JP2010192786A - Method of forming wiring conductor, and wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、配線導体の形成方法および配線基板に関するもので、特に、レーザーを用いた配線導体の形成方法、およびこの方法によって形成された配線導体を備える配線基板に関するものである。 The present invention relates to a method of forming a wiring conductor and a wiring board, and more particularly to a method of forming a wiring conductor using a laser and a wiring board including a wiring conductor formed by this method.
近年、電子機器の高機能化や高性能化が加速され、それに伴い、電子機器において用いられる電子部品に対しては、さらなる小型化が求められている。その結果、厳しい精度が電子部品製造工程における印刷に対しても要求されてきている。 In recent years, higher functionality and higher performance of electronic devices have been accelerated, and accordingly, further miniaturization is required for electronic components used in electronic devices. As a result, strict accuracy has been required for printing in the electronic component manufacturing process.
電子部品の小型化が進むにつれて、要求印刷線幅も細くなってきている。現在の回路形成方法は、スクリーン印刷が主流であるが、線幅としては30μmが限界であると言われている。他方、30μmを下回る回路形成方法の1つとして、レーザーを用いる方法がある。 As electronic components are miniaturized, the required print line width is also getting thinner. The current circuit formation method is mainly screen printing, but the line width is said to be 30 μm. On the other hand, there is a method using a laser as one of circuit forming methods of less than 30 μm.
たとえば特開2002‐261439号公報(特許文献1)には、絶縁シート上に金属膜(たとえば、導電性ペースト膜)を形成し、金属膜側からレーザー光を照射し、レーザー光の照射部に発生する熱によって、金属膜および絶縁シートを溶融させ、絶縁シート内にビア導体を形成する方法が開示されている。 For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-261439 (Patent Document 1), a metal film (for example, a conductive paste film) is formed on an insulating sheet, a laser beam is irradiated from the metal film side, and a laser beam irradiation unit is irradiated. A method of melting a metal film and an insulating sheet with generated heat to form a via conductor in the insulating sheet is disclosed.
上述の特許文献1に記載の技術を、基材上での配線導体の形成に適用すると、レーザーの出力や金属膜を構成する金属材料によっては、レーザー光照射時に、レーザーアブレーションにより金属膜が蒸発したり金属膜に含まれている金属粒子が飛散したりして、所望の配線導体を形成できないことがある。特に、配線導体が埋め込まれる溝を基材に形成するのに大きなエネルギーを必要とするSi、サファイア、アルミナといった高融点材料から基材が構成される場合、溝形成のためにレーザー光のエネルギーを大きくせざるを得ず、それに伴い、金属膜の蒸発や金属粒子の飛散がより生じやすい状況がもたらされる。
When the technique described in
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、配線導体の形成方法を提供しようとすることである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of forming a wiring conductor that can solve the above-described problems.
この発明の他の目的は、上述した形成方法によって形成された配線導体を備える配線基板を提供しようとすることである。 Another object of the present invention is to provide a wiring board provided with a wiring conductor formed by the above-described forming method.
この発明に係る配線導体の形成方法は、基材を用意する工程と、基材上に金属膜を形成する、金属膜形成工程と、金属膜の上方から基材に向かう方向に、レーザー光を照射することによって、基材の材料を蒸発させながら、基材に溝を形成するとともに、金属膜を構成していた金属を溶融させながら、溶融した金属を溝に充填する、レーザー光照射工程と、溝内の溶融した金属を冷却・固化する工程とを備えるもので、上述した技術的課題を解決するため、さらに、金属膜形成工程の後であって、レーザー光照射工程の前に、レーザー光透過性を有する飛散防止層を金属膜上に形成する、飛散防止層形成工程を備え、レーザー光照射工程は、飛散防止層によって、金属膜を構成する金属の、レーザー光の照射による飛散を防止しながら実施されることを特徴としている。 The method for forming a wiring conductor according to the present invention includes a step of preparing a base material, a metal film forming step of forming a metal film on the base material, and laser light in a direction from above the metal film toward the base material. A laser beam irradiation step of filling the groove with the melted metal while melting the metal constituting the metal film while evaporating the material of the base material by irradiating; And a step of cooling and solidifying the molten metal in the groove. In order to solve the above technical problem, a laser is further provided after the metal film forming step and before the laser beam irradiation step. An anti-scattering layer forming step is provided to form a light-transmitting anti-scattering layer on the metal film, and the laser light irradiation step is to prevent the metal constituting the metal film from being scattered by the laser light irradiation by the anti-scattering layer. Implemented while preventing It is characterized in Rukoto.
この発明に係る配線導体の形成方法において、典型的には、飛散防止層は、たとえばガラス板のような固体の板から構成される。 In the method for forming a wiring conductor according to the present invention, typically, the scattering prevention layer is made of a solid plate such as a glass plate.
上述の場合であって、金属膜形成工程が、導電性金属粉末、バインダおよび溶剤を含む導電性ペーストを基材上に塗布することによって導電性ペースト膜を形成する工程を備える場合、飛散防止層形成工程は、導電性ペースト膜を構成する導電性ペーストが乾燥する前に、飛散防止層となる固体の板を導電性ペースト膜上に置くようにすることが好ましい。 In the case described above, when the metal film forming step includes a step of forming a conductive paste film by applying a conductive paste containing a conductive metal powder, a binder, and a solvent on a substrate, a scattering prevention layer In the forming step, before the conductive paste constituting the conductive paste film is dried, it is preferable that a solid plate serving as a scattering prevention layer is placed on the conductive paste film.
また、飛散防止層が固体の板から構成される場合、固体の板と金属膜との隙間に充填されるための液体を付与するようにすることも好ましい。 Moreover, when the scattering prevention layer is comprised from a solid board, it is also preferable to provide the liquid with which the clearance gap between a solid board and a metal film is filled.
この発明に係る配線導体の形成方法において、飛散防止層は、上述したような固体の板に代えて、液体から構成されてもよい。 In the method for forming a wiring conductor according to the present invention, the scattering prevention layer may be made of a liquid instead of the solid plate as described above.
この発明に係る配線導体の形成方法において、レーザー光は、パルス幅がフェムト秒(1ピコ秒未満)であるレーザー光(以下、「フェムト秒レーザー光」と言う。)であることが好ましい。この場合、レーザー光照射工程において、レーザー光の焦点は、基材上に合わされることが好ましい。 In the method for forming a wiring conductor according to the present invention, the laser light is preferably laser light having a pulse width of femtosecond (less than 1 picosecond) (hereinafter referred to as “femtosecond laser light”). In this case, it is preferable that the laser beam is focused on the substrate in the laser beam irradiation step.
この発明に係る配線導体の形成方法において、溝を除く基材の表面上に残存している金属膜を除去する工程をさらに備えることが好ましい。 In the method for forming a wiring conductor according to the present invention, it is preferable to further include a step of removing the metal film remaining on the surface of the base material excluding the groove.
この発明は、また、上記の形成方法によって形成された配線導体を備える、配線基板にも向けられる。 The present invention is also directed to a wiring board including a wiring conductor formed by the above-described forming method.
この発明によれば、レーザー光照射時のアブレーションによる、金属膜を構成する金属の飛散が、飛散防止層によって抑制されるので、配線導体を十分な膜厚をもって安定して形成することができる。 According to the present invention, since the scattering of the metal constituting the metal film due to the ablation at the time of laser light irradiation is suppressed by the scattering preventing layer, the wiring conductor can be stably formed with a sufficient film thickness.
上述の飛散防止層がガラス板のような固体の板から構成される場合であって、金属膜が導電性ペースト膜によって与えられる場合、導電性ペースト膜を構成する導電性ペーストが乾燥する前に飛散防止層となる固体の板を導電性ペースト膜上に置くようにすれば、導電性ペースト膜と飛散防止層とを容易に密着状態とすることができる。そして、このように飛散防止層を金属膜に密着させると、飛散防止層による金属の飛散抑制効果がより高められる。 When the above-mentioned scattering prevention layer is formed of a solid plate such as a glass plate, and the metal film is provided by a conductive paste film, the conductive paste constituting the conductive paste film is dried before drying. If a solid plate serving as a scattering prevention layer is placed on the conductive paste film, the conductive paste film and the scattering prevention layer can be easily brought into close contact with each other. And if the scattering prevention layer is adhered to the metal film in this way, the metal scattering suppressing effect by the scattering prevention layer is further enhanced.
同様に、金属膜上に液体を付与し、その上に固体の板を置くなどして、固体の板と金属膜との隙間に液体が充填されるようにしても、飛散防止層と金属膜との密着性が高まり、飛散防止層による金属の飛散抑制効果が高められる。 Similarly, even if a liquid is applied on the metal film and a solid plate is placed on the metal film to fill the gap between the solid plate and the metal film, the anti-scattering layer and the metal film And the metal scattering suppression effect by the scattering prevention layer is enhanced.
この発明において、レーザー光として、フェムト秒レーザー光が用いられると、所望の領域にレーザー光のエネルギーを集中させることができるとともに、エネルギー量の調整を良好な精度をもって行なうことができるので、高いパターン精度および深さ精度をもって基材に溝を形成することができ、そのため、溝に埋め込まれた状態の配線パターンのパターン精度および厚み精度を高くすることができる。したがって、配線導体の線幅の細線化および線厚の増大を図ることが容易である。 In the present invention, when femtosecond laser light is used as the laser light, the energy of the laser light can be concentrated in a desired region and the amount of energy can be adjusted with good accuracy. The groove can be formed in the substrate with high accuracy and depth accuracy, and therefore the pattern accuracy and thickness accuracy of the wiring pattern embedded in the groove can be increased. Therefore, it is easy to reduce the line width of the wiring conductor and increase the line thickness.
上述のように、フェムト秒レーザー光が用いられる場合、レーザー光照射工程において、レーザー光の焦点が基材上に合わされると、基材への溝形成に使用されるエネルギーを金属膜の溶融に使用されるエネルギーより大きくすることができる。したがって、たとえばSi、サファイア、アルミナといった高融点材料からなる基材に配線導体を形成する場合のように、溝形成のために比較的大きなエネルギーを必要とする場合であっても、金属膜の蒸散に費やされるエネルギーを低減することができる。 As described above, when femtosecond laser light is used, when the laser light is focused on the base material in the laser light irradiation step, the energy used to form grooves in the base material is used to melt the metal film. Can be greater than the energy used. Therefore, even when a relatively large energy is required for forming the groove, such as when a wiring conductor is formed on a base material made of a high melting point material such as Si, sapphire, or alumina, the transpiration of the metal film is performed. It is possible to reduce the energy spent on
この発明において、溝を除く基材の表面上に残存している金属膜を除去する工程をさらに備えていると、基材上に、予め所望のパターンをもって金属膜を形成しなくても、レーザー光による描画のみで配線導体に所望のパターンを与えることができる。 In the present invention, if the method further comprises the step of removing the metal film remaining on the surface of the base material excluding the groove, the laser can be formed without forming a metal film with a desired pattern in advance on the base material. A desired pattern can be given to the wiring conductor only by drawing with light.
図1(6)に示すように、基材1には、埋め込み状態の配線導体2が形成されている。以下に、図1(1)〜(6)を順次参照して、基材1に配線導体2を形成する方法について説明する。
As shown in FIG. 1 (6), a
まず、図1(1)に示すように、基材1が用意される。基材1としては、たとえば、アルミナ等のセラミック基板、セラミックの焼成前のグリーンシート、ポリイミド等の有機樹脂基板、Si、サファイア等の単結晶基板、またはステンレス鋼等の金属基板を用いることができる。基材1は、以後の工程を進めるにあたって、たとえば、プラズマアッシングによって、あるいは、アセトン、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール等の有機溶剤によって表面洗浄が行なわれることが好ましい。
First, as shown in FIG. 1 (1), a
次に、同じく図1(1)に示すように、基材1上に金属膜3が形成される。金属膜3を構成する金属としては、たとえば、Au、Ag、Cu、Ni、Fe、Al、Cr、Co、Ta、W、Ti、Pd、Ptなど、種類を問うものではなく、いずれの金属をも用いることができる。金属膜3の形成方法としては、CVD法(化学的気相法)、スパッタリング法、蒸着法、めっき法のほか、金属膜3の形成のために、導電性金属粉末、バインダおよび溶剤を含む導電性ペーストが用いられる場合には、印刷法、インクジェット法、スピンコート法などの塗布方法を用いることができる。形成される金属膜3の厚みは、金属の種類や後述するレーザー光の出力によって最適値が異なるが、概ね1μm〜100μm程度であることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 1 (1), a
次に、図1(2)に示すように、飛散防止層4が金属膜3上に形成される。飛散防止層4は、レーザー光透過性を有するものであるが、レーザー光の減衰率は50%以下であることが好ましい。また、飛散防止層4は、レーザー光照射による熱によって蒸発しないものであることが好ましい。飛散防止層4は、典型的には、ガラス板のような固体の板から構成される。前述したように、金属膜3が導電性ペーストを基材1上に塗布することによって形成された導電性ペースト膜によって与えられる場合、この導電性ペースト膜を構成する導電性ペーストが乾燥する前に飛散防止層4となる固体の板を導電性ペースト膜上に置くようにすることが好ましい。これによって、飛散防止層4と金属膜3との密着性を高めることができるためである。
Next, as shown in FIG. 1 (2), a
また、飛散防止層4として固体の板が用いられる場合、固体の板と金属膜3との隙間に充填されるための液体を付与することによって、固体の板と金属膜3との密着性を高めるようにしてもよい。たとえば、金属膜3が形成された後、その上に液体が付与され、その後、飛散防止層4となる固体の板が置かれる。この実施形態が採用されると、金属膜3が導電性ペースト膜によって与えられる場合には、導電性ペースト膜を構成する導電性ペーストはすでに乾燥した状態にあっても、未乾燥の状態にあってもよい。また、金属膜3は、前述したように、CVD法、スパッタリング法、蒸着法、めっき法などによって形成されたものであってもよい。
Further, when a solid plate is used as the
また、飛散防止層4は、前述した飛散防止層4としての条件を満たす限り、液体のみによって与えられてもよい。
Further, the
次に、図1(3)に示すように、金属膜3の上方から基材1に向かう方向に、レーザー光5が飛散防止層4を通して照射される。これによって、図1(4)に示すように、基材1におけるレーザー光5が照射された箇所において、アブレーションにより基材1の材料が蒸発し、その結果、溝6が形成される。これと同時に、金属膜3を構成していた金属がレーザー光5の照射で発生する熱によって溶融し、この溶融した金属が溝6を充填する。そして、この金属が冷却・固化したとき、溝6に沿って配線導体2が形成される。
Next, as shown in FIG. 1 (3), the
上述したレーザー光照射工程において、飛散防止層4は、金属膜3を構成する金属の、レーザー光5の照射による飛散を防止するように作用する。
In the laser light irradiation process described above, the
上述したレーザー光5の種類、周波数、パルス幅などの条件は、基材1にアブレーションによって溝6が形成され、かつ金属膜3を構成する金属が熱で溶融する範囲に設定される。また、レーザー光5の出力(エネルギー)は、基材1をアブレーション加工できるものを下限値とし、金属膜3が実質的に蒸散されないものを上限とするように設定される。
The conditions such as the type, frequency, and pulse width of the
また、上述の工程において、レーザー光5としては、YAGレーザー光、CO2レーザー光、エキシマレーザー光、ファイバーレーザー光等、その種類は限定されないが、特にフェムト秒レーザー光が用いられることが好ましい。フェムト秒レーザー光によれば、所望の領域にレーザー光5のエネルギーを集中させることができるとともに、エネルギー量の調整を良好な精度をもって行なうことができるからである。
In the above-described process, the
フェムト秒レーザー光が用いられる場合、レーザー光5の焦点は、基材1上に合わされることが好ましい。これによって、基材1に溝6を形成するために使用されるエネルギーを金属膜3の溶融に使用されるエネルギーよりも大きくすることができる。すなわち、基材1においてアブレーションがより発現しやすくなり、他方、焦点がずれた金属膜3にあっては、エネルギーが集中しないため、アブレーションではなく、熱溶融がより発現しやすくなる。そのため、溝6の形成に比較的大きなエネルギーを必要とするSi、サファイア、アルミナといった高融点材料から基材1が構成されていても、溝6を能率的に形成することができるとともに、金属膜3を構成する金属を実質的に蒸散させることなく、能率的に溶融させ、溝6へと充填させることができる。
When femtosecond laser light is used, the
次に、図1(5)に示すように、飛散防止層4が除去され、次いで、図1(6)に示すように、溝6を除く基材1の表面上に残存している金属膜3が除去される。金属膜3が導電性ペースト膜からなる場合には、余分な金属膜3は有機溶剤によって簡単に除去することができる。この場合、溝6内に埋設された配線導体2は、焼結した状態となっているので溶剤によって除去されることはない。また、このように溶剤による除去が可能であれば、その後の研磨工程が不要となる。なお、飛散防止層4の除去は、残存した金属膜3の除去と同時に行なってもよい。
Next, as shown in FIG. 1 (5), the
このようにして、基材1に配線導体2が形成される。基材1が、たとえば配線基板の少なくとも一部をなすものである場合、上述の工程を終えたとき、配線導体2を備える配線基板が得られる。
In this way, the
以上、この発明を、図1に示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。 Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in FIG. 1, various other modifications are possible within the scope of the present invention.
たとえば、金属膜3を基材1上に形成する工程において、図示した実施形態では、基材1の一方主面上のほぼ全面にわたって形成されたが、配線導体2の形成が予定された領域にのみ金属膜3が形成されてもよい。このようにすれば、配線導体2の形成のために消費される金属材料の節減を図ることができる。
For example, in the step of forming the
次に、この発明に従って実施した実施例について説明する。 Next, examples carried out according to the present invention will be described.
まず、基材として、Si基板(フェローテック社製・厚み0.38mm)を用いた。そして、このSi基板をイソプロピルアルコールにより表面洗浄した。 First, a Si substrate (manufactured by Ferrotec Co., Ltd., thickness 0.38 mm) was used as a base material. Then, the surface of this Si substrate was cleaned with isopropyl alcohol.
次に、Si基板上に、ナミックス社製Agナノペースト(粘度20Pa・s)をスピンコート装置(1000rpm・30秒間)で塗布し、厚み約10μmの導電性ペーストからなる金属膜を得た。 Next, Ag nano paste (viscosity 20 Pa · s) manufactured by Namics Co., Ltd. was applied on the Si substrate with a spin coater (1000 rpm · 30 seconds) to obtain a metal film made of a conductive paste having a thickness of about 10 μm.
次に、上記金属膜を構成する導電性ペーストの乾燥後、飛散防止層となるMatsunami Glass 社製カバーガラス(厚み0.15mm)を金属膜上に置いた。 Next, after drying the conductive paste constituting the metal film, a cover glass (thickness 0.15 mm) made by Matsunami Glass, which becomes a scattering prevention layer, was placed on the metal film.
次に、金属膜の上方からカバーガラスを通してフェムト秒レーザー光を照射した。このフェムト秒レーザー光としては、繰り返し周波数が1kHz、波長が800nmおよび出力が10mWのものを用い、基材上に焦点を合わせるとともに、走査速度0.1mm/秒に設定した。このレーザー光の照射によって、Si基板上での溝の形成、溝への金属の充填、および金属の焼結が同時に完了した。 Next, femtosecond laser light was irradiated from above the metal film through the cover glass. As the femtosecond laser beam, one having a repetition frequency of 1 kHz, a wavelength of 800 nm, and an output of 10 mW was used, and the focus was set on the base material, and the scanning speed was set to 0.1 mm / second. By this laser light irradiation, formation of grooves on the Si substrate, filling of the grooves with metal, and metal sintering were completed at the same time.
次に、カバーガラスを除去し、次いで、Si基板をアセトンに浸漬し、さらに超音波洗浄することによって、溝以外の部分に残存している余分なペーストを除去した。これによって、Si基板に所望の配線導体を形成した。 Next, the cover glass was removed, and then the Si substrate was dipped in acetone and further subjected to ultrasonic cleaning to remove excess paste remaining in portions other than the grooves. Thus, a desired wiring conductor was formed on the Si substrate.
次に、配線導体の断面部分を電子顕微鏡にて観察し、配線導体の厚みT(図1(6)参照)を求めた。なお、厚みTとしては、配線導体の基材表面からの突出高さを測定した。その結果が後の表1に示されている。 Next, the cross-sectional part of the wiring conductor was observed with an electron microscope, and the thickness T of the wiring conductor (see FIG. 1 (6)) was obtained. In addition, as thickness T, the protrusion height from the base-material surface of a wiring conductor was measured. The results are shown in Table 1 below.
実施例2は、実施例1と比較して、飛散防止層を液体のみから構成し、この液体として、導電性ペーストに含まれる溶剤(テキサノール)を用いた点で異なる。その他の点については、実施例1の場合と同様にして、配線導体を形成し、配線導体の厚みTを求めた。その結果も表1に示されている。 Example 2 is different from Example 1 in that the anti-scattering layer is composed of only a liquid, and a solvent (texanol) contained in the conductive paste is used as the liquid. For other points, the wiring conductor was formed in the same manner as in Example 1, and the thickness T of the wiring conductor was determined. The results are also shown in Table 1.
実施例3は、実施例1と比較して、飛散防止層となるカバーガラスを金属膜上に置く前に、実施例2で用いた溶剤(テキサノール)を金属膜上に付与し、その上に、カバーガラスを置いた点で異なる。その他の点については、実施例1の場合と同様にして、配線導体を形成し、配線導体の厚みTを求めた。その結果も表1に示されている。 In Example 3, as compared with Example 1, before placing the cover glass serving as the anti-scattering layer on the metal film, the solvent (texanol) used in Example 2 was applied on the metal film, on which The difference is that a cover glass is placed. For other points, the wiring conductor was formed in the same manner as in Example 1, and the thickness T of the wiring conductor was determined. The results are also shown in Table 1.
実施例4は、実施例1と比較して、飛散防止層となるカバーガラスを金属膜上に置く段階では、金属膜を構成する導電性ペーストを乾燥させずに未乾燥の状態としておき、カバーガラスを未乾燥の導電性ペースト膜上に置いた点で異なる。その他の点については、実施例1の場合と同様にして、配線導体を形成し、配線導体の厚みTを求めた。その結果も表1に示されている。 In Example 4, as compared with Example 1, in the stage where the cover glass serving as a scattering prevention layer is placed on the metal film, the conductive paste constituting the metal film is left in an undried state without being dried. The difference is that the glass is placed on an undried conductive paste film. For other points, the wiring conductor was formed in the same manner as in Example 1, and the thickness T of the wiring conductor was determined. The results are also shown in Table 1.
表1からわかるように、実施例2は実施例1より、実施例3は実施例2より、実施例4は実施例3より優れた結果が得られている。 As can be seen from Table 1, Example 2 is superior to Example 1, Example 3 is superior to Example 2, and Example 4 is superior to Example 3.
すなわち、実施例1のように、飛散防止層が固体のカバーガラスのみからなる場合には、金属膜に含まれる金属粒子の粒径が小さいと、金属膜とカバーガラスとの間で金属粒子が飛散するが、実施例2のように、飛散防止層を液体とすることにより、飛散防止層と金属膜表面との密着性が向上し、金属膜に含まれる金属粒子の飛散が効果的に抑制される。その結果、形成された配線導体の厚みTは、実施例1に比べて、実施例2の方がより厚くできる。 That is, as in Example 1, when the anti-scattering layer is composed only of a solid cover glass, if the particle size of the metal particles contained in the metal film is small, the metal particles are between the metal film and the cover glass. As in Example 2, the scattering prevention layer is made liquid so that the adhesion between the scattering prevention layer and the metal film surface is improved, and the scattering of metal particles contained in the metal film is effectively suppressed. Is done. As a result, the thickness T of the formed wiring conductor can be made thicker in the second embodiment than in the first embodiment.
次に、実施例2の場合には、レーザー光の照射によって、液体からなる飛散防止層自体が多少蒸発することになるが、実施例3のように、その上にカバーガラスを置くことにより、液体を蒸発させたり飛散させたりすることなく、カバーガラスの下に留まらせることができる。その結果、実施例3によれば、配線導体の厚みTを、実施例2よりも厚くすることができる。したがって、実施例3によれば、溝形成に際し高いレーザー出力が要求されるような材料からなる基材であっても対応可能であるといえる。 Next, in the case of Example 2, the scattering prevention layer itself made of a liquid is evaporated to some extent by the irradiation of laser light, but as in Example 3, by placing a cover glass on it, The liquid can remain under the cover glass without evaporating or splashing. As a result, according to the third embodiment, the thickness T of the wiring conductor can be made larger than that of the second embodiment. Therefore, according to Example 3, it can be said that even a base material made of a material that requires a high laser output upon groove formation can be used.
次に、実施例4によれば、金属膜とカバーガラスとの間で最も高い密着性が得られ、また、金属粒子そのものが飛散しにくくなるため、実施例3と比べても、より高い飛散防止効果が得られ、その結果、配線導体の厚みTをより厚くすることができる。また、実施例4によれば、金属膜を構成する導電性ペーストを乾燥させる必要がないため、コストダウンおよび省力化を期待することができる。 Next, according to Example 4, the highest adhesion is obtained between the metal film and the cover glass, and the metal particles themselves are less likely to be scattered. As a result, the thickness T of the wiring conductor can be increased. Moreover, according to Example 4, since it is not necessary to dry the electrically conductive paste which comprises a metal film, cost reduction and labor saving can be anticipated.
1 基材
2 配線導体
3 金属膜
4 飛散防止層
5 レーザー光
6 溝
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記基材上に金属膜を形成する、金属膜形成工程と、
前記金属膜の上方から前記基材に向かう方向に、レーザー光を照射することによって、前記基材の材料を蒸発させながら、前記基材に溝を形成するとともに、前記金属膜を構成していた金属を溶融させながら、溶融した前記金属を前記溝に充填する、レーザー光照射工程と、
前記溝内の溶融した前記金属を冷却・固化する工程と
を備え、さらに、
前記金属膜形成工程の後であって、前記レーザー光照射工程の前に、レーザー光透過性を有する飛散防止層を前記金属膜上に形成する、飛散防止層形成工程を備え、
前記レーザー光照射工程は、前記飛散防止層によって、前記金属膜を構成する金属の、レーザー光の照射による飛散を防止しながら実施される、
配線導体の形成方法。 Preparing a substrate;
Forming a metal film on the substrate, and forming a metal film;
By irradiating a laser beam in a direction from above the metal film toward the base material, the material of the base material was evaporated while forming a groove in the base material, and the metal film was configured. A laser beam irradiation step of filling the groove with the molten metal while melting the metal;
Cooling and solidifying the molten metal in the groove, and
After the metal film forming step, and before the laser light irradiation step, a scattering prevention layer forming step for forming a scattering prevention layer having laser light transmittance on the metal film,
The laser light irradiation step is performed while preventing scattering of the metal constituting the metal film by laser light irradiation by the scattering prevention layer.
A method of forming a wiring conductor.
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JP2009037449A JP2010192786A (en) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | Method of forming wiring conductor, and wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010192786A true JP2010192786A (en) | 2010-09-02 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009037449A Pending JP2010192786A (en) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | Method of forming wiring conductor, and wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010192786A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117253805A (en) * | 2023-11-03 | 2023-12-19 | 浙江晶引电子科技有限公司 | Repeatable high-precision preparation method of flexible film packaging substrate |
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2009
- 2009-02-20 JP JP2009037449A patent/JP2010192786A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN117253805A (en) * | 2023-11-03 | 2023-12-19 | 浙江晶引电子科技有限公司 | Repeatable high-precision preparation method of flexible film packaging substrate |
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