JP2010161378A - Semiconductor integrated circuit device, signal processing apparatus, and semiconductor module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit device, capable of reducing the effect due to clock noise, and to provide a signal processing apparatus with the semiconductor integrated circuit device mounted thereon, and to provide a semiconductor module. <P>SOLUTION: The semiconductor integrated circuit device 4 includes a semiconductor substrate 10a; integrated circuit blocks 17, 19 formed thereon; a first electrode pad 11, where a first clock BPFCLK1 is inputted through a first lead terminal 61 and a first bonding wire 11a; wiring lines 23, 24 that connect the integrated circuit blocks 17, 19 and the first electrode pad 11; and a second electrode pad 12 where a second clock BPFCLK2 is inputted that is provided, at a position adjacent to the first electrode pad 11 on the semiconductor substrate 10a, is not connected to the integrated circuit blocks 17, 19, and has identical frequency as in the first clock BPFCLK1, as well as, a period where polarity is reversed through a second lead terminal 62 and a second bonding wire 12a. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、VICS(VEHICLE INFORMATION AND COMMUNICATION SYSTEM:道路交通情報通信システム)FM多重放送受信機等において使用されるFM多重データ処理装置のような信号処理装置、及びこの装置に搭載される半導体集積回路装置に関するものであり、特に、アナログフィルタLSIのような半導体集積回路装置におけるクロックノイズの低減に関するものである。   The present invention relates to a signal processing device such as an FM multiplex data processing device used in, for example, a VICS (VEHICLE INFORMATION AND COMMUNICATION SYSTEM) FM multiplex broadcast receiver, and a semiconductor mounted on the device. The present invention relates to an integrated circuit device, and more particularly to reduction of clock noise in a semiconductor integrated circuit device such as an analog filter LSI.

図6は、VICS−FM多重データを復号する従来のFM多重放送受信機の構成を示す図である。図6に示されるFM多重データ処理装置31は、FMアンテナ2及びFMチューナ3により受信された多重データを含むFMベースバンド信号(FM多重信号)からVICSのデジタル信号BPFOを抽出するためのアナログフィルタIC34と、アナログフィルタIC34から出力されるデジタル信号BPFOを受信して復号化するVICSロジックIC35と、VICSロジックIC35からVICSのデータを取り出して処理するマイクロコントローラ(マイコン)36とから構成されている。なお、VICS−FM多重放送受信機は、例えば、特許文献1(特開平11−234153号公報)に開示されている。   FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional FM multiplex broadcast receiver that decodes VICS-FM multiplex data. An FM multiplex data processing device 31 shown in FIG. 6 extracts an analog filter for extracting a VICS digital signal BPFO from an FM baseband signal (FM multiplex signal) including multiplex data received by the FM antenna 2 and the FM tuner 3. The IC 34 includes a VICS logic IC 35 that receives and decodes the digital signal BPFO output from the analog filter IC 34, and a microcontroller (microcomputer) 36 that extracts and processes the VICS data from the VICS logic IC 35. A VICS-FM multiplex broadcast receiver is disclosed in, for example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 11-234153).

図7は、図6のアナログフィルタIC34の構成を示す図である。図7に示されるように、アナログフィルタIC34は、半導体集積回路素子(ICチップ)40と、複数のリード端子(信号BPFCLK,AIN,SG,BPFOが入力又は出力される。)と、これらリード端子とICチップ40の電極パッド41,43,44,52とを接続するボンディングワイヤ41a,43a,44a,52aとを有している。アナログフィルタIC34の電極パッド41には、VICSロジックIC35からの単相クロック(例えば、2MHz)が供給される。ICチップ40は、半導体基板上に形成された各種の集積回路ブロック、例えば、ローパスフィルタ(LPF)45と、増幅回路(Amp)46と、スイッチドキャパシタ(SC)フィルタによって構成されたバンドパスフィルタ(BPF)47と、増幅回路(Amp)48と、遅延検波回路(1/T)49と、ローパスフィルタ(LPF)50と、増幅回路(Amp)51とを有している。ローパスフィルタ45、増幅回路46、バンドパスフィルタ47、及び増幅回路48は、FM多重信号AINから、例えば、76kHz±4kHzのLMSK(Level controlled Minimum Shift Keying)変調されたデジタル信号を取り出すためのフィルタ部としての機能を持つ。遅延検波回路49、ローパスフィルタ50、及び増幅回路51は、上記LMSK変調されたデジタル信号から、例えば、16kbit/sのデジタル信号BPFOを再生する遅延検波部として機能する。   FIG. 7 is a diagram showing a configuration of the analog filter IC 34 of FIG. As shown in FIG. 7, the analog filter IC 34 includes a semiconductor integrated circuit element (IC chip) 40, a plurality of lead terminals (signals BPFCLK, AIN, SG, and BPFO are input or output), and these lead terminals. And bonding wires 41a, 43a, 44a, and 52a for connecting the electrode pads 41, 43, 44, and 52 of the IC chip 40 to each other. A single-phase clock (for example, 2 MHz) from the VICS logic IC 35 is supplied to the electrode pad 41 of the analog filter IC 34. The IC chip 40 includes various integrated circuit blocks formed on a semiconductor substrate, such as a low-pass filter (LPF) 45, an amplifier circuit (Amp) 46, and a band-pass filter constituted by a switched capacitor (SC) filter. (BPF) 47, amplification circuit (Amp) 48, delay detection circuit (1 / T) 49, low-pass filter (LPF) 50, and amplification circuit (Amp) 51. The low-pass filter 45, the amplifier circuit 46, the band-pass filter 47, and the amplifier circuit 48 are filter units for extracting, for example, a 76 kHz ± 4 kHz LMSK (Level Controlled Minimum Shift Keying) digital signal from the FM multiplexed signal AIN. As a function. The delay detection circuit 49, the low-pass filter 50, and the amplification circuit 51 function as a delay detection unit that reproduces, for example, a 16 kbit / s digital signal BPFO from the LMSK-modulated digital signal.

特開平11−234153号公報(図1、段落0017−0019)Japanese Patent Laid-Open No. 11-234153 (FIG. 1, paragraphs 0017-0019) 特開2001−125744号公報(段落0013)JP 2001-125744 A (paragraph 0013) 特開2000−269793号公報(段落0030)JP 2000-269793 A (paragraph 0030)

しかしながら、VICSロジックIC35から供給される単相クロックBPFCLKが入力されるアナログフィルタIC34においては、ICチップ40の電極パッド41と各集積回路ブロック45,47,49,50との間の寄生容量(図8に符号Cp1,Cp2,Cp3,Cp4により示す。)により発生するノイズが、ローパスフィルタ45,50やバンドパスフィルタ47の動作特性に悪影響を与えていた。特に、一時的にフローティング状態が生じるキャパシタであって、相対的に容量値が小さいキャパシタを備えた回路の特性には大きな影響を与えるという問題があった。なお、ノイズ信号の影響の低減に関しては、例えば、特許文献2(特開2001−125744号公報)に開示があり、浮遊容量に関しては、例えば、特許文献3(特開2000−269793号公報)に開示がある。   However, in the analog filter IC 34 to which the single-phase clock BPFCLK supplied from the VICS logic IC 35 is input, the parasitic capacitance between the electrode pad 41 of the IC chip 40 and each of the integrated circuit blocks 45, 47, 49, 50 (see FIG. 8 is represented by reference numerals Cp1, Cp2, Cp3, and Cp4.), The operating characteristics of the low-pass filters 45 and 50 and the band-pass filter 47 are adversely affected. In particular, there is a problem in that the characteristics of a circuit having a capacitor that is temporarily in a floating state and that has a capacitor having a relatively small capacitance value has a great influence. For example, Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-125744) discloses a reduction in the influence of a noise signal, and Patent Document 3 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-269793) discloses a stray capacitance. There is disclosure.

そこで、本発明は、上記したような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、クロックノイズの影響を低減することができる半導体集積回路装置、信号処理装置、及び半導体モジュールを提供することにある。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device, a signal processing device, and a semiconductor capable of reducing the influence of clock noise. To provide a module.

本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の集積回路ブロックと、前記半導体基板上に備えられ、第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、前記半導体基板上に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、前記半導体基板上の前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接続であり、前記第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックが入力される第2の電極パッドとを有し、前記複数の集積回路ブロックの一つが、バンドパスフィルタ機能を持つ第1の集積回路ブロックであることを特徴とするものである。   A semiconductor integrated circuit device according to the present invention includes a semiconductor substrate, a plurality of integrated circuit blocks formed on the semiconductor substrate, a first electrode pad provided on the semiconductor substrate and to which a first clock is input. A wiring line that is provided on the semiconductor substrate and connects the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad; and a position adjacent to the first electrode pad on the semiconductor substrate; A second electrode pad that is not connected to a plurality of integrated circuit blocks and that receives a second clock having the same frequency as the first clock and having a period in which the polarity is reversed. One of the integrated circuit blocks is a first integrated circuit block having a band-pass filter function.

また、本発明の信号処理装置は、上記半導体集積回路装置と同じ構成を有する第1の半導体集積回路装置と、前記第1のクロック及び前記第2のクロックを出力する第2の半導体集積回路装置と、前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第1のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第1のリード端子に供給するための第1のクロック用配線と、前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第2のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第2のリード端子に供給するための第2のクロック用配線とを有するものである。   The signal processing apparatus according to the present invention includes a first semiconductor integrated circuit device having the same configuration as the semiconductor integrated circuit device, and a second semiconductor integrated circuit device that outputs the first clock and the second clock. A first clock wiring for supplying the first clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the first lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device; And a second clock wiring for supplying the second clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the second lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device.

さらに、本発明の半導体モジュールは、第1のクロック及び該第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を有する第2のクロックを生成する第1の半導体集積回路装置と、複数の集積回路ブロックを有するアナログフィルタ回路と、前記第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接触であり、前記第2のクロックが入力される第2の電極パッドと、前記アナログフィルタ回路と前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、を有し、前記第1の半導体集積回路装置の近傍に配置された第2の半導体集積回路装置と、を備えたことを特徴とするものである。   Further, the semiconductor module of the present invention includes a first semiconductor integrated circuit device that generates a first clock and a second clock having the same frequency as the first clock and having a period in which the polarity is reversed, An analog filter circuit having an integrated circuit block; a first electrode pad to which the first clock is input; a wiring line connecting the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad; A second electrode pad that is provided in a position adjacent to the plurality of electrode pads, is in non-contact with the plurality of integrated circuit blocks, and receives the second clock; the analog filter circuit; and the first electrode pad And a second semiconductor integrated circuit device arranged in the vicinity of the first semiconductor integrated circuit device. It is.

本発明の半導体集積回路装置、演算処理装置、及び半導体モジュールによれば、第1の電極パッドに入力される第1のクロックにより集積回路ブロックにおいて発生するノイズと、第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持ち、第2の電極パッドに入力される第2のクロックにより集積回路ブロックにおいて発生するノイズとが、互いに打ち消し合うので、集積回路ブロックから出力されるデジタル信号のノイズを低減することができるという効果を得ることができる。   According to the semiconductor integrated circuit device, the arithmetic processing unit, and the semiconductor module of the present invention, the noise generated in the integrated circuit block by the first clock input to the first electrode pad and the same frequency as the first clock are generated. The noise generated in the integrated circuit block due to the second clock input to the second electrode pad cancels each other, and has a period in which the polarity is reversed, so that the noise of the digital signal output from the integrated circuit block The effect that can be reduced can be obtained.

また、本発明の半導体モジュールによれば、出力されるデジタル信号のノイズを低減できるので、FM信号の受信感度(受信範囲)を向上させることができるという効果を得ることができる。   Further, according to the semiconductor module of the present invention, noise of the output digital signal can be reduced, so that an effect of improving the reception sensitivity (reception range) of the FM signal can be obtained.

本発明の実施の形態に係るFM多重放送受信機の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the FM multiplex broadcast receiver which concerns on embodiment of this invention. 図1のアナログフィルタICの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the analog filter IC of FIG. 図1のアナログフィルタICのレイアウトの一部を概略的に示す図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing a part of the layout of the analog filter IC of FIG. 1. 図2のアナログフィルタICの寄生容量の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of parasitic capacitance of the analog filter IC of FIG. 2. クロックノイズの影響低減を説明するための波形図である。It is a wave form diagram for demonstrating the influence reduction of a clock noise. 従来のFM多重放送受信機の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional FM multiplex broadcast receiver. 図6のアナログフィルタICの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the analog filter IC of FIG. 図7のアナログフィルタICの寄生容量の説明図である。It is explanatory drawing of the parasitic capacitance of the analog filter IC of FIG.

図1は、VICS−FM多重データを復号する本発明の実施の形態に係るFM放送受信機の構成を示す図である。図1に示されるFM多重データ処理装置1は、FMアンテナ2及びFMチューナ3により受信された多重データを含むFMベースバンド信号(FM多重信号)AINからVICSのデジタル信号を抽出するためのアナログフィルタIC4と、アナログフィルタIC4から出力されるデジタル信号BPFOを受信して復号化するVICSロジックIC5と、VICSロジックIC5からVICSのデータを取り出して処理するマイクロコントローラ(マイコン)6とから構成される。なお、図1において、符号7は、VICSロジックIC5から出力された第1のクロックBPFCLK1をアナログフィルタIC4の第1のリード端子(図2及び図3における符号61)に供給するための第1のクロック用配線であり、符号8は、VICSロジックIC5から出力された第2のクロックBPFCLK2をアナログフィルタIC4の第2のリード端子(図2及び図3における符号62)に供給するための第2のクロック用配線である。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an FM broadcast receiver according to an embodiment of the present invention that decodes VICS-FM multiplexed data. An FM multiplex data processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is an analog filter for extracting a VICS digital signal from an FM baseband signal (FM multiplex signal) AIN including multiplex data received by an FM antenna 2 and an FM tuner 3. IC 4, VICS logic IC 5 that receives and decodes digital signal BPFO output from analog filter IC 4, and microcontroller (microcomputer) 6 that extracts and processes VICS data from VICS logic IC 5. In FIG. 1, reference numeral 7 denotes a first clock for supplying the first clock BPFCLK1 output from the VICS logic IC5 to the first lead terminal (reference numeral 61 in FIGS. 2 and 3) of the analog filter IC4. Reference numeral 8 denotes a second wiring for supplying the second clock BPFCLK2 output from the VICS logic IC5 to the second lead terminal (reference numeral 62 in FIGS. 2 and 3) of the analog filter IC4. This is a clock wiring.

図2は、図1のアナログフィルタIC4の構成を示す図である。図2に示されるように、アナログフィルタIC4は、半導体集積回路素子(ICチップ)10と、複数のリード端子61〜65と、これらリード端子61〜65とICチップ10の電極パッド11,12,13,14,22とを接続するボンディングワイヤ11a,12a,13a,14a,22aとを有している。アナログフィルタIC4には、VICSロジックIC5からの第1のクロックBPFCLK1(例えば、2MHz)、及び、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックBPFCLK2が入力される。第2のクロックBPFCLK2は、通常は、第1のクロックBPFCLK1の反転信号である。   FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the analog filter IC 4 of FIG. As shown in FIG. 2, the analog filter IC 4 includes a semiconductor integrated circuit element (IC chip) 10, a plurality of lead terminals 61 to 65, these lead terminals 61 to 65, and electrode pads 11, 12, IC chip 10. Bonding wires 11a, 12a, 13a, 14a, and 22a for connecting 13, 14, and 22 are provided. The analog filter IC4 receives the first clock BPFCLK1 (for example, 2 MHz) from the VICS logic IC5 and the second clock BPFCLK2 having the same frequency as the first clock BPFCLK1 and having a period in which the polarity is reversed. The The second clock BPFCLK2 is normally an inverted signal of the first clock BPFCLK1.

図1及び図2のアナログフィルタIC4において、AINは、リード端子63から入力されるFM多重信号を示し、SGは、雑音防止用のコンデンサ66をグランド間に接続したリード端子64におけるアナログ基準電圧を示す。また、図1及び図2のアナログフィルタIC4において、BPFCLK1は、第1のリード端子61に入力される第1のクロックを示し、BPFCLK2は、第2のリード端子62に入力される第2のクロックを示し、BPFOは、リード端子65から出力されるデジタル信号を示す。   In the analog filter IC4 of FIGS. 1 and 2, AIN indicates an FM multiplexed signal input from the lead terminal 63, and SG indicates an analog reference voltage at the lead terminal 64 in which a noise preventing capacitor 66 is connected between the grounds. Show. 1 and FIG. 2, BPFCLK1 indicates a first clock input to the first lead terminal 61, and BPFCLK2 indicates a second clock input to the second lead terminal 62. BPFO represents a digital signal output from the lead terminal 65.

図1のVICSロジックIC5において、BPFCLK1は、VICSロジックIC5から出力される第1のクロックを示し、BPFCLK2は、VICSロジックIC5から出力される第2のクロックを示し、BPFOは、VICSロジックIC5に入力されるデジタル信号を示す。また、図1のVICSロジックIC5及びマイコン6において、Addrは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのアドレス信号を示し、Dataは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのデータバス信号を示す。また、図1のVICSロジックIC5及びマイコン6において、WRNは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのライト信号を示し、RDNは、VICSロジックIC5内の内部レジスタ(図示せず)へのリード信号を示し、INTNは、マイコン6への割り込み信号を示す。   In the VICS logic IC 5 of FIG. 1, BPFCLK1 indicates a first clock output from the VICS logic IC5, BPFCLK2 indicates a second clock output from the VICS logic IC5, and BPFO is input to the VICS logic IC5. The digital signal to be displayed. Further, in the VICS logic IC 5 and the microcomputer 6 in FIG. 1, Addr indicates an address signal to an internal register (not shown) in the VICS logic IC 5, and Data indicates an internal register (not shown) in the VICS logic IC 5. Data bus signals to are shown. In the VICS logic IC 5 and the microcomputer 6 of FIG. 1, WRN indicates a write signal to an internal register (not shown) in the VICS logic IC 5, and RDN is an internal register (not shown) in the VICS logic IC 5. The INTN indicates an interrupt signal to the microcomputer 6.

ICチップ10は、半導体基板上に形成された各種の集積回路ブロック、例えば、ローパスフィルタ(LPF)15、増幅回路(Amp)16、スイッチドキャパシタ(SC)フィルタによって構成されたバンドパスフィルタ(BPF)17、増幅回路(Amp)18、遅延検波回路(1/T)19、ローパスフィルタ(LPF)20、及び増幅回路(Amp)21を有している。第1のクロックBPFCLK1は、配線ライン23,24によってバンドパスフィルタ17、遅延検波回路19に供給される。ローパスフィルタ15、増幅回路16、バンドパスフィルタ17、及び増幅回路18は、FM多重信号AINから、例えば、76kHz±4kHzのLMSK変調されたデジタル信号を取り出すためのフィルタ部としての機能を持つ。遅延検波回路19、ローパスフィルタ20、及び増幅回路21は、上記LMSK変調されたデジタル信号から、例えば、16kbit/sのデジタル信号BPFOを再生する遅延検波部として機能する。   The IC chip 10 includes various integrated circuit blocks formed on a semiconductor substrate, such as a low-pass filter (LPF) 15, an amplifier circuit (Amp) 16, and a band-pass filter (BPF) configured by a switched capacitor (SC) filter. ) 17, an amplifier circuit (Amp) 18, a delay detection circuit (1 / T) 19, a low-pass filter (LPF) 20, and an amplifier circuit (Amp) 21. The first clock BPFCLK 1 is supplied to the band pass filter 17 and the delay detection circuit 19 through the wiring lines 23 and 24. The low-pass filter 15, the amplifier circuit 16, the band-pass filter 17, and the amplifier circuit 18 have a function as a filter unit for extracting, for example, a 76 kHz ± 4 kHz LMSK-modulated digital signal from the FM multiplexed signal AIN. The delay detection circuit 19, the low-pass filter 20, and the amplification circuit 21 function as a delay detection unit that reproduces, for example, a 16 kbit / s digital signal BPFO from the LMSK-modulated digital signal.

図3は、図1のアナログフィルタIC4の一部のレイアウトを概略的に示す図である。図3に示されるように、半導体集積回路装置4は、半導体基板10aと、半導体基板10a上に形成された集積回路ブロック17(又は19)と、第1のリード端子61及び第1のボンディングワイヤ11aを通して第1のクロックBPFCLK1が入力される第1の電極パッド11と、集積回路ブロック17(又は19)と第1の電極パッド11とを接続する配線ライン23(又は24)と、半導体基板10a上の第1の電極パッド11と隣り合う位置に備えられ、集積回路ブロック17及び19と非接続であり、第2のリード端子62及び第2のボンディングワイヤ12aを通して、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックBPFCLK2が入力される第2の電極パッド12とを有する。また、第1のリード端子61の内側部分、第2のリード端子62の内側部分、第1のボンディングワイヤ11a、第2のボンディングワイヤ12a、半導体基板10a、及び半導体基板10a上の構成(第1の電極パッド11、第2の電極パッド12、配線ライン23,24、集積回路ブロック17,19など)は、封止樹脂によってパッケージングされている。さらに、集積回路ブロック17(又は19)から第1の電極パッド11までの距離と第2の電極パッド12までの距離とは、ほぼ等しいことが望ましい。なお、第1のリード端子61と第2のリード端子62との間隔は、パッケージの端子ピッチ(端子の間隔)で決まっており、一般的には、0.3mm〜1.3mmの範囲内である。また、第1の電極パッド11と第2の電極パッド12の間隔は、一般的には、40μm〜1.3mmの範囲内である。また、LSIでは、基本的にパッドの形状は、四角形をしています。また、第1の電極パッド11及び第2の電極パッド12はそれぞれ、一般的には、100平方μm程度の四角形である。さらにまた、アナログフィルタIC4のレイアウトは、図3の例に限定されず、種々の変形が可能である。   FIG. 3 is a diagram schematically showing a layout of a part of the analog filter IC4 of FIG. As shown in FIG. 3, the semiconductor integrated circuit device 4 includes a semiconductor substrate 10a, an integrated circuit block 17 (or 19) formed on the semiconductor substrate 10a, a first lead terminal 61, and a first bonding wire. The first electrode pad 11 to which the first clock BPFCLK1 is input through 11a, the wiring line 23 (or 24) connecting the integrated circuit block 17 (or 19) and the first electrode pad 11, and the semiconductor substrate 10a It is provided at a position adjacent to the upper first electrode pad 11, is not connected to the integrated circuit blocks 17 and 19, and is the same as the first clock BPFCLK1 through the second lead terminal 62 and the second bonding wire 12a. A second electrode pad 12 to which a second clock BPFCLK2 having a frequency and a polarity reversal period is input. To. The first lead terminal 61, the second lead terminal 62, the first bonding wire 11a, the second bonding wire 12a, the semiconductor substrate 10a, and the configuration on the semiconductor substrate 10a (first The electrode pad 11, the second electrode pad 12, the wiring lines 23 and 24, the integrated circuit blocks 17 and 19) are packaged with a sealing resin. Further, it is desirable that the distance from the integrated circuit block 17 (or 19) to the first electrode pad 11 and the distance to the second electrode pad 12 are substantially equal. The interval between the first lead terminal 61 and the second lead terminal 62 is determined by the package terminal pitch (terminal interval), and is generally within a range of 0.3 mm to 1.3 mm. is there. Further, the distance between the first electrode pad 11 and the second electrode pad 12 is generally in the range of 40 μm to 1.3 mm. In LSI, the pad shape is basically a square. Each of the first electrode pad 11 and the second electrode pad 12 is generally a quadrangle of about 100 square μm. Furthermore, the layout of the analog filter IC4 is not limited to the example of FIG. 3, and various modifications are possible.

図4は、図2のアナログフィルタICの寄生容量の説明図である。VICSロジックIC5から供給される第1のクロックBPFCLK1が入力されるアナログフィルタIC4においては、ICチップ10の電極パッド11と各集積回路ブロック15,17,19,20との間の寄生容量(図4に符号Cp1,Cp2,Cp3,Cp4により示す。)により発生するノイズが、ローパスフィルタ15,20やバンドパスフィルタ17の動作特性に悪影響を与えていた。特に、一時的にフローティング状態が生じるキャパシタであって、相対的に容量値が小さいキャパシタを備えた回路には大きな影響を与えていた。そこで、本発明においては、半導体基板10a上の第1の電極パッド11と隣り合う位置に備えられ、集積回路ブロックと非接続であり、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックBPFCLK2が入力される第2の電極パッド12を備えている。そして、第2の電極パッド12には、VICSロジックIC5から第2のリード端子62及び第2のボンディングワイヤ12aを介して第2のクロックBPFCLK2が入力されている。第2のクロックBPFCLK2が入力されるアナログフィルタIC4においては、ICチップ10の第2の電極パッド12と各集積回路ブロック15,17,19,20との間の寄生容量(図4に符号Cn1,Cn2,Cn3,Cn4により示す。)によりノイズが発生する。本発明においては、第1の電極パッド11に入力される第1のクロックBPFCLK1により集積回路ブロックにおいて発生するノイズと、第2のクロックBPFCLK2により集積回路ブロックにおいて発生するノイズとが加算され、互いに打ち消し合うので、集積回路ブロックから出力されるデジタル信号BPFOのノイズを低減することができる。   FIG. 4 is an explanatory diagram of the parasitic capacitance of the analog filter IC of FIG. In the analog filter IC4 to which the first clock BPFCLK1 supplied from the VICS logic IC5 is input, the parasitic capacitance between the electrode pad 11 of the IC chip 10 and each integrated circuit block 15, 17, 19, 20 (FIG. 4). The noise generated by the symbols Cp1, Cp2, Cp3, and Cp4) adversely affects the operating characteristics of the low-pass filters 15 and 20 and the band-pass filter 17. In particular, a circuit that temporarily has a floating state and has a capacitor having a relatively small capacitance value has a great influence. Therefore, in the present invention, it is provided at a position adjacent to the first electrode pad 11 on the semiconductor substrate 10a, is not connected to the integrated circuit block, has the same frequency as the first clock BPFCLK1, and the polarity is reversed. A second electrode pad 12 to which a second clock BPFCLK2 having a period is input is provided. The second electrode pad 12 receives the second clock BPFCLK2 from the VICS logic IC 5 through the second lead terminal 62 and the second bonding wire 12a. In the analog filter IC4 to which the second clock BPFCLK2 is input, the parasitic capacitance between the second electrode pad 12 of the IC chip 10 and each of the integrated circuit blocks 15, 17, 19, 20 (references Cn1, Cn2, Cn3, and Cn4) generate noise. In the present invention, the noise generated in the integrated circuit block by the first clock BPFCLK1 input to the first electrode pad 11 and the noise generated in the integrated circuit block by the second clock BPFCLK2 are added and cancel each other. Therefore, the noise of the digital signal BPFO output from the integrated circuit block can be reduced.

図5は、クロックノイズの影響低減を説明するための波形図である。図5の上段に示される波形は、周期Tの第1のクロックBPFCLK1(又は第1のクロックBPFCLK1により発生するノイズ波形)であり、図5の中段に示される波形は、周期Tの第2のクロックBPFCLK2(又は第2のクロックBPFCLK2により発生するノイズ波形)である。また、図5の下段に示される波形は、図5の上段に示される第1のクロックBPFCLK1によるノイズと、図5の中段に示される第2のクロックBPFCLK2によるノイズとが加算して、互いに打ち消し合う結果生じる、雑音モデルの波形である。また、図5において、Twは、第1のクロックBPFCLK1の立ち上がりから第2のクロックBPFCLK2の立ち下がりまでの遅延時間である。この遅延時間Twは、第1のクロックBPFCLK1を反転回路で反転させて第2のクロックBPFCLK2を生成する際に生じる遅延時間である。   FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the reduction of the influence of clock noise. The waveform shown in the upper part of FIG. 5 is the first clock BPFCLK1 having a period T (or a noise waveform generated by the first clock BPFCLK1), and the waveform shown in the middle part of FIG. This is a clock BPFCLK2 (or a noise waveform generated by the second clock BPFCLK2). The waveform shown in the lower part of FIG. 5 cancels each other by adding the noise caused by the first clock BPFCLK1 shown in the upper part of FIG. 5 and the noise caused by the second clock BPFCLK2 shown in the middle part of FIG. This is the noise model waveform that results from the fitting. In FIG. 5, Tw is a delay time from the rise of the first clock BPFCLK1 to the fall of the second clock BPFCLK2. The delay time Tw is a delay time that occurs when the first clock BPFCLK1 is inverted by the inverting circuit to generate the second clock BPFCLK2.

図5に示される信号波形は次式
F(t)
=Σ 2*sin(2π*n*a/T)/(2π*n)*exp(j*n*ω*t)
で表すことができる。ここで、exp(j*n*ω*t)は周期を表しており、図5の第1のクロックBPFCLK1と第2のクロックBPFCLK2の周期は同じであるので、図5の上段の波形と図5の下段の波形の比較に際して、この項を計算する必要はない。
The signal waveform shown in FIG.
= Σ 2 * sin (2π * n * a / T) / (2π * n) * exp (j * n * ω 0 * t)
Can be expressed as Here, exp (j * n * ω 0 * t) represents a cycle, and the cycle of the first clock BPFCLK1 and the second clock BPFCLK2 in FIG. 5 is the same. It is not necessary to calculate this term when comparing the lower waveform of FIG.

ここで、図5の上段に示される波形について、
T=500ns(周波数が2MHzである場合)
a=T/2/2=500/2/2
n=1(周波数が2MHzの場合)
とすると、
2*sin(2π*n*a/T)
=2*sin(2π*1*(500/2/2)/500)
=2*sin(π/2)
=2
となる。
Here, regarding the waveform shown in the upper part of FIG.
T = 500 ns (when the frequency is 2 MHz)
a = T / 2/2 = 500/2/2
n = 1 (when the frequency is 2 MHz)
Then,
2 * sin (2π * n * a / T)
= 2 * sin (2π * 1 * (500/2/2) / 500)
= 2 * sin (π / 2)
= 2
It becomes.

また、図5の下段に示される波形について、
T=500ns(周波数が2MHzの場合)
a=20/2(20nsのずれの場合)
n=1(周波数が2MHzの場合)
とすると、
2*sin(2π*n*a/T)
=2*sin(2π*1*(20/2)/500)
=0.125
となる。
In addition, regarding the waveform shown in the lower part of FIG.
T = 500ns (when the frequency is 2MHz)
a = 20/2 (in the case of 20 ns deviation)
n = 1 (when the frequency is 2 MHz)
Then,
2 * sin (2π * n * a / T)
= 2 * sin (2π * 1 * (20/2) / 500)
= 0.125
It becomes.

よって、第2のクロックBPFCLK2を入力しない場合の雑音と、第2のクロックBPFCLK2を入力した場合の雑音とは、2MHz成分について、1:0.125となり、第2のクロックBPFCLK2を入力した場合に雑音レベルが低減されたことがわかる。   Therefore, the noise when the second clock BPFCLK2 is not input and the noise when the second clock BPFCLK2 is input are 1: 0.125 with respect to the 2 MHz component, and when the second clock BPFCLK2 is input. It can be seen that the noise level has been reduced.

以上説明したように、本発明の実施の形態に係る半導体集積回路装置4及びFM多重データ処理装置1によれば、第1の電極パッド11に入力される第1のクロックBPFCLK1により集積回路ブロック15,17,19,20において発生するノイズと、第1のクロックBPFCLK1と同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持ち、第2の電極パッド12に入力される第2のクロックBPFCLK2により集積回路ブロック15,17,19,20において発生するノイズとが、互いに打ち消し合うので、集積回路ブロックから出力されるデジタル信号BPFOのノイズを低減することができる。   As described above, according to the semiconductor integrated circuit device 4 and the FM multiple data processing device 1 according to the embodiment of the present invention, the integrated circuit block 15 is received by the first clock BPFCLK1 input to the first electrode pad 11. , 17, 19 and 20 and an integrated circuit block by the second clock BPFCLK2 having the same frequency as the first clock BPFCLK1 and having a period in which the polarity is reversed and inputted to the second electrode pad 12 Since the noises generated at 15, 17, 19, and 20 cancel each other, the noise of the digital signal BPFO output from the integrated circuit block can be reduced.

また、本発明の実施の形態に係るFM多重データ処理装置1によれば、出力されるデジタル信号のノイズを低減できるので、FM信号の受信感度(受信範囲)が向上させることができる。   Further, according to the FM multiplex data processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, the noise of the output digital signal can be reduced, so that the reception sensitivity (reception range) of the FM signal can be improved.

さらに、本発明の実施の形態に係るFM多重データ処理装置1を用いたFM多重放送受信機によれば、ノイズを低減できるので、VICS用基板(図示せず)上に搭載されたFMチューナ3の近傍にアナログフィルタIC4を配置することが可能になり、VICS用基板上のICの配置の自由度が向上するという利点がある。さらにまた、FMチューナ用IC(FMチューナ3)とアナログフィルタIC4とを1つのICとすることが可能になるという利点もある。   Furthermore, according to the FM multiplex broadcast receiver using the FM multiplex data processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, noise can be reduced, so that an FM tuner 3 mounted on a VICS board (not shown). It is possible to dispose the analog filter IC4 in the vicinity of, and there is an advantage that the degree of freedom of disposition of the IC on the VICS substrate is improved. Further, there is an advantage that the FM tuner IC (FM tuner 3) and the analog filter IC 4 can be integrated into one IC.

なお、上記説明においては、半導体集積回路装置がアナログフィルタIC4である場合を説明したが、本発明は、外部からクロックが入力される他のICにも適用できる。また、本発明は、FM多重データ処理装置1以外の信号処理装置にも適用できる。   In the above description, the case where the semiconductor integrated circuit device is the analog filter IC 4 has been described. However, the present invention can also be applied to other ICs to which a clock is input from the outside. The present invention can also be applied to signal processing apparatuses other than the FM multiplex data processing apparatus 1.

1 FM多重データ処理装置、 2 FMアンテナ、 3 FMチューナ、 4 アナログフィルタIC、 5 VICSロジックIC、 6 マイクロコントローラ(マイコン)、 7 第1のクロック用配線、 8 第2のクロック用配線、 10 ICチップ(半導体集積回路素子)、 10a 半導体基板、 11 第1のクロックが入力される第1の電極パッド、 11a 第1のボンディングワイヤ、 12 第2のクロックが入力される第2の電極パッド、 12a 第2のボンディングワイヤ、 13,14,22 電極パッド、 15 ローパスフィルタ(LPF)、 16,18,21 増幅回路(Amp)、 17 バンドパスフィルタ(BPF)、 19 遅延検波回路(1/T)、 20 ローパスフィルタ(LPF)、 23,24 配線ライン、 61 第1のリード端子、 62 第2のリード端子、 BPFCLK1 第1のクロック、 BPFCLK2 第2のクロック、 BPFO デジタル信号。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 FM multiplex data processing apparatus, 2 FM antenna, 3 FM tuner, 4 Analog filter IC, 5 VICS logic IC, 6 Microcontroller (microcomputer), 7 1st clock wiring, 8 2nd clock wiring, 10 IC A chip (semiconductor integrated circuit element), 10a a semiconductor substrate, 11 a first electrode pad to which a first clock is input, 11a a first bonding wire, 12 a second electrode pad to which a second clock is input, 12a Second bonding wire, 13, 14, 22 electrode pad, 15 low-pass filter (LPF), 16, 18, 21 amplifier circuit (Amp), 17 band-pass filter (BPF), 19 delay detection circuit (1 / T), 20 Low-pass filter (LPF), 23, 24 Wiring line IN, 61 first lead terminal, 62 second lead terminal, BPFCLK1 first clock, BPFCLK2 second clock, BPFO digital signal.

Claims (20)

半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された複数の集積回路ブロックと、
前記半導体基板上に備えられ、第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、
前記半導体基板上に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、
前記半導体基板上の前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接続であり、前記第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を持つ第2のクロックが入力される第2の電極パッドと
を有し、
前記複数の集積回路ブロックの一つが、バンドパスフィルタ機能を持つ第1の集積回路ブロックである
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
A semiconductor substrate;
A plurality of integrated circuit blocks formed on the semiconductor substrate;
A first electrode pad provided on the semiconductor substrate and receiving a first clock;
A wiring line provided on the semiconductor substrate and connecting the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad;
The first electrode pad on the semiconductor substrate is provided adjacent to the first electrode pad, is not connected to the plurality of integrated circuit blocks, has the same frequency as the first clock, and has a period in which the polarity is reversed. A second electrode pad to which two clocks are input,
One of the plurality of integrated circuit blocks is a first integrated circuit block having a bandpass filter function. A semiconductor integrated circuit device, wherein:
前記複数の集積回路ブロックの他の一つが、遅延検波機能を持つ第2の集積回路ブロックである
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein another one of the plurality of integrated circuit blocks is a second integrated circuit block having a delay detection function.
前記第2のクロックは、前記第1のクロックの反転信号であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。   The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the second clock is an inverted signal of the first clock. 前記集積回路ブロックから前記第1の電極パッドまでの距離と前記第2の電極パッドまでの距離とがほぼ等しいことを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の半導体集積回路装置。   4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein a distance from the integrated circuit block to the first electrode pad is substantially equal to a distance from the second electrode pad. 第1のリード端子と、
前記第1のリード端子と前記第1の電極パッドとを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
第2のリード端子と、
前記第2のリード端子と前記第2の電極パッドとを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと
を有し、
前記第1のクロックが前記第1のリード端子及び前記第1のボンディングワイヤを経由して前記第1の電極パッドに入力され、
前記第2のクロックが前記第2のリード端子及び前記第2のボンディングワイヤを経由して前記第2の電極パッドに入力される
ことを特徴とする請求項1から4までのいずれかに記載の半導体集積回路装置。
A first lead terminal;
A first bonding wire for electrically connecting the first lead terminal and the first electrode pad;
A second lead terminal;
A second bonding wire for electrically connecting the second lead terminal and the second electrode pad;
The first clock is input to the first electrode pad via the first lead terminal and the first bonding wire;
5. The device according to claim 1, wherein the second clock is input to the second electrode pad through the second lead terminal and the second bonding wire. 6. Semiconductor integrated circuit device.
請求項5に記載の半導体集積回路装置と同じ構成を有する第1の半導体集積回路装置と、
前記第1のクロック及び前記第2のクロックを出力する第2の半導体集積回路装置と、
前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第1のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第1のリード端子に供給するための第1のクロック用配線と、
前記第2の半導体集積回路装置から出力された前記第2のクロックを前記第1の半導体集積回路装置の前記第2のリード端子に供給するための第2のクロック用配線と
を有することを特徴とする信号処理装置。
A first semiconductor integrated circuit device having the same configuration as the semiconductor integrated circuit device according to claim 5;
A second semiconductor integrated circuit device for outputting the first clock and the second clock;
A first clock wiring for supplying the first clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the first lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device;
And a second clock wiring for supplying the second clock output from the second semiconductor integrated circuit device to the second lead terminal of the first semiconductor integrated circuit device. A signal processing device.
第1のクロック及び該第1のクロックと同じ周波数を持ち且つ極性が逆転した期間を有する第2のクロックを生成する第1の半導体集積回路装置と、
複数の集積回路ブロックを有するアナログフィルタ回路と、前記第1のクロックが入力される第1の電極パッドと、前記複数の集積回路ブロックと前記第1の電極パッドとを接続する配線ラインと、前記第1の電極パッドと隣り合う位置に備えられ、前記複数の集積回路ブロックと非接触であり、前記第2のクロックが入力される第2の電極パッドとを有し、前記第1の半導体集積回路装置の近傍に配置された第2の半導体集積回路装置と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
A first semiconductor integrated circuit device that generates a first clock and a second clock having the same frequency as the first clock and having a period in which the polarity is reversed;
An analog filter circuit having a plurality of integrated circuit blocks; a first electrode pad to which the first clock is input; a wiring line connecting the plurality of integrated circuit blocks and the first electrode pad; A second electrode pad provided adjacent to the first electrode pad, in contact with the plurality of integrated circuit blocks, to which the second clock is input, and the first semiconductor integrated circuit; A second semiconductor integrated circuit device disposed in the vicinity of the circuit device;
A semiconductor module comprising:
前記アナログフィルタ回路は、多重データを含むFMベースバンド信号からデジタルデータを抽出すること
を特徴とする請求項7に記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to claim 7, wherein the analog filter circuit extracts digital data from an FM baseband signal including multiplexed data.
前記第1の半導体集積回路装置が、前記アナログフィルタ回路により抽出されたデジタルデータに対して復号処理を行う復号回路を有する
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to claim 7, wherein the first semiconductor integrated circuit device includes a decoding circuit that performs a decoding process on the digital data extracted by the analog filter circuit.
前記第2の半導体集積回路装置が、
第1のリード端子と、
前記第1のリード端子と前記第1の電極パッドとを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
第2のリード端子と、
前記第2のリード端子と前記第2の電極パッドとを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと
を有し、
前記第1のクロックが前記第1のリード端子及び前記第1のボンディングワイヤを経由して前記第1の電極パッドに入力され、
前記第2のクロックが前記第2のリード端子及び前記第2のボンディングワイヤを経由して前記第2の電極パッドに入力される
ことを特徴とする請求項7から9までのいずれかに記載の半導体モジュール。
The second semiconductor integrated circuit device comprises:
A first lead terminal;
A first bonding wire for electrically connecting the first lead terminal and the first electrode pad;
A second lead terminal;
A second bonding wire for electrically connecting the second lead terminal and the second electrode pad;
The first clock is input to the first electrode pad via the first lead terminal and the first bonding wire;
The said 2nd clock is input into the said 2nd electrode pad via the said 2nd lead terminal and the said 2nd bonding wire. The any one of Claim 7 to 9 characterized by the above-mentioned. Semiconductor module.
前記第1の半導体集積回路装置から出力された前記第1のクロックを前記第2の半導体集積回路装置の前記第1のリード端子に供給するための第1のクロック用配線と、
前記第1の半導体集積回路装置から出力された前記第2のクロックを前記第2の半導体集積回路装置の前記第2のリード端子に供給するための第2のクロック用配線と
を有する
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体モジュール。
A first clock wiring for supplying the first clock output from the first semiconductor integrated circuit device to the first lead terminal of the second semiconductor integrated circuit device;
And a second clock wiring for supplying the second clock output from the first semiconductor integrated circuit device to the second lead terminal of the second semiconductor integrated circuit device. The semiconductor module according to claim 10.
前記第2のクロックは、前記第1のクロックの反転信号であることを特徴とする請求項7から11までのいずれかに記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to claim 7, wherein the second clock is an inverted signal of the first clock. 前記集積回路ブロックから前記第1の電極パッドまでの距離と前記第2の電極パッドまでの距離とがほぼ等しいことを特徴とする請求項7から12までのいずれかに記載の半導体モジュール。   13. The semiconductor module according to claim 7, wherein a distance from the integrated circuit block to the first electrode pad is substantially equal to a distance from the second electrode pad. 前記複数の集積回路ブロックの一つが、バンドパスフィルタ機能を持つ第1の集積回路ブロックであること
を特徴とする請求項7から13までのいずれかに記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to any one of claims 7 to 13, wherein one of the plurality of integrated circuit blocks is a first integrated circuit block having a band-pass filter function.
前記複数の集積回路ブロックの他の一つが、遅延検波機能を持つ第2の集積回路ブロックである
ことを特徴とする請求項7から14までのいずれかに記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to any one of claims 7 to 14, wherein the other one of the plurality of integrated circuit blocks is a second integrated circuit block having a delay detection function.
前記第2の半導体集積回路装置の近傍にはFMチューナを有する
ことを特徴とする請求項7から15までのいずれかに記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to claim 7, further comprising an FM tuner in the vicinity of the second semiconductor integrated circuit device.
前記FMチューナには、アンテナが接続されている
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to claim 16, wherein an antenna is connected to the FM tuner.
前記第2の半導体集積回路装置は、FMチューナ機能を有する集積回路をさらに有する
ことを特徴とする請求項7から15までのいずれかに記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to claim 7, wherein the second semiconductor integrated circuit device further includes an integrated circuit having an FM tuner function.
前記FMチューナ機能を有する集積回路には、アンテナが接続されている
ことを特徴とする請求項18に記載の半導体モジュール。
The semiconductor module according to claim 18, wherein an antenna is connected to the integrated circuit having the FM tuner function.
前記第2の半導体集積回路装置に形成される回路は、前記第2の電極パッドには接続されない
ことを特徴とする請求項7から19までのいずれかに記載の半導体モジュール。
20. The semiconductor module according to claim 7, wherein a circuit formed in the second semiconductor integrated circuit device is not connected to the second electrode pad.
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