリ性化合物としては、例えば、アルカリ金属塩、アミン、アンモニウム塩を使用することができる。アルカリ性化合物は、無機化合物であっても有機化合物であってもよい。これらの化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム等のアルカリ金属塩;アンモニア水;エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一級アミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第二級アミン;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン;ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、N−メチルピロリドン等の環状アミン類;等が挙げられる。これらアルカリ性化合物は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Next, the latent image pattern formed on the resin film is developed and made visible. In the present invention, such a process is called “patterning”, and the patterned resin film is called “patterned resin film”. As the developer, an aqueous solution of an alkaline compound is usually used. As the alkaline compound, for example, alkali metal salts, amines, and ammonium salts can be used. The alkaline compound may be an inorganic compound or an organic compound. Specific examples of these compounds include alkali metal salts such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and sodium metasilicate; ammonia water; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; diethylamine Secondary amines such as di-n-propylamine; tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide and choline Alcohol alcohols such as dimethylethanolamine and triethanolamine; pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5 -En, N-Me Cyclic amines such as Rupiroridon; and the like. These alkaline compounds can be used alone or in combination of two or more.

アルカリ水性溶液の水性媒体としては、水;メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒を使用することができる。アルカリ水性溶液は、界面活性剤等を適当量添加したものであってもよい。潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させる方法としては、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法等の方法が用いられる。現像は、通常、0〜100℃、好ましくは5〜55℃、より好ましくは10〜30℃の範囲で、通常、30〜180秒間の範囲で適宜選択される。   As an aqueous medium of the alkaline aqueous solution, water; a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol can be used. The alkaline aqueous solution may have a surfactant added in an appropriate amount. As a method of bringing the developer into contact with the resin film having the latent image pattern, for example, a paddle method, a spray method, a dipping method, or the like is used. The development is usually appropriately selected in the range of 0 to 100 ° C, preferably 5 to 55 ° C, more preferably 10 to 30 ° C, and usually 30 to 180 seconds.

このようにして目的とするパターン化樹脂膜を基板上に形成した後、必要に応じて、基板上、基板裏面及び基板端部の現像残渣を除去するために、基板をリンス液でリンスすることができる。リンス処理の後、残存しているリンス液を圧縮空気や圧縮窒素により除去する。   After the desired patterned resin film is formed on the substrate in this way, the substrate is rinsed with a rinsing solution in order to remove development residues on the substrate, the back surface of the substrate, and the edge of the substrate, if necessary. Can do. After the rinse treatment, the remaining rinse liquid is removed with compressed air or compressed nitrogen.

更に、必要に応じて、光酸発生剤を失活させるために、パターン化樹脂膜を有する基板全面に活性放射線を照射することもできる。活性放射線の照射には、上記潜像パターンの形成に例示した方法を利用できる。照射と同時に又は照射後に樹脂膜を加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、基板をホットプレートやオーブン内で加熱する方法が挙げられる。温度は、通常、100〜300℃、好ましくは120〜200℃の範囲である。   Further, if necessary, the entire surface of the substrate having the patterned resin film can be irradiated with actinic radiation in order to deactivate the photoacid generator. For irradiation with actinic radiation, the method exemplified in the formation of the latent image pattern can be used. The resin film may be heated simultaneously with irradiation or after irradiation. Examples of the heating method include a method of heating the substrate in a hot plate or an oven. The temperature is usually in the range of 100 to 300 ° C, preferably 120 to 200 ° C.

本発明において、基板上にパターン化樹脂を形成した後に、パターン化樹脂の架橋反応を行なうことができる。架橋は、上述した基板上に形成された樹脂膜の架橋と同様に行なえばよい。   In this invention, after forming patterned resin on a board | substrate, the crosslinking reaction of patterned resin can be performed. The crosslinking may be performed in the same manner as the above-described crosslinking of the resin film formed on the substrate.

本発明の積層体、特に基板上にパターン化樹脂膜を形成した積層体は、種々の電子部品、特に半導体デバイスとして有用である。   The laminate of the present invention, particularly a laminate in which a patterned resin film is formed on a substrate, is useful as various electronic components, particularly semiconductor devices.

前記種々の電子部品の中でも、例えば、有機EL表示装置の発光素子の隔壁材としても使用できる。隔壁材は、アクティブマトリックス有機EL表示装置の場合は、アクティブマトリックス基板のスイッチングトランジスタの上部に位置しており、透明性が低い程、光リーク電流を抑制できる。さらに、アクティブマトリックス有機EL表示装置及びパッシブマトリックス有機EL表示装置のいずれにおいても、表示コントラストが向上し好ましい。該隔壁剤の透明性は、例えば1.5μm膜厚の場合に450nmの波長における光線透過率で20%以下であることが好ましい。   Among the various electronic components, for example, it can be used as a partition material of a light emitting element of an organic EL display device. In the case of an active matrix organic EL display device, the partition material is located above the switching transistor of the active matrix substrate, and the light leakage current can be suppressed as the transparency is lower. Furthermore, both the active matrix organic EL display device and the passive matrix organic EL display device are preferable because the display contrast is improved. For example, the transparency of the partition material is preferably 20% or less in terms of light transmittance at a wavelength of 450 nm when the film thickness is 1.5 μm.

以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。なお、本実施例において、「部」及び「%」は、特に断りのない限り、それぞれ、「重量部」及び「重量%」である。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In this example, “parts” and “%” are “parts by weight” and “% by weight”, respectively, unless otherwise specified.

各特性は以下の方法により評価した。
(1)平坦性1(しわ)
平坦性の指標の1つとして、測定用試料を光学顕微鏡により観察し、しわ模様が観察されたか否かを確認した。しわ模様は、膜の平坦性が損なわれることで発生する。従って、しわ模様が観測されないということは、膜の平坦性が良好であることを意味する。
○:しわなし(平坦性良好)
×:しわあり(平坦性不良)
(2)平坦性2(光線透過率)
平坦性のもう1つの指標として、測定用試料を、分光光度計(日本分光株式会社製、「紫外可視分光光度計V−560(製品名)」を用いて、波長400nmでの光線透過率の測定を行った。ここで、光線透過率が低いのは、膜の平坦性が損なれて光が屈折してしまうためであり、光線透過率が高いのは、膜の平坦性が良好で光が屈折することなく透過するためである。従って、光線透過率が高いほど、膜の平坦性が良好でしわがないことを意味する。光線透過率が70%以上であれば、前記しわ評価での光学顕微鏡観察において、しわは観測されなかった。
(3)電気特性(TFTオフリーク)
電気特性の指標の1つとして、逆スタガ型TFTを有するアクティブマトリックス基板上に、本発明の感光性樹脂組成物の保護膜を製膜し、製膜直後のTFTのリーク電流を測定した。リーク電流が低い方が保護膜としての特性が優れているといえる。電流量が1×10−10A以下である事が好ましい。詳細を以下に記す。
Each characteristic was evaluated by the following methods.
(1) Flatness 1 (wrinkle)
As one of the indicators of flatness, the measurement sample was observed with an optical microscope to confirm whether or not a wrinkle pattern was observed. The wrinkle pattern is generated when the flatness of the film is impaired. Therefore, the fact that no wrinkle pattern is observed means that the flatness of the film is good.
○: No wrinkle (good flatness)
×: wrinkle (poor flatness)
(2) Flatness 2 (light transmittance)
As another index of flatness, the measurement sample was measured using a spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, “UV-visible spectrophotometer V-560 (product name)”). Here, the light transmittance is low because the flatness of the film is impaired and the light is refracted, and the light transmittance is high because the flatness of the film is good and the light is refracted. Therefore, it means that the higher the light transmittance, the better the flatness of the film and the less wrinkles. No wrinkles were observed in the observation under the optical microscope.
(3) Electrical characteristics (TFT off leak)
As one of the indicators of electrical characteristics, a protective film of the photosensitive resin composition of the present invention was formed on an active matrix substrate having an inverted staggered TFT, and the leakage current of the TFT immediately after film formation was measured. It can be said that the lower the leakage current, the better the characteristics as a protective film. The amount of current is preferably 1 × 10 −10 A or less. Details are described below.

<アクティブマトリックス基板の作製>
ガラス基板(商品名「コーニング1737」、コーニング社製)上に、スパッタリング装置を用いて、クロムを200nmの膜圧で形成し、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、ゲート電極、ゲート信号線及びゲート端子部を形成した。次いで、CVD装置により、ゲート電極とゲート電極を覆って、ゲート絶縁膜となるシリコン窒化物膜を450nmの厚さ、半導体層となるa−Si層(アモルファスシリコン層)を250nmの厚さ、オーミックコンタクト層となるn+Si層を50nmの厚さで連続形成し、n+Si層とa−Si層をアイランド状にパターニングした。さらに、ゲート絶縁膜とn+Si層上にスパッタリング装置で、クロムを200nmの膜厚で形成し、フォトリソグラフィにより、ソース電極、ソース信号線、ドレイン電極、及びデータ端子部を形成し、ソース電極とドレイン電極の間の不要なn+Si層を除去してソースとドレインの線幅が14μm、ソースとドレインの電極間の距離が3μmとなるバックチャネルを形成し、ガラス基板上に複数の薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板を得た。
<Production of active matrix substrate>
On a glass substrate (trade name “Corning 1737”, manufactured by Corning), a sputtering apparatus is used to form chromium with a film thickness of 200 nm, patterning is performed by photolithography, and gate electrodes, gate signal lines, and gate terminal portions Formed. Next, the gate electrode and the gate electrode are covered with a CVD apparatus, the silicon nitride film serving as the gate insulating film is 450 nm thick, the a-Si layer (amorphous silicon layer) serving as the semiconductor layer is 250 nm thick, ohmic An n + Si layer to be a contact layer was continuously formed with a thickness of 50 nm, and the n + Si layer and the a-Si layer were patterned in an island shape. Further, chromium is formed to a thickness of 200 nm on the gate insulating film and the n + Si layer by a sputtering apparatus, and a source electrode, a source signal line, a drain electrode, and a data terminal portion are formed by photolithography, and the source electrode and the drain are formed. The unnecessary n + Si layer between the electrodes was removed to form a back channel having a source-drain line width of 14 μm and a distance between the source-drain electrodes of 3 μm, and a plurality of thin film transistors were formed on the glass substrate. An array substrate was obtained.

そして、得られたアレイ基板に、上記にて得られた感放射線性樹脂組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて、90℃で2分間プリベークして、膜厚1.2μmの樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜に、10μm×10μmのホールパターンのマスクを介して、365nmにおける光強度が5mW/cmである紫外線を、40秒間、空気中で照射した。次いで、0.4重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で90秒間現像処理を行なった後、超純水で30秒間リンスしてコンタクトホールのパターンを形成した後、230℃で15分間加熱することによりポストベークを行なうことにより、保護膜(樹脂膜)が形成されたアレイ基板を得た。 The obtained array substrate was spin-coated with the radiation-sensitive resin composition obtained above, and then pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to obtain a resin film having a thickness of 1.2 μm. Formed. Next, the resin film was irradiated with ultraviolet rays having a light intensity at 365 nm of 5 mW / cm 2 in the air for 40 seconds through a 10 μm × 10 μm hole pattern mask. Next, after developing for 90 seconds at 25 ° C. using a 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, rinsing with ultrapure water for 30 seconds to form a contact hole pattern, 230 ° C. The array substrate on which the protective film (resin film) was formed was obtained by performing post-baking by heating for 15 minutes.

そして、上記にて保護膜(樹脂膜)を形成したアレイ基板を真空槽に移し、スパッタリングガスとしてアルゴンと酸素との混合ガス(体積比100:4)を用い、圧力0.3Pa、DC出力400Wとし、マスクを通してDCスパッタリングすることにより、ドレイン電極に接するように、膜圧200nmのIn−Sn−O系の非晶質透明導電層(画素電極)を形成して、アクティブマトリックス基板を得た。   Then, the array substrate on which the protective film (resin film) is formed as described above is transferred to a vacuum chamber, and a mixed gas of argon and oxygen (volume ratio 100: 4) is used as the sputtering gas, pressure 0.3 Pa, DC output 400 W. Then, by performing DC sputtering through a mask, an In—Sn—O amorphous transparent conductive layer (pixel electrode) having a film pressure of 200 nm was formed so as to be in contact with the drain electrode to obtain an active matrix substrate.

そして、上記にて得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、アクティブマトリックス基板のTFTのリーク電流の評価を行った。ゲート電圧を−10Vから+10Vまで掃引し、ドレイン電圧を+10V、ソース電圧を0Vとして、ドレイン電流の最小値をリーク電流とし、表1において次のように評価を示す。
○:リーク電流≦1×10−10
×:リーク電流>1×10−10
And the leakage current of TFT of the active matrix substrate was evaluated using the radiation sensitive resin composition obtained above. The gate voltage is swept from −10 V to +10 V, the drain voltage is +10 V, the source voltage is 0 V, the minimum drain current is the leakage current, and the evaluation is shown in Table 1 as follows.
○: Leakage current ≦ 1 × 10 −10 A
×: Leakage current> 1 × 10 −10 A

〔測定用試料の作製〕
10cm角のガラス基板[コーニング社、コーニング1737(製品名)]上に、下記実施例及び比較例で得た感放射線性樹脂組成物をスピンコートしたのち、ホットプレートを用いて90℃で2分間プリベークして、膜厚2.5μmの樹脂膜を形成した。次いで、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で60秒間現像処理を行ったのち、超純水で30秒間リンスした。この樹脂膜に365nmにおける光強度が5mW/cmである紫外線を、60秒間空気中で照射した。さらに、オーブンを用いて、230℃で30分、60分、90分、120分間から選択される所望の時間を加熱するポストベークを行った。ここで、得られた樹脂膜はしわが観測されず、光線透過率も90%以上と高く、十分に平坦性が高いことを確認した。
[Preparation of measurement sample]
A 10 cm square glass substrate [Corning, Corning 1737 (product name)] was spin-coated with the radiation-sensitive resin compositions obtained in the following Examples and Comparative Examples, and then heated at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate. Pre-baking was performed to form a resin film having a thickness of 2.5 μm. Next, a development treatment was performed at 25 ° C. for 60 seconds using a 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, followed by rinsing with ultrapure water for 30 seconds. The resin film was irradiated with ultraviolet rays having a light intensity of 5 mW / cm 2 at 365 nm in the air for 60 seconds. Furthermore, the post-baking which heats the desired time selected from 230 minutes at 230 degreeC for 30 minutes, 60 minutes, 90 minutes, and 120 minutes was performed. Here, it was confirmed that the obtained resin film was not observed to be wrinkled, the light transmittance was as high as 90% or more, and the flatness was sufficiently high.

次に、スパッタリング法により、常温で樹脂膜上に導電性薄膜としてIZO薄膜を厚さ90nmとなるように成膜した。さらに、オーブンを用いて、230℃で60分間アニール処理を行い、測定用試料である積層体を得、前記方法により平坦性を評価した。   Next, an IZO thin film having a thickness of 90 nm was formed as a conductive thin film on the resin film at room temperature by sputtering. Furthermore, annealing was performed at 230 ° C. for 60 minutes using an oven to obtain a laminate as a measurement sample, and the flatness was evaluated by the above method.

〔製造例1〕
(プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体の製造)
プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体として9−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン66.5部、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体としてN−フェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド40部、1,5−ヘキサジエン2.8部、(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリデンルテニウムジクロリド0.05部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル400部を、窒素置換した耐圧ガラス反応器に仕込み、撹拌下に80℃で2時間重合反応を行って開環メタセシス重合体a1を含有する重合反応溶液を得た。重合転化率は、99.9%以上であった。この重合体a1の重量平均分子量は3,200、数平均分子量は1,900、分子量分布は1.68であった。なお、重量平均分子量、数平均分子量、分子量分布の測定は、東ソー社製の3種類のカラム(型番:TSKgel SuperH2000、TSKgel SuperH4000、TSKgel SuperH5000)を使用し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによりポリスチレン換算で測定を行った。
[Production Example 1]
(Production of cyclic olefin polymer having a protic polar group)
As a cyclic olefin monomer having a protic polar group, 9-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene 66.5 parts, N-phenylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2 as cyclic olefin monomer having polar group other than protic polar group, 40 parts of 3-dicarboximide, 2.8 parts of 1,5-hexadiene, 0.05 part of (1,3-dimesitylimidazolidine-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) benzylidene ruthenium dichloride and diethylene glycol ethyl methyl ether 400 parts were charged into a nitrogen-substituted pressure-resistant glass reactor, and a polymerization reaction was carried out at 80 ° C. for 2 hours with stirring to obtain a polymerization reaction solution containing a ring-opening metathesis polymer a1. The polymerization conversion rate was 99.9% or more. The polymer a1 had a weight average molecular weight of 3,200, a number average molecular weight of 1,900, and a molecular weight distribution of 1.68. The weight average molecular weight, number average molecular weight, and molecular weight distribution were measured using three types of columns manufactured by Tosoh Corporation (model number: TSKgel SuperH2000, TSKgel SuperH4000, TSKgel SuperH5000), and measured in terms of polystyrene by gel permeation chromatography. Went.

次いで、水素添加触媒としてビス(トリシクロヘキシルホスフィン)エトキシメチレンルテニウムジクロリド0.1部を重合反応溶液に加え、水素を4MPaの圧力で5時間溶存させて、水素添加反応を進行させたのち、活性炭粉末1部を添加し、オートクレーブに入れて撹拌しつつ150℃で水素を4MPaの圧力で3時間溶存させた。次いで、溶液を取り出して孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過して活性炭を分離して開環メタセシス重合体a1の水素化物a2を含有する水素添加反応溶液476部を得た。ろ過は、滞りなく行なうことができた。ここで得られた水素化物a2を含有する水素添加反応溶液の固形分濃度は20.6%であり、水素化物a2の収量は98.1部であった。得られた水素化物a2の重量平均分子量は4,430、数平均分子量は2,570、分子量分布は1.72であった。水素化率は99.9%であった。   Next, 0.1 part of bis (tricyclohexylphosphine) ethoxymethylene ruthenium dichloride as a hydrogenation catalyst was added to the polymerization reaction solution, and hydrogen was dissolved at a pressure of 4 MPa for 5 hours to proceed the hydrogenation reaction. 1 part was added, hydrogen was dissolved at 150 ° C. under a pressure of 4 MPa for 3 hours while stirring in an autoclave. Subsequently, the solution was taken out and filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to separate the activated carbon to obtain 476 parts of a hydrogenation reaction solution containing a hydride a2 of the ring-opening metathesis polymer a1. Filtration could be performed without any delay. The hydrogenation reaction solution containing the hydride a2 obtained here had a solid content concentration of 20.6%, and the yield of the hydride a2 was 98.1 parts. The obtained hydride a2 had a weight average molecular weight of 4,430, a number average molecular weight of 2,570, and a molecular weight distribution of 1.72. The hydrogenation rate was 99.9%.

得られた水素化物a2の水素添加反応溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、固形分濃度を35%に調整して、水素化物a2(プロトン性極性基としてカルボキシ基を有する環状オレフィン重合体)の溶液を得た。濃縮の前後で収量、水素化物の重量平均分子量、数平均分子量及び分子量分布に変化はなかった。   The obtained hydrogenation reaction solution of hydride a2 was concentrated by a rotary evaporator, the solid content concentration was adjusted to 35%, and a solution of hydride a2 (a cyclic olefin polymer having a carboxy group as a protic polar group) was prepared. Obtained. There was no change in yield, weight average molecular weight, number average molecular weight and molecular weight distribution of hydride before and after concentration.

〔製造例2〕
(プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体の製造)
プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体として9−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン40部、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体としてN−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド60部、1,5−ヘキサジエン2.8部、(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリデンルテニウムジクロリド0.05部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル400部を、窒素置換した耐圧ガラス反応器に仕込み、撹拌下に80℃で2時間重合反応を行って開環メタセシス重合体a3を含有する重合反応溶液を得た。重合転化率は、99.6%以上であった。この重合体a3の重量平均分子量は6,260、数平均分子量は4,410、分子量分布は1.49であった。
[Production Example 2]
(Production of cyclic olefin polymer having a protic polar group)
As a cyclic olefin monomer having a protic polar group, 9-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene 40 parts, N- (2-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene as a cyclic olefin monomer having a polar group other than a protic polar group -2,3-dicarboximide 60 parts, 1,5-hexadiene 2.8 parts, (1,3-dimesitylimidazolidine-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) benzylidene ruthenium dichloride 0.05 parts and diethylene glycol 400 parts of ethyl methyl ether was charged into a pressure-resistant glass reactor substituted with nitrogen, and a polymerization reaction was carried out at 80 ° C. for 2 hours with stirring to obtain a polymerization reaction solution containing a ring-opening metathesis polymer a3. The polymerization conversion rate was 99.6% or more. The polymer a3 had a weight average molecular weight of 6,260, a number average molecular weight of 4,410, and a molecular weight distribution of 1.49.

次いで、水素添加触媒としてビス(トリシクロヘキシルホスフィン)エトキシメチレンルテニウムジクロリド0.1部を重合反応溶液に加え、水素を4MPaの圧力で5時間溶存させて、水素添加反応を進行させたのち、活性炭粉末1部を添加し、オートクレーブに入れて撹拌しつつ150℃で水素を4MPaの圧力で3時間溶存させた。次いで、溶液を取り出して孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過して活性炭を分離して開環メタセシス重合体a3の水素化物a4を含有する水素添加反応溶液476部を得た。ろ過は、滞りなく行なうことができた。ここで得られた水素化物a4を含有する水素添加反応溶液の固形分濃度は20.6%であり、水素化物a4の収量は98.1部であった。得られた水素化物a4の重量平均分子量は7,180、数平均分子量は4,650、分子量分布は1.55であった。水素化率は99.8%であった。   Next, 0.1 part of bis (tricyclohexylphosphine) ethoxymethylene ruthenium dichloride as a hydrogenation catalyst was added to the polymerization reaction solution, and hydrogen was dissolved at a pressure of 4 MPa for 5 hours to proceed the hydrogenation reaction. 1 part was added, hydrogen was dissolved at 150 ° C. under a pressure of 4 MPa for 3 hours while stirring in an autoclave. Next, the solution was taken out and filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to separate the activated carbon to obtain 476 parts of a hydrogenation reaction solution containing a hydride a4 of the ring-opening metathesis polymer a3. Filtration could be performed without any delay. The hydrogenation reaction solution containing hydride a4 obtained here had a solid content concentration of 20.6%, and the yield of hydride a4 was 98.1 parts. The obtained hydride a4 had a weight average molecular weight of 7,180, a number average molecular weight of 4,650, and a molecular weight distribution of 1.55. The hydrogenation rate was 99.8%.

得られた水素化物a4の水素添加反応溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、固形分濃度を35%に調整して、水素化物a4(プロトン性極性基としてカルボキシ基を有する環状オレフィン重合体)の溶液を得た。濃縮の前後で収量、水素化物の重量平均分子量、数平均分子量及び分子量分布に変化はなかった。   The obtained hydrogenation reaction solution of hydride a4 was concentrated with a rotary evaporator, the solid content concentration was adjusted to 35%, and a solution of hydride a4 (a cyclic olefin polymer having a carboxy group as a protic polar group) was prepared. Obtained. There was no change in yield, weight average molecular weight, number average molecular weight and molecular weight distribution of hydride before and after concentration.

〔製造例3〕
(ポリシロキサンの製造)
三口フラスコにメチルトリメトキシシラン74.91部,フェニルトリメトキシシラン69.41部、ジアセトンアルコール(DAA)を150.36部仕込み、室温で攪拌しながら水55.8部にリン酸0.338部(仕込みモノマーに対して0.2重量%)を溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。その後、フラスコを70℃のオイルバスに漬けて1時間攪拌した後、オイルバスを30分かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間過熱攪拌した(内温は100〜110℃)。副生成物であるメタノール、水を合計115部留出した。得られたポリシロキサンa5のDAA溶液に、固形分濃度が35重量%となるようにDAAを加えてポリシロキサンa5を含有する樹脂溶液を得た。
[Production Example 3]
(Manufacture of polysiloxane)
A three-necked flask was charged with 74.91 parts of methyltrimethoxysilane, 69.41 parts of phenyltrimethoxysilane and 150.36 parts of diacetone alcohol (DAA), and 0.338 phosphoric acid was added to 55.8 parts of water while stirring at room temperature. A phosphoric acid aqueous solution in which a part (0.2 wt% with respect to the charged monomer) was dissolved was added over 10 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 70 ° C. and stirred for 1 hour, and then the oil bath was heated to 115 ° C. over 30 minutes. One hour after the start of temperature increase, the internal temperature of the solution reached 100 ° C., and the mixture was heated and stirred for 2 hours (the internal temperature was 100 to 110 ° C.). A total of 115 parts of methanol and water as by-products were distilled off. DAA was added to the obtained DAA solution of polysiloxane a5 so that the solid concentration was 35% by weight to obtain a resin solution containing polysiloxane a5.

〔製造例4〕
(カルド樹脂の製造)
還留冷却器付き四つ口フラスコ中にビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂とアクリル酸との等当量反応物(固形分濃度50%、固形分換算の酸価1.28mgKOH/g、エポキシ当量21,300。新日鐵化学社製、製品名「ASF−400」溶液)の50%プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液198.53部と、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物39.54部、コハク酸無水物8.13部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート48.12部及びトリフェニルホスフィン0.45部を仕込み、120〜125℃に加熱下に1hr撹拌し、更に75〜80℃で6hrの加熱撹拌を行い、その後、グリシジルメタクリレート8.6部を投入し、更に80℃で8時間攪拌した。得られたカルド樹脂a6を含有する樹脂溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、固形分濃度35%のカルド樹脂a6を含有する樹脂溶液を得た。
[Production Example 4]
(Manufacture of cardo resin)
Equivalent reaction product of bisphenolfluorene type epoxy resin and acrylic acid in a four-necked flask with a reflux condenser (solid content concentration 50%, acid value 1.28 mgKOH / g in terms of solid content, epoxy equivalent 21,300. 198.53 parts of 50% propylene glycol monomethyl ether acetate solution manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (product name “ASF-400” solution), 39.54 parts of benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 8.13 of succinic anhydride Part, 48.12 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate and 0.45 part of triphenylphosphine, stirred for 1 hour under heating at 120 to 125 ° C., further heated and stirred at 75 to 80 ° C. for 6 hours, and then glycidyl 8.6 parts of methacrylate was added and further stirred at 80 ° C. for 8 hours. The obtained resin solution containing cardo resin a6 was concentrated by a rotary evaporator to obtain a resin solution containing cardo resin a6 having a solid content concentration of 35%.

〔低金属化処理法1〕
(ゼータフィルタによる架橋剤の低金属化処理)
メラミン(商品名「サイメル370」。サイテックインダストリーズ社製)に有機溶剤として、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルを、固形部濃度が30%となるように量を調節して添加して混合攪拌しゼータフィルタ(商品名「B90−40QSH」。住友3M社製)でろ過し、ICP−MS(Agilent社製)にてメラミン架橋剤中のNa濃度が100ppb未満になっている事を確認した。
[Low metallization method 1]
(Low cross-linking treatment of cross-linking agent by zeta filter)
Diethylene glycol ethyl methyl ether as an organic solvent is added to melamine (trade name “Cymel 370”, manufactured by Cytec Industries Co., Ltd.) in an adjusted amount so that the solid part concentration is 30%, and mixed and stirred to produce a zeta filter (product) The name “B90-40QSH” (manufactured by Sumitomo 3M) was filtered, and it was confirmed by ICP-MS (manufactured by Agilent) that the Na concentration in the melamine crosslinking agent was less than 100 ppb.

〔実施例1〕
樹脂(A)として、製造例1で得られた水素化物a2を100部(固形分換算)、エポキシ基を有する架橋剤(B)として、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物(シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する15官能脂環式エポキシ樹脂。商品名「EHPE3150」。ダイセル化学工業社製。)を20部、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基、及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の基を有する架橋剤(C)として、トリアジン環構造を有し、かつメチロール基を有するメラミン(商品名「サイメル370」。サイテックインダストリーズ社製)を30部、感放射線化合物(D)として、(1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン)(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(2.0モル)との縮合物(東洋合成社製、「TS200(製品名)」)を35部、老化防止剤として、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]3部、シリコーン系界面活性剤(商品名「KP341」、信越化学工業社製)0.05部、有機溶剤として、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルを、固形部濃度が24%となるように量を調節して添加して混合攪拌した。
[Example 1]
As resin (A), 100 parts (in terms of solid content) of hydride a2 obtained in Production Example 1, and as a crosslinking agent (B) having an epoxy group, 2,2-bis (hydroxymethyl) -1-butanol 20 parts of 1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct (15-functional alicyclic epoxy resin having a cyclohexane skeleton and a terminal epoxy group. Trade name “EHPE3150”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) As a crosslinking agent (C) having a triazine ring structure or a glycoluril structure and having one or more groups selected from the group consisting of an imino group, a methylol group, and an alkoxybutyl group, it has a triazine ring structure, In addition, 30 parts of a melamine having a methylol group (trade name “Cymel 370”, manufactured by Cytec Industries Co., Ltd.), a radiation-sensitive compound ( ), (1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane) (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 Mole) and 35 parts of a condensate (Toyo Gosei Co., Ltd., “TS200 (product name)”) as an anti-aging agent, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) ) Propionate] 3 parts, silicone surfactant (trade name “KP341”, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 0.05 parts, diethylene glycol ethyl methyl ether as an organic solvent, so that the solid part concentration is 24% Were added and mixed and stirred.

30分攪拌後、混合物は、均一な溶液になった。この溶液を孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して、感放射線性樹脂組成物を調製した。   After stirring for 30 minutes, the mixture became a homogeneous solution. This solution was filtered through a polytetrafluoroethylene filter having a pore diameter of 0.45 μm to prepare a radiation sensitive resin composition.

次いで、この樹脂組成物を用いて前期測定用資料の作製法により積層体を得、前期方法によりそのしわと光線透過率と電気特性を評価した。結果を、表1に示す。   Next, using this resin composition, a laminate was obtained by the preparation method of the data for the previous period measurement, and the wrinkle, light transmittance and electrical characteristics were evaluated by the previous period method. The results are shown in Table 1.

なお、表1において、バインダー樹脂(A)の配合量は、いずれも固形分換算で100部という意味である。   In Table 1, the compounding amount of the binder resin (A) means 100 parts in terms of solid content.

〔実施例2〜11〕
実施例1において、樹脂(A)、架橋剤(B)及び架橋剤(C)として、それぞれ表1に示す種類と量の架橋剤(B)及び架橋剤(C)を用いた他は、実施例1と同様にして樹脂組成物を調製し、次いで積層体を得、得られた積層体についてしわと光線透過率を評価した。結果を表1に示す。
[Examples 2 to 11]
In Example 1, as the resin (A), the crosslinking agent (B) and the crosslinking agent (C), the types and amounts of the crosslinking agent (B) and the crosslinking agent (C) shown in Table 1 were used, respectively. A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, and then a laminate was obtained. The resulting laminate was evaluated for wrinkles and light transmittance. The results are shown in Table 1.

〔実施例12〕
実施例1において、架橋剤(C)を前記低金属化処理法1により低金属化処理し、Na含有量を100ppb以下とした他は実施例1と同様にして樹脂組成物を調整し、次いで積層体を得、得られた積層体についてしわと光線透過率と、電気特性を測定した。結果を表1に示す。
Example 12
In Example 1, the resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the crosslinking agent (C) was metallized by the metallization method 1 and the Na content was 100 ppb or less. A laminate was obtained, and wrinkles, light transmittance, and electrical characteristics were measured for the obtained laminate. The results are shown in Table 1.

〔実施例13〕
実施例12において、ポストベークを大気中300℃で行った以外は実施例12と同様に積層体を得、得られた積層体についてしわと光線透過率を測定した。結果を表1に示す。
Example 13
In Example 12, a laminate was obtained in the same manner as in Example 12 except that post-baking was performed in the atmosphere at 300 ° C., and wrinkles and light transmittance were measured for the obtained laminate. The results are shown in Table 1.

〔比較例1〜5〕
実施例1において、架橋剤(B)及び架橋剤(C)として、それぞれ表1に示す種類と量の架橋剤(B)及び架橋剤(C)を用いた他は、実施例1と同様にして樹脂組成物を調製し、次いで積層体を得、得られた積層体についてしわと光線透過率を評価した。結果を表1に示す。
[Comparative Examples 1-5]
In Example 1, as the crosslinking agent (B) and the crosslinking agent (C), the types and amounts of the crosslinking agent (B) and the crosslinking agent (C) shown in Table 1 were used, respectively. Then, a resin composition was prepared, and then a laminate was obtained. The resulting laminate was evaluated for wrinkles and light transmittance. The results are shown in Table 1.

なお、実施例1〜13及び比較例1〜5で用いた架橋剤(B)、架橋剤(C)及びその他架橋剤の種類は以下の通りである。   In addition, the kind of crosslinking agent (B), crosslinking agent (C), and other crosslinking agents used in Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 5 is as follows.

〔架橋剤(B)〕
・EHPE3150:脂環構造を有する多官能エポキシ化合物(2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物、エポキシ数15個、分子量2550、エポキシ当量170g/eq)
・エポリードGT401:脂環構造を有する多官能エポキシ化合物(エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス−(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン、エポキシ数4個、分子量880、エポキシ当量220g/eq)
・セロキサイド3000:脂環構造を有する多官能エポキシ化合物(1,2,8,9−ジエポキシリモネン、エポキシ数2個、分子量168、エポキシ当量84g/eq)
・サイクロマーA400:脂環構造を有する単官能エポキシ化合物(3,4−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、エポキシ数1個、分子量282、エポキシ当量282g/eq)
〔架橋剤(C)〕
・サイメル325:イミノ基を有するメラミン樹脂(平均重合度2.30)
・サイメル701:メチロール基及びイミノ基を有するメラミン樹脂(平均重合度1.80)
・サイメル232:アルコキシブチル基を有するメラミン樹脂(平均重合度1.50)
・サイメル1170:アルコキシブチル基を有するグリコールウリル樹脂(平均重合度1.50)
・サイメル370:メチロール基を有するメラミン樹脂(平均重合度2.60)
〔その他架橋剤〕
・ニカラックMW390:イミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基を有さないメラミン樹脂(平均重合度1.25)
・MAPD:トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有さず、イミノ基及びメチロール基を有する化合物(1−メチルアミノ−2,3−プロパンジオール)

Figure 2010224533
[Crosslinking agent (B)]
EHPE3150: polyfunctional epoxy compound having an alicyclic structure (1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct of 2,2-bis (hydroxymethyl) -1-butanol, epoxy number 15, molecular weight 2550, epoxy equivalent 170 g / eq)
Epolede GT 401: polyfunctional epoxy compound having an alicyclic structure (epoxidized butanetetracarboxylic acid tetrakis- (3-cyclohexenylmethyl) -modified ε-caprolactone, epoxy number 4, molecular weight 880, epoxy equivalent 220 g / eq)
Celoxide 3000: polyfunctional epoxy compound having an alicyclic structure (1,2,8,9-diepoxy limonene, number of epoxies 2, molecular weight 168, epoxy equivalent 84 g / eq)
Cyclomer A400: monofunctional epoxy compound having an alicyclic structure (3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 1 epoxy, molecular weight 282, epoxy equivalent 282 g / eq)
[Crosslinking agent (C)]
Cymel 325: Melamine resin having an imino group (average degree of polymerization 2.30)
Cymel 701: Melamine resin having an methylol group and an imino group (average degree of polymerization 1.80)
Cymel 232: Melamine resin having an alkoxybutyl group (average polymerization degree 1.50)
Cymel 1170: glycoluril resin having an alkoxybutyl group (average polymerization degree 1.50)
Cymel 370: Melamine resin having a methylol group (average degree of polymerization 2.60)
[Other cross-linking agents]
Nicarak MW390: Melamine resin having no imino group, methylol group and alkoxybutyl group (average degree of polymerization 1.25)
MAPD: a compound (1-methylamino-2,3-propanediol) that does not have a triazine ring structure or glycoluril structure but has an imino group and a methylol group
Figure 2010224533

表1の結果から、樹脂(A)、エポキシ基を有する架橋剤(B)、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の基を有する架橋剤(C)、並びに感放射線化合物(D)を有する実施例1〜8の感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に樹脂膜を積層すると、得られた樹脂膜は例えば導電性薄膜を樹脂膜上に成膜する等のその他のプロセスを経ても十分に平坦性が高い。また、そのような平坦性が高い樹脂膜を、短時間で成膜することができる。   From the results of Table 1, the resin (A), the crosslinking agent (B) having an epoxy group, a triazine ring structure or a glycoluril structure, and selected from the group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group, A resin film obtained by laminating a resin film on a substrate using the radiation-sensitive resin composition of Examples 1 to 8 having a crosslinking agent (C) having at least a group and a radiation-sensitive compound (D) Is sufficiently flat even after other processes such as forming a conductive thin film on the resin film. In addition, such a highly flat resin film can be formed in a short time.

これに対して、架橋剤(B)または架橋剤(C)を片方しか用いなかった比較例1〜3や、架橋剤(C)の代わりに、トリアジン環構造を有するが、イミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の基を有さないものを用いた比較例4や、架橋剤(C)の代わりに、イミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる、1種以上の基を有するが、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有さないものを用いた比較例5の場合には、樹脂膜の平坦性は他工程を経ることで悪化し、樹脂膜の成膜プロセスを変化させても高い平坦性を得られなかった。   In contrast, Comparative Examples 1 to 3 in which only one of the crosslinking agent (B) or the crosslinking agent (C) is used, or a triazine ring structure is used instead of the crosslinking agent (C), but an imino group or a methylol group. And a group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group instead of the crosslinking agent (C) selected from the group consisting of an alkoxybutyl group and one having no one or more groups In the case of Comparative Example 5 using one or more groups selected but not having a triazine ring structure or a glycoluril structure, the flatness of the resin film deteriorates through other steps. Even when the resin film formation process was changed, high flatness could not be obtained.

また、電気特性に関しては、低金属化処理を行っていない架橋剤(C)を用いた実施例1と比較した場合に、低金属化処理を行った架橋剤(C)を用いた実施例12においてリーク電流を、より有効に抑制することができた。   Moreover, regarding electrical characteristics, Example 12 using the cross-linking agent (C) subjected to the low metallization treatment was compared with Example 1 using the cross-linking agent (C) not subjected to the low metallization treatment. The leakage current could be suppressed more effectively.

Claims (7)

樹脂(A)、
エポキシ基を有する架橋剤(B)、
トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を有する架橋剤(C)、
並びに感放射線化合物(D)を含有する感放射線性樹脂組成物。
Resin (A),
A crosslinking agent (B) having an epoxy group,
A crosslinking agent (C) having a triazine ring structure or a glycoluril structure and having at least one functional group selected from the group consisting of an imino group, a methylol group and an alkoxybutyl group;
And the radiation sensitive resin composition containing a radiation sensitive compound (D).
エポキシ基を有する架橋剤(B)の重量平均分子量が、200以上である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the weight average molecular weight of the crosslinking agent (B) having an epoxy group is 200 or more. エポキシ基を有する架橋剤(B)が、分子内に少なくとも2つ以上のエポキシ基を有するものである請求項1または2に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation sensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the crosslinking agent (B) having an epoxy group has at least two epoxy groups in the molecule. 感放射線化合物(D)が、光酸発生剤である請求項1〜3のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the radiation sensitive compound (D) is a photoacid generator. 光酸発生剤が、キノンジアジド化合物である請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation-sensitive resin composition according to claim 4, wherein the photoacid generator is a quinonediazide compound. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて形成してなる樹脂膜。   The resin film formed using the radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-5. 請求項6に記載の樹脂膜を用いた電子部品。   An electronic component using the resin film according to claim 6.
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012165448A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 日本ゼオン株式会社 Resin composition and semiconductor element substrate
JP2014224255A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 住友ベークライト株式会社 Photosensitive adhesive composition and semiconductor device
JP2014232233A (en) * 2013-05-29 2014-12-11 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition and electronic device
JP2015028608A (en) * 2013-06-28 2015-02-12 住友ベークライト株式会社 Negative photosensitive resin composition, cured film, electronic apparatus and polymer
JP2015054856A (en) * 2013-09-13 2015-03-23 四国化成工業株式会社 Glycidyl glycolurils and application thereof
JP2015059099A (en) * 2013-09-18 2015-03-30 四国化成工業株式会社 Mercaptoalkylglycolurils and use thereof
WO2015046522A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
JP2015094910A (en) * 2013-11-14 2015-05-18 日本ゼオン株式会社 Radiation-sensitive resin composition and laminate
JP2015108829A (en) * 2013-12-05 2015-06-11 奇美實業股▲ふん▼有限公司 Positive photosensitive resin composition, pattern forming method, thin film transistor array substrate, and liquid crystal display element
WO2016139989A1 (en) * 2015-03-04 2016-09-09 エア・ウォーター株式会社 Thermal-expansion adjusting agent, usage as thermal-expansion adjusting agent, thermosetting resin composition, insulating material, sealant, and conductive paste containing said thermosetting resin composition, hardened material obtained by hardening said thermosetting resin composition, substrate material having said thermosetting resin composition, prepreg in which base material thereof is impregnated with said thermosetting resin composition, member in which said thermosetting resin composition of said prepreg is hardened, thermal-expansion-rate adjusting method, and member manufactured by using said adjusting method
KR20160135122A (en) 2014-03-20 2016-11-24 제온 코포레이션 Radiation-sensitive resin composition and electronic component
JPWO2015029930A1 (en) * 2013-08-27 2017-03-02 日本ゼオン株式会社 Radiation sensitive resin composition, resin film and electronic component
WO2017038620A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 日本ゼオン株式会社 Resin composition
WO2017163981A1 (en) * 2016-03-23 2017-09-28 日本ゼオン株式会社 Resin composition, resin film, and electronic component
US9829791B2 (en) 2013-09-30 2017-11-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
JP2018097249A (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Dic株式会社 Production method of photosensitive resin composition for resist
CN111164512A (en) * 2017-09-29 2020-05-15 东丽株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, element provided with cured film, organic EL display, and method for manufacturing organic EL display
US10775697B2 (en) * 2014-04-22 2020-09-15 Zeon Corporation Radiation-sensitive resin composition, resin film, and electronic device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06136239A (en) * 1992-10-22 1994-05-17 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Radiation-sensitive resin composition for microlens
JP2002265876A (en) * 2001-03-15 2002-09-18 Jsr Corp Light diffuse reflecting film-forming composition and light diffuse reflecting film and liquid crystal display element
WO2004079454A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-16 Asahi Glass Company Limited Photosensitive resin composition and cured coating film
JP2009047761A (en) * 2007-08-14 2009-03-05 Jsr Corp Positive photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and circuit board

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06136239A (en) * 1992-10-22 1994-05-17 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Radiation-sensitive resin composition for microlens
JP2002265876A (en) * 2001-03-15 2002-09-18 Jsr Corp Light diffuse reflecting film-forming composition and light diffuse reflecting film and liquid crystal display element
WO2004079454A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-16 Asahi Glass Company Limited Photosensitive resin composition and cured coating film
JP2009047761A (en) * 2007-08-14 2009-03-05 Jsr Corp Positive photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and circuit board

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012165448A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 日本ゼオン株式会社 Resin composition and semiconductor element substrate
CN103562796A (en) * 2011-06-01 2014-02-05 日本瑞翁株式会社 Resin composition and semiconductor element substrate
JPWO2012165448A1 (en) * 2011-06-01 2015-02-23 日本ゼオン株式会社 Resin composition and semiconductor element substrate
JP2014224255A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 住友ベークライト株式会社 Photosensitive adhesive composition and semiconductor device
JP2014232233A (en) * 2013-05-29 2014-12-11 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition and electronic device
CN104216222A (en) * 2013-05-29 2014-12-17 住友电木株式会社 Photosensitive resin composition and electronic device
JP2015028608A (en) * 2013-06-28 2015-02-12 住友ベークライト株式会社 Negative photosensitive resin composition, cured film, electronic apparatus and polymer
JPWO2015029930A1 (en) * 2013-08-27 2017-03-02 日本ゼオン株式会社 Radiation sensitive resin composition, resin film and electronic component
JP2015054856A (en) * 2013-09-13 2015-03-23 四国化成工業株式会社 Glycidyl glycolurils and application thereof
JP2015059099A (en) * 2013-09-18 2015-03-30 四国化成工業株式会社 Mercaptoalkylglycolurils and use thereof
JPWO2015046522A1 (en) * 2013-09-30 2017-03-09 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device, and method for forming resist pattern
WO2015046522A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
KR20160060031A (en) * 2013-09-30 2016-05-27 히타치가세이가부시끼가이샤 Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
KR102442750B1 (en) * 2013-09-30 2022-09-14 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
US9829791B2 (en) 2013-09-30 2017-11-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
US9841678B2 (en) 2013-09-30 2017-12-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive element, semiconductor device and method for forming resist pattern
JP2015094910A (en) * 2013-11-14 2015-05-18 日本ゼオン株式会社 Radiation-sensitive resin composition and laminate
JP2015108829A (en) * 2013-12-05 2015-06-11 奇美實業股▲ふん▼有限公司 Positive photosensitive resin composition, pattern forming method, thin film transistor array substrate, and liquid crystal display element
US10025182B2 (en) 2014-03-20 2018-07-17 Zeon Corporation Radiation-sensitive resin composition and electronic device
KR20160135122A (en) 2014-03-20 2016-11-24 제온 코포레이션 Radiation-sensitive resin composition and electronic component
US10775697B2 (en) * 2014-04-22 2020-09-15 Zeon Corporation Radiation-sensitive resin composition, resin film, and electronic device
US20180030242A1 (en) 2015-03-04 2018-02-01 Air Water Inc. Thermal expandability adjuster, use as thermal expandability adjuster, thermoset resin composition, insulating material, sealing material and conductive paste each containing thermoset resin composition, cured products, prepreg and member obtained by curing thermoset resin composition of prepreg, method of adjusting thermal expansion rate, and member manufactured using method of adjusting
JPWO2016139989A1 (en) * 2015-03-04 2017-12-07 エア・ウォーター株式会社 Thermal expansion regulator, use as a thermal expansion regulator, thermosetting resin composition, insulating material containing the thermosetting resin composition, sealant and conductive paste, thermosetting resin composition Cured cured product, substrate material having the thermosetting resin composition, prepreg impregnated with the thermosetting resin composition in a base material, member obtained by curing the thermosetting resin composition of the prepreg, heat Method of adjusting expansion coefficient, and member manufactured using the adjusting method
CN107614564A (en) * 2015-03-04 2018-01-19 爱沃特株式会社 Thermal expansivity regulator, the purposes as thermal expansivity regulator, thermosetting resin composition
KR20170124537A (en) * 2015-03-04 2017-11-10 에아.워타 가부시키가이샤 A thermosetting resin composition, an insulating material containing the thermosetting resin composition, a sealing agent and a conductive paste, a cured product obtained by curing the thermosetting resin composition, a substrate material having the thermosetting resin composition, a thermosetting resin composition containing the thermosetting resin composition, A prepreg obtained by impregnating a resin composition with a substrate, a member obtained by curing a thermosetting resin composition of the prepreg, a method of adjusting a thermal expansion rate, and a member produced by using the method
US10400086B2 (en) 2015-03-04 2019-09-03 Air Water Inc. Thermal expandability adjuster, use as thermal expandability adjuster, thermoset resin composition, insulating material, sealing material and conductive paste each containing thermoset resin composition, cured products, prepreg and member obtained by curing thermoset resin composition of prepreg, method of adjusting thermal expansion rate, and member manufactured using method of adjusting
WO2016139989A1 (en) * 2015-03-04 2016-09-09 エア・ウォーター株式会社 Thermal-expansion adjusting agent, usage as thermal-expansion adjusting agent, thermosetting resin composition, insulating material, sealant, and conductive paste containing said thermosetting resin composition, hardened material obtained by hardening said thermosetting resin composition, substrate material having said thermosetting resin composition, prepreg in which base material thereof is impregnated with said thermosetting resin composition, member in which said thermosetting resin composition of said prepreg is hardened, thermal-expansion-rate adjusting method, and member manufactured by using said adjusting method
KR102467317B1 (en) 2015-03-04 2022-11-16 에아.워타 가부시키가이샤 Thermal expansion modifier, use as a thermal expansion regulator, thermosetting resin composition, insulating material containing the thermosetting resin composition, encapsulant and conductive paste, cured product obtained by curing the thermosetting resin composition, substrate material having the thermosetting resin composition, the thermosetting agent A prepreg in which a substrate is impregnated with a resin composition, a member obtained by curing the thermosetting resin composition of the prepreg, a method for adjusting the thermal expansion coefficient, and a member manufactured using the adjusting method
WO2017038620A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 日本ゼオン株式会社 Resin composition
WO2017163981A1 (en) * 2016-03-23 2017-09-28 日本ゼオン株式会社 Resin composition, resin film, and electronic component
KR20180127340A (en) 2016-03-23 2018-11-28 니폰 제온 가부시키가이샤 Resin composition, resin film, and electronic parts
JP2018097249A (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Dic株式会社 Production method of photosensitive resin composition for resist
CN111164512A (en) * 2017-09-29 2020-05-15 东丽株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, element provided with cured film, organic EL display, and method for manufacturing organic EL display

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