JP2010199244A - Aligner and method of manufacturing device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner capable of further surely reducing the degree of charging of a mask. <P>SOLUTION: The aligner which has a holding means for holding an original plate according to the voltage to be applied, and exposes a substrate through the original plate held by the holding means includes: a raising and lowering means which raises and lowers the original plate relative to the holding means; a grounding means provided on at least one of the holding means and the raising and lowering means to ground at least a part of the original plate; a detection means which detects that the original plate is grounded; and a control means which controls the voltage to be applied to the holding means according to the output of the detection means. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method.

EUV光(極紫外光)を用いたEUV露光装置は、次世代の露光装置として期待されている。EUV露光装置には、ウエハに転写するためのパターンが形成されたマスクが用いられるが、マスク面には、漏れ電流や静電チャックの電極等によって誘起される電荷が生じ、マスクは帯電しうる。マスクが帯電した状態で、ロードロック内等で大気圧雰囲気にさらされると、雰囲気中の塵を吸い寄せてマスク表面に塵等の異物を付着させうる。   An EUV exposure apparatus using EUV light (extreme ultraviolet light) is expected as a next-generation exposure apparatus. In an EUV exposure apparatus, a mask on which a pattern for transfer onto a wafer is formed is used. On the mask surface, charges induced by leakage current, electrostatic chuck electrodes, etc. are generated, and the mask can be charged. . When the mask is charged and exposed to an atmospheric pressure atmosphere in a load lock or the like, dust in the atmosphere may be sucked and foreign matters such as dust may adhere to the mask surface.

しかしながら、EUV露光装置はペリクルを用いることができない。このため、EUV露光装置においては、マスク面上に塵等の異物が付着することが問題となっている。異物が電荷を有する場合には、マスク面を接地電位にすることにより、マスク面への異物の付着を抑制することができる。更に、異物が中性粒子であっても、電位が不均一なマスク表面や電位が均一なマスク表面のエッジ部には電場勾配により異物が付着しうるので、マスク表面を接地することは付着する異物の低減に有効である。特許文献1には、静電チャックによる帯電を防止するため、レジスト表面に導電膜を形成して接地する露光装置が開示されている。特許文献2には、電子ビームによるマスク描画の際にマスクに2本の導通ピンを立て、2本の導通ピンの間の抵抗を測定する露光装置が開示されている。特許文献3には、電子線照射中の帯電防止のため、ウエハ表面の電位を測定し、その電位を相殺するようにウエハに電圧を印加する露光装置が開示されている。特許文献4には、帯電防止のための構造を備えたプロキシミティX線露光装置用マスクが開示されている。特許文献5には、EUVマスクの表裏間を導通させるため、マスク側壁に金属膜を形成する金属膜蒸着方法が開示されている。   However, the EUV exposure apparatus cannot use a pellicle. For this reason, the EUV exposure apparatus has a problem that foreign matters such as dust adhere to the mask surface. When the foreign matter has an electric charge, the adhesion of the foreign matter to the mask surface can be suppressed by setting the mask surface to the ground potential. Furthermore, even if the foreign matter is neutral particles, since the foreign matter can adhere to the mask surface with non-uniform potential and the edge portion of the mask surface with uniform potential due to the electric field gradient, it is adhering to grounding the mask surface. Effective in reducing foreign matter. Patent Document 1 discloses an exposure apparatus in which a conductive film is formed on a resist surface and grounded in order to prevent charging by an electrostatic chuck. Patent Document 2 discloses an exposure apparatus that sets two conductive pins on a mask and measures the resistance between the two conductive pins at the time of mask drawing with an electron beam. Patent Document 3 discloses an exposure apparatus that measures the potential of the wafer surface and applies a voltage to the wafer so as to cancel the potential in order to prevent charging during electron beam irradiation. Patent Document 4 discloses a proximity X-ray exposure apparatus mask having a structure for preventing electrification. Patent Document 5 discloses a metal film vapor deposition method in which a metal film is formed on the side wall of a mask in order to conduct between the front and back of an EUV mask.

特開平11−67646号公報JP-A-11-67646 特開平11−67647号公報JP-A-11-67647 特開2005−129828号公報JP 2005-129828 A 特開平5−198482号公報JP-A-5-198482 特開2006−324268号公報JP 2006-324268 A

マスクに付着する異物を低減するには、マスクの帯電の程度をより確実に低減することが必要である。しかしながら、上述の従来技術は、その点で不十分な面がある。   In order to reduce foreign matter adhering to the mask, it is necessary to more reliably reduce the degree of charging of the mask. However, the above-described conventional technology has an insufficient aspect in that respect.

本発明は、マスクの帯電の程度をより確実に低減することを例示的目的とする。   An object of the present invention is to more reliably reduce the degree of charging of a mask.

本発明の一側面としての露光装置は、印加される電圧に応じて原版を保持する保持手段を有し、前記保持手段に保持された原版を介して基板を露光する露光装置であって、前記保持手段に対して前記原版を昇降させる昇降手段と、前記保持手段および前記昇降手段の少なくとも一方に設けられ、前記原版の少なくとも一部を接地する接地手段と、前記原版が接地されたことを検出する検出手段と、前記検出手段の出力に応じて前記保持手段に印加される電圧を制御する制御手段とを有する。   An exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus that includes a holding unit that holds an original according to an applied voltage, and that exposes a substrate through the original held by the holding unit. A raising / lowering means for raising and lowering the original with respect to the holding means; a grounding means provided on at least one of the holding means and the raising / lowering means for grounding at least a part of the original; and detecting that the original is grounded Detecting means for controlling, and control means for controlling a voltage applied to the holding means according to an output of the detecting means.

本発明の他の側面としての露光装置は、正電圧が印加される第1の電極と負電圧が印加される第2の電極とを含み且つ前記第1の電極と前記第2の電極とに印加される電圧に応じて原版を保持する保持手段を有し、前記保持手段に保持された原版を介して基板を露光する露光装置であって、前記原版の電位を検出する検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて、前記原版が接地電位を有するように、前記正電圧及び前記負電圧の少なくとも一方を制御する制御手段とを有する。   An exposure apparatus according to another aspect of the present invention includes a first electrode to which a positive voltage is applied and a second electrode to which a negative voltage is applied, and includes the first electrode and the second electrode. An exposure apparatus having a holding means for holding the original according to the applied voltage, and exposing the substrate through the original held by the holding means, the detecting means for detecting the potential of the original; and And control means for controlling at least one of the positive voltage and the negative voltage so that the original has a ground potential based on the output of the detection means.

本発明の他の側面としての露光装置は、印加される電圧に応じて原版を保持する保持手段を有し、前記保持手段に保持された原版を介して基板を露光する露光装置であって、前記保持手段に対して前記原版を昇降させる昇降手段と、前記原版の電位を検出する検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて前記原版が接地電位を有することを判断した後に前記昇降手段により前記原版を下降させる制御手段とを有する。   An exposure apparatus according to another aspect of the present invention is an exposure apparatus that has a holding unit that holds an original according to an applied voltage, and that exposes a substrate through the original held by the holding unit, The raising and lowering means for raising and lowering the original with respect to the holding means, the detecting means for detecting the potential of the original, and the raising and lowering means after determining that the original has a ground potential based on the output of the detecting means. Control means for lowering the original.

本発明の他の側面としてのデバイス製造方法は、前記露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程とを有する。   A device manufacturing method according to another aspect of the present invention includes a step of exposing a substrate using the exposure apparatus, and a step of developing the substrate exposed in the step.

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施形態において説明される。   Other objects and features of the invention are described in the following embodiments.

本発明によれば、例えば、マスクの帯電の程度をより確実に低減することができる。   According to the present invention, for example, the degree of charging of the mask can be more reliably reduced.

実施形態1の露光装置における要部拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a main part in the exposure apparatus of Embodiment 1. 実施形態2の露光装置における要部拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of a main part in the exposure apparatus of Embodiment 2. 実施形態3の露光装置における要部拡大図である。It is a principal part enlarged view in the exposure apparatus of Embodiment 3. FIG. 実施形態4の露光装置における要部拡大図である。It is a principal part enlarged view in the exposure apparatus of Embodiment 4. 実施形態5の露光装置における要部拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view of a main part in the exposure apparatus of Embodiment 5. 実施形態6の露光装置における要部拡大図である。It is a principal part enlarged view in the exposure apparatus of Embodiment 6. FIG. 実施形態7の露光装置における要部拡大図である。It is a principal part enlarged view in the exposure apparatus of Embodiment 7. FIG. 本実施形態の露光装置のブロック図である。It is a block diagram of the exposure apparatus of this embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

まず、本発明の実施形態における露光装置の概要について説明する。図8は、本実施形態における露光装置のブロック図である。本実施形態の露光装置は、マスク(原版)のパターンを介してウエハ(基板)を露光する露光装置である。図8において、41はマスク用ロードロック室、42は搬送室、43は露光室、44はマスク保管室である。45〜47は露光室43に隣接した専用チャンバである。マスク用ロードロック室41は、露光装置内の真空雰囲気を維持しながら露光装置内部と露光装置外部との間でマスク8の受け渡しを行うために設けられている。搬送室42にはマスクハンドリング装置29(搬送部)が配置されている。   First, an outline of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a block diagram of the exposure apparatus in the present embodiment. The exposure apparatus of this embodiment is an exposure apparatus that exposes a wafer (substrate) through a mask (original plate) pattern. In FIG. 8, 41 is a load lock chamber for a mask, 42 is a transfer chamber, 43 is an exposure chamber, and 44 is a mask storage chamber. 45 to 47 are dedicated chambers adjacent to the exposure chamber 43. The mask load lock chamber 41 is provided to transfer the mask 8 between the inside of the exposure apparatus and the outside of the exposure apparatus while maintaining a vacuum atmosphere in the exposure apparatus. In the transfer chamber 42, a mask handling device 29 (transfer unit) is arranged.

[実施形態1]
次に、本発明の実施形態1における露光装置について説明する。図1は、本実施形態の露光装置100aにおける要部拡大図である。図1において、1はマスクチャックとしての静電チャック(原版保持手段)である。静電チャック1は、正電圧が印加される電極2(第1の電極)、負電圧が印加される電極3(第2の電極)、及び、セラミック等の半導体部材4を備えて構成される。半導体部材4は、高抵抗であるが、マスク8を静電チャック1に押し付けた状態で、電極2、3に所定の正電圧及び負電圧のそれぞれを印加すると、電流が流れる。静電チャック1は、電極2、3に印加される電圧に応じてマスク8を保持又は解放する。電極2、3に印加される電圧は、不図示の制御手段により制御される。
[Embodiment 1]
Next, the exposure apparatus in Embodiment 1 of the present invention will be described. FIG. 1 is an enlarged view of a main part of the exposure apparatus 100a of the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an electrostatic chuck (original plate holding means) as a mask chuck. The electrostatic chuck 1 includes an electrode 2 (first electrode) to which a positive voltage is applied, an electrode 3 (second electrode) to which a negative voltage is applied, and a semiconductor member 4 such as ceramic. . Although the semiconductor member 4 has a high resistance, when a predetermined positive voltage and a negative voltage are applied to the electrodes 2 and 3 in a state where the mask 8 is pressed against the electrostatic chuck 1, a current flows. The electrostatic chuck 1 holds or releases the mask 8 according to the voltage applied to the electrodes 2 and 3. The voltage applied to the electrodes 2 and 3 is controlled by control means (not shown).

8はマスク(原版)である。マスク8は、電極層5、マスク基板6、及び、多層膜7を備えて構成される。多層膜7は、ガラス等で構成されたマスク基板6の表面に形成される。多層膜7は、その表面が金属からなり、EUV光(極紫外光)を反射する。電極層5は、マスク基板6の裏面に形成されており、例えばCrN膜等の金属膜がマスク基板6の裏面上に蒸着されることにより形成されている。支持ピン9は、マスク8を支持し、支持ピン9を含むマスク昇降機構10(原版昇降手段)は、静電チャック1に対して昇降するように構成されている。なお、原版昇降手段が原板を移動する方向は、重力(鉛直)方向に限られず任意であって、例えば、静電チャック1のチャック面が重力方向に平行な場合、水平方向としうる。マスク8は、静電チャック1とマスク昇降機構10との間で受け渡しされうる。   Reference numeral 8 denotes a mask (original plate). The mask 8 includes an electrode layer 5, a mask substrate 6, and a multilayer film 7. The multilayer film 7 is formed on the surface of the mask substrate 6 made of glass or the like. The surface of the multilayer film 7 is made of metal and reflects EUV light (extreme ultraviolet light). The electrode layer 5 is formed on the back surface of the mask substrate 6. For example, a metal film such as a CrN film is deposited on the back surface of the mask substrate 6. The support pins 9 support the mask 8, and a mask elevating mechanism 10 (original plate elevating means) including the support pins 9 is configured to elevate with respect to the electrostatic chuck 1. The direction in which the original lifting / lowering means moves the original plate is not limited to the gravitational (vertical) direction, and may be arbitrary. For example, when the chuck surface of the electrostatic chuck 1 is parallel to the gravitational direction, it can be a horizontal direction. The mask 8 can be transferred between the electrostatic chuck 1 and the mask lifting mechanism 10.

静電チャック1には、接地ピン12a(第1の接地ピン)が設けられている。接地ピン12aは、マスク8の表面に接触するように構成されている。また、マスク昇降機構10には、接地ピン12b(第2の接地ピン)が設けられている。接地ピン12bは、マスク昇降機構10の支持ピン9に内蔵されており、マスク8に接触するように構成されている。接地ピン12a、12bのそれぞれに取り付けられた接地線13a、13bは、フィードスルー15を通して、真空チャンバ11の外部に取り出される。このように、接地ピン12a、12b、及び、接地線13a、13bは、マスク8の少なくとも一部を接地する接地手段である。また、接地線13bの途中には、接地ピン12a、12bの間の抵抗を検出するための抵抗計14が設けられている。抵抗計14は、マスク8が接地されたことを検出する検出手段として機能する。   The electrostatic chuck 1 is provided with a ground pin 12a (first ground pin). The ground pin 12 a is configured to contact the surface of the mask 8. The mask raising / lowering mechanism 10 is provided with a ground pin 12b (second ground pin). The ground pin 12 b is built in the support pin 9 of the mask lifting mechanism 10 and is configured to contact the mask 8. The ground wires 13 a and 13 b attached to the ground pins 12 a and 12 b are taken out of the vacuum chamber 11 through the feedthrough 15. Thus, the ground pins 12a and 12b and the ground lines 13a and 13b are ground means for grounding at least a part of the mask 8. An ohmmeter 14 for detecting the resistance between the ground pins 12a and 12b is provided in the middle of the ground wire 13b. The ohmmeter 14 functions as detection means for detecting that the mask 8 is grounded.

本実施形態の露光装置100aでは、マスク8の裏面(図1中のマスク8の上面)の電極層5が静電チャック1の表面(図1中の静電チャック1の下面)に接触するまで又はその直前まで、マスク8はマスク昇降機構10によって静電チャック1に近づけられる。既にこの段階では、接地ピン12bとマスク8の表面(図1中のマスク8の下面)の多層膜7との間は導通が取れており、マスク8の表面(多層膜7)は接地電位となっている。しかし、まだ、マスク8の表面が接地されているか否かについての検出(確認)は行われていない。   In the exposure apparatus 100a of the present embodiment, until the electrode layer 5 on the back surface of the mask 8 (upper surface of the mask 8 in FIG. 1) contacts the surface of the electrostatic chuck 1 (lower surface of the electrostatic chuck 1 in FIG. 1). Alternatively, the mask 8 is brought close to the electrostatic chuck 1 by the mask lifting mechanism 10 until just before that. At this stage, the ground pin 12b and the multilayer film 7 on the surface of the mask 8 (the lower surface of the mask 8 in FIG. 1) are already connected, and the surface of the mask 8 (the multilayer film 7) is at the ground potential. It has become. However, detection (confirmation) as to whether or not the surface of the mask 8 is grounded has not been performed yet.

次に、接地ピン12aが静電チャック1から延びて、マスク8の多層膜7の表面に接触すると、「接地線13a−接地ピン12a−多層膜7−接地ピン12b−接地線13b−アース」という閉ループが完成する。このとき、抵抗計14の出力(抵抗値)はゼロ(実質的にゼロ(予め定めた閾値以下)の場合を含む。)となれば、多層膜7の表面が接地電位になったことが検出(確認)される。仮に、抵抗計14の出力がゼロを示さない場合、多層膜7の表面の電位は接地電位ではない可能性がある。このため、不図示の制御手段は、静電チャック1の電極2、3には電圧を印加しない。そして、接地ピン12a・12bの少なくとも一方をマスク8の表面に接触させる動作をやり直し、上述の検出(確認)工程を繰り返す。抵抗計14の出力がゼロになった場合、マスク8の表面(多層膜7の表面)の電位が接地電位になったことが検出される。不図示の制御手段は、抵抗計14がマスク8の接地を検出した後に、静電チャック1がマスク8を保持するように電極2、3に正負の電圧をそれぞれ印加する。このように、不図示の制御手段は、抵抗計14の出力に基づいて、電極2、3に印加される電圧を制御する。   Next, when the ground pin 12a extends from the electrostatic chuck 1 and contacts the surface of the multilayer film 7 of the mask 8, "ground line 13a-ground pin 12a-multilayer film 7-ground pin 12b-ground line 13b-earth" The closed loop is completed. At this time, if the output (resistance value) of the ohmmeter 14 is zero (including the case where it is substantially zero (below a predetermined threshold)), it is detected that the surface of the multilayer film 7 has become the ground potential. (It is confirmed. If the output of the ohmmeter 14 does not indicate zero, the surface potential of the multilayer film 7 may not be the ground potential. For this reason, the control means (not shown) does not apply a voltage to the electrodes 2 and 3 of the electrostatic chuck 1. Then, the operation of bringing at least one of the ground pins 12a and 12b into contact with the surface of the mask 8 is performed again, and the above-described detection (confirmation) step is repeated. When the output of the resistance meter 14 becomes zero, it is detected that the potential of the surface of the mask 8 (the surface of the multilayer film 7) has become the ground potential. Control means (not shown) applies positive and negative voltages to the electrodes 2 and 3 so that the electrostatic chuck 1 holds the mask 8 after the ohmmeter 14 detects the grounding of the mask 8. Thus, the control means (not shown) controls the voltage applied to the electrodes 2 and 3 based on the output of the resistance meter 14.

静電チャック1の電極2、3に正負の電圧がそれぞれ印加され、マスク8が静電チャック1に保持されると、マスク昇降機構10は下げられる。このため、接地ピン12bはマスク8の表面から離れ、抵抗計14の出力(抵抗値)は無限大となる。ただし、接地ピン12aはマスク8の表面(多層膜7の表面)と接触したままであるため、マスク8の表面は接地された状態を維持する。   When positive and negative voltages are respectively applied to the electrodes 2 and 3 of the electrostatic chuck 1 and the mask 8 is held by the electrostatic chuck 1, the mask elevating mechanism 10 is lowered. For this reason, the ground pin 12b is separated from the surface of the mask 8, and the output (resistance value) of the ohmmeter 14 becomes infinite. However, since the ground pin 12a remains in contact with the surface of the mask 8 (the surface of the multilayer film 7), the surface of the mask 8 remains grounded.

このように、本実施形態では、マスク8の表面が接地されたことが検出された後、静電チャック1の電極2、3に電圧が印加される。このため、マスク8の帯電の程度を許容範囲内にすることができ、多層膜7の表面に付着する塵や粒子等を低減することができる。また、マスク8の表面を接地するために静電チャック1に設けられた接地ピン12aを一つとすれば、構造も簡単であり、かつ接触により塵等の異物を発生させる可能性も低い。   Thus, in this embodiment, after detecting that the surface of the mask 8 is grounded, a voltage is applied to the electrodes 2 and 3 of the electrostatic chuck 1. For this reason, the degree of charging of the mask 8 can be within an allowable range, and dust, particles, and the like adhering to the surface of the multilayer film 7 can be reduced. Further, if one ground pin 12a provided on the electrostatic chuck 1 for grounding the surface of the mask 8 is used, the structure is simple and the possibility of generating foreign matter such as dust due to contact is low.

[実施形態2]
次に、本発明の実施形態2における露光装置について説明する。図2は、本実施形態の露光装置100bにおける要部拡大図である。本実施形態の基本的な構成は実施形態1と同様であるため、実施形態1と同様の構成要素に関する説明は省略する。
[Embodiment 2]
Next, an exposure apparatus according to Embodiment 2 of the present invention will be described. FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the exposure apparatus 100b of the present embodiment. Since the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, a description of the same components as those of the first embodiment is omitted.

露光装置100bは、実施形態1の接地ピン12bの代わりに、マスクに接触するように静電チャック1に設けられた接地ピン12c(第3の接地ピン)が設けられているという点で、実施形態1の露光装置100aとは異なる。すなわち、露光装置100bの接地手段は、接地ピン12a(第1の接地ピン)及び接地ピン12c(第3の接地ピン)を備えて構成される。また、露光装置100bの抵抗計14は、接地ピン12a・12cの間の抵抗を検出する。   The exposure apparatus 100b is implemented in that a ground pin 12c (third ground pin) provided on the electrostatic chuck 1 so as to contact the mask is provided instead of the ground pin 12b of the first embodiment. It is different from the exposure apparatus 100a of the first embodiment. That is, the grounding means of the exposure apparatus 100b includes a ground pin 12a (first ground pin) and a ground pin 12c (third ground pin). The resistance meter 14 of the exposure apparatus 100b detects the resistance between the ground pins 12a and 12c.

本実施形態では、マスク8の電極層5が静電チャック1の表面に接触するか、またはその直前まで近接すると、接地ピン12a、12cが静電チャック1から延びて、マスク8の表面(多層膜7の表面)に接触する。
マスク8の電極層5と静電チャック1の表面とが確実に接触すると、接地ピン12a、12cの間が導通して抵抗計14の出力が低下する(抵抗値が実質的にゼロになる)。
In the present embodiment, when the electrode layer 5 of the mask 8 comes into contact with the surface of the electrostatic chuck 1 or comes close to just before that, the ground pins 12a and 12c extend from the electrostatic chuck 1 and the surface of the mask 8 (multilayer). The surface of the membrane 7).
When the electrode layer 5 of the mask 8 and the surface of the electrostatic chuck 1 are in reliable contact, the ground pins 12a and 12c are brought into conduction, and the output of the resistance meter 14 is reduced (the resistance value becomes substantially zero). .

このようにしてマスク8の表面の接地が検出された後に、本実施形態では、静電チャック1の電極2、3に電圧が印加される。このため、マスク8が帯電する程度を確実に低減でき、多層膜7の表面に付着する塵等の異物を低減できる。   In this embodiment, after the grounding of the surface of the mask 8 is detected in this way, a voltage is applied to the electrodes 2 and 3 of the electrostatic chuck 1. For this reason, the degree to which the mask 8 is charged can be reliably reduced, and foreign matters such as dust adhering to the surface of the multilayer film 7 can be reduced.

以上、マスクの接地確認の情報を静電チャックへの電圧印加開始の判断に供した。しかし、接地情報は、静電チャックへの電圧印加継続の判断に供することもできる。例えば、露光中も適宜接地ピン12aと12bとの導通を監視し、導通が取れなくなったら、露光を停止し、静電チャックへの電源供給を遮断してマスクを回収し、マスク付着する異物を低減することができる。   As described above, the information on the confirmation of the grounding of the mask was used to determine the start of voltage application to the electrostatic chuck. However, the ground information can also be used to determine whether to continue applying voltage to the electrostatic chuck. For example, the continuity between the ground pins 12a and 12b is appropriately monitored during exposure, and when the continuity cannot be obtained, the exposure is stopped, the power supply to the electrostatic chuck is shut off, the mask is recovered, and the foreign matter adhering to the mask is removed. Can be reduced.

なお本実施形態では、マスクの表面の接地を検出するために、2本の接地線を用いたが、3本以上の接地線を用いてもよい。また、本実施形態の接地ピンはマスクの表面に接触しているが、これに限定されるものではない。例えば、マスクの側面にも金属膜が蒸着され表面と導通が取れていている場合には、接地ピンをマスクの表面に接触させる代わりに、マスクの側面の金属膜、又は、マスクの裏面の電極層に接触するように構成してもよい。本実施形態では、マスクの表面が接地されるように構成されているが、マスクの裏面が接地されるように構成してもよい。   In this embodiment, two ground wires are used to detect the grounding of the mask surface, but three or more ground wires may be used. Moreover, although the ground pin of this embodiment is contacting the surface of a mask, it is not limited to this. For example, when a metal film is deposited on the side surface of the mask and is electrically connected to the surface, the metal film on the side surface of the mask or the electrode on the back surface of the mask is used instead of contacting the ground pin with the surface of the mask. It may be configured to contact the layer. In this embodiment, the front surface of the mask is configured to be grounded, but the back surface of the mask may be configured to be grounded.

また本実施形態では、マスクの表面の接地を検出した後に静電チャック(電極2、3)に電圧を印加した。しかし、マスクを静電チャックに保持する前には、接地ピンをマスクに接触させにくい場合がある。例えば、マスクの表面を保護するための保護基板がマスクの表面付近にあるとき、マスクを保護基板から浮かせる必要がある。このような場合、静電チャックに電圧を印加してマスクが静電チャックに保持され、保護基板が下がり、マスクと保護基板との間隔が開いた直後に、マスク表面に接地ピンを接触させるように構成してもよい。   In this embodiment, a voltage is applied to the electrostatic chuck (electrodes 2 and 3) after detecting the grounding of the mask surface. However, it may be difficult to bring the ground pin into contact with the mask before the mask is held on the electrostatic chuck. For example, when a protective substrate for protecting the mask surface is in the vicinity of the mask surface, the mask needs to be lifted off the protective substrate. In such a case, immediately after the voltage is applied to the electrostatic chuck and the mask is held by the electrostatic chuck, the protective substrate is lowered, and the gap between the mask and the protective substrate is opened, the ground pin is brought into contact with the mask surface. You may comprise.

また、本実施形態の静電チャックは、正負の電圧がそれぞれ印加される2つの電極を有するいわゆる双極型の静電チャックである。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではなく、正又は負のいずれか一方の電圧が印加される1つの電極を有するいわゆる単極型の静電チャックにも適用可能である。   The electrostatic chuck according to the present embodiment is a so-called bipolar electrostatic chuck having two electrodes to which positive and negative voltages are applied. However, the present embodiment is not limited to this, and can also be applied to a so-called monopolar electrostatic chuck having one electrode to which either positive or negative voltage is applied.

[実施形態3]
次に、本発明の実施形態3における露光装置について説明する。図3は、本実施形態の露光装置100cにおける要部拡大図である。本実施形態の基本的な構成は実施形態1と同様であるため、実施形態1と同様の構成要素に関する説明は省略する。
[Embodiment 3]
Next, an exposure apparatus according to Embodiment 3 of the present invention will be described. FIG. 3 is an enlarged view of a main part of the exposure apparatus 100c of the present embodiment. Since the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, a description of the same components as those of the first embodiment is omitted.

露光装置100cは、マスク8から例えば1μm〜10mm程度だけ離れたマスク8の直下に、マスク8を保護するための金属製の保護基板16(金属基板)が配置されている。保護基板16は、マスク昇降機構10の支持ピン9の上に配置されている。このような構造の保護基板16としては、例えば、二重ポッドのインナーケースにおけるインナーベースがある。EUVマスクは、露光装置内でインナーケースに入れて搬送される。インナーベースは、金属製の平面基板であり、マスクの表面に近接してマスクの表面を保護する。   In the exposure apparatus 100c, a metal protective substrate 16 (metal substrate) for protecting the mask 8 is disposed immediately below the mask 8 separated from the mask 8 by, for example, about 1 μm to 10 mm. The protective substrate 16 is disposed on the support pins 9 of the mask lifting mechanism 10. As the protective substrate 16 having such a structure, for example, there is an inner base in an inner case of a double pod. The EUV mask is transported in an inner case within the exposure apparatus. The inner base is a metal flat substrate and protects the mask surface in the vicinity of the mask surface.

図3に示されるように、本実施形態の接地ピン12d(第4の接地ピン)は、支持ピン9の一つに内蔵されている。本実施形態の設置手段は、マスク8に接触するように静電チャック1に設けられた接地ピン12a(第1の接地ピン)と保護基板16に接触するようにマスク昇降機構10に設けられた接地ピン12d(第4の接地ピン)とを備えて構成される。保護基板16は接地ピン12dに接触しているため、保護基板16の電位は接地電位となっている。また、保護基板16は誘電体からなる支持ピン19を備え、マスク8の表面は誘電体からなる支持ピン19に直接接触している。このため、マスク8の表面の電位は接地電位ではない。   As shown in FIG. 3, the ground pin 12 d (fourth ground pin) of this embodiment is built in one of the support pins 9. The installation means of this embodiment is provided in the mask lifting mechanism 10 so as to contact the grounding pin 12a (first grounding pin) provided on the electrostatic chuck 1 so as to contact the mask 8 and the protective substrate 16. And a ground pin 12d (fourth ground pin). Since the protective substrate 16 is in contact with the ground pin 12d, the potential of the protective substrate 16 is the ground potential. The protective substrate 16 includes support pins 19 made of a dielectric, and the surface of the mask 8 is in direct contact with the support pins 19 made of a dielectric. For this reason, the potential of the surface of the mask 8 is not the ground potential.

本実施形態では、マスク8が静電チャック1に近接して、接地ピン12aがマスク8の表面(多層膜7の表面)に接触すると、マスク8の表面は接地電位となる。このとき、多層膜7の表面及び保護基板16の表面とは互いに対向した平面の金属面であるため、コンデンサー構造をとる。したがって、多層膜7の表面と保護基板16の表面との間の静電容量を静電容量測定器(静電容量計)17で検出(測定)することにより、多層膜7の表面が接地電位になっているか否かを判定することができる。すなわち、静電容量測定器17は、マスク8と保護基板16との間の静電容量を検出するように、接地ピン12aと接地ピン12dとの間に接続された検出手段である。   In the present embodiment, when the mask 8 comes close to the electrostatic chuck 1 and the ground pin 12a comes into contact with the surface of the mask 8 (the surface of the multilayer film 7), the surface of the mask 8 becomes a ground potential. At this time, since the surface of the multilayer film 7 and the surface of the protective substrate 16 are planar metal surfaces facing each other, a capacitor structure is adopted. Therefore, the capacitance between the surface of the multilayer film 7 and the surface of the protective substrate 16 is detected (measured) by the capacitance measuring device (capacitance meter) 17, so that the surface of the multilayer film 7 is grounded. It can be determined whether or not. In other words, the capacitance measuring instrument 17 is a detecting means connected between the ground pin 12a and the ground pin 12d so as to detect the capacitance between the mask 8 and the protective substrate 16.

静電チャック1の電源がONとなってマスク8が静電チャック1に保持された後、マスク昇降機構10が下げられると、多層膜7の表面と保護基板16との間の距離が変化する。このときの静電容量の変化によっても、接地ピン12aが多層膜7の表面に接触しているか否かの判定をすることが可能である。   After the power of the electrostatic chuck 1 is turned on and the mask 8 is held by the electrostatic chuck 1, the distance between the surface of the multilayer film 7 and the protective substrate 16 changes when the mask lifting mechanism 10 is lowered. . It is possible to determine whether or not the ground pin 12a is in contact with the surface of the multilayer film 7 also by the change in capacitance at this time.

本実施形態において、マスクの表面を接地する接地ピンが一つのみであれば、構成も簡便であり、かつ接触により異物の発生する可能性も低い。また本実施形態では、支持ピン19と多層膜7とが離れた後においても、しばらくは接触状態を判定できるため、マスク昇降機構10が下げられたことによる接地ピン12aの接触状態の変化の判定も可能である。なお、本実施形態の支持ピン19が導体で構成されていれば、実施形態1と同様な方法でマスクの接地を検出することができる。また本実施形態では、対向した2枚の導体があればよく、マスク表面全面に対向する二重ポッドのインナーベースである必要は無く、マスクの表面の一部だけが対向する導体でもよい。また、本実施形態では、リアクタンス(容量性リアクタンス)を測定することによりマスクの接地を判定するように構成してよい。   In the present embodiment, if there is only one ground pin for grounding the surface of the mask, the configuration is simple, and the possibility of foreign matter being generated by contact is low. Further, in this embodiment, even after the support pin 19 and the multilayer film 7 are separated from each other, the contact state can be determined for a while, so that the change in the contact state of the ground pin 12a due to the lowering of the mask lifting mechanism 10 is determined. Is also possible. In addition, if the support pin 19 of this embodiment is comprised with the conductor, the grounding of a mask can be detected by the method similar to Embodiment 1. FIG. Further, in the present embodiment, it is only necessary to have two opposing conductors, and it is not necessary to be the inner base of the double pod opposing the entire mask surface, and only a part of the mask surface may be the opposing conductor. In the present embodiment, the mask ground may be determined by measuring the reactance (capacitive reactance).

[実施形態4]
次に、本発明の実施形態4における露光装置について説明する。図4は、本実施形態の露光装置100dにおける要部拡大図である。
[Embodiment 4]
Next, an exposure apparatus according to Embodiment 4 of the present invention will be described. FIG. 4 is an enlarged view of a main part of the exposure apparatus 100d of the present embodiment.

本実施形態における静電チャック1は、ジョンソン−ラベック型(JR型)の静電チャックである。図4に示されるように、JR型の静電チャックでは、セラミックからなる半導体部材4に正負の2つの電極2、3を設け、マスク8の裏面に設けた電極層5との間で閉ループが構成される。このように、本実施形態の静電チャック1は、正電圧が印加される電極2(第1の電極)、及び、負電圧が印加される電極3(第2の電極)を備え、電極2、3のそれぞれに印加される正負の電圧に応じてマスク8を保持又は解放する双極型の静電チャックである。   The electrostatic chuck 1 in the present embodiment is a Johnson-Labeck type (JR type) electrostatic chuck. As shown in FIG. 4, in the JR type electrostatic chuck, the semiconductor member 4 made of ceramic is provided with two positive and negative electrodes 2 and 3, and a closed loop is formed between the electrode layer 5 provided on the back surface of the mask 8. Composed. As described above, the electrostatic chuck 1 according to the present embodiment includes the electrode 2 (first electrode) to which a positive voltage is applied and the electrode 3 (second electrode) to which a negative voltage is applied. 3 is a bipolar electrostatic chuck that holds or releases the mask 8 in accordance with positive and negative voltages applied to each of the three.

セラミックは大きな抵抗値を示すため、マスク8と静電チャック1との間には微小電流が流れる。電極2、3には、絶対値が50から数KV程度の絶対値が等しい正負の電圧がそれぞれ印加される。マスク裏面の電極層5の電圧は略ゼロとなるが、厳密にゼロになるとは限らない。それは、電極2と3に印加する電圧の絶対値が必ずしも等しく無いため、又は、電極2と電極層5との間の電気抵抗Raと、電極3と電極層5との間の電気抵抗Rbとが等しくないためである。しかも、電極層5と静電チャック1の表面との接触状態によって、電気抵抗Ra、Rbは変化しうる。このため、電極層5が常に同じ電位を示すとは限らない。このようにして電極層5が接地されていないと、絶縁体であるマスク基板6に分極を引き起こし、マスク8の表面電位はゼロではなくなってマスク表面に塵等の異物を引き付ける力が生じる。
このため、露光装置100dは、マスク8の裏面に蒸着された電極層5の電位を不図示の電位計を用いて検出し、電極層5の電位が接地電位になるように制御する。すなわち、露光装置100dは、マスク8の電位を検出する電位検出手段である電位計を備える。そして不図示の制御手段は、電位計により検出されたマスク8の電位がゼロ(接地電位)になるように正電圧及び負電圧の少なくとも一方を制御する。
Since ceramic exhibits a large resistance value, a minute current flows between the mask 8 and the electrostatic chuck 1. Positive and negative voltages having the same absolute value of 50 to several KV are applied to the electrodes 2 and 3, respectively. Although the voltage of the electrode layer 5 on the back surface of the mask is substantially zero, it is not always exactly zero. This is because the absolute values of the voltages applied to the electrodes 2 and 3 are not necessarily equal, or the electrical resistance Ra between the electrode 2 and the electrode layer 5 and the electrical resistance Rb between the electrode 3 and the electrode layer 5 Is not equal. In addition, the electrical resistances Ra and Rb can vary depending on the contact state between the electrode layer 5 and the surface of the electrostatic chuck 1. For this reason, the electrode layer 5 does not always show the same potential. If the electrode layer 5 is not grounded in this way, polarization is caused in the mask substrate 6 that is an insulator, and the surface potential of the mask 8 is not zero, and a force that attracts foreign matters such as dust to the mask surface is generated.
For this reason, the exposure apparatus 100d detects the potential of the electrode layer 5 deposited on the back surface of the mask 8 using a not-shown electrometer, and controls the potential of the electrode layer 5 to be the ground potential. That is, the exposure apparatus 100d includes an electrometer that is a potential detection unit that detects the potential of the mask 8. The control means (not shown) controls at least one of the positive voltage and the negative voltage so that the potential of the mask 8 detected by the electrometer becomes zero (ground potential).

本実施形態の露光装置100dは、電極層5が接地電位となるように制御することにより、マスク8の表面電位も接地電位になるように構成される。図4に示されるように、まず、静電チャック1に設けられた接地ピン12e(第5の接地ピン)がマスク8の電極層5に接触する。このとき、電極層5が接地されているか否かは、実施形態1のように複数の接地ピンを用いて判定してもよいが、図4に示される本実施形態の構成によっても判定できる。接地ピン12eは接地線13cに接続され、電流計21を介して接地されている。この状態で、電源22aを用いて電極2に+Vボルトの電圧を印加し、電源22bを用いて電極3に−Vボルトの電圧を印加する。このとき、電気抵抗Ra、Rbの関係がRa>Rbである場合、電極層5の電圧は負の値となり、電流計21には電極層5に向かって電流が流れる。したがって、電極3に印加する電圧を上げていくことにより、電流計21に流れる電流をゼロにすることができる。   The exposure apparatus 100d of the present embodiment is configured so that the surface potential of the mask 8 is also at the ground potential by controlling the electrode layer 5 to be at the ground potential. As shown in FIG. 4, first, the ground pin 12 e (fifth ground pin) provided on the electrostatic chuck 1 contacts the electrode layer 5 of the mask 8. At this time, whether or not the electrode layer 5 is grounded may be determined using a plurality of ground pins as in the first embodiment, but can also be determined by the configuration of the present embodiment shown in FIG. The ground pin 12 e is connected to the ground line 13 c and grounded via the ammeter 21. In this state, a voltage of + V volts is applied to the electrode 2 using the power source 22a, and a voltage of −V volts is applied to the electrode 3 using the power source 22b. At this time, when the relationship between the electric resistances Ra and Rb is Ra> Rb, the voltage of the electrode layer 5 becomes a negative value, and a current flows through the ammeter 21 toward the electrode layer 5. Therefore, the current flowing through the ammeter 21 can be reduced to zero by increasing the voltage applied to the electrode 3.

本実施形態では、マスク裏面の電極層5を接地電位となるように調整することができ、これによりマスク基板6の分極の程度を十分小さくできる。したがって、マスク8の表面電位も接地電位に十分近い値となるため、マスク表面に付着する塵等の異物が低減される。また、静電チャックの印加電圧を制御して、マスク裏面とアースとの間に流れる電流を実質的にゼロ(許容範囲内)とすることで、正の電極がマスク基板を引き付ける力と負の電極がマスク基板を引き付ける力とを実質的に等しくすることができる。   In the present embodiment, the electrode layer 5 on the back surface of the mask can be adjusted to the ground potential, whereby the degree of polarization of the mask substrate 6 can be sufficiently reduced. Therefore, since the surface potential of the mask 8 is also sufficiently close to the ground potential, foreign matter such as dust adhering to the mask surface is reduced. Also, by controlling the applied voltage of the electrostatic chuck so that the current flowing between the mask back surface and the ground is substantially zero (within an allowable range), the positive electrode attracts the mask substrate with a negative force. The force with which the electrode attracts the mask substrate can be made substantially equal.

なお、電流計21の代わりに、電圧計を使用してもよい。また、静電チャック1による原板のチャッキング(保持)中に静電チャック1と電極層5との間の接触抵抗が変化してもマスク表面の接地電位を維持できるように、本実施形態の制御を常時行ってもよい。   A voltmeter may be used instead of the ammeter 21. Moreover, even if the contact resistance between the electrostatic chuck 1 and the electrode layer 5 changes during chucking (holding) of the original plate by the electrostatic chuck 1, the ground potential of the mask surface can be maintained. Control may always be performed.

[実施形態5]
次に、本発明の実施形態5における露光装置について説明する。図5は、本実施形態の露光装置100eにおける要部拡大図である。
[Embodiment 5]
Next, an exposure apparatus according to Embodiment 5 of the present invention will be described. FIG. 5 is an enlarged view of a main part of the exposure apparatus 100e of the present embodiment.

露光装置100eは、マスク裏面の電極層が接地電位でない場合でも、マスク裏面を接地電位に制御する。図5に示されるように、本実施形態のマスク81は、上記実施形態のマスク8に加えて、アース層31が設けられている。またマスク81には、アース層31と電極層5との間に絶縁層32が設けられており、アース層31と電極層5との間は絶縁されている。また、電極層5及び絶縁層32の一部は剥がされており、アース層31の表面は露出している。この露出位置において、接地ピン12f(第6の接地ピン)及び接地ピン12g(第7の接地ピン)は、アース層31に接触するように静電チャック1に設けられている。このように、接地ピン12f、12gは、マスク81の表面と裏面との間に設けられ且つ裏面側に露出するアース層31に接触するように静電チャック1に設けられている。なお、図5においては、理解を容易にするため、マスク81が静電チャック1から分離しているが、実際には、マスク81は静電チャック1に接している。   The exposure apparatus 100e controls the back surface of the mask to the ground potential even when the electrode layer on the back surface of the mask is not at the ground potential. As shown in FIG. 5, the mask 81 of this embodiment is provided with a ground layer 31 in addition to the mask 8 of the above embodiment. The mask 81 is provided with an insulating layer 32 between the ground layer 31 and the electrode layer 5, and the ground layer 31 and the electrode layer 5 are insulated. The electrode layer 5 and the insulating layer 32 are partly peeled off, and the surface of the earth layer 31 is exposed. At this exposed position, the ground pin 12 f (sixth ground pin) and the ground pin 12 g (seventh ground pin) are provided on the electrostatic chuck 1 so as to contact the ground layer 31. Thus, the ground pins 12f and 12g are provided on the electrostatic chuck 1 so as to be in contact with the ground layer 31 provided between the front surface and the back surface of the mask 81 and exposed on the back surface side. In FIG. 5, for easy understanding, the mask 81 is separated from the electrostatic chuck 1, but actually, the mask 81 is in contact with the electrostatic chuck 1.

実施形態4で述べたように、静電チャック1の電極2、3に印加する正負の電圧の絶対値が等しい場合でも、電極層5は接地電位となっているとは限らない。そのため、本実施形態では、電極層5とは別にアース層31を設け、アース層31に接地ピン12f、12gを接触させ、実施形態2と同様にアース層31を接地するとともにその接地を検出(確認)しうる。ここで、電極層5が必ずしも接地電位でなくても、アース層31と電極層5との間に絶縁層32があるため、アース層31を接地しても電流は流れず、アース層31を接地電位にすることができる。したがって、電極層5の電位に関わらず、アース層31よりマスク表面側の電位は接地電位に調整されうる。   As described in the fourth embodiment, even when the absolute values of the positive and negative voltages applied to the electrodes 2 and 3 of the electrostatic chuck 1 are equal, the electrode layer 5 is not always at the ground potential. Therefore, in the present embodiment, the ground layer 31 is provided separately from the electrode layer 5, the ground pins 12f and 12g are brought into contact with the ground layer 31, and the ground layer 31 is grounded and the ground is detected as in the second embodiment ( Confirmation). Here, even if the electrode layer 5 is not necessarily at the ground potential, since the insulating layer 32 is provided between the earth layer 31 and the electrode layer 5, no current flows even if the earth layer 31 is grounded. Can be at ground potential. Therefore, the potential on the mask surface side from the ground layer 31 can be adjusted to the ground potential regardless of the potential of the electrode layer 5.

本実施形態では、マスク裏面の電極層が接地電位でない場合でも、マスク基板6が分極を起こすことはなく、マスク81の表面電位も接地電位にすることができる。そのため、実施形態4で示したような静電チャックに印加する電圧の制御が不要となる。   In the present embodiment, even when the electrode layer on the back surface of the mask is not at the ground potential, the mask substrate 6 is not polarized, and the surface potential of the mask 81 can be set to the ground potential. Therefore, it is not necessary to control the voltage applied to the electrostatic chuck as shown in the fourth embodiment.

[実施形態6]
次に、本発明の実施形態6における露光装置について説明する。図6は、本実施形態の露光装置における要部拡大図である。
[Embodiment 6]
Next, an exposure apparatus according to Embodiment 6 of the present invention will be described. FIG. 6 is an enlarged view of a main part of the exposure apparatus of the present embodiment.

本実施形態の露光装置100fは、直接的にマスク表面の帯電状態を測定する。具体的には、真空チャンバ11内のマスク昇降機構10に表面電位計35を搭載して、静電チャック1に電圧を印加したときのマスク表面の電位を測定する。静電チャック1に電圧を印加したときにマスク表面の電位が変化する場合、マスク8の接地が不十分であるということになる。このとき、露光を開始せずに、マスク8の接地のための動作および接地確認を再度行う。また、静電チャック1に印加される電圧を徐々に変化させ、マスク表面の電位の変化を測定して両者の関係をみれば、マスク8の接地状態をより確実に判定することができる。   The exposure apparatus 100f of this embodiment directly measures the charged state of the mask surface. Specifically, a surface potential meter 35 is mounted on the mask lifting mechanism 10 in the vacuum chamber 11, and the potential of the mask surface when a voltage is applied to the electrostatic chuck 1 is measured. If the potential on the mask surface changes when a voltage is applied to the electrostatic chuck 1, the grounding of the mask 8 is insufficient. At this time, the operation for grounding the mask 8 and the grounding confirmation are performed again without starting the exposure. Further, if the voltage applied to the electrostatic chuck 1 is gradually changed and the change in the potential of the mask surface is measured to see the relationship between the two, the grounding state of the mask 8 can be more reliably determined.

本実施形態は、特に、マスク回収時の帯電により付着する異物を低減するのに効果的である。静電チャック1への電圧供給を遮断してマスク8が静電チャック1から離脱した後も、静電チャック1に電荷が残っており、静電チャック1の表面がアース電位にならない。そのため、マスク回収時にマスク8が接地されていないと、マスク8の表面が帯電する。そこで、図6に示されるように、マスク昇降機構10にマスク8の表面を接地する機構を設けると同時に、表面電位計35によってマスク8の表面電位を測定し、マスクの表面が帯電しないことを確認する。その後、マスク8を受け取ったマスク昇降機構10を下げてマスク8を回収する。マスク8が静電チャック1から離脱した後、マスク8の表面電位が上昇する場合には、マスク8の接地が不十分であるということになる。このため、接地ピン12bを上昇させてマスク8を確実に接地する。   This embodiment is particularly effective in reducing foreign matter that adheres due to charging during mask recovery. Even after the voltage supply to the electrostatic chuck 1 is cut off and the mask 8 is detached from the electrostatic chuck 1, electric charge remains in the electrostatic chuck 1, and the surface of the electrostatic chuck 1 does not reach the ground potential. Therefore, if the mask 8 is not grounded at the time of mask recovery, the surface of the mask 8 is charged. Therefore, as shown in FIG. 6, the mask lifting mechanism 10 is provided with a mechanism for grounding the surface of the mask 8, and at the same time, the surface potential of the mask 8 is measured by the surface potential meter 35 to prevent the mask surface from being charged. Check. Thereafter, the mask lifting mechanism 10 that has received the mask 8 is lowered to recover the mask 8. If the surface potential of the mask 8 rises after the mask 8 is detached from the electrostatic chuck 1, it means that the mask 8 is not sufficiently grounded. For this reason, the grounding pin 12b is raised to reliably ground the mask 8.

本実施形態によれば、直接的にマスク表面の帯電を測定するため、マスク表面に付着する塵等の異物をより確実に低減することができる。   According to the present embodiment, since the charge on the mask surface is directly measured, foreign matters such as dust adhering to the mask surface can be more reliably reduced.

なお本実施形態では、マスク表面を接地する機構をマスク昇降機構に取り付けてマスク回収時もマスク表面を常時接地し得るようにしたが、マスクの裏面または側面を接地する機構を取り付けてもよい。また、マスク搬送系に、接地する機構及び表面電位計を同様に設けてもよい。   In this embodiment, a mechanism for grounding the mask surface is attached to the mask lifting mechanism so that the mask surface can be always grounded even during mask recovery. However, a mechanism for grounding the back surface or side surface of the mask may be attached. In addition, a mechanism for grounding and a surface electrometer may be similarly provided in the mask conveyance system.

本実施形態は、実施形態4と同様に、マスクの表面電位を表面電位計で測定しながら、マスクの表面電位がアース電位になるように、電極2および電極3の少なくとも一方に印加する電圧を調整するものである。これにより、マスク裏面または表面にアースピンを接触させる必要がなく、マスクの平坦度に影響を与えることもマスク表面に異物を付着させることもない。さらに、露光中を含めて常時、表面電位計を用いてマスクの表面電位を測定し、電極2および3の少なくとも一方に印加する電圧を調整するように構成すれば、常時、マスク表面を帯電から保護することができる。   In the present embodiment, as in the fourth embodiment, the voltage applied to at least one of the electrode 2 and the electrode 3 is measured so that the surface potential of the mask becomes the ground potential while measuring the surface potential of the mask with a surface potential meter. To be adjusted. Thereby, it is not necessary to contact the ground pin with the back surface or the surface of the mask, and the flatness of the mask is not affected, and no foreign matter is attached to the mask surface. Furthermore, if the configuration is such that the surface potential of the mask is always measured using a surface potentiometer, including during exposure, and the voltage applied to at least one of the electrodes 2 and 3 is adjusted, the surface of the mask is always charged. Can be protected.

以上のとおり、上記各実施形態によれば、原版に付着する異物を効果的に低減する露光装置を提供することができる。   As described above, according to each of the above embodiments, it is possible to provide an exposure apparatus that can effectively reduce foreign substances adhering to the original.

本実施形態の変形例として、マスクの電位を測定するのに、表面電位計を用いずに、次のように構成してもよい。すなわち、複数の接地ピンをマスクの裏面に接触させ、その内の1本に電圧計を接続してマスク裏面の電位を測定してもよい。この状態で、静電チャック1に電圧を印加したときにマスク裏面の電位が変化する場合、マスク8の接地が不十分となるから、本実施形態と同様の処理を行えばよい。   As a modification of the present embodiment, the following configuration may be used to measure the mask potential without using a surface electrometer. That is, a plurality of ground pins may be brought into contact with the back surface of the mask, and a voltmeter may be connected to one of them to measure the potential on the back surface of the mask. In this state, when the potential on the back surface of the mask changes when a voltage is applied to the electrostatic chuck 1, the mask 8 is insufficiently grounded, and therefore the same processing as in this embodiment may be performed.

[実施形態7]
次に、本発明の実施形態7における露光装置について説明する。図7は、本実施形態の露光装置100gにおける要部拡大図である。
[Embodiment 7]
Next, an exposure apparatus according to Embodiment 7 of the present invention will be described. FIG. 7 is an enlarged view of a main part of the exposure apparatus 100g of the present embodiment.

マスクの裏面が接地電位でも、静電チャックからマスクが離脱するときに帯電が生じることがある。いわゆる剥離帯電と呼ばれる現象で、これが生じると、静電チャックとマスクとが互いに反対の極性の電荷をもって帯電する。この状態で、静電チャックからマスクを遠ざけると、マスクは数kVもの電位を持つことがある。そのため、マスクは、異物が付着したり、ときに放電することがある。これを避け、付着する異物を低減させ、安全にマスクを回収することを本実施形態は目的としている。   Even when the back surface of the mask is at ground potential, charging may occur when the mask is detached from the electrostatic chuck. When this occurs, a phenomenon called so-called peeling charging, the electrostatic chuck and the mask are charged with charges having opposite polarities. If the mask is moved away from the electrostatic chuck in this state, the mask may have a potential of several kV. For this reason, the mask may have foreign matters attached or sometimes discharged. The purpose of this embodiment is to avoid this, reduce the amount of adhering foreign matter, and safely collect the mask.

本実施形態では、マスクが静電チャックから離脱した後でも、マスクの裏面の電極層または表面の多層膜層が接地されている構造をとる。好ましくは、離脱の前後で連続的に接地されていることである。   In this embodiment, even after the mask is detached from the electrostatic chuck, the electrode layer on the back surface of the mask or the multilayer film layer on the surface is grounded. Preferably, it is continuously grounded before and after separation.

具体的には、図7に示すように、静電チャックの本体であるセラミック等の半導体部材4の表面から弾性体でできた接地ピン12aが突出した構造とする。矢印Aのようにマスクが静電チャックから離脱しても、接地ピン12aが矢印Bのように変形してマスク裏面の電極層5への接触を維持する構造となっている。そのため、マスク離脱時に剥離帯電が起きても、マスクに生じた電荷が直ちに接地ピン12aを通してアースに流れ、マスクの電位を接地電位に保てる。なお、接地ピン12aがマスク裏面に接触し、かつ離脱したマスクが昇降機構に支持されている状態が、電荷を逃がすに十分な時間継続するように構成することが好ましい。   Specifically, as shown in FIG. 7, a ground pin 12a made of an elastic body protrudes from the surface of a semiconductor member 4 such as ceramic as a main body of the electrostatic chuck. Even when the mask is detached from the electrostatic chuck as indicated by an arrow A, the ground pin 12a is deformed as indicated by an arrow B so that the contact with the electrode layer 5 on the back surface of the mask is maintained. Therefore, even if peeling electrification occurs when the mask is detached, the charge generated in the mask immediately flows to the ground through the ground pin 12a, and the potential of the mask can be maintained at the ground potential. It is preferable that the ground pin 12a is in contact with the back surface of the mask and the state where the detached mask is supported by the elevating mechanism is continued for a time sufficient to release the charge.

さらに、この状態でマスクを接地する接地ピンが昇降機構に設けられていてもよい。この場合、マスクの表面に接地ピンが接触する構造のほか、マスク裏面に接地ピンが接触する構造であってもよい。また、昇降機構の一部である支持ピン9を接地された導電性部材として、接地ピンの代わりをさせてもよい。このような導電性の支持ピン9を使用する場合、静電チャックからマスクを離脱する前に、マスク表面に支持ピン9が軽く接触するようにする。マスクの裏面は接地ピン12aで、表面は支持ピン9で接地し、静電チャックからのマスクの解放が確認できたら、マスク昇降機構によってマスクを下降させる。これにより、静電チャックからのマスクの離脱の前後にわたって、マスクが連続的に接地されていることになり、マスクの帯電の程度をより確実に低減できる。
[デバイス製造方法の実施形態]
次に、本発明の一実施形態のデバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。当該方法において、本発明を適用した露光装置を使用し得る。
Furthermore, a ground pin for grounding the mask in this state may be provided in the lifting mechanism. In this case, in addition to the structure in which the ground pin is in contact with the surface of the mask, a structure in which the ground pin is in contact with the back surface of the mask may be employed. Further, the support pin 9 which is a part of the lifting mechanism may be replaced with a grounded conductive member as a grounded conductive member. When such a conductive support pin 9 is used, the support pin 9 is brought into light contact with the mask surface before the mask is detached from the electrostatic chuck. The back surface of the mask is grounded by the ground pin 12a and the front surface is grounded by the support pin 9, and when the release of the mask from the electrostatic chuck is confirmed, the mask is lowered by the mask lifting mechanism. Accordingly, the mask is continuously grounded before and after the mask is detached from the electrostatic chuck, and the degree of charging of the mask can be more reliably reduced.
[Embodiment of Device Manufacturing Method]
Next, a method for manufacturing a device (semiconductor device, liquid crystal display device, etc.) according to an embodiment of the present invention will be described. In this method, an exposure apparatus to which the present invention is applied can be used.

半導体デバイスは、ウエハ(半導体基板)に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を用いて、感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、その工程で露光されたウエハを現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)とを含みうる。また、液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を用いて、感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、その工程で露光されたガラス基板を現像する工程とを含みうる。   A semiconductor device is manufactured through a pre-process for producing an integrated circuit on a wafer (semiconductor substrate) and a post-process for completing an integrated circuit chip on the wafer produced in the pre-process as a product. The pre-process can include a step of exposing the wafer coated with the photosensitive agent using the exposure apparatus described above, and a step of developing the wafer exposed in the step. The post-process can include an assembly process (dicing, bonding) and a packaging process (encapsulation). Moreover, a liquid crystal display device is manufactured by passing through the process of forming a transparent electrode. The step of forming the transparent electrode includes a step of applying a photosensitive agent to a glass substrate on which a transparent conductive film is deposited, a step of exposing the glass substrate on which the photosensitive agent is applied, using the above-described exposure apparatus, and the step And a step of developing the glass substrate exposed in step (b).

本実施形態のデバイス製造方法は、デバイスの生産性、品質および生産コストの少なくとも一つにおいて従来よりも有利である。   The device manufacturing method of this embodiment is more advantageous than the conventional one in at least one of device productivity, quality, and production cost.

以上、本発明の実施形態について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施形態として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。   The embodiment of the present invention has been specifically described above. However, the present invention is not limited to the matters described as the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.

1:静電チャック
8:マスク
9:支持ピン
10:マスク昇降機構
12a〜12g:接地ピン
13a〜13c:接地線
14:抵抗計
17:静電容量測定器
21:電流系
100a〜100g:露光装置
1: Electrostatic chuck 8: Mask 9: Support pin 10: Mask lifting mechanism 12a-12g: Ground pin 13a-13c: Ground wire 14: Resistance meter 17: Capacitance measuring instrument 21: Current system 100a-100g: Exposure apparatus

Claims (9)

印加される電圧に応じて原版を保持する保持手段を有し、前記保持手段に保持された原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記保持手段に対して前記原版を昇降させる昇降手段と、
前記保持手段および前記昇降手段の少なくとも一方に設けられ、前記原版の少なくとも一部を接地する接地手段と、
前記原版が接地されたことを検出する検出手段と、
前記検出手段の出力に応じて前記保持手段に印加される電圧を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that has a holding unit that holds an original according to an applied voltage, and that exposes a substrate through the original held by the holding unit,
Elevating means for elevating the original with respect to the holding means;
A grounding means provided on at least one of the holding means and the elevating means to ground at least a part of the original;
Detecting means for detecting that the original is grounded;
Control means for controlling the voltage applied to the holding means according to the output of the detection means;
An exposure apparatus comprising:
前記制御手段は、前記原版が接地されたことが前記検出手段により検出された後に、前記保持手段が前記原版を保持するように前記電圧を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   2. The control unit according to claim 1, wherein the control unit controls the voltage so that the holding unit holds the original plate after the detection unit detects that the original plate is grounded. 3. Exposure device. 前記接地手段は、前記原版に接触するように前記保持手段に設けられた第1の接地ピンと、前記原版に接触するように前記昇降手段に設けられた第2の接地ピンとを有し、
前記検出手段は、前記第1の接地ピンと前記第2の接地ピンとの間の抵抗を検出する抵抗計を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The grounding means has a first grounding pin provided on the holding means so as to contact the original plate, and a second grounding pin provided on the lifting means so as to contact the original plate,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes an ohmmeter that detects a resistance between the first ground pin and the second ground pin.
前記接地手段は、前記原版に接触するように前記保持手段に設けられた第1の接地ピン及び第3の接地ピンを有し、
前記検出手段は、前記第1の接地ピンと前記第3の接地ピンとの間の抵抗を検出する抵抗計を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The grounding means has a first grounding pin and a third grounding pin provided on the holding means so as to contact the original plate,
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes an ohmmeter that detects a resistance between the first ground pin and the third ground pin.
前記昇降手段は、誘電体からなる支持ピンを備えた金属基板を有し、前記支持ピンの上に前記原版を支持するように構成され、
前記接地手段は、前記原版に接触するように前記保持手段に設けられた第1の接地ピンと、前記金属基板に接触するように前記昇降手段に設けられた第4の接地ピンと、を有し、
前記検出手段は、前記原版と前記金属基板との間の静電容量を検出する静電容量計を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The elevating means has a metal substrate having a support pin made of a dielectric, and is configured to support the original plate on the support pin,
The grounding means has a first grounding pin provided on the holding means so as to contact the original plate, and a fourth grounding pin provided on the elevating means so as to contact the metal substrate,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes a capacitance meter that detects a capacitance between the original plate and the metal substrate.
正電圧が印加される第1の電極と負電圧が印加される第2の電極とを含み且つ前記第1の電極と前記第2の電極とに印加される電圧に応じて原版を保持する保持手段を有し、前記保持手段に保持された原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記原版の電位を検出する検出手段と、
前記検出手段の出力に基づいて、前記原版が接地電位を有するように、前記正電圧及び前記負電圧の少なくとも一方を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
A holding unit that includes a first electrode to which a positive voltage is applied and a second electrode to which a negative voltage is applied, and holds an original according to a voltage applied to the first electrode and the second electrode An exposure apparatus that exposes a substrate through an original plate held by the holding means,
Detecting means for detecting the potential of the original;
Control means for controlling at least one of the positive voltage and the negative voltage so that the original has a ground potential based on the output of the detection means;
An exposure apparatus comprising:
前記接地手段は、前記原版の表面と裏面との間に設けられ且つ裏面側に露出するアース層に接触するように前記保持手段に設けられた第6の接地ピン及び第7の接地ピンを有し、
前記検出手段は、前記第6の接地ピンと前記第7の接地ピンとの間の抵抗を検出する抵抗計を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The grounding means has a sixth grounding pin and a seventh grounding pin provided on the holding means so as to be in contact with an earth layer provided between the front surface and the back surface of the original plate and exposed on the back surface side. And
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes an ohmmeter that detects a resistance between the sixth ground pin and the seventh ground pin.
印加される電圧に応じて原版を保持する保持手段を有し、前記保持手段に保持された原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記保持手段に対して前記原版を昇降させる昇降手段と、
前記原版の電位を検出する検出手段と、
前記検出手段の出力に基づいて前記原版が接地電位を有することを判断した後に前記昇降手段により前記原版を下降させる制御手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that has a holding unit that holds an original according to an applied voltage, and that exposes a substrate through the original held by the holding unit,
Elevating means for elevating the original with respect to the holding means;
Detecting means for detecting the potential of the original;
Control means for lowering the original by the elevating means after determining that the original has a ground potential based on the output of the detecting means;
An exposure apparatus comprising:
請求項1乃至8のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
Developing the substrate exposed in the step;
A device manufacturing method comprising:
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