JP2010161378A - Semiconductor integrated circuit device, signal processing apparatus, and semiconductor module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、VICS(VEHICLE INFORMATION AND COMMUNICATION SYSTEM:道路交通情報通信システム)FM多重放送受信機等において使用されるFM多重データ処理装置のような信号処理装置、及びこの装置に搭載される半導体集積回路装置に関するものであり、特に、アナログフィルタLSIのような半導体集積回路装置におけるクロックノイズの低減に関するものである。 The present invention relates to a signal processing device such as an FM multiplex data processing device used in, for example, a VICS (VEHICLE INFORMATION AND COMMUNICATION SYSTEM) FM multiplex broadcast receiver, and a semiconductor mounted on the device. The present invention relates to an integrated circuit device, and more particularly to reduction of clock noise in a semiconductor integrated circuit device such as an analog filter LSI.
図6は、VICS−FM多重データを復号する従来のFM多重放送受信機の構成を示す図である。図6に示されるFM多重データ処理装置31は、FMアンテナ2及びFMチューナ3により受信された多重データを含むFMベースバンド信号(FM多重信号)からVICSのデジタル信号BPFOを抽出するためのアナログフィルタIC34と、アナログフィルタIC34から出力されるデジタル信号BPFOを受信して復号化するVICSロジックIC35と、VICSロジックIC35からVICSのデータを取り出して処理するマイクロコントローラ(マイコン)36とから構成されている。なお、VICS−FM多重放送受信機は、例えば、特許文献1(特開平11−234153号公報)に開示されている。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional FM multiplex broadcast receiver that decodes VICS-FM multiplex data. An FM multiplex
図7は、図6のアナログフィルタIC34の構成を示す図である。図7に示されるように、アナログフィルタIC34は、半導体集積回路素子(ICチップ)40と、複数のリード端子(信号BPFCLK,AIN,SG,BPFOが入力又は出力される。)と、これらリード端子とICチップ40の電極パッド41,43,44,52とを接続するボンディングワイヤ41a,43a,44a,52aとを有している。アナログフィルタIC34の電極パッド41には、VICSロジックIC35からの単相クロック(例えば、2MHz)が供給される。ICチップ40は、半導体基板上に形成された各種の集積回路ブロック、例えば、ローパスフィルタ(LPF)45と、増幅回路(Amp)46と、スイッチドキャパシタ(SC)フィルタによって構成されたバンドパスフィルタ(BPF)47と、増幅回路(Amp)48と、遅延検波回路(1/T)49と、ローパスフィルタ(LPF)50と、増幅回路(Amp)51とを有している。ローパスフィルタ45、増幅回路46、バンドパスフィルタ47、及び増幅回路48は、FM多重信号AINから、例えば、76kHz±4kHzのLMSK(Level controlled Minimum Shift Keying)変調されたデジタル信号を取り出すためのフィルタ部としての機能を持つ。遅延検波回路49、ローパスフィルタ50、及び増幅回路51は、上記LMSK変調されたデジタル信号から、例えば、16kbit/sのデジタル信号BPFOを再生する遅延検波部として機能する。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of the
しかしながら、VICSロジックIC35から供給される単相クロックBPFCLKが入力されるアナログフィルタIC34においては、ICチップ40の電極パッド41と各集積回路ブロック45,47,49,50との間の寄生容量(図8に符号Cp1,Cp2,Cp3,Cp4により示す。)により発生するノイズが、ローパスフィルタ45,50やバンドパスフィルタ47の動作特性に悪影響を与えていた。特に、一時的にフローティング状態が生じるキャパシタであって、相対的に容量値が小さいキャパシタを備えた回路の特性には大きな影響を与えるという問題があった。なお、ノイズ信号の影響の低減に関しては、例えば、特許文献2(特開2001−125744号公報)に開示があり、浮遊容量に関しては、例えば、特許文献3(特開2000−269793号公報)に開示がある。
However, in the
そこで、本発明は、上記したような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、クロックノイズの影響を低減することができる半導体集積回路装置、信号処理装置、及び半導体モジュールを提供することにある。 Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device, a signal processing device, and a semiconductor capable of reducing the influence of clock noise. To provide a module.
本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の集積回路ブロックと、前記半導体基板上に備えられ、第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、前記半導体基板上に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、前記半導体基板上の前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接続であり、前記第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックが入力される第2の電極パッドとを有し、前記複数の集積回路ブロックの一つが、バンドパスフィルタ機能を持つ第1の集積回路ブロックであることを特徴とするものである。 A semiconductor integrated circuit device according to the present invention includes a semiconductor substrate, a plurality of integrated circuit blocks formed on the semiconductor substrate, a first electrode pad provided on the semiconductor substrate and to which a first clock is input. A wiring line that is provided on the semiconductor substrate and connects the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad; and a position adjacent to the first electrode pad on the semiconductor substrate; A second electrode pad that is not connected to a plurality of integrated circuit blocks and that receives a second clock having the same frequency as the first clock and having a period in which the polarity is reversed. One of the integrated circuit blocks is a first integrated circuit block having a band-pass filter function.
また、本発明の信号処理装置は、上記半導体集積回路装置と同じ構成を有する第1の半導体集積回路装置と、前記第1のクロック及び前記第2のクロックを出力する第2の半導体集積回路装置と、前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第1のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第1のリード端子に供給するための第1のクロック用配線と、前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第2のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第2のリード端子に供給するための第2のクロック用配線とを有するものである。 The signal processing apparatus according to the present invention includes a first semiconductor integrated circuit device having the same configuration as the semiconductor integrated circuit device, and a second semiconductor integrated circuit device that outputs the first clock and the second clock. A first clock wiring for supplying the first clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the first lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device; And a second clock wiring for supplying the second clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the second lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device.
さらに、本発明の半導体モジュールは、第1のクロック及び該第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を有する第2のクロックを生成する第1の半導体集積回路装置と、複数の集積回路ブロックを有するアナログフィルタ回路と、前記第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接触であり、前記第2のクロックが入力される第2の電極パッドと、前記アナログフィルタ回路と前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、を有し、前記第1の半導体集積回路装置の近傍に配置された第2の半導体集積回路装置と、を備えたことを特徴とするものである。 Further, the semiconductor module of the present invention includes a first semiconductor integrated circuit device that generates a first clock and a second clock having the same frequency as the first clock and having a period in which the polarity is reversed, An analog filter circuit having an integrated circuit block; a first electrode pad to which the first clock is input; a wiring line connecting the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad; A second electrode pad that is provided in a position adjacent to the plurality of electrode pads, is in non-contact with the plurality of integrated circuit blocks, and receives the second clock; the analog filter circuit; and the first electrode pad And a second semiconductor integrated circuit device arranged in the vicinity of the first semiconductor integrated circuit device. It is.
本発明の半導体集積回路装置、演算処理装置、及び半導体モジュールによれば、第1の電極パッドに入力される第1のクロックにより集積回路ブロックにおいて発生するノイズと、第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持ち、第2の電極パッドに入力される第2のクロックにより集積回路ブロックにおいて発生するノイズとが、互いに打ち消し合うので、集積回路ブロックから出力されるデジタル信号のノイズを低減することができるという効果を得ることができる。 According to the semiconductor integrated circuit device, the arithmetic processing unit, and the semiconductor module of the present invention, the noise generated in the integrated circuit block by the first clock input to the first electrode pad and the same frequency as the first clock are generated. The noise generated in the integrated circuit block due to the second clock input to the second electrode pad cancels each other, and has a period in which the polarity is reversed, so that the noise of the digital signal output from the integrated circuit block The effect that can be reduced can be obtained.
また、本発明の半導体モジュールによれば、出力されるデジタル信号のノイズを低減できるので、FM信号の受信感度(受信範囲)を向上させることができるという効果を得ることができる。 Further, according to the semiconductor module of the present invention, noise of the output digital signal can be reduced, so that an effect of improving the reception sensitivity (reception range) of the FM signal can be obtained.
図1は、VICS−FM多重データを復号する本発明の実施の形態に係るFM放送受信機の構成を示す図である。図1に示されるFM多重データ処理装置1は、FMアンテナ2及びFMチューナ3により受信された多重データを含むFMベースバンド信号(FM多重信号)AINからVICSのデジタル信号を抽出するためのアナログフィルタIC4と、アナログフィルタIC4から出力されるデジタル信号BPFOを受信して復号化するVICSロジックIC5と、VICSロジックIC5からVICSのデータを取り出して処理するマイクロコントローラ(マイコン)6とから構成される。なお、図1において、符号7は、VICSロジックIC5から出力された第1のクロックBPFCLK1をアナログフィルタIC4の第1のリード端子(図2及び図3における符号61)に供給するための第1のクロック用配線であり、符号8は、VICSロジックIC5から出力された第2のクロックBPFCLK2をアナログフィルタIC4の第2のリード端子(図2及び図3における符号62)に供給するための第2のクロック用配線である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an FM broadcast receiver according to an embodiment of the present invention that decodes VICS-FM multiplexed data. An FM multiplex
図2は、図1のアナログフィルタIC4の構成を示す図である。図2に示されるように、アナログフィルタIC4は、半導体集積回路素子(ICチップ)10と、複数のリード端子61〜65と、これらリード端子61〜65とICチップ10の電極パッド11,12,13,14,22とを接続するボンディングワイヤ11a,12a,13a,14a,22aとを有している。アナログフィルタIC4には、VICSロジックIC5からの第1のクロックBPFCLK1(例えば、2MHz)、及び、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックBPFCLK2が入力される。第2のクロックBPFCLK2は、通常は、第1のクロックBPFCLK1の反転信号である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the analog filter IC 4 of FIG. As shown in FIG. 2, the analog filter IC 4 includes a semiconductor integrated circuit element (IC chip) 10, a plurality of
図1及び図2のアナログフィルタIC4において、AINは、リード端子63から入力されるFM多重信号を示し、SGは、雑音防止用のコンデンサ66をグランド間に接続したリード端子64におけるアナログ基準電圧を示す。また、図1及び図2のアナログフィルタIC4において、BPFCLK1は、第1のリード端子61に入力される第1のクロックを示し、BPFCLK2は、第2のリード端子62に入力される第2のクロックを示し、BPFOは、リード端子65から出力されるデジタル信号を示す。
In the analog filter IC4 of FIGS. 1 and 2, AIN indicates an FM multiplexed signal input from the
図1のVICSロジックIC5において、BPFCLK1は、VICSロジックIC5から出力される第1のクロックを示し、BPFCLK2は、VICSロジックIC5から出力される第2のクロックを示し、BPFOは、VICSロジックIC5に入力されるデジタル信号を示す。また、図1のVICSロジックIC5及びマイコン6において、Addrは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのアドレス信号を示し、Dataは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのデータバス信号を示す。また、図1のVICSロジックIC5及びマイコン6において、WRNは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのライト信号を示し、RDNは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのリード信号を示し、INTNは、マイコン6への割り込み信号を示す。
In the VICS logic IC 5 of FIG. 1, BPFCLK1 indicates a first clock output from the VICS logic IC5, BPFCLK2 indicates a second clock output from the VICS logic IC5, and BPFO is input to the VICS logic IC5. The digital signal to be displayed. Further, in the VICS logic IC 5 and the
ICチップ10は、半導体基板上に形成された各種の集積回路ブロック、例えば、ローパスフィルタ(LPF)15、増幅回路(Amp)16、スイッチドキャパシタ(SC)フィルタによって構成されたバンドパスフィルタ(BPF)17、増幅回路(Amp)18、遅延検波回路(1/T)19、ローパスフィルタ(LPF)20、及び増幅回路(Amp)21を有している。第1のクロックBPFCLK1は、配線ライン23,24によってバンドパスフィルタ17、遅延検波回路19に供給される。ローパスフィルタ15、増幅回路16、バンドパスフィルタ17、及び増幅回路18は、FM多重信号AINから、例えば、76kHz±4kHzのLMSK変調されたデジタル信号を取り出すためのフィルタ部としての機能を持つ。遅延検波回路19、ローパスフィルタ20、及び増幅回路21は、上記LMSK変調されたデジタル信号から、例えば、16kbit/sのデジタル信号BPFOを再生する遅延検波部として機能する。
The
図3は、図1のアナログフィルタIC4の一部のレイアウトを概略的に示す図である。図3に示されるように、半導体集積回路装置4は、半導体基板10aと、半導体基板10a上に形成された集積回路ブロック17(又は19)と、第1のリード端子61及び第1のボンディングワイヤ11aを通して第1のクロックBPFCLK1が入力される第1の電極パッド11と、集積回路ブロック17(又は19)と第1の電極パッド11とを接続する配線ライン23(又は24)と、半導体基板10a上の第1の電極パッド11と隣り合う位置に備えられ、集積回路ブロック17及び19と非接続であり、第2のリード端子62及び第2のボンディングワイヤ12aを通して、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックBPFCLK2が入力される第2の電極パッド12とを有する。また、第1のリード端子61の内側部分、第2のリード端子62の内側部分、第1のボンディングワイヤ11a、第2のボンディングワイヤ12a、半導体基板10a、及び半導体基板10a上の構成(第1の電極パッド11、第2の電極パッド12、配線ライン23,24、集積回路ブロック17,19など)は、封止樹脂によってパッケージングされている。さらに、集積回路ブロック17(又は19)から第1の電極パッド11までの距離と第2の電極パッド12までの距離とは、ほぼ等しいことが望ましい。なお、第1のリード端子61と第2のリード端子62との間隔は、パッケージの端子ピッチ(端子の間隔)で決まっており、一般的には、0.3mm〜1.3mmの範囲内である。また、第1の電極パッド11と第2の電極パッド12の間隔は、一般的には、40μm〜1.3mmの範囲内である。また、LSIでは、基本的にパッドの形状は、四角形をしています。また、第1の電極パッド11及び第2の電極パッド12はそれぞれ、一般的には、100平方μm程度の四角形である。さらにまた、アナログフィルタIC4のレイアウトは、図3の例に限定されず、種々の変形が可能である。
FIG. 3 is a diagram schematically showing a layout of a part of the analog filter IC4 of FIG. As shown in FIG. 3, the semiconductor integrated circuit device 4 includes a
図4は、図2のアナログフィルタICの寄生容量の説明図である。VICSロジックIC5から供給される第1のクロックBPFCLK1が入力されるアナログフィルタIC4においては、ICチップ10の電極パッド11と各集積回路ブロック15,17,19,20との間の寄生容量(図4に符号Cp1,Cp2,Cp3,Cp4により示す。)により発生するノイズが、ローパスフィルタ15,20やバンドパスフィルタ17の動作特性に悪影響を与えていた。特に、一時的にフローティング状態が生じるキャパシタであって、相対的に容量値が小さいキャパシタを備えた回路には大きな影響を与えていた。そこで、本発明においては、半導体基板10a上の第1の電極パッド11と隣り合う位置に備えられ、集積回路ブロックと非接続であり、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックBPFCLK2が入力される第2の電極パッド12を備えている。そして、第2の電極パッド12には、VICSロジックIC5から第2のリード端子62及び第2のボンディングワイヤ12aを介して第2のクロックBPFCLK2が入力されている。第2のクロックBPFCLK2が入力されるアナログフィルタIC4においては、ICチップ10の第2の電極パッド12と各集積回路ブロック15,17,19,20との間の寄生容量(図4に符号Cn1,Cn2,Cn3,Cn4により示す。)によりノイズが発生する。本発明においては、第1の電極パッド11に入力される第1のクロックBPFCLK1により集積回路ブロックにおいて発生するノイズと、第2のクロックBPFCLK2により集積回路ブロックにおいて発生するノイズとが加算され、互いに打ち消し合うので、集積回路ブロックから出力されるデジタル信号BPFOのノイズを低減することができる。
FIG. 4 is an explanatory diagram of the parasitic capacitance of the analog filter IC of FIG. In the analog filter IC4 to which the first clock BPFCLK1 supplied from the VICS logic IC5 is input, the parasitic capacitance between the
図5は、クロックノイズの影響低減を説明するための波形図である。図5の上段に示される波形は、周期Tの第1のクロックBPFCLK1(又は第1のクロックBPFCLK1により発生するノイズ波形)であり、図5の中段に示される波形は、周期Tの第2のクロックBPFCLK2(又は第2のクロックBPFCLK2により発生するノイズ波形)である。また、図5の下段に示される波形は、図5の上段に示される第1のクロックBPFCLK1によるノイズと、図5の中段に示される第2のクロックBPFCLK2によるノイズとが加算して、互いに打ち消し合う結果生じる、雑音モデルの波形である。また、図5において、Twは、第1のクロックBPFCLK1の立ち上がりから第2のクロックBPFCLK2の立ち下がりまでの遅延時間である。この遅延時間Twは、第1のクロックBPFCLK1を反転回路で反転させて第2のクロックBPFCLK2を生成する際に生じる遅延時間である。 FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the reduction of the influence of clock noise. The waveform shown in the upper part of FIG. 5 is the first clock BPFCLK1 having a period T (or a noise waveform generated by the first clock BPFCLK1), and the waveform shown in the middle part of FIG. This is a clock BPFCLK2 (or a noise waveform generated by the second clock BPFCLK2). The waveform shown in the lower part of FIG. 5 cancels each other by adding the noise caused by the first clock BPFCLK1 shown in the upper part of FIG. 5 and the noise caused by the second clock BPFCLK2 shown in the middle part of FIG. This is the noise model waveform that results from the fitting. In FIG. 5, Tw is a delay time from the rise of the first clock BPFCLK1 to the fall of the second clock BPFCLK2. The delay time Tw is a delay time that occurs when the first clock BPFCLK1 is inverted by the inverting circuit to generate the second clock BPFCLK2.
図5に示される信号波形は次式
F(t)
=Σ 2*sin(2π*n*a/T)/(2π*n)*exp(j*n*ω0*t)
で表すことができる。ここで、exp(j*n*ω0*t)は周期を表しており、図5の第1のクロックBPFCLK1と第2のクロックBPFCLK2の周期は同じであるので、図5の上段の波形と図5の下段の波形の比較に際して、この項を計算する必要はない。
The signal waveform shown in FIG.
=
Can be expressed as Here, exp (j * n * ω 0 * t) represents a cycle, and the cycle of the first clock BPFCLK1 and the second clock BPFCLK2 in FIG. 5 is the same. It is not necessary to calculate this term when comparing the lower waveform of FIG.
ここで、図5の上段に示される波形について、
T=500ns(周波数が2MHzである場合)
a=T/2/2=500/2/2
n=1(周波数が2MHzの場合)
とすると、
2*sin(2π*n*a/T)
=2*sin(2π*1*(500/2/2)/500)
=2*sin(π/2)
=2
となる。
Here, regarding the waveform shown in the upper part of FIG.
T = 500 ns (when the frequency is 2 MHz)
a = T / 2/2 = 500/2/2
n = 1 (when the frequency is 2 MHz)
Then,
2 * sin (2π * n * a / T)
= 2 * sin (2π * 1 * (500/2/2) / 500)
= 2 * sin (π / 2)
= 2
It becomes.
また、図5の下段に示される波形について、
T=500ns(周波数が2MHzの場合)
a=20/2(20nsのずれの場合)
n=1(周波数が2MHzの場合)
とすると、
2*sin(2π*n*a/T)
=2*sin(2π*1*(20/2)/500)
=0.125
となる。
In addition, regarding the waveform shown in the lower part of FIG.
T = 500ns (when the frequency is 2MHz)
a = 20/2 (in the case of 20 ns deviation)
n = 1 (when the frequency is 2 MHz)
Then,
2 * sin (2π * n * a / T)
= 2 * sin (2π * 1 * (20/2) / 500)
= 0.125
It becomes.
よって、第2のクロックBPFCLK2を入力しない場合の雑音と、第2のクロックBPFCLK2を入力した場合の雑音とは、2MHz成分について、1:0.125となり、第2のクロックBPFCLK2を入力した場合に雑音レベルが低減されたことがわかる。 Therefore, the noise when the second clock BPFCLK2 is not input and the noise when the second clock BPFCLK2 is input are 1: 0.125 with respect to the 2 MHz component, and when the second clock BPFCLK2 is input. It can be seen that the noise level has been reduced.
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る半導体集積回路装置4及びFM多重データ処理装置1によれば、第1の電極パッド11に入力される第1のクロックBPFCLK1により集積回路ブロック15,17,19,20において発生するノイズと、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持ち、第2の電極パッド12に入力される第2のクロックBPFCLK2により集積回路ブロック15,17,19,20において発生するノイズとが、互いに打ち消し合うので、集積回路ブロックから出力されるデジタル信号BPFOのノイズを低減することができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit device 4 and the FM multiple
また、本発明の実施の形態に係るFM多重データ処理装置1によれば、出力されるデジタル信号のノイズを低減できるので、FM信号の受信感度(受信範囲)が向上させることができる。
Further, according to the FM multiplex
さらに、本発明の実施の形態に係るFM多重データ処理装置1を用いたFM多重放送受信機によれば、ノイズを低減できるので、VICS用基板(図示せず)上に搭載されたFMチューナ3の近傍にアナログフィルタIC4を配置することが可能になり、VICS用基板上のICの配置の自由度が向上するという利点がある。さらにまた、FMチューナ用IC(FMチューナ3)とアナログフィルタIC4とを1つのICとすることが可能になるという利点もある。
Furthermore, according to the FM multiplex broadcast receiver using the FM multiplex
なお、上記説明においては、半導体集積回路装置がアナログフィルタIC4である場合を説明したが、本発明は、外部からクロックが入力される他のICにも適用できる。また、本発明は、FM多重データ処理装置1以外の信号処理装置にも適用できる。
In the above description, the case where the semiconductor integrated circuit device is the analog filter IC 4 has been described. However, the present invention can also be applied to other ICs to which a clock is input from the outside. The present invention can also be applied to signal processing apparatuses other than the FM multiplex
1 FM多重データ処理装置、 2 FMアンテナ、 3 FMチューナ、 4 アナログフィルタIC、 5 VICSロジックIC、 6 マイクロコントローラ(マイコン)、 7 第1のクロック用配線、 8 第2のクロック用配線、 10 ICチップ(半導体集積回路素子)、 10a 半導体基板、 11 第1のクロックが入力される第1の電極パッド、 11a 第1のボンディングワイヤ、 12 第2のクロックが入力される第2の電極パッド、 12a 第2のボンディングワイヤ、 13,14,22 電極パッド、 15 ローパスフィルタ(LPF)、 16,18,21 増幅回路(Amp)、 17 バンドパスフィルタ(BPF)、 19 遅延検波回路(1/T)、 20 ローパスフィルタ(LPF)、 23,24 配線ライン、 61 第1のリード端子、 62 第2のリード端子、 BPFCLK1 第1のクロック、 BPFCLK2 第2のクロック、 BPFO デジタル信号。
DESCRIPTION OF
Claims (20)
前記半導体基板上に形成された複数の集積回路ブロックと、
前記半導体基板上に備えられ、第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、
前記半導体基板上に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、
前記半導体基板上の前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接続であり、前記第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックが入力される第2の電極パッドと
を有し、
前記複数の集積回路ブロックの一つが、バンドパスフィルタ機能を持つ第1の集積回路ブロックである
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 A semiconductor substrate;
A plurality of integrated circuit blocks formed on the semiconductor substrate;
A first electrode pad provided on the semiconductor substrate and receiving a first clock;
A wiring line provided on the semiconductor substrate and connecting the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad;
The first electrode pad on the semiconductor substrate is provided adjacent to the first electrode pad, is not connected to the plurality of integrated circuit blocks, has the same frequency as the first clock, and has a period in which the polarity is reversed. A second electrode pad to which two clocks are input,
One of the plurality of integrated circuit blocks is a first integrated circuit block having a bandpass filter function. A semiconductor integrated circuit device, wherein:
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein another one of the plurality of integrated circuit blocks is a second integrated circuit block having a delay detection function.
前記第1のリード端子と前記第1の電極パッドとを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
第2のリード端子と、
前記第2のリード端子と前記第2の電極パッドとを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと
を有し、
前記第1のクロックが前記第1のリード端子及び前記第1のボンディングワイヤを経由して前記第1の電極パッドに入力され、
前記第2のクロックが前記第2のリード端子及び前記第2のボンディングワイヤを経由して前記第2の電極パッドに入力される
ことを特徴とする請求項1から4までのいずれかに記載の半導体集積回路装置。 A first lead terminal;
A first bonding wire for electrically connecting the first lead terminal and the first electrode pad;
A second lead terminal;
A second bonding wire for electrically connecting the second lead terminal and the second electrode pad;
The first clock is input to the first electrode pad via the first lead terminal and the first bonding wire;
5. The device according to claim 1, wherein the second clock is input to the second electrode pad through the second lead terminal and the second bonding wire. 6. Semiconductor integrated circuit device.
前記第1のクロック及び前記第2のクロックを出力する第2の半導体集積回路装置と、
前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第1のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第1のリード端子に供給するための第1のクロック用配線と、
前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第2のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第2のリード端子に供給するための第2のクロック用配線と
を有することを特徴とする信号処理装置。 A first semiconductor integrated circuit device having the same configuration as the semiconductor integrated circuit device according to claim 5;
A second semiconductor integrated circuit device for outputting the first clock and the second clock;
A first clock wiring for supplying the first clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the first lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device;
And a second clock wiring for supplying the second clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the second lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device. A signal processing device.
複数の集積回路ブロックを有するアナログフィルタ回路と、前記第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接触であり、前記第2のクロックが入力される第2の電極パッドとを有し、前記第1の半導体集積回路装置の近傍に配置された第2の半導体集積回路装置と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。 A first semiconductor integrated circuit device that generates a first clock and a second clock having the same frequency as the first clock and having a period in which the polarity is reversed;
An analog filter circuit having a plurality of integrated circuit blocks; a first electrode pad to which the first clock is input; a wiring line connecting the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad; A second electrode pad provided adjacent to the first electrode pad, in contact with the plurality of integrated circuit blocks, to which the second clock is input, and the first semiconductor integrated circuit; A second semiconductor integrated circuit device disposed in the vicinity of the circuit device;
A semiconductor module comprising:
を特徴とする請求項7に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 7, wherein the analog filter circuit extracts digital data from an FM baseband signal including multiplexed data.
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 7, wherein the first semiconductor integrated circuit device includes a decoding circuit that performs a decoding process on the digital data extracted by the analog filter circuit.
第1のリード端子と、
前記第1のリード端子と前記第1の電極パッドとを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
第2のリード端子と、
前記第2のリード端子と前記第2の電極パッドとを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと
を有し、
前記第1のクロックが前記第1のリード端子及び前記第1のボンディングワイヤを経由して前記第1の電極パッドに入力され、
前記第2のクロックが前記第2のリード端子及び前記第2のボンディングワイヤを経由して前記第2の電極パッドに入力される
ことを特徴とする請求項7から9までのいずれかに記載の半導体モジュール。 The second semiconductor integrated circuit device comprises:
A first lead terminal;
A first bonding wire for electrically connecting the first lead terminal and the first electrode pad;
A second lead terminal;
A second bonding wire for electrically connecting the second lead terminal and the second electrode pad;
The first clock is input to the first electrode pad via the first lead terminal and the first bonding wire;
The said 2nd clock is input into the said 2nd electrode pad via the said 2nd lead terminal and the said 2nd bonding wire. The any one of Claim 7 to 9 characterized by the above-mentioned. Semiconductor module.
前記第1の半導体集積回路装置から出力された前記第2のクロックを前記第2の半導体集積回路装置の前記第2のリード端子に供給するための第2のクロック用配線と
を有する
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体モジュール。 A first clock wiring for supplying the first clock output from the first semiconductor integrated circuit device to the first lead terminal of the second semiconductor integrated circuit device;
And a second clock wiring for supplying the second clock output from the first semiconductor integrated circuit device to the second lead terminal of the second semiconductor integrated circuit device. The semiconductor module according to claim 10.
を特徴とする請求項7から13までのいずれかに記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to any one of claims 7 to 13, wherein one of the plurality of integrated circuit blocks is a first integrated circuit block having a band-pass filter function.
ことを特徴とする請求項7から14までのいずれかに記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to any one of claims 7 to 14, wherein the other one of the plurality of integrated circuit blocks is a second integrated circuit block having a delay detection function.
ことを特徴とする請求項7から15までのいずれかに記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 7, further comprising an FM tuner in the vicinity of the second semiconductor integrated circuit device.
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 16, wherein an antenna is connected to the FM tuner.
ことを特徴とする請求項7から15までのいずれかに記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 7, wherein the second semiconductor integrated circuit device further includes an integrated circuit having an FM tuner function.
ことを特徴とする請求項18に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 18, wherein an antenna is connected to the integrated circuit having the FM tuner function.
ことを特徴とする請求項7から19までのいずれかに記載の半導体モジュール。 20. The semiconductor module according to claim 7, wherein a circuit formed in the second semiconductor integrated circuit device is not connected to the second electrode pad.
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