JP2010197792A - 光導波路 - Google Patents
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Abstract
【課題】波長よりも小さい厚みでコアに光を閉じ込めることができる光導波路を提供する。
【解決手段】光導波路11のコア13は第1屈折率の第1材料から形成される。クラッド12、15は第1屈折率よりも高い第2屈折率の第2材料から形成される。コア13の有効屈折率は第1屈折率を超える。コア13の厚みが光の波長よりも小さくても、光は確実に閉じ込められる。光のスポットは光の波長よりも小さく絞り込まれることができる。波長よりも小さい径のスポットは確立されることができる。
【選択図】図1
【解決手段】光導波路11のコア13は第1屈折率の第1材料から形成される。クラッド12、15は第1屈折率よりも高い第2屈折率の第2材料から形成される。コア13の有効屈折率は第1屈折率を超える。コア13の厚みが光の波長よりも小さくても、光は確実に閉じ込められる。光のスポットは光の波長よりも小さく絞り込まれることができる。波長よりも小さい径のスポットは確立されることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は光導波路に関する。
光導波路は広く知られる。光導波路は例えばコアとコアを取り囲むクラッドとを備える。コアには、クラッドの屈折率よりも大きな屈折率を有する材料が利用される。光がコアに導入されると、屈折率の大小関係に基づき光は全反射しつつコア内を伝播する。
Hermann A.Haus外,「Attenuation of Cutoff Modes and Leaky Modes of Dielectric Slab Structures」,IEEE Journal of Quantum Electronics,IEEE,1986年2月,Vol.QE−22,No.2,p.310−318
前述の光導波路は回折限界に曝される。コアの厚みが光の波長を下回ると、伝播中に光はコアからクラッドににじみ出てしまう。その結果、コアで伝播される光は絞られることはできない。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、波長よりも小さい厚みでコアに光を閉じ込めることができる光導波路を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、光導波路の一具体例は、第1屈折率の第1材料から形成されるコアと、第1屈折率よりも高い第2屈折率の第2材料から形成され、コアとの境界面で光の反射面を確立するクラッドとを備える。コアの有効屈折率は第1屈折率を超える。
開示の装置では光は確実にコアに閉じ込められる。しかも、コアの厚みが光の波長よりも小さくても、光は確実に閉じ込められる。光のスポットは光の波長よりも小さく絞り込まれることができる。波長よりも小さい径のスポットは確立されることができる。
以上のように開示の光導波路によれば、波長よりも小さい厚みでコアに光は閉じ込められることができる。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
図1は本発明の第1実施形態に係る光導波路11を概略的に示す。この光導波路11はいわゆるスラブ型光導波路に形成される。すなわち、光導波路11は基体となる第1クラッド層12を備える。第1クラッド層12の表面にはコア層13が重ね合わせられる。コア層13は第1クラッド層12の表面に密着する。こうしてコア層13および第1クラッド層12の間には境界面14が確立される。コア層13の屈折率ncoreは第1クラッド層12の屈折率nclad1よりも小さく設定される。ここでは、第1クラッド層12はAl2O3(アルミナ)で形成される。Al2O3は1.786の屈折率を有する。コア層13はSiO2(酸化ケイ素)で形成される。SiO2は1.567の屈折率を有する。コア層13の積層にあたって例えばスパッタリングが用いられる。
コア層13の表面には第2クラッド層15が重ね合わせられる。第2クラッド層15はコア層13の表面に密着する。こうして第2クラッド層15およびコア層13の間には境界面16が確立される。コア層13の屈折率ncoreは第2クラッド層15の屈折率nclad2よりも小さく設定される。ここでは、第2クラッド層15は第1クラッド層12と同様にAl2O3(アルミナ)で形成される。第2クラッド層15の積層にあたって例えばスパッタリングが用いられる。
本発明者は光導波路11の有効屈折率neffを算出した。算出にあたって、図2に示されるように、光学薄膜モデルが検討された。相互に平行に広がる境界面14、16の中間位置に基準面17が設定された。基準面17はyz平面に相当する。光導波路11は基準面17で対称に形成された。基準面17から順番に第1層のコア層13、第2層の第2クラッド層15および第3層の空気層18が設定された。n層目(n=1、2)のFマトリクスは次式で表される。
ここでは、有効屈折率neffの算出にあたって第1および第2クラッド層12、15の膜厚は400[nm]に設定された。コア層13の膜厚は0[nm]〜300[nm]の範囲に設定された。入射光には波長405[nm]の青紫色光が設定された。発光源には半導体レーザーが想定された。その結果、図3に示されるように、有効屈折率neffは算出された。
有効屈折率neffがコア層13の屈折率ncoreよりも小さいと、次式に従って光導波路11の法線に対して角度θの方向に光は漏れる。ここで、θは自由空間中の角度を示す。
図3から明らかなように、光伝播では複数のモードが存在する。例えばコア層13の膜厚が150[nm]以下の場合には1次〜3次モードの光の伝播でコア層13の屈折率ncoreよりも大きな有効屈折率neffが確立される。このとき、境界面14、16はフレネル反射に基づく反射面を確立する。境界面14、16に入射する入射角度は90度に近いことから、フレネル反射の反射率の絶対値は「1」に近づく。したがって、光はコア層13内にほぼ閉じ込められる。コア層13から出射する光は例えば対象物上に波長より小さい径のスポットを形成する。4次以降のモードではコア層13の屈折率ncoreよりも小さい有効屈折率neffが確立される。光は境界面14、16から漏れ出てしまう。こうして漏れ出た光がコア層13から出射すると、例えば対象物上に余分なスポットが形成される。こういった光の漏れが許容される場合には、光の垂直入射が利用されればよい。ここでは、計算にあたって光の偏光面は前述の基準面17に直交する方向に設定された。ただし、これに限定されることはなく、直交または平行のいずれかの直線偏光であることが望まれる。その他、斜め入射に基づき特定のモードのみで光の伝播が確立されてもよい。こういった特定の入射角度の確立によれば、光の漏れは回避されることができる。このとき、光の入射角度θincは次式を満たせばよい。
次に、本発明者は本発明の第2実施形態に係る光導波路の有効屈折率neffを算出した。この第2実施形態では、第1および第2クラッド層12、15に前述のAl2O3に代えてSi(シリコン)が用いられた。シリコンの屈折率は(4.38+j2.02)に設定された。シリコンの屈折率は虚数部(j2.02)を含む。SiO2の屈折率は1.47に設定された。前述と同様に、入射光には波長405[nm]の青紫色光が設定された。その他、光導波路の構造は前述の光導波路11の構造に同一に設定された。
図5に示されるように、単一のモードで光の伝播が確立された。このモードの光の伝播ではコア層13の屈折率ncoreよりも大きな有効屈折率neffが確立される。光はコア層13内にほぼ閉じ込められる。こうして単一のモードが確立される場合には、垂直入射が用いられればよい。垂直入射に拘わらず、光の漏れは確実に回避されることができる。ただし、第1および第2クラッド層12、15の材料では光の損失が避けられないことから、有効屈折率に虚数部が発生する。その影響で光の強度の損失が引き起こされる。したがって、強度の損失に応じて光導波路21の長さは設定される。光導波路21の長さは制限される。
図6は本発明の第3実施形態に係る光導波路21を概略的に示す。この光導波路21はいわゆるリッジ型光導波路に形成される。光導波路21は基板(図示されず)上に形成される。すなわち、光導波路21は、基板に支持される基体22を備える。基体22の表面には第1コア層23が重ね合わせられる。第1コア層23は基体22の表面に密着する。第1コア層23は光導波路21の前端から後端まで均一な幅W1および均一な厚みt1で延びる。第1コア層23の表面には第2コア層24が重ね合わせられる。第2コア層24は第1コア層23に一体化される。第2コア層24は光導波路21の前端から後端まで均一な幅W2および均一の厚みt2で延びる。第2コア層24の幅W2は第1コア層23の幅W1よりも小さく設定される。基体22の表面には被覆層25が重ね合わせられる。被覆層25は第1および第2コア層23、24に覆い被さる。こうして第1および第2コア層23、24は基体22および被覆層25に途切れなく囲まれる。第1および第2コア層23、24と基体22および被覆層25との間には境界面が確立される。基体22および被覆層25はクラッドとして機能する。第1コア層23や第2コア層24の形成にあたって基体22上でフォトリソグラフィが用いられればよい。フォトリソグラフィの実施にあたって特願2002−188579に開示される作製手法が採用されればよい。
第1および第2コア層23、24の屈折率ncoreは基体22および被覆層25の屈折率ncladよりも小さく設定される。ここでは、第1および第2コア層23、24はSiO2(酸化ケイ素)で形成される。SiO2は1.47の屈折率を有する。被覆層25は例えば基体22と同一の素材から形成される。被覆層25および基体22はSi(シリコン)で形成される。Siは(4.38+j2.02)の屈折率を有する。
本発明者は光導波路21の第1および第2コア層23、24内で光の伝播の様子を観察した。観察にあたってFDTD(Finite Difference Time Domain)法に基づく電磁界シミュレーションが利用された。電磁界シミュレーションの実施にあたって第1コア層23の幅W1は300[nm]に設定された。第1コア層23の厚みt1は100[nm]に設定された。第2コア層24の幅W2は100[nm]に設定された。第2コア層24の厚みt2は100[nm]に設定された。光導波路21の長さLは500[nm]に設定された。基体22および被覆層25の総高さHは1000[nm]に設定された。基体22および被覆層25の幅Dは1100[nm]に設定された。前述と同様に、入射光には波長405[nm]の青紫色光が設定された。光の垂直入射が設定された。その結果、図7に示されるように、第1コア層23の中心部分で100×100[nm]の範囲に光が集中した。境界面で光の反射面が確立された。光は閉じ込められた。
なお、本発明は前述の薄膜構造の光導波路11、21だけでなく光ファイバーといった円筒型の光導波路にも適用されることができる。
図8は記憶媒体駆動装置すなわちハードディスク駆動装置(HDD)31の内部構造を概略的に示す。このHDD31は筐体すなわちハウジング32を備える。ハウジング32は箱形のベース33およびカバー(図示されず)から構成される。ベース33は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。カバーはベース33の開口に結合される。カバーとベース33との間で収容空間は密閉される。
収容空間には記憶媒体すなわち2枚以上の磁気ディスク34が収容される。磁気ディスク34はスピンドルモーター35の回転軸に装着される。スピンドルモーター35は高速度で磁気ディスク34を回転させることができる。磁気ディスク34にはいわゆる垂直磁気ディスクが用いられる。
収容空間にはキャリッジブロック36がさらに収容される。キャリッジブロック36は、垂直方向に延びる支軸38に回転自在に連結される。キャリッジブロック36には、支軸38から水平方向に延びる剛体のキャリッジアーム39が区画される。キャリッジアーム39の先端にはヘッドサスペンション41が取り付けられる。ヘッドサスペンション41はキャリッジアーム39の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション41の前端には浮上ヘッドスライダー43が支持される。浮上ヘッドスライダー43は磁気ディスク34の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダー43には電磁変換素子が搭載される。浮上ヘッドスライダー43には、磁気ディスク34の表面に向かってヘッドサスペンション41から押し付け力が作用する。磁気ディスク34が回転すると、磁気ディスク34の表面に沿って気流が生成される。この気流の働きで浮上ヘッドスライダー43には浮力が生成される。ヘッドサスペンション41の押し付け力と浮力とは釣り合う。こうして磁気ディスク34の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダー43は浮上し続けることができる。浮上ヘッドスライダー43の浮上中に支軸38回りでキャリッジアーム39が揺動すると、浮上ヘッドスライダー43は半径方向に磁気ディスク34の表面を横切ることができる。こうした浮上ヘッドスライダー43の半径方向移動に基づき電磁変換素子は目標の記録トラックに向き合わせられる。
図9は一具体例に係る浮上ヘッドスライダー43を示す。この浮上ヘッドスライダー43は、例えば平たい直方体に形成されるスライダー本体45を備える。スライダー本体45は例えばAl2O3−TiC(アルチック)といった硬質の非磁性材料から形成される。スライダー本体45の空気流出側端面には非磁性絶縁層すなわち素子内蔵膜46が積層される。素子内蔵膜46は例えばAl2O3(アルミナ)といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成される。素子内蔵膜46に前述の電磁変換素子47が組み込まれる。
スライダー本体45は媒体対向面48で磁気ディスク34に向き合う。媒体対向面48には所定の形状に従ってレール49が形成される。レール49の頂上面には空気軸受け面51が確立される。磁気ディスク34の回転中、空気軸受け面51と磁気ディスク34との間には空気膜が形成される。なお、浮上ヘッドスライダー43の形態はこういった形態に限られるものではない。
図10は電磁変換素子47の様子を詳細に示す。電磁変換素子47は読み出しヘッド素子52と書き込みヘッド素子53とを備える。読み出しヘッド素子52は上部シールド層54および下部シールド層55を備える。上部シールド層54および下部シールド層55は導電性の磁性材料から形成される。上部シールド層54および下部シールド層55の間に例えばスピンバルブ膜やトンネル接合膜といった磁気抵抗効果(MR)膜56が挟み込まれる。上部シールド層54および下部シールド層55からセンス電流は磁気抵抗効果膜56に供給される。磁気ディスク34から作用する磁界の向きに応じて磁気抵抗効果膜56の抵抗値は変化する。こうした抵抗の変化に基づき2値情報は判別される。上部シールド層54および下部シールド層55の間隔は磁気ディスク34上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
書き込みヘッド素子53は読み出しヘッド素子52よりも空気流出側に配置される。この書き込みヘッド素子53はいわゆる単磁極ヘッドに構成される。書き込みヘッド素子53は磁気ディスク34に向かって磁力の流れを生成する主磁極57を備える。主磁極57には磁気コイル(図示されず)の働きで磁力が供給される。磁気コイルは書き込み電流の供給に応じて磁界を生成する。電流の向きに応じて磁界の向きは反転する。こうした磁界の働きで磁気ディスク34に2値情報は書き込まれる。磁界は主磁極57、磁気ディスク34および補助磁極58を循環する。
読み出しヘッド素子52および書き込みヘッド素子53の間には前述の光導波路21が配置される。光導波路21の確立にあたって素子内蔵膜46には前述の第1コア層23および第2コア層24が埋め込まれる。光導波路21は浮上ヘッドスライダー43の空気流出端面に沿って浮上ヘッドスライダー43の背面から媒体対向面48まで光を誘導する。前述のように光は波長よりも小さい径のスポットに絞られることができる。磁気ディスク34上では、こうして光エネルギーで加熱された磁性膜に主磁極57から磁界が作用する。作用する磁界は磁性膜内で磁化を確立する。素子内蔵膜46はクラッドとして機能する。
11 光導波路、12 クラッド(第1クラッド層)、13 コア(コア層)、14 境界面、15 クラッド(第2クラッド層)、16 境界面、21 光導波路、22 クラッド(基体)、23 コア(第1コア層)、24 コア(第2コア層)、25 クラッド(被覆層)。
Claims (7)
- 第1屈折率の第1材料から形成されるコアと、第1屈折率よりも高い第2屈折率の第2材料から形成され、コアとの境界面で光の反射面を確立するクラッドとを備え、コアの有効屈折率は第1屈折率を超えることを特徴とする光導波路。
- 請求項1または2に記載の光導波路において、前記第2屈折率は実数部のみを有することを特徴とする光導波路。
- 請求項1または2に記載の光導波路において、前記第2屈折率は実数部および虚数部を有することを特徴とする光導波路。
- 請求項1〜4に記載の光導波路において、スラブ型光導波路であることを特徴とする光導波路。
- 請求項1〜4に記載の光導波路において、リッジ型光導波路であることを特徴とする光導波路。
- 記憶媒体と、媒体対向面で前記記憶媒体に向き合わせられるヘッドスライダーと、前記ヘッドスライダーに搭載されて、前記ヘッドスライダーの背面から前記媒体対向面まで延びる光導波路とを備え、前記光導波路は、第1屈折率の第1材料から形成されるコアと、第1屈折率よりも高い第2屈折率の第2材料から形成され、コアとの境界面で光の反射面を確立するクラッドとを備え、コアの有効屈折率は第1屈折率を超えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009043681A JP2010197792A (ja) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | 光導波路 |
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2009
- 2009-02-26 JP JP2009043681A patent/JP2010197792A/ja not_active Withdrawn
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