JP2010192117A - Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element having a high light extraction efficiency, and to provide a lighting device, a planar light source and a display device using the organic EL element. <P>SOLUTION: The organic EL element includes a transparent first electrode, a second electrode with different polarity to the first electrode, a luminous layer arranged between the first and the second electrodes, a transparent substrate arranged on the opposite side to the luminous layer side of the first electrode, and a film arranged on the opposite side to the luminous layer side of the transparent substrate. When the refractive index of the first electrode is denoted by n1 and the refractive index of the transparent substrate is denoted by n2, the n1 and n2 respectively satisfy the formula (1), the surface on the opposite side to the transparent substrate side of the film is formed in concavo-convex shape, the haze value of the film is 70% or more, and the total light transmittance of the film is 80% or more. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、並びにこの有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置、面状光源、および表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element and a method for manufacturing the same, and an illumination device, a planar light source, and a display device using the organic electroluminescence element.

有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という場合がある)は、一対の電極と、該電極間に配置される発光層とを含んで構成される。
有機EL素子は電圧を印加することによって発光する。電極間に電圧を印加すると、陽極からは正孔が注入され、陰極からは電子が注入される。素子内に注入された正孔と電子は発光層まで移動し、これらが結合することによって発光する。一対の電極のうちの一方の電極には透明電極が用いられており、発光層から放射される光は、透明電極を通して素子外に出射する。このようにして、素子内部で発生した光は素子外に取出されている。このような透明電極には一般的に酸化インジウムスズ(ITO:Indium Tin Oxide)から成る薄膜が用いられている。
An organic electroluminescence element (hereinafter sometimes referred to as an organic EL element) includes a pair of electrodes and a light emitting layer disposed between the electrodes.
The organic EL element emits light when a voltage is applied. When a voltage is applied between the electrodes, holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode. Holes and electrons injected into the element move to the light emitting layer and emit light when they are combined. A transparent electrode is used as one of the pair of electrodes, and light emitted from the light emitting layer is emitted outside the element through the transparent electrode. In this way, the light generated inside the element is extracted outside the element. For such a transparent electrode, a thin film made of indium tin oxide (ITO) is generally used.

有機EL素子は通常ガラス板などの基板に搭載される。一対の電極のうちの透明電極を基板寄りに配置した有機EL素子では、素子内部で発生した光は、透明電極および支持基板を通して素子外に取出される。しかしながら素子内部で発生した光は、透明電極および基板で反射したり、内部で吸収されたりするため、現状その一部が外に取出されて、利用されているに過ぎない。
光取出し効率が低い場合、素子内部で発生した光の大部分が利用されないことになり、結果として発光効率が低下する。そこで光取出し効率の向上を目的として、透明電極と基板との間に光散乱層を設けた有機EL素子が提案されている(例えば特許文献1参照)。
The organic EL element is usually mounted on a substrate such as a glass plate. In the organic EL element in which the transparent electrode of the pair of electrodes is disposed near the substrate, light generated inside the element is taken out of the element through the transparent electrode and the support substrate. However, since the light generated inside the element is reflected by the transparent electrode and the substrate or absorbed inside, a part of the light is currently taken out and used only.
When the light extraction efficiency is low, most of the light generated inside the device is not used, resulting in a decrease in light emission efficiency. Therefore, for the purpose of improving the light extraction efficiency, an organic EL element in which a light scattering layer is provided between a transparent electrode and a substrate has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

しかしながら上記従来の技術の有機EL素子では、光取出し効率が必ずしも十分ではなく、光取出し効率のさらなる向上が求められている。   However, the organic EL element of the above conventional technique does not necessarily have sufficient light extraction efficiency, and further improvement in light extraction efficiency is required.

特開2007−035550号公報JP 2007-035550 A

本発明は上記従来技術が有する課題に鑑みてなされたものであり、その課題は、光取出し効率の高い有機EL素子およびその製造方法、並びに該有機EL素子を用いた照明装置、面状光源および表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and the problem is that an organic EL element with high light extraction efficiency and a manufacturing method thereof, an illumination device using the organic EL element, a planar light source, and It is to provide a display device.

上述した課題を解決するために、本発明は、下記の構成を採用した有機EL素子およびその製造方法、並びに該有機EL素子を用いた照明装置、面状光源、及び表示装置を提供する。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides an organic EL element adopting the following configuration, a manufacturing method thereof, an illumination device, a planar light source, and a display device using the organic EL element.

[1] 透明な第1電極と、前記第1電極とは極性が異なる第2電極と、前記第1および第2電極の間に配置される発光層と、前記第1電極の前記発光層側とは反対側に配置される透明基板と、前記透明基板の前記発光層側とは反対側に配置されるフィルムと、を含み、前記第1電極の屈折率をn1、前記透明基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2はそれぞれ次式(1) [1] A transparent first electrode, a second electrode having a different polarity from the first electrode, a light emitting layer disposed between the first and second electrodes, and the light emitting layer side of the first electrode A transparent substrate disposed on the opposite side of the transparent substrate, and a film disposed on the opposite side of the transparent substrate to the light emitting layer side, wherein the refractive index of the first electrode is n1, and the refractive index of the transparent substrate Is n2, n1 and n2 are respectively represented by the following formulas (1)

Figure 2010192117
を満たし、
前記フィルムの前記透明基板側とは反対側の表面が凹凸状に形成され、該フィルムのヘイズ値が70%以上であり、かつ該フィルムの全光線透過率が80%以上である有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 2010192117
The filling,
An organic electroluminescence device in which the surface of the film opposite to the transparent substrate is formed in an uneven shape, the haze value of the film is 70% or more, and the total light transmittance of the film is 80% or more .

[2] 前記第1電極が塗布法により形成されたものである、上記[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [2] The organic electroluminescent element according to the above [1], wherein the first electrode is formed by a coating method.

[3] 前記第1電極が、透明の膜本体と、該膜本体中に配置されるワイヤ状の導電体とを含む、上記[1]または[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [3] The organic electroluminescent element according to the above [1] or [2], wherein the first electrode includes a transparent film body and a wire-like conductor disposed in the film body.

[4] 前記ワイヤ状の導電体の径が200nm以下である、上記[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [4] The organic electroluminescent element according to the above [3], wherein the wire-like conductor has a diameter of 200 nm or less.

[5] 前記ワイヤ状の導電体が前記膜本体中において網目構造を構成している、上記[4]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [5] The organic electroluminescence element according to the above [4], wherein the wire-like conductor forms a network structure in the film main body.

[6] 前記膜本体が導電性を有する樹脂を含んでいる、上記[3]〜[5]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [6] The organic electroluminescent element according to any one of [3] to [5], wherein the film main body includes a resin having conductivity.

[7] 前記フィルムの前記透明基板側とは反対側の表面は、複数の凹面が配置されることにより前記凹凸状に形成されている、上記[1]〜[6]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [7] The surface on the opposite side to the transparent substrate side of the film is formed into the uneven shape by arranging a plurality of concave surfaces, and any one of the above [1] to [6] The organic electroluminescent element of description.

[8] 第1電極、第2電極、発光層、透明基板、およびフィルムを設けることにより上記[1]〜[7]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記フィルムを設ける工程では、前記フィルムの厚みが100μm〜200μmの範囲となるように、前記フィルムとなる材料を含む溶液を所定の基台の表面上に塗布し、さらに前記基台の表面上に塗布された溶液を湿度が80%〜90%の雰囲気に保持し、溶液中の溶剤を蒸発させることにより前記フィルムを得る、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 [8] An organic electroluminescence device for producing the organic electroluminescence device according to any one of the above [1] to [7] by providing a first electrode, a second electrode, a light emitting layer, a transparent substrate, and a film. In the method of providing the film, in the step of providing the film, a solution containing the material to be the film is applied on the surface of a predetermined base so that the thickness of the film is in a range of 100 μm to 200 μm. The manufacturing method of the organic electroluminescent element which obtains the said film by hold | maintaining the solution apply | coated on the surface of the said base in 80%-90% of humidity, and evaporating the solvent in a solution.

[9] 上記[1]〜[7]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置。 [9] An illumination device including the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [7].

[10] 上記[1]〜[7]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状光源。 [10] A planar light source comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [7].

[11] 上記[1]〜[7]のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。 [11] A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [7].

なお、本明細書では、「透明基板」、「透明な電極」とは、入射した光の少なくとも一部が透過する基板、電極を意味する。   In this specification, “transparent substrate” and “transparent electrode” mean a substrate or an electrode through which at least part of incident light is transmitted.

本発明の有機EL素子においては、第1電極の屈折率をn1、透明基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2がそれぞれ次式(1)   In the organic EL device of the present invention, when the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the transparent substrate is n2, n1 and n2 are respectively represented by the following formula (1):

Figure 2010192117
を満たし、前記透明基板の光取出し側の表面部にフィルムが設けられ、該フィルムの前記透明基板側とは反対側の表面が凹凸状に形成され、該フィルムのヘイズ値が70%以上であり、かつ該フィルムの全光線透過率が80%以上である。
かかる特徴構成により、素子を構成する各層間の屈折率、および表面部の光学的特性が調整され、光取出し効率が改善される。
したがって、本発明の有機EL素子は、光取出し効率が高く、照明装置、バックライトとしての面状光源、フラットパネルディスプレイ等の表示装置として好ましく使用できる。
Figure 2010192117
And a film is provided on the surface of the transparent substrate on the light extraction side, the surface opposite to the transparent substrate side of the film is formed in an uneven shape, and the haze value of the film is 70% or more And the total light transmittance of this film is 80% or more.
With such a characteristic configuration, the refractive index between the layers constituting the element and the optical characteristics of the surface portion are adjusted, and the light extraction efficiency is improved.
Therefore, the organic EL element of the present invention has high light extraction efficiency, and can be preferably used as a display device such as a lighting device, a planar light source as a backlight, and a flat panel display.

第1実施形態の有機EL素子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the organic EL element of 1st Embodiment. 第2実施形態の有機EL素子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the organic EL element of 2nd Embodiment. 作製例4において作製したフィルムAの断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of the film A produced in the manufacture example 4. FIG. 作製例5に用いたフィルムBの断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of the film B used for the manufacture example 5. FIG. 比較例1において作製したフィルムCの断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of the film C produced in the comparative example 1. FIG.

以下、本発明の有機EL素子をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。なお以下の説明において参照する図中の各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。   Hereinafter, the organic EL element of the present invention will be described in detail according to preferred embodiments thereof. The scale of each member in the drawings referred to in the following description may be different from the actual scale.

本発明の有機EL素子は、透明な第1電極と、前記第1電極とは極性が異なる第2電極と、第1および第2電極の間に配置される発光層と、前記第1電極の前記発光層側とは反対側に配置される透明基板と、前記透明基板の発光層側とは反対側に配置されるフィルムとを含んで構成される。
第1電極の屈折率をn1、前記透明基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2はそれぞれ次式(1)
The organic EL element of the present invention includes a transparent first electrode, a second electrode having a different polarity from the first electrode, a light emitting layer disposed between the first and second electrodes, and the first electrode. A transparent substrate disposed on the side opposite to the light emitting layer side and a film disposed on the side opposite to the light emitting layer side of the transparent substrate are configured.
When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the transparent substrate is n2, n1 and n2 are represented by the following formula (1)

Figure 2010192117
を満たす。また前記フィルムの前記透明基板側とは反対側の表面が凹凸状に形成され、該フィルムのヘイズ値が70%以上であり、かつ該フィルムの全光線透過率が80%以上である。
Figure 2010192117
Meet. Moreover, the surface on the opposite side to the said transparent substrate side of the said film is formed in unevenness | corrugation, the haze value of this film is 70% or more, and the total light transmittance of this film is 80% or more.

[第1実施形態]
本発明の第1実施形態の有機EL素子を図1に示す。なお以下の説明において支持基板1の厚み方向の一方を上方(または上)といい、支持基板1の厚み方向の他方を下方(または下)という場合がある。この上下関係は、説明の便宜のために設定したもので、実際に有機EL素子が製造される工程および使用される状況に必ずしも適用されるものではない。
[First Embodiment]
The organic EL element of 1st Embodiment of this invention is shown in FIG. In the following description, one side in the thickness direction of the support substrate 1 may be referred to as upper (or upper), and the other in the thickness direction of the support substrate 1 may be referred to as lower (or lower). This hierarchical relationship is set for convenience of explanation, and is not necessarily applied to the process of actually manufacturing the organic EL element and the situation in which it is used.

有機EL素子は、透明な支持基板(透明基板)1と、該支持基板1上に設けられる発光機能部と、支持基板1の発光機能部側とは反対側に配置されるフィルム9とを含んで構成される。発光機能部は、透明な陽極(透明な第1電極)2と、陰極(第2電極)4と、該一対の電極に挟持される発光部3とを含んで構成される。本実施形態では陽極2が支持基板1に接するようにして発光機能部が支持基板1に設けられる。
有機EL素子は通常、発光機能部を封止する封止基板5が設けられる。発光機能部は、上記封止基板5と前記支持基板1とに挟持され、さらにその側面が不図示の樹脂に覆われることにより気密に封止される。
発光部3は、発光層7と、陽極(透明な第1電極)2と発光層7との間に必要に応じて設けられる層6と、発光層7と陰極(第2電極)4との間に必要に応じて設けられる層8とから構成されている。
The organic EL element includes a transparent support substrate (transparent substrate) 1, a light emitting function portion provided on the support substrate 1, and a film 9 disposed on the opposite side of the support substrate 1 from the light emission function portion side. Consists of. The light emitting function unit includes a transparent anode (transparent first electrode) 2, a cathode (second electrode) 4, and a light emitting unit 3 sandwiched between the pair of electrodes. In the present embodiment, the light emitting function unit is provided on the support substrate 1 so that the anode 2 is in contact with the support substrate 1.
The organic EL element is usually provided with a sealing substrate 5 that seals the light emitting function part. The light emitting functional unit is sandwiched between the sealing substrate 5 and the support substrate 1 and is further hermetically sealed by covering a side surface thereof with a resin (not shown).
The light emitting unit 3 includes a light emitting layer 7, a layer 6 provided as necessary between the anode (transparent first electrode) 2 and the light emitting layer 7, and the light emitting layer 7 and the cathode (second electrode) 4. It is comprised from the layer 8 provided between them as needed.

上記構成の第1実施形態の有機EL素子では、発光層7から放射される光は、陽極2、支持基板1、フィルム9を通して素子外に出射する。   In the organic EL element of the first embodiment having the above-described configuration, light emitted from the light emitting layer 7 is emitted outside the element through the anode 2, the support substrate 1, and the film 9.

以下では本発明の特徴的な構成要素である第1電極2と透明な支持基板1との間の物性上の関係についてまず説明し、次にフィルム9の構成およびその特性について説明する。その後に有機EL素子の他の構成要素について説明する。   Below, the physical relationship between the 1st electrode 2 and the transparent support substrate 1 which is the characteristic component of this invention is demonstrated first, and the structure of the film 9 and its characteristic are demonstrated. Thereafter, other components of the organic EL element will be described.

(透明な第1電極と透明基板との関係)
第1電極2の屈折率をn1、透明基板(支持基板1)の屈折率をn2とすると、n1およびn2は、それぞれ前述の次式(1)を満たす。
(Relationship between transparent first electrode and transparent substrate)
Assuming that the refractive index of the first electrode 2 is n1 and the refractive index of the transparent substrate (supporting substrate 1) is n2, n1 and n2 satisfy the following equation (1), respectively.

(透明基板)
透明な支持基板1は、可視光領域の光の透過率が高く、また有機EL素子を形成する工程において変化しないものが好適に用いられ、リジッド基板でも、フレキシブル基板でもよい。支持基板1には例えば、ガラス板、プラスチック板、高分子フィルムおよびシリコン板、並びにこれらを積層した積層板などが好適に用いられる。
(Transparent substrate)
As the transparent support substrate 1, one having a high light transmittance in the visible light region and not changing in the step of forming the organic EL element is preferably used, and may be a rigid substrate or a flexible substrate. For example, a glass plate, a plastic plate, a polymer film and a silicon plate, and a laminated plate obtained by laminating these are suitably used for the support substrate 1.

なお支持基板1としては、例示した部材のうちで、第1電極2との屈折率の差の絶対値(|n2−n1|)が0.4未満の屈折率を示す部材が適宜用いられる。   As the support substrate 1, among the exemplified members, a member having a refractive index with a refractive index difference (| n2−n1 |) of less than 0.4 is appropriately used among the first electrodes 2.

(透明な第1電極)
第1電極2は、上記式(1)に示すように屈折率n1が1.8以下である。また第1電極2は、可視光領域の光透過率が80%以上であることが好ましく、また体積抵抗率が1Ω・cm以下であることが好ましく、また表面粗さが100nm以下であることが好ましい。面粗さRaが100nm以下の平坦な第1電極2に発光部3を成膜する場合、各層における膜厚のばらつきを抑制することができ、また突起などに起因する短絡を防ぐことができる。
(Transparent first electrode)
As shown in the above formula (1), the first electrode 2 has a refractive index n1 of 1.8 or less. The first electrode 2 preferably has a light transmittance in the visible light region of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less. preferable. When the light emitting portion 3 is formed on the flat first electrode 2 having a surface roughness Ra of 100 nm or less, variations in film thickness in each layer can be suppressed, and a short circuit caused by a protrusion or the like can be prevented.

成膜の容易さの観点からは、第1電極2は、透明の膜本体と、膜本体中に配置されるワイヤ状の導電体とを含んで構成されることが好ましい。透明の膜本体は、可視光領域の光透過率が高いものが好適に用いられ、樹脂や無機ポリマー、無機−有機ハイブリッド化合物などを含んで構成される。透明の膜本体としては、樹脂の中でも導電性を有する樹脂が好適に用いられる。このようにワイヤ状の導電体に加えて、導電性を有する膜本体を用いることによって、第1電極2の低電気抵抗化(以下、電気抵抗を略して抵抗という場合がある)を図ることができる。このように第1電極2の抵抗を小さくすることによって、透明な第1電極2での電圧降下を抑制し、有機EL素子の低電圧駆動を実現するとともに、輝度ムラを抑制することができる。   From the viewpoint of easiness of film formation, the first electrode 2 is preferably configured to include a transparent film main body and a wire-like conductor disposed in the film main body. As the transparent film main body, one having a high light transmittance in the visible light region is preferably used, and includes a resin, an inorganic polymer, an inorganic-organic hybrid compound, and the like. As the transparent film body, a resin having conductivity among the resins is preferably used. Thus, in addition to the wire-like conductor, the electrical resistance of the first electrode 2 can be reduced (hereinafter, the electrical resistance may be abbreviated as resistance) by using the conductive film body. it can. By reducing the resistance of the first electrode 2 in this way, it is possible to suppress a voltage drop at the transparent first electrode 2, realize low voltage driving of the organic EL element, and suppress luminance unevenness.

第1電極2の膜厚は、電気抵抗および可視光の透過率などによって適宜設定される。第1電極2の膜厚は、例えば0.03μm〜10μmであり、好ましくは0.05μm〜1μmである。   The film thickness of the first electrode 2 is appropriately set depending on the electrical resistance, the visible light transmittance, and the like. The film thickness of the first electrode 2 is, for example, 0.03 μm to 10 μm, preferably 0.05 μm to 1 μm.

ワイヤ状の導電体は、径の小さいものが好ましい。ワイヤ状の導電体としては、例えば径が400nm以下のものが用いられ、径が200nm以下のものが好適に用いられ、径が100nm以下のものがさらに好ましい。膜本体に配置されるワイヤ状の導電体は、第1電極2を通る光を回折または散乱するので、このワイヤ状の導電体を配置することによって第1電極2のヘイズ値が高くなり、光の透過率が低下するが、可視光の波長程度または可視光の波長よりも小さい径のワイヤ状の導電体を用いることによって、可視光に対するヘイズ値を低く抑えるとともに、光の透過率を向上させることができる。また、ワイヤ状の導電体の径は、小さすぎると抵抗が高くなるので、その径は10nm以上が好ましい。   The wire-like conductor preferably has a small diameter. As the wire-like conductor, for example, those having a diameter of 400 nm or less are used, those having a diameter of 200 nm or less are suitably used, and those having a diameter of 100 nm or less are more preferable. Since the wire-like conductor disposed on the film body diffracts or scatters the light passing through the first electrode 2, the haze value of the first electrode 2 is increased by arranging this wire-shaped conductor, and the light However, by using a wire-like conductor having a diameter that is about the wavelength of visible light or smaller than the wavelength of visible light, the haze value for visible light is kept low and the light transmittance is improved. be able to. Moreover, since resistance will become high when the diameter of a wire-like conductor is too small, the diameter is preferably 10 nm or more.

なお照明装置などのように広い範囲を照らす光源が求められる場合もある。そのため第1電極2のヘイズ値はある程度高い方が拡散機能を付与することも可能となるので、第1電極2のヘイズ値としては高い方が好ましい場合もある。したがって第1電極2の光学的特性は、有機EL素子が用いられる装置に応じて適宜設定される。   In some cases, a light source that illuminates a wide range, such as a lighting device, is required. For this reason, a higher haze value of the first electrode 2 can impart a diffusion function. Therefore, a higher haze value of the first electrode 2 may be preferable. Therefore, the optical characteristics of the first electrode 2 are appropriately set according to the device in which the organic EL element is used.

膜本体中に配置されるワイヤ状の導電体は、1本でも、複数本でもよく、膜本体中において網目構造を形成していることが好ましい。例えば膜本体中において、1本または複数のワイヤ状の導電体は、膜本体の全体に渡って複雑に絡み合うことにより網目構造を形成している。具体的には1本のワイヤ状の導電体が複雑に絡み合った構造、または複数本のワイヤ状の導電体が互いに接触し合って配置された構造が、2次元的または3次元的に広がって網目構造を形成している。このようにワイヤ状の導電体が網目構造を形成することによって、第1電極2の体積抵抗率を下げることができる。
またワイヤ状の導電体は、一部が第1電極2の発光部3側の表面部に配置されていることが好ましい。このようにワイヤ状の導電体を配置することによって、第1電極2の表面部の抵抗を下げることができる。
ワイヤ状の導電体は、例えば曲線状でも針状でもよい。曲線状及び/又は針状の導電体が互いに接触し合って網目構造を形成することによって、体積抵抗率の低い第1電極2を実現することができる。
There may be one or a plurality of wire-like conductors arranged in the membrane body, and it is preferable that a network structure is formed in the membrane body. For example, in the membrane body, one or a plurality of wire-like conductors form a network structure by being intertwined in a complicated manner throughout the membrane body. Specifically, a structure in which one wire-like conductor is intertwined in a complicated manner or a structure in which a plurality of wire-like conductors are arranged in contact with each other spreads two-dimensionally or three-dimensionally. A network structure is formed. Thus, when the wire-like conductor forms a network structure, the volume resistivity of the first electrode 2 can be lowered.
Moreover, it is preferable that a part of the wire-like conductor is disposed on the surface portion of the first electrode 2 on the light emitting portion 3 side. By arranging the wire-like conductor in this way, the resistance of the surface portion of the first electrode 2 can be lowered.
The wire-like conductor may be, for example, a curved shape or a needle shape. The first electrode 2 having a low volume resistivity can be realized by forming a network structure by contacting curved and / or needle-shaped conductors with each other.

(ワイヤ状の導電体の材料)
ワイヤ状の導電体の材料としては、例えばAg、Au、Cu、Alおよびこれらの合金などの抵抗の低い金属が好適に用いられる。ワイヤ状の導電体は、例えばN.R.Jana, L.Gearheart and C.J.Murphyによる方法(Chm.Commun.,2001, p617-p618)や、C.Ducamp-Sanguesa, R.Herrera-Urbina, and M.Figlarz等による方法(J. Solid State Chem.,Vol.100, 1992, p272〜p280)によって製造することができる。
(Wire-like conductor material)
As a material for the wire-like conductor, for example, a low resistance metal such as Ag, Au, Cu, Al, and alloys thereof is preferably used. Wire-like conductors are, for example, a method by NRJana, L. Gearheart and CJMurphy (Chm. Commun., 2001, p617-p618), a method by C. Ducamp-Sanguesa, R. Herrera-Urbina, and M. Figlarz, etc. (J. Solid State Chem., Vol. 100, 1992, p272-p280).

(透明な第1電極の成膜方法)
第1電極2を成膜する方法としては、例えばワイヤ状の導電体を樹脂に練り込むことによって、ワイヤ状の導電体を樹脂に分散させる方法、ワイヤ状の導電体と樹脂とを分散媒に分散させた分散液を塗布液として用いる塗布法によって成膜化する方法、およびワイヤ状の導電体を樹脂から成る膜の表面にコーティングし、導電体を膜中に分散させる方法などを挙げることができる。
(Method for forming transparent first electrode)
As a method for forming the first electrode 2, for example, a method in which a wire-like conductor is dispersed in a resin by kneading the wire-like conductor in a resin, or a wire-like conductor and a resin are used as a dispersion medium. Examples include a method of forming a film by a coating method using the dispersed dispersion as a coating solution, and a method of coating a wire-like conductor on the surface of a resin film and dispersing the conductor in the film. it can.

なお第1電極2には必要に応じて界面活性剤や酸化防止剤などの各種添加剤を加えてもよい。また屈折率、透光率および電気抵抗などの第1電極2に求められる諸特性に基づいて樹脂の種類は適宜選ばれる。
同様にワイヤ状の導電体を分散させる量は、第1電極2の電気抵抗、ヘイズ値および透光率などに影響するので、第1電極2に求められる諸特性に応じて適宜設定される。
In addition, you may add various additives, such as surfactant and antioxidant, to the 1st electrode 2 as needed. Moreover, the kind of resin is suitably selected based on various characteristics calculated | required by the 1st electrode 2, such as a refractive index, light transmittance, and electrical resistance.
Similarly, the amount in which the wire-like conductor is dispersed affects the electrical resistance, haze value, translucency, and the like of the first electrode 2, and is appropriately set according to various characteristics required for the first electrode 2.

本実施形態の第1電極2は、導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を、前記支持基板1の表面に塗布し、さらにこの塗膜を硬化することによって得られる。   The first electrode 2 of the present embodiment is obtained by applying a dispersion liquid in which a conductive wire-like conductor is dispersed in a dispersion medium to the surface of the support substrate 1 and further curing the coating film. It is done.

分散液は、ワイヤ状の導電体と樹脂とを分散媒に分散させることによって調製される。分散媒としては、樹脂を溶解するものが好ましく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒を挙げることができる。   The dispersion is prepared by dispersing a wire-like conductor and a resin in a dispersion medium. As the dispersion medium, those that dissolve the resin are preferable. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone And ester solvents such as solvent, ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate.

また樹脂としては、例えば低密度または高密度のポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体、エチレン−ドモン共重合体、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂などのポリオレフィン系樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル系樹脂;ナイロン−6、ナイロン−6,6、メタキシレンジアミン−アジピン酸縮重合体;ポリメチルメタクリルイミドなどのアミド系樹脂;ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂;ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリルなどのスチレン−アクリロニトリル系樹脂;トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロースなどの疎水化セルロース系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどのハロゲン含有樹脂;ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体などの水素結合性樹脂;ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂などのエンジニアリングプラスチック系樹脂などが挙げられる。   Examples of the resin include low density or high density polyethylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, ethylene-octene copolymer, ethylene-norbornene copolymer, ethylene. -Polyolefin resins such as domon copolymer, polypropylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ionomer resin; polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate; nylon- 6, Nylon-6,6, Metaxylenediamine-Adipic acid condensation polymer; Amide resin such as polymethylmethacrylamide; Acrylic resin such as polymethylmethacrylate; Polystyrene, Styrene-acrylonite Copolymer, styrene-acrylonitrile-butadiene copolymer, styrene-acrylonitrile resins such as polyacrylonitrile; hydrophobic cellulose resins such as cellulose triacetate and cellulose diacetate; polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinylidene fluoride Halogen-containing resins such as polytetrafluoroethylene; hydrogen-bonding resins such as polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl alcohol copolymers and cellulose derivatives; polycarbonate resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyetheretherketone resins, polyphenylene Examples thereof include engineering plastic resins such as oxide resins, polymethylene oxide resins, polyarylate resins, and liquid crystal resins.

例示した樹脂の中でも、導電性を有する樹脂が好適に用いられ、導電性を有する樹脂としては、例えばポリアニリン、ポリチオフェンの誘導体などが挙げられる。   Among the exemplified resins, a resin having conductivity is preferably used, and examples of the resin having conductivity include polyaniline and polythiophene derivatives.

第1電極2の屈折率は、樹脂などによって構成される膜本体の屈折率によって主に決まる。この膜本体の屈折率は用いる樹脂の種類によって主に決まるので、例えば用いる樹脂の種類を適宜選択することによって、意図する屈折率を示す第1電極2を容易に形成することができる。   The refractive index of the first electrode 2 is mainly determined by the refractive index of the film body made of resin or the like. Since the refractive index of the film main body is mainly determined by the type of resin used, the first electrode 2 having the intended refractive index can be easily formed by appropriately selecting the type of resin used.

なお感光性フォトレジストに用いられる感光性材料および光硬化性モノマーに、ワイヤ状の導電体を分散させた液体を分散液として用いれば、フォトリソグラフィによって所定のパターン形状を有する第1電極2を容易に形成することができる。   If a liquid in which a wire-like conductor is dispersed in a photosensitive material and a photocurable monomer used for a photosensitive photoresist is used as a dispersion, the first electrode 2 having a predetermined pattern shape can be easily formed by photolithography. Can be formed.

第1電極2としては、有機EL素子を形成する工程において加熱される温度で変形しないものが好ましい。そのため第1電極2を構成する樹脂としては、ガラス転移点Tgが、150℃以上のものが好ましく、180℃以上のものがより好ましく、200℃以上のものがさらに好ましい。このような樹脂としては、例えばガラス転移点Tgが230℃のポリエーテルサルホンや高耐熱性フォトレジスト材料などを挙げることができる。   As the 1st electrode 2, what does not deform | transform at the temperature heated in the process of forming an organic EL element is preferable. Therefore, the resin constituting the first electrode 2 preferably has a glass transition point Tg of 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, and further preferably 200 ° C. or higher. Examples of such a resin include polyether sulfone having a glass transition point Tg of 230 ° C. and a high heat resistant photoresist material.

ワイヤ状の導電体の分散量、並びに必要に応じて分散液に混入されるバインダーおよび添加剤などは、第1電極2に求められる諸特性および成膜の容易性などに応じて適宜設定および選択することができる。   The dispersion amount of the wire-like conductor, and the binder and additive mixed in the dispersion liquid as necessary are appropriately set and selected according to various characteristics required for the first electrode 2 and ease of film formation. can do.

ワイヤ状の導電体を分散した分散液の塗布方法としては、ディッピング法、バーコータによるコーティング法、スピンコータによるコーティング法、ドクターブレード法、噴霧塗布法、スクリーンメッシュ印刷法、刷毛塗り、吹き付け、ロールコーティング等の工業的に通常用いられている方法を挙げることができる。なお熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂を用いる場合には、分散液を塗布した後に、加熱または光照射によって塗膜を硬化させることができる。   As a method of applying the dispersion liquid in which the wire-like conductor is dispersed, dipping method, coating method by bar coater, coating method by spin coater, doctor blade method, spray coating method, screen mesh printing method, brush coating, spraying, roll coating, etc. The methods generally used in the industry can be mentioned. In addition, when using a thermosetting resin and a photocurable resin, after apply | coating a dispersion liquid, a coating film can be hardened by a heating or light irradiation.

なお第1電極2の光透過率はワイヤ状の導電体の重量割合が増えるに従って減少する。第1電極2の光透過率が80%以上となるワイヤ状の導電体の重量割合は、ワイヤの材質や径などに依存するが、概ね30%以下である。また第1電極2の体積抵抗率はワイヤ状の導電体の重量割合が増えるに従って減少する。第1電極2の体積抵抗率が1Ω・cm以下となるワイヤ状の導電体の重量割合は、ワイヤの材質や径などに依存するが、10−3%以上であり、抵抗率10−3Ω・cm以下となるのは概ね1%以上である。 The light transmittance of the first electrode 2 decreases as the weight ratio of the wire-like conductor increases. The weight ratio of the wire-like conductor at which the light transmittance of the first electrode 2 is 80% or more depends on the material and diameter of the wire, but is generally 30% or less. Further, the volume resistivity of the first electrode 2 decreases as the weight ratio of the wire-like conductor increases. The weight ratio of the wire-like conductor in which the volume resistivity of the first electrode 2 is 1 Ω · cm or less depends on the material and diameter of the wire, but is 10 −3 % or more, and the resistivity is 10 −3 Ω.・ It is approximately 1% or more to be cm or less.

従来のボトムエミッション型の有機EL素子では、ガラス基板上に形成されたITOが陽極として用いられてきた。ITOの屈折率は2程度であり、ガラス基板の屈折率は1.5程度であり、発光部のITOに接する部分(例えば発光層)の屈折率は1.7程度である。したがって従来のボトムエミッション型の有機EL素子は、屈折率の低いガラス基板と発光層との間に、屈折率の高いITOが介在していた。そのため発光層からの光の一部が、全反射などによってITOで反射されることになり、発光層からの光を効率的に取出すことができなかった。   In a conventional bottom emission type organic EL element, ITO formed on a glass substrate has been used as an anode. The refractive index of ITO is about 2, the refractive index of the glass substrate is about 1.5, and the refractive index of the portion of the light emitting portion in contact with ITO (for example, the light emitting layer) is about 1.7. Therefore, in the conventional bottom emission type organic EL element, ITO having a high refractive index is interposed between the glass substrate having a low refractive index and the light emitting layer. Therefore, a part of the light from the light emitting layer is reflected by ITO due to total reflection or the like, and the light from the light emitting layer cannot be extracted efficiently.

それに対して本実施形態では第1電極2の屈折率n1は前述した式(1)を満たし、好ましい形態としては発光部3の第1電極2に接する部分(例えば発光層)が以下の特定の関係になるように設定される。以下、発光部3の第1電極2に接する部分(例えば発光層)の屈折率を記号「n3」で表す。
前述の式(1)の関係を満たす第1電極2(屈折率:n1)と透明な支持基板1(屈折率:n2)を用いることによって、従来の有機EL素子に比べて、透明な支持基板1、透明な第1電極2の屈折率の差が小さい有機EL素子を構成することができる。これによって、発光層7からの光が第1電極2で反射することを抑制し、有機EL素子の光取出し効率を向上することができる。さらに│n1−n3│<0.4の関係を満たす透明な第1電極2と透明な支持基板1とを用いれば、支持基板1、第1電極2、および発光部3の第1電極2に接する層(例えば発光層7)の各屈折率の差をさらに小さくすることができ、発光層7からの光が第1電極2で反射することを抑制し、有機EL素子の光取出し効率をさらに向上することができる。これによって発光効率が高い有機EL素子を実現することができる。なお前述したように「n3」は通常1.7程度なので、式(1)を満たす第1電極2を用いることによって多くの場合│n1−n3│<0.4の関係を満たすことができる。
On the other hand, in the present embodiment, the refractive index n1 of the first electrode 2 satisfies the above-described formula (1), and as a preferred mode, the portion (for example, the light emitting layer) in contact with the first electrode 2 of the light emitting unit 3 Set to be related. Hereinafter, the refractive index of the portion (for example, the light emitting layer) in contact with the first electrode 2 of the light emitting unit 3 is represented by the symbol “n3”.
By using the first electrode 2 (refractive index: n1) and the transparent support substrate 1 (refractive index: n2) satisfying the relationship of the above-mentioned formula (1), a transparent support substrate is obtained as compared with a conventional organic EL element. 1. An organic EL element having a small difference in refractive index between the transparent first electrode 2 can be formed. Thereby, it is possible to suppress the light from the light emitting layer 7 from being reflected by the first electrode 2 and to improve the light extraction efficiency of the organic EL element. Further, if the transparent first electrode 2 and the transparent support substrate 1 satisfying the relationship of | n1-n3 | <0.4 are used, the support substrate 1, the first electrode 2, and the first electrode 2 of the light emitting unit 3 are used. The difference in refractive index between the layers in contact (for example, the light emitting layer 7) can be further reduced, the light from the light emitting layer 7 is suppressed from being reflected by the first electrode 2, and the light extraction efficiency of the organic EL element is further increased. Can be improved. As a result, an organic EL element with high luminous efficiency can be realized. As described above, since “n3” is usually about 1.7, the relationship of | n1−n3 | <0.4 can be satisfied in many cases by using the first electrode 2 satisfying the expression (1).

また簡易な塗布法によって第1電極2を形成することができるので、第1電極2の形成を低コストに行うことができる。さらに、第1電極2の特性は樹脂およびワイヤ状の導電体の種類、並びにワイヤ状の導電体の形状などによって決まるので、これらを適宜選択するだけで、意図する光学特性および電気的特性などを示す第1電極2を容易に得ることができる。   Further, since the first electrode 2 can be formed by a simple coating method, the first electrode 2 can be formed at a low cost. Furthermore, since the characteristics of the first electrode 2 are determined by the type of the resin and the wire-shaped conductor and the shape of the wire-shaped conductor, the intended optical characteristics and electrical characteristics can be obtained simply by selecting these appropriately. The first electrode 2 shown can be easily obtained.

(フィルム)
前記フィルム9は支持基板(透明基板)1の発光層7側とは反対側の表面に設けられる。フィルム9は、発光層7側の表面が平面状であり、発光層7側とは反対側の表面が凹凸状に形成される。またフィルム9は、ヘイズ値が70以上、かつ全光線透過率が80%以上である。
(the film)
The film 9 is provided on the surface of the support substrate (transparent substrate) 1 opposite to the light emitting layer 7 side. The film 9 has a planar surface on the light emitting layer 7 side, and a surface opposite to the light emitting layer 7 side is formed in an uneven shape. The film 9 has a haze value of 70 or more and a total light transmittance of 80% or more.

フィルム9の平面状の表面は透明な支持基板1に貼り合わされている。フィルム9は、例えば熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、接着剤および粘着材などの貼合剤を用いて支持基板1に貼り付けられる。熱硬化性樹脂を用いる場合には、フィルム9を支持基板1に貼り合わせた後に、所定の温度で加熱することによって、フィルム9を支持基板1に接着することができる。また光硬化性樹脂を用いる場合には、フィルム9を支持基板1に貼り合わせた後に、フィルム9に例えば紫外線を照射することによって、フィルム9を支持基板1に接着することができる。なお支持基板1上にフィルム9を直接形成する場合およびフィルム9に貼合剤が予め設けられている場合などには、前記貼合剤を用いなくてもよい。   The planar surface of the film 9 is bonded to the transparent support substrate 1. The film 9 is affixed to the support substrate 1 using bonding agents, such as a thermosetting resin, a photocurable resin, an adhesive agent, and an adhesive material, for example. When a thermosetting resin is used, the film 9 can be bonded to the support substrate 1 by bonding the film 9 to the support substrate 1 and then heating at a predetermined temperature. Moreover, when using a photocurable resin, after bonding the film 9 to the support substrate 1, the film 9 can be adhere | attached on the support substrate 1 by irradiating the film 9, for example with an ultraviolet-ray. In addition, when forming the film 9 directly on the support substrate 1, and when the bonding agent is previously provided in the film 9, the said bonding agent does not need to be used.

フィルム9と支持基板1との間に空気の層が形成されると、この空気の層の界面で反射が生じるので、フィルム9と支持基板1との間に空気の層が形成されないように、フィルム9を支持基板1に密着させて貼り合わることが好ましい。フィルム9の屈折率、貼合剤の屈折率、およびフィルム9が貼り合わされる層(本実施形態では支持基板1)の屈折率のうちで最大となる屈折率と、最小となる屈折率との差は、小さい方が、貼り合せ面での反射を抑制できるので好ましく、具体的には0.2以内が好ましく、さらに好ましくは0.1以内である。   When an air layer is formed between the film 9 and the support substrate 1, reflection occurs at the interface of the air layer, so that an air layer is not formed between the film 9 and the support substrate 1. It is preferable that the film 9 is attached to the support substrate 1 in close contact. Of the refractive index of the film 9, the refractive index of the bonding agent, and the refractive index of the layer to which the film 9 is bonded (supporting substrate 1 in this embodiment), the maximum refractive index and the minimum refractive index. A smaller difference is preferable because reflection at the bonding surface can be suppressed. Specifically, the difference is preferably within 0.2, and more preferably within 0.1.

本実施形態のフィルム9は、発光層7側とは反対側の表面が凹凸状に形成され、ヘイズ値が70%以上、かつ全光線透過率が80%以上である。ヘイズ値が70%未満であれば、十分な光散乱効果が得られないことがあり、全光線透過率が80%未満であれば、十分に光を取出すことができないことがあるので、このようなフィルムを有機EL素子に用いた場合に十分な光取出し効率を得ることができないおそれもあるが、ヘイズ値が70%以上、かつ全光線透過率が80%以上のフィルム9を用いることによって、高い取出し効率の有機EL素子を実現することができる。   The film 9 of the present embodiment has an uneven surface on the side opposite to the light emitting layer 7 side, a haze value of 70% or more, and a total light transmittance of 80% or more. If the haze value is less than 70%, a sufficient light scattering effect may not be obtained, and if the total light transmittance is less than 80%, light may not be extracted sufficiently. When a film is used for an organic EL device, sufficient light extraction efficiency may not be obtained, but by using the film 9 having a haze value of 70% or more and a total light transmittance of 80% or more, An organic EL element with high extraction efficiency can be realized.

ヘイズ値は、以下の式で表される。
ヘイズ値(曇価)=(拡散透過率(%)/全光線透過率(%))×100(%)。
なお、ヘイズ値は、JIS K 7136「プラスチック−透明材料のヘイズの求め方」に記載の方法で測定することができる。
The haze value is represented by the following formula.
Haze value (cloudiness value) = (diffuse transmittance (%) / total light transmittance (%)) × 100 (%).
The haze value can be measured by the method described in JIS K 7136 “How to determine the haze of a plastic-transparent material”.

また、全光線透過率は、JIS K 7361−1「プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法」に記載の方法で測定することができる。   The total light transmittance can be measured by the method described in JIS K 7361-1 “Testing method of total light transmittance of plastic-transparent material”.

フィルム9の厚み方向に垂直な幅方向の凸面または凹面の大きさ(幅)は、大きすぎると、フィルム9表面での輝度が不均一になり、小さすぎると、フィルム9の作製コストが高くなるので、好ましくは0.5μm〜20μmであり、さらに好ましくは1μm〜2μmである。またフィルム9の厚み方向の凸面または凹面の高さは、前記幅方向の凸面または凹面の大きさ(幅)や、凹凸形状が形成される周期により適宜設定され、通常は前記幅方向の凹面または凸面の大きさ(幅)以下、または凹凸形状が形成される周期以下が好ましく、0.25μm〜10μmであり、好ましくは0.5μm〜1.0μmである。   If the size (width) of the convex or concave surface in the width direction perpendicular to the thickness direction of the film 9 is too large, the luminance on the surface of the film 9 becomes non-uniform, and if it is too small, the production cost of the film 9 increases. Therefore, it is preferably 0.5 μm to 20 μm, and more preferably 1 μm to 2 μm. Further, the height of the convex surface or concave surface in the thickness direction of the film 9 is appropriately set according to the size (width) of the convex surface or concave surface in the width direction and the period in which the concave and convex shape is formed. It is preferably not more than the size (width) of the convex surface or not more than the period in which the uneven shape is formed, and is 0.25 μm to 10 μm, preferably 0.5 μm to 1.0 μm.

上記凸面または凹面の形状は、特に制限されないが、曲面を有する形状が好ましく、例えば半球形状が好ましい。凹面または凸面は、規則的に配置されることが好ましく、例えば碁盤の目状に配置されることが好ましい。またフィルム9の表面のうちで、凹面と凸面とが形成される領域の面積は、フィルム9の表面の面積の60%以上が好ましい。   The shape of the convex surface or the concave surface is not particularly limited, but a shape having a curved surface is preferable, for example, a hemispherical shape is preferable. The concave surface or the convex surface is preferably arranged regularly, for example, preferably arranged in a grid pattern. Moreover, 60% or more of the area of the surface of the film 9 is preferable in the area of the surface of the film 9 where the concave and convex surfaces are formed.

フィルム9形成に用いる材料は、当該フィルム9が透明に形成される材料であればよく、例えば高分子材料およびガラスなどを用いても良い。フィルム9を構成する高分子材料としては、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリシクロオレフィン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンスルホン酸、およびポリエチレンテレフタレートなどを挙げることができる。またフィルム9は、例えば前記高分子材料およびガラスなどから成る支持体と、この支持体の表面上に形成され、支持体に接する表面とは反対側の表面が凹凸状に形成される薄膜との積層体によって構成されてもよい。
フィルム9の厚みは、特に制限はないが、薄すぎると取り扱いが難しくなり、厚すぎると全光線透過率が低くなるので、20μm〜1000μmが好ましい。
The material used for forming the film 9 may be any material as long as the film 9 is formed transparently. For example, a polymer material and glass may be used. Examples of the polymer material constituting the film 9 include polyarylate, polycarbonate, polycycloolefin, polyethylene naphthalate, polyethylene sulfonic acid, and polyethylene terephthalate. The film 9 includes a support made of, for example, the above-described polymer material and glass, and a thin film formed on the surface of the support, the surface opposite to the surface in contact with the support being formed in an uneven shape. You may be comprised with a laminated body.
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the film 9, When it is too thin, handling will become difficult, and since a total light transmittance will become low when too thick, 20 micrometers-1000 micrometers are preferable.

次にフィルム9の製造方法について説明する。本実施形態のフィルム9は、凹凸形状をフィルムの表面に形成することで得られる。表面に形成される凹面または凸面の大きさ(幅)は、光の波長と同程度若しくはそれよりも大きいことが好ましく、0.1μm〜100μmが好ましい。   Next, the manufacturing method of the film 9 is demonstrated. The film 9 of this embodiment is obtained by forming an uneven shape on the surface of the film. The size (width) of the concave surface or convex surface formed on the surface is preferably the same as or larger than the wavelength of light, and preferably 0.1 μm to 100 μm.

ガラスなどの無機材料から成るフィルム9は、無機材料から成る基台の表面のうち、凹凸形状を形成する部位をエッチングすることにより得られる。具体的には無機材料から成る基台表面に上に保護膜をパターン形成し、化学的なエッチングまたは気相エッチングを施すことによって凹凸面を形成することができる。保護膜は例えばフォトレジストを用いてパターン形成することができる。
高分子材料から成るフィルム9では、加熱されたフィルムに表面が凹凸状の金属板を押し付けることによって、金属板の凹凸形状を転写する方法、表面が凹凸状のロールを用いて、高分子シートまたはフィルムを圧延する方法、凹凸形状を有するスリットから高分子シートを押し出して成形する方法、表面が凹凸形状の基台上に、高分子材料を含む溶液または分散液を滴下(以下、キャストという場合がある)して成膜する方法、モノマーから成る膜を形成した後に、該膜の一部を選択的に光重合し、未重合部分を除去する方法、高湿度条件下において高分子溶液を基台にキャストし、水滴構造を表面に転写する方法などによって、表面に凹凸形状を形成することができる。
The film 9 made of an inorganic material such as glass can be obtained by etching a portion of the surface of the base made of an inorganic material that forms an uneven shape. Specifically, an uneven surface can be formed by patterning a protective film on the surface of a base made of an inorganic material and applying chemical etching or vapor phase etching. The protective film can be patterned using, for example, a photoresist.
In the film 9 made of a polymer material, a method of transferring the concavo-convex shape of the metal plate by pressing the concavo-convex metal plate on the heated film, using a roll having a concavo-convex surface, the polymer sheet or A method of rolling a film, a method of extruding a polymer sheet from a slit having a concavo-convex shape, and dropping a solution or dispersion containing a polymer material onto a base having a concavo-convex surface (hereinafter sometimes referred to as casting) There is a method for forming a film, and after forming a film made of a monomer, a method for selectively photopolymerizing a part of the film and removing an unpolymerized part. The concavo-convex shape can be formed on the surface by a method such as casting to transfer the water droplet structure to the surface.

これらの方法のうち、高分子材料を用いる場合には、作製の容易さから高湿度条件下において、高分子溶液を基台にキャストし、水滴構造を表面に転写する方法が好適に用いられる。この方法は自己組織化の一種である散逸過程を応用した構造作製法である(例えばG.Widawski,M.Rawiso,B.Francois,Nature,p.369−p.387(1994)参照)。   Among these methods, when a polymer material is used, a method in which a polymer solution is cast on a base and a water droplet structure is transferred to the surface under high humidity conditions is preferably used because of easy production. This method is a structure manufacturing method applying a dissipative process which is a kind of self-organization (see, for example, G. Widawski, M. Rawiso, B. Francois, Nature, p. 369-p. 387 (1994)).

まず上述したフィルム9となる高分子材料を溶媒に溶解して、フィルム9用の溶液を調製する。溶媒としては、例えばジクロロメタン、クロロホルムなどを挙げることができる。フィルム9用の溶液としては、粘度の高いものが好ましい。またフィルム9用の溶液としては、フィルム9となる高分子材料の濃度が高いものが好ましく、溶液に対する高分子材料の濃度は、10wt%以上が好ましい。また凹凸形状の大きさや形の均一性を向上させるために、前記フィルム9用の溶液にノニオン系界面活性剤などの界面活性剤を少量添加してもよい。   First, the polymer material to be the film 9 described above is dissolved in a solvent to prepare a solution for the film 9. Examples of the solvent include dichloromethane and chloroform. As the solution for the film 9, one having a high viscosity is preferable. The solution for the film 9 preferably has a high concentration of the polymer material to be the film 9, and the concentration of the polymer material with respect to the solution is preferably 10 wt% or more. In order to improve the size and shape uniformity of the uneven shape, a small amount of a surfactant such as a nonionic surfactant may be added to the solution for the film 9.

次にフィルム9が表面上に形成される基台上に、フィルム9となる材料を含む溶液を塗布する。具体的には調製したフィルム9用の溶液を、高湿度下で基台上にキャストして、フィルム9用の溶液から成る液膜を形成する。フィルム9用の溶液をキャストする基台として、支持基板を用いた場合には、支持基板1にフィルム9が直接的に形成される。   Next, the solution containing the material used as the film 9 is apply | coated on the base with which the film 9 is formed on the surface. Specifically, the prepared solution for the film 9 is cast on a base under high humidity to form a liquid film composed of the solution for the film 9. When a support substrate is used as a base for casting the solution for the film 9, the film 9 is directly formed on the support substrate 1.

次に基台表面上に塗布された溶液を、湿度が80%〜90%の雰囲気に保持し、保持中及び/又は保持後に溶液中の溶剤(溶媒)を蒸発させることにより成膜化する。液膜を高湿度下に置くと、雰囲気中の水蒸気が液化して、液膜の表面に複数の液滴が形成される。液滴は略球状であり、液膜の表面において離散的に形成される。液膜上に形成される液滴は、水蒸気がさらに液化することによって時間経過とともに成長する。液膜上の液滴は時間経過とともに径が大きくなり、重みが増す。そのため自重によって液滴の略半分が液膜中に沈み込む。また時間経過とともに液膜中の溶剤(溶媒)が蒸発するので、乾燥時に液滴の形状がフィルム9に転写される。このようにして形成されるフィルム9は、表面に複数の凹面が設けられて、凹凸状に形成される。具体的には径が1μm〜100μmの複数の半球状の窪みがフィルム9の表面に形成される。なお湿度が80%〜90%の範囲においてフィルム9を保持することによって、表面に半球状の窪みが形成された後に、さらに湿度の低い雰囲気においてフィルムを乾燥してもよく、また80%〜90%の範囲においてフィルムを長時間保持することによってフィルムを乾燥してもよい。   Next, the solution applied on the surface of the base is held in an atmosphere with a humidity of 80% to 90%, and a film is formed by evaporating the solvent (solvent) in the solution during and / or after holding. When the liquid film is placed under high humidity, water vapor in the atmosphere is liquefied and a plurality of droplets are formed on the surface of the liquid film. The droplets are substantially spherical and are discretely formed on the surface of the liquid film. The droplets formed on the liquid film grow with time as the water vapor is further liquefied. The droplets on the liquid film increase in diameter and weight with the passage of time. Therefore, almost half of the droplet sinks into the liquid film due to its own weight. Further, since the solvent (solvent) in the liquid film evaporates with time, the shape of the droplet is transferred to the film 9 at the time of drying. The film 9 formed in this way is provided with a plurality of concave surfaces on the surface, and is formed in an uneven shape. Specifically, a plurality of hemispherical depressions having a diameter of 1 μm to 100 μm are formed on the surface of the film 9. In addition, by holding the film 9 in the range of 80% to 90% humidity, the film may be dried in a lower humidity atmosphere after the hemispherical depression is formed on the surface, and 80% to 90%. The film may be dried by holding the film for a long time in the% range.

前述したフィルム9を作製する方法では、フィルム9の膜厚が所定の値になるようにフィルム9用の溶液の塗布を制御するとともに、液膜を乾燥させるときの湿度を調整することによって、作製されるフィルム9のヘイズ値を制御することができる。
具体的には成膜工程を経て成膜されたフィルム9の膜厚が100μm〜200μmの範囲内において所定の膜厚となるように、乾燥開始時の液膜の膜厚を制御するとともに、80%〜90%の範囲内において所定の湿度となるように湿度を制御することによって、ヘイズ値が70以上の所期のヘイズ値を示すフィルム9を形成することができる。
In the method for producing the film 9, the production of the film 9 is controlled by controlling the application of the solution for the film 9 so that the film thickness becomes a predetermined value and adjusting the humidity when the liquid film is dried. The haze value of the film 9 can be controlled.
Specifically, the film thickness of the liquid film at the start of drying is controlled so that the film thickness of the film 9 formed through the film forming step becomes a predetermined film thickness within a range of 100 μm to 200 μm, and 80 By controlling the humidity so as to be a predetermined humidity within a range of% to 90%, the film 9 having a desired haze value of 70 or more can be formed.

湿度と膜厚とを制御することによってフィルム9のヘイズ値を制御できるのは、高分子材料の濃度などにもよるが、湿度と膜厚を変えると、液膜の表面が乾燥するまでの時間が変わり、これにともなって凹凸形状の大きさや凹面の密度が変わるからであり、また湿度は、凹面の配置の規則性向上など、形成される凹面の構造構築に大きな影響を与えるからであると推測される。
なお作製されるフィルム9の膜厚は、乾燥開始時の液膜の膜厚を調整することによって制御できる。また溶剤(溶媒)の蒸発速度および溶剤(溶媒)の沸点などによって液膜の表面が乾燥するまでの時間が変わるので、用いる溶剤(溶媒)を変えることによって、フィルム9のヘイズ値を制御することもできる。
The haze value of the film 9 can be controlled by controlling the humidity and the film thickness, depending on the concentration of the polymer material, etc., but the time until the surface of the liquid film dries when the humidity and the film thickness are changed. This is because the size of the concavo-convex shape and the density of the concave surface change accordingly, and the humidity has a great influence on the structure construction of the concave surface to be formed, such as the regularity of the arrangement of the concave surface. Guessed.
The film thickness of the produced film 9 can be controlled by adjusting the film thickness of the liquid film at the start of drying. In addition, since the time until the surface of the liquid film is dried depends on the evaporation rate of the solvent (solvent) and the boiling point of the solvent (solvent), the haze value of the film 9 is controlled by changing the solvent (solvent) to be used. You can also.

以上説明した方法によって、例えば溶液の塗布量および湿度を調整するという簡易な制御で、簡易でかつ安価に意図する光学的特性を示す大面積のフィルム9を作製することができる。   By the method described above, a large-area film 9 showing the intended optical characteristics can be produced simply and inexpensively by simple control of adjusting the application amount and humidity of the solution, for example.

なお前述したように支持基板1の表面上にフィルム9用の溶液をキャストすることによって支持基板1上に直接的にフィルム9を形成することができるが、所定の基台上にフィルムを形成した後に、フィルムを支持基板1に貼り合わせてもよい。   As described above, the film 9 can be formed directly on the support substrate 1 by casting the solution for the film 9 on the surface of the support substrate 1, but the film is formed on a predetermined base. Later, the film may be bonded to the support substrate 1.

上述の構成によれば、有機EL素子の光が出射する側の最表面部にフィルム9が配置される。発光層7から放射される光は支持基板1およびフィルム9を通り、凹凸状に形成された表面を通って空気などの外界に出射する。すなわち凹凸面を通って光は外界に出射する。
仮にフィルム9の発光層7側とは反対側の表面が平面であれば、この平面での全反射によって発光層7から放射される光の大部分が外界に出射しないが、本実施形態のフィルム9表面は凹凸状に形成されているので、全反射が抑制されるために、光は効率的に出射することができる。特にフィルム9は、ヘイズ値が70%以上、かつ全光線透過率が80%以上なので、光の取出し効率を向上することができる。これによって、高い光取出し効率および発光効率を有する有機EL素子を実現することができる。
According to the above-described configuration, the film 9 is disposed on the outermost surface portion on the side from which the light of the organic EL element is emitted. The light radiated from the light emitting layer 7 passes through the support substrate 1 and the film 9, and is emitted to the outside such as air through the uneven surface. That is, light is emitted to the outside through the uneven surface.
If the surface opposite to the light emitting layer 7 side of the film 9 is a flat surface, most of the light emitted from the light emitting layer 7 is not emitted to the outside due to total reflection on this plane, but the film of this embodiment. Since the 9 surfaces are formed in an uneven shape, total reflection is suppressed, so that light can be emitted efficiently. In particular, since the film 9 has a haze value of 70% or more and a total light transmittance of 80% or more, the light extraction efficiency can be improved. Thereby, an organic EL element having high light extraction efficiency and light emission efficiency can be realized.

またフィルム9表面には複数の凹面が設けられ、この凹面が凹レンズと似た機能を発揮する。このようなフィルム9を設けることによって、有機EL素子から放射される光の放射角を広げることができる。   The surface of the film 9 is provided with a plurality of concave surfaces, and these concave surfaces exhibit a function similar to a concave lens. By providing such a film 9, the radiation angle of the light emitted from the organic EL element can be widened.

続いて、以上説明した支持基板1、陽極(第1電極)2およびフィルム9以外の有機EL素子の構成要素について以下に詳しく説明する。   Subsequently, components of the organic EL element other than the support substrate 1, the anode (first electrode) 2 and the film 9 described above will be described in detail below.

(発光部)
発光部3は、陽極(第1電極)2と陰極(第2電極)4との間に設けられる。発光部3は、少なくとも発光層7を備える。陽極2と発光層7との間には、必要に応じて所定の1または複数の層6が設けられる。また発光層7と陰極4との間には、必要に応じて所定の1または複数の層8が設けられる。
(Light emitting part)
The light emitting unit 3 is provided between the anode (first electrode) 2 and the cathode (second electrode) 4. The light emitting unit 3 includes at least a light emitting layer 7. One or more predetermined layers 6 are provided between the anode 2 and the light emitting layer 7 as necessary. In addition, one or a plurality of predetermined layers 8 are provided between the light emitting layer 7 and the cathode 4 as necessary.

(陽極と発光層との間に設けられる層)
陽極(第1電極)2と発光層7との間に設けられる層6としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。正孔注入層は、陽極(第1電極)2からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び/又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
(Layer provided between the anode and the light emitting layer)
Examples of the layer 6 provided between the anode (first electrode) 2 and the light emitting layer 7 include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer. The hole injection layer is a layer having a function of improving the efficiency of hole injection from the anode (first electrode) 2. The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer closer to the anode. The electron blocking layer is a layer having a function of blocking electron transport. In the case where the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer. The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value.

(陰極と発光層との間に設けられる層)
発光層7と陰極(第2電極)4との間に設けられる層8としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極4と発光層7との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び/又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
(Layer provided between the cathode and the light emitting layer)
Examples of the layer 8 provided between the light emitting layer 7 and the cathode (second electrode) 4 include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the cathode 4 and the light emitting layer 7, the layer in contact with the cathode is referred to as an electron injection layer, and the layers other than the electron injection layer are referred to as an electron transport layer. . The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode. The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer. The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.

本実施形態の有機EL素子における発光機能部の層構成の組み合わせ例を以下に示す。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
o)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
A combination example of the layer configuration of the light emitting function part in the organic EL element of the present embodiment is shown below.
a) anode / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode d) anode / hole injection layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode e) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode f) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode g) anode / hole transport layer / light emitting layer / Electron injection layer / cathode h) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole Injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode k) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode l) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode m) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode n) anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode o) anode / Photo layer / electron transport layer / cathode p) anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are stacked adjacent to each other) The same shall apply hereinafter.)

発光機能部は2層以上の発光層を有していてもよい。上記a)〜p)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位A」とすると、2層の発光層を有する発光機能部の構成としては、以下のq)に示す層構成を挙げることができる。なお(構造単位A)は互いに同じでも、異なっていてもよい。
q)陽極/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極
また「(構造単位A)/電荷発生層」を「構造単位B」とすると、3層以上の発光層を有する発光機能部の構成としては、以下のr)に示す層構成を挙げることができる。
r)陽極/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極
なお記号「x」は、2以上の整数を表し、(構造単位B)xは、構造単位Bがx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)は同じでも、異なっていてもよい。
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
The light emitting functional unit may have two or more light emitting layers. In any one of the layer configurations of a) to p) above, when the laminate sandwiched between the anode and the cathode is referred to as “structural unit A”, the configuration of the light emitting functional unit having two light emitting layers is obtained. Includes the layer structure shown in the following q). The (structural units A) may be the same as or different from each other.
q) Anode / (structural unit A) / charge generating layer / (structural unit A) / cathode If “(structural unit A) / charge generating layer” is “structural unit B”, it has three or more light emitting layers. Examples of the configuration of the light emitting functional unit include the layer configuration shown in the following r).
r) anode / (structural unit B) x / (structural unit A) / cathode The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and (structural unit B) x is a stack in which the structural unit B is stacked in x stages. Represents the body. The plurality (structural unit B) may be the same or different.
Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), molybdenum oxide, or the like.

なお有機EL素子においては、本実施形態のように通常は支持基板側に陽極が配置されるが、積層順を逆順にして支持基板側に陰極を配置するようにしてもよい。   In the organic EL element, the anode is usually arranged on the support substrate side as in the present embodiment, but the cathode may be arranged on the support substrate side by reversing the stacking order.

本実施形態の有機EL素子は、電極との密着性向上や電極からの電荷注入性の改善のために、電極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層をさらに設けてもよい。また界面での密着性向上や混合の防止などのために、前述した各層間に薄いバッファー層を挿入してもよい。
以下、各層の構成についてさらに詳細に説明する。
In the organic EL device of this embodiment, an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be further provided adjacent to the electrode in order to improve adhesion with the electrode or charge injection from the electrode. In addition, a thin buffer layer may be inserted between each of the aforementioned layers in order to improve adhesion at the interface or prevent mixing.
Hereinafter, the configuration of each layer will be described in more detail.

(正孔注入層)
正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることができる。正孔注入層を構成する材料としては、例えばフェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
(Hole injection layer)
As a material constituting the hole injection layer, a known material can be appropriately used. Examples of the material constituting the hole injection layer include phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, hydrazone derivative, carbazole derivative, triazole derivative, imidazole derivative, oxadiazole derivative having amino group, vanadium oxide, oxidation Examples thereof include oxides such as tantalum, tungsten oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline, and polythiophene derivatives.

正孔注入層の成膜方法としては、例えば正孔注入層となる材料(正孔注入材料)を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解するものが好ましく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。   As a film formation method of the hole injection layer, for example, film formation from a solution containing a material (hole injection material) that becomes the hole injection layer can be mentioned. As a solvent used for film formation from a solution, a solvent that dissolves a hole injection material is preferable. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, and aromatic carbonization such as toluene and xylene. Examples thereof include hydrogen solvents, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, and water.

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。   As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Examples of the application method include a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method.

製造の容易性および印加される電圧などを勘案すると、正孔注入層の厚みとしては5〜300nm程度であることが好ましい。   Considering the ease of production and the applied voltage, the thickness of the hole injection layer is preferably about 5 to 300 nm.

(正孔輸送層)
正孔輸送層を構成する材料としては、例えばN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。
(Hole transport layer)
As a material constituting the hole transport layer, for example, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) 4,4′-diaminobiphenyl (TPD), 4,4′-bis [N Aromatic amine derivatives such as-(1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB), polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amines in the side chain or main chain, pyrazoline Derivative, arylamine derivative, stilbene derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivative thereof, or poly ( 2,5-thienylene Vinylene) or a derivative thereof.

これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。   Among these, as the hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, Polymeric hole transport materials such as polythiophene or derivatives thereof, polyarylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and more preferred Is polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。   The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of molecular hole transport materials include film formation from a solution containing a hole transport material.

溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものが好ましく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。
溶液からの成膜方法としては、前述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。
As a solvent used for film formation from a solution, a solvent that dissolves a hole transport material is preferable. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic carbonization such as toluene and xylene. Examples thereof include hydrogen solvents, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate.
Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。   As the polymer binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that weakly absorb visible light are preferably used. For example, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, poly Examples thereof include vinyl chloride and polysiloxane.

正孔輸送層の厚みは、求められる特性に応じて適宜設定され、製造の容易性および印加される電圧などを勘案すると、1〜1000nm程度であることが好ましく、より好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The thickness of the hole transport layer is appropriately set according to the required characteristics, and is preferably about 1 to 1000 nm, more preferably 2 to 500 nm, taking into account the ease of production and the applied voltage. More preferably, it is 5 nm to 200 nm.

(発光層)
発光層7は、主として蛍光または燐光を発光する有機物を有する。さらに発光層はドーパント材料を含んでいてもよい。有機物としては低分子化合物、及び/又は高分子化合物が用いられる。高分子化合物は溶媒への溶解性が高いため、塗布法に適している。そのため簡易な塗布法で発光層を形成する際には、発光層を構成する発光材料として高分子化合物を含む材料を用いることが好ましく、発光層は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、10〜10である高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下のものが挙げられる。
(Light emitting layer)
The light emitting layer 7 has an organic substance that mainly emits fluorescence or phosphorescence. Furthermore, the light emitting layer may contain a dopant material. As the organic substance, a low molecular compound and / or a high molecular compound is used. A polymer compound is suitable for a coating method because it has high solubility in a solvent. Therefore, when the light emitting layer is formed by a simple coating method, it is preferable to use a material containing a polymer compound as the light emitting material constituting the light emitting layer, and the light emitting layer has a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 3 . It is preferable that the polymer compound is 10 8 . Examples of the light emitting material constituting the light emitting layer include the following.

(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー(誘導体)、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
(Dye material)
Examples of the dye-based material include cyclopentamine derivatives, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, Examples include pyrrole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxadiazole dimers (derivatives), and pyrazoline dimers.

(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of the metal complex material include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Ir, Pt, etc. as a central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline. Examples include metal complexes having a structure or the like as a ligand, such as iridium complexes, platinum complexes, etc., metal complexes having light emission from a triplet excited state, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc A complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethylzinc complex, a porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, and the like can be given.

(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
(Polymer material)
Polymeric materials include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, and polymerized chromophores and metal complex light emitting materials. Etc.

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
Among the light emitting materials, examples of the material that emits blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.

(ドーパント材料)
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約20〜2000Åである。
(Dopant material)
A dopant can be added to the light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency and changing the light emission wavelength. Examples of such dopants include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is about 20-2000 mm normally.

(発光層の成膜方法)
発光層の成膜方法としては、溶液からの成膜方法、真空蒸着法、転写方法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒の具体例としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する際に正孔注入材料を溶解する溶媒として例示した溶媒と同様の溶媒が挙げられる。
(Light-emitting layer deposition method)
As a method for forming the light emitting layer, a film forming method from a solution, a vacuum deposition method, a transfer method, or the like can be used. Specific examples of the solvent used for film formation from the solution include the same solvents as those exemplified as the solvent for dissolving the hole injection material when forming the hole injection layer from the above solution.

発光材料を含む溶液を塗布する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の色分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。また昇華性の低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに発光層を形成する方法も用いることができる。   As a method for applying a solution containing a light emitting material, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a slit coating method, a capillary Coating methods such as coating methods, spray coating methods, nozzle coating methods, etc., gravure printing methods, screen printing methods, flexographic printing methods, offset printing methods, reverse printing methods, printing methods such as inkjet printing methods, etc. may be used. it can. A printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reversal printing method, and an ink jet printing method is preferable in that pattern formation and multi-coloring are easy. In the case of a sublimable low-molecular compound, a vacuum deposition method can be used. Furthermore, a method of forming a light emitting layer only at a desired place by laser transfer or thermal transfer can be used.

(電子注入層)
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
(Electron injection layer)
As the material constituting the electron injecting layer, an optimal material is appropriately selected according to the type of the light emitting layer, and an alloy containing at least one of alkali metal, alkaline earth metal, alkali metal and alkaline earth metal, alkali A metal or alkaline earth metal oxide, halide, carbonate, or a mixture of these substances can be given. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Examples thereof include barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. The electron injection layer may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated, and examples thereof include LiF / Ca. The electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like. The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.

(電子輸送層)
電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
(Electron transport layer)
As the material constituting the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or its derivatives, benzoquinone or its derivatives, naphthoquinone or its derivatives, anthraquinone or its derivatives, tetracyanoanthraquinodi. Examples include methane or its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or its derivatives, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives, polyquinoline or its derivatives, polyquinoxaline or its derivatives, polyfluorene or its derivatives, etc. The

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。該電子輸送層の膜厚としては、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。
Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.
The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and is appropriately set so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. The film thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

(第2電極)
第2電極4は、前記第1電極2に対向して配置される電極であって、第1実施形態では陰極として用いられる。このような陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。また陰極の材料としては電気伝導度が高く、可視光反射率の高い材料が好ましい。このような陰極材料としては、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。
(Second electrode)
The second electrode 4 is an electrode disposed to face the first electrode 2 and is used as a cathode in the first embodiment. As such a cathode material, a material having a small work function and easy electron injection into the light emitting layer is preferable. The cathode material is preferably a material having high electrical conductivity and high visible light reflectance. Examples of such a cathode material include metals, metal oxides, alloys, graphite or graphite intercalation compounds, and inorganic semiconductors such as zinc oxide (ZnO).

上記金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属や周期表の13族金属等を用いることができる。これら金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。   As the metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a group 13 metal of the periodic table, or the like can be used. Specific examples of these metals include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, and aluminum. , Scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like.

また合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。   Examples of the alloy include alloys containing at least one of the above metals. Specifically, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium -A magnesium alloy, a lithium-indium alloy, a calcium-aluminum alloy, etc. can be mentioned.

また陰極(第2電極)4を2層以上の積層構造としてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられる場合もある。   The cathode (second electrode) 4 may have a laminated structure of two or more layers. The electron injection layer may be used as a cathode.

陰極(第2電極)4の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して適宜選択することができ、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The film thickness of the cathode (second electrode) 4 can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, more preferably 50 nm to 500 nm. It is.

上述の陰極(第2電極)4を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。   Examples of the method for forming the cathode (second electrode) 4 include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.

(封止基板)
上述のように陰極(第2電極)4が形成された後、該発光機能部を封止する封止基板5が形成されることが好ましい。この封止基板5は通常、支持基板1と同様の部材から構成される。なお封止基板5の代わりに封止膜を設けてもよい。封止膜は、1層以上の無機層と1層以上の有機層を有する。積層数は、求められる特性に応じて決定され、基本的には、無機層と有機層は交互に積層される。
(Sealing substrate)
After the cathode (second electrode) 4 is formed as described above, it is preferable to form the sealing substrate 5 for sealing the light emitting function unit. The sealing substrate 5 is usually composed of the same members as the support substrate 1. A sealing film may be provided instead of the sealing substrate 5. The sealing film has one or more inorganic layers and one or more organic layers. The number of layers is determined according to the required characteristics, and basically, the inorganic layer and the organic layer are alternately stacked.

なおガラス基板に比べると、プラスチック基板は酸素および水などのガスの透過性が高い。発光物質は酸化されやすく、酸素および水などと接触することにより劣化しやすいので、前記基板1としてプラスチック基板が用いられる場合には、ガスバリア性を高めるための処理を基板に予め施すことが好ましい。例えばプラスチック基板上にガスなどに対するバリア性の高い下部封止膜を積層し、その後この下部封止膜上に発光機能部を積層することが好ましい。この下部封止膜は通常、上記封止膜と同様の部材にて構成される。   Note that a plastic substrate has higher permeability to gases such as oxygen and water than a glass substrate. Since the luminescent material is easily oxidized and easily deteriorates when it comes into contact with oxygen, water, or the like, when a plastic substrate is used as the substrate 1, it is preferable to perform a treatment for improving the gas barrier property on the substrate in advance. For example, it is preferable to stack a lower sealing film having a high barrier property against gas or the like on a plastic substrate, and then stack a light emitting function part on the lower sealing film. This lower sealing film is usually composed of the same member as the sealing film.

[有機EL素子の製造方法]
本実施形態の有機EL素子は、各構成要素の項でそれぞれ説明した形成方法により各構成要素を順次形成することにより製造することができる。すなわち本実施形態の有機EL素子の製造方法は、
(1)透明な支持基板1を用意する工程、
(2)発光機能部を構成する各層を支持基板1上に積層する工程、
(3)フィルムを形成する工程、を有する。
なおフィルム9を支持基板に直接的に形成せずに、別途形成した場合には、形成したフィルム9を透明な支持基板1に貼り付ける工程をさらに有する。
[Method of manufacturing organic EL element]
The organic EL element of this embodiment can be manufactured by sequentially forming each constituent element by the forming method described in the section of each constituent element. That is, the manufacturing method of the organic EL element of this embodiment is
(1) preparing a transparent support substrate 1;
(2) A step of laminating each layer constituting the light emitting function part on the support substrate 1,
(3) having a step of forming a film.
In addition, when the film 9 is separately formed without being directly formed on the support substrate, the method further includes a step of attaching the formed film 9 to the transparent support substrate 1.

[第2実施形態]
次に本発明の第2実施形態の有機EL素子を、図2を参照して説明する。第1実施形態の有機EL素子は支持基板側から光を出射するボトムエミッション型の素子であるのに対して、第2実施形態の有機EL素子は封止基板側から光を出射するトップエミッション型の素子である。また第1実施形態のではフィルムを支持基板に設けていたが、本実施形態ではフィルムを封止基板に設けている。
第2実施形態の有機EL素子は、支持基板21、発光機能部、封止基板25、フィルム29がこの順に積層されて構成されている。なお発光機能部の層構成は、第1実施形態の発光機能部の層構成と同じであるが、第2実施形態の有機EL素子では透明な第1電極が陰極24に相当し、第1電極とは極性の異なる第2電極が陽極22に相当し、さらに透明基板が封止基板25に相当する。
以下に簡単に各層の構成について説明するが、第1実施形態と同様な構成については、説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, the organic EL element of 2nd Embodiment of this invention is demonstrated with reference to FIG. The organic EL element of the first embodiment is a bottom emission type element that emits light from the supporting substrate side, whereas the organic EL element of the second embodiment is a top emission type that emits light from the sealing substrate side. Element. In the first embodiment, the film is provided on the support substrate, but in this embodiment, the film is provided on the sealing substrate.
The organic EL element of the second embodiment is configured by laminating a support substrate 21, a light emitting function unit, a sealing substrate 25, and a film 29 in this order. The layer structure of the light emitting function unit is the same as the layer structure of the light emitting function unit of the first embodiment. However, in the organic EL element of the second embodiment, the transparent first electrode corresponds to the cathode 24, and the first electrode The second electrode having a different polarity corresponds to the anode 22, and the transparent substrate corresponds to the sealing substrate 25.
The configuration of each layer will be briefly described below, but the description of the same configuration as in the first embodiment will be omitted.

(支持基板)
支持基板21としては、前述の実施形態と同様の支持基板を用いることができる。なお本実施形態の支持基板21は、不透明のものでもよい。
(Support substrate)
As the support substrate 21, the same support substrate as that of the above-described embodiment can be used. Note that the support substrate 21 of the present embodiment may be opaque.

(陽極)
本実施形態において陽極22が第2電極である。陽極22は通常、発光層27から放射される光を陰極(透明な第1電極)24側へ反射する反射電極として設けられることが好ましい。陽極22は、可視光に対する反射率が80%以上であることが好ましい。
(anode)
In the present embodiment, the anode 22 is the second electrode. In general, the anode 22 is preferably provided as a reflective electrode that reflects light emitted from the light emitting layer 27 toward the cathode (transparent first electrode) 24. The anode 22 preferably has a reflectance with respect to visible light of 80% or more.

発光部23への正孔供給性の観点からは、陽極22の発光層27側表面部の仕事関数は4.0eV以上であることが好ましい。陽極22の材料としては、仕事関数が大きく、発光層27への正孔注入が容易な材料が好ましく、また電気伝導度、可視光反射率の高い材料が好ましい。このような材料としては、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。   From the viewpoint of the ability to supply holes to the light emitting portion 23, the work function of the surface portion on the light emitting layer 27 side of the anode 22 is preferably 4.0 eV or more. The material of the anode 22 is preferably a material having a large work function and easy hole injection into the light emitting layer 27, and a material having high electrical conductivity and high visible light reflectance. Examples of such materials include metals, metal oxides, alloys, graphite or graphite intercalation compounds, and inorganic semiconductors such as zinc oxide (ZnO).

なお陽極22は2層以上の積層構造としてもよく、高光反射性金属からなる光反射層と4.0eV以上の仕事関数を有する材料からなる高仕事関数材料層とを積層した積層体が好ましい。陽極22の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができ、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The anode 22 may have a laminated structure of two or more layers, and a laminated body in which a light reflecting layer made of a highly light reflecting metal and a high work function material layer made of a material having a work function of 4.0 eV or more are preferably laminated. The film thickness of the anode 22 can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

このような陽極の具体的な構成例としては、以下の(1)〜(15)を例示することができる。
(1) Al
(2) Ag
(3) Ag−MoO
(4) AgとPdとCuとの合金−ITO
(5) AlとNdとの合金−ITO
(6) MoとCrとの合金−ITO
(7) Cr−Al−Cr−ITO
(8) Cr−Ag−Cr−ITO
(9) Cr−Ag−Cr−ITO−MoO
(10) AgとPdとCuとの合金−IZO
(11) AlとNdとの合金−IZO
(12) MoとCrとの合金−IZO
(13) Cr−Al−Cr−IZO
(14) Cr−Ag−Cr−IZO
(15) Cr−Ag−Cr−IZO−MoO
なお、上記(3)〜(15)までの表記において、記号「−」は、各積層間の界面を表し、表記の左側が基板側である。十分な光反射率を得る為にはAl、Ag、Al合金、Ag合金などの高光反射性金属層の膜厚は50nm以上である事が好ましく、より好ましくは80nm以上である。ITO、IZOなどの高仕事関数材料層の膜厚は通常、5nm〜500nmの範囲である。
As specific configuration examples of such an anode, the following (1) to (15) can be exemplified.
(1) Al
(2) Ag
(3) Ag-MoO 3
(4) Alloy of Ag, Pd and Cu-ITO
(5) Alloy of Al and Nd-ITO
(6) Alloy of Mo and Cr-ITO
(7) Cr-Al-Cr-ITO
(8) Cr-Ag-Cr-ITO
(9) Cr—Ag—Cr—ITO—MoO 3
(10) Ag—Pd—Cu alloy—IZO
(11) Al-Nd alloy-IZO
(12) Alloy of Mo and Cr-IZO
(13) Cr-Al-Cr-IZO
(14) Cr-Ag-Cr-IZO
(15) Cr—Ag—Cr—IZO—MoO 3
In addition, in the description of said (3)-(15), symbol "-" represents the interface between each lamination | stacking, and the left side of description is a board | substrate side. In order to obtain a sufficient light reflectance, the film thickness of the highly light-reflective metal layer such as Al, Ag, Al alloy, or Ag alloy is preferably 50 nm or more, and more preferably 80 nm or more. The film thickness of the high work function material layer such as ITO or IZO is usually in the range of 5 nm to 500 nm.

上述の陽極22を形成させる方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。   Examples of the method for forming the anode 22 include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.

(透明な陰極)
透明な陰極24は、本発明における透明な第1電極であり、第1実施形態における透明な陽極2と同様に形成される。
(Transparent cathode)
The transparent cathode 24 is a transparent first electrode in the present invention, and is formed in the same manner as the transparent anode 2 in the first embodiment.

(封止基板)
透明な封止基板25は、本発明における透明基板であり、前述の実施形態の封止基板と同様の部材により構成することができる。封止基板25の屈折率n2と透明陰極24の屈折率n1とは、上記式(1)に示す関係にある。封止基板25としては、前述したようにガラス板やプラスチック板などが用いられ、式(1)を満足する範囲内で適宜に選択される。
(Sealing substrate)
The transparent sealing substrate 25 is a transparent substrate in the present invention, and can be composed of the same member as the sealing substrate of the above-described embodiment. The refractive index n2 of the sealing substrate 25 and the refractive index n1 of the transparent cathode 24 have the relationship shown in the above formula (1). As described above, a glass plate, a plastic plate, or the like is used as the sealing substrate 25 and is appropriately selected within a range that satisfies the formula (1).

(フィルム)
第2実施形態では、透明封止基板25にフィルム29が設けられている。フィルム29は、第1実施形態で用いたフィルム9の部材からなる。
(the film)
In the second embodiment, a film 29 is provided on the transparent sealing substrate 25. The film 29 is made of the member of the film 9 used in the first embodiment.

上述のように、第2実施形態では、透明な第1電極に相当する陰極24の屈折率n1、透明な基板に相当する封止基板25の屈折率n2が上記式(1)を満たし、さらに光が出射する最表面部に所定のフィルム29が設けられるので、第1実施形態と同様に光取出し効率が向上する。したがって第1実施形態と同様に、第2実施形態においても発光効率の高い有機EL素子を実現することができる。   As described above, in the second embodiment, the refractive index n1 of the cathode 24 corresponding to the transparent first electrode and the refractive index n2 of the sealing substrate 25 corresponding to the transparent substrate satisfy the above formula (1), and Since the predetermined film 29 is provided on the outermost surface portion from which light is emitted, the light extraction efficiency is improved as in the first embodiment. Therefore, as in the first embodiment, an organic EL element with high luminous efficiency can be realized in the second embodiment.

なお図1及び図2では、支持基板と封止基板との間の発光機能部の側面は露出しているが、通常は最終的に樹脂により封止される。   In FIG. 1 and FIG. 2, the side surface of the light emitting function portion between the support substrate and the sealing substrate is exposed, but is usually finally sealed with resin.

上記第1実施形態の有機EL素子は、ボトムエミッション型の素子構造を有しているが、同じボトムエミッション型の素子構造であって、発光機能部の積層順を逆順とし、透明な第1電極として支持基板側に透明な陰極を設け、封止基板側に第2電極として陽極を設けた構造の有機EL素子にも本発明は適用可能である。   The organic EL element of the first embodiment has a bottom emission type element structure, but has the same bottom emission type element structure, and the transparent first electrode has the light emitting function unit stacked in reverse order. The present invention can also be applied to an organic EL element having a structure in which a transparent cathode is provided on the support substrate side and an anode is provided on the sealing substrate side as the second electrode.

また第2実施形態の有機EL素子は、トップエミッション型の素子構造を有しているが、同じトップエミッション型の素子構造であって、発光機能部の積層順を逆順とし、透明な第1電極として封止基板側に透明な陽極を設け、支持基板側に第2電極として陰極を設けた構造の有機EL素子にも本発明は適用可能である。   In addition, the organic EL element of the second embodiment has a top emission type element structure, but has the same top emission type element structure. The present invention can also be applied to an organic EL element having a structure in which a transparent anode is provided on the sealing substrate side and a cathode is provided on the support substrate side as the second electrode.

作製例Production example

以下、作製例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の例示に限定されるものではない。   Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on a manufacture example and a comparative example, this invention is not limited to the following illustrations.

以下の作製例1〜3では、透明な基板と透明な第1電極の屈折率を特定の範囲に制御する。   In the following Production Examples 1 to 3, the refractive indexes of the transparent substrate and the transparent first electrode are controlled within a specific range.

(作製例1)
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、膜本体となる光硬化性モノマーであるトリメチロールプロパントリアクリレート(新中村化学社製、商品名「NKエステル−TMPT」)0.25gとを混合し、さらに重合開始剤(日本チバ・ガイギー社製、商品名「イルガキュア907」)0.0025gを添加する。この混合溶液を厚さ0.7mmのガラス基板(透明基板に相当)に塗布し、ホットプレート上で110℃20分加熱して溶媒を乾燥し、さらにUVランプで光照射(6000mW/cm2)することによって硬化して、膜厚が150nmの透明導電膜(透明な第1電極に相当)を得る。このように成膜することによって、透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下である透明導電膜(透明な第1電極に相当)が得られる。
(Production Example 1)
As a wire-like conductor, a silver nanowire (major axis average length 1 μm, short) whose surface is protected with an amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC” manufactured by IC Japan Ltd.) Axial average length of 10 nm) is used. 2 g of toluene dispersion of silver nanowire (containing 1.0 g of silver nanowire) and trimethylolpropane triacrylate (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name “NK Ester-TMPT”) which is a photocurable monomer serving as the film body 0.25 g is mixed, and further, 0.0025 g of a polymerization initiator (trade name “Irgacure 907” manufactured by Ciba-Geigy Corporation of Japan) is added. This mixed solution is applied to a 0.7 mm thick glass substrate (corresponding to a transparent substrate), heated on a hot plate at 110 ° C. for 20 minutes to dry the solvent, and further irradiated with a UV lamp (6000 mW / cm 2 ). By curing, a transparent conductive film (corresponding to a transparent first electrode) having a film thickness of 150 nm is obtained. By forming the film in this manner, a transparent conductive film (corresponding to a transparent first electrode) having a transmittance of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less is obtained.

膜本体を構成する光硬化樹脂の屈折率が1.47なので、得られる透明導電膜の屈折率も1.47となる。この透明導電膜付き透明板を、透明な第1電極を有する透明基板あるいは封止基板として用いることにより有機EL素子を得ることができる。得られる有機EL素子では光取出し効率および発光効率が向上する。   Since the refractive index of the photocurable resin constituting the film body is 1.47, the refractive index of the obtained transparent conductive film is also 1.47. An organic EL element can be obtained by using this transparent plate with a transparent conductive film as a transparent substrate having a transparent first electrode or a sealing substrate. In the obtained organic EL element, light extraction efficiency and light emission efficiency are improved.

(作製例2)
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、膜本体となるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名「BaytronP」)2.5gとを混合する。この混合溶液を厚さ0.7mmのガラス基板(透明基板に相当)に塗布し、ホットプレート上で200℃20分加熱し、溶媒を乾燥すると膜厚が150nmの透明導電膜(透明な第1電極に相当)を得る。このように成膜することによって、透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下である透明導電膜(透明な第1電極に相当)が得られる。
(Production Example 2)
As a wire-like conductor, a silver nanowire (major axis average length 1 μm, short) whose surface is protected with an amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC” manufactured by IC Japan Ltd.) Axial average length of 10 nm) is used. 1. 2 g of this silver nanowire in toluene dispersion (containing 1.0 g of silver nanowire) and a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (trade name “BaytronP” manufactured by Starck Co., Ltd.) to be the membrane body. Mix with 5 g. This mixed solution is applied to a glass substrate (corresponding to a transparent substrate) having a thickness of 0.7 mm, heated on a hot plate at 200 ° C. for 20 minutes, and dried to form a transparent conductive film (a transparent first film having a thickness of 150 nm). Corresponding to the electrode). By forming the film in this manner, a transparent conductive film (corresponding to a transparent first electrode) having a transmittance of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less is obtained.

膜本体を構成する「BaytronP」の屈折率が1.7なので、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となる。この透明導電膜付き透明板を、透明な第1電極を有する透明基板あるいは封止基板として用いることにより有機EL素子を得ることができる。得られる有機EL素子では、光取出し効率および発光効率が向上する。   Since the refractive index of “BaytronP” constituting the film main body is 1.7, the refractive index of the obtained transparent conductive film is also 1.7. An organic EL element can be obtained by using this transparent plate with a transparent conductive film as a transparent substrate having a transparent first electrode or a sealing substrate. In the obtained organic EL element, light extraction efficiency and light emission efficiency are improved.

(作製例3)
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。膜本体となるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名「BaytronP」)2.5gに、ジメチルスルホキシド0.125gを混合した混合液と、前記銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)とを混合する。この混合溶液を0.7mm厚のガラス基板(透明基板に相当)に塗布し、ホットプレート上で200℃20分加熱し、溶媒を乾燥すると膜厚が150nmの導電膜(透明な第1電極に相当)を得る。このように成膜することによって透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下である透明導電膜が得られる。
(Production Example 3)
As a wire-like conductor, a silver nanowire (major axis average length 1 μm, short) whose surface is protected with an amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC” manufactured by IC Japan Ltd.) Axial average length of 10 nm) is used. A mixture of 2.5 g of a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (trade name “BaytronP” manufactured by Starck Co., Ltd.) to be the membrane body and 0.125 g of dimethyl sulfoxide; 2 g of toluene dispersion (containing 1.0 g of silver nanowires) is mixed. This mixed solution is applied to a 0.7 mm thick glass substrate (corresponding to a transparent substrate), heated on a hot plate at 200 ° C. for 20 minutes, and dried to form a conductive film having a thickness of 150 nm (on a transparent first electrode). Equivalent) By forming a film in this way, a transparent conductive film having a transmittance of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less is obtained.

膜本体を構成する「BaytronP」の屈折率が1.7なので、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となる。この透明導電膜付き透明板を、透明な第1電極を有する透明基板あるいは封止基板に用いることにより有機EL素子を得ることができる。得られる有機EL素子では光取出し効率および発光効率が向上する。   Since the refractive index of “BaytronP” constituting the film main body is 1.7, the refractive index of the obtained transparent conductive film is also 1.7. An organic EL element can be obtained by using this transparent plate with a transparent conductive film for a transparent substrate or a sealing substrate having a transparent first electrode. In the obtained organic EL element, light extraction efficiency and light emission efficiency are improved.

以下の作製例4、5及び比較例1〜3では、透明な支持基板にフィルムを設けることにより光取出し効率を制御できることを確認した。   In the following Production Examples 4 and 5 and Comparative Examples 1 to 3, it was confirmed that the light extraction efficiency can be controlled by providing a film on a transparent support substrate.

(作製例4)
透明な支持基板として30mm×30mmのガラス基板を用いた。スパッタリング法によって厚みが150nmのITO薄膜を支持基板の表面上に形成した。このITO薄膜上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介して所定の領域を露光し、さらに洗浄することによって、所定のパターン形状の保護膜を形成した。さらにエッチングを施した後、水、NMP(n−methylpyrrolidone)でリンスを施し、所定のパターン形状のITO膜から成る陽極を形成した。次に陽極上のレジスト残渣を除去するために、酸素プラズマ処理を30Wのエネルギーで2分間行い、UV/O3洗浄を20分間行った。
(Production Example 4)
A 30 mm × 30 mm glass substrate was used as a transparent support substrate. An ITO thin film having a thickness of 150 nm was formed on the surface of the support substrate by sputtering. A photoresist was coated on the ITO thin film, a predetermined region was exposed through a photomask, and further washed to form a protective film having a predetermined pattern shape. After further etching, rinsing was performed with water and NMP (n-methylpyrrolidone) to form an anode made of an ITO film having a predetermined pattern shape. Next, in order to remove the resist residue on the anode, oxygen plasma treatment was performed at an energy of 30 W for 2 minutes, and UV / O 3 cleaning was performed for 20 minutes.

次にポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(スタルクヴィテック社製、商品名:BaytronP CH8000)の懸濁液に、2段階の濾過を行い、正孔注入層用の溶液を得た。第1段階目の濾過では、0.45μm径のフィルターを用い、第2段階目の濾過では、0.2μm径のフィルターを用いた。濾過して得られた溶液をスピンコート法により薄膜化し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で200℃、15分間熱処理することによって、厚みが70nmの正孔注入層を陽極上に形成した。   Next, the suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (trade name: BaytronP CH8000, manufactured by Starck Vitec Co., Ltd.) is subjected to two-stage filtration to prepare a solution for the hole injection layer. Obtained. In the first stage filtration, a 0.45 μm diameter filter was used, and in the second stage filtration, a 0.2 μm diameter filter was used. The solution obtained by filtration was thinned by a spin coating method, and heat-treated at 200 ° C. for 15 minutes on a hot plate in an air atmosphere to form a hole injection layer having a thickness of 70 nm on the anode.

次にLumation WP1330(SUMATION製)とキシレンとを混合してキシレン溶液を作製した。キシレン溶液におけるLumation WP1330の濃度を1.2質量%とした。作製した溶液を用いて、正孔注入層の表面上にスピンコート法によって薄膜を成膜した後、窒素雰囲気下においてホットプレート上で130℃、60分間熱処理し、厚みが80nmの発光層を形成した。   Next, Lumination WP1330 (manufactured by SUMATION) and xylene were mixed to prepare a xylene solution. The concentration of Lumation WP1330 in the xylene solution was 1.2 mass%. Using the prepared solution, a thin film was formed on the surface of the hole injection layer by spin coating, and then heat-treated on a hot plate at 130 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere to form a light-emitting layer having a thickness of 80 nm. did.

発光層が形成された支持基板を真空蒸着機に導入し、Ba、Alをそれぞれ5nm、80nmの厚みで順次蒸着し、陰極を形成した。なお真空度が1×10-4Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。 The support substrate on which the light emitting layer was formed was introduced into a vacuum deposition machine, and Ba and Al were sequentially deposited at a thickness of 5 nm and 80 nm, respectively, to form a cathode. The metal deposition was started after the degree of vacuum reached 1 × 10 −4 Pa or less.

次に、フィルムを作製するために、まずフィルム用の溶液を調製した。ポリカーボネート6.32gをジクロロメタン20.7gに溶解し、23.4wt%の溶液を調製した。この溶液にフッ素系界面活性剤としてノベック(住友3M製)を混合した。混合した溶液におけるノベックの濃度を0.8wt%とし、フィルム用の溶液を得た。湿度85%の恒温恒湿槽中において、成膜後のフィルムの膜厚が150μm程度となるように、得られたフィルム用の溶液をガラスの基台上にキャストした。湿度85%の雰囲気中で5分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、表面に凹凸形状を有する20mm×20mmのフィルム(フィルムA)を得た。   Next, in order to produce a film, first, a solution for the film was prepared. 6.32 g of polycarbonate was dissolved in 20.7 g of dichloromethane to prepare a 23.4 wt% solution. This solution was mixed with Novec (manufactured by Sumitomo 3M) as a fluorosurfactant. The concentration of Novec in the mixed solution was 0.8 wt% to obtain a film solution. The obtained film solution was cast on a glass base so that the film thickness after film formation was about 150 μm in a constant temperature and humidity chamber with a humidity of 85%. After being left in an atmosphere of 85% humidity for 5 minutes, the film was dried by nitrogen flow to obtain a 20 mm × 20 mm film (film A) having a concavo-convex shape on the surface.

次に、支持基板の上記発光層が形成されている側の表面とは反対側の表面に粘着剤としてグリセリンを塗布しフィルムAを貼り合せて、有機EL素子を作製した。支持基板の屈折率は、1.50であり、粘着剤の屈折率は、1.45であり、フィルムAの屈折率は、1.58である。また、フィルムAの平均膜厚は230μmである。   Next, glycerin was applied as a pressure-sensitive adhesive to the surface of the support substrate opposite to the surface on which the light-emitting layer was formed, and film A was bonded thereto to produce an organic EL device. The support substrate has a refractive index of 1.50, the adhesive has a refractive index of 1.45, and the film A has a refractive index of 1.58. The average film thickness of film A is 230 μm.

(作製例5)
作製例4の有機EL素子とはフィルムのみが異なる有機EL素子を作製した。本作製例3(5)では、高いヘイズ値(82)を示す市販品のフィルム(フィルムB)を用いた。フィルムBは粘着層を有しているので、粘着剤などを用いずにそのまま支持基板に貼付けて有機EL素子を作製した。
(Production Example 5)
An organic EL element different from the organic EL element of Production Example 4 only in film was produced. In Production Example 3 (5), a commercially available film (film B) showing a high haze value (82) was used. Since the film B has an adhesive layer, an organic EL element was produced by directly attaching the film B to a supporting substrate without using an adhesive or the like.

(比較例1)
作製例4の有機EL素子とはフィルムのみが異なる有機EL素子を作製した。フィルム用の溶液には、作製例1の溶液と同じものを用いた。湿度50%の恒温恒湿槽中において、成膜後のフィルムの膜厚が220μm程度となるように、フィルム用の溶液をガラスの基台上にキャストした。湿度50%の雰囲気中で5分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、20mm×20mmのフィルム(フィルムC)を得た。作製例4と同じ粘着剤を用いて作製例4と同様にフィルムCを支持基板に貼り付けて有機EL素子を作製した。
(Comparative Example 1)
An organic EL element different from the organic EL element of Production Example 4 only in film was produced. As the film solution, the same solution as in Preparation Example 1 was used. In a constant temperature and humidity chamber with a humidity of 50%, the film solution was cast on a glass base so that the film thickness after film formation was about 220 μm. After being left in an atmosphere of 50% humidity for 5 minutes, the film was dried by nitrogen flow to obtain a 20 mm × 20 mm film (film C). Using the same adhesive as in Production Example 4, film C was attached to a support substrate in the same manner as in Production Example 4 to produce an organic EL device.

(比較例2)
作製例4の有機EL素子とはフィルムのみが異なる有機EL素子を作製した。フィルム用の溶液には作製例4の溶液と同じものを用いた。湿度85%の恒温恒湿槽中において、成膜後のフィルムの膜厚が220μm程度となるように、フィルム用の溶液をガラスの基台上にキャストした。湿度85%の雰囲気中で5分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、表面に凹凸形状を有する20mm×20mmのフィルム(フィルムD)を得た。作製例4と同じ粘着剤を用いて作製例4と同様にフィルムDを支持基板に貼り付けて有機EL素子を作製した。
(Comparative Example 2)
An organic EL element different from the organic EL element of Production Example 4 only in film was produced. The same solution as in Preparation Example 4 was used as the film solution. In a constant temperature and humidity chamber with a humidity of 85%, the film solution was cast on a glass base so that the film thickness after film formation was about 220 μm. After leaving it in an atmosphere with a humidity of 85% for 5 minutes, the film was dried with a nitrogen flow to obtain a 20 mm × 20 mm film (film D) having an uneven shape on the surface. Using the same adhesive as in Production Example 4, film D was attached to a support substrate in the same manner as in Production Example 4 to produce an organic EL device.

(比較例3)
作製例4の有機EL素子とはフィルムのみが異なる有機EL素子を作製した。フィルム用の溶液には作製例4の溶液と同じものを用いた。湿度85%の恒温恒湿槽中において、成膜後のフィルムの膜厚が360μm程度となるように、フィルム用の溶液をガラスの基台上にキャストした。湿度85%の雰囲気中で5分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、表面に凹凸形状を有する20mm×20mmのフィルム(フィルムE)を得た。作製例4と同じ粘着剤を用いて作製例4と同様にフィルムEを支持基板に貼り付けて有機EL素子を作製した。
(Comparative Example 3)
An organic EL element different from the organic EL element of Production Example 4 only in film was produced. The same solution as in Preparation Example 4 was used as the film solution. In a constant temperature and humidity chamber with a humidity of 85%, the film solution was cast on a glass base so that the film thickness after film formation was about 360 μm. After being left in an atmosphere of 85% humidity for 5 minutes, the film was dried by nitrogen flow to obtain a 20 mm × 20 mm film (film E) having an uneven shape on the surface. Using the same adhesive as in Production Example 4, film E was attached to a support substrate in the same manner as in Production Example 4 to produce an organic EL device.

(フィルムの表面の観察)
作製例4、5、および比較例1、2、3で用いたフィルムの表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。図3は作製例4において作製したフィルムAの断面を模式的に示す図であり、図4は作製例5で用いたフィルムBの断面を模式的に示す図であり、図5は比較例1において作製したフィルムCの断面を模式的に示す図である。
(Observation of film surface)
The surfaces of the films used in Production Examples 4 and 5 and Comparative Examples 1, 2, and 3 were observed with a scanning electron microscope (SEM). 3 is a diagram schematically showing a cross section of the film A produced in Production Example 4, FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross section of the film B used in Production Example 5, and FIG. It is a figure which shows typically the cross section of the film C produced in.

作製例4において作製したフィルムAでは、フィルムの表面に平均直径が2μmの半球状の凹面が形成されていることを確認した。凹面は、フィルムAの表面の全面に渡って形成されていることを確認した。   In the film A produced in Production Example 4, it was confirmed that a hemispherical concave surface having an average diameter of 2 μm was formed on the surface of the film. It was confirmed that the concave surface was formed over the entire surface of the film A.

作製例5に用いたフィルムBでは、フィルムの表面が凹凸状に形成されていることを確認した。凹面は、フィルムBの表面の全面に渡って形成されていることを確認した。   In the film B used for Production Example 5, it was confirmed that the surface of the film was formed in an uneven shape. It was confirmed that the concave surface was formed over the entire surface of the film B.

比較例1において作製したフィルムCでは、表面に凹面が形成されずに、表面が平面であることを確認した。   In the film C produced in Comparative Example 1, it was confirmed that the surface was flat without forming a concave surface on the surface.

比較例2において作製したフィルムDでは、フィルムの表面に、平均直径が3μmの半球状の凹面が形成されていることを確認した。凹面の配置の規則性は比較的低かったが、凹面は、フィルムDの表面の全面に渡って形成されていることを確認した。   In the film D produced in Comparative Example 2, it was confirmed that a hemispherical concave surface having an average diameter of 3 μm was formed on the surface of the film. Although the regularity of the arrangement of the concave surface was relatively low, it was confirmed that the concave surface was formed over the entire surface of the film D.

比較例3において作製したフィルムEでは、フィルムの表面に、平均直径が4μmの半球状の凹面が形成されていることを確認した。凹面の配置の規則性は比較的低かったが、凹面は、フィルムEの表面の全面に渡って形成されていることを確認した。   In the film E produced in Comparative Example 3, it was confirmed that a hemispherical concave surface having an average diameter of 4 μm was formed on the surface of the film. Although the regularity of the arrangement of the concave surface was relatively low, it was confirmed that the concave surface was formed over the entire surface of the film E.

作製例4および比較例1、2、3においてフィルムを作製したときの湿度と、作製例4、5、および比較例1、2、3で用いたフィルムの特性とを(表1)に示す。   Table 1 shows the humidity when the films were produced in Production Example 4 and Comparative Examples 1, 2, and 3, and the characteristics of the films used in Production Examples 4, 5 and Comparative Examples 1, 2, and 3.

Figure 2010192117
Figure 2010192117

(表1)に示すように、湿度と、作製されるフィルムの膜厚とを制御することによって、高いヘイズ値のフィルムを作製できることが確認された。また作製されるフィルムの膜厚が厚くなると、凹面の径が大きくなることを確認した。   As shown in Table 1, it was confirmed that a film having a high haze value can be produced by controlling the humidity and the film thickness of the produced film. Moreover, when the film thickness of the produced film became thick, it confirmed that the diameter of the concave surface became large.

(有機EL素子1の光取出し効率)
作製例4、5および比較例1、2、3で作製したフィルムが貼り合わされた有機EL素子の光強度と、フィルムが貼り合わされていない有機EL素子の光強度とを比較した。(表2)に、フィルムが貼り合わされた有機EL素子の光強度を、フィルムが貼り合わされていない有機EL素子の光強度で割った光取出し効率の比を示す。光強度は、有機EL素子に0.15mAの電流を流し、そのときの発光強度の角度依存性を測定し、全ての角度での発光強度を積分することによって測定した。
(Light extraction efficiency of organic EL element 1)
The light intensity of the organic EL element to which the films prepared in Production Examples 4 and 5 and Comparative Examples 1, 2, and 3 were bonded was compared with the light intensity of the organic EL element to which the film was not bonded. (Table 2) shows the ratio of the light extraction efficiency obtained by dividing the light intensity of the organic EL element on which the film is bonded by the light intensity of the organic EL element on which the film is not bonded. The light intensity was measured by passing a current of 0.15 mA through the organic EL element, measuring the angle dependency of the emission intensity at that time, and integrating the emission intensity at all angles.

Figure 2010192117
Figure 2010192117

作製例4の有機EL素子は、フィルムAを貼り合せる前に比べて、光取出し効率が1.5倍上昇した。さらに作製例4のフィルムAと光学的特性の近いフィルムBが貼り合わされた作製例5の有機EL素子も、作製例4の有機EL素子と同様に、光取出し効率が大きく上昇した。しかしながら、比較例1の有機EL素子に用いたフィルムCは、表面がほぼ平面なため、光取出し効率の向上は見られなかった。また比較例2、3も、大きな光取出し効率の向上は見られなかった。
このことから、全光線透過率が高く、ヘイズ値の高いフィルムが光取出し効率の向上に寄与していることが明らかとなった。特にフィルムのヘイズ値が70以上になると、光取出し効率が大きく向上することがわかった。このように所定の光学特性を示すフィルムを設けることによって、光の取出し効率が向上することを確認した。
In the organic EL element of Production Example 4, the light extraction efficiency was increased 1.5 times compared to before the film A was bonded. Further, the organic EL element of Preparation Example 5 in which the film A of Preparation Example 4 and the film B having optical properties similar to each other were bonded together, as in the case of the organic EL element of Preparation Example 4, significantly increased the light extraction efficiency. However, since the surface of the film C used in the organic EL device of Comparative Example 1 was almost flat, no improvement in light extraction efficiency was observed. In Comparative Examples 2 and 3, no significant improvement in light extraction efficiency was observed.
From this, it was revealed that a film having a high total light transmittance and a high haze value contributes to an improvement in light extraction efficiency. In particular, it was found that the light extraction efficiency is greatly improved when the haze value of the film is 70 or more. Thus, it was confirmed that the light extraction efficiency was improved by providing a film having predetermined optical characteristics.

1 透明支持基板(透明基板)
2 透明陽極(透明な第1電極)
3 発光部
4 陰極(第2電極)
5 封止基板
6 陽極と発光層との間に設けられる層
7 発光層
8 陰極と発光層との間に設けられる層
9,29 フィルム
21 支持基板
22 陽極(第2電極)
23 発光部
24 透明陰極(第1電極)
25 透明封止基板(透明基板)
26 陽極と発光層との間に設けられる層
27 発光層
28 陰極と発光層との間に設けられる層
A 作製例4に用いたフィルム
B 作製例5に用いたフィルム
C 比較例1に用いたフィルム
1 Transparent support substrate (transparent substrate)
2 Transparent anode (transparent first electrode)
3 Light emitting part 4 Cathode (second electrode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Sealing substrate 6 Layer provided between an anode and a light emitting layer 7 Light emitting layer 8 Layer provided between a cathode and a light emitting layer 9,29 Film 21 Support substrate 22 Anode (2nd electrode)
23 Light Emitting Unit 24 Transparent Cathode (First Electrode)
25 Transparent sealing substrate (transparent substrate)
26 Layer provided between the anode and the light emitting layer 27 Light emitting layer 28 Layer provided between the cathode and the light emitting layer A Film used in Production Example 4 B Film used in Production Example 5 C Used in Comparative Example 1 the film

Claims (11)

透明な第1電極と、
前記第1電極とは極性が異なる第2電極と、
前記第1および第2電極の間に配置される発光層と、
前記第1電極の前記発光層側とは反対側に配置される透明基板と、
前記透明基板の前記発光層側とは反対側に配置されるフィルムと、を含み、
前記第1電極の屈折率をn1、前記透明基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2はそれぞれ次式(1)
Figure 2010192117
を満たし、
前記フィルムの前記透明基板側とは反対側の表面が凹凸状に形成され、該フィルムのヘイズ値が70%以上であり、かつ該フィルムの全光線透過率が80%以上である有機エレクトロルミネッセンス素子。
A transparent first electrode;
A second electrode having a polarity different from that of the first electrode;
A light emitting layer disposed between the first and second electrodes;
A transparent substrate disposed on a side opposite to the light emitting layer side of the first electrode;
A film disposed on the side opposite to the light emitting layer side of the transparent substrate,
When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the transparent substrate is n2, n1 and n2 are respectively expressed by the following formula (1)
Figure 2010192117
The filling,
An organic electroluminescence device in which the surface of the film opposite to the transparent substrate is formed in an uneven shape, the haze value of the film is 70% or more, and the total light transmittance of the film is 80% or more .
前記第1電極が塗布法により形成されたものである請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the first electrode is formed by a coating method. 前記第1電極が、透明の膜本体と、該膜本体中に配置されるワイヤ状の導電体とを含む請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   3. The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the first electrode includes a transparent film body and a wire-shaped conductor disposed in the film body. 前記ワイヤ状の導電体の径が200nm以下である請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 3, wherein the wire-like conductor has a diameter of 200 nm or less. 前記ワイヤ状の導電体が前記膜本体中において網目構造を構成している請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 4, wherein the wire-like conductor forms a network structure in the film main body. 前記膜本体が導電性を有する樹脂を含んでいる請求項3〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 3, wherein the film main body contains a resin having conductivity. 前記フィルムの前記透明基板側とは反対側の表面は、複数の凹面が配置されることにより前記凹凸状に形成されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 6, wherein a surface of the film opposite to the transparent substrate side is formed in the uneven shape by arranging a plurality of concave surfaces. 第1電極、第2電極、発光層、透明基板、およびフィルムを設けることにより請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記フィルムを設ける工程では、前記フィルムの厚みが100μm〜200μmの範囲となるように、前記フィルムとなる材料を含む溶液を所定の基台の表面上に塗布し、さらに前記基台の表面上に塗布された溶液を湿度が80%〜90%の雰囲気に保持し、溶液中の溶剤を蒸発させることにより前記フィルムを得る、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element which manufactures the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-7 by providing a 1st electrode, a 2nd electrode, a light emitting layer, a transparent substrate, and a film. ,
In the step of providing the film, a solution containing a material to be the film is applied on the surface of a predetermined base so that the thickness of the film is in a range of 100 μm to 200 μm, and further on the surface of the base The manufacturing method of the organic electroluminescent element which obtains the said film by hold | maintaining the apply | coated solution in the atmosphere whose humidity is 80%-90%, and evaporating the solvent in a solution.
請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置。   An illuminating device provided with the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-7. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状光源。   A planar light source comprising the organic electroluminescence element according to claim 1. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。   A display apparatus provided with the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-7.
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