JP2010165876A - Defect correlation device, substrate inspection system, and method of correlating defects - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To display a relation of inspection results as to a top surface, a reverse surface and bevels of a substrate by low processing load. <P>SOLUTION: Two or more of inspection images are obtained by imaging at least two out of the top surface, the reverse surface and the bevels of the substrate in one or more of manufacturing process of a semiconductor device. Defects imaged in the respective selected inspection images are correlated, and processing is carried out to compose one two-dimensional composition image 100 from the respective selected inspection images, based on defect position information input as information indicating positions of the defects imaged in the respective selected inspection images, when receiving an instruction to select at least two out of the two or more of inspection images, and the composition image 100 is displayed. For example, the bevel defect is correlated with the other surface defects 103a-103d and the reverse surface defect 104, by projecting a position of the bevel defect in projection points 105a-105f, in the composition image 100. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置の製造工程における検査に関する。   The present invention relates to inspection in a manufacturing process of a semiconductor device.

従来、半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」という)から製造される、集積回路(「チップ」と呼ばれることもある)などの半導体装置の製造工程において、各種の検査が行われている。検査の目的の1つは、欠陥を検出し、検出した欠陥の原因を追究し、原因に応じた改善を行うことにより、歩留まりを向上させることである。   Conventionally, various inspections are performed in a manufacturing process of a semiconductor device such as an integrated circuit (sometimes referred to as “chip”) manufactured from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”). One of the purposes of the inspection is to improve the yield by detecting the defect, pursuing the cause of the detected defect, and performing improvement according to the cause.

近年では、ダイシングを行う前の製造工程において、ウェハの表面の検査だけではなく、ウェハの裏面やベベルの検査も行われるようになってきている。ベベルとは、ウェハを非常に薄い略円柱形と見なしたときの側面にあたる部分であり、換言すれば、円盤状のウェハのエッジにあたる部分である。   In recent years, in the manufacturing process before dicing, not only the inspection of the front surface of the wafer but also the inspection of the back surface and bevel of the wafer has been performed. The bevel is a portion corresponding to a side surface when the wafer is regarded as a very thin substantially cylindrical shape, in other words, a portion corresponding to the edge of a disk-shaped wafer.

ウェハの裏面の検査が行われる理由の1つは、ウェハが薄くなるにつれ、ウェハの裏面に生じた欠陥の影響でウェハの表面に欠陥が生じる可能性が増してきたためである。また、ウェハのベベルの検査が行われる理由の1つは、ベベルに生じたクラックなどの欠陥の影響でウェハの表面や裏面に及ぶ破損などの欠陥が生じる可能性があることが判明してきたためである。   One reason for inspecting the backside of the wafer is that as the wafer becomes thinner, the possibility of defects occurring on the surface of the wafer has increased due to the effects of defects on the backside of the wafer. Further, one of the reasons for inspecting the wafer bevel is that it has been found that there is a possibility that a defect such as a damage to the front and back surfaces of the wafer may occur due to the influence of a defect such as a crack generated on the bevel. is there.

特に、近年は半導体装置の微細化が進んでおり、また、ウェハのどの部分も貴重なためウェハを無駄にしないようにダイの配置パターンが決められることが多い。そして、1枚のウェハからなるべく多くの半導体装置を製造しようとして、ウェハのエッジのごく近くまで回路パターンを形成する場合には、ベベルがウェハの表面に与える影響を無視することはできない。   In particular, in recent years, miniaturization of semiconductor devices has progressed, and since any part of the wafer is valuable, the arrangement pattern of the die is often determined so as not to waste the wafer. When a circuit pattern is formed very close to the edge of the wafer in an attempt to manufacture as many semiconductor devices as possible from a single wafer, the influence of the bevel on the surface of the wafer cannot be ignored.

例えば、ウェハの搬送のためにベベル付近をクランプなどで掴んだ際にベベルがわずかに欠けると、その際に飛散したパーティクルが表面に付着する可能性がある。あるいは、クランプを発生源とする金属汚染物質がウェハの表面に付着する可能性もある。こうしてウェハの表面に回りこんで付着したパーティクルまたは金属汚染物質は、レジストの塗布ムラの原因となり、ひいては回路パターンが正しく形成されない原因となる可能性もある。   For example, if the bevel is slightly chipped when the vicinity of the bevel is held by a clamp or the like for transporting the wafer, particles scattered at that time may adhere to the surface. Alternatively, metal contaminants originating from clamps may adhere to the wafer surface. Thus, the particles or metal contaminants that wrap around and adhere to the surface of the wafer may cause uneven coating of the resist, which may cause the circuit pattern not to be formed correctly.

なお、欠陥には、引っかき傷、欠け、金属等の汚染物質や空中を浮遊するパーティクルや残留レジストなどの異物の付着、露光時のデフォーカスによる露光不良など、様々な種類がある。   There are various types of defects such as scratches, chips, contaminants such as metals, adhesion of foreign matters such as particles floating in the air and residual resist, and exposure failure due to defocus during exposure.

一般に半導体装置は複数の製造工程を経て製造されるので、複数の製造工程において検査が行われることもある。また、1つの製造工程において、表面、裏面、ベベルの3種類の検査のうち、必要に応じて、1〜3種類の検査が適宜行われる。なお、1つの欠陥装置が複数の検査条件のそれぞれにしたがって表面を検査してもよく、裏面とベベルについても同様である。   In general, since a semiconductor device is manufactured through a plurality of manufacturing processes, inspection may be performed in a plurality of manufacturing processes. Further, in one manufacturing process, one to three types of inspections are appropriately performed among the three types of inspections, that is, the front surface, the back surface, and the bevel. One defective device may inspect the surface according to each of a plurality of inspection conditions, and the same applies to the back surface and the bevel.

欠陥検査装置は、例えば、撮像装置によりウェハの表面、裏面、またはベベルを撮像し、得られた画像を参照画像と比較することで欠陥を検出する。参照画像は、例えば、欠陥がないことが予め確認されているウェハを撮像して得られた画像である。欠陥検査装置は、例えば、検査対象のウェハを撮像して得られた画像と参照画像における輝度の差に基づいて欠陥を検出する。また、欠陥検査装置は、検査結果をディスプレイなどに表示する場合もある。   The defect inspection apparatus detects defects by, for example, imaging the front surface, back surface, or bevel of a wafer with an imaging device and comparing the obtained image with a reference image. The reference image is, for example, an image obtained by imaging a wafer that has been confirmed in advance to have no defects. For example, the defect inspection apparatus detects a defect based on a difference in luminance between an image obtained by imaging a wafer to be inspected and a reference image. The defect inspection apparatus may display the inspection result on a display or the like.

さらに、複数のウェハについての検査結果を統計的に処理した結果を表示することや、複数のウェハをそれぞれ撮像した画像を並べて表示することも行われている。欠陥が発生した原因についての解析の効率向上のために、表示の仕方が工夫されることもある。   Furthermore, the result of statistically processing the inspection results for a plurality of wafers is displayed, and images obtained by imaging the plurality of wafers are displayed side by side. The display method may be devised to improve the efficiency of analysis of the cause of the defect.

例えば、マクロ検査画像とミクロ検査結果とを重ね合わせてマクロ欠陥部分とミクロ欠陥部分との関連状況をチェックすることができるようにすることで、ガラス基板に対する検査効率を向上させることができる(例えば、特許文献1を参照。)。   For example, by superimposing a macro inspection image and a micro inspection result so that the state of association between the macro defect portion and the micro defect portion can be checked, the inspection efficiency for the glass substrate can be improved (for example, , See Patent Document 1).

あるいは、欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥ごとにその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する場合もある。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等をもとに、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する場合もある(例えば、特許文献2を参照。)。   Alternatively, on the defect thumbnail display screen, an image that most significantly represents the feature of the defect may be determined and displayed for each defect from inspection information, defect type, and the like. In addition, on the detailed display screen of the defect, there are cases where the image to be displayed and the display order of the image are determined so as to express the feature of the defect remarkably based on the inspection information, the defect type, etc. (for example, (See Patent Document 2).

また、欠陥検査装置は、端面(つまりベベル)検査、表面検査、裏面検査を行い、端面画像と表面画像および裏面画像をノッチ位置や基板の中心位置に基づいて3次元座標系の画像に変換し、3次元形状で表示部に表示する場合もある(例えば、特許文献3を参照。)。   In addition, the defect inspection apparatus performs end face (that is, bevel) inspection, front surface inspection, and back surface inspection, and converts the end surface image, the front surface image, and the back surface image into a three-dimensional coordinate system image based on the notch position and the center position of the substrate. In some cases, a three-dimensional shape is displayed on the display unit (see, for example, Patent Document 3).

特開2002−277412号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-277412 特開2007−225351号公報JP 2007-225351 A 特開2008−196975号公報JP 2008-196975 A

ウェハ等の基板に欠陥が生じる原因の解析の効率向上を支援するためには、基板の表面、裏面、およびベベルの検査結果の関連性を表示することが有効だと考えられる。また、関連性を表示するための処理負荷を軽くすることで、効率的に素早く関連性を表示することができ、原因の解析の効率向上にも有効である。しかしながら、従来の半導体装置の製造工程での基板検査においては、基板の表面、裏面、およびベベルの検査結果の関連性を容易に把握することは困難であった。   In order to assist in improving the efficiency of analysis of the cause of defects in a substrate such as a wafer, it is considered effective to display the relationship between the inspection results of the front surface, back surface, and bevel of the substrate. Further, by reducing the processing load for displaying the relationship, the relationship can be displayed quickly and efficiently, and it is effective for improving the efficiency of the cause analysis. However, in the conventional substrate inspection in the manufacturing process of the semiconductor device, it is difficult to easily grasp the relationship between the inspection results of the front surface, back surface, and bevel of the substrate.

そこで本発明は、軽い処理負荷で基板の表面、裏面、およびベベルの検査結果の関連性を表示するための技術を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a technique for displaying the relationship between the inspection results of the front surface, back surface, and bevel of a substrate with a light processing load.

本発明の一態様によれば、選択指示手段と合成手段と表示手段を備える欠陥関連付け装置が提供される。
前記選択指示手段は、半導体装置の1つ以上の製造工程において基板の表面、裏面、およびベベルのうち少なくとも2つを撮像することにより得られた複数枚の検査画像のうち少なくとも2枚を選択する指示を受け付ける。
According to one aspect of the present invention, there is provided a defect association apparatus including a selection instruction unit, a synthesis unit, and a display unit.
The selection instruction unit selects at least two of a plurality of inspection images obtained by imaging at least two of the front surface, the back surface, and the bevel of the substrate in one or more manufacturing steps of the semiconductor device. Accept instructions.

前記合成手段は、前記選択指示手段が受け付けた前記指示により選択された2枚以上の検査画像のそれぞれに写っている欠陥の位置を示す情報として入力される欠陥位置情報に基づいて、前記選択された2枚以上の検査画像にそれぞれ写っている前記欠陥同士を関連付けて、前記選択された2枚以上の検査画像から1枚の2次元画像である合成画像を生成する。   The synthesizing unit is selected based on defect position information input as information indicating the position of a defect in each of two or more inspection images selected by the instruction received by the selection instruction unit. Further, the defects appearing in two or more inspection images are associated with each other, and a composite image that is one two-dimensional image is generated from the selected two or more inspection images.

前記表示手段は、前記合成手段が生成した前記合成画像を表示する。
本発明の別の態様によれば、前記欠陥関連付け装置を含む基板検査システムが提供される。
The display means displays the synthesized image generated by the synthesizing means.
According to another aspect of the present invention, a substrate inspection system including the defect association apparatus is provided.

前記基板検査システムはさらに、前記基板の前記表面、前記裏面、および前記ベベルをそれぞれ撮像することにより前記検査画像を得るとともに、前記検査画像に基づいて欠陥の位置を検出して前記欠陥位置情報を生成する欠陥検査装置を備える。また、前記基板検査システムは、前記欠陥検査装置が得た前記複数枚の検査画像を記憶する記憶装置も備える。   The substrate inspection system further obtains the inspection image by imaging the front surface, the back surface, and the bevel of the substrate, and detects the position of the defect based on the inspection image to obtain the defect position information. A defect inspection device is provided. The substrate inspection system also includes a storage device that stores the plurality of inspection images obtained by the defect inspection apparatus.

そして、前記基板検査システムにおいては、前記欠陥位置情報は前記欠陥検査装置から前記欠陥関連付け装置に入力され、前記合成手段は前記記憶装置から前記選択された2枚以上の検査画像を取得して前記合成画像を生成する。   In the substrate inspection system, the defect position information is input from the defect inspection apparatus to the defect association apparatus, and the combining unit acquires the two or more selected inspection images from the storage device and Generate a composite image.

本発明のさらに別の態様によれば、情報処理装置が前記欠陥関連付け装置として機能するときに実行する欠陥関連付け方法が提供される。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a defect association method that is executed when an information processing apparatus functions as the defect association apparatus.

本発明によれば、3次元画像を生成するよりも軽い処理負荷で、半導体装置の1つ以上の製造工程において基板の表面、裏面、およびベベルをそれぞれ撮像することにより得られた2枚以上の検査画像に写っている欠陥同士の関連性を表示することができる。   According to the present invention, two or more sheets obtained by imaging the front surface, the back surface, and the bevel of each of the substrates in one or more manufacturing steps of the semiconductor device with a lighter processing load than generating a three-dimensional image. It is possible to display the relevance between defects in the inspection image.

第1実施形態における合成画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the synthesized image in 1st Embodiment. 基板検査システムの構成図である。It is a block diagram of a board | substrate inspection system. 1つの製造工程において1枚のウェハに関して1つの基板検査装置が行う動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation | movement which one board | substrate inspection apparatus performs regarding one wafer in one manufacturing process. ウェハと座標系について説明する図である。It is a figure explaining a wafer and a coordinate system. ベベル画像の撮像について説明する図である。It is a figure explaining imaging of a bevel image. 合成画像の元となった表面画像、裏面画像、およびベベル画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the surface image used as the origin of the synthesized image, the back surface image, and the bevel image. 検査結果を表示する画面の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the screen which displays a test result. ウェハ情報表示領域に表示される表の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the table | surface displayed on a wafer information display area. ベベル欠陥概要表示領域、表面欠陥概要表示領域、および裏面欠陥概要表示領域にそれぞれ表示される表の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the table | surface respectively displayed on a bevel defect summary display area, a surface defect summary display area, and a back surface defect summary display area. 同一チップ欠陥情報表示領域に表示される表の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the table | surface displayed on the same chip defect information display area. 表面検査情報表示領域、裏面検査情報表示領域、およびベベル検査情報表示領域に表示される表の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the table | surface displayed on a surface inspection information display area, a back surface inspection information display area, and a bevel inspection information display area. 1ロット全体のベベル画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the bevel image of the whole 1 lot. 1ロット全体のベベル欠陥の分布を示すグラフの例である。It is an example of the graph which shows distribution of the bevel defect of the whole 1 lot. 第2実施形態における合成画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the synthesized image in 2nd Embodiment. ベベル欠陥を表面欠陥または裏面欠陥と関連付けて強調表示する処理のフローチャートである。It is a flowchart of the process which highlights a bevel defect in association with a front surface defect or a back surface defect. 第3実施形態における合成画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the synthesized image in 3rd Embodiment.

以下、複数の実施形態について、図面を参照しながら下記の順序で詳細に説明する。
まず、図1を参照して第1実施形態において生成される合成画像について説明してから、図2〜図6を参照して合成画像がどのようにして生成されるのかを説明する。さらに、図7〜図11を参照して合成画像とその他の情報を組み合わせて表示する画面の例について説明する。また、図12と図13を参照して第1実施形態において補助的に表示される情報を例示する。
Hereinafter, a plurality of embodiments will be described in detail in the following order with reference to the drawings.
First, the composite image generated in the first embodiment will be described with reference to FIG. 1, and how the composite image is generated will be described with reference to FIGS. 2 to 6. Furthermore, an example of a screen that displays a combined image and other information in combination will be described with reference to FIGS. In addition, with reference to FIG. 12 and FIG. 13, information supplementarily displayed in the first embodiment is illustrated.

その後、図14と図15を参照して第2実施形態について説明し、図16を参照して第3実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態における合成画像の例を示す図である。第1実施形態では、半導体装置の製造工程においてウェハの表面に欠陥が生じる原因の追究を支援するため、図1の合成画像100が生成され、表示される。合成画像100は、ウェハの表面、裏面、およびベベルに生じた欠陥同士の関連性を、半導体装置の製造工場の装置の操作者(以下「ユーザ」という)が見出しやすいように合成された画像である。
Thereafter, the second embodiment will be described with reference to FIGS. 14 and 15, and the third embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a composite image in the first embodiment. In the first embodiment, the composite image 100 of FIG. 1 is generated and displayed in order to assist the investigation of the cause of the defect on the surface of the wafer in the manufacturing process of the semiconductor device. The synthesized image 100 is an image synthesized so that an operator (hereinafter referred to as “user”) of a device in a semiconductor device manufacturing factory can easily find the relationship between defects generated on the front surface, back surface, and bevel of the wafer. is there.

図1において、合成画像100は、所定の方向に配置されたウェハ101の略円形の形状を表している。所定の方向とは、図1の例では、ウェハ101に形成されたノッチ102が下になる向きである。   In FIG. 1, a composite image 100 represents a substantially circular shape of a wafer 101 arranged in a predetermined direction. In the example of FIG. 1, the predetermined direction is a direction in which the notch 102 formed in the wafer 101 is directed downward.

以下、ウェハ101の表面(すなわち回路パターンが作成される側の面)において検出される欠陥を「表面欠陥」という。また、ウェハ101の裏面において検出される欠陥を「裏面欠陥」といい、ウェハ101の側面すなわちベベルにおいて検出される欠陥を「ベベル欠陥」という。   Hereinafter, defects detected on the surface of the wafer 101 (that is, the surface on which the circuit pattern is created) are referred to as “surface defects”. A defect detected on the back surface of the wafer 101 is referred to as a “back surface defect”, and a defect detected on the side surface of the wafer 101, that is, on the bevel, is referred to as a “bevel defect”.

合成画像100は、さらに、4つの表面欠陥103a〜103dの形状を表しており、裏面欠陥104を表面に投影した形状も表している。
また、合成画像100は、6つのベベル欠陥の位置をウェハ101の表面と同一平面上に投影した6つの投影点105a〜105fも表している。さらに、合成画像100は、6つの投影点105a〜105fをそれぞれウェハ101の表面において定義される中心点と結んだ6本の線分106a〜106fを含む。
The composite image 100 further represents the shape of the four surface defects 103a to 103d, and also represents the shape of the back surface defect 104 projected onto the surface.
The composite image 100 also represents six projection points 105 a to 105 f obtained by projecting the positions of the six bevel defects on the same plane as the surface of the wafer 101. Furthermore, the composite image 100 includes six line segments 106 a to 106 f connecting the six projection points 105 a to 105 f with the center point defined on the surface of the wafer 101.

さらに、合成画像100は、ウェハ101内の各ダイ107を示す複数の小さな矩形を含む。また、合成画像100は、2次元アレイ状に配置された複数の矩形を含んでいるが、これらの矩形のそれぞれは、1回(つまり1ショット)の露光で露光される範囲であるショット領域108を示す。図1の例では、4×6個のダイ107が1つのショット領域108に含まれる。   Further, the composite image 100 includes a plurality of small rectangles showing each die 107 in the wafer 101. The composite image 100 includes a plurality of rectangles arranged in a two-dimensional array. Each of these rectangles is a shot area 108 that is an area exposed by one exposure (that is, one shot). Indicates. In the example of FIG. 1, 4 × 6 dies 107 are included in one shot area 108.

以上のような合成画像100は、平面的に表現された2次元画像だが、ウェハ100の表面、裏面、およびベベルに関するそれぞれの検査結果が1枚にまとめられている。すなわち、実際には3次元的に分布している表面欠陥、裏面欠陥、およびベベル欠陥が、2次元的な表現により互いに関連付けられて合成画像100において表現されている。   The composite image 100 as described above is a two-dimensional image expressed in a plane, but the inspection results regarding the front surface, the back surface, and the bevel of the wafer 100 are combined into one sheet. That is, the front surface defect, the back surface defect, and the bevel defect that are actually three-dimensionally distributed are associated with each other by a two-dimensional expression and expressed in the composite image 100.

一般に、2次元画像の生成および表示の処理負荷が3次元画像の生成および表示の処理負荷より軽いことは周知のとおりである。その理由は、2次元画像の生成および表示の処理は、3次元画像の生成および表示の処理よりも、必要なパラメータ数が少なく、アルゴリズムが簡潔で、必要な計算量が少ないためである。   As is well known, the processing load for generating and displaying a two-dimensional image is generally lighter than the processing load for generating and displaying a three-dimensional image. This is because the two-dimensional image generation and display processing requires fewer parameters, the algorithm is simpler, and the required calculation amount is smaller than the three-dimensional image generation and display processing.

したがって、上記のような合成画像100の生成と表示により、欠陥同士の関連性を表示する機能を犠牲にすることなく、軽い処理負荷で欠陥同士の関連性を包括的に表示することが可能となる。よって、ユーザは素早く欠陥同士の関連性を確認して欠陥発生原因を総合的に推量することができ、合成画像100は欠陥発生原因の解析の効率向上に有効である。   Therefore, by generating and displaying the composite image 100 as described above, it is possible to comprehensively display the relationship between defects with a light processing load without sacrificing the function of displaying the relationship between defects. Become. Therefore, the user can quickly confirm the relevance of the defects and comprehensively guess the cause of the defect, and the composite image 100 is effective in improving the efficiency of the analysis of the cause of the defect.

具体的には、表面欠陥103a〜103dと裏面欠陥104は、合成画像100において、2次元座標系上の位置(つまり後述のx座標とy座標で表される位置)にしたがって表示されている。換言すれば、合成画像100において表面欠陥103a〜103dと裏面欠陥104との関連性は、2次元座標系上の位置同士の距離や配置によって表されている。   Specifically, the front surface defects 103a to 103d and the back surface defect 104 are displayed in the composite image 100 according to positions on a two-dimensional coordinate system (that is, positions represented by an x coordinate and a y coordinate described later). In other words, the relevance between the front surface defects 103a to 103d and the back surface defect 104 in the composite image 100 is represented by the distance and arrangement of positions on the two-dimensional coordinate system.

したがって、例えば、表面欠陥103aと裏面欠陥104の間の距離の方が表面欠陥103bと裏面欠陥104の間の距離よりも短い、といったことをユーザは合成画像100から直感的に把握することができる。なお、距離が短いほど欠陥同士の関連性が高いと推測される。   Therefore, for example, the user can intuitively grasp from the composite image 100 that the distance between the front surface defect 103 a and the back surface defect 104 is shorter than the distance between the front surface defect 103 b and the back surface defect 104. . It is assumed that the shorter the distance, the higher the relevance between defects.

また、表面欠陥103a〜103dとベベル欠陥との関連性、および裏面欠陥104とベベル欠陥との関連性は、投影点105a〜105fによって表されているとともに、線分106a〜106fによっても表されている。   Further, the relationship between the front surface defects 103a to 103d and the bevel defect and the relationship between the back surface defect 104 and the bevel defect are represented by the projection points 105a to 105f and also by the line segments 106a to 106f. Yes.

例えば、線分106eが表面欠陥103dの範囲を横切っていることから理解されるとおり、表面欠陥103dの位置と中心点とを結ぶ線の方向と、線分106eの方向とは非常に近い。また、表面欠陥103dの位置と中心点とを結ぶ線の方向は、線分106fの方向とも近い。   For example, as understood from the fact that the line segment 106e crosses the range of the surface defect 103d, the direction of the line connecting the position of the surface defect 103d and the center point is very close to the direction of the line segment 106e. The direction of the line connecting the position of the surface defect 103d and the center point is also close to the direction of the line segment 106f.

このような方向同士の「近さ」は、例えば、後述の画像サーバ231が、中心点を基準として指定された角度の指定範囲内に2つの方向がともに含まれるか否かに基づいて判断してもよく、2つの方向の角度差が閾値以下か否かに基づいて判断してもよい。   Such “closeness” between the directions is determined based on, for example, whether or not the image server 231 described later includes both of the two directions within the specified angle range specified with the center point as a reference. Alternatively, the determination may be made based on whether the angle difference between the two directions is equal to or less than a threshold value.

続いて、図1の合成画像100がどのようにして生成されるのかについて説明する。
図2は、基板検査システムの構成図である。図2の基板検査システム200は、基板検査装置群210、DB(database)群220、サーバ群230、画像PC(Personal Computer)群240、およびクライアントPC250を備える。なお、ウェハは基板の一種なので、以下ではウェハのことを単に「基板」という場合もある。
Next, how the composite image 100 in FIG. 1 is generated will be described.
FIG. 2 is a configuration diagram of the substrate inspection system. The board inspection system 200 of FIG. 2 includes a board inspection apparatus group 210, a DB (database) group 220, a server group 230, an image PC (Personal Computer) group 240, and a client PC 250. Since a wafer is a kind of substrate, hereinafter, the wafer may be simply referred to as “substrate”.

基板検査装置群210にはn個(n≧1)の基板検査装置211−1〜211−nが含まれる。基板検査装置211−1は、基板の表面と裏面を検査する平面検査部212−1と、基板のベベルを検査するベベル検査部213−1を備える。   The substrate inspection device group 210 includes n (n ≧ 1) substrate inspection devices 211-1 to 211-n. The board inspection apparatus 211-1 includes a plane inspection unit 212-1 for inspecting the front and back surfaces of the substrate and a bevel inspection unit 213-1 for inspecting the bevel of the substrate.

また、基板検査装置211−1は、基板検査装置211−1の全体を制御する不図示の制御部を備えている。制御部は、専用のハードウェア回路により実現することもできる。また、CPU(Central Processing Unit)と、プログラムを格納するROM(Read Only Memory)などの不揮発性メモリと、ワーキングエリア用のRAM(Random Access Memory)などのメモリと、ハードディスク装置などの記憶装置と、外部機器との接続インタフェイスを備えた汎用的なコンピュータにより制御部を実現することもできる。   The board inspection apparatus 211-1 includes a control unit (not shown) that controls the entire board inspection apparatus 211-1. The control unit can also be realized by a dedicated hardware circuit. In addition, a CPU (Central Processing Unit), a nonvolatile memory such as a ROM (Read Only Memory) for storing a program, a memory such as a RAM (Random Access Memory) for a working area, a storage device such as a hard disk device, The control unit can also be realized by a general-purpose computer having a connection interface with an external device.

さらに、基板検査装置211−1は、ウェハのノッチまたはオリエンテーション・フラットの位置に基づいてウェハの位置合わせを行う不図示のアライナを備えていてもよい。また、基板検査装置211−1はディスプレイを備えていてもよい。   Further, the substrate inspection apparatus 211-1 may include an aligner (not shown) that aligns the wafer based on the position of the notch or orientation flat of the wafer. Moreover, the board | substrate inspection apparatus 211-1 may be provided with the display.

平面検査部212−1は、例えば、ベベルの部分でウェハを保持する第1の保持部と、保持されたウェハの表面または裏面を撮像する第1の撮像部と、撮像対象の表面または裏面を照明する第1の照明部を備える。   The planar inspection unit 212-1 includes, for example, a first holding unit that holds a wafer at a bevel portion, a first imaging unit that images the front or back surface of the held wafer, and the front or back surface of an imaging target. The 1st illumination part to illuminate is provided.

第1の保持部は、真空吸着または静電チャックなどによりウェハを吸着してもよく、クランプ等の機械部品によりウェハを挟持してもよい。
第1の撮像部としては、CCD(Charge Coupled Device)画像センサや、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)画像センサを利用することができる。第1の撮像部は、輝度画像と呼ばれるモノクロームの画像を撮像するものでも、カラー画像を撮像するものでもよい。また、第1の撮像部は、ラインセンサでもよくエリアセンサでもよい。
The first holding unit may suck the wafer by vacuum suction or electrostatic chuck, or may hold the wafer by mechanical parts such as a clamp.
As the first imaging unit, a charge coupled device (CCD) image sensor or a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor can be used. The first imaging unit may capture a monochrome image called a luminance image, or may capture a color image. The first imaging unit may be a line sensor or an area sensor.

以下では、第1の撮像部がウェハの表面を撮像することにより得られる画像を「表面画像」といい、第1の撮像部がウェハの裏面を撮像することにより得られる画像を「裏面画像」という。表面画像と裏面画像は、第1の撮像部による撮像から直接的に得られる画像であってもよく、何らかの加工を経て間接的に得られる画像であってもよい。例えば、加工の例としては、ラインセンサにより撮像された線状の画像を面状の画像に合成する処理、輝度の補正、形状の歪みの補正、ノイズ除去、2値化などがある。   Hereinafter, an image obtained by the first imaging unit imaging the front surface of the wafer is referred to as a “front image”, and an image obtained by the first imaging unit imaging the back surface of the wafer is referred to as a “back image”. That's it. The front image and the back image may be images obtained directly from imaging by the first imaging unit, or may be images indirectly obtained through some processing. For example, examples of processing include a process of combining a linear image captured by a line sensor into a planar image, luminance correction, shape distortion correction, noise removal, binarization, and the like.

ベベル検査部213−1は、例えば基板の裏面を真空吸着または静電チャックなどにより吸着することでウェハを保持する第2の保持部と、保持されたウェハのベベルを撮像する第2の撮像部とベベルを照明する第2の照明部を備える。   The bevel inspection unit 213-1 includes, for example, a second holding unit that holds the wafer by sucking the back surface of the substrate by vacuum suction or electrostatic chuck, and a second imaging unit that captures an image of the held bevel. And a second illumination unit that illuminates the bevel.

第2の撮像部としては、CCD画像センサや、CMOS画像センサを利用することができる。第2の撮像部は、輝度画像を撮像するものでもカラー画像を撮像するものでもよく、ラインセンサでもよくエリアセンサでもよい。以下では、第2の撮像部がウェハのベベルを撮像することにより直接的または間接的に得られる画像を「ベベル画像」という。また、図5とともに後述するように、第2の撮像部は複数の画像センサを含んでいてもよい。   A CCD image sensor or a CMOS image sensor can be used as the second imaging unit. The second imaging unit may capture a luminance image or a color image, and may be a line sensor or an area sensor. Hereinafter, an image obtained directly or indirectly by the second imaging unit imaging a wafer bevel is referred to as a “bevel image”. Further, as will be described later with reference to FIG. 5, the second imaging unit may include a plurality of image sensors.

例えば、第2の撮像部が固定されたラインセンサにより実現され、第2の保持部が回転ステージ上にウェハを保持し、第2の撮像部による撮像タイミングに合わせた回転速度で回転ステージが360度回転してもよい。この場合、回転ステージが回転しながら第2の撮像部が撮像を繰り返す。ラインセンサである第2の撮像部が、撮像により得た線状の画像から面状の画像を合成して出力することで、ウェハの略円状の外周に沿ってベベルを観察した帯状のベベル画像が得られる。   For example, the second imaging unit is realized by a fixed line sensor, the second holding unit holds the wafer on the rotation stage, and the rotation stage 360 is rotated at a rotation speed in accordance with the imaging timing by the second imaging unit. You may rotate it. In this case, the second imaging unit repeats imaging while the rotary stage rotates. A belt-like bevel obtained by observing the bevel along the substantially circular outer periphery of the wafer by synthesizing and outputting a planar image from the linear image obtained by the imaging by the second imaging unit which is a line sensor. An image is obtained.

他の基板検査装置211−2〜211−nも基板検査装置211−1と同様に構成されている。
DB群220は、検査DB221とレシピDB222を含む。図2では検査DB221とレシピDB222は1つずつだが、複数のDBに分散した構成も可能である。
The other board inspection apparatuses 211-2 to 211-n are configured in the same manner as the board inspection apparatus 211-1.
The DB group 220 includes an inspection DB 221 and a recipe DB 222. In FIG. 2, the inspection DB 221 and the recipe DB 222 are one each, but a configuration in which a plurality of DBs are distributed is also possible.

検査DB221は、ネットワークを介して各基板検査装置211−1〜211−nから検査結果のデータを受け取って蓄積し、管理する。検査結果のデータは、表面画像、裏面画像、およびベベル画像のデータを含む。なお、以下では表面画像、裏面画像、およびベベル画像の総称として「検査画像」ということがある。   The inspection DB 221 receives, accumulates, and manages inspection result data from the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n via the network. The inspection result data includes data on the front surface image, the back surface image, and the bevel image. Hereinafter, the front image, the back image, and the bevel image may be collectively referred to as “inspection image”.

なお、検査DB221は、1つの検査条件につき1種類の表面画像のみを蓄積してもよく、複数種類の表面画像を蓄積してもよい。例えば、基板検査装置211−1〜211−nは、例えば、ある検査条件にしたがってウェハの表面を撮像して得られた輝度画像と、輝度画像を加工して得られた2値画像の両者を、ともに表面画像として検査DB221に登録してもよい。輝度画像を表面画像として検査DB221に保存することにより、欠陥を検出する際の閾値などの条件を変えて、画像サーバ231などが欠陥の再検出を行うことが可能になる。裏面画像およびベベル画像に関しても同様である。   The inspection DB 221 may store only one type of surface image for one inspection condition, or may store a plurality of types of surface images. For example, the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n, for example, display both a luminance image obtained by imaging the wafer surface according to a certain inspection condition and a binary image obtained by processing the luminance image. Both may be registered in the inspection DB 221 as a surface image. By storing the luminance image as a surface image in the inspection DB 221, it is possible for the image server 231 or the like to redetect a defect by changing conditions such as a threshold when detecting the defect. The same applies to the back image and the bevel image.

また、検査DB221が蓄積する検査結果のデータは、基板検査装置211−1〜211−nが検査画像から検出した欠陥に関する情報(例えば、欠陥の位置、大きさ、種類などを示す情報)を含んでいてもよい。   The inspection result data stored in the inspection DB 221 includes information (for example, information indicating the position, size, type, etc.) of defects detected by the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n from the inspection image. You may go out.

レシピDB222は、光学条件などの検査条件を指定する情報である「レシピ」のデータを管理し、保存している。各基板検査装置211−1〜211−nは、ネットワークを介してレシピDB222から最新のレシピを取得し、取得したレシピにしたがってウェハの検査を実行する。   The recipe DB 222 manages and stores “recipe” data, which is information for designating inspection conditions such as optical conditions. Each of the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n acquires the latest recipe from the recipe DB 222 via the network, and performs wafer inspection according to the acquired recipe.

なお、レシピは、例えば、以下のような情報を1つ以上含んでいてもよい。
・ウェハから半導体装置を製造するための製造工程を識別する識別情報
・観察方法を指定する情報(例えば、明視野観察、暗視野観察、または回折光による観察を指定する情報)
・照明光をウェハに照射する照射角度を指定する情報
・偏光フィルタや波長選択フィルタを使用するか否かという情報
・フィルタを使用する場合のフィルタの種類を指定する情報
・フィルタを第1または第2の照明部に装着するのか、それとも第1または第2の撮像部に装着するのかを指定する情報
・識別情報により識別された製造工程において、表面の検査、裏面の検査、およびベベルの検査のそれぞれの要否を示す情報
サーバ群230は、画像サーバ231とレシピサーバ232を含む。なお、画像サーバ231とレシピサーバ232は、いずれも1台のサーバであってもよく、複数のサーバに負荷分散される構成であってもよい。
In addition, the recipe may contain one or more of the following information, for example.
Identification information for identifying a manufacturing process for manufacturing a semiconductor device from a wafer Information specifying an observation method (for example, information specifying bright field observation, dark field observation, or observation by diffracted light)
-Information that specifies the irradiation angle for irradiating the wafer with illumination light-Information about whether or not to use a polarization filter or wavelength selection filter-Information that specifies the type of filter when using a filter-First or second filter Information specifying whether to attach to the illumination unit 2 or to the first or second imaging unit ・ In the manufacturing process identified by the identification information, the surface inspection, the back surface inspection, and the bevel inspection The information server group 230 indicating the necessity of each includes an image server 231 and a recipe server 232. Note that both the image server 231 and the recipe server 232 may be a single server, or may be configured to distribute the load to a plurality of servers.

画像サーバ231は、ネットワークを介して検査DB221と接続されている。画像サーバ231には、検査DB221に登録されている検査結果のデータを閲覧するためのアプリケーションソフトウェアがインストールされている。また、画像サーバ231には、検査結果のデータを統計的に処理したり、欠陥を検出するための条件を適宜設定して検査画像から欠陥を再抽出したりするためのアプリケーションソフトウェアもインストールされている。   The image server 231 is connected to the inspection DB 221 via a network. Application software for browsing inspection result data registered in the inspection DB 221 is installed in the image server 231. The image server 231 is also installed with application software for statistically processing inspection result data and re-extracting defects from the inspection image by appropriately setting conditions for detecting defects. Yes.

レシピサーバ232はネットワークを介してレシピDB222に接続されている。レシピサーバ232には、レシピDB222に登録されているレシピを閲覧し、編集し、編集によってアップデートしたレシピをレシピDB222に登録するためのアプリケーションソフトウェアがインストールされている。   The recipe server 232 is connected to the recipe DB 222 via a network. The recipe server 232 is installed with application software for viewing and editing recipes registered in the recipe DB 222 and registering recipes updated by editing in the recipe DB 222.

また、レシピサーバ232は、適切なレシピの設定を支援するため、既存のレシピの設定と当該レシピによる検査結果を比較して参照しながらレシピを編集することができるように、検査DB221とネットワークを介して接続されている。このように、レシピサーバ232は、検査DB221から検査画像をダウンロードし、欠陥を検出するための条件を調整しながら検査画像を処理して欠陥を再検出し、試行錯誤的にレシピのチューニングを行う機能を提供する。   In addition, the recipe server 232 supports the inspection DB 221 and the network so that the recipe can be edited while referring to the setting of the existing recipe and the inspection result of the recipe in order to support the setting of an appropriate recipe. Connected through. As described above, the recipe server 232 downloads the inspection image from the inspection DB 221, processes the inspection image while adjusting the conditions for detecting the defect, redetects the defect, and tunes the recipe through trial and error. Provide functionality.

画像PC群240は、検査画像の閲覧などを行うためのm個(m≧1)のPC241−1〜241−mを含む。各PC241−1〜241−mは、ネットワークを介して画像サーバ231とレシピサーバ232に接続されている。各PC241−1〜241−mは、レシピサーバ232のクライアントとして機能することで、ユーザがレシピを編集(つまりチューニング)するためのインタフェイスを提供する。   The image PC group 240 includes m (m ≧ 1) PCs 241-1 to 241-m for browsing inspection images and the like. Each of the PCs 241-1 to 241-m is connected to the image server 231 and the recipe server 232 via a network. Each of the PCs 241-1 to 241-m functions as a client of the recipe server 232, thereby providing an interface for the user to edit (that is, tune) the recipe.

また、クライアントPC250も、ネットワークを介して画像サーバ231とレシピサーバ232に接続されており、画像サーバ231およびレシピサーバ232のクライアントとして機能する。それにより、クライアントPC250も、ユーザが検査画像やレシピを閲覧および編集するためのインタフェイスを提供する。   The client PC 250 is also connected to the image server 231 and the recipe server 232 via a network, and functions as a client of the image server 231 and the recipe server 232. Thereby, the client PC 250 also provides an interface for the user to view and edit inspection images and recipes.

このように、PC241−1〜241−mとクライアントPC250は、検査DB221と画像サーバ231を介して検査DB221とレシピDB222にアクセスし、各DBに蓄積された情報を利用することができる。   As described above, the PCs 241-1 to 241-m and the client PC 250 can access the inspection DB 221 and the recipe DB 222 via the inspection DB 221 and the image server 231 and use the information stored in each DB.

続いて、図2のように構成された基板検査システム200内の各基板検査装置211−1〜211−nにおける処理の概要を説明する。
図3は、1つの製造工程において1枚のウェハに関して1つの基板検査装置211−j(1≦j≦n)が行う動作を示すフローチャートである。各基板検査装置211−jは複数のウェハの検査を順次行う。また、図3の処理は複数の製造工程においてそれぞれ実行される。1台の基板検査装置211−jは、特定の1つの製造工程の検査のみを担当してもよく、複数の製造工程の検査を担ってもよい。なお、以下の説明においては、図3で注目している製造工程を「対象製造工程」という。
Next, an outline of processing in each of the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n in the substrate inspection system 200 configured as shown in FIG. 2 will be described.
FIG. 3 is a flowchart showing an operation performed by one substrate inspection apparatus 211-j (1 ≦ j ≦ n) for one wafer in one manufacturing process. Each substrate inspection apparatus 211-j sequentially inspects a plurality of wafers. 3 is executed in each of a plurality of manufacturing steps. One board inspection apparatus 211-j may be in charge of only one specific manufacturing process, or may be inspected in a plurality of manufacturing processes. In the following description, the manufacturing process focused on in FIG. 3 is referred to as “target manufacturing process”.

ステップS101において、基板検査装置211−jは、対象製造工程のレシピをレシピDB222からダウンロードする。
次に、ステップS102において、不図示の基板搬送装置が基板検査装置211−jに基板を搬入する。ステップS102ではさらに、基板検査装置211−jのアライナが基板の位置合わせを行ってもよい。また、ステップS101とS102は逆順に実行されてもよい。
In step S <b> 101, the board inspection apparatus 211-j downloads a recipe for the target manufacturing process from the recipe DB 222.
Next, in step S102, a substrate transfer device (not shown) carries the substrate into the substrate inspection device 211-j. In step S102, the aligner of the substrate inspection apparatus 211-j may align the substrate. Steps S101 and S102 may be executed in reverse order.

続いてステップS103で、基板検査装置211−jの平面検査部212−jが、搬入された基板の表面を、レシピに指定された検査条件にしたがって撮像することにより、表面画像を取得する。なお、表面の検査に関してレシピに指定された検査条件がA通り(A≧1)であるとすると、ステップS103では平面検査部212−jが各検査条件にしたがって基板の表面を撮像するので、A枚の表面画像が得られる。   Subsequently, in step S103, the plane inspection unit 212-j of the substrate inspection apparatus 211-j captures the surface of the loaded substrate according to the inspection conditions specified in the recipe, thereby acquiring a surface image. If the inspection conditions specified in the recipe for the surface inspection are A (A ≧ 1), in step S103, the plane inspection unit 212-j images the surface of the substrate according to each inspection condition. A surface image of the sheet is obtained.

そして、ステップS104で平面検査部212−jは、表面画像に基づく検査を実行して表面欠陥を抽出する(つまり検出する)。例えば、平面検査部212−jは、テンプレートマッチングなどの手法により参照画像とステップS103で取得した表面画像の位置合わせを行ったうえで、参照画像と表面画像の輝度の差と閾値との比較に基づいて表面欠陥を抽出してもよい。平面検査部212−jは、抽出した欠陥の大きさと位置を算出してもよく、さらに欠陥の種類を判定してもよい。   In step S104, the plane inspection unit 212-j performs inspection based on the surface image to extract (that is, detect) surface defects. For example, the planar inspection unit 212-j performs alignment between the reference image and the surface image acquired in step S103 by a method such as template matching, and then compares the luminance difference between the reference image and the surface image with a threshold value. Based on this, surface defects may be extracted. The plane inspection unit 212-j may calculate the size and position of the extracted defect, and may further determine the type of defect.

なお、表面の検査に関してレシピにA通りの検査条件が指定されている場合、平面検査部212−jはステップS104において、A枚の表面画像のそれぞれに基づく検査(すなわちA通りの検査条件それぞれに対応する検査)を実行する。   When the A inspection conditions are specified in the recipe for the surface inspection, the plane inspection unit 212-j performs the inspection based on each of the A surface images (that is, each of the A inspection conditions in step S104). Perform the corresponding inspection).

ステップS105で、基板検査装置211−jは、基板検査装置211−jが備えるディスプレイに検査結果を表示し、ネットワークを介して検査結果を検査DB221に登録し保存する。ステップS105における検査結果とは、ステップS103で得られた表面画像と、ステップS104で得られた、欠陥の大きさ、位置、種類などを示す情報を含む。   In step S105, the substrate inspection apparatus 211-j displays the inspection result on the display included in the substrate inspection apparatus 211-j, and registers and stores the inspection result in the inspection DB 221 via the network. The inspection result in step S105 includes the surface image obtained in step S103 and information indicating the size, position, type, and the like of the defect obtained in step S104.

続いてステップS106で基板検査装置211−jの制御部は、対象製造工程において裏面の検査をするか否かをレシピにしたがって判断する。裏面の検査をする場合、処理はステップS107に移行し、裏面の検査をしない場合、処理はステップS110に移行する。   Subsequently, in step S106, the control unit of the substrate inspection apparatus 211-j determines whether to inspect the back surface in the target manufacturing process according to the recipe. If the back side is inspected, the process proceeds to step S107. If the back side is not inspected, the process proceeds to step S110.

ステップS107で、平面検査部212−jは、レシピに指定された検査条件にしたがって基板の裏面を撮像することにより裏面画像を取得する。なお、裏面の検査に関してレシピに指定された検査条件がB通り(B≧1)であるとすると、ステップS107ではB枚の裏面画像が得られる。   In step S107, the plane inspection unit 212-j acquires a back image by imaging the back surface of the substrate according to the inspection conditions specified in the recipe. If the inspection conditions specified in the recipe for the back surface inspection are B (B ≧ 1), B back surface images are obtained in step S107.

そして、ステップS108で平面検査部212−jは、裏面画像に基づく検査を実行して裏面欠陥を抽出する。裏面欠陥を抽出する方法は、例えば、表面欠陥を抽出する方法と同様の方法でもよい。あるいは、裏面には回路パターンが形成されないので、参照画像を使わずに、単に裏面画像の画素値が予め決められた上限および下限により定義される範囲内にあるか否かに基づいて裏面欠陥を抽出することもできる。また、平面検査部212−jは、抽出した欠陥の大きさと位置を算出してもよく、さらに欠陥の種類を判定してもよい。   Then, in step S108, the plane inspection unit 212-j performs inspection based on the back image and extracts back surface defects. The method for extracting the back surface defect may be, for example, the same method as the method for extracting the surface defect. Alternatively, since no circuit pattern is formed on the back surface, the back surface defect is determined based on whether the pixel value of the back image is within a range defined by a predetermined upper limit and lower limit without using a reference image. It can also be extracted. Further, the plane inspection unit 212-j may calculate the size and position of the extracted defect, and may further determine the type of defect.

なお、裏面の検査に関してレシピにB通りの検査条件が指定されている場合、平面検査部212−jはステップS108において、B枚の裏面画像のそれぞれに基づく検査(すなわちB通りの検査条件それぞれに対応する検査)を実行する。   When B inspection conditions are specified in the recipe for the back surface inspection, in step S108, the plane inspection unit 212-j performs inspection based on each of the B back images (that is, for each of the B inspection conditions). Perform the corresponding inspection).

ステップS109で、基板検査装置211−jは、基板検査装置211−jが備えるディスプレイに検査結果を表示し、ネットワークを介して検査結果を検査DB221に登録し保存する。ステップS109における検査結果とは、ステップS107で得られた裏面画像と、ステップS108で得られた、欠陥の大きさ、位置、種類などを示す情報を含む。   In step S109, the substrate inspection apparatus 211-j displays the inspection result on the display included in the substrate inspection apparatus 211-j, and registers and stores the inspection result in the inspection DB 221 via the network. The inspection result in step S109 includes the back side image obtained in step S107 and information indicating the size, position, type, and the like of the defect obtained in step S108.

続いてステップS110で基板検査装置211−jの制御部は、対象製造工程においてベベルの検査をするか否かをレシピにしたがって判断する。ベベルの検査をする場合、処理はステップS111に移行し、ベベルの検査をしない場合、処理はステップS114に移行する。   Subsequently, in step S110, the control unit of the substrate inspection apparatus 211-j determines whether or not to inspect the bevel in the target manufacturing process according to the recipe. When the bevel inspection is performed, the process proceeds to step S111. When the bevel inspection is not performed, the process proceeds to step S114.

ステップS111で、基板検査装置211−jが平面検査部212−jからベベル検査部213−jへと基板を移動する。そして、ベベル検査部213−jが、レシピに指定された検査条件にしたがって基板のベベルを撮像することによりベベル画像を取得する。   In step S111, the substrate inspection apparatus 211-j moves the substrate from the planar inspection unit 212-j to the bevel inspection unit 213-j. And the bevel inspection part 213-j acquires a bevel image by imaging the bevel of a board | substrate according to the inspection conditions designated by the recipe.

なお、後述するように、ベベルがC個(C>1)の部位に分類されている場合、ベベル検査部213−jは、各部位を個々に撮像して各部位に対応するベベル画像を取得してもよい。また、この場合に、k番目の部位(1≦k≦C)の検査に関してレシピに指定された検査条件がD通り(D≧1)であるとすると、ステップS111では、式(1)で定義されるE枚のベベル画像が得られる。 As will be described later, when the bevel is classified into C parts (C> 1), the bevel inspection unit 213-j individually captures each part and acquires a bevel image corresponding to each part. May be. Further, in this case, assuming that there are D k inspection conditions (D k ≧ 1) for the inspection of the k th part (1 ≦ k ≦ C), in step S111, the expression (1) E bevel images defined in (1) are obtained.

そして、ステップS112でベベル検査部213−jは、ベベル画像に基づく検査を実行してベベル欠陥を抽出する。ベベル検査部213−jは、例えば、ベベル画像の画素値が予め決められた上限および下限により定義される範囲内にあるか否かに基づいてベベル欠陥を抽出してもよい。なお、ウェハのノッチはベベル画像において暗く写るので、ベベル検査部213−jは、ノッチとノッチ以外の部分で上記の上限と下限の値を変えてもよい。また、ベベル検査部213−jは、抽出した欠陥の大きさと位置を算出してもよく、さらに欠陥の種類を判定してもよい。 In step S112, the bevel inspection unit 213-j executes an inspection based on the bevel image and extracts a bevel defect. For example, the bevel inspection unit 213-j may extract a bevel defect based on whether or not the pixel value of the bevel image is within a range defined by a predetermined upper limit and lower limit. Since the notch of the wafer appears dark in the bevel image, the bevel inspection unit 213-j may change the upper and lower limit values in the notch and portions other than the notch. Further, the bevel inspection unit 213-j may calculate the size and position of the extracted defect, and may further determine the type of defect.

なお、ベベルがC個の部位に分類され、k番目の部位の検査に関してレシピにD通りの検査条件が指定されている場合、ベベル検査部213−jはステップS112において、E枚のベベル画像のそれぞれに基づく検査(すなわち部位と検査条件のE通りの組み合わせに対応するE回の検査)を実行する。 When the bevel is classified into C parts and D k inspection conditions are specified in the recipe for the inspection of the k-th part, the bevel inspection unit 213-j performs E bevel images in step S112. (I.e., E inspections corresponding to E combinations of the part and the inspection condition) are performed.

ステップS113で、基板検査装置211−jは、基板検査装置211−jが備えるディスプレイに検査結果を表示し、ネットワークを介して検査結果を検査DB221に登録する。ステップS113における検査結果とは、ステップS111で得られたベベル画像と、ステップS112で得られた、欠陥の大きさ、位置、種類などを示す情報を含む。   In step S113, the board inspection apparatus 211-j displays the inspection result on the display included in the board inspection apparatus 211-j, and registers the inspection result in the inspection DB 221 via the network. The inspection result in step S113 includes the bevel image obtained in step S111 and information indicating the size, position, type, and the like of the defect obtained in step S112.

最後に、ステップS114で基板搬送装置が基板検査装置211−jから基板を搬出し、図3の処理が終了する。
このように、本実施形態では、回路パターンが形成されない裏面とベベルについては、レシピにしたがって、必要な製造工程でのみ検査が実行される。
Finally, in step S114, the substrate transfer apparatus carries the substrate out of the substrate inspection apparatus 211-j, and the processing in FIG.
As described above, in this embodiment, the back surface and the bevel on which the circuit pattern is not formed are inspected only in the necessary manufacturing process according to the recipe.

図4は、ウェハと座標系について説明する図である。図4(a)は、ウェハ300とxyz座標系(すなわちカーテシアン座標系とも呼ばれる3次元直交座標系)を説明する図である。図4(b)は、ベベル欠陥の位置を示すのに使われるrθ座標系(すなわち極座標系)を説明する図である。図4(c)は、ベベル付近におけるウェハ300の断面図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining the wafer and the coordinate system. FIG. 4A is a diagram for explaining the wafer 300 and the xyz coordinate system (that is, a three-dimensional orthogonal coordinate system also called Cartesian coordinate system). FIG. 4B is a diagram illustrating an rθ coordinate system (that is, a polar coordinate system) used to indicate the position of the bevel defect. FIG. 4C is a cross-sectional view of the wafer 300 in the vicinity of the bevel.

図4(a)は、表面301を上にしたウェハ300の斜視図に、x軸、y軸、およびz軸を重ねて示す図である。ウェハ300の裏面302は図4(a)では隠れている。また、図示の便宜上、図4(a)ではノッチ303を強調して示している。   FIG. 4A shows a perspective view of the wafer 300 with the surface 301 facing upward, with the x-axis, y-axis, and z-axis superimposed. The back surface 302 of the wafer 300 is hidden in FIG. For convenience of illustration, the notch 303 is highlighted in FIG.

以下では、表面301がxy平面上にあり、ウェハ300の厚み方向がz方向であり、表面301側がz軸のプラス側であるとする。また、表面301の中心点とノッチ303を結ぶ方向がy方向であり、ノッチ303はy軸のマイナス側であるとする。   In the following, it is assumed that the surface 301 is on the xy plane, the thickness direction of the wafer 300 is the z direction, and the surface 301 side is the positive side of the z axis. The direction connecting the center point of the surface 301 and the notch 303 is the y direction, and the notch 303 is on the negative side of the y axis.

図4(b)はxy平面とrθ座標系の関係を示している。以下では、ノッチ303のある6時の方向のθ座標が0であり、反時計回りにθ座標が増加するものとする。r座標は、(x,y)=(0,0)と定義される中心点からの距離を示す。したがって下記の式(2)〜(5)の関係が成り立つ。なお、式(2)〜(5)におけるθの単位はラジアンであり、式(2)〜(5)を用いて、直交座標系であるxyz座標系と円柱座標系であるrθz座標系の間の座標変換が可能である。   FIG. 4B shows the relationship between the xy plane and the rθ coordinate system. In the following, it is assumed that the θ coordinate in the 6 o'clock direction with the notch 303 is 0, and the θ coordinate increases counterclockwise. The r coordinate indicates the distance from the center point defined as (x, y) = (0, 0). Therefore, the following expressions (2) to (5) are satisfied. Note that the unit of θ in the equations (2) to (5) is radians, and using the equations (2) to (5), between the xyz coordinate system that is an orthogonal coordinate system and the rθz coordinate system that is a cylindrical coordinate system. Can be converted.

x=r・cos(θ−π/2) (2)
y=r・sin(θ−π/2) (3)
x = r · cos (θ−π / 2) (2)
y = r · sin (θ−π / 2) (3)

θ=arctan(y/x)+π/2 (5)
例えば、平面検査部212−jは、検出した表面欠陥と裏面欠陥の位置をxy座標で表して検査結果の一部として検査DB221に登録する。また、ベベル検査部213−jは、検出したベベル欠陥の位置をθ座標で表して検査結果の一部として検査DB221に登録する。
θ = arctan (y / x) + π / 2 (5)
For example, the plane inspection unit 212-j represents the position of the detected front surface defect and back surface defect with xy coordinates, and registers them in the inspection DB 221 as a part of the inspection result. Further, the bevel inspection unit 213-j represents the position of the detected bevel defect with the θ coordinate and registers it in the inspection DB 221 as a part of the inspection result.

なお、図4(a)では図示の便宜上、z方向(すなわち厚み方向)を強調して示している。図4(a)に示すように、本実施形態のウェハ300のベベル304は、表面301と裏面302の間の部分で最もz軸からの距離(すなわち動径r)が大きくなるような形状である。具体的な断面形状は図4(c)に示すとおりである。図4(c)はz軸を通る平面によるウェハ300の断面図の一部である。   In FIG. 4A, for convenience of illustration, the z direction (that is, the thickness direction) is emphasized. As shown in FIG. 4A, the bevel 304 of the wafer 300 of this embodiment has a shape such that the distance from the z-axis (that is, the moving radius r) is the largest in the portion between the front surface 301 and the back surface 302. is there. A specific cross-sectional shape is as shown in FIG. FIG. 4C is a part of a sectional view of the wafer 300 taken along a plane passing through the z axis.

図4(c)に示すように、ベベル304は、ウェハ300の厚み方向の位置により5つの部位に分類される。各部位は、z軸のプラス側から順に、Near Edge Front305、Upper Bevel306、Apex307、Lower Bevel308、およびNear Edge Back309と呼ばれる。各部位の範囲を定めるのに、例えばSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)の規格を採用してもよい。   As shown in FIG. 4C, the bevel 304 is classified into five parts according to the position in the thickness direction of the wafer 300. Each part is referred to as Near Edge Front 305, Upper Bevel 306, Apex 307, Lower Bevel 308, and Near Edge Back 309 in order from the positive side of the z-axis. For example, the standard of SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) may be adopted to determine the range of each part.

本実施形態では、特に後述の図5および図13(a)に明らかなとおり、より正確に欠陥の発生原因を特定することができるよう、図2のベベル検査部213−1〜213−nはベベルの各部位に個別に着目した検査を行う。そして、画像サーバ231は、5つの部位それぞれに対する検査の結果を包括的に判断する。   In this embodiment, the bevel inspection units 213-1 to 213-n in FIG. 2 are specified so that the cause of the defect can be specified more accurately, as clearly shown in FIG. 5 and FIG. An examination focusing on each part of the bevel is performed. Then, the image server 231 comprehensively determines the examination results for each of the five parts.

図5は、ベベル画像の撮像について説明する図である。図4(c)のようにウェハ300のベベル304が5つの部位に分類される場合(すなわち図3の説明においてC=5である場合)に、各部位に対応するベベル画像をベベル検査部213−jが撮像するときの撮像光軸を、図5は示している。   FIG. 5 is a diagram for describing imaging of a bevel image. When the bevel 304 of the wafer 300 is classified into five parts as shown in FIG. 4C (that is, when C = 5 in the description of FIG. 3), the bevel image corresponding to each part is displayed as the bevel inspection unit 213. FIG. 5 shows the imaging optical axis when -j is imaging.

図5の例では、Near Edge Front305に対応するベベル画像を撮像するときの撮像光軸310はNear Edge Front305の面に垂直である。また、Upper Bevel306に対応するベベル画像を撮像するときの撮像光軸311はUpper Bevel306の面に垂直であり、Apex307に対応するベベル画像を撮像するときの撮像光軸312はApex307の面に垂直である。同様に、Lower Bevel308に対応するベベル画像を撮像するときの撮像光軸313はLower Bevel308の面に垂直である。そして、Near Edge Back309に対応するベベル画像を撮像するときの撮像光軸314はNear Edge Back309の面に垂直である。   In the example of FIG. 5, the imaging optical axis 310 when imaging a bevel image corresponding to the Near Edge Front 305 is perpendicular to the plane of the Near Edge Front 305. The imaging optical axis 311 when imaging a bevel image corresponding to Upper Bevel 306 is perpendicular to the surface of Upper Bevel 306, and the imaging optical axis 312 when imaging a bevel image corresponding to Apex 307 is perpendicular to the surface of Apex 307. is there. Similarly, the imaging optical axis 313 when imaging a bevel image corresponding to the Lower Level 308 is perpendicular to the surface of the Lower Level 308. The imaging optical axis 314 when imaging a bevel image corresponding to the Near Edge Back 309 is perpendicular to the surface of the Near Edge Back 309.

例えば、ベベル検査部213−jが備える第2の撮像部は、固定された5つの画像センサを備え、各画像センサの撮像光軸が図5の撮像光軸310〜314であってもよい。あるいは、第2の撮像部は、撮像光軸が撮像光軸310〜314のそれぞれと一致するような5箇所の位置に少なくとも移動可能な、可動式の1つの画像センサを備えていてもよい。   For example, the second imaging unit included in the bevel inspection unit 213-j may include five fixed image sensors, and the imaging optical axes of the image sensors may be the imaging optical axes 310 to 314 in FIG. Alternatively, the second imaging unit may include one movable image sensor that can move at least to five positions such that the imaging optical axis coincides with each of the imaging optical axes 310 to 314.

同様に、ベベル検査部213−jが備える第2の照明部は、5つの部位に対応する5組の照明源を含んでもよい。照明源の各組は、実施形態によっては1つの照明源からなっていてもよく、波長等の異なる複数の照明源からなっていてもよい。また、第2の照明部は、5つの部位を順に照明することができるように可動式に構成された照明源の組を含んでいてもよい。なお、レシピで同軸照明が指定されている場合の照明光軸は、図5の撮像光軸310〜314と一致する。   Similarly, the 2nd illumination part with which the bevel test | inspection part 213-j is provided may also contain 5 sets of illumination sources corresponding to 5 site | parts. Each set of illumination sources may be composed of one illumination source in some embodiments, or may be composed of a plurality of illumination sources having different wavelengths or the like. In addition, the second illumination unit may include a set of illumination sources configured to be movable so that the five parts can be illuminated in order. Note that the illumination optical axis when coaxial illumination is specified in the recipe matches the imaging optical axes 310 to 314 of FIG.

もちろん、ある種のレシピでは反射照明が指定されていてもよい。その場合、ベベル304の各部の面(例えばApex307の面)に対して垂直ではない角度から撮像するよう、垂直ではない角度が撮像光軸として指定されていてもよい。いずれにしろ、ベベル検査部213−jはレシピにしたがった撮像を行う。   Of course, reflective lighting may be specified in certain recipes. In this case, a non-perpendicular angle may be designated as the imaging optical axis so that imaging is performed from an angle that is not perpendicular to the surface of each part of the bevel 304 (for example, the surface of Apex 307). In any case, the bevel inspection unit 213-j performs imaging according to the recipe.

図6は、図1の合成画像100の元となった表面画像、裏面画像、およびベベル画像の例を示す図である。図2に関して説明したとおり、表面画像、裏面画像、およびベベル画像は撮像から間接的に得られる画像であってもよい。   FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the front image, the back image, and the bevel image that are the basis of the composite image 100 in FIG. 1. As described with reference to FIG. 2, the front image, the back image, and the bevel image may be images obtained indirectly from imaging.

以下では説明の便宜上、画像サーバ231にインストールされているアプリケーションソフトウェアにより、画像サーバ231が図1の合成画像100を生成し、合成画像100を含む各種の情報を、画像サーバ231が備えるディスプレイの画面に表示するものとする。しかし、合成画像100を含む各種の情報は、ネットワークを介して画像サーバ231にアクセスするPC241−1〜241−mまたはクライアントPC250が備えるディスプレイの画面に表示されてもよい。また、PC241−1〜241−mまたはクライアントPC250が合成画像100の生成を行ってもよい。   Hereinafter, for convenience of explanation, the image server 231 generates the composite image 100 of FIG. 1 by application software installed in the image server 231, and various types of information including the composite image 100 are displayed on the screen of the display provided in the image server 231. Shall be displayed. However, various types of information including the composite image 100 may be displayed on a screen of a display included in the PCs 241-1 to 241-m or the client PC 250 that accesses the image server 231 via the network. Further, the PCs 241-1 to 241-m or the client PC 250 may generate the composite image 100.

図6の例では、表面画像400は、基板検査装置211−jの平面検査部212−jが、図3のステップS103とS104の処理により得た2値画像である。すなわち、平面検査部212−jは、ステップS103でウェハ300の表面301を撮像し、撮像により得られた画像を、ステップS104で欠陥抽出のために2値化などによって加工する。その結果、表面画像400が得られる。   In the example of FIG. 6, the surface image 400 is a binary image obtained by the plane inspection unit 212-j of the board inspection apparatus 211-j by the processing in steps S <b> 103 and S <b> 104 in FIG. 3. That is, the plane inspection unit 212-j images the surface 301 of the wafer 300 in step S103, and processes the image obtained by the imaging by binarization or the like for defect extraction in step S104. As a result, a surface image 400 is obtained.

同様に、裏面画像410は、平面検査部212−jがステップS107でウェハ300の裏面302を撮像し、撮像により得られた画像をステップS108で欠陥抽出のために2値化などによって加工することにより得た2値画像である。   Similarly, the back surface image 410 is obtained by the plane inspection unit 212-j imaging the back surface 302 of the wafer 300 in step S107, and processing the image obtained by the imaging by binarization or the like for defect extraction in step S108. It is the binary image obtained by the above.

また、ベベル画像420は、ベベル検査部213−jがステップS111でウェハ300のベベル304のある部位を撮像し、撮像により得られた画像をステップS112で欠陥抽出のために2値化などにより加工することにより得た2値画像である。   Further, the bevel image 420 is processed by the bevel inspection unit 213-j imaging a part of the wafer 300 where the bevel 304 is located in step S111, and binarizing and the like for defect extraction in step S112. It is the binary image obtained by doing.

このように加工を経て得られた2値画像である表面画像400、裏面画像410、およびベベル画像420では、欠陥の領域が黒で、欠陥以外の領域が白で表されている。
すなわち、表面画像400では、図1の表面欠陥103a〜103dにそれぞれ対応する表面欠陥401a〜401dの領域が黒く表されている。
In the front surface image 400, the back surface image 410, and the bevel image 420, which are binary images obtained through processing in this way, the defect area is black and the area other than the defect is white.
That is, in the surface image 400, the areas of the surface defects 401a to 401d corresponding to the surface defects 103a to 103d in FIG. 1 are shown in black.

また、裏面画像410では、図1の裏面欠陥104に対応する裏面欠陥411の線状の領域が黒く表されている。なお、図1と図6の比較から分かるように、図1の合成画像100における裏面欠陥104の位置と形状は、裏面画像410における裏面欠陥411を画像サーバ231が鏡像変換することで得られる。   Moreover, in the back surface image 410, the linear area | region of the back surface defect 411 corresponding to the back surface defect 104 of FIG. 1 is represented black. As can be seen from a comparison between FIG. 1 and FIG. 6, the position and shape of the back surface defect 104 in the composite image 100 in FIG. 1 can be obtained by the image server 231 performing mirror image conversion of the back surface defect 411 in the back surface image 410.

そして、帯状の(つまり矩形の)ベベル画像420では、ベベル欠陥421a〜421fの領域が黒く表されている。ここで、ベベル画像420の左端は、図4(b)で定義したθ座標の値が0°である点に対応し、ベベル画像420の右端は、θ座標の値が360°である点に対応する。したがって、ベベル欠陥421a〜421fの位置をそれぞれ表すθ座標の値をθ〜θとすると、矩形のベベル画像420におけるベベル欠陥421a〜421fそれぞれの水平方向の座標から、θ〜θが算出可能である。例えば、ベベル画像420の水平方向の幅をHとし、ベベル欠陥421aの水平方向の座標の値をhとして、単位をラジアンで表す場合、θは式(6)により算出される。 In the belt-like (that is, rectangular) bevel image 420, the areas of the bevel defects 421a to 421f are shown in black. Here, the left end of the bevel image 420 corresponds to the point where the value of the θ coordinate defined in FIG. 4B is 0 °, and the right end of the bevel image 420 is the point where the value of the θ coordinate is 360 °. Correspond. Therefore, when the value of theta coordinates representing respective positions of the bevel defects 421a~421f and theta a through? F, from the bevel defects 421a~421f respective horizontal coordinates in the rectangular bevel image 420, the theta a through? F It can be calculated. For example, when the horizontal width of the bevel image 420 is H, the horizontal coordinate value of the bevel defect 421a is h a , and the unit is expressed in radians, θ a is calculated by Expression (6).

θ=2πh/H (6)
すなわち、画像サーバ231は、式(6)を用いて算出したθ、表面画像400におけるウェハの半径、式(2)、および式(3)から、合成画像100上の投影点105aの水平方向の座標および垂直方向の座標を算出することができる。したがって、画像サーバ231は、算出したθの値に応じてベベル欠陥421aを表面画像400の輪郭線上のθ=θとなる点に投影し、図1の合成画像100における投影点105aとして表現することができる。
θ a = 2πh a / H (6)
That is, the image server 231 calculates the horizontal direction of the projection point 105a on the composite image 100 from θ a calculated using Expression (6), the radius of the wafer in the surface image 400, Expression (2), and Expression (3). And the vertical coordinate can be calculated. Therefore, the image server 231 projects the bevel defect 421a in that the contour of theta = theta a surface image 400 according to the calculated value of the theta a, expressed as a projection point 105a in the composite image 100 of FIG. 1 can do.

他のベベル欠陥421b〜421fと投影点105b〜105fとの関係も上記と同様である。
なお、上記の画像処理は、概念的には、ベベル画像420に写っているベベル欠陥421aのxyz空間における位置をウェハ300の表面301と同じxy平面上に投影した点を、xy平面を表す表面画像400に重ね合わせる処理とも見なせる。
The relationship between the other bevel defects 421b to 421f and the projection points 105b to 105f is the same as described above.
Note that the above image processing is conceptually a surface representing the xy plane by projecting the position of the bevel defect 421a shown in the bevel image 420 in the xyz space onto the same xy plane as the surface 301 of the wafer 300. It can also be regarded as a process of superimposing on the image 400.

以上のように、画像サーバ231は、裏面画像410を鏡像変換して表面画像400に重ね合わせ、ベベル画像420の各ベベル欠陥421a〜421fの位置を表面画像400に投影することにより、2次元画像である合成画像100を生成する。本実施形態ではさらに、画像サーバ231は、図1の線分106a〜106fを合成画像100上に形成する処理も実行している。   As described above, the image server 231 converts the back image 410 into a mirror image, superimposes it on the front image 400, and projects the positions of the bevel defects 421 a to 421 f of the bevel image 420 onto the front image 400. A composite image 100 is generated. In the present embodiment, the image server 231 further executes processing for forming the line segments 106 a to 106 f in FIG. 1 on the composite image 100.

以上、図2〜図6を参照して、図1の合成画像100を得る方法について説明した。
続いて、図1の合成画像100と組み合わせて表示する画面の例について、図7〜図11を参照して説明する。図7〜図11において説明する画面は、合成画像100の元となる検査画像をユーザに選択させるためのGUIを提供するものでもある。なお、下記の説明における数値の例は、説明の便宜上のものであり、実際の数値の傾向を示すわけでも好ましい有効数字の桁数を示すわけでもない。
The method for obtaining the composite image 100 of FIG. 1 has been described above with reference to FIGS.
Next, an example of a screen displayed in combination with the composite image 100 in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. The screens described in FIGS. 7 to 11 also provide a GUI for allowing the user to select an inspection image that is the basis of the composite image 100. In addition, the numerical example in the following description is for convenience of description, and does not indicate an actual numerical tendency or a preferable number of significant figures.

図7は、検査結果を表示する画面の例を示す図である。図7の画面500は、画像サーバ231のディスプレイ、または、画像サーバ231にクライアントとしてアクセスするPC241−1〜241−mもしくはクライアントPC250のディスプレイに表示される。なお、画像サーバ231は、画面500を表示するための制御のほかに、さらに、画面500に表示する対象のデータを検査DB221の中から選択するためのメニューなどのGUI(Graphical User Interface)をディスプレイに表示するための制御を行ってもよい。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a screen that displays an inspection result. A screen 500 in FIG. 7 is displayed on the display of the image server 231 or the PCs 241-1 to 241-m or the client PC 250 that accesses the image server 231 as a client. In addition to the control for displaying the screen 500, the image server 231 further displays a GUI (Graphical User Interface) such as a menu for selecting the target data to be displayed on the screen 500 from the examination DB 221. Control for displaying on the screen may be performed.

図7において画面500は、ウェハ情報表示領域501、検査番号セレクタ502、保存ボタン503、ヒストグラム表示領域504、欠陥表示領域505、ベベル欠陥概要表示領域506、表面欠陥概要表示領域507、裏面欠陥概要表示領域508、同一チップ欠陥情報表示領域509、オーバレイボタン510、表面検査情報表示領域511、裏面検査情報表示領域512、ベベル検査情報表示領域513、および合成画像表示領域514を含む。   In FIG. 7, a screen 500 includes a wafer information display area 501, an inspection number selector 502, a save button 503, a histogram display area 504, a defect display area 505, a bevel defect summary display area 506, a surface defect summary display area 507, and a back surface defect summary display. An area 508, the same chip defect information display area 509, an overlay button 510, a front surface inspection information display area 511, a back surface inspection information display area 512, a bevel inspection information display area 513, and a composite image display area 514 are included.

ウェハ情報表示領域501は、一種のヘッダ情報であるウェハ情報を表示する領域で、例えば図8のような表を含む。
図8は、ウェハ情報表示領域501に表示される表の例を示す図である。表の1行目は「ウェハ情報」と書かれた見出し行である。図8の表内の項目は以下の内容を表している。
The wafer information display area 501 is an area for displaying wafer information, which is a kind of header information, and includes, for example, a table as shown in FIG.
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a table displayed in the wafer information display area 501. The first line of the table is a heading line in which “wafer information” is written. The items in the table of FIG. 8 represent the following contents.

・品種名
検査されるウェハ300の品種名(すなわちウェハ300から製造される半導体装置の種類を識別する識別情報)が「AAA−012」である。
-Product name The product name of the wafer 300 to be inspected (that is, identification information for identifying the type of the semiconductor device manufactured from the wafer 300) is "AAA-012."

・ロットID
現在注目しているロット(すなわち画面500に情報を表示するロット)のID(identifier)が「345−BBB−678」である。
・ Lot ID
The ID (identifier) of the currently focused lot (that is, the lot whose information is displayed on the screen 500) is “345-BBB-678”.

・属性名、日付、時刻
ヒストグラム表示領域504および欠陥表示領域505には、2008年4月2日13時52分57秒に行ったベベル304の検査結果が表示されている。
Attribute name, date, and time In the histogram display area 504 and the defect display area 505, the inspection result of the bevel 304 performed on April 2, 2008 at 13:52:57 is displayed.

・検査装置名、検査レシピバージョン
画面500には、「CCC−901」という名称の検査装置(例えば図2の基板検査装置211−1〜211−nのいずれか)による、「1」というバージョンの検査レシピにしたがった検査結果が表示されている。
Inspection device name, inspection recipe version The screen 500 has a version of “1” by an inspection device named “CCC-901” (for example, one of the substrate inspection devices 211-1 to 211-n in FIG. 2). The inspection result according to the inspection recipe is displayed.

・工程名
対象製造工程の名称は「PROC−3」である。
・露光装置名、コータ/デベロッパ名
「PROC−3」という製造工程では、「EEE−567」という名称のコータ/デベロッパがウェハ300にレジストを塗布し、「DDD−234」という名称の露光装置が露光処理を行い、上記コータ/デベロッパが現像を行う。
Process name The name of the target manufacturing process is “PROC-3”.
・ Exposure device name, coater / developer name In the manufacturing process “PROC-3”, a coater / developer named “EEE-567” applies a resist to the wafer 300, and an exposure device named “DDD-234” An exposure process is performed, and the coater / developer performs development.

・スロット番号、ウェハID
合成画像表示領域514には「Loader_1.12」というIDで「12」というスロット番号のウェハ300に関する合成画像100が表示されている。なお、スロット番号とは、複数のウェハからなる1ロット内において個々のウェハを識別する番号である。本実施形態では、1ロットが25枚のウェハからなるので、スロット番号として1〜25という数値が用いられる。
・ Slot number, wafer ID
In the composite image display area 514, the composite image 100 related to the wafer 300 having the slot number “12” with the ID “Loader_1.12” is displayed. The slot number is a number for identifying individual wafers in one lot composed of a plurality of wafers. In the present embodiment, since one lot consists of 25 wafers, numerical values of 1 to 25 are used as slot numbers.

・ウェハレベル(最大値)
スロット番号「12」のウェハに関して、表面のむらの程度を示すレベルを各検査条件にしたがって画像サーバ231が算出して得られた値の中での最大値が「4.5」である。
・ Wafer level (maximum value)
For the wafer of slot number “12”, the maximum value among the values obtained by the image server 231 calculating the level indicating the degree of surface unevenness according to each inspection condition is “4.5”.

・欠陥面積、欠陥個数、不良チップ数、検査結果
「PROC−3」という製造工程に関する検査の結果検出された欠陥(表面欠陥、裏面欠陥、およびベベル欠陥をすべて含む)の面積は7341mm、個数は8363個である。また、不良チップは221個である。これらの結果は、予め決められている基準を満たさないため、「PROC−3」という製造工程においてウェハ300は「CCC−901」という検査装置により「不合格」と判断された。
-Defect area, number of defects, number of defective chips, inspection results The area of defects (including all surface defects, back surface defects, and bevel defects) detected as a result of the inspection relating to the manufacturing process "PROC-3" is 7341 mm 2 There are 8363. There are 221 defective chips. Since these results do not satisfy a predetermined standard, the wafer 300 was determined to be “failed” by the inspection device “CCC-901” in the manufacturing process “PROC-3”.

なお、実施形態によっては、上記に例示した項目の一部が省略されてもよく、ウェハ情報表示領域501に上記以外の項目がさらに表示されてもよい。
ここで図7の説明に戻ると、検査番号セレクタ502は、検査条件を識別する検査番号を選択して表示を切り替えるためのGUIである。検査番号セレクタ502により検査番号が選択されると、画像サーバ231は、選択結果に応じて画面500の一部または全部の表示内容を切り替える。
Depending on the embodiment, some of the items exemplified above may be omitted, and other items may be further displayed in the wafer information display area 501.
Returning to the description of FIG. 7, the inspection number selector 502 is a GUI for selecting an inspection number for identifying an inspection condition and switching the display. When the inspection number is selected by the inspection number selector 502, the image server 231 switches part or all of the display contents of the screen 500 according to the selection result.

保存ボタン503は、画面500でレポートとしてまとめられた表示内容をファイルに保存するためのGUIである。例えば、PC241−jを介して画面500を閲覧しているユーザがマウスで保存ボタン503をクリックすると、PC241−jが画像サーバ231に保存要求を送信する。そして、画像サーバ231が画面500の内容を含むファイルをPC241−jに送信し、PC241−jは受信したファイルを保存する。   A save button 503 is a GUI for saving display contents collected as a report on the screen 500 in a file. For example, when a user viewing the screen 500 via the PC 241-j clicks the save button 503 with the mouse, the PC 241-j transmits a save request to the image server 231. Then, the image server 231 transmits a file including the contents of the screen 500 to the PC 241-j, and the PC 241-j stores the received file.

ヒストグラム表示領域504には、欠陥の分類結果を表すヒストグラムが表示されている。例えば、ベベル欠陥が検査装置により線状欠陥、面状欠陥、および点状欠陥の3種類に分類される場合、画像サーバ231は、線状欠陥、面状欠陥、および点状欠陥それぞれの面積をもとに、3種類の欠陥の割合を示すヒストグラムを生成する。   In the histogram display area 504, a histogram representing the defect classification result is displayed. For example, when the bevel defect is classified into three types of a line defect, a surface defect, and a point defect by the inspection apparatus, the image server 231 calculates the area of each of the line defect, the sheet defect, and the point defect. Originally, a histogram indicating the ratio of three types of defects is generated.

ヒストグラムの表示により、ユーザが画面500を見てどのような種類の欠陥が多いのかを直感的に把握することが可能となる。なお、ヒストグラムは、面積ではなく個数に基づいていてもよい。   By displaying the histogram, it becomes possible for the user to intuitively grasp what kind of defects are many by looking at the screen 500. Note that the histogram may be based on the number instead of the area.

なお、画像サーバ231は、表面欠陥または裏面欠陥に関するヒストグラムをヒストグラム表示領域504に表示することを指示する命令を、不図示のメニューまたは別画面を介して受け取る。そして、画像サーバ231は、命令にしたがってヒストグラム表示領域504の表示内容を切り替える。   The image server 231 receives a command for instructing to display a histogram related to the front surface defect or the back surface defect in the histogram display area 504 via a menu (not shown) or another screen. Then, the image server 231 switches display contents of the histogram display area 504 according to the command.

また、欠陥表示領域505は、実際に検出された欠陥の画像を示す領域である。例えば、画像サーバ231は、線状欠陥、面状欠陥、および点状欠陥の3種類に分類されたベベル欠陥のうち、それぞれの分類内で面積が上位1位〜3位の3つの欠陥を判別する。判別のため、画像サーバ231は、検査DB221に格納された検査結果のデータのうち、欠陥の面積に関するデータを参照してもよい。画像サーバ231は、判別した9(=3個×3種)個の欠陥の部分を、検査DB221に格納されたベベル画像から切り出し、切り出した画像を欠陥表示領域505に表示する。   The defect display area 505 is an area showing an image of a defect actually detected. For example, the image server 231 discriminates three defects having the top first to third areas in each classification among the three types of bevel defects classified into linear defects, planar defects, and point defects. To do. For the determination, the image server 231 may refer to data regarding the area of the defect among the inspection result data stored in the inspection DB 221. The image server 231 cuts out the determined nine (= 3 × 3 types) defect portions from the bevel image stored in the inspection DB 221 and displays the cut-out image in the defect display area 505.

なお、画像サーバ231は、表面画像または裏面画像から切り出した表面欠陥または裏面欠陥の画像を欠陥表示領域505に表示することを指示する命令を、不図示のメニューまたは別画面を介して受け取る。画像サーバ231は、命令にしたがって欠陥表示領域505の表示内容を切り替える。   Note that the image server 231 receives a command for instructing to display the image of the front surface defect or the rear surface defect cut out from the front surface image or the back surface image in the defect display area 505 via a menu (not shown) or another screen. The image server 231 switches display contents of the defect display area 505 according to the command.

このように、画像サーバ231は、基板検査装置211−jが欠陥と判断した部分のみを検査画像から切り出して表示することによって、検査結果の解析および欠陥発生原因の究明をユーザがさらに効率よく行えるように、ユーザを支援している。   As described above, the image server 231 cuts out and displays only the part determined to be defective by the board inspection apparatus 211-j from the inspection image, so that the user can analyze the inspection result and investigate the cause of the defect more efficiently. So that the user is supported.

ベベル欠陥概要表示領域506、表面欠陥概要表示領域507、および裏面欠陥概要表示領域508は、欠陥に関する統計情報の概要を表示する領域で、例えば図9のような表を含む。   The bevel defect summary display area 506, the front surface defect summary display area 507, and the back surface defect summary display area 508 are areas for displaying a summary of statistical information about defects, and include, for example, a table as shown in FIG.

図9は、ベベル欠陥概要表示領域506、表面欠陥概要表示領域507、および裏面欠陥概要表示領域508にそれぞれ表示される表の例を示す図である。ユーザは図9の表から、ベベル欠陥、表面欠陥、および裏面欠陥の相関関係を把握することができる。例えば、図9の表は、ベベル欠陥の少ないウェハは表面欠陥または裏面欠陥も少ない、などの傾向をユーザに把握させるのに有効である。   FIG. 9 is a diagram illustrating examples of tables displayed in the bevel defect summary display area 506, the surface defect summary display area 507, and the back surface defect summary display area 508, respectively. The user can grasp the correlation between the bevel defect, the front surface defect, and the back surface defect from the table of FIG. For example, the table of FIG. 9 is effective for allowing the user to grasp the tendency that a wafer with few bevel defects has few surface defects or back surface defects.

3つの表の形式は同じであり、1行目が「欠陥一覧」と書かれた見出し行である。見出し行はさらに、ベベル検査、表面検査、および裏面検査のうちのどの検査の結果なのかも表している。なお、本実施形態では、図8に示した「PROC−3」という製造工程での、図7で選択されている「1」という検査条件による検査の結果が、図9の3つの表に表示されているものとする。   The formats of the three tables are the same, and the first line is a heading line in which “defect list” is written. The heading row further indicates which inspection result is a bevel inspection, a front surface inspection, and a back surface inspection. In this embodiment, the results of the inspection under the inspection condition “1” selected in FIG. 7 in the manufacturing process “PROC-3” shown in FIG. 8 are displayed in the three tables of FIG. It is assumed that

図9の3つの表の各項目は、次の内容を表している。
・欠陥種別番号、欠陥種別
ベベル欠陥は、その形状によって、「線状」、「面状」、および「点状」という3種類に分類される。また、表面欠陥と裏面欠陥は、その形状によって、彗星のような太さを持った線状の「コメット」と、引っかき傷のようなごく細い線状の「スクラッチ」という2種類に分類される。欠陥種別番号と欠陥種別は各分類の番号と名称を示す。
Each item in the three tables of FIG. 9 represents the following contents.
Defect type number and defect type Bevel defects are classified into three types, “linear”, “planar”, and “dot”, depending on their shapes. In addition, surface defects and back surface defects are classified into two types depending on the shape: linear “comet” with a thickness like a comet and extremely thin linear “scratch” with a scratch. . The defect type number and the defect type indicate the number and name of each classification.

なお、基板検査装置211−1〜211−nが検査画像に基づいて欠陥を分類し、分類した結果を検査結果のデータの一部として検査DB221に登録し、画像サーバ231が、検査DB221から分類結果を読み出すことで図9の表を作成してもよい。     The board inspection apparatuses 211-1 to 211-n classify the defects based on the inspection image, register the classified result in the inspection DB 221 as a part of the inspection result data, and the image server 231 performs the classification from the inspection DB 221. The table of FIG. 9 may be created by reading the results.

・欠陥数
各欠陥種別に分類された欠陥の個数を示す。図9によれば、ベベル欠陥の合計は8000(=1424+1244+5332)個、表面欠陥の合計は178(=62+116)個、裏面欠陥の合計は185(=13+172)個である。なお、図8の「欠陥個数」は、図9における欠陥数の和8363(=8000+178+185)個である。
・ Defect number Indicates the number of defects classified into each defect type. According to FIG. 9, the total number of bevel defects is 8000 (= 1424 + 1244 + 5332), the total number of surface defects is 178 (= 62 + 116), and the total number of back surface defects is 185 (= 13 + 172). Note that the “number of defects” in FIG. 8 is the sum of defect numbers 8363 (= 8000 + 178 + 185) in FIG.

・欠陥総面積(mm
各欠陥種別に分類された欠陥の面積の総和を示す。各欠陥の面積は、例えば基板検査装置211−1〜211−nが検査画像に基づいて算出し、検査結果のデータの一部として検査DB221に登録している。画像サーバ231は、検査DB221から分類結果を読み出すことで図9の表を作成することができる。
・ Total defect area (mm 2 )
The sum of the areas of defects classified into each defect type is shown. The area of each defect is calculated, for example, by the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n based on the inspection image, and is registered in the inspection DB 221 as a part of inspection result data. The image server 231 can create the table of FIG. 9 by reading the classification result from the inspection DB 221.

図9によれば、ベベル欠陥の総面積は3204(=2461+503+240)mm、表面欠陥の総面積は3952(=2885+1067)mm、裏面欠陥の総面積は185(=63+122)mmである。なお、図8の「欠陥面積」は、図9における欠陥総面積の和7341(=3204+3952+185)mmである。 According to FIG. 9, the total area of bevel defects is 3204 (= 2461 + 503 + 240) mm 2 , the total area of surface defects is 3952 (= 2885 + 1067) mm 2 , and the total area of backside defects is 185 (= 63 + 122) mm 2 . Note that the “defect area” in FIG. 8 is the sum of defect total areas 7341 in FIG. 9 (= 3204 + 3952 + 185) mm 2 .

・欠陥面積(%)
欠陥種別ごとの面積の割合を示す。例えば、「線状」という種別のベベル欠陥の面積がベベル欠陥全体の面積に占める割合は、77%(=2461/3204×100)である。
・ Defect area (%)
The ratio of the area for each defect type is shown. For example, the ratio of the area of the bevel defect of the type “linear” to the total area of the bevel defect is 77% (= 2461/3204 × 100).

なお、実施形態によっては、上記に例示した項目の一部が省略されてもよく、ベベル欠陥概要表示領域506、表面欠陥概要表示領域507、および裏面欠陥概要表示領域508に上記以外の項目がさらに表示されてもよい。   Depending on the embodiment, some of the items exemplified above may be omitted, and items other than the above may be further added to the bevel defect summary display area 506, the surface defect summary display area 507, and the back surface defect summary display area 508. May be displayed.

続いて、図7の同一チップ欠陥情報表示領域509について図10を参照して説明する。
図10は、同一チップ欠陥情報表示領域509に表示される表の例を示す図である。ウェハの表面には各チップの回路パターンが2次元アレイ状に形成され、各チップは、x方向のインデックスとy方向のインデックスの組(以下、「チップインデックス」という)により識別される。
Next, the same chip defect information display area 509 in FIG. 7 will be described with reference to FIG.
FIG. 10 is a diagram showing an example of a table displayed in the same chip defect information display area 509. A circuit pattern of each chip is formed in a two-dimensional array on the surface of the wafer, and each chip is identified by a set of an index in the x direction and an index in the y direction (hereinafter referred to as “chip index”).

異なるウェハにおいて同じチップインデックスのチップで欠陥が検出される場合、半導体製造装置や基板搬送装置などに原因がある可能性がある。図10の表は、異なるウェハに共通の欠陥発生原因をユーザが見出すのを支援する表である。   When a defect is detected with a chip having the same chip index in different wafers, there may be a cause in a semiconductor manufacturing apparatus, a substrate transfer apparatus, or the like. The table of FIG. 10 is a table that assists the user in finding the cause of the occurrence of defects common to different wafers.

図10の表は、25枚のウェハからなる1ロットを単位として、同じチップインデックスのチップで検出された欠陥についての統計情報を示している。すなわち、図10の表は、以下のことを表している。   The table of FIG. 10 shows statistical information on defects detected by chips having the same chip index in units of one lot of 25 wafers. That is, the table of FIG. 10 represents the following.

・検査番号が「1」の検査条件で1ロット(つまり25枚)のウェハを検査した結果、(15,7)というチップインデックスで表されるチップにおいて欠陥が検出されたウェハが3枚あった。その3枚とは、具体的にはスロット番号が4、8、および20のウェハである。   -As a result of inspecting one lot (that is, 25 wafers) under the inspection condition of inspection number "1", there were three wafers in which defects were detected in the chip represented by the chip index (15, 7). . The three wafers are specifically wafers with slot numbers 4, 8, and 20.

・検査番号が「2」の検査条件で1ロット(つまり25枚)のウェハを検査した結果、(4,36)というチップインデックスで表されるチップにおいて欠陥が検出されたウェハが2枚あった。その2枚とは、具体的にはスロット番号が9および17のウェハである。   -As a result of inspecting one lot (that is, 25 wafers) under the inspection condition of inspection number "2", there were two wafers in which defects were detected in the chip represented by the chip index (4, 36). . The two sheets are specifically wafers with slot numbers 9 and 17.

したがって、図10の表は、(15,7)および(4,36)というチップインデックスで表される特定のチップの位置に欠陥を生じさせるような不具合が、半導体製造装置または基板搬送装置に存在する可能性を示唆している。つまり、図10の表は、ユーザが半導体製造装置および基板搬送装置に不具合がないかを点検する際、重点的にチェックすべき箇所を絞り込むための判断材料を提供している。また、図10の表には検査番号も表示されているので、図10の表は、検査条件ごとの欠陥の検出感度の比較にも利用することができる。   Therefore, the table of FIG. 10 shows that the semiconductor manufacturing apparatus or the substrate transfer apparatus has a defect that causes a defect at a specific chip position represented by the chip index of (15, 7) and (4, 36). Suggests the possibility to do. In other words, the table of FIG. 10 provides a judgment material for narrowing down a portion to be checked intensively when the user checks whether there is a defect in the semiconductor manufacturing apparatus and the substrate transfer apparatus. Since the inspection number is also displayed in the table of FIG. 10, the table of FIG. 10 can also be used for comparison of defect detection sensitivity for each inspection condition.

なお、ウェハの表面上のxy座標をチップインデックスに変換する変換式は、例えば個々の品種のウェハの設計データから一意に決められる。よって、画像サーバ231は、検査DB221から検査結果のデータを読み出して各欠陥の位置のxy座標を認識し、上記変換式からチップインデックスを算出することで、図10の表を作成することができる。また、実施形態によっては、上記に例示した項目の一部が省略されてもよく、同一チップ欠陥情報表示領域509に上記以外の項目がさらに表示されてもよい。   Note that the conversion formula for converting the xy coordinates on the surface of the wafer into a chip index is uniquely determined from, for example, design data of individual types of wafers. Therefore, the image server 231 can create the table of FIG. 10 by reading the inspection result data from the inspection DB 221, recognizing the xy coordinates of the position of each defect, and calculating the chip index from the above conversion formula. . Depending on the embodiment, some of the items exemplified above may be omitted, and other items may be further displayed in the same chip defect information display area 509.

ここで図7の説明に戻る。オーバレイボタン510は、合成画像を生成して合成画像表示領域514に表示するよう、画像サーバ231に指示するためのGUIである。なお、どの検査画像から合成画像を生成すべきであるかは、表面検査情報表示領域511、裏面検査情報表示領域512、およびベベル検査情報表示領域513で指定される。例えば、画像サーバ231は、ユーザがオーバレイボタン510をクリックする操作を検知し、クリック操作の検知を契機として合成画像の生成と表示を行う。   Returning to the description of FIG. The overlay button 510 is a GUI for instructing the image server 231 to generate a composite image and display it in the composite image display area 514. It should be noted that from which inspection image the composite image should be generated is designated in the front surface inspection information display region 511, the back surface inspection information display region 512, and the bevel inspection information display region 513. For example, the image server 231 detects an operation in which the user clicks the overlay button 510, and generates and displays a composite image in response to detection of the click operation.

続いて、表面検査情報表示領域511、裏面検査情報表示領域512、およびベベル検査情報表示領域513について図11を参照して説明する。
図11は、表面検査情報表示領域511、裏面検査情報表示領域512、およびベベル検査情報表示領域513に表示される表の例を示す図である。これら3つの表は、ウェハが経てきたすべての検査を列挙しており、任意の検査画像の組み合わせを合成画像の生成に用いる入力として画像サーバ231に指示するためのGUIを含んでいる。
Next, the front surface inspection information display area 511, the back surface inspection information display area 512, and the bevel inspection information display area 513 will be described with reference to FIG.
FIG. 11 is a diagram illustrating examples of tables displayed in the front surface inspection information display area 511, the back surface inspection information display area 512, and the bevel inspection information display area 513. These three tables list all the inspections that have passed through the wafer and include a GUI for instructing the image server 231 as an input to use any combination of inspection images to generate a composite image.

表面検査情報表示領域511には、ウェハ300の表面301に関する表が表示される。この表では1行が1つの製造工程での検査結果に対応し、各行の比較から各製造工程の検査結果の推移をユーザが見て取れるように、最近の製造工程に対応する行ほど上に表示される。また、各行は以下の項目を含む。   In the surface inspection information display area 511, a table regarding the surface 301 of the wafer 300 is displayed. In this table, one row corresponds to the inspection result in one manufacturing process, and the line corresponding to the latest manufacturing process is displayed higher so that the user can see the transition of the inspection result in each manufacturing process from the comparison of each row. The Each line includes the following items.

・チェックボックス
チェックボックスは、当該行が表す検査結果を合成画像の生成のために利用するか否かをユーザに選択させるためのGUIである。図11では、3つの製造工程に対応する3行のうち、1行目のチェックボックスにのみチェックマークがつけられ、1行目に対応する製造工程の検査結果のみが合成画像の入力として選択されている。
Check box The check box is a GUI for allowing the user to select whether or not to use the inspection result represented by the row for generating a composite image. In FIG. 11, among the three lines corresponding to the three manufacturing processes, only the check box in the first line is checked, and only the inspection result of the manufacturing process corresponding to the first line is selected as the input of the composite image. ing.

・工程の色
この項目は、当該行が表す検査結果が合成画像の生成に利用される場合、当該行が表す検査結果が合成画像において何色で表されるのかを示す。色は、文字により示されてもよく、実際の色が表示されてもよい。図11によれば、画像サーバ231は、「PROC−1」、「PROC−2」、および「PROC−3」という工程の検査画像における欠陥を、(もし合成の入力として選択されれば)それぞれオレンジ色、黄色、および赤で表して、合成画像100を生成する。
Process Color This item indicates what color the inspection result represented by the row is represented in the composite image when the inspection result represented by the row is used to generate a composite image. The color may be indicated by letters or the actual color may be displayed. According to FIG. 11, the image server 231 respectively detects defects in the inspection images of the processes “PROC-1”, “PROC-2”, and “PROC-3” (if selected as input for synthesis). Represented in orange, yellow, and red, a composite image 100 is generated.

・工程
この項目は、製造工程の名称を示す。
・検査結果
この項目は、当該行が表す検査結果を、例えば、「合格」か「不合格」かのいずれかにより表す。
-Process This item indicates the name of the manufacturing process.
Test Result This item represents the test result represented by the row by, for example, “pass” or “fail”.

・欠陥数(最大値)
この項目は、当該行が表す製造工程に関して1つ以上の検査条件にしたがって行われた検査のうち、最も多くの表面欠陥が検出された検査条件において検出された表面欠陥の数である。
・ Number of defects (maximum value)
This item is the number of surface defects detected under the inspection condition in which the most surface defects are detected among the inspections performed according to one or more inspection conditions regarding the manufacturing process represented by the row.

例えば、図8に示した「PROC−3」という最新の製造工程に関して、図7の検査番号セレクタ502で選択された「1」という検査番号の検査条件で検出された表面欠陥の個数は、図9によれば178(=62+116)個である。図11によれば、表面検査情報表示領域511の表の「PROC−3」という製造工程の行における「欠陥数(最大値)」という項目の値は同じく178である。つまり、「PROC−3」という製造工程に関しては、「1」という検査番号の検査条件で最も多くの表面欠陥が検出されている。     For example, regarding the latest manufacturing process “PROC-3” shown in FIG. 8, the number of surface defects detected under the inspection condition of the inspection number “1” selected by the inspection number selector 502 in FIG. 9 is 178 (= 62 + 116). According to FIG. 11, the value of the item “number of defects (maximum value)” in the row of the manufacturing process “PROC-3” in the table of the surface inspection information display area 511 is also 178. That is, regarding the manufacturing process “PROC-3”, the most surface defects are detected under the inspection condition of the inspection number “1”.

・欠陥チップ数
この項目は、当該行が表す製造工程に関する検査の結果として、不良と判断されたチップの数を示す。「PROC−3」という製造工程の行における、221という欠陥チップ数は、図8の「不良チップ数」と一致する。
-Number of defective chips This item indicates the number of chips determined to be defective as a result of the inspection relating to the manufacturing process represented by the row. The number of defective chips of 221 in the manufacturing process row of “PROC-3” matches the “number of defective chips” in FIG.

・欠陥面積最大値
この項目は、当該行が表す製造工程に関する検査において検出された表面欠陥の面積の最大値を示す。画像サーバ231は、例えば検査DB221から検査結果のデータを読み出すことで欠陥面積最大値を認識することができる。
Defect area maximum value This item indicates the maximum value of the surface defect area detected in the inspection relating to the manufacturing process represented by the row. The image server 231 can recognize the maximum defect area value, for example, by reading inspection result data from the inspection DB 221.

また、裏面検査情報表示領域512には、ウェハ300の裏面302に関する表が表示される。この表の形式は、表面検査情報表示領域511に表示される表と同じである。
ベベル検査情報表示領域513には、ウェハ300のベベル304に関する表が表示される。この表の形式は、上記2つの表と1列だけ異なり、「欠陥チップ数」の列の代わりに「総欠陥面積」という列がある。図11の例では、「PROC−3」という製造工程でのベベル検査を1つ以上の検査条件にしたがって行った結果が表示されており、具体的には以下のことが表示されている。
In the back surface inspection information display area 512, a table related to the back surface 302 of the wafer 300 is displayed. The format of this table is the same as the table displayed in the surface inspection information display area 511.
In the bevel inspection information display area 513, a table related to the bevel 304 of the wafer 300 is displayed. The format of this table differs from the above two tables by one column, and there is a column of “total defect area” instead of the column of “number of defective chips”. In the example of FIG. 11, the result of performing the bevel inspection in the manufacturing process “PROC-3” according to one or more inspection conditions is displayed. Specifically, the following is displayed.

・「PROC−3」という製造工程でのベベル検査の結果を含めて合成画像を生成するよう画像サーバ231に指示するため、チェックボックスにチェックマークがつけられている。   In order to instruct the image server 231 to generate a composite image including the result of the bevel inspection in the manufacturing process “PROC-3”, a check mark is added to the check box.

・「PROC−3」という製造工程でのベベル検査の結果は「合格」である。
・最も多くのベベル欠陥が検出された検査条件において検出されたベベル欠陥の数は、8301個である。
The result of the bevel inspection in the manufacturing process “PROC-3” is “pass”.
The number of bevel defects detected in the inspection condition where the most bevel defects are detected is 8301.

・少なくとも1つ以上の検査条件において欠陥であると判断された部分の総面積は、3204mmである。この面積は、図9のベベル欠陥概要表示領域506に表示される表の欠陥総面積の和に一致する。 · The total area of the determination portion to be defective in at least one or more test conditions is 3204mm 2. This area corresponds to the sum of the total defect areas in the table displayed in the bevel defect summary display area 506 in FIG.

・検出された最大のベベル欠陥の面積は、2.7840mmである。
以上のように、図11に示したGUIによれば、ユーザは、複数のチェックボックスのオンとオフを様々に組み合わせては図7のオーバレイボタン510をクリックすることにより、合成画像表示領域514に表示される合成画像を切り替えることができる。したがって、図11のGUIと図7のオーバレイボタン510は、例えば「第1工程でベベルに欠陥が生じると第2工程以降で表面欠陥の数が増えやすい」などの知見をユーザが直感的に得ることを可能とする。
The area of the largest detected bevel defect is 2.7840 mm 2
As described above, according to the GUI shown in FIG. 11, the user can click on the overlay button 510 in FIG. The displayed composite image can be switched. Therefore, the GUI of FIG. 11 and the overlay button 510 of FIG. 7 allow the user to intuitively obtain knowledge that, for example, if a defect occurs in the bevel in the first step, the number of surface defects is likely to increase after the second step. Make it possible.

なお、実施形態によっては、上記に例示した項目の一部が省略されてもよく、表面検査情報表示領域511、裏面検査情報表示領域512、およびベベル検査情報表示領域513に上記以外の項目がさらに表示されてもよい。   Depending on the embodiment, some of the items exemplified above may be omitted, and items other than the above may be further added to the front surface inspection information display region 511, the back surface inspection information display region 512, and the bevel inspection information display region 513. May be displayed.

ここで図7の説明に戻ると、合成画像表示領域514は、例えば図1の合成画像100のような合成画像を表示する領域であり、上記のようにオーバレイボタン510がクリックされるたびに表示が切り替えられる。   Returning to the description of FIG. 7, the composite image display area 514 is an area for displaying a composite image such as the composite image 100 of FIG. 1, and is displayed whenever the overlay button 510 is clicked as described above. Is switched.

以上、図7〜図11を参照して、画面500の例を説明した。
続いて、欠陥同士の関連性を示すために画面500のほかに画像サーバ231、PC241−1〜241−m、またはクライアントPC250が補足的に表示する他の情報の例について、図12と図13を参照して説明する。
The example of the screen 500 has been described above with reference to FIGS.
Subsequently, in addition to the screen 500 in order to show the relationship between defects, examples of other information supplementarily displayed by the image server 231, the PCs 241-1 to 241-m, or the client PC 250 will be described with reference to FIGS. Will be described with reference to FIG.

図12は、1ロット全体のベベル画像の例を示す図である。例えば、1ロットは25枚のウェハからなる。図12では、25枚のウェハに対応する25枚の帯状のベベル画像420−1〜420−25が、同じ角度に対応する部分が縦一直線になるように並べられて表示されている。つまり、図12ではθ軸が水平方向の座標軸である。   FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a bevel image of an entire lot. For example, one lot consists of 25 wafers. In FIG. 12, 25 belt-like bevel images 420-1 to 420-25 corresponding to 25 wafers are displayed side by side so that portions corresponding to the same angle are aligned vertically. That is, in FIG. 12, the θ axis is a horizontal coordinate axis.

図12のような表示は、スロットによらず欠陥の発生しやすい角度をユーザが見出すのを支援するのに有効である。スロットによらず欠陥の発生しやすい特定の角度が存在する場合、半導体製造装置や基板搬送装置などに欠陥発生原因が潜んでいる可能性が高い。   The display as shown in FIG. 12 is effective for assisting the user in finding an angle at which a defect is likely to occur regardless of the slot. When there is a specific angle at which a defect is likely to occur regardless of the slot, there is a high possibility that the cause of the defect is hidden in a semiconductor manufacturing apparatus, a substrate transfer apparatus, or the like.

図13は、1ロット全体のベベル欠陥の分布を示すグラフの例である。図13の例は、ベベルの全周360°を40°ずつの9つの区間に区切り、各区間において検出された欠陥の数を1ロット(すなわち25枚)のウェハについて加算した数をプロットした折れ線グラフを示している。図13(a)と図13(b)のグラフはいずれも、横軸がθ軸であり、縦軸が欠陥数である。   FIG. 13 is an example of a graph showing the distribution of bevel defects in one lot. In the example of FIG. 13, the bevel 360 ° is divided into nine sections each of 40 °, and a polyline plotting the number of defects detected in each section added to one lot (ie, 25 wafers). The graph is shown. 13A and 13B, the horizontal axis is the θ axis, and the vertical axis is the number of defects.

具体的には、図13(a)は、1ロットのウェハで検出された欠陥の数を部位ごとに集計し、5つの部位に対応する5本の折れ線グラフにまとめたものである。なお、各部位にはD通り(ここで、1≦k≦C=5でありD≧1である)の検査条件が定義されているが、図13(a)の各折れ線グラフは、D通りのうちのある1つの検査条件についてのグラフである。 Specifically, FIG. 13A is a summary of the number of defects detected in one lot of wafers for each part, and is compiled into five line graphs corresponding to the five parts. Note that although there are Dk inspection conditions (1 ≦ k ≦ C = 5 and Dk ≧ 1) defined for each part, each line graph in FIG. It is a graph about one inspection condition in Dk ways.

図13(a)のグラフは、例えば、部位に関係なく欠陥が多く発生する角度や、特定の部位で欠陥が多く発生する特定の角度について、ユーザが見当をつけるのを支援するのに役立つ。また、図13(a)のグラフは、ベベル304のどの部位に欠陥が発生しやすいのかをユーザが理解し、欠陥発生原因を究明するのを支援するのに有効である。   The graph of FIG. 13A is useful for assisting the user in registering, for example, an angle at which many defects occur regardless of the part or a specific angle at which many defects occur at a specific part. The graph of FIG. 13A is effective for assisting the user in understanding which part of the bevel 304 is likely to have a defect and investigating the cause of the defect.

また、図13(b)は、1ロットのウェハのApex307で検出された欠陥の数を検査条件ごとに集計し、「#1」〜「#5」と書かれた5通りの検査条件に対応する5本の折れ線グラフにまとめたものである。なお、この例では、検査条件「#5」の折れ線グラフが、図13(a)に示した「Apex」の折れ線グラフと一致している。   FIG. 13B shows the total number of defects detected by Apex 307 of one lot of wafers for each inspection condition and corresponds to five inspection conditions written as “# 1” to “# 5”. This is a summary of five line graphs. In this example, the line graph of the inspection condition “# 5” matches the line graph of “Apex” shown in FIG.

画像サーバ231は、Apex307以外の4つの部位についても、図13(b)と同様の折れ線グラフを作成し、表示することができる。
図13(b)グラフは、欠陥を検出するのに有効な検査条件をユーザが絞り込んだり、検査条件をユーザが見直したりするのを支援するのに役立ち、ひいては、少数の検査条件で効率よくウェハを検査して検査時間を短縮するようレシピを設定するのに役立つ。
The image server 231 can also create and display a line graph similar to that in FIG. 13B for four parts other than the Apex 307.
The graph of FIG. 13B helps the user narrow down inspection conditions effective for detecting defects and assists the user in reviewing the inspection conditions. As a result, the wafer can be efficiently processed with a small number of inspection conditions. It helps to set up recipes to inspect and reduce inspection time.

続いて、図14と図15を参照して第2実施形態について説明する。第2実施形態では、合成画像の形式が第1実施形態とは異なる。第1実施形態との共通点については説明を省略する。   Subsequently, the second embodiment will be described with reference to FIGS. 14 and 15. In the second embodiment, the composite image format is different from that of the first embodiment. Description of points common to the first embodiment is omitted.

図14は、第2実施形態における合成画像の例を示す図である。図14の合成画像600は、ウェハ300の表面301のエッジを表す円として表現されたウェハ表面領域601を含む。なお、図14ではノッチ303の形状を省略してウェハ表面領域601を円形に図示している。また、合成画像600にはウェハ表面領域601と同心円状に5つの円が形成されており、隣接する2つの同心円間のリング状の領域が、ベベル304の5つの部位のそれぞれに対応する。   FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a composite image in the second embodiment. The composite image 600 of FIG. 14 includes a wafer surface region 601 expressed as a circle representing the edge of the surface 301 of the wafer 300. In FIG. 14, the shape of the notch 303 is omitted, and the wafer surface region 601 is shown in a circular shape. Further, five circles are formed concentrically with the wafer surface region 601 in the composite image 600, and ring-shaped regions between two adjacent concentric circles correspond to the five portions of the bevel 304, respectively.

図14の例では、5つのリング状の領域の内側から順に、Near Edge Front領域602、Upper Bevel領域603、Apex領域604、Lower Bevel領域605、およびNear Edge Back領域606である。つまり、図4(c)においてz座標が大きい部位ほどウェハ300の表面301に近いので、図14ではウェハ表面領域601により近い内側のリング状領域として表現される。   In the example of FIG. 14, a Near Edge Front region 602, an Upper Bevel region 603, an Apex region 604, a Lower Bevel region 605, and a Near Edge Back region 606 are sequentially arranged from the inside of the five ring-shaped regions. That is, in FIG. 4C, the portion with a larger z coordinate is closer to the surface 301 of the wafer 300, and therefore, in FIG.

また、合成画像600は多数の欠陥を表している。例えば、ウェハ表面領域601内には表面欠陥607を含む複数の欠陥(具体的には表面欠陥および鏡像変換された裏面欠陥)が表現されている。また、Near Edge Front領域602には、ベベル欠陥608を含む複数のベベル欠陥(より具体的にはNear Edge Front305に生じたベベル欠陥)が表示されている。さらに、Lower Bevel領域605には、ベベル欠陥609を含む複数のベベル欠陥(より具体的にはLower Bevel308に生じたベベル欠陥)が表示されている。   The composite image 600 represents a large number of defects. For example, a plurality of defects including the surface defect 607 (specifically, the surface defect and the mirror image-converted back surface defect) are expressed in the wafer surface region 601. In the Near Edge Front area 602, a plurality of bevel defects including the bevel defect 608 (more specifically, bevel defects generated in the Near Edge Front 305) are displayed. Further, a plurality of bevel defects including the bevel defect 609 (more specifically, bevel defects generated in the lower bevel 308) are displayed in the lower bevel area 605.

なお、第2実施形態では、各ベベル欠陥(例えばベベル欠陥608や609)は、合成画像600において点で表現されてもよく、円形や矩形などの所定の2次元形状で表現されてもよい。あるいは、画像サーバ231は、各ベベル欠陥を、検査DB221に格納されているベベル画像におけるベベル欠陥の領域をxy平面上に投影した投影領域として、合成画像600において表現してもよい。その場合、各ベベル欠陥は、一律の形状ではなく、ベベル画像における個々のベベル欠陥の形状に応じた個別の2次元形状で表現されるので、ベベル欠陥の種別の視認性も高い。   In the second embodiment, each bevel defect (for example, bevel defects 608 and 609) may be represented by a point in the composite image 600, or may be represented by a predetermined two-dimensional shape such as a circle or a rectangle. Alternatively, the image server 231 may represent each bevel defect in the composite image 600 as a projection area obtained by projecting the bevel defect area in the bevel image stored in the inspection DB 221 onto the xy plane. In this case, each bevel defect is not a uniform shape, but is represented by an individual two-dimensional shape corresponding to the shape of each bevel defect in the bevel image, and thus the bevel defect type is highly visible.

第1実施形態と同様に、例えば図4(c)のLower Bevel308に関しては、ベベル検査部213−jが備える第2の撮像部が、光軸を図5の撮像光軸313に合わせてウェハ300を撮像する。その結果、図6のベベル画像420と同様に、矩形の帯状のベベル画像が得られる。画像サーバ231は、得られた矩形のベベル画像を、図14に示すように幅を持ったリング状のLower Bevel領域605に変換する。この変換は、概念的には、Lower Bevel308上の欠陥の位置を、3次元空間上でxy平面(すなわちウェハ300の表面301と同一平面)上に投影する操作であると見なすこともできる。   Similar to the first embodiment, for example, for the lower bevel 308 in FIG. 4C, the second imaging unit included in the bevel inspection unit 213-j matches the optical axis of the imaging optical axis 313 in FIG. 5 with the wafer 300. Image. As a result, a rectangular belt-like bevel image is obtained in the same manner as the bevel image 420 in FIG. The image server 231 converts the obtained rectangular bevel image into a ring-shaped Lower Bevel area 605 having a width as shown in FIG. This conversion can be conceptually regarded as an operation of projecting the position of the defect on the lower bevel 308 onto the xy plane (that is, the same plane as the surface 301 of the wafer 300) in a three-dimensional space.

画像サーバ231は、ベベル304の他の4つの部位についても同様にしてリング状の領域の画像を生成する。そして、画像サーバ231は、表面画像と、鏡像変換した裏面画像と、上記のようにして得た5つのリング状の領域の画像とを重ね合わせて合成することで、2次元画像である合成画像600を生成する。   The image server 231 generates an image of a ring-shaped region in the same manner for the other four parts of the bevel 304. The image server 231 then superimposes and combines the front image, the mirror image-converted back image, and the five ring-shaped images obtained as described above, thereby forming a composite image that is a two-dimensional image. 600 is generated.

画像サーバ231はさらに、合成画像600上にいくつかの線分を形成してもよい。例えば、図14の合成画像600にはθ=0を示す線分610が含まれる。
このように、合成画像600では、2次元平面上に、表面欠陥、裏面欠陥、およびベベル欠陥が互いに関連付けられて表現されている。さらに第2実施形態では、位置的な関連性の高い欠陥群をユーザが見つけ出すのを支援する機能も、画像サーバ231が提供する。具体的には、画像サーバ231は、図15の処理を実行することにより、位置的な関連性の高い欠陥同士を強調表示した合成画像600を生成する。
The image server 231 may further form several line segments on the composite image 600. For example, the composite image 600 of FIG. 14 includes a line segment 610 indicating θ = 0.
Thus, in the composite image 600, the front surface defect, the back surface defect, and the bevel defect are expressed in association with each other on the two-dimensional plane. Furthermore, in the second embodiment, the image server 231 also provides a function for assisting the user in finding a defect group having a high positional relationship. Specifically, the image server 231 generates the composite image 600 in which defects with high positional relevance are highlighted by executing the processing of FIG.

図15は、ベベル欠陥を表面欠陥または裏面欠陥と関連付けて強調表示する処理のフローチャートである。
ステップS201において、画像サーバ231は、θ座標の範囲の両端を指定する入力を受け取り、指定された両端すなわち角θとθ(θ<θ)を認識する。角θとθを指定する入力は、以下では説明の便宜上、画像サーバ231の入力装置を介してユーザから与えられるものとして説明する。ただし、入力はPC241−kまたはクライアントPC250が備える入力装置とネットワークを介して与えられてもよいことは当然である。
FIG. 15 is a flowchart of processing for highlighting a bevel defect in association with a front surface defect or a back surface defect.
In step S201, the image server 231 receives input designating both ends of the range of the θ coordinate, and recognizes the designated both ends, that is, the angles θ 1 and θ 212 ). In the following description, it is assumed that the inputs specifying the angles θ 1 and θ 2 are given by the user via the input device of the image server 231 for convenience of explanation. However, as a matter of course, the input may be given via an input device included in the PC 241 -k or the client PC 250 and a network.

角θとθを指定する入力は、例えば、合成画像600を表示する画像サーバ231のディスプレイ上の2点を指定する入力として、マウス等のポインティングデバイスを介して与えられる。画像サーバ231は、指定された2点の座標をそれぞれrθ座標系に変換することで、角θとθを認識してもよい。 The inputs specifying the angles θ 1 and θ 2 are given through a pointing device such as a mouse as inputs specifying two points on the display of the image server 231 that displays the composite image 600, for example. The image server 231 may recognize the angles θ 1 and θ 2 by converting the coordinates of the two specified points into the rθ coordinate system.

画像サーバ231は、角θとθを認識すると、図14のように、θ=θを示す線分611とθ=θを示す線分612を合成画像600上に形成してもよい。線分611と612を形成することにより、Θ(=θ−θ)の広がりを持つ範囲の視認性が高まる。 Upon recognizing the angles θ 1 and θ 2 , the image server 231 may form a line segment 611 indicating θ = θ 1 and a line segment 612 indicating θ = θ 2 on the composite image 600 as shown in FIG. Good. By forming the line segments 611 and 612, the visibility of a range having a spread of Θ (= θ 2 −θ 1 ) is increased.

続いて、ステップS202において画像サーバ231は、ベベル304の5つの部位それぞれにおける欠陥のうち、θ座標がθ≦θ≦θを満たすものを検索し、同じ色で表示する。各ベベル欠陥の位置を示すθ座標は、図3のステップS113で保存された検査結果のデータに含まれているので、画像サーバ231は、検査結果のデータを参照することにより、各ベベル欠陥がθ≦θ≦θを満たすか否かを判断することができる。 Subsequently, in step S202, the image server 231 searches for defects having θ coordinates satisfying θ 1 ≦ θ ≦ θ 2 among defects in each of the five parts of the bevel 304, and displays them in the same color. Since the θ coordinate indicating the position of each bevel defect is included in the inspection result data stored in step S113 in FIG. 3, the image server 231 refers to the inspection result data to identify each bevel defect. It can be determined whether or not θ 1 ≦ θ ≦ θ 2 is satisfied.

なお、後述するように図15の処理が繰り返しループを含むのでステップS202は複数回実行される場合がある。よって、より正確には、画像サーバ231は、p回目(p≧1)にステップS202を実行するとき、θ≦θ≦θを満たす各ベベル欠陥に対応する合成画像600内の範囲をすべて第pの色で表示する。なお、p≠qならば第pの色と第qの色は異なる色であるとする。 As will be described later, since the process of FIG. 15 includes a repeated loop, step S202 may be executed a plurality of times. Therefore, more precisely, when executing step S202 at the p-th time (p ≧ 1), the image server 231 selects all the ranges in the composite image 600 corresponding to each bevel defect that satisfies θ 1 ≦ θ ≦ θ 2. Displayed in the pth color. If p ≠ q, the p-th color and the q-th color are different from each other.

また、例えば第1実施形態の図11に示すように、最初に製造工程ごとに色分けされて合成画像600が生成されている場合、第pの色は、どの製造工程の色とも異なる色であることが好ましい。   Further, for example, as shown in FIG. 11 of the first embodiment, when the composite image 600 is first generated by color-coding for each manufacturing process, the pth color is a color different from the color of any manufacturing process. It is preferable.

そして、ステップS203において画像サーバ231は、表面301および裏面302における欠陥のうち、θ座標がθ≦θ≦θを満たすものを検索し、同じ色で表示する。 In step S203, the image server 231 searches for defects on the front surface 301 and the back surface 302 that have θ coordinates satisfying θ 1 ≦ θ ≦ θ 2 and displays them in the same color.

ここで、各表面欠陥の位置を示すxy座標は、図3のステップS105で保存された検査結果のデータに含まれる。また、各裏面欠陥の位置を示すxy座標は、図3のステップS109で保存された検査結果のデータに含まれる。したがって、画像サーバ231は、式(5)を用いて各表面欠陥と各裏面欠陥のθ座標を算出することができ、各表面欠陥と各裏面欠陥がθ≦θ≦θを満たすか否かを判断することができる。 Here, the xy coordinates indicating the position of each surface defect are included in the inspection result data stored in step S105 of FIG. Further, the xy coordinates indicating the position of each back surface defect are included in the inspection result data stored in step S109 of FIG. Therefore, the image server 231 can calculate the θ coordinate of each front surface defect and each back surface defect using Expression (5), and whether each front surface defect and each back surface defect satisfies θ 1 ≦ θ ≦ θ 2. Can be determined.

なお、より正確には、画像サーバ231はp回目にステップS203を実行するとき、θ≦θ≦θを満たす各表面欠陥と各裏面欠陥の合成画像600内の範囲をすべて第pの色で表示する。 More precisely, when the image server 231 executes step S203 for the p-th time, all the ranges in the composite image 600 of the surface defects and the back surface defects that satisfy θ 1 ≦ θ ≦ θ 2 are all in the p-th color. Is displayed.

以上のステップS202とS203の実行により、合成画像600内では、図14の線分611と612で囲まれた扇形に含まれる欠陥が同じ第pの色で表現される。すなわち、設定されたΘの広がりの中に含まれ、互いの位置的な関連性が高いと推測される欠陥を画像サーバ231が同じ色で表現することで、ユーザにとって認識しやすい形で欠陥同士の位置的な関連性が強調される。したがって、ステップS202とS203の強調表示は、欠陥同士の位置的な関連性から欠陥の原因を追究する解析を支援するのに有益である。なお、ステップS202とS203は逆順で実行されてもよい。   By executing the above steps S202 and S203, in the composite image 600, the defect included in the sector surrounded by the line segments 611 and 612 in FIG. 14 is expressed in the same pth color. That is, the defects that are included in the set spread of Θ and are presumed to have a high positional relationship with each other are expressed in the same color by the image server 231 so that the defects can be easily recognized by the user. The positional relevance of is emphasized. Therefore, the highlighting in steps S202 and S203 is useful for supporting an analysis for investigating the cause of the defect from the positional relationship between the defects. Note that steps S202 and S203 may be executed in reverse order.

その後、ステップS204で画像サーバ231は、強調表示する欠陥群がまだ残っているか否かを判断する。強調表示する欠陥群がまだ残っていれば処理はステップS201に戻り、強調表示する欠陥群がもうなければ図15の処理は終了する。なお、ステップS204の判断は、例えば画像サーバ231の入力装置を介してユーザから特定の入力が与えられたか否かに基づく。   Thereafter, in step S204, the image server 231 determines whether a defect group to be highlighted still remains. If there are still defect groups to be highlighted, the process returns to step S201, and if there are no more defect groups to be highlighted, the process of FIG. Note that the determination in step S204 is based on whether a specific input is given from the user via the input device of the image server 231, for example.

続いて、図16を参照して第3実施形態について説明する。第3実施形態では、予め決められた定数φに基づいて画像サーバ231が強調表示を行う。第2実施形態との共通点については適宜説明を省略する。   Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. In the third embodiment, the image server 231 performs highlight display based on a predetermined constant φ. Description of points common to the second embodiment will be omitted as appropriate.

図16は、第3実施形態における合成画像の例を示す図である。図16の合成画像600bは、図14の合成画像600と同様に、ウェハ表面領域601を中心として、Near Edge Front領域602、Upper Bevel領域603、Apex領域604、Lower Bevel領域605、およびNear Edge Back領域606を含む。   FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a composite image in the third embodiment. The composite image 600b in FIG. 16 is similar to the composite image 600 in FIG. 14, with the wafer surface region 601 as the center, the near edge front region 602, the upper bevel region 603, the apex region 604, the lower bevel region 605, and the near edge back. Region 606 is included.

また、例えばφ=36°と予め決められており、合成画像600bは360°を角φで10等分する10本の線分を含む。
図16の例では、θ=φを示す線分613とθ=2φを示す線分614で挟まれた第1の扇形と、θ=6φを示す線分617とθ=7φを示す線分618で挟まれた第2の扇形に、多くの欠陥が存在している。例えば、第1の扇形には、Near Edge Back領域606内のベベル欠陥615や、ウェハ表面領域601内の表面欠陥616などが含まれる。また、第2の扇形にはApex領域604内のベベル欠陥619やウェハ表面領域601内の表面欠陥620などが含まれる。
Further, for example, φ = 36 ° is determined in advance, and the composite image 600b includes 10 line segments that equally divide 360 ° by the angle φ.
In the example of FIG. 16, a first sector sandwiched between a line segment 613 indicating θ = φ and a line segment 614 indicating θ = 2φ, a line segment 617 indicating θ = 6φ, and a line segment 618 indicating θ = 7φ. There are many defects in the second sector sandwiched between. For example, the first sector includes a bevel defect 615 in the Near Edge Back region 606, a surface defect 616 in the wafer surface region 601 and the like. The second sector includes a bevel defect 619 in the Apex region 604, a surface defect 620 in the wafer surface region 601 and the like.

このように、画像サーバ231は、予め決められた定数φにしたがって合成画像600b上に複数の線分を形成し、さらに、φ・i≦θ<φ・(i+1)という範囲に含まれるすべての表面欠陥、裏面欠陥、およびベベル欠陥を同じ第iの色で表現する。なお、簡単のためφの単位は度でありφは360の約数だとすると、0≦i<360/φであり、少なくとも第iの色と第(i+1)の色は異なる。   In this manner, the image server 231 forms a plurality of line segments on the composite image 600b according to a predetermined constant φ, and further, all the images included in the range φ · i ≦ θ <φ · (i + 1). The surface defect, the back surface defect, and the bevel defect are expressed by the same i th color. For simplification, if the unit of φ is degrees and φ is a divisor of 360, 0 ≦ i <360 / φ, and at least the i-th color and the (i + 1) -th color are different.

このように第3実施形態によれば、ユーザからの介入なしに、位置的に近い欠陥同士が同じ色で表現されるので、ユーザは素早く欠陥同士の位置的な関連性を視認することができる。よって、第3実施形態も、欠陥同士の位置的な関連性から欠陥の原因を追究する解析を支援するのに有益である。   Thus, according to the third embodiment, defects that are close in position are expressed in the same color without intervention from the user, so that the user can quickly visually recognize the positional relationship between the defects. . Therefore, the third embodiment is also useful for supporting the analysis for pursuing the cause of the defect from the positional relationship between the defects.

なお、本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、様々に変形可能である。以下にその例をいくつか述べる。
ディスプレイに表示される情報は、上記に例示した情報に限らない。例えば、個々の欠陥の座標の値などがさらに表示されてもよい。また、画像サーバ231は、各欠陥にラベル付けして、合成画像にラベルを含めてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified. Some examples are described below.
The information displayed on the display is not limited to the information exemplified above. For example, coordinate values of individual defects may be further displayed. The image server 231 may label each defect and include a label in the composite image.

合成画像の形式は上記の実施形態で例示したものに限らない。例えば、図1において、投影点105a〜105fを省略して線分106a〜106fのみでベベル欠陥の位置を表現することもでき、その逆も可能である。画像サーバ231は、投影点105a〜105fと線分106a〜106fそれぞれの表示・非表示を独立に切り替えるためのGUIをさらに提供してもよい。   The format of the composite image is not limited to that exemplified in the above embodiment. For example, in FIG. 1, the projection points 105a to 105f can be omitted, and the position of the bevel defect can be expressed only by the line segments 106a to 106f, and vice versa. The image server 231 may further provide a GUI for independently switching display / non-display of the projection points 105a to 105f and the line segments 106a to 106f.

また、画像サーバ231は、合成画像100において、表面欠陥や裏面欠陥を図1のように実際の欠陥の形状にしたがって表現してもよく、円形や矩形などの所定の形状で実際の欠陥の形状を置き換えて表現してもよい。   Further, the image server 231 may represent the front surface defect and the back surface defect in the composite image 100 according to the actual defect shape as shown in FIG. 1, and the actual defect shape may be a predetermined shape such as a circle or a rectangle. May be replaced and expressed.

画像サーバ231が位置的な関連性の強い欠陥同士を強調する方法も任意の方法でよい。
例えば、画像サーバ231は、入力装置を介して表面欠陥を指定する入力を受け取ってもよい。そして、画像サーバ231は、指定された表面欠陥との距離が閾値以下の裏面欠陥を、合成画像において同じ色で表すなどの方法によって強調表示してもよい。画像サーバ231はさらに、指定された表面欠陥との近さが基準を満たすベベル欠陥を表す投影点、投影領域、所定形状、または線分を、合成画像において同じ色で表すなどの方法によって強調表示してもよい。
An arbitrary method may be used for the image server 231 to emphasize defects having a strong positional relationship.
For example, the image server 231 may receive input specifying a surface defect via an input device. Then, the image server 231 may highlight the back surface defect whose distance from the designated front surface defect is equal to or less than the threshold value by a method such as expressing it in the same color in the composite image. The image server 231 further highlights a projection point, a projection area, a predetermined shape, or a line segment that represents a bevel defect whose proximity to the specified surface defect satisfies the criterion by a method such as expressing the same color in the composite image. May be.

ここで、画像サーバ231は、指定された表面欠陥とベベル欠陥との近さが基準を満たすか否かを、rθ座標系で表した表面欠陥の位置(r,θ)と、ベベル欠陥のθ座標θに基づいて判断することができる。 Here, the image server 231 determines whether or not the proximity between the designated surface defect and the bevel defect satisfies the criterion, the position (r t , θ t ) of the surface defect expressed in the rθ coordinate system, and the bevel defect. it can be determined based on the theta coordinate theta b.

例えば、画像サーバ231は、適当な関数fと適当な閾値Tを用いて、「f(r,θ,θ)≦Tならば表面欠陥とベベル欠陥は近い」と判断してもよい。関数f(r,θ,θ)は、例えば、θとθが固定されているときにrが大きくなるほど減少する関数でもよい。また、画像サーバ231は、ベベル304の異なる部位に対しては、異なる関数または異なる閾値を用いてもよい。 For example, the image server 231 may determine that “a surface defect and a bevel defect are close if f (r t , θ t , θ b ) ≦ T” using an appropriate function f and an appropriate threshold value T. . The function f (r t , θ t , θ b ) may be, for example, a function that decreases as r t increases when θ t and θ b are fixed. Further, the image server 231 may use different functions or different threshold values for different parts of the bevel 304.

もちろん、画像サーバ231は、表面欠陥のr座標の値rに依存しない判断を行ってもよい。例えば、画像サーバ231は、表面欠陥とベベル欠陥の近さを、第2実施形態のように「θ≦θ≦θかつθ≦θ≦θならば近い」と判断してもよい。あるいは、画像サーバ231は、表面欠陥とベベル欠陥の近さを、第3実施形態のように「φ・i≦θ<φ・(i+1)かつφ・i≦θ<φ・(i+1)ならば近い」と判断してもよい。 Of course, the image server 231 may make a determination independent of the value r t of the r coordinate of the surface defect. For example, the image server 231 determines that the proximity between the surface defect and the bevel defect is “if θ 1 ≦ θ t ≦ θ 2 and θ 1 ≦ θ b ≦ θ 2 ” as in the second embodiment. Also good. Alternatively, the image server 231 determines the proximity between the surface defect and the bevel defect as “φ · i ≦ θ t <φ · (i + 1) and φ · i ≦ θ b <φ · (i + 1) as in the third embodiment. If so, it may be determined.

また、図6のベベル画像420および図12のベベル画像420−1〜420−25は、ベベル304のうちある1つの部位を撮像することにより得られた画像である。しかし、第1実施形態において、画像サーバ231は、5つの部位の撮像から得られた5枚の帯状のベベル画像を縦に並べて1枚に合成することで新たなベベル画像を生成してもよい。そして、画像サーバ231は、生成した新たなベベル画像を、ベベル画像420または420−1〜420−25の代わりに用いてもよい。   Further, the bevel image 420 in FIG. 6 and the bevel images 420-1 to 420-25 in FIG. 12 are images obtained by imaging one part of the bevel 304. However, in the first embodiment, the image server 231 may generate a new bevel image by vertically arranging five belt-shaped bevel images obtained from imaging of five parts and combining them into one sheet. . Then, the image server 231 may use the generated new bevel image instead of the bevel image 420 or 420-1 to 420-25.

もちろん、画像サーバ231は、ベベル304の5つの部位に対応する5枚のベベル画像のそれぞれを個別に用いて投影点の位置を算出してもよい。そして、画像サーバ231は合成画像100において、例えばNear Edge Front305上のベベル欠陥に対応する投影点を第1の色で表し、Upper Bevel306上のベベル欠陥に対応する投影点を第2の色で表してもよい。他の部位についても同様にして、画像サーバ231は5つの部位を5色で区別して表現してもよい。   Of course, the image server 231 may calculate the position of the projection point using each of the five bevel images corresponding to the five parts of the bevel 304 individually. In the composite image 100, for example, the image server 231 represents, for example, a projection point corresponding to a bevel defect on the Near Edge Front 305 with a first color, and represents a projection point corresponding to the bevel defect on the Upper Bevel 306 with a second color. May be. Similarly, the image server 231 may represent the five parts by distinguishing them with five colors for the other parts.

このように、画像サーバ231は、部位ごとに異なる色を対応させることで、1枚の2次元画像である合成画像100の中で、3次元的な広がりを持つベベル304の各部位の視覚的な区別を実現することができる。   In this way, the image server 231 visually associates different colors for each part, so that each part of the bevel 304 having a three-dimensional spread in the composite image 100 that is one two-dimensional image is visually displayed. Distinction can be realized.

あるいは、各部位の視覚的な区別は、投影点の表示形態の違いがユーザに認識可能であればよいので、色ではなく形状による区別であってもよい。例えば、画像サーバ231は、Near Edge Front305上のベベル欠陥に対応する投影点を円で表し、Upper Bevel306上のベベル欠陥に対応する投影点を三角形で表す、などの方法を用いてもよい。   Alternatively, the visual distinction of each part may be a distinction not by color but by shape as long as the user can recognize the difference in the display form of the projection points. For example, the image server 231 may use a method in which projection points corresponding to bevel defects on the Near Edge Front 305 are represented by circles, and projection points corresponding to bevel defects on the Upper Bevel 306 are represented by triangles.

また、画像サーバ231は、合成画像100におけるウェハ101の中心点と投影点とを結ぶ線分の表示形態を部位ごとに変えてもよい。線分の表示形態は、例えば、色、太さ、破線のパターン、中心点からの長さ、およびこれらの組み合わせがありうる。   Further, the image server 231 may change the display form of the line segment connecting the center point of the wafer 101 and the projection point in the composite image 100 for each part. The display form of the line segment can be, for example, a color, a thickness, a broken line pattern, a length from the center point, and a combination thereof.

なお、上記実施形態を概観すると、画像サーバ231、PC241−1〜241−m、またはクライアントPC250などの情報処理装置は、単独で、または他の情報処理装置と協働することで、欠陥関連付け装置として機能する。   When overviewing the above-described embodiment, an information processing apparatus such as the image server 231, the PCs 241-1 to 241-m, or the client PC 250 can be used alone or in cooperation with other information processing apparatuses. Function as.

例えば、画像サーバ231は、半導体装置の1つ以上の製造工程において基板の表面、裏面、およびベベルをそれぞれ撮像することにより得られた複数枚の検査画像のうち少なくとも2枚を選択する指示を受け付ける選択指示手段として機能する。   For example, the image server 231 accepts an instruction to select at least two of the plurality of inspection images obtained by imaging the front surface, the back surface, and the bevel of the substrate in one or more manufacturing processes of the semiconductor device. It functions as a selection instruction means.

前記指示は、画像サーバ231が備える入力装置から与えられてもよいし、ネットワークを介してPC241−1などの他の情報処理装置から与えられてもよい。また、前記指示は、例えば、図11の各チェックボックスのオンまたはオフの指示の組み合わせ、および図7のオーバレイボタン510のクリック操作として与えられる。   The instruction may be given from an input device included in the image server 231 or may be given from another information processing device such as the PC 241-1 via a network. Further, the instruction is given as, for example, a combination of instructions for turning on or off each check box in FIG. 11 and a click operation of the overlay button 510 in FIG.

さらに、例えば画像サーバ231は、前記選択指示手段が受け付けた前記指示により選択された2枚以上の検査画像のそれぞれに写っている欠陥の位置を示す情報として入力される欠陥位置情報に基づいて、前記選択された2枚以上の検査画像にそれぞれ写っている前記欠陥同士を関連付けて、前記選択された2枚以上の検査画像から1枚の2次元画像である合成画像を生成する合成手段しても機能する。   Furthermore, for example, the image server 231 is based on the defect position information input as information indicating the position of the defect in each of the two or more inspection images selected by the instruction received by the selection instruction unit. Combining means for associating the defects in the two or more selected inspection images with each other and generating a composite image that is a two-dimensional image from the two or more selected inspection images. Also works.

もちろん、PC241−1〜241−mまたはクライアントPC250などが前記合成手段として機能することも可能である。
前記欠陥位置情報は、例えば基板検査装置211−1〜211−nにより生成され、検査DB221に格納され、検査DB221から、前記合成手段としての画像サーバ231に入力されてもよい。あるいは、画像サーバ231またはネットワークを介して接続された他の情報処理装置が備える入力装置を介して、検査画像上の位置を示す情報として、前記欠陥位置情報が入力されてもよい。または、画像サーバ231が、検査画像をもとに改めて欠陥検出のための画像処理を実行して欠陥の位置を算出することで、前記合成手段としての画像サーバ231自身に、前記欠陥位置情報を与えてもよい。
Of course, the PCs 241-1 to 241-m or the client PC 250 can also function as the combining unit.
The defect position information may be generated by, for example, the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n, stored in the inspection DB 221, and input from the inspection DB 221 to the image server 231 as the synthesis unit. Alternatively, the defect position information may be input as information indicating the position on the inspection image via the image server 231 or an input device included in another information processing apparatus connected via a network. Alternatively, the image server 231 executes image processing for defect detection again based on the inspection image and calculates the position of the defect, whereby the defect position information is stored in the image server 231 itself as the synthesis unit. May be given.

例えば、前記合成手段としての画像サーバ231は、図1、図14、もしくは図16に例示したような合成画像、または不図示の合成画像を生成する。
そして、画像サーバ231、PC241−1〜241−m、およびクライアントPC250などの情報処理装置は、生成した前記合成画像を表示する表示手段としても機能する。前記表示手段としての機能は、具体的には、情報処理装置が備えるディスプレイ装置により実現される。
For example, the image server 231 as the synthesizing unit generates a synthesized image as illustrated in FIG. 1, FIG. 14, or FIG. 16, or a synthesized image (not shown).
Information processing apparatuses such as the image server 231, the PCs 241-1 to 241-m, and the client PC 250 also function as a display unit that displays the generated composite image. Specifically, the function as the display means is realized by a display device included in the information processing apparatus.

また、図2の基板検査システム200において、基板検査装置211−1〜211−nは、前記基板の前記表面、前記裏面、および前記ベベルをそれぞれ撮像することにより前記検査画像を得るとともに、前記検査画像に基づいて欠陥の位置を検出して前記欠陥位置情報を生成する欠陥検査装置の例である。そして、検査DB221は、前記欠陥検査装置が得た前記複数枚の検査画像を記憶する記憶装置の例である。   In the substrate inspection system 200 of FIG. 2, the substrate inspection devices 211-1 to 211-n obtain the inspection image by imaging the front surface, the back surface, and the bevel of the substrate, respectively, and the inspection It is an example of the defect inspection apparatus which detects the position of a defect based on an image, and produces | generates the said defect position information. The inspection DB 221 is an example of a storage device that stores the plurality of inspection images obtained by the defect inspection apparatus.

また、前記欠陥位置情報は、前記欠陥検査装置としての基板検査装置211−1〜211−nから、前記欠陥関連付け装置としての画像サーバ231などの情報処理装置に入力される。そして、前記合成手段としての画像サーバ231などは、前記記憶装置としての検査DB221から、前記選択された2枚以上の検査画像を取得して前記合成画像を生成する。   The defect position information is input from the substrate inspection apparatuses 211-1 to 211-n as the defect inspection apparatus to an information processing apparatus such as the image server 231 as the defect association apparatus. Then, the image server 231 or the like as the synthesizing unit acquires the selected two or more inspection images from the inspection DB 221 as the storage device and generates the composite image.

100、600、600b 合成画像
101、300 ウェハ
102、303 ノッチ
103a〜103d、401a〜401d、607、616、620 表面欠陥
104、411 裏面欠陥
105a〜105f 投影点
106a〜106f、610〜614、617、618 線分
107 ダイ
108 ショット領域
200 基板検査システム
210 基板検査装置群
211−1〜211−n 基板検査装置
212−1〜212−n 平面検査部
213−1〜213−n ベベル検査部
220 DB群
221 検査DB
222 レシピDB
230 サーバ群
231 画像サーバ
232 レシピサーバ
240 画像PC群
241−1〜241−m PC
250 クライアントPC
301 表面
302 裏面
304 ベベル
305 Near Edge Front
306 Upper Bevel
307 Apex
308 Lower Bevel
309 Near Edge Back
310〜314 撮像光軸
400 表面画像
410 裏面画像
420、420−1〜420−25 ベベル画像
421a〜421f、608、609、615、619 ベベル欠陥
500 画面
501 ウェハ情報表示領域
502 検査番号セレクタ
503 保存ボタン
504 ヒストグラム表示領域
505 欠陥表示領域
506 ベベル欠陥概要表示領域
507 表面欠陥概要表示領域
508 裏面欠陥概要表示領域
509 同一チップ欠陥情報表示領域
510 オーバレイボタン
511 表面検査情報表示領域
512 裏面検査情報表示領域
513 ベベル検査情報表示領域
514 合成画像表示領域
601 ウェハ表面領域
602 Near Edge Front領域
603 Upper Bevel領域
604 Apex領域
605 Lower Bevel領域
606 Near Edge Back領域
100, 600, 600b Composite image 101, 300 Wafer 102, 303 Notch 103a-103d, 401a-401d, 607, 616, 620 Surface defect 104, 411 Back surface defect 105a-105f Projection point 106a-106f, 610-614, 617, 618 Line segment 107 Die 108 Shot area 200 Substrate inspection system 210 Substrate inspection device group 211-1 to 211-n Substrate inspection device 212-1 to 212-n Planar inspection unit 213-1 to 213-n Bevel inspection unit 220 DB group 221 Inspection DB
222 Recipe DB
230 server group 231 image server 232 recipe server 240 image PC group 241-1 to 241-m PC
250 client PC
301 Front 302 Back 304 Bevel 305 Near Edge Front
306 Upper Bevel
307 Apex
308 Lower Bevel
309 Near Edge Back
310-314 Imaging optical axis 400 Front image 410 Back image 420, 420-1 to 420-25 Bevel image 421a to 421f, 608, 609, 615, 619 Bevel defect 500 Screen 501 Wafer information display area 502 Inspection number selector 503 Save button 504 Histogram display area 505 Defect display area 506 Bevel defect summary display area 507 Surface defect summary display area 508 Back defect summary display area 509 Same chip defect information display area 510 Overlay button 511 Surface inspection information display area 512 Back surface inspection information display area 513 Bevel Inspection information display area 514 Composite image display area 601 Wafer surface area 602 Near edge front area 603 Upper bevel area 604 Apex area 605 Lower bev l area 606 Near Edge Back area

Claims (10)

半導体装置の1つ以上の製造工程において基板の表面、裏面、およびベベルのうち少なくとも2つを撮像することにより得られた複数枚の検査画像のうち少なくとも2枚を選択する指示を受け付ける選択指示手段と、
前記選択指示手段が受け付けた前記指示により選択された2枚以上の検査画像のそれぞれに写っている欠陥の位置を示す情報として入力される欠陥位置情報に基づいて、前記選択された2枚以上の検査画像にそれぞれ写っている前記欠陥同士を関連付けて、前記選択された2枚以上の検査画像から1枚の2次元画像である合成画像を生成する合成手段と、
前記合成手段が生成した前記合成画像を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする欠陥関連付け装置。
Selection instruction means for receiving an instruction to select at least two of a plurality of inspection images obtained by imaging at least two of the front surface, back surface, and bevel of the substrate in one or more manufacturing steps of the semiconductor device When,
Based on the defect position information input as information indicating the position of the defect in each of the two or more inspection images selected by the instruction received by the selection instruction means, the two or more selected sheets Combining means for associating the defects appearing in each inspection image, and generating a composite image that is one two-dimensional image from the two or more selected inspection images;
Display means for displaying the composite image generated by the composite means;
A defect associating apparatus comprising:
前記選択された2枚以上の検査画像が、前記基板の前記表面を撮像することにより得られた表面画像と前記基板の前記ベベルを撮像することにより得られたベベル画像を含む第1の場合、前記合成手段は、前記ベベル画像に写っている第1の欠陥の位置もしくは領域を前記基板の前記表面と同一平面上に投影した投影点もしくは投影領域、または前記基板の前記表面において定義される前記基板の中心点から前記投影点もしくは前記投影領域に向かう線分を、前記表面画像に重ね合わせることで、前記合成画像を生成する、
ことを特徴とする請求項1に記載の欠陥関連付け装置。
In the first case, the two or more selected inspection images include a surface image obtained by imaging the surface of the substrate and a bevel image obtained by imaging the bevel of the substrate. The synthesizing means is defined at a projection point or a projection region obtained by projecting the position or region of the first defect reflected in the bevel image on the same plane as the surface of the substrate, or the surface of the substrate. Generating the composite image by superimposing a line segment from the center point of the substrate toward the projection point or the projection area on the surface image;
The defect association apparatus according to claim 1, wherein:
前記合成手段は、前記第1の場合において、
前記表面画像に写っている第2の欠陥の位置と、前記投影点または前記投影領域の位置が、近いか否かを予め決められた基準に基づいて判断し、
前記第2の欠陥の前記位置と前記投影点または前記投影領域の前記位置が近いと判断したときは、前記投影点、前記投影領域または前記線分を前記合成画像において前記第2の欠陥と同じ色で表す、
ことを特徴とする請求項2に記載の欠陥関連付け装置。
In the first case, the synthesizing means,
Determining whether the position of the second defect in the surface image and the position of the projection point or the projection area are close based on a predetermined criterion;
When it is determined that the position of the second defect is close to the position of the projection point or the projection area, the projection point, the projection area, or the line segment is the same as the second defect in the composite image. Represented by color,
The defect associating apparatus according to claim 2, wherein:
前記合成手段は、
前記基板の前記表面において、前記中心点と、前記投影点または前記投影領域とを結ぶ第1の線の方向と、前記中心点と前記第2の欠陥の前記位置とを結ぶ第2の線の方向とが、前記中心点を基準として指定された角度の指定範囲内にともに含まれるか、または前記第1の線と前記第2の線の方向の角度差が閾値以下のとき、
前記第2の欠陥の前記位置と、前記投影点または前記投影領域の前記位置が近いと判断する、
ことを特徴とする請求項3に記載の欠陥関連付け装置。
The synthesis means includes
On the surface of the substrate, a second line connecting the center point and the direction of the first line connecting the projection point or the projection area and the center point and the position of the second defect. When the direction is included within the specified range of the angle specified with respect to the center point, or the angle difference between the direction of the first line and the second line is equal to or less than a threshold value,
Determining that the position of the second defect is close to the position of the projection point or the projection area;
The defect associating apparatus according to claim 3.
前記合成手段は前記第1の場合、前記ベベル画像に写っている第2の欠陥が、前記基板の厚み方向の位置により分類される前記ベベルの複数の部位のいずれに存在するのかに応じて、前記線分の表示形態を変えて前記線分を形成する、
ことを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の欠陥関連付け装置。
In the first case, the synthesizing unit has a second defect reflected in the bevel image, depending on which of the plurality of parts of the bevel classified by the position in the thickness direction of the substrate is present. Changing the display form of the line segment to form the line segment;
5. The defect associating apparatus according to claim 2, wherein
前記線分の前記表示形態は、色、長さ、太さ、または破線パターンの1つ以上の組み合わせによることを特徴とする請求項5に記載の欠陥関連付け装置。   The defect association apparatus according to claim 5, wherein the display form of the line segment is based on one or more combinations of a color, a length, a thickness, or a broken line pattern. 前記表示手段はさらに、前記複数枚の検査画像それぞれに基づいて欠陥抽出処理を行った結果を表す検査結果情報を、前記複数枚の検査画像を選択するためのグラフィカル・ユーザ・インタフェイスとともに表示する、
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の欠陥関連付け装置。
The display means further displays inspection result information representing a result of performing defect extraction processing based on each of the plurality of inspection images together with a graphical user interface for selecting the plurality of inspection images. ,
The defect associating apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein:
前記選択された2枚以上の検査画像が、前記基板の前記表面を撮像することにより得られた表面画像と前記基板の前記裏面を撮像することにより得られた裏面画像を含む第2の場合、前記合成手段は、前記裏面画像に写っている欠陥を前記表面画像に投影して重ね合わせる、
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の欠陥関連付け装置。
In the second case, the two or more selected inspection images include a front image obtained by imaging the front surface of the substrate and a back image obtained by imaging the back surface of the substrate. The synthesizing unit projects and superimposes a defect shown in the back image on the front image,
The defect associating apparatus according to claim 1, wherein
請求項1から8のいずれか1項に記載の欠陥関連付け装置と、
前記基板の前記表面、前記裏面、および前記ベベルをそれぞれ撮像することにより前記検査画像を得るとともに、前記検査画像に基づいて欠陥の位置を検出して前記欠陥位置情報を生成する欠陥検査装置と、
前記欠陥検査装置が得た前記複数枚の検査画像を記憶する記憶装置とを備え、
前記欠陥位置情報は前記欠陥検査装置から前記欠陥関連付け装置に入力され、
前記合成手段は前記記憶装置から前記選択された2枚以上の検査画像を取得して前記合成画像を生成する、
ことを特徴とする基板検査システム。
The defect association apparatus according to any one of claims 1 to 8,
A defect inspection apparatus that obtains the inspection image by imaging the front surface, the back surface, and the bevel of the substrate, and detects the position of the defect based on the inspection image to generate the defect position information;
A storage device for storing the plurality of inspection images obtained by the defect inspection device;
The defect position information is input from the defect inspection apparatus to the defect association apparatus,
The synthesizing unit obtains the selected two or more inspection images from the storage device and generates the synthesized image;
A board inspection system characterized by that.
情報処理装置が、
半導体装置の1つ以上の製造工程において基板の表面、裏面、およびベベルのうち少なくとも2つを撮像することにより得られた複数枚の検査画像のうち少なくとも2枚を選択する指示を受け付け、
受け付けた前記指示により選択された2枚以上の検査画像のそれぞれに写っている欠陥の位置を示す情報として入力される欠陥位置情報に基づいて、前記選択された2枚以上の検査画像にそれぞれ写っている前記欠陥同士を関連付けて、前記選択された2枚以上の検査画像から1枚の2次元画像である合成画像を生成し、
生成した前記合成画像を表示する、
ことを特徴とする欠陥関連付け方法。
Information processing device
Receiving an instruction to select at least two of a plurality of inspection images obtained by imaging at least two of the front surface, the back surface, and the bevel of the substrate in one or more manufacturing steps of the semiconductor device;
Based on the defect position information input as information indicating the position of the defect shown in each of the two or more inspection images selected by the received instruction, each of the two or more selected inspection images is shown. Generating a composite image that is a two-dimensional image from the two or more selected inspection images,
Displaying the generated composite image;
A defect association method characterized by the above.
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