JP2010216937A - Measurement device and measurement method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely measure deflection characteristics of a mirror system capable of changing the tilting of a mirror surface, in a short time. <P>SOLUTION: The measurement device includes a measurement light source 14 for irradiating the mirror surface with a measurement light; a concave surface projection section 20-1 including the projection surface 20a-1 of a concave surface shape, reflecting the light obtained by reflecting the measurement light emitted from the measurement light source 14 by the mirror surface; a light-receiving section 191 receiving the reflected light in the projection surface of the concave surface projection section 20-1; and a measurement section 104 measuring the characteristics of a mirror system, on the basis of the light received by the light receiving section 191. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ミラー面の傾きが変更可能に構成されたミラーシステムの特性を測定する測定方法に関し、特に、ミラー面から反射された反射光に基づくミラーシステムの偏向特性の測定に用いて好適な技術に関する。   The present invention relates to a measurement method for measuring the characteristics of a mirror system configured so that the tilt of the mirror surface can be changed, and is particularly suitable for measuring the deflection characteristics of a mirror system based on reflected light reflected from the mirror surface. Regarding technology.

近年、例えば、光ファイバを用いた通信分野において、光ファイバ網を流れる光信号を別の光ファイバ網に切り換える場合等に、光信号の経路を光のまま切り換えることが可能な光スイッチが用いられている。この光スイッチとして、光信号を反射させることにより光信号の伝搬方向を変えるミラーをそなえ、このミラーのミラー面の偏向角度(傾き)を制御することで立体的に光信号の切り換えを実現するミラーシステムが一般的に用いられている。又、このミラーシステムは、光スイッチの他、ミラーをアレイ状に配置し、入射する光をミラーアレイによって走査する装置にも用いられている。   In recent years, for example, in an optical fiber communication field, when an optical signal flowing through an optical fiber network is switched to another optical fiber network, an optical switch capable of switching an optical signal path as light is used. ing. This optical switch has a mirror that changes the propagation direction of the optical signal by reflecting the optical signal, and the mirror that realizes the three-dimensional switching of the optical signal by controlling the deflection angle (tilt) of the mirror surface of this mirror Systems are commonly used. In addition to the optical switch, this mirror system is also used in an apparatus in which mirrors are arranged in an array and incident light is scanned by the mirror array.

ミラーシステムとしては、例えば、下記特許文献1に示すような静電力を利用してミラー面の偏向角度を制御するMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラーや、モータの軸にミラー面が取り付けられ、電磁力を利用してモータを駆動させることによりモータの軸に取り付けられたミラー面の偏向角度を制御するガルバノミラーが知られている。   As the mirror system, for example, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) mirror that controls the deflection angle of the mirror surface by using an electrostatic force as shown in Patent Document 1 below, or a mirror surface is attached to the shaft of a motor. A galvanometer mirror is known that controls the deflection angle of a mirror surface attached to the shaft of a motor by driving the motor using force.

図37はMEMSミラーの構成例を模式的に示す図である。MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラー70は、例えば、この図37に示すように、ミラー面71,内側フレーム72,外側フレーム73,第1トーションバー74,74および第2トーションバー75,75をそなえて構成されており、第1トーションバー74,74が、矩形状のミラー面71における対向する1対の辺の各中央位置において当該辺と直交するように、X軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。又、MEMSミラー70においては、第2トーションバー75,75が、矩形状の内側フレーム72における対向する1対の辺の各中央位置において当該辺と直交するように、X軸方向に直交するY軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。そして、ミラー面71は、X軸まわりに回動可能となるように第1トーションバー74,74を介して内側フレーム72に取り付けられており、更に、この内側フレーム72がミラー面71とともにY軸まわりに回動可能となるように第2トーションバー75,75を介して外側フレーム73に取り付けられている。   FIG. 37 is a diagram schematically illustrating a configuration example of a MEMS mirror. A MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) mirror 70 includes, for example, a mirror surface 71, an inner frame 72, an outer frame 73, first torsion bars 74 and 74, and second torsion bars 75 and 75 as shown in FIG. The first torsion bars 74 and 74 are respectively arranged along the X-axis direction so as to be orthogonal to the corresponding sides at the center positions of a pair of opposing sides on the rectangular mirror surface 71. ing. In the MEMS mirror 70, the second torsion bars 75, 75 are orthogonal to the X-axis direction so that the second torsion bars 75, 75 are orthogonal to the sides at the center positions of the pair of opposing sides in the rectangular inner frame 72. They are arranged along the axial direction. The mirror surface 71 is attached to the inner frame 72 via the first torsion bars 74 and 74 so as to be rotatable about the X axis. Further, the inner frame 72 together with the mirror surface 71 is attached to the Y axis. It is attached to the outer frame 73 via the second torsion bars 75 and 75 so as to be rotatable around.

また、MEMSミラー70には、電圧が入力されることによって静電力を発生させる駆動回路(図示省略)がそなえられており、この静電力に応じた第1トーションバー74,74または第2トーションバー75,75のねじれ作用により、ミラー面71の偏向角度を自在に変更することができるようになっている。
上述したMEMSミラー70等のミラーシステムは、電圧を入力することによって偏向角度が制御されるようになっており、入力電圧に対するミラーシステムの偏向特性(最大偏向角度,所定の電圧を入力した場合の偏向角度,入力電圧を所定の振動周波数により変化させた場合の偏向速度および共振点等)に個体差が生じる場合がある。例えば、同一構成の複数のミラーシステムに同一の電圧を入力した場合であっても、偏向角度や共振点が異なったり、電圧の入力に対する偏向速度が異なったりすることがあるので、製造時においてミラーシステムの偏向特性を個別に測定し、この測定結果に基づいてミラーシステムを動作させるための電圧設定値を補正する工程が必要である。
The MEMS mirror 70 is provided with a drive circuit (not shown) that generates an electrostatic force when a voltage is input. The first torsion bars 74 and 74 or the second torsion bar corresponding to the electrostatic force are provided. By the twisting action of 75 and 75, the deflection angle of the mirror surface 71 can be freely changed.
In the mirror system such as the MEMS mirror 70 described above, the deflection angle is controlled by inputting a voltage, and the deflection characteristic of the mirror system with respect to the input voltage (maximum deflection angle, when a predetermined voltage is input). In some cases, individual differences may occur in the deflection angle and the resonance point when the deflection angle and input voltage are changed at a predetermined vibration frequency. For example, even when the same voltage is input to a plurality of mirror systems having the same configuration, the deflection angle and the resonance point may be different or the deflection speed with respect to the input of the voltage may be different. A step of individually measuring the deflection characteristics of the system and correcting a voltage setting value for operating the mirror system based on the measurement result is necessary.

一般に、ミラーシステムの偏向特性の測定は、ミラー面から反射される反射光(以下、
単に反射光という)に基づいて行なわれ、従来の手法としては、PSD(Position Sensitive Device)素子を用いて反射光の強度や位置を測定する手法(PSD手法)や、レー
ザードップラー振動系を用いて反射光の干渉を測定する手法(レーザードップラー振動系手法)等が知られている。
In general, the measurement of the deflection characteristics of a mirror system is performed by reflecting light reflected from the mirror surface (hereinafter referred to as
As a conventional method, a method for measuring the intensity and position of reflected light using a PSD (Position Sensitive Device) element (PSD method) or a laser Doppler vibration system is used. A method of measuring interference of reflected light (laser Doppler vibration system method) and the like are known.

図38,図39は従来の測定装置の構成例を模式的に示す図である。PSD手法を用いた測定装置80は、例えば、図38に示すように、ミラー面71に測定光81を照射する測定用光源82と、測定用光源82から照射された測定光81がミラー面71で反射することにより形成された反射光83を受光するPSD素子84とをそなえて構成されている。そして、PSD素子84が反射光83を受光することにより、反射光83の強度や、PSD素子84への入射位置等の測定結果を電圧(アナログ信号)としてコンピュータ等の評価装置(図示省略)に出力されるようになっている。このような測定装置においては、ミラーシステムに対して入力された入力電圧(電圧値,振動周波数等)とPSD素子84における反射光の測定結果とに基づいてミラーシステムの偏向特性を評価するようになっている。   38 and 39 are diagrams schematically showing a configuration example of a conventional measuring apparatus. For example, as shown in FIG. 38, the measuring device 80 using the PSD method includes a measurement light source 82 that irradiates the mirror surface 71 with measurement light 81, and the measurement light 81 emitted from the measurement light source 82 includes the mirror surface 71. And a PSD element 84 that receives the reflected light 83 formed by reflecting the light. Then, when the PSD element 84 receives the reflected light 83, the measurement result of the intensity of the reflected light 83, the incident position on the PSD element 84, etc. is used as a voltage (analog signal) to an evaluation device (not shown) such as a computer. It is output. In such a measuring apparatus, the deflection characteristics of the mirror system are evaluated based on the input voltage (voltage value, vibration frequency, etc.) input to the mirror system and the measurement result of the reflected light from the PSD element 84. It has become.

また、他の従来の測定手法として、図39に示すように、図38に示した従来手法におけるPSD素子84に代えて投射スクリーン85と撮像部88とをそなえ、投射スクリーン85に投射された反射光を撮像部88に撮影する手法が知られている(下記特許文献2,3参照)。   As another conventional measurement technique, as shown in FIG. 39, a projection screen 85 and an imaging unit 88 are provided instead of the PSD element 84 in the conventional technique shown in FIG. There is known a technique for photographing light onto the imaging unit 88 (see Patent Documents 2 and 3 below).

特開2005−283932号公報JP 2005-283932 A 特開2008−82873号公報JP 2008-82873 A 特開2008−82874号公報JP 2008-82874 A

ところで、例えば、ミラーシステムの製造時にかかる測定に際して、測定した結果を用いてミラーシステムの特性補正を動的に行なう場合があり、このような場合にはミラーシステムの偏向特性を短時間かつ正確に測定することが要求されている。
しかしながら、上述したPSD手法においては、PSD素子84が反射光83の位置情報をアナログ信号として出力するようになっているので、位置情報の信頼性(安定性)が低く、精度の高い測定が困難であるという課題がある。
By the way, for example, in the measurement at the time of manufacturing the mirror system, the characteristic correction of the mirror system may be dynamically performed using the measurement result. In such a case, the deflection characteristic of the mirror system is accurately set in a short time. It is required to measure.
However, in the PSD method described above, the PSD element 84 outputs the position information of the reflected light 83 as an analog signal, so the reliability (stability) of the position information is low and high-precision measurement is difficult. There is a problem of being.

また、ミラーシステム70の外側に保護用のカバーガラスが設けられている場合には、PSD素子84がミラー面71からの反射光83だけでなく、カバーガラスの表面および裏面からの反射光も受光する場合もある。PSD素子84においては、このように同時に複数の入力光を受光した場合には正確に測定することができないという課題がある。又、ミラー面71からの反射光の形状変化が誤差となり正確な偏向角度の測定を行なうことができないという課題もある。   When a protective cover glass is provided outside the mirror system 70, the PSD element 84 receives not only the reflected light 83 from the mirror surface 71 but also the reflected light from the front and back surfaces of the cover glass. There is also a case. The PSD element 84 has a problem that accurate measurement cannot be performed when a plurality of input lights are simultaneously received. Another problem is that the change in the shape of the reflected light from the mirror surface 71 becomes an error, making it impossible to accurately measure the deflection angle.

一方、投射スクリーン85に投射された反射光を撮像部88による撮像する従来手法においては、被測定偏向ミラーの偏向角が大きくなると、投射スクリーン85上における光点の輝度値が大きく減少し測定精度が低下するおそれがある。
本件の目的の一つは、このような課題に鑑み創案されたもので、ミラー面の傾きが変更可能に構成されたミラーシステムの偏向特性を短時間かつ高精度に測定できるようにすることである。
On the other hand, in the conventional method in which the reflected light projected on the projection screen 85 is imaged by the imaging unit 88, when the deflection angle of the deflection mirror to be measured increases, the luminance value of the light spot on the projection screen 85 greatly decreases and the measurement accuracy increases. May decrease.
One of the purposes of this case was created in view of such a problem, and it is possible to measure the deflection characteristics of a mirror system configured so that the tilt of the mirror surface can be changed in a short time and with high accuracy. is there.

このため、この測定装置は、ミラー面の傾きが変更可能なミラーシステムの特性を測定する測定装置であって、該ミラー面に測定光を照射する測定用光源と、該測定用光源から照射された該測定光が該ミラー面で反射された光を反射する凹面形状の投射面を備えた凹面投射部と、凹面投射部の投射面において反射された光を受光する受光部と、該受光部が受光した光を元に該ミラーシステムの特性を測定する測定部とを有するものである。   For this reason, this measuring device is a measuring device for measuring the characteristics of a mirror system in which the tilt of the mirror surface can be changed, and the measuring light source irradiates the mirror surface with the measuring light, and is irradiated from the measuring light source. A concave projection unit having a concave projection surface for reflecting the light reflected by the mirror surface, a light receiving unit for receiving the light reflected on the projection surface of the concave projection unit, and the light receiving unit. And a measuring unit for measuring the characteristics of the mirror system based on the received light.

また、この測定方法は、ミラー面の傾きが変更可能に構成されたミラーシステムの特性を測定する測定方法であって、該ミラー面に測定光を照射する照射ステップと、該照射ステップにおいて照射された該測定光を該ミラー面で反射した反射光を、凹面形状の投射面をそなえた凹面投射部の該投射面に照射して反射させる反射ステップと、該反射ステップにおいて反射された反射光を受光する受光ステップと、該受光ステップが受光した光を元に該ミラーシステムの特性を測定する測定ステップとをそなえるものである。   In addition, this measurement method is a measurement method for measuring the characteristics of a mirror system configured so that the tilt of the mirror surface can be changed. The irradiation step irradiates the mirror surface with measurement light, and the irradiation is performed in the irradiation step. The reflection step of reflecting the measurement light reflected by the mirror surface to the projection surface of the concave projection unit having a concave projection surface and reflecting the reflected light, and the reflected light reflected in the reflection step A light receiving step for receiving light and a measurement step for measuring the characteristics of the mirror system based on the light received by the light receiving step are provided.

開示の測定装置および測定方法によれば、ミラーシステムの特性を容易且つ高精度で測定することができるという利点がある。   The disclosed measuring apparatus and measuring method have the advantage that the characteristics of the mirror system can be measured easily and with high accuracy.

第1実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the measuring apparatus as an example of 1st Embodiment. MEMSミラーの構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the structural example of a MEMS mirror. 第1実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 1st Embodiment. 第1実施形態の一例としての測定装置における基準情報を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the reference | standard information in the measuring apparatus as an example of 1st Embodiment. 第1実施形態の一例としての測定装置における基準情報を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the reference | standard information in the measuring apparatus as an example of 1st Embodiment. 第1実施形態の一例としての測定装置における基準情報を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the reference | standard information in the measuring apparatus as an example of 1st Embodiment. 第1実施形態に係る測定装置における測定手順の一例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an example of the measurement procedure in the measuring apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the measuring apparatus as an example of 2nd Embodiment. 第2実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 2nd Embodiment. 第3実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the measuring apparatus as an example of 3rd Embodiment. 第3実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 3rd Embodiment. 第3実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 3rd Embodiment. (a)〜(c)は本第3実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの投射面に形成された突起を模式的に示す図である。(A)-(c) is a figure which shows typically the processus | protrusion formed in the projection surface of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of this 3rd Embodiment. 第3実施形態の一例としての測定装置における基準情報を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the reference | standard information in the measuring apparatus as an example of 3rd Embodiment. 第4実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the measuring apparatus as an example of 4th Embodiment. 第4実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 4th Embodiment. 第4実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 4th Embodiment. 第4実施形態の一例としての測定装置における検知光量の出力例を示す図である。It is a figure which shows the output example of the detected light quantity in the measuring apparatus as an example of 4th Embodiment. 第4実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの第1の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st modification of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 4th Embodiment. (a)〜(c)は第4実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの第1の変形例を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the 1st modification of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 4th Embodiment. 第4実施形態の第2変形例としての測定装置のドーム型反射ミラーの部分拡大である。It is the partial expansion of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus as a 2nd modification of 4th Embodiment. 第4実施形態の第2変形例としての測定装置の検知光量の出力例を示す図である。It is a figure which shows the output example of the detected light quantity of the measuring apparatus as a 2nd modification of 4th Embodiment. 第5実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the measuring apparatus as an example of 5th Embodiment. 第5実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 5th Embodiment. 第5実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 5th Embodiment. 第5実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 5th Embodiment. 第5実施形態の一例としての測定装置における検知光量の出力例を示す図である。It is a figure which shows the output example of the detected light quantity in the measuring apparatus as an example of 5th Embodiment. 第5実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 5th Embodiment. 第5実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 5th Embodiment. 第5実施形態の変形例としてのドーム型反射ミラーの形状を模式的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows typically the shape of the dome shape reflective mirror as a modification of 5th Embodiment. (a)〜(c)第5実施形態の変形例としての測定装置における検知光量の出力例を示す図である。(A)-(c) It is a figure which shows the output example of the detected light quantity in the measuring apparatus as a modification of 5th Embodiment. 第6実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the measuring apparatus as an example of 6th Embodiment. 第6実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 6th Embodiment. 第6実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 6th Embodiment. 第6実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the dome shape reflective mirror of the measuring apparatus of 6th Embodiment. 第3実施形態の測定装置の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the measuring apparatus of 3rd Embodiment. MEMSミラーの構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of a MEMS mirror. 従来の測定装置の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of the conventional measuring apparatus. 従来の測定装置の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of the conventional measuring apparatus.

以下、図面を参照して本測定装置および測定方法に係る実施の形態を説明する。
〔1〕第1実施形態の説明
図1は第1実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図、図2はその測定対象であるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラーの構成例を模式的に示す斜視図である。
Embodiments according to the present measurement apparatus and measurement method will be described below with reference to the drawings.
[1] Description of First Embodiment FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of a measurement apparatus as an example of the first embodiment, and FIG. 2 is a configuration example of a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) mirror that is a measurement target. FIG.

本第1実施形態にかかる測定装置10−1は、ミラー面11の偏向角度(傾き)が変更可能に構成されたMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラー(ミラーシステム)12の偏向特性を測定するための装置である。又、偏向特性とは、例えば、最大偏向角度,所定の電圧を入力した場合の偏向角度,入力電圧を所定の振動周波数により変化させた場合の偏向速度および共振点等である。   The measuring apparatus 10-1 according to the first embodiment measures the deflection characteristics of a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) mirror (mirror system) 12 configured so that the deflection angle (tilt) of the mirror surface 11 can be changed. It is a device. The deflection characteristics include, for example, a maximum deflection angle, a deflection angle when a predetermined voltage is input, a deflection speed and a resonance point when the input voltage is changed at a predetermined vibration frequency.

この測定装置10−1は、図1に示すように、測定用光源14,管理部16−1,ハーフミラー17,ピンホール18,光量検知器191,192,偏向ミラー駆動部27およびドーム型反射ミラー(凹面投射部)20−1をそなえて構成されている。
ここで、MEMSミラー(被測定偏向ミラー)12は、例えば、ミラー面11の偏向角度(傾き)を制御することで立体的に光信号の切り換えを実現する光スイッチに用いるものである。このMEMSミラー12は、例えば、図2に示すように、ミラー面11,内側フレーム23,外側フレーム24,第1トーションバー(回転軸)25,25および第2トーションバー(回転軸)26,26をそなえて構成されている。
As shown in FIG. 1, the measuring apparatus 10-1 includes a measuring light source 14, a management unit 16-1, a half mirror 17, a pinhole 18, light amount detectors 191, 192, a deflection mirror driving unit 27, and a dome-shaped reflection. A mirror (concave projection portion) 20-1 is provided.
Here, the MEMS mirror (measurement deflection mirror) 12 is used, for example, as an optical switch that realizes three-dimensional switching of optical signals by controlling the deflection angle (tilt) of the mirror surface 11. For example, as shown in FIG. 2, the MEMS mirror 12 includes a mirror surface 11, an inner frame 23, an outer frame 24, first torsion bars (rotating shafts) 25 and 25, and second torsion bars (rotating shafts) 26 and 26. Is configured.

MEMSミラー12においては、第1トーションバー25,25が、矩形状のミラー面11における対向する1対の辺の各中央位置において当該辺と直交するように、X軸方向にそれぞれ沿って配置されている。又、MEMSミラー12においては、第2トーションバー26,26が、矩形状の内側フレーム23における対向する1対の辺の各中央位置において当該辺と直交するように、X軸方向に直交するY軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。そして、ミラー面11は、X軸まわりに回動可能となるように第1トーションバー25,25を介して内側フレーム23に取り付けられ、更に、この内側フレーム23がミラー面11とともにY軸まわりに回動可能となるように第2トーションバー26,26を介して外側フレーム24に取り付けられている。   In the MEMS mirror 12, the first torsion bars 25, 25 are arranged along the X-axis direction so as to be orthogonal to the sides at the center positions of a pair of opposing sides on the rectangular mirror surface 11. ing. In the MEMS mirror 12, the second torsion bars 26, 26 are orthogonal to the X-axis direction so that the second torsion bars 26, 26 are orthogonal to the sides at the center positions of the pair of opposing sides in the rectangular inner frame 23. They are arranged along the axial direction. The mirror surface 11 is attached to the inner frame 23 via the first torsion bars 25 and 25 so as to be rotatable about the X axis. Further, the inner frame 23 together with the mirror surface 11 is about the Y axis. It is attached to the outer frame 24 via the second torsion bars 26 and 26 so as to be rotatable.

また、MEMSミラー12には、後述する偏向ミラー駆動部27が接続されるようになっており、MEMSミラー12においては、この偏向ミラー駆動部27から入力される制御信号(静電力)に応じた第1トーションバー25,25または第2トーションバー26,26のねじれ作用により、ミラー面11の偏向角度を自在に変更することができるようになっている。   Further, the MEMS mirror 12 is connected to a deflection mirror drive unit 27 to be described later. The MEMS mirror 12 corresponds to a control signal (electrostatic force) input from the deflection mirror drive unit 27. The deflection angle of the mirror surface 11 can be freely changed by the twisting action of the first torsion bars 25, 25 or the second torsion bars 26, 26.

また、以下、第1トーションバー25,25および第2トーションバー26,26のことを、便宜上、単にトーションバーという場合もある。又、このMEMSミラー12は、上述した光スイッチの他、ミラーをアレイ状に配置し、入射する光をミラーアレイによって走査する装置にも用いることができる。
本実施形態においては、上述の如くX軸まわりとY軸まわりとの2つの軸まわりでミラー面11を回動可能なMEMSミラー12において、いずれかひとつの軸まわりについての偏向特性を測定する手法について説明するものとし、例えば、Y軸まわりでミラー面11を回動させる場合での偏向特性を測定する場合について説明する。
Hereinafter, the first torsion bars 25 and 25 and the second torsion bars 26 and 26 may be simply referred to as a torsion bar for convenience. In addition to the optical switch described above, the MEMS mirror 12 can also be used in an apparatus in which mirrors are arranged in an array and incident light is scanned by the mirror array.
In the present embodiment, as described above, in the MEMS mirror 12 that can rotate the mirror surface 11 around the two axes of the X axis and the Y axis, the deflection characteristic about any one of the axes is measured. For example, a case where the deflection characteristic is measured when the mirror surface 11 is rotated around the Y axis will be described.

また、以下、MEMSミラー12において、ミラー面11の回転軸X,Yが、ミラー面11上にあるものとして取り扱う。又、以下、ミラー面11の回転軸という場合には、ミラー面11の表面の回転軸Yのことをいう。
本測定装置10−1においては、測定対象のMEMSミラー(被測定ミラー)12を図示しないステージ上に載置することより、MEMSミラー12の位置決めが行なわれるようになっている。
Hereinafter, in the MEMS mirror 12, the rotation axes X and Y of the mirror surface 11 are handled as being on the mirror surface 11. Also, hereinafter, the rotation axis of the mirror surface 11 refers to the rotation axis Y of the surface of the mirror surface 11.
In the measurement apparatus 10-1, the MEMS mirror 12 is positioned by placing the MEMS mirror 12 (measurement mirror) 12 to be measured on a stage (not shown).

測定用光源14は、ミラー面11に所定波長λの測定光28を照射するものであって、測定光28をミラー面11に対して出力する既知の種々の手法により実現するようになっている。なお、測定光28としては、例えばレーザ光を用いることができ、その場合には測定用光源14としてレーザ光発生装置が用いられる。
また、測定用光源14は、開閉動作により測定光28を任意に遮断可能なシャッタ(遮光装置;図示省略)や、測定光28の強度やサイズ(光径)を調節することができる光量調節器(調節レンズ;図示省略)をそなえて構成され、これらのシャッタや光量調節器により出力される測定光28を制御するようになっている。なお、測定用光源14は、後述する測定制御部104からの信号が入力されることにより、シャッタの開閉動作を行なうようになっている。
The measurement light source 14 irradiates the mirror surface 11 with measurement light 28 having a predetermined wavelength λ, and is realized by various known methods for outputting the measurement light 28 to the mirror surface 11. . For example, laser light can be used as the measurement light 28, and in this case, a laser light generator is used as the measurement light source 14.
The measurement light source 14 includes a shutter (light-shielding device; not shown) that can arbitrarily block the measurement light 28 by an opening / closing operation, and a light amount adjuster that can adjust the intensity and size (light diameter) of the measurement light 28. (Adjustment lens; not shown) is configured to control the measurement light 28 output from these shutters and light quantity adjusters. The measurement light source 14 is configured to open and close the shutter when a signal from the measurement control unit 104 described later is input.

ハーフミラー17は、入射された光の一部を透過させるとともに、入射された光の一部反射させることにより、入射光を2方向に分割するビームスプリッタである。本実施形態においては、測定用光源14から出力された測定光28の一部がこのハーフミラー17に入射されるようになっており、この測定光28の一部を反射させて光量検知器192に入射させるとともに、測定光28の残りを透過させるようになっている。又、本実施形態においては、ハーフミラー17は、入射された測定光28を1:1の割合で反射光と透過光とに分割するようになっている。   The half mirror 17 is a beam splitter that divides incident light in two directions by transmitting a part of the incident light and reflecting a part of the incident light. In the present embodiment, a part of the measurement light 28 output from the measurement light source 14 is incident on the half mirror 17, and a part of the measurement light 28 is reflected to detect the light amount detector 192. And the remainder of the measurement light 28 is transmitted. In the present embodiment, the half mirror 17 divides the incident measurement light 28 into reflected light and transmitted light at a ratio of 1: 1.

また、ハーフミラー17には、後述の如く、ドーム型反射ミラー20−1から反射された第2反射光30がMEMSミラー12のミラー面11において反射することにより生成された第3反射光31が、上述した測定光28が入射される面とは反対側の面に入射されるようになっている。そして、ハーフミラー17は、この入射された第3反射光31の一部(半分)を反射させて、光量検知器191に入射させるようになっている。   Further, as will be described later, third reflected light 31 generated by reflecting the second reflected light 30 reflected from the dome-shaped reflecting mirror 20-1 on the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 is reflected on the half mirror 17. The measurement light 28 is incident on a surface opposite to the surface on which the measurement light 28 is incident. The half mirror 17 reflects a part (half) of the incident third reflected light 31 so as to enter the light amount detector 191.

すなわち、図1に示す例においては、測定用光源14から射出された測定光28の光軸上に、測定用光源14にほぼ45度の角度で対向するようにハーフミラー17が配設されている。又、このハーフミラー17によって反射された測定光28の光軸上には、光量検知器192が配置されている。この光量検知器192は、ハーフミラー17とほぼ45度の角度で対向するように、そのセンサ部(図示省略)をハーフミラー17に向けて配置されている。更に、光量検知器192に対して、ハーフミラー17を挟んで対向する位置には光量検知器191が配置されている。   That is, in the example shown in FIG. 1, the half mirror 17 is disposed on the optical axis of the measurement light 28 emitted from the measurement light source 14 so as to face the measurement light source 14 at an angle of approximately 45 degrees. Yes. A light amount detector 192 is disposed on the optical axis of the measurement light 28 reflected by the half mirror 17. The light amount detector 192 is arranged with its sensor portion (not shown) facing the half mirror 17 so as to face the half mirror 17 at an angle of approximately 45 degrees. Further, a light amount detector 191 is disposed at a position facing the light amount detector 192 across the half mirror 17.

ピンホール18は、例えば、板状の部材に光が通過する所定サイズの孔を形成することにより構成され、照射される光の一部だけを通過させるものである。又、ピンホール18は、測定用光源14から出力される測定光28や後述する第3反射光31の光軸上に配置されている。
また、測定用光源14から出力された測定光28は、ピンホール18を通過してミラー面11の回転軸上に照射されるようになっている。なお、以下、ミラー面11における、測定用光源14から照射された測定光28が照射された位置を第1反射点という場合がある。
The pinhole 18 is configured, for example, by forming a hole of a predetermined size through which light passes through a plate-like member, and allows only a part of the irradiated light to pass therethrough. The pinhole 18 is disposed on the optical axis of the measurement light 28 output from the measurement light source 14 and the third reflected light 31 described later.
Further, the measurement light 28 output from the measurement light source 14 passes through the pinhole 18 and is irradiated onto the rotation axis of the mirror surface 11. Hereinafter, the position of the mirror surface 11 irradiated with the measurement light 28 emitted from the measurement light source 14 may be referred to as a first reflection point.

偏向ミラー駆動部27は、測定制御部104から入力される制御情報(電圧信号)に基づいて、その電圧信号に応じた駆動電圧(制御信号)を発生させるものである。そして、本測定装置10−1においては、偏向ミラー駆動部27が上述した測定制御部104からの制御情報に応じた制御信号を出力することにより、MEMSミラー12がその回転軸まわりに回動(偏向)するようになっている。   Based on the control information (voltage signal) input from the measurement control unit 104, the deflection mirror drive unit 27 generates a drive voltage (control signal) corresponding to the voltage signal. In the measurement apparatus 10-1, the deflection mirror drive unit 27 outputs a control signal corresponding to the control information from the measurement control unit 104 described above, so that the MEMS mirror 12 rotates around its rotation axis ( Deflection).

ドーム型反射ミラー(凹面投射部)20−1は、凹面形状の投射面20a−1をそなえ、測定用光源14から照射された測定光28がミラー面11で反射することにより形成された第1反射光(第1の反射光)29がこの投射面20a−1に投射光点として照射されるように配置されている。
図3は本第1実施形態の測定装置のドーム型反射ミラー20−1の配置状態を模式的に示す斜視図である。なお、この図3においては、便宜上、ミラー面11,ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1,測定光28および第1反射光29のみを示している。又、投射面20a−1をそのミラー面11と対向する側とは反対側から図示している。
The dome-shaped reflection mirror (concave projection portion) 20-1 includes a projection surface 20a-1 having a concave shape, and is formed by reflecting the measurement light 28 emitted from the measurement light source 14 on the mirror surface 11. The reflected light (first reflected light) 29 is disposed so as to irradiate the projection surface 20a-1 as a projection light spot.
FIG. 3 is a perspective view schematically showing an arrangement state of the dome-shaped reflection mirror 20-1 of the measuring apparatus according to the first embodiment. In FIG. 3, only the mirror surface 11, the projection surface 20 a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1, the measurement light 28, and the first reflected light 29 are shown for convenience. Further, the projection surface 20a-1 is illustrated from the side opposite to the side facing the mirror surface 11.

ドーム型反射ミラー20−1は、図3に示すように、矩形の板状部材を一方の面の側に一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえている。そして、このドーム型反射ミラー20−1は円弧の内側面、すなわち投射面20a−1をミラー面11に対向するように配置されており、ミラー面11において測定光28が反射することにより作成された第1反射光29が、この投射面20a−1に照射されるようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−1における円弧の内側面が、第1反射光29が投射光点として照射される投射面20a−1として機能するようになっている。   As shown in FIG. 3, the dome-shaped reflection mirror 20-1 is configured such that a rectangular plate-like member is curved on one surface side with a constant arc so that it is curved in one direction. It has a shape. The dome-shaped reflection mirror 20-1 is arranged so that the inner surface of the arc, that is, the projection surface 20a-1 faces the mirror surface 11, and is created by the measurement light 28 reflecting off the mirror surface 11. The first reflected light 29 is applied to the projection surface 20a-1. That is, the inner surface of the arc in the dome-shaped reflection mirror 20-1 functions as a projection surface 20a-1 on which the first reflected light 29 is irradiated as a projection light point.

そして、本第1実施形態の測定装置10−1においては、上述したMEMSミラー12の回動に伴ってミラー面11の偏向角度が変わり、ミラー面11から反射された第1反射光29の投射光点が、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1において、その円弧方向(図2中の矢印a参照)に沿って移動するようになっている。つまり、測定用光源17は、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1への照射位置を変更可能に構成されている。なお、以下、投射面20a−1における、MEMSミラー12の回動に伴なって投射光点が移動する方向を投射光点移動方向という場合がある。   And in the measuring apparatus 10-1 of this 1st Embodiment, the deflection angle of the mirror surface 11 changes with rotation of the MEMS mirror 12 mentioned above, and projection of the 1st reflected light 29 reflected from the mirror surface 11 is carried out. The light spot moves along the arc direction (see arrow a in FIG. 2) on the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1. That is, the measurement light source 17 is configured to be able to change the irradiation position on the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1. Hereinafter, the direction in which the projection light spot moves with the rotation of the MEMS mirror 12 on the projection surface 20a-1 may be referred to as the projection light spot movement direction.

また、ドーム型反射ミラー20−1は、ミラー面11を回動させていない状態、すなわち偏向角度が0の状態においては、そのミラー面11において反射した第1反射光30が投射面20a−1のほぼ中心位置に照射されるようになっている。以下、この投射面20a−1のほぼ中心位置のことを、ミラー面中心という場合がある。
さらに、この投射面20a−1は、入射された第1反射光29を反射可能に形成されており、更に、ドーム型反射ミラー20−1は、その円弧中心がミラー面11における回転軸の第1投射点に重合するように配置されている。これにより、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1において、照射された第1反射光29が第2反射光(第2の反射光)30として反射するようになっており、又、その第2反射光30は、ミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
In the dome-shaped reflection mirror 20-1, when the mirror surface 11 is not rotated, that is, when the deflection angle is 0, the first reflected light 30 reflected on the mirror surface 11 is projected onto the projection surface 20a-1. Irradiates almost the center position. Hereinafter, the substantially center position of the projection surface 20a-1 may be referred to as a mirror surface center.
Further, the projection surface 20 a-1 is formed so as to be able to reflect the incident first reflected light 29, and the dome-shaped reflection mirror 20-1 has a circular arc center at the rotation axis of the mirror surface 11. It arrange | positions so that it may superimpose on 1 projection point. Accordingly, the irradiated first reflected light 29 is reflected as the second reflected light (second reflected light) 30 on the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflecting mirror 20-1, and The second reflected light 30 is applied to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11.

また、ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
さらに、このドーム型反射ミラー20−1において、投射面20a−1のいずれの場所において反射された第2反射光30も、このミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measuring light 28, and enters the half mirror 17. It has become so.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-1, the second reflected light 30 reflected at any location on the projection surface 20a-1 is applied to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11. It has become.

また、ドーム型反射ミラー20−1は、投射面20a−1において、その投射光点移動方向における互いに異なる各位置で光学的な反射率がそれぞれ異なるように形成されている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−1は、投射面20a−1における複数位置において互いに異なる反射特性を有している。
ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1においては、その投射光点移動方向で反射率が連続的に変化するように形成されており、その投射光点移動方向において同一な反射率となることがないようなっている。これにより、投射面20a−1において、その投射光点移動方向において異なる複数の投射光点位置で反射して生成された複数の第2反射光30は、互いに異なる光量(反射光量)となる。
Further, the dome-shaped reflection mirror 20-1 is formed on the projection surface 20a-1 so that the optical reflectance is different at each different position in the projection light spot moving direction. That is, the dome-shaped reflecting mirror 20-1 has different reflection characteristics at a plurality of positions on the projection surface 20a-1.
The projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1 is formed so that the reflectance continuously changes in the projection light spot movement direction, and the same reflectance in the projection light spot movement direction. It's not going to be. Thereby, on the projection surface 20a-1, the plurality of second reflected lights 30 that are generated by being reflected at a plurality of projection light spot positions that are different in the direction of movement of the projection light spot have different light quantities (reflected light quantities).

すなわち、ドーム型反射ミラー20−1においては、投射面20a−1における第1反射光29の投射位置(投射光点位置)に応じて、各投射光点位置で生じる第2反射光30の光量が変わるようになっている。
ここで、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1は、金属,ガラス,石英等の材料を用いて形成される。又、投射面20a−1を形成する材料として周囲温度の影響の度合い、すなわち温度係数が少ない材料を用いることにより、測定精度を高くすることができる。
That is, in the dome-shaped reflection mirror 20-1, the amount of the second reflected light 30 generated at each projection light spot position according to the projection position (projection light spot position) of the first reflected light 29 on the projection surface 20a-1. Is changing.
Here, the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1 is formed using a material such as metal, glass, quartz or the like. Further, the measurement accuracy can be increased by using a material having a small degree of temperature coefficient, that is, a material having a small temperature coefficient as a material for forming the projection surface 20a-1.

また、投射面20a−1において反射率を連続的に変化させる方法としては、例えば、アルミや金等の反射薄膜材料の膜厚を連続的に変化させて形成する手法を用いることができる。
一般的なミラーの製造に際しては、ミラー全面において反射薄膜の膜厚が一定となるようにするために、ミラー面を蒸着材料(蒸着源)からの均一な距離となるように配置して蒸着、すなわち反射薄膜の形成を行なう。
As a method for continuously changing the reflectance on the projection surface 20a-1, for example, a method of continuously changing the film thickness of a reflective thin film material such as aluminum or gold can be used.
In the production of a general mirror, in order to make the thickness of the reflective thin film constant over the entire mirror surface, the mirror surface is disposed so as to be a uniform distance from the vapor deposition material (vapor deposition source). That is, a reflective thin film is formed.

一方、本第1実施形態のドーム型反射ミラー20−1を製造する場合には、投射面20a−1の各位置を蒸着材料から不均一な距離となるように配置して反射皮膜の形成を行なう。例えば、蒸着材料に対して投射面20a−1を斜めに配置して蒸着を行なうことにより反射薄膜を形成する。これにより、膜厚(蒸着厚)が不均一な、すなわち、投射面20a−1の位置により蒸着厚が異なるドーム型反射ミラー20−1を製造することができる。   On the other hand, when manufacturing the dome-shaped reflection mirror 20-1 of the first embodiment, each position of the projection surface 20a-1 is arranged at a non-uniform distance from the vapor deposition material to form a reflection film. Do. For example, the reflective thin film is formed by performing deposition by obliquely arranging the projection surface 20a-1 with respect to the deposition material. Thereby, the dome-shaped reflecting mirror 20-1 having a non-uniform film thickness (evaporation thickness), that is, a different deposition thickness depending on the position of the projection surface 20a-1 can be manufactured.

なお、本第1実施形態のドーム型反射ミラー20−1の製造方法は上述した手法に限定されるものではなく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。例えば、投射面20a−1において一端部から、順次、機械的な覆いやレジストによるマスクをかけながら蒸着を行ない、このマスクの位置と蒸着回数とを適宜調整することにより投射面20a−1における蒸着厚を順次変化させてもよい。これにより、投射面20a−1の各位置における反射率を高精度で制御することができる。   In addition, the manufacturing method of the dome shape reflective mirror 20-1 of the first embodiment is not limited to the above-described method, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present embodiment. For example, vapor deposition is performed while sequentially applying a mechanical cover or a resist mask from one end of the projection surface 20a-1, and the position of the mask and the number of times of vapor deposition are appropriately adjusted to perform vapor deposition on the projection surface 20a-1. The thickness may be changed sequentially. Thereby, the reflectance in each position of the projection surface 20a-1 can be controlled with high accuracy.

光量検知器191は、ミラー面11において反射された第3反射光31の光量を測定するものであって、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1において反射された第2反射光29がMEMSミラー12のミラー面11によって反射されることにより生成される第3反射光31の光量を測定するようになっている。この光量検知器191は、例えば、フォトダイオードやフォトトランジスタ,CdSセル等の光センサにより構成され、入力光の光量に応じた電圧(電圧信号)V1を出力するようになっている。   The light amount detector 191 measures the amount of light of the third reflected light 31 reflected on the mirror surface 11, and the second reflected light 29 reflected on the projection surface 20 a-1 of the dome-shaped reflective mirror 20-1. Is measured by the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 to measure the amount of the third reflected light 31 generated. The light amount detector 191 is constituted by, for example, an optical sensor such as a photodiode, a phototransistor, or a CdS cell, and outputs a voltage (voltage signal) V1 corresponding to the amount of input light.

すなわち、この光量検知器191は、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1において反射された第2反射光30(第3反射光31)を受光する受光部として機能するようになっている。
光量検知器192は、測定用光源14から出力される測定光(基準光)28の光量(基準光量)を測定するものであって、測定用光源14から出力されハーフミラー17によって反射(分割)された測定光28の光量を測定するようになっている。この光量検知器192は、例えば、フォトダイオードやフォトトランジスタ,CdSセル等の光センサにより構成され、入力光の光量に応じた電圧(電圧信号)V2を出力するようになっている。
That is, the light amount detector 191 functions as a light receiving unit that receives the second reflected light 30 (third reflected light 31) reflected on the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflecting mirror 20-1. Yes.
The light amount detector 192 measures the light amount (reference light amount) of the measurement light (reference light) 28 output from the measurement light source 14 and is reflected (divided) by the half mirror 17 output from the measurement light source 14. The light quantity of the measured light 28 is measured. The light quantity detector 192 is constituted by, for example, an optical sensor such as a photodiode, a phototransistor, or a CdS cell, and outputs a voltage (voltage signal) V2 corresponding to the quantity of input light.

ピンホール18はMEMSミラー12のミラー面11から反射する第3反射光31の一部を遮り一部だけを通過させるものであり、このピンホール18を通過した第3反射光31がハーフミラー17に入射されるようになっている。
例えば、MEMSミラー12のミラー面11が保護用のガラス板で覆われている場合であっても、測定光28や第2反射光30がこのガラス板の表裏面において多重反射することにより生じる不要光が光量検知部191に入射することを、このピンホール18により抑止するようになっている。
The pinhole 18 blocks part of the third reflected light 31 reflected from the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 and allows only part of the third reflected light 31 to pass through. The third reflected light 31 that has passed through the pinhole 18 is reflected by the half mirror 17. It is made to enter.
For example, even when the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 is covered with a protective glass plate, unnecessary light caused by multiple reflection of the measurement light 28 and the second reflected light 30 on the front and back surfaces of the glass plate. The pinhole 18 prevents light from entering the light amount detection unit 191.

管理部16−1は、本測定装置10−1におけるMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なうものであり、図1に示すように、光量値演算部101,偏向角度算出部102,メモリ103および測定制御部104をそなえて構成されている。
また、管理部16−1においては、種々の情報を表示するためのディスプレイ(図示省略)や、検査者が各種入力や操作を行なうことによりデータや指示内容等を管理部16−1に入力するための入力装置(キーボード,マウス等;図示省略)をそなえて構成されている。
The management unit 16-1 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 in the measurement apparatus 10-1, and as shown in FIG. 1, the light amount value calculation unit 101 and the deflection angle calculation unit 102. , A memory 103 and a measurement control unit 104.
Further, in the management unit 16-1, a display (not shown) for displaying various information, and data, instruction contents, etc. are input to the management unit 16-1 by performing various inputs and operations by the inspector. Input device (keyboard, mouse, etc .; not shown).

光量値演算部101は、光量検知器191によって検出された電圧信号V1と光量検知器192によって検出された電圧信号V2とに基づき、これらの電圧信号V1,V2の信号比(V1/V2)を演算し、検知光量として出力するものである。このように、光量検知器191によって検出された電圧信号V1と光量検知器192によって検出された電圧信号V2との信号比を算出することにより、測定用光源14によって生成される測定光28が安定しない場合であっても、この光量変動を相殺することができる。すなわち、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1からの反射光(第2反射光30)の正確な光量を測定することができる。   Based on the voltage signal V1 detected by the light amount detector 191 and the voltage signal V2 detected by the light amount detector 192, the light amount calculation unit 101 calculates the signal ratio (V1 / V2) of these voltage signals V1 and V2. It is calculated and output as the detected light quantity. Thus, by calculating the signal ratio between the voltage signal V1 detected by the light amount detector 191 and the voltage signal V2 detected by the light amount detector 192, the measurement light 28 generated by the measurement light source 14 is stable. Even if it is not, this light quantity fluctuation can be canceled out. That is, it is possible to measure the exact light amount of the reflected light (second reflected light 30) from the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflecting mirror 20-1.

メモリ103は、光量値に対する偏向角を求めるための基準情報(偏向角/光量値情報)を格納するため記憶装置であり、予め、基準となるMEMSミラー12を用いて作成された基準情報が格納されるようになっている。
図4〜図6はそれぞれ本第1実施形態の一例としての測定装置10−1における基準情報を説明するための図である。
The memory 103 is a storage device for storing reference information (deflection angle / light quantity value information) for obtaining a deflection angle with respect to a light quantity value, and stores reference information created in advance using the MEMS mirror 12 serving as a reference. It has come to be.
4 to 6 are diagrams for explaining reference information in the measuring apparatus 10-1 as an example of the first embodiment.

基準情報はミラー面11の偏向角度と光量値との対応関係を示す情報であり、図4〜図6に示す例においては、便宜上、縦軸に電圧信号V1,V2の信号比を検知光量として示すとともに横軸に偏向角度を示したグラフとして表している。なお、この基準情報は、図4〜図6に示したようなグラフの他、テーブルや数式等であってもよく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   The reference information is information indicating the correspondence relationship between the deflection angle of the mirror surface 11 and the light amount value. In the examples shown in FIGS. 4 to 6, the vertical axis represents the signal ratio of the voltage signals V1 and V2 as the detected light amount for convenience. In addition, the horizontal axis represents the deflection angle. The reference information may be a table, a mathematical expression, or the like in addition to the graphs shown in FIGS. 4 to 6, and can be implemented with various modifications without departing from the spirit of the present embodiment. .

本測定装置10−1においては、予め、偏向角度を正確に制御できるMEMSミラー12(基準ミラー)を被測定偏向ミラーとして測定位置にセットする。そして、この被測定ミラーの測定に必要な角度範囲(実効角度範囲;例えば、本実施形態ではおおよそ±20度)を必要な角度分解能単位で回転させながら、光量検知器191,192により光量を全て測定する。この測定結果を偏向角度に対応させてプロットすることにより、図4のグラフとして示されるような検知光量と偏向角度との対応関係を表す基準情報(初期テーブル)を作成する。なお、この基準情報において、検知光量は、ドーム型反射ミラー20−1の各位置の反射率およびその他の光学系の特性値を表していると言うことができる。   In this measurement apparatus 10-1, a MEMS mirror 12 (reference mirror) capable of accurately controlling the deflection angle is set in advance at the measurement position as a deflection mirror to be measured. The light amount detectors 191 and 192 all rotate the angle range (effective angle range; for example, approximately ± 20 degrees in the present embodiment) necessary for the measurement of the mirror to be measured, in units of the required angular resolution. taking measurement. By plotting the measurement result corresponding to the deflection angle, reference information (initial table) representing the correspondence between the detected light quantity and the deflection angle as shown in the graph of FIG. 4 is created. In this reference information, it can be said that the detected light amount represents the reflectance at each position of the dome-shaped reflecting mirror 20-1 and the other characteristic values of the optical system.

また、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1における反射率は、偏向角度に対して一次関数的に変化させるように設定する必要はなく、実効角度範囲内において、偏向角に対して一意の反射率となればよい。従って、偏向角度に対して同一の反射率となる箇所がなければよく、図5に示すように、異なる偏向角度において検知光量が同じ値となる箇所が複数存在するドーム型反射ミラー20−1は使用することができない。   Further, the reflectance at the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1 does not need to be set so as to change in a linear function with respect to the deflection angle. It is sufficient that the reflectance is unique. Accordingly, it is sufficient that there is no portion having the same reflectance with respect to the deflection angle. As shown in FIG. 5, the dome-shaped reflection mirror 20-1 having a plurality of locations where the detected light amount has the same value at different deflection angles. Cannot be used.

なお、基準情報の作成に際して、角度分解能の都合上、測定されていない偏向角度に対する光量値は、他の偏向角度に対応する光量値に基づいて近似値を算出して用いることが望ましい。
また、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1において、その一部にキズ等の欠陥があると、図6に示すように、その位置における第2反射光30の検知光量が急激に減少する(図6の矢印P1参照)。このように、検知光量が突出的に変化する部分については、その検知光量を採用せずに、例えば、他の偏向角度における検知光量の値に基づいて近似値を算出して用いることにより、投射面20a−1上にキズ等がある場合でも、その影響を受けることなく使用することができ利便性が高い。
In creating the reference information, it is desirable to calculate and use an approximate value based on the light amount value corresponding to another deflection angle for the light angle value that is not measured for the convenience of angle resolution.
Further, if there is a defect such as a flaw in a part of the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1, the amount of light detected by the second reflected light 30 at that position rapidly increases as shown in FIG. Decrease (see arrow P1 in FIG. 6). In this way, for the portion where the detected light amount changes in a projecting manner, the detected light amount is not adopted, for example, by calculating and using an approximate value based on the value of the detected light amount at another deflection angle. Even if there is a scratch or the like on the surface 20a-1, it can be used without being affected by this, and convenience is high.

そして、MEMSミラー12の偏向特性測定時に、メモリ103から偏向角度算出部102によってこの基準情報が読み出されるようになっている。
偏向角度算出部102は、光量値演算部101から出力される検知光量とメモリ103に格納された基準情報とに基づいて被測定ミラー(MEMSミラー12)の偏向角度を算出するものである。
The reference information is read from the memory 103 by the deflection angle calculation unit 102 when measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12.
The deflection angle calculation unit 102 calculates the deflection angle of the mirror under measurement (MEMS mirror 12) based on the detected light amount output from the light amount value calculation unit 101 and the reference information stored in the memory 103.

ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1においては、上述の如く、投射光点移動方向における投射光点の位置によりその反射光(第2反射光30)の反射率が異なる。これにより、第3反射光31の光量の測定値により、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を推定することができる。
すなわち、偏向角度算出部102は、MEMSミラー12から基準情報を読み出し、光量値演算部101から出力される検知光量に基づいて、この基準情報を参照することにより、MEMSミラー12の偏向角度を求める(推定する)ようになっている。
On the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1, as described above, the reflectance of the reflected light (second reflected light 30) varies depending on the position of the projected light spot in the direction of movement of the projected light spot. Thereby, the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 can be estimated from the measured value of the light quantity of the third reflected light 31.
That is, the deflection angle calculation unit 102 reads the reference information from the MEMS mirror 12 and refers to the reference information based on the detected light amount output from the light amount value calculation unit 101 to obtain the deflection angle of the MEMS mirror 12. (Estimate).

測定制御部(測定部)104は、偏向角度算出部102によって求められたミラー面11の偏向角度に基づいて、そのMEMSミラー12の特性(偏向特性)を測定するものである。又、この測定制御部104は、測定にかかるシーケンスの制御や測定結果の出力を行なうようになっている。なお、この測定制御部104は、例えば、角度/駆動量情報等を測定結果として出力するようになっている。   The measurement control unit (measurement unit) 104 measures the characteristic (deflection characteristic) of the MEMS mirror 12 based on the deflection angle of the mirror surface 11 obtained by the deflection angle calculation unit 102. The measurement control unit 104 controls a sequence related to measurement and outputs measurement results. The measurement control unit 104 outputs, for example, angle / drive amount information as a measurement result.

また、測定制御部(制御部)104は、ミラー面11の偏向角度を制御する機能をそなえており、例えば、検査者が入力装置を介してミラー面11の偏向角度を変更させるための駆動条件(入力電圧の値,入力電圧の振動周波数等)を入力することにより、入力された駆動条件に対応する制御信号(駆動信号)を生成する機能をそなえている。
そして、測定制御部104は、生成した駆動信号をMEMSミラー12の偏向ミラー駆動部27に出力することにより、この偏向ミラー駆動部27が、駆動条件に応じて、ミラー面11を、トーションバー25,25,26,26により、所定角度に傾かせたり、振動させたりするようになっている。
The measurement control unit (control unit) 104 has a function of controlling the deflection angle of the mirror surface 11. For example, the driving condition for the inspector to change the deflection angle of the mirror surface 11 via the input device. By inputting (value of input voltage, vibration frequency of input voltage, etc.), it has a function of generating a control signal (drive signal) corresponding to the input drive condition.
Then, the measurement control unit 104 outputs the generated drive signal to the deflection mirror drive unit 27 of the MEMS mirror 12 so that the deflection mirror drive unit 27 moves the mirror surface 11 over the torsion bar 25 according to the drive conditions. , 25, 26, and 26, it is tilted at a predetermined angle or vibrated.

また、測定制御部104は、測定用光源14にそなえられたシャッタの開閉動作も制御するようになっており、例えば、検査者が入力装置を介して測定開始の指示を入力した場合にはシャッタの開動作を行ない、測定終了の指示を入力した場合にはシャッタの閉動作を行なうようになっている。
そして、検査者は、入力された測定条件(入力電圧の値,入力電圧の振動周波数等)と測定制御部104の測定結果とに基づいて、MEMSミラー12の偏向特性を評価するようになっている。
The measurement control unit 104 also controls the opening / closing operation of the shutter provided in the measurement light source 14. For example, when the inspector inputs an instruction to start measurement via the input device, the measurement control unit 104 is configured to release the shutter. When an instruction to end measurement is input, the shutter is closed.
Then, the inspector evaluates the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 based on the input measurement conditions (the value of the input voltage, the vibration frequency of the input voltage, etc.) and the measurement result of the measurement control unit 104. Yes.

上述の如く構成された第1実施形態に係る測定装置10−1における測定手順の一例について、図7に示すフローチャート(ステップS11〜S14)に従って説明する。
先ず、検査者が、MEMSミラー12を図示しないステージ上に載置し、図示しない入力装置を介して測定開始の指示を入力することにより、測定用光源14がシャッタの開動作を行ない、測定用光源14がミラー面11に測定光28を照射する(ステップS11;照射ステップ)。
An example of the measurement procedure in the measurement apparatus 10-1 according to the first embodiment configured as described above will be described according to the flowchart (steps S11 to S14) shown in FIG.
First, when the inspector places the MEMS mirror 12 on a stage (not shown) and inputs an instruction to start measurement via an input device (not shown), the measurement light source 14 opens the shutter, and the measurement is performed. The light source 14 irradiates the mirror surface 11 with the measurement light 28 (step S11; irradiation step).

次に、検査者が、入力装置を介して駆動条件(入力電圧の値,入力電圧の振動周波数等)を管理部16−1に対して入力することにより、測定制御部104は、入力された駆動条件に基づく駆動信号を生成し、この駆動信号を偏向ミラー駆動部27に出力する。駆動信号が入力された偏向ミラー駆動部27は、その駆動信号に基づいてミラー面11を所定角度に傾かせる(ステップS12;制御ステップ)。   Next, when the inspector inputs driving conditions (input voltage value, vibration frequency of the input voltage, etc.) to the management unit 16-1 via the input device, the measurement control unit 104 is input. A drive signal based on the drive condition is generated, and this drive signal is output to the deflection mirror drive unit 27. The deflection mirror drive unit 27 to which the drive signal is input tilts the mirror surface 11 to a predetermined angle based on the drive signal (step S12; control step).

測定用光源14から照射された測定光28は、ハーフミラー17によりその一部が反射され光量検知器192に入射される。又、測定光源28の他の一部はハーフミラー17を透過してMEMSミラー12のミラー面11に照射される。
ミラー面11に照射された測定光28は、ミラー面11の第1照射点で反射することにより第1反射光29を形成し、この第1反射光29がドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1に投射される。第1反射光29は投射面20a−1における所定の位置(投射光点位置)において反射し、第2反射光30としてドーム型反射ミラー20−1から出力される。
A part of the measurement light 28 emitted from the measurement light source 14 is reflected by the half mirror 17 and enters the light amount detector 192. Further, another part of the measurement light source 28 passes through the half mirror 17 and is irradiated onto the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12.
The measurement light 28 applied to the mirror surface 11 is reflected at the first irradiation point of the mirror surface 11 to form a first reflected light 29, and this first reflected light 29 is projected by the dome-shaped reflective mirror 20-1. Projected onto the surface 20a-1. The first reflected light 29 is reflected at a predetermined position (projection light spot position) on the projection surface 20 a-1 and is output from the dome-shaped reflection mirror 20-1 as the second reflected light 30.

この第2反射光30は、ミラー面11における第1照射点に入射され、この第1照射点において第3反射光31として反射される。この第3反射光31は、ハーフミラー17に入射され、その一部がハーフミラー17によって反射されて光量検知器191に入射される。
光量値演算部101は、光量検知器191によって検出された電圧信号V1と光量検知器192によって検出された電圧信号V2とに基づき、これらの電圧信号V1,V2の信号比(V1/V2)を演算し、検知光量として出力する。偏向角度算出部102は、光量値演算部101から出力される検知光量に基づいて、メモリ103に格納された基準情報を参照することにより、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を求める(ステップS13;測定ステップ)。
The second reflected light 30 is incident on the first irradiation point on the mirror surface 11 and is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point. The third reflected light 31 is incident on the half mirror 17, a part of which is reflected by the half mirror 17 and incident on the light amount detector 191.
Based on the voltage signal V1 detected by the light amount detector 191 and the voltage signal V2 detected by the light amount detector 192, the light amount calculation unit 101 calculates the signal ratio (V1 / V2) of these voltage signals V1 and V2. Calculate and output as detected light quantity. The deflection angle calculation unit 102 obtains the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 by referring to the reference information stored in the memory 103 based on the detected light amount output from the light amount value calculation unit 101 (step) S13: Measurement step).

その後、ミラー面11の偏向角度を変更させて測定を行なうか否かの終了判定を行なう(ステップS14)。ミラー面11の偏向角度を変更させて継続して測定を行なう場合には(ステップS14の連続測定ルート参照)、ステップS12に戻る。一方、測定を終了する場合には(ステップS14の測定終了ルート参照)、測定を終了する。
なお、ドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1における所定の位置(例えば、偏向角度=0度となる位置:ミラー面中心)において、他の位置とは反射率が大きく異なる(例えば、反射率=0%)部分を設けることにより、投射面20a−1における絶対的な位置を容易に特定することができる。この反射率が大きく異なる部分としては、例えば、投射面20a−1に穴を開けたり、反射率が低い塗料等を付着させることにより容易に実現することができる。
Thereafter, it is determined whether or not the measurement is performed by changing the deflection angle of the mirror surface 11 (step S14). When the measurement is continued by changing the deflection angle of the mirror surface 11 (see the continuous measurement route in step S14), the process returns to step S12. On the other hand, when the measurement is to be ended (see the measurement end route in step S14), the measurement is ended.
Note that, at a predetermined position on the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1 (for example, a position where the deflection angle = 0 degree: the center of the mirror surface), the reflectance is greatly different from other positions (for example, By providing the (reflectivity = 0%) portion, the absolute position on the projection surface 20a-1 can be easily specified. For example, the portion having a greatly different reflectance can be easily realized by making a hole in the projection surface 20a-1 or attaching a paint having a low reflectance.

このように、本第1実施形態の一例としての測定装置10−1によれば、その投射光点移動方向における各位置で反射率が異なる投射面20a−1を有するドーム型反射ミラー20−1をそなえている。そして、測定光28がミラー面11で反射することにより形成された第1反射光29をドーム型反射ミラー20−1の投射面20a−1に照射させ、この投射面20a−1において反射された第2反射光30の光量を測定することにより、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を求める。これにより、MEMSミラー12の偏向特性を容易且つ高精度で測定することができる。   Thus, according to the measuring apparatus 10-1 as an example of the first embodiment, the dome-shaped reflection mirror 20-1 having the projection surface 20a-1 having different reflectivities at each position in the projection light spot moving direction. Is provided. Then, the first reflected light 29 formed by reflecting the measurement light 28 on the mirror surface 11 is irradiated onto the projection surface 20a-1 of the dome-shaped reflection mirror 20-1, and is reflected on the projection surface 20a-1. The deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 is obtained by measuring the amount of the second reflected light 30. Thereby, the deflection characteristic of the MEMS mirror 12 can be measured easily and with high accuracy.

また、ミラー面11で反射された第1反射光29を円弧状の断面形状を有するドーム型反射ミラー20−1を、その円弧中心をミラー面11における回転軸の第1投射点に重合するように配置することにより、ミラー面11の偏向角度が大きくなった場合でも、光量検知器191により検知される光量が減少することがない。これにより、偏向角度の測定精度を高く維持することができる。   Further, the first reflected light 29 reflected by the mirror surface 11 is superimposed on the first projection point of the rotation axis on the mirror surface 11 with the dome-shaped reflection mirror 20-1 having an arc-shaped cross section. Therefore, even when the deflection angle of the mirror surface 11 is increased, the light amount detected by the light amount detector 191 does not decrease. Thereby, the measurement accuracy of the deflection angle can be maintained high.

また、例えば、MEMSミラー12のミラー面11が保護用のガラス板で覆われている場合であっても、測定光28や第2反射光30がこのガラス板の表裏面において多重反射することにより生じる不要光が光量検知部191に入射することがない。これにより、従って、カバーガラス等からの不要光に影響されることなく計測(測定)することができ、偏向角度の測定を正確に行なうことができる。又、ピンホール18をそなえており、このピンホール18によっても、測定光28や第2反射光30がこのガラス板の表裏面において多重反射することにより生じる不要光が光量検知部191に入射することを抑止することができる。   For example, even when the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 is covered with a protective glass plate, the measurement light 28 and the second reflected light 30 are reflected multiple times on the front and back surfaces of the glass plate. The unnecessary light generated does not enter the light amount detector 191. Accordingly, measurement (measurement) can be performed without being affected by unnecessary light from the cover glass or the like, and the deflection angle can be accurately measured. Also, a pinhole 18 is provided, and also by this pinhole 18, unnecessary light generated by the multiple reflection of the measurement light 28 and the second reflected light 30 on the front and back surfaces of the glass plate enters the light amount detector 191. Can be deterred.

さらに、光量値演算部101が、光量検知器191によって検出された電圧信号V1と光量検知器192によって検出された電圧信号V2とに基づき、これらの電圧信号V1,V2の信号比(V1/V2)を演算することにより、測定用光源14の光量変動を相殺することにより、測定精度を向上させることができる。
なお、上述した第1実施形態においては、光量値演算部101が、光量検知器191によって検出された電圧信号V1と光量検知器192によって検出された電圧信号V2とに基づき、これらの電圧信号V1,V2の信号比(V1/V2)を演算することにより、測定用光源14の光量変動を相殺しているが、これに限定されるものではない。
Further, the light quantity value calculation unit 101 is based on the voltage signal V1 detected by the light quantity detector 191 and the voltage signal V2 detected by the light quantity detector 192, and the signal ratio (V1 / V2) of these voltage signals V1 and V2. ) To cancel out the light quantity variation of the measurement light source 14, thereby improving the measurement accuracy.
In the first embodiment described above, the light amount value calculation unit 101 is based on the voltage signal V1 detected by the light amount detector 191 and the voltage signal V2 detected by the light amount detector 192. , V2 to calculate the signal ratio (V1 / V2) to cancel out the light amount fluctuation of the measurement light source 14, but the present invention is not limited to this.

すなわち、測定用光源14から出力される測定光28の光量が充分に安定している場合には、光量検知器192や光量値演算部101を省略し、偏向角度算出部102が、光量検知器191によって検出された電圧信号V1をそのまま用いてミラー面11の偏向角度を求めてもよい。
〔2〕第2実施形態の説明
図8は第2実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図である。
That is, when the light amount of the measurement light 28 output from the measurement light source 14 is sufficiently stable, the light amount detector 192 and the light amount value calculation unit 101 are omitted, and the deflection angle calculation unit 102 is replaced with the light amount detector. The deflection angle of the mirror surface 11 may be obtained using the voltage signal V1 detected by 191 as it is.
[2] Description of Second Embodiment FIG. 8 is a diagram schematically showing a configuration of a measuring apparatus as an example of the second embodiment.

本第2実施形態にかかる測定装置10−2も、第1実施形態の測定装置10−1と同様に、ミラー面11の偏向角度(傾き)が変更可能に構成されたMEMSミラー(ミラーシステム)12の偏向特性を測定するための装置である。この測定装置10−2は、図8に示すように、測定用光源14,管理部16−2,ハーフミラー17,ピンホール18,光量検知器191,偏向ミラー駆動部27,ミラー33およびドーム型反射ミラー(凹面投射部)20−2をそなえて構成されている。   Similarly to the measurement apparatus 10-1 of the first embodiment, the measurement apparatus 10-2 according to the second embodiment is a MEMS mirror (mirror system) configured so that the deflection angle (tilt) of the mirror surface 11 can be changed. This is an apparatus for measuring 12 deflection characteristics. As shown in FIG. 8, the measuring device 10-2 includes a measuring light source 14, a management unit 16-2, a half mirror 17, a pinhole 18, a light amount detector 191, a deflection mirror driving unit 27, a mirror 33, and a dome type. A reflection mirror (concave projection portion) 20-2 is provided.

すなわち、本第2実施形態にかかる測定装置10−2は、第1実施形態の測定装置10−1における、光量検知器192,ドーム型反射ミラー20−1および管理部16−1に代えて、ミラー33,ドーム型反射ミラー20−2および管理部16−2をそなえるものであり、その他の部分は第1実施形態の測定装置10−1と同様に構成されている。
なお、図中、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
That is, the measurement apparatus 10-2 according to the second embodiment is replaced with the light amount detector 192, the dome-shaped reflection mirror 20-1, and the management unit 16-1 in the measurement apparatus 10-1 of the first embodiment. The mirror 33, the dome-shaped reflection mirror 20-2, and the management unit 16-2 are provided, and other parts are configured in the same manner as the measurement apparatus 10-1 of the first embodiment.
In the figure, the same reference numerals as those described above indicate the same or substantially the same parts, and detailed description thereof will be omitted.

ハーフミラー17は、測定用光源14から出力された測定光28の一部を反射させてミラー33に入射させるとともに、残りの測定光28を透過させるようになっている。又、本第2実施形態においても、ハーフミラー17は、入射された測定光28を1:1の割合で反射光(ミラー33へ)と透過光とに分割するようになっている。
また、ハーフミラー17には、上述の如く測定光源14から測定光28が直接入射される照射位置に、ミラー33から反射された測定光28が入射されるようになっている。そして、ハーフミラー17は、このミラー33から反射される測定光28の一部(半分)を透過させて光量検知器191に入射させるようになっている。
The half mirror 17 reflects a part of the measurement light 28 output from the measurement light source 14 to enter the mirror 33 and transmits the remaining measurement light 28. Also in the second embodiment, the half mirror 17 divides the incident measurement light 28 into reflected light (to the mirror 33) and transmitted light at a ratio of 1: 1.
Further, the measurement light 28 reflected from the mirror 33 is incident on the half mirror 17 at the irradiation position where the measurement light 28 is directly incident from the measurement light source 14 as described above. The half mirror 17 transmits a part (half) of the measurement light 28 reflected from the mirror 33 and enters the light amount detector 191.

さらに、ハーフミラー17には、後述の如く、ドーム型反射ミラー20−2から反射された第2反射光30がMEMSミラー12のミラー面11において反射することにより生成された第3反射光31が、上述した測定光28が入射される面とは反対側の面に入射されるようになっている。そして、ハーフミラー17は、この入射された第3反射光31の一部(半分)を反射させて、光量検知器191に入射させるようになっている。   Further, as will be described later, the third reflected light 31 generated by reflecting the second reflected light 30 reflected from the dome-shaped reflecting mirror 20-2 on the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 is reflected on the half mirror 17. The measurement light 28 is incident on a surface opposite to the surface on which the measurement light 28 is incident. The half mirror 17 reflects a part (half) of the incident third reflected light 31 so as to enter the light amount detector 191.

ミラー33は、入射された光を反射させるものであって、ハーフミラー17によって反射された測定光28を全反射させてハーフミラー17に入射させるようになっている。
また、このミラー33は、その反射面33aと、測定用光源14からMEMSミラー12に入射される測定光28の光軸とが、距離L1だけ隔てて平行となるように配置されている。更に、ミラー33は、ハーフミラー17から入射された測定光28が、このミラー33のミラー面33aにおいて反射され、ハーフミラー17を透過して光量検知器191に入射されるように配置されている。
The mirror 33 reflects incident light, and the measurement light 28 reflected by the half mirror 17 is totally reflected to enter the half mirror 17.
Further, the mirror 33 is arranged such that the reflection surface 33a and the optical axis of the measurement light 28 incident on the MEMS mirror 12 from the measurement light source 14 are parallel to each other with a distance L1. Further, the mirror 33 is arranged so that the measurement light 28 incident from the half mirror 17 is reflected by the mirror surface 33 a of the mirror 33, passes through the half mirror 17, and enters the light amount detector 191. .

すなわち、図8に示す例においては、測定用光源14から射出された測定光28の光軸上に、測定用光源14に45度の角度で対向するようにハーフミラー17が配設されている。又、このハーフミラー17によって反射された測定光28の光軸上であって、ハーフミラー17における測定光28の照射位置から距離L1隔てた位置に、ミラー33が配置されている。このミラー33は、ハーフミラー17と45度の角度で対向するように、そのミラー面33aをハーフミラー17に向けて配置されている。更に、ミラー33のミラー面33aに対して、ハーフミラー17を介して対向する位置には光量検知器191が配置されており、ミラー33から反射された光が、ハーフミラー17を透過してこの光量検知器191に入射されるようになっている。   In other words, in the example shown in FIG. 8, the half mirror 17 is disposed on the optical axis of the measurement light 28 emitted from the measurement light source 14 so as to face the measurement light source 14 at an angle of 45 degrees. . A mirror 33 is disposed on the optical axis of the measurement light 28 reflected by the half mirror 17 and at a distance L1 from the irradiation position of the measurement light 28 on the half mirror 17. The mirror 33 is disposed with the mirror surface 33a facing the half mirror 17 so as to face the half mirror 17 at an angle of 45 degrees. Further, a light amount detector 191 is disposed at a position facing the mirror surface 33a of the mirror 33 via the half mirror 17, and the light reflected from the mirror 33 passes through the half mirror 17 and is transmitted to the mirror surface 33a. The light quantity detector 191 is made incident.

また、ハーフミラー17には、後述の如く、ドーム型反射ミラー20−2から反射された第2反射光30がMEMSミラー12のミラー面11において反射することにより生成された第3反射光31が、上述した測定用光源14から測定光28が入射される面とは反対側の面に入射されるようになっている。そして、ハーフミラー17は、この入射された第3反射光31の一部(半分)を反射させて、光量検知器191に入射させるようになっている。   The half mirror 17 also has third reflected light 31 generated by reflecting the second reflected light 30 reflected from the dome-shaped reflecting mirror 20-2 on the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12, as will be described later. The measurement light source 14 is incident on a surface opposite to the surface on which the measurement light 28 is incident. The half mirror 17 reflects a part (half) of the incident third reflected light 31 so as to enter the light amount detector 191.

また、測定用光源14やミラー33,ドーム型反射ミラー20−2,MEMSミラー12は、ハーフミラー17において、ミラー33のミラー面33aにおいて反射された測定光28と、ドーム型反射ミラー20−2から反射された第2反射光30がMEMSミラー12のミラー面11において反射することにより生成された第3反射光31とが同一光軸上に重なるようにそれぞれの位置や姿勢が決定されている。   The measurement light source 14, the mirror 33, the dome-shaped reflection mirror 20-2, and the MEMS mirror 12 are the half-mirror 17, the measurement light 28 reflected by the mirror surface 33 a of the mirror 33, and the dome-shaped reflection mirror 20-2. Each position and posture is determined such that the second reflected light 30 reflected from the third reflected light 31 generated by the reflection on the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 overlaps the same optical axis. .

すなわち、ハーフミラー(合成部)17においては、ミラー33のミラー面33aにおいて反射された測定光28と、ドーム型反射ミラー20−2から反射された第2反射光30がMEMSミラー12のミラー面11において反射することにより生成された第3反射光31とが合成され、この合成された光が光量検知器191に入力されるようになっている。   That is, in the half mirror (combining unit) 17, the measurement light 28 reflected on the mirror surface 33 a of the mirror 33 and the second reflected light 30 reflected from the dome-shaped reflection mirror 20-2 are mirror surfaces of the MEMS mirror 12. 11 is combined with the third reflected light 31 generated by the reflection at 11, and the combined light is input to the light amount detector 191.

ドーム型反射ミラー20−2は、凹面形状の投射面20a−2をそなえ、測定用光源14から照射された測定光28がミラー面11で反射することにより形成された第1反射光(第1の反射光)29がこの投射面20a−2に投射光点として照射されるように配置されている。
また、投射面20a−2は、入射された第1反射光29を反射可能に形成されており、又、ドーム型反射ミラー20−2の投射面20a−2において、照射された第1反射光29が第2反射光(第2の反射光)30として反射するようになっている。更に、投射面20a−2において生成された第2反射光30は、ミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The dome-shaped reflection mirror 20-2 has a concave projection surface 20a-2, and the first reflected light (first light) formed by reflecting the measurement light 28 irradiated from the measurement light source 14 on the mirror surface 11. (Reflected light) 29 is radiated to the projection surface 20a-2 as a projection light spot.
The projection surface 20a-2 is formed so as to be able to reflect the incident first reflected light 29, and the first reflected light irradiated on the projection surface 20a-2 of the dome-shaped reflection mirror 20-2. 29 is reflected as second reflected light (second reflected light) 30. Furthermore, the 2nd reflected light 30 produced | generated in the projection surface 20a-2 is irradiated to the 1st irradiation point on the rotating shaft in the mirror surface 11. FIG.

ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
さらに、このドーム型反射ミラー20−2において、投射面20a−2のいずれの場所において反射された第2反射光30も、このミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measurement light 28, and enters the half mirror 17. It has become.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-2, the second reflected light 30 reflected at any place on the projection surface 20a-2 is irradiated to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11. It has become.

また、このドーム型反射ミラー20−2の投射面20a−2は、その投射光点移動方向において反射率が均一もしくはほぼ均一に形成されている。これにより、投射面20a−2において、その投射光点移動方向において異なる複数の投射光点位置で反射して生成された複数の第2反射光30は、互いに同じ光量(反射光量)となる。
図9は本第2実施形態の測定装置のドーム型反射ミラー20−2の配置状態を模式的に示す側面図である。
In addition, the projection surface 20a-2 of the dome-shaped reflection mirror 20-2 has a uniform or almost uniform reflectance in the direction of movement of the projection light spot. Thereby, on the projection surface 20a-2, the plurality of second reflected lights 30 that are generated by reflection at a plurality of projection light spot positions different in the direction of movement of the projection light spot have the same light quantity (reflected light quantity).
FIG. 9 is a side view schematically showing the arrangement state of the dome-shaped reflecting mirror 20-2 of the measuring apparatus according to the second embodiment.

ドーム型反射ミラー20−2は、図9に示すように、矩形の板状部材を一方の面の側に一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえている。そして、このドーム型反射ミラー20−2は円弧の内側面、すなわち投射面20a−2をミラー面11に対向するように配置されており、ミラー面11において測定光28が反射することにより作成された第1反射光29が、この投射面20a−2に照射されるようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−2における円弧の内側面が、第1反射光29が投射光点として照射される投射面20a−2として機能するようになっている。   As shown in FIG. 9, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is configured such that a rectangular plate-like member is curved on one surface side with a constant arc so as to be curved in one direction. It has a shape. The dome-shaped reflection mirror 20-2 is arranged so that the inner surface of the arc, that is, the projection surface 20a-2 faces the mirror surface 11, and is created by the measurement light 28 reflecting off the mirror surface 11. The first reflected light 29 is applied to the projection surface 20a-2. That is, the inner surface of the arc in the dome-shaped reflection mirror 20-2 functions as a projection surface 20a-2 on which the first reflected light 29 is irradiated as a projection light point.

そして、本第2実施形態の測定装置10−2においても、第1実施形態の測定装置10−1と同様に、MEMSミラー12の回動に伴ってミラー面11の偏向角度が変わり、ミラー面11から反射された第1反射光29の投射光点が、ドーム型反射ミラー20−2の投射面20a−2において、その円弧方向に沿って移動するようになっている。
また、この投射面20a−2は入射された第1反射光29を反射可能に形成されており、更に、ドーム型反射ミラー20−2は、その円弧中心がミラー面11における回転軸に重合しないように配置されている。具体的には、ドーム型反射ミラー20−2は、その円弧中心がミラー面11における回転軸の第1照射点に重合する状態から、所定方向に所定距離ずらした状態で配置されている。
And also in the measuring apparatus 10-2 of this 2nd Embodiment, the deflection angle of the mirror surface 11 changes with rotation of the MEMS mirror 12 similarly to the measuring apparatus 10-1 of 1st Embodiment, and a mirror surface The projection light spot of the first reflected light 29 reflected from 11 moves along the arc direction on the projection surface 20a-2 of the dome-shaped reflection mirror 20-2.
The projection surface 20 a-2 is formed so as to be able to reflect the incident first reflected light 29, and the dome-shaped reflection mirror 20-2 does not overlap with the rotation axis of the mirror surface 11. Are arranged as follows. Specifically, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is arranged in a state shifted from the state where the arc center overlaps with the first irradiation point of the rotation axis on the mirror surface 11 by a predetermined distance in a predetermined direction.

なお、以下、便宜上、ドーム型反射ミラー20−2を、その円弧中心がミラー面11における回転軸の第1照射点に重合するように配置した状態を基準配置状態という場合がある。この基準配置状態を図9中において破線で表す。
本第2実施形態の測定装置10−2においては、ドーム型反射ミラー20−2は、基準配置状態に対して、測定用光源14から射出される測定光28の光軸に平行な方向に距離(ずれ量)d1ずらして配置される。すなわち、ドーム型反射ミラー20−2は、その円弧中心をミラー面11における回転軸に対して、測定用光源14から射出される測定光28の光軸に平行な方向にずれ量d1だけずらして配置される。
Hereinafter, for convenience, the state in which the dome-shaped reflection mirror 20-2 is arranged so that the arc center thereof overlaps with the first irradiation point of the rotation axis on the mirror surface 11 may be referred to as a reference arrangement state. This reference arrangement state is represented by a broken line in FIG.
In the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is a distance in a direction parallel to the optical axis of the measurement light 28 emitted from the measurement light source 14 with respect to the reference arrangement state. (Displacement amount) Arranged by shifting d1. That is, the dome-shaped reflection mirror 20-2 has its arc center shifted from the rotation axis in the mirror surface 11 by a shift amount d1 in a direction parallel to the optical axis of the measurement light 28 emitted from the measurement light source 14. Be placed.

なお、この測定光28の光軸に平行な方向とは、円弧中心が測定用光源14に近づく方向であっても、又、円弧中心が測定用光源14から遠ざかる方向であってもよい。すなわち、ずれ量d1は正値であっても負値であってもよい。本実施形態においては、便宜上、円弧中心が測定用光源14から遠ざかる方向にドーム型反射ミラー20−2をずらして配置した状態をずれ量d1が正値の状態という。図9に示す例においては、ドーム型反射ミラー20−2が、基準配置状態に対して、その円弧中心が測定用光源14から遠ざかる方向にずらして配置されており、ずれ量d1が正値の状態を示している。   The direction parallel to the optical axis of the measurement light 28 may be a direction in which the arc center approaches the measurement light source 14 or a direction in which the arc center moves away from the measurement light source 14. That is, the shift amount d1 may be a positive value or a negative value. In the present embodiment, for convenience, the state in which the dome-shaped reflection mirror 20-2 is shifted in the direction in which the center of the arc moves away from the measurement light source 14 is referred to as a state where the shift amount d1 is a positive value. In the example shown in FIG. 9, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is arranged so that the center of the arc is away from the measurement light source 14 with respect to the reference arrangement state, and the deviation d1 is a positive value. Indicates the state.

なお、以下、便宜上、ドーム型反射ミラー20−2を、基準配置状態からずらして配置した状態、すなわち、投射面20a−2の円弧中心がミラー面11における回転軸に重合しないようにずらして配置された状態をずらし配置状態という場合がある。このずらし配置状態を図9中において実線で表す。
このずらし配置状態においては、投射面20a−2における投射光移動方向に沿った各位置(各投射光点位置)は、それぞれミラー面11の回転中心からの距離が連続的に変化するようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−2は、投射面20a−2における複数位置のそれぞれが、ミラー面11における第1照射点から互いに異なる距離を有するように配置されている。
Hereinafter, for convenience, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is arranged so as to be shifted from the reference arrangement state, that is, shifted so that the arc center of the projection surface 20a-2 does not overlap the rotation axis of the mirror surface 11. There is a case where the performed state is referred to as a shifted arrangement state. This shifted arrangement state is represented by a solid line in FIG.
In this shifted arrangement state, the distance from the rotation center of the mirror surface 11 changes continuously at each position (each projection light spot position) along the projection light movement direction on the projection surface 20a-2. ing. That is, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is arranged such that each of a plurality of positions on the projection surface 20a-2 has a different distance from the first irradiation point on the mirror surface 11.

そして、本第2実施形態の測定装置10−2においては、ドーム型反射ミラー20−2において、ミラー面11の回転中心から投射面20a−2までの距離Lxは、ミラー面11の偏向角度に応じて変化するようになっている。
また、ドーム型反射ミラー20−2は、基準配置状態における投射光移動方向におけるミラー面11の最大振れ位置での、ミラー面11の回転軸と投射面20a−2との距離L01と、ずらし配置状態における投射面20a−2の投射光移動方向におけるミラー面11の最大振れ位置での、ミラー面11の回転軸との距離L02の差d2(d2=L01−L02)が、λ/8(λ:測定光28の波長)以下となるように配置されるようになっている。
In the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment, in the dome-shaped reflection mirror 20-2, the distance Lx from the rotation center of the mirror surface 11 to the projection surface 20a-2 is the deflection angle of the mirror surface 11. It is designed to change accordingly.
Further, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is shifted from the distance L01 between the rotation axis of the mirror surface 11 and the projection surface 20a-2 at the maximum shake position of the mirror surface 11 in the projection light movement direction in the reference arrangement state. The difference d2 (d2 = L01−L02) of the distance L02 from the rotation axis of the mirror surface 11 at the maximum shake position of the mirror surface 11 in the projection light movement direction of the projection surface 20a-2 in the state is λ / 8 (λ : Wavelength of the measurement light 28) or less.

すなわち、ドーム型反射ミラー20−2は、0<d2≦λ/8の条件を満たすように配置されている。
なお、ドーム型反射ミラー20−2における、投射面20a−2の投射光移動方向におけるミラー面11の最大振れ位置とは、ミラー面11を最大に偏向させた状態(偏向角度Θmax)での、第1反射光30の投射光点位置(図9の矢印M1参照)である。
That is, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is disposed so as to satisfy the condition of 0 <d2 ≦ λ / 8.
In the dome-shaped reflection mirror 20-2, the maximum shake position of the mirror surface 11 in the projection light movement direction of the projection surface 20a-2 is the state in which the mirror surface 11 is deflected to the maximum (deflection angle Θmax). It is the projection light spot position of the first reflected light 30 (see arrow M1 in FIG. 9).

これにより、ドーム型反射ミラー20−2は、ずらし配置状態において、投射面20a−2の投射光移動方向における複数位置で、ミラー面11の回転中心からの距離Lxが同一の値となることがないようになっている。
すなわち、このドーム型反射ミラー20−2においては、投射面20a−2における第1反射光29の投射位置(投射光点位置)に応じて、各投射光点位置で生じる第2反射光30の位相が変わるようになっている。
Thereby, in the shifted arrangement state, the dome-shaped reflection mirror 20-2 has the same distance Lx from the rotation center of the mirror surface 11 at a plurality of positions in the projection light movement direction of the projection surface 20a-2. There is no such thing.
That is, in the dome-shaped reflection mirror 20-2, the second reflected light 30 generated at each projection light spot position according to the projection position (projection light spot position) of the first reflected light 29 on the projection surface 20a-2. The phase changes.

光の位相差は180度周期で変化を繰り返すので、ドーム型反射ミラー20−2のずれによる距離Lxの変化(変化量)は、使用する測定光28の波長λの1/2(180度)までにとどめる必要がある。しかし、位相が連続的に変化する場合には、波長λの1/2をこえた変化量があっても測定が可能となる。なお、レーザ干渉の原理については、例えば、“レーザ干渉測長器の理論”株式会社オーエルティ(URL;http://www.olt.co.jp/MotionX/Laser%20Interferometer%20Theory-JP-Rev1.pdf)を参照のこと。 Since the phase difference of the light repeatedly changes at a cycle of 180 degrees, the change (change amount) in the distance Lx due to the deviation of the dome-shaped reflecting mirror 20-2 is 1/2 (180 degrees) of the wavelength λ of the measurement light 28 to be used. It is necessary to stay by. However, when the phase changes continuously, measurement is possible even if there is a change amount exceeding ½ of the wavelength λ. Regarding the principle of laser interference, for example, “Theory of Laser Interferometer”, OLT Co., Ltd. ( URL; http://www.olt.co.jp/MotionX/Laser%20Interferometer%20Theory-JP-Rev1. pdf ).

また、ドーム型反射ミラー20−2を基準配置状態からずらして配置することにより、厳密には、投射面20a−2で反射した第2反射光30の経路が第1反射光29の経路とが一致しなくなる。しかしながら、測定光28は100〜500μmほどの径を有しており、ドーム型反射ミラー20−2のずれ量に比べて充分に太いので、その影響を受けることはない。   In addition, by arranging the dome-shaped reflection mirror 20-2 so as to be shifted from the reference arrangement state, strictly speaking, the path of the second reflected light 30 reflected by the projection surface 20a-2 is different from the path of the first reflected light 29. It will not match. However, the measurement light 28 has a diameter of about 100 to 500 μm and is sufficiently thick as compared with the displacement amount of the dome-shaped reflection mirror 20-2, so that it is not affected.

また、ドーム型反射ミラー20−2は、図8に示すように、投射面20a−2のミラー面中心とミラー面11の回転軸との距離L3が、ハーフミラー17における測定光28の照射点からミラー33のミラー面33aまでの距離L1と、ハーフミラー17における第3反射光31の入射位置からミラー面11の回転軸までの距離L2とが、以下の式(1)に示す条件を満たすように配置されている。   In addition, as shown in FIG. 8, the dome-shaped reflection mirror 20-2 has a distance L3 between the mirror surface center of the projection surface 20a-2 and the rotation axis of the mirror surface 11, and the irradiation point of the measurement light 28 in the half mirror 17. The distance L1 from the mirror 33 to the mirror surface 33a and the distance L2 from the incident position of the third reflected light 31 on the half mirror 17 to the rotation axis of the mirror surface 11 satisfy the condition shown in the following formula (1). Are arranged as follows.

L1=L2+L3 ・・・(1)
光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17に反射されてミラー33に入射され、このミラー33のミラー面33aにおいて反射された後にハーフミラー17を透過して入射する測定光28が、第1経路光として入射されるようになっている。
L1 = L2 + L3 (1)
Measurement that is output from the measurement light source 14, reflected by the half mirror 17 and incident on the mirror 33, reflected by the mirror surface 33 a of the mirror 33, and then transmitted through the half mirror 17 to the light amount detector 191. The light 28 is incident as the first path light.

また、光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に入射され、そのミラー面11において第1反射光29として反射された後に、ドーム型反射ミラー20−2の投射面20a−2において第2反射光30として反射され、再度、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射され、このハーフミラー17に反射されることにより入射する測定光28が、第2経路光として入射されるようになっている。   The light amount detector 191 is output from the measurement light source 14, passes through the half mirror 17, enters the MEMS mirror 12, is reflected as the first reflected light 29 on the mirror surface 11, and then is reflected in the dome shape. The light is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-2 of the mirror 20-2, is again incident on the mirror surface 11, is incident on the half mirror 17 as the third reflected light 31, and is reflected by the half mirror 17. Accordingly, the incident measurement light 28 is incident as the second path light.

そして、これらの第1経路光と第2経路光とは、ハーフミラー17によって同一光軸の光に合成されるようになっている。なお、以下、第1経路光と第2経路光とを合成した光を合成光という場合がある。
また、この第2経路光においては、ドーム型反射ミラー20−2において、ミラー面11の回転中心から投射面20a−2までの距離Lxが、ミラー面11の偏向角度に応じて変化するようになっている。これにより、第2経路光は、ミラー面11の偏向角度に応じてその位相が変化するようになっている。
The first path light and the second path light are combined by the half mirror 17 into light having the same optical axis. Hereinafter, light obtained by combining the first path light and the second path light may be referred to as combined light.
In the second path light, in the dome-shaped reflection mirror 20-2, the distance Lx from the rotation center of the mirror surface 11 to the projection surface 20a-2 changes according to the deflection angle of the mirror surface 11. It has become. As a result, the phase of the second path light changes in accordance with the deflection angle of the mirror surface 11.

そして、これらの第1経路光と第2経路光とは、ハーフミラー17によって同一光軸の光に合成されることにより相互に干渉(光干渉)するようになっている。すなわち、第2経路光の位相が変化することにより、結果として、合成光の光量が変化する。従って、合成光においては、ミラー面11の偏向角度に応じてその光量が変化するのである。
ここで、ドーム型反射ミラー20−2を配置する具体的な手法を例示する。先ず、MEMSミラー12をステージ上に載置した状態で、ミラー面11の偏向角度を変化させて、どの偏向角度でも光量検知器191の検知出力が変化しないようなドーム型反射ミラー20−2の位置を求める。このように、ミラー面11の偏向角度を変化させても光量検知器191の光量が変化しないドーム型反射ミラー20−2の配置状態が基準配置状態となる。
The first path light and the second path light are combined with light of the same optical axis by the half mirror 17 to interfere with each other (light interference). That is, when the phase of the second path light changes, as a result, the amount of the combined light changes. Therefore, the amount of light in the combined light changes according to the deflection angle of the mirror surface 11.
Here, a specific method for arranging the dome-shaped reflection mirror 20-2 will be exemplified. First, in a state where the MEMS mirror 12 is placed on the stage, the deflection angle of the mirror surface 11 is changed so that the detection output of the light amount detector 191 does not change at any deflection angle. Find the position. As described above, the arrangement state of the dome-shaped reflection mirror 20-2 in which the light amount of the light amount detector 191 does not change even when the deflection angle of the mirror surface 11 is changed becomes the reference arrangement state.

その後、ドーム型反射ミラー20−2を、測定光28の光軸に平行な方向にずれ量d1ずらすことにより、ずらし配置状態に配置する。
なお、ドーム型反射ミラー20−2の投射面20a−2も、金属,ガラス,石英等の材料を用いて形成される。又、投射面20a−2を形成する材料として周囲温度の影響の度合い、すなわち温度係数が少ない材料を用いることにより、測定精度を高くすることができる。
Thereafter, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is disposed in a shifted arrangement state by shifting the shift amount d1 in a direction parallel to the optical axis of the measurement light 28.
Note that the projection surface 20a-2 of the dome-shaped reflection mirror 20-2 is also formed using a material such as metal, glass, or quartz. Further, the measurement accuracy can be increased by using a material having a small influence of the ambient temperature, that is, a material having a small temperature coefficient, as the material for forming the projection surface 20a-2.

また、本第2実施形態の測定装置10−2においても、ドーム型反射ミラー20−2の投射面20a−2における所定の位置(例えば、偏向角度=0度となる位置:ミラー面中心)において、他の位置とは反射率が大きく異なる(例えば、反射率=0%)部分を設けてもよい。これにより、投射面20a−2における絶対的な位置を容易に特定することができる。又、この反射率が大きく異なる部分としては、例えば、投射面20a−2に穴を開けたり、反射率が低い塗料等を付着させることにより容易に実現することができる。   Also in the measuring apparatus 10-2 of the second embodiment, at a predetermined position on the projection surface 20a-2 of the dome-shaped reflection mirror 20-2 (for example, a position where the deflection angle = 0 degree: the center of the mirror surface). In addition, a portion having a significantly different reflectance from other positions (for example, reflectance = 0%) may be provided. Thereby, the absolute position in the projection surface 20a-2 can be specified easily. In addition, the portion having a significantly different reflectance can be easily realized by, for example, making a hole in the projection surface 20a-2 or attaching a paint having a low reflectance.

管理部16−2は、本測定装置10−2におけるMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なうものであり、図8に示すように、偏向角度算出部102,メモリ103および測定制御部104をそなえて構成されている。
本第2実施形態の測定装置10−2においては、偏向角度算出部102は、光量検知器191から出力される検知光量とメモリ103に格納された基準情報とに基づいて被測定ミラー(MEMSミラー12)の偏向角度を算出するようになっている。
The management unit 16-2 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 in the measurement apparatus 10-2, and as shown in FIG. 8, the deflection angle calculation unit 102, the memory 103, and the measurement control. The unit 104 is configured.
In the measurement apparatus 10-2 according to the second embodiment, the deflection angle calculation unit 102 is based on the detected light amount output from the light amount detector 191 and the reference information stored in the memory 103. The deflection angle of 12) is calculated.

また、本第2実施形態の測定装置10−2においても、メモリ103に、予め、上述の如く配置したドーム型反射ミラー20−2に対して、基準となるMEMSミラー12に測定光28を照射することにより作成した基準情報を格納しておく。この基準情報は、光量値に対する偏向角を求めるために参照される情報であって、ミラー面11の偏向角度と光量値との対応関係を示す情報である。   Also in the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment, the measurement light 28 is applied to the MEMS mirror 12 serving as a reference with respect to the dome-shaped reflection mirror 20-2 previously arranged in the memory 103 as described above. The reference information created by this is stored. The reference information is information that is referred to in order to obtain the deflection angle with respect to the light amount value, and is information that indicates the correspondence between the deflection angle of the mirror surface 11 and the light amount value.

上述の如く構成された第2実施形態に係る測定装置10−2において、測定用光源14から測定光28を出力すると、この測定光28の一部は、ハーフミラー17に反射されてミラー33に入射される。そして、この測定光28は、ミラー33のミラー面33aにおいて反射された後にハーフミラー17を透過して、第1経路光として光量検知器191に入射される。   In the measurement apparatus 10-2 according to the second embodiment configured as described above, when the measurement light 28 is output from the measurement light source 14, a part of the measurement light 28 is reflected by the half mirror 17 to the mirror 33. Incident. Then, the measurement light 28 is reflected by the mirror surface 33a of the mirror 33, then passes through the half mirror 17, and enters the light amount detector 191 as the first path light.

また、測定用光源14から出力された残りの測定光28は、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に照射され(照射ステップ)、そのミラー面11において第1反射光29として反射される。第1反射光29は、ドーム型反射ミラー20−2の投射面20a−2において第2反射光30として反射され(反射ステップ)、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射される。そして、この第3反射光31は、ハーフミラー17に反射され、第2経路光として光量検知器191に入射される(受光ステップ)。   Further, the remaining measurement light 28 output from the measurement light source 14 passes through the half mirror 17 and is irradiated onto the MEMS mirror 12 (irradiation step), and is reflected as first reflected light 29 on the mirror surface 11. The first reflected light 29 is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-2 of the dome-shaped reflecting mirror 20-2 (reflecting step), is incident on the mirror surface 11, and becomes the third reflected light 31 as the half mirror 17. Is incident on. The third reflected light 31 is reflected by the half mirror 17 and enters the light amount detector 191 as the second path light (light receiving step).

これらの第1経路光と第2経路光とはハーフミラー17によって同一光軸の光に合成され、光量検知器191は、この合成光を受信してその光量に応じた電圧信号を検知光量として出力する。
偏向角度算出部102は、光量検知器191から出力される検知光量に基づいて、メモリ103に格納された基準情報を参照することにより、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を求める(測定ステップ)。
The first path light and the second path light are combined into light of the same optical axis by the half mirror 17, and the light amount detector 191 receives the combined light and uses a voltage signal corresponding to the light amount as a detected light amount. Output.
The deflection angle calculation unit 102 obtains the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 by referring to the reference information stored in the memory 103 based on the detected light amount output from the light amount detector 191 (measurement step). ).

本測定装置10−2においては、上述の如き測定光28の照射からミラー面11の偏向角度の測定までを、ミラー面11の偏向角度を変更させながら繰り返し行なうことにより、MEMSミラー12の偏向特性を測定するのである。
なお、本第2実施形態の測定装置10−2における測定手順の詳細については、第1実施形態の測定装置10−1とほぼ同様であるための、その詳細な説明は省略する。
In this measurement apparatus 10-2, the deflection characteristic of the MEMS mirror 12 is repeatedly performed by changing the deflection angle of the mirror surface 11 from the irradiation of the measurement light 28 as described above to the measurement of the deflection angle of the mirror surface 11. Is measured.
Note that the details of the measurement procedure in the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment are substantially the same as those of the measurement apparatus 10-1 of the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.

このように、本第2実施形態の一例としての測定装置10−2によれば、ドーム型反射ミラー20−2が、その投射面20a−2における複数位置のそれぞれが、ミラー面11における第1反射光29の反射位置から互いに異なる距離を有するように配置されている。これにより、ドーム型反射ミラー20−2においては、投射面20a−2における第1反射光29の投射位置(投射光点位置)に応じて、各投射光点位置で生じる第2反射光30の位相が変化する。   Thus, according to the measuring apparatus 10-2 as an example of the second embodiment, each of the plurality of positions on the projection surface 20a-2 of the dome-shaped reflection mirror 20-2 is the first on the mirror surface 11. They are arranged so as to have different distances from the reflection position of the reflected light 29. Thereby, in the dome shape reflective mirror 20-2, according to the projection position (projection light point position) of the 1st reflected light 29 in the projection surface 20a-2, the 2nd reflected light 30 produced in each projection light point position. The phase changes.

従って、光量検知器191において、ミラー面11の偏向角度に応じてその光量が変化する合成光が入力され、この合成光の光量を測定することにより、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を求めることができる。これにより、MEMSミラー12の偏向特性を容易且つ高精度で測定することができる。
また、この際、ドーム型反射ミラー20−2として、投射面20a−1における投射光点移動方向で反射率が均一もしくはほぼ均一なものを使用することができるので、ドーム型反射ミラー20−2の製造コストを低減することができ、結果として測定装置10−2の製造コストを低減することができる。
Therefore, the light amount detector 191 receives the combined light whose light amount changes according to the deflection angle of the mirror surface 11, and measures the light amount of the combined light, thereby determining the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12. Can be sought. Thereby, the deflection characteristic of the MEMS mirror 12 can be measured easily and with high accuracy.
At this time, as the dome-shaped reflecting mirror 20-2, a dome-shaped reflecting mirror 20-2 having a uniform or substantially uniform reflectance in the direction of movement of the projection light spot on the projection surface 20a-1 can be used. The manufacturing cost of the measuring apparatus 10-2 can be reduced as a result.

また、ドーム型反射ミラー20−2を、その投射面20a−2の円弧中心がミラー面11における測定光の反射位置からずれた位置に配置することにより、投射面20a−2における複数の投射光点位置で、その投射光点位置で生じる第2反射光30の位相を変えることができ利便性が高い。すなわち、本測定装置10−2を容易かつ低コストで実現することができる。   In addition, the dome-shaped reflection mirror 20-2 is arranged at a position where the arc center of the projection surface 20a-2 deviates from the measurement light reflection position on the mirror surface 11, so that a plurality of projection lights on the projection surface 20a-2 are obtained. The phase of the second reflected light 30 generated at the projected light spot position can be changed at the point position, which is highly convenient. That is, the measurement apparatus 10-2 can be realized easily and at low cost.

また、ピンホール18をそなえており、このピンホール18によって、測定光28や第2反射光30が測定系を構成する光学部品において多重反射等することにより生じる不要光が光量検知部191に入射することを抑止することができる。
〔3〕第3実施形態の説明
図10は第3実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図、図11,図12はそれぞれ本第3実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。なお、図12は図11のA部を拡大して示している。なお、これらの図11,図12においては、便宜上、ミラー面11,ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3,測定光28および第1反射光29のみを示しており、更に、投射面20a−3をそのミラー面11と対向する側とは反対側から図示している。
Also, a pinhole 18 is provided, and unnecessary light generated when the measurement light 28 and the second reflected light 30 are subjected to multiple reflection in an optical component constituting the measurement system is incident on the light amount detection unit 191 by the pinhole 18. Can be deterred.
[3] Description of Third Embodiment FIG. 10 is a diagram schematically showing the configuration of a measurement apparatus as an example of the third embodiment, and FIGS. 11 and 12 are dome-shaped reflections of the measurement apparatus of the third embodiment, respectively. It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of a mirror. FIG. 12 is an enlarged view of part A in FIG. 11 and 12, only the mirror surface 11, the projection surface 20a-3 of the dome-shaped reflection mirror 20-3, the measurement light 28, and the first reflected light 29 are shown for convenience. The surface 20a-3 is illustrated from the side opposite to the side facing the mirror surface 11.

本第3実施形態にかかる測定装置10−3も、第2実施形態の測定装置10−2と同様に、ミラー面11の偏向角度(傾き)が変更可能に構成されたMEMSミラー(ミラーシステム)12の偏向特性を測定するための装置である。この測定装置10−3は、図10に示すように、測定用光源14,管理部16−3,ハーフミラー17,ピンホール18,光量検知器191,偏向ミラー駆動部27,ミラー33およびドーム型反射ミラー(凹面投射部)20−3をそなえて構成されている。   The measurement apparatus 10-3 according to the third embodiment is also a MEMS mirror (mirror system) configured such that the deflection angle (tilt) of the mirror surface 11 can be changed, like the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment. This is an apparatus for measuring 12 deflection characteristics. As shown in FIG. 10, the measuring apparatus 10-3 includes a measuring light source 14, a management unit 16-3, a half mirror 17, a pinhole 18, a light amount detector 191, a deflection mirror driving unit 27, a mirror 33, and a dome type. A reflection mirror (concave projection portion) 20-3 is provided.

すなわち、本第3実施形態にかかる測定装置10−3は、図10に示すように、第2実施形態の測定装置10−2におけるドーム型反射ミラー20−2に代えてドーム型反射ミラー20−3をそなえるとともに、管理部16−2に代えて管理部16−3をそなえるものであり、その他の部分は第2実施形態の測定装置10−2と同様に構成されている。
なお、図中、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
That is, as shown in FIG. 10, the measurement apparatus 10-3 according to the third embodiment replaces the dome-shaped reflection mirror 20-2 in the measurement apparatus 10-2 according to the second embodiment. 3 and a management unit 16-3 instead of the management unit 16-2, and the other parts are configured in the same manner as the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment.
In the figure, the same reference numerals as those described above indicate the same or substantially the same parts, and detailed description thereof will be omitted.

ドーム型反射ミラー20−3は、図11に示すように、矩形の板状部材を一方の面の側に一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえている。そして、このドーム型反射ミラー20−3は円弧の内側面、すなわち投射面20a−3をミラー面11に対向するように配置されており、ミラー面11において測定光28が反射することにより作成された第1反射光29が、この投射面20a−3に照射されるようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−3における円弧の内側面が、第1反射光29が投射光点として照射される投射面20a−3として機能するようになっている。   As shown in FIG. 11, the dome-shaped reflection mirror 20-3 is configured such that a rectangular plate-like member is curved with a constant arc on one surface side, thereby being curved in one direction. It has a shape. The dome-shaped reflection mirror 20-3 is arranged so that the inner surface of the arc, that is, the projection surface 20a-3 faces the mirror surface 11, and is created by the measurement light 28 reflecting off the mirror surface 11. Further, the first reflected light 29 is irradiated onto the projection surface 20a-3. That is, the inner surface of the arc in the dome-shaped reflection mirror 20-3 functions as a projection surface 20a-3 on which the first reflected light 29 is irradiated as a projection light point.

更に、ドーム型反射ミラー20−3は、投射面20a−3の円弧中心がミラー面11における回転軸の第1投射点に重合するように配置されている。これにより、ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3において、照射された第1反射光29が第2反射光(第2の反射光)30として反射するようになっており、又、その第2反射光30は、ミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。   Furthermore, the dome-shaped reflection mirror 20-3 is arranged so that the arc center of the projection surface 20a-3 overlaps with the first projection point of the rotation axis on the mirror surface 11. Thus, the irradiated first reflected light 29 is reflected as the second reflected light (second reflected light) 30 on the projection surface 20a-3 of the dome-shaped reflecting mirror 20-3, The second reflected light 30 is applied to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11.

また、ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
さらに、このドーム型反射ミラー20−3において、投射面20a−3のいずれの場所において反射された第2反射光30も、このミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measuring light 28, and enters the half mirror 17. It has become so.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-3, the second reflected light 30 reflected at any place on the projection surface 20a-3 is irradiated to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11. It has become.

ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3には、図12に示すように、投射光点移動方向に沿って複数の畝状の突起(段差)が規則的な周期で並ぶように(格子状に)形成されている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measurement light 28, and enters the half mirror 17. It has become.
On the projection surface 20a-3 of the dome-shaped reflection mirror 20-3, as shown in FIG. 12, a plurality of bowl-shaped projections (steps) are arranged at regular intervals along the projection light spot moving direction ( (In a lattice pattern).

そして、本第3実施形態においては、これらの各突起は、投射面20a−3における投射光点移動方向と直行する方向と平行に等間隔で配設されている。すなわち、投射面20a−3においては、隣り合う突起どうしの間には底面20a−3Lが形成され、投射光点移動方向に沿って、突起の頂面20a−3Hと底面20a−3Lとが交互に並ぶようになっている。従って、投射面20a−3は、頂面20a−3Hと底面20a−3Lとを交互に複数配置することにより構成されているといえる。   And in this 3rd Embodiment, these each processus | protrusion is arrange | positioned at equal intervals in parallel with the direction orthogonal to the projection light spot moving direction in the projection surface 20a-3. That is, on the projection surface 20a-3, the bottom surface 20a-3L is formed between the adjacent projections, and the top surface 20a-3H and the bottom surface 20a-3L of the projection are alternately arranged along the projection light spot moving direction. It has come to line up. Therefore, it can be said that the projection surface 20a-3 is configured by arranging a plurality of top surfaces 20a-3H and bottom surfaces 20a-3L alternately.

ドーム型反射ミラー20−3においては、これらの複数の頂面20a−3Hと複数の底面20a−3Lに第1反射光29が照射され、それぞれこの第1反射光29を反射することにより第2反射光30を出力するようになっている。
また、複数の頂面20a−3Hおよび複数の底面20a−3Lの反射率は均一もしくはほぼ均一に形成されている。これにより、投射面20a−3の投射光点移動方向において異なる複数の頂面を投射光点位置として反射して生成された複数の第2反射光30は、互いに同じ光量(反射光量)として出力される。
In the dome-shaped reflection mirror 20-3, the plurality of top surfaces 20a-3H and the plurality of bottom surfaces 20a-3L are irradiated with the first reflected light 29, and the first reflected light 29 is reflected to reflect the second reflected light. The reflected light 30 is output.
Further, the reflectances of the plurality of top surfaces 20a-3H and the plurality of bottom surfaces 20a-3L are uniform or substantially uniform. Thereby, the plurality of second reflected lights 30 generated by reflecting the plurality of top surfaces different in the projection light spot moving direction of the projection surface 20a-3 as the projection light spot positions are output as the same light quantity (reflected light quantity). Is done.

そして、投射面20a−3に形成されたこれらの複数の突起は、互いに異なる高さを有しており、本第3実施形態においては、これらの複数の突起が、投射光点移動方向でその高さが段階的に変化するように形成されている。
すなわち、投射面20a−3における投射光点移動方向の一端側から、投射面20a−3における投射光点移動方向の他端側にかけて、突起の高さが段階的に高くなる(もしくは低くなる)ように形成されている。
The plurality of protrusions formed on the projection surface 20a-3 have different heights from each other. In the third embodiment, the plurality of protrusions are arranged in the direction of the projected light spot movement. It is formed so that the height changes stepwise.
That is, the height of the projection increases (or decreases) stepwise from one end side in the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-3 to the other end side in the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-3. It is formed as follows.

従って、本第3実施形態の測定装置10−3においては、ドーム型反射ミラー20−3が、その投射面20a−3における複数位置において互いに異なる表面高さ(突起の高さ)を有しているのである。
そして、この投射面20a−3における複数の頂面20a−3Hは、ミラー面11の回転軸から互いに異なる距離をそなえている。又、同様に、投射面20a−3における複数の底面20a−3Lは、ミラー面11の回転軸から互いに異なる距離をそなえている。
Therefore, in the measuring apparatus 10-3 of the third embodiment, the dome-shaped reflection mirror 20-3 has different surface heights (projection heights) at a plurality of positions on the projection surface 20a-3. It is.
The plurality of top surfaces 20 a-3 H on the projection surface 20 a-3 have different distances from the rotation axis of the mirror surface 11. Similarly, the plurality of bottom surfaces 20 a-3 L on the projection surface 20 a-3 have different distances from the rotation axis of the mirror surface 11.

また、投射面20a−3における投射光移動方向の各頂面20a−3Hは、ミラー面11の回転中心からの距離が段階的に変化するようになっている。又、投射面20a−3における投射光移動方向の各底面20a−3Lも、ミラー面11の回転中心からの距離が段階的に変化するようになっている。
すなわち、本第2実施形態の測定装置10−3においては、ドーム型反射ミラー20−3において、ミラー面11の回転中心から投射面20a−3までの距離Lxは、ミラー面11の偏向角度に応じて変化するようになっている。
Further, each top surface 20a-3H in the projection light movement direction on the projection surface 20a-3 is configured such that the distance from the center of rotation of the mirror surface 11 changes stepwise. In addition, each bottom surface 20a-3L of the projection surface 20a-3 in the direction of movement of the projection light also has a stepwise change in distance from the center of rotation of the mirror surface 11.
That is, in the measurement apparatus 10-3 of the second embodiment, in the dome-shaped reflection mirror 20-3, the distance Lx from the rotation center of the mirror surface 11 to the projection surface 20a-3 is the deflection angle of the mirror surface 11. It is designed to change accordingly.

また、投射面20a−3において形成されている複数の突起は、隣合う頂面20a−3Hと底面20a−3Lとの差(高低差,表面高さ)が、λ/8(λ:測定光28の波長)以下(例えば、100〜150nm)となるように構成されている。
すなわち、このドーム型反射ミラー20−3においては、投射面20a−3における第1反射光29の投射位置(投射光点位置)に応じて、各投射光点位置で生じる第2反射光30の位相が変わるようになっている。
Further, the plurality of protrusions formed on the projection surface 20a-3 have a difference of λ / 8 (λ: measurement light) between the adjacent top surface 20a-3H and bottom surface 20a-3L (height difference, surface height). 28 wavelengths) or less (for example, 100 to 150 nm).
That is, in the dome-shaped reflection mirror 20-3, the second reflected light 30 generated at each projection light spot position according to the projection position (projection light spot position) of the first reflected light 29 on the projection surface 20a-3. The phase changes.

図13(a)〜(c)は本第3実施形態の測定装置10−3のドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3に形成された突起を模式的に示す図であり、図13(a)はその投射面20a−3の投射光点移動方向の一端側位置に形成された突起を示す図、図13(b)はその投射光点移動方向の中間位置付近に形成された突起を示す図、図13(c)はその投射光点移動方向の他端側位置に形成された突起を示す図である。   FIGS. 13A to 13C are diagrams schematically showing protrusions formed on the projection surface 20a-3 of the dome-shaped reflecting mirror 20-3 of the measuring apparatus 10-3 of the third embodiment. 13 (a) is a view showing a protrusion formed at one end side position of the projection surface 20a-3 in the projection light spot moving direction, and FIG. 13 (b) is formed near an intermediate position in the projection light spot moving direction. FIG. 13C is a view showing the protrusion, and FIG. 13C is a view showing the protrusion formed at the other end side position in the projection light spot moving direction.

これらの図13(a)〜(c)に示すように、ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3は、一端側位置から他端側位置に向かって突起の高さが段階的に高くなるように形成され、その突起の高さが最も高くなる他端側位置において、頂面20a−3Hと底面20a−3Lとの高低差がλ/8以下となるように構成されている。
なお、ドーム型反射ミラー20−3における投射面20a−3の各突起は、例えば、EB(Electron Beam)描写や、レジストパタン形成,エッチング,薄膜形成等の既知のナノ加工技術を用いることにより実現することができる。これらのナノ加工技術を用いることにより、投射面20a−3における微小な段差を高精度で形成することができる。
As shown in FIGS. 13A to 13C, the projection surface 20a-3 of the dome-shaped reflecting mirror 20-3 has a stepped height from the one end side position toward the other end side position. The height difference between the top surface 20a-3H and the bottom surface 20a-3L is configured to be λ / 8 or less at the other end position where the height of the protrusion is the highest.
In addition, each protrusion of the projection surface 20a-3 in the dome-shaped reflection mirror 20-3 is realized by using known nano-processing techniques such as EB (Electron Beam) drawing, resist pattern formation, etching, thin film formation, and the like. can do. By using these nano-processing techniques, a minute step on the projection surface 20a-3 can be formed with high accuracy.

また、ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3も、金属,ガラス,石英等の材料を用いて形成される。又、投射面20a−3を形成する材料として周囲温度の影響の度合い、すなわち温度係数が少ない材料を用いることにより、測定精度を高くすることができる。
光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17に反射されてミラー33に入射され、このミラー33のミラー面33aにおいて反射された後にハーフミラー17を透過して入射する測定光28が、第1経路光として入射されるようになっている。
Further, the projection surface 20a-3 of the dome-shaped reflection mirror 20-3 is also formed using a material such as metal, glass, quartz or the like. Further, the measurement accuracy can be increased by using a material having a small influence of the ambient temperature, that is, a material having a small temperature coefficient, as the material for forming the projection surface 20a-3.
Measurement that is output from the measurement light source 14, reflected by the half mirror 17 and incident on the mirror 33, reflected by the mirror surface 33 a of the mirror 33, and then transmitted through the half mirror 17 to the light amount detector 191. The light 28 is incident as the first path light.

また、光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に入射され、そのミラー面11において第1反射光29として反射された後に、ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3において第2反射光30として反射され、再度、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射され、このハーフミラー17に反射されることにより入射する測定光28が、第2経路光として入射されるようになっている。   The light amount detector 191 is output from the measurement light source 14, passes through the half mirror 17, enters the MEMS mirror 12, is reflected as the first reflected light 29 on the mirror surface 11, and then is reflected in the dome shape. The light is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-3 of the mirror 20-3, is incident on the mirror surface 11 again, is incident on the half mirror 17 as the third reflected light 31, and is reflected by the half mirror 17. Accordingly, the incident measurement light 28 is incident as the second path light.

また、この第2経路光においては、ドーム型反射ミラー20−3において、ミラー面11の回転中心から各頂面20a−3Hや底面20a−3Lまでの距離が、ミラー面11の偏向角度に応じて変化するようになっている。これにより、第2経路光は、ミラー面11の偏向角度に応じてその位相が変化するようになっている。
そして、これらの第1経路光と第2経路光とは、ハーフミラー17によって同一光軸の合成光に合成され、又、これらの第1経路光と第2経路光とは相互に干渉(光干渉)するようになっている。
In the second path light, the distance from the rotation center of the mirror surface 11 to each top surface 20a-3H or bottom surface 20a-3L in the dome-shaped reflection mirror 20-3 depends on the deflection angle of the mirror surface 11. Change. As a result, the phase of the second path light changes in accordance with the deflection angle of the mirror surface 11.
Then, the first path light and the second path light are combined into the combined light having the same optical axis by the half mirror 17, and the first path light and the second path light interfere with each other (light Interference).

そして、第2経路光の位相が変化することにより、結果として、合成光の光量が変化する。すなわち、合成光においては、ミラー面11の偏向角度に応じてその光量が変化するのである。
図14は本第3実施形態の一例としての測定装置10−3における基準情報を説明するための図である。
Then, the phase of the second path light changes, and as a result, the amount of combined light changes. That is, the amount of light in the combined light changes according to the deflection angle of the mirror surface 11.
FIG. 14 is a diagram for explaining reference information in the measurement apparatus 10-3 as an example of the third embodiment.

基準情報は、光量値に対する偏向角を求める(推定する)ために参照される情報であって、ミラー面11の偏向角度と光量値との対応関係を示す情報である。この基準情報は、予め、基準となるMEMSミラー12を用いて作成され、メモリ103に格納されるようになっている。
図14に示す例においては、本第3実施形態の測定装置10−3において、ステージに載置した基準ミラー(MEMSミラー12)のミラー面11の偏向角度を−20度から+20度に連続的に回転させて、投射面20a−3において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させた場合に光量検知器191から出力される検知光量を示している。
The reference information is information that is referred to in order to obtain (estimate) the deflection angle with respect to the light quantity value, and is information that indicates the correspondence between the deflection angle of the mirror surface 11 and the light quantity value. This reference information is created in advance using the reference MEMS mirror 12 and stored in the memory 103.
In the example shown in FIG. 14, in the measuring apparatus 10-3 of the third embodiment, the deflection angle of the mirror surface 11 of the reference mirror (MEMS mirror 12) placed on the stage is continuously changed from −20 degrees to +20 degrees. The detected light amount output from the light amount detector 191 when the projection light point of the first reflected light 29 is moved in the projection light point movement direction on the projection surface 20a-3 is shown.

この図14においては、便宜上、便宜上、縦軸に光量値を示すとともに横軸に偏向角度を示したグラフとして表している。なお、この基準情報は、図14に示したようなグラフの他、テーブルや数式等であってもよく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
図14に示すように、投射光点が頂面20a−3H上にある場合には検知光量が高くなり(山部)、投射光点が底面20a−3L上にある場合には検知光量が低くなる(谷部)。すなわち、投射面20a−3において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させると、その投射光点の位置に応じて、検知光量の値も上下するのである。
In FIG. 14, for the sake of convenience, the graph shows the light amount value on the vertical axis and the deflection angle on the horizontal axis for convenience. The reference information may be a table, a mathematical expression, or the like in addition to the graph shown in FIG. 14, and can be implemented with various modifications without departing from the spirit of the present embodiment.
As shown in FIG. 14, when the projected light spot is on the top surface 20a-3H, the detected light quantity is high (mountain portion), and when the projected light spot is on the bottom face 20a-3L, the detected light quantity is low. (Tanibe). That is, when the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-3, the value of the detected light amount also rises and falls according to the position of the projection light spot.

つまり、この図14に示す例においては、検知光量を表す値において、隣り合う山谷の高低差は投射面20a−3における突起の頂面20a−3Hと底面20a−3Lとの高低差に相当する。
従って、上述の如く検出された検知光量における隣り合う山部と谷部との高低差を求めることにより、投射面20a−3における対応する突起を特定することができる。すなわち、投射面20a−3における投射光点位置を特定することができるのである。
That is, in the example shown in FIG. 14, in the value representing the detected light amount, the height difference between adjacent peaks and valleys corresponds to the height difference between the top surface 20a-3H and the bottom surface 20a-3L of the projection on the projection surface 20a-3. .
Therefore, the corresponding protrusion on the projection surface 20a-3 can be specified by obtaining the difference in height between the adjacent peaks and valleys in the detected light amount detected as described above. That is, the projection light spot position on the projection surface 20a-3 can be specified.

また、本第3実施形態の測定装置10−3においても、ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3における所定の位置(例えば、偏向角度=0度となる位置:ミラー面中心)において、他の位置とは反射率が大きく異なる(例えば、反射率=0%)部分を設けてもよい。これにより、投射面20a−3における絶対的な位置を容易に特定することができる。又、この反射率が大きく異なる部分としては、例えば、投射面20a−3に穴を開けたり、反射率が低い塗料等を付着させることにより容易に実現することができる。   Also in the measurement apparatus 10-3 of the third embodiment, at a predetermined position on the projection surface 20a-3 of the dome-shaped reflection mirror 20-3 (for example, a position where the deflection angle = 0 degree: the center of the mirror surface). In addition, a portion having a significantly different reflectance from other positions (for example, reflectance = 0%) may be provided. Thereby, the absolute position in the projection surface 20a-3 can be specified easily. In addition, the portion having a greatly different reflectance can be easily realized by, for example, making a hole in the projection surface 20a-3 or attaching a paint having a low reflectance.

管理部16−3は、本測定装置10−3におけるMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なうものであり、図10に示すように、偏向角度算出部102,メモリ103および測定制御部104をそなえて構成されている。
また、本第3実施形態の測定装置10−3においても、メモリ103に、予め、上述の如く配置したドーム型反射ミラー20−3に対して、基準となるMEMSミラー12に測定光28を照射することにより作成した基準情報を格納しておく。基準情報は、光量値に対する偏向角を求めるために参照される情報であって、ミラー面11の偏向角度と光量値との対応関係を示す情報である。
The management unit 16-3 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 in the measurement apparatus 10-3. As shown in FIG. 10, the deflection angle calculation unit 102, the memory 103, and the measurement control are performed. The unit 104 is configured.
Also in the measurement apparatus 10-3 of the third embodiment, the measurement light 28 is applied to the MEMS mirror 12 serving as a reference with respect to the dome-shaped reflection mirror 20-3 previously arranged in the memory 103 as described above. The reference information created by this is stored. The reference information is information that is referred to in order to obtain the deflection angle with respect to the light amount value, and is information that indicates the correspondence between the deflection angle of the mirror surface 11 and the light amount value.

本第3実施形態の測定装置10−3においては、偏向角度算出部102は、光量検知器191から出力される検知光量に基づいてメモリ103に格納された基準情報を参照することにより被測定ミラー(MEMSミラー12)の偏向角度を算出(推定)するようになっている。
上述の如く構成された第3実施形態に係る測定装置10−3において、測定用光源14から測定光28を出力すると、この測定光28の一部は、ハーフミラー17に反射されてミラー33に入射される。そして、この測定光28は、ミラー33のミラー面33aにおいて反射された後にハーフミラー17を透過して、第1経路光として光量検知器191に入射される。
In the measurement apparatus 10-3 according to the third embodiment, the deflection angle calculation unit 102 refers to the reference information stored in the memory 103 based on the detected light amount output from the light amount detector 191, thereby measuring the mirror to be measured. The deflection angle of the (MEMS mirror 12) is calculated (estimated).
In the measurement apparatus 10-3 according to the third embodiment configured as described above, when the measurement light 28 is output from the measurement light source 14, a part of the measurement light 28 is reflected by the half mirror 17 to the mirror 33. Incident. Then, the measurement light 28 is reflected by the mirror surface 33a of the mirror 33, then passes through the half mirror 17, and enters the light amount detector 191 as the first path light.

また、測定用光源14から出力された残りの測定光28は、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に照射され(照射ステップ)、そのミラー面11において第1反射光29として反射される。第1反射光29は、ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3において第2反射光30として反射され(反射ステップ)、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射される。そして、この第3反射光31は、ハーフミラー17に反射され、第2経路光として光量検知器191に入射される(受光ステップ)。   Further, the remaining measurement light 28 output from the measurement light source 14 passes through the half mirror 17 and is irradiated onto the MEMS mirror 12 (irradiation step), and is reflected as first reflected light 29 on the mirror surface 11. The first reflected light 29 is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-3 of the dome-shaped reflecting mirror 20-3 (reflecting step), is incident on the mirror surface 11, and becomes the third reflected light 31 as the half mirror 17. Is incident on. The third reflected light 31 is reflected by the half mirror 17 and enters the light amount detector 191 as the second path light (light receiving step).

これらの第1経路光と第2経路光とはハーフミラー17によって同一光軸の光に合成され、光量検知器191は、この合成光を受信してその光量に応じた電圧信号を検知光量として出力する。
また、測定制御部104は、測定用光源14に測定光28を出力させた状態で、偏向ミラー駆動部27により、ミラー面11の角度を変更させる。これにより、光量検知器191において検知光量の変化、すなわち、段差における頂面20a−3Hと底面20a−3Lとの高低差を検出する。
The first path light and the second path light are combined into light of the same optical axis by the half mirror 17, and the light amount detector 191 receives the combined light and uses a voltage signal corresponding to the light amount as a detected light amount. Output.
Further, the measurement control unit 104 causes the deflection mirror driving unit 27 to change the angle of the mirror surface 11 in a state where the measurement light source 14 outputs the measurement light 28. Thereby, the light amount detector 191 detects a change in the detected light amount, that is, a height difference between the top surface 20a-3H and the bottom surface 20a-3L at the step.

偏向角度算出部102は、光量検知器191から出力される検知光量に基づいて、メモリ103に格納された基準情報を参照することにより、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を求める(測定ステップ)。具体的には、測定制御部104は、連続して検出された検知光量の差分(山谷の高低差)を求める。そして、この差分に基づいて基準情報を参照して、山谷の高低差が同一もしくはほぼ同一の差分となる隣り合う山谷に対応する偏光角度を求めることにより、ミラー面11の角度位置(偏向角度)を求める。   The deflection angle calculation unit 102 obtains the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 by referring to the reference information stored in the memory 103 based on the detected light amount output from the light amount detector 191 (measurement step). ). Specifically, the measurement control unit 104 obtains a difference (a height difference between the peaks and valleys) of the detected light amount detected continuously. Then, referring to the reference information based on this difference, the angle position (deflection angle) of the mirror surface 11 is obtained by obtaining the polarization angle corresponding to the adjacent mountain valley where the height difference of the mountain valley is the same or substantially the same difference. Ask for.

なお、本測定装置10−3においては、測定用光源14から測定光28を照射しながらミラー面11をその実効角度範囲(例えば、−20度〜+20度)にわたって回転させて、この実効角度範囲にかかる検知光量を一度に取得することにより、MEMSミラー12の偏向特性を測定してもよい。又、測定用光源14から測定光28を照射しながらミラー面11を限定的に(例えば、投射面20a−3における段差1つ分)回転させることにより、この限定的な角度範囲にかかる検知光量を取得することにより、MEMSミラー12の偏向特性を測定してもよい。   In this measurement apparatus 10-3, the mirror surface 11 is rotated over its effective angle range (for example, −20 degrees to +20 degrees) while irradiating the measurement light 28 from the measurement light source 14, and this effective angle range. The deflection characteristics of the MEMS mirror 12 may be measured by acquiring the detected light quantity at once. Further, by rotating the mirror surface 11 in a limited manner (for example, by one step on the projection surface 20a-3) while irradiating the measurement light 28 from the measurement light source 14, the detected light amount over this limited angle range. The deflection characteristic of the MEMS mirror 12 may be measured by acquiring

なお、本第3実施形態の測定装置10−3における測定手順の詳細については、第1実施形態の測定装置10−1とほぼ同様であるための、その詳細な説明は省略する。
このように、本第3実施形態の一例としての測定装置10−3によれば、第2実施形態の測定装置10−2と同様の作用効果を得ることができる。
すなわち、ドーム型反射ミラー20−3において、投射面20a−3における第1反射光29の投射位置(投射光点位置)に応じて、各投射光点位置で生じる第2反射光30の位相が変化する。従って、光量検知器191において、ミラー面11の偏向角度に応じてその光量が変化する合成光が入力され、この合成光の光量を測定することにより、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を求めることができる。これにより、MEMSミラー12の偏向特性を容易且つ高精度で測定することができる。
Note that the details of the measurement procedure in the measurement apparatus 10-3 of the third embodiment are substantially the same as those of the measurement apparatus 10-1 of the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.
As described above, according to the measurement apparatus 10-3 as an example of the third embodiment, it is possible to obtain the same operational effects as those of the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment.
In other words, in the dome-shaped reflection mirror 20-3, the phase of the second reflected light 30 generated at each projection light spot position depends on the projection position (projection light spot position) of the first reflected light 29 on the projection surface 20a-3. Change. Therefore, the light amount detector 191 receives the combined light whose light amount changes according to the deflection angle of the mirror surface 11, and measures the light amount of the combined light, thereby determining the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12. Can be sought. Thereby, the deflection characteristic of the MEMS mirror 12 can be measured easily and with high accuracy.

また、ピンホール18をそなえており、このピンホール18によって、測定光28や第2反射光30が測定系を構成する光学部品において多重反射等することにより生じる不要光が光量検知部191に入射することを抑止することができる。
〔4〕第4実施形態の説明
図15は第4実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図、図16は本第4実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。なお、図16においては、便宜上、ミラー面11,ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4,測定光28および第1反射光29のみを示しており、更に、投射面20a−4をそのミラー面11と対向する側とは反対側から図示している。
Also, a pinhole 18 is provided, and unnecessary light generated when the measurement light 28 and the second reflected light 30 are subjected to multiple reflection in an optical component constituting the measurement system is incident on the light amount detection unit 191 by the pinhole 18. Can be deterred.
[4] Description of Fourth Embodiment FIG. 15 is a diagram schematically showing a configuration of a measurement apparatus as an example of the fourth embodiment, and FIG. 16 is an arrangement state of dome-shaped reflection mirrors of the measurement apparatus of the fourth embodiment. FIG. In FIG. 16, for convenience, only the mirror surface 11, the projection surface 20a-4 of the dome-shaped reflection mirror 20-4, the measurement light 28, and the first reflection light 29 are shown. Further, the projection surface 20a-4 is shown. It is shown from the side opposite to the side facing the mirror surface 11.

本第4実施形態にかかる測定装置10−4も、第2実施形態の測定装置10−2と同様に、ミラー面11の偏向角度(傾き)が変更可能に構成されたMEMSミラー(ミラーシステム)12の偏向特性を測定するための装置である。この測定装置10−4は、図15に示すように、測定用光源14,管理部16−4,ハーフミラー17,ピンホール18,光量検知器191,偏向ミラー駆動部27およびドーム型反射ミラー(凹面投射部)20−4をそなえて構成されている。   Similarly to the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment, the measurement apparatus 10-4 according to the fourth embodiment is a MEMS mirror (mirror system) configured so that the deflection angle (tilt) of the mirror surface 11 can be changed. This is an apparatus for measuring 12 deflection characteristics. As shown in FIG. 15, the measuring device 10-4 includes a measuring light source 14, a management unit 16-4, a half mirror 17, a pinhole 18, a light amount detector 191, a deflection mirror driving unit 27, (Concave projection part) 20-4.

すなわち、本第4実施形態にかかる測定装置10−4は、第2実施形態の測定装置10−2におけるドーム型反射ミラー20−2に代えてドーム型反射ミラー20−4をそなえるとともに、管理部16−2に代えて管理部16−4をそなえるものであり、その他の部分は第2実施形態の測定装置10−2と同様に構成されている。
なお、図中、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
That is, the measuring apparatus 10-4 according to the fourth embodiment includes a dome-shaped reflecting mirror 20-4 instead of the dome-shaped reflecting mirror 20-2 in the measuring apparatus 10-2 of the second embodiment, and a management unit. Instead of 16-2, a management unit 16-4 is provided, and other parts are configured in the same manner as the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment.
In the figure, the same reference numerals as those described above indicate the same or substantially the same parts, and detailed description thereof will be omitted.

ドーム型反射ミラー20−4は、図16に示すように、矩形の板状部材を一方の面の側に一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえている。そして、このドーム型反射ミラー20−4は円弧の内側面、すなわち投射面20a−4をミラー面11に対向するように配置されており、ミラー面11において測定光28が反射することにより作成された第1反射光29が、この投射面20a−4に照射されるようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−4における円弧の内側面が、第1反射光29が投射光点として照射される投射面20a−4として機能するようになっている。   As shown in FIG. 16, the dome-shaped reflecting mirror 20-4 is configured such that a rectangular plate-like member is curved with a constant arc on one surface side, thereby being curved in one direction. It has a shape. The dome-shaped reflection mirror 20-4 is arranged so that the inner surface of the arc, that is, the projection surface 20a-4 faces the mirror surface 11, and is created by the measurement light 28 reflecting off the mirror surface 11. Further, the first reflected light 29 is irradiated onto the projection surface 20a-4. That is, the inner surface of the arc in the dome-shaped reflection mirror 20-4 functions as a projection surface 20a-4 on which the first reflected light 29 is irradiated as a projection light point.

更に、ドーム型反射ミラー20−4は、投射面20a−4の円弧中心がミラー面11における回転軸の第1投射点に重合するように配置されている。これにより、ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4において、照射された第1反射光29が第2反射光(第2の反射光)30として反射するようになっており、又、その第2反射光30は、ミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。   Furthermore, the dome-shaped reflection mirror 20-4 is arranged so that the arc center of the projection surface 20a-4 overlaps with the first projection point of the rotation axis on the mirror surface 11. Thereby, the irradiated first reflected light 29 is reflected as the second reflected light (second reflected light) 30 on the projection surface 20a-4 of the dome-shaped reflecting mirror 20-4, The second reflected light 30 is applied to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11.

また、ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
さらに、このドーム型反射ミラー20−4において、投射面20a−4のいずれの場所において反射された第2反射光30も、このミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measuring light 28, and enters the half mirror 17. It has become so.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-4, the second reflected light 30 reflected at any place on the projection surface 20a-4 is irradiated to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11. It has become.

ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
図17は本第4実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの部分拡大図である。ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4には、この図17に示すように、投射光点移動方向に沿って、第1の反射率(反射特性)を有する第1鏡面部20a−4Aと第2の反射率(反射特性)を有する第2鏡面部20a−4Bとが交互に配置されるように形成されている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measurement light 28, and enters the half mirror 17. It has become.
FIG. 17 is a partially enlarged view of the dome-shaped reflecting mirror of the measuring apparatus according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 17, the projection surface 20 a-4 of the dome-shaped reflection mirror 20-4 has a first mirror surface portion 20 a-having a first reflectance (reflection characteristic) along the projection light spot moving direction. 4A and second mirror surface portions 20a-4B having the second reflectance (reflection characteristics) are alternately arranged.

また、本第4実施形態においては、第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとは、投射光点移動方向において同じもしくはほぼ同じ幅(投射光点移動方向の長さ)となるように構成されている。すなわち、複数の第1鏡面部20a−4Aもしくは第2鏡面部20a−4Bは、投射光点移動方向において等間隔で配置されているといえる。又、これらの第1鏡面部20a−4Aおよび第2鏡面部20a−4Bは、投射面20a−3における投射光点移動方向と直行する方向と平行もしくはほぼ平行に配設されている。又、これらの第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとは投射光点移動方向に沿って交互に配設されている。   In the fourth embodiment, the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B have the same or substantially the same width (length in the projection light spot movement direction) in the projection light spot movement direction. It is comprised so that it may become. That is, it can be said that the plurality of first mirror surface portions 20a-4A or the second mirror surface portions 20a-4B are arranged at equal intervals in the projection light spot moving direction. Further, the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B are arranged in parallel or substantially parallel to the direction orthogonal to the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-3. The first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B are alternately arranged along the direction of the projected light spot movement.

すなわち、投射面20a−4においては、第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとを投射光点移動方向に沿って交互に繰り返し配設することにより格子が形成されている。
そして、ドーム型反射ミラー20−4においては、第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させることにより、これらの交互に配設された複数の第1鏡面部20a−4Aおよび第2鏡面部20a−4Bに第1反射光29が順次照射され、それぞれこの第1反射光29を反射することにより第2反射光30を出力するようになっている。
That is, on the projection surface 20a-4, a lattice is formed by alternately arranging the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B along the projection light spot moving direction.
In the dome-shaped reflection mirror 20-4, the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction, so that the plurality of first mirror surface portions 20a-4A arranged alternately are moved. The first reflected light 29 is sequentially irradiated on the second mirror surface portion 20a-4B, and the second reflected light 30 is output by reflecting the first reflected light 29, respectively.

また、第2の反射率は第1の反射率とは異なるものであり、これにより、投射面20a−4の投射光点移動方向において、第1鏡面部20a−4Aを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30と、第2鏡面部20a−4Bを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30とは異なる光量(反射光量:光学特性)となる。
すなわち、これらの第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとは、第2反射光30の光学特性を変化させうる光学特性変更部として機能するようになっている。
Further, the second reflectance is different from the first reflectance, and as a result, the first mirror surface portion 20a-4A is reflected as the projection light spot position in the projection light spot movement direction of the projection face 20a-4. The second reflected light 30 generated in this manner and the second reflected light 30 generated by reflecting the second mirror surface portion 20a-4B as the projection light point position have different light amounts (reflected light amount: optical characteristics).
That is, the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B function as an optical property changing unit that can change the optical property of the second reflected light 30.

なお、本実施形態においては、第1の反射率が第2の反射率よりも高くなっており、これにより、第1鏡面部20a−4Aを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30の光量の方が、第2鏡面部20a−4Bを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30の光量よりも大きくなる。
ここで、ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4は、例えば、投射面20a−4において一端部から、順次、機械的な覆いやレジストによるマスクをかけながら、異なる蒸着材料による反射皮膜の形成を繰り返し行なうことにより製造することができる。又、投射面20a−4の製造方法はこれに限定されるものではなく、例えば、均一の反射率(第1の反射率)となるように形成した投射面20a−4上に、第2の反射率を有するフィルムを所定間隔で配置することにより第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとを構成してもよく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
In the present embodiment, the first reflectivity is higher than the second reflectivity, and accordingly, the second reflectivity generated by reflecting the first mirror surface portion 20a-4A as the projection light spot position. The light quantity of the reflected light 30 is larger than the light quantity of the second reflected light 30 generated by reflecting the second mirror surface portion 20a-4B as the projection light spot position.
Here, the projection surface 20a-4 of the dome-shaped reflection mirror 20-4 is, for example, a reflection film made of different vapor deposition materials while applying a mechanical cover or a resist mask sequentially from one end of the projection surface 20a-4. It can be manufactured by repeatedly forming. Moreover, the manufacturing method of the projection surface 20a-4 is not limited to this, For example, on the projection surface 20a-4 formed so that it may become a uniform reflectance (1st reflectance), it is 2nd. The first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B may be configured by arranging films having reflectivity at predetermined intervals, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present embodiment. Can be implemented.

また、ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4も、金属,ガラス,石英等の材料を用いて形成される。又、投射面20a−4を形成する材料として周囲温度の影響の度合い、すなわち温度係数が少ない材料を用いることにより、測定精度を高くすることができる。
光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に入射され、そのミラー面11において第1反射光29として反射された後に、ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4において第2反射光30として反射され、再度、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射され、このハーフミラー17に反射されることにより入射する測定光28が入射されるようになっている。
The projection surface 20a-4 of the dome-shaped reflection mirror 20-4 is also formed using a material such as metal, glass, quartz, or the like. Further, the measurement accuracy can be increased by using a material having a small degree of temperature coefficient, that is, a material having a small temperature coefficient as a material for forming the projection surface 20a-4.
The light amount detector 191 is output from the measurement light source 14, passes through the half mirror 17, enters the MEMS mirror 12, and is reflected as the first reflected light 29 on the mirror surface 11, and then the dome-shaped reflection mirror 20. 4 is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-4, enters the mirror surface 11 again, enters the half mirror 17 as the third reflected light 31, and is reflected by the half mirror 17. Incident measurement light 28 is incident.

そして、投射面20a−4における第1反射光29の投射位置、すなわち投射光点位置が第1鏡面部20a−4A上である場合には、光量検知器191の検知光量が大きく、投射面20a−4における第1反射光29の投射光点位置が第2鏡面部20a−4B上である場合には、光量検知器191の検知光量が小さくなる。
従って、ミラー面11の偏向角度に応じて光量検知器191の検知光量が変化し、投射面20a−4において投射光移動方向に沿って投射光点を移動させることにより、投射光点が第1鏡面部20a−4A上と第2鏡面部20a−4B上とを交互に移動する。これにより、光量検知器191の検知光量が繰り返し増減する。
When the projection position of the first reflected light 29 on the projection surface 20a-4, that is, the projection light spot position is on the first mirror surface portion 20a-4A, the light amount detected by the light amount detector 191 is large, and the projection surface 20a. -4, when the projected light spot position of the first reflected light 29 is on the second mirror surface portion 20a-4B, the light amount detected by the light amount detector 191 becomes small.
Accordingly, the amount of light detected by the light amount detector 191 changes according to the deflection angle of the mirror surface 11, and the projection light point is moved to the first position along the projection light movement direction on the projection surface 20 a-4. The mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B are alternately moved. Thereby, the amount of light detected by the light amount detector 191 is repeatedly increased or decreased.

図18は本第4実施形態の一例としての測定装置10−4における検知光量の出力例を示す図である。
図18に示す例においては、本第4実施形態の測定装置10−4において、ステージに載置したMEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を−20度から+20度に連続的に回転させて、投射面20a−4において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させた場合に光量検知器191から出力される検知光量の例を示している。
FIG. 18 is a diagram illustrating an output example of the detected light amount in the measurement apparatus 10-4 as an example of the fourth embodiment.
In the example shown in FIG. 18, in the measurement apparatus 10-4 of the fourth embodiment, the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 placed on the stage is continuously rotated from −20 degrees to +20 degrees. An example of the detected light amount output from the light amount detector 191 when the projection light point of the first reflected light 29 is moved in the projection light point movement direction on the projection surface 20a-4 is shown.

この図18に示すように、投射光点が第1鏡面部20a−4A上にある場合には検知光量が高くなり(山部)、投射光点が第2鏡面部20a−4B上にある場合には検知光量が低くなる(谷部)。すなわち、投射面20a−4において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させると、その投射光点の位置に応じて、検知光量の値も上下するのである。   As shown in FIG. 18, when the projection light spot is on the first mirror surface portion 20a-4A, the detected light amount is high (mountain portion), and the projection light spot is on the second mirror surface portion 20a-4B. The detected light amount is low (valley). That is, when the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-4, the value of the detected light amount also rises and falls according to the position of the projection light spot.

従って、上述の如く、投射面20a−4上における投射光点の移動に伴い、検出された検知光量における山部や谷部の数、すなわち、光学特性の変化数を計数することにより、投射面20a−4における投射光点の位置を特定することができる。
なお、投射面20a−4における、第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとの幅は、例えば、偏向角度0.1度で1周期の信号、すなわち、山部と谷部とが1つずつ出現するように構成することが望ましい。
Accordingly, as described above, the projection surface is obtained by counting the number of peaks and valleys in the detected light quantity detected, that is, the number of changes in optical characteristics, as the projection light spot moves on the projection surface 20a-4. The position of the projection light spot at 20a-4 can be specified.
In addition, the width of the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B on the projection surface 20a-4 is, for example, a signal of one cycle at a deflection angle of 0.1 degree, that is, a peak portion and a valley portion. It is desirable to configure so that and appear one by one.

管理部16−4は、本測定装置10−4におけるMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なうものであり、図15に示すように、計数部105および測定制御部104をそなえて構成されている。
計数部105は、光量検知器191によって検知された検知光量に基づいて、検知光量の山部や谷部の数(光学特性の変化数)を計数するものであり、カウンタ値を保持するメモリ(図示省略)をそなえて構成されている。この計数部105において山部を計数するには、例えば、予め設定した第1の閾値(例えば、0.6)以上の光量が検知された場合に、山部であるとして山部計数用のカウンタ値をインクリメントする。又、同様に、計数部105において谷部を計数するには、例えば、予め設定した第2の閾値(例えば、0.2)以下の光量が検知された場合に、谷部であるとして谷部計数用のカウンタ値をインクリメントする。
The management unit 16-4 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 in the measurement apparatus 10-4, and includes a counting unit 105 and a measurement control unit 104 as shown in FIG. It is configured.
The counting unit 105 counts the number of peaks and valleys (the number of changes in optical characteristics) of the detected light amount based on the detected light amount detected by the light amount detector 191, and stores a counter value. (Not shown). In order to count the peaks in the counting unit 105, for example, when a light amount equal to or greater than a first threshold value (for example, 0.6) set in advance is detected, a counter for counting peaks as a peak. Increment the value. Similarly, in order to count the valleys in the counting unit 105, for example, when a light amount equal to or less than a preset second threshold (for example, 0.2) is detected, the valleys are regarded as valleys. Increment the counter value for counting.

なお、計数部105としては、例えば既知の種々の計数回路を用いて実現することができるものであり、その具体的な回路構成等についての説明は省略する。
測定制御部104は、第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させながらMEMSミラー12に測定光28を投射させるとともに、光量検知器191により検知される検知光量の増減を計数部105によって計数することにより、第1鏡面部20a−4Aや第2鏡面部20a−4Bの幅や投射面20a−4上における基準位置に基づき、投射面20a−4における投射光点位置を特定するようになっている。なお、ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4における基準位置としては、例えば、偏向角度=0度となる位置(ミラー面中心)を用いることができる。
Note that the counting unit 105 can be realized using, for example, various known counting circuits, and a description of the specific circuit configuration and the like is omitted.
The measurement control unit 104 projects the measurement light 28 onto the MEMS mirror 12 while moving the projection light point of the first reflected light 29 in the direction of movement of the projection light point, and increases or decreases the detected light amount detected by the light amount detector 191. By counting by the counting unit 105, the projected light spot position on the projection surface 20a-4 is determined based on the width of the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B and the reference position on the projection surface 20a-4. It has come to identify. As a reference position on the projection surface 20a-4 of the dome-shaped reflection mirror 20-4, for example, a position (mirror surface center) where the deflection angle = 0 degree can be used.

すなわち、測定制御部104は、投射面20a−4における所定の位置(基準位置)を基準として、計数部105による計数結果に基づき、ミラー面11の偏向角度を求める。従って、測定制御部104は、光量検知器191によって受光された第2反射光30における光学特性の変化数に基づき、MEMSミラー12の特性を測定する測定部として機能するのである。   That is, the measurement control unit 104 obtains the deflection angle of the mirror surface 11 based on the counting result by the counting unit 105 with reference to a predetermined position (reference position) on the projection surface 20a-4. Therefore, the measurement control unit 104 functions as a measurement unit that measures the characteristics of the MEMS mirror 12 based on the number of changes in the optical characteristics of the second reflected light 30 received by the light quantity detector 191.

また、ドーム型反射ミラー20−4においては、その基準位置における第2反射光30に、他の投射光点位置での第2反射光30とは異なる特徴情報を付加させることにより、測定制御部104が容易に特定することができる。
具体的には、基準位置として、他の位置とは反射率が大きく異なる(例えば、反射率=0%)ように構成することにより、光量検知器191の検知光量に基づき、この基準位置を容易に判断することができる。又、この反射率が大きく異なる部分としては、例えば、投射面20a−1に穴を開けたり、反射率が低い(もしくは高い)塗料等を付着させることにより容易に実現することができる。
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-4, the measurement control unit is added to the second reflected light 30 at the reference position by adding characteristic information different from the second reflected light 30 at the other projected light spot positions. 104 can be easily identified.
Specifically, by configuring the reference position so that the reflectance is significantly different from the other positions (for example, reflectance = 0%), the reference position can be easily set based on the detected light amount of the light amount detector 191. Can be judged. In addition, the portion having a greatly different reflectance can be easily realized by, for example, making a hole in the projection surface 20a-1 or attaching a paint having a low (or high) reflectance.

また、測定制御部104は、この基準位置を検出すると、山部計数用のカウンタ値や谷部計数用のカウンタ値をリセットするようになっている。
上述の如く構成された第4実施形態に係る測定装置10−4において、測定用光源14から測定光28を出力すると、この測定光28は、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に照射され(照射ステップ)、そのミラー面11において第1反射光29として反射される。第1反射光29は、ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4において第2反射光30として反射され(反射ステップ)、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射される。そして、この第3反射光31は、ハーフミラー17に反射され、光量検知器191に入射される(受光ステップ)。光量検知器191は、このハーフミラー17から入射された第3反射光31の光量に応じた電圧信号を検知光量として出力する。
Further, when detecting the reference position, the measurement control unit 104 resets the counter value for counting the peaks and the counter value for counting the valleys.
In the measurement apparatus 10-4 according to the fourth embodiment configured as described above, when the measurement light 28 is output from the measurement light source 14, the measurement light 28 passes through the half mirror 17 and is irradiated onto the MEMS mirror 12. (Irradiation step) Reflected as first reflected light 29 on the mirror surface 11. The first reflected light 29 is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-4 of the dome-shaped reflecting mirror 20-4 (reflecting step), is incident on the mirror surface 11, and becomes the third reflected light 31 as the half mirror 17. Is incident on. Then, the third reflected light 31 is reflected by the half mirror 17 and enters the light amount detector 191 (light receiving step). The light quantity detector 191 outputs a voltage signal corresponding to the light quantity of the third reflected light 31 incident from the half mirror 17 as the detected light quantity.

また、測定制御部104は、測定用光源14に測定光28を出力させた状態で、偏向ミラー駆動部27により、ミラー面11の角度を変更させる。これにより、光量検知器191において検知光量の変化、すなわち、投射光点位置が第1鏡面部20a−4A上にある場合と第2鏡面部20a−4B上にある場合との光量差を検出することができるのである。   Further, the measurement control unit 104 causes the deflection mirror driving unit 27 to change the angle of the mirror surface 11 in a state where the measurement light source 14 outputs the measurement light 28. Thereby, the light amount detector 191 detects a change in the detected light amount, that is, a light amount difference between the case where the projection light spot position is on the first mirror surface part 20a-4A and the case where the projection light spot position is on the second mirror surface part 20a-4B. It can be done.

計数部105は、光量検知器191から出力される検知光量に基づいて、基準位置からの検知光量の山部もしくは谷部の出現回数を計数し、測定制御部104は、この計数結果に基づいてミラー面11の偏向角度を求める(測定ステップ)。
なお、本第4実施形態の測定装置10−4における測定手順の詳細については、第1実施形態の測定装置10−1とほぼ同様であるための、その詳細な説明は省略する。
The counting unit 105 counts the number of appearances of peaks or valleys of the detected light amount from the reference position based on the detected light amount output from the light amount detector 191, and the measurement control unit 104 determines based on the counting result. The deflection angle of the mirror surface 11 is obtained (measurement step).
Note that details of the measurement procedure in the measurement apparatus 10-4 of the fourth embodiment are substantially the same as those of the measurement apparatus 10-1 of the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.

このように、本第4実施形態の一例としての測定装置10−4によれば、投射面20a−4における、基準位置からの第1反射光29の投射位置(投射光点位置)の移動量に応じて、計数部105によって求められるカウンタ値が変化する。
従って、計数部105により、このカウンタ値を計数(測定)することにより、MEMSミラー12のミラー面11の偏向角度を求めることができる。これにより、MEMSミラー12の偏向特性を容易且つ高精度で測定することができる。
Thus, according to the measuring apparatus 10-4 as an example of the fourth embodiment, the amount of movement of the projection position (projection light spot position) of the first reflected light 29 from the reference position on the projection surface 20a-4. Accordingly, the counter value obtained by the counting unit 105 changes.
Accordingly, the counter unit 105 counts (measures) the counter value, whereby the deflection angle of the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 can be obtained. Thereby, the deflection characteristic of the MEMS mirror 12 can be measured easily and with high accuracy.

また、例えば、MEMSミラー12のミラー面11が保護用のガラス板で覆われている場合であっても、測定光28や第2反射光30がこのガラス板の表裏面において多重反射することにより生じる不要光が光量検知部191に入射することがない。これにより、従って、カバーガラス等からの不要光に影響されることなく計測(測定)することができ、偏向角度の測定を正確に行なうことができる。又、ピンホール18をそなえており、このピンホール18によっても、測定光28や第2反射光30がこのガラス板の表裏面において多重反射することにより生じる不要光が光量検知部191に入射することを抑止することができる。   For example, even when the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 is covered with a protective glass plate, the measurement light 28 and the second reflected light 30 are reflected multiple times on the front and back surfaces of the glass plate. The unnecessary light generated does not enter the light amount detector 191. Accordingly, measurement (measurement) can be performed without being affected by unnecessary light from the cover glass or the like, and the deflection angle can be accurately measured. Also, a pinhole 18 is provided, and also by this pinhole 18, unnecessary light generated by the multiple reflection of the measurement light 28 and the second reflected light 30 on the front and back surfaces of the glass plate enters the light amount detector 191. Can be deterred.

さらに、ガラス板の表裏面において多重反射することにより生じる不要光が光量検知部191に入射した場合であっても、計数部105が、第1の閾値や第2の閾値により山部や谷部を検出するので、これらの不要光による影響を回避することができる。
〔4−1〕第4実施形態の第1変形例の説明
上述した第4実施形態としての測定装置10−4においては、光量検知器191から出力される検知光量だけではミラー面11の偏向方向を判断することができない。
Further, even when unnecessary light generated by multiple reflections on the front and back surfaces of the glass plate is incident on the light amount detection unit 191, the counting unit 105 has a peak portion or a valley portion depending on the first threshold value or the second threshold value. Therefore, the influence of these unnecessary lights can be avoided.
[4-1] Description of First Modification of Fourth Embodiment In the measurement apparatus 10-4 as the fourth embodiment described above, the deflection direction of the mirror surface 11 is detected only by the detected light amount output from the light amount detector 191. Cannot be judged.

図19,図20(a)〜(c)はそれぞれ本第4実施形態の測定装置10−4のドーム型反射ミラー20−4の第1の変形例を説明するための図である。図19は投射面20a−41を部分的に拡大して示す図である。図20(a)はその検知光量の出力例を波形として示す図であり、図20(b)は図20(a)に示された検知光量を閾値1により2値化した2値化波形の例を示す図、図20(c)は図20(a)に示された検知光量を閾値2により2値化した2値化波形の例を示す図である。   FIGS. 19 and 20A to 20C are views for explaining a first modification of the dome-shaped reflecting mirror 20-4 of the measuring apparatus 10-4 according to the fourth embodiment. FIG. 19 is a partially enlarged view showing the projection surface 20a-41. FIG. 20A is a diagram showing an output example of the detected light quantity as a waveform, and FIG. 20B is a binarized waveform obtained by binarizing the detected light quantity shown in FIG. FIG. 20C is a diagram illustrating an example, and FIG. 20C is a diagram illustrating an example of a binarized waveform obtained by binarizing the detected light amount illustrated in FIG.

本第4実施形態の第1変形例としての測定装置10−41においては、図15および図16に示すように、第4実施形態のドーム型反射ミラー20−4に代えて、ドーム型反射ミラー20−41をそなえるものであり、その他の部分は第4実施形態の測定装置10−4と同様に構成されている。
なお、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
In a measuring apparatus 10-41 as a first modification of the fourth embodiment, as shown in FIGS. 15 and 16, a dome-shaped reflecting mirror is used instead of the dome-shaped reflecting mirror 20-4 of the fourth embodiment. 20-41 is provided, and other parts are configured in the same manner as the measurement apparatus 10-4 of the fourth embodiment.
Since the same reference numerals as those already described indicate the same or substantially the same parts, detailed description thereof will be omitted.

図19に示す第1の変形例においては、投射面20a−41において、第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとの間に第3鏡面部20a−4Cが形成されている。又、第1鏡面部20a−4Aと第3鏡面部20a−4Cとはほぼ等しい幅となるように形成され、第2鏡面部20a−4Bのほぼ半分の幅を有するように構成されている。
これにより、ドーム型反射ミラー20−41においては、その投射面20a−41における投射光点移動方向に沿った一方向(図19中の左から右方向)においては、第1鏡面部20a−4A,第3鏡面部20a−4C,第2鏡面部20a−4Bの順序で繰り返し配置されている。その一方で、投射面20a−41における投射光点移動方向に沿った逆方向(図19中の右から左方向)においては、第2鏡面部20a−4B,第3鏡面部20a−4C,第1鏡面部20a−4Aの順序で繰り返し配置されている。
In the first modification shown in FIG. 19, on the projection surface 20a-41, a third mirror surface portion 20a-4C is formed between the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B. . Further, the first mirror surface portion 20a-4A and the third mirror surface portion 20a-4C are formed to have substantially the same width, and are configured to have approximately half the width of the second mirror surface portion 20a-4B.
Thereby, in the dome-shaped reflection mirror 20-41, in one direction (from left to right in FIG. 19) along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-41, the first mirror surface portion 20a-4A. The third mirror surface portion 20a-4C and the second mirror surface portion 20a-4B are repeatedly arranged in this order. On the other hand, in the reverse direction (from right to left in FIG. 19) along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-41, the second mirror surface portion 20a-4B, the third mirror surface portion 20a-4C, One mirror surface portion 20a-4A is repeatedly arranged in the order.

すなわち、ドーム型反射ミラー20−41においては、その投射面20a−41における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、第1鏡面部20a−4A,第2鏡面部20a−4Bおよび第3鏡面部20a−4Cの配置が異なるパターンを構成している。
また、第3鏡面部20a−4Cは、第1の反射率および第2の反射率のいずれとも異なる第3の反射率(反射特性)をそなえ、本例においては、第3の反射率は第1の反射率と第2の反射率とのほぼ中間の反射率をそなえて構成されている。
That is, in the dome-shaped reflection mirror 20-41, the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a- are arranged in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-41 and in the opposite direction. 4B and the 3rd mirror surface part 20a-4C comprise the different pattern.
Further, the third mirror surface portion 20a-4C has a third reflectance (reflection characteristic) different from both the first reflectance and the second reflectance, and in this example, the third reflectance is the first reflectance. The reflectance is approximately halfway between the reflectance of 1 and the second reflectance.

これにより、投射面20a−41の投射光点移動方向において、第1鏡面部20a−4Aを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30と、第2鏡面部20a−4Bを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30と、第3鏡面部20a−4Cを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30とは異なる光量(反射光量;光学特性)として出力される。   Thereby, in the projection light spot moving direction of the projection surface 20a-41, the second reflected light 30 generated by reflecting the first mirror surface portion 20a-4A as the projection light point position and the second mirror surface portion 20a-4B are reflected. The second reflected light 30 that is generated by reflection as the projected light spot position and the second reflected light 30 that is generated by reflecting the third mirror surface portion 20a-4C as the projected light point position (the reflected light amount; Output as optical characteristics).

また、本第1変形例においては、第1の反射率>第3の反射率>第2の反射率となるように構成されている。これにより、第1鏡面部20a−4Aを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30の光量>第3鏡面部20a−4Cを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30の光量>第2鏡面部20a−4Bを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30の光量となる。   In the first modification, the first reflectance> the third reflectance> the second reflectance is satisfied. Thus, the amount of the second reflected light 30 generated by reflecting the first mirror surface portion 20a-4A as the projection light spot position> the first light amount generated by reflecting the third mirror surface portion 20a-4C as the projection light spot position. The light quantity of the second reflected light 30> the light quantity of the second reflected light 30 generated by reflecting the second mirror surface portion 20a-4B as the projection light spot position.

従って、ミラー面11の偏向角度に応じて光量検知器191の検知光量が変化し、投射面20a−41において投射光移動方向に沿って投射光点を移動させることにより、光量検知器191の検知光量は、特定の変化パターンで繰り返し増減するのである。
また、このドーム型反射ミラー20−41も、第4実施形態のドーム型反射ミラー20−4とほぼ同様の手法により製造することができる。
Accordingly, the amount of light detected by the light amount detector 191 changes according to the deflection angle of the mirror surface 11, and the light amount detector 191 detects by moving the projection light spot along the direction of movement of the projection light on the projection surface 20a-41. The amount of light repeatedly increases and decreases with a specific change pattern.
Further, this dome-shaped reflection mirror 20-41 can also be manufactured by substantially the same method as the dome-shaped reflection mirror 20-4 of the fourth embodiment.

図20(a)〜(c)に示す例においては、ステージに載置したMEMSミラー12のミラー面11に対して測定光28を照射しながら、その偏向角度を−20度から+20度に連続的に回転させて、投射面20a−41において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させた場合に光量検知器191から出力される検知光量の例を示している。   In the example shown in FIGS. 20A to 20C, the deflection angle is continuously changed from −20 degrees to +20 degrees while irradiating the measurement light 28 onto the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 placed on the stage. FIG. 6 shows an example of the detected light amount output from the light amount detector 191 when the projection light point of the first reflected light 29 is moved in the direction of movement of the projection light point on the projection surface 20a-41.

また、この図20(a)〜(c)に示す例においては、ミラー面11の回転方向を、正方向から負方向に途中で変更した例を示している。
図20(a)に示すように、投射光点が第1鏡面部20a−4A上にある場合には検知光量が高くなり(山部)、投射光点が第2鏡面部20a−4B上にある場合には検知光量が低くなる(谷部)。すなわち、投射面20a−41において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させると、その投射光点の位置に応じて、検知光量の値も上下するのである。
In the examples shown in FIGS. 20A to 20C, the rotation direction of the mirror surface 11 is changed halfway from the positive direction to the negative direction.
As shown in FIG. 20 (a), when the projection light spot is on the first mirror surface portion 20a-4A, the detected light amount is high (mountain portion), and the projection light spot is on the second mirror surface portion 20a-4B. In some cases, the detected light amount is low (valley). That is, when the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-41, the value of the detected light amount also rises and falls according to the position of the projection light spot.

また、図20(a)に示すように、投射光点が第3鏡面部20a−4C上にある場合には、検知光量が山部(検知光量=0.75付近)と谷部(検知光量=0.1付近)との中間位置(検知光量=0.4付近)において、段差状部分(図20(a)の点P2参照)が検出される。
そこで、光量検知器191による検知光量において、山部と段差状部分と谷部との出現順序により、ミラー面11の回転方向を判断することができる。
As shown in FIG. 20A, when the projection light spot is on the third mirror surface portion 20a-4C, the detected light amount is a peak (detected light amount = near 0.75) and a trough (detected light amount). = 0.1), a stepped portion (see point P2 in FIG. 20A) is detected at an intermediate position (detected light amount = 0.4).
Therefore, in the light amount detected by the light amount detector 191, the rotation direction of the mirror surface 11 can be determined by the appearance order of the peak portion, the stepped portion, and the valley portion.

具体的には、図20(a)に示すように、検知光量を表す波形に対して、山部検出用閾値(閾値1:図20(a)に示す例では0.6)を適用することにより、図20(b)に示すような第1の2値化波形を作成する。
同様に、図20(a)に示すように、検知光量を表す波形に対して、谷部検出用閾値(閾値2:図20(a)に示す例では0.25)を適用することにより、図20(c)に示すような第2の2値化波形を作成する。
Specifically, as shown in FIG. 20A, a peak detection threshold (threshold 1: 0.6 in the example shown in FIG. 20A) is applied to the waveform representing the detected light amount. Thus, the first binarized waveform as shown in FIG.
Similarly, as shown in FIG. 20 (a), by applying a valley detection threshold (threshold 2: 0.25 in the example shown in FIG. 20 (a)) to the waveform representing the detected light amount, A second binarized waveform as shown in FIG.

そして、これらの作成した2つの2値化波形の位相差の進み/遅れから、ミラー面11の回転方向を求めることができる。
すなわち、測定制御部(測定部)104は、投射面20a−41における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで異なる、第1鏡面部20a−4A,第2鏡面部20a−4Bおよび第3鏡面部20a−4Cによって構成されるパターンの違いに基づいて、ミラー面11の傾きの変化方向を判断するのである。
The rotation direction of the mirror surface 11 can be obtained from the advance / delay of the phase difference between the two binarized waveforms created.
That is, the measurement control unit (measurement unit) 104 is different in the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a- in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-41 and in the opposite direction. The change direction of the inclination of the mirror surface 11 is determined based on the difference in the pattern formed by 4B and the third mirror surface part 20a-4C.

このように、本第4実施形態の第1変形例としての測定装置10−41によれば、第4実施形態と同様の作用効果を得ることができる他、ミラー面11の回転方向を容易に求めることができ利便性が高い。
なお、上述した実施形態においては、第1鏡面部20a−4Aと第3鏡面部20a−4Cとはほぼ等しい幅となるように形成され、第2鏡面部20a−4Bのほぼ半分の幅を有するように構成されているが、これに限定されるものではなく、種々変形して実施することができる。例えば、第1鏡面部20a−4A,第3鏡面部20a−4Cおよび第2鏡面部20a−4Bの幅や配置は適宜変更して実施することができる。
As described above, according to the measuring apparatus 10-41 as the first modification of the fourth embodiment, it is possible to obtain the same operation effect as that of the fourth embodiment and to easily change the rotation direction of the mirror surface 11. It can be obtained and is highly convenient.
In the above-described embodiment, the first mirror surface portion 20a-4A and the third mirror surface portion 20a-4C are formed to have substantially the same width, and have approximately half the width of the second mirror surface portion 20a-4B. However, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made. For example, the width and arrangement of the first mirror surface portion 20a-4A, the third mirror surface portion 20a-4C, and the second mirror surface portion 20a-4B can be changed as appropriate.

また、本第1変形例においては、第1の反射率>第3の反射率>第2の反射率となるように構成されているが、これに限定されるものではなく、これらの反射率を適宜変更して実施することができる。
〔4−2〕第4実施形態の第2変形例の説明
図21本第4実施形態の第2変形例としての測定装置のドーム型反射ミラーの部分拡大図22はその検知光量の出力例を示す図である。
Further, in the first modification, the first reflectance> the third reflectance> the second reflectance is configured, but the present invention is not limited to this, and these reflectances are not limited thereto. Can be implemented with appropriate changes.
[4-2] Description of Second Modification of Fourth Embodiment FIG. 21 A partially enlarged view of a dome-shaped reflection mirror of a measurement apparatus as a second modification of the fourth embodiment is an output example of the detected light quantity. FIG.

本第4実施形態の第2変形例としての測定装置10−42においては、図15および図16に示すように、第4実施形態のドーム型反射ミラー20−4に代えて、ドーム型反射ミラー20−42をそなえるものであり、その他の部分は第4実施形態の測定装置10−4と同様に構成されている。
なお、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
In a measuring apparatus 10-42 as a second modification of the fourth embodiment, as shown in FIGS. 15 and 16, a dome-shaped reflecting mirror is used instead of the dome-shaped reflecting mirror 20-4 of the fourth embodiment. 20-42 is provided, and other parts are configured in the same manner as the measurement apparatus 10-4 of the fourth embodiment.
Since the same reference numerals as those already described indicate the same or substantially the same parts, detailed description thereof will be omitted.

図21に示す第2の変形例においては、投射面20a−42において、第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとの間に第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eが形成されている。そして、投射面20a−42には、その投射光点移動方向(紙面左右方向)に沿って、第1鏡面部20a−4A,第5鏡面部20a−4E,第4鏡面部20a−4D,第2鏡面部20a−4Bの順番で繰り返し配設されている。   In the second modified example shown in FIG. 21, on the projection surface 20a-42, the fourth mirror surface portion 20a-4D and the fifth mirror surface portion are provided between the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B. 20a-4E is formed. Then, on the projection surface 20a-42, the first mirror surface portion 20a-4A, the fifth mirror surface portion 20a-4E, the fourth mirror surface portion 20a-4D, the first mirror surface portion 20a-4A, the fourth mirror surface portion 20a-4D, and the fourth mirror surface portion 20A-4D. The two mirror surface portions 20a-4B are repeatedly arranged in this order.

また、図21に示す例においては、第1鏡面部20a−4Aと第2鏡面部20a−4Bとがほぼ等しい幅となるように形成され、第4鏡面部20a−4Dと第5鏡面部20a−4Eとがほぼ等しい幅となるように形成されている。又、第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eは、第1鏡面部20a−4Aおよび第2鏡面部20a−4Bのほぼ半分の幅を有するように構成されている。   In the example shown in FIG. 21, the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B are formed to have substantially the same width, and the fourth mirror surface portion 20a-4D and the fifth mirror surface portion 20a. -4E is formed to have a substantially equal width. Moreover, the 4th mirror surface part 20a-4D and the 5th mirror surface part 20a-4E are comprised so that it may have a half width of the 1st mirror surface part 20a-4A and the 2nd mirror surface part 20a-4B.

これにより、ドーム型反射ミラー20−42においては、その投射面20a−42における投射光点移動方向に沿った一方向(図21中の左から右方向)においては、第1鏡面部20a−4A,第5鏡面部20a−4E,第4鏡面部20a−4D,第2鏡面部20a−4Bの順序で繰り返し配置されている。その一方で、投射面20a−42における投射光点移動方向に沿った逆方向(図21中の右から左方向)においては、第2鏡面部20a−4B,第4鏡面部20a−4D,第5鏡面部20a−4E,第1鏡面部20a−4Aの順序で繰り返し配置されている。   Thereby, in the dome-shaped reflection mirror 20-42, in one direction (from left to right in FIG. 21) along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-42, the first mirror surface portion 20a-4A. , Fifth mirror surface portion 20a-4E, fourth mirror surface portion 20a-4D, and second mirror surface portion 20a-4B are repeatedly arranged in this order. On the other hand, in the reverse direction (from the right to the left in FIG. 21) along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-42, the second mirror surface portion 20a-4B, the fourth mirror surface portion 20a-4D, the first mirror surface portion. The five mirror surface portions 20a-4E and the first mirror surface portion 20a-4A are repeatedly arranged in this order.

すなわち、ドーム型反射ミラー20−42においても、その投射面20a−42における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、第1鏡面部20a−4A,第2鏡面部20a−4B,第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eの配置が異なるパターンを構成している。
さらに、第4鏡面部20a−4Dは第1鏡面部20a−4Aと同じ第1の反射率(反射特性)をそなえており、第5鏡面部20a−4Eは第2鏡面部20a−4Bと同じ第2の反射率(反射特性)をそなえている。
That is, also in the dome-shaped reflection mirror 20-42, the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a- are one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-42 and the opposite direction. 4B, the 4th mirror surface part 20a-4D, and the arrangement | positioning of the 5th mirror surface part 20a-4E comprise the different pattern.
Further, the fourth mirror surface portion 20a-4D has the same first reflectance (reflection characteristics) as the first mirror surface portion 20a-4A, and the fifth mirror surface portion 20a-4E is the same as the second mirror surface portion 20a-4B. It has a second reflectance (reflection characteristic).

これにより、投射面20a−42の投射光点移動方向において、第1鏡面部20a−4Aや第4鏡面部20a−4Dを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30と、第2鏡面部20a−4Bや第5鏡面部20a−4Eを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30とは異なる光量(反射光量;光学特性)として出力される。
なお、本第2変形例においても、第1の反射率>第2の反射率となるように構成されている。これにより、第1鏡面部20a−4Aおよび第4鏡面部20a−4Dを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30の光量>第2鏡面部20a−4Bおよび第5鏡面部20a−4Eを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30の光量となる。
Thereby, in the projection light spot moving direction of the projection surface 20a-42, the second reflected light 30 generated by reflecting the first mirror surface portion 20a-4A and the fourth mirror surface portion 20a-4D as the projection light point position, and It is output as a light amount (reflected light amount: optical characteristics) different from the second reflected light 30 generated by reflecting the second mirror surface portion 20a-4B or the fifth mirror surface portion 20a-4E as the projection light spot position.
Note that the second modification is also configured such that the first reflectance> the second reflectance. Accordingly, the amount of the second reflected light 30 generated by reflecting the first mirror surface portion 20a-4A and the fourth mirror surface portion 20a-4D as the projection light spot position> the second mirror surface portion 20a-4B and the fifth mirror surface portion. The light quantity of the second reflected light 30 generated by reflecting 20a-4E as the projection light spot position.

従って、ミラー面11の偏向角度に応じて光量検知器191の検知光量が変化し、投射面20a−42において投射光移動方向に沿って投射光点を移動させることにより、光量検知器191の検知光量は、特定のパターンで繰り返し増減するのである。
また、このドーム型反射ミラー20−42も、第4実施形態のドーム型反射ミラー20−4とほぼ同様の手法により製造することができる。
Accordingly, the amount of light detected by the light amount detector 191 changes in accordance with the deflection angle of the mirror surface 11, and the detection of the light amount detector 191 is performed by moving the projection light spot along the projection light movement direction on the projection surface 20a-42. The amount of light repeatedly increases and decreases in a specific pattern.
Also, the dome-shaped reflection mirror 20-42 can be manufactured by a technique substantially similar to the dome-shaped reflection mirror 20-4 of the fourth embodiment.

図22に示す例においては、ステージに載置したMEMSミラー12のミラー面11に対して測定光28を照射しながら、その偏向角度を−20度から+20度に連続的に回転させて、投射面20a−42において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させた場合に光量検知器191から出力される検知光量の例を示している。
また、この図22に示す例においては、ミラー面11の回転方向を、正方向から負方向に途中で変更した例を示している。
In the example shown in FIG. 22, while projecting the measurement light 28 onto the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12 placed on the stage, the deflection angle is continuously rotated from −20 degrees to +20 degrees, and the projection is performed. An example of the detected light amount output from the light amount detector 191 when the projection light point of the first reflected light 29 is moved in the direction of movement of the projection light point on the surface 20a-42 is shown.
Further, in the example shown in FIG. 22, an example in which the rotation direction of the mirror surface 11 is changed from the positive direction to the negative direction is shown.

この図22に示すように、投射光点が第1鏡面部20a−4Aおよび第4鏡面部20a−4D上にある場合には検知光量が高くなり(山部)、投射光点が第2鏡面部20a−4Bおよび第5鏡面部20a−4E上にある場合には検知光量が低くなる(谷部)。すなわち、投射面20a−42において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させると、その投射光点の位置に応じて、検知光量の値も上下するのである。   As shown in FIG. 22, when the projection light spot is on the first mirror surface portion 20a-4A and the fourth mirror surface portion 20a-4D, the detected light amount becomes high (mountain portion), and the projection light spot is the second mirror surface. In the case of being on the portion 20a-4B and the fifth mirror surface portion 20a-4E, the detected light amount is low (valley). That is, when the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-42, the value of the detected light amount also rises and falls according to the position of the projection light spot.

また、図21に示すように、第1鏡面部20a−4Aおよび第2鏡面部20a−4Bと、第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eとは幅が異なるので、図22に示すように、その検知光量を示す波形においても、対応する山部もしくは谷部の幅が異なる。
そこで、本第2変形例においても、光量検知器191による検知光量において、山部と段差状部分と谷部との出現順序により、ミラー面11の回転方向を判断することができる。
Further, as shown in FIG. 21, the first mirror surface portion 20a-4A and the second mirror surface portion 20a-4B, and the fourth mirror surface portion 20a-4D and the fifth mirror surface portion 20a-4E have different widths. As shown in FIG. 3, the width of the corresponding peak or valley is also different in the waveform indicating the detected light quantity.
Therefore, also in the second modification, the rotation direction of the mirror surface 11 can be determined based on the order of appearance of the peaks, stepped portions, and valleys in the amount of light detected by the light amount detector 191.

具体的には、第1変形例と同様に、検知光量を表す波形に対して、山部検出用閾値(閾値1)を適用することにより第1の2値化波形を作成する。又、同様に、検知光量を表す波形に対して、谷部検出用閾値(閾値2)を適用することにより第2の2値化波形を作成する。
そして、これらの作成した2つの2値化波形の位相差の進み/遅れから、ミラー面11の回転方向を求めることができる。
Specifically, as in the first modification, the first binarized waveform is created by applying the peak detection threshold (threshold 1) to the waveform representing the detected light amount. Similarly, a second binarized waveform is created by applying a valley detection threshold (threshold 2) to the waveform representing the detected light amount.
The rotation direction of the mirror surface 11 can be obtained from the advance / delay of the phase difference between the two binarized waveforms created.

すなわち、測定制御部(測定部)104は、投射面20a−42における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで異なる、第1鏡面部20a−4A,第2鏡面部20a−4B,第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eによって構成されるパターンの違いに基づいて、ミラー面11の傾きの変化方向を判断するのである。
このように、本第4実施形態の第2変形例としての測定装置10−42によっても、第1変形例と同様の作用効果を得ることができる。
That is, the measurement control unit (measurement unit) 104 is different between the first mirror surface unit 20a-4A and the second mirror surface unit 20a-, which are different in one direction along the direction of movement of the projection light spot on the projection surface 20a-42 and the opposite direction. 4B, the change direction of the inclination of the mirror surface 11 is determined based on the difference in pattern formed by the fourth mirror surface portion 20a-4D and the fifth mirror surface portion 20a-4E.
As described above, the same effect as that of the first modification can be obtained also by the measuring apparatus 10-42 as the second modification of the fourth embodiment.

なお、本第2変形例においては、第4鏡面部20a−4Dは第1鏡面部20a−4Aと同じ第1の反射率をそなえており、第5鏡面部20a−4Eは第2鏡面部20a−4Bと同じ第2の反射率をそなえているが、これに限定されるものではなく、これらの第1鏡面部20a−4A,第2鏡面部20a−4B,第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eの反射率は適宜変更して実施することができる。例えば、第4鏡面部20a−4Dや第5鏡面部20a−4Eが第1鏡面部20a−4Aや第2鏡面部20a−4Bとは異なる反射率をそなえてもよい。   In the second modification, the fourth mirror surface portion 20a-4D has the same first reflectance as the first mirror surface portion 20a-4A, and the fifth mirror surface portion 20a-4E has the second mirror surface portion 20a. -4B has the same second reflectance as that of -4B, but is not limited thereto, and these first mirror surface portion 20a-4A, second mirror surface portion 20a-4B, fourth mirror surface portion 20a-4D and The reflectivity of the fifth mirror surface portion 20a-4E can be changed as appropriate. For example, the fourth mirror surface portion 20a-4D or the fifth mirror surface portion 20a-4E may have a different reflectance from the first mirror surface portion 20a-4A or the second mirror surface portion 20a-4B.

また、投射面20a−42上における第1鏡面部20a−4A,第2鏡面部20a−4B,第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eの配置も適宜変更して実施することができる。
さらに、投射面20a−42上における第1鏡面部20a−4A,第2鏡面部20a−4B,第4鏡面部20a−4Dおよび第5鏡面部20a−4Eの幅も適宜変更して実施することができる。
Further, the arrangement of the first mirror surface portion 20a-4A, the second mirror surface portion 20a-4B, the fourth mirror surface portion 20a-4D, and the fifth mirror surface portion 20a-4E on the projection surface 20a-42 should be changed as appropriate. Can do.
Further, the widths of the first mirror surface portion 20a-4A, the second mirror surface portion 20a-4B, the fourth mirror surface portion 20a-4D, and the fifth mirror surface portion 20a-4E on the projection surface 20a-42 are also changed as appropriate. Can do.

〔5〕第5実施形態の説明
図23は第5実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図、図24,図25はそれぞれ本第5実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。なお、図25は図24のA部を拡大して示している。なお、図24,図25においては、便宜上、ミラー面11,ドーム型反射ミラー20−5の投射面20a−5,測定光28および第1反射光29のみを示しており、更に、投射面20a−5をそのミラー面11と対向する側とは反対側から図示している。
[5] Description of Fifth Embodiment FIG. 23 is a diagram schematically showing the configuration of a measurement apparatus as an example of the fifth embodiment, and FIGS. 24 and 25 are dome-shaped reflections of the measurement apparatus of the fifth embodiment, respectively. It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of a mirror. FIG. 25 is an enlarged view of portion A in FIG. 24 and 25, for convenience, only the mirror surface 11, the projection surface 20a-5 of the dome-shaped reflection mirror 20-5, the measurement light 28, and the first reflected light 29 are shown, and further, the projection surface 20a. −5 is shown from the side opposite to the side facing the mirror surface 11.

本第5実施形態にかかる測定装置10−5も、第2実施形態の測定装置10−2と同様に、ミラー面11の偏向角度(傾き)が変更可能に構成されたMEMSミラー(ミラーシステム)12の偏向特性を測定するための装置である。この測定装置10−5は、図23に示すように、測定用光源14,管理部16−5,ハーフミラー17,ピンホール18,光量検知器191,偏向ミラー駆動部27,ミラー33およびドーム型反射ミラー(凹面投射部)20−5をそなえて構成されている。   Similarly to the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment, the measurement apparatus 10-5 according to the fifth embodiment is a MEMS mirror (mirror system) configured so that the deflection angle (tilt) of the mirror surface 11 can be changed. This is an apparatus for measuring 12 deflection characteristics. As shown in FIG. 23, the measurement apparatus 10-5 includes a measurement light source 14, a management unit 16-5, a half mirror 17, a pinhole 18, a light amount detector 191, a deflection mirror driving unit 27, a mirror 33, and a dome type. A reflection mirror (concave projection portion) 20-5 is provided.

すなわち、本第5実施形態にかかる測定装置10−5は、第4実施形態の測定装置10−4におけるドーム型反射ミラー20−4に代えてドーム型反射ミラー20−5をそなえるとともに、管理部16−4に代えて管理部16−5をそなえるものであり、その他の部分は第4実施形態の測定装置10−4と同様に構成されている。
なお、図中、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
That is, the measurement apparatus 10-5 according to the fifth embodiment includes a dome-shaped reflection mirror 20-5 instead of the dome-shaped reflection mirror 20-4 in the measurement apparatus 10-4 according to the fourth embodiment, and a management unit. A management unit 16-5 is provided instead of 16-4, and other parts are configured in the same manner as the measurement apparatus 10-4 of the fourth embodiment.
In the figure, the same reference numerals as those described above indicate the same or substantially the same parts, and detailed description thereof will be omitted.

ドーム型反射ミラー20−5は、図24に示すように、矩形の板状部材を一方の面の側に一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえている。そして、このドーム型反射ミラー20−5は円弧の内側面、すなわち投射面20a−5をミラー面11に対向するように配置されており、ミラー面11において測定光28が反射することにより作成された第1反射光29が、この投射面20a−5に照射されるようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−5における円弧の内側面が、第1反射光29が投射光点として照射される投射面20a−5として機能するようになっている。   As shown in FIG. 24, the dome-shaped reflecting mirror 20-5 is configured so that a rectangular plate-shaped member is curved with a constant arc on one surface side, thereby being curved in one direction. It has a shape. The dome-shaped reflection mirror 20-5 is arranged so that the inner surface of the arc, that is, the projection surface 20a-5 faces the mirror surface 11, and is created by the measurement light 28 reflecting off the mirror surface 11. The first reflected light 29 is applied to the projection surface 20a-5. That is, the inner surface of the arc in the dome-shaped reflection mirror 20-5 functions as a projection surface 20a-5 on which the first reflected light 29 is irradiated as a projection light point.

更に、ドーム型反射ミラー20−5は、投射面20a−5の円弧中心がミラー面11における回転軸の第1投射点に重合するように配置されている。これにより、ドーム型反射ミラー20−5の投射面20a−5において、照射された第1反射光29が第2反射光(第2の反射光)30として反射するようになっており、又、その第2反射光30は、ミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。   Furthermore, the dome-shaped reflection mirror 20-5 is arranged so that the arc center of the projection surface 20a-5 overlaps with the first projection point of the rotation axis on the mirror surface 11. Thereby, the irradiated first reflected light 29 is reflected as the second reflected light (second reflected light) 30 on the projection surface 20a-5 of the dome-shaped reflecting mirror 20-5, The second reflected light 30 is applied to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11.

また、ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
さらに、このドーム型反射ミラー20−5において、投射面20a−5のいずれの場所において反射された第2反射光30も、このミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measuring light 28, and enters the half mirror 17. It has become so.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-5, the second reflected light 30 reflected at any location on the projection surface 20a-5 is irradiated to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11. It has become.

ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
図26は本第5実施形態の測定装置10−5のドーム型反射ミラー20−5の投射面20a−5に形成された突起を模式的に示す側断面図である。なお、この図26に示す例においては、便宜上、ドーム型反射ミラー20−5の曲面の表現を省略している。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measurement light 28, and enters the half mirror 17. It has become.
FIG. 26 is a side sectional view schematically showing protrusions formed on the projection surface 20a-5 of the dome-shaped reflecting mirror 20-5 of the measuring apparatus 10-5 of the fifth embodiment. In the example shown in FIG. 26, the expression of the curved surface of the dome-shaped reflecting mirror 20-5 is omitted for convenience.

ドーム型反射ミラー20−5の投射面20a−5には、図25,図26に示すように、投射光点移動方向に沿って、頂面20a−5Hを突出するようにそなえた複数の畝状の突起(段差)が、規則的な周期で並ぶように(格子状に)形成されている。そして、これらの突起は、その頂面20a−5Hをミラー面11に対向させるように配置されている。
また、投射面20a−5においては、図26に示すように、隣り合う突起どうしの間には底面20a−5Lが形成され、投射光点移動方向に沿って、突起の頂面20a−5Hと底面20a−5Lとが交互に並ぶようになっている。従って、投射面20a−5は、複数の頂面20a−5Hと複数の底面20a−5Lとを交互に配置することにより構成されているといえる。
As shown in FIGS. 25 and 26, the projection surface 20a-5 of the dome-shaped reflection mirror 20-5 has a plurality of ridges provided so as to project the top surface 20a-5H along the projection light spot moving direction. Shaped protrusions (steps) are formed so as to be arranged in a regular cycle (in a lattice pattern). These protrusions are arranged so that the top surface 20a-5H faces the mirror surface 11.
In addition, on the projection surface 20a-5, as shown in FIG. 26, a bottom surface 20a-5L is formed between adjacent projections, and along the projection light spot moving direction, the projection top surface 20a-5H and The bottom surfaces 20a-5L are arranged alternately. Therefore, it can be said that the projection surface 20a-5 is configured by alternately arranging a plurality of top surfaces 20a-5H and a plurality of bottom surfaces 20a-5L.

ドーム型反射ミラー20−5においては、これらの複数の頂面20a−5Hと複数の底面20a−5Lに第1反射光29が照射され、それぞれこの第1反射光29を反射することにより第2反射光30を出力するようになっている。
また、複数の頂面20a−5Hおよび複数の底面20a−5Lの反射率は均一もしくはほぼ均一に形成されている。これにより、投射面20a−5の投射光点移動方向において異なる複数の頂面を投射光点位置として反射して生成された複数の第2反射光30は、互いに同じ光量(反射光量)として出力される。
In the dome-shaped reflection mirror 20-5, the plurality of top surfaces 20 a-5 H and the plurality of bottom surfaces 20 a-5 L are irradiated with the first reflected light 29, and the second reflected light 29 is reflected to reflect the second reflected light 29. The reflected light 30 is output.
Further, the reflectances of the plurality of top surfaces 20a-5H and the plurality of bottom surfaces 20a-5L are uniform or substantially uniform. Accordingly, the plurality of second reflected lights 30 generated by reflecting a plurality of top surfaces different in the projection light spot moving direction of the projection surface 20a-5 as the projection light spot positions are output as the same light quantity (reflected light quantity). Is done.

そして、投射面20a−5に形成されたこれらの複数の突起は、互いに同じ高さを有しており、又、各突起の頂面20a−5Hどうしや底面20a−5Lどうしは、同じもしくはほぼ同じ幅(投射光点移動方向の長さ)となるように構成されている。すなわち、投射面20a−5において、各突起は投射光点移動方向において等間隔で配置されている。
すなわち、投射面20a−5においては、複数の突起を投射光点移動方向に沿って所定間隔で配設することにより格子が形成されている。
The plurality of projections formed on the projection surface 20a-5 have the same height, and the top surfaces 20a-5H and the bottom surfaces 20a-5L of the projections are the same or substantially the same. It is comprised so that it may become the same width (length of a projection light point moving direction). That is, on the projection surface 20a-5, the protrusions are arranged at equal intervals in the projection light spot moving direction.
In other words, on the projection surface 20a-5, a plurality of protrusions are arranged at predetermined intervals along the direction of movement of the projection light spot to form a lattice.

そして、ドーム型反射ミラー20−5においては、第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させることにより、これらの配設された複数の頂面20a−5Hおよび底面20a−5Lに第1反射光29が投射光点移動方向に沿って順次照射され、それぞれこの第1反射光29を反射することにより第2反射光30を出力するようになっている。
また、投射面20a−5は、形成されている複数の突起の高さが等しくなるように構成されており、底面20a−5Lから頂面20a−5Hまでの高さ(高低差)が、λ/8(λ:測定光28の波長)以下(例えば、100〜150nm)となるように構成されている。
In the dome-shaped reflection mirror 20-5, the projected light spot of the first reflected light 29 is moved in the projected light spot moving direction, so that the plurality of top surfaces 20a-5H and the bottom surface 20a- provided with these are arranged. 5L is irradiated with the first reflected light 29 sequentially along the projected light spot moving direction, and the second reflected light 30 is output by reflecting the first reflected light 29, respectively.
The projection surface 20a-5 is configured such that the heights of the plurality of projections formed are equal, and the height (height difference) from the bottom surface 20a-5L to the top surface 20a-5H is λ. / 8 (λ: wavelength of measurement light 28) or less (for example, 100 to 150 nm).

すなわち、投射面20a−5に形成された各突起において、ミラー面11の回転軸から各頂面20a−5Hまでの距離と、ミラー面11の回転軸から各底面20a−5Lまでの距離との行路差が、λ/8(λ:測定光28の波長)以下となるように構成されている。
従って、このドーム型反射ミラー20−5においては、突起の頂面20a−5Hを投射光点位置として生じる第2反射光30と底面20a−5Lを投射光点位置として生じる第2反射光30とでは第2反射光30の位相(光学特性)が異なるようになっている。
That is, in each projection formed on the projection surface 20a-5, the distance from the rotation axis of the mirror surface 11 to each top surface 20a-5H and the distance from the rotation axis of the mirror surface 11 to each bottom surface 20a-5L. The path difference is configured to be equal to or less than λ / 8 (λ: wavelength of the measurement light 28).
Therefore, in the dome-shaped reflection mirror 20-5, the second reflected light 30 generated with the projection top surface 20a-5H as the projection light spot position and the second reflected light 30 generated with the bottom surface 20a-5L as the projection light spot position; Then, the phase (optical characteristics) of the second reflected light 30 is different.

なお、ドーム型反射ミラー20−5における投射面20a−5の各突起は、例えば、EB(Electron Beam)描写や、レジストパタン形成,エッチング,薄膜形成等の既知のナノ加工技術を用いることにより実現することができる。これらのナノ加工技術を用いることにより、投射面20a−5における微小な段差を高精度で形成することができる。
また、ドーム型反射ミラー20−5の投射面20a−5も、金属,ガラス,石英等の材料を用いて形成される。又、投射面20a−5を形成する材料として周囲温度の影響の度合い、すなわち温度係数が少ない材料を用いることにより、測定精度を高くすることができる。
In addition, each protrusion of the projection surface 20a-5 in the dome-shaped reflecting mirror 20-5 is realized by using known nano-processing techniques such as EB (Electron Beam) drawing, resist pattern formation, etching, thin film formation, and the like. can do. By using these nano-processing techniques, a minute step on the projection surface 20a-5 can be formed with high accuracy.
Further, the projection surface 20a-5 of the dome-shaped reflecting mirror 20-5 is also formed using a material such as metal, glass, quartz, or the like. Further, the measurement accuracy can be increased by using a material having a small influence of the ambient temperature, that is, a material having a small temperature coefficient, as the material for forming the projection surface 20a-5.

光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17に反射されてミラー33に入射され、このミラー33のミラー面33aにおいて反射された後にハーフミラー17を透過して入射する測定光28が、第1経路光として入射されるようになっている。
また、光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に入射され、そのミラー面11において第1反射光29として反射された後に、ドーム型反射ミラー20−5の投射面20a−5において第2反射光30として反射され、再度、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射され、このハーフミラー17に反射されることにより入射する測定光28が、第2経路光として入射されるようになっている。
Measurement that is output from the measurement light source 14, reflected by the half mirror 17, incident on the mirror 33, reflected by the mirror surface 33 a of the mirror 33, and then transmitted through the half mirror 17 to the light amount detector 191. The light 28 is incident as the first path light.
The light amount detector 191 is output from the measurement light source 14, passes through the half mirror 17, enters the MEMS mirror 12, is reflected as the first reflected light 29 on the mirror surface 11, and then is reflected in the dome shape. The light is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-5 of the mirror 20-5, is incident on the mirror surface 11 again, is incident on the half mirror 17 as the third reflected light 31, and is reflected by the half mirror 17. Accordingly, the incident measurement light 28 is incident as the second path light.

そして、これらの第1経路光と第2経路光とは、ハーフミラー17によって同一光軸の光に合成されることにより相互に干渉(光干渉)するようになっている。なお、以下、第1経路光と第2経路光とを合成した光を合成光という場合がある。
また、この第2経路光においては、ドーム型反射ミラー20−5において、投射光点位置が頂面20a−5H上にあった光と、投射光点位置が底面20a−5L上にあった光とでは位相が変化するようになっている。
The first path light and the second path light are combined with light of the same optical axis by the half mirror 17 to interfere with each other (light interference). Hereinafter, light obtained by combining the first path light and the second path light may be referred to as combined light.
Further, in the second path light, in the dome-shaped reflecting mirror 20-5, the light whose projection light spot position is on the top surface 20a-5H and the light whose projection light spot position is on the bottom surface 20a-5L. And the phase changes.

そして、この第2経路光の位相が変化することにより、結果として、合成光の光量が変化する。すなわち、合成光においては、ミラー面11の偏向角度に応じてその光量が変化するのである。
図27は本第5実施形態の一例としての測定装置10−5における検知光量の出力例を示す図である。
Then, the phase of the second path light changes, and as a result, the amount of the combined light changes. That is, the amount of light in the combined light changes according to the deflection angle of the mirror surface 11.
FIG. 27 is a diagram illustrating an output example of the detected light amount in the measurement apparatus 10-5 as an example of the fifth embodiment.

この図27に示す例においては、本第5実施形態の測定装置10−5において、ステージに載置した基準ミラー(MEMSミラー12)のミラー面11の偏向角度を−20度から+20度に連続的に回転させて、投射面20a−5において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させた場合に光量検知器191から出力される検知光量を示している。   In the example shown in FIG. 27, in the measuring apparatus 10-5 of the fifth embodiment, the deflection angle of the mirror surface 11 of the reference mirror (MEMS mirror 12) placed on the stage is continuously changed from −20 degrees to +20 degrees. The detected light amount output from the light amount detector 191 when the projection light point of the first reflected light 29 is moved in the projection light point movement direction on the projection surface 20a-5 is shown.

図27に示すように、投射光点が突起の頂面20a−5H上にある場合には検知光量が高くなり(山部)、投射光点が底面20a−5L上にある場合には検知光量が低くなる(谷部)。すなわち、投射面20a−5において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させると、その投射光点の位置に応じて、検知光量の値も上下するのである。
従って、上述の如く検出された検知光量における山部や谷部の数、すなわち、光学特性の変化数を計数することにより、投射面20a−5における投射光点の位置を特定することができる。
As shown in FIG. 27, when the projected light spot is on the top surface 20a-5H of the protrusion, the detected light quantity is high (mountain portion), and when the projected light spot is on the bottom face 20a-5L, the detected light quantity is high. Becomes lower (Tanibe). That is, when the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-5, the value of the detected light amount also rises and falls according to the position of the projection light spot.
Therefore, the position of the projection light spot on the projection surface 20a-5 can be specified by counting the number of peaks and valleys in the detected light amount detected as described above, that is, the number of changes in optical characteristics.

なお、投射面20a−5における、各段差の頂面20a−5Hや底面20a−5Lの幅は、例えば、偏向角度0.1度で1周期の信号、すなわち、山部と谷部とが出現するように構成することが望ましい。
管理部16−5は、本測定装置10−5におけるMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なうものであり、図23に示すように、計数部105および測定制御部104をそなえて構成されている。
Note that the width of the top surface 20a-5H and the bottom surface 20a-5L of each step on the projection surface 20a-5 is, for example, a one-cycle signal with a deflection angle of 0.1 degree, that is, a peak and a valley. It is desirable to make it so.
The management unit 16-5 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 in the measurement apparatus 10-5, and includes a counting unit 105 and a measurement control unit 104 as shown in FIG. It is configured.

なお、これらの計数部105および測定制御部104の構成や機能は、第4実施形態の管理部16−4の計数部105および測定制御部104とほぼ同様であるので、その説明は省略する。
上述の如く構成された第5実施形態に係る測定装置10−5において、測定用光源14から測定光28を出力すると、この測定光28は、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に照射され(照射ステップ)、そのミラー面11において第1反射光29として反射される。第1反射光29は、ドーム型反射ミラー20−5の投射面20a−5において第2反射光30として反射され(反射ステップ)、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射される。そして、この第3反射光31は、ハーフミラー17に反射され、光量検知器191に入射される(受光ステップ)。光量検知器191は、このハーフミラー17から入射された第3反射光31の光量に応じた電圧信号を検知光量として出力する。
Note that the configurations and functions of the counting unit 105 and the measurement control unit 104 are substantially the same as those of the counting unit 105 and the measurement control unit 104 of the management unit 16-4 of the fourth embodiment, and a description thereof will be omitted.
In the measurement apparatus 10-5 according to the fifth embodiment configured as described above, when the measurement light 28 is output from the measurement light source 14, the measurement light 28 passes through the half mirror 17 and is irradiated onto the MEMS mirror 12. (Irradiation step) Reflected as first reflected light 29 on the mirror surface 11. The first reflected light 29 is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-5 of the dome-shaped reflecting mirror 20-5 (reflecting step), is incident on the mirror surface 11, and becomes the third reflected light 31 as the half mirror 17. Is incident on. Then, the third reflected light 31 is reflected by the half mirror 17 and enters the light amount detector 191 (light receiving step). The light quantity detector 191 outputs a voltage signal corresponding to the light quantity of the third reflected light 31 incident from the half mirror 17 as the detected light quantity.

また、測定制御部104は、測定用光源14に測定光28を出力させた状態で、偏向ミラー駆動部27により、ミラー面11の角度を変更させる。これにより、光量検知器191において検知光量の変化、すなわち、投射光点位置が突起の頂面20a−5H上にある場合と底面20a−5L上にある場合との光量差を検出することができるのである。
計数部105は、光量検知器191から出力される検知光量に基づいて、基準位置からの検知光量の山部もしくは谷部の出現回数を計数し、測定制御部104は、この計数結果に基づいてミラー面11の偏向角度を求める(測定ステップ)。
Further, the measurement control unit 104 causes the deflection mirror driving unit 27 to change the angle of the mirror surface 11 in a state where the measurement light source 14 outputs the measurement light 28. As a result, the light amount detector 191 can detect a change in the detected light amount, that is, a light amount difference between the case where the projection light spot position is on the top surface 20a-5H and the bottom surface 20a-5L of the protrusion. It is.
The counting unit 105 counts the number of appearances of peaks or valleys of the detected light amount from the reference position based on the detected light amount output from the light amount detector 191, and the measurement control unit 104 determines based on the counting result. The deflection angle of the mirror surface 11 is obtained (measurement step).

なお、本第5実施形態の測定装置10−5における測定手順の詳細については、第1実施形態の測定装置10−1とほぼ同様であるための、その詳細な説明は省略する。
このように、本第5実施形態の一例としての測定装置10−5によっても、第4実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
〔5−1〕第5実施形態の変形例の説明
上述した第5実施形態としての測定装置10−5においては、光量検知器191から出力される検知光量だけではミラー面11の偏向方向を判断することができない。
Note that the details of the measurement procedure in the measurement apparatus 10-5 of the fifth embodiment are substantially the same as those of the measurement apparatus 10-1 of the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.
As described above, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained by the measurement apparatus 10-5 as an example of the fifth embodiment.
[5-1] Description of Modified Example of Fifth Embodiment In the measurement apparatus 10-5 as the fifth embodiment described above, the deflection direction of the mirror surface 11 is determined only by the detected light amount output from the light amount detector 191. Can not do it.

図28および図29はそれぞれ本第5実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの変形例を説明するための図である。なお、図28は本第5実施形態の変形例としてのドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図、図29はそのA部を拡大して示している。なお、図28,図29においては、便宜上、ミラー面11,ドーム型反射ミラー20−51の投射面20a−51,測定光28および第1反射光29のみを示しており、更に、投射面20a−51をそのミラー面11と対向する側とは反対側から図示している。   28 and 29 are diagrams for explaining modifications of the dome-shaped reflecting mirror of the measuring apparatus according to the fifth embodiment. FIG. 28 is a perspective view schematically showing an arrangement state of a dome-shaped reflecting mirror as a modification of the fifth embodiment, and FIG. 29 is an enlarged view of portion A. 28 and 29, for the sake of convenience, only the mirror surface 11, the projection surface 20a-51 of the dome-shaped reflection mirror 20-51, the measurement light 28, and the first reflected light 29 are shown, and further, the projection surface 20a. -51 is illustrated from the side opposite to the side facing the mirror surface 11.

本第5実施形態の変形例としての測定装置10−51においては、図23に示すように、第5実施形態のドーム型反射ミラー20−5に代えて、ドーム型反射ミラー20−51をそなえるものであり、その他の部分は第5実施形態の測定装置10−5と同様に構成されている。
なお、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
As shown in FIG. 23, the measurement apparatus 10-51 as a modification of the fifth embodiment includes a dome-shaped reflection mirror 20-51 instead of the dome-shaped reflection mirror 20-5 of the fifth embodiment. The other parts are the same as those of the measurement apparatus 10-5 of the fifth embodiment.
Since the same reference numerals as those already described indicate the same or substantially the same parts, detailed description thereof will be omitted.

ドーム型反射ミラー20−51は、図28に示すように、矩形の板状部材を一方の面の側に一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえている。そして、このドーム型反射ミラー20−51は円弧の内側面、すなわち投射面20a−51をミラー面11に対向するように配置されており、ミラー面11において測定光28が反射することにより作成された第1反射光29が、この投射面20a−51に照射されるようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−51における円弧の内側面が、第1反射光29が投射光点として照射される投射面20a−51として機能するようになっている。   As shown in FIG. 28, the dome-shaped reflecting mirror 20-51 is configured such that a rectangular plate-like member is curved to a side of one surface with a constant arc so that the arc-shaped cross section is curved in one direction. It has a shape. The dome-shaped reflection mirror 20-51 is arranged so that the inner surface of the arc, that is, the projection surface 20a-51 faces the mirror surface 11, and is created by the measurement light 28 reflecting off the mirror surface 11. The first reflected light 29 is applied to the projection surfaces 20a-51. That is, the inner surface of the arc in the dome-shaped reflection mirror 20-51 functions as a projection surface 20a-51 on which the first reflected light 29 is irradiated as a projection light point.

更に、ドーム型反射ミラー20−51は、投射面20a−51の円弧中心がミラー面11における回転軸の第1照射点に重合するように配置されている。これにより、ドーム型反射ミラー20−51の投射面20a−51において、照射された第1反射光29が第2反射光(第2の反射光)30として反射するようになっており、又、その第2反射光30は、ミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。   Furthermore, the dome-shaped reflection mirror 20-51 is arranged so that the arc center of the projection surface 20 a-51 overlaps with the first irradiation point of the rotation axis on the mirror surface 11. Accordingly, the irradiated first reflected light 29 is reflected as the second reflected light (second reflected light) 30 on the projection surface 20a-51 of the dome-shaped reflecting mirror 20-51, The second reflected light 30 is applied to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11.

また、ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
さらに、このドーム型反射ミラー20−51において、投射面20a−5のいずれの場所において反射された第2反射光30も、このミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measuring light 28, and enters the half mirror 17. It has become so.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-51, the second reflected light 30 reflected at any place on the projection surface 20a-5 is irradiated to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11. It has become.

ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
また、ドーム型反射ミラー20−51は、ミラー面11を回動させていない状態、すなわち偏向角度が0の状態においては、そのミラー面11において反射した第1反射光30が投射面20a−51のほぼ中心位置に照射されるようになっている。以下、この投射面20a−51のほぼ中心位置のことを、ミラー面中心という場合がある。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measurement light 28, and enters the half mirror 17. It has become.
In the dome-shaped reflection mirror 20-51, when the mirror surface 11 is not rotated, that is, when the deflection angle is 0, the first reflected light 30 reflected by the mirror surface 11 is the projection surface 20a-51. Irradiates almost the center position. Hereinafter, the approximate center position of the projection surfaces 20a-51 may be referred to as the mirror surface center.

図30は本第5実施形態の変形例としてのドーム型反射ミラーの形状を模式的に示す側断面図である。なお、この図30に示す例においては、便宜上、ドーム型反射ミラー20−51の曲面の表現を省略している。
ドーム型反射ミラー20−51の投射面20a−51には、図29,図30に示すように、投射光点移動方向に沿って、ドーム型反射ミラー20−51の円弧中心に向かって突出する複数の鋸歯状突起(段差)が、規則的な周期で並ぶように(格子状に)形成されている。
FIG. 30 is a side sectional view schematically showing the shape of a dome-shaped reflecting mirror as a modification of the fifth embodiment. In the example shown in FIG. 30, the expression of the curved surface of the dome-shaped reflecting mirror 20-51 is omitted for convenience.
As shown in FIGS. 29 and 30, the projection surface 20a-51 of the dome-shaped reflecting mirror 20-51 protrudes toward the arc center of the dome-shaped reflecting mirror 20-51 along the projection light spot moving direction. A plurality of serrated protrusions (steps) are formed so as to be arranged in a regular cycle (in a lattice pattern).

各鋸歯状突起は、図30に示すように、ドーム型反射ミラー20−51の円弧中心に向かって立設する鉛直面20a−51Tと、この鉛直面20a−51Tにおける円弧中心側の辺T1から、隣接する鉛直面20a−51Tにおける円弧中心とは反対側の辺T2にかけて連続的に接続する斜面20a−51Sとにより構成されている。
そして、投射面20a−51に形成されたこれらの複数の鋸歯状突起は、互いに同じ大きさになるように構成されており、各鉛直面20a−51Tや各斜面20a−51Sは同じ寸法となるように構成されている。すなわち、投射面20a−51において、各鋸歯状突起は投射光点移動方向において等間隔で配置されている。
As shown in FIG. 30, each serrated projection is formed from a vertical surface 20a-51T standing toward the arc center of the dome-shaped reflecting mirror 20-51 and a side T1 on the arc center side of the vertical surface 20a-51T. The slopes 20a-51S are continuously connected to the side T2 opposite to the arc center of the adjacent vertical surfaces 20a-51T.
The plurality of serrated protrusions formed on the projection surface 20a-51 are configured to have the same size, and the vertical surfaces 20a-51T and the inclined surfaces 20a-51S have the same dimensions. It is configured as follows. That is, on the projection surfaces 20a-51, the sawtooth protrusions are arranged at equal intervals in the direction of movement of the projection light spot.

すなわち、投射面20a−51においては、複数の鋸歯状突起を投射光点移動方向に沿って所定間隔で配設することにより格子が形成されている。
また、ドーム型反射ミラー20−51においては、その投射面20a−51における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、斜面20a−51Sの傾斜方向が異なるパターンを構成しているといえる。
That is, on the projection surfaces 20a-51, a plurality of serrated projections are arranged at predetermined intervals along the projection light spot moving direction to form a lattice.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-51, a pattern in which the inclination direction of the inclined surfaces 20a-51S is different in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-51 and in the opposite direction is configured. It can be said that.

そして、ドーム型反射ミラー20−51においては、第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させることにより、これらの配設された複数の鋸歯状突起の斜面20a−51Sに第1反射光29が順次照射され、それぞれこの第1反射光29を反射することにより第2反射光30を出力するようになっている。
また、複数の斜面20a−51Sの反射率は均一もしくはほぼ均一に形成されている。これにより、投射面20a−51の投射光点移動方向において異なる複数の頂面を投射光点位置として反射して生成された複数の第2反射光30は、互いに同じ光量(反射光量)として出力される。
In the dome-shaped reflection mirror 20-51, the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction, so that the slopes 20a-51S of the plurality of serrated protrusions arranged on these are reflected. The first reflected light 29 is sequentially irradiated, and the second reflected light 30 is output by reflecting the first reflected light 29.
Further, the reflectances of the plurality of slopes 20a-51S are formed uniformly or substantially uniformly. Accordingly, the plurality of second reflected lights 30 generated by reflecting a plurality of top surfaces different in the projection light spot moving direction of the projection surfaces 20a-51 as the projection light spot positions are output as the same light quantity (reflected light quantity). Is done.

さらに、投射面20a−5において、各鉛直面20a−51Tは同じ高さ(図30の
紙面上下方向)を有している。
各鉛直面20a−51Tの高さはλ/8(λ:測定光28の波長)以下(例えば、100〜150nm)となるように構成されており、これにより、ドーム型反射ミラー20−51においては、投射面20a−51における一つの斜面20a−51Sの投射光移動方向における複数位置で、ミラー面11の回転中心からの距離が同一の値となることがないようになっている。
Furthermore, in the projection surface 20a-5, each vertical surface 20a-51T has the same height (the vertical direction of the paper surface of FIG. 30).
The height of each vertical surface 20a-51T is configured to be equal to or less than λ / 8 (λ: wavelength of the measurement light 28) (for example, 100 to 150 nm). Are such that the distance from the rotation center of the mirror surface 11 does not have the same value at a plurality of positions in the projection light movement direction of one inclined surface 20a-51S on the projection surface 20a-51.

また、斜面20a−51Sにおける辺T1側と、斜面20a−51Sにおける辺T2側とではミラー面11の回転軸との距離が異なるようになっており、ミラー面11の回転軸までの距離が最大でλ/8異なるようになっている。
従って、斜面20a−51Sにおける辺T1側を投射光点位置として生じる第2反射光30と、斜面20a−51Sにおける辺T2側を投射光点位置として生じる第2反射光30とでは、第2反射光30の位相が変わるようになっている。
Further, the distance to the rotation axis of the mirror surface 11 is different between the side T1 side of the slope 20a-51S and the side T2 side of the slope 20a-51S, and the distance to the rotation axis of the mirror surface 11 is the maximum. Is different by λ / 8.
Accordingly, the second reflected light 30 generated with the side T1 side of the inclined surface 20a-51S as the projected light point position and the second reflected light 30 generated with the side T2 side of the inclined surface 20a-51S as the projected light point position are second reflected. The phase of the light 30 is changed.

なお、投射面20a−51における、鋸歯状突起の幅、すなわち、斜面20a−51Sの幅は、例えば、偏向角度0.1度で1周期の信号、すなわち、山部と谷部とが1つずつ出現するように構成することが望ましい。
また、ドーム型反射ミラー20−51において、斜面20a−51Sが傾斜することにより、厳密には、投射面20a−51における斜面20a−51Sで反射した第2反射光30の経路が第1反射光29の経路とが一致しなくなる。しかしながら、測定光28は100〜500μmほどの径を有しており、斜面20a−51Sの傾斜に比べて充分に太いので、その影響を受けることはない。
In addition, the width of the sawtooth projection on the projection surface 20a-51, that is, the width of the inclined surface 20a-51S is, for example, one signal at a deflection angle of 0.1 degree, that is, one peak and one valley. It is desirable to make it appear one by one.
In addition, in the dome-shaped reflection mirror 20-51, the inclined surface 20a-51S is inclined, so strictly speaking, the path of the second reflected light 30 reflected by the inclined surface 20a-51S on the projection surface 20a-51 is the first reflected light. 29 paths do not match. However, the measurement light 28 has a diameter of about 100 to 500 μm and is sufficiently thick as compared with the slope of the slopes 20a to 51S, so that it is not affected.

さらに、このドーム型反射ミラー20−51も、第5実施形態のドーム型反射ミラー20−5とほぼ同様の手法により製造することができる。
光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17に反射されてミラー33に入射され、このミラー33のミラー面33aにおいて反射された後にハーフミラー17を透過して入射する測定光28が、第1経路光として入射されるようになっている。
Furthermore, this dome-shaped reflecting mirror 20-51 can also be manufactured by a method substantially similar to the dome-shaped reflecting mirror 20-5 of the fifth embodiment.
Measurement that is output from the measurement light source 14, reflected by the half mirror 17, incident on the mirror 33, reflected by the mirror surface 33 a of the mirror 33, and then transmitted through the half mirror 17 to the light amount detector 191. The light 28 is incident as the first path light.

また、光量検知器191には、測定用光源14から出力され、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に入射され、そのミラー面11において第1反射光29として反射された後に、ドーム型反射ミラー20−51の投射面20a−51において第2反射光30として反射され、再度、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射され、このハーフミラー17に反射されることにより入射する測定光28が、第2経路光として入射されるようになっている。   The light amount detector 191 is output from the measurement light source 14, passes through the half mirror 17, enters the MEMS mirror 12, is reflected as the first reflected light 29 on the mirror surface 11, and then is reflected in the dome shape. The light is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-51 of the mirror 20-51, enters the mirror surface 11 again, enters the half mirror 17 as the third reflected light 31, and is reflected by the half mirror 17. Accordingly, the incident measurement light 28 is incident as the second path light.

そして、これらの第1経路光と第2経路光とは、ハーフミラー17によって同一光軸の光に合成されることにより相互に干渉(光干渉)するようになっている。なお、以下、第1経路光と第2経路光とを合成した光を合成光という場合がある。
また、この第2経路光においては、ドーム型反射ミラー20−51において、投射光点位置が斜面20a−51Sにおける辺T1付近にあった光と辺2付近にあった光とでは位相が変化するようになっている。
The first path light and the second path light are combined with light of the same optical axis by the half mirror 17 to interfere with each other (light interference). Hereinafter, light obtained by combining the first path light and the second path light may be referred to as combined light.
In the second path light, the phase changes between the light whose projection light spot position is in the vicinity of the side T1 on the slope 20a-51S and the light in the vicinity of the side 2 in the dome-shaped reflection mirror 20-51. It is like that.

そして、この第2経路光の位相が変化することにより、結果として、合成光の光量が変化する。すなわち、合成光においては、ミラー面11の偏向角度に応じてその光量が変化するのである。
ドーム型反射ミラー20−51においては、その投射面20a−51における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、斜面20a−51Sの傾斜方向が異なる。これにより、測定光28を投射しながらミラー面11を回転させる場合に、投射面20a−51に対して、その投射光点移動方向に沿った一方向で第1反射光29を照射することによられる第2経路光と、その投射光点移動方向に沿った逆方向で第1反射光29を照射することによられる第2経路光とでは、位相の変化傾向が異なる。
Then, the phase of the second path light changes, and as a result, the amount of the combined light changes. That is, the amount of light in the combined light changes according to the deflection angle of the mirror surface 11.
In the dome-shaped reflection mirror 20-51, the inclination direction of the inclined surfaces 20a-51S is different in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-51 and in the opposite direction. Thereby, when rotating the mirror surface 11 while projecting the measurement light 28, the first reflected light 29 is irradiated on the projection surfaces 20 a to 51 in one direction along the direction of movement of the projection light point. The second path light is different in phase change tendency from the second path light emitted by irradiating the first reflected light 29 in the opposite direction along the direction of movement of the projected light spot.

従って、測定光28を投射しながらミラー面11を回転させる場合に、投射面20a−51に対して、その投射光点移動方向に沿った一方向で第1反射光29を照射することによられる合成光と、その投射光点移動方向に沿った逆方向で第1反射光29を照射することによられる合成光とでは、光量の変化傾向が異なるのである。
図31(a)〜(c)は本第5実施形態の変形例としての測定装置における検知光量の出力例を示す図であり、図31(a)はその検知光量の出力例を波形として示す図、31(b)は図31(a)に示された検知光量を閾値3により2値化した2値化波形の例を示す図、図31(c)は図31(a)に示された検知光量を閾値4により2値化した2値化波形の例を示す図である。
Therefore, when the mirror surface 11 is rotated while projecting the measurement light 28, the first reflected light 29 is irradiated on the projection surfaces 20a-51 in one direction along the direction of movement of the projection light spot. The amount of change in the amount of light differs between the synthesized light and the synthesized light produced by irradiating the first reflected light 29 in the opposite direction along the direction of movement of the projected light spot.
FIGS. 31A to 31C are diagrams illustrating output examples of the detected light amount in the measurement apparatus as a modification of the fifth embodiment, and FIG. 31A illustrates an output example of the detected light amount as a waveform. FIG. 31 (b) is a diagram showing an example of a binarized waveform obtained by binarizing the detected light quantity shown in FIG. 31 (a) with a threshold 3, and FIG. 31 (c) is shown in FIG. 31 (a). It is a figure which shows the example of the binarization waveform which binarized the detected light quantity by the threshold value 4.

この図31(a)〜(c)に示す例においては、本第5実施形態の変形例としての測定装置10−51において、ステージに載置した基準ミラー(MEMSミラー12)のミラー面11の偏向角度を−20度から+20度に連続的に回転させて、投射面20a−51において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させた場合に光量検知器191から出力される検知光量を示している。   In the examples shown in FIGS. 31A to 31C, in the measuring apparatus 10-51 as a modification of the fifth embodiment, the mirror surface 11 of the reference mirror (MEMS mirror 12) placed on the stage is used. When the deflection angle is continuously rotated from −20 degrees to +20 degrees and the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-51, the light amount detector 191 outputs the light. The detected light quantity is shown.

図31(a)に示すように、投射光点が、例えば鋸歯状突起の斜面20a−51Sにおける辺T1付近にある場合には検知光量が高くなり(山部)、投射光点が斜面20a−51Sにおける辺T2付近にある場合には検知光量が低くなる(谷部)。
すなわち、投射面20a−51において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させると、斜面20a−51S上における投射光点の位置に応じて検知光量の値も上下するのである。
As shown in FIG. 31 (a), when the projected light spot is, for example, in the vicinity of the side T1 of the slope 20a-51S of the sawtooth projection, the detected light amount is high (mountain portion), and the projected light spot is the slope 20a-. When it is in the vicinity of the side T2 in 51S, the detected light amount is low (valley).
That is, when the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-51, the value of the detected light amount also rises and falls according to the position of the projection light spot on the slope 20a-51S. is there.

図31(a)に示す例においては、検知光量が上昇もしくは下降する傾斜線が鋸歯状突起の斜面20a−51Sに相当し、検知光量がほぼ垂直に下降する鉛直線が、鋸歯状突起の鉛直面20a−51Tに相当する。
従って、上述の如く検出された検知光量における山部や谷部の数、すなわち、光学特性の変化数を計数することにより、投射面20a−51における投射光点の位置を特定することができる。
In the example shown in FIG. 31A, the inclined line in which the detected light amount increases or decreases corresponds to the inclined surface 20a-51S of the sawtooth projection, and the vertical line in which the detected light amount decreases approximately vertically is the vertical line of the sawtooth projection. It corresponds to the surface 20a-51T.
Therefore, the position of the projection light spot on the projection surface 20a-51 can be specified by counting the number of peaks and valleys in the detected light amount detected as described above, that is, the number of changes in optical characteristics.

具体的には、図31(a)に示すように、検知光量を表す波形に対して、山部検出用閾値(閾値3:31(a)に示す例では0.68)を適用することにより、図31(b)に示すような第1の2値化波形を作成する。
同様に、図31(a)に示すように、検知光量を表す波形に対して、谷部検出用閾値(閾値4:図31(a)に示す例では0.33)を適用することにより、図31(c)に示すような第2の2値化波形を作成する。
Specifically, as shown in FIG. 31 (a), by applying a peak detection threshold (0.68 in the example shown in threshold 3:31 (a)) to the waveform representing the detected light amount. A first binarized waveform as shown in FIG. 31 (b) is created.
Similarly, as shown in FIG. 31A, by applying a valley detection threshold (threshold 4: 0.33 in the example shown in FIG. 31A) to the waveform representing the detected light amount, A second binarized waveform as shown in FIG.

そして、これらの作成した2つの2値化波形の位相差の進み/遅れから、ミラー面11の回転方向を求めることができる。
すなわち、測定制御部(測定部)104は、投射面20a−51における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、斜面20a−51Sの傾斜方向の違いによって生じる光量差に基づいて、ミラー面11の傾きの変化方向を判断するのである。
The rotation direction of the mirror surface 11 can be obtained from the advance / delay of the phase difference between the two binarized waveforms created.
That is, the measurement control unit (measurement unit) 104 is based on a light amount difference caused by a difference in inclination direction of the inclined surfaces 20a-51S in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface 20a-51 and in the opposite direction. Thus, the change direction of the inclination of the mirror surface 11 is determined.

このように、本第5実施形態の変形例としての測定装置10−51によれば、第5実施形態と同様の作用効果を得ることができる他、ミラー面11の回転方向を容易に求めることができ利便性が高い。
〔6〕第6実施形態の説明
図32は第6実施形態の一例としての測定装置の構成を模式的に示す図、図33,図34はそれぞれ本第6実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの配置状態を模式的に示す斜視図である。なお、図34は図33のA部を拡大して示している。なお、図32,図33においては、便宜上、ミラー面11,ドーム型反射ミラー20−6の投射面20a−6,測定光28および第1反射光29のみを示しており、更に、投射面20a−6をそのミラー面11と対向する側とは反対側から図示している。
Thus, according to the measuring apparatus 10-51 as a modification of the fifth embodiment, the same operational effects as the fifth embodiment can be obtained, and the rotation direction of the mirror surface 11 can be easily obtained. Can be convenient.
[6] Description of Sixth Embodiment FIG. 32 is a diagram schematically showing the configuration of a measurement apparatus as an example of the sixth embodiment, and FIGS. 33 and 34 are dome-shaped reflections of the measurement apparatus of the sixth embodiment, respectively. It is a perspective view which shows typically the arrangement | positioning state of a mirror. FIG. 34 is an enlarged view of part A of FIG. 32 and 33, for convenience, only the mirror surface 11, the projection surface 20a-6 of the dome-shaped reflection mirror 20-6, the measurement light 28, and the first reflected light 29 are shown. Further, the projection surface 20a is shown. −6 is shown from the side opposite to the side facing the mirror surface 11.

本第6実施形態にかかる測定装置10−6も、第2実施形態の測定装置10−2と同様に、ミラー面11の偏向角度(傾き)が変更可能に構成されたMEMSミラー(ミラーシステム)12の偏向特性を測定するための装置である。この測定装置10−6は、図32に示すように、測定用光源14,管理部16−6,ハーフミラー17,ピンホール18,光量検知器191,偏向ミラー駆動部27,1/4波長板35,偏光板36およびドーム型反射ミラー(凹面投射部)20−6をそなえて構成されている。   Similarly to the measurement apparatus 10-2 of the second embodiment, the measurement apparatus 10-6 according to the sixth embodiment is a MEMS mirror (mirror system) configured so that the deflection angle (inclination) of the mirror surface 11 can be changed. This is an apparatus for measuring 12 deflection characteristics. As shown in FIG. 32, the measurement apparatus 10-6 includes a measurement light source 14, a management unit 16-6, a half mirror 17, a pinhole 18, a light amount detector 191, a deflection mirror drive unit 27, and a quarter wavelength plate. 35, a polarizing plate 36, and a dome-shaped reflection mirror (concave projection portion) 20-6.

すなわち、本第6実施形態にかかる測定装置10−6は、図32に示すように、第5実施形態の測定装置10−5におけるドーム型反射ミラー20−5に代えてドーム型反射ミラー20−6をそなえるとともに、管理部16−5に代えて管理部16−6をそなえ、更に、1/4波長板35および偏光板36をそなえるものであり、その他の部分は第5実施形態の測定装置10−5と同様に構成されている。   That is, as shown in FIG. 32, the measurement apparatus 10-6 according to the sixth embodiment replaces the dome-shaped reflection mirror 20-5 in the measurement apparatus 10-5 according to the fifth embodiment with a dome-shaped reflection mirror 20-. 6, a management unit 16-6 instead of the management unit 16-5, a quarter-wave plate 35 and a polarizing plate 36, and the other parts are the measurement apparatus of the fifth embodiment. The configuration is the same as 10-5.

なお、図中、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
1/4波長板35は、直線偏光を円偏光にするものであって、測定用光源14から出力される測定光28を円偏光にするようになっている。この1/4波長板35は、測定用光源14から出力される測定光28の光軸上におけるハーフミラー17の上流側(測定用光源14側)に配設されている。なお、この1/4波長板35としては既知の1/4波長板を用いることができ、その詳細な説明は省略する。
In the figure, the same reference numerals as those described above indicate the same or substantially the same parts, and detailed description thereof will be omitted.
The quarter-wave plate 35 converts linearly polarized light into circularly polarized light, and converts the measurement light 28 output from the measurement light source 14 into circularly polarized light. The quarter-wave plate 35 is disposed on the upstream side (measurement light source 14 side) of the half mirror 17 on the optical axis of the measurement light 28 output from the measurement light source 14. As the quarter wavelength plate 35, a known quarter wavelength plate can be used, and detailed description thereof is omitted.

ドーム型反射ミラー20−6は、図32に示すように、矩形の板状部材を一方の面の側に一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえている。そして、このドーム型反射ミラー20−6は円弧の内側面、すなわち投射面20a−6をミラー面11に対向するように配置されており、ミラー面11において測定光28が反射することにより作成された第1反射光29が、この投射面20a−6に照射されるようになっている。すなわち、ドーム型反射ミラー20−6における円弧の内側面が、第1反射光29が投射光点として照射される投射面20a−6として機能するようになっている。   As shown in FIG. 32, the dome-shaped reflecting mirror 20-6 is configured so that a rectangular plate-like member is curved on one surface side with a constant arc so that it is curved in one direction. It has a shape. The dome-shaped reflection mirror 20-6 is arranged so that the inner surface of the arc, that is, the projection surface 20a-6 faces the mirror surface 11, and is created by the measurement light 28 reflecting off the mirror surface 11. Further, the first reflected light 29 is irradiated onto the projection surface 20a-6. That is, the inner side surface of the arc in the dome-shaped reflection mirror 20-6 functions as a projection surface 20a-6 on which the first reflected light 29 is irradiated as a projection light point.

更に、ドーム型反射ミラー20−6は、投射面20a−6の円弧中心がミラー面11における回転軸の第1投射点に重合するように配置されている。これにより、ドーム型反射ミラー20−6の投射面20a−6において、照射された第1反射光29が第2反射光(第2の反射光)30として反射するようになっており、又、その第2反射光30は、ミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。   Furthermore, the dome-shaped reflection mirror 20-6 is arranged so that the arc center of the projection surface 20a-6 overlaps with the first projection point of the rotation axis on the mirror surface 11. Thereby, the irradiated first reflected light 29 is reflected as the second reflected light (second reflected light) 30 on the projection surface 20a-6 of the dome-shaped reflecting mirror 20-6, The second reflected light 30 is applied to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11.

また、ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
さらに、このドーム型反射ミラー20−6において、投射面20a−6のいずれの場所において反射された第2反射光30も、このミラー面11における回転軸上の第1照射点に照射されるようになっている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measuring light 28, and enters the half mirror 17. It has become so.
Further, in the dome-shaped reflection mirror 20-6, the second reflected light 30 reflected at any location on the projection surface 20a-6 is irradiated to the first irradiation point on the rotation axis of the mirror surface 11. It has become.

ミラー面11に照射された第2反射光30は、この第1照射点において第3反射光31として反射され、測定光28と同一経路上を逆方向に進行しハーフミラー17に入射されるようになっている。
図35は本第6実施形態の測定装置のドーム型反射ミラーの部分拡大図である。ドーム型反射ミラー20−6の投射面20a−6には、図34および図35に示すように、投射光点移動方向に沿って、第1鏡面部20a−6Aと第2鏡面部20a−6Bとが交互に配置されるように形成されている。
The second reflected light 30 irradiated on the mirror surface 11 is reflected as the third reflected light 31 at the first irradiation point, travels in the opposite direction on the same path as the measurement light 28, and enters the half mirror 17. It has become.
FIG. 35 is a partially enlarged view of the dome-shaped reflecting mirror of the measuring apparatus according to the sixth embodiment. As shown in FIGS. 34 and 35, the first mirror surface portion 20 a-6 </ b> A and the second mirror surface portion 20 a-6 </ b> B are formed on the projection surface 20 a-6 of the dome-shaped reflection mirror 20-6 along the projection light spot moving direction. Are alternately arranged.

また、本第6実施形態においては、第1鏡面部20a−6Aと第2鏡面部20a−6Bとは、投射光点移動方向において同じもしくはほぼ同じ幅(投射光点移動方向の長さ)となるように構成されている。すなわち、複数の第1鏡面部20a−6Aもしくは第2鏡面部20a−6Bは、投射光点移動方向において等間隔で配置されているといえる。又、これらの第1鏡面部20a−6Aおよび第2鏡面部20a−6Bは、投射面20a−6における投射光点移動方向と直行する方向と平行もしくはほぼ平行に配設されている。   In the sixth embodiment, the first mirror surface portion 20a-6A and the second mirror surface portion 20a-6B have the same or substantially the same width (length in the projection light spot movement direction) in the projection light spot movement direction. It is comprised so that it may become. That is, it can be said that the plurality of first mirror surface portions 20a-6A or the second mirror surface portions 20a-6B are arranged at equal intervals in the projection light spot moving direction. Further, the first mirror surface portion 20a-6A and the second mirror surface portion 20a-6B are arranged in parallel or substantially parallel to the direction orthogonal to the direction of the projection light spot movement on the projection surface 20a-6.

すなわち、投射面20a−6においては、第1鏡面部20a−6Aと第2鏡面部20a−6Bとを投射光点移動方向に沿って交互に繰り返し配設することにより格子が形成されている。
そして、ドーム型反射ミラー20−6においては、第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させることにより、これらの交互に配設された複数の第1鏡面部20a−6Aおよび第2鏡面部20a−6Bに第1反射光29が順次照射され、それぞれこの第1反射光29を反射することにより第2反射光30を出力するようになっている。
That is, on the projection surface 20a-6, a lattice is formed by alternately arranging the first mirror surface portion 20a-6A and the second mirror surface portion 20a-6B along the projection light spot moving direction.
In the dome-shaped reflection mirror 20-6, the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot moving direction, so that the plurality of first mirror surface portions 20a-6A arranged alternately are moved. The second mirror surface 20a-6B is sequentially irradiated with the first reflected light 29, and the second reflected light 30 is output by reflecting the first reflected light 29, respectively.

第1鏡面部20a−6Aは、第1の偏光方向(例えば、90度;反射特性)を有する反射型偏光板であり、第2鏡面部20a−6Bは、第1の偏光方向とは異なる第2の偏光方向(例えば、0度;反射特性)を有する反射型偏光板である。
これにより、投射面20a−6の投射光点移動方向において、第1鏡面部20a−6Aを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30と、第2鏡面部20a−6Bを投射光点位置として反射して生成された第2反射光30とは異なる偏光方向(光学特性)として出力される。
The first mirror surface portion 20a-6A is a reflective polarizing plate having a first polarization direction (for example, 90 degrees; reflection characteristics), and the second mirror surface portion 20a-6B is different from the first polarization direction. It is a reflective polarizing plate having two polarization directions (for example, 0 degree; reflection characteristics).
Thereby, in the projection light spot moving direction of the projection surface 20a-6, the second reflected light 30 generated by reflecting the first mirror surface portion 20a-6A as the projection light point position and the second mirror surface portion 20a-6B are reflected. It is output as a polarization direction (optical characteristic) different from that of the second reflected light 30 generated by reflection as the projected light spot position.

すなわち、これらの第1鏡面部20a−6Aと第2鏡面部20a−6Bとは、第2反射光30の光学特性を変化させうる光学特性変更部として機能するようになっている。
なお、ドーム型反射ミラー20−6における投射面20a−6は、例えば、金属,ガラス,石英等の材料を用いて形成された鏡面上に、第1の偏光方向の偏光フィルムと第2の変更方向の変更フィルムとを交互に貼りつめることにより、第1鏡面部20a−6Aと第2鏡面部20a−6Bとを形成する。
That is, the first mirror surface portion 20a-6A and the second mirror surface portion 20a-6B function as an optical property changing unit that can change the optical property of the second reflected light 30.
In addition, the projection surface 20a-6 in the dome-shaped reflection mirror 20-6 is, for example, a polarizing film having a first polarization direction and a second change on a mirror surface formed using a material such as metal, glass, or quartz. The first mirror surface portion 20a-6A and the second mirror surface portion 20a-6B are formed by alternately sticking the direction change films.

なお、投射面20a−6を、EB描写や、レジストパタン形成,エッチング,薄膜形成等の既知のナノ加工技術を用いて微細なパターンを形成することによって投射面20a−6における第1鏡面部20a−6Aおよび第2鏡面部20a−6Bを形成してもよい。これにより、投射面20a−6上に偏光フィルムを貼りつめることによって第1鏡面部20a−6Aおよび第2鏡面部20a−6Bを形成する手法よりも、第1鏡面部20a−6Aおよび第2鏡面部20a−6Bの幅を小さく構成することができる。又、投射面20a−6を形成する材料として周囲温度の影響の度合い、すなわち温度係数が少ない材料を用いることにより、測定精度を高くすることができる。   The projection surface 20a-6 is formed with a fine pattern using a known nano-processing technique such as EB drawing, resist pattern formation, etching, thin film formation, etc., so that the first mirror surface portion 20a in the projection surface 20a-6 is obtained. -6A and the second mirror surface portion 20a-6B may be formed. Thereby, the 1st mirror surface part 20a-6A and the 2nd mirror surface rather than the method of forming the 1st mirror surface part 20a-6A and the 2nd mirror surface part 20a-6B by sticking a polarizing film on projection surface 20a-6. The width of the portion 20a-6B can be reduced. Further, the measurement accuracy can be increased by using a material having a small degree of temperature coefficient, that is, a material having a small temperature coefficient as a material for forming the projection surface 20a-6.

偏光板36は特定の振動方向の光のみを通過させるフィルタであって、その透過軸と平行な振動成分の光だけを通過させるようになっている。この偏光板3は、ハーフミラー17と光量検知器191との間に配設されている。なお、偏光板36としては既知の偏光板を用いることができ、その詳細な説明は省略する。
この偏光板36は、例えば、第1の偏光方向の光を全通過させる一方で、第2の偏光方向の光を遮断するようになっている。すなわち、偏光板36は、第1の偏光方向の光のみを通過させて光量検知器19に入力させるようになっている。
The polarizing plate 36 is a filter that allows only light in a specific vibration direction to pass therethrough, and allows only light having a vibration component parallel to the transmission axis to pass therethrough. The polarizing plate 3 is disposed between the half mirror 17 and the light amount detector 191. As the polarizing plate 36, a known polarizing plate can be used, and detailed description thereof is omitted.
For example, the polarizing plate 36 is configured to block all light having the first polarization direction while blocking light having the second polarization direction. That is, the polarizing plate 36 allows only the light in the first polarization direction to pass through and input the light to the light amount detector 19.

従って、偏光板36は、投射面20a−6における第2鏡面部20a−6において反射された第2反射光30は透過させて光量検知器191に入射させる一方で、投射面20a−6における第1鏡面部20a−6Aにおいて反射された第2反射光30は遮断して光量検知器191に入射させないようになっている。
光量検知器191には、測定用光源14から出力され、1/4波長板35により円偏光された測定光28が、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に入射され、そのミラー面11において第1反射光29として反射された後に、ドーム型反射ミラー20−4の投射面20a−4において第2反射光30として反射され、この第2反射光30は、再度、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射され、このハーフミラー17に反射された後に偏光板36によって偏光された測定光28が入射されるようになっている。
Accordingly, the polarizing plate 36 transmits the second reflected light 30 reflected by the second mirror surface portion 20a-6 on the projection surface 20a-6 and makes it incident on the light amount detector 191, while the second reflection light 30 reflected on the projection surface 20a-6 is incident on the projection surface 20a-6. The second reflected light 30 reflected by the first mirror surface portion 20a-6A is blocked so as not to enter the light amount detector 191.
Measurement light 28 output from the measurement light source 14 and circularly polarized by the quarter-wave plate 35 passes through the half mirror 17 and is incident on the MEMS mirror 12 to the light amount detector 191, and on the mirror surface 11. After being reflected as the first reflected light 29, it is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-4 of the dome-shaped reflecting mirror 20-4, and this second reflected light 30 is incident on the mirror surface 11 again. Thus, the measurement light 28 is incident on the half mirror 17 as the third reflected light 31 and is reflected by the half mirror 17 and then polarized by the polarizing plate 36.

そして、投射面20a−6における第1反射光29の投射位置、すなわち投射光点位置が第1鏡面部20a−6A上である場合には、光量検知器191の検知光量が小さくなり、投射面20a−4における第1反射光29の投射光点位置が第2鏡面部20a−6B上である場合には、光量検知器191の検知光量が大きくなる。
すなわち、ミラー面11の偏向角度に応じて光量検知器191の検知光量が変化し、投射面20a−6において投射光移動方向に沿って投射光点を移動させることにより、光量検知器191の検知光量は、繰り返し増減するのである。
And when the projection position of the 1st reflected light 29 in the projection surface 20a-6, ie, a projection light spot position, is on the 1st mirror surface part 20a-6A, the detection light quantity of the light quantity detector 191 becomes small, and a projection surface When the projected light spot position of the first reflected light 29 at 20a-4 is on the second mirror surface portion 20a-6B, the detected light amount of the light amount detector 191 increases.
That is, the amount of light detected by the light amount detector 191 changes according to the deflection angle of the mirror surface 11, and the detection of the light amount detector 191 is performed by moving the projection light spot along the direction of movement of the projection light on the projection surface 20a-6. The amount of light repeatedly increases and decreases.

従って、投射光点が第1鏡面部20a−6B上にある場合には検知光量が高くなり(山部)、投射光点が第2鏡面部20a−6A上にある場合には検知光量が低くなる(谷部)。すなわち、投射面20a−6において第1反射光29の投射光点を投射光点移動方向に移動させると、その投射光点の位置に応じて、検知光量の値も上下するのである。
従って、本第6実施形態の測定装置10−6においても、上述した第4実施形態と同様に、検出された検知光量における山部や谷部の数、すなわち、光学特性の変化数を計数することにより、投射面20a−6における投射光点の位置を特定することができる。
Accordingly, when the projected light spot is on the first mirror surface portion 20a-6B, the detected light amount is high (mountain portion), and when the projected light spot is on the second mirror surface portion 20a-6A, the detected light amount is low. (Tanibe). That is, when the projection light spot of the first reflected light 29 is moved in the projection light spot movement direction on the projection surface 20a-6, the value of the detected light amount also rises and falls according to the position of the projection light spot.
Therefore, also in the measurement apparatus 10-6 of the sixth embodiment, the number of peaks and valleys in the detected detected light amount, that is, the number of changes in optical characteristics is counted, as in the above-described fourth embodiment. Thus, the position of the projection light spot on the projection surface 20a-6 can be specified.

なお、投射面20a−6における、第1鏡面部20a−6Aと第2鏡面部20a−6Bとの幅は、例えば、偏向角度0.1度で1周期の信号、すなわち、山部と谷部とが出現するように構成することが望ましい。
管理部16−6は、本測定装置10−6におけるMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なうものであり、図32に示すように、計数部105および測定制御部104をそなえて構成されている。
In addition, the width of the first mirror surface portion 20a-6A and the second mirror surface portion 20a-6B on the projection surface 20a-6 is, for example, a signal of one cycle at a deflection angle of 0.1 degree, that is, a peak portion and a valley portion. It is desirable to configure so that and appear.
The management unit 16-6 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 in the measurement apparatus 10-6, and includes a counting unit 105 and a measurement control unit 104 as shown in FIG. It is configured.

なお、これらの計数部105および測定制御部104の構成および機能は第4実施形態と同様であるので、その説明は省略する。
上述の如く構成された第6実施形態に係る測定装置10−6において、測定用光源14から測定光28を出力すると、この測定光28は、1/4波長板35により円偏光された後、ハーフミラー17を透過してMEMSミラー12に照射される(照射ステップ)。測定光28は、MEMSミラー12のミラー面11において第1反射光29として反射される。この第1反射光29は、ドーム型反射ミラー20−6の投射面20a−6において第2反射光30として反射され(反射ステップ)、ミラー面11に入射されて第3反射光31としてハーフミラー17に入射される。
Note that the configurations and functions of the counting unit 105 and the measurement control unit 104 are the same as those in the fourth embodiment, and a description thereof will be omitted.
In the measurement apparatus 10-6 according to the sixth embodiment configured as described above, when the measurement light 28 is output from the measurement light source 14, the measurement light 28 is circularly polarized by the quarter wavelength plate 35, The MEMS mirror 12 is irradiated through the half mirror 17 (irradiation step). The measurement light 28 is reflected as the first reflected light 29 on the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12. The first reflected light 29 is reflected as the second reflected light 30 on the projection surface 20 a-6 of the dome-shaped reflecting mirror 20-6 (reflecting step), is incident on the mirror surface 11, and becomes the third reflected light 31 as a half mirror. 17 is incident.

そして、この第3反射光31は、ハーフミラー17に反射され、偏光板3を介して光量検知器191に入射される(受光ステップ)。光量検知器191は、このハーフミラー17から入射された第3反射光31の光量に応じた電圧信号を検知光量として出力する。
また、測定制御部104は、測定用光源14に測定光28を出力させた状態で、偏向ミラー駆動部27により、ミラー面11の角度を変更させる。これにより、光量検知器191において検知光量の変化、すなわち、投射光点位置が第1鏡面部20a−6A上にある場合と第2鏡面部20a−6B上にある場合との光量差を検出することができるのである。
The third reflected light 31 is reflected by the half mirror 17 and enters the light amount detector 191 via the polarizing plate 3 (light receiving step). The light quantity detector 191 outputs a voltage signal corresponding to the light quantity of the third reflected light 31 incident from the half mirror 17 as the detected light quantity.
Further, the measurement control unit 104 causes the deflection mirror driving unit 27 to change the angle of the mirror surface 11 in a state where the measurement light source 14 outputs the measurement light 28. As a result, the light amount detector 191 detects a change in the detected light amount, that is, a light amount difference between the case where the projection light spot position is on the first mirror surface portion 20a-6A and the second mirror surface portion 20a-6B. It can be done.

計数部105は、光量検知器191から出力される検知光量に基づいて、基準位置からの検知光量の山部もしくは谷部の出現回数を計数し、測定制御部104は、この計数結果に基づいてミラー面11の偏向角度を求める(測定ステップ)。
なお、本第6実施形態の測定装置10−6における測定手順の詳細については、第1実施形態の測定装置10−6とほぼ同様であるための、その詳細な説明は省略する。
The counting unit 105 counts the number of appearances of peaks or valleys of the detected light amount from the reference position based on the detected light amount output from the light amount detector 191, and the measurement control unit 104 determines based on the counting result. The deflection angle of the mirror surface 11 is obtained (measurement step).
Note that the details of the measurement procedure in the measurement apparatus 10-6 of the sixth embodiment are substantially the same as those of the measurement apparatus 10-6 of the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.

このように、本第6実施形態の一例としての測定装置10−6によれば、上述した第5実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
〔7〕その他
なお、上述した光量値演算部101,偏向角度算出部102,測定制御部104,計数部105および角度検出処理部106(後述)は、いずれも、電子回路によりハードウェア的に各処理を実現してもよく、又、CPU(Central Processing Unit)等のプロセッサがプログラムを実効することによりソフトウェア的に各処理を実現してもよく、各実施形態および各変形例の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
Thus, according to the measuring apparatus 10-6 as an example of the sixth embodiment, it is possible to obtain the same operational effects as those of the above-described fifth embodiment.
[7] Others Note that each of the light amount value calculation unit 101, the deflection angle calculation unit 102, the measurement control unit 104, the counting unit 105, and the angle detection processing unit 106 (described later) is implemented in hardware by an electronic circuit. The processing may be realized, or each processing may be realized in software by executing a program by a processor such as a CPU (Central Processing Unit), and does not depart from the spirit of each embodiment and each modification. Various modifications can be made within the range.

例えば、CPU(Central Processing Unit)をそなえたコンピュータにより管理部16−1,16−2,16−3,16−4,16−41,16−42,16−5,16−51,16−6を実現し、光量値演算部101,偏向角度算出部102,測定制御部104,計数部105および角度検出処理部106の少なくとも一部の機能を、CPUがプログラムを実行することにより実現してもよい。   For example, management units 16-1, 16-2, 16-3, 16-4, 16-41, 16-42, 16-5, 16-51, and 16-6 are performed by a computer having a CPU (Central Processing Unit). Even if at least some of the functions of the light quantity value calculation unit 101, the deflection angle calculation unit 102, the measurement control unit 104, the counting unit 105, and the angle detection processing unit 106 are realized by the CPU executing a program. Good.

そのプログラムは、例えばフレキシブルディスク,CD(CD−ROM,CD−R,CD−RWなど),DVD(DVD−ROM,DVD−RAM,DVD−R,DVD−RW,DVD+R,DVD+RW,HD−DVDなど),ブルーレイディスク等のコンピュータ読取可能な記録媒体に記録された形態で提供される。この場合、コンピュータはその記録媒体からプログラムを読み取って内部記憶装置または外部記憶装置に転送し格納して用いる。また、そのプログラムを、例えば磁気ディスク,光ディスク,光磁気ディスク等の記憶装置(記録媒体)に記録しておき、その記憶装置から通信回線を介してコンピュータに提供するようにしてもよい。   The program is, for example, a flexible disk, CD (CD-ROM, CD-R, CD-RW, etc.), DVD (DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-R, DVD-RW, DVD + R, DVD + RW, HD-DVD, etc.) ), And recorded in a computer-readable recording medium such as a Blu-ray disc. In this case, the computer reads the program from the recording medium, transfers it to the internal storage device or the external storage device, and uses it. Further, the program may be recorded in a storage device (recording medium) such as a magnetic disk, an optical disk, or a magneto-optical disk, and provided from the storage device to a computer via a communication line.

ここで、コンピュータとは、ハードウェアとOSとを含む概念であり、OSの制御の下で動作するハードウェアを意味している。また、OSが不要でアプリケーションプログラム単独でハードウェアを動作させるような場合には、そのハードウェア自体がコンピュータに相当する。ハードウェアは、少なくとも、CPU等のマイクロプロセッサと、記録媒体に記録されたコンピュータプログラムを読み取るための手段とをそなえている。   Here, the computer is a concept including hardware and an OS, and means hardware that operates under the control of the OS. Further, when the OS is unnecessary and the hardware is operated by the application program alone, the hardware itself corresponds to the computer. The hardware includes at least a microprocessor such as a CPU and means for reading a computer program recorded on a recording medium.

上記プログラムとしてのアプリケーションプログラムは、上述のようなコンピュータに、光量値演算部101,偏向角度算出部102,測定制御部104,計数部105および角度検出処理回路106としての機能を実現させるプログラムコードを含んでいる。また、その機能の一部は、アプリケーションプログラムではなくOSによって実現されてもよい。   The application program as the above-described program is a program code for causing the computer as described above to realize the functions as the light amount value calculation unit 101, the deflection angle calculation unit 102, the measurement control unit 104, the counting unit 105, and the angle detection processing circuit 106. Contains. Also, some of the functions may be realized by the OS instead of the application program.

また、各実施形態および各変形例は上記記載に限定されるものではなく、各趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上述した各実施形態および各変形例においては、便宜上省略しているが、測定光28や各反射光の経路上において、これらの光を集光する集光レンズ等を適宜そなえてもよい。
Each embodiment and each modification are not limited to the above description, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.
For example, in each of the above-described embodiments and modifications, it is omitted for the sake of convenience, but a condensing lens or the like for condensing these lights may be appropriately provided on the path of the measurement light 28 or each reflected light. .

また、上述した第2〜第6実施形態および各変形例においては、管理部16−2,16−3,16−4,16−41,16−42,16−5,16−51,16−6が、光量検知器191によって検知された検知光量を直接的に用いてMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なっているが、これに限定されるものではない。
例えば、測定光源14から出力された測定光28に基づく基準光の光量(基準光量)を測定し、この基準光量に基づいて、測定用光源14の光量変動を相殺することにより測定精度を向上させてもよい。
In the second to sixth embodiments and the modifications described above, the management units 16-2, 16-3, 16-4, 16-41, 16-42, 16-5, 16-51, 16- 6 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 by directly using the detected light amount detected by the light amount detector 191, but is not limited thereto.
For example, the measurement accuracy is improved by measuring the light amount of the reference light (reference light amount) based on the measurement light 28 output from the measurement light source 14 and canceling the light amount fluctuation of the measurement light source 14 based on the reference light amount. May be.

以下、基準光量に基づいて測定用光源14の光量変動を相殺することにより測定精度を向上させる手法を、上述した第3実施形態の測定装置10−3に適用した例に基づき説明する。
図36は第3実施形態の測定装置10−3の変形例を説明するための図である。本第3実施形態の変形例としての測定装置10−31は、図36に示すように、第3実施形態の測定装置3にハーフミラー34,光量検知器193をそなえるとともに、管理部16−3に代えて管理部16−31をそなえるものであり、その他の部分は第3実施形態の測定装置10−3と同様に構成されている。
Hereinafter, a method for improving the measurement accuracy by canceling the light amount fluctuation of the measurement light source 14 based on the reference light amount will be described based on an example applied to the measurement apparatus 10-3 of the above-described third embodiment.
FIG. 36 is a diagram for explaining a modification of the measurement apparatus 10-3 of the third embodiment. As shown in FIG. 36, the measurement apparatus 10-31 as a modification of the third embodiment includes a half mirror 34 and a light amount detector 193 in the measurement apparatus 3 of the third embodiment, and a management unit 16-3. Instead of this, a management unit 16-31 is provided, and other parts are configured in the same manner as the measurement apparatus 10-3 of the third embodiment.

なお、既述の符号と同一の符号は同一もしくは略同一の部分を示しているので、その詳細な説明は省略する。
ハーフミラー34は、ドーム型反射ミラー20−3から反射された第2反射光30がMEMSミラー12のミラー面11において反射することにより生成された第3反射光31の一部(半分)を反射(分割)して光量検知器193に入力させるものである。このハーフミラー34は、第3反射光31の光軸上、すなわち、測定用光源14から出力される測定光28の光軸上において、ハーフミラー17とピンホール18との間に配置されている。図36に示す例においては、ハーフミラー34は、第3反射光31の光軸上に、ハーフミラー17とほぼ平行に配設されている。
Since the same reference numerals as those already described indicate the same or substantially the same parts, detailed description thereof will be omitted.
The half mirror 34 reflects a part (half) of the third reflected light 31 generated by reflecting the second reflected light 30 reflected from the dome-shaped reflecting mirror 20-3 on the mirror surface 11 of the MEMS mirror 12. (Divided) and input to the light quantity detector 193. The half mirror 34 is disposed between the half mirror 17 and the pinhole 18 on the optical axis of the third reflected light 31, that is, on the optical axis of the measurement light 28 output from the measurement light source 14. . In the example shown in FIG. 36, the half mirror 34 is disposed on the optical axis of the third reflected light 31 substantially parallel to the half mirror 17.

光量検知器193は、ミラー面11から反射される第3反射光31の光量を測定するものであって、ドーム型反射ミラー20−3を経由してミラー面11によって反射(分割)された測定光28の光量を測定するようになっている。この光量検知器193は、光量検知器191と同様に、例えば、フォトダイオードやフォトトランジスタ,CdSセル等の光センサにより構成され、入力光の光量に応じた電圧(電圧信号)V3を出力するようになっている。   The light amount detector 193 measures the light amount of the third reflected light 31 reflected from the mirror surface 11, and is reflected (divided) by the mirror surface 11 via the dome-shaped reflection mirror 20-3. The amount of light 28 is measured. Like the light amount detector 191, this light amount detector 193 is composed of, for example, a photosensor such as a photodiode, a phototransistor, or a CdS cell, and outputs a voltage (voltage signal) V3 corresponding to the amount of input light. It has become.

管理部16−31は、本測定装置10−31におけるMEMSミラー12の偏向特性を測定するための制御を行なうものであり、図36に示すように、角度検出処理部106,偏向角度算出部102,メモリ103および測定制御部104をそなえて構成されている。
角度検出処理部106は、光量検知器191によって検出された電圧信号V1と光量検知器193によって検出された電圧信号V3とに基づき、これらの電圧信号V1,V3の信号比(V1/V3)を演算し、検知光量として出力するものである。
The management unit 16-31 performs control for measuring the deflection characteristics of the MEMS mirror 12 in the measurement apparatus 10-31. As shown in FIG. 36, the angle detection processing unit 106 and the deflection angle calculation unit 102 are used. , A memory 103 and a measurement control unit 104.
Based on the voltage signal V1 detected by the light amount detector 191 and the voltage signal V3 detected by the light amount detector 193, the angle detection processing unit 106 calculates the signal ratio (V1 / V3) of these voltage signals V1 and V3. It is calculated and output as the detected light quantity.

このように、光量検知器191によって検出された電圧信号V1と光量検知器193によって検出された電圧信号V3との信号比を算出することにより、測定用光源14によって生成される測定光28が安定しない場合であっても、この光量変動を補正(相殺)することができる。すなわち、ドーム型反射ミラー20−3の投射面20a−3からの反射光(第2反射光30,第3反射光31)の正確な光量を測定することができる。   Thus, by calculating the signal ratio between the voltage signal V1 detected by the light quantity detector 191 and the voltage signal V3 detected by the light quantity detector 193, the measurement light 28 generated by the measurement light source 14 is stable. Even if it is not, this light quantity fluctuation can be corrected (cancelled). That is, the exact light quantity of the reflected light (the 2nd reflected light 30 and the 3rd reflected light 31) from the projection surface 20a-3 of the dome shape reflective mirror 20-3 can be measured.

そして、上述の如き光量検知器193,角度検出処理部106による検知光量の補正は、上述した第2〜第6実施形態および各変形例における管理部16−2,16−4,16−41,16−42,16−5,16−51,16−6のいずれに適用してもよい。
また、上述した各実施形態および各変形例においては、ドーム型反射ミラー20−1,20−2,20−3,20−4,20−41,20−42,20−5,20−51,20−6が、矩形の板状部材を一方の面の側に、投射光点移動方向に沿った方向において一定の円弧で湾曲させるように構成することにより、一方向に湾曲する円弧状の断面形状をそなえて構成されているが、これに限定されるものではない。
And the correction | amendment of the detection light quantity by the above light quantity detectors 193 and the angle detection process part 106 is the management parts 16-2, 16-4, 16-41 in the 2nd-6th embodiment mentioned above and each modification. It may be applied to any of 16-42, 16-5, 16-51, and 16-6.
Moreover, in each embodiment and each modification mentioned above, the dome shape reflective mirrors 20-1, 20-2, 20-3, 20-4, 20-41, 20-42, 20-5, 20-51, An arc-shaped cross section that is curved in one direction by configuring the rectangular plate-shaped member 20-6 so that the rectangular plate-shaped member is curved on one surface side in a direction along the projection light spot moving direction. Although it is configured with a shape, it is not limited to this.

例えば、ドーム型反射ミラー20−1,20−2,20−3,20−4,20−41,20−42,20−5,20−51,20−6を、複数方向に湾曲する円弧状の断面形状、すなわち、お椀型の断面形状をそなえて構成してもよい。
そして、これに伴い、MEMSミラー12を同時にX軸とY軸との2つの回転軸まわりで回動させて、その偏向特性を測定してもよい。
For example, the dome-shaped reflecting mirrors 20-1, 20-2, 20-3, 20-4, 20-41, 20-42, 20-5, 20-51, 20-6 are arcuately curved in a plurality of directions. A cross-sectional shape of the above, that is, a bowl-shaped cross-sectional shape may be provided.
Then, along with this, the MEMS mirror 12 may be simultaneously rotated around two rotation axes of the X axis and the Y axis, and the deflection characteristics thereof may be measured.

また、例えば、上記各実施形態および各変形例は、MEMSミラー12以外のミラーシステムに適用してもよく、例えば、モータの軸にミラー面が取り付けられ、電磁力を利用してモータを駆動させることによりモータの軸に取り付けられたミラー面の偏向角度を制御するガルバノミラーに適用してもよい。
なお、上述したMEMSミラー12は、既知の種々の手法を用いて製造することができる(製造ステップ)。そして、各実施形態および各変形例における測定装置10−1,10−2,10−3,10−4,10−41,10−42,10−5,10−51,10−6は、その製造工程の一部としてのMEMSミラー12の検査工程(検査ステップ)において用いられる。
Further, for example, each of the above embodiments and modifications may be applied to a mirror system other than the MEMS mirror 12. For example, a mirror surface is attached to the shaft of the motor, and the motor is driven using electromagnetic force. Thus, the present invention may be applied to a galvanometer mirror that controls the deflection angle of the mirror surface attached to the motor shaft.
The MEMS mirror 12 described above can be manufactured by using various known methods (manufacturing step). And measuring device 10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-41, 10-42, 10-5, 10-51, 10-6 in each embodiment and each modification is the It is used in the inspection process (inspection step) of the MEMS mirror 12 as a part of the manufacturing process.

また、上述した開示により各実施形態および各変形例を当業者によって実施・製造することが可能である。
〔8〕付記
(付記1)
ミラー面の傾きが変更可能なミラーシステムの特性を測定する測定装置であって、
該ミラー面に測定光を照射する測定用光源と、
該測定用光源から照射された該測定光が該ミラー面で反射された光を反射する凹面形状の投射面を備えた凹面投射部と、
凹面投射部の投射面において反射された光を受光する受光部と、
該受光部が受光した光を元に該ミラーシステムの特性を測定する測定部と
を有することを特徴とする、測定装置。
Moreover, each embodiment and each modification can be implemented and manufactured by those skilled in the art based on the above-described disclosure.
[8] Appendix (Appendix 1)
A measuring device for measuring the characteristics of a mirror system in which the tilt of the mirror surface can be changed,
A measurement light source for irradiating the mirror surface with measurement light;
A concave projection unit having a concave projection surface that reflects the light reflected from the mirror surface by the measurement light emitted from the measurement light source;
A light receiving unit that receives light reflected on the projection surface of the concave projection unit;
And a measuring unit that measures characteristics of the mirror system based on light received by the light receiving unit.

(付記2)
前記測定用光源は、前記凹面投射部への照射位置を変更可能であり、
該受光部は、前記測定用光源から複数の照射位置における前記凹面投射部の反射光を夫々受光すると共に、
該受光部によって受光された、複数の反射光の各光学特性に基づいて、該ミラーシステムの特性を測定する測定部をそなえることを特徴とする、付記1記載の測定装置。
(Appendix 2)
The measurement light source can change the irradiation position to the concave projection unit,
The light receiving unit receives reflected light of the concave projection unit at a plurality of irradiation positions from the measurement light source, respectively.
The measuring apparatus according to claim 1, further comprising a measuring unit that measures the characteristics of the mirror system based on the optical characteristics of the plurality of reflected lights received by the light receiving unit.

(付記3)
該ミラー面の傾きを制御する制御部をそなえ、
該測定部が、該受光部によって受光された反射光の各光学特性に基づいて、それぞれ該凹面投射部の該投射面における前記測定用光源が照射した照射位置を求め、該制御部によって制御された該ミラー面の傾きの変更に伴って移動する該投射光点の位置を判断し、該ミラーシステムの特性を測定することを特徴とする、付記2記載の測定装置。
(Appendix 3)
A control unit for controlling the tilt of the mirror surface;
The measurement unit obtains an irradiation position irradiated by the measurement light source on the projection surface of the concave projection unit based on each optical characteristic of the reflected light received by the light receiving unit, and is controlled by the control unit. The measuring apparatus according to appendix 2, wherein the position of the projection light spot that moves in accordance with the change in the tilt of the mirror surface is determined, and the characteristics of the mirror system are measured.

(付記4)
該凹面投射部が、該投射面における複数位置において互いに異なる反射特性を有していることを特徴とする、付記2又は付記3記載の測定装置。
(付記5)
該反射特性が反射率であることを特徴とする、付記4記載の測定装置。
(Appendix 4)
The measuring apparatus according to Supplementary Note 2 or Supplementary Note 3, wherein the concave projection unit has different reflection characteristics at a plurality of positions on the projection surface.
(Appendix 5)
The measuring apparatus according to appendix 4, wherein the reflection characteristic is reflectance.

(付記6)
該反射特性が反射偏光特性であることを特徴とする、付記4記載の測定装置。
(付記7)
該凹面投射部が、該投射面における複数位置において互いに異なる高さの突起を有していることを特徴とする、付記4記載の測定装置。
(Appendix 6)
The measuring apparatus according to appendix 4, wherein the reflection characteristic is a reflection polarization characteristic.
(Appendix 7)
The measuring apparatus according to appendix 4, wherein the concave projection unit has protrusions having different heights at a plurality of positions on the projection plane.

(付記8)
該投射面が円弧状の断面形状をそなえ、その円弧中心が該ミラー面における該測定光の反射位置に合致するように該凹面投射部が配置されたことを特徴とする、付記1〜付記7のいずれか1項に記載の測定装置。
(付記9)
該凹面投射部が、該投射面における複数位置のそれぞれが、該ミラー面における該測定光の反射位置から互いに異なる距離を有するように配置されていることを特徴とする、付記2記載の測定装置。
(Appendix 8)
Appendices 1-7, wherein the projection surface has an arcuate cross-sectional shape, and the concave projection portion is arranged such that the center of the arc coincides with the reflection position of the measurement light on the mirror surface. The measuring device according to any one of the above.
(Appendix 9)
The measuring apparatus according to claim 2, wherein the concave projection unit is arranged such that each of the plurality of positions on the projection surface has a different distance from the reflection position of the measurement light on the mirror surface. .

(付記10)
該投射面が円弧状の断面形状をそなえ、該凹面投射部が、該投射面の円弧中心が該ミラー面における該測定光の反射位置からずれた位置に配置されたことを特徴とする、付記9記載の測定装置。
(付記11)
該凹面投射部が、該投射面における投射光点移動方向に沿って反射光の光学特性を変化させうる光学特性変更部を複数そなえ、
該測定部が、該受光部によって受光された反射光における光学特性の変化数に基づき、該ミラーシステムの特性を測定することを特徴とする、付記2又は付記3記載の測定装置。
(Appendix 10)
The projection surface has an arc-shaped cross-sectional shape, and the concave projection portion is arranged at a position where the arc center of the projection surface is shifted from the reflection position of the measurement light on the mirror surface. 9. The measuring device according to 9.
(Appendix 11)
The concave projection unit includes a plurality of optical property changing units that can change the optical property of reflected light along the direction of movement of the projection light spot on the projection surface,
The measuring apparatus according to appendix 2 or appendix 3, wherein the measuring unit measures the characteristics of the mirror system based on the number of changes in optical characteristics in the reflected light received by the light receiving unit.

(付記12)
該凹面投射部において、該投射面における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、該複数の光学特性変更部の配置が異なるパターンを構成し、
該測定部が、該パターンの違いに基づいて、該ミラー面の傾きの変化方向を判断することを特徴とする、付記11記載の測定装置。
(Appendix 12)
In the concave projection unit, a pattern in which the arrangement of the plurality of optical property changing units is different in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface and in the opposite direction thereof,
The measuring apparatus according to appendix 11, wherein the measuring unit determines a change direction of the inclination of the mirror surface based on the difference in the pattern.

(付記13)
ミラー面の傾きが変更可能に構成されたミラーシステムの特性を測定する測定方法であって、
該ミラー面に測定光を照射する照射ステップと、
該照射ステップにおいて照射された該測定光を該ミラー面で反射した反射光を、凹面形状の投射面をそなえた凹面投射部の該投射面に照射して反射させる反射ステップと、
該反射ステップにおいて反射された反射光を受光する受光ステップと、
該受光ステップが受光した光を元に該ミラーシステムの特性を測定する測定ステップと
をそなえることを特徴とする、測定方法。
(Appendix 13)
A measurement method for measuring the characteristics of a mirror system configured to change the tilt of a mirror surface,
An irradiation step of irradiating the mirror surface with measurement light;
A reflection step of irradiating and reflecting the reflected light reflected by the mirror surface of the measurement light irradiated in the irradiation step to the projection surface of the concave projection unit having a concave projection surface;
A light receiving step for receiving the reflected light reflected in the reflecting step;
And a measuring step for measuring characteristics of the mirror system based on the light received by the light receiving step.

(付記14)
前記測定用光源は、前記凹面投射部への照射位置を変更可能であり、
該受光ステップにおいて、前記測定用光源から複数の照射位置における前記凹面投射部の反射光を夫々受光すると共に、
該受光ステップにおいて受光された、複数の反射光の各光学特性に基づいて、該ミラーシステムの特性を測定する測定ステップをそなえることを特徴とする、付記13記載の測定方法。
(Appendix 14)
The measurement light source can change the irradiation position to the concave projection unit,
In the light receiving step, the reflected light of the concave projection portion at a plurality of irradiation positions is received from the measurement light source, respectively.
14. The measuring method according to appendix 13, further comprising a measuring step for measuring the characteristics of the mirror system based on the optical characteristics of the plurality of reflected lights received in the light receiving step.

(付記15)
該ミラー面の傾きを制御する制御ステップをそなえ、
該測定ステップにおいて、該受光ステップにおいて受光された反射光の各光学特性に基づいて、それぞれ該凹面投射部の該投射面における前記測定用光源が照射した照射位置を求め、該制御ステップにおいて制御された該ミラー面の傾きの変更に伴って移動する該投射光点の位置を判断し、該ミラーシステムの特性を測定することを特徴とする、付記14記載の測定方法。
(Appendix 15)
A control step for controlling the tilt of the mirror surface;
In the measurement step, an irradiation position irradiated by the measurement light source on the projection surface of the concave projection unit is obtained based on each optical characteristic of the reflected light received in the light reception step, and is controlled in the control step. 15. The measuring method according to appendix 14, wherein the position of the projection light spot that moves in accordance with the change in the tilt of the mirror surface is determined, and the characteristics of the mirror system are measured.

(付記16)
該凹面投射部が、該投射面における複数位置において互いに異なる反射特性を有していることを特徴とする、付記14又は付記15記載の測定方法。
(付記17)
該反射特性が反射率であることを特徴とする、付記16記載の測定方法。
(Appendix 16)
The measurement method according to appendix 14 or appendix 15, wherein the concave projection unit has different reflection characteristics at a plurality of positions on the projection plane.
(Appendix 17)
The measurement method according to appendix 16, wherein the reflection characteristic is reflectance.

(付記18)
該反射特性が反射偏光特性であることを特徴とする、付記16記載の測定方法。
(付記19)
該凹面投射部が、該投射面における複数位置において互いに異なる高さの突起を有していることを特徴とする、付記16記載の測定方法。
(Appendix 18)
The measurement method according to appendix 16, wherein the reflection characteristic is a reflection polarization characteristic.
(Appendix 19)
The measurement method according to appendix 16, wherein the concave projection unit has protrusions having different heights at a plurality of positions on the projection surface.

(付記20)
該投射面が円弧状の断面形状をそなえ、その円弧中心が該ミラー面における該測定光の反射位置に合致するように該凹面投射部が配置されたことを特徴とする、付記13〜付記19のいずれか1項に記載の測定方法。
(付記21)
該凹面投射部が、該投射面における複数位置のそれぞれが、該ミラー面における該測定光の反射位置から互いに異なる距離を有するように配置されていることを特徴とする、付記14又は付記15記載の測定方法。
(Appendix 20)
Appendix 13 to Appendix 19, wherein the projection surface has an arc-shaped cross-sectional shape, and the concave projection portion is arranged so that the center of the arc coincides with the reflection position of the measurement light on the mirror surface. The measurement method according to any one of the above.
(Appendix 21)
Supplementary note 14 or Supplementary note 15, wherein the concave projection portion is arranged such that each of a plurality of positions on the projection surface has a different distance from the reflection position of the measurement light on the mirror surface. Measuring method.

(付記22)
該投射面が円弧状の断面形状をそなえ、該凹面投射部が、該投射面の円弧中心が該ミラー面における該測定光の反射位置からずれた位置に配置されたことを特徴とする、付記21記載の測定方法。
(付記23)
該凹面投射部が、該投射面における投射光点移動方向に沿って反射光の光学特性を変化させうる光学特性変更部を複数そなえ、
該測定ステップにおいて、該受光ステップにおいて受光された反射光における光学特性の変化数に基づき、該ミラーシステムの特性を測定することを特徴とする、付記14又は付記15記載の測定方法。
(Appendix 22)
The projection surface has an arc-shaped cross-sectional shape, and the concave projection portion is arranged at a position where the arc center of the projection surface is shifted from the reflection position of the measurement light on the mirror surface. 21. The measuring method according to 21.
(Appendix 23)
The concave projection unit includes a plurality of optical property changing units that can change the optical property of reflected light along the direction of movement of the projection light spot on the projection surface,
The measurement method according to appendix 14 or appendix 15, wherein in the measurement step, the characteristic of the mirror system is measured based on the number of changes in the optical characteristic of the reflected light received in the light receiving step.

(付記24)
該凹面投射部において、該投射面における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、該複数の光学特性変更部の配置が異なるパターンを構成し、
該測定ステップにおいて、該パターンの違いに基づいて、該ミラー面の傾きの変化方向を判断することを特徴とする、付記23記載の測定方法。
(Appendix 24)
In the concave projection unit, a pattern in which the arrangement of the plurality of optical property changing units is different in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface and in the opposite direction thereof,
24. The measuring method according to appendix 23, wherein, in the measuring step, a change direction of the inclination of the mirror surface is determined based on the difference in the pattern.

(付記25)
ミラー面の傾きが変更可能に構成されたミラーシステムの製造方法であって、
該ミラーシステムを製造する製造ステップと、
該製造ステップにおいて製造された該ミラーシステムを検査する検査ステップとをそなえ、
該検査ステップが、
該ミラー面に測定光を照射する照射ステップと、
該照射ステップにおいて照射された該測定光を該ミラー面で反射した反射光を、凹面形状の投射面をそなえた凹面投射部の該投射面に照射して反射させる反射ステップと、
該反射ステップにおいて反射された反射光を受光する受光ステップと、
該受光ステップが受光した光を元に該ミラーシステムの特性を測定する測定ステップと
をそなえることを特徴とする、ミラーシステムの製造方法。
(Appendix 25)
A method of manufacturing a mirror system configured to change the tilt of a mirror surface,
Manufacturing steps for manufacturing the mirror system;
An inspection step for inspecting the mirror system manufactured in the manufacturing step,
The inspection step comprises
An irradiation step of irradiating the mirror surface with measurement light;
A reflection step of irradiating and reflecting the reflected light reflected by the mirror surface of the measurement light irradiated in the irradiation step to the projection surface of the concave projection unit having a concave projection surface;
A light receiving step for receiving the reflected light reflected in the reflecting step;
A method for manufacturing a mirror system, comprising: a measuring step for measuring characteristics of the mirror system based on light received by the light receiving step.

10−1,10−2,10−3,10−4,10−41,10−42,10−5,10−51,10−6 測定装置
11 ミラー面
12 MEMSミラー(ミラーシステム)
14 測定用光源
16−1,16−2,16−3,16−4,16−41,16−42,16−5,16−51,16−6 管理部
17 ハーフミラー
18 ピンホール
20a−1,20a−2,20a−3,20a−4,20a−41,20a−42,20a−5,20a−51,20a−6 投射面
20−1,20−2,20−3,20−4,20−41,20−42,20−5,20−51,20−6 ドーム型反射ミラー(凹面投射部)
20a−3H,20a−5H 頂面
20a−3L,20a−5L 底面
20a−4A 第1鏡面部
20a−4B 第2鏡面部
20a−4C 第3鏡面部
20a−4D 第4鏡面部
20a−4E 第5鏡面部
20a−51S 斜面
20a−51T 鉛直面
20a−6A 第1鏡面部
20a−6B 第2鏡面部
23 内側フレーム
24 外側フレーム
25 第1トーションバー(回転軸)
26 第2トーションバー(回転軸)
27 偏向ミラー駆動部
28 測定光
29 第1反射光
30 第2反射光
31 第3反射光
33 ミラー
33a ミラー面
34 ハーフミラー
35 1/4波長板
36 偏光板
101 光量値演算部
102 偏向角度算出部
103 メモリ
104 測定制御部(測定部,制御部)
105 計数部
106 角度検出処理部
191 光量検知器(受光部)
192,193 光量検知器
10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-41, 10-42, 10-5, 10-51, 10-6 Measuring device 11 Mirror surface 12 MEMS mirror (mirror system)
14 Measurement Light Sources 16-1, 16-2, 16-3, 16-4, 16-41, 16-42, 16-5, 16-51, 16-6 Management Unit 17 Half Mirror 18 Pinhole 20a-1 , 20a-2, 20a-3, 20a-4, 20a-41, 20a-42, 20a-5, 20a-51, 20a-6 projection surfaces 20-1, 20-2, 20-3, 20-4, 20-41, 20-42, 20-5, 20-51, 20-6 Dome type reflection mirror (concave projection part)
20a-3H, 20a-5H Top surface 20a-3L, 20a-5L Bottom surface 20a-4A First mirror surface portion 20a-4B Second mirror surface portion 20a-4C Third mirror surface portion 20a-4D Fourth mirror surface portion 20a-4E 5th Mirror surface portion 20a-51S Slope 20a-51T Vertical surface 20a-6A First mirror surface portion 20a-6B Second mirror surface portion 23 Inner frame 24 Outer frame 25 First torsion bar (rotating shaft)
26 Second torsion bar (rotating shaft)
27 Deflection Mirror Drive Unit 28 Measurement Light 29 First Reflected Light 30 Second Reflected Light 31 Third Reflected Light 33 Mirror 33a Mirror Surface 34 Half Mirror 35 1/4 Wave Plate 36 Polarizing Plate 101 Light Amount Value Calculation Unit 102 Deflection Angle Calculation Unit 103 Memory 104 Measurement control unit (measurement unit, control unit)
105 counting unit 106 angle detection processing unit 191 light quantity detector (light receiving unit)
192, 193 Light intensity detector

Claims (10)

ミラー面の傾きが変更可能なミラーシステムの特性を測定する測定装置であって、
該ミラー面に測定光を照射する測定用光源と、
該測定用光源から照射された該測定光が該ミラー面で反射された光を反射する凹面形状の投射面を備えた凹面投射部と、
凹面投射部の投射面において反射された光を受光する受光部と、
該受光部が受光した光を元に該ミラーシステムの特性を測定する測定部と
を有することを特徴とする、測定装置。
A measuring device for measuring the characteristics of a mirror system in which the tilt of the mirror surface can be changed,
A measurement light source for irradiating the mirror surface with measurement light;
A concave projection unit having a concave projection surface that reflects the light reflected from the mirror surface by the measurement light emitted from the measurement light source;
A light receiving unit that receives light reflected on the projection surface of the concave projection unit;
And a measuring unit that measures characteristics of the mirror system based on light received by the light receiving unit.
前記測定用光源は、前記凹面投射部への照射位置を変更可能であり、
該受光部は、前記測定用光源から複数の照射位置における前記凹面投射部の反射光を夫々受光すると共に、
該受光部によって受光された、複数の反射光の各光学特性に基づいて、該ミラーシステムの特性を測定する測定部をそなえることを特徴とする、請求項1記載の測定装置。
The measurement light source can change the irradiation position to the concave projection unit,
The light receiving unit receives reflected light of the concave projection unit at a plurality of irradiation positions from the measurement light source, respectively.
The measuring apparatus according to claim 1, further comprising a measuring unit that measures characteristics of the mirror system based on optical characteristics of a plurality of reflected lights received by the light receiving unit.
該ミラー面の傾きを制御する制御部をそなえ、
該測定部が、該受光部によって受光された反射光の各光学特性に基づいて、それぞれ該凹面投射部の該投射面における前記測定用光源が照射した照射位置を求め、該制御部によって制御された該ミラー面の傾きの変更に伴って移動する該投射光点の位置を判断し、該ミラーシステムの特性を測定することを特徴とする、請求項2記載の測定装置。
A control unit for controlling the tilt of the mirror surface;
The measurement unit obtains an irradiation position irradiated by the measurement light source on the projection surface of the concave projection unit based on each optical characteristic of the reflected light received by the light receiving unit, and is controlled by the control unit. 3. The measuring apparatus according to claim 2, wherein the position of the projection light spot that moves in accordance with the change in the tilt of the mirror surface is determined, and the characteristics of the mirror system are measured.
該凹面投射部が、該投射面における複数位置において互いに異なる反射特性を有していることを特徴とする、請求項2又は請求項3記載の測定装置。   The measuring apparatus according to claim 2, wherein the concave projection unit has different reflection characteristics at a plurality of positions on the projection surface. 該反射特性が反射率であることを特徴とする、請求項4記載の測定装置。   The measuring apparatus according to claim 4, wherein the reflection characteristic is reflectance. 該凹面投射部が、該投射面における複数位置のそれぞれが、該ミラー面における該測定光の反射位置から互いに異なる距離を有するように配置されていることを特徴とする、請求項2記載の測定装置。   The measurement according to claim 2, wherein the concave projection unit is arranged such that each of a plurality of positions on the projection plane has a different distance from a reflection position of the measurement light on the mirror plane. apparatus. 該投射面が円弧状の断面形状をそなえ、該凹面投射部が、該投射面の円弧中心が該ミラー面における該測定光の反射位置からずれた位置に配置されたことを特徴とする、請求項6記載の測定装置。   The projection surface has an arc-shaped cross-sectional shape, and the concave projection portion is arranged at a position where the arc center of the projection surface is shifted from the reflection position of the measurement light on the mirror surface. Item 7. The measuring device according to Item 6. 該凹面投射部が、該投射面における投射光点移動方向に沿って反射光の光学特性を変化させうる光学特性変更部を複数そなえ、
該測定部が、該受光部によって受光された反射光における光学特性の変化数に基づき、該ミラーシステムの特性を測定することを特徴とする、請求項2又は請求項3記載の測定装置。
The concave projection unit includes a plurality of optical property changing units that can change the optical property of reflected light along the direction of movement of the projection light spot on the projection surface,
4. The measuring apparatus according to claim 2, wherein the measuring section measures the characteristics of the mirror system based on the number of changes in optical characteristics in the reflected light received by the light receiving section.
該凹面投射部において、該投射面における投射光点移動方向に沿った一方向とその逆方向とで、該複数の光学特性変更部の配置が異なるパターンを構成し、
該測定部が、該パターンの違いに基づいて、該ミラー面の傾きの変化方向を判断することを特徴とする、請求項8記載の測定装置。
In the concave projection unit, a pattern in which the arrangement of the plurality of optical property changing units is different in one direction along the projection light spot moving direction on the projection surface and in the opposite direction thereof,
The measuring apparatus according to claim 8, wherein the measuring unit determines a change direction of the inclination of the mirror surface based on the difference in the pattern.
ミラー面の傾きが変更可能に構成されたミラーシステムの特性を測定する測定方法であって、
該ミラー面に測定光を照射する照射ステップと、
該照射ステップにおいて照射された該測定光を該ミラー面で反射した反射光を、凹面形状の投射面をそなえた凹面投射部の該投射面に照射して反射させる反射ステップと、
該反射ステップにおいて反射された反射光を受光する受光ステップと、
該受光ステップが受光した光を元に該ミラーシステムの特性を測定する測定ステップと
をそなえることを特徴とする、測定方法。
A measurement method for measuring the characteristics of a mirror system configured to change the tilt of a mirror surface,
An irradiation step of irradiating the mirror surface with measurement light;
A reflection step of irradiating and reflecting the reflected light reflected by the mirror surface of the measurement light irradiated in the irradiation step to the projection surface of the concave projection unit having a concave projection surface;
A light receiving step for receiving the reflected light reflected in the reflecting step;
And a measuring step for measuring characteristics of the mirror system based on the light received by the light receiving step.
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