JP2010170095A - 光パルス形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な設計を有しかつ一層高い信頼性で動作する装置を提供すること。
【解決手段】本発明は光パルス形成装置に関する。この装置には、入力光パルスを形成するためのシードレーザ源(1)が含まれている。利得可変の光前置増幅器(2,3)はシードレーザ源(1)から入力光パルスを受信する。光パワー増幅器(4,5)は、光前置増幅器(2,3)から光パルスを受信し、この受信した光パルスを増幅して圧縮する。光パルスを光パワー増幅器(4,5)において圧縮して、光パワー増幅器(4,5)の出力光パルスのパルス幅が、前置増幅器(2,3)の利得の調整を介してチューニングされるようにする。波長チューニング可能な光パルスは、光パワー増幅器(4,5)の出力光パルスを高非線形光ファイバ(6)に供給することによって得られる。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は光パルス形成装置に関する。この装置には、入力光パルスを形成するためのシードレーザ源(1)が含まれている。利得可変の光前置増幅器(2,3)はシードレーザ源(1)から入力光パルスを受信する。光パワー増幅器(4,5)は、光前置増幅器(2,3)から光パルスを受信し、この受信した光パルスを増幅して圧縮する。光パルスを光パワー増幅器(4,5)において圧縮して、光パワー増幅器(4,5)の出力光パルスのパルス幅が、前置増幅器(2,3)の利得の調整を介してチューニングされるようにする。波長チューニング可能な光パルスは、光パワー増幅器(4,5)の出力光パルスを高非線形光ファイバ(6)に供給することによって得られる。
【選択図】図1
Description
本発明は光パルス形成装置に関する。
この装置には、シードレーザ源と、このシードレーザ源によって形成された光パルスを増幅する光パワー増幅器とが含まれている。
多くの適用事例により、チューニング可能な可視超高速光パルス源が要求されている。ファイバ技術により、波長1.56μmの近赤外線においてナノジュールのエネルギを有するフェムト秒パルス(すなわち1fs〜1psのパルス幅を有する光パルス)を形成する効率的でメンテナンスフリーなシステムが可能である。このようなシステムは、上記のようなタイプの装置において光パルスを形成するシードレーザ源として使用することができる。
このシードレーザ源の放射は、高非線形ファイバ(HNFL highly non-linear fiber)における3次非線形プロセスを使用して、赤外線スペクトル領域の波長チューニング可能放射に変換することができる。この近赤外線放射のチューニング機能は、HNLFに入射するパルスの幅を狙い通りに変えることによって得られる。さらにこの放射は、例えば2次高調波形成により、可視スペクトル領域における波長チューニング可能放射に変換することができる。
例えば、US 7,202,993 B2から、波長チューニング可能光パルスを形成するシステムが公知である。この公知のシステムには、シードレーザ源としてフェムト秒ファイバレーザが含まれている。このシードレーザ源によって形成される光パルスは、異常分散ファイバにおいてプレストレッチされる。この後、通常の分散を有するエルビウムドーピングされたファイバ増幅器において上記の光パルスが空間および時間的に拡げられる。このファイバ増幅器を出たレーザビームはコリメートされ、チャープされた光パルスはバルクシリコンコンプレッサで圧縮されてパルス幅が約100fsになる。その後、この光パルスはHNLFに結合される。950nm〜1400nmでチューニング可能な光パルスは、HNLFにおいてソリトン分裂プロセス中に、非ソリトン放射のプロセスを活用することによって形成される。より一層短い波長へのこの非ソリトン放射の周波数シフトは、フェーズマッチング条件によって決定され、ここでこのフェーズマッチング条件は、HNLFのパラメタと、HNLFにおいて最初に形成された光パルスのピーク出力とに依存する。チューニングは、HNLFに入射するピークパワーを変えることによって得られる。公知のシステムでは、シリコン圧縮プリズムの物質進入路が、このために変更される。このようにして光パルスのチャープが形成されて、このチャープにより、狙い通りにピークパワーがチューニング可能になる。適当なHNLFと組み合わせてこのアプローチを採ることにより、1400nm〜950nmで非ソリトン放射をチューニングすることができる。しかしながらこの公知のシステムの欠点は、シリコンプリズムを含む大きな自由空間セクションと、バルク素子とを含まなければならないことである。さらに自動の離調に対してプリズム分離を変えるためにモータ駆動の並進ステージが必要である。シリコン圧縮プリズムを配置することにより、温度変動による不安定性が発生し、チューニング速度が低下し、望ましくない結合損が発生する。
上記から容易にわかるのは、改善された光パルス形成装置が必要なことである
本発明の課題は、簡単な設計を有しかつ一層高い信頼性で動作する装置を提供することである。
上記課題は、本発明の請求項1に記載した光パルス形成装置において、この装置に、
− 入力光パルスを形成するシードレーザ源と、
− このシードレーザから入力光パルスを受信し、受信したこの光パルスのエネルギをチューニング可能に調整するチューニング素子と、
− このチューニング素子から光パルスを受信し、受信した光パルスを増幅および圧縮する光パワー増幅器とが含まれているという特徴を有する、光パルス形成装置によって解決される。
− 入力光パルスを形成するシードレーザ源と、
− このシードレーザから入力光パルスを受信し、受信したこの光パルスのエネルギをチューニング可能に調整するチューニング素子と、
− このチューニング素子から光パルスを受信し、受信した光パルスを増幅および圧縮する光パワー増幅器とが含まれているという特徴を有する、光パルス形成装置によって解決される。
本発明の骨子は、光パワー増幅器においてソリトン効果圧縮を使用することであり、ここで上記の光パルスのパルス幅は、光パワー出力増幅器に供給される光パルスのエネルギを調整することによって変更される。シードレーザによって形成される入力光パルスのエネルギを調整するためにバルク光素子も、光路内に大きな自由空間セクションも、モータ駆動式並進ステージも必要でない。
本発明の好適な実施形態によれば、上記の光パワー増幅器の出力光パルスはHNLFに供給される。このようにして上記の光パワー増幅器の出力側における放射は、HNLFにおいて非線形プロセスを使用することによって波長チューニング可能な放射に変換される。HNLFを出る光パルスの光スペクトルは、上記の光パワー増幅器の出力光パルスの幅に大きく依存する。このようにして本発明により、光パルスの所望の波長チューニング機能が得られる。HNLFの出力側における光パルスの波長は、上記のチューニング素子を用いて光パルスのエネルギ(すなわちパルスパワー)を調整することによって変えることができる。発生する光パルスは、単にシードレーザ源によって放射される光パルスのエネルギを調整することにより、好都合かつ簡単に所望の波長にチューニングすることができる。光パルスのエネルギを調整するためのさまざまな技術が当業者には広く知られている。このような手法がバルク光コンポーネント、自由空間セクションまたはモータ駆動式コンポーネントを必要としないことは本発明の利点の1つである。
本発明の別の好適な実施形態によれば、HNLFの出力光パルスは光周波数コンバータに供給される。本発明の装置のシードレーザ源によって赤外スペクトル領域における光パルスを形成する場合、HNLFの出力側で発生する光パルスは、近赤外線/赤外線スペクトル領域において相応に波長チューニング可能である。HNLFの出力側における光パルスは、(ナノジュールのオーダの)十分に高いパルスエネルギを有しているため、公知のタイプの周波コンバータを用いて非線形光効果を使用することにより、光パルスの波長を可視スペクトル領域に変換することができる。HNLFの出力側で900〜1500nmの光パルスを発生させる場合、第2高調波発生(SHG second harmonic generation)を用いて、すなわち通常タイプの周波数ダブラを用いて、450nm〜750nmの可視スペクトル領域における光パルスを形成することができる。例えば、市販のSHG結晶、または極性が周期的な結晶、または好適な導波構造を周波数ダブラとして使用することができる。
本発明の実際的な実施形態では、上記の光パワー増幅器は、異常分散を有する第1の光ポンプファイバ増幅器である。上述のように本発明の骨子は、光パワー増幅器においてソリトン効果圧縮を用いることにより、シードレーザ源によって放射された光パルスを圧縮することにある。好適には上記の光パワー増幅器は、光ポンプラージモードエリア(LMA Large Mode Area)ファイバを有するファイバ増幅器である。光パワー増幅器の出力光パルスのパルス幅は、エネルギをチューニングすることによって、例えばLMAパワー増幅器に入射するパルスパワーをチューニングすることによって調整可能である。LMAパワー増幅器では、パルスエネルギが増大される。さらに入力光パルスのチャープが、LMAファイバの異常分散によって補償される。与えられた入力光パルスおよびファイバ利得に対し、光パワー増幅器によって完全な圧縮が行われるのはファイバの特定の長さに対してだけである。短過ぎるファイバでは不完全な圧縮になり、長過ぎるファイバではラマンシフトのためにパルスの分裂が発生する。この事実は、LMAパワー増幅器に入射する入力光パルスのエネルギを調整することにより、本発明によって活用される。入力光パルスのパルスエネルギが異なると、光パワー増幅器の出力側において幅の異なる光パルスが得られる。
さらに別の好適な実施形態によれば、本発明の装置のチューニング素子は、利得可変の光前置増幅器である。この光前置増幅器は、第2の光ポンプファイバ増幅器とすることができる。シードレーザ源によって形成される入力光パルスのエネルギをチューニング可能に調整するため、例えば第2のファイバ増幅器のポンプエネルギを調整することにより、光前置増幅器の利得を変えることができる。このために第2のファイバ増幅器のポンプダイオードの給電電流を変えることができる。
上で説明した本発明の好適な実施形態において、光前置増幅器は、異常分散を光パワー増幅器と組み合わされる。このコンセプトにより、殊に実践的、パルスエネルギの変化をパルス幅の変化に変換することができる。光パワー増幅器の出力側における光パルスのパワーレベルは、前置増幅器電流とは、すなわち光パワー増幅器に供給される光パルスのエネルギとは実質的に無関係である。これは光パワー増幅器が強く飽和しているからである。
上述のように本発明によれば、光パワー増幅器におけるソリトン効果圧縮を使用して、光パワー増幅器の出力側における光パルスのパルス幅を調整しており、ここでこれは単に前置増幅器の利得を変えることによって、例えばこの前置増幅器のポンプダイオードの給電電流を変えることによって行われる。このようにしてモータ駆動式ステージによる慣用の波長チューニングは、本発明によれば、電流調整によって置き換えられるのである。
本発明の装置が「完全ファイバ式」解決手段として実現できることは、本発明による装置の重要な利点である。本発明による装置の異なる機能コンポーネントは、スプライス接続によって互いに接続されるファイバセクションとして実現可能であり、この接続は直接的であるかまたは別個の接続ファイバセクションを介して行われる。上述のようにシードレーザ源は、光前置増幅器にスプライス接続されるファイバレーザとすることができ、ここでこの光前置増幅器はファイバ増幅器として実現可能である。さらに上記のファイバ前置増幅器は、光パワー増幅器にスプライス接続することができ、ここでこの光パワー増幅器もファイバ増幅器として実現可能である。最後に光パワー増幅器はHNLFにスプライス接続することができる。結果的に得られるのは、パルス幅調整可能および/または波長チューニング可能な光パルスを、純粋に電子式に形成する完全ファイバ式装置であり、ここでこれは例えば、光前置増幅器を光ポンピングするのに使用されるポンプダイオードのパワーを調整することによって行われる。
添付の図面には、本願発明の好適な実施形態が記載されている。しかしながらこれらの図面は、説明だけを目的として描かれたものであり、本発明の範囲を定めようとするものでないことを理解されたい。
本発明の装置にはシードレーザ源1が含まれている。シードレーザ源1は、フェムト秒の光パルスを放射するファイバベースのパルスレーザ光源である。シードレーザ源1は、市販のパルスファイバレーザとすることができる。しかしながらシードレーザ源1として自由ビームレーザ(free beam laser)を使用することも可能である。シードレーザ源1は、波長1.56μm,すなわち赤外線スペクトル領域の入力光パルスを、例えば40MHzのパルス繰り返し率で形成する。シードレーザ源1によって形成される入力光パルスのパルス幅は、例えば500fsである。
上記の入力光パルスは、スプライス接続を介してシードレーザ源1に接続された光前置増幅器によって受信される。図示の実施形態では上記の光前置増幅器は、エルビウムをドーピングしたファイバセクション2と、波長980nmのポンプ光を放射するポンプダイオード3とを含む光ポンプファイバ増幅器である。エルビウムをドーピングした前置増幅器ファイバ2は、例えば8.8μmのモードフィールド径および長さ70cmを有し得る。ファイバ増幅器2,3は、本発明の意味でチューニング素子を構成しており、これはシードレーザ源1から受信した光パルスのエネルギをチューニング可能に調整する。前置増幅器2,3の後、パルスエネルギは、前置増幅器2,3の利得に依存して150pJ〜250pJの範囲内にある。
図示の実施形態では、上記の装置にはさらに、前置増幅器2,3からの光パルスを受信する光パワー増幅器が含まれている。この光パワー増幅器には、スプライス接続を介して前置増幅器2,3に接続される光ポンプLMAファイバ4が含まれている。ファイバ4は、例えば20μmのモードフィールド径を有しており、また980nmで放射する1つ以上の高パワー単一空間モードポンプレーザ5によってポンピングされる。LMAファイバ4は異常分散を有する。光パワー増幅器4,5はソリトン効果圧縮によって光パルスを圧縮し、前置増幅器2,3の利得の調整を介して、光パワー増幅器4,5の出力光パルスのパルス幅がチューニングできるようにする。増幅器の利得を調整できるようにするため、ポンプダイオード3の給電電流は可変である。
波長がチューニング可能な放射を形成するため、LMAファイバ4の出力光パルスは(スプライス接続を介して)HNLF6の短いセクション(例えば2cm)に接続される。HNLF6は、5μm以下の殊に小さいコア径を有する。HNLF6で発生する非線形光プロセスにより、赤外スペクトル領域においてチューニング可能な光パルスがHNLF6の出力側に得られる。
図2には、ポンプダイオード3の異なる複数の給電電流に対し、HNLF6の出力における光パルスのスペクトルが示されている。図2からわかるように光パルスのスペクトルのピークは、光前置増幅器2,3の異なる利得設定に対し、1300nm〜1020nmでシフト可能である。この周波数シフトは、LMAファイバ4の出力側における光パルスのパルス幅の違いによって発生する。上で説明したように本発明の基本的なアイデアは、LMAファイバ4におけるソリトン効果圧縮を用い、シードレーザ源1によって放射された光パルスを圧縮することと、LMAファイバ4に入射するパルスパワーをチューニングすることにより、LMAファイバ4の出力側におけるパルス幅を調整することとである。図示の実施形態においてこれは前置増幅器2のポンプダイオード3の電流を調整することによって達成される。LMAファイバ4の入力側における可変のパルスエネルギは、LMAファイバ4の出力側における可変のパルス幅に変換される。つぎにパルス幅の違いは、HNLF6の出力側における光パルスの波長のシフトに変換される。図示の実施形態では、HNLF6の出力側における光パルスの波長は、チューニング範囲内における顕著なスペクトルギャップなしに、1000nm〜1350nmでスムーズにシフトすることができる。
可視スペクトル領域において波長チューニング可能な光パルスを形成するため、HNLF6の出力光パルスは、周波数コンバータ7によって周波数が変換される(図4および5)。周波数コンバータ7としてSHG結晶を使用することにより、500nm〜675nmでチューニング可能な光パルスが得られる。このチューニングは、ポンプダイオード3の電流を調整することによって、また周波数コンバータ7のSHG結晶の使用するセクションを相応に調整することによって得られる。このためにこのSHG結晶は、それ自体公知のタイプのファン形デザインを有しかつ極性が周期的な結晶とすることが可能である。選択的にはHNLF6の出力側における光パルスは、周波数変換の前にSF10プリズム対8によって再圧縮される(図5)。
図3には可視スペクトル領域における異なる複数の波長に対し、周波数コンバータ7の出力側において得られる平均パワーが(mWで)示されている。
1 シードレーザ源、 2 前置増幅器、 3 ポンプダイオード、 4 LMAファイバ、 5 高パワー単一空間モードポンプレーザ、 6 HNLF、 7 周波数コンバータ
Claims (14)
- 光パルス形成装置において、
該装置には、
− 入力光パルスを形成するシードレーザ源(1)と、
− 該シードレーザ源(1)から入力光パルスを受信し、受信した当該光パルスのエネルギをチューニング可能に調整するチューニング素子と、
− 該チューニング素子から光パルスを受信し、受信した当該光パルスを増幅および圧縮する光パワー増幅器とが含まれていることを特徴とする、
光パルスを形成する装置。 - 前記の光パワー増幅器はソリトン効果圧縮によって光パルスを圧縮して、チューニング素子による光パルスのエネルギの調整を介して、光パワー増幅器の出力光パルスのパルス幅がチューニングできるようにした、
請求項1に記載の装置。 - 前記の光パワー増幅器の出力光パルスが、高非線形光ファイバ(6)に供給される、
請求項1または2に記載の装置。 - 前記の高非線形光ファイバ(6)の出力光パルスが光周波数コンバータ(7)に供給される、
請求項3に記載の装置。 - 前記の光周波数コンバータ(7)は第2高調波発生器である、
請求項4に記載の装置。 - 前記の入力光パルスが赤外線スペクトル領域にあるようにすることにより、前記の光周波数コンバータ(7)の出力光パルスが可視スペクトル領域にあるようにした、
請求項4または5に記載の装置。 - 前記の入力光パルスは、フェムト秒パルスである、
請求項1から6までのいずれか1項に記載の装置。 - 前記の光パワー増幅器は、異常分散を有する第1の光ポンプファイバ増幅器である、
請求項1から7までのいずれか1項に記載の装置。 - 前記の光パワー増幅器は、ラージモードエリアファイバ(4)を含む、
請求項1から8までのいずれか1項に記載の装置。 - 前記のチューニング素子は、利得可変の光前置増幅器である、
請求項1から9までのいずれか1項に記載の装置。 - 前記の光前置増幅器は、第2の光ポンプファイバ増幅器(2)である、
請求項10に記載の装置。 - 前記の第2のファイバ増幅器(2)のポンプエネルギを調整することにより、光前置増幅器の利得が変更される、
請求項11に記載の装置。 - 前記の第2のファイバ増幅器(2)のポンプダイオード(3)の給電電流を変えることにより、ポンプエネルギが調整される、
請求項12に記載の装置。 - 前記のシードレーザ源(1)、光前置増幅器および光パワー増幅器は、光ファイバのスプライス接続を介して接続される、
請求項1から13までのいずれか1項に記載の装置。
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2009
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