JP2010186693A - Organic electroluminescent (el) display device - Google Patents

Organic electroluminescent (el) display device Download PDF

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JP2010186693A JP2009031402A JP2009031402A JP2010186693A JP 2010186693 A JP2010186693 A JP 2010186693A JP 2009031402 A JP2009031402 A JP 2009031402A JP 2009031402 A JP2009031402 A JP 2009031402A JP 2010186693 A JP2010186693 A JP 2010186693A
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浩史 久保田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent (EL) display device capable of suppressing coming around of an image due to an ambient light while reducing an increase in cost. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent (EL) display device includes a reflecting electrode, an organic layer disposed on the reflecting electrode, a semi-permeable electrode disposed on the organic layer, and a beads-containing layer disposed on the semi-permeable electrode with the beads contained therein. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) display device.

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス(EL)素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。   In recent years, active development of display devices using organic electroluminescence (EL) elements that are self-luminous, have high-speed response, wide viewing angle, high contrast, and can be made thinner and lighter. It has been broken.

例えば、特許文献1によれば、外部光の像の写り込みを防止するために、再帰性反射板を備えた有機EL表示素子が開示されている。再帰性反射板の一例として、コーナーキューブアレイや微小球からなる構成が開示されている。   For example, according to Patent Document 1, an organic EL display element including a retroreflecting plate is disclosed in order to prevent reflection of an external light image. As an example of the retroreflecting plate, a configuration including a corner cube array or a microsphere is disclosed.

しかしながら、このような再帰性反射板は、アルミニウム電極の下地として背面側基板との間に作りこむ必要がある。また、再帰性反射板の表面は、アルミニウム電極の下地となるため、高い平滑性が要求される。このため、製造プロセスが複雑となって、コストの増大を招くおそれがある。   However, it is necessary to make such a retroreflecting plate between the back side substrate as a base of the aluminum electrode. Moreover, since the surface of a retroreflection board becomes a foundation | substrate of an aluminum electrode, high smoothness is requested | required. For this reason, the manufacturing process becomes complicated, and there is a risk of increasing costs.

特開2007−165331号公報JP 2007-165331 A

本発明の目的は、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機EL表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of suppressing the reflection of an image of external light while suppressing an increase in cost.

本発明の一態様によれば、反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、を備えたことを特徴とする有機EL表示装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a reflective electrode, an organic layer disposed on the reflective electrode, a semi-transmissive electrode disposed on the organic layer, and a bead disposed on the semi-transmissive electrode There is provided an organic EL display device comprising a bead-containing layer containing.

本発明の他の態様によれば、反射電極と、前記反射電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された半透過電極と、前記半透過電極の上に配置され、前記反射電極に入射した外光を略入射方向に向けて出射する再帰性層と、を備えたことを特徴とする有機EL表示装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, the reflective electrode, the organic layer disposed on the reflective electrode, the semi-transmissive electrode disposed on the organic layer, and the semi-transmissive electrode are disposed. There is provided an organic EL display device comprising: a recursive layer that emits external light incident on the reflective electrode in a substantially incident direction.

本発明によれば、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機EL表示装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic electroluminescent display apparatus which can suppress the reflection of the image of external light can be provided, suppressing the increase in cost.

図1は、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an aspect of the present invention. 図2は、図1に示した有機EL表示装置の有機EL素子を含む表示パネルの概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a display panel including the organic EL element of the organic EL display device shown in FIG. 図3は、図1に示した有機EL表示装置の有機EL素子を含む他の構成の表示パネルの概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a display panel having another configuration including the organic EL element of the organic EL display device shown in FIG. 図4は、トリプレットと、ビーズ含有層に含まれるビーズとの関係を模式的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing the relationship between the triplet and the beads contained in the bead-containing layer.

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図1は、有機EL表示装置の構成を概略的に示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of an organic EL display device.

すなわち、有機EL表示装置は、表示パネル1を備えている。この表示パネル1は、アレイ基板100及び封止基板200を備えている。アレイ基板100は、画像を表示するアクティブエリア102において、マトリクス状に配置された複数の有機EL素子OLEDを備えている。封止基板200は、アレイ基板100の有機EL素子OLEDと向かい合っている。これらのアレイ基板100と封止基板200とは、アクティブエリア102を囲むように枠状に配置されたシール部材300により接合されている。   That is, the organic EL display device includes a display panel 1. The display panel 1 includes an array substrate 100 and a sealing substrate 200. The array substrate 100 includes a plurality of organic EL elements OLED arranged in a matrix in an active area 102 that displays an image. The sealing substrate 200 faces the organic EL element OLED of the array substrate 100. The array substrate 100 and the sealing substrate 200 are joined by a seal member 300 arranged in a frame shape so as to surround the active area 102.

図2は、図1に示した有機EL表示装置の有機EL素子OLEDを含む表示パネル1の断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the display panel 1 including the organic EL element OLED of the organic EL display device shown in FIG.

アレイ基板100は、ガラスなどの絶縁基板101、絶縁基板101の上に形成されたスイッチングトランジスタSW、有機EL素子OLEDなどを有している。絶縁基板101の上には、アンダーコート層111が配置されている。このアンダーコート層111は、例えば、シリコン酸化物によって形成されている。このようなアンダーコート層111は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。   The array substrate 100 includes an insulating substrate 101 such as glass, a switching transistor SW formed on the insulating substrate 101, an organic EL element OLED, and the like. An undercoat layer 111 is disposed on the insulating substrate 101. The undercoat layer 111 is made of, for example, silicon oxide. Such an undercoat layer 111 extends over substantially the entire active area 102.

アンダーコート層111の上には、スイッチングトランジスタSWの半導体層SCが配置されている。この半導体層SCは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層SCには、チャネル領域SCCを挟んでソース領域SCS及びドレイン領域SCDが形成されている。   A semiconductor layer SC of the switching transistor SW is disposed on the undercoat layer 111. The semiconductor layer SC is made of, for example, polysilicon. In the semiconductor layer SC, a source region SCS and a drain region SCD are formed with a channel region SCC interposed therebetween.

半導体層SCは、ゲート絶縁膜112によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜112は、アンダーコート層111の上に配置されている。このゲート絶縁膜112は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなゲート絶縁膜112は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。   The semiconductor layer SC is covered with a gate insulating film 112. The gate insulating film 112 is disposed on the undercoat layer 111. The gate insulating film 112 is made of, for example, silicon nitride. Such a gate insulating film 112 extends over substantially the entire active area 102.

ゲート絶縁膜112の上には、チャネル領域SCCの直上にスイッチングトランジスタSWのゲート電極Gが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタSWは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Gは、パッシベーション膜113によって被覆されている。また、パッシベーション膜113は、ゲート絶縁膜112の上に配置されている。このパッシベーション膜113は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなパッシベーション膜113は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。   On the gate insulating film 112, the gate electrode G of the switching transistor SW is disposed immediately above the channel region SCC. In this example, the switching transistor SW is a top-gate p-channel thin film transistor. The gate electrode G is covered with a passivation film 113. The passivation film 113 is disposed on the gate insulating film 112. The passivation film 113 is made of, for example, silicon nitride. Such a passivation film 113 extends over substantially the entire active area 102.

パッシベーション膜113の上には、スイッチングトランジスタSWのソース電極S及びドレイン電極Dが配置されている。ソース電極Sは、半導体層SCのソース領域SCSにコンタクトしている。ドレイン電極Dは、半導体層SCのドレイン領域SCDにコンタクトしている。   On the passivation film 113, the source electrode S and the drain electrode D of the switching transistor SW are disposed. The source electrode S is in contact with the source region SCS of the semiconductor layer SC. The drain electrode D is in contact with the drain region SCD of the semiconductor layer SC.

ソース電極S及びドレイン電極Dは、有機絶縁膜114によって被覆されている。また、有機絶縁膜114は、パッシベーション膜113の上に配置されている。このような有機絶縁膜114は、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。   The source electrode S and the drain electrode D are covered with an organic insulating film 114. The organic insulating film 114 is disposed on the passivation film 113. Such an organic insulating film 114 extends over the entire active area 102.

有機EL素子OLEDを構成する画素電極PEは、有機絶縁膜114の上に配置されている。画素電極PEは、スイッチングトランジスタSWのドレイン電極Dに接続されている。この画素電極PEは、この例では陽極に相当する。   A pixel electrode PE constituting the organic EL element OLED is disposed on the organic insulating film 114. The pixel electrode PE is connected to the drain electrode D of the switching transistor SW. The pixel electrode PE corresponds to an anode in this example.

この画素電極PEは、反射電極PER及び透過電極PETが積層された2層構造である。つまり、反射電極PERは、有機絶縁膜114の上に配置されている。また、透過電極PETは、反射電極PERの上に積層されている。反射電極PERは、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極PETは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)、インジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極PEは、2層構造に限らず、反射電極PER単層であっても良い。つまり、画素電極PEは、少なくとも反射電極PERを含んだ構成であれば良い。   The pixel electrode PE has a two-layer structure in which a reflective electrode PER and a transmissive electrode PET are stacked. That is, the reflective electrode PER is disposed on the organic insulating film 114. Further, the transmissive electrode PET is laminated on the reflective electrode PER. The reflective electrode PER is formed of a conductive material having light reflectivity, such as silver (Ag) or aluminum (Al). The transmissive electrode PET is made of a conductive material having optical transparency such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and the like. Note that the pixel electrode PE is not limited to a two-layer structure, and may be a reflective electrode PER single layer. That is, the pixel electrode PE may be configured to include at least the reflective electrode PER.

有機絶縁膜114の上には、隔壁PIが配置されている。この隔壁PIは、画素電極PEの周縁に沿って配置されている。この隔壁PIは、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成可能である。   A partition wall PI is disposed on the organic insulating film 114. The partition wall PI is disposed along the periphery of the pixel electrode PE. The partition wall PI can be formed by patterning a resin material, for example.

有機EL素子OLEDを構成する有機層ORGは、画素電極PEの上に配置されている。この有機層ORGは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。   The organic layer ORG constituting the organic EL element OLED is arranged on the pixel electrode PE. The organic layer ORG includes at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and the like.

有機EL素子OLEDを構成する対向電極CEは、半透過電極によって構成されている。この対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。この例では、対向電極CEは、陰極に相当する。この対向電極CEは、有機層ORGのみならず隔壁PIも被覆している。このような対向電極CEは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成されている。   The counter electrode CE constituting the organic EL element OLED is constituted by a semi-transmissive electrode. The counter electrode CE is disposed on the organic layer ORG. In this example, the counter electrode CE corresponds to a cathode. The counter electrode CE covers not only the organic layer ORG but also the partition wall PI. Such a counter electrode CE is made of, for example, magnesium or silver.

対向電極CEの上には、保護層115が配置されている。この保護層115は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物によって形成されている。このような保護層115は、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。   A protective layer 115 is disposed on the counter electrode CE. The protective layer 115 is made of, for example, silicon oxide or silicon nitride. Such a protective layer 115 extends over the entire active area 102.

保護層115の上には、ビーズ含有層120が配置されている。このビーズ含有層120は、反射電極PERに入射した外部光を略入射方向に向けて出射する再帰性層として機能する。このようなビーズ含有層120は、例えば、樹脂層121にビーズ122を分散させて形成した層である。ビーズ122は、樹脂層121の中で密集した状態で配置され、しかも、ビーズ含有層120の厚さ方向に複数のビーズ122が積み重なることなく単層を形成するように配置されている。このビーズ122は、微小な直径の略球状体であり、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する材料によって形成されている。   A bead-containing layer 120 is disposed on the protective layer 115. The bead-containing layer 120 functions as a recursive layer that emits external light incident on the reflective electrode PER in a substantially incident direction. Such a bead-containing layer 120 is a layer formed by dispersing beads 122 in a resin layer 121, for example. The beads 122 are arranged in a dense state in the resin layer 121, and are arranged so as to form a single layer without the plurality of beads 122 being stacked in the thickness direction of the bead-containing layer 120. The beads 122 are substantially spherical bodies having a minute diameter, and are made of a light-transmitting material such as glass or plastic.

封止基板200は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。この封止基板200は、ビーズ含有層120の上に配置されている。なお、封止基板200は、外面200E、すなわち、有機EL素子OLEDと向かい合う面とは反対側の面に偏光板を備えていない。   The sealing substrate 200 is a light-transmitting insulating substrate such as glass or plastic. The sealing substrate 200 is disposed on the bead-containing layer 120. The sealing substrate 200 does not include a polarizing plate on the outer surface 200E, that is, the surface opposite to the surface facing the organic EL element OLED.

このような本実施形態の構成によれば、有機EL素子OLEDで発生した光のうち、封止基板200の側から出射される光が偏光板に吸収されることがないため、封止基板200の外面200Eに偏光板を備えた構成と比較して、有機EL素子OLEDの輝度を向上することができる。なお、有機EL素子OLEDで発生した光は、ビーズ含有層120のビーズ122を透過するため、ビーズ含有層120を配置したことによって観察者方向に出射される光量が著しく低減することはなく、輝度の低下は問題にならない。加えて、有機EL素子OLEDを構成する画素電極PEの反射電極PERと半透過電極である対向電極CEとの間の厚さをナノオーダに調整することによってマイクロキャビティ効果が得られ、輝度の向上に加えて、色純度を向上することも可能となる。   According to the configuration of the present embodiment, the light emitted from the sealing substrate 200 side among the light generated in the organic EL element OLED is not absorbed by the polarizing plate, and thus the sealing substrate 200. Compared with a configuration in which a polarizing plate is provided on the outer surface 200E, the luminance of the organic EL element OLED can be improved. In addition, since the light generated in the organic EL element OLED is transmitted through the beads 122 of the bead-containing layer 120, the amount of light emitted in the observer direction is not significantly reduced by arranging the bead-containing layer 120, and the luminance The decline of is not a problem. In addition, the microcavity effect can be obtained by adjusting the thickness between the reflective electrode PER of the pixel electrode PE constituting the organic EL element OLED and the counter electrode CE which is a semi-transmissive electrode to the nano order, thereby improving the luminance. In addition, the color purity can be improved.

また、本実施形態の構成によれば、封止基板200の側から有機EL素子OLEDに向かって入射した外部光は、反射電極PERによって反射された後に、ビーズ含有層120により略入射方向に向けて出射される。つまり、外部光の正反射を抑制することができる。このため、有機EL素子OLEDが光を発生している発光状態において、外部光のうちの観察者方向に出射される正反射の光量を低減できるため、コントラストを向上することが可能となる。   Further, according to the configuration of the present embodiment, the external light incident from the sealing substrate 200 side toward the organic EL element OLED is reflected by the reflective electrode PER and then directed in the substantially incident direction by the bead-containing layer 120. Are emitted. That is, regular reflection of external light can be suppressed. For this reason, in the light emission state in which the organic EL element OLED generates light, the amount of specular reflection emitted in the observer direction out of the external light can be reduced, so that the contrast can be improved.

図2に示した構成の表示パネル1と、比較例として図2に示した構成からビーズ含有層を省略した構成の表示パネルとを用意し、10000lxの外部光の下でコントラストを測定したところ、比較例の表示パネルのコントラストを1としたとき、図2に示した本実施形態の表示パネル1のコントラストは8となった。   A display panel 1 having the configuration shown in FIG. 2 and a display panel having a configuration in which the bead-containing layer is omitted from the configuration shown in FIG. 2 as a comparative example were prepared, and the contrast was measured under 10000 lx external light. When the contrast of the display panel of the comparative example is 1, the contrast of the display panel 1 of the present embodiment shown in FIG.

さらに、本実施形態の構成によれば、ビーズ含有層120を配置したことにより、発光状態のみならず、有機EL素子OLEDが光を発生していない非発光状態において、外部光の像の写りこみを抑制することが可能となる。例えば、表示パネル1が黒を表示している際にも、外部光の像の映り込みが抑制されるため、良好な黒表示を実現できる。   Furthermore, according to the configuration of the present embodiment, by arranging the bead-containing layer 120, the image of external light is reflected not only in the light-emitting state but also in the non-light-emitting state where the organic EL element OLED does not generate light. Can be suppressed. For example, even when the display panel 1 displays black, reflection of an external light image is suppressed, so that a good black display can be realized.

本実施形態において、上述したビーズ含有層120は、保護層115及び封止基板200に接着されている。例えば、樹脂層121にビーズ122を分散させたフィルム状のビーズ含有層120と保護層115との間、及び、ビーズ含有層120と封止基板200との間にそれぞれ接着剤として感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を硬化させることによって、ビーズ含有層120は、保護層115及び封止基板200の双方に接着される。   In the present embodiment, the above-described bead-containing layer 120 is bonded to the protective layer 115 and the sealing substrate 200. For example, a photosensitive resin material is used as an adhesive between the film-like bead-containing layer 120 in which beads 122 are dispersed in the resin layer 121 and the protective layer 115, and between the bead-containing layer 120 and the sealing substrate 200, respectively. Alternatively, the bead-containing layer 120 is bonded to both the protective layer 115 and the sealing substrate 200 by applying a thermosetting resin material and curing the resin material.

このように、フィルム状のビーズ含有層120を有機EL素子OLEDと封止基板200との間に配置し、接着する手法によって、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果が得られる。すなわち、簡素な製造プロセスによってビーズ含有層120を設置することができ、アレイ基板100に再帰性反射板を作りこむ製造プロセスと比較して、プロセス負荷が小さく、コストの増大を抑制できる。   As described above, the retroreflective effect of emitting external light in a substantially incident direction can be obtained by arranging and adhering the film-like bead-containing layer 120 between the organic EL element OLED and the sealing substrate 200. That is, the bead-containing layer 120 can be installed by a simple manufacturing process, and compared with a manufacturing process in which a retroreflector is formed on the array substrate 100, the process load is small and an increase in cost can be suppressed.

なお、上述した手法の他に、ビーズ122を分散させた感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を保護層115の上に塗布し、この樹脂材料に封止基板200を重ねた状態で樹脂材料を硬化させることにより、保護層115及び封止基板200の双方に接着されたビーズ含有層120を形成することも可能である。   In addition to the method described above, a photosensitive resin material or a thermosetting resin material in which beads 122 are dispersed is applied on the protective layer 115, and the resin material is placed in a state where the sealing substrate 200 is overlaid on the resin material. It is also possible to form the bead-containing layer 120 adhered to both the protective layer 115 and the sealing substrate 200 by curing.

いずれの手法においても、ビーズ含有層120と対向電極CEとの間には、保護層115が配置されているため、ビーズ含有層120あるいは接着剤として利用される樹脂材料が有機EL素子OLEDに接触しない。このため、ビーズ含有層120に含まれる樹脂層121や接着剤による有機EL素子OLEDの汚染、あるいは、水分の浸入を防止できる。   In any method, since the protective layer 115 is disposed between the bead-containing layer 120 and the counter electrode CE, the resin material used as the bead-containing layer 120 or the adhesive contacts the organic EL element OLED. do not do. For this reason, it is possible to prevent the organic EL element OLED from being contaminated by the resin layer 121 and the adhesive contained in the bead-containing layer 120 or moisture from entering.

ビーズ含有層120と反射電極PERとの間には、有機EL素子OLEDを構成する透過電極PET、有機層ORG、及び、対向電極CEに加えて、保護層115が配置されている。厚さの一例として、有機EL素子OLEDの透過電極PET、有機層ORG、及び、対向電極CEの総厚が0.1μm〜1.5μm程度、保護層115の厚さが50nm程度、ビーズ含有層120を保護層115に接着する樹脂材料の厚さが1μm程度であるとすると、反射電極PERからビーズ含有層120の下面までの距離は最大で2.5μm程度である。この反射電極−ビーズ含有層間の距離は、ビーズ122の直径の平均値が15μm程度であるとすると、ビーズ122の直径に比して十分に小さい。このため、反射電極PERとビーズ含有層120とが接触していなくとも、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果は得られる。   Between the bead-containing layer 120 and the reflective electrode PER, a protective layer 115 is disposed in addition to the transmissive electrode PET, the organic layer ORG, and the counter electrode CE that constitute the organic EL element OLED. As an example of the thickness, the total thickness of the transmissive electrode PET, the organic layer ORG, and the counter electrode CE of the organic EL element OLED is about 0.1 μm to 1.5 μm, the thickness of the protective layer 115 is about 50 nm, a bead-containing layer If the thickness of the resin material that bonds 120 to the protective layer 115 is about 1 μm, the distance from the reflective electrode PER to the lower surface of the bead-containing layer 120 is about 2.5 μm at the maximum. The distance between the reflective electrode and the bead-containing layer is sufficiently smaller than the diameter of the bead 122 when the average value of the diameter of the bead 122 is about 15 μm. For this reason, even if the reflective electrode PER and the bead-containing layer 120 are not in contact with each other, a recursive effect of emitting external light in a substantially incident direction can be obtained.

ビーズ含有層120に含まれるビーズ122は、単層を形成するように配置された場合に再帰性の効果がもっとも大きくなる。なお、ここで単層とは、ビーズ含有層120の厚さがビーズ122の直径の平均値の2倍未満である状態とする。   When the beads 122 included in the bead-containing layer 120 are arranged so as to form a single layer, the effect of recursion becomes the greatest. Here, the single layer is a state in which the thickness of the bead-containing layer 120 is less than twice the average value of the diameter of the beads 122.

本実施形態においては、図2に示した例に限らず、対向電極CEとビーズ含有層120との間の保護層115は省略しても良い。つまり、ビーズ含有層120は、対向電極CEに接着されても良い。   In the present embodiment, the protective layer 115 between the counter electrode CE and the bead-containing layer 120 may be omitted without being limited to the example shown in FIG. That is, the bead-containing layer 120 may be bonded to the counter electrode CE.

ビーズ含有層120は、保護層115と完全に密着していなくてもよい。また、保護層を省略した場合には、ビーズ含有層120は、対向電極CEと完全に密着していなくてもよい。つまり、ビーズ含有層120と保護層115との間、あるいは、ビーズ含有層120と対向電極CEとの間の一部に空気層などの空間が介在していても、外部光を略入射方向に出射する再帰性の効果が得られるが、有機EL素子OLEDで発生した光を効率よく封止基板200の側から出射させるためには、空間が介在しないことが望ましい。   The bead-containing layer 120 may not be completely in close contact with the protective layer 115. In addition, when the protective layer is omitted, the bead-containing layer 120 may not be completely in close contact with the counter electrode CE. That is, even if a space such as an air layer is interposed between the bead-containing layer 120 and the protective layer 115 or between the bead-containing layer 120 and the counter electrode CE, external light is substantially incident in the incident direction. Although the retroreflecting effect of emitting is obtained, it is desirable that no space is interposed in order to efficiently emit light generated by the organic EL element OLED from the sealing substrate 200 side.

また、表示パネル1において、封止基板200の有機EL素子OLEDと対向する面に着色樹脂材料によって形成されたカラーフィルタを配置しても良い。このようなカラーフィルタは、外部光の一部を吸収する。このため、表示パネル1に表示された画像が外部光の影響をより受けにくくなり、コントラストをさらに向上することができる。   In the display panel 1, a color filter formed of a colored resin material may be disposed on the surface of the sealing substrate 200 facing the organic EL element OLED. Such a color filter absorbs part of the external light. For this reason, the image displayed on the display panel 1 becomes less susceptible to the influence of external light, and the contrast can be further improved.

次に、本実施形態の変形例について説明する。   Next, a modification of this embodiment will be described.

図3は、図1に示した有機EL表示装置の有機EL素子OLEDを含む他の構成の表示パネル1の断面図である。なお、図2に示した構成と同一構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。   FIG. 3 is a cross-sectional view of a display panel 1 having another configuration including the organic EL element OLED of the organic EL display device shown in FIG. In addition, about the same structure as the structure shown in FIG. 2, the same referential mark is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

図3に示した表示パネル1では、図2に示した表示パネル1と比較して、ビーズ含有層120が封止基板200の外面200Eに配置された点で相違する。アレイ基板100は、絶縁基板101と有機EL素子OLEDとの間に、アンダーコート層111、ゲート絶縁膜112、パッシベーション膜113、及び、有機絶縁膜114を備えている。スイッチングトランジスタSWは、アンダーコート層111とゲート絶縁膜112との間に配置されソース領域SCS、チャネル領域SCC、及び、ドレイン領域SCDを有する半導体層SC、ゲート絶縁膜112とパッシベーション膜113との間に配置されたゲート電極G、パッシベーション膜113と有機絶縁膜114との間に配置されたソース電極S及びドレイン電極をD備えている。有機EL素子OLEDは、有機絶縁膜114の上に配置された反射電極PER及び反射電極PERの上に配置された透過電極PETを有する画素電極、画素電極PEの上に配置された有機層ORG、及び、有機層ORGの上に配置された半透過電極である対向電極CEを備えている。対向電極CEの上には、保護層115が配置されている。封止基板200は、保護層115の上に配置されている。ビーズ含有層120は、封止基板200の上に配置されている。   The display panel 1 shown in FIG. 3 is different from the display panel 1 shown in FIG. 2 in that the bead-containing layer 120 is disposed on the outer surface 200E of the sealing substrate 200. The array substrate 100 includes an undercoat layer 111, a gate insulating film 112, a passivation film 113, and an organic insulating film 114 between the insulating substrate 101 and the organic EL element OLED. The switching transistor SW is disposed between the undercoat layer 111 and the gate insulating film 112 and is disposed between the semiconductor layer SC having the source region SCS, the channel region SCC, and the drain region SCD, and between the gate insulating film 112 and the passivation film 113. A gate electrode G, a source electrode S and a drain electrode D disposed between the passivation film 113 and the organic insulating film 114 are provided. The organic EL element OLED includes a pixel electrode having a reflective electrode PER disposed on the organic insulating film 114 and a transmissive electrode PET disposed on the reflective electrode PER, an organic layer ORG disposed on the pixel electrode PE, And the counter electrode CE which is a transflective electrode arrange | positioned on the organic layer ORG is provided. A protective layer 115 is disposed on the counter electrode CE. The sealing substrate 200 is disposed on the protective layer 115. The bead-containing layer 120 is disposed on the sealing substrate 200.

このような変形例の構成においても、図2に示した構成と同様の効果が得られる。   Also in the configuration of such a modification, the same effect as the configuration shown in FIG. 2 can be obtained.

また、図3に示した変形例においては、ビーズ含有層120は、封止基板200に接着されている。例えば、フィルム状のビーズ含有層120と封止基板200との間に接着剤として感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を硬化させることによって、ビーズ含有層120は、封止基板200に接着される。また、ビーズ122を分散させた感光性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料を封止基板200の上に塗布し、この樹脂材料を硬化させることにより、封止基板200に接着されたビーズ含有層120を形成することも可能である。   In the modification shown in FIG. 3, the bead-containing layer 120 is bonded to the sealing substrate 200. For example, by applying a photosensitive resin material or a thermosetting resin material as an adhesive between the film-like bead-containing layer 120 and the sealing substrate 200, and curing the resin material, the bead-containing layer 120 is Bonded to the sealing substrate 200. Further, a bead-containing layer 120 adhered to the sealing substrate 200 is obtained by applying a photosensitive resin material or a thermosetting resin material in which beads 122 are dispersed on the sealing substrate 200 and curing the resin material. It is also possible to form

このように、ビーズ含有層120と有機EL素子OLEDとの間には、封止基板200が介在するため、ビーズ含有層120を形成する過程で有機EL素子OLEDがダメージを受けることはなく、ビーズ含有層120を形成する手法については特に制限が無い。また、ビーズ含有層120あるいは接着剤として利用される樹脂材料が有機EL素子OLEDに接触しないため、ビーズ含有層120に含まれる樹脂層121や接着剤による有機EL素子OLEDの汚染、あるいは、水分の浸入を防止できる。   Thus, since the sealing substrate 200 is interposed between the bead-containing layer 120 and the organic EL element OLED, the organic EL element OLED is not damaged in the process of forming the bead-containing layer 120, and the bead There is no restriction | limiting in particular about the method of forming the content layer 120. Further, since the resin material used as the bead-containing layer 120 or the adhesive does not contact the organic EL element OLED, the resin layer 121 contained in the bead-containing layer 120 or the organic EL element OLED due to the adhesive, or moisture Intrusion can be prevented.

なお、対向電極CEと封止基板200との間の保護層115は省略しても良い。また、図3に示したように、封止基板200は、保護層115と完全に密着していなくてもよい。また、保護層115を省略した場合には、封止基板200は、対向電極CEと完全に密着していなくても良い。つまり、封止基板200と保護層115との間、あるいは、封止基板200と対向電極CEとの間の一部に空気層などの空間が介在していてもよい。なお、封止基板200と保護層115との間、あるいは、封止基板200と対向電極CEとの間に空間が介在しないように、樹脂層が充填されても良い。   Note that the protective layer 115 between the counter electrode CE and the sealing substrate 200 may be omitted. Further, as illustrated in FIG. 3, the sealing substrate 200 may not be completely in close contact with the protective layer 115. When the protective layer 115 is omitted, the sealing substrate 200 may not be completely in close contact with the counter electrode CE. That is, a space such as an air layer may be interposed between the sealing substrate 200 and the protective layer 115 or a part between the sealing substrate 200 and the counter electrode CE. Note that the resin layer may be filled so that there is no space between the sealing substrate 200 and the protective layer 115 or between the sealing substrate 200 and the counter electrode CE.

また、表示パネル1において、封止基板200の有機EL素子OLEDと対向する面に着色樹脂材料によって形成されたカラーフィルタを配置しても良い。このようなカラーフィルタは、外部光の一部を吸収する。このため、表示パネル1に表示された画像が外部光の影響をより受けにくくなり、コントラストをさらに向上することができる。   In the display panel 1, a color filter formed of a colored resin material may be disposed on the surface of the sealing substrate 200 facing the organic EL element OLED. Such a color filter absorbs part of the external light. For this reason, the image displayed on the display panel 1 becomes less susceptible to the influence of external light, and the contrast can be further improved.

次に、ビーズ含有層120が含有するビーズ122の直径と、画素サイズとの関係について説明する。   Next, the relationship between the diameter of the beads 122 contained in the bead-containing layer 120 and the pixel size will be described.

図4は、トリプレットTと、ビーズ含有層120に含まれるビーズ122との関係を模式的に示す平面図である。トリプレットTは、X方向及びY方向の長さが略同等の正方形状に形成されている。トリプレットTは、赤色を表示する画素PX1、緑色を表示する画素PX2、及び、青色を表示する画素PX3によって構成されている。ここでは、各画素PX1乃至PX3は、有機EL素子OLEDを構成する画素電極PEあるいは反射電極PERの寸法と実質的に同一であるものとする。   FIG. 4 is a plan view schematically showing the relationship between the triplet T and the beads 122 included in the bead-containing layer 120. The triplet T is formed in a square shape having substantially the same length in the X direction and the Y direction. The triplet T includes a pixel PX1 that displays red, a pixel PX2 that displays green, and a pixel PX3 that displays blue. Here, it is assumed that each of the pixels PX1 to PX3 is substantially the same as the size of the pixel electrode PE or the reflective electrode PER constituting the organic EL element OLED.

各画素PX1乃至PX3は、それぞれY方向に延びた長方形状に形成されている。また、図4に示した例では、これらの各画素PX1乃至PX3は、実質的に同一寸法であり、X方向に沿った短辺のそれぞれの長さ及びY方向に沿った長辺のそれぞれの長さは略同等である。   Each of the pixels PX1 to PX3 is formed in a rectangular shape extending in the Y direction. Further, in the example shown in FIG. 4, each of these pixels PX1 to PX3 has substantially the same dimensions, and each of the short sides along the X direction and each of the long sides along the Y direction. The length is approximately the same.

トリプレットTの一辺の長さは、例えば100μmである。この場合、各画素PX1乃至PX3の長辺の長さは100μmであり、各画素PX1乃至PX3の短辺の長さは30μm程度である。このようなトリプレットTに対して、ビーズ含有層120のビーズ122の直径は、各画素PX1乃至PX3の短辺の長さよりも小さい。たとえば、各画素PX1乃至PX3にかかるビーズ122の直径の平均値は、10〜20μm程度である。   The length of one side of the triplet T is, for example, 100 μm. In this case, the length of the long side of each pixel PX1 to PX3 is 100 μm, and the length of the short side of each pixel PX1 to PX3 is about 30 μm. For such a triplet T, the diameter of the beads 122 of the bead-containing layer 120 is smaller than the length of the short sides of the pixels PX1 to PX3. For example, the average value of the diameters of the beads 122 for the pixels PX1 to PX3 is about 10 to 20 μm.

このように、ビーズ122の直径が各画素PX1乃至PX3の短辺の長さよりも小さい場合には、外部光が略入射方向に出射される再帰性の効果が高く、外部光が入射時と出射時とで同色の画素を通過するため、色ズレや混色の発生を防止できる。   Thus, when the diameter of the bead 122 is smaller than the length of the short side of each of the pixels PX1 to PX3, the effect of recursiveness in which the external light is emitted substantially in the incident direction is high, and the external light is emitted when the incident light is incident. Since pixels of the same color pass through time, it is possible to prevent color misregistration and color mixing.

ビーズ122の直径は、10μm以上、100μm以下であることが望ましい。ビーズ122の直径が10μmより小さい場合には、ビーズ122を同一平面内で均一に並べることが難しく、再帰性の効果が減少するおそれがある。また、ビーズ122の直径が100μmを超える場合には、有機EL素子OLEDで発生した光の出射が妨げられ、輝度の低下を招くおそれがある。さらに、封止基板200と有機EL素子OLEDとの間にカラーフィルタが介在する場合には、カラーフィルタと有機EL素子OLEDとの間にビーズ含有層120を配置することによって、有機層ORGからカラーフィルタまでの距離が拡大し、視角方位で色ズレが発生するおそれがある。このため、ビーズ122の直径は10〜100μmの範囲とすることが望ましい。   The diameter of the beads 122 is desirably 10 μm or more and 100 μm or less. If the diameter of the beads 122 is smaller than 10 μm, it is difficult to arrange the beads 122 uniformly in the same plane, and the effect of recursion may be reduced. Moreover, when the diameter of the bead 122 exceeds 100 μm, the emission of light generated by the organic EL element OLED is hindered, and there is a risk of lowering the luminance. Further, when a color filter is interposed between the sealing substrate 200 and the organic EL element OLED, the bead-containing layer 120 is disposed between the color filter and the organic EL element OLED, so that the color is changed from the organic layer ORG. The distance to the filter is increased, and there is a possibility that color misregistration occurs in the viewing angle direction. For this reason, it is desirable that the diameter of the beads 122 be in the range of 10 to 100 μm.

以上説明したように、コストの増大を抑制しつつ、外部光の像の写りこみを抑制することが可能な有機EL表示装置を提供することができる。   As described above, it is possible to provide an organic EL display device capable of suppressing the reflection of an image of external light while suppressing an increase in cost.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図4に示したトリプレットTの長さについては、一辺の長さが100μm、各画素PX1乃至PX3の長辺の長さが100μm、画素の短辺の長さが30μmの場合いついて説明したが、上記の例に限らない。   The length of the triplet T shown in FIG. 4 has been described when the length of one side is 100 μm, the length of each pixel PX1 to PX3 is 100 μm, and the length of the short side of the pixel is 30 μm. The present invention is not limited to the above example.

有機EL素子OLEDの有機層ORGの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。   The material of the organic layer ORG of the organic EL element OLED may include a fluorescent material or a phosphorescent material.

1…表示パネル
100…アレイ基板 200…封止基板 300…シール部材
OLED…有機EL素子
PE…画素電極(PER…反射電極 PET…透過電極)
CE…対向電極
ORG…有機層
115…保護層
120…ビーズ含有層(再帰性層) 121…樹脂層 122…ビーズ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display panel 100 ... Array substrate 200 ... Sealing substrate 300 ... Sealing member OLED ... Organic EL element PE ... Pixel electrode (PER ... Reflective electrode PET ... Transmission electrode)
CE ... Counter electrode ORG ... Organic layer 115 ... Protective layer 120 ... Bead-containing layer (recursive layer) 121 ... Resin layer 122 ... Bead

Claims (5)

反射電極と、
前記反射電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された半透過電極と、
前記半透過電極の上に配置されビーズを含有するビーズ含有層と、
を備えたことを特徴とする有機EL表示装置。
A reflective electrode;
An organic layer disposed on the reflective electrode;
A transflective electrode disposed on the organic layer;
A bead-containing layer disposed on the transflective electrode and containing beads;
An organic EL display device comprising:
さらに、半透過電極とビーズ含有層との間に配置された保護層と、
前記ビーズ含有層の上に配置された封止基板と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
Furthermore, a protective layer disposed between the transflective electrode and the bead-containing layer,
The organic EL display device according to claim 1, further comprising: a sealing substrate disposed on the bead-containing layer.
さらに、半透過電極とビーズ含有層との間に配置された封止基板を備えたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, further comprising a sealing substrate disposed between the transflective electrode and the bead-containing layer. 前記ビーズ含有層のビーズの直径は、前記反射電極の短辺の長さよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein a diameter of the beads of the bead-containing layer is smaller than a length of a short side of the reflective electrode. 反射電極と、
前記反射電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された半透過電極と、
前記半透過電極の上に配置され、前記反射電極に入射した外部光を略入射方向に向けて出射する再帰性層と、
を備えたことを特徴とする有機EL表示装置。
A reflective electrode;
An organic layer disposed on the reflective electrode;
A transflective electrode disposed on the organic layer;
A recursive layer disposed on the transflective electrode and emitting external light incident on the reflective electrode in a substantially incident direction;
An organic EL display device comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012129192A (en) * 2010-11-24 2012-07-05 Canon Inc Extinction method of organic el display device, and organic el display device

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