JP2010169673A - 放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射線検出器1は、シンチレータ結晶2に放射線8が入射するとシンチレーション光6が発生し、このシンチレーション光6を光検出器5が電気信号に変換することで、放射線8の入射が検出される。ただし、シンチレータ結晶2は屈折率が1.8以上でシンチレーション光6のピーク波長が400nm以下であり、このシンチレータ結晶2と光検出器5との間隙には屈折率が1.62以上の第一光波長変換層4が充填されている。このため、シンチレータ結晶2と第一光波長変換層4との屈折率差が十分に小さいため、特定波長のシンチレーション光6が第一光波長変換層4で反射されることなく効率よく光検出器5に到達する。
【選択図】図1
Description
n1・sinθ1=n2・sinθ2
となる。
τ=sin−1(n2/n1)
となる。
R=(n1−n2)2/(n1+n2)2
となる。
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体Lu3Al5O12:Prの他の五面に上記樹脂スラリーを塗布して乾燥硬化させることで、100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層をも一体に形成した立方体のLu3Al5O12:Prでシンチレータ結晶を作製した。
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体Lu3Al5O12:Prの他の五面を反射部材で覆い、屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を形成した一面をPMT(R9800)の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体Lu3Al5O12:Prの全面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、このうちの五面を反射部材で覆い立方体のLu3Al5O12:Prでシンチレータ結晶を作製した。つぎに、残りの一面をPMT(R9800)の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体Lu3Al5O12:Prの五面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この五面を反射部材で覆い立方体のLu3Al5O12:Prでシンチレータ結晶を作製した。つぎに、反射部材で覆われていない一面をPMT(R9800)の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体Lu3Al5O12:Prの対向する二面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成した。
立方体Lu3Al5O12:Prの一面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この一面、および、この一面に接する各光波長変換層を形成していない四面を反射部材で覆い立方体のLu3Al5O12:Prでシンチレータ結晶を作製した。
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体CeF3の他の五面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層をも一体に形成した立方体のCeF3でシンチレータ結晶を作製した。
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体CeF3の他の五面を反射部材で覆い、屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を形成した一面をPMT(R9800)の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体CeF3の全面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、このうちの五面を反射部材で覆い立方体のCeF3でシンチレータ結晶を作製した。つぎに、残りの一面をPMT(R9800)の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体CeF3の五面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この五面を反射部材で覆い立方体のCeF3でシンチレータ結晶を作製した。つぎに、反射部材で覆われていない一面をPMT(R9800)の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体CeF3の対向する二面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、このうちの一面、および、各光波長変換層を形成していない四面を反射部材で覆い立方体のCeF3でシンチレータ結晶を作製した。つぎに、反射部材で覆われていない一面をPMT(R9800)の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体CeF3の一面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この一面、および、この一面に接する各光波長変換層を形成していない四面を反射部材で覆い立方体のCeF3でシンチレータ結晶を作製した。
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体Lu3A15012:Prの他の五面に上記樹脂スラリーを塗布して乾燥硬化させることで、100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層も一体に形成した立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体Lu3A15012:Prの他の五面を反射部材で覆い、屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を形成した一面を、ノーマルモードAPD(浜松ホトニクス製S8664−8221)からなる半導体受光素子の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体Lu3A15012:Prの全面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、このうちの五面を反射部材で覆い立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。つぎに、残りの一面を、ノーマルモードAPD(浜松ホトニクス製S8664−8221)からなる半導体受光素子の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体Lu3A15012:Prの五面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この五面を反射部材で覆い立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。つぎに、反射部材で覆われていない一面を、ノーマルモードAPD(浜松ホトニクス製S8664−8221)からなる半導体受光素子の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体Lu3A15012:Prの対向する二面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成した。
立方体Lu3A15012:Prの一面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この一面、および、この一面に接する各光波長変換層を形成していない四面を反射部材で覆い立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。
[実施例16]
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体Lu3A15012:Prの他の五面に上記樹脂スラリーを塗布して乾燥硬化させることで、100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層をも一体に形成した立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。
上記の屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を一面に形成した立方体Lu3A15012:Prの他の五面を反射部材で覆い、屈折率が1.62以上の第一光波長変換層を形成した一面を、ガイガーモードAPDの集合であるMPPC(浜松ホトニクス製10362−33−050)からなる半導体受光素子の入射面に光学的に接合し、放射線検出器を構成した。
立方体Lu3A15012:Prの全面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、このうちの五面を反射部材で覆い立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。
立方体Lu3A15012:Prの五面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この五面を反射部材で覆い立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。
立方体Lu3A15012:Prの対向する二面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成した。
立方体Lu3A15012:Prの一面に上記樹脂スラリーを塗布し乾燥硬化させることで100μmの厚さを有する屈折率が1.62未満の第二光波長変換層を形成し、この一面、および、この一面に接する各光波長変換層を形成していない四面を反射部材で覆い立方体のLu3A15012:Prでシンチレータ結晶を作製した。
2 シンチレータ結晶
3 第二光波長変換層
4 第一光波長変換層
5 光検出器
6 シンチレーション光
7 放射線源
8 放射線
9 反射部材
Claims (7)
- 放射線の入射を検出する放射線検出器であって、
前記放射線の入射により内部で発生するシンチレーション光のピーク波長が400nm以下で屈折率が1.8以上のシンチレータ結晶と、
前記シンチレータ結晶に対向する位置に配置されていて入射する前記シンチレーション光を電気信号に変換する光検出器と、
前記シンチレータ結晶と前記光検出器との間隙に充填されていて屈折率が1.62以上の第一光波長変換層と、
を有する放射線検出器。 - 前記光検出器と対向している前記シンチレータ結晶の一面以外の表面と対向する位置に配置されていて入射する前記シンチレーション光を反射する反射部材と、
前記シンチレータ結晶と前記反射部材との間隙に充填されていて屈折率が1.62未満の第二光波長変換層とを、
さらに有する請求項1に記載の放射線検出器。 - 前記第二光波長変換層は、蛍光体が均一に分散されている透光性の樹脂からなる請求項2に記載の放射線検出器。
- 前記第一光波長変換層は、蛍光体が均一に分散されている透光性の多孔質ガラスからなる請求項1ないし3の何れか一項に記載の放射線検出器。
- 前記蛍光体は、クマリン系化合物、オキサゾール系化合物、フェニル系化合物、オキサジアゾール系化合物、ローダミン系化合物、スルフォローダミン系化合物、ジシアノメチル系化合物(DCM)、スチリル系化合物、および、パイロメタン系化合物、から選択される少なくとも一種の有機化合物からなる請求項3または4に記載の放射線検出器。
- 前記シンチレータ結晶は、プラセオジム添加ルテチウムアルミネートからなる請求項1ないし5の何れか一項に記載の放射線検出器。
- 前記光検出器は、ノーマルモードAPDまたはガイガーモードAPDピクセルの集合からなる半導体受光素子からなることを特徴とする請求項1ないし6の何れか一項に記載の放射線検出器。
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